대안 적 으로 , 제 3 실시 예 에서 , 필러 는 4 번 노출 을 사용 하 여 직사각 형 그리드 안 에 형성 된다 . 이제 도 8 을 참조 하 면 , 일 실시 예 에 따른 메모리 셀 어레이 의 4 중 노출 공정 을 나타낸 도면 이 도시 된다 . 제 1 포토레지스트 층 이 이전 실시 예의 반도체 층 과 같이 , 필러 물질 의 표면 위 에 형성 된다 . 포토레지스트 는 음 의 포토레지스트 또는 양 의 포토레지스트 가 될 수 있 다 . 직사각 형 서브 어레이 영역 ( 810 ) 에서 , 실시 예 음 의 포토레지스트 층 의 제 1 노출 이 포토레지스트 층 내 에 제 1 노출 영역 ( 820 ) 을 형성 하 기 위해 제 1 마스크 를 사용 하 여 수행 된다 . 다음 으로 , 포토레지스트 층 의 제 2 노출 은 포토레지스트 층 의 제 2 노출 영역 ( 830 ) 을 형성 하 기 위해 제 2 마스크 를 사용 하 여 수행 된다 . 포토레지스트 층 의 제 3 노출 은 포토레지스트 층 의 제 3 노출 영역 ( 840 ) 을 형성 하 기 위해 제 3 마스크 를 사용 하 여 수행 된다 . 마지막 으로 , 포토레지스트 층 의 제 4 노출 은 포토레지스트 층 내 에 제 4 노출 된 영역 ( 850 ) 을 형성 하 기 위해 제 4 마스크 를 사용 하 여 수행 되 어 , 임의 의 세트 의 인접 하 는 제 1 ( 820 ) , 제 2 ( 830 ) , 제 3 ( 840 ) , 및 제 4 노출 영역 ( 850 ) 은 실질 적 으로 직사각 형 또는 정사각형 패턴 을 형성 한다 . 제 1 , 제 2 , 제 3 및 제 4 노출 은 포토레지스트 의 현상 및 패 터닝 후 포토레지스트 층 안 에 그리드 패턴 ( 805 ) 을 생성 한다 . 제 1 , 제 2 , 제 3 및 제 4 마스크 는 제 2 , 제 3 , 및 제 4 노출 에 대한 노출 이 적당 한 양 으로 리소그래피 툴 안 에서 마스크 의 위치 를 이동한 후 만들 어 지 는 경우 공유 된 마스크 가 대신 할 수 있 다 . 포토레지스트 패턴 은 그 다음 실질 적 으로 그리드 패턴 으로 배열 된 복수 의 필러 형상 장치 의 형성 에 사용 된다 . 포토레지스트 현상 후 , 필러 층 이 에칭 된다 . 결과 적 으로 , 워드 라인 과 비트 라인 은 그리드 안 에 정렬 된다 ( 즉 , 약 90 도 떨어져 교차 함 ) .