일부 예 에서 , 증가 구성 요소 ( 1010 ) 는 , 제 1 논리 상태 를 감지 한 후 , 강유 전 성 메모리 셀 에 대한 플레이트 의 전압 을 바이어스 전압 으로 증가 시킬 수 있 다 . 일부 예시 에서 , 증가 구성 요소 ( 1010 ) 는 플레이트 의 전압 을 제 1 전압 에서 중간 전압 으로 증가 시킬 수 있 다 . 일부 예시 에서 , 지속 시간 동안 증가 구성 요소 ( 1010 ) 는 플레이트 의 전압 을 중간 전압 으로부터 제 2 전압 으로 증가 시킬 수 있 다 . 일부 예시 에서 , 증가 구성 요소 ( 1010 ) 는 디 지트 라인 의 전압 을 제 2 전압 에서 제 1 전압 으로 감소 시킨 후 디 지트 라인 의 전압 을 제 1 전압 에서 제 2 전압 으로 증가 시킬 수 있 다 .