수소 의 침투 로 인한 반도체 층 의 비저항 감소 에 대해서 는 논문 ( C . G . Van de Walle , " "" Role of Intentionally Incorporated Hydrogen in Wide - Band - Gap ZnO Thin Film Prepared by Photo - MOCVD Technique """, cP 772 , Physics of Semiconductors : 27 th International Conference on the Physics of Semiconductors ) 을 참조 할 수 있 다 .