그 다음 , 후속 공정 에서 모스 트랜지스터 ( 13 , 14 ) 의 전극 연결 을 위해 형성 되 는 금속 막 과 폴리 실리콘 ( 또는 소스 / 드레 인 영역 ) 과 의 절연 을 위한 절 연막 형성 을 위하 여 PMD 라이너 막 ( 15 ) 이 형성 된 실리콘 웨이퍼 ( 11 ) 상 에 제 1 절 연막 ( 16 ) 과 제 2 절 연막 ( 21 ) 을 포함 한 PMD 절 연막 ( 25 ) 이 형성 된다 .