도 6 은 외부 자기장 이 없 는 경우 에 스핀 궤도 상호 작용 토크 를 이용 하 여 프로그래밍 가능 한 자기 접합부 ( 160 '') 를 포함 하 는 자기 메모리 ( 150 '') 의 다른 예시 적 인 실시 예의 사시도 를 도시 한다 . 명확 화 를 위해 , 도 6 은 축적 되 지 않 는다 . 또한 , 명확 성 을 위해 일부 구성 요소 만 이 도시 된다 . 예 를 들 어 , 선택 장치 및 선택 적 인 삽입 층 은 도시 되 지 않 는다 . 단지 하나 의 자기 접합부 ( 160 '') 및 하나 의 스핀 궤도 상호 작용 활성 층 ( 170 ) 이 도시 되 었 지만 , 하나 또는 둘 모두 다수 의 층 을 포함 할 수 있 다 . 자기 메모리 ( 150 '') 는 다양 한 전자 장치 들 에서 사용 될 수 있 고 자기 메모리 ( 100 ) 와 유사 하 다 . 그 결과 , 유사 한 구성 요소 들 은 유사 한 도면 부호 를 갖 는다 . 자기 메모리 ( 150 '') 는 스핀 궤도 상호 작용 활성 층 ( 130 / 170 ) 과 , 자유 층 ( 112 / 162 / 162 '), 비 자기 스 페이서 층 ( 114 / 164 ) 및 고정층 ( 116 / 166 / 166 ') 을 포함 하 는 자기 접합부 ( 110 / 160 / 160 ') 와 유사 하 게 , 스핀 궤도 상호 작용 활성 층 ( 170 ) 과 , 자유 층 ( 162 ''), 비 자기 스 페이서 층 ( 164 ) 및 고정층 ( 166 ') 을 포함 하 는 자기 접합부 ( 160 '') 를 각각 포함 한다 . 따라서 , 구성 요소 들 ( 160 '', 162 '', 164 , 166 ' 및 170 ) 은 각각 의 구성 요소 들 ( 110 / 160 / 160 ', 112 / 162 / 162 ', 114 / 164 , 116 / 166 / 166 ' 및 130 / 170 ) 와 유사 한 구조 , 기능 및 / 또는 위치 를 가질 수 있 다 . 도시 되 지 는 않 았 지만 , 상술 한 것 과 유사 한 하부 기판 , 콘 택 , 시드 층 , 높 은 PMA 층 , 선택 적 인 삽입 층 및 / 또는 캡 핑 층 이 존재 할 수 있 다 .