화학 적 기상 증착 ( Chemical Vapor Deposition ; CVD ) 방법 을 이용 하 여 탄소 나노 튜브 를 직접 합성 하 여 전자 방출 원 을 제조 하 는 경우 에 있 어서 , 탑 게이트 형 구조 의 전자 방출 소자 는 캐소드 내 에 가스 흐름 상 의 어려움 으로 인하 여 길이 가 긴 탄소 나노 튜브 의 합성 이 용이 하 지 않 다 . 따라서 , 전자 방출 원 의 탄소 나노 튜브 끝단 으로부터 게이트 전극 까지 의 거리 가 멀 게 되 어 게이트 전압 이 높 아 진다는 문제점 이 있 었 다 .