상기 발광 층 상부 에 TSPO 1 ( diphenyl ( 4 -( triphenylsilyl ) phenyl ) - phosphine oxide ) 을 증착 하 여 50 Å 두께 의 정공 저지 층 을 형성 하 고 , 상기 정공 저지 층 상부 에 Alq 3 를 증착 하 여 300 Å 두께 의 전자 수송 층 을 형성 한 다음 , 상기 전자 수송 층 상부 에 LiF 를 증착 하 여 10 Å 두께 의 전자 주입 층 을 형성 한 후 , 상기 전자 주입 층 상부 에 Al 를 진공 증착 하 여 3000 Å 두께 의 캐소드 를 형성 하 여 , 유기 발광 소자 를 제작 하 였 다 .