Ge 층 ( 120 ) 은 , 900 ℃ 미만 , 바람직 하 게 는 850 ℃ 이하 로 어닐링 되 어도 좋 다 . 이 에 따라 , Ge 층 ( 120 ) 표면 의 평탄 성 을 유지 할 수 있 다 . Ge 층 ( 120 ) 의 표면 의 평탄 성 은 , Ge 층 ( 120 ) 의 표면 에 다른 층 을 적층 시키 는 경우 에 , 특별히 중요 해진다 . 한편 , Ge 층 ( 120 ) 은 , 680 ℃ 이상 , 바람직 하 게 는 700 ℃ 이상 으로 어닐링 되 어도 좋 다 . 이 에 따라 , Ge 층 ( 120 ) 의 결정 결함 의 밀도 를 저감 할 수 있 다 . Ge 층 ( 120 ) 은 , 680 ℃ 이상 900 ℃ 미만 의 조건 으로 어닐링 되 어도 좋 다 .