여기 에서 , 이 반도체 웨이퍼 ( 3 ) 의 극 최 표면 인 포인트 A 와 최 표면 인 포인트 B 의 온도 차 를 작 게 하 기 위해서 는 , 상기 반도체 스위치 ( IGBT 소자 ( 25 ) ) 를 온 , 오프 시키 는 제 1 구동 신호 와 , 이 제 1 구동 신호 가 출력 된 후 , 상기 반도체 스위치 를 온 으로 하 는 제 2 구동 신호 를 출력 하 는 구동 회로 를 설치 하 고 , 상기 제 2 구동 신호 가 상기 반도체 스위치 를 온 으로 하 는 기간 을 , 상기 제 1 구동 신호 중 1 개 의 구동 신호 에 의해 상기 반도체 스위치 가 온이 되 는 기간 보다 길 어 지 도록 하 고 , 이 기판 가열 장치 에 배치 된 플래시 램프 ( 5 ) 의 점 등 시 에 , 제 1 구동 신호 에 의해 상기 반도체 스위치 를 온 , 오프 하 여 플래시 램프 ( 5 ) 를 점등 시키 며 , 기판 온도 를 , 목표 가 되 는 원 하 는 온도 보다 낮 은 상기 제 2 온도 까지 상승 시키 고 , 그 후 , 제 2 구동 신호 에 의해 상기 반도체 스위치 를 온 으로 하 여 , 기판 의 극 최 표면 온도 를 목표 가 되 는 원 하 는 온도 ( 본 실시 예 에서 는 1300 ℃) 까지 상승 시킨다 .