도 1 을 참조 로 설명 한 바 와 같이 , 일부 실시 예 들 에 있 어서 , 브릿지 전극 ( 310 ) 은 안테나 전극 층 ( 210 ) 과 동일 도전 막 ( 예 를 들 면 , 금속 막 ) 으로부터 패 터닝 되 어 형성 되 며 , 센싱 전극 들 ( 320 , 330 ) 은 캡 핑 층 ( 250 ) 과 동일 도전 막 ( 예 를 들 면 , 투명 금속 산화 막 ) 으로부터 패 터닝 되 어 형성 될 수 있 다 .