ClF 3 가스 에 의한 SiC 의 에칭 은 고온 하 에서 진행 된다 . 본 실시 형태 에서 는 , 클리닝 처리 를 400 ℃ 이상 에서 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또 , 지나치 게 고온 으로 하 면 클리닝 실 ( 5 ) 전체 에 높 은 내열성 이 필요 해 지 는 점 에서 , 클리닝 처리 는 600 ℃ 이하 에서 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 .