도 4 c 에 나타난 바 와 같이 , 고분자 절 연막 ( 170 ) 의 증착 이후 에 최종 적 으로 고분자 절 연막 ( 170 ) 의 위 에 게이트 전극 ( 180 ) 이 증착 될 수 있 다 . 이러 한 구조 는 나노 선 ( 150 ) 의 위쪽 에 게이트 전극 ( 180 ) 에 위치 하 므로 탑 게이트 ( top - gate ) 형 나노 선 전계 효과 트랜지스터 라 한다 . 나노 선 ( 150 ) 위 에 게이트 전극 ( 180 ) 이 위치 하 게 되 므로 게이트 전압 은 나 노선 위쪽 에서 가해 지 게 된다 . 특히 본 발명 에 있 어서 는 도 1 a 내지 도 1 c 를 통하 여 설명 된 유전 영동 을 이용 한 나노 선 정렬 방법 을 이용 함 으로써 , 탑 게이트 형 나노 선 전계 효과 트랜지스터 의 제작 시 게이트 전극 ( 180 ) 을 나노 선 ( 150 ) 위 에 위치 시킬 경우 , 나노 선 이 정렬 되 어 있 어 위치 를 알 고 있 으므로 , 나노 선 길 이 방향 의 중앙부 에 게이트 전극 ( 180 ) 을 형성 하 는 것 을 쉽 게 할 수 있 다는 장점 이 있 다 .