본 발명 의 실시 예의 프로그래밍 방법 에서 , 순방향 바이어스 는 셀 을 프로그래밍 시키 기 위해 필요 한 최소 전압 보다 높 은 절대 값 을 갖 는 셀 에 인가 된다 . 도 5 는 메모리 셀 어레이 의 일부 에 대한 순방향 바이어스 의 인가 를 도시 한 것 이 다 . 예 를 들 어 , 셀 을 프로그래밍 시키 기 위해 필요 한 최소 전압 이 4 V 인 경우 , 약 8 V 내지 약 12 V 와 같 은 5 볼트 이상 , 예 를 들 어 10 V 의 프로그래밍 순방향 바이어스 가 선택 된 셀 에 인가 된다 . 순방향 바이어스 는 셀 을 비교 적 높 은 저항률 의 비 프로그래밍 상태 로부터 비교 적 낮 은 저항률 의 프로그래밍 상태 로 스위칭 시킨다 . 바람직 한 경우 , 다이오드 를 손상 시키 지 않 으면서 인가 될 수 있 는 최대 전압 이 프로그래밍 전압 으로서 사용 될 수 있 다 .