도 1 의 ( C ) 는 핀 층 을 두께 1 . 6 ㎚, 레퍼런스 층 을 두께 1 . 8 ㎚, 핀 층 과 레퍼런스 층 의 간격 0 . 9 ㎚, 레퍼런스 층 과 프리 층 의 간격 1 . 0 ㎚ 로 하 여 , 핀 층 의 돌출 량 a 를 바꿨 을 때 , 프리 층 상단 에 인가 되 는 , 핀 층 과 레퍼런스 층 으로부터 의 합성 자계 를 계산기 시뮬레이션 한 결과 를 나타내 는 그래프 이 다 . 도 1 의 ( B ) 에 나타난 바 와 같이 , 핀 층 ( 3 ) 은 상방 을 향하 는 자화 를 가지 며 , 레퍼런스 층 ( 5 ) 은 하방 을 향하 는 자화 를 갖 는다 . 핀 층 ( 3 ) 과 레퍼런스 층 ( 5 ) 으로부터 프리 층 ( 7 ) 에 인가 되 는 소자 높이 ( MRh ) 방향 의 자계 를 산출 한다 . 지 면 상방 을 향하 는 방향 을 정 ( 正 ) 이 라고 하 고 있 다 . 돌출 량 a 를 0 에서부터 증가 해 나가 면 , 합성 자계 는 500 Oe 에서부터 감소 하 고 , a 가 대략 3 ~ 4 nm 에서 최소치 약 140 Oe 를 나타내 며 , 그 후 는 a 의 증가 와 함께 증대 하 고 , a 가 대략 16 nm 에서 a = 0 의 경우 와 같 은 약 500 Oe 가 되 고 , a 를 더 증대 하 면 합성 자계 는 더 증대 한다 .