반도체 기판 상 에 식각 정지 패턴 을 형성 하 고 , 식각 정지 패턴 이 형성 된 반도체 기판 상 에 패드 기판 을 형성 한 후 , 패드 기판 을 선택 적 으로 식각 하 여 식각 정지 패턴 을 노출 시킨다 . 식각 정지 패턴 을 제거 하 여 트렌치 를 형성 한 후 , 렌치 에 의해 노출 된 반도체 기판 및 패드 기판 을 선택 적 으로 산화 시켜 트렌치 내벽 에 희생 라이너 막 을 형성 한 다음 희생 라이너 막 을 선택 적 으로 제거 한다 . 트렌치 내 에 리세 스 된 게이트 를 형성 하 는 반도체 소자 의 리세 스 게이트 형성 방법 을 제시 한다 .