도 4 의 난수 생성 메모리 에 대하 여 입력 데이터 를 기록 하 는 방법 으로서 , 선택 된 메모리 층 에서 각 수직 비트 라인 별로 순차 적 으로 , 각 수직 비트 라인 에 형성 된 제 1 메모리 소자 들 및 제 2 메모리 소자 들 에 입력 데이터 가 기록 되 도록 할 수 있 다 . 즉 , 제 j 번 째 ( j 는 N 보다 작 거나 같 은 자연수 ) 수직 비트 라인 ( 160 ) 에 접촉 한 일 측 워드 라인 들 ( 171 , 172 ) 및 타 측 워드 라인 들 ( 173 , 174 ) 과 제 j 번 째 수직 비트 라인 ( 160 ) 에 쓰 기 전압 을 인가 하 여 제 1 메모리 소자 들 ( 150 ) 및 제 2 메모리 소자 들 ( 152 ) 에 입력 데이터 가 기록 되 도록 할 수 있 다 .