또한 , 고온 환경 을 갖 는 반응 챔버 내부 에서 반응 가스 의 흐름 을 층류 로 안정 적 으로 형성 하 고 , 복수 개 의 웨이퍼 를 동일 한 온도 로 가열 하 여 성장 층 의 균일성 및 결정 성 을 안정 적 으로 확보 할 수 있 는 한편 , 서로 마주 하 도록 배치 된 웨이퍼 에 성장 층 을 동시 에 성막 하 면서 공급 된 유기 금속 원료 의 이용 효율 을 보다 높일 수 있 는 것 이 다 .