도 1 b 에 도시 하 는 반도체 장치 는 , 반도체 막 ( 106 ) , 게이트 절 연막 ( 107 ) , 게이트 전극 으로서 기능 하 는 제 1 도 전막 ( 108 ) , 반도체 막 ( 106 ) 을 보강 하 기 위한 보강 막 ( 103 ; 제 1 섬 형상 의 보강 막이 라고 도 함 ) , 보강 막 ( 109 ; 제 2 섬 형상 의 보강 막이 라고 도 함 ) 을 적어도 구비 하 는 박막 트랜지스터 ( 100 a , 100 b ) 를 갖 고 있 다 . 도 1 b 에 있 어서 , 반도체 막 ( 106 ) 의 적어도 일부 가 보강 막 ( 103 ) 과 보강 막 ( 109 ) 의 사이 에 끼워져 형성 되 어 있 다 . 또한 , 도 1 a 에 있 어서 , 보강 막 ( 109 ) 은 , 반도체 막 ( 106 ) 을 덮 도록 형성 되 어 있 다 .