특정 실시 형태 에 있 어서 , 제 3 저항 메모리 엘리먼트 ( 216 ) 및 제 4 저항 메모리 엘리먼트 ( 218 ) 는 제 1 저항 메모리 엘리먼트 ( 212 ) 및 제 2 저항 메모리 엘리먼트 ( 214 ) 와 실질 적 으로 유사 할 수 도 있 다 . 특정 실시 형태 에 있 어서 , 저항 메모리 엘리먼트 들 ( 216 및 218 ) 은 기입 전압 을 제공 함 으로써 다 수회 프로그램 가능 메모리 엘리먼트 들 로서 이용 될 수 도 있 으며 , 여기 서 , 기입 전압 은 프로그램 전압 보다 낮 아서 ( 예 를 들 어 , 프로그램 전압 보다 더 낮 은 크기 를 가짐 ) , 저항 메모리 엘리먼트 들 ( 216 또는 218 ) 이 가역 상태 로 진입 하 게 한다 .