도 3 및 도 6 을 참조 하 면 , 기판 ( 100 ) 의 전면 상 에 절 연막 들 ( IL ) 및 제 1 희생 막 들 ( HL 1 ) 을 수직 적 으로 번갈 아 적층 하 여 , 하부 구 조체 ( SS 1 ) 가 형성 될 수 있 다 . 기판 ( 100 ) 은 셀 어레이 영역 ( CAR ) 및 연결 영역 ( CTR ) 을 포함 할 수 있 다 . 최 상부 의 제 1 희생 막 ( HL 1 ) 상 에 식각 정지 막 ( ESL ) 이 형성 될 수 있 다 . 일 예 로 , 기판 ( 100 ) 은 실리콘 기판 , 게르마늄 기판 또는 실리콘 - 게르마늄 기판 일 수 있 다 .