실리콘 소스 온도 는 증착 또는 기판 온도 보다 낮 게 설정 되 는 것 이 바람직 하 다 . 이것 은 만일 소스 화학 증기 의 분압 이 기판 온도 에서 의 응축 한계 를 초과 한다면 , 제어 된 순차 층 ( layer - by - layer ) 의 박막 성장 이 훼손 된다는 사실 에 기초 한다 . 일부 구 현예 들 에서 , 상기 실리콘 소스 온도 는 약 30 ℃ 내지 약 150 ℃ 이 다 . 일부 구 현예 들 에서 , 증착 되 는 동안 상기 실리콘 소스 온도 는 약 60 ℃ 보다 높 다 . 일부 구 현예 들 에서 , 예 를 들 면 매 엽 식 ALD 에서 와 같이 더 큰 도스 ( dose ) 가 필요 한 경우 , 상기 실리콘 소스 의 온도 는 약 90 ℃ 내지 약 200 ℃ 이 고 , 약 130 ℃ 내지 약 170 ℃ 인 것 이 바람직 하 다 .