그 후 , 포토 마스크 를 거쳐 방사선 을 조사 하 여 , 포스트 익스포저 베이 킹 처리 ( post - exposure baking treatment ) ( PEB ) 를 행하 고 , 알칼리 현상액 을 사용 한 현상 처리 를 더 행함 으로써 , 격벽 ( 13 ) 이 형성 된다 ( 1 c ) . PEB 는 , 예 를 들 면 가열 온도 50 ∼ 150 ℃, 가열 시간 30 ∼ 600 초 , 방사선 조사 강도 1 ∼ 500 mJ / cm 2 라는 조건 으로 행할 수 있 다 . 또한 현상 처리 는 , 예 를 들 면 액 도포 법 ( liquid application ) , 디 핑 법 , 진동 침지 법 등 에 의해 행할 수 있 으며 , 현상 처리 시간 은 , 예 를 들 면 10 ∼ 300 초 로 할 수 있 다 . 또한 현상 처리 후 , 필요 에 따라 , 포스트 베이 킹 처리 를 행해도 된다 . 포스트 베이 킹 처리 는 , 예 를 들 면 가열 온도 150 ∼ 280 ℃, 가열 시간 3 ∼ 120 분 이 라는 조건 으로 행할 수 있 다 .