또한 , 제 어 게이트 전극 ( 500 a ) 은 , 부유 게이트 전극 ( 100 a ) 과 소자 분리 절 연막 ( 50 ) 에 의해 생기 는 오 목부 ( 단 차부 ) 상 에 형성 되 지만 , 다 결정 실리콘 의 공핍 화 는 , 이 오 목부 에서 현저 하 게 생긴다 . 이 때문 에 , 본 실시 형태 에 따른 공핍 화 억제 의 효과 는 , 평탄부 에 형성 되 는 부유 게이트 전극 보다 도 , 단차 상 에 형성 되 는 제어 게이트 전극 에서 ， 보다 현저 하 게 나타난다 .