이때 , 트랩 층 적층 물 ( 710 ) 은 도 7 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 기둥 ( 520 ) 일 측면 의 소정 부분 및 제 1 N 형 확산 영역 ( 420 ) 또는 제 2 N 형 확산 영역 ( 410 ) 중 어느 하나 의 일 측면 의 소정 부분 이 커버 되 도록 형성 될 수 있 다 . 즉 , 트랩 층 적층 물 ( 710 ) 은 단 턱 ( 440 ) 및 / 또는 제 2 식각 부 ( 515 ) 의 저면 ( 530 ) 에 안착 되 도록 적층 될 수 있 되 , 트랩 층 적층 물 ( 710 ) 의 일부분 은 실리콘 기둥 ( 520 ) 을 커버 할 수 있 고 , 다른 일부분 은 제 1 N 형 확산 영역 ( 420 ) 또는 제 2 N 형 확산 영역 ( 610 ) 중 어느 하나 의 영역 을 커버 할 수 있 다 .