이러 한 방식 으로 , 약 4 　㎛ 내지 6 　㎛ 의 물질 이 , 바람직 하 게 는 약 5 ㎛ 의 물질 이 , 소 잉 손상 을 제거 하 고 상부 면 을 텍 스쳐 링 하 기 위하 여 제 1 방법 단계 에서 제거 될 수 있 다 . 여기 에서 상기 방법 의 지속 시간 은 약 80 초 내지 120 초 일 수 있 다 . 이러 한 경우 에서 , 실리콘 웨이퍼 들 이 연속 적 인 방법 으로 유리 하 게 이동 되 거나 또는 이송 경로 부 상 에 해당 하 는 텍 스쳐 링 모듈 을 통과 하 여 이동 될 수 있 다 .