디바이스 가 형성 되 는 웨이퍼 는 , 일반 적 으로 원기둥 형상 인 잉곳 을 와이어 소 로 얇 게 절단 함 으로써 생성 된다 . 절단 된 웨이퍼 의 표면 및 이면 은 , 연마 함 으로써 경면 으로 마무리 된다 ( 특허 문헌 1 참조 ) . 그러나 , 잉곳 을 와이어 소 로 절단 하 고 , 절단 된 웨이퍼 의 표면 및 이면 을 연마 하 면 , 잉곳 의 대부분 ( 70 ∼ 80 ％) 이 버려 지 게 되 어 경제 적 이 지 않 다는 문제 가 있 다 . 특히 단결정 SiC 잉곳 에 있 어서 는 , 경도 가 높 아 와이어 소 에 의한 절단 이 곤란 하 여 상당 한 시간 을 필요 로 하 기 때문 에 생산 성 이 나쁨 과 함께 , 잉곳 의 단가 가 높 아서 효율 적 으로 SiC 웨이퍼 를 생성 하 는 것 에 과제 를 가지 고 있 다 .