전술 한 식각 공정 의 1 단계 인 산화 공정 에서 Ge 는 Si 보다 빨리 산화 되 고 결국 빨리 식각 된다 . 그런데 , Ge 와 Si 를 혼합 되 어 있 는 SiGe 막 은 Ge 가 빨리 식각 되 고 남 은 Si - Ge 막 은 불 안정 한 상태 가 된다 . 이 에 따라 , Si 이 식각 액 에 의해 쉽 게 공격 당한다 . 따라서 , 희생 물질 층 패턴 ( 102 a ) , 예컨대 SiGe 층 의 식각 율 은 제 2 반도체 층 ( 104 b ) , 예컨대 Si 층 의 식각 율 에 비하 여 높 아 진다 .