그러나 , 수성 HF 조성물 을 이용 한 규소 표면 의 에칭 세정 은 반도체 칩 제조자 에게 많 은 문제 가 되 었 다 . 예 를 들 어 , 수성 HF 조성물 과 의 접촉 은 규소 표면 이 소수성 이 되 도록 하 며 , 따라서 입자 , 예 를 들 어 산화 규소 및 기타 무기 및 유기 물질 에 의한 오염 에 매우 민감 해 지 게 된다 . 이 들 입자 를 제거 하 기 위하 여 , 에칭 된 웨이퍼 는 전형 적 으로 탈 이온 수 , 에틸 알코올 또는 아이소프로필 알코올 로 헹궈 지 며 , 건조 된 후 후속 처리 된다 . 불행히 도 , 저 에너지 실리콘 웨이퍼 표면 은 근본 적 으로 높 은 표면 장력 을 가진 헹굼 조성물 에 의해 쉽 게 습윤 되 지 않 으므로 , 헹굼 은 이 들 잔류 입자 를 웨이퍼 로부터 항상 효과 적 으로 제거 하 지 는 못한다 . 게다가 , 탈 이온 수 를 이용 한 헹굼 은 느린 건 조 시간 을 야기 하 는 반면 , 알코올 을 이용 한 헹굼 에 의해 잠재 적 인 화재 위험 이 도입 된다 .