도 7 b 에 도시 하 는 트랜지스터 는 기판 ( 720 ) 위 에 형성 된 도전 층 ( 721 ) 과 , 도전 층 ( 721 ) 위 에 형성 된 절연 층 ( 722 ) 과 , 절연 층 ( 722 ) 을 끼워 도전 층 ( 721 ) 위 에 형성 된 산화물 반도체 층 ( 723 ) 과 , 절연 층 ( 722 ) 및 산화물 반도체 층 ( 723 ) 을 끼워 도전 층 ( 721 ) 위 에 형성 된 절연 층 ( 727 ) 과 , 산화물 반도체 층 ( 723 ) 의 일부 위 및 절연 층 ( 727 ) 의 일부 위 에 각각 형성 된 도전 층 ( 725 ) 및 도전 층 ( 726 ) 을 갖 는다 .