그 다음 에 , 행 구동 회로 ( 203 ) 에서 , 소정 의 제어 선 CE 에 기입 상태 가 종료 하 는 것 을 전하 는 신호 를 입력 하 고 , 선택 된 행의 용량 소자 선 CL 과 게이트 선 GL 및 비 선택 행의 용량 소자 선 CL 과 게이트 선 GL 에 , 각각 기입 을 종료 하 기 위한 전위 가 부여 된다 . 도 2 에 도시 한 구성 의 메모리 셀 ( 170 ) 에서 는 , 선택 행의 게이트 선 GL 의 전위 는 L 전위 가 된다 . 그 결과 , 선택 행의 메모리 셀 이 갖 는 트랜지스터 ( 162 ) 는 오프 상태 로 되 고 , 플로팅 게이트 부 FG 에 축적 된 전하 가 유지 된다 . 비 선택 행의 용량 소자 선 CL 의 전위 는 L 전위 가 된다 . 이상 에 의해 , 메모리 셀 ( 170 ( 1 , 1 ) 내지 170 ( m , n ) ) 에 의 기입 동작 이 종료 한다 .