본 발명 은 스텝 커버리지 특성 이 우수 하 면서 , 누설 전류 특성 을 확보 하 여 소자 의 신뢰 성 을 향상 시키 는데 적합 한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 본 발명 의 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 은 반도체 기판 을 형성 하 는 단계 ; 상기 반도체 기판 상 에 터널 산화 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 터널 산화 막 상 에 플로팅 게이트 를 형성 하 는 단계 ; 상기 플로팅 게이트 상 에 제 1 유전 막 과 상기 제 1 유전 막 보다 유전 상수 가 큰 제 2 유전 막 의 적층 구조 를 갖 는 유전 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 유전 막 에 대해 열처리 를 실시 하 는 단계 ; 및 상기 유전 막 상 에 컨트롤 게이트 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 며 , 이 에 따라 본 발명 은 F 50 이하 의 IPD 에 고유 전체 물질 의 적용 을 조기 에 셋 업 ( Set - up ) 할 수 있 는 가능 성 을 얻 게 되 었 으며 , 신뢰 성 높 은 IPD 개발 을 통하 여 소자 의 신뢰 성 향상 에 크 게 기여 하 고 , 최소 의 공정 변경 을 통하 여 소자 가 요구 하 는 전기 적 특성 확보 를 통하 여 제조 단가 절감 효과 가 클 것 으로 기대 된다 .