도 2 을 참조 하 면 , 제 1 마스크 패턴 을 제거 한 후 , 식각 정지 패턴 ( 111 ) 가 형성 된 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 패드 기판 ( 130 ) 을 형성 한다 . 패드 기판 ( 130 ) 은 형성 하 고자 하 는 리 세스 트렌치 의 깊이 예컨대 , 대략 1000 ~ 1500 Å 정도 의 두께 의 폴리 실리콘 막 으로 형성 할 수 있 다 . 폴리 실리콘 막 ( 130 ) 은 반도체 기판 ( 100 ) 을 에피 택 셜 성장 ( epitaxial growth ) 시켜 형성 하 거나 , 실리콘 소스 가스 를 이용 한 저압 화 학기 상 증착 ( LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition ) 으로 형성 할 수 있 다 .