본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따른 커패시터 제조 방법 은 베이스 기판 의 상면 을 에칭 하 여 상기 베이스 기판 의 상면 에 서로 이웃 하 는 복수 의 상부 홈 을 형성 하 는 단계 ; 서로 이웃 하 는 상부 홈 및 서로 이웃 하 는 상부 홈 사이 의 기판 영역 상 에 제 1 산화 막 을 형성 하 는 단계 ; 베이스 기판 의 하면 에 제 2 산화 막 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 제 1 산화 막 및 제 2 산화 막 상 에 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .