상기 제 1 복수 개 의 터널 과 제 2 복수 개 의 터널 을 매립 하 면서 상기 채널 층 패턴 을 둘러싸 고 , 상기 채널 층 패턴 과 절연 되 어 상기 제 1 액티브 패턴 및 제 2 액티브 패턴 상부 에 각 각 돌출 되 는 제 1 게이트 전극 및 제 2 게이트 전극 을 형성 하 는 단 계 를 구비 하 는 것 을 특징 으로 하 는 반도체 장치 제조 방법 을 제공 한다 .