실시 예 1 과 동일 하 게 하 여 Si 웨이퍼 ( 102 ) 와 , 저해 층 ( 104 ) 과 , Ge 층 ( 120 ) 과 , 소자 형성 층 ( 124 ) 의 일례 로서 의 GaAs 결정 을 구비 한 반도체 기판 을 제작 하 였 다 . 본 실시 예 에서 는 , Si 웨이퍼 ( 102 ) 의 표면 의 ( 100 ) 면 에 저해 층 ( 104 ) 을 형성 하 였 다 . 도 35 내지 도 37 에 상기 반도체 기판 에 형성 된 GaAs 결정 의 표면 의 전자 현미경 사진 을 나타낸다 .