이어서 , 도 4 f 에 도시 된 바 와 같이 , 감광 필름 ( PR ) 및 금속 피막 ( M ) 을 식각 방지 막 으로 하 여 , 노출 되 어 있 는 원소 재 기판 ( S ) 을 선택 적 으로 식각 하 는 2 차 에칭 처리 가 진행 된다 ( P 60 ) . 이때 , 2 차 에칭 처리 에 적용 되 는 에칭 액 은 원소 재 기판 ( S ) 에 대해 부식 특성 을 갖 는 것 으로 , 예 를 들 어 , Cupric chloride ( CuCl 2 ) , Ferric chloride ( FeCl 3 ) , Alkaline etchant , Hydrogen peroxide Sulphuric acid ( H 2 O 2 + H 2 SO 4 ) 등 이 사용 될 수 있 다 . 상기 원소 재 기판 ( S ) 에 대한 에칭 처리 는 다 이 패드 영역 ( W 1 ) 과 리드 영역 ( W 2 ) 이 분리 되 어 개별 적 인 다이 패드 ( 210 ) 와 리드 ( 220 ) 를 형성 할 때 까지 진행 된다 . 전술 한 1 차 및 2 차 에칭 처리 는 선택 된 에칭 액 을 고압 으로 분사 하 는 다수 의 분사 노즐 들 이 상 , 하방 에 나란 하 게 배열 되 어 있 는 이송 경로 를 따라 상기 원소 재 기판 ( S ) 을 일정 한 속도 로 이동 시킴 에 의해 진행 될 수 있 다 . 상기 1 차 및 2 차 에칭 처리 는 서로 에칭 액 을 달리 하 여 연속 적 인 공정 으로 진행 될 수 있 다 .