반도체 산업 이 더 높 은 디바이스 밀도 , 더 높 은 성능 , 및 더 낮 은 비용 을 추구 하 여 나노 미터 기술 프로세스 노드 로 발전함 에 따라 , 제조 및 설계 이슈 양자 부터 의 도전 이 GAA 구조 와 같 은 3 차원 설계 의 개발 을 가져왔 다 . 비 - Si 기반 저 차원 재료 는 우수 한 정전기 ( 예 를 들 어 , 쇼트 - 채널 효과 를 위해 ) 및 더 높 은 성능 ( 예 를 들 어 , 더 적 은 표면 산란 ) 을 제공 할 유망 한 후보 이 다 . 탄소 나노 튜브 ( Carbon nanotube , CNT ) 는 높 은 캐리어 이동성 과 실질 적 으로 1 차원 구조 로 인해 이러 한 유망 한 후보 중 하나 로 고려 된다 .