본 실시 예 에서 , 상기 기판 ( 960 ) 에 신호 처리 회로 가 형성 되 고 , 상기 신호 처리 회로 는 연결 단 ( 565 ) 을 가지 며 , 상기 기판 에 영구 결합 층 ( 950 ) 을 형성 하 는 단계 에서 , 상기 영구 결합 층 ( 950 ) 은 상기 연결 단 ( 565 ) 을 노출 시키 는 제 1 서브 전도성 홀 ( 952 ) 을 더 갖 는다 .