또한 , 본 발명 에서 제 1 기판 층 ( 110 a ) 및 제 2 기판 층 ( 110 b ) 으로 구별 하 여 기재 한 것 은 , 고농 도 보론 층 ( 120 ) 을 기준 으로 전면 ( FS ) 및 후면 ( BS ) 에 인접 하 는 영역 을 개념 적 으로 구별 하 기 위한 것 이 다 . 따라서 , 제 1 기판 층 ( 110 a ) 과 제 2 기판 층 이 서로 구별 되 는 별개 의 층 을 의미 하 는 것 은 아니 며 , 후술 할 실리콘 잉곳 을 절단 하 여 수득 된 다수 개 의 웨이퍼 중 하나 에 적용 되 는 것 이 다 . 즉 , 제 1 기판 층 ( 110 a ) 과 제 2 기판 층 ( 110 b ) 이 서로 다른 공정 을 통해 별도 로 형성 되 는 복합 층 을 의미 하 는 것 은 아니 다 .