한편 본 발명 은 , 반응 공간 을 형성 하 는 챔버 ; 상기 챔버 의 내부 에 설치 되 며 다수 의 기판 을 안치 할 수 있 는 기판 안 치대 ; 상기 챔버 에 고정 되 는 하우징 과 , 상기 하우징 과 상기 챔버 를 관통 하 여 설치 되 며 다수 의 내부 유로 를 가지 는 축 을 포함 하 는 가스 밸브 어셈블리 ; 상기 축 의 하단 에 연결 되 는 다수 의 가스 분사 부 , 상기 다수 의 가스 분사 부를 상기 다수 의 내부 유로 에 각각 연결 하 는 다수 의 가스관 , 상기 다수 의 가스관 중 에서 적어도 하나 의 가스관 을 통과 하 는 원료 물질 을 가열 시키 는 가열 수단 , 상기 가열 수단 과 외부 전원 을 연결 하 는 전력선 을 포함 하 는 가스 분사 장치 를 포함 하 는 기판 처리 장치 를 제공 한다 .