도 2 를 참고 하 면 센스 앰프 제 어부 ( 12 ) 는 메모리 소자 가 액티브 모드 ( Active mode ) 에 진입 할 때 인 에 이 블 되 는 센스 앰프 인 에 이 블 신호 ( SAEN ) 와 제 1 및 제 2 검출 신호 ( HIGH DETECT , LOW DETECT ) 를 입력 받 아 , 제 1 센스 앰프 바이어스 전위 ( RTO ) 를 외부 전압 ( VDD ) 으로 풀 업구 동하 는 제 1 제어 신호 ( SAP 1 B ) 와 제 1 센스 앰프 바이어스 전위 ( RTO ) 를 코어 전압 ( VCORE ) 으로 풀 업구 동하 는 제 2 제어 신호 ( SAP 2 B ) 및 제 2 센스 앰프 바이어스 전위 ( SB ) 를 접 지 전압 ( VSS ) 으로 풀 다운 구동 하 는 제 3 제어 신호 ( SAN ) 를 생성 한다 . 이하 , 제 1 내지 제 3 제어 신호 ( SAP 1 B , SAP 2 B , SAN ) 의 생성 과정 을 좀 더 구체 적 으로 살펴본다 .