상기 과제 를 해결 하 기 위해서 , 본 발명 의 반도체 장치 의 제조 방법 은 , 반도체 칩 을 구비 한 적층 구조 를 갖 고 , 상기 적층 구조 가 수지 에 의해 봉지 된 반도체 장치 의 제조 방법 으로서 , 상기 수지 와 접하 도록 상기 적층 구조 의 최 상부 의 상면 에 고리 형상 으로 형성 된 , 평탄 한 상면 을 갖 는 응력 경감 부 와 , 금형 내부 의 공실 ( 空 室 ) 의 상면 을 접촉 시킨 상태 로 수지 봉지 를 행한다 .