이후 , 도 3 b 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 형성 된 감광막 패턴 ( 4 ) 상부 전면 에 식각 을 실시 하 여 N - Gate 영역 의 추가 증착 방지 막 ( 3 ) 을 제거 한다 . 이때 , 상기 추가 증착 방지 막 ( 3 ) 은 습식 식각 공정 을 통해 제거 되 는 것 으로서 , 상기 습식 식각 에 사용 되 는 물질 로 는 불 산 , 초산 및 인산 등 이 포함 된다 .