상기 기판 ( 1 ) 은 하프늄 산화 막 전구체 가 형성 될 표면 을 제공 하 는 임의 의 형태 를 갖 는 구조 체 일 수 있 다 . 기판 은 실리콘 , 실리콘 - 온 - 절연체 ( SOI ) 또는 실리콘 - 온 - 사파이어 ( SOS ) , 탄소 , 폴리머 , 또는 실리콘 - 게르마늄 , 게르마늄 및 갈륨 - 비 소계 화합물 재료 와 같 은 Ⅲ - Ⅴ 족 반도체 재료 , Ⅱ - Ⅵ 족 반도체 재료 또는 혼합 반도체 재료 와 같 은 기저 구조 체 일 수 있 다 . 또는 , 기판 은 상기 기저 구조 체 상 에 형성 된 반도체 층 , 도핑 되 거나 도핑 되 지 않 은 반도체 층 및 변형 된 반도체 층 , 도전 층 , 또는 유전체 층 자체 를 지칭 할 수 도 있 다 .