제 3 액티브 층 ( 331 ) 은 제 3 박막 트랜지스터 ( 330 ) 의 구동 시 채널 이 형성 되 는 제 3 채널 영역 ( 331 a ) , 제 3 채널 영역 ( 331 a ) 양 측 의 제 3 소스 영역 ( 331 b ) 및 제 3 드레 인 영역 ( 331 c ) 을 포함 할 수 있 다 . 그리고 , 제 3 액티브 층 ( 331 ) 은 산화물 반도체 로 이루어질 수 있 다 .