표면 매립 첨가제 의 추가 를 통해 , 태양 디바이스 ( 600 ) 는 Voc × Jsc × FF / PAMI . 5 로 표현 될 수 있 는 향상 된 태양광 파워 변환 효율 로 동작 할 수 있 는데 , 여기 서 Voc 는 개회로 전압 에 대응 하 고 , Jsc 는 단락 전류 에 대응 하 고 , FF 는 충전 도 이 고 , PAMI . 5 는 AM 1 . 5 태양 스펙트럼 으로부터 의 단위 면적 단 입사 파워 이 다 . 태양 디바이스 ( 600 ) 의 하나 이상 의 층 에 향상 된 전기 전도율 을 제공 함 으로써 , 태양광 파워 변환 효율 은 충 진도 및 Jsc 를 증가 시킴 으로써 증가 할 수 있 다 . 태양 디바이스 ( 600 ) 의 하나 이상 의 층 에 향상 된 투과율 을 제공 함 으로써 , 태양광 파워 변환 효율 은 Jsc 를 증가 시킴 으로써 증가 할 수 있 다 . 흡수 유도 첨가제 의 추가 를 통해 향상 된 흡수율 을 제공 함 으로써 , 태양광 파워 변환 효율 은 Jsc 를 증가 시킴 으로써 증가 될 수 있 다 . 그리고 , 스펙트럼 시프팅 첨가제 의 추가 를 통해 태양광 스펙트럼 의 강화 된 사용 율 을 제공 함 으로써 , 태양 광 변환 효율 은 Jsc 를 증가 시킴 으로써 증가 될 수 있 다 . 다운 시프팅 은 CIGS 및 CdTe 태양 디바이스 와 같 은 , 청색광 을 흡수 할 수 있 는 CdS 버퍼 층 을 사용 하 는 , 특정 한 박막 태양 디바이스 에 유용 할 수 있 다 . 이러 한 디바이스 에서 , 다운 시프팅 은 CdS 층 이 원치 않 는 흡수 를 하 는 것 을 방지 하 거나 줄일 수 있 고 , 그 로 인해 직접 적 으로 Jsc 를 증가 시킴 은 물론 , 선 트 저항 을 증가 시킬 수 있 는 더 두꺼운 CdS 층 을 허용 함 으로써 충전 도 및 Voc 를 간접 적 으로 향상 시킨다 . 몇몇 실시 예 에서 , 태양광 파워 변환 효율 은 적어도 대략 10 %, 적어도 대략 12 %, 적어도 대략 15 %, 적어도 대략 18 %, 적어도 대략 20 %, 또는 적어도 대략 25 %, 및 최대 대략 30 %, 최대 대략 40 %, 또는 최대 대략 50 %, 또는 그 이상 일 수 있 다 .