일반 적 으로 , 모스 펫 ( MOSFET ) 소자 의 특성 은 게이트 ( gate ) 단 에 걸 어 준 전압 과 게이트 산화 막 ( gate oxide ) 에 걸리 는 전압 , 채널 ( channel ) 에 걸리 는 전압 및 게이트 단과 채널 단의 일함수 ( work function ) 차 의 상관 관계 에 의해 그 특성 이 결정 되 어 지 는데 , 상기 에 전술 한 바 와 같이 , NMOSFET 소자 인 경우 N 형 - 폴리 실리콘 막 대신 에 P 형 - 폴리 실리콘 막 을 사용 하 게 되 면 , 게이트 단의 일함수 가 증가 하 게 되 어 채널 내 의 표면 전위 ( surface potential ) 변화 를 가져오 게 되 면서 , 낮 은 채널 도우즈 ( dose ) 로 도 문턱 전압 ( Vt ) 의 확보 가 가능 하 게 된다 .