본 발명 은 신규 한 피독 - 저해 조성물 및 포토 리소그래피 가공 동안 및 / 또는 절연 층 ( dielectric layer ) 과 같 은 하층 ( underlayer ) 으로부터 방출 된 아민 에 의하 여 야기 된 피독 을 실질 적 으로 ( 그리고 바람직 하 게 는 완전히 ) 저해 하 는 방법 에 관한 것 이 다 . 상기 방법 은 제작 공정 ( fabrication process ) 에서 보통 사용 되 는 조성물 에 첨가제 를 사용 하 는 것 을 포함 한다 . 이러 한 조성물 은 전형 적 으로 용매 시스템 에 분산 되 거나 용해 된 중합체 , 소 중합체 및 / 또는 단량체 를 포함 한다 . 이러 한 조성물 은 반사 방지 조성물 , 갭 충 진 ( gap fill ) 조성물 , 스핀 - 온 탄소 조성물 및 스핀 - 온 하드 마스크 조성물 을 포함 한다 .