본 발명 의 실시 예 에 따른 메모리 시스템 은 복수 의 메모리 블록 들 을 포함 하 며 , 내부 커맨드 에 응답 하 여 상기 복수 의 메모리 블록 들 의 프로그램 동작 , 리드 동작 및 소거 동작 을 수행 하 는 메모리 장치 ; 및 호스트 의 요청 에 응답 하 여 상기 프로그램 동작 , 상기 리드 동작 , 및 상기 소거 동작 을 수행 하 도록 상기 메모리 장치 를 제어 하 며 , 상기 복수 의 메모리 블록 들 중 상기 프로그램 동작 이 완료 된 제 1 메모리 블록 의 스트레스 체크 동작 을 수행 하 는 컨트롤러 를 포함 하 며 , 상기 컨트롤러 는 상기 제 1 메모리 블록 의 스트레스 값 이 제 1 설정 값 이상일 경우 상기 제 1 메모리 블록 의 테스트 리드 동작 을 수행 하 도록 상기 메모리 장치 를 제어 한다 .