실시 예 1 에서 , 2 인치 사파이어 기판 상 에 GaN 나노 막대 층만 을 적층 한 상태 의 기판 에 대하 여 도 10 에서 와 같이 좌표 를 그린 다음 , x 측 좌표 의 일부 에 대한 전자 주사 현미경 사진 을 도 11 에 도시 하 였으며 , y 측 좌표 의 일부 에 대한 전자 주사 현미경 사진 을 도 12 에 도시 하 였 다 . 본 도면 을 참조 하 면 , 2 인치 기판 의 어느 영역 에서 나 커다란 유의 적 편차 가 없 는 균 일도 를 가지 고 GaN 나노 막대 가 형성 되 어 있 음 을 확인 할 수 있 다 .