먼저 , 층간 절연 층 ( 128 ) , 소스 층 ( 130 a ) 및 드레 인 층 ( 130 b ) 위 에 절연 층 ( 132 ) 을 형성 한다 ( 도 13 ( A ) 참조 ) . 절연 층 ( 132 ) 은 PVD 법 이나 CVD 법 등 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 또 , 산화 실리콘 , 질화 산화 실리콘 , 질화 실리콘 , 산화 하프늄 , 산화 알루미늄 , 산화 탄탈 등 의 무기 절연 재료 를 포함 하 는 재료 를 이용 하 여 형성 할 수 있 다 .