제 1 게이트 전극 ( 314 ) 은 제 1 액티브 층 ( 311 ) 의 제 1 채널 영역 ( 311 a ) 과 중첩 되 도록 제 1 게이트 절연 층 ( 112 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 제 1 커패시터 전극 ( 141 ) 은 표시 장치 ( 100 ) 의 구동 특성 과 박막 트랜지스터 의 구조 및 타입 등 에 기초 하 여 생략 될 수 도 있 다 . 그리고 , 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 은 제 2 액티브 층 ( 321 ) 의 제 2 채널 영역 ( 321 a ) 과 중첩 되 도록 제 1 게이트 절연 층 ( 112 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 제 1 게이트 전극 ( 314 ) , 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 의 하부 금속 층 ( 324 a ) , 및 제 1 커패시터 전극 ( 141 ) 은 동일 공정 에 의하 여 형성 될 수 있 다 . 그리고 , 제 1 게이트 전극 ( 314 ) , 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 의 하부 금속 층 ( 324 a ) , 및 제 1 커패시터 전극 ( 141 ) 은 동일 한 물질 로 형성 될 수 있 으며 , 동일 한 층상 에 형성 될 수 있 다 .