이 도너 불순물 의 첨가 는 , 도전 막 ( 515 ∼ 518 ) 에 있 어서 , 상층 의 도전 막 ( 515 b ∼ 518 ) 을 마스크 로 하 여 행해진다 . 즉 , 도너 불순물 이 하층 의 도전 막 ( 515 a ∼ 518 b ) 을 통과 하 도록 , 도너 불순물 원소 를 첨가 한다 . 이 에 따라 도 19 a 에 나타내 는 바 와 같이 , 각 단결정 반도체 층 ( 505 , 507 및 508 ) 에 는 , 자기 정합 적 으로 n 형 고저 항 불순 물 영역 ( 521 ) 이 형성 된다 .