그리고 , 본 발명 의 반도체 소자 는 벌브 형 리세 스 패턴 이 구비 된 기판 ; 상기 기판 의 표면 상 에 형성 된 게이트 절 연막 ; 상기 게이트 절 연막 상 에 형성 된 제 1 게이트 도 전막 ; 상기 벌브 형 리세 스 패턴 의 내부 를 매립 하 지 않 는 두께 를 갖 고 상기 벌브 형 리세 스 패턴 의 내부 측 상기 제 1 도 전막 상 에 형성 된 공극 이 동방 지막 ; 및 상기 공극 이 동방 지막 상 에 형성 되 어 상기 제 1 게이트 도 전막 과 연결 되 는 제 2 게이트 도 전막 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 고 , 상기 공극 이 동방 지막 은 알루미늄 산화 막 ( Al 2 O 3 ) 또는 지르코늄 산화 막 ( ZrO 2 ) 인 것 을 특징 으로 한다 .