그러나 , 버퍼 층 들 ( 13 , 15 ) 의 채택 에 도 불구 하 고 , 활성 영역 ( 19 ) 내 의 결정 결함 밀도 는 여전히 높 은 편 이 다 . 특히 , 활성 영역 ( 19 ) 은 , 전자 와 정공 의 결합 효율 을 높이 기 위해 , N 형 GaN 층 ( 17 ) 및 P 형 GaN 층 ( 19 ) 에 비해 밴드 갭 이 작 은 반도체 층 으로 형성 되 고 , 또한 웰 층 ( 19 a ) 은 GaN 장벽층 ( 19 b ) 에 비해 밴드 갭 이 작 은 반도체 층 으로 형성 되 며 , 일반 적 으로 In 을 많이 함유 한다 . In 은 Ga 에 비해 상대 적 으로 크 기 때문 에 웰 층 의 격자 상수 가 장벽층 의 격자 상수 에 비해 상대 적 으로 크 다 . 이 에 따라 , 웰 층 ( 19 a ) 과 장벽층 ( 19 b ) 사이 에 , 그리고 웰 층 ( 19 a ) 과 N 형 반도체 층 ( 17 ) 사이 에 격자 부정합 이 발생 되 고 , 이러 한 층 사이 의 격자 부정합 은 웰 층 의 결정질 을 감소 시키 어 광 효율 을 제한 한다 .