1 쌍 의 확산 층 ( 62 ) 은 , 예 를 들 어 실리콘 에 불순물 이 확산 되 어 이루어지 는 것 이 며 , 반도체 층 ( 50 A ) 을 구성 하 고 있 다 . 구체 적 으로 는 , 1 쌍 의 확산 층 ( 62 ) 은 , 소스 영역 에 대응 하 는 확산 층 ( 62 S ) 과 , 드레 인 영역 에 대응 하 는 확산 층 ( 62 D ) 을 포함 하 고 , 그 들 은 반도체 층 ( 50 A ) 에 있 어서 의 게이트 전극 ( 61 ) 과 대향 하 는 채널 영역 을 사이 에 두 고 마련 되 어 있 다 . 확산 층 ( 62 ( 62 S , 62 D ) ) 의 일부 에 는 , 각각 예 를 들 어 니켈 실리사이드 ( NiSi ) 또는 코발트 실리사이드 ( CoSi ) 등 의 금속 실리사이드 를 포함 하 는 실리사이드 영역 ( 65 ( 65 S , 65 D ) ) 이 마련 되 어 있 다 . 실리사이드 영역 ( 65 ) 은 , 후술 하 는 접속 부 ( 68 A 내지 68 C ) 와 확산 층 ( 62 ) 사이 의 접촉 저항 을 저감 시키 는 것 이 다 . 실리사이드 영역 ( 65 ) 은 , 그 일면 이 반도체 기판 ( 50 ) 의 면 ( 50 S 2 ) 에 노출 되 어 있 지만 , 그 반대 측 의 면 은 반도체 층 ( 50 B ) 에 의해 덮여 있 다 . 또한 , 확산 층 ( 62 ) 및 실리사이드 영역 ( 55 ) 의 각각 의 두께 는 , 모두 소자 분리 막 ( 51 ) 의 두께 보다 도 얇 다 .