재료 및 제조 기술 에 있 어서 의 발전 에 도 불구 하 고 , 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 ( MOSFET ; metal - oxide - semiconductor field effect transistor ) 디바이스 와 같 은 평면형 디바이스 의 스케일링 은 어려운 것 으로 입증 되 었 다 . 이 난제 를 극복 하 기 위해 , 비 - 평면형 ( non - planar ) 트랜지스터 가 개발 되 었 으며 , 예 로 는 핀 형 전계 효과 트랜지스터 ( FinFET ; fin - like field effect transistor ) 및 GAA ( gate - all - around ) 트랜지스터 가 있 다 . 비 - 평면형 트랜지스터 의 이점 은 감소 된 단채 널 효과 , 감소 된 전류 누설 , 및 더 높 은 전류 흐름 을 포함 한다 . 이러 한 비 - 평면형 트랜지스터 의 성능 을 더 개선 하 기 위해 , 고 이동도 채널 의 사용 을 향한 추진 이 이루어져 왔 다 . 예 로서 , 실리콘 게르마늄 합금 은 그 의 높 은 캐리어 모빌리티 때문 에 유망 한 채널 재료 이 다 . 트랜지스터 스케일링 은 또한 , 저항 및 RC 지연 을 포함 한 , 상호 접속 구조물 에서 의 난제 를 갖 는다 . 예 를 들 어 , 상호 접속 구조물 의 콘 택 , 비아 또는 금속 라인 과 같 은 다양 한 전도성 특징 부 ( conductive feature ) 는 더 작 은 치수 를 가지 며 , 높 은 접촉 저항 을 야기 한다 . 종래 의 전도성 특징 부 는 또한 배리어 층 을 포함 하 는데 , 이 는 콘 택 홀 의 치수 를 더 감소 시킨다 . 또한 , 금속 충전 이 , 보이드 또는 다른 결함 과 같 은 , 우려 하 는 또 다른 난제 이 다 .