이러 한 구조 를 갖 는 박막 트랜지스터 ( Tr ) 위 로 는 전면 에 상기 드레 인 전극 ( 78 ) 일부 를 노출 시키 는 드레 인 콘 택 홀 ( 80 ) 을 갖 는 보호 층 ( 86 ) 이 형성 되 어 있 으며 , 상기 보호 층 ( 86 ) 상부 에 는 각 화소 영역 ( P ) 별로 상기 드레 인 콘 택 홀 ( 80 ) 을 통해 상기 드레 인 전극 ( 78 ) 과 접촉 하 는 화소 전극 ( 88 ) 이 형성 되 고 있 으며 , 상기 게이트 전극 ( 60 ) 이 형성 된 동일 한 층 에 상기 게이트 전극 ( 60 ) 과 연결 되 는 게이트 배선 ( 미 도시 ) 과 , 상기 소스 및 드레 인 전극 ( 76 , 78 ) 이 형성 된 동일 한 층 에 상기 소스 전극 ( 76 ) 과 연결 되 는 데이터 배선 ( 미 도시 ) 이 더욱 형성 됨 으로써 어레이 기판 ( 59 ) 을 이루 고 있 다 .