또한 , 상기 캐 비티 ( 209 ) 형성 을 위한 기판 ( 200 ) 의 식각 공정 은 , KOH 또는 TMAH ( tetra methyl ammoium hydroxide ) 용액 을 이용 하 여 수행 한다 . 한편 , 상기 캐 비티 ( 209 ) 가 일정 깊이 이상 을 갖 을 수 있 도록 , 상기 실리콘 기판 ( 200 ) 으로서 , ( 100 ) 이나 ( 110 ) 웨이퍼 를 이용 하 여 식각 공정 을 진행할 수 있 다 .