일부 실시 예 에서 , 반도체 소자 가 개시 되 며 , 반도체 소자 는 : 기판 ; 상기 기판 내 에 배치 된 금속 - 산화물 - 반도체 소자 ; 및 상기 금속 - 산화물 - 반도체 소자 에 인접 하 게 배치 된 특징 부를 포함 한다 . 상기 특징 부 는 상기 기판 내 로 제 1 깊이 로 연장 되 고 , 상기 금속 - 산화물 - 반도체 소자 는 상기 기판 내 로 상기 제 1 깊이 보다 작 은 제 2 깊이 로 연장 된다 . 일부 실시 예 에서 , 상기 특징 부 는 다수 의 딥 쉘로우 트렌치 분리 부 를 포함 한다 . 상기 쉘로우 트렌치 분리 부 는 약 0 . 5 내지 약 10 마이크로미터 범위 의 제 1 깊이 를 가진다 . 일부 실시 예 에서 , 상기 특징 부 는 상기 금속 - 산화물 - 반도체 소자 의 대향 측 에 배치 되 고 약 0 . 5 마이크로미터 보다 큰 제 1 깊이 를 가지 는 2 개 의 딥 쉘로우 트렌치 분리 부 를 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 상기 반도체 소자 는 상기 기판 상 에 제공 된 제 1 유형 의 제 1 웰 과 제 2 웰 및 상기 제 1 유형 과 상이 한 제 2 유형 의 제 3 웰 ; 상기 제 1 웰 위 에 배치 된 상기 제 2 유형 의 제 4 웰 - 상기 제 2 웰 은 상기 제 3 웰 과 상기 제 4 웰 사이 에 개재 됨 -; 상기 제 2 웰 내 에 배치 된 상기 제 2 유형 의 제 1 도핑 영역 및 상기 제 3 웰 내 에 배치 된 상기 제 1 유형 의 제 2 도핑 영역 ; 상기 제 4 웰 위 에 배치 된 게이트 구 조체 ; 및 상기 제 4 웰 내 에 배치 된 제 3 내지 제 5 도핑 영역 - 상기 제 3 내지 제 5 도핑 영역 및 상기 게이트 구조 체 는 상기 금속 - 산화물 - 반도체 소자 로서 동작 하 도록 구성 된 구조 체 에 포함 됨 - 을 포함 한다 . 상기 게이트 구조 체 , 상기 제 1 도핑 영역 , 상기 제 2 도핑 영역 , 상기 제 5 도핑 영역 또는 이 들 의 조합 은 상기 특징 부 에 전기 적 으로 결합 되 거나 플로팅 되 도록 구성 된다 . 일부 실시 예 에서 , 상기 특징 부 는 약 500 내지 약 1 , 000 , 000 옴 의 저항 을 갖 는 적어도 하나 의 저항기 를 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 상기 특징 부 는 상기 금속 - 산화물 - 반도체 소자 로부터 소정 거리 만큼 이격 되 어 배치 된다 . 상기 특징 부 는 다중 반도체 구 조체 ; 및 상기 반도체 구조 체 위 에 배치 된 레지스 트 보호 산화물 ( resist protect oxide ; RPO ) 층 을 포함 한다 . 상기 거리 는 약 1 마이크로미터 내지 약 100 마이크로미터 의 범위 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 상기 반도체 소자 는 상기 특징 부 위 에 배치 된 다수 의 저항기 를 더 포함 하 며 , 상기 저항기 는 소정 방향 으로 서로 이격 되 고 , 상기 저항기 는 각각 상기 방향 을 따라 약 0 . 001 마이크로미터 내지 약 10 마이크로미터 범위 의 폭 을 가진다 . 일부 실시 예 에서 , 상기 저항기 는 약 0 . 001 마이크로미터 내지 약 10 마이크로미터 범위 의 거리 만큼 서로 이격 된다 . 일부 실시 예 에서 , 상기 기판 은 외성 기판 ( extrinsic substrate ) 및 상기 특징 부 와 상기 외성 기판 사이 에 배치 된 진성 기판 ( intrinsic substrate ) 을 포함 한다 . 상기 진성 기판 은 상기 외성 기판 보다 높 은 임피던스 를 가지 는 재료 를 포함 한다 . 상기 반도체 소자 는 상기 특징 부 및 상기 진성 기판 위 에 배치 된 저항기 를 더 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 상기 반도체 소자 는 상기 특징 부 위 에 배치 된 다수 의 금속 층 을 더 포함 한다 . 상기 저항기 는 상기 금속 층 중 하나 에 배치 된다 . 일부 실시 예 에서 , 상기 금속 - 산화물 - 반도체 소자 는 배치도 에서 서로 소정 거리 로 이격 된 다수 의 금속 - 산화물 - 반도체 소자 를 포함 한다 . 상기 거리 는 약 0 . 001 마이크로미터 내지 약 5 마이크로미터 의 범위 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 상기 기판 은 약 100 내지 약 1 , 000 , 000 ohm - cm 범위 의 저항률 을 가진다 .