본 발명 의 제 3 형태 에 있 어서 는 , Si 기판 과 , 상기 기판 상 에 설치 되 고 , 개구 를 가지 며 , 결정 성장 을 저해 하 는 저해 층 과 , 상기 개구 내 에 형성 된 Ge 층 과 , 상기 Ge 층 이 형성 된 후 에 형성 된 기능 층 을 포함 하 는 반도체 기판 을 제공 한다 . 상기 반도체 기판 에 있 어서 , 상기 기능 층 은 , 상기 Ge 층 에 격자 정합 또는 의사 격자 정합 되 어도 좋 다 . 상기 반도체 기판 에 있 어서 , 상기 기능 층 은 , 상기 개구 내 에 형성 되 어도 좋 다 .