동작 모드 ( MD 2 ) 에서 는 , 설정 값 ( HVZ ) 은 저 레벨 ( L ) 로 설정 되 며 , 설정 값 ( HFZ , LT 4 Z , TYPZ ) 은 고 레벨 ( H ) 로 설정 된다 . 전원 전압 ( VDDQ ) 은 1 . 2 V 로 설정 되 며 , 클록 신호 ( CLK ) 의 주파수 는 100 ㎒ 로 설정 되 고 , " 레이턴 시 ( LAT ) 는 "" 4 "" 로 설정 되 며 ", 입출력 회로 ( MI / O , CI / O ) 의 구동 능력 ( DRV ) 은 표준 ( TYP ) 으로 설정 된다 . 이때 , DRAM 의 소비 전류 ( IDD ) 는 67 ㎃ 이 며 , 액세스 시간 ( tAC ) 은 10 ㎱ 이 다 . 소비 전력 ( PWR ) 은 80 ㎽ 이 며 , 전원 전압 ( VDDQ ) 이 동작 모드 ( MD 1 ) 에 비해서 낮 기 때문 에 , 입출력 회로 ( MI / O , CI / O ) 의 트랜지스터 구동 능력 은 내려간다 . 이 에 따라 , 데이터 의 수신 마진 ( tAC / tCK ) 은 동작 모드 ( MD 1 ) 에 비해서 낮 아 진다 ( = 1 . 0 ) .