또한 , 반도체 장치 의 제조 공정 에서 , 보호막 용도 의 감광성 조성물 을 도포 하 는 실리콘 웨이퍼 는 이미 배선 회로 나 외부 접속 용 단자 가 형성 되 어 있 기 때문 에 표면 이 균일 하 지 않 다 . 그 영향 으로 , 감광성 수지 조성물 을 배선 회로 나 외부 접속 용 단자 가 형성 된 실리콘 웨이퍼 에 도포 한 경우 , 감광성 수지 조성물 층 의 막 두께 가 , 웨이퍼 면내 에서 균일 하 지 않 게 된다 . 통상 적 인 보호막 용도 의 감광성 수지 조성물 에서 는 , 도포 된 막 두께 가 변화 된 경우 , 패턴 형성 에 필요 로 하 는 노광량 과 현상 시간 을 변화 시킬 필요 가 있 고 , 막 두께 가 변화 된 경우 의 패턴 형성 프로세스 의 여유도 ( 마진 ) 가 좁 다는 문제 가 있 다 . 그래서 , 동일 노광량 , 동일 현상 시간 에서 패턴 을 형성 하 는 경우 의 막 두께 마진 이 넓 은 감광성 수지 조성물 이 강하 게 요구 되 고 있 다 .