본 발명 에 따른 기판 ( 1 ) 은 여러 황동광 기술 ( CIS , CIGS , CIGSe 2 등 ) 에 기초 한 광전지 에 대해 보호 판 으로 사용 되 거나 또는 전체 기능 성 다층 스택 을 수용 하 기 위해 의도 된 지지 기판 ( 1 ') 으로 사용 될 때 0 . 5 내지 10 ㎜ 에 이르 는 총 두께 를 가질 수 있 다 . 이 기판 ( 1 ) 이 보호 판 으로 사용 될 때 에 는 이 판 이 유리 로 만들 어 진 경우 이 판 이 { 예 를 들 어 강인 화 유형 ( toughening type ) 의 } 열 처리 를 거치 는 것 이 유리 할 수 있 다 .