수학식 1 에 나타나 듯이 , 주파수 를 증가 시키 면 플 라즈 마 밀도 도 증가 하 게 되 며 , 수학식 2 에 나타나 듯이 전압 과 압력 이 일정 한 상태 에서 는 플 라즈 마 밀도 가 증가 함 에 따라 전자 온도 가 낮 아 지 게 된다 . 이 와 같이 , 전자 온도 가 낮 아 지 게 되 면 , 식각 공정 에서 발생 하 는 플 라즈 마 에 의한 공정 손상 ( plasma induced damage ) 을 줄일 수 있 게 되 어 궁극 적 으로 식각 장치 의 재현 성 ( device reliability ) 및 수율 ( yield ) 을 향상 시킬 수 있 게 된다 . 또한 , 플라 즈 마 밀도 를 증가 시켜 전자 의 온도 를 감소 시키 면 , 식각 공정 후 플 라즈 마 에 의한 공정 손상 을 줄일 수 있 게 된다 . 그리고 , 수학식 1 및 수학식 2 은 극초단파 ( UHF ; ultra high frequency ) 에 대해서 도 적용 가능 하 며 , 극초단파 영역 의 고주파 전원 에 대해서 도 종래 와 달리 전자 온도 를 낮추 고 플 라즈 마 밀도 를 증가 시킬 수 있 게 된다 .