마찬가지 로 , 트랜지스터 ( 13 ) 는 절연 층 ( 601 ) 위 에 제공 되 는 단결정 실리콘 층 을 모체 로 하 는 한 쌍 의 고농 도 불순물 영역 ( 618 c , 618 d ) , 한 쌍 의 저 농도 불순물 영역 ( 619 c , 619 d ) , 및 채널 영역 ( 620 b ) 과 , 한 쌍 의 저 농도 불순물 영역 ( 619 c , 619 d ) , 및 채널 영역 ( 620 b ) 위 에 제공 되 는 절연 층 ( 613 b ) 과 , 절연 층 ( 613 b ) 을 사이 에 두 고 채널 영역 ( 620 b ) 위 에 제공 되 는 도전 층 ( 614 b ) 과 , 절연 층 ( 613 b ) 을 사이 에 두 고 한 쌍 의 저 농도 불순물 영역 ( 619 c , 619 d ) 위 에 제공 되 는 사이드 월 ( 617 c , 617 d ) 과 , 한 쌍 의 고농 도 불순물 영역 ( 618 c , 618 d ) 에 전기 적 으로 접속 된 한 쌍 의 도전 층 ( 628 b , 628 c ) 을 포함 한다 . 또한 , 트랜지스터 ( 13 ) 에서 도전 층 ( 614 b ) 은 게이트 로서 기능 하 고 , 절연 층 ( 613 b ) 은 게이트 절 연막 으로서 기능 하 고 , 도전 층 ( 628 b ) 및 도전 층 ( 628 c ) 각각 은 소스 또는 드레 인 으로서 기능 한다 .