몇몇 실시 형태 에 있 어서 , 활성 층 은 단일 재료 를 포함 할 수 있 지만 , 다른 실시 형태 에서 는 , 복수 개 의 활성 층 들 이 밴드 갭 을 점진 적 으로 혹은 점증 적 으로 변화 시키 도록 합금 혹은 도핑 된 시스템 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 하나 의 반도체 재료 는 두 반도체 재료 의 상대 적 인 농도 에 따라 해당 두 반도체 재료 의 밴드 갭 들 간 의 밴드 갭 범위 를 지닌 재료 를 형성 하 도록 서로 합금화 될 수 있 다 . 해당 합금 의 조성 비 는 밴드 갭 을 변화 시키 도록 변화 될 수 있 다 . 그 변화 는 밴드 갭 의 점진 적 인 단계 및 흡수 파장 을 제공 하 도록 점진 적 일 수 있 다 . 도 37 은 본 발명 의 다양 한 실시 형태 에 따른 적층 구성 의 다중 접합 PV 장치 ( 3700 ) 의 선도 를 예시 하 고 있 다 . PV 장치 ( 3700 ) 는 유리 기판 ( 3702 ) , 투명 전도성 전극 ( 3704 ) , 활성 층 ( 3706 a ) , ( 3706 b ) , ( 3706 c ) , ( 3706 d ) , ( 3706 e ) , 이색 성 필터 층 ( 3708 a ) , ( 3708 b ) , ( 3708 c ) , ( 3708 d ) , ( 3708 e ) 및 반사 층 ( 3710 ) 을 포함 한다 .