본 발명 에 있 어서 , 상기 결정 성분 의 양 이 많 아 지 면 , 결정립 으로서 투과 형 전자 현미경 ( TEM ) 을 통해 관찰 되 게 된다 . 그러나 , 비록 TEM 을 통해 상기 결정 성분 이 관찰 되 지 않 을지라도 , 상기 반도체 층 은 , X 선 회절 분석 등 의 분석 방법 에 의해 상기 결정 성분 에 기인 하 는 회절 피크 가 관찰 되 는 경우 결정 성분 을 함유 하 는 본 발명 에 따른 반도체 층 이 다 .