도 5 a 에 도시 된 바 와 같이 , 결과물 의 단차 를 따라 실리콘 산화 막 ( 51 a ) 를 형성 한 후 , 스토리지 전극 ( 46 a ) 의 상부 표면 이 드러날 때 까지 스 페이서 식각 공정 을 수행 하 여 돌출 된 스토리지 전극 ( 46 a ) 의 측벽 에 스 페이서 형태 로 잔류 시킨다 . 이때 , 스토리지 전극 ( 46 a ) 의 돌출 된 부분 의 높이 와 실리콘 산화 막 ( 51 a ) 의 두께 및 스 페이서 식각 정도 를 조절 함 으로써 , 스 페이서 형태 의 실리콘 산화 막 ( 51 a ) 이 스토리지 전극 ( 46 a ) 의 상부 표면 으로부터 소정 정도 로 하향 된 위치 에 형성 되 게 한다 . 이 와 같이 , 실리콘 산화 막 ( 51 a ) 을 형성 하 는 것 은 후속 공정 으로 형성 되 는 질화 막 ( 51 b ) 및 실리콘 막 ( 51 c ) 의 두께 를 얇 게 하 기 위함 이 다 .