층 ( 예컨대 , 유전체 층 , 게이트 층 , 및 마스크 층 ) 이 형성 된 후 에 , 마스크 층 은 조건 에 맞 는 포토 리소그래피 및 에칭 기술 을 사용 하 여 , 마스크 ( 70 ) 를 형성 하 도록 패 터닝 될 수 있 다 . 그런 다음 마스크 ( 70 ) 의 패턴 은 조건 에 맞 는 에칭 기술 에 의해 게이트 층 및 유전체 층 에 전사 되 어 각각 게이트 ( 66 ) 및 게이트 유전체 ( 66 ) 를 형성 할 수 있 다 . 게이트 ( 68 ) 및 게이트 유전체 ( 66 ) 는 반도체 핀 ( 64 ) 의 각각 의 채널 영역 을 덮 는다 . 또한 게이트 ( 68 ) 는 각각 의 반도체 핀 ( 64 ) 의 길 이 방향 에 대해 실질 적 으로 수직 인 길 이 방향 을 가질 수 도 있 다 .