제 2 전기 적 으로 전도성 레이어 ( 32 ) 는 제 3 화합물 반도체 레이어 ( 23 ) 상 에 배치 되 고 제 3 화합물 반도체 레이어 ( 23 ) 로 갈바 닉 적 으로 연결 될 수 있 다 . 제 2 전기 적 으로 전도성 레이어 ( 32 ) 는 제 2 화합물 반도체 레이어 ( 22 ) 맞은편 의 제 3 화합물 반도체 레이어 ( 23 ) 의 측면 상 에 배치 될 수 있 으며 방사 방향 내측 레이어 를 형성 할 수 있 다 . 이것 은 제 2 전기 적 으로 전도성 레이어 ( 32 ) 가 레이어 스택 ( 20 ) 의 최 내측 레이어 , 즉 , 방사 방향 으로 채널 개구 ( 13 ) 의 중심 ( 40 ) 에 가장 가까운 레이어 를 형성 할 수 있 음 을 의미 한다 . 이러 한 배치 에서 , 그 에 따라 , 제 2 전기 적 으로 전도성 레이어 ( 32 ) 는 제 2 화합물 반도체 레이어 ( 22 ) 맞은편 의 제 3 화합물 반도체 레이어 ( 23 ) 의 측면 상 에 배치 되 어 , 그 결과 제 3 화합물 반도체 레이어 ( 23 ) 는 제 2 화합물 반도체 레이어 ( 22 ) 및 제 2 전기 적 으로 전도성 레이어 ( 32 ) 사이 에 배치 된다 .