도 17 의 ( a ) , ( b ) , ( c ) , 및 ( d ) 를 참조 하 면 , 본 발명 의 제 3 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 내 에 인듐 ( Zn ) , 아연 ( Zn ) , 및 산소 ( O ) 가 존재 하 는 것 을 확인 하 였 다 . 구체 적 으로 , 본 발명 의 제 3 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 은 , 원자 층 증착 공정 에 의해 인듐 ( In ) 및 산소 ( O ) 를 제공 하 는 상기 제 1 단위 공정 및 아연 ( Zn ) 및 산소 ( O ) 를 제공 하 는 상기 제 2 단위 공정 이 교대 로 그리고 반복 적 으로 수행 되 어 제조 되 므로 , 본 발명 의 제 3 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 내 인듐 ( In ) , 아연 ( Zn ) , 및 산소 ( O ) 가 고루 분포 되 어 있 는 것 을 알 수 있 었 다 .