일반 적 으로 반도체 웨이퍼 의 식각 처리 를 위해 사용 되 는 플 라즈 마 장치 는 플 라즈 마 챔버 내부 의 애노드 상 에 주로 위치 되 는 웨이퍼 와 수평 하 게 설치 되 어 자체 에 형성 된 다수 의 홀 을 통해 반응 가스 를 주입 하 고 고주파 전압 을 인가 하 여 웨이퍼 의 식각 에 필요 한 플 라즈 마 를 발생 시키 도록 하 는 캐소드 가 구비 된다 .