따라서 , 이 들 막 을 적층 시킨 나노 필러 에서 실험 을 행하 였 다 . 나노 필러 의 가공 에 는 자성 막 의 반응 성 이온 빔 에칭 을 이용 하 여 , 수직 성 이 좋 은 가공 을 행하 였 다 . 완성 된 소자 에 + 0 . 5 ㎃ 의 전류 를 흘리 고 , 3 개 의 TMR 소자 의 자화 배치 를 모두 반 평행 배치 로 하 였 다 . 이 상태 에서 , 제 1 TMR 소자 측 으로부터 전류 를 마이너스 방향 으로 서서히 증가 시켜 가 면 , - 0 . 1 ㎃ 에서 저항 값 이 1 k Ω 저하 되 고 , 제 3 TMR 소자 의 자화 상태 만 이 평행 상태 로 되 고 , - 0 . 12 ㎃ 에서 저항 이 1 k Ω 저하 되 고 , 제 2 TMR 소자 의 자화 상태 가 평형 상태 로 변화 한 것 을 확인 할 수 있 었 다 . 이 상태 에서 전류 를 제로 로 하 여 전류 의 값 을 플러스 측 에 서서히 올려 가 면 , + 0 . 15 ㎃ 에서 저항 이 1 k Ω 상승 하 고 , 메모리 인 제 2 TMR 소자 의 자화 상태 가 평행 상태 로부터 반 평행 상태 로 된 것 이 확인 되 었 다 . 이 때 , 제 3 TMR 소자 의 자화 상태 는 평행 상태 이 다 . 이하 , 이 동작 을 반복 함 으로써 , 메모리 로서 기능 시킬 수 있 다 . 그 경우 , 제 1 TMR 소자 의 자화 상태 는 반 평행 상태 로 , 제 3 자화 반전 소자 의 자화 상태 는 평행 상태 로 고정 된 채 로 , 메모리 인 제 2 TMR 소자 의 자화 상태 만 이 , 평행 상태 와 반 평행 상태 에서 절환 되게 된다 .