기판 버퍼 층 ( 26 ) 위 에 는 구동 반도체 층 ( 37 ) 이 형성 된다 . 구동 반도체 층 ( 37 ) 은 다 결정 규소 를 포함 하 는 물질 로 형성 될 수 있 다 . 또한 , 구동 반도체 층 ( 37 ) 은 불순물 이 도핑 되 지 않 은 채널 영역 ( 35 ) , 채널 영역 ( 35 ) 의 양 옆 에서 도핑 되 어 형성 된 소스 영역 ( 34 ) 및 드레 인 영역 ( 36 ) 을 포함 한다 . 이때 , 도핑 되 는 이온 물질 은 붕소 ( B ) 와 같 은 P 형 불순물 이 며 , 주로 B 2 H 6 이 사용 될 수 있 다 . 여기 서 , 이러 한 불순물 은 트랜지스터 의 종류 에 따라 달라진다 .