다음 으로 , 도 13 을 참조 하 면 , 제 1 반도체 층 상 에 제 1 절 연막 ( IL 1 ) 을 형성 ( S 103 ) 하 고 , 제 1 절 연막 ( IL 1 ) 상 에 산화물 반도체 층 ( OXL ') 을 형성 한다 . 제 1 절 연막 ( IL 1 ) 과 산화물 반도체 층 ( OXL ') 은 버퍼 막 ( 120 ) 상 에 전면 적 으로 배치 되 며 , 제 1 반도체 층 의 제 1 활성 층 ( 350 ') 및 제 2 활성 층 ( 450 ') 과 각각 중첩 하 도록 배치 될 수 있 다 . 제 1 절 연막 ( IL 1 ) 은 후속 공정 에서 패 터닝 되 어 제 1 게이트 절 연막 ( 130 ) 을 형성 하 고 , 산화물 반도체 층 ( OXL ') 은 제 1 산화물 층 ( 370 ) 을 형성 할 수 있 다 .