그 다음 , 메인 칩 영역 의 절 연막 ( 12 ) 에 액티브 라인 ( 10 A ) 을 노출 하 는 콘 택 홀 ( 13 ) 을 형성 하 고 , 스 크 라 이브 라인 영역 의 절 연막 ( 12 ) 에 하부 모니터링 패턴 ( 20 ) 들 과 그 양단 의 소자 분리 막 ( 11 B ) 이 형성 된 기판 ( 10 ) 일부 가 노출 되 도록 콘 택 홀 ( 13 ) 보다 큰 폭 을 갖 는 트렌치 구조 의 상부 모니터링 패턴 ( 30 ) 을 형성 한다 .