실험 예 4 에서 형성 된 자기 조립 단분자막 인 이미지 층 상 에 ArF 용 포토레지스트 인 IM - PAR 8585 ( Sumitomo 사 ) 를 스핀코팅 하 여 약 120 nm 의 두께 를 가지 는 포토레지스트 층 을 형성 하 였 다 . 상기 포토레지스트 층 을 110 ℃ 에서 60 초 동안 가열 하 여 프리 베 이크 ( pre - bake ) 하 였 다 . 그 후 , ArF 스캐너 ( 상품명 Nikon 308 ) 를 사용 하 여 0 . 92 NA 조건 에서 상기 포토레지스트 층 을 노광 한 후 현상 하 여 포토레지스트 패턴 을 형성 하 였 다 . 상기 포토레지스트 패턴 은 라인 과 스페이스 를 구비 하 였 다 . 그 후 , 열적 플로우 ( thermal flow ) 공정 을 이용 하 여 상기 포토레지스트 패턴 의 스페이스 의 폭 을 더욱 축소 시켜 최종 포토레지스트 패턴 을 형성 하 였 다 .