한편 , 상술 한 제 1 트랜지스터 ( M 1 ) 및 제 2 트랜지스터 ( M 2 ) 는 P 타입 의 폴리 실리콘 반도체 트랜지스터 로 형성 되 고 , 보조 트랜지스터 ( MS ) 는 N 타입 의 산화물 반도체 트랜지스터 로 형성 된다 . 제 1 트랜지스터 ( M 1 ) 및 제 2 트랜지스터 ( M 2 ) 가 폴리 실리콘 반도체 트랜지스터 로 형성 되 면 빠른 구동 특성 을 확보 할 수 있 다 . 보조 트랜지스터 ( MS ) 가 산화물 반도체 트랜지스터 로 형성 되 면 데이터 선 ( Dm ) 과 제 1 노드 ( N 1 ) 사이 의 누설 전류 가 최소 화 되 고 , 이 에 따라 화소 ( PXL ) 에서 원 하 는 휘도 의 영상 을 구현 할 수 있 다 .