본 실시 형태 의 검사 장치 는 , 몰드 의 제 2 패턴 을 웨이퍼 상 에 전사 하 여 형성 된 제 1 패턴 에 , 전자 빔 의 조사 를 행하 는 조사원 과 , 조사 에 의해 상기 제 1 패턴 으로부터 생기 는 제 1 검사 화상 을 취득 하 는 검출 회로 와 , 제 1 검사 화상 에 포함 되 는 제 1 윤곽 에 평행 인 방향 으로 제 1 사이즈 를 갖 고 , 제 1 윤곽 에 수직 인 방향 으로 제 1 사이즈 보다 작 은 제 2 사이즈 를 갖 는 국소 영역 을 사용 하 여 평활 화 를 행하 여 , 평활 화 에 의해 생성 된 제 2 윤곽 을 포함 하 는 제 2 검사 화상 을 취득 하 는 필터 회로 와 , 제 2 검사 화상 과 소정 의 기준 화상 을 비교 하 는 비교 회로 를 구비 하 는 검사 장치 이 다 .