도 10 에 도시 하 는 반도체 장치 에 있 어서 , 보강 막 ( 103 ) 은 , 박막 트랜지스터 ( 100 a , 100 b ) 를 구성 하 는 섬 형상 의 반도체 막 ( 106 ) 의 일부 와 절 연막 ( 104 ) 을 개재 하 여 겹치 도록 섬 형상 으로 형성 되 어 있 다 . 또한 , 이 와 같이 형성 하 는 경우 , 보강 막 ( 103 ) 이 반도체 막 ( 106 ) 의 채널 형성 영역 ( 106 a ) 의 전체 면 과 겹치 고 , 불순물 영역 ( 106 b ) 의 일부 와 겹치 도록 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 채널 형성 영역 ( 106 a ) 의 단부 에 있 어서 게이트 전극 으로서 기능 하 는 도전 막 ( 108 ) 이 반도체 막 ( 106 ) 을 넘어가 기 때문 에 단차 가 생기 고 , 또 보강 막 ( 103 ) 을 채널 형성 영역 ( 106 a ) 의 일부 와 겹치 도록 형성 하 면 도전 막 ( 108 ) 과 반도체 막 ( 106 ) 이 쇼트 될 우려 가 있 기 때문 이 다 .