[ 17 ] [ 1 ] 내지 [ 14 ] 중 어느 하나 에 기재 된 약액 을 기판 상 에 도포 하 여 , 프리 웨트 가 완료 된 기판 을 얻 는 , 프리 웨트 공정 과 , 프리 웨트 가 완료 된 기판 상 에 , 감 활성 광선 성 또는 감방 사선 성 수지 조성물 을 이용 하 여 , 레지스 트 막 을 형성 하 는 , 레지스 트 막 형성 공정 과 , 레지스 트 막 을 노광 하 는 , 노광 공정 과 , 노광 된 레지스 트 막 을 , 현상액 을 이용 하 여 현상 하 는 현상 공정 을 포함 하 는 패턴 형성 방법 으로서 , 감 활성 광선 성 또는 감방 사선 성 수지 조성물 이 , 식 ( a ) 로 나타나 는 반복 단위 , 식 ( b ) 로 나타나 는 반복 단위 , 식 ( c ) 로 나타나 는 반복 단위 , 식 ( d ) 로 나타나 는 반복 단위 , 및 식 ( e ) 로 나타나 는 반복 단위 로 이루어지 는 군 으로부터 선택 되 는 적어도 1 종 의 반복 단위 로 이루어지 는 수지 를 함유 하 는 , 패턴 형성 방법 .