도 5 를 참조 하 면 , 산화 공정 을 진행 하 여 트렌치 ( 105 ) 를 포함 한 전체 구조 상 에 월 산화 막 ( 106 ) 을 형성 한다 . 월 산화 막 ( 106 ) 은 레디 컬 산화 또는 플 라즈 마 산화 또는 c - WVG 방식 을 이용 하 여 형성 한다 . 월 산화 막 ( 106 ) 은 트렌치 식각 공정 시 발생 하 는 식각 데미지 를 완화 시키 며 액티브 영역 의 CD 를 감소 시키 기 위하 여 형성 한다 . 이 후 , 월 산화 막 ( 106 ) 을 포함 한 전체 구조 상 에 라이너 산화 막 ( 107 ) 을 형성 한다 . 라이너 산화 막 ( 107 ) 은 HDP 산화 막 을 사용 하 여 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 라이너 산화 막 ( 107 ) 은 고밀도 플라 즈 마 증착 방식 을 이용 하 여 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .