15 nm 게이트 기술 을 위해 필수 게이트 레벨 결함 빈도 ( defect density ) 는 ITRS 2005 로드맵 ( roadmap ) 에 따르 면 사이즈 에 있 어서 10 nm 에서 대략 0 . 01 / ㎠ 일 것 이 다 . 임계 치수 제어 는 게이트 소자 에 대해 에칭 후 약 0 . 6 nm ( 3 시그마 ) 가 되 어야 할 것 이 다 . 이 들 성능 특성 과 공존 하 는 리소그래피 및 에칭 프로세스 툴 은 없 다 .