도 2 c 는 제 2 메모리 레벨 ( 220 ) 밑 에 위치 된 제 1 메모리 레벨 ( 218 ) 을 포함 하 는 모노 리식 3 차원 어레이 ( 216 ) 의 부분 을 간략 화 한 사시도 이 다 . 도 2 c 의 실시 예 에서 , 각 메모리 레벨 ( 218 , 220 ) 은 교차 - 점 어레이 로 복수 의 메모리 셀 들 ( 200 ) 을 포함 한다 . 하나 이상 의 추가 층 들 ( 예 를 들 면 , 레벨 간 유전체 ) 이 제 1 메모리 레벨 ( 218 ) 과 제 2 메모리 레벨 ( 220 ) 사이 에 있 을 수 있 는데 , 그러나 간략 성 을 위해 도 2 c 엔 도시 되 지 않 았 다 . 추가 레벨 의 메모리 와 같이 , 이외 메모리 어레이 구성 이 사용 될 수 도 있 다 . 도 2 c 의 실시 예 에서 , " 다이오드 의 하부 또는 상부 상 에 p - 도핑 된 영역 을 갖 는 p - i - n 다이오드 들 이 사용 되 는지 여부 에 따라 모든 다이오드 들 은 위쪽 또는 아래쪽 과 같이 동일 방향 으로 "" 향할 "" 수 있 어 ", 다이오드 제조 를 단순 화 한다 .