이 와 같 은 히트 싱크 ( 51 ) 에 제 2 벽 ( 22 ) 을 통해 발열 부품 ( 전원 반도체 소자 ( 38 ) , 회생 저항 ( 37 ) ) 이 연결 되 어 있 다 . 즉 , 제 2 벽 ( 22 ) 의 내면 에 발열 부품 이 고정 되 고 , 제 2 벽 ( 22 ) 의 외면 에 히트 싱크 ( 51 ) 가 고정 되 며 , 발열 부품 과 히트 싱크 ( 51 ) 는 제 2 벽 ( 22 ) 을 사이 에 두 고 상하 방향 으로 겹쳐진 위치 에 배치 되 어 있 다 . 또한 , 제 2 벽 ( 22 ) 은 열전도 율 이 뛰어난 재료 로 형성 되 어 있 다 . 따라서 방열 된 히트 싱크 ( 51 ) 에 의해 제 2 벽 ( 22 ) 을 통해 발열 부품 은 효율 적 으로 냉각 된다 .