반도체 장치 에서 전기 가 흐르 는 배선 의 전기 이동 ( electromigration , EM ) 이 문제 된다 . EM 을 방지 하 기 위하 여 배선 의 측면 과 저면 에 장벽 층 을 형성 하 는 것 이 일반 적 인데 배선 의 상면 은 도금 을 이용 하 여 금속 함유층 을 형성 하 는 방법 이 고려 되 고 있 다 . 그러나 도금 으로 금속 층 을 형성 하 는 경우 오염 이 많이 발생 하 고 후처리 가 필요 하 다 .