도 10 ( f ) 를 참조 하 면 , 분리 된 소자 상부 및 측 부 에 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 또는 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 등 의 절 연막 을 증착 하 여 보호 층 ( 800 ) 을 형성 한다 . 보호 층 ( 800 ) 은 0 . 05 ∼ 5 . 0 ㎛ 정도 의 두께 로 형성 하 며 , PECVD ( plasma - enhanced chemical vapor deposition ) 방법 으로 형성 할 수 있 다 . 그리고 , n 형 반도체 층 ( 100 ) 상부 가 노출 되 도록 보호 층 ( 800 ) 을 제거 한 후 n 형 반도체 층 ( 100 ) 상부 에 n 형 전극 층 ( 900 ) 을 형성 한다 . n 형 전극 층 ( 900 ) 은 Cr 와 Au 의 적층 구조 또는 Ti 와 Al 의 적층 구조 로 형성 한다 . 예 를 들 어 Cr 을 10 ∼ 200 ㎚ 의 두께 로 형성 하 고 , Au 를 300 ∼ 1000 ㎚ 의 두께 로 형성 하 여 n 형 전극 층 ( 900 ) 을 형성 한다 . 또한 , n 형 전극 층 ( 900 ) 하부 또는 상부 에 반사 방지 막 ( 미 도시 ) 을 형성 할 수 있 는데 , 반사 방지 막 은 ITO ( Indium Tin Oxide ) , ZnO , SiO 2 , Si 3 N 4 , IZO ( Indium Zinc Oxide ) 중 적어도 어느 하나 를 이용 하 여 형성 할 수 있 다 .