게르마늄 , 실리콘 또는 SiGe 플러그 충 진 및 핀치 - 오프 단계 는 , 두께 를 정확 하 게 제어 하 기 위해 감소 된 증착 속도 로 SiGe 합금 을 증착 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 이 단계 는 또한 SiGe 합금 내 에 공극 을 생성 할 수 있 다 . 게르마늄 또는 실리콘 또는 SiGe 플러그 충 진 및 핀치 - 오프 단계 는 , " "" MULTI - PORT GAS INJECTION SYSTEM AND REACTOR SYSTEM INCLUDING SAME "" 이 라는 명칭 으로 Ma 등 에 의해 2018 년 8 월 6 일 에 출원 된 미국 특허 출원 제 16 / 055 ", 532 호 에 개시 된 장치 를 사용 하 여 달성 될 수 있 고 , 이 특허 는 본원 에 참고 로 포함 된다 . 게르마늄 , 실리콘 또는 SiGe 플러그 충 진 및 핀치 - 오프 단계 는 , " "" GAS DISTRIBUTION SYSTEM AND REACTOR SYSTEM INCLUDING SAME "" 이 라는 명칭 으로 Sreeram 등 에 의해 2018 년 6 월 4 일 에 출원 된 미국 특허 출원 제 15 / 997 ", 445 호 에 개시 된 장치 를 사용 하 여 대안 적 으로 달성 될 수 있 고 , 이 특허 는 본원 에 참고 로 포함 된다 . 이 들 특허 출원 에 설명 된 장치 는 , 생성 된 공극 의 크기 를 조절 할 수 있 다 .