상기 사진 공정 은 웨이퍼 상 에 포토레지스트 를 도포 한 상태 에서 소정 의 희망 하 는 패턴 이 형성 되 도록 상기 포토레지스트 를 노광 및 현상 하 여 포토레지스트 패턴 을 형성 하 는 공정 이 다 . 이후 , 상기 포토레지스트 패턴 을 식각 마스크 로 사용 하 여 상기 포토레지스트 패턴 하부 의 웨이퍼 또는 상기 웨이퍼 상 에 형성 된 박막 을 패 터 닝 한다 .