상기 와 같이 , 본 실시 예의 기판 처리 장치 ( 100 ) 는 상부 전극 ( 120 ) 의 처짐 을 방지 하 기 위해 상부 전극 ( 120 ) 을 인장 하 는 인장 수단 ( 170 ) 을 포함 한다 . 따라서 , 진공 압력 등 에 의한 상부 전극 ( 120 ) 의 처짐 을 방지 하 여 , 상부 전극 ( 120 ) 과 가스 분배 판 ( 130 ) 사이 의 간격 을 일정 하 게 유지 하 고 , 나아가 가스 분배 판 ( 130 ) 의 처짐 을 방지 할 수 있 다 . 이 는 가스 분배 판 ( 130 ) 의 분사 홀 ( 131 ) 을 통해 분사 되 는 소스 가스 의 밀도 를 균일 하 게 유지 하 고 , 가스 분배 판 ( 130 ) 과 하부 전극 ( 140 ) 사이 의 간격 을 일정 하 게 유지 하 여 , 기판 ( S ) 에 증착 되 는 박막 의 품질 을 향상 시킨다 . 또한 , 인장 수단 ( 170 ) 에 의해 상부 전극 ( 120 ) 과 커버 ( 110 ) 의 단 턱 부 ( 111 ) 사이 의 기밀 이 저해 되 지 않 도록 , 밀폐 링 ( 122 ) 이 위치 되 는 상부 전극 ( 120 ) 의 상단 부분 을 가압 하 는 가압 수단 ( 180 ) 이 추가 로 제공 된다 .