먼저 , 하드 마스크 ( 23 A ) 제거 를 위한 식각 공정 은 에치 백 을 사용 하 며 , 식각 챔버 는 반응 성 이온 식각 ( Reactive Ion Eetching ) 방식 의 플 라즈 마 챔버 를 이용 한다 . 그리고 , 식각 가스 는 CH 2 F 2 , CH 4 및 산소 가스 가 혼합 된 혼합 가스 ( CH 2 F 2 / CH 4 / O 2 ) 에 희석 가스 로서 아르곤 ( Ar ) 가스 를 첨가 한다 . 이때 , CH 2 F 2 : CH 4 : O 2 는 2 : 1 : 1 의 비율 로 혼합 하 고 , CH 2 F 2 / CH 4 / O 2 의 총 유량 이 적어도 80 sccm 이하 ( 50 sccm ∼ 80 sccm ) 로 하 며 , 아르곤 ( Ar ) 가스 는 100 sccm ∼ 1000 sccm 의 유량 으로 플로우 시킨다 . 여기 서 , 총 유량 이 80 sccm 을 초과 하 게 되 면 층간 절 연막 의 식각 이 과도 할 수 있 으며 , 또한 혼합 가스 에서 산소 가스 의 비율 을 CH 2 F 2 에 비해 작 게 하 여 층간 절 연막 의 식각 을 억제 한다 .