도 23 a 는 게이트 절연 층 의 두께 를 15 ㎚ 로 한 것 이 며 , 도 23 b 는 10 ㎚ 로 한 것 이 며 , 도 23 c 는 5 ㎚ 로 한 것 이 다 . 게이트 절연 층 이 얇 아 질수록 , 특히 오프 상태 에서 의 드레 인 전류 Id ( 오프 전류 ) 가 현저 하 게 저하 한다 . 한편 , 이동도 μ 의 피크 값 이나 온 상태 에서 의 드레 인 전류 Id ( 온 전류 ) 에 는 두드러진 변화 가 없 다 . 게이트 전압 1 V 전후 에 , 드레 인 전류 는 기억 소자 등 에서 필요 하 게 되 는 10 μ A 를 초과 하 는 것 이 나타났 다 .