MOS 트랜지스터 소자 의 게이트 산화 막 정전 용량 특성 을 측정 하 기 위한 종래 의 방법 은 캐 패 시터 측정기 ( LCR meter ) 를 이용 하 여 특정 주파수 및 특정 게이트 전압 하 에서 측정 하 는 것 이 다 . 그러나 MOS 트랜지스터 소자 제조 기술 이 발전 하 면서 게이트 길이 가 점점 축소 되 고 게이트 산화 막 의 두께 가 점점 얇 아 짐 에 따라 , 게이트 누설 전류 ( gate leakage current ) 및 손실 계수 ( dissipation factor ) 가 증가 하 고 있 다 . 이 로 인해 MOS 트랜지스터 소자 의 정전 용량 대 전압 특성 곡선 으로 는 게이트 산화 막 의 두께 와 같 은 MOS 트랜지스터 소자 의 특성 을 정확히 측정 할 수 없 는 문제 가 있 다 .