본 발명 의 또 다른 측면 에 의하 면 , a 평면 ( 11 - 20 ) 사파이어 기판 과 , 상기 a 평면 ( 11 - 20 ) 사파이어 기판 위 에 형성 된 버퍼 층 , 언 도프 트 층 중 적어도 하나 를 포함 하 는 중간층 과 , 상기 중간층 위 에 형성 된 절연 층 패턴 과 , 상기 절연 층 패턴 이 형성 된 중간층 위 에 형성 된 제 1 도전 형 반도체 층 , 활성 층 , 제 2 도전 형 반도체 층 을 포함 하 는 발광 다이오드 를 제공 한다 .