도 20 과 관련 하 여 , 제 2 마스크 ( 55 ) 를 이용한 플라 즈 마 에칭 에 의해 제 2 트렌치 ( 50 ) 들 이 실리콘 ( 12 ) 내 로 뻗 어 들어가 있 다 . 일부 물질 ( 42 ) ( 도 20 에 는 도시 되 지 않 음 ) 이 도 14 , 15 , 16 에 도시 된 공정 에서부터 제 1 트렌치 ( 32 ) 의 베이스 에 계속 유지 될 수 도 있 고 , 또 다른 물질 이 제 1 트렌치 ( 32 ) 의 베이스 에 제공 될 수 도 있 다 . 그래서 , 제 2 트렌치 ( 50 ) 를 에칭 할 때 제 1 트렌치 가 더 깊이 에칭 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 는 실리콘 내 로 제 2 트렌치 를 플 라즈 마 에칭 하 는 과정 이 , SF 6 와 , 산소 - 함유 화합물 과 질소 - 함유 화합물 을 포함 하 는 프리 커서 기체 를 이용 한 에칭 플 라즈 마 공정 을 포함 한다 . 상술 한 공정 들 중 임의 의 공정 이 사용 될 수 있 다 . 더우기 , 실리콘 내 에 제 2 트렌치 를 형성 하 기 위한 플 라즈 마 에칭 은 , 실리콘 물질 내 에 제 1 트렌치 를 형성 하 기 위한 플 라즈 마 에칭 과 같 을 수 도 있 고 다를 수 도 있 다 . 또한 앞서 언급 한 바 와 관계없이 , 제 2 트렌치 형성 을 위한 플 라즈 마 에칭 이 , 황 - 함유 성분 , 산소 - 함유 성분 , 그리고 NFx 를 포함 하 는 에칭 플 라즈 마 를 포함 할 수 도 있 다 . 일례 로서 , 실리콘 물질 ( 12 ) 내 에서 트렌치 ( 50 ) 의 깊이 는 약 2 , 500 옹스트롬 내지 3 , 500 옹스트롬 이 며 , 그 중 3 , 000 옹스트롬 깊이 가 한 가지 구체 적 예 로 제시 된다 .