상기 제 2 기판 을 준비 하 는 공정 은 , 도시 하 지 는 아니하 였으나 , 전술 한 패턴 형성 방법 의 실시 예 에 따르 는 공정 을 이용 하 여 , 상기 제 2 기판 상 에 서로 종횡 으로 교차 되 어 화소 영역 을 정의 하 는 게이트 배선 및 데이터 배선 과 , 상기 게이트 배선 과 데이터 배선 의 교차 영역 에 박막 트랜지스터 와 , 상기 박막 트랜지스터 를 포함 하 는 제 1 기판 상 에 보호막 과 , 상기 보호막 상부 에 상기 박막 트랜지스터 의 드레 인 전극 에 접속 되 는 화소 전극 을 형성 하 는 공정 을 포함 하 여 이루어질 수 있 다 .