도 1 a 에 도시 한 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 1 ) 에 패드 산화 막 ( SiO 2 ) ( 2 ) 을 형성 하 고 , 상기 패드 산화 막 ( 2 ) 위 에 질화 막 ( SiN ) ( 3 ) 을 증착 한다 . 그리고 , 상기 질화 막 ( 3 ) 위 에 감광막 ( 4 ) 을 형성 하 고 , 액티브 영역 과 필드 영역 을 정의 하 는 마스크 를 이용 한 노광 공정 및 현상 공정 을 진행 하 여 상기 필드 영역 의 상기 감광막 ( 4 ) 을 선택 적 으로 제거 한다 .