다음 으로 , 도 8 a 에 도시 된 바 와 같이 , 하프늄 ( Hf ) , 지르코늄 ( Zr ) , 탄 탈륨 ( Ta ) , 티타늄 ( Ti ) 또는 텅스텐 ( W ) 등 과 같 은 금속 을 CVD 법 등 에 의해 성막 시킴 으로써 금속 막 ( 41 ) 을 전체 적 으로 형성 한다 . 이 에 의해 , 관통 홀 ( 7 ) 의 내면 을 포함 하 는 전 표면 상 에 금속 막 ( 41 ) 이 형성 된다 . 그 후 , 어닐링 처리 를 행하 여 , 금속 막 ( 41 ) 을 형성 하 는 금속 을 , 전 극막 ( 4 ) 을 형성 하 는 실리콘 과 반응 시켜 , 전 극막 ( 4 ) 과 접촉 하 고 있 는 금속 막 ( 41 ) 의 부분 을 실리사이드 화 한다 . 이때 , 실리콘 기판 ( 21 ) 과 접촉 하 고 있 는 금속 막 ( 41 ) 의 부분 도 실리사이드 화 한다는 점 에 주목 한다 .