또한 , 상기 다른 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 박막 트랜지스터 제조 방법 은 , 기판 을 준비 하 는 단계 , 상기 기판 의 일부 영역 상 에 복수 의 CIS 막 들 을 형성 하 는 단계 , 상기 복수 의 CIS 막 들 의 일부 영역 에 소스 / 드레 인 영역 을 형성 하 는 단계 , 상기 복수 의 CIS 막 들 과 상기 소스 / 드레 인 영역 의 일부 영역 에 절 연막 을 형성 하 는 단계 , 및 상기 절 연막 상 에 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .