아울러 , 상기 플 라즈 마 식각 장치 는 상기 제 1 절연체 와 상기 상부 - 제 2 전극 사이 의 공간 을 통하 여 상기 반도체 기판 의 가장 자리 상부 , 측면 및 가장 자리 하부 로 상기 플 라즈 마 를 생성 하 기 위한 제 1 반응 가스 를 제공 하 는 제 1 반응 가스 제 공부 및 상기 스테이지 와 상기 제 1 전극 사이 의 공간 을 통하 여 상기 반도체 기판 의 이면 으로 상기 플 라즈 마 를 생성 하 기 위한 제 2 반응 가스 를 제공 하 는 제 2 반응 가스 제 공부 를 더 포함 할 수 있 다 .