본 발명 은 일반 적 으로 순환 증착 ( cyclical deposition ) 에 의해 기판 상 에 금속 막 을 형성 하 는 방법 , 특히 구리 , 코발트 및 니켈 중 적어도 하나 를 포함 하 는 금속 막 을 형성 하 는 방법 에 관한 것 이 다 . 또한 본 발명 은 순환 증착 에 의해 형성 된 금속 막 을 포함 하 는 반도체 디바이스 구 조체 에 관한 것 이 다 .