본 발명 에 따르 면 , 저전압 으로 수소 이온 을 주입 하 기 때문 에 수소 이온 의 투영 비정 거리 ( Rp ) 가 작아지 는 동시 에 주입 된 수소 이온 주 입부 의 분포 를 좌우 하 는 △ Rp 의 값 도 작아지 며 , 이 는 후속 되 는 수소 이온 주 입부 의 벽개 공정 시 벽개 된 표면 의 Rms 값 이 작 게 되 어 CMP 공정 없이 벽개 표면 에 대한 수소 열처리 와 습식 식각 공정 만 으로 도 나노 급 소자 형성 영역 을 형성 할 수 있 다 .