용해 콘트 라스트 를 더 향상 시키 기 위해서 , 요오드 또는 브롬 으로 치환 된 방향 환 을 갖 는 플 루 오로 술폰산 의 암모늄염 구조 를 갖 는 반복 단위 에 더 하 여 , 카르복실기 또는 페놀 성 히드록실기 의 수소 원자 가 산불 안정기 로 치환 된 반복 단위 가 베이스 폴리머 에 도입 된다 . 얻 어 지 는 포지티브 형 레지스 트 재료 , 특히 화학 증폭 포지티브 형 레지스 트 재료 는 , 고감도 이 며 , 노광 전후 의 알칼리 용해 속도 콘트 라스트 가 현저히 증가 하 고 , 확산 을 억제 하 는 효과 가 높 고 , 고해 상성 을 가지 며 , 노광 후 의 패턴 형상 이 양호 하 고 , LER 또는 LWR 이 감소 된다 . 따라서 , 이 재료 는 포토 마스크 및 VLSI 제조 용 미세 패턴 형성 재료 로서 적합 하 다 .