실시 예 1 - 1 에 기재 된 제조 방법 에 의해 제조 한 소 결체 를 스퍼터링 타깃 으로서 이용 하 여 , 표 1 에 기재 된 각 조건 으로 한 것 이외 에 는 실시 예 2 - 1 과 동일 한 조건 으로 하 여 비 교예 2 - 1 ∼ 2 - 3 의 산화물 박막 을 제조 하 였 다 . 어느 막 에 대해서 도 조성 은 InGaZnO 4 이 며 , 비정질 이 었 다 . 막 의 전기 적 특성 의 측정 결과 를 표 1 에 함께 기재 한다 .