상기 에서 는 , 몰리브덴 / 티탄 / 알루미늄 / 티탄 의 적층 구조 를 형성 하 기 위해 , 이 들 4 층 의 막 을 각각 성막 하 는 장치 를 요하 고 , 이 들 막 을 각각 따로 따로 의 전용 장치 로 성막 할 수 도 있 지만 , 투명 도전 막 과 접속 배선 사이 의 접속 저항 의 증대 의 억제 및 공정 의 단축 , 막 특성 의 안정 성 등 을 고려 하 면 , 바람직 하 게 는 이 4 층 구조 를 연속 성막 할 수 있 는 장치 를 이용 하 는 것 이 좋 다 . 그러나 , 이 와 같 은 연속 성막 장치 를 이용 하 지 않 더라도 , 계면 저항 을 낮 게 억제 하 고자 하 는 단자 부 에 만 , 투명 도전 막 과 접속 배선 사이 에 몰리브덴 막 을 배치 함 으로써 , 티탄 의 산화 막 생 성 을 억제 하 여 , 투명 도전 막 과 접속 배선 사이 의 계면 저항 의 증대 를 억제 할 수 있 다 .