도 11 b 및 도 12 b 를 참조 하 면 , 메모리 장치 ( 100 ) 는 복수 의 스트링 들 중 더미 스트링 ( 예 를 들 어 , 더미 홀 ( DH 1 ) 에 형성 되 는 더미 스트링 ) 에 대해 선택 적 으로 프리 - 프로그램 동작 을 수행 할 수 있 다 . 메모리 장치 ( 100 ) 는 셀 스트링 들 ( 예 를 들 어 , 메인 홀 들 ( H 11 , H 31 , H 61 , H 81 ) 각각 에 형성 되 는 셀 스트링 들 ) 에 는 프리 - 프로그램 동작 을 수행 하 지 않 을 수 있 다 . 메모리 장치 ( 100 ) 는 더미 비트 라인 ( DBL ) 에 비트 라인 프로그램 전압 ( Vbpro ) 을 인가 하 는 반면 , 셀 스트링 들 과 연결 되 는 비트 라인 들 ( BL 1 , BL 3 , BL 6 , BL 8 ) 에 는 프로그램 금지 전압 ( Vbinh ) 을 인가 할 수 있 다 . 비트 라인 들 ( BL 1 , BL 3 , BL 6 , BL 8 ) 에 프로그램 금지 전압 ( Vbinh ) 이 인가 되 면 , 워드 라인 에 프리 - 프로그램 전압 ( Vprepro ) 이 인가 되 어도 , 대응 하 는 메인 셀 들 ( MC ) 은 프리 - 프로그램 되 지 않 을 수 있 다 .