또한 , 대한민국 등록 특허 공보 제 407719 호 에 는 사파이어 기판 상 에 에피 택 셜 실리콘 층 을 형성 하 여 SOS 구조 를 형성 하 는 단계 ; 에피 택 셜 실리콘 층상 에 이온 주입 하 는 단계 ; 사파이어 상 실리콘 구조 를 어닐링 하 는 단계 ; 에피 택 셜 실리콘 층 을 산화 시켜서 박막 에피 택 셜 실리콘 층 이 남 도록 에피 택 셜 실리콘 층 의 일부 로부터 실리콘 이 산화물 층 을 형성 하 는 단계 ; 실리콘 이 산화물 층 을 제거 하 여 박막 에피 택 셜 실리콘 층 을 노출 시키 는 단계 등 을 포함 하 는 액정 디스플레이 어래 이 및 제 어회 로 의 제조 방법 이 개시 되 어 있 으나 이미 언급 한 바 와 같이 , 최 표면 층 의 실리콘 이 산화물 층 을 제거 하 는 단계 가 더 포함 되 기 때문 에 공정 수 가 증가 하 고 최종 박막 의 품질 이 그다지 우수 하 지 않 다는 문제점 이 있 다 .