다음 으로 , 반도체 기판 ( 101 ) 표면 에 열 산화 함 으로써 , 예 를 들 어 , 막 두께 10 ㎚ 의 실리콘 산화 막 으로 이루어지 는 게이트 절 연막 ( 104 ) 을 형성 한다 . 게이트 산화 막 ( 104 ) 은 반도체 기판 ( 101 ) 전면 에 형성 한다 . 게이트 절 연막 ( 104 ) 의 형성 은 CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 법 에 의해 실시 해도 된다 .