본 발명 의 실시 예 들 에 따르 면 , 포토레지스트 패턴 과 하 부막 의 이 중막 ( bi - layer ) 공정 을 이용 하 여 산포 가 개선 된 하부 패턴 을 형성 할 수 있 다 . 나아가 상기 하부 패턴 을 두껍 게 형성 할 수 있 기 때문 에 , 한 번 의 포토레지스트 공정 을 통하 여 많 은 수 의 계단 구조 들 을 형성 할 수 있 어 효율 적 인 공정 달성 이 가능 할 수 있 다 .