이온 빔 ( 403 ) 은 , 소스 가스 를 여기 하고 , 소스 가스 의 플 라즈 마 를 생성 하 고 , 전계 의 작용 으로 플 라즈 마로 부터 여기 에 포함 되 는 이온 을 추출 하 는 것 으로 생성 된다 . 이온 을 단결정 반도체 기판 ( 401 ) 에 도입 하 기 위해서 는 , 질량 분리 를 수반 하 지 않 는 이온 도핑 법 을 사용 할 수 있 다 . 또한 질량 분리 를 수반 하 는 이온 주입 법 을 사용 해도 된다 . 소스 가스 에 는 수소 가스 , 할로겐 가스 , 헬륨 가스 등 을 사용 할 수 있 다 .