다음 으로 , 도 1 c 와 같이 , 형성 된 감광막 패턴 ( 40 ) 을 식각 용 마스크 ( mask ) 로 이용 하 여 식각 함 으로써 감광막 패턴 ( 40 ) 이 형성 된 영역 이외 의 폴리 실리콘 막 ( 30 ) 및 게이트 산화 막 ( 20 ) 부분 을 선택 적 으로 제거 하 여 잔류 하 는 폴리 실리콘 막 ( 30 ) 에 의해 게이트 전극 ( 30 ') 이 형성 된다 .