산소 도프 처리 를 행함 으로써 , 구성 하 는 절연 재료 의 화학 양론 적 조성 비 보다 산소 가 많 은 영역 을 갖 는 절연 층 을 형성 할 수 있 다 . 이러 한 절연 층 과 산화물 반도체 층 이 접함 으로써 , 절연 층 중 의 과잉 산소 가 산화물 반도체 층 에 공급 되 어 , 산화물 반도체 층 중 , 또는 산화물 반도체 층 과 절연 층 의 계면 에 있 어서 의 산소 부족 결함 을 저감 시켜 , 산화물 반도체 층 을 i 형 화 또는 i 형 에 한없이 가까운 산화물 반도체 로 할 수 있 다 .