구체 적 으로 , 반도체 기판 ( 200 ) 내 에 소정 깊이 의 트렌치 를 형성 한다 . 다음 에 트렌치 를 절 연막 을 이용 하 여 매립 한다 . 계속 해서 반도체 기판 의 표면 이 노출 될 때 까지 절 연막 에 평탄 화 공정 , 예 를 들 어 화학 적 기계 적 연마 ( CMP ; Chemical mechanical polishing ) 공정 을 진행 하 여 활성 영역 과 소자 분리 영역 을 분리 하 는 소자 분리 막 ( 210 ) 을 형성 한다 . 여기 서 소자 분리 막 ( 210 ) 은 산화 막 , 예 를 들 어 고밀도 플라 즈 마 산화 막 ( HDP ; High density plasma ) 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 .