다결정 반도체 막 을 사용 한 박막 트랜지스터 는 , 비정질 반도체 막 을 사용 한 박막 트랜지스터 와 비교 하 여 전계 효과 이동도 가 2 자리 수 이상 높 고 , 반도체 표시 장치 의 화소 부 와 그 주변 의 구동 회로 를 동일 기판 위 에 일체 형성 할 수 있 다고 하 는 이점 을 갖 고 있 다 . 그러나 , 비정질 반도체 막 을 사용 한 경우 와 비교 하 여 , 반도체 막 의 결정화 를 위해서 공정 이 복잡 화 되 기 때문 에 , 그 만큼 수율 이 저감 되 고 , 비용 이 높 아 진다고 하 는 문제 가 있 다 .