이어서 , 도 1 e 에 도시 된 바 와 같이 , 도 1 d 의 제 2 식각 공정 에서 사용 된 동일 HDP 식각 장치 를 이용 한 인 - 시튜 ( in - situ ) 공정 으로 식각 공정 ( 이하 , 제 3 식각 공정 이 라 함 ) 을 통해 보호막 ( 109 ) 하부 에서 제 2 도 전막 패턴 ( 103 A ) 보다 돌출 된 부위 의 제 1 도 전막 ( 102 B ) 을 식각 하 여 제 2 도 전막 패턴 ( 103 A ) 과 동일 한 수직 패턴 을 갖 는 제 1 도 전막 패턴 ( 102 C ) 을 형성 한다 . 이때 , 제 3 식각 공정 은 등방성 식각 공정 으로 실시 하 며 , 예컨대 제 1 도 전막 ( 102 B ) 이 폴리 실리콘 막 으로 형성 된 경우 Cl 2 또는 HBr 단 독 가스 를 사용 하 거나 , Cl 2 , HBr 및 O 2 가 혼합 된 혼합 가스 ( Cl 2 / HBr / O 2 ) 를 사용 한다 . 여기 서 , O 2 가스 는 게이트 절 연막 ( 101 ) 을 구성 하 는 실리콘 산화 막 에 대한 식각 선택 비 를 높이 기 위해 사용 된다 . 또한 , 소스 파워 는 100 ~ 500 W 로 하 고 , 바이어스 파워 는 0 을 초과 하 고 20 W 이하 인 범위 로 실시 한다 . 이러 한 제 3 식각 공정 은 종말점 검출 방식 을 이용 하 여 게이트 절 연막 ( 101 ) 이 노출 되 는 시점 에서 공정 이 완료 되 도록 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예컨대 , 종말점 이 검출 되 는 즉시 O 2 가스 를 첨가 하 고 , Cl 2 의 양 을 감소 시키 며 , 소스 파워 를 감소 시켜 실리콘 산화 막 에 대한 선택 비 를 향상 시키 는 조건 으로 진행 한다 .