상기 두 개 의 전극 ( 380 a , 380 b ) 을 브릿지 구조 로 연결 시킴 으로써 , 단일 전류 공급원 을 통하 여 두 개 의 전극 ( 380 a , 380 b ) 에 동시 에 전류 주입 이 가능 하 다 . 이러 한 전류 주입 구조 는 최종 칩 제작 공정 중 마지막 p - metal 형성 단계 직전 에 InGaAs 저항 접촉 층 및 InP 클래드 층 일부 를 약하 게 트렌치 식각 하 는 것 으로 제작 할 수 있 다 . 아울러 전극 간 간극 의 크기 , 전극 의 위치 및 전극 간 길이 의 비율 은 별도 의 최적화 를 위한 마스크 설계 를 적용 한 후 실험 적 으로 결정 할 수 있 다 .