도 4 에서 , 복수 의 메모리 장치 들 은 4 개 의 웨이 들 ( WAY 1 ~ WAY 4 ) 로 구성 될 수 있 다 . 제 1 웨이 ( WAY 1 ) 는 메모리 장치 들 ( Die _ 11 , Die _ 21 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 2 웨이 ( WAY 2 ) 는 메모리 장치 들 ( Die _ 12 , Die _ 22 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 3 웨이 ( WAY 3 ) 는 메모리 장치 들 ( Die _ 13 , Die _ 23 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 4 웨이 ( WAY 4 ) 는 메모리 장치 들 ( Die _ 14 , Die _ 24 ) 을 포함 할 수 있 다 .