도 1 을 참조 하 면 , 예시 FinFET 디바이스 ( 10 ) 의 투시도 가 도시 되 어 있 다 . FinFET 디바이스 구조물 ( 10 ) 은 N 형 FinFET 디바이스 구조물 ( NMOS ) ( 15 ) 및 P 형 FinFET 디바이스 구조물 ( PMOS ) ( 25 ) 을 포함 한다 . FinFET 디바이스 구조물 ( 10 ) 은 기판 ( 102 ) 을 포함 한다 . 기판 ( 102 ) 은 실리콘 또는 다른 반도체 물질 로 제조 될 수 있 다 . 대안 적 으로 또는 추가 적 으로 , 기판 ( 102 ) 은 게르마늄 과 같 은 다른 단원 소 반도체 물질 을 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 기판 ( 102 ) 은 실리콘 탄화물 , 갈륨 비소 , 인듐 비화물 , 또는 인듐 인화물 과 같 은 화합물 반도체 로 제조 된다 . 일부 실시 예 에서 , 기판 ( 102 ) 은 실리콘 게르마늄 , 실리콘 게르마늄 탄화물 , 갈륨 비소 인화물 , 또는 갈륨 인듐 인화물 과 같 은 혼정 반도체 로 제조 된다 . 일부 실시 예 에서 , 기판 ( 102 ) 은 에피 택 셜 층 을 포함 한다 . 예컨대 , 기판 ( 102 ) 은 , 벌크 반도체 위 에 놓이 는 에피 택 셜 층 을 포함 할 수 있 다 .