본 발명 은 HDP ( high density plasma ) 증착 특성 에 기인 한 모트 ( moat ) 를 저압 화 학기 상 증착 방식 을 이용 한 산화 막 으로 효율 적 으로 메워 보이드 ( void ) 유발 요인 을 사전 에 제거 함 으로써 , 후속 한 증착 공정 시 보이 드 생 성 을 억제 하 여 후속 한 습식 식각 시 게이트 용 도전 막 의 측벽 손실 을 방지 할 수 있 는 반도체 소자 의 소자 분리 막 형성 방법 에 관한 것 이 다 .