RF 집 적 회로 ( 200 ) 와 유사 하 게 , RF 집 적 회로 ( 300 ) 는 하나 이상 의 GaN 층 과 같 은 하나 이상 의 에피 택 셜 층 ( 330 ) 및 2 차원 전자 가스 ( 2 DEG ) 유도 층 ( 340 ) 을 포함 할 수 있 다 . RF 집 적 회로 ( 300 ) 는 또한 2 DEG 유도 층 ( 340 ) 상 에 형성 된 하나 또는 그 이상 의 트랜지스터 를 포함 할 수 있 다 . 트랜지스터 는 소스 ( 350 ) , 게이트 ( 360 ) 및 드레 인 ( 370 ) 을 포함 하 는 FET 를 포함 할 수 있 다 . 드레 인 ( 370 ) 은 2 DEG 유도 층 ( 340 ) 에 접속 될 수 있 다 . 게이트 ( 360 ) 는 게이트 유전체 ( 380 ) 에 의해 2 DEG 유도 층 ( 340 ) 으로부터 격리 된 다중 필드 플레이트 게이 트일 수 있 다 . 트랜지스터 는 층간 유전체 ( 390 ) 에 의해 캡슐 화 될 수 있 다 . RF 집 적 회로 ( 300 ) 는 또한 에피 택 셜 층 ( 330 ) 상 에 형성 된 공면 도파관 ( 도 3 a 에 는 도시 되 지 않 음 ) 을 포함 할 수 있 다 .