전극 구 조체 ( 215 ) 를 관통 하 는 수직 구 조체 들 ( 230 ) 이 배치 될 수 있 다 . 일례 로 , 수직 구 조체 들 ( 230 ) 은 평면 적 관점 에서 , 제 1 및 제 2 방향 을 따라 정렬 되 어 매트릭스 형태 로 배치 될 수 있 다 . 다른 예 로 , 수직 구 조체 들 ( 230 ) 은 제 2 방향 으로 정렬 되 되 , 제 1 방향 으로 지그재그 형태 로 배치 될 수 도 있 다 . 수직 구 조체 들 ( 230 ) 각각 은 보호막 ( 224 ) , 전하 저 장막 ( 225 ) , 터널 절 연막 ( 226 ) , 및 채널 층 ( 227 ) 을 포함 할 수 있 다 . 일례 로 , 채널 층 ( 227 ) 은 그 내부 의 속 이 빈 튜브 형 으로 배치 될 수 있 으며 , 이 경우 채널 층 ( 227 ) 의 내부 를 채우 는 매립 막 ( 228 ) 이 더 배치 될 수 있 다 . 채널 층 ( 227 ) 의 상부 에 는 드레 인 영역 ( D ) 이 배치 되 고 , 드레 인 영역 ( D ) 상 에 도전 패턴 ( 229 ) 이 형성 되 어 , 비트 라인 ( BL ) 과 연결 될 수 있 다 . 비트 라인 ( BL ) 은 수평 전극 들 ( 250 ) 과 교차 하 는 방향 , 예 를 들 어 제 2 방향 으로 연장 될 수 있 다 . 일례 로 , 제 2 방향 으로 정렬 된 수직 구 조체 들 ( 230 ) 은 하나 의 비트 라인 ( BL ) 에 연결 될 수 있 다 .