다음 에 , 레지스 트 마스크 ( 56 ) 를 사용 하 여 미결정 반도체 막 ( 53 ) , 버퍼 층 ( 54 ) , 및 도전 형 을 부여 하 는 불순물 이 첨가 된 반도체 막 ( 55 ) 을 에칭 하 여 분리 하 고 , 도 10 ( B ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 미결정 반도체 막 ( 61 ) , 버퍼 층 ( 62 ) , 및 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 이 첨가 된 반도체 막 ( 63 ) 을 형성 한다 . 이 후 , 레지스 트 마스크 ( 56 ) 를 제거 한다 .