ITO 전극 위 에 헥사 니트릴 헥사 아자 트리 페닐 렌 ( 500 Å ) , 4 , 4 '- 비스 [ N -( 1 - 나프 틸 ) - N - 페닐 아미노 ] 비페닐 ( NPB ) ( 400 Å ) , Alq 3 ( 300 Å ) , 상기 실시 예 3 에서 제조 한 화합물 ( 2 - 48 ) ( 200 Å ) 을 순차 적 으로 열 진공 증착 하 여 정공 주입 층 , 정공 수송 층 , 발광 층 , 전자 수송 층 을 차례 로 형성 시켰 다 . 상기 전자 수송 층 위 에 순차 적 으로 12 Å 두께 의 리튬 플 루 라이드 ( LiF ) 와 2000 Å 두께 의 알루미늄 을 증착 하 여 음극 을 형성 한 것 을 제외 하 고 는 상기 실험 예 1 과 동일 한 방법 으로 유기 발광 소자 를 제조 하 였 다 .