상기 다른 기술 적 과제 를 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 에 따른 스토리지 노드 컨 택 형성 방법 은 , 하 부막 위 의 절 연막 상 에 포토레지스트 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 포토레지스트 막 을 패 터닝 하 여 상기 절 연막 의 일부 표면 을 노출 시키 는 포토레지스트 막 패턴 을 형성 하 되 , 상기 패 터닝 은 , 셀 어레이 영역 내 의 광차 단막 패턴 내 에서 상호 이격 되 면서 어레이 형태 로 배치 되 는 광 투과 영역 들 과 , 셀 어레이 경계 영역 내 의 광차 단막 패턴 내 에서 광 투과 영역 의 장축 에 수직 한 방향 으로 장축 이 위치 하 는 필러 형태 의 스 캐 터 스페이스 들 을 구비 하 는 포토 마스크 를 이용 하 여 수행 하 는 단계 ; 상기 포토레지스트 막 패턴 을 식각 마스크 로 한 식각 으로 상기 절 연막 의 노출 부분 을 제거 하 여 스토리지 노드 컨 택 홀 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 스토리지 노드 컨 택 홀 을 도전 막 으로 매립 하 여 스토리지 노드 컨 택 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .