다음 으로 , 도 7 에 도시 된 바 와 같이 다시 절 연막 층 ( 202 ) 을 식각 마스킹 층 으로 하 여 화살표 방향 의 등방 적 으로 ( isotropic ) 실리콘 기판 ( 201 ) 을 건식 식각 방법 으로 제거 하 여 열린 공동 ( 205 ) 과 전극 패드 분리 홈 ( 114 ) ( 도 1 및 2 ) 과 다이 분리 선 ( 215 ) 의 영역 을 최종 형성 한다 .