이 에 따라 A 영역 에서 는 콘 택 플러그 ( 110 ) 가 에치 스탑 퍼 ( etch stopper ) 로써 역할 을 하 고 B 영역 에서 는 식각 정지 막 ( 106 ) 이 에치 스탑 퍼 로써 역할 을 할 수 있 다 . 이 로써 , A 영역 에서 는 콘 택 플러그 ( 110 ) 의 상부 가 노출 되 고 B 영역 에서 는 식각 정지 막 ( 106 ) 의 일부 가 노출 된다 . 이어서 , B 영역 에서 노출 된 식각 정지 막 ( 106 ) 을 제거 한다 . B 영역 에서 노출 된 식각 정지 막 ( 106 ) 은 인 시투 ( in - situ ) 로 제거 하 는 것 이 바람직 하 며 , 특히 콘 택 플러그 ( 110 ) 가 손상 되 는 것 을 최소 화 하 기 위하 여 폴리 실리콘 대비 질화 막 의 식각 선택 비 가 높 은 식각 조건 으로 식각 공정 을 실시 한다 . 이 를 위하 여 , 식각 정지 막 ( 106 ) 을 제거 하 는 데 사용 되 는 Ar 가스 의 유량 을 0 ~ 100 sccm 으로 최소 화 한다 . 이후 에 , 포토 레지스 트 패턴 ( 114 ) 과 하드 마스크 ( 112 ) 를 제거 한다 .