상기 및 다른 실시 예 들 은 각각 다음 의 특징 들 중 하나 이상 을 선택 적 으로 포함 할 수 있 다 . 센서 는 힘 감지 센서 및 실제 정전 용량 방식 터치 센서 를 포함 할 수 있 고 , 실제 정전 용량 방식 터치 센서 는 제 1 및 제 2 어레이 의 전도체 들 을 포함 할 수 있 으며 , 힘 감지 센서 는 제 2 및 제 3 어레이 의 전도체 들 및 변형 가능 한 유전체 재료 를 포함 하 는 시트 를 포함 할 수 있 다 . 힘 감지 센서 는 제 2 및 제 3 어레이 의 전도체 들 의 교차점 들 사이 의 평 행판 정전 용량 에 대한 제 1 정전 용량 의 제 1 측정 을 위해 구성 될 수 있 고 , 실제 정전 용량 방식 터치 센서 는 전도체 들 의 제 1 및 제 2 어레이 사이 의 프린 징 전기장 과 관련 된 제 2 정전 용량 의 제 2 측정 을 위해 구성 될 수 있 다 . 센서 는 프린 징 전기장 에 의해 , 물체 가 센서 를 터치 하 는 근방 에 ( within proximity of touching the sensor ) 있 는지 를 검출 하 도록 구성 될 수 있 다 . 센서 는 또한 물체 가 센서 를 터치 하 거나 또는 센서 에 힘 을 가하 는 지 를 검출 하 도록 구성 될 수 있 다 . 센서 는 물체 가 센서 를 터치 하 기 위해 센서 가까이 로 이동 함 에 따라 제 2 정전 용량 의 레벨 을 감소 시키 도록 구성 될 수 있 다 . 센서 는 물체 가 센서 를 터치 하 고 힘 을 가함 에 따라 제 1 정전 용량 의 레벨 을 증가 시키 도록 구성 될 수 있 다 . 센서 는 폴리에스테르 시트 ( PET ) 상 에 인듐 주석 산화물 ( ITO ) 을 할 수 있 다 . 센서 는 폴리에스테르 시트 ( PET ) 또는 플라스틱 기판 상 에 불 투명 한 금속 트레이스 를 포함 할 수 있 다 . 전도체 는 상기 전도체 들 의 제 1 및 제 2 어레이 사이 에 프린 징 전기장 을 생성 하 기 위한 패턴 으로 배열 된 투명 한 전도체 재료 를 포함 할 수 있 다 . 제 2 어레이 내 의 전도체 들 은 전도체 들 의 제 1 어레이 와 변형 가능 한 유전체 사이 에 위치 하 고 , 변형 가능 한 유전체 는 전도체 들 의 제 2 어레이 및 제 3 어레이 내 의 전도체 들 사이 에 위치 할 수 있 다 .