본 발명 에 따르 면 , 질화물 반도체 층 은 빈 공간 위 의 무기물 박막 상 에서부터 성장 한다 . 무기물 박막 은 그 위 에서 성장 하 는 질화물 반도체 층 과 응력 을 나누 어서 해소 할 수 있 어 , 본 발명 에 따르 면 질화물 반도체 층 이 결함 밀도 가 작 은 고품질 로 성장 이 된다 . 따라서 , 결함 밀도 가 작 은 고품질 의 질화물 반도체 층 을 형성 할 수 있 고 질화물 반도체 결정 결함 밀도 감소 로 내부 양자 효율 을 증대 시킬 수 있 다 .