제 1 드레 인 전극 ( DE 1 ) 은 , 도 11 에 도시 된 바 와 같이 , 제 2 저항성 접촉 층 ( 3321 b ) 및 게이트 절 연막 ( 3311 ) 상 에 위치 한다 . 제 1 드레 인 전극 ( DE 1 ) 의 적어도 일부 는 제 1 반도체 층 ( 3321 ) 및 제 1 게이트 전극 ( GE 1 ) 과 중첩 한다 . 제 1 드레 인 전극 ( DE 1 ) 은 제 1 부 화소 전극 ( PE 1 ) 에 연결 된다 . 제 1 드레 인 전극 ( DE 1 ) 은 전술 된 데이터 라인 ( DL ) 과 동일 한 물질 및 구조 ( 다 중막 구조 ) 를 가질 수 있 다 . 제 1 드레 인 전극 ( DE 1 ) 과 데이터 라인 ( DL ) 은 동일 한 공정 으로 동시 에 만들 어 질 수 있 다 .