실리콘 웨이퍼 표면 을 매립 하 여 인덕 터 를 구현 하 여 고집 적 화 및 초 소형 화 를 실현 한 반도체 장치 및 이 의 제조 방법 을 제공 한다 . 본 발명 에 따른 반도체 장치 는 반도체 기판 , 상기 반도체 기판 에 소정 깊이 로 형성 된 복수 의 리세 스 , 상기 리세 스 를 따라 상기 반도체 기판 의 표면 으로부터 소정 거리 내부 로 형성 된 도 펀트 층 , 상기 도 펀트 층 상 에 상기 도 펀트 층 을 따라 형성 된 산화 막 및 상기 산화 막 상 에 상기 산화 막 을 따라 형성 된 폴리 실리콘 막 을 포함 하 고 , 상기 도 펀트 층 , 상기 산화 막 및 상기 폴리 실리콘 막 은 적어도 1 번 이상 교대 로 적층 된다 .