이어서 , 도 1 d 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 희생 절 연막 ( 102 B ) , 제 2 희생 절 연막 ( 103 ) 및 불순물 확산 층 ( 104 ) 을 덮 도록 제 3 희생 절 연막 ( 105 ) 을 형성 한다 . 이때 , 제 3 희생 절 연막 ( 105 ) 은 제 1 희생 절 연막 ( 102 B ) 과 동일 한 물질 로 형성 하 거나 불순물 이온 이 도핑 되 지 않 는 절 연막 으로 형성 할 수 있 다 . 또는 , 동일 습식 식각 조건 하 에서 제 1 희생 절 연막 ( 102 B ) 보다 식각 율 이 낮 은 절 연막 으로 형성 하 거나 , 제 1 희생 절 연막 ( 102 B ) 보다 낮 은 불순물 농도 를 갖 는 절 연막 으로 형성 할 수 있 다 . 예컨대 , 제 3 희생 절 연막 ( 105 ) 은 USG 막 , PE - TEOS 막 , PSG 막 , BSG 막 또는 BPSG 막 , 바람직 하 게 는 PE - TEOS 막 으로 형성 한다 . 또한 , 제 3 희생 절 연막 ( 105 ) 은 1000 Å 이상 , 구체 적 으로 1000 ~ 8000 Å 으로 형성 한다 .