전술 한 종래 의 문헌 들 에 개시 되 어 있 는 PRAM 장치 의 제조 방법 에 있 어서 , 데이터 가 저장 되 는 상변화 물질 층 패턴 은 칼 코켄 화합물 을 이용 한 막 증착 공정 으로 상변화 물질 층 을 형성 한 후 에 상기 상변화 물질 층 을 건식 식각 공정 으로 식각 하 여 형성 된다 . 그러나 상변화 물질 층 을 건식 식각 공정 으로 패 터닝 하 는 동안 상변화 물질 층 에 식각 손상 이 심하 게 발생 함 으로써 , 상변화 물질 층 의 손상 된 부위 에서 데이터 의 저장 에 오류 가 발생 하 는 등 의 PRAM 장치 의 불량 이 유발 되 는 문제 가 일어날 수 있 다 .