도 1 a 및 도 1 b 는 종래 기술 에 따른 낸드 플래시 메모리 소자 의 제조 방법 을 설명 하 기 위하 여 도시 한 공정 단면도 이 다 . 여기 서 는 일례 로 ASA - STI ( Advanced Self Aligned - Shallow Trench Isolation ) 공정 을 적용 한 낸드 플래시 메모리 소자 의 제조 방법 에 대해 설명 하 기 로 한다 .