이때 , 벌브 형 리세 스 ( 36 ) 내부 의 심 발생 을 억제 하 기 위하 여 , 폴리 실리콘 게이트 전극 ( 37 ′) 은 벌브 형 리세 스 ( 36 ) 를 포함 하 는 프로 파일 을 따라 형성 되 고 제 1 농도 로 도핑 된 제 1 폴리 실리콘 막 ( 37 a ) 및 제 1 폴리 실리콘 막 ( 37 a ) 상 에 형성 되 고 벌브 형 리세 스 ( 36 ) 를 완전히 매립 하 며 제 1 농도 보다 높 은 제 2 농도 로 도핑 된 제 2 폴리 실리콘 막 ( 37 b ) 을 포함 한다 . 여기 서 , 제 1 폴리 실리콘 막 ( 37 a ) 의 두께 는 100 Å 이하 로 형성 하 고 , 제 2 폴리 실리콘 막 ( 37 b ) 의 제 2 농도 는 5 . 0 E 20 ( 원자 / ㎤) 이상 이 됨 이 바람직 하 다 .