양면 이 폴리 싱 된 제 1 실리콘 웨이퍼 ( 110 ) 의 뒷면 에 다이어프램 의 운동 을 위한 공간 을 확보 하 기 위해 백 캐비 티 ( 120 ) 를 형성 한다 . 그리고 상기 백 캐 비티 ( 120 ) 가 형성 된 면 을 따라서 금속 을 증착 하 여 금속 층 ( 130 ) 을 형성 한다 . 그리고 상기 제 1 실리콘 웨이퍼 ( 110 ) 의 앞면 에 는 전극 연결 용 홀 ( 140 ) 과 상기 백 캐 비티 ( 120 ) 와 연통 되 는 벤트 홀 ( 150 ) 을 관통 형성 한다 . 이때 , 상기 백 캐 비티 ( 120 ) 와 벤트 홀 ( 150 ) 은 습식 또는 건식 식각 방법 중 어느 하나 의 방법 으로 형성 되 는 것 이 좋 으며 , 상기 벤트 홀 ( 150 ) 과 전극 연결 용 홀 ( 140 ) 은 상기 백 캐 비티 ( 120 ) 의 상측 에 반드시 배치 되 도록 한다 . 그리고 상기 전극 연결 용 홀 ( 140 ) 에 금속 ( metal ) 을 증착 하 거나 , 도금 으로 채워서 전극 ( 160 ) 을 형성 한다 . 이 전극 ( 160 ) 은 상기 금속 층 ( 130 ) 과 전기 적 으로 연결 되 어 디바이스 웨이퍼 ( 195 ) 로 전원 을 공급 한다 .