상기 목적 을 달성 하 기 위해 , 본 발명 에 따른 반도체 기판 의 제조 방법 은 , 반도체 기재 ( 基 材 ) 위 에 제 1 반도체 층 을 형성 하 는 공정 과 , 상기 제 1 반도체 층 보다 도 에칭 의 선택 비 가 작 은 제 2 반도체 층 을 상기 제 1 반도체 층 위 에 형성 하 는 공정 과 , 소자 영역 주변 의 상기 제 2 반도체 층 및 상기 제 1 반도체 층 의 일부 를 제거 하 여 상기 반도체 기재 를 노출 시키 는 지 지체 구멍 을 형성 하 는 공정 과 , 상기 지 지체 구멍 을 메우 고 , 또한 상기 제 2 반도체 층 이 덮이 도록 하 여 상기 반도체 기재 위 에 지 지체 형성 층 을 형성 하 는 공정 과 , 상기 지 지체 구멍 과 상기 소자 영역 을 포함 하 는 영역 을 남기 고 , 그 이외 의 부분 을 에칭 함 으로써 , 지 지체 및 상기 지 지체 의 하방 ( 下方 ) 에 위치 하 는 상기 제 1 반도체 층 및 상기 제 2 반도체 층 의 단부 ( 端部 ) 일부 를 노출 시키 는 노출면 을 형성 하 는 공정 과 , 상기 노출면 을 통하 여 상기 제 1 반도체 층 을 에칭 함 으로써 , 상기 소자 영역 의 상기 제 2 반도체 층 과 상기 반도체 기재 사이 에 공동 부 ( 空洞 部 ) 를 형성 하 는 공정 과 , 상기 공동 부 내 에 매립 절연 층 을 형성 하 는 공정 과 , 상기 제 2 반도체 층 의 상방 ( 上方 ) 을 평탄 화 처리 하 고 , 상기 제 2 반도체 층 위 에 위치 하 는 상기 지 지체 의 일부 를 제거 하 는 공정 을 포함 하 며 , 상기 제 1 반도체 층 을 형성 하 는 공정 은 , 상기 반도체 기재 위 에서 의 산화 막 이 없 는 제 1 영역 에 상기 제 1 반도체 층 을 제 1 조건 에 의해 성막 ( 成 膜 ) 한다 .