이하 의 제 1 예 에서 는 , 기판 으로서 의 웨이퍼 ( 200 ) 가 적재 된 상태 에서 수용 된 처리 실 ( 201 ) 을 소정 온도 에서 가열 하 면서 , 처리 실 ( 201 ) 에 , 노즐 ( 410 ) 에 개구 되 는 복수 의 가스 공급 구멍 ( 410 a ) 으로부터 원료 가스 로서 TMA 가스 를 공급 하 는 공정 과 , 노즐 ( 420 ) 에 개구 되 는 복수 의 가스 공급 구멍 ( 420 a ) 으로부터 반응 가스 로서 O 3 가스 를 공급 하 는 공정 을 각각 소정 횟수 행하 여 , 웨이퍼 ( 200 ) 상 에 금속 산화 막 으로서 의 AlO 막 을 형성 한다 .