도 4 와 도 5 를 각각 참조 하 면 본 발명 배면 드레 인 구조 웨이퍼 의 온 저항 측정 방법 은 , 고농도 n 형 기판 ( 1 ) 의 상부 에 저 농도 n 형 의 단결정 성장 층 ( 2 ) 이 위치 하 며 , 그 단결정 성장 층 ( 2 ) 의 상부 에 마련 된 p 형 채널 층 ( 3 ) 이 위치 하 고 , 그 채널 층 ( 3 ) 및 단결정 성장 층 ( 2 ) 의 일부 에 매립 되 어 위치 하 는 게이트 ( 4 ) 와 , 그 게이트 ( 4 ) 의 상부 주변 부 에 위치 하 는 소스 ( 5 ) 와 , 상기 기판 ( 1 ) 의 배면 에 형성 된 드레 인 ( 6 ) 을 포함 하 는 제 1 모스 트랜지스터 ( die 1 ) 와 ; 고농도 n 형 기판 ( 1 ') 의 상부 에 저 농도 n 형 의 단결정 성장 층 ( 2 ') 이 위치 하 며 , 그 단결정 성장 층 ( 2 ') 의 상부 에 마련 된 p 형 채널 층 ( 3 ') 이 위치 하 고 , 그 채널 층 ( 3 ') 및 단결정 성장 층 ( 2 ') 의 일부 에 매립 되 어 위치 하 는 게이트 ( 4 ') 와 , 그 게이트 ( 4 ') 의 상부 주변 부 에 위치 하 는 소스 ( 5 ') 와 , 상기 기판 ( 1 ') 의 배면 에 형성 된 상기 드레 인 ( 6 ) 을 포함 하 여 구성 되 는 상기 제 1 트랜지스터 ( die 1 ) 와 인접 하 는 제 2 모스 트랜지스터 ( die 2 ) 를 포함 하 는 구조 에서 , 상기 모스 트랜지스터 ( die 1 , die 2 ) 의 드레 인 ( 6 ) 이 배면 에서 상호 공통 사용 됨 을 이용 하 여 전류 패스 를 변경 하 여 온 저항 을 측정 한다 .