이 들 재료 는 통상 스퍼터링 법 에 의해 성막 된다 . 예컨대 산화 인듐 - 산화아연 은 , 산화 인듐 에 대하 여 1 질량 % 이상 10 질량 % 이하 의 산화아연 을 가한 타 겟 을 이용 함 으로써 , 스퍼터링 법 으로 형성 할 수 있 다 . 또한 , 예컨대 산화 텅스텐 및 산화아연 을 함유 한 산화 인듐 은 , 산화 인듐 에 대하 여 산화 텅스텐 을 0 . 5 질량 % 이상 5 질량 % 이하 , 산화아연 을 0 . 1 질량 % 이상 1 질량 % 이하 함유 한 타 겟 을 이용 함 으로써 , 스퍼터링 법 으로 형성 할 수 있 다 . 기타 , 진공 증착 법 , 도포 법 , 잉크젯 법 , 스핀 코트 법 등 에 의해 제작 하 여도 좋 다 .