상기 목적 을 달성 하 기 위한 일 관점 의 일 형태 에 따른 본 발명 은 , 제 1 메탈 배선 그룹 , 제 2 메탈 배선 그룹 , 제 3 메탈 배선 그룹 및 제 4 메탈 배선 이 IMD 를 사이 에 두 고 순차 적층 되 는 구조 를 갖 는 반도체 소자 의 에프 피지 에 이 구조 로서 , 상기 제 1 메탈 배선 그룹 내 한 쌍 의 제 1 메탈 배선 과 상기 제 2 메탈 배선 그룹 의 대응 하 는 한 쌍 의 제 2 메탈 배 선간 을 연결 하 는 한 쌍 의 제 1 비아 와 , 상기 한 쌍 의 제 1 비아 간 을 연결 하 는 제 1 구조물 패턴 과 , 상기 제 2 메탈 배선 그룹 내 다른 한 쌍 의 제 2 메탈 배선 과 상기 제 3 메탈 배선 그룹 의 대응 하 는 한 쌍 의 제 3 메탈 배 선간 을 연결 하 는 한 쌍 의 제 2 비아 와 , 상기 한 쌍 의 제 2 비아 간 을 연결 하 는 제 2 구조물 패턴 과 , 상기 제 1 및 제 2 구 조물 패턴 각각 을 상기 제 4 메탈 배선 에 각각 연결 하 는 제 3 비아 를 포함 하 는 반도체 소자 의 에프 피지 에 이 구조 를 제공 한다 .