고분자 다공질 막 에 코팅 되 어 있 는 폴리에테르 변성 실리콘유 의 양 은 , 고분자 다공질 막 의 두께 나 다공도 에 따라 조절 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 어 , 두께 가 10 내지 30 μ m , 다공도 가 30 내지 50 % 인 고분자 다공질 막 1 m 2 의 경우 , 폴리에테르 변성 실리콘유 는 0 . 3 g 내지 5 . 0 g 의 범위 로 첨가 하 는 것 이 바람직 하 고 , 1 . 0 g 내지 5 . 0 g 의 범위 가 더욱 바람직 하 다 . 폴리에테르 변성 실리콘유 의 양 이 고분자 다공질 막 1 m 2 에 대하 여 0 . 3 g 미만 인 경우 , 고분자 다공질 막 의 정전기 를 방지 하 는 효과 를 충분히 얻 을 수 없 으며 , 폴리에테르 변성 실리콘유 의 양 이 고분자 다공질 막 1 m 2 에 대하 여 5 . 0 g 을 초과 하 는 경우 , 세 퍼 레이터 의 미세 공 이 실리콘유 에 의해 채워져서 리튬 이온 의 이동 을 방해 하 므로 , 전지 임피던스 가 상승 하 고 충 방전 특성 이 악화 되 므로 바람직 하 지 않 다 .