또한 , 반도체 기판 ( 301 ) 에서 도 , 반도체 기판 ( 101 ) 의 경우 와 마찬가지 로 Ge 층 ( 302 ) 과 , 소자 형성 층 ( 124 ) 사이 에 중간층 이 배치 되 어도 좋 다 . 중간층 은 단일 층 이 어도 좋 고 , 복수 의 층 을 포함 하 여도 좋 다 . 중간층 은 , 600 ℃ 이하 , 바람직 하 게 는 550 ℃ 이하 에서 형성 되 어도 좋 다 . 이 에 따라 , 소자 형성 층 ( 124 ) 의 결정 성 이 향상 된다 . 중간층 은 , 600 ℃ 이하 , 바람직 하 게 는 550 ℃ 이하 의 온도 에서 형성 된 GaAs 층 이 어도 좋 다 . 중간층 은 , 400 ℃ 이상 에서 형성 되 어도 좋 다 . 이 경우 , Ge 층 ( 302 ) 의 중간 층 에 대향 하 는 면 이 P 를 함유 하 는 가스 에 의해 표면 처리 되 어도 좋 다 .