이 때 , 플라 즈 마를 이용 하 거나 , 준 대기압 상태 에서 플라 즈 마 없이 공정 을 진행 하 는 반도체 제조 장치 에 있 어서 , 공정 이 원 하 는 대로 진행 되 도록 하 기 위해서 는 실시간 으로 공정 을 모니터링 하 고 제어 하 는 것 이 필요 한데 , 이 는 플 라즈 마 를 사용 하 거나 또는 플 라즈 마 를 사용 하 지 않 는 식각 , CVD 공정 에서 많 은 반응 부산물 이 생성 되 며 , 상기 생성 되 는 반응 부산물 들 은 사용 되 는 반응 가스 나 포토레지스트 등 과 반응 하 여 고분자 물질 ( polymer ) 을 생성 시키 게 되 고 , 이러 한 고분자 물질 이 기판 표면 이나 공정 챔버 의 내벽 에 도 부착 되 기 때문 에 공정 파라미터 의 변동 및 파티클 발생 을 초래 하 고 , 이 에 따라 반도체 제조 공정 수행 중 기판 의 디 펙 트 요인 이 되 어 수율 저하 를 초래 할 수 있 기 때문 이 다 .