부가 의 예 에서 , 게이트 전극 ( 110 ) 은 금속 게이트 전극 이 고 , 게이트 유전체 층 ( 108 ) 은 하이 - k 유전체 재료 층 이 다 . 이러 한 실시 예 에서 , 게이트 스택 구조물 은 , 도 2 a 에 보이 는 바 와 같이 , 캡 핑 층 ( 202 ) , 일함수 층 ( 204 ) , 시드 층 ( 206 ) , 및 충전 금속 ( 208 ) 을 더 포함 할 수 있 다 . 도 2 a 는 도 1 에 도시 된 라인 A - A ’ 을 따라 취한 단면 도임 을 유의 하 여야 한다 . 도 2 a 는 또한 , 게이트 스택 구조물 의 대향 측벽 상 에 형성 된 스 페이서 ( 112 ) 를 도시 한다 . 도 2 a 의 예 에서 , 게이트 유전체 층 ( 108 ) 은 , 대략 3 . 9 인 SiO 2 의 유전 상수 보다 큰 유전 상수 를 갖 는 유전체 재료 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 게이트 유전체 층 ( 108 ) 은 약 18 내지 약 40 범위 내 의 유전 상수 를 갖 는 하프늄 산화물 ( HfO 2 ) 을 포함 할 수 있 다 . 다양 한 다른 예 로서 , 게이트 유전체 층 ( 108 ) 은 , ZrO 2 , Y 2 O 3 , La 2 O 5 , Gd 2 O 5 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , HfErO , HfLaO , HfYO , HfGdO , HfAlO , HfZrO , HfTiO , HfTaO , SrTiO , 금속 질화물 , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 게이트 유전체 층 ( 108 ) 은 분자 빔 증착 ( MBD ; molecular beam deposition ) , CVD , PECVD , PVD , ALD , 또는 이 들 의 조합 과 같 은 임의 의 적합 한 프로세스 에 의해 형성 될 수 있 다 . 게이트 유전체 층 ( 108 ) 은 , 핀 구조물 ( 104 ) 의 채널 영역 과 하이 - k 유전체 층 사이 에 형성 된 , 실리콘 산화물 과 같 은 계면 층 을 더 포함 할 수 있 다 .