반도체 층 에 사용 할 수 있 는 금속 산화물 은 스퍼터링 법 등 을 사용 하 여 형성 할 수 있 으므로 , 대형 표시 장치 를 구성 하 는 트랜지스터 의 반도체 층 에 사용 할 수 있 다 . 또한 다결정 실리콘 이나 비정질 실리콘 을 사용 한 트랜지스터 의 생산 설비 의 일부 를 개량 하 여 이용 할 수 있 기 때문 에 설비 투자 를 줄일 수 있 다 . 또한 금속 산화물 을 사용 한 트랜지스터 는 비정질 실리콘 을 사용 한 경우 와 비교 하 여 높 은 전계 효과 이동도 를 가지 므로 구동 회로 가 제공 된 고성능 의 표시 장치 를 실현 할 수 있 다 .