도 3 을 참조 하 면 , 본 발명 의 CMOS 이미지 센서 의 픽셀 은 , 고농도 p 형 반도체 기판 ( 301 ) 상 에 형성 된 저 농도 의 p 형 에피 택 셜 층 ( 302 ) 과 , 에피 택 셜 층 ( 302 ) 에 국부 적 으로 형성 된 STI ( shallow Trench Isolation ) 영역 ( 304 ) 과 , 에피 택 셜 층 내 에 형성 된 핀 드 포토다이오드 ( PPD ) , 및 핀 드 포토다이오드 ( PPD ) 에 생성 된 광전 하 를 센싱 노드 인 FD 노드 ( 314 ) 에 전달 하 기 위한 트랜 스터 게이트 ( 312 ) 를 구비 한다 .