계속 해서 , 도 41 및 도 42 에 도시 한 바 와 같이 , 선택 게이트 트랜지스터 절연 층 ( 44 ) 상 에 산화 실리콘 ( SiO 2 ) 을 피착 시켜 , 제 1 배선 절연 층 ( 51 ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 제 1 배선 절연 층 ( 51 ) 을 관통 하 도록 비트 선 플러그 홀 ( 56 ) 및 제 2 플러그 홀 ( 85 c ) 을 형성 한다 . 비트 선 플러그 홀 ( 56 ) 은 드레 인 측 홀 ( 45 a ) 과 정합 하 는 위치 에 형성 된다 . 또한 , 제 2 플러그 홀 ( 85 c ) 은 제 1 플러그 홀 ( 85 a ) 과 정합 하 는 위치 에 형성 된다 .