트랜지스터 ( 111 ) 와 트랜지스터 ( 112 ) 에 사용 되 고 있 는 트랜지스터 는 , 고 순도 화 된 산화물 반도체 층 에 채널 이 형성 되 는 트랜지스터 로 할 수 있 다 . 당해 트랜지스터 는 , 그 오프 전류 밀도 를 100 zA / ㎛ 이하 , 바람직 하 게 는 10 zA / ㎛ 이하 , 더욱 바람직 하 게 는 1 zA / ㎛ 이하 로 할 수 있 다 . 따라서 , 이 오프 전류 가 , 결정 성 을 갖 는 실리콘 을 사용 한 트랜지스터 의 오프 전류 에 비하 여 현저 하 게 낮 다 . 그 결과 , 트랜지스터 ( 111 ) 와 트랜지스터 ( 112 ) 가 오프 상태 일 때 , 용량 소자 ( 121 ) 및 용량 소자 ( 122 ) 에 축적 된 전하 는 거의 방전 하 지 않 기 때문 에 , 기억 소자 ( 100 ) 의 데이터 는 유지 된다 .