( b ) 본 발명 ( 2 ) 의 고무 조성물 을 상기 성형 법 에 의해서 예비 성형 하 고 , 전자선 조사 에 의해 가교 하 는 경우 는 , 예비 성형 된 고무 조성물 에 , 0 . 1 내지 10 MeV 의 에너지 를 갖 는 전자선 을 , 흡수선량 이 통상 0 . 5 내지 35 Mrad , 바람직 하 게 는 0 . 5 내지 20 Mrad , 보다 바람직 하 게 는 1 내지 10 Mrad 가 되 도록 조사 하 면 바람직 하 다 .