반도체 웨이퍼 ( W ) 의 온도 가 예비 가열 온도 T 1 에 도달 한 후 , 제 어부 ( 3 ) 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 를 그 예비 가열 온도 T 1 로 잠시 유지 한다 . 구체 적 으로 는 , 하부 방사 온도계 ( 20 ) 에 의해 측정 되 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 온도 가 예비 가열 온도 T 1 에 도달 한 시점 에서 제 어부 ( 3 ) 가 할로겐 램프 ( HL ) 의 출력 을 조정 하 여 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 온도 를 거의 예비 가열 온도 T 1 로 유지 하 고 있 다 .