현재 , 파워 트랜지스터 는 실리콘 기술 을 기반 으로 하 는 , 양극 성 접합 형 트랜지스터 ( bipolar junction transistor : BJT ) 또는 금속 옥사이드 반도체 전계 - 효과 트랜지스터 ( MOSFET ) 이 다 . 이 들 실리콘 기반 디바이스 이외 에 , 갈륨 아르세 나 이드 및 갈륨 니트 라이드 와 같 은 다른 물질 이 사용 된다 . 그러나 , 실리콘 양극 성 접합 형 트랜지스터 및 실리콘 금속 옥사이드 반도체 전계 효과 트랜지스터 , 구체 적 으로 , LDMOS ( laterally diffused metal oxide semiconductor ) 는 전계 를 지배 한다 . 전체 파워 트랜지스터 디바이스 는 총 전류 및 전력 을 분배 하 기 위해 다수 의 연결 된 개별 트랜지스터 를 포함 한다 . 파워 트랜지스터 에서 관련 파라미터 로 는 전류 운반 및 전력 성능 ( power capability ) , 전류 이득 ( current gain ) , 효율 및 열 저항 을 포함 한다 .