그런데 , 실리콘 으로 채널 영역 이 형성 되 는 트랜지스터 의 임계 값 전압 ( Vth ) 은 수학식 1 로 나타낼 수 있 다 . 또한 , 수학식 1 에서 φ MS 은 플랫 밴드 전압 을 나타내 고 , φ F 는 진성 반도체 와 의 페르미 레벨 차이 를 나타내 고 , TOX 는 게이트 절 연막 의 막 두께 를 나타내 고 , ε OX 는 게이트 절 연막 의 유전율 을 나타내 고 , Qb 0 은 공핍 층 중 의 고정 전하 를 나타내 고 , Qss 는 게이트 절 연막 과 실리콘 계면 중 의 불순물 이나 결함 에 기인 하 는 전하 를 나타낸다 .