하부 기판 ( 1 ) 상부 에 는 다수 개 의 게이트 전극 ( 8 ) 및 데이터 전극 ( 35 ) 이 서로 교차 된다 . 게이트 전극 ( 8 ) 과 데이터 배선 ( 35 ) 이 교차 되 는 지점 에 박막 트랜지스터 ( Tr ) 가 형성 된다 . 게이트 전극 ( 8 ) 및 데이터 전극 ( 35 ) 이 교차 되 는 영역 으로 정의 되 는 화소 영역 ( P ) 에 는 박막 트랜지스터 ( Tr ) 와 연결 된 화소 전극 ( 65 ) 이 형성 되 어 있 다 .