또한 , 본 발명 의 다른 견지 에 따른 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 은 , 반도체 기판 상부 에 페데 스탈 절 연막 패턴 을 형성 한 다음 , 상기 페데 스탈 절 연막 패턴 의 양측 벽 에 상변 이 물질 로 된 스 페이서 를 형성 한다 . 상기 스 페이서 측 부 의 공간 이 매립 되 도록 소자 분리 용 절 연막 을 증착 한 다음 , 상기 스 페이서 표면 이 노출 되 도록 소자 분리 용 절 연막 , 스 페이서 및 페데 스탈 절 연막 패턴 을 화학 적 기계 적 연마 하 여 결과물 표면 을 평탄 화 시킨다 . 그 후 에 , 상기 평탄 화 된 결과물 표면 에 상부 전극 을 형성 한다 .