일 실시 형태 에 따르 면 , 실리콘 을 함유 하 는 재료 상 에 금속 을 함유 하 는 층 을 증착 하 는 단계 및 증착 된 층 의 제 1 부분 을 열 산화 하 여 저항 스위칭 메모리 소자 에 대한 저항 스위칭 금속 산화물 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 저항 스위칭 메모리 소자 를 제조 하 는 방법 이 제공 되 며 , 금속 규화물 층 은 증착 된 층 의 제 2 부분 과 상기 재료 로부터 형성 된다 .