또는 상기 도 5 d 의 산화 이리듐 막 ( 16 ) 의 성막 공정 을 10 ℃ 이상 이 고 50 ℃ 이하 의 , 예 를 들 면 실온 에서 의 RF 스퍼터 에 의해 행하 는 것 도 가능 하 다 . 이 경우 에 는 0 . 23 Pa 의 압력 아래 Ar 가스 를 100 sccm , 산소 가스 를 52 sccm 내지 59 sccm 의 유량 으로 공급 하 고 , 약 2 kW 의 스퍼터 파워 를 투입 한다 . 이 와 같이 하 여 형성 된 산화 이리듐 막 ( 16 ) 은 아모 퍼스 상태 이 며 , 상기 조성 파라미터 x 가 1 . 20 내지 1 . 50 의 비 화학량론 조성 IrOx 를 갖 고 있 다 .