포스 텍 , 3 D 프린터 로 블렉 시 블 반도체 대량 인쇄 기술 개발 
 국내 연구 진이 3 D 프린터 로 플렉시블 반도체 를 대량 인쇄 하 는 기술 을 개발 했 다 . 
 포스 텍 은 정성 준 창의 IT 융합 공학 과 교수 와 권 지민 박사 , 조길원 화학 공학 과 교수 팀 이 3 D 프린팅 기술 을 사용 해 유연 한 플라스틱 기판 위 에 인쇄 된 반도체 소자 를 지속 적 으로 쌓 아 올려 세계 최고 집적도 의 인쇄 형 플렉시블 반도체 회로 를 구현 하 는 데 성공 했 다고 30 일 밝혔 다 . 소비 전력 을 낮추 고 최대 전류 를 높이 는 등 인쇄 형 트랜지스터 성능 을 극대 화 해 기대 를 모은다 . 
 그 동안 유기 반도체 분야 는 트랜지스터 사이즈 가 크 고 집적도 가 낮 아 상용 화 에 어려움 이 있 었 다 . 연구 팀 은 단 하나 의 게이트 로 이뤄진 단일 박막 트랜지스터 를 평면 적 으로 인쇄 했 기 때문 에 집적도 가 낮 다는 데 집중 했 다 . 
 연구 팀 은 세계 최초 로 서로 돕 는 양방향 구조 의 듀얼 게이트 트랜지스터 를 3 차원 으로 쌓 아 올려 다양 한 3 차원 의 디지털 논리 회로 를 제작 하 는 데 성공 했 다 . 
 이 듀얼 게이트 소자 구조 를 도입 하 면 인쇄 형 트랜지스터 성능 이 극대 화 되 면서 게이트 를 하나 만 사용 했 을 때 에 비해 2 배 이상 의 전류 가 흐르 고 동작 이 빨라 지 는 등 효율 이 좋 아 진다 . 
 이렇게 3 차원 적층 기법 을 통해 플라스틱 위 에 전자 소자 와 회로 를 쌓 으면 반도체 의 집적도 를 비약 적 으로 높일 수 있 어서 많 은 수 의 트랜지스터 가 필요 한 유연 전자 회로 의 상용 화 에 크 게 기여 할 수 있 을 것 으로 기대 된다 . 
 특히 2 년 마다 반도체 집적도 가 2 배 증가 한다는 실리콘 트랜지스터 분야 의 무어 의 법칙 처럼 인쇄 형 박막 트랜지스터 에서 도 지속 해서 집적 도 증가 를 이룰 수 있 다는 것 을 증명 했 다 . 
 또 공정 온도 가 낮 아서 공정 비용 도 적 고 , 웨어 러블 전자 기기 에 빠르 고 쉽 게 활용 이 가능 해 이 분야 상용 화 에 도움 을 줄 것 으로 기대 된다 . 
 정성준 교수 는 “ 차세대 기술 중 하나 로 손꼽히 고 있 는 인쇄 형 플렉시블 박막 트랜지스터 를 3 차원 으로 집적 하 는 데 성공 해 이 를 통해 인쇄 형 반도체 의 지속 적 기술 성장 계기 를 세계 최초 로 증명 해 보였 다 ” 고 말 했 다 .