한편 , 다른 실시 예 에 따르 면 , 제 1 및 제 2 마스크 패턴 들 ( 142 , 172 ) 을 제거 하 는 공정 은 제 1 층간 절 연막 ( 120 ) 에 콘 택 홀 들 ( CH ) 을 형성 한 후 에 수행 될 수 도 있 다 . 그러나 , 식각 정지 막 ( 115 ) 및 비트 라인 들 ( BL ) 측벽 의 스 페이서 들 이 콘 택 홀 들 ( CH ) 에 노출 되 는 경우 , 제 1 및 제 2 마스크 패턴 들 ( 142 , 172 ) 을 제거 하 는 공정 에 의해 식각 정지 막 ( 115 ) 및 비트 라인 들 ( BL ) 측벽 의 스 페이서 들 이 함께 제거 될 수 있 다 . 이러 한 경우 , 비트 라인 들 ( BL ) 이 콘 택 홀 ( CH ) 에 노출 될 수 있 으며 , 콘 택 홀 들 ( CH ) 에 형성 되 는 콘 택 플러그 들 ( BC ) 이 비트 라인 들 ( BC ) 과 접촉 될 수 있 다 . 따라서 , 콘 택 홀 들 ( CH ) 을 형성 하 기 전 에 제 1 및 제 2 마스크 패턴 들 ( 142 , 172 ) 을 제거 하 는 공정 이 수행 될 수 있 다 . 이러 한 경우 , 제 1 및 제 2 마스크 패턴 들 ( 142 , 172 ) 을 제거 하 는 동안 , 제 1 및 제 2 희생 패턴 들 ( 132 , 164 ) 에 의해 노출 된 제 1 층간 절 연막 ( 120 ) 의 일부분 이 식각 될 수 도 있 다 .