다음 으로 , 도 9 ( e ) 에 도시 된 바 와 같이 패 터닝 된 감광막 ( 140 ) 을 식각 마스크 로 하 여 비정질 탄소막 ( 130 ) 을 식각 한다 . 이때 , 비정질 탄소막 ( 130 ) 은 RF 플라 즈 마 또는 반응 성 이온 식각 ( reactive ion etching ; RIE ) 에 의해 식각 한다 . 여기 서 , 비 정질 탄소막 ( 130 ) 은 CF 4 플 라즈 마 , C 4 F 8 플 라즈 마 , 산소 ( O 2 ) 플라 즈 마 및 오존 ( O 3 ) 플 라즈 마 를 각각 이용 하 거나 적어도 하나 이상 혼합 하 여 식각 한다 . 또한 , 비정질 탄소막 ( 130 ) 은 산소 와 NF 3 를 혼합 하 여 리모트 플 라즈 마 시스템 ( remote plasma system ) 을 이용 하 여 식각 한다 .