본 발명 은 반도체 발광 소자 에 관한 것 으로 , 보다 상세 하 게 는 반도체 성장 용 기판 , n 형 클래드 층 , 활성 층 , p 형 클래드 층 의 적층 으로 이루어지 고 플립 칩 방식 으로 외부 지지 기판 에 접착 되 는 반도체 발광 소자 에서 , 상기 활성 층 및 클래드 층 을 적어도 하나 이상 의 마이크 로 디스크 내지 는 기둥 의 형태 로 형성 하 고 상기 발광 층 및 클래드 층 으로 이루어진 기둥 의 둘레 를 유전체 로 코팅 하 여 활성 층 에서 발생 한 광자 가 특정 방향 으로 전반사 되 도록 하 여 발광 효율 이 향상 된 반도체 발광 소자 에 관한 것 이 다 .