상술 한 본 발명 은 이온 주입 에 의해 식각 정지 층 을 형성 하 므로 , 공정 단계 를 1 스텝 줄일 수 있 다 . 또한 , 이온 주입 을 진행 하 므로 원 하 는 원소 를 도핑 할 수 있 고 , 그 도핑 량 도 쉽 게 조절 할 수 있 다 . 또한 , 가속 전압 을 바꾸 어 가 며 원 하 는 위치 에 식각 정지 층 을 형성 할 수 있 다 . 그리고 , 트렌치 깊이 를 조절 할 때 저유 전상수 물질 의 증착 을 조절 하 는 번거 로움 이 없이 이온 주입 가속 전압 만 바꾸 어 주 면 된다 .