도 1 을 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 10 ) 상부 에 제 1 절 연막 ( 30 ) 을 증착 한 후 제 1 포토레지스트 를 형성 하 고 현상 및 노광 공정 으로 게이트 가 형성 될 트렌치 영역 을 노출 하 도록 패 터닝 하 여 제 1 포토레지스트 패턴 ( 100 ) 을 형성 한다 . 상기 제 1 절 연막 ( 30 ) 은 산화 막 또는 질화 막 중 어느 하나 를 이용 하 는 것 이 바람직 하 다 .