자외선 이 정공 주입 층 에 의해 흡수 되 는 것 을 방지 하 기 위한 기존 의 해결 적 수단 으로서 , Al 조성 성분 이 높 은 AlGaN 층 을 정공 주입 층 으로서 사용 하 되 , 여기 서 Al 함량 이 10 % 이상 이 고 , 여기 에 Mg 등 원소 를 도핑 하 여 P 형 도핑 을 형성 한다 . 하지만 , Al 조성 성분 이 높 은 AlGaN 층 의 정공 활성 에너지 가 높 으므로 , Mg 등 도핑 원소 는 활성 화 되 어 효과 적 인 정공 을 형성 하 기 어려우 며 , 이 에 따라 정공 주입 층 의 정공 농도 가 낮 고 , 결과 적 으로 자외선 LED 의 외부 양자 효율 이 일반 적 으로 2 % 에 도달 하 기 어렵 고 , 발광 효율 이 낮 으며 , 예 를 들 어 현재 규격 이 1 mm× 1 mm 인 자외선 LED 칩 은 350 mA 의 구동 전류 에서 , 발광 하 는 휘도 가 50 mW 에 불과 하 므로 , 살균 , 광선 요법 등 에서 의 자외선 LED 의 응용 에 심각 한 영향 을 미치 게 된다 .