씨 모스 이미지 센서 ( 200 ) 는 상기 버스 ( 760 ) 또는 다른 통신 링크 를 통해서 프로세서 ( 710 ) 와 연결 되 어 통신 을 수행 할 수 있 다 . 상술 한 바 와 같이 , 씨 모스 이미지 센서 의 단위 화소 ( 400 ) 는 광 도파관 ( 435 ) 및 이산화규소 의 유전 율 보다 낮 은 유전율 을 갖 는 물질 로 구성 되 는 층간 절연 층 ( 433 ) 을 포함 할 수 있 다 . 이 경우 단위 화소 ( 400 ) 내 의 광 도파관 ( 435 ) 과 층간 절연 층 ( 433 ) 사이 의 전반사 임계각 이 감소 하 여 수광 효율 이 증가 할 수 있 다 . 또한 단위 능동 픽셀 센서 ( 110 ) 상 의 플로팅 확산 노드 ( FDN ) 의 커패시터 ( 116 ) 가 갖 는 커패시턴스 값 이 감소 하 여 전압 의 컨버전 이득 ( conversion gain ) 이 증가 하 므로 씨 모스 이미지 센서 의 수광 감도 가 향상 될 수 있 다 . 그리고 금속 배선 층 ( 431 ) 간 의 기생 커패시터 ( 480 ) 의 커패시턴스 값 이 감소 하 여 회로 의 동작 속도 가 증가 할 수 있 다 . 따라서 , 씨 모스 이미지 센서 ( 200 ) 를 포함 하 는 애플리케이션 시스템 ( 700 ) 의 동작 속도 가 증가 할 수 있 다 .