게이트 절 연막 ( 122 ) 및 게이트 도전 막 ( 124 ) 이 반도체 막 ( 100 ) 상 에 차례 로 형성 될 수 있 다 . 게이트 절 연막 ( 122 ) 은 절 연막 ( 120 ) 의 상면 , 활성 패턴 ( 110 ) 의 측벽 , 오 믹 콘 택 패턴 ( 112 ) 의 측벽 , 및 마스크 패턴 ( 114 ) 의 측벽 및 상면 을 컨 포말 하 게 덮 도록 형성 될 수 있 다 . 게이트 도전 막 ( 124 ) 은 게이트 절 연막 ( 122 ) 상 에 컨 포말 하 게 형성 될 수 있 다 . 게이트 절 연막 ( 122 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 산화 막 , 열 산화 막 , 또는 고 유전 막 ( 예 를 들 어 , 알루미늄 옥사이드 ( Al 2 O 3 ) , 하프늄 옥사이드 ( HfO 2 ) , 지르코늄 옥사이드 ( ZrO 2 ) , 하프늄 알루미늄 옥사이드 ( HfAlO ) , 하프늄 실리콘 옥사이드 ( HfSiO ) ) 을 포함 할 수 있 다 . 게이트 도전 막 ( 124 ) 은 예 를 들여 , 불순물 이 도핑 된 반도체 물질 ( 예 를 들 어 , 도핑 된 실리콘 ) , 금속 물질 ( 예 를 들 어 , 텅스텐 ( W ) , 티타늄 ( Ti ) , 탄 탈륨 ( Ta ) ) , 도전 성 금속 질화물 ( 예 를 들 어 , 티타늄 질화물 , 탄 탈륨 질화물 , 텅스텐 질화물 ) , 금속 - 반도체 화합물 ( 예 를 들 어 , 금속 실리사이드 ) , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 .