다음 에 , 도 4 d 에 도시 된 바 와 같이 , 화상 형성 공정 을 수행 하 여 에칭 레지스 트 ( 430 a , 430 b ) 의 패턴 을 동박 ( 412 a , 412 b ) 에 형성 하 고 , 에칭 액 을 분무 하 여 에칭 레지스 트 ( 430 a , 430 b ) 에 의해 보호 되 는 영역 ( 즉 , 회로 패턴 이 되 는 부분 ) 을 제외 한 나 머지 영역 의 동박 ( 412 a , 412 b ) 를 제거 하 며 , 이때 의 동박 적 층판 ( 410 ) 의 평면도 가 도 4 e 에 도시 되 어 있 으며 , 배면도 가 도 4 f 에 도시 되 어 있 다 . 도 4 e 를 보 면 회로 선 ( 435 a ) 가 비 아홀 ( 420 ) 의 내부 쪽 으로 걸쳐 있 음 을 알 수 있 으며 , 도 4 f 를 보 면 동박 적 층판 ( 410 ) 의 하부 에 있 는 회로 선 ( 435 b ) 가 비 아홀 ( 420 ) 의 내부 쪽 에 걸쳐 있 음 을 알 수 있 다 .