골치 아픈 3 D 반도체 패키지 테스트 , 이 장비 로 깔끔 하 게 - KINEWS 
 자이스 ( ZEISS ) 가 FIB - SEM ( focused ion beam - scanning electron microscope ) 솔루션 으로 ' 자이스 크로스 빔 레이저 ( ZEISS Crossbeam Laser ) ' 를 추가 했 다 . / 자이스 
 최근 반도체 에서 가장 빠르 게 바뀌 고 있 는 게 후 공정 이 다 . 단일 실리콘 인터 포저 상 에 백만 개 의 입출력 ( I / O ) 이 연결 될 정도 로 밀도 가 높 아 지 고 있 고 인터 커넥트 도 마치 회로 선폭 처럼 축소 되 기 시작 했 다 . 적층 은 도처 에서 진행 되 고 있 다 . 이 같 은 변곡점 에서 가장 중요 한 건 테스트 다 . 
 자이스 ( ZEISS ) 는 FIB - SEM ( focused ion beam - scanning electron microscope ) 솔루션 으로 ' 자이스 크로스 빔 레이저 ( ZEISS Crossbeam Laser ) ' 를 추가 했 다고 5 일 밝혔 다 . 이미 몇몇 주요 글로벌 전자 제조사 가 자이스 크로스 빔 레이저 시스템 을 채택 했 다 . 
 이 제품 은 첨단 반도체 패키지 작업 의 패키지 불량 분석 ( FA ) 및 공정 최적화 속도 를 기존 대비 수십 분 의 1 로 줄인다 . 펨토 초 레이저 가 속도 를 높이 는 역할 을 하 고 , 갈륨 이온 ( Ga +) 빔 은 정확도 를 향상 시킨다 . 주사 전자 현미경 ( SEM ) 을 통합 , 나노 급 해상도 이미지 를 처리 한다 . 이 세 가지 부품 을 모두 내장 해 샘플 손상 을 최소 화 하 면서 도 가장 빠른 단면 분석 솔루션 을 제공 한다 . 
 자이스 크로스 빔 레이저 는 860 미크론 의 깊이 에 묻혀 있 는 코퍼 - 필라 ( copper - pillar ) 마이크 로 범프 의 빠른 단면 을 제공 한다 . 특히 고품질 의 이미 징 과 함께 결과 값 을 제공 하 는 데 1 시간 도 채 걸리 지 않 는다 . / 자이스 
 자이스 의 자이스 크로스 빔 레이저 는 독자 적 아키텍처 를 채택 하 고 있 다 . 구리 기둥 ( Cu - pillar ) 솔 더 범프 와 실리콘 관통 전극 ( TSV ) 처럼 깊숙이 매립 된 부분 의 연결 ( Interconnect ) 은 물론 트랜지스터 형성 ( FEOL ) 구조 및 배선 ( BEOL ) 구조 의 단면 확인 에 걸리 는 시간 을 수 분 으로 줄인다 . 타 솔루션 을 활용 하 면 수 시간 에서 수 일 까지 작업 시간 이 소요 된다고 회사 는 설명 했 다 . 
 또 진공 상태 에서 아티 팩 트 ( Artifact ) 를 최소 화 할 뿐 아니 라 샘플 품질 도 일관 성 있 게 유지 한다 . 불량 분석 외 구조 적 분석 ( SA ) , 구조 분석 ( CA ) , 리버스 엔지니어링 , 집속 이온 빔 단층 촬영 ( FIB Tomography ) 및 투과 전자 현미경 ( TEM ) 샘플 준비 등 에 활용 할 수 있 다 . 
 불량 분석 작업 은 패키지 공정 최적화 와 패키지 수율 향상 을 위한 첫 단계 다 . 보통 은 샘플 을 손상 시키 지 않 는 비파괴 방식 이 채택 되 는데 , 자이스 엑스 라디아 버사 3 D 엑스레이 현미경 ( ZEISS Xradia Versa 3 D X - ray microscope ) 장비 는 비 파괴 적 으로 결함 의 위치 를 시각 화 하 는 데 활용 된다 . 
