어 닐 공정 에 의해 다결정 실리콘 ( silicon , Si ) 으로 이루어진 게이트 전극 ( 71 ) 과 실리콘 ( Si ) 로 이루어진 반도체 기판 ( 100 ) 과 제 1 배리어 금속 막 ( 140 ) 이 반응 하 여 실리사이드 ( 201 , 203 , 205 ) 가 만들 어 지 고 , 제 1 배리어 금속 막 ( 140 ) 과 제 2 배리어 금속 막 ( 150 ) 이 반응 하 여 티타 텅스텐 ( TiW ) 인 확산 방지 막 ( 210 ) 이 만들 어 진다 .