도 1 에 나타낸 바 와 같이 , 일 예 에 따른 상변화 메모리 ( PCM ) 셀 ( 10 ) 은 , 비트 라인 ( BL ) 과 그라운드 사이 에서 직렬 로 배치 되 는 결정 상태 ( crystalline state ) 의 합금 저항체 ( alloy resistor ) ( 11 ) 및 선택 트랜지스터 ( 12 ) 로 구성 될 수 있 다 . 합금 저항체 ( 11 ) 가 결정 상태 인 경우 비저항 ( resistivity ) 은 낮 다 . 이 결정 상태 는 로직 하이 ( high ) 또는 1 을 나타낼 수 있 다 . 워드 라인 ( WL ) 에 선택 트랜지스터 ( 12 ) 를 턴 온 시키 는 워드 라인 전압 을 인가 하 면 , 비트 라인 ( BL ) 전압 은 선택 트랜지스터 ( 12 ) 및 합금 저항체 ( 11 ) 를 통해 높 은 사전 충전 된 ( precharged ) 상태 에서 그라운드 로 당겨 진다 . 합금 저항체 ( 11 ) 에 높 은 전류 를 흘리 면 , 합금 저항체 ( 11 ) 는 결정 상태 에서 비정질 상태 로 변환 될 수 있 다 . 높 은 전류 는 합금 저항체 ( 11 ) 에서 저항성 열 ( resistive heating ) 을 발생 시키 고 , 그 결과 용융 온도 까지 급속 하 게 도달 되 면 , 결정 은 액체 상태 로 용융 된다 . 전류 공급 을 중단 하 여 급격 하 게 냉각 시키 면 , 냉각 되 는 동안 결정 들 이 성장 할 시간 이 없 으므로 합금 저항체 ( 11 ) 는 비정질 상태 로 고체 화 된다 .