이어서 , 게이트 절연 층 ( 53 ) 위 에 막 두께 25 nm 인 산화물 반도체 층 을 스퍼터링 법 에 의해 형성 했 다 . 또한 , 상기 산화물 반도체 층 의 형성 에 는 In 2 O 3 ： Ga 2 O 3 ： ZnO ＝ 1 ： 1 ： 2 ［ mol ］ 의 금속 산화물 타 겟 을 이용 했 다 . 또 , 상기 산화물 반도체 층 의 형성 은 , 기판 온도 를 200 ℃, 체임버 내압 을 0 . 6 Pa , 직류 전원 을 5 kＷ , 산소 및 아르곤 의 혼합 분위기 ( 산소 유량 50 sccm , 아르곤 유량 50 sccm ) 라는 조건 에서 행하 고 있 다 . 또한 , 상기 산화물 반도체 층 을 포토 리소그래피 법 을 이용 하 여 선택 적 으로 에칭 함 으로써 산화물 반도체 층 ( 54 ) 을 형성 했 다 ( 도 2 ( D ) 참조 ) .