대안 적 인 실시 예 에서 , 도 펀트 들 은 기판 상 에 증착 되 기 보 다는 , 고 에너지 로 ( energetically ) 주입 될 수 있 다 . 위 에서 논의 된 것 처럼 이러 한 주입 은 , 캘리포니아 산타클라라 의 어 플 라이드 머티 리얼 스로 부터 이용 가능 한 CENTURA ™ 를 이용 하 여 구현 되 는 플 라즈 마 이온 침지 ( Immersion ) 주입 ( P 3 I ) 프로세스 를 이용 하 여 실시 되 는 것 처럼 , 도 펀트 원자 들 을 이온 화 하 고 전자기장 을 이용 하 여 기판 을 향해 이러 한 원자 들 을 가속 시키 는 것 을 포함 한다 . 대안 적 인 실시 예 에서 , 고 에너지 주입 은 캘리포니아 산타클라라 의 어 플 라이드 머티 리얼 스로 부터 이용 가능 한 QUANTUM X PLUS ™ 를 이용 하 여 성취 될 수 있 다 . 디바이스 기하 구조 가 더 작 아 짐 에 따라 , 주입 영역 들 은 더 얇 아 지 고 , 몇몇 현재 응용 들 에서 는 100 옹스트롬 에 접근 한다 . 주입 영역 들 이 더 얇 아 짐 에 따라 , 이온 들 이 결정 내 로 파고들 기 위해 필요 한 에너지 는 더 작아지 고 과도 - 주입 ( over - implantation ) 을 막 기 위해 제한 되 어야 한다 . 이온 화 장 및 가속 전자기장 의 에너지 밀도 에 있 어서 공간 적 변동 들 때문 에 , 도 펀트 이온 들 은 에너지 의 분포 를 가진다 . 보다 높 은 에너지 이온 들 은 깊 게 주입 되 는 반면 , 낮 은 에너지 이온 들 은 단지 기판 표면 상 으로 흡착 될 수 있 다 . 도 3 b 는 이러 한 현상 을 예시 한다 . 이온 들 ( 306 ) 은 주입 단계 ( 350 ) 에서 기판 ( 300 ) 을 향해 가속 된다 . 몇몇 은 깊 게 주입 되 어 기판 ( 300 ) 에서 도핑 된 층 ( 302 ) 을 형성 하 고 , 몇몇 은 기판 상 으로 흡착 된다 ( 304 ) .