도 2 a 는 본 발명 에 따라 제공 된 메모리 셀 ( 200 ) 의 제 1 실시 예의 간략 화 한 사시도 이 다 . 도 2 a 를 참조 하 면 , 메모리 셀 ( 200 ) 은 제 1 도체 ( 206 ) 와 제 2 도체 ( 208 ) 사이 에 다이오드 ( 204 ) 와 직렬 로 결합 된 가역 저항 전환 소자 ( 202 ) ( 점선 으로 도시 된 것 ) 를 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 질화 티탄 , 질화 탄탈 , 질화 텅스텐 등 과 같 은 장벽층 ( 209 ) 이 가역 저항 전환 소자 ( 202 ) 와 다이오드 ( 204 ) 사이 에 제공 될 수 도 있 다 .