도 5 a 에 도시 된 바 와 같이 , 나노 다공성 LKD 재료 ( 110 ) 를 갖 는 반도체 기판 ( 100 ) 은 에칭 및 / 또는 포토레지스트 애 싱 으로부터 초래 된 손실 의 처리 를 위해 프로세스 챔버 ( 200 ) 내 에 위치 된다 . 프로세스 챔버 ( 200 ) 는 약 1 mTorr 내지 약 3750 Torr ( 즉 , 약 5 bars ) 의 압력 및 약 300 ℃ 까지 의 온도 에서 동작 가능 할 수 있 다 .