반도체 소자 의 집적도 가 증가 함 에 따라 패턴 의 축소 ( shrinkage ) 가 필연 적 으로 요구 되 고 있 다 . 이러 한 패턴 의 축소 에 있 어서 , 소자 사이 를 분리 하 는 소자 분리 막 의 제조 기술 은 중요 한 항목 중 의 하나 이 다 . 종래 의 소자 분리 기술 로 이용 되 던 로코스 ( LOCOS : Local Oxidation of Silicon ) 공정 은 소자 분리 막 의 폭 을 감소 시키 는 데 한계 가 있 어 , 최근 에 는 소자 분리 기술 로 STI ( Shallow Trench Isolation ) 공정 을 널리 사용 하 고 있 다 .