여기 서 , 선택 적 에피 택 셜 성장 방법 은 기판 의 표면 에 실리콘 ( Si ) 을 가지 고 있 는 기체 를 흘려 주 거나 또는 , 분자 빔 형태 로 인입 시켜서 선택 적 으로 활성 영역 표면 에 는 실리콘 을 성장 시키 고 , 소자 분리 막 위 에 는 실리콘 이 성장 하 지 않 도록 하 는 방법 으로 , 실리콘 에 대한 선택 성 을 이용 하 여 원 하 는 소자 의 특성 을 저해 하 지 않 고 공정 을 진행 하 기 위한 것 이 다 .