블록 203 b 에서 , 레이어 스택 ( 20 ) 을 생성 하 기 위해 , 제 2 단계 로 적어도 하나 의 화합물 반도체 를 포함 하 는 화합물 반도체 레이어 ( 21 ) 가 수직 채널 개구 ( 13 ) 내 에 배치 되 며 , 화합물 반도체 레이어 ( 21 ) 는 전기 적 으로 전도성 레이어 ( 31 ) 상 에 배치 되 고 전기 적 으로 전도성 레이어 ( 31 ) 로 갈바 닉 적 으로 연결 된다 . 화합물 반도체 레이어 ( 21 ) 는 전기 적 으로 전도성 레이어 ( 31 ) 상 에 직접 또는 바로 옆 에 배치 될 수 있 다 .