도 2 c 에 도시 된 바 와 같이 , 주변 회로 영역 의 제 4 층간 절 연막 ( 46 ) 의 소정 영역 상 에 콘 택 마스크 ( 47 ) 를 형성 한다 . 콘 택 마스크 ( 47 ) 는 포토레지스트 ( Photoresist ) 를 사용 한다 . 이 때 , 메탈 콘 택 식각 공정 은 주변 회로 영역 에서 만 진행 되 므로 셀 영역 은 콘 택 마스크 ( 47 ) 로 덮혀 있 다 .