메모리 장치 ( 200 ) 는 메모리 셀 어레이 ( 210 ) 및 전압 발생 부 ( 220 ) 를 포함 할 수 있 다 . 메모리 셀 어레이 ( 210 ) 는 복수 개 의 워드 라인 들 과 복수 개 의 비트 라인 들 이 교차 하 는 영역 들 에 배치 되 는 복수 개 의 메모리 셀 들 을 포함 할 수 있 다 . 메모리 셀 어레이 ( 210 ) 는 데이터 를 비 휘발성 하 게 저장 하 는 비휘발성 메모리 셀 들 을 포함 할 수 있 으며 , 비휘발성 메모리 셀 들 로서 , 메모리 셀 어레이 ( 210 ) 는 낸드 ( NAND ) 플래시 메모리 셀 어레이 ( 210 ) 또는 노어 ( NOR ) 플래시 메모리 셀 어레이 ( 210 ) 등 의 플래시 메모리 셀 들 을 포함 할 수 있 다 . 이하 에서 는 , 메모리 셀 어레이 ( 210 ) 가 플래시 메모리 셀 어레이 ( 210 ) 를 포함 하 고 , 이 에 따라 메모리 장치 ( 200 ) 가 비휘발성 메모리 장치 임 을 가정 하 여 본 개시 의 실시 예 들 을 상술 하 기 로 한다 .