본 발명 은 포토 다이오드 영역 의 손상 을 방지 하 여 이미지 센서 의 특성 을 향상 시키 도록 한 씨 모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 에 관한 것 으로서 , 반도체 기판 에 일정 영역 에 형성 되 는 포토다이오드 영역 과 , 상기 반도체 기판 상 에 게이트 절 연막 을 개재 하 여 상기 포토다이오드 영역 의 일부 를 감싸 면서 형성 되 는 게이트 전극 및 캡 절 연막 과 , 상기 게이트 전극 및 캡 절 연막 의 양 측면 에 형성 되 는 절 연막 측벽 과 , 상기 게이트 전극 으로 둘러 쌓여진 상기 포토다이오드 영역 이 노출 되 도록 콘 택 홀 을 갖 고 상기 반도체 기판 의 전면 에 형성 되 는 층간 절 연막 과 , 상기 콘 택 홀 내부 에 매립 되 는 도전 성 플러그 를 포함 하 여 구성 됨 을 특징 으로 한다 .