일부 실시 형태 에서 , 전기 전도성 재료 ( 93 ) 및 다양 한 하부 층 ( 예컨대 , 87 , 85 , 84 , 83 , 및 82 ) 을 절단 하 여 핀 ( 64 A , 64 B , 및 64 C ) 위 에 개별 금속 게이트 ( 97 A , 97 B , 및 97 C ) 를 각각 형성 하 기 위해 커트 - 메탈 - 게이트 공정 ( cut - metal - gate process ) 이 수행 된다 . 편의 상 , 금속 게이트 ( 97 A , 97 B , 및 97 C ) 을 총칭 하 여 금속 게이트 ( 97 ) 라고 할 수 도 있 고 , 각각 의 금속 게이트 ( 97 A , 97 B , 및 97 C ) 를 금속 게이트 ( 97 ) 라고 할 수 도 있 다 . 예 시 적 인 커트 - 메탈 - 게이트 공정 에서 , ( 예 를 들 어 , 평면도 에서 ) 전기 전도성 금속 ( 93 ) 를 가로질러 절단 하 여 전기 전도성 재료 ( 93 ) 로부터 도 18 의 단면도 의 STI 영역 ( 62 ) 까지 연장 되 는 이웃 하 는 핀 들 ( 64 ) 사이 에 개구부 ( 예 를 들 어 , 관통 홀 ) 가 형성 된다 . 유전체 재료 ( 예컨대 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산화물 등 ) 가 개구부 에 형성 되 어 전기 전도성 재료 ( 93 ) 및 다양 한 하부 층 ( 예컨대 , 87 , 85 , 84 , 83 , 및 82 ) 을 절단 해서 분리 된 금속 게이트 ( 97 A , 97 B 및 97 C ) 를 형성 하 는 유전체 커트 패턴 ( 107 ) 을 형성 한다 .