상술 한 본 발명 의 과제 를 달성 하 기 위한 예시 적 인 실시 예 들 에 따른 수직 형 메모리 장치 는 기판 의 상면 에 수직 한 수직 방향 을 따라 상기 기판 상 에 연장 되 며 , 각각 이 하부 에서 상부 로 갈수록 점차 증가 하 는 폭 을 갖 고 순차 적 으로 적층 되 어 연결 된 복수 의 부분 들 을 포함 하 는 채널 , 상기 수직 방향 을 따라 상기 기판 상 에서 서로 이격 되 며 , 각각 이 상기 기판 상면 에 평행 한 수평 방향 으로 상기 채널 을 둘러싸 고 , 게이트 도전 패턴 , 및 이 의 상하 면 및 상기 채널 에 대향 하 는 측벽 을 커버 하 는 게이트 배리어 패턴 을 포함 하 는 게이트 전극 들 , 및 상기 게이트 전극 들 중 최상층 및 그 아래 의 적어도 1 개 층 에 형성 된 제 1 게이트 전극 을 상기 수직 방향 으로 관통 하 여 상기 수평 방향 으로 이 를 분리 시키 는 절연성 분리 패턴 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 게이트 전극 은 상기 채널 의 복수 의 부분 들 중 에서 최상층 에 형성 된 제 1 부분 을 둘러쌀 수 있 고 , 상기 채널 의 제 1 부분 은 상기 채널 의 나머지 각 부분 들 보다 상기 수직 방향 으로 의 길이 가 짧 을 수 있 다 .