여기 서 는 , 이 패드 의 형성 후 에 , 우선 , 전면 에 PI 막 을 형성 한다 ( 스텝 S 36 ) . 그리고 , 제품 용 칩 에 형성 해야 할 PI 막 패턴 이 형성 된 레티 클 을 사용 하 여 , 제품 용 칩 을 형성 하 는 노광 샷 영역 ( 도 8 의 노광 샷 영역 ( 4 b ) 을 참조 ) 의 PI 막 에 대하 여 노광 을 행한다 ( 스텝 S 37 ) . 그 후 , 레티 클 을 제품 용 칩 의 PI 막 패턴 과 상이 한 PI 막 패턴 이 형성 된 것 , 예 를 들 어 상기 와 같 은 L / S 패턴 이 형성 된 것 으로 변경 하 고 ( 스텝 S 38 ) , 그것 을 사용 하 여 기준 용 칩 을 형성 하 는 나머지 노광 샷 영역 ( 도 8 의 노광 샷 영역 ( 4 c ) 을 참조 ) 의 PI 막 에 대하 여 노광 을 행한다 ( 스텝 S 39 ) . 최후 로 현상 을 행함 으로써 , 제품 용 칩 과 기준 용 칩 에 각각 소정 의 PI 막 패턴 을 형성 한다 ( 스텝 S 40 ) .