도 4 b 에 도시 된 바 와 같이 , 만일 상기 스퍼터링 장치 로 ITO 물질 의 증착 공정 을 수행 하 고자 하 는 경우 , 먼저 타 겟 ( 131 ) 을 금속 물질 에서 ITO 물질 로 바꾸 어 상기 캐소드 ( 132 ) 상 에 부착 한다 . 앞서 설명 한 바 와 같이 , ITO 물질 의 증착 공정 을 위해서 는 플 라즈 마 영역 ( 210 ) 의 자기장 의 세기 가 200 G 가 되 어야 한다 . 따라서 플 라즈 마 영역 ( 210 ) 에서 의 자기장 의 세기 를 가변 시키 기 위해 상기 각 마그넷 ( 236 a , 236 b , 236 c ) 이 상기 캐소드 ( 132 ) 에 대해 수직 방향 을 이동 될 수 있 다 .