도 1 을 참조 하 면 , STI ( Shallow Trench Isolation ) 공정 에 의해 형성 되 어 소자 분리 영역 과 활성 영역 을 정의 하 는 소자 분리 막 ( 110 ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 100 ) 상부 에 터널 산화 막 ( 120 ) 이 형성 되 고 , 터널 산화 막 ( 120 ) 상부 에 는 제 1 도 전막 ( 130 a ) 및 제 2 도 전막 ( 130 b ) 으로 적층 되 며 소자 분리 막 ( 110 ) 의 가장 자리 와 중첩 되 는 플로팅 게이트 ( 130 ) 가 형성 된다 . 플로팅 게이트 ( 130 ) 와 그 사이 의 소자 분리 막 ( 110 ) 상부 에 는 ONO ( Oxide - Nitride - Oxide ) 유전체 막 ( 140 ) 과 컨트롤 게이 트 ( 150 ) 가 적층 구조 로 형성 된다 .