또한 , 포토 리소그래피 공정 에서 이용 하 는 포토 마스크 수 및 공 정수 를 삭감 하 기 위해 , 투과 한 빛 에 다 단계 의 강도 를 갖 게 한 다 계조 ( 多 階調 ) 마스크 에 의해 형성 된 저항 마스크 를 이용 해서 에칭 공정 을 행해 도 좋 음 을 주목 하 라 . 다 계조 마스크 를 이용 해서 형성 한 저항 마스크 는 복수 의 막 두께 를 갖 는 형상 이 되 고 , 에칭 을 행함 으로써 더욱 형상 을 변형 할 수 있 기 때문 에 , 다른 패턴 으로 가공 하 는 복수 의 에칭 공정 에 이용 할 수 있 다 . 따라서 , 한 장 의 다 계조 마스크 에 의해 , 적어도 두 종류 이상 의 다른 패턴 에 대응 하 는 저항 마스크 를 형성 할 수 있 다 . 따라서 노광 마스크 수 를 삭감 할 수 있 고 , 대응 하 는 포토 리소그래피 공정도 삭감 할 수 있 기 때문 에 , 공정 의 간략 화 가 가능 해진다 .