본 발명 의 다른 양상 에 따르 면 , 게이트 - 올 - 어 라운드 전계 효과 트랜지스터 ( GAA FET ) 를 형성 하 는 방법 에서 , 탄소 나노 튜브 ( CNT ) 가 지지 재료 에 매립 된 핀 구조물 이 기판 위 에 형성 되 며 , 분리 절연 층 이 형성 되 며 , 게이트 구조물 이 CNT 의 채널 영역 주위 에 게이트 대체 기술 을 사용 함 으로써 형성 되 고 , 소스 / 드레 인 접촉 부가 CNT 의 소스 / 드레 인 영역 과 접촉 하 여 형성 된다 . 소스 / 드레 인 접촉 부가 각각 의 CNT 의 일부 에 만 직접 접촉 하 고 유전체 층 이 각각 의 CNT 를 부분 적 으로 커버 하 고 소스 / 드레 인 접촉 부 와 각각 의 CNT 사이 에 배치 되 도록 소스 / 드레 인 접촉 부 가 형성 된다 .