불량 의 메모리 셀 을 용장 메모리 셀 로 치환 하 였을 때 에 기억 하 는 리 던 던 시 정보 를 ROM 메모리 셀 어레이 에 기입 하 는 경우 를 예 로 설명 한다 . 제 어 신호 에 의해 , 강제 적 으로 리 던 던 시 정보 를 기억 하 는 ROM 메모리 셀 어레이 를 선택 한다 . 여기 에서 는 , ROM 용 센스 앰프 및 비교 회로 ( 19 ) 내 의 센스 앰프 가 한 번 에 8 비트 의 데이터 를 주 고 받 는 것 으로 한다 . 이 에 의해 , 1 개 의 어드레스 로 8 비트 단위 의 기입 이 실행 된다 . 기입 데이터 는 , 어 드레스 에 의해 제어 되 고 , 불량 메모리 셀 의 어드레스 ( 불량 어드레스 ) 를 패드 ( 11 ) 내 의 어드레스 입력 용 의 패드 로부터 입력 하 고 , 불량 어드레스 를 나타내 는 데이터 를 선택 한 ROM 메모리 셀 어레이 에 기입 한다 .