도 5 a 및 도 5 b 를 참조 하 면 , 감광막 패턴 ( 50 ) 을 식각 마스크 로 사용 하 여 불순물 영역 ( 15 ) 사이 의 소자 분리 막 ( 11 ) 이 식각 되 어 트렌치 ( 12 ) 가 노출 된다 . 이때 , 플 라즈 마 를 사용 한 건 식식 각 방법 이 사용 될 수 있 다 . 도시 되 지 않 았 지만 , 소자 분리 막 ( 11 ) 이 식각 될 때 , 감광막 패턴 ( 50 ) 에 의해 덮혀 있 지 않 는 제어 게이트 ( 24 ) 상부 가 일부 식각 될 수 있 다 .