도 6 에 도시 한 단계 150 에서 , 붕소 이온 은 ( 화살표 214 로 나타낸 바 와 같이 ) 기판 ( 200 ) 의 상면 ( 202 ) 을 통과 하 여 소망 하 는 주입 깊이 및 농도 로 주입 되 어 , 도핑 된 구역 ( 224 ) 과 접합부 ( 240 ) 를 형성 한다 . 예 시 적 인 실시 예 에 따르 면 , 붕소 이온 은 제 1 도 펀트 와 제 2 도 펀트 의 깊이 보다 낮 은 깊이 로 주입 되 지만 , 다른 예시 적 인 실시 예 에 따르 면 붕소 의 주입 깊이 는 제 1 주 입 깊이 및 / 또는 제 2 주 입 깊이 보다 깊 거나 낮 을 수 있 다 . 유리 하 게 는 , 주입 되 는 제 1 종 과 제 2 종 ( 예컨대 , 탄소 와 불소 ) 은 후속 어닐링 단계 ( 155 ) 동안 에 불소 의 확산 을 억제 하 도록 되 어 있 다 .