상기 제 1 내지 제 4 상부 절 연막 들 ( 11 , 12 , 13 , 14 ) 을 관통 하 여 상기 패드 패턴 들 ( 128 ) 에 연결 되 는 스터 드 들 ( ST ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 스터 드 들 ( ST ) 은 상기 제 1 내지 제 4 상부 절 연막 들 ( 11 , 12 , 13 , 14 ) 을 관통 하 는 관통 홀 들 을 형성 한 후 , 상기 관통 홀 들 을 도전 물질 로 채워 형성 할 수 있 다 . 상기 스터 드 들 ( ST ) 은 도전 성 금속 질화물 층 및 / 또는 금속 층 을 포함 할 수 있 다 . 일 예 로 , 상기 스터 드 들 ( ST ) 은 티타늄 질화물 층 및 텅스텐 층 을 포함 할 수 있 다 . 상기 스터 드 들 ( ST ) 은 상기 제 2 상부 도전 층 과 동일 한 증착 공정 을 통하 여 동일 한 물질 로 형성 될 수 있 다 .