먼저 , 도 12 및 도 13 을 참조 하 면 , 제 1 기판 ( 110 ) 상 에 차광 층 , 예 를 들 어 제 1 차 광층 ( 360 ) 을 형성 하 고 , 그 위 에 버퍼 막 ( 120 ) 을 형성 ( S 101 ) 한다 . 버퍼 막 ( 120 ) 은 제 1 기판 ( 110 ) 상 에 전면 적 으로 형성 될 수 있 다 . 버퍼 막 ( 120 ) 은 화학 기상 증착 ( chemical vapor deposition ) 방식 으로 형성 될 수 있 으나 , 이 에 제한 되 지 않 는다 . 본 실시 예 에서 복수 의 도전 층 , 반도체 층 을 형성 하 기 위한 공정 은 통상 적 으로 채용 될 수 있 는 공정 이 면 특별히 제한 되 지 않 는다 . 이하 에서 는 각 부재 들 의 형성 순서 및 구조 에 대하 여 상세히 설명 하 기 로 하 고 , 이 들 을 형성 하 기 위한 공정 에 대한 설명 은 생략 하 기 로 한다 .