본 발명 에서 사용 되 는 레이저 는 반도체 레이저 ( Laser Diode ) 로서 , GaAlAs ( Gallium - Aluminum - Arsenide ) 를 사용 하 며 , 810 nm 파장 ( 이하 , " "" 제 1 파장 "" 이라고 함 ) 의 레이저 1 개 ( 출력 200 mW ) ", 666 nm 파장 ( 이하 , " "" 제 2 파장 "" 이라고 함 ) 의 레이저 9 개 ( 출력 0 . 1 mW 이하 ) 를 사용 한다 ", 여기 서 레이저 의 개수 도 레이저 조사 장치 의 크기 에 따라 다르 게 조절 할 수 있 다 .