도 14 a 및 도 14 b 에서 , 게이트 유전체 층 ( 92 ) 및 게이트 전극 ( 94 ) 은 대체 게이트 를 위해 형성 된다 . 도 14 c 는 도 14 b 의 영역 ( 89 ) 의 상세도 를 도시 한다 . 게이트 유전체 층 ( 92 ) 은 리세 스 ( 90 ) 에 컨 포 멀 하 게 퇴적 되 고 , 예컨대 , 핀 ( 52 ) 의 상부 표면 및 측벽 상 에 그리고 게이트 시일 스 페이서 ( 80 ) / 게이트 스 페이서 ( 86 ) 의 측벽 상 에 퇴적 된다 . 게이트 유전체 층 ( 92 ) 은 또한 제 1 ILD ( 88 ) 의 상부 표면 상 에 형성 될 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에 따라 , 게이트 유전체 층 ( 92 ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 또는 이 들 의 다층 을 포함 한다 . 일부 실시 예 들 에서 , 게이트 유전체 층 ( 92 ) 은 하이 - k 유전체 물질 을 포함 하 고 , 이러 한 실시 예 들 에서 , 게이트 유전체 층 ( 92 ) 은 약 7 . 0 보다 큰 k 값 을 가질 수 있 고 , 하프늄 , 알루미늄 , 지르코늄 , 란타늄 , 망간 , 바륨 , 티타늄 , 납 및 이 들 의 조합 의 금속 산화물 또는 실리케이트 를 포함 할 수 있 다 . 게이트 유전체 층 ( 92 ) 의 형성 방법 은 분자 빔 퇴적 ( Molecular Beam Deposition ; MBD ) , ALD , PECVD 등 을 포함 할 수 있 다 . 더미 유전체 층 ( 60 ) 의 일부 가 리세 스 ( 90 ) 에 남 아 있 는 실시 예 들 에서 , 게이트 유전체 층 ( 92 ) 은 더미 유전체 층 ( 60 ) 의 물질 ( 예 를 들 어 , SiO 2 ) 을 포함 한다 .