또한 , 상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 다른 측면 에 따른 본 발명 은 , 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터 사이 에 직렬 접속 된 복수 개 의 메모리 셀 로 이루어진 복수 개 의 스트링 을 포함 하 고 , 상기 복수 개 의 스트링 내 에 각각 포함 된 상기 제 2 선택 트랜지스터 의 접합 영역 을 서로 연결 하 는 공통 소스 라인 을 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 에 있 어서 , 상기 공통 소스 라인 과 중첩 되 는 영역 에 형성 된 제 1 라인 패턴 과 , 상기 제 1 라인 패턴 을 경계 로 양 갈래 로 갈라진 복수 개 의 제 2 라인 패턴 을 포함 하 는 활성 영역 을 정의 하 는 단계 와 , 상기 기판 상 에 상기 제 2 라인 패턴 을 직교 하 는 방향 으로 신장 되 도록 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터 용 게이트 전극 과 , 상기 복수 개 의 메모리 셀 용 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 게이트 전극 사이 로 노출 된 상기 활성 영역 에 접합 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 라인 패턴 에 형성 된 접합 영역 과 접속 되 도록 상기 공통 소스 라인 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .