상기 엘리 베이 티 드 소스 / 드레 인 ( 26 a , 26 b ) 은 주로 선택 적 에피택시 얼 성장 을 수행 하 여 형성 한다 . 특히 , 본 실시 예 에서 의 상기 선택 적 에피택시 얼 성장 은 제 1 온도 에서 수행 하 는 제 1 선택 적 에피택시 얼 성장 과 제 2 온도 에서 수행 하 는 제 2 선택 적 에피택시 얼 성장 을 포함 한다 . 여기 서 , 상기 제 1 온도 는 상기 제 2 온도 에 비해 높 은 것 이 바람직 하 다 . 그 이유 는 , 상기 선택 적 에피택시 얼 공정 을 상대 적 으로 높 은 온도 인 제 1 온도 에서 수행 하 면 획득 하 는 박막 의 상부 에지 부위 에 깍 인 면 이 다소 발생 하 더라도 품질 이 우수 하 기 때문 이 다 . 또한 , 상기 선택 적 에피택시 얼 공정 을 상대 적 으로 낮 은 온도 인 제 2 온도 에서 수행 하 면 획득 하 는 박막 의 품질 이 다소 저하 되 더라도 깍 인 면 이 거의 발생 하 지 않 기 때문 이 다 . 따라서 , 본 실시 예 에서 는 상기 제 1 온도 에서 제 1 선택 적 에피택시 얼 성장 을 수행 하 여 상기 엘리 베이 티 드 소스 / 드레 인 ( 26 a , 26 b ) 으로 적용 하 기 위한 제 1 박막 ( 26 a ′, 26 b ′) 을 형성 하 고 , 상기 제 2 온도 에서 제 2 선택 적 에피택시 얼 성장 을 수행 하 여 상기 엘리 베이 티 드 소스 / 드레 인 ( 26 a , 26 b ) 으로 적용 하 기 위한 제 2 박막 ( 26 a ″, 26 b ″) 을 형성 한다 . 그러므로 , 하부 에 위치 하 는 상기 제 1 박막 ( 26 a ′, 26 b ′) 은 도핑 되 는 불순물 에 의해 가해 지 는 손상 을 충분 하 게 저지 하 고 , 상부 에 위치 하 는 제 2 박막 ( 26 a ″, 26 b ″) 은 깍 인 면 의 발생 없이 상기 게이트 스 페이서 ( 24 ) 에 실질 적 으로 충분 하 게 면접 하 기 때문 에 도핑 되 는 불순물 이 상대 적 으로 더 깊이 도핑 되 는 것 을 충분 하 게 저지 할 수 있 다 .