또한 , 스퍼터링 법 혹은 CVD 법 등 에서 제 1 절연물 ( 108 ) 을 형성 한다 . 또한 , 상기 한 플 라즈 마 처리 를 행했 을 경우 , 당해 플 라즈 마 처리 후 에 , 기판 ( 101 ) 을 대기 분위기 에 취 출하 지 않 고 , 연속 해서 제 1 절연물 ( 108 ) 의 성막 을 행하 면 , 반도체 성 산화 물막 ( 105 b ) 의 표면 에 대기 성분 ( 특히 물 ) 이 흡착 되 지 않 으므로 바람직 하 다 .