상기 와 같이 폴리 실리콘 층 ( 13 ) 을 식각 하 면 , 식각 공정 중 발생 하 는 전자 ( electron ) 와 이온 차아 징 이 팩 트 ( ion charging effect ) 및 전자 구름 ( electron cloud ) 으로 인하 여 플 라즈 마 ( plasma ) 상태 에서 입사 된 이온 들 의 스 캐 터 링 ( scattering ) 및 궤 도 빗나감 ( trajectory deflection ) 현상 이 발생 하 고 , 이 로 인해서 게이트 전극 ( 13 a ) 의 측벽 및 바텀 을 따라 끝 이 좁 아 지 는 ( tapering ) 현상 이 야기 된다 . 결과 적 으로 게이트 전극 ( 13 a ) 의 바텀 부분 에 나 칭 ( notching ) 현상 이 발생 한다 . 이러 한 나 칭 ( notching ) 깊이 ( depth ) 및 높이 ( height ) 는 식각 챔버 의 플 라즈 마 특성 에 따라서 매우 불 규칙 적 으로 제어 되 며 , 이 에 따라 트랜지스터 동작 에 대한 변화 도 크 게 발생 할 수 있 다 .