본 발명 은 , 반도체 소자 의 랜딩 플러그 형성 을 위한 화학 적 기계 연마 ( chemical mechanical poloshing 이하 , CMP ) 공정 수행 시 랜딩 플러그 용 폴리 실리콘 막 형성 후 종래 의 CMP 공정 에서 의 질화 막 대비 산화 막 의 연마 속도 가 빠른 산화 막 용 슬러리 ( slurry ) 를 사용 하 는 것 과 달리 , 산화 막 대비 질화 막 의 연마 속도 가 빠른 질화 막 용 슬러리 를 사용 하 여 CMP 공정 을 수행 한다 .