상기 실시 예 2 - 1 에서 선택 된 수열 반응 으로 합성 된 탄소 양자 점 의 광 발광 특성 을 알아보 기 위해 흡광도 를 측정 하 고 그 결과 를 도 4 에 나타냈 다 . 이어서 여기 파장 을 기기 허용 범위 인 350 nm 부터 470 nm 까지 20 nm 씩 증가 시키 면서 이 때 의 광 발광 즉 , 방출 스펙트럼 ( emission spectrum ) 변화 를 측정 하 고 그 결과 를 도 5 에 나타냈 다 . 여기 파장 의 변화 에 따라 광 발광 피크 의 이동 ( peak shift ) 이 일어나 며 , 370 nm 의 여기 파장 부터 광 발광 의 세기 가 급격히 강해 지 다가 390 nm 를 넘 으면 여기 파장 이 증가 할수록 형광 세기 가 약해 지 는 패턴 을 보였 고 , 390 nm 의 여기 파장 조건 에서 , 방출 파장 이 470 nm 로 가장 높 은 광 발광 강도 값 을 나타냈 다 . 실제 광 발광 여부 를 확인 하 기 위해 430 ~ 440 nm 범위 의 파장 대 를 갖 는 LED 조명 및 365 nm 파장 의 UV 조명 을 이용 하 여 탄소 양자 점 을 여기 시켜 주 고 난 후 의 형광 발광 을 확인 하 였 다 ( 도 6 ) . 각 여기 파장 변화 에 대한 광 발광 강도 정규 화 ( Normalization ) 를 수행 한 결과 , 도 7 을 참조 하 면 여기 파장 변화 에 따라 방출 파장 이 이동 되 는 것 을 관찰 하 였 다 . 이 는 본원 에 따른 콘드로이틴 기반 탄소 양자 점 이 여기 파장 변화 에 따른 다양 한 색상 ( multi - color ) 을 나타낼 수 있 는 것 으로 , 다양 한 색 을 필요 로 하 는 이미 징 프로브 개발 에 사용 될 수 있 음 을 나타낸다 .