다시 말 하 면 , 마스크 패턴 이 형성 된 전이 금속 디 칼 코 게나 이드 박막 의 원자 층 식각 을 통해 상기 전이 금속 디 칼 코 게나 이드 박막 이 목적 하 는 패턴 및 분자 층수 를 갖 도록 선택 적 으로 제어 함 으로써 , 국부 적 으로 서로 다른 분자 층수 를 갖 는 영역 들 을 구비 하 고 상기 영역 들 사이 에 헤테로 접합 이 형성 된 본 발명 의 전이 금속 디 칼 코 게나 이드 박막 을 제조 할 수 있 다 .