일곱 번 째 측면 에서 메모리 셀 은 ( 1 ) 제 1 전도체 ; ( 2 ) 상기 제 1 전도체 상 에 제조 된 가역 저항 전환 소자 ( 상기 가역 저항 전환 소자 는 복수 의 CNT 사이 에 배치 된 유전체 재료 를 갖 는 재료 ; ( 3 ) 상기 가역 저항 전환 소자 의 평면 표면 상 에 노출 된 CNT 와 전기 적 으로 접촉 하 여 형성 되 는 다이오드 ; 및 ( 4 ) 상기 다이오드 상 에 형성 된 제 2 전도체 를 포함 하 여 제공 된다 . 여러 다른 양상 이 제공 된다 .