도면 에 도시 된 바 와 같이 , 질화물 반도체 발광 소자 ( 10 ) 는 , 사파이어 기판 ( 11 ) 상 에 순차 적 으로 형성 된 버퍼 층 ( 12 ) , 제 1 도전 형 질화물 반도체 층 ( 13 ) , 다중 우물 구조 인 GaN / InGaN 활성 층 ( 14 ) 및 제 2 도전 형 질화물 반도체 층 ( 15 ) 을 포함 하 며 , 상기 제 2 도전 형 질화물 반도체 층 ( 15 ) 과 활성 층 ( 14 ) 은 일부 메사 식각 ( mesa etching ) 공정 에 의하 여 그 일부 영역 이 제거 되 는 바 , 제 1 도전 형 질화물 반도체 층 ( 13 ) 의 일부 상면 을 노출 한 구조 를 갖 는다 .