다음 으로 , 게이트 절 연막 ( 104 ) 상 에 막 두께 20 - 30 ㎚ 의 실리콘 질화 막 ( 105 ) 을 형성 한다 . 실리콘 질화 막 ( 105 ) 도 반도체 기판 ( 101 ) 의 전면 에 걸쳐서 형성 한다 . 실리콘 질화 막 ( 105 ) 은 예 를 들 어 , CVD 법 으로 형성 할 수 있 다 . 이 CVD 는 예 를 들 어 , NH 3 / SiH 2 Cl 2 = 1000 / 100 sccm , 압력 = 0 . 35 Torr ( 46 . 7 Pa ) 의 조건 으로 실시 할 수 있 다 .