상기 태양 전지 에 있 어서 , 상기 제 1 도전 형 반도체 기판 은 p 형 실리콘 기판 이 고 , 상기 제 2 도전 형 반도체 층 은 n 형 이미터 층 인 것 이 바람직 하 며 , 상기 제 1 도전 형 반도체 기판 과 상기 후면 전극 의 계면 에 는 p + 층 이 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 . 상 기 후면 전극 의 표면 에 는 스트라이프 형 , 격자 형 또는 동심원 형 의 음각 패턴 이 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 반사 방지 막 은 대표 적 으로 실리콘 나이트 라이드 로 형성 될 수 있 다 .