상기 발광 구조물 ( 300 ) 상 에 는 적어도 하나 의 전극 이 배치 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 발광 소자 ( 1000 ) 가 도면 에 도시 된 바 와 같이 수평 형 발광소 자일 경우 , 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 310 ) 의 일부 영역 상 에 는 제 1 전극 ( 410 ) 이 배치 될 수 있 다 . 이 경우 , 상기 활성 층 ( 320 ) 및 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 330 ) 에 는 일부 가 제거 되 는 메사 식각 이 진행 될 수 있 다 . 상기 메사 식각 에 의해 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 310 ) 의 상면 일부분 이 제거 되 어 노출 될 수 있 다 . 상기 제 1 전극 ( 410 ) 은 노출 된 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 310 ) 의 상면 상 에 배치 될 수 있 다 . 또한 , 상기 투광 성 전극 ( 405 ) 의 일부 영역 상 에 는 제 2 전극 ( 420 ) 이 배치 될 수 있 다 .