현재 , 실리콘 기재 금속 - 옥사이드 - 반도체 전계 효과 트랜지스터 ( silicon - based metal - oxide - semiconductor field - effect transistor : MOSFET ) 는 전자 시스템 및 전력 전자 시스템 의 사 역마 ( workhorse ) 이 다 . 그러나 , 성능 요건 의 증가 에 대한 요구 는 실리콘 물질 의 한계 를 압박 하 고 있 다 . 개선 된 특징 을 갖 는 트랜지스터 , 특히 보다 높 은 전류 밀도 , 보다 높 은 열 전도도 , 및 보다 높 은 변환 주기 ( switching frequency ) 를 갖 는 트랜지스터 를 갖 는 것 이 요망 된다 .