이 어 , 상기 게이트 전극 ( 205 ) 을 포함 한 반도체 기판 ( 201 ) 의 전면 에 제 1 층간 절 연막 ( 212 ) 을 형성 하 고 , 포토 및 식각 공정 을 통해 상기 사각형 형태 를 갖 는 게이트 전극 ( 205 ) 사이 즉 , 절 연막 측벽 ( 209 ) 사이 의 포토 다이오드 영역 이 소정 부분 노출 되 도록 제 1 콘 택 홀 ( 213 ) 을 형성 한다 .