실시 형태 1 내지 실시 형태 8 에서 는 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미 결정 반도체 막 ( 58 ) 위 에 제 1 버퍼 층 ( 62 ) 이 형성 되 어 있 지만 , 제 1 버퍼 층 ( 62 ) 을 형성 하 지 않 아도 좋 다 . 즉 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 58 ) 의 상면 및 측면 을 제 2 버퍼 층 ( 42 ) 이 덮 고 , 또한 제 2 버퍼 층 ( 42 ) 은 게이트 절 연막 ( 52 b ) 과 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 58 ) 의 가장자리 에서 접하 는 구조 라도 좋 다 . 상기 구조 로 하 는 것 으로 , 성막 공정 수 를 삭감 하 는 것 이 가능 하 고 , 비용 삭감 이 가능 하 다 .