도 16 내지 도 20 을 참조 하 여 , 본 발명 에 기초 하 는 실시 예 3 에서 의 패턴 형성 방법 에 대해서 설명 한다 . 본 실시 예 에서 의 패턴 형성 방법 에서 , 레벤 손 형 마스크 를 이용 해서 노광 을 행하 는 제 1 노광 공정 과 , 하프톤 형 마스크 를 이용 해서 노광 을 행하 는 제 2 노광 공정 을 포함 하 는 것 은 실시 예 1 과 마찬가지 이 다 . 본 실시 예 에서 는 , 제 2 패턴 의 제 2 최소 치수 가 제 1 패턴 의 제 1 최소 치수 의 1 . 0 배 이상 1 . 1 배 이하 인 경우 에 , 제 2 노광 공정 의 노광량 이 제 1 노광 공정 의 노광량 보다 도 커 지 도록 행한다 .