직사각 형 과 같이 다른 다이오드 형상 과 트랜지스터 와 같이 다른 조종 소자 가 또한 사용 될 수 있 다 . 셀 은 여러 타입 의 OTP ( one - time programmable ) 또는 재 기록 가능 한 셀 이 될 수 있 다 . 셀 에서 저항 스위칭 소자 의 예 는 안티 퓨즈 , 퓨즈 , 폴리 실리콘 메모리 효과 셀 , 금속 산화물 메모리 , 스위치 가능 복합 금속 산화물 , 그라핀 층 , 카본 나노 튜브 메모리 , 상 변환 물질 메모리 , 전도 브리지 소자 , 또는 스위치 가능 중합체 메모리 를 포함 한다 . 다른 구성 에서 , 다이오드 자체 는 조종 소자 와 저항 스위칭 소자 를 모두 포함 할 수 있 다 . 이 경우 , 셀 은 다이오드 만 포함 하 거나 , 안티 퓨즈 와 같 은 제 2 저항 스위칭 소자 와 다이오드 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 메모리 셀 ( 102 ) 은 일반 적 으로 사 웁 와 하부 전도체 사이 에 배치 된 필러 형상 안 에 있 다 . 일반 적 인 형상 의 필러 는 필러 가 달걀 모양 , 직사각 형 , 또는 다른 다각형 형상 과 같 은 비 - 원형 단면 형상 을 가질 수 있 지만 일반 적 으로 원통형 이 다 . 예 를 들 어 , 필러 는 타원 원통형 , 사선 원통형 , 일반 화 된 원통형 , 프리즘 , 또는 6 각 형 프리즘 을 포함 할 수 있 다 . 메모리 셀 의 일반 적 인 형상 의 기하학 적 설명 은 제한 이 없 고 , 당업자 는 메모리 셀 이 임의 의 특정 형상 또는 구조 에 제한 되 지 않 는다는 것 을 인정 할 것 이 다 .