소거 동작 은 게이트 유도 드레 인 누설 전류 ( GIDL ) 를 이용 하 여 블록 단위 로 수행 될 수 있 다 . 일례 로 , 선택 된 비트 라인 ( BL ) 과 기판 ( 101 ) 에 소거 전압 ( Verase ) 을 인가 하 므로써 수직 채널 ( 140 ) 의 전위 를 상승 시킨다 . 이때 , 수직 채널 ( 140 ) 의 전위 는 약간 지연 되 면서 상승 되 도록 할 수 있 다 . 이 에 수반 하 여 , 접지 선택 라인 ( GSL ) 에 상당 하 는 접지 선택 게이트 ( 165 g ) 의 단자 에서 GIDL 이 발생 하 고 , GIDL 에 의해 생성 된 전자 는 기판 ( 101 ) 으로 방출 되 고 생성 된 정공 은 수직 채널 ( 140 ) 로 방출 된다 . 이 로 인해 소거 전압 ( Verase ) 근처 의 전위 가 메모리 셀 ( 28 ) 의 수직 채널 ( 140 ) 으로 전달 될 수 있 다 . 이때 , 워드 라인 ( WL ) 의 전위 를 0 볼트 로 설정 하 면 메모리 셀 ( 28 ) 에 축적 된 전자 들 이 빠져 나오 게 되 어 데이터 소거 가 구현 될 수 있 다 . 한편 , 의도 되 지 않 은 소거 동작 이 행해 지 지 않 도록 비 선택 블록 의 워드 라인 을 플로팅 시킬 수 있 다 .