더욱 , 본 구체 화 에서 , 정면 ( 308 ) 은 열 원 에 의해 생성 된 열 에서 중합체 기판 ( 100 ) 의 정면 표면 ( 즉 , 접착제 ( 304 ) 와 전자 부품 ( 302 ) 가 배열 된 표면 ) 의 적어도 일부 를 보호 하 도록 형성 된다 . 특히 , 후면 ( 306 ) 및 정면 ( 308 ) 이 그 사이 에 배열 된 중합체 기판 ( 100 ) 과 함께 정렬 될 때 , 개구부 ( 310 ) 에 의해 노출 되 지 않 은 중합체 기판 의 정면 표면 의 일부 가 직접 위치 한 열 원 에 의해 발생 한 열 로부터 보호 된다 . 그 결과 , 중합체 기판 ( 100 ) 의 보호 된 부분 은 접착제 ( 304 ) 를 리플 로우 또는 용해 또는 활성 화 시키 는 데 필요 한 고온 에 노출 되 지 않 는다 . 그러므로 , 본 발명 에 따른 구체 화 는 중합체 기판 ( 100 ) 을 이전 에 기판 으로 이용 할 수 없 는 물질 로 형성 될 수 있 다 . 즉 , 본 발명 에 따른 구체 화 는 중합체 기판 ( 100 ) 을 PET ( polyethylene terephthalate ) 또는 PEN ( polyethylene naphthalate ) 등 과 같 은 물질 로 형성 할 수 있 게 된다 . 게다가 , 본 발명 에 따른 다양 한 구체 화 에서 , 중합체 기판 ( 100 ) 은 열가소성 물질 로 이루어져 있 다 . 본 발명 의 구체 화 를 개발 하 기 이전 에 , 표면 실장 기술 ( SMT ) 제조 방법 의 기판 으로서 PET 또는 PEN 등 과 같 은 물질 을 사용 할 수 없 었 다 .