박막 트랜지스터 ( T ) 는 게이트 전극 ( 123 ) 에 공급 되 는 게이트 전압 에 의해 상기 소스 전극 ( 127 ) 과 드레 인 전극 ( 128 ) 간 에 전도 채널 ( conductive channel ) 을 형성 하 는 액티브 층 을 더 포함 한다 . 액티브 층 은 반도체 층 ( 125 ) 과 오 믹 접촉 층 ( 126 ) 이 차례 로 적층 되 어 형성 되 며 , 반도체 층 ( 125 ) 은 비정질 실리콘 또는 결정질 실리콘 등 의 반도체 로 이루어질 수 있 다 . 오 믹 접촉 층 ( 126 ) 은 n 형 불순물 이 도핑 되 어 있 는 비정질 실리콘 등 의 물질 로 형성 된다 .