도 7 a 및 도 7 b 를 참조 하 면 , 식각 정지 막 ( 34 ) 을 형성 한다 . 예 를 들 어 , 제 1 희생 막 ( 33 ) 및 지지대 ( 32 A ) 를 일부 깊이 식각 하 여 트렌치 ( T ) 를 형성 한 후 , 트렌치 ( T ) 내 에 식각 정지 막 ( 34 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 식각 정지 막 ( 34 ) 은 후속 공정 에서 형성 될 제 1 및 제 2 물질 막 들 에 대해 식각 선택 비 가 높 은 물질 로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 식각 정지 막 ( 34 ) 은 언 도프 드 폴리 실리콘 막 일 수 있 다 .