그런데 , 금속 이온 오염 은 , 고밀도 집적회로 , 컴퓨터 칩 및 컴퓨터 하드 드라이브 의 제조 에 있 어서 , 결함 의 증가 나 수량 ( 收量 ) 손실 을 자주 초래 하 여 , 성능 저하 를 일으키 는 큰 요인 이 되 고 있 다 . 예 를 들 면 , 플라 즈 마 프로세스 에서 는 , 나트륨 및 철 등 의 금속 이온 이 포토 리소그래피 용 조성물 중 에 존재 하 면 , 플라 즈 마 박리 시 에 오염 을 일으킬 우려 가 있 다 . 그러나 , 이 들 의 문제 는 , 고온 어닐링 사이클 사이 에 오염물 의 HCl 게터 링 을 이용 함 으로써 , 제조 프로세스 에 있 어서 실질 적 으로 문제 가 되 지 않 을 정도 로 억제 하 는 것 이 가능 하 다 .