메인 게이트 라인 ( 220 ) 의 메인 게이트 전극 상 의 게이트 절연 층 ( 230 ) 상부 에 는 수소 화 비정질 실리콘 등 의 반도체 로 이루어진 반도체 층 ( 241 ) 이 형성 되 어 있 으며 , 반도체 층 ( 241 ) 의 상부 에 는 실리사이드 또는 n 형 불순물 이 고농도 로 도핑 되 어 있 는 n + 비정질 실리콘 등 의 물질 로 만들 어 진 저항 접촉 층 ( 242 ) 이 형성 될 수 있 다 .