다음 에 기록 동작 에 관해서 , 도 20 을 참조 하 여 설명 한다 . 메모리 셀 ( 202 ) 에 데이터 가 기록 될 때 는 , 기록 신호선 ( WRITE ) 의 전위 가 고전 위 ( VH ) 까지 상승 하 여 비트 선 ( BL ) ( 1 ) 내지 ( n ) 에 는 기록 전위 가 인가 된다 . 기록 신호선 ( WRITE ) 의 전위 가 고전 위 ( VH ) 로 상승 하 는 동시 에 , 워드 선 ( WL _ OS ) ( 1 ) 내지 ( m ) 중 어느 하나 의 워드 선 의 전위 도 고전 위 ( VH ) 까지 상승 한다 . 예 를 들 면 , 워드 선 ( WL _ OS ) ( 1 ) 의 전위 가 고전 위 ( VH ) 까지 상승 하 면 , 트랜지스터 ( 1101 ) 의 게이트 전극 및 워드 선 ( WL _ OS ) ( 1 ) 과 전기 적 으로 접속 되 는 1 행 째 의 모든 트랜지스터 의 게이트 전극 에 고전 위 ( VH ) 가 인가 되 어 , 각 트랜지스터 가 온 상태 가 된다 . 그리고 , 메모리 셀 ( 202 ) 의 플로팅 노드 ( 1102 ) 는 , 비트 선 ( BL ) ( 1 ) 에 인가 된 기록 전위 와 동등 한 전위 가 되 는 전하 가 축적 된다 . 그 후 , 기록 신호선 ( WRITE ) 및 워드 선 ( WL _ OS ) ( 1 ) 은 각각 전위 ( VL ) 까지 전위 가 저하 되 고 , 트랜지스터 ( 1101 ) 및 워드 선 ( WL _ OS ) ( 1 ) 과 트랜지스터 의 게이트 전극 이 전기 적 으로 접속 되 는 1 행 째 의 트랜지스터 모두 가 오프 상태 가 되 어 기록 이 종료 된다 . 트랜지스터 ( 1101 ) 는 오프 전류 가 매우 작 다고 하 는 특징 을 가지 고 있 기 때문 에 , 플로팅 노드 ( 1102 ) 에 축적 된 전하 의 유지 가 용이 해 지 고 , 또한 유지 된 정보 의 판독 이 용이 해진다 . 또한 , 도면 중 의 사선 부분 은 임의 의 데이터 이 다 .