이 로써 상기 PAM 파형 의 위상 을 , 목표 로 하 는 위상 에 맞추 도록 보정 할 수 있 으므로 , 상기 콘덴서 ( C 1 , C 2 ) 내 의 차 지량 이 치우쳐 리플 전압 이 증대 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 따라서 리플 전압 의 증대 에 대응 하 기 위해 콘덴서 ( C 1 , C 2 ) 의 용량 을 증대 시키 거나 내압 성 을 향상 시키 거나 할 필요 가 없 어 지 므로 , 이 콘덴서 ( C 1 , C 2 ) 의 소형 화 및 비용 저감 을 도모 할 수 있 다 .