종래 에 는 유전 상수 가 큰 유전체 ( dielectric ) 물질 을 사용 하 거나 , 캡 ( cap ) 산화 막 을 높 게 형성 하 여 셀 커패시턴스 를 증가 시켰으나 , 최근 에 는 낮 은 저항 을 가지 는 텅스텐 과 티타늄 나이트 라이드 ( TiN ) 를 비트 라인 의 배선 으로 이용 하 여 비트 라인 커패시턴스 를 감소 시키 는 방법 이 적용 된다 . 하지만 , 상기 텅스텐 은 산화 및 열 에 매우 민감 한 물질 이 기 때문 에 , 상기 텅스텐 비트 라인 을 제조 한 후 에 는 후속 공정 을 위하 여 반드시 비트 라인 의 양 측벽 에 스 페이서 ( spacer ) 를 형성 해야 한다 .