도 4 b 를 참조 하 면 , 제 1 층간 하부 절연 층 ( 113 a ) 상 에 질화 실리콘 ( SiNx ) 보다 수소 함량 이 상대 적 으로 낮 은 산화 실리콘 ( SiOx ) 물질 로 이루어진 제 1 층간 상부 절연 층 ( 113 b ) 이 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 층간 상부 절연 층 ( 113 b ) 은 이산화 규소 ( SiO 2 ) 물질 로 형성 될 수 있 다 .