보다 상세 하 게 , 바람직 한 실시 예 에서 , 본 발명 은 기체 상태 의 ( gaseous ) 전구체 를 분배 하 는 인 젝 터 장치 를 제공 한다 . 상기 장치 는 챔버 벽 에 인접 한 근 접부 ( proximal portion ) 로부터 챔버 내 에 존재 하 는 에피 택 셜 성장 기판 근처 의 말 단부 를 향해 수평 으로 ( horizontally ) 연장 되 는 하나 이상 의 도관 을 포함 한다 . 챔버 벽 에 인접 한 근 접부 는 개스 플로우 ( flow ) 를 받아들이 는 적어도 하나 의 개구 ( opening ) 을 가지 며 ; 상기 기판 근처 의 말 단부 ( distal portion ) 는 상기 개스 플로우 를 상기 챔버 내 로 분배 하 는 복수 의 포트 를 갖 는다 . 상기 인 젝 터 장치 는 상기 챔버 내부 로부터 상기 인 젝 터 장치 로 의 열전달 을 개선 하 는 열 전달 수단 을 더 포함 한다 . 이 와 같 은 인 젝 터 는 바람직 하 게 는 , 약 2 mm 와 약 8 mm 사이 의 두께 를 가지 며 , 성장 챔버 내 의 조건 및 도관 내 의 조건 에 잘 견디 는 ( resistant ) 물질 을 더 포함 한다 .