도 4 를 참조 하 면 , 하부 전극 ( 200 ) 이 형성 된 홀 ( HL ) 을 매립 하 는 절 연막 ( IL ) 을 형성 한다 . 절 연막 ( IL ) 은 하부 전극 ( 200 ) 및 몰드 막 ( MD ) 과 일 에 천트 ( etchant ) 에 대하 여 식각 선택 비 를 갖 는 물질 을 포함 할 수 있 다 . 일 예 로 , 몰드 막 ( MD ) 이 질화물 을 포함 하 고 , 하부 전극 ( 200 ) 이 탄 탈륨 이 도핑 된 주석 산화물 을 포함 하 는 경우 , 절 연막 ( IL ) 은 실리콘 산화물 또는 포토레지스트 물질 을 포함 할 수 있 다 .