상기 게이트 전극 ( 130 ) 상부 에 는 절연물 질 로 이루어진 층간 절 연막 ( 132 ) 이 형성 된다 . 층간 절 연막 ( 132 ) 은 산화 실리콘 ( SiOx ) 또는 질화 실리콘 ( SiNx ) 과 같 은 무기 절연물 질 로 형성 되 거나 , 벤조 사이클 로부 텐 ( benzocyclobutene ) 이나 포토 아크릴 ( photo - acryl ) 과 같 은 유기 절연물 질 로 형성 될 수 있 다 .