또한 , 상기 캡 핑 막 ( 120 ) 은 MSQ ( Methyl - Silsesquioxane ) , HSQ ( Hydrogen - Silsesquioxane ) 등 과 같 은 포로 젠 ( porogen ) 물질 또는 실리콘 산화물 ( silicon oxide ) 을 더 포함 할 수 있 다 . 이 는 , 상기 캡 핑 막 ( 120 ) 내 에 인위 적 으로 기공 들 을 더 형성 시킴 으로써 , 상기 캡 핑 막 ( 120 ) 하부 로 습식 액 의 침투력 을 향상 시킬 수 있 다 . 따라서 , 상기 몰드 막 ( 110 ) 및 희생 막 패턴 ( 116 ) 의 식각 율 ( etch rate ) 을 향상 시킬 수 있 다 .