다음 으로 , 본 발명 에서 는 도 10 ( h ) 와 같이 , 상기 감지 층 패턴 ( 360 ) 과 전극 패턴 ( 370 ) 이 형성 된 기판 상부 에 보호 층 패턴 ( 390 ) 을 형성 한다 . 상기 보호 층 패턴 ( 390 ) 은 후속 하 는 실리콘 벌크 에칭 공정 에서 상기 제조 된 적외선 감지 소자 를 보호 하 기 위한 층 이 다 . 이러 한 보호 층 패턴 ( 390 ) 은 LPCVD , PECVD 법 등 을 이용 하 여 실리콘 질화 막 을 증착 하 여 형성 함 이 바람직 하 다 . 그리고 상기 보호 층 패턴 ( 390 ) 은 통상 의 사진 식각 공정 을 통하 여 유효 하 게 제조 할 수 있 다 .