상기 홈 의 게이트 형성 방향 에 따른 홈 일 측벽 및 타 측벽 의 활성 영역 부분 및 상기 홈 아래 의 활성 영역 부분 각각 에 문턱 전압 조절 영역 을 형성 하 는 단계 는 , 상기 홈 의 일 측벽 및 바닥 에 이온 주입 각도 를 조절 해 제 1 이온 주입 공정 을 수행 하 여 제 1 문턱 전압 조절 영역 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 홈 의 타 측벽 및 바닥 에 이온 주입 각도 를 조절 해 제 1 문턱 전압 조절 영역 과 다른 불순물 도핑 농도 를 갖 도록 제 2 이온 주입 공정 을 수행 하 여 제 2 문턱 전압 조절 영역 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 하 며 , 상기 서로 다른 불순물 도핑 농도 로 수행 된 제 1 및 제 2 이온 주입 공정 으로 상기 홈 의 바닥 에 는 상기 제 1 및 제 2 제 2 문턱 전압 조절 영역 과 다른 불순물 도핑 농도 를 갖 는 제 3 문턱 전압 조절 영역 을 형성 하 는 것 을 특징 으로 한다 .