절단 공정 에서 는 , 스트리트 ( 23 ) 의 위치 에 대응 되 는 위치 에 가공 홈 ( 25 ) 을 구비 하 는 반도체 웨이퍼 ( 2 ) 를 절단 한다 . 바람직 한 방법 으로 는 , 보호막 ( 24 ) 과 가공 홈 ( 25 ) 을 구비 하 는 반도체 웨이퍼 ( 2 ) 에 레이저 또는 플 라즈 마 를 조사 함 으로써 반도체 웨이퍼 ( 2 ) 를 절단 하 는 방법 이나 , 보호막 ( 24 ) 을 구비 하 는 반도체 웨이퍼 ( 2 ) , 또는 보호막 ( 24 ) 이 박리 된 반도체 웨이퍼 ( 2 ) 를 블레이드 에 의해 절단 하 는 방법 을 들 수 있 다 . 레이저 를 조사 하 는 경우 , 반도체 웨이퍼 ( 2 ) 를 절단 하 기 위해 가공 홈 ( 25 ) 에 대하 여 레이저 가 조사 된다 . 플 라즈 마 를 조사 하 는 경우 , 가공 홈 ( 25 ) 의 표면 에 플 라즈 마가 노출 되 도록 반도체 웨이퍼 ( 2 ) 의 보호막 을 구비 하 는 면 의 일부 또는 전면 에 플 라즈 마가 조사 된다 . 블레이드 에 의해 절단 을 실시 하 는 경우 , 절단 지점 에 순수 를 공급 하 면서 , 가공 홈 ( 25 ) 의 위치 를 따라 블레이드 에 의해 반도체 웨이퍼 ( 2 ) 가 절단 된다 .