각 단계 의 순서 는 도 13 에 의해 한정 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 어 , 제 1 반도체 패턴 ( SP 1 ) 을 형성 하 는 단계 ( S 100 ) 는 초기 제 1 반도체 패턴 ( SP 1 - A , 도 14 a 참조 ) , 초기 제 1 반도체 패턴 상 에 초기 제 1 절연 층 ( IL 1 - A , 도 14 b 참조 ) 을 형성 하 는 단계 ( S 200 ) 이후 에 도핑 공정 등 을 수행 함 으로써 완결 될 수 있 다 . 이하 , 도 14 a 내지 도 14 k 을 참조 하 여 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 장치 의 제조 방법 을 보다 구체 적 으로 설명 한다 .