또한 , 본 실시 예 에서 는 , 모든 TFT ( 718 , 719 , 720 ) 에서 게이트 절 연막 ( 714 ) 의 막 두께 를 모두 동일 하 게 하 고 있 지만 , 본 발명 은 이 구성 에 한정 되 지 않 는다 . 예 를 들 어 , 보다 고속 의 구동 이 요구 되 는 회로 에서 , 다른 회로 보다 TFT 가 가지 는 게이트 절 연막 의 막 두께 를 얇 게 하 도록 하 여도 좋 다 .