상술 한 전도성 필라멘트 ( 123 ) 는 인가 된 전압 과 상이 한 극성 의 전압 을 인가 함 으로써 제거 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 양 의 전압 의 인가 에 따라 제 1 중간층 ( 120 ) 의 내부 공간 ( 121 ) 에 생성 된 전도성 필라멘트 ( 123 ) 는 인가 된 전압 과 반대 극성 의 전압 , 즉 음 의 전압 을 인가 하 면 축소 되 거나 소멸 되 어 제거 된다 . 반 대로 음 의 전압 의 인가 에 따라 제 1 중간층 ( 120 ) 의 내부 공간 ( 121 ) 에 생성 된 전도성 필라멘트 ( 123 ) 는 양 의 전압 을 인가 하 면 축소 되 거나 소멸 된다 . 따라서 , 제 1 중간층 ( 120 ) 에 인가 되 는 전압 의 극성 을 선택 및 조절 함 으로써 전도성 필라멘트 ( 123 ) 를 생 성 또는 제거 를 제어 할 수 있 게 된다 . 또한 , 전도성 필라멘트 ( 123 ) 의 생 성 및 / 또는 제거 를 통해 , 접촉 저항 의 조절 이 가능 해 지 고 , 또한 접촉 저항 의 조절 을 기반 으로 반도체 소자 ( 100 ) 의 온 전류 를 변경 할 수 있 게 된다 . 이 는 반도체 소자 ( 100 ) 가 메모리 소자 ( 예 를 들 어 , 플래시 메모리 소자 ) 로 이용 될 수 있 음 을 의미 한다 .