EDS 라이트 구조 의 미 사용 셀 을 대체 셀 로 사용 하 는 반도체 메모리 장치 가 개시 된다 . 본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 메모리 장치 는 1 / n EDS ( extended data storage ) 라이트 구조 를 이용 하 며 , 복수 의 메모리 셀 어레이 를 구비 한다 . 상기 각각 의 메모리 셀 어레이 는 노 말 메모리 셀 들 , ECC 메모리 셀 들 , 및 미 사용 셀 들 을 구비 한다 . 노 말 메모리 셀 들 은 데이터 를 저장 한다 . ECC 메모리 셀 들 은 상기 데이터 에 대응 하 는 ECC ( error check / correction code ) 를 저장 한다 . 미 사용 셀 들 은 상기 노 말 메모리 셀 들 과 상기 ECC 메모리 셀 들 로 사용 되 지 않 는 셀 들 로서 , 노 말 메모리 셀 들 과 상기 ECC 메모리 셀 들 의 불량 셀 을 대체 한다 . 본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 메모리 장치 는 EDS 라이트 구조 에서 사용 되 지 않 는 셀 을 대체 셀 로 이용 함 으로써 반도체 메모리 장치 의 사용 효율 을 증가 시킬 수 있 는 장점 이 있 다 .