또한 , 정 전척 ( 40 ) 과 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 사이 에 특정 원소 를 포함 하 는 퇴적물 이 퇴적 한 경우 , 퇴적물 에 포함 되 는 원소 와 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 포함 되 는 원소 가 분자간력 에 의해 결합 하 는 경우 가 있 다 . 예 를 들 면 , 정 전척 ( 40 ) 에 퇴적 한 퇴적물 에 불소 가 포함 되 어 있 는 경우 , 불소 의 미 결합 손 과 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 포함 되 어 있 는 실리콘 의 미 결합 손 이 결합 하 는 경우 가 있 다 . 퇴적물 에 포함 되 는 원소 의 미 결합 손 과 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 포함 되 는 원소 의 미 결합 손 이 결합 한 경우 , 정 전척 ( 40 ) 과 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 사이 에 분자간력 에 기초 한 흡착 력 이 발생 한다 . 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 대한 플 라즈 마 처리 가 반복 되 면 , 정 전척 ( 40 ) 과 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 사이 에 퇴적 하 는 퇴적물 이 증가 하 고 , 분자간력 에 기초 한 정전 척 ( 40 ) 과 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 사이 의 흡착 력 이 증가 한다 .