이후 , 상기 제 2 금속 층 ( 미 도시 ) 위 로 포토레지스트 를 도포 하 고 노광 , 현상 함 으로써 포토레지스트 패턴 ( 미 도시 ) 을 형성 하 고 , 상기 포토레지스트 패턴 ( 미 도시 ) 을 식각 마스크 로 하 여 드라이 에칭 ( dry etching ) 을 진행 함 으로써 상기 포토레지스트 패턴 ( 미 도시 ) 외부 로 노출 된 상기 제 2 금속 층 ( 미 도시 ) 과 그 하부 의 상기 게이트 절연 물질 층 ( 미 도시 ) 과 상기 유기 반도체 물질 층 ( 미 도시 ) 을 동시 에 제거 하 여 최 상부 로부터 하부 로 순차 적 으로 동일 한 패턴 형태 를 갖 는 게이트 전극 ( 130 ) 과 게이트 절 연막 ( 125 ) 과 유기 반도체 층 ( 120 ) 을 형성 한다 .