일부 실시 예 들 에서 , p - 타입 콘택트 층 ( 28 ) 은 고농도 로 도핑 된 GaP 또는 격자 정합 된 AlGaInP 층 이 다 . 이 층 은 반도체 재료 를 성장 시키 고 , 그 후 성장 된 층 위 에 , 도 펀트 소스 를 포함 하 는 , 층 을 증착 시키 는 것 에 의해 도핑 된다 . 예 를 들 면 , 도 펀트 소스 층 은 원소 Zn , AuZn 합금 , 또는 도핑 된 유전체 층 일 수 있 다 . 도 펀트 소스 를 포함 하 는 층 은 옵션 으로 확산 저지 층 ( diffusion blocking layer ) 으로 덮일 수 있 다 ( capped ) . 그 구조 는 도 펀트 들 이 도 펀트 소스 층 으로부터 반도체 층 안 으로 확산 하 도록 어닐링 된다 . 확산 저지 층 및 남 아 있 는 도 펀트 소스 층 은 그 후 벗겨진다 . 하나 의 예 에서 는 , 4 % Zn 을 포함 하 는 3000 Å 내지 5000 Å 의 AuZn 합금 이 GaP 층 위 에 증착 되 고 , 그 후 TiW 확산 저지 층 이 증착 된다 . 그 구조 는 가열 되 고 , 그 후 남 아 있 는 TiW 및 AuZn 은 벗겨진다 .