기판 ( 200 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 도시 되 지 않 음 ) , 게이트 도전 막 ( 도시 되 지 않 음 ) 및 게이트 마스크 층 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 차례 로 형성 한다 . 상기 게이트 절연 막 은 산화물 또는 금속 산화물 을 사용 하 여 형성 된다 . 예 를 들 면 , 상기 게이트 절연 막 은 실리콘 산화물 , 알루미늄 산화물 , 지르코늄 산화물 , 하프늄 산화물 , 탄 탈륨 산화물 등 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 상기 게이트 도전 막 은 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 , 금속 또는 금속 질화물 을 사용 하 여 형성 된다 . 예 를 들 면 , 상기 게이트 도전 막 은 텅스텐 , 알루미늄 , 구리 , 티타늄 , 탄 탈륨 , 텅스텐 질화물 , 알루미늄 질화물 , 티 타 늄 질화물 , 탄 탈륨 질화물 또는 티타늄 알루미늄 질화물 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 상기 게이트 마스크 층 은 상기 게이트 절 연막 및 상기 게이트 도전 막 에 대하 여 식각 선택 비 를 갖 는 물질 을 사용 하 여 형성 된다 . 예 를 들 면 , 상기 게이트 마스크 층 은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질 화물 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 .