게이트 전극 ( 122 ) 의 게이트 절 연막 ( 131 ) 상부 에 는 비정질 실리콘 등 의 반도체 로 이루어진 반도체 층 ( 132 ) 이 형성 되 어 있 으며 , 반도체 층 ( 132 ) 의 상부 에 는 실리사이드 또는 n 형 불순물 이 고농도 로 도핑 되 어 있 는 n + 수소 화 비정질 실리콘 등 의 물질 로 만들 어 진 저항 접촉 층 ( 133 ) 이 형성 되 어 있 다 . 소스 전극 ( 142 ) 과 드레 인 전극 ( 143 ) 사이 의 채널 부 에서 는 저항 접촉 층 ( 133 ) 이 제거 되 어 있 다 .