상기 반도체 기판 ( 100 ) 은 실리콘 일 수 있 다 . 하지만 , 본 발명 은 여기 에 한정 되 지 않 는다 . 예컨대 , 상기 반도체 기판 ( 100 ) 은 게르마늄 또는 화합물 반도체 등 과 같 은 다른 반도체 로 형성 될 수 도 있 다 . 이 와 는 다르 게 , 상기 반도체 기판 ( 100 ) 은 게르마늄 또는 상기 피복층 ( 102 ) 은 상기 반도체 기판 ( 100 ) 과 다른 굴절 률 을 갖 는 절연물 질 로 형성 될 수 있 다 . 예컨대 , 상기 피복층 ( 102 ) 은 산화물 로 형성 될 수 있 다 . 상기 회절 격자 커플러 ( 115 ) 는 반도체 로 형성 될 수 있 다 . 특히 , 상기 회절 격자 커플러 ( 115 ) 는 광 투과성 이 우수 한 반도체 로 형성 될 수 있 다 . 예컨대 , 회절 격자 커플러 ( 115 ) 는 실리콘 , 게르마늄 , 실리콘 - 게르마늄 및 화합물 반도체 ( ex , 3 - 5 족 화합물 반도체 등 ) 등 에서 선택 된 적어도 하나 로 형성 될 수 있 다 .