상기 메모리 셀 들 ( 160 ) 은 PRAM 셀 들 을 포함 한다 . 상기 메모리 셀 들 ( 160 ) 각각 은 직렬 연결 되 는 상전 이 저장 소자 ( R ) 와 셀 다이오드 ( D ) 를 포함 한다 . 상기 상전 이 저장 소자 ( R ) 는 상전 이 물질 층 ( 도 4 a 및 도 4 b 의 230 ) 을 포함 한다 . 상기 메모리 셀 들 ( 160 ) 의 상전 이 저장 소자 들 ( R ) 은 상기 비트 라인 들 ( BL 1 - BLn ) 에 각각 연결 되 고 , 상기 셀 다이오드 ( D ) 는 상기 워드 라인 들 ( WL 1 - WLm ) 에 각각 연결 된다 .