도 1 을 참조 하 면 , 기판 ( 11 ) 은 소정 의 패턴 을 가지 고 패 터닝 된다 . 상기 기판 ( 11 ) 은 사파이어 기판 일 수 있 으나 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , SiC 와 같 은 다른 기판 일 수 도 있 다 . 패 터닝 된 기판 ( 11 ) 은 돌출 패턴 들 ( 12 ) 및 리세 스 들 을 갖 는다 . 돌출 패턴 들 ( 12 ) 은 각자 가 대략 적 으로 반구형 내지 원추형 에 가까운 형상 을 가지 며 , 기판 ( 11 ) 위 에 전체 적 으로 균일 하 게 분포 될 수 도 있 고 , 불 규칙 적 으로 분포 될 수 도 있 다 . 상기 돌출 패턴 ( 12 ) 들 은 하부 의 직경 ( d ) 과 패턴 의 높이 ( h ) 가 각각 소정 의 값 을 갖 도록 형성 된다 . 리세 스 들 은 , 도시 된 바 와 같이 , 대체로 평평 한 바닥 면 들 을 가진다 .