도 4 d 에 도시 한 바 와 같이 , 신 틸레 이터 층 ( 32 ) 및 광전 변환 기판 ( 2 ) 을 포함 하 여 표면 전체 를 덮 는 , 또한 제 1 보호 층 ( 31 ) 과 동일 한 방법 으로 또 동일 한 물질 의 제 2 보호 층 ( 33 ) 을 형성 한다 . 이 에 의해 제 2 보호 층 ( 33 ) 의 주변 부 ( 33 a ) 가 제 1 보호 층 ( 31 ) 의 주변 부 ( 31 a ) 에 밀착 하 고 , 이 들 제 1 보호 층 ( 31 ) 과 제 2 보호 층 ( 33 ) 과 의 사이 에 신 틸레 이터 층 ( 32 ) 을 완전히 밀폐 한다 .