상술 한 바 와 같이 , 본 발명 의 제 2 실시 예 에서 는 각 화소 내 에 게이트 전극 과 드레 인 전극 간 의 기생 캐 패 시턴 스 를 보상 하 기 위한 스토리지 캐 패 시터 가 마련 된다 . 여기 서 , 상기 스토리지 캐 패 시터 는 상기 드레 인 전극 과 일체 형 으로 연결 되 면서 상기 드레 인 전극 과 일정 간격 을 두 고 평행 하 게 배치 되 는 상부 전극 역할 을 하 는 도전 패턴 , 상기 도전 패턴 하부 의 형성 되 어 유전체 층 역할 을 하 는 게이트 절 연막 및 사각 형태 의 하부 전극 역할 을 하 는 게이트 전극 으로 구성 된다 .