다음 에 , 소자 분리 막 ( 102 ) 외 의 영역 에 게이트 산화 막 및 폴리 실리콘 막 을 순 차 적 으로 증착 한 후 에 NMOS 영역 에서 는 소정 의 포토레지스트 패턴 에 따라 인 ( P ) 등 의 이온 을 주입 하 고 , PMOS 영역 에서 는 소정 의 포토레지스트 패턴 에 따라 붕소 ( B ) 등 의 이온 을 주입 하 며 , 그 상부 에 각각 의 게이트 를 형성 하 기 위한 포토레지스트 패턴 을 이용 하 여 어느 하나 의 게이트 ( N 형 게이트 ) 를 형성 한 후 에 다른 게이트 ( P 형 게이트 ) 를 형성 하 여 도 1 b 에 도시 된 바 와 같이 다수 의 게이트 전극 ( 104 a , 104 b , 104 c ) 을 형성 한다 . 여기 에서 , NMOS 영역 및 PMOS 영역 을 포함 하 는 반도체 기판 ( 100 ) 상부 에 이온 주입 된 도 펀트 의 확산 및 활성 화 를 위한 열처리 를 수행 한다 .