두 번 째 , 고상 결정 화 방법 ( Solid Phase Crystallization ) 이 있 는데 , 상기 방법 은 비정질 실리콘 으로부터 다 결정 실리콘 박막 을 얻 는 가장 직접 적 이 고 도 오래 된 방법 으로서 증착 된 비정질 실리콘 층 에 실리콘 이온 을 주입 한 후 600 ℃ 이하 의 온도 에서 적어도 수십 시간 동안 어닐링 한다 . 최종 그레인 의 크기 는 이온 주입 된 실리콘 이온 의 도우즈 ( dose ) , 가열 온도 , 가열 시간 등 에 따라 좌우 된다 . 이 와 같 은 고상 결정 화 방법 으로 얻 어 진 다결정 실리콘 막 은 보통 수 ㎛ 수준 의 비교 적 큰 그레인 들 을 가지 나 , 단점 은 해당 그레인 내 에 결함 ( defect ) 이 많 다는 것 이 다 . 이러 한 결함 들 은 그레인 바운더리 다음 으로 TFT 의 성능 에 좋 지 않 은 영향 을 미치 는 것 으로 알려져 있 다 .