도 1 b 를 참조 하 면 , 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 a ) 은 제 1 절연 층 ( 150 ) 을 관통 하 는 제 1 오목 한 영역 ( 155 a ) 을 채운다 . 상기 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 a ) 의 상부 면은 제 1 소자 반도체 층 ( 200 ) 의 하 부면 과 접촉 한다 . 상기 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 a ) 의 하부 면은 상기 반도체 기판 ( 100 ) 의 상부 면 과 접촉 할 수 있 다 . 이 와 는 달리 , 상기 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 a ) 의 하부 면은 상기 반도체 기판 ( 100 ) 에 형성 된 절연체 ( ex , 소자 분리 막 등 ) 와 접촉 될 수 도 있 다 .