먼저 , 도 17 의 단계 S 301 에 있 어서 , 1 로트 의 플레이트 상 에 금속 막 이 증 착 된다 . 다음 의 단계 S 302 에 있 어서 , 코터 디벨로 퍼 장치 가 구비 하 는 도포 부 에 의해 1 로트 의 플레이트 상 의 금속 막 상 에 포토레지스트 가 도포 된다 . 그리고 , 반송 장치 에 의해 플레이트 가 코터 디벨로 퍼 장치 로부터 노광 장치 로 반송 된다 . 그 후 , 단계 S 303 에 있 어서 , 상술 한 각 실시 형태 에 관련 된 디바이스 제조 시스템 이 구비 하 는 노광 장치 를 사용 하 여 , 마스크 의 패턴 이미지 가 투영 광학계 를 통하 여 그 1 로트 의 플레이트 상 의 각 쇼트 영역 에 순차 적 으로 노광 전사 된다 . 그 후 , 단계 S 304 에 있 어서 , 코터 디벨로 퍼 장치 가 구비 하 는 현상 부 에 의해 1 로트 의 플레이트 상 의 포토레지스트 의 현상 이 실시 된 후 , 단계 S 305 에 있 어서 , 그 1 로트 의 플레이트 상 에서 레지스 트 패턴 을 마스크 로 하 여 에칭 을 실시 함 으로써 , 마스크 의 패턴 에 대응 하 는 회로 패턴 이 , 각 플레이트 상 의 각 쇼트 영역 에 형성 된다 .