즉 , 종래 의 플래시 메모리 에서 는 폴리 실리콘 ( poly silicon ) 으로 형성 되 는 플로팅 게이트 에 전하 를 저장 하 는 반면 SONOS 타입 의 플래시 메모리 는 질화 막 에 전하 를 저장 시키 게 된다 . 따라서 종래 의 플래시 메모리 에서 는 플로팅 게이트 에 미세 한 결함 ( defect ) 이 라도 존재 한다면 전하 의 리 텐션 타임 ( retention time ) 이 현저 하 게 떨어지 는 문제점 이 있 다 . 하 지만 SONOS 타입 의 플래시 메모리 에서 는 폴리 실리콘 대신 질화 막 을 형성 하 기 때문 에 질화 막 의 특성 으로 인하 여 공 정상 결함 에 그 민감 성 이 상대 적 으로 작아지 게 되 는 이점 이 있 다 .