이 후 , 마스크 막 ( 233 ) 상 에 희생 패턴 들 ( 235 A 내지 235 C ) 을 형성 할 수 있 다 . 희생 패턴 들 ( 235 A 내지 235 C ) 은 마스크 막 ( 233 ) 과 다른 식각 률 을 갖 는 물질 을 포함 할 수 있 다 . 희생 패턴 들 ( 235 A 내지 235 C ) 은 제 1 희생 패턴 들 ( 235 A ) , 제 2 희생 패턴 들 ( 235 B ) , 및 제 3 희생 패턴 들 ( 235 C ) 을 포함 할 수 있 다 .