S 45 C 소재 에 동일 한 두께 의 화합물 층 ( 두께 15 ㎛) 이 형성 되 도록 3 가지 공정 의 가스 질화 침탄 처리 를 실시 하 였 다 . 이때 가스 질화 침탄 공정 은 50 % 암모니아 - 10 % 이산화 탄소 - 40 % 질소 의 혼합 가스 분위기 의 560 ℃ 에서 4 시간 , 600 ℃ 에서 2 시간 , 그리고 600 ℃ 에서 1 . 5 시간 / 560 ℃ 에서 1 . 5 시간 의 각 3 가지 의 공정 조건 으로 처리 하 여 화합물 층 의 조성 을 X 선 - 회절 분석 한 결과 , 각각 ε - 상 의 단일 상 , ε - 상과 γ '- 상 의 혼합 상 , 및 ε - 상 의 단일 상 으로 구성 되 어 있 음 을 확인 하 였 다 .