이어서 , 상기 도 10 a 및 도 10 b 에 도시 한 제 2 포토레지스트 패턴 ( 220 a , 220 b ) 을 식각 마스크 로 상기 상부 전극 용 제 3 도 전막 ( 218 ) 을 식각 하 여 상부 전극 ( 218 a , 218 b ) 을 형성 함 으로써 각각 도 3 a 및 도 3 b 에 도시 한 상변화 메모리 소자 를 완성 한다 . 다시 말 해 , 상기 도 10 a 에서 는 , 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 220 a ) 을 식각 마스크 로 상기 상부 전극 용 제 3 도 전막 ( 218 ) 을 식각 하 여 도 3 a 에 도시 한 상부 전극 ( 218 a ) 을 형성 하 여 상변화 메모리 소자 를 완성 한다 . 도 10 b 에서 는 , 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 220 b ) 을 식각 마스크 로 상기 상부 전극 용 제 3 도 전막 ( 218 ) 을 식각 하 여 도 3 b 에 도시 한 바 와 같 은 상부 전극 ( 218 b ) 을 형성 하 여 상변화 메모리 소자 를 완성 한다 .