실리콘 기판 ( 210 ) 상 에 열 산화 방식 또는 LPCVD 증착 방법 을 사용 하 여 일정 두께 의 실리콘 산화 막 을 포함 하 는 제 1 절 연막 ( 220 ) 을 기판 ( 210 ) 양면 에 형성 한다 ( 도 2 ) . 제 1 절 연막 ( 220 ) 상 에 LPCVD 공정 을 이용 하 여 폴리 실리콘 ( poly - silicon ) ( 230 ) 막 을 0 . 4 um ~ 2 um 두께 범위 로 증착 한다 ( 도 3 ) .