도 2 에 나타낸 것 은 플 라즈 마 식각 과정 에서 의 기판 내부 의 전하 분포도 이 다 . 절연 재료 층 ( 103 ) 이 기판 베이스 층 ( 100 ) 상 에 배치 되 며 , 절연 재료 층 ( 103 ) 은 균일 한 층 이 거나 서로 다른 절연 재료 층 들 이 교대 로 적층 되 어 형성 된 층 일 수 있 다 . 상부 의 마스크 층 ( 105 ) 상 에 는 패턴 화 된 개구부 가 존재 하 며 , 개구부 가 삭각 에 의해 아래 방향 으로 연장 되 어 홀 ( 102 ) 이 형성 된다 . 이런 높 은 종횡비 의 식각 공정 에서 , 식각 되 는 홀 이 아래 방향 으로 연장 되 는 과정 에서 홀 의 측벽 에 전하 가 점점 축적 되 지만 , 홀 이 절연 재료 로 형성 되 기 때문 에 , 전하 가 유실 되 기 가 어렵 다 . 축적 된 이 전하 들 에 는 소량 의 음전하 가 포함 될 가능 성 도 있 지만 주로 양전하 이 며 랜덤 하 게 비대칭 으로 분포 한다 . 기판 표면 의 시스 를 통과 한 후 에 아래 방향 으로 운동 하 는 과정 에서 입사 이온 은 이 전하 의 반발 로 인해 속도 가 감소 하 며 , 아래 방향 으로 운동 하 는 이온 은 식각 되 는 홀 의 바닥 을 식각 할 수 있 는 아래 방향 으로 의 움직임 을 위한 충분 한 에너지 를 가질 수 없 으며 , 따라서 반응 이 중지 될 수 있 다 . 또한 , 비대칭 으로 분포 한 전하 로 형성 된 전기장 의 반발 로 인해 아래 방향 으로 운동 하 는 이온 은 온동 방향 을 이탈 하 고 홀 의 측벽 에 비스듬 하 게 입사 하 게 되 며 , 최종 적 으로 비스듬 한 식각 홀 을 형성 하 게 된다 .