여기 서 , 상기 디 개 싱 공정 은 , 후속 의 배리 어막 ( 106 ) 증착 전 에 , 비 아홀 ( 104 ) 식각 공정 시 제 2 층간 절 연막 ( 103 ) 의 표면 에 흡습 된 수분 등 의 이 물질 을 아웃 개 싱 ( out gassing ) 시키 기 위하 여 수행 하 는 것 이 다 . 이러 한 디 개 싱 공정 은 , Ar 가스 또는 Ar 및 H 2 의 혼합 가스 를 이용 하 여 수행 할 수 있 으며 , 상기 Ar 및 H 2 의 혼합 가스 를 이용 할 경우 , 상기 H 2 / Ar 의 비 가 0 . 5 이하 인 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 상기 디 개 싱 공정 은 , 상기 제 2 층간 절 연막 ( 103 ) 의 표면 에 흡습 된 수분 등 과 같 은 아웃 개 싱 소스 가 충분히 빠져 나갈 수 있 도록 고온 에서 진행 하 며 , 예컨대 300 ℃ 내지 450 ℃ 의 온도 범위 에서 30 내지 300 초 동안 수행 하 는 것 이 바람직 하 다 .