불휘발성 메모리 소자 로서 이용 되 는 플로팅 게이트 형 의 트랜지스터 와 같이 미소 한 터널 전류 에서 전하 주입 을 행하 는 기입 을 행하 는 경우 에 는 , 기입 데이터 에 따라 기입 시간 을 바꿀 필요 가 있 다는 점 에 주목 한다 . 즉 , 전하 주 입량 이 적 은 데이터 를 기입 하 기 위해서 는 단시간 의 기입 을 , 전하 주 입량 이 많 은 데이터 를 기입 하 기 위해서 는 장시간 의 기입 을 행할 필요 가 있 다 . 그 결과 , 기입 을 복수 회 행하 는 것 이 필요 해 지 고 , 복잡 한 동작 이 되 는 동시 에 , 저속 동작 이 되 어 버린다 . 한편 , 도 2 에 도시 한 반도체 장치 는 기입 데이터 에 상관없이 다치 의 데이터 를 한 행의 메모리 셀 들 에 한 번 에 또한 고속 으로 기입 할 수 있 다 .