또한 , H 2 가스 를 간헐 적 으로 공급 하 는 경우 에서 도 , 산화 처리 시 에 있 어서 만 공급 하 는 것 이외 에 , 실리콘 함유층 형성 시 및 산화 처리 시 에 있 어서 만 H 2 가스 를 공급 하 도록 해도 된다 . 또한 , 산화 처리 전 ( 前 ) 부터 산화 처리 시 에 걸쳐서 H 2 가스 를 공급 하 도록 해도 되 고 , 산화 처리 시 부터 산화 처리 후 에 걸쳐서 H 2 가스 를 공급 하 도록 해도 된다 . 또한 , 산화 처리 전 부터 산화 처리 후 에 걸쳐서 H 2 가스 를 공급 하 도록 해도 된다 .