계속 하 여 , 도 4 d 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 제 1 , 제 2 , 제 3 콘 택 홀 들 ( 18 H 1 ) ( 18 H 2 ) ( 18 H 3 ) 을 가진 기판 위 에 투명 도 전막 을 형성 한다 . 이때 , 상기 투명 도 전막 은 인듐 - 틴 - 옥사이드 ( indium - tin - oxide : ITO ) 와 같이 빛 의 투과 율 이 비교 적 뛰어난 투명 도전 성 금속 을 이용 한다 . 이 어 , 상기 투명 도 전막 을 패 터닝 하 여 제 1 , 제 2 , 제 3 및 제 4 콘 택 홀 들 ( 18 H 1 ) ( 18 H 2 ) ( 18 H 3 ) 을 덮 는 각각 의 게이트 패드 상부 전극 ( 54 ) , 화소 전극 ( 22 ) 및 데이터 패드 상부 전극 ( 66 ) 을 형성 한다 .