이어서 , 포토레지스트 패턴 ( 13 ) 을 식각 마스크 로 패드 질화 막 ( 12 ) , 패드 산화 막 ( 11 ) 및 반도체 기판 ( 10 ) 을 순차 적 으로 식각 하 여 소자 분리 용 트렌치 ( t ) 를 형성 한다 . 이때 , 트렌치 ( t ) 형성 을 위한 식각 시 반도체 기판 ( 10 ) 이 손상 ( damage ) 되 어 트렌치 ( t ) 표면 에 식각 손상 층 ( 14 ) 이 형성 된다 .