도 4 의 ( Ex ) , 도 4 의 ( Ey ) 에 나타난 바 와 같이 , 프리 층 ( 7 ) , 레퍼런스 층 ( 5 ) 의 소자 높이 방향 의 에칭 을 행하 기 위한 포 로 레지스 트 패턴 ( PR 3 ) 을 형성 하 고 , 이온 밀링 등 에 의해 , 프리 층 ( 7 ) 에서부터 레퍼런스 층 ( 5 ) 까지 를 에칭 한다 . 중간층 ( 4 ) 까지 에칭 해도 관계 없 다 . 포토레지스트 패턴 ( PR 3 ) 을 제거 하 지 않 고 , 비자 성 절연 층 ( 15 ) 을 성막 한다 . 그 후 , 포토레지스트 패턴 ( PR 3 ) 은 제거 된다 .