이렇게 , 로우 펄스 ( ROWP ) 가 토글 링 할 때 마다 로우 어드레스 신호 ( ROW _ ADD < 0 : 11 >) 를 메모리 뱅크 쿼터 ( 140 , 150 , 160 , 170 ) 에 속하 는 모든 뱅크 에 전달 하 게 되 면 , 실제로 메모리 뱅크 쿼터 ( 140 , 150 , 160 , 170 ) 에 속하 는 대부분 의 뱅크 에서 실제로 로우 어드레스 신호 ( ROW _ ADD < 0 : 11 >) 를 사용 하 지 않 는 데 도 불구 하 고 로우 어드레스 신호 ( ROW _ ADD < 0 : 11 >) 를 전달 하 는 데 소모 된 전류 는 , 소모 되 지 않 아도 되 는 전류 이 므로 불 필요 하 게 소모 된 전류 가 된다 . 즉 , 종래 기술 에 따른 다수 의 메모리 뱅크 구조 를 갖 는 반도체 메모리 소자 에서 는 불 필요 한 전류 소모 가 발생 하 는 문제점 이 있 다 .