이 SOI 구조 의 웨이퍼 ( 활성 층 의 두께 가 1000 nm , 절연 산화 막 층 의 두께 가 200 nm ) 에 도 1 에 나타내 는 수준 1 의 열처리 를 시행 했 다 . 이 수준 1 의 열처리 는 , 700 ℃ × 4 시간 → 승 온 속도 5 ℃/ 분 으로 950 ℃ 까지 승 온 ( 50 분 ) → 승 온 속도 2 ℃/ 분 으로 1000 ℃ 까지 승 온 ( 25 분 ) → 1000 ℃ × 8 시간 이 라는 프로 파일 을 거치 는 처리 이 다 .