예 를 들 면 , 각 낸드 스트링 ( NS ) 에서 , 메모리 셀 ( MC ) 로 동작 하 는 트랜지스터 구조 들 ( TS ) 및 기판 ( 111 ) 사이 의 적어도 하나 의 트랜지스터 구조 ( TS ) 는 접지 선택 트랜지스터 ( GST ) 로 동작 한다 . 각 낸드 스트링 에서 , 메모리 셀 ( MC ) 로 동작 하 는 트랜지스터 구조 들 ( TS ) 및 제 2 도전 물질 들 ( 331 ~ 333 ) 사이 의 적어도 하나 의 트랜지스터 구조 ( TS ) 는 스트링 선택 트랜지스터 ( SST ) 로 동작 한다 .