배선 ( 21 , 22 , 24 ) 의 글래스 기판 ( 100 ) 위 의 부분 은 , 예 를 들 면 알루미늄 배선 으로 형성 할 수 있 다 . 도 3 에 도시 한 바 와 같이 , 배선 ( 21 , 22 ) 은 마이너스 전원 발생 회로 ( 2 ) 와 단자 P 11 , P 12 사이 에 배치 된다 . 또한 , 배선 ( 24 ) 은 마이너스 전원 발생 회로 ( 2 ) 와 드라이버 IC ( 3 ) 의 전원 단자 VSS 사이 에 배치 된다 . 그리고 , 그 들 배선 길 이 L 은 거의 동일 하 며 , 배선 폭 을 서로 다르 게 함 으로써 저항 치 R 11 , R 12 , R 14 를 전술 한 관계 를 충족 시키 도록 조정 할 수 있 다 . 즉 , 배선 ( 21 ) 의 배선 폭 을 W 11 , 배선 ( 22 ) 의 배선 폭 을 W 12 , 배선 ( 24 ) 의 배선 폭 을 W 14 로 하 면 , W 14 < W 11 , W 14 < W 12 라는 관계 로 하 는 것 이 다 .