본 발명 에 따른 반도체 메모리 장치 의 온 다이 터 미 네이션 회로 는 코드 조정 오류 를 방지 함 은 물론 이 고 , 코드 조정 오류 방지 를 위해 사용 되 는 코드 값 을 PVT ( Process / Voltage / Temperature ) 변동 에 대응 하 여 가변 설정 할 수 있 으므로 데이터 입력 과 데이터 출력 이 정상 적 으로 이루어질 수 있 도록 하 여 반도체 메모리 장치 의 성능 을 크 게 향상 시킬 수 있 다 .