본 발명 의 일 실시 예 에 따른 상변화 물질 ( 막 ) 은 예 를 들 어 Ge - Sb - Te ( GST ) , Ge - Bi - Te ( GBT ) , As - Sb - Te , As - Ge - Sb - Te , Sn - Sb - Te , In - Sn - Sb - Te , Ag - In - Sb - Te , 주기율표 의 5 A 족 원소 - Sb - Te , 주기율표 의 6 A 족 원소 - Sb - Te , 주기율표 의 5 A 족 원소 - Sb - Se , 주기율표 의 6 A 족 원소 - Sb - Se 등 의 칼코겐 화합물 또는 이상 에서 열거 한 칼코겐 화합물 에 불순물 이 도핑 된 칼코겐 화합물 을 포함 할 수 있 다 . 칼코겐 화합물 에 도핑 되 는 불순물 은 예 를 들 어 질소 , 산소 , 실리콘 , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 .