로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 는 다양 한 구성 요소 ( 가령 , 로우 디코더 ( 225 ) , 컬럼 디코더 ( 230 ) , 플레이트 드라이버 ( 235 ) 및 감지 구성 요소 ( 250 ) ) 를 통한 메모리 셀 ( 205 ) 의 동작 을 제어 할 수 있 다 . 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 는 도 1 을 참조 하 여 기재 된 로컬 메모리 제어기 ( 165 ) 의 예시 일 수 있 다 . 일부 경우 , 로우 디코더 ( 225 ) , 컬럼 디코더 ( 230 ) , 및 플레이트 드라이버 ( 235 ) , 및 감지 구성 요소 ( 250 ) 중 하나 이상 이 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 와 함께 위치 할 수 있 다 . 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 는 하나 이상 의 커맨드 및 / 또는 데이터 를 외부 메모리 제어기 ( 105 ) ( 또는 도 1 을 참조 하 여 기재 된 디바이스 메모리 제어기 ( 155 ) ) 로부터 수신 하 고 , 커맨드 및 / 또는 데이터 를 메모리 다이 ( 200 ) 에 의해 사용 될 수 있 는 정보 로 변환 하 며 , 메모리 다이 ( 200 ) 상 의 하나 이상 의 동작 을 수행 하 며 , 하나 이상 의 동작 을 수행 하 는 것 에 응답 하 여 메모리 다이 ( 200 ) 로부터 의 데이터 를 외부 메모리 제어기 ( 105 ) ( 또는 디바이스 메모리 제어기 ( 155 ) ) 로 통신 하 도록 구성 될 수 있 다 . 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 는 로우 , 컬럼 및 / 또는 플레이트 라인 어드레스 신호 를 생성 하 여 , 타깃 워드 라인 ( 210 ) , 타깃 디 지트 라인 ( 215 ) , 및 타깃 플레이트 라인 ( 220 ) 을 활성 화 시킬 수 있 다 . 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 는 또한 메모리 다이 ( 200 ) 의 동작 중 에 사용 되 는 다양 한 전압 또는 전류 를 생 성 및 제어 할 수 있 다 . 일반 적 으로 , 본 명세서 에서 언급 되 는 인가 되 는 전압 또는 전류 의 진폭 , 형태 , 또는 지속 시간 이 조절 또는 변경 될 수 있 고 메모리 다이 ( 200 ) 를 동작 시키 기 위한 다양 한 동작 에 대해 상이 할 수 있 다 .