한편 , 상기 비저항 을 감소 시키 기 위해 상기 폴리 실리콘 패턴 ( 7 ) 의 상부 면 에 실리사이드 패턴 ( 8 ) 을 형성 하 더라도 상기 폴리 실리콘 패턴 ( 7 ) 및 상기 실리사이드 패턴 ( 8 ) 사이 의 접촉 면적 이 좁 을 수 있 다 . 결과 적 으로 , 상기 폴리 실리콘 패턴 ( 7 ) 을 갖 는 콘 택 구 조체 를 채택 하 는 반도체 소자 의 동작 이 느려질 수 있 다 .