상기 스토리지 영역 에 는 상기 제 1 반도체 층 ( 310 ) 과 연결 되 어 동일 층 에 제 2 반도체 층 ( 315 ) 이 형성 된다 . 상기 제 2 반도체 층 ( 315 ) 은 불순물 이 주입 되 어 형성 된다 . 상기 불순물 은 n 형 불순물 이 며 , 상기 n 형 불순물 은 인 ( P ) , 비소 ( As ) , 안티몬 ( Sb ) 및 비스 무스 ( Bi ) 로 이루어진 군 에서 선택 되 는 1 종 일 수 있 다 .