상술 한 본 발명 의 목적 을 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 의 바람직 한 실시 예 에 따른 강유전체 커패시터 의 제조 방법 에 있 어서 , 기판 상 에 하부 전극 층 , 강유전체 층 및 상부 전극 층 을 순차 적 으로 형성 한 후 , 상기 상부 전극 층 상 에 제 1 하드 마스크 층 및 제 2 하드 마스크 층 을 순차 적 으로 형성 한다 . 상기 제 2 하드 마스크 층 상 에 포토레지스트 패턴 을 형성 한 다음 , 상기 포토레지스트 패턴 을 이용 하 여 제 2 하드 마스크 층 을 식각 하 여 제 2 하드 마스크 패턴 을 형성 한다 . 이어서 , 애 싱 공정 을 수행 하 여 상기 포토레지스트 패턴 을 제거 한 다음 , 상기 제 2 하드 마스크 패턴 을 이용 하 여 제 1 하드 마스크 층 을 식각 하 여 제 1 하드 마스크 패턴 을 형성 한다 . 상기 제 1 하드 마스크 패턴 및 상기 제 2 하드 마스크 패턴 을 이용 하 여 상기 상부 전극 층 , 상기 강유전체 층 및 상기 하부 전극 층 을 식각 하 여 , 상기 기판 상 에 하부 전극 , 강유전체 층 패턴 및 상부 전극 을 형성 함 으로써 강유전체 커패시터 를 제조 한다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 애 싱 공정 은 100 ℃ 이하 의 온도 에서 수행 될 수 있 다 .