상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 소자 의 패턴 형성 방법 은 , 기판 상 에 피식 각층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 피식 각층 상 에 하드 마스크 질화 막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 하드 마스크 질화 막 패턴 을 식각 베리어 로 하 고 , F 계 가스 및 Br 계 가스 의 혼합 가스 를 포함 하 는 식각 가스 를 이용 하 여 상기 피식 각층 을 식각 함 으로써 피식 각층 패턴 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .