저항성 메모리 셀 ( 220 ) 의 비트 라인 은 로컬 비트 라인 트랜지스터 ( LPTn ) 로부터 클램 핑 전압 ( VC ) 을 인가 받 아 , 일정 시점 이후 부터 비트 라인 노드 ( NB ) 에 클램 핑 전압 ( VC ) 이 프리 차지 될 수 있 다 . 일정 시간 후 , 비트 라인 노드 ( NB ) 는 클램 핑 전압 ( VC ) 으로 프리 차지 될 수 있 다 . 시간 에 따른 동작 은 이후 , 도 9 및 도 10 을 통해 자세히 설명 한다 .