또한 , 상기 가스 공급 부 ( 30 ) 는 상기 프로세스 챔버 ( 10 ) 내 에서 상기 웨이퍼 ( W ) 상 에 상기 박막 을 증착 하 거나 상기 웨이퍼 ( W ) 또는 상기 박막 을 식각 하 는 반응 가스 와 , 상기 프로세스 챔버 ( 10 ) 의 내벽 을 세정 하 는 세정 가스 를 소정 의 유량 으로 공급 하 도록 형성 되 어 있 다 . 이때 , 상기 가스 공급 부 ( 30 ) 는 상기 프로세스 챔버 ( 10 ) 내부 의 진공도 가 쉽 게 가변 되 지 않 도록 반도체 제조 공정 중 에 일정 한 유량 의 상기 반응 가스 를 공급 하 고 , 상기 진공 펌프 ( 24 ) 에 의해 펌핑 되 는 공기 에 비해 월등히 적 은 유량 의 반응 가스 를 상기 프로세스 챔버 ( 10 ) 에 공급 하 도록 형성 되 어 있 다 . 예컨대 , 상기 가스 공급 부 ( 30 ) 는 소정 의 혼합비 를 갖 는 실란 ( SiH 4 ) 가스 , 이산화질소 ( N 2 O ) 가스 와 , 아르곤 ( Ar ) 가스 , 또는 TEOS 가스 와 같 은 복수 의 반응 가스 와 , 삼 불화 질소 ( NF 3 ) 가스 , 또는 산소 ( O 2 ) 가스 와 같 은 복수 의 세정 가스 와 , 질소 ( N 2 ) 가스 와 같 은 퍼지 가스 를 상기 프로세스 챔버 ( 10 ) 에 공급 한다 . 따라서 , 상기 가스 공급 부 ( 30 ) 는 상기 프로세스 챔버 ( 10 ) 의 샤워 헤드 ( 12 ) 로 연결 되 는 가스 공급 라인 ( 32 ) 에서 분기 되 어 반응 가스 가 공급 되 는 반응 가스 공급 부 ( 40 ) 와 , 세정 가스 가 공급 되 는 세정 가 스 공급 부 ( 50 ) 와 , 퍼지 가스 가 공급 되 는 퍼지 가스 공급 부 ( 30 ) 로 구분 된다 . 이때 , 상기 프로세스 챔버 ( 10 ) 에 연결 되 는 가스 공급 라인 ( 32 ) 을 통해 유동 되 는 반응 가스 , 세정 가스 , 및 퍼지 가스 를 일괄 적 으로 단속 하 는 메인 가스 공급 밸브 ( 34 ) 가 형성 되 어 있 다 . 또한 , 상기 반응 가스 공급 부 ( 40 ) 에서 상기 메인 가스 공급 밸브 ( 34 ) 의 방향 으로 연결 되 는 상기 가스 공급 라인 ( 32 ) 을 통해 유동 되 는 상기 반응 가스 의 유동 을 단속 하 는 메인 반응 가스 밸브 ( 36 ) 가 형성 되 어 있 다 . 그리고 , 상기 세정 가스 공급 부 ( 50 ) 에서 공급 되 는 세정 가스 의 유동 을 단속 하 는 메인 세정 가스 밸브 ( 38 ) 가 형성 되 어 있 다 . 마찬가지 로 , 상기 퍼지 가스 공급 부 ( 30 ) 에서 공급 되 는 퍼지 가스 를 단속 하 는 복수 개 의 퍼지 가스 밸브 ( 62 a , 62 b , 62 c ) 가 형성 되 어 있 다 . 이때 , 상기 메인 반응 가스 밸브 ( 36 ) , 상기 메인 세정 가스 밸브 ( 38 ) , 및 상기 퍼지 가스 밸브 ( 62 a , 62 b , 62 c ) 는 상기 메인 가스 공급 밸브 ( 34 ) 의 전단 에서 분기 된 가스 공급 라인 ( 32 ) 에 병렬 로 연결 되 어 있 다 .