도 1 에 도시 되 는 기판 처리 시스템 ( 1 ) 은 , 기판 에 대하 여 , 감광성 피막 의 형성 , 당해 감광성 피막 의 노광 , 및 당해 감광성 피막 의 현상 을 실시 하 는 시스템 이 다 . 처리 대상 의 기판 은 , 예 를 들 어 반도체 의 웨이퍼 ( W ) 이 다 . 처리 대상 의 기판 은 반도체 웨이퍼 에 한정 되 지 않 고 , 예 를 들 어 유리 기판 , 마스크 기판 , FPD ( Flat Panel Display ) 등 이 어도 된다 . 감광성 피막 은 , 예 를 들 어 레지스 트 막 이 다 . 기판 처리 시스템 ( 1 ) 은 , 도포 · 현상 장치 ( 2 ) 와 노광 장치 ( 3 ) 를 구비 한다 . 노광 장치 ( 3 ) 는 , 웨이퍼 ( W ) ( 기판 ) 상 에 형성 된 레지스 트 막 ( 감광성 피막 ) 의 노광 처리 를 행한다 . 구체 적 으로 는 , 액침 노광 등 의 방법 에 의해 레지스 트 막 의 노광 대상 부분 에 에너지 선 을 조사 한다 . 도포 · 현상 장치 ( 2 ) 는 , 노광 장치 ( 3 ) 에 의한 노광 처리 전 에 , 웨이퍼 ( W ) ( 기판 ) 의 표면 에 레지스 트 막 을 형성 하 는 처리 를 행하 고 , 노광 처리 후 에 레지스 트 막 의 현상 처리 를 행한다 .