실험 4 에서 는 , 실험 1 에서 박리 층 을 형성 한 상기 단결정 SiC 잉곳 을 침지 하 는 물 의 온도 를 0 ℃ 로 부터 상승 시키 고 , 실험 1 에서 형성 한 박리 층 을 계면 으로 하 여 상기 단결정 SiC 잉곳 으로부터 웨이퍼 가 박리 되 는 시간 을 계측 하 여 온도 의존 성 을 검증 하 였 다 . 또한 , 실험 4 에서 는 , 초음파 의 주파수 를 25 kHz 로 설정 하 고 , 초음파 의 출력 을 500 W 로 설정 하 였 다 .