반도체 DBR 의 경우 , 상부 및 하부 DBR 이 p - 형 및 n - 형 재료 ( 또는 그 반 대로 ) 로 도핑 되 어 다이오드 접합 에 기여 하 는 것 이 바람직 하 다 . 흑연 질 기판 이 전류 주입기 로서 사용 된다면 , 흑연 질 층 에 가장 가까운 DBR 은 전도성 일 필요 가 없 다 . 따라서 본 발명 은 유전체 성 DBR 의 용도 를 고려 한다 .