도 2 e 는 상기 소자 분리 산화 막 ( 101 ) 이 노출 될 때 까지 상기 하드 마스크 질화 막 ( 127 ) , 메탈 전극 인 CVD 텅스텐 층 ( 125 ) , 베리어 메탈 층 인 WSix 층 ( 121 ) / TiN 층 ( 123 ) 과 이온 주입 된 폴리 실리콘 층 ( 111 ) , 산화 질화 막 ( 109 ) 및 게이트 산화 막 ( 105 ) 을 패 터닝 하 여 듀얼 폴리 게이트 전극 을 형성 한다 .