제 1 버퍼 층 ( 54 ) 및 제 2 버퍼 층 ( 41 ) 은 , 비정질 반도체 막 을 사용 하 여 형성 하 거나 , 또는 , 수소 , 또는 할로겐 을 포함 하 는 비정질 반도체 막 으로 형성 하 기 때문 에 , 에너지 갭 이 , 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 45 ) 과 비교 하 여 크 고 , 또한 저항 율 이 높 고 , 이동도 가 미결정 반도체 막 ( 45 ) 의 1 / 5 내지 1 / 10 로 낮 다 . 이 때문 에 , 후 에 형성 되 는 박막 트랜지스터 에 있 어서 , 소스 영역 및 드레 인 영역 과 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 45 ) 의 사이 에 형성 되 는 제 1 버퍼 층 및 제 2 버퍼 층 은 고저 항 영역 으로서 기능 하 고 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 45 ) 이 채널 형성 영역 으로서 기능 한다 . 이 때문 에 , 박막 트랜지스터 의 오프 전류 를 저감 할 수 있 다 . 상기 박막 트랜지스터 를 표시 장치 의 스위칭 소자 로서 사용 한 경우 , 표시 장치 의 콘트 라스트 를 향상 시킬 수 있 다 .