이 와 같이 하 여 수득 된 실시 예 1 ~ 실시 예 5 및 비 교예 1 ~ 비 교예 4 의 각 금형 재생 용 시트 를 사용 하 여 , 금형 의 클리닝 을 실시 했 다 . 이 금형 은 반도체 소자 를 수지 밀봉 할 때 사용 하 는 트랜스퍼 성형 용 금형 의 의사 금형 이 고 , 상부 금형 과 하부 금형 으로 이루어지 고 , 이 들 상부 금형 과 하부 금형 의 각 형 면 ( 대향 면 ) 은 100 ㎜ × 130 ㎜ 의 장방형 으로 되 어 있 다 . 또한 , 형 체결 한 상태 에서 의 각 캐비 티 의 형상 은 직방체 형상 이 고 , 그 크기 는 30 ㎜ × 30 ㎜ × 1 ㎜( 높이 ) 와 30 ㎜ × 30 ㎜ × 0 . 5 ㎜( 높이 ) 의 2 종류 이 다 . 또한 , 상부 금형 에 는 캐비 티 로부터 거리 를 두 고 직경 1 . 5 ㎜ 의 관통 구멍 ( 흡인 구멍 에 상당 ) 이 2 개 형성 되 어 있 다 . 또한 , 상기 클리닝 의 조건 은 금형 재생 용 시트 의 크기 를 상기 형 면 과 동일 하 게 하 고 , 금형 의 형 체결 압력 을 30 톤 으로 하 고 성형 온도 를 175 ℃ 로 하 며 성형 시간 을 5 분 간 으로 했 다 .