용량 소자 선 CL 의 전위 가 변동 하 면 , 플로팅 게이트 부 FG 의 전위 가 용량 결합 에 의해 변동 한다 . 트랜지스터 ( 160 ) 를 온 상태 로 하 기 위해 필요 한 용량 소자 선 CL 의 전위 를 메모리 셀 의 임계 값 전압 이 라고 한다 . 본 실시 형태 에서 는 , 트랜지스터 ( 160 ) 는 p 채널 형 트랜지스터 이 기 때문 에 , 용량 소자 선 CL 의 전위 가 메모리 셀 의 임계 값 전압 보다 높 을 경우 에 트랜지스터 ( 160 ) 가 오프 상태 가 되 고 , 용량 소자 선 CL 의 전위 가 메모리 셀 의 임계 값 전압 보다 낮 을 경우 에 트랜지스터 ( 160 ) 가 온 상태 가 된다 . 메모리 셀 의 임계 값 전압 은 메모리 셀 이 저장 하 고 있 는 데이터 에 따라 상이 하 다 . 메모리 셀 이 저장 하 는 데이터 가 j ( j = 0 내지 2 K - 1 ) 일 경우 의 메모리 셀 의 임계 값 전압 을 Vth ( i ) 로 한다 .