도 12 를 참고 하 면 , 웨이퍼 ( 200 ) 를 다 이싱 하 기 전 에 , 트렌치 는 241 - 243 으로 도시 된 바 와 같이 다 이싱 점 에서 잘려 진다 . 각각 의 트렌치 는 웨이퍼 ( 200 ) 의 상부 표면 에서 활성 층 아래 지점 으로 확장 한다 . 절연 물질 은 245 로 도시 된 바 와 같이 트렌치 의 벽 상 에 증착 된다 . 절연 물질 은 본 발명 의 일 실시 예 에서 SiOx 또는 SiNx 이 다 . 절연 층 은 또 다른 패 키 징 없이 인쇄 회로 기판 에 다 이 가 바로 결합 될 수 있 도록 습기 로부터 p - 층 및 활성 층 을 보호 하 기 위해 다이 의 가장자리 를 밀봉 한다 . 패드 ( 221 , 222 ) 는 다이 ( 220 ) 에 플립 - 칩 결합 패드 를 제공 하 며 , 패드 ( 231 , 232 ) 는 다이 ( 230 ) 에 플립 - 칩 결합 패드 를 제공 한다 .