자성 재료 를 사용 한 불휘발성 메모리 소자 인 MTJ ( Magnetic Tunnel Junction ) 소자 는 , 내열성 이 낮 다 . 그 때문 에 , 배선 형성 공정 에 있 어서 의 서멀 버짓 에 의해 열화 될 우려 가 있 다 . 이 에 비해 , 예 를 들 어 특허 문헌 1 에서 는 , 배선 형성 공정 이 완료 된 후 에 , 기판 의 이면 측 에 MTJ 소자 를 형성 하 는 반도체 장치 의 제조 방법 이 개시 되 어 있 다 .