상기 p - 1 . 1 Q 층 ( 22 ) 및 n - 1 . 1 Q 층 ( 14 ) 의 상부 및 하부 에 는 각각 p - 굴절 율 희석 층 ( 24 ) 및 n - 굴절 율 희석 층 ( 12 ) 이 형성 되 어 있 다 . 상기 p - 굴절 율 희석 층 ( 24 ) 은 p 형 불순물 이 도핑 된 InGaAsP 을 1 . 05 ㎛ 의 두께 로 구성 한다 . 상기 n - 굴절 율 희석 층 ( 12 ) 은 n 형 불순물 이 도핑 된 InGaAsP 을 1 . 05 ㎛ 의 두께 로 구성 한다 . 상기 p - 굴절 율 희석 층 ( 24 ) 및 n - 굴절 율 희석 층 ( 12 ) 은 각각 상기 p - 1 . 1 Q 층 ( 22 ) 및 n - 1 . 1 Q 층 ( 14 ) 보다 굴절 율 을 작 게 구성 한다 . 상기 p - 굴절 율 희석 층 ( 24 ) 및 n - 굴절 율 희석 층 ( 12 ) 의 형성 방법 및 그 구조 에 대해서 는 도 2 에서 설명 한다 .