상술 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 은 MIM 구조 커패시터 제조 방법 으로서 , ( a ) MIM 구조 커패시터 를 위해 하부 금속 전극 층 / 절연 층 / 상부 금속 전극 층 을 순차 적 으로 증착 시키 는 단계 와 , ( b ) 상기 상부 전극 층위 로 포토레지스트 를 도포 하 고 , 포토레지스트 층 을 패 터닝 하 는 단계 와 , ( c ) 상기 패 터닝 된 포토레지스트 층 을 식각 마스크 로 하 여 상기 상부 금속 전극 층 과 절연 층 을 식각 시키 는 단계 와 , ( d ) 상기 식각 후 상기 나이트 라이드 잔존물 상부 로 식각 버퍼 층 으로 옥사이드 막 을 증착 시키 는 단계 와 , ( e ) 상기 옥사이드 막 을 상기 하부 전극 층 엔드 포인트 까지 식각 하 여 나이트 라이드 잔존물 을 제거시키 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .