도 2 를 참조 하 면 , 가변 저항 패턴 ( 62 ) 은 사진 공정 또는 패 터닝 공정 에 기인 한 정렬 오차 를 포함 할 수 있 다 . 제 2 하부 전극 ( 44 ) 의 상부 ( 44 B ) 의 측면 은 상기 가변 저항 패턴 ( 62 ) 의 측면 에 정렬 될 수 있 다 . 상부 스 페이서 ( 41 ) 는 상기 상부 ( 44 B ) 의 외측 에 형성 된 리세 스 영역 ( 41 R ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 리세 스 영역 ( 41 R ) 은 상기 상부 스 페이서 ( 41 ) 의 상부 영역 에 국부 적 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 리세 스 영역 ( 41 R ) 의 측벽 은 상기 상부 ( 44 B ) 의 측면 및 상기 가변 저항 패턴 ( 62 ) 의 측면 에 정렬 될 수 있 다 .