제 1 무기 층 ( 131 ) 은 화학 기상 증착 ( CVD : Chemical Vapor Deposition ) 법 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 제 1 층 ( 1311 ) , 제 2 층 ( 1312 ) , 및 제 3 층 ( 1313 ) 이 실리콘 계 물질 을 포함 하 는 경우 , 제 1 층 ( 1311 ) , 제 2 층 ( 1312 ) , 및 제 3 층 ( 1313 ) 은 모두 동일 한 선구물질 을 사용 하 여 형성 될 수 있 고 , 따라서 제 1 무기 층 ( 131 ) 의 제조 는 향상 된 효율 을 가질 수 있 다 . 제 1 층 ( 1311 ) , 제 2 층 ( 1312 ) , 및 제 3 층 ( 1313 ) 은 플 라즈 마 화학 기상 증착 ( PECVD : Plasma Enhanced CVD ) 법 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 무기 봉지 층 이 스퍼터링 ( sputtering ) 공정 에 의해 형성 되 는 경우 , 제 2 전극 ( 123 ) 을 손상 시켜 암점 을 발생 시킬 수 있 는 등 의 문제 가 있 으므로 , 제 2 전극 을 보호 하 기 위해 제 2 전극 ( 123 ) 과 봉지 층 ( 130 ) 사이 에 유기물 로 구성 된 캡 핑 층 과 LiF 층 이 필요 하 다 . 그러나 , 예시 적 인 실시 예 에 따르 면 제 1 무기 층 ( 131 ) 을 CVD 공정 에 의해 형성 하 여 무기 봉지 층 형성 에 따른 제 2 전극 ( 123 ) 의 손상 을 크 게 감소 시킬 수 있 으므로 , 캡 핑 층 또는 LiF 층 과 같 은 보호막 없이 제 2 전극 ( 123 ) 상 에 봉지 층 ( 130 ) , 예컨대 제 1 무기 층 ( 131 ) 을 바로 형성 할 수 있 다 .