실리콘 산질 화물 또는 실리콘 질화물 층 으로 코팅 된 실리콘 웨이퍼 의 자발 적 결합 은 산질 화물 또는 질화물 층 의 표면 거칠 기 가 0 . 5 nm ( RMS ) 미만 인 경우 일어날 수 있 다 . PE - CVD 산질 화물 또는 질화물 층 에 대하 여 , 화학 - 기계 적 평탄 화 에 의한 표면 연마 는 거칠 기 를 감소 시키 고 결합 시키 거나 또는 결합 품질 을 강화 시키 기 위해 일반 적 으로 필수 적 이 다 . 예 를 들 어 , " LPCVD 실리콘 질화물 표면 층 을 갖 거나 갖 지 않 는 양면 연마 된 실리콘 웨이퍼 쌍 을 결합 시키 는 것 은 Si - Si 3 N 4 또는 Si 3 N 4 - Si 3 N 4 인 결합 면 에 대하 여 성공 적 이 었 다 . 사전 - 결합 "" 물리 적 활성 화 "" 는 쌍 중 하나 의 웨이퍼 또는 두 웨이퍼 모두 를 산소 또는 아르곤 플 라즈 마 방출 에 노출 시키 고 그 직후 탈 이 온수 에 5 분 동안 침적 시키 고 스핀 건조 시켜 달성 되 었 다 . 실온 에서 의 결합 에 후속 하 여 모든 웨이퍼 를 2 시간 동안 150 ℃ 에서 어닐링 시키 고 ", 그 후 2 시간 동안 350 ℃ 에서 의 제 2 어닐링 단계 를 거쳤 다 . 결합 강도 는 실온 경합 이후 1 . 1 J · m - 2 로부터 350 ℃ 에서 2 시간 동안 의 어닐링 이후 2 . 2 J · m - 2 까지 증가 하 였으며 , 더 높 은 어닐링 온도 는 더욱 강한 결합 을 산출 하 였 다 .