계속 해서 , 드레 인 측 도전 층 ( 41 ) 및 소스 측 도전 층 ( 42 ) 보다 높 은 소정 위치 까지 폴리 실리콘 ( p - Si : 제 2 반도체 층 ) 을 , 드레 인 측 홀 ( 45 a ) 및 소스 측 홀 ( 45 b ) 내 의 게이트 절연 층 ( 61 a ) 에 접하 도록 피착 시킨다 . 즉 , U 자 형상 반도체 층 ( 63 ) 의 상면 이 드레 인 측 도전 층 ( 41 ) 및 소스 측 도전 층 ( 42 ) 보다 높 은 소정 위치 까지 연장 되 도록 U 자 형상 반도체 층 ( 63 ) 을 형성 한다 .