도 12 를 참조 하 면 , 상기 기판 ( 200 ) 상 에 마스크 패턴 ( 미 도시 ) 이 형성 된다 . 상기 마스크 패턴 ( 201 ) 을 이용 하 여 상기 기판 ( 200 ) 을 식각 함 으로써 트렌치 ( 202 ) 가 형성 된다 . 상기 트렌치 ( 202 ) 를 매립 하 는 소자 분리 패턴 ( 205 ) 이 형성 된다 . 상기 소자 분리 패턴 ( 205 ) 에 의해 상기 마스크 패턴 하부 에 활성 영역 ( 215 ) 이 정의 된다 . 상기 마스크 패턴 을 제거 함 으로써 상기 기판 ( 200 ) 의 상부 면 이 노출 된다 . 상기 노출 된 기판 ( 200 ) 표면 에 게이트 절 연막 ( 217 ) 이 형성 된다 . 상기 게이트 절 연막 ( 217 ) 및 상기 소자 분리 패턴 ( 205 ) 상 에 제 1 도 전막 ( 미 도시 ) 이 형성 된다 . 상기 제 1 도 전막 에 대해 평탄 화 공정 을 수행 하 여 도전 라인 ( 220 ) 이 형성 된다 .