다음 에 , 도 14 ( B ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 반도체 막 ( 704 ) 을 소정 의 형상 으로 가공 ( 패 터닝 ) 하 여 , 섬 형상 의 반도체 막 ( 705 ∼ 707 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 섬 형상 의 반도체 막 ( 705 ∼ 707 ) 을 덮 도록 게이트 절 연막 ( 709 ) 을 형성 한다 . 게이트 절 연막 ( 709 ) 은 플라 즈 마 CVD 법 또는 스퍼터링 법 등 을 사용 하 여 , 질화규소 , 산화 규소 , 질화 산화 규소 또는 산화 질화규소 를 함유 하 는 막 을 단층 으로 또는 적층 시켜 형성 할 수 있 다 . 적층 하 는 경우 에 는 , 예 를 들 어 , 기판 ( 700 ) 측 으로부터 산화 규소 막 , 질화규소 막 , 산화 규소 막 의 3 층 구조 로 하 는 것 이 바람직 하 다 .