후술 한 본 발명 의 실시 예 들 에서 는 자기 터널 접합 셀 ( Magnetic Tunnel Junction cell , MTJ cell ) 을 형성 하 기 위한 식각 공정 시 , 피닝 막 ( pinning layer ) 을 식각 하 는 과정 에서 발생 하 는 도전 성 식각 부산물 로 인하 여 자유 막 ( free layer ) 과 핀 드 막 ( pinned layer ) 사이 가 전기 적 으로 쇼트 ( short ) 되 는 것 을 방지 할 수 있 는 자기 터널 접합 셀 형성 방법 을 제공 한다 .