이상 과 같이 본 발명 의 상변화 메모리 소자 는 외측 으로 기울 기 를 갖 는 스 페이서 형태 로 상변화 층 스 페이서 를 구비 하 여 단위 상변화 메모리 소자 들 간 에 미스 얼라인 을 방지 하 고 , 디자인 룰 이 감소 하 더라도 제 1 상변화 층 스 페이서 및 제 2 상변화 층 스 페이서 간 의 전기 적 연결 에 의한 쇼트 를 방지 할 수 있 다 .