도 4 는 본 발명 의 다른 구 현예 에 따른 토폴로지 - 선택 적 막 의 형성 공정 을 도시 하 는 흐름 도 이 다 . 이 구 현예 는 불순물 의 영역 선택 적 포함 에 의해 측벽 이 두꺼운 TS - SiO 의 다른 구 현예 를 나타낸다 . 단계 ( S 4 ) 에서 , SiO 막 은 도 3 의 단계 ( S 4 ) 와 실질 적 으로 유사 한 방식 으로 트렌치 를 갖 는 기판 상 에 증착 된다 . 단계 ( S 6 ) 에서 , 불순물 ( 예 , 탄소 및 / 또는 할로겐 을 함유 하나 실리콘 을 함유 하 지 않 는 탄화수소 가스 등 ) 을 함유 하 는 가스 가 플 라즈 마 가스 에 첨가 되 어 , 불순물 로서 막 의 수평 부분 내 에 주로 포함 되 는 원소 의 활성 종 을 함유 한 플 라즈 마 에 막 을 노출 시켜 도 3 에 도시 된 대로 얻 어 진 막 의 것 과 유사 한 불순물 분포 를 갖 는 막 을 생성 하 도록 한다 . 일부 구 현예 에서 , 단계 ( S 6 ) 는 아래 의 표 4 에 나타난 조건 하 에서 수행 될 수 있 다 .