도 2 b 를 참조 하 면 , 상기 산화 막 ( 218 ) 상 에 형성 한 마스크 패턴 ( 220 ) 을 식각 마 스 크로 이용 하 여 상기 활성 영역 의 게이트 형성 영역 및 비트 라인 콘 택 영역 을 노출 시킨 다음 , 상기 마스크 패턴 ( 220 ) 을 제거 한다 . 그리고 , 상기 노출 된 게이트 형성 영역 및 비트 라인 콘 택 영역 상 에 실리콘 에 피층 ( 204 ) 을 형성 한다 .