도 3 에 도시 하 는 바 와 같이 , PI 막 ( 6 ) 이 층간 절 연막 ( 3 ) 과 커버 막 ( 5 ) 의 측면 을 피복 하 지 않 는 구성 , 즉 PI 막 ( 6 ) 이 커버 막 ( 5 ) 의 상면 에 만 형성 되 어 있 는 구성 의 경우 에 도 , 댐 층 ( 8 ) 을 PI 막 ( 6 ) 의 상면 으로부터 , 층간 절 연막 ( 3 ) 및 커버 막 ( 5 ) 의 측면 , 또한 Si 기판 ( 2 ) 의 스 크 라 이브 영역 ( 9 ) 상 에 걸치 도록 형성 함 으로써 , 상기 와 마찬가지 로 , 밀봉 수지 ( 10 ) 나 칩 내부 의 박리 의 발생 을 억제 하 는 것 이 가능 하 다 .