이온 주입 장치 ( 10 ) 는 , 이온 생성 장치 ( 12 ) 와 , 빔 라인 장치 ( 14 ) 와 , 주입 처리 실 ( 16 ) 과 , 웨이퍼 반송 장치 ( 18 ) 를 구비 한다 . 이온 생성 장치 ( 12 ) 는 , 이온 빔 을 빔 라인 장치 ( 14 ) 에 부여 하 도록 구성 된다 . 빔 라인 장치 ( 14 ) 는 , 이온 생성 장치 ( 12 ) 로부터 주입 처리 실 ( 16 ) 로 이온 빔 을 수송 하 도록 구성 된다 . 주입 처리 실 ( 16 ) 에 는 , 주입 대상 이 되 는 웨이퍼 ( W ) 가 수용 되 고 , 빔 라인 장치 ( 14 ) 로부터 부여 되 는 이온 빔 을 웨이퍼 ( W ) 에 조사 하 는 주입 처리 가 이루어진다 . 웨이퍼 반송 장치 ( 18 ) 는 , 주입 처리 전 의 미처리 웨이퍼 를 주입 처리 실 ( 16 ) 에 반입 하 고 , 주입 처리 후 의 처리 된 웨이퍼 를 주입 처리 실 ( 16 ) 로부터 반출 하 도록 구성 된다 . 이온 주입 장치 ( 10 ) 는 , 이온 생성 장치 ( 12 ) , 빔 라인 장치 ( 14 ) , 주입 처리 실 ( 16 ) 및 웨이퍼 반송 장치 ( 18 ) 에 원하 는 진공 환경 을 제공 하 기 위한 진공 배 기계 ( 도시 하 지 않 음 ) 를 구비 한다 .