제 3 재배 선 층 ( 710 ) 과 제 2 반도체 칩 ( 500 ) 의 후면 ( 500 b ) 의 경계 상 에서 , 제 3 반도체 칩 ( 700 ) 의 제 3 칩 패드 들 ( 712 ) 은 제 2 반도체 칩 ( 500 ) 의 제 2 관통 전극 ( 520 ) 과 접할 수 있 다 . 이때 , 제 3 칩 패드 들 ( 712 ) 과 제 2 관통 전극 들 ( 520 ) 은 금속 간 하이브리드 본딩 ( hybrid bonding ) 을 이룰 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 2 에서 제 2 칩 패드 들 ( 512 ) 과 제 1 관통 전극 들 ( 320 ) 의 접합 을 설명 한 것 과 동일 또는 유사 하 게 , 제 3 칩 패드 들 ( 712 ) 과 제 2 관통 전극 들 ( 520 ) 은 연속 적 인 구성 을 가질 수 있 고 , 제 3 칩 패드 들 ( 712 ) 과 제 2 관통 전극 들 ( 520 ) 사이 의 경계 면은 시각 적 으로 보이 지 않 을 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 3 칩 패드 들 ( 712 ) 과 제 2 관통 전극 들 ( 520 ) 은 동일 한 물질 로 구성 되 어 , 제 3 칩 패드 들 ( 712 ) 과 제 2 관통 전극 들 ( 520 ) 사이 에 계면 이 없 을 수 있 다 . 제 3 칩 패드 들 ( 712 ) 과 제 2 관통 전극 들 ( 520 ) 을 통해 제 3 반도체 칩 ( 700 ) 과 제 2 반도체 칩 ( 500 ) 은 서로 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 .