또한 , 산화물 반도체 층 으로서 본 실시 형태 의 산화물 반도체 적층 을 사용 한 트랜지스터 에 있 어서 는 , 산화물 반도체 층 의 한쪽 면 으로부터 다른 쪽 면 에 전계 가 인가 되 는 경우 는 없 으며 , 또한 , 전류 가 산화물 반도체 적층 의 두께 방향 ( 한쪽 면 으로부터 다른 쪽 면 으로 흐르 는 방향 , 예 를 들 면 도 11 b 에서 는 상하 방향 ) 으로 흐르 는 구조 가 아니 다 . 전류 는 , 주로 산화물 반도체 적층 의 계면 을 흐르 는 트랜지스터 구조 이 기 때문 에 , 트랜지스터 에 광 조사 가 이루어지 고 , 또는 BT 스트레스 가 주어져도 , 트랜지스터 특성 의 열화 는 억제 되 거나 또는 저감 된다 .