본 발명 의 목적 은 집적회로 내 에서 최저 임계 전압 ( Vmin ) 특성 이 취약 한 금 속 ( Metal ) 배선 이나 비아 ( Via ) 저항 성분 들 을 테스터 가 연결 된 레이저 스캔 ( Laser Scan ) ( OBIRCH , TIVA ) 장비 를 이용 하 여 레이저 스캔 에 의한 발열 현상 으로 양호 ( Pass ) 상태 로 변화 하 는 위치 를 검색 하 는 레이저 스캔 을 이용 한 반도체 소자 불량 검색 방법 및 장치 를 제공 하 는 데 에 있 다 .