일반 적 으로 반도체 집적회로 나 액정 표시 장치 등 의 제 조시 일반 적 으로 미세 패턴 을 가공 하 기 위하 여 리소그래피 방법 이 사용 되 는데 , 반도체 집적회로 나 액정 표시 장치 업계 의 특성 상 더욱 미세 한 패턴 을 형성 할 수 있 는 기술 이 지속 적 으로 요구 되 고 있 으며 이 에 따라 더욱 미세 한 패턴 의 포토 마스크 가 요구 되 고 있 다 . 블랭크 마스크 및 포토 마스크 의 일반 적 인 제조 방법 은 투명 기판 ( 1 ) 또는 투명 기판 ( 1 ) 에 위상 반전 막 ( 6 ) 이 적층 된 기판 위 에 차광막 ( 2 ) 과 반사 방지 막 ( 3 ) 을 적층 한 다음 포토레지스트 를 코팅 한 후 포토레지스트 에 노광 , 현상 , 식각 및 스트립 공정 을 통하 여 패턴 을 형성 하 게 되 는데 , 종래 의 블랭크 마스크 및 포토 마스크 는 포토레지스트 의 두께 가 두껍 기 때문 에 포토레지스트 에 동일 한 크기 로 노광 되 더라도 식각 시 마이크 로 로딩 효과 ( Micro Loading Effect ) 에 의하 여 도 1 에 도시 된 바 와 같이 단독 패턴 ( 100 a , Isolation Pattern ) 과 조밀 패턴 ( 100 b , Dense Pattern ) 의 패턴 크기 가 서로 달라지 는 문제점 이 있 었 다 .