한편 , 상기 버퍼 층 ( 103 ) 상부 에 는 도핑 된 영역 ( 110 b ) 과 제 1 및 제 2 게이트 전극 ( 123 , 125 ) 과 중첩 되 어 도핑 되 지 않 은 영역 ( 110 a ) 으로 구성 된 폴리 실리콘 의 반도체 층 ( 110 ) 이 형성 되 어 있 으며 , 그 위 로 전면 에 게이트 절 연막 ( 113 ) 이 형성 되 어 있 다 .