본 발명 에 따른 반도체 장치 의 제조 방법 에서 는 반도체 기판 위 에 n 채널 MOS 트랜지스터 및 p 채널 MOS 트랜지스터 를 형성 하 고 , 상기 n 채널 MOS 트랜지스터 의 채널 에 전자 의 이동 방향 으로 의 정 인장 변형 을 생기 게 하 고 , 상기 p 채널 MOS 트랜지스터 의 채널 에 정공 의 이동 방향 으로 의 정 압축 변형 을 생기 게 하 는 응력 인가 막 을 형성 한다 .