전술 한 바 와 같이 , 일부 구 현예 에서 , O 3 ( 예 : O 3 / N 2 ) 이 유기 패 시베이 션 층 의 제거 를 위한 식각 단계 에 사용 될 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 식각 단계 는 약 20 ℃ 내지 약 500 ℃ 의 기판 온도 에서 수행 될 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 식각 단계 는 약 50 ℃ 내지 약 300 ℃ 의 기판 온도 에서 수행 될 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 식각 단계 는 약 100 ℃ 내지 약 250 ℃ 의 기판 온도 에서 수행 될 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 식각 단계 는 약 125 ℃ 내지 약 200 ℃ 의 기판 온도 에서 수행 될 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 식각 단계 는 약 0 . 05 nm / min 내지 약 50 . 0 nm / min 의 속도 로 수행 될 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 식각 단계 는 약 0 . 1 nm / min 내지 약 5 . 0 nm / min 의 속도 로 수행 될 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 식각 단계 는 약 0 . 2 nm / min 내지 약 2 . 5 nm / min 의 속도 로 수행 될 수 있 다 . 단일 웨이퍼 처리 또는 소 배치 ( 예 : 웨이퍼 5 개 미만 ) 처리 를 위한 일부 구 현예 에서 , 저 농도 O 3 식각 단계 가 사용 될 수 있 으며 , 여기 서 저 농도 O 3 식각 단계 는 0 . 01 토르 ( Torr ) 내지 200 토르 , 더 바람직 하 게 는 약 0 . 1 토르 내지 100 토르 ( 예 : 2 토르 ) 에서 수행 된다 . 에 천트 펄 싱 은 0 . 01 초 와 20 초 사이 , 구체 적 으로 는 0 . 05 초 와 10 초 사이 , 더욱 더 구체 적 으로 는 0 . 1 초 와 2 초 사이 ( 예 : 0 . 5 초 펄스 / 0 . 5 초 O 3 퍼징 ) 일 수 있 다 . O 3 유량 은 0 . 01 slm 내지 1 slm , 더 구체 적 으로 는 0 . 01 slm 내지 0 . 250 slm 범위 일 수 있 다 . 불활성 캐리어 가스 ( 예 : N 2 ) 유량 은 0 . 1 slm 내지 20 slm , 더 구체 적 으로 는 0 . 5 slm 내지 5 slm ( 예 : 1 . 2 slm ) 범위 일 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 고농도 O 3 식각 단계 가 사용 될 수 있 으며 , 여기 서 고농도 O 3 식각 단계 는 1 ~ 100 토르 , 더 구체 적 으로 는 5 ~ 20 토르 ( 예 : 9 토르 ) 에서 수행 되 며 , 사이클 당 노출 시간 은 더 길 다 . 예 를 들 어 , O 3 노출 시간 은 0 . 1 초 내지 20 초 , 더 구체 적 으로 는 0 . 5 초 내지 5 초 ( 예 : 1 초 펄스 / 1 초 O 3 퍼징 ) 일 수 있 다 . 이러 한 고농도 O 3 단계 를 위한 O 3 유량 은 불활성 기체 ( 예 : N 2 ) 의 희석 유량 이 0 . 1 slm 내지 20 slm , 더 구체 적 으로 는 0 . 5 slm 내지 5 slm ( 예 : 1 . 2 slm ) 일 때 , 0 . 1 slm 내지 2 . 0 slm , 더 구체 적 으로 는 0 . 5 slm 내지 1 . 5 slm ( 예 : 750 sccm ) 일 수 있 다 . O 3 식각 단계 에 대한 추가 적 인 기술 은 도 24 및 25 를 참조 하 여 아래 에 제공 된다 .