따라서 , 포토 마스크 ( M ) 는 형성 하 려는 요철 패턴 형태 로 제작 을 하 지 않 고 도 6 에 도시 한 것 과 같이 닷 ( dot ) 형태 의 일반 적 인 모양 으로 제작 을 해서 노광 양 을 조절 하 여 포토레지스트 패턴 을 만들 게 된다 . 마스크 도안 된 형태 로 만들 어서 해상력 ( resolution ) 이 높 은 고가 의 장비 를 사용 하 여 만드 는 것 보다 해상력 이 낮 지만 저가 의 장비 를 이용 해서 마스크 를 다르 게 제작 하 여 과잉 노광 공정 을 이용 하 여 제작 하 게 되 면 공정 단가 를 낮출 수 있 게 된다 . 본 발명 에서 는 과잉 노광 을 이용 하 여 그 정도 를 조절 하 여 포토레지스트 패턴 의 모양 즉 , 경사 각도 등 을 조절 할 수 있 다 . 또한 패턴 의 모양 은 동일 하 고 간격 은 달리 하 는 마스크 2 개 를 만들 어 두 번 노광 을 하 여 패턴 을 형성 할 수 도 있 는데 , 이렇게 하 게 되 면 패턴 과 패턴 간격 사이 를 없애 게 되 므로 고가 의 장비 를 사용 하 지 않 더라도 보다 세밀 한 패턴 형성 이 가능 하 다 .