배선 이 다층 화 된 디바이스 를 제조 하 는 프로세스 에 있 어서 가장 중요 한 기술 의 하나 에 , CMP 기술 이 있 다 . CMP 기술 은 , 화학 기상 증착 ( CVD ) , 물리 기상 퇴적 ( PVD ) 등 에 의해 기판 상 에 박막 을 형성 한 후 , 그 표면 을 평탄 화 하 는 기술 이 다 . 예 를 들 면 , 리소그래피 의 촛 점 심도 를 확보 하 기 위해서 는 , CMP 에 의한 평탄 화 의 처리 가 불가결 하 다 . 기판 표면 에 요철 이 있 으면 , 노광 공정 에서 의 촛 점 맞춤 이 불 가능 하 게 되 거나 , 미세 한 배선 구조 를 충분히 형성 할 수 없 게 되 는 등 의 문제 가 생긴다 . 또한 , CMP 기술 은 , 디바이스 의 제조 과정 에 있 어서 , 플라 즈 마 산화 막 ( p - TEOS , p - SiH 4 , BPSG , HDP - SiO 2 등 ) , 도포 형 산화 막 ( SOD , HSG 등 ) 등 의 절 연막 의 연마 에 의해 소자 분리 영역 을 형성 하 는 공정 , 층간 절 연막 을 형성 하 는 공정 , 혹은 , 절 연막 을 금속 배선 에 메 립 한 후 에 플러그 또는 배선 ( 예 를 들 면 , Al , Cu , W , Ti , Ta , Co , Ru , Mn 및 이 공화 물 ) 을 평탄 화 하 는 공정 등 에 도 적용 된다 .