상술 한 공정 에 의하 여 , 채널 에치 형 박막 트랜지스터 ( 32 ) 를 형성 할 수 있 다 . 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 함유 하 는 미결정 반도체 막 ( 59 ) 과 , 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 이 첨가 된 반도체 막 ( 70 ) 이 절 연막 ( 67 a ) 으로 절연 되 기 때문 에 , 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 함유 하 는 미결정 반도체 막 ( 59 ) 과 일 도전 형 을 부여 하 는 불순물 이 첨가 된 반도체 막 ( 70 ) 사이 에서 생기 는 누설 전류 를 저감 할 수 있 다 . 따라서 , 오프 전류 가 낮 은 박막 트랜지스터 를 형성 할 수 있 다 . 또한 , 누설 전류 를 저감 하 기 위한 절 연막 ( 67 a ) 을 형성 함 과 함께 , 채널 보호막 ( 67 c ) 을 형성 할 수 있 다 .