도 3 a 및 3 b 는 본 기술 의 하나 의 실시 예 에 따라 반도체 웨이퍼 ( 300 ) 로부터 절단 된 열 전달 구조물 ( 128 ) 의 평면도 이 다 . 웨이퍼 ( 300 ) 는 종래 기술 에서 알려진 다양 한 기법 ( 가령 , 물리 기상 증착 , 화학 기상 증착 , 리소그래피 , 에칭 등 ) 을 통해 제조 될 수 있 다 . 제조 는 반도체 물질 ( 가령 , 실리콘 ) 의 복수 의 볼륨 ( 가령 , 층 ) 의 증착 을 포함 하 여 HTS ( 128 ) 의 볼륨 을 형성 할 수 있 다 . 덧붙여 , 제조 는 다양 한 반도체 제조 기법 을 통한 , 인터 커넥트 , 본드 패드 ( 132 ) , 관통 실리콘 비아 ( TSV ) , 및 / 또는 그 밖 의 다른 특징 부 의 형성 을 포함 할 수 있 다 . 웨이퍼 ( 300 ) 의 형성 후 에 , HTS ( 128 ) 는 가령 , 다 이싱 을 통해 웨이퍼 ( 300 ) 로부터 싱 귤 레이 션 될 수 있 다 .