한편 , 본 발명 의 플래시 메모리 장치 는 프로그램 동작 시 메모리 셀 들 의 프로그램 속도 를 측정 한 후 , 측정 결과 에 따라 프로그램 동작 에 필요 한 동작 전압 들 의 레벨 을 조절 한다 . 예 를 들 어 , 노블 셀 들 ( NC 1 내지 NCk ) 의 프로그램 동작 을 먼저 실시 한 후 노블 셀 들 ( NC 1 내지 NCk ) 의 문턱 전압 변화 폭 을 검출 하 고 , 그 결과 값 으로 메모리 셀 들 의 프로그램 속도 ( 예 를 들 어 , 문턱 전압 의 변화 폭 ) 를 판단 한다 . 검출 된 프로그램 속도 에 따라 메모리 셀 들 을 프로그램 하 기 위하 여 인가 되 는 동작 전압 들 ( 예 를 들 어 , 워드 라인 에 인가 되 는 프로그램 전압 ) 의 초기 레벨 을 설정 한다 . 보다 구체 적 으로 설명 하 면 다음 과 같 다 .