이어서 , 반도체 구조물 상 에 식각 저 지막 ( 201 ) 을 형성 한다 . 이때 , 식각 저 지막 ( 201 ) 은 후속 공정 을 통해 형성 될 제 1 희생 절 연막 ( 202 ) 과 높 은 식각 선택 비 를 갖 는 물질 로 형성 한다 . 바람직 하 게 는 50 : 1 ( 제 1 희생 절 연막 : 식각 저 지막 ) 이상 , 더욱 바람직 하 게 는 100 : 1 ~ 500 : 1 ( 제 1 희생 절 연막 : 식각 저 지막 ) 의 식각 선택 비 를 갖 는 물질 로 형성 한다 . 예컨대 , 식각 저 지막 ( 101 ) 은 전도 성 을 갖 지 않 는 질화 막 , 구체 적 으로 실리콘 이 함유 된 질화 막 , 더욱 구체 적 으로 실리콘 질화 막 ( SixNy ) ( 여기 서 , x , y 는 자연수 ) 으로 형성 한다 .