많 은 형태 의 반도체 장치 들 은 플 라즈 마 기반 에칭 기술 을 사용 하 여 제조 된다 . 그것 이 에칭 되 는 도체 인 경우 , 그라운드 에 대해 음 전압 이 도전 성 기판 에 인가 되 어 기판 도체 의 표면 에 걸쳐 실질 적 으로 균일 한 음 전압 을 생성 하 여 양극 성 으로 대전 된 이온 들 을 도체 를 향해 끌어당기 며 , 이 에 따라 , 도체 에 충돌 하 는 양 ( positive ) 이온 들 은 실질 적 으로 동일 한 에너지 를 갖 는다 .