게이트 캡 핑 층 ( 166 ) 은 게이트 전극 ( 165 ) 의 상부 에 배치 될 수 있 다 . 게이트 캡 핑 층 ( 166 ) 은 게이트 전극 ( 165 ) 의 상면 을 따라 제 2 방향 , 예 를 들 어 y 방향 으로 연장 되 도록 배치 될 수 있 다 . 게이트 캡 핑 층 ( 166 ) 의 측면 들 은 게이트 스 페이서 층 들 ( 164 ) 에 의해 둘러싸 일 수 있 다 . 게이트 캡 핑 층 ( 166 ) 의 상면 은 게이트 스 페이서 층 들 ( 164 ) 의 상면 및 후술 하 는 하부 절연 층 ( 190 ) 의 상면 과 실질 적 으로 공면 을 이룰 수 있 으나 , 이 에 한정 되 지 는 않 는다 . 게이트 캡 핑 층 ( 166 ) 은 후술 하 는 하부 절연 층 ( 190 ) 또는 상부 절연 층 ( 195 ) 에 대하 여 식각 선택 성 이 있 는 물질 을 포함 할 수 있 다 . 게이트 캡 핑 층 ( 166 ) 은 산화물 , 질화물 및 산질 화물 로 이루어질 수 있 으며 , 구체 적 으로 , SiO , SiN , SiCN , SiOC , SiON , 및 SiOCN 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 .