각 반응 실은 형성 하 는 박막 의 종류 에 따라 구별 하 여 쓸 수 있 다 . 박막 각각 은 적절 한 성막 온도 가 있 으므로 , 반응 실 을 개별 로 구별 함 으로써 성막 온도 의 관리 가 용이 하 게 된다 . 또한 , 같 은 종류 의 막 을 반복 하 여 형성 할 수 있 으므로 , 성막 이력 에 관계 하 는 잔류 불순물 의 영향 을 배제 할 수 있 다 . 특히 , 미결정 반도체 막 에 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 가 포함 되 는 경우 , 상기 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 버퍼 층 에 혼입 시키 는 것 을 회피 할 수 있 다 . 결과 적 으로 , 버퍼 층 의 불순물 원소 의 농도 를 저감 할 수 있 고 , 박막 트랜지스터 의 오프 전류 를 저감 할 수 있 다 .