도 10 ( g ) 를 참조 하 면 , n 형 반도체 층 ( 100 ) 의 노출 된 표면 을 러프 닝 ( roughening ) 한다 . 러프 닝 공정 은 KOH 용액 또는 NaOH 용액 에 발광 소자 를 디 핑 한 후 UV 를 조사 하 면 , n 형 반도체 층 ( 100 ) 의 표면 이 방향 성 을 갖 고 에칭 되 면서 n 형 반도체 층 ( 100 ) 의 표면 이 러프 닝 된다 . 이후 다 이싱 ( dicing ) 이나 레이저 커팅 방법 으로 발광 소자 영역 사이 의 커버 층 ( 600 ) , 제 1 지지층 ( 710 ) 을 절단 하 여 칩 을 완성 한다 .