본 발명 은 씨 모스 이미지 센서 ( CMOS Image Sensor ) 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 보다 상세 하 게 는 마이크 로 렌즈 사이 의 갭 ( Gap ) 영역 에 식각 을 통해 오목 렌즈 를 형성 하 여 입사각 이 작 은 빛 을 층간 절 연막 ( Inter Layer Dielectrics , ILD ) 층 으로 유도 하 여 행로 를 길 게 하 며 , 입사각 이 큰 빛 을 포토 다이오드 영역 으로 유도 하 여 근접 다이오드 에 영향 을 미치 지 않 도록 하 면서 제조 할 수 있 는 방법 에 관한 것 이 다 .