이 와 같이 산화 막 제 거액 을 분사 할 경우 실리콘 층 ( 122 ) 으로부터 분리 된 자연 산화 막 은 중력 에 의해 자연 스럽 게 기판 ( 120 ) 하면 의 실리콘 층 ( 122 ) 으로부터 이탈 하 여 하측 으로 이동 하 게 되 며 , 따라서 실리콘 층 ( 122 ) 상 에 자연 산화 막 이 잔존 하 지 않 아 종래 의 실리콘 층 형성 방법 과 달리 자연 산화 막 이 실리콘 층 ( 122 ) 에 재 부착 되 는 것 을 효과 적 으로 방지 할 수 있 다 .