절연체 - 상 - 실리콘 ( silicon - on - insulator ) 웨이퍼 는 종래 벌크 실리콘 웨이퍼 에 비하 여 일부 장점 을 가지 며 CMOS 제조 에서 중요 성 을 가진다 . SOI 웨이퍼 는 예 를 들 어 절연체 층 의 상단 상 의 실리콘 층 을 가질 수 있 다 . 사파이어 - 상 - 실리콘 ( silicon on sapphire , SOS ) 기술 에서 , 절연체 는 사파이어 웨이퍼 이 다 ( 결정질 알루미늄 산화물 ) . 종래 SOS 의 개발 은 고가 의 웨이퍼 비용 , " 제한 된 웨이퍼 지름 및 공급 으로 인하 여 상당히 제한 적 이 다 . 상단 ( 활성 ) 실리콘 구 조체 와 하부 결정질 실리콘 호스트 즉 ' 핸들 ' 웨이퍼 사이 에서 매립 산화물 층 을 갖 는 SOI 는 CMOS 응용 에 대한 바람직 한 SOI 구성 이 다 . 매립 산화물 ( 전형 적 으로 "" BOX "" 로 약칭 됨 ) 층 구조 체 는 산소 의 고용량 주입 ( high dose implantation ) 및 어닐링 ( 예 를 들 어 ", 소위 SIMOX 공정 을 사용 하 여 달성 됨 ) 에 의해 형성 될 수 있 다 . BOX 층 은 또한 도너 ( donor ) 웨이퍼 로부터 의 실리콘 의 층 을 핸들 웨이퍼 상의 BOX 층 에 웨이퍼 결합 시킴 으로써 형성 될 수 있 다 . 결합 된 박형 실리콘 층 은 , 결합 이전 에 도너 웨이퍼 를 수소 이온 주입 시켜 박형 실리콘 층 의 바람직 한 두께 에 대응 하 는 깊이 로 결함 층 을 생성 하 고 후속 하 여 손상 층 의 면 을 따라 절연체 상 실리콘 웨이퍼 구조 체의 측면 섹션 에 힘 을 인가 시켜 상기 절연체 상 실리콘 웨이퍼 를 상기 도너 웨이퍼 로부터 분리 시킴 으로써 , 도너 웨이퍼 로부터 분리 될 수 있 다 . 이러 한 방법 에 의해 BOX 층 을 형성 하 는 공정 의 한 예 가 미국 특허 6 , 372 , 609 에 개시 된다 . 스마트 컷 ( Smart Cut ) 공정 에 따라 제조 된 웨이퍼 가 프랑스 베르 닌 ( Bernin ) 의 Soitec , Inc . 사 에 의해 시판 중 이 다 . 종래 SOI 웨이퍼 의 BOX 층 은 압축 응력 받 지 않 는다 .