칼 코 게나 이드 메모리 소자 및 소자 어레이 의 동작 에 있 어서 , 상기 칼 코 게나 이드 물질 들 의 중요 한 특징 은 둘 또는 그 이상 의 구조 적 상태 들 사이 에서 상 전이 가 일어날 수 있 는 능력 이 다 . 상기 칼 코 게나 이드 물질 들 은 결정질 상태 , 하나 이상 의 부분 - 결정질 상태 및 비결정질 상태 를 포함 하 는 구조 적 상태 들 을 포함 한다 . 상기 결정질 상태 는 단결정 질 상태 또는 다 결정질 상태 를 포함 할 수 있 다 . 본 명세서 에서 , 부분 - 결정질 상태 는 비결정질 부분 과 결정질 부분 을 포함 하 는 소정 부피 의 칼 코 게나 이드 의 구조 적 상태 를 일컫 는다 . 일반 적 으로 , 상기 비결정질 및 결정질 부분 들 의 상대 적 인 비율 들 에 기초 하 여 상 - 변화 물질 들 에 대한 복수 의 부분 - 결정질 상태 들 이 식별 될 수 있 다 . 부분 결정 화도 ( Fractional crystallinity ) 는 칼 코 게나 이드 상 - 변화 물질 의 상기 구조 적 상태 들 을 특징지 을 수 있 는 하나 의 방법 이 다 . 상기 결정질 상태 의 상기 부분 결정 화도 는 100 % 이 고 , 상기 비결정질 상태 의 상기 부분 결정 화도 는 0 % 이 며 , 상기 부분 - 결정질 상태 들 은 0 % ( 상기 비결정질 한계 ) 에서 100 % ( 상기 결정질 한계 ) 사이 에서 연속 적 으로 변화 하 는 결정질 물질 의 부분 체적 률 ( fractional volume percentage ) 을 가진다 . 따라서 상 - 변화 칼 코 게나 이드 물질 은 0 % 에서 100 % 의 결정질 물질 의 부분 체적 률 사이 의 전 범위 에서 변화 하 는 복수 의 구조 적 상태 들 사이 에서 전이 될 수 있 다 .