본 개시 의 하나 의 태양 에 의하 면 , 챔버 내 의 전형 반도체 재료 원소 군 의 잔사 를 할로젠 함유 가스 의 플 라즈 마로 제거 하 는 공정 과 , 상기 챔버 내 의 제 12 족 및 제 13 족 금속 원소 군 , 및 제 14 족 및 제 15 족 금속 원소 군 의 잔사 를 탄화수소 함유 가스 의 플 라즈 마로 제거 하 는 공정 과 , 상기 챔버 내 의 C 함 유물 을 O 함유 가스 의 플 라즈 마로 제거 하 는 공정 을 갖 고 , 상기 할로젠 함유 가스 의 플 라즈 마로 제거 하 는 공정 , 상기 탄화수소 함유 가스 의 플 라즈 마로 제거 하 는 공정 및 상기 O 함유 가스 의 플 라즈 마로 제거 하 는 공정 을 이 순서 로 소정 횟수 X ( X 는 1 이상 의 자연수 ) 행하 거나 , 상기 탄화수소 함유 가스 의 플 라즈 마로 제거 하 는 공정 , 상기 O 함유 가스 의 플 라즈 마로 제거 하 는 공정 및 상기 할로젠 함유 가스 의 플 라즈 마로 제거 하 는 공정 을 이 순서 로 소정 횟수 X ( X 는 1 이상 의 자연수 ) 행하 는 , 클리닝 방법 이 제공 된다 .