도 8 및 도 9 에서 와 같이 , 제 2 물질 층 ( 20 A , 20 B ) 의 제 2 전극 ( E 2 ) 에 인접 한 부분 은 화학 양론 적 ( stoichiometric ) 조성 또는 그 에 근접 한 조성 을 가질 수 있 고 , 제 1 물질 층 ( 10 ) 에 인접 한 부분 은 비화학 양론 적 ( non - stoichiometric ) 조성 을 가질 수 있 다 . 제 2 물질 층 ( 20 A , 20 B ) 에서 제 1 물질 층 ( 10 ) 에 인접 한 부분 이 제 2 전극 ( E 2 ) 에 인접 한 부분 보다 저항 변화 에 상대 적 으로 더 큰 영향 을 줄 수 있 다 .