상기 와 같 은 종래 기술 은 여러 단계 의 복잡 한 과정 을 통하 여 고품위 의 SOS 박막 을 얻 으려 하 지만 , Si 성장 단계 에서 Si 과 사파이어 간 의 격자 부적합 과 열팽창 율 차이 로 발생 한 결정 결함 을 , 후처리 공정 을 통하 여 제거 하 는 효과 는 충분 하 지 않 으며 , 또한 격자 부정합 에 의한 표면 에너지 ( surface energy ) 로 인하 여 성장 된 Si 박막 이 박막 표면 이 거칠 게 되 어 소자 제작 시 기계 적 연마 공정 등 이 필요 하 므로 공정 효율 도 떨어진다는 문제 가 있 었 다 .