P 형 반도체 층 ( 16 ) 에 는 투명 전극 ( 17 ) 이 형성 되 고 , 그 상부 에 P 형 금속 전극 ( 18 ) 이 형성 되 며 , N 형 반도체 층 ( 12 ) 의 노출 된 일부분 에 는 N 형 전극 이 형성 된다 . 경우 에 따라서 , P 형 반도체 층 ( 16 ) 및 N 형 반도체 층 ( 12 ) 을 단일 층 또는 다층 구조 로 형성 할 수 있 다 . 또한 , P 형 클래드 층 ( 15 ) 은 전자 장벽층 ( electron blocking layer , EBL ) 으로 이루어질 수 있 다 .