장벽층 ( 414 ) 의 증착 후 에 , 각 메모리 셀 의 다이오드 를 형성 하 기 위해 사용 되 는 반도체 물질 의 증착 이 시작 된다 ( 예 를 들 어 , 도 2 a 내지 도 3 c 에서 다이오드 ( 204 ) ) . 각각 의 다이오드 는 앞서 기술 된 바 와 같이 수직 p - n 또는 p - i - n 다이오드 일 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 각 다이오드 는 폴리 실리콘 , 폴리 실리콘 - 게르마늄 합금 , 게르마늄 또는 이외 어떤 적합 한 물질 과 같 은 다결정 질 반도체 물질 로부터 형성 된다 . 편의 상 , 폴리 실리콘 하향 다이오드 의 형성 이 여기 에서 기술 된다 . 이외 의 물질 및 / 또는 다이오드 구성 이 사용 될 수 있 음 이 이해 될 것 이 다 .