초기 프로그램 전압 을 인가 하 여 제 1 프로그램 동작 을 실시 한 후 , 메모리 셀 ( CA 0 ) 의 문턱 전압 이 목표 전압 까지 상승 하 였 지 를 검출 하 기 위하 여 제 1 검증 동작 을 실시 한다 . 메모리 셀 ( CA 0 ) 의 문턱 전압 이 목표 전압 까지 상승 하 지 못한 경우 , 초기 프로그램 전압 의 레벨 을 상승 시켜 제 2 프로그램 동작 을 실시 한다 . 그리고 , 다시 제 2 검증 동작 을 실시 하 여 메모리 셀 ( CA 0 ) 의 문턱 전압 레벨 을 검출 한다 . 이때 , 프로그램 전압 은 35 V 이내 에서 상승 시키 며 , 상승 폭 은 0 . 1 V 내지 3 V 의 범위 내 에서 결 정하 는 것 이 바람직 하 다 . 메모리 셀 ( CA 0 ) 의 문턱 전압 이 목표 전압 까지 높 아 지 면 ISPP 방식 의 프로그램 동작 을 종료 한다 .