상기 플로팅 게이트 전극 ( 204 b ) 은 액티브 영역 의 중심 으로부터 이웃 하 는 액티브 영역 의 중심 까지 의 거리 의 0 . 1 내지 1 배 의 너비 를 가질 수 있 다 . 도시 하 지 는 않 았 지만 , 상기 플로팅 게이트 전극 ( 204 b ) 의 너비 는 상기 액티브 영역 의 상부 면 너비 보다 더 넓 을 수 도 있 다 . 이 경우 , 비휘발성 메모리 소자 의 커플링 율 이 높 아 진다 .