유리 하 게 , 본 명세서 에 제공 된 SnO 2 에 대한 에칭 프로세스 들 은 습식 에칭 을 필요 로 하 지 않 고 , 그리고 불소 함유 화학 물질 에 대한 노출 을 필요 로 하 지 않 는다 . 유리 하 게 , SnO 2 에 대한 수소 플 라즈 마 에칭 은 디바이스 의 구조 적 붕괴 를 유발 하 지 않 고 ( 예 를 들 어 , 20 내지 100 Å ) 매우 좁 은 폭 들 을 갖 는 SnO 2 층 들 상 에서 수행 될 수 있 다 . 구조 적 붕괴 는 매우 작 은 사이즈 들 을 갖 는 스 페이서 들 의 습식 에칭 동안 직면 하 는 문제 이 다 . 일반 적 으로 , 에 어 갭 형성 시퀀스 들 에서 SnO 2 층 의 폭 들 은 넓 은 범위 ( 예 를 들 어 , 10 내지 5 , 000 Å ) 에 걸쳐 가변 할 수 있 지만 , 제공 된 방법 은 20 내지 100 Å 의 폭 들 을 갖 는 좁 은 SnO 2 스 페이서 들 을 갖 는 기판 들 을 프로세싱 하 는데 특히 유리 하 다 .