이 에 따라 , 화소 트랜지스터 ( TR - P ) 와 구동 트랜지스터 ( TR - D ) 는 동일 공정 내 에서 동시 에 형성 될 수 있 어 , 공정 이 단순 화 되 고 공정 비용 이 절감 될 수 있 다 . 다만 , 이 는 예시 적 으로 도시 한 것 이 고 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 구동 트랜지스터 ( TR - D ) 는 화소 트랜지스터 ( TR - P ) 와 다른 층 상 에 배치 된 전극 들 및 반도체 패턴 을 포함 하 거나 , 화소 트랜지스터 ( TR - P ) 와 상이 한 구조 를 가질 수 있 으며 , 어느 하나 의 실시 예 로 한정 되 지 않 는다 .