노출 된 소스 / 드레 인 연결 패턴 ( 140 ) 은 도 8 e 에 도시 된 바 와 같이 애 싱 된 포토레지스트 패턴 ( 47 A ) 을 이용 한 습식 식각 공정 을 통해 제거 된다 . 이 때 애 싱 된 포토레지스트 패턴 ( 47 A ) 의 에지 와 인접 한 소스 / 드레 인 연결 패턴 ( 140 ) 은 도 8 c 에서 상술 한 바 와 같이 식각 액 에 의해 빠르 게 식각 된다 . 이 에 따라 소스 / 드레 인 연결 패턴 ( 140 ) 은 소스 전극 ( 38 ) 과 드레 인 전극 ( 39 ) 으로 분리 되 고 , 소스 전극 ( 38 ) 및 드레 인 전극 ( 39 ) 각각 의 폭 은 이 들 과 중첩 된 포토레지스트 패턴 ( 47 A ) 의 폭 보다 좁 게 형성 된다 .