다음 , 도 5 b 를 참조 하 면 , 반도체 층 ( 610 ) 을 포함 하 는 기판 ( 600 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 615 ) 을 형성 한다 . 게이트 절 연막 ( 215 ) 은 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) 또는 실리콘 질화물 ( SiNx ) 등 을 사용 하 여 선택 적 으로 형성 할 수 있 다 . 이때 , 패드 부 ( P ) 상 에 증착 되 는 게이트 절 연막 ( 615 ) 은 식각 하 여 제거 한다 .