실리콘 질화 막 ( 45 B ) 은 진공 파괴 ( Vacuum Break ) 혹은 퍼지 ( Pruge ) 없이 실리콘 보론 질화 막 ( 45 A ) 과 동일 챔버 및 동일 조건 에서 인시 튜 ( In - Situ ) 로 형성 할 수 있 다 . 즉 , 저압 화 학기 상 증착 법 ( Low Pressure Chemical Vapor Deposition ) 으로 형성 할 수 있 는데 , 이때 Si 소스 는 MS ( Mono Silane , SiH 4 ) , DCS ( DiChloro Silane , SiH 2 Cl 2 ) , TCS ( TriChloro Silane , SiHCl 3 ) , HCD ( HexaChloro Silane , Si 2 Cl 6 ) 및 디 실란 ( Disilane , Si 2 H 6 ) 의 그룹 중 에서 선택 된 어느 하나 를 사용 할 수 있 고 , N 소스 는 NH 3 ( 암모니아 ) 를 사용 할 수 있 다 . 또한 , 증착 온도 및 박막 의 특성 향상 을 위해 증착 중 에 플 라즈 마 를 사용 할 수 있 다 .