도 9 는 일 실시 형태 및 비 교예 에 따른 에칭 처리 방법 에서 사용 하 는 희가스 의 종류 와 텅스텐 층 ( 130 ) 손실 의 관계 를 나타내 는 실험 결과 이 다 . 일 실시 형태 및 비 교예 에 따른 에칭 처리 방법 에서 는 , 고주파 전력 , 처리 용기 내 압력 , 희가스 이외 의 처리 가스 가 동일 한 프로세스 조건 에서 실험 을 실시 하 였 다 . 선 E 는 비 교예 에 따른 에칭 처리 방법 에서 희가스 에 Ar 가스 를 사용 했 을 때 의 텅스텐 층 ( 130 ) 손실 을 나타내 고 , 선 F 는 본 실시 형태 에 따른 에칭 처리 방법 에서 희가스 에 He 가스 를 사용 했 을 때 의 텅스텐 층 ( 130 ) 손실 을 나타낸다 . 도 9 에서 횡축 은 오버 에치 타 겟 ( %, over etch target ) 을 나타내 며 , 종축 은 정규 화 된 텅스텐 층 ( 130 ) 의 손 실량 을 나타낸다 . 오버 에치 타 겟 은 , 산화 실리콘 층 ( 140 ) 의 에칭 을 개시 하 고서 텅스텐 층 ( 130 ) 이 노출 될 때 까지 의 에칭 시간 을 100 % 라고 했 을 때 에 , 텅스텐 층 ( 130 ) 이 노출 된 후 의 에칭 시간 을 퍼센트 로 나타낸 것 이 다 . 예 를 들 어 , 횡축 의 100 % 는 , 텅스텐 층 ( 130 ) 이 노출 된 후 에 실시 한 에칭 시간 이 , 산화 실리콘 층 ( 140 ) 을 텅스텐 층 ( 130 ) 이 노출 될 때 까지 에칭 했 을 때 의 에칭 시간 과 같 음 을 나타낸다 .