도 1 b 에 도시 된 바 와 같이 , 주변 영역 오픈 마스크 층 ( 18 ) 을 제거 한 후 , 전면 에 감광막 을 다시 도포 하 고 노광 및 현상 으로 패 터닝 하 여 셀 영역 을 오픈 시키 고 주변 영역 을 덮 는 셀 영역 오픈 마스크 층 ( 20 ) 을 형성 한다 . 그리고 나 서 , 셀 영역 의 제 2 실리콘 산화 막 ( 17 ) 을 제거 하 기 위해 습식 식각 을 진행 한다 .