한편 , 본 발명 의 실시 예 에서 는 상기 반도체 기판 의 가장자리 부분 에 흡착 된 이 물질 을 식각 한 후 , 상기 반도체 기판 의 제 2 면 에 흡착 된 이 물질 을 식각 하 는 방법 에 대해서 설명 하 고 있 지만 , 다른 실시 예 로서 상기 반도체 기판 의 제 2 면 에 흡착 된 이 물질 을 식각 한 후 , 상기 반도체 기판 의 가장자리 부분 에 흡착 된 이 물질 을 식각 하 는 방법 에 대해서 도 설명 할 수 있 다 .