도 1 a 를 참조 하 면 , 기판 ( 100 ) 은 제 1 트랜지스터 영역 ( 50 ) , 제 2 트랜지스터 영역 ( 60 ) 및 수동 소자 영역 ( 70 , passive element region ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 트랜지스터 영역 ( 50 ) 은 제 1 전계 효과 트랜지스터 ( 이하 , 제 1 트랜지스터 라 함 ) 가 형성 되 는 영역 일 수 있 으며 , 상기 제 2 트랜지스터 영역 ( 60 ) 은 제 2 전계 효과 트랜지스터 ( 이하 , 제 2 트랜지스터 라 함 ) 가 형성 되 는 영역 일 수 있 다 . 상기 수동 소자 영역 ( 70 ) 은 수동 소자 ( passive element ) 를 포함 하 는 영역 일 수 있 다 .