도 1 을 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 도전 막 패턴 ( 102 ) 을 배치 한 다음 상기 도전 막 패턴 ( 102 ) 을 매립 하 는 층간 절 연막 으로 비피 에 스지 ( BPSG ; Boron phosphorus silicate glass ) 막 ( 104 ) 을 증착 한다 . 비피 에 스지 ( BPSG ) 막 ( 104 ) 은 높 은 종횡비 를 갖 는 도전 막 패턴 ( 102 ) 을 매립 하 기 위하 여 막 의 성질 이 흐름 성 을 갖 도록 일정 양 의 불순물 이 첨가 된 유동 성 절 연막 이 다 . 이러 한 비피 에 스지 ( BPSG ) 막 ( 104 ) 은 우수 한 스텝 커버리지 ( step coverage ) 특성 을 가지 고 있 어 복잡 한 형태 를 가진 도전 막 패턴 ( 102 ) 의 사이 를 매립 할 수 있 다 . 또한 , 높 은 파워 가 요구 되 는 플 라즈 마 를 이용 하 지 않 아 플 라즈 마 사용 에 따른 도전 막 패턴 ( 102 ) 의 손실 을 감소 시키 고 , 공정 시간 을 단축 시킬 수 있 는 장점 이 있 다 . 그런데 , 도전 막 패턴 ( 102 ) 을 매립 하 는 과정 에서 비피 에 스지 ( BPSG ) 막 ( 104 ) 내 에 보이드 ( void , 106 ) 가 발생 할 수 있 다 .