개시 하 는 발명 의 일 형태 에서 는 , 산화물 반도체 를 사용 하 여 반도체 장치 를 구성 한다 . 특히 , 고 순도 화 된 산화물 반도체 를 사용 한다 . 산화물 반도체 를 사용 하 여 구성 한 트랜지스터 는 , 누설 전류 가 매우 작 기 때문 에 , 장기간 에 걸쳐 정보 를 유지 하 는 것 이 가능 하 다 . 또한 , 고 순도 화 된 산화물 반도체 를 사용 하 는 경우 에 는 , 그 정도 는 보다 현저 하 여 , 매우 장기간 에 걸쳐 정보 를 유지 하 는 것 이 가능 하 게 된다 .