도 3 a 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 ( 31 ) 상 에 버퍼 막 패턴 ( 32 ) 과 하드 마스크 패턴 ( 33 ) 을 형성 한다 . 버퍼 막 패턴 ( 32 ) 은 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 으로서 , 열 산화 방식 으로 형성 할 수 있 고 , 50 ∼ 150 Å 두께 로 형성 할 수 있 다 . 하드 마스크 패턴 ( 33 ) 은 버퍼 막 패턴 ( 32 ) 및 기판 ( 31 ) 과 식각 선택 비 를 갖 는 물질 , 예 를 들 어 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 또는 탄화 실리콘 막 ( SiC ) 으로 형성 할 수 있 으며 , 그 두께 는 2000 Å 으로 할 수 있 다 .