이 에 따라서 산화 막 을 게이트 스 페이서 층 으로 사용 하 는 주변 회로 부 영역 의 트랜지스터 는 산화 막 의 두께 균 일도 가 나쁘 기 때문 에 소자 의 문턱 전압 특성 이 열화 되 었 다 . 또한 각 단위 공정 에서 불가피 하 게 발생 하 는 습식 세정 공정 시 에 산화 막 은 불가피 하 게 부분 적 으로 제거 될 수 밖 에 없 으므로 일정 한 두께 를 유지 하 기 어렵 다 .