제 1 반도체 칩 ( 130 ) 은 제 1 접착 층 ( 120 ) 을 매개 로 기판 상면 ( 110 f ) 에 탑재 된다 . 제 1 반도체 칩 ( 130 ) 의 활성 면 ( 130 f ) 에 는 다 수개 의 제 1 칩 패드 ( 132 ) 가 기판 ( 110 ) 의 상 측면 ( 110 A ) 및 하 측면 ( 110 C ) 에 근접 배열 된다 . 다 수개 의 제 1 칩 패드 ( 132 ) 는 다 수개 의 제 1 와이어 ( 160 ) 를 매개 로 다 수개 의 제 1 기판 패드 ( 112 ) 와 전기 적 으로 연결 되 므로써 제 1 반도체 칩 ( 130 ) 은 기판 ( 110 ) 과 전기 적 으로 연결 된다 .