에칭 방법 이 설명 된다 . 방법 은 , 실리콘 질화물 을 함유 하 는 제 1 재료 및 제 1 재료 와 는 상이 한 제 2 재료 를 갖 는 기판 을 제공 하 는 단계 , H 및 선택 적 으로 불활성 가스 ( noble gas ) 를 함유 하 는 제 1 프로세스 가스 의 플 라즈 마 여기 ( plasma - excitation ) 에 의해 제 1 화학 혼합물 을 형성 하 는 단계 , 및 기판 상 의 제 1 재료 를 제 1 화학 혼합물 에 노출 시키 는 단계 를 포함 한다 . 그 후 , 방법 은 , S 와 F , 및 선택 적 으로 불활성 요소 를 함유 하 는 제 2 프로세스 가스 의 플 라즈 마 여기 에 의해 제 2 화학 혼합물 을 형성 하 는 단계 , 및 제 2 재료 에 대해 제 1 재료 를 선택 적 으로 에칭 하 기 위해 기판 상 의 제 1 재료 를 플 라즈 마 여기 된 제 2 프로세스 가스 에 노출 시키 는 단계 를 포함 한다 .