일 실시 예 에 따르 면 , 상기 고유 전막 및 금속 함유 막 은 상기 리세 스 영역 이 형성 된 후 에 형성 될 수 있 다 . 이 경우 에 , 상기 더미 층 은 상기 금속 함 유막 상 에 형성 될 수 있 다 . 상기 더미 게이트 패턴 을 형성 하 는 것 은 , 상기 제 1 영역 내 의 더미 층 , 금속 함 유막 및 고유 전막 을 연속 적 으로 패 터닝 하 여 차례 로 적층 된 고유 전 패턴 , 금속 함유 패턴 및 더미 게이트 패턴 을 형성 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 상기 수동 소자 패턴 을 형성 하 는 것 은 , 상기 제 2 영역 내 의 더미 층 에 포함 된 반도체 막 , 금속 함 유막 및 고유 전막 을 연속 적 으로 패 터닝 하 여 차례 로 적층 된 잔여 유전 패턴 , 잔여 도전 패턴 및 수동 소자 패턴 을 형성 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 .