상기 에 지링 의 경우 , 전력 이 높 아 지 면 , 정재파 가 형성 되 는 파장 효과 및 전극 표면 에서 전계 가 중심부 에 집중 하 는 표피 효과 등 에 의해서 , 대체로 기판 상 에서 중심부 가 극대 로 되 고 에 지부 가 가장 낮 아 져서 , 기판 상 의 플 라즈 마 분포 의 불 균일 성 이 심화 된다 . 기판 상 에서 플라 즈 마 분포 가 불 균일 하 면 , 플라 즈 마 처리 가 일정 하 지 않 게 되 어 미세 전자 소자 의 품질 이 저하 된다 . 국내 공개 특허 제 2009 - 0101129 호 는 서 셉 터 와 에 지부 사이 에 유전체 를 두 어 플 라즈 마 분포 의 균일성 을 도모 하 고자 하 였 다 . 하지만 , 상기 특허 는 구조 가 복잡 하 고 , 유전체 및 에 지부 사이 의 정밀 한 설계 가 어려운 문제 가 있 다 .