계속 해서 , 산화물 반도체 층 에 제 1 열처리 를 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 제 1 열처리 에 의해 산화물 반도체 층 의 탈수 화 또는 탈수소 화 를 행할 수 있 다 . 제 1 열처리 의 온도 는 300 ℃ 이상 750 ℃ 이하 , 바람직 하 게 는 400 ℃ 이상 기판 의 왜곡 점 미만 으로 한다 . 예 를 들 어 , 저항 발열체 등 을 사용 한 전기로 에 기판 을 도입 하 고 , 산화물 반도체 층 ( 140 ) 에 대하 여 질소 분위기 하 에 450 ℃ 에 있 어서 1 시간 의 열처리 를 행한다 . 그 동안 산화물 반도체 층 ( 140 ) 은 대기 에 접촉 시키 지 않 고 물 이나 수소 의 재 혼입 이 이루어지 지 않 도록 한다 .