에칭 가스 ( 625 ) 가 서 셉 터 ( S ) 의 표면 에 도달 하 면 , 상기 한 식 ( 2 ) 의 반응 이 일어나 , 서 셉 터 ( S ) 의 표면 에 부착 된 SiC 막 이 에칭 된다 . 그리고 , 반응 의 결과 생성 된 가스 나 미 반응 의 ClF 3 가스 는 챔버 ( 601 ) 의 하부 에 형성 된 배기구 ( 61 ) 로부터 수시 배기 된다 .