본 발명 의 일 측면 은 ( A ) 게르마늄 기판 상 에 이산화 게르마늄 층 을 형성 하 여 게르마늄 - 게르마늄 산화 막 을 제조 하 는 단계 ; ( B ) 상기 이산화 게르마늄 층 상 에 high - k 물질 을 증착 하 여 게르마늄 - 게르마늄 산화 막 - 고 유전율 ( high - k ) 절 연막 을 제조 하 는 단계 ; 및 ( C ) 상기 게르마늄 - 게르마늄 산화 막 - 고 유전율 절 연막 을 산소 분위기 및 400 내지 600 ℃ 온도 에서 열처리 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 게르마늄 - 게르마늄 산화 막 - 고 유전율 절 연막 의 제조 방법 을 제공 한다 .