도 2 를 참조 하 면 , 반도체 소자 ( 10 ) 는 기판 ( 1 ) , 기판 ( 1 ) 상 의 양측 부 에 형성 된 소스 전극 ( 2 ) 및 드레 인 전극 ( 3 ) , 기판 ( 1 ) 상 에 형성 된 절연 층 ( 4 ) , 절연 층 ( 4 ) 상 에 형성 된 게이트 절 연막 ( 5 ) 및 게이트 절 연막 ( 5 ) 상 에 형성 된 게이트 전극 ( 6 ) 을 포함 할 수 있 다 . 또한 , 소스 전극 ( 2 ) 및 드레 인 전극 ( 3 ) 사이 에 는 채널 층 ( 7 ) 이 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 반도체 소자 ( 10 ) 는 금속 산화 막 반도체 전계 효과 트랜지스터 ( MOSFET ) 의 한 종류 일 수 있 다 .