반도체 디바이스 의 고집 적 화 및 미세 화 는 해 마다 가속 화 되 고 있 다 . 현재 는 , 엑 시머 노광 으로 선폭 45 ㎚ 정도 의 패턴 이 형성 되 고 있 다 . 그러나 최근 들 어 , 반도체 의 추가 적 인 미세화 에 수반 하 여 , 선폭 32 ㎚ 이하 의 패턴 의 형성 이 요구 되 고 있 다 . 이러 한 미세 가공 은 , 종래 의 엑 시머 노광 으로 는 대응 이 어렵 다 . 그래서 , 노 광광 을 더욱 단파장 인 EUV ( 극단 자 외광 : Extreme Ultra Violet ) 로 바꾸 는 것 이 검토 되 고 있 다 . EUV 는 , 모든 물질 에 흡수 되 기 쉬운 특성 을 갖 는다 . 따라서 , EUV 리소그래피 법 에서 는 , 반사 광학계 로 노광 을 행한다 . 구체 적 으로 는 , 노광 패턴 이 반영 된 원판 으로 EUV 를 반사 시켜 레지스 트 를 노광 한다 . 이때 , 원판 에 이 물 이 부착 되 어 있 으면 , EUV 가 이 물 에 흡수 되 거나 , EUV 가 산란 되 기 때문 에 , 원 하 는 패턴 으로 노광 되 지 않 는다 . 따라서 , 원판 의 EUV 조사 면 을 펠리 클로 보호 하 는 것 이 검토 되 고 있 다 . 상술 한 펠리 클 에 멤 브레인 으로 적용 되 는 펠리 클 박막 은 투과도 와 기계 적 강도 를 동시 에 확보 해야 할 필요 성 이 점점 증대 되 고 있 다 .