비트 라인 층 과 워드 라인 층 ( 필러 층 의 임의 의 일면 상의 ) 은 이중 노출 을 사용 하 여 형성 된다 . 워드 라인 형성 동안 , 워드 층 물질 의 상부 상 의 포토레지스트 는 제 1 세트 의 워드 라인 ( 890 ) 을 이미지 화 하 는 제 1 마스크 를 사용 하 여 노출 된다 . 포토레지스트 는 제 1 세트 의 워드 라인 ( 890 ) 에 인접 한 제 2 세트 의 워드 라인 ( 880 ) 을 이미지 화 하 는 제 2 마스크 를 사용 하 여 다시 노출 된다 . 마찬가지 로 , 비트 라인 형성 동안 , 비트 층 물질 의 상부 상 의 포토레지스트 는 제 1 세트 의 비트 라인 ( 860 ) 을 이미지 화 하 는 제 3 마스크 를 사용 하 여 노출 된다 . 포토레지스트 는 제 1 세트 의 비트 라인 ( 860 ) 에 인접 한 제 2 세트 의 비트 라인 ( 870 ) 을 이미지 화 하 는 제 4 마스크 를 사용 하 여 다시 노출 된다 .