일 실시 예 에서 , 깊 은 소자 분리 부 ( 110 ) 는 기판 ( 101 ) 보다 입사광 에 대하 여 작 은 굴절 률 을 가지 는 절연 물질 로 형성 될 수 있 다 . 이 경우 , 마이크 로 렌즈 ( 35 ) 에 의해 생성 되 는 상기 입사광 의 누설 성분 이 깊 은 소자 분리 부 ( 110 ) 의 표면 에서 전반사 되 어 인접 픽셀 들 에 도달 하 는 것 이 차단 되 며 , 상기 누설 성분 이 깊 은 소자 분리 부 ( 110 ) 에 의해 반사 된 반사 성분 이 광전 변환 부 ( PD ) 에 도달 할 수 있 다 . 또한 깊 은 소자 분리 부 ( 110 ) 가 상기 절연 물질 로 형성 됨 에 따라 , 상기 입사광 에 의해 발생 된 전하 캐리어 들 이 확산 에 의해 상기 인접 픽셀 들 에 도달 하 는 것 이 차단 될 수 있 다 .