최근 에 는 메탄가스 를 이용 한 화학 기상 증착 법 을 사용 하 여 ㎛ 수준 의 두께 로 형성 된 니켈 이나 구리 , Ga 또는 Ge 과 같 은 촉매 금속 상 에서 그래핀 박막 을 제조 하 는 기술 이 개발 되 고 있 다 . 화학 기상 증착 법 에 의하 면 촉매 의 종류 와 두께 , 반응 시간 , 반응 가스 의 농도 등 을 조절 함 으로써 그래핀 의 층수 를 조절 하 는 것 이 가능 하 다 . 그러나 화학 기상 증착 법 에 의한 그래핀 박막 의 형성 은 전사 과정 을 반드시 필요 로 하 는 문제점 있 다 .