이 에 따라 , 본 발명 에서 는 종래 에 듀얼 다 마신 공정 을 이용 하 여 비 아홀 ( via hole ) 내부 를 감광막 으로 채우 고 트렌치 를 형성 하 는 공정 단계 를 진행 하 지 않 으므로 종래 에 절 연막 과 비 아홀 을 채운 감광막 의 식각 선택 비 차 로 인해 발생 한 담 ( fence ) 과 비 아홀 내부 를 채우 는 감광막 을 제거 함 에 따라 발생 하 는 부산물 이 발생 하 지 않 으므로 하부 금속 배선 ( 300 , 303 ) 에 보이드 ( void ) 가 발생 하 는 것 을 방지 하 여 반도체 소자 의 전기 적 특성 및 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .