먼저 , 도 1 에서 볼 수 있 는 바 와 같이 , 기판 ( 10 ) 에 음성 포토레지스트 물질 로 포토레지스트 층 ( 20 ) 을 형성 한 후 , 프로브 카드 용 접촉 소자 에 전기 신호 를 전달 하 는 배 선부 ( 11 ) 주위 의 음성 포토레지스트 층 ( 20 ) 을 제거 한다 . 이때 포토레지스트 층 ( 20 ) 의 형성 을 위한 음성 포토레지스트 물질 은 빛 이 노광 되 면 음성 포토레지스트 물질 내 폴리머 의 결합 사슬 이 더 강하 게 결합 되 어 , 노광 되 지 않 은 부위 와 그 구조 가 상이 하 게 된다 . 그 에 따라 음성 포토레지스트 물질 을 이용 하 여 포토레지스트 층 ( 20 ) 을 형성 하 면 , 노광 되 지 않 은 부위 만 을 선택 적 으로 제거 할 수 있 게 된다 . 이러 한 음성 포토레지스트 물질 은 노광 시간 이 짧 아 , 짧 은 시간 내 에 많 은 노광 처리 가 가능 하 여 널리 이용 된다 .