원료 흡착 부 의 별도 의 예 로서 는 , Si , GaAs 등 의 반 도 체부 를 들 수 있 다 . 예컨대 , 저해 층 ( 104 ) 의 표면 에 이온 플 레이팅 법 , 스퍼터링 법 등 의 방법 에 의해 비정질 반도체 , 반도체 다결정 을 퇴적 시킴 으로써 원료 흡착 부 로 할 수 있 다 . 원료 흡착 부 는 , 저해 층 ( 104 ) 과 , 인접 한 저해 층 ( 104 ) 사이 에 배치 되 어도 좋 고 , 저해 층 ( 104 ) 에 포함 되 어도 좋 다 . 또한 , 인접 한 2 개 의 피복 영역 사이 에 전구체 의 확산 이 저해 되 는 영역 이 배치 되 거나 또는 피복 영역 이 , 전 구체 의 확산 이 저해 되 는 영역 에 둘러싸 임 으로써 도 , 동일 한 효과 를 얻 을 수 있 다 .