상술 한 소스 를 이용 하 여 MOCVD 장치 를 이용 하 여 기판 ( 10 ) 상 에 SiCAlN 막 을 형성 하 되 , 섭씨 400 내지 1300 도 의 온도 와 10 내지 760 torr 의 압력 하 에서 5 내지 100 μ mol / min 의 테트라 에 속 실란 과 , 5 내지 100 μ mol / min 의 카본 테트라 브로마이드 와 , 10 내지 200 μ mol / min 의 트리 메틸 알루미늄 또는 트리 에틸 알루미늄 과 , 10 내지 200 μ mol / min 의 디 메틸 하 이 드라이진 또는 티 부틸 알 미 네 를 이용 하 여 , 약 20 내지 800 Å 두께 의 버퍼 층 인 SiCAlN 막 을 형성 한다 .