도 5 a 에 도시 된 것 과 같이 , 버퍼 층 ( BFL ) 상 에 제 1 예비 반도체 패턴 ( PS 1 - P ) 및 제 2 예비 반도체 패턴 ( PS 2 - P ) 을 형성 한다 . 반도체 층 을 형성 한 후 , 패 터닝 하 여 제 1 예비 반도체 패턴 ( PS 1 - P ) 및 제 2 예비 반도체 패턴 ( PS 2 - P ) 을 형성 한다 . 패 터닝 전 / 후 에 반도체 층 을 결정 화 시킬 수 있 다 . 제 1 예비 반도체 패턴 ( PS 1 - P ) 및 제 2 예비 반도체 패턴 ( PS 2 - P ) 은 갈륨 ( Ga ) 산화물 , 아연 ( Zn ) 산화물 , 및 인듐 ( In ) 산화물 을 통해 형성 될 수 있 다 . 제 1 예비 반도체 패턴 ( PS 1 - P ) 및 제 2 예비 반도체 패턴 ( PS 2 - P ) 을 형성 하 는 단계 에서 , 산소 분압 은 40 % 이하 일 수 있 다 . 제 1 예비 반도체 패턴 ( PS 1 - P ) 및 제 2 예비 반도체 패턴 ( PS 2 - P ) 이 40 % 이하 의 저 산소 분압 조건 에서 수행 됨 에 따라 , 반도체 패턴 의 전도도 등 의 전기 적 특성 이 향상 될 수 있 다 .