도 8 을 참조 하 고 , 도 8 은 도 6 과 유사 하 여 , 타이밍 ( 810 ) 은 타이밍 ( 610 ) 에 대응 하 고 , 타이밍 ( 820 ) 은 타이밍 ( 620 ) 에 대응 한다 . 그 차이 는 , 다른 실시 예의 타이밍 ( 830 ) 에서 , 2 번 째 의 기입 데이터 1000110 을 입력 할 때 , 덮어쓰 기 동작 이 허가 되 어 퓨즈 전압 ( VP [ m ] [ 1 ] ~ VP [ m ] [ n ] ) 이 1000110 이 되 고 , 또한 센서 ( 220 ) 가 독 출한 센싱 데이터 ( SD [ m ] [ 1 ] ~ SD [ m ] [ n ] ) 는 100011 이 되 고 , 래치 데이터 ( LD [ m ] [ 1 ] ~ LD [ m ] [ n ] ) 는 1111111 을 유지 하 는 데 에 만 있 다 . 구체 적 으로 는 , 다른 실시 예 에서 는 전자 퓨즈 회로 ( 20 ) 는 , 준비 판정 회로 ( 260 ) 를 더 포함 하 고 있 고 , 준비 판정 회로 ( 260 ) 내 의 타이밍 회로 는 , 대기 시간 을 동적 으로 조정 하 여 용단 인 에 이 블 신호 ( BURNEN ) 및 용단 전압 ( VBURN ) 이 소정 전압 임계 치 까지 회복 하 는 것 을 기다릴 수 있 다 . 예 를 들 면 , 대기 시간 을 길 게 하 면 , 다음 의 덮어쓰 기 동작 의 신뢰 성 이 높 아 지 기 때문 에 , 덮어쓰 기 동작 은 , 허가 되 어 디스 에이블 로 하 지 않 을 수 있 다 .