도 5 를 참조 하 면 , 제 1 단계 ( 단계 80 ) 는 이미 징 공정 에서 이용 될 리소그래피 공정 및 시스템 과 연계 된 공정 의 특정 한 파라미터 들 을 정의 하 는 단계 를 수반 한다 . 그 후 , 수학식 14 를 이용 하 여 미분 TCC 들 ( A 및 B ) 이 생성 된다 ( 단계 82 ) . 단계 84 에서 는 , 캘 리브레 이 션 테스트 데이터 가 다수 공정 윈도우 조건 들 에 대해 획득 된다 . 단계 85 에서 , 단계 82 의 결과 들 을 부분 적 으로 이용 하 여 R 0 {} 에 대한 모델 파라미터 들 및 / 또는 연계 된 필터 P {} 가 결정 된다 . 그 다음 , 타 겟 마스크 패턴 또는 디자인 이 정의 된다 ( 단계 86 ) . 그 후 , 공정 은 R 0 ( x ) , P { I 0 }, P { a } 및 P { b } 와 같 은 이미지 들 을 생성 하 도록 단계 88 로 진행 한다 . 그 다음 , 시뮬레이션 된 이미지 가 합성 되 며 , NC 윤곽 들 이 추출 되 고 , 에지 위치 들 { xi } 의 주어진 세트 에서 피처 EPE 들 이 결정 된다 ( 단계 90 ) . 그 후 , 공정 은 에지 위치 들 { xi } 에서 공정 윈도우 를 통한 EPE 또는 CD 변동 들 을 결정 하 기 위해 단계 92 로 진행 한다 . 최종 적 으로 , 단계 94 에서 , 결과 적 인 이미지 가 사전 정의 된 오차 공차 내 에 있 는지 를 결정 하 기 위해 단계 92 에서 얻 어 진 결과 들 이 분석 되 며 , 이 에 따라 공통 공정 윈도우 를 결정 할 뿐 만 아니 라 , 디자인 내 의 문제 의 영역 ( 즉 , 핫 - 스폿 들 ) 을 식별 한다 .