본 발명 의 경화 성 수지 필름 은 반도체 웨이퍼 의 범프 를 갖 는 표면 에 첩부 하 고 , 경화 시킴 으로써 , 상기 표면 에 제 1 보호막 을 형성 하 기 위한 경화 성 수지 필름 으로서 , 경화 전 의 상기 경화 성 수지 필름 의 가시광선 투과 율 이 45 ％ 이하 이 며 , 경화 전 의 상기 경화 성 수지 필름 의 적외선 투과 율 이 33 ％ 이상 인 것 이 다 .