도 1 b 에 도시 된 바 와 같이 , 텅스텐 실리사이드 막 ( 15 ) 의 비 정상 산화 로 인한 산화 막 ( 18 ) 이 과 도 성장 된 결과물 의 전면 에 이온 주입 공정 을 진행 하 고 , 질화 막 스트레스 를 방지 하 기 위한 버퍼 산화 막 ( 19 ) 및 스 페이서 질화 막 ( 20 ) 을 차례 로 증착 한다 . 이때 , 도 1 a 의 ' A ' 에 도시 된 바 와 같이 과 도 성장 된 부위 에 기인 한 프로파일 ( profile ) 을 따라 버퍼 산화 막 ( 19 ) 및 스 페이서 질화 막 ( 20 ) 이 증착 되게 되 어 스 페이서 질화 막 ( 20 ) 증착 후 에 도 ' B ' 에 도시 된 바 와 같이 여전히 과 도 성장 된 부위 가 존재 하 게 된다 .