상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위하 여 , 액정 이 화소 전극 과 공통 전극 간 의 수평 전계 에 의해 구동 되 는 본 발명 에 따른 박막 트랜지스터 기판 의 제조 방법 은 게 이트 절 연막 을 사이 에 두 고 화소 영역 을 정의 하 도록 교차 하 는 게이트 라인 및 데이터 라인 과 접속 되 는 박막 트랜지스터 를 기판 상 에 형성 하 는 단계 와 ; 상기 박막 트랜지스터 를 덮 도록 보호막 을 형성 하 는 단계 와 ; 상기 게이트 절 연막 및 보호막 내 의 잔류 전하 를 제거 하 는 제 1 대전 방지 막 을 상기 보호막 상 에 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .