또한 상기 실시 형태 에서 는 , 웨이퍼 ( W ) 의 노광 이 실시 되 는 노광 위치 ( 투영 유닛 ( PU ) 하방 의 액침 영역 ( 14 ) 이 형성 되 는 위치 ) 로 부터 Y 축 방향 으로 떨어져 얼라이먼트 계 ( AL 1 , AL 21 ∼ AL 24 ) 및 다점 AF 계 ( 90 ) , 그리고 주변 노광 유닛 ( 51 ) 이 배치 된 경우 에 대하 여 예시 했 지만 , 본 발명 이 이것 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 어 얼라이먼트 계 ( AL 1 , AL 21 ∼ AL 24 ) 및 다점 AF 계 ( 90 ) 중 일방 은 상기 위치 에 배치 되 어 있 지 않 아도 된다 . 이러 한 경우 라도 , 그 타방 의 계측 장치 에 의한 웨이퍼 의 계측 을 위해서 , 웨이퍼 스테이지 ( WST ) 를 노광 위치 를 향해 Y 축 방향 으로 이동 시키 는 것 과 병행 하 여 , 웨이퍼 의 주변 노광 을 실시 할 수 있 다 . 따라서 , 주변 노광 에 필요 로 하 는 시간 을 다른 처리 시간 과 오버랩 시킬 수 있 기 때문 에 , 스루풋 의 향상 이 가능 하 다 .