게이트 절연 층 ( 146 ) 은 , 수소 , 물 등 의 불순물 을 혼입 시키 지 않 는 방법 을 사용 하 여 성막 하 는 것 이 바람직 하 다 . 게이트 절연 층 ( 146 ) 에 수소 , 물 등 의 불순물 이 포함 되 면 , 산화물 반도체 층 에 수소 , 물 등 의 불순물 의 침입 이나 , 수소 , 물 등 의 불순물 에 의한 산화물 반도체 층 내 의 산소 의 추출 등 에 의해 산화물 반도체 층 의 백 채널 이 저 저항 화 ( n 형 화 ) 되 어 버려 기생 채널 이 형성 될 우려 가 있 기 때문 이 다 . 따라서 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 은 가능 한 한 수소 , 물 등 의 불순물 이 포함 되 지 않 도록 제작 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 면 , 스퍼터링 법 에 의해 성막 하 는 것 이 바람직 하 다 . 성막 할 때 에 사용 하 는 스퍼터 가스 로서 는 , 수소 , 물 등 의 불순물 이 제거 된 고순 도 가스 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 .