이때 , 본 발명 의 일실 시예 에 따르 면 , 단계 ( S 220 ) 에서 는 상기 IC 안착 부 에 상기 절연 물질 을 두께 0 . 04 ~ 0 . 06 mm 가 되 도록 2 층 으로 도포 하 여 상기 절연 층 을 생성 할 수 있 으며 , 바람직 하 게 는 상기 절연 물질 을 두께 0 . 05 mm 가 되 도록 도포 하 여 상기 절연 층 을 생성 할 수 있 다 .