본 발명 은 채널 영역 에 큰 압축성 변형 을 형성 하 면서 소자 의 단채 널 마진 향상 및 신뢰 성 을 확보 할 수 있 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 본 발명 은 기판 상 에 게이트 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 패턴 의 측벽 에 분리 보호막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 패턴 을 식각 마스크 로 상기 기판 을 일정 두께 식각 하 는 단계 ; 상기 식각 된 기판 에 실리콘 게르마늄 을 성장 시키 는 단계 ; 상기 게이트 패턴 의 측벽 에 측벽 보호막 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 고 , 상기 실리콘 게르마늄 을 성장 시키 는 단계 에서 , 상기 실리콘 게르마늄 에서 게르마늄 의 농도 는 5 ％∼ 50 ％ 로 조절 하 는 것 을 특징 으로 하 여 채널 영역 에 실리콘 게르마늄 을 성장 시켜 큰 압축성 변형 을 형성 하 면서 이온 주입 으로 소스 / 드레 인 영역 을 형성 함 으로써 소자 의 단채 널 마진 향상 및 신뢰 성 을 확보 할 수 있 는 효과 가 있 다 .