일부 실시 예 에서 , 장벽 구조 를 형성 하 기 위한 제조 공정 은 예 를 들 어 습식 에칭 및 / 또는 건식 에칭 에 의해 교번 유전체 스택 을 통해 수직 으로 연장 되 는 트렌치 를 형성 하 는 것 을 포함 한다 . 교번 유전체 스택 을 통해 트렌치 가 형성 된 후 , 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화물 , 실리콘 산화물 / 실리콘 질화물 / 실리콘 산화물 ( ONO ) , 알루미늄 산화물 ( Al 2 O 3 ) , 또는 이 들 의 임의 의 조합 을 포함 하 지만 이 에 제한 되 지 않 는 유전체 재료 로 트렌치 를 충 진하 기 위해 하나 이상 의 박막 증착 공정 이 수행 될 수 있 다 .