상기 목적 을 달성 하 기 위한 일 측면 에 따른 본 발명 의 반도체 장치 매립 게이트 제조 방법 은 , 소자 분리 막 을 포함 하 는 반도체 기판 상 에 하드 마스크 막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 하드 마스크 막 패턴 을 식각 장벽 으로 상기 소자 분리 막 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 ; 상기 하드 마스크 막 패턴 의 선폭 을 감소 시키 는 단계 ; 상기 트렌치 표면 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 트렌치 를 갭 필 하 는 금속 막 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 금속 막 을 리세 스 시켜 매립 게이트 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 . 상기 하드 마스크 막 패턴 의 선폭 을 감소 시키 는 단계 는 , 상기 하드 마스크 막 패턴 의 측벽 을 식각 하 고 , 상기 하드 마스크 막 패턴 은 질화 막 을 포함 하 고 , 하드 마스크 패턴 의 선폭 을 감소 시키 는 단계 는 , 인산 용액 을 이용 한 딥 공정 으로 진행 하 고 상기 트렌치 표면 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 는 , 전세정 공정 단계 를 더 포함 한다 .