복수 의 랜딩 패드 ( LP ) 상 에 는 복수 의 스토리지 노드 ( SN ) 가 형성 될 수 있 다 . 복수 의 스토리지 노드 ( SN ) 는 복수 의 비트 라인 ( BL ) 의 상부 에 형성 될 수 있 다 . 복수 의 스토리지 노드 ( SN ) 는 각각 복수 의 커패시터 의 하부 전극 일 수 있 다 . 스토리지 노드 ( SN ) 는 랜딩 패드 ( LP ) 및 베리드 콘 택 ( BC ) 을 통하 여 활성 영역 ( ACT ) 에 연결 될 수 있 다 .