제 1 메모리 셀 ( MC 1 ) 에 데이터 를 기록 하 기 위해 , 제 1 워드 라인 ( 101 ) 과 비트 라인 ( 103 ) 을 통해 프로그램 전압 을 공급 할 수 있 다 . 상기 프로그램 전압 은 제 1 스위치 소자 ( 130 ) 에 포함 되 는 오보 닉 임계 스위치 물질 의 문턱 전압 보다 크 며 , 따라서 제 1 스위치 소자 ( 130 ) 를 통해 전류 가 흐를 수 있 다 . 상기 프로그램 전압 에 의해 제 1 정보 저장 소자 ( 120 ) 에 포함 되 는 상변화 물질 이 비정질 상 에서 결정질 상 으로 변할 수 있 으며 , 따라서 제 1 메모리 영역 에 데이터 를 기록 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 제 1 정보 저장 소자 ( 120 ) 에 포함 되 는 상변화 물질 이 결정질 상 을 갖 는 경우 , 제 1 메모리 셀 ( MC 1 ) 의 상태 는 셋 ( set ) 상태 로 정의 될 수 있 다 .