본 발명 에 따라 기판 상 에 패턴 화 된 재료 형상 을 형성 시키 는 방법 은 구체 적 으로 하 기 와 같이 수행 될 수 있 다 . 　 먼저 , 알루미늄 과 SiN ( 실리콘 나트 라이드 ) 등 과 같 은 패턴 화 하 고자 하 는 재료 를 통상 적 인 방법 에 따라 실리콘 기판 위 에 형성 시킨다 . 　 본 발명 의 하드 마스크 조성물 에 사용 되 는 패턴 화 하 고자 하 는 재료 는 전도성 , 반 전도성 , 자성 또는 절연성 재료 인 것 이 모두 가능 하 다 .