예 를 들 어 , 레이저 결정화 를 사용 하 는 경우 , 레이저 결정 화 전 에 , 레이저 에 대한 반도체 막 ( 704 ) 의 내성 을 높이 기 위해 , 550 ℃, 4 시간 의 가열 처리 를 그 반도체 막 ( 704 ) 에 대해 행한다 . 그리고 , 연속 발진 이 가능 한 고체 레이저 를 사용 하 여 , 기본파 의 제 2 고조파 내지 제 4 고조파 의 레이 저광 을 조사 함 으로써 , 대 입경 의 결정 을 얻 을 수 있 다 . 예 를 들 어 , 대표 적 으로 는 , Nd ： YVO 4 레이저 ( 기본파 1064 ㎚) 의 제 2 고조파 ( 532 ㎚) 나 제 3 고조파 ( 355 ㎚) 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 구체 적 으로 는 , 연속 발진 YVO 4 레이저 로부터 사출 된 레이 저광 을 비 선형 광학 소자 에 의해 고조파 로 변환 하 여 , 출력 10 W 의 레이 저광 을 얻 는다 . 그리고 , 바람직 하 게 는 광학계 에 의해 조사 면 에서 직사각 형 형상 또는 타원 형상 의 레이저 광 으로 성형 하 여 , 반도체 막 ( 704 ) 에 조사 한다 . 이 때 의 에너지 밀도 는 0 . 01 ∼ 100 MW / cm 2 정도 ( 바람직 하 게 는 0 . 1 ∼ 10 MW / cm 2 ) 가 필요 하 다 . 그리고 , 주사 속도 를 10 ∼ 2000 ㎝/ sec 정도 로 하 여 조사 한다 .