상기 제 1 및 제 2 광폭 밴드 - 갭 영역 들 ( 120 c 1 , 120 c 2 ') 은 활성 층 패턴 ( 120 ’) 의 나머지 영역 들 에 비해 밴드 - 갭 이 넓 은 물질 로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 및 제 2 광폭 밴드 - 갭 영역 들 ( 120 c 1 , 120 c 2 ') 각각 은 비정질 실리콘 을 포함 한 비정질 실리콘 영역 일 수 있 고 , 제 1 채널 영역 ( 120 a 1 ) 과 제 1 및 제 2 전도성 영역 들 ( 120 b 1 , 120 b 2 ) 각각 은 다 결정 실리콘 을 포함 한 다결정 실리콘 영역 일 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 1 및 제 2 광폭 밴드 - 갭 영역 들 ( 120 c 1 , 120 c 2 ') 에서 의 밴드 - 갭 은 , 제 1 채널 영역 ( 120 a 1 ) 과 제 1 및 제 2 전도성 영역 들 ( 120 b 1 , 120 b 2 ) 에 비해 클 수 있 다 . 일 예 로 , 제 1 및 제 2 광폭 밴드 - 갭 영역 들 ( 120 c 1 , 120 c 2 ') 은 대략 1 . 7 eV 의 에너지 밴드 - 갭 을 가지 고 , 제 1 채널 영역 ( 120 a 1 ) 과 제 1 및 제 2 전도성 영역 들 ( 120 b 1 , 120 b 2 ) 은 대략 1 . 12 eV 의 에너지 밴드 - 갭 을 가질 수 있 다 . 이러 한 제 1 및 제 2 광폭 밴드 - 갭 영역 들 ( 120 c 1 , 120 c 2 ') 에 의해 스위칭 트랜지스터 ( Ts ') 의 누설 전류 가 저감 또는 방지 될 수 있 다 .