도 12 는 , 단면 브리지 터치 패널 인 본 출원 의 터치 패널 ( 100 ) 의 다른 실시 예 를 도시 한다 . 본 출원 의 일부 실시 예 들 에 있 어서 , 이러 한 실시 예 와 이상 에서 언급 된 실시 예 사이 의 차이점 은 적어도 , 이상 에서 설명 된 패턴 화 하 는 단계 이후 에 기판 ( 110 ) 내 에 형성 된 터치 센싱 전극 ( TE ) ( 즉 , 금속 성 나노 와 이 어 층 ( 140 A ) ) 이 제 1 방향 ( D 1 ) 을 따라 배열 된 제 1 터치 센싱 전극 , 제 2 방향 ( D 2 ) 를 따라 배열 된 제 2 터치 센싱 전극 , 및 인접 한 제 1 터치 센싱 전극 에 전기 적 으로 연결 된 연결 전극 ( CE ) 을 포함 할 수 있 다는 점 이 다 . 추가 적 으로 , 예시 적 으로 실리콘 이 산화물 로 형성 된 절연 블록 ( 164 ) 이 연결 전극 ( CE ) 상 에 배치 될 수 있 으며 , 예시 적 으로 Cu 로 형성 된 브리 징 전도체 ( 162 ) 가 추가 로 절연 블록 ( 164 ) 상 에 배치 되 며 , 브리 징 전도체 ( 162 ) 는 제 2 방향 ( D 2 ) 에서 2 개 의 인접 한 제 2 터치 센싱 전극 들 ( TE 2 ) 에 연결 되 고 , 여기 에서 절연 블록 ( 164 ) 은 연결 전극 ( CE ) 및 브리 징 전도체 ( 162 ) 를 전기 적 으로 절연 하 기 위하 여 연결 전극 ( CE ) 과 브리 징 전도체 ( 162 ) 사이 에 증착 되 며 , 그 결과 제 1 방향 ( D 1 ) 및 제 2 방향 ( D 2 ) 에서 터치 전극 들 은 서로 전기 적 으로 절연 된다 .