한편 , 본 발명 의 제 4 실시 예 에 따른 기판 처리 장치 를 이용 한 기판 처리 방법 은 도 4 b , 도 5 a 내지 도 5 d , 도 7 에 도시 된 동작 순서 에 따라 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈 ( 330 a , 330 b , 130 c , 330 d ) 각각 을 동작 시킴 으로써 전술 한 제 1 및 제 3 가스 ( G 1 , G 3 ) 와 플 라즈 마 화 된 제 2 가스 ( PG 2 ) 를 공간 적 으로 분리 하 여 제 1 내지 제 4 가스 분사 영역 에 분사 할 수 도 있 다 .