성막 실 ( 2 ) 의 내벽 에 는 , 서 셉 터 ( S ) 와 동일 하 게 , 등방성 흑연 의 표면 에 CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 법 에 의해 SiC 를 피복 한 것 이 사용 된다 . 그래서 , 내벽 에 부착 된 SiC 막 을 제거 할 때 의 에 칭량 은 , 시간 에 의해 관리 하 는 것 이 바람직 하 다 . 내 벽 에 부착 되 는 SiC 막 은 , 내벽 을 구성 하 는 치밀 한 다결정 의 SiC 막 과 는 달리 , 치밀 하 지 않 은 다결정 의 막 으로 생각 된다 . 이 치밀 하 지 않 은 다결정 의 SiC 막 의 에칭 레이트 는 , 치밀 한 다결정 의 SiC 막 과 비교 하 여 빨라질 것 으로 예상 되 지만 , 동일 성분 이 므로 , 100 ％ 의 ClF 3 가스 를 사용 한 경우 의 선택 비 는 충분 하 지 않 을 것 으로 생각 된다 . 그래서 , 클리닝 처리 에 는 , 수소 가스 로 희석 시킨 10 ％ ∼ 20 ％ 농도 의 ClF 3 가스 를 에칭 가스 로서 사용 한다 . 단결정 의 SiC 막 의 에칭 에 는 , 통상 적 으로 100 ％ ClF 3 가스 가 사용 되 는데 , 이 경우 에 는 희석 시킨 ClF 3 가스 를 사용 함 으로써 , 치밀 한 다결정 의 SiC 막 과 치밀 하 지 않 은 다결정 의 SiC 막 사이 의 에칭 레이트 에 명확 한 차이 를 형성 할 수 있 다 . 요컨대 , 에칭 레이트 의 차이 를 이용 하 여 , 에칭 의 종점 을 시간 에 의해 관리 함 으로써 , 내벽 을 구성 하 는 SiC 막 을 실질 적 으로 에칭 하 지 않 고 내벽 에 부착 된 SiC 막 을 에칭 제거 할 수 있 다 . 또한 , 배관 에 부착 된 치밀 하 지 않 은 다결정 의 SiC 막 에 대해서 는 , 배관 을 분리 하 여 적당 한 약액 으로 클리닝 한다 .