특히 , 구리 배선 공정 에서 저 유전 물질 의 중요 성 은 배선 재료 인 알루미늄 만 구리 로 대체 해서 는 반도체 의 고집 적 화 , 고속화 의 목표 를 달성 할 수 없 고 , 반드시 저 유전 물질 의 사용 이 동시 에 이루어져야 만 가능 하 다는 것 이 다 . 이 는 첫째 , 배선 물질 의 저항 과 층간 절연 물질 의 정전 용량 의 곱 으로 표시 되 는 RC 신호 지연 의 감소 가 소자 의 고속화 를 위한 필수 사항 이 기 때문 이 다 . 둘째 , 저 유전 물질 을 사용 하 면 상호 신호 방해 ( crosstalk ) 를 방지 할 수 있 어 회로 밀도 의 증가 로 인한 고집 적 화 , 소형 화 가 가능 하 다 . 셋째 , 현재 반도체 개발 은 무선 ( wireless ) 혹은 이동 ( mobile ) 인터넷 을 지원 할 수 있 도록 반도체 칩 의 전력 소비 를 낮추 는 데 많 은 노력 을 하 고 있 다 .