이어서 , 상기 반도체 층 ( 420 ) 을 포함 한 제 1 기판 ( 400 ) 상 에 제 2 도전 층 을 적층 한다 . 여기 서 , 제 2 도전 층 은 배선 저항 을 낮추 기 위해 저 저항 물질 로 형성 되 어 있 으며 , 몰리 텅스텐 ( MoW ) , 티타늄 ( Ti ) , 알루미늄 ( Al ) 또는 알루미늄 합금 ( Al alloy ) 으로 이루어진 다 중막 으로 형성 된다 . 상기 다 중막 으로 는 몰리 텅스텐 / 알루미늄 / 몰리 텅스텐 ( MoW / Al / MoW ) 의 적층 구조 가 사용 될 수 있 다 . 다음 , 상기 제 2 도전 층 을 패 터닝 하 여 상기 반도체 층 ( 420 ) 의 일정 영역 에 소오 스 전극 및 드레 인 전극 ( 425 a , 425 b ) 을 형성 한다 .