상기 기술 적 과제 를 이루 기 위하 여 본 발명 에 의한 반도체 소자 의 컨 택 형성 방법 은 , 반도체 기판 상 에 형성 된 층간 절 연막 에 컨 택 홀 을 형성 하 는 단계 ; 상기 반도체 기판 이 로딩 된 반응 챔버 내 에 알루미늄 전구체 를 포함 하 는 반응 가스 를 주입 하 는 단계 와 상기 전구체 의 열분해 가 일어나 도록 상기 반응 챔버 에 반응 에너지 를 공급 하 는 단계 를 주기 적 으로 반복 하 여 상기 반도체 기판 에 제 1 알루미늄 막 을 증착 하 는 단 계 ; 및 상기 컨 택 홀 을 제 2 알루미늄 막 으로 매립 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .