본 발명 은 반도체 메모리 의 테스트 동작 시 테스트 장치 특성 에 일치 하 도록 tRCD ( RAS to CAS Delay ) 를 조절 할 수 있 는 회로 에 관한 것 으로서 , 컬럼 커맨드 신호 에 응답 하 여 컬럼 어드레스 스트로브 펄스 를 생성 하 기 위한 컬럼 어드레스 스트로브 펄스 생 성부 와 , 테스트 모드 신호 에 응답 하 여 액티브 커맨드 신호 또는 상기 컬럼 커맨드 신호 를 받 아 로우 어드레스 스트로브 펄스 를 생성 하 기 위한 로우 어드레스 스트로브 펄스 생 성부 를 구비 하 는 반도체 메모리 소자 를 제공 한다 .