퓨즈 프로그래밍 시 퓨즈 를 노출 시키 고 파괴 시켜야 하 는 종래 기술 에서 는 퓨즈 노출 에 따른 퓨즈 부피 팽창 이나 파괴 시 발생 되 는 데미지 정도 가 심해 , 퓨즈 를 금속 배선 층 으로 형성 하 는 것 이 불 가능 하 여 , 퓨즈 를 캐 패 시터 ( CAPACITOR ) 이상 으로 올리 기 어려웠 다 . 따라서 , 캐 패 시터 상부 에 형성 되 는 금속 배선 층 이 3 층 이나 그 이상 으로 증가 되 어 퓨즈 박스 ( 200 ) 형성 시 식각 해야 하 는 절연 층 의 두께 가 커지 게 되 면 , 퓨즈 상 에 남겨 지 는 절연 층 의 두께 컨트롤 이 어려워 공정 변이 ( variation ) 가 증가 되 고 , 이 로 인해 수율 이 저하 되 는 문제 가 있 었 다 .