본 실시 예 에 따른 PHS 기반 의 제 3 포토레지스트 패턴 ( PR 3 ) 을 이용 하 는 경우 , 추가 적 인 하 부막 없이 도 상기 제 2 콘 택 영역 ( CTR 2 ) 의 측벽 을 계단식 구조 로 형성 할 수 있 다 . 따라서 , 보다 효율 적 인 공정 을 달성 할 수 있 다 . 다만 , 이어서 상기 제 1 콘 택 영역 ( CTR 1 ) 의 측벽 에 계단식 구조 를 형성 할 때 에 는 , 앞서 설명 한 포토레지스트 패턴 과 하 부막 의 이 중막 공정 을 이용 할 수 있 다 . 이 는 , 상기 제 2 콘 택 영역 ( CTR 2 ) 의 단차 진 구조 로 인해 패턴 의 산포 가 불량 할 수 있 는데 , 상기 조합 공정 은 패턴 산포 를 개선 시킬 수 있 기 때문 이 다 .