본 실시 형태 의 박막 트랜지스터 ( TR ) 는 , 상기 구성 을 가짐 으로써 , 화소 전극 ( 28 ) 과 드레 인부 ( DR ) 가 직접 접촉 하 여 전기 적 으로 접속 되 므로 , 화소 전극 ( 28 ) 과 드레 인부 ( DR ) 와 의 접촉 불량 발생 을 억제 할 수 있 다 . 특히 , 제 2 메탈 이 , 제 1 도 전막 , 및 제 2 도 전막 의 적층 체 로써 구성 되 고 , 제 2 도 전막 이 알루미늄 막인 경우 에 는 , 드레 인부 ( DR ) 를 드레 인 메탈 로 구성 하 면 , 화소 콘택트 홀 ( 27 a ) 형성 시 에 제 2 도 전막 인 알루미늄 막 이 산화 되 어 표면 이 부동태 피막 에 의해 피복 되 고 , 드레 인 메탈 과 화소 콘택트 홀 ( 27 a ) 표면 에 형성 된 화소 전극 ( 28 ) 과 의 접촉 불량 이 생길 우려 가 있 으나 , 드레 인부 ( DR ) 가 , 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 의 일부 가 저 저항 화 된 저 저항 영역 ( 24 ad ) 에 의해 구성 되 므로 , 이러 한 문제 가 발생 할 우려 가 없 어 , 양호 한 접촉 을 얻 을 수 있 다 .