즉 , N 타입 의 웰 영역 ( 40 ) 에 는 배선 영역 ( 44 ) 의 반대쪽 측면 에서부터 배선 영역 ( 44 ) 방향 으로 각 PMOS 트랜지스터 ( P 1 ~ P 4 ) 에 대응 되 는 액티브 영역 ( A _ P ) 이 소정 간격 을 두 고 순서 대로 형성 된다 . 그리고 , 각 액티브 영역 ( A _ P ) 상 에 걸쳐 핑거 구조 의 게이트 ( CG ) 가 공통 으로 형성 되 고 , 각 액티브 영역 ( A _ P ) 에 는 게이트 ( CG ) 의 양측 으로 소스 및 드레 인 영역 ( S _ P , D _ P ) 이 교대 로 형성 된다 .