다음 으로 , 상기 정공 주입 층 ( 224 ) 상 에 정공 수송 층 ( 230 ) 을 형성 한다 . 상기 정공 수송 층 ( 230 ) 은 R , G , B 화소 의 발광 층 ( 241 , 243 , 245 ) 으로 의 정공 수송 을 용이 하 게 하 는 층 으로 , NPD ( N , N '- dinaphthyl - N , N '- diphenyl benzidine ) , TPD ( N , N '- Bis -( 3 - methylphenyl ) - N , N '- bis -( phenyl ) - benzidine ) , s - TAD , MTDATA ( 4 , 4 '," 4 ""- Tris ( N - 3 - methylphenyl - N - phenyl - amino ) - triphenylamine ) 와 같 은 저 분자 재료 또는 PVK 와 같 은 고분자 재료 를 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . "