양자 점 은 낮 은 밴드 갭 영역 으로서 얇 은 GaAsSb 층 을 사용 하 고 높 은 밴드 갭 영역 으로서 GaAs 층 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 ( 따라서 , 이 경우 에 GaAs 층 은 장벽 영역 으로서 작용 함 ) . 본 발명 의 NW 는 반경 방향 또는 축 방향 으로 헤테로 구조 화 된 형태 를 갖 도록 성장 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 축 방향 헤테로 구조 화 된 NW 의 경우 , p - 형 도핑 된 코어 를 먼저 성장 시킨 다음 n - 형 도핑 된 코어 를 성장 ( 또는 그 반 대로 ) 킴 으로써 p - n 접합 을 축 방향 으로 형성 할 수 있 다 . p - i - n NW 를 위해 도핑 된 코어 들 사이 에 진성 영역 이 위치 될 수 있 다 . 헤테로 구조 또는 양자 헤테로 구조 는 성장 공정 동안 공급 되 는 원소 를 변화 시킴 으로써 진성 영역 내 로 도입 될 수 있 다 . 반경 방향 헤테로 구조 화 된 NW 의 경우 , p - 형 도핑 된 NW 코어 를 먼저 성장 시킨 다음 , 진성 쉘 및 이어서 n - 형 도핑 된 반도체 쉘 을 성장 시킴 으로써 ( 또는 그 반 대로 ) p - i - n 접합 을 반경 방향 으로 형성 할 수 있 다 . 성장 공정 동안 공급 되 는 원소 를 변화 시킴 으로써 진성 영역 으로 양자 헤테로 구조 가 도입 될 수 있 다 .