또한 , 상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 다른 측면 에 따른 본 발명 은 , 기판 상 에 제 1 절 연막 및 도전 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 도전 막 상 에 서로 다른 물질 로 이루어진 제 1 및 제 2 희생 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 2 희생 막 , 상기 제 1 희생 막 , 상기 도전 막 , 상기 제 1 절 연막 및 상기 기판 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 트렌치 가 매립 되 도록 제 2 절 연막 을 증착 하 는 단계 와 , 상기 제 2 희생 막 을 연마 정지 막 으로 상기 제 2 절 연막 을 평탄 화 하 는 단계 와 , 상기 제 2 희생 막 을 산화 시키 는 단계 와 , 산화 된 제 2 희생 막 을 제거 하 는 단계 와 , 상기 제 2 절 연막 을 후퇴 시키 는 단계 와 , 상기 트렌치 가 매립 되 도록 제 3 절 연막 을 증착 하 는 단계 와 , 상기 제 1 희생 막 을 연마 정지 막 으로 상기 제 3 절 연막 을 평탄 화 하 는 단계 를 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .