일단 제 1 이중 물질 실리사이드 전구체 층 ( 201 ) 이 형성 되 면 , 선택 적 산화 장벽 층 ( 203 ) 은 후속 처리 동안 제 1 이중 물질 실리사이드 전구체 층 ( 201 ) 을 보호 하 기 위해 제 1 이중 물질 실리사이드 전구체 층 ( 201 ) 위 에 퇴적 될 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 산화 장벽 층 ( 203 ) 은 티타늄 , 텅스텐 , 탄탈룸 또는 루테늄 과 같 은 물질 일 수 있 으며 , 이러 한 물질 은 물리 적 기상 퇴적 , 화학 적 기상 퇴적 , 원자 층 퇴적 , 이 들 의 조합 등 과 같 은 퇴적 공정 을 사용 하 여 약 2 nm 내지 약 10 nm , 예 를 들 어 , 약 4 nm 의 두께 로 퇴적 될 수 있 다 . 그러나 임의 의 적합 한 물질 , 두께 또는 공정 이 사용 될 수 있 다 .