상기 충전 반도체 패턴 ( 160 b ) 및 게터 링 영역 ( 165 b ) 은 도 1 b 의 충전 반도체 패턴 ( 160 a ) 및 게터 링 영역 ( 165 b ) 으로 대체 될 수 있 다 . 이 경우 에 , 도 1 b 의 충전 반도체 패턴 ( 160 a ) 은 제 2 활성 영역 ( 103 b ) 의 상부 면 과 접촉 할 수 있 다 . 이 와 는 다르 게 , 상기 도 1 b 의 충전 반도체 패턴 ( 160 a ) 은 상기 소자 분리 막 ( 102 ') 과 접촉 할 수 도 있 다 . 이 경우 에 , 상기 제 2 활성 영역 ( 103 b ) 은 요구 되 지 않 는다 .