그런데 , 종래 의 소노 스 메모리 소자 ( 100 ) 의 평면 적 인 적층 구조 는 집적도 를 극대 화 하 기 힘든 문제점 이 있 다 . 즉 , 종래 의 소노 스 메모리 소자 ( 100 ) 는 평면 적 인 구조 이 기 때문 에 집적도 를 높이 기 위해서 각 비트 간 의 간격 을 좁혀야 하 는데 , 이러 한 경우 형성 되 는 채널 ( channel ) 의 길이 가 짧 아 지 게 된다 . 이때 , 전계 ( 즉 , 소스 전압 과 드레 인 전압 의 차이 를 채널 길이 로 나눈 값 ) 는 커 지 게 되 고 , 이 에 따라 높 은 전계 를 받 은 캐리어 ( carrier ) 는 지나치 게 이동성 이 커지 게 된다 .