그 외 에 , 도면 에 는 도시 하 지 않 았 으나 , 하부 기판 ( 510 ) 상 에 는 종횡 으로 교차 하 여 화소 영역 을 정의 하 는 복수 개 의 게이트 배선 과 데이터 배선 을 형성 하 고 , 상기 게이트 배선 과 데이터 배선 의 교차점 에 게이트 전극 , 게이트 절 연막 , 반도체 층 , 오 믹 콘 택 층 , 소스 / 드레 인 전극 , 및 보호막 으로 이루어진 박막 트랜지스터 를 형성 하 며 , 상기 박막 트랜지스터 와 연결 되 는 화소 전극 을 상기 화소 영역 에 형성 한다 .