이후 , 패 터닝 공정 을 실시 하 여 상기 제 1 하부 도전 막 ( 131 ) 의 일부 를 노출 하 는 제 1 콘 택 홀 ( 미 도시 ) 을 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 는 제 1 절 연막 ( 161 ) 상 에 감광막 을 도포 한 다음 마스크 를 이용 한 사진 현상 공정 을 통해 감광막 패턴 을 형성 하 고 , 이 를 식각 마스크 로 하 는 식각 공정 을 실시 하 여 제 1 절 연막 ( 161 ) 및 제 1 유전체 막 ( 141 ) 을 제거 하 여 제 1 하부 도전 막 ( 131 ) 을 노출 하 는 제 1 콘 택 홀 ( 미 도시 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 제 1 콘 택 홀 은 제 1 상부 도전 막 ( 151 ) 과 중첩 되 지 않 는 제 1 하부 도전 막 ( 131 ) 상측 영역 에 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 . 물론 이 에 한정 되 지 않 고 , 상기 제 1 상부 도전 막 ( 151 ) 과 제 1 하부 도전 막 ( 131 ) 이 중첩 되 는 영역 에 상기 제 1 콘 택 홀 을 형성 할 수 도 있 다 .