도 5 a 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 칩 ( 500 A ) 은 교번 유전체 스택 ( 560 ) 을 통해 각각 Y - 방향 을 따라 연장 되 는 복수 의 TAC ( 526 ) 를 더 포함 한다 . TAC ( 526 ) 는 , 복수 의 유전체 층 쌍 을 포함 하 는 , 적어도 장벽 구조 ( 516 ) 에 의해 측 방향 으로 둘러싸인 영역 내 에 만 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , TAC ( 526 ) 는 유전체 층 ( 예컨대 , 제 1 유전체 층 ( 560 A ) 및 제 2 유전체 층 ( 560 B ) ) 을 통해 수직 으로 연장 될 수 있 지만 , 임의 의 전도체 층 ( 예컨대 , 전도체 층 ( 580 A ) ) 을 통해서 는 연장 되 지 않 는다 . 각각 의 TAC ( 526 ) 는 교번 유전체 스택 ( 560 ) 의 전체 두께 ( 예컨대 , Y - 방향 을 따른 모든 유전체 층 쌍 ) 를 통해 연장 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , TAC ( 526 ) 는 개구 ( 542 ) 를 통해 베이스 기판 ( 540 ) 을 통해 연장 될 수 있 고 , 상호 접속 구조 ( 532 ) 에 전기 적 으로 접촉 할 수 있 다 .