그 후 , 도 5 v 에 나타낸 바 와 같이 전체 면 에 , 소정 의 위치 에 개구부 를 갖 는 레지스 트 패턴 ( 100 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 레지스 트 패턴 ( 100 ) 을 마스크 로 하 여 NSG 막 ( 71 ) 등 의 에칭 을 행함 으로써 , 콘택트 플러그 ( 70 t ) 까지 도달 하 는 콘택트 홀 ( 72 t ) 을 형성 한다 . 콘택트 홀 ( 72 t ) 의 지름 은 콘택트 홀 ( 69 t ) 의 지름 보다 작 게 한다 . 본 실시 예 에서 는 콘택트 홀 ( 72 t ) 이 제 2 개 구부 에 해당 한다 .