종래 의 웨이퍼 정밀 가공 기술 은 다이아몬드 가공 방법 이 일반 적 으로 사용 되 었 다 . 이 는 대략 100 마이크 론 이하 의 공정 분해능 을 요구 하 는 경우 에 허용 되 는 것 으로 , 기계 적 인 손상 과 열 적 손상 이 수반 되 는 문제 가 있 다 . 특히 , 가장 널리 알려진 반도체 전자 소자 들 은 패 키 징 ( packaging ) 단계 에서 금속 , 비금속 패턴 으로 인해 다이아몬드 절단기 사이 의 굴곡 을 매우 는 현상 이 발생 하 게 된다 . 이 를 해결 하 기 위해 절 단선 을 따라 1 차 로 홈 을 파 거나 , 플라스마 에칭 ( plasma etching ) 과 같 은 방법 으로 금속 , 비금속 패턴 을 제거 한 후 , 다이아몬드 절단 가공 으로 웨이퍼 의 일부 만 을 절단 하 고 , 다시 웨이퍼 의 후면 을 연마 하 는 방법 을 활용 하 였 다 . 따라서 공정 단계 가 복잡 하 여 시간 과 노동력 이 낭비 되 는 단점 이 있 다 .