위 에서 기재 한 조성물 을 실리콘 웨이퍼 에 1 , 500 rpm 으로 60 초 동안 스핀 - 코팅 한 다음 205 ℃ 에서 60 초 동안 베이 킹 했 다 . 이후 상기 층 을 1 , 500 rpm 으로 60 초 동안 스 피닝 에 의하 여 레지스 트 ( JSR 1682 J , 일본 의 JSR Micro , Inc . 로부터 구입 가능 ) 로 코팅 했 다 . 레지스 트 를 120 ℃ 에서 60 초 동안 소프트 - 베이 킹 했 다 . 리소그래피 를 코팅 된 실리콘 웨이퍼 및 대 조군 ( 즉 , 블록 킹 된 이 소시아 네이트 첨가제 가 없 는 동일 한 반사 방지 코팅 ) 실리콘 웨이퍼 상 에 수행 하 여 리소그래피 시 첨가제 의 효과 를 결정 했 다 . 특히 , 웨이퍼 는 193 nm 파장 의 빛 을 사용 하 여 80 - nm 피처 로 패턴 화 되 었 다 .