도 5 a 및 도 5 b 를 참조 하 면 , 상기 활성 영역 의 일부 측면 의 소자 분리 막 ( 402 ) 이 식각 된 반도체 기판 상 에 게이트 절 연막 ( 406 ) 을 형성 하 고 , 상기 게이트 절 연막 ( 406 ) 상 에 폴리 실리콘 과 같 은 물질 로 이루어진 게이트 도 전막 ( 408 ) 을 형성 한 다음 , 상기 게이트 도 전막 ( 408 ) 상 에 상기 게이트 도 전막 ( 408 ) 을 패 터닝 하 기 위한 마스크 패턴 ( 410 ) 을 형성 한다 .