게이트 절 연막 ( 104 ) 은 예 를 들 어 , 반도체 기판 ( 101 ) 표면 에 열 산화 함 으 로써 형성 할 수 있 다 . 게이트 절 연막 ( 104 ) 의 형성 은 CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 법 에 의해 실시 해도 된다 . 폴리 실리콘 막 ( 201 ) 은 예 를 들 어 , CVD 법 으로 형성 할 수 있 다 . 이 CVD 는 예 를 들 어 , SiH 4 = 250 sccm , 압력 0 . 20 Torr ( 26 . 7 Pa ) 의 조건 으로 실시 할 수 있 다 . WSi 막 ( 202 ) 은 예 를 들 어 , 스퍼터 법 으로 형성 할 수 있 다 . 이 스퍼터 는 예 를 들 어 , 타 겟 WSi , 분위기 가스 Ar = 33 sccm , 압력 0 . 56 Pa , DC 또는 RF 파워 2 kW 의 조건 으로 실시 할 수 있 다 . 실리콘 산화 막 ( 203 ) 은 예 를 들 어 , NSG ( Non - Doped Silicate Glass ) 를 CVD 법 으로 막 형성 하 여 형성 할 수 있 다 . 이 CVD 법 은 TEOS ( Si ( OC 2 H 6 ) 4 ) = 150 sccm , 압력 = 0 . 3 Torr ( 40 Pa ) 의 조건 으로 실시 할 수 있 다 . 실리콘 질화 막 ( 204 ) 은 예 를 들 어 , CVD 법 으로 형성 할 수 있 다 . 이 CVD 는 예 를 들 어 , NH 3 / SiH 2 Cl 2 = 1000 / 100 sccm , 압력 = 0 . 35 Torr ( 46 . 7 Pa ) 의 조건 으로 실시 할 수 있 다 . 실리콘 질화 막 ( 204 ) 은 , 이후 에 CMP ( Chemical Mechanical Polishing ) 시 의 스토퍼 가 되 는 막 이 다 .