본 발명 은 상기 한 종래 기술 의 문제점 을 해결 하 기 위하 여 제안 된 것 으로 , 하드 마스크 패턴 형성 을 위한 하드 마스크 의 식각 시 텅스텐 막 에 발생 하 는 부분 적 어택 으로 인한 손실 을 보상 함 으로써 반도체 기판 의 어택 을 방지 하 여 소자 의 특성 을 개선 할 수 있 는 반도체 소자 의 패턴 형성 방법 을 제공 하 는데 그 목적 이 있 다 .