반도체 소자 의 고집 적 화 에 따라 소자 분리 막 형성 공정 이 더욱더 어려워 지 고 있 다 . 이 에 따라 , 반도체 기판 에 트렌치 를 형성 한 후 이 를 매립 하 는 STI ( Shallow Trench Isolation ) 방법 을 이용 하 여 소자 분리 막 을 형성 하 고 있 다 . 그러나 , 고집 적 화 된 소자 의 경우 , 트렌치 의 입구 폭 에 비해 트렌치 깊이 가 깊 기 때문 에 트렌치 를 보이 드 없이 매립 하 는 것 은 매우 어려운 실정 이 다 . 그 이유 는 트렌치 에 산화 막 을 매립 하 는데 있 어서 , 트렌치 입구 가 트렌치 바닥 에 비해 증착 속도 가 빠르 기 때문 에 산화 막 증착 이 진행 되 면서 트렌치 입구 가 막히 게 되 는 오버행 ( overhang ) 이 발생 하 여 트렌치 내부 에 보이드 ( void ) 가 발생 하 기 때문 이 다 .