그런데 , 이러 한 듀얼 폴리 실리콘 게이트 를 형성 하 는 과정 에서 , 동일 한 선 폭 ( CD : Critical Dimension ) 크기 및 설계 규칙 ( duty ) 이 적용 된 게이트 들 간 에 서로 다른 선폭 차이 가 발생 될 수 있 다 . 이러 한 게이트 들 간 의 선폭 차이 는 엔 모스 ( NMOS ) 를 위한 N 형 폴리 실리콘 게이트 와 P 형 폴리 실리콘 게이트 사이 에 식각 바이어스 ( bias ) 차이 가 서로 달리 유발 됨 에 따라 발생 될 수 있 다 . 그런데 , 이러 한 듀얼 폴리 실리콘 게이트 를 형성 하 는 과정 에 설계 된 게이트 레이아웃 ( layout ) 에 대해 OPC 과정 이 적용 하 더라도 , 서로 다른 형태 의 모스 트랜지스터 들 에 대해 구별 이 불분명 하 여 , 서로 다른 형태 의 모스 트랜지스터 들 에 대해 구분 하 여 모델 시뮬레이션 ( model simulation ) 하 기 어렵 다 .