플립 칩 본딩 방법 이 개시 된다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 플립 칩 본딩 방법 은 반도체 소자 에 구비 된 복수 개 의 전극 패드 상 에 금속 스터 드 범프 를 형성 하 는 단계 , 양각 패턴 이 형성 된 압인 수단 을 이용 하 여 금속 스터 드 범프 를 압인 가공 하 고 , 금속 스터 드 범프 의 압인 가공 된 면 상 에 양각 패턴 에 대응 하 는 음각 패턴 을 형성 하 는 단계 , 반도체 기판 에 구비 된 회로 패턴 에 솔 더 층 을 형성 하 는 단계 및 솔 더 층 에 금속 스터 드 범프 의 압인 가공 된 면 이 마주 하 도록 반도체 소자 를 반도체 기판 에 실장 하 고 , 반도체 소자 및 반도체 기판 을 본 딩 하 는 단계 를 포함 한다 .