특히 , 전 구체 로서 TiCl 4 를 사용 하 는 종래 의 CVD 기술 의 경우 , 플 라즈 마 에 의해서 활성 화 된 TiClx ( x = 1 내지 4 ) 가 실리콘 ( Si ) 을 선택 적 으로 식각 하 거나 , 반도체 기판 표면 의 특정 부위 에서 과도 하 게 실리사이드 ( silicide ) 를 형성 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 상기 반도체 기판 상 에 오버그 로우스 ( overgrowth ) 또는 보이드 ( void ) 를 형성 할 수 있 다 .