반도체 층 ( 231 ) 에 과잉 산소 를 공급 하 기 위해서 는 , 반도체 층 ( 231 ) 아래 에 형성 되 는 절연 층 ( 211 ) 에 과잉 산소 를 공급 하 여도 좋 다 . 그러나 , 이 경우 , 절연 층 ( 211 ) 에 포함 되 는 과잉 산소 는 반도체 층 ( 231 ) 에 포함 되 는 소스 영역 ( 231 s ) 및 드레 인 영역 ( 231 d ) 에 도 공급 될 수 있 다 . 소스 영역 ( 231 s ) 및 드레 인 영역 ( 231 d ) 에 과잉 산소 가 공급 되 면 , 소스 영역 ( 231 s ) 및 드레 인 영역 ( 231 d ) 의 저항 이 높 아 질 수 있 다 .