이 에 따라 , 제 2 채널 부 ( 122 ) 는 비정질 실리콘 으로 이루어진 활성 층 ( 122 a ) 및 n + 이온 이 고농도 로 도핑 된 비정질 실리콘 으로 이루어진 오 믹 콘 택 층 ( 122 b ) 이 순차 적 으로 적층 된 제 1 영역 ( 123 ) 과 , 상기 제 1 영역 ( 123 ) 의 활성 층 ( 122 a ) 과 연결 되 어 형성 되 며 , 다 결정 실리콘 ( Poly - Si ) 으로 이루어진 제 2 영역 ( 124 ) 을 포함 하 도록 형성 된다 . 도 5 에서 는 상기 제 2 스위칭 소자 ( TFT 2 ) 의 제 2 채널 부 ( 122 ) 를 예 로 들 어 설명 하 였으나 상기 제 1 스위칭 소자 ( TFT 1 ) 의 제 1 채널 부 ( 121 ) 도 동일 한 방법 으로 형성 된다 .