여기 서 , " "" 플라 즈 마의 강도 "" 란 ", 웨이퍼 ( W ) 에서 봤 을 때 의 [ 웨이퍼 ( W ) 가 노출 되 는 ] 플 라즈 마의 강도 이 며 , 후술 하 는 실시 예 에 나타내 는 바 와 같이 , 전극 ( 36 a , 36 b ) 에 공급 하 는 전력량 , 진공 용기 ( 1 ) 내 의 압력 , 나아가 플 라즈 마의 조사 시간 이나 웨이퍼 ( W ) 와 전극 ( 36 a , 36 b ) 의 사이 의 이격 거리 ( k ) 등 에 의해 변화 된다 . 따라서 , 본 실시 형태 에서 는 , 웨이퍼 ( W ) 에서 본 플 라즈 마의 강도 를 간단히 나타내 기 위해서 , 도 10 에 도시 한 바 와 같이 , 플라 즈 마를 실리콘 웨이퍼 ( W ) 에 180 초간 연속 해서 조사 했 을 때 , 당해 웨이퍼 ( W ) 의 표면 ( 실리콘 층 ) 이 산화 되 는 막 두께 ( j ) 를 지표 로서 사용 하 고 있 다 . 즉 , 예 를 들 어 웨이퍼 ( W ) 에 임의 의 조건 에서 플라 즈 마를 180 초간 조사 했 을 때 , 웨이퍼 ( W ) 의 표층 에 산화 막 이 10 Å ( 1 nm ) 생성 된 경우 에 는 , " "" 산화 막 두께 ( j ) 가 10 Å ( 1 nm ) 에 상당 하 는 플 라즈 마의 강도 "" 라고 하 고 ", 또한 , 웨이퍼 ( W ) 의 표층 에 산화 막 이 20 Å ( 2 nm ) 생성 된 경우 에 는 , " "" 산화 막 두께 ( j ) 가 20 Å ( 2 nm ) 에 상당 하 는 플 라즈 마의 강도 "" 라고 하 고 있 다 . "