상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 115 ) 위 에 는 전류 확산 층 이 형성 될 수 있 으며 , 상기 전류 확산 층 은 ITO ( indium tin oxide ) , IZO ( indium zinc oxide ) , IZTO ( indium zinc tin oxide ) , IAZO ( indium aluminum zinc oxide ) , IGZO ( indium gallium zinc oxide ) , IGTO ( indium gallium tin oxide ) , AZO ( aluminum zinc oxide ) , ATO ( antimony tin oxide ) , GZO ( gallium zinc oxide ) 등 에서 선택 적 으로 형성 될 수 있 다 .