우선 , 본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 유기 박막 트랜지스터 는 , 도 2 d 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 ( 110 ) 상 에 금속 물질 로 형성 된 게이트 전극 ( 112 ) 과 , 상기 게이트 전극 ( 112 ) 을 포함 한 기판 ( 110 ) 상 에 형성 되 는 게이트 절 연막 ( 114 ) 과 , 상기 게이트 전극 ( 112 ) 양 에지 의 상기 게이트 절 연막 ( 114 ) 위 에 투명 도 전막 예 를 들 어 , ITO 막 또는 IZO 막 으로 형성 된 소스 전극 ( 120 a ) 및 드레 인 전극 ( 120 b ) 과 , 상기 소스 / 드레 인 전극 ( 120 a , 120 b ) 을 포함 한 게이트 절 연막 ( 124 ) 위 에 형성 된 LCPBC ( Liquid Crystalline Polyfluorene Block Copolymer ) , 펜 타 센 ( Pentacene ) , 폴리 사 이 오 핀 ( polythiophene ) 등 의 유기 반도체 층 ( 124 ) 과 , 유기 반도체 층 ( 124 ) 과 접촉 하 는 부분 중 상기 소스 / 드레 인 전극 ( 120 a , 120 b ) 상부 면 에 만 형성 된 저항성 접착 층 ( 122 ) 으로 구성 된다 .