플러스 전원 발생 회로 ( 1 ) 에 있 어서 , N 채널 형 전하 전송 트랜지스터 MN 1 ( 본 발명 의 「 제 1 전하 전송 트랜지스터 」 의 일례 ) 과 P 채널 형 전하 전송 트랜지스터 MP 1 ( 본 발명 의 「 제 2 전하 전송 트랜지스터 」 의 일례 ) 이 직렬 로 접속 되 고 , 그 들 트 랜지 스터 의 접속 노드 에 는 , 플라잉 컨 덴 서 C 1 ( 본 발명 의 「 ( 제 1 ) 플라잉 컨 덴 서 」 의 일례 ) 의 한쪽 단자 가 배선 ( 11 ) ( 본 발명 의 「 제 2 배선 」 의 일례 ) 을 통하 여 접속 되 어 있 다 . 플라잉 컨 덴 서 C 1 은 글래스 기판 ( 100 ) 밖 에 설치 된 외장 컨 덴 서이 다 . 배선 ( 11 ) 은 , 상기 접속 노드 로부터 글래스 기판 ( 100 ) 위 에 설치 된 단자 P 1 을 통하 여 플라잉 컨 덴 서 C 1 의 한쪽 단자 에 접속 하 는 배선 이 며 , 글래스 기판 ( 100 ) 위 의 배선 부분 과 글래스 기판 ( 100 ) 밖 의 실장 배선 부분 을 포함 하 는 것 으로 한다 . 이 배선 ( 11 ) 의 저항 치 를 R 1 로 한다 .