도 10 을 참조 하 면 , 상기 쉴 딩 라인 ( 143 ) 및 상기 도전 라인 ( 120 ) 상 에 유전 막 ( 150 ) 이 형성 된다 . 예컨대 , 상기 유전 막 ( 150 ) 은 고유 전 율 을 갖 는 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 고 유전율 은 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) 의 유전율 이상 의 유전율 을 의미 한다 . 상기 유전 막 ( 150 ) 은 상기 소자 분리 영역 ( 110 ) 이 연장 되 는 방향 과 교차 하 는 방향 으로 연장 된 개구부 ( 152 ) 를 갖 는다 . 상기 개구부 ( 152 ) 는 포 토리 소그라 피 ( photolithography ) 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 상기 개구부 ( 152 ) 은 상기 도전 라인 ( 120 ) 의 일부분 을 노출 할 수 있 다 . 상기 개구부 ( 152 ) 는 상기 외부 쉴 딩 라인 ( 142 ) 을 통해 상기 내부 쉴 딩 라인 ( 132 ) 을 일부 노출 할 수 있 다 .