그리고 , 본 발명 의 트렌치 트랜지스터 의 제조 방법 은 기판 에 채널 을 정의 하 는 트렌치 를 형성 하 는 단계 ; 상기 트렌치 의 표면 상 에 게이트 산화 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 트렌치 의 바텀 부 를 노출 시키 면서 상기 트렌치 의 양측 벽 에 접하 며 , 제 1 버 퍼스 페이서 와 제 2 버 퍼스 페이서 가 적층 된 버 퍼스 페이서 를 형성 하 는 단계 ; 상기 채널 을 벗어나 는 상기 트렌치 의 바텀 부 아래 에 산화 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 2 버 퍼스 페이서 를 제거 하 는 단계 ; 상기 트렌치 를 매립 하 는 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 ; 상기 기판 의 전면 에 이온 주입 을 진행 하 여 N 형 확산 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 기판 상 에 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 콘 택 마스크 를 식각 마스크 로 상기 층간 절 연막 을 식각 하 여 콘 택 영역 을 오픈 킴 과 동시 에 상기 콘 택 영역 아래 의 N 형 확산 층 을 식각 하 여 리세 스 를 형성 하 는 단계 ; 상기 리세 스 바닥 의 기판 에 이온 주입 을 통해 P 형 확산 층 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 P 형 확산 층 에 연결 되 는 금속 배선 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .