한편 , 스위칭 박막 트랜지스터 는 데이터 전압 을 제어 하 는 역할 을 하 기 때문 에 온 / 오프 ( on / off ) 특성 이 중요 하 며 , 특히 오프 전류 ( off current ) 를 줄이 는 것 이 중요 하 다 . 그런데 , 미세 결정 질 또는 다결정 반도체 는 오프 전류 ( off current ) 가 크 기 때문 에 누설 전류 가 발생 하 여 구동 제어 전극 ( 124 b ) 에 인가 된 데이터 전압 이 지나치 게 빨리 감소 할 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 에서 스위칭 박막 트랜지스터 는 오프 전류 가 작 은 비정질 반도체 로 형성 함 으로써 데이터 전압 의 감소 를 방지 하 고 크로스 토크 를 줄일 수 있 다 .