이때 , 유전체 막 프리 클리닝 공정 시 습식 ( wet ) 식각 공정 을 실시 하 기 때문 에 습식 화학 물질 인 FN 을 사용 하 게 되 는데 , 갭 필 불량 으로 인하 여 소자 분리 막 내 에 발생 한 보이드 로 습식 화학 물질 이 침투 하 여 유전체 막 프리 클리닝 시 클리닝 진행 속도 가 급격히 증가 하 게 된다 . 이 로 인하 여 보이드 의 사이즈 ( size ) 또는 위치 에 따라 소자 분리 막 하부 영역 , 터널 절 연막 또는 플로팅 게이트 용 도전 막 의 좌 , 우에 어택 ( attck ) 이 발생 하 게 된다 . 이러 한 어택 은 소자 분리 막 및 게이트 의 프로 파일 을 비 정상 적 으로 형성 되 게 하 며 , 이 또한 셀 동작 특성 에 영향 을 주 게 된다 .