본 발명 은 노광 마스크 제조 방법 및 반도체 소자 에 관한 것 으로서 , 종래 기술 에 따른 위상 반전 마스크 는 마스크 를 구성 하 는 투명 기판 을 식각 하 여 위상 반전 패턴 을 형성 하 여 위상 반전 패턴 을 균일 하 게 형성 하 지 못하 고 , 위상 반전 패턴 형성 을 위해 사용 하 는 TiN 층 이 산화 되 어 반도체 소자 의 형성 공정 이 정상 적 으로 수행 되 지 못하 는 문제 를 해결 하 기 위하 여 , 위상 반전 패턴 형성 을 위한 위상 반전 용 식각 층 을 별도 로 구비 하 되 , 그 하부 에 는 산화 막 과 식각 선택 비 를 갖 는 실리콘 질화 막 을 더 형성 하 고 그 상부 에 는 루테늄 산화 막 과 같 은 정전기 방지 막 을 더 형성 함 으로써 , 정형 화 된 위상 반전 패턴 을 용이 하 게 형성 하 고 , 반도체 소자 의 동작 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 는 발명 에 관한 것 이 다 .