상기 선택 적 전면 필드 층 의 상기 도핑 된 영역 들 ( 15 , 20 ) 의 전면 상 에 존재 하 는 산화물 층 ( 40 ) 상 에 는 반사 방지 층 ( 45 ) 이 형성 됨 으로써 입사광 의 반사 를 감소 시키 고 , 따라서 태양 에너지 의 손실 을 감소 시킬 수 있 다 . 상기 반사 방지 층 ( 45 ) 은 상기 산화물 층 ( 40 ) 의 굴절률 보다 더 큰 굴절 률 을 가질 수 있 으며 , 태양 전지 로 입사 되 는 광이 반사 방지 층 ( 45 ) 내부 로 굴절 되 고 , 이어서 산화물 층 ( 40 ) 을 통하 여 기판 으로 굴절 되 게 함 으로써 기판 에서 자유 전하 캐리어 로 변환 될 수 있 도록 한다 . 예 를 들 어 , 상기 반사 방지 층 ( 45 ) 은 632 . 8 nm 의 파장 을 갖 는 입사 레이저 로 측정 하 였을 때 1 . 4 내지 2 . 4 범위 의 굴절 률 을 가질 수 있 다 . 상기 반사 방지 층 ( 45 ) 은 질화규소 ( SiNx ) , 산화알루미늄 ( Al 203 ) , 산화 티타늄 ( Ti 02 ) , 불화 마그네슘 ( Mg 2 F ) , 산화아연 ( ZnO ) , 또는 황화아연 ( ZnS 2 ) , 또는 그 조합 으로 이루어진 것 일 수 있 다 . 일부 구 현예 들 에서 는 , 상기 반사 방지 층 ( 45 ) 은 비정질 질화규소 ( a - SiNx ) 와 같 은 비정질 질화물 을 포함 한다 . 상기 반사 방지 층 ( 45 ) 은 10 내지 100 나노미터 의 두께 를 가질 수 있 다 .