패턴 기판 : 트리 메틸 실란 을 출발 원료 로 하 여 CVD 법 으로 성막 된 오르 가노 실리케이트 , 또는 이산화규소 중 에 공지 방법 을 사용 하 여 깊이 0 . 5 ㎛ 의 홈 을 형성 하 여 , 공지 의 스퍼터 법 에 따라 배리 아 층 으로서 두께 20 nm 의 탄탈 막 을 형성 하 고 , 마찬가지 로 스퍼터 법 에 의해 구리 막 을 0 . 1 ㎛ 및 도금 법 에 의해 구리 막 을 1 . 0 ㎛ 형성 한 기판 을 공지 의 방법 으로 돌출 한 구리 막 만 을 연마 한 기판 .