상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 일 측면 에 따른 본 발명 은 , 채널 영역 을 갖 는 기판 상 에 터널 링 절 연막 과 게이트 용 도전 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 도전 막 과 상기 터널 링 절 연막 을 식각 하 여 상기 기판 을 노출 시키 는 단계 와 , 식각 된 도전 막 과 터널 링 절 연막 의 측벽 에 보호막 을 형성 하 는 단계 와 , 노출 된 기판 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 트렌치 로 노출 되 는 상기 채널 영역 에 불순물 이온 을 주입 시키 는 단계 와 , 상기 보호막 을 제거 하 는 단계 를 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .