도 19 및 도 20 은 본 발명 의 실시 예 에 따른 기억 장치 의 읽 기 동작 을 설명 하 기 위한 도면 이 다 . 읽 기 동작 시 , 도 19 의 도시 와 같이 , 읽 기 동작 을 수행 할 메모리 소자 와 연결 된 워드 라인 에 읽 기 동작 용 전압 ( VR ) 을 인가 하 고 , 비트 라인 은 접지 시켜 , 메모리 소자 의 양단 에 VR 전압 이 인가 되 게 하 여 전류 가 흐르 도록 한다 .