액티브 패턴 ( 190 ) 은 반도체 층 ( 192 ) 및 오 믹 콘 택 층 ( 194 ) 을 포함 할 수 있 다 . 반도체 층 ( 192 ) 은 실질 적 으로 전류 가 흐르 게 되 는 채널 역할 을 수행 하 며 , 오 믹 콘 택 층 ( 194 ) 은 반도체 층 ( 192 ) 과 소오 스 전극 ( 144 ) 및 드레 인 전극 ( 146 ) 간 의 접촉 저항 을 감소 시키 는 역할 을 수행 한다 . 예 를 들 어 , 반도체 층 ( 192 ) 은 비정질 실리콘 ( amorphous Silicon : 이하 , a - Si ) 으로 형성 되 며 , 오 믹 콘 택 층 ( 194 ) 은 n 형 불순물 이 고농도 로 도핑 된 비정질 실리콘 ( 이하 , n + a - Si ) 으로 형성 된다 .