이 와 같이 , 게이트 전극 을 폴리 실리콘 과 텅스텐 의 적층 구조 로 형성 하 는 경 우 소자 의 고속 동작 을 구현 할 수 있 는 이점 은 있 으나 , 게이트 전극 식각 공정 후 실시 되 는 재산 화 공정 ( re - oxidation ) 공정 시 텅스텐 이 이상 산화 되 는 문제 가 발생 된다 . 여기 서 , 재산 화 공정 은 게이트 전극 을 형성 하 기 위한 식각 공정 시 게이트 전극 측벽 에 식각 손상 이 유발 되 는데 , 이러 한 식각 손상 을 보상 하 기 위해 실시 되 는 공정 을 말 한다 .