하부 절연 구조물 ( 110 ) 위 에 FeRAM 디바이스 ( 208 ) 가 배치 된다 . FeRAM 디바이스 ( 208 ) 는 하부 전극 ( 114 ) 과 상부 전극 ( 118 ) 사이 에 배열 된 강유전체 물질 ( 210 ) 을 포함 한다 . 하부 전극 ( 114 ) , 강유전체 물질 ( 210 ) , 및 상부 전극 ( 118 ) 은 각각 외부 영역 ( 214 ) 에 의해 횡 측 으로 둘러싸인 내부 영역 ( 212 ) 을 갖 는다 . 내부 영역 ( 212 ) 내 의 층 들 은 각각 외부 영역 ( 214 ) 내 의 대응 하 는 층 의 윗면 들 사이 에서 횡 측 으로 그리고 상기 윗면 들 로부터 수직 아래 에 배열 된 리세 싱 된 수평 연 장면 을 갖 는다 . 예 를 들 어 , 하부 전극 ( 114 ) 은 외부 영역 ( 214 ) 내 의 하부 전극 ( 114 ) 의 윗면 들 사이 에서 횡 측 으로 있 고 상기 윗면 들 로부터 수직 아래 에 있 는 내부 영역 ( 212 ) 내 의 수평 연 장면 을 갖 는다 .