도 33 a 는 게이트 절연 층 의 두께 를 15 nm 로 한 것 이 며 , 도 33 b 는 게이트 절연 층 의 두께 를 10 nm 로 한 것 이 며 , 도 33 c 는 게이트 절연 층 의 두께 를 5 nm 로 한 것 이 다 . 게이트 절연 층 이 얇 아 지 는 만큼 , 특히 오프 상태 에서 의 드레 인 전류 Id ( 오프 전류 ) 가 현저 하 게 저하 된다 . 한편 , 이동도 μ 의 피크 값 이나 온 상태 에서 의 드레 인 전류 Id ( 온 전류 ) 에 는 눈 에 띈 변화 가 없 다 . 게이트 전압 1 V 전후 에서 , 드레 인 전류 는 메모리 소자 등 에서 요구 되 는 10 μ A 를 초과 하 는 것 이 그래프 에 도시 되 었 다 .