일부 실시 예 에서 , 테이퍼 형 측벽 구조물 은 더미 게이트 전극 층 의 일부 의 상부 상 에 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 더미 게이트 유전체 층 은 두께 를 가지 며 , 테이퍼 형 측벽 구조물 은 그 두께 이하 의 거리 만큼 아이 솔 레 이 션 구조물 위 에 이격 되 어 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 테이퍼 형 측벽 구조물 은 로직 영역 을 향해 테이퍼 ( taper ) 를 가지 며 , 더미 게이트 유전체 층 은 테이퍼 를 넘 어 연장 하 지 않 는다 . 일부 실시 예 에서 , 더미 게이트 유전체 층 이 없 는 테이퍼 형 측벽 구조물 과 아이 솔 레 이 션 구조물 사이 의 영역 을 생성 하 도록 , 더미 게이트 유전체 층 의 하나 이상 의 층 이 테이퍼 형 측벽 구조물 아래 에 완전히 연장 하 는 것 으로부터 끊 어 지 고 , 더미 게이트 유전체 층 이 없 는 테이퍼 형 측벽 구조물 과 아이 솔 레 이 션 구조물 사이 의 영역 은 , 더미 게이트 유전체 층 과 상이 한 조성 또는 구조 를 갖 는 유전체 로 채워진다 . 이 들 실시 예 는 , 테이퍼 형 측벽 구조물 이 더미 게이트 유전체 층 위 에 형성 되 었 고 더미 게이트 유전체 층 이 테이퍼 형 측벽 구조물 이 형성 된 후 에 로직 영역 에서 만 관통 에칭 됨 을 반영 하 며 , 그 에 의해 테이퍼 형 측벽 구조물 은 오염 을 감소 시키 고 더미 게이트 유전체 층 은 테이퍼 형 측벽 구조물 이 형성 되 는 동안 로직 영역 을 보호 한다 .