도 6 ( a ) ~ 도 6 ( c ) 는 , 본 발명 의 마스크 일체 형 표면 보호 테이프 를 사용 하 는 제 2 실시 형태 에 있 어서 의 자외선 조사 처리 를 행하 는 전후 상태 를 설명 하 는 개략 단면도 이 다 . 분도 6 ( a ) 는 반도체 웨이퍼 의 표리 양면 을 각각 마스크 일체 형 표면 보호 테이프 와 웨이퍼 고정 테이프 로 피복 하 여 고정 한 상태 를 나타내 고 , 분도 6 ( b ) 는 자외선 이 조사 되 는 모습 을 나타내 고 , 분도 6 ( c ) 는 마스크 일체 형 표면 보호 테이프 로부터 마스크 재 층 을 남기 고 표면 보호 테이프 를 당겨서 박리 하 는 모습 을 나타낸다 .