이 와 같이 , OBIRCH 법 은 레이저 스캔 을 통해 전류 또는 전압 의 변화 가 있 는 위치 를 검색 하 여 이 를 불량 위치 로 판단 하 는 방법 을 이용 하 게 된다 . 그러나 , OBIRCH ( Optical Beam Induced Resistance Change ) 법 및 TIVA ( Thermally Induced Voltage Alteration ) 법 은 칩 ( Chip ) 내 금속 ( Metal ) 배선 이나 비아 ( Via ) 저항 증가 로 인한 불량 들 은 그 발생 위치 를 찾 기 가 불 가능 하 다 .