기판 ( 100 ) 상 에 는 게이트 전극 ( 221 ) , 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 223 ) , 반도체 층 ( 227 ) , 게이트 절 연막 ( 213 ) 및 층간 절 연막 ( 215 ) 을 구비 한 박막 트랜지스터 ( 220 ) 가 구비 되 어 있 다 . 물론 박막 트랜지스터 ( 220 ) 역시 도 5 에 도시 된 형태 에 한정 되 지 않 으며 , 반도체 층 ( 227 ) 이 유기물 로 구비 된 유기 박막 트랜지스터 , 실리콘 으로 구비 된 실리콘 박막 트랜지스터 등 다양 한 박막 트랜지스터 가 이용 될 수 있 다 . 이 박막 트랜지스터 ( 220 ) 와 기판 ( 100 ) 사이 에 는 필요 에 따라 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트 라이드 등 으로 형성 된 버퍼 층 ( 211 ) 이 더 구비 될 수 도 있 다 .