식 ( 4 ) ∼ 식 ( 6 ) 으로 나타내 는 상기 합성 예 3 ∼ 5 의 수지 ( 실시 예 1 ∼ 3 ) 와 , 하 기 식 ( 8 ) 의 범용 ArF 레지스 트 용 수지 ( 비교 예 1 ) 를 이용 하 고 , 각각 의 수지 100 중량 부 에 대하 여 프로필렌글리콜 모노 메틸에테르 아세테이트 ( PGMEA ) 900 중량 부 를 부가 하 여 수지 용액 을 작성 하 였 다 . 얻 어 진 용액 을 0 . 2 ㎛ 의 테플론 ( 등록 상표 ) 막 필터 ( membrane filter ) 로 여과 하 여 , 파티클 등 을 제거 하 였 다 . 얻 어 진 용액 을 실리콘 웨이퍼 상 에 각각 회전 도포 하 고 , 110 ℃/ 60 초간 베이 킹 하 여 수지 막 을 형성 하 였 다 . 각각 의 수지 막 에 대해서 , 분광 엘 립 소 미터 ( GES - 5 , SOPRA 사 제조 ) 를 이용 하 여 굴절 률 을 조사 하 였 다 . 마찬가지 로 얻 어 진 수지 막 의 193 ㎚ 에서 의 흡광도 를 측정 한 바 , 하 기 표 1 의 값 을 얻 을 수 있 었 다 .