또 다른 예 로 , 제 1 내지 제 3 소스 원료 공급 부 ( 230 a , 230 b , 230 c ) 와 반응 원료 공급 부 를 통해 , 아연 ( Zn ) 을 포함 하 는 소스 원료 , 인듐 ( In ) 을 포함 하 는 소스 원료 및 갈륨 ( Ga ) 을 포함 하 는 소스 원료 , 반응 원료 인 산소 ( O 2 ) 를 분사기 ( 220 ) 로 제공 하 여 서 셉 터 ( 210 ) 를 향해 분사 함 으로써 , 산화아연 ( ZnO ) 에 갈륨 ( Ga ) 및 인듐 ( In ) 이 도핑 된 IGZO 박막 이 형성 될 수 있 다 .