도 10 은 이 실시 형태 에서 본 발명 의 딥 실리콘 에칭 을 위해 사용 될 수 도 있 는 플 라즈 마 프로세싱 시스템 ( 700 ) 의 개략 도 이 다 . 플 라즈 마 프로세싱 시스템 ( 700 ) 은 플 라즈 마 프로세싱 시스템 ( 300 ) 과 유사 하 고 , 당업자 가 추가 적 인 설명 없이 유사 한 엘리먼트 들 을 이해 할 수 있 도록 , 유사 한 엘리먼트 들 은 유사 한 참조 번호 들 을 포함 한다 . 도 10 에 도시 된 바 와 같이 , 플라 즈 마 프로세싱 시스템 ( 700 ) 은 , 제어기 ( 336 ) 에 의해 제어 되 는 , 산소 함유 가스 소스 ( 730 ) , 불소 함유 가스 소스 ( 732 ) , SiF 4 가스 소스 ( 734 ) , 및 다른 가스 소스 ( 들 ) ( 736 ) 를 포함 하 는 가스 소스 를 포함 한다 . 상술 된 바 와 같이 , 제어기 는 도 4 a 및 도 4 b 에 도시 된 바 와 같이 구현 될 수 있 다 .