도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , 비트 라인 하드 마스크 용 절 연막 ( 25 ) 상 에 ArF 광원 을 이용 하 는 포토레지스트 패턴 ( 26 ) 을 형성 한다 . 이때 , 포토레지스트 패턴 ( 26 ) 은 후속 비트 라인 이 형성 될 영역 의 상부 ( 이하 , 비트 라인 예정 영역 ) ( 점선 부분 참조 ) 를 덮 는 것 이 아니 라 , 비트 라인 예정 영역 사이 의 공간 즉 , 후속 스토리지 노드 콘 택 이 형성 될 영역 의 상부 ( 이하 , 스토리지 노드 콘 택 예정 영역 ) 를 덮 도록 형성 되 며 , 라인 형 으로 형성 된다 . 또한 , 포토레지스트 패턴 ( 26 ) 은 비트 라인 예정 영역 사이 의 공간 을 모두 덮 는 것 이 아니 라 , 비트 라인 예정 영역 사이 의 복수 개 공간 을 교대 로 덮 도록 형성 된다 .