먼저 전극 이 형성 된 기판 을 준비 하 였 다 . 기판 은 , 30 ㎜ × 35 ㎜ 의 크기 이 고 , 두께 가 0 . 7 ㎜ 인 유리 기판 이 다 . 기판 상 에 는 제 1 층 째 로서 대향 전극 을 구성 하 는 , 베타 상 의 패턴 을 구비 한 IZO 전극 이 형성 되 어 있 다 . 제 1 층 째 의 대향 전극 상 에 는 제 2 층 째 로서 , CVD 법 에 의해 성막 된 SiN ( 질화규소 ) 막 이 형성 되 어 있 다 . 제 2 층 째 의 SiN 막 의 막 두께 는 500 ㎚ 이 고 , 층간 절 연막 으로서 기능 한다 . 제 2 층 째 의 SiN 막 상 에 는 , 제 3 층 째 로서 IZO 막 을 패 터닝 하 여 형성 된 빗살 형 의 화소 전극 이 배치 되 고 , 제 1 화소 및 제 2 화소 의 2 개 의 화소 를 형성 하 고 있 다 . 각 화소 의 사이즈 는 , 세로 10 ㎜ 이 고 가로 약 5 ㎜ 이 다 . 이 때 , 제 1 층 째 의 대향 전극 과 제 3 층 째 의 화소 전극 은 , 제 2 층 째 의 SiN 막 의 작용 에 의해 전기 적 으로 절연 되 어 있 다 .