상기 R 화소 영역 의 하부 전극 상 에 보조 정공 주입 층 을 형성 하 고 , 상기 보조 정공 주입 층 을 포함 한 하부 전극 상 에 정공 주입 층 을 형성 하 며 , 상기 정공 주입 층 상 에 R , G 화소 의 발광 층 을 패 터닝 하 여 형성 하 고 , 상기 R , G 화소 의 발광 층 을 포함 한 기판 전면 에 B 화소 의 발광 층 을 공통 층 으로 하 여 이루어진 유기 막 을 형성 하 는 단계 ; 및