를 포함 하 고 , 이때 상기 NW 는 진성 영역 ( 활성 영역 ) 에 의해 분리 된 n - 형 도핑 된 영역 및 p - 형 도핑 된 영역 을 포함 하 고 , 상기 진성 영역 은 양자 우물 , 양자 점 또는 초격자 로부터 선택 된 복수 의 양자 헤테로 구조 를 포함 하 고 ; 임의 적 으로 , 상기 영역 들 중 적어도 하나 는 전자 차단 층 을 포함 한다 .