하나 이상 의 실시 형태 에서 , 베벨 에칭 의 정확도 는 인 - 시 츄 광학 기술 을 사용 하 여 확인 된다 . 일 실시 형태 에서 , 웨이퍼 의 상부 표면 에 의해 형성 되 는 평면 에 수직 으로 유지 되 는 광 빔 은 , 웨이퍼 의 상부 표면 을 가로질러 , 그리고 웨이퍼 로부터 이격 되 어 웨이퍼 를 향해 직선 으로 트래버스 할 수 도 있 다 . 광 빔 이 웨이퍼 외연 에 먼저 인카운터 할 때 , 하나 의 반사 율 영역 으로부터 다른 반사 율 영역 으로 의 트랜 지 션 이 존재 하 며 , 광 빔 의 반사율 은 그 에 따라 변화 한다 .