도 4 로 되돌아가 서 , n - 콘택트 ( 34 ) 가 형성 되 어 있 는 n - 타입 영역 ( 22 ) 의 일부 를 노출 시키 기 위해 , 예 를 들 면 , 건식 에칭 에 의해 , 장치 내 에 하나 이상 의 비아 ( via ) 들 이 에칭 된다 . 예 를 들 면 , Au / Ge n - 콘택트 ( 34 ) 에 의해 , n - 타입 영역 ( 22 ) 과 n - 콘택트 ( 34 ) 사이 의 직접 전기 접촉 이 달성 될 수 있 다 . 다르 게 는 , n - 콘택트 ( 34 ) 는 n - 타입 층 ( 22 ) 의 고농도 로 도핑 된 영역 위 에 증착 된 Al 과 같 은 터널 링 , 비 합금 반사 콘택트 일 수 있 다 . n - 및 p - 콘택트 들 ( 34 및 30 ) 은 하나 이상 의 유전체 층 들 ( 32 ) 에 의해 전기 적 으로 절연 되 고 , 재 분포 되 고 , 평탄 화 될 수 있 다 . 그 후 장치 들 의 웨이퍼 가 다 이싱 된다 . 그 후 개별 장치 가 p - 및 n - 인터 커넥트 들 ( interconnects ) ( 38 및 36 ) 에 의해 마운트 ( 40 ) 에 연결 된다 . 콘택트 들 ( 42 및 44 ) 이 마운트 ( 40 ) 의 배면 에 형성 될 수 있 다 .