반도체 소자 가 고집 적 화 됨 에 따라 게이트 의 선폭 이 좁 아 지 면서 채널 길이 의 감소 로 반도체 소자 의 전기 적 특성 이 저하 되 는 문제 가 있 다 . 이 를 극복 하 기 위하 여 리세 스 게이트 를 사용 하 게 되 었 다 . 리 세스 게이트 는 게이트 예정 영역 의 반도체 기판 을 소정 깊이 식각 하 여 활성 영역 과 게이트 사이 의 접촉면 적 을 증가 시킴 으로써 게이트 채널 길이 를 증가 시킬 수 있 는 기술 이 다 .