다음 에 , 도 11 및 도 12 에 도시 한 바 와 같이 , 백 게이트 도전 층 ( 22 ) , 희생 층 ( 91 ) , 게이트 도전 층 ( 82 ) 및 층간 절연 층 ( 83 a ) 상 에 교대 로 산화 실리콘 ( SiO 2 ) 및 폴리 실리콘 ( p - Si ) 을 적층 시켜 , 제 1 내지 제 4 판상 워드 선간 절연 층 ( 31 a ' 내지 31 d ': 제 2 절연 층 ) , 제 1 내지 제 4 판상 폴리 실리콘 도전 층 ( 32 a ' 내지 32 d ': 제 13 - 20 항 에 기재 된 제 2 도전 층 ) , 및 제 1 판상 분리 / 절연 층 ( 33 a ') 을 형성 한다 . 이 들 제 1 내지 제 4 판상 워드 선간 절연 층 ( 31 a ' 내지 31 d '), 제 1 내지 제 4 판상 폴리 실리콘 도전 층 ( 32 a ' 내지 32 d '), 및 제 1 판상 분리 / 절연 층 ( 33 a ') 은 적층 방향 에 직교 하 는 방향 ( 로우 방향 및 칼럼 방향 ) 으로 2 차원 적 으로 넓혀 지 도록 형성 된다 .