다음 에 도 11 n 의 공정 에서 상기 하드 마스크 패턴 ( 78 A , 78 C ) 이 드라이 에칭 또는 웨트 에칭 ( wet etching ) 에 의해 제거 되 고 , 도 11 o 의 공정 에서 상기 강유전체 커패시터 ( C 1 , C 2 ) 를 마스크 로 , 상기 층간 절 연막 ( 68 ) 위 의 TiN 막 ( 70 ) 및 그 위 의 TiAlN 막 ( 71 ) 이 드라이 에칭 에 의해 제거 되 어 , 상기 커패시터 ( C 1 ) 에서 는 상기 Al 2 O 3 패턴 ( 72 A ) 아래 에 TiN 패턴 ( 70 A ) 및 TiAlN 패턴 ( 71 A ) 을 적층 한 구조 가 , 또한 상기 커패시터 ( C 2 ) 에서 는 상기 Al 2 O 3 패턴 ( 72 C ) 아래 에 TiN 패턴 ( 70 C ) 및 TiAlN 패턴 ( 71 C ) 을 적층 한 구조 가 형성 된다 .