도 5 e 를 참조 하 면 , 상기 경화 된 감광막 패턴 ( 208 a ) 의 제거 에 의해 노출 된 감광막 패턴 ( 208 ) , 즉 경화 되 지 않 은 감광막 패턴 ( 208 ) 을 선택 적 으로 제거 한다 . 상기 감광막 패턴 ( 208 ) 은 포지티브 포토레지스트 로 이루어져 있 으므로 , 신나 ( thinner ) 를 솔 벤트 ( solvent ) 로 사용 하 는 습식 각 공정 을 통해 제거 하 는 것 이 바람직 하 다 .