도 7 및 도 8 을 참조 하 여 , 비어홀 및 회로 패턴 을 형성 하 는 단계 ( S 70 , S 80 ) 를 설명 한다 . 도 7 에서 와 같이 칩 ( 30 ) 의 전극 ( 33 ) 과 접속 되 도록 비어홀 ( 25 ) 을 천공 한다 . 비어홀 ( 25 ) 은 공지 된 방법 으로 천공 될 수 있 으나 , 본 실시 예 에서 는 탄산가스 ( CO 2 ) 레이저 드릴링 방식 을 사용 한다 . 또한 , 도 8 에서 와 같이 동박 적 층판 ( 10 ) 의 상하 면 을 관통 하 는 스루홀 ( 60 ) 을 천공 하 고 , 비어홀 ( 25 ) 및 스루홀 ( 60 ) 의 내면 과 폴리 이미드 테이프 ( 20 , 20 ') 의 외면 상 에 구리 ( Cu ) 층 과 같 은 금속 층 을 도금 등 의 방식 으로 적층 한다 . 구리 ( Cu ) 층 의 적층 후 에 공지 된 방법 으로 외층 회로 패턴 ( 50 , 50 ') 을 형성 한다 .