본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따른 메모리 시스템 의 동작 방법 은 , 다수 의 워드 라인 들 을 설정 된 개수 씩 그룹 화 한 N 개 의 워드 라인 그룹 들 을 각각 포함 하 는 다수 의 메모리 블록 들 을 포함 하 는 메모리 장치 를 포함 하 는 메모리 시스템 의 동작 방법 에 있 어서 , 상기 메모리 블록 들 중 배드 워드 라인 을 포함 하 는 M 개 의 배드 ( bad ) 메모리 블록 들 을 선택 하 는 단계 ; 및 상기 선택 하 는 단계 에서 선택 된 M 개 의 배드 메모리 블록 들 에 포함 된 총 M * N 개 의 워드 라인 그룹 들 중 배드 워드 라인 이 포함 된 K 개 의 배드 워드 라인 그룹 들 을 제외 한 나머지 정상 워드 라인 그룹 들 을 설정 된 제 1 조건 에 대응 하 는 형태 로 N 개 씩 그룹 화 하 여 각각 노 말 동작 이 가능 한 L 개 의 재생 메모리 블록 들 로 관리 하 는 재생 관리 단계 를 포함 하 며 , 상기 재생 관리 단계 는 , 상기 정상 워드 라인 그룹 들 각각 을 포함 하 는 상기 배드 메모리 블록 들 각각 의 배드 물리 주소 값 을 N 개 씩 그룹 화 한 테이블 을 L 개 생성 하 여 L 개 의 재생 메모리 블록 들 각각 에 대응 하 는 L 개 의 재생 논리 주소 들 에 매핑 ( mapping ) 시키 기 위한 재생 매핑 테이블 을 관리 하 는 것 을 특징 으로 하 고 , L 은 1 이상 의 값 을 갖 는 자연수 이 고 , M 과 N 은 각각 2 이상 의 값 을 갖 는 자연수 이 며 , K 는 M 이상 의 값 을 갖 는 자연수 일 수 있 다 .