상기 반도체 층 ( 300 ) 은 P ( Positive ) 형 반도체 층 , I ( Intrinsic ) 형 반도체 층 및 N ( Negative ) 형 반도체 층 이 순서 대로 적층 된 PIN 구조 로 형성 될 수 있 으며 , 이 경우 , 상기 후면 반사 층 ( 400 ) 상 에 N 형 반도 층 을 형성 하 고 이어서 I 형 반도체 층 및 P 형 반도체 층 을 형성 하 는 것 이 P 형 반도체 층 이 수 광면 에 가깝 게 형성 되 어 입사광 에 의한 수집 효율 증진 을 위해 바람직 함 은 전술 한 실시 예 에서 와 동일 하 다 .