본 발명 에 따른 고강 도 강판 에서 는 수학식 ( 1 ) 로 Si 과 Al 의 상한 을 제한 하 는 것 에 의해 면적 분 율 로 1 % 이상 수준 의 세멘타이트 가 석출 하 게 되 지만 , 그럼에도 불구 하 고 일부 Si 과 Al 의 존재 로 인해 오스테나이트 가 잔류 하 게 되 고 잔류 오스테나이트 내부 에 탄소 가 분포 하 기 때문 에 세멘타이트 석출 량 은 3 면적 % 보다 는 작 을 수 있 다 .