본 발명 의 하나 의 특징 에 따르 면 , 전극 ( 2 ) , 특별히 몰리브덴 에 기초 한 전극 을 증착 하 기 전 에 , 알칼리 장벽 층 ( 9 ) 이 기판 ( 1 ') 의 면 의 전부 나 일부 위 에 증착 된다 . 이 알칼리 장벽 층 ( 9 ) 은 유전체 물질 에 기초 하 며 , 이 유전체 물질 은 실리콘 질화물 , 산화물 또는 옥시 질화물 에 기초 하 거나 또는 알루미늄 질화물 , 산화물 또는 옥시 질화물 에 기초 하 거나 또는 티타늄 이나 지르코늄 질화물 에 기초 하 며 , 이 들 물질 은 단독 으로 또는 혼합 하 여 사용 된다 . 이 장벽 층 의 두께 는 3 내지 200 ㎚ 이 며 , 바람직 하 게 는 20 내지 150 ㎚ 이 며 , 실질 적 으로 130 ㎚ 에 가깝 다 .