제 2 층간 유전 막 ( 177 ) 이 상기 제 1 층간 유전 막 ( 157 a ) 및 게이트 전극 들 ( 175 a , 175 b ) 의 상부 면 들 상 에 배치 될 수 있 다 . 제 1 콘 택 플러그 ( 180 a ) 가 상기 제 1 트랜지스터 영역 ( 50 ) 내 의 상기 제 2 및 제 1 층간 유전 막 들 ( 177 , 157 a ) 을 연속 적 으로 관통 하 여 상기 제 1 표면 금속 - 반도체 화합물 패턴 ( 155 a ) 에 접속 될 수 있 다 . 제 2 콘 택 플러그 ( 180 b ) 가 상기 제 2 트랜지스터 영역 ( 60 ) 내 의 상기 제 2 및 제 1 층간 유전 막 들 ( 177 , 157 a ) 을 연속 적 으로 관통 하 여 상기 제 2 표면 금속 - 반도체 화합물 패턴 ( 155 b ) 에 접속 될 수 있 다 . 제 3 콘 택 플러그 ( 180 r ) 가 상기 수동 소자 영역 ( 70 ) 내 의 제 2 및 제 1 층간 유전 막 들 ( 177 a , 157 a ) 을 관통 하 여 상기 콘 택 금속 - 반도체 화합물 패턴 ( 155 r ) 에 접속 될 수 있 다 . 도시 하 지 않 았 지만 , 게이트 콘 택 플러그 들 이 상기 제 2 층간 유전 막 ( 177 ) 을 관통 하 여 상기 제 1 및 제 2 게이트 전극 들 ( 175 a , 175 b ) 에 각각 접속 될 수 있 다 . 상기 콘 택 플러그 들 ( 180 a , 180 b , 180 r ) 은 텅스텐 , 알루미늄 또는 구리 등 과 같 은 금속 을 포함 할 수 있 다 .