BOX 층 ( 20 ) 은 벌크 기판 ( 10 ) 상 에 제공 된다 . 실리콘 층 ( 30 ) 은 , 반도체 소자 가 형성 되 는 노멀 액티브 영역 AA , 및 반도체 소자 가 형성 되 지 않 는 더미 액티브 영역 DAA 을 포함 한다 . 더미 액티브 영역 DAA 는 액티브 영역 AA 으로부터 분리 되 고 , 소자 분리 STI ( Shallow Trench Isolation ) 내 에 배치 된다 . 더미 액티브 영역 DAA 는 , 소자 분리 STI 의 형성 시 에 CMP 에 의한 넓 은 소자 분리 영역 의 디싱 ( 도려 내짐 ) 을 억제 하 기 위해 제공 된다 . 지지 유닛 ( 40 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 단결정 을 포함 하 고 , 더미 액티브 영역 DAA 아래 의 BOX 층 ( 20 ) 을 관통 하 여 벌크 기판 ( 10 ) 에 도달 하 도록 제공 된다 . 따라서 , 지지 유닛 ( 40 ) 은 더미 액티브 영역 DAA 를 벌크 기판 ( 10 ) 에 고정 시키 고 , 이 를 지지 한다 .