본 발명 은 또한 기판 을 배치 하 되 상기 기판 의 면 이 중력 방향 에 수직 하 도록 상기 기판 을 배치 하 는 단계 와 , 상기 기판 의 하 측면 상 에 실리콘 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 실리콘 층 을 결정 화 하 는 단계 와 , 상기 결정 화 된 실리콘 층 표면 상 의 자연 산화 막 을 제거 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 는 실리콘 층 형성 방법 을 제공 한다 .