또한 , 배선 층 이 형성 된 영역 에 대응 하 는 영역 에 만 산소 공급 층 이 형성 된 경우 에 는 , 유효 화소 영역 의 상층 구조 는 통상 의 고체 촬상 소자 ( 산소 공급 층 이 형성 되 지 않 은 고체 촬상 소자 ) 와 같 은 구조 가 된다 . 그 때문 에 , 산소 공급 층 을 구성 하 는 재료 의 투과율 이나 굴절 율 은 어떤 것 이 라도 좋 고 , 재료 선택 이나 성막 조건 의 자유도 가 높 고 , 집적화 에서 의 제약 이 적 기 때문 에 , 보다 프로세스 윈도우 가 넓 은 조건 으로 안정 된 제조 프로세스 를 구축 하 는 것 이 가능 하 다 .