도 3 을 참조 하 면 , 벌브 형 리세 스 트랜지스터 ( 54 ~ 59 ) 는 게이트 ( 54 ~ 58 , gate ) 가 기판 ( 51 ) 내부 에 형성 된 벌브 형 리세 스 부 ( 52 ) 에 형성 되 고 , 벌브 형 리세 스 부 ( 52 ) 의 외부 기판 ( 51 ) 에 소스 및 드레 인 영역 ( 59 ) 이 형성 되 며 , 기판 ( 51 ) 상부 에 층간 절 연막 ( 60 ) 및 콘 택 플러그 ( 61 ) 가 형성 된다 .