상기 식각 공정 은 크 게 건식 식각 ( dry etching ) 공정 과 습식 식각 ( wet etching ) 공정 으로 구분 할 수 있 다 . 반도체 초기 의 식각 공정 은 일반 적 으로 화학 용액 을 이용 한 습식 식각 ( Wet etching ) 으로 진행 되 어 왔으나 , 회로 의 집적도 가 높 아 짐 에 따라 반응 성 가스 를 에 천트 ( etchant ; 식각 액 ) 로 사용 하 는 건식 식각 이 반도체 공정 에서 많이 사용 되 고 있 는 실정 이 다 .