도 1 을 참조 하 면 , 본 실시 예 에서 는 , 제 1 패턴 부 ( 10 a ) 의 제 1 최소 치수 ( Dmin 1 ) 가 제 2 패턴 부 ( 10 b ) 의 제 2 최소 치수 ( Dmin 2 ) 보다 도 작아지 도록 노광 을 행한다 . 본 실시 예 에서 는 , 제 2 최소 치수 ( Dmin 2 ) 가 , 제 1 최소 치수 ( Dmin 1 ) 의 1 . 3 배 이상 으로 되 도록 , 레지스 트 패턴 ( 10 ) 을 형성 한다 . 제 1 패턴 부 ( 10 a ) 의 제 1 최소 치수 ( Dmin 1 ) 가 70 ㎚ 의 레지스 트 패턴 ( 10 ) 을 형성 한다 .