급속 열처리 장비 내 의 온도 가 목표 하 는 제 1 온도 ( T 1 ) 까지 상승 하 면 제 1 온도 ( T 1 ) 에서 일정 시간 ( t 1 , 예컨대 , 0 . 1 ~ 10 초 ) 동안 유지 하 여 제 1 열처리 를 실시 한다 . 제 1 온도 ( T 1 ) 로 유지 하 여 제 1 열처리 를 실시 하 는 동안 에 는 암모니아 ( NH 3 ) 가스 또는 질소 ( N 2 ) 가스 의 공급 을 차단 하 고 아르곤 ( Ar ) 가스 는 계속 적 으로 공급 하 여 준다 . 아르곤 ( Ar ) 가스 는 2 ∼ 6 slm 정도 의 유량 으로 공급 한다 . 제 1 열처리 를 실시 함 으로서 , 실리콘 웨이퍼 에 대하 여 베이컨 시 를 주입 시켜 산소 석출 물 의 핵 형성 이 용이 한 분위기 를 만들 어 주 게 된다 .