본 발명 에 따른 방법 은 파이프 ( 200 ) 의 내벽 에 2 개 이상 의 금속 층 을 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 1 금속 층 은 텅스텐 이 고 , 제 2 금속 층 은 은 으로 형성 되 는 것 이 다 . 이것 은 텅스텐 재질 의 디스크 금속 전극 ( 100 ) 과 은 재질 의 디스크 금속 전극 ( 100 ) 을 이용 하 여 , 파이프 내벽 으로 순차 중공 음극 방전 증착 을 수행 하 면 된다 .