S 1125 단계 에서 , 워드 라인 주소 를 워드 라인 주소 래치 ( 177 ) 에 저장 하 며 , 소거 검증 이 수행 된다 . 예 시 적 으로 , 도 76 을 참조 하 여 설명 된 S 715 단계 내지 S 725 단계 가 수행 된다 . 즉 , 소거 페일 된 메모리 셀 들 에 대응 하 는 워드 라인 들 의 주소 들 을 저장 하 며 , 선택 된 스트링 선택 라인 에 대응 하 는 복수 의 메모리 셀 들 이 각 워드 라인 의 단위 로 소거 검증 된다 . S 1125 단계 가 수행 되 면 , 소거 페일 된 메모리 셀 들 에 대응 하 는 워드 라인 들 의 주소 들 이 워드 라인 주소 래치 ( 177 ) 에 저장 된다 .