통상 적 으로 메모리 장치 는 외부 로부터 전원 전압 ( VDD ) 과 접지 전압 ( VSS ) 을 공 급 받 아 내부 동작 에 필요 한 내부 전압 을 생성 하 여 사용 하 고 있 다 . 메모리 장치 의 내부 동작 에 필요 한 전압 으로 는 메모리 코어 영역 에 공급 하 는 코어 전압 ( Vcore ) , 워드 라인 을 구동 하 거나 오버 드라이빙 시 에 사용 되 는 고전압 ( Vpp ) , 코어 영역 의 앤 모스 트랜지스터 의 벌크 ( bulk ) 전압 으로 공급 되 는 백 바이어스 전압 ( VBB ) 등 이 있 다 .