기존 의 그래핀 표면 상 의 원자 흡착 을 통한 밴드 갭 형성 은 0 . 5 eV 이상 의 크기 를 지닐 수 있 지만 그래핀 고유 특성 이 상당히 저하 되 는 데 반해 본 발명 의 기술 에서 는 , 그래핀 에 대한 영향 을 최소 화 하 도록 기술 적 으로 최저 에너지 의 리튬 이온 흡착 을 통해 최소 0 . 30 eV , 최대 약 0 . 85 eV 정도 의 밴드 갭 을 형성 시킴 과 동시 에 그래핀 의 고유 특성 은 거의 잃 지 않 고 유지 된다 . 또한 해당 기판 을 추가 적 으로 열처리 를 함 으로써 그래핀 의 밴드 갭 크기 를 인위 적 으로 최대 0 . 85 eV 까지 조절 할 수 있 기 때문 에 , 이 방법 을 통해서 그래핀 을 반도체 소자 에 응용 하 는 데 필수 요소 인 on / off 스위칭 기술 을 제공 할 수 있 음 으로써 다양 한 전자 소자 들 에 적용 될 수 있 을 것 으로 기대 된다 .