도 4 및 도 5 를 참조 하 면 , 노광 된 네 가티 브 형 포토레지스트 층 ( 104 ) 은 다수 의 벽 ( 106 ) 으로서 기능 하 는 포토레지스트 패턴 층 을 형성 하 도록 현상 된다 . 네 가티 브 형 포토레지스트 층 ( 104 ) 에 대해 , 현상 후 네 가티 브 형 포토레지스트 층 ( 104 ) 의 비노 광부 ( 1041 ) 는 제거 되 고 네 가 티 브 형 포토레지스트 층 ( 104 ) 의 노광 부 ( 1042 ) 는 남겨진다 . 따라서 , 다수 의 벽 ( 106 ) 이 기판 ( 102 ) 의 표면 상 에 형성 된다 . 한편 , 그 외 , 포토레지스트 층 ( 104 ) 은 포지티브 형 포토레지스트 층 으로 될 수 있 다 . 따라서 , 포지티브 형 포토레지스트 층 의 노광 부 는 현상 된 후 제거 된다 .