도 6 을 참조 하 면 , 상기 주형 구 조체 ( 100 ) 를 패 터닝 하 여 상기 개구부 들 ( 105 ) 로부터 이격 되 고 상기 제 1 희생 막 ( 111 ) 을 노출 하 는 트렌치 들 ( 200 ) 을 형성 할 수 있 다 . 본 실시 예 에서 , 상기 트렌치 들 ( 200 ) 은 상기 기판 ( 10 ) 을 노출 할 수 있 다 . 상기 트렌치 들 ( 200 ) 을 형성 하 는 단계 는 상기 주형 구 조체 ( 100 ) 의 상부 또는 상기 매립 절 연막 ( 180 ) 의 상부 에 식각 마스크 를 형성 한 후 , 상기 기판 ( 10 ) 의 상부 면 이 노출 될 때 까지 상기 식각 마스크 아래 의 막 들 을 이방성 식각 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 상기 제 1 반도체 막 ( 170 ) , 상기 수직 막 ( 150 ) 및 상기 매립 절 연막 ( 180 ) 이 패 터닝 되 어 상기 트렌치 들 ( 200 ) 의 상부 입구 를 정의 할 수 있 다 . 상기 이방성 식각 단계 에서 의 과도 식각 ( over - etch ) 의 결과 로서 , 도시 된 것 처럼 상기 기판 ( 10 ) 의 상기 트렌치 들 ( 200 ) 아래 의 부분 은 소정 의 깊이 로 리세 스 될 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 도시 된 것 처럼 , 한 쌍 의 트렌치 들 ( 200 ) 이 상기 개구부 들 ( 105 ) 의 양측 에 형성 될 수 있 다 .