일부 실시 예 들 에서 , 퇴적 공정 은 약 250 ℃ 미만 의 온도 에서 수행 될 수 있 지만 , 퇴적 공정 동안 퇴적 되 는 니켈 이 제 1 상 실리사이드 ( Ni 2 Si ) 를 형성 하 기 에 는 여전히 충분히 높 다 . 이 와 같이 , 제 1 상 실리사이드 층 ( 205 ) 이 영역 ( 50 N ) 및 영역 ( 50 P ) 모두 에서 소스 / 드레 인 영역 ( 82 ) 위 에 형성 된다 . 제 1 상 실리사이드 층 ( 205 ) 은 약 1 nm 내지 약 20 nm , 예컨대 , 약 3 nm 의 두께 로 형성 될 수 있 다 .