개 구창 ( 13 ) 의 형성 후 에 는 , 우선 , 전 체면 에 PI 를 도포 하 여 , 막 두께 약 2 ㎛~ 약 10 ㎛ 의 PI 막 ( 6 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 그 PI 막 ( 6 ) 을 , 개 구창 ( 13 ) 부분 의 패드 ( 4 ) 의 표면 및 스 크 라 이브 영역 ( 9 ) 의 Si 기판 ( 2 ) 의 표면 이 노출 되 도록 패 터닝 한다 .