여기 서 , 제 1 열 공정 ( 100 ) 은 700 ℃∼ 1000 ℃ 의 온도 에서 60 초 ∼ 120 초 동안 실시 할 수 있 다 . 제 1 열 공정 ( 100 ) 에 의해 확산 방지 막 ( 14 ) 은 티타늄 ( 14 A ) 의 일부 가 하부 층 인 실리콘 계 전극 ( 13 ) 과 반응 하 여 티타늄 실리사이드 ( TiSix , 14 C ) 를 형성 할 수 있 고 , 텅스텐 질화 막 ( 14 B ) 은 열 공정 에 의해 텅스텐 ( 14 E ) 과 질소 ( N ) 로 나뉘 면서 동시 에 질소 가 티타늄 ( 14 A ) 과 반응 하 여 티타늄 질화 막 ( TiN , 14 D ) 이 형성 될 수 있 다 .