상기 제 1 프로그램 동작 시 , 상기 제 2 선택 라인 에 연결 된 메모리 셀 의 문턱 전압 은 상기 제 1 선택 라인 에 연결 된 트랜지스터 의 문턱 전압 과 같 은 레벨 이 될 수 있 다 . 상기 제 1 프로그램 동작 을 실시 하 기 전 에 상기 다수 의 워드 라인 과 상기 제 2 선택 라인 에 소거 동작 을 실시 하 는 단계 를 더욱 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 프로그램 동작 을 실시 한 후 상기 제 2 선택 라인 에 연결 된 메모리 셀 의 문턱 전압 이 0 V 이상 으로 상승 했 는지 검증 하 는 단계 를 더욱 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 프로그램 동작 시 , 비트 라인 에 는 0 V 가 인가 되 고 , 상기 제 1 선택 라인 은 플로팅 상태 이 며 , 상기 다수 의 워드 라인 은 패스 전압 이 인가 되 거나 플로팅 상태 일 수 있 다 . 상기 제 2 프로그램 동작 시 선택 된 상기 워드 라인 에 는 프로그램 전압 이 인가 되 고 선택 되 지 않 은 상기 워드 라인 에 는 패스 전압 이 인가 될 수 있 다 . 상기 제 3 프로그램 동작 시 , 상기 제 2 선택 라인 에 인접 한 상기 워드 라인 이 받 은 간섭 효과 는 상기 제 2 프로그램 에 의해 상기 나머지 워드 라인 들 에 발생 된 간섭 효과 와 동일 하 도록 상기 드레 인 선택 라인 에 인가 되 는 전압 을 조절 할 수 있 다 . 상기 제 1 선택 라인 은 소스 선택 라인 이 고 상기 제 2 선택 라인 은 드레 인 선택 라인 일 수 있 다 .