이어서 , 도 2 d 에 도시 된 바 와 같이 , 도 2 c 에서 터널 링 절 연막 ( 101 A ) 의 양측 부 가 후퇴 되 어 노출 된 부위 ( 동도 면 A 참조 ) 의 활성 영역 에 실리콘 ( Si ) 이온 을 주입 한다 . 이때 , 실리콘 이온 주입 공정 은 가급적 노출 부위 ( A ) 에 만 주입 되 도록 이온 주 입각 ( tilt ) 을 갖 도록 실시 한다 . 예컨대 , 실리콘 이온 주입 공정 은 15 ~ 30 ° 정도 의 이온 주 입각 으로 하 고 , 10 ~ 1000 KeV 의 이온 주입 에너지 에서 1 . 0 E 11 ~ 1 . 0 E 12 atoms / cm 2 의 도즈 량 으로 실시 한다 .