도 8 a 및 도 8 b 를 참조 하 면 , 제 1 상변화 물질 패턴 ( 121 ) , 제 2 상변화 물질 패턴 ( 122 ) 및 제 3 상변화 물질 패턴 ( 123 ) 을 모두 비정질 상태 로 만들 수 있 는 제 1 크기 ( H 1 ) 를 가지 는 제 1 펄스 를 인가 하 고 바로 서 냉 ( slow quench ) 하 면 제 1 상변화 물질 패턴 ( 121 ) , 제 2 상변화 물질 패턴 ( 122 ) 및 제 3 상변화 물질 패턴 ( 123 ) 이 모두 비정질 ( amorphous ) 상태 에서 결정질 ( crystal ) 상태 로 변하 게 된다 . 계속 하 여 , 제 1 크기 ( H 1 ) 를 가지 는 제 1 펄스 를 인가 하 면 , 제 1 상변화 물질 패턴 ( 121 ) , 제 2 상변화 물질 패턴 ( 122 ) 및 제 3 상변화 물질 패턴 ( 123 ) 에서 비정질 상태 인 프로그래밍 볼륨 ( programming volume , 123 a ) 이 형성 된다 . 결정질 상태 가 비정질 상태 보다 저항 값 이 낮 으므로 제 1 상변화 물질 패턴 ( 121 ) , 제 2 상변화 물질 패턴 ( 122 ) 및 제 3 상변화 물질 패턴 ( 123 ) 이 비정질 상태 를 포함 하 여 존재 하 는 제 4 상태 ( D 11 ) 에서 상변화 물질 패턴 ( 120 ) 은 상기 제 1 저항 값 , 제 2 저항 값 및 제 3 저항 값 보다 큰 제 4 저항 값 을 가지 게 된다 .