전술 한 회로 들 에서 , 데이터 는 각 메모리 셀 MC 에 가변 저항기 VR 의 저항 으로서 기억 된다 . 도 38 에 도시 한 회로 를 일례 로 들 면 , 예 를 들 어 비 선택 상태 에서 , " 로우 선택 신호선 bRSL 은 "" H "" 레벨 에 있 으며 컬럼 선택 신호선 CSL 은 "" L "" 레벨 에 있 다 . 이 경우 "," 모든 워드 선 들 WL 은 "" L "" 레벨 에 있 고 모든 비트 선 들 BL 은 "" L "" 레벨 에 있 다 . 비 선택 상태 에서 ", 모든 메모리 셀 들 MC 의 트랜지스터 들 은 오프 되 고 이 에 따라 가변 저항기 VR 에 는 전류 가 흐르 지 않 는다 . 여기 서 는 , 워드 선 WL 과 비트 선 BL 에 연결 된 중간 메모리 셀 MC 를 선택 하 는 것 을 고려 한다 . 이 경우 , " 로우 디코더 ( 3 b ') 는 중간 로우 선택 신호선 bRSL 을 "" L "" 레벨 로 설정 하 고 컬럼 디코더 ( 2 b ) 는 중간 컬럼 선택 신호선 CSL 을 "" H "" 레벨 로 설정 한다 . 그 결과 ", 워드 선 WL 은 고 전 위원 VDD 에 접속 되 고 비트 선 BL 은 구동 감지 선 DQ 에 접속 된다 . 이 에 따라 , " 구동 감지 선 DQ 에 "" H "" 레벨 을 인가 함 으로써 워드 선 WL 이 "" H "" 레벨 로 되 고 비트 선 BL 이 "" H "" 레벨 로 된다 . 따라서 ", 선택 된 셀 에서 , 트랜지스터 는 온 되 고 전류 가 화살표 방향 으로 흐를 수 있 게 한다 . 선택 된 셀 에 흐르 는 전 류량 은 가변 저항기 VR 의 저항 으로부터 결정 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 전류 의 값 을 감지 함 으로써 , 데이터 를 판독 할 수 있 다 .