제 1 전하 저장 구조물 ( 252 ) 은 채널 ( 260 ) 의 외측 벽 으로부터 기판 ( 100 ) 상면 에 평행 한 수평 방향 을 따라 순차 적 으로 적층 된 터널 절연 패턴 ( 240 ) , 전하 트래핑 패턴 ( 232 ) , 및 제 1 블로킹 패턴 ( 220 ) 을 포함 할 수 있 다 . 또한 , 제 1 전하 저장 구조물 ( 252 ) 은 분리 패턴 ( 234 ) 을 더 포함 할 수 있 다 . 각 터널 절연 패턴 ( 240 ) 및 제 1 블로킹 패턴 ( 220 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) 과 같 은 산화물 을 포함 할 수 있 으며 , 전하 트래핑 패턴 ( 232 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 질화물 ( SiN ) 과 같 은 질화물 을 포함 할 수 있 다 .