도 6 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 전압 이 인가 되 면 제 1 반도체 층 ( 250 ) 에 인접 하 는 문턱 전압 조절 층 ( 240 ) 영역 에 전자 가 트랩 될 수 있 다 . 반면 , 도 7 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 전압 이 인가 되 면 제 1 반도체 층 ( 250 ) 에 인접 하 는 문턱 전압 조절 층 ( 240 ) 영역 에 정공 이 트랩 될 수 있 다 .