본 발명 의 실시 예 들 에 있 어서 , 제 1 내지 제 3 리세 스 ( 210 , 220 , 230 ) 의 저면 들 과 측벽 들 상 에 형성 된 게이트 절 연막 ( 240 ) 의 각 부분 들 은 실질 적 으로 상이 한 두 께 를 가질 수 있 다 . 즉 , 게이트 절 연막 ( 240 ) 을 형성 하 는 동안 , 제 2 리세 스 ( 220 ) 와 제 3 리세 스 ( 230 ) 의 경 계부 의 영향 으로 인해 제 3 리세 스 ( 230 ) 저면 에 형성 되 는 게이트 절 연막 의 두께 ( b ) 가 제 2 리세 스 ( 220 ) 측면 에 형성 되 는 게이트 절 연막 의 두께 ( b ) 보다 얇 아 질 수 있 다 . 도시 하 지 는 않 았 으나 , 제 2 리세 스 ( 220 ) 의 측벽 에 형성 된 게이트 절 연막 의 두께 ( b ) 는 제 3 리세 스 ( 230 ) 의 저면 에 형성 된 게이트 절 연막 의 두께 ( a ) 보다 두 꺼 울 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 2 리세 스 ( 220 ) 측면 에 형성 된 게이트 절 연막 ( 240 ) 의 두께 ( b ) 는 약 70 ∼ 110 Å 정도 이 며 , 제 3 리세 스 ( 230 ) 저면 에 형성 된 게이트 절 연막 ( 240 ) 의 두께 ( a ) 는 약 20 ∼ 50 Å 정도 가 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 2 리세 스 ( 220 ) 측면 에 형성 된 게이트 절 연막 ( 240 ) 의 두께 ( b ) 와 제 3 리세 스 ( 230 ) 저면 에 형성 된 게이트 절 연막 ( 240 ) 의 두께 ( a ) 의 비 는 약 1 . 0 : 0 . 2 ∼ 1 . 0 : 0 . 7 정도 가 될 수 있 다 .