도 3 내지 도 4 b 를 참조 하 면 , 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( PR 1 , PR 12 ) 을 통해 채널 층 ( 130 ) , 게이트 절연 층 ( 120 ) 및 게이트 금속 층 ( 110 ) 은 식각 되 어 , 상기 게이트 전극 영역 ( GEA ) 및 게이트 패드 영역 ( GPA ) 에 각각 패 터닝 된 채널 층 ( 130 ) , 게이트 절연 층 ( 120 ) 및 게이트 금속 층 ( 110 ) 이 형성 된다 .