또한 제 1 금속 층 ( 51 ) , 제 2 금속 층 ( 52 ) 과 제 3 금속 층 ( 53 ) 상방 에 두꺼운 금속 층 을 증착 하 여 전기학 적 단락 ( Short Circuit ) 을 형성 하 고 , 제 1 금속 층 ( 51 ) , 제 2 금속 층 ( 52 ) , 제 3 금속 층 ( 53 ) 및 두꺼운 금속 층 으로 함께 발명 의 실시 예의 반도체 소자 의 양극 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 한다 .