본딩 재 ( 202 , 212 ) 는 패키지 의 실링 ( sealing ) 을 형성 할 수 있 으며 , 비아 ( 201 , 211 ) 와 배선영 역 ( 221 ) 사이 의 전기 적 연결 을 형성 할 수 있 다 . 패키지 외부 로 노출 된 비아 ( 201 , 201 ) 는 패턴 ( 220 , 221 ) 과 외부 회로 를 전기 적 으로 연결 하 는 수단 으로 활용 될 수 있 다 . 다만 , 이 경우 패키지 를 실장 하 는 과정 에서 솔 더 범프 ( solder bump ) 를 목적 에 맞 게 변형 하 는 등 의 추가 적 인 노력 이 요구 될 수 있 다 . 본 발명 의 일 실 시예 에서 , 패턴 ( 220 , 212 ) 은 IDT ( interdigital transducer ) 를 구성 하 는 액티브 영역 ( 220 ) 을 포함 할 수 있 으며 , 독립 된 패키지 ( 320 ) 는 IDT ( interdigital transducer ) 를 포함 하 는 표면 탄성파 ( SAW ) 디바이스 의 웨이퍼 레벨 패키지 가 될 수 있 다 .