도 4 a 및 도 5 a 를 참조 하 면 , 소자 분리 영역 및 활성 영역 으로 구획 된 실리콘 기판 ( 400 , 500 ) 의 소자 분리 막 영역 을 식각 하 여 트렌치 ( T ) 를 형성 한 후 , 상기 트렌치 ( T ) 내 에 소자 분리 막 용 절 연막 으로 SOD ( Spin - On Dielectric ) 절 연막 과 HDP ( High Density Plasma ) 절 연막 을 차례 로 매립 하 여 활성 영역 을 한정 하 는 소자 분리 막 ( 410 , 510 ) 을 형성 한다 .