상기 와 같 은 In , Sn , Zn 을 주성분 으로 하 는 산화물 반도체 를 채널 형성 영역 으로 하 는 트랜지스터 에 의하 면 , 오프 전류 를 1 aA / ㎛ 이하 로 유지 하 면서 , 전계 효과 이동도 를 30 ㎠/ Vsec 이상 , 바람직 하 게 는 40 ㎠/ Vsec 이상 , 보다 바람직 하 게 는 60 ㎠/ Vsec 이상 으로 하 여 , LSI 에서 요구 되 는 온 전류 의 값 을 충족 시킬 수 있 다 . 예 를 들 면 , L / W = 33 nm / 40 nm 의 FET 에서 , 게이트 전압 2 . 7 V , 드레 인 전압 1 . 0 V 일 때 12 ㎂ 이상 의 온 전류 를 흘려보낼 수 있 다 . 또한 트랜지스터 의 동작 에 요구 되 는 온도 범위 에 있 어서 도 , 충분 한 전기 적 특성 을 확보 할 수 있 다 . 이러 한 특성 이 면 , Si 반도체 로 만들 어 지 는 집 적 회로 중 에 산화물 반도체 로 형성 되 는 트랜지스터 를 혼재 해도 , 동작 속도 를 희생 시키 지 않 고 새로운 기능 을 갖 는 집 적 회로 를 실현 할 수 있 다 .