도 3 a 및 도 3 b 를 참조 하 면 , 제 2 마스크 막 ( ML 2 ) 상 에 제 3 절 연막 ( IDL 3 ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 3 절 연막 ( IDL 3 ) 은 제 2 개 구부 ( OP 2 ) 를 채울 수 있 다 . 제 2 마스크 막 ( ML 2 ) 상 에 포토레지스트 패턴 ( PR ) 이 형성 될 수 있 다 . 포토레지스트 패턴 ( PR ) 은 후술 할 관통 콘 택 ( TCT ) 이 형성 될 위치 를 정의 할 수 있 다 .