스핀 토크 자화 반전 을 응용 하 여 대용량 의 고집 적 메모리 를 제작 하 는 경우 , TMR 소자 에 접속 되 어 있 는 트랜지스터 의 면적 도 작아져 , TMR 소자 에 흘릴 수 있 는 전류 가 작아진다 . 따라서 , 대용량 의 고집 적 메모리 를 실현 하 기 위해서 는 , 스핀 토크 자화 반전 의 임계 전류 밀도 값 Jc 를 작 게 해 갈 필요 가 있 다 . 현재 , 예 를 들 면 Applied Physics Letters , Vol . 87 , p . 225210 ( 2005 ) 에 기재 되 어 있 는 바 와 같이 , Jc ∼ 2 . 2 × 106 ( A / ㎠) 이 실현 되 어 있 다 . 그러나 금후 이 값 을 , 불 휘발 메모리 에서 중요 한 열 안정 성 을 확보 하 면서 , 더욱 저감 해 가 는 것 은 , 매우 어렵 다고 생각 되 고 있 다 .