또한 , 층간 절 연막 ( 13 ) 은 실리콘 반도체 기판 ( 10 ) 의 제 1 주면 상 에 형성 된다 . 스루홀 내 에 형성 된 도전 층 ( 23 ) 은 제 1 주면 에 도달 하 고 , 내부 전극 ( 제 1 전극 패드 ; 26 ) 은 도전 층 ( 23 ) 상 에 형성 된다 . 내부 전극 ( 26 ) 은 주변 회로 부 에 형성 된 주변 회로 ( 도시 하 지 않 음 ) 또는 촬상 소자 ( 12 ) 에 전기 적 으로 연결 된다 . 이 에 따라 , 스루홀 내 에 형성 된 스루홀 전극 은 솔 더 볼 ( 25 ) 을 촬상 소자 ( 12 ) 나 주변 회로 와 전기 적 으로 연결 한다 .