이온 소스 에 는 반도체 기판 에 주입 되 는 원소 를 포함 하 는 소스 가스 가 공급 된다 . 이온 소스 는 인가 되 는 전기 에너지 를 이용 하 여 소스 가스 의 구성 물 ( 예컨대 , B +, F -) 로부터 생성 되 는 이온 을 포함 하 는 플 라즈 마 를 형성 한다 . 그 후 , 이온 은 챔 버 ( 30 ) 에 포함 된 타켓 ( 예컨대 , 반도체 기판 ) 을 향해 가속 된다 . 기판 내로 의 침투 깊이 는 이온 에너지 , 이온 종 타입 및 기판 의 성분 을 포함 하 는 복수 개 의 요인 에 의해 결정 된다 .