상술 한 종래 기술 에 따른 반도체 소자 의 리세 스 게이트 형성 방법 은 전구 형 리세 스 게이트 영역 을 형성 함 으로써 게이트 와 리 세스 게이트 영역 이 오 정렬 되 는 문제 를 해결 할 수 있 다 . 그러나 , 리 세스 게이트 영역 식각 공정 을 이중 으로 수행 하 여야 하 고 , 전구 형 리세 스 게이트 영역 의 목 부분 선폭 을 작 게 형성 하 는데 있 어서 공정 마진 이 감소 하 는 문제 가 있 다 .