제 2 도전 성 사이드 월 구조 체 는 단일 층 구조 로 구성 하 는 것 도 가능 하 지만 , 전술 한 바 와 같이 다층 구조 로 하 는 것 도 가능 하 다 . 제 2 도전 성 사이드 월 구조 체 는 , 예 를 들 어 , 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 2 ) 과 , 그 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 2 ) 에 접하 는 제 8 게이트 측벽 도전 막 ( 25 - 2 ) 으로 구성 할 수 있 다 . 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 2 ) 은 도전 성 물질 로 구성 할 수 있 고 , 특별히 물질 을 한정 하 는 것 은 아니 지만 , 전형 적 으로 는 불순물 이 도입 된 폴리 실리콘 막 으로 구성 할 수 있 다 . 불순물 의 농도 는 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 예 를 들 어 , 2 E 20 [ 1 / ㎤] 여도 된다 . 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 2 ) 의 두께 , 즉 게이트 길 이 방향 의 치수 는 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 전형 적 으로 는 50 ㎚ 여도 된다 . 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 2 ) 의 폭 , 즉 게이트 폭 방향 의 치수 는 전술 한 게이트 구조 체의 게이트 폭 과 동일 한 것 이 바람직 하 다 . 제 8 게이트 측벽 도전 막 ( 25 - 2 ) 은 도전 성 물질 로 구성 할 수 있 고 , 특별히 물질 을 한정 하 는 것 은 아니 지만 , 전형 적 으로 는 불순물 이 도입 된 폴리 실리콘 막 으로 구성 할 수 있 다 . 불순물 의 농도 는 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 예 를 들 어 , 전술 한 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 2 ) 과 동일 한 2 E 20 [ 1 / ㎤] 여도 된다 . 제 8 게이트 측벽 도전 막 ( 25 - 2 ) 의 두께 , 즉 게이트 길 이 방향 의 치수 는 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 전형 적 으로 는 소스 ( 11 - 2 ) 의 치수 와 동일 해도 된다 . 제 8 게이트 측벽 도전 막 ( 25 - 2 ) 의 폭 , 즉 게이트 폭 방향 의 치수 는 전술 한 게이트 구조 체의 게이트 폭 과 동일 한 것 이 바람직 하 다 . 이 경우 , 소스 ( 11 - 2 ) 의 컨 택트 를 형성 하 기 위한 제 2 컨 택트 홀 ( 26 - 2 ) 을 그 제 8 게이트 측벽 도전 막 ( 25 - 2 ) 중 및 게이트 절 연막 ( 3 ) 중 에 각각 형성 한다 . 그 제 8 게이트 측벽 도전 막 ( 25 - 2 ) 의 게이트 길 이 방향 에 있 어서 의 치수 를 소스 ( 11 - 2 ) 의 치수 보다 짧 게 하 는 경우 , 소스 컨 택트 를 그 제 8 게이트 측벽 도전 막 ( 25 - 2 ) 보다 외측 에 형성 해도 된다 . 이 경우 , 게이트 절 연막 ( 3 ) 중 에 제 2 컨 택트 홀 ( 26 - 2 ) 을 형성 해도 된다 . 그 제 8 게이트 측벽 도전 막 ( 25 - 2 ) 의 상면 의 레벨 은 , 그 제 1 및 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 1 , 10 - 2 ) , 게이트 측벽 절 연막 ( 6 ) 및 제 3 및 제 4 게이트 측벽 절 연막 ( 7 - 1 , 7 - 2 ) 의 상면 레벨 과 실질 적 으로 동일 하 다 . 그 제 8 게이트 측벽 도전 막 ( 25 - 2 ) 은 , 이 시점 에서 는 불순물 이 도입 되 지 않 은 폴리 실리콘 으로 구성 된다 . 따라서 , 그 제 8 게이트 측벽 도전 막 ( 25 - 2 ) 에 그 제 1 및 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 1 , 10 - 2 ) 의 불순물 과 동일 한 도전 형 의 불순물 을 , 대략 동일 한 불순물 농도 로 도입 하 는 것 이 가능 하 다 .