도 3 a 를 참조 하 면 , 콘 택 플러그 ( 23 ) 를 포함 한 제 1 층간 절 연막 ( 22 ) 상 에 하부 전극 용 도전 막 ( 24 ) 과 절 연막 ( 25 ) 을 차례 로 형성 한 후 , 상기 절 연막 ( 25 ) 을 식각 하 여 하부 전극 용 도전 막 ( 24 ) 을 노출 시키 는 제 2 콘 택 홀 을 형성 한다 . 그런 다음 , 상기 제 2 콘 택 홀 을 포함 한 절 연막 ( 25 ) 상 에 상변환 물질 막 을 증착 한 후 , CMP 공정 을 행하 여 그 표면 을 평탄 화 시킨다 .