상기 한 설명 에서 많 은 사항 이 구체 적 으로 기재 되 어 있 으나 , 그 들 은 발명 의 범위 를 한정 하 는 것 이 라기 보다 , 실시 예의 예시 로서 해석 되 어야 한다 . 예 들 들 어 , 본 발명 이 속하 는 기술 분야 에서 통상 의 지식 을 가진 자 라면 , 본 발명 의 실시 예 에서 메모리 요소 및 메모리 소자 의 구조 를 다양 하 게 변형 할 수 있 음 을 알 수 있 을 것 이 다 . 구체 적 인 예 로 , 도 1 , 도 8 및 도 9 의 메모리 요소 에 적어도 하나 의 추가 적 인 물질 층 이 더 구비 될 수 있 음 을 알 수 있 을 것 이 고 , 또한 도 1 , 도 8 및 도 9 의 메모리 요소 는 도 10 과 같 은 교차점 메모리 소자 뿐 아니 라 그 밖 의 다양 한 메모리 소자 에 적용 될 수 있 음 을 알 수 있 을 것 이 다 . 따라서 , 본 발명 의 범위 는 설명 된 실시 예 에 의하 여 정하 여 질 것 이 아니 고 특허 청구 범위 에 기재 된 기술 적 사상 에 의해 정하 여져야 한다 .