본 실시 형태 에서 는 , 이온 도핑 장치 를 이용 하 여 수소 를 단결정 반도체 기판 ( 510 ) 에 첨가 하 는 예 에 대해서 설명 한다 . 소스 가스 로서 는 수소 를 포함 하 는 가스 를 이용 한다 . 조사 하 는 이온 에 대해서 는 , H 3 + 의 비율 을 높 게 하 면 바람직 하 다 . 구체 적 으로 는 , H +, H 2 +, H 3 + 의 총량 에 대하 여 H 3 + 의 비율 이 50 % 이상 ( 보다 바람직 하 게 는 80 % 이상 ) 이 되 도록 한다 . H 3 + 의 비율 을 높임 으로써 , 이온 조사 의 효율 을 향상 시킬 수 있 다 .