이어서 , 상기 감광막 패턴 을 식각 마스크 로 이용 하 여 하드 마스크 ( 106 A ) 과 도전 막 ( 105 A ) 을 식각 하 여 게이트 를 형성 한다 . 이때 , 식각 공정 은 수직 한 프로 파일 을 갖 는 게이트 를 형성 하 기 위해 TCP ( Transformer Coupled Plasma ) , ICP ( Inductively Coupled Plasma ) 타입 의 플 라즈 마 식각 장비 ( plasma etcher ) 를 이용 하 여 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 .