척 ( 130 ) 을 제 2 처 리조 ( 150 ) 에서 소정 온도 로 가열 한 후 , 로봇 암 ( 120 ) 에 의해 제 2 방향 ( y ) 으로 상승 시킨다 . 이어서 , 척 ( 130 ) 에 고온 의 가스 를 분사 한다 . 고온 의 가스 는 가스 분사 노즐 ( 165 ) 에서 분사 될 수 있 다 . 고온 의 가스 는 척 ( 130 ) 에 잔 존 하 는 제 2 처리 액 ( 155 ) 을 건조 시켜 제거 한다 . 또한 , 고온 의 가스 는 척 ( 130 ) 의 온도 를 상승 시킬 수 있 다 . 이 와 같이 , 척 ( 130 ) 은 제 2 처리 액 ( 155 ) 및 가스 분사 노즐 ( 165 ) 에서 분사 되 는 고온 의 가스 에 의해 가열 될 수 있 다 . 이어서 , 척 ( 130 ) 에 웨이퍼 ( w ) 를 장착 한다 . 구체 적 으로 , 세로 로 정렬 된 웨이퍼 ( w ) 를 중심 으로 각각 의 바디 가 바깥쪽 으로 개방 되 었 다가 다시 원위치 되 면서 웨이퍼 ( w ) 를 장착 할 수 있 다 .