제 2 도전 형 반도체 층 ( 176 ) 은 활성 층 ( 174 ) 아래 에 배치 되 며 , 반도체 화합물 로 형성 될 수 있 다 . 제 2 도전 형 반도체 층 ( 176 ) 은 Ⅲ - Ⅴ 족 또는 Ⅱ - Ⅵ 족 등 의 화합물 반도체 로 구현 될 수 있 다 . 예컨대 , 제 2 도전 형 반도체 층 ( 176 ) 은 InxAlyGa 1 - x - yN ( 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 , 0 ≤ x + y ≤ 1 ) 의 조성식 을 갖 는 반도체 물질 을 포함 할 수 있 다 . 제 2 도전 형 반도체 층 ( 176 ) 에 는 제 2 도전 형 도 펀트 가 도핑 될 수 있 다 . 제 2 도전 형 반도체 층 ( 176 ) 이 p 형 반도체 층 인 경우 , 제 2 도전 형 도 펀트 는 p 형 도 펀트 로서 , Mg , Zn , Ca , Sr , Ba 등 을 포함 할 수 있 다 .