이때 , 에피 택 셜 층 ( 25 ) 의 두께 는 100 ~ 10000 Å 정도 가 됨 이 바람직 하 다 . 이러 한 에피 택 셜 성장 공정 에 있 어서 , Si 소스 가스 로 는 SiH 4 가스 , SiH 2 Cl 2 가스 , SiCl 4 가스 또는 Si 2 H 6 가스 중 선택 된 하나 이상 의 가스 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 며 , 공정 온도 는 500 ~ 1200 ℃ 의 범위 를 유지 하 는 것 이 바람직 하 다 .