또한 , 본 발명 은 , 적어도 , 반도체 웨이퍼 를 한 장 근처 4 개 이상 의 지지 부 에 의해 수평 으로 지지 하 여 열처리 를 실시 할 때 , 상기 4 개 이상 의 지지 부 에 , 각각 , 지지 보조 부재 를 탈착 가능 하 게 장착 하 고 , 상기 지지 보조 부재 상 에 상기 반도체 웨이퍼 를 재치 하 여 열처리 하 는 반도체 웨이퍼 의 열처리 방법 으로서 , 상기 4 개 이상 의 지지 부 의 형상 을 각각 측정 하 고 , 상기 측정 으로부터 4 개 이상 의 지지 부 모두 에 의한 평면도 를 얻 고 , 상기 얻 어 진 평면도 에 근거 하 여 , 상기 지지 보조 부재 의 두께 를 조절 하 고 , 상기 측정 한 각각 의 지지 부 의 형상 에 맞추 어 , 상기 두께 를 조절 한 지지 보조 부재 를 선택 하 고 , 상기 선택 한 지지 보조 부재 를 상기 지지 부 에 장착 하 거나 , 상기 측정 한 각각 의 지지 부 의 형상 에 맞추 어 스 페이서 를 선택 하 고 , 상기 선택 한 스 페이서 를 사이 에 두어 상기 지지 부 에 상기 지지 보조 부재 를 장착 하 고 , 상기 각각 의 지지 보조 부재 의 재치 면 모두 에 의한 평면도 를 조정 하 고 나 서 , 상기 재치 면 상 에 상기 반도체 웨이퍼 를 재치 하 여 열처리 를 실시 하 는 것 을 특징 으로 하 는 반도체 웨이퍼 의 열처리 방법 을 제공 한다 .