본 발명 은 셀 영역 내 유효 산화 막 높이 ( Effective Field oxide Height ; EFH ) 제어 를 위한 소자 분리 막 의 식각 공정 시 주변 회로 영역 에 패 터닝 된 희생 막 을 식각 마스크 로 이용 하 는 습식 식각 공정 으로 실시 함 으로써 , 포토레지스트 오염 , 포토레지스트 패턴 들뜸 현상 으로 인한 공정 불량 없이 셀 영역 내 EFH 편차 ( variation ) 를 개선 할 수 있 고 , 이 를 통해 문턱 전압 ( Vth ) 분포 를 개선 할 수 있 다 .