도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 층간 절 연막 ( 27 ) 을 SAC 식각 하 여 초기 게이트 패턴 ( 200 ) 사이 의 반도체 기판 ( 20 ) , 즉 , 불순물 영역 을 노출 시키 는 콘 택 홀 ( A ) 을 형성 한다 . 이때 , 전술 한 바 와 같이 제 1 텅스텐 막 ( 24 ) 의 두께 를 상대 적 으로 낮 게 형성 하 여 초기 게이트 패턴 ( 200 ) 의 종횡비 가 감소 하 기 때문 에 콘 택 홀 ( A ) 형성 을 위한 SAC 식각 이 용이 하 고 SAC 불량 을 방지 할 수 있 다 .