우선 , 타 겟 제조 조건 에 대하 여 설명 한다 . 원료 의 용해 공정 에서 는 , 사이리스터 ( Thyristor ) 식 고주파 가열 장치 ( 니혼 써 모 닉스 ( 주 ) 제 : 공칭 출력 50 kW , 발진 주파수 3 kHz ) 를 사용 했 다 . 표 1 에 나타내 는 실시 예 1 의 합금 조성 은 Al - 5 . 0 at % Ni - 0 . 4 at % B 이 기 때문 에 , 이 조성 비율 을 고려 한 알루미늄 , 니켈 , 붕소 의 각 원료 를 , 미리 공소 ( 空 燒 ) 한 알루미나 도가니 에 투입 하 여 , 사이리스터 식 고주파 가열 장치 내 에 설치 했 다 . 원료 의 알루미늄 은 , 잉곳 에서 소 정량 을 잘라 낸 것 을 사용 하 고 , 니켈 , 붕소 의 원료 는 펠 렛 상 의 것 을 사용 했 다 . 그리고 , 알루미나 도가니 가 설치 되 어 있 는 공간 을 감압 함 으로써 8 Pa ( 피 라니 진공계 로 계측 ) 의 진공 상태 로 하 여 , 원료 의 용해 가열 을 개시 했 다 . 도가니 내 의 원료 는 1000 ℃( 1273 K ) 까지 승 온 함 으로써 전용 해 ( 全 溶解 ) 했 지만 , 1200 ℃( 1473 K ) 까지 더 승 온 을 행했 다 . 1200 ℃ 에 도달 한 후 , 그 온도 에서 30 분 간 유지 했 다 .