도 3 에 제시 된 바 와 같이 , 노광 이 수행 됨 에 따라 , 제공 되 는 노광 에너지 ( exposure energy ) 에 의해 웨이퍼 ( 320 ) 의 온도 가 변화 될 수 있 다 . 웨이퍼 ( 320 ) 는 300 . 00 K 의 온도 로 정교 하 게 조절 된 상태 에서 노광 이 수행 되 게 된다 . 그런데 , 조사 된 노광 에너지 가 웨이퍼 ( 320 ) 에 축적 되 며 웨이퍼 ( 320 ) 의 온도 변화 ( Δ T ) 가 발생 될 수 있 다 . 액침 리소그래피 과정 에서 의 노광 은 , 도 4 에 제시 된 바 와 같이 노광 부 ( 340 ) 의 렌즈 를 투과 한 광이 빔 슬릿 ( beam slit : 341 ) 을 통해 웨이퍼 ( 320 ) 의 노광 필드 ( 321 ) 에 스캔 ( scan ) 되 며 조사 되게 수행 된다 . 이때 , 노광 필드 ( 321 ) 들 에 대 해 순번 ( 345 ) 에 따라 노광 이 순차 적 으로 진행 되 고 있 다 . 이 에 따라 , 이전 노광 필드 의 노광 시 축적 된 노광 에너지 에 의해 , 인접 하 는 후속 노광 될 필드 들 의 온도 변화 가 유발 될 수 있 다 . 이러 한 현상 이 반복 되 며 웨이퍼 의 전체 온도 분포 가 도 5 a 내지 도 5 c 에 제시 된 온도 측정 분포 와 같이 변화 될 수 있 다 .