그 외 에 DRAM 의 커패시터 를 불 휘발 성 을 지닌 물질 로 대체 한 반도체 메모리 장치 가 등장 하 고 있 다 . 강유전체 커패시터 를 이용 한 강유전체 램 ( ferroelectric RAM ; FRAM ) , 티 엠알 ( TMR ; tunneling magneto - resistive ) 막 을 이용한 마그네 틱 램 ( magnetic RAM ; MRAM ) , 그리고 칼코겐 화합물 ( chalcogenide alloys ) 을 이용 한 상 변화 메모리 장치 ( phase change memory device ) 등 이 있 다 . 특히 , 상 변화 메모리 장치 는 온도 변화 에 따른 상 변화 ( phase change ) , 즉 저항 변화 를 이용 한 불휘발성 메모리 장치 이 다 . 상 변화 메모리 장치 는 그 제조 과정 이 비교 적 간단 하 고 , 저 가로 대용량 의 메모리 를 구현 할 수 있 다 .