도 17 은 도 16 의 J - J 라인 을 따라 절취 한 냉 각판 ( 2340 ) 및 냉 각판 더 모 커플 ( 2395 ) 의 일부분 의 단면도 이 다 . 도 18 은 도 16 의 J - J 라인 을 따라 절취 한 냉 각판 ( 2340 ) 및 냉 각판 더 모 커플 ( 2395 ) 의 일부분 의 단면도 이 다 . 본 발명 의 일실 시예 에 따라 , 냉 각판 더 모 커플 ( 2395 ) 은 조직 바이오 배리어 ( 2337 ) 가 냉 각판 ( 2340 ) 의 표면 에 대해 평탄 하 게 놓이 도록 하 기 위해 평탄 화 될 수 있 다 . 본 발명 의 일실 시예 에 따라 , 냉 각판 ( 2340 ) 은 어 플리 케 이터 ( 2320 ) 의 원거리 단부 에 위치 될 수 있 다 . 본 발명 의 일실 시예 에 따라 , 냉 각판 ( 2340 ) 은 안테나 크 래들 ( 2374 ) 의 원거리 단부 에 접착 될 수 있 다 . 본 발명 의 일실 시예 에 따라 , 냉 각판 ( 2340 ) 은 디스포저 블 ( 2363 ) 이 어 플리 케 이터 ( 2320 ) 에 접속 될 때 에 조직 바이오 배리어 ( 2337 ) 를 스트레칭 하 도록 위치 될 수 있 다 . 본 발명 의 일실 시예 에 따라 , 냉 각판 ( 2340 ) 은 디스포저 블 ( 2363 ) 이 어 플리 케 이터 ( 2320 ) 에 부착 될 때 에 조직 챔버 ( 2338 ) 내 로 0 . 001 인치 와 0 . 020 인치 사이 , 바람직 하 게 는 0 . 010 인치 연장 하 도록 위치 될 수 있 다 . 본 발명 의 일실 시예 에 따라 , 냉 각판 ( 2340 ) 은 대략 0 . 010 인치 와 0 . 014 인치 사이 , 바람직 하 게 는 0 . 014 인치 의 두께 를 갖 도록 선택 될 수 있 다 . 본 발명 의 일실 시예 에 따라 , 냉 각판 ( 2340 ) 은 강성 , 높 은 열전도율 , 및 마이크로파 에너지 를 조직 내 로 연결 시키 는 것 을 증가 시키 기 위해 선택 된 유전 상수 를 갖 는 재료 로부터 선택 될 수 있 다 . 본 발명 의 일실 시예 에 따라 , 냉 각판 ( 2340 ) 은 세라믹 일 수 도 있 다 . 본 발명 의 일실 시예 에 따라 , 냉 각판 ( 2340 ) 은 90 ％ 와 99 ％ 사이 , 바람직 하 게 는 96 ％ 의 알루미늄 일 수 있 다 . 본 발명 의 일실 시예 에 따라 , 냉 각판 ( 2340 ) 은 대략 1 watt / meter ㆍ Kelvin 과 대략 75 watt / meter ㆍ Kelvin 사이 , 바람직 하 게 는 30 watt / meter ㆍ Kelvin 의 실온 에서 의 열전도율 을 가질 수 있 다 . 본 발명 의 일실 시예 에 따라 , 냉 각판 ( 2340 ) 은 4 와 15 사이 , 바람직 하 게 는 10 의 유전 상수 를 가질 수 있 다 . 본 발명 의 일실 시예 에 따라 , 냉 각판 ( 2340 ) 은 표면파 ( surface wave ) 의 형태 로 냉 각판 에 트랩 되 는 마이크로파 에너지 를 최소 화 하 는 재료 일 수 있 다 .