샘플링 기간 TS 1 에 있 어서 , 시간 의 경과 에 따라 , 포토다이오드 ( 214 ) 의 전극 간 의 역 바이어스 전압 이 작아진다 . 이 역 바이어스 전압 의 변화 량 은 , 포토 다 이오 드 ( 214 ) 의 광전 변환 층 에 조사 된 빛 의 강도 에 비례 한다 . 센서 회로 ( 26 ) 에서 는 , 포토다이오드 ( 214 ) 의 한쪽 전극 의 전위 는 일정 하 게 유지 되 고 있 다 . 따라서 , 포토다이오드 ( 214 ) 에서 는 , 버퍼 용 트랜지스터 ( 212 ) 의 게이트 전극 에 접속 되 어 있 는 전극 의 전위 가 저하 한다 . 즉 , 버퍼 용 트랜지스터 ( 212 ) 의 게이트 전극 의 전위 가 저하 하 게 된다 .