이 SiGe 막 을 , 포토 리소그래피 를 이용 하 여 섬 형상 으로 가공 하 였 다 . 실시 예 1 과 마찬가지 의 방법 으로 , 게이트 절연 층 ( 5 ) , 게이트 전극 배선 ( 6 ) , 층간 절연 층 ( 7 ) , 소스 전극 배선 ( 9 ) , 드레 인 전극 배선 ( 10 ) 을 형성 하 였 다 . 또한 , 실시 예 1 과 동일 한 방법 으로 , 보호 성 절연 층 ( 11 ) 을 형성 하 였 다 . 다음 으로 , 화소 전극 ( 12 ) 으로서 ITO 막 을 스퍼터링 법 으로 성막 하 고 , 포토 리소그래피 를 이용 하 여 가공 하 였 다 .