본 개시 의 실시 예 들 에 따른 반도체 패키지 제조 방법 은 제 1 캐리어 상 에 제 1 재배 선 구 조체 를 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 재배 선 구조 체 상 에 복수 의 전도성 필라 를 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 재배 선 구조 체 상 에 상기 복수 의 전도성 필라 와 인접 하 게 제 1 반도체 칩 을 실장 하 는 단계 ; 상기 제 1 재배 선 구조 체의 상면 , 상기 복수 의 전도성 필라 및 상기 제 1 반도체 칩 을 덮 는 봉 지재 를 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 반도체 칩 의 상면 이 노출 되 도록 상기 복수 의 전도성 필라 및 상기 봉 지재 를 그라인딩 하 는 단계 ; 상기 그라인딩 공정 에서 발생 하 는 잔류물 을 제거 하 는 단계 ; 및 상기 제 1 반도체 칩 및 상기 봉 지재 의 상부 에 상기 복수 의 전도성 필라 와 연결 되 는 제 2 재배 선 구 조체 를 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .