상기 와 같 은 종래 의 PSRAM 은 커맨드 사이클 신호 ( cmdcycp ) 가 소정 의 논리 ‘ 로우 ’ 의 펄스 폭 을 가지 고 내부 적 으로 발생 되 기 때문 에 PSRAM 의 동작 전압 및 동작 온도 등 과 같 은 환경 적 인 요인 에 의해 상기 펄스 폭 의 변동 이 발생 할 수 있 고 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 커맨드 사이클 신호 ( cmdcycp ) 가 논리 ‘ 로우 ’ 에서 논리 ‘ 하이 ’ 로 천 이 되 기 직전 에 어 드레스 스큐 가 발생 하 게 되 면 어드레스 천이 를 검출 하 는 어드레스 천 이 검 출부 ( 12 ) 에서 생성 된 천 이 검출 신호 ( atd ) 에 기초 하 여 무효 노 말 사이클 의 수행 됨 으로써 잘못 된 값 을 독 출하 거나 어드레스 셋 업 타임 ( address setup time ) ( tAVS ) 의 변동 으로 인한 전체 어드레스 액세스 타임 ( tAA ) 이 증가 하 게 된다는 단점 이 있 다 .