그리고 , 본 발명 에서 는 상기 외측 자성체 ( 26 ) 에 갭 ( 27 ) 을 형성 하 여 자기 포화 가 발생 하 는 것 을 방지 하 고 있 다 . 이 와 같 은 갭 ( 27 ) 을 외측 자성체 ( 26 ) 에 형성 함 에 의해 상대 적 으로 우수 한 특성 을 나타낸다 . 즉 , 인덕턴스 의 감쇠 량 은 작 은 반면 직류 중첩 특성 에 있 어서 큰 향상 을 보였 다 .