도 12 는 , 기판 의 전위 , 도전 성 부재 의 전위 , 및 에지 링 의 전위 의 일례 를 나타내 는 타이밍 차트 이 다 . 플 라즈 마 처리 장치 ( 1 D ) 를 이용 하 여 방법 MT 가 실행 되 는 경우 에 는 , 도 12 에 나타내 는 바 와 같이 , 공정 ST 2 에 있 어서 , 전원 장치 ( 76 ) 로부터 도전 성 부재 ( 74 ) 에 양극 성 의 전압 이 인가 된다 . 플 라즈 마 처리 장치 ( 1 D ) 가 이용 되 는 경우 에 도 , 전원 장치 ( 76 ) 로부터 의 양극 성 의 전압 은 , 도 7 ~ 도 10 을 참조 하 여 설명 한 양극 성 의 전압 과 동일 하 게 , 도전 성 부재 ( 74 ) 에 인가 된다 . 즉 , 전원 장치 ( 76 ) 로부터 의 양극 성 의 전압 은 , 적어도 기판 ( W ) 의 전위 가 음인 기간 내 에서 도전 성 부재 ( 74 ) 에 인가 된다 . 그 결과 , 기판 ( W ) 의 전위 가 음인 기간 내 에서 는 , 도전 성 부재 ( 74 ) 의 전위 는 양 의 전위 VC 가 된다 . 또 , 플라 즈 마 처리 장치 ( 1 D ) 가 이용 되 는 경우 에 는 , 공정 ST 2 에 있 어서 , 전원 장치 ( 70 ) 로부터 의 양극 성 의 전압 이 에지 링 ( ER ) 에 인가 된다 . 전원 장치 ( 70 ) 로부터 의 양극 성 의 전압 은 , 기판 ( W ) 의 전위 가 0 이상 인 기간 에 있 어서 에지 링 ( ER ) 에 인가 된다 . 에지 링 ( ER ) 에 인가 되 는 양극 성 의 전압 은 , 기판 ( W ) 의 전위 가 0 이상 인 기간 에 있 어서 , 에지 링 ( ER ) 의 전위 VA 를 기판 ( W ) 의 전위 VW 보다 높 은 전위 로 설정 한다 .