도 1 a 내지 도 1 g 는 종래 화소 구조 를 제조 하 는 공정 의 흐름 도 들 을 나타낸다 . 먼저 , 도 1 a 를 참조 하 면 , 게이트 ( 20 ) 는 제 1 마스크 ( 도시 되 지 않 음 ) 를 이용 하 여 기판 ( 10 ) 상 에 형성 된다 . 도 1 b 를 참조 하 면 , 제 1 유전 층 ( 30 ) 은 상기 게이트 ( 20 ) 를 덮 으면서 상기 기판 ( 10 ) 상 에 형성 된다 . 도 1 c 를 참조 하 면 , 채널 층 ( 40 ) 은 제 2 마스크 ( 도시 되 지 않 음 ) 를 이용 하 여 상기 제 1 유전 층 ( 30 ) 상 에 형성 된다 . 도 1 d 를 참조 하 면 , 소스 ( 50 ) 및 드레 인 ( 60 ) 은 제 3 마스크 ( 도시 되 지 않 음 ) 를 이용 하 여 상기 채널 층 ( 40 ) 상 에 형성 된다 . 도 1 e 를 참조 하 면 , 제 2 유전 층 ( 70 ) 은 상기 채널 층 ( 40 ) 을 덮 으면서 상기 기판 ( 10 ) 상 에 형성 된다 . 도 1 f 를 참조 하 면 , 콘 택 홀 ( H ) 은 제 4 마스크 ( 도시 되 지 않 음 ) 를 이용 하 여 상기 제 2 유전 층 ( 70 ) 에 형성 된다 . 도 1 g 를 참조 하 면 , 화소 전극 ( 80 ) 은 상기 콘 택 홀 ( H ) 을 부분 적 으로 채우 며 , 상기 드레 인 ( 60 ) 과 전기 적 으로 연결 된다 . 이 와 같 은 방법 으로 상기 화소 구조 ( 90 ) 의 제조 가 완료 된다 .