도 5 d 와 같이 , 애 싱 처리 감광막 패턴 을 제거 하 고 , 소스 전극 ( 145 a ) 및 드레 인 전극 ( 145 b ) 을 포함 한 투명 기판 ( 122 ) 상 에 투명 전극 층 ( 154 ) 을 300 ~ 2000 Å 의 두께 로 ITO 와 같 은 물질 을 사용 하 여 형성 한다 . 투명 전극 층 ( 154 ) 상 에 제 3 감광막 ( 도시 하 지 않 음 ) 을 도포 하 고 , 제 3 감광막 을 노광 및 현상 하 여 데이터 패드 ( 150 ) , 게이트 패드 ( 148 ) , 드레 인 전극 ( 145 b ) , 및 스토리지 전극 ( 153 ) 상 에 제 3 감광막 패턴 ( 176 ) 을 형성 한다 . 데이트 패드 ( 150 ) 및 게이트 패드 ( 148 ) 상 의 제 3 감광막 패턴 ( 176 ) 은 각각 독립 적 인 패턴 으로 형성 되 고 , 드레 인 전극 ( 145 b ) , 및 스토리지 전극 ( 153 ) 상 의 제 3 감광막 패턴 ( 176 ) 은 드레 인 전극 ( 145 b ) 에서 스토리지 전극 ( 153 ) 으로 연장 되 는 형태 이 다 . 따라서 , 소스 전극 ( 145 a ) 및 게이트 전극 ( 140 ) 과 대응 되 는 채널 영역 ( 178 ) 상 의 투명 전극 층 ( 154 ) 은 제 3 감광막 패턴 ( 176 ) 에 의해서 차폐 되 지 않 고 노출 된다 .