상기 다른 기술 적 과제 를 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 은 기판 상 에 수평 으로 이격 되 고 마주 하 는 제 1 및 제 2 돌출부 를 형성 하 는 단계 ; 상기 기판 , 상기 제 1 및 제 2 돌출부 상 에 제 1 절연 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 기판 의 상부 및 상기 제 1 및 제 2 돌출부 의 상부 에 불순물 을 도핑 하 는 단계 ; 상기 제 1 및 제 2 돌출부 옆 의 상기 제 1 절연 층 상 에 상기 제 1 및 제 2 돌출부 보다 높이 가 낮 은 게이트 들 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 및 제 2 돌출부 상단 에서 상기 제 1 절연 층 을 제거 하 는 단계 ; 상기 제 1 및 제 2 돌출부 를 패 터닝 하 여 상기 제 1 및 제 2 돌출부 를 셀 단위 로 분리 하 는 단계 ; 및 상기 제 1 및 제 2 돌출부 가 패 터닝 되 어 노출 된 상기 기판 , 상기 게이트 들 및 상기 제 1 및 제 2 돌출부 상 에 제 2 절연 층 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 는 커패시터 리스 디램 의 제조 방법 을 제공 한다 .