본 발명 의 마이크 로 렌즈 어레이 가 구비 된 발광 다이오드 는 도 1 에 도시 된 바 와 같이 기판 ( 110 ) 위 에 에피 택 셜 층 ( epitaxial layer ) 으로 성장 한 버퍼 층 ( 120 ) 과 불순물 이 첨가 되 지 않 은 반도체 층 ( 130 ) , N 형 - 반도체 층 ( 140 ) , 멀티 퀀텀 웰 형태 의 활성 층 ( 150 ) 및 P 형 - 반도체 층 ( 160 ) 이 순차 적 으로 적층 된 구조 이 며 , P 형 - 반도체 층 ( 160 ) 으로부터 상기 N 형 - 반도체 층 ( 140 ) 일부 까지 에칭 ( etching ) 된 N 형 - 반도체 층 ( 140 ) 의 표면 에 N 형 전극 패드 ( 190 ) 가 존재 하 며 , 상기 P 형 - 반도체 층 ( 160 ) 의 상부 에 투명 전도 막 ( 170 ) 이 형성 되 며 , 상기 P 형 - 반도체 층 ( 160 ) 의 상부 일부 에 P 형 전극 패드 ( 180 ) 가 존재 하 는 것 이 바람직 하 다 .