상기 화소 전극 ( 103 ) 은 상측 에 있 는 전단 게이트 라인 ( 111 ) 과 일부 오버랩 되 어 있 는데 , 상기 전단 게이트 라인 ( 111 ) 과 오버랩 되 어 있 는 화소 전극 ( 103 ) 을 B 부위 처럼 레이저 로 조사 하 여 서로 쇼트 시키 는 리 페어 를 수행 한다 . 이 때 는 , 상기 전 단 게이트 라인 ( 111 ) 과 화소 전극 ( 103 ) 이 오버랩 되 어 있 는 부분 의 소정 부분 을 선택 적 으로 조사 하 여 , 도 7 과 같이 , 조사 부위 의 상기 전단 게이트 라인 ( 111 ) 과 화소 전극 ( 103 ) 사이 의 층간 의 게이트 절 연막 ( 104 ) 및 보호막 ( 106 ) 을 파괴 하 여 , 레이저 조사 시 에너지 에 의해 상기 전단 게이트 라인 ( 111 ) 표면 까지 상부 에 있 는 상기 화소 전극 ( 103 ) 이 녹아내려 들어가 게 되 어 상기 화소 전극 ( 103 ) 과 상기 전단 게이트 라인 ( 111 ) 이 쇼트 ( short ) 된다 .