도 2 를 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 에 의한 화소 ( PXL ) 의 전류 누설 경로 에 는 산화물 반도체 트랜지스터 ( M ( O ) ) 및 폴리 실리콘 반도체 트랜지스터 ( M ( P ) ) 가 형성 된다 . 일례 로 , 구동 트랜지스터 ( MD ) 의 게이트 전극 에 접속 되 도록 폴리 실리콘 반도체 트랜지스터 ( M ( P ) ) 가 형성 되 고 , 폴리 실리콘 반도체 트랜지스터 ( M ( P ) ) 와 접속 되 도록 산화물 반도체 트랜지스터 ( M ( O ) ) 가 형성 될 수 있 다 .