그리고 , 반사 방지 막 이 형성 된 상기 웨이퍼 상 에 액상 의 포토 레지스 트 를 스핀 방식 에 의해 균일 하 게 도포 하 여 포토 레지스 트 막 을 형성 한다 . 포토 레지스 트란 특정 파장 대 의 빛 을 받 으면 노광 ( photo exposure ) 반응 을 하 는 일종 의 감광 고분자 화합물 ( photosensitive polymer ) 이 다 . 이때 노광 반응 이 라 함 은 포토 레지스 트 의 일정 부분 이 노광 되 었 을 때 노광 된 부분 의 폴리머 ( polymer ) 사슬 이 끊 어 지 거나 혹은 더 강하 게 결합 하 는 것 을 의미 한다 . 일반 적 으로 , 포토 레지스 트 는 노광 된 부분 의 폴리머 결합 사슬 이 끊 어 지 는 포지티브 ( positive ) 포토 레지스 트 와 , 노광 되 지 않 은 부분 의 폴리머 결합 사슬 이 끊 어 지 는 네거티브 ( negative ) 포토 레지 스트로 구분 된다 . 즉 , 후속 하 는 현상 공정 을 통해 포티 지브 포토 레지스 트 는 노광 지역 이 현상 되 어 비 노광 지역 의 패턴 이 남 게 되 고 , 네거티브 포토 레지스 트 는 비 노광 지역 이 현상 되 어 노광 지역 의 패턴 이 남 게 된다 . 이어서 , 포토 레지스 트 막 상부 에 액상 의 탑 코터 ( top coater ) 를 스핀 방식 에 의해 균일 하 게 도포 하 여 막 을 형성 한다 . 이후 에 , 소프트 베 이크 ( soft bake ) 를 실시 하 고 노광 공정 및 현상 공정 을 실시 하 여 포토 레지스 트 패턴 의 형성 을 완료 한다 .