성막 실 ( 2 ) 내 에서 는 , 도 1 에 나타내 는 바 와 같이 , 1 장 씩 웨이퍼 ( W ) 가 반입 되 어 성막 처리 가 실시 된다 . 또한 , 복수 의 웨이퍼 ( W ) 가 반입 되 어 이 들 웨이퍼 에 대하 여 동시 에 성막 처리 가 실시 되 어도 된다 . 이 경우 에 는 , 매 엽 처리 와 배치 처리 를 조합 한 방식 으로 성막 함 으로써 , 반도체 제조 장치 ( 1 ) 의 생산 성 은 향상 된다 .