실리콘 이 산화물 은 반도체 산업 에서 널리 이용 되 는 물질 이 다 . 실리콘 이 산화물 은 예 를 들 면 DRAM ( dynamic random access memory ) 에서 게이트 산화물 및 유전 층 으로서 이용 된다 . 최근 , 우수 한 단차 도포 성 ( step coverage ) 과 우수 한 SiO 2 매립 능력 을 요구 하 는 , 예 를 들 면 STI ( shallow trench isolation ) 와 같 은 , 다른 가능 한 응용 분야 가 발달 되 어 왔 다 . 원자 층 증착 ( ALD : atomic layer deposition ) 이 이러 한 더욱 엄격 한 요구 들 을 만족 시키 는 것 이 가능 한 기술 로서 제안 되 어 왔 다 . 불행 하 게 도 , ALD SiO 2 공정 에 있 어서 사이클 당 성장 속도 가 전통 적 으로 낮 은데 이 로 인해 상기 공정 은 경제 적 으로 경쟁력 이 없 었 다 . 따라서 , 더 높 은 성장 속도 를 가능 하 게 하 는 더 높 은 반응 성 을 갖 는 새로운 전구체 들 이 요구 된다 .