이러 한 TFT 기판 용 평탄 화 막 의 재료 로 는 , 아크릴 계 수지 와 퀴논 디 아지드 화합물 을 조합 한 재료 가 알려져 있 다 ( 특허 문헌 3 , 4 참조 ) . 그러나 , 이 들 재료 는 200 ℃ 이상 의 고온 에 있 어서 재료 특성 이 급격 하 게 열화 되 는 것 은 아니 지만 , 230 ℃ 이상 에서 는 서서히 분해 가 시작 되 고 , 막 두께 의 저 하나 기판 의 고온 처리 에 의해 투명 막 이 착색 되 어 , 투과 율 이 저하 된다고 하 는 문제 가 있 다 . 특히 , 당해 투명 막 재료 위 에 , PE - CVD 등 의 장치 를 사용 하 여 고온 으로 막 형성 하 는 프로세스 에 는 사용 할 수 없 다 . 또한 , 유기 EL 소자 에 있 어서 도 , 분해 물 은 유기 EL 소자 의 발광 효율 이나 수명 에 대해 악영향 을 주 기 때문 에 , 사용 하 기 에 는 최적 의 재료 라고 는 할 수 없 다 . 또한 , 내열 성 을 부여 한 것 과 같 은 아크릴 재료 는 , 일반 적 으로 유전 율 이 높 아 진다 . 이 로 인해 , 절 연막 에 의한 기생 용량 ( 寄生 容量 ) 이 커짐 으로써 , 소비 전력 이 커지 거나 , 액정 소자 구동 신호 의 지연 등 으로 화질 의 품질 에 문제 를 부여 한다 . 유전 율 이 큰 절연 재료 라도 , 예 를 들 면 막 두께 를 크 게 함 으로써 용량 을 작 게 할 수 있 지만 , 균일 한 후막 ( 厚膜 ) 형성 은 일반 적 으로 는 곤란 하 고 , 재료 사용량 도 많 아 져 바람직 하 지 못하 다 .