본 발명 에 따른 자외선 LED 는 , 주기 적 구조 의 정공 주입 층 을 사용 함 으로써 , 압 전 분극 필드 를 형성 하 고 , 정공 활성 에너지 를 감소 시키 고 , 정공 농도 를 증가 시키 고 , 전자 와 정공 복합 효율 을 향상 시킬 수 있 으며 , 결과 적 으로 자외선 LED 의 내부 양자 효율 및 발광 효율 을 향상 시킨다 . 정공 주입 층 형성 과정 에서 실시 되 는 어닐링 처리 를 추가 적 으로 결합 하 여 , 자외선 LED 의 내부 양자 효율 및 발광 효율 을 보다 향상 시킬 수 있 다 . 규격 이 1 mm 2 , 인가 전류 가 350 mA 인 테스트 조건 에서 , 본 발명 에 따른 자외선 LED 의 휘도 는 80 mW 이상 에 도달 하 며 , 심지어 100 mW 이상 에 도달 할 수 있 으며 , 동일 한 테스트 조건 에서 의 일반 자외선 LED 의 발광 효율 （ 약 , 50 mW ） 보다 훨씬 높 으므로 , 보다 우수 하 게 살균 , 광선 요법 등 에 적용 될 수 있 다 .