상기 하드 마스크 용 조성물 은 반도체 기판 등 의 제조 를 위한 포토 리소그래피 공정 에서 식각 대상 막 과 포토레지스트 사이 의 하드 마스크 막 을 형성 하 는 데 사용 된다 . 하드 마스크 막 형성 을 위하 여 식각 대상 막 위 에 하드 마스크 용 조성물 을 도포 한 후 고온 , 예 를 들 면 350 ℃ 이상 의 온도 에서 베 이크 하 는 공정 이 진행 된다 .