도 7 을 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 다중 대역 안테나 스위치 모듈 ( 100 ) 은 기판 의 내층 으로 NiCr 저항 ( b 2 ) , MIM ( Metal - Insulator - Metal ) 커패시터 ( b 3 ) 와 같 은 수동 수자 영역 과 능동소자 로서 ESFET ( Metal Semiconductor Field Effect Transistor ) 가 형성 되 는 반도체 소자 영역 ( b 1 ) 이 위치 되 고 , 그 위 로 통전 로 및 인덕 터로 사용 되 는 메탈 접속 층 ( C ) , 메탈 층 ( D , E , F ) 이 층 별 로 형성 된다 .