이 어 , 상기 액정 층 의 액정 량 이 과량 시 , 도 6 a 및 도 7 a 와 같이 , 상기 연결 패턴 들 ( 160 ) 중 최 외측 에 형성 된 연결 패턴 ( 160 ) 에 레이저 를 조사 하 여 , 조사 된 연 결 패턴 ( 160 a ) 을 열화 ( degradation ) 시켜 열화 된 부위 에 , 조사 된 연결 패턴 ( 160 a ) 과 이 에 인접 한 연결 패턴 ( 160 ) 사이 의 공간 으로 액정 이 유입 될 수 있 는 홀 ( hole ) 을 형성 한다 . 이러 한 홀 은 상기 씰 보조 패턴 ( 155 ) 과 상기 좌측 변 에 형성 되 는 씰 패턴 ( 150 ) 간 의 개구부 ( 195 ) 의 크기 에 상당 하 는 정도 로 형성 하 거나 , 혹은 도시 된 바 와 같이 , 조사 된 연결 패턴 ( 160 a ) 이 모두 제거 될 정도 의 에너지 로 조사 할 수 도 있 다 . 후자 의 경우 에 는 상기 연결 패턴 ( 160 ) 의 형성 시 , 상기 조사 된 연결 패턴 ( 160 a ) 의 제거 과정 에서 레이저 조사 에너지 의 수위 를 너무 높 지 않 도록 하 게 , 상대 적 으로 씰 패턴 ( 150 ) 이나 씰 보조 패턴 ( 155 ) 에 비해 보다 얇 은 두께 로 형성 하 도록 함 을 고려 할 수 있 다 . 또한 , 상기 조사 된 연결 패턴 ( 160 a ) 에 형성 되 는 홀 의 경우 는 조사 된 부위 에 해당 조사 된 연결 패턴 ( 160 a ) 의 씰 두께 에 상당 하 도록 형성 할 수 도 있 고 , 씰 두께 중 그 일부 만 에 홀 이 형성 되 도록 형성 할 수 있 다 . 여기 서 , 조사 된 연결 패턴 ( 160 a ) 에 씰 두께 상당 하 는 홀 이나 , 씰 두께 중 일부 에 만 해당 되 는 홀 이나 모두 액정 이 유동 할 수 있 는 정도 의 크기 여야 하 고 , 두 구조 의 차이 는 단면 상 에서 조사 된 연결 패턴 ( 160 a ) 이 모두 제거 되 는지 그 중 일부 가 남 는지 로 구분 될 수 있 다 .