도 3 은 본 실시 형태 에 따른 센싱 회로 ( 30 ) 의 회로 를 도시 하 는 도면 이 다 . 도 3 에 도시 한 바 와 같이 , 센싱 회로 ( 30 ) 는 , 증폭 트랜지스터 ( 42 ) , 리세트 트랜지스터 ( 44 ) , 및 선택 트랜지스터 ( 46 ) 를 구비 한다 . 이 들 트랜지스터 는 , 전술 한 화소 회로 P 의 트랜지스터 ( 18 ) 와 마찬가지 로 TFT 소자 로 구성 되 고 , 동일 한 프로세스 에 의해 형성 된다 .