도 9 에 도시 된 바 와 같이 , 플로팅 게이트 ( 16 ) 에 전자 가 비 어 있 을 때 ( ' 1 ') 소자 의 문턱 전압 ( VT ) 은 비대칭 SB NOR 형 플래시 기억 소자 와 기존 NOR 형 플래시 기억 소자 및 대칭 SB NOR 형 플래시 기억 소자 모두 1 . 5 내지 2 V 로 유사 하 다 . 그러나 , 문턱 전압 ( VT ) 이상 의 전압 을 동일 하 게 가한 경우 , " 비대칭 SB NOR 형 플래시 기억 소자 에서 의 열전자 효과 가 높 기 때문 에 기존 NOR 형 플래시 기억 소자 및 대칭 SB NOR 형 플래시 기억 소자 에 비하 여 현저히 높 은 전 류량 ( 이 를 "" 드레 인 전류 "" 라 함 ) 을 나타낸다 . "