층간 절 연막 ( 246 ) 상 에 는 게이트 라인 과 수직 교차 되 도록 데이터 라인 ( 미 도시 ) 을 포함 하 는 금속 막 ( 248 ) 이 형성 된다 . 이때 , 데이터 라인 은 소스 및 드레 인 전극 ( 미 도시 ) 을 포함 하 며 , 소스 및 드레 인 전극 하부 에 는 불순물 을 포함 하 는 비정질 실리콘 층 ( n + a - Si : H ) 으로 이루어진 오 믹 콘 택 층 ( 미 도시 ) 과 순수 비정질 실리콘 ( a - Si : H ) 으로 이루어진 액티브 층 ( 미 도시 ) 이 형성 될 수 있 다 .