도 1 은 전술 한 전략 중 임의 것 에 의해 형성 된 BOX 구 조체 ( 12 ) 와 표면 반도체 층 ( 14 ) 을 갖 는 기판 ( 10 ) 의 개략 적 인 횡단면 을 도시 한다 . 또한 전술 한 바 와 같이 , 기판 ( 10 ) , BOX 구 조체 ( 12 ) 및 표면 반도체 층 ( 14 ) 의 물질 은 본 발명 의 양상 에 따라 광범위 하 게 선택 될 수 있 으나 본 명세서 에서 실리콘 기판 ( 10 ) , 응력 받 은 실리콘 질화물 층 및 적어도 하나 의 산화물 버퍼링 층 을 포함 하 는 BOX 구 조체 ( 12 ) , 및 표면 실리콘 층 ( 14 ) 을 갖 는 특히 바람직 한 구체 예 에 대하 여 설명 될 것 이 다 . 도 1 에 도시 된 바람직 한 SOI 웨이퍼 의 형성 에 후속 하 여 , 바람직 한 공정 은 계속 하 여 상기 층 ( 14 및 12 ) 을 관통 하 여 기판 ( 10 ) 내 로 충분 한 깊이 까지 그리고 트렌치 가 충분 하 게 인접 하 여 이격 되 어 에지 이완 이 표면 반도체 층 ( 14 ) 의 주 된 부분 전반 에 변형 을 유발 하 도록 , 트렌치 ( 16 , 18 ) 를 에칭 한다 . 이러 한 공정 의 최종 결과 가 도 2 에 도시 된다 . 도시 된 트렌치 ( 16 , 18 ) 는 트렌치 분리 구조 체 를 위하 여 전형 적 으로 사용 되 는 공정 을 사용 하 여 형성 될 수 있 으며 바람직 하 게 는 응력 받 은 BOX 구 조체 를 관통 하 여 부분 적 으로 하부 실리콘 기판 ( 10 ) 내 로 확장 하 도록 형성 된다 . 전술 한 바 와 같이 , 트렌치 는 트렌치 의 연속 네트워크 의 서로 다른 부분 일 수 있 다 . 트렌치 의 측벽 은 기판 의 표면 영역 ( 20 ) , 기판 표면 영역 ( 20 ) 상 의 응력 받 은 BOX 구 조체 ( 22 ) , 및 응력 받 은 BOX 구 조체 ( 22 ) 상 의 변형 된 표면 실리콘 층 ( 24 ) 을 정의 한다 . 영역 ( 20 ) , 층 ( 22 ) 및 층 ( 24 ) 각각 은 트렌치 ( 16 및 18 ) 의 측벽 들 사이 에 연장 된다 . 전술 한 바 와 같이 , 트렌치 를 에칭 하 는 것 은 가장 바람직 하 게 는 응력 받 은 BOX 구 조체 ( 22 ) 가 이완 되 고 상기 에칭 된 BOX 구 조체 ( 22 ) 상부 의 실리콘 층 ( 24 ) 내 에 인장 ( 또는 압축 ) 응력 을 유발 하 는 것 을 가능 하 게 한다 .