본 개시 내용 의 다양 한 실시 예 들 에 따른 소스 층 ( 18 ) 은 좁 은 트렌치 들 을 통한 재료 들 의 어떠 한 대체 도 사용 하 지 않 고 수직 반도체 채널 들 ( 60 ) 의 각각 의 원위 단부 에 전기 적 접촉 을 제공 한다 . 또한 , 소스 층 ( 18 ) 은 수직 반도체 채널 들 ( 60 ) 의 원위 단부 들 의 내부 측벽 들 또는 외부 측벽 들 과 접촉 하 여 , 수직 반도체 채널 들 ( 60 ) 과 소스 층 ( 18 ) 사이 에 낮 은 접촉 저항 을 제공 할 수 있 다 . 따라서 , 수직 반도체 채널 들 ( 60 ) 과 소스 층 ( 18 ) 사이 의 전기 적 접촉 의 향상 및 공정 복잡 성 의 감소 는 본 개시 내용 의 다양 한 실시 예 들 의 방법 들 및 구조물 들 에 의해 달성 될 수 있 다 .