계속 해서 , 얻 어 진 적층 체 ( 2 ) 의 표면 으로부터 인덕 터 층 ( 61 내지 69 ) 에 , 인덕 터 도체 부 ( 121 , 128 ) 의 주위 의 틈 을 통해서 Li 을 확산 시킨다 . 특히 , 적층 체 ( 2 ) 의 표면 으로부터 인덕 터 확산 층 ( 6 D ) 에 , 인덕 터 도체 ( 128 ) 의 주위 의 틈 을 통해서 Li 을 확산 시킨다 . 여기 에서 는 얻 어 진 적층 체 ( 2 ) 의 표면 에 Li 화합물 을 부착 시킨 후 , 열처리 등 을 한다 . Li 화합물 의 부착 에 는 밀폐 회전 포트 를 사용 할 수 있 다 . Li 화합물 로서 는 특별히 한정 되 지 않 지만 , 열처리 함 으로써 Li 이 적층 체 ( 2 ) 의 표면 으로부터 그 내부 로 확산 할 수 있 는 화합물 로 , 예 를 들 면 , Li 의 산화물 , 수산화물 , 염화물 , 초산염 , 붕산염 , 탄산염 및 옥살산염 등 을 들 수 있 다 .