헤드 ( 10 ) 는 도금 조 ( 30 ) 의 상향 개방 된 끝단 을 덮 도록 위치 되 며 , 립 씰 구 조체 ( 20 ) 를 구비 한다 . 헤드 ( 10 ) 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 를 지지 하 며 도금 조 ( 30 ) 로 이동 시켜 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 도금 면 이 도금 용액 ( 35 ) 에 닿 도록 위치 시킨다 . 또한 , 헤드 ( 10 ) 는 초 순수 ( DIW ) 세 척 이 완료 되 면 분사 된 초 순수 ( DIW ) 의 건조 를 위하 여 립 씰 구 조체 ( 20 ) 를 회전 시키 는 회 전부 ( 미 도시 ) 를 구비 한다 .