도 1 에서 , 가드 링 ( 10 ) 은 예시 적 으로 사각형 으로 형성 된 것 을 예시 하 며 , 가드 링 ( 10 ) 의 내측 에 가드 링 ( 10 ) 을 따라 아이 솔 레 이 션 영역 ( 20 ) 이 형성 된다 . 가드 링 ( 10 ) 과 아이 솔 레 이 션 영역 ( 20 ) 은 반도체 기판 ( SM ) 의 일면 에 형성 된 트렌치 에 절연물 이 채워진 것 으로 이해 될 수 있 다 . 이 중 , 가드 링 ( 10 ) 은 내부 영역 과 외부 영역 간 의 전기 적 분리 를 위해 형성 된 것 이 며 , 트랜 치 아이 솔 레 이 션 영역 ( 20 ) 은 보조 적 으로 형성 된 것 으로 이해 될 수 있 다 .