그런 다음 , 상기 홈 ( H ) 을 포함 한 제 2 에 피 실리콘 막 ( 308 ) 상 에 산화 막 계열 의 게이트 절 연막 ( 321 ) 과 폴리 실리콘 막 ( 322 ) 및 금속 계열 의 게이트 금속 막 ( 323 ) , 그리고 , 질화 막 계열 의 게이트 하드 마스크 막 ( 324 ) 을 증착 한 후 , 상기 게이트 하드 마스크 막 ( 324 ) 과 게이트 금속 막 ( 323 ) 및 폴리 실리콘 막 ( 322 ) 에 대해 마스크 공정 및 식각 공정 을 진행 하 여 상기 홈 ( H ) 상 에 메인 게이트 ( 330 ) 가 배치 되 며 , 상기 소자 분리 막 ( 310 ) 상 에 패 싱 게이트 ( 340 ) 가 배치 되 는 게이트 라인 ( G / L ) 을 형성 한다 .