한편 , 제 2 포토 레지스 트 ( PR 2 ) 의 폭 은 제 1 게이트 전극 ( 310 ) 의 폭 과 실질 적 으로 동일 하 고 , 제 3 포토 레지스 트 ( PR 3 ) 의 폭 은 제 2 게이트 전극 ( 410 ) 의 폭 과 실질 적 으로 동일 할 수 있 다 . 반면 , 제 1 포토 레지스 트 ( PR 1 ) 의 폭 은 제 2 포토 레지스 트 ( PR 2 ) 의 폭 보다 크 거나 작 을 수 있 다 . 제 1 포토 레지스 트 ( PR 1 ) 의 폭 이 제 2 포토 레지스 트 ( PR 2 ) 의 폭 보다 클 경우 , 도면 과 같이 제 2 포토 레지스 트 ( PR 2 ) 를 따라 형성 된 제 1 산화물 층 ( 370 ) 의 폭 은 제 1 게이트 전극 ( 310 ) 의 폭 과 동일 할 수 있 다 . 제 1 산화물 층 ( 370 ) 은 제 1 게이트 전극 ( 310 ) 이 상면 에 만 배치 되 고 양 측면 은 노출 되 며 , 상기 양 측면 은 이후 에 형성 되 는 제 1 층간 절 연막 ( 160 ) 과 접촉 할 수 있 다 . 후속 공정 에서 형성 되 는 제 1 활성 층 ( 350 ) 의 채널 영역 ( 350 c ) 의 폭 은 제 1 게이트 전극 ( 310 ) 의 폭 과 동일 하 게 되 고 , 제 1 산화물 층 ( 370 ) 의 폭 과 도 실질 적 으로 동일 할 수 있 다 .