ALD 법 에 의해 텅스텐 막 을 성막 하 는 경우 , 원료 가스 로서 예 를 들 어 육 불화 텅스텐 ( WF 6 ) 가스 , 환원 가스 로서 예 를 들 어 H 2 가스 가 사용 된다 . 그러나 , WF 6 가스 를 사용 해서 텅스텐 막 을 성막 하 는 경우 , 반도체 디바이스 에서 의 , 특히 게이트 전극 이나 메모리 의 워드 선 등 에서 , WF 6 가스 에 포함 되 는 불소 가 게이트 절 연막 을 환원 하 여 , 전기 특성 을 열화 시킬 경우 가 있 다 .