두 가지 상태 EEPROM 셀 에서 , 적어도 하나 의 전류 중 단점 레벨 ( current breakpoint level ) 은 전도 윈도우 가 2 개 의 영역 으로 분배 되 도록 설정 된다 . 셀 이 미리 결정 되 고 고정 된 전압 에 의해 읽히 는 경우 , 중단 점 레벨 ( 또는 기준 전류 IREF ) 과 비교 함 으로써 메모리 상태 로 이 의 소스 / 드레 인 전류 가 결정 된다 . 전류 판독 이 중단 점 레벨 의 전류 보다 높 다면 , 셀 은 하나 의 논리 상태 ( 예 를 들 어 , " "" 제로 "" 상태 ) 에 있 도록 결정 된다 . 한편 ", 전류 가 중단 점 레벨 의 전류 보다 낮 다면 , 셀 은 다른 논리 상태 ( 예 를 들 어 , " "" 1 "" 상태 ) 에 있 도록 결정 된다 . 그러므로 ", 상기 두 가지 상태 의 셀 은 1 비트 의 디지탈 정보 를 저장 한다 . 외부 적 으로 프로그램 될 수 있 는 기준 전류 소스 는 중단 점 레벨 전류 를 발생 시키 기 위해 메모리 시스템 의 일부 로서 종종 제공 된다 .