일반 적 으로 , 반도체 디바이스 를 제조 하 기 위해서 는 반도체 기판 상 에 다층 의 박막 을 형성 하 게 되 는데 , 박막 의 형성 에 는 에칭 공정 이 필수 적 으로 채택 되 고 있 다 . 에칭 공정 에 있 어서 , 기판 의 배면 에 증착 된 박막 등 은 후속 공정 에서 이 물질 로 작용 하 므로 , 도 1 에 도시 된 바 와 같 은 매 엽 식 기판 처리 장치 를 이용 하 여 , 기판 배면 의 박막 등 과 같 은 이 물질 을 제거 하 기 위해 기판 배면 의 에칭 처리 를 수행 한다 .