상기 제 1 절연 층 ( 150 ) 상 에 제 1 소자 반도체 층 을 형성 하 고 , 상기 제 1 소자 반도체 층 을 패 터닝 하 여 제 1 소자 반도체 패턴 ( 200 a ) 을 형성 한다 . 상기 제 1 소자 반도체 패턴 ( 200 a ) 의 양 가장자리 들 은 각각 상기 제 1 스트링 및 접지 근접 플러그 들 ( 137 a , 137 b ) 과 접촉 한다 . 또한 , 상기 제 1 소자 반도체 패턴 ( 200 a ) 은 상기 제 1 게터 링 영역 ( 265 ) 과 접촉 한다 .