그리고 , 제품 용 칩 에 형성 해야 할 최상층 배선 의 패턴 이 형성 된 레티 클 을 사용 하 여 , 제품 용 칩 을 형성 하 는 노광 샷 영역 ( 도 8 의 노광 샷 영역 ( 4 b ) 을 참조 ) 에 대하 여 차례 로 반복 하 여 노광 을 행한다 ( 스텝 S 22 ) . 그 후 , 레티 클 을 최상층 배선 의 패턴 과 상이 한 패턴 이 형성 된 것 , 예 를 들 어 상기 와 같 은 L / S 패턴 이 형성 된 것 으로 변경 하 고 ( 스텝 S 23 ) , 그것 을 사용 하 여 기준 용 칩 을 형성 하 는 나머지 노광 샷 영역 ( 도 8 의 노광 샷 영역 ( 4 c ) 을 참조 ) 에 대하 여 노광 을 행한다 ( 스텝 S 24 ) . 이것 에 의해 , 레지스 트 에 제품 용 칩 의 최상층 배선 형성 용 의 노광 영역 과 기준 용 칩 의 배선 패턴 ( 도 체부 ) 을 형성 하 기 위한 노광 영역 을 형성 한다 .