연결부 들 ( 35 ab ) 은 이웃 하 는 발광 셀 들 을 연결 하 기 위해 셀 분리 영역 ( ISO ) 을 지난다 . 도 7 a 에 도시 한 바 와 같이 , 각각 의 연결부 ( 35 ab ) 는 기판 ( 21 ) 상 의 모 폴 로지 의 영향 을 줄이 기 위해 , 하나 의 발광 셀 의 제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) 의 가장자리 들 중 오직 하나 의 가장자리 의 상부 를 지난다 . 즉 , 본 실시 예 에 있 어서 , 각 발광 셀 의 제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) 은 네 개 의 가장자리 들 을 가지 며 , 연결부 ( 35 ab ) 는 이 가장자리 들 중 오직 하나 의 가장자리 상부 를 지난다 . 연결부 ( 35 ab ) 가 전기 적 연결 에 불 필요 하 게 셀 분리 영역 ( ISO ) 을 지나 는 것 을 방지 하 여 연결부 ( 35 ab ) 가 모 폴 로지 의 영향 으로 손상 되 는 것 을 줄일 수 있 다 . 그러나 본 발명 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 연결부 ( 35 ab ) 가 발광 셀 의 2 개 이상 의 측면 들 을 덮 을 수 도 있 으며 , 발광 셀 주위 의 2 개 이상 의 셀 분리 영역 들 ( ISO ) 을 덮 을 수 도 있 다 .