기판 ( 110 ) 내 에 제 2 소자 분리 패턴 들 ( 130 ) 이 제공 될 수 있 다 . 제 2 소자 분리 패턴 들 ( 130 ) 은 기판 ( 110 ) 의 제 1 면 ( 110 a ) 상 에 형성 되 는 얕 은 소자 분리 패턴 일 수 있 다 . 제 2 소자 분리 패턴 들 ( 130 ) 의 깊이 는 상기 제 1 소자 분리 패턴 들 의 깊이 보다 얕 을 수 있 다 .