도 4 b 를 참조 하 면 , 상기 단결정 반도체 층 ( 60 ) , 분리 층 ( 55 ) 및 보조 기판 ( 50 ) 을 연속 적 으로 패 터닝 하 여 복수 의 돌출 패턴 ( 65 ) 을 형성 한다 . 상기 돌출 패턴 ( 65 ) 은 차례 로 적층 된 기단 부 ( 62 , proximal part ) , 분리 패턴 ( 55 a ) 및 단결정 패턴 ( 60 a ) 을 갖 는다 . 상기 돌출 패턴 들 ( 65 ) 사이 에 는 통기 영역 ( 70 ) 이 형성 된다 . 상기 통기 영역 ( 70 ) 의 바닥 면은 상기 분리 패턴 ( 55 a ) 의 하부 면 에 비하 여 낮 다 .