이상 과 같 은 본 실시 형태 에 따르 면 , 웨이퍼 ( W ) 의 처리 에 사용 되 는 기판 처리 장치 ( 10 ) 는 , 1 장 의 웨이퍼 ( W ) 를 유지 하 고 , 유지 한 1 장 의 웨이퍼 ( W ) 를 처리 하 는 처리 유닛 ( 60 ) 과 , 복수 의 웨이퍼 ( W ) 를 동시 에 수용 할 수 있 는 처 리조 ( 40 ) 로서 , 저류 된 처리 액 에 웨이퍼 ( W ) 를 침지 하 여 상기 웨이퍼 ( W ) 를 처리 하 도록 이루어진 처 리조 ( 40 ) 와 , 처 리조 ( 40 ) 의 웨이퍼 수용 가능 매수 미만 매수 의 웨이퍼 ( W ) 를 동시 에 반송 할 수 있 는 반송 장치 ( 30 ) 로서 , 적어도 처리 액 이 저류 된 처 리조 ( 40 ) 내 에 웨이퍼 ( W ) 를 반입 하 도록 이루어진 반송 장치 ( 30 ) 를 격벽 ( 22 ) 에 의해 구획 된 처 리부 ( 10 c ) 내 에 구비 하 고 있 다 . 따라서 , 고온 가열 된 처리 액 ( 제 1 약액 ) 을 사용 한 처리 를 처 리조 ( 40 ) 내 에서 행하 고 , 그 외 의 처리 액 을 사용 한 처리 를 처리 유닛 ( 60 ) 내 에서 행할 수 있 다 . 이 때문 에 , 처리 유닛 ( 60 ) 에서 사용 되 는 처리 액 의 종류 를 저감 하 여 , 기판 처리 장치 ( 10 ) 의 전체 구성 및 기판 처리 장치 ( 10 ) 의 제어 를 단순 화 할 수 있 으며 , 이 에 따라 , 웨이퍼 ( W ) 를 저렴 하 게 처리 할 수 있 다 . 또한 , 복수 의 웨이퍼 ( W ) 를 수용 할 수 있 는 처 리조 ( 40 ) 내 에서 처리 하 는 경우 , 처리 액 ( 제 1 약액 ) 이 처리 능력 을 갖 지 않 게 될 때 까지 , 상기 처리 액 을 계속 사용 할 수 있 다 . 따라서 , 처리 액 ( 제 1 약액 ) 의 사용량 을 저감 할 수 있 으며 , 이 에 따라 , 웨이퍼 ( W ) 를 저렴 하 게 처리 할 수 있 다 . 또한 , 처 리조 ( 40 ) 내 에 저류 된 처리 액 ( 제 1 약액 ) 의 온도 를 일정 한 온도 범위 내 에 유지 하 는 것 은 용이 하 다 . 따라서 , 처리 액 의 온도 변동 을 대폭 억제 할 수 있 으며 , 이 에 따라 , 웨이퍼 마다 의 처리 불 균일 을 억제 하 여 웨이퍼 ( W ) 를 균일 하 게 처리 해 갈 수 있 다 .