한 실시 양태 에서 , CH 1 의 힌지 영역 은 힌지 영역 내 시스테인 잔기 의 수 가 변경 되 도록 , 예 를 들 어 증가 또는 감소 되 도록 변형 된다 . 이러 한 접근 법 은 미국 특허 번호 5 , 677 , 425 ( Bodmer et al . ) 에 추가 로 기재 되 어 있 다 . CH 1 의 힌지 영역 내 의 시스테인 잔기 수 는 , 예 를 들 어 경쇄 및 중쇄 의 어셈블리 를 용이 하 게 하 거나 항체 의 안정 성 을 증가 또는 감소 시키 도록 변경 된다 .