본 개시 는 내장 메모리 디바이스 에 관한 것 이 다 . 내장 메모리 디바이스 는 스플릿 게이트 ( split gate ) 플래시 메모리 디바이스 일 수 있 다 . 이러 한 디바이스 에서 , 메모리 셀 들 의 어레이 가 반도체 기판 에 또는 반도체 기판 위 에 배치 된다 . 어 드레스 디코더 및 / 또는 판독 기록 회로 및 / 또는 마이크 로 컨트롤러 와 같 은 로직 디바이스 를 포함 한 주변 회로 가 메모리 어레이 밖 에 배열 되 고 , 메모리 셀 들 의 동작 을 제어 하 고 그리고 / 또는 다른 작업 을 수행 할 수 있 다 . 아이 솔 레이 션 ( isolation ) 구조물 을 갖 는 아이 솔 레 이 션 영역 이 메모리 어레이 를 주변 회로 와 분리 한다 . 아이 솔 레 이 션 구조물 상 의 메모리 어레이 및 더미 게이트 스택 의 특정 피처 가 로직 게이트 전 에 형성 될 수 있 다 . 이 들 구조물 은 로직 게이트 에 사용 되 는 재료 를 관리 하 는 데 에 어려움 을 일으킬 수 있 다 . 예 를 들 어 , 로직 게이트 를 위한 하이 k 유전체 가 퇴적 될 때 더미 게이트 스택 의 측벽 에 특정 치수 의 틈 ( crevices ) 이 존재 하 는 경우 , 틈 벽 을 따라 퇴적 되 는 하이 k 유전체 가 추후 의 프로세싱 단계 에서 의도 치 않 게 노출 될 수 있 다 . 그러면 , 노출 된 하이 k 유전체 는 , 디바이스 의 다른 영역 에서 의 도핑 레벨 에 영향 을 미치 거나 프로세싱 장비 의 오염 을 야기 하 는 오염원 이 될 수 있 다 .