상기 3 층 레지스 트 프로세스 에 있 어서 의 레지스 트 상 층막 은 , 포지티브 형 이나 네거티브 형 어느 쪽 이 라도 좋 고 , 통상 이용 되 고 있 는 포토레지스트 조성물 과 같 은 것 을 이용 할 수 있 다 . 포토레지스트 조성물 을 스핀 코트 후 , 프리 베 이크 를 행하 는데 , 60 ∼ 180 ℃ 에서 10 ∼ 300 초 의 범위 가 바람직 하 다 . 그 후 통상 적 인 방법 에 따라 노광 을 행하 고 , 포스트 익스포저 베 이크 ( PEB ) , 현상 을 더 행하 여 , 레지스 트 　 패턴 을 얻 는다 . 또한 , 레지스 트 상 층막 의 두께 는 특별히 제한 되 지 않 지만 , 30 ∼ 500 nm 가 바람직 하 고 , 50 ∼ 400 nm 가 보다 바람직 하 다 .