이때 , 콘 택 홀 ( 40 ) 식각 공정 을 기판 ( 10 ) 이 노출 되 도록 제 1 절 연막 ( 30 A ) 과 도전 성 라인 ( 20 ) 을 식각 ( 메인 식각 ) 한 후 에 , 일정 시간 동안 노출 된 기판 ( 10 ) 을 추가 로 식각 ( 오버 식각 ) 하 는 방식 으로 진행 하 여 , 콘 택 홀 ( 40 ) 바닥 에 도전 성 라인 ( 20 ) 의 잔류물 이 발생 되 지 않 도록 한다 . 그리고 , 콘 택 홀 ( 40 ) 에 의해 도전 성 라인 ( 20 ) 이 두 부분 으로 나누 어 질 수 있 도록 , 콘 택 홀 ( 40 ) 의 CD ( Critical Dimension ) 를 도전 성 라인 ( 20 ) 의 폭 과 동일 하 거나 도전 성 라인 ( 20 ) 보다 일정 치 크 게 설정 한다 .