이렇게 , 스토리지 노드 콘 택 형성 방식 이 라인 타입 일 경우 에 는 홀 타입 과 는 달리 콘 택 매립 물질 의 노드 ( node ) 분리 공정 이 추가 된다 . 상기 노드 분리 공정 은 콘 택 과 콘 택 을 분리 하 는 공정 으로서 주로 CMP ( Chemo Mechanical Polishing ) 나 전면 식각 ( blanket etch - back ) 으로 콘 택 매립 물질 을 일부 제거 하 는 공정 이 다 . 그런데 , 콘 택 간 의 합선 가능 성 을 배제 하 기 위해서 는 확실 하 게 매립 물질 를 분리 ( isolation ) 할 필요 가 있 는데 , 이때 , 비트 라인 상단 의 하드 마스크 의 손실 이 발생 하 게 된다 .