도 1 을 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) 의 활성 영역 에 는 일정 간격 이격 되 어 복수 개 의 플로팅 게이트 ( 104 a ) 가 형성 되 고 , 소자 분리 영역 에 는 소자 분리 막 ( 108 ) 이 형성 된다 . 소자 분리 막 ( 108 ) 과 교차 하 여 플로팅 게이트 ( 104 a ) 및 소자 분리 막 ( 108 ) 상 에 는 컨트롤 게이트 ( 116 a ) 가 형성 된다 . 이때 , 플로팅 게이트 ( 104 a ) 와 컨트롤 게이트 ( 116 a ) 는 유전체 막 의 의해 격리 된다 . 상기 의 구조 로 이루어진 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 을 설명 하 면 다음 과 같 다 .