이 어 , 제 6 단계 ( S 6 ) 에서 추출 한 커패시턴스 ( C ) 를 부극 성 ( -) 동작 전압 ( - Vg ) 에서 정극성 ( +) 동작 전압 ( + Vg ) 영역 의 각 전압 에 대응 되 도록 그래픽 드로잉 ( Graph Drawing ) 함 으로써 게이트 커패시턴스 커브 를 작성 한다 . 또한 , 작성 된 게이트 커패시턴스 커브 를 이용 하 여 게이트 산화 막 의 커패시턴스 특성 을 분석 한다 . 제 7 단계 ( S 7 )