한편 , 도 1 b 에 개시 된 반도체 소자 의 제조 방법 은 도 2 a 내지 도 2 m 을 참조 하 여 설명 한 방법 들 을 포함 할 수 있 다 . 도 2 m 을 참조 하 면 , 금속 막 ( 170 ) , 확산 배리 어 도전 막 ( 164 ) , 식각 배리 어 도전 막 ( 162 ) 및 제 1 층간 유전 막 ( 157 a ) 을 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 이 노출 될 때 까지 평탄 화 시키 어 , 제 1 및 제 2 게이트 전극 들 ( 175 a , 175 b ) 을 형성 할 수 있 다 . 이어서 , 도 1 b 의 제 2 층간 유전 막 ( 177 ) 및 콘 택 플러그 들 ( 180 a , 180 b , 180 r ) 을 형성 하 여 , 도 1 b 에 개시 된 반도체 소자 를 구현 할 수 있 다 .