본 발명 의 제 4 실시 예 에 따른 수직 형 질화물 반도체 발광 소자 는 전극 패턴 으로서 p 형 질화물 층 ( 도시 하 지 않 음 ) 의 상부 면 에 형성 된 p 측 전극 패턴 또는 n 형 질화물 층 의 상부 면 에 형성 된 n 측 전극 패턴 을 나타내 며 , 도 5 에 도시 된 본 발명 의 제 4 실시 예 에 따른 전극 패턴 으로 n 형 질화물 층 의 상부 면 에 형성 된 n 측 전극 패턴 으로 설명 한다 .