소비 전력 을 저감 할 수 있 는 새로운 구조 의 반도체 장치 및 그 구동 방법 을 제공 하 는 것 을 목적 으로 하 는 것 으로서 , 메모리 셀 은 , 용량 소자 와 , 제 1 트랜지스터 와 , 제 1 트랜지스터 보다 오프 전류 가 작 은 제 2 트랜지스터 를 갖 는다 . 제 1 트랜지스터 는 , 제 2 트랜지스터 보다 스위칭 속도 가 빠르 다 . 제 1 트랜지스터 와 제 2 트랜지스터 와 용량 소자 는 직렬 로 접속 되 어 있 다 . 용량 소자 로 의 전하 의 축적 , 및 용량 소자 로부터 의 전하 의 방출 은 제 1 트랜지스터 와 제 2 트랜지스터 의 양쪽 모두 를 통하 여 실시 된다 . 이렇게 하 여 , 반도체 장치 의 소비 전력 을 적 게 그리고 정보 의 쓰 기 및 읽 기 속도 를 고속 화 할 수 있 다 .