도 9 의 단면도 ( 900 ) 에서 도시 된 바 와 같이 , 하부 절연 구조물 ( 110 ) 이 하부 유전체 구조물 ( 106 ) 위 에 형성 된다 . 일부 실시 예 들 에서 , 하부 절연 구조물 ( 110 ) 은 산화물 , 실리콘 질화물 , 실리콘 탄화물 , 실리콘 산질 화물 , TEOS 등 중 하나 이상 을 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 하부 절연 구조물 ( 110 ) 은 하나 이상 의 상이 한 퇴적 공정 들 ( 예컨대 , 물리 적 기상 증착 ( physical vapor deposition ; PVD ) , 화학 적 기상 증착 ( chemical vapor deposition ; CVD ) , PE - CVD , 원자 층 증착 ( atomic layer deposition ; ALD ) , 스퍼터링 등 ) 에 의해 약 20 옹스트롬 과 약 400 옹스트롬 사이 의 범위 내 의 두께 로 형성 될 수 있 다 .