일부 실시 형태 에서 , 격리 영역 ( 62 ) 은 격리 영역 ( 62 ) 과 기판 ( 50 ) / 반도체 핀 ( 64 ) 사이 의 계면 에서 라이너 , 예컨대 라이너 산화물 ( 도시 생략 ) 을 포함 한다 . 일부 실시 형태 에 있 어서 , 라이너 산화물 은 기판 ( 50 ) 과 격리 영역 ( 62 ) 사이 의 계면 에서 결정질 결함 ( crystalline defect ) 을 저감 시키 기 위해 형성 된다 . 마찬가지 로 , 라이너 산화물 은 반도체 핀 ( 64 ) 과 격리 영역 ( 62 ) 사이 의 계면 에서 결정질 결함 을 저감 시키 는 데 에 도 사용 될 수 있 다 . 다른 적절 한 방법 이 라이너 산화물 형성 에 사용 될 수 도 있 지만 , 라이너 산화물 ( 예컨대 , 실리콘 산화물 ) 은 기판 ( 50 ) 의 표면 층 의 열 산화 를 통해 형성 된 열 산화물 일 수 있 다 .