상기 보조 화소 들 상 에서 , 상기 제 2 내지 제 4 배선 은 제 1 게이트 층 으로 형성 되 고 , 상기 제 1 배선 은 상기 제 1 게이트 층 과 제 1 절 연막 에 의해 절연 된 제 2 게이트 층 으로 형성 되 고 , 상기 투과 부들 상 에서 , 상기 제 1 배선 및 상기 제 3 배선 은 제 2 게이트 층 으로 형성 되 고 , 상기 제 2 배선 및 제 4 배선 의 연결 배선 은 상기 제 1 게이트 층 으로 형성 될 수 있 다 .