실리콘 기판 이 노출 되 는 경우 에 , 컨 택트 들 , 비 아들 , 및 / 또는 트렌치 들 과 같 은 피 쳐 들 이 형성 될 수 도 있 다 ( 도 1 의 단계 140 ) . 이해 를 용이 하 게 하 기 위해 , 도 2 c 는 다수 의 도전 및 유전체 층 들 이 에칭 된 이후 의 실리콘 기판 에 에칭 된 피쳐 의 단면 의 예 이 다 . 마스크 층 ( 202 ) 은 웨이퍼 ( 200 ) 상 의 피쳐 ( 218 ) 를 정의 한다 . 층 들 ( 204 , 206 , 208 , 및 210 ) 은 , 존재 할 수 도 있 고 ( 예컨대 , 이전 의 문단 들 에서 설명 된 바 와 같이 ) 이전 의 단계 들 에서 에칭 되 었 을 수 도 있 는 도전 및 유전체 층 들 을 나타낸다 . 실리콘 기판 에 피 쳐 들 을 형성 하 기 위해 층 들 ( 204 , 206 , 208 , 및 210 ) 은 요구 되 지 않 는다는 것 이 당업자 에게 자명 해야 한다 . 피쳐 ( 222 ) 는 수직 한 ( 즉 , 실질 적 으로 90 도 ) 프로파일 각도 를 갖 는 실리콘 기판 ( 212 ) 에 에칭 된 피쳐 ( 218 ) 의 예 이 고 ; 피쳐 ( 220 ) 는 테이퍼 ( taper ) 된 프로파일 ( 즉 , 90 도 미만 의 프로파일 각도 ) 을 갖 는 실리콘 기판 ( 212 ) 에 에칭 된 피쳐 ( 218 ) 를 나타낸다 . 이 피쳐 를 형성 하 는 데 사용 되 는 프로세스 는 , 반복 적 인 교번 하 는 증착 및 에칭 단계 들 로 구성 된 보쉬 - 형 프로세스 일 수 있 다 . 증착 프로세스 의 예 는 , 40 mTorr 내지 100 mTorr 의 범위 내 의 압력 , 1400 와트 내지 2500 와트 의 범위 내 의 TCP 전력 , 100 볼트 내지 150 볼트 의 범위 내 의 바이어스 전압 , C 4 F 8 의 가스 , 및 - 10 ℃ 내지 + 10 ℃ 의 범위 내 의 ESC 온도 에서 의 프로세스 이 다 . 에칭 프로세스 의 예 는 , 40 mTorr 내지 100 mTorr 의 범위 내 의 압력 , 1400 와트 내지 2500 와트 의 범위 내 의 TCP 전력 , 100 볼트 내지 150 볼트 의 범위 내 의 바이어스 전압 , SF 6 / Ar 의 가스 혼합물 , 및 - 10 ℃ 내지 + 10 ℃ 의 범위 내 의 ESC 온도 에서 의 프로세스 이 다 . 증착 과 에칭 사이 에서 천 이 단계 가 요구 될 수 도 있 다 .