도 6 을 참조 하 면 , 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 130 ) 에 노출 된 유기 반사 방지 막 ( 110 ) 과 식각 대상 막 ( 108 ) 을 순차 적 으로 식각 한다 . 상기 식각 공정 의 예 로서 는 반응 이온 식각 ( Reactive Ion Etching ) , 이온 빔 식각 ( Ion Beam Etching ) , 플라 즈 마 식각 , 레이저 식각 공정 등 을 들 수 있 다 . 그 결과 상기 기판 상 에 는 유기 반사 방지 막 패턴 과 식각 대상 막 패턴 ( 108 a ) 이 형성 된다 . 일 예 로서 , 상기 식각 대상 막 패턴 은 반도체 소자 에 적용 되 는 도전 성 배선 , 절연성 패턴 을 포함 할 수 있 다 .