다른 바람직 한 양극 산화 피막 을 형성 시키 는 처리 방법 으로 는 플 라즈 마 전해 산화 가 있 다 . 플라 즈 마 전해 산화 피막 처리 는 원리 상 으로 양극 산화 피막 ( Anodizing ) 처리 와 동일 하 다 . 양극 산화 는 음극 ( Cathode ) 에 상대 적 으로 전기 화학 적 안정 성 이 높 은 금속 ( 스테인 레스 스틸 또는 Pt 계 합금 등 ) 을 , 그리고 양극 ( Anode ) 에 는 마그네슘 등 산화 반응 을 시키 고자 하 는 금속 을 위치 시킨다 . 전원 이 인가 될 경우 , 양극 에서 는 수용액 중 의 산소 와 양극 의 금속 이 반응 하 여 산화물 을 형성 되 며 , 음극 에서 는 환원 반응 에 의해 수소 가스 가 발생 한다 . 양극 에서 의 산화 반응 이 일어나 는 원리 는 동일 하 지만 , 아노 다 이징 처리 의 경우 , 일정 두께 의 산화 막 이 형성 되 면 더 이상 의 산화 반응 이 발생 하 지 않 는다 . 반면 에 플라 즈 마 전해 산화 반응 의 경우 , 기 형성 된 양극 산화 막 ( 또는 유전 막 ) 을 통전 할 수 있 는 전압 ( Dielectric Breakdown Voltage : 400 ∼ 600 V ) 이상 의 전압 을 사용 하 므로 , 산화 막 내부 에서 반응 된 가스 ( O 2 또는 H 2 gas ) 에서 는 국부 적 으로 형성 된 강한 전류 장 에 의해 아크 ( 또는 스파크 또는 플 라즈 마 ) 가 발생 하 며 , 이 들 플 라즈 마 에너지 가 순간 형성 된 산화물 을 융 착시 키는 역할 을 하 게 되 어 , 양극 에 위치 한 금속 의 표면 은 양극 산화 피막 으로 형성 된 산화물 보다 매우 치밀 하 며 , 단단 한 산화물 이 형성 된다 .