이러 한 바닥 - 게이트 유기 박막 트랜지스터 의 예시 가 도 2 에 도시 되 어 있 다 . 도 1 및 2 에 도시 된 구조 체 들 사이 의 관계 를 더욱 명확히 보이 기 위해서 , 동일 한 참조 번호 가 상응 하 는 부분 에 사용 되 었 다 . 도 2 에 도시 된 바닥 - 게이트 구조 체 는 기판 ( 1 ) 상 에 증착 된 게이트 전극 ( 12 ) 과 그 위 에 증착 된 유전 물질 의 절연 층 ( 10 ) 을 포함 한다 . 소스 및 드레 인 전극 ( 2 , 4 ) 은 유전 물질 의 절연 층 ( 10 ) 위 에 증착 된다 . 소스 및 드레 인 전극 ( 2 , 4 ) 은 게이트 전극 위 에서 이 들 사이 에 위치 된 채널 영역 ( 6 ) 을 가지 고 분리 된다 . 유기 반도체 ( OSC ) ( 8 ) 는 채널 영역 ( 6 ) 내 에 증착 되 어 소스 및 드레 인 전극 ( 2 , 4 ) 의 적어도 일부분 위 에서 연장 할 수 있 다 .