도 1 a 내지 도 1 f 는 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 을 도시 한 도면 으로서 , ( ⅰ ) 은 평면도 이 고 , 도 1 a 내지 도 1 b 의 ( ⅱ ) 는 ( ⅰ ) 의 A - A ' 절단면 을 따라 도시 한 단면도 이 며 , 도 1 c 내지 도 1 f 의 ( ⅱ ) 는 ( ⅰ ) 의 B - B ' 절단면 을 따라 도시 한 단면도 이 다 .