예 를 들 어 , 갈륨 을 함유 한 산화물 반도체 막 에 접하 여 절 연막 을 형성 한 경우 에 , 절 연막 에 산화 갈륨 을 함유 한 재료 를 이용 함 으로써 산화물 반도체 막 과 절 연막 의 계면 특성 을 양호 하 게 유지 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 산화물 반도체 막 과 산화 갈륨 을 포함 한 절 연막 을 접하 고 형성 함 으로써 , 산화물 반도체 막 과 절 연막 의 계면 에서 수소 의 파 일업 ( pile - up ) 을 저감 할 수 있 다 . 또한 절 연막 에 산화물 반도체 의 성분 원소 와 같 은 족 의 원소 를 이용 하 는 경우 에 는 , 마찬가지 의 효과 를 얻 을 수 있 음 을 주목 하 라 . 예 를 들 어 , 산화 알루미늄 을 포함 한 재료 를 이용 해서 절 연막 을 형성 하 는 것 도 유효 하 다 . 또한 산화 알루미늄 은 , 물 을 투과 시키 기 어렵 다는 특성 을 가지 고 있 다 . 따라서 이 재료 를 이용 하 는 것 은 , 산화물 반도체 막 으로 의 물 의 침입 방지 라는 점 에서 도 바람직 하 다 .