플래시 메모리 소자 가 형성 될 실리콘 기판 ( 10 ) 에 는 , 비트 라인 방향 으로 메모리 셀 이 형성 될 활성 소자 영역 을 정의 하 는 소자 분리 막 또는 필드 산화 막 ( 미 도시 ) 이 형성 되 어 있 다 . 또한 , 활성 소자 영역 에 는 터널 산화 막 ( 22 ) 및 플로팅 게이트 ( 24 ) 가 단위 셀 마다 독립 적 으로 형성 되 며 , 플로팅 게이트 ( 24 ) 의 측벽 및 상부 를 덮 는 ONO 유전 막 ( 26 ) 과 구동 전원 이 인가 되 는 콘트롤 게이트 ( 28 ) 가 워드 라인 방향 으로 연속 하 여 형성 되 어 있 다 .