최근 메모리 소자 의 집적도 가 증가 하 면서 다양 한 구조 의 플로팅 트랩 타입 예 를 들 어 , MANOS ( Metal - Alumina - Nitride - Oxide - Silicon ) 메모리 소자 가 제시 되 고 있 다 . MANOS 메모리 소자 는 전하 트랩 층 내부 의 트랩 사이트 ( trap site ) 에 전하 가 저장 된 상태 에 따라 전기 적 으로 프로그램 ( program ) 및 소거 ( erase ) 동작 이 가능 한 불휘발성 메모리 소자 이 다 . 예컨대 , MANOS 메모리 소자 는 반도체 기판 상 에 터널 링 층 ( tunneling layer ) , 전하 트랩 층 ( charge trap layer ) , 전하 차단 층 ( charge blocking layer ) , 금속 게이트 ( Matal gate ) 전극 층 및 하드 마스크 패턴 을 형성 한 후 , 하드 마스크 패턴 을 식각 마스크 로 금속 게이트 전극 층 , 전하 차단 층 , 전하 트랩 층 , 터널 링 층 을 순차 적 으로 패 터닝 하 여 형성 된다 .