게이트 메탈 ( 14 a ) 은 TiN , TaN , HfN , LaN , Sc 중 어느 하나 로 이루어져서 게이트 절 연막 ( 13 a ) 을 사이 에 두 고 반도체 기판 ( 11 ) 상 에 형성 되 고 , 상측 에 적층 되 어 실리사이드 화 된 캡 핑 실리콘 층 ( 15 b ) 과 함께 게이트 전극 ( 16 ) 을 형성 한다 . 이 때 , 게이트 메탈 ( 14 a ) 은 그 두께 가 5 nm ∼ 40 nm , 실리사이드 화 된 캡 핑 실리콘 층 ( 15 b ) 은 그 두께 가 40 nm ∼ 150 nm 임 이 바람직 하 다 .