한편 , 도 3 에서 는 제 3 및 제 4 트랜지스터 들 ( T 3 , T 4 ) 각각 을 듀얼 구조 의 트랜지스터 로 구성 하 는 실시 예 를 개시 하 였으나 , 본 발명 이 이 에 한정 되 지 는 않 는다 . 예 를 들 어 , 다른 실시 예 에서 는 제 3 트랜지스터 ( T 3 ) 및 제 4 트랜지스터 ( T 4 ) 중 어느 하나 의 트랜지스터 ( 일 예 로 , 제 3 트랜지스터 ( T 3 ) ) 만 을 다중 구조 의 트랜지스터 로 형성 하 고 , 다른 하나 의 트랜지스터 ( 일 예 로 , 제 4 트랜지스터 ( T 4 ) ) 는 싱글 구조 의 트랜지스터 로 형성 할 수 도 있 다 . 또 다른 실시 예 에서 는 제 3 트랜지스터 ( T 3 ) 및 / 또는 제 4 트랜지스터 ( T 4 ) 이외 의 다른 스위칭 트랜지스터 , 일 예 로 , 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) 와 제 5 내지 제 7 트랜지스터 들 ( T 5 ~ T 7 ) 중 적어도 하나 의 트랜지스터 ( 일 예 로 , 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) ) 를 서로 직렬 로 연결 된 복수 의 트랜지스터 들 을 포함 한 다중 구조 의 트랜지스터 로 형성 할 수 도 있 다 .