또한 , 본 실시 형태 에서 는 미결정 반도체 막 위 에 버퍼 층 을 형성 한 박막 트랜지스터 를 사용 하 여 제시 하 지만 , 도 18 에 도시 하 는 바 와 같이 , 미결정 반도체 막 ( 53 ) 에 접하 는 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 72 ) 을 갖 는 박막 트랜지스터 를 사용 할 수 있 다 . 상기 박막 트랜지스터 의 경우 , 분리 된 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 72 ) 을 형성 할 때 , 미결정 반도체 막 이 부분 적 으로 에칭 되 기 때문 에 미결정 반도체 막 ( 53 ) 은 오목 부 를 가진다 .