또한 , AlGaAs 물질 사용 의 제한 으로 InGaAsP , InAlGaAs 물질 계 의 경우 , 효과 적 인 전류 감금 방법 을 사용 하 기 위하 여 이온 주입 법 ( ion - implantation ) , 공기층 ( air - gap ) 감금 법 , 매립 터널 결합 ( buried tunnel junction ) 법 , 기판 접합 ( wafer - bonding ) 에 의한 공기층 감금 법 등 이 사용 되 며 , InAlAs 층 을 이용 한 산화 막 방법 등 이 이용 되 고 있 다 . 그러나 장파장 표면 방출 레이저 의 경우 이온 주 입법 , 재성장 방법 이나 , 공기층 전류 감 금법 , InAlAs 물질 의 산화 막 구경 전류 감금 법 등 은 전류 제한 구경 을 제작 하 는데 있 어서 공정 이 복잡 하 고 전류 제한 층 두께 조절 의 어려움 등 의 문제점 을 가지 고 있 다 .