도 6 e 를 참조 하 면 , 이어서 , 상기 제 1 및 제 2 더미 게이트 패턴 들 ( 130 a ', 130 b ') 을 제거 하 여 제 1 및 제 2 개 구부 들 ( 160 a , 160 b ) 을 형성 하 고 , 상기 개구부 들 ( 160 a , 160 b ) 을 갖 는 기판 ( 100 ) 상 에 도 2 k 내지 도 2 m 을 참조 하 여 설명 한 막 들 ( 162 , 164 , 170 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 제 1 트랜지스터 영역 ( 50 ) 내 의 확산 배리 어 도전 막 ( 164 ) 은 제거 될 수 있 다 .