이 와 같이 , 제 1 샤워 헤드 ( 15 ) 의 제 1 버퍼 부 ( 15 a ) 에 분포 되 었 다가 유도관 ( 20 ) 을 통과 한 원료 가스 와 , 제 2 샤워 헤드 ( 18 ) 의 분사 홀 ( 18 c ) 을 통과 한 플 라즈 마 발생 가스 의 중성 라디칼 은 서로 분리 된 상태 로 기판 ( 32 ) 상 에 분사 된다 . 전력 변조 에 따라 플 라즈 마 발생 가스 의 분해 는 극대 화 되 어 중성 라디칼 이 극대 로 발생 되 고 이 에 따라 원료 가스 를 충분히 활성 화 시킬 수 있 게 된다 . 따라서 , 기판 ( 32 ) 에 박막 을 매 우 빠른 증착 속도 로 형성 할 수 있 다 . RF 전원 부 ( 50 ) 의 파워 를 증가 시키 지 않 아도 막 증착 속도 를 증가 시킬 수 있 으므로 플 라즈 마의 균 일도 가 나빠 지 지 않 는다 . 따라서 , 플 라즈 마의 안정 성 을 높일 수 있 어 막 질 을 균일 하 게 증착 할 수 있 다 .