상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 벌브 리세 스 게이트 를 갖 는 반도체 소자 의 제조 방법 은 반도체 기판 을 선택 적 으로 소정 식각 하 여 제 1 리세 스 를 형성 하 는 단계 , 소정 의 바텀 파워 를 인가 하 여 상기 제 1 리세 스 아래 의 반도체 기판 을 등방성 식각 하 여 제 1 리세 스 보다 폭 이 크 고 라운드 진 제 2 리세 스 를 형성 하 는 단계 , 상기 제 1 리세 스 와 제 2 리세 스로 이루어진 리세 스 에 일부 매립 되 고 일부 는 반도체 기판 상 에 돌출 되 는 게이트 패턴 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .