이어서 , 컨트롤 게이트 ( 108 ) 상 에 비저항 을 낮추 기 위해 금속 질화물 , 금속 실리사이드 층 또는 이 들 이 적층 된 적 층막 을 더 형성 할 수 도 있 다 . 예컨대 , 금속 질 화물 로 는 티타늄 질화 막 ( TiN ) , 탄탈 늄 질화 막 ( TaN ) , 텅스텐 질화 막 ( WN ) 으로 사용 하 고 , 금속 실리사이드 층 으로 는 티타늄 실리사이드 층 ( TiSi 2 ) , 텅스텐 실리사이드 층 ( Wsi ) 등 을 사용 한다 .