" 예 를 들 면 활성 층 ( 210 "") 은 층상 구조 를 가질 수 있 고 ", 예 를 들 면 제 1 성분 층 및 제 2 성분 층 의 층상 구조 를 포함 할 수 있 고 , 선택 적 실시 예 로서 층상 구조 의 페로 브 스카이 트 를 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 이 를 통하 여 전자 소자 의 전체 적 인 온 / 오프 비 를 증가 하 고 정밀 한 제어 특성 을 향상 할 수 있 다 . 도 20 은 본 발명 의 또 다른 일 실시 예 에 관한 전자 소자 를 도시 한 개략 적 인 평면도 이 고 , 도 21 은 도 20 의 VI - VI 선 을 따라 절취 한 단면도 이 다 .