한편 , 본 발명 에 따른 테스트 패턴 의 메탈 브리지 모니터링 방법 에 전자총 에서 방출 되 는 전자 빔 ( 1 ) 을 시료 에 조사 하 여 시료 로부터 발생 되 는 2 차 전자 를 검출 하 여 반도체 소자 의 결함 이나 회로 선폭 및 두께 등 을 측정 하 게 되 는 전자 주사 현미경 이 사용 될 수 있 다 . 따라서 , 안착 단계 ( S 1 ) 에서 반도체 소자 가 안착 되 는 안착 부 는 전자 주사 현미경 의 챔버 내 에 마련 되 는 시료 안착 대 가 된다 .