한편 , 본 출원인 에 의하 여 도 5 에 도시 하 는 바 와 같 은 장치 가 제안 되 었 다 . 즉 , 평판 디스플레이 패널 ( 100 ) ( 여기 서 는 플 라즈 마 디스플레이 패널 임 ) 을 에이징 장치 ( 110 ) 의 지지대 ( 112 ) 상 에 올려 놓 고 , 플라 즈 마 디스플레이 패널 ( 100 ) 의 단자 ( 102 ) 에 도선 ( 104 ) 에 의해서 한 쪽 을 고주파 전원 ( 106 ) 에 접속 하 고 , 다른 쪽 을 접 지 한다 . 이 때 , 지지대 상 에 고무 등 으로 형성 되 는 복수 의 받침 구 를 형성 하 고 받침 구 상 에 평판 디스플레이 패널 을 올려 놓 고 에이징 을 수행 한다 . 고주파 전원 ( 106 ) 에 는 디스플레이 패널 ( 100 ) 의 실제 사용 시 에 인가 하 는 전압 보다 도 높 은 에이징 전압 을 인가 하 여 산화 마그네슘 ( MgO ) 표면 의 활성 화 및 물성 안정 을 위해 방전 시키 고 , 소정 시간 동안 디스플레이 패널 ( 100 ) 을 실제로 점 등 시켜 에이징 을 행한다 . 이때 , 플라 즈 마 디스플레이 패널 ( 100 ) 은 거의 수평 이 되 도록 에이징 장치 ( 110 ) 에 설치 한다 . 즉 , 도 5 에 도시 된 바 와 같이 , 플라 즈 마 디스플레이 패널 ( 100 ) 을 한 장 씩 에이징 장치 ( 110 ) 에 설치 하 고 , 플라 즈 마 디스플레이 패널 ( 100 ) 에 소정 의 전압 을 인가 하 여 표시 구동 을 하 는 에이징 을 실시 하 는 것 이 다 . 도 5 의 장치 는 도 4 의 장치 보다 는 훨씬 우수 한 냉각 특성 을 갖 으나 여전히 기류 에 의한 냉각 이 라는 한계 를 갖 고 있 다 .