도 11 을 참조 하 면 , 상기 제 2 하부 전극 ( 44 ) 상 에 가변 저항 패턴 ( 62 ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 가변 저항 패턴 ( 62 ) 은 제 1 보조 층 ( 51 ) , 제 1 자성 층 ( 53 ) , 터널 배리어 층 ( 54 ) , 제 2 자성 층 ( 55 ) , 제 2 보조 층 ( 59 ) , 및 상부 전극 ( 61 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 자성 층 ( 53 ) , 상기 터널 배리어 층 ( 54 ) , 및 상기 제 2 자성 층 ( 55 ) 은 자기 터널 접합 ( MTJ ; 57 ) 을 구성 할 수 있 다 . 상기 상부 스 페이서 ( 41 ) , 상기 하부 전극 ( 45 ) , 및 상기 가변 저항 패턴 ( 62 ) 은 가변 저항 소자 ( 63 ) 를 구성 할 수 있 다 .