일부 실시 예 에서 , 도 3 c 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 격리 패턴 ( 112 ) 의 제 1 측 표면 ( S 1 ) 의 단면 프로파일 과 제 1 격리 패턴 ( 112 ) 의 제 2 측 표면 ( S 2 ) 의 단면 프로파일 은 실질 적 으로 서로 대칭 이 다 . 제 1 패턴 부 ( 114 a ) 의 제 3 측 표면 ( S 3 ) 의 단면 프로파일 과 제 1 패턴 부 ( 114 a ) 의 제 4 측 표면 ( S 4 ) 의 단면 프로파일 은 실질 적 으로 서로 대칭 이 다 . 제 2 패턴 부 ( 114 b ) 의 제 5 측 표면 ( S 5 ) 의 단면 프로파일 과 제 2 패턴 부 ( 114 b ) 의 제 6 측 표면 ( S 6 ) 의 단면 프로파일 은 실질 적 으로 서로 대칭 이 다 . 제 1 측 표면 ( S 1 ) 의 단면 프로파일 , 제 3 측 표면 ( S 3 ) 의 단면 프로파일 및 제 5 측 표면 ( S 5 ) 의 단면 프로파일 은 실질 적 으로 서로 동일 하 다 . 제 2 측 표면 ( S 2 ) 의 단면 프로파일 , 제 4 측 표면 ( S 4 ) 의 단면 프로파일 및 제 6 측 표면 ( S 6 ) 의 단면 프로파일 은 실질 적 으로 서로 동일 하 다 . 이 와 같이 구성 하 여 , 제 1 측 표면 ( S 1 ) 의 단면 프로파일 , 제 2 측 표면 ( S 2 ) 의 단면 프로파일 , 제 3 측 표면 ( S 3 ) 의 단면 프로파일 , 제 4 측 표면 ( S 4 ) 의 단면 프로파일 , 제 5 측 표면 ( S 5 ) 의 단면 프로파일 , 및 제 6 측 표면 ( S 6 ) 의 단면 프로파일 은 서로 실질 적 으로 서로 동일 한 것 으로 간주 될 수 있 다 . 이 를 고려 하 여 , 단일 마스크 로 포토 리소그래피 공정 을 수행 함 으로써 격리 층 ( 110 ) 을 형성 할 수 있 다 . 이 와 같이 , 격리 층 ( 110 ) 의 형성 공정 은 단순 하 고 비용 이 저렴 하 다 .