이러 한 반도체 제조 설비 는 공정 을 진행 한 후 일정 주기 로 크린 공정 을 진행 하 여야 한다 . 크린 공정 은 도 2 의 흐름 도와 같 은 절차 에 의해 진행 된다 . 도 2 를 참조 하 면 , 101 단계 에서 드라이 크린 주기 가 되 었 는지 검사 하 여 드라이 크린 주기 가 되 었 으면 102 단계 로 진행 한다 . 상기 102 단계 에서 공정 이 완료 된 웨이퍼 가 정전 척 캐소드 부 ( 123 ) 로부터 외부 로 반송 되 었 는지 검사 하 여 웨이퍼 가 반송 되 었 으면 103 단계 로 진행 한다 . 상기 103 단계 에서 리프트 핀 구동 부 ( 129 ) 를 구동 시켜 웨이퍼 를 승강 시키 는 리프트 핀 ( 128 ) 을 상승 시킨다 . 그리고 104 단계 에서 캐소드 구동 부 ( 125 ) 를 구동 시켜 정전 척 캐소드 부 ( 123 ) 를 상승 시키 고 105 단계 로 진행 한다 . 상기 105 단계 에서 크린 개스 를 상부 챔버 ( 110 ) 로 공급 하 여 플 라즈 마 를 형성 하 여 크린 공정 을 진행 하 고 106 단계 로 진행 한다 . 상기 106 단계 에서 드라이 크린 공정 이 완료 되 었 는지 검사 하 여 드라이 크린 공정 이 완료 되 었 으면 107 단계 로 진행 한다 . 상기 107 단계 에서 캐소드 구동 부 ( 125 ) 를 구동 시켜 정전 척 캐소드 부 ( 123 ) 를 하강 시키 고 108 단계 로 진행 한다 . 상기 108 단계 에서 리프트 핀 구동 부 ( 129 ) 를 구동 시켜 웨이퍼 를 리프트 핀 ( 128 ) 을 하강 시킨다 . 그런 후 109 단계 에서 공정 을 진행 하 기 위해 아이 들 상태 로 진행 한다 .