상기 설명 에서 는 보호 절 연막 형성 ( S 52 ) 후 , 평탄 화 막 패 터닝 ( S 54 ) , 보호 절 연막 컨 택트 홀 형성 ( S 56 ) 을 순차 적 으로 행하 고 , 그 후 몰리브덴 막 성막 ( S 58 ) , 몰리브덴 막 일부 제거 ( S 60 ) 의 순 으로 행하 였 지만 , 보호 절 연막 형성 ( S 52 ) 후 에 보호 절 연막 컨 택트 홀 형성 ( S 56 ) 을 우선 행하 고 , 계속 해서 몰리브덴 막 성막 ( S 58 ) , 몰리브덴 막 일부 제거 ( S 60 ) 를 행한 후 , 마지막 으로 평탄 화 막 패 터닝 ( S 54 ) 을 행하 여도 , 동일 한 접속 구조 와 효과 가 얻 어 진다 . 또한 , 몰리브덴 막 일부 제거 ( S 60 ) 의 공정 에서 , 화소 부 의 몰리브덴 을 남긴 경우 , 앞서 설명 한 실시 예 1 과 동일 한 접속 구조 와 효과 가 얻 어 진다 .