이어서 , ArF 액침 노광 장치 [ ( 주 ) 니콘 제조 ; NSR - S 610 C , NA 1 . 30 , σ 0 . 98 / 0 . 65 , 35 도 다이폴 s 편광 조명 , 6 % 하프톤 위상 시프트 마스크 ] 로 노광량 을 바꾸 면서 노광 하 고 , 100 ℃ 에서 60 초간 베 이크 ( PEB ) 하 고 , 2 . 38 질량 % 테트라메틸 암모늄 히드록시 드 ( TMAH ) 수용액 으로 30 초간 현상 하 여 , 피치 100 nm 에서 레지스 트 선폭 이 50 nm ∼ 30 nm 인 포지티브 형 의 라인 앤드 스페이스 패턴 을 얻 었 다 .