소스 전극 ( 50 ) 과 드레 인 전극 ( 51 ) 이 형성 된 기판 ( 10 ) 전면 에 질화 실리콘 ( SiNx ) 과 산화 실리콘 ( SiO 2 ) 을 포함 하 는 무기 절연 그룹 또는 벤조 사이클 로부 텐 ( BCB ) 과 아크릴 ( acryl ) 계 수지 ( resin ) 를 포함 한 유기 절연 물질 그룹 중 선택 하 여 단층 또는 이 중층 으로 절 연막 ( 60 ) 을 형성 한 후 , 절 연막 ( 60 ) 이 형성 된 기판 ( 10 ) 의 전면 에 스퍼터링 법 을 통해 인듐 산화 막 [ ITO ( indium tin oxide ) , IZO ( indium zinc oxide ) ] 과 같 은 투명 한 도전 물질 을 증착 하 고 본 발명 에 따른 금속 막 식각 용액 으로 식각 하 여 , 도 1 f 에 도시 된 바 와 같이 , 화소 전극 ( 70 ) 을 형성 한다 .