그러나 , 상기 SOI 트랜지스터 의 경우 에 는 , 산화 막 상 에 형성 된 실리콘 층 이 플로팅 ( Floating ) 된 상태 이 므로 , 상기 실리콘 층 의 제어 가 어렵 다 . 즉 , 트랜지스터 의 동작 시 발생 되 는 핫 캐리어 ( Hot Carrier ) 로 인해 상기 실리콘 층 의 포 텐 샬 ( Potential ) 이 변화 하 며 , 이 때문 에 , 문턱 전압 ( Threshold Voltage : Vt ) 이 변하 는 등 반도체 소자 의 특성 이 저하 된다 .