본 개시 에 따른 테이퍼 형 측벽 구조물 ( 187 ) 이 복수 의 층 에 의해 형성 되 는 경우 , 상이 한 층 들 의 재료 들 은 거의 동일 한 에칭 감응 도 ( etch susceptibility ) 를 갖 도록 조성 이 동일 하 거나 충분히 유사 하 다 . 에칭 감응 도 의 유사 성 은 테이퍼 형 측벽 구조물 ( 187 ) 이 매끄러운 프로파일 로 형성 되 는 것 에 기여 한다 . 일부 실시 예 에서 , 테이퍼 형 측벽 구조물 ( 187 ) 을 형성 하 는 재료 는 유전체 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 테이퍼 형 측벽 구조물 ( 187 ) 을 형성 하 는 재료 는 산화물 ( SiO 2 ) 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 테이퍼 형 측벽 구조물 ( 187 ) 을 형성 하 는 재료 는 질화물 ( SN ) 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 테이퍼 형 측벽 구조물 ( 187 ) 을 형성 하 는 재료 는 실리콘 산질 화물 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 테이퍼 형 측벽 구조물 ( 187 ) 을 형성 하 는 재료 는 전도성 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 테이퍼 형 측벽 구조물 ( 187 ) 을 형성 하 는 재료 는 폴리 실리콘 이 다 . 예 를 들 어 , 경계 측벽 스 페이서 ( 185 ) 와 더미 제어 게이트 층 ( 181 ) 은 둘 다 폴리 실리콘 등 일 수 있 다 . 더미 게이트 전극 층 ( 181 ) 의 재료 는 테이퍼 형 측벽 구조물 ( 187 ) 의 어떠 한 부분 도 형성 하 지 않 는다 .