다음 에 발광 소자 로서 의 유기 EL 소자 ( 50 ) 를 형성 한다 . 유기 EL 소자 ( 50 ) 는 , TFT 45 , 55 의 상층 에서 , 화소 마다 구분 하 여 형성 된다 . 우선 , TFT 55 의 소스 전극 ( 63 ) 및 드레 인 전극 ( 64 ) 을 형성 하 기 전 에 , 애노드 전극 ( 3 ) 을 화소 마다 구분 하 여 형성 한다 . 제조 공정 의 순서 는 , 이 에 한정 하 지 않 고 , 소스 전극 ( 63 ) 및 드레 인 전극 ( 64 ) 을 형성 한 후 에 , 애노드 전극 ( 3 ) 을 형성 해도 좋 다 . 또한 , 드레 인 전극 ( 64 ) 과 동일 또는 드레 인 전극 ( 64 ) 을 연장 시켜서 , 그 일부 를 애노드 전극 ( 3 ) 으로서 사용 해도 된다 . 또한 애노드 전극 ( 3 ) 재료 로서 는 , 전자 주입 이 행해 지 기 쉽 도록 , 일함수 가 작 은 금속 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 애노드 전극 ( 3 ) 위 에 는 , 유기 EL 층 ( 4 ) 을 형성 한다 . 유기 EL 층 ( 4 ) 은 , 애노드 전극 ( 3 ) 측 으로부터 홀 주입 층 , 수송 층 / 발광 층 / 전자 수송 층 과 같 은 유기 층 을 순차 적층 한 것 이 다 . 또한 이 들 의 형성 에 는 , 마스크 증착 법 , 잉크젯 법 , 인쇄 법 등 이 있 으며 , 유기 층 의 재료 에 의해 저 분자 타입 과 고분자 타입 으로 나뉘 어 진다 .