메모리 셀 ( 505 ) 의 판독 동작 을 위해 , 디 지트 라인 ( 215 - d ) 은 션트 ( 예 를 들 어 , 션트 트랜지스터 ( 425 - d ) ) 를 통해 로컬 디 지트 라인 ( 512 ) 과 결합 될 수 있 는 반면 , 다른 디 지트 라인 ( 예 를 들 어 , 디 지트 라인 ( 215 - e ) ) 은 션트 ( 예 를 들 어 , 트랜지스터 ( 425 - e ) ) 를 통해 로컬 디 지트 라인 ( 512 ) 과 분리 될 수 있 다 . 증폭 구성 요소 ( 520 ) 는 스위칭 구성 요소 ( 510 - g ) 를 통해 로컬 디 지트 라인 ( 512 ) 과 결합 될 수 있 고 프리 차지 전압 PRECH ( 522 ) 를 가정 함 으로써 초기 화 될 수 있 으며 , 이 는 디 지트 ( 215 - d ) 라인 상 의 전하 를 감지 하 기 위해 차동 증폭기 ( 521 ) ( 예 를 들 어 , 바이어스 전압 ( VBIAS ) ) 를 초기 화 할 수다 . 예 를 들 어 , 그 후 PRECH ( 522 ) 가 어서 트 되 고 , 차동 증폭기 ( 521 ) 의 음 의 입력 노드 및 출력 노드 는 VBIAS 와 결합 될 수 있 으며 , 이 는 얇 은 산화물 디바이스 에 대한 임계 전압 과 실질 적 으로 동일 하 게 선택 될 수 있 다 . 차동 증폭기 ( 521 ) 의 양 의 입력 노드 는 , 예 를 들 어 접 지 전압 또는 0 V 일 수 있 는 기준 전압 ( VREF ) 으로 설정 될 수 있 다 . 그 후 , PRECH ( 522 ) 가 어서 트 해제 ( deassert ) 될 수 있 고 , 워드 라인 ( 210 - d ) 이 어서 트 될 수 있 다 . PRECH ( 522 ) 가 어서 트 해제 될 때 , 차동 증폭기 ( 521 ) 의 음 의 입력 노드 및 출력 노드 는 커패시터 를 통해 결합 될 수 있 으며 , 이 는 차동 증폭기 ( 521 ) 의 음 의 입력 노드 가 스위칭 구성 요소 ( 510 - g ) 를 통해 디 지트 라인 ( 215 - d ) 과 결합 될 때 에 메모리 셀 ( 505 ) 로부터 전하 를 통합 할 수 있 다 .