따라서 , 게이트 전극 ( 203 ) 형성 단계 에서 사용 한 포토 마스크 를 제 1 , 제 2 , 제 3 컨 택 홀 ( 225 a , 225 b , 225 c ) 형성 단계 에서 사용 하 여 노광 및 현상 을 하 면 , 빛 이 완전히 차단 되 도록 차광 패턴 ( 227 a ) 이 형성 된 제 1 , 제 2 , 제 3 콘택트 홀 ( 225 a , 225 b , 225 c ) 부분 에 는 기판 위 에 형성 된 포 토리 지스 트 의 하부 가 완전히 노출 된다 . 그리고 , 투과 영역 부분 에 는 일정 두께 의 포 토리 지스 트 가 남 아 있 고 , 반투 과 패턴 ( 227 b ) 또는 회절 패턴 부분 에 는 투과 영역 보다 낮 은 두께 의 포 토리 지스 트 가 남 아 있 게 된다 . 따라서 상기 포 토리 지스 트 를 마스크 로 층간 절연 층 ( 217 ) 을 식각 하 면 , 제 1 , 제 2 , 제 3 컨 택트 홀 ( 225 a , 225 b , 225 c ) 부분 의 층간 절연 층 ( 217 ) 만 제거 되 어 컨 택트 홀 들 ( 225 a , 225 b , 225 c ) 이 형성 된다 .