NMOS 트랜지스터 들 ( MN 1 ~ MN 2 ) 의 단자 들 은 ( VDDL 에서 VDDH 까지 의 ) 제 2 전압 도메인 에서 동작 된다는 것 을 알 수 있 다 . 제 2 전압 도메인 의 제 2 전압 차 윈도우 ( VDDM - VSS ) 는 제 1 전압 도메인 의 제 1 전압 차 윈도우 ( VDDS - VSS ) 보다 작 다 . 예 를 들 어 , VDDH = 1 . 8 V , VDDM = 1 . 2 V , 및 VSS = 0 V 일 때 , 제 2 전압 차 윈도우 ( 1 . 2 V ) 는 제 1 전압 차 윈도우 ( 1 . 8 V ) 보다 작 다 . 일부 실시 예 에서 , 제 2 전압 차 윈도우 ( VDDM - VSS ) 는 전술 한 제 3 전압 차 윈도우 ( VDDH - VDDL ) 와 실질 적 으로 동일 할 수 있 다 . 이 경우 , NMOS 트랜지스터 ( MN 1 ~ MN 2 ) 의 단자 는 제 2 전압 도메인 에서 동작 되 기 때문 에 , 제 1 인버터 ( 110 ) 의 NMOS 트랜지스터 ( MN 1 ~ MN 2 ) 는 상대 적 으로 더 낮 은 전압 공차 를 갖 는 더 작 은 크기 의 트랜지스터 로 ( 더 큰 전압 차 윈도우 를 가진 제 1 전압 도메인 에서 동작 되 는 트랜지스터 와 비교 됨 ) 구현 될 수 있 고 , 더 작 은 크기 의 트랜지스터 들 ( MN 1 ~ MN 2 ) 은 더 낮 은 누설 전류 및 더 낮 은 전력 소비 로 동작 할 수 있 다 .