본 발명 의 실시 예 들 에 있 어서 , 기판 ( 200 ) 의 액티브 영역 에 는 제 1 불순물 영역 , 제 2 불순물 영역 및 제 3 불순물 영역 들 이 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 불순물 영역 에 의해 기판 ( 200 ) 은 셀 영역 ( cell area ) 과 주변 회로 영역 ( peripheral circuit area ) 으로 구분 될 수 있 다 . 상기 제 1 불순물 영역 은 제 1 불순물 들 을 기판 ( 200 ) 의 액티브 영역 에 이온 주입 공정 으로 주입 한 다음 , 열처리 공정 을 통하 여 형성 될 수 있 다 . 상기 제 2 불순물 영역 은 트랜지스터 의 채널 ( 도시 되 지 않 음 ) 이 형성 될 부위 의 불순물 농도 를 조절 하 여 , 상기 트랜지스터 동작 을 위한 문턱 전압 을 설정 하 는 역할 을 수행 할 수 있 다 . 또한 , 상기 제 3 불순물 영역 들 은 트랜지스터 의 소스 / 드레 인 영역 들 에 해당 될 수 있 다 .