본 실시 예의 반도체 메모리 소자 ( 1 ) 에 있 어서 프로그램 동작 은 선택 된 워드 라인 ( WL ) 과 수직 채널 ( 140 ) 사이 에 전 압차 를 설정 하 여 전하 를 정보 저 장막 ( 도 2 a 의 155 ) 에 주입 함 으로써 구현 될 수 있 다 . 일례 로 , 선택 된 워드 라인 ( WL ) 에 프로그램 전압 ( Vprog ) 을 인가 하 므로써 파울러 - 노던 하임 터널 링 현상 을 이용 하 여 수직 채널 ( 140 ) 으로부터 프로그램 하 고자 하 는 워드 라인 ( WL ) 에 속한 메모리 셀 ( 28 ) 의 정보 저 장막 으로 전자 를 주입 하 여 프로그램 을 구현 할 수 있 다 . 선택 된 워드 라인 ( WL ) 에 인가 된 프로그램 전압 은 비 선택 워드 라인 에 속한 메모리 트랜지스터 를 프로그램 시킬 수 있 으므로 , 부스 팅 기술 을 이용 하 여 의도 되 지 않 는 프로그램 을 방지 할 수 있 다 . 정보 저장 막 에 대해서 는 도 2 a 내지 2 f 를 참조 하 여 후술 한다 .