다음 에 , 제 2 레지스 트 마스크 ( 118 ) 를 이용 하 여 , 박막 적층 체 ( 114 ) 에 있 어서 의 제 2 도 전막 ( 110 ) 을 에칭 하 여 , 소스 전극 및 드레 인 전극 층 ( 120 ) 을 형성 한다 ( 도 2 ( D ) , 도 5 ( D ) , 도 8 ( D ) , 도 11 ( D ) , 도 14 ( D ) , 도 18 을 참조 ) . 여기 서 에칭 조건 은 , 제 2 도 전막 ( 110 ) 이외 의 막 에 대한 식각 및 부식 이 생기 지 않 거나 , 또는 생기 기 어려운 조건 을 선택 한다 . 특히 , 게이트 전극 층 ( 116 ) 의 식각 및 부식 이 생기 지 않 거나 , 또는 생기 기 어려운 조건 에 의해 행하 는 것 이 중요 하 다 .