먼저 복수 의 CMOS 이미지 센서 ( 110 ) 와 전극 패드 ( 120 ) 가 형성 된 실리콘 웨이퍼 기판 ( 140 ) 전면 에 필름 ( 130 ) 을 부착 한다 . 본 발명 에 따른 필름 은 PR ( Photo Resist ) 또는 DFR ( Dry Film Resistor ) 를 사용 할 수 있 다 . 필름 ( 130 ) 이 기판 ( 140 ) 전면 에 부착 되 면 패턴 이 형성 된 마스크 ( 미 도시 ) 를 통하 여 필름 ( 130 ) 상 에 빛 을 조사 하 고 이 를 현상 함 으로써 , 전극 패드 ( 120 ) 와 실리콘 웨이퍼 기판 ( 140 ) 의 일부 영역 이 노출 된 패턴 을 형성 한다 ( 도 4 ) . 본 발명 의 실시 예 에 따르 면 , 전극 패드 ( 120 ) 는 다 이싱 공정 에 의하 여 절단 되 어 제거 될 영역 인 사각형 의 점선 부분 의 다 이싱 스트리트 ( dicing street ) 에 형성 할 수 있 다 . 따라서 , 전기 도금 을 이용 하 여 비 아홀 내부 가 금속 으로 충 진 된 관통 전극 은 다 이싱 스트리트 와 인접 한 영역 까지 형성 할 수 있 다 .