Ge 농도 를 높 게 함 으로써 , 결정 화 농도 를 저하 시키 는 것 이 가능 하 게 되 어 , 저온 에서 양호 한 결정핵 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 랜덤 배향 으로 함 으로써 , 기판 측 표면 을 결정핵 으로 피복 할 수 있 다 . 또한 그 후 의 , 우선 성 장면 의 선택 의 자유도 가 확대 되 고 , 성막 조건 을 조정 함 으로써 성 장면 을 제어 할 수 있 다 .