도전 막 ( 515 ∼ 518 ) 을 형성 하 는 에칭 처리 는 적절히 선택 할 수 있 다 . 에칭 속도 를 향상 시키 기 위해서 는 , ECR ( Electron Cyclotron Resonance ) 방식 이나 ICP ( Inductively Coupled Plasma : 유도 결합 플 라즈 마 ) 방식 등 의 고밀 도 플 라즈 마원 을 사용 한 드라이 에칭 장치 를 사용 하 면 된다 .