본 출원 의 일 실시 예 는 추가 로 이 중 면 / 양면 터치 패널 ( 100 ) 을 제공 한다 . 도 10 에 도시 된 바 와 같이 , 금속 성 나노 와 이 어 층 ( 140 A ) , 멤 브레인 층 ( 120 ) , 및 전도성 층 ( 130 A ) 은 이상 에서 언급 된 프로세스 들 에 따라 기판 ( 110 ) 의 제 1 표면 ( 예컨대 상부 표면 ) 및 제 2 표면 ( 하부 표면 ) 상 에 제조 된다 . 이상 의 설명 을 참조 하 기 바라 며 , 이 는 여기 에서 다시 설명 되 지 않 는다 . 구체 적 으로 , 시각 적 영역 ( VA ) 내 에서 , 제 1 터치 센싱 전극 ( TE 1 ) 은 기판 ( 110 ) 의 제 1 표면 상 에 형성 되 며 , 제 2 터치 센싱 전극 ( TE 2 ) 은 기판 ( 110 ) 의 제 2 표면 상 에 형성 된다 . 주변 영역 ( PA ) 내 에서 , 주변 회로 들 ( 130 ) , 멤 브레인 층 ( 120 ) , 및 금속 성 나노 와 이 어 층 ( 140 A ) 을 갖 는 주변 라우팅 이 또한 기판 ( 110 ) 의 제 1 및 제 2 표면 상 에 배치 되 며 , 주변 회로 들 ( 130 ) 은 제 1 터치 센싱 전극 들 ( TE 1 ) 및 제 2 터치 센싱 전극 들 ( TE 2 ) 에 연결 된다 . 일 실시 예 에 있 어서 , 제 1 터치 센싱 전극 ( TE 1 ) 은 대략 적 으로 시각 적 영역 ( VA ) 내 에 위치 되 며 , 이 는 동일 한 방향 ( 예컨대 제 1 방향 ( D 1 ) ) 을 따라 연장 하 는 복수 의 긴 스트립 - 형 센싱 전극 들 을 포함 할 수 있 고 , 에칭 - 제거 된 영역 은 인접 한 제 1 터치 센싱 전극 들 ( TE 1 ) 을 전기 적 으로 절연 하 기 위한 비 - 전도성 영역 ( 136 ) 으로서 획정 될 수 있 다 . 유사 하 게 , 제 2 터치 센싱 전극 ( TE 2 ) 은 대략 적 으로 시각 적 영역 ( VA ) 내 에 위치 되 며 , 이 는 동일 한 방향 ( 예컨대 제 2 방향 ( D 2 ) ) 을 따라 연장 하 는 복수 의 긴 스트립 - 형 센싱 전극 들 을 포함 할 수 있 고 , 에칭 - 제거 된 영역 은 인접 한 제 2 터치 센싱 전극 들 ( TE 2 ) 을 전기 적 으로 절연 하 기 위한 비 - 전도성 영역 ( 136 ) 으로서 획정 될 수 있 다 .