예 를 들 면 , 투과 형 의 액정 표시 장치 에서 , 반도체 층 과 중첩 되 는 게이트 전극 이 되 는 영역 을 제 1 영역 으로 하 여 전기 특성 이 뛰어난 박막 트랜지스터 를 형성 하 고 , 화소 전극 의 사이 에 연장 하 는 게이트 배선 이 되 는 영역 을 제 2 전극 으로 하 여 테이퍼 부 의 폭 을 좁 게 함 으로써 , 개구율 을 향상 시킨다 . 또한 , 게이트 배선 은 배선 저항 을 저감 시키 고 , 또한 , 개구율 을 향상 시키 기 위해 , 테이퍼 부 의 폭 을 좁 게 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 토탈 게이트 배 선폭 은 , 게이트 전극 의 토탈 전극 폭 보다 넓 게 함 으로써 , 배선 저항 을 저감 할 수 있 다 .