MBE 에서 의 GaN NW 성장 은 , Ga 분출 셀 , 질소 플라 즈 마 셀 및 도 펀트 셀 의 셔터 를 동시 에 개방 하 여 도핑 된 GaN NW ( 본원 에서 스템 으로 지칭 됨 ) 의 성장 을 개시 함 으로써 개시 될 수 있 다 . GaN 스템 의 길이 는 5 nm 내지 수백 nm 로 유지 될 수 있 다 . 이어서 , 필요 한 경우 기판 온도 를 증가 시키 고 , Al 셔터 를 열 어 AlGaN NW 의 성장 을 개시 할 수 있 다 . GaN 스템 의 성장 없이 흑연 질 층 상 에서 AlGaN NW 의 성장 을 개시 할 수 있 다 . NW 성장 동안 n - 형 도 펀트 셀 및 p - 형 도 펀트 셀 ( 예 를 들 어 , NW 의 n - 형 도핑 을 위한 Si 도 펀트 셀 , 및 NW 의 p - 형 도핑 을 위한 Mg 도 펀트 셀 ) 의 셔터 를 각각 개방 함 으로써 n - 형 및 p - 형 도핑 된 NW 를 수득 할 수 있 다 .