또한 , 본 실시 형태 에서 는 박막 트랜지스터 로서 역 스 태거 형 박막 트랜지스터 를 사용 하 여 설명 하 지만 , 이것 에 한정 되 지 않 고 , 순 스 태거 형 박막 트랜지스터 , 톱 게이트 형 박막 트랜지스터 등 에 도 적용 할 수 있 다 . 구체 적 으로 는 , 하 지 막 으로서 기능 하 는 절 연막 혹은 미결정 반도체 막 에 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 함유 시켜 미결정 반도체 막 위 에 게이트 절 연막 및 게이트 전극 을 형성 하 면 , 절 연막 과 의 계면 의 결정 성 이 높 아 진 미결정 반도체 막 을 갖 는 박막 트랜지스터 를 제작 할 수 있 다 .