상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 215 ) 위 에 는 활성 층 ( 217 ) 이 형성 된다 . 상기 활성 층 ( 217 ) 은 단일 양자 우물 , 다중 양자 우물 ( MQW ) , 양자 선 , 양자 점 구조 중 적어도 하나 로 형성 될 수 있 다 . 상기 활성 층 ( 217 ) 은 우물 층 / 장벽층 이 교대 로 배치 되 며 , 상기 우물 층 / 장벽층 의 주기 는 예컨대 , InGaN / GaN , AlGaN / GaN , InGaN / AlGaN , InGaN / InGaN 의 적층 구조 를 이용 하 여 2 ~ 30 주기 로 형성 될 수 있 다 .