이 와 같이 , 저 농도 의 제 1 불순물 영역 ( 140 ) 을 형성 하 여 고농도 의 제 2 불순물 영역 ( 160 ) 과 반도체 기판 ( 100 ) 사이 의 농도 차이 를 감소 시킴 으로써 , 안정 적 이 면서 도 약 10 V 이상 의 높 은 항복 전압 ( breakdown voltage ) 을 갖 는 고전압 트랜지스터 ( high voltage transistor ) 를 형성 할 수 있 다 .