상술 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 은 듀얼 다 마신 을 이용 한 구리 배선 형성 방법 으로서 , ( a ) 반도체 기판 상 층간 절연 막내 트렌치 ( trench ) 와 하부 금속 배선 연결 을 위한 비 아홀 ( via hole ) 패턴 을 형성 시키 는 단계 와 , ( b ) 상기 트렌치 와 비 아홀 내 구리 배리 어막 의 탄 탈륨 층 을 형성 시키 는 단계 와 , ( c ) 상기 탄 탈륨 층 상부 에 실리콘 막 을 형성 시키 는 단계 와 , ( d ) 상기 실리콘 막 상부 로 구리 시드 막 을 증착 시킨 후 , 열 공정 을 수행 시키 는 단계 와 , ( e ) 상기 열 공정 에 의한 상기 실리콘 막 확산 을 통해 상기 구리 시드 막 과 구리 배리 어막 사이 에 실리사이드 막 을 형성 시키 는 단계 와 , ( f ) 상기 트렌치 및 비 아홀 내 구리 를 증착 시켜 구리 배선 을 형성 시키 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .