에폭시 댐 형성 단계 ( S 240 ) 에서 는 제 1 반도체 칩 ( 320 a , 320 b ) , 제 2 반도체 칩 ( 340 a , 340 b ) 및 와이어 ( 350 ) 가 포함 되 도록 기판 ( 310 ) 상 에 에폭시 댐 ( 370 ) 을 형성 한다 . 에폭시 댐 ( 370 ) 은 후술 할 제 2 충 진제 도포 단계 ( S 250 ) 후 에 는 제거 된다 .