( 5 ) 또한 , 청구 항 4 에 기재 된 발명 에 따르 면 , 현상 처리 후 의 기판 표면 의 레지스 트 패턴 에 자외선 을 조사 하 여 레지스 트 패턴 의 용해 저해 성 보호기 를 분해 할 수 있 기 때문 에 , 상기 ( 1 ) ∼( 4 ) 에 더 하 여 , 스무 딩 처리 의 처리 시간 의 단축 을 도모 할 수 있 고 , 처리 정밀도 의 향상 을 도모 할 수 있 다 .