질화 갈륨 ( GaN ) 계 반도체 에피 택 셜 을 이용 한 고주파 및 대용량 전자 소자 인 각종 트랜지스터 ( transistor ) 들 과 청 녹색 , 자외선 , 또는 백색광 을 내 는 단파장 발광 다이오드 ( light emitting diode : LED ) 및 레이저 다이오드 ( laser diode : LD ) 제조 의 핵심 기술 이 면서 원천 기술 인 고품위 질화 갈륨 계 반도체 에피 텍 셜 적층 구조 ( high - quality GaN - based semiconductor epitaxial stacking structure ) 를 성장 하 기 위한 그룹 3 족 질화물 계 로 형성 된 에피 택 셜 기판 제조 ( fabrication of GaN - based substrate ) 와 이 를 이용 한 질화 갈륨 계 반도체 를 이용 한 전자 및 광전자 소자 용 에피 텍 셜 적층 구조 성장 ( growth of GaN - based epitaxial layer ) 에 관한 것 이 다 .