반도체 층 의 성막 시 의 수 분압 은 , 10 - 3 Pa 이하 인 것 이 바람직 하 고 , 10 - 4 Pa 이하 인 것 이 보다 바람직 하 고 , 10 - 5 Pa 이하 인 것 이 더 바람직 하 다 . 수 분압 10 - 3 Pa 보다 크 면 , 비 국재 준위 의 에너지 폭 ( E 0 ) 이 커지 거나 , In - In 의 평균 결합 거리 가 커지 거나 , 캐리어 의 산란 이 커질 우려 가 있 다 . 또한 , 트랜지스터 로서 이용 했 을 때 에 , 이동도 가 저하 되 거나 , 역치 전압 이 지나치 게 커질 우려 가 있 다 . 이것 은 , 확인 은 어렵 지만 산화 인듐 중 에 하이드록실기 가 생성 되 었 기 때문 이 라고 생각 된다 .