반도체 트랜지스터 소자 는 문턱 전압 의 크기 에 따라 , 저 문턱 트랜지스터 및 고 문턱 트랜지스터 로 구분 할 수 있 는데 , 저 문턱 트랜지스터 는 낮 은 전원 전압 에서 도 빠른 응답 속도 를 보장 하 는 반면 , 서브 문턱 누설 전류 에 의한 전력 소모 가 많 다 . 반대 로 고 문턱 트랜지스터 는 서브 문턱 누설 전류 가 미약 하 여 전력 소모 가 적 으나 , 낮 은 전원 전압 에서 는 응답 속도 등 과 같 은 특성 이 떨어진다 . 한편 , 상기 저 문턱 트랜지스터 로 래치 나 플립플롭 을 구현 한 경우 , 서브 문턱 누설 전류 로 인하 여 래치 나 플립플롭 의 내부 상태 즉 , 저장 데이터 가 상실 될 위험 이 존재 하 였 다 .