해당 레지스 트 하 층막 의 형성 방법 은 특별히 한정 되 지 않 지만 , 예 를 들 면 피 가공 기판 위 에 해당 레지스 트 하층 막 형성 용 조성물 을 스핀 코팅 법 등 의 공지 된 방법 에 의해 도포 하 여 형성 된 도막 을 , 노광 및 / 또는 가열 함 으로써 경화 하 여 형성 할 수 있 다 . 이 노광 에 사용 되 는 방사선 으로서 는 , 예 를 들 면 가시광선 , 자외선 , 원자외선 , X 선 , 전자선 , γ 선 , 분자선 , 이온 빔 등 을 들 수 있 다 . 또한 , 도막 을 가열 할 때 의 온도 는 특별히 한정 되 지 않 지만 90 내지 550 ℃ 인 것 이 바람직 하 고 , 보다 바람직 하 게 는 90 내지 450 ℃, 더욱 바람직 하 게 는 90 내지 300 ℃ 이 다 . 또한 , 상기 하 층막 의 막 두께 는 특별히 한정 되 지 않 지만 통상 5 nm 이상 200 nm 이하 이 고 , 패 터닝 성 을 높이 기 위해서 는 10 nm 이상 100 nm 이하 인 것 이 바람직 하 다 .