여기 서 , 리세 스 LOCOS 층 ( 107 ) 의 표면 높이 는 , 열 산화 의 처리 온도 나 , 처리 시간 , 사용 하 는 가스 종 등 의 각 파라미터 에 의해 변동 한다 . 또한 , 리세 스 LOCOS 층 ( 107 ) 의 표면 높이 는 그 열 산화 전 에 소자 분리 영역 에 형성 되 는 오 목부 의 깊이 에 의해서 도 변동 한다 . 즉 , 동일 한 열 산화 조건 하 에서 는 , 오 목부 의 깊이 가 얕 을 때 는 리세 스 LOCOS 층 의 표면 위치 가 높 아 지 게 되 고 , 오 목부 의 깊이 가 깊 을 때 는 리세 스 LOCOS 층 의 표면 위치 가 낮 아 진다 . 오 목부 의 깊이 는 , 드라이 에칭 의 시간 을 길 게 하 거나 짧 게 함 으로써 조정 가능 하 다 .