도 2 에 는 나타나 있 지 않 지만 , 하부 전극 ( 110 ) 과 활물질 ( 130 ) 사이 의 절연체 ( 115 ) 위 에 선택 적 인 장벽층 이 형성 될 수 있 다 . 해당 기술 분야 에 알려진 바 와 같이 , 장벽층 들 은 일반 적 으로 활물질 ( 130 ) 과 하부 전극 ( 110 ) 사이 의 앞뒤 로 원자 구성 성분 들 ( atomic constituents ) 이 ( 확산 또는 전자 이동 ( electromigration ) 에 의한 방법 으로 ) 이동 하 는 것 을 방지 하 는 기능 을 하 는 얇 은 층 들 이 다 . 장벽층 대신 또는 이 와 더불 어 , 활물질 ( 130 ) 과 하부 전극 ( 110 ) 사이 에 항복 층 ( breakdown layer , 도 2 에 는 도시 되 지 않 음 ) 또한 형성 될 수 있 다 . 해당 기술 분야 에 알려진 바 와 같이 , 항복 층 은 하부 전극 ( 110 ) 과 활물질 ( 130 ) 사이 의 유효 콘 택 구역 을 줄이 도록 사용 되 는 얇 은 절연 층 이 다 . 상기 소자 의 컨 디셔 닝 ( conditioning ) 동안 에 , 전기 적 신호 가 항복 층 을 천자 ( 穿刺 , puncture ) 하 여 상기 하부 전극 ( 110 ) 으로부터 활물질 ( 130 ) 까지 국부 적 인 , 작 은 구역 의 도전 성 경로 를 만들 어 낸다 . 상기 항복 층 의 나머지 는 원 상태 로 잔존 하 며 , 상기 하부 전극 으로부터 상기 도전 성 천자 영역 으로 의 전류 의 흐름 을 나르 는 저항성 장벽 을 제공 한다 .