상기 반도체 기판 ( 100 ) 내 에 는 상기 패드 ( 104 ) 와 인접 한 상기 관통 전극 ( 110 ) 주변 에서 상기 관통 전극 ( 110 ) 을 감싸 는 절연 보호막 ( 102 ) 이 형성 되 어 있 다 . 상기 절연 보호막 ( 102 ) 은 상기 비 아홀 ( V ) 형성 시 사용 되 는 , 예 를 들 어 , SF 6 및 C 4 F 8 등 과 같 은 가스 와 반응 성 이 없 는 절연물 질 로 이루어짐 이 바람직 하 다 .