비휘발성 메모리 ( 104 ) 는 , 제 1 메모리 다이 ( 106 ) 및 제 2 메모리 다이 ( 108 ) 등 의 , 하나 이상 의 메모리 다이 에 포함 된 저장 요소 들 의 비휘발성 어레이 를 포함 한다 . 추가 예시 를 위해 , 비휘발성 메모리 ( 104 ) 는 , 예시 적 인 예 로서 , 플래시 메모리 ( 예 를 들 어 , NAND 플래시 메모리 ) 또는 저 항식 랜덤 액세스 메모리 ( ReRAM ) 등 의 저 항식 메모리 를 포함 할 수 있 다 . 비휘발성 메모리 ( 104 ) 는 3 차원 ( 3 D ) 메모리 구성 을 가질 수 있 다 . 본 명세서 에서 사용 될 때 , 3 D 메모리 디바이스 는 , ( 평면 메모리 디바이스 에서 와 같이 , 단일 물리 적 레벨 의 저장 요소 들 을 갖 는 대신 에 ) 복수 의 물리 적 레벨 의 저장 요소 들 을 포함 할 수 있 다 . 예 로서 , 비휘발성 메모리 ( 104 ) 는 3 D 수직 비트 라인 ( VBL ; vertical bit line ) 구성 을 가질 수 있 다 . 특정 한 구현 에서 , 비휘발성 메모리 ( 104 ) 는 , 실리콘 기판 위 에 배치 된 활성 영역 을 갖 는 메모리 셀 들 의 어레이 의 하나 이상 의 물리 적 레벨 로 모놀리식 으로 ( monolithically ) 형성 된 3 D 메모리 어레이 구성 을 갖 는다 . 대안 으로서 , 비휘발성 메모리 ( 104 ) 는 , 2 차원 ( 2 D ) 메모리 구성 또는 비 모놀리식 3 D 메모리 구성 ( 예 를 들 어 , 적층 된 다이 3 D 메모리 구성 ) 등 의 또 다른 구성 을 가질 수 있 다 .