도 5 a 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 기판 ( 101 ) 에 는 게이트 패드 ( 121 ) 가 형성 된다 . 상기 게이트 패드 ( 121 ) 는 액정 패널 ( 110 ) 의 화상 표시 부내 에 형성 되 는 박막 트랜지스터 의 게이트 전극 및 게이트 라인 과 동일 한 공정 에 의해 동일 한 금속 으로 형성 된다 . 상기 게이트 패드 ( 121 ) 가 형성 된 제 1 기판 ( 122 ) 에 는 게이트 절연 층 ( 122 ) 이 형성 된다 . 도면 에 는 도시 하 지 않 았 지만 , 상기 게이트 절연 층 ( 122 ) 은 액정 패널 ( 110 ) 의 화상 표시 부 로 연장 되 어 박막 트랜지스터 의 게이트 전극 및 게이트 라인 위 에 도 형성 된다 . 상기 게이트 절연 층 ( 122 ) 위 에 는 투명 도전 층 ( 128 ) 이 형성 된다 . 상기 투명 도전 층 ( 128 ) 은 ITO ( Indium Tin Oxide ) 나 IZO ( Indium Tin Oxide ) 와 같이 도전 성 이 좋 은 금속 산화물 로 이루어진다 . 도면 에 는 도시 하 지 않 았 지만 , 상기 와 같 은 ITO 나 IZO 는 화상 표시 부 에 도 형성 되 어 박막 트랜지스터 가 스위칭 됨 에 따라 외부 의 데이터 구동회 로로 부터 화상 신호 가 인가 되 는 화소 전극 을 형성 한다 .