전술 한 바 와 같이 , 종래 의 저항성 팁 을 구비 한 반도체 탐침 의 제조 방법 에서 는 수 ㎛ 가 되 는 마스크 와 등 방향 성 습식 식각 을 이용 하 여 피라미드 모양 의 탐침 을 형성 한다 . 이러 한 방법 의 경우 , 마스크 의 위치 와 크기 변화 에 따라 소자 의 성능 이 매우 크 게 변하 게 된다 . 즉 , 거대 한 마스크 를 이용 하 여 정확 한 위치 에 탐침 의 꼭지점 을 만들 기 위한 시도 에서 커다란 공정 변수 를 두 고 있 다 . 이렇 듯 공정 변수 에 크 게 의존 하 는 기존 의 방법 은 상업 적 인 면 에서 탐침 을 제작 및 이용 하 는 데 있 어 커다란 걸림돌 로 작용 한다 . 따라서 공정 변수 로부터 비교 적 자유 로운 마스크 제작 과 식각 방법 은 신뢰 할 수 있 는 소자 생산 에 있 어 필수 불가결 한 조건 이 라 할 수 있 다 . 또한 , 이 를 위하 여 소자 를 제작 함 에 있 어 처음 부터 작 은 마스크 를 이용 하 여 오 차 요소 를 줄여야 할 것 이 다 .