또한 , 상기 제 1 실시 형태 에서 는 , 플로팅 게이트 전극 ( 부유 전극 FG ) 및 컨트롤 게이트 전극 ( 제어 전극 CG ) 을 갖 는 2 층 게이트 구조 의 NAND 형 플래시 메모리 를 예 로 설명 하 였 다 . 그러나 ， 이것 에 는 한정 되 지 않 고 , 전하 축적 층 으로서 플로팅 게이트 전극 대신 에 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 막 ) 을 사용 하 는 Metal - Oxide - Nitride - Oxide - Silicon ( MONOS ) 형 불휘발성 반도체 기억 장치 , 탄탈 질화 막 의 컨트롤 게이트 전극 과 고유 전 율 절 연막 , 예 를 들 면 알루미나 막 ( Al 2 O 3 막 ) 을 전하 축적 층 으로서 사용 하 는 Tantalum nitride - Aluminum oxide - oxide - Nitride - Oxide - Silicon ( TANOS ) 형 불휘발성 반도체 기억 장치 등 에 도 마찬가지 로 적용 할 수 있 어 , 마찬가지 의 효과 를 얻 는 것 이 가능 하 다 .