본 실시 예 에서 는 절연 표면 을 가지 는 기판 위 에 화소 회로 부를 구성 하 는 각 트랜지스터 를 제조 하 는 방법 에 대해 상세 하 게 설명 한다 . 우선 , 도 10 a 에 나타나 있 는 바 와 같이 , 기판 ( 701 ) 위 에 제 1 절 연막 ( 702 a ) 및 제 2 절 연막 ( 702 b ) 을 형성 한다 . 제 2 절 연막 ( 702 b ) 위 에 는 , 제 1 반도체 층 ( 703 ) , 제 2 반도체 층 ( 704 ) , 제 3 반도체 층 ( 705 ) , 제 4 반도체 층 ( 706 ) , 제 5 반도체 층 ( 707 ) 을 형성 한다 .