메모리 셀 은 대응 하 는 비트 라인 ( 160 ) 및 워드 라인 ( 110 ) 에 인가 되 는 전압 또는 전류 에 의하 여 가변 저항 층 ( 150 ) 의 비트 라인 ( 160 ) 과 워드 라인 ( 110 ) 사이 의 부분 의 저항 이 변화 함 으로써 데이터 를 저장 할 수 있 다 . 여기 서 , 가변 저항 층 ( 150 ) 의 양단 은 가변 저항 층 ( 150 ) 의 제 2 방향 에서 의 양 측면 이 될 수 있 다 . 예컨대 , 제 1 층 의 제 1 메모리 셀 ( MC 1 - 1 ) 의 저항 을 변화 시키 기 위한 프로그램 동작 시 , A 1 - A 1 ' 선 상 의 비트 라인 ( 160 ) 및 이 비트 라인 ( 160 ) 일 측 의 제 1 층 의 워드 라인 ( 110 - 1 ) 을 통하 여 프로그램 전압 이 인가 될 수 있 고 , 그 에 따라 , 제 1 층 의 제 1 메모리 셀 ( MC 1 - 1 ) 의 가변 저항 층 ( 150 ) 중 A 1 - A 1 ' 선 상 의 비트 라인 ( 160 ) 및 이 비트 라인 ( 160 ) 일 측 의 제 1 층 의 워드 라인 ( 110 - 1 ) 사이 에 해당 하 는 부분 의 저항 이 가변 될 수 있 다 . 일례 로서 , 가변 저항 층 ( 150 ) 이 산소 공공 의 거동 에 의한 전류 통로 의 생 성 또는 소멸 에 의해 저항 이 변화 하 는 금속 산화물 을 포함 하 는 경우 , 가변 저항 층 ( 150 ) 의 해당 부분 에 기판 ( 100 ) 의 표면 과 평행 한 방향 의 전류 통로 가 생성 됨 으로써 메모리 셀 이 저 저항 상태 를 가질 수 있 고 이 전류 통로 가 소멸 되 면 메모리 셀 이 고저 항 상태 를 가질 수 있 다 . 또는 , 일례 로서 , 가변 저항 층 ( 150 ) 이 결정질 상태 혹은 비정질 상태 에 따라 저항 이 변화 하 는 상변화 물질 을 포함 하 는 경우 , 가변 저항 층 ( 150 ) 의 해당 부분 이 결정질 상태 이 면 메모리 셀 이 저 저항 상태 를 가질 수 있 고 비정질 상태 이 면 메모리 셀 이 고저 항 상태 를 가질 수 있 다 .