상기 식각 장벽 패턴 ( 116 a ) 은 , 구체 적 으로 , 소스 전극 ( 106 c ) 및 오 믹 접촉 패턴 ( 118 a ) 사이 , 및 드레 인 전극 ( 108 d ) 및 오 믹 접촉 패턴 ( 118 a ) 사이 에 형성 되 므로 , 상기 습식 식각 선택 비 특성 뿐 만 아니 라 오 믹 특성 이 좋 은 금속 재질 로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 식각 장벽 패턴 ( 116 a ) 의 재질 은 티타늄 , 티타늄 합금 , 탄 탈륨 및 탄 탈륨 합금 중 에서 선택 된 어느 하나 일 수 있 다 . 식각 장벽 패턴 ( 116 a ) 이 상술 한 재질 로 형성 될 경우 에 식각 장벽 패턴 ( 116 a ) 은 건식 식각 공정 을 통해 형성 될 수 있 다 .