이 어 , 상기 터널 산화 막 ( 14 ) 을 포함 한 게이트 절 연막 ( 13 ) 상 에 폴리 실리콘 을 증착 한 후 , 이 를 선택 적 으로 제거 하 여 플로팅 게이트 ( floating gate , 15 a ) 를 형성 한다 . 이 경우 , 상기 플로팅 게이트 ( 15 a ) 는 상기 터널 산화 막 ( 14 ) 을 덮 도록 형성 한다 . 상기 플로팅 게이트 형성 을 위한 식각 공정 에서 활성 트랜지스터 의 게이트 ( 15 b ) 도 함께 형성 한다 .