한편 , 메사 식각 공정 에 의해 각 발광 셀 들 의 제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) 의 상면 이 노출 된다 . 관통 홀 들 ( 30 a ) 은 메사 식각 공정 에서 함께 형성 될 수 있 다 . 다만 , 제 2 도전 형 반도체 층 ( 27 ) 및 활성 층 ( 23 ) 의 둘레 를 따라 제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) 의 상면 이 링 형상 으로 노출 될 수 도 있 으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 도 4 a 및 도 4 b 에 도시 한 바 와 같이 , 기판 ( 21 ) 의 가장자리 근처 에 위치 하 는 발광 셀 들 ( C 1 ~ C 7 ) 의 가장자리 들 근처 에서 제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) 의 상면 이 노출 되 고 , 그 외 의 가장자리 들 근처 에서 는 제 2 도전 형 반도체 층 ( 27 ) , 활성 층 ( 23 ) 및 제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) 이 연속 적 인 경사면 을 이룰 수 있 으며 , 따라서 , 제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) 의 상면 이 노출 되 지 않 을 수 있 다 . 특정 실시 예 에서 , 발광 셀 들 에 의해 둘러싸인 고립 된 발광 셀 이 존재 할 수 있 는데 , 이 고립 된 발광 셀 의 가장자리 들 은 기판 ( 21 ) 의 가장자리 로부터 이격 된다 . 이 경우 , 이 고립 된 발광 셀 의 제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) 은 제 2 도전 형 반도체 층 ( 27 ) 및 활성 층 ( 25 ) 과 함께 연속 적 인 경사면 을 형성 하 고 , 그 가장자리 근처 에 노출 된 상면 을 전혀 갖 지 않 을 수 있 다 .