상기 스무 딩 처리 블록 ( 50 ) 에 는 , 레지스 트 패턴 이 형성 되 고 , 노광 후 의 현상 처리 가 된 웨이퍼 ( W ) 의 레지스 트 패턴 의 표면 에 레지스 트 의 용제 증기 를 공급 하 여 레지스 트 패턴 표면 을 평활 화 하 는 스무 딩 처리 유닛 ( 51 ) 과 , 스무 딩 처리 전 의 웨이퍼 ( W ) 의 표면 에 형성 된 레지스 트 패턴 의 용해 저해 성 보호기 를 분리 하 기 위한 자외선 을 웨이퍼 ( W ) 의 표면 에 조사 하 는 자외선 조사 유닛 ( 52 ) 과 , 스무 딩 처리 후 의 웨이퍼 ( W ) 에 부착 되 는 용제 분위기 를 증발 시키 기 위한 열처리 유닛 ( 53 ) 과 , 스무 딩 처리 유닛 ( 51 ) 과 자외선 조사 유닛 ( 52 ) 또는 열처리 유닛 ( 53 ) 사이 에서 웨이퍼 ( W ) 를 전달 하 는 웨이퍼 반송 아암 ( 54 ) [ 기판 반송 아암 ] 이 배치 되 어 있 다 . 이 웨이퍼 반송 아암 ( 54 ) 은 , 이동 기구 ( 54 a ) 에 의해 수직 의 Z 방향 및 수평 의 X , Y 방향 으로 이동 가능 하 게 형성 되 어 있 다 . 또한 , 스무 딩 처리 블록 ( 50 ) 의 카세트 스테이션 ( 10 ) 측 에 는 , 얼라인먼트 유닛 ( ALIM ) 이 배치 되 어 있 다 .