먼저 , 800 ㎜ x 920 ㎜ 의 크기 를 가지 는 합성 석영 유리 기판 을 준비 하 였 다 . 상기 기판 에 DC 마그네트론 스퍼터링 장치 를 이용 하 고 , MoSi [ 10 : 90 at %] Target 를 이용 하 여 3 층 구조 의 위상 반 전막 을 형성 하 였 다 . 세부 적 으로 투명 기판 과 인접 한 제 1 층 은 Ar : N 2 = 90 : 18 sccm , 공정 파워 는 1 . 6 kW 에서 성막 하 였으며 , 제 2 층 은 Ar : N 2 = 90 : 22 sccm , 공정 파워 는 1 . 7 kW , 제 3 층 은 Ar : N 2 = 90 : 24 sccm , 공정 파워 는 1 . 75 kW 에서 성막 을 진행 하 였 다 . 이때 , Tray speed 는 동일 하 게 90 mm / sec 로 진행 하 였 다 . 상기 와 같이 증착 한 후 위상 반 전막 의 두께 를 측정 한 결과 제 1 층막 은 34 . 5 nm , 제 2 층막 은 35 . 2 nm , 제 3 층막 은 33 . 8 nm 를 나타내 어 , 전체 두께 는 103 . 5 nm 를 나타내 었 다 .