본 실시 예 에 따른 기억 장치 ( 200 ) 의 3 차원 적층 구조 는 앞서 설명 된 뉴로 모 픽 시스템 ( 100 ) 의 실시 예 들 을 참조 하 여 이해 될 수 있 으므로 , 이 에 대한 상세 한 설명 은 생략 한다 . 본 실시 예 에 따른 기억 장치 ( 200 ) 에 의하 면 , 하나 의 메모리 셀 에 멀티 레벨 의 데이터 를 기억 할 수 있 으며 , 정보 보존 능력 을 높일 수 있 으며 , 또한 반도체 소자 의 집적도 를 높일 수 있 다 .