다음 으로 본 발명 의 제 9 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 를 설명 한다 . 도 37 은 제 9 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 의 블록 도 이 다 . 제 9 실시 예 에서 , R / W 회로 ( 8 ) 는 , 제 1 실시 예 와 는 달리 , 메모리 셀 어레이 의 근처 에 분산 배치 된 일부 회로 ( 8 b ) 및 중심 에 배치 된 나머지 회로 ( 8 a ) 를 포함 한다 . 제 1 실시 예 와 동일 한 요소 들 에 는 동일 한 참조 번호 들 을 부여 한다 .