도 6 a 를 참조 하 면 , 플라스틱 또는 유리 와 같 은 투명 한 기판 ( 201 ) 상 에 상기 디렉 셔 널 ( directional ) 결정 화법 으로 결정 화 된 다결정 실리콘 층 을 이용 하 여 스캔 라인 구동 회로 부 ( 202 ) 및 데이터 라인 구동 회로 부 ( 203 ) 을 형성 하 여 주변 부 를 형성 하 고 , 상기 SGS 결정 화법 으로 결정 화 된 다결정 실리콘 층 을 이용 하 여 화소 부 의 박막 트랜지스터 를 형성 한다 .