박리 층 형성 공정 의 개질 부 형성 가공 에 있 어서 는 , 잉곳 ( 2 ) 과 집 광점 ( FP ) 을 상대 적 으로 이동 하 면 되 고 , 예 를 들 어 도 5 에 나타내 는 바 와 같이 , 집 광점 ( FP ) 을 이동 시키 지 않 고 집 광점 ( FP ) 에 대해 척 테이블 ( 14 ) 을 상방 에서 보 아 반시 계 방향 ( 시계 방향 이 어도 된다 ) 으로 소정 의 회전 속도 로 레이저 가공 장치 ( 12 ) 의 회전 수단 에 의해 회전 시키 면서 , 단결정 SiC 에 대해 투과성 을 갖 는 파장 의 펄스 레이저 광선 ( LB ) 을 집광기 ( 16 ) 로부터 잉곳 ( 2 ) 에 조사 해도 된다 . 이 로써 , 제 1 면 ( 4 ) 으로부터 생성 해야 할 웨이퍼 의 두께 에 상당 하 는 깊이 에 , SiC 가 Si 와 C 로 분리 된 환상 의 개질 부 ( 18 ) 를 잉곳 ( 2 ) 의 둘레 방향 을 따라 연속 적 으로 형성 할 수 있 음 과 함께 , 개질 부 ( 18 ) 로 부터 c 면 을 따라 등방 적 으로 연장 되 는 크랙 ( 20 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 서술 한 바 와 같이 , 개질 부 ( 18 ) 의 직경 을 D 로 하 고 , 가공 이송 방향 에 있 어서 인접 하 는 집 광점 ( FP ) 의 간격 을 L 로 하 면 , D ＞ L 의 관계 를 갖 는 영역 에서 개질 부 ( 18 ) 로 부터 c 면 을 따라 등방 적 으로 크랙 ( 20 ) 이 형성 되 고 , 또 가공 이송 방향 에 있 어서 인접 하 는 집 광점 ( FP ) 의 간격 ( L ) 은 , 집 광점 ( FP ) 과 척 테이블 ( 14 ) 의 상대 속도 ( V ) , 및 펄스 레이저 광선 ( LB ) 의 반복 주파수 ( F ) 에 의해 규정 되 는 ( L = V / F ) 바 , 도 5 에 나타내 는 경우 에 는 , 집 광점 ( FP ) 위치 에 있 어서 의 집 광점 ( FP ) 에 대한 척 테이블 ( 14 ) 의 주 속도 ( V ) 와 , 펄스 레이저 광선 ( LB ) 의 반복 주파수 ( F ) 를 조정 함 으로써 D ＞ L 의 관계 를 만족 시킬 수 있 다 .