실시 예 로서 , 상기 각 메모리 블록 은 상기 기판 상 의 제 1 방향 을 따라 신장 되 고 , 상기 기판 과 교차 하 는 제 2 방향 을 따라 적층 되 고 , 그리고 상기 기판 상 의 제 3 방향 을 따라 특정 거리 만큼 이격 되 어 제공 되 는 구조물 들 ; 그리고 각 구조물 에서 , 상기 제 3 방향 을 따라 특정 거리 만큼 이격 되 어 제공 되 는 필라 쌍 들 을 포함 하 고 , 상기 구조물 들 제 1 구조물 의 한 쌍 의 필라 들 중 하나 의 필라 와 제 2 구조물 의 한 쌍 의 필라 들 중 하나 의 필 라는 상기 제 2 방향 을 따라 상기 제 1 구조물 및 상기 제 2 구조물 을 각각 관통 하 여 상기 기판 에 접촉 하 고 , 그리고 상기 기판 에서 상기 제 3 방향 을 따라 신장 되 어 서로 연결 되 고 , 상기 구조물 들 및 상기 필라 쌍 들 은 상기 복수 의 메모리 셀 들 을 포함 하 는 상기 복수 의 메모리 셀 그룹 들 을 구성 한다 .