이 에 따라 본 발명 에서 는 구리 배선 막 상부 에 알루미늄 패드 막 을 증착 시킴 에 있 어서 , 상기 도 2 d 에서 보여 지 는 바 와 같이 , 타이타늄 실리콘 나이트 라이드 막 ( TiSiN ) ( 200 Å ) ( 210 ) 과 , 타이타늄 막 ( Ti ) ( 110 Å ) ( 212 ) , 알루미늄 막 ( Al ) ( 214 ) , 타이타늄 막 ( Ti ) ( 50 Å ) ( 216 ) 및 타이타늄 나이트 라이드 막 ( TiN ) ( 218 ) 을 순차 적 으로 적층 시켜 알루미늄 패드 막 ( 220 ) 을 형성 시킨다 .