상기 와 같이 기판 상부 에 에 미터 를 형성 한 다음 , 에 미터 가 형성 된 캐소드 전극 상부 에 스 페이서 ( 205 ) 를 형성 한다 . 상기 스 페이서 의 형성 방법 은 레지스 트 를 상 기 게이트 전극 ( 103 ) 의 형성 위치 를 고려 하 여 에 미터 ( 101 ) 가 함침 되 도록 도포 한 다음 , 전자 빔 의 방출 영역 에 따라 스 페이서 가 형성 될 부분 이외 의 레지스 트 를 디벨로 퍼 ( developer ) 를 이용 하 여 제거 한다 . 다음 에 , 상기 스 페이서 형성 위치 에 있 는 레지스 트 를 250 ~ 400 ℃ 로 소결 하 여 스 페이서 ( 205 ) 를 형성 한다 . 이때 , 상기 레지스 트 는 스크린 프린팅 , 화학 기상 층 착 법 또는 스핀코팅 방법 으로 도포 한다 .