도 10 a 는 단결정 반도체 층 ( 106 ) 에 제 1 불순물 반도체 층 ( 107 ) 과 는 반대 의 도전 형 의 불순물 을 첨가 하 고 , 제 2 불순물 반도체 층 ( 108 ) 을 형성 한다 . 예 를 들 면 , 인 또는 비소 를 첨가 하 여 제 2 불순물 반도체 층 ( 108 ) 을 n 형 으로 형성 한다 . 또 , 단결정 반도체 층 ( 106 ) 의 표면 은 손상 층 ( 121 ) 에 가장 가까운 영역 , 또는 손상 층 ( 121 ) 의 일부 를 포함 하 는 영역 이 기 때문 에 , 에칭 에 의해 제거 해 두 는 것 이 바람직 하 다 . 에칭 은 드라이 에칭 또는 웨트 에칭 에 의해 행하 여진다 .