또한 , 고집 적 화 된 반도체 소자 의 사이즈 에 비하 여 구동 전압 은 상대 적 으로 높 으므로 , 소스 에서 주입 된 전자 가 드레 인 의 전위 변동 ( potential gradient ) 상태 로 인하 여 심하 게 가속 되 며 , 드레 인 근처 에서 핫 캐리어 ( hot carrier ) 가 발생 된다 . 이 와 같이 구조 적 취약 성 을 갖 는 반도체 소자 의 성능 을 개선 하 기 위하 여 LDD ( lightly doped drain ) 구조 가 도입 되 었 다 .