서브 스트레이트 ( 110 ) 는 인 캡슐 란트 ( 115 ) 와 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 및 오프닝 ( 119 ) 을 포함 할 수 있 으며 , 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 내측 에 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 가 임베디드 된 형태 를 가질 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 서브 스트레이트 ( 110 ) 에 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 가 임베디드 되 고 , 또한 오프닝 ( 119 ) 이 형성 됨 으로써 , 이 를 이용 한 반도체 디바이스 ( 400 ) 의 두께 가 얇 아 질 수 있 고 효율 이 향상 될 수 있 다 .