코어 셸 형 반도체 나노 입자 의 제조 방법 은 , 반도체 나노 입자 를 포함 하 는 분 산액 을 준비 하 는 것 과 , 반도체 나노 입자 의 분산 액 에 반도체 원료 를 첨가 하 는 것 을 포함 하 고 , 반도체 나노 입자 의 표면 에 반도체 층 을 형성 하 는 것 을 포함 하 는 제조 방법 이 다 . 반도체 나노 입자 를 셸 로 피복 할 때 에 는 , 이것 을 적절 한 용매 에 분산 시킨 분 산액 을 조정 하 고 , 당해 분 산액 내 에서 셸 이 되 는 반도체 층 을 형성 한다 . 반도체 나노 입자 가 분산 된 액체 에 있 어서 는 , 산란광 이 발생 하 지 않 기 때문 에 , 분산 액 은 일반 적 으로 투명 ( 유색 또는 무색 ) 한 것 으로서 얻 어 진다 . 반도체 나노 입자 를 분산 시키 는 용매 는 , 반도체 나노 입자 를 제작 할 때 와 마찬가지 로 , 임의 의 유기 용매 ( 특히 , 에탄올 등 의 알코올 등 의 극성 이 높 은 유기 용매 ) 로 할 수 있 고 , 유기 용매 는 , 표면 수식 제 또는 표면 수식 제 를 포함 하 는 용액 으로 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 유기 용매 는 , 반도체 나노 입자 의 제조 방법 에 관련 하 여 설명 한 표면 수식 제인 , 탄 소수 4 이상 20 이하 의 탄화수소기 를 갖 는 질소 함유 화합물 로부터 선택 되 는 적어도 하나 로 할 수 있 고 , 혹은 , 탄 소수 4 이상 20 이하 의 탄화수소기 를 갖 는 황 함유 화합물 로부터 선택 되 는 적어도 하나 로 할 수 있 고 , 혹은 탄 소수 4 이상 20 이하 의 탄화수소기 를 갖 는 질소 함유 화합물 로부터 선택 되 는 적어도 하나 와 탄소 수 4 이상 20 이하 의 탄화수소기 를 갖 는 황 함유 화합물 로부터 선택 되 는 적어도 하나 의 조합 으로 할 수 있 다 . 질소 함유 화합물 로서 는 , 특히 , 순도 가 특히 높 은 것 이 입수 하 기 쉬운 점 과 비점 이 290 ℃ 를 초과 하 는 점 에서 , n - 테트라 데 실 아민 , 올레 일 아민 등 이 바람직 하 다 . 황 함유 화합물 로서 는 , 도데 칸티 올 등 을 바람직 하 게 들 수 있 다 . 구체 적 인 유기 용매 로서 는 , 올레 일 아민 , n - 테트라 데 실 아민 , 도데 칸티 올 , 또는 그 조합 을 들 수 있 다 .