아울러 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 염 처리 및 실리콘 풍부 층 형성 단계 ( S 200 ) 에서 모 기재 ( MS ) 가 염 처리 되 며 , 모 기재 의 표면 으로부터 제 1 깊이 까지 실리콘 풍부 층 ( SRL ) 이 형성 된다 . 이때 , 실리콘 풍부 층 ( SRL ) 은 모 기재 ( MS ) 보다 실리콘 함량 이 높 은 층 을 의미 하 는데 , 구체 적 으로 실리콘 풍부 층 ( SRL ) 내 실리콘 ( Si ) 함량 과 모 기재 ( MS ) 내 실리콘 ( Si ) 함량 의 비 는 약 1 . 2 내지 약 1 . 4 이 다 .