할로겐 램프 ( HL ) 로부터 의 광 조사 에 의해 승 온 하 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 온도 는 방사 온도계 ( 120 ) 에 의해 측정 된다 . 측정 된 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 온도 는 제 어부 ( 3 ) 에 전달 된다 . 제 어부 ( 3 ) 는 , 할로겐 램프 ( HL ) 로부터 의 광 조사 에 의해 승 온 하 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 온도 가 소정 의 예비 가열 온도 ( T 1 ) 에 도달 했 는지 여부 를 감시 하 면서 , 할로겐 램프 ( HL ) 의 출력 을 제어 한다 . 즉 , 제 어부 ( 3 ) 는 , 방사 온도계 ( 120 ) 에 의한 측정치 에 의거 하 여 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 온도 가 예비 가열 온도 ( T 1 ) 가 되 도록 할로겐 램프 ( HL ) 의 출력 을 피드백 제어 한다 . 예비 가열 온도 ( T 1 ) 는 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 첨가 된 불순물 이 열 에 의해 확산 할 우려 가 없 는 , 200 ℃~ 800 ℃ 정도 , 바람직 하 게 는 350 ℃~ 600 ℃ 정도 가 된다 ( 본 실시 의 형태 에서 는 600 ℃). 이 와 같이 방사 온도계 ( 120 ) 는 , 예비 가열 단계 에 있 어서 할로겐 램프 ( HL ) 의 출력 을 제어 하 기 위한 온도 센서 이 기 도 하 다 . 또한 , 방사 온도계 ( 120 ) 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 이면 의 온도 를 측정 하 고 있 는데 , 할로겐 램프 ( HL ) 에 의한 예비 가열 의 단계 에서 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 표리 면 에 온도 차 가 발생 하 지 않 으며 , 방사 온도계 ( 120 ) 에 의해 측정 되 는 이면 온도 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 전체 의 온도 라고 간주 할 수 있 다 .