이러 한 반도체 장치 ( 60 ) 는 , 상기 제 1 실시 예 와 마찬가지 의 수순 으로 형성 할 수 있 다 . 즉 , 도 7 내지 도 9 에 도시 한 공정 후 , 도 10 에 도시 한 공정 에서 재 배선 ( 7 ) 및 댐 층 ( 61 ) 을 형성 해야 할 영역 이 개구 된 레지스 트 패턴 을 형성 해 놓 고 , 이후 의 도 11 내지 도 20 에 도시 한 공정 은 마찬가지 의 수순 으로 행하 면 된다 .