핀 ( 210 ) 은 상부 표면 ( 250 ) 및 측 방향 으로 대향 하 는 측벽 ( 255 ) 을 구비 한다 . 핀 ( 210 ) 은 또한 T 에 해당 하 는 높이 또는 두께 와 W 에 해당 하 는 폭 을 구비 한다 . 단일 핀 MuGFET 트랜지스터 의 게이트 폭 은 반도체 몸체 상 에 형성 된 3 개 의 게이트 각각 의 게이트 폭 의 합 또는 T + W + T 에 해당 하 며 , 이것 은 높 은 이득 ( high gain ) 을 제공 한다 . 일부 실시 예 에서 , 핀 은 실질 적 으로 직사각 형 모양 이 다 . 다른 실시 예 에서 , 핀 은 실질 적 으로 둥근 코너 를 구비 한 직사각 형 모양 이 다 . 일 실시 예 에서 , 핀 의 높이 대 폭 비율 은 실질 적 으로 3 : 1 내지 5 : 1 범위 를 가질 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 핀 의 폭 은 실질 적 으로 20 nm 이 다 .