따라서 , 본 발명 은 상기 금속 배선 의 표면 에 만 선택 적 으로 Ru 막 을 형성 함 으로써 , 상기 홀 을 형성 하 기 위한 식각 공정 시 금속 배선 의 표면 에 형성 된 Ru 막 이 노출 될 뿐 , 상기 Ru 막 아래 의 금속 배선 은 노출 되 지 않 으므로 , 상기 식각 공정 시 사용 되 는 식각 가스 에 의해 금속 배선 이 손실 되 고 부식 되 는 것 을 방지 할 수 있 으며 , 이 를 통해 , 소자 특성 및 신뢰 성 을 개선 하 고 반도체 소자 의 제조 수율 을 향상 시킬 수 있 다 .