상기 기술 적 과제 를 이루 기 위한 본 발명 에 따른 N ( N ≥ 2 ) 개 의 분배 헤드 를 구비 하 는 APCVD 장치 를 이용 하 여 나노 갭 을 채우 는 SiO 2 절 연막 증착 방법 은 ( a ) 웨이퍼 의 STI 영역 의 갭 에 하 지 막 으로 증기 SiO 2 막 을 형성 시키 는 단계 ; ( b ) N 개 의 분배 헤드 중 n ( n ≥ 1 ) 개 의 분배 헤드 에서 소정 의 온도 로 가열 된 질소 가스 , 소정 의 온도 로 가열 된 질소 가스 가 혼합 된 TEOS 가스 및 산소 가스 가 혼합 된 오존 가스 를 포함 하 는 공정 가스 를 분배 하 여 상기 ( a ) 단계 에 의해 형성 된 SiO 2 막 상 에 소정 의 속도 로 STI 영역 의 갭 을 채우 는 단계 ; 및 ( c ) N 개 의 분배 헤드 중 나머지 m ( m ≥ 1 , m = N - n ) 개 의 헤드 에서 상기 공정 가스 를 분배 하 여 상기 ( b ) 단계 에 의해 SiO 2 로 채워진 STI 영역 에 상기 ( b ) 단계 보다 빠른 소정 의 속도 로 SiO 2 절 연막 을 증착 하 는 단계 ; 를 포함 하 고 , 상기 ( b ) 단계 및 ( c ) 단계 는 600 torr ~ 800 torr 의 공정 압력 에서 행해 지 는 것 을 특징 으로 한다 .