본 발명 의 일 실시 예 에서 는 , 선택 메모리 셀 이 연결 된 선택 워드 라인 과 상기 선택 워드 라인 에 인접 한 인접 워드 라인 사이 의 커패시턴스 값 을 감소 시킬 수 있 다 . 선택 워드 라인 과 인접 워드 라인 사이 의 커패시턴스 값 이 감소 할수록 리드 디스 터브 마진 이 증가 할 수 있 다 . 리드 디스 터브 마진 이 증가 하 면 리드 사이클 횟수 가 증가 할 수 있 다 .