도 6 a 내지 도 6 l 은 본 발명 의 제 5 실시 예 를 개략 적 으로 도시 한 단면도 이 다 . 도면 을 참조 하 면 , 상기 제 4 실시 예 와 달리 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 형성 후 포토레지스트 ( 5 b ) 패턴 을 제거 하 고 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 위상 반전 포토 마스크 를 제조 하 는 방법 에 대하 여 설명 한다 .