하나 의 양태 에서 , 표면 에서 결함 을 확인 하 기 위한 방법 이 제공 된다 . 이 방법 은 ( a ) 친수성 층 에 의해 적어도 부분 적 으로 코팅 된 소수성 표면 을 갖 는 기재 를 제공 하 는 단계 로서 , 친수성 층 은 내부 에 결함 을 보유 하 는 것 인 단계 , ( b ) 그 기재 를 친유성 형광 물질 이 결함 과 접촉 하 기 에 충분 한 양 의 시간 동안 그 물질 과 접촉 시키 는 단계 , ( c ) 형광 물질 을 적당 한 파장 의 에너지 로 여기 시켜서 검출 가능 한 형광 반응 을 발생 시키 는 단계 , 및 ( d ) 그 물질 의 형광 반응 을 검출 하 는 단계 를 포함 한다 . 상기 방법 은 기재 를 친유성 형광 물질 과 접촉 시키 는 단계 후 에 기재 를 세척 하 는 단계 를 추가 로 포함 할 수 있 다 . 상기 기재 는 중합체 를 포함 할 수 있 다 . 상기 친수성 층 은 무기 물질 ( 예 를 들 면 , 금속 산화물 ) 일 수 있 거나 , 또는 그 무기 물질 을 포함 할 수 있 다 . 친수성 층 은 전형 적 으로 10 Å 미만 의 두께 로 존재 한다 . 상기 친유성 형광 물질 은 4 , 4 - 디 플 루 오로 - 4 - 보라 - 3 a , 4 a - 디 아자 - s - 인다 센 부분 을 포함 하 는 형광 화합물 일 수 있 다 . 이 친유성 형광 물질 은 친유성 부분 을 추가 로 포함 할 수 있 거나 , 또는 2 개 이상 의 친유성 부분 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 그 친유성 부분 은 1 - 20 개 의 탄소 원자 를 갖 는 탄화수소 , 예컨대 1 - 20 개 의 탄소 원자 를 보유 하 는 알킬 기 , 또는 페닐 또는 스티 릴 기 일 수 있 다 . 상기 친유성 형광 물질 은 마이크 로 입자 또는 반도체 나노 결정 과 회합 될 수 있 다 .