도 8 은 종래 의 세라믹 도관 을 가지 는 종래 의 샤워 플레이트 를 이용 하 는 경우 , 종래 의 세라믹 도관 을 가지 는 본 발명 의 일실 시예 에 따른 샤워 플레이트 를 이용 하 는 경우 , 및 본 발명 의 일실 시예 에 따른 긴 세라믹 도관 을 가지 는 본 발명 의 일실 시예 에 따른 샤워 플레이트 를 이용 하 는 경우 에 있 어서 , 반응 챔버 의 압력 과 높 은 RF 전력 의 조합 에 기초 하 여 웨이퍼 공정 처리 중 에 형성 되 는 기생 플 라즈 마의 존재 또는 부 존재 를 도시 하 는 그래프 이 다 .