그리고 , 기판 온도 를 100 ℃∼ 350 ℃ 범위 로 낮 게 하 는 이유 는 Zr - Nb 소스 의 열분해 에 의한 CVD 반응 을 최소 화 하 기 위한 것 이 다 . 전술 한 것 처럼 원자 층 증착 법 ( ALD ) 은 화학 기상 증착 법 ( CVD ) 에 비해 파티클 생성 을 억제 하 는 우수 한 특성 을 갖 고 , 고온 의 화학 기상 증착 법 에 비해 우수 한 특성 을 갖 도록 최대한 기판 온도 를 낮추 는 것 이 다 .