먼저 , 실리콘 웨이퍼 상 에 반사 방지 막 을 형성 했 다 . 다음 으로 , 반사 방지 막 상 에 , 각 약액 을 적하 했 다 . 그 후 , 얻 어 지 는 레지스 트 막 의 두께 가 8 . 5 nm 가 되 도록 , 회전수 를 적절히 조정 하 여 , 레지스 트 조성물 1 을 도포 했 다 . 또한 , 도포 에 는 , " 스핀 코터 ( 상품명 "" LITHIUS """, 도쿄 일렉트론 사제 ) 를 이용 했 다 . 얻 어 진 레지스 트 막 은 90 ℃ 에서 베 이크 했 다 .