아날로그 신호 제어 를 위한 바 이 폴라 기술 과 디지털 신호 제 어 및 고전 류 처리 를 위한 CMOS 기술 이 결합 된 이 공정 은 DTI ( Deep Trench Isolation ) 기술 을 적용 , 트랜지스터 피치 ( Transistor Pitch . 트랜지스터 사이 의 간격 ) 를 줄이 고 전류 누출 과 과전류 로 인해 소자 특성 이 저하 되 는 래치 업 ( latch up ) 현상 을 개선 시킨 것 이 특징 이 다 .