본 실시 형태 에서 는 , 우선 , 가공 흔적 ( 21 - 1 ) ( 도 3 ( a ) 의 가공 흔적 ( A 1 ) 에 대응 한다 ) 을 형성 한다 . 그 후 , 가공 흔적 ( 21 - 2 ) 으로부터 가공 흔적 ( 21 - 10 ) 을 순차 형성 한다 . 다음 에 , 가공 흔적 ( 21 - 11 ) ( 도 3 ( b ) 의 가공 흔적 ( A 0 ) 에 대응 한다 ) 을 형성 한다 . 그 후 , 가공 흔적 ( 21 - 12 ) 으로부터 가공 흔적 ( 21 - 20 ) 을 순차 형성 한다 . 마지막 으로 , 가공 흔적 ( 21 - 21 ) ( 도 3 ( c ) 의 가공 흔적 ( A 2 ) 에 대응 한다 ) 을 형성 한다 .