도 15 c 를 참조 하 면 , 초기 제 1 절연 층 ( IL 1 - A ) 상 에 제 1 제어 전극 ( CE 1 ) , 제 2 제어 전극 ( CE 2 ) , 및 제 1 전극 ( CPE 1 ) 을 형성 한다 . 도 15 c 는 예시 적 인 것 이 며 , 제 1 제어 전극 ( CE 1 ) 및 제 2 제어 전극 ( CE 2 ) 은 동일 한 것 일 수 있 으며 , 이 경우 , 초기 제 1 반도체 패턴 ( SP 1 - A ) 상 에 제 1 제어 전극 ( CE 1 ) 및 제 2 제어 전극 ( CE 2 ) 의 역할 을 동시 에 수행 하 는 공통 제어 전극 이 형성 될 수 있 다 . 제 1 제어 전극 ( CE 1 ) , 제 2 제어 전극 ( CE 2 ) , 및 제 1 전극 ( CPE 1 ) 각각 은 초기 제 1 절연 층 ( IL 1 - A ) 상 에 도전 층 ( 미 도시 ) 형성 한 후 , 도전 층 을 패 터닝 하 는 방법 으로 형성 될 수 있 다 .