상기 와 같 은 제 1 박막 트랜지스터 ( TR 1 ) , 커패시터 ( Cst ) 및 제 2 박막 트랜지스터 ( TR 2 ) 의 구조 는 반드시 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 다양 한 형태 의 박막 트랜지스터 및 커패시터 의 구조 가 적용 가능 함 은 물론 이 다 . 예컨대 , 상기 제 1 박막 트랜지스터 ( TR 1 ) 및 제 2 박막 트랜지스터 ( TR 2 ) 는 탑 게이트 구조 로 형성 된 것 이 나 , 제 1 게이트 전극 ( 214 a ) 및 제 2 게이트 전극 ( 214 b ) 이 각각 제 1 반도체 활성 층 ( 212 a ) 및 제 2 반도체 활성 층 ( 212 b ) 하부 에 배치 된 바텀 게이트 구조 로 형성 될 수 도 있 다 . 물론 이 밖 에 도 적용 가능 한 모든 박막 트랜지스터 의 구조 가 적용 될 수 있 음 은 물론 이 다 .