우선 , 도 5 a 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 기판 ( 2 ) 상 에 적층 체 ( 5 ) 및 상층 유전체 막 ( 6 ) 을 형성 한다 . 다음 으로 , 도 5 b 에 도시 된 바 와 같이 , 적층 체 ( 5 ) 및 상층 유전체 막 ( 6 ) 에 관통 홀 ( 7 ) 을 형성 한다 . 여기 까지 의 공정 은 상기 제 2 실시 예 와 마찬가지 이 다 .