상기 UDL - 1 ∼ 17 , 비교 UDL - 1 ∼ 4 를 실리콘 기판 상 에 도포 하 고 , 대기 중 , 350 ℃ 에서 60 초간 베 이크 하 여 막 두께 200 nm 의 도포 막 을 형성 하 였 다 . 이 들 막 을 도요 테크니카 사 제조 나노 인 덴 터 SA 2 형 장치 로 나노 인 덴 테 이 션 시험 을 행하 여 , 상기 도포 막 의 경도 를 측정 하 였 다 . 그 결과 를 표 5 에 나타낸다