작동 전 에 , 적절 하 게 는 우선 파워 오프 인 이온 소스 ( 20 ) 를 통해 3 He 와 같 은 타 겟 가스 를 미리 흘림 으로써 타 겟 챔버 ( 60 또는 70 ) 가 채워진 후 , 가스 로 하여금 장치 ( 10 ) 를 통해 , 또한 타 겟 챔버 내 로 흐르 게 한다 . 작동 시 , 2 H 2 와 같 은 반응 가스 가 이온 소스 ( 20 ) 에 들어가 고 , 플 라즈 마 ( 22 ) 를 형성 하 도록 RF 필드 에 의해 양 으로 이온 화 된다 . 진공 챔버 ( 25 ) 내부 의 플 라즈 마 ( 22 ) 가 이온 주입기 ( 26 ) 를 향해 팽창 함 에 따라 , 플 라즈 마 ( 22 ) 가 가속기 ( 30 ) 내 에서 더 음인 전위 에 의해 영향 을 받 기 시작 한다 . 이 는 양 으로 대전 된 이온 들 을 타 겟 챔버 ( 60 또는 70 ) 를 향하 여 가속 하 게 한다 . 이온 소스 ( 20 ) 내 의 스테이지 들 ( 23 및 35 ) 의 가속 전극 들 ( 32 ) 은 이온 빔 또는 빔 들 을 시준 하 여 , 각각 가속기 ( 30 ) 의 처음 스테이지 를 가로질러 거의 균일 한 이온 빔 프로 파일 을 제공 한다 . 대안 적 으로 , 가속기 ( 30 ) 의 처음 스테이지 는 앞서 설명 된 바 와 같이 이온 빔 의 펄스 발생 또는 스위치 온 / 오프 를 가능 하 게 할 수 있 다 . 상기 빔 이 계속 하 여 가속기 ( 30 ) 를 통해 이동 함 에 따라 , 각 스테이지 에서 추가 에너지 를 얻 어서 , 가속기 ( 30 ) 의 최종 스테이지 에 도달 할 때 에 는 5 MeV 까지 , 1 MeV 까지 , 적절 하 게 는 500 keV 까지 , 적절 하 게 는 50 keV 내지 5 MeV , 적절 하 게 는 50 keV 내지 500 keV , 및 적절 하 게 는 0 내지 10 Amps , 적절 하 게 는 10 내지 100 mAmps 의 에너지 들 에 도달 한다 . 이 전위 는 원 하 는 전압 을 생성 할 수 있 는 외부 전력 소스 ( 도시 되 지 않 음 ) 에 의해 공급 된다 . 또한 , 이온 소스 ( 20 ) 로부터 의 중성자 가스 일부 가 가속기 ( 30 ) 로 누출 될 수 있 지만 , 초과 압력 및 시스템 고장 을 방지 하 도록 차동 펌핑 시스템 ( 40 ) 또는 동기 화 된 고속 펌프 ( 100 ) 에 의해 가속기 ( 30 ) 의 압력 이 최소 로 유지 될 것 이 다 . 상기 빔 은 고속 으로 계속 해서 차동 펌핑 ( 40 ) 내 로 진행 하 며 , 비교 적 낮 은 압력 의 짧 은 경로 길 이 스테이지 들 을 최소 상호 작용 으로 통과 한다 . 여기 서부터 , 이 는 계속 해서 타 겟 챔버 ( 60 또는 70 ) 로 진행 하 여 , 적절 하 게 는 0 내지 100 torr , 적절 하 게 는 100 mtorr 내지 30 torr , 적절 하 게 는 5 내지 20 torr 인 고밀 도 타 겟 가스 와 충돌 하 고 , 감속 되 며 , 핵반응 을 야기 한다 . 방출 된 핵입자 들 은 약 0 . 3 MeV 내지 약 30 MeV 의 양성자 들 , 적절 하 게 는 약 10 MeV 내지 약 20 MeV 의 양성자 들 , 또는 약 0 . 1 MeV 내지 약 30 MeV 의 중성자 들 , 적절 하 게 는 약 2 MeV 내지 약 20 MeV 의 중성자 들 일 수 있 다 .