반도체 채널 재료 층 ( 60 L ) 은 p - 도핑 된 반도체 재료 , 예컨대 적어도 하나 의 원소 반도체 재료 , 적어도 하나 의 III - V 화합물 반도체 재료 , 적어도 하나 의 II - VI 화합물 반도체 재료 , 적어도 하나 의 유기 반도체 재료 , 또는 당업 계 에 알려진 다른 반도체 재료 들 을 포함 한다 . 일 실시 예 에서 , 반도체 채널 재료 층 ( 60 L ) 은 균일 한 도핑 을 가질 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 반도체 채널 재료 층 ( 60 L ) 은 p - 형 도핑 을 가지 며 , 여기 서 p - 형 도 펀트 들 ( 예컨대 , 붕소 원자 들 ) 은 1 . 0 × 1012 / ㎤ 내지 1 . 0 × 1018 / ㎤, 예컨대 1 . 0 × 1014 / ㎤ 내지 1 . 0 × 1017 / ㎤ 범위 내 의 원자 농도 로 존재 한다 . 일 실시 예 에서 , 반도체 채널 재료 층 ( 60 L ) 은 붕소 - 도핑 된 비정질 실리콘 또는 붕소 - 도핑 된 폴리 실리콘 을 포함 하 고 / 포함 하 거나 , 본질 적 으로 이 들 로 이루어진다 . 다른 실시 예 에서 , 반도체 채널 재료 층 ( 60 L ) 은 n - 형 도핑 을 가지 며 , 여기 서 n - 형 도 펀트 들 ( 예컨대 , 인 원자 들 또는 비소 원자 들 ) 은 1 . 0 × 1012 / ㎤ 내지 1 . 0 × 1018 / ㎤, 예컨대 1 . 0 × 1014 / ㎤ 내지 1 . 0 × 1017 / ㎤ 범위 내 의 원자 농도 로 존재 한다 . 반도체 채널 재료 층 ( 60 L ) 은 저압 화학 증착 ( low pressure chemical vapor deposition , LPCVD ) 과 같 은 컨 포 멀 침착 방법 에 의해 형성 될 수 있 다 . 반도체 채널 재료 층 ( 60 L ) 의 두께 는 2 nm 내지 10 nm 범위 내 에 있 을 수 있 지만 , 더 작 은 두께 및 더 큰 두께 도 사용 될 수 있 다 . 침착 된 재료 층 들 ( 52 , 54 , 56 , 60 L ) 로 충전 되 지 않 은 각각 의 메모리 개구 ( 49 ) 의 체적 내 에 공동 ( 49 ') 이 형성 된다 .