도 4 를 참조 하 면 , 반도체 소자 는 채널 이 상 / 하 방향 으로 형성 되 는 복수 의 트랜지스터 ( 100 ) 를 포함 하 며 , 각각 의 트랜지스터 ( 100 ) 는 개별 적 으로 대응 하 는 필라 패턴 ( 42 ) , 필라 패턴 ( 42 ) 의 측벽 에 형성 된 게이트 절 연막 ( 53 ) 및 게이트 절 연막 ( 43 ) 의 측벽 에 형성 되 어 게이트 전극 및 배선 으로 작용 하 는 도전 막 ( 44 ) 을 포함 한다 . 또한 , 도전 막 ( 44 ) 의 상 / 하부 와 접하 고 필라 패턴 ( 42 ) 에 형성 된 소스 및 드레 인 을 포함 한다 . 더불 어 , 필라 패턴 ( 42 ) 의 하부 에 형성 된 베리드 비트 라인 ( 45 , baried bit line ) 을 포함 한다 .