또한 , 산화물 반도체 막 ( 716 ) 에 접한 절 연막 으로서 산화 갈륨 알루미늄 ( 산화 알루미늄 갈륨 ) 을 이용 한 경우 , 산소 분위기 하 에 의한 열처리 나 , 산소 도핑 를 행함 으로써 , 산화 갈륨 알루미늄 ( 산화 알루미늄 갈륨 ) 의 조성 을 GaXAl 2 - XO 3 + α ( 0 < X < 2 , 0 < α < 1 ) 로 할 수 있 다 .