상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위하 여 본 발명 에서 는 투명 지지 기재 와 ; 상기 투명 지지기 재 상 에 배치 된 투명 전극 과 ; 상기 투명 전극 상 에 배치 된 나노 투명 콘덴서 층 을 포함 하 며 , 상기 나노 투명 콘덴서 층 은 [ Si ( OR 1 ) 4 , R 1 : 알킬기 ] 로 이루어진 알 콕 시실 란 ; [ Ti ( OR 2 ) 4 , R 2 : 유전체 성능 을 가지 는 무기 화합물 ] 로 이루어진 산화 티탄 화합물 을 포함 하 면서 , 병렬 형 유전체 구조 를 이루 고 , 상기 투명 전극 은 ITO ( Indium Tin Oxide ) , ATO ( Antimony Tin Oxide ) , AZO ( Antimony Zinc Oxide ) , 폴리 아닐린 ( Polyaniline ) , 폴리 싸이오펜 ( Polythiophene ) , 폴리에틸렌 ( Polyethylene ) , 폴리 피롤 ( Polypyrrole ) , 폴리 티오펜 ( Polythiophene ) , 폴리 아세틸렌 ( Polyacetylene ) , CNT ( Carbon Nano - Tube ) , 또는 그래핀 중 의 어느 하나 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 는 투명 전극 디바이스 를 개시 한다 .