이중 , 게이트 ( 206 ) 는 N + 폴리 실리콘 ( Poly Silicon ) 으로 형성 되 며 , 접합 영역 ( 202 , 204 ) 은 N + 형 의 불순물 이 주입 되 어 형성 되 고 , 기판 ( 200 ) 은 P 형 으로 형성 된다 . 또한 , 기판 ( 200 ) 상 에 는 P + 형 의 불순물 이 주입 되 어 형성 되 는 접합 영역 ( 212 , 214 ) 을 갖 는다 .