실시 예 들 에 따른 박막 트랜지스터 의 제조 방법 에 따라 제 3 실시 예 에 따른 박막 트랜지스터 를 제조 하 되 , 도 8 a 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 ITO 유리 기판 상 에 18 ㎛ 두께 의 폴리아미드 ( PI ) 를 코팅 하 여 유연 기판 인 상기 폴리아미드 기판 상 에 제조 된 본 발명 의 제 3 실시 예 에 따른 박막 트랜지스터 의 소자 특성 을 확인 하 였 다 .