제 1 패드 금속 층 ( 35 a ) 은 마지막 발광 셀 ( C 7 ) 상 에서 하부 절연 층 ( 33 ) 의 제 1 개 구부 ( 33 a ) 를 통해 제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) 에 전기 적 으로 접속 한다 . 제 1 패드 금속 층 ( 35 a ) 은 제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) 에 직접 접촉 할 수 있 다 . 따라서 , 제 1 패드 금속 층 ( 35 a ) 은 제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) 에 오 믹 콘 택하 는 오 믹 층 을 포함 할 수 있 다 .