상기 의 제 1 , 제 2 실시 형태 에서 는 , Si 기판 ( 1 ) 이 본 발 명의 「 반도체 기판 」 에 대응 하 여 , SiGe 층 ( 11 ) 이 본 발 명의 「 제 1 반도체 층 」 에 대응 하 고 , Si 층 ( SOI 층 ) ( 13 ) 이 본 발 명의 「 제 2 반도체 층 」 또는 「 반도체 층 」 에 대응 하 고 있 다 . 또한 , SiO 2 막 ( 3 ) 이 본 발 명의 「 보호막 」 에 대응 하 고 , 오 목부 ( 9 ) 이 본 발 명의 「 오 목부 」 에 대응 하 고 있 다 . 또한 , BOX 층 ( 31 ) 이 본 발 명의 「 매립 절 연막 」 또는 「 절 연막 」 에 대응 하 고 있 다 .