제 1 이온 주입 공정 ( a ) 에서 제 1 이온 주입 에너지 는 약 25 내지 60 KeV 일 수 있 다 . 이온 주입 공정 ( a ) 의 틸 트 ( tilt ) 각 은 0 도 일 수 있 으나 , 게이트 전극 ( 120 ) 과 제 1 불순물 영역 ( 140 ) 사이 의 오버랩 영역 ( d ₃ , d ₄ ) 을 확보 하 기 위해 틸 트 각 은 약 3 내지 7 도 일 수 있 다 . 이 때 , 게이트 전극 ( 120 ) 의 노출 영역 ( d ₁ , d ₂ ) 을 통해 주입 된 이온 이 게이트 전극 ( 120 ) 을 투과 하 여 반도체 기판 ( 100 ) 내 에 주입 될 수 있 지만 , 이러 한 이온 은 제 1 불순물 영역 ( 140 ) 이 게이트 전극 ( 120 ) 하부 로 확장 된 오버랩 영역 ( d ₃ , d ₄ ) 으로 주입 되 므로 채널 영역 ( 105 ) 에 는 영향 을 주 지 않 는다 .