삼성전자 가 60 나노 급 D 램 반도체 양산 을 1 분기 로 앞당긴다 . 이 를 위해 8198 억 원 을 투자 해 생산 라인 증설 에 돌입 했 다 . 이 로써 삼성전자 는 80 나노 급 에 이 어 60 나노 급 D 램 도 세계 최초 로 생산 하 는 회사 가 될 전망 이 다 . 삼성전자 는 22 일 경기도 화성 의 15 생산 라인 증설 에 나설 방침 이 라고 밝혔 다 . 이 를 위해 8198 억 원 이 투자 된다 . 현재 15 라인 은 80 나노 급 D 램 생산 라인 이 주류 를 이루 고 있 다 . 삼성전자 는 8198 억 원 을 들여 15 라인 에 60 나노 급 ( 68 나노 ) 생산 시설 을 신규 로 갖출 방침 이 다 . 기존 80 나노 급 생산 라인 도 점차 60 나노 급 으로 대체 해 나간다는 계획 이 다 . 60 나노 급 은 80 나노 급 보다 고도 의 기술 을 필요 로 하 지만 일단 개발 에 성공 하 면 80 나노 급 보다 원가 를 크 게 절감 할 수 있 다 . 따라서 80 나노 급 에서 60 나노 급 라인 으로 빠르 게 전환 할수록 이익 률 이 높 아 질 수 있 다 . 삼성전자 는 지난해 3 월 80 나노 급 양산 에 들어갔 다 . 이 보다 앞선 2005 년 10 월 엔 80 나노 에서 두 단계 를 뛰어넘 어 60 나노 급 개발 에 성공 했 다 . 이 와 관련 해 일본 엘피다 메모리 는 최근 70 나노 급 D 램 양산 에 들어갔 다 . 삼성전자 관계자 는 " 15 라인 증설 계획 을 밝힌 것 은 그만큼 D 램 메모리 시장 수요 가 강하 다는 것 을 의미 한다 " 며 " 늘어나 는 수요 에 맞춘 대응 으로 보 면 된다 " 고 말 했 다 . 그 는 " 메모리 15 라인 증설 은 D 램 생산 능력 을 확대 하 고 원가 경쟁력 을 높이 기 위해 추진 하 는 것 " 이라고 밝혀 60 나노 급 양산 시기 를 앞당길 방침 임 을 시인 했 다 . [ 남기현 기자 ] < Copyright ⓒ 매일 경제 . 무단 전재 및 재 배포 금지 >