본 명세서 에 제공 된 SnO 2 층 을 증착 하 기 적합 한 열적 ALD 프로세스 조건 들 의 구체 적 인 예 는 전체 가 본 명세서 에 참조 로서 인용 된 , " 제목 이 "" Tin Oxide with Controlled Morphology and Crystallinity by ALD onto Graphene Nanosheets for Enhanced Lithium Storage "" 인 Li 등 의 논문 ( Advanced Functional Materials ", 2012 , 22 , 8 , 1647 - 1654 ) 에 기술 된다 . 프로세스 는 ALD 진공 챔버 내 에서 200 내지 400 ℃ 의 온도 에서 기판 을 SnCl 4 ( 주석 함유 전구체 ) 및 탈 이온 수 ( 산소 함유 반응 물질 ) 에 순차 적 으로 그리고 교번 적 으로 노출 하 는 것 을 포함 한다 . ALD 사이클 의 구체 적 인 예 에서 , SnCl 4 증기 와 N 2 캐리어 가스 의 혼합물 이 0 . 5 초 동안 ALD 프로세스 챔버 내 로 도입 되 고 , 이어서 3 초 동안 기판 에 노출 된다 . 다음 에 , ALD 프로세스 챔버 는 프로세스 챔버 의 벌크 로부터 SnCl 4 를 제거 하 기 위해 10 초 동안 N 2 를 사용 하 여 퍼지 되 고 , H 2 O 증기 와 N 2 캐리어 가스 의 혼합물 이 1 초 동안 프로세스 챔버 내 로 흐르 고 3 초 동안 기판 에 노출 된다 . 다음 에 , ALD 프로세스 챔버 가 N 2 를 사용 하 여 퍼지 되 고 사이클 이 반복 된다 . ALD 프로세스 는 부압 ( 예 를 들 어 , 0 . 4 Torr ) 및 200 내지 400 ℃ 의 온도 에서 수행 된다 .