본 발명 의 실시 예 들 에 따른 메모리 시스템 은 데이터 를 저장 하 는 복수 의 페이지 를 구비 한 복수 의 메모리 블록 들 을 포함 하 는 비휘발성 메모리 장치 ; 및 상기 복수 의 페이지 각각 의 에러 비트 정보 를 바탕 으로 , 상기 복수 의 페이지 중 상기 에러 비트 정보 가 에러 임계 치 를 넘어서 는 페이지 들 을 에러 가능 페이지 로 선정 하 고 , 상기 에러 가능 페이지 각각 의 상기 에러 비트 정보 에 대한 상대 적 인 우선순위 를 상기 에러 가능 페이지 에 부여 하 여 , 상기 에러 가능 페이지 중 상기 우선 순위 가 기 설정 된 임계 치 를 넘어서 는 에러 가능 페이지 에 테스트 리드 동작 을 수행 하 는 컨트롤러 를 포함 할 수 있 다 .