현재 , 전기 적 리 라이팅 동작 이 가능 한 EEPROM ( Electrically Erasable and 프로그램 mable ROM ) 등 으로 대표 되 는 비휘발성 반도체 메모리 장치 로서 는 , SONOS ( Silicon - Oxide - Nitride - Oxide - Silicon ) 형 이나 MONOS ( Metal - Oxide - Nitride - Oxide - Silicon ) 형 이 라고 불리 는 적층 구조 를 갖 는 것 이 있 다 . 이 들 타입 의 비휘발성 반도체 메모리 장치 에서 는 , 이산화규소 막 ( Oxide ) 에 끼워진 질화규소 막 ( Nitride ) 을 전하 축적 층 으로 하 여 정보 의 유지 가 행하 여진다 . 즉 , 상기 비휘발성 반도체 메모리 장치 에서 는 , 반도체 기판 ( Silicon ) 과 컨트롤 게이트 전극 ( Silicon 또는 Metal ) 사이 에 전압 을 인가 하 는 것 에 의해 , 전하 축적 층 의 질화규소 막 에 전자 를 주입 해서 데이터 를 저장 하 거나 , 질화규소 막 에 축적 된 전자 를 제거 하 거나 하 여 , 데이터 의 보존 과 소 거의 리라이트 를 행하 고 있 다 .