상부 및 하부 플라 즈 마 생 성 볼륨 들 은 독립 적 으로 제어 가능 하 여 , 웨이퍼 프로세싱 을 위하 여 부여받 은 웨이퍼 라디칼 / 중성 입자 플럭스 가 웨이퍼 에 대해 노출 된 상태 에서 생성 된 이온 플 라즈 마로 부터 독립 적 으로 생 성 되게 된다 . 따라서 , 여기 에 개시 된 장치 의 상부 및 하부 플라 즈 마 생 성 볼륨 들 은 웨이퍼 프로세싱 동안 에 라디칼 / 중성 입자 플럭스 를 이온 플럭스 와 디 커플링 하 는 것 을 제공 한다 . 따라서 , 라디칼 / 중성 입자 종 들 은 이온 플럭스 로부터 분리 되 어 제어 될 수 있 다 .