이러 한 습식 식각 공정 은 에틸렌 글리콜 ( Ethylene Glycol ) 과 49 % 의 불화 수소산 ( Hydrofluric Acid ) 을 25 : 1 로 혼합 한 용액 을 이용 하 며 , 실리콘 기판 ( 400 ) 을 상기 의 용액 에 20 ∼ 25 분 정도 딥 ( dip ) 함 으로서 , 게이트 용 폴리 실리콘 막 ( 420 ) 의 상부 가 드러나 도록 층간 절 연막 ( 430 ) 의 일부 및 금속 배선 등 의 막 이 제거 된다 .