아울러 , 본 발명 에 따른 재 배선 및 그 의 제조 방법 을 이용 한 웨이퍼 레벨 패 키 지의 제조 방법 은 , 다수 의 본딩 패드 를 갖 는 반도체 칩 들 로 이루어진 웨이퍼 상 에 각 반도체 칩 의 본딩 패드 를 노출 시키 도록 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 노출 된 본딩 패드 를 포함 한 절 연막 상 에 광 반응 성 전도성 폴리머 를 도포 하 는 단계 ; 상기 광 반응 성 전도성 폴리머 를 식각 하 여 상기 각 반도체 칩 들 의 본딩 패드 와 연 뎔 되 는 재 배선 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 재배 선 층 표면 에 무전 해 금속 도금 층 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 무전 해 금속 도금 층 이 형성 된 웨이퍼 를 반도체 칩 레벨로 쏘 잉 하 는 단계 ; 를 포함 한다 .