상기 반도체 기판 의 제조 방법 에 있 어서 , 상기 Ge 층 을 , 상기 Ge 층 내 의 결정 결함 이 이동 할 수 있 는 온도 및 시간 에서 어닐링 하 는 단계 를 더 포함 하 여도 좋 다 . 상기 반도체 기판 의 제조 방법 에 있 어서 , 상기 어닐링 하 는 단계 는 , 상기 Ge 층 을 , 680 ℃ 이상 900 ℃ 미만 의 온도 에서 어닐링 하 여도 좋 다 . 상기 반도체 기판 의 제조 방법 에 있 어서 , 상기 어닐링 하 는 단계 는 , 상기 Ge 층 을 , 수소 를 함유 하 는 분위기 내 에서 어닐링 하 여도 좋 다 . 상기 반도체 기판 의 제조 방법 에 있 어서 , 상기 어닐링 하 는 단계 를 복수 개 포함 하 여도 좋 다 .