도 12 a 의 전송 트랜지스터 ( TA 1 , TA 2 ) 는 상기 반도체 기판 ( 100 ) 에 형성 될 수 있 다 . 이 경우 에 , 상기 제 1 절연 층 ( 150 ) 이 상기 전송 트랜지스터 ( TA 1 , TA 2 ) 를 덮 는다 . 이 와 는 달리 , 상기 제 2 절연 층 ( 150 ') 상 에 다른 소자 반도체 층 이 형성 되 고 , 상기 다른 소자 반도체 층 에 상기 전송 트랜지스터 ( TA 1 , TA 2 ) 이 형성 될 수 있 다 . 이 경우 에 , 상기 노드 플러그 ( 210 ) 는 위 로 연장 되 어 상기 전송 트랜지스터 ( TA 1 , TA 2 ) 의 소스 영역 과 접속 한다 .