한편 , 이러 한 HBO 2 소스 물질 에 의한 이온 확산 공정 을 진행 하 는 과정 에서 반도체 층 ( 304 ) 위 에 유리 막 ( glaze layer , 미도 시 함 ) 이 형성 될 수 있 다 . 이 에 따라 2 차 세정 을 수행 하 여 유리 막 을 제거 한다 . 여기 서 2 차 세정 은 불 산 ( HF ) 용액 또는 BOE ( Bufferd oxide etchant ) 용액 을 이용 하 여 진행 할 수 있 다 . 다음 에 마스크 막 패턴 ( 306 ) 은 제거 한다 . 이러 한 단일 소스 물질 을 이용 한 이온 확산 공정 을 진행 함 에 따라 세정 공정 에서 불순물 이 손실 ( loss ) 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .