기재 층 ( 1 ) 이 엘라스토머 층 과 비 엘라스토머 층 의 적층 구조 이 고 , 엘라스토머 층 이 α - 올레핀 계 열 가소 성 엘라스토머 를 포함 하 고 , 또한 , 비 엘라스토머 층 이 후술 하 는 메탈 로 센 PP 등 의 폴리올레핀 을 포함 하 는 경우 , 엘라스토머 층 은 , 해당 엘라스토머 층 을 형성 하 는 엘라스토머 의 총 질량 에 대하 여 , α - 올레핀 계 열 가소 성 엘라스토머 를 50 질량 ％ 이상 100 질량 ％ 이하 포함 하 고 있 는 것 이 바람직 하 고 , 70 질량 ％ 이상 100 질량 ％ 이하 포함 하 고 있 는 것 이 보다 바람직 하 고 , 80 질량 ％ 이상 100 질량 ％ 이하 포함 하 고 있 는 것 이 더욱 바람직 하 고 , 90 질량 ％ 이상 100 질량 ％ 이하 포함 하 고 있 는 것 이 특히 바람직 하 고 , 95 질량 ％ 이상 100 질량 ％ 이하 포함 하 고 있 는 것 이 최적 이 다 . α - 올레핀 계 열 가소 성 엘라스토머 가 상기 범위 에서 포함 되 어 있 음 으로써 , 엘라스토머 층 과 비 엘라스토머 층 의 친화성 이 높 아 지 기 때문 에 , 기재 층 ( 1 ) 을 비교 적 용이 하 게 압출 성형 할 수 있 다 . 또한 , 엘라스토머 층 을 응력 완화 층 으로서 작용 시킬 수 있 으므로 , 다 이 본드 층 ( 3 ) 및 다 이 본드 층 ( 3 ) 에 첩부 한 반도체 웨이퍼 를 효율 적 으로 할단 할 수 있 다 .