도 38 에 , 제조 한 반도체 기판 의 단면 을 투과 형 전자 현미경 으로 관찰 한 결과 를 나타낸다 . 도 38 에 나타낸 바 와 같이 , Ge 층 ( 120 ) 및 GaAs 층 에 는 전위 는 관찰 되 지 않 았 다 . 이 에 따라 , 상기 구성 을 채용 함 으로써 , Si 기판 상 에 , 양질 의 Ge 층 및 이 Ge 층 에 격자 정합 또는 의사 격자 정합 되 는 화합물 반도체 층 을 형성 할 수 있 는 것 을 알 수 있 다 .