도 17 을 참조 하 면 , 웨이퍼 ( 10 ) 가 핀 - 시닝 을 위해 제공 되 고 , 에칭 화학 물 ( 340 ) 이 노즐 ( 348 ) 로부터 웨이퍼 ( 10 ) 의 표면 상 에 분사 된다 . 파이프 ( 346 ) 가 노즐 ( 348 ) 과 저장 장치 ( 342 , 344 ) 사이 에 연결 된다 . 몇몇 실시 예 에 따르 면 , 저장 장치 ( 342 ) 는 에칭 화학 물 을 저장 하 기 위해 사용 되 고 , 반면 에 저장 장치 ( 344 ) 는 탈 이온 화수 를 저장 하 기 위해 사용 된다 . 밸브 ( 350 ) 가 저장 장치 ( 344 , 346 ) 사이 에 연결 되 고 , 탈 이온 화수 의 유동 을 개방 , 폐쇄 및 조정 하 도록 구성 된다 . 핀 - 시닝 프로세스 에서 , 제 어 유닛 ( 338 ) ( 도 14 에 또한 도시 되 어 있 음 ) 이 탈 이온 화수 의 바람직 한 유동 을 첨가 하 기 위해 ( 또는 첨가 하 지 않 기 위해 ) 밸브 ( 350 ) 의 동작 을 제어 한다 . 탈 이온 화수 는 파이프 ( 346 ) 내 로 진행 하 고 , 저장 장치 ( 342 ) 로부터 에칭 화학 물 과 혼합 된다 . 에칭 화학 물 및 DI 수 의 바람직 한 유동 은 에칭 레시피 에 기초 하 여 결정 되 고 , 탈 이온 화수 의 상대 유동 이 더 클 때 , 노즐 ( 348 ) 로부터 분사 된 최종 에칭 화학 물 은 더 희석 되 고 , 에칭 화학 물 의 농도 는 낮 으며 , 그 반대 도 마찬가지 이 다 .