3 ) 상기 단계 1 ) 또는 단계 2 ) 이후 에 , SiO 2 막 을 dHF 를 사용 하 여 습식 식각 을 거치 게 하 고 , 이 에 의해 패턴 의 나머지 부분 보다 더 많 은 불순물 을 함유 하 는 패턴 의 일부분 을 선택 적 으로 제거 함 으로써 , TS - SiO 가 달성 될 수 있 되 , 패턴 의 수직 부분 만 또는 수평 부분 만 실질 적 으로 또는 주로 선택 적 으로 제거 될 수 있 다 .