성막 후 의 ITO 와 의 직접 접합 에 있 어서 의 접합 저항 값 의 결과 에서 는 , 실시 예 1 ∼ 3 및 실시 예 6 , 7 , 비 교예 6 , 7 의 각 합금 조성 의 타 겟 에 의해 성막 한 것 이 저 ( 低 ) 접합 저항 값 이 되 고 , 특히 실시 예 1 ∼ 3 , 6 , 7 은 매우 낮 은 접합 저항 값 인 것 이 판명 되 었 다 . 이 아 킹 현상 및 ITO 와 의 직접 접합 에 있 어서 의 접합 저항 값 의 조사 결과 로부터 , Al - Ni - B 계 합금 의 스퍼터링 타 겟 에서 는 , Ni 함유량 이 1 . 5 at % 이상 인 것 이 바람직 함 이 판명 되 었 다 . 이상 으로부터 , 실시 예 1 ∼ 8 의 스퍼터링 타 겟 으로 성막 한 경우 , 막 중 의 B 도 균일 하 게 분산 되 어 있 는 것 이 예측 되 었 다 .