한편 , 본 발명 의 실시 예 들 에서 는 제 1 희생 막 ( 30 ) 을 식각 하 는 공정 에서 제 1 희생 막 ( 30 ) 에 대해 약 10 : 1 이상 의 식각 선택 비 를 갖 는 물질 로 형성 된 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 을 이용 하 여 제 1 희생 막 ( 30 ) 을 패 터닝 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 1 희생 막 ( 30 ) 을 식각 하 는 식각 공정 에서 제 1 희생 막 ( 30 ) 의 식각 속도 가 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 의 식각 속도 보다 빠를 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 을 이용 하 여 제 1 희생 막 ( 30 ) 을 식각 할 때 , 얇 은 두께 의 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 을 이용 하 여 두꺼운 제 1 희생 막 ( 30 ) 을 식각 할 수 있 다 .