또 , 반도체 기판 ( 100 ) 과 베이스 기판 ( 120 ) 을 본 딩 시키 기 전 에 , 베이스 기판 ( 120 ) 위 에 형성 된 제 2 절 연막 ( 122 ) 과 반도체 기판 ( 100 ) 위 에 형성 된 산화 막 ( 106 ) 의 표면 처리 를 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 표면 처리 로서 는 , 오존 처리 ( 예 를 들 면 오 존수 세정 ) , 또는 , 메가 소닉 세정 및 오 존수 세정 을 행할 수 있 다 . 이러 한 표면 처리 를 함 으로써 , 제 2 절 연막 ( 122 ) , 산화 막 ( 106 ) 표면 의 유기물 등 의 먼지 를 제거 하 여 , 제 2 절 연막 ( 122 ) , 산화 막 ( 106 ) 의 표면 을 친수 화 할 수 있 다 .