이상 에서 설명 한 바 와 같이 , 본 실시 예 에 의하 면 , 배선 패드 ( WPD ) 의 접촉 전극 을 형성 하 기 위한 별도 의 마스크 공정 이 불 필요 하 다 . 또한 , 데이터 도전 층 ( 140 _ 1 ) 에 데이터 캡 핑 막 을 생략 하 더라도 , 데이터 도전 층 ( 140 _ 1 ) 의 데이터 도전 금속 층 ( 141 ) 이 비아 층 ( 165 a ) 과 직접 접촉 하 는 것 을 방지 할 수 있 어 , 부식 불량 을 방지 할 수 있 다 . 나아가 , 패 시베이 션 층 ( 164 a ) 을 식각 할 때 별도 의 마스크 를 이용 하 지 않 고 비아 층 ( 165 a ) 의 개구부 ( OP 3 ) 를 이용 하 므로 마스크 공정 을 더욱 줄일 수 있 다 . 따라서 , 공정 효율 이 더욱 개선 될 수 있 다 .