이하 , 이것 을 구체 적 으로 설명 한다 . 한편 , 본 실시 형태 의 제 1 순서 에서 는 , 원료 가스 로서 소정 원소 로서 의 실리콘 을 포함 하 는 가스 인 HCD 가스 를 , 질소 를 포함 하 는 가스 로서 NH 3 가스 를 , 산소 를 포함 하 는 가스 로서 NO 가스 를 사용 하 여 기판 상 에 절 연막 으로서 실리콘 산화 막 을 형성 하 는 예 에 대해서 설명 한다 .