도 2 를 참조 하 면 , 나노 - 플라 즈 모닉 입자 ( 107 ) 에서 표면 플라 즈 몬 공명 에 의해 발생 한 강한 전자기파 가 점선 으로 표시 되 어 있 다 . 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 이러 한 전자기파 는 발광 층 ( 105 ) 에 있 는 양자 점 들 에 까지 도달 할 수 있 다 . 그러면 , 발광 층 ( 105 ) 내 의 양자 점 들 은 전자기파 에 의해 다시 여기 되 어 추가 적 으로 광 을 방출 하 게 된다 . 따라서 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 발광 층 ( 105 ) 내 의 양자 점 들 에서 는 전자 와 정공 의 재결합 에 의한 전계 발광 ( electroluminescence ; EL ) 뿐 만 아니 라 강한 입사 전자기파 에 의한 광 발광 ( photoluminescence ; PL ) 도 함께 일어나 게 된다 . 그 결과 , 발광 층 ( 105 ) 에서 발생 하 는 빛 의 세기 가 더욱 증가 할 수 있 으므로 , 발광 소자 ( 100 ) 의 효율 과 휘도 가 향상 될 수 있 다 . 또한 , 전자 수송 층 ( 106 ) 내 의 나노 - 플라 즈 모닉 입자 ( 107 ) 는 전도성 금속 으로서 전자 의 전달 을 더욱 빠르 게 할 수 있 으므로 , 전자 수송 층 ( 106 ) 의 전자 전달 효율 이 더 증가 할 수 있 다 . 따라서 , 발광 층 ( 105 ) 에 더욱 많 은 전자 를 전달 하 여 발광 층 ( 105 ) 의 발광 효율 을 더 증대 시킬 수 있 다 .