본 단계 에서 , 제 2 활성 층 ( 134 ) 은 분자선 에피 텍 셜 법 ( Molecular Beam Epitaxy ) 또는 유기 금속 화학 증착 법 ( Metal Organic Chemical Vapor Deposition ) 을 이용 하 여 제 1 활성 층 ( 132 ) 의 제 2 증착 온도 조건 보다 낮 은 650 ~ 850 ℃ 의 제 3 증착 온도 조건 으로 증착 하 여 형성 할 수 있 다 .