본 발명 의 패턴 형성 법 에 관한 실시 형태 의 일례 를 , 보텀 게이트 ㆍ보텀 콘택트 형 의 박막 트랜지스터 를 포함 하 는 전자 소자 의 제조 방법 을 예 로 들 어 , 도 1 의 제조 공정 단면도 에 의해 설명 한다 . 본 실시 형태 에 있 어서 는 , 상기 박막 트랜지스터 의 소스 ㆍ드레인 전극 의 형성 에 본 발명 의 패턴 형성 방법 을 적용 한다 .