X - 선 회절 측정 은 실온 에서 대기 분위기 하 에서 수행 된다 . 얻 어 진 샘플 의 X - 선 회절 패턴 이 도 3 의 ( a ) 내지 도 3 의 ( f ) 에 도시 되 어 있 다 . 도 3 의 ( a ) 는 Si 의 함량 이 0 몰 % 일 때 의 패턴 을 도시 하고 있 고 ( 비교 예 1 ) , 도 3 의 ( b ) 는 Si 의 함량 이 1 몰 % 일 때 의 패턴 을 도시 하고 있 고 ( 예시 실시 예 1 - 1 ) , 도 3 의 ( c ) 는 Si 의 함량 이 5 몰 % 일 때 의 패턴 을 도시 하고 있 고 ( 예시 실시 예 1 - 2 ) , 도 3 의 ( d ) 는 Si 의 함량 이 10 몰 % 일 때 의 패턴 을 도시 하고 있 고 ( 예시 실시 예 1 - 3 ) , 도 3 의 ( e ) 는 Si 의 함량 이 20 몰 % 일 때 의 패턴 을 도시 하고 있 고 ( 예시 실시 예 1 - 4 ) , 도 3 의 ( f ) 는 무기 결정 구조 데이터베이스 ( ICSD : Inorganic Crystal Structure Database ) 에서 기재 된 CuAlS 2 의 패턴 을 도시 하고 있 다 . 위 에서 언급 된 Si 함량 면 에서 상이 한 모든 샘플 이 ICSD 의 패턴 에 대응 하 는 패턴 을 가지 므로 , CuAlS 2 : Mn , Si 형광 물질 의 존재 가 확인 될 수 있 다 .