도 5 a 와 같이 , 투명 기판 ( 122 ) 상 에 제 1 전도 층 ( 도시 하 지 않 음 ) 을 형성 한다 . 제 1 전도 층 은 알루미늄 , 알루미늄 합금 , 몰리브덴 , 크롬 , 구리 , 및 구리 합금 중 하나 를 선택 하 여 형성 하 거나 , 또는 알루미늄 합금 상 에 몰리브덴 등 을 적층 한 이중층 의 구조 를 사용 한다 . 제 1 전도 층 상 에 제 1 감광막 ( 도시 하 지 않 음 ) 을 도포 하 고 , 제 1 마스크 ( 도시 하 지 않 음 ) 를 사용 하 여 , 제 1 감광막 을 노광 하 고 , 노광 된 제 1 감광막 을 현상 하 여 제 1 감광막 패턴 ( 도시 하 지 않 음 ) 을 형성 하 고 , 제 1 감광막 패턴 을 식각 마스크 로 이용 하 여 제 1 전도 층 을 식각 하 는 것 에 의해 , 게이트 전극 ( 140 ) , 게이트 패드 ( 148 ) , 스토리지 전극 ( 143 ) 과 도 5 a 에 는 도시 되 지 않 았 지만 , 도 4 에 도시 되 어 있 는 게이트 배선 ( 114 ) 을 형성 한다 . 그리고 제 1 감광막 패턴 을 제거 한다 .