상기 제 1 내지 제 3 샘플 에 대한 시뮬레이션 결과 ( 표 1 내지 표 3 ) 와 상기 제 4 샘플 에 대한 시뮬레이션 결과 를 비교 하 면 , TeO 2 로 형성 된 터널 링 장벽 층 을 갖 는 TMR 소자 의 저항 ( R 1 , R 2 ) 이 MgO 로 형성 된 터널 링 장벽 층 을 갖 는 TMR 소자 의 저항 ( R 1 , R 2 ) 보다 월등히 작 은 것 을 알 수 있 다 . 한편 , 일반 적 인 TMR 소자 에서 요구 되 는 MR 비 ( %) 가 5 % 이상 , 바람직 하 게 는 10 % 이상 인 것 을 감안 하 면 , TeO 2 로 형성 된 터널 링 장벽 층 을 갖 는 TMR 소자 는 센싱 을 위한 충분히 큰 MR 비 ( %) 를 나타낼 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 에 따르 면 , 터널 링 장벽층 ( 200 ) 의 두께 를 1 nm 이하 로 감소 시키 지 않 더라도 , 낮 은 저항 을 가져 전력 소비 가 적 고 동작 속도 가 빠른 TMR 소자 를 구현 할 수 있 다 .