다음 에 도 16 내지 도 18 에 나타낸 바 와 같이 , 대략 20 - 50 Å 두께 의 게이트 절 연막 ( 140 ) 을 형성 하 고 , 그 위 에 게이트 도 전막 ( 151 ) 및 게이트 하드 마스크 막 ( 152 ) 이 순차 적 으로 적층 되 는 게이트 스택 ( 150 ) 을 형성 한다 . 상기 게이트 도 전막 ( 151 ) 은 대략 400 - 700 Å 두께 의 도핑 된 폴리 실리콘 막 과 대략 1000 - 1500 Å 두께 의 금속 실리사이드 막 이 순차 적 으로 적층 되 는 구조 로 형성 할 수 있 다 . 다음 에 상기 게이트 스택 ( 150 ) 및 게이트 절 연막 ( 140 ) 을 , 통상 의 방법 을 사용 하 여 패 터닝 하 되 , 패 터닝 된 게이트 스택 ( 150 ) 이 리세 스 된 제 1 영역 ( 210 ) 및 리세 스 되 지 않 은 제 2 영역 ( 220 ) 의 경계 에서 의 계단 형 단차 와 중첩 되 도록 한다 .