지금 까지 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 트렌치 소자 분리 형성 방법 에 따르 면 , 트렌치 내부 를 SOD 막 및 고밀도 플라 즈 마 산화 막 의 이 중막 으로 매립 하 여 소자 분리 막 을 형성 하 는데 있 어서 , 라이너 질화 막 을 보호 하 는 라이너 산화 막 의 일정 두께 질화 시킨다 . 그러면 , SOD 막 형성 후 , 식각 과정 에서 함께 제거 되 는 라이너 산화 막 의 식각 속도 를 늦춰 라이너 질화 막 을 확보 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 후속 과정 에서 라이너 질화 막 의 손상 을 방지 하 여 소자 의 리프 래시 특성 및 신뢰 성 을 증가 시킬 있 다 .