이러 한 캘리 브레이 션 된 모델 을 이용 하 여 OPC 된 레이아웃 을 시뮬레이션 한 모델링 결과 를 평가 할 때 , 패턴 의 형상 에 따라 실제 웨이퍼 상 에 실제 구현 된 패턴 선폭 ( CD : Critical Dimension ) 과 모델링 에 의해 시뮬레이션 된 패턴 선폭 에 차이 가 발생 될 수 있 다 . 이러 한 CD 차이 는 RMS ( Root Mean Square ) 로 평가 되 며 , 많 아야 5 ㎚ 차이 정도 가 실제 OPC 과정 에서 요구 되 고 있 다 . 따라서 , 모델 시뮬레이션 을 통해 보다 정확 한 패턴 레이아웃 을 예측 하 여 보다 정교 한 OPC 를 수행 하 기 위해서 , 시 뮬 레이 션 된 레이아웃 결과 의 패턴 선폭 과 웨이퍼 상 에 구현 될 패턴 선폭 , 즉 , 목표 패턴 레이아웃 의 패턴 선폭 이 보다 대등 하 게 평가 되 도록 모델 을 보정 또는 캘 리브레 이 션 하 는 방법 이 요구 되 고 있 다 .