SiO 2 유전체 층 이 피복 된 2 개 의 실리콘 웨이퍼 들 상 에 탄탈럼 타 겟 및 망가니즈 타켓 을 이용 한 물리 기상 증착 ( PVD ) 공정 을 통해 1 . 0 nm ( 실시 예 1 ) 및 2 . 5 nm ( 실시 예 2 ) 두께 의 Ta 1 - xMnxOy 박막 들 을 각각 형성 하 였 고 , 이 들 의 상부 에 스퍼터링 공정 을 통해 구리 박막 들 을 각각 형성 하 였 다 . 이 때 , Ta 1 - xMnxOy 박막 들 에 있 어서 , 망가니즈 원자 와 탄탈럼 원자 의 비 는 53 . 45 : 46 . 55 로 측정 되 었 다 . ( 도 3 참조 )