도 14 a 및 도 14 b 를 참조 하 면 제 3 마스크 공정 으로 반도체 패턴 ( 48 ) 및 소스 / 드레 인 패턴 을 덮 도록 제 2 절 연막 ( 35 ) 상 에 형성 되 고 드레 인 전극 ( 40 ) 을 노출 시키 는 접촉 홀 ( 42 ) 을 포함 한 제 3 절 연막 ( 41 ) 이 형성 된다 . 제 3 절 연막 ( 41 ) 으로 는 SiOx , SiNx 등 과 같 은 무기 절연 물질 이 이용 되 거나 , 아크릴 계 유기 화합물 , BCB ( benzo cyclobutene ) , PFBC ( Perfluorocyclobutane ) , 테 프론 ( teflon ) , 사이 토프 ( Cytop ) 와 같 은 유기 절연 물질 이 이용 된다 .