도 2 에 는 , 본 실시 형태 에서 레이저 가공 이 실시 되 는 웨이퍼 ( 10 ) 의 사시도 가 나타나 있 다 . 웨이퍼 ( 10 ) 는 , 예 를 들 어 , 복수 의 디바이스 ( 12 ) 가 격자 상 으로 형성 된 분할 예정 라인 ( 14 ) 에 의해 구획 되 고 표면 에 형성 된 실리콘 웨이퍼 이 다 . 웨이퍼 ( 10 ) 의 외주 의 소정 의 위치 에 는 , 웨이퍼 ( 10 ) 의 결정 방위 를 규정 하 기 위한 노치 ( 16 ) 가 형성 되 어 있 다 . 웨이퍼 ( 10 ) 의 표면 ( 10 a ) 에는 , 웨이퍼 ( 10 ) 와 동일 한 형상 으로 형성 된 보호 테이프 ( T ) 가 첩 착 ( 貼 着 ) 되 어 일체 화 된다 . 보호 테이프 ( T ) 가 표면 ( 10 a ) 에 첩 착 된 웨이퍼 ( 10 ) 는 , 도 2 의 최 하단 에 나타나 있 는 바 와 같이 반전 되 고 , 보호 테이프 ( T ) 를 하측 으로 향하 게 하 고 웨이퍼 ( 10 ) 의 이면 ( 10 b ) 을 상방 으로 향하 게 한 상태 로 되 어 , 제 1 카세트 ( 42 ) 또는 제 2 카세트 ( 43 ) 에 , 소정 의 간격 을 두 고 복수 장 수용 된다 .