도 10 은 , 실시 형태 1 및 실시 형태 2 에 개시 하 는 박막 트랜지스터 의 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 대신 에 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 위 에 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 결정립 ( 60 ) 이 분산 되 고 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 결정립 ( 60 ) 및 게이트 절 연막 ( 52 b ) 위 를 덮 는 게르마늄 을 주성분 으로 하 는 반도체 막 ( 61 ) 을 갖 는 박막 트랜지스터 의 형태 를 도시 한다 . 또한 , 게르마늄 을 주성분 으로 하 는 반도체 막 ( 61 ) 상면 및 측면 을 덮 는 버퍼 층 ( 43 ) 이 형성 된다 . 실리콘 을 주성분 으로 하 는 결정립 ( 60 ) 과 비교 하 여 , 게르마늄 을 주성분 으로 하 는 반도체 막 ( 61 ) 쪽 이 , 이동도 가 높 기 때문 에 , 캐리어 는 게르마늄 을 주성분 으로 하 는 반도체 막 ( 61 ) 쪽 을 이동 한다 . 이 때문 에 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 위 에 형성 되 는 게르마늄 을 주성분 으로 하 는 반도체 막 ( 61 ) 이 , 박막 트랜지스터 의 채널 형성 영역 으로서 기능 한다 .