상기 핀 형 활성 영역 ( FA ) 과 상기 게이트 구 조체 ( 420 ) 가 교차 하 는 부분 에서 MOS 트랜지스터 ( TR ) 가 형성 될 수 있 다 . 상기 MOS 트랜지스터 ( TR ) 는 핀 형 활성 영역 ( FA ) 의 상면 및 양 측면 에서 채널 이 형성 되 는 3 차원 구조 의 MOS 트랜지스터 로 이루어진다 . 상기 MOS 트랜지스터 ( TR ) 는 NMOS 트랜지스터 또는 PMOS 트랜지스터 를 구성 할 수 있 다 .