부가 적 으로 , 일부 실시 예 들 에서 , 제 2 상 실리사이드 층 ( 211 ) 은 실리콘 이 부유 하 거나 , 게르마늄 이 부유 하 거나 , III - V 가 부유 한 것 과 같이 반도체 가 부유 하 다 . 예 를 들 어 , 제 2 상 실리사이드 가 NiSi 인 실시 예 에서 , 실리콘 은 약 35 % 내지 약 65 %, 예컨대 , 약 50 % 의 농도 를 가질 수 있 다 . 그러나 임의 의 적합 한 반도체 부유 조성물 이 사용 될 수 있 다 .