이어서 , 상기 소스 및 드레 인 전극 층 위 에 제 2 마스크 를 이용 한 사진 식각 기술 공정 으로 포 토리 지스 트 패턴 을 형성 하 게 된다 . 이 경우 제 2 마스크 로 는 박막 트랜지스터 의 를 구성 하 는 활성 층 의 채널 영역 에 회절 노광 부 를 갖 는 회절 마스크 를 이용 함 으로써 , 채널 영역 의 포 토리 지스 트 패턴 이 다른 영역 의 포 토리 지스 트 패턴 보다 낮 은 두께 를 갖 도록 형성 한다 .