이어서 , 상기 금속 패드 ( 102 ) 를 포함 한 반도체 기판 의 전면 에 보호막 ( 104 ) 을 형성 한다 . 여기 서 상기 보호막 ( 104 ) 은 산화 막 또는 질화 막 등 으로 형성 한다 . 여기 서 , 상기 보호막 ( 104 ) 은 약 300 ~ 800 Å 의 두께 를 갖 도록 형성 하 고 , 상기 보호막 ( 104 ) 은 이후 진행 되 는 여러 단계 의 포토 공정 에서 현상액 에 노출 됨 으로써 발생 하 는 금속 패드 ( 102 ) 의 손상 ( damage ) 을 방지 하 기 위한 것 이 다 .