표 1 에 나타낸 바 와 같이 , 버퍼 탱크 내 를 감압 하 고 ( 감압 공정 ) , 그 후 , 텅스텐 막 의 성막 ( 성막 공정 ) 을 행한 경우 , TiN 막 의 에 칭량 은 1 . 3 nm 이 었 다 . 이 에 반해 , 버퍼 탱크 내 의 감압 ( 감압 공정 ) 을 행하 지 않 고 , 텅스텐 막 의 성막 ( 성막 공정 ) 을 행한 경우 , TiN 막 의 에 칭량 은 1 . 6 nm 이 었 다 . 즉 , 버퍼 탱크 내 를 소정 의 압력 으로 감압 하 고 , 그 후 , 텅스텐 막 의 성막 을 행함 으로써 , WCl 6 가스 에 의한 하지 막 ( 202 ) 인 TiN 막 의 에칭 을 억제 할 수 있 다 .