그리고 , 하부 기판 ( 15 ) 에 는 게이트 전극 ( 15 a ) , 게이트 절 연막 ( 15 b ) , 반도체 층 ( 15 c ) , 소스 및 드레 인 전극 ( 15 d , 15 e ) , 보호 층 ( 15 f ) 으로 이루어진 박막 트랜지스터 ( Thin Film Transistor ; TFT ) ( T ) 가 형성 되 고 , 박막 트랜지스터 ( T ) 와 연결 되 어 화소 영역 ( P ) 을 형성 하 는 화소 전극 ( 15 h ) 이 마련 된다 .