다음 으로 , 도 1 c 에서 볼 수 있 는 바 와 같이 , 기판 ( 100 ) 의 상부 에 전도성 금속 으로 전도성 박막 ( 104 ) 을 형성 한다 . 이때 사용 되 는 전도성 금속 으로 는 티탄 또는 구리 가 바람직 하 게 사용 된다 . 본 발명 에서 전도성 박막 ( 104 ) 는 화학 기상 증착 방법 ( CVD ) 이나 , 스퍼터링 방법 으로 도포 하 여 형성 될 수 있 다 .