여기 서 , e 는 전기 소량 , N 은 채널 내 의 단위 면적 당 의 평균 결함 밀도 , ε 은 반도체 의 유전율 , n 은 단위 면적 당 의 채널 에 포함 되 는 캐리 어수 , Cox 는 단위 면적 당 의 용량 , Vg 는 게이트 전압 , t 는 채널 의 두께 이 다 . 또한 , 두께 30 ㎚ 이하 의 반도체 층 이 면 , 채널 의 두께 는 반도체 층 의 두께 와 동일 한 것 으로서 간주 될 수 있 다 . 선형 영역 에 있 어서 의 드레 인 전류 ( Id ) 는 , 이하 의 수학식 4 로 된다 .