도 6 은 HEMT 소자 의 마이크로웨이브 특성 을 도시 한 그래프 로서 , 본 발명 에 의한 HEMT 소자 의 응답 속도 가 더 빠른 것 을 보여 주 는데 , 이 는 본 발명 에 따른 HEMT 소자 의 전기 적 특성 이 더 우수 하 다는 것 을 나타내 는 것 으로 식각 단계 에서 소자 표면 에서 의 손상 이 반응 성 이온 식각 방법 보다 작 다는 것 을 의미 한다 .