상기 와 같이 , 본 발명 에 의하 면 , 전자 방출 소자 의 도전 성막 에 미리 전계 집중 영역 을 형성 할 수 있 으므로 , " "" 통전 포 밍 "" 처리 시 에 도전 성막 에 흘리 는 전류 를 큰 폭 으로 작 게 할 수 있 는 것 과 동시 에 처리 시간 을 단축 할 수 있 다 . 즉 "," 환원성 가스 를 이용 하 지 않 는 본 발명 의 "" 통전 포 밍 "" 처리 는 "," 환원성 가스 를 이용 하 는 종래 의 "" 통전 포 밍 "" 처리 에 의한 것 과 동등 하 게 전력 을 절약 하 고 ", 한층 더 짧 은 시간 에 실시 할 수 있 다 .