도 2 a 를 참조 하 면 , 통상 적 인 포토 리소그래피 공정 을 이용 하 여 기판 ( 100 ) 상 에 개구 ( 120 ) 가 형성 될 영역 을 정의 하 는 제 1 패턴 ( 110 ) 을 형성 한다 . 통상 적 인 포토 리소그래피 공정 은 이미 공지 의 기술 이 므로 본 명세서 에서 는 이 에 대한 상세 한 설명 은 생략 하 기 로 한다 . 기판 ( 100 ) 은 실리콘 , 세라믹 , 유리 를 포함 할 수 있 다 . 제 1 패턴 ( 110 ) 은 산화물 , 질화물 , 산질 화물 을 포함 할 수 있 다 . 기판 ( 100 ) 이 실리콘 인 경우 제 1 패턴 ( 110 ) 은 실리콘 기판 을 산화 시킨 1 ㎛ 두께 의 실리콘 산화 막 인 것 이 바람직 하 다 . 기판 ( 100 ) 은 향후 프로브 를 제조 한 후 에 제거 되 는 희생 기판 의 역할 을 한다 .