상기 와 같이 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 디바이스 ( 100 ) 는 다 이 패들 ( 111 ) 과 마주 보 는 측 부 에 형성 되 는 에칭 부 ( 112 a ) 를 가지 는 리드 ( 112 ) 를 구비 함 으로써 , 종래 에 다 이 패 들 보다 큰 크기 를 가지 는 반도체 다이 와 리드 프레임 사이 의 불 필요 한 단락 을 방지 하 기 위해 다 이 패들 위 에 요구 되 었 던 스 페이서 의 삭제 를 가능 하 게 할 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 디바이스 ( 100 ) 는 제조 공정 및 제조 비용 을 줄이 면서 리드 프레임 ( 110 ) 과 반도체 디바이스 ( 120 ) 사이 의 불 필요 한 단락 을 방지 할 수 있 고 전체 두께 를 얇 게 할 수 있 다 . 또한 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 디바이스 ( 100 ) 는 얇 아 진 두께 만큼 도전 성 부재 ( 130 ) , 예 를 들 어 도전 성 와이어 루프 길이 를 줄여 도전 성 와이어 의 스 위 핑 현상 을 방지 할 수 있 으며 , 이 로 인해 얇 은 두께 를 가지 는 도전 성 와이어 의 적용 을 가능 하 게 할 수 있 다 .