한편 , 소자 의 고집 적 화 ( Shrink ) 에 따른 게이트 사이 의 간격 이 좁 아 지 고 있 고 , 게이트 전극 의 저항 을 줄이 기 위해 게이트 스택 ( Stack ) 의 높이 를 높 게 하 고 있 다 . 이 로 인해 , 분리 막 형성 을 위한 절 연막 의 갭 필 ( Gap fill ) 이 어려워져서 화학 기상 증착 법 ( Chemival Vapor Deposition ) 으로 형성 하 는 데 한계 가 있 기 때문 에 최근 에 는 SOG ( Spin On Glass ) 산화 막 을 형성 하 고 있 다 .