실리콘 탄화물 층 을 성장 시키 기 위하 여 , 에피 택 셜 반응기 , 특히 열 벽 에피 택 셜 반응기 를 위한 이로운 해결 안 은 챔버 벽 들 은 제조 하 는 데 흑연 을 사용 하 고 , 챔버 벽 들 , 특히 하부 벽 및 / 또는 상부 벽 에 ( 적어도 반응 공동 을 마주 보 는 면 위 에 ) SiC ( silicon carbide ) 또는 TaC ( tantalum carbide ) 또는 NbC ( niobium carbide ) 또는 이 들 의 화합물 의 코팅 층 을 제공 하 는 것 이 다 .