전술 한 바 와 같이 제조 된 페이스트 조성물 을 기판 상 에 제공 한다 . 이 때 , " 상기 "" 기판 "" 이 란 ", 게이트 전극 , 상기 게이트 전극 과 연결 된 제 1 배선 , 소스 및 드레 인 전극 또는 상기 소스 및 드레 인 전극 중 어느 하나 에 과 연결 된 제 2 배선 중 적어도 하나 가 형성 될 영역 을 갖 는 지 지체 를 가리키 는 것 으로서 , 이 는 제조 하 고자 하 는 박막 트랜지스터 의 구조 에 따라 당업자 에게 용이 하 게 인식 될 수 있 는 것 이 다 . 예 를 들 어 , 소스 및 드레 인 전극 , 유기 반도체 층 및 게이트 전극 을 순차 적 으로 구비 하 는 박막 트랜지스터 를 형성 하 고자 하 는 경우 , 소스 및 드레 인 전극 의 형성 시 에 는 유리 기판 또는 플라스틱 재 기판 상 에 상기 페이스트 조성물 을 제공 하 고 , 이 후 , 게이트 전극 의 형성 시 에 는 유기 반도체 층 과 게이트 전극 을 절연 시키 는 절연 층 상부 에 상기 페이스트 조성물 을 제공 한다 .