상기 와 같 은 방법 으로 형성 된 비정질 탄소막 을 반도체 소자 의 제조 공정 에서 하드 마스크 로 적용 할 수 있 는데 , 도 9 ( a ) 내지 도 9 ( f ) 는 이러 한 반도체 소자 의 제조 방법 을 설명 하 기 위해 순서 적 으로 도시 한 단면도 이 다 . 본 실시 예 에서 는 본 발명 에 따른 비정질 탄소막 은 광 흡구 계수 가 낮 기 때문 에 반사 방지 막 을 별도 로 형성 하 지 않 고 도 감광막 의 정확 한 패 터닝 이 가능 하 다 .