차단 유전체 층 ( 52 ) 은 단일 유전체 재료 층 또는 복수 의 유전체 재료 층 들 의 스택 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 차단 유전체 층 은 유전체 금속 산화물 로 본질 적 으로 이루어진 유전체 금속 산화물 층 을 포함 할 수 있 다 . 본 명세서 에 사용 되 는 바 와 같이 , 유전체 금속 산화물 은 적어도 하나 의 금속 성 원소 및 적어도 산소 를 포함 하 는 유전체 재료 를 지칭 한다 . 유전체 금속 산화물 층 은 후속 적 으로 , 저장 된 전기 전하 들 이 제어 게이트 전극 들 로 누설 되 는 것 을 차단 하 는 유전체 재료 부분 으로서 기능 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 차단 유전체 층 ( 52 ) 은 알루미늄 산화물 을 포함 한다 . 일 실시 예 에서 , 차단 유전체 층 ( 52 ) 은 상이 한 재료 조성 들 을 갖 는 다수 의 유전체 금속 산화물 층 들 을 포함 할 수 있 다 . 대안 적 으로 또는 추가 적 으로 , 차단 유전체 층 ( 52 ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 산질 화물 , 실리콘 질화물 , 또는 이 들 의 조합 과 같 은 유전체 반도체 화합물 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 차단 유전체 층 ( 52 ) 은 실리콘 산화물 을 포함 할 수 있 다 . 차단 유전체 층 ( 52 ) 의 두께 는 3 nm 내지 20 nm 범위 에 있 을 수 있 지만 , 더 작 거나 더 큰 두께 도 또한 사용 될 수 있 다 . 대안 적 으로 , 차단 유전체 층 ( 52 ) 은 생략 될 수 있 고 , 후속 적 으로 형성 될 메모리 필름 들 의 표면 들 상 의 후면 리세 스 들 의 형성 이후 에 후면 차단 유전체 층 이 형성 될 수 있 다 .