상기 각 프로세스 의 채용 에 의해서 , 기본 구성 [ 1 ] , [ 2 ] , [ 3 ] , [ 4 ] , [ 5 ] , [ 6 ] , [ 7 ] , [ 8 ] 에 있 어서 는 , 도 4 a 의 측 단면도 에 도시 하 는 바 와 같이 , 상기 프로세스 < 3 > 에 의해서 형성 된 분말 층 의 적층 영역 내 에 , 프로세스 < 4 > 와 같이 , 단지 소결 층 ( 3 ) 뿐 만 아니 라 벽부 층 ( 4 ) 을 중첩 시키 는 것 에 의해서 분말 층 의 붕괴 를 피할 수 가 있 다 .