제 3 전하 저장 구조물 ( 256 ) 은 상기 제 1 방향 으로 각각 연장 되 는 터널 절연 패턴 ( 240 ) 및 제 1 블로킹 패턴 ( 220 ) 사이 에서 게이트 전극 들 ( 372 , 374 , 376 ) 에 상기 수평 방향 으로 각각 대향 하 여 적층 되 며 , 상기 제 1 방향 으로 이격 되 도록 각각 복수 개 로 형성 된 제 1 및 제 3 전하 트래핑 패턴 들 ( 230 , 236 ) 을 포함 할 수 있 다 . 이때 , 제 3 전하 트래핑 패턴 ( 236 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 질화물 을 포함 할 수 있 다 .