스위칭 반도체 ( 154 a ) 및 구동 반도체 ( 154 b ) 각각 의 중앙 상부 에 는 산화 규소 또는 질화 규소 등 과 같 은 절연 물질 로 이루어진 식각 저 지막 ( etch stopper ) ( 147 a , " 147 b ) 이 형성 되 어 있 다 . 구동 반도체 ( 154 b ) 상부 의 식각 저 지막 ( 147 ) 은 원주 를 균등 하 게 상하 로 나눠 세로 방향 으로 소정 거리 떨어뜨리 고 이 들 사이 를 직선 으로 연결 한 모양 ( 이하 "" 경기장 의 트랙 모양 "" 이 라 한다 . ) 을 가지 며 중앙 에 역시 경기장 트랙 모양 인 개구부 를 가진다 . 식각 저 지막 ( 147 ) 의 상부 및 하부 는 구동 반도체 ( 154 b ) 의 제 1 부분 ( 154 b 1 ) 및 제 2 부분 ( 154 b 2 ) 과 각각 중첩 하 고 있 으며 ", 식각 저 지막 ( 147 ) 은 가로 방향 및 세로 방향 으로 반전 대칭 을 이룬다 .