반사기 플레이트 ( 28 ) 의 후방 면 ( 37 ) 상 의 코팅 ( 35 ) 과 함께 도시 된 반사기 플레이트 조립 체 ( 25 ) 의 구성 에서 , 반사기 플레이트 ( 28 ) 상 의 웨이퍼 부산물 증착 의 레이트 가 감소 되 고 , 그 에 따라 MWBC ( Mean Wafer Between Clean ) 로서 지칭 될 수 있 는 것 이 연장 된다 . MWBC 는 반사기 플레이트 ( 28 ) 상 의 부산물 증착 물 을 감소 또는 제거 하 기 위해서 세정 이 반사기 플레이트 ( 28 ) 상 에서 실시 되 어야 하 기 전 까지 처리 되 는 웨이퍼 의 평균 개수 를 지칭 한다 . 광학 적 으로 투명 한 반사기 플레이트 ( 28 ) 는 베이스 플레이트 표면 ( 즉 , 후방 면 ( 37 ) 또는 제 2 표면 ) 과 대면 하 는 반사 코팅 으로 보다 고온 으로 유지 되 는데 , 이 는 광이 광학 적 으로 투명 한 반사기 플레이트 본체 를 통과 하 여 반사 코팅 까지 도달 하 여야 하 고 그리고 광학 적 으로 투명 한 반사기 플레이트 본체 를 통해서 역 으로 빠져나가 야 하 기 때문 이 다 . 이러 한 동작 중 에 보유 되 는 열 의 양은 ( 희토류 원소 들 과 같 은 ) 도 펀트 들 로 또는 반사 코팅 ( 35 ) 내 의 보다 높 은 OH 농도 들 로 조절 ( tune ) 될 수 있 다 . 만약 광학 적 으로 투명 한 반사기 플레이트 ( 28 ) 가 보다 높 은 OH 함량 을 가진다면 , 그 반사기 플레이트 는 보다 많 은 복사 에너지 를 흡수 할 것 이 다 .