상기 계면 TiN 막 의 형성 공정 이 완료 된 이후 , 상기 계면 TiN 막 의 형성 공정 에 의하 여 오염 된 상기 ALD 반응 챔버 를 사용 하 여 별개 의 반도체 기판 에 Ti 막 을 새로 형성 하 고자 하 는 경우 특히 상기 잔류 NH 3 가 문제 된다 . 이 는 , 상기 새로운 Ti 막 의 형성 시 순수 한 Ti 막 대신 에 상기 잔류 NH 3 에 의하 여 TiN 물질 이 부산물 로 생성 됨 으로써 , 상기 TiN 성분 으로 오염 된 Ti 막 이 형성 될 수 있 기 때문 이 다 . 그 결과 , 오 믹 콘 택 ( ohmic contact ) 특성 이 불량 한 Ti / TiN 막 이 형성 될 수 있 다 .