분리 게이트 구조 를 갖 는 플 래쉬 메모리 셀 을 형성 하 는 방법 에 대하 여 미국 특허 6 , 821 , " 849 B 2 호 에 "" 분리 게이트 플 래쉬 메모리 셀 및 그 제조 방법 ( Split gate flash memory cell and manufacturing method thereof ) "" 이 라는 제목 으로 창 ( Chang ) 에 의해 개시 된 바 있 다 . 창 ( Chang ) 에 의하 면 도 1 b 및 도 1 c 에서 상술 한 바 와 같 은 공정 을 이용 하 여 부유 게이트 를 형성 한다 . 이 와 같이 부유 게이트 를 형성 하 는 방법 은 도 1 b 에서 설명 한 바 와 같이 축소 화 된 저 전력 트랜지스터 의 문턱 전압 특성 을 열화 시킬 수 있 다 . "