제 3 절연 막 은 저압 화 학기 상 증착 ( Low Pressure Chemical Vapor Deposition ; LPCVD ) 방식 을 이용 한 산화 막 으로 형성 된다 . LPCVD 방식 을 이용 한 산화 막 은 HTO ( High Temperature Oxide ) 막 또는 TEOS ( Tetra Ethyl Ortho Silicate ) 막 으로 형성 된다 . 제 3 절연 막 은 반도체 기판 의 활성 영역 에 형성 된 도전 막 의 측벽 에 스 페이서 형태 로 잔류 된다 .