안티몬 ( Sb ) 이 도핑 ( nD = 2 × 1015 ~ 5 × 1016 ) 된 n - type 게르마늄 ( 100 ) 기판 을 사용 하 였 다 . 먼저 게르마늄 기판 을 아세톤 , 메탄올 로 세척 한다 . 그 후 HCl , HF 와 같 은 산 또는 Deionized water 로 자연 산화 막 ( native oxide ) 를 제거 하 였 다 . 세 척 이 완료 된 게르마늄 기판 을 1 atm 압력 및 580 ℃ 온도 조건 의 퍼니스 ( furnace ) 에서 O 2 2 slm , Ar 1 slm 의 유속 으로 처리 하 여 이산화 게르마늄 층 을 형성 하 였 다 . 이후 Sputter 를 이용 하 여 Ar 20 sccm , O 2 10 sccm 을 흘려 주 며 2 x 10 - 3 torr 에서 TiO 2 를 증착 했 다 .