도 1 a 를 참조 하 면 , 먼저 기판 ( 100 ) 을 준비 한다 . 기판 ( 100 ) 은 광 투과 성 및 CIS 소재 를 이용 한 공정 온도 등 을 고려 하 여 선택 할 수 있 다 . 기판 ( 100 은 투명 한 재료 로 형성 할 수 있 으며 , 예 를 들 어 유리 ( glass ) 기판 또는 석영 ( quartz ) 기판 을 사용 할 수 있 다 . 기판 ( 100 ) 상 에 게이트 전극 을 위한 제 1 도전 층 ( 110 ) 을 형성 한다 . 제 1 도전 층 ( 110 ) 은 도전 성 을 가지 는 물질 , 예 를 들 어 , 도전 성 폴리 실리콘 , ITO ( indium - tin oxide ) , 또는 금 ( Au ) 이나 알루미늄 ( Al ) 등 의 금속 등 을 증착 하 여 형성 할 수 있 다 . 제 1 도전 층 ( 110 ) 은 화학 기상 증착 법 ( chemical vapor deposition , CVD ) , 플라 즈 마 여기 CVD ( plasma enhanced CVD , PECVD ) , 저압 CVD ( low pressure CVD ) , 물리 기상 증착 법 ( physical vapor deposition , PVD ) , 스퍼터링 ( sputtering ) , 원자 층 증착 법 ( atomic layer deposition , ALD ) 등 의 통상 의 증착 방법 에 의하 여 형 성할 수 있 다 . 이하 에서 설명 하 는 기판 ( 100 ) 상 에 형성 되 는 여러 층 들 은 일반 적 으로 상술 한 통상 의 증착 방법 을 이용 하 여 형성 할 수 있 으며 , 간결 함 을 위하 여 생략 하 기 로 한다 .