또한 , 도 25 에 도시 한 반도체 장치 는 전위 생성 회로 ( 207 ) 에 의해 생성 한 복수 의 아날로그 전위 를 모든 열 의 기입 회로 ( 224 ( 1 ) 내지 224 ( n ) ) 에 공급 함 으로써 , 각 열 의 기입 회로 ( 224 ( 1 ) 내지 224 ( n ) ) 는 복수 의 아날로그 전위 로부터 기입 데이터 에 대응 한 전위 를 독립 적 으로 선택 할 수 있 다 . 그 결과 , 다 치 의 데이터 를 한 행의 메모리 셀 들 에 한 번 에 , 또한 고속 으로 기입 하 는 것 이 가능 하 게 된다 .