그 후 , 본 실시 예 에서 는 , 반도체 웨이퍼 ( 3 ) 의 극 최 표면 온도 가 800 ℃ 에 도달 할 때 까지 는 , IGBT 소자 ( 25 ) 를 제 1 구동 신호 로 구동 하 고 , IGBT 소자 ( 25 ) 의 게이트 신호 를 10 μ sec 온 , 10 μ sec 오프 로 점등 한다 . 또한 , 그 후 , 게이트 신호 의 온 시간 을 20 μ sec 로 하 고 , 오프 시간 은 10 μ sec 로 점등 시키 며 , 이 반도체 웨이퍼 ( 3 ) 의 극 최 표면 온도 를 1050 ℃ 까지 상승 시킨다 .