화학 기상 증착 ( CVD ) 공정 을 이용 한 알루미늄 박막 의 증착 에 는 원천 적 재료 로서 전 구체 ( precursor ) 라는 알루미늄 화합물 을 사용 한다 . 금속 박막 을 증착 하 는 공정 에 있 어서 전구체 의 특성 및 선정 은 금속 박막 증착 공정 의 성패 를 좌우 하 는 중요 한 요소 이 다 . 현재 반도체 소자 의 컨 택 홀 매립 공정 에서 는 주로 알레인 ( AlH 3 ) 계열 의 알루미늄 전구체 를 사용 하 여 CVD 방법 으로 알루미늄 박막 을 형성 하 고 있 다 . 알루미늄 박막 의 증착 메커니즘 ( mechanism ) 은 열분해 방식 이 다 . 즉 , 150 ∼ 200 ℃ 정도 의 온도 에서 알레인 ( AlH 3 ) 계열 의 전구체 가 반도체 기판 에 흡착 된 후 , 열분해 에 의해 알루미늄 ( Al ) - 질소 ( N ) 결합 과 알루미늄 ( Al ) - 수소 ( H ) 결합 이 끊 어 지 면서 알루미늄 박막 이 증착 된다 .