450 ℃ 로 가열 한 Mo 소재 의 전극 이 부착 된 소다 유리 기판 상 에 [ Me 2 In ( μ - SeMe ) ] 2 전구체 와 함께 H 2 Se 가스 및 ( hfac ) Cu ( DMB ) 전구체 를 거의 동시 에 가열 된 기판 에 공급 하 여 CuInSe 2 화합물 박막 을 형성 하 였 다 . 각 전구체 와 가스 를 거의 동시 에 개방 하 되 [ Me 2 In ( μ - SeMe ) ] 2 전구체 , H 2 Se 가스 , ( hfac ) Cu ( DMB ) 전구체 순 으로 개방 하 였 다 .