다음 으로 , 도 4 h 에 도시 한 바 와 같이 , 제 1 마스크 공정 을 통해 , 상기 제 1 금속 막 을 패 터닝 하 여 , 상기 제 1 기판 상 에 게이트 패드 , 게이트 라인 및 게이트 전극 을 형성 한 후 , 상기 게이트 라인 과 게이트 전극 을 포함 하 는 제 1 기판 전면 에 게이트 패드 를 노출 시키 는 제 1 절 연막 및 반도체 막 을 순차 적 으로 형성 하 고 , 상기 노출 된 게이트 패드 와 상기 반도체 막 을 포함 하 는 제 1 기판 전면 에 Al . AlNd , Cr , Mo , Cu 등 과 같 은 제제 2 금속 막 ( 560 ) 을 형성 한다 .