본 실시 예 에서 는 반도체 레이저 로서 도 2 에 나타내 는 바 와 같이 발진 파장 이 775 - 785 nm 정도 의 것 을 기재 했 지만 , 본 실시 예 는 이것 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 즉 , 도 9 , 도 10 , 도 11 에 나타내 는 바 와 같 은 발진 파장 이 1250 - 1580 nm 정도 의 반도체 레이저 라도 , 확산 억제 도 팬 트 의 효과 는 변하 지 않 으므로 , 본 발명 의 효과 를 얻 을 수 있 다 . 또한 , 도 9 , 도 10 , 도 11 의 반도체 레이저 에 있 어서 재료 계 로서 InGaAsP 를 들 고 있 지만 , AlGaInAs 라도 된다 . 또한 n 형 도 팬 트 는 S 이외 의 것 이 라도 본 발명 의 효과 에 변함 은 없 다 .