이어서 , 반도체 에 피층 패턴 들 ( 115 a , 120 a ) 중 높 은 높이 의 제 1 반도체 에 피층 패턴 ( 115 a ) 을 낮 은 높이 의 제 2 반도체 에 피층 패턴 ( 120 a ) 보다 빠르 게 제거 할 수 있 는 연마 케미컬 을 선택 한다 . 연마 케미컬 은 화학 적 기계 적 연마 ( CMP ) 단계 에서 반도체 에 피층 패턴 들 ( 115 a , 120 a ) 의 식각 속도 를 제어 하 기 위해 사용 된다 . 이하 에서 는 게르마늄 함량 및 연마 케미컬 이 CMP 단계 의 식각 속도 에 미치 는 영향 을 보다 구체 적 으로 설명 한다 .