그러나 , 전술 한 종래 의 상변환 기억 소자 는 금속 패드 를 다 마신 공정 을 통해 형성 하 게 되 는데 , 자세 하 게 도시 하고 설명 하 지 는 않 았 지만 , 이 는 제 1 산화 막 을 식각 하 여 금속 패드 가 형성 될 영역 을 한정 한 후 , 금속 막 을 증착 하 고 , 그런 다음 , 상기 금속 막 을 CMP 해야 하 는 등 공정 자체 가 복잡 할 뿐 만 아니 라 , 금속 패드 가 형성 될 영역 을 한정 하 기 위한 제 1 산화 막 의 식각 시 하부 의 제 1 콘 택 플러그 까지 식각 되 는 등 공정 상 의 어려움 이 존재 한다 .