도 7 g 를 참조 하 면 , 도 5 및 도 6 a 내지 도 6 e 를 참조 하 여 설명 한 반도체 소자 제조 방법 ( 1000 ) 의 단계 들 이 수행 될 수 있 다 . 즉 , 채널 ( 11 ) 상 에 계면 층 ( 21 ) , 강유 전 층 ( 22 ) , 안정 화 층 ( 23 ) , 산소 확산 배리 어 층 ( 24 ) , 및 실리콘 층 ( 50 ) 을 차례 로 형성 하 고 , 강유 전 층 ( 22 ) 을 어닐링 할 수 있 다 . 다음 으로 , 실리콘 층 ( 50 ) 은 제거 될 수 있 다 .