도 2 에 도시 된 메모리 셀 어레이 에서 , 배출 라인 들 ( 214 , 218 ) 에 결합 된 배출 제어기 ( 210 ) 는 배출 셀 들 ( 250 , 260 , 270 ) 에 의해 비트 라인 들 ( 222 a ~ 222 f , 232 a ~ 232 f ) 에 전기 적 으로 결합 될 수 있 다 . 배출 제어기 ( 210 ) 는 배출 라인 들 ( 211 , 214 , 218 ) 중 어느 것 을 언제 활성 화 할지 를 배출 제어기 가 판정 할 수 있 게 워드 라인 디코더 ( 110 ) 및 비트 라인 디코더 들 ( 120 , 130 ) 과 통신 할 수 있 다 . 배출 셀 들 또는 셀 들 ( 250 , 260 , 270 ) 의 블록 들 은 메모리 셀 들 ( 140 ) 과 물리 적 으로 동일 할 수 있 다 . 대안 적 으로 , 배출 셀 들 또는 셀 들 ( 250 , 260 , 270 ) 의 블록 들 은 비트 라인 으로부터 전압 을 가져올 목적 으로 특별히 구성 하 기 위해 사용 될 수 있 는데 , 예 를 들 면 , 배출 셀 은 저항률 저장 소자 없이 단지 다이오드 일 수 있 다 .