마스크 구조물 ( 425 ) 이 노출 될 때 까지 상기 소자 분리 막 을 부분 적 으로 제거 하 여 트렌치 들 ( 430 ) 을 각기 채우 면서 마스크 구조물 ( 425 ) 과 실질 적 으로 동일 한 높이 를 갖 는 예비 소자 분리 막 패턴 들 ( 435 ) 을 형성 한다 . 트렌치 들 ( 430 ) 내 에 예비 소자 분리 막 패턴 들 ( 435 ) 이 형성 되 면 반도체 기판 ( 400 ) 은 액티브 영역 들 및 필드 영역 들 로 구분 된다 .