또한 , 종래 기술 에 의한 수평 형 의 씨 모스 이미지 센서 에 의하 면 기존 의 포토다이오드 의 경우 실리콘 기판 ( Si substrate ) 에 이온 주입 ( implant ) 를 하 여 P / N 졍 션 ( Junction ) 포토다이오드 ( Photodiode ) 를 구성 하 였 는데 , 기존 의 실리콘 기판 ( Si substrate ) 에 형성 된 포토다이오드 의 경우 마이크 로 렌즈 ( Micro Lens ) 의 포커 스 ( focus ) 에 따른 색 편차 및 메탈 ( Metal ) 에 의한 빛 반사 로 노이즈 ( noise ) 가 발생 하 는 등 의 문제 가 있 었 다 .