보상 반도체 층 ( AO 3 ) 및 제 1 초기 화 반도체 층 ( AO 4 ) 은 Zn 산화물 계 물질 로 , Zn 산화물 , In - Zn 산화물 , Ga - In - Zn 산화물 등 으로 형성 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 보상 반도체 층 ( AO 3 ) 및 제 1 초기 화 반도체 층 ( AO 4 ) 은 ZnO 에 인듐 ( In ) , 과 갈륨 ( Ga ) , 주석 ( Sn ) 과 같 은 금속 이 함유 된 IGZO ( In - Ga - Zn - O ) , ITZO ( In - Sn - Zn - O ) , 또는 IGTZO ( In - Ga - Sn - Zn - O ) 반도체 일 수 있 다 .