도 11 및 도 23 을 참조 하 면 , 제 3 절 연막 ( 230 ) 일부 및 제 1 및 제 2 절 연막 패턴 들 ( 172 , 174 ) 의 일부 를 사진 식각 공정 을 통해 제거 하 여 , 제 2 내지 제 4 불순물 영역 들 ( 103 , 105 , 107 a ) 을 노출 시킨다 . 이 에 따라 , 제 1 내지 제 4 게이트 구조물 들 ( 222 a , 224 a , 226 a , 228 a ) 의 측벽 및 상면 과 제 1 및 제 2 절 연막 패턴 들 ( 172 , 174 ) 을 덮 는 제 3 절 연막 패턴 ( 235 ) 이 형성 될 수 있 다 .