독 출 모드 에서 , 선택 메모리 셀 ( 720 ) 과 연결 된 비트 라인 ( BL ) 에 독 출 전압 ( Vread ) 이 인가 되 고 보상 메모리 셀 ( 710 ) 및 비 선택 메모리 셀 ( 730 ) 에 는 턴 - 온 전압 ( Von ) 이 인가 되 기 때문 에 보상 메모리 셀 ( 710 ) 의 반도체 층 ( 522 a ) 및 비 선택 메모리 셀 ( 730 ) 의 반도체 층 ( 522 c ) 은 도체 특성 을 갖 는다 . 그리하여 , 독 출 전류 ( Iread ) 는 보상 메모리 셀 ( 710 ) 의 반도체 층 ( 522 a ) 및 비 선택 메모리 셀 ( 730 ) 의 반도체 층 ( 522 c ) 을 통해 흐르 게 된다 . 그러나 , 선택 메모리 셀 ( 720 ) 에서 는 턴 - 오프 전압 ( Voff ) 이 인가 되 기 때문 에 독 출 전류 ( Iread ) 는 선택 메모리 셀 ( 720 ) 의 저항 변화 층 ( 523 b ) 에 만 모두 에 흐르 게 되 어 , 선택 메모리 셀 ( 720 ) 에 대한 독 출 동작 이 수행 될 수 있 다 .