이 처럼 , 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 웨이퍼 및 반도체 기판 에 따르 면 , 웨이퍼 의 전면 으로부터 일정 깊이 내 에 고농 도 보론 층 을 포함 함 으로써 , 웨이퍼 내부 의 금속 이온 에 대한 게터 링 역할 뿐 만 아니 라 , 웨이퍼 내부 의 산소 확산 방지 층 의 역할 을 함 으로써 , 반도체 소자 의 신뢰 성 을 더욱 향상 시킬 수 있 다 .