반도체 메모리 장치 들 은 일반 적 으로 휘발 성 또는 비휘발성 으로 분류 될 수 있 다 . DRAM ( dynamic random access memory ) , SRAM ( static random access memory ) 등 과 같 은 휘발 성 메모리 들 은 전원 이 공급 되 지 않 으면 저장 된 데이터 를 잃 을 수 있 다 . 대조 적 으로 , EEPROM ( electrically erasable programmable read - only memory ) , FRAM ( ferroelectric random access memory ( MRAM ) , PRAM ( phase random access memory ) , MRAM ( magnetoresistive random access memory ) , 플래시 메모리 등 과 같 은 비휘발성 메모리 들 은 전원 이 공급 되 지 않 더라도 저장 된 데이터 를 보유 할 수 있 다 . 이러 한 유형 들 의 비휘발성 메모리 중 에서 , 상 - 변화 메모리 는 메모리 요소 를 보다 빠르 게 전환 할 수 있 고 , 단일 비트 들 은 전체 셀 블록 을 먼저 소거 할 필요 없이 1 또는 0 으로 변경 될 수 있 으므로 , 빠른 기입 이 중요 한 응용 프로그램 에서 더 높 은 성능 을 제공 할 수 있 다 . 또한 , 상 - 변화 메모리 는 플래시 메모리 에 비해 많 은 양 의 프로그램 / 소거 ( Program / Erase , P / E ) 사이클 들 을 견딜 수 있 다 . 이러 한 요소 들 로 인해 , 상 - 변화 메모리 는 메모리 액세스 타이밍 에 의해 성능 이 제안 되 는 비휘발성 메모리 의 역할 에 사용 하 기 위해 널리 채택 되 었 다 .