본 발명 의 목적 은 , 기판 상 에 게이트 전극 을 형성 하 고 , 상기 게이트 전극 층 상 에 희생 층 을 형성 하 고 , 상기 희생 층 상 에 투명 전극 층 을 형성 하 고 , 상기 투명 전극 층 상 에 불 투명 전극 층 을 형성 하 는 제 1 단계 ; 상기 투명 전극 층 및 불 투명 전극 층 을 패 터닝 하 되 , 상기 투명 전극 층 상 의 면 중 상기 불 투명 전극 층 에 의하 여 커버 되 지 않 는 투명 전극 층 상 의 오픈 면 을 형성 하 고 , 상기 희생 층 상 의 면 중 상기 투명 전극 층 에 의하 여 커버 되 지 않 는 희생 층 상 의 오픈 면 을 형성 하 며 , 상기 투명 전극 층 및 불 투명 전극 층 으로 이루어지 는 전극 두 개 가 기판 상 에서 서로 마주 보 도록 제 1 전극 및 제 2 전극 을 형성 하 는 제 2 단계 ; 상기 희생 층 상 의 오픈 면 , 상기 투명 전극 층 상 의 오픈 면 및 상기 불 투명 전극 층 상 에 포토레지스트 층 을 형성 한 후 , 상기 기판 의 후면 으로부터 노광 하 고 현상 하 는 제 3 단계 ; 포토레지스트 층 이 현상 된 면 과 현상 되 지 않 고 남 아 있 는 포토레지스트 층 상 에 촉매 를 형성 하 는 제 4 단계 ; 및 상기 촉매 가 형성 된 포토레지스트 층 을 리프트 오프 하 는 공정 만 을 수행 하 거나 , 또는 상기 촉매 가 형성 된 포토레지스트 층 을 리프트 오프 하 고 또 한 상기 촉매 가 형성 되 어 있 는 기판 또는 희생 층 의 오픈 면 부위 를 리프트 오프 하 는 공정 을 수행 하 는 제 5 단계 ; 및 상기 제 1 전극 또는 제 2 전극 의 투명 전극 층 의 오픈 면 상 에 형성 된 촉매 로부터 탄소 나노 튜브 를 수평 으로 성장 시켜 제 2 전극 또는 제 1 전극 에 연결 시키 는 제 6 단계 ; 를 포함 하 며 , 상기 제 1 단계 내지 상 기 제 5 단계 중 어느 하나 의 단계 에서 , 가열 요소 인 상기 투명 전극 층 및 불 투명 전극 층 의 하방 에서 상기 가열 요소 가 하방 의 부재 와 이격 하 는 이격 공간 을 형성 하 는 것 을 특징 으로 하 는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법 에 의하 여 달성 된다 .