이상 의 공정 에 의해 , 베이스 기판 ( 120 ) 에 단결정 반도체 막 을 사용 하 여 , 구동 회로 혹은 그 외 논리 회로 를 구성 하 는 n 채널 형 트랜지스터 ( 245 ) , p 채널 형 트랜지스터 ( 246 ) 및 화소 에 있 어서 의 n 채널 형 트랜지스터 ( 247 ) , p 채널 형 트랜지스터 ( 248 ) , 용량 소자 ( 249 ) 를 형성 할 수 있 다 . 본 형태 에 의하 면 , 단결정 반도체 로 화소 및 구동 회로 영역 의 트랜지스터 를 제조 함 으로써 , 동작 속도 를 향상 시킬 수 있 다 . 그것 에 의해 , 표시 패널 에 있 어서 는 , 프레임 주파수 를 높일 수 있 고 , 표시 특성 을 향상 시킬 수 있 다 . 또한 단결정 반도체 로 화소 의 트랜지스터 를 형성 함 으로써 , 특성 편차 가 적 기 때문 에 , 표시 얼룩 이 없 는 화상 을 표시 할 수 있 다 .