반도체 기판 ( 105 ) 은 예컨대 , 실리콘 ( Si ) 웨이퍼 , 실리콘 - 게르마늄 ( SiGe ) 웨이퍼 , 실리콘 온 절연체 ( SOI ) 웨이퍼 또는 실리콘 - 게르마늄 온 절연체 ( SGOI ) 웨이 퍼 를 포함 할 수 있 다 . 이러 한 반도체 에 피층 패턴 들 ( 115 a , 120 a ) 의 형성 방법 은 도 1 내지 도 3 을 참조 할 수 있 다 . 도 1 내지 도 3 및 도 5 에서 동일 한 참조 부호 는 동일 한 구성 요소 를 나타낸다 .