그래서 , 본 발명자 들 은 , 종래 기술 에 대한 문제점 을 예의 검토 한 결과 , 절 연막 상 에 실리콘 ( Si ) 을 흡착 시킨 후 , Ru 함유 전구체 를 공급 해서 Ru 막 을 형성 함 으로써 , 단차 피복성 이 양호 하 고 , 순도 가 높 은 RuSi 막 을 형성 할 수 있 음 을 알아내 었 다 . 이하 , 단차 피복성 이 양호 하 고 , 순도 가 높 은 RuSi 막 을 형성 할 수 있 는 일 실시 형태 의 RuSi 막 의 형성 방법 에 대해서 상세 하 게 설명 한다 .