예 를 들 어 , 도 2 c 의 구성 으로 , 불순물 로 도핑 되 어 있 는 폴리 실리콘 박막 은 데이터 라인 ( 8 ) 에 연결 된다 . 불순물 로 도핑 되 어 있 는 이 폴리 실리콘 박막 은 스위칭 트랜지스터 ( 3 ) 및 리셋 트랜지스터 ( 4 ) 의 드레 인 단자 로부터 절연 되 어 있 다 . 반면 에 , 게이트 금속 은 콘 택 에 의해 스위칭 트랜지스터 ( 3 ) 및 리셋 트랜지스터 ( 4 ) 의 드레 인 단자 에 연결 되 어 있 다 . 이 방식 에서 , 게이트 금속 과 데이터 라인 사이 , 그리고 게이트 금속 과 불순물 로 도핑 된 폴리 실리콘 박막 사이 모두 는 , 제 1 저장 커패시터 ( 6 ) 로 기능 한다 .