상기 에서 는 바텀 게이트 ( bottom gate ) 구조 의 박막 트랜지스터 를 형성 하 는데 있 어서 , 사이 클릭 화학 기상 증착 ( Cyclic CVD ) 방법 으로 형성 하 는 것 을 설명 하 였 다 . 하지만 , 이 에 한정 되 지 않 고 , 도 3 의 변형 예 와 같 은 탑 게이트 ( top gate ) 구조 의 박막 트랜지스터 를 형성 하 는데 있 어서 , 사이 클릭 화학 기상 증착 ( Cyclic CVD ) 방법 으로 형성 할 수 있 다 .