한편 , SAS 공정 에 의하 면 , STI 의 절 연막 을 선택 적 으로 제거 하 는 SAS 식각 공정 을 진행 한 후 , 공통 소스 라인 ( 10 L ) 을 형성 하 기 위한 도 펀트 의 이온 주입 공정 을 진행 하 게 되 는데 , 이때 스택 게이트 ( 20 ) 의 플로팅 게이트 ( 24 ) , 유전체 막 ( 26 ) 및 콘트롤 게이트 ( 28 ) 의 측벽 ( 도 1 b 의 영역 A ) 에 도 도 펀트 가 주입 될 수 있 다 . 이렇게 노출 된 영역 ( A ) 에 불순물 이 주입 되 면 , 플로팅 게이트 ( 24 ) 및 콘트롤 게이트 ( 26 ) 사 이 의 정전 용량 에 영향 을 미치 게 된다 . 그 로 인해 , 커플링 계수 ( Coupling Ratio ) 가 작아지 게 되 어 소자 의 성능 이 저하 될 수 있 다 .