예 를 들 어 제 1 바이어스 전압 ( VbiasP ) 으로 0 . 2 V , 제 2 바이어스 전압 ( VbiasN ) 으로 1 . 2 V 를 입력 하 는 경우 에 대해서 살펴보 자 . 이때 , 각 노드 ( Node ) 의 전위 또는 전위차 는 도 1 에 도시 된 값 으로 나타난다 . PMOS 캐스 코드 트랜 지스 터 ( P 3 ) 를 삽입 함 에 따라 , PMOS 부하 트랜지스터 ( P 1 ) 의 드레 인 전압 은 도 7 에 비해 상승 하 게 된다 . PMOS 부하 트랜지스터 ( P 1 ) 와 PMOS 부하 트랜지스터 ( P 2 ) 의 게이트 - 소스 전압 ( ｜ Vgs ｜), 드레 인 - 소스 전압 ( ｜ Vds ｜) 은 각각 0 . 8 V , 0 . 2 V 가 된다 . 그러므로 , 도 2 a 에 도시 된 바 와 같이 PMOS 부하 트랜지스터 ( P 1 ) 와 PMOS 부하 트랜지스터 ( P 2 ) 는 동일 한 동작 점 을 갖 는다 . 동일 한 동작 점 조건 에서 PMOS 부하 트랜지스터 ( P 1 ) 와 PMOS 부하 트랜지스터 ( P 2 ) 의 채널 로 는 같 은 크기 의 전류 ( I ) 가 흐른다 . 여기 에 더 하 여 , NMOS 캐스 코드 트랜지스터 ( N 3 ) 의 삽입 에 따라 NMOS 구동 트랜지스터 ( N 2 ) 의 드레 인 전압 이 도 7 에 비해 강하 한다 . NMOS 구동 트랜지스터 ( N 1 ) 및 NMOS 구동 트랜지스터 ( N 2 ) 의 드레 인 - 소스 전압 ( Vds ) 은 동일 하 게 0 . 2 V 로 형성 된다 . 동일 한가 동일 이 된다 . PMOS 부하 트랜지스터 들 ( P 1 , P 2 ) 에 의해 NMOS 구동 트랜지스터 들 ( N 1 , N 2 ) 에 는 같 은 전류 ( I ) 가 흐르 므로 , 최종 적 으로 NMOS 구동 트랜지스터 들 ( N 1 , N 2 ) 의 각 게이트 - 소스 전압 ( Vgs ) 도 0 . 8 V 로 동일 하 게 셋 업 된다 . 결국 , 이러 한 조건 하 에서 입력 전압 ( Vin ) 의 레벨 은 출력 전압 ( Vout ) 의 레벨 과 동일 하 게 형성 ( Vout = Vin = 1 . 0 V ) 될 수 있 다 .