도 7 을 참조 하 면 , 반도체 장치 ( 1000 h ) 는 도 2 를 참조 하 여 상술 한 실시 예 에서 와 달리 , 분리 구조물 ( 200 h ) 은 하부 절연 층 ( 190 ) 및 소스 / 드레 인 영역 들 ( 150 ) 과 접촉 할 수 있 다 . 본 실시 예 에서 , 분리 구조물 ( 200 h ) 은 채널 구조물 ( 140 ) 및 게이트 구조물 ( 160 ) 이 배치 되 지 않 은 영역 에 배치 될 수 있 으며 , 이 에 따라 , 분리 구조물 ( 200 h ) 의 양 측면 들 에 는 분리 스 페이서 층 들 ( 164 a ) ( 도 2 참조 ) 이 배치 되 지 않 을 수 있 다 . 달리 말 해 , 분리 구조물 ( 200 h ) 은 인접 하 는 채널 구조물 ( 140 ) 들 사이 에서 같 은 공정 단계 에서 형성 되 어 연결 되 는 소스 / 드레 인 영역 ( 150 ) 을 관통 하 는 것 으로 이해 될 수 있 다 .