근래 의 FED 형 전자 방출 소자 에서 는 앞서 언급 한 것 과 같이 주로 탄소 계 물질 로 이루어지 는 침상 물질 을 전자 방출 원 의 소재 로 사용 하 고 있 다 . 공지 의 방법 을 이용 하 여 탄소 계 물질 을 포함 한 전자 방출 원 을 제조 할 때 , 전자 방출 원 을 구성 하 는 탄소 계 물질 또는 나노 물질 은 표면 에 드러나 지 않 고 내부 에 묻혀 있 는 경우 가 많 아서 전자 방출 원 으로 효율 적 으로 활용 되 지 못한 경우 가 많 았 다 . 또한 , 표면 으로 탄소 계 물질 이나 나노 물질 들 의 일부 가 돌출 되 는 경우 에 도 대부분 의 전자 방출 이 이루어지 는 것 으로 알려진 그 단부 는 상부 가 아닌 좌우 측 방향 을 향하 고 있 어 , 불 균일 한 전자 방출 이 이루어지 게 되 는 경우 가 많 았 다 . 결과 적 으로 전자 방출 특성 이 저하 되 고 화면 이 불 균일 해 지 는 문제점 이 발생 하 여 이 를 개선 할 방안 을 강구 할 필요 성 이 크 게 대두 되 어 왔 다 . 이 를 개선 하 기 위하 여 전자 방출 원 의 표면 활성 화 공정 을 거치 는데 , 물리력 을 사용 하 여 전자 방출 원 의 표면 을 활성 화 시키 다 보 면 전자 방출 원 자체 가 탈락 되 는 현상 이 발생 할 수 있 는 문제점 이 있 었 다 . 특정 전자 방출 원 이 탈락 되 면 전자 방출 표시 소자 를 구현 하 는 경우 전자 방출 원 이 정상 적 으로 배치 된 전자 방출 원 홀 들 중간 에 전자 가 방출 되 지 않 는 홀 이 존재 하 게 되 어 전면 에 대해 전자 방출 균 일도 를 확보 하 지 못하 는 문제점 이 있 었 다 .