이러 한 고유 전체 ( high - k ) 물질 을 증착 하 는 방법 에 는 물리 적 증착 방법 ( PVD ) 이나 화학 적 증착 방법 ( CVD ) 등 이 있 다 . 종래 의 PVD 나 CVD 로 고유 전체 물질 을 증착 할 때 는 플로팅 게이트 로써 비정질 실리콘 막 을 형성 할 경우 고유 전체 물질 과 비정질 실리콘 막 사이 에 얇 은 실리케이트 계면 이 생성 된 후 열처리 동안 실리케이트 막 이 두껍 게 형성 되 는데 , 이때 형성 된 실리케이트 막 은 균일 하 지 않 으며 두께 를 조절 할 수 없 어 막 질 이 떨어지 는 단점 이 있 다 .