그 의 다양 한 형태 들 중 에서 화학 기상 증착 ( CVD : chemical vapor deposition ) 은 실리콘 이 산화물 을 제조 하 기 위해 가장 빈번 하 게 이용 되 는 방법 이 다 ( 특허 공개 JP 9306906 , US 4845054 , US 4981724 , US 5465899 , JP 20868486 , JP 6158329 , JP 80061810 , US 4872947 , JP 7026383 , US 5855957 및 US 5849644 참조 ) . 이 들 공개 특허 에서 는 , 실리콘 소스 물질 로서 주로 테트라 에 톡 시 실란 ( TEOS : tetraethoxy silane ) 이 이용 되 어 왔 고 , 산소 소스 물질 로서 는 산소 , 물 , 과산화수소 또는 오존 이 이용 되 어 왔 다 . 종래 의 CVD 에서 는 , 상기 산소 소스 물질 은 항상 실리콘 소스 물질 과 함께 성장 기판 에 공급 되 어 졌 다 .