바람직 하 게 는 , 상기 희생 층 은 다양 한 특성 을 가지 는 복수 의 물질 층 을 포함 한다 . 상기 복수 의 물질 층 각각 은 상기 희생 층 의 서브 층 ( Sub - layer ) 을 구성 한다 . 상기 희생 층 은 물리 적 증기 증착 법 , 화학 적 증착 법 ( C / D , Chemical Deposition ) , 및 스핀 온법 을 포함 하 는 그룹 으로부터 선택 되 는 하나 이상 의 방법 으로 증착 될 수 있 다 . 그러나 , 상기 희생 층 은 플라 즈 마 증진 ( Enhanced ) 화학 증착 법 ( PECVD : Plasma enhanced chemical vapor deposition method ) , 및 원자 층 증착 법 ( ALD : Atomic layer deposition ) 과 같 은 화학 적 증착 법 ( C / D ) 에 의해 증착 되 는 것 이 바람직 하 다 . 본문 에서 상기 화학 적 증착 법 ( C / D ) 은 하나 이상 의 가스 전구체 ( Gaseous Precursors ) 를 이용 하 는 물질 층 증착 법 으로 정의 된다 . 이러 한 화학 적 증착 법 ( C / D ) 의 예 로서 는 다양 한 시브 이 디 법 ( CVD Method ) 및 다양 한 에이 엘디법 ( ALD Method ) 을 포함 한다 . 본문 에서 상기 약자 C / D 는 임계 치수 ( Critical Dimension ) 의 약자 CD 와 는 구별 된다 . 본 발명 의 실시 예 에서 , 다 공성 로우 케이 ( Porous Low k ) 또는 다공성 울트라 로우 케이 ( ULK : Ultra Low k ) 유전체 물질 을 포함 하 는 희생 층 을 형성 하 기 위해 , 포로 겐 ( Porogen ) - 함유 전구체 와 함께 실리콘 유기 금속 ( MO : Organometallic ) 가스 가 화학 증착 시스템 에서 이용 된다 .