본 발명 에 있 어서 는 , 알루미늄 기판 중 , 후술 하 는 양극 산화 처리 공정 에 의해 양극 산화 피막 을 형성 하 는 표면 은 , 알루미늄 순도 가 99 . 5 질량 % 이상 인 것 이 바람직 하 고 , 99 . 9 질량 % 이상 인 것 이 보다 바람직 하 고 , 99 . 99 질량 % 이상 인 것 이 더욱 바람직 하 다 . 알루미늄 순도 가 상기 범위 이 면 , 마이크 로 포어 의 직관 성 이 충분 해진다 .