다음 에 , 도 3 c 에 도시 하 는 바 와 같이 , 한 쌍 의 전극 ( 71 ) 및 산화물 반도체 막 ( 75 ) 위 에 게이트 절 연막 ( 77 ) 을 형성 한다 . 다음 에 게이트 절 연막 ( 77 ) 위 에서 산화물 반도체 막 ( 75 ) 과 중첩 하 는 영역 에 게이트 전극 ( 79 ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 게이트 절 연막 ( 77 ) 및 게이트 전극 ( 79 ) 위 에 보호막 으로서 절 연막 ( 81 ) 을 형성 하 여도 좋 다 .