비휘발성 게이트 구 조체 ( 105 , 106 , 107 , 108 ) 는 비휘발성 메모리 소자 에서 제어 게이트 와 , 전자 를 포획 하 는 부유 게이트 를 포함 하 는 게 이 트 구 조체 를 지칭 한다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 비휘발성 게이트 구 조체 ( 105 , 106 , 107 , 108 ) 는 부유 바디 셀 ( 102 ) 상 에 형성 된 터널 링 절 연막 ( 105 ) , 터널 링 절 연막 ( 105 ) 상 에 형성 된 나노 결정 ( 106 ) , 나노 결정 ( 106 ) 을 매립 하 고 터널 링 절 연막 ( 105 ) 상 에 형성 된 제어 절 연막 ( 107 ) 및 제 어 절 연막 ( 107 ) 상 에 형성 된 게이트 ( 108 ) 를 포함 한다 . 나노 결정 ( 106 ) 은 비휘발성 전자 저장 매체 로서 종래 의 부유 게이트 와 동일 한 역할 을 한다 . 이러 한 부유 게이트 는 나노 결정 ( 106 ) 층 으로 한정 하 지 않 으며 터널 링 절 연막 ( 105 ) 과 후속 공정 으로 형성 되 는 제어 절 연막 ( 107 ) 이 전기 적 으로 구분 될 수 있 는 모든 나노 구조 가 가능 하 고 , SONOS ( Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon ) 또는 MMOS ( Metal Nitride Oxide Silicon ) 구조 를 형성 하 는 질화 막 층 , 폴리 실리콘 층 , 비정질 실리콘 층 , 금속 산화물 층 , 실리콘 질화 막 층 , 실리콘 나노 결정 층 , 금속 나노 결정 층 또는 금속 산화물 나노 결정 층 중 하나 로 이루어질 수 있 다 . 그리고 , 터널 링 절 연막 ( 105 ) 및 제 어 절 연막 ( 107 ) 은 실리콘 산화 막 , 실리콘 질화 막 , 실리콘 산 화질 화 막 또는 고유 전 율 ( High - K ) 의 금속 산화 막 중 어느 하나 로 이루어질 수 있 다 .