여기 서 , 이 중질 화 막 은 게이트 패턴 및 비트 라인 패턴 과 같 은 도전 패턴 의 보호막 또는 측벽 보호막 으로 사용 되 거나 , 스토리지 노드 식각 정지 층 으로 사용 되 어 워드 라인 및 비트 라인 의 기생 캐 패 시 턴 스 값 을 낮추 거나 , 비휘발성 메모리 소자 의 플로팅 전극 ( Floating Electronic ) 으로 사용 되 어 게이트 간 의 간섭 에 의한 데이터 혼란 ( Data Disturbance ) 을 억제 할 수 있 다 .