상술 한 노광 공정 을 거치 고 마스크 ( 200 ) 를 통해 노광 된 포토레지스트 층 ( 104 ) 을 현상 하 고 나 면 , 도 7 b 에 도시 한 바 와 같이 차 단부 ( 도 7 a 의 M 2 ) 에 대응 하 여 제 1 포토레지스트 패턴 ( 104 a ) 이 형성 되 고 , 반투 과부 ( 도 7 a 의 M 3 ) 에 대응 하 여 제 1 포토레지스트 패턴 ( 104 a ) 보다 두께 가 얇 은 제 2 포토레지스트 패턴 ( 104 b ) 이 형성 된다 .