패드 ( 115 c ) 는 평면 형상 이 원형 , 사각형 또는 다각형 으로 형성 될 수 있 다 . 패드 ( 115 c ) 는 유전 층 ( 114 ) 의 상면 에 위치 할 수 있 다 . 패드 ( 115 c ) 는 대략 15 ㎛ 내지 대략 550 ㎛ 범위 의 크기 를 가질 수 있 다 . 재 배선 층 ( 115 ) 의 두께 는 대략 3 um 부터 20 um 까지 의 범위 일 수 있 다 . 또한 재 배선 층 ( 115 ) 은 베이스 ( 113 d ) 및 주변 부분 ( 114 b ) 을 일부 덮 도록 부분 비아 ( 115 a ) 를 형성 하 여 , 베이스 ( 113 d ) 를 모두 덮 는 풀 비아 로 형성 할 때 에 비해서 , 재 배선 층 ( 115 ) 의 패턴 들 사이 의 이격 거리 를 감소 시킬 수 있 으므로 , 소형 화 가 가능 하 도록 할 수 있 다 .