도 25 는 , 단결정 반도체 막 에 의해 n 채널 형 트랜지스터 ( 247 ) 가 형성 되 는 액정 표시 장치 의 화소 의 일 예 를 도시 한다 . 데이터 선 ( 240 ) 및 화소 전극 접속 배선 ( 243 ) 을 접속 하 는 콘 택 홀 에 는 오목 단차 가 생기 므로 , 그곳 을 메우 도록 스 페이서 ( 255 ) 가 설치 된다 . 밀봉 판 ( 254 ) 에 는 대향 전극 ( 259 ) 이 형성 되 고 , 액정 층 ( 257 ) 을 끼우 는 배향 막 ( 256 ) 이 설치 된다 . 본 형태 에 의하 면 , 단결정 반도체 막 으로 화소 의 트랜지스터 를 형성 함 으로써 , 트랜지스터 의 사이즈 를 작 게 할 수 있 고 , 화소 의 개구율 을 향상 시킬 수 있 다 . 또한 단결정 반도체 로 트랜지스터 를 형성 함 으로써 , 120 MHz 이상 의 프레임 주파수 에서 동작 하 는 액정 표시 패널 을 용이 하 게 제조 할 수 있 다 .