복수 의 채널 구조물 ( CHS ) 은 각각 기판 ( 102 ) 에 접하 고 채널 홀 ( CHH ) 을 부분 적 으로 채우 는 반도체 패턴 ( 120 ) , 반도체 패턴 ( 120 ) 에 접하 고 채널 홀 ( CHH ) 내 에서 제 3 방향 ( Z 방향 ) 으로 연장 되 는 채널 막 ( 150 ) , 채널 막 ( 150 ) 의 내부 공간 을 채우 는 매립 절 연막 ( 156 ) , 채널 막 ( 150 ) 에 접하 고 채널 홀 ( CHH ) 의 입구 측 상부 를 채우 는 드레 인 영역 ( 158 ) 을 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 채널 막 ( 150 ) 은 내부 공간 을 가지 는 실린더 형상 을 가질 수 있 으며 , 채널 막 ( 150 ) 의 내부 공간 은 매립 절 연막 ( 156 ) 으로 채워질 수 있 다 . 채널 막 ( 150 ) 은 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 , 불순물 이 도핑 되 지 않 은 폴리 실리콘 으로 이루어질 수 있 다 . 매립 절 연막 ( 156 ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화물 , 또는 이 들 의 조합 으로 이루어질 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 매립 절 연막 ( 156 ) 은 생략 가능 하 며 , 이 경우 채널 막 ( 150 ) 은 내부 공간 이 없 는 필라 ( pillar ) 구조 를 가질 수 있 다 . 드레 인 영역 ( 158 ) 은 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 막 으로 이루어질 수 있 다 . 복수 의 채널 구조물 ( CHS ) 에 포함 되 는 복수 의 드레 인 영역 ( 158 ) 은 절연 패턴 ( 114 ) 에 의해 상호 절연 될 수 있 다 . 절연 패턴 ( 114 ) 은 산화 막 , 질화 막 , 또는 이 들 의 조합 으로 이루어질 수 있 다 .