본 개시 의 일 측면 에 따르 는 강유 전 성 메모리 장치 가 개시 된다 . 상기 강유 전 성 메모리 장치 는 소스 영역 및 드레 인 영역 을 구비 하 는 기판 , 상기 기판 상 에 배치 되 고 도 펀트 의 농도 구배 를 가지 는 강유 전 성 물질 층 을 포함 하 는 강유 전 성 구조물 , 및 상기 강유 전 성 구조물 상 에 배치 되 는 게이트 전극 층 을 포함 한다 .