도 22 b 를 참조 하 면 , 메모리 필름 들 ( 50 ) 의 물리 적 으로 노출 된 부분 들 을 제거 하 기 위해 일련 의 등방성 에칭 공정 들 이 수행 될 수 있 다 . 각각 의 수직 반도체 채널 ( 60 ) 의 원위 부분 의 표면 은 일련 의 등방성 에칭 공정 들 후 에 물리 적 으로 노출 될 수 있 다 . 각각 의 수직 반도체 채널 ( 60 ) 의 외부 측벽 은 절연 층 ( 32 ) 의 물리 적 으로 노출 된 표면 을 포함 하 는 수평 평면 으로부터 외향 으로 수직 으로 돌출 될 수 있 다 .