인피 니 온 테크 널 로 지사 ( Infineon Technologies AG ) 에서 는 IEDM 2003 에서 유기물 소재 를 이용 한 고집 적 비휘발성 메모리 의 구조 와 소자 특성 을 보 고 하 였으나 , 구체 적 으로 는 언급 하 고 있 지 않 으며 , 구조 적 으로 는 교차점 ( cross - point ) 형태 로 하부 전극 과 상부 전극 의 사이 에 유기물 박막 이 형성 되 고 , 메모리 셀 사이 의 크로스 토크 ( cross - talk ) 를 줄이 기 위해 패 터닝 또는 유전체 스 페이서 ( dielectric spacer ) 를 사용 한 간단 한 1 R 형 메모리 소자 로 , Ion / off 는 102 정도 이 고 , 데이터 유지 ( retention ) 시간 은 8 개월 정도 로 보 고 하 였 다 .