제 2 워드 선 WLBG 의 전위 가 전위 ( VSS ) 보다 높 은 경우 , 트랜지스터 ( 151 ) 을 끼우 고 제 2 워드 선 WLBG 으로부터 단자 A 에 향해 전류 가 흐른다 . 그 때문 에 , 제 2 워드 선 WLBG 의 전위 는 , 전위 ( VSS ) 보다 트랜지스터 ( 151 ) 의 문턱 전압 분 만큼 높 은 전위 로 설정 된다 . 이 전위 가 , 메모리 셀 ( 100 ) 내 의 트랜지스터 ( 101 ) 의 소스 전극 의 전위 보다 충분히 낮 아 지 도록 설정 할 수 있 으면 , 트랜지스터 ( 101 ) 의 문턱 전압 은 높 은 쪽 으로 이동 하 기 때문 에 , 트랜지스터 ( 101 ) 의 오프 전류 는 저감 된다 . 따라서 , 기억 장치 의 유지 특성 을 향상 시킬 수 있 다 .