도 9 는 , 실시 형태 와 관련 되 는 웨이퍼 의 가공 방법 의 드라이 에칭 의 정전 척 테이블 및 커버 부재 를 도시 한 단면도 이 다 . 드라이 에칭 단계 ( ST 6 ) 는 , 프레임 유닛 유지 단계 ( ST 4 ) 및 차폐 단계 ( ST 5 ) 실시 후 , 에칭 챔버 ( 41 ) 에 가스 ( 45 ) 를 공급 하 여 , 웨이퍼 ( 11 ) 를 드라이 에칭 하 는 단계 이 다 . 드라이 에칭 단계 ( ST 6 ) 에 있 어서 는 , 차폐 단계 ( ST 5 ) 에서 환형 프레임 ( 12 ) 과 점착 테이프 ( 13 ) 의 환형 영역 ( 131 ) 을 커버 부재 ( 5 ) 로 덮 은 채 로 , 도 5 에 도시 한 바 와 같이 , 가스 공급 관 ( 43 ) 으로부터 플 라즈 마 처리 실 ( 411 ) 의 내부 에 플 라즈 마 상태 의 가스 ( 45 ) 를 유입 한다 . 플라 즈 마 상태 의 가스 ( 45 ) 에 의해 , 웨이퍼 ( 11 ) 에 드라이 에칭 을 실시 한다 . 여기 서 , 환형 프레임 ( 12 ) 과 점착 테이프 ( 13 ) 의 환형 영역 ( 131 ) 은 커버 부재 ( 5 ) 로 차폐 되 어 있 기 때문 에 , 환형 프레임 ( 12 ) 및 점착 테이프 ( 13 ) 의 환형 영역 ( 131 ) 은 , 드라이 에칭 이 실시 되 는 것 이 억제 된다 . 또한 , 드라이 에칭 에 는 , 예컨대 , 플라 즈 마 에칭 과 , 반응 가스 중 에 재료 를 노출 시키 는 가스 에칭 이 포함 된다 . 또한 , 실시 형태 에 있 어서 의 드라이 에칭 의 목적 은 , 분할 예정 라인 가공 단계 ( ST 3 ) 에 있 어서 의 레이저 가공 으로 발생 한 데브리 나 열 영향 층 ( 데미지 층 ) 을 제거 함 으로써 , 항절 강도 를 향상 시키 는 것 이 나 , 본 발명 은 , 이 에 한하 지 않 고 , 웨이퍼 ( 11 ) 를 분할 예정 라인 ( 14 ) 을 따라 직사각 형 칩 으로 절단 하 는 가공 에 도 드라이 에칭 을 적용 하 는 것 이 가능 하 다 .