도 2 의 ( a ) 및 ( b ) 를 참조 하 면 , 기판 ( 10 ) 상 에 배 면 전극 층 ( 20 ) 을 형성 하 고 , 배면 전극 층 ( 20 ) 을 스트립 형태 로 분할 하 는 패 터닝 공정 ( P 1 ) 을 수행 한 후 그 위 에 광 흡수 층 ( 30 ) 을 형성 할 수 있 다 . 여기 서 , 광 흡수 층 ( 30 ) 은 칼 코 게나 이드 계 물질 , 페로 브 스카이 트 또는 비정질 실리콘 ( a - Si ) 물질 을 사용 할 수 있 다 .