게이트 스택 구조물 은 퇴적 공정 , 포토 리소그래피 공정 , 및 에칭 공정 에 의해 형성 된다 . 퇴적 공정 은 화학 적 기상 증착 ( CVD , chemical vapor deposition ) , 물리 적 기상 증착 ( PVD , physical vapor deposition ) , 원자 층 퇴적 ( ALD , atomic layer deposition ) , 고밀도 플라 즈 마 CVD ( HDPCVD , high density plasma CVD ) , 금속 유기 CVD ( MOCVD , metal organic CVD ) , 원격 플 라즈 마 CVD ( RPCVD , remote plasma ) , 플 라즈 마 강화 CVD ( PECVD , plasma enhanced CVD ) , 도금 , 다른 적합 한 방법 , 및 / 또는 이 들 의 조합 을 포함 한다 . 포토 리소그래피 공정 은 포토레지스트 코팅 ( 예컨대 , 스핀 온 코팅 ) , 소프트 베이 킹 , 마스크 정렬 , 노광 , 노광 후 베이 킹 , 포토레지스트 의 현상 , 세정 , 건조 ( 예컨대 , 하드 베이 킹 ) 를 포함 한다 . 에칭 공정 은 건식 에칭 공정 또는 습식 에칭 공정 을 포함 한다 . 대안 적 으로 , 포토 리소그래피 공정 은 마스크 리스 포토 리소그래피 , 전자 - 빔 기입 , 또는 이온 - 빔 기입 과 같 은 다른 적절 한 방법 에 의해 구현 또는 대체 될 수 있 다 .