도 4 a 에 도시 된 바 와 같이 , 용량 성 소자 ( 134 ) 의 제 2 예시 적 인 실시 예 와 마찬가지 로 , 도 5 a 및 도 5 b 의 제 3 예시 적 인 실시 예 는 , 여기 서 , 황화 카드뮴 ( CdS ) 층 및 CZTS ( Copper Zinc Tin Sulfide ) 의 층 으로 구성 되 는 2 개 의 개별 광전도 층 ( 188 , 188 ') 사이 의 경계 에 의해 형성 되 는 접합부 ( 190 ) 를 포함 한다 . 따라서 , CZTS 층 은 도 4 a 에 따른 실시 예의 CdTe 를 대체 하 는 것 으로 간주 될 수 있 다 . CZTS 의 대안 으로서 , CZTSe ( Copper Zinc Tin Selenide ) , 해당 하 는 황 - 셀레늄 합금 CZTSSe , 또는 추가 의 4 원 칼코겐 화물 광전도 성 I 2 - II - IV - VI 4 화합물 은 또한 이러 한 목적 을 위해 적용 될 수 있 다 . 다른 대안 으로 CIGS ( Copper Indium Gallium Selenide ) 또는 박막 태양 전지 흡 수체 층 으로 알려진 다른 칼코겐 화물 광전도체 가 포함 될 수 있 다 .