제 1 실시 형태 에서 는 , MOS 트랜지스터 TR 4 ∼ TR 9 는 게이트 폭 방향 에서 의 거리 b 를 MOS 트랜지스터 TR 1 ∼ TR 3 보다 도 크 게 하 고 있 다 . 거리 b 1 ∼ b 3 는 0 ㎛∼ 1 . 0 ㎛ 의 일정 값 으로 설정 되 고 , 거리 b 4 ∼ b 9 는 b 1 ∼ b 3 보다 도 0 . 1 ㎛∼ 0 . 4 ㎛ 의 범위 만큼 크 다 .