다시 , 도 2 b 를 참조 하 면 , 통상 의 비휘발성 메모리 장치 에 는 제 2 경로 ( ②) 가 없 어 전하 가 이동 할 때 반드시 소오 스 영역 ( 16 ) 을 경유 하 여야 하 므로 소오 스 라인 의 저항 이 클 수 밖 에 없 었 다 . 디자인 룰 의 감소 에 의해 메모리 셀 의 크기 가 감소 함 에 따라 ( 즉 , 소오 스 라인 ( 18 ) 의 폭 이 감소 하 고 , 트렌치 ( 12 ) 의 깊이 가 커짐 에 따라 ) 소오 스 라인 ( 18 ) 의 저항 은 더욱 커 지 게 된다 . 따라서 , 소오 스 활성 영역 ( 15 ) 에서 멀리 떨어진 셀 일수록 감지 되 는 셀 전류 의 크기 가 낮 게 나타난다 . 즉 , 소오 스 활성 영역 ( 15 ) 에 가까운 셀 에서 감지 되 는 셀 전류 의 크기 와 멀리 떨어진 셀 에서 감지 되 는 셀 전류 의 크기 의 차이 가 크 기 때문 에 메모리 장치 의 신뢰 성 이 저하 될 수 있 다 . 그러나 , 본 발명 의 일 실시 에 에 따른 메모리 장치 에서 는 소오 스 영역 ( 16 ) 아래 에 전하 가 이동 할 수 있 는 별도 의 통로 , 즉 제 2 경로 ( ②) 가 있 어 , 소오 스 라인 ( 18 ) 의 저항 이 대폭 감소 된다 . 따라서 , 메모리 셀 의 위치 에 상관없이 감지 되 는 셀 전류 의 크기 도 거의 동일 하 게 나타난다 .