본 발명 에서 는 , 하부 유전체 층 ( 175 ) 에 접하 여 격벽 ( 180 ) 이 형성 되 며 , 격벽 ( 180 ) 을 화학 적 식각 방법 에 의해 형성 할 경우 하부 유전체 층 ( 175 ) 은 식각 정지 막 으로 작용 하 므로 , 하부 유전체 층 ( 175 ) 과 격벽 ( 180 ) 은 각각 서로 다른 식각 선택 비 를 갖 는 물질 을 주성분 으로 함유 한다 .