일 양태 에서 , 반도체 구 조체 의 제조 방법 이 제공 되 고 , 이 방법 은 , III 족 - N 반도체 층 과 오 믹 접촉 하 는 소스 및 드레 인 전기 접촉 구조 체 , 및 상기 III 족 - N 반도체 층 과 접촉 하 고 소스 전기 접촉 구조 체 와 드레 인 전기 접촉 구조 체 사이 에 배치 되 는 게이트 전기 접촉 구조 체 를 갖 는 III 족 - N 반도체 층 을 제공 하 는 단계 ; 및 복수 의 전극 접촉 을 동시 에 형성 하 는 단계 로 , 복수 의 전극 접촉 의 각각 은 소스 및 드레 인 전기 접촉 구조 체 및 게이트 전기 접촉 구조 체 중 대응 하 는 하나 위 에 형성 되 어 전기 적 으로 연결 되 는 것 인 , 단계 ; 를 포함 한다 .