게이트 전극 은 게이트 절연체 상 에서 형성 된다 . 이 게이트 전극 은 제 1 및 제 2 탄소 나노 튜브 에 대한 것 이 며 , 양 나노 튜브 에 대해 연속 된다 . 게이트 전극 은 원자 층 증착 , 스퍼터링 , 전자 빔 증착 또는 그 밖 의 방법 과 같 은 기술 에 의해 형성 될 수 있 다 . 게이트 전극 은 금속 ( 예 를 들 어 , 알루미늄 ) , 폴리 실리콘 , 폴리 실리사이드 , 또는 또 다른 전도성 물질 을 사용 하 여 제조 될 수 있 다 . 다른 실행 예 에서 , 게이트 전극 은 각각 의 나노 튜브 가 그 자체 게이트 를 갖 도록 두 개 로 분리 될 수 있 다 ( 또는 전기 적 으로 단절 될 수 있 다 ) .