도 1 을 참조 하 여 설명 하 면 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 는 금속 물질 로 형성 되 는 전극 ( 20 ) , 상기 전극 ( 20 ) 상 에 형성 되 고 , 산소 를 포함 하 지 않 는 제 1 실리콘 절 연막 ( 30 ) , 상기 제 1 실리콘 절 연막 ( 30 ) 상 에 형성 되 고 , 산소 를 포함 하 고 저 유전율 을 가지 는 제 2 실리콘 절 연막 ( 40 ) , 상기 제 2 실리콘 절 연막 ( 40 ) 상 에 형성 되 고 , 산소 를 포함 하 지 않 는 제 3 실리콘 절 연막 ( 50 ) 을 포함 할 수 있 다 .