그 중 , 계면 준위 에 기인 한 암 전류 의 발생 을 억제 하 는 방법 으로서 는 , 매립 형 포토 다이오드 구조 가 유효 하 다 . 이 매립 형 포토 다이오드 는 , 예 를 들 면 , n 형 반도체 영역 을 형성 하 고 , 이 n 형 반도체 영역 의 표면 , 즉 절 연막 과 의 계면 근방 에 , 암 전류 억제 를 위한 얕 고 불순물 농도 가 진한 p 형 반도체 영역 ( 정공 축적 영역 ) 을 형성 하 여 구성 된다 .