이어서 , 도 1 c 에 도시 된 바 와 같이 , 유전체 막 ( 106 ) 을 식각 하 여 제거 한다 . 이때 , 유전체 막 ( 106 ) 제거 공정 은 유전체 막 ( 106 ) 과 플로팅 게이트 ( 105 ) 간 의 식각 선택 비 를 1 : 1 로 하 여 실시 함 에 따라 유전체 막 ( 106 ) 이 식각 되 는 동안 플로팅 게이트 ( 105 ) 또한 일부 식각 되 어 제 1 폴리 실리콘 막 ( 102 A ) 만 잔류 된다 . 이 과정 에서 소자 분리 막 ( 103 A ) 또한 일부 식각 된다 .