본 발명 의 반도체 장치 는 , 반도체 칩 을 구비 한 적층 구조 를 갖 고 , 상기 적층 구조 의 일부 가 수지 에 의해 봉지 된 반도체 장치 로서 , 상기 적층 구조 의 최 상부 가 , 평탄 한 상면 을 갖 는 볼록 부 로서 형성 된 , 수지 봉지 시 의 응력 을 경감 시키 기 위한 응력 경감 부를 구비 하 고 있 고 , 상기 최 상부 의 외주 영역 상 에 는 , 상기 응력 경감 부가 봉지 수지 와 접하 도록 고리 형상 으로 형성 되 어 있 다 . 이 로써 , 최 상부 의 부재 를 노출 시킨 반도체 장치 의 생산 수율 을 향상 시킨다 .