질화물 의 경우 에 바람직 한 기술 은 플 라즈 마 보조 고체 - 공급원 MBE 이 며 , 여기 서 는 갈륨 , 알루미늄 및 인듐 과 같 은 매우 순수 한 원소 가 서서히 증발 하 기 시작 할 때 까지 별도 의 분출 셀 ( effusion cell ) 에서 가열 된다 . 질소 원자 의 저 에너지 빔 을 생성 하 는데 rf - 플라 즈 마 질소 공급원 이 전형 적 으로 사용 된다 . 그런 다음 , 기체 원소 들 이 기판 상 에 응축 되 고 , 여기 서 이 들 은 서로 반응 할 수 있 다 . 갈륨 및 질소 의 예 에서 는 , " 단결정 GaN 이 형성 된다 . "" 빔 "" 이 라는 용어 의 사용 은 ", 플라 즈 마 공급원 으로부터 증발 된 원자 ( 예 를 들 어 갈륨 ) 및 질소 원자 가 기판 에 도달 할 때 까지 서로 또는 진공 챔버 기체 와 상호 작용 하 지 않 음 을 의미 한다 .