도 3 a 및 도 3 b 를 참조 하 면 , 본 발명 의 기술 적 사상 의 다른 실시 예 에 의한 반도체 패키지 ( 100 a ) 는 , 비아 플러그 ( 200 ) 사이 에 복수 개 의 서브 플러그 ( 300 ) 를 포함 할 수 있 다 . 이웃 하 는 한 쌍 의 열전도 성 비아 플러그 들 ( 200 ) 사이 의 거리 가 비아 플러그 들 ( 200 ) 의 외부 직경 보다 작 은 경우 , 단일 의 서브 플러그 ( 300 ) 에 의하 여 브릿지 될 수 있 다 . 그러나 , 이웃 하 는 한 쌍 의 비아 플러그 들 ( 200 ) 사이 의 거리 가 비아 플러그 ( 200 ) 의 외부 직경 보다 큰 경우 는 복수 개 의 서브 플러그 들 ( 300 ) 에 의하 여 브릿지 될 수 있 다 . 이때 도 , 복수 개 의 서브 플러그 들 ( 300 ) 은 상호 오버랩 되 어 브릿지 될 수 있 다 .