도 28 에 나타내 는 바 와 같이 , 열처리 를 실시 하 여 실리사이드 화 반응 을 일으킨다 . 그 열처리 는 , 예 를 들 어 , 600 ℃ 의 온도 에서 30 초 의 시간 동안 실시 함 으로써 , Co ( 코발트 ) 막 ( 60 ) 과 폴리 실리콘 으로 이루어지 는 게이트 ( 5 ) 상면 과 의 계면 , Co ( 코발트 ) 막 ( 60 ) 과 폴리 실리콘 으로 이루어지 는 드레 인 ( 11 - 1 ) 및 소스 ( 11 - 2 ) 의 계면 에서 코발트 실리사이드 반응 을 일으킨다 . 그 결과 , 게이트 ( 5 ) 의 상면 , 드레 인 ( 11 - 1 ) 및 소스 ( 11 - 2 ) 의 상면 으로 연장 되 는 Co ( 코발트 ) 막 ( 60 ) 이 선택 적 으로 실리사이드 화 된다 . 그 열처리 후 , Co ( 코발트 ) 막 ( 60 ) 의 미 반응 부분 만 습식 에칭 에 의해 제거 하 고 , 실리사이드 반응 한 부분 만 남김 으로써 , 게이트 ( 5 ) 상면 에 제 5 실리사이드 층 ( 15 ) 을 자기 정합 적 으로 형성 하 고 , 드레 인 ( 11 - 1 ) 및 소스 ( 11 - 2 ) 의 상면 에 제 3 및 제 4 실리사이드 층 ( 14 - 1 , 14 - 2 ) 을 각 각 자기 정합 적 으로 형성 한다 . 여기 서 , 게이트 ( 5 ) 와 제 5 실리사이드 층 ( 15 ) 은 오 믹 컨 택트 를 취한다 . 또 , 드레 인 ( 11 - 1 ) 및 소스 ( 11 - 2 ) 의 상면 과 제 3 및 제 4 실리사이드 층 ( 14 - 1 , 14 - 2 ) 은 각각 오 믹 컨 택트 를 취한다 .