도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 11 ) 의 소정 영역 에 STI ( Shallow Trench Isolation ) 구조 를 가지 는 소자 분리 막 ( 12 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 소자 분리 막 ( 12 ) 은 반도체 기판 ( 11 ) 에 소정 깊이 를 가지 는 트렌치 를 형성 한 후 , 트렌치 내부 에 갭 필 ( gap - fill ) 물질 을 매립 하 여 CMP ( Chemical - Mechanical Polishing ) 공정 과 같 은 평탄 화 과정 을 거쳐서 형성 한다 .