본 발명 에 따른 반도체 소자 및 그 의 제조 방법 은 , 게이트 형성 영역 과 비트 라인 콘 택 영역 및 스토리지 노드 콘 택 영역 을 포함 하 는 활성 영역 을 갖 는 반도체 기판 과 , 상기 반도체 기판 내 에 상기 활성 영역 을 한정 하 도록 형성 된 소자 분리 막 과 , 상기 활성 영역 의 게이트 형성 영역 및 비트 라인 콘 택 영역 상 에 형성 된 실리콘 에 피층 과 , 상기 게이트 형성 영역 상 에 형성 된 실리콘 에 피층 부분 및 이 에 인접 한 실리콘 에 피층 의 측면 상 에 형성 된 단차 진 게이트 와 , 상기 활성 영역 의 스토리지 노드 콘 택 영역 내 에 형성 된 제 1 접합 영역 과 , 상기 활성 영역 의 비트 라인 콘 택 영역 상 의 실리콘 에 피층 상측 에 형성 된 제 2 접합 영역 을 포함 한다 .