상기 상부 u - 1 . 3 Q 층 과 하부 u - 1 . 3 Q 층 , p - 1 . 1 Q 층 과 n - 1 . 1 Q 층 및 p - 굴절 율 희석 층 과 n - 굴절 율 희석 층 은 각각 서로 굴절 율 이 같 을 수 있 다 . 상기 n - 굴절 율 희석 층 은 상기 기판 을 구성 하 는 물질 층 과 상기 n - 1 . 1 Q 층 을 구성 하 는 물질 층 을 한 쌍 으로 하 여 복수 개 쌍 들 을 적층 하 여 굴절 율 을 조절 하 는 반도체 층 일 수 있 다 . 상기 p - 굴절 율 희석 층 은 상기 클래드 층 을 구성 하 는 물질 층 과 상기 p - 1 . 1 Q 층 을 구성 하 는 물질 층 을 한 쌍 으로 하 여 복수 개 쌍 들 을 적층 하 여 굴절 율 을 조절 하 는 반도체 층 일 수 있 다 .