열 CVD 증착 프로세스 들 의 프로세스 온도 는 막 형성 률 및 막 특성 들 에 영향 을 끼친다 . 균등 하 게 유지 된 모든 프로세스 변수 들 에 의해 , 프로세스 - 런 ( 즉 , 웨이퍼 로부터 웨이퍼 까지 또는 배치 로부터 배치 까지 ) 사이 의 프로세스 온도 는 챔버 부품 들 의 복사 율 이 변하 기 때문 에 드리프트 하 려는 경향 을 가질 것 이 며 , 따라서 기판 또는 기판 들 의 온도 가 드리프트 할 것 으로 밝혀졌 다 . 챔버 부품 표면 들 이 증착 물질 들 로 덮이 게 되 기 때문 에 및 / 또는 부식 되 기 때문 에 , 즉 산화 되 거나 또는 그렇 지 않 을 경우 화학 적 으로 수정 되 기 때문 에 , 챔버 부품 의 복사 율 이 변한다 . 본래 의 프리 - 프로세스 ( pre - process ) 상태 로 표면 들 을 회복 시키 려는 의도 로 챔버 의 부분 들 이 주기 적 으로 세척 되 더라도 , 본 발명자 들 은 표면 들 이 세 척 후 본래 의 상태 로 회복 되 지 않 으며 , 또는 표면 들 이 그 상태 로 반복 해서 회복 되 지 않 음 을 발견 하 였 다 . 그 결과 , 새로운 부품 의 복사 율 및 반사율 ( reflectance ) 이 되 는 것 이 바람직 한 부품 의 반사 율 및 복사 율 이 상이 한 상태 로 된다 . 따라서 , 프로세스 온도 및 온도 균일 도 는 세 척 후 에 도 희망 하 는 또는 예상 된 바 와 는 상이 하 다 .