상기 수직 전계 트랜지스터 에 있 어서 , 유효 게이트 길이 ( GL ) 는 , 게이트 전극 ( GL ) 의 수직 길이 가 아니 라 , 상기 제 1 절 연막 ( 5 ) 의 상부 면 으로부터 상기 스 페이서 ( 17 ) 의 하부 면 까지 의 수직 길이 에 해당 할 수 있 다 . 즉 , 상기 유효 게이트 길이 ( GL ) 가 상기 스 페이서 ( 17 ) 에 의해 결정 된다 . 여기 서 유효 게이트 길이 ( GL ) 라 함 은 하나 의 수직 전계 효과 트랜지스터 에서 게이트 전극 ( GL ) 이 활성 기둥 ( AP ) 에 인접 하 여 실질 적 으로 게이트 전극 으로 기능 을 할 수 있 는 부분 의 길이 를 의미 한다 . 만약 상기 스 페이서 ( 17 ) 가 없 고 , 게이트 전극 ( 27 ) 이 본 발명 과 다르 게 짧 아 , 활성 기둥 의 일부 만 덮 도록 형성 되 는 경우 에 는 게이트 전극 ( 27 ) 의 수직 길이 가 유효 게이트 길이 와 동일 해질 수 있 다 . 이 경우 에 는 , 게이트 전극 을 구성 하 는 금속 을 식각 할 때 발생 하 는 식각 산포 에 의해 위치 에 따라 유효 게이트 길이 의 산포 가 매우 크 게 발생 하 게 된다 . 그러나 스 페이서 ( 17 ) 의 하 부면 의 높이 는 절 연막 을 식각 함 으로써 결정 될 수 있 다 . 절 연막 을 식각 할 때 발생 하 는 식각 산포 는 금속 에 비하 여 매우 적 게 된다 . 따라서 유효 게이트 길이 의 산포 가 작아지 게 되 어 문턱 전압 의 산포도 줄일 수 있 다 . 상기 스 페이서 에 의해 수직 전계 효과 트랜지스터 들 의 유효 게이트 길이 들 이 일정 하 게 되 어 일정 한 문턱 전압 을 나타낼 수 있 다 . 또한 상기 제 2 소오 스 / 드레 인부 ( 15 ) 가 상기 활성 기둥 ( AP ) 보다 넓 은 폭 을 가져 상기 트랜지스터 의 구 동시 저항 을 줄일 수 있 다 . 상기 게이트 전극 ( 27 ) 이 상기 활성 기둥 ( AP ) 을 감싸 므로 채널 전류 를 증가 시키 며 쇼트 채널 효과 를 해결 할 수 있 다 .