또한 , 제 1 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 기억 장치 ( 100 ) 에서 는 제 1 메모리 홀 ( 35 a ) 과 제 2 메모리 홀 ( 35 b ) 이 적층 방향 으로 중첩 되 어 형성 된다 . 따라서 , 제 1 메모리 홀 ( 35 a ) 의 중심 위치 가 제 2 메모리 홀 ( 35 b ) 의 중심 위치 에서 소정 길 이 어긋날 경우 에 도 , 제 1 메모리 홀 ( 35 a ) 과 제 2 메모리 홀 ( 35 b ) 을 연통 시킬 수 있 다 . 구체 적 으로 는 , 제 1 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 기억 장치 ( 100 ) 는 신뢰 성 을 높일 수 있 고 , 또한 수율 의 저하 를 억제 할 수 있 다 .