제 2 반응기 ( 7 ) 는 반응 챔버 내 에서 기판 랙 을 수용 하 도록 구성 되 고 배열 될 수 있 다 . 제 2 반응기 는 , 기판 랙 의 기판 중 적어도 하나 의 상부 표면 상 에 100 내지 500 나노미터 범위 내인 자외선 을 조사 하 기 위해 구성 되 고 배열 된 조명 시스템 을 가질 수 있 다 . 조명 시스템 은 기판 랙 의 측 부 로부터 기판 을 조사 할 수 있 다 . 증착 된 층 의 품질 은 , 기판 을 과열 시키 지 않 으면서 자외선 에 의해 증가 될 수 있 다 . 자외선 처리 후 , 기판 은 추가 적 인 층 을 증착 하 기 위해 뒤 로 이동 할 수 있 고 , 증착 및 조사 사이클 은 반복 될 수 있 다 . 층 이 종료 되 면 , 기판 은 장치 밖 으로 이송 될 수 있 다 .