제 1 콘 택 홀 ( CNT 1 ) 은 한 번 의 마스크 공정 을 통해 형성 된다 . 제 1 콘 택 홀 ( CNT 1 ) 영역 의 투명 전극 ( 160 ) 은 습식 식각 공정 에 의해 제거 되 고 , 제 1 콘 택 홀 ( CNT 1 ) 영역 의 제 2 절 연막 ( 150 ) 은 건식 식각 공정 에 의해 제거 된다 . 본 실시 예 에서 는 , 제 2 절 연막 ( 150 ) 을 건식 식각 할 때 , 과잉 식각 ( over etch ) 을 통해 제 1 콘 택 홀 ( CNT 1 ) 에 의해 노출 된 드레 인 전극 ( 146 ) 의 상부 몰리브덴 층 ( 140 c ) 을 같이 제거 한다 .