여기 서 , 본 기판 처리 시스템 ( 1100 ) 에서 의 부분 연마 방법 에 대하 여 설명 한다 . 우선 , 처음 에 연마 대상물 인 기판 Wf 의 표면 의 상태 를 검출 한다 . 표면 상태 는 , 기판 Wf 위 에 형성 되 는 막 의 막 두께 나 표면 의 요철 에 관한 정보 ( 위치 , 사이즈 , 높이 등 ) 등 이 며 , 전술 한 상태 검 출부 ( 420 ) 에 의해 검출 된다 . 이어서 , 검출 된 기판 Wf 의 표면 상태 에 따라서 연마 레시피 를 작성 한다 . 여기 서 , 연마 레시피 는 복수 의 처리 스텝 으로 구성 되 어 있 으며 , 각 스텝 에 있 어서 의 파라미터 로서 는 , 예 를 들 어 부분 연마 장치 ( 1000 ) 에 대해서 는 , 처리 시간 , 연마 패드 ( 502 ) 의 기판 Wf 나 드레스 스테이지 ( 810 ) 에 배치 된 드레서 ( 820 ) 에 대한 접촉 압력 혹은 하중 , 연마 패드 ( 502 ) 나 기판 Wf 의 회전수 , 연마 헤드 ( 500 ) 의 이동 패턴 및 이동 속도 , 연마 패드 처리 액 의 선택 및 유량 , 드레스 스테이지 ( 810 ) 의 회전수 , 연마 종점 의 검출 조건 이 있 다 . 또한 , 부분 연마 에 있 어서 는 , 전술 한 상태 검 출부 ( 420 ) 에 의해 취득 한 기판 Wf 면 내 의 막 두께 나 요철 에 관한 정보 를 기초 로 기판 Wf 면 내 에서 의 연마 헤드 ( 500 ) 의 동작 을 결정 할 필요 가 있 다 . 예 를 들 어 기판 Wf 의 면 내 의 각 피 연마 영역 에서 의 연마 헤드 ( 500 ) 의 체류 시간 에 대해서 는 , 본 결정 에 대한 파라미터 로서 는 , 예 를 들 어 원 하 는 막 두께 나 요철 상태 에 상당 하 는 타깃 값 이나 상기 의 연마 조건 에 있 어서 의 연마 속도 를 들 수 있 다 . 여기 서 연마 속도 에 대해서 는 , 연마 조건 에 따라 상이 하 기 때문 에 , 데이터베이스 로서 제어 장치 ( 900 ) 내 에 저장 되 고 , 연마 조건 을 설정 하 면 자동 으로 산출 되 어도 된다 . 여기 서 기초 가 되 는 각 파라미터 에 대한 연마 속도 는 사전 에 취득 해 두 고 , 데이터베이스 로서 저장 해 두 어도 된다 . 이 들 파라미터 와 취득 한 기판 Wf 면 내 의 막 두께 나 요철 에 관한 정보 로부터 기판 Wf 면 내 에 있 어서 의 연마 헤드 ( 500 ) 의 체류 시간 이 산출 가능 하 다 . 또한 , 후술 하 는 바 와 같이 , 전 측정 , 부분 연마 , 전체 연마 , 세정 의 루트 는 기판 Wf 의 상태 나 사용 하 는 처리 액 에 따라 상이 하 기 때문 에 , 이 들 구성 요소 의 반송 루트 의 설정 을 행해도 된다 . 또한 , 기판 Wf 면 내 의 막 두께 나 요철 데이터 의 취득 조건 의 설정 도 행해도 된다 . 또한 , 후술 하 는 바 와 같이 처리 후 의 Wf 상태 가 허용 레벨 에 도달 하 지 않 는 경우 , 재 연마 를 실시 할 필요 가 있 지만 , 그 경우 의 처리 조건 ( 재 연마 의 반복 횟수 등 ) 을 설정 해도 된다 . 그 후 , 작성 된 연마 레시피 에 따라서 , 부분 연마 및 전체 연마 를 행한다 . 또한 , 본 예 및 이하 에서 설명 하 는 다른 예 에 있 어서 , 기판 Wf 의 세정 은 임의 의 타이밍 에 행할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 부분 연마 와 전체 연마 에 있 어서 사용 하 는 처리 액 이 상이 하 고 , 부분 연마 의 처리 액 전체 연마 에 대한 콘 타미 네이션 을 무시 할 수 없 는 경우 에 있 어서 는 , 이것 을 방지 할 목적 으로 , 부분 연마 및 전체 연마 의 각각 의 연마 처리 의 후 에 기판 Wf 의 세정 을 행해도 된다 . 또한 , 반대 로 처리 액 이 동일 한 경우 나 처리 액 의 콘 타미 네이션 을 무시 할 수 있 는 처리 액 의 경우 , 부분 연마 및 전체 연마 의 양쪽 을 행한 후 에 기판 Wf 의 세정 을 행해도 된다 .