상기 방법 의 실시 예 는 도 3 내지 도 5 에 의거 하 여 기술 되 며 , 상기 도면 들 에서 는 도 1 및 도 2 에 따른 배치 가 각각 변경 되 어 단면 도로 도시 되 어 있 다 . 도 3 에 는 사이 공간 에 의해 메사 로 분할 된 반도체 층 ( 5 ) 이 에피택시 기판 ( 1 ) 상 에 배치 되 어 있 는 것 이 도시 되 어 있 다 . 단면도 에서 확인 할 수 있 는 일련 의 메사 에서 각각 의 제 2 메사 는 하나 이상 의 납땜 물질 로 이루어진 제 1 결합 층 ( 2 ) 을 구비 한다 . 상기 메사 는 제 2 결합 층 ( 3 ) 과 함께 캐리어 상 에 납땜 된다 . 반도체 층 ( 5 ) 은 예 를 들 면 UV - 전계 발광 다이오드 ( UV - LED ) 의 제조 를 위해 제공 되 며 , AlN 소재 의 기판 ( 1 ) 상 에 에피택시 얼 성장 된 AlGaN 일 수 있 다 . 전기 접촉 코팅 및 광학 적 거울 코팅 이 도포 된 이후 , 차단 층 이 배치 되 며 , 이 는 종래 방법 의 경우 와 같이 수행 될 수 있 고 , 도 3 에 는 미도 시 되 었 다 . 메사 의 분할 은 포 토리 소그라 피 로 이루어질 수 있 다 ; 사이 공간 ( 4 ) 은 트렌치 식각 에 의해 제조 될 수 있 다 . 상대 적 으로 낮 은 용융 성 인 제 1 결합 층 ( 2 ) 은 예 를 들 면 50 nm 의 Ti / 2000 nm 의 Bi / 150 nm 의 Au 일 수 있 고 , 고용 융 접촉 물질 소재 의 제 2 결합 층 ( 3 ) 은 전면 이 예 를 들 면 400 nm 의 TiW / 2000 nm 의 Au 일 수 있 다 . 납땜 이후 , 캐리어 ( 10 ) 는 도 3 에서 점 쇄선 인 단면선 ( 11 ) 에 의해 표시 된 위치 에서 분할 되 며 , 납땜 된 소자 는 에피택시 기판 ( 1 ) 으로부터 분리 된다 . 이 는 선택 적 레이저 리프트 오프 방법 을 이용 하 여 수행 될 수 있 으며 , 상기 방법 을 통해 관련 소자 의 반도체 층 ( 5 ) 은 각각 에피택시 기판 ( 1 ) 으로부터 떼 내 진다 .