도 5 를 참조 하 면 , 상기 N 형 반도체 층 ( 220 ) 의 접점 영역 에 는 N 형 접점 패드 ( 222 ) 가 형성 된다 . 그 다음 , 발광 셀 ( 200 ) 들 을 갖 는 기판 ( 100 ) 에 투명 절연 층 ( 410 ) 이 증착 방식 으로 형성 된다 . 상기 투명 절연 층 ( 410 ) 은 발광 셀 들 ( 200 ) 의 측벽 및 상부 면 을 덮 고 그 발광 셀 들 ( 200 ) 사이 의 기판 ( 100 ) 을 전체 적 으로 덮 는다 . 따라서 , 전술 한 ITO 층 ( 290 ) 과 접점 패드 ( 222 ) 또한 상기 투명 절연 층 ( 410 ) 에 의해 덮여 진다 . 상기 투명 절연 층 ( 410 ) 은 화학 기상 증착 ( CVD ) 방식 을 이용 하 여 예컨대 실리콘 산화 막 으로 형성 될 수 있 다 . 이때 , 상기 투명 절연 층 ( 410 ) 이 발광 셀 ( 200 ) 의 측면 까지 용이 하 게 덮 을 수 있 도록 하 기 위해 전술 한 메사 형성 공정 에서 , 발광 셀 ( 200 ) 의 측면 을 경사지 게 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .