그리고 , 현재 의 3 차원 구조 의 트랜지스터 는 게이트 전압 에 따라 ON / OFF 만 을 구별 하 기 때문 에 , 특히 , 메모리 반도체 소자 에서 의 집적도 를 높이 기 가 매우 어렵 다 . 이 는 , 플래시 메모리 와 같 은 터널 링 방식 을 이용 하 면 멀티 셀 구현 이 가능 하 지만 쓰 기 / 읽 기 속도 가 느려 응용 에 제한 이 있 다 .