도 7 에 도시 된 바 와 같이 , 본 실시 예 에 따른 비대칭 SB NOR 형 플래시 기억 소자 는 드레 인 ( 14 ) 부근 에서 붕소 의 농도 가 높 아 짐 에 따라 기존 의 NOR 형 플래시 기억 소자 및 대칭 SB NOR 형 플래시 기억 소자 에 비하 여 열전자 ( Hot Electron ; HE ) 전류 효과 가 현저히 증가 하 게 된다 . 이 는 비대칭 SB NOR 형 플래시 기억 소자 의 드레 인 ( 14 ) 부근 채널 ( 19 ) 의 농도 가 높 아 터널 산화 막 ( 15 ; SiO 2 ) 계면 을 넘 을 수 있 는 열전자 에너지 에 기존 의 NOR 형 플래시 기억 소자 및 대칭 SB NOR 형 플래시 기억 소자 에 비하 여 더 빨리 도달 할 수 있 었 기 때문 이 다 .