광 검출기 ( 135 ) 는 광 흡수 에 의한 반도체 내 에서 반송 자 생 성 을 이용 한 반도체 광 검출기 ( 135 ) 중 다이오드 형 광검 출소 자 가 이용 될 수 있 다 . 반도체 다이오드 형 광 검출기 ( 135 ) 는 동종 혹은 다른 종류 의 반도체 접합면 에서 반송 자 생 성 과 전송 특성 을 이용 한 소자 이 다 . 반도체 위 에 PN 접합 을 만들 고 접합 계면 에 빛 을 쬐 면 광자 에너지 를 흡수 한 반송 자 가 생성 된다 . 광 검출기 ( 135 ) 에서 발생 한 반 송자 의 흐름 이 전류 를 발생 시키 고 이 는 외부 회로 와 상호 작용 에 의해 입사 한 광 신호 에 상응 하 는 전기 적 인 신호 가 된다 . 한편 , 본 발명 에서 의 광 검출기 ( 135 ) 로 APD ( Avalanche Photo Diode ) 가 사용 될 수 있 고 , APD 는 라만 산란 광 신호 중 에서 안티 스톡스 광 신호 를 검출 하 여 전기 신호 로 변환 시킨다 . 여기 서 , APD 는 노멀 한 후방 산란 광 신호 ( 210 ) , 반사 된 후방 산란 광 신호 ( 210 ) 및 전방 산란 광 신호 를 반복 검출 하 여 평균값 을 산출 한다 .