본 발명 의 액정 표시 소자 제조 방법 에서 는 게이트 전극 ( 203 ) 형성 단계 , 반도체 패턴 ( 209 ) 및 소스 / 드레 인 ( 213 a , 213 b ) 형성 단계 그리고 화소 전극 ( 도 5 d 의 219 ) 형성 단계 에서 는 포저 티 브 포 토리 지스 트 가 사용 되 고 , 제 1 , 제 2 , 제 3 컨 택트 홀 ( 225 a , 225 b , 225 c ) 형성 단계 에서 는 네거티브 포 토리 지스 트 가 사용 된다 .