도 6 a 내지 도 6 f 는 트랜지스터 들 ( 예 를 들 어 , 도 5 a 내지 도 5 c 에 도시 된 디바이스 ( 500 ) 에서 의 트랜지스터 들 ( 582 - 584 ) ) 을 제조 하 는 데 이용 될 수 있 는 이종구 조체 를 제조 하 는 방법 ( 600 ) 을 도시 한다 . 이 방법 ( 600 ) 은 그래핀 계 층 전사 기술 을 이용 한다 . 도 6 a 에서 , 그래핀 층 ( 620 ) ( 예 를 들 어 , 그래핀 단층 ) 이 SiC 웨이퍼 와 같 은 기판 ( 610 ) 상 에 배치 된다 . 이어서 , 그래핀 층 ( 620 ) 상 에서 h - BN 층 ( 630 ) ( 즉 , 육방 형 질화붕소 ) 이 에피 택 셜 성장 된다 . 도 6 b 는 스 트레 서 층 ( 640 ) ( 예 를 들 어 , 니켈 막 ) 이 h - BN 층 ( 630 ) 상 에 코팅 되 고 , 테이프 층 ( 650 ) 이 스 트레 서 층 ( 640 ) 상 에 배치 되 는 것 을 도시 한다 . 앞 에서 설명 된 바 와 같이 , 테이프 층 ( 650 ) 및 스 트레 서 층 ( 640 ) 은 , 도 6 c 에 도시 된 바 와 같이 , 상부 에 산화물 층 ( 665 ) ( 예 를 들 어 , 산화 규소 ) 을 갖 는 규소 웨이퍼 ( 660 ) 를 포함 하 는 제 2 기판 에 h - BN 층 ( 630 ) 을 전사 할 수 있 다 . 도 6 c 는 또한 스 트레 서 층 ( 640 ) 및 테이프 층 ( 650 ) 이 에칭 제거 되 어 추가 처리 를 위해 h - BN 층 ( 630 ) 을 남기 는 것 을 도시 한다 .