그리 하 면 , 전단 에 비하 여 후단 의 MOS 트랜지스터 TR 은 백 바이어스 가 크 고 , 특히 최종 단의 MOS 트랜지스터 TR 9 및 그 직전 의 MOS 트랜지스터 TR 8 에서 는 백 바이어스 가 매우 커진다 . 따라서 , MOS 트랜지스터 TR 8 및 TR 9 에서 는 종종 백 바이어스 의 절대값 이 25 V 이상 으로 된다 . 이 경우 , 거리 a 를 증가 시킴 으로써 순방향 전류 를 증가 시킬 수 있 으며 , 이 는 MOS 트랜지스터 TR 8 및 TR 9 의 구동력 을 향상 시킬 수 있 다 . 그 결과 , 도 20 에 나타낸 바 와 같이 , 표면 내압 DSVsurf 도 증가 된다 . 따라서 , 도 13 과 같 은 경우 일지라도 , MOS 트랜지스터 TR 8 및 TR 9 의 내압 을 유지 할 수 있 다 . 이것 은 , 백 바이어스 의 절대값 이 25 V 정도 로 클 경우 에 는 , 임계 값 전압 의 상승 이 억제 되 어 , 게이트 전압 과 임계 값 전압 간 의 차 를 충분히 확보 하 는 것 이 전류 를 보다 많이 흐르 게 할 수 있 음 을 나타내 고 있 다 . 따라서 , 이러 한 구조 를 채용 함 으로써 , 승압 전류 를 보다 증가 시킬 수 있 다 .