화학 기상 증착 장치 가 개시 된다 . 상기 화학 기상 증착 장치 는 , 반응 공간 을 구획 하 는 공정 챔버 ; 상기 반응 공간 의 상측 에 위치 하 며 , 중앙 에 가스 도입부 가 구비 되 는 백 플레이트 ( back plate ) ; 상기 가스 도입부 의 하측 에 이격 되 어 배치 되 며 , 상기 가스 도입부 를 통해 공급 되 는 공정 가스 를 확산 시키 는 가스 확산 부재 ; 상기 백 플레이트 및 상기 가스 확산 부재 의 하측 에 이격 되 어 배치 되 며 , 복수 개 의 분사 홀 이 천공 된 샤워 헤드 ; 상기 샤워 헤드 의 하측 에 이격 되 어 배치 되 며 , 기판 을 지지 하 는 서 셉 터 ( susceptor ) 를 포함 한다 . 이 때 , 상기 가스 확산 부재 는 제 1 결합 부재 에 의해 상기 백 플레이트 에 결합 되 고 , 상기 샤워 헤드 의 중앙부 는 제 2 결합 부재 에 의해 상기 가스 확산 부재 에 결합 된다 .