식각 공정 은 제 1 식각 공정 및 제 2 식각 공정 을 순차 적 으로 실시 할 수 있 다 . 제 1 식각 공정 은 습식 또는 건식 식각 공정 으로 실시 할 수 도 있 으나 , 습식 식각 공정 을 먼저 실시 하 면 반도체 소자 의 집적 도 증가 로 인하 여 제 2 절 연막 ( 212 ) 의 높이 를 균일 하 게 낮추 기 가 어려울 수 있 다 . 즉 , 습식 식각 공정 으로 는 제 2 절 연막 ( 212 ) 의 두께 를 조절 하 기 도 어렵 기 때문 에 오버 식각 이 되 는 경우 에 는 플로팅 게이트 용 도전 막 ( 204 ) 이 노출 되 면서 손상 될 수 도 있 다 . 이 에 따라 , 제 1 식각 공정 은 건식 식각 공정 으로 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 . 구체 적 으로 설명 하 면 , 제 1 식각 공정 은 NHx 가스 및 HFy 가스 를 이용 하 여 실시 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , NH 3 가스 와 HF 가스 를 이용 할 수 있 는데 , 반응식 1 을 참조 하 여 구체 적 으로 설명 하 면 다음 과 같 다 .