광전 층 ( 130 ) 은 복수 의 반도체 층 을 포함 하 는 수 ㎛ 내지 500 ㎛ 두께 의 박막 으로 형성 된다 . 이때 , 복수 의 반도체 층 은 p - 형 반도체 와 n - 형 반도체 가 접합 된 구조 ( 이하 , " "" p - n 접합 "" 으로 지칭 함 ) 또는 p - 형 반도체 와 n - 형 반도체 사이 에 i - 형 반도체 가 끼워진 구조 ( 이하 "," "" p - i - n 접합 "" 으로 지칭 함 ) 를 한 개 이상 구성 하 도록 배치 된다 . 특히 ", 광전 층 ( 130 ) 은 적어도 하나 의 p - i - n 접합 으로 형성 된다 . 즉 , " 광전 층 ( 130 ) 은 하나 의 p - i - n 접합 으로 이루어진 형태 ( "" 싱글 ( single ) 구조 "" 로 도 지칭 함 ) "," 두 개 의 p - i - n 접합 이 적층 된 형태 ( "" 텐 덤 ( tandem ) 구조 "" 로 도 지칭 함 ) 또는 세 개 의 p - i - n 접합 이 적층 된 형태 ( "" 트리플 ( triple ) 구조 "" 로 도 지칭 함 ) 로 형성 된다 . 여기 서 ", 광전 층 ( 130 ) 은 많 은 개수 의 p - i - n 접합 을 포함 할수록 , 흡수 가능 한 광량 이 증가 되 어 , 광전 변환 효율 이 향상 될 수 있 다 . 광전 층 ( 130 ) 을 구성 하 는 복수 의 반도체 층 은 비정질 실리콘 ( a - Si ) , 비정질 실리콘 - 게르마늄 ( a - Si : Ge ) 및 마이크 로 크리스탈 실리콘 ( micro c - Si ) 중 하나 로 형성 된다 .