이상 의 시트 ( 41 a ∼ 41 h ) 를 적층 함 으로써 , 배선 전극 ( 46 a ) 이 비어 홀 도체 ( 47 a ) 로 나선 형상 으로 접속 된 인덕턴스 소자 ( L 1 ) 가 형성 되 고 , 배선 전극 ( 46 b ) 이 비어 홀 도체 ( 47 b ) 로 나선 형상 으로 접속 된 인덕턴스 소자 ( L 2 ) 가 형성 된다 . 또한 , 배선 전극 ( 46 a , 46 b ) 의 선간 ( 線間 ) 에 커패시턴스 가 형성 된다 .