상기 절연 막 은 상기 기판 , 마이크 로 히터 , 복수 의 감지 전극 및 복수 의 전극 패드 를 전기 적 으로 절연 시키 고 , 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) , 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) , 또는 BPSG 막 ( borophosphosilicate glass ) , PSG 막 ( phosphosilicate glass ) 및 SOG 막 ( spin - on - glass ) 을 포함 하 는 변형 된 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 중 적어도 어느 하나 로 형성 되 는 것 을 특징 으로 한다 .