또한 , 제 4 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 기억 장치 에서 , 상면 으로부터 볼 때 , " 각 워드 선 WLmn "" 은 적층 방향 의 각 위치 에서 로우 방향 및 칼럼 방향 으로 2 차원 으로 확장 되 는 형상 을 갖 는다 . 또한 ", 상면 에서 볼 때 , " 각 워드 선 WLmn "" 은 로우 방향 의 소정 위치 A 를 중심 으로 빗 형상 이 되 도록 파단 된다 . 따라서 ", 제 4 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 기억 장치 는 제 1 내지 제 3 실시 형태 와 같이 워드 선 WLmn 을 라인 상태 로 가공 하 지 않 기 때문 에 , 제 1 내지 제 3 실시 형태 보다 더 용이 한 제조 공정 으로 제조 될 수 있 다 . 또한 , " 워드 선 WLmn "" 의 구성 에 의해 워드 선 구동 회로 ( 13 ) 를 공통 회로 로 구성 할 수 있 다 . 따라서 ", 제 4 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 기억 장치 는 워드 선 구동 회로 ( 13 ) 등 을 포함 하 는 제어 회로 의 점유 면적 을 축소 할 수 있 다 .