각 메모리 셀 은 아날로그 또는 디지털 형태 로 표현 되 는 데이터 를 저장 한다 . 디지털 데이터 의 한 비트 를 저장 할 때 , 메모리 셀 의 가능 한 문턱 전압 의 범위 는 2 개 의 범위 로 구분 될 수 있 는데 , " 논리 데이터 "" 1 "" 과 "" 0 "" 으로 할당 된다 . NAND 플래시 메모리 의 한 예 에서 ", 문턱 전압 은 메모리 셀 이 소거 된 이후 에 는 음 의 값 인데 , " 이 는 논리 값 "" 1 "" 로 정의 된다 . 문턱 전압 은 프로그램 동작 이후 에 는 양 의 값 인데 "," 이 는 논리 값 "" 0 "" 으로 정의 된다 . 문턱 전압 이 음 의 값 이 고 0 볼트 를 제어 게이트 에 인가 함 에 의해 판독 이 시도 되 는 때 에 ", 메모리 셀 은 턴 - 온 되 어 저장 되 고 있 는 논리 값 1 을 지시 한다 . 문턱 전압 이 양 의 값 이 고 0 볼트 를 제어 게이트 에 인가 함 에 의해 판독 동작 이 시도 되 는 때 에 는 , 메모리 셀 은 턴 - 온 되 지 않 는데 , 이 는 논리 값 0 이 저장 되 었 음 을 지시 한다 .