실리콘 건식 식각 공정 을 통해 형성 된 식각 깊이 ( t 2 ) 에 대응 되 는 실리콘 기둥 구조물 은 다음 공정 에서 습식 식각 공정 을 통해 제거 될 수 있 다 . 여기 서 , 상기 식각 깊이 ( t 2 ) 에 대응 되 는 실리콘 기둥 구조물 은 측벽 에 산화 막 ( 131 ) 이 존재 하 지 않 고 노출 된 상태 로 , 습식 식각 공정 에 의해 제거 될 수 있 다 . 추가 적 으로 상기 식각 깊이 ( t 2 ) 에 대응 되 는 실리콘 기둥 구조물 이 제거 됨 에 나노 와이어 ( 100 ) 및 센서 구조물 ( 110 ) 은 부유 될 수 있 다 . 고정 구조물 ( 140 ) 은 부유 되 는 나노 와이어 ( 100 ) 및 센서 구조물 ( 110 ) 을 고정 할 수 있 도록 전체 가 모두 습식 식각 되 지 는 않 는다 . 고정 구조물 ( 140 ) 은 나노 와이어 ( 100 ) 및 센서 구조물 ( 110 ) 보다 두꺼운 폭 을 가지 도록 패 터닝 된 상태 일 수 있 다 . 따라서 , 고정 구조물 ( 140 ) 은 나노 와이어 ( 100 ) 및 센서 구조물 ( 110 ) 의 하단 에 존재 하 는 실리콘 기둥 구조물 이 모두 습식 식각 되 더라도 잔존 하 여 부유 된 실리콘 나노 와이어 ( 100 ) 및 센서 구조물 ( 110 ) 을 지지 할 수 있 다 .