도 17 을 참조 하 면 , 제 2 리세 스 영역 ( 220 R 2 ) 내벽 상 에 게이트 절연 층 ( 130 ) 을 콘 포말 하 게 형성 하 고 , 이후 게이트 절연 층 ( 130 ) 상 에 제 2 리세 스 영역 ( 220 R 2 ) 내부 를 채우 는 도전 층 ( 도시 생략 ) 을 형성 한 후 , 상기 도전 층 상부 를 에치 백 함 에 의해 게이트 전극 ( 120 ) 을 형성 할 수 있 다 . 게이트 전극 ( 120 ) 의 에치 백 공정 에서 게이트 절연 층 ( 130 ) 일부분 이 함께 제거 되 어 도 17 에 예시 적 으로 도시 된 것 과 같이 게이트 절연 층 ( 130 ) 의 상면 이 게이트 전극 ( 120 ) 의 상면 과 동일 평면 상 에 위치 할 수 있 다 .