또한 , 본 발명 의 두 번 째 목적 은 나노 홀 디 펙 트 의 가장 자리 에 존재 하 는 탄소 의 위치 중 에서 하나 이상 이 이종원 소로 치환 된 탄소 시트 를 제조 하 는 방법 을 제공 하 는 것 이 다 . 종래 의 탄소 시트 상 에 나노 홀 디 펙 트 를 형성 하 기 위해서 는 광 조사 ( irradiation ) 을 이용 하 였으나 , 본원 에 따른 탄소 시트 의 제조 방법 은 탈수 반응 및 탄소 화 반응 을 통해서 비교 적 저온 에서 나노 홀 디 펙 트 가 형성 된 탄소 시트 를 제조 할 수 있 다 .