그리고 , 도 3 a 의 공정 에서 사용 된 저장 전극 콘 택 마스크 보다 저장 전극 콘 택 영역 이 크 게 설계 된 저장 전극 콘 택용 제 2 노광 마스크 ( 미 도시 ) 를 이용 한 노광 및 현상 공정 으로 제 2 감광막 ( 57 ) 패턴 을 형성 함 으로써 저장 전극 콘 택 영역 의 외측 으로 높 아 지 는 제 1 감광막 ( 55 ) 패턴 및 제 2 감광막 ( 57 ) 패턴 의 계단 형 적층 구조 를 형성 한다 .