상기 게이트 를 형성 하 는 단계 후 , 그리고 , 상기 제 1 및 제 2 접합 영역 을 형성 하 는 단계 전 , 상기 활성 영역 의 스토리지 노드 콘 택 영역 및 상기 활성 영역 의 비트 라인 콘 택 영역 상부 의 실리콘 에 피층 내 에 LDD 영역 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 게이트 의 양측 벽 에 스 페이서 를 형성 하 는 단계 ; 를 더 포함 한다 .