일 실시 예 에서 , 복수 의 비휘발성 메모리 들 ( 340 a , 340 b , 340 c ) 각각 은 NAND 플래시 메모리 ( Flash Memory ) 를 포함 할 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 복수 의 비휘발성 메모리 들 ( 340 a , 340 b , 340 c ) 각각 은 EEPROM ( Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory ) , PRAM ( Phase Change Random Access Memory ) , RRAM ( Resistance Random Access Memory ) , NFGM ( Nano Floating Gate Memory ) , PoRAM ( Polymer Random Access Memory ) , MRAM ( Magnetic Random Access Memory ) , FRAM ( Ferroelectric Random Access Memory ) 또는 이 와 유사 한 메모리 를 포함 할 수 있 다 .