도 45 및 도 46 은 다양 한 제조 단계 에서 본 개시 의 일부 다른 실시 예 에 따른 집 적 회로 디바이스 를 예시 한 단면도 를 제공 한다 . 이 들 도면 은 도 6 내지 도 44 에 의해 예시 된 제조 프로세스 의 변형 으로부터 의 결과 인 집 적 회로 를 도시 한다 . 도 45 는 도 29 의 단면도 ( 2800 ) 에 의해 예시 된 바 와 같 은 더미 게이트 전극 층 ( 181 ) 을 통한 제 1 에칭 없이 도 28 의 단면도 ( 2800 ) 에 의해 예시 된 구조물 위 에 측벽 스 페이서 층 ( 3001 ) 이 형성 되 는 경우 의 결과 를 도시 한 단면도 ( 4500 ) 를 예시 한다 . 도 46 은 도 31 의 단면도 ( 3100 ) 에 의해 예시 된 에칭 프로세스 가 도 45 의 단면도 ( 4500 ) 에 의해 예시 된 구조물 에 적용 될 때 의 결과 인 단면도 ( 4600 ) 를 예시 한다 . 도 31 과 도 45 를 비교 하 면 , 결과 적 인 구조물 이 , 도 45 의 경우 테이퍼 형 측벽 구조물 ( 187 F ) 이 더미 게이트 전극 층 ( 181 ) 의 연장 부 에 의해 큰 부분 에 형성 되 고 측벽 스 페이서 층 ( 3001 ) 의 남 은 것 이 더미 게이트 전극 층 ( 181 ) 위 에 있 는 작 은 스 페이서 ( 4601 ) 라는 점 을 제외 하 고는 , 매우 유사 할 수 있 다는 것 을 보여준다 . 스 페이서 ( 4601 ) 는 도 39 의 단면도 ( 3900 ) 에 의해 예시 된 바 와 같 은 평탄 화 프로세스 에 의해 제거 될 수 있 다 .