도 5 B 의 형태 는 , 도전 성막 ( 4 ) 중 에 제 2 입자 ( 70 ) 와 제 1 입자 ( 71 ) 가 존재 하 는 경우 이 다 . 즉 , 도전 성막 ( 4 ) 에 제 2 입자 ( 70 ) 와 제 1 입자 ( 71 ) 가 불 균질 하 게 존재 한다 . 도 5 A 의 경우 에 비해 , 제 1 보조 전극 ( 2 ) 과 제 2 보조 전극 ( 3 ) 의 사이 의 저항 이 커진다 . 또 , " 이 형태 의 도전 성막 ( 4 ) 에 "" 통전 포 밍 "" 처리 를 실시 하 면 ", 제 1 보조 전극 ( 2 ) 과 제 2 보조 전극 ( 3 ) 의 사이 를 흐르 는 전류 의 패스 가 국소 적 으로 제한 되 므로 , 국소 적 으로 전계 가 집중 하 는 영역 ( 72 ) 이 도전 성막 ( 4 ) 의 일부 에 생성 된다 .