사파이어 기판 은 질화 갈륨 보다 열팽창 계수 가 크 기 때문 에 질화 갈륨 을 고온 에서 성장 시킨 후 냉각 시키 면 질화 갈륨 에 피층 에 압축 응력 이 걸린다 . 실리콘 기판 은 질화 갈륨 보다 열팽창 계수 가 작 기 때문 에 질화 갈륨 을 고온 에서 성장 시킨 후 냉각 시키 면 질화 갈륨 에 피층 에 인장 응력 이 걸린다 . 이 때문 에 기판 의 휘어짐 현상 이 나타나 고 , 기판 휘어짐 을 억제 하 기 위해서 기판 의 두께 도 커져야 하 는 문제점 이 있 다 . 두꺼운 기판 을 사용 하 는 것 은 표면 적 인 현상 을 감소 하 는 역할 을 할 뿐 , 박막 의 응력 자체 를 감소 하 는 기술 이 아니 다 . 박막 의 응력 자체 를 감소 시킬 수 있 다면 얇 은 기판 을 사용 할 수 있 게 되 어 유리 하 다 . 또한 , LED 제작 후 칩 분리 를 위해서 기판 을 100 ㎛ 정도 남기 고 갈 아 내 야 하 는 실상 을 볼 때 얇 은 기판 의 사용 이 가능 해진다면 LED 생산 적 측면 에서 큰 이득 을 얻 을 수 있 다 .