도 7 에서 , 더미 기판 ( 30 ) 및 WL RDL ( 48 ) 이 도 2 a 에 도시 된 바 와 같이 형성 된다 . 반도체 다이 들 ( 50 , 54 ) 이 도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , WL RDL ( 48 ) 에 장착 된다 . 밀봉 체 또는 몰딩 화합물 ( 58 ) 이 반도체 다이 들 ( 50 , 54 ) 과 그 아래 의 WL RDL 상호 접 속 구 조체 ( 48 ) 위 에 형성 된다 . 더미 기판 ( 30 ) 이 기계 적 백 그라인딩 , 화학 적 웨트 ( wet ) 에칭 , 플 라즈 마 드라이 에칭 , 또는 화학 기계 적 폴리 싱에 의해 제거 된다 . 패 시베이 션 층 ( 32 ) 이 도전 층 ( 34 ) 을 노출 시키 도록 패턴 화 되 고 에칭 된다 . 본드 와이어 ( 116 ) 가 와이어 본드 ( 114 ) 를 이용 하 여 도전 층 ( 34 ) 에 전기 적 으로 연결 된다 .