게이트 공간 이 형성 된 후 에 , 노출 된 핀 구조물 ( 채널 및 버퍼 반도체 층 ) 위 에 게이트 유전체 층 ( 202 ) 이 형성 된다 . 일부 실시 예 에서 , 게이트 유전체 층 ( 202 ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 또는 하이 k 유전체 재료 , 다른 적합 한 유전체 재료 , 및 / 또는 이 들 의 조합 과 같 은 유전체 재료 의 하나 이상 의 층 을 포함 한다 . 하이 k 유전체 재료 의 예 는 , HfO 2 , HfSiO , HfSiON , HfTaO , HfTiO , HfZrO , 지르코늄 산화물 , 알루미늄 산화물 , 티타늄 산화물 , 하프늄 이 산화물 - 알루미나 ( HfO 2 - Al 2 O 3 ) 합금 , 다른 적합 한 하이 k 유전체 재료 , 및 / 또는 이 들 의 조합 을 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 게이트 유전체 층 ( 202 ) 은 채널 층 과 유전체 재료 사이 에 형성 된 계면 층 을 포함 한다 .