도 1 및 도 2 를 참조 하 면 , 복수 의 제 1 기판 ( ST 1 ) 에 는 복수 의 화소 ( PX ) 를 구성 하 는 복수 의 서브 화소 ( SPX ) 가 배치 될 수 있 고 , 복수 의 제 2 기판 ( ST 2 ) 중 표시 영역 ( AA ) 의 좌측 에 위치 한 제 2 기판 ( ST 2 ) 에 는 게이트 구동 부 ( GD ) 가 실장 될 수 있 다 . 게이트 구동 부 ( GD ) 는 제 1 기판 ( ST 1 ) 상 의 다양 한 구성 요소 제조 시 게이트 인 패널 ( Gate In Panel ; GIP ) 방식 으로 제 2 기판 ( ST 2 ) 에 형성 될 수 있 다 . 이 에 , 복수 의 제 2 기판 ( ST 2 ) 상 에 는 다양 한 트랜지스터 , 커패시터 , 배선 등 과 같 은 게이트 구동 부 ( GD ) 를 구성 하 는 다양 한 회로 구성 이 배치 될 수 있 다 . 다만 , 이 에 제한 되 지 않 고 게이트 구동 부 ( GD ) 는 COF ( Chip on Film ) 방식 으로 실장 될 수 도 있 다 . 또한 , 복수 의 제 2 기판 ( ST 2 ) 이 표시 영역 ( AA ) 의 우측 에 위치 한 비 표시 영역 ( NA ) 에 도 배치 되 고 , 표시 영역 ( AA ) 의 우측 에 위치 한 복수 의 제 2 기판 ( ST 2 ) 에 도 게이트 구동 부 ( GD ) 가 실장 될 수 있 다 .