그리고 , 상기 스테이지 에 고주파 에너지 를 인가 시키 고 , 상기 제 1 전극 을 접지 시킨다 . 아울러 , 상기 하부 - 제 2 전극 과 상부 - 제 2 전극 을 동시 에 전기 적 으로 단락 시킨다 . 그러면 , 상기 반도체 기판 의 이면 에 플 라즈 마가 생성 되 고 , 그 결과 상기 반도체 기판 의 이면 에 흡착 또는 증착 된 이 물질 의 식각 이 이루어진다 .