이때 , 상기 액티브 패턴 ( 24 ) 위 에 형성 되 어 있 는 n + 비정질 실리콘 박막 패턴 은 상기 제 4 마스크 공정 을 통해 소정 영역 이 제거 됨 으로써 상기 액티브 패턴 ( 24 ) 과 소오 스 / 드레 인 전극 ( 22 , 23 ) 사이 를 오 믹 - 콘 택 ( ohmic contact ) 시키 는 오 믹 - 콘 택 층 ( 25 ') 을 형성 하 게 된다 .