또한 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 금속 배선 제조 방법 에서 , 상기 제 1 금속 과 접하 는 결과물 의 계면 에 확산 방지 막 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 하 는 것 이 바람직 하 며 , 상기 확산 방지 막 은 , Ti 과 TiN 로 이루어진 단일 막 또는 Ti 과 TiN 이 순차 적층 되 어 있 는 이 중막 으로 이루어지 는 것 이 바람직 하 다 .