이 와 같 은 구조 에서 , 활성 패턴 들 ( AP ) 의 제 1 영역 ( R 1 ) 은 수직 채널 트랜지스터 의 드레 인 전극 으로 이용 되 고 , 활성 패턴 들 ( AP ) 의 제 3 영역 ( R 3 ) 은 수직 채널 트랜지스터 의 소오 스 전극 으로 이용 될 수 있 다 . 또한 , 활성 패턴 들 ( AP ) 의 제 2 영역 ( R 2 ) 은 수직 채널 트랜지스터 의 채널 영역 으로 이용 될 수 있 다 .