상기 입자 의 정렬 층 에 코팅 된 제 1 박막 의 일부 를 제거 하 여 복수 의 홀 ( hole ) 을 형성 한 후 상기 홀 을 통하 여 상기 입자 를 제거 하 는 단계 ( S 4 ) 는 , 상기 입자 - 제 1 박막 복합체 에서 상기 제 1 박막 의 일부 를 에칭 ( etching ) 하 여 제거 하 여 복수 의 홀 ( hole ) 을 형성 ( 도 7 의 d ) ) 함 으로써 상기 입자 각각 의 일부 를 노출 시키 고 , 상기 홀 을 통하 여 상기 노출 된 입자 를 제거 하 는 입자 를 제거 ( 도 7 의 e ) ) 하 는 것 을 포함 할 수 있 으나 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 . 상기 박막 의 에칭 방법 은 당업 계 에서 통상 적 으로 사용 하 는 방법 으로서 , 건식 에칭 또는 습식 에칭 을 모두 포함 할 수 있 으다 . 예 를 들 어 , 상기 제 1 박막 을 선택 적 으로 제거 할 수 있 는 에칭 용액 을 사용 하 거나 플 라즈 마 에칭 ( 예 : O 2 플 라즈 마 에칭 ) 에 의하 여 상기 박막 을 에칭 할 수 있 으나 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 . 상기 에칭 에 의하 여 상기 입자 의 정렬 층 을 덮 고 있 는 상기 박막 의 일부 를 에칭 하 여 입자 를 노출 시킴 으로써 , 이후 상기 입자 를 하 기 공정 에 의하 여 제거 할 수 있 다 . 상기 입자 의 제거 방법 은 상기 입자 만 을 선택 적 으로 제거 할 수 있 는 방법 이 면 특별히 제한 없이 사용 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 산 성 용액 을 사용 하 여 습식 에칭 에 의해 상기 입자 를 제거 할 수 있 으나 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 . 상기 입자 - 박막 복합체 ( 170 ) 에서 상기 입자 를 제거 하 는 단계 ( S 4 ) 에 의해 홀 을 가지 는 다공성 박막 ( 180 ) 을 제조 할 수 있 다 ( S 4 , 도 7 의 d ) ) 및 e ) 참조 ) .