상기 기술 적 과제 를 해결 하 기 위한 본 발명 의 다른 양상 에 따르 면 , 소정 의 하부 구조 가 형성 된 반도체 기판 에 게이트 산화 막 과 게이트 폴리 실리콘 막 및 제 1 하드 마스크 물질 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 하드 마스크 물질 에 대한 선택 적 인 식각 공정 을 진행 하 여 패턴 밀도 가 높 은 영역 에 만 제 1 하드 마스크 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 하드 마스크 패턴 이 형성 된 결과물 전면 에 제 2 하드 마스크 물질 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 2 하드 마스크 물질 에 대한 선택 적 인 식각 공정 을 진행 하 여 제 1 하드 마스크 패턴 에 스 페이서 를 형성 하 고 패턴 밀도 가 낮 은 영역 에 제 2 하드 마스크 패턴 이 형성 되 도록 하 는 단계 ; 상기 제 1 하드 마스크 패턴 , 스 페이서 및 제 2 하드 마스크 패턴 을 식각 마스크 로 상기 게이트 폴리 실리콘 을 식각 하 는 단계 ; 및 상기 제 1 하드 마스크 패턴 , 스 페이서 및 제 2 하드 마스크 패턴 을 제거 하 는 단계 를 포함 하 여 이루어진다 .