이후 , 절 연막 ( 170 ) 상 에 제 4 희생 막 ( 180 ) 및 절 연막 ( 170 ) 을 상기 제 1 방향 을 따라 교대 로 반복 적 으로 적층 할 수 있 으며 , 이 에 따라 기판 ( 100 ) 상 에 몰드 막 이 형성 될 수 있 다 . 제 4 희생 막 ( 180 ) 은 절 연막 ( 170 ) 에 대해 높 은 식각 선택 비 를 갖 는 물질 , 예 를 들 어 실리콘 질화물 과 같 은 질화물 을 포함 할 수 있 다 .