상기 유기 막 형성 용 조성물 ( UDL - 1 ∼ 23 , 비교 UDL - 8 ∼ 14 ) 을 , 각각 300 nm 의 SiO 2 막 이 형성 되 어 있 는 실리콘 웨이퍼 기판 상 에 도포 하 고 , 산소 농도 가 0 . 2 % 이하 로 관리 된 질소 기류 하 , 450 ℃ 에서 60 초 소성 하 여 , 유기 막 ( 레지스 트 중간막 ) 을 형성 했 다 . 그 위 에 CVD - SiON 하드 마스크 를 형성 하 고 , 또한 유기 반사 방지 막 재료 ( ARC - 29 A : 닛산 카가 쿠사 제조 ) 를 도포 하 고 , 210 ℃ 에서 60 초간 베 이크 하 여 막 두께 80 nm 의 유기 반사 방지 막 을 형성 하 고 , 그 위 에 레지스 트 상 층막 재료 의 ArF 용 단층 레지스 트 를 도포 하 고 , 105 ℃ 에서 60 초간 베 이크 하 여 막 두께 100 nm 의 포토레지스트 막 을 형성 했 다 . 포토레지스트 막 상 에 액침 보호막 재료 ( TC - 1 ) 를 도포 하 고 , 90 ℃ 에서 60 초간 베 이크 하 여 막 두께 50 nm 의 보호막 을 형성 했 다 . 또한 , 비교 UDL - 1 ∼ UDL - 7 에 관해서 는 , 용제 내성 을 확보 할 수 없 었 기 때문 에 이후 의 패턴 형성 시험 으로 진행 할 수 는 없 었 다 .