일 실시 예 에 따르 면 , 일 방향 으로 연장 형성 되 는 복수 의 수직 스트링 들 - 상기 복수 의 수직 스트링 들 각각 은 , 상기 일 방향 으로 연장 형성 되 는 채널 층 및 상기 채널 층 을 둘러싸 도록 상기 일 방향 으로 연장 형성 되 는 전하 저장 층 으로 구성 됨 - 을 포함 하 는 3 차원 플래시 메모리 의 제조 방법 은 , 서로 다른 단면적 을 갖 는 적어도 두 개 이상 의 그룹 들 로 그룹 핑 되 는 상기 복수 의 수직 스트링 들 에 대해 , 상기 그룹 별로 서로 다른 식각 공정 들 을 수행 하 여 상기 복수 의 수직 스트링 들 이 생성 될 복수 의 수직 홀 들 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .