웨이퍼 의 전면 ( front surface ) 에 얇 은 실리콘 층 을 성장 시키 기 위해서 반도체 웨이퍼 는 화학 기상 증착 공정 , 예 를 들 어 에피 택 셜 증착 공정 을 거치 게 된다 . 이 공정 은 디바이스 들 이 직접 적 으로 고품질 에피 택 셜 층 ( high quality epitaxial layer ) 상 에서 제조 될 수 있 게 한다 . 종래 의 에피 택 셜 증착 공정 들 은 미국 특허 제 5 , 904 , 769 호 및 제 5 , 769 , 942 호 에 개시 되 어 있 으며 , 이 는 본 명세서 에서 참조 문헌 으로 이용 된다 .