IMD 층 형성 단계 ( S 220 ) 에서 는 실리콘 웨이퍼 의 P - 영역 의 표면 에 IMD ( Inter Metallic Dielectric ) 층 을 형성 한다 . 본 발명 에서 는 IMD 층 으로 산화 막 을 이용 하 며 , 이때 , 산화 막 의 형성 은 퍼니스 ( Furnace ) 에서 열 산화 ( Thermal Oxidation ) 에 의하 여 열 산화 막 의 형성 하 는 방법 으로 이루어진다 . 이때 , 퍼니스 에서 열 산화 가 진행 되 는 시간 및 온도 는 원 하 는 산화 막 의 두께 및 막 질 에 따라서 달라진다 . 또한 , IMD 층 형성 단계 ( S 220 ) 를 진행 하 기 전 에 실리콘 웨이퍼 를 한 번 더 세정 할 수 있 다 .