일부 구 현예 에서 , 희생 마스킹 층 은 , CHx 기 ( x 는 1 내지 3 의 정수임 ) 와 비교 하 여 OH 기에 대해 덜 반응 성 인 전구체 를 사용 하 여 , 선택 적 인 ALD 공정 으로 증착 된다 . 유리 하 게 는 , 이러 한 구 현예 에 사용 된 전구체 는 CHx 기 ( x 는 1 내지 3 의 정수임 ) 에 대해 상당히 반응 적 이 고 , OH 기에 대해 덜 반응 적 이 거나 미 반응 한다 . 이러 한 공정 은 , OH 종결 표면 에 대해 CHx 종결 표면 상 에 희생 마스킹 층 의 선택 적 증착 을 위해 사용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 전 구체 는 루테늄 테 트 록 시드 를 포함 할 수 있 고 H 2 를 시약 으로 사용 할 수 있 다 . 따라서 , 루테늄 함유 희생 마스킹 층 은 , 예 를 들 어 OH 종결 표면 에 대해 CHx 종결 표면 상 에 써 멀 ALD 또는 플 라즈 마 강화 ALD 에 의해 선택 적 으로 증착 될 수 있 다 .