본 발명 에 따른 분포 궤 환형 양자 점 반도체 레이저 구조물 ( 300 ) 을 제조 하 기 위해서 는 , 우선 , 하부 전극 ( 310 ) 을 형성 하 며 , 본 실시 예 에서 하부 전극 ( 310 ) 은 n - 타입 금속 층 ( n - metal ) 이 다 . 하부 전극 ( 310 ) 상 에 는 제 1 클래드 층 ( 320 ) 이 형성 된다 . 제 1 클래드 층 ( 320 ) 은 하부 전극 ( 310 ) 타입 과 동일 한 타입 으로 형성 되 므로 , 상기 제 1 클래드 층 ( 320 ) 역시 n 타입 클래드 층 이 다 . 본 실시 예 에서 는 InP 형 클래드 층 이 다 .