도 8 ( c ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 워드 라인 ( 116 ) 의 하방 이외 에서 는 폴리 실리콘 막 ( 106 ) 이 제거 되 어 있 고 , 게이트 절 연막 ( 104 ) 과 사이드 월 ( 131 ) 사이 의 단차 에 의해 형성 되 는 개구부 에 는 중간 절 연막 ( 118 ) 이 매립 되 어 있 다 . 중간 절 연막 ( 118 ) 은 메모리 셀 영역 ( 1001 ) 및 주변 회로 영역 ( 1002 ) 에 걸쳐서 형성 되 어 있 다 . 중간 절 연막 ( 118 ) 은 도 7 ( b ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 워드 라인 ( 116 ) 상 의 하드 마스크 ( 117 ) 를 덮 음 과 함께 , 도 8 ( c ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 워드 라인 ( 116 ) 하방 이외 에서 는 게이트 절 연막 ( 104 ) 및 매립 절 연막 ( 115 ) 상 에 형성 되 어 있 다 .