이때 , 초기 비트 라인 패턴 ( 100 ) 의 식각 면 ( 100 a , 100 b ) 이 제 2 감광막 패턴 ( 27 ) 에 의해 모두 덮혀 있 으므로 2 차 식각 에 의한 손상 을 받 지 않 고 , 또한 제 2 감광막 패턴 ( 27 ) 에 의해 두 식각 면 ( 100 a , 100 b ) 이 고정 되 어 있 으므로 최종 비트 라인 패턴 ( 101 ) 이 붕괴 되 는 것 을 방지 하 면서 미세 사이즈 의 최종 비트 라인 패턴 ( 101 ) 을 형성 할 수 있 다 . 즉 , 2 차 식각 공정 시 에 발생 되 는 두 개 의 식각 면 ( 101 a , 101 b ) 이 초기 비트 라인 패턴 ( 100 ) 의 식각 면 ( 100 a , 100 b ) 이 아닌 초기 비트 라인 패턴 ( 100 ) 의 일정 부분 ( 도면 에서 는 가운데 부분 ) 이 므로 , 식각 공정 시 에 붕괴 되 지 않 는다 .