다음 으로 , 예 를 들 어 , CVD 법 에 의해 , 홀 ( 67 ) 에 접하 는 상기 적층 체 ML 2 의 측벽 부분 전체 에 제 2 유전체 막 ( 실리콘 산화 막 ) ( 77 ) 을 형성 한다 . 따라서 , 도 17 에 도시 된 바 와 같이 , 전하 축적 층 ( 실리콘 질화 막 ) ) ( 76 ) 은 제 2 유전체 막 ( 실리콘 산화 막 ) ( 77 ) 으로 덮혀 , 홀 ( 67 ) 에 대향 하 는 전극 층 WL 의 부분 에 ONO 막 이 형성 된다 .