도 12 를 참조 하 면 , 먼저 상술 한 도전 층 ( 110 , 120 , 130 ) , 절연 층 ( IL 1 , IL 2 , IL 3 ) , 제 1 전극 층 ( 130 ) 이 형성 된 제 1 베이스 ( 101 ) 상 에 무기 막 ( 160 ') 을 형성 한다 . 무기 막 ( 160 ') 을 형성 하 는 단계 는 진공 증착 법 또는 스퍼터링 이 이용 될 수 있 지만 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 . 무기 막 ( 160 ') 은 실리콘 옥사이드 ( SiOx ) , 실리콘 나이트 라이드 ( SiNx ) , 또는 실리콘 옥시 나이트 라이드 ( SiONx ) 를 포함 하 는 무기 막 용 조성물 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 .