예 를 들 면 , 스크린 인쇄 법 을 사용 하 여 안테나 로서 기능 하 는 도전 층 ( 142 ) 을 형성 하 는 경우 에 는 , 입경 이 수 nm 부터 수십 ㎛ 의 도전체 입자 를 유기 수지 에 용해 또는 분산 시킨 도전 성 의 페이스트 를 선택 적 으로 인쇄 함 으로써 형성 할 수 있 다 . 도전체 입자 ( 145 ) 로서 는 , 은 ( Ag ) , 금 ( Au ) , 구리 ( Cu ) , 니켈 ( Ni ) , 백금 ( Pt ) , 팔라듐 ( Pd ) , 탄탈 ( Ta ) , 몰리브덴 ( Mo ) 및 티타늄 ( Ti ) 등 의 어느 하나 이상 의 금속 입자 나 할로겐화은 의 미립자 , 또는 분산성 나노 입자 를 사용 할 수 있 다 . 또한 , 도전 성 페이스트 에 포함 되 는 유기 수지 는 , 금속 입자 의 결합제 , 용매 , 분산제 및 피복재 로서 기능 하 는 유기 수지 로부터 선택 된 하나 또는 복수 를 사용 할 수 있 다 . 대표 적 으로 는 , 에폭시 수지 , 실리콘 수지 등 의 유기 수지 를 들 수 있 다 . 또한 , 도전 층 을 형성 할 때 는 , 도전 성 의 페이스트 를 압출 된 후 에 소성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 면 , 도전 성 의 페이스트 의 재료 로서 , 은 을 주성분 으로 하 는 미립자 ( 예 를 들 면 입경 1 nm 이상 100 nm 이하 의 미립자 ) 를 사용 하 는 경우 , 150 ℃ 내지 300 ℃ 의 온도 범위 로 소성 함 으로써 경화 시켜 도전 층 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 땜납 이나 납 프리 의 땜납 을 주성분 으로 하 는 미립자 를 사용 하 여도 좋 고 , 이 경우 는 입경 20 ㎛ 이하 의 미립자 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 땜납 이나 납 프리 땜납 은 , 저 비용 이 라는 이점 을 갖 고 있 다 .