베이스 ( 52 ) 는 반도체 재료 를 포함 할 수 있 다 ; 예 를 들 어 , 단결정 실리콘 을 포함 하 거나 , 이 들 로 본질 적 으로 구성 될 수 있 거나 , " 이 들 로 구성 될 수 있 다 . 베이스 ( 52 ) 는 반도체 기판 으로 지칭 될 수 있 다 . 용어 "" 반도체 기판 "" 은 반 전도성 재료 를 포함 하 는 임의 의 구성 을 의미 하 고 ", 예컨대 , 반 전도성 웨이퍼 ( 단독 으로 또는 다른 재료 를 포함 하 는 어셈블리 로 ) , 반 전도성 재료 층 ( 단독 으로 또는 다른 재료 를 포함 하 는 어셈블리 로 ) 을 포함 하 는 벌크 반 전도성 재료 들 을 포함 하 지만 , " 이 에 한정 되 는 것 을 아니 다 . 용어 "" 기판 "" 은 전술 한 반도체 기판 을 포함 하 지만 이 에 한정 되 지 않 는 임의 의 지지 구조 를 지칭 한다 . 일부 애플리케이션 에서 ", 베이스 ( 52 ) 는 집 적 회로 제조 와 관련 된 하나 이상 의 재료 를 포함 하 는 반도체 기판 에 대응 할 수 있 다 . 이러 한 재료 는 예 를 들 어 , 내화 금속 재료 , 장벽 ( barrier ) 재료 , 확산 재료 , 절연성 재료 중 하나 이상 의 재료 를 포함 할 수 있 다 .