본 발명 은 랜딩 플러그 의 미 격리 결함 을 해결 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 이 를 위해 본 발명 은 , 기판 상 에 복수 의 게이트 패턴 을 형성 하 는 단계 , 상기 게이트 패턴 의 상부 를 덮 는 제 1 보호막 패턴 을 형성 하 는 단계 , 상기 제 1 보호막 패턴 을 덮 는 제 2 보호막 패턴 을 형성 하 는 단계 , 상기 제 2 보호막 패턴 을 포함 한 기판 상 에 상기 게이트 패턴 사이 를 채우 는 전 도막 을 형성 하 는 단계 및 상기 전 도막 을 연마 하 여 상기 게이트 패턴 사이 에서 서로 분리 되 는 콘 택 플러그 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 제조 방법 을 제공 하 며 , 상술 한 본 발명 은 높이차 를 갖 는 게이트 패턴 간 에 정상 적 으로 랜딩 플러그 를 제조 할 수 있 어서 , 전기 적 신호 전달 의 안정 성 을 확보 할 수 있 다 .