도 17 a 및 17 b 의 트랜지스터 ( 162 ) 에서 는 미세화 에 기인 하 여 소자 간 에 발생 하 는 리크 를 억제 하 기 위해서 , 섬 형상 으로 가공 된 산화물 반도체 층 ( 144 ) 을 이용 하 고 있 으나 , 섬 형상 으로 가공 되 지 않 은 산화물 반도체 층 ( 144 ) 을 채용 할 수 있 다는 점 에 주목 한다 . 산화물 반도체 층 을 섬 형상 으로 가공 하 지 않 을 경우 에 는 , 가공 시 의 에칭 에 의한 산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 오염 을 방지 할 수 있 다 .