플로팅 게이트 스 페이서 ( 142 ) 는 플로팅 게이트 전극 ( 134 a , 134 b ) 및 제 어 게이트 전극 ( 138 a , 138 b ) 으로부터 게이트 전극 ( 150 a , 150 b ) 을 선택 한다 . 플로팅 게이트 스 페이서 ( 142 ) 는 선택 적 전도성 메모리 채널 ( 130 a , 130 b ) 위 에 있 다 . 각각 의 플로팅 게이트 스 페이서 ( 142 ) 는 플로팅 게이트 전극 ( 134 ) 중 의 하나 의 측벽 을 라이닝 한다 . 제 어 게이트 스 페이서 ( 140 ) 및 플로팅 게이트 스 페이서 ( 142 ) 는 임의 의 적합 한 조성 을 가질 수 있 다 . 제 어 게이트 스 페이서 ( 140 ) 는 예 를 들 어 질화물 , 산화물 , 또 다른 적합 한 유전체 ( 들 ) , 전술 한 바 의 임의 의 조합 등 일 수 있 거나 달리 이 를 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 제 어 게이트 스 페이서 ( 140 ) 는 각각 의 ONO 막 이 다 . 따라서 , 제 어 게이트 스 페이서 ( 140 ) 는 외측 산화물 층 , 중간 질화물 층 및 내측 산화물 층 을 갖 는 , 산화물 - 질화물 - 산화물 구조물 을 포함 할 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 제 어 게이트 스 페이서 ( 140 ) 는 균질 하 다 . 스 페이서 ( 172 ) 는 제 어 게이트 스 페이서 ( 140 ) 와 동일 한 조성 을 가질 수 있 다 .