다음 에 도 4 a 및 도 4 b 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 200 ) 상 에 포토 공정 을 진행 하 여 제 1 마스크 막 패턴 ( 300 ) 의 물 성 을 변성 시킨다 . 구체 적 으로 , 도 3 a 및 도 3 b 에서 형성 된 제 1 마스크 막 패턴 ( 300 ) 에 노광 공정 및 현상 공정 을 진행 한다 . 그러면 노광 공정 및 현상액 을 이용 한 현상 공정 에 의해 제 1 마스크 막 패턴 ( 300 ) 이 반응 을 나타내 면서 물 성 이 변하 게 된다 . 이때 , 제 1 마스크 막 패턴 ( 300 ) 의 물 성 을 변화 시키 는 방법 은 베 이크 ( bake ) 공정 이나 전자 빔 큐어 링 ( E - beam curing ) 공정 을 이용 하 여 진행 할 수 있 다 . 이 와 같이 변성 된 제 1 마스크 막 패턴 ( 400 ) 에 의해 이후 반도체 기판 내 에 리세 스 채널 용 트렌치 를 형성 하 기 위해 진행 할 식각 공정 에서 변성 된 제 1 마스크 막 패턴 ( 400 ) 이 식각 되 는 것 을 방지 하 기 위한 것 이 다 .