도 42 의 단면도 ( 4200 ) 에 의해 예시 된 바 와 같이 , 제 2 더미 캐 핑 층 ( 4201 ) 이 메모리 영역 ( 104 m ) 및 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 위 에 형성 될 수 있 다 . 제 2 더미 캐 핑 층 ( 4201 ) 은 산화물 , 질화물 , 또는 임의 의 다른 적합 한 유전체 , 또는 전술 한 바 의 조합 등 일 수 있 다 . 제 2 더미 캐 핑 층 ( 4201 ) 을 형성 하 는 프로세스 는 , CVD , PVD 또는 임의 의 다른 적합 한 퇴적 프로세스 ( 들 ) 에 의해 제 2 더미 캐 핑 층 ( 4201 ) 의 재료 를 퇴적 하 고 , 그 후 에 로직 영역 ( 104 l ) 으로부터 제 2 더미 캐 핑 층 ( 4201 ) 을 제거 하 도록 포토레지스트 마스크 ( 4203 ) 를 사용 하 여 제 2 더미 캐 핑 층 ( 4201 ) 을 패 터닝 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 그 다음 , 포토레지스트 마스크 ( 4203 ) 가 스 트리핑 될 수 있 다 . 도 42 의 단면도 ( 4200 ) 에 의해 또한 예시 된 바 와 같이 , 더미 로직 게이트 전극 ( 3307 ) ( 도 41 참조 ) 을 제거 하 도록 에칭 이 수행 될 수 있 다 . 더미 로직 게이트 전극 ( 3307 ) 을 제거 하 기 위한 프로세스 는 제 2 더미 캐 핑 층 ( 4201 ) 이 마스크 로서 작용 하 는 에칭 프로세스 일 수 있 다 .