도 11 에서 , ( a ) 는 수평 으로 이동 하 는 스택 베이스 의 이동 경로 를 순차 적 으로 도시 한 것 이 고 , ( b ) 는 본 발명 에 따라 U 자형 또는 하반 원형 으로 이동 하 는 스택 베이스 의 이동 경로 를 순차 적 으로 대비 하 여 도시 한 것 이 다 . 본 발명 에 따른 스택 베이스 의 이동 경로 를 나타낸 ( b ) 를 보 면 , 단계 ( 1 ) 에서 단계 ( 2 ) 로 가 면서 극판 ( E 1 ) 이 적층 되 었 고 파지 부 ( 21 a ) 가 극판 ( E 1 ) 을 파지 하 였 다 . 이후 , 단계 ( 3 ) 에서 단계 ( 5 ) 까지 스택 베이스 ( 10 ) 가 반원 형 또는 U 자형 으로 이동하 였 고 , 단계 ( 6 ) 에서 다른 극판 ( E 2 ) 이 적층 되 고 파지 부 ( 31 a ) 가 극판 ( E 2 ) 을 파지 하 였 다 .