제 1 게이트 도전 막 ( 23 ) 은 500 내지 550 ℃ 의 온도 에서 언 도프 트 폴리 실리콘 ( undoped poly - Si ) 을 280 내지 320 Å 의 두께 로 증착 하 고 , 그 위 에 1 . 6 E 20 내지 2 . 0 E 20 atoms / cc 의 농도 로 도핑 된 도프 트 비정질 실리콘 ( doped a - Si ) 을 760 내지 840 Å 의 두께 로 증착 하 여 형성 할 수 있 다 .