( III ) 이 어서 , 배리어 메탈 층 을 형성 하 는 공정 을 포함 하 도록 이용 하 면 , 실제 반도체 장치 의 제조 에 적합 하 게 응용 할 수 있 어 , 효과 적 이 다 . 구체 적 으로 는 배선 과 의 밀착 강도 를 향상 시키 고 , 에칭 에 의한 배선 홈 측벽 의 절 연막 표면 또는 절연 막내 의 수분 을 저감 할 수 있 으며 , 배 선간 의 누설 전 류량 이 보다 적 고 , 또한 보다 신뢰 성 이 높 은 LSI 배선 층 을 형성 할 수 있 게 된다 .