도 13 을 참조 하 면 , 본 발명 의 제 4 실시 예 에 따른 기판 처리 장치 ( 600 ) 는 공정 챔버 ( 110 ) , 챔버 리드 ( 115 ) , 기판 지지 부 ( 120 ) , 및 가스 분사 부 ( 130 ) 를 포함 하 여 구성 되 는 것 으로 , 가스 분사 부 ( 130 ) 를 제외 한 다른 구성 들 은 전술 한 기판 처리 장치 ( 100 ) 와 동일 하 므로 동일 한 구성 들 에 대한 설명 은 전술 한 설명 으로 대신 하 기 로 한다 .