플래시 메모리 는 셀 과 비트 라인 의 연결 상태 에 따라 노어 ( NOR ) 형 과 낸드 ( NAND ) 형 으로 구분 된다 . 노어 ( NOR ) 형 플래시 메모리 는 1 개 의 비트 라인 에 2 개 이상 의 셀 트랜지스터 가 병렬 로 연결 된 형태 로서 , 채널 핫 일렉트론 ( channel hot electron ) 방식 을 사용 하 여 데이터 를 저장 하 고 , F - N 터널 링 ( Fowler - Nordheim tunneling ) 방식 을 사용 하 여 데이터 를 소거 한다 . 또한 , 낸드 ( NAND ) 형 플래시 메모 리 는 1 개 의 비트 라인 에 2 개 이상 의 셀 트랜지스터 가 직렬 로 연결 된 형태 로서 , F - N 터널 링 방식 을 사용 하 여 데이터 를 저장 및 소거 한다 . 일반 적 으로 , 노어 ( NOR ) 형 플래시 메모리 는 전류 소모 가 크 기 때문 에 고집 적 화 에 는 불리 하 지만 , 고속화 에 용이 하 게 대처 할 수 있 는 장점 이 있 고 , 낸드 ( NAND ) 형 플래시 메모리 는 노어 형 플래시 메모리 에 비해 적 은 셀 전류 를 사용 하 기 때문 에 , 고집 적 화 에 유리 한 장점 이 있 다 .