본 발명 의 실시 예 에 따른 불휘발성 메모리 장치 는 복수 의 메모리 블록 들 을 포함 하 는 메모리 셀 어레이 ; 각 메모리 블록 은 기판 및 상기 기판 과 교차 하 는 방향 으로 적층 된 복수 의 메모리 셀 들 을 포함 하 고 , 상기 각 메모리 블록 은 복수 의 워드 라인 들 , 복수 의 스트링 선택 라인 들 , 그리고 복수 의 접지 선택 라인 들 에 연결 되 고 ; 상기 복수 의 워드 라인 들 , 상기 복수 의 스트링 선택 라인 들 , 그리고 상기 복수 의 접지 선택 라인 들 을 통해 상기 복수 의 메모리 블록 들 에 연결 되 는 디코더 ; 복수 의 비트 라인 들 을 통해 상기 복수 의 메모리 블록 들 에 연결 되 는 읽 기 및 쓰 기 부 ; 상기 메모리 셀 어레이 및 상기 디코더 에 전압 을 공급 하 도록 구성 되 는 전압 생 성부 ; 그리고 상기 복수 의 메모리 블록 들 중 수신 된 소거 어드레스 에 대응 하 는 메모리 블록 이 선택 되 도록 , 그리고 상기 선택 된 메모리 블록 의 복수 의 메모리 셀 들 이 소거 및 소거 검증 되 도록 상기 디코더 , 상기 읽 기 및 쓰 기 부 , 그리고 상기 전압 생 성부 를 제어 하 는 제어 로직 을 포함 하 고 , 상기 소거 검증 시 에 , 상기 선택 된 메모리 블록 의 상기 복수 의 메모리 셀 들 이 각 스트링 선택 라인 의 단위 로 소거 검증 되 도록 상기 디코더 와 상기 읽 기 및 쓰 기 부를 제어 하 는 제어 로직 을 포함 한다 .