도 2 a 는 본원 의 개시 내용 의 마이크로파 화학 적 가공 처리 시스템 의 구 현예 를 보여 주 고 , 여기 서 , “ 필드 - 증진 도파관 ” ( FEWG ) 은 마이크로파 에너지 생성기 ( 즉 , 마이크로파 에너지 공급원 ) 에 커플링 되 어 있 고 , 플라스마 는 FEWG 의 플라스마 구역 에서 공급 가스 로부터 생성 되 고 , FEWG 의 반응 길이 는 반응 구역 으로서 작용 하 여 공정 재료 를 별개 의 성분 들 로 분리 한다 . 도 2 a 에 의해 입증 된 바 와 같 은 본 반응기 는 필드 - 증진 도파관 의 필드 - 증진 구역 과 반응 구역 간 의 유전체 장벽 이 부재 이 다 . 대조 적 으로 , 통상 의 시스템 의 반응 구역 은 이전 에 예시 된 바 와 같이 석영 챔버 와 같 은 유전체 장벽 내 에 내포 되 어 있 다 . 마이크로파 에너지 의 전파 방향 은 다수 의 공급 가스 흐름 및 / 또는 공정 재료 ( 즉 , 전 구체 재료 ) 와 평행 하 고 , 상기 마이크로파 에너지 는 별개 의 성분 들 이 생성 되 는 FEWG 부분 의 업 스트림 도파관 에 진입 한다 .