반도체 산업 의 발달 에 따라 , 반도체 소자 의 특성 크기 는 계속 적 으로 감소 하 고 있 고 , 칩 의 집적 이 증가 하 고 있 다 . 이 에 따라 , 기판 표면 청결 에 대한 요구 가 매우 엄격 해 지 는데 , 그 이유 는 불량 한 세정 이 집 적 회로 제조 비용 을 증대 시키 는 소자 결함 을 야기 할 수 있 기 때문 이 다 . 고품질 반도체 소자 를 얻 기 위해 , 기판 은 매우 깨끗 한 표면 을 가져야 만 하 며 , 이 는 입자 , 금속 , 유기물 등 이 존재 하 지 않 음 을 의미 한다 . 그러나 , 완전히 깨끗 한 기판 표면 이 존재 하 지 않 지만 , VLSI 의 개발 은 기판 표면 이 가능 한 한 깨끗 하 게 되 는 것 으로 요구 하 며 , 이 는 기판 세정 프로세스 에 직면 하 게 한다 . 이제 통상 적 으로 가해 지 는 세정 방법 은 유기 용매 , 알칼리 용액 , 산 용액 , 계면 활성제 , 및 울트라 또는 메 가 음파 와 함께 작용 하 는 다른 화학 시약 , 기판 의 표면 으로부터 입자 , 금속 , 유기물 등 의 오염물 을 제거 하 기 위한 가열 및 다른 물리 적 조치 를 이용 한 다음 , 깨끗 한 기판 을 얻 기 위해 탈 이온 수 로 기판 을 린스 하 는 습식 화학 세정 이 다 .