이하 , 본 발명 의 적합 한 실시 형태 에 대해서 도면 을 참조 하 면서 설명 한다 . 도 1 에 도시 한 바 와 같이 본 실시 형태 의 본딩 장치 ( 10 ) 는 가대 ( 11 ) 와 , 가대 ( 11 ) 상 에 부착 된 본딩 스테이지 ( 13 ) 와 , 본딩 대상 인 표면 에 반도체 칩 ( 42 ) 이 부착 된 기판 ( 41 ) 을 도면 중 의 X 방향 을 향하 여 반송 하 는 반송 로 ( 14 ) 와 , 본딩 툴 인 캐 필러 리 ( 17 ) 와 , 캐 필러 리 ( 17 ) 가 부착 된 본딩 암 ( 16 ) 과 , 가대 ( 11 ) 에 고정 되 고 , 본딩 암 ( 16 ) 을 구동 하 는 본딩 헤드 ( 15 ) 와 , 가대 ( 11 ) 에 부착 되 고 , 본딩 스테이지 ( 13 ) 와 반송로 ( 14 ) 를 둘러싸 는 챔버 ( 12 ) 와 , 챔버 ( 12 ) 에 부착 된 제 1 플 라즈 마 토치 ( 20 ) 와 , 2 개 의 제 2 플 라즈 마 토치 ( 30 ) 와 , 각 플 라즈 마 토치 ( 20 , 30 ) 에 플 라즈 마용 가스 를 공급 하 는 플 라즈 마용 가스 공급 부 ( 60 ) 와 , 각 플 라즈 마 토치 ( 20 , 30 ) 에 플 라즈 마 발생 용 의 고주파 전력 을 공급 하 는 고주파 전력 공급 부 ( 70 ) 와 , 본딩 헤드 ( 15 ) 와 플 라즈 마용 가스 공급 부 ( 60 ) 와 고주파 전력 공급 부 ( 70 ) 와 반송로 ( 14 ) 와 본딩 스테이지 ( 13 ) 가 접속 되 고 , 각 요소 를 일체 로서 제어 하 는 제 어부 ( 80 ) 와 , 도 2 에 도시 한 바 와 같이 반송로 ( 14 ) 에 반도체 칩 ( 42 ) 이 표면 에 부착 된 기판 ( 41 ) 을 공급 하 는 공급 스택 ( 53 ) 과 , 본딩 스테이지 ( 13 ) 에서 본딩 처리 가 종료 된 기판 ( 41 ) 을 스택 하 는 제품 스택 ( 54 ) 을 구비 하 고 있 다 .