도 14 는 접지 에 유한 저항 을 갖 는 소스 라인 에서 전류 유동 에 의한 소스 전압 에러 의 문제 를 나타낸다 . 판독 / 기록 회로 ( 270 A 및 270 B ) 는 메모리 셀 의 페이지 에서 동시 에 작업 한다 . 판독 / 기록 회로 에서 감지 모듈 ( 480 ) 이 비트 라인 ( 36 ) 에 의해 해당 하 는 셀 로 결합 한다 . 예 를 들 어 , 감지 모듈 ( 480 ) 은 메모리 셀 ( 10 ) 의 전도 전류 i 1 ( 소스 - 드레 인 전류 ) 를 감지 한다 . 전도 전류 는 비트 라인 ( 36 ) 을 통해서 감지 모듈 로부터 메모리 셀 ( 10 ) 의 드레 인 으로 유동 되 어 소스 라인 ( 34 ) 를 통해서 바닥 으로 가 기 이전 에 소스 ( 14 ) 로부터 나간다 . 집적회로 칩 에서 , 메모리 어레이 에서 셀 의 소스 는 메모리 칩 의 일부 외부 그라운드 패드 ( 예 를 들 어 , Vss 패드 ) 에 연결 된 소스 라인 ( 34 ) 의 다수 의 브랜치 로서 함께 묶인 다 . 금속 스 트래핑 이 소스 라인 의 저항 을 감소 시키 기 위해 사용 될 때 , 한정 된 저항 ( R ) 은 메모리 셀 의 소스 전극 과 그라운드 패드 사이 에서 유지 된다 . 전형 적 으로 , 그라운드 루프 저항 ( R ) 은 약 50 ohm 이 다 .