제 1 영역 및 제 2 영역 으로 구분 된 반도체 기판 상 에 게이트 절 연막 을 형성 하 고 , 제 1 영역 및 제 2 영역 의 게이트 절 연막 상 에 N 형 불순물 이 도핑 된 제 1 게이트 도 전막 을 형성 한다 . 제 2 영역 의 제 1 게이트 도 전막 을 일정 두께 정도 잔류 되 게 식각 한 후 , 제 2 영역 에 P 형 불순물 이 도핑 된 제 2 게이트 도 전막 을 형성 한 다음 제 2 게이트 도 전막 , 제 1 게이트 도 전막 및 게이트 절 연막 을 패 터닝 하 여 N 형 및 P 형 게이트 전극 을 형성 하 는 반도체 소자 의 듀얼 게이트 형성 방법 을 제시 한다 .