반도체 층 ( 230 ) 은 소스 전극 ( 241 ) 과 드레 인 전극 ( 243 ) 사이 에 채널 을 형성 하 고 , 게이트 절 연막 ( 220 ) 을 사이 에 두 고 게이트 전극 ( 211 ) 과 중첩 되 게 형성 된 액티브 층 ( 231 ) 을 구비 한다 . 그리고 , 반도체 층 ( 230 ) 은 액티브 층 ( 231 ) 위 에 형성 되 어 데이터 라인 ( 240 ) , 소스 전극 ( 241 ) 및 드레 인 전극 ( 243 ) 과 오 믹 접촉 을 위한 오 믹 콘 택 층 ( 233 ) 을 추가 로 구비 한다 .