본 발명 은 기준 클럭 과 피드백 클럭 의 위상 을 비교 하 기 위한 위상 비교기 ; 상기 기준 클럭 을 지연 시켜 출력 하 기 위한 딜레이 체인 ; 상기 위상 비교기 의 비교 결과 에 응답 하 여 상기 딜레이 체인 의 지연 값 을 제어 하 기 위한 딜레이 제 어부 ; 상기 딜레이 체인 에서 출력 되 는 클럭 의 지연 값 을 미세 조절 하 여 출력 하 기 위한 미세 딜레이 체인 ; 상기 미세 딜레이 체인 에서 출력 되 는 클럭 을 모델링 된 지연 값 으로 지연 시켜 상기 피드백 클럭 으로 출력 하 기 위한 지연 모델 ; 상기 기준 클럭 과 상기 피드백 클럭 의 위상 차이 에 대응 하 는 락킹 변동 신호 를 생성 하 기 위한 락킹 상태 감지 부 ; 및 상기 딜레이 제 어부 의 출력 과 위상 비교기 의 비교 결과 에 응답 하 여 상기 미세 딜레이 체인 의 미세 조절 값 을 제어 하 되 , 상기 락킹 변동 신호 에 응답 하 여 상기 미세 딜레이 체인 의 미세 조절 주기 를 조절 하 기 위한 미세 딜레이 제 어부 를 구비 하 는 반도체 메모리 장치 을 제공 한다 .