기판 ( SUB ) 위 에 는 제 1 절연 층 ( IN 1 ) 이 위치 한다 . 제 1 절연 층 ( IN 1 ) 은 버퍼 층 으로 불릴 수 있 으며 , 반도체 층 ( A ) 을 형성 하 는 과정 에서 기판 ( SUB ) 으로부터 반도체 층 ( A ) 으로 확산 될 수 있 는 불순물 을 차단 하 고 기판 ( SUB ) 이 받 는 스트레스 를 줄이 는 역할 을 할 수 있 다 . 배리어 층 및 제 1 절연 층 ( IN 1 ) 은 산화 규소 , 질화규소 등 의 무기 절연 물질 을 포함 할 수 있 다 .