반도체 디바이스 용 기판 은 , 실리콘 웨이퍼 기판 상 에 , 배선 이 되 는 금속 막 이나 층간 절 연막 의 퇴적층 을 형성 한 후 에 , 연마 미립자 를 함유 하 는 수계 슬러리 로 이루어지 는 연마제 를 사용 하 는 화학 적 기계 적 연마 ( Chemical Mechanical Polishing , 이하 , 「 CMP 」 라고 칭한다 ) 공정 에 의해 표면 의 평탄 화 처리 를 실시 하 여 , 평탄 해진 면 상 에 새로운 층 을 겹쳐 쌓 아 감 으로써 제조 된다 . 반도체 디바이스 용 기판 의 미세 가공 에 있 어서 는 , 각 층 에 있 어서 의 정밀도 가 높 은 평탄 성 이 필요 하 여 , CMP 에 의한 평탄 화 처리 의 중요 성 은 더욱더 높 아 지 고 있 다 .