제 2 내부 인터 커넥트 를 포함 하 되 ; 제 1 서브 스트레이트 는 제 1 서브 스트레이트 상면 으로부터 제 1 서브 스트레이트 하 면 까지 , 제 1 인 캡슐 란트 를 통한 오프닝 을 포함 하 고 ; 제 2 전자 컴 포 넨 트 의 제 2 액티브 영역 은 MEMS ( Micro - Electro - Mechanical - System ) 를 포함 하 며 ; 제 1 컴 포 넨 트 상면 은 MEMS 로부터 의 신호 를 처리 하 기 위한 처리 회로 를 포함 하 고 ; 제 2 전자 컴 포 넨 트 는 MEMS 가 오프닝 에 노출 된 상태 에서 제 1 서브 스트레이트 의 오프닝 위 에 위치 되 며 ; 커버 구조 는 제 2 전자 컴 포 넨 트 를 포함 하 는 컴파트먼트 를 정의 하 고 ; 그리고 제 2 내부 인터 커넥트 는 제 2 전자 컴 포 넨 트 를 제 1 전자 컴 포 넨 트 에 결합 시킨다 .