게이트 메탈 ( 14 ) 은 TiN , TaN , HfN , LaN , Sc 중 어느 하나 또는 그 화합물 로 이루어짐 이 바람직 하 며 , 이 때 , NMOS 와 PMOS 의 메탈 이 다르 게 적용 될 수 있 다 . 또한 , 게이트 메탈 ( 14 ) 의 증착 두께 는 5 nm ∼ 40 nm 정도 로 충분히 얇 게 형성 하 는데 , 이 는 게이트 메탈 으로서 의 역할 을 충분히 하 면서 도 에칭 공정 시 게이트 절 연막 ( 13 ) 이 플 라즈 마 데미지 ( damage ) 를 입 는 것 을 최소 화 하 기 위함 이 다 .