다음 으로 , 도 9 b 에 나타낸 바 와 같이 NSG 막 ( 112 ) 위 , 소정 의 위치 에 개구부 를 갖 는 레지스 트 패턴 ( 196 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 레지스 트 패턴 ( 196 ) 을 마스크 로 하 여 NSG 막 ( 112 ) 등 의 에칭 을 행함 으로써 , 소스 까지 도달 하 는 콘택트 홀 ( 151 s ) 및 드레 인 까지 도달 하 는 콘택트 홀 ( 151 d ) 을 형성 한다 .