소거 신호 들 을 생성 하 기 위해 사용 되 는 트랜지스터 들 ( 제 3 및 제 4 트랜지스터 들 ) 의 게이트 들 이 종래 의 MDS LNA 에서 와 같이 LNA 의 차동 입력 신호 노드 들 에 커플링 되 지 않 기 때문 에 , 신규 한 차동 MDS LNA 의 입력 커패시턴스 가 감소 된다 . 서브 - 임계 영역 에 바이어 싱 된 트랜지스터 로 인해 신규 한 차동 MDS LNA 의 출력 에 도입 된 잡음 은 , 신규 한 LNA 토폴로지 에서 는 2 개 의 스테이지 들 이 존재 하 기 때문 에 감소 된다 . 잡 음 있 는 서브 - 임계 영역 바이어 싱 된 트랜지스터 들 을 갖 는 제 2 스테이지 이전 에 제 1 증폭 스테이지 를 배치 함 으로써 , 전체 회로 출력 에 대한 서브 - 임계 영역 바이어 싱 된 트랜지스터 들 의 잡음 기여 도 가 감소 된다 .