도 29 a 와 도 29 b 는 일 실시 형태 에 있 어서 상이 한 단면 에 따른 제조 단계 에서 의 FinFET 디바이스 ( 100 E ) 의 단면도 를 도시 한다 . 도 29 a 와 도 29 b 의 실시 형태 는 도 28 a 와 도 28 b 의 실시 형태 와 유사 하 다 . 그러나 , 도 28 a 와 도 28 b 의 일 실시 형태 와 달리 , P 타입 일함수 층 ( 84 ) 은 핀 ( 64 B ) 의 제 2 측벽 에 근접 한 위치 에서 P 타입 일함수 층 ( 84 ) 에 인접 해 있 지 않 다 . 대신 에 , P 타입 일함수 층 ( 83 및 84 ) 사이 에 갭 이 존재 하 고 , 그 결과 , N 타입 일함수 층 ( 85 ) 은 핀 ( 64 B ) 의 제 2 측벽 ( 예컨대 , 도 29 a 의 좌측 측벽 ) 에 근접 한 위치 에서 갭 을 충전 한다 .