도 2 를 참조 하 면 , 스토리지 패드 ( 133 ) 를 패 터닝 하 여 , 제 3 트렌치 ( T 3 ) 를 형성 함 으로써 , 복수 의 고립 영역 을 형성 하 는 스토리지 패드 ( 133 ) 가 형성 될 수 있 다 . 제 3 트렌치 ( T 3 ) 는 비트 라인 구 조체 ( 120 ) 의 일부 및 스 페이서 구조 체 ( 140 ) 의 일부 를 식각 하 여 형성 될 수 있 다 .