도 7 a 및 도 7 b 를 참조 하 면 , 감광막 패턴 ( 50 ) 을 제거 하 고 , 기판 전면 에 불순물 이온 을 주입 하 여 드레 인 영역 ( 19 ) 이 형성 된다 . 예컨대 , 주입 되 는 불순물 이온 은 비소 이온 일 수 있 으며 , 5 ~ 100 KeV 의 에너지 와 1012 ~ 1016 개 / ㎠ 의 농도 로 주입 될 수 있 다 . 이때 , 소오 스 라인 ( 18 ) 에 도 비소 이온 이 주입 될 수 있 는데 , 이 에 의해 소오 스 라인 ( 18 ) 의 저항 이 더욱 감소 될 수 있 다 . 특히 , 인 이온 과 비소 이온 이 함께 주입 되 는 경우 에 는 저항 이 감소 되 는 효과 가 더욱 증대 될 수 있 다 .