전술 한 실시 예 에서 는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 의 상부 DBR 구 조물 ( 340 ) 을 InAlGaAs 층 ( 341 ) / [ 제 1 InAlAs 층 ( 342 ) / InP 층 ( 343 ) / 제 2 InAlAs 층 ( 344 ) ] 으로 구성 하 는 실시 예 가 개시 되 어 있 으나 , 하부 DBR 구조물 ( 320 ) 을 InAlGaAs 층 / [ InAlAs 층 / InP 층 / InAlAs 층 ] 으로 구성 할 수 있 음 은 물론 이 고 , 상부 DBR 구조물 ( 340 ) 및 하부 DBR 구조물 ( 320 ) 을 모두 InAlGaAs 층 / [ InAlAs 층 / InP 층 / InAlAs 층 ] 으로 구성 할 수 있 다 . 또한 , 전술 한 실시 예 에서 는 각 층 의 전체 적층 수 를 48 주기 로 개시 하 였으나 , 사용 자 가 요구 하 는 반사 율 에 따라 각 층 의 적층 수 를 다르 게 할 수 있 다 .