본 발명 은 반도체 웨이퍼 를 이용 하 여 45 ° 경사 거울 을 제조 하 는 방법 에 관한 것 으로 , 45 ° 반사면 의 평활도 를 개선 할 수 있 고 , 굴절 률 이 높 고 낮 은 다층 의 박막 을 반사면 에 용이 하 게 증착 시킬 수 있 도록 함 으로써 , 거울 의 반 사도 를 높일 수 있 도록 한 것 인 바 , 반도체 웨이퍼 에서 식각 으로 45 ° 경사면 을 형성 하 고 , 경사면 이 아닌 폴리 싱 된 웨이퍼 의 하면 에 반사 성 금속 물질 이나 유전체 박막 을 증착 한 것 으로 , 표면 거칠 기 가 발생 할 수 있 는 식각 된 경사면 을 반사면 으로 사용 하 지 않 고 , 반도체 웨이퍼 제작 과정 에서 폴리 싱에 의해 얻 어 지 는 매우 평탄 한 웨이퍼 면 ( 하 면 ) 을 반사면 으로 사용 한 것 이 며 , 식각 된 경사 면은 단지 경사 거울 의 각도 만 을 형성 하 는 데 사용 됨 으로써 , 난반사 가 억제 되 고 반사 율 을 높일 수 있 다 .