( 1 ) 본 실시 예 에 의하 면 , 산화 막 이 형성 되 지 않 은 실리콘 기판 ( 11 ) 이 노출 되 어 있 는 영역 ( SOI 소자 형성 영역 ( 13 ) ) 에 만 실리콘 버퍼 층 ( 18 ) 및 실리콘 게르마늄 층 ( 15 ) 이 선택 적 으로 성장 하 기 위한 조건 에 의해 성막 하 기 때문 에 , 제 1 실리콘 층 ( 16 a ) 하측 에 형성 된 실리콘 게르마늄 층 ( 15 ) 대신 에 매립 절연 층 ( 31 ) 을 매립 할 수 있 는 동시 에 , 지 지체 ( 26 ) 의 형성 및 매립 절연 층 ( 31 ) 을 매립 한 후 , 실리콘 기판 ( 11 ) 위 에 오염 의 원인 인 게르마늄 이 남 는 것 을 억제 할 수 있 다 . 따라서 , 연속 되 는 공정 에서 , 노 중 에 게르마늄 이 확산 되 는 것 이 억제 되 고 , 게르마늄 이 실리콘 기판 ( 11 ) 위 에 부착 되 는 것 에 의한 , 트랜지스터 의 특성 을 열화 시키 는 것 을 억제 할 수 있 다 .