또한 , 산화물 반도체 층 을 스퍼터링 법 에 의해서 형성 하 기 전 에 는 , 아르곤 가스 를 도입 하 여 플 라즈 마 를 발생 시키 는 역 스퍼터링 을 행하 고 , 게이트 절연 층 ( 138 ) 의 표면 에 부착 되 어 있 는 먼지 을 제거 하 는 것 이 적절 하 다는 점 을 주목 하 라 . 여기 에서 , 역 스퍼터링 이 라는 것 은 , 통상 의 스퍼터링 에 있 어서 는 , 스퍼터링 타 겟 에 이온 을 충돌 시키 는 바 , 반대 로 , 처리 표면 에 이온 을 충돌 시키 는 것 에 반해 , 그 표면 을 개질 ( 改質 ) 하 는 방법 을 말 한다 . 처리 표면 에 이온 을 충돌 시키 는 방법 으로서 는 , 아르곤 분위기 하 에서 처리 표면 측 에 고주파 전압 을 인가 하 고 , 기판 부근 에 플 라즈 마 를 생성 하 는 방법 등 이 있 다 . 또한 , 아르곤 분위기 로 바꾸 어 질소 , 헬륨 , 산소 등 을 이용 해도 좋 다는 점 을 주목 하 라 .