상기 터널 절 연막 ( 102 a ) 상 에 플로팅 게이트 전극 ( 104 b ) 이 구비 된다 . 상기 플로팅 게이트 전극 ( 104 b ) 은 고립 된 패턴 형상 을 가지 면서 규칙 적 으로 배치 된다 . 즉 , 상기 플로팅 게이트 전극 ( 104 b ) 은 제 1 방향 으로 연장 되 는 라인 형상 의 액티브 영역 상 에 다 수개 가 규칙 적 으로 배치 된다 . 하나 의 메모리 셀 내 에 는 하나 의 고립 된 형상 의 플로팅 게이트 전극 ( 104 b ) 이 구비 되 므로 , 각 플로팅 게이트 전극 ( 104 b ) 이 형성 된 위치 에서 각각 의 메모리 셀 이 형성 된다 .