따라서 , 본 발명 의 전술 한 제 1 ∼ 제 8 실시 예 에서 는 , 발광 다이오드 에 대하 여 발광 가능 바이어스 를 인가 하 는 발광 허가 기간 의 도중 에 , 발광 가능 바이어스 를 비 발광 바이어스 로 일시 적 으로 변화 시키 는 발광 중단 기간 을 설치 한다 . 제 3 실시 예 에 의하 면 , 이 비 발광 바이어스 는 , 발광 다이오드 를 역 바이어스 하 는 것 이 다 . 그렇지만 , 발광 허가 기간 동안 의 일시 적 인 역 바이어스 인가 는 , 유지 커패시터 에 데이터 전압 을 유지 시킨 채 행하 므로 , 역 바이어스 인가 를 해제 하 면 , 발광 다이오드 는 원래 의 발광 가능 바이어스 에 용이 하 게 복귀 한다 . 이것 을 이용 하 여 , 비 발광 바이어스 기간 ( 발광 중단 기간 ) 을 임의 로 설정 할 수 있 다 .