제 1 드레 인 재 분배 구조물 ( 46 ) 및 제 1 소스 재 분배 구조물 ( 45 ) 은 각각 횡 방향 으로 분리 된 복수 의 이산 전도성 영역 을 포함 한다 . 각각 의 셀 필드 ( 41 ) 의 소스 전극 을 서로 및 소스 패드 ( 34 ) 와 전기 적 으로 결합 시키 기 위해 , 복수 의 제 1 이 산 전도성 영역 ( 48 ) 은 금속화 구조물 ( 28 ) 의 위 에 있 는 전도 층 중 하나 에 의해 서로 전기 적 으로 결합 된다 . 유사 하 게 , 제 1 드레 인 재 분배 구조물 ( 46 ) 의 전도성 비아 ( 44 ) 및 제 2 이 산 전도성 영역 ( 49 ) 을 서로 및 드레 인 패드 ( 24 ) 에 결합 하 기 위해 , 제 1 드레 인 재 분배 구조물 ( 46 ) 의 전도성 비아 ( 44 ) 및 제 2 이 산 전도성 영역 ( 49 ) 은 금속화 구조물 ( 28 ) 의 위 에 있 는 전도 층 중 하나 에 의해 서로 전기 적 으로 결합 된다 .