본 발명 은 반도체 패키지 회로 기판 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 특히 QFN 패키지 의 회로 기판 제조 공정 에 있 어서 High Pin 구조 를 형성 하 기 위하 여 회로 기판 의 동판 에 부착 된 베이스 필름 부분 만 레이저 드릴링 방식 에 의하 여 홀 가공 을 하 고 상기 홀 에 구리 로 랜드 를 형성 함 으로써 High Pin QFN 구조 를 갖 도록 하 는 회로 기판 과 이 를 포함 하 는 반도체 패키지 의 제조 방법 에 관한 것 이 다 .