본 도면 의 공정 결과 , 게이트 상부 스 페이서 ( 17 ) 는 게이트 상부 ( 16 a ) 의 상면 을 덮 으면서 게이트 상부 ( 16 a ) 의 양측 벽 에 형성 된다 . 이때 , 게이트 상부 ( 16 a ) 의 일 측벽 에 형성 된 게이트 상부 스 페이서 ( 17 ) 의 폭 을 w 1 a 라 할 때 , 스 페이서 식각 의 특성 상 게이트 상부 스 페이서 ( 17 ) 의 폭 ( w 1 a ) 은 위 에서 아래 로 갈수록 증가 하 게 된다 . 즉 , 게이트 상부 스 페이서 ( 17 ) 의 폭 ( w 1 a ) 는 게이트 하부 스 페이서 ( 11 ) 의 폭 ( w 3 ) 보 다 크 다 . 바람직 하 게 는 , 전술 한 마스크 패턴 ( 18 ) 의 폭 ( w 1 ) 을 참조 하 면 , 게이트 상부 스 페이서 ( 17 ) 의 폭 ( w 1 a ) 은 다음 의 관계식 을 만족 시킨다 .