또 다른 구 현예 에 따르 면 , 상기 정공 수송 영역 은 상기 제 1 전극 ( 11 ) 으로부터 차례 로 적층 된 정공 주입 층 , 정공 수송 층 , 제 1 전자 저지 층 및 제 2 전자 저지 층 을 포함 할 수 있 다 ( 또는 , 이루어질 수 있 다 ( consist of ) ) . 상기 정공 주입 층 은 상술 한 바 와 같 은 p - 도 펀트 로 이루 어질 ( consist of ) 수 있 고 , 상기 제 1 전극 에 직접 접촉 ( directly contact ) 할 수 있 다 . 상기 정공 주입 층 , 상기 정공 수송 층 , 상기 제 1 전자 저지 층 및 상기 제 2 전자 저 지층 에 포함 된 화합물 각각 은 서로 상이 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 정공 수송 층 , 상기 제 1 전자 저지 층 및 상기 제 2 전자 저지 층 각각 은 카바졸 - 함유 화합물 을 포함 하 고 , 상기 정공 수송 층 에 포함 된 카바졸 - 함유 화합물 , 상기 제 1 전자 저 지층 에 포함 된 카바졸 - 함유 화합물 및 상기 제 2 전자 저 지층 에 포함 된 카바졸 - 함유 화합물 각각 은 서로 상이 할 수 있 다 .