또한 상기 의 목적 을 달성 하 기 위하 여 본 발명 은 상기 의 잔류 하 는 포토레지스트 ( 5 ) 를 스트립 하 는 방법 으로 황산 ( H 2 SO 4 ) 을 주성분 으로 하 는 스트립 용액 을 가열 하 여 디 핑 ( Dipping ) 에 의해 스트립 하 는 것 이 가능 하 며 또한 건식 식각 장치 에 의한 애 싱 ( Ashing ) 공정 에 의해 제거 하 는 것 또한 가능 하 다 . 또한 하드 마스크 막 ( 4 ) 표면 손상 을 방지 하 기 위하 여 전면 을 자외선 으로 노광 후 현상액 으로 처리 하 여 제거 하 는 것 도 가능 하 다 .