티스 에서 는 자속 이 회전축 을 따라 흐르 기 때문 에 , 티스 로서 회전축 에 평행 한 방향 을 따라 적층 된 전자기 강판 이 채용 된 경우 에 는 , 상기 자속 은 적층 된 전자기 강판 의 계면 을 가로지르 게 된다 . 이 경우 에 는 티스 에 있 어서 의 자로 ( 磁路 ) 의 자기 저항 이 증대 하 고 , 또한 티스 에 있 어서 와전류 가 발생 하 기 쉽 다 . 한편 , 회전축 에 수직 인 방향 을 따라 적층 된 전자기 강판 을 티스 로서 채용 하 면 , 전자기 강판 의 계면 을 가로지르 는 자속 은 감소 시킬 수 있 고 , 와전류 를 저감 시킬 수 있 다 . 이러 한 기술 은 특허 문헌 1 에 개시 되 어 있 다 .