이어서 , 게이트 패턴 ( 33 ) 을 포함 하 는 결과물 의 전면 에 분리 보호막 ( 34 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 분리 보호막 ( 34 ) 은 LDD 영역 의 기판 ( 31 ) 을 리세 스 ( Recess ) 할 때 채널 ( Channel ) 영역 과 리세 스 ( Recess ) 영역 을 물리 적 으로 분리 시키 기 위한 것 으로 , 절 연막 으로 형성 할 수 있 다 . 이때 , 절연 막 은 SiO 2 , Si 3 N 4 , SiBN 및 SiON 의 그룹 중 에서 선택 된 어느 하나 로 형성 할 수 있 다 . 또한 , 최적 의 LDD extension 형성 ( 최적 의 게이트 와 LDD 간 의 오버랩 형성 ) 및 채널 영역 의 압축성 변형 ( Compressive Strain ) 을 조절 할 수 있 도록 20 Å ∼ 300 Å 의 두께 로 형성 할 수 있 고 , 화학 기상 증착 법 ( Chemical Vapor Deposition ) 또는 원자 층 증착 법 ( Atomic Layer Depositon ) 으로 형성 할 수 있 다 .