예 를 들 어 , 특허 문헌 1 에 는 , 노 광광 을 차광 하 는 차광 영역 과 , 노 광광 을 투과 하 는 투광 영역 과 , 노 광광 의 일부 를 투과 하 는 반 투광 영역 을 갖 는 다 계조 포토 마스크 가 기재 되 어 있 다 . 이러 한 다 계조 포토 마스크 를 사용 하 여 피전 사체 상 의 레지스 트 막 ( 포지티브 형 포토레지스트 ) 에 원하 는 패턴 을 전사 하 는 경우 , 반 투광 영역 을 통하 여 조사 되 는 노 광광 의 광량 은 , 투광 영역 을 통하 여 조사 되 는 노 광광 의 광량 보다 적 다 . 이 때문 에 , 레지스 트 막 을 현상 하 면 , 조사 된 광량 에 따라 레지스 트 막 의 잔 막 값 ( 잔 막 의 두께 ) 이 상이 한 레지스 트 패턴 이 형성 된다 . 즉 , 다 계조 포토 마스크 의 반 투광 영역 을 통하 여 노광 광이 조사 된 영역 의 레지스 트 잔 막 값 은 , 차광 영역 을 통하 여 노광 광이 조사 된 영역 의 레지스 트 잔 막 값 보다 얇 아 진다 .