또 , 전하 주입 용 트랜지스터 와 , 리크 전류 평가 용 트랜지스터 를 각각 형성 함 으로써 , 각각 의 트랜지스터 를 적절 한 사이즈 로 할 수 있 다 . 또 , 리크 전류 평가 용 트랜지스터 의 채널 폭 ( Ｗ ) 을 전하 주입 용 의 트랜지스터 채널 폭 ( Ｗ ) 보다 도 크 게 함 으로써 , 리크 전류 평가 용 트랜지스터 의 리크 전류 이외 의 특성 평가 회로 의 리크 전류 성분 을 상대 적 으로 작 게 할 수 있 다 . 그 결과 , 리크 전류 평가 용 트랜지스터 의 리크 전류 를 높 은 정도 ( 精度 ) 로 측정 할 수 있 다 . 동시 에 , 전하 주 입시 에 , 리크 전류 평가 용 트랜지스터 를 한 번 온 상태 로 할 필요 가 없 기 때문 에 , 채널 형성 영역 의 전하 의 일부 가 노드 ( A ) 로 흘러 들어가 는 것 에 의한 노드 ( A ) 의 전압 변동 의 영향 도 없 다 .