상기 와 같 은 듀얼 폴리 게이트 는 단 채널 효과 를 줄이 는 효과 가 있 지만 채널 영역 으로 의 보론 침투 에 의한 문턱 전압 이동 및 변동 ( Fluctuation ) 현상 이 나타나 고 , 게이트 절 연막 ( 12 ) 과 폴리 실리콘 막 ( 13 a , 13 b ) 계면 에서 폴리 실리콘 공핍 ( Poly Depletion ) 현상 에 의한 소자 특성 열화 가 나타나 는 문제점 이 있 다 .