제 1 영역 에 마스킹 이 완료 되 면 , 혼산 법 에 의해 제 2 영역 에 만 아 노다 이징 에 의한 제 2 피막 층 ( 221 ) 이 성층 된다 . 이때 , 아노 다 이징 은 모재 ( 200 ) 로부터 피막 층 이 성층 되 므로 혼산 법 에 의해 2 차 적 으로 아 노다 이징 을 하 면 도 3 에 도시 된 바 와 같이 혼산 법 에 의해 형성 된 제 2 피막 층 ( 221 ) 이 모재 ( 200 ) 의 상부 면 에 성층 되 고 , 1 차 아수 산법 에 의한 아노 다 이징 에 의해 이미 형성 된 제 3 피막 층 ( 222 ) 은 제 2 피막 층 ( 221 ) 의 상부 면 에 비로소 형성 또는 성층 된다 .