플래시 메모리 장치 , 저항성 메모리 장치 와 같 은 비휘발성 메모리 장치 의 메모리 셀 들 은 서로 다른 논리 상태 들 을 나타내 는 문턱 전압 분포 들 또는 저항 분포 들 을 가지 도록 프로그램 됨 으로써 데이터 를 저장 할 수 있 다 . 비휘발성 메모리 장치 의 초기 화 는 비휘발성 메모리 소자 들 에 저장 된 설정 데이터 를 독 출하 여 별도 의 메모리 소자 로 옮기 는 과정 을 포함 한다 . 반도체 메모리 장치 의 집적도 를 향상 시키 기 위하 여 수직 형 ( vertical ) 낸드 메모리 장치 와 같이 메모리 셀 들 이 3 차원 으로 적층 되 는 비휘발성 메모리 장치 가 활발히 연구 되 고 있 다 . 비휘발성 메모리 장치 의 이러 한 고 밀도 화 및 대용량 화 에 따라서 비휘발성 메모리 장치 의 초기 화 를 위한 시간 이 점차 증가 하 고 있 다 .