예 로서 , 근위 전극 들 중 하나 또는 그 들 의 어레이 는 기재 의 근위 표면 에서 또는 그 근처 에서 , 프로브 에 의해 활용 될 트랜스 듀 서 요소 들 의 패턴 에 대응 하 는 패턴 으로 배열 된 전극 들 과 접속 될 수 있 다 . 기재 의 원위 표면 은 원위 전극 들 의 유사 한 어레이 , 더 적 은 전극 들 및 / 또는 공통 전극 에 접속 될 수 있 다 . 전기장 을 형성 하 기 위해 근위 및 원위 전극 들 을 가로질러 전압 전위 가 인가 된다 . 전기장 은 압 전 기재 내 의 전기 쌍극자 들 을 재 배향 시켜서 , 공통 방향 을 따라서 정렬 되 도록 하 기 에 , 즉 스캐닝 방향 을 따라서 정렬 되 도록 하 기에 충분 한 강도 로 인가 된다 . 선형 프로브 들 의 경우 , 스캐닝 방향 은 깊이 축 에 대체 적 으로 평행 하 게 그리고 프로브 의 면 에 수직 으로 연장 된다 . 만곡 된 프로브 들 에 대해 , 단일 송신 동작 과 관련 하 여 , 스캐닝 방향 은 ( 송신 축 에 근접 한 ) 로컬 깊이 축 에 평행 하 게 그리고 송신 축 에 근접 한 프로브 의 로컬 영역 에 수직 으로 연장 된다 .