본 발명 은 , 광전 변환 장치 에 있 어서 , 두께 가 10 ㎛ 이하 인 단결정 반도체 층 을 광전 변환 층 에 포함 하 는 제 1 유닛 셀 과 , 상기 제 1 유닛 셀 위 에 형성 된 p 형 유기 반도체 와 n 형 유기 반도체 를 광전 변환 층 에 포함 하 는 제 2 유닛 셀 을 갖 고 , 제 1 유닛 셀 과 제 2 유닛 셀 의 사이 에 , 전이 금속 산화물 을 포함 하 는 중간층 을 형성 하 는 것 을 요지 로 한다 .