메모리 스트링 을 기판 에 수직 으로 형성 하 기 위하 여 워드 라인 용 도전 층 이나 셀렉 트 라인 ( 드레 인 셀렉 트 라인 또는 소스 셀렉 트 라인 ) 용 도전 막 이 기판 상 에서 일정 한 높이 마다 형성 되 며 , 도전 층 들 들 의 사이 에 는 절연 층 이 형성 된다 . 메모리 스트링 의 채널 을 형성 하 기 위한 층 ( 이하 , 수직 채널 층 ) 은 도전 층 들 과 절연 층 들 을 관통 하 여 기판 에 수직 방향 으로 형성 된다 . 수직 채널 층 의 표면 에 는 전하 저 장막 과 절 연막 을 포함 하 는 다층막 이 형성 된다 . 이 로 인해 수직 채널 층 과 도전 층 사이 에 다층막 이 형성 된다 .