도 6 는 도 5 의 씨 모스 인버터 에서 인버터 IV 4 에 관한 레이아웃 도 이 다 . 도 6 의 레이아웃 도 를 참조 하 면 , 인버터 IV 4 의 PMOS 트랜지스터 P 4 는 N - 웰 ( 120 ) 에 형성 되 고 NMOS 트랜지스터 N 4 는 P - 웰 ( 130 ) 에 형성 되 어 , PMOS 트랜지스터 P 4 와 NMOS 트랜지스터 N 4 의 공통 게이트 단자 가 제 1 배선 층 ( 100 b ) 과 연결 된다 . 이때 , 각 트랜지스터 의 게이트 영역 은 콘 택 노드 CN 2 를 통해 제 1 배선 층 ( 100 b ) 과 연결 된다 .