예 를 들 면 , 반도체 층 시퀀스 또는 반도체 칩 은 모서리 방출 레이저 다이오드 를 가리킬 수 있 다 . 이 는 특히 , 복사 아웃 커플링 면 이 반도체 층 시퀀스 또는 반도체 칩 의 측면 으로 형성 됨 을 의미 할 수 있 고 , 이때 복사 아웃 커플링 면은 기판 의 측면 을 포함 할 수 있 다 . 또한 , 복사 출사 면은 예 를 들 면 복수 개 의 측면 을 포함 할 수 있 다 . 바람직 하 게 는 , 반도체 층 시퀀스 는 제 1 및 제 2 도파 층 을 포함 할 수 있 고 , 상기 도파 층 사이 에 활성 영역 이 배치 된다 . 반도체 층 시퀀스 를 횡 기본 모드 로 구동 하 기 위해 , 활성 영역 의 적어도 일 측 에 배치 된 반도체 층 시퀀스 의 층 들 은 예 를 들 면 브리지 형 ( bridge shape ) 및 / 또는 사다리꼴 ( trapeze shape ) 로 구조 화 될 수 있 다 . 브리지 형 도파관 , 립 형 ( rib ) 도파관 , " "" 리지 구조 ( ridge structure ) "". "" 사다리꼴 구조 "" 또는 "" 경사 구조 ( tapered structure ) "" 로 공지 된 형성 방식 의 반도체 층 시퀀스 는 당업자 에게 공지 되 어 있 으므로 여기 서 더 이상 설명 하 지 않 는다 . "