첫째 , 접합 영역 이 형성 되 는 기판 을 게이트 가 형성 되 는 기판 보다 돌출 되게 형성 하 고 접합 영역 의 깊이 를 돌출 된 기판 두께 만큼 증가 시키 어 , 콘 택 을 접합 영역 내부 로 깊 게 매립 하 여 형성 할 수 있 다 . 따라서 , 콘 택 과 접합 영역 간 접촉면 적 이 증가 되 므로 콘 택 저항 을 줄일 수 있 고 , 이 에 따라 소자 의 성능 을 향상 시킬 수 있 다 .