그 결과 , 특정 한 소자 에서 요구 하 는 리 프레쉬 ( refresh ) 의 특성 을 향상 시키 기 위해서 3 차원 구조 의 게이트 ( Gate ) 를 갖 는 트랜지스터 , 즉 , 반도체 기판 을 식각 ( recess ) 해서 유 ( Ｕ ) 타입 또는 벌브 ( bulb ) 타입 의 홈 을 형성 한 후 , 상기 형 홈 상 에 게이트 ( 이하 , 리 세스 게이트 ) 가 형성 되 는 구조 의 트랜지스터 에 대한 연구 가 활발히 진행 되 고 있 다 .