그리고 박막 트랜지스터 어레이 기판 은 , 기판 ( 101 ) 위 의 화소 영역 ( P ) 에 형성 된 화소 전극 ( 107 ) , 스위칭 소자 인 박막 트랜지스터 ( TFT ) 및 어레이 배 선 ( 103 , 105 ) 으로 구성 된다 . 이 때 , 박막 트랜지스터 는 각 셀 마다 에 매트릭스 형태 ( matrix type ) 로 위치 하 고 , 이러 한 다수 의 박막 트랜지스터 를 교차 하 여 지나가 는 게이트 배선 ( 103 ) 과 데이터 배선 ( 105 ) 이 형성 되 며 , 상기 게이트 배선 ( 103 ) 과 데이터 배선 ( 105 ) 이 교차 하 여 정의 되 는 영역 에 화소 영역 ( P ) 이 존재 하 고 , 상기 화소 영역 ( P ) 상 에 는 전술 한 바 와 같이 , 투명 한 도전 층 으로 구성 된 화소 전극 ( 107 ) 이 형성 된다 .