도 31 은 본 발명 에서 채용 된 발광 다이오드 층 에 형성 되 는 V - 형상 의 왜곡 구조 를 나타낸 것 으로 , ( a ) 는 단면 모식도 이 고 , ( b ) 는 단면 실물 사진 이 며 , ( c ) 는 평면 사진 이 다 . 발광 칩 ( 111 ) 은 N 형 질화물 반도체 층 으로 , 상기 n 형 질화물 반도체 층 상 에 는 활성 층 이 형성 되 며 , 상기 활성 층 은 적어도 하나 이상 의 양자 우물 층 을 가지 며 , 상기 양자 우물 층 은 InGaN 또는 GaN 로 구성 될 수 있 으며 , 또한 , 상기 활성 층 은 적어도 하나 의 양자 장벽 층 을 더 포함 할 수 있 다 . 상기 양자 장벽층 은 InGaN , GaN 또는 AlGaN 로 구성 될 수 있 으며 양자 장벽층 의 밴드 갭 은 양자 우물 층 보다 는 큰 것 이 특징 이 다 . 상기 활성 층 상 에 는 p 형 질화물 반도체 층 이 형성 되 며 상기 p 형 질화물 반도체 층 은 p 형 초격자 층 과 , p 형 GaN 계 반도체 층 을 포함 하 여 구성 되 며 , 상기 p 형 초격자 층 은 , GaN / InGaN 계 , AlGaN / GaN 계 , AlGaN / GaN / InGaN 계 의 다층 반복 구조 로 구성 될 수 있 다 . 또한 상기 p 형 질화물 반도체 층 은 , p 형 초격자 층 , 상기 p 형 초격자 층 상의 p 형 GaN 층 및 상기 p 형 GaN 층 상의 p 형 GaN 콘 택 층 을 포함 하 여 구성 될 수 있 다 .