 이렇게 불량 의 위치 를 파악 한 다음 파괴 적 인 물리 적 불량 분석 ( PFA ) 조치 를 통해 불량 의 근본 원인 을 확인 , 해결 할 수 있 다 . PFA 는 보통 기계 적 단면 분석 기법 이 활용 되 지만 , TSV 처럼 칩 에 깊숙이 구멍 이 뚫리 거나 하 는 구조 는 파악 하 기 어렵 고 결함 위치 에 정확히 도달 하 는 것 도 힘들 다 . 
 뿐 만 아니 라 BEOL 공정 에서 저 유전율 ( low - k ) 재료 처럼 깨 지기 쉬운 물질 을 적용 할 경우 , 단면 작업 으로 인해 아티 팩 트 가 점점 더 많이 발생 해 어떤 결함 이 칩 과 패키지 간 인터랙션 에 의해 발생 한 결함 인지 판별 하 기 가 어렵 다 . 
 플라 즈 마 FIB ( PFIB ) 가 하나 의 대안 이 될 수 있 지만 , 이 접근 법 은 펨토 초 레이저 에 비해 1 만 배 느려 현장 에서 요구 하 는 타임 프레임 으로 0 . 5 ㎣ 이상 의 절제 ( ablation ) 물량 을 소화 할 수 없 다 . 펨토 초 레이저 는 최대 1 ㎟ 의 실리콘 을 30 분 만 에 처리 한다 . 
 또 PFIB 는 고품질 TEM 샘플 준비 에 필요 한 분해능 성능 이 떨어지 며 , 반도체 패키지 에서 일반 적 인 탄소 계 물질 에 리본 아티 팩 트 를 유발 한다 . 
 독립 형 레이저 시스템 은 절제 시간 은 빠르 지만 , 열 에 영향 을 받 는 면적 이 넓 어 관심 영역 에 대한 손상 가능 성 이 크 고 아티 팩 트 제거 를 위한 연마 시간 이 늘어난다 . 또 FIB - SEM 과 의 통합성 이 부족 해 FA 작업 속도 가 더디 고 효율 성 이 떨어질 뿐 아니 라 , 분석 작업 전 에 공기 중 에 노출 되 면 산화 의 위험 성 도 있 다 . 
 자이스 의 자이스 크로스 빔 레이저 는 FIB 분해능 ( 3 nm 이하 ) 을 사용 해 정확 한 국부 엔드 포인팅 이 가능 하 다 . 레이저 밀링 과정 에서 발생 하 는 오염물 을 메인 이미 징 챔버 로부터 분리 함 , 이미지 해상도 를 최고 수준 으로 유지 하 면서 유지관리 비용 도 최소 화 하 는 독립 된 레이저 챔버 를 갖췄 다 . FIB - SEM 과 레이저 챔버 간 에 진공 을 유지 하 면서 챔버 간 손쉽 게 샘플 을 이동 시킬 수 있 다 . 
 실리콘 카바이드 와 유리 등 을 포함 한 대부분 물질 들 을 레이저 가공 할 수 있 다 . 
 라즈 자미 ( Raj Jammy ) 자이스 공정 제 어 솔루션 ( PCS ) 및 칼 자이스 SMT ( Carl Zeiss SMT , Inc . ) 의 사장 은 “ 이제 는 한 곳 에서 불량 이 발생 하 면 , 결함 을 격리 하 고 분석 하 기 가 예전 보다 훨씬 더 어렵 다 ” 며 “ 자이스 크로스 빔 레이저 제품군 은 FA 엔지니어 가 감당 해야 하 는 이러 한 압박 들 을 경감 해 줄 수 있 도록 설계 됐 다 " 고 말 했 다 . 
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