본 발명 의 다른 실시 예 에 따르 면 , 게이트 도전 층 ( 462 ) 은 하부 게이트 도전 층 ( 470 ) 과 상부 게이트 도전 층 ( 480 ) 의 적층 구조 인 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 하부 게이트 도전 층 ( 470 ) 은 폴리 실리콘 층 , SiGe 층 또는 이 들 의 적층 구조 로 형성 한다 . 상부 게이트 도전 층 ( 480 ) 은 티타늄 질화 ( TiN ) 막 , 텅스텐 질화 ( WN ) 막 , 텅스텐 폴리 사이드 층 , 티타늄 폴리 사이드 층 , 티타늄 ( Ti ) 층 , 텅스텐 ( W ) 층 , 루테늄 ( Ru ) 층 또는 이 들 의 조합 중 선택 된 어느 하나 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .