도 1 은 특정 한 개시 된 실시 예 들 에 따라 수행 된 방법 의 예시 적 인 동작 들 을 도시 하 는 프로세스 흐름 도 를 제공 한다 . 동작 101 에서 , 노출 된 실리콘 옥사이드 표면 및 노출 된 실리콘 나이트 라이드 표면 을 갖 는 기판 이 프로세스 챔버 로 제공 된다 . 프로세스 챔버 는 약 10 mTorr 내지 약 10 Torr , 또는 약 1 Torr 내지 약 3 Torr 의 챔버 압력 으로 설정 될 수 도 있 다 . 이러 한 챔버 압력 들 은 본 명세서 에 기술 된 바 와 같이 동작 들 102 내지 114 내내 사용 될 수 도 있 다 . 기판 은 약 25 ℃ 내지 약 400 ℃, 또는 약 200 ℃ 내지 약 300 ℃ 의 기판 온도 로 가열 될 수 도 있 다 . 본 명세서 에 사용 된 바 와 같 은 기판 온도 는 기판 을 홀딩 하 는 페데 스탈 이 설정 된 온도 를 지칭 하 고 , 일부 실시 예 들 에서 , 프로세스 챔버 에 제공 될 때 페데 스탈 상 의 기판 은 기판 을 프로세싱 하 기 전 에 목표 된 기판 온도 로 가열 될 수 도 있 다는 것 이 이해 될 것 이 다 . 기판 온도 는 본 명세서 에 기술 된 바 와 같이 동작 들 102 내지 114 내내 동일 할 수 도 있 다 .