도 6 을 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 300 ) 에 형성 된 소자 분리 막 ( 316 ) 에 대해 전면 식각 을 실시 하 여 소자 분리 막 이 노출 된 표면 으로부터 일정 두께 ( d ) 만큼 식각 하 여 소자 분리 막 ( 316 ) 을 리세 스 ( recess ) 시킨다 . 여기 서 소자 분리 막 ( 316 ) 을 식각 하 여 리세 스 시키 는 단계 는 식각 용액 을 이용 하 는 습식 식각 으로 진행 할 수 있 다 .