본 발명 은 엑 시머 레이저 를 이용 한 비정질 실리콘 의 결정 화 방법 및 이 를 포함 한 다결정 박막 트랜지스터 의 제조 방법 에 관한 기술 로서 , 보다 상세 하 게 엑 시머 레이저 의 스캔 속도 를 감소 시켜 전도성 기판 상 에 형성 된 비정질 실리콘 의 결정립 을 균일 하 게 형성 할 수 있 는 엑 시머 레이저 를 이용 한 비정질 실리콘 의 결정 화 방법 및 이 를 포함 한 다결정 박막 트랜지스터 의 제조 방법 에 관한 것 이 다 .