상술 한 본 발명 의 일실 시예 에 다른 엠아이에스 캐 패 시터 제조 방법 은 , 본 발명 의 일실 시예 에 따르 면 , 전기 전도 성 을 갖 는 반도체 기판 ( 110 ) 에 절연 층 ( 120 ) 을 형성 하 고 , 절연 층 ( 120 ) 을 둘러싸 는 홈 ( 130 ) 을 반도체 기판 ( 110 ) 에 형성 한 다음 , 절연 층 ( 120 ) 상 에 형성 되 는 상부 전극 과 홈 ( 130 ) 의 내 측면 ( 131 ) 에 도전체 층 ( 150 ) 을 동시 에 형성 하 여 , 제조 공정 이 간소 화 되 는 효과 가 있 다 .