상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 소자 의 트랜 치 소자 분리 막 형성 방법 은 , 반도체 기판 위 에 제 1 두께 의 패드 산화 막 및 패드 질화 막 을 순차 적 으로 적층 하 는 단계 ; 상기 패드 산화 막 및 패드 질화 막 을 패 터닝 하 여 상기 반도체 기판 의 소자 분리 영역 표면 을 노출 시키 는 패드 산화 막 패턴 및 패드 질화 막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 반도체 기판 의 소자 분리 영역 을 일정 깊이 식각 하 여 트랜 치 를 형성 하 는 단계 ; 상기 트랜 치 내벽 에 측벽 산화 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 측벽 산화 막 이 형성 된 트랜 치 를 매립 하 는 매립 절 연막 을 증착 하 여 트랜 치 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 ; 모트 습식 식각 을 수행 하 여 상기 패드 산화 막 패턴 이 노출 되 도록 상기 패드 질화 막 패턴 을 제거 하 는 단계 ; 상기 노출 된 패드 산화 막 패턴 에 대해 습식 세정 을 수행 하 여 제 2 두께 의 패드 산화 막 패턴 을 남기 는 단계 ; 및 상기 제 2 두께 의 패드 산화 막 패턴 위 에 하드 마스크 막 을 증착 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .