이어서 , 도 1 의 ( B ) 에 도시 된 바 와 같이 , 레지스 트 상 층막 의 소용 부분 ( 6 ) 을 노광 하 고 , PEB 및 현상 을 행하 여 레지스 트 　 패턴 ( 5 a ) 을 형성 한다 [ 도 1 의 ( C ) ] . 이 얻 어 진 레지스 트 　 패턴 ( 5 a ) 을 마스크 로 하 고 , CF 계 가스 를 이용 하 여 규소 함유 레지스 트 하층 막 ( 4 ) 을 에칭 가공 하 여 규소 함유 레지스 트 하층 막 패턴 ( 4 a ) 을 형성 한다 [ 도 1 의 ( D ) ] . 레지스 트 　 패턴 ( 5 a ) 을 제거 한 후 , 이 얻 어 진 규소 함유 레지스 트 하층 막 패턴 ( 4 a ) 을 마스크 로 하 여 유기 막 ( 3 ) 을 산소 플 라즈 마 에칭 하 고 , 유기 막 패턴 ( 3 a ) 을 형성 한다 [ 도 1 의 ( E ) ] . 또한 규소 함유 레지스 트 하층 막 패턴 ( 4 a ) 을 제거 한 후 , 유기 막 패턴 ( 3 a ) 을 마스크 로 피 가공 층 ( 2 ) 을 에칭 가공 하 고 , 패턴 ( 2 a ) 을 더 형성 한다 [ 도 1 의 ( F ) ] .