주변 게이트 전극 들 ( PG ) 각각 은 NMOS 트랜지스터 및 PMOS 트랜지스터 의 게이트 전극 들 로 이용 될 수 있 다 . 게이트 절 연막 ( GI ) 은 주변 게이트 전극 들 ( PG ) 각각 과 기판 ( SUB ) 사이 에 배치 된다 . 정 션 들 ( Jn ) 은 주변 게이트 전극 들 ( PG ) 각각 에 중첩 된 활성 영역 내부 에 n 형 또는 p 형 불순물 을 주입 하 여 정의 된 영역 으로서 , 주변 게이트 전극 들 ( PG ) 각각 의 양측 에 배치 된다 . 주변 게이트 전극 들 ( PG ) 양측 에 배치 된 정 션 들 ( Jn ) 중 하나 는 소스 정 션 으로 이용 되 고 , 나머지 하나 는 드레 인 정 션 으로 이용 될 수 있 다 . 주변 회로 배선 들 ( PCL ) 은 하부 콘 택 플러그 들 ( PCP ) 을 통해 메모리 블록 을 제어 하 기 위한 회로 에 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 메모리 블록 을 제어 하 기 위한 회로 는 도 1 을 참조 하 여 설명 한 바 와 같이 , NMOS 트랜지스터 , PMOS 트랜지스터 , 저항 및 캐 패 시터 등 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , NMOS 트랜지스터 는 하부 콘 택 플러그 들 ( PCP ) 을 통해 주변 회로 배선 들 ( PCL ) 에 연결 될 수 있 다 .