또한 , 원자 현미경 AFM 에 의한 TiO 2 / Cu 합성 필름 의 표면 모 폴 로지 가 도 5 에 도시 된다 . 5 wt % 및 10 wt % 의 TiO 2 샘플 들 이 유사 한 RMS ( root mean square ) 거칠 기 ( RMS roughness ) 를 가질지 라도 , 30 wt % 를 초과 하 는 TiO 2 함량 의 필름 은 기복 이 심한 형태 로 변형 되 고 도 5 ( d ) 에 도시 된 바 와 같이 50 wt % 의 TiO 2 함량 에서 최고 RMS 거칠 기 가 확인 되 었 다 . 그럼에도 불구 하 고 , 50 wt % 의 TiO 2 함량 에서 표면 열화 ( surface deterioration ) 는 막 저항 ( film resistors ) 에 는 좋 은 요인 일 수 있 다 . 일반 적 으로 , 거친 표면 을 갖 는 필름 은 전기 저 항도 ( resistivity ) 를 증대 시킬 수 있 다 . 몇몇 연구자 들 에 의해 보 고 된 바 와 같이 , 전기 저 항도 는 표면 산란 ( surface scattering ) 을 일으킬 수 있 는 거친 필름 특성 ( rough film properties ) 때문 에 약 50 % 만큼 감소 됨 을 검증 하 였 다 . 현격 한 표면 변동 이 급경사 를 가지 므로 , 표면 상 에서 의 전자 의 후방 산란 ( backward scattering of electrons on the surface ) 을 위한 기회 를 주 고 전자 전달 ( electron transport ) 을 방해 하 는데 , 이 는 전기 저 항도 를 높인다 . 더욱이 , Matthiessen ' s rule 에 따르 면 , 전체 저항 은 표면 상 에서 의 산란 의 저항 파라미터 ( resistivity parameters of scattering on the surface ) 에 의해 상당히 영향 을 받 는다는 점 이 입증 되 었 다 . 그러므로 , 전자 경로 ( electron path ) 를 적절히 막 을 수 있 는 거친 표면 을 가진 TiO 2 ( 50 wt %)/ Cu 합성 필름 은 높 은 저항 을 요구 하 는 막 저항 ( film resistors ) 으로서 의 응용 에 적합 하 다 .