구체 적 으로 , 화학 적 기계 적 연마 공정 은 반도체 웨이퍼 의 표면 을 초 순수 와 연마제 , 산화제 및 보조 첨가제 등 이 함유 된 슬러리 와 연마 용 패드 등 을 이용 하 여 연마 하 는 것 으로 다음 과 같 은 방법 으로 이뤄 진다 . CMP 용 연마기 에서 연마 패드 및 웨이퍼 를 접촉 하 여 연마 패드 와 웨이퍼 를 회전 및 직선 운동 을 혼합 한 오비탈 운동 을 실시 하 면서 연마제 가 포함 된 슬러리 를 떨어뜨려 연마 한다 .