먼저 , 게이트 ( 112 ) 가 제 1 마스크 ( M 1 ) 를 이용 하 여 기판 ( 10 ) 상 에 형성 된다 . 예 를 들 면 , 상기 기판 ( 10 ) 은 유리 기판 , 석영 기판 또는 기타 적당 한 물질 로 이루어진 기판 일 수 있 다 . 도 2 a 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 게이트 ( 110 ) 를 형성 하 는 방법 은 , 물리 기상 증착 ( Physical Vapor Deposition : PVD ) 공정 내지 스퍼터링 ( sputtering ) 공정 이나 진공 증착 공정 과 같 은 적당 한 방법 을 통해 상기 기판 ( 10 ) 상 에 제 1 도전 층 ( 110 ) 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 . 여기 서 , 상기 제 1 도전 층 ( 110 ) 은 예 를 들 면 알루미늄 ( Al ) , 몰리브덴 ( Mo ) , 몰리브덴 질화물 ( MoN ) , 티타늄 ( Ti ) , 티타늄 질화물 ( TiN ) , 크롬 ( Cr ) , 크롬 질화물 ( CrN ) 또는 기타 적절 한 물질 을 포함 한다 . 본 발명 의 일 실시 예 있 어서 , 상기 제 1 도전 층 ( 110 ) 은 , 예 를 들 면 , 티타늄 질화물 / 알루미늄 / 티타늄 / 티타늄 질화물 ( TiN / Al / Ti / TiN ) 의 혼합 층 으로 이루어진다 . 이 경우 , 알루미늄 층 의 두께 는 , 예 를 들 면 , 약 500 ∼ 1 , 000 Å 정도 이 며 , 티타늄 층 과 티타늄 질화물 층 의 두께 는 , 예 를 들 면 , 각기 약 300 ∼ 1 , 000 Å 정도 이 다 . 이어서 , 상기 제 1 도전 층 ( 110 ) 상 에 포토레지스트 막 ( 120 ) 을 도포 한다 . 상기 포토레지스트 막 ( 120 ) 은 , 예 를 들 면 , 네거티브 형 포토레지스트 를 포함 한다 .