다음 에 , 상술 한 기판 처리 장치 의 처리 로 를 사용 하 여 반도체 장치 ( 디바이스 ) 의 제조 공정 의 일 공정 으로서 , 기판 상 에 절 연막 으로서 의 산화 막 을 성막 하 는 2 개 의 순서 예 ( 제 1 순서 , 제 2 순서 ) 에 대해 설명 한다 . 한편 , 이하 의 설명 에 있 어서 , 기판 처리 장치 를 구성 하 는 각 부 의 동작 은 컨트롤러 ( 121 ) 에 의해 제어 된다 .