또한 , 상기 유전체 층 을 포함 하 는 n 형 질화물 반도체 층 을 형성 하 는 단계 는 , 상기 기판 상 에 도핑 되 지 않 은 GaN ( U - GaN ) 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 U - GaN 층 상 에 제 1 n 형 GaN 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 n 형 GaN 층 상 에 유전체 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 유전체 층 을 패 터닝 하 는 단계 ; 및 상기 유전체 층 을 포함 하 는 제 1 n 형 GaN 층 상 에 상기 제 1 n 형 GaN 층 과 동일 한 제 2 n 형 GaN 층 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 여 이루어질 수 도 있 다 .