도 4 를 참조 하 면 , 격벽 격자 ( 400 ) 의 캐비 티 ( 403 ) 내 에 언더 필 물질 ( 501 ) 을 주입 하 여 , 주입 된 언더 필 물질 ( 501 ) 이 베이스 다이 웨이퍼 ( 100 ) 의 노출 된 제 2 표면 ( 112 ) 을 덮 고 , 적층 된 코어 다이 ( 200 ) 들 사이 의 제 1 갭 ( gap ) 부분 ( G 1 ) 을 채우 도록 할 수 있 다 . 언더 필 물질 ( 501 ) 의 주입 은 적층 된 코어 다이 ( 200 ) 들 과 격벽 ( 401 ) 의 측면 ( 402 ) 사이 의 제 2 갭 부분 ( G 2 ) 에 언더 필 물질 ( 501 ) 을 디 스펜스 ( dispense ) 하 고 , 디스 펜스 된 언더 필 물질 ( 501 ) 의 액상 이 모세관 현상 에 의해 코어 다이 ( 200 ) 들 사이 및 코어 다이 ( 200 ) 와 베이스 다이 웨이퍼 ( 100 ) 부분 사이 로 확산 되 는 현상 을 이용 하 여 수행 될 수 있 다 . 즉 , 주입 된 언더 필 물질 ( 501 ) 은 캐 필러 리 ( capillary ) 효과 에 의해서 적층 된 코어 다이 ( 200 ) 들 사이 의 제 1 갭 부분 ( G 1 ) 을 채우 도록 이동 될 수 있 다 . 언더 필 물질 ( 501 ) 이 적층 된 코어 다이 ( 200 ) 들 사이 의 제 1 갭 부분 ( G 1 ) 을 채움 으로써 , 코어 다이 ( 200 ) 들 사이 에 위치 하 는 체결 구조 ( 230 ) 들 각각 을 언더 필 물질 ( 501 ) 이 둘러싸 전기 적 으로 격리 할 수 있 다 . 체결 구조 ( 230 ) 는 예컨대 제 3 도전 성 접착 층 ( 232 - 3 ) 에 의해서 상호 체결 된 제 6 접속 단자 ( 231 - 2 ) 와 제 7 접속 단자 ( 235 - 3 ) 들 을 포함 하 는 접속 구조 일 수 있 다 .