p 형 반도체 층 ( 300 ) 은 활성 층 ( 200 ) 하부 에 형성 되 어 활성 층 ( 200 ) 에 홀 을 주입 한다 . p 형 반도체 층 ( 300 ) 은 P 형 불순물 , 예 를 들 어 Mg 가 1 × 1019 / ㎤∼ 5 × 1019 / ㎤ 의 농도 로 도핑 된 GaN 층 을 이용 하 는 것 이 바람직 하 고 , 이 에 한정 되 지 않 고 다양 한 반도체 성질 의 물질 층 이 가능 한데 , 예 를 들 어 InGaN 을 이용 할 수 있 다 . 또한 , p 형 반도체 층 ( 300 ) 은 다층막 으로 형성 할 수 도 있 다 . 한편 , 활성 층 ( 200 ) 과 p 형 반도체 층 ( 300 ) 사이 에 블럭 킹 층 ( 미 도시 ) 이 더 형성 될 수 있 다 . 블럭 킹 층 ( 미 도시 ) 은 n 형 반도체 층 ( 100 ) 으로부터 제공 되 는 전자 가 활성 층 ( 200 ) 에서 재결합 되 지 않 고 오버플로 우 되 는 것 을 방지 하 는 기능 을 하 며 , P 형 불순물 이 도핑 된 AlGaN 층 으로 형성 될 수 있 다 .