도 3 b 에 나타낸 단계 에서 는 , 프로세스 웨이퍼 ( 4 ) 는 막 형성 장치 ( 300 ) 내 로 반입 될 수 있 으며 , 조성물 ( 5 ') 이 디 스펜서 ( 309 ) 를 사용 해서 프로세스 웨이퍼 ( 4 ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 이때 , 프로세스 웨이퍼 ( 4 ) 의 오 목부 밀도 가 높 은 부분 에 는 조성물 ( 5 ') 이 높 은 밀도 로 배치 될 수 있 으며 , 프로세스 웨이퍼 ( 4 ) 의 오 목부 밀도 가 낮 은 부분 에 는 조성물 ( 5 ') 이 낮 은 밀도 로 배치 될 수 있 다 . 이어서 , 도 3 c 에 나타낸 단계 에서 는 , 몰드 구동 기구 ( 305 ) 가 슈퍼 스트레이트 ( M 1 ) 를 프로세스 웨이퍼 ( 4 ) 상 의 조성물 ( 5 ') 에 접촉 시키 도록 슈퍼 스트레이트 ( M 1 ) 를 구동 한다 . 이어서 , 경화 유닛 ( 307 ) 은 미러 ( 310 ) 및 슈퍼 스트레이트 ( M 1 ) 를 통해서 조성물 ( 5 ') 에 경화 에너지 를 조사 할 수 있 다 . 이 단계 에 의해 , 조성물 ( 5 ') 이 경화 되 고 , 경화 된 조성물 ( 5 ') 로 이루어지 는 평탄 화 막 ( 5 ) 이 형성 될 수 있 다 . 그 후 , 평탄 화 막 ( 5 ) 으로부터 슈퍼 스트레이트 ( M 1 ) 가 분리 될 수 있 다 . 이 단계 에서 , 평탄 화 막 ( 5 ) 의 가교 를 촉진 하 기 위해서 후 베이 킹 이 실행 될 수 있 다 . 도 3 b 및 도 3 c 에 나타낸 단계 대신 에 , 평탄 화 막 ( 5 ) 으로서 SOC ( Spin On Carbon ) 막 을 형성 하 는 단계 가 실행 될 수 있 다 .