도 2 를 참조 하 면 , 웨이퍼 ( 10 ) 는 에칭 되 어 트렌치 ( 23 ) 및 반도체 스트립 ( 126 , 226 ) 을 형성 한다 . 각각 의 프로세스 는 도 18 에 도시 되 어 있 는 프로세스 흐름 ( 400 ) 에서 프로세스 ( 404 ) 로서 예시 되 어 있 다 . 디바이스 영역 ( 100 ) 에서 , 이웃 하 는 트렌치 ( 23 ) 사이 의 기판 ( 20 ) 의 부분 은 반도체 스트립 ( 126 ) 이 라 칭한다 . 디바이스 영역 ( 200 ) 에서 , 이웃 하 는 트렌치 ( 23 ) 사이 의 기판 ( 20 ') 의 부분 은 반도체 스트립 ( 226 ) 이 라 칭한다 . 트렌치 ( 23 ) 를 형성 하 기 위해 , 패드 산화물 층 ( 28 ) 및 하드 마스크 층 ( 29 ) 이 웨이퍼 ( 10 ) 상 에 블랭킷 층 으로서 먼저 형성 된다 . 패드 산화물 층 ( 28 ) 은 실리콘 산화물 로 형성 된 박막 일 수 도 있 다 . 본 개시 내용 의 몇몇 실시 예 에 따르 면 , 패드 산화물 층 ( 28 ) 은 예 를 들 어 , 플라 즈 마 향상 화학 기상 증착 ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition : PECVD ) 을 사용 하 여 , 증착 을 통해 형성 된다 . 패드 산화물 층 ( 28 ) 은 하드 마스크 층 ( 29 ) 을 에칭 하 기 위한 에칭 정지 층 으로서 작용 할 수 도 있 다 . 본 개시 내용 의 몇몇 실시 예 에 따르 면 , 하드 마스크 층 ( 29 ) 은 예 를 들 어 , 저압 화학 기상 증착 ( Low - Pressure Chemical Vapor Deposition : LPCVD ) , 원자 층 증착 ( Atomic Layer Deposition : ALD ) , 플라 즈 마 향상 화학 기상 증착 ( PECVD ) 을 사용 하 여 , 실리콘 질화물 로 형성 된다 .