한편 , 준비 공정 에서 언더 필 을 행하 고 , 반도체 소자 와 배선 층 사이 의 공간 을 봉지 한 경우 에 는 , 봉지 공정 에서 반도체 소자 와 배선 층 사이 의 공간 에 봉지 수지 를 침입 시킬 필요 는 없 다 . 한편 , 준비 공정 에서 는 언더 필 을 행하 지 않 고 , 반도체 소자 와 배선 층 사이 를 공동 을 유지 한 채 다음 공정 으로 진행 한 경우 에 는 , 봉지 공정 에서 소자 탑 재면 의 일괄 봉지 와 언더 필 을 동시 에 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 와 같이 , 본 발명 에서 는 , 봉지 공정 에서 소자 탑 재면 의 일괄 봉지 와 언더 필 을 동시 에 행할 수 있 으므로 , 반드시 별도 언더 필 공정 을 행할 필요 가 없 어 , 공 정수 를 줄일 수 있 다 .