다음 으로 , 도 4 에 도시 한 바 와 같이 , 금속 층 ( 38 ) 에 어닐링 ( anealing ) 단계 또는 단계 들 ( 다수 의 어닐링 들 ) 을 수행 하 여 실리사이드 영역 들 ( 40 , 42 , 44 ) 을 형성 한다 . 실리사이드 영역 들 ( 40 , 42 , 44 ) 은 , 금속 층 ( 38 ) 내 의 재료 와 Si : C 영역 들 ( 32 , 34 , 36 ) 에 내재 하 는 실리콘 ( underlying silicon ) 의 반응 때문 에 형성 될 수 있 다 . 예 로서 , 어닐링 단계 는 250 ℃ 내지 500 ℃ 의 온도 에서 형성 될 수 있 다 . 실리사이드 영역 들 ( 40 , 42 , 44 ) 은 , 증착 된 금속 층 ( 38 ) 이 니켈 인 경우 , 니켈 실리사이드 카본 ( NiSi : C ) 영역 들 일 수 있 다 . 대안 적 으로 , 실리사이드 영역 들 ( 40 , 42 , 44 ) 은 , PtSi : C 영역 들 또는 NiPtSi : C 영역 들 일 수 있 다 . 임의 의 나머지 금속 , 가령 , Ni 는 제거 될 수 있 다 .