이때 열린 공동 ( 205 ) , 전극 패드 분리 홈 ( 114 ) , 다 이 분리 선 ( 215 ) 이 형성 된 실리콘 기판 ( 201 ) 의 하부 에 도 도전 막 ( 216 ) 이 형성 되 나 절 연막 ( 202 ) 과 실리콘 고정부 ( 211 ) 가 개재 되 어 부양 된 구조 체 와 는 전기 적 으로 절연 된다 . 따라서 일반 적 인 리프트 - 오프 공정 ( lift - off process ) 과 같 은 추가 적 인 금속 층 패 터닝 공정 이 불 필요 하 다 .