소스 영역 및 드레 인 영역 으로서 산화물 도전 층 을 이용 하 는 것 은 , 주변 회로 ( 구동 회로 ) 의 주파수 특성 을 향상 시키 기 위해 유효 하 다 . 금속 전극 ( 몰리브덴 , 텅스텐 등 ) 과 산화물 반도체 층 과 의 접촉 에 비해 , 금속 전극 ( 몰리브덴 , 텅스텐 등 ) 과 산화물 도전 층 과 의 접촉 은 , 접촉 저항 을 내릴 수 있 기 때문 이 다 . 산화물 반도체 층 과 소스 전극 및 드레 인 전극 사이 에 산화물 도전 층 을 개재 시킴 으로써 접촉 저항 을 저감 할 수 있 어 , 주변 회로 ( 구동 회로 ) 의 주파수 특성 을 향상 시킬 수 있 다 .