본 발명 은 반도체 소자 의 형성 방법 에 관한 것 으로 KrF , ArF , VUV , EUV , 전자선 ( E - beam ) 및 이온 빔 ( ion beam ) 등 의 광원 을 이용 한 리소그래피 공정 에 있 어서 감광층 개발 에 한계 가 있 고 대형 회로 패턴 또는 굴곡 기판 에서 패턴 형성 공정 이 제한 되 는 문제 를 해결 하 기 위하 여 , 열 에 반응 하 여 산 으로 변화 하 는 열 산발성 제 ( Thermal Acid Generator ) 를 포함 하 는 감광층 을 이용 하 고 광원 을 이용 한 리소그래피 공정 에서 수행 하 는 마스크 공정 을 열전도 성 물질 패턴 을 이용 한 열전 도 공정 으로 수행 함 으로써 , 반도체 기판 의 형태 및 크기 에 제한 받 지 않 고 패턴 형성 공정 을 용이 하 게 수행 할 수 있 도록 하 는 발명 에 관한 것 이 다 .