일예 로 , 하드 마스크 폴리 실리콘 ( 13 ) 을 1200 Å 의 두께 로 증착 한 경우 , 스토리지 노드 콘 택 홀 ( 15 ) 이 형성 되 는 시점 에서 셀 영역 에서 는 ' D 1 ' 이 600 Å 두께 로 잔류 하 고 , 주변 회로 영역 에서 는 ' D 2 ' 가 900 Å 두께 로 잔류 한다 . 그리고 , 하드 마스크 폴리 실리콘 ( 13 A ) 을 제거 한 후 에 셀 영역 의 층간 절 연막 ( 12 ) 의 손실 ( 12 A ) 은 300 Å 이상 의 과도 한 손실 이 발생 하 게 된다 . 또한 , 종래 기술 은 하드 마스크 폴리 실리콘 ( 13 ) 을 제거 할 때 스토리지 노드 콘 택 홀 의 내부 및 탑 부분 에서 손상 이 발생 한다 .