플로팅 및 제 어 게이트 의 형성 의 일부 로서 , 플로팅 및 제 어 게이트 를 형성 하 는 층 들 ( 340 ) 의 스택 은 그 후 에 라인 ( 310 ) , 절연 재료 ( 330 ) 및 블록 ( 320 , 322 ) ( 도 14 B ) 위 에 형성 된다 . 층 들 ( 340 ) 의 조성 은 부분 적 으로 제조 된 집 적 회로 ( 100 ) 에 걸쳐 변할 수 있 다는 것 을 알 수 있 을 것 이 다 . 예 를 들 어 , 플로팅 및 제 어 게이트 가 요구 되 는 몇몇 영역 에서 , 층 들 ( 340 ) 은 이 들 게이트 에 형성 에 적절 한 층 들 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 선택 게이트 만 이 요구 되 는 그 외 다른 영역 에서 , 층 들 ( 340 ) 은 선택 게이트 의 형성 에 적절 한 , 보다 적 은 수 의 층 들 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 선택 게이트 를 형성 하 기 위해 , 층 들 ( 340 ) 은 폴리 실리콘 층 위 에 놓이 는 산화물 - 질화물 - 산화물 ( ONO ) 복합 층 의 위 에 놓이 는 폴리 실리콘 층 위 의 규화물 층 을 포함 할 수 있 다 .