반도체 층 시퀀스 는 활성 영역 으로서 예 를 들 면 종래 의 pn 접합 , 이중 이종 구조 , 단일 양자 우물 구조 ( SQW - 구조 ) 또는 다중 양자 우물 구조 ( MQW - 구조 ) 를 포함 할 수 있 다 . 양자 우물 구조 란 명칭 은 본 출원 의 범위 에서 특히 , " 전하 캐리어 가 속박 ( "" confinement "") 에 의해 에너지 상태 의 양자 화 를 경험 할 수 있 는 모든 구조 를 포함 한다 . 특히 ", 양자 우물 구조 란 명칭 은 양자 화 의 차원 성 에 대한 정보 는 담 고 있 지 않 다 . 상기 명칭 은 특히 양자 상자 , 양 자선 , 양자 점 및 이 들 구조 의 각 조합 을 포함 한다 . 반도체 층 시퀀스 는 활성 영역 외 에 다른 기능 층 들 및 기능 영역 들 을 포함 할 수 있 고 , 가령 p 형 이나 n 형 도핑 된 전하 캐리어 수송 층 , 즉 전자 - 또는 정공 수송 층 , 도핑 되 지 않 거나 p 형 또는 n 형 도핑 된 속박 층 , 클래딩 층 또는 도파 층 , 장벽층 , 평탄 화 층 , 버퍼 층 , 보호 층 및 / 또는 전극 및 이 들 의 조합 이 있 다 . 활성 영역 또는 다른 기능 층 들 및 영역 과 관련 한 그러 한 구조 는 당업자 에게 특히 그 구성 , 기능 및 구조 와 관련 하 여 공지 되 어 있 어서 , 이 부분 에서 상세히 설명 하 지 않 는다 .