도 6 을 참조 하 면 , 통상 의 포 토리 소그라 피 방법 을 사용 하 여 제 2 포토레지스트 막 ( 도 5 의 500 ) 에 대한 노광 및 현상 을 수행 한다 . 즉 광원 으로부터 의 광 이 레티 클 을 통과 하 여 제 2 포토레지스트 막 ( 500 ) 에 대해 조사 되 도록 하 고 , 이후 적절 한 현상 액 을 사용 하 여 노광 된 제 2 포토레지스트 막 ( 500 ) 을 현상 하 면 , 반사 율 이 변화 된 제 1 포토레지스트 막 ( 410 ) 의 일부 표면 을 노출 시키 는 제 2 포토레지스트 막 패턴 ( 510 ) 이 만들 어 진다 . 앞서 언급 한 바 와 같이 , 상기 노광 이 이루어지 기 전 에 반사 율 이 변화 된 제 1 포토레지스트 막 ( 410 ) 이 스탠딩 웨이브 를 억제 할 정도 의 반사 율 을 갖 도록 n 형 불순물 이온 주입 이 수행 되 었 으므로 노광 이 이루어지 는 동안 에 는 반사 율 이 변화 된 제 1 포토레지스트 막 ( 410 ) 이 하부 반사 방지 막 으로서 의 역할 을 수행 한다 .