상술 한 바 와 같이 본 발명 의 실시 예 들 에 의한 반도체 칩 의 반도체 패키지 에 의하 면 , 첫째 EMC 의 가공 에 적합 한 레이저 드릴링 공정 을 통하 여 비아 홀 을 형성 하 기 때문 에 비아 홀 형성 이 용이 하 고 , 둘째 녹는점 이 비교 적 낮 은 솔 더 볼 을 이용 하 기 때문 에 리플 로우 공정 에서 반도체 회로 가 열 에 의하 여 손상 받 지 않 으며 , 셋째 반도체 칩 제조 단계 에서 방열 용 패드 를 먼저 형성 하 기 때문 에 패키지 단계 에서 열전도 성 플러그 를 EMC 에 견고 하 게 고정 할 수 있 으며 , 넷째 이웃 하 는 비아 플러그 들 을 브릿지 하 는 서브 플러그 들 을 더 형성 함 으로써 열 방출 면적 을 최대 화 할 수 있 다 .