제 4 예시 에서 , 2 개 의 막 들 은 SF 6 및 Ar 으로 구성 된 플 라즈 마 에 노출 된다 . 이 라디칼 추동 플 라즈 마 에서 , 실리콘 질화 물막 으로부터 이 십 ( 20 ) 옹스트롬 이 에칭 된다 . 제 5 예시 에서 , 2 개 의 막 들 은 수소 ( H 2 ) 플 라즈 마 에 순차 적 으로 노출 되 고 , 이어서 SF 6 및 Ar 으로 구성 된 플 라즈 마 에 노출 된다 . 이 라디칼 및 이온 추동 순차 적 플 라즈 마 에서 , 실리콘 질화물 로부터 약 백 삼 십 팔 ( 138 ) 옹스트롬 이 에칭 된다 .