n 형 반도체 층 ( 100 ) 은 활성 층 ( 40 ) 에 전자 를 주입 하 는 층 으로서 , N 형 불순물 , 예 를 들 어 Si 이 1 × 1019 / ㎤∼ 5 × 1019 / ㎤ 의 농도 로 도핑 된 GaN 층 을 이용 하 는 것 이 바람직 하 고 , 이 에 한정 되 지 않 고 다양 한 반도체 성질 의 물질 층 이 가능 하 다 . 즉 , GaN , InN , AlN ( Ⅲ - Ⅴ 족 ) 등 과 같 은 질화물 과 이러 한 질화물 을 일정 한 비율 로 혼합 한 화합물 이 사용 될 수 있 다 . 또한 , n 형 반도체 층 ( 100 ) 은 다층막 으로 형성 할 수 도 있 다 . 한편 , n 형 반도체 층 ( 100 ) 상 에 N 형 클래드 층 ( 미 도시 ) 이 더 형성 될 수 있 는데 , N 형 클래드 층 은 GaN , AlGaN 또는 InGaN 를 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 , 활성 층 ( 200 ) 과 접하 지 않 는 n 형 반도체 층 ( 100 ) 의 타면 의 일부 , 즉 전극 층 ( 900 ) 이 형성 되 지 않 은 n 형 반도체 층 ( 100 ) 의 일 영역 은 러프 닝 ( roughening ) 처리 될 수 있 다 .