이 SiGe 막 을 형성 하 기 위해서 , 반응 열 CVD 법 을 이용 하 였 다 . 이 방법 에서 는 , 기판 온도 를 450 ℃ 이상 으로 가열 하 고 , GeF 4 , Si 2 H 6 , He 를 도입 한다 . GeF 4 : Si 2 H 6 의 유량 비 는 0 . 005 ∼ 2 : 1 , Si 2 H 6 : He 의 유량 비 는 1 : 10 ∼ 5000 의 범위 에서 양호 한 막 질의 SiGe 막 을 형성 하 는 것 이 가능 하 다 .