본원 에 기술 된 선택 적 증착 방법 에 따라 다수 의 기판 상 에 샘플 폴리 이미드 박 층 을 증착 하 였 다 . 실리콘 산화물 표면 과 교번 하 는 텅스텐 ( W ) 특징 부 를 갖 는 200 mm 실리콘 웨이퍼 를 기판 으로서 사용 하 였 다 . 텅스텐 특징 부 의 폭 은 250 nm 로 피치 는 약 600 nm 였 다 . 폴리 이미드 증착 단계 를 PRI 클러스터 도구 에 연결 된 Pulsar 3000 ® cross - flow ALD 반응기 에서 수행 하 였 다 .