또한 , 본 발명 의 제 2 발명 은 , " "" 제 1 의 재료 로 형성 되 는 복수 의 제 1 입자 ( a ) 와 "," 상기 제 1 입자 의 저항 보다 낮 은 저항 을 가지 고 또한 상기 제 1 의 재료 와 는 다른 제 2 의 재료 로 형상 되 는 복수 의 제 2 입자 ( b ) 를 함유 한 막 에 전류 를 흐르 게 하 는 공정 을 포함 하 는 "" 전자 방출 소자 의 제조 방법 으로서 ", 상기 막 에 포함 되 는 상기 제 1 입자 의 비율 이 2 ％ 이상 50 ％ 이하 이 며 , 상기 제 2 입자 의 저항 에 대한 상기 제 1 입자 의 저항 의 비 가 50 이상 400 이하 이 며 , 상기 제 1 입자 및 제 2 입자 의 표준 편차 가 평균 입경 의 33 . 3 ％ 이하 인 것 을 특징 으로 하 는 전자 방출 소자 의 제조 방법 이 다 .