다음 단계 의 공정 으로 , 도 3 b 에 도시 된 바 와 같이 상기 게이트 전극 ( 103 ) 을 포함 하 는 기판 위 에 게이트 절연 층 ( 107 ) , 활성 층 패턴 ( 109 ) , 오 믹 컨 택 층 ( 111 ) , 소스 / 드레 인 전극 ( 113 a , 113 b ) 및 데이터 패드 ( 105 ) 를 형성 한다 . 이때 , 사진 식각 기술 이 사용 되 며 , 회절 마스크 ( 129 ) 를 사용 하 여 활성 층 패턴 ( 109 ) , 오 믹 컨 택 층 ( 111 ) 및 소스 / 드레 인 전극 ( 113 a , 113 b ) 을 동시 에 패 터닝 한다 . 상기 회절 마스크 ( 129 ) 를 사용 한 공정 에 대하 여 좀 더 자세히 설명 하 면 다음 과 같 다 .