BA 2 PbI 4 는 MAPbI 3 에 비해 구조 적 으로 안정 하 며 이 는 연속 적 으로 전압 을 가해 스위칭 을 발생 시키 는 멤 리스터 구동 에 영향 을 미친다 . 특히 , 도 10 b 및 도 11 b 를 비교 하 면 , BA 2 PbI 4 의 경우 여러 번 측정 한 후 에 도 높 은 저항 과 낮 은 저항 상태 가 확연 하 게 구별 되 는 반면 , MAPbI 3 의 경우 한 번 전압 이 가해진 이후 물질 이 낮 은 저항 상태 로 변하 고 더 이상 스위칭 이 일어나 지 않 았 다 . 이 는 전압 에 의해 MAPbI 3 의 물성 변화 가 비가역 적 으로 발생 했 음 을 의미 하 며 물질 의 불 안정 성 에서 기인 한 것 이 다 . 또한 , BA 2 PbI 4 층상 페로 브 스카이 트 를 포함 한 스위칭 층 에 있 어서 , 보다 저전압 에서 구동 이 가능 함 을 볼 수 있 다 .