특히 , ITO 막 ( 52 ) 과 같 은 인듐 을 포함 하 는 투명 도전 막 을 에칭 하 면 , 인듐 이 부생 성 물 에 포함 되게 된다 . 별도 로 , 실리콘 함 유막 을 에칭 했 을 때 에 부생 성물 이 된 실리콘 을 클리닝 할 때 의 할로젠 라디칼 에 의한 클리닝 에 의해 인듐 의 할로젠화물 이 부생 성물 로서 발생 하 는 경우 가 있 다 . 이 경우 , 인듐 의 할로젠화물 을 휘발 시켜 제거 하 려면 600 ℃ 이상 의 고온 으로 할 필요 가 있 기 때문 에 , 현실 적 으로 실시 가능 한 챔버 ( 11 ) 내벽 온도 ( 최대 150 ℃ 정도 ) 에서 는 인듐 의 할로젠화물 을 클리닝 할 수 는 없 다 .