손상 영역 ( 404 ) 이 형성 되 는 영역 의 깊이 는 , 이온 빔 ( 403 ) 의 가속 에너지 와 이온 빔 ( 403 ) 의 입사각 에 의해 조절 할 수 있 다 . 가속 에너지 는 가속 전압 , 도즈 량 등 에 의해 조절 할 수 있 다 . 이온 의 평균 침입 깊이 와 거의 같 은 깊이 의 영역 에 손상 영역 ( 404 ) 이 형성 된다 . 이온 을 도입 하 는 깊이 로 , 단결정 반도체 기판 ( 401 ) 로부터 분리 되 는 반도체 층 의 두께 가 결정 된다 . 손상 영역 ( 404 ) 이 형성 되 는 깊이 는 10 nm 이상 500 nm 이하 이 며 , 바람직 한 깊이 의 범위 는 50 nm 이상 200 nm 이하 다 .