제 2 절연 층 ( 30 ) 을 형성 한 후 , 제 1 투명 전극 패턴 ( 31 ) 의 형성 과정 과 동일 하 게 제 2 절연 층 ( 30 ) 상 에 ITO , ZnO , RuOx , TiOx , IrOx 중 하나 의 산화물 층 을 CVD 방법 을 이용 하 여 수십 Å ~ 수백 Å 의 두께 로 형성 하 고 , 산화물 층 상 에 구비 된 포토레지스트 패턴 ( 도시 하 지 않 음 ) 에 대해 식각 및 에 싱 을 수행 하 여 제 1 투명 전극 패턴 ( 31 ) 에 중첩 하 여 원점 방향 의 내측 으로 원형 또는 타원 형 으로 연장 구비 되 는 제 2 투명 전극 패턴 ( 41 ) 과 제 2 투명 전극 패턴 ( 41 ) 에서 외측 으로 연장 되 는 도선 패 턴 을 형성 할 수 있 다 .