복수 의 메모리 셀 스트링 ( 11 ) 은 각각 복수 의 메모리 셀 ( MC 1 - MCn ) , 스트링 선택 트랜지스터 ( SST ) , 및 접지 선택 트랜지스터 ( GST ) 를 구비 할 수 있 다 . 각각 의 메모리 셀 스트링 ( 11 ) 에서 접지 선택 트랜지스터 ( GST ) , 복수 의 메모리 셀 ( MC 1 - MCn ) 및 스트링 선택 트랜지스터 ( SST ) 가 수직 으로 ( 즉 , z 방향 으로 ) 직렬 배치 될 수 있 다 . 여기 서 , 복수 의 메모리 셀 ( MC 1 - MCn ) 은 데이터 를 저장 할 수 있 다 . 복수 의 워드 라인 ( WL 1 - WLn ) 은 각각 의 메모리 셀 ( MC 1 - MCn ) 에 결합 되 어 이 들 에 결합 된 메모리 셀 ( MC 1 - MCn ) 을 제어 할 수 있 다 . 복수 의 메모리 셀 ( MC 1 - MCn ) 의 수 는 반도체 메모리 소자 의 용량 에 따라서 적절 하 게 선택 될 수 있 다 .