다음 에 , 표면 ( S ) 측 으로부터 SF 6 가스 의 플 라즈 마 ( P 1 ) 에 의한 처리 를 행하 여 스트리트 부분 에서 노출 된 반도체 웨이퍼 ( 1 ) 를 에칭 하 고 ( 분도 4 ( a ) 참조 ) , 개개 의 칩 ( 7 ) 으로 분할 하 여 개편 화 한다 ( 분도 4 ( b ) 참조 ) . 다음 에 O 2 가스 의 플 라즈 마 ( P 2 ) 에 의해서 애 싱 을 행하 고 ( 분도 4 ( c ) 참조 ) , 표면 ( S ) 에 남 은 마스크 재 층 ( 3 b ) 을 제거 한다 ( 분도 5 ( a ) 참조 ) . 그리고 마지막 에 개편 화 된 칩 ( 7 ) 을 핀 ( M 2 ) 에 의해 들어올리 고 압력 콜 릿 ( M 3 ) 에 의해 흡착 하 여 픽업 한다 ( 분도 5 ( b ) 참조 ) .