본 실시 예 들 은 기판 에 전도 층 을 형성 하 고 , 상기 전도 층 에 전극 을 증착 하 며 , 상기 전도 층 과 상기 전극 에서 발생 하 는 쇼트 키 배리 어 높이 를 기반 으로 가스 의 반응도 를 변화 시켜 상기 가스 를 선택 적 으로 검출 하 는 쇼트 키 배리 어 조절 을 통한 센서 반응 성 을 향상 시킬 수 있 는 이차원 전이 금속 칼코겐 화합물 가스 센서 및 그 제조 방법 을 제공 한다 .