도 1 의 ( a ) ( b ) 을 참조 하 면 , 일반 적 으로 웨이퍼 ( W ) 의 일 측 에 는 정렬 시 기준 이 될 수 있 는 기준점 이 형성 된다 . 상기 기준점 은 종래 에 는 일 측 에 플랫 존 ( f ) 이 형성 된 플랫 존 타입 ( flat zone type ) 이 사용 되 었 으나 , 요즘 에 는 반도체 소자 가 점차 미세 화 됨 에 따라 노치 ( n ) 가 형성 된 노치 타입 ( notch type ) 으로 변하 는 추세 이 다 .