그 후 , 도 7 e 에 도시 된 바 와 같이 , 제 5 포토 마스크 를 이용 하 여 격벽 ( 380 ) 이 형성 된 제 1 기판 ( 320 ) 의 보호 층 ( 324 ) 을 식각 하 여 박막 트랜지스터 의 드레 인 전극 ( 316 ) 을 외부 로 노출 시키 는 컨 택 홀 ( 317 ) 을 형성 하 고 상기 제 1 기판 ( 320 ) 전체 에 걸쳐서 ITO 와 같 은 투명 도 전 물질 이나 Mo , AlNd 와 같 은 금속 을 적층 하 여 도전 층 ( 318 a ) 를 형성 한다 . 이때 , 상기 도전 층 ( 318 a ) 은 복수 의 금속 층 으로 형성 될 수 도 있 다 . 즉 , Cu 와 MoTi 와 같 은 복수 의 금속 층 을 연속 적층 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 , 상기 도전 층 ( 318 a ) 는 카본 나노 튜브 나 수용성 도전 고분자 를 사용 하 여 형성 할 수 도 있 다 .