트랜지스터 의 채널 길이 ( L ) 는 소스 층 ( 142 a ) 의 하단 부 와 드레 인 층 ( 142 b ) 의 하단 부와 의 간격 에 의해 결정 된다 . 또한 , 채널 길이 ( L ) 가 25 nm 미만 인 노광 을 행하 는 경우 에 는 , 수 nm 내지 수십 nm 로 극히 파장 이 짧 은 초 자외선 ( Extreme Ultraviolet ) 을 이용 하 여 마스크 형성 의 노광 을 행한다 . 초 자외선 에 의한 노광 은 해상도 가 높 고 초점 심도 도 크 다 . 따라서 , 나중 에 형성 되 는 트랜지스터 의 채널 길이 ( L ) 를 10 nm 이상 1000 nm 이하 로 하 는 것 도 가능 하 고 , 회로 의 동작 속도 를 고속 화 할 수 있 다 .