도 3 a 및 도 3 b 를 다시 참조 하 면 , 본 실시 예의 메모리 장치 는 , 기판 ( 100 ) 의 표면 에 대해 수직 방향 으로 연장 하 는 기둥 형상 의 비트 라인 ( 160 ) 과 , 제 2 방향 에서 비트 라인 ( 160 ) 의 일 측 및 타 측 에 각각 배치 되 면서 다층 예컨대 , 4 층 으로 적층 되 는 워드 라인 ( 110 ) 과 , 비트 라인 ( 160 ) 과 워드 라인 ( 110 ) 의 사이 에 개재 되 는 가변 저항 층 ( 150 ) 을 포함 할 수 있 다 .