도 4 를 참조 하 면 , 양산 제품 에 대한 공정 진행 시 웨이퍼 를 노광 한 후 에 ( 단계 402 ) , CD SEM 을 이용 하 여 이러 한 웨이퍼 에 형성 된 포토레지스트 패턴 을 측정 한다 ( 단계 404 ) . 여기 에서 , 포토레지스트 패턴 의 측정 을 통해 현상 후 임계 치수 , 공정 후 임계 치수 및 패턴 프로파일 ( 예 를 들 면 , 사이드 월 앵글 등 ) 을 측정 할 수 있 다 .