도 2 에 도시 한 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 100 ) 위 에 제 1 확산 방지 막 ( 102 a ) 과 알루미늄 막 ( 104 a ) 및 제 2 확산 방지 막 ( 106 a ) 을 형성 한다 . 그리고 제 2 확산 방지 막 ( 106 a ) 위 에 PE - CVD 법 으로 SiCN : H 으로 이루어지 는 반사 방지 막 ( 108 a ) 을 형성 한다 . 반사 방지 막 ( 108 a ) 은 400 ℃ 의 온도 에서 1 ~ 10 Torr 의 압력 으로 파워 를 100 ~ 1 , 000 W , TMS ( Si ( CH 3 ) 3 H : trimethylsilane ) 를 10 ~ 1 , 000 sccm , He 를 10 ~ 1 , 000 sccm , NH 3 을 10 ~ 1 , 000 sccm 주입 하 여 형성 한다 .