폴리 실리콘 ( poly Si ) 웨이퍼 에 실리콘 저 매 늄 ( Si 0 . 7 Ge 0 . 3 ) 막 이 증착 된 금속 막 을 준비 하 였 다 . 상기 기판 을 1 . 5 x 1 . 5 cm 크기 로 샘플링 한 후 , 25 ℃ 에서 상기 실시 예 1 - 2 내지 10 - 2 및 비 교예 1 - 2 내지 6 - 2 의 각각 의 식각 액 조성물 ( 500 ppm ) 에 1 분 간 침적 한 후 물 로 세정 하 였 다 . 세정 된 기판 은 엘 립 소 미터 ( Ellipsomter , SE - MG - 1000 ) 을 통해 각각 의 막 질 의 손상 여부 를 아래 와 같 은 기준 으로 판단 하 여 그 결과 를 표 3 에 표시 하 였 다 .