따라서 , 도 1 의 구 현예 에서 , 반도체 처리 장치 ( 1 ) 는 반응 챔버 ( 3 ) 및 반응 챔버 ( 3 ) 로부터 증기 를 제거 하 도록 구성 된 반응 챔버 배기 포트 ( 7 ) 를 포함 할 수 있 다 . 샤워 헤드 장치 ( 10 ) 는 , 반응물 증기 공급원 과 반응 챔버 ( 3 ) 와 유체 연통 하 는 복수 의 분배 유입 구 애퍼처 ( 18 ) 를 포함 할 수 있 다 . 샤워 헤드 장치 ( 10 ) 는 , 펌프 ( 9 ) 및 반응 챔버 ( 3 ) 와 유체 연통 하 는 복수 의 분배 배기 애퍼처 ( 20 ) 를 포함 할 수 있 다 . 동일 하 거나 상이 한 펌프 ( 9 ) 는 샤워 헤드 ( 10 ) 및 반응 챔버 ( 3 ) 에 연결 될 수 있 다 . 나타낸 구 현예 에서 , 샤워 헤드 ( 10 ) 의 하부 부분 ( 14 ) ( 예 , 두 개 의 플레이트 사이 에 한정 됨 ) 의 내부 플레 넘 ( 22 ) 은 펌프 ( 9 ) 와 연통 할 수 있 다 . 유입 구 애퍼처 ( 18 ) 는 샤워 헤드 장치 ( 10 ) 를 통해 연장 될 수 있 고 , 일부 구 현예 에서 내부 플레 넘 ( 22 ) 을 우회 할 수 있 다 . 유입 구 애퍼처 ( 18 ) 는 샤워 헤드 ( 10 ) 의 하부 부분 ( 14 ) 위 에서 상부 플레 넘 ( 24 ) 과 연통 할 수 있 다 . 도 1 은 상부 플레 넘 ( 24 ) 과 연통 하 는 단순 측 부형 가스 유입 구 ( 16 ) 를 나타낸다 . 그러나 , 도 2 내지 도 3 c 의 설명 으로부터 더 잘 이해 될 수 있 는 바 와 같이 , 상부 플레 넘 ( 24 ) 은 그 대신 상부 플레 넘 ( 24 ) 전체 에 대해 반응물 증기 를 분배 하 는 유입 구 매니폴드 와 연통 할 수 있 다 .