한편 , 상기 장벽층 ( 59 b ) 은 웰 층 ( 59 a ) 에 비해 넓 은 밴드 갭 을 갖 는다 . 일반 적 으로 InGaN 층 에서 In 조성 비 가 작 을 수록 밴드 갭 이 커지 는 경향 을 나타내 며 , 따라 서 , InvGa 1 - vN 층 ( 73 b ) 의 In 조성 비 v 가 상기 InxGa 1 - xN 층 ( 도 3 의 71 a ) 의 In 조성 비 x 에 비해 상대 적 으로 작 은 값 을 갖 도록 InvGa 1 - vN 층 ( 73 b ) 이 성장 된다 .