도 2 c 에 도시 된 바 와 같이 , 위상 변화 물질 ( 216 ) 은 절연체 물질 ( 212 ) 과 하부 전극 ( 208 ) 위 에 형성 될 수 있 고 , 제 2 전도성 요소 ( 218 ) ( 예 를 들 어 , 상부 전극 ) 는 위상 변화 물질 ( 216 ) 위 에 형성 될 수 있 다 . 상부 전극 ( 218 ) 은 위상 변화 메모리 셀 의 비트 라인 일 수 있 거나 셀 의 비트 라인 에 ( 예 를 들 어 , 접촉 플러그 를 통해 ) 연결 될 수 있 다 .