트랜지스터 를 형성 하 기 위해서 필요 한 복수 의 층 중 , 산화물 반도체 층 으로 형성 된 채널 부 에 법선 방향 을 따라 조사 될 수 있 는 광 의 광로 에 해당 하 는 층 의 , 각각 의 완성 된 막 두께 를 , 그 층 의 굴절 율 과 상하 층 의 굴절 율 의 관계 에서 , 본 실시 형태 에 따라서 설정 하 면 좋 다 . 그 구성 을 채용 함 으로써 트랜지스터 에 대한 기능 을 손상 시키 지 않 고 , 산화물 반도체 층 으로 형성 된 채널 부가 흡수 하 는 파장 영역 의 광 의 반사 율 을 높이 는 것 이 가능 해 지 고 , 산화물 반도체 층 으로 형성 된 채널 부 에 흡수 되 는 광 의 양 을 저감 시켜 광 열화 의 저감 효과 를 높일 수 있 다 .