이어서 , 도 10 ( d ) , 도 12 ( d ) 에 나타내 듯이 , 산화물 반도체 층 ( 13 a ) 및 접속 층 ( 25 , 38 ) 이 형성 된 기판 전체 에 , 스퍼터링 법 에 의해 , 예 를 들 어 , 티타늄 막 ( 26 ) ( 두께 30 ㎚~ 150 ㎚ 정도 ) 및 알루미늄 막 ( 27 ) ( 두께 50 ㎚~ 400 ㎚ 정도 ) 등 을 성막 한다 .