도 3 을 참조 하 면 , 알레인 계열 의 전구체 가 반도체 기판 ( 100 ) 표면 에 흡착 된 후 , 적절 한 반응 에너지 를 공급 하 면 반도체 기판 ( 100 ) 표면 에 흡착 된 전구체 에 열분해 가 일어나 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 알루미늄 막 ( 120 ) 이 증착 된다 . 상기 전구체 를 포함 하 는 반응 가스 의 주입 및 반응 에너지 공급 을 주기 적 으로 반복 하 면 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 컨 포 멀 한 알루미늄 막 ( 120 ) 이 형성 된다 .