이 와 같이 상기 한 구성 의 반도체 장치 ( 100 ) 는 더미 영역 의 리세 스 ( 40 ) 를 따라 형성 된 도전 물질 ( 50 ) 의 침식 을 방지 하 므로 정렬 마크 가 항상 명확 하 게 정의 된다 . 따라서 , 후속 되 는 포토 리소그래피 공정 등 에서 금속 패턴 이 제대로 정의 되 므로 제품 의 불량 을 방지 하 고 수율 을 현저히 향상 시킬 수 있 다 .