도 9 a 내지 도 9 c 는 메타 광학 소자 의 제조 방법 의 일 실시 예 를 보여 주 는 도면 들 이 다 . 도 9 a 를 참조 하 면 , 결정 화 공정 및 산화 방지 층 ( 320 ) 을 제거 하 는 공정 을 수행 한 후 에 패 터닝 공정 을 수행 하 기 전 에 , 결정 화 된 나노 물질 층 ( 310 ) 상 에 전도성 층 ( 330 ) 을 형성 하 는 공정 이 추가 될 수 있 다 . 비전 도 성인 Ⅲ - Ⅴ 족 화합물 반도체 로 된 나노 물질 층 ( 310 ) 은 패 터닝 공정 에서 대전 ( charging ) 될 수 있 다 . 전도성 층 ( 330 ) 은 패 터닝 공정 에서 나노 물질 층 ( 310 ) 의 대전 을 방지 하 는 대전 방지 층 이 다 . 전도성 층 ( 330 ) 은 패 터닝 공정 에서 사용 되 는 노광 광 에 대하 여 투과성 을 갖 는 전도성 박막 이 다 . 전도성 층 ( 330 ) 은 예 를 들 어 가시 광 에 대하 여 투과성 을 갖 는 ITO , IZO , GIZO 등 으로 형성 될 수 있 다 . 전도성 층 ( 330 ) 의 두께 는 예 를 들 어 1 nm ~ 10 nm 정도 일 수 있 다 . 전도성 층 ( 330 ) 은 도 9 b 에 도시 된 바 와 같이 패 터닝 공정 에서 나노 물질 층 ( 310 ) 과 함께 패 터닝 된다 . 전도성 층 ( 330 ) 은 페터 닝 공정 후 에 유지 될 수 있 다 . 이 경우 , 메타 광학 소자 는 도 9 b 및 도 9 c 에 도시 된 형태 가 된다 . 전도성 층 ( 330 ) 은 패 터닝 공정 후 에 제거 될 수 있 다 . 이 경우 , 메타 광학 소자 는 도 8 e 또는 도 8 f 와 같 은 형태 가 된다 .