노블 셀 들 ( NC 1 내지 NCk ) 의 소거 동작 을 실시 한 후 , 메모리 셀 들 의 프로그램 동작 을 실시 한다 ( S 250 ) . 메모리 셀 들 ( CA 0 내지 CAn , CK 0 내지 CKn ) 의 프로그램 동작 도 ISPP 방식 으로 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 . 본 발명 에서 는 메모리 셀 들 을 ISPP 방식 으로 프로그램 할 때 제 어부 ( 150 ) 의 프로그램 속도 연산 부 ( 151 ) 에 의해 결정 된 초기 프로그램 전압 이 최초 로 인가 된다 . 또한 , LSB 프로그램 동작 과 MSB 프로그램 동작 을 실시 하 여 하나 의 메모리 셀 에 2 비트 의 데이터 를 저장 할 수 도 있 다 . 구체 적 으로 , 도 1 에서 제 1 스트링 ( ST 1 ) 의 메모리 셀 ( CA 0 ) 은 프로그램 될 셀 이 고 , 제 2 스트링 ( ST 2 ) 의 메모리 셀 ( CK 0 ) 은 프로그램 금지 셀 ( Program inhibited cell ) 인 경우 를 예 로써 설명 하 면 다음 과 같 다 .