이 와 같이 , 상기 NMOS 영역 에서 N 형 불순물 이 카운터 도핑 된 P 형 폴리 실리콘 막 을 게이트 전극 물질 로 사용 함 으로써 , 상기 N 형 불순물 이 카운터 도핑 되 지 않 은 P 형 폴리 실리콘 막 부분 에서 는 일함수 를 높 게 유지 할 수 있 어 채널 의 이동도 의 개선 및 전류 구동력 을 증가 시킬 수 있 으며 , 동시 에 N 형 불순물 이 카운터 도핑 된 부분 에서 는 일함수 가 낮춰 지 게 되 어 GIDL 현상 을 개선 시킬 수 있 게 된다 .