이러 한 구성 의 열처리 장치 에 있 어서 , 성막 을 행할 때 에 는 , 이 재 장치 ( 30 ) 를 이용 하 여 웨이퍼 ( W ) 를 덮개 체 ( 20 ) 상 에 배치 된 웨이퍼 보 우트 ( 80 ) 상 으로 이재 하 고 , 덮개 체 ( 20 ) 를 상승 시켜 반응 용기 ( 11 ) 내 에 수용 한다 . 그리고 , 배기 수단 이 작동 되 어 반응 용기 ( 11 ) 내 가 미리 정해진 압력 으로 감압 됨 과 더불 어 , 통형 히터 ( 25 ) 가 작동 되 어 반응 용기 ( 11 ) 에서 의 각각 의 가열 영역 ( Z 1 ∼ Z 5 ) 이 , 웨이퍼 ( W ) 가 처리 되 어야 할 목표 온도 로 가열 되 고 , 이 상태 에 있 어서 , 가스 공급 배관 ( 15 A ) 으로부터 반응 용기 ( 11 ) 내 에 적절 한 성막 용 가스 가 도입 되 는 것 에 의해 웨이퍼 ( W ) 에 대하 여 성막 처리 가 행해진다 .