실시 예 에 따른 반도체 소자 는 , 상기 제 1 발광 구조물 의 상기 제 1 DBR 층 으로부터 연장 되 고 , 상기 제 2 발광 구조물 의 상기 제 3 DBR 층 으로부터 연장 된 제 1 도전 형 DBR 층 ; 상기 제 1 도전 형 DBR 층 위 에 배치 되 며 , 상기 제 1 전극 과 전기 적 으로 연결 된 패드 전극 ; 을 포함 하 고 , 상기 제 1 본딩 패드 는 상기 패드 전극 위 에 배치 될 수 있 다 .