상기 제 2 방향 에서 이웃 하 는 단위 셀 그룹 들 의 이웃 하 는 워드 라인 들 은 제 1 소자 분리 막 에 의해 분리 되 고 , 각 단위 셀 그룹 내 에서 상기 제 2 방향 에서 이웃 하 는 워드 라인 들 은 상기 제 1 소자 분리 막 보다 작 은 제 2 소자 분리 막 에 의해 분리 된다 . 상기 액티브 패턴 들 은 상기 반도체 기판 내 에 소정 도전 형 의 불순물 들 이 도핑 된 불순물 영역 들 을 포함 한다 .