제 7 의 양태 는 , 패턴 형성 방법 으로서 , 기판 상 에 감광성 수지 막 을 도포 하 는 공정 과 , 감광성 수지 막 으로부터 패턴 을 형성 하 는 공정 을 구비 한다 . 패턴 을 형성 하 는 공정 은 , 감광성 수지 막 을 노광 하 는 공정 과 , 감광성 수지 막 을 노광 하 는 공정 후 에 감광성 수지 막 을 현상 하 는 공정 을 포함 한다 . 패턴 형성 방법 은 또한 , 기판 을 반송 하 면서 패턴 으로 발광 다이오드 로부터 의 광 을 조사 하 는 공정 을 구비 한다 .