도 5 가 도시 하 는 바 와 같이 , 선택 적 인 언더 필 ( 88 , 94 ) 및 인 캡슐 란트 ( 104 ) 는 상기 반도체 소자 의 패브 리케 이 션 동안 적용 되 지 않 는다 . 대신 에 몰딩 컴 파운드 ( 114 ) 는 패 시베이 션 층 ( 46 ) 과 부품 들 ( 80 , 84 , 90 , 96 ) 상 에 적용 된다 . 예 를 들 어 , 몰딩 컴 파운드 는 마 쯔 시다 ( Matsushita ) 의 X 8710 F 3 A , 스미토모 ( Sumitomo ) 의 X 80280 S , 니토 ( Nitto ) 의 GE - 100 LFCG 또는 적합 한 CTE , 신축성 ( shrinkage rate ) , 유전율 , 유전 손실 탄젠트 , 저항성 , 기계 적 및 열 강도 를 가진 다른 몰딩 컴 파운드 가 될 수 있 다 . 절연 층 ( 32 ) 은 노치 들 ( 110 , 112 ) 를 제공 하 기 위해 에칭 되 며 이것 은 폴리머 필름 ( 54 ) 과 절연 층 ( 32 ) 간 의 물리 적 연결 을 강화 된다 . 그러므로 상기 반도체 소자 의 강화 된 물리 적 완전 성 을 제공 한다 .