종래 의 반도체 패키지 제조 공정 에서 는 반도체 칩 과 기판 간 의 전기 적 연결 을 위해 금선 과 같 은 전도성 세선 을 이용 하 거나 반도체 칩 에 형성 된 돌기 를 기판 에 부착 하 는 방법 을 사용 하 고 있 다 . 금선 을 이용 할 경우 금선 의 길이 로 인해 반도체 칩 특성 의 저하 를 야기 하 며 캐 필러 리라는 공정 부 재료 을 이용 하 여 접합 하 므로 반도체 칩 의 전기 단자 에 물리 적 충격 을 가하 게 되 어 반도체 칩 의 전기 단자 에 손상 내지 파괴 되 거나 , 공정 중 에 세선 이 휘어지 거나 , 금선 연결 을 위한 패키지 내부 의 공간 적 인 제약 이 따르 는 문제 가 발생 하 고 있 다 . 또한 반도체 칩 상 에 형성 된 돌기 를 이용 하 여 전기 적 연결 을 하 게 될 경우 돌기 와 기판 단자 간 의 연결부 를 보호 하 기 위해 언더 필 공정 을 필요 로 하 는데 , 언더 필 공정 에서 는 기판 표면 또는 반도체 칩 표면 특성 및 돌기 의 형태 내지 특성 에 따라 불 완전 충 진이 발생 할 수 있 으며 이 는 반도체 패키지 의 신뢰 성 에 치명 적 인 불량 을 야기 하 기 도 한다 .