최근 반도체 소자 의 제조 에 있 어서 고 밀도 화 및 고집 적 화 가 가속 되 고 있 다 . 이 에 대응 하 여 다층 배선 구조 가 일반 화 되 고 있 다 . 상기 다층 배선 구조 의 형성 을 위해서 는 콘 택 홀 이나 비 아홀 등 의 접속 용 홀 에 금속 재료 를 매립 하 는 기술 이 중요 하 다 . 상기 금속 재료 로 는 알루미늄 ( Al ) , 구리 ( Cu ) , 텅스텐 ( W ) 등 의 단일 금속 및 이 들 의 합금 이 사용 되 고 있 다 . 이 경우 , 상기 실리콘 기판 과 상기 금속 재료 사이 에 상기 금속 재료 의 성분 이 상기 실리콘 기판 으로 확산 하 는 것 을 방지 하 기 위한 Ti / TiN 막 을 형성 하 는 것 이 일반 적 이 다 . 이 를 위해 , 상기 접속 용 홀 을 상기 금속 재료 로 매립 하 기 에 앞서 상기 접속 용 홀 의 내벽 에 Ti 막 을 형성 하 고 , 상기 Ti 막 상 에 TiN 막 을 형성 하 는 것 이 일반 적 으로 쓰이 고 있 다 .