스위칭 구성 요소 ( 510 - a 및 510 - b ) 중 하나 이상 은 또한 감지 구성 요소 ( 515 ) 를 I / O 버스 ( 예 를 들 어 , 메모리 컨트롤러 와 결합 됨 ) 에 결합 하 여 메모리 셀 ( 505 ) 의 판독 동작 으로부터 기인 한 데이터 의 논리 상태 ( 예 를 들 어 , 반전 또는 비반전 ) 를 출력 하 도록 활성 화 될 수 있 다 . 스위칭 구성 요소 ( 510 - c 또는 510 - d ) 중 하나 는 메모리 셀 ( 505 ) 에 기록 될 결정 된 논리 상태 에 기초 하 여 감지 구성 요소 ( 515 ) 를 기록 회로 와 결합 하 도록 활성 화 될 수 있 다 . 일례 에서 , 스위칭 구성 요소 ( 510 - c ) 는 메모리 셀 ( 505 ) 상 에 미리 저장 된 논리 상태 에 대응 하 는 논리 상태 를 메모리 셀 ( 505 ) 에 기록 하 기 위해 활성 화 될 수 있 는 ( 예 를 들 어 , 비반전 논리 상태 를 다시 기록 함 ) 반면 , 스위칭 구성 요소 ( 510 - d ) 는 상이 한 논리 상태 ( 예 를 들 어 , 플립 된 또는 반대 의 논리 상태 ) 를 메모리 셀 ( 505 ) 에 기록 하 기 위해 활성 화 될 수 있 다 . 스위칭 구성 요소 ( 510 ) 중 일부 는 얇 은 게이트 트랜지스터 에 대한 동작 범위 를 초과 하 는 전압 에 영향 을 받 을 수 있 으므로 , 두꺼운 게이트 디바이스 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 스위칭 구성 요소 ( 510 - c , 510 - d , 510 - e , 및 510 - g ) 는 하나 이상 의 노드 ( 예 를 들 어 , 소스 , 게이트 , 드레 인 ) 상의 VPERI 보다 더 높 은 전압 을 경험 할 수 있 으므로 , 두꺼운 게이트 디바이스 일 수 있 다 . 한편 , 스위칭 구성 요소 ( 510 - a , 510 - b , 및 510 - f ) 는 VPERI 를 초과 하 는 전압 을 경험 하 지 않 을 수 있 으므로 , 얇 은 게이트 디바이스 일 수 있 다 . 디 지트 라인 ( 215 - d ) 또는 로컬 디 지트 라인 ( 512 ) 에 직접 결합 된 하나 이상 의 노드 를 갖 는 다른 스위칭 구성 요소 ( 예 를 들 어 , 션트 트랜지스터 ( 425 - d 또는 425 - e ) , 스위칭 구성 요소 ( 420 - d ) ) 도 두꺼운 게이트 디바이스 일 수 있 다 .