도 4 에 도시 된 바 와 같이 본 발명 에 따른 제 2 실시 예 는 기판 상 에 Ⅲ 족 및 Ⅵ 족 원소 를 포함 하 는 단일 전구체 와 , I 족 금속 을 포함 하 는 전구체 , Ⅵ 족 원소 를 포함 하 는 전구체 또는 Ⅵ 족 원소 를 함유 하 는 가스 를 사용 하 여 단일 유기 금속 화학 기상 증착 공정 으로 I - Ⅲ - Ⅵ2 화합물 박막 을 성장 시키 는 과정 에서 상기 한 Ⅲ 족 원소 와 다른 Ⅲ ′ 족 원소 를 포함 하 는 전구체 를 함께 공급 하 면서 증착 시켜 단일 MOCVD 공정 으로 I - Ⅲ1 - x Ⅲ ′ x - Ⅵ2 화합물 박막 을 형성 하 게 된다 .