예 를 들 어 , 갈륨 을 함유 하 는 산화물 반도체 층 ( 644 ) 에 접하 여 절연 층 을 형성 하 는 경우 에 , 당해 절연 층 에 산화 갈륨 을 포함 하 는 재료 를 사용 함 으로써 산화물 반도체 층 ( 644 ) 과 절연 층 의 계면 특성 을 양호 하 게 유지 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 과 산화 갈륨 을 포함 하 는 절연 층 을 접하 여 형성 함 으로써 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 과 절연 층 의 계면 에 있 어서 의 수소 의 파일 업 을 저감 시킬 수 있 다 . 또한 , 절연 층 에 산화물 반도체 의 성분 원소 와 동일 한 족 의 원소 를 사용 하 는 경우 에 는 , 마찬가지 의 효과 를 얻 는 것 이 가능 하 다 . 예 를 들 어 , 산화알루미늄 을 포함 하 는 재료 를 사용 하 여 절연 층 을 형성 하 는 것 도 유효 하 다 . 또한 , 산화알루미늄 은 , 물 을 투과 시키 기 어렵 다는 특성 을 갖 고 있 기 때문 에 , 당해 재료 를 사용 하 는 것 은 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 에 대한 물 의 침입 방지 라는 점 에 있 어서 도 바람직 하 다 .