이제 , 외부 음의 DC 전압 서플라이 ( external negative DC voltage supply ) 를 필요 로 하 지 않 고 이러 한 음 의 바이어스 를 생성 하 는 것 이 바람직 하 다고 인식 되 었 다 . 써 모 파일 들 을 이용 함 으로써 음 의 전위 ( negative potential ) 가 양 의 DC 전압 서플라이 ( positive DC voltage supply ) 로부터 생성 될 수 있 음 이 증명 될 것 이 다 . 이러 한 음 의 전위 는 최소 바이어스 전류 ( minimal bias current ) 가 요구 되 는 상황 에서 공핍 형 전계 효과 트랜지스터 들 을 바이어스 하 기 위한 바이어스 전압 으로서 사용 하 기 에 적합 하 다 . 이러 한 새로운 접근 에서 는 써 모 파일 을 그것 의 양 의 단자 를 접 지 레퍼런스 한 ( positive terminal ground referenced ) 상태 로 사용 한다 . DC 파워 ( DC power ) 가 써 모 파일 에 인가 되 었 을 때 , 음 의 접합 ( negative junction ) 에서 생성 되 는 열전 전위 는 접지 보다 낮 을 수 있 고 , 공핍 형 전계 효과 트랜지스터 를 바이어스 하 기 위하 여 사용 될 수 있 다 . 또한 , " 써 모 파일 들 은 음 의 바이어스 를 요구 하 는 트랜지스터 들 또는 네트워크 들 의 옆 에 "" 온 칩 ( on chip ) "" 으로 만들 어 질 수 있 어 ", 외부 음의 DC 바이어스 또는 복잡 한 DC - DC 컨버터 들 을 사용 하 는 것 에 비하 여 보 다 컴팩트 하고 집적 된 바이어 싱 기술 ( biasing technique ) 을 제공 할 수 있 다 .