제 2 층간 절 연막 ( 115 ) 은 제 2 반도체 패턴 ( 310 ) 및 제 2 게이트 전극 ( 330 ) 상 에 위치 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 2 게이트 절 연막 ( 114 ) 의 측면 ( 114 s ) 및 제 2 게이트 전극 ( 330 ) 의 측면 ( 330 s ) 은 제 2 층간 절 연막 ( 115 ) 에 의해 덮일 수 있 다 . 제 2 층간 절 연막 ( 115 ) 은 절연성 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 2 층간 절 연막 ( 115 ) 은 실리콘 산화물 ( SiOx ) 또는 실리콘 질화물 ( SiNx ) 계 물질 의 단일 층 또는 이 들 의 다중 층 으로 이루어질 수 있 다 .