그 다음 , 도 3 q 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 제 4 식각 마스크 층 ( 220 a ) 을 제거 한 후 상기 스페이스 막 ( 240 ) 을 식각 마스크 로 하 여 상기 제 3 식각 마스크 층 ( 210 ) 을 식각 한다 . 이어서 , 상기 스페이스 막 ( 240 ) 을 제거 하 면 도 3 r 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 실리콘 ( Si ) 기판 ( 100 c ) 상 에 제 3 식각 마스크 패턴 층 ( 210 a ) 이 만들 어 진다 .