제 1 페이즈 는 t 1 에서 전압 을 선택 된 디 지트 라인 ( 605 ) 으로 인가 함 으로써 선택 된 디 지트 라인 ( 605 ) 을 프리 차지 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 일부 예시 에서 , 선택 된 디 지트 라인 ( 605 ) 이 메모리 셀 내 강유 전 성 커패시터 와 연결 되 기 전 선택 된 디 지트 라인 ( 605 ) 은 프리 차지 될 수 있 다 . 선택 된 디 지트 라인 ( 605 ) 에 인가 되 는 전압 이 선택 된 디 지트 라인 ( 605 ) 의 기생 커패시턴스 를 충전 하 여 , 선택 된 디 지트 라인 ( 605 ) 이 메모리 셀 에 연결 될 때 메모리 셀 에 저장 된 전하 가 교란 되 지 않 는다 .