여기 서 , 도 3 은 , 낸드 플래시 메모리 셀 로 구성 된 각 메모리 블록 ( 330 ) 을 일 예 로 도시 하고 있 으나 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 메모리 장치 ( 150 ) 에 포함 된 복수 의 메모리 블록 ( 152 , 154 , 156 ) 은 , 낸드 플래시 메모리 에 만 국한 되 는 것 은 아니 라 노 어 플래시 메모리 ( NOR - type Flash memory ) , 적어도 두 종류 이상 의 메모리 셀 들 이 혼합 된 하이브리드 플래시 메모리 , 메모리 칩 내 에 컨트롤러 가 내장 된 One - NAND 플래시 메모리 등 으로 도 구현 될 수 있 다 . 아울러 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 메모리 장치 ( 150 ) 는 , 전하 저장 층 이 전도성 부유 게이트 로 구성 된 플래시 메모리 장치 는 물론 , 전하 저장 층 이 절 연막 으로 구성 된 차지 트랩 형 플래시 ( Charge Trap Flash ; CTF ) 메모리 장치 등 으로 도 구현 될 수 있 다 .