통상 적 으로 텅스텐 과 같 은 금속 으로 형성 되 는 콘 택 플러그 에 의해 MOS 트랜지스터 에 대한 전기 접속 이 이루어진다 . 콘 택 플러그 는 확산 영역 까지 아래 로 비아 를 형성 하 도록 ILD 층 을 먼저 패 터닝 함 으로써 제조 된다 . 패 터닝 프로세스 는 일반 적 으로 포토 리소그래피 프로세스 이 다 . 다음 으로 , 콘 택 플러그 를 형성 하 도록 비아 에 금속 이 퇴적 된다 . 동일 하 거나 유사 한 프로세스 를 사용 하 여 게이트 전극 까지 아래 로 별개 의 콘 택 플러그 가 형성 된다 .