이때 , 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( 90 a ) 사이 로 노출 된 금속 패턴 ( 도 4 b 의 29 ) 과 그 하부 의 불순물 비정질 실리콘 패턴 ( 도 4 b 의 25 ) 의 제거 를 위한 드라이 에칭 진행 시 , 주로 상기 금속 패턴 ( 도 4 b 의 29 ) 과 그 하부 의 불순물 비정질 실리콘 패턴 ( 도 4 b 의 25 ) 이 제거 되 지만 , 상기 금속 패턴 ( 도 4 b 의 29 ) 외부 로 노출 된 게이트 절 연막 ( 20 ) 또한 일부 가 제거 되 며 , 특히 상기 드레 인 전극 ( 36 ) 을 끝 단부 는 상기 드라이 에칭 진행 시 상태 가 그 끝단 이 일치 된 형태 로서 액티브 층 ( 22 ) , 불순물 비정질 실리콘 패턴 ( 도 4 b 의 25 ) , 금속 패턴 ( 도 4 b 의 29 ) 및 제 1 포토레지스트 패턴 ( 90 a ) 이 형성 되 고 있 는 바 , 상기 노출 된 게이트 절 연막 ( 20 ) 의 표면 으로부터 매우 높 은 단차 를 형성 하 게 됨 으로써 이러 한 높 은 단차 의 영향 으로 상기 액티브 층 ( 22 ) 과 상기 게이트 절 연막 ( 20 ) 이 만나 는 모서리 부분 을 따라 집중 적 으로 타부 분 의 게이트 절 연막 ( 20 ) 대비 드라이 에칭 이 집중 되 는 현상 이 발생 하 여 상기 게이트 절 연막 ( 20 ) 이 식각 됨 에 따라 상기 액티브 층 ( 22 ) 하부 로 언더 컷 ( under cut ) 이 발생 하 게 된다 . 이때 , 도면 에서 는 상기 드레 인 전극 ( 26 ) 하부 에 만 언더 컷 ( under cut ) 이 발생 한 것 을 나타내 었 지만 , 실제 적 으로 는 상기 소스 전극 ( 33 ) 끝단 하부 에 도 상기 언더 컷 ( under cut ) 이 발생 한다 . 하지만 , 상기 소스 전극 ( 33 ) 끝 단부 에 는 화소 전극 이 형성 되 지 않 는 바 , 구조 적 으로 문제 되 지 않 음 으로 도면 에 나타내 지 않 았 다 .