예 를 들 어 , 일반 적 인 액정 표시 장치 , 혹은 유기 발광 표시 장치 에 사용 되 는 트랜지스터 의 경우 , 게이트 절연물 의 두께 는 50 nm 내지 1 ㎛ 이 다 . 예 를 들 어 , 산화 물막 ( 104 ) 의 두께 를 200 nm , 산화 물막 ( 104 ) 중 갈륨 의 비율 , Ga / ( Ga + Zn ) 을 0 . 5 로 했 을 경우 , 얻 어 지 는 절연성 산화물 층 ( 104 b ) 의 두께 는 100 nm 내지 150 nm 이 다 . 또한 , 절연성 산화물 층 ( 104 b ) 은 , 갈륨 을 주된 금속 원소 로 하 기 위해서 , 그 의 비유전율 은 산화 규소 의 약 2 . 5 배 이 다 .