도 9 는 스핀 축적 토크 와 스핀 전달 토크 를 조합 한 MRAM 메모리 셀 의 다른 실시 예 를 도시 하 며 , 여기 서 편광 층 은 스핀 축적 층 아래 에 제조 된다 . 메모리 셀 ( 540 ) 은 MTJ ( 101 ) , 스핀 축적 층 ( 550 ) 및 편광 층 ( 552 ) 을 포함 한다 . 고정 된 자화 방향 을 갖 는 편광 층 ( 552 ) 은 스핀 축적 층 ( 550 ) 내 에 및 / 또는 아래 에 ( 그러나 그 로부터 분리 되 어 있 음 ) , 그리고 MTJ ( 101 ) 의 측면 에 위치 된다 . 편광 층 ( 552 ) 은 편광 층 ( 204 ) 과 동일 한 재료 로 제조 될 수 있 다 . MTJ ( 101 ) 는 스핀 축적 층 ( 550 ) 의 상부 상 에 위치 된다 . 단자 ( T 1 ) 는 핀 드 층 ( 102 ) 에 연결 되 고 , 단자 ( T 2 ) 는 편광 층 ( 552 ) 에 연결 된다 . 판독 은 도 8 과 관련 하 여 위 에서 논의 된 것 과 동일 한 방식 으로 수행 된다 . T 1 로부터 T 2 로 의 기록 전류 ( 554 ) 에 기초 하 여 , 기록 이 도 8 과 관련 하 여 위 에서 논의 된 것 과 동일 한 방식 으로 수행 된다 .