도전 층 ( 442 ) 이 임의 의 적합 한 방법 ( 예 를 들 어 , CVD , PVD 등 ) 에 의해 증착 된 텅스텐 , 또 다른 적합 한 금속 , 고농 도 도핑 된 반도체 물질 , 도전 성 실리사이드 , 도전 성 실리사이드 - 게르마 나 이드 , 도전 성 게르마 나 이드 등 과 같 은 임의 의 적합 한 도전 물질 로부터 형성 될 수 있 다 . 이외 의 도전 층 물질 들 이 사용 될 수 도 있 다 . 장벽층 들 및 / 또는 부착 층 들 ( 440 ) 은 질화 티탄 또는 질화 탄탈 과 같 은 또 다른 적합 한 층 , 질화 텅스텐 , 하나 이상 의 층 들 의 조합 , 또는 이외 어떤 다른 적합 한 물질 ( 들 ) 을 포함 할 수 있 다 . 증착 된 도전 층 ( 442 ) 및 장벽 및 / 또는 부착 층 ( 440 ) 이 제 2 의 한 세트 의 도체 들 ( 438 ) 을 형성 하 기 위해 패 터닝 되 고 에칭 될 수 있 다 . 적어도 일 실시 예 에서 , 상부 도체 들 ( 438 ) 은 하부 도체 들 ( 408 ) 과 는 다른 방향 으로 확장 하 는 실질 적 으로 평행 하 고 실질 적 으로 공면 의 도체 들 이 다 .