본 발명 의 일 실시 예 에 의하 면 , 기판 을 처리 하 는 장치 는 기판 에 대한 공정 이 이루어지 는 내부 공간 을 제공 하 는 공정 챔버 , 상기 공정 챔버 내부 에 설치 되 며 상기 기판 을 지지 하 는 지지 부재 , 상기 공정 챔버 의 내부 에 소스 가스 를 공급 하 는 가스 공급 부재 , 그리고 상기 소스 가스 로부터 플라스마 를 생성 하 는 플라스마 생성 부재 를 포함 하 되 , 상기 플라스마 생성 부재 는 상기 지지 부재 의 상부 에 놓여진 상부 전극 , 상기 상부 전극 에 대향 되 도록 배치 되 며 , 상기 상부 전극 과 함께 상기 소스 가스 를 방전 시키 는 하부 전극 , 그리고 상기 하부 전극 을 승강 하 는 승강 부재 를 포함 한다 .