검출 된 조건 으로 실제 하드 마스크 형성 공정 에 적용 한다 . 예 를 들 어 , 검출 된 테스트 패턴 의 크기 , 면적 , 형상 으로 얼라 인 키 를 형성 하 고 , 실제 식각 대상 막 상 에 하드 마스크 로 선정 된 물질 막 을 형성 한 후 후속 공정 예컨대 , 노광 , 현상 , 식각 공정 , 스트립 공정 을 수행 한다 . 그러면 , 레지스 트 스트립 공정 과정 에서 얼라인 키 가 손상 되 는 것 을 방지 하 여 층간 중첩 도 및 정렬 도 를 안정 적 으로 확보 할 수 있 다 .