다음 으로 , 층간 절연 층 ( 40 ) 이 노출 되 도록 강유 전 층 ( 22 ) , 안정 화 층 ( 23 ) , 산소 확산 배리 어 층 ( 24 ) , 문턱 전압 제어 층 ( 25 ) , 상단 배리 어 층 ( 26 ) , 및 게이트 충 진 층 ( 27 ) 이 평탄 화 될 수 있 다 . 이 로써 도 1 에 도시 된 반도체 소자 ( 100 ) 가 제조 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 도 7 a 에 도시 된 단계 에서 채널 ( 11 ) 은 핀 형상 으로 형성 될 수 있 다 . 이 경우 , 도 2 a 내지 도 2 c 에 도시 된 반도체 소자 ( 100 b ) 가 제조 될 수 있 다 .