다른 실시 예 에서 , 메모리 장치 가 제시 된다 . 상기 메모리 장치 는 자기 랜덤 액세스 메모리 ( MRAM ) 셀 들 의 어레이 를 포함 한다 . 상기 메모리 장치 는 또한 워드 라인 을 활성 화 시키 고 메모리 어레이 의 선택 된 셀 들 에 액세스 하 기 위해서 판독 비트 라인 또는 기록 비트 라인 중 하나 를 선택 적 으로 활성 화 하 도록 적응 된 메모리 제어 로직 회로 를 포함 한다 .