그러나 , 반도체 메모리 장치 가 고집 적 및 고속화 에 따라 외부 전원 전압 VEXT 가 낮 아 지 고 , 외부 전원 전압 VEXT 에 의해 생성 되 는 내부 전압 VCORE 의 전위 도 낮 아 지 는 반면 , 내부 동작 속도 파라미터 에 관한 규정 ( Specification ) 은 더욱 엄격 해 지 고 있 으므로 , 리 프레시 타임 을 보장 하 기 어려운 문제 가 있 다 .