저 장소 지지 판 또는 기 저부 판 ( 5 b 8 ) 은 SiC 또는 질화 붕소 와 같 은 전기 절연체 를 포함 할 수 있 다 . 대안 적 으로 , 지지 판 은 국부 온도 에서 작동 할 수 있 는 티타늄 과 같 은 금속 일 수 있 다 . 금속 은 유도 결합 된 히터 로부터 흡수 된 RF 전력 을 제한 하 고 높 은 융점 을 갖 기 위해 비자 성 및 높 은 전도성 중 적어도 하나 일 수 있 다 . 예 시 적 인 금속 은 W 및 Mo 이 다 . 기 저부 판 은 탄소 를 포함 할 수 있 다 . 금속 기 저부 판 ( 5 b 8 ) 의 전기 절연 은 판과 장착 고정구 사이 및 또한 저 장소 와 판 사이 의 절연체 에 의해 제공 될 수 있 다 . 절연체 는 절연체 와셔 또는 부싱 , 예컨대 SiC 또는 세라믹 을 포함 할 수 있 다 . 이 중 저 장소 의 지지 판 은 하나 또는 별도 의 지지 판 일 수 있 다 . 저 장소 지지 판 은 저 장소 를 전기 적 으로 격리 시키 기 위해 SiC 또는 BN 과 같 은 절연체 칼라 또는 부싱 을 갖 는 종 방향 분할 판 을 포함 할 수 있 다 . 저 장소 지지 판 은 저 장소 가 안착 되 는 SiC 또는 BN 개스킷 과 같 은 전기 절연 개스킷 과 같 은 개스킷 용 슬롯 을 갖 는 분할 된 2 피스 기저 부판 을 따라 구성 될 수 있 다 . 대안 적 으로 , 각각 의 저 장소 는 기 저부 판 사이 에 전류 가 흐르 도록 독립 적 인 기 저부 판 에 의해 지지 될 수 있 다 . 기 저부 판 은 유도 결합 식 히터 의 RF 전력 에 대해 낮 은 흡수 단면 을 갖 는 재료 를 포함 할 수 있 다 . 기 저부 판 은 탄화규소 또는 질화 붕소 와 같 은 열 충격 저항 세라믹 을 포함 할 수 있 다 . 기 저부 판 은 RF 흡수 가 낮 은 금속 을 포함 할 수 있 다 . 기 저부 판 은 낮 은 RF 흡수 단면 을 가질 수 있 는 본 개시 의 하나 와 같 은 코팅 으로 코팅 된 금속 을 포함 할 수 있 다 .