도 4 c 에 도시 한 바 와 같이 , 제 1 보호 층 ( 31 ) 의 표면 의 내측 소정 영역 에 증착 법 , 일렉트로 빔 법 또는 스퍼터링 법 등 의 방법 으로 고 휘도 형광 물질 인 요드 화 세슘 ( CsI ) 등 의 할로겐 화합물 이나 가돌리늄 황산화물 ( GOS ) 등 의 산화물 계 화합물 등 의 형광체 를 퇴적 시켜 성막 하 는 기둥 형상 결정 구조 의 신 틸레 이터 층 ( 32 ) 을 형성 한다 .