한편 , 트렌치 ( 22 ) 측벽 을 수직 프로 파일 로 형성 하 기 위해서 는 폴리머 를 발생 시키 는 가스 를 다량 포함 하 는 식각 가스 를 이용 하 는 것 뿐 아니 라 낮 은 식각 속도 로 반도체 기판 ( 20 ) 을 식각 하 여야 한다 . 이 는 , 높 은 식각 속도 로 반도체 기판 ( 20 ) 을 식각 시 트렌치 ( 22 ) 측벽 의 경사도 가 증가 하 기 때문 이 다 .