이상 에 의해 , 고 순도 화 된 산화물 반도체 층 ( 144 ) 을 이용 한 트랜지스터 ( 162 ) 와 용량 소자 ( 164 ) 가 완성 된다 ( 도 12 ( C ) 참조 ) . 상술 한 제작 방법 에 의해 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 은 수소 농도 가 충분히 저감 되 어 고 순도 화 되 며 , 충분 한 산소 의 공급 에 의해 산소 결핍 에 기인 하 는 에너지 갭 중 의 결함 준위 가 저감 된다 . 이렇게 하 여 제작 된 산화물 반도체 층 ( 144 ) 은 , i 형 화 ( 진성 화 ) 또는 실질 적 으로 i 형 화 되 어 있 으며 , 이러 한 산화물 반도체 층 ( 144 ) 을 채널 형성 영역 에 이용 함 에 의해 , 극히 뛰어난 오프 전류 특성 의 트랜지스터 ( 162 ) 를 얻 을 수 있 다 .