상기 제 2 마스크 층 ( 350 ) 은 고밀도 패턴 영역 ( B ) 에서 상기 리세 스 ( 342 ) 내부 를 완전히 채우 기에 충분 한 두께 로 형성 된다 . 저밀 도 패턴 영역 ( A ) 에서 는 상호 인접 한 2 개 의 상기 제 1 마스크 패턴 ( 330 a ) 사이 의 간격 이 고밀도 패턴 영역 ( B ) 에서 보다 더 큰 경우 , 상기 버퍼 층 ( 340 ) 의 상면 에 형성 된 리 세스 ( 342 ) 부분 에 상기 제 2 마스크 층 ( 350 ) 이 형성 된 후 상기 리세 스 ( 342 ) 의 일부 공간 이 상기 제 2 마스크 층 ( 350 ) 의 위 에서 소정 의 폭 ( W 3 ) 만큼 노출 될 수 있 다 .