도 5 b 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 제 2 도전 형 전도 층 ( 501 ) 은 다른 방법 으로 형성 하 는 것 도 가능 하 다 . 즉 , 상기 진성 층 ( 401 ) 상 에 제 2 도전 형 전도 층 ( 501 ) 을 형성 한다 . 상기 제 2 도전 형 전도 층 ( 501 ) 은 상기 진성 층 ( 401 ) 의 형성 과 연속 공정 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 2 도전 형 전도 층 ( 501 ) 은 본 발명 의 실시 예 에서 채용 하 는 핀 다이오드 의 P 층 의 역할 을 할 수 있 는 것 으로 상기 제 2 도전 형 전도 층 ( 501 ) 은 P 타입 도전 형 전도 층 일 수 있 으나 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .