상기 염료 ( 14 ) 는 상기 대향 전극 ( 20 ) 에 형성 된 상기 관통 홀 들 ( 23 ) 을 통하 여 0 . 1 mM 루테늄 착 제 를 포함 하 는 에탄올 용액 을 순환 시켜 상기 반도체 산화물 층 ( 13 ) 의 표면 에 화학 적 으로 흡착 시킬 수 있 다 . 이때 , 염료 ( 14 ) 가 흡착 된 상기 반도체 산화물 층 ( 13 ) 이 상기 반도체 산화물 전극 ( 15 ) 으로 형성 된다 .