소성 시킨 격벽 ( 4 ) 를 격벽 형상 으로 가공 하 기 위해서 , 본 발명 에서 는 통전 가열 법 을 이용 하 였 다 . 사용 된 텅스텐 - 인 - 바륨 - 바나듐 계 유리 는 실온 에서 는 107 내지 1011 Ω cm 정도 의 전기 저항 을 갖 지만 , 이것 을 가열 하 면 반도체 적 전자 전도성 때문 에 전기 저항 값 이 저하 되 고 , 200 ℃ 에서 는 10 k Ω cm 정도 까지 저하 된다 . 이것 에 직류 전압 을 인가 하 여 격벽 ( 4 ) , 및 격벽 의 네 가티 브 형 으로 미리 가공 된 금형 ( 12 ) 에 통전 시킴 으로써 , 격벽 ( 4 ) 를 통전 가열 하 여 연화 온도 이상 으로 가열 하 였 다 .