감지 전극 ( 280 ) 이 형성 되 면 마이크 로 히터 ( 241 ) 에서 발생 하 는 열 이 주변 구조물 로 열 이 전달 되 는 것 을 최소 화 하 기 위해 실리콘 기판 ( 210 ) 뒷면 에 형성 된 제 1 절 연막 ( 220 ) 을 BOE ( buffed oxide etchant ) 또는 증기 HF 를 사용 하 여 식각 한다 . 노출 된 기판 ( 210 ) 을 KOH , TMAH 또는 Deep RIE 를 이용 하 여 식각 하 여 케비 티 ( cavity ; 243 ) 형성 함 으로써 , 기판 ( 210 ) 상부 에 형성 된 제 1 절 연막 ( 220 ) 을 노출 시킨다 ( 도 9 ) .