상술 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 은 반도체 소자 의 구리 배선 형성 방법 으로서 , ( a ) 반도체 기판 상 하부 구리 배선 막 과 연결 되 는 비 아홀 내 구리 배선 을 형성 시키 는 단계 와 , ( b ) 상기 구리 배선 상부 에 프로 빙 을 위한 TiSiN / Ti / Al / Ti / TiN 적층 구조 의 알루미늄 패드 막 을 증착 시키 는 단계 와 , ( c ) 상기 알루미늄 패드 막 을 사진 식각 공정 을 통해 패 터닝 하 여 알루미늄 패드 를 형성 시키 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .