또한 , 종래 기술 에 의하 면 상기 금속 배선 공정 을 진행 하 기 위해 여러 단계 에서 고밀도 플라 즈 마를 이용 한 식각 공정 또는 애 싱 공정 을 진행 한다 . 그런데 이러 한 고밀도 의 플 라즈 마가 사용 되 면 반도체 소자 의 게이트 와 기판 간 에 강한 전기장 이 형성 됨 으로써 게이트 절 연막 에 심각 한 전하 데미지 ( charge demage ) 인 플 라즈 마손 상 ( Plasma damage ) 이 발생 한다 . 이 와 같 은 고밀 도 플 라즈 마손 상 의 예 로서 는 반도체 소자 내 의 회로 에서 게이트 절 연막 에 손상 이 발생 하 여 임계 전압 이 변동 되 거나 , 게이트 절 연막 의 콘 덕 턴 스 의 수명 단축 , 드레 인 전류 의 감쇄 등 이 발생 함 으로써 반도체 소자 의 오동작 이 발생 하 는 경우 등 이 있 다 .