본 명세서 에 개시 된 개념 들 은 서브 파장 피처 들 을 이미 징하 는 여 하한 의 일반 적 인 이미 징 시스템 을 시뮬레이션 하 거나 수학 적 으로 모델링 할 수 있 으며 , 특히 점점 더 짧 은 파장 들 을 생성 할 수 있 는 첨단 ( emerging ) 이미 징 기술 들 로 유용 할 수 있 다 . 이미 사용 중 인 첨단 기술 들 로 는 ArF 레이저 를 사용 하 여 193 nm 의 파장 을 생성 하 고 , 심지어 플루오린 레이저 를 사용 하 여 157 nm 의 파장 도 생성 할 수 있 는 EUV ( 극자 외 ) , DUV 리소그래피 를 포함 한다 . 또한 , EUV 리소그래피 가 이 범위 내 의 광자 들 을 생성 하 기 위해 고 에너지 전자 로 재료 ( 고체 또는 플 라즈 마 ) 를 가격 ( hit ) 하 거나 , 싱크로트론 ( synchrotron ) 을 이용 함 으로써 20 내지 5 nm 범위 내 의 파장 들 을 생성 할 수 있 다 .