단위 능동 픽셀 센서 ( 110 ) 의 동작 을 살펴 보 면 , 입사광 은 포토 다이오드 ( 117 ) 에 의하 여 전하 로 변환 되 고 , 트랜스퍼 트랜지스터 ( 113 ) 의 게이트 단자 에 트랜스퍼 신호 ( TX ) 가 입력 됨 으로써 트랜스퍼 트랜지스터 ( 113 ) 가 턴 온 되 면 , 상기 전하 가 플로팅 확산 노드 ( FDN ) 로 전달 될 수 있 다 . 이 때 , 리셋 트랜지스터 ( 111 ) 는 턴 오프 상태 를 유지 하 고 , 플로팅 확산 노드 ( FDN ) 에 존재 하 는 전하 에 의하 여 플로팅 확산 노드 ( FDN ) 의 전위 및 소스 폴 로워 트랜지스터 ( 112 ) 의 게이트 전위 는 변하 게 된다 . 소스 폴 로워 트랜지스터 ( 112 ) 의 게이트 전위 변화 는 소스 폴 로워 트랜지스터 ( 112 ) 의 제 1 단자 또는 셀렉 트 트랜지스터 ( 114 ) 의 제 2 단자 의 바이어스 를 변화 시키 고 , 셀렉 트 트랜지스터 ( 114 ) 의 게이트 단자 에 로우 선택 신호 ( SEL ) 가 입력 되 면 전하 에 상응 하 는 전기 신호 즉 , 전압 이 출력 단 ( OUT ) 으로 출력 될 수 있 다 . 픽셀 칼럼 ( 100 ) 에서 는 단위 능동 픽셀 센서 들 ( 110 ) 이 하나 의 출력 단 ( OUT ) 을 공유 하 므로 , 각 단위 능동 픽셀 센서 들 ( 110 ) 의 전기 신호 를 순차 적 으로 입력 받 기 위해 로우 선택 신호 ( SEL ) 는 칼럼 의 단위 능동 픽셀 센서 ( 110 ) 의 순서 에 따라 순차 적 으로 입력 될 수 있 다 . 포토다이오드 ( 117 ) 에서 생성 되 는 전하 에 의한 신호 레벨 이 검출 된 이후 에 는 , 리셋 신호 ( RX ) 에 의하 여 리셋 트랜지스터 ( 111 ) 가 턴 온 상태 로 바뀌 게 되 면서 센싱 과정 이 초기 화 될 수 있 다 . 상술 한 바 와 같이 , 도 1 에 도시 된 단위 능동 픽셀 센서 는 씨 모스 이미지 센서 의 단위 화소 구조 의 하나 의 예시 로서 , 단위 화소 의 트랜지스터 개수 및 그 에 따른 구조 는 요구 되 는 조건 에 따라 다양 하 게 설계 변경 될 수 있 다 .