따라서 상기 전하 트랩 영역 에 트랩 된 전하 들 중 에서 일부 가 상기 외부 로 이동 함 에 따라 , 프로그램 검증 동작 시 상기 전하 트랩 영역 에 트랩 된 전하 들 만 이 선택 된 비휘발성 메모리 셀 ( 21 ) 의 문턱 전압 의 변화 에 영향 을 미칠 수 있 다 . 즉 , 전하 확산 에 의한 선택 된 비휘발성 메모리 셀 ( 21 ) 의 문턱 전압 변화 는 최소 화 된다 .