도 16 ( a ) 및 도 21 ( b ) 에 나타내 는 매립 절 연막 ( 115 , 208 ) 을 CMP 에 의해 연마 하 여 평탄 화 및 박막 화 한다 . 이 CMP 에서 는 메모리 셀 영역 ( 1001 ) 및 주변 회로 영역 ( 1002 ) 의 실리콘 질화 막 ( 204 ) 을 스토퍼 로 하 여 연마 한다 . 이 때문 에 , 메모리 셀 영역 ( 1001 ) 및 주변 회로 영역 ( 1002 ) 의 실리콘 질화 막 ( 204 ) 은 대략 동일 한 높이 로 형성 되 어 있 는 것 이 바람직 하 다 . 메모리 셀 영역 ( 1001 ) 에서 는 실리콘 질화 막 ( 204 ) 이 노출 될 때 까지 매립 절 연막 ( 115 ) 이 연마 되 고 , 도 16 ( b ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 실리콘 질화 막 ( 204 ) 과 대략 동일 한 높이 의 매립 절 연막 ( 115 ) 이 형성 된다 . 주변 회로 영역 ( 1002 ) 에서 는 실리콘 질화 막 ( 204 ) 이 노출 될 때 까지 매립 절 연막 ( 208 ) 이 연마 되 고 , 도 21 ( c ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 실리콘 질화 막 ( 204 ) 과 대략 동일 한 높이 의 매립 절 연막 ( 208 ) 이 형성 된다 .