다음 으로 , 도 5 의 ( a ) 의 화살표 로 나타낸 바 와 같이 , 홈 H 를 통하 여 예 를 들 면 불 질산 용액 을 Si 층 ( 13 ) 및 SiGe 층 의 각 측면 에 접촉 시켜서 , SiGe 층 을 선택 적 으로 에칭 하 여 제거 한다 . 이 에 의해 , 도 5 의 ( b ) 에 도시 한 바 와 같이 , Si 층 ( 13 ) 과 Si 기판 ( 1 ) 사이 에 공동 부 ( 25 ) 를 형성 한다 . 불 질산 용액 을 이용 한 웨트 에칭 에서 는 , Si 와 비교 하 여 SiGe 의 에칭 레이트 가 크 므로 ( 즉 , Si 에 대한 에칭 의 선택 비 가 크 므로 ) , Si 기판 ( 1 ) 이나 Si 층 ( 13 ) 을 남기 면서 SiGe 층만 을 에칭 하 여 제거 하 는 것 이 가능 하 다 . 공동 부 ( 25 ) 의 형성 도중 으로부터 , Si 층 ( 13 ) 은 그 상면 이 SiN 막 ( 15 ) 에 의해 지지 되 는 것 으로 된다 .