상기 전하 저장 막 은 전하 트랩 막 또는 도전 성 나노 입자 를 포함 하 는 절 연막 일 수 있 다 . 상기 전하 트랩 막 은 , 예 를 들 면 실리콘 질화 막 을 포함 할 수 있 다 . 상기 터널 절연 막 은 실리콘 산화 막 및 / 또는 고유 전막 ( 예 를 들 어 , 하프늄 산화 막 또는 알루미늄 산화 막 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 전하 저 장막 및 상기 터널 절연 막 은 상기 채널 패턴 ( CP ) 을 따라 수직 으로 연장 될 수 있 다 . 상기 정보 저장 층 ( DS ) 은 하부 및 상부 가 오픈 된 파이프 형태 일 수 있 다 .