즉 , 본 발명 에 의하 면 , 기판 상 에 버퍼 층 , 액티브 층 , 게이트 절 연막 , 게이트 전극 , 층간 절 연막 , 소스 전극 및 드레 인 전극 , 보호 층 및 화소 전극 을 형성 하 는 액정 표시 장치 의 TFT 기판 을 제조 함 에 있 어 , 비정질 실리콘 막 의 탈수소 화 및 결정화 를 동일 한 프로세스 챔버 에서 동시 에 진행 하 여 폴리 실리콘 막 을 형성 하 는 것 을 포함 한다 .