그래핀 이 복합 재료 의 표면적 을 향상 시키 는 것 외 에 도 , 또 다른 중요 한 역할 은 전자 수용체 및 광유 도 전자 의 분리 및 이동 을 촉진 시키 는 전달 채널 로서 작용 하 는 것 이 다 . 도 7 b 와 같이 , ZnFe 2 O 4 @ rGO - H 20 ( NaOH ) - 1 시료 의 EIS 플롯 의 반원 은 rGO 의 도입 에 의해 더 작아졌으며 , 이 는 고체 상태 의 계면 - 층 저항 및 표면 전하 전달 저항 의 감소 를 나타낸다 . 전반 적 으로 , 나노 복합체 에서 의 그래핀 의 전자 수용 및 이 동특성 은 전하 재조합 의 억제 에 기여 할 수 있 으며 , 이 는 광촉매 활성 에 더 높 은 비율 로 이용 될 수 있 다 . 그러나 첨가 된 산화 그래핀 의 양 을 두 배 로 늘리 면 ZnFe 2 O 4 @ rGO - H 20 ( NaOH ) - 2 시료 의 반원 이 더 커져 최상 의 전하 전달 능력 을 위한 최적 의 rGO 함량 이 있 음 을 알 수 있 다 . ZnFe 2 O 4 @ rGO - H 20 ( NaOH ) - 2 에서 더 높 은 전하 전달 저항 은 과도 한 rGO 에 기인 한 것 으로 , 이 는 나노 복합체 의 내부 에서 표면 으로 전자 의 이동 을 방해 할 수 있 는 광 생성 전하 의 새로운 재조합 의 중심 으로 작용 할 수 있 다 . 또한 , rGO 가 과도 하 게 적재 되 면 반도체 표면 의 활성 부위 를 막 아 빛 이 반응 이 일어나 는 광촉매 표면 에 도달 하 는 것 을 막 을 수 있 다 .