이어서 , 게이트 절 연막 ( 124 ) 상 에 상기 게이트 리 세스 ( 120 ) 를 채우 면서 제 1 도 전막 ( 126 ) 을 형성 한다 . 상기 제 1 도 전막 ( 126 ) 은 도핑 된 폴리 실리콘 , 금속 또는 도전 성 금속 질화물 과 같 은 도전 물질 을 사용 하 여 형성 된다 . 상기 제 1 도 전막 ( 126 ) 은 저압 화학 기상 증착 ( LPCVD ) 공정 , 화학 기상 증착 ( CVD ) 공정 , 스퍼터링 공정 , 플라 즈 마 증대 화학 기상 증착 ( PE - CVD ) 공정 , 펄스 레이저 증착 ( PLD ) 공정 또는 원 자 층 ( ALD ) 적층 공정 을 이용 하 여 형성 된다 . 상기 제 1 도 전막 ( 126 ) 이 도핑 된 폴리 실리콘 으로 구성 될 경우 , 상기 게이트 절 연막 ( 124 ) 상 에 먼저 폴리 실리콘 막 을 형성 한 다음 , 상기 폴리 실리콘 막 에 불순물 확산 , 이온 주입 또는 인시 튜 ( in - situ ) 도핑 공정 을 통해 불순물 을 도핑 함 으로써 , 제 1 도 전막 ( 126 ) 을 완성 한다 .