도 3 , 도 4 및 도 5 ( 도 5 는 도 4 의 평면도 이 다 ) 를 참조 하 면 , 상기 압 전 기판 ( 110 ) 상 에 지지층 ( 120 ) 을 형성 하 고 , 상기 지지층 ( 120 ) 은 에폭시 수지 ( epoxy ) 또는 폴리 이미드 ( polymide , PI ) 와 같 은 고분자 재료 이나 , 본 발명 은 이 에 한정 되 지 않 으며 , 이어서 하부 성형 홀 ( 121 ) 및 개구 홀 ( 122 ) 이 상기 지지층 ( 120 ) 에 형성 되 고 , 상기 하부 성형 홀 ( 121 ) 은 상기 개구 홀 ( 122 ) 의 외측 에 위치 하 며 , 상기 하부 성형 홀 ( 121 ) 은 상기 접속 패드 ( 112 ) 를 노출 시키 고 , 상기 개구 홀 ( 122 ) 은 상기 전극 유닛 ( 113 ) 의 상부 에 위치 하 도록 , 노광 및 현상 공정 에 의해 상기 지지층 ( 120 ) 을 패턴 화 하 며 , 바람직 하 게 복수 의 하부 성형 홀 ( 121 ) 이 상기 지지층 ( 120 ) 에 형성 되 고 , 예 를 들 면 4 개 또는 6 개 이나 , 본 발명 은 이 에 한정 되 지 않 는다 . 본 실시 예 에서 , 상기 개구 홀 ( 122 ) 은 상기 전극 유닛 ( 113 ) 을 피복 하 는 상기 보호 층 ( 114 ) 을 노출 시키 며 , 패턴 화 된 상기 지지층 ( 120 ) 은 상기 전극 유닛 ( 113 ) 을 에워싸 는 벽체 로 변하 고 , 바람직 하 게 상기 지지층 ( 120 ) 의 높이 ( H 2 ) 는 상기 전극 유닛 ( 113 ) 의 높이 ( H 1 ) 보다 크 다 .