폴리 실록 산 과 퀴논 디 아지드 화합물 만 으로 이루어진 재료 가 열 경화 되 는 경우 , 폴리 실록 산 중 의 실란 올기 의 탈수 축합 에 의해 가 교 · 고분자 량화 가 일어난다 . 이 열 경화 과정 에서 는 패턴 의 열 경화 가 충분히 진행 되 기 전 에 , 고온 에 의한 막 의 저점 도 화 로 용융 되 고 , 현상 후 에 수득 된 홀 이나 라인 등 의 패턴 이 플로우 하 여 , 결과 적 으로 해상도 가 저하 되 는 「 패턴 」 열화 를 방지 하 지 않 으면 안 된다 . 특허 문헌 6 에 의하 면 , 「 패턴 」 열화 를 방지 하 기 위해서 는 실록 산 의 분자량 을 충분히 높일 필요 가 있 다 . 이 결과 , 감광성 재료 로서 는 감도 가 낮 아 , 높 은 반응 에너지 가 필요 하 게 된다 . 또한 , 잔 막 율 ( 殘 膜 率 ) 도 충분 하 지 않 아 재료 로스 가 크 다고 하 는 결점 이 있 었 다 .