절연 층 ( 103 ) 이 몰딩 화합물 ( 101 ) 및 도전 층 ( 102 ) 위 에 형성 된다 . 절연 층 ( 103 ) 은 절연 특성 들 을 갖 는 재료 로 이루어질 수 있 다 . 절연 층 ( 103 ) 의 일부 가 에칭 공정 에 의해 제거 되 어 개구 를 형성 하 고 도전 층 ( 102 ) 을 노출 시킨다 . 도전 층 ( 104 ) 이 도전 층 ( 102 ) 에 전기 적 접촉 을 하 도록 절연 층 ( 103 ) 위 에 형성 된다 . 절연 층 ( 106 ) 이 도전 층 ( 104 ) 및 절연 층 ( 103 ) 위 에 형성 된다 . 절연 층 ( 106 ) 은 절연 특성 들 을 갖 는 재료 로 이루어질 수 있 다 . 절연 층 ( 106 ) 의 일부 가 에칭 공정 에 의해 제거 되 어 개구 를 형성 하 고 도전 층 ( 104 ) 을 노출 시킨다 . 도전 층 들 ( 102 , 104 ) 및 절연 층 들 ( 103 , 106 ) 이 패키지 외부 뿐 아니 라 반도체 다이 들 ( 90 , 98 ) 사이 의 전기 적 신호 들 을 루팅 하 는 상호 접속 구조 체의 일부 를 이룬다 . 추가 적 인 절연 층 및 도전 층 들 이 상호 접속 구조 체 에 사용 될 수 있 다 .