본 발명 에 있 어서 , 상기 3 차 식각 마스크 형성 단계 는 ; 상기 실리콘 기판 의 표면 에 실리콘 산화 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 실리콘 기판 의 저면 에 형성 된 상기 실리콘 산화 막 의 저면 에 제 3 포토레지스트 를 도포 한 뒤 , 상기 제 3 포토레지스트 를 패 터닝 하 여 상기 다수 의 잉크 토출구 를 형성 하 기 위한 다수 의 제 3 개 구부 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 다수 의 제 3 개 구부 를 통해 노출 된 부위 의 상기 실리콘 산화 막 을 식각 하 여 상기 실리콘 기판 의 저면 을 부분 적 으로 노출 시키 는 단계 와 , 상기 제 3 포토레지스트 를 제거 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .