집 적 회로 의 제 조시 , 기판 내 에서 일치 하 는 결과 뿐 만 아니 라 기판 마다 재생 가능 한 결과 를 달성 하 기 위해 다양 한 공정 매개변수 의 정밀 한 제어 가 요구 된다 . 반도체 장치 를 형성 하 기 위한 기판 의 지오 메트리 한계 ( geometry limit ) 가 기술 적 한계 보다 중요 하 기 때문 에 , 더 타이트한 허용 오 차 및 정밀 한 공정 제어 가 제조 성공 에 대해 임계 적 이 다 . 그러나 , 지오 메트리 가 축소 되 면서 , 정밀 한 임계 적 크기 및 에지 공정 제어 는 어려움 이 증가 되 었 다 . 처리 동안 , 기판 에 걸친 온도 및 / 또는 온도 구배 에서 의 변화 는 식각 율 및 균일성 , 재료 증착 , 단차 도포 율 , 피쳐 테이퍼 각도 ( feature taper angles ) , 및 반도체 장치 의 다른 매개변수 에 나쁜 영향 을 미칠 수 있 다 .