도 10 b 및 도 10 c 를 함께 참조 하 면 , 제 4 커버 층 ( CVL 4 ) 이 가지 는 제 1 리세 스 공간 ( RS 1 C ) 을 통하 여 노출 되 는 예비 전하 저 장막 ( 도 10 a 의 130 P ) 의 일부분 을 등방성 식각 하 여 , 제 1 리세 스 공간 ( RS 1 C ) 과 연통 되 는 제 2 리세 스 공간 ( RS 2 C ) 에 의하 여 서로 이격 되 는 복수 의 전하 저 장막 ( 130 d ) 을 형성 한 후 제 3 커버 층 ( CVL 3 ) 및 제 4 커버 층 ( CVL 4 ) 을 제거 한다 .