상기 화학식 3 의 경화 촉진제 는 경화 반응 이 개시 되 는 온도 가 아민 경화제 나 이미다졸 계 경화 촉진제 에 비해 높 고 균일 한 경화 율 을 얻 기에 용이 하 고 , 상온 에서 의 반응 성 이 낮 아 저장 성 을 확보 하 는 데 유리 하 다 . 상기 화학식 2 와 같 은 페놀 수지 는 아민 경화제 나 이미다졸 계 경화 촉진제 를 사용 할 경우 상온 에서 의 보관 기간 이 길 어 지 면 부분 적 으로 경화 반응 이 진행 되 어 불 균일 한 경화물 성 으로 인해 반도체 조립 공정 에서 기공 ( void ) 이나 부착력 저하 가 발생 하 기 쉽 다 . 그러나 상기 화학식 2 와 같 은 페놀 수지 에 화학식 3 의 경화 촉진제 를 사용 할 경우 상온 에서 경화 반응 이 진행 되 는 것 을 억제 할 수 있 기 때문 에 불 균일 한 경화물 성 으로 인한 반도체 조립 공정 에서 의 불량 발생 을 줄일 수 있 다 .