이상 에서 와 같이 , 본 발명 은 LRW ( low resistivity tungsten ) 공정 으로 비트 라인 ( bit line ) 을 형성 할 경우 , LRW 공정 시 변수 로 작용 하 는 퍼지 시간 , 이동 가스 및 웨이퍼 의 쿨링 을 위한 백사이드 가스 의 조건 을 조절 하 여 균일성 과 모 폴로 지 특성 이 개선 된 비정질 텅스텐 핵 생성 층 을 형성 하 고 , 그 상부 에 그레인 ( Grain ) 을 크기 를 크 게 형성 된 벌크 텅스텐 막 을 형성 함 으로써 비트 라인 의 배선 저항 을 낮출 수 있 다 .