메모리 장치 ( 2200 ) 는 , 제 어 로직 ( 2210 ) , 주변 회로 들 ( 2220 ) 및 메모리 셀 어레이 ( 2240 ) 를 포함 할 수 있 다 . 주변 회로 들 ( 2220 ) 은 , 전압 생성 회로 ( voltage generation circuit ; 2222 ) , 로우 디코더 ( row decoder ; 2224 ) , 입출력 회로 ( input / output circuit ; 2226 ) , 칼럼 디코더 ( column decoder ; 2228 ) , 페이지 버퍼 그룹 ( page buffer group ; 2232 ) 및 전류 센싱 회로 ( current sensing circuit ; 2234 ) 를 포함 할 수 있 다 .