다음 으로 , 최상층 의 층간 절 연막 ( 120 ) 을 덮 고 있 는 불 필요 한 반도체 물질 및 절연 물질 을 제거 하 기 위해 최상층 의 층간 절 연막 ( 120 ) 이 노출 될 때 까지 평탄 화 공정 , 예컨대 , 화학 적 기계 적 연마 ( Chemical Mechanical Polishing , CMP ) 또는 에치 백 ( etch - back ) 공정 을 수행 할 수 있 다 . 식각 공정 등 을 이용 하 여 절연성 필라 ( 140 ) 의 상부 를 제거 할 수 있 으며 , 상기 제거 된 위치 에 도전 층 ( 135 ) 을 증착 할 수 있 다 . 다시 , 평탄 화 공정 을 수행 함 으로써 , 절연성 필라 ( 140 ) 상 에 배치 되 고 반도체 영역 ( 130 ) 에 연결 되 는 도전 층 ( 135 ) 이 형성 될 수 있 다 .