이 어 , 도 6 c 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 저항성 접착 층 ( 316 ) 상 에 포토 레지스 트 ( Photo resist ) ( 도시 하 지 않 음 ) 를 도포 하 고 , 상기 포토 레지스 트 상부 에 소정 의 패턴 이 형성 된 포토 마스크 를 정렬 한 후 , 광선 을 조사 하 여 노광 하 고 그 이후 에 현상 하 여 포토레지스트 를 패 터닝 한다 . 이 어 , 패 터닝 된 포토 레지스 트 를 마스크 로 사용 하 여 저항성 접착 층 ( 316 ) 및 투명 도전 층 ( 314 ) 을 선택 적 으로 식각 하 여 소스 / 드레 인 전극 ( 314 a , 314 b ) 을 형성 하 고 , 상기 포토레지스트 를 제거 한다 .