하부 트렌치 ( 23 b ) 형성 을 위한 식각 공정 은 폴리머 생성 가스 를 사용 하 여 수행 됨 으로써 , 상부 트렌치 ( 23 a ) 의 경사면 을 보호 할 수 있 고 , 아울러 상부 트렌치 ( 23 a ) 아래 의 상기 반도체 기판 ( 20 ) 식각 시 식각 되 는 측벽 을 보호 하 여 하부 트렌치 ( 23 b ) 가 수직 프로 파일 을 갖 게 할 수 있 다 . 특히 , 하부 트렌치 ( 23 b ) 가 수직 프로 파일 을 갖 게 하 기 위하 여 하부 트렌치 ( 23 b ) 형성 을 위한 식각 은 상대 적 으로 높 은 압력 , 예 를 들 어 , 200 ~ 300 mT 의 압력 하 에서 수행 되 는 것 이 바람직 하 다 . 폴리머 생성 가스 로 는 150 ~ 250 sccm 유량 의 HBr 가스 를 사용 함 이 바람직 하 다 .