리소그래피 투영 장치 를 사용 하 는 제조 공정 에서 , 마스크 패턴 은 방사선 - 감응 재 ( 레지스 트 ) 층 에 의해 전체 또는 부분 적 으로 덮여 있 는 기판 상 에 이미 징 된다 . 이러 한 이미 징 단계 에 앞서 , 기판 은 전처리 ( priming ) , 레지스 트 코팅 및 소프트 베 이크 ( soft bake ) 와 같 은 다양 한 과정 들 을 거칠 수 있 다 . 노광 이후 , 기판 은 노광 후 베 이크 ( post - exposure bake : PEB ) , 현상 , 하드 베 이크 ( hard bake ) 및 이미 징 된 피처 들 의 측정 / 검사 와 같 은 다른 과정 들 을 거칠 수 있 다 . 이러 한 일련 의 과정 들 은 디바이스 , 예컨대 IC 의 개별 층 을 패 터닝 하 는 기초 로서 사용 된다 . 그 후 , 이러 한 패 터닝 된 층 은 그 모두 가 개별 층 을 마무리 하 도록 의도 된 , 에칭 , 이온 - 주입 ( 도핑 ) , 금속화 ( metallization ) , 산화 , 화학 - 기계 적 폴리 싱 등 과 같 은 다양 한 공정 들 을 거칠 수 있 다 . 여러 층 이 요구 되 는 경우 에 는 , 각각 의 새로운 층 에 대해 전체 과정 또는 그 변형 이 반복 되 어야 할 것 이 다 . 최후 에 는 , 디바이스 들 의 어레이 가 기판 ( 웨이퍼 ) 상 에 존재 할 것 이 다 . 그 후 , 이 디바이스 들 은 다 이싱 ( dicing ) 또는 소 잉 ( sawing ) 과 같 은 기술 에 의해 서로 분리 되 며 , 개개 의 디바이스 들 은 캐리어 에 장착 되 며 핀 등 에 연결 될 수 있 다 .