도 2 에서 는 결합 웨이퍼 ( 10 ) 의 상부 표면 에 만 실리콘 산화 막 ( 12 ) 이 형성 된 것 으로 도시 되 어 있 으나 , 열 산화 공정 에 의해 노출 된 결합 웨이퍼 ( 10 ) 의 전 표면 에 실리콘 산화 막 ( 12 ) 이 형성 될 수 있 으며 , 필요 에 따라 이런 상태 를 유지 하 거나 결합 웨이퍼 ( 10 ) 의 한 표면 에 만 실리콘 산화 막 ( 12 ) 이 잔류 하 도록 나머지 는 제거 할 수 도 있 다 .