도 2 a 내지 도 2 d 에 도시 된 구조 는 전도성 접촉 부 ( 206 ) 에 형성 된 제 1 전도성 요소 ( 208 ) ( 예 를 들 어 , 제 1 전극 ) 를 포함 한다 . 제 1 전도성 요소 ( 208 ) 는 하부 전극 ( BE : bottom electrode ) ( 208 ) 일 수 있 다 . 하부 전극 ( 208 ) 은 예 를 들 어 , 티타늄 ( Ti ) , 티타늄 질화물 ( TiN ) ( 예 를 들 어 , 티타늄 이 풍부 한 TiN ) , 탄 탈륨 ( Ta ) 및 / 또는 탄 탈륨 질화물 ( TaN ) 과 같 은 전도성 물질 일 수 있 다 . 하부 전극 ( 208 ) 은 다른 적절 한 공정 중 에서 마스킹 및 에칭 에 의해 형성 될 수 있 다 . 하부 전극 ( 208 ) 의 하나 이상 의 측면 은 유전 물질 ( 204 ) 과 접촉 한다 .