다음 에 , 배선 ( 71 c ) 및 게이트 절 연막 ( 52 b ) 위 에 , 실시 형태 4 와 마찬가지 로 절 연막 ( 76 ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 절 연막 ( 76 ) 을 부분 적 으로 에칭 하 여 콘택트 홀 을 형성 함 과 함께 , 배선 ( 71 c ) 의 일 부분 을 노출 한다 . 다음 에 , 콘택트 홀 에 실시 형태 4 와 마찬가지 로 , 도 31 c 에 도시 하 는 바 와 같이 , 화소 전극 ( 77 ) 을 형성 한다 . 상술 한 공정 에 의하 여 표시 기판 을 제작 할 수 있 다 .