도 4 는 도 3 의 정렬 마크 의 단면 의 측면도 를 나타낸다 . 트랙 들 ( 30 ) 은 비 - 전도성 재료 층 ( 40 ) 에 내재 된 ( embedded ) 전도성 재료 를 포함 한다 . 층 ( 40 ) 은 기판 ( 42 ) 상 에 제공 되 며 , 이 는 부분 적 으로 제조 된 회로 구 조체 들 을 갖 거나 갖 지 않 은 반도체 웨이퍼 일 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 트랙 들 은 구리 와 같 은 금속 을 포함 할 수 있 으 며 , 층 ( 40 ) 은 산화 규소 또는 탄화규소 로 구성 될 수 있 다 .