반도체 층 의 막 두께 는 , 통상 0 . 5 내지 500 nm , 바람직 하 게 는 1 내지 150 nm , 보다 바람직 하 게 는 3 내지 80 nm , 특히 바람직 하 게 는 10 내지 60 nm 이 다 . 0 . 5 nm 보다 얇 으면 공업 적 으로 균일 하 게 성막 하 는 것 이 어렵 다 . 한편 , 500 nm 보다 두꺼우 면 성막 시간 이 길 게 되 어 공업 적 으로 채용 할 수 없 다 . 또한 , 3 내지 80 nm 의 범위 내 에 있 으면 , 이동도 나 온 오프 비 등 TFT 특성 이 특히 양호 하 다 .