내 벽산 화 막 ( 130 ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 라이너 질화 막 ( 140 ) 을 형성 한다 . 라이너 질화 막 ( 140 ) 은 대략 55 내지 65 Å 정도 의 두께 로 형성 할 수 있 다 . 라 이너 질화 막 ( 140 ) 은 후속 열 공정 에서 불순물 이 소자 분리 막 내부 로 유입 하 는 것 을 차단 하 여 누설 전류 가 발생 하 는 것 을 방지 하 는 역할 을 한다 .