도 7 a 및 도 7 b 를 참조 하 면 , 리세 스 채널 용 트렌치 ( 600 ) 와 중첩 하 는 게이트 라인 ( 720 ) 을 형성 한다 . 게이트 라인 ( 720 ) 은 활성 영역 을 가로지르 는 라인 앤드 스페이스 ( line and space ) 타입 으로 형성 할 수 있 다 . 이 와 같이 , 리세 스 채널 용 트렌치 ( 600 ) 와 중첩 되 는 게이트 라인 ( 720 ) 은 게이트 절 연막 ( 700 ) , 도전 막 ( 705 ) , 금속 막 ( 710 ) 및 하드 마스크 막 ( 715 ) 이 순차 적 으로 적층 된 구조 로 이루어진다 . 여기 서 게이트 절 연막 ( 700 ) 은 산화 막 으로 형성 할 수 있 고 , 도전 막 ( 705 ) 은 폴리 실리콘 을 포함 하 는 도전 물질 로 형성 할 수 있 다 . 또한 , 금속 막 ( 710 ) 은 텅스텐 ( W ) 또는 텅스텐 실리사이드 막 으로 형성 할 수 있 고 , 하드 마스크 막 ( 715 ) 은 질화 막 으로 형성 할 수 있 다 .