이 어 , 도 7 c 에 도시 된 바 와 같이 , 형성 된 차 단층 ( 128 ) 과 적어도 일부 중첩 되 도록 전극 층 을 형성 한다 . 여기 서 , 전극 층 은 화소 전극 ( 160 ) 및 공통 전극 ( 170 ) 을 포함 한다 . 화소 전극 ( 160 ) 은 게이트 배선 ( 121 , 123 ) 을 따라 형성 되 어 있 는 제 1 화소 전극 ( 161 ) 과 , 제 1 화소 전극 ( 161 ) 으로부터 데이터 선 ( 141 ) 을 따라 연장 되 어 있 는 복수 의 제 2 화소 전극 ( 163 ) 을 포함 하 도록 마련 되 어 있 다 . 그리고 , 공통 전극 ( 170 ) 은 게이트 배선 ( 121 , 123 ) 을 따라 형성 되 어 있 으며 제 1 화소 전극 ( 161 ) 의 반대쪽 에 위치 하 는 제 1 공통 전극 ( 171 ) 과 , 제 1 공통 전극 ( 171 ) 으로부터 데이터 선 ( 141 ) 을 따라 연장 되 어 있 는 제 2 공통 전극 ( 173 ) 을 포함 하 도록 마련 되 어 있 다 . 그리고 , 제 2 화소 전극 ( 163 ) 과 제 2 공통 전극 ( 173 ) 은 상호 교호 적 으로 반복 배치 되 도록 마련 되 어 있 으며 , 차 단배 선 ( 129 ) 과 중첩 하 도록 마련 되 어 있 다 .