게이트 산화 막 은 제법 이나 처리 에 의해 성질 이 현저 하 게 상위 한 경우 가 있 고 , 제법 이 너무 제어 되 어 있 지 않 은 경우 에 는 , 산화 막 중 에 전자 나 홀 을 포획 하 는 트랩 이 잔존 한다 . 도면 에서 는 실리콘 산화 막 의 전 도 대 아래 , 2 . 0 eV 의 위치 에 전자 를 포획 하 는 트랩 이 존재 하 는 경우 를 나타내 고 있 다 .