스캔 라인 들 ( Si - 1 , Si , Si + 1 ) 은 제 1 방향 ( DR 1 ) 으로 연장 될 수 있 다 . 스캔 라인 들 ( Si - 1 , Si , Si + 1 ) 은 제 1 방향 ( DR 1 ) 과 교차 하 는 제 2 방향 ( DR 2 ) 을 따라 순차 적 으로 배열 된 i - 1 번 째 스캔 라인 ( Si - 1 ) , i 번 째 스캔 라인 ( Si ) , 및 i + 1 번 째 스캔 라인 ( Si + 1 ) 을 포함 할 수 있 다 . 스캔 라인 들 ( Si - 1 , Si , Si + 1 ) 은 게이트 절연 층 ( GI ) 상 에 제공 및 / 또는 형성 될 수 있 다 . 게이트 절연 층 ( GI ) 은 무기 재료 를 포함 한 무기 절 연막 일 수 있 다 .