채널 길이 를 줄인 고 전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조 방법 에 관해 개시 되 어 있 다 . 일 실시 예 에 의한 HEMT 에서 상기 게이트 전극 의 일부 는 상기 소스 전극 과 겹치 고 , 상기 소스 전극 과 상기 게이트 전극 사이 에 절연 층 이 존재 하 고 , 상기 게이트 전극 은 상기 절연 층 상 에 형성 되 어 있 다 . 상기 게이트 전극 의 유효 게이트 길이 는 상기 게이트 전극 의 형성 에 적용 될 수 있 는 최소 선폭 보다 작 다 .