이 어 , 상기 제 1 기판 ( 300 ) 전면 에 소오 스 / 드레 인 전극 용 금속 을 증착 하 고 이 를 패 터닝 하 여 소오 스 / 드레 인 전극 ( 330 a , 330 b ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 소오 스 / 드레 인 전극 ( 330 a , 330 b ) 은 배선 저항 을 낮추 기 위해 저 저항 물질 을 사용 할 수 있 으며 , 몰리 텅스텐 ( MoW ) , 티타늄 ( Ti ) , 알루미늄 ( Al ) 또는 알루미늄 합금 ( Al alloy ) 으로 이루어진 다 중막 으로 형성 된다 . 상기 다 중막 으로 는 몰리 텅스텐 / 알루미늄 / 몰리 텅스텐 ( MoW / Al / MoW ) 의 적층 구조 가 사용 될 수 있 다 . 따라서 , 상기 제 1 및 제 2 콘 택 홀 ( 327 a , 327 b ) 을 매우 며 상기 반도체 층 ( 310 ) 의 일정 영역 과 전기 적 으로 연결 되 게 된다 .