집 적 칩 ( 100 ) 은 기판 ( 102 ) 내 에 배열 된 액세스 디바이스 ( 104 ) 를 포함 한다 . 일부 실시 예 들 에서 , 액세스 디바이스 ( 104 ) 는 트랜지스터 디바이스 ( 예컨대 , MOSFET , 바이 폴라 접합 트랜지스터 ( bi - polar junction transistor ; BJT ) , 고 전자 이동도 트랜지스터 ( high electron mobility transistor ; HEMT ) 등 ) 를 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 기판 ( 102 ) 은 반도체 물질 ( 예컨대 , 실리콘 , 게르마늄 등 ) 을 포함 할 수 있 다 . 하부 유전체 구조물 ( 106 ) 이 기판 ( 102 ) 위 에 배열 되 고 , 액세스 디바이스 ( 104 ) 를 둘러싼다 . 하부 유전체 구조물 ( 106 ) 은 액세스 디바이스 ( 104 ) 에 전기 적 으로 결합 된 복수 의 하부 상호 연결 층 들 ( 108 ) 을 추가 로 둘러싼다 . 하부 절연 구조물 ( 110 ) 이 하부 유전체 구조물 ( 106 ) 위 에 배치 된다 . 하부 절연 구조물 ( 110 ) 은 복수 의 하부 상호 연결 층 들 ( 108 ) 의 상호 연결 구조물 ( 108 a ) 위 에 개구 를 규정 하 는 측벽 들 ( 110 s ) 을 포함 한다 .