도 9 의 단면도 ( 900 ) 에 의해 예시 된 바 와 같이 , 플로팅 게이트 층 ( 602 ) 을 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 및 로직 영역 ( 104 l ) 으로부터 제거 하 도록 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 상 에서 정지 하 는 평탄 화 가 수행 될 수 있 다 . 평탄 화 는 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 의 최 상부 표면 및 로직 영역 ( 104 l ) 에서 의 상부 패드 층 ( 404 ) 과 대략 동등 하 도록 , 플로팅 게이트 층 ( 602 ) 의 최 상부 표면 을 리세 싱 한다 . 평탄 화 는 CMP 또는 또 다른 적합 한 평탄 화 프로세스 ( 들 ) 일 수 있 다 .