상기 증착 은 화학 적 기상 증착 ( chemical vapor deposition : CVD ) 또는 물리 적 기상 증착 ( Physical vapor deposition : PVD ) 에 의할 수 있 다 . 상기 화학 적 기상 증착 ( chemical vapor deposition : CVD ) 은 기체 상태 의 금속 원 과 그 와 반응 을 하 는 가스 에 열 을 가해 주 거나 플 라즈 마 화 하 여 높 은 반응 성 의 라디칼 을 형성 하 고 높 은 온도 의 기판 에서 화학 반응 을 일으켜 금속 박막 을 형성 하 는 방법 이 고 , 상기 물리 적 기상 증착 ( Physical vapor deposition : PVD ) 은 원 하 는 금속 물질 에 가해진 에너지 가 운동 에너지 로 변하 여 물질 이 이동 , 기판 에 쌓여 박막 을 형성 하 는 방법 이 다 . 물리 적 기상 증착 면은 수 나노미터 에서 수천 나노미터 의 두께 를 가지 며 기판 크기 에 구애 받 지 않 고 증착 가능 하 다 . 물리 적 기상 증착 은 기체 생성 방법 에 따라 열증 발 진공 증착 , 스퍼터링 방법 및 이온 보조 방법 으로 나뉜다 .