이 로 인해 , 제 3 절 연막 ( 120 ) 은 터널 절 연막 ( 102 ) , 도전 막 ( 104 ) 및 소자 분리 용 질화 막 ( 108 ) 의 측벽 에서 보다 트렌치 ( 112 ) 내부 및 활성 영역 상부 에서 보다 두껍 게 형성 되 며 , 반도체 기판 ( 100 ) 의 센터 영역 에 가까운 도전 막 ( 104 ) 의 측벽 에서 보다 에지 영역 에 가까운 도전 막 ( 104 ) 의 측벽 에서 얇 게 형성 된다 . 그리고 , 이때 반도체 기판 ( 100 ) 의 에지 영역 에 가까운 도전 막 ( 104 ) 의 일 측벽 에서 는 수직 방향 의 오목 한 부분 인 모트 ( moat , A ) 가 발생 된다 .