따라서 , 벤질 화 반응 을 중단 하 지 않 고 식 ( III ) 의 2 - 메틸 벤질 화합물 ( 식 중 , X 는 할로겐 , C 1 - C 4 - 알킬 술포 네이트 또는 C 6 - C 20 - 아릴 술포 네이트 ( 바람직 하 게 는 할로겐 , 보다 바람직 하 게 는 염소 , 브롬 또는 요오드 , 보다 더 바람직 하 게 는 염소 ) 에서 선택 됨 ) 에 대해 아 화학량론 적 또는 심지어 촉매 적 양 의 3 차 아민 NR 1 R 2 R 3 만 이 요구 되 므로 , 본 발명 에 따른 방법 의 이러 한 변형 이 특히 유리 하 다 . 더욱이 , X 가 식 ( IV ) 의 암모늄기 인 식 ( III ) 의 2 - 메틸 벤질 화합물 의 이온 적 성질 로 인한 더 높 은 친전 자성 은 , X 가 할로겐 , C 1 - C 4 - 알킬 술포 네이트 또는 C 6 - C 20 - 아릴 술포 네이트 에서 선택 되 는 식 ( III ) 의 2 - 메틸 벤질 화합물 을 친 전자 성 시약 으로서 직접 사용 하 는 것 과 비교 하 여 , 반응 의 가속 화 를 초래 한다 . 또한 , 반응 매질 이 액체 및 고체 상 을 포함 하 는 불 균질 혼합물 을 형성 하 는 것 을 고려 하 면 , X 가 식 ( IV ) 의 암모늄기 인 식 ( III ) 의 2 - 메틸 벤질 화합물 의 양친 매성 특징 은 또한 유리 한 것 이 다 .