도 6 a 내지 도 6 h 는 제 2 실시 예 에 따른 반도체 장치 제조 방법 을 설명 하 기 위한 단면도 이 다 . 먼저 , 제 1 실시 예 에서 와 유사 한 처리 에 따라 , 레지스 트 ( 6 a 및 6 b ) 의 슬 리밍 처리 로서 산소 가스 를 이용한 플라 즈 마 처리 를 이용 하 여 그 라인 의 레지스 트 ( 6 a 및 6 b ) 를 등방성 리세 싱하 여 , 라인 - 스페이스 의 비율 을 조절 한다 ( 도 6 a ) . 이때 , 라인 의 레지스 트 ( 6 a 및 6 b ) 폭 은 , 레지스 트 ( 6 a ) 의 라인 - 스페이스 의 비율 이 1 : 3 보다 크 게 형성 되 도록 , 제 1 실시 예 에서 의 슬 리밍 처리 시 ( 도 1 b ) 최종 목표 치수 보다 크 게 형성 된다 .