반도체 층 ( 14 ) 은 실리콘 기판 ( 11 ) 을 덮 으면서 예시 되 어 있 다 . 종래 소자 의 FET ( field effect transistor ) 는 소오 스 영역 ( 16 a ) 과 드레 인 영역 ( 18 a ) 을 구비 하 고 있 다 . n 형 도프 된 소오 스 영역 ( 16 a ) 은 p 형 도프 된 웰 영역 ( 20 ) 내 에 형성 되 어 있 다 . 웰 영역 ( 20 ) 은 종종 P 형 몸체 라 칭한다 . 이 P 형 몸체 ( 20 ) 는 예시 된 바 와 같이 반도체 층 ( 14 ) 을 통하 여 버퍼 산화 막 ( 12 ) 의 상부 표면 까지 연장 될 수 있 거나 , 또는 영역 이 반도체 층 ( 14 ) 내 에 충분히 있 을 수 있 다 .