도 4 에 도 듯이 , 본 발명 의 도파 로 형 p - i - n 포토다이오드 의 도파 로 ( 광이 진행 하 는 코아 층 , 36 ) 는 두 개 의 모드 를 허용 하 는 멀티모드 ( multimode waveguide ) 도파 로 임 을 알 수 있 고 , 중심 의 광 세기 는 약 200 ㎛ 의 주기 로 증가 및 감소 함 을 알 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 의 도파 로 형 p - i - n 포토다이오드 의 길이 는 200 ㎛ 정도 가 가장 효과 적 임 을 알 수 있 다 . 그리고 , 도 5 에 보 듯이 평면 절단 된 단일 모드 광섬유 ( 70 ) 와 도파 로 형 p - i - n 포토다이오드 의 단면 사이 에 10 ㎛ 간격 을 가정 했 을 때 약 3 % 의 낮 은 결합 손실 을 보여 주 고 있 다 . 도 5 에서 , 광 파워 1 . 0 은 결합 손실 이 없 음 을 나타낸다 .