도 1 을 참조 하 여 , 본 발명 에 따른 반도체 장치 의 일 실시 예 가 설명 된다 . 상기 반도체 장치 는 기판 ( 10 ) 의 표면 에 형성 된 수소 주입 층 ( 25 ) 을 포함 한다 . 기판 ( 10 ) 은 예컨대 , 단결정 실리콘 기판 , 소이 ( SOI ) 기판 과 같 은 반도체 기판 일 수 있 다 . 수소 주입 층 ( 25 ) 은 수소 이온 이 1014 ~ 1017 개 / ㎠ 의 농도 로 주입 되 어 형성 된 것 일 수 있 다 . 수소 주입 층 ( 25 ) 은 하 기 화학식 1 에 나타난 바 와 같이 실리콘 - 수소 결합 을 포함 할 수 있 다 .