또한 , HEMT 는 고농 도 불순물 ( donor ) 을 첨가 한 갈륨비소 알루미늄 ( AlGaAs ) 를 접합 한 반도체 의 헤테로 접합 계면 에 발생 하 는 2 차원 전자가스 를 채널 로 활용 하 는 전계 효과 트랜지스터 ( FET ; Field Effect Transistor ) 로서 , 이러 한 금속 화합물 반도체 소자 는 실리콘 형 반도체 소자 에서 볼 수 없 는 몇 가지 특징 을 가진다 .