전자선 의 조사 후 , 하마마츠 포토 닉스 사 의 LED ( 파장 365 ㎚) 를 사용 하 여 , 레지스 트 막 의 전체 면 을 2 , 000 mJ / ㎠ 로 노광 했 다 . 이어서 , 상기 클린 트랙 ACT - 8 내 에서 , 110 ℃, 60 초 의 조건 에서 PEB 를 행하 였 다 . 그 후 , 상기 조작 ( 1 ) 과 마찬가지 로 하 여 현상 , 수세 및 건조 를 행하 여 , 포지티브 형 레지스 트 패턴 을 형성 했 다 .