또한 , 제 2 스텝 ( 트리트 먼 트 공정 ) 에 있 어서 처리 실 ( 201 ) 내 의 온도 , 즉 제 2 온도 는 400 ℃ 이상 500 ℃ 이하 로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 상술 한 바 와 같이 , 처리 실 ( 201 ) 내 의 온도 를 400 ℃ 미만 의 온도 로 하 더라도 석영 의 에칭 은 그다지 진행 하 지 않 는데 , 400 ℃ 이상 으로 함 으로써 , 석영 에 대한 충분 한 에칭 속도 를 얻 을 수 있 다 . 한편 , 이 온도 라면 질화 실리콘 막 의 에칭 도 충분히 진행 한다 . 따라서 , 제 1 단계 후 에 처리 실 ( 201 ) 내 에 잔류 하 여 부착 한 미소 한 석영 가루 나 질화 실리콘 의 잔존 막 등 의 부착물 을 제거 하 는 것 이 가능 함 과 동시 에 , 처리 실 ( 201 ) 내 의 석영 부재 의 표면 을 약간 에칭 함 으로써 평활 화 시키 고 , 처리 실 ( 201 ) 내 의 실효 적 인 표면 적 의 증대 를 억제 하 는 것 이 가능 해진다 . 이 에 의해 , 처리 실 ( 201 ) 내 에 있 어서 이 물질 의 발생 을 억제 할 수 있 음 과 동시 에 , 클리닝 공정 , 즉 , 제 1 스텝 ( 박막 의 에칭 공정 ) 과 , 제 2 스텝 ( 트리트 먼 트 공정 ) 을 실시 한 직후 의 박막 형성 공정 에 있 어서 , 성막 속도 가 저하 하 는 것 을 억제 할 수 있 다 . 한편 , 처리 실 ( 201 ) 내 의 온도 를 400 ℃~ 450 ℃ 로 했 을 경우 에 는 , 석영 의 에칭 레이트 는 질화 실리콘 막 의 에칭 레이트 와 동등 하 거나 그것 보다 약간 낮 아 지 는데 , 석영 의 에칭 을 충분히 진행 시키 는 것 이 가능 해진다 . 또한 , 처리 실 ( 201 ) 내 를 450 ℃~ 500 ℃ 로 했 을 경우 에 는 , 석영 의 에칭 레이트 는 질화 실리콘 막 의 에칭 레이트 보다 커 지 고 , 프로세스 튜브 ( 203 ) 나 보트 ( 217 ) 등 의 석영 부재 의 표면 의 평활 화 를 보다 신속 하 게 수행 하 는 것 이 가능 해진다 .