이 열처리 후 의 SOI 웨이퍼 의 절연 산화 막 층 과 지지층 과 의 계면 부근 의 열처리 유기 ( 誘 起 ; induced ) 결함 밀도 를 , 미츠이 킨조 쿠사 제조 의 MO - 441 을 이용 한 90 ° 광산 란 법 으로 평가 했 다 . 이 90 ° 광산 란 법 에 의한 광 산란 결함 ( 광산 란 체 ) 의 측정 은 , 출력 100 ㎽ 의 파장 1 . 06 ㎛( 근 적 외 ) 의 빛 을 실리콘 웨이퍼 의 표면 측 으로부터 입사 ( 入射 ) 하 여 , 웨이퍼 의 벽개 ( 劈開 ) 면 으로부터 검출 되 는 90 ° 산란광 을 검출 함 으로써 행했 다 . 90 ° 산란광 은 , 필터 를 넣 어서 감쇠 시켰 다 .