몇몇 실시 예 에서 , 코어 를 형성 하 기 위해 이용 되 는 세라믹 물질 은 1 , 800 ℃ 정도 의 온도 에서 소성 ( firing ) 된다 . 이 프로세스 는 세라믹 물질 에 존재 하 는 상당 량 의 불순물 을 제거 할 것 으로 예상 된다 . 이러 한 불순물 은 소결 제 ( sintering agent ) 로서 이트리아 를 사용 함 으로써 생기 는 이트륨 , 칼슘 및 기타 원소 와 화합물 을 포함 할 수 있 다 . 다음 으로 , 800 ℃ 내지 1 , 100 ℃ 범위 의 훨씬 더 낮 은 온도 에서 실행 되 는 에피 택 셜 성장 프로세스 중 에 는 , 이러 한 불순물 의 후속 확산 이 미미 할 것 으로 예상 될 것 이 다 . 그러나 , 통상 적 인 예상 과 는 달리 , 세라믹 물질 의 소성 ( firing ) 온도 보다 훨씬 낮 은 온도 에서 의 에피 택 셜 성장 프로세스 동안 에 도 가공 된 기판 의 층 들 을 통한 요소 들 의 상당 한 확산 이 존재 할 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 의 실시 예 들 은 이러 한 바람직 하 지 않 은 확산 을 방지 하 기 위해 배리 어 층 을 가공 된 기판 구 조체 에 통합 시킨다 .