최근 Phase Change Random Access Memory ( PRAM ) , Magnestic Random Access Memory ( MRAM ) , Ferroelectric Random Access Memory ( FeRAM ) 등 의 차세대 메모리 의 개발 이 진행 되 고 있 다 . 이 들 불휘발성 메모리 는 플래시 메모리 와 비교 하 여 재 기입 내성 이 높 은 것 이 특징 이 다 . 그러나 , DRAM 과 비교 한 경우 , MRAM 의 재 기입 내성 은 DRAM 과 동일 한 정도 이 지만 , PRAM 이나 FeRAM 의 재 기입 내성 은 1012 으로 , DRAM 과 비교 하 면 뒤떨어진다 .