도 7 은 , 상술 한 기판 처리 장치 ( 10 ) 의 처리 로 를 사용 하 여 , 실험 에 의해 발견 한 도 펀트 가스 의 공급 의 유무 , 공급 의 타이밍 차이 에 의한 실리콘 입자 밀도 제어 효과 를 전자 현미경 화상 으로 나타낸 것 이 다 . 도 8 은 , 실리콘 계 가스 , 도 펀트 가스 의 공급 타이밍 을 나타내 는 것 이 다 . 본 실시 예 에서 는 , 실리콘 계 가스 로서 모 노실 란 ( SiH 4 ) 을 사용 하 고 , 도 펀트 가스 로서 디보 랜 ( diborane : B 2 H 6 ) 을 사용 했 다 . 또한 , 본 실시 예 에서 는 , 웨이퍼 에 대해서 상기 실시 형태 에서 나타낸 전 세정 을 한 후 , 상기 실시 형태 에서 나타낸 처리 조건 범위 내 의 소정 처리 조건 에서 처리 를 했 다 .