상기 결과 로부터 명백 한 바 와 같이 , 실시 예 1 ∼ 6 에 있 어서 의 경화 성 수지 필름 과 그 경화물 인 제 1 보호막 은 가시광선 투과 율 이 7 ∼ 35 ％ 이 며 , 충분히 낮 았 다 . 그 결과 , 열경화성 수지 필름 이 형성 된 실리콘 웨이퍼 와 제 1 보호막 이 형성 된 실리콘 웨이퍼 에 있 어서 는 회로 면 의 은폐 성 이 높 았 다 . 또한 , 경화 성 수지 필름 을 회로 면 과 범프 의 표면 에 밀착 시킨 후 , 범프 의 상부 영역 에 경화 성 수지 필름 및 제 1 보호막 이 모두 잔존 하 고 있 지 않 은 것 을 용이 하 게 인식 할 수 있 었 다 . 열경화성 수지 필름 과 실리콘 웨이퍼 사이 의 색차 및 제 1 보호막 과 실리콘 웨이퍼 사이 의 색차 가 , 모두 27 . 87 ∼ 48 . 10 이 기 때문 에 , 만약 경화 성 수지 필름 또는 제 1 보호막 이 잔존 하 고 있 으면 용이 하 게 이 를 인식 할 수 있 었 을 것 이 다 .