도 10 에 , 폴리에스테르 기판 에 배열 된 노출 된 금속 층 을 마스킹 하 기 위한 방법 을 설명 하 는 순서도 ( 1000 ) 가 제공 된다 . 1002 에서 , 본 구체 화 의 방법 은 기판 ( 1002 ) 에 배열 된 노출 된 금속 층 을 가지 는 폴리에스테르 기판 ( 1002 ) 을 얻 는다 . 기판 에 배열 된 노출 된 금속 층 을 가지 는 폴리에스테르 기판 에 대한 설명 은 도 10 의 순서도 ( 1000 ) 의 설명 과 함께 더 기술 하 는 도 11 A 내지 도 11 B 에서 제공 된다 . 도 11 A 는 기판 ( 1002 ) 위 에 배열 된 노출 된 금속 층 을 가지 는 폴리에스테르 기판 ( 1002 ) 의 측면도 로서 , ( 마스크 되 지 않 은 ) 금속 영역 ( 1104 g , 1104 h , 1104 i , 1104 j ) 이 노출 되 어 있 다 . 본 구체 화 에서 , 폴리에스테르 기판 ( 1102 ) 은 PET 또는 PEN 등 과 같 은 물질 로 구성 되 어 있 다 . 게다가 , 본 발명 에 따른 다양 한 구체 화 에서 , 중합체 기판 ( 100 ) 은 열가소성 물질 로 구성 되 어 있 다 . 금속 층 은 전도성 트레이스 의 패턴 , 접착 패드 , 랜딩 패드 ( landing pad ) 및 그 와 유사 한 것 등 을 포함 할 수 있 다 . 본 발명 에 따른 구체 화 는 또한 폴리에스테르 기판 ( 1102 ) 의 양쪽 ( 상부 쪽 및 하부 쪽 ) 위 에 배열 된 노출 된 금속 층 을 가지 는 폴리에스테르 기판 에 하 기 에서 설명 한 마스킹 공정 을 적절 하 게 실행 할 수 있 다 . 도 10 의 1004 및 도 11 B 에서 , 본 구체 화 는 폴리에스테르 기판 ( 1102 ) 에 마스킹 공정 을 적용 하 여서 노출 된 금속 층 ( 1104 ) 이 거기 위 에 배열 된 ( 전형 적 으로 1108 a , 1108 b , 1108 c , 1108 d , 1108 e 로 도시 된 ) 마스킹 층 을 가진다 . 마스킹 층 ( 1108 a , 1 108 b , 1108 c , 1108 d , 1108 e ) 은 이어지 는 SMT 공정 , 주위 환경 에 노출 등등 으로부터 ( 전형 적 으로 보호 부 ( 1104 a , 1104 b , 1104 c , 1104 d , 1104 e , 1104 f ) 로 도시 된 ) 금속 층 ( 1104 ) 의 기본 부 를 보호 하 기 위하 여 이용 된다 .