이러 한 경우 , 스텝 C 에서 , F 함유 가스 를 의사 촉매 막 에 접촉 시킴 으로써 , F 함유 라디칼 을 효율 적 으로 발생 시킬 수 있 고 , 이렇게 효율 적 으로 발생 시킨 F 함유 라디칼 을 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 에 대하 여 공급 하 는 것 이 가능 하 게 된다 . 즉 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 을 F 종단 시키 도록 개질 시키 는 것 이 가능 하 게 된다 . 또한 , 이때 , 하 지 ( 200 a ) 의 표면 상 에 형성 된 의사 촉매 막 은 에칭 되 어 , 하 지 ( 200 a ) 의 표면 상 에 는 흡착 사이트 가 노출 되 게 된다 . 그 때 , 하 지 ( 200 a ) 의 표면 도 약간 에칭 되 는 경우 도 있 지만 , 그 경우 에 도 에 칭양 은 소량 이 며 , 그 표면 의 흡착 사이트 는 유지 된다 . 또한 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 은 SiO 막 에 의해 구성 되 어 있 고 , 견고 한 Si - O 결합 을 가지 므로 , 그 표면 이 에칭 되 지 않 고 , 그 표면 은 적정 하 게 F 종단 되 어 , 적정 한 개질 이 이루어지 게 된다 .