지금 까지 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 에 의하 면 , SSR 웰 형성 시 실리콘 광 흡수 파장 과 유사 한 파장 을 갖 는 크세논 ( Xe ) 램프 를 사용 하 여 인듐 ( In ) 불순물 의 활성 화 율 을 높임 으로써 안정 화 된 웰 도핑 프로 파일 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 불순물 의 도핑 프로 파일 을 보다 가파른 경사 를 갖 는 특정 조건 을 확보 함 으로써 SSR 웰 영역 을 형성 할 수 있 다 .