이상 에서 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 의하 면 , 채널 영역 의 도핑 농도 를 보상 하 기 위해 실시 되 는 이온 주입 공정 전 에 터널 링 절 연막 측벽 에 보호막 을 형성 하 고 , 이 를 통해 이온 주 입공 정시 터널 링 절 연막 이 노출 되 는 것 을 방지 함 으로써 터널 링 절 연막 내 에 트랩 사이트 가 형성 되 는 것 을 방지 하 여 소자 특성 이 저하 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .