또 다른 실시 예 에서 , 상기 금속 실리사이드 패턴 을 형성 하 는 것 은 상기 층간 절 연막 및 상기 도전 패턴 상 에 금속 도전 층 을 형성 하 고 , 상기 금속 도전 층 을 갖 는 반도체 기판 에 열처리 공정 을 적용 하 여 상기 금속 도전 층 을 상기 도전 패턴 과 반응 시켜 금속 실리사이드 층 을 형성 하 고 , 미반 응한 상기 금속 도전 층 을 제거 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 .