이때 , 오버 코팅 층 ( 50 ) 및 도전 층 ( 40 ) 을 구성 하 는 수지 는 식각 되 지 않 고 , 나노 와이어 등 만 이 선택 적 으로 식각 된다 . 비 도전 성 영역 ( NA ) 에 식각 용액 또는 페이스트 등 이 위치 하 도록 하 는 방법 으로 는 포토 리 소그라 피 공정 등 을 사용 할 수 있 다 . 그러나 본 발명 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 다양 한 방법 이 적용 될 수 있 다 . 도전체 ( 42 ) 를 선택 적 으로 식각 하 기 위한 습식 용액 으로 는 질산 , 염산 , 황산 , 또는 이 들 의 혼합물 ( 예 를 들 어 왕수 ) 등 을 사용 할 수 있 다 . 식각 시 의 온도 는 상온 보다 높 은 온도 ( 예 를 들 어 , 30 ℃ 내지 90 ℃) 에서 수행 될 수 있 으며 , 시간 은 1 초 내지 24 시간 내 로 수행 될 수 있 다 .