[ 0038 ] 상기 실시 예 1 을 부분 적 으로 변경 한 실시 예 2 에 대해 , 도 1 , 4 , 5 에 근거 해 설명 한다 . 도 4 는 수광 소자 유닛 ( 1 ) 을 광이 입사 되 는 방향 에서 본 주요부 를 나타내 고 , 도 5 는 수광 소자 유닛 ( 1 ) 의 주요부 단면 을 나타내 고 있 다 . 제 1 , 제 2 수광 소자 ( 10 , 20 ) 는 , 상기 실시 예 1 과 동일 한 수광 소자 이 므로 , 실시 예 1 과 동일 한 부호 를 달 고 설명 을 생략 한다 . 이 제 1 수광 소자 ( 10 ) 에 는 , 오 목부 ( 16 ) 의 내면 및 Si 기판 ( 11 ) 의 이면 에 , 제 2 수광 소자 ( 20 ) 의 제 2 애노드 전극 ( 24 ) 및 제 2 캐소드 전극 ( 25 ) 을 지지 기판 ( 2 ) 의 대응 하 는 배선 ( 3 a , 3 c ) 에 각각 접속 하 기 위한 2 개 의 중간 배선 ( 31 , 32 ) 이 형성 되 어 있 다 . 중간 배선 ( 31 , 32 ) 은 , 반사 방지 층 ( 18 ) 상 에 예컨대 주로 알루미늄 또는 금 을 포함 하 는 배선 재료 를 선택 적 으로 퇴적 시켜 형성 된다 .