채널 반도체 층 ( 102 ) 은 일부 실시 예 에서 하나 이상 의 반도체 층 을 포함 하 고 , Si , Ge , GeSn , SiGe , SiGeSn , GaAs , InSb , GaP , GaSb , InAlAs , InGaAs , GaSbP , GaAsSb , GaN , GaP , 및 InP ( 이 에 한정 되 는 것 은 아님 ) 와 같 은 에피 텍 셜 성장 된 단결정 질 반도체 재료 로부터 형성 될 수 있 다 . 특정 실시 예 에서 , 채널 층 ( 102 ) 은 Si 1 - yGey 을 포함 하 며 , 여기 에서 0 < y ≤ 1 . 0 이 다 . 다른 실시 예 에서 , 채널 반도체 층 ( 102 ) 은 Si 1 - yGey 을 포함 하 며 , 여기 에서 0 . 3 < y ≤ 1 . 0 이 다 . 일부 실시 예 에서 , x < y 이 다 . 기판 , 버퍼 반도체 층 및 채널 반도체 층 이 Si 및 Ge 및 / 또는 Sn 을 포함 할 때 , 상부 층 에서 의 Ge 및 / 또는 Sn 의 양 은 하부 층 에서 의 Ge 및 / 또는 Sn 의 양 보다 더 크 다 . 기판 ( 100 ) 은 불순물 ( 예컨대 , p 타입 또는 n 타입 전도성 ) 로 적합 하 게 도핑 된 다양 한 영역 을 포함 할 수 있 다 .