투명 도전 막 은 태양 전지 의 전극 으로 널리 이용 되 고 있 는데 , 태양 전지 외부 회로 로 전자 가 수월 하 게 이동 하 기 위해서 투명 전극 의 저항 이 낮 아야 하 며 , 일반 적 으로 는 ITO ( tin doped indium oxide ) , FTO ( fluoride doped tin oxide ) 등 의 전도 성막 이 투명 전극 으로 사용 되 고 있 다 . ITO 는 매우 우수 한 투명 성 및 전기 전도 성 을 지니 고 있 으나 300 oC 이상 의 고온 열처리 시 에 전기 저항 이 3 배 이상 증가 하 는 단점 이 있 다 . 그리고 FTO 는 열 적 안정 성 이 뛰 어 나 지만 투명 성 및 전기 전도성 이 ITO 에 비해 상대 적 으로 낮 다는 단점 이 있 다 . 상기 각 투명 전도 성막 의 단점 을 보완 하 기 위해 투명 전도 성막 을 다층 구조 로 하 여 , 위층 의 전도 성막 을 아래층 보다 내열성 이 우수 한 전도 성막 으로 형성 하 여 전도 성 과 내열 성 을 동시 에 향상 시키 는 방법 등 이 제 시 된 바 있 다 ( 일본 특허 공개 제 2005 - 142088 ) . 그러나 기존 의 방법 들 은 투명 전극 을 형성 하 는 공정 이 복잡 하 거나 제조 비용 이 크 다는 단점 이 있 다 .