본 발명 의 유기 박막 트랜지스터 의 제조 방법 에서 , 소오 스 / 드레 인 전극 과 게이트 절연 막간 의 접착력 을 향상 시키 기 위한 플 라즈 마 처리 공정 과 게이트 와 기판 간 의 접착력 을 향상 시키 기 위한 플 라즈 마 표면 처리 공정 중 하나 만 을 수행 할 수 도 있 다 . 또한 , 탑 게이트 유기 박막 트랜지스터 의 제조 방법 에 도 적용 가능 하 며 , 전극 배선 이 아닌 콘 택 홀 , 비어홀 또는 개구부 를 구비 하 는 절 연막 의 형성 에 도 적용 가능 하 다 .