상기 식각 저지 막 패턴 ( 104 a ) 들 사이 의 상기 제 1 층간 절 연막 ( 102 ) 상 에 제 1 층 도전 막 패턴 ( 110 ) 들 이 구비 된다 . 상기 제 1 층 도전 막 패턴 ( 110 ) 들 은 금속 물질 또는 도핑 된 반도체 물질 로 이루어질 수 있 다 . 구체 적 으로 , 상기 제 1 층 도전 막 패턴 ( 110 ) 들 로 사용 될 수 있 는 물질 의 예 로 는 텅스텐 , 텅스텐 질화물 , 구리 , 폴리 실리콘 등 을 들 수 있 다 .