각각 의 수직 구 조체 들 ( VS ) 은 수직 절연 층 ( VP ) , 상부 반도체 패턴 ( USP ) , 하부 반도체 패턴 ( LSP ) 및 매립 절연 패턴 ( VI ) 을 포함 할 수 있 다 . 수직 절연 층 ( VP ) 은 채널 홀 ( CH ) 의 내벽 을 따라 기판 ( 100 ) 을 향하 여 연장 될 수 있 다 . 상부 반도체 패턴 ( USP ) 역시 수직 절연 층 ( VP ) 의 내벽 을 덮 으며 수직 절연 층 ( VP ) 과 함께 기판 ( 100 ) 을 향해 연장 될 수 있 다 .