반도체 메모리 소자 , 예 를 들 어 디램 ( DRAM ; Dynamic random access memory ) 소자 의 집적도 가 100 nm 이 하로 높 아 지 면서 디램 소자 의 캐 패 시터 는 딥 - 아웃 ( dip - out ) 구조 를 이용 한 실린더 타입 ( cylinder typed ) 의 스토리지 노드 ( storage node ) 패턴 을 적용 하 고 있 다 . 또한 , 소자 의 집적도 가 높 아 지 면서 패턴 의 사이즈 가 작 아 짐 에 따라 스토리지 노드 패턴 을 형성 하 기 위한 스토리지 노드 마스크 ( storage node mask ) 는 타원 형상 의 마스크 ( Oval typed mask ) 로부터 동심원 형상 의 마스크 ( Circle typed mask ) 로 그 형태 가 변형 되 고 있 다 . 동심원 형상 의 마스크 는 타원 형상 의 마스크 를 이용 하 여 스토리지 노드 패턴 을 형성 할 경우 , 스토리지 노드 패턴 이 쓰러지 는 리닝 ( leaning ) 결함 이 발생 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 .