이어서 , 도 3 b 에 도시 된 바 와 같이 , 드리프트 영역 영역 에 대응 되 는 기판 ( 21 ) 표면 에 결함 을 유발 하 기 위하 여 결함 유발 이온 주입 공정 ( 26 b ) 을 실시 하 여 웰 ( 22 ) 내 에 불순물 이온 ( 점선 표시 ) 을 주입 한다 . 이때 , 결함 유발 이온 주입 공정 ( 26 b ) 은 N 타입 ( Type ) 고전압 소자 에 실시 할 경우 에 는 As + 를 이용 하 고 , N 타입 및 P 타입 고전압 소자 모두 에 실시 할 경우 에 는 O 2 를 이용 할 수 있 다 .