한편 , 제 2 처리 예 에서 는 , 예 를 들 면 , 실리콘 계 소수 화제 Ⅰ 이 제 1 소수 화제 로서 사용 되 며 , 실리콘 계 소수 화제 Ⅱ 가 제 2 소수 화제 로서 사용 된다 . 실리콘 계 소수 화제 Ⅰ 이 제 1 소수 화제 로서 기판 ( W ) 에 공급 되 면 , 제 1 막 ( 32 a ) , 제 2 막 ( 32 b ) , 및 제 3 막 ( 32 c ) 이 소수 화 된다 . 그 후 , 실리콘 계 소수 화제 Ⅱ 가 제 2 소수 화제 로서 기판 ( W ) 에 공급 되 면 , 제 1 막 ( 32 a ) ( SiN 막 ) 이 더 소수 화 된다 . 즉 , SiN 막 은 실리콘 계 소수 화제 Ⅰ 에 의해 소수 화 된 후 , 실리콘 계 소수 화제 Ⅰ 과 는 다른 종류 의 실리콘 계 소수 화제 Ⅱ 에 의해 더 소수 화 된다 . 이 와 같이 , 상 층막 및 하 층막 이 소수 화 된 후 , 상 층막 이 더 소수 화 된다 . 실리콘 계 소수 화제 Ⅰ 및 실리콘 계 소수 화제 Ⅱ 에 의한 소수 화 처리 의 상세 한 사항 은 이후 에 설명 한다 .