도 1 을 참조 하 면 , 기판 ( 20 ) 상 에 버퍼 층 ( 24 ) , 제 1 반도체 층 ( 30 ) 및 제 2 반도체 층 ( 32 ) 이 순차 적 으로 적층 되 어 있 다 . 기판 ( 20 ) 은 , 예 를 들 면 사파이어 기판 또는 실리콘 기판 일 수 있 다 . 버퍼 층 ( 24 ) 은 예 를 들 면 AlN 층 또는 AlGaN 층 일 수 있 다 . 제 1 및 제 2 반도체 층 ( 30 , 32 ) 은 분극 율 이 다르 고 밴드 갭 이 다를 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 1 반도체 층 ( 30 ) 의 분극 률 과 밴드 갭 은 제 2 반도체 층 ( 32 ) 보다 작 을 수 있 다 . 제 1 반도체 층 ( 30 ) 은 , 예 를 들 면 GaN 층 또는 InGaN 층 일 수 있 다 . 제 2 반도체 층 ( 32 ) 은 , 예 를 들 면 AlInN 층 , AlGaInN 층 또는 AlGaN 층 일 수 있 다 . 제 2 반도체 층 ( 32 ) 은 AlN 층 으로 대체 될 수 도 있 다 . 제 1 및 제 2 반도체 층 ( 30 , 32 ) 의 분극 률 차이 에 따라 제 2 반도체 층 ( 32 ) 에 분극 ( 미 도시 ) 이 나타난다 . 이러 한 분극 에 따라 제 2 반도체 층 ( 32 ) 과 접촉 되 는 제 1 반도체 층 ( 30 ) 의 계면 에 2 차원 전자 가스 ( 2 - Dimensional Electron Gas ) ( 2 DEG ) ( 도 2 의 42 ) 가 나타낸다 . 2 DEG 는 n 채널 로 사용 될 있 다 .