본 발명 의 제 6 형태 에 있 어서 는 , Si 기판 상 에 , 개구 를 가지 며 , 결정 성장 을 저해 하 는 저해 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 개구 내 에 Ge 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 Ge 층 을 형성 한 후 에 , 기능 층 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 기판 의 제조 방법 을 제공 한다 . 상기 반도체 기판 의 제조 방법 에 있 어서 , 상기 기능 층 을 형성 하 는 단계 에 있 어서 , 상기 기능 층 을 상기 Ge 층 에 격자 정합 또는 의사 격자 정합 시켜 도 좋 다 . 상기 반도체 기판 의 제조 방법 에 있 어서 , 상기 기능 층 을 , 상기 개구 내 에 형성 하 여도 좋 다 .