반도체 메모리 소자 의 수요 가 급증 함 에 따라 고용량 의 캐 패 시터 를 얻 기 위한 다양 한 기술 들 이 제안 되 고 있 다 . 여기 서 , 캐 패 시터 는 스토리지 전극 ( Storage Node ) 과 플레이트 전극 ( Plate Node ) 사이 에 유전체 막 ( Dielectric ) 이 개재 된 구조 로서 , 그 용량 은 전극 표면 적 과 유전체 막 의 유전 율 에 비례 하 며 , 전극 들 간 의 공간 , 즉 , 유전체 막 의 두께 에 반비례 한다 .