상기 원판 ( 500 ) 은 절연 기판 ( ex . 실리콘 기판 이나 유리 기판 , 400 ) 상 에 질화 실리콘 ( Si 3 N 4 ) 또는 산화 실리콘 ( SiO 2 ) 과 같 은 절연 물질 을 증착 하 여 선행 층 을 형성 한 후 , 노광 및 현상 공정 을 거쳐 상기 선행 층 을 원하 는 형상 으로 패 터닝 하 는 공정 을 통해 상기 절연 기판 ( 400 ) 상 에 서로 다른 높이 의 제 1 패턴 ( 401 ) 및 제 2 패턴 ( 402 ) 을 형성 하 여 이루어진다 . 이 때 , 상기 절연 기판 ( 400 ) 상부 의 제 1 , 제 2 패턴 ( 401 , 402 ) 은 질화 실리콘 ( Si 3 N 4 ) 또는 산화 실리콘 ( SiO 2 ) 외 에 금속 ( metal ) 또는 감광막 ( photo - resist ) 또는 왁스 ( wax ) 를 사용 하 여 형성 할 수 있 다 .