또한 , 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 1 박막 ( 10 ) 및 상기 제 2 박막 ( 20 ) 을 형성 하 는 단계 의 공정 온도 가 200 ℃ 이 고 , 상기 제 1 박막 ( 10 ) 및 상기 제 2 박막 ( 20 ) 을 형성 하 기 위한 상기 제 1 및 제 2 단위 공정 이 1 : 1 의 비율 로 수행 되 는 경우 , 상기 제 1 박막 ( 10 ) 에 포함 된 인듐 ( In ) 의 함량 은 17 . 3 % 초과 18 . 6 % 미만 이 고 , 상기 제 2 박막 ( 20 ) 에 포함 된 아연 ( Zn ) 의 함량 은 31 . 4 % 초과 33 % 미만 일 수 있 다 .