본 명세서 의 실시 예 에 따르 면 , 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 은 제 1 게이트 전극 ( 314 ) 및 제 1 커패시터 전극 ( 141 ) 보다 많 은 층수 로 이루어질 수 있 다 . 제 1 게이트 전극 ( 314 ) 및 제 1 커패시터 전극 ( 141 ) 은 n 개 의 층 으로 형성 될 수 있 다 . 그리고 , 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 은 n + 1 개 의 층 으로 형성 될 수 있 다 . 여기 에서 , n 은 1 , 2 , 3 , 4 와 같 은 자연수 이 다 . 예 를 들 면 , 제 1 게이트 전극 ( 314 ) 및 제 1 커패시터 전극 ( 141 ) 은 단일 층 으로 이루어질 수 있 다 . 그리고 , 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 2 중층 으로 이루어질 수 있 다 . 그리고 , 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 이 2 중층 으로 이루어진 경우 , 상부 금속 층 ( 324 b ) 은 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 액티브 층 ( 321 ) 으로 수소 가 확산 되 는 것 을 방지 하 기 위하 여 티타늄 ( Ti ) 또는 티타늄 질화물 ( TiNx ) 로 형성 될 수 있 다 . 본 명세서 의 실시 예 에 따르 면 , 제 1 게이트 전극 ( 314 ) 및 제 1 커패시터 전극 ( 141 ) 은 몰리브덴 ( Mo ) , 구리 ( Cu ) , 알루미늄 ( Al ) 크롬 ( Cr ) , 금 ( Au ) , 니켈 ( Ni ) , 및 네오디뮴 ( Nd ) 중 어느 하나 또는 이 들 의 합금 으로 이루어진 단일 층 으로 형성 될 수 있 다 . 그리고 , 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 은 하부금 속 층 ( 324 a ) 은 몰리브덴 ( Mo ) 또는 알루미늄 ( Al ) 으로 구성 되 고 , 상부 금속 층 ( 324 b ) 은 티타늄 ( Ti ) 또는 티타늄 질화물 ( TiNx ) 로 구성 된 2 중층 으로 형성 될 수 있 다 .