시간 구간 t 01 ~ t 02 ( 선택 된 워드 라인 프리 차지 단계 ) 에서 , 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 과 인접 한 비 선택 된 비트 라인 ( BL 6 ) 에 연결 된 트랜지스터 들 ( Tpb 6 , Tpn 6 ) 의 게이트 들 에 인가 되 는 전압 들 ( Gpb 6 , Gnb 6 ) 은 , 각각 , 로직 로우 ( ' 0 '), 로직 하이 ( ' 1 ') 레벨 들 일 수 있 고 , 그리고 비 선택 된 비트 라인 ( BL 6 ) 의 전압 ( VBL 6 ) 은 전압 레벨 ( Vbr 4 ) 일 수 있 다 . 여기 서 , 전압 레벨 ( Vbr 4 ) 은 바이어 싱 전압 의 레벨 로 지칭 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 전압 레벨 ( Vbr 4 ) 은 0 V 일 수 있 고 , 이 경우 전압 레벨 ( Vbr 4 ) 은 제 로 바이어 싱 ( zero biasing ) 전압 레벨 로 지칭 될 수 있 다 . 비 선택 된 비트 라인 ( BL 6 ) 은 t 01 부터 전압 레벨 ( Vbr 4 ) 로 바이어 싱 될 수 있 다 . 다만 , 비 선택 된 비트 라인 ( BL 6 ) 이 바이어 싱 되 기 시작 하 는 시간 t 01 은 단순히 예시 적 인 것 일 뿐 이 다 . 시간 구간 t 01 ~ t 02 ( 선택 된 워드 라인 프리 차지 단계 ) 에서 , 도 5 b 와 달리 , 비 선택 된 비트 라인 ( BL 6 ) 은 스탠바이 단계 를 유지 할 수 도 있 다 .