일부 실시 예 들 에서 , 에칭 전 에 , 노출 된 SnO 2 층 을 포함 하 는 기판 은 또한 SiO 2 , SiC , SiN , SiOC , SiNO , SiCNO , 및 SiCN 으로 구성 된 그룹 으로부터 선택 된 재료 의 노출 된 층 을 포함 하 고 , 제공 된 에칭 방법 은 이 들 재료 들 에 대해 고 선택도 로 SnO 2 을 에칭 한다 . 일부 실시 예 들 에서 에칭 은 SiO 2 , SiC , SiN , SiOC , SiNO , SiCNO , 및 SiCN 으로 구성 된 그룹 으로부터 선택 된 재료 를 완전히 제거 하 지 않 고 , 기판 의 표면 으로부터 노출 된 SnO 2 을 완전히 제거 한다 .