도 2 b 를 참조 하 면 , 게이트 ( 242 ) 에 인접 한 기판 ( 200 ) 의 다른 측 내부 및 표면 에 딥 N - 영역 ( 251 ) 과 P 0 영역 ( 252 ) 을 각각 형성 하 여 수광 소자 로서 작용 하 는 PNP 구조 의 포토 다이오드 를 형성 한다 . 그 후 , 기판 ( 200 ) 의 일 측 표면 에 N ＋ 접합 영역 ( 미 도시 ) 을 형성 하 여 트랜지스터 를 형성 한다 .