도 2 에 는 본 발명 의 한 가지 추가 실시 예 에 따른 컴포넌트 ( 1 ) 의 개략 적 인 횡단면 이 도시 되 어 있 다 . 리세 스 ( 6 ) 의 개구 영역 내부 에서 는 적어도 한 가지 변환기 재료 ( 30 ) 를 함유 하 는 변환 소자 ( 31 ) 가 연장 된다 . 상기 변환 소자 ( 31 ) 내부 에 포함 된 상기 변환기 재료 ( 30 ) 의 함량 은 예 를 들 어 10 내지 30 중량 -%, 특히 15 내지 25 중량 -% 에 달할 수 있 다 . 상기 변환 소자 ( 31 ) 는 또한 투명 한 몸체 ( 20 ) 를 포함 할 수 도 있 다 . 이때 방사선원 ( 10 ) 까지 의 간격 은 200 ㎛ 를 초과 하 며 , 특히 750 ㎛ 이상 이 다 ( remote phosphor conversion ) . 본 실시 예 에서 상기 변환 소자 ( 31 ) 는 하나 의 렌즈 ( 40 ) 를 형성 한다 . 상기 변환 소자 ( 31 ) 는 투명 한 몸체 ( 20 ) 로 이루어질 수 있 는 캐스팅 재료 에 의하 여 상기 방사선원 ( 10 ) 으로부터 떨어져서 배치 되 어 있 다 . 특히 상기 변환 소자 ( 31 ) 뿐 만 아니 라 상기 캐스팅 재료 도 투명 한 몸체 를 포함 할 수 있 거나 또는 상기 캐스팅 재료 가 투명 한 몸체 로 이루어질 수 있 다 .