상기 ITO 투명 전극 위 에 하 기 화합물 Z - 1 과 하 기 화합물 Z - 2 를 8 : 2 의 중량 비 로 혼합 하 여 톨루엔 에 2 % 의 중량 비 로 녹인 조성물 을 스핀 코팅 하 고 질소 분위기 하 에 핫 플레이트 에서 220 ℃ 및 30 분 조건 으로 경화 시켜 400 Å 두께 의 정공 주입 층 을 형성 하 였 다 . 상기 정공 주입 층 위 에 , 하 기 화합물 Z - 3 을 톨루엔 에 1 % 의 중량 비 로 녹인 조성물 을 스핀 코팅 하 고 핫 플레이트 에서 200 ℃, 30 분 조건 에서 열처리 하 여 200 Å 두께 의 정공 수송 층 을 형성 하 였 다 . 상기 정공 수송 층 위 에 하 기 화합물 Z - 4 과 상기 실시 예 1 에서 제조 한 화합물 1 을 94 : 6 의 중량 비 로 녹인 2 wt % 톨루엔 용액 을 제조 하 여 5000 rpm 으로 스핀 코팅 하 고 , 80 ℃ 에서 2 분 베이 킹 ( baking ) 하 고 , 120 ℃ 에서 30 분 베이 킹 ( baking ) 하 여 550 Å 두께 의 발광 층 을 형성 하 였 다 . 이것 을 질소 분위기 하 에 130 ℃ 에서 10 분 간 건조 시킨 후 진공 증착 기 로 옮기 고 , 상기 발광 층 위 에 하 기 화합물 Z - 5 ( 200 Å ) , LiF ( 12 Å ) 및 Al ( 2000 Å ) 를 순차 적 으로 증착 하 여 유기 발광 소자 를 제조 하 였 다 .