도 5 e 와 관련 하 여 , 자연 실리콘 산화물 층 ( 585 ) 은 통상 적 으로 프로세스 들 이전 및 이후 에 대기 로 의 노출 에 의해 노출 된 실리콘 표면 들 상 에 형성 된다 . 자연 실리콘 산화물 층 ( 585 ) 은 형성 된 금속 실리사이드 의 전기 전도 성 및 합금화 반응 을 개선 하 기 위해서 게이트 전극 ( 555 ) , 소오 스 ( 570 A ) , 및 드레 인 ( 570 B ) 상 에 전도성 금속 실리사이드 접촉 부들 을 형성 하 기 이전 에 제거 되 어야 만 한다 . 자연 실리콘 산화물 층 ( 585 ) 이 반도체 성 재료 의 전기 저항 을 증가 시킬 수 있 으며 , 후속 적 으로 증착 되 는 실리콘 및 금속 층 들 의 실리 시 데이 션 ( silicidation ) 에 부정 적 영향 을 미칠 수 있 다 . 따라서 , 활성 전자 소자 들 을 상호 연결 하 기 위한 금속 실리사이드 접촉 부들 또는 전 도체 들 을 형성 하 기 전 에 전술 된 건식 식각 프로세스 를 이용 하 여 자연 실리콘 이 산화물 층 ( 585 ) 을 제거 할 필요 가 있 다 . 전술 된 건식 식각 프로세스 가 도 5 f 에 도시 된 바 와 같이 , 소오 스 ( 570 A ) , 드레 인 ( 570 B ) 및 게이트 전극 ( 555 ) 의 최 상부 표면 을 노출 시키 도록 자연 실리콘 산화물 층 ( 585 ) 을 제거 하 는 데 이용 될 수 있 다 . 쉘로우 트렌치 분리 ( 545 A , 545 B ) 내 의 산화물 들 이 건식 식각 프로세스 에 또한 노출 된다 . 활성 가스 들 의 비율 과 같 은 적합 한 조절 이 상이 한 표면 들 에서 균일 한 제거율 을 획득 하 기 위해서 건식 식각 프로세스 에 적용 될 수 있 다 .