소스 레벨 희생 층 ( 104 ) 은 하부 희생 라이너 ( 103 ) 및 상부 희생 라이너 ( 105 ) 에 대해 선택 적 으로 제거 될 수 있 는 희생 재료 를 포함 한다 . 일 실시 예 에서 , 소스 레벨 희생 층 ( 104 ) 은 20 % 초과 의 게르마늄 의 원자 농도 를 갖 는 , 도핑 되 지 않 은 비정질 실리콘 또는 실리콘 - 게르마늄 합금 과 같 은 반도체 재료 를 포함 할 수 있 다 . 소스 레벨 희생 층 ( 104 ) 의 두께 는 30 nm 내지 400 nm , 예컨대 60 nm 내지 200 nm 범위 내 에 있 을 수 있 지만 , 더 작 은 두께 및 더 큰 두께 도 사용 될 수 있 다 .