본 발명 의 일 실시 예 에 있 어서 , 상기 제 1 화소 ( PXL 1 ) 로 상기 스캔 신호 를 제공 하 기 위해 세 개 의 상기 제 1 스캔 배선 ( S 1 i - 1 , S 1 i , Si + 1 ) 을 도시 하 였으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 1 화소 ( PXL 1 ) 는 두 개 의 제 1 스캔 배선 ( S 1 i - 1 , S 1 i ) 을 통해 상기 스캔 신호 가 인가 될 수 있 다 . 이러 한 경우 , 상기 두 개 의 제 1 스캔 배선 ( S 1 i - 1 , S 1 i ) 중 i 번 째 제 1 스캔 배선 ( S 1 i ) 은 두 개 의 배선 으로 분기 될 수 있 으며 , 분기 된 i 번 째 제 1 스캔 배선 들 ( S 1 i ) 은 서로 다른 트랜지스터 에 연결 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 i 번 째 제 1 스캔 배선 ( S 1 i ) 은 상기 i - 1 번 째 제 1 스캔 배선 ( S 1 i - 1 ) 과 인접 한 상부 i 번 째 제 1 스캔 배선 및 상기 상부 i 번 째 제 1 스캔 배선 보다 상기 i - 1 번 째 제 1 스캔 배선 ( S 1 i - 1 ) 과 의 거리 가 먼 하부 i 번 째 제 1 스캔 배선 을 포함 할 수 있 다 .