다음 으로 , 제 1 커버 웨이퍼 ( 112 ) 타면 에 비아 ( 125 ) 와 전기 적 으로 연결 되 는 제 1 패턴 ( 140 ) 을 형성 한다 ( 240 ) . 제 1 패턴 ( 140 ) 은 도전 성 물질 로 이루어질 수 있 으며 , 예 를 들 어 , 제 1 커버 웨이퍼 ( 112 ) 에 도전 성 물질 을 증착 하 는 공정 후 에 포토 레지스 트 ( photo resist ) 를 적층 하 고 , 에칭 하 는 공정 을 수행 하 거나 에디 티 브 공정 을 수행 하 여 형성 할 수 있 다 . 디바이스 패드 ( 175 ) 에 상응 하 여 제 1 패턴 ( 140 ) 을 형성 함 에 따라 , 비아 ( 125 ) 와 디바이스 패드 ( 175 ) 가 직접 전기 적 으로 연결 되 지 않 고 , 제 1 패턴 ( 140 ) 에 의해 전기 적 으로 결합 되 며 , 이 때 , 제 1 패턴 ( 140 ) 이 비아 ( 125 ) 와 디바이스 패드 ( 175 ) 의 전기 적 연결 을 위한 패드 로 제공 된다 .