산소 도핑 처리 등 을 행함 으로써 , 화학 양론 적 조성 비 보다 산소 가 많 은 영역 을 갖 는 절연 층 을 형성 할 수 있 다 . 이러 한 영역 을 구비 하 는 절연 층 과 산화물 반도체 층 이 접함 으로써 , 절연 층 중 의 지나친 산소 가 산화물 반도체 층 에 공급 되 어 , 산화물 반도체 층 중 , 또는 산화물 반도체 층 과 절연 층 의 계면 에서 의 산소 결손 을 저감 할 수 있 다 .