일부 실시 예 에서 , 교번 유전체 스택 ( 560 ) 은 베이스 기판 ( 540 ) 상 에서 장벽 구조 ( 516 ) 에 의해 측 방향 으로 둘러싸인 영역 에 위치 할 수 있 다 . 교번 유전체 스택 ( 560 ) 은 복수 의 유전체 층 쌍 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 교번 유전체 스택 ( 560 ) 은 제 1 유전체 층 ( 560 A ) 및 제 1 유전체 층 ( 560 A ) 과 상이 한 제 2 유전체 층 ( 560 B ) 의 교번 스택 에 의해 형성 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 유전체 층 ( 560 A ) 은 실리콘 질화물 을 포함 하 고 제 2 유전체 층 ( 560 B ) 은 실리콘 산화물 을 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 교번 유전체 스택 ( 560 ) 의 제 2 유전체 층 ( 560 B ) 은 교번 전도체 / 유전체 스택 ( 580 ) 의 유전체 층 ( 580 B ) 과 동일 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 교번 유전체 스택 ( 560 ) 의 유전체 층 쌍 의 수 는 교번 전도체 / 유전체 스택 ( 580 ) 의 전도체 / 유전체 층 쌍 의 수 와 동일 할 수 있 다 .