도 4 e 를 참조 하 면 CNT 재료 영역 의 상부 표면 의 평탄 화 및 노출 후 에 각 메모리 셀 의 다이오드 구조 가 형성 된다 . 몇몇 실시 예 에서 장벽 층 ( 414 ) , 예 를 들 어 티타늄 질화물 , 탄탈 질화물 , 텅스텐 질화물 등 은 다이오드 형성 이전 에 CNT 재료 영역 ( 409 ) 상 에 형성 될 수 있 다 ( 예 를 들 어 , 금속 원자 의 폴리 실리콘 영역 으로 의 이동 을 막 고 / 막 거나 감소 시키 기 위해서 ) . 장벽 층 ( 414 ) 은 티타늄 질화물 또는 또 다른 적당 한 장벽 층 , 예 를 들 어 탄탈 질화물 , 텅스텐 질화물 , 하나 이상 의 장벽 층 의 결합 물 , 다른 층 과 결합 한 장벽 층 , 예 를 들 어 티타늄 / 티타늄 질화물 , 탄탈 / 탄탈 질화물 또는 텅스텐 / 텅스텐 질화물 스택 들 등 의 약 20 내지 약 500 옹스트롬 , 및 바람직 하 게 는 약 100 옹스트롬 일 수 있 다 . 다른 장벽 층 재료 및 / 또는 두께 를 사용 할 수 있 다 .