이러 한 문제점 을 방지 하 기 위해 종래 에 는 저 유전 물질 에 산화 막 종류 의 캐 핑 ( capping ) 층 을 증착 하 여 수분 및 암모니아 의 흡착 을 방지 하 거나 , 암모니아 에 반응 성 이 적 은 감광막 ( photoresist ) 을 사용 하 고 있 다 . 그러나 , 캐 핑 층 을 삽입 하 는 경우 는 금속 과 금속 사이 의 기생 커패시턴스 ( capacitance ) 를 발생 시켜 소자 의 성능 을 감소 시킨다 . 또한 , 암모니아 에 반응 성 이 적 은 감광막 을 사용 하 는 방법 은 고가 의 감광막 을 사용 함 으로써 공정 비용 을 증가 시키 게 된다 .