이러 한 본 발명 의 제 14 실시 예 에 따른 커패시터 는 베이스 기판 ( 211 ) 에서 하부 홈 ( 2112 ) 을 생략 하 고 , 제 1 유전 층 ( 212 ) 이 복수 의 상부 홈 ( 2111 ) 상 에 연속 형성 되 고 , 제 2 유전 층 ( 213 ) 이 베이스 기판 ( 211 ) 의 하면 에 연속 형성 되 고 , 제 1 전극 ( 214 ) 이 제 1 유전 층 ( 212 ) 전체 를 덮 고 , 제 2 전극 ( 215 ) 이 제 2 유전 층 ( 213 ) 전체 를 덮 도록 구성 한 것 을 제외 하 고는 본 발명 의 제 6 실시 예 에 따른 커패시터 와 유사 하 므로 구체 적 인 설명 은 생략 하 기 로 한다 .