스핀 궤도 상호 작용 토크 자기 랜덤 액세스 메모리 ( spin - orbit interaction torque magnetic random access memory , SOT - MRAM ) 와 같 은 스핀 궤도 상호 작용 토크 기반 메모리 는 높 은 스핀 궤도 상호 작용 을 갖 는 라인 과 함께 종래 의 자기 터널 링 접합부 ( magnetic tunneling junction , MTJ ) 를 이용 한다 . 종래 의 자기 터널 링 접합부 는 고정 ( 또는 기준 ) 층 , 자유 층 및 고정층 과 자유 층 사이 의 터널 링 베리 어 층 을 포함 한다 . 자기 터널 링 접합부 는 일반 적 으로 기판 상 에 존재 하 며 , 시드 층 및 캡 핑 층 뿐 만 아니 라 반강자성 ( antiferromagnetic , AFM ) 층 을 포함 할 수 있 다 . 고정층 및 자유 층 은 자성 이 다 . 고정층 의 자화 는 특정 방향 으로 고정 된다 . 자유 층 은 가변 적 인 자화 를 갖 는다 . 　 고정 층 및 자유 층 은 그 층 들 의 평면 에 대하 여 수직 방향 ( 면 - 수직 ) 또는 그 층 들 에 평면 으로 ( 면 - 내 ) 배향 된 자화 를 가질 수 있 다 . 스핀 궤도 상호 작용 라인 은 종래 의 자기 터널 링 접합부 의 자유 층 에 인접 해 있 다 . 높 은 스핀 궤도 상호 작용 은 계면 상호 작용 ( Rashba 효과 ) , 일부 다른 효과 및 / 또는 이 들 의 조합 에 기인 한 물질 자체 의 벌크 효과 ( 스핀 홀 효과 ) 에 기인 할 수 있 다 .