상기 와 같 은 브래그 거울 을 포함 하 거나 그러 한 것 으로 형성 된 제 1 필터 부재 에 의해 , 층 들 의 물질 및 두께 선택 에 의해 , 그리고 가령 5 개 이상 과 20 개 이하 로 층 쌍 의 수 를 선택 함 으로써 각도 종속 적 투과도 가 상기 에 기술 된 바 와 같이 조절 될 수 있 다 . 브래그 거울 의 각도 종속 적 투과도 에 의해 , 상기 에 기술 된 한계 각 보다 큰 각도 로 제 1 필터 부재 에 입사 되 는 비 간섭 성 제 2 전자기 복사 는 상기 필터 부재 로부터 반도체 층 시퀀스 를 향하 여 재귀 반사 될 수 있 어서 , 활성 영역 으로부터 방출 된 비 간섭 성 제 2 전자기 복사 는 방출 방향 을 따라 감쇄 될 수 있 다 .