상기 전하 저장 패턴 ( 155 ) 이 부유 게이트 패턴 ( 140 ) 을 포함 하 므로 , 안정 적 인 프로그램 및 소거 동작 이 가능 할 수 있 다 . 반면 , 상기 전하 저장 패턴 ( 140 ) 이 전하 트랩 패턴 ( 165 ) 을 포함 하 여 상기 부유 게이트 패턴 ( 140 ) 의 면적 이 감소 하 므로 , 커플링 디 스터 번스 ( coupling disturbance ) 가 감소 될 수 있 다 . 상기 전하 저장 패턴 ( 140 ) 상 에 유전 막 ( 170 ) 이 배치 된다 . 상기 유전 막 ( 170 ) 은 산화 막 - 질화 막 - 산화 막 ( Oxide - Nitride - Oxide : ONO ) , 고유 전막 , 산화 막 , 질화 막 중 어느 하나 를 포함 할 수 있 다 . 상기 유전 막 ( 170 ) 상 에 게이트 전극 ( 180 ) 이 배치 된다 . 상기 게이트 전극 ( 180 ) 은 폴리 실리콘 을 포함 할 수 있 다 .