상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 측면 에 따른 박막 트랜지스터 의 제조 방법 은 절연 기판 상 에 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 전극 을 포함 하 는 상부 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 절 연막 상 에 산소 이온 을 포함 하 며 채널 영역 , 소스 영역 및 드레 인 영역 을 제공 하 는 반도체 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 소스 영역 및 드레 인 영역 의 상기 반도체 층 과 접촉 되 는 소스 전극 및 드레 인 전극 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 반도체 층 을 포함 하 는 상부 에 유기물 을 코팅 하 여 보호막 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 며 , 상기 반도체 층 의 케리어 농도 가 1 e + 17 내지 1 e + 18 #/㎤ 가 되 도록 한다 .