본 발명 의 제 3 측면 은 , 광소자 의 제조 방법 에 있 어서 , 상기 광소자 가 발광소 자일 경우 , ( a ) n 형 도핑 층 , 활성 층 및 p 형 도핑 층 을 순차 적 으로 적층 한 후 , 상기 p 형 도핑 층 의 발광 부 상면 에 금속 이온 이 유기물 또는 무기물 이온 과 결합 된 용액 을 도포 하 는 단계 와 ; ( b ) 상기 도포 된 용액 을 열처리 하 여 나노 크기 의 금속 입자 로 소결 시키 는 단계 와 ; ( c ) 상기 p 형 도핑 층 의 발광 부 상면 에 광파 장 이하 의 주기 를 갖 는 위 로 갈수록 가늘 어 지 는 무 반사 나노 구조 가 형성 되 도록 상기 금속 입자 를 마스크 또는 촉진제 로 이용 하 여 상기 p 형 도핑 층 의 발광 부 상면 을 화학 적 으로 식각 하 는 단계 를 포함 하 며 , 상기 광소자 가 수 광소자 일 경우 , ( a ') p 형 도핑 층 , 활성 층 및 n 형 도핑 층 을 순차 적 으로 적층 한 후 , 상기 n 형 도핑 층 의 수 광부 상면 에 금속 이온 이 유기물 또는 무기물 이온 과 결합 된 용액 을 도포 하 는 단계 와 ; ( b ') 상기 도포 된 용액 을 열처리 하 여 나노 크기 의 금속 입자 로 소결 시키 는 단계 와 ; ( c ') 상기 n 형 도핑 층 의 수 광부 상면 에 광파 장 이하 의 주기 를 갖 는 위 로 갈수록 가늘 어 지 는 무 반사 나노 구조 가 형성 되 도록 상기 금속 입자 를 마스크 또는 촉진제 로 이용 하 여 상기 n 형 도핑 층 의 수 광부 상면 을 화학 적 으로 식각 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 는 무 반사 나노 구조 가 집적 된 광소자 의 제조 방법 을 제공 하 는 것 이 다 .