반도체 디바이스 ( 200 ) 는 또한 활성 영역 을 반도체 기판 의 다른 영역 들 로부터 격리 시키 도록 쉘로우 트렌치 아이 솔 레이 션 ( shallow trench isolation : STI ) 피처 , 또는 LOCOS 피처 와 같 은 아이 솔 레 이 션 구조 를 포함 할 수 있 다 . 활성 영역 은 하나 의 예 에서 NMOS 디바이스 ( 예 를 들 면 , nFET ) 또는 PMOS 디바이스 ( 예 를 들 면 , pFET ) 로서 구성 될 수 있 다 .