다른 실시 형태 는 , 논리 엘리먼트 와 함께 공통 층간 금속 유전체 ( IMD ) 층 에 자기 터널 접합 ( MTJ ) 저장 엘리먼트 를 형성 하 는 단계 ; 및 MTJ 저장 엘리먼트 에 연결 되 는 공통 IMD 층 내 에 감소 된 두께 의 금속 배선 을 형성 하 는 단계 ― 감소 된 두께 의 금속 배선 은 논리 엘리먼트 의 대응 하 는 금속 배선 보다 두께 면 에서 더 작음 ― 를 포함 하 는 반도체 디바이스 를 형성 하 는 방법 을 포함 할 수 있 다 .