나아가 , 상술 한 바 와 같이 절연체 에 혼합 되 는 반도체 성 산화 물질 의 양 을 조절 하 여 스 페이서 의 저항 값 을 조절 하 는 것 도 가능 하 지만 , 본 발명 에서 는 특별히 상기 절연체 에 반도체 성 산화 물질 과 함께 금속 분말 을 더 포함 시켜서 스 페이서 의 저항 값 을 조절 하 는 것 이 가능 하 다 . 본 발명 에서 사용 하 는 상기 금속 분말 은 나노 크기 ( 10 - 9 m ) 의 입자 형태 를 가지 는 나노 금속 파우더 로서 , 예 를 들 어 나노 크기 의 은 ( Ag ) 입자 를 포함 하 는 파우더 를 사용 하 는 것 이 다 . 금속 분말 은 전도성 이 우수 하 기 때문 에 미량 으로 도 스 페이서 의 비저항 값 이나 이 차 전자 방출 계수 를 조절 할 수 있 어서 유용 하 다 . 이 에 따르 면 , 본 발명 에 따른 스 페이서 는 절연체 와 금속 분말 의 혼합 상 을 더 포함 할 수 있 다 .