이후 , 제 2 마스크 공정 을 통해 게이트 절 연막 ( 25 ) 상 에 채널 을 형성 하 는 활성 층 ( 34 ) 및 오 믹 접촉 층 ( 35 ) 을 포함 하 는 반도체 패턴 과 ; 데이터 라인 ( 30 ) , 소스 전극 ( 32 ) , 드레 인 전극 ( 33 ) , 데이터 패드 하부 전극 ( 91 ) 및 스토리지 전극 ( 65 ) 을 포함 하 는 제 2 도전 성 패턴 을 형성 한다 .