본 발명 의 실시 예 들 에 따른 하드 마스크 용 조성물 을 사용 하 여 예 를 들 면 포토레지스트 층 및 식각 대상 막 사이 에 도포 되 어 레지스 트 하부 막 으로 활용 되 는 하드 마스크 막 이 형성 될 수 있 다 . 상기 하드 마스크 막 을 포토레지스트 패턴 을 통해 부분 적 으로 제거 하 여 하드 마스크 를 형성 할 수 있 으며 , 상기 하드 마스크 를 추가 적 인 식각 마스크 로 사용 할 수 있 다 .