도 2 d 를 참조 하 면 , 상기 제 1 리세 스 게이트 영역 ( T ) 의 바닥 부분 모서리 에 이온 임 플란트 공정 을 수행 한다 . 이때 , 상기 임 플란트 이온 주입 공정 의 소스 가스 로 는 SF 4 , SiH 4 , Si 2 H 6 및 이 들 의 혼합 가스 중 선택 된 어느 하나 를 이용 하 며 , 제 1 리세 스 게이트 영역 ( 170 ) 의 선폭 을 ' A ' 라 하 고 , 그 깊이 를 ' H ' 라 할 때 , 임 플란트 공정 의 이온 주입 각도 는 tan - 1 ( A / H ) 로 하 여 이온 주입 을 수행 한다 .