또한 , 경우 에 따라서 산화물 반도체 층 ( OXL ') 을 제 1 활성 층 ( 350 ) 상부 에 만 형성 하 는 경우 , 제 2 활성 층 ( 450 ) 상 에 산화물 반도체 층 ( OXL ') 이 배치 되 지 않 은 상태 로 열처리 공정 이 수행 될 수 있 다 . 도 23 에 도시 된 바 와 같이 , 열처리 공정 이 제 1 절 연막 ( IL 1 ) 상 에 전면 적 으로 수행 되 더라도 , 산화물 반도체 층 ( OXL ') 이 제 1 활성 층 ( 350 ) 에 만 중첩 하 도록 배치 되 기 때문 에 , 산화물 층 ( OXL ) 은 제 1 활성 층 ( 350 ) 상 에 만 형성 될 수 있 다 . 이후 의 공정 은 도 16 내지 도 22 를 참조 하 여 상술 한 바 와 동일 하 다 .