일반 적 으로 반도체 소자 는 화학 기상 증착 , 스퍼터링 , 포 토리 소그라 피 , 에칭 , 이온 주입 등 수많 은 단위 공정 들 이 순차 적 으로 또는 반복 적 으로 수행 되 며 가공 되 는데 , 이러 한 공정 을 진행 하 기 위해서 는 도 1 에 나타낸 바 와 같이 웨이퍼 ( 50 ) 를 챔버 ( 10 ) 내부 의 정전 척 ( 100 ) 에 척 킹 시켜서 웨이퍼 ( 50 ) 를 가공 한 후 , 다음 단계 의 가공 을 위해 디 척 킹 하 는 과정 을 여러 번 반복 하 게 된다 .