용융 단계 ( S 200 ) 에서 베이스 기판 ( 100 ) 의 국부 면적 은 실리콘 의 녹는점 및 이종 물질 의 녹는점 중 더 낮 은 온도 의 녹는점 이상 의 온도 로 가열 되 어 용융 영역 ( 300 ) 이 형성 되 고 , 결정 화 단계 에서 용융 영역 ( 300 ) 의 온도 는 이종 물질 과 실리콘 의 공정점 이상 , 실리콘 의 용융 온도 이하 로 유지 될 수 있 다 .