제 2 도전 층 상 에 는 제 1 보호막 ( 170 ) 이 배치 된다 . 제 1 보호막 ( 170 ) 은 구동 트랜지스터 ( DRT ) 의 제 1 소스 전극 ( 330 ) 및 제 1 드레 인 전극 ( 340 ) 과 , 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 의 제 2 소스 전극 ( 430 ) 및 제 2 드레 인 전극 ( 440 ) 상 에 배치 된다 . 제 1 보호막 ( 170 ) 은 무기물 , 예컨대 실리콘 산화물 ( SiOx ) , 실리콘 질화물 ( SiNx ) 또는 이 들 이 적층 된 구조 로 형성 될 수 있 다 .