트랜지스터 에 적용 가능 한 반도체 재료 로서 금속 산화물 을 사용 한 산화물 반도체 가 주목 을 받 고 있 다 . 예 를 들 어 특허 문헌 1 에 는 , 복수 의 산화물 반도체 층 을 적층 하 고 , 이 복수 의 산화물 반도체 층 중 채널 이 되 는 산화물 반도체 층 이 인듐 및 갈륨 을 포함 하 고 , 또한 인듐 의 비율 을 갈륨 의 비율 보다 크 게 함 으로써 전계 효과 이동도 ( 단순히 이동도 또는 μ FE 라고 하 는 경우 가 있 음 ) 를 높인 반도체 장치 가 개시 되 었 다 .