반도체 기판 ( 110 ) 은 결정질 규소 또는 화합물 반도체 로 만들 어 질 수 있 으며 , 결정질 규소 인 경우 예컨대 실리콘 웨이퍼 가 사용 될 수 있 다 . 하부 반도체 층 ( 110 a ) 및 상부 반도체 층 ( 110 b ) 중 하나 는 p 형 불순물 로 도핑 된 반도체 층 일 수 있 으며 다른 하나 는 n 형 불순물 로 도핑 된 반도체 층 일 수 있 다 . 예컨대 하부 반도체 층 ( 110 a ) 은 p 형 불순물 로 도핑 된 반도체 층 이 고 , 상부 반도체 층 ( 110 b ) 은 n 형 불순물 로 도핑 된 반도체 층 일 수 있 다 . 이때 p 형 불순물 은 붕소 ( B ) 와 같 은 III 족 화합물 일 수 있 고 , n 형 불순물 은 인 ( P ) 과 같 은 V 족 화합물 일 수 있 다 .