일 실시 예 에 따르 면 , 3 차원 플래시 메모리 의 제조 방법 은 , 기판 의 일부분 을 식각 하 는 단계 ; 상기 기판 의 일부분 이 식각 된 공간 에 희생 막 을 생성 하 는 단계 ; 상기 희생 막 을 포함 하 는 기판 상 에 일 방향 으로 적어도 하나 의 수직 스트링 을 연장 형성 하 고 , 상기 적어도 하나 의 수직 스트링 에 대해 수직 적 으로 연결 되 도록 적층 되 는 복수 의 희생 층 들 을 생성 하 는 단계 ; 상기 복수 의 희생 층 들 을 제거 하 여 상기 복수 의 희생 층 들 이 제거 된 공간 들 에 복수 의 전극 층 들 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 희생 막 을 제거 하 여 상기 희생 막 이 제거 된 공간 에 상기 기판 에 매몰 되 도록 소스 라인 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .