일부 실시 예 에서 , 본딩 인터페이스 ( 555 ) 는 주변 상호 접속 층 ( 520 ) 과 어레이 상호 접속 층 ( 530 ) 사이 에 있 다 . 예 를 들 어 , 본딩 인터페이스 ( 555 ) 는 실리콘 질화물 층 과 실리콘 산화물 층 과 같 은 2 개 의 유전체 층 사이 에 있 을 수 있 다 . 예 를 들 어 , 본딩 인터페이스 ( 555 ) 는 2 개 의 금속 ( 예컨대 , Cu ) 층 과 같 은 2 개 의 전도체 층 사이 에 있 을 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 본딩 인터페이스 는 유전체 층 들 사이 의 인터페이스 와 전도체 층 들 사이 의 인터페이스 모두 를 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 칩 ( 500 A ) 내 의 하나 이상 의 상호 접속 구조 ( 532 ) 와 제 2 칩 ( 500 B ) 내 의 하나 이상 의 상호 접속 구조 ( 522 ) 는 본딩 인터페이스 ( 555 ) 에서 서로 접촉 되 어 , 제 1 칩 ( 500 A ) 내 의 하나 이상 의 TAC ( 526 ) 와 제 2 칩 ( 500 B ) 내 의 주변 회로 를 전기 적 으로 상호 접속 할 수 있 다 .