일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 반도체 막 ( 55 ) 은 n 채널 형 박막 트랜지스터 를 형성 하 는 경우 에 는 , 대표 적 인 불순물 원소 로서 인 을 첨가 하 면 좋 고 , 실리콘 혹은 게르마늄 을 함유 하 는 퇴적 성 기체 에 PH 3 등 의 불순물 기체 를 가하 면 좋 다 . 또한 , p 채널 형 박막 트랜지스터 를 형성 하 는 경우 에 는 , 대표 적 인 불순물 원소 로서 붕소 를 첨가 하 면 좋 고 , 실리콘 혹은 게르마늄 을 함유 하 는 퇴적 성 기체 에 B 2 H 6 등 의 불순물 원소 를 함유 하 는 기체 를 원료 가스 에 가하 면 좋 다 . 인 혹은 붕소 의 농도 를 1 × 1019 atoms / cm 3 내지 1 × 1021 atoms / cm 3 로 함 으로써 , 배선 ( 71 a 내지 71 c ) 과 옴 접촉 ( ohmic contact ) 할 수 있 고 , 소스 영역 및 드레 인 영역 으로서 기능 한다 . 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 반도체 막 ( 55 ) 은 , 미결정 반도체 막 , 혹은 비정질 반도체 막 으로 형성 할 수 있 다 . 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 반도체 막 ( 55 ) 은 2 nm 이상 50 nm 이하 의 두께 로 형성 한다 . 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 반도체 막 의 막 두께 를 얇 게 함 으로써 스루풋 을 향상 시킬 수 있 다 .