제 1 버퍼 층 ( 111 ) 상 에 는 제 1 박막 트랜지스터 ( 410 ) 의 제 1 액티브 층 ( 411 ) 및 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 액티브 층 ( 321 ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 1 액티브 층 ( 411 ) 및 제 2 액티브 층 ( 321 ) 은 폴리 실리콘 ( Poly - Si ) 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 1 액티브 층 ( 411 ) 및 제 2 액티브 층 ( 321 ) 은 저온 폴리 실리콘 ( LTPS ) 을 포함 할 수 있 다 . 그리고 , 제 1 액티브 층 ( 411 ) 은 제 1 채널 영역 ( 411 a ) , 제 1 소스 영역 ( 411 b ) 및 제 1 드레 인 영역 ( 411 c ) 을 포함 한다 . 또한 , 제 2 액티브 층 ( 321 ) 은 제 2 채널 영역 ( 321 a ) , 제 2 소스 영역 ( 321 b ) 및 제 2 드래 인 영역 ( 321 c ) 을 포함 한다 .