상기 한 바 와 같이 구성 된 종래 의 반도체 소자 를 제조 하 는 금형 의 , 캐 비티 블럭 ( 20 a , 20 b ) 에 몰딩 할 기판 을 위치 시키 고 , 하부금 형 ( 1 ) 과 상부 금형 ( 미 도시 ) 을 밀착 시킴 으로써 기판 을 몰딩 하 는 것 이 다 . 즉 , 플런저 가 열경화성 수지 를 포트 블럭 ( 30 ) 에 형성 된 홀 ( 31 ) 을 통해 공급 되 고 , 상기 열경화성 수지 가 고온 고압 에 의해 용융 된다 . 이후 , 용융 된 상기 열경화성 수지 는 상부 금형 에 구비 된 런 너 를 통해 상기 탑 캐 비티 블럭 및 캐 비티 블럭 ( 20 a , 20 b ) 의 내측 으로 충 진 되 어 반도체 칩 을 보호 할 수 있 도록 기판 에 몰딩 되 는 것 이 다 .