다음 으로 , 클럭 신호 φ 2 가 0 V 로 되 어 , MOS 트랜지스터 TR 2 가 비 도통 상태 로 된다 . 또한 , 클럭 신호 / φ 2 가 GND ( 0 V ) 로부터 Vcc 로 상승 함 으로써 , 용량 소자 ( C 2 ) 의 용량 결합 에 의해 노드 N 2 의 전위 가 α Vcc 만큼 상승 한다 . 그 결과 , 노드 N 2 의 전위 는 대략 {( Vdd - Vth 1 + α Vcc ) - Vth 2 }+ α Vcc 까지 상승 한다 . 제 1 실시 형태 에서 는 MOS 트랜지스터 TR 2 의 단위 폭 당 의 순방향 전류 구동 능력 을 향상 시킬 수 있 기 때문 에 , 보다 작 은 사이즈 ( 점유 면적 ) 의 MOS 트랜지스터 에서 높 은 승압 능력 을 실현 할 수 있 다 . MOS 트랜지스터 TR 3 도 마찬가지 이 다 . 이 점 에 대해서 는 나중 에 상세 하 게 설명 한다 .