이하 의 실시 예 에서 나타낸 바 와 같이 , 산소 가 적 고 , 또한 최 박부 가 얇 은 Al 산화물 층 ( AlOx , x ≤ 0 . 30 , 최 박부 의 두께 ≤ 10 ㎚) 을 Al －( Ni / Co ) － X －( Z ) 합금 층 상 에 형성 시킴 으로써 접촉 저항 치 를 저감 시킬 수 있 다 . 이 추정 메커니즘 으로서 , 산소 가 적 은 Al 산화물 층 이 미리 형성 되 면 , 투명 화소 전극 ( 예 를 들 어 , ITO 등 ) 과 반사 전극 이 접촉 하 는 계면 에 있 어서 , Al 이나 O ( 산소 ) 의 상호 확산 이 억제 되 기 때문 이 라고 생각 된다 . 그 결과 , 산소 가 많 고 , 또한 막 두께 가 두껍 기 때문 에 접촉 저항 치가 높 은 Al 산화물 층 ( AlOx , x ＞ 0 . 30 , 최 박부 의 두께 ＞ 10 ㎚) 의 형성 이 저해 된다고 생각 된다 . 단 , 본 발명 은 이 와 같 은 추정 메커니즘 으로 한정 되 지 않 는다 .