본 발명 에 관련 되 는 텅스텐 보다 도 이온 화 경향 이 낮 은 금속 범프 또는 금속 배선 이 형성 된 반도체 기판 상 의 W 계 금속 막 용 에칭 제 , 즉 , 본 발명 < 2 > 에 관한 에칭 제 를 사용 하 여 W 계 금속 막 을 형성 시킨 반도체 기판 의 에칭 처리 를 실시 하 면 , W 계 금속 막 을 신속 하 게 에칭 할 수 있 을 뿐 만 아니 라 , 상기 금속 범프 또는 금속 배선 직하 의 W 계 금속 막 의 에칭 , 이른바 텅스텐 보다 도 이온 화 경향 이 낮 은 금속 범프 또는 금속 배선 과 텅스텐 에 의한 이종 금속 접촉 부식 ( Galvanic 부식 ) 에 기인 하 는 사이드 에칭 을 억제 할 수 가 있 다 .