이어서 , 게이트 라인 ( G ) 상부 에 제 1 층간 절 연막 ( 23 ) 에 의해 이웃 한 것 과 절연 되 면서 반도체 기판 ( 21 ) 의 일부 와 연결 되 는 랜딩 플러그 콘 택 ( 24 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 랜딩 플러그 콘 택 ( 24 ) 은 먼저 제 1 층간 절 연막 ( 23 ) 증착 후 게이트 라인 ( G ) 의 상부 까지 CMP 하 고 , 제 1 층간 절 연막 ( 23 ) 을 선택 적 으로 식각 하 여 콘 택 홀 을 형성 하 며 , 콘 택 홀 을 채울 때 까지 폴리 실리콘 을 증착 한 후 에치 백 또는 CMP 하 여 형성 한다 .