개시 된 적층 형 패키지 는 , 리드 프레임 상하 에 다수 의 칩 이 적층 되 고 , 리드 프레임 의 이너 리드 와 다수 의 칩 각각 이 와이어 본딩 되 며 , 다수 의 칩 과 와이어 를 외부 로부터 보호 하 기 위하 여 리드 프레임 상 에 마련 된 몰딩 층 및 이너 리드 가 외부 로 노출 되 도록 몰딩 층 에 콘 택 홀 이 형성 된 서브 스택 패키지 와 , 콘 택 홀 에 충 진 된 전도성 부재 와 , 서브 스택 패키지 상 에 실장 된 다수 의 서브 칩 과 , 다수 의 서브 칩 각각 과 전도성 부재 를 전기 적 으로 연결 하 는 서브 와이어 및 다수 의 서브 칩 과 서브 와이어 를 밀봉 하 는 서브 몰딩 층 을 포함 함 으로써 , 칩 스택 적층 형 패키지 와 패키지 스택 적층 형 패키지 의 혼합 에 의해 전체 적 인 두께 의 소폭 증가 와 더불 어 높 은 칩 덴 서티 를 얻 을 수 있 는 효과 를 제공 한다 .