도 4 b 를 참조 하 면 , 유전체 막 ( 303 ) 에 일 이상 의 콘 택 홀 ( ONC ) 을 형성 한다 . 콘 택 홀 ( ONC ) 은 소정 의 포토레지스트 패턴 을 식각 마스크 로 사용 하 는 식각 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 포토레지스트 패턴 은 형성 하 고자 하 는 콘 택 홀 ( ONC ) 의 영역 이 개방 된 형상 을 가질 수 있 으며 , 형성 하 고자 하 는 콘 택 홀 ( ONC ) 의 위치 및 그 형태 에 따라 그 형상 은 변형 될 수 있 다 . 유전체 막 ( 303 ) 을 식각 하 여 콘 택 홀 ( ONC ) 을 형성 함 으로써 제 1 도 전막 ( 302 ) 의 일부 가 노출 된다 . 식각 공정 에서 사용 되 는 식각 가스 로 는 제 1 도 전막 ( 302 ) 보다 유전체 막 ( 303 ) 의 식각 선택 비 가 높 은 식각 가스 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 에 따르 면 , 콘 택 홀 ( ONC ) 이 형성 되 는 과정 에서 노출 되 는 제 1 도 전막 ( 302 ) 이 식각 공정 으로 인해 손상 되 는 비율 을 감소 시킬 수 있 다 .