도 7 을 참조 하 면 , 상기 내부 쉴 딩 패턴 ( 130 ) 에 대해 리세 스 공정 을 수행 함 으로써 내부 쉴 딩 라인 ( 132 ) 이 형성 된다 . 상기 마스크 패턴 ( 101 ) 간 의 상기 내부 쉴 딩 라인 ( 132 ) 상부 에 빈 공간 이 형성 된다 . 상기 내부 쉴 딩 라인 ( 132 ) 및 상기 분리 절 연막 ( 140 ) 상 에 캡 핑 막 ( 141 ) 이 형성 된다 . 상기 캡 핑 막 ( 141 ) 은 상기 마스크 패턴 ( 101 ) 간 의 빈 공간 을 매립 한다 . 상기 캡 핑 막 ( 141 ) 은 절연 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예컨대 , 상기 캡 핑 막 ( 141 ) 은 실리콘 질화 막 일 수 있 다 .