제 1 패치 ( 120 a ) , 제 2 패치 ( 120 b ) , 및 제 3 패치 ( 120 c ) 는 세라믹 기판 의 전면 에 동박 을 적층 하 여 전극 을 형성 한 후 , 형성 된 전극 을 설계 된 형상 으로 패 터닝 하 여 마련 될 수 있 다 . 전극 의 패 터닝 을 위하 여 리소그래피 공정 과 같 은 식각 공정 이 이용 될 수 있 다 . 또한 , 상기 전극 은 무전 해 도금 으로 시드 ( Seed ) 를 형성 후 , 후차 적 인 전해 도금 을 이용 하 여 형성 될 수 있 고 , 이 외 에 도 , 스퍼터링 으로 시드 를 형성 후 , 후차 적 인 전해 도금 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 .