또한 , 절연 층 ( 212 a ) 은 질소 산화물 에 기인 한 준위 밀도 가 낮 은 산화물 절연 층 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 또한 , 상기 질소 산화물 에 기인 한 준위 밀도 는 금속 산화물 층 의 가전 자대 상단 의 에너지 와 전 도 대 하단 의 에너지 사이 에 형성 될 수 있 다 . 상기 산화물 절연 층 으로서 는 , 질소 산화물 의 방출 량 이 적 은 산화 질화 실리콘 막 또는 질소 산화물 의 방출 량 이 적 은 산화 질화 알루미늄 막 등 을 사용 할 수 있 다 .