최근 , 산화 막 상 에 실리콘 층 또는 이른바 액티브 층 을 형성 한 SOI 구조 의 반도체 기판 이 디바이스 의 속도 개선 , 낮 은 전력 소모 및 우수 한 내압 성 에 적합 하 여 , 전자 디바이스 의 고 성능 LSI 에 대한 웨이퍼 로서 사용 된다 . 특히 , 반도체 디바이스 의 고집 적 화 에 수반 되 는 고품질 의 접합 웨이퍼 를 제조 할 필요 가 있 기 때문 에 , 종래 의 SOI 웨이퍼 에 비해 매몰 산화 막 의 두께 를 얇 게 하 여 ( 예 를 들 어 , 약 20 ㎚ 의 두께 ) 접합 웨이퍼 를 제조 하 는 것 이 점차 적 으로 요구 된다 .