조건 에서 진행 되 었 고 칩 표면 에 엑소 좀 을 고정 화 시킬 때 의 유속 은 10 ㎕/ 분 으로 하 고 BSA 차단 ( blocking ) 과정 과 엑소 좀과 BAM 의 상호 작용 을 볼 때 에 는 5 ㎕/ 분 으로 하 였 다 . 엑소 좀 을 L 1 칩 에 주입 한 뒤 L 1 칩 에 단일 층 으로 엑소 좀 이 형성 될 수 있 도록 50 mM NaOH 를 1 분 간 10 ㎕/ 분 의 속도 로 흘려서 불 안정 하 게 고정 된 엑소 좀 을 제거 하 였 다 . L 1 칩 에 엑소 좀 이 고정 화 된 표면 에 전개 완충액 ( running buffer ) 에 녹 아 있 는 BAM 을 1 분 간 주입 하 였 다 . 전개 완충액 ( running buffer ) 으로 는 10 mM PBS ( pH 7 . 4 ) 를 사용 하 였 다 .