도 2 는 , 본 발명 에 따른 톱 게이트 형 TFT 를 이용 한 유기 EL 표시 장치 의 단면 모식도 이 다 . 도 2 에서 , 우선 , 도 1 에 도시 한 바 와 같이 , 절연 기판 ( 1 ) 상 에 기 초 층 으로서 SiN 막 ( 2 ) 과 SiO 2 막 ( 3 ) 을 PECVD 법 으로 성막 하 였 다 . 그 위 에 , 반도체 층 ( 4 ) 으로서 다 결정 SiGe 막 을 , 반응 열 CVD 를 이용 하 여 형성 하 였 다 .