상기 기판 처리 장치 ( 10 ) 를 살펴보 면 , 일정 한 반응 영역 을 정의 하 는 챔버 ( 11 ) , 챔버 ( 11 ) 의 내부 에 위치 하 며 상면 에 기판 ( s ) 을 안치 하 는 기판 안 치대 ( 20 ) , 기판 안 치대 ( 20 ) 의 상부 로 원료 가스 를 분사 하 는 가스 분배 판 ( 50 ) , 상기 가스 분배 판 ( 50 ) 의 상부 에 위치 하 며 RF 전력 이 공급 되 는 플 라즈 마전 극 ( 60 ) 을 포함 한다 .