도 8 을 참조 하 면 , 고밀도 플라 즈 마 산화 막 ( 170 ) 을 노드 분리 하 여 반도체 기판 ( 100 ) 의 활성 영역 을 설정 하 는 소자 분리 막 을 형성 한다 . 노드 분리 는 예컨대 , 화학 기계 연마 ( CMP ; Chemical Mechanical Polishing ) 를 이용 할 수 있 다 . 이때 , 패드 질화 막 패턴 ( 도 1 의 113 ) 을 화학 기계 연마 의 식각 종료 층 으로 이용 할 수 있 다 .