이렇게 하 여 얻 어 진 SOI 구조 의 웨이퍼 에 , 도 3 에 나타내 는 수준 3 의 열처리 를 행했 다 . 이 수준 3 의 열처리 는 , 600 ℃ × 1 시간 → 승 온 속도 1 ℃/ 분 으로 650 ℃ 까지 승 온 ( 50 분 ) → 650 ℃ × 2 시간 → 승 온 속도 5 ℃/ 분 으로 950 ℃ 까지 승 온 ( 60 분 ) → 950 ℃ × 12 시간 이 라는 프로 파일 을 거치 는 처리 이 다 .