이 와 같이 생성 된 전자 는 고농도 n 형 불순물 영역 으로 빠져나가 며 , 상기 정공 은 공핍 영역 에 형성 된 수평 전계 ( Lateral Electric Field ) 에 의해 가속 되 어 고 에너지 정공 ( Hot Hole ) 로 변하 며 이러 한 고 에너지 정공 들 이 상기 제 1 산화 막 ( 14 ) 과 반도체 기판 ( 10 ) 사이 의 에너지 장벽 을 뛰어넘 어 상기 질화 막 ( 16 ) 의 가전자 대로 주입 되 어 트래핑 되 는 것 에 의해 문턱 전압 이 낮 아 지 는 소거 동작 이 수행 된다 . 이러 한 소거 방식 을 HHI ( Hot Hole Injection ) 방식 이 라 한다 .