또한 , 상기 리세 스 를 포함 한 전체 표면 에 하부 도전 막 을 형성 하 여 , 상기 리세 스 의 표면 적 만큼 상기 저장 전극 의 유효 면적 및 정전 용량 을 증가 시키 며 , 저장 전극 콘 택 플러그 와 저장 전극 사이 의 접촉면 적 이 증가 되 어 접촉 저항 이 감소 된다 . 이 로 인해 반도체 메모리 소자 의 동작 속도 를 향상 시키 는 기술 을 개시 한다 .