종래 에 는 상기 웨이퍼 상 에 잔류 한 액체 조성물 이 포토레지스트 막 또는 TARC ( Top Anti Reflective Coating ) 에 침투 하 여 노광 시 형성 된 산 ( H +) 을 흡수 하 였 다 . 이 로 인해 PEB 공정 에서 디블 러킹 ( deblocking ) 반응 이 발생 하 게 되 며 , 결과 적 으로 현상 공정 시 상기 포토레지스트 막 이 제거 되 지 않 아 브릿지 ( Bridge ) 를 만들 거나 , 리칭 ( Leaching ) 작용 으로 인하 여 스테인 ( stain ) 형태 의 결함 ( defect ) 을 발생 시켰 다 . 하지만 본 발명 에서 는 액침 노광 과 동시 에 신속히 잔류 한 상기 액체 조성물 의 액적 의 분쇄 및 제거 가 이루어지 기 때문 에 이러 한 문제점 들 을 막 을 수 있 다 . 즉 , 큰 크기 의 액적 이 포토레지스트 막 또는 TARC ( Top Anti Reflective Coating ) 위 에 잔류 하 는 시간 이 길 어 질수록 상술 한 문제 들 은 더 심화 된다 . 하지만 , 상기 액적 을 상기 제 1 기체 를 이용 하 여 분쇄 시키 기 때문 에 상기 액적 의 크기 가 줄어들 며 , 액침 노광 과 동시 에 상기 액적 을 제거 하 기 때문 에 상기 액적 이 포토레지스트 막 또는 TARC ( Top Anti Reflective Coating ) 위 에 잔류 하 는 시간 이 훨씬 줄어들 기 때문 에 , 상술 한 문제 들 을 방지 할 수 있 다 .