그리고 , 수직 방향 을 주체 로 한 이방성 에칭 에 의해 , 게이트 절 연막 ( 709 ) 및 그 절 연막 을 부분 적 으로 에칭 한다 . 상기 이방성 에칭 에 의해 게이트 절 연막 ( 709 ) 이 부분 적 으로 에칭 되 어 , 섬 형상 의 반도체 막 ( 705 ∼ 707 ) 상 에 부분 적 으로 형성 된 게이트 절 연막 ( 714 ) 이 형성 된다 . 또한 , 상기 이방성 에칭 에 의해 , 게이트 절 연막 ( 709 ) 및 전극 ( 710 ) 을 덮 도록 형성 된 절 연막 이 부분 적 으로 에칭 되 어 , 전극 ( 710 ) 의 측면 에 접하 는 사이드 월 ( sidewall ) ( 715 ) 이 형성 된다 . 사이드 월 ( 715 ) 은 LDD ( Lightly Doped drain ) 영역 을 형성 할 때 의 도핑 용 마스크 로서 사용 한다 . 본 실시 예 에서 는 에칭 가스 로서 는 CHF 3 와 He 의 혼합 가스 를 사용 한다 . 또한 , 사이드 월 ( 715 ) 을 형성 하 는 공정 은 이 들 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .