앞서 설명 한 바 와 같이 , 공진 인 덕 터 ( L 5 ) 전류 iL 에 의해 MOSFET Q 11 의 드레 인 단자 와 소스 단자 양단간 전압 Vds 1 을 0 V 로 만들 수 있 으므로 , 즉 , 공진 인 덕 터 ( L 5 ) 전류 iL 에 의해 MOSFET Q 11 의 내부 에 설치 되 어 있 는 역방향 다이오드 ( Body Diode ) 가 켜져 있 는 mode 2 에서부터 mode 3 까지 의 구간 동안 MOSFET Q 11 의 게이트 단자 와 소스 단자 사이 에 게이트 구동 신호 를 인가 하 여 MOSFET Q 11 을 턴 온 시켜 줌 으로써 , MOSFET 이 턴 온 될 때 발생 하 는 스위칭 손실 을 억제 하 여 영 전압 스위칭 을 달성 하 게 한다 . 그리고 MOSFET Q 12 는 mode 4 에서부터 mode 6 구간 동안 위 와 동일 한 과정 으로 진행 된다 .