제 1 도전 패턴 군 이 형성 된 하부 기판 ( 60 ) 상 에 , 도 7 b 와 같이 게이트 절 연막 ( 64 ) 이 도포 된다 . 그리고 제 2 마스크 공정 을 이용 하 여 게이트 절 연막 ( 64 ) 위 에 활성 층 ( 66 ) 및 오 믹 접촉 층 ( 68 ) 을 포함 하 는 제 1 반도체 패턴 과 , 데이터 라인 ( 70 ) , 소스 전극 ( 72 ) , 및 드레 인 전극 ( 74 ) 등 을 포함 하 는 제 2 도전 패턴 군 이 형성 된다 .