최근 에 는 종래 CVD 방식 에 비하 여 박막 균일 도 나 계단 도 포성 ( step coverage ) 이 매우 우수 한 ALD ( Atomic Layer Deposition ) 법 이 미세 패턴 이 요구 되 는 게이트 산화 막 ( gate - oxide layer ) , 커패시터 유전 막 ( capacitor dielectric layer ) , 확산 방지 막 ( diffusion barrier layer ) 등 의 증착 공정 을 중심 으로 많이 사용 되 고 있 다 .