여기 서 , 본딩 층 ( 650 ) 은 커버 층 ( 600 ) 과 지지 기판 ( 750 ) 을 본 딩 하 기 위한 것 으로 , 예 를 들 어 AuSn 계 의 용융 합금 ( eutectic alloy ) ( Au 80 % 와 Sn 20 % 또는 Au 10 % 와 Sn 90 %) 를 이용 하 여 형성 한다 . 또한 , 본딩 층 ( 650 ) 은 제 1 본딩 층 ( 651 ) 및 제 2 본딩 층 ( 652 ) 의 이중 구조 로 형성 할 수 있 는데 , 제 1 본딩 층 ( 651 ) 은 커버 층 ( 600 ) 상 에 형성 되 고 제 2 본딩 층 ( 662 ) 는 지지 기판 ( 750 ) 상 에 형성 되 어 제 1 및 제 2 본딩 층 ( 651 및 652 ) 이 서로 본딩 되 어 커버 층 ( 600 ) 과 지지 기판 ( 750 ) 이 본딩 되 도록 한다 . 본딩 층 ( 650 ) 은 0 . 1 ∼ 10 ㎛ 의 두께 로 형성 하 고 , Au 80 % 와 Sn 20 % 합금 의 경우 280 ∼ 400 ℃ 의 온도 에서 1 분 ∼ 120 분 동안 열처리 하 여 본 딩 하 고 , Au 10 % 와 Sn 90 % 합금 의 경우 220 ∼ 300 ℃ 의 온도 에서 1 분 ∼ 120 분 동안 열처리 하 여 본 딩 한다 . 한편 , 지지 기판 ( 750 ) 은 전도성 기판 을 이용 하 며 , 예 를 들 어 금속 기판 , 전도성 세라믹 기판 또는 반도체 기판 을 이용 할 수 있 다 . 금속 기판 은 Mo , Ta , Ni , W , Cu , Al , Ag 등 의 단일 금속 원소 로 이루어질 수 있 으며 , 상기 원소 와 다른 원소 의 합금 으로 이루어질 수 있 다 . 전도성 세라믹 기판 은 Nb 가 도핑 된 SrTiO 3 , Al 이 도핑 된 ZnO , ITO ( Indium Tin Oxide ) , IZO ( Indium Zinc Oxide ) 등 으로 이루어질 수 있 으며 , 반 도 체 기판 은 B 가 도핑 된 Si , As 가 도핑 된 Si , 불순물 이 도핑 된 다이아몬드 ( diamond ) , 불순물 이 도핑 된 Ge 등 의 불순물 이 도핑 된 반도체 기판 을 이용 할 수 있 다 . 그리고 , 지지 기판 ( 750 ) 은 5 ∼ 200 ㎛ 의 두께 로 제작 한다 .