이때 , 상기 포토레지스트 층 ( 190 ) 을 형성 한 포토레지스트 가 빛 을 받 으면 , 현상 시 남 게 되 는 네 가티 브 타입 ( negative type ) 인 경우 , 상기 어레이 기판 ( 110 ) 상 의 데이터 배선 과 , 상기 스위칭 영역 ( TrA ) 중 소스 및 드레 인 전극 ( 미 도시 ) 이 형성 되 어야 할 부분 에 대응 해서 는 마스크 ( 191 ) 의 투과 영역 ( TA ) 이 , 상기 스위칭 영역 ( TrA ) 의 상기 게이트 전극 ( 115 ) 과 중첩 하 는 영역 및 추후 드레 인 전극 을 이루 는 부분 의 외측 의 소정 폭 에 대응 해서 는 상기 마스크 ( 195 ) 의 반투 과 영역 ( HTA ) 이 , 그 외 의 영역 에 대해서 는 상기 마스크 ( 195 ) 의 차단 영역 ( BA ) 이 대응 되 도록 상기 마스크 ( 195 ) 를 위치 시킨 후 , 노광 을 실시 한다 .