메모리 장치 및 이 의 동작 방법 이 개시 된다 . 본 개시 의 실시 예 에 따른 기판 상 에 배치 된 복수 의 스트링 들 을 포함 하 는 메모리 장치 의 동작 방법 으로서 , 복수 의 스트링 들 은 , 비트 라인 에 연결 되 는 메인 스트링 및 비트 라인 과 전기 적 으로 이격 되 는 더미 스트링 을 포함 하 고 , 메모리 장치 의 동작 방법 은 더미 스트링 에 대해 프리 - 프로그램 하 는 단계 , 및 메인 스트링 및 더미 스트링 에 대해 소거 하 는 단계 를 포함 하 고 , 프리 - 프로그램 하 는 단계 는 더미 스트링 에 연결 된 워드 라인 에 프리 - 프로그램 전압 을 인가 하 는 단계 , 더미 스트링 의 그라운드 선택 트랜지스터 를 턴 - 온 시키 기 위하 여 그라운드 선택 트랜지스터 에 연결 된 그라운드 선택 라인 에 패스 전압 을 인가 하 는 단계 및 더미 스트링 에 연결 된 공통 소스 라인 에 공통 소스 라인 전압 을 인가 하 는 단계 를 포함 한다 .