이러 한 방식 으로 , 노 치부 ( 61 ) 는 언더 필 수지 공급 영역 ( B ) 에 대향 하 는 반도체 소자 ( 12 ) 의 모서리 ( 12 A ) 와 는 반대 측 에 위치 되 는 반도체 소자 ( 12 ) 의 모서리 ( 12 C ) 와 대향 하 는 댐 ( 37 ) 의 부분 의 내벽 에 형성 된다 . 따라서 , 언더 필 수지 ( 13 ) 가 반도체 소자 ( 12 ) 와 배선 기판 ( 11 ) 사이 의 간극 에 형성 될 때 , 여분 의 언더 필 수지 ( 13 ) 가 노치 부 ( 61 ) 에 저장 될 수 있 다 . 그 결과 , 여분 의 언더 필 수지 ( 13 ) 가 댐 ( 37 ) 을 넘 거나 , 내부 접속 용 패드 ( 34 ) 상 으로 유출 하 는 상황 을 방지 할 수 있 다 .