또한 , 상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 소자 의 제조 방법 은 , 소자 분리 막 을 구비 한 반도체 기판 의 게이트 형성 영역 을 리세 스 하 여 홈 을 형성 함 과 아울러 접합 예정 영역 의 일부분 을 리세 스 하 여 접합 예정 영역 을 단 차지 도록 만드 는 단계 ; 홈 상 에 리세 스 게이트 를 형성 하 는 단계 ; 단 차진 접합 예정 영역 에 불순물 을 이온 주입 해서 단 차진 접합 영역 을 형성 하 는 단계 ; 단 차진 접합 영역 및 리세 스 게이트 를 덮 도록 기판 전면 상 에 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 층간 절 연막 을 식각 하 여 단 차진 접합 영역 의 단차 부 를 노출 시키 는 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 ; 및 콘 택 홀 을 매립 하 도록 층간 절 연막 상 에 비트 라인 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 한다 .