다른 실시 형태 는 , 논리 엘리먼트 와 함께 공통 층간 금속 유전체 ( IMD ) 층 에 배치 된 자기 터널 접합 ( MTJ ) 저장 엘리먼트 를 포함 하 는 반도체 디바이스 를 형성 하 는 방법 을 포함 할 수 있 으며 , 이 방법 은 제 1 부분 및 제 2 부분 을 포함 하 는 제 1 캡 층 을 형성 하 는 단계 ; 하부 전극 을 위한 개구 를 형성 하 기 위해 제 2 부분 을 패 터닝 하 는 단계 ; 하부 전극 이 제 1 부분 내 제 1 금속 배선 과 접촉 하 도록 하부 전극 을 증착 하 는 단계 ; 하부 전극 상 에 MTJ 저장 엘리먼트 를 증착 하 는 단계 ; MTJ 저장 엘리먼트 의 측벽 들 상 에 측벽 캡 층 을 증착 하 는 단계 ; MTJ 저장 엘리먼트 상 에 상부 전극 을 증착 하 는 단계 ; 상부 전극 상 에 제 2 금속 배선 을 증착 하 는 단계 ― 제 2 금속 배선 은 논리 엘리먼트 의 대응 하 는 금속 배선 과 비교 하 여 감소 된 두께 를 가짐 ―; 공통 IMD 층 의 적어도 일부 를 증착 하 는 단계 ; 및 공통 IMD 층 을 상부 IMD 층 으로부터 분리 시키 기 위해 공통 IMD 층 상 에 제 2 캡 층 을 증착 하 는 단계 를 포함 한다 .