상기 기판 상부 에 우선 정공 주입 층 으로서 공지 의 화합물 NPD 를 진공 증착 하 여 300 Å 두께 로 형성 한 후 , 이어서 정공수 송성 화합물 로서 TCTA 를 200 Å 의 두께 로 진공 증착 하 여 정공 수송 층 을 형성 하 였 다 . 상기 정공 수송 층 상부 정공 수송 층 화합물 CzSi 를 100 Å 의 두께 로 진공 증착 하 였 다 . 상기 층 위 에 화합물 H 101 과 본 발명 의 화합물 2 을 중량 비 90 : 10 으로 동시 증착 하 여 200 Å 의 두께 의 발광 층 을 형성 하 였 다 . 이어서 전자 수송 층 화합물 로써 화합물 H 101 을 200 Å 의 두께 로 형성 한 후 , 전자 주입 층 화합물 로써 TPBI 를 300 Å 의 두께 로 증착 하 였 다 .