도 4 a 의 우측 에 는 , 전술 과 같 은 방법 으로 제작 된 DBR 구조물 의 밴드 다이어그램 이 개시 되 어 있 다 . 본 발명 에 따르 면 , 밴드 다이어그램 에 도시 된 바 와 같이 , 타입 - II 밴드 라인업 에 의해 InAlGaAs 층 ( 341 ) 과 InP 층 ( 343 ) 의 접합 계면 에서 발생 하 는 천이 가 , InAlGaAs 층 ( 341 ) 과 InP 층 ( 343 ) 사이 에 형성 된 InAlAs 층 ( 342 ) 에 의해 에너지 의 높낮이 가 두 층 사이 에서 뚜렷이 나타나 지 않 고 완만 해졌 음 을 확인 할 수 있 다 . 또한 , 공간 적 으로 도 InAlGaAs 층 ( 341 ) 과 InP 층 ( 343 ) 사이 에 삽입 된 InAlAs 층 ( 342 , 344 ) 의 형성 두께 만큼 InAlGaAs 층 ( 341 ) 과 InP 층 ( 343 ) 사이 의 캐리어 ( carrier ) 가 떨어지 는 효과 가 생기 므로 InAlGaAs 층 ( 341 ) 과 InP 층 ( 343 ) 사이 의 타입 - Ⅱ 밴드 라인업 에 의한 흡수 밴드 는 발생 하 지 않 게 된다 .