이상 설명 한 내용 및 도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 의 도파 로 형 p - i - n 포토다이오드 는 광 흡수 층 ( 18 ) 을 중심 으로 깊이 에 따라 대칭 의 경사 형 굴절 율 분포 를 나타낸다 . 상기 굴절 율 을 따라 그래프 를 그려 보 면 로렌츠 함수 에 의해 근접 한 곡선 을 얻 을 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 의 도파 로 형 p - i - n 포토다이오드 는 광선 이 도파관 을 지나갈 때 로렌츠 함수 모양 의 굴절 율 분포 에 의해 가이드 되 어 단일 모드 광섬유 및 실리카 PLC 도파 로 와 높 은 결합 계수 를 얻 을 수 있 다 .