종래 , 불휘발성 반도체 메모리 로서 EEPROM ( Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory ) 이 알려져 있 다 . 통상 , EEPROM 의 메모리 셀 은 반도체 기판 에 전하 축적 층 과 제어 게이트 가 적층 된 적층 게이트 를 구비 한 MISFET 구조 를 갖 는다 . 이 메모리 셀 은 전하 축적 층 에 전하 를 주입 한 상태 와 그 전하 를 방출 한 상태 의 임계 값 전압 의 차 에 의해 데이터 를 불휘발성 방식 으로 기억 한다 .