본 발명 의 목적 은 고전 자 이동도 트랜지스터 의 게이트 영역 에 핀 구조 를 형성 할 때 , HSQ ( Hydrogen silsesquioxane ) 를 고해상도 전자 빔 감광막 으로 사용 함 으로써 , 핀 과 핀 사이 의 간격 을 수십 나노미터 이하 로 형성 하 기 위한 , 고전 자 이동도 트랜지스터 의 핀 구조 형성 방법 을 제공 하 는데 있 다 .