소스 패드 ( 34 ) , 드레 인 패드 ( 35 ) 및 게이트 패드 ( 36 ) 를 제공 하 는 제 3 전도 층 ( 33 ) 은 구리 로 형성 될 수 있 고 , 제 2 전도 층 은 알루미늄 구리 합금 으로 형성 될 수 있 으며 , 제 1 전도 층 ( 29 ) 은 텅스텐 으로 형성 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 전도 층 은 추가 층 또는 층 들 , 예 를 들 어 반도체 재료 에 대한 접착성 및 전기 적 접촉 을 증가 시키 기 위해 그 위 에 텅스텐 층 이 증착 되 는 티타늄 ( Ti ) 및 질화 티타늄 ( TiN ) 서브 층 을 더 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 절연 층 ( 30 ) 및 제 2 절연 층 ( 32 ) 둘 다 폴리 이미드 로 형성 된다 .