본 설명 의 목적 상 , " "" ALD 공정 "" 은 표면 위 의 물질 의 증착 이 순차 적 이 면서 교번 하 는 자기 - 포화 적 인 표면 반응 들 에 기초 하 는 공정 을 가리킨다 . ALD 의 일반 적 인 원리 들 은 ", 예 를 들 면 , 미합중국 특허 제 4 , 058 , 430 호 및 제 5 , 711 , 811 호 에 개시 되 며 , 이 들 에 개시 된 바 는 여기 에 인용 되 어 통합 된다 . 일반 적 으로 , ALD 를 위한 조건 들 은 기판 의 온도 가 소스 가스 들 이 응축 하 는 온도 보다 높 고 상기 소스 가스 들 이 열분해 되 는 온도 보다 낮 은 온도 범위 ( temperature window ) 를 포함 한다 .