또한 , 열처리 장치 ( 1 ) 에 의해 처리 대상 이 되 는 기판 은 반도체 웨이퍼 로 한정 되 는 것 은 아니 며 , 액정 표시 장치 등 의 플랫 패널 디스플레이 에 이용 하 는 유리 기판 이나 태양 전지용 의 기판 이 어도 된다 . 또한 , 본 발명 에 따른 기술 은 , 고유 전 율 게이트 절 연막 ( High - k 막 ) 의 열처리 , 금속 과 실리콘 의 접합 , 혹은 폴리 실리콘 의 결정 화 에 적용 하 도록 해도 된다 .