[ 표 6 ] 에 나타난 바 와 같이 , 1 비트 데이터 를 전송 하 는 경우 상태 수 는 2 이 고 , 단일 전송 방식 에서 는 1 개 의 전송선 이 필요 한 반면 차동 전송 방식 에서 는 2 개 의 전송선 이 필요 하 다 . 한편 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 이중 차동 전송 방식 에서 는 1 비트 데이터 를 전송 하 는 경우 나 2 비트 데이터 를 전송 하 는 경우 에 모두 3 개 의 전송선 이 사용 된다 . 그러나 복수 의 비트 들 이 전송 되 는 반도체 장치 의 구조 를 고려 할 때 1 비트 의 데이터 가 전송 되 는 경우 를 비교 하 는 것 에 그리 큰 의미 가 있 는 것 은 아닐 것 이 다 .