먼저 , 패턴 ( 12 ) 이 상면 에 형성 된 도 1 에 도시 된 것 과 같 은 사파이어 기판 ( 10 ) 이 준비 된다 . 상기 패턴 ( 12 ) 은 발광 다이오드 에서 광 추출 효율 을 향상 시키 기 위해 역할 을 한다 . 그 다음 , 도 2 에 도시 된 것 과 같이 , 사파이어 기판 ( 10 ) 의 상면 에 GaN 계 물질 을 에피 택 셜 ( epitaxial ) 성장 시켜 , AlxInyGa 1 - x - yN ( 0 ≤ x , y , x + y ≤ 1 ) 인 제 1 에 피부 ( 22 ) 를 형성 한다 .