표면 잔류물 과 마찬가지 로 , 표면 결함 들 을 제거 하 기 위한 에칭 - 전 처리 프로세스 들 은 개별 적 인 전용 프로세싱 챔버 들 에서 통상 적 으로 수행 된다 . 따라서 , 개별 적 인 전용 프로세싱 챔버 에서 웨이퍼 를 프로세싱 하 는 것 과 연관 될 수 도 있 는 부가 적 인 프로세싱 복잡도 및 비용 을 없애 기 위해 , 에칭 프로세스 들 ( 예컨대 , 단계 120 , 단계 130 , 및 단계 140 ) 과 동일 한 챔버 에서 결함 - 제거 전 - 처리 단계 ( 단계 110 ) 를 수행 하 는 것 이 유리 할 수 도 있 다 .