일 실시 예 에 따르 면 , 구동 트랜지스터 ( DRT ) 는 제 1 활성 층 ( 350 ) 상 에 배치 된 제 1 산화물 층 ( 370 ) 을 포함 하 여 소자 특성 을 개선 할 수 잇 다 . 제 1 산화물 층 ( 370 ) 을 포함 하 는 구동 트랜지스터 ( DRT ) 는 구동 전압 - 구동 전류 그래프 에서 곡선 의 기울기 가 작 아 짐 에 따라 화소 ( PX ) 의 발광 소자 ( EL ) 를 구동 하 기 위해 넓 은 범위 의 구동 전압 을 확보 할 수 있 다 . 나아가 , 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 는 제 2 활성 층 ( 450 ) 상 에 산화물 층 이 배치 되 지 않 고 제 2 게이트 전극 ( 410 ) 이 배치 됨 에 따라 채널 영역 ( 450 c ) 에서 전자 의 높 은 이동도 를 확보 할 수 있 다 .