다음 , 도 4 b 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 제 1 , 2 포토레지스트 패턴 ( 90 a , 도 4 a 의 90 b ) 외부 로 노출 된 상기 금속 물질 층 ( 도 4 a 의 28 ) 과 그 하부 의 불순 불 비정질 실리콘 층 ( 도 4 a 의 24 ) 및 순수 비정질 실리콘 층 ( 도 4 a 의 21 ) 을 연속 하 여 식각 함 으로써 동일 한 형태 로서 금속 패턴 ( 29 ) 과 , 그 하부 로 불순물 비정질 실리콘 패턴 ( 25 ) 과 순수 비정질 실리콘 의 액티브 층 ( 22 ) 을 형성 한다 .