독 출 모드 에서 , 선택 메모리 셀 ( 720 ) 과 연결 된 비트 라인 ( BL ) 에 독 출 전압 ( Vread ) 이 인가 되 고 비 선택 메모리 셀 ( 730 ) 에 는 턴 - 온 전압 ( Von ) 이 인가 되 기 때문 에 비 선택 메모리 셀 ( 730 ) 의 반도체 층 ( 522 c ) 은 도체 특성 을 갖 는다 . 그리하여 , 독 출 전류 ( Iread ) 는 비 선택 메모리 셀 ( 730 ) 의 반도체 층 ( 522 c ) 을 통해 흐르 게 된다 . 그러나 , 선택 메모리 셀 ( 720 ) 에서 는 전류 - 온 전압 ( Vion ) 이 인가 되 기 때문 에 독 출 전류 는 선택 메모리 셀 ( 720 ) 의 반도체 층 ( 522 b ) 과 저항 변화 층 ( 523 b ) 모두 에 흐르 게 된다 .