상기 초격자 구조 의 장벽층 ( 59 b ) 은 도 3 을 참조 하 여 설명 한 바 와 같이 , InN 과 GaN 을 교대 로 성장 시키 어 형성 된 초격자 구조 일 수 있 다 . 예컨대 , MOCVD 공정 을 사용 하 여 챔버 내 에 In 소오 스와 N 소오 스 를 유입 하 여 InN 을 성장 시키 고 , 이어서 In 소오 스 의 유입 을 중단 하 고 Ga 소오 스 를 유입 하 여 GaN 을 성장 시키 고 , 다시 Ga 소오 스 의 유입 을 중단 하 고 In 소오 스 를 유입 하 여 InN 을 성장 시키 는 것 을 반복 함 으로써 초격자 구조 의 장벽층 ( 59 a ) 이 성장 된다 .