여기 서 , 발광 부 ( 415 a , 415 b ) 는 유기물 층 이 고 , 정공 의 주입 을 원활 하 게 하 기 위해 정공 주입 층 ( hole injection layer ) 과 주입 된 정공 을 발광 층 으로 수송 하 는 정공 수송 층 ( hole transport layer ) 을 이루 는 하부 공통 막 이 애노드 전극 ( 412 a , 412 b ) 상 에 형성 된다 . 또한 , 발광 부 ( 415 a , 415 b ) 에 는 전자 의 주입 을 원활 하 게 하 기 위해 전자 주입 층 ( electron injection layer ) 과 주입 된 전자 를 발광 층 으로 수송 하 는 전자 수송 층 ( electron transport layer ) 을 이루 는 상부 공통 막 이 캐소드 전극 ( 420 a , 420 b ) 상 에 형성 된다 .