4 . 반응 챔버 내 의 온도 와 압력 을 변경 시키 지 않 고 , 반응 챔버 내부 로 수소 가스 , 트리 메틸 갈륨 （ 90 mL / min ）, 트리 메틸 알루미늄 （ 360 mL / min ） 및 암모니아 가스 를 유입 시키 고 , 실란 을 혼입 하 여 , 두께 가 약 1200 nm 인 한 층 의 N 형 AlwGa 1 - wN 층 을 생성 하 되 , 여기 서 w = 0 . 45 , Si 의 도핑 농도 는 1 × 1019 cm - 3 이 고 ;