제 1 절연 층 ( 103 ) 상 에 는 제 1 도전 층 ( 120 ) 이 배치 될 수 있 다 . 일 실시 예 에서 제 1 도전 층 ( 120 ) 은 제 1 발 광부 ( LA _ R ) 의 박막 트랜지스터 의 게이트 전극 ( 121 ) , 제 2 발 광부 ( LA _ G ) 의 박막 트랜지스터 의 게이트 전극 ( 122 ) , 및 제 3 발 광부 ( LA _ B ) 의 박막 트랜지스터 의 게이트 전극 ( 123 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 도전 층 ( 120 ) 은 몰리브덴 ( Mo ) , 알루미늄 ( Al ) , 백금 ( Pt ) , 팔라듐 ( Pd ) , 은 ( Ag ) , 마그네슘 ( Mg ) , 금 ( Au ) , 니켈 ( Ni ) , 네오디뮴 ( Nd ) , 이리듐 ( Ir ) , 크롬 ( Cr ) , 칼슘 ( Ca ) , 티타늄 ( Ti ) , 탄 탈륨 ( Ta ) , 텅스텐 ( W ) , 구리 ( Cu ) 가운데 선택 된 하나 이상 의 금속 을 포함 할 수 있 다 .