또 본 발명 의 반도체 발광 소자 의 제조 방법 은 , n 형 반도체 층 과 p 형 반도체 층 사이 에 발광 층 을 가진 반도체 적층 체 를 형성 하 는 공정 과 , 상기 반도체 적층 체의 기판 에 실장 되 는 쪽 과 는 반대쪽 광취 출면 을 형성 하 는 한쪽 의 반도체 층 표면 의 전극 형성 예정 영역 을 둘러싸 도록 개구 를 가진 레지스터 를 , 상기 개구 가 상기 레지스터 의 적층 방향 을 향해 폐색 되 도록 형성 하 는 공정 과 , 상기 레지스터 위 에서 상기 반도체 층 표면 에 마스크 재료 를 적층 하 는 공정 과 , 상기 마스크 재료 가 적층 된 레지스터 를 제거 하 는 공정 과 , 상기 전극 형성 예정 영역 을 마스크 하 여 상기 반도체 층 표면 을 식각 하 는 공정 을 가진 것 을 특징 으로 한다 .