도 8 ( a ) 에 나타난 바 와 같이 , 본 발명 의 감지 소자 ( 200 ) 는 , 적어도 그 일면 에 형성 된 지지층 ( 230 ) 을 갖 는 기판 ( 210 ) 과 상기 지지층 ( 230 ) 상 에 형성 된 절연 층 ( 250 ) 을 포함 하 여 구성 된다 . 상기 기판 ( 210 ) 으로 는 실리콘 기판 을 이용 할 수 있 으나 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 . 또한 상기 지지층 ( 230 ) 은 열 적 고립 구조 형성 을 위한 것 으로 , 대략 4000 Å 두께 의 저 응력 의 실리콘 질화 막 임 이 바람직 하 다 .