상기 게이트 전극 ( 141 ) 및 별도 의 감광막 패턴 을 마스크 로 이용 한 불순물 주입 을 통해 상기 게이트 전극 ( 141 ) 의 일 측 의 포토다이오드 형성 예정 영역 에 n - 영역 형성 한다 . 그리고 , 상기 게이트 전극 ( 141 ) 및 별도 의 감 막 광 패턴 을 마스크 로 이용 한 불순물 주입 공정 을 통해 상기 포토다이오드 형성 예정 영역 의 n - 영역 내 에 얕 은 깊이 의 p 0 영역 이 형성 됨 으로써 포토다이오드 ( 160 ) 가 형성 된다 .