사파이어 기판 상 에 공지 의 에피택시 성장 에 의해 3000 Å 두께 의 실리콘 층 을 적층 한 다음 , 약 180 ekV 의 이온 주입 에너지 및 1016 / cm 2 의 이온 도 즈 량 으로 실리콘 이온 을 주입 하 였 다 . 이 때 상기 기판 의 온도 는 100 ℃ 이하 로 유지 시켰으며 , 이 를 통해 상기 사파이어 와 실리콘 층 의 계면 으로부터 약 2000 Å 두께 의 무 정형 실리콘 층 을 형성 하 였 다 . 다음 으로 , 상기 기판 을 반응 로 에 장입 하 고 , 질소 분위기 하 600 ℃ 의 반응 온도 에서 약 60 분 동안 열처리 한 다음 , 900 ℃ 에서 약 15 분 동안 열처리 함 으로써 최 상부 의 단결정 실리콘 층 으로부터 재결정 화 가 일어나 도록 함 으로써 실리콘 적 층 사파이어 박막 을 제조 하 였 다 .