상술 한 본 발명 의 일 과제 를 달성 하 기 위하 여 , 또 다른 예시 적 인 실시 예 들 에 따른 수직 형 메모리 장치 는 기판 상 에 형성 되 어 상기 기판 상면 에 수직 한 제 1 방향 으로 각각 연장 된 채널 들 , 상기 기판 상 에 형성 되 어 상기 채널 들 에 접촉 하 는 채널 연결 패턴 , 상기 채널 연결 패턴 상부 의 상기 각 채널 들 의 외측 벽 에 형성 되 어 , 상기 기판 상면 에 평행 한 수평 방향 을 따라 순차 적 으로 적층 된 터널 절연 패턴 , 전하 트래핑 패턴 및 제 1 블로킹 패턴 과 , 분리 패턴 을 포함 하 는 전하 저장 구조물 , 상기 채널 연결 패턴 상 에 상기 제 1 방향 으로 서로 이격 되 고 , 각각 이 상기 전하 저장 구조물 을 둘러싸 는 게이트 전극 들 , 상기 각 게이트 전극 들 의 상하 면 및 상기 전하 저장 구조물 에 대향 하 는 측벽 을 커버 하 는 제 2 블로킹 패턴 , 각각 이 상기 기판 상 에 형성 되 어 상기 게이트 전극 들 을 관통 하 며 , 상기 기판 상면 에 평행 한 제 2 방향 으로 연장 되 어 상기 각 게이트 전극 들 을 상기 기판 상면 에 평행 하 고 상기 제 2 방향 과 교차 하 는 제 3 방향 으로 분리 시키 는 분리 구조물 들 , 및 각각 이 상기 채널 들 상 에 상기 제 3 방향 으로 연장 되 어 이 들 에 전기 적 으로 연결 되 며 , 상기 제 2 방향 으로 서로 이격 된 비트 라인 들 을 포함 할 수 있 으며 , 상기 전하 트래핑 패턴 은 상기 수평 방향 으로 상기 게이트 전극 들 에 각각 대향 하 도록 복수 개 로 형성 되 어 상기 제 1 방향 으로 서로 이격 되 고 , 상기 각 전하 트래핑 패턴 들 에서 , 상기 터널 절연 패턴 에 대향 하 는 내 측벽 의 상기 제 1 방향 으로 의 제 1 길이 는 상기 제 1 블로킹 패턴 에 대향 는 외측 벽 의 상기 제 2 방향 으로 의 제 2 길이 보다 작 을 수 있 으며 , 상기 분리 패턴 은 상기 제 1 방향 으로 서로 인접 하 는 상기 전하 트래핑 패턴 들 사이 에 형성 되 어 상기 터널 절연 패턴 및 상기 블로킹 패턴 에 접촉 하 고 절연 물질 을 포함 할 수 있 다 .