일실 시예 에서 , 전술 한 방법 의 제 1 단계 는 단결정 실리콘 기판 상 에 산화물 층 을 증착 하 는 단계 로 이루어진다 . 일반 적 으로 , 사용 되 는 기판 은 시장 에서 입수 가능 하 며 , 따라서 산화물 에 의해 보호 되 는 실리콘 플레이트 로 이루어진다 . 이 경우 뿐 만 아니 라 , 다른 실시 예 에서 도 , 기판 상 에 , 특히 단결정 실리콘 플레이트 상 에 존재 하 는 산화물 을 제거 하 는 예비 단계 를 방법 에 추가 하 는 것 이 유용 하 다 . 이렇게 하 기 위해 , 예 를 들 어 , " "" Radio Corporation of America "" 에 의해 개발 된 RCA 클리닝 과 같 은 화학 적 클리닝 의 공지 된 방법 이 이용 될 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 ", 클리닝 은 30 초 내지 5 분 까지 변화 되 는 시간 에 걸쳐 RTP ( rapid annealing process ) 에 의해 수행 된다 .