도 22 a 내지 22 e 는 장치 및 전기 적 절연 이 강화 된 일부 구 현예 에서 의 장치 를 생성 하 는 방법 을 도시 한다 . 도 22 a 는 도 21 a 에 도시 된 평면 구조 와 유사 하 게 주변 의 저 유전율 재료 ( 2608 ) 에 의해 정의 되 고 , 제 2 표면 과 동일 평면 인 제 1 평면 을 정의 하 는 매립 된 금속 성 특징 부 ( 2606 ) 를 갖 는 부분 적 으로 제조 된 집 적 회로 를 도시 한다 . 금속 성 특징 부 는 Cu ( 2610 ) 및 TaN 배리 어 재료 ( 2612 ) 를 제 1 저 유전율 유전체 재료 ( 2608 ) 내 에 더 포함 하 는 제 1 재료 를 포함 한다 .