본 발명 의 실시 예 들 에 있 어서 , 기판 ( 100 ) 에 는 소정 의 불순물 이 주입 되 어 형성 되 는 콘 택 영역 ( 도시 되 지 않 음 ) 이 형성 될 수 있 다 . 또한 , 기판 ( 100 ) 상 에 는 도전 막 패턴 , 절 연막 패턴 , 패드 , 전극 , 스 페이서 , 게이트 구조물 및 / 또는 트랜지스터 를 포함 하 는 하부 구조물 ( 도시 되 지 않 음 ) 이 형성 될 수 있 다 .