한편 , 절연성 산화물 층 ( 104 b ) 에서 의 갈륨 의 비율 , Ga / ( Ga + Zn ) 은 0 . 7 이상 , 바람직 하 게 는 0 . 8 이상 이 되 도록 하 면 좋 다 . 또한 , 절연성 산화물 층 ( 104 b ) 에서 의 갈륨 의 비율 은 표면 에 가까운 부분 , 예 를 들 어 반도체 성 산화물 층 ( 104 a ) 에 접하 는 부분 이 가장 낮 고 , 기판 을 향해서 높 아 진다 . 반대 로 , 아연 의 비율 은 표면 에 가까운 부분 이 가장 높 고 , 기판 을 향해서 낮 아 진다 .