활성 층 ( 174 ) 의 우물 층 / 장벽층 은 InGaN / GaN , InGaN / InGaN , GaN / AlGaN , InAlGaN / GaN , GaAs ( InGaAs ) / AlGaAs , GaP ( InGaP ) / AlGaP 중 어느 하나 이상 의 페어 구조 로 형성 될 수 있 으나 이 에 한정 되 지 않 는다 . 우물 층 은 장벽층 의 밴드 갭 에너지 보다 낮 은 밴드 갭 에너지 를 갖 는 물질 로 형성 될 수 있 다 .