한편 , 반도체 소자 의 집적도 가 증가 됨 에 따라 , 액티브 영역 과 액티브 영역 사이 의 갭 매립 ( gap - fill ) 이 어려워 지 고 있 다 . 그래서 , 갭 매립 물질 로서 기존 의 HDP ( High Density Plasma ) 절 연막 대신 에 매립 특성 이 더 우수 한 SOG ( Spin - On Glass ) 절 연막 을 이용 하 게 되 었 다 .