따라서 , 본 발명 은 상기 한 종래 기술 의 문제점 을 해결 하 기 위해 제안 된 것 으로서 , 복수 의 게이트 전극 사이 의 간격 을 최대한 확보 하 면서 게이트 전극 을 형성 하 기 위한 식각 공정 후 실시 되 는 재산 화 공정 에 의해 고 융점 금속 막 이 이상 산화 되 는 것 을 방지 할 수 있 는 반도체 소자 의 게이트 전극 형성 방법 을 제공 하 는 데 목적 이 있 다 .