본 발명 의 OLED 장치 는 전형 적 으로 는 캐소드 또는 애노드 가 기판 과 접촉 될 수 있 는 지지 기판 ( 101 ) 상 에 설치 된다 . 기판 은 다층 의 물질 을 포함 하 는 복잡 한 구조 일 수 있 다 . 이 는 대표 적 으로 는 TFT 가 OLED 층 의 아래쪽 에 설치 된 능동 매트릭스 기판 에 대한 경우 이 다 . 아직 까지 도 기판 은 적어도 방사성 픽셀 화 영역 ( emissive pixelated area ) 에서 매우 투명 한 물질 을 포함 할 필요 가 있 다 . 기판 과 접촉 하 는 전극 은 편리 하 게 는 바닥 전극 ( bottom electrode ) 이 라 지칭 된다 . 편리 하 게 는 , 바닥 전극 은 애노드 이 지만 , 본 발명 이 그러 한 구조 로 국한 되 는 것 은 아니 다 . 기판 은 계획 된 발광 의 방향 에 따라 투광 성 이 거나 또는 불 투명 할 수 있 다 . 기판 을 통하 여 EL 발광 을 관찰 하 는 데 에 는 투광 특성 이 바람직 하 다 . 이러 한 경우 에 는 통상 투명 유리 또는 플라스틱 이 사용 된다 . EL 방출 이 상부 전극 을 통하 여 관찰 되 는 용도 의 경우 , 저부 지 지체 의 투과 특성 은 광선 을 투과 시키 거나 , 광선 을 흡수 하 거나 , 또는 광선 을 반사 할 수 있 다 . 이러 한 경우 에 사용 되 는 기판 의 예 로 는 유리 , 플라스틱 , 반도체 물질 , 실리콘 , 세라믹 및 회로 기판 재료 가 있 지만 , 그 들 로 국한 되 는 것 은 아니 다 . 이러 한 장치 구조 에 는 투광 성 상부 전극 을 제공 하 는 것 이 필요 하 다 .