또한 , 상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 실리콘 결정 화 방법 은 , 비정질 실리콘 박막 이 증착 된 기판 을 준비 하 는 단계 ; 상기 기판 을 기판 스테이지 에 고정 시키 는 단계 ; 복수 개 의 마스크 패턴 의 가장자리 부분 이 기준선 을 중심 으로 오버랩 되게 형성 된 마스크 를 상기 기판 상측 에 위치 시키 는 단계 ; 상기 마스크 의 복수 개 의 마스크 패턴 을 통해 레이저 빔 을 조사 하 는 단계 ; 상기 비정질 실리콘 박막 중 상기 마스크 패턴 의 위치 에 해당 하 는 다수 의 영역 이 제 1 차 실리콘 결정 으로 결정 화 되 는 단계 ; 상기 마스크 이동 스테이지 를 이용 하 여 상기 마스크 를 미소 한 거리 만큼 이동한 후 레 이 저 빔 을 조사 하 여 , 상기 제 1 실리콘 결정 에 근접 한 비정질 실리콘 영역 을 결정 화 시키 는 단계 ; 및 이러 한 결정 화 공정 을 반복 수행 하 여 비정질 실리콘 박막 을 결정 화 시키 는 단계 를 포함 하 여 것 을 특징 으로 한다 .