도 3 a 는 본 발명 의 일 실시 예 에 의한 , RF 기판 ( 315 ) 상 에 형성 된 접지 된 공면 도파관 을 포함 하 는 RF 집 적 회로 ( 300 ) 의 단면도 이 다 . RF 집 적 회로 ( 200 ) 와 유사 하 게 , RF 집 적 회로 ( 300 ) 는 다 결정 성 질화 알루미늄 ( AIN ) 과 같 은 다결정 성 세라믹 물질 을 갖 는 다결정 성 코어 ( 310 ) 를 포함 할 수 있 다 . 몇몇 실시 예 에서 , 다 결정 성 코어 ( 310 ) 는 다 결정 성 코어 ( 310 ) 의 열 저항 을 감소 시키 기 위해 박 층 화 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 다 결정 성 코어 ( 310 ) 는 약 100 ㎛ 미만 , 약 50 ㎛ 미만 , 약 25 ㎛ 미만 , 또는 그 미만 의 두께 를 갖 도록 박 층화 될 수 있 다 . 다 결정 성 코어 ( 310 ) 상 에 층간 구조 ( 320 ) 가 형성 될 수 있 다 . 층간 구조 ( 320 ) 및 다결정 성 코어 ( 310 ) 는 집합 적 으로 RF 기판 ( 315 ) 을 형성 할 수 있 다 . 층간 구조 ( 320 ) 는 제 1 부착 층 ( 예 를 들 어 , TEOS 또는 실리콘 산화물 층 ) , 전도 층 ( 예 를 들 어 , 폴리 실리콘 층 ) , 제 2 부착 층 ( 예 를 들 어 , TEOS 또는 실리콘 산화물 층 ) , 및 배리어 층 ( 예 를 들 어 , 실리콘 질화물 층 ) 을 포함 할 수 있 다 . 층간 구조 ( 320 ) 는 또한 결합 층 ( 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 층 ) 및 실질 적 으로 단결정 인 층 ( 예 를 들 어 , 단결정 실리콘 층 ) 을 포함 할 수 있 다 . 도 1 을 참조 하 여 논의 된 바 와 같이 , 층간 구조 ( 320 ) 내 의 하나 또는 그 이상 의 층 ( 예 를 들 어 , 제 1 부착 층 , 전도 층 , 제 2 부착 층 , 및 배리어 층 ) 은 다 결정 성 코어 ( 310 ) 를 캡슐 화 할 수 있 다 .