구동 용 박막 트랜지스터 ( G - TFT ) 와 동일 한 구조 로 형성 된 테스트 박막 트랜지스터 ( T - TFT ) 는 오차 검사기 ( 400 ) 로 제조 공정 상 의 오차 를 측정 한다 . 구체 적 으로 , 박막 트랜지스터 ( TFT ) 의 전류 이득 ( K ) 의 영향 을 주 는 채널 길이 ( L ) 와 채널 폭 ( W ) 등 을 테스트 박막 트랜지스터 ( T - TFT ) 를 통해 측정 한다 . 또한 , 테스트 박막 트랜지스터 ( T - TFT ) 의 소스 전극 ( 214 ) 과 게이트 전극 ( 202 ) 이 중첩 되 는 간격 ( d ) , 드레 인 전극 ( 216 ) 과 게이트 전극 ( 202 ) 이 중첩 되 는 간격 ( d ) 등 을 측정 한다 . 이렇게 측정 된 채널 길이 ( L ) 및 채널 폭 ( W ) 의 임계 치수 를 고려 하 여 구동 용 박막 트랜지스터 ( G - TFT ) 의 게이트 전압 및 정전 압 ( Vcc ) 등 의 구동 전압 을 조절 할 수 있 다 . 그리고 , 구동 용 박막 트랜지스터 ( G - TFT ) 의 제조 공정 시 소스 및 드레 인 전극 간 의 임계 치수 를 고려 하 여 구동 용 박막 트랜지스터 ( G - TFT ) 를 제조 할 수 있 다 .