제 1 게이트 전극 ( 314 ) , 제 2 게이트 전극 ( 324 ) , 제 1 커패시터 전극 ( 141 ) , 및 제 1 게이트 절연 층 ( 112 ) 상 에 제 1 층간 절연 층 ( 113 ) 의 제 1 층간 하부 절연 층 ( 113 a ) 이 형성 될 수 있 다 . 그리고 , 제 1 층간 하부 절연 층 ( 113 a ) 은 구동 박막 트랜지스터 로 사용 되 는 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 을 노출 하 는 오프닝 부 ( OP ) 를 포함 할 수 있 다 . 제 1 층간 하부 절연 층 ( 113 a ) 의 오프닝 부 ( OP ) 는 식각 공정 을 통하 여 형성 될 수 있 다 . 그리고 , 제 1 층간 하부 절연 층 ( 113 a ) 은 질화 실리콘 ( SiNx ) 물질 로 형성 될 수 있 다 .