상기 과제 를 해결 하 기 위한 본 발명 기술 적 사상 의 실시 예 에 따른 전자 장치 는 , 반도체 메모리 를 포함 하 는 전자 장치 로서 , 상기 반도체 메모리 는 가변저항 소자 를 포함 하 고 , 상기 가변저항 소자 는 , 하부 전극 ; 상기 하부 전극 의 측면 에 형성 된 스 페이서 ; 및 상기 하부 전극 상 의 가변 저항 패턴 을 포함 하 되 , 상기 하부 전극 의 일부분 은 상기 스 페이서 의 상단 을 덮 을 수 있 다 .