제 1 절연 층 ( 150 ) 이 상기 제 1 트랜지스터 를 포함 하 는 반도체 기판 ( 100 ) 전면 을 덮 는다 . 충전 반도체 패턴 ( 160 ) 이 상기 제 1 절연 층 ( 150 ) 에 형성 된 오목 한 영역 ( 155 ) 을 채운다 . 금속 원소 들 을 포획 하 는 다수 의 사이트 ( 170 ) 을 포함 하 는 게터 링 영역 ( 165 ) 이 상기 충전 반도체 패턴 ( 160 ) 내 에 배치 된다 . 물론 , 상기 게터 링 영역 ( 165 ) 은 상기 사이트 들 ( 170 ) 을 생성 시키 는 원소 들 을 포함 한다 . 도시 된 바 와 같이 , 상기 게터 링 영역 ( 165 ) 은 상기 충전 반도체 패턴 ( 160 ) 의 전체 에 걸쳐 배치 될 수 있 다 . 이 와 는 달리 , 상기 게터 링 영역 ( 165 ) 은 상기 충전 반도체 패턴 ( 160 ) 의 일부 에 배치 될 수 있 다 .