본 발명 의 한 양태 에서 는 , 반도체 장치 의 구동 방법 은 , 빈번 하 게 정보 의 쓰 기 또는 읽 기 를 실시 하 는 경우 ( 이하 , 제 1 모드 라고 부른다 ) 에서 는 , 모든 메모리 셀 의 제 2 트랜지스터 를 온 상태 로 하 고 , 복수 의 메모리 셀 의 어느 제 1 트랜지스터 를 온 상태 로 한다 . 이렇게 하 여 , 제 1 트랜지스터 및 제 2 트랜지스터 가 모두 온 상태 가 된 메모리 셀 에 있 어서 , 용량 소자 로 의 전하 의 축적 및 용량 소자 로부터 의 전하 의 방출 을 실시 한다 . 즉 , 정보 의 쓰 기 및 읽 기 를 실시 한다 .