반도체 장치 의 동작 을 설명 함 에 있 어서 , 연산 증폭 회로 ( 203 _ 1 ) 내지 ( 203 _ n ) 가 갖 는 트랜지스터 ( 211 _ 1 ) 내지 ( 211 _ n ) , ( 212 _ 1 ) 내지 ( 212 _ n ) , ( 213 _ 1 ) 내지 ( 213 _ n ) 및 ( 214 _ 1 ) 내지 ( 214 _ n ) 는 채널 폭 , 채널 길이 가 동일 하 고 , 트랜지스터 의 특성 은 동일 한 것 으로 한다 .