즉 , 상기 필드 산화 막 식각 시 게이트 와 인접 하 는 필드 산화 막 부분 의 식각 을 방지 함 으로써 , 필드 산화 막 두께 의 감소 로 인한 셀 과 셀 간 의 누설 전류 발생 을 최소 화 할 수 있 다 . 또한 , 이웃 하 는 게이트 와 필드 산화 막간 의 접촉면 을 감소 시켜 GIDL ( Gate Induced Drain Leakage ) 의 발생 을 방지 할 수 있 어 소자 의 리프 레 쉬 특성 을 향상 시킬 수 있 다 .