이어서 , 상술 한 공정 에 의해 형성 된 트랜지스터 ( 660 ) 를 덮 도록 , 절연 층 ( 628 ) 을 형성 한다 ( 도 11 c 참조 ) . 절연 층 ( 628 ) 은 , 산화 실리콘 , 산질 화 실리콘 , 질화 실리콘 , 산화알루미늄 등 의 무기 절연 재료 를 포함 하 는 재료 를 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 특히 , 절연 층 ( 628 ) 에 유전 율 이 낮 은 ( low - k ) 재료 를 사용 함 으로써 , 각종 전극 이나 배선 의 겹침 에 기인 하 는 용량 을 충분히 저감 시키 는 것 이 가능 하 게 되 기 때문 에 바람직 하 다 . 또한 , 절연 층 ( 628 ) 에 는 , 이 들 재료 를 사용 한 다공질 의 절연 층 을 적용 해도 좋 다 . 다공질 의 절연 층 에서 는 , 밀도 가 높 은 절연 층 과 비교 하 여 유전 율 이 저하 되 기 때문 에 , 전극 이나 배선 에 기인 하 는 용량 을 더 저감 시키 는 것 이 가능 하 다 . 또한 , 절연 층 ( 628 ) 은 , 폴리 이미드 , 아크릴 등 의 유기 절연 재료 를 사용 하 여 형성 하 는 것 도 가능 하 다 . 또한 , 여기 에서 는 , 절연 층 ( 628 ) 을 단층 구조 로 하 고 있 지만 , 개시 하 는 발명 의 일 형태 는 이것 에 한정 되 지 않 는다 . 절연 층 ( 628 ) 을 2 층 이상 의 적층 구조 로 해도 좋 다 . 예 를 들 어 , 유기 절연 재료 를 사용 한 층 과 무기 절연 재료 를 사용 한 층 의 적층 구조 로 해도 좋 다 .