도 6 a 및 6 b 를 참조 하 면 , 상기 포토레지스트 패턴 ( 140 ) 이 제거 된다 . 상기 포토레지스트 패턴 ( 140 ) 은 리프트 오프 ( lift - off ) 방식 으로 제거 될 수 있 다 . 상기 포토레지스트 패턴 ( 140 ) 이 제거 되 면서 , 상기 포토레지스트 패턴 ( 140 ) 상 의 패드 도전 막 ( 156 ) 이 함께 제거 될 수 있 다 . 따라서 , 상기 발광 구조물 ( 110 ) 의 중앙 에 접착 패턴 ( 150 a ) 및 도전 패턴 ( 160 a ) 을 포함 하 는 본딩 패드 ( 165 ) 가 형성 된다 . 상기 본딩 패드 ( 165 ) 는 상기 개구부 ( 140 a ) 에 형성 되 므로 , 일부 가 상기 n 형 전극 패턴 ( 123 ) 과 오버랩 될 수 있 다 . 즉 , 상기 본딩 패드 ( 165 ) 는 상기 n 형 전극 패턴 ( 123 ) 들 의 중앙 에 놓일 수 있 다 .