이어서 , 도 4 내지 도 6 , 및 도 7 b 에 도시 된 바 와 같이 , 핀 마스크 ( 12 ) 를 이용 한 식각 공정 을 실시 하 여 새들 형 핀 ( 14 ) 을 형성 한다 . 이때 , 식각 공정 은 실리콘 기판 ( 10 ) 과 소자 분리 막 ( 11 ) 간 의 식각 선택 비 가 최대한 높 은 조건 으로 실시 하 여 먼저 소자 분리 막 ( 11 ) 을 식각 한 후 실리콘 기판 ( 10 ) 을 식각 하 거나 , 먼저 실리콘 기판 ( 10 ) 을 식각 한 후 소자 분리 막 ( 11 ) 을 식각 한다 .