기판 및 베이스 금속 은 솔리드 ( solid ) 이 거나 다공성 일 수 있 다 . 다수 의 적합 한 기판 물질 이 존재 한다 . 몇몇 공정 에서 , 기판 및 드레 인 전극 층 은 동일 한 물질 이 거나 동일 한 층 이 거나 , 상이 할 수 있 다 . 몇몇 기판 물질 은 알루미늄 옥사이드 , 실리콘 , 실리콘 게르마늄 , 갈륨 니트 라이드 , 게르마늄 , 갈륨 아르세 나 이드 , 플라스틱 , 폴리머 ( 예 를 들 어 , 폴리 카르보 네이트 , 폴리스티렌 , 폴리에틸렌 , 폴리프로필렌 , 폴리비닐 클로라이드 , 또는 폴리에틸렌 테레프탈 레이트 ) , 유리 , 사파이어 , 또는 석영 등 , 또는 이 들 의 조합 물 을 포함 한다 . 추가 로 , 탄소 나노 튜브 트랜지스터 의 다수 층 은 서로 의 상부 에 어느 하나 가 형성 될 수 있 다 . 탄소 나노 튜브 디바이스 의 각각 의 층 은 본 특허 에서 논의 된 바 와 같이 유사 한 형태 로 형성 된다 .