또는 상기 식각 마스크 를 형성 함 은 제 1 전극 상 에 감광층 을 형성 하 는 단계 와 , 포토 및 노광 공정 에 의해 상기 감광층 을 식각 하 여 상기 제 1 금속 층 의 일부 영역 을 노출 하 는 식각 마스크 를 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 이 때 , 상기 식각 마스크 를 이용 하 여 상기 제 1 금속 층 을 식각 함 으로써 제 2 전극 및 패널 흡광 층 을 형성 할 수 있 다 .