복수 의 전하 저 장막 ( 230 ) 은 블로킹 유전 막 ( 225 ) 을 사이 에 두 고 복수 의 워드 라인 구조물 ( WS ) 의 리세 스 된 측벽 ( WSR ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 복수 의 전하 저 장막 ( 230 ) 은 실리콘 질화 막 , 폴리 실리콘 , 또는 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 으로 이루어질 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 전하 저 장막 ( 230 ) 은 실리콘 질화 막 으로 이루어지 는 전하 트랩 막 일 수 있 다 . 다른 일부 실시 예 에서 , 전하 저 장막 ( 230 ) 은 폴리 실리콘 , 또는 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 으로 이루어지 는 플로우 팅 게이 트일 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 제 3 방향 ( Z 방향 ) 으로 워드 라인 구조물 ( WS ) 의 제 1 높이 ( H 1 ) 는 복수 의 전하 저 장막 ( 230 ) 의 제 2 높이 ( H 2 b ) 보다 큰 값 을 가질 수 있 다 .