도 4 a 를 참조 하 면 , 방법 ( 800 ) 은 적합 한 절차 에 의해 ILD 층 ( 220 ) 을 형성 하 는 동작 831 을 포함 한다 . ILD 층 ( 220 ) 은 에칭 정지 층 ( ESL ) ( 222 ) 을 추가 적 으로 포함 할 수 있 다 . ILD 층 ( 220 ) 은 , CVD 또는 ALD 에 의해 ESL ( 222 ) 을 퇴적 하 고 , CVD , 유동 가능 CVD ( FCVD ) , 또는 다른 적합 한 퇴적 기술 에 의해 ILD 층 ( 220 ) 을 퇴적 하 며 , 상부 표면 을 평탄 화 하 기 위한 CMP 프로세스 를 포함 하 는 절차 에 의해 형성 될 수 있 다 . ESL ( 222 ) 은 실리콘 질화물 , 실리콘 산화 질화물 , 다른 적합 한 유전체 재료 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . ILD 층 ( 220 ) 은 실리콘 산화물 , 로우 k 유전체 재료 , 다른 적합 한 유전체 재료 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 .