이후 , n + 비정질 실리콘 ( 135 a ) 층 에 잔류 하 는 포토레지스트 패턴 ( 350 a ) 을 스트립 공정 을 통해 제거 함 으로써 , 도 10 d 에 도시 된 바 와 같이 , 박막 트랜지스터 ( 140 ) 의 채널 영역 및 데이터 패드 ( 190 ) 상 에 활성 층 ( 134 ) 및 오 믹 접촉 층 ( 135 ) 으로 구성 된 반도체 패턴 을 형성 한다 .