현재 플래시 메모리 ( flash memory ) 제조 방법 에서 소자 가 고집 적 화 되 어 감 에 따라 단위 액티브 영역 과 필드 영역 이 형성 될 공간 은 줄어들 고 있 다 . 따라서 , 좁 은 액티브 공간 내 에 플로팅 게이트 를 포함 한 유전체 막 , 컨트롤 게이트 를 형성 함 에 따라 게이트 간 거리 가 좁 아 져서 간섭 현상 이 점점 더 문제 시 되 고 있 다 .