본 발명 은 상기 세 번 째 기술 적 과제 를 이루 기 위하 여 레이트 전이 금속 의 배선 및 그 와 인접 하 는 분리 막 을 포함 하 는 기판 을 제공 하 는 단계 ; 상기 기판 상 에 상기 화학식 ( 1 ) 의 코발트 화합물 을 공급 하 는 단계 ; 상기 배선 상 에 코발트 금속 층 을 선택 적 으로 형성 하 기 위하 여 환원성 가스 를 공급 하 는 단계 ; 및 상기 코발트 금속 층 상 에 절연 층 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .