보텀 게이트 구조 의 트랜지스터 ( 410 , 420 , 430 ) 을 기판 위 에 설치 하 는 경우 , 기초 막 이 되 는 절 연막 을 기판 과 게이트 전극 층 의 사이 에 형성 해도 좋 다 . 기초 막 은 , 기판 으로부터 의 불순물 원소 의 확산 을 방지 하 는 기능 이 있 고 , 질화 실리콘 막 , 산화 실리콘 막 , 질화 산화 실리콘 막 , 또는 산화 질화 실리콘 막 으로부터 선택 된 1 개 또는 복수 의 막 에 의한 적층 구조 에 의해 형성 할 수 있 다 .