구체 적 으로 , 기판 상 의 대향 하 는 소자 전극 간 에 , 잉크젯 법 에 의한 도전 성 박막 을 형성 하 는 성분 을 함유 한 액적 을 부여 하 는 스텝 과 ; 액적 을 건조 시켜 도전 성 박막 의 전구체 를 제조 하 는 스텝 과 ; 이어서 , 이 도전 성 박막 의 전구체 를 가 열처리 ( 소성 처리 ) 하 여 소자 전극 간 에 걸치 는 도전 성 박막 을 형성 하 는 스텝 을 포함 하 는 제조 방법 이 알려져 있 다 . 소자 전극 간 에 , 포 밍 처리 라고 칭해 지 는 소자 전극 간 의 통전 처리 에 의해 상기 형성 된 도전 성 박막 을 처리 하 여 , 도전 성 박막 에 전자 방출 부인 균열 을 형성 한다 . 균열 형성 후 에 소자 전극 간 에 전압 을 인가 하 면 , 균열 또는 균열 부근 으로부터 전자 를 방출 시킬 수 있 다 . 통상 , 기판 의 포 밍 처리 이후 에 활성 화 처리 및 / 또는 안정 화 처리 를 행함 으로써 표면 전도 형 전자 방출 소자 를 얻 을 수 있 다 .