도 10 은 도 9 의 과정 에서 산화 구경 을 형성 한 후 완성 된 모노 리식 ( monolithic ) 표면 방출 레이저 소자 를 도시 한 것 이 다 . 도 10 의 실시 예 에서 전류 주입 을 위한 금속 전 극막 ( 10 , 11 ) 이 각각 상 / 하부 의 제 1 , 제 2 반도체 전극 층 ( 3 , 8 ) 에 증착 된다 . 상부 금속 층 ( 10 ) 을 통하 여 주입 된 전류 는 전자 주입 을 위한 제 2 반도체 전극 층 ( 8 ) 을 통하 여 전자 ( electron ) 형태 로 진행 하 다 터널 결합 을 위한 음 반도체 층 ( 7 ) 에서 터널 링 ( tunneling ) 에 의해 양공 ( hole ) 으로 바뀌 고 , 전류 차 단막 ( 62 b ) 에 의해 제한 되 어 L 3 의 전류 주입 구경 을 통하 여 반도체 양 전극 층 ( 5 ) 을 통하 여 이득 활성 층 ( 4 ) 으로 양공 이 주입 되 며 , 하부 의 제 1 반도체 전극 층 ( 3 ) 으로 유입 된 전자 와 결합 ( recombination ) 하 여 레이 징 ( lasing ) 을 유발 시킨다 .