도 5 는 신호 비대칭 의 플롯 을 평행 으로 결합 된 2 개 의 차동 MEMS 센서 디바이스 들 ( 도시 되 지 않 음 ) 에 대한 갭 비대칭 의 함수 로서 도시 한다 . 차동 MEMS 센서 디바이스 ( 10 , 20 ) 가 제조 편차 로 인한 갭 비대칭 을 갖 는다면 , 그러 한 갭 비대칭 은 대략 수 나노미터 ( a few nanometers ) 이 다 . 본 명세서 에 제시 된 결과 들 은 최대 400 nm 의 갭 비대칭 을 갖 는 시뮬레이션 된 결과 들 이 다 . 따라서 , 0 nm 의 갭 비대칭 은 제조 편차 를 갖 지 않 는 차동 MEMS 센서 디바이스 들 에 대응 한다 . 예 를 들 어 , 도 5 에 도시 된 플롯 ( 70 ) 은 , 예 를 들 어 , 이중 멤 브레인 마이크로폰 으로서 의 음향 감지 디바이스 의 1 . 8 ㎛ 의 공칭 갭 ( nominal gap ) 의 경우 에 대해 시뮬레이션 된다 . 0 nm 의 갭 비대칭 인 것 으로 가정 되 면 , 제 3 전극 구 조체 로부터 제 1 전극 구조 체 / 제 1 멤 브레인 으로 의 갭 은 1 . 8 ㎛ 와 동일 하 고 , 제 3 전극 구 조체 로부터 제 2 전극 구조 체 / 제 2 멤 브레인 까지 의 거리 는 1 . 8 ㎛ 와 동일 하 다 . 100 nm , 200 nm , 300 nm 또는 400 nm 의 갭 비대칭 의 경우 , 제 3 전극 구 조체 로부터 제 1 전극 구조 체 / 제 1 멤 브레인 까지 의 거리 는 1 . 8 ㎛ - 100 nm , 1 . 8 ㎛ - 200 nm , 1 . 8 ㎛ - 300 nm , 또는 1 . 8 ㎛ - 400 nm 에 따라 감소 하 는 반면 , 제 3 전극 구 조체 로부터 제 2 전극 구조 체 / 제 2 멤 브레인 까지 의 거리 는 1 . 8 ㎛ + 100 nm , 1 . 8 ㎛ + 200 nm , 1 . 8 ㎛ + 300 nm , 또는 1 . 8 ㎛ + 400 nm 에 따라 증가 한다 .