표 8 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 산화 막이 PEALD 에 의해서 만 증착 되 었 으면 , 하부 실리콘 층 은 손상 되 었 고 산화 되 었 으며 ( 실시 예 6 ) , 반면 에 실리콘 산화 막 이 보호 층 으로서 열적 ALD 에 의해 먼저 증착 되 었 고 , 이후 벌크 층 으로서 PEALD 에 의해 연속 적 으로 증착 되 었 으면 , 하부 실리콘 층 은 훨씬 덜 손상 되 었 고 산화 되 었 다 ( 실시 예 7 ~ 11 ) . 또한 , 보호 층 으로서 , TICS 를 이용 한 열적 ALD 에 의한 실리콘 산화 막 ( 실시 예 9 ) 은 OMCTS 를 이용 한 산화 막 ( 실시 예 10 과 11 ) 보다 더 나 은 것 으로 나타났 고 , 또한 5 nm 의 두께 를 갖 는 실리콘 산화 막 ( 실시 예 9 ) 은 2 nm 의 실리콘 산화 막 ( 실시 예 8 ) 보다 더 나았 다 . OMCTS 를 이용 한 열적 ALD 에 의해 증착 된 실리콘 산화 막 ( 실시 예 10 과 11 ) 은 TICS 를 이용 한 열적 ALD 에 의해 증착 된 실리콘 산화 막 ( 실시 예 9 ) 보다 상당히 높 은 GPC 를 나타내 었 다 ( 알 콕 시드 실란 이 높 은 반응 성 을 갖 기 때문 ) . 추가 적 으로 , PEALD 공정 에 의해 증착 된 실리콘 산화 막 ( 실시 예 6 ) 의 등각 성 및 열적 ALD 와 PEALD 의 결합 공정 에 의해 증착 된 실리콘 산화 막 ( 실시 예 7 ~ 11 ) 의 등각 성 은 상당히 상이 하 지 않 았 다 ( 이 들 모두 는 90 % 를 초과 했 다 ) .