이 에 따라 , 근래 에 는 엔 모스 영역 에 는 인 ( P ) 이 도핑 된 N + 폴리 게이트 를 , 그리고 , 피 모스 영역 에 는 보론 ( B ) 이 도핑 된 P + 폴리 게이트 를 형성 하 는 듀얼 폴리 게이트 형성 방법 이 이용 되 고 있 으며 , 이러 한 듀얼 폴리 게이트 형성 방법 의 경우 , 엔 모스 및 피 모스 소자 모두 표면 채널 특성 을 가지 므로 상기 매몰 채널 로 인한 단점 이 해결 된다 .