후면 전극 ( 기판 홀더 의 반대 면 상 에 배치 되 는 전극 ) 을 사용 하 는 신규 한 플 라즈 마 발생 및 형성 방법 이 개시 된다 . 발생 된 플라 즈 마는 기판 홀더 전극 을 감 쌈 으로써 기판 상 에 직접 스퍼터링 된 증착 물 에 의한 오염 을 배제 시키 고 ; 처리 중 에 상부 전극 으로부터 의 미립자 의 형성 및 증착 을 배제 시킨다 . 이 는 또한 플 라즈 마 흐름 에서 떨어져 유지 되 며 비 전도성 물질 로 형성 될 수 있 는 가스 샤워 헤드 의 폐쇄 를 방지 한다 . 그러므로 신규 한 플 라즈 마의 형태 와 , 그리고 신규 한 플 라즈 마 를 발생 시키 기 위한 장치 및 방법 이 개시 된다 . 이러 한 플 라즈 마 형태 ( plasma configuration ) 는 향상 된 수율 과 신뢰 성 있 는 처리 를 위해 , 언급 된 종래 기술 의 문제점 을 극복 한다 .