본 발명 의 다른 실시 예 에 의하 면 , 상기 GaN 나노 막대 템 플레이트 를 형성 시키 는 단계 는 HVPE 법 에 의하 는 것 이 바람직 한데 , 상기 HVPE 법 에 사용 되 는 반응 가스 는 당업 계 에서 기상법 에 의하 여 GaN 막 을 형성 하 는 데 에 통상 적 으로 사용 되 는 것 이 면 특별히 제한 되 지 는 않 는다 . 본 발명 에서 는 예 를 들 어 , HVPE 반응 챔버 의 초입 에 Ga 금속 을 반도체 재료 로써 투입 하 고 , 이종기 판 을 HVPE 반응 챔버 안 으로 장입 시킨 후 에 상기 반응 챔버 안 으로 HCl 및 NH 3 기체 를 흘려 보내 면서 , 반응 챔버 에 온도 구배 ( temperature gradient ) 를 둠 으로써 상기 이종기 판 상 에 GaN 씨드 층 ( seed layer ) 을 형성 한 다음 , 이 들 이 수직 상방 으로 성장 하 여 GaN 나노 막대 를 형성 하 도록 할 수 있 다 .