상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 은 , NMOS 형성 영역 을 정의 하 며 , 액티브 영역 을 한정 하 는 소자 분리 막 이 구비 된 반도체 기판 의 액티브 영역 을 식각 하 여 게이트 형성 영역 을 한정 하 는 홈 을 형성 하 는 단계 ; 상기 홈 의 양측 의 기판 표면 내 에 불순물 영역 을 형성 하 는 단계 ; 상기 홈 을 포함 한 기판 전면 상 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 절 연막 이 형성 된 홈 을 매립 하 도록 게이트 절 연막 상 에 P 형 폴리 실리콘 막 을 증착 하 는 단계 ; 상기 P 형 폴리 실리콘 막 내 에 N 형 불순물 로 카운터 도핑 하 는 단계 ; 및 상기 카운터 도핑 된 P 형 폴리 실리콘 막 상 에 게이트 금속 막 과 게이트 하드 마스크 막 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 모스 펫 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .