본 발명 은 STI ( Shallow Trench Isolation ) 공정 을 통해 형성 된 소자 분리 막 을 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 이 를 위해 본 발명 은 기판 상 에 형성 된 터널 링 절 연막 과 , 상기 터널 링 절 연막 상 에 형성 된 플로팅 게이트 와 , 상기 터널 링 절 연막 의 양측 부 와 중첩 되 도록 상기 플로팅 게이트 의 양측 부 에 형성 된 전하 이동 방지 막 을 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 를 제공 한다 .