패드 ( 115 ) 및 절연 구조물 ( 110 ) 상 에 하부 전극 층 ( 130 ) 을 형성 한다 . 하부 전극 층 ( 130 ) 은 패드 ( 115 ) 및 절연 구조물 ( 110 ) 상 에 순차 적 으로 형성 된 제 1 하부 전 극막 ( 120 ) 및 제 2 하부 전 극막 ( 125 ) 을 포함 한다 . 보다 구체 적 으로 , 제 1 하부 전 극막 ( 120 ) 은 패드 ( 115 ) 및 절연 구조물 ( 110 ) 상 에 도전 성 금속 질화물 을 화학 기상 증착 ( CVD ) 공정 , 원자 층 적층 ( ALD ) 공정 , 스퍼터링 공정 또는 펄스 레이저 증착 ( PLD ) 공정 으로 증착 하 여 형성 된다 . 예 를 들 면 , 제 1 하부 전 극막 ( 120 ) 은 티타늄 질화물 , 티타늄 알루미늄 질화물 ( TiAlN ) , 알루미늄 질화물 , 티타늄 실리콘 질화물 ( TiSiN ) , 탄 탈륨 질화물 ( TaN ) , 탄 탈륨 실리콘 질화물 ( TaSiN ) 등 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 .