웨이퍼 상 에 전사 할 목표 패턴 레이아웃 설계 하 고 , 패턴 레이아웃 을 웨이퍼 상 으로 전사 하 여 포토레지스트 패턴 을 형성 하 는 과정 에 대한 모델 링 제 1 변수 추출 하 고 , 모델 링 제 1 변수 를 레이아웃 에 대해 시뮬레이션 ( simulation ) 을 수행 할 시뮬레이션 모델 에 적용 하 여 제 1 모델 캘 리브레 이 션 ( calibration ) 을 수행 한다 . 포토레지스트 패턴 을 리플 로우 하 는 과정 에 대한 모델 링 제 2 변수 추출 하 고 , 제 1 모델 캘 리브레 이 션 된 모델 에 모델 링 제 2 변수 를 적용 하 여 제 2 모델 캘리 브레이 션 을 수행 한다 . 제 1 및 제 2 모델 캘 리브레 션 된 모델 을 이용 하 여 패턴 레이아웃 을 광 근접 보정 ( OPC ) 함 으로써 , 리플 로우 공정 을 고려 한 광 근접 보정 방법 을 제시 한다 . 모델 링 제 2 변수 추출 은 포토레지스트 패턴 에 인가 하 는 온도 변화 에 따른 포토레지스트 패턴 의 선폭 변화 를 측정 하 여 수행 될 수 있 다 .