반도체 장치 에서 는 , 제 1 칼럼 층 이 제 1 도전 형 의 반도체 층 에 접해 있 는 PN 칼럼 층 의 제 1 계면 으로부터 의 그 두께 가 소정 의 값 이 되 도록 형성 되 고 , 제 2 칼럼 층 이 제 2 도전 형 의 반도체 층 에 접해 있 는 PN 칼럼 층 의 제 2 계면 으로부터 의 그 두께 가 소정 의 값 이 되 도록 형성 된다 . 제 1 칼럼 층 은 임의 의 깊이 에서 의 상기 불순물 양 의 차이 가 일정 한 양 의 값 으로 설정 되 는 층 이 다 . 제 2 칼럼 층 은 임의 의 깊이 에서 상기 불순물 양 의 차이 가 일정 한 음 의 값 으로 설정 되 는 층 이 다 . 바꾸 어 말 하 면 , 상기 반도체 장치 에서 의 PN 칼럼 층 은 제 1 도전 형 의 반도체 층 에 접해 있 고 , 제 1 도전 형 의 불순물 이 풍부 하 도록 불순물 양 의 밸런스 가 어느 정도 로 흔들리 는 제 1 칼럼 층 및 제 2 도전 형 의 반도체 층 에 접해 있 고 , 제 2 도전 형 의 불순물 이 풍부 하 도록 불순물 양 의 밸런스 가 어느 정도 로 흔들리 는 제 2 칼럼 층 을 가지 도록 구성 된다 . PN 칼럼 층 에서 의 제 1 칼럼 층 및 제 2 칼럼 층 의 불순물 양 의 두께 및 차이 는 적절히 설정 될 수 있 다 . 반도체 장치 에서 , 형상 가공 편차 또는 불순물 농도 의 편차 ( 이하 , 공동 으로 형성 편차 라 칭함 ) 에 의해 생기 는 불순물 양 의 임의 의 잉여량 은 제 1 칼럼 층 및 제 2 칼럼 층 이 PN 칼럼 층 에서 형성 되 어 이전 깊이 방향 으로 불순물 양 의 밸런스 를 깨 뜨 림 으로써 제거 된다 . 그 결과 , 상기 반도체 장치 에서 는 , 상기 형성 편차 로 인한 내압 의 편차 가 종래 의 반도체 장치 즉 , 불순물 양 의 차이 가 전체 PN 칼럼 층 에서 의 두께 방향 으로 0 이 되 는 반도체 장치 및 N 형 칼럼 과 P 형 칼럼 사이 의 접합부 가 테이퍼 구조 로 되 어 일부 좁 은 영역 에서 의 불순물 양 의 차이 를 0 으로 하 는 반도체 장치 에서 보다 더 감소 될 수 있 다 . 따라서 , 상기 반도체 장치 는 종래 의 반도체 장치 와 비교 해 볼 때 내압 에 대하 여 무결함 율 을 증대 할 수 있 다 .