플 래쉬 메모리 셀 은 전하 가 저장 되 는 플로팅 게이트 ( floating gate ) 와 , 상기 플로팅 게이트 의 전압 을 조절 하 는 컨트롤 게이트 ( control gate ) 로 구성 된다 . 상기 플로팅 게이트 와 반도체 기판 사이 에 는 터널 산화 막 이 존재 하 고 , 플로팅 게이트 와 컨트롤 게이트 사이 에 는 층간 유전 막 이 위치 된다 .