또한 , SOI 영역 및 벌크 영역 에 대하 여 개개 로 포커스 를 맞추 어서 노광 처리 를 행하 는 경우 와 비교 하 여 , 포커스 맞춤 의 수고 를 저감 할 수 있 어 , 노광 공정 에서 의 처리 시간 등 의 단축 이 가능 하 게 된다 . 또한 , SOI 영역 및 벌크 영역 의 양방 에 대하 여 노광 처리 를 일괄 하 여 행하 는 ( 즉 , 동일 한 렌즈 를 통하 여 동시 에 노광 처리 를 행하 는 ) 경우 에 도 , 양방 의 영역 에 포커스 를 동시 에 맞출 수 있 으므로 , 양방 의 영역 에 각각 게이트 전극 등 을 정밀 도 좋 게 형성 할 수 있 다 . 따라서 , 설계 값 을 따른 가공 이 실시 되 어 , 소기 의 성능 을 발휘 하 는 것 이 가능 한 신뢰 성 이 높 은 반도체 장치 를 제공 할 수 있 다 .