예 를 들 어 , 3 D - NAND 플 래쉬 메모리 의 일 공정 인 MLC Multi - Level Contact ( 이하 , " "" MLC "" 라고도 함 ) 는 ", 도 1 에 나타내 는 바 와 같이 , 전극 으로 기능 하 는 텅스텐 ( W ) 층 ( 130 ) 이 서로 다른 깊이 로 단 ( 段 ) 을 이루 어 형성 되 며 , 텅스텐 ( W ) 층 ( 130 ) 상 에 있 는 산화 실리콘 ( SiO 2 ) 층 ( 140 ) 을 에칭 한다 . 이러 한 예 에서 는 , 텅스텐 층 ( 130 ) 과 산화 실리콘 층 ( 140 ) 이 적층 구조 로 이루어져 적층 막 을 형성 한다 . 텅스텐 층 ( 130 ) 은 , 예 를 들 어 , 60 ~ 200 층 의 다수 층 구조 일 수 있 다 .