일 실시 예 에 있 어서 , 본 발명 의 각 중합체 막 및 본 발명 의 전자 장치 의 중합체 막 성분 은 각각 , 막 의 100 pbw 당 , 약 65 pbw 까지 , 더 전형 적 으로 는 약 12 내지 약 62 pbw 탄소 입자 들 , 더 더욱 전형 적 으로 는 카본 나노 튜브 들 , 또 더욱 전형 적 으로 는 다중 - 벽 탄소 나노 튜브 들 을 더 포함 한다 .