상기 제 1 및 제 2 스 페이서 패턴 ( 106 a , 107 a ) 및 상기 게이트 전극 ( 105 a ) 을 이온 주입 마스크 로 사용 하 여 상기 게이트 전극 ( 105 a ) 양측 의 활성 영역 ( 101 ) 에 불순물 을 주입 하 여 고농 도 불순물 영역 ( 103 b ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 고 / 저 불순물 영역 은 ( 103 a , 103 b ) 은 엘 디디 형 소오 스 / 드레 인 영역 일 수 있 다 .