이어서 , 이 200 nm 의 실리콘 산화 막 에 의해 덮인 활성 층 용 웨이퍼 와 , 산화 처리 되 어 있 지 않 은 , 실시 예 1 과 동일 한 직경 200 ㎜ 의 실리콘 단결정 잉곳 으로부터 슬라이스 한 실리콘 웨이퍼 ( 산소 농도 가 11 . 5 ∼ 13 . 6 × 1017 atoms / cc ( Old - ASTM ) , 지지 웨이퍼 ) 를 상온 에서 접합 하 여 , 접합 기판 을 제작 했 다 . 추가 로 , 이 접합 기판 에 1100 ℃ 의 접합 열처리 를 행하 여 , 그 접합 강도 를 증강 했 다 .