도 3 g 를 참조 하 면 , 제 2 하드 마스크 패턴 ( 250 a ) 을 마스크 로 제 1 하드 마스크 패턴 ( 240 a ) 및 활성 영역 ( 220 ) 을 식각 하 여 제 1 리세 스 게이트 영역 ( 225 a ) 및 제 2 리세 스 게이트 영역 ( 225 b ) 을 형성 한다 . 이때 , 활성 영역 ( 220 ) 상부 에 잔류 하 는 제 1 하드 마스크 패턴 ( 240 a ) 의 두께 에 따라서 리 세스 게이트 영역 의 깊이 가 상이 하 게 형성 된다 .