상술 한 바 와 같이 , 본 실시 예 에 따른 액정 장치 ( 100 ) 에 의하 면 , 화소 전극 ( 15 ) 과 전이 전극 ( 60 ) 사이 에 전계 를 생기 게 함 으로써 , 초기 전이 의 기점 으로 되 는 전이 핵 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 상기 전이 전극 ( 60 ) 과 상기 화소 전극 ( 15 ) 이 상하 로 배치 된 구조 로 되 므로 , 전극 ( 15 , 60 ) 사이 에 마련 되 는 유전 막 ( 14 ) 의 막 두께 를 작 게 ( 1 ㎛ 이하 ) 함 으로써 , 종래 의 횡 전계 를 이용 한 전극 구조 에 비하 여 , 전극 ( 15 , 60 ) 간 의 거리 를 짧 게 할 수 있 다 . 따라서 , 종래 에 비해 저전압 이 고 , 또한 단시간 에 액정 층 ( 50 ) 의 초기 전이 를 행할 수 있 게 된다 .