도 1 은 반도체 처리 장치 ( 1 ) 를 나타내 고 , 샤워 헤드 장치 ( 10 ) 를 갖 는 반응기 ( 2 ) 를 포함 한다 . 반응기 ( 2 ) 는 , 서 셉 터 ( 5 ) 와 샤워 헤드 장치 ( 10 ) 사이 에 내부 부분 ( 4 ) 을 갖 는 반응 챔버 ( 3 ) 를 포함 한다 . 서 셉 터 플레이트 ( 5 ) 는 반응기 ( 2 ) 내 의 챔버 ( 3 ) 에 부착 된다 . 서 셉 터 플레이트 ( 5 ) 는 챔버 ( 3 ) 의 베이스 로부터 상향 연장 된다 . 서 셉 터 플레이트 ( 5 ) 는 공정 처리 중 기판 ( 6 ) ( 예 , 웨이퍼 ) 을 지지 한다 . 듀얼 샤워 헤드 장치 ( 10 ) 는 서 셉 터 ( 5 ) 및 기판 ( 6 ) 위 에 배치 될 수 있 다 . 나타내 지 않 았 지만 , 가스 매니폴드 는 반응물 및 비활성 가스 를 샤워 헤드 장치 ( 10 ) 에 공급 할 수 있 으며 , 이 는 기판 ( 6 ) 폭 전체 에 대해 공급 가스 를 분산 시켜 재료 를 에칭 할 수 있 다 . 유입 구 매니폴드 ( 11 ) 는 반응물 공급원 , 예컨대 에칭 반응물 공급원 , 예 를 들 어 에 천트 또는 흡착 반응물 에 유체 연결 될 수 있 다 ( 예 , 도 2 참조 ) . 에 천 트 공급원 은 가스 봄 베일 수 있 고 / 있 거나 천연 액체 또는 고체 인 에 천 트 화학 물질 을 기화 시키 기 위한 기화 장치 를 포함 할 수 있 다 .