실리콘 옥사이드 가 3000 Å 두께 로 형성 된 실리콘 웨이퍼 기판 위 에 합성 예 에서 얻 은 화합물 4 를 클로로벤젠 에 약 1 중량 % 농도 로 녹인 유기 반도체 용액 을 1000 rpm 으로 스핀코팅 한다 . 이어서 실리콘 웨이퍼 를 질소 분위기 하 에서 150 ℃ 온도 로 1 시간 동안 열처리 하 여 유기 반도체 를 형성 한다 . 이어서 유기 반도체 위 에 금 ( Au ) 을 열 증착 하 여 소스 전극 및 드레 인 전극 을 형성 하 여 박막 트랜지스터 를 제조 한다 . 박막 트랜지스터 의 채널 크기 ( W / L ) 는 1000 ㎛/ 100 ㎛ 이 다 .