각 터널 링 절 연막 ( TI ) , 전하 저 장막 ( CL ) , 블로킹 절 연막 ( BI ) , 그리고 폴리 실리콘 막 은 게이트 구조물 을 형성 한다 . 예 시 적 으로 , 각 터널 링 절 연막 ( TI ) , 전하 저 장막 ( CL ) , 블로킹 절 연막 ( BI ) , 그리고 폴리 실리콘 막 은 메모리 셀 ( MC ) 을 형성 할 것 이 다 . 예 시 적 으로 , 특정 게이트 구조물 에서 , 블로킹 절 연막 ( BI ) 에 천공 이 형성 되 어 , 폴리 실리콘 막 및 전하 저 장막 ( CL ) 이 연결 될 수 있 다 . 이 게이트 구조물 은 선택 트랜지스터 ( SST 또는 GST ) 를 형성 할 것 이 다 .