희생 소스 막 ( 205 ) 을 제거 하 는 동안 제 1 보호막 ( 203 ) 및 제 2 보호막 ( 207 ) 은 제 1 도프 트 반도체 막 ( 201 ) 및 식각 정지 막 ( 209 ) 의 손실 을 방지 할 수 있 다 . 제 1 보호막 ( 203 ) 및 제 2 보호막 ( 207 ) 은 유전 막 을 제거 하 는 동안 제거 될 수 있 다 . 수직 베리어 ( 250 ) 는 더미 적층 체 ( 255 ) 에 중첩 되 는 희생 소스 막 ( 205 ) , 제 1 보호막 ( 203 ) 및 제 2 보호막 ( 207 ) 각각 의 일부 를 식각 공정 으로부터 보호 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 더미 적층 체 ( 255 ) 에 중첩 된 희생 소스 막 ( 205 ) , 제 1 보호막 ( 203 ) 및 제 2 보호막 ( 207 ) 은 더미 소스 적층 체 ( 263 ) 로서 잔류 될 수 있 다 .