i 형 반도체 층 ( 111 i ) 으로서 는 예 를 들 면 플 라즈 마 CVD 법 으로 미결정 실리콘 막 을 형성 하 면 좋 다 . 또한 n 형 반도체 층 ( 111 n ) 으로서 는 주기표 제 15 족 의 불순물 원소 , 예 를 들 면 인 ( P ) 을 포함 하 는 미결정 실리콘 막 을 형성 하 여도 좋 고 , 미결정 실리콘 막 을 형성 한 후 , 주기표 제 15 족 의 불순물 원소 를 도입 하 여도 좋 다 .