포토 리소그래피 프린팅 에 있 어서 , PR 패턴 들 에 대한 193 ㎚ 이 머 전 스캐너 들 은 , 최대 레졸루션 , 즉 이 들 이 프린트 할 수 있 는 최소 패턴 사이즈 를 결정 하 는 광학 의 사이즈 의 관점 에서 이 들 의 한계 에 도달 하 였 다 . 광학 한계 를 넘어서 기 위해서 , 설계 패턴 이 2 개 의 마스크 들 로 분할 되 어 예컨대 하프 - 피치 패턴 을 달성 할 수 도 있 다 . 예컨대 , 듀얼 라인 ( dual line ) 접근 법 에서 , 제 1 마스크 를 사용 하 여 ( 라인 들 의 제 1 세트 를 갖 는 ) 제 1 PR 마스크 패턴 이 프린트 되 고 , " 그 후 제 2 마스크 를 사용 하 여 ( 라인 들 의 제 2 세트 를 갖 는 ) 제 2 PR 패턴 이 프린트 된다 . 라인 들 의 제 1 세트 와 제 2 세트 의 조합 은 라인 피치 를 1 / 2 로 감소 시킬 것 이 다 . 이러 한 접근 법 은 "" 더블 패 터닝 "" 또는 "" 리 소 - 에칭 - 리 소 - 에칭 ( litho - etch - litho - etch ) "" 프로세스 라 지칭 된다 . 통상 적 으로 ", 종래 의 리 소 - 에칭 - 리 소 - 에칭 프로세스 는 , 먼저 제 1 PR 마스크 를 통해 에칭 하 고 그 후 제 2 PR 마스크 를 통해 에칭 하 는 하드 마스크 를 2 회 에칭 하 는 것 을 수반 한다 . 특정 한 리 소 - 에칭 - 리 소 - 에칭 프로세스 들 은 하드 마스크 들 의 2 개 의 층 들 을 사용 하 며 , 제 1 하드 마스크 는 제 1 PR 마스크 를 통해 에칭 되 고 ; 제 2 하드 마스크 는 제 2 PR 마스크 를 통해 선택 적 으로 에칭 된다 . 이 모든 경우 에 , 제 1 PR 마스크 는 제 2 PR 마스크 가 형성 되 기 이전 에 박리 된다 .