이 와 같이 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치 는 , 상부 및 하부 케이스 ( 100 , 300 ) 가 합착 되 는 일면 에 각각 제 1 및 제 2 금속 층 ( 150 , 350 ) 을 배치 하 여 , 열 을 효과 적 으로 분산 시킴 으로써 , 각 센서 ( 241 ) 의 위치 별 온도 편차 를 효과 적 으로 줄일 수 있 고 , 이 를 통해 챔버 내부 온도 나 챔버 에 로딩 된 반도체 공정 진단 센서 장치 의 자체 온도 를 위치 별로 정밀 하 게 센싱 할 수 있 는 이점 이 있 다 .