또한 , InP 기판 에 InP / InGaAsP 와 InAlGaAs / InAlAs 를 사용 하 여 제작 되 는 레이저 다이오드 가 제안 되 고 있 는데 , 이 들 은 두 물질 간 굴절 률 의 차이 가 상대 적 으로 작 아서 ( 0 . 27 , 0 . 3 ) 높 은 반사 율 을 얻 는 것 이 용이 하 지 않 다 . 게다가 , InAlAs / InAlGaAs 의 적층 주기 가 반복 되 는 경우 , 증가 두께 에 따라 DBR 구조물 의 표면 에 결함 이 발생 하 여 소자 의 품질 이 떨어진다 . 이 에 , 최근 에 는 InP / InGaAsP 와 InAlGaAs / InAlAs 에 비해 굴절 률 의 차이 가 상대 적 으로 크 고 ( 0 . 34 ) , 열전도 도 특성 이 좋 은 InP 를 도입 한 InAlGaAs / InP DBR 구조물 이 제안 되 고 있 다 . 그러나 , 이 두 물 질 을 조합 하 여 박막 을 성장 시킬 경우 , InAlGaAs 층 의 성장 후 InP 를 성장 하 기 전 에 As 의 캐리 오버 ( carry - over ) 효과 가 발생 하 여 두 물질 간 박막 성장 계면 이 균일 하 지 못하 고 InAsP 와 같 은 전이 층 ( transitional layer ) 이 생긴다는 문제점 이 있 다 . 그러므로 , 고품질 의 에 피 특성 을 갖 는 InAlGaAs / InP DBR 구조물 을 제작 하 기 위해서 는 까다로운 성장 인터 럽 션 ( interruption ) 을 이용 해야 한다 ( T . C . Lu et . al . , J . Cryst . Growth . , 250 , 305 ( 2003 ) . ; T . C . Lu et . al . , Mater . Sci . & Eng . B 107 , 66 ( 2004 ) ) .