또한 , 반도체 층 시퀀스 ( 10 ) 의 구동 시 간섭 성 제 1 전자기 복사 ( 51 ) 외 에 비 간섭 성 제 2 전자기 복사 ( 52 ) 도 생성 된다 . 제 2 전자기 복사 는 예 를 들 면 활성 영역 ( 45 ) 에서 임의 방출 에 의해 생성 될 수 있 고 , 그러나 예 를 들 면 활성 층 ( 40 ) 에서 활성 영역 ( 45 ) 의 외부 에 테두리 영역 에서 생성 될 수 있 고 , 상기 테두리 영역 에서 구동 시 누설 전류 가 존재 한다 . 또한 , 임의 방출 은 활성 영역 으로부터 광학 적 펌핑 에 의해 여기 될 수 있 거나 , 특히 거친 층 모서리 에서 전자기 복사 의 산란 에 의해 여기 될 수 있 다 . 일반 설명부 에 기술 된 바 와 같이 , 비 간섭 성 제 2 전자기 복사 ( 52 ) 는 등방 성 으로 생성 된다 . 도파 층 ( 42 , 43 ) 에 의해 비 간섭 성 제 2 전자기 복사 는 마찬가지 로 복사 아웃 커플링 면 ( 12 ) 의 제 1 부분 영역 ( 121 ) 으로 안내 되 며 , 제 1 부분 영역 ( 121 ) 으로부터 방출 될 수 있 다 . 그 외 에 , 비 간섭 성 제 2 전자기 복사 는 예 를 들 면 반도체 층 시퀀스 ( 10 ) 에서 의 산란 에 의해 복사 아웃 커플링 면 ( 12 ) 의 다른 부분 영역 으로 방향 전환 될 수 있 으며 , 상기 다른 부분 영역 으로부터 방출 될 수 있 다 . 따라서 , 제 1 부분 영역 ( 121 ) 의 외부 에서 복사 아웃 커플링 면 ( 12 ) 에 의해 비 간섭 성 제 2 전자기 복사 ( 52 ) 가 제 2 부분 영역 ( 122 ) 에 의해 방출 될 수 있 고 , 상기 제 2 부분 영역 이 포함 하 는 복사 아웃 커플링 면 ( 12 ) 의 영역 은 반도체 층 시퀀스 ( 10 ) 의 활성 영역 ( 45 ) 에 인접 하 지 않 는다 . 이 는 도 1 E 및 1 F 에 표시 되 어 있 으며 , 이때 도 1 E 에서 비 간섭 성 제 2 전자기 복사 ( 52 ) 가 투명 기판 ( 1 ) 의 표면 으로부터 방출 되 는 경우 가 예시 적 으로 도시 되 어 있 으며 , 상기 표면 은 복사 아웃 커플링 면 ( 12 ) 의 일부 이 자 제 2 부분 영역 ( 122 ) 의 일부 를 형성 한다 . 기판 ( 1 ) 의 표면 에 의한 비 간섭 성 제 2 전자기 복사 ( 52 ) 의 방출 은 반도체 층 시퀀스 ( 10 ) 에서 의 굴절 률 진행 및 기판 ( 1 ) 의 투명도 에 의해 촉진 될 수 있 다 .