더불 어 , 본 실시 예의 버퍼 메모리 ( 1440 ) 는 휘발 성 인 특성 을 가지 는 SRAM ( Static Random Access Memory ) , DRAM ( Dynamic Random Access Memory ) , 비휘발성 인 특성 을 가지 는 ROM ( Read Only Memory ) , NOR Flash Memory , NAND Flash Memory , PRAM ( Phase Change Random Access Memory ) , RRAM ( Resistive Random Access Memory ) , STTRAM ( Spin Transfer Torque Random Access Memory ) , MRAM ( Magnetic Random Access Memory ) 등 을 더 포함 할 수 있 다 . 이 와 는 다르 게 , 버퍼 메모리 ( 1440 ) 는 전술 한 실시 예의 반도체 장치 를 포함 하 지 않 고 휘발 성 인 특성 을 가지 는 SRAM ( Static Random Access Memory ) , DRAM ( Dynamic Random Access Memory ) , 비휘발성 인 특성 을 가지 는 ROM ( Read Only Memory ) , NOR Flash Memory , NAND Flash Memory , PRAM ( Phase Change Random Access Memory ) , RRAM ( Resistive Random Access Memory ) , STTRAM ( Spin Transfer Torque Random Access Memory ) , MRAM ( Magnetic Random Access Memory ) 등 을 포함 할 수 있 다 .