본 발명 은 수광 된 빛 이 포토다이오드 이외 의 지역 으로 산란 하 여 발생 하 는 빛 의 손실 을 최소 화 시킬 수 있 는 이미지 센서 및 그 의 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 본 발명 의 이미지 센서 의 제조 방법 은 소정 공정 이 완료 된 반도체 기판 상 에 식각 배리어 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 식각 배리 어 층 상 에 제 1 절연 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 절연 층 을 선택 적 으로 식각 하 여 포토다이오드 로 예정 된 반도체 기판 의 일부분 을 개방 시키 는 트렌치 를 형성 하 는 단계 ; 상기 트렌치 아래 의 개방 된 반도체 기판 에 이온 주입 을 통해 포토다이오드 를 형성 하 는 단계 ; 상기 트렌치 바닥 의 식각 배리어 층 을 식각 하 면서 상기 트렌치 의 양측 벽 에 접하 는 스 페이서 를 형성 하 는 단계 ; 상기 스 페이서 가 형성 된 트렌치 내부 를 채우 는 제 2 절연 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 스 페이서 를 선택 적 으로 제거 하 여 상기 제 1 절연 층 과 상기 제 2 절연 층 사이 에 빈 공간 을 형성 하 는 단계 ; 상기 빈 공간 의 입구 를 막 는 제 3 절연 층 을 전면 에 형성 하 여 에어 웨이브 가이드 를 형성 하 는 단계 ; 및 상기 제 3 절연 층 의 표면 상 에 상기 포토다이오드 상부 를 개방 시키 는 형태 의 쉴드 메탈 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .