도 8 에 도시 된 것 처럼 제작 예 2 트랜지스터 는 제 1 전극 과 제 2 전극 을 그래핀 / Ti 전극 으로 대체 한 것 이 다 . 제작 예 1 트랜지스터 와 마찬가지 로 200 , 250 , 300 ℃ 로 열처리 했 을 때 , 온도 가 높 을수록 트랜지스터 의 성능 이 점차 적 으로 우수 해 지 는 것 을 확인 할 수 있 었 는데 , 그 이유 는 앞서 설명 한 것 과 같 다 .