다음 에 , 반도체 장치 ( device ) 의 제조 방법 의 하나 의 예 로서 플래시 메모리 를 제조 할 때 , 본 발명 의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 을 적용 하 는 예 , 즉 , 플래시 메모리 의 플로팅 게이트 를 실리콘 양자 도트 로 구성 할 때 , 본 발명 의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 을 적용 하 는 예 에 대하 여 설명 한다 . 도 9 는 , 실리콘 양자 도트 로 구성 한 플로팅 게이트 를 포함 한 플래시 메모리 의 일부 를 나타내 는 단면도 이 다 .