회전 테이블 을 회전 시킴 으로써 , Si 함유 가스 와 O 3 가스 를 사용 해서 웨이퍼 ( W ) 에 반응 생성물 을 형성 하 는 성막 스텝 과 , 플 라즈 마 에 의해 상기 반응 생성물 을 개질 하 는 개질 스텝 으로 이루어지 는 성막 - 개질 처리 를 복수 회 행하 는 동시 에 , 박막 의 형성 도중 에 플 라즈 마의 강도 를 변경 한다 . 구체 적 으로 는 , 반응 생성물 의 적층 막 두께 가 얇 을 때 ( 성막 - 개질 처리 를 개시 한 초기 ) 에 는 플 라즈 마의 강도 를 작 게 하 는 동시 에 , 반응 생성물 의 적층 막 두께 가 증가 할수록 ( 성막 스텝 의 횟수 가 증가 할수록 ) , 웨이퍼 ( W ) 에 공급 하 는 플 라즈 마의 강도 를 단계 적 으로 크 게 한다 . 혹은 , 반응 생성물 의 막 두께 가 얇 을 때 플 라즈 마의 강도 를 강하 게 하 고 , 그 후 약하 게 한다 .