앞서 설명 한 도 11 a 내지 도 11 v 의 실시 예 에서 는 도 11 b 의 공정 에서 상기 비어 플러그 ( 69 A , 69 C ) 의 형성 을 , 상기 비어 홀 ( 68 A , 68 C ) 을 텅스텐 막 으로 충전 한 후 , 상기 층간 절 연막 ( 68 ) 위 의 불 필요 한 텅스텐 막 을 CMP 법 으로 제거 함 으로써 형성 하 고 있 지만 , 이러 한 CMP 법 에서 는 상기 비어 플러그 ( 69 A , 69 B ) 의 표면 을 완전히 평탄 하 게 하 는 것 은 곤란 하 여 , 상기 비어 플러그 ( 69 A , 69 C ) 의 상부 에 는 일반 적 으로 깊이 가 20 nm 내지 50 nm 에 달하 는 오 목부 가 형성 되 게 된다 .