MIT 박막 ( 300 ) 은 저 농도 의 정공 이 첨가 된 p 형 무기물 반도체 , p 형 무기물 절연체 , p 형 유기물 반도체 및 p 형 유기물 절연체 중 에서 적어도 하나 를 포함 할 수 있 으며 , 이러 한 상기 MIT 박막 물질 들 은 산소 , 탄소 , Si , Ge , 반도체 화합물 ( Ⅲ - Ⅴ 족 , Ⅱ - Ⅳ 족 ) , 전이 금속 원소 , 희토류 원소 , 및 란탄 계 원소 중 에 도 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 예컨대 , MIT 박막 ( 300 ) 은 GaAS , GaSb , InP , InAs , GST ( GeSbTe ) 의 화합물 , Si , Ge 과 같 은 반도체 물질 로 형성 될 수 있 다 . 한편 , MIT 박막 ( 300 ) 은 n 형 이 면서 매우 큰 저항 을 갖 는 반도체 및 절연체 를 포함 하 여 형성 될 수 도 있 다 . 여기 서 , 첨가 된 정공 의 농도 는 3 × 1016 ㎝- 3 정도 이 다 .