상기 박막 트랜지스터 는 , 게이트 , 상기 게이트 에 대응 되게 형성 되 는 것 으로 상기 투명 한 산화물 반도체 로 이루어진 채널 층 , 상기 게이트 와 채널 층 사이 에 형성 되 는 게이트 절 연막 , 상기 채널 층 의 양측 상 에 형성 되 는 소스 / 드레 인 전극 및 상기 / 드레 인 전극 을 덮 도록 형성 되 는 보호막 을 포함 할 수 있 다 .