기록 및 판독 워드 선 C 를 VDD 로 함 으로써 , " 노드 FG 의 전위 는 용량 소자 ( 164 ) 와 용량 결합 함 으로써 VDD 분 상승 한다 . 데이터 "" 1 "" 인 VDD 가 노드 FG 에 기록 되 는 경우 는 ", VDD 분 상승 하 여 VDD + VDD = 2 VDD 가 되 어 Vgsp 가 Vth _ p 보다 크 게 되 기 때문 에 , p 채널 형 트랜지스터 인 트랜지스터 ( 160 ) 는 오프 상태 가 된다 . 한편 , " 데이터 "" 0 "" 인 GND 가 노드 FG 에 기록 되 는 경우 는 ", VDD 분 상승 하 여 GND + VDD = VDD 가 되 어 Vgsp 가 Vth _ p 보다 크 게 되 기 때문 에 , p 채널 형 트랜지스터 인 트랜지스터 ( 160 ) 는 오프 상태 가 된다 . 즉 , 기록 및 판독 워드 선 C 를 VDD 로 함 으로써 , 노드 FG 에 유지 된 데이터 에 따르 지 않 고 , 트랜지스터 ( 160 ) 를 오프 상태 , 즉 메모리 셀 ( 170 ) 을 비 선택 상태 로 할 수 있 다 .