상기 수평 구 조체 ( HS ) 를 형성 하 는 단계 는 상기 리세 스 영역 들 ( 205 , 206 , 210 ) 을 차례 로 채우 는 수평 막 및 도전 막 을 차례 로 형성 한 후 , 상기 트렌치 들 ( 200 ) 내 에서 상기 도전 막 을 제거 하 여 상기 리세 스 영역 들 ( 205 , 206 , 210 ) 내 에 상기 도전 패턴 ( 230 ) 을 남기 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 상기 수평 구 조체 ( HS ) 를 형성 하 는 과정 에서 상기 트렌치 들 ( 200 ) 내 의 상기 반도체 연결 층 ( 191 ) 및 상기 게이트 절 연막 ( 192 ) 의 일부 가 함께 제거 될 수 있 다 .