표면 이 80 나노미터 의 라인 폭 및 90 나노미터 의 높이 를 갖 는 , 라인 패턴 을 나타내 는 니켈 템플 릿 은 , 150 ℃, 50 bar 에서 3 분 동안 제오 노르 ZF 14 에 임프 린트 되 었 다 . 어떤 표면 도 예 를 들 어 반 접착 층 과 같 은 어떠 한 추가 적 코팅 에 의해 처리 되 지 않 았 다 . 방출 온도 는 135 ℃ 이 었 고 , 그 온도 에서 제오 노르 호일 은 , 템플 릿 과 복제물 의 패턴 에 손상 을 입히 지 않 은 채 로 니켈 표면 으로부터 기계 적 으로 제거 될 수 있 다 . 제 오노 르 호일 은 새로운 템플 릿 으로서 사용 되 고 , 100 나노미터 두께 의 SU 8 호 일 에 임프 린트 되 었 다 . SU 8 호 일 은 , 이전 에 실리콘 기판 위 에서 스핀 - 코팅 되 었 고 , 20 나노미터 의 LOR 호일 위 에서 스핀 - 코팅 되 었 다 . 또한 여기 서 , 어떤 표면 도 SU 8 호 일 및 제 오노 르 호일 사이 의 반 접착 특성 을 향상 시킬 목적 을 갖 는 추가 적 코팅 에 의해 처리 되 지 않 았 다 . 임프 린트 는 3 분 동안 70 ℃, 50 bar 에서 수행 되 었 다 . SU 8 호 일 은 , 광학 적 으로 투과성 이 있 는 제오 노르 호일 을 통해 4 초 동안 자외선 에 노광 되 었 고 , 2 분 이상 동안 베 이크 되 었 다 . 전체 임프 린트 과정 동안 , 온도 및 압력 은 각각 70 ℃, 50 bar 에서 일정 하 게 유지 되 었 다 . 방출 온도 는 , 제오 노르 호일 이 폴리머 템플 릿 호일 과 복제 호일 의 패턴 에 손상 을 입히 지 않 은 채 로 SU 8 호 일 으로부터 기계 적 으로 제거 될 수 있 는 , 70 ℃ 였 다 . 실리콘 웨이퍼 위 에 증착 된 SU 8 호 일 에서 임프 린트 결과 의 AFM 이미지 는 도 2 에 도시 된다 .