게이트 절연 층 ( 146 ) 의 형성 후 에 는 , 불활성 가스 분위기 하 , 또는 산소 분위기 하 에서 제 2 열처리 를 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 열처리 의 온도 는 200 ℃ 이상 450 ℃ 이하 , 바람직 하 게 는 250 ℃ 이상 350 ℃ 이하 이 다 . 예 를 들 어 , 질소 분위기 하 에서 250 ℃, 1 시간 의 열처리 를 행할 수 있 다 . 제 2 열처리 를 행함 으로써 , 트랜지스터 의 전기 적 특성 의 변동 을 경감 할 수 있 다 . 또한 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 이 산소 를 포함 할 경우 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 에 산소 를 공급 하 고 , 상기 산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 산소 결손 을 보충 할 수 있 다 .