여기 서 , 버스 전극 으로서 , 알루미늄 ( Al ) 전극 이나 크롬 ( Cr ) / 동 ( Cu ) / 크롬 ( Cr ) 전극 이 사용 되 는 경우 는 , 반도체 프로세스 를 기초 로 하 여 , 성막 ( 成 膜 ) 및 패 터닝 ( patterning ) 을 실행 하 여 형성 된다 . 그러므로 , 이 버스 전극 은 고정 밀도 로 형성 되 지만 , 성막 에 스퍼터링 법 등 의 진공 장치 가 필요 하 게 되 어 , 그것 에 의해 , 장치 비용 이 높 아 지 는 단점 이 있 다 . 그래서 , 예 를 들 면 , 은 ( Ag ) 분말 을 이용 한 전극 페이스트 를 , 인쇄 법 또는 롤 코팅 법 ( roll coat method ) 등 의 , 특별 한 진공 장치 가 불 필요 한 방법 으로 도포 해서 , 은 ( Ag ) 전극 의 버스 전극 을 형성 하 는 경우 도 많 다 .