소스 / 드레 인 전극 ( 233 , 234 ) 과 유기 발광 소자 ( 240 ) 의 제 1 전극 ( 241 ) 사이 에 는 화소 영역 ( 220 ) 의 박막 트랜지스터 ( 230 ) 를 포함 한 표면 을 평탄 화 시키 고 박막 트랜지스터 ( 230 ) 를 보호 하 는 제 3 절연 층 ( 215 ) 이 형성 된다 . 제 3 절연 층 ( 215 ) 은 배선 영역 ( 250 ) 의 도전 성 배선 ( 251 ) 들 , 즉 본 실시 예의 데이터 배선 ( 251 ) 들 상 에 형성 된 제 2 절연 층 ( 213 ) 의 상면 에 도 동일 하 게 형성 된다 . 제 3 절연 층 ( 215 ) 은 전술 한 실시 예 와 같이 다양 한 유기 , 무기 물질 로 형성 될 수 있 으나 , 본 실시 예 에서 는 아크릴 로 구성 된다 .