다음 으로 도 4 의 ( q ) 와 같이 제 2 비아 ( 15 ) 에 네 번 째 빌드 업 층 ( 30 b ) 을 적층 할 수 있 으며 , 상술 한 바 와 같이 , 복수 의 빌드 업 층 을 적층 할 수 있 으나 , 본 발명 에서 는 한 층 의 빌드 업 층 ( 30 d ) 을 적층 하 는 것 을 실시 예 로 한다 . 하지만 , 네 번 째 빌드 업 층 ( 30 b ) 에 도 비아 를 형성 하 여 복수 의 빌드 업 층 을 구현 할 수 있 음 은 물론 이 다 .