한편 , 상기 제 2 도전 성 패턴 을 갖 는 반도체 기판 상 에 상기 제 2 도전 성 패턴 에 인접 하 는 활성 영역 을 노출 시키 는 제 2 개 구부 를 갖 는 제 2 포토레지스트 패턴 을 형성 하 고 , 상기 제 2 포토레지스트 패턴 을 이온 주입 마스크 로 이용 하 여 상기 제 2 개 구부 에 의해 노출 된 활성 영역 에 불순물 이온 들 을 주입 하 여 제 2 불순물 영역 을 형성 하 고 , 상기 제 2 포토레지스트 패턴 을 제거 하 고 , 상기 제 2 불순물 영역 에 주입 된 불순물 이온 들 을 활성 화 시키 기 위한 제 2 열처리 공정 을 진행 하 는 것 을 더 포함 할 수 있 다 . 여기 서 , 상기 제 2 열처리 공정 은 상기 제 1 열처리 공정 보다 낮 은 온도 에서 진행 할 수 있 다 .