다만 , 도 11 ( A ) 에 도시 한 반도체 장치 는 도 1 ( A ) 및 도 10 에 도시 한 반도체 장치 와 상이 한 동작 을 한다 . 도 11 ( B ) 는 도 11 ( A ) 에 도시 한 반도체 장치 의 동작 예 를 도시 한 도면 이 다 . 도 11 ( B ) 에 도시 한 동작 예 는 판독 기간 T 4 중 행해 지 는 동작 이 도 1 ( B ) 에 도시 한 동작 예 와 상이 하 다 . 구체 적 으로 는 , 판독 기간 T 4 중 신호선 ( 20 ) 의 전위 가 하이 레벨 의 전위 를 유지 한다 . 이 로써 , 용량 소자 ( 14 ) 를 통한 용량 결합 에 의하 여 노드 a 및 노드 b 의 전위 가 더 상승 한다 . 이 때 , 트랜지스터 ( 13 ) 가 온 상태 가 되 고 , 상기 반도체 장치 에서 유지 된 정보 를 판별 할 수 있 다 .