하부 전극 ( 408 - 1 , 408 - 2 ) 은 각 전도성 접촉 부 ( 446 ) 위 에 형성 된 유전 물질 ( 404 ) 에 형성 된다 . 이 예 에서 , 접촉 부 ( 446 ) 는 드레 인 접촉 부 이 다 . 이것 은 각 액세스 디바이스 ( 401 ) ( 예 를 들 어 , 액세스 트랜지스터 ) 의 드레 인 영역 ( 444 ) 에 스택 ( 430 - 1 , 430 - 2 ) 을 연결 하 는 접촉 부 ( 446 ) 이 다 . 이 예 에서 , 액세스 디바이스 ( 401 ) 는 연관 된 소스 ( 443 ) , 드레 인 ( 444 ) 및 게이트 ( 445 ) 영역 을 구비 하 는 MOSFET ( 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 ) 디바이스 이 고 , 베이스 기판 ( 402 ) 위 에 형성 된다 . 그러나 , 실시 예 는 특정 유형 의 액세스 디바이스 로 제한 되 지 않 는다 . 예 를 들 어 , 전술 한 바 와 같이 , 액세스 디바이스 ( 401 ) 는 위상 변화 메모리 셀 을 동작 시키 기 위해 다른 유형 의 액세스 디바이스 중 에서 다이오드 또는 BJT 일 수 있 다 . 일례 로서 , 기판 ( 402 ) 은 n - 유형 소스 ( 443 ) 와 드레 인 ( 444 ) 영역 을 구비 하 는 p - 유형 반도체 기판 일 수 있 다 .