" 2007 년 12 월 31 일 출원 되 고 발명 의 명칭 이 "" MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CAARBON NANO - TUBE REVERSIBLE RESISTANCE - SWTICHING ELEMENT FORMED OVER A BOTTOM CONDUCTOR AND METHODS OF FORMING THE SAME "" 인 미국 특허 출원 번호 제 11 / 968 ", 156 호 .