이 에 따라 , 스위칭 게이트 전극 ( GE 1 ) , 스위칭 액티브 층 ( AT 1 ) , 스위칭 소스 전 극 ( SE 1 ) 및 스위칭 드레 인 전극 ( DE 1 ) 을 포함 하 는 스위칭 박막 트랜지스터 ( TFT 1 ) 와 , 구동 게이트 전극 ( GE 2 ) , 구동 액티브 층 ( AT 2 ) , 구동 소스 전극 ( SE 2 ) 및 구동 드레 인 전극 ( DE 2 ) 을 포함 하 는 구동 박막 트랜지스터 ( TFT 2 ) 가 형성 된다 .