도 4 a 및 도 4 b 를 참조 하 면 , 적어도 포토레지스트 층 을 포함 하 는 리소그래피 재료 스택 ( 도시 되 지 않 음 ) 이 절연 캡 층 ( 70 ) 및 단차 형 유전체 재료 부분 ( 65 ) 위 에 형성 될 수 있 고 , 리소그래피 방식 으로 패턴 화 되 어 내부 에 개구 들 을 형성 할 수 있 다 . 개구 들 은 메모리 어레이 영역 ( 100 ) 위 에 형성 된 제 1 세트 의 개구 들 및 계단 영역 ( 300 ) 위 에 형성 된 제 2 세트 의 개구 들 을 포함 한다 . 리소그래피 재료 스택 내 의 패턴 은 , 패턴 화 된 리소그래피 재료 스택 을 에칭 마스크 로서 사용 하 는 적어도 하나 의 이방성 에칭 에 의해 절연 캡 층 ( 70 ) 또는 단차 형 유전체 재료 부분 ( 65 ) 을 통해 , 그리고 교번 하 는 스택 ( 32 , 42 ) 을 통해 전사 될 수 있 다 . 패턴 화 된 리소그래피 재료 스택 내 의 개구 들 아래 에 놓인 교번 하 는 스택 ( 32 , 42 ) 의 부분 들 이 에칭 되 어 메모리 개구 들 ( 49 ) 및 지지 개구 들 ( 19 ) 을 형성 한다 . 본 명세서 에 사용 되 는 바 와 같이 , " "" 메모리 개구 "" 는 메모리 스택 구조물 과 같 은 메모리 요소 들 이 후속 적 으로 형성 되 는 구조물 을 지칭 한다 . 본 명세서 에 사용 되 는 바 와 같이 "," "" 지지 개구 "" 는 다른 요소 들 을 기계 적 으로 지지 하 는 지지 구조물 ( 예컨대 ", 지지 기둥 구조물 ) 이 후속 적 으로 형성 되 는 구조물 을 지칭 한다 . 메모리 개구 들 ( 49 ) 은 메모리 어레이 영역 ( 100 ) 내 의 절연 캡 층 ( 70 ) 및 교번 하 는 스택 ( 32 , 42 ) 의 전체 를 통해 형성 된다 . 지지 개구 들 ( 19 ) 은 계단 영역 ( 300 ) 에서 단차 형 유전체 재료 부분 ( 65 ) , 및 단차 형 표면 들 아래 에 놓이 는 교번 하 는 스택 ( 32 , 42 ) 의 부분 을 통해 형성 된다 .