그리고 , 소자 분리 공정 을 수행 하 여 상기 반도체 기판 ( 20 ) 에 소자 분리 막 ( 21 ) 을 형성 한다 . 본 실시 예 에서 는 , 언급 한 바 와 같이 , 상기 소자 분리 막 ( 21 ) 으로서 트렌치 소자 분리 막 을 형성 한다 . 상기 트렌치 소자 분리 막 은 주로 식각 과 적층 및 평탄 화 공정 을 순차 적 으로 수행 하 여 형성 한다 . 아울러 , 상기 트렌치 소자 분리 막 은 주로 플 라즈 마 증대 화 학기 상 증착 ( PECVD ) 를 수행 하 여 수득 하 는 산화물 을 사용 하 여 형성 한다 . 이 와 같이 , 상기 소자 분리 막 ( 21 ) 을 형성 함 으로서 상기 반도체 기 판 ( 20 ) 은 액티브 영역 과 필드 영역 으로 한정 된다 .