메모리 제어기 ( 1915 ) 는 기판 층 및 메모리 셀 들 의 어레이 와 전자 통신 할 수 잇 고 , 상기 제어기 는 액세스 동작 을 위해 , 상기 기판 층 의 상기 제 1 경계 부분 및 상기 제 2 경계 부분 위 에 위치 된 상기 메모리 셀 들 의 어레이 의 영역 을 식별 하 고 및 상기 메모리 셀 들 이 위치 된 경계 부분 의 컬럼 디코더 들 과 함께 상기 제 1 복수 의 디코더 들 , 상기 제 2 복수 의 디코더 들 또는 상기 제 3 복수 의 디코더 들 의 디코더 를 이용 하 여 상기 식별 된 영역 의 메모리 셀 들 에 대한 액세스 동작 을 실행 하 도록 동작 가능 하 다 . 일부 예 들 에서 , 제 어 회로 부분 은 로우 디코더 , 칼럼 디코더 , 감지 증폭기 , 또는 이 들 의 조합 을 제외 할 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 메모리 셀 들 ( 1910 ) 은 PCM 또는 칼 코 게나 이드 - 재료 - 기반 메모리 셀 들 을 포함 할 수 있 다 .