본 발명 의 핵심 기술 요지 는 , 게이트 전극 을 포함 하 는 반도체 소자 의 상부 전면 에 층간 절 연막 을 형성 하 고 , 이 를 패 터닝 하 여 콘 택 홀 을 형성 하 며 , 콘 택 홀 이 형성 된 반도체 기판 상부 전면 에 보호 질화 막 을 형성 하 고 , 보호 질화 막 이 형성 된 반도체 기판 상부 전면 에 보호 산화 막 을 형성 한 후 에 , 보호 질화 막 및 보호 산화 막 이 형성 된 반도체 기판 상부 를 블랭크 식각 하 고 , 블랭크 식각 된 반도체 기판 을 습식 세정 한다는 것 으로 , 이러 한 기술 적 수단 을 통해 본 발명 에서 목적 으로 하 는 바 를 쉽 게 달성 할 수 있 다 .