상기 실시 예 에서 , 반도체 발광 소자 는 질화 갈륨 ( GaN ) 계 물질 로 이루어진 반도체 클래드 층 사이 에 활성 층 ( 발광 층 ) 을 형성 하 여 빛 을 방출 하 는 것 으로 , 기판 ( 21 ) , 상기 기판 의 아래 에 부착 되 어 성장 되 고 아랫면 에 종단 이 면 의 형상 인 돌기 가 적어도 하나 이상 형성 되 는 n 형 클래드 층 ( n 형 층 , 22 ) , 상기 n 형 층 ( 22 ) 에 형성 된 적어도 하나 이상 의 돌기 의 아래 에 각각 적층 되 는 활성 층 ( 23 ) , 상기 활성 층 의 아래 에 각각 적층 되 는 p 형 클래드 층 ( p 형 층 , 24 ) , 상기 n 형 층 ( 22 ) 에 부착 되 는 금속 전극 ( 25 ) 및 상기 p 형 층 ( 24 ) 에 각각 부착 되 는 적어도 하나 이상 의 금속 전극 ( 26 ) 을 포함 한다 .