제 1 산화물 반도체 층 으로서 In - Ga - Zn - O 막 을 스퍼터링 법 으로 제작 하 기 위한 타 겟 으로서 는 , 예 를 들 면 , 조성 비 로서 , In 2 O 3 : Ga 2 O 3 : ZnO = 1 : 1 : 1 [ mol 수비 ] 의 산화물 타 겟 을 사용 할 수 있 다 . 또한 , 이 타 겟 의 재료 및 조성 으로 한정 되 지 않 고 , 예 를 들 면 , In 2 O 3 : Ga 2 O 3 : ZnO = 1 : 1 : 2 [ mol 수비 ] 의 산화물 타 겟 을 사용 해도 좋 다 .