" 상기 ALD 기술 에 의한 TiN 막 의 형성 방법 이 한국 등록 특허 10 - 0665401 에 "" 반도체 소자 의 티타늄 나이트 라이드 막 형성 방법 "" 라는 제목 으로 엄 등 에 의해 개시 되 어 있 다 . 엄 등 에 따른 TiN 막 의 형성 방법 은 4 단계 로 구성 되 는 ALD 단위 공정 을 원하 는 박막 두께 가 형성 될 때 까지 반복 하 는 것 이 다 . "