작 동시 , 예컨대 , 하나 또는 그 초과 의 처리 들 을 실시 하 기 위해 챔버 내부 체적 ( 120 ) 에 플 라즈 마 ( 102 ) 가 생성 될 수 있 다 . 처리 가스 를 점 화 하 여 플 라즈 마 ( 102 ) 를 생성 하 기 위하 여 , 챔버 내부 체적 ( 120 ) 내 의 하나 또는 그 초과 의 ( 이하 에 설명 된 ) 전극 들 을 통해 플 라즈 마 전력 공급원 ( 예컨대 , RF 전력 공급원 ( 117 ) ) 으로부터 의 전력 을 처리 가스 에 커플링 함 으로써 플 라즈 마 ( 102 ) 가 생성 될 수 있 다 . 대안 적 으로 또는 조합 하 여 , 다른 방법 들 에 의해 플 라즈 마가 챔버 내부 체적 ( 120 ) 내 에 형성 될 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 플 라즈 마로 부터 나온 이온 들 을 기판 ( S ) 을 향해 끌어당기 기 위해 , 바이어스 전력 공급원 ( 예컨대 , RF 전력 공급원 ( 117 ) ) 으로부터 기판 지 지체 또는 정전 척 ( 150 ) 내부 에 배치 된 하나 또는 그 초과 의 ( 이하 에 설명 된 ) 전극 들 에 대해 바이어스 전력 이 제공 될 수 있 다 .