마이크로웨이브 전송 을 위한 도미넌트 모드 의 폭 과 높이 가 각각 a , b 이 고 , 상기 도파관 의 폭 과 높이 가 na , b 인 경우 ( 이 때 , 상기 n 은 2 이상 의 정수 이 다 ) , 상기 반응기 는 , 마이크로웨이브 가 유입 되 는 도파관 에 결합 되 고 , 내부 에 플 라즈 마가 형성 되 는 공간 이 형성 되 며 , 플라 즈 마 가스 가 유입 되 고 , 상기 도파관 의 폭 방향 과 평행 한 길 이 방향 중심축 을 가지 도록 결합 되 는 컨 덕 터 , 상기 도파관 으로부터 상기 컨 덕 터로 유입 되 는 마이크로웨이브 를 투과 시키 는 쿼츠 , 상기 컨 덕 터 내부 에 구비 되 며 , 상기 컨 덕 터 내 전기장 의 제 1 피크 지점 에 구비 되 며 마이크 로 웨이브 에 의해 가열 되 어 상기 금속 화합물 전구체 를 기화 시키 는 기화 영역 을 형성 하 는 서 셉 터 를 포함 하 여 , 투입 된 금속 화합물 이 상기 서 셉 터 에서 기화 된 후 , 상기 컨 덕 터 내 전기장 의 제 2 피크 지점 에서 플라 즈 마 반응 에 의해 처리 되 는 플 라즈 마 반응 영역 이 형성 될 수 있 다 .