현재 반도체 소자 의 디자인 룰 ( design rule ) 이 감소 됨 에 따라 미세 패턴 을 형성 하 기 위하 여 렌즈 개구수 ( NA : numerical aperture ) 및 광원 파장 ( λ ) 을 높이 고 있 다 . 이러 한 노광 조건 은 게이트 형성 시 셀 영역 에서 는 유리 하 게 작용 하나 , 페리 영역 에서 는 DOF ( depth of focus ) 마진 확보 가 어려워 게이트 선폭 조절 에 한계 가 있 다 . 이 를 위해 , 페리 영역 만 노출 시킨 상태 에서 트리밍 공정 을 실시 하 여 셀 영역 과 독립 적 으로 게이트 선폭 을 제어 하 는 기술 을 개발 하 고 있 다 .