또한 , 제 1 전극 들 ( 12 ') 은 전자 방출 부들 ( 14 ) 의 전자 방출 균 일도 를 높이 기 위하 여 , 제 2 개 구부 ( 125 ) 를 형성 하 고 , 제 2 개 구부 ( 125 ) 내측 에 전자 방출 부들 ( 14 ) 이 위치 하 는 격리 전극 들 ( 24 ) 을 형성 하 며 , 제 1 전극 ( 12 ') 과 격리 전극 들 ( 24 ) 사이 에 저항 층 ( 26 ) 을 형성 하 여 제 1 전극 ( 12 ') 과 격리 전극 들 ( 24 ) 을 전기 적 으로 연결 시킬 수 있 다 . 저항 층 ( 26 ) 은 p 형 또는 n 형 도핑 된 비정질 실리콘 으로 형성 되 며 , 대략 10 , 000 내지 100 , 000 Ω cm 의 비저항 을 가질 수 있 다 .