본 발명 은 단원자 층 증착 법 ( ALD ) 에 의해 지르코늄 산화 막 ( 예 , ZrO 2 ) 과 니오븀 산화 막 ( 예 , Nb 2 O 5 ) 이 모두 포함 된 박막 으로 나노 스케일 ( Nano Scale ) 단위 로 균일 하 게 섞인 비정질 ( ZrO 2 ) x ( Nb 2 O 5 ) 1 - x ( x = 0 . 1 ∼ 0 . 9 ) 박막 또는 ZrO 2 / Nb 2 O 5 의 적층 구조 를 갖 는 유전 막 을 캐 패 시터 의 유전 막 으로 적용 하 기 위한 것 이 다 . ZrO 2 의 높 은 밴드 갭 ( Band Gap ) 과 Nb 2 O 5 의 높 은 유전율 을 이용 함 으로써 60 nm 디자인 룰 이하 의 DRAM 의 캐 패 시터 및 게이트 절 연막 또는 RF 소자 의 캐 패 시터 의 유전 막 으로 사용 하 기 위한 것 이 다 .