상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 은 , 폴리 실리콘 막 을 형성 하 는 것 을 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 에 있 어서 , 상기 폴리 실리콘 막 의 형성 은 , 반도체 기판 상 에 비정질 실리콘 막 을 증착 하 는 단계 ; 상기 비정질 실리콘 막 에 대해 8 족 원소 를 사용 하 여 고농 도 불순물 이온 주입 을 수행 하 는 단계 ; 및 상기 이온 주입 된 비정질 실리콘 막 에 대해 열 공정 을 수행 하 는 단계 ; 로 수행 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .