이 와 같이 하 여 구한 결함 밀도 등 을 바탕 으로 수학식 2 및 수학식 3 으로부터 μ 0 = 120 ㎠/ Vs 가 도출 된다 . 결함 이 있 는 In - Sn - Zn 산화물 에서 측정 되 는 이동도 는 35 ㎠/ Vs 정도 이 다 . 그러나 , 반도체 내부 및 반도체 와 절 연막 의 계면 의 결함 이 없 는 산화물 반도체 의 이동도 ( μ 0 ) 는 120 ㎠/ Vs 가 될 것 으로 예상 할 수 있 다 .