그러나 , 스루홀 전극 을 형성 할 때 , 전극 패드 아래 에 는 어떠 한 STI 도 형성 하 지 않 는 것 이 중요 하 다 . 이것 은 실리콘 의 RIE 의 가스 유형 이 절 연막 의 RIE 의 가스 유형 과 다르 기 때문 이 다 . 즉 , 실리콘 의 RIE 동안 실리콘 에 절 연막 패턴 이 존재 하 면 , 이 부분 에 식각 에러 가 발생 하 여 프로 그 ( frog ) 형상 의 식각 잔여물 을 형성 할 수 있 다 . STI 의 CMP 동안 전극 패드 아래 에 CMP 잔여물 이 불가피 하 게 생성 되 면 , 잔여물 이 생성 되 는 부분 에 홀 을 리소그래피 에 의해 형성 하 고 , 잔여물 이 습식 식각 등 에 의해 부분 적 으로 식각 된 후 CMP 를 수행 할 필요 가 있 으며 , 이 에 따라 CMP 잔여물 을 제거 할 수 있 다 .