도 1 , 도 2 c 및 도 3 c 를 참조 하 면 , 제 1 절연 층 ( 106 ) 에 형성 된 상기 콘 택 홀 을 포함 하 는 반도체 기판 ( 102 ) 상 에 도전 물질 층 , 예 를 들 면 폴리 실리콘 층 을 형성 하 여 상기 콘 택 홀 을 도전 물질 로 채운다 . 그리고 , 제 1 절연 층 ( 106 ) 상 에 형성 된 도전 물질 층 에 대해 화학 적 기계 적 연마 ( Chemical Mechanical Polishing ; CMP ) 방법 과 같 은 평탄 화 공정 을 실시 하 여 , 상기 콘 택 홀 에 만 도전 물질 이 잔류 하 도록 한다 . 이 로써 , 제 1 절연 층 ( 106 ) 에 는 접합 영역 ( 도시 하 지 않 음 ) 가 연결 되 는 랜딩 콘 택 플러그 ( 108 a , 108 b ) 가 형성 된다 .