이어서 , 도 2 e 에 도시 된 바 와 같이 , 도 2 c 에서 노출 된 부위 ( A ) 의 활성 영역 , 즉 터널 링 절 연막 ( 101 A ) 의 양측 벽 에 전하 이동 방지 막 ( 106 ) 을 형성 한다 . 이때 , 전하 이동 방지 막 ( 106 ) 은 산화 공정 으로 형성 한다 . 예컨대 , 산화 공정 은 RTP ( Rapid Thermal Process ) 장비 또는 퍼니스 어 닐 ( furnace anneal ) 장비 를 사용 하 여 습식 또는 건식 산화 공정 으로 실시 하 고 , O 2 기체 를 이용 하 여 800 ~ 1200 ℃ 의 온도 범위 내 에서 실시 한다 .