또한 그리드 ( 12 ) 는 그리드 ( 12 ) 의 두께 방향 을 기준 으로 그리드 ( 12 ) 의 중심 에서 베이스 ( 11 ) 방향 으로 갈수록 제 1 성분 이 증가 하 게 된다 . 도 2 에서 도면 의 하부 즉 베이스 ( 11 ) 를 향하 도록 외광 이 입사 되 는 경우 그리드 ( 12 ) 는 외광 을 향하 는 방향 으로 갈수록 유전 물질 로 된 제 1 성분 ( 12 a ) 이 증가 하 게 된다 . 즉 베이스 ( 11 ) 에 가까워질수록 유전 물질 로 형성 되 는 제 1 성분 ( 12 a ) 의 함량 이 증가 하 고 , 베이스 ( 11 ) 에서 멀 어 지 고 그리드 ( 12 ) 의 중앙 부분 으로 갈수록 제 2 성분 ( 12 b ) 의 함량 이 증가 한다 . 그리드 ( 12 ) 는 그리드 ( 12 ) 의 두께 방향 을 기준 으로 그리드 ( 12 ) 의 중심 방향 에서 베이스 ( 11 ) 방향 으로 갈수록 불 투명 한 금속 에서 유전 물질 로 점진 적 으로 변화 한다 . 결과 적 으로 굴절 율 차이 에 의해 발생 하 는 계면 반사 를 억제 한다 . 외광 이 그리드 ( 12 ) 에 입사 되 었 을 때 외광 을 흡수 하 여 외광 의 반사 를 방지 한다 .