대안 적 으로 , 예 를 들 어 , 실리콘 이 산화물 , 실리콘 질화물 , 텅스텐 , 또는 텅스텐 산화물 과 같 은 몇몇 다른 물질 의 하드 마스크 가 상부 에 반사 방지 코팅 ( BARC ) 하부 를 갖 는 반도체 층 스택 의 상부 에 형성 되 고 , 다음 으로 패 터닝 및 에칭 될 수 있 다 . 이 와 유사 하 게 , 유전체 반사 방지 코팅 ( DARC ) 이 하드 마스크 로 사용 될 수 있 다 . 반도체 층 은 포토레지스트 층 의 제거 전 이나 후 에 마스크 로 하드 마스크 를 사용 하 여 패 터닝 된다 .