도 10 을 참조 하 면 , 제 1 패턴 들 ( 104 ) 및 제 2 패턴 들 ( 106 ) 의 상면 이 노출 되 도록 필드 절 연막 ( 122 ) 을 부분 적 으로 제거 하 여 , 제 1 트렌치 ( 110 ) 및 제 2 트렌치 ( 116 ) 를 매립 하 는 제 1 필드 절 연막 패턴 ( 124 ) 및 제 2 필드 절 연막 패턴 ( 126 ) 을 각기 형성 한다 . 이 경우 , 제 1 필드 절 연막 패턴 ( 124 ) 은 기판 ( 100 ) 의 셀 영역 ( C ) 에 형성 되 며 , 제 2 필드 절 연막 패턴 ( 126 ) 은 기판 ( 100 ) 의 주변 영역 ( P ) 에 위치 한다 . 제 1 필드 절 연막 패턴 ( 124 ) 및 제 2 필드 절 연막 패턴 ( 126 ) 은 화학 기계 적 연마 공정 및 / 또는 에치 - 백 공정 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 .