또한 , 제 3 층 ( 1513 ) 위 에 저항 가열 을 사용 한 증착 법 에 의해 트리스 ( 8 - 퀴놀리놀레이토 ) 알루미늄 ( III ) ( 약칭 : Alq ) 을 10 nm 두께 로 침착 시켰 다 . 이어서 , 제 3 층 ( 1513 ) 위 에 바소 페난트롤린 ( 약칭 : BPhen ) 을 20 nm 의 두께 로 침착 시킴 으로써 , 전자 수송 층 인 제 4 층 ( 1514 ) 을 형성 하 였 다 .