상기 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 에 실시 예 들 에 따른 반도체 장치 는 , 기판 으로부터 돌출 된 활성 기둥 ; 상기 활성 기둥 의 상단 에 배치 되 며 상기 활성 기둥 보다 넓 은 폭 을 가지 는 제 1 소오 스 / 드레 인부 ; 상기 제 1 소오 스 / 드레 인부 의 적어도 하 부면 을 덮 는 스 페이서 ; 적어도 상기 스 페이서 의 하 부면 과 상기 활성 기둥 의 측면 을 덮 는 게이트 전극 ; 상기 게이트 전극 과 상기 활성 기둥 사이 에 개재 된 게이트 절 연막 ; 및 상기 활성 기둥 아래 의 상기 기판 내 에 배치 되 는 제 2 소오 스 / 드레 인부 를 포함 한다 .