히트 플레이트 ( 400 ) 는 , 전지 셀 ( 100 ) 적층 체의 하부 와 프레임 ( 300 ) 의 하 면 사이 에 위치 할 수 있 다 . 히트 플레이트 ( 400 ) 는 열전도 성 수지 보다 상대 적 으로 가벼운 금속 으로 형성 될 수 있 다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 금속 은 알루미늄 으로 형성 될 수 있 으며 , 압출 공법 적용 이 가능 한 재질 로서 마그네슘 으로 도 형성 될 수 도 있 다 .