상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 반도체 메모리 소자 및 그 제조 방법 은 게이트 들 간 의 기생 커패시턴스 내지 로딩 커패시턴스 를 줄일 수 있 는 것 을 특징 으로 한다 . 본 발명 은 수직 채널 을 식각 손상 으로부터 보호 할 수 있 는 것 을 다른 특징 으로 한다 . 본 발명 은 메모리 셀 을 3 차원 적 으로 배열 시켜 집적도 를 향상 시킬 수 있 는 것 을 또 다른 특징 으로 한다 .