또 다른 양태 에서 , 반도체 기판 을 프로세싱 하 는 방법 이 제공 되 고 , 방법 은 : ( a ) 노출 된 패 터닝 된 애시 가능 층 ( ashable layer ) 을 갖 는 반도체 기판 을 제공 하 는 단계 로서 , 패 터닝 된 애시 가능 층 은 리세 스 된 피처 각각 의 하단 부 에 위치 된 노출 된 타깃 재료 를 갖 는 복수 의 리세 스 된 피처 들 을 포함 하 는 , 반도체 기판 을 제공 하 는 단계 ; ( b ) 리세 스 된 피처 들 을 주석 옥사이드 로 충 진하 고 애시 가능 층 위 에 주석 옥사이드 오버 버든 ( overburden ) 을 형성 하 는 단계 ; ( c ) 아래 에 놓인 애시 가능 재료 를 노출 하 기 위해 주석 옥사이드 오버 버든 을 제거 하 는 단계 ; 및 ( d ) 주석 옥사이드 를 완전히 제거 하 지 않 고 아래 에 놓인 타깃 층 을 노출 하 기 위해 애시 가능 재료 를 제거 하 는 단계 를 포함 한다 . 일 실시 예 에서 애시 가능 재료 는 탄소 - 함유 재료 ( 예 를 들 어 , 탄소 ) 이 고 , 그리고 단계 ( d ) 는 산소 - 기반 에칭 화학 물질 을 사용 하 여 애시 가능 재료 를 제거 하 는 단계 를 포함 한다 .