이때 , 제 1 및 제 n + 1 액티브 영역 ( A 1 , An + 1 ) 의 양 끝 단부 ( E 2 ) 에 제 n + 2 및 제 n + 3 액티브 영역 ( An + 2 , An + 3 ) 이 연결 되 어 필드 영역 들 ( F 1 내지 Fn ) 이 폐쇄 됨 으로써 , 필드 영역 들 ( F 1 내지 Fn ) 각각 에 소자 분리 막 ( 320 ) 형성 시 흐름 성 있 는 SOD 물질 을 적용 하 더라도 필드 영역 들 ( F 1 내지 Fn ) 의 양 끝 단부 에서 기존 과 같이 증착 물질 이 흘러내리 지 않 으므로 필드 영역 들 ( F 1 내지 Fn ) 의 중앙부 뿐 만 아니 라 양 끝 단부 에서 도 트렌치 ( 310 ) 갭 필 특성 이 향상 될 수 있 다 .