제어 가능 반도체 소자 ( T 2 또는 T 3 ) 를 스위치 오프 할 때 발생 하 는 과전압 이 감소 하 고 , 그 결과 제어 가능 반도체 소자 ( T 2 , T 3 ) 의 채널 이 닫히 는 ( 제어 가능 반도체 소자 ( T 2 , T 3 ) 는 완전히 차단 되 는 ) 순간 에 추가 커패시터 ( Cs ) 가 없 는 장치 에서 보다 훨씬 덜 충전 되 는 기생 트랜지스터 용량 ( 해당 제어 가능 반도체 소자 ( T 2 , T 3 ) 의 기생 용량 ) 이 발생 한다 . 이 는 추가 커패시터 ( Cs ) 가 없 는 장치 에서 보다 훨씬 더 작 은 발진 진폭 을 초래 한다 .