이 와 같이 , 리세 스 게이트 를 갖 는 반도체 소자 를 제조 하 면 , 기존 의 플래너 ( Planer ) 형 의 소자 에 비해 채널 의 유효 길이 가 늘어나 므로 , 단 채널 효과 ( Short Channel Effect ) 가 억제 되 고 , 적 은 이온 주입 도우즈 로 도 소망 하 는 문턱 전압 을 확보 할 수 있 는 바 , 접합 누설 전류 를 감소 되 어 리프 레 쉬 특성 이 개선 된다 .