이 에 따라 도 10 a 및 도 10 b 를 참조 하 면 , 제 1 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 이 형성 된다 . 이어서 , 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 을 식각 마스크 로 이용 한 식각 공정 으로 상기 차광 물질 층 ( SL ) 및 하프톤 물질 층 ( HTL ) 을 순차 적 으로 식각 하 여 , 상기 차광 물질 층 ( SL ) 및 상기 하프톤 물질 층 ( HTL ) 이 적층 된 구조 의 데이터 배선 패턴 부 ( 21 ) 및 상기 데이터 배선 패턴 부 ( 21 ) 에 연결 된 전극 패턴 부 ( EP ) 를 형성 한다 .