여기 서 , 도 2 a 및 도 2 b 에 도시 된 제 1 저장 커패시터 ( 6 ) 는 불순물 로 도핑 되 어 있 는 폴리 실리콘 박막 및 게이트 소자 를 가지 고 게이 터 절 연막 을 스위칭 함 으로써 형성 되 고 , 게이트 절연 막 은 불순물 로 도핑 되 어 있 는 폴리 실리콘 박막 위 에 형성 되 며 , 데이터 라인 ( 8 ) 의 금속 은 게이트 금속 을 거쳐 게이트 절 면막 및 또 다른 중간층 절 연막 위 에 형성 된다 . 이렇게 하 여 제 1 저장 커패시터 ( 6 ) 는 일반 적 폴리 실리콘 공정 에 기초 하 여 형성 된다 . 콘 택 을 거쳐 게이 터 금속 및 데이터 라인 ( 8 ) 을 연결 함 으로써 , 단면 A - A ' 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 저장 커패시터 의 하나 의 단부 는 데이터 라인 ( 8 ) 을 구성 하 며 다른 단부 는 불순물 로 도핑 되 어 있 는 폴리 실리콘 박막 을 구성 하 고 , 도 2 a 및 2 b 에 도시 된 제 1 저장 커패시터 ( 6 ) 는 도 1 의 저장 커패시터 ( 6 ) 로서 기능 한다 .