트랜지스터 ( 61 , 63 ) 는 , 반도체 층 ( 146 ) , 절 연막 ( 148 ) 으로 된 게이트 절 연막 , 도전 막 ( 149 ) 으로 된 게이트 전극 및 도전 막 ( 150 ) 으로 된 소스 전극 및 드레 인 전극 을 갖 는다 . 반도체 층 ( 146 ) 에 채널 형성 영역 , 소스 영역 및 드레 인 영역 이 형성 되 어 있 다 . 또한 , 트랜지스터 ( 63 ) 에 는 , 도전 막 ( 150 ) 과 같 은 도전 막 으로 된 화소 전극 ( 151 ) 이 접속 되 어 있 다 .