요구 되 는 반도체 소자 의 성능 이 고도 화 됨 에 따라 2 종 이상 의 금속 또는 준금속 을 함유 하 는 물질 막 을 조성 및 치수 의 관점 에서 고도 로 균일 하 게 형성 할 필요 가 있 다 . 특히 , 물질 막 이 증착 될 피처 ( feature ) 의 종횡비 가 크 게 증가 함 에 따라 이러 한 필요 를 만족 시키 는 것 이 더 어려워 지 고 있 다 .