이후 , 도 15 i 및 도 15 j 에 도시 한 바 와 같이 , 제 2 입력 전극 ( IE 2 ) 및 제 2 출력 전극 ( OE 2 ) 이 충 진 되 지 않 은 제 1 컨 택 홀 ( CH 1 ) 의 영역 에 의해 노출 된 초기 제 2 도전 패턴 ( CP 2 - A ) 의 일부 를 제거 하 여 제 2 도전 패턴 ( CP 2 ) 을 형성 한다 . 제 2 도전 패턴 ( CP 2 ) 을 형성 하 는 단계 는 포토 리소그래피 공정 을 통해 수행 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 2 입력 전극 ( IE 2 ) 및 제 2 출력 전극 ( OE 2 ) 상 에 포토레지스트 ( PR ) 를 형성 한 후 , 초기 제 2 도전 패턴 ( CP 2 - A ) 의 일부 를 선택 에칭 하 여 제 2 도전 패턴 ( CP 2 ) 을 형성 할 수 있 다 .