본 발명 의 형광체 는 , 자외선 을 조사 한 경우 에 보다 높 은 발광 휘도 를 나타내 고 , 또한 발광 스펙트럼 에 있 어서 최대 발광 강도 를 나타내 는 발광 파장 을 보다 작 게 할 수 있 다는 점 에서 , 발광 소자 용 으로서 충분히 사용 가능 하 고 , 자외선 여기 발광 소자 용 으로서 , 특히 여기 되 는 자외선 의 파장 이 200 ㎚ ∼ 350 ㎚ 의 범위 에 있 는 자외선 여기 발광 소자 용 으로서 , 구체 적 으로 는 액정 디스플레이 용 백라이트 , 3 파장 형 형광 램프 , 고 부하 형광 램프 등 의 발광 소자 용 으로서 바람직 하 다 .