제 1 실시 예 에서 는 , 리세트 전류 / 전압 바이어스 회로 ( 21 ) 로부터 메모리 셀 에 공급 되 는 전류 값 의 변화 를 검출 하 여 리세트 전류 IRES 를 차단 ( cutoff ) 한다 . 대조 적 으로 , 제 1 실시 예 와 는 달리 , 제 5 실시 예 에 따른 리세트 전류 / 전압 바이어스 회로 ( 21 C ) 는 출력 단자 상 의 전압 변화 를 감지 하 여 리세트 전류 IRES 를 차단 한다 . 제 1 실시 예 와 동일 한 요소 들 에 는 동일 한 참조 번호 들 을 부여 한다 .