상기 하부 스 페이서 ( 38 ) 는 상기 제 1 층간 절연 층 ( 35 ) 및 상기 하부 플러그 ( 37 ) 사이 에 개재 될 수 있 다 . 상기 하부 스 페이서 ( 38 ) 는 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화물 , 또는 이 들 의 조합 과 같 은 유전 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 하부 스 페이서 ( 38 ) 는 상기 하부 플러그 ( 37 ) 의 측면 을 둘러쌀 수 있 다 . 상기 하부 플러그 ( 37 ) 는 상기 하부 스 페이서 ( 38 ) 의 내부 에 한정 될 ( confined ) 수 있 다 . 상기 하부 플러그 ( 37 ) 는 폴리 실리콘 , 금속 , 금속 질화물 , 금속 산화물 , 금속 실리사이드 , 도전 성 카본 , 또는 이 들 의 조합 과 같 은 도전 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 하부 플러그 ( 37 ) 는 TiN 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 층간 절연 층 ( 35 ) 및 상기 제 2 층간 절연 층 ( 36 ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화물 , 저 - 유전물 ( low - K dielectrics ) , 또는 이 들 의 조합 과 같 은 유전 물질 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 상기 제 2 층간 절연 층 ( 36 ) 은 상기 제 1 층간 절연 층 ( 35 ) 및 상기 하부 스 페이서 ( 38 ) 에 대하 여 식각 선택 비 를 갖 는 물질 을 포함 할 수 있 다 .