유전체 막 은 ONO 막 대 폴리 실리콘 막 의 선택 비 를 1 : 1 내지 3 : 1 로 하 여 패 터닝 하 며 , 소스 파워 는 0 내지 300 W 로 하 고 , 바이어스 파워 는 100 내지 500 W 로 하 여 패 터닝 한다 . 유전체 막 은 등방성 ( isotropic ) 으로 식각 되 도록 3 내지 15 mTorr 의 압력 에서 CF 4 / He 또는 CF 4 / Ar 의 식각 가스 를 이용 하 여 패 터닝 한다 . 유전체 막 패 터닝 공정 은 제 1 도 전막 의 측벽 에 100 내지 300 Å 의 두께 와 50 내지 150 Å 폭 의 유전체 막 이 잔류 되 도록 실시 한다 . 유전체 막 패 터닝 공정 시 제 1 도전 막 은 제 1 도 전막 전체 두께 의 1 / 2 내지 4 / 5 가 함께 식각 된다 .