도 1 a 및 도 1 b 를 참조 하 면 , 기판 ( SUB ) 상 에 도전 막 ( CDL ) 이 형성 될 수 있 다 . 도시 되 진 않 았 지만 , 도전 막 ( CDL ) 은 기판 ( SUB ) 상 에 형성 된 소자 , 예 를 들 어 트랜지스터 와 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 일 예 로 , 도전 막 ( CDL ) 은 트랜지스터 상 의 배선 층 일 수 있 다 . 다른 예 로 , 도전 막 ( CDL ) 은 트랜지스터 의 게이 트일 수 있 다 . 또 다른 예 로 , 도전 막 ( CDL ) 은 트랜지스터 의 소스 / 드레 인 일 수 있 다 . 도전 막 ( CDL ) 은 도핑 된 반도체 물질 ( 도핑 된 실리콘 , 도핑 된 게르마늄 등 ) , 도전 성 금속 질화물 ( 질화 티타늄 , 질화 탄 탈륨 등 ) , 금속 ( 텅스텐 , 티타늄 , 탄 탈륨 등 ) , 및 금속 - 반도체 화합물 ( 텅스텐 실리사이드 , 코발트 실리사이드 , 티타늄 실리사이드 등 ) 중 어느 하나 일 수 있 다 .