이 와 같 은 최종 게이트 패턴 ( 210 ) 을 참조 하 면 , 게이트 전극 용 텅스텐 막 의 전체 두께 가 증가 하 여 게이트 저항 이 감소 됨 을 알 수 있 다 . 아울러 , 게이트 전극 용 텅스텐 막 의 두께 증가 에 도 불구 하 고 SAC 공정 을 먼저 수행 하 여 게이트 하드 마스크 의 두께 를 감소 시킬 수 있 으므로 게이트 패턴 의 종횡비 가 증가 하 지 않 는 장점 이 있 다 .