이러 한 미세 패턴 을 구현 하 는데 반드시 필요 한 화학 적 기계 적 연마 ( Chemical Mechanical Planarization ) 와 같 은 평탄 화 식각 공정 이 점차 확대 적용 되 고 있 는 상황 이 다 . 즉 , 화학 적 기계 적 연마 와 같 은 평탄 화 식각 공정 은 소자 간 의 단차 를 제거 해 주 기 위함 이 며 , 이러 한 단차 를 제거 해 주 지 못하 면 반도체 소자 의 제조 공정 스택 이 정상 적 으로 형성 될 수 없 고 불량 을 만들 게 된다 .