도전체 층 ( 150 ) 은 홈 ( 130 ) 의 내 측면 ( 131 ) 하단 부터 상단 까지 반도체 기판 ( 110 ) 의 면 을 따라 형성 된다 . 도 8 및 도 10 에 도시 된 바 와 같이 , 제 2 절연 층 ( 120 b ) 를 둘러싸 는 제 2 홈 ( 130 b ) 의 내면 측면 을 따라 제 2 도전 층 ( 150 b ) 가 형성 될 수 있 다 . 전기 신호 가 캐 패 시터 상부 전극 ( 140 ) 과 캐 패 시터 하부 전극 ( 반도체 기판 ( 110 ) ) 사이 를 통과 하 는 과정 에서 , 전기 신호 가 전기전도도 가 낮 은 캐 패 시터 하부 전극 ( 반도체 기판 ( 110 ) ) 을 통과 하 기 보다 도전체 층 ( 150 ) 을 따라 전달 되 어 , 엠아이에스 캐 패 시터 의 품질 지수 ( Q ) 를 향상 시키 는 이점 이 있 다 .