따라서 , 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 박막 트랜지스터 의 제조 방법 에 의하 면 , 박막 의 밀도 ( density ) 가 향상 되 고 , 표면 조도 가 감소 된다 . 따라서 , 전위 ( dislocation ) 와 같 은 격자 결함 , 기공 ( pore ) 등 이 감소 되 고 , 이 들 로 인한 누설 전류 ( leakage current ) 발생 이 방지 또는 감소 되 는 효과 가 있 으며 , 특성 이 균일 또는 안정 화 될 수 있 다 .