이때 변화 한 유기 발광 다이오드 ( OLED ) 의 애노드 전압 ( VANODE ) 으로 인해 저장 커패시터 ( CSTG ) 와 구동 트랜지스터 ( ND ) 의 게이트 에서 발생 된 기생 커패시턴스 간 의 전기 용량 결합 효과 ( Capacitive coupling effect ) 로 구동 트랜지스터 ( ND ) 의 게이트 전압 ( VG ) 이 변하 게 되 며 , 변화 한 구동 트랜지스터 의 게이트 전압 ( VG ) 은 수학식 3 과 같이 나타낼 수 있 다 .