도 10 을 참조 하 면 , 포토레지스트 막 패턴 ( 215 ) 상부 에 증착 된 흡수 층 을 제거 한다 . 계속 해서 포토레지스트 막 패턴 ( 215 ) 을 애 슁 공정 을 이용 하 여 제거 하 여 미러 층 ( 205 ) 의 표면 일부 영역 ( c ) 을 노출 시키 는 흡수 층 패턴 ( 225 ) 을 형성 한다 . 다음 에 비록 도면 에 도시 하 지 는 않 았 지만 , 흡수 층 패턴 ( 225 ) 을 식각 마스크 로 미러 층 ( 205 ) 을 식각 하 여 투명 기판 ( 200 ) 상 에 미러 층 패턴 및 흡수 층 패턴 을 포함 하 여 이루어지 는 포토 마스크 를 형성 한다 .