메모리 셀 을 액세스 ( access ) 하 는 대부분 의 메모리 칩 은 로 오 어 드레스 ( row address ) 에 의해 워드 라인 ( wordline ) 을 선택 하 여 리 프레쉬 ( refresh ) 를 수행 하 거나 또는 로 오 ( Row ) 행 을 선택 하 게 된다 . 　 특히 휘발 성 메모리 ( volatile memory ) 인 디램 ( DRAM ) 에 있 어서 셀 ( cell ) 은 긴 시간 의 리 프레쉬 가 보장 되 어야 함 에 의해 , 셀 트랜지스터 들 이 높 은 문턱 전압 ( threshold voltage ) 을 가지 게 된다 . 따라서 이러 한 셀 들 을 턴 온 ( turn - on ) 시키 고 , 또한 셀 에 저장 된 데이터 를 쓰 거나 읽 기 위해서 는 높 은 레벨 의 승압 전압 ( VPP ) 이 필요 하 게 된다 .