이 와 같이 게이트 전극 ( 38 ) 의 일부 가 소스 전극 ( 34 S ) 과 겹침 으로써 , 게이트 전극 ( 38 ) 과 소스 전극 ( 34 S ) 사이 의 수평 거리 는 0 이 된다 . 곧 , 게이트 전극 ( 38 ) 과 소스 전극 ( 34 S ) 사이 의 채널 길이 는 사라진다 . 따라서 본 발명 의 일 실시 예 에 의한 HEMT 의 채널 길이 는 소스 전극 과 게이트 전극 이 수평 적 으로 이격 되 어 있 는 , 곧 소스 전극 과 게이트 전극 이 겹치 지 않 는 기존 의 HEMT 의 채널 길이 보다 짧 다 . 그러므로 본 발명 의 일 실시 예 에 의한 HEMT 의 채널 길이 에 따라 채널 저항 은 기존 의 HEMT 보다 작아진다 . 따라서 본 발명 의 일 실시 예 에 의한 HEMT 의 턴 온 ( turn on ) 상태 에 있 을 때 의 온 저항 ( On resistance ) 은 기존 의 HEMT 보다 작 을 수 있 다 .