한편 Ni - rich 양극 재료 제조 단계 ( S 30 ) 이후 에 양극 극판 을 제조 하 기 위해서 , 열처리 된 Ni - rich 양극 재료 를 분쇄 하 여 분말 화 할 수 있 다 . 이때 분쇄 는 통상 적 인 방법 으로 실시 한다 . 분쇄 수단 으로서 는 , 예 를 들 면 , 유발 , 볼 밀 , 진동 밀 , 위성 볼 밀 , 튜브 밀 , 라드 밀 , 제트 밀 , 해머 밀 등 이 있 으며 필요 에 따라서 는 분급 을 통해 원 하 는 입 도 분포 를 얻 는다 . 본 발명 의 Ni - rich 양극 재료 의 분말 의 평균 입도 는 5 ~ 25 ㎛ 의 범위 이내 가 바람직 하 다 .