본 발명 의 실시 예 는 전자 검출기 뿐 만 아니 라 전자 검출기 와 결합 된 전처리 회로 , 신호 처리 회로 및 후처리 회로 를 갖 는 전자 빔 툴 ( too ) 을 제공 한다 . 전자 검출기 는 웨이퍼 에서 방출 된 후방 산란 일 차 전자 를 받아들이 도록 구성 될 수 있 다 . 받아들여진 전자 는 검출기 의 표면 상 에 하나 이상 의 빔 스폿 을 형성 한다 . 표면 은 전자 를 받아들인 것 에 응답 하 여 전기 신호 를 생성 하 도록 구성 된 복수 의 전자 감지 요소 를 포함 할 수 있 다 . 전처리 회로 와 신호 처리 회로 는 생성 된 전기 신호 의 크기 와 관련 된 표시 를 생성 하 도록 구성 될 수 있 다 . 후처리 회로 는 생성 된 표시 에 기초 하 여 전자 감지 요소 중 어느 것 이 빔 스폿 의 일 차 경 계부 ( boundary ) 내 에 있 는지 를 결정 하 도록 그리고 결정 된 일차 경 계부 에 기초 하 여 빔 스폿 의 세기 를 나타내 는 값 을 생성 하 도록 구성 될 수 있 다 . 이러 한 배열 체로 , 개시 된 실시 예 는 전자 감지 요소 중 어느 것 이 빔 스폿 의 일 차 경 계부 밖 에 있 는지 를 결정 할 수 있 으며 또한 이 감지 요소 의 출력 에 기초 하 여 노이즈 신호 를 추정 할 수 있 다 . 후처리 회로 는 또한 빔 스폿 의 세기 데이터 를 생성 할 때 , 추정 된 노이즈 신호 를 보상 할 수 있 다 . 결과 적 으로 웨이퍼 이미지 재 구성 의 충실 도 와 속도 모두 가 향상 될 수 있 다 .