다른 문제 는 성장 챔버 내부 벽 상 의 원 하 지 않 는 증착 에서 발생 한다 . GaN 의 경우 , 예 를 들 면 GaCl 이나 GaCl 3 와 같 은 전구체 를 포함 하 는 Ga 가 비교 적 낮 은 온도 에서 기체 상태 로부터 응결 되 며 ( 보통 500 ℃), 따라서 기화 범위 를 넘 는 온도 로 유지 되 지 않 은 반응기 영역 은 코팅 될 수 있 다 . 이 원 하 지 않 는 물질 들 은 챔버 의 비 효율 적 가열 및 품질 이 저하 된 미립자 의 생산 을 가져올 수 있 다 .