도 1 d 를 참조 하 면 , 제 1 도 전막 ( 108 ) 상부 에 플로팅 게이트 용 제 2 도 전막 ( 110 ) 을 형성 한다 . 제 2 도 전막 ( 110 ) 은 도프 트 ( doped ) 폴리 실리콘 막 을 이용 하 여 200 ~ 2000 Å 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 를 위하 여 , 제 2 도 전막 ( 110 ) 은 SiH 4 또는 Si 2 H 6 와 PH 3 가스 를 이용 하 며 480 ~ 550 ℃ 의 온도 와 0 . 1 ~ 3 토르 의 낮 은 압력 에서 5 . 0 E 19 ~ 3 . 0 E 20 atoms / cc 의 인 도핑 레벨 ( phosphorous doping level ) 를 사용 하 는 저압 화학 기상 증착 ( Low Pressure Chemical Vapor Deposition ; LPCVD ) 방법 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 .