도 4 d 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 패턴 ( 23 ) 을 포함 하 는 결과물 의 전면 에 불 산 ( F ) 을 함유 하 는 분리 보호막 ( 25 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 분리 보호막 ( 25 ) 은 게이트 패턴 ( 23 ) 의 에지 ( Edge ) 와 LDD 영역 이 오버랩 되 는 것 을 방지 하 여 오버랩 캐 패 시턴 스 를 감소 시키 기 위한 것 으로 , 불 산 을 함유 하 는 산화 막 또는 질화 막 으로 형성 할 수 있 다 .