구체 적 으로 , 변성 된 제 1 마스크 막 패턴 ( 400 ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 200 ) 위 에 포토레지스트 막 을 스핀 코팅 등 의 방법 을 이용 하 여 도포 한다 . 다음 에 도포 된 포토레지스트 막 에 노광 공정 현상 공정 을 이용 한 포토 공정 을 진행 하 여 반도체 기판 ( 200 ) 을 선택 적 으로 노출 시키 는 제 2 마스크 막 패턴 ( 500 ) 을 형성 한다 . 여기 서 제 2 마스크 막 패턴 ( 500 ) 은 도 5 a 에 도시 한 바 와 같이 , 활성 영역 을 직선 으로 가로지르 는 라인 앤드 스페이스 ( line and space ) 타입 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 일반 적 으로 라인 앤드 스페이스 타입 의 마스크 막 패턴 이 웨이브 타입 의 포토 공정 마진 보다 노광 역 ( exposure latitude ) 측면 에 약 2 배 이상 유리 하 다 . 제 2 마스크 막 패턴 ( 500 ) 에 의해 노출 된 영역 ( 510 ) 은 이후 리세 스 채널 용 트렌치 가 형성 될 부분 이 다 . 이때 , 상술 한 물성 변화 공정 에 의해 변성 된 제 1 마스크 막 패턴 ( 400 ) 은 제 2 마스크 막 패턴 ( 500 ) 을 형성 하 기 위해 진행 하 는 포토 공정 에서 영향 을 받 지 않 고 그대로 남 아 있 다 . 이 에 따라 제 1 활성 영역 ( 215 a ) 및 제 2 활성 영역 ( 215 b ) 에서 정 션 영역 ( b ) 의 끝단 일부 영역 ( d ) 을 덮 고 있 는 제 1 마스크 막 패턴 ( 400 ) 은 식각 되 지 않 고 남 아 있 다 . 한편 , 제 1 마스크 막 패턴 은 상기 제 2 마스크 막 패턴 보다 상대 적 으로 얇 은 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .