각각 의 메모리 셀 ( MC ) 을 프로그램 하 고 , 프로그램 된 데이터 를 읽 기 위해서 는 하나 의 셀 스트링 ( CSTR ) ( 즉 , 하나 의 활성 기둥 ( PL ) ) 을 독립 적 으로 선택 할 수 있 어야 한다 . 이 를 위해 , 비트 라인 들 ( BL ) 과 최상위 워드 라인 평면 ( WL _ PT ) 사이 에 는 , 복수 의 상부 선택 라인 들 ( USLi ) 이 배치 될 수 있 다 . 상부 선택 라인 들 ( USLi ) 은 비트 라인 들 ( BL ) 과 교차 하 도록 배치 될 수 있 다 . 비트 라인 들 ( BL ) 은 소정 의 플러그 를 통해 드레 인 영역 ( D ) 에 전기 적 으로 연결 될 수 있 고 , 드레 인 영역 ( D ) 에 직접 접촉 될 수 도 있 다 .