게다가 , 본 발명 에 따른 재 배선 및 그 의 제조 방법 을 이용 한 웨이퍼 레벨 패키지 는 , 다수 의 본딩 패드 를 갖 는 반도체 칩 ; 상기 반도체 칩 상 에 상기 본딩 패드 를 노출 시키 도록 형성 된 절 연막 ; 상기 노출 된 본딩 패드 를 포함 한 절 연막 상 에 상기 본딩 패드 와 연결 되 도록 형성 되 며 , 광 반응 성 전도성 폴리머 로 이루어진 재 배선 층 ; 및 상기 재 배선 층 표면 에 형성 된 무전 해 금속 도금 층 ; 을 포함 한다 .