이 에 , 캐 패 시터 의 면적 개선 을 통한 캐 패 시 턴 스 확보 의 방법 으로 준안정 폴리 실리콘 ( Metastable Poly Silicon ; MPS ) 을 이용 하 여 스토리지 전극 의 표면 에 굴곡 을 형성 함 으로써 표면적 을 증가 시켜 캐 패 시턴 스 를 증가 시키 는 방법 이 모색 되 었 다 . 이 방법 의 경우 기존 의 반도체 소자 에 는 무난 하 게 적용 되 고 있 지만 최근 의 반도체 소자 의 경우 캐 패 시터 의 크기 가 매우 작 고 스페이스 마진 이 충분 하 지 못하 기 때문 에 상부 에 브리지 ( bridge ) 를 유발 하 는 문제점 이 발생 하 고 있 다 .