도시 된 예시 에서 , BOX 층 ( 206 ) 의 높이 는 2 μ m 일 수 있 고 , 실리콘 층 ( 204 ) 의 높이 는 160 nm 일 수 있 고 , 산화물 층 ( 206 ) 의 높이 는 3 . 5 nm 일 수 있 고 , 질화규소 층 ( 208 ) 의 높이 는 10 nm 일 수 있 고 , 산화물 게이트 ( 210 ) 의 높이 는 600 nm 일 수 있 으나 , 다른 구성 이 구현 될 수 있 다 . BOX 층 ( 206 ) 은 1 . 453 의 굴절 률 을 포함 할 수 있 고 , 실리콘 층 ( 204 ) 은 3 . 476 의 굴절 률 을 포함 할 수 있 고 , 산화물 층 ( 206 ) 은 1 . 452 의 굴절 률 을 포함 할 수 있 고 , 질화규소 층 ( 208 ) 는 1 . 933 의 굴절 률 을 포함 할 수 있 고 , 산화물 클래딩 ( 210 ) 은 1 . 454 의 굴절 률 을 포함 할 수 있 고 , 질화규소 스트립 부 ( 212 ) 는 1 . 928 의 굴절 률 을 포함 할 수 있 다 . 실리콘 층 ( 204 ) 은 실리콘 층 ( 204 ) 내 에 제한 된 광학 모드 의 대다수 를 가지 는 코어 층 일 수 있 다 . 질화규소 스트립 부 ( 212 ) 는 립 도파관 과 유사 한 방식 으로 패턴 화 될 수 있 고 광학 모드 에 대한 제한 을 제공 할 수 있 다 . 질화규소 층 ( 208 ) 과 산화물 층 ( 206 ) 을 포함 하 는 중간 층 은 공정 또는 제조 요건 을 충족 하 기 위해 포함 될 수 있 다 .