다음 에 , 도시 하 지 않 지만 , 절 연막 ( 69 ) 위 에 포토 리소그래피 공정 에 의하 여 마스크 를 형성 한 후 , 상기 마스크 를 사용 하 여 절 연막 ( 69 ) 의 일부 를 에칭 하 여 콘택트 홀 을 형성 하 였 다 . 여기 서 는 드라이 에칭 에 의하 여 게이트 절 연막 ( 63 ) 및 절 연막 ( 69 ) 을 에칭 하 여 한 쌍 의 전극 ( 61 ) 및 게이트 전극 ( 65 ) 을 노출 시키 는 콘택트 홀 을 형성 하 였 다 .