도 17 내지 도 21 은 어닐링 온도 와 , Ge 층 ( 120 ) 의 평탄 성 의 관계 를 나타낸다 . 도 17 은 어닐링 되 지 않 은 Ge 층 ( 120 ) 의 단면 형상 을 나타낸다 . 도 18 , 도 19 , 도 20 및 도 21 은 각각 700 ℃, 800 ℃, 850 ℃, 900 ℃ 에서 어닐링 처리 를 실시 한 경우 의 , Ge 층 ( 120 ) 의 단면 형상 을 나타낸다 . Ge 층 ( 120 ) 의 단면 형상 은 레이저 현미경 에 의해 관찰 하 였 다 . 각 도면 의 종축 은 Si 웨이퍼 ( 102 ) 의 주면 에 수직 인 방향 에서 의 거리 를 나타내 며 , Ge 층 ( 120 ) 의 막 두께 를 나타낸다 . 각 도면 의 횡축 은 Si 웨이퍼 ( 102 ) 의 주면 에 평행 한 방향 에서 의 거리 를 나타낸다 .