본 실시 예 에 의하 여 , 도 7 의 C 와 같이 , 실리콘 입자 를 형성 하 는 처리 전 및 처리 중 에 도 펀트 가스 를 흘리 는 경우 에 있 어서 는 실리콘 입자 가 1012 개 / ㎠ 레벨 로서 고밀도 로 형성 되 고 , 도 7 의 A 와 같이 , 실리콘 입자 를 형성 하 는 처리 전 및 처리 중 에 도 펀트 가스 를 흘리 지 않 는 경우 에 비하 여 실리콘 입자 의 밀도 가 약 10 배 증가 하 는 것 이 판명 되 었 다 .