낮 은 속도 로 증착 하 는 단계 ( S 420 ) 에서 는 주 가스 라인 으로부터 가열 된 질소 가스 , 가열 된 질소 가스 가 혼합 된 TEOS 가스 및 산소 가스 가 혼합 된 오존 가스 를 포함 하 는 공정 가스 를 공급 받 아 n ( n ≥ 1 ) 개 분배 헤드 에서 오존 SiO 2 막 의 하 지 막 의존 성 을 제거 하 는 단계 ( S 410 ) 에서 형성 된 SiO 2 막 에 낮 은 속도 로 STI 영역 의 갭 을 채운다 .