SONOS 구조 의 비휘발성 메모리 소자 는 산화 막 과 질화 막 사이 의 전기 적 포 텐 셜 ( potential ) 차이 를 이용 하 는데 , 이 는 질화 막 에 갇힌 전자 가 아래 , 위 의 산화 막 에 의한 포 텐 셜 장벽 ( potential barrier ) 에 의해 전원 이 꺼져도 소실 되 지 않 고 비휘발성 의 특성 을 유지 하 는 원리 이 다 . 프로그램 ( program ) 은 전자 가 질화 막 하부 에 존재 하 는 얇 은 산화 막 을 터널 링 ( tunneling ) 할 수 있 는 전압 을 인가 하 는 것 에 의해 이루어지 며 , 읽 기 는 프로그램 여부 에 따른 트랜지스터 의 문턱 전압 차이 에 의한 구동 전류 의 차이 를 차등 증폭기 를 이용 하 여 구분 하 는 것 에 의해 이루어진다 .