다음 , 도 5 f , 6 f 및 도 7 f 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 반투 과 영역 ( 도 5 e , 6 e , 7 e 의 HTA ) 을 포함 하 는 마스크 ( 도 5 e , 6 e , 7 e 의 191 ) 를 통한 노광 을 실시 한 후 , 상기 포토레지스트 층 ( 도 5 e , 6 e , 7 e 의 181 ) 을 현상 하 면 , 상기 마스크 ( 도 5 e , 6 e , 7 e 의 191 ) 의 투과 영역 ( 도 5 e , 6 e , 7 e 의 TA ) 에 대응 된 부분 은 포토레지스트 층 ( 도 5 e , 6 e , 7 e 의 181 ) 이 제거 됨 으로써 보호 층 ( 140 ) 을 노출 시키 고 , 차단 영역 ( 도 5 e , 6 e , 7 e 의 BA ) 에 대응 된 부분 은 제 1 두께 의 제 2 포토레지스트 패턴 ( 181 a ) 이 형성 되 며 , 반투 과 영역 ( 도 5 e , 6 e , 7 e 의 HTA ) 에 대응 된 부분 은 상기 제 1 두께 보다 얇 은 제 2 두께 를 갖 는 제 3 포토레지스트 패턴 ( 181 b ) 이 형성 된다 .