반응식 1 을 참조 하 면 , '①' 의 반응식 에서 , 건식 식각 공정 시 주입 하 는 가스 의 반응식 으로 , NH 3 가스 와 HF 가스 를 혼합 하 면 NH 4 + 와 F - 가 형성 된다 . '②' 의 반응식 에서 , NH 4 + 와 F - 가 SiO 2 를 포함 하 는 제 2 절 연막 ( 212 ) 과 접하 면 고체 ( solid ) 상태 의 ( NH 4 ) 2 SiF 6 가 형성 된다 . 이어서 , '③' 의 반응식 은 제 1 식각 공정 을 실시 한 이후 에 , 고체 ( solid ) 상태 의 ( NH 4 ) 2 SiF 6 에 열처리 공정 을 실시 하 여 부산물 인 SiF 4 , NH 3 및 HF 를 제거 하 는 반응 을 나타낸다 . 이때 , 열처리 공정 은 100 ℃ 내지 300 ℃ 의 온도 를 가하 여 실시 할 수 있 다 . 또한 , 제 1 식각 공정 시 , NH 3 가스 와 HF 가스 의 혼합 가스 대신 에 NH 3 가스 와 NF 3 가스 의 혼합 가스 를 리모트 플 라즈 마 ( remote plasma ) 방식 으로 챔버 ( chamber ) 내 에 주입 할 수 도 있 다 .