각각 의 부유 게이트 ( 22 ) 는 서로 전기 적 , 공간 적 으로 격리 되 지만 , 제 어 게이트 ( 24 ) 는 서로 연결 되 어 워드 라인 ( 30 ) 을 구성 한다 . 부유 게이트 ( 22 ) 는 전하 저장 요소 로서 기능 을 수행 한다 . 예컨대 , 기입 ( program ) 동작 시 에 는 열전자 주입 ( hot electron injection ) 에 의해 부유 게이트 ( 22 ) 에 전자 가 축적 되 고 , 소거 ( erase ) 동작 시 에 는 파울러 노드 하임 ( Fowler - Nordheim ) 터널 링 현상 에 의해 부유 게이트 ( 22 ) 에 축적 된 전자 가 방출 될 수 있 다 . 독 출 ( read ) 동작 시 에 는 드레 인 영역 ( 19 ) 으로부터 소오 스 영역 ( 16 ) 으로 전류 ( 셀 전류 ) 가 흐르 는가 를 판별 하 여 부유 게이트 ( 22 ) 에 전자 가 축적 되 었 는지 여부 , 즉 데이터 의 저장 여부 를 알 수 있 게 된다 . 이렇게 셀 전류 가 흐를 때 , 소오 스 라인 ( 18 ) 을 통해 전하 ( charge , 전자 또는 정공 ) 가 이동 한다 .