적층 형 SiC 층 ( 22 ) 이 원 하 는 강도 를 얻 을 수 있 는 두께 에 이른 후 , 도 2 의 ( D ) 에 나타내 는 바 와 같이 , SiC 층 ( 제 1 SiC 층 ( 20 ) 과 적층 형 SiC 층 ( 22 ) ) 을 형성 한 기재 ( 30 ) 를 기준면 으로부터 떼 어서 , 불 필요 부분 ( 도 2 의 ( D ) 중 에서 파선 부 보다 윗 부분 ) 의 절단 제거 를 실시 한다 . 도 2 의 ( E ) 에 나타내 는 바 와 같이 하 여 , 불 필요 부분 을 제거 한 후 , 기재 ( 30 ) 를 제거 한다 . 기재 ( 30 ) 로서 그라 파이트 를 채택 한 경우 , 기재 ( 30 ) 제거 는 SiC 층 이 성막 되 어 있 는 기재 ( 30 ) 마다 고온 산화 분위기 에서 가열 을 실시 한다는 방법 이 면 좋 다 .