도 10 - 13 은 본 발명 의 다양 한 예시 적 인 실시 형태 에 따른 플립 칩 본딩 기계 를 위한 초음파 트랜스 듀 서 시스템 ( 1000 , 1100 , 1200 , 1300 ) 을 도시 한다 . 보다 구체 적 으로 , 도 9 의 초음파 트랜스 듀 서 시스템 ( 912 ) 은 초음파 트랜스 듀 서 시스템 ( 1000 , 1100 , 1200 , 1300 ) 과 관련 하 여 도 10 - 13 에 도시 되 어 있 는 것 을 포함 하 여 , 많 은 구성 들 중 어떤 것 이 라도 취할 수 있 다 . 도시 의 단순 성 과 용이 함 을 위해 , 도 10 은 도 1 a 와 매우 유사 하 고 , 동일 한 참조 번호 는 동일 한 요소 를 나타내 며 , 도 11 은 도 5 a 와 매우 유사 하 고 , 동일 한 참조 번호 는 동일 한 요소 를 나타내 고 , 도 12 는 도 6 a 와 매우 유사 하 며 , 동일 한 참조 번호 는 동일 한 요소 를 나타내 며 , 그리고 도 13 은 도 7 a 와 매우 유사 하 고 , 동일 한 참조 번호 는 동일 한 요소 를 나타낸다 . 따라서 , 동일 한 참조 번호 를 갖 는 그러 한 요소 에 대한 설명 은 생략 한다 . 그러나 , 도 10 - 13 각각 은 각각 의 트랜스 듀 서 ( 102 , 502 , 602 , 702 ) 의 작업 단부 ( 102 c , 502 c , 602 c , 702 c ) 를 도시 한다 . 이 들 작업 단부 ( 102 c , 502 c , 602 c , 702 c ) 각각 은 축 부 ( 1002 a ) 와 베이스 부 ( 1002 b ) 를 포함 하 는 플립 칩 본딩 도구 ( 1002 ) 를 유지 한다 . 베이스 부 ( 1002 b ) 는 반도체 요소 ( 1004 ) 를 유지 하 며 ( 예컨대 , 본딩 도구 ( 1002 ) 를 통해 도입 되 는 진공 등 에 의해 ) , 또한 플립 칩 본딩 작업 과 관련 하 여 반도체 요소 ( 1004 ) 를 본 딩 시키 도록 구성 되 어 있 다 ( 예컨대 , 본딩 공정 은 초음파 본딩 을 포함 함 ) .