이 와 같이 하 여 자기 메모리 장치 를 구성 함 으로써 , 비트 선 ( 26 ) 과 상부 전극 층 ( 60 ) 및 콘택트 플러그 ( 58 ) 가 평면 적 으로 겹치 지 않 고 , 비트 선 ( 26 ) 을 상부 전극 층 ( 60 ) 보다 도 하층 측 에 형성 할 수 있 다 . 따라서 , 제 2 실시 예 에 의한 자기 메모리 장치 와 비교 하 여 비트 선 콘택트 홀 ( 콘택트 플러그 ( 24 ) ) 이 얕 아 지 고 , 제조 가 용이 해 지 는 동시 에 콘택트 저항 을 저감 할 수 있 다 .