본 발명 이 이루 고자 하 는 상기 기술 적 인 과제 를 해결 하 기 위한 유기 박막 트랜지스터 제조 방법 은 기판 의 상부 에 소스 / 드레 인 전극 을 형성 하 는 단계 ; 상기 소스 / 드레 인 전극 의 소정 부분 이 노출 되 도록 뱅크 를 형성 하 는 단계 ; 상기 뱅크 의 표면 을 소수성 처리 하 는 단계 ; 상기 노출 된 소스 / 드레 인 전극 상부 에 스핀코팅 방법 으로 유기 반도체 층 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 유기 반도체 층 과 절연 되 도록 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 것 이 바람직 하 다 .