도 1 d 를 참조 하 면 , 제 1 하드 마스크 층 ( 145 ) 상 에 는 제 2 하드 마스크 층 ( 150 ) 이 형성 된다 . 제 2 하드 마스크 층 ( 150 ) 은 화학 기상 증착 ( CVD ) 공정 , 플라 즈 마 증대 화학 기상 증착 ( PECVD ) 공정 , 펄스 레이저 증착 ( PLD ) 공정 또는 원자 층 적층 ( ALD ) 공정 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 . 제 2 하드 마스크 층 ( 150 ) 은 제 1 하드 마스크 층 ( 145 ) , 상부 전극 층 ( 140 ) 및 강유전체 층 ( 135 ) 에 대하 여 식각 선택 비 를 갖 는 물질 을 사용 하 여 형성 된다 . 예 를 들 면 , 제 2 하드 마스크 층 ( 150 ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질 화물 등 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 실리콘 산화물 의 예 로 는 BPSG ( Boro - Phosphor Silicate Glass ) , PSG ( Phosphor Silicate Glass ) , USG ( Undoped Silicate Glass ) , SOG ( Spin On Glass ) , PE - TEOS ( Plasma Enhanced - Tetra Ethyl Ortho Silicate ) , HDP - CVD ( High Density Plasma - Chemical Vapor Deposition ) 산화물 등 을 들 수 있 다 .