DDR 3 이후 의 저 전력 고속 반도체 소자 를 제조 하 기 위해서 는 주변 회로 ( periphery ) 영역 에서 는 고 성능 ( high performance ) 트랜지스터 가 필요 하 며 , 또한 셀 ( Cell ) 영역 에서 는 소자 가 점점 축소 ( shrink ) 되 면서 문제 시 되 는 숏 채널 효과 ( short channel effect ) , 콘 택 저항 및 tREF ( data retention time ) 을 개선 할 필요 가 있 는데 , 이 를 위해서 는 여러 신 공정 또는 신 물질 이 필요 한 상황 이 다 .