제 1 컨 택 영역 ( CTA 1 ) 에서 제 2 대향 전극 ( 230 b ) 은 제 1 대향 전극 ( 230 a ) 상 에 배치 된다 . 이 는 제 2 대향 전극 ( 230 b ) 이 제 1 대향 전극 ( 230 a ) 보다 후속 공정 으로 형성 됨 을 의미 할 수 있 다 . 다른 실시 예 로써 제 2 대향 전극 ( 230 b ) 이 제 1 대향 전극 ( 230 a ) 보다 후속 공정 으로 형성 되 는 경우 제 1 컨 택 영역 ( CTA 1 ) 에서 제 1 대향 전극 ( 230 a ) 은 제 2 대향 전극 ( 230 b ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 제 1 컨 택 영역 ( CTA 1 ) 은 제 1 대향 전극 ( 230 a ) 과 제 2 대향 전극 ( 230 b ) 이 면접 촉 함 으로써 제 1 대향 전극 ( 230 a ) 또는 제 2 대향 전극 ( 230 b ) 만 배치 된 영역 보다 대략 2 배 이하 의 두께 로 형성 될 수 있 다 . 또한 , 제 1 컨 택 영역 ( CTA 1 ) 은 제 1 화소 ( PXa 1 ) 및 제 2 화소 ( PXa 2 ) 의 발광 영역 상 에 는 배치 되 지 않 도록 구비 되 는 것 이 바람직 하 다 . 이때 , ' 발광 영역 ' 은 화소 정의 막 ( 119 ) 에 형성 되 며 , 각각 이 제 1 화소 전극 ( 210 a ) 과 제 2 화소 전극 ( 210 b ) 의 중앙부 를 노출 시키 는 제 1 및 제 2 개 구 ( OP 1 , OP 2 ) 로서 정의 될 수 있 다 . 즉 , 제 1 컨 택 영역 ( CTA 1 ) 은 화소 정의 막 ( 119 ) 에 형성 된 제 1 및 제 2 개 구 ( OP 1 , OP 2 ) 와 는 중첩 되 지 않 도록 구비 될 수 있 다 .