어닐링 은 통상 적 으로 약 30 분 동안 질소 대기 에서 600 ℃ 내지 800 ℃ 의 온도 로 MOSFET 구조물 ( 500 ) 을 가열 시키 는 단계 를 수반 한다 . 대안 으로 , MOSFET 구조물 ( 500 ) 이 약 30 초 동안 약 1 , 000 ℃ 로 급속 하 게 가열 되 는 급속 열 어닐링 프로세스 를 이용 하 여 형성 될 수 있 다 . 적합 한 전도성 금속 들 은 코발트 , 티타늄 , 니켈 , 텅스텐 , 백금 , 및 낮 은 접촉 저항 을 가지 며 폴리 실리콘 및 단결정 실리콘 상 에 신뢰 할 수 있 는 금속 실리사이드 접촉 부 를 형성 할 수 있 는 다른 금속 들 을 포함 한다 .