또한 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 소스 전극 ( 142 a ) , 드레 인 전극 ( 142 b ) 과 의 사이 에 , 소스 영역 및 드레 인 영역 으로서 기능 하 는 산화물 도전 층 을 버퍼 층 으로서 형성 하 여도 된다 . 도 17 에 도시 한 트랜지스터 ( 162 ) 에 산화물 도전 층 을 형성 한 트랜지스터 ( 441 , 442 ) 를 도 24 a , 도 24 b 에 도시 한다 . 또한 , 절연 층 ( 400 ) 은 , 절연 층 ( 136 ) , 절연 층 ( 138 ) , 절연 층 ( 140 ) 등 에 상당 한다 .