도 2 의 ( a ) 는 본 발명 의 실시 예 에 따른 트렌치 저부 및 측벽 에서 의 도핑 농도 를 도시 한 시뮬레이션 결과 도로 서 , 붕소 ( B ) 를 이용 하 고 , 30 KeV 의 이온 주입 에너지 에서 , 0 . 5 E 12 ions / cm 2 의 도즈 량 , 15 ° 의 이온 주 입각 으로 하 여 45 °, 135 °, 225 °, 315 ° 로 회전 시켜 총 4 번 을 실시 한 후 트렌치 저부 및 측벽 에서 의 도핑 농도 를 도시 한 시뮬레이션 결과 도 이 고 , ( b ) 는 종래 기술 에 따른 도핑 농도 를 도시 한 시뮬레이션 결과 도로 서 , 붕소 ( B ) 를 이용 하 고 , 15 KeV 의 이온 주입 에너지 에서 , 0 . 5 E 12 ions / cm 2 의 도즈 , 15 ° 의 이온 주 입각 으로 하 여 45 °, 135 °, 225 °, 315 ° 로 회전 시켜 총 4 번 을 실시 한 후 트렌치 저부 및 측벽 에서 의 도핑 농도 를 도시 한 시뮬레이션 결과 도 이 다 .