도 3 에서 , 제 1 층간 절 연막 ( 39 ) 은 포토다이오드 를 벗어나 는 p 형 반도체 기판 ( 31 ) 상부 에 형성 되 며 , 제 2 층간 절 연막 ( 44 ) 은 포토다이오드 의 상부 에 형성 되 며 포토다이오드 의 가장자리 에서 제 1 층간 절 연막 ( 39 ) 과 일정 빈 공간 을 제공 하 며 , 제 3 층간 절 연막 ( 46 ) 은 제 1 층간 절 연막 ( 39 ) 과 제 2 층간 절 연막 ( 44 ) 사이 의 빈 공간 을 일부 채워 에어 웨이브 가이드 ( 47 ) 를 형성 한다 . 바람직 하 게 , 제 1 , 2 및 제 3 층간 절 연막 ( 39 , 44 , 46 ) 은 , 제 1 , 2 및 제 3 층간 절 연막 ( 39 , 44 , 46 ) 을 통과 하 여 에어 웨이브 가이드 ( 47 ) 에 입사 될 때 전반사 되 도록 에어 웨이브 가이드 ( 47 ) 의 굴절 율 ( n = 1 ) 보다 더 큰 물질 , 예컨대 , 실리콘 산화 막 이 다 .