제 1 모드 에서 는 , m 행 n 열 의 메모리 셀 전부 의 트랜지스터 ( 162 ) 는 항상 온 상태 로 한다 . 그 때문 에 , 제 1 모드 에 있 어서 제 2 워드 선 ( WL 2 ＿ 1 ~ WL 2 ＿ m ) 의 전위 는 V 2 이 다 . 전위 V 2 가 충분히 높 으면 , 트랜지스터 ( 162 ) 의 온 저항 은 충분히 낮 아 져서 , 트랜지스터 ( 160 ) 와 트랜지스터 ( 162 ) 를 직렬 로 전기 적 으로 접속 하 는 것 의 단점 은 경감 된다 . 또한 , 트랜지스터 ( 162 ) 를 항시 온 상태 로 해 두 기 때문 에 , 트랜지스터 ( 162 ) 의 온 상태 와 오프 상태 의 변환 ( 스위칭 ) 을 위한 전력 소비 를 줄일 수 가 있 다 . 이 상태 에서 , 쓰 기 대상 의 메모리 셀 ( 제 k 행 제 q 열 의 메모리 셀 ) 에 대응 하 는 제 1 워드 선 ( WL 1 ＿ k ) 의 전위 를 V 1 으로 함 으로써 , 쓰 기 대상 의 메모리 셀 ( 제 k 행 제 q 열 의 메모리 셀 ) 의 트랜지스터 ( 160 ) 및 트랜지스터 ( 162 ) 를 온 상태 로 한다 . 여기 서 , " 비트 선 ( BL ＿ q ) 에 는 "" 1 "" 에 대응 하 는 전위 ( V 3 ) 가 주어져 있 다 . 쓰 기 대상 의 메모리 셀 ( 제 k 행 제 q 열 의 메모리 셀 ) 에서 는 ", 비트 선 ( BL ＿ q ) 의 전위 ( V 3 ) 가 트랜지스터 ( 160 ) 및 트랜지스터 ( 162 ) 를 통하 여 용량 소자 ( 164 ) 의 한 쪽 의 전극 에게 주어진다 . 그 후 , 트랜지스터 ( 160 ) 가 오프 상태 가 됨 에 의해 , " 쓰 기 대상 의 메모리 셀 ( 제 k 행 제 q 열 의 메모리 셀 ) 은 "" 1 "" 의 정보 를 보관 유지 한다 . 또한 ", 적어도 쓰 기 기간 중 , 용량 선 ( CS ＿ k ) 에 는 일정 한 전위 ( 예 를 들 면 , 전위 ( VSS ) ) 가 주어져 있 다 . 예 를 들 면 , 전위 ( VSS ) 는 , 기준 전위 GND ( 0 V ) 로 할 수 가 있 다 .