다음 도 4 를 참조 하 면 , 데이터 금속 층 ( 150 ) 상 에 포토레지스트 ( photo resist ) 조성물 을 도포 하 여 포토레지스트 막 을 형성 한 후 , 슬릿 ( slit ) 마스크 또는 하프톤 ( half tone ) 마스크 등 의 제 2 노광 마스크 를 이용 한 사진 식각 공정 을 통해 상기 포토레지스트 막 을 패 터닝 하 여 제 1 포토레지스트 패턴 ( 160 ) 을 형성 한다 .