도 11 a 를 참조 하 면 , 기판 ( 301 ) 상 에 제 1 희생 막 그룹 ( 310 ) 과 제 2 희생 막 그룹 ( 320 ) 을 적층 하 여 몰드 스택 ( 303 c ) 을 형성 하 되 , 도 9 a 와 동일 유사 하 게 , 몰드 스택 ( 303 c ) 의 최 상부 를 캡 핑 절 연막 ( 371 ) 으로 구성 할 수 있 다 . 도 10 a 와 동일 유사 하 게 수직 채널 홀 ( 330 ) 을 형성 한 후 수직 채널 홀 ( 330 ) 내 에 제 1 정보 저 장막 ( 355 a ) 과 수직 채널 ( 340 ) 을 형성 할 수 있 다 .