상기 기판 과 접하 고 있 던 U - GaN 층 은 레이저 에 의해 손상 되 므로 , 전극 을 형성 하 기 위해서 는 U - GaN 층 을 제거 하 여 N - GaN 층 이 드러나 도록 한다 . 먼저 , 기판 을 제거 하 는 과정 에서 형성 된 Ga 를 묽 은 염산 용액 을 사용 하 여 제거 를 하 여 이후 의 식각 공정 을 용이 하 도록 한 다음 , 건식 식각 을 이용 하 여 U - GaN 층 을 제거 한다 . U - GaN 층 을 제거 한 후 에 는 식각 공정 중 손상 된 결정 을 회복 하 기 위해 열처리 를 한다 .