바람직 하 게 는 , SiO 는 SiGe 및 Si 에 대해 적어도 10 : 1 의 비 로 선택 적 으로 에칭 된다 . 더욱 바람직 하 게 는 , SiO 는 SiGe 및 Si 에 대해 적어도 20 : 1 의 비 로 선택 적 으로 에칭 된다 . 바람직 하 게 는 , SiO 는 SiN 에 대해 적어도 10 : 1 의 비 로 선택 적 으로 에칭 된다 . 더욱 바람직 하 게 는 , SiO 는 SiN 에 대해 적어도 20 : 1 의 비 로 선택 적 으로 에칭 된다 . 바람직 하 게 는 , SiN 은 SiGe 및 Si 에 대해 적어도 10 : 1 의 비 로 선택 적 으로 에칭 된다 . 더욱 바람직 하 게 는 , SiN 은 SiGe 및 Si 에 대해 적어도 20 : 1 의 비 로 선택 적 으로 에칭 된다 . 바람직 하 게 는 , SiN 은 SiO 에 대해 적어도 10 : 1 의 비 로 선택 적 으로 에칭 된다 . 더욱 바람직 하 게 는 , SiN 은 SiO 에 대해 적어도 20 : 1 의 비 로 선택 적 으로 에칭 된다 . 다양 한 실시 예 들 에서 , 도핑 된 Si 는 탄소 , 인 또는 붕소 로 도핑 된 실리콘 일 수 도 있 다 .