본 실시 형태 에 의하 면 , 제 1 온도 , 제 2 온도 등 의 조건 을 상술 한 검증 결과 에 기초 하 여 상술 한 바 와 같이 설정 하 고 있 기 때문 에 , 상술 한 효과 를 얻 을 수 있 다 . 즉 , 제 1 온도 를 상술 한 범위 내 의 값 으로 하 고 있 기 때문 에 , 처리 실 ( 201 ) 내 의 석영 부재 의 데미지 를 억제 하 면서 , 질화 실리콘 막 을 충분 한 에칭 레이트 로 에칭 할 수 있 다 . 또한 , 제 2 온도 를 상술 한 범위 내 의 값 으로 하 고 있 기 때문 에 , 처리 실 ( 201 ) 내 의 금속 부재 의 부식 을 억제 하 면서 , 제 1 스텝 후 에 처리 실 ( 201 ) 내 에 잔류 한 부착물 이나 석영 부재 의 표면 을 적절 하 게 에칭 할 수 있 다 .