도 10 A 및 10 B 를 참조 하 면 , 광 정의 가능 층 ( 200 ) 은 스 페이서 ( 175 ) 의 루프 의 단부 에서 , 마스킹 재료 블록 ( 210 , 212 ) 을 형성 하 기 위해 포토 리소그래피 에 의해 패 터닝 된다 . 블록 ( 210 , 212 ) 은 스 페이서 ( 175 ) 에 가로질러 걸쳐 있 고 , 스 페이서 ( 175 ) 의 대향 단부 에 접촉 한다 . 바람직 하 게 는 , 블록 ( 210 , 212 ) 은 피치 배가 를 실행 하 지 않 고 포토 리소그래피 로 패 터닝 될 만큼 충분히 큰 치수 를 갖 는다 . 그러므로 , 피치 배가 된 마스크 피처 와 피치 배 가 되 지 않 은 마스크 피처 로 형성 된 혼합 패턴 ( 177 ) 이 형성 될 수 있 다 . 블록 ( 210 , 212 ) 은 부분 적 으로 제조 된 집 적 회로 ( 100 ) 의 주변 영역 에 형성 된 그 외 다른 비교 적 큰 피처 와 동시 에 패 터닝 될 수 있 다 . 피치 배가 된 피처 와 피치 배 가 되 지 않 은 피처 를 결합 하 는 방법 은 U . S . 특허 제 7 , 115 , 525 호 및 제 7 , 253 , 118 호 , 및 2007 년 7 월 31 일자 로 출원 된 Luan C . Tran 의 U . S . 특허 출원 제 11 / 831 , 012 호 에 개시 된다 . 이 들 은 본원 에 참조 로 원용 된다 .