이렇게 생성 된 금속 실리사이드 ( 쇼트 키 장벽 ) 로 이루어진 드레 인 ( 14 ) 영역 은 소스 ( 12 ) 영역 에 비하 여 접합 깊이 가 얕 다 . 구체 적 으로 , 소스 ( 12 ) 영역 의 접합 깊이 가 50 ~ 55 nm 인데 비하 여 드레 인 ( 14 ) 영역 의 접합 깊이 는 약 30 nm 이 므로 , 본 실시 예 에 따른 NOR 형 플래시 기억 소자 는 비대칭 구조 를 이룬다 .