도 2 를 참조 하 면 , 회절 격자 ( 112 ) 아래 의 피복층 ( 102 ) 내 에 적어도 하나 의 반사체 ( 125 ) 가 배치 된다 . 상기 반사체 ( 125 ) 는 상기 반도체 기판 ( 100 ) 의 상부 면 에 대하 여 경사진 반사면 을 갖 는다 . 상기 회절 격자 ( 112 ) 아래 에 는 복수 의 상기 반사체 들 ( 125 ) 이 배치 될 수 있 다 . 이때 , 상기 반사체 들 ( 125 ) 은 반도체 기판 ( 100 ) 의 상부 면 과 평행 한 일 방향 을 따라 배열 된다 . 상기 복수 의 반사체 들 ( 125 ) 은 동일 한 높이 에 배치 되 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 복수 의 반사체 들 ( 125 ) 은 상기 일 방향 을 따라 등 간격 으로 배열 될 수 있 다 . 상기 복수 의 반사체 들 ( 125 ) 의 경사진 반사면 들 은 서로 평행 할 수 있 다 . 상기 반사체 들 ( 125 ) 은 도 1 의 반사체 ( 120 a ) 와 동일 한 물질 로 형성 될 수 있 다 . 상기 반사체 들 ( 125 ) 은 실질 적 은 균일 한 두께 를 가질 수 있 다 . 즉 , 상 기 반사체 ( 125 ) 는 균일 한 두께 의 평판 이 상기 반도체 기판 ( 100 ) 의 상부 면 에 대하 여 소정 각도 로 기울어진 형태 일 수 있 다 . 도시 하 지 않 았 지만 , 회절 격자 커플러 ( 115 ) 상 에 는 도 1 의 상부 피복층 ( 117 ) 이 배치 될 수 도 있 다 . 이하 다른 도면 들 에서 설명 의 편의 를 위하 여 도 1 의 상부 피복층 ( 117 ) 을 도시 하 지 않 는다 . 하지만 , 도 1 의 상부 피복층 ( 117 ) 은 다른 실시 예 들 및 변형 예의 회절 격자 커플러 ( 115 ) 상 에 도 배치 될 수 있 다 .