따라서 , 도 1 을 다시 참조 하 면 , 동작 104 에서 , 선택 가능 하 게 기판 이 암모니아 및 / 또는 질소 플 라즈 마 에 노출 된다 . 도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 이 암모니아 및 / 또는 질소 플 라즈 마 에 노출 될 때 , Si - NH 다 이 머들 은 단일 - NHx 기 들 을 포함 하 는 1 차 아민 기 들 로 변환 되 고 , 이 는 특정 한 개시 된 실시 예 들 에 사용 된 실리콘 함유 전구체 들 과 의 반응 에 민감 하 지 않 다 . 본 명세서 에 참조 된 바 와 같 은 1 차 아민 기 들 은 질소 가 실리콘 및 수소 에 결합 된 원자 들 의 기 들 로 규정 되 고 질소 원자 는 또 다른 질소 원자 에 결합 되 지 않 는다 . 실리콘 나이트 라이드 기판 의 표면 상의 1 차 아민 기 는 Si - NH 2 구조 를 가질 수 도 있 다 . 이러 한 기 들 은 실리콘 나이트 라이드 의 표면 상의 Si - N 결합 이 실리콘 함유 전구체 의 Si - N 결합 과 열역학 적 으로 동일 하 거나 적어도 유사 하 기 때문 에 본 명세서 에 기술 된 바 와 같이 실리콘 함유 전구체 들 과 의 반응 에 민감 하 지 않 다 . 이 는 실리콘 나이트 라이드 표면 ( 202 ) 이 실리콘 함유 전구체 와 반응 하 는 것 을 방지 하 여 , 이 표면 위 에 실리콘 옥사이드 의 증착 을 방지 한다 .