또한 , 특허 문헌 4 에서 는 , 2 개 의 마스크 프로세스 를 이용 하 는 것 이 개시 되 어 있 다 . 제 1 마스크 는 위상 시프트 마스크 이 고 , 제 2 마스크 는 , 단일 위상 구조 의 마스크 이 다 . 단일 위상 구조 의 마스크 는 , 위상 시프트 의 영역 을 없애 지 않 도록 노광 이 행해진다 . 단일 위상 구조 의 마스크 에서 는 , 위상 시프트 마스크 에 의해 형성 된 부분 이외 의 영역 에서 , 원 하 지 않 는 부분 에 형성 되 지 않 도록 노광 이 행해 지 는 것 이 개시 되 어 있 다 .