도 3 a 는 인장 변형 하 에서 11 - AA 의 농도 에 대한 c - AgNW 의 저항 ( R / R 0 , R 은 신장 된 상태 의 저항 , R 0 는 변형 없 는 초기 저항 ) 을 도시 한다 . 필름 의 저항 은 적변 형 률 과 함께 증가 한다 . 0 . 14 중량 % 의 11 - AA 농도 를 갖 는 c - AgNW 는 120 % 까지 신장 되 어 , R / R 0 단지 1 . 1 배 증가 했 다 . 11 - AA 도입 된 c - AgNW 네트워크 는 11 - AA 농도 가 증가 할 때 저항 증가 가 현저 하 게 억제 되 는 것 으로 나타났 다 . 이것 은 11 - AA 가 AgNW 와 PDMS 기판 사이 의 접합 을 향상 시키 고 변형 상태 인 전선 의 단선 을 실질 적 으로 억제 해 전도 경로 가 유지 되 게 한다는 것 을 시사 한다 . 11 - AA 를 사용 함 에 따른 이 와 같 은 뛰어난 신축성 은 전기 손실 을 최소 화 하 면서 고 성능 신축성 전자 소자 를 구현 하 는데 바람직 하 다 . 도 3 b 는 신장 및 굽힘 조건 에서 c - AgNW 의 사진 을 보여준다 . 신축성 전극 의 저항 증가 는 나노 와이어 의 단선 과 함께 미세 균열 에 의해 발생 한다 . 11 - AA ( 0 . 14 중량 %) 로 처리 된 c - AgNW 필름 의 균열 은 120 % 변형 에서 관찰 되 며 , 이 는 나노 와이어 접합부 의 파손 을 초래 하 고 신축성 전극 의 도전 성 을 저하 시킨다 .