상술 한 조건 하 에서 처리 실 ( 201 ) 내 에 TMA 가스 를 공급 함 으로써 , 웨이퍼 ( 200 ) 의 최 표면 에 Al 함유층 이 형성 된다 . Al 함유층 은 , Al 층 외 에 , C 및 H 를 포함 할 수 있 는 Al 함유층 은 , 웨이퍼 ( 200 ) 의 최 표면 에 , TMA 가 물리 흡착 되 거나 , TMA 의 일부 가 분해 한 물질 이 화학 흡착 되 거나 , TMA 가 열분해 함 으로써 Al 이 퇴적 되 거나 하 는 것 등 에 의해 형성 된다 . 즉 , Al 함유층 은 , TMA 나 TMA 의 일부 가 분해 한 물질 의 흡착 층 ( 물리 흡착 층 이나 화학 흡착 층 ) 이 어도 되 고 , Al 의 퇴적층 ( Al 층 ) 이 어도 된다 .