도 36 a 에 도시 하 는 트랜지스터 는 하 지 절연 층 ( 1101 ) 과 , 하 지 절연 층 ( 1101 ) 에 매립 되 도록 형성 된 산화 알루미늄 으로 이루어지 는 매립 절연체 ( 1102 ) 위 에 형성 된다 . 트랜지스터 는 반도체 영역 ( 1103 a ) , 반도체 영역 ( 1103 c ) 과 , 이 들 사이 에 끼워져 , 채널 형성 영역 으로 되 는 진성 의 반도체 영역 ( 1103 b ) 과 , 게이트 ( 1105 ) 를 포함 한다 . 게이트 ( 1105 ) 의 폭 을 33 nm 로 한다 .