본 발명 에 따른 전자 방출 원 은 화학 기상 증착 ( Chemical Vapor Deposition : CVD ) 성장 방법 으로서 정해진 픽셀 안 에 선택 적 으로 촉매 금속 입자 를 직접 성장 합성 하 는 방법 에 의하 여 제조 될 수 있 다 . 전자 방출 원 홀 내 에 촉매 성장 층 ( 225 ) 을 형성 하 고 , 촉매 금속 입자 를 화학 적 으로 증착 하 여 안정 된 고 효율 의 탄소 나노 튜브 를 수직 성장 시킨다 .