본 명세서 에서 고려 되 는 바 와 같이 , 발광 스택 의 대칭 디자인 은 OLED 의 색상 안정 성 에 상당히 유리 할 수 있 다 . 이 현저 하 게 개선 된 구조 는 발광 층 의 계면 에 피닝 다운 된 재조합 대역 을 갖 는다 . 구조 의 대칭 성 으로 인해 , 구동 조건 의 변화 로 인한 재조합 대역 의 경미 한 이동은 디바이스 의 방출 특성 을 변화 시키 지 않 을 것 이 다 . 따라서 , 발광 스택 은 하부 방출 , 하부 방출 미세 공동 및 상부 방출 미세 공동 구조 에 사용 될 수 있 는 색상 이 매우 안정 적 인 다층 구조 이 다 . 스택 은 또한 OLED 에서 하나 이상 의 다른 발광 스택 과 함께 단일 성분 ( 예 를 들 어 , 황색 성분 ) 으로서 사용 되 어 , 색상 안정 된 OLED 디바이스 ( 예 를 들 어 , 탠덤 또는 적층 된 백색 OLED 에서 청색 스택 을 갖 는 황색 스택 ) 를 만들 수 있 다 . 이제 도 3 을 참조 하 여 설명 하 면 , 일련 의 OLED 디바이스 아키 텍 쳐 가 도시 되 어 있 다 . 한 실시 양태 에서 , 도 3 c 및 3 d 에 도시 된 바 와 같 은 디바이스 ( 300 ) 은 상부 발광 층 ( 310 ) , 중간 발광 층 ( 320 ) 및 하부 발광 층 ( 330 ) 을 포함 하 는 발광 층 스택 을 포함 한다 . 상부 발광 층 ( 310 ) 은 하부 발광 층 ( 330 ) 과 동일 하 거나 유사 한 색상 의 광 ( 즉 , 도 3 c 의 적색 광 ( R ) ) 을 방출 하 고 , 중간 발광 층 ( 320 ) 은 발광 층 ( 310 ) 및 ( 330 ) 과 상이 한 색 의 광 ( 즉 , 도 3 c 의 녹 색광 ( G ) ) 을 방출 한다 . 또한 , 발광 층 ( 310 , 320 , 330 ) 은 서로 인접 하 거나 또는 서로 접촉 하 고 있 으며 , 발광 층 ( 310 ) , ( 320 ) , 및 ( 330 ) 사이 에 다른 층 은 존재 하 지 않 는다 . 따라서 , 재조합 대역 은 대칭 층 아키 텍 쳐 로 인해 제한 된다 . 이 와 반대 로 , 도 3 a 및 3 b 에 도시 된 종래 기술 의 비교 디바이스 는 단지 2 개 의 발광 층만 을 가지 며 , 여기 서 2 개 의 발광 층 은 서로 상이 한 색상 의 광 을 방출 한다 . 이러 한 종래 기술 의 디바이스 아키 텍 쳐 에서 , 재조합 대역 은 발광 스택 의 한 측면 에서 다른 측면 으로 이동 할 수 있 으며 , 이것 은 본 발명 의 대칭 적 스택 아키 텍 쳐 에 비해 전류 가 변할 때 보다 높 은 색상 변화 를 초래 할 수 있 다 . 그러나 , 디바이스 ( 300 ) 에 도시 된 아키 텍 쳐 는 이러 한 종래 기술 아키 텍 쳐 에 비해 예상 치 못한 현저 한 개선 을 나타낸다 .