도 13 은 본 발명 의 일 실시 예 에 의한 MIS 포토 다이오드 에서 의 광 전하 의 흐름 을 보여 주 는 도면 이 다 . 도 2 와 비교 하 여 살펴본다 . 삽입 된 중간 층 으로 인해 TiO 2 와 저마늄 의 전 도 대 오프셋 ( conduction band offset ) 이 0 ( 1301 참조 , zero CBO ) 이 기 때문 에 터널 링 저항 없이 광전 하 를 모을 수 있 다 . 즉 , 저항 으로 인한 손실 없이 광전 하 를 효과 적 으로 모을 수 있 다 .