다 이싱 다이 본드 필름 ( 20 ) 을 사용 한 반도체 웨이퍼 의 할단 에 있 어서 는 , 반도체 웨이퍼 와 함께 다 이 본드 층 ( 3 ) 도 할단 된다 . 다 이 본드 층 ( 3 ) 은 , 개편 화 된 복수 의 반도체 칩 의 사이즈 에 상당 하 는 크기 로 할단 된다 . 이 에 의해 , 다 이 본드 층 ( 3 ) 을 구비 하 는 반도체 칩 을 얻 을 수 있 다 .