또한 , 산소 분위기 하 에서 제 2 열처리 를 행하 는 대신 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 에 인접 하 는 절연 층 ( 예 를 들 어 , 게이트 절연 층 ( 646 ) ) 으로서 산소 를 포함 하 는 층 을 형성 한 후 , 질소 분위기 하 등 에서 열처리 를 행함 으로써 , 당해 절연 층 으로부터 산화물 반도체 층 ( 644 ) 에 산소 를 공급 해도 좋 다 .