스퍼터 식각 프로세스 들 은 약 4 : 1 보다 작 은 종횡비 ( aspect ratio ) 들 을 갖 는 큰 피 쳐들 또는 작 은 피쳐 들 에서 오염물 들 을 감소 시키 기 위해 사용 되 어 왔 다 . 그러나 , 스퍼터 식각 프로세스 들 은 물리 적 충격 에 의해 복잡 한 실리콘 층 들 을 손상 시킬 수 있 다 . 이 에 대응 하 여 , 플루오르화 수소산 을 이용 하 는 습식 식각 프로세스 들 이 자연 산화물 들 을 제거 하 기 위하 여 사용 되 어 왔 다 . 그러나 , 습식 세정 식각 프로세스 들 은 종횡비 가 4 : 1 을 초과 하 고 , 특히 종횡비 가 10 : 1 을 초과 하 는 더 작 은 디바이스 들 에서 는 불리 하 다 . 특히 , 수용액 은 기판 표면 내 에 형성 되 는 비아 들 , 콘 택 들 , 또는 다른 작 은 피 쳐 들 로 침투 하 는 데 어려움 을 가진다 . 결과 적 으로 , 자연 산화물 막 의 제거 는 불 완전 하 다 . 유사 하 게 , 습식 식각 용액 은 , 작 은 피쳐 를 침투 하 는 데 성공 적 인 경우 , 일단 식각 이 완결 되 면 피쳐 로부터 제거 하 기 가 더욱 어렵 다 . 또한 , 습식 식각 프로세스 들 은 일반 적 으로 엄격 한 큐 ( queue ) 시간 제어 를 가지 며 , 바람직 하 지 않 은 워터 마크 들 을 기판 상 에 생성 하 며 , 다량 의 해로운 액체 폐기물 로 인해 환경 우려 들 을 가진다 .