이 에 따라 , 게이트 패턴 ( 1 ) 이 ( +) 로 차지 - 업 되 면 기판 으로부터 ( -) 이온 , 주로 전자 ( Electron ) 를 끌어당기 게 되 고 , 이러 한 ( -) 이온 은 게이트 옥사이드 ( 2 ) 에 트랩 ( Trap ) 되 거나 게이트 옥사이드 ( 2 ) 를 통해 게이트 패턴 ( 1 ) 으로 흘러 들어가 게 된다 . 또한 , 차지 - 업 된 게이트 패턴 ( 1 ) 으로부터 기판 방향 으로 게이트 옥사이드 ( 2 ) 를 통해 디스 차지 ( Discharge ) 현상 이 발생 하 기 도 한다 .