불휘발성 메모리 장치 ( 100 ) 는 낸드 ( NAND ) 플래시 메모리 장치 , 노어 ( NOR ) 플래시 메모리 장치 , 강유전체 커패시터 를 이용 한 강유전체 램 ( ferroelectric random access memory : FRAM ) , 티 엠알 ( tunneling magneto - resistive : TMR ) 막 을 이용한 마그네 틱 램 ( magnetic random access memory : MRAM ) , 칼코겐 화합물 ( chalcogenide alloys ) 을 이용 한 상 변화 램 ( phase change random access memory : PCRAM ) , 전이 금속 산화물 ( transition metal oxide ) 을 이용 한 저항성 램 ( resistive random access memory : RERAM ) 등 과 같 은 다양 한 형태 의 불휘발성 메모리 장치 들 중 어느 하나 로 구성 될 수 있 다 .