예 를 들 어 , 데이터 값 은 메모리 디바이스 의 뱅크 ( 121 ) 내 선택 된 제 2 서브 어레이 , 가령 , 긴 디 지트 라인 서브 어레이 ( 426 - N - 1 ) 의 선택 된 제 1 로우 , 가령 , 로우 ( 118 ) 중 하나 이상 내 선택 된 메모리 셀 에서 감지 될 수 있 다 . 감지 된 데이터 값 은 뱅크 내 선택 된 제 1 서브 어레이 , 가령 , 짧 은 디 지트 라인 서브 어레이 ( 425 - 0 ) 로 연결 된 제 1 감지 구성 요소 스트라이프 ( 가령 , 424 - 0 ) 로 이동 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 선택 된 제 1 서브 어레이 는 선택 된 제 2 서브 어레이 의 컬럼 내 다수 의 메모리 셀 의 최대한 절반 인 선택 된 제 1 서브 어레이 의 컬럼 내 다수 의 메모리 셀 로 구성 될 수 있 다 . 순차 적 인 복수 의 연산 이 선택 된 제 1 서브 어레이 에 연결 된 제 1 감지 구성 요소 스트라이프 내 감지 된 데이터 값 에 대해 수행 될 수 있 다 . 본 명세서 에서 기재 될 때 , 순차 적 인 복수 의 연산 이 수행 된 결과 데이터 값 이 제 1 감지 구성 요소 스트라이프 ( 가령 , 424 - 0 ) 로부터 선택 된 서브 어레이 , 가령 , 짧 은 디 지트 라인 서브 어레이 ( 425 ) 및 / 또는 긴 디 지트 라인 서브 어레이 ( 426 ) 내 선택 된 로우 내 메모리 셀 및 / 또는 레지스터 , 가령 , 뱅크 레지스터 ( 158 ) 및 / 또는 벡터 레지스터 ( 159 ) 내 선택 된 로우 내 메모리 셀 로 이동 될 수 있 다 .