본 발명 의 기술 적 사상 에 의한 수직 구조 의 비휘발성 메모리 소자 에 따르 면 , 선택 라인 의 저항 및 기생 커패시턴스 를 줄이 고 , 인접 한 메모리 셀 스트링 의 선택 트랜지스터 들 및 선택 라인 들 사이 의 간섭 을 감소 시킴 으로써 , 전압 과 같 은 신호 의 지연 을 방지 할 수 있 다 . 또한 , 선택 트랜지스터 들 의 제어 신뢰 성 이 향상 될 수 있 다 . 이 에 의해 , 집적 도 높 은 비휘발성 메모리 소자 의 제조 가 가능 하 게 된다 .