상기 트렌치 ( 116 ) 를 형성 한 후 에 는 , 상기 감광막 패턴 ( 114 ) 을 제거 하 고 나 서 , 도 4 c 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 투명 기판 ( 100 ) 위 에 어느 한 방향 으로 배열 되 는 복수 의 양전극 층 ( 102 ) 을 형성 한다 . 상기 양전극 층 ( 102 ) 은 ITO 또는 IZO 등 의 투명 도전 물질 로 이루어질 수 있 으며 , 이러 한 투명 도전 물질 을 투명 기판 ( 100 ) 위 에 증착 한 후 소정 의 감광막 패턴 을 이용 해 이 를 패 터닝 함 으로서 형성 할 수 있 다 .