또한 , 플로팅 게이트 타입 의 불휘발성 메모리 장치 에서 플로팅 게이트 로써 폴리 실리콘 혹은 도핑 된 폴리 실리콘 을 사용 하 여 왔 다 . 그러나 이러 한 경우 데이터 유지 특성 이 열화 되 어 메모리 장치 의 성능 을 저하 시키 는 문제점 이 나타났 다 . 특히 , N 타입 폴리 실리콘 을 플로팅 게이트 로 사용 하 는 경우 데이터 유지 특성 이 양호 하 지 않 은 경우 가 많 으며 , 이 에 따라 일함수 가 상대 적 으로 큰 P 타입 의 폴리 실리콘 을 플로팅 게이트 로 사용 하 려는 시도 가 있 었 다 . 그러나 이 경우 , 소거 시 문턱 전압 의 열화 가 상대 적 으로 크 게 발생 하 여 실제 디바이스 에 적용 하 기 어려운 문제점 이 있 다 .