다음 에 , 할로젠 함유 가스 를 챔버 ( 11 ) 내 에 공급 하 고 , 고주파 전력 을 인가 하 여 할로젠 함유 가스 의 플 라즈 마 를 생성 하 여 , 챔버 ( 11 ) 내벽 의 전형 반도체 재료 원소 군 ( 이하 , 「 군 A 」 라고 한다 . ) 을 제거 한다 ( 스텝 S 12 ) . 군 A 는 , 도 5 에 나타내 는 바 와 같이 , Si ( 실리콘 ) , Ge ( 저마늄 ) , B ( 붕소 ) , P ( 인 ) , As ( 비소 ) , N ( 질소 ) , C ( 탄소 ) , S ( 황 ) , Se ( 셀레늄 ) , Te ( 텔루륨 ) 의 비금속 원소 로 이루어진다 .