도 26 및 도 27 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 전극 ( 120 ) 은 절연 층 ( 130 ) 의 상부 일부 영역 상 에 형성 될 수 있 다 . 트랩 층 ( 190 ) 은 상기 게이트 전극 ( 120 ) 과 제 2 반도체 층 ( 160 ) 사이 에 배치 될 수 있 다 . 트랩 층 ( 190 ) 의 폭 은 게이트 전극 ( 120 ) 의 폭 과 대응 될 수 있 다 . 트랩 층 ( 190 ) 은 제 2 반도체 층 ( 160 ) 의 하면 의 전면 과 접촉 될 수 있 다 .