상기 패 시베이 션 층 ( 20 ) 은 실리콘 산화 막 , 실리콘 질화 막 및 실리콘 산질 화 막 중 의 어느 하나 로 형성 될 수 도 있 으며 또는 하나 이상 의 층 이 적층 된 구조 일 수 도 있 다 . 바람직 하 게 상기 패 시베이 션 층 ( 20 ) 은 TEOS 막 ( 21 ) 이 1 , 000 ~ 5 , 000 Å 의 두께 로 형성 되 고 질화 막 ( 22 ) 이 1 , 000 ~ 10 , 000 Å 의 두께 로 적층 된 구조 로 형성 될 수 있 다 .