첫째 , 유기 발광 다이오드 표시 장치 에서 , 유기 발광 다이오드 의 발광 휘도 를 결정 하 는 구동 전류 ( Ioled ) 는 도 2 와 같이 구동 TFT 의 문턱 전압 ( Vth ) 이 변동 되 는 경우 와 , 도 3 과 같이 저 전위 구동 전압 ( Vss ) 의 전위 가 변동 되 는 경우 에 있 어 그 변화 가 심하 다 . 구동 TFT 의 문턱 전압 ( Vth ) 은 게이트 바이어스 스트레스 ( gate - bias stress ) 또는 소자 특성 으로 인해 포지티브 ( positive ) 또는 네 가티 브 ( negative ) 쪽 으로 쉬프 트 된다 . 문턱 전압 ( Vth ) 의 포지티브 쉬프 트 는 공지 의 다이오드 커넥션 ( diode - connection ) 기법 등 으로 보상 할 수 있 으나 , 문턱 전압 ( Vth ) 의 네 가티 브 쉬프 트 는 상기 기법 으로 보상 하 기 어렵 다 . 저 전위 구동 전압 ( Vss ) 은 패널 내 의 RC 딜레이 등 으로 인해 그 전위 가 변동 된다 . 화소 들 간 문턱 전압 ( Vth ) 편차 및 / 또는 저 전위 구동 전압 ( Vss ) 의 편차 는 휘도 편차 를 유발 하 여 표시 품위 를 떨어뜨린다 .