이후 , 상기 스캐닝 시스템 ( 108 ) 에 의해 일정 한 선폭 과 도즈 를 갖 는 이온 빔 ( 100 ) 은 가속 장치 ( 109 ) 에 의해 가속 된다 . 상기 가속 장치 ( 109 ) 는 일정 한 선폭 과 두께 를 갖 는 이온 빔 ( 100 ) 이 통과 되 는 슬롯 ( slot ) 이 형성 된 복수 개 의 가속 전극 ( 도시 하 지 않 음 ) 에 인가 된 전압 차 에 의해 가속 된다 . 예컨대 , 복수 개 의 가속 전극 중 상기 스캐닝 시스템 ( 108 ) 에 최 인접 한 가속 전극 에 고전압 을 인가 하 고 , 상기 스 캐트 링 시스템 에서 상기 웨이퍼 ( W ) 의 방향 으로 순차 적 으로 줄어드 는 전압 을 인가 하 고 , 상기 웨이퍼 ( W ) 에 최 인접 한 가속 전극 을 접 지 시켜 상기 슬롯 으로 통과 되 는 상기 이온 빔 ( 100 ) 을 점진 적 으로 가속 시킬 수 있 다 . 따라서 , 상기 복수 개 의 가속 전극 간 의 거리 와 , 상기 복수 개 의 가속 전극 에 인가 되 는 전압 에 의해 상기 이온 빔 ( 100 ) 의 에너지 가 결정 될 수 있 다 . 또한 , 상기 복수 개 의 가속 전극 의 슬롯 사이 로 통과 되 는 이온 빔 ( 100 ) 은 상기 슬롯 에 해당 되 는 선폭 내 에서 균일 또는 일정 한 도즈 를 갖 도록 제어 될 수 도 있 다 . 도시 되 지 는 않 았 지만 , 상기 가속 장치 ( 109 ) 에서 가속 된 이온 빔 ( 100 ) 은 제 2 자기 집중 전극 ( magnetic focusing electrode ) 에 의해 선폭 과 두께 가 제어 될 수 도 있 다 . 상기 가속 장치 ( 109 ) 에 의해 소정 의 에너지 를 갖 도록 제어 된 이온 빔 ( 100 ) 은 상기 타깃 ( 120 ) 에 고정 된 웨이퍼 ( W ) 의 표면 으로 입사 된다 . 이때 , 상기 이온 빔 ( 100 ) 은 상기 웨이퍼 ( W ) 와 타깃 ( 120 ) 의 횡단면 ( 예 를 들 어 , X 축 방향 ) 을 가로지르 는 크기 이상 의 선폭 으로 입사 된다 . 상기 타깃 ( 120 ) 은 상기 웨이퍼 ( W ) 의 전면 이 상기 이온 빔 ( 100 ) 에 노출 될 수 있 도록 소정 시간 을 주 기 로 Y 축 방향 으로 상승 또는 하강 된다 . 예컨대 , 상기 타깃 ( 120 ) 은 상기 웨이퍼 ( W ) 와 동일 또는 유사 한 모양 을 갖 도록 형성 되 거나 , 상기 이온 빔 ( 100 ) 이 입사 되 는 면 에 대응 하 여 상기 웨이퍼 ( W ) 의 지름 보다 큰 변 을 갖 는 정사각형 모양 을 갖 도록 형성 되 어 있 다 .