실제로 는 도 3 b 의 시점 에서 형성 된 , 광전 변환 층 및 TFT 등 을 포함 하 는 1 개 의 광전 변환 회로 소자 는 대면 적 기판 위 에 각각 소자 재료 를 형성 되 는 것 으로 대량 생산 이 가능 하 다 . 1 장 의 대면 적 기판 ( 예 를 들 면 600 cm× 720 cm ) 으로부터 는 대량 의 광전 변환 회로 소자 ( 예 를 들 면 2 mm× 1 . 5 mm ) 를 제조 할 수 있 다 . 그 형태 를 도 4 a , 도 4 b 에 도시 한다 .