예컨대 , 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 310 ) 의 아래 에 배치 된 또 다른 반도체 층 은 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 330 ) 과 동일 한 도전 형 을 갖 는 도 펀트 를 포함 하 거나 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 330 ) 과 반대 인 도전 형 을 갖 는 도 펀트 를 포함 할 수 있 지만 , 이 에 대해서 는 한정 하 지 않 는다 . 예컨대 , 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 330 ) 의 위 에 배치 된 또 다른 도전 형 반도체 층 은 제 2 도전 형 반도체 층 ( 330 ) 과 동일 한 도전 형 을 갖 는 도 펀트 를 포함 하 거나 제 2 도전 형 반도체 층 ( 330 ) 과 반대 인 도전 형 을 갖 는 도 펀트 를 포함 할 수 있 지만 , 이 에 대해서 는 한정 하 지 않 는다 .