또한 , 본 발명 에 따르 면 , 벽개면 에 대한 수소 열처리 를 수행 하 기 때문 에 벽 개면 의 Rms 값 이 현저히 감소 하 여 원 하 는 나노 급 SOI 웨이퍼 의 표면 거칠 기 를 달성 할 수 있 으며 , 습식 식각 공정 이전 에 미리 벽개면 에 대한 수소 열처리 를 추가 적 으로 수행 하 기 때문 에 습식 식각 공정 을 효과 적 으로 수행 할 수 있 다 .