발진 주기 ( T ) 를 일정 하 게 유지 하 고 또한 제 1 제어 가능 반도체 소자 ( T 1 ) 의 타이밍 및 출력 단의 제어 가능 반도체 소자 ( T 2 및 T 3 ) 를 온 및 오프 하 는 스위칭 신호 가 제어 회로 에서 과도 한 트래킹 을 요구 하 지 않 도록 방지 하 기 위해 , 추가 커패시터 ( Cs ) 는 선형 , 즉 전압 및 온도 독립 적 인 커패시터 로서 구현 될 수 있 다 . 추가 스위칭 동작 은 , 출력 단 ( 22 ) 의 제어 가능 반도체 소자 ( T 2 또는 T 3 ) 의 스위칭 동작 전후 에 추가 커패시터 ( Cs ) 양단 의 전압 ( Vs ) 이 안정 되 는 클리어 모드 를 초래 한다 . 이 는 도 9 에 개략 적 으로 도시 되 어 있 다 .