메모리 소자 ( 100 ) 를 비롯 하 여 본 명세서 에서 논의 된 소자 들 은 실리콘 ( Si ) , 게르마늄 , 실리콘 - 게르마늄 합금 , 갈륨 비소 ( GaAs ) , 질화 갈륨 ( GaN ) 등 과 같 은 반도체 기판 상 에 형성 될 수 있 다 . 몇몇 경우 , 기판 은 반도체 웨이퍼 이 다 . 다른 경우 , 기판 은 실리콘 - 온 - 글래스 ( SOG ) 또는 실리콘 - 온 - 사파이어 ( SOP ) 와 같 은 실리콘 - 온 - 절연체 ( SOI ) 기판 , 또는 다른 기판 상 반도체 물질 들 의 에피 택 셜 층 들 일 수 있 다 . 기판 또는 기판 의 부분 영역 들 의 도전 성 은 이 에 제한 되 지 는 않 지만 인 , 붕소 또는 비소 를 비롯 하 여 다양 한 화학 종 을 사용 하 는 도핑 을 통해 제어 될 수 있 다 . 도핑 은 기판 의 초기 형성 또는 성장 동안 , 이온 주입 에 의해 또는 임의 의 그 외 다른 도핑 수단 에 의해 수행 될 수 있 다 .