그런 다음 , 제 1 도 전막 ( 104 ) 을 포함 한 반도체 기판 ( 100 ) 상부 에 절 연막 ( 110 ) 을 형성 한다 . 이때 , 절 연막 ( 110 ) 은 산화 구동력 차이 를 이용 하 여 산화물 을 인 - 시튜 ( in - situ ) 로 형성 하 며 , 30 Å 내지 100 Å 의 두께 로 형성 한다 . 제 1 도 전막 ( 104 ) 은 격자 방향 성 이 있 어 그 방향 에 따라 가지 고 있 는 실리콘 입자 의 수 가 다르 다 . 따라서 , 제 1 도 전막 ( 104 ) 상부 표면 및 반도체 기판 ( 100 ) 의 표면 과 제 1 도 전막 ( 104 ) 의 측벽 에 형성 되 는 절 연막 ( 110 ) 의 증착 속도 는 1 : 3 내지 1 : 10 이 된다 .