메모리 어레이 ( 230 ) 의 셀 이 액세스 ( 워드 ) 라인 204 - X ( 로우 X ) , 204 - Y ( 로우 Y ) 등 에 의해 연결 된 로우 , 및 상보 적 감지 라인 의 쌍 에 의해 연결 된 컬럼 , 가령 , 도 2 에 도시 된 디 지트 라인 DIGIT ( D ) 및 DIGIT ( D ) _ 및 도 3 및 4 a - 4 b 에 도시 된 DIGIT _ 0 및 DIGIT _ 0 * 으로 배열 될 수 있 다 . 상보 적 감지 라인 의 각각 의 쌍 에 대응 하 는 개별 감지 라인 은 또한 각각 DIGIT ( D ) 에 대해 디 지트 라인 ( 205 - 1 ) 및 DIGIT ( D ) _ 에 대해 디 지트 라인 ( 205 - 2 ) , 또는 도 3 및 도 4 a - 4 b 의 대응 하 는 도면 부호 로 지칭 될 수 있 다 . 상보 적 디 지트 라인 의 단 하나 의 쌍 이 도 2 에 도시 되 지만 , 본 발명 의 실시 예 는 한정 되 지 않 으며 , 메모리 셀 의 어레이 가 메모리 셀 의 추가 컬럼 및 디 지트 라인 , 가령 , 4 , 096 , 8 , 192 , 16 , 384 등 을 포함 할 수 있 다 .