도 2 및 도 3 을 참조 하 면 , 원 - 터치 프로브 카드 로 제조 할 수 있 는 단일 의 희생 기판 ( 20 ) 으로써 , 본 발명 의 일 실시 예 에서 는 주로 반도체 웨이퍼 를 사용 한다 . 여기 서 , 언급 한 단일 의 희생 기판 ( 20 ) 에 해당 하 는 반도체 웨이퍼 의 예 로서 는 실리콘 웨이퍼 , 게르마늄 웨이퍼 , 실리콘 - 게르마늄 웨이퍼 등 을 들 수 있 다 .