본 발명 의 방법 에서 , 기판 , 예 를 들 어 규소 기판 은 기판 의 표면 을 세정 하 기 에 충분 한 시간 동안 그리고 온도 에서 , 상기 에 설명 된 플루오르 화 된 화합물 과 유기 제제 를 조합 한 생성물 인 처리 조성물 과 접촉 된다 . 본 방법 은 처리 조성물 이 액체 형태 이 며 플 루오 라이드 이온 이 원 위치 에서 생성 되 는 임의 의 원 하 는 온도 와 압력 에서 수행 될 수 있 다 . HF 생성 속도 및 따라서 에칭 속도 는 원할 경우 세정 조성물 과 기판 의 온도 를 제어 함 으로써 쉽 게 영향 을 줄 수 있 다 . 전형 적 으로 , 1 기압 에서 , 이것 은 약 18 ℃ 내지 약 80 ℃ 범위 의 온도 일 것 이 며 , 약 20 ℃ 내지 약 70 ℃ 범위 의 온도 가 전형 적 으로 바람직 하 다 . 게다가 , 잔류물 의 용해 속도 는 성분 과 그 들 의 비율 을 선택 함 으로써 쉽 게 제어 할 수 있 다 . 세정 방법 을 이용 하 여 , 당해 표면 을 에칭 하 여 친수성 실 라 놀 및 실록 시 기 를 제거 하 고 , 미립자 또는 잔류물 을 제거 하 며 , 상기 표면 을 헹구 고 건조 시키 거나 , 이 들 의 조합 을 행할 수 있 다 . 본 방법 은 바람직 하 게 는 처리 조성물 로부터 세정 된 기판 을 분리 하 는 추가 의 단계 , 예 를 들 어 배 쓰 ( bath ) 로부터 기판 을 꺼내 어 적합 한 헹굼 제 로 헹구 는 단계 를 포함 한다 .