상기 에서 , 기술 의 특정 실시 예 가 본 명세서 에 설명 목적 으로 기재 되 었 고 , 다양 한 수정 이 본 개시 내용 의 범위 내 에서 이뤄질 수 있 음 을 알 것 이 다 . 덧붙여 , 도면 에 도시 된 다양 한 요소 및 특징 부 가 실측 비율 로 그려지 지 않 을 수 있 으며 , 본 개시 의 다양 한 실시 예 가 도면 에서 도시 된 것 이 아닌 다른 구조 를 포함 할 수 있 고 분명히 도면 에 도시 된 구조 에 한정 되 지 않 는다 . 또한 , HTS 의 실시 예 중 다수 가 HMC 에 대해 기재 되 었 지만 , 다른 실시 예 에서 HTS 는 그 밖 의 다른 메모리 디바이스 또는 그 밖 의 다른 유형 의 적층 된 다이 조립 체 와 함께 사용 되 도록 구성 될 수 있 다 . 덧붙여 , 특정 실시 예의 맥락 에서 기재 된 새로운 기술 의 특정 양태 가 또한 그 밖 의 다른 실시 예 에서 조합 되 거나 삭제 될 수 도 있 다 . 덧붙여 , 새 기술 의 특정 실시 예 와 연관 된 이점 이 이 들 실시 예의 맥락 에서 기재 되 었 지만 , 그 밖 의 다른 실시 예 가 또한 이러 한 이점 을 보일 수 도 있 으며 본 기술 의 범위 내 에 속하 는 모든 실시 예 가 반드시 이러 한 이점 을 나타낼 필요 는 없 다 . 따라서 , 본 개시 내용 및 연관 기술 이 본 명세서 에 명시 적 으로 도시 되 거나 기재 되 지 않 은 그 밖 의 다른 실시 예 를 포함 할 수 있 다 .