이어서 , 후속 비트 라인 콘 택 이 형성 될 영역 즉 , 비트 라인 콘 택 예정 영역 의 게이트 텅스텐 막 ( 24 ) 을 일부 식각 하 기 위하 여 게이트 텅스텐 막 ( 24 ) 상 에 제 1 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 을 형성 한다 . 이때 , 제 1 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 의 평면도 는 도 5 a 을 참조 한다 . 후술 하 겠 지만 , 제 1 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 은 게이트 패턴 형성 을 위한 제 2 포토레지스트 패턴 과 교차 하 는 방향 으로 형성 된 것 이 며 , 또한 , 게이트 패턴 과 교차 하 도록 배치 되 는 비트 라인 이 지나가 는 부분 을 오픈 시키 는 패턴 이 다 . 여기 서 , 비트 라인 이 지나가 는 부분 은 통상 적 으로 활성 영역 사이 의 소자 분리 막 ( 21 ) 상부 이 며 , 활성 영역 ( 20 A ) 상부 를 가로지르 도록 배치 되 는 게이트 패턴 과 는 수직 으로 교차 하 여 배치 된 다 .