도 5 의 ( e ) 에 도시 하 는 바 와 같이 , 본 스텝 에서 는 , 하 지 ( 200 a ) 의 표면 의 개질 을 억제 하 면서 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 을 선택 적 ( 우선 적 ) 으로 개질 시키 는 것 이 가능 하 게 된다 . 이때 , 하 지 ( 200 a ) 의 표면 의 일부 가 개질 되 는 경우 도 있 지만 , 그 개질 량 은 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 의 개질 량 보다 도 소량 이 된다 . 이러 한 선택 적 ( 우선 적 ) 인 개질 이 가능 하 게 되 는 것 은 , 스텝 B 를 실시 한 후 , 하 지 ( 200 a ) 의 표면 의 대부분 의 영역 에 Si 가 흡착 되 어 있 지 않 은 것 에 반해 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 의 전역 에 Si 가 흡착 되 어 있 기 때문 이 다 . 하 지 ( 200 a ) 의 표면 의 대부분 의 영역 에서 는 , Si 가 흡착 되 어 있 지 않 으므로 Si 와 F 2 의 반응 이 진행 되 지 않 고 , 결과 적 으로 , 그 대부분 의 영역 에 는 F 종단 이 형성 되 지 않 는다 . 단 , 상술 한 바 와 같이 , 하 지 ( 200 a ) 의 표면 의 일부 영역 에 Si 가 흡착 되 어 있 는 경우 도 있 어 , 그 경우 , 그 일부 영역 에 F 종단 이 형성 되 는 경우 도 있 다 . 이 에 반해 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 에서 는 , 그것 들 의 표면 의 전역 에 있 어서 , 표면 에 흡착 되 어 있 는 Si 와 F 2 가 반응 하 여 , F 함유 라디칼 이 생성 되 고 , 이 라디칼 의 작용 에 의해 , 그것 들 의 표면 의 전역 에 매우 안정 된 F 종단 ( SiF 종단 ) 이 형성 된다 . F 함유 라디칼 로서 는 , F , SiF , SiF 2 , SiF 3 , SiHF , SiH 2 F , SiHF 2 등 을 들 수 있 다 .