도 1 f 를 참조 하 면 , 도 1 e 에 있 어서 , 상기 제 2 시편 ( 110 ) 의 제 2 면 ( 106 ) 을 형성 할 때 형성 된 거친 부분 을 제거 하 기 위해 상기 특정 영역 ( 50 ) 이 형성 된 제 3 시편 ( 120 ) 의 상면 ( 122 ) 을 소정 부위 를 FIB 를 이용 하 여 수직 식각 함 으로서 상기 특정 영역 ( 50 ) 이 형성 된 제 3 시편 ( 120 ) 의 상면 ( 122 ) 과 수직 되 는 상기 특정 영역 ( 50 ) 의 제 1 면 ( 52 ) 을 형성 함 과 동시 에 상기 특정 영역 ( 50 ) 의 제 1 면 ( 52 ) 은 노출 시키 는 예비 시편 ( 130 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 수직 식각 은 상기 FIB 의 이온 빔 의 전압 값 은 30 kV 의 높 은 전압 으로 수행 한다 ( S 400 , S 410 ) . 형성 된 예비 시편 ( 130 ) 에 특정 영역 ( 50 ) 의 보호막 ( 54 ) 을 식각 하 여 도 g 에 도시 된 바 와 같 은 제 4 시편 ( 150 ) 을 형성 한다 .