일부 실시 예 에서 , 도핑 영역 ( 433 - 435 ) , 게이트 산화물 층 ( 440 ) 및 게이트 ( 450 ) 는 트랜지스터 ( M 1 ) 에 포함 된다 . 일부 실시 예 에서 , 트랜지스터 ( M 1 ) 는 예 를 들 어 , 도 1 의 MOS ( 120 ) 에 대해 구성 된다 . 도핑 영역 ( 433 - 435 ) 은 트랜지스터 ( M 1 ) 의 드레 인 단자 ( T 1 ) , 소스 단자 ( T 3 ) 및 바디 단자 ( T 4 ) 의 형성 으로 개별 적 으로 구성 된다 . 게이트 ( 450 ) 는 트랜지스터 ( M 1 ) 의 게이트 단자 ( T 2 ) 에 대응 한다 . 일부 실시 예 에서 , 도핑 영역 ( 436 ) 은 웰 ( 421 , 424 ) 에 대응 하 는 단자 ( T 5 ) 를 형성 하 도록 구성 되 고 , 도핑 영역 ( 437 ) 은 기판 ( 410 ) 에 대응 하 는 단자 ( T 6 ) 를 형성 하 도록 구성 된다 . 달리 말 하 면 , MOS 소자 는 작동 중 인 6 개 의 단자 ( T 1 - T 6 ) 를 포함 한다 .