제품 , 특히 몸체 를 제조 하 기 위한 본 발명 에 따른 방법 에서 , 제품 은 주로 탄소 또는 세라믹 물질 로 이루어진 물질 로부터 형성 되 며 , 제품 은 표면 층 으로 화학 기상 증착 ( chemical vapor deposition : CVD ) 에 의해 코팅 되 고 , 여기 서 제품 은 적어도 반 - 결정질 ( semi - crystalline ) , 바람직 하 게 는 결정질 질화규소 ( Si 3 N 4 ) 의 표면 층 으로 코팅 되 며 , 표면층 은 1100 ° C 초과 내지 1700 ° C , 바람직 하 게 는 1200 ° C 초과 내지 1550 ° C , 특히 1300 ° C 초과 내지 1500 ° C 의 처리 온도 에서 제품 상 에 형성 된다 .