본 발명 은 저온 다결정 성장 방법 에 관한 것 으로서 , 보다 상세 하 게 는 기판 상면 에 ITO ( 인듐 주석산 화물 ; Indium Tin Oxide ) 소재 와 같 은 도전 성 소재 또는 Si ( 실리콘 ) 와 같 은 반도 성 소재 등 과 같 은 재료 의 증착 과정 에 있 어서 별도 의 열처리 과정 없이 상기 재료 의 자기 결정화 를 이룰 수 있 는 저온 다결정 성장 방법 에 관한 것 이 다 .