제 2 게이트 절 연막 ( 114 ) 은 제 2 게이트 전극 ( 330 ) 과 중첩 하 지 않 고서 제 2 게이트 전극 ( 330 ) 의 양쪽 끝단 으로부터 돌출 된 돌출부 를 가질 수 있 다 . 도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 제 2 게이트 절 연막 ( 114 ) 은 제 2 게이트 전극 ( 330 ) 의 제 1 수소 배리 어 층 ( 331 ) 과 중첩 하 지 않 도록 연장 될 수 있 다 . 따라서 , 제 2 게이트 절 연막 ( 114 ) 은 제 2 게이트 전극 ( 330 ) 의 제 1 수소 배리 어 층 ( 331 ) 의 양 끝단 으로부터 돌출 된 돌출부 를 가질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 2 게이트 절 연막 ( 114 ) 의 측면 ( 114 s ) 이 제 1 수소 배리 어 층 ( 331 ) 의 측면 ( 331 s ) 보다 더 외측 에 위치 할 수 있 다 . 따라서 , 제 2 게이트 절 연막 ( 114 ) 은 제 1 수소 배리 어 층 ( 331 ) 의 측면 ( 331 s ) 으로부터 돌출 된 돌출부 를 가질 수 있 다 . 그리고 , 제 2 게이트 절 연막 ( 114 ) 의 돌출부 는 제 1 수소 배리 어 층 ( 331 ) 과 중첩 하 지 않 는다 . 그리고 , 제 2 게이트 절 연막 ( 114 ) 은 단차 부들 ( 114 r ) 을 포함 할 수 있 다 . 단차 부들 ( 114 r ) 은 제 2 게이트 절 연막 ( 114 ) 의 상부 표면 에 위치 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 단차 부들 ( 114 r ) 은 제 2 게이트 절 연막 ( 114 ) 의 돌출부 에 위치 할 수 있 다 . 단차 부들 ( 114 r ) 은 제 2 게이트 절 연막 ( 114 ) 의 가장 자리 에 위치 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 단차 부들 ( 114 r ) 은 제 2 반도체 패턴 ( 310 ) 의 제 2 소스 영역 ( 310 S ) 에 인접 한 일부 영역 및 제 2 반도체 패턴 ( 310 ) 의 제 2 드레 인 영역 ( 310 D ) 에 인접 한 일부 영역 에 위치 할 수 있 다 .