다음 으로 , 상기 비정질 탄소막 ( 26 ) 상 에 희생 막 ( 27 ) 을 증착 한다 . 여기 서 , 상기 희생 막 ( 27 ) 은 실리콘 산화 막 또는 실리콘 질 화 막 으로 증착 하 도록 하 며 , 상기 희생 막 ( 27 ) 은 LPCVD ( Low Pressure Chemical Vapor Deposition ) 또는 PECVD ( Plasma Enhanced CVD ) 방식 에 따라 10 ∼ 100 Å 두께 로 증착 한다 .