본 발명 의 다른 양상 에 따르 면 , 게이트 - 올 - 어 라운드 전계 효과 트랜지스터 ( GAA FET ) 를 갖 는 반도체 디바이스 는 제 1 GAA FET 및 제 2 GAA FET 를 포함 한다 . 각각 의 제 1 GAA FET 및 제 2 GAA FET 는 기판 위 에 배치 된 탄소 나노 튜브 ( CNT ) , 채널 영역 에서 CNT 주위 에 형성 된 게이트 구조물 , 및 소스 / 드레 인 영역 에서 CNT 주위 에 형성 되 는 소스 / 드레 인 접촉 부 를 포함 한다 . 소스 / 드레 인 접촉 부 는 CNT 의 일부 에 만 직접 접촉 하 고 유전체 층 은 CNT 를 부분 적 으로 커버 하 고 소스 / 드레 인 접촉 부와 CNT 사이 에 배치 된다 .