상기 p 형 불순물 도핑 영역 ( 11 , 12 ) 이 각각 소스 전극 과 드레 인 전극 으로 형성 될 수 있 으며 , 도 3 에 는 도시 되 지 않 았 으나 , 정전기 방지 트랜지스터 ( T 2 ) 의 다른 위치 에서 상기 p 형 불순물 도핑 영역 ( 11 , 12 ) 이 서로 연결 되 어 공통 노드 를 형성 할 수 있 다 . 그리고 이 공통 노드 , 즉 상호 연결 된 p 형 불순물 도핑 영역 ( 11 , 12 ) 과 동일 한 층 에서 커패시터 ( C 2 ) 의 도전 층 ( 70 ) 이 형성 되 고 커패시터 의 일 전극 ( CE 2 ) 으로서 상기 p 형 불순물 도핑 영역 ( 11 , 12 ) 과 서로 연결 된다 .