일 구 현예 에서 , 타깃 층 위 에 패 터닝 된 주석 옥사이드 의 층 을 갖 는 타깃 층 을 갖 는 기판 이 제공 된다 . 다음 에 , 패 터닝 된 주석 옥사이드 의 리세 스 된 피처 들 은 실리콘 옥사이드 로 충 진 되 고 , ( 예 를 들 어 , PECVD 에 의해 ) 실리콘 옥사이드 오버 버든 이 형성 된다 . 다음 에 , 주석 옥사이드 를 노출 하 기 위해 실리콘 옥사이드 오버 버든 이 에칭 되 고 ( 리 세스 에칭 되 고 ) , 이어서 예 를 들 어 , 수소 플 라즈 마 를 사용 하 여 , 주석 옥사이드 가 제거 ( 스트립 핑 ) 되 어 , 최초 주석 옥사이드 패턴 에 상보 적 인 패턴 을 갖 는 패 터닝 된 실리콘 옥사이드 남긴다 .