도 8 d 를 참조 하 면 , 상기 제 1 , 제 2 , 제 3 및 제 4 원소 주입 층 들 ( 134 a , 134 b , 134 c , 134 d ) 을 갖 는 기판 ( 110 ) 에 어닐링 공정 을 수행 한다 . 이 에 따라 , 상기 피복층 ( 102 ) 내 에 복수 의 반사체 들 ( 135 ) 이 형성 된다 . 상기 각 반사체 들 ( 135 ) 은 상기 반도체 기판 ( 100 ) 의 상부 면 에 대하 여 경사진 반사면 을 갖 는다 . 상기 어닐링 공정 은 상기 기판 ( 110 ) 에 수행 되 는 다른 어닐링 공정 으로 대체 될 수 있 다 .