일 실시 예 에서 , " 본 발명 의 각 중합체 막 및 / 또는 본 발명 의 전자 장치 의 중합체 막 성분 은 각각 센티미터 ( "" S / ㎝"") 당 500 지멘스 이상 ", 더 전형 적 으로 는 1000 S / ㎝ 이상 , 보다 더 전형 적 으로 는 1500 S / ㎝ 이상 , 더더욱 전형 적 으로 는 2000 S / ㎝ 이상 의 전도 성 을 나타낸다 . 중합체 막 은 전도 성 은 구조식 ( 1 ) 에 따라 산출 된다 :