본 발명 의 실시 형태 에서 의 , 제 1 수 광부 ( 72 - 1 ) 및 제 2 수 광부 ( 78 - 1 ) 의 보다 상세 한 평면 구성 은 , 전술 한 종래 기술 의 도 2 에 도시 하 는 구성 과 동일 하 다 . 또한 , 본 발명 의 실시 형태 에서 의 , 도 4 에 도시 하 는 직선 A - A ' 를 통하 여 반도체 기판 에 수직 인 단면 에서 의 수광 소자 ( 70 ) 의 구조 는 , 전술 한 종래 기술 의 도 3 에 도시 하 는 구조 와 동일 하 다 . 즉 , 제 1 수광 영역 ( 72 ) 을 택일 적 으로 동작 시키 는 경우 , 제 2 수광 영역 ( 78 ) 에 포함 되 는 캐소드 영역 ( 82 ) 은 소정 의 전위 에 고정 되 고 , 한편 , 제 2 수광 영역 ( 78 ) 이 택일 적 으로 동작 시키 는 경우 , 제 1 수광 영역 ( 72 ) 에 포함 되 는 캐소드 영역 ( 82 ) 은 소정 의 전위 에 고정 된다 .