또한 , 감도 평가 를 위해 노광량 을 10 ∼ 180 mJ / cm 2 까지 5 mJ 씩 스텝 ( step ) 으로 늘려 가 고 상기 조건 에서 현상 을 하 였 다 . 또 , 「 Bias ＋ 1 . 0 μ m 」 로 하 여 , 20 μ m 마스크 ( mask ) 에 대해서 형성 되 는 블랙 마스크 패턴 ( black mask pattern ) 의 선폭 이 20 μ m ＋ 1 μ m 가 되 는 노광량 을 평가 하 였 다 . 본 발명 에 있 어서 의 감광성 조성물 은 네 가 티 브 타입 레지스 트 ( negative type resist ) 이 기 때문 에 , 노광량 이 많 을수록 CD ( Critical 　 Dimension ) 가 커진다 . 통상 , 양산 상 목적 이 되 는 선폭 은 마스크 선폭 ＋ 1 ∼ 2 μ m 이 다 . 보다 저 노광량 으로 패 터닝 ( patterning ) 할 수 있 으면 노광 시간 을 단축 하 는 것 이 가능 하 게 되 어 라인 ( line ) 의 작업 처리 량 ( throughput ) 을 향상 시킬 수 가 있 다 .