본 개시 에 따른 시일 구 조체 를 적용 한 성막 장치 에 대해서 설명 한다 . 성막 장치 는 , " 도 1 에 도시 하 는 바 와 같이 진공 분위기 하 에서 기판 인 반도체 웨이퍼 ( 이하 "" 웨이퍼 "" 라 하 는 것 으로 함 ) ( W ) 의 처리 를 실행 하 는 처리 챔버 인 진공 챔버 ( 10 ) 와 진공 챔버 ( 10 ) 에 처리 가스 를 공급 하 기 위한 가스 공급 배관 ( 4 ) 을 구비 하 고 있 다 . 그리고 ", 후술 하 는 바 와 같이 가스 공급 배관 ( 4 ) 은 복수 의 배관 부재 ( 제 1 부재 ( 4 A ) , 제 2 배관 부재 ( 4 B ) ) 를 접속 하 여 구성 되 며 , 이 들 배관 부재 의 접속 부 를 거친 가스 공급 배관 ( 4 ) 내로 의 대기 의 진입 을 억제 하 기 위한 시일 구조 체가 마련 되 어 있 다 .