제 1 절연 층 ( 150 ) 이 상기 제 1 셀 스트링 을 포함 하 는 반도체 기판 ( 100 ) 전면 상 에 형성 된다 . 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 ) 이 상기 제 1 절연 층 ( 150 ) 내 의 제 1 오목 영역 ( 155 ) 을 채우 고 , 제 1 게터 링 영역 ( 165 ) 이 상기 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 ) 내 에 배치 된다 . 상기 제 1 게터 링 영역 ( 165 ) 은 상기 제 1 셀 스트링 으로부터 이격 된다 . 상기 제 1 절연 층 ( 150 ) 상 에 제 1 소자 반도체 층 ( 200 ) 이 형성 된다 . 상기 제 1 소자 반도체 층 ( 200 ) 은 상기 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 ) 과 접촉 한다 . 상기 제 1 소자 반도체 층 ( 200 ) 에 제 2 셀 스트링 을 형성 한다 .