이 실시 예 에서 , 상기 접 지 선택 라인 ( GSL ) 및 상기 스트링 선택 라인 ( SSL ) 하부 의 활성 영역 ( 112 ) 은 기판 ( 100 ) 의 주면 보다 낮 게 리세 스 된 구조 를 가지 고 , 상기 리세 스 된 활성 영역 상 에 게이트 절 연막 ( Gox ) 이 형성 되 고 , 접지 선택 트랜지스터 ( Tg ) 및 스트링 선택 트랜지스터 ( Ts ) 의 게이트 전극 ( 114 ) 은 기판 을 향해 소정 깊이 ( D 3 ) 돌출 된 부분 을 가진다 .