도 5 C 의 형태 는 , 도전 성막 ( 4 ) 중 함유 되 는 제 1 입자 ( 71 ) 의 비율 을 도 5 B 의 형 태 에 비해 많 게 한 경우 이 다 . 이 경우 , 도 5 B 의 경우 보다 , 제 1 보조 전극 ( 2 ) 과 제 2 보조 전극 ( 3 ) 의 사이 의 저항 값 자체 가 커진다 . 또 , " 이 형태 의 도전 성막 ( 4 ) 에 "" 통전 포 밍 "" 처리 를 실시 한 후 ", 도 5 B 의 경우 와 마찬가지 로 , 전류 패스 가 제한 되 어 국소 적 으로 전계 가 집중 하 는 영역 ( 72 ) 이 생성 된다 .