다음 에 , 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 이 첨가 된 반도체 막 및 게이트 절연 막 ( 102 ) 을 덮 도록 제 2 도전 층 을 형성 한다 . 제 2 도전 층 은 , 알루미늄 , 혹은 구리 , 규소 , 티탄 , 네오디뮴 , 스칸듐 , 몰리브덴 등 의 내열성 향상 원소 혹은 힐 록 방지 원소 가 첨가 된 알루미늄 합금 의 단층 또는 적층 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 여기 에서 는 , 제 2 도전 층 으로서 는 , 도시 하 지 않 았 지만 , 3 층 이 적층 한 구조 의 도전 막 을 나타내 고 , 제 2 도전 층 의 첫 번 째 층 과 세 번 째 층 에 몰리브덴 막 , 제 2 도전 층 의 두 번 째 층 에 알루미늄 막 을 사용 한다 . 제 2 도전 층 은 , 스퍼터링 법 이나 진공 증착 법 으로 형성 한다 .