본 실시 의 형태 는 , 상기 실시 의 형태 3 에 있 어서 , 반도체 기판 ( 100 ) 으로부터 베이스 기판 ( 120 ) 위 에 각각 단결정 반도체 막 ( 124 ) 을 형성 하 는 다른 방법 을 나타낸다 . 또한 , 본 실시 의 형태 에서 는 , 복수 의 반도체 기판 ( 100 a , 100 b ) 을 베이스 기 판 ( 120 ) 에 붙이 는 경우 에 대해 나타낸다 .