도 4 는 종래 기술 에 따라 HARP 막 재질 의 소자 분리 막 을 형성 시킨 반도체 소자 의 단면 사진 으로서 , 도 3 c 에서 의 폭 이 작 은 트렌치 인 제 1 트렌치 ( T 1 ) 내부 에 는 심 ( seam ) 이 제거 되 었 지만 , 폭 이 큰 트렌치 인 제 2 트렌치 ( T ) 의 내부 에 는 심 ( seam ) 이 잔류 된 것 을 확인 할 수 있 다 .