제 1 반도체 다이 ( 900 ) 및 제 2 반도체 다이 ( 700 ) 의 디바이스 들 의 유형 들 은 , 제 1 반도체 다이 ( 900 ) 의 디바이스 들 ( 920 ) 및 제 2 반도체 다이 ( 700 ) 의 디바이스 들 ( 720 ) 이 서로 통신 할 수 있 고 , 다른 반도체 다이 내 의 디바이스 를 제어 하 고 , 그리고 또는 그 들 에 의해 제어 되 도록 하 는 임의 의 방식 으로 선택 될 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 제 1 반도체 다이 ( 900 ) 및 제 2 반도체 다이 ( 700 ) 중 하나 는 메모리 요소 들 의 3 차원 어레이 와 같 은 메모리 요소 들 을 포함 하 는 메모리 다이 를 포함 하 고 , 제 1 반도체 다이 ( 900 ) 및 제 2 반도체 다이 ( 700 ) 중 다른 하나 는 메모리 요소 들 의 3 차원 어레이 와 같 은 메모리 요소 들 을 동작 시키 도록 구성 된 주변 회로 부를 포함 하 는 로직 다이 를 포함 한다 .