그리고 , 본 발명 의 Al - Ni - B 계 합금 스퍼터링 타 겟 은 , B 의 내포 율 이 높 고 조직 이 미세 하 기 때문 에 , 스퍼터링 시 의 아 킹 현상 이 억제 되 는 결과 , 안정 한 스퍼터링 이 가능 하 게 되 고 , 또한 B 가 균일 하 게 분산 된 Al - Ni - B 계 합금 막 을 성막 할 수 있 다 . 또한 , B 가 균일 하 게 분산 된 Al - Ni - B 계 합금 막 이 면 , ITO ( Indium Tin Oxide ) 등 의 투명 전극 과 의 직접 접합 을 행했 을 때 에 , 그 접합 저항 을 낮 게 하 는 것 이 가능 하 게 된다 .