사파이어 , n - GaAs , GaN 등 의 기판 위 에 버퍼 층 , 제 1 도전 층 으로서 의 n - 콘 택 층 ( 303 ) , 활성 층 ( 304 ) , 제 2 도전 층 으로서 의 p - 콘 택 층 ( 305 ) 을 CVD 기법 에 의하 여 연속 적 으로 증착 한다 . 이어서 상기 p - 콘 택 층 ( 305 ) 위 에 반사 층 ( 306 ) , 접착 층 ( 307 ) , 도전 성 기판 ( 308 ) 을 형성 하 고 상기 기판 , 버퍼 층 을 제거 한다 . 이때 LLO 방법 이 이용 될 수 있 다 . 그리고 상기 n - 콘 택 층 ( 303 ) 에 제 1 전극 으로서 의 n 전극 ( 309 ) 을 형성 한다 . 상기 도전 성 기판 ( 308 ) 이 제 2 전극 으로서 의 p 전극 으로 이용 될 수 도 있 으며 , 별도 의 p 전극 을 상기 도전 성 기판 ( 308 ) 에 형성 할 수 도 있 다 . 그리고 상기 결과물 에 DBR 층 과 형광체 박막 이 형성 된다 . 이 와 같이 실시 예 에 따른 LED 는 n - 탑 ( top ) 층 의 수직 형 LED 로 구현 될 수 도 있 다 .