다음 에 , 제 1 배선 층 ( 107 a ) 위 에 질화규소 ( 유전율 7 . 0 , 두께 300 nm ) 의 게이트 절 연막 ( 102 ) 을 적층 한다 . 게이트 절 연막 ( 102 ) 은 CVD 법 이나 스퍼터링 법 등 을 사용 하 여 , 질화규소 막 , 또는 질화 산화 규소 막 으로 형성 할 수 있 다 . 또한 , 여기 에서 는 , 질화 산화 규소 막 이란 , 그 조성 으로서 , 산소 보다 질소 의 함유량 이 많 은 것 으로서 , 농도 범위 로서 산소 가 15 ∼ 30 원자 %, 질소 가 20 ∼ 35 원자 %, Si 가 25 ∼ 35 원자 %, 수소 가 15 ∼ 25 원자 % 의 범위 에서 포함 되 는 것 을 말 한다 .