본 발명 이 반드시 이 에 한정 되 는 것 은 아니 지만 , 제 1 패드 금속 층 ( 35 a ) 은 마지막 발광 셀 ( C 7 ) 의 상부 영역 내 에 , 나아가 , 마지막 발광 셀 ( C 7 ) 의 제 2 도전 형 반도체 층 ( 27 ) 의 상부 영역 내 에 한정 되 어 위치 할 수 있 다 . 제 1 패드 금속 층 ( 35 a ) 은 또한 하부 절연 층 ( 33 ) 의 제 1 개 구부 ( 33 a ) 를 통해 마지막 발광 셀 ( C 7 ) 의 제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) 에 전기 적 으로 접속 한다 . 제 1 패드 금속 층 ( 35 a ) 은 제 1 개 구부 ( 33 a ) 를 통해 직접 제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) 에 접촉 할 수 있 다 .