집 적 회로 의 크기 가 감소 함 에 따라 , 회로 를 구성 하 는 소자 들 이 더 가까이 배치 되 게 된다 . 회로 컴포넌트 들 에 대한 종래 의 절연 방법 들 은 트렌치 절연 을 포함 한다 . 트렌치 절연 은 반도체 기판 내 로 트렌치 를 에칭 한 후 , 트렌치 를 절연 물질 로 충전 하 는 과정 을 포함 한다 . 반도체 기판 에서 의 컴포넌트 밀도 가 높 아 짐 에 따라 , 트렌치 의 폭 역시 감소 하 고 있 다 . 더우기 , 트렌치 의 깊이 는 증가 하 는 경향 이 있 다 . 절연 트렌치 형성 을 위한 한 가지 종류 의 반도체 기판 물질 로 결정질 실리콘 을 들 수 있 는데 , 이러 한 결정질 실리콘 에 는 게르마늄 이나 전도도 를 변경 시키 는 도 펀트 들 같 은 다른 물질 이 포함 될 수 도 있 다 . 트렌치 절연 제작 시 실리콘 내 로 트렌치 들 을 에칭 시키 도록 개선 된 에칭 화학 물질 을 개발 할 필요 가 있 다 .