상기 제 1 유전 막 ( 110 ) 을 갖 는 반도체 기판 상 에 제 1 도 전막 ( 110 ) 을 형성 한다 . 상기 제 1 도 전막 ( 110 ) 은 임 플 런 트 된 원자 들 ( implanted atoms ) 을 함유 할 수 있 다 . 상기 제 1 도 전막 ( 110 ) 내 에서 상기 임 플 런 트 된 원자 들 의 농도 는 상기 제 1 도 전막 ( 110 ) 의 상부 표면 부분 ( A ) 으로부터 중간 부분 ( B ) 으로 갈수록 높 아 질 수 있 다 . 또한 , 상기 제 1 도 전막 ( 110 ) 내 에서 상기 임 플 런 트 된 원자 들 의 농도 는 상기 제 1 도 전막 ( 110 ) 의 중간 부분 ( B ) 으로부터 바닥 영역 부분 ( C ) 으로 갈수록 낮 아 질 수 있 다 . 따라서 , 상기 제 1 도 전막 ( 110 ) 내 에서 의 상기 임 플 런 트 된 원자 들 의 농도 는 도 4 에 도시 된 바 와 같이 중간 부분 ( B ) 에서 가장 높 을 수 있 다 .