읽 기 동작 동안 , 메모리 셀 ( 205 ) 의 커패시터 ( 240 ) 가 자신 의 대응 하 는 디 지트 라인 ( 215 ) 으로 신호 를 출력 ( 가령 , 전하 를 방출 또는 전하 를 수신 ) 할 수 있 다 . 신호 는 디 지트 라인 ( 215 ) 의 전압 이 변경 되 게 할 수 있 다 . 감지 구성 요소 ( 250 ) 는 디 지트 라인 ( 215 ) 에 걸친 메모리 셀 ( 205 ) 로부터 수신 된 신호 를 참조 신호 ( 255 ) ( 가령 , 참조 전압 ) 에 비교 하 도록 구성 될 수 있 다 . 감지 구성 요소 ( 250 ) 는 비교 를 기초 로 메모리 셀 ( 205 ) 의 저장 된 상태 를 결정 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 이진 - 시그널 링 에서 , 디 지트 라인 ( 215 ) 이 참조 신호 ( 255 ) 보다 높 은 전압 을 갖 는 경우 , 감지 구성 요소 ( 250 ) 는 메모리 셀 ( 205 ) 의 저장 된 상태 가 논리 1 임 을 결정 할 수 있 고 , 디 지트 라인 ( 215 ) 이 참조 신호 ( 255 ) 보다 낮 은 전압 을 갖 는 경우 , 감지 구성 요소 ( 250 ) 는 메모리 셀 ( 205 ) 의 저장 된 상태 가 논리 0 이 라고 결정 할 수 있 다 . 감지 구성 요소 ( 250 ) 는 신호 의 차이 를 검출 및 증폭 하 기 위해 다양 한 트랜지스터 또는 증폭기 를 포함 할 수 있 다 .