상기 방법 으로 형성 된 단층 의 그래핀 ( Single Layer Graphene , SLG ) 표면 에 알칼리 금속 이온 건 을 이용 하 여 그래핀 표면 에 대한 손상 및 영향력 을 최소 화 하 기 위해 5 eV ~ 10 eV 의 범위 에서 , 바람직 하 게 는 5 eV 의 저 에너지 의 리튬 이온 ( Li +) 을 흡착 시켜 그래핀 에 밴드 갭 을 형성 시키 게 된다 . 이때 의 진공 압 은 1 x 10 - 10 Torr ~ 5 x 10 - 10 Torr 이 고 , 리튬 이온 을 90 K ~ 100 K 에서 흡착 시킬 수 있 으며 , 기판 에 대한 이온 빔 전류 밀도 는 9 nA / cm 2 ~ 10 nA / cm 2 , 바람직 하 게 는 약 10 nA / cm 2 로 유지 한다 . 빔 전류 밀도 가 상기 범위 를 이탈 하 는 경우 , 그래핀 에 대한 리튬 이온 량 의 변화 를 정확히 조절 할 수 없 으며 , 또한 그래핀 밴드 갭 의 변화 를 자세히 확인 할 수 없 다 . 특히 , 본 발명 에서 는 리튬 이온 의 미세 한 흡착 량 변화 에 따라 밴드 갭 의 크기 가 결정 되 므로 상기 범위 내 에서 리튬 이온 량 을 조절 해야 만 한다 .