도 3 은 , 반도체 기판 ( 101 ) 의 단면 예 를 , 저해 층 ( 104 ) 으로 피복 되 는 피복 영역 의 개구 영역 ( 106 ) 에 형성 되 는 HBT 와 함께 나타낸다 . 반도체 기판 ( 101 ) 은 , Si 웨이퍼 ( 102 ) , 저해 층 ( 104 ) , Ge 층 ( 120 ) , 소자 형성 층 ( 124 ) 을 포함 한다 . 소자 형성 층 ( 124 ) 에 는 전자 소자 로서 HBT 가 형성 된다 . 또한 , 소자 형성 층 ( 124 ) 에 형성 되 는 전자 소자 로서 , 본 실시 형태 에서 는 HBT 를 예시 하 지만 , 이것 에 는 한정 되 지 않 는다 . 예컨대 , 발광 다이오드 , HEMT ( 고전 자 이동도 트랜지스터 ) , 태양 전지 , 박막 센서 등 의 전자 소자 가 형성 되 어도 좋 다 .