도 13 a 및 도 13 b 에서 , 더미 게이트 ( 72 ) 및 마스크 ( 74 ) ( 존재 하 면 ) 는 에칭 단계 ( 들 ) 에서 제거 되 어 리세 스 ( 90 ) 가 형성 된다 . 리세 스 ( 90 ) 내 의 더미 유전체 층 ( 60 ) 의 일부 가 또한 제거 될 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 더미 게이트 ( 72 ) 만 제거 되 고 , 더미 유전체 층 ( 60 ) 은 남 아 있 어 리세 스 ( 90 ) 에 의해 노출 된다 . 일부 실시 예 들 에서 , 더미 유전체 층 ( 60 ) 은 다이 의 제 1 영역 ( 예 를 들 어 , 코어 로직 영역 ) 에서 리 세스 ( 90 ) 로부터 제거 되 고 , 다이 의 제 2 영역 ( 예 를 들 어 , 입력 / 출력 영역 ) 에서 리 세스 ( 90 ) 에 남 아 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 더미 게이트 ( 72 ) 는 이방성 건식 에칭 공정 에 의해 제거 된다 . 예 를 들 어 , 에칭 공정 은 제 1 ILD ( 88 ) 또는 게이트 스 페이서 ( 86 ) 를 에칭 하 지 않 고 더미 게이트 ( 72 ) 를 선택 적 으로 에칭 하 는 반응 가스 ( 들 ) 를 사용 한 건식 에칭 공정 을 포함 할 수 있 다 . 각각 의 리세 스 ( 90 ) 는 각각 의 핀 ( 52 ) 의 채널 영역 ( 58 ) 을 노출 및 / 또는 위 에 놓인다 . 각각 의 채널 영역 ( 58 ) 은 이웃 하 는 쌍 의 에피 택 셜 소스 / 드레 인 영역 ( 82 ) 사이 에 배치 된다 . 제거 동안 , 더미 유전체 층 ( 60 ) 은 더미 게이트 ( 72 ) 가 에칭 될 때 에칭 정지 층 으로서 사용 될 수 있 다 . 그런 다음 , 더미 유전체 층 ( 60 ) 은 더미 게이트 ( 72 ) 의 제거 후 에 선택 적 으로 제거 될 수 있 다 .