즉 , 본 발명 의 RF 밸런스 드 정합 소자 에 의하 면 , 종래 RF 밸런스 드 정합 소자 의 문제 인 인덕 터 / 커패시터 간 , 소자 및 단자 간 의 추가 적 인 비 아홀 및 라인 에 의한 기생 성분 이 발생 하 지 않 게 된다 . 또한 , + 및 - 단자 간 의 대칭 성 이 보다 정확 하 게 구현 되 므로 특성 의 저하 가 없 게 되 고 , 간단 한 구조 이 므로 종래 의 정합 소자 의 구조 에 비해 밸런스 드 임피던스 ( balanced impedance ) 를 수식 으로 예측 이 용이 하 여 내장 정합 소자 설계 에 필요 한 시간 을 대폭 절감 하 게 된다 .