도 14 의 ( a ) ~( c ) 는 본 발명 의 실시 예 에 관한 액정 표시 소자 의 제 1 제조 방법 을 설명 하 는 도면 이 다 . 먼저 , 도 14 의 ( a ) 에 나타낸 바 와 같이 , 구동 기판 ( 11 ) 의 베이스 가 되 는 유리 기판 ( 11 A ) 상 에 주지 의 성막 프로세스 ( forming process ) 나 패 터닝 프로세스 ( patterning process ) 를 적용 하 여 , 전술 한 용량 전극 ( 13 A ) , 박막 트랜지스터 ( 15 ) , 절 연막 ( 19 ) , 신호 배선 ( 20 ) 등 을 형성 한 후 , 이 들 을 덮 은 상태 로 유리 기판 ( 11 A ) 상 에 감광 재료 로서 슬러리 상태 의 유기 수지 재료 를 도포 함 으로써 , 상기 감광 재료 ( 유기 수지 재료 ) 에 의해 평탄 화 막 ( 14 ) 을 형성 한다 . 이 경우 , 평탄 화 막 ( 14 ) 의 막 두께 는 , 예 를 들 면 , 3 ㎛ 로 설정 한다 . 평탄 화 막 ( 14 ) 을 형성 하 기 이전 단계 에서 는 , 절 연막 ( 19 ) 으로부터 신호 배선 ( 20 ) 이 돌출 된 상태 로 되 어 있 으므로 , 이것 을 덮 도록 평탄 화 막 ( 14 ) 을 형성 하 면 , 신호 배선 ( 20 ) 의 바로 위쪽 위치 에서 평탄 화 막 ( 14 ) 의 일부 ( 14 A ) 가 볼록 하 게 돌출 하 게 된다 ( 이하 , " 이 부분 을 "" 돌출 부분 "" 이라고 한다 ) . 그리고 ", 도 14 의 ( a ) ~( c ) 에서 는 , 설명 의 편의 상 , 구동 기판 ( 11 ) [ 유리 기판 ( 11 A ) ] 의 상면 을 절 연막 ( 19 ) 으로 만 덮 은 상태 로 간략 하 게 로 나타내 고 있 다 .