따라서 , 현재 채널 의 누설 전류 를 줄이 고 이동도 를 향상 시키 는 방법 으로 는 스트레인 드 실리콘 혹은 실리콘 게르마늄 과 같 은 이동도 가 높 은 반도체 물질 을 사용 하 는 방법 과 , 채널 영역 을 확장 시킬 수 있 는 3 차원 구조 의 채널 을 갖 는 리 세스 게이트 ( Recess gate ) 구조 의 트랜지스터 또는 새 들 돌기 형 구조 의 트랜지스터 ( Saddle Fin Transistor ) 를 만들 어 채널 에서 의 캐리어 의 이 동량 을 증가 시키 는 방법 이 사용 되 고 있 다 .