상기 기판 처리 장치 ( 300 ) 에 의한 기판 처리 는 , 아래 와 같이 하 여 실행 된다 . 우선 , 반송 아암 ( 306 ) 에 의해 , 캐리어 ( C ) 로부터 , Cu 배선 이 절연 층 으로 덮힌 구조 가 형성 된 피 처리 기판 ( W ) ( 도 6 a 의 상태 에 상당 ) 이 반출 되 어 , 로드 록 실 ( 303 ) 에 반입 된다 . 다음 으로 , 반송 아암 ( 302 ) 에 의해 , 피 처리 기판 ( W ) 이 로드 록 실 ( 303 ) 로부터 , 반 송실 ( 301 ) 을 거쳐서 처리 용기 ( 401 ) 또는 처리 용기 ( 402 ) 에 반송 된다 . 처리 용기 ( 401 ) 또는 처리 용기 ( 402 ) 에서 는 , 먼저 설명 한 도 6 b 에 상당 하 는 에칭 공정 에 따른 처리 가 실행 되 고 , Cu 배선 상 의 절연 층 에 개구부 가 형성 되 어서 Cu 배선 의 일부 가 노출 된다 .