본 발명 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 은 , 반도체 소자 의 전원 공급 을 안정 화 시키 기 위해 주변 회로 영역 에 축 적 캐 패 시터 ( Reservoir Capacitor ) 를 형성 해 주 는 반도체 소자 의 제조 방법 으로서 , 반도체 기판 의 축 적 캐 패 시터 형성 영역 을 리세 스 하 는 단계 ; 상기 리세 스 된 기판 부분 의 저면 에 금속 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 금속 막 이 형성 된 기판 결과물 을 제 1 열처리 하 여 상기 금속 막 을 금속 파티클 ( Particle ) 로 변환 시키 는 단계 ; 및 상기 금속 막 이 금속 파티클 로 변환 된 기판 결과물 을 제 2 열처리 하 여 상기 금속 파티클 과 접촉 된 기판 부분 으로부터 상기 기판 과 수직 하 는 방향 으로 실리콘 막대 를 성장 시키 는 단계 ; 를 포함 한다 .