또한 , 제 2 전극 인 음극 과 인접 하 도록 적층 된 전자 수송 층 ( Device 2 , ETL - 2 ) 의 경우 , 보다 낮 은 구동 전압 으로 보다 향상 된 양자 효율 을 구현 함 은 물론 휘도 의 증가 시 에 도 보다 높 은 전류 효율 및 전력 효율 을 구현 할 수 있 음 을 확인 하 였 다 . 이 와 같 은 결과 로 , 수천 nit 또는 수 만 nit 에서 도 보다 안정 적 인 전류 효율 및 전력 효율 을 구현 할 수 있 음 을 확인 하 였 다 .