디바이스 ( 200 ) 는 활성 영역 들 을 기판 의 다른 영역 들 로부터 분리 하 기 위해 기판 ( 230 ) 에 형성 된 얕 은 트렌치 분리 ( shallow trench isolation ; STI ) 피 쳐 들 또는 LOCOS 피 쳐 들 과 같 은 분리 구조 들 ( isolation structures ) 을 더 포함 할 수 있 다 . 활성 영역 들 은 일 예 로 NMOS 디바이스 ( 예컨대 , nFET ) 또는 PMOS 디바이스 ( 예컨대 , pFET ) 로서 구성 될 수 있 다 .