비 교예 와 같 은 500 ㎛ 두께 의 실리콘 기판 상 AlGaN / GaN High Electron Mobility Transistor ( HEMT ) 에 사이클로트론 ( Cyclotron ) ( at Korea Institute of Radiological and Medical Science ) 을 이용 하 여 HEMT 의 뒷면 ( 실리콘 기판 ) 에 8 MeV 의 양성자 를 조사 하 였 다 . 그 후 , 소스 - 드레 인 전류 를 측정 하 였 다 .