본 발명 을 통한 중요 한 해결 과제 는 도 1 에서 설명 하 고 있 는 Dry Etcher Plasma 장비 에서 사용 되 는 공정 Gas 을 균일 하 게 플 라즈 마 공간 으로 유도 하 는 역할 을 하 는 Shower head 의 수명 을 증가 시켜 주 는 것 이 가능 해 진다 . 공정 Gas 는 Shower Head 에 가공 되 어 진 홀 을 통과 해서 플 라즈 마가 발생 하 는 영역 으로 유입 된다 . RF - Power 로 유도 되 는 플라 즈 마는 그 특성 상 상하부 전극 에 쉬스 ( Plasma Sheath ) 가 형성 되 어 진다 . 이 쉬 스 영역 에 모여 있 는 음 의 전하 들 에 의하 여 양전하 입자 들 이 가속 되 어 지 는 영역 이 다 . Dry Etcher 장비 의 경우 에 공정 Gas 예 를 들 면 Cl 또는 SF 6 가 플라 즈 마 속 에서 Cl 1 가 양 이온 또는 2 가 양 이온 등 으로 활성 화 되 어서 반도체 소자 에서 부식 을 시키 고자 하 는 곳 을 부식 시킨다 . 공정 을 필요 로 하 는 모재 가 놓여진 하부 전극 위 에 형성 되 어 진 쉬스 는 활성 화 된 양이온 에 전기장 의 에너지 를 추가 하 여 모재 의 식각 률 을 증가 시키 준다 . 하 지만 Shower head 면 에 발생 된 쉬 스 에 의해서 Shower Head 로 유도 되 어 진 양이온 은 Shower head 의 표면 에 형성 시켜 준 Anodizing 면 의 식각 을 증가 시켜서 Shower Head 의 수명 을 단축 시킨다 . 도 2 는 전하 와 양전하 의 질량 차 에 의해서 발생 된 쉬 스 에 대해서 Shower head 에 DC 성분 의 양극 을 통해서 양 전하 를 공급 하 면 플 라즈 마 와 접촉 하 는 절연 물질 인 Anodizing 막 에 분극 형상 이 발생 하 여 Anodizing 의 표면 에 대해서 식각 을 유도 시키 는 활성 화 된 양전하 가 접근 하 지 못하 고 튕겨 나가 게 된다 . 이런 개념 으로 Shower head 의 수명 이 기존 대비 하 여 상당히 늘어날 것 으로 본 특허 를 통해서 기대 되 어 진다 .