도 1 은 본 발명 의 제 1 실시 예 를 설명 하 기 위한 탄성파 신호 그래프 로서 , 5 mm 두께 의 유리판 에서 램 파 의 군속 도 분산 곡선 을 보여 주 고 있 다 . 대략 0 . 35 MHz 이하 에서 는 최저 반대칭 모드 ( A 0 ) 와 최저 대칭 모드 ( S 0 ) 만 이 존재 함 을 알 수 있 으며 , 그 속도 가 거의 두 배 에 가깝 게 차이 가 나 는 것 을 확인 할 수 있 다 . 일 차 대칭 모드 ( A 1 ) 를 위시 한 많 은 고차 모드 들 이 존재 하나 이러 한 탄성파 들 은 위치 연산 에 잡 음 으로 작용 하 므로 , 차후 수신 된 신호 를 저주파 통과 필터 링 한다는 전 제하 에 앞 으로 의 논의 에서 제외 하 기 로 한다 . 외부 터치 에 의해 최저 반대칭 모드 와 최저 대칭 모드 가 발생 하 게 되 며 , 이 는 각기 다른 속도 로 진행 하 여 특정 한 지점 에 특정 한 시간 차 를 두 고 도달 하 게 된다 . 달리 말 하 면 , 특정 한 지점 에서 최저 반대칭 모드 와 최저 대칭 모드 간 의 도달 시간 차 를 알 면 , 탄성파 가 발생 된 지점 을 역 으로 계산 할 수 있 음 을 의미 한다 . 본 발명 은 이러 한 사실 에 착안 하 여 안출 되 었 다 .