빔 프로파일 은 공간 에서 부분 광 빔 들 을 편향 시킴 으로써 , 특히 공간 에서 부분 광 빔 들 을 회전 시킴 으로써 공간 에서 재 배향 된다 . 재 배향 후 에 , 즉 빔 변환 장치 후 에 , 단축 을 따른 부분 광 빔 의 빔 프로파일 은 장축 을 따른 입사 광 빔 의 빔 프로파일 의 일 섹션 에 상응 한다 . 빔 프로파일 의 섹션 은 제 1 빔 변환 요소 들 에서 광 빔 의 분할 에 의해 결정 된다 . 이 경우 , 제 1 빔 변환 요소 들 의 측면 에지 에서 강도 의 급격 한 감소 가 나타난다 . 재 배향 후 에 , " 부분 광 빔 의 단축 방향 으로 이 "" 날카로운 "" 강도 에지 는 제 2 빔 변환 요소 의 상부 및 하부 에지 를 따라 배치 된다 . 후술 되 는 바 와 같이 ", 일 실시 예 에서 , " 이 "" 날카로운 "" 강도 에지 는 조명 된 제 1 빔 변환 요소 들 의 측면 에지 들 을 이미 징 함 으로써 이미지 평면 으로 전송 될 수 있 다 . 특히 ", 조명 된 제 1 빔 변환 요소 들 은 제 1 빔 변환 요소 들 의 측면 에지 들 의 원통형 이미 징 을 위한 물체 로서 사용 될 수 있 다 .