상기 소자 분리 막 ( 12 ) 은 버퍼 산화 막 ( 미도 시 함 ) 및 버퍼 질화 막 ( 미도 시 함 ) 을 순차 로 적층 한 후 소자 분리 영역 을 노출 시키 는 포토레지스트 패턴 ( 미도 시 함 ) 을 형성 한 다음 이 를 이용 한 사진 및 식각 공정 을 진행 하 여 트렌치 를 형성 하 고 , 트렌치 를 절연 물질 로 매립 한 후 평탄 화 하 여 형성 한다 .