예 를 들 어 , 각 메모리 셀 ( MCA ( 1 , 1 ) 내지 MCA ( M , N ) 은 플로팅 게이트 트랜지스터 FT 를 포함 할 수 있 다 . 메모리 셀 MCA ( 1 , 1 ) 내지 MCA ( M , N ) 의 프로그램 동작 중 에 , 메모리 셀 MCA ( 1 , 1 ) 내지 MCA ( M , N ) 의 플로팅 게이트 트랜지스터 FT 의 게이트 단자 는 워드 라인 ( WL 1 내지 WLM ) 으로부터 프로그램 전압 을 수신 할 수 있 고 , 메모리 셀 ( MCA ( 1 , 1 ) 내지 MCA ( M , N ) 의 플로팅 게이트 트랜지스터 FT 의 제 1 단자 는 기준 전압 을 수신 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 프로그램 전압 은 기준 전압 보다 클 수 있 으므로 , 플로팅 게이트 트랜지스터 FT 의 게이트 단자 와 제 1 단자 사이 의 높 은 교차 전압 은 플로팅 게이트 트랜지스터 FT 의 게이트 구 조체 에 전자 를 주입 하 여 플로팅 게이트 트랜지스터 FT 의 임계 전압 을 증가 시킨다 .