도 7 을 참조 하 면 , 식각 공정 을 수행 하 여 희생 막 패턴 ( 155 ) 이 제거 되 고 , 제 2 홀 ( 182 ) 이 형성 된다 . 제 2 홀 ( 182 ) 은 제 1 홀 ( 181 ) 에 연결 되 고 , 상부 전극 ( 145 ) 이 제 1 및 제 2 홀 들 ( 181 , 182 ) 에 의해 노출 된다 . 상기 식각 공정 에서 제 2 및 제 3 절 연막 들 ( 160 , 170 ) 에 대하 여 희생 막 패턴 ( 155 ) 이 선택 적 으로 식각 될 수 있 다 . 즉 , 상기 식각 공정 에서 제 2 및 제 3 절 연막 들 ( 160 , 170 ) 의 식각 속도 보다 희생 막 패턴 ( 155 ) 의 식각 속도 가 큰 식각 조건 이 사용 될 수 있 다 . 상기 식각 공정 은 습식 식각 공정 똔 는 건 식식 각 공정 을 포함 할 수 있 다 . 바람직 하 게 는 습식 식각 공정 이 사용 될 수 있 다 . 예컨대 , 희생 막 패턴 ( 155 ) 이 산화물 로 형성 되 고 , 제 2 및 제 3 절 연막 들 ( 160 , 170 ) 이 질화물 로 형성 되 는 경우 상기 습식 식각 공정 에서 식각 용액 으로 불 산 용액 이 사용 될 수 있 다 . 또 , 희생 막 패턴 ( 155 ) 이 질화물 로 형성 되 고 , 제 2 및 제 3 절 연막 들 ( 160 , 170 ) 이 산화물 로 형성 되 는 경우 식각 용액 으로 인산 용액 이 사용 될 수 있 다 .