또한 , 상기 P 형 드리프트 영역 ( 7 b ) 내부 에 는 기판 상부 표면 에 노출 되 는 고농도 P 형 불순물 영역 ( 10 ) 이 형성 되 어 있 으며 , HNWELL ( 3 ) 상단 부 에 는 기판 상부 표면 에 노출 되 며 소자 분리 막 ( 9 ) 에 의해 상기 고농도 P 형 불순물 영역 ( 10 ) 과 전기 적 으로 격리 되 는 고농도 N 형 불순물 영역 ( 8 ) 이 형성 되 어 있 다 .