이어서 상기 전자 수송 층 위 에 광활 성 층 형성 용 코팅 용액 ( lisicon ® D 4610 ( 머크 사제 ) 15 ㎎, lisicon ® A - 600 ( 머크 사제 ) 12 ㎎ 및 1 , 2 - 디 클로로벤젠 ( Dichlorobenzene ) 1 ㎖ 를 혼합 하 여 제조 함 ) 을 슬롯 다이 코팅 하 고 80 ℃ 에서 건조 하 여 200 ㎚ 두께 로 광활 성 층 을 제조 하 였 다 . 상기 슬롯 다이 코팅 시 라인 속도 는 0 . 3 m / min , 슬롯 다이 높이 는 100 ㎛, 코팅 액 유량 ( flow rate ) 은 0 . 4 ㎖/ min 으로 하 였 다 . 상기 광활 성 층 위 에 상기 제조 예 1 에 따른 정공 수송 층 형성 용 조성물 을 슬롯 다이 코팅 하 고 140 ℃ 에서 건조 하 여 400 ㎚ 두께 로 정공 수송 층 을 제조 하 였 다 . 상기 슬롯 다이 코팅 시 라인 속도 는 0 . 3 m / min , 슬롯 다이 높이 는 100 ㎛, 코팅 액 유량 ( flow rate ) 은 1 . 0 ㎖/ min 으로 하 였 다 . 이후 , 스크린 프린터 를 이용 하 여 상기 정공 수송 층 위 에 Ag 전극 ( 두께 10 ㎛) 을 패턴 폭 이 150 um , 개구율 70 % 인 그리드 형태 로 인쇄 하 여 유기 태양 전지 를 제작 하 였 다 .