여기 서 , 비정질 탄소막 을 형성 하 기 위한 반응 소오 스로 는 C 8 H 18 , C 7 H 8 , C 7 H 16 중 적어도 어느 하나 와 C 6 H 6 가 혼합 된 탄화 수소 화합물 을 기화 시켜 이용 하 거나 C 8 H 18 , C 7 H 8 , C 7 H 16 중 적어도 어느 하나 의 탄화 수소 화합물 을 기화 시켜 이용 한다 . 이러 한 반응 소오 스 는 혼합 비율 을 조절 하 여 비정질 탄소막 의 증착 률 , 굴절 률 ( n ) 및 소광 계수 ( k ) 를 조절 할 수 있 는데 , 증착 률 은 100 ∼ 3000 Å / min 의 범위 로 조절 하 고 , 굴절 률 ( n ) 은 1 . 8 ∼ 2 . 4 의 범위 로 조절 하 며 , 소광 계수 ( k ) 는 0 . 15 ∼ 0 . 4 의 범위 로 조절 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 증착 률 , 굴절 률 ( n ) 및 소광 계수 ( k ) 는 반응 소오 스 의 혼합 비율 뿐 만 아니 라 고주파 전원 등 의 공정 조건 을 변화 시켜 조절 할 수 있 다 . 이 들 뿐 만 아니 라 스트레스 및 하 지 막 과 의 식각 선택 비 를 반응 소오 스 의 혼합 비율 , 고주파 전원 등 의 공정 조건 을 변화 시켜 조절 할 수 있 다 . 한편 , 상기 공정 조건 을 조절 하 여 비정질 탄소막 내 의 수소 비율 이 1 ∼ 10 mol % 가 되 도록 한다 .