이 와 같 은 OPC 가 수행 된 결과 레이아웃 에 대해서 , 다시 디자인 룰 에 대한 체크 , 즉 , OPC 후 룰 체크 ( ORC ) 를 수행 하 여 , OPC 된 레이아웃 이 디자인 룰 에 부합 되 는 지 여부 를 확인 한다 ( 도 2 의 207 ) . 이후 에 , OPC 된 레이아웃 을 이용 하 여 포토 마스크 ( photomask ) 를 제작 하 고 , 제작 된 포토 마스크 를 이용 하 여 포토레지스트 층 에 대한 노광 및 현상 과정 을 수행 한다 . 이 에 따라 , 도 7 에 제시 된 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 710 ) 상 에 PMOS 트랜지스터 를 위한 제 1 포토레지스트 패턴 ( 741 ) 및 NMOS 트랜지스터 를 위한 제 2 포토레지스트 패턴 ( 743 ) 을 형성 한다 . 이러 한 제 1 및 제 2 포토 레지스 트 패턴 ( 741 , 743 ) 은 도 6 에 제시 된 바 와 같이 선폭 이 재 조정 된 제 1 및 제 2 게이트 ( 311 , 331 ) 의 레이아웃 의 OPC 결과 에 따라 형성 되 므로 , 실질 적 으로 서로 다른 선폭 ( d 4 ) 및 선폭 ( d 5 ) 을 가지 게 형성 될 수 있 다 .