제 1 및 제 3 자기 저항 효과 소자 로서 는 GMR 소자 를 이용 한다 . 구체 적 인 막 구성 으로서 는 , Ta / NiFe / IrMn / CoFe / Ru / CoFe / Cu / NiFe / CoFe / Ta 를 이용 하 였 다 . CoFe / Ru / CoFe 는 , Ru 를 통한 교환 결합 으로 맺 어 진 적층 페리 고정 층 , NiFe / CoFe 가 자유 층 이 다 . 제 1 GMR 소자 에서 는 마이너스 측 의 임계 전류 값 을 절대값 에서 0 . 3 ㎃ 이상 으로 하 기 위하 여 , 고정층 의 자유 층 측 의 CoFe 막 두께 를 줄여 , 자유 층 에 마이너스 방향 의 자계 오프셋 이 걸리 도록 하 였 다 . Cu 막 두께 는 3 . 2 ㎚ 로 하 였 다 . 제 3 GMR 소자 에서 는 플러스 측 의 임계 전류 값 을 절대값 에서 0 . 4 ㎃ 이상 으로 하 기 위하 여 , 고정층 의 자유 층 측 의 CoFe 막 두께 를 늘려 , 자유 층 에 플러스 방향 의 자계 오프셋 이 걸리 도록 하 였 다 . Cu 막 두께 는 , 제 1 GMR 의 그것 과 동일 하 다 .