상기 제 1 단계 ( S 213 a ) 로부터 제 4 단계 ( S 213 d ) 까지 연속 적 으로 이어지 는 상기 ALD 단위 반응 ( S 213 ) 이 한 번 실시 될 때 마다 상기 반도체 기판 에 원자 크기 수준 의 두께 를 가진 Ti 막 이 적층 될 수 있 다 . 상기 ALD 단위 반응 ( S 213 ) 은 상기 Ti 막 이 소정 의 두께 로 누적 되 어 형성 될 때 까지 반복 수행 될 수 있 다 . ( S 215 )