한편 , 본 발명 의 광학 박막 의 제조 방법 은 , 본 발명 의 증착 재료 를 사용 하 여 진공 증착 법 에 의해 형성 하 는 것 을 특징 으로 한다 . 본 발명 에서 의 「 진공 증착 법 」 에 는 , 이 방법 에 성막 가공 상 의 보조 수단 이 추가 된 이온 플 레이팅 법 이나 이온 어시스트 법 도 포함 된다 . 본 발명 의 증착 재료 와 같 은 고 융점 의 재료 를 증착 시키 기 위해서 는 , 진공 증착 중 에서 도 전자 빔 증착 법 을 채용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 전자 빔 증착 법 을 사용 하 였 다 하 더라도 , 빔 에 의해 재료 에 부여 되 는 열 이 빔 조사 점 으로부터 재료 전체 에 적절히 확산 되 어 , 증착 시간 을 거쳐도 평활 한 증발 면 을 유지 하 기 때문 에 , 증발 속도 를 용이 하 게 제어 할 수 있 다 . 그 결과 , 목적 하 는 특성 을 갖 는 광학 박막 을 용이 하 게 제조 할 수 있 다 . 또한 , 증착 재료 의 보급 빈도 를 보다 낮 게 할 수 있 기 때문 에 , 보다 장시간 및 다 수회 에 걸쳐 연속 증착 시킬 수 있 다 . 또한 , 본 발명 의 증착 재료 를 사용 한 경우 는 , 전자 빔 조작 상 의 특별 한 대책 을 필요 로 하 지 않 더라도 , 예 를 들 면 , 성막 중 에 있 어서 전자 빔 의 조사 위치 를 고정 하 였 다 하 더라도 , 목적 하 는 광학 박막 을 용이 하 게 제조 할 수 있 다 . 또한 , 이때 의 전자 빔 의 조사 위치 는 , 예 를 들 면 증착 재료 를 원통형 의 용기 에 장전 하 는 경우 라면 , 그 용기 의 중심부 인 것 이 바람직 하 다 .