도 4 는 평탄 화 된 기판 ( 40 ) 의 단면 TEM 이미지 를 도시 한다 . SiO 2 층 ( 400 ) 상 에 SiO 2 막 ( 401 ) 이 퇴적 되 었 고 , TaN 배리 어 층 ( 404 ) 및 W 금속 플러그 ( 402 ) 상 에 얇 은 SiO 2 막 ( 403 ) 이 퇴적 되 었 다 . SiO 2 막 ( 401 ) 은 약 8 . 2 nm 의 두께 를 가지 고 , SiO 2 막 ( 403 ) 은 W 금속 플러그 ( 402 ) 상 에 약 2 . 8 nm 의 두께 를 가진다 . SiO 2 퇴적 은 6 퇴적 사이클 을 이용 하 여 수행 되 었 고 , 각 사이클 은 TMA 의 6 초 노광 에 후속 하 여 TPSOL 의 60 초 노출 을 포함 한다 .