도 4 내지 도 8 f 를 참조 하 면 , 각각 의 채널 영역 에 대응 하 는 결정질 영역 의 일 영역 상 에 위치 하 도록 , 반도체 패턴 ( SCP ) 상 에 게이트 전극 ( 140 ) 을 형성 한다 . 일 예 로 , 각각 제 1 채널 영역 ( 120 a 1 ) 및 제 2 채널 영역 ( 120 a 2 ) 상 에 위치 하 도록 , 반도체 패턴 ( SCP ) 상 에 제 1 및 제 2 게이트 전극 들 ( 140 a 1 , 140 a 2 ) 의 하부 전극 들 ( 140 a 1 _ 1 , 140 a 2 _ 1 ) 을 형성 할 수 있 다 .