도 8 a 를 참조 하 면 , 기판 ( 300 ) 상 에 도전 막 ( 302 ) 을 형성 하 고 , 상기 도전 막 ( 302 ) 상 에 포토레지스트 막 ( 304 ) 을 형성 한다 . 상기 포토레지스트 막 ( 210 ) 은 포지티브 형 일 수 도 있 고 , 네거티브 형 일 수 도 있 다 . 상기 포토레지스트 막 ( 210 ) 의 형태 에 따라 TE 편광 된 노 광광 을 사용 할지 TM 편광 된 노 광광 을 사용 할지 여부 가 결정 될 수 있 다 .