상술 한 문제 를 감안 하 여 전력 이 공급 되 지 않 는 상황 에서 도 기억 내용 을 유지 할 수 있 고 , 또 기록 횟수 의 제한 도 없 는 새로운 구조 의 반도체 장치 가 개발 되 어 있 다 . 상기 반도체 장치 는 오프 상태 에서 의 전류 값 을 현저히 저감 할 수 있 는 채널 영역 이 산화물 반도체 로 형성 되 는 트랜지스터 를 활용 한 반도체 장치 다 . 구체 적 으로 는 , 상기 반도체 장치 에서 는 트랜지스터 의 소스 및 드레 인 의 한쪽 에 전기 적 으로 접속 된 노드 에서 전하 를 유지 ( 정보 를 기억 ) 한다 . 그리고 , 트랜지스터 를 오프 상태 로 함 으로써 상기 노드 에 유지 된 전하 ( 기억 된 정보 ) 를 오랜 기간 에 걸쳐 유지 할 수 있 는 반도체 장치 다 .