본 발명 의 다른 양상 에 따르 면 , 게이트 - 올 - 어 라운드 전계 효과 트랜지스터 ( GAA FET ) 를 형성 하 는 방법 에서 , 탄소 나노 튜브 ( CNT ) 가 지지 재료 에 매립 된 핀 구조물 이 기판 위 에 형성 되 고 , 희생 게이트 구조물 이 핀 구조물 위 에 형성 되 고 , 절연 층 이 희생 게이트 구조물 및 핀 구조물 위 에 형성 되 고 , 희생 게이트 구조물 이 제거 되 어 핀 구조물 의 일부 가 노출 되 며 , 지지 재료 가 핀 구조물 의 노출 된 부분 으로부터 제거 되 어 CNT 의 채널 영역 이 노출 되 며 , 게이트 구조물 이 CNT 의 노출 된 채널 영역 주위 에 형성 되 고 , 소스 / 드레 인 개구부 가 절연 층 에 형성 되 며 , 지지 재료 가 소스 / 드레 인 개구부 에서 제거 되 어 CNT 의 소스 / 드레 인 영역 이 노출 되 며 , 유전체 층 이 소스 / 드레 인 개구부 에서 노출 된 CNT 주위 에 형성 되 며 , 유전체 층 이 부분 적 으로 제거 되 어 유전체 층 의 일부 가 소스 / 드레 인 개구부 에서 CNT 상 에 남 아 있 고 , 소스 / 드레 인 접촉 층 이 소스 / 드레 인 개구부 에 형성 된다 . 소스 / 드레 인 접촉 부가 CNT 의 일부 에 만 직접 접촉 하 고 유전체 층 의 잔여 부분 이 소스 / 드레 인 접촉 부와 CNT 사이 에 배치 되 도록 소스 / 드레 인 접촉 부 가 형성 된다 . 전술 한 및 후속 실시 예 중 하나 이상 에서 , 유전체 층 의 일부 는 내부 에 고정 양전하 를 갖 는 단일 유전체 층 이 다 . 전술 한 및 후속 실시 예 중 하나 이상 에서 , 유전체 층 은 CNT 와 접촉 하 는 제 1 유전체 층 및 제 1 유전체 층 상 에 형성 된 제 2 유전체 층 을 포함 하 고 , 유전체 층 의 잔여 부분 에서 , 제 1 유전체 층 및 제 2 유전체 층 은 유전체 쌍극자 구조물 을 구성 한다 . 전술 한 및 후속 실시 예 중 하나 이상 에서 , 단면 에서 , 유전체 층 의 잔여 부분 은 각각 의 CNT 의 외부 원주 의 25 % 내지 90 % 를 커버 한다 .