여기 서 , 인버터 ( 325 ) 는 , 비트 선 BL 의 전위 가 ( VDD / 2 ) 에 가까울수록 , 관통 전류 가 흐르 게 된다 . 구체 적 으로 는 , 비트 선 BL 의 전위 가 ( VDD / 2 ) 인 경우 , p 채널 형 트랜지스터 ( 341 ) 의 게이트 단자 와 드레 인 단자 에 는 ( VDD / 2 ) 의 전위차 가 발생 하 고 , 트랜지스터 ( 341 ) 의 소스 단자 와 드레 인 단자 가 도통 한다 . 마찬가지 로 , n 채널 형 트랜지스터 ( 342 ) 의 게이트 단자 와 소스 단자 에 는 ( VDD / 2 ) 의 전위차 가 발생 하 고 , n 채널 형 트랜지스터 ( 342 ) 의 소스 단자 와 드레 인 단자 가 도통 한다 . 그렇게 하 면 , 인버터 ( 325 ) 를 통하 여 , 전원 전위 VDD 와 접지 전위 GND 가 도통 되 어 관통 전류 가 발생 한다 . 비트 선 BL 의 전위 가 ( VDD / 2 ) 로부터 어긋나 면 , p 채널 형 트랜지스터 ( 341 ) 또는 n 채널 형 트랜지스터 ( 342 ) 의 저항 값 이 상승 하 고 , 관통 전류 는 서서히 억제 된다 . 또한 , 도 5 a 의 전류 I _ INV 는 , 인버터 ( 325 ) 의 관통 전류 의 전 류량 을 나타낸다 .