필요 에 따라서 는 이종 기판 상 에 형성 된 질화물 반도체 층 을 이종 기판 으로부터 분리 시켜야 할 경우 가 있 는데 , 종래 기술 로 는 레이저 리프트 오프 ( laser lift off ) 가 제안 되 어 있 다 . 그러나 , 레이저 리프트 오프 법 을 사용 하 는 경우 에 도 , 사파이어 기판 과 질화물 반도체 간 에 열팽창 계수 차이 등 의 원인 으로 기판 의 휘어짐 이 발생 하 거나 , 레이저 를 이용 해 질화물 반도체 층 을 녹여서 떼 어 내 는 방식 이 므로 국부 영역 에서 높 은 열 로 인해 공정 중 에 열응력 을 유발 하 는 부작용 이 있 다 . 레이저 리프트 오프 법 은 질화물 반도체 의 열적 및 기계 적 변형 과 분해 를 수반 한다 . 레이저 빔 에 의한 충격 에 의해 질화물 반도체 층 에 크랙 등 의 결함 이 발생 하 기 쉽 고 , 질화물 반도체 층 이 손상 될 수 있 으며 , 나아가 질화물 반도체 층 이 깨 지기 쉬워 공정 이 불 안정 하 다 .