PRAM ( 240 ) 은 기입 전 소거 ( erase before write ) 동작 이 요구 되 지 않 는 반 도 체 메모리 장치 이 다 . 본 발명 의 적용 범위 는 PRAM 에 한정 되 지 않 고 겹쳐 쓰 기 ( overwrite ) 가 가능 한 임의 의 반도체 메모리 장치 들 에 적용 될 수 있 다 . 겹쳐 쓰 기 가 가능 한 반도체 메모리 장치 라 함 은 쓰 기 전 소거 동작 을 요하 지 않 는 장치 를 의미 한다 . 예 를 들 어 , 겹쳐 쓰 기 가 가능 한 반도체 메모리 장치 로서 MRAM , FeRAM 등 이 있 다 .