그러므로 , 본 발명 에서 는 주패 턴 ( 100 ) 과 활동 영역 ( 110 ) 의 중첩 부인 게이트 셀 ( 120 ) 에 대해서 만 사이징 ( sizing ) 을 실시 하 지 않 고 , 보조 패턴 ( 106 ) 이 형성 된 주패 턴 ( 100 ) 에 대해서 만 선택 적 으로 사이징 이 실시 되 어 콘 택 홀 과 의 정렬 마진 을 높일 수 있 고 , 또한 게이트 패턴 의 광도 개선 에 적용 함 으로써 , 자동 적 으로 광학 근접 보상 효과 에 의한 광도 를 효율 적 으로 조절 할 수 있 다 .