이러 한 특성 을 갖 는 교류 자기 결정 화 공정 챔버 ( 193 ) 내 의 스테이지 ( 미 도시 ) 상 에 상기 제 1 순수 비정질 실리콘 층 ( 도 3 b 의 109 ) 이 형성 된 기판 ( 101 ) 을 위치 시킨 후 , 상기 교류 자기 결정 화 공정 챔버 ( 193 ) 내 분위기 를 700 ℃ 내지 750 ℃ 가 되 도록 가온 시킨 뒤 , 이러 한 가온 된 분위기 에서 상기 기판 ( 101 ) 에 대해 수직 한 자기장 ( AMF ) 을 1 초 내지 60 초 동안 인가 한다 .