한 실시 양태 에서 , 본 발명 의 항 - FAP 항체 는 본 발명 의 방법 에 의한 그 의 올리 고 사카 라이드 의 변형 의 결과 로서 Fc 영역 내 에서 증가 된 비율 의 이등분 된 올리 고사카 라이드 를 갖 는다 . 한 실시 양태 에서 , 본 발명 의 항 - FAP 항체 의 Fc 영역 내 에서 이등분 된 N - 연결 된 올리 고사카 라이드 의 백분율 은 총 올리 고 사카 라이드 의 약 10 % 내지 약 100 % 이상 , 구체 적 으로 약 50 % 이상 , 보다 구체 적 으로 약 60 % 이상 , 약 70 % 이상 , 약 80 % 이상 또는 약 90 % 내지 95 % 이상 이 다 . 상기 이등분 된 올리 고사카 라이드 는 하이브리드 또는 결합체 유형 의 올리 고 사카 라이드 일 수 있 다 . 또 다른 실시 양태 에서 , 본 발명 의 항 - FAP 항체 는 본 발명 의 방법 에 의한 그 의 올리 고 사카 라이드 의 변형 의 결과 로서 Fc 영역 내 에서 증가 된 비율 의 비 - 푸코 실화 된 올리 고사카 라이드 를 갖 는다 . 한 실시 양태 에서 , 비 - 푸코 실화 된 올리 고사카 라이드 의 백분율 은 약 20 % 내지 약 100 % 이상 , 구체 적 으로 약 50 % 이상 , 약 60 % 내지 약 70 % 이상 , 보다 구체 적 으로 약 75 % 이상 이 다 . 상기 비 - 푸코 실화 된 올리 고사카 라이드 는 하이브리드 또는 결합체 유형 의 올리 고 사카 라이드 일 수 있 다 .