본 발명 에 따른 반도체 장치 의 제조 방법 에서 는 , 반도체 기판 의 상측 에 강유전체 커패시터 를 형성 하 고 , 그 후 에 상기 강유전체 커패시터 를 덮 는 제 1 절 연막 을 형성 한다 . 다음 , 상기 제 1 절 연막 에 상기 강유전체 커패시터 의 전극 까지 도달 하 는 제 1 개 구부 를 형성 한다 . 다음 으로 , 상기 강유전체 커패시터 의 회복 어닐링 을 행한다 . 계속 해서 , 상기 제 1 개 구부 내 에 도전 플러그 를 형성 한다 . 그 후 , 상기 제 1 절 연막 및 도전 플러그 를 덮 는 제 2 절 연막 을 형성 한다 . 다음 , 상기 제 2 절 연막 에 상기 제 1 개 구부 보다 작 고 , 상기 도전 플러그 까지 도달 하 는 제 2 개 구부 를 형성 한다 . 그리고 , 상기 제 2 절 연막 위 에 , 상기 제 2 개 구부 를 통해 상기 도전 플러그 에 전기 적 으로 접속 되 는 배선 을 형성 한다 .