또한 , 본 발명 에서 는 , 이온 주입 조건 이 서로 다른 2 회 의 이온 주입 공정 에 의해 , 에 미터 영역 을 형성 한다 . 이 제조 방법 에 의해 , 에피 택 셜 층 의 심부 에 최소 폭 의 베이스 폭 ( Wb ) 을 형성 하 여 , 원 하 는 hfe 값 을 얻 을 수 있 다 . 또한 , 에 미터 영역 의 표면 근방 의 불순물 농도 를 높 게 하 여 , 컨 택트 저항 을 저감 할 수 있 다 .