본 발명 에 따른 반도체 소자 의 게이트 형성 방법 은 , 반도체 소자 의 게이트 형성 공정 중 , 감광막 패턴 을 이용 한 하드 마스크 질화 막 의 식각 공정 으로 감광막 패턴 과 하드 마스크 질화 막 의 측벽 에 형성 되 는 폴리머 를 제거 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 의 게이트 형성 방법 으로서 , 반도체 기판 상 에 게이트 절 연막 , 폴리 실리콘 막 , 텅스텐 막 및 하드 마스크 질화 막 을 순차 적 으로 형성 하 는 단계 ; 상기 하드 마스크 상 에 게이트 형성 을 한정 하 는 감광막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 감광막 패턴 을 식각 마스크 로 상기 하드 마스크 질화 막 을 식각 하 는 단계 ; 상기 감광막 패턴 을 제거 함 과 아울러 상기 식각 된 하드 마스크 질화 막 의 측면 에 잔류 하 는 폴리머 가 제거 되 도록 O 2 가스 에 플루오린 계 가스 를 첨가 한 식각 가스 를 이용 한 건식 식각 공정 으로 제거 하 는 단계 ; 및 상기 텅스텐 막 , 폴리 실리콘 막 및 게이트 절 연막 을 식각 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .