이 를 개선 하 고자 , 산화 막 대신 질화 막 을 이용한 스 페이서 가 개발 되 었 다 . 그러나 질화 막 을 단독 증착 하 는 경우 후속 식각 공정 및 열 공정 시 에 균열 및 드롭 의 결함 이 발생 할 뿐 만 아니 라 , 막 의 특성 ( film quality ) , 균일 도 ( uniformity ) , 스텝 커버리지 ( step coverage ) 및 로딩 이펙트 ( loading effect ) 와 같 은 물리 적 증착 특성 이 낮 기 때문 에 비트 라인 커패시턴스 가 증가 하 는 또 다른 단점 을 가져왔 다 .