도 5 e 와 같이 , 제 3 감광막 패턴 ( 176 ) 을 포함 하 는 투명 기판 ( 122 ) 상 에 투명 전극 층 ( 152 ) 을 300 ~ 2000 Å 의 두께 로 ITO ( indium tin oxide ) 와 같 은 물질 을 사용 하 여 형성 한다 . 투명 전극 층 ( 152 ) 은 제 3 감광막 패턴 ( 176 ) 의 내열 온도 를 고려 하 여 , 150 ℃ 정도 의 낮 은 온도 에서 PECVD 방법 또는 스퍼터링 방법 에 의해서 형성 하 며 , 가능 하 면 투명 전극 층 ( 152 ) 이 언더컷 영역 에 증착 되 지 않 도록 하 기 위하 여 , 단차 피복성 이 낮 은 조건 을 사용 한다 . 따라서 제 3 감광막 패턴 ( 176 ) 의 단부 ( 177 ) 에서 투명 전극 층 ( 152 ) 은 언더컷 으로 인해 형성 되 지 않 거나 , 투명 전극 층 ( 152 ) 이 형성 되 어도 대단히 얇 은 막 으로 형성 된다 .