이후 , 활성 층 ( 140 ) 에 절 연막 ( insulator ) ( 150 ) 이 형성 되 고 , 절 연막 ( 150 ) 상 에 게이트 전극 ( gate electrode ) ( 160 ) 이 형성 될 수 있 다 . 여기 서 , 게이트 전극 ( 160 ) 의 폭 은 소스 전극 ( 120 ) 과 드레 인 전극 ( 130 ) 간 의 간격 보다 약간 크 게 형성 될 수 있 다 .