상기 버퍼 층 ( 213 ) 위 에 는 저 전도 층 이 형성 되 며 , 상기 저 전도 층 은 언 도프 드 반도체 층 으로서 , 제 1 도전 형 반도체 층 의 전도 성 보다 낮 은 전도 성 을 가진다 . 상기 저 전도 층 은 3 족 - 5 족 화합물 반도체 를 이용 한 GaN 계 반도체 로 구현 될 수 있 으며 , 이러 한 언 도 프 드 반도체 층 은 의도 적 으로 도전 형 도 펀트 를 도핑 하 지 않 더라도 제 1 도전 형 특성 을 가지 게 된다 . 상기 언 도프 드 반도체 층 은 형성 하 지 않 을 수 있 으며 , 이 에 대해 한정 하 지 는 않 는다 .