일부 실시 예 에서 , 제 1 전극 ( 108 a ) 이 화소 영역 ( A ) 에 배치 된다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 전극 ( 108 a ) 의 일부 가 , 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 화소 영역 ( A ) 에 배치 되 고 주변 영역 ( B ) 으로 더 연장 된다 . 그러나 , 본 개시 가 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 일부 대안 적 인 실시 예 에서 는 , 제 1 전극 ( 108 a ) 중 어떤 것 도 주변 영역 ( B ) 에 배치 되 지 않 는다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 전극 ( 108 a ) 은 , 상호 연결 구조물 ( 106 ) 을 통해 구동 요소 층 ( 104 ) 의 능동 구성 요소 ( 미 도시 ) 및 / 또는 수동 구성 요소 ( 미 도시 ) 에 전기 적 으로 연결 된다 . 즉 , 구동 신호 들 은 구동 요소 층 ( 104 ) 의 능동 구성 요소 ( 미 도시 ) 및 상호 연결 구조물 ( 106 ) 을 통해 제 1 전극 ( 108 a ) 으로 전송 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 전극 ( 108 a ) 의 물질 은 투명 도전 성 물질 을 포함 한다 . 특정 실시 예 에서 , 투명 도전 성 물질 은 , 금속 산화물 도전 성 물질 , 예컨대 인듐 주석 산화물 , 인듐 아연 산화물 , 알루미늄 주석 산화물 , 알루미늄 아연 산화물 , 인듐 갈륨 아연 산화물 , 다른 적합 한 산화물 또는 상기 물질 중 적어도 두 개 가 적층 된 층 을 포함 할 수 있 다 . 그러나 본 개시 가 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 일부 대안 적 인 실시 예 에서 , 제 1 전극 ( 108 a ) 의 물질 은 불 투명 한 도전 성 물질 을 포함 한다 . 특정 실시 예 에서 , 불 투명 도전 성 물질 은 금속 을 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 전극 ( 108 a ) 은 , 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 도시 된 상호 연결 구조물 ( 106 ) 의 상단 표면 위 에 배치 된다 . 그러나 , 본 개시 가 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 일부 대안 적 인 실시 예 에서 , 제 1 전극 ( 108 a ) 은 상호 연결 구조물 ( 106 ) 에 내장 된다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 전극 ( 108 a ) 은 포토 리소그래피 및 에칭 공정 에 의해 형성 된다 . 예 를 들 어 , 제 1 전극 ( 108 a ) 을 형성 하 는 방법 은 , 화학 적 기상 증착 ( Chemical Vapor Deposition , CVD ) , 물리 적 기상 증착 ( Physical Vapor Deposition , PVD ) 또는 증착 ( evaporation ) 과 같 은 적절 한 제조 기술 에 의해 상호 연결 구조물 ( 106 ) 전면 ( entire ) 상 에 도전 성 물질 층 을 형성 하 는 단계 ; 및 이어서 , 포토 리소그래피 및 에칭 공정 을 수행 하 여 도전 성 물질 층 을 패 터닝 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 디스플레이 디바이스 ( 10 ) 에서 , 제 1 전극 ( 108 a ) 의 수 는 도 2 에 도시 된 것 보다 적 거나 많 을 수 있 고 , 요구 사항 및 / 또는 설계 레이아웃 에 기초 하 여 지정 될 수 있 으며 ; 본 개시 는 이 에 특별히 한정 되 지 는 않 는다 .