본 발명 의 다른 일부 구체 적 인 실시 형태 에서 , 전자 차단 층 을 형성 하 는 단계 는 , AlxGa 1 - xN / AlyGa 1 - yN 다중 양자 우물 층 상 에 P 형 AlrGa 1 - rN 층 및 P 형 AlsGa 1 - sN 층 을 교대 로 형성 하 는 것 을 포함 하 되 , 여기 서 0 ＜ r ＜ 1 , 0 ＜ s ＜ 1 , r ≠ s , 교대 횟수 는 2 ~ 100 회 이 다 .