일부 구 현예 에서 , 패 시베이 션 층 을 선택 적 으로 형성 하 는 상기 방법 은 제 1 표면 상 에 중합체 를 일부 남기 면서 제 2 표면 으로부터 임의 의 폴리머 를 식각 하 는 단계 를 더 포함 한다 . 일부 구 현예 에서 , 상기 방법 은 제 1 및 제 2 표면 사이 의 경계 와 정렬 된 관심 층 의 에지 를 포함 한다 . 일부 구 현예 에서 , 상기 방법 은 제 1 표면 과 중첩 되 는 관심 층 을 포함 한다 . 일부 구 현예 에서 , 상기 방법 은 제 2 표면 으로부터 돌출 된 제 1 표면 을 포함 한다 . 일부 구 현예 에서 , 패 시베이 션 층 을 제거 한 후 , 상기 방법 은 관심 층 의 에지 와 제 1 및 제 2 표면 사이 의 경계 사이 에 존재 하 면서 제 2 표면 을 노출 시키 는 갭 을 포함 한다 . 일부 구 현예 에서 , 상기 방법 은 갭 내 의 제 2 표면 을 선택 적 으로 식각 하 여 공동 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 한다 . 일부 구 현예 에서 , 상기 방법 은 공동 내 에 공극 을 남기 는 방식 으로 공동 충전 재료 를 증착 하 는 단계 를 더 포함 한다 .