도 6 a 내지 도 6 c 를 참조 하 면 , 희생 물질 층 패턴 ( 102 a ) 이 제거 된 공간 ( 112 ) 과 제 2 리세 스 영역 ( 110 ) 을 절연물 질 로 채워 각각 부분 절연 층 ( 113 ) 과 소자 분리 층 ( 115 ) 을 형성 한다 . 이때 , 부분 절연 층 ( 113 ) 과 소자 분리 층 ( 115 ) 을 매립 물질 층 ( 114 ) 으로 통칭 하 기 로 한다 . 매립 물질 층 ( 114 ) 은 USG 막 , HDP 산화 막 , PECVD 법 을 이용 하 여 형성 한 TEOS 막 , PECVD 법 을 이용 하 여 형성 한 산화 막 및 이 들 의 조합 으로 이루어지 는 군 에서 선택 된 절 연막 이 사용 될 수 있 다 . 이 중 , 막 질 이 치밀 한 HDP 산화 막 이 매립 하 는 데 에 가장 적합 하 다 . 왜냐하면 , HDP 산화 막 은 막 질 이 치밀 하 고 갭 필 ( gap fill ) 특성 이 우수 하 기 때문 이 다 . 경우 에 따라 , HDP 산화 막 으로 갭 필 하 기 전 에 중온 산화 막 ( middle temperature oxide ; MTO ) 을 얇 게 증착 할 수 있 다 . 전술 한 바 와 같이 , 부분 절연 층 ( 113 ) 의 두께 는 부분 절연 층 ( 113 ) 의 하부 의 반도체 기판 ( 100 ) 에 기생 채널 이 형성 되 지 않 을 정도 의 두께 로 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 .