앞 에서 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 MIM 캐 패 시터 제조 방법 에 의하 면 , 하드 마스크 를 적용 하 여 정렬 키 형성 공정 을 수행 함 으로써 , 정렬 키 형성 후 진행 되 는 감광막 패턴 제거 를 위한 애 싱 공정 에 의해 유전 막 의 표면 이 직접 적 으로 손상 받 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 따라서 , MIM 캐 패 시터 의 특성 을 향상 시킬 수 있 는 효과 가 있 다 .