도 2 를 참조 하 면 , 제 1 마스크 패턴 ( 410 ) 을 이용 한 건식 식각 방법 으로 제 1 게이트 전도체 층 ( 300 ) 과 게이트 절연 층 ( 200 ) 및 SOI 기판 ( 100 ) 상부 의 실리콘 층 ( 150 ) 을 식각 한다 . 이 에 따라 , 제 1 게이트 전도 층 패턴 ( 301 ) , 게이트 절연 층 패턴 ( 201 ) 및 실리콘 층 패턴 ( 151 ) 이 형성 된다 . 다음 에 , 제 1 마스크 패턴 ( 410 ) 을 제거 하 고 , 제 1 절연 층 을 2000 내지 5000 Å 두께 로 증착 한 다음 화학 기계 적 연마 ( CMP ) 방법 을 이용 하 여 소자 분리 절연 층 ( 500 ) 을 형성 한다 .