반도체 공정 중 에 , 다양 한 반응물 증기 가 반응 챔버 내 에 공급 된다 . 일부 응용 분야 에서 , 반응물 가스 는 반응물 소스 용기 에서 가스 형태 로 저장 된다 . 이러 한 응용 에서 , 반응물 증기 는 주위 압력 과 온도 에서 주로 가스 형태 이 다 . 그러나 , 일부 경우 에서 주위 압력 과 온도 에서 액체 또는 고체 인 소스 화학 물질 의 증기 가 사용 된다 . 이 들 물질 은 기상 증착 과 같 은 반응 공정 동안 , 충분 한 양 의 증기 를 생성 하 도록 가열 될 수 있 다 . 반도체 산업 용 화학 기상 증착 ( CVD ) 은 반응물 증기 의 연속 스트림 을 요청 할 수 있 고 , 원자 층 증착 ( ALD ) 은 구성 에 따라 연속 스트림 또는 펄스 공급 을 요청 할 수 있 다 . 두 경우 모두 , 공정 에 대한 주 입량 및 효과 를 제어 하 기 위해 , 단위 시간 당 또는 펄스 당 공급 된 반응물 의 양 을 일부 정확 하 게 아 는 것 이 중요 할 수 있 다 .