또 다른 구 현예 에 따라 , 예 를 들 어 개선 되 거나 적어도 대안 적 인 증착 방법 , 예컨대 본원 에 설명 된 방법 을 제공 하 는 반도체 처리 장치 가 제공 된다 . 본 개시 의 구 현예 중 적어도 하나 에 따라 , 반도체 처리 장치 는 , 기판 을 수용 하 기 위한 하나 이상 의 반응 챔버 ; 제 1 밸브 를 통해 상기 반응 챔버 중 하나 와 가스 연통 하 는 제 1 반응물 용 제 1 공급원 ; 제 2 밸브 를 통해 상기 반응 챔버 중 하나 와 가스 연통 하 는 제 2 반응물 용 제 2 공급원 ; 제 3 밸브 를 통해 상기 반응 챔버 중 하나 와 가스 연통 하 는 제 3 반응물 용 제 3 공급원 ; 및 상기 제 1 , 제 2 , 및 제 3 가스 밸브 에 작동 가능 하 게 연결 된 컨트롤러 를 포함 하 고 , 상기 컨트롤러 는 , 상기 기판 의 표면 을 개질 하 기 위해 제 1 반응물 로부터 제 1 활성 종 을 형성 하 는 단계 ; 및 재료 를 증착 하 기 위해 하나 이상 의 증착 사이클 을 수행 하 는 단계 를 제어 하 기 위해 구성 되 고 프로그래밍 된다 . 각각 의 증착 사이클 은 , 표면 과 반응 하 여 화학 흡착 된 재료 를 형성 하 는 제 2 반응물 을 상기 기판 에 도입 하 는 단계 ; 및 상기 화학 흡착 된 재료 와 반응 하 는 제 3 반응물 로부터 제 2 활성 종 을 형성 하 여 증착 재료 를 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 제 1 활성 종 을 형성 하 는 단계 수 및 증착 사이클 수 의 비 는 약 1 : 1 내지 약 1 : 10 의 범위 이 다 . 컨트롤러 는 , 제 1 활성 종 을 형성 하 고 하나 이상 의 증착 사이클 을 수행 하 는 단계 중 에 불활성 가스 를 연속 적 으로 제공 하 도록 추가 로 구성 될 수 있 다 . 추가 적 으로 또는 대안 적 으로 , 컨트롤러 는 , 제 1 활성 종 을 형성 하 는 단계 및 하나 이상 의 증착 사이클 을 수행 하 는 단계 중 에 제 1 반응물 의 흐름 을 연속 적 으로 제공 하 도록 구성 될 수 있 다 . 추가 적 으로 또는 대안 적 으로 , 컨트롤러 는 , 처리 퍼지 단계 로부터 및 하나 이상 의 증착 사이클 을 수행 하 는 단계 내내 제 3 반응물 의 흐름 을 ( 예 를 들 어 , 연속 적 으로 ) 제공 하 도록 구성 될 수 있 다 . 또한 , 본원 에 기술 된 장치 는 본원 에 기술 된 하나 이상 의 방법 을 수행 하 는 데 사용 될 수 있 다 .