특기 할 만 한 사실 은 , 상기 종래 의 ALD 기술 과 대비 하 여 , 통상 적 인 종래 의 CVD 기술 을 적용 할 경우 , 상기 잔류 NH 3 가스 는 상기 Ti 막 의 형성 에 별다른 지장 을 주 지 아니한다는 점 이 다 . 그 이유 는 , 종래 의 CVD 기술 의 경우 , TiCl 4 가스 , H 2 가스 , 및 Ar 가스 의 플 라즈 마 에 의한 증착 반응 이 이루어지 는 동안 계속 하 여 상기 CVD 반응 챔버 로 TiCl 4 가스 가 공급 되 기 때문 이 다 . 따라서 , 상기 잔류 NH 3 가 기화 되 어 발생 하 는 오염원 으로서 의 NH 3 가스 는 상기 Ti 막 형성 공정 에서 의 반응물 로써 공급 되 는 TiCl 4 가스 에 비해 적 은 양 에 불과 하 므로 , 상기 Ti 막 의 형성 에 큰 영향 을 주 지 않 을 수 있 다 .