상술 한 본 발명 은 코어 전원 의 급작 스런 감소 로 인한 반도체 메모리 소자 의 불량 을 막 아 줄 수 있 고 , 외부 에서 입력 되 는 데이터 를 코어 영역 에 안전 한 전압 레벨 로 전해 줄 수 있 으며 , 메모리 셀 에 저장 된 데이터 의 유실 을 막아주 는 한편 , 메모리 셀 의 리플레 쉬 동작 특성 을 개선 시켜 주 는 효과 를 얻 을 수 있 다 .