다음 으로 도 2 a 를 참조 하 면 , 상기 상부 영역 ( UR ) 과 상기 하부 영역 ( LR ) 을 채우 는 분리 구조물 들 ( 180 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 분리 구조물 ( 180 ) 의 상면 과 상기 상부 층간 절연 층 ( 215 ) 을 덮 는 캡 핑 층 ( 232 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 캡 핑 층 ( 232 ) 및 상기 상부 층간 절연 층 ( 215 ) 을 관통 하 여 상기 수직 구조물 ( 80 ) 의 상기 캡 핑 패턴 ( 86 ) 과 접촉 하 는 콘 택 플러그 ( 235 ) 를 형성 할 수 있 다 . 상기 콘 택 플러그 ( 235 ) 와 접촉 하 고 상기 캡 핑 층 ( 232 ) 상 의 도전 성 라인 ( 240 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 도전 성 라인 ( 240 ) 은 텅스텐 ( W ) , 알루미늄 ( Al ) , 구리 ( Cu ) , 텅스텐 질화물 ( WN ) , 탄 탈륨 질화물 ( TaN ) , 티타늄 질화물 ( TiN ) , 또는 이 들 의 조합 과 같 은 금속 물질 을 포함 할 수 있 다 .