반도체 장치 에서 기판 위 에 금속 배선 을 형성 하 는 과정 은 통상 적 으로 스퍼터링 등 에 의한 금속 막 형성 공정 , 포토레지스트 도포 , 노광 및 현상 에 의한 선택 적 인 영역 에서 의 포토레지스트 형성 공정 및 식각 공정 에 의한 단계 로 구성 되 고 , 개별 적 인 단위 공정 전후 의 세정 공정 등 을 포함 한다 . 이러 한 식각 공정 은 포토레지스트 를 마스크 로 하 여 선택 적 인 영역 에 금속 막 을 남기 는 공정 을 의미 하 며 , 통상 적 으로 플 라즈 마 등 을 이용 한 건 식식 각 또는 식각 액 조성물 을 이용 하 는 습식 식각 이 사용 된다 .