다음 으로 , 도 5 p 에 나타낸 바 와 같이 전체 면 에 고밀도 플라 즈 마 CVD 법 등 에 의해 두께 가 1500 nm 정도 인 실리콘 산화 막 ( 65 ) 을 형성 하 고 , 그 표면 을 평탄 화 한다 . 본 실시 예 에서 는 알루미늄 산화 막 ( 64 ) 및 실리콘 산화 막 ( 65 ) 으로 제 1 절 연막 이 구성 되 어 있 다 . 그 후 , 실리콘 산화 막 ( 65 ) 위 , 소정 의 위치 에 개구부 를 갖 는 레지스 트 패턴 ( 98 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 레지스 트 패턴 ( 98 ) 을 마스크 로 하 여 실리콘 산화 막 ( 65 ) 등 의 에칭 을 행함 으로써 , 콘택트 플러그 ( 52 s ) 까지 도달 하 는 콘택트 홀 ( 66 s ) 을 형성 한다 .