또한 , 개시 하 는 발명 에 따른 반도체 장치 에서 는 정보 의 기록 에 높 은 전압 이 필요 하 지 않 고 , 소자 의 열화 문제 도 없 다 . 예 를 들 어 , 종래 의 비휘발성 메모리 와 같이 , 플로팅 게이트 에 전자 를 주입 하 거나 플로팅 게이트 로부터 전자 를 뽑 을 필요 가 없 기 때문 에 게이트 절연 층 이 열화 한다는 문제 가 전혀 생기 지 않 는다 . 즉 , 개시 하 는 발명 에 따른 반도체 장치 에서 는 종래 의 비휘발성 메모리 에서 문제 가 되 어 있 는 재 기록 가능 횟수 에 제한 이 없 고 , 신뢰 성 이 비약 적 으로 향상 된다 . 또한 , 트랜지스터 의 온 상태 와 오프 상태 를 스위칭 함 으로써 정보 가 기록 되 기 때문 에 고속 동작 도 용이 하 게 실현 할 수 있 다 . 또한 , 정보 를 소거 하 기 위한 동작 이 불 필요 한 장점 도 있 다 .