제 1 베이스 기판 ( 110 ) 상 에 는 게이트 도전 층 ( 120 ) 이 배치 된다 . 게이트 도전 층 ( 120 ) 은 스캔 라인 ( SL ) 과 게이트 전극 ( GE ) 을 포함 할 수 있 다 . 여기 서 , 특정 도전 층 이 특정 구조 들 을 포함 한다는 의미 는 각 특정 구조 들 이 서로 동일 한 층 에 위치 하 고 동일 한 물질 로 이루어짐 을 의미 한다 . 하나 의 도전 층 으로 이루어진 특정 구조 들 은 하나 의 마스크 공정 을 통해 동시 에 패 터닝 되 어 형성 될 수 있 다 .