도 13 을 참조 하 면 , 회절 격자 ( 115 ) 아래 의 반도체 기판 ( 100 ) 내 에 반사체 ( 230 ) 가 배치 된다 . 저 굴절 률 물질 ( 255 ) 이 회절 격자 ( 113 ) 아래 의 피복층 ( 102 ) 이 제거 된 영역 ( 250 ) 을 채운다 . 상기 저 굴절 률 물질 ( 255 ) 은 상기 반도체 기판 ( 100 ) 의 굴절률 에 비하 여 낮 은 굴절 률 을 갖 는 것 이 바람직 하 다 . 예컨대 , 상기 저 굴절 률 물질 ( 255 ) 은 공기 ( air ) , 질화물 및 산화 질화물 등 에서 선택 된 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 상기 저 굴절 률 물질 ( 255 ) 및 상기 반도체 기판 ( 100 ) 간 의 경계 면은 반사면 을 이룬다 . 이 에 따라 , 회절 격자 커플러 ( 115 ) 의 광도 파로 ( 112 ) 아래 로 투과 된 광 신호 의 일부 는 상기 저 굴절 률 물질 ( 255 ) 및 반도체 기판 ( 100 ) 의 경계 면 에서 도 반사 되 어 상기 광도 파로 ( 112 ) 로 되돌 아 간다 . 결과 적 으로 , 상기 반사체 ( 230 ) 및 상기 저 굴절 률 물질 ( 255 ) 및 반도체 기판 ( 100 ) 간 경계 면 에 의하 여 상기 회절 격자 커플러 ( 115 ) 를 포함 하 는 반도체 집적회로 의 커플링 효율 성 이 더욱 증가 될 수 있 다 .