본 실시 예 에서 고농도 p 형 반도체 기판 ( 401 ) , 저 농도 의 p 형 에피 택 셜 층 ( 402 ) , STI ( shallow Trench Isolation ) 구조 ( 403 , 404 , 405 ) , FD 노드 ( 414 ) , 트랜 스터 게이트 ( 412 ) , 와이어 ( 415 , 416 ) , 피닝 층 ( 406 ) 등 은 도 3 에서 설명 한 것 과 실질 적 으로 동일 하 다 .