논 도프 의 아몰 퍼스 실리콘 막 ( 70 ) 은 , 그 막 두께 T 7 이 , 인접 하 는 부유 게이트 전극 간 거리 t 1 의 1 / 2 이상 으로 되 도록 성막 한다 . 논 도프 의 아몰 퍼스 실리콘 은 , 불순물 을 함유 한 아몰 퍼스 실리콘 보다 도 단 차부 에서 의 커버리지 가 양호 하 여 , 부유 게이트 전극 ( 100 a ) 과 소자 분리 절 연막 ( 50 ) 의 단차 부 에서 의 보이드 의 발생 을 방지 할 수 있 다 . 소자 의 미세화 가 진행 되 면 , 부유 게이트 전극 간 거리 t 1 에 대한 단차 치수 t 2 의 비율 이 더 커진다고 생각 되 므로 , 논 도프 의 아몰 퍼스 실리콘 을 하층 에 성막 함 으로써 , 효과 적 으로 보이드 의 발생 을 방지 할 수 있 다 .