다음 으로 , 도 4 에 도시 된 바 와 같이 , 반도체 층 ( 40 ) 측 에 플레이트 로서 지지 기판 ( supporting substrate ) 또는 제 2 임시 기판 ( 50 ) 을 형성 한다 . 제 2 임시 기판 ( 50 ) 은 종래 에 잘 알려진 도금 , 열 압착 ( Thermo - compressive ) 또는 웨이퍼 본딩 ( 솔 더링 ; Soldering , 브레 이징 ; Brazing ) 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 . 이외 에 접착제 ( Adhesive ) 또는 양면 테이프 ( Tape ) 를 매개체 로 하 는 물리 적 인 방법 도 가능 하 다 . 제 2 임시 기판 ( 50 ) 을 형성 하 기 에 앞서 , 반도체 층 ( 40 ) 에 금속 막 및 / 또는 금속 산화 막 ( 도시 생략 ) 을 구비 하 는 것 도 가능 하 다 .