제 1 티어 수직 교번 시퀀스 는 제 1 재료 층 들 로서 의 제 1 절연 층 들 ( 132 ) , 및 제 2 재료 층 들 로서 의 제 1 스 페이서 재료 층 들 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 제 1 스 페이서 재료 층 들 은 전기 전도성 층 들 로 후속 적 으로 대체 되 는 희생 재료 층 들 일 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 제 1 스 페이서 재료 층 들 은 다른 층 들 로 후속 적 으로 대체 되 지 않 는 전기 전도성 층 들 일 수 있 다 . 본 발명 은 희생 재료 층 들 이 전기 전도성 층 들 로 대체 되 는 실시 예 들 을 사용 하 여 기술 되 지만 , 스 페이서 재료 층 들 이 전기 전도성 층 들 로서 형성 되 는 ( 이 에 의해 , 대체 공정 들 을 수행 할 필요 성 을 제거 하 는 ) 실시 예 들 이 본 명세서 에서 명백히 고려 된다 .