또한 , 소스 층 ( 130 a ) 및 드레 인 층 ( 130 b ) 은 형성 할 때 에 는 , 그 표면 이 평탄 해 지 도록 가공 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 어 , 개구 를 포함 하 는 영역 에 티 탄막 이나 질화 티 탄막 을 얇 게 형성 한 후 에 , 개구 에 묻 도록 텅스텐 막 을 형성 하 는 경우 에 는 , 이 후 의 CMP 에 의해서 , 불 필요 한 텅스텐 , 티탄 , 질화 티탄 등 을 제거 함 과 동시 에 , 그 표면 의 평탄 성 을 향상 시킬 수 있 다 . 이 와 같이 , 소스 층 ( 130 a ) 및 드레 인 층 ( 130 b ) 을 포함 하 는 표면 을 평탄 화 함 으로써 , 후 의 공정 에 있 어서 , 양호 한 전극 , 배선 , 절연 층 , 반도체 층 등 을 형성 할 수 있 게 된다 .