스핀 도포 에 의해 4 인치 규소 웨이퍼 에 상기 합성 예 에서 제조 된 조성물 A ~ D 를 각각 도포 하 고 , 상기 기판 을 1 분 동안 130 ℃, 핫플레이트 상 에서 1 분 동안 200 ℃ 에서 건조 한 후 , 질소 가스 분위기 하의 크린 오븐 에서 30 분 동안 400 ℃ 에서 가열 함 으로써 도포 막 ( 두께 : 300 nm ) 을 형성 하 였 다 .