제 1 소스 막 ( SL 1 ) 및 제 2 소스 막 ( SL 2 ) 각각 은 도프 트 반도체 막 을 포함 할 수 있 다 . 도프 트 반도체 막 은 소스 도 펀트 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 소스 도 펀트 는 n 형 불순물 일 수 있 다 . 제 3 소스 막 ( SL 3 ) 은 도프 트 반도체 막 및 언 도프 트 반도체 막 중 적어도 어느 하나 를 포함 할 수 있 다 . 제 3 소스 막 ( SL 3 ) 은 소스 콘 택 구조 들 ( SCT 1 , SCT 2 ) 에 의해 관통 될 수 있 다 . 소스 콘 택 구조 들 ( SCT 1 , SCT 2 ) 은 제 2 소스 막 ( SL 2 ) 으로부터 연장 되 거나 , 제 1 소스 막 ( SL 1 ) 으로부터 연장 될 수 있 다 .