각종 전자 기기 에 사용 되 고 있 는 반도체 장치 는 일반 적 으로 반도체 막 , 절 연막 및 도전 막 등 의 박막 으로 구성 된다 . 이 들 의 박막 형성 에 는 , 주로 CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 법 이나 스퍼터링 법 이 이용 되 고 있 다 . CVD 법 은 상압 CVD , 감압 CVD , 플라 즈 마 CVD 등 을 포함 하 고 스퍼터링 법 은 AC 형 과 DC 형 을 포함 한다 . AC 형 은 절 연막 형성 에 이용 되 고 , DC 형 은 도전 막 형성 에 이용 된다 . 이러 한 CVD 법 이나 스퍼터링 법 에 는 , 진공 장치 , 플 라즈 마 등 을 발생 시키 는 전원 장치 , 박막 형성 을 위한 가스 공급 장치 및 기판 온도 의 제어 등 이 필요 하 다 . 또한 , 박막 형성 에 이용 되 는 가스 로서 는 , 독성 , 가연 성 , 자연 발화성 등 의 성질 을 가지 는 것 이 많 아서 가스 의 누설 검지기 , 배기가스 를 무해 화 하 는 유해 물질 제거 장치 , 가스 용기 나 가스 배 관부 의 배 기계 등 에 대하 여 안전 성 을 확보 하 기 위해서 는 여러 가지 부대 설비 가 요구 된다 . 또한 , 이 들 의 방법 에서 는 , 기체 상태 의 소스 로부터 고체 상태 의 박막 이 형성 되 기 때문 에 생산 성 이 좋 지 않 은 문제 도 있 다 .