상기 한 바 와 같이 , 상면 ( W 2 a ) 에 제 1 배선 층 ( L 1 ) 이 형성 된 웨이퍼 ( W ) 의 제 1 배선 층 ( L 1 ) 위 에 절연 층 을 형성 하 는 본 발명 에 따른 절연 층 형성 방법 은 , 웨이퍼 ( W ) 의 상면 ( W 2 a ) 에 형성 된 제 1 배선 층 ( L 1 ) 의 상면 ( L 1 a ) 및 웨이퍼 ( W ) 의 상면 ( W 2 a ) 에 감광성 열 경화 수지 ( J 1 ) 를 도포 하 는 도포 공정 과 , 감광성 열 경화 수지 ( J 1 ) 의 미리 정해진 영역 ( J 1 c ) 에 광 ( 12 ) 을 조사 하 여 영역 ( J 1 c ) 을 변질 시키 는 변질 공정 과 , 변질 공정 에서 변질 된 영역 ( J 1 c ) 의 변질 수지 ( J 1 d ) 를 용해 시키 는 약액 ( 23 ) 을 변질 수지 ( J 1 d ) 에 공급 하 여 변질 수지 ( J 1 d ) 를 녹인 후 , 세 정수 ( 24 ) 를 웨이퍼 ( W ) 에 공급 하 여 변질 수지 ( J 1 d ) 를 제거 하 는 제거 공정 과 , 제거 공정 이 실시 된 웨이퍼 ( W ) 를 밀폐 가능 한 챔버 ( 4 ) 에 수용 시키 고 , 챔버 ( 4 ) 를 밀폐 하 여 챔버 ( 4 ) 내 를 무산소 로 하 는 무산소 환경 형성 공정 을 구비 하 고 , 또한 , 무산소 환경 형성 공정 에서 무산소 가 된 챔버 ( 4 ) 내 에 수용 되 어 있 는 웨이퍼 ( W ) 를 가열 하 여 감광성 열 경화 수지 ( J 1 ) 를 열 경화 시켜 절연 층 을 형성 하 는 열 경화 공정 을 실시 함 으로써 , 제 1 배선 층 ( L 1 ) 의 제 2 배선 층 과 의 접속 부분 ( L 1 c ) 에 산화 막 을 형성 시키 지 않 도록 할 수 있 다 . 또한 , 챔버 ( 4 ) 내 에 웨이퍼 ( W ) 를 예컨대 1 장 수용 한 상태 로 절연 층 을 형성 시키 기 위해 , 감광성 열 경화 수지 ( J 1 ) 를 열 경화 시키 고 나 서 웨이퍼 ( W ) 를 상온 까지 냉각 할 때 에 챔버 ( 4 ) 내 의 무산소 환경 을 용이 하 게 유지 할 수 있 다 .