구체 적 으로 는 , 도 19 a 에 나타낸 유기 EL 소자 ( OLED ) 에 있 어서 는 막 두께 25 ㎚ 의 정공 수송 층 ( 18 a ) 을 형성 하 기 위한 성막 조건 을 PEDOT / PSS 의 고형분 농도 를 1 . 4 ％, 기판 의 회전수 를 800 rpm 으로 5 sec , 또한 회전수 를 4500 rpm 으로 20 sec 로 설정 한다 . 또 , 막 두께 50 ㎚ 의 정공 수송 층 ( 18 a ) 을 형성 하 기 위한 성막 조건 을 PEDOT / PSS 의 고형분 농도 를 1 . 4 ％, 기판 의 회전수 를 800 rpm 으로 5 sec , 또한 회전수 를 2000 rpm 으로 20 sec 로 설정 한다 . 또 , 막 두께 90 ㎚ 의 정공 수송 층 ( 18 a ) 을 형성 하 기 위한 성막 조건 을 PEDOT / PSS 의 고형분 농도 를 2 . 8 ％, 기판 의 회전수 를 800 rpm 으로 5 sec , 또한 회전수 를 3000 rpm 으로 20 sec 로 설정 한다 . 또 , 막 두께 110 ㎚ 의 정공 수송 층 ( 18 a ) 을 형성 하 기 위한 성막 조건 을 PEDOT / PSS 의 고형분 농도 를 2 . 8 ％, 기판 의 회전수 를 800 rpm 으로 5 sec , 또한 회전수 를 2000 rpm 으로 20 sec 로 설정 했 다 .