다음 으로 , 도 43 에서 , N 타입 일함수 층 ( 85 ) 이 게이트 트렌치 ( 69 ) 에 , 예컨대 P 타입 일함수 층 ( 99 ) 과 N 타입 일함수 층 ( 94 ) 위 에서 이 들 과 접촉 하 여 등각 으로 형성 된다 . 다음 으로 , BARC 층 ( 86 ) 및 상부 포토레지스트 ( 88 ) 를 포함 하 는 패 터닝 된 포토레지스트 가 N 타입 일함수 층 ( 85 ) 위 에 형성 된다 . 상부 포토레지스트 ( 88 ) 는 포토 리소그래피 및 에칭 기술 을 사용 하 여 패 터닝 될 수 있 다 . 이어서 상부 포토레지스트 ( 88 ) 의 패턴 은 플 라즈 마 에칭 공정 과 같 은 이방성 에칭 공정 에 의해 BARC 층 ( 86 ) 에 전사 된다 . 이방성 에칭 공정 후 에 , N 타입 일함수 층 ( 94 ) 위 에 배치 된 N 타입 일함수 층 ( 85 ) 의 일부 가 제거 된다 .