일반 적 으로 반도체 제조 공정 중 에 는 프로세스 챔버 내부 에 반도체 웨이퍼 를 로딩 하 고 소정 의 공정 개스 를 주입 한 다음 , 소정 주파수 의 고주파 전력 을 인가 시켜 주입 된 가스 를 반응 시킴 으로써 플 라즈 마 를 형성 시키 는 공정 이 있 다 . 이 와 같이 플 라즈 마 를 형성 시키 기 위해서 는 프로세스 챔버 내 에 상부 전극 과 하부 전극 이 설치 되 어 있 는데 , 웨이퍼 를 지지 하 기 위한 웨이퍼 척이 이용 되 는 하부 전극 은 일반 적 으로 접지 시키 고 , 상부 전극 에 는 소정 주파수 의 RF 전력 을 공급 한다 . 이때 공급 되 는 RF 전력 의 주파수 는 진행 하 고자 하 는 공정 의 종류 에 따라 달라진다 .