도 13 을 참조 하 면 , 상기 제 1 절 연막 ( 142 ) 상부 면 프로 파일 을 따라 제 2 절 연막 ( 144 ) 을 형성 한다 . 상기 제 2 절 연막 ( 144 ) 은 상기 제 1 절 연막 ( 142 ) 및 제 2 예비 소자 분리 막 패턴 ( 140 a ) 와 각각 식각 선택 비 가 높 은 물질 로 형성 할 수 있 다 . 일 예 로 , 상기 제 2 절 연막 ( 144 ) 은 실리콘 질화물 로 형성 할 수 있 다 . 상기 제 2 절 연막 ( 144 ) 은 상기 예비 플로팅 게이트 전극 ( 104 a ) 사이 의 갭 을 완전히 채우 지 않 는 형상 을 갖 도록 형성 된다 . 그러므로 , 상기 제 2 절 연막 ( 144 ) 에 의해 상기 예비 플로팅 게이트 전극 ( 104 a ) 사이 의 갭 의 폭 은 더욱 좁 아 지 게 된다 .