다음 도 6 d 에 도시 한 바 와 같이 , 애 싱 ( ashing ) 을 진행 하 여 상기 제 1 두께 의 제 1 포토레지스트 패턴 ( 도 6 c 의 681 a ) 을 제거 함 으로써 상기 비 표시 영역 ( NA ) 에 있 어서 상기 제 2 산화 크롬 층 ( 642 ) 을 노출 시킨다 . 이때 상기 제 1 두께 보다 두꺼운 제 2 두께 를 갖 는 제 2 포토레지스트 패턴 ( 681 b ) 은 그 두께 는 줄어들 게 되 지만 상기 5 중층 구조 의 제 1 블랙 매트릭스 ( 650 ) 상 에 여전히 남 아 있 게 된다 .