이후 TaN 으로 제 1 장벽층 ( 108 ) 을 형성 하 고 , HNO 3 용액 에 기판 ( 100 ) 을 담구 어 제 2 장벽층 ( 110 ) 을 형성 하 는 공정 을 수회 반복 하 여 원 하 는 두께 의 장벽 층 을 형성 한 다 . 바람직 하 게 는 10 ~ 300 Å 정도 의 두께 로 형성 한다 . 여기 서 제 1 장벽층 ( 108 ) 과 제 2 장벽층 ( 110 ) 은 반복 되 는 횟수 만큼 교대 로 적층 된다 .