초음파 융 착 과정 에서 사용 되 는 초음파 융 착장 치 ( 130 , 도 5 참조 ) 의 혼 ( 131 ) 과 앤 빌 ( 133 ) 은 전극 기재 ( 120 ) 또는 전극 탭 ( 110 ) 과 접촉 되 는 면 이 실질 적 으로 평평 하 게 형성 될 수 있 다 . 이 를 통해 융 착 타 면 ( 113 b , 도 7 참조 ) 의 표면 을 균일 하 거나 매끄럽 게 형성 할 수 있 다 .