여기 서 , 상기 감광막 패턴 ( 208 ) 의 하부 에 존재 하 는 상부 OCL ( 206 ) 및 마이크 로 렌즈 ( 207 ) 는 , 상기 한 신나 를 솔 벤트 로 사용 하 는 습식 각 공정 에 의해 제거 되 지 않 는 네 가티 브 포토레지스트 ( negative PR ) 로 이루어져 있 으므로 , 상기 감광막 패턴 ( 208 ) 의 제거 시 , 상기 상부 OCL ( 206 ) 및 마이크 로 렌즈 ( 207 ) 는 손상 되 거나 제거 되 지 않 는다 . 이후 , 그 로부터 얻 어 지 는 결과물 에 세정 공정 을 수행 한다 .