다음 에 , 도 15 ( C ) 에 나타내 는 바 와 같이 , p 채널 형 TFT 가 되 는 섬 형상 의 반도체 막 ( 706 ) 을 덮 도록 마스크 ( 716 ) 를 형성 한다 . 그리고 , 형성 한 마스크 ( 716 ) 에 추가 하 여 전극 ( 710 ) 및 사이드 월 ( 715 ) 을 마스크 로서 사용 하 여 , n 형 을 부여 하 는 불순물 원소 ( 대표 적 으로 는 P 또는 As ) 를 섬 형상 의 반도체 막 ( 705 , 707 ) 에 고농도 로 도핑 한다 ( 제 3 도핑 공정 ) . 제 3 도핑 공정 의 조건 은 , 도즈 량 ： 1 × 1019 ∼ 1 × 1020 / cm 3 , 가속 전압 ： 60 ∼ 100 keV 로 하 여 행한다 . 이 제 3 도핑 공정 에 의해 , 섬 형상 의 반도체 막 ( 705 , 707 ) 에 n 형 의 고농 도 불순물 영역 ( 717 ) 이 형성 된다 .