이어서 , 도 4 b 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 기판 ( 120 ) 전체 에 걸쳐 비정질 실리콘 ( a - Si ) 과 같 은 반도체 물질 을 CVD 법 에 의해 적층 한 후 제 2 포토 마스크 를 이용 하 여 식각 하 여 반도체 층 ( 113 ) 을 형성 한다 . 또한 , 도면 에 는 도시 하 지 않 았 지만 , 상기 반도체 층 ( 113 ) 의 일부 에 불순물 을 도핑 하 거나 불순물 이 첨가 된 비정질 실리콘 을 적층 하 여 이후 형성 되 는 소스 전극 및 드레 인 전극 을 반도체 층 ( 113 ) 과 오 믹 접합 시키 는 오 믹 컨 택 층 ( ohmic contact layer ) 을 형성 한다 .