한편 , 상기 게이트 전극 의 전기 적 인 저항 을 감소 시키 는 방법 이 미국 특허 제 5 , 646 , " 782 호 에 "" 샐리 사이드 방법 을 이용 한 소스 / 드레 인과 게이트 전극 을 분리 하 는 방법 ( Method to ensure isolation between source - drain and gate electrode using self aligned silicidation ) "" 이 라는 제목 으로 고 ( Koh ) 에 의해 개시 된 바 있 다 . "