상세히 설명 하 면 , 제 1 및 제 2 마스크 패턴 들 ( 142 , 172 ) 은 건식 식각 또는 습식 식각 공정 에 의해 제거 될 수 있 다 . 이 때 , 제 1 및 제 2 마스크 패턴 들 ( 142 , 172 ) 은 제 1 및 제 2 희생 패턴 들 ( 132 , 164 ) 에 대해 높 은 식각 선택 비 를 가지 므로 , 제 1 및 제 2 희생 패턴 들 ( 132 , 164 ) 상 에서 제 1 및 제 2 마스크 패턴 들 ( 142 , 172 ) 을 선택 적 으로 제거 할 수 있 다 .