금속 소스 및 드레 인 전극 , 및 그라핀 리본 을 e - 빔 레지스 트 로서 PMMA 를 사용 하 여 전자 빔 리소그래피 에 의해 패턴 화 하 였 다 . 먼저 , 광학 현미경 을 사용 하 여 단일 층 그라핀 필름 을 미리 제조 된 정렬 마커 ( alignment marker ) 의 300 nm 옥사이드 규소 기판 에 위치 시켰 다 . 300 nm 두께 의 PMMA ( PMMA C 4 950 , 마이크 로 켐 코 포레이 션 ) 필름 을 제조 업체 에 의해 제공 된 표준 절차 및 파라미터 를 사용 하 여 스핀 코팅 에 의해 적용 하 였 다 . 레이스 엘피 플러스 ( Raith Elphy Plus ) 컨트롤러 를 가지 며 30 kV 에서 작동 되 는 JOEL SEM 6400 을 사용 하 여 전자 - 빔 패턴 화 를 500 μ A / cm 2 의 조사 선량 으로 시행 하 였으며 , 이어서 메틸 이소부 틸 케톤 ( MIBK , 마이크 로 켐 코 포레이 션 ) 및 이소프로필 알콜 의 1 : 3 용액 에서 현상 하 였 다 . 이후 , 크로뮴 ( 3 nm ) 및 금 ( 50 nm , 둘 다 알 . 디 . 마티스 컴퍼니 ( R . D . Mathis Co . ) ) 을 열 증착 기 에서 10 - 7 Torr 의 압력 으로 기판 에 증착 시켰 다 . 증착 된 필름 을 70 ℃ 에서 12 시간 동안 아세톤 조 에서 제거 하 고 , 이소프로필 알콜 로 철저 하 게 세정 하 였 다 . 이 에 따라 제조 된 전기 접점 에 대하 여 , 기재 된 것 과 동일 한 또 다른 전자 빔 리소그래피 단계 및 산소 반응 성 이온 에칭 을 사용 하 여 소스 및 드레 인 전극 의 각 쌍 을 연결 하 는 그라핀 의 단리 된 채널 을 패턴 화 하 였 다 .