산화 막 을 형성 하 는 공정 에서 는 , 2 장 의 실리콘 웨이퍼 를 오존 세정 하 여 , 상기 실리콘 웨이퍼 의 표면 에 막 두께 2 . 2 nm 이하 의 산화 막 을 형성 한다 . 형성 되 는 산화 막 의 막 두께 가 2 . 2 nm 를 초과 하 면 , 접합 계면 의 국소 적 인 산화물 의 발생 을 억제 할 수 없 게 된다 . 오존 세정 으로 형성 된 산화 막 은 , 열처리 에 의해 형성 된 산화 막 에 비해 , 후 공정 에 있 어서 의 열처리 에 의해 분해 되 기 쉽 다는 특성 을 갖 는다 . 그 때문 에 , 접합 공정 의 열처리 에서 도 국소 적 으로 집중 하 는 일 이 없이 , 확산 시킬 수 있 다 . 그러나 , 오존 세정 으로 형성 된 산화 막이 라도 두께 가 2 . 2 nm 를 초과 하 면 , 접합 웨이퍼 를 제작 하 는 공정 의 열처리 로 완전히 확산 시킬 수 가 없 어 , 접합 계면 에 국소 적 으로 잔류 해 버린다 . 한편 , 형성 되 는 산화 막 의 막 두께 의 하한 은 , 예 를 들 면 , 0 . 5 nm 이 다 . 막 두께 0 . 5 nm 미만 의 산화 막 의 형성 은 제어 가 용이 하 지 않 고 , 막 두께 0 . 5 nm 이상 의 산화 막 이 라면 , 접합 할 때 에 산화 막 으로서 충분히 기능 한다 .