이후 , 제 2 포토레지스트 패턴 ( 162 ) 을 식각 방지 막 으로 이용 하 여 채널 형성 영역 ( CR ) 의 오 믹 콘 택 층 을 식각 하 여 채널 부 ( 146 ) 위 에 서로 이격 된 한 쌍 의 오 믹 콘 택 패턴 ( 148 ) 을 형성 한다 . 다음 으로 , 데이터 라인 ( 155 ) , 소스 전극 ( 157 ) 및 드레 인 전극 ( 158 ) 상 에 존재 하 는 제 2 포토레지스트 패턴 ( 162 ) 을 제거 한다 . 예 를 들 어 , 제 2 포토레지스트 패턴 ( 162 ) 은 스트립 용액 을 이용 한 스트립 공정 을 통해 제거 된다 .