계속 해서 , 상기 제 1 마스크 패턴 ( 108 a ) 은 상기 절연 층 ( 106 ) 의 상기 일면 상 에 상기 도전 패턴 ( 104 ) 을 노출 시키 도록 형성 되 고 , 상기 제 2 마스크 패턴 ( 108 b ) 는 상기 회로 배선 ( 102 a ) 및 상기 절연 층 ( 106 ) 의 상기 타 면 상 에 상기 회로 배선 ( 102 a ) 의 일부분 을 노출 시키 도록 형성 된다 . 여기 서 , 상기 제 1 및 제 2 마스크 패턴 ( 108 a , 108 b ) 은 , 예 를 들 어 , 솔 더 레지스 트 를 포함 한다 .