도 3 b 를 참조 하 면 , 금속 패턴 을 형성 하 기 위한 공정 을 수행 하 는데 , 먼저 , Ti 을 스퍼터링 이나 CVD 법 으로 약 30 ∼ 500 Å 두께 로 증착 하 여 Ti 막 ( 222 ) 을 형성 하 도록 한다 . Ti 막 ( 222 ) 은 후속 으로 증착 되 는 금속 물질 과 하부 의 실리콘 산화물 층 간 의 부착력 을 향상 시키 기 위해 적용 된다 . 이 의 상부 에 후속 공정 에서 형성 되 는 금속 막 의 금속 물질 이 하부 의 활성 영역 으로 침투 하 는 것 을 방지 하 기 위한 장벽층 으로서 TiN 막 ( 224 ) 을 약 50 ∼ 2000 Å 두께 로 형성 한다 . 이후 Al , W , Ti , TiN 등 과 같 은 금속 을 약 300 ∼ 8000 Å 두께 로 도포 하 여 금속 막 ( 226 ) 을 형성 하 도록 한다 . 바람직 하 게 는 Al 금속 을 약 5500 Å 두께 로 도포 하 여 Al 금속 막 을 형성 하 도록 한다 .