제 3 게이트 전극 ( 334 ) 은 제 2 게이트 절연 층 ( 115 ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 제 3 게이트 전극 ( 334 ) 은 몰리브덴 ( Mo ) , 구리 ( Cu ) , 티타늄 ( Ti ) , 알루미늄 ( Al ) 크롬 ( Cr ) , 금 ( Au ) , 니켈 ( Ni ) , 및 네오디뮴 ( Nd ) 중 어느 하나 또는 이 들 의 합금 으로 이루어진 단일 층 또는 다 중층 으로 형성 될 수 있 다 . 제 3 게이트 전극 ( 334 ) 은 제 3 액티브 층 ( 331 ) 및 제 2 게이트 절연 층 ( 115 ) 과 중첩 되 도록 패 터닝 될 수 있 다 . 제 3 게이트 전극 ( 334 ) 은 제 3 액티브 층 ( 331 ) 의 제 3 채널 영역 ( 331 a ) 과 중첩 되 도록 패 터닝 될 수 있 다 . 그리고 , 제 2 게이트 절연 층 ( 115 ) 은 제 3 액티브 층 ( 331 ) 의 제 3 채널 영역 ( 331 a ) 과 중첩 되 도록 패 터닝 될 수 있 다 . 따라서 , 제 3 게이트 전극 ( 334 ) 및 제 2 게이트 절연 층 ( 115 ) 은 제 3 액티브 층 ( 331 ) 의 제 3 채널 영역 ( 331 a ) 과 중첩 할 수 있 다 .