상기 한 쌍 의 소스 / 드레 인 영역 ( 430 ) 은 상기 핀 형 활성 영역 ( FA ) 으로부터 에피 텍 셜 성장 된 반도체 층 을 포함 할 수 있 다 . 상기 한 쌍 의 소스 / 드레 인 영역 ( 430 ) 은 각각 에피 텍 셜 성장 된 복수 의 SiGe 층 을 포함 하 는 임베디드 SiGe 구조 , 에피 텍 셜 성장 된 Si 층 , 또는 에피 텍 셜 성장 된 SiC 층 으로 이루어질 수 있 다 . 도 10 b 에서 , 상기 한 쌍 의 소스 / 드레 인 영역 ( 430 ) 이 특정 한 형상 을 가지 는 경우 를 예시 하 였으나 , 본 발명 의 기술 적 사상 에 따르 면 상기 한 쌍 의 소스 / 드레 인 영역 ( 430 ) 의 단면 형상 이 도 10 b 에 예시 된 바 에 한정 되 지 않 으며 , 다양 한 형상 을 가질 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 한 쌍 의 소스 / 드레 인 영역 ( 430 ) 은 원 , 타원 , 다각형 등 다양 한 단면 형상 을 가질 수 있 다 .