또한 , 상기 반도체 장치 로서 도 11 ( A ) 에 도시 한 구성 을 갖 는 반도체 장치 를 적용 할 수 도 있 다 . 단 적 으로 말 하 면 , 도 11 ( A ) 에 도시 한 반도체 장치 는 도 1 ( A ) 에 도시 한 반도체 장치 에서 트랜지스터 ( 12 ) 를 삭제 한 반도체 장치 다 . 구체 적 으로 기재 하 면 , 도 11 ( A ) 에 도시 한 반도체 장치 에서 트랜지스터 ( 13 ) 의 소스 및 드레 인 의 한쪽 이 비트 선 ( 22 ) 에 전기 적 으로 접속 되 는 점 및 용량 소자 ( 14 ) 의 다른 쪽 전극 이 워드 선 ( 24 ) 에 전기 적 으로 접속 되 는 점 이 도 1 ( A ) 에 도시 한 반도체 장치 와 상이 하 다 . 도 11 ( A ) 에 도시 한 반도체 장치 는 트랜지스터 의 개수 를 저감 할 수 있 어 바람직 하 다 .