본 발명 에 따른 단백질 칩 기판 의 제조 방법 에 있 어서 , 기판 상 의 전구체 부착 은 유도 결합 형 플 라즈 마 화학 기상법 ( Inductively Coupled Plasma - Chemical Vapor Deposition ; ICP - CVD ) 을 사용 하 는 것 이 보다 바람직 하 다 . 도 1 은 본 발명 에 따른 단백질 칩 기판 을 제조 하 기 위한 유도 결합 형 플 라즈 마 화학 기상 증착 장치 의 모식도 를 개략 적 으로 나타낸 것 으로서 , 그 구성 을 살펴보 면 , 상기 플 라즈 마 반응 챔버 ( 1 ) 와 , 상기 플 라즈 마 반응 챔버 내부 의 압력 을 조절 하 기 위한 진공 수단 ( 7 ) 과 , 전 구체 ( 11 ) 를 기체 상태 로 상기 플 라즈 마 반응 챔버 ( 1 ) 내 로 주입 하 기 위한 거품기 ( bubbler ) ( 9 ) 와 , 상기 거품기 ( 9 ) 로부터 의 기화 된 전구체 를 상기 반응 챔버 ( 1 ) 로 분사 시키 는 샤워 링 ( 10 ) 과 , 상기 플 라즈 마 반응 챔버 ( 1 ) 상부 에 배치 된 외부 전극 ( 2 ) 과 , 상기 플 라즈 마 반응 챔버 ( 1 ) 내부 에 배치 되 어 기판 ( 3 ) 을 지지 하 며 내부 전극 기능 을 하 는 기판 받침대 ( 4 ) , 상기 외부 전극 ( 2 ) 에 ICP ( 유도 결합 형 플 라즈 마 ) 파워 를 제공 하 고 내부 전극 인 상기 기판 받침대 ( 4 ) 에 SB ( 슬라이드 전압 ) 파워 를 제공 하 는 R . F 생성기 ( 6 ) 로 이루어져 있 다 . 이러 한 구성 에 더 하 여 He , Ar 등 의 운반 기체 가 담겨 있 는 기체 저 장부 ( 미 도시 ) , 통과 하 는 기체 의 몰수 를 조절 하 는 유량 조절기 ( 미 도시 ) , 플라 즈 마 반응 챔버 내부 의 온도 를 조절 하 는 냉각 장치 ( 미 도시 ) 및 챔버 내부 의 대류 를 용이 하 게 하 는 팬 ( 미 도시 ) 이 설치 될 수 있 다 . 상기 기판 ( 3 ) 을 지지 하 는 기판 받침대 ( 4 ) 는 그 내부 에 히터 가 장착 되 어 있 다 .