또한 , 거리 a 를 크 게 함 으로써 , 소스 및 드레 인 ( 31 ) 의 게이트 길 이 방향 에 따른 길 이 , 소위 LDD 길이 를 크 게 할 수 있 다 . 따라서 , MOS 트랜지스터 TR 8 및 TR 9 에서 , 고전압 바이어스 시 에 , 드레 인 으로부터 게이트 에 걸친 전계 를 완화 할 수 있 어 , MOS 트랜지스터 TR 8 및 TR 9 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .