상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 베벨 식각 장비 는 웨이퍼 표면 에 인접 하 게 대향 되 며 웨이퍼 에 지부 를 노출 시키 도록 설치 되 는 상부 전극 , 웨이퍼 배면 쪽 에 설치 되 며 , 웨이퍼 의 에 지부 에 대응 되 는 환형 영역 에 상대 적 으로 낮 은 주파수 의 고주파 전력 을 인가 할 수 있 도록 형성 된 하부 제 2 전극 및 웨이퍼 의 배면 쪽 에 설치 되 며 상대 적 으로 높 은 주파수 의 고주파 전력 을 인가 할 수 있 도록 형성 된 하부 제 1 전극 을 포함 하 여 이루어지 는 것 을 특징 으로 한다 .