도 9 는 본 발명 에서 사용 하 는 OTS 기반 자기 조립 단 분자 의 개념 도 이 다 . 본 발명 에서 사용 하 는 자기 조립 단 분자 ( 34 ) 는 분자 의 개략 적 인 형상 이 도 9 에 도시 된 바 와 같이 , 소수성 표면 부 ( 34 a ) , 체 인부 ( 34 b ) 및 반 응부 ( 34 c ) 의 3 부분 으로 이루어진다 . 소수성 표면 부 ( 34 a ) 는 CH 3 기 가 노출 되 어 소수성 ( hydrophobicity ) 을 가지 며 , 자기 조립 단부 자막 ( 32 ) 형성 시 에 표면 에 노출 되 는 부분 이 다 . 그리고 체인 부 ( 34 b ) 는 소수성 표면 부 ( 34 a ) 와 반 응부 ( 34 c ) 를 연결 하 는 부분 이 며 , CH 2 체인 으로 이루어진다 . 이 체인 부 ( 34 b ) 와 기판 사이 또는 자기 조립 단 분자 상호 간 에 는 반데 발스 ( Van der Waals ) 인력 이 발생 한다 . 따라서 이 체인 부 ( 34 b ) 에 의하 여 자기 조립 단분자막 ( 32 ) 이 형태 를 유지 하 는 것 이 다 . 그리고 반 응부 ( 34 c ) 는 산화 막 ( 20 ) 과 반응 하 여 결합 하 는 부분 이 다 .