본 발명자 들 은 전술 한 문제점 들 을 해결 할 수 있 는 후면 접합 태양 전지 를 제조 하 는 방법 에 대한 새로운 접근 법 을 개발 하 게 되 었 다 . 특히 , 본 발명 에서 는 선택 적 전면 필드 를 갖 는 후면 접합 태양 전지 가 개시 되 어 있 다 . 본 발명 에 따른 방법 은 선택 적 전면 필드 의 하나 이상 의 필드 및 선택 적 영역 들 을 도핑 하 기 위해서 이온 주입 법 을 사용 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 특히 , 필드 영역 들 은 선택 적 영역 들 보다 더욱 경도 핑 ( lightly doped ) 된다 . 그러므로 , 필드 영역 들 은 더 얕 은 접합 깊이 및 더 낮 은 전하 캐리어 재결합 속도 를 갖 는 반면 에 , 선택 적 영역 들 은 더 깊 은 접합 깊이 및 접촉 을 향상 시키 기 위해서 더 낮 은 시트 저항 을 갖 는 바람직 한 특성 을 갖 는다 . 필드 및 선택 적 영역 들 의 n + 층 의 시트 저항 은 더욱 정교 하 게 조절 될 수 도 있 다 . 선택 적 전면 필드 는 장파장 에서 전지 의 스펙트럼 반응 을 향상 시키 고 , 더 높 은 전류 발생 을 가능 하 게 한다 . 선택 적 전면 필드 를 형성 하 는 것 은 단일 고온 어닐링 사이클 중 에 발생 되 며 , 이러 한 과정 도중 에 상기 선택 적 전면 필드 상 에 패 시베이 션 산화물 층 을 동시 에 형성 하 기 위해서 산소 가 도입 될 수 도 있 다 . 선택 적 전면 필드 의 더욱 경도 핑 된 필드 영역 들 은 또한 더욱 우수 한 표면 패 시베이 션 을 가능 하 게 하 고 , 이 는 전지 의 전압 출력 을 증가 시키 는 데 도움 이 된다 . 결과물 인 태양 전지 는 대면 적 기판 상 에서 18 % 를 능가 하 는 효율 을 발휘 할 수 있 다 .