본 발명 은 레티 클 검사 방법 및 그 를 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 개시 한다 . 그 의 검사 방법 은 , 스테이지 상 에 레티 클 의 레티 클 기판 을 수납 하 는 단계 와 , 상기 레티 클 기판 을 상온 보다 낮 은 온도 로 냉각 하 는 단계 와 , 상기 레티 클 기판 상 의 반사 층 에 레이저 빔 을 조사 하 는 단계 와 , 상기 레이저 빔 을 수신 하 여 상기 반사 층 의 이미지 를 획득 하 고 상기 반사 층 상 의 파티클 또는 상기 반사 층 내 의 보이드 의 결함 을 검출 하 는 단계 를 포함 한다 .