도 4 c 에 도시 된 바 와 같이 , 자기 터널 접합 셀 을 형성 한 후 , 후처리 ( post treatment ) 를 실시 한다 . 이때 , 후처리 는 H 2 O 플 라즈 마 처리 ( H 2 O plasma treatment ) 를 실시 한 후 , 가열 된 탈 이 온수 처리 ( HOT DI treatment ) 를 실시 하 는 순서 로 진행 할 수 있 으며 , 100 ℃ ~ 500 ℃ 범위 의 온도 에서 실시 할 수 있 다 .