이후 , 터널 산화 막 ( 15 ) 위 에 다결정 실리콘 , SiO 2 , 다 결정 실리콘 을 순차 적 으로 증착 한 후 , 마스크 를 이용 하 여 식각 함 으로써 게이트 영역 을 형성 한다 . 이어서 , 알루미늄 ( Al ) 을 열 증착 방법 을 사용 하 여 소스 ( 12 ) , 드레 인 ( 14 ) , 게이트 전극 을 형성 한 후 , 최종 구동 회로 를 형성 한다 .