매핑 센서 ( 20 ) 는 , 제 어부 ( 40 ) 로부터 의 지시 를 받 아 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 촬상 화상 ( 51 ) 을 취득 하 면서 하강 이동 한다 . 즉 , 도 5 a 에 나타낸 바 와 같이 발광 부 ( 50 ) 가 반도체 웨이퍼 ( W ) 를 향해 촬상용 광 ( La ) 을 조사 함 과 더불 어 , 촬상부 ( 52 ) 가 발광 부 ( 50 ) 에 의해서 조사 된 광 ( La ) 의 반사광 ( 기판 반사광 ( Lb 1 ) 혹은 내 벽면 반사광 ( Lc ) ) 의 촬상 을 행하 여 촬상 화상 ( 51 ) 을 취득 한다 . 또한 , 촬상 화상 ( 51 ) 을 형성 하 는 광 에 는 , 광 ( La ) 의 반사광 외 에 , 다른 광원 으로부터 의 반사광 이 포함 되 어 있 어도 된다 .