그러나 , 저장 장치 의 고용량 화 및 고속화 는 저장 장치 의 신뢰 성 을 저해 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 중첩 되 어 사용 되 는 반도체 칩 들 의 수 가 증가 할수록 , 반도체 칩 들 로 인해 생성 되 는 저항 성분 이 증가 한다 . 저항 성분 이 증가 하 면 , 반도체 칩 들 과 통신 하 는 채널 의 토글 속도 가 저해 된다 . 토글 속도 의 저해 는 스큐 ( skew ) 를 증가 시킬 수 있 다 . 또한 기판 디자인 이 복잡 해 지 고 , 비용 이 증가 할 수 있 으며 , 전력 소모 역시 증가 할 수 있 다 . 따라서 , 저장 장치 의 고속 화 및 고용량 화 가 진행 될수록 , 향상 된 신뢰 성 을 갖 는 저장 장치 를 구현 하 기 위한 방법 이 요구 되 고 있 다 .