도 2 는 본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 수평 형 질화물 반도체 발광 소자 의 전 극 패턴 을 도시 한 예 시도 로서 , 수평 형 질화물 반도체 발광 소자 의 p 형 질화물 층 ( 도시 하 지 않 음 ) 의 상부 면 에 형성 된 p 측 전극 패턴 과 n 형 질화물 층 의 노출 영역 에 형성 된 n 측 전극 패턴 을 도시 하 여 설명 한다 . 여기 서 , 도 2 와 관련 된 설명 에서 질화물 반도체 발광 소자 의 관련 된 공지 구성 또는 기능 에 대한 구체 적 인 설명 이 본 발명 의 요지 를 흐릴 수 있 다고 판단 되 는 경우 에 그 상세 한 설명 은 생략 한다 .