본 발명 에 따른 반도체 소자 의 실리사이드 형성 방법 은 , 트랜지스터 를 구성 하 는 게이트 , 소스 및 드레 인 이 형성 된 실리콘 기판 위 에 코발트 금속 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 코발트 금속 층 을 열처리 하 여 실리사이드 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 실리사이드 층 을 형성 하 지 않 고 잔존 하 는 상기 코발트 금속 층 을 선택 적 으로 제거 하 는 단계 와 , 상기 기판 을 플 라즈 마 처리 하 여 상기 실리사이드 층 에 잔존 하 는 부산 물 을 제거 하 는 단계 를 포함 한다 .