이어서 , 도 12 c 에 도시 된 바 와 같이 , 멤 리 스티브 재료 의 박 층 ( 1220 ) 이 제 1 나노 와 이 어 하위 층 ( 1210 ) 의 상면 에 도포 된다 . 이 멤 리 스티브 재료 는 제 1 하위 층 ( 1210 ) 의 나노 와이어 들 과 이어지 는 단계 에서 추가 되 는 제 2 하위 층 의 나노 와이어 들 사이 의 멤 리 스티브 나노 와 이어 접합 들 을 형성 한다 . 도전 성 핀 들 은 삽입 된 비 아들 ( 1222 - 1225 ) 에 의해 멤 리 스티브 재료 층 을 통해 계속 된다는 점 에 유의 한다 . 이어서 , 도 12 d 에 도시 된 바 와 같이 , 멤 리 스티브 층 ( 1220 ) 위 에 나노 와이어 들 의 제 2 하위 층 ( 1230 ) 이 추가 된다 . 나노 와이어 들 의 제 2 하위 층 의 나노 와이어 들 은 평행 하 며 , 각각 의 나노 와이어 는 단일 수직 핀 에 접속 된다 . 제 1 나노 와 이 어 하위 층 이 출력 핀 들 에 접속 될 때 , 제 2 나노 와 이 어 하위 층 은 입력 핀 들 에 접속 되 며 , 그 역 도 같 다 . 제 2 하위 층 의 나노 와이어 들 은 제 1 하위 층 의 나노 와이어 들 에 대해 대략 수직 이 라는 점 에 유의 한다 . 이어서 , 도 12 e 에 도시 된 바 와 같이 , 제 2 나노 와 이 어 하위 층 ( 1230 ) 위 에 절연 층 ( 1240 ) 이 추가 되 며 , 수직 핀 들 은 다시 삽입 된 비 아들 ( 1242 - 1245 ) 에 의해 연장 된다 .