도 3 을 참조 하 면 , 제 2 도전 형 반도체 층 ( 37 ) 및 활성 층 ( 35 ) 을 패 터닝 하 여 제 1 도전 형 반도체 층 ( 31 ) 의 일 영역 을 노출 시킨다 . 또한 , 노출 된 제 1 도전 형 반도체 층 ( 31 ) 상 에 제 1 형 전극 패드 ( 41 ) 를 형성 하 고 , 제 2 도전 형 반도체 층 ( 37 ) 상 에 투명 전극 층 ( 43 ) 및 제 2 형 전극 패드 ( 45 ) 를 형성 함 으로써 발광 다이오드 가 완성 된다 .