또한 , 상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 의한 씨 모스 이미지 센서 의 제조 방법 은 포토다이오드 영역 과 트랜지스터 영역 으로 정의 된 반도체 기판 을 준비 하 는 단계 와 , 상기 반도체 기판 상 에 게이트 절 연막 을 개재 하 여 상기 트랜지스터 영역 을 포함 하 여 상기 포토다이오드 영역 의 일부 를 감싸 도록 게이트 전극 및 캡 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 포토다이오드 영역 에 불순물 이온 을 주입 하 여 제 1 불순물 확산 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 게이트 전극 및 캡 절 연막 의 양 측면 에 절 연막 측벽 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 포토다이오드 영역 을 제외 한 상기 트랜지스터 영역 에 불순물 이온 을 주입 하 여 제 2 불순물 확산 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 게이트 전극 에 의해 둘러 쌓여진 포토다이오드 영역 의 소정 부분 이 노출 되 도록 콘 택 홀 을 갖 는 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 콘 택 홀 의 내부 에 도전 성 물질 을 매립 하 여 도전 성 플러그 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 여 형성 함 을 특징 으로 한다 .