위 와 같이 , 확산 방지 막 ( 14 ) 이 하부 층 인 실리콘 계 전극 ( 13 ) 과 반응 하 면서 스트레스 가 발생 하 여 게이트 절 연막 ( 12 ) 에 인가 된다 . 그러나 , 종래 기술 과 달리 게이트 절 연막 ( 12 ) 에 인가 되 는 스트레스 가 확산 방지 막 ( 14 ) 과 실리콘 계 전극 ( 13 ) 의 반응 에 의한 스트레스 뿐 이 므로 게이트 절 연막 ( 12 ) 의 신뢰 성 열화 에 영향 을 미치 지 않 는다 .