열처리 또는 화학 적 처리 와 같 은 추가 적 인 처리 가 전술 한 단계 들 의 이전 , 이후 , 또는 그 사이 에 수행 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 처리 에 의해 표면 이 개질 되 거나 공정 의 다양 한 단계 에서 노출 된 금속 , 실리콘 산화물 , 중합체 패 시베이 션 및 금속 산화물 표면 의 일부 가 제거 될 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 기판 은 선택 적 증착 단계 가 시작 될 때 또는 이 에 앞서 전처리 되 거나 세척 될 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 기판 은 선택 적 증착 단계 가 시작 될 때 또는 이 에 앞서 플 라즈 마 세 척 단계 를 거칠 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 플라 즈 마 세 척 단계 는 이온 충격 을 포함 하 거나 상대 적 으로 적 은 양 의 이온 충격 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 일부 구 현예 에서 , 기판 표면 은 선택 적 증착 단계 가 시작 될 때 또는 이 에 앞서 플 라즈 마 , 라디컬 , 여기 종 , 및 / 또는 원 자종 에 노출 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 일부 구 현예 에서 , 기판 표면 은 선택 적 증착 단계 가 시작 될 때 또는 이 에 앞서 수소 플 라즈 마 , 라디컬 , 또는 원 자종 에 노출 될 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 전처리 단계 또는 세 척 단계 는 선택 적 증착 단계 와 동일 한 반응 챔버 에서 수행 될 수 있 지만 , 일부 구 현예 에서 전처리 단계 또는 세 척 단계 는 별도 의 반응 챔버 에서 수행 될 수 있 다 .