상기 제 1 리얼 반도체 패턴 ( 110 a ) 은 상기 제 1 마스크 패턴 ( 120 b ) 에 의하 여 정의 된다 . 이때 , 상기 제 1 마스크 패턴 ( 120 b ) 은 상기 예비 마스크 패턴 ( 120 a ) 의 벽부 ( 121 ) 로부터 형성 된다 . 이 에 따라 , 상기 제 1 마스크 패턴 ( 120 b ) 의 선폭 은 상기 벽부 ( 121 ) 의 폭 으로 결정 된다 . 상기 벽부 ( 121 ) 의 폭 은 상기 마스크 막 ( 120 ) 의 증착 두께 에 의하 여 결정 된다 . 이 에 따라 , 상기 제 1 마스크 패턴 들 ( 120 b ) 의 선폭 은 노광 공정 에 의존 하 지 않 는다 . 그 결과 , 상기 제 1 마스크 패턴 들 ( 120 b ) 은 종래 의 노광 공정 에 의한 산포 발생 을 차단 할 수 있 다 . 이 로써 , 상기 상기 제 1 마스크 패턴 들 ( 120 b ) 의 선폭 들 의 균일성 이 향상 된다 . 특히 , 상기 마스크 막 ( 120 ) 을 원자 층 적층 법 으로 형성 하 는 경우 에 , 상기 제 1 마스크 패턴 들 ( 120 b ) 의 선폭 들 의 균일성 이 더욱 향상 된다 .