열전도도 가 큰 금속 으로 퓨즈 를 형성 할 경우 퓨즈 의 블로 잉 업 이 힘들 기 때문 에 상대 적 으로 열전도도 가 작 은 다결정 실리콘 으로 퓨즈 를 형성 하 고 있 다 . 그러나 , 반도체 메모리 소자 의 집적도 가 증가 됨 에 따라 다층 의 금속 배선 을 사용 하 게 되 고 , 이 로 인해 다결정 실리콘 으로 된 퓨즈 상부 에 적층 되 는 절 연막 의 두께 가 높 아 져 , 퓨즈 박스 형성 시 많 은 시간 이 소요 된다 .