초기 에 저자 는 특허 출원 WO 2009094009 및 US 20090297989 에 기술 된 근 접장 광학 리소그래피 를 기초 로 한 넓 은 면적 의 경질 및 가요 성 기판 재료 를 나노 패턴 화 하 는 방법 을 제안 하 였 고 , 여기 서 회전 가능 한 마스크 가 방사선 감응 성 재료 를 이미지 화 하 는 데 사용 된다 . 통상 , 회전 가능 한 마스크 는 원통 형 또는 원뿔형 을 포함 한다 . 나노 패턴 화 기술 은 기판 을 패턴 화 하 는 데 사용 되 는 마스크 가 기판 과 접촉 하 는 근 접장 포토 리소그래피 를 사용 한다 . 근 접장 포토 리소그래피 는 엘라스토머 위상 반전 마스크 를 사용 할 수 있 거나 , 또는 표면 플라스몬 기술 을 사용 할 수 있 고 , 여기 서 회전 실린더 표면 은 금속 나노 홀 또는 나노 입자 를 포함 한다 . 하나 의 실시 에 있 어서 , " 이러 한 마스크 는 근 접장 위상 반전 마스크 이 다 . 근 접장 위상 반전 리소그래피 는 마스크 가 포토레지스트 와 등각 접촉 하 는 동안 엘라스토머 위상 마스크 를 통과 하 는 자외선 ( UV ) 광 에 포토레지스트 층 을 노출 시키 는 것 을 포함 한다 . 엘라스토머 위상 마스크 를 포토레지스트 의 얇 은 층 과 접촉 시키 는 것 은 포토레지스트 가 마스크 의 접촉 표면 의 표면 을 "" 습윤 "" 시키 게 한다 . 포토레지스트 와 접촉 하 면서 마스크 를 통해 UV 광 을 통과 시키 는 것 은 포토레지스트 를 마스크 의 표면 에서 현상 되 는 광 강도 ( intensity ) 의 분포 로 노출 시킨다 . 위상 마스크 는 π 라디안 에 의해 투과 광 의 위상 을 조절 하 도록 설계 된 릴리프 ( relief ) 깊이 에 의해 형성 된다 . 위상 조절 의 결과 로서 ", 강도 의 국소 적 인 눌 ( null ) 은 마스크 상 에 형성 된 릴리프 패턴 의 스텝 엣지 에서 나타난다 . 포지티브 포토레지스트 가 사용 되 는 경우 , 이러 한 마스크 를 통한 노출 , 그 후 의 현상 은 강도 의 눌 의 특징 적 폭 과 동일 한 폭 을 갖 는 포토레지스트 의 라인 을 생성 시킨다 . 종래 의 포토레지스트 와 조합 된 365 nm ( 근자외선 ) 광 의 경우 , 강도 의 눌 의 폭 은 대략 100 nm 이 다 . PDMS 마스크 는 포토레지스트 층 과 등각 의 원자 규모 접촉 을 형성 하 는 데 사용 될 수 있 다 . 이러 한 접촉 은 인가 된 압력 없이 접촉 시 자발 적 으로 확립 된다 . 일반 화 된 접착력 은 이러 한 공정 을 안내 하 고 포토레지스트 표면 에 일반 적 인 방향 으로 의 위치 와 각도 로 마스크 를 정렬 시켜 완벽 한 접촉 을 확립 하 는 간단 하 고 편리 한 방법 을 제공 한다 . 포토레지스트 와 관련 하 여 물리 적 인 간극 은 없 다 . PDMS 는 300 nm 초과 의 파장 을 갖 는 UV 광 에 투과성 이 있 다 . 포토레지스트 층 과 등각 접촉 하 면서 PDMS 를 통해 수은 램프 ( 여기 서 , 주요 스펙트럼 라인 은 355 ∼ 365 nm 에 있 음 ) 로부터 의 광 을 통과 시키 는 것 은 포토레지스트 를 마스크 에서 형성 한 강도 분포 로 노출 시킨다 .