도 2 를 참조 하 면 , 실리콘 웨이퍼 , SOI 기판 또는 금속 산화물 단결정 기판 등 의 기판 ( 100 ) 상 에 버퍼 산화 막 ( 미 도시 ) 및 기판 에서 필드 영역 에 해당 하 는 부위 를 선택 적 으로 오픈 하 기 위한 제 1 하드 마스크 패턴 ( 104 ) 을 형성 한다 . 이어서 , 상기 제 1 하드 마스크 패턴 ( 104 ) 을 식각 마스크 로 하 여 상기 버퍼 산화 막 을 건식 식각 하 여 버퍼 산화 막 패턴 ( 102 ) 을 형성 하 고 , 계속 해서 기판 ( 100 ) 을 건식 식각 하 여 소자 분리 트렌치 ( 106 ) 를 형성 한다 . 이때 , 상기 소자 분리 트렌치 ( 106 ) 는 건식 식각 의 특성 상 상부 의 개구 부위 가 바닥 면 에 비해 넓 게 형성 되 도록 측벽 에 는 일정 한 경사 를 갖 는다 .