다음 , 상기 R , G , B 화소 의 발광 층 ( 241 , 243 , 245 ) 상 에 전자 수송 층 ( electron transport layer , ETL ) ( 250 ) 을 형성 한다 . 상기 전자 수송 층 ( 250 ) 은 상기 R , G , B 화소 의 발광 층 ( 241 , 243 , 245 ) 으로 의 전자 의 수송 을 용이 하 게 하 는 층 으로 예 를 들 어 , PBD , TAZ , spiro - PBD 와 같 은 고분자 재료 또는 Alq 3 , BAlq , SAlq 와 같 은 저 분자 재료 를 사용 하 여 형성 할 수 있 다 .