다음 으로 , 게이트 절연 층 ( 146 ) , 게이트 전극 ( 148 ) , 및 전극 ( 149 ) 상 에 , 절연 층 ( 150 ) 및 절연 층 ( 154 ) 을 형성 한다 ( 도 12 ( D ) 참조 ) . 절연 층 ( 150 ) 및 절연 층 ( 154 ) 은 , PVD 법 이나 CVD 법 등 을 이용 하 여 형성 할 수 가 있 다 . 또한 , 절연 층 ( 150 ) 및 절연 층 ( 154 ) 은 , 산화 실리콘 , 산질 화 실리콘 , 질화 실리콘 , 산화 하프늄 , 산화 알루미늄 등 의 무기 절연 재료 를 포함 하 는 재료 를 이용 하 고 , 단층 또는 적층 으로 형성 할 수 가 있 다 .