이 를 해결 하 기 위해서 , 한국 등록 특허 10 - 0448351 에서 는 제 1 도전 형 질화물 반도체 층 ( 13 ) 이 n 형 GaN 로 형성 되 는 경우 , 상기 영역 ( 13 ) 에 p - AlInGaN 층 을 삽입 함 으로써 소자 의 정전 전압 파괴 특성 을 개선 하 였 지만 , 그 수준 은 약 - 1 KV 정도 로 현재 시장 에서 요구 하 는 - 2 KV 에 는 미치 지 못하 고 있 다 .