전술 한 방법 에 따라 얻 어 진 금속 구조물 ( 40 a ) 은 예컨대 금속 배선 일 수 있 으며 , 예컨대 약 20 nm 이하 , 약 15 nm 이하 또는 약 10 nm 이하 의 미세 피치 를 가진 미세 금속 배선 일 수 있 으며 , 예컨대 보이드 없 는 미세 선폭 을 가진 미세 금속 배선 일 수 있 다 . 전술 한 방법 은 금속 구조물 ( 40 a ) 을 포함 한 다양 한 소자 형성 시 사용 될 수 있 으며 , 예컨대 반도체 소자 의 제 조시 금속 배선 을 형성 하 는 방법 으로 효과 적 으로 사용 될 수 있 다 .