이때 , 상기 활성 층 ( 114 ) 은 , InXAlYGa 1 - X - YN 조성식 ( 여기 서 , 0 ≤ X , 0 ≤ Y , X + Y ≤ 1 ) 으로 이루어진 다중 양자 우물 구조 로 형성 할 수 있 으며 , 예 를 들 어 , InGaN 계 양자 우물 층 과 GaN 계 양자 장벽층 이 교대 로 적층 된 구조 를 갖 는 다중 양자 우물 구조 로 형성 할 수 있 다 .