이상 으로 가열 에 의하 여 산소 의 일부 가 탈리 되 는 산화물 절 연막 표면 을 산화물 반도체 막 을 덮 은 상태 로 가열 처리 를 행한 후 , 산화물 반도체 막 을 소정 의 형상 으로 에칭 하 여 게이트 절 연막 및 게이트 전극 을 형성 함 으로써 온 · 오프 비율 이 충분히 높 고 , 임계 값 전압 의 마이너스 시프트 가 적 은 트랜지스터 를 제작 할 수 있 다 .