본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따르 면 , 전술 한 제 1 산화 공정 , 제 1 질화 공정 , 제 2 산화 공정 및 제 2 질화 공정 을 동일 한 공정 챔버 를 내 에서 인 시튜 로 수행 하 여 대 상체 ( 250 ) 상 에 하부 질화 막 ( 270 ) , 하부 산화 막 ( 268 ) , 상부 산화 막 ( 280 ) 및 상부 질화 막 ( 285 ) 을 포함 하 는 절연 구조물 ( 290 ) 을 형성 할 수 있 다 .