다음 으로 , 아몰 퍼스 실리콘 막 ( 40 ) 의 표면 에 , 도시 하 지 않 은 커버 절 연막 을 성막 하 고 , 그 후 예 를 들 면 600 [ ℃] 이상 의 질소 분위기 속 에서 열처리 하 고 , 그 후 상기 커버 절 연막 을 에칭 에 의해 모두 박리 한다 . 이 열처리 에 의해 , 제 2 층 째 의 인 을 함유 한 아몰 퍼스 실리콘 막 ( 40 ) 으로부터 제 1 층 째 의 아몰 퍼스 실리콘 막 ( 30 ) 내 에 인 을 고상 확산 시킴 과 함께 , 불순물 인 인 을 활성 화 시킨다 . 동시 에 아몰 퍼스 실리콘 을 다 결정 화 시킨다 . 이 에 의해 , 아몰 퍼스 실리콘 막 ( 30 , 40 ) 을 , 도 2 의 ( c ) 에 도시 한 바 와 같이 , 불순물 로서 인 을 함유 한 다결정 실리콘 막 ( 200 ) 으로 한다 .