게이트 전극 ( 51 ) 은 , 티탄 , 몰리브덴 , 크롬 , 탄탈 , 텅스텐 , 알루미늄 등 의 금속 재료 또는 그 합금 재료 를 사용 하 여 형성 한다 . 게이트 전극 ( 51 ) 은 , 스퍼터링 법 이나 진공 증착 법 으로 기판 ( 50 ) 위 에 도전 막 을 형성 하 고 , 이 도전 막 위 에 실시 형태 1 에 나타내 는 다 계조 마스크 에 의해 레지스 트 마스크 를 형성 하 고 , 이 마스크 를 사용 하 여 도전 막 을 에칭 함 으로써 형성 한다 . 또한 , 게이트 전극 ( 51 ) 의 밀착 성 향상 과 하지 에 의 확산 을 막 는 배리어 메탈 로서 , 상기 금속 재료 의 질화 물막 을 기판 ( 50 ) 및 게이트 전극 ( 51 ) 의 사이 에 제공 하 여도 좋 다 . 여기 에서 는 , 다 계조 마스크 인 포토 마스크 를 사용 하 여 형성 한 레지스 트 마스크 를 사용 하 여 기판 ( 50 ) 위 에 형성 된 도전 막 을 에칭 하 여 게이트 전극 을 형성 하 고 , 게이트 전극 과 측면 의 각도 가 다른 배선 ( 게이트 배선 , 리드 배선 , 용량 배선 등 ) 도 동시 에 형성 한다 .