도 8 은 임계 치수 손실 회복 , 재료 손상 방지 , 및 장치 성능 개선 을 이루 면서 , 세 개 의 서브 층 을 포함 하 는 희생 층 을 이용 하 여 임베디드 비아 를 가지 는 다마 신 인터 커넥트 의 제조 를 위한 다마 신 공정 의 또 다른 공정 예 를 도시 한다 . 본 실시 예 에서 , 비아 바닥 에 이미 존재 하 는 컨 덕 터 Mx 위 에 보류 된 얇 은 비아 에칭 중단 층 을 가지 는 예비 이중 다 마신 개구 는 , 다 마신 개구 및 컨 덕 터 의 오염 및 손상 을 방지 하 면서 예비 이중 다 마신 개구 에칭 단계 를 이용 하 여 형성 된다 ( 단계 801 참조 ) . 휘발 성 불순물 들 을 기판 으로부터 제거 하 기 위해 , 상기 유전체 층 전처리 공정 중 의 하나 인 가스 제거 공정 이 다 마신 개구 를 가지 는 기판 에 수행 된다 ( 단계 803 참조 ) . 상기 가스 제거 공정 및 이어지 는 희생 층 증착 공정 동안 에 보유 된 비아 에칭 중단 층 이 상기 컨 덕 터 Mx 의 손상 및 오염 을 방지 한다 . 상기 다 마신 개구 를 구성 하 는 층간 유전체 층 물질 의 구멍 을 막 거나 및 / 또는 손상 을 보완 하 기 위해 다른 유전체 층 전처리 공정 이 수행 될 수 있 으며 , 이후 하나 이상 의 ULK 물질 을 포함 하 는 희생 층 의 첫 번 째 서브 층 증착 이 이어진다 . 희생 층 의 첫 번 째 층 의 증착 동안 또는 그 이후 에 불 필요 한 부분 을 제거 하 기 위해 부가 적 인 에치 백 공정 이 수행 되 어 , 다 마신 개구 의 임계 치수 손실 을 회복 한다 ( 단계 805 참조 ) .