워드 라인 ( WL ) 은 기판 ( 50 ) 에 혹은 기판 ( 50 ) 상 에 제공 될 수 있 으며 , 예 를 들 어 n 형 의 불순물 이 도핑 된 반도체 층 일 수 있 다 . 워드 라인 ( WL ) 이 반도체 층 으로 형성 될 경우 , 이 워드 라인 용 반도체 층 은 기판 ( 50 ) 의 소정 영역 에 불순물 이 도핑 되 어 형성 되 거나 기판 ( 50 ) 상 에 에피 탁 시 반도체 층 을 형성 한 후 이 에피 탁 시 반도체 층 에 불순물 이 도핑 되 어 형성 되 거나 에피 탁 시 반도체 층 의 형성 과 함께 불순물 을 도핑 하 여 형성 될 수 있 다 . 또 , 워드 라인 ( WL ) 은 금속 성 박막 으로 형성 될 수 도 있 다 .