산화물 반도체 층 을 포함 하 는 트랜지스터 ( 204 ) 를 전원 선 ( 240 ) 에 설치 함 으로써 , 저항 소자 ( 201 _ 1 ) 및 저항 소자 ( 201 _ 2 ) 에 의 전위 의 공급 을 제어 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 노드 FN 1 에 전위 를 공급 한 후 , 스위치 트랜지스터 ( 202 _ 1 ) 를 오프 상태 로 하 여 노드 FN 1 에 전위 를 유지 하 는 기간 동안 에 , 산화물 반도체 층 을 포함 하 는 트랜지스터 ( 204 ) 도 오프 상태 로 하 여 전원 선 ( 240 ) 에 의 전위 의 공급 을 정지 할 수 있 다 . 도 3 에서 도시 한 구성 이 면 , 전원 선 ( 240 ) 에 의 전위 의 공급 을 정지 하 는 동안 에 도 전원 선 ( 242 _ 1 ) 에 는 전위 를 공급 할 수 있 다 .