상기 캐 핑 막 ( CPL ) 은 상기 전 하저 장막 ( CL ) 또는 상기 희생 막 ( 130 ) 에 대해 식각 선택 성 을 제공 할 수 있 는 물질 일 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 희생 막 ( 130 ) 이 실리콘 질화 막인 경우 , 상기 캐 핑 막 ( CPL ) 은 실리콘 산화 막 일 수 있 다 . 이 경우 , 상기 리세 스 영역 들 ( 210 ) 을 형성 하 기 위한 상기 희생 막 ( 130 ) 의 제거 공정 에서 , 상기 캐 핑 막 ( CPL ) 은 상기 전 하저 장막 ( CL ) 의 식각 손상 을 방지 하 는 식각 정지 막 으로 기능 할 수 있 다 . 한편 , 도 41 , 46 , 48 내지 49 , 54 , 및 56 에 도시 된 것 처럼 , 상기 캐 핑 막 ( CPL ) 이 상기 도전 패턴 ( 230 ) 과 상기 전하 저 장막 ( CL ) 사이 에 잔존 하 는 경우 , 상기 캐 핑 막 ( CPL ) 은 상기 전 하저 장막 ( CL ) 에 저장 되 는 전하 의 누출 ( 예 를 들 면 , 백 - 터널 링 ; back - tunneling ) 을 방지 하 는 데 기여 할 수 있 는 물질 로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 캐 핑 막 ( CPL ) 은 실리콘 산화 막 및 고유 전막 들 중 의 하나 일 수 이 었 다 .