도 6 을 참조 하 면 , 상기 제 2 하드 마스크 패턴 ( 122 ) 을 식각 마스크 로 이용 하 여 제 1 식각 공정 을 통해 상기 소스 / 드레 인 영역 ( 112 ) 이 형성 된 기판 ( 100 ) 을 부분 적 으로 식각 하 여 , 기판 ( 100 ) 의 액티브 영역 에 게이트 리 세스 ( 120 ) 를 형성 한다 . 상기 제 1 식각 공정 은 반응 성 이온 식각 ( RIE ) 공정 또는 건식 식각 ( CDE ) 공정 을 포함 한다 . 또한 , 상기 제 1 식각 공정 이 이방성 식각 공정 을 포함 하 기 때문 에 게이트 리 세스 ( 120 ) 는 기판 ( 100 ) 에 대하 여 수직 한 방향 으로 형성 된다 . 그리고 , 상기 제 1 식각 공정 은 상기 게이트 리 세스 ( 120 ) 의 상부 에서 폭 이 일부 가 증가 되 어 동그란 형상 의 측벽 프로 파일 을 갖 는다 .