그런데 , 로코스 공정 에 의한 소자 분리 막 은 그 상단 코너 부 에 새부리 형상 의 버즈 - 빅 ( bird ' s - beak ) 이 발생 되 기 때문 에 소자 형성 면적 을 줄이 는 단점 을 가지 며 , 그래서 , 그 이용 에 한계 를 갖 게 되 었 고 , 이 에 따라 , 현재 대부분 의 반도체 소자 는 작 은 폭 을 가지 며 우수 한 소자 분리 특성 을 갖 는 STI ( Shallow Trench Isolation ) 공정 을 이용 한 소자 분리 막 형성 방법 이 제안 되 었 고 , 현재 대부분 의 반도체 소자 는 STI 공정 을 적용 해서 소자 분리 막 을 형성 하 고 있 다 .