이어서 , 상기 유기 반사 방지 막 상 에 제 1 포토레지스트 패턴 을 형성 한다 . 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( 120 ) 은 통상 의 노광 공정 으로 형성 되 는 포토레지스트 패턴 으로 상기 식각 대상 막 ( 108 ) 을 패 터닝 하 기 위한 식각 마스크 로 사용 하 기 위해 형성 된다 . 특히 , 본 실시 예의 상기 제 1 포토레지스트 ( 120 ) 는 결함 이 발생 된 포토레지스트 패턴 이 다 .