또한 스트링 에 포함 된 복수 의 메모리 셀 들 을 적어도 2 개 이상 의 그룹 으로 구분 하 고 , 각 그룹 별 로 순차 적 또는 교차 적 으로 프로그램 할 수 있 다 . 예 를 들 어 복수 의 메모리 셀 들 을 소스 라인 과 인접 한 제 1 그룹 과 비트 라인 과 인접 한 제 2 그룹 으로 구분 하 며 , 제 1 그룹 및 제 2 그룹 을 순차 적 으로 프로그램 하 거나 , 제 1 그룹 및 제 2 그룹 에 포함 된 메모리 셀 들 을 교차 적 으로 선택 하 여 프로그램 할 수 있 다 .