다른 실시 형태 ( 도시 되 지 않 음 ) 에서 , 다이 ( 220 ( 1 ) ) 는 다이 ( 1402 ) 상 에 적층 될 수 있 고 , 2 개 보다 많 은 다이 의 수직 적층 물 을 생성 하 도록 하나 이상 의 추가 반도체 디바이스 다이 가 그 위 에 연속 적 으로 적층 될 수 있 다 . 이러 한 실시 형태 에서 , 웨이퍼 테이프 ( 218 ) 는 추가 적 인 다이 를 적층 할 수 있 도록 상이 한 위치 로 이송 될 수 있 다 .