또한 , 레지스 트 하층 막 으로서 무기 하드 마스크 를 형성 하 여도 좋 고 , 이 경우 에 는 , 피 가공 기판 상 에 본 발명 의 유기 막 형성 용 조성물 을 이용 하 여 유기 막 을 형성 하 는 공정 , 상기 유기 막 상 에 규소 산화 막 , 규소 질화 막 , 규소 산 화질 화 막 으로부터 선택 되 는 무기 하드 마스크 를 형성 하 는 공정 , 상기 무기 하드 마스크 상 에 포토레지스트 조성물 을 이용 하 여 레지스 트 상 층막 을 형성 하 는 공정 , 상기 레지스 트 상층 막 에 회로 패턴 을 형성 하 는 공정 , 상기 회로 패턴 이 형성 된 레지스 트 상 층막 을 마스크 로 하 여 상기 무기 하드 마스크 를 에칭 으로 패턴 전사 하 는 공정 , 상기 패턴 이 형성 된 무기 하드 마스크 를 마스크 로 하 여 상기 유기 막 을 에칭 으로 패턴 전사 하 는 공정 , 상기 패턴 이 형성 된 유기 막 을 마스크 로 하 여 상기 피 가 공체 를 에칭 하 여 상기 피 가 공체 에 패턴 을 형성 하 는 공정 에 의해 , 상기 피 가 공체 에 패턴 을 형성 할 수 있 다 .