실시 예 1 , 비 교예 1 내지 3 의 C - V 특성 ( Capacitance - Voltage Characteristic ) 을 측정 하 였 다 . 상기 C - V 측정 을 위하 여 실시 예 및 비 교예 를 이용 하 여 게르마늄 - 게르마늄 산화 막 의 제조 과정 을 거친 후 게르마늄 산화 막 상 에 섀도우 마스크 를 이용 한 열 증착 법 ( thermal deposition ) 으로 상부 전극 을 증착 하 였 다 . 게르마늄 산화 막 이 형성 되 지 않 은 면 에 생성 된 자연 산화 막 을 플 라즈 마 식각 , 습식 식각 또는 탈 이 온수 ( deionized water ) 를 이용 해 제거 함 으로써 MOSCAP 을 제작 하 였으며 , 게르마늄 기판 과 상부 전극 에 전압 을 인가 하 여 C - V 특성 을 측정 하 였 다 .