또 다른 예 에서 , 반도체 구조 는 재 배선 층 ( RDL ) 서브 스트레이트 를 포함 하 고 , 제 1 에퍼 처 를 갖 는 제 1 유전 층 , 제 1 유전 층 상 의 제 1 도전 층 을 포함 하 고 , 여기 서 제 1 도전 층 은 상기 제 1 에퍼 처 , 제 2 에퍼 처 를 갖 는 제 2 유전 층 - 상기 제 2 유전 층 은 상기 제 1 유전 층 의 상면 상 에 있 고 , 상기 제 2 유전 층 은 상기 제 2 유전 층 의 상면 상 에 있 음 - 상기 제 2 도전 층 은 및 제 2 에퍼 처 를 통해 제 1 도전 층 과 접촉 하 는 제 2 에퍼 처 내 의 부분 비아 . 반도체 구조 는 또한 RDL 서브 스트레이트 의 상면 에 전자 소자 를 포함 하 고 , 전자 소자 는 제 2 도전 층 과 전기 적 으로 결합 된 인터 커넥트 및 RDL 서브 스트레이트 의 상면 상 에 전자 소자 의 측면 과 접촉 하 는 인 캡슐 란트 를 포함 한다 .