다음 으로 , 장벽층 ( 11 ) 은 채널 층 ( 10 ) 상 에 형성 된다 . 이 경우 , 장벽층 ( 11 ) 은 채널 층 ( 10 ) 과 이종 접합 을 형성 한다 . 여기 서 , 장벽층 ( 11 ) 은 인듐 갈륨 나이트 라이드 ( InGaN ) , 알루미늄 갈륨 나이트 라이드 ( AlGaN ) , 알루미늄 인듐 갈륨 나이트 라이드 ( AlInGaN ) , 알루미늄 인듐 나이트 라이드 ( AlInN ) , 알루미늄 나이트 라이드 ( AlN ) 등 으로 구성 된 다양 한 질화물 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 .