이어서 , 도 1 g 에 도시 된 바 와 같이 게이트 콘 택 홀 ( 30 ) 의 상부 측 벽면 에 제 1 및 제 2 게이트 절 연막 ( 40 , 70 ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 제 2 폴리 실리콘 막 ( 80 ) 과 텅스텐 막 ( 90 ) 을 형성 한다 . 제 2 폴리 실리콘 막 ( 80 ) 으로 게이트 트랜 치 ( 30 ) 를 완전히 매립 한다 . 텅스텐 막 ( 90 ) 상 에 게이트 하드 마스크 막 ( 100 ) 을 형성 한다 .