여기 서 , 제 2 패턴 ( 32 ) 을 형성 하 기 위한 식각 공정 은 제 1 패턴 ( 30 ) 을 형성 하 기 위한 식각 공정 과 동일 한 방법 으로 진행 할 수 있 다 . 예컨대 , 제 2 패턴 ( 32 ) 을 형성 하 기 위한 식각 공정 은 건식 식각 으로 진행 할 수 있 으며 , 식각 가스 로 는 비활성 가스 예컨대 , 아르곤 ( Ar ) 가스 와 Cl 2 , HBr , CH 3 OH 및 CO 로 이루어진 그룹 으로부터 선택 된 어 느 하나 또는 이 들 이 혼합 된 혼합 가스 를 사용 하 여 실시 할 수 있 으며 , 100 ℃ ~ 500 ℃ 범위 의 온도 에서 실시 할 수 있 다 . 이 로써 , 제 2 패턴 ( 32 ) 을 형성 하 기 위한 식각 공정 시 발생 하 는 식각 부산물 의 휘발 성 을 증가 시켜 식각 속도 를 향상 시킬 수 있 으며 , 제 2 패턴 ( 32 ) 의 표면 에 식각 부산물 이 재 증착 하 는 것 을 완화 할 수 있 다 .