그러나 상기 한 F 램 과 같이 리드 시 에 데이터 가 변화 하 거나 , 라이트 동작 속도 가 빠른 비휘발성 메모리 를 구비 하 는 시스템 에서 는 시스템 을 오프 한 시점 ( t 1 ) 에서 시스템 전원 이 비휘발성 메모리 의 동작 전압 이 하로 하강 하 는 시점 ( t 2 ) 까지 의 구간 에서 비휘발성 메모리 를 제어 하 는 각종 신호 가 활성 화 되 어 비휘발성 메모리 에 인가 되 면 데이터 가 파괴 될 수 있 다 .