또한 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 하부 전극 ( 110 ) 은 , 도 4 , 도 5 , 도 10 내지 도 12 에 도시 된 것 처럼 , 상기 상부 전극 ( 120 ) 으로부터 최대한 이격 된 위치 ( 즉 , 상기 발광 다이오드 ( 100 ) 의 한쪽 모서리 ) 에 배치 될 수 있 다 . 본 발명 의 다른 실시 예 에 따르 면 , 상기 하부 전극 ( 110 ) 은 도 6 내지 도 9 에 도시 된 것 처럼 상기 모서리 로부터 상기 발광 다이오드 ( 100 ) 의 일 변 을 따라 연장 될 수 있 다 . 이 경우 , 상기 하부 전극 ( 110 ) 은 타 변 을 따라 연장 된 상기 상부 전극 ( 120 ) 과 실질 적 으로 대칭 적 인 구조 를 갖 는다 . 하지만 , 상기 상부 전극 ( 120 ) 및 하부 전극 ( 110 ) 의 위치 및 구조 는 이 에 한정 되 지 않 고 다양 하 게 변형 될 수 있 다 .