다음 으로 , 가변저항 막 ( 23 ) 상 에 제 2 도 전막 ( 24 ) 을 형성 한다 . 제 2 도 전막 ( 24 ) 은 알루미늄 ( Al ) , 백금 ( Pt ) , 루테늄 ( Ru ) , 이리듐 ( Ir ) , 니켈 ( Ni ) , 티타늄 질화 막 ( TiN ) , 티타늄 ( Ti ) , 코발트 ( Co ) , 크롬 ( Cr ) , 텅스텐 ( W ) , 구리 ( Cu ) , 지르코늄 ( Zr ) , 하프늄 ( Hf ) 또는 이 들 의 합금 을 사용 할 수 가 있 다 . 또한 , 제 2 도 전막 ( 24 ) 은 제 1 도 전막 ( 22 ) 과 동일 한 물질 로 형성 할 수 도 있 다 . 본 발명 의 제 1 실시 예 에서 는 제 2 도 전막 ( 24 ) 을 제 1 도 전막 ( 22 ) 과 동일 한 물질 로 형성 한 것 으로 한다 .