다음 , 도 4 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 평탄 화 공정 이 끝난 기판 에 제 2 도 전체 ( 110 ) 및 제 2 포토레지스트 를 순차 적 으로 형성 하 고 상기 제 2 포토레지스트 를 사진 식각 공정 으로 패 터닝 하 여 제 2 포토레지스트 패턴 ( 200 ) 을 형성 한다 . 상기 제 2 도 전체 는 폴리 실리콘 을 이용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 여기 서 제 2 도 전체 의 두께 는 100 내지 1000 Å 의 두께 로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 제 2 도 전체 의 두께 는 후속 공정 인 LDD 영역 과 소오 스 / 드레 인 영역 형성 을 위한 이온 주입 을 고려 하 여 결정 된다 .