본 발명 의 탄소 도프 실리콘 단결정 웨이퍼 의 제조 방법 이 면 , RTA 처리 단계 에서 , 탄소 와 공공 을 함께 주입 함 으로써 , 단결정 화 한 결정 위치 의 영향 을 받 지 않 고 공공 의 작용 에 의해 탄소 의 확산 계수 를 크 게 할 수 있 다 . 그 결과 , 탄소 를 표면 으로부터 균일 하 게 확산 할 수 있 음 과 함께 , 실리콘 단결정 웨이퍼 의 표면 으로부터 0 . 1 μ m 의 깊이 의 범위 의 탄소 농도 를 1 × 1017 atoms / cm 3 이상 으로 높일 수 있 어 , 높 은 웨이퍼 강도 를 얻 을 수 있 다 . 또한 , 본 발명 의 탄소 도프 실리콘 단결정 웨이퍼 는 , 표면 으로부터 0 . 1 μ m 의 깊이 의 범위 의 탄소 농도 가 1 × 1017 atoms / cm 3 이상 으로 높 으므로 , 높 은 웨이퍼 강도 를 얻 을 수 있 다 .