가스 분배 샤워 헤드 조립 체 ( 204 ) 는 이중 매니폴드 샤워 헤드 ( 예 를 들 어 , 프로세싱 체적 ( 208 ) 에 제 1 전구체 또는 제 1 프로세스 가스 혼합물 을 전달 하 기 위해 제 1 프로세싱 가스 입구 ( 259 ) 를 통해 화학 물 전달 모듈 ( 203 ) 과 커플링 되 는 제 1 프로세싱 가스 매니폴드 ( 204 A ) , 및 프로세싱 체적 ( 208 ) 에 제 2 전구체 또는 제 2 프로세스 가스 혼합물 을 전달 하 기 위한 제 2 프로세싱 가스 매니폴드 ( 204 B ) ) 로서 구성 되 며 , 이 는 샤워 헤드 내 에서 함께 혼합 되 는 이 들 가스 스트림 들 없이 도 2 개 의 상이 한 가스 스트림 들 이 샤워 헤드 에 의해 분배 되 게 한다 . 제 1 프로세싱 가스 매니폴드 ( 204 A ) 는 , 제 1 프로세싱 가스 매니폴드 ( 204 A ) 를 가로질러 위치 된 ( 복수 의 오리피스 들 ( 257 ) 을 갖 는 ) 차단기 ( blocker ) 플레이트 ( 255 ) 에 의해 2 개 의 서브 매니폴드 ( 212 A 및 212 B ) 들 로 분기 ( bi - furcate ) 된다 . 제 2 프로세싱 가스 매니폴드 ( 204 B ) 는 , 제 2 프로세싱 가스 입구 ( 258 ) 를 통해 프로세싱 체적 ( 208 ) 에 제 2 전구체 또는 제 2 프로세스 가스 혼합물 을 전달 하 기 위해 화학 물 전달 모듈 ( 203 ) 과 커플링 되 었 다 . 일 실시 예 에 있 어서 , 화학 물 전달 모듈 ( 203 ) 은 제 2 프로세싱 가스 매니폴드 ( 204 B ) 에 암모니아 ( NH 3 ) 또는 다른 MOCVD 또는 HVPE 프로세싱 가스 와 같 은 적합 한 질소 함유 프로세싱 가스 를 전달 하 도록 구성 된다 . 제 2 프로세싱 가스 매니폴드 ( 204 B ) 는 가스 분배 샤워 헤드 조립 체 ( 204 ) 의 제 1 매니폴드 벽 ( 276 ) 에 의해 제 1 프로세싱 가스 매니폴드 ( 204 A ) 로부터 분리 된다 .