이 로써 , 소자 분리 용 질화 막 ( 108 ) 이 선택 적 으로 제거 되 어 도전 막 ( 104 ) 의 상부 표면 이 노출 되 고 , 소자 분리 막 ( 126 ) 의 측벽 도 함께 노출 되 어 소자 분리 막 ( 126 ) 이 돌출 된 형태 로 잔류 된다 . 하지만 , 소자 분리 용 질화 막 ( 108 ) 제거 를 위한 식각 과정 에서 제 4 및 제 5 절 연막 ( 122 , 124 ) 의 일부 도 함께 식각 되 어 소자 분리 막 ( 126 ) 의 돌출부 가 낮 아 진다 .