상기 노출 된 액티브 영역 들 상 에 적어도 하나 의 산화 막 , 적어도 하나 의 질화 막 및 / 또는 적어도 하나 의 산질 화 막 을 포함 하 는 절연 구조물 들 ( 440 ) 을 형성 한다 . 상기 적어도 하나 의 질화 막 은 상기 적어도 하나 의 산화 막 의 일부 를 변화 시켜 형성 될 수 있 다 . 또한 , 상기 적어도 하나 의 산질 화 막 은 상기 적어도 하나 의 산화 막 을 전체 적 으로 변화 시켜 형성 될 수 있 디 . 본 발명 의 실시 예 들 에 있 어서 , 절연 구조물 들 ( 440 ) 은 불휘발성 반도체 장치 의 터널 산화 막 의 기능 을 수행 할 수 있 다 .