도 1 및 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 산화물 과 같 은 유전 재료 로 구성 되 는 터널 층 ( 11 ) 은 관통 홀 ( 7 ) 의 내 측면 상 에 전체 적 으로 형성 된다 . 또한 , 실리콘 질화물 ( SiN ) 과 같이 , 터널 층 ( 11 ) 과 는 상이 한 재료 로 구성 되 는 충전 층 ( 12 ) 이 터널 층 ( 11 ) 과 전 극막 ( 4 ) 사이 에 형성 된다 . 또한 , 산화 실리콘 과 같이 , 충전 층 ( 12 ) 과 는 상이 한 유전 재료 로 구성 되 는 블록 층 ( 13 ) 이 충전 층 ( 12 ) 과 전 극막 ( 4 ) 사이 에 형성 된다 .