표 1 은 포토 리소그래피 단계 에서 디 포커스 를 발생 시키 는 요인 을 나타낸다 . 요인 1 내지 9 에 의해 발생 되 는 합계 디 포커스 를 노광 장치 의 DOF 에 맞추 는 것 을 보장 할 필요 가 있 다 . 요인 1 내지 7 은 레티 클 을 포함 하 는 노광 장치 측 의 요인 이 다 . 요인 8 및 9 는 웨이퍼 요인 이 다 . 45 nm 노드 이후 의 반도체 프로세스 에서 일반 적 으로 사용 되 는 SOC ( Spin On Carbon ) 층 은 요인 8 및 9 를 개선 하 는 기술 이 다 .