그리고 , 구체 적 으로 도시 되 지 않 았 으나 , 게이트 선 ( 121 ) 과 데이터 선 ( 141 ) 이 교차 하 는 영역 에 는 박막 트랜지스터 ( T ) 가 형성 되 어 있 다 . 즉 , 게이트 전극 ( 123 ) 상 에 는 , 도시 되 지 않 았 으나 , 반도체 층 , 저항 접촉 층 이 차례 로 적층 되 어 있 다 . 반도체 층 은 비정질 실리콘 ( amorphous silicon ) , 결정 형 실리콘 ( poly silicon ) 등 의 반도체 로 이루어질 수 있 다 . 그리고 , 반도체 층 의 상부 에 는 실리사이드 또는 n 형 불순물 이 고농도 로 도핑 되 어 있 는 n + 수소 화 비정질 실리콘 등 의 물질 로 만들 어 진 저항 접촉 층 이 형성 되 어 있 다 .