도 4 a 를 참조 하 여 설명 하 면 , 비정질 실리콘 상 에 조사 되 는 레이저 빔 은 비정질 실리콘 을 용융 시키 고 고상 화 시키 기 위하 여 최적 화 하 여 길이 가 365 nm 내지 1100 nm 이 고 , 폭 ( d 1 ) 이 5 ㎛ 내지 20 ㎛ 인 면적 을 가지 는 반면 에 , ELA 는 빔 의 폭 이 400 ㎛ 인 레이저 를 사용 한다 . 그러므로 디렉 셔 널 결정 화법 에서 사용 하 는 레이저 의 폭 이 더 얇 고 긴 레이저 빔 이 라 할 수 있 다 .