반도체 소자 가 고집 적 화 됨 에 따라 활성 영역 및 소자 분리 막 을 형성 하 는 공정 마진 이 감소 하 게 되 었 다 . 또한 , 게이트 의 선폭 이 좁 아 지 면서 채널 길이 의 감소 로 반도체 소자 의 전기 적 특성 이 저하 되 는 문제 인 단채 널 효과 ( Short Channel Effect ) 가 발생 하 였 다 . 단 채널 효과 는 게이트 문턱 전압 이 감소 시키 고 게이트 전류 구동 능력 을 감소 시킨다 . 따라서 전류 구동 능력 을 향상 시키 기 위한 방법 으로 핀 ( Fin ) 형 활성 영역 을 형성 하 여 게이트 채널 면적 을 증가 시키 는 방법 이 사용 되 고 있 다 .