그 다음 도 1 b 에 나타낸 것 처럼 , 광 마스크 를 반도체 기판 ( 10 ) 위 에 정렬 하 고 ArF 광원 으로 감광막 ( 50 ) 을 노광 하 고 현상 하 여 , 임계 치수 가 DICD 인 감광막 패턴 ( 50 a ) 을 형성 한다 . 여기 서 , DICD 는 ' Develop Inspection CD ' 의 약자 로 감광막 을 현상 한 후 의 임계 치수 를 의미 한다 .