이 하드 마스크 ( 117 ) 를 마스크 로 하 여 , 텅스텐 막 ( 116 a ) 을 도 1 에 나타내 는 워드 라인 ( 116 ) 의 형상 으로 가공 하 여 , 도 1 및 도 7 ( a ) 에 나타내 는 워드 라인 ( 116 ) 을 얻 는다 . 이 결과 , 하드 마스크 ( 117 ) 에 덮여 있 지 않 은 부분 에 서 는 도 8 ( a ) 의 C - C 단면 에 나타내 는 바 와 같이 , 텅스텐 막 ( 116 a ) 이 제거 되 고 , 폴리 실리콘 막 ( 106 ) 이 노출 된다 . 텅스텐 막 ( 116 a ) 은 예 를 들 어 , 드라이 에칭 으로 가공 할 수 있 다 . 이 드라이 에칭 은 예 를 들 어 , Cl 2 / O 2 / CF 4 = 20 / 40 / 80 sccm , 압력 5 mTorr ( 0 . 67 Pas ) , RF 파워 상부 / 하부 = 220 / 75 W 의 조건 으로 실시 할 수 있 다 .