따라서 , 본 발명 은 상기 소자 분리 막 상 에 형성 되 는 패 싱 게이트 의 바닥 부분 과 게이트 용 홈 상 에 형성 되 는 리 세스 게이트 의 채널 영역 간 의 거리 를 증가 시킬 수 있 으므로 상기 패 싱 게이트 가 리세 스 게이트 에 미치 는 상호 영향력 을 감소 시킬 수 있 으며 , 이 를 통해 , 셀 트랜지스터 의 동작 특성 을 개선 할 수 있 다 .