그리고 , 제 1 금속 패턴 ( 510 ) , 제 2 금속 패턴 ( 520 ) , 제 2 소스 전극 ( 322 ) , 및 제 2 드레 인 전극 ( 323 ) 상 에 제 2 버퍼 층 ( 114 ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 2 버퍼 층 ( 114 ) 상 에 제 3 박막 트랜지스터 ( 330 ) 가 형성 될 수 있 다 . 제 3 박막 트랜지스터 ( 330 ) 의 제 3 액티브 층 ( 331 ) 이 제 2 버퍼 층 ( 114 ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 또한 , 제 3 액티브 층 ( 331 ) 의 제 3 채널 층 ( 331 a ) 은 제 2 금속 패턴 ( 520 ) 과 중첩 할 수 있 다 .