성막 중 의 기판 온도 가 저온 ( 예 를 들 어 , 100 ℃ 이하 ) 인 경우 , 산화물 반도체 에 수소 원자 를 함유 하 는 물질 이 혼입 될 우려 가 있 기 때문 에 , 기판 을 상술 한 온도 로 가열 하 는 것 이 바람직 하 다 . 기판 을 상술 한 온도 로 가열 하 여 , 산화물 반도체 층 의 성막 을 행함 으로써 , 기판 온도 는 고온 으로 되 기 때문 에 , 수소 결합 은 열 에 의해 절단 되 어 , 수소 원자 를 함유 하 는 물질 이 산화물 반도체 층 에 도입 되 기 어렵 다 . 따라서 , 기판 이 상술 한 온도 로 가열 된 상태 에서 , 산화물 반도체 층 의 성막 을 행함 으로써 , 산화물 반도체 층 에 함유 되 는 수소 , 물 , 수산기 또는 수소화물 등 의 불순물 의 농도 를 충분히 저감 할 수 있 다 . 또한 , 스퍼터링 에 의한 손상 을 경감 시킬 수 있 다 .