본 발명 은 측벽 영역 과 이등방성 습식 식각 을 이용 한 증가 형 반도체 탐침 의 제조 방법 및 이 를 이용 한 정보 저장 장치 에 관한 것 으로 , 특히 소자 의 성능 에 대한 공정 변수 의 영향 을 줄임 으로써 대량 생산 에 있 어 소자 의 신뢰도 를 높일 수 있 고 , 또한 이전 의 측정 감도 를 저해 하 였 던 요소 를 해결 함 으로써 소자 성능 을 향상 시킬 수 있 는 측벽 영역 과 이등방성 습식 식각 을 이용 한 증가 형 반도체 탐침 의 제조 방법 및 이 를 이용 한 정보 저장 장치 에 관한 것 이 다 .