다음 으로 , 포토레지스트 층 ( 26 ) 을 코팅 하 고 , 기판 ( 22 ) 의 후면 으로부터 자외선 ( L ) 노광 하 면 , 노광 차단 층 ( 28 ) 이 존재 하 는 부위 에서 는 자외선 ( L ) 이 투과 를 하 지 못하 고 노광 차단 층 ( 28 ) 이 존재 하 지 않 는 부위 에서 만 자 외 ( L ) 선 이 투과 를 하 여 포토레지스트 층 ( 26 ) 이 현상 된다 . 도 11 에 도시 된 바 와 같이 , 원 하 는 위치 에서 선택 적 으로 노광 하 는 경우 에 도 해당 부위 ( 투명 전극 층 의 오픈 면 중 촉매 형성 을 원하 는 부위 ) 를 노광 차단 층 ( 28 ) 중 오픈 된 부분 이 포함 하 기 만 하 면 되 므로 고정 밀도 의 얼라인먼트 가 요구 되 지 않 는다 . 즉 , 낮 은 정도 의 얼라인먼트 로 도 원 하 는 위치 에서 용이 하 게 촉매 형성 을 충분히 제어 할 수 있 는 것 이 다 ( S 3 ) .