또한 , 상기 전도성 페이스트 의 입자 의 크기 는 매우 작 으므로 , 상기 전도성 페이스트 를 포함 하 는 상기 전도성 패턴 ( 230 ) 은 낮 은 온도 에서 소결 된다 . 상기 전도성 패턴 ( 230 ) 의 소결 온도 가 상기 베이스 ( 220 ) 의 녹는점 보다 낮 아 지 도록 상기 전도성 페이스트 의 입자 의 크기 를 조절 하 여 , 상기 베이스 ( 220 ) 의 손상 없이 상기 회로 패턴 ( 240 ) 을 형성 할 수 있 다 .