보다 자세 하 게 는 인시 츄 ( in - situ ) 공정 으로 Cp 계열 의 루테늄 소스 를 사용 하 여 루테늄 과 산소 가 포함 된 루테늄 산화 막 을 형성 할 경우 , 루테늄 반응 가스 로 산소 를 사용 하 기 때문 에 ALD 또는 CVD 장비 내 에서 루테늄 소스 공급 전 에 플러싱 공정 을 진행할 수 있 다 . 만약 , 익스 시 츄 ( ex - situ ) 공정 으로 루테늄 산화 막 을 형성 할 경우 , 플러싱 공정 후 , - OH 기 가 생기 지 않 는 시간 내 에 루테늄 산화 막 을 형성 해야 한다 .