제 3 ～ 제 5 의 본 발명 의 제조 방법 에 의하 면 , 캐비 티부 ( 220 ) 를 갖 는 다층 배선 기판 ( 200 , 200 A , 200 C , 200 D , 200 E , 200 F ) 을 스폿 페이 싱 가공 을 하 지 않 아도 , 열 압착 에 의해 형성 할 수 있 다 . 그 때문 에 , 제조 공정 이 간략 화 되 어 효율 적 으로 캐 비 티부 를 갖 는 다층 배선 기판 을 제조 할 수 있 다 . 또 , 배선 기판 의 캐비 티 용 구멍 ( 15 ) 의 형상 을 자유 롭 게 설계 할 수 있 기 때문 에 , 복잡 한 형상 이나 소형 형상 의 캐비 티부 ( 220 ) 여도 용이 하 게 제조 할 수 있 다 . 또한 , 반사 율 특성 을 구비 한 배선 기판 을 소정 의 위치 에 형성 할 수 있 기 때문 에 , LED 소자 를 실장 시킨 경우 에 는 리플렉터 로서 의 기능 을 발휘 시킬 수 있 다 .