도 4 및 도 5 를 참고 하 면 , SiO 2 패턴 ( 224 ) 이 형성 된 기판 ( 100 ) 위 에 N 형 반도체 층 ( 220 ) 이 형성 된다 . N 형 반도체 층 ( 220 ) 의 성장 은 전술 한 공정 챔버 내 에서 MOCVD 방식 으로 이루어지 며 , 이 때 에 도 Si 도 펀트 가 첨가 된다 . 본 발명 의 바람직 한 실시 예 에 따라 , N 형 반도체 층 ( 220 ) 이 GaN 으로 이루어지 고 , GaN 이 절연 층 인 SiO 2 패턴 ( 224 ) 상 에서 성장 하 지 못하 는 특성 을 가지 므로 , SiO 2 패턴 ( 224 ) 들 사이 에서 수직 방향 으로 성장 하 던 N 형 반도체 층 ( 220 ) 은 SiO 2 패턴 ( 224 ) 위쪽 에서 도 4 에 도시 된 것 과 같 은 횡 방향 성장 을 하 게 된다 .