도 19 ( c ) 를 참조 하 면 , 레이저 조사 , 연마 또는 케미컬 폴리 싱 등 의 방법 으로 기판 ( 50 ) 을 n 형 반도체 층 ( 100 ) 으로부터 분리 시킨다 . 그리고 , n 형 반도체 층 ( 100 ) , 활성 층 ( 200 ) 및 p 형 반도체 층 ( 300 ) 의 측벽 및 n 형 반도체 층 ( 100 ) 상부 의 소정 영역 에 보호 층 ( 800 ) 을 형성 한다 . 이때 , 보호 층 ( 800 ) 은 에칭 스탑 층 ( 500 ) 과 제 1 지지층 ( 710 ) 사이 의 공간 에 도 형성 된다 .