다음 에 , 도 15 ( A ) 에 나타내 는 바 와 같이 , n 채널 형 TFT 가 되 는 섬 형상 의 반도체 막 ( 705 , 707 ) 을 덮 도록 마스크 ( 712 ) 를 형성 한다 . 그리고 , 마스크 ( 712 ) 에 추가 하 여 전극 ( 710 ) 을 마스크 로서 사용 하 여 , 섬 형상 의 반도체 막 ( 706 ) 에 p 형 을 부여 하 는 불순물 원소 ( 대표 적 으로 는 B ( 붕소 ) ) 를 고농도 로 도핑 한다 ( 제 2 도핑 공정 ) . 제 2 도핑 공정 의 조건 은 , 도즈 량 ： 1 × 1019 ∼ 1 × 1020 / cm 3 , 가속 전압 ： 20 ∼ 40 keV 로 하 여 행한다 . 이 제 2 도핑 공정 에 의해 , 게이트 절 연막 ( 709 ) 을 통하 여 도핑 이 이루어져 , 섬 형상 의 반도체 막 ( 706 ) 에 p 형 의 고농 도 불순물 영역 ( 713 ) 이 형성 된다 .