예 를 들 어 , 봉합 재 층 ( 704 ) 은 Eg 1 에 대한 다운 시프팅 을 수행 하 는 형광체 가 표면 매립 될 수 있 고 , 봉합 재 층 ( 712 ) 은 Eg 2 에 대한 다운 시프팅 을 수행 하 는 다른 형광체 가 표면 매립 될 수 있 고 , 봉합 재 층 ( 720 ) 은 Eg 1 또는 Eg 2 에 대한 업 시프팅 을 수행 하 는 또 다른 형광체 가 표면 매립 될 수 있 다 . 태양 디바이스 ( 700 ) 의 동작 동안 , 입사 태양 방사선 은 광활 성 층 ( 708 ) 의 Eg 1 에 매칭 하 도록 더 높 은 에너지 방사선 의 다운 시프팅 을 수행 하 는 봉합 재 층 ( 704 ) 에 부딪친다 . Eg 1 보다 낮 은 에너지 를 가진 태양 방사선 은 광활 성 층 ( 708 ) 을 통과 하 고 , 광활 성 층 ( 716 ) 의 Eg 2 에 매칭 하 도록 더 높 은 에너지 방사선 의 다운 시프팅 을 수행 하 는 봉합 재 층 ( 712 ) 에 부딪친다 . Eg 2 보다 낮 은 에너지 를 가진 태양 방사선 은 광활 성 층 ( 716 ) 을 통과 하 고 , Eg 1 또는 Eg 2 에 매칭 하 도록 업 시프팅 을 수행 하 는 봉합 재 층 ( 720 ) 에 부딪친다 . 이러 한 방식 으로 동작 함 으로써 , 태양 디바이스 ( 700 ) 는 태양 스펙트럼 내 의 상이 한 에너지 대역 이 효율 적 으로 수집 되 고 전기 로 변환 될 수 있 게 함 으로써 , 태양 스펙트럼 의 강화 된 사용 율 을 제공 한다 .