본 발명 에서 는 , 웨이퍼 표면 에 형성 된 레지스 트 의 전체 노광 샷 영역 중 적어도 1 개소 의 노광 샷 영역 을 제외 한 노광 샷 영역 의 레지스 트 에 는 제 1 레티 클 을 사용 하 여 노광 을 행하 고 , 그 중 적어도 1 개소 의 노광 샷 영역 의 레지스 트 에 는 제 2 레티 클 을 사용 하 여 노광 을 행하 도록 했 다 . 이것 에 의해 , 노광 에 제 1 및 제 2 레티 클 이 사용 된 칩 의 화상 인식 처리 등 에 의한 식별 이 가능 해 지 고 , 각 칩 의 위치 를 정확 하 게 파악 하 는 것 이 가능 해진다 . 따라서 , 양품 칩 으로 의 마킹 이나 불량 칩 의 픽업 등 의 발생 을 억제 하 여 , 신뢰 성 이 높 은 칩 을 효율 적 으로 형성 하 는 것 이 가능 해 지 고 , 또한 그러 한 칩 을 사용 한 신뢰 성 이 높 은 반도체 장치 를 형성 하 는 것 이 가능 해진다 .