도 4 c 를 참고 하 면 , " 본 발명 에 따라 결정 화 된 다결정 실리콘 은 결정 성장 방향 과 평행 하 는 방향 으로 형성 된 결정립계 ( G ) 만 이 존재 하 며 결정 이 매우 크 다 . 상기 와 같이 종래 의 레이저 결정 화법 에서 볼 수 있 는 결정 성장 방향 에 수직 인 방향 으로 형 성 된 결정립계 ( 소위 "" 프라이머리 결정립계 "") 가 존재 하 지 않 기 때문 에 박막 트랜지스터 의 전기 적 특성 에 도 영향 을 주 지 않 으므로 결정 성 이 우수 하 고 ", 박막 트랜지스터 의 소자 로 이 용시 특성 이 좋 은 박막 트랜지스터 를 생산 할 수 있 다 .