본 발명 은 레지스 트 도막 표면 에 적용 함 으로써 , 레지스 트 도막 표면 을 친수 화 하 는 레지스 트 친수 화 처리 제 , 및 당해 레지스 트 친수 화 처리 제 를 포함 하 는 현상액 , 및 당해 레지스 트 친수 화 처리 제 를 사용 한 반도체 소자 의 제조 방법 에 관한 것 이 다 . 본원 은 , 2017 년 2 월 10 일 에 일본 에 출원 한 일본 특허 출원 제 2017 - 023181 호 의 우선권 을 주장 하 고 , 그 내용 을 여기 에 원용 한다 .