구동 박막 트랜지스터 ( T 1 ) , 스위칭 박막 트랜지스터 ( T 2 ) , 보상 박막 트랜지스터 ( T 3 ) , 제 1 초기 화 박막 트랜지스터 ( T 4 ) , 동작 제 어 박막 트랜지스터 ( T 5 ) , 발광 제어 박막 트랜지스터 ( T 6 ) 및 제 2 초기 화 박막 트랜지스터 ( T 7 ) 는 , 반도체 층 ( 1130 ) 을 따라 배치 된다 . 반도체 층 ( 1130 ) 은 도 5 에 도시 된 바 와 같이 기판 ( 100 ) 상 에 위치 하 며 , 반도체 층 ( 1130 ) 의 아래 에 는 실리콘 옥사이드 , 실리콘 나이트 라이드 , 실리콘 옥시 나이트 라이드 와 같 은 무기물 을 포함 하 는 버퍼 층 ( IL 1 , 도 6 ) 이 형성 된다 .