발광 소자 ( 30 ') 는 복수 의 층 들 이 일 방향 으로 적층 되 지 않 고 , 각 층 들 이 어느 다른 층 의 외면 을 둘러싸 도록 형성 될 수 있 다 . 도 44 의 발광 소자 ( 30 ') 는 복수 의 반도체 층 들 이 어느 다른 층 의 외면 중 적어도 일부 를 둘러싸 도록 형성 될 수 있 다 . 발광 소자 ( 30 ) 는 적어도 일부 영역 이 일 방향 으로 연장 된 반도체 코어 와 이 를 둘러싸 도록 형성 된 절 연막 ( 38 ') 을 포함 할 수 있 다 . 상기 반도체 코어 는 제 1 반도체 층 ( 31 '), 활성 층 ( 33 '), 제 2 반도체 층 ( 32 ') 및 전극 층 ( 37 ') 을 포함 할 수 있 다 . 도 44 의 발광 소자 ( 30 ') 는 각 층 들 의 형상 이 일부 상이 한 것 을 제외 하 고 는 도 43 발광 소자 ( 30 ) 와 동일 하 다 . 이하 에서 는 동일 한 내용 은 생략 하 고 차이점 에 대하 여 서술 한다 .