상술 한 실시 예 에 따른 웨이퍼 의 결함 측정 방법 은 자연 산화 막 을 불 산 을 이용 하 여 제거 한 후 일정 두께 의 화학 적 산화 막 을 형성 한 후 금속 오염 을 웨이퍼 의 면 내 에 드롭 ( drop ) 할 수 있 어서 , 금속 오염 된 웨이퍼 의 제조 과정 이 종래 에 비하 여 단순 하 고 비용 이 절감 될 수 있 다 . 상세 하 게 는 , 고농도 의 금속 을 웨이퍼 의 면 내 에 고르 게 오염 시키 기 위한 금속 박막 의 증착 과정 이 생략 되 고 추후 평가 를 위한 금속 박막 의 제거 과정 도 생략 될 수 있 다 . 또한 , 종래 에 는 금속 오염 용액 을 가열 한 후 웨이퍼 에 공급 하 는데 , 이때 반응 이 격렬 하 게 나타날 수 있 어서 안전 에 문제 가 발생 할 수 있 으나 , 본 실시 예 에서 는 이러 한 문제 가 발생 하 지 않 을 수 있 다 .