도 1 a 내지 도 1 d 는 종래 기술 에 따른 낸드 플래시 메모리 소자 의 제조 방법 을 설명 하 기 위하 여 도시 한 공정 단면도 로서 , 워드 라인 ( word line ) 을 형성 하 기 위한 게이트 식각 공정 시 컨트롤 게이트 , 유전체 막 , 플로팅 게이트 , 터널 링 산화 막 이 제거 되 는 부위 , 즉 워드 라인 사이 를 절단 하 여 도시 한 단면도 이 다 .