또한 , 스위치 ( 211 a , 211 b ) 로서 는 도 10 d 에 도시 한 회로 를 적용 할 수 있 고 , 인버터 ( 212 a ) 내지 ( 212 d ) 로서 는 도 10 e 에 도시 한 회로 를 적용 할 수 있 다 . 구체 적 으로 설명 하 면 , 도 10 d 에 도시 한 스위치 는 , 소스 및 드레 인 의 한쪽 이 스위치 의 입력 단자 에 전기 적 으로 접속 되 고 , 소스 및 드레 인 의 다른 쪽 이 스위치 의 출력 단자 에 전기 적 으로 접속 된 p 채널 형 트랜지스터 및 n 채널 형 트랜지스터 를 갖 는다 . 또한 , 도 10 e 에 도시 한 인버터 는 , 게이트 가 인버터 의 입력 단자 에 전기 적 으로 접속 되 고 , 소스 가 고 전원 전위 ( VDD ) 를 공급 하 는 배선 에 전기 적 으로 접속 되 고 , 드레 인 이 인버터 의 출력 단자 에 전기 적 으로 접속 된 p 채널 형 트랜지스터 와 , 게이트 가 인버터 의 입력 단자 에 전기 적 으로 접속 되 고 , 소스 가 저 전원 전위 ( VSS ) 를 공급 하 는 배선 에 전기 적 으로 접속 되 고 , 드레 인 이 인버터 의 출력 단자 에 전기 적 으로 접속 된 n 채널 형 트랜지스터 를 갖 는다 . 또한 , 도 10 d 에 도시 한 회 로 및 도 10 e 에 도시 한 회로 가 갖 는 n 채널 형 트랜지스터 로서 , 산화물 반도체 ( OS ) 에 의해 채널 영역 이 형성 되 는 트랜지스터 를 적용 하 는 것 도 가능 하 다 .