이때 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 MgO 보호 층 은 페이스트 를 이용 한 후막 인쇄 법 을 사용 할 수 도 있 으나 후막 인쇄 법 은 이온 의 충격 에 이 한 스퍼터링 에 상대 적 으로 약하 고 , 2 차 전자 방출 에 의한 방전 유지 전압 과 방전 개시 전압 의 감소 를 기대 하 기 어려워 물리 기상 증착 ( physical vapor deposition , PVD ) 법 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 .