암모니아 가스 및 삼 불화 질소 가스 와 함께 , 아르곤 이 또한 실험 들 B - E 에 대해 약 3 , 500 sccm 의 유속 을 갖 는 프로세싱 챔버 로 도입 되 었 다 . 프로세싱 챔버 의 내부 압력 은 약 3 Torr 였 고 기판 온도 는 약 35 ℃ 였 다 . 기판 은 암모니아 헥사 플 루 오로 실리케이트 를 함유 하 는 막 을 형성 하 도록 120 초 동안 식각 되 었 다 .