실시 예의 이미지 센서 는 픽셀 부 와 주변 부 를 포함 하 며 , 광 감지 소자 가 형성 된 반도체 기판 ; 상기 반도체 기판 상 에 형성 된 회로 영역 ; 상기 회로 영역 상 에 형성 되 며 , 금속 배선 을 포함 하 는 금속 배선 층 ; 상기 픽셀 부 의 금속 배선 상 에 형성 되 며 , 상기 금속 배선 과 동일 한 물질 로 형성 된 차광막 ; 및 상기 금속 배선 층 상 에 상기 광 감지 소자 와 대응 되 는 위치 에 형성 된 마이크 로 렌즈 를 포함 한다 .