표준 연 , 고 성능 수직 유기 트랜지스터 개발 … 폴 더블 폰 가격 절감 기대 
 한국 표준 과학 연구원 ( 원장 박상열 ) 이 고 성능 수직 유기 트랜지스터 를 개발 했 다 . 웨어 러블 및 플렉시블 기기 의 핵심 인 유연 소자 를 고성능 화 하 면서 가격 도 낮출 수 있 을 것 으로 기대 된다 . 
 한국 표준 과학 연구원 ( 원장 박상열 ) 은 임경 근 나노 구조 측정 센터 선임 연구원 과 칼 레오 독일 드레스덴 공대 교수 팀 이 전기 화학 산화 공정 ( 아노 다 이징 ) 을 적용 한 ' 투과 전극 ' 으로 이전 보다 성능 을 높인 수직 구조 유기 트랜지스터 를 개발 했 다고 16 일 밝혔 다 . 
 수직 유기 트랜지스터 는 기존 수평 구조 보다 구동 전압 은 낮 고 반응 시간 은 빠른 차세대 반도체 소자 다 . 그동안 넓 게 펴 서 배열 하 던 것 에 비해 전자 이 동거리 가 수백 분 의 1 로 줄 어 높 은 성능 을 자랑 한다 . 그러나 상용 화 까지 는 해결 해야 할 문제 가 있 다 . 수직 트랜지스터 핵심 부분 인 투과 전극 성능 부족 이 문제 였 다 . 
 투과 전극 은 수평 배열 트랜지스터 에 는 없 던 요소 다 . 트랜지스터 내 상부 와 하부 사이 에서 전자 이동 을 제어 하 는 역할 을 한다 . 필요 할 때 는 전류 를 잘 흐르 게 하 고 , 반대 경우 에 는 원천 차단 하 는 것 이 성능 척도 다 . 표면 에 ' 산화 막 ' 이 전자 이동 을 제어 하 는 데 기존 에 쓰 던 ' 열 성장 투과 전극 ' 은 산화 막 이 제멋대로 형성 돼 많 은 누설 전류 가 발생 했 다 . 필요 할 때 전류 를 원천 차단 할 수 없 어서 트랜지스터 기능 자체 가 저하 됐 다 . 
 연구 팀 은 전기 화학 산화 공정 의 일종 인 ' 아노 다 이징 ' 방법 으로 문제 를 해결 했 다 . 아 노다 이징 은 전해질 안 에 대상 을 넣 고 전압 을 가하 는 방법 으로 표면 에 나노미터 ( ㎚) 수준 으로 고른 산화 막 을 형성 한다 . 누설 전류 를 기존 대비 1 만 분 의 1 로 줄일 수 있 다 . 또 이 투과 전극 에 전자 가 이동 하 는 미세 동공 도 형성 , 전자 투과 속도 도 비약 적 으로 높일 수 있 다 . 
 임경 근 선임 은 “ 이번 기술 로 유기 트랜지스터 성능 을 향상 시킬 수 있 을 것 ” 이 라며 “ 아노 다 이징 은 저렴 하 고 간단 한 공정 이 어서 궁극 적 으로 폴 더블 폰 이나 웨어 러블 컴퓨터 제조 비용 을 절감 시킨다 ” 고 말 했 다 .