여기 에서 는 , 반도체 기판 ( 100 ) 측 의 접합면 에 Si 계 절 연막 인 산화 규소 막 을 설치 하 고 , 베이스 기판 ( 120 ) 측 의 접합면 에 산화알루미늄 을 함유 하 는 절 연막 을 사용 하 고 있 기 때문 에 , 반도체 기판 ( 100 ) 과 베이스 기판 ( 120 ) 의 본딩 은 , Si 계 절 연막 과 Si 계 이외 의 절 연막 의 본딩 ( 헤테로 본딩 ) 이 된다 . 이러 한 재료 를 사용 하 여 본 딩 함 으로써 , 반도체 기판 ( 100 ) 과 베이스 기판 ( 120 ) 의 밀착 성 을 향상 시킬 수 있 다 .