본 실시 예 에서 사용 하 는 2 개 의 발광 디바이스 의 구체 적 인 구성 을 표 5 에 나타내 었 다 . 또한 디바이스 7 의 구조 는 발광 층 ( 813 ) 및 전자 수송 층 ( 814 ) 의 재료 를 변경 한 점 이외 는 디바이스 1 ( 도 11 ) 과 같 고 , 디바이스 8 의 구조 는 정공 수송 층 ( 812 ) 의 막 두께 를 두껍 게 한 점 이외 는 디바이스 7 과 같 다 . 그래서 디바이스 7 및 디바이스 8 의 제작 방법 에 대하 여 디바이스 1 과 같 은 부분 에 대해서 는 실시 예 2 를 참조 할 수 있 다 . 또한 디바이스 7 및 디바이스 8 의 구조 는 디바이스 1 ( 도 11 ) 과 같 고 , 제작 방법 에 대해서 는 실시 예 2 를 참조 할 수 있 다 . 또한 본 실시 예 에서 사용 하 는 재료 의 화학식 을 아래 에 나타낸다 .