도 3 l 에 도시 된 바 와 같이 , 습식 세정 을 진행 하 여 산화 변형 막 ( 44 A ) 을 선택 적 으로 제거 한다 . 이 로써 X - X ' 방향 에서 는 제 2 캡 핑 막 ( 44 ) 이 필라 구조물 의 일 측 측벽 을 덮 는 형태 로 잔류 한다 . 산화 변형 막 ( 44 A ) 이 산소 이온 주입 에 의한 실리콘 산화 질화 막 인 경우 , 일반 적 인 SiO 2 보다 HF 용액 과 같 은 습식 식각 에 의해서 식각 이 더 잘 진행 된다 . 따라서 , 산화 변형 막 ( 44 A ) 주변 의 층간 절 연막 들 은 일부 식각 되 지만 그 손 실량 이 극히 적 다 .