첫 번 째 로 , 습식 산화 는 암모니아수 ( NH 4 OH ) 또는 오존 ( O 3 ) 을 이용 한 세정 공정 을 포함 한다 . 이 와 같 은 세정 공정 에 의해 화학 적 산화물 ( Chemical Oxide ) 이 형성 되 며 , 세정 공정 시 형성 된 화학 적 산화물 이 보호막 ( 26 ) 이 된다 . 습식 산화 를 통해 보호막 ( 26 ) 은 10 ~ 20 Å 두께 로 형성 한다 . 두 번 째 로 , 건식 산화 는 산소 가스 를 이용 한다 . 건 식산 화 에 의해 15 ~ 20 Å 의 두께 의 산화 막 을 형성 한다 .