상기 기판 ( 10 ) 상 에 는 결정 성 을 갖 는 완충 층 ( 11 ) 을 형성 한다 ( S 2 ) . 완충 층 ( 11 ) 은 ZnO 또는 ZnO 에 Al 및 Ga 중 적어도 하나 를 포함 하 여 형성 되 는 것 으로 , ZnO , ZnO : Ga , ZnO : Al 등 의 무기 산화물 을 이용 하 여 형성 한다 . 상기 물질 로 이루어진 완충 층 ( 11 ) 은 전도 성 을 가지 며 , 완충 층 ( 11 ) 은 스퍼터링 ( sputtering ) , 전자 빔 증착 ( E - beam evaporation ) , 화학 기상 증착 ( chemical vapor deposition ) , 이온 플 레이팅 ( ion - plating ) 방법 , 및 물리 기상 증착 ( PVD ; Physical Vapor Deposition ) 방법 을 이용 하 여 , 50 ~ 1500 Å 범위 에서 단일 층 또는 다 중층 으로 증착 한다 .