예 를 들 면 , 제 3 유닛 셀 ( 115 ) 의 비단 결정 반도체 층 ( 116 ) 의 에너지 갭 을 1 . 45 eV 내지 1 . 65 eV 로 한 경우 에 는 , 제 2 유닛 셀 ( 105 ) 의 유기 반도체 재료 를 포함 하 는 i 층 ( 109 ) 의 에너지 갭 은 , 1 . 65 eV 보다 도 크 게 하 면 좋 다 . 또한 , 제 3 유닛 셀 ( 115 ) 의 비단 결정 반도체 층 ( 116 ) 의 에너지 갭 을 1 . 7 eV 내지 2 . 0 eV 로 한 경우 에 는 , 제 2 유닛 셀 ( 105 ) 의 유기 반도체 재료 를 포함 하 는 i 층 ( 109 ) 의 에너지 갭 은 , 2 . 1 eV 보다 도 크 게 하 면 좋 다 . 유기 반도체 재료 는 , 여러 가지 의 에너지 갭 을 갖 는 재료 가 있 기 때문 에 , 적합 한 에너지 갭 을 갖 는 재료 를 적절 하 게 선택 하 는 것 이 가능 하 다 .