도 1 을 참조 하 면 , 본 발명 의 몇몇 실시 예 에 따른 반도체 장치 는 복수 의 활성 영역 ( AR ) 을 포함 할 수 있 다 . 활성 영역 ( AR ) 은 기판 ( 도 2 의 100 ) 내 에 형성 된 소자 분리 막 ( 도 2 의 110 ) 에 의해 정의 될 수 있 다 . 활성 영역 ( AR ) 은 제 1 방향 ( DR 1 ) 으로 연장 될 수 있 다 .