계속 해서 , 도 8 ( a ) ~( b ) 에 나타내 듯이 , 소스 메탈 ( 25 s ) 을 형성 한다 . 구체 적 으로 는 , 제 1 도 전막 ( 25 sp ) 이 되 는 티타늄 막 ( 두께 50 ㎚ 정도 ) , 제 2 도 전막 ( 25 sq ) 이 되 는 알루미늄 막 ( 두께 150 ㎚ 정도 ) , 및 , 제 3 도 전막 ( 25 sr ) 이 되 는 질화 몰리 부 덴 막 ( 두께 100 ㎚ 정도 ) 를 예 를 들 어 스퍼터링 법 을 이용 하 여 연속 하 여 적층 형성 한 후 , 포 토리 소 그래피 법 을 이용 하 여 소스 메탈 ( 25 s ) 이 되 는 부분 에 레지스 트 패턴 을 잔존 시킨다 . 그리고 , 예 를 들 어 , 에 천트 ( etchant ) 로써 인산 / 아세트산 / 질산 ( phosphoric acid / acetic acid / nitric acid ) 의 혼 산액 ( 混酸 液 ) 을 이용 한 ? 에칭 에 의해 제 2 도 전막 및 제 3 도 전막 을 에칭 하 고 , 또한 염소 계 가스 를 이용한 드라이 에칭 ( RIE 법 ) 을 이용 하 여 제 1 도 전막 인 티타늄 막 을 에칭 한 후 , 레지스 트 박리 액 에 의해 레지스 트 를 박리 한다 .