정답 과   해설 24 쪽 
 [ 21 ~ 23 ] 다음 글 을 읽 고 물음 에 답 하 시 오 . 
 지금 도 많이 쓰이 는 메모리 소자 인 디램 ( DRAM ) 은 전원 이 꺼지 면 저장 된 정보 가 지워 지 는 휘발 성 으로 인해 활용 에 제약 이 있 었 고 , 비휘발성 메모리 인 플래시 메모리 는 정보 를 재 기록 하 거 나 지우 는 데 많 은 제약 이 있 었 다 . 이런 기존 메모리 소자 의 한 계 를 극복 할 수 있 는 차세대 메모리 로서 상 변화 ✽ 메모리 
 ( PRAM ) 가 주목 받 고 있 다 . 상 변화 메모리 는 기록 된 정보 가 지워 지 지 않 으며 , 기존 메모리 소자 와 구조 나 생산 공정 이 유사 할 뿐 만 아니 라 재료 물질 인 저마늄 ( Ge ) , 안티모니 ( Sb ) , 텔루륨 ( Te ) 의 합 금인 GST 의 물리 적 특성 이 잘 알려져 있 어 차세대 메모리 로 각광 받 고 있 다 . 
 상 변화 메모리 는 기록 층 물질 의 결정 상 과 비정질 상 의 가역 변화 ✽ 를 통하 여 0 과 1 을 저장 한다 . 결정상 이 란 물질 을 구성 하 는 원자 들 이 규칙 적 인 배열 을 한 상태 를 의미 하 며 , 비정 질 상 이 란 구성 원자 들 이 어떤 규칙 성 없이 배열 되 어 있 는 상태 를 의미 한 
 다 . 결정 상 과 비정 질 상 은 전기 저항 에서 차이 가 나 기 때문 에 이 를 이용 하 여 데이터 를 읽 는다 . 그리고 한 번 기록 된 정보 는 ㉠ 특 별한 에너지 를 가해 주 지 않 으면 변화 하 지 않 기 때문 에 디램 과 는 달리 기록 후 에 정보 가 잘 지워 지 지 않 는다 . 
 결정상 GST 층 
 ( 기록 층 ) 
 결정상 및 비정질 상 의 가역 변화 위 그림 은 상 변화 메모리 의 구조 를 보여 주 고 있 다 . 상부 전극 과 하부 전극 사이 에 기록 층 인 GST 층 이 있 는 데 , 상부 전극 과 하 부 전극 에 전류 를 흘려 주 면 하부 전극 에서 발생 하 는 열 에 의하 여 기록 층 이 상 변화 를 한다 . 비정 질 상 은 상 변화 물질 을 용융 점 ✽ 
 이상 으로 가열 하 였 다가 급히 냉각 하 면 얻 을 수 있 고 , 결정상 은 용융 점 가까이 까지 가열 하 였 다가 천천히 냉각 하 면 얻 을 수 있 다 . 
 상 변화 를 위한 가열 은 전류 의 진폭 및 주기 와 밀접 한 관련 이 있 다 . ‘ 1 ’ 을 기록 할 때 에 는 비교 적 진폭 이 큰 전류 를 이용 하 는 데 , 
 이런 전류 를 사용 하 여 결정 질 상태 의 재료 를 가열 하 면 결정상 이 되 는 온도 보다 높 은 온도 로 물질 을 용융 시킬 수 있 다 . 그런 후 에 전기 를 끊 어 이 를 급속히 냉각 하 면 전기 저항 이 높 은 상태 의 비 정 질 상 이 되 면서 데이터 가 기록 된다 . 이때 전류 의 주기 를 50 ns ✽ 
 정도 로 짧 게 한다 . 이 는 상 변화 재료 의 주변 온도 가 상승 하 는 것 을 최소 화 함 으로써 전기 를 끊 었 을 때 용융 된 상 변화 의 재료 가 냉각 되 면서 다시 결정 상 이 되 지 않 고 급속 하 게 냉각 되 도록 유도 하 기 위해서 이 다 . ‘ 0 ’ 은 ‘ 1 ’ 을 기록 할 때 보다 진폭 은 작 고 주 기 는 긴 전류 를 이용 하 여 상 변화 재료 를 가열 한다 . 재료 의 온도 가 결 실전   모의고사   2 회 39