상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 소자 의 패턴 형성 방법 은 , 피식 각층 상 에 코팅 방식 의 탄소 를 함유 하 는 제 1 하드 마스크 를 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 하드 마스크 상 에 코팅 방식 의 실리콘 을 함유 하 는 제 2 하드 마스크 를 형성 하 는 단계 ; 상기 제 2 하드 마스크 를 산화 시키 는 단계 ; 산화 된 상기 제 2 하드 마스크 상 에 포토레지스트 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 포토레지스트 패턴 을 마스크 로 상기 제 2 하드 마스크 를 식각 하 는 단계 ; 적어도 식각 된 상기 제 2 하드 마스크 를 식각 베리어 로 상기 제 1 하드 마스크 를 식각 하 는 단계 ; 및 적어도 식각 된 상기 제 1 하드 마스크 를 식각 베리어 로 상기 피식 각층 을 식각 하 는 단계 를 포함 한다 .