실시 예 에 따른 반도체 소자 ( 200 ) 는 , 도 1 및 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 절연 층 ( 140 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 절연 층 ( 140 ) 은 상기 P 1 발광 구조물 의 측면 에 배치 될 수 있 다 . 상기 절연 층 ( 140 ) 은 상기 P 1 발광 구조물 의 측면 둘레 를 감싸 도록 배치 될 수 있 다 . 상기 절연 층 ( 140 ) 은 상기 P 2 발광 구조물 의 측면 에 배치 될 수 있 다 . 상기 절연 층 ( 140 ) 은 상기 P 2 발광 구조물 의 측면 둘레 를 감싸 도록 배치 될 수 있 다 .