본 발명 의 일 태양 에 따르 면 , 등방성 에칭 공정 의 지속 기간 은 , 희생 재료 층 들 ( 142 , 242 ) 이 유전체 분리 영역 들 ( 150 , 250 ) 내 에서 제거 되 는 것 이 아니 라 유전체 분리 영역 들 ( 150 , 250 ) 의 외측 에서 제거 되 도록 선택 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 등방성 에칭 공정 의 지속 기간 은 , 등방성 에칭 공정 의 측 방향 에칭 거리 가 유전체 분리 영역 들 ( 150 , 250 ) 각각 과 가장 근위 의 후면 트렌치 들 ( 79 ) 의 각자 의 세트 사이 의 타깃 측 방향 분리 거리 와 동일 하 거나 실질 적 으로 동일 하 도록 선택 될 수 있 다 . 측 방향 에칭 거리 는 제 1 후면 트렌치 ( 79 A ) 의 제 1 후면 트렌치 세그먼트 들 ( 791 ) 과 가장 근접 한 제 2 후면 트렌치 ( 79 B ) 사이 의 측 방향 분리 거리 의 절반 보다 클 수 있 다 . 측 방향 에칭 거리 는 제 2 수평 방향 ( hd 2 ) 을 따라 제 1 교번 스택 ( 132 , 142 ) 내 의 각각 의 제 1 희생 재료 층 ( 142 ) 에 대한 또는 제 1 교번 스택 ( 132 , 142 ) 내 의 각각 의 제 1 절연 층 ( 132 ) 에 대한 수평 표면 들 을 제공 하 는 제 1 계단 행 들 ( 212 ) 의 각각 의 인접 세트 의 폭 의 절반 보다 클 수 있 고 , 제 2 수평 방향 ( hd 2 ) 을 따라 제 2 교번 스택 ( 232 , 242 ) 내 의 각각 의 제 2 희생 재료 층 ( 242 ) 에 대한 또는 제 2 교번 스택 ( 232 , 242 ) 내 의 각각 의 제 2 절연 층 ( 232 ) 에 대한 수평 표면 들 을 제공 하 는 제 2 계단 행 들 ( 222 ) 의 각각 의 인접 세트 의 폭 의 절반 보다 클 수 있 다 .