메모리 어레이 ( 230 ) 는 본 발명 의 다수 의 실시 예 에 따라 감지 회로 ( 250 ) 에 연결 되 도록 구성 된다 . 이 실시 예 에서 , 감지 회로 ( 250 ) 는 메모리 셀 의 각자 의 컬럼 에 대응 하 는 , 가령 , 짧 은 디 지트 라인 서브 어레이 내 상보 적 디 지트 라인 의 각자 의 쌍 에 연결 된 감지 증폭기 ( 206 ) 및 계산 구성 요소 ( 231 ) 를 포함 한다 . 감지 증폭기 ( 206 ) 는 상보 적 디 지트 라인 ( 205 - 1 및 205 - 2 ) 의 쌍 에 연결 될 수 있 다 . 계산 구성 요소 ( 231 ) 는 패스 게이트 ( 207 - 1 및 207 - 2 ) 를 통해 감지 증폭기 ( 206 ) 에 연결 될 수 있 다 . 패스 게이트 ( 207 - 1 및 207 - 2 ) 의 게이트 는 연산 선택 로직 ( 213 ) 에 연결 될 수 있 다 .