게르마늄 의 경우 게르마늄 기판 상 에 이산화 게르마늄 층 을 형성 하 는 산화 과정 에서 게르마늄 기판 과 이산화 게르마늄 사이 의 계면 에서 일산 화 게르마늄 ( GeO ) 이 기체 상태 로 생성 되 어 표면 으로 확산 되 며 결함 을 형성 하 고 계면 결함 밀도 ( density of interface defect , Dit ) 가 증가 하 는 등 의 이유 로 소자 의 전기 적 특성 을 열화 시키 는 주요 원인 에 해당 한다 .