예 를 들 어 , 집 적 회로 칩 ( 210 ) 은 제 3 이너 패드 ( INTP 3 ) 및 제 4 이너 패드 ( INTP 4 ) 사이 에 제 4 검사 전압 을 인가 함 으로써 , 제 1 패드 영역 ( AR 1 ) 에서 의 손상 발생 여부 를 판단 할 수 있 다 . 또한 , 외부 검사 장치 는 더미 패드 ( DP ) 및 제 1 이너 패드 ( INTP 1 ) 에 제 2 검사 전압 을 인가 함 으로써 , 앞서 설명 한 [ 수학식 3 ] 에 기초 하 여 벤딩 영역 ( BA ) 등 에서 의 손상 발생 여부 를 판단 할 수 있 다 . 나아가 , 집 적 회로 칩 ( 210 ) 은 [ 수학식 3 ] 및 [ 수학식 5 ] 에 기초 하 여 제 2 패드 영역 ( AR 2 ) 에서 의 손상 발생 여부 를 판단 할 수 있 다 . 유사 하 게 , 외부 검사 장치 는 제 2 패드 영역 ( AR 2 ) 중 제 1 서브 패드 영역 ( ARS 1 ) 및 제 2 서브 패드 영역 ( ARS 2 ) 에서 의 손상 발생 여부 를 각각 판단 할 수 있 다 .