또 , 상술 한 본 발명 의 도전 성막 ( 4 ) 를 구성 하 는 제 1 입자 와 제 2 입자 의 저 항비 및 도전 성막 ( 4 ) 에 포함 되 는 제 1 입자 의 함유 비율 은 , " 상기 "" 통전 포 밍 "" 공정 전 의 도전 성막 ( 4 ) 에 의거 하 여 검증 하 는 것 이 바람직 하 다 . 그러나 ", 예 를 들 면 , 도전 성 막 ( 4 ) 의 일부 이 며 , 보조 전극 ( 2 , 3 ) 상 에 위치 하 는 부분 은 , 간극 ( 7 ) 의 부근 에 비해 , 전자 방출 소자 또는 화상 표시 장치 를 제조 하 는 공정 의 영향 을 거의 받 지 않 는다 . 따라서 , 상기 한 저 항비 나 도전 성막 ( 4 ) 중 의 제 1 입자 의 함유 비율 이나 조성 비 등 을 분석 할 때 , 예 를 들 면 , 상기 부분 을 분석 함 으로써 , " "" 통전 포 밍 "" 전 의 도전 성막 ( 4 ) 상태 를 효과 적 으로 측정 할 수 있 다 . "