도 4 를 참조 하 면 , 반도체 장치 ( 1000 c ) 는 도 2 를 참조 하 여 상술 한 실시 예 에서 와 달리 , 내부 스 페이서 층 ( 130 ) 을 포함 하 지 않 을 수 있 다 . 채널 구조물 ( 140 ) 의 제 1 내지 제 3 채널 층 들 ( 141 , 142 , 143 ) 의 사이 에서 게이트 전극 ( 165 ) 은 x 방향 을 따라 확장 되 어 배치 될 수 있 다 . 따라서 , x 방향 을 따른 게이트 전극 ( 165 ) 의 양 측면 은 채널 구조물 ( 140 ) 의 양 측면 과 상하 로 나란 하 게 위치 할 수 있 으며 , 실질 적 으로 공면 을 이룰 수 있 다 .