메모리 셀 이 쓰 기 모드 에 있 을 때 초기 에 NMOS 트랜지스터 ( 스위치 ) ( M 1 ) 가 턴 온 되 어 있 어 입력 신호 를 그대로 따라가 며 내부 에 있 는 축전기 ( C ) 에 저장 한다 . 이후 비교기 로부터 신호 가 들어와 읽 기 인 에 이불 ( Write En ) 신호 가 로우 로 떨어지 면 , 더 이상 입력 신호 를 따라가 지 않 고 마지막 에 들어온 입력 을 그대로 유지 하 게 된다 . 한편 , 메모리 셀 이 읽 기 모드 에 있 을 때 에 는 프리 차지 신호 ( PREB ) 라는 클록 을 필요 로 하 게 된다 . 상기 프라 차지 신호 ( PREB ) 가 로우 이 면 , PMOS 트랜지스터 ( M 2 ) 가 턴 온 되 어 메모리 버스 라인 은 전압 ( VDD ) 으로 충전 된다 . 그리고 상기 프리 차지 신호 ( PREB ) 가 하이 가 되 는 순간 에 는 상기 PMOS 트랜지스터 ( M 2 ) 가 턴 오프 되 기 때문 에 , 선택 된 메모리 셀 의 값 에 따라 메모리 버스 가 방전 되 거나 충전 된 상태 로 그대로 남 아 있 게 된다 .