이 를 해결 하 기 위해 본 발명 에서 는 가교 가능 한 코팅 층 을 막 과 전극 사이 에 도입 하 고 열 압착 을 통해 가 교 가능 한 물질 을 막 과 전극 사이 에 침투 , 가교 시킴 으로써 계면 접 찹 력 이 뛰어난 막 / 전극 접합체 를 얻 었 다 . 한편 , 새로운 고분자 전해질 막 의 계면 안정 성 과 관련 된 종래 연구 로 는 전극 바인더 를 새로운 고분자 전해질 막 에 적합 하 도록 개질 하 는 방법 또는 막 의 표면 에 전극 바인더 와 친화성 이 우수 한 물질 을 코팅 하 여 바인더 와 의 접합 력 을 향상 시키 는 방법 등 이 있 다 . 전자 의 경우 , 고분자 전해질 막 과 동종 의 전극 바인더 를 전극 에 도입 한 연구 ( 한국 특허 출원 10 - 2005 - 0117119 ) 가 있 으며 , 후자 의 경우 , 새로운 고분자 전해질 막 에 전극 바인더 와 동일 한 물질 로 이루어진 코팅 층 을 도입 한 연구 ( Journal of Power Sources , 164 ( 2007 ) , 80 - 85 ) 가 있 다 . 그러나 상기 의 기술 들 은 본 발명 과 는 기술 적 구성 이 전혀 다른 것 이 다 .