IDS 구동 에서 도 통상 구동 과 같 은 표시 품질 을 유지 하 기 위하 여 용량 소자 ( C 1 ) 로부터 의 전하 의 누설 을 최대한 적 게 하 는 것 이 바람직 하 다 . 전하 가 누설 되 면 LC 소자 ( RE 1 ) 에 인가 되 는 전압 이 변동 되 어 서브 화소 ( 12 ) 의 투과 율 이 변화 되 기 때문 이 다 . 그러므로 트랜지스터 ( M 1 ) 는 오프 전류 가 작 은 트랜지스터 인 것 이 바람직 하 다 . 서브 화소 ( 13 ) 에 대해서 도 마찬가지 이 다 . 그러므로 서브 화소 ( 11 ) 의 트랜지스터 ( M 1 ) 내지 트랜지스터 ( M 3 ) 는 오프 전류 가 매우 작 은 OS 트랜지스터 로 구성 되 는 것 이 바람직 하 다 . OS 트랜지스터 의 오프 전류 가 Si 트랜지스터 와 비교 하 여 매우 작 은 것 은 금속 산화물 의 밴드 갭 이 Si 보다 넓 기 ( 예 를 들 어 2 . 5 eV 이상 ) 때문 이 다 .