이후 , 애 싱 된 포토레지스트 패턴 ( 450 ) 에 의해 노출 된 데이터 금속 층 ( 130 a ) 을 건식 에칭 ( dry etching ) 을 통해 제거 함 으로써 , 도 12 e 에 도시 된 바 와 같이 , 데이터 라인 , 데이터 라인 에 접속 된 소스 전극 ( 132 ) 및 소스 전극 과 대향 하 는 형태 로 분리 된 드레 인 전극 ( 133 ) 을 형성 한다 .