" 도 14 내지 도 16 은 반도체 디바이스 ( 200 ) 의 "" 긴 채널 "" 실시 예 를 도시 하 는 반면 "," 도 17 은 반도체 디바이스 ( 200 ) 의 "" 짧 은 채널 "" 실시 예 를 도시 한다 . "" 짧 은 채널 "" 실시 예의 경우 "," 반도체 디바이스 ( 200 ) 는 "" 긴 채널 "" 실시 예 에 비해 X 방향 에서 단축 된 채널 ( 250 B ) 을 갖 는다 . 단축 된 채널 ( 250 B ) 로 인해 "," 게이트 스 페이서 ( 310 ) 는 "" 상단 이 넓 고 하단 이 좁 은 "" 프로파일 을 갖 도록 형성 되 며 ", 이 는 게이트 스 페이서 가 규정 하 는 개구 는 상단 에서 더 넓 고 하단 에서 더 좁 다는 것 을 의미 한다 . 그러 한 개구 를 부분 적 으로 충전 시키 기 위해 하나 이상 의 층 ( 400 ) 및 금속 층 ( 430 ) 이 후속 적 으로 형성 되 지만 , " "" 상단 이 넓 고 하단 이 좁 은 "" 프로파일 은 대체로 보존 된다 . 개구 내 에 충전 금속 층 ( 460 ) 이 형성 될 때 ", 개구 의 좁 은 하단 부 는 충전 금속 층 ( 460 ) 이 실질 적 으로 개구 의 하단 부분 을 충전 시키 지만 상단 은 충전 시키 지 않 게 한다 . 결과 로서 , " 충전 금속 층 ( 460 ) 의 하단 부 ( 460 C ) 는 "" I "" 자 형상 을 갖 는다 . 즉 ", 하 단부 ( 460 C ) 는 수직 으로 돌출 되 는 막대 와 유사 하 게 성형 된다 .