도 1 은 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 광학 부재 ( 100 ) 를 도시 한 것 이 다 . 모재 ( 110 ) 표면 에 GaN 입자 층 ( 120 ) 이 형성 되 어 있 다 . 상기 GaN 입자 층 ( 120 ) 은 예 를 들 어 바인더 층 ( 124 ) 에 GaN 입자 ( 122 ) 가 분산 된 박막 일 수 있 다 . 상기 바인더 층 ( 124 ) 은 최초 GaN 입자 층 형성 시 만 존재 하 고 최종 적 으로 는 열처리 를 통하 여 제거 될 수 도 있 다 .