그래서 , 이러 한 구성 에 있 어서 도 상기 커버링 ( 23 D ) 이 덮 는 상기 웨이퍼 주변 부 Wa 에서 는 , 웨이퍼 표면 에 대향 하 는 커버링 ( 23 D ) 의 표면 의 온도 를 상기 웨이퍼 주요부 의 온도 T 1 보다 승 온 시킴 으로써 , 커버링 ( 23 D ) 표면 에서 상기 Ru 3 ( CO ) 12 원료 의 분해 를 촉진 하 여 상기 공간 에서 의 CO 농도 를 국소 적 으로 증대 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 도 6 에 나타낸 바 와 같이 , 상기 피 처리 기판 ( W ) 중 상기 외 주부 Wa 로 의 Ru 막 의 퇴적 을 억제 하 는 것 이 가능 해진다 .