도 13 을 도 2 와 결부 하 면 , 본 발명 에 따른 제 3 변형 예의 화소 ( P ) 는 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터 ( ST 1 , ST 2 ) 와 구동 트랜지스터 ( DT ) 및 커패시터 ( Cst ) 를 포함 하 는 화소 회로 ( PC ) , 및 발광 소자 ( OLED ) 를 포함 하 여 구성 된다 . 이러 한 구성 을 가지 는 제 1 변형 예의 화소 ( P ) 는 상기 트랜지스터 ( ST 1 , ST 2 , DT ) 각각 이 P 형 의 박막 트랜지스터 로 이루어지 는 것 을 제외 하 고는 , 전술 한 도 3 에 도시 된 화소 와 동일 하 게 구성 된다 . 이하 에서 는 , 상이 한 구성 에 대해서 만 설명 하 기 로 한다 .