본 발명 에 따른 바 이 카바졸 계 고분자 에 기초 한 하드 마스크 조성물 은 고분자 내 에 탄소 함량 이 매우 높 고 산소 가 포함 되 지 않 은 구조 로 인하 여 에치 내성 을 예측 하 는 오니 쉬 파라 메터 ( Ohnishi Parameter ) 수치 가 매우 낮 아 에치 내성 에 매우 유리 한 구조 이 다 . 고분자 구조 적 으로 패킹 밀도 가 매우 높 아서 박막 을 형성 할 경우 에 막 밀도 가 높 아 지 면서 에칭 내성 이 매우 우수 한 특성 을 가지 게 된다 . 따라서 , 기존 유기 하드 마스크 대비 에칭 선택 비 가 높 아 다중 에칭 에 대한 내성 이 충분 하 여 , 우수 한 패턴 평가 결과 를 가지 는 리 소 그래픽 구조물 을 제공 할 수 있 다 .