이어서 , 도 3 f 에 나타낸 단계 가 실행 될 수 있 지만 , 이 단계 는 임의 적 인 단계 이 다 . 이 단계 에서 는 , 초점 보상 막 ( 3 ) 위 에 SOG 막 ( 2 ) 이 형성 될 수 있 다 . 이어서 , 도 3 g 에 나타낸 단계 에서 는 , 초점 보상 막 ( 3 ) 또는 SOG 막 ( 2 ) 위 에 스핀 코터 등 을 사용 하 여 포토레지스트 층 ( 1 ) 이 형성 될 수 있 다 . 이어서 , 도 3 h 에 나타낸 단계 ( 포토 리소그래피 단계 ) 가 실시 될 수 있 다 . 이 단계 에서 는 , 먼저 , 노광 장치 를 사용 하 여 , 포토레지스트 층 ( 1 ) 이 노광 되 어 , 포토레지스트 층 ( 1 ) 상 에 레티 클 패턴 의 잠상 이 형성 될 수 있 다 . 이어서 , 포토레지스트 층 ( 1 ) 이 현상 되 어 레지스 트 패턴 ( PR ) 을 형성 할 수 있 다 .