한편 , 상기 반사 형 포토 마스크 ( 32 ) 상 에 노광 패턴 들 이 형성 된다 . 상기 노광 패턴 들 은 다 수개 의 흡수 막 패턴 들 ( 36 ) 로 형성 될 수 있 다 . 상기 노광 패턴 들 은 고밀도 의 흡수 막 패턴 영역 ( 38 a ) 과 저밀도 의 흡수 막 패턴 영역 ( 38 b ) 으로 형성 될 수 있 다 . 이 경우 에 , 상기 노광 패턴 들 의 임계 치수 의 변동 에 따라 상기 반사 형 포토 마스크 ( 32 ) 로부터 반사 되 는 광 의 반사 율 이 변동 된다 . 그 결과 , 상기 반사 형 포토 마스크 ( 32 ) 상 의 노광 패턴 들 의 폭 들 이 서로 동일 할지 라도 상기 반사 형 포토 마스크 ( 32 ) 로부터 광이 반사 되 는 동안 에 발생 하 는 광 의 산란성 때문 에 상기 웨이퍼 상 에 형성 되 는 포토레지스트 패턴 들 의 폭 들 은 서로 동일 하 지 않 게 된다 . 예 를 들 면 , 상기 저밀 도 흡수 막 패턴 영역 ( 38 b ) 으로부터 반사 된 광 의 산란 성 이 상기 고밀도 흡수 막 패턴 영역 ( 38 a ) 으로부터 반사 된 광 의 산란 성 에 비해 크 기 때문 에 , 상기 반사 형 포토 마스크 ( 32 ) 로부터 반사 되 는 광 의 기본 강도 가 노광 패턴 들 의 영역 들 에 따라 차이 가 발생 한다 .