본 발명 에서 상기 질화 표면 을 형성 하 는 단계 는 900 내지 1100 ℃ 의 온도 하 에서 수행 될 수 있 다 . 본 발명 에서 상기 질화 표면 의 형성 시 , 수행 온도 가 900 ℃ 미만 인 경우 에 는 질화 처리 로 내부 의 온도 가 낮 아 경도 가 낮 게 형성 된다는 문제점 이 있 고 , 수행 온도 가 1100 ℃ 초과 인 경우 에 는 내 소착 성 및 내식 성 의 면 에서 열화 된다는 문제점 이 있 다 .