도 9 는 본 발명 의 제 4 실시 예 에 따른 가드 링 을 도시 한 단면도 이 다 . 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 의 제 4 실시 예 에 따른 가드 링 ( 400 ) 은 반도체 소자 의 기판 ( 46 ) 상 에 다수 로 적층 되 는 층간 절 연막 ( 41 , 42 , 43 , 44 ) 마다 형성 되 는 비 아홀 ( 41 d , 42 d , 43 d , 44 d ) 에 형성 되 는 금속 링 ( 410 , 420 , 430 , 440 ) 의 다수 적층 으로 형성 되 며 , 금속 링 ( 410 , 420 , 430 , 440 ) 각각 은 제 3 실시 예 와 마찬가지 로 단면 형상 이 역사 다리 꼴 형상 을 가지 되 , 단면 크기 , 특히 아랫변 이 서로 동일 하 다 . 따라서 , 비 아홀 ( 41 d , 42 d , 43 d , 44 d ) 이 서로 동일 한 규격 을 가짐 으로써 가드 링 ( 400 ) 의 제조 공정 을 단순 화 시킬 수 있 다 .