통상 적 으로 , 모놀리식 3 차원 메모리 어레이 에서 , 하나 이상 의 메모리 디바이스 레벨 은 단일 기판 위 에 형성 된다 . 선택 사항 으로서 , 모놀리식 3 차원 메모리 어레이 는 또한 , 적어도 부분 적 으로 단일 기판 내 에 하나 이상 의 메모리 층 을 가질 수 도 있 다 . 비 제한 적 예 로서 , 기판 은 , 실리콘 등 의 , 반도체 를 포함 할 수 있 다 . 모놀리식 3 차원 어레이 에서 , 어레이 의 각각 의 메모리 디바이스 레벨 을 구성 하 는 층 들 은 , 통상 적 으로 , 어레이 의 하부 에 놓인 메모리 디바이스 레벨 들 의 층 들 상 에 형성 된다 . 그러나 , 모놀리식 3 차원 메모리 어레이 의 인접 한 메모리 디바이스 레벨 들 의 층 들 은 메모리 디바이스 레벨 들 사이 에서 공유 되 거나 중간 층 들 을 가질 수 도 있 다 .