또한 금속 산화물 층 ( 114 ) 으로서 반도체 층 ( 108 ) 과 동일 한 원소 를 하나 이상 포함 한 산화물 재료 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 특히 상기 반도체 층 ( 108 ) 에 적용 할 수 있 는 산화물 반도체 재료 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이때 , 금속 산화물 층 ( 114 ) 으로서 반도체 층 ( 108 ) 과 같 은 스퍼터링 타깃 을 사용 하 여 형성 한 금속 산화 물막 을 적용 함 으로써 장치 를 공통 화 시킬 수 있 어 바람직 하 다 .