계속 해서 , 게이트 절 연막 ( 23 ) 및 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 상층 에 소스 메탈 ( 25 s ) 및 드레 인 메탈 ( 25 d ) 이 , 게이트 절 연막 ( 23 ) 및 에칭 스토퍼 층 ( 24 b ) 의 상층 에 상부 메탈 ( 25 b ) 이 형성 되 도록 , 제 1 도 전막 , 제 2 도 전막 및 제 3 도 전막 의 적층 체로 이루어진 제 2 메탈 을 형성 한다 . 이 때 , 소스 메탈 ( 25 s ) , 드레 인 메탈 ( 25 d ) , 상부 메탈 ( 25 b ) 과 동시 에 , 소스 선 ( 25 sb ) 등 이 형성 되 는 패턴 이 되 도록 제 2 메탈 을 형성 한다 .