도 2 e 를 참조 하 면 , 상기 소자 분리 막 ( 230 ) 이 형성 된 에 피층 ( 220 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 232 ) 과 게이트 도 전막 ( 234 ) 및 하드 마스크 막 ( 236 ) 을 차례 로 증착 한다 . 그런 다음 , 상기 하드 마스크 막 ( 236 ) 과 게이트 도 전막 ( 234 ) 및 게이트 절 연막 ( 232 ) 을 식각 하 여 상기 실리콘 기판 ( 200 ) 의 셀 지역 및 주변 회로 지역 에서 의 각 활성 영역 상 의 에 피층 ( 220 ) 부분 상 에 게이트 ( 240 ) 를 형성 한다 .