도 10 을 참조 하 면 , 채널 홀 구조물 ( 170 ) 의 측벽 및 채널 홀 구조물 ( 170 ) 에 의해 노출 된 제 1 불순물 영역 ( 102 ) 상면 의 일부 에 전하 저장 구조물 ( 210 ) 을 형성 하 고 , 전하 저장 구조물 ( 210 ) , 상기 노출 된 제 1 불순물 영역 ( 102 ) 상면 의 일부 , 및 최상층 절 연막 ( 110 ) 상 에 채널 막 ( 220 ) 을 형성 할 수 있 다 .