먼저 , 도 2 및 도 3 a 에 도시 한 바 와 같이 제 1 도전 형 의 결정질 실리콘 기판 ( 301 ) 을 준비 하 고 ( S 201 ) , 상기 제 1 도전 형 의 실리콘 기판 ( 301 ) 의 표면 에 요철 ( 302 ) 이 형성 되 도록 텍 스쳐 링 ( texturing ) 공정 을 진행 한다 ( S 202 ) . 상기 텍 스쳐 링 공정 은 기판 ( 301 ) 표면 에서 의 빛 반사 를 줄이 기 위한 것 이 며 , 습식 식각 방법 또는 반응 성 이온 식각 ( reactive ion etching ) 등 의 건식 식각 방법 을 이용 하 여 진행 할 수 있 다 . 여기 서 , 상기 표면 의 요철 구조 는 수 광면 즉 , 전면 에 만 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 상기 제 1 도 전형 은 p 형 또는 n 형 이 고 , 후술 하 는 제 2 도 전형 은 제 1 도전 형 의 반대 이 며 , 이하 의 설명 에서 는 제 1 도 전형 은 p 형 인 것 을 기준 으로 한다 .