상기 한 바 와 같이 구성 된 종래 질화물 계 반도체 발광 소자 ( 10 ) 는 , 앞서 언급 한 바 와 같이 , 사파이어 기판 ( 11 ) 위 에 성장 되 는 GaN 박막 ( 12 , 13 ) 사이 의 큰 격자 불 일치 ( 16 %) 로 인하 여 GaN 박막 에 많 은 결정 결함 이 형성 하 여 , 누설 전류 를 증가 시키 고 외부 정전기 가 들어왔 을 경우 , 많 은 결정 결함 을 가지 고 있 는 발광 소자 의 활성 층 이 강한 필드 에 의해서 파괴 되 는 문제점 이 있 다 .