본 발명 은 포토 다이오드 에 모인 전자 의 전송 효율 을 향상 시키 면서 암 전류 를 억제 할 수 있 는 이미지 센서 및 그 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 이 를 위해 본 발명 은 제 1 도전 형 의 기판 내 에 국부 적 으로 형성 된 제 2 도전 형 의 포토 다이오드 용 제 1 확산 영역 과 , 상기 제 1 확산 영역 의 상부 표면 에 형성 된 상기 제 1 도전 형 의 제 2 확산 영역 과 , 상기 제 2 확산 영역 으로 인해 형성 되 는 포 텐 셜 베리어 를 일정 하 게 유지 하 기 위해 상기 제 1 확산 영역 의 일 측 에 얼라인 되 어 상기 기판 상 에 형성 된 베리 어용 제 1 게이트 전극 과 , 상기 제 1 게이트 전극 과 전기 적 으로 분리 되 도록 상기 제 1 게이트 전극 과 이웃 하 여 상기 기판 상 에 형성 된 트랜스퍼 트랜지스터 용 제 2 게이트 전극 과 , 상기 제 2 게이트 전극 의 일 측 에 얼라인 되 도록 상기 기판 내 에 형성 된 상기 제 2 도전 형 의 플로팅 확산 영역 을 포함 하 는 이미지 센서 를 제공 한다 .