상기 채널 막 은 불순물 이 도핑 되 거나 또는 도핑 되 지 않 은 폴리 실리콘 혹은 비정질 실리콘 을 포함 하 도록 형성 할 수 있 다 . 상기 채널 막 이 비정질 실리콘 을 포함 하 도록 형성 되 는 경우 , 이후 레이저 에피택시 얼 성장 ( Laser Epitaxial Growth : LEG ) 공정 혹은 고상 에피택시 ( Solid Phase Epitaxy : SPE ) 공정 을 추가 적 으로 수행 하 여 이 를 결정질 실리콘 으로 변환 시킬 수 있 다 . 상기 충전 막 은 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 과 같 은 산화물 을 포함 하 도록 형성 할 수 있 다 .