계속 해서 , 도 6 g 에서 제 2 질화물 층 ( 25 ) 및 제 3 산화물 층 ( 31 ) 을 제거 한 후 , 도 6 h 에 도시 한 바 와 같이 , 기판 ( 200 ) 과 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 상 에 컨 포 멀 하 게 ( conformally ) 제 4 산화물 층 ( 41 ) 을 형성 한다 . 그 다음 , 기판 ( 200 ) 의 상부 및 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 의 상부 에 제 1 도전 형 불순물 을 도핑 한다 . 그 결과 , 기판 ( 200 ) 의 상부 에 제 1 도핑 영역 ( d 1 ) 이 형성 되 고 , 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 의 상부 에 제 2 도핑 영역 ( d 2 ) 이 형성 된다 . 이때 , 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 의 폭 이 좁 기 때문 에 , 제 2 도핑 영역 ( d 2 ) 의 도핑 농도 가 제 1 도핑 영역 ( d 1 ) 의 도핑 농도 보다 낮 을 수 있 다 . 이러 한 도핑 농도 차이 를 없애 기 위해 , 도 6 a 단계 에서 제 1 산화물 층 ( 11 ) 을 형성 하 기 전 에 , 기판 ( 200 ) 상부 에 제 1 도전 형 불순물 을 도핑 할 수 도 있 다 . 그렇게 하 면 , 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 상부 에 제 1 도전 형 불순물 이 2 회 에 걸쳐 도핑 되 므로 , 제 1 도핑 영역 ( d 1 ) 과 제 2 도핑 영역 ( d 2 ) 의 도핑 농도 를 같 게 만들 수 있 다 .