플라 즈 마 CVD 법 은 , 통상 의 열평형 하 에서 는 고온 을 필요 로 하 는 화학 반응 이 저온 에서 행할 수 있 는 이점 을 가진다 . 플라 즈 마 발생 법 으로서 는 , 용량 결합 형 과 유도 결합 형 의 2 가지 를 예 로 들 수 있 다 . 반응 가스 로서 는 , 예 를 들 면 , Si 원 으로서 SiH 4 , 산소 원 으로서 N 2 O 를 사용 한 SiH 4 - N 2 O 계 가스 , 및 테트라 에 톡 시 실란 ( TEOS ) 을 Si 원 으로 사용 한 TEOS - O 2 계 가스 ( TEOS - 플라 즈 마 CVD 법 ) 가 있 다 . 기판 온도 는 250 ∼ 400 ℃ 의 범위 가 바람직 하 고 , 반응 압력 은 67 ∼ 400 Pa 의 범위 가 바람직 하 다 .