반도체 소자 를 제조 하 는 과정 에서 포토 마스크 ( photo mask ) 를 이용 하 여 웨이퍼 상 으로 회로 패턴 을 전사 하 는 포토 리소그래피 ( photolithography ) 과정 이 수행 된다 . 포토 리소그래피 과정 을 수행 하 기 위해서 전사 하 고자 하 는 회로 패턴 의 레이아웃 ( layout ) 을 따르 는 마스크 패턴 을 포토 마스크 ( photomask ) 의 투명 한 기판 상 에 구현 하 는 과정 이 수행 된다 . 웨이퍼 ( wafer ) 상 으로 전사 하 고자 하 는 회로 패턴 의 레이아웃 을 설계 하 고 , 설계 된 레이아웃 을 등 을 전자 빔 ( e - beam ) 노광 과정 으로 기판 상 에 도포 된 레지스 트 ( resist ) 층 상 에 전사 하 고 , 레지스 트 를 현상 하 여 레지스 트 패턴 을 형성 한다 . 이러 한 레지스 트 패턴 을 식각 마스크 ( etch mask ) 로 이용 하 여 차광 층 이나 위상 반전 층 을 포함 하 는 마스크 층 을 선택 적 으로 식각 하 여 마스크 패턴 을 패 터닝 함 으로써 포토 마스크 를 제조 한다 .