도 1 은 하나 의 예시 적 인 구현 에서 , 오염 물질 들 에 의한 입사 광 빔 의 산란 에 대한 광 산란 데이터 에 기초 하 여 퇴적 챔버 내부 에 존재 하 는 미립자 오염 물질 의 실시간 검출 을 구현 하 는 시스템 ( 100 ) 을 개략 적 으로 도시 한다 . 도 1 에 도시 된 일부 컴포넌트 들 은 임의 적 이 거나 , 동일 또는 유사 한 기능 성 을 갖 는 다른 컴포넌트 들 로 교체 가능 할 수 있 으므로 , 도 1 은 예시 로서 의도 된다 . 하나 의 구현 에서 , 시스템 ( 100 ) 은 진공 퇴적 챔버 와 같 은 퇴적 챔버 ( 102 ) 를 가질 수 있 다 . 퇴적 챔버 ( 102 ) 는 도 1 에 도시 된 바 와 같이 원형 수평 단면 을 가질 수 있 거나 , 본 기술 분야 에 공지 된 임의 의 다른 설계 를 가질 수 있 다 . 퇴적 챔버 ( 102 ) 는 웨이퍼 ( 들 ) 상 의 재료 의 성장 을 지지 하 기 위해 웨이퍼 ( 104 ) 또는 다수 의 웨이퍼 ( 도시 되 지 않 음 ) 를 유지 할 수 있 다 . 웨이퍼 ( 들 ) 는 ( 웨이퍼 ( 104 ) 의 실선 도시 에 의해 보여진 바 와 같이 ) 수평 으로 또는 ( 웨이퍼 ( 104 ) 의 점선 도시 에 의해 보여진 바 와 같이 ) 수직 으로 , 또는 임의 의 다른 방식 으로 위치 될 수 있 다 . 일부 구현 들 에서 , 하나 이상 의 웨이퍼 가 수평 평면 에 대해 비스듬 하 게 위치 될 수 있 다 . 웨이퍼 ( 104 ) 는 반도체 재료 ( 예 를 들 어 , 실리콘 ) , 유전체 ( 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 ) 또는 임의 의 다른 적절 한 재료 로 제조 될 수 있 다 . 웨이퍼 ( 104 ) 는 패 터닝 되 거나 패 터닝 되 지 않 을 수 있 다 . 퇴적 챔버 ( 102 ) 내부 에 는 가스 들 ( 예 를 들 어 , 퇴적 에 사용 되 는 화학 전구체 들 ) 및 / 또는 플 라즈 마 ( 부분 적 으로 이온 화 된 전자 들 및 이온 들 의 가스 ) 의 유동 이 존재 할 수 있 다 . 일부 구현 들 에서 , 예컨대 퇴적 챔버 ( 102 ) 가 스퍼터링 퇴적 기술 들 과 함께 사용 될 때 , 챔버 ( 102 ) 는 스퍼터링 타 겟 과 같 은 타 겟 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 포함 할 수 있 고 , 스퍼터링 타 겟 은 , 방출 된 입자 들 의 유동 을 생성 하 기 위해 이온 원자 들 ( 하나 의 구현 에서 , 예 를 들 어 아르곤 이온 ) 로 충격 이 가해진다 . 챔버 ( 102 ) 내부 의 다양 한 유동 들 ( 예 를 들 어 , 타 겟 에 의해 스퍼터링 된 전구체 들 , 플라 즈 마 , 원자 들 / 이온 들 의 유동 들 ) 은 확산 성 ( 가스 / 플 라즈 마의 밀도 가 높 을 때 ) 또는 탄도학 적 ( 이러 한 밀도 가 낮 을 때 ) 일 수 있 다 . 일부 구현 들 에서 , 예 를 들 어 재료 의 퇴적 이 중력 에 의해 촉진 될 때 , 웨이퍼 ( 2 ) 는 가스 / 플라 즈 마 영역 아래 에 위치 될 수 있 다 . 다른 구현 들 에서 , 예 를 들 어 스퍼터링 에 의해 퇴적 이 수행 될 때 , 웨이퍼 ( 104 ) 는 가스 / 플 라즈 마의 영역 위 에 위치 될 수 있 다 . 웨이퍼 ( 104 ) 의 다른 구성 들 이 또한 가능 할 수 있 으며 , 개시 된 구현 들 은 모든 이러 한 구성 에 완전히 적용 가능 하 다 .