배리 어성 이 높 은 절연 층 ( 424 ) 및 유기 EL 디바이스 ( 450 ) 는 가요 성 을 가지 는 기판 ( 420 ) 위 에 직접 형성 할 수 있 다 . 이 경우 , 접착 층 ( 422 ) 은 불 필요 하 다 . 또한 절연 층 ( 424 ) 및 유기 EL 디바이스 ( 450 ) 는 경질 ( 硬質 ) 기판 위 에 박리 층 을 개재 하 여 형성 된 후 , 기판 ( 420 ) 으로 전치 ( 轉置 ) 될 수 있 다 . 예 를 들 어 박리 층 에 열 이나 힘 을 가하 거나 레이저 광 을 조사 함 으로써 , 경질 기판 으로부터 절연 층 ( 424 ) 및 유기 EL 디바이스 ( 450 ) 를 박리 한 후 , 접착 층 ( 422 ) 을 사용 하 여 기판 ( 420 ) 을 접합 함 으로써 기판 ( 420 ) 으로 전치 하 여도 좋 다 . 박리 층 으로서 는 예 를 들 어 텅스텐 막 과 산화 실리콘 막 을 포함 한 무기 막 의 적층 구조 나 , 폴리 이미드 등 의 유기 수지 막 등 을 사용 할 수 있 다 . 경질 기판 을 사용 하 는 경우 , 수지 기판 등 과 비교 하 여 고온 에서 절연 층 ( 424 ) 을 형성 할 수 있 기 때문 에 절연 층 ( 424 ) 을 치밀 하 고 배리 어성 이 매우 높 은 절 연막 으로 할 수 있 다 .