본 개시 에 따르 면 , 상변화 ( phase change ) 물질 을 이용 하 여 메모리 블록 을 구성 하 는 대신 저항 변화 층 ( 523 ) 을 이용 하 여 메모리 블록 을 구성 함 으로써 , 상변화 물질 을 이용 함 에 따른 열 발생 , 응력 ( 압력 ) 문제 를 해결 할 수 있 다 . 또한 , 상술 한 바 와 같이 메모리 블록 을 구성 하 고 , 메모리 블록 을 동작 시킴 으로써 , 메모리 블록 에 포함 된 메모리 셀 들 을 반복 하 여 동작 시키 는 경우 에 도 인접 메모리 셀 간 의 이온 ( ion ) 이동 및 그 에 따른 누설 전류 , 동작 실패 를 방지 할 수 있 다 . 또한 , 본 개시 에 따른 메모리 블록 은 차세대 VNAND 에서 의 메모리 셀 간 의 스케일링 이슈 ( scaling issue ) 를 해결 할 수 있 어 집적도 ( density ) 를 비약 적 으로 증가 시킬 수 있 다 .