본 발명 은 금속 배선 과 금속 배 선간 의 잔류물 을 원천 적 으로 제거 하 여 소자 의 신뢰 성 을 향상 시키 도록 한 반도체 소자 의 금속 배선 및 그 의 형성 방법 에 관한 것 으로써 , 반도체 소자 의 금속 배선 은 반도체 소자 의 금속 배선 은 반도체 기판 상 에 형성 된 제 1 금속 배선 과 ; 상기 제 1 금속 배선 을 포함 한 반도체 기판 에 형성 된 층간 절 연막 과 ; 상기 층간 절 연막 을 선택 적 으로 제거 하 여 비 아홀 및 그 에 인접 하 여 트렌치 에 형성 된 금속 확산 방지 막 과 ; 상기 비 아홀 및 트렌치 에 채워진 제 2 금속 배선 과 ; 식각 공정 에 의해 식각 된 상기 층간 절 연막 및 상기 제 2 구리 배선 상 에 형성 된 보호막 을 포함 하 여 구성 됨 을 특징 으로 한다 .