상기 1 차 식각 공정 은 고온 ( 약 155 ± 5 ℃) 의 인산 을 사용 하 는 것 으로서 , 상기 1 차 트랩 질화 막 ( 4 ) 의 두께 에 대하 여 약 50 % 과 식각 한다 . 이때 , 상기 고온 의 인산 은 점도 가 높 아 웨이퍼 의 배스 ( bath ) 안 에서 엇 슬롯 ( slot ) 을 유발 하 여 공정 사고 를 유발 할 수 있 다 . 따라서 , 낱장 의 인산 식각 공정 진행시 , 더미 웨이퍼 ( dummy wafer ) 를 추가 하 여 진행 한다 .