도 6 은 광 산란 데이터 에 기초 하 여 퇴적 챔버 내부 에 존재 하 는 미립자 오염 물질 들 의 실시간 검출 방법 ( 600 ) 의 하나 의 가능 한 구현 의 흐름 도 이 다 . 방법 ( 600 ) 은 도 1 , 도 2 a , 도 2 b , 도 3 a , 도 4 또는 도 5 에 도시 된 시스템 들 및 컴포넌트 들 , 또는 이 들 의 소정 조합 을 사용 하 여 수행 될 수 있 다 . 방법 ( 600 ) 은 단일 광 빔 을 생성 하 는 단일 광원 , 또는 단일 광원 및 하나 보다 많 은 광 빔 을 생성 하 기 위한 하나 이상 의 빔 스플리터 를 사용 하 여 수행 될 수 있 거나 , 복수 의 광원 을 사용 하 여 수행 될 수 있 다 . 방법 ( 600 ) 의 일부 또는 모든 블록 은 일부 구현 들 에서 컴퓨팅 디바이스 ( 116 ) 와 같 은 컴퓨팅 디바이스 로부터 의 명령어 들 에 응답 하 여 수행 될 수 있 다 . 컴퓨팅 디바이스 ( 116 ) 는 하나 이상 의 메모리 디바이스 에 결합 된 하나 이상 의 프로세싱 디바이스 ( 예 를 들 어 , 중앙 처리 장치 ) 를 가질 수 있 다 . 방법 ( 600 ) 은 하나 의 구현 에서 , 웨이퍼 의 표면 상 에 원자 들 을 퇴적 하 는 프로세스 와 같이 , 챔버 내부 에서 발생 하 는 제조 프로세스 동안 수행 될 수 있 다 . 일부 구현 들 에서 는 단 하나 의 유형 의 재료 만 이 퇴적 되 고 있 는 반면 에 , 다른 구현 들 에서 는 복수 의 상이 한 유형 들 의 재료 들 이 퇴적 될 수 있 다 . 일부 구현 들 에서 , 제조 프로세스 는 하나 보다 많 은 웨이퍼 를 수반 할 수 있 다 . 제조 프로세스 는 낮 은 온도 들 에서 , 또는 실온 보다 낮 거나 상당히 낮 은 온도 들 에서 발생 할 수 있 다 . 대안 적 으로 , 제조 프로세스 는 실온 에서 , 실온 을 초과 하 여 , 또는 실온 을 상당히 초과 하 여 발생 할 수 있 다 . 일부 구현 들 에서 , 챔버 내부 의 압력 은 저 진공 또는 고진공 조건 을 포함 하 여 , 대기압 보다 낮 거나 상당히 낮 을 수 있 다 . 방법 ( 600 ) 은 일부 구현 들 에서 제조 프로세스 를 중단 하 지 않 고서 수행 될 수 있 다 .