도 1 과 같이 , 종래 의 단일 에폭시 수지 를 이용 한 발광 다이오드 패키지 는 굴절 율 이 약 1 . 5 인 투명 한 물질 , 예 를 들 어 에폭시 수지 를 이용 하 여 발광 다이오드 칩 ( 11 ) 을 둘러싼 것 으로 , 칩 ( 11 ) 과 에폭시 수지 ( 12 ) 사이 , 그리고 에폭시 수지 ( 12 ) 와 공기 사이 에서 전반사 현상 이 줄어들 고 결과 적 으로 광 출력 효율 은 높일 수 있 다 . 이렇 듯 , 굴절 율 이 높 은 물질 과 굴절 율 이 낮 은 물질 사이 에 , 굴절 율 이 중간 정도 인 물질 을 개재 시키 면 , 각 경계 에서 전반사 현상 이 상당히 줄어들 므로 , 전체 적 으로 광 출력 이 높 아 질 수 있 다는 것 은 알려진 사실 이 다 .