다음 에 , 상기 에서 얻 은 네거티브 형 레지스 트 패턴 ( 4 a ) 이 전사 된 네거티브 형 규소 함유 레지스 트 하층 막 패턴 ( 3 a ) 을 갖 는 기판 에 비해 , 유기 하층 막 ( 2 ) 의 에칭 속도 가 상당히 높 은 드라이 에칭 조건 , 예컨대 산소 를 함유 하 는 가스 플 라즈 마 에 의한 반응 성 드라이 에칭 이나 , 수소 - 질소 를 함유 하 는 가스 플 라즈 마 에 의한 반응 성 드라이 에칭 을 행하 여 , 유기 하층 막 ( 2 ) 을 에칭 가공 한다 . 이 에칭 공정 에 의해 네거티브 형 의 유기 하층 막 패턴 ( 2 a ) 을 얻 을 수 있 지만 , 동시 에 최상층 의 포토레지스트 막 은 , 통상 없 어 진다 ( 도 1 ( I - H ) ) . 또한 , 여기 서 얻 어 진 네거티브 형 유기 하층 막 패턴 ( 2 a ) 을 에칭 마스크 로 하 여 , 피 가 공체 ( 1 ) 의 드라이 에칭 , 예컨대 , 불 소계 드라이 에칭 이나 염소 계 드라이 에칭 을 사용 함 으로써 , 피 가 공체 ( 1 ) 를 정밀 도 좋 게 에칭 가공 하 고 , 피 가 공체 ( 1 ) 에 네거티브 형 패턴 ( 1 a ) 을 전사 할 수 있 다 ( 도 1 ( I - I ) ) .