본 실시 예 는 일반 적 인 회로 를 형성 하 기 위한 서브 트렉 티 브 공정 으로 진행 되 는 것 이 아니 라 , 제 1 및 제 2 동박 ( 2 a , 2 b ) 에 일정 한 깊이 까지 패턴 ( 1 c , 1 d ) 을 형성 한다 . 따라서 , 에칭 시 원 하 는 깊이 까지 패턴 ( 1 c , 1 d ) 을 형성 하 는 것 이 중요 하 며 , 이때 에칭 시간 과 에칭 액 의 조건 을 잘 조절 하 여야 한다 .