도 3 을 다시 참조 하 면 , 상기 내부 전압 의 증폭 현상 은 , 상기 게이트 전압 이 0 V 으로부터 순차 적 으로 증가 하 여 , 상기 전압 이 강유 전 층 ( 120 ) 의 제 1 및 제 2 항 전압 ( Vc , - Vc ) 에 각각 도달 할 때 발생 할 수 있 다 . 즉 , 강유 전 층 ( 120 ) 의 분극 스위칭 전압 에 대응 되 는 게이트 전압 이 인가 될 때 , 그래프 부분 ( 22 ) 를 따라 강유 전 층 ( 120 ) 에 상기 게이트 전압 의 극성 과 반대 극성 의 전압 이 유도 되 면서 음 의 캐 패 시턴 스 를 발생 시킬 수 있 다 . 그 결과 , 게이트 유전 층 구조물 ( 110 ) 에 상기 게이트 전압 보다 큰 내부 전압 이 인가 될 수 있 다 . 이 때 , 상기 내부 전압 이 게이트 유전 층 구조물 ( 110 ) 내 전하 트랩 층 ( 114 ) 으로 전하 를 유입 ( 프로그램 동작 ) 시키 거나 , 전하 트랩 층 ( 114 ) 의 전하 를 소거 ( 소거 동작 ) 시키 는 동작 을 수행 하 는 실질 적 인 동작 전압 으로 기능 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 상기 내부 전압 이 상기 게이트 전압 과 대비 하 여 증폭 되 는 현상 을 이용 하 여 , 상기 게이트 전압 을 상기 내부 전압 의 증가 분 만큼 감소 시키 도록 설계 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 비휘발성 메모리 장치 의 게이트 전극 층 에 인가 되 는 상기 게이트 전압 을 감소 시킴 으로써 , 상기 비휘발성 메모리 장치 의 메모리 셀 내 전력 소모 를 효과 적 으로 감소 시킬 수 있 다 .