많 은 집 적 회로 는 특히 고온 동작 들 이 배선 층 의 피착 ( deposition ) 후 에 요구 된다면 , 상호 접속 배선 을 위해 텅스텐 금속화 를 이용 한다 . 이러 한 텅스텐 상호 접속 라인 들 은 알루미늄 또는 구리 가 도핑 된 알루미늄 ( 예 를 들 어 0 . 04 Ohms / square ) 보다 훨씬 더 큰 저항 ( 예 를 들 어 , 1 . 3 Ohms / square ) 을 갖 는다 . 어떤 3 D 메모리 아키텍처 들 은 복수 의 메모리 플레인 들 ( plane ) 각각 상 에 메모리 셀 들 을 형성 하 기 위해 요구 되 는 고온 들 때문 에 메모리 어레이 아래 파워 분배 를 위해 텅스텐 을 사용 할 것 을 요구 할 수 도 있 다 . 또한 , 다이오드 기반 의 메모리 어레이 들 은 선택 된 어레이 블록 들 내 비 선택 된 워드 라인 및 비 선택 된 비트 라인 전압 들 을 조절 ( regulate ) 할 것 을 요구 할 수 도 있 다 . 비 선택 된 다이오드 들 의 역전류 에 기인 하 여 , 비 선택 된 워드 라인 들 및 비 선택 된 비트 라인 들 의 전압 을 조절 하 는 중 에 상당 량 의 전류 가 비 선택 된 메모리 셀 들 을 통해 흐를 수 도 있 다 . 이 전류 는 매우 작 은 영역 에 집중 될 수 있 고 그 러 면서 도 전류 가 흐르 는 특정 영역 이 어레이 내 임의 의 곳 에서 ( 즉 , 넓 은 범위 의 영역 에 걸쳐 ) 발생 할 수 있 다 .