상술 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 은 얇 은 메탈 게이트 와 실리사이드 화 된 폴리 실리콘 을 게이트 전극 으로 적용 함 으로써 기존 의 폴리 실리콘 게이트 의 적용 소자 에서 발생 하 는 폴리 디 프리 션 ( poly depletion ) 현상 을 억제 할 수 있 을 뿐 만 아니 라 반도체 소자 의 EOT 를 효과 적 으로 감소 시켜서 반도체 소자 의 성능 을 향상 시키 고 , 소오 스 / 드레 인 영역 을 실리사이드 화 시킴 으로써 소오 스 / 드레 인 영역 의 저항 을 효과 적 으로 감소 시켜서 반도체 소자 의 성능 을 한층 향상 시킬 수 있 으며 , 이 로 인해 하이 스피드 를 요구 하 는 고성능 의 반도체 소자 에 적합 하 게 적용 할 수 있 는 효과 를 가지 고 있 다 .