전술 한 바 와 같이 , 제 1 표면 상 의 패 시베이 션 층 에 증착 된 임의 의 X 재료 는 에치 백 단계 에 의해 제거 될 수 있 다 . 관심 층 이 제 2 표면 상 에 선택 적 으로 증착 되 어 있 기 때문 에 , 패 시베이 션 층 에 남 아 있 는 임의 의 X 재료 는 금속 표면 에 형성 된 패 시베이 션 층 보다 더 얇 을 것 이 다 . 따라서 , 에치 백 단계 는 유전체 표면 으로부터 모든 관심 층 을 제거 하 지 않 으면서 패 시베이 션 층 위 의 모든 X 재료 를 제거 하 도록 제어 될 수 있 다 . 이런 방식 으로 선택 적 증착 과 에치 백 을 반복 하 면 증착 및 식각 의 각 사이클 마다 X 재료 의 두께 가 증가 할 수 있 다 . 이런 방식 으로 선택 적 증착 과 에치 백 을 반복 하 면 증착 및 식각 의 각 사이클 후 선택 적 X 증착 의 핵 생성 이 잘 되 지 않 는 깨끗 한 패 시베이 션 층 을 남기 므로 , 유전체 상의 X 재료 의 전반 적 인 선택도 가 증가 할 수 도 있 다 . 대안 적 으로 , 임의 의 X 재료 는 리프트 오프 단계 에서 패 시베이 션 층 이 후속 적 으로 제거 되 는 동안 제거 될 수 있 으며 , 이 에 대한 예시 적 조건 은 도 1 d 와 관련 하 여 아래 에 기술 된다 . 당업 계 에 공지 된 바 와 같이 , 리프트 오프 단계 는 하부 재료 를 제거 하 는 언더 커팅 에 의해 위 에 놓인 재료 를 제거 한다 . 짧 은 선택 적 증착 단계 에서 패 시베이 션 층 에 형성 된 임의 의 X 재료 는 비 연속 적 인 경향 이 있 어서 제거 될 하부 재료 에 에 천 트 가 접근 되 도록 한다 . 리프트 오프 식각 은 패 시베이 션 층 으로부터 원 하 지 않 는 X 재료 를 모두 제거 하 기 위해서 패 시베이 션 층 을 완전히 제거 할 필요 는 없 으므로 , 직접 식각 이나 리프트 오프 방법 중 하나 가 주기 적 인 선택 적 증착 및 제거 에서 패 시베이 션 층 표면 으로부터 X 재료 를 제거 하 는 데 사용 될 수 있 다 .