도 9 a 는 11 - AA 로 처리 또는 미처리 된 키 토산 기판 상 에 제조 된 AgNW 의 면저항 의 거동 을 보여준다 . 미처리 된 키 토산 기판 상의 AgNW ( 2000 rpm , 1 층 ) 는 강한 소수성 을 가지 는 키 토산 필름 상 의 나노 와이어 네트워크 의 형성 이 잘 이루어지 지 않 아 3871 . 6 ohm / sq 의 매우 높 은 면저항 을 나타낸다 . 11 - AA 처리 는 키토산 박막 에서 AgNW 의 전기 적 특성 을 크 게 향상 시켜 면저항 을 두 자릿수 크기 ( two orders of magnitude ) 만큼 감소 시킨다 . 11 - AA 로 처리 된 AgNW ( 2000 rpm , 1 층 ) 의 면저항 은 28 . 6 ohm / sq 이 며 이 는 유리 기판 에 증착 된 미처리 AgNW 의 표면 저항 ( 113 . 1 ohm / sq ) 보다 낮 습니다 . 11 - AA 처리 된 키 토산 필름 에서 제조 된 AgNW 네트워크 ( 2000 rpm , 1 층 ) 는 550 nm 의 파장 에서 97 . 1 % 의 초고 투과율 을 나타낸다 . 반면 에 , 미처리 키 토산 필름 또는 유리 기판 상 에 증착 된 AgNW 의 투과율 값 은 도 9 b 에 도시 된 바 와 같이 불과 90 . 4 % 이 다 . 11 - AA 처리 된 AgNW 의 향상 된 전기 적 특성 은 AgNW 와 키토산 필름 사이 의 접착 을 효과 적 으로 개선 하 는 11 - AA 의 우수 한 표면 개질 기능 에 기인 한다 . 도 9 c 와 도 9 d 는 11 - AA 로 처리 또는 미처리 된 키 토산 박막 위 의 AgNW 의 주사 전자 현미경 ( SEM ) 이미지 를 보여준다 . 11 - AA 처리 가 키토산 기판 상 의 나노 와이어 의 혼탁도 ( haziness ) 를 감소 시킬 수 있 음 이 관찰 된다 .