이때 , 상기 적층 형 소자 는 반도체 기판 즉 , 웨이퍼 상 에서 제작 되 기 때문 에 복수 개 가 동시 에 제작 될 수 있 다 . 그리고 , 웨이퍼 상 에서 복수 개 의 적층 형 소자 가 연속 적 으로 인접 하 여 제작 되 어 있 어 이 들 을 개개 의 소자 로 분리 하 기 위한 절단 공정 을 실시 한다 . 또한 , 상술 한 설명 은 단일 의 적층 형 소자 에 관하 여 설명 하 였 기 때문 에 각 소자 간 을 분리 시키 기 위한 별도 의 분리 막 에 관해서 는 설명 하 지 않 았 지만 본 실시 예 에서 는 각 소자 간 을 분리 하 기 위한 별도 의 분리 막 을 형성 할 수 도 있 다 . 물론 이 에 한정 되 지 않 고 , 상기 와 같 은 공정 을 통해 제 1 내지 제 5 외부 단자 ( 170 , 180 , 190 , 200 , 210 ) 를 형성 한 다음 패 터닝 공정 을 통해 개개 의 소자 별 로 분리 하 는 소자 분리 식각 공정 을 실시 하 여 각 소자 간 을 분리 할 수 도 있 다 .