상기 프로그램 및 소거 가 반복 적 으로 수행 됨 에 따라 , 상기 전하 들 은 터널 링 절 연막 을 반복 적 으로 터널 링 하 게 되 고 , 이 에 의해 상기 기판 과 상기 터널 링 절 연막 사이 의 계면 이 손상 을 입 게 된다 . 즉 , 상기 전하 들 에 의해 상기 계면 에 위치 하 는 실리콘 - 수소 결합 이 끊 어 지 고 댕 글 링 본드 가 형성 될 수 있 다 . 상기 댕 글 링 본드 는 계면 트랩 ( interface trap ) 으로 작용 하 여 상기 셀 트랜지스터 의 문턱 전압 을 변동 시킬 수 있 다 . 상기 문턱 전압 변동 에 의해 프로그램 되 어 있 는 셀 트랜지스터 의 특성 이 변화 될 수 있 고 , 셀 트랜지스터 에 저장 된 데이터 가 변할 수 있 다 . 이 에 의해 반도체 장치 의 신뢰 성 이 저하 될 수 있 다 .