다음 으로 , 데이터 라인 ( 소스 전극 ) ( 25 ) , 화소 용 접속 배선 ( 드레 인 전극 ) ( 24 ) 을 위한 접속 배선 층 을 아래 글래스 ( 50 ) 의 전체 면 에 성막 한다 ( S 32 ) . 도 7 에 는 , 이 공정 이 행해진 상태 가 도시 되 어 있 고 , 여기 서 는 접속 배선 층 ( 70 ) 이 화소 부 ( 14 ) 와 단자 부 ( 20 ) 에 걸쳐 전체 면 에 성막 되 어 있 는 모습 이 도시 되 어 있 다 . 접속 배선 층 ( 70 ) 은 티탄 / 알루미늄 / 티탄 의 적층 구조 이 며 , 최하층 의 티탄 은 화소 부 ( 14 ) 에서 는 반도체 층 ( 54 ) 에 접속 되 고 , 단자 부 ( 20 ) 에서 는 하부 배선 ( 122 ) 에 접속 된다 . 중간 의 알루미늄 은 도전 배선 의 중핵 부 로 되 는 것 이 며 , 그 하층 과 상층 에 각각 티탄 을 배치 한 구성 으로 , 접속 배선 층 ( 70 ) 이 구성 되 어 있 다 . 접속 배선 층 ( 70 ) 은 , 도 7 에 도시 된 바 와 같이 반도체 층 ( 54 ) 위 에 뚫려 진 컨 택트 홀 , 하부 배선 ( 122 ) 위 에 뚫려 진 컨 택트 홀 을 각각 덮 어 성막 된다 . 접속 배선 층 ( 70 ) 은 스퍼터링 에 의한 티탄 / 알루미늄 / 티탄 의 적층 막 ( 두께 400 ∼ 800 ㎚) 에 의해 성막 된다 .