단결정 반도체 기판 ( 100 ) 과 베이스 기판 ( 106 ) 과 의 접합 을 형성 한 후 , 단결정 반도체 기판 ( 100 ) 의 일부 ( 즉 단결정 반도체 층 ( 108 ) ) 를 단결정 반도체 기판 ( 100 ) 으로부터 박리 한다 ( 도 14 d ) . 가열 시 에 이온 주입 층 ( 104 ) 에 형성 된 미소 한 공동 의 체적 변화 가 발생 하 여 , 이온 주입 층 ( 104 ) 을 따라 파단면 이 발생 하 고 , 파단면 을 따라 단결정 반도체 층 ( 108 ) 을 박리 ( 분리 ) 할 수 있 다 . 그 후 , 접합 강도 를 증가 시키 기 위해 , 400 ℃ 내지 700 에서 열처리 를 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 와 같이 하 여 , 베이스 기판 ( 106 ) 위 에 단결정 반도체 층 ( 109 ) 이 형성 된다 . 그 후 , 단결정 반도체 층 ( 109 ) 의 표면 을 평탄 화 하 기 위해 , 화학 적 기계 적 연마 ( CMP ) 를 행하 는 것 이 바람직 하 다 .