메모리 셀 ( 111 ) 이 리셋 상태 또는 데이터 ' 1 ' 을 저장 하 고 있 으면 , 센싱 노드 ( NSA ) 의 전압 레벨 은 프리 차지 전압 ( VPRE ) 에서 승압 전압 ( VSA ) 으로 상승 한다 . 센싱 노드 ( NSA ) 가 승압 전압 ( VSA ) 으로 상승 하 는 이유 는 바이어스 회로 ( 160 ) 를 통해 읽 기 전류 가 공급 되 기 때문 이 다 . 메모리 셀 ( 111 ) 이 셋 상태 또는 데이터 ' 0 ' 을 저장 하 고 있 으면 , 센싱 노드 ( NSA ) 의 전압 레벨 은 프리 차지 전압 ( VPRE ) 에서 1 V 로 하강 한다 . 여기 에서 , 센싱 노드 ( NSA ) 의 전압 레벨 은 다이오드 ( D ) 의 문턱 전압 ( Threshold Voltage ) 으로 인하 여 접 지 레벨 ( GND ) 까지 떨어지 지 않 고 , 1 V 로 하강 한다 . T 2 구간 에서 는 센스 앰프 ( 170 ) 의 센싱 동작 이 수행 된다 . 센스 앰프 ( 170 ) 의 센싱 동작 은 도 6 및 도 7 을 참조 하 여 상세히 설명 된다 .