도 4 및 도 6 을 참조 하 면 , 위 에서 선택 된 연마 케미컬 을 이용 한 CMP 법 을 이용 하 여 , 평탄 화 된 반도체 에 피층 패턴 들 ( 115 f , 120 f ) 을 형성 한다 . 평탄 화 된 반도체 에 피층 패턴 들 ( 115 f , 120 f ) 은 반도체 에 피층 패턴 들 ( 도 5 의 115 a , 120 a ) 이 평탄 화 된 결과물 이 다 . 이러 한 평탄 화 된 반도체 에 피층 패턴 들 ( 115 f , 120 f ) 은 위 에서 선택 된 연마 케미컬 에 의해 반도체 에 피층 패턴 들 ( 115 a , 120 a ) 의 식각 속도 를 제어 함 으로써 달성 될 수 있 다 .