바람직 하 게 , 에피 탁 셜 실리콘 층 ( 28 ) 과 에피 탁 셜 실리콘 저마늄 층 ( 29 ) 의 증착 은 LPCVD ( Low Pressure CVD ) , VLPCVD ( Very Low Pressure CVD ) , PE - CVD ( Plasma Enhanced - CVD ) , UHVCVD ( Ultrahigh Vacuum CVD ) , RTCVD ( Rapid Thermal CVD ) 또는 APCVD ( Atmosphere Pressure CVD ) , MBE ( Molecular Beam Epitaxy ) 중 에서 선택 된 어느 하나 의 장비 에서 진행 한다 . 그리고 , 각 에피 탁 셜 층 의 증착 온도 는 400 ∼ 700 ℃ 범위 로 한다 . 한편 , 에피 탁 셜 실리콘 저마늄 층 ( 29 ) 은 에피 탁 셜 실리콘 층 ( 28 ) 보다 성장 온도 를 50 ∼ 100 ℃ 정도 더 낮출 수 있 어 열부 담 ( Thermal budget ) 에 의한 도 펀트 의 재 분포 에 의한 소자 특성 열화 를 방지 할 수 있 다 .