종래 의 반사 형 EUV 용 블랭크 마스크 에서 는 흡 수막 ( 106 ) 의 재질 로 주로 Ta 계열 의 물질 이 사용 되 었 다 . Ta 계열 의 물질 의 경우 흡수 계수 의 한계 로 인하 여 흡 수막 ( 106 ) 의 두께 를 줄이 는 데 에 한계 가 있 으며 , 요구 되 는 흡수율 을 충족 하 기 위한 최소 두께 로서 70 nm 까지 줄일 수 있 다 . 그러나 70 nm 의 두께 에서 는 Shadowing Effect 로 인하 여 원 하 는 수준 의 회로 정밀도 를 얻 기 어려우므로 , 바람직 하 게 는 50 nm 이하 , 더욱 바람직 하 게 는 40 nm 이하 의 두께 를 갖 는 흡수 막 ( 106 ) 이 요구 된다 .