또한 , 본 발명 의 일 형태 에서 는 , 적어도 , 트랜지스터 ( 111 ) 와 트랜지스터 ( 112 ) 가 , 산화물 반도체 층 에 채널 이 형성 되 는 트랜지스터 이 면 된다 . 따라서 , 위상 반전 소자 ( 101 ) 및 위상 반전 소자 ( 102 ) 에 사용 되 는 트랜지스터 , 선택 트랜지스터 ( 103 ) , 선택 트랜지스터 ( 104 ) 는 , 산화물 반도체 이외 의 반도체 로 이루어지 는 반도체 층 또는 반도체 기판 에 채널 이 형성 되 는 트랜지스터 를 사용 할 수 있 다 . 산화물 반도체 층 에 는 , 예 를 들 어 In - Ga - Zn - O 계 의 산화물 반도체 재료 를 사용 할 수 있 다 . 또한 , 산화물 반도체 이외 의 반도체 는 , 비정질 , 미결정 , 다 결정 또는 단결정 으로 할 수 있 고 , 실리콘 또는 게르마늄 으로 할 수 있 다 .