이 에 대해서 , 본 실시 형태 에 있 어서 는 , 반도체 칩 을 가지 고 있 는 웨이퍼 를 본 기판 처리 장치 에 반입 하 기 전 에 , 자연 산화 막 이나 유기 오염 등 표면 오염 을 , 미리 예 를 들 면 희석 불 산 수용액 ( DHF ) 으로 세정 하 여 제거 한 후 , 스핀 드라이 ( spin dry ) 건조기 등 으로 건조 처리 를 하 고 , 청정 한 상태 로 재빨리 기판 처리 장치 내 의 예 비실 등 에 반송 한다 . 청정 한 상태 로 재빨리 처리 하 는 데 에 는 클린 룸 ( clean room ) 내 의 분위기 오염 에 의한 악영향 을 막 기 위한 것 이 며 , 기판 을 기판 처리 장치 에 반송 할 때 까지 의 오염 을 관리 , 제어 할 필요 가 있 다 . 이 시점 에서 웨이퍼 표면 에 오염 등 이 많이 부착 , 형성 하 고 있 으면 , 절 연막 표면 상태 와 예 를 들 면 유기 오염 표면 상태 에서 는 실리콘 등 의 결합수 밀도 가 다르 기 때문 에 , 목표 로 하 는 사이즈 나 밀도 의 실리콘 입자 를 형성 할 수 없 는 경우 도 있 어 , 반도체 장치 의 수율 ( yield ) 저하 의 원인 이 된다 .