도 5 a 를 참조 하 면 , 도 2 a 및 2 b 를 참조 로 설명 한 공정 을 수행 한 후 , 식각 대상 막 ( 102 ) 상 에 상기 스 페이서 패턴 ( 106 ) 들 을 덮 는 마스크 막 ( 도시 안함 ) 을 형성 한다 . 상기 마스크 막 을 사진 공정 에 의해 패 터닝 함 으로써 상기 기판 ( 100 ) 의 제 1 영역 에 마스크 패턴 ( 110 b ) 을 형성 한다 .