본 발명 의 실시 예 에 따른 가스 분사 장치 ( 160 ) 는 회전축 ( 132 ) 에 연결 되 어 챔버 ( 110 ) 내부 에서 계속 하 여 회전 하 기 때문 에 기판 ( s ) 의 상부 에 는 제 1 가스 ( NH 3 ) 와 제 2 가스 ( SiH 4 ) 가 순차 적 으로 분사 되 며 , 따라서 각 기판 ( s ) 에 는 제 1 가스 와 제 2 가스 의 반응물 인 SiNx 박막 이 증착 된다 .