이어서 , 산소 ( O 2 ) 플라 즈 마를 이용 한 애 싱 공정 으로 포토레지스트 패턴 ( 178 ) 을 애 싱 함 으로써 도 11 c 에 도시 된 바 와 같이 제 1 포토레지스트 패턴 ( 178 a ) 은 얇 아 지 게 하 고 , 제 2 포토레지스트 패턴 ( 178 b ) 은 제거 되 게 한다 . 이어서 , 애 싱 된 제 1 포토레지스트 패턴 ( 178 a ) 을 이용 한 식각 공정 으로 노출 된 데이터 금속 층 과 , 그 아래 의 불순물 이 주입 된 비정질 실리콘 층 이 제거 된다 . 이 에 따라 , 소스 전극 ( 108 ) 과 드레 인 전극 ( 110 ) 은 분리 되 고 활성 층 ( 114 ) 이 노출 됨 과 아울러 화소 영역 의 제 2 대전 방지 막 ( 134 ) 이 노출 된다 .