상기 에 따라서 얻 어 진 성형 재료 ( 1 ) 를 사용 하 여 , 사출 성형기 ( FANUC 사 제조 , ROBOSHOT α 100 B ) 로 성형 온도 280 ℃ 로 하 여 용융 화 하 고 , 금형 온도 160 ℃, 금형 중 에서 의 수지 의 유지 시간 60 초 의 조건 으로 사출 성형 을 실시 하 여 , 웨이퍼 사이즈 300 mm 의 반도체 용기 를 제조 했 다 . 얻 어 진 반도체 용기 에 대해 , 상기 방법 에 따라서 각종 평가 를 실시 했 다 . 결과 를 표 7 에 나타낸다 .