이어서 , 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 263 a ) 을 식각 마스크 로 이용 하 여 상기 원시 패 시베이 션 막 ( 도 16 의 128 ') 및 상기 원시 게이트 절 연막 ( 도 16 의 126 ') 을 부분 적 으로 식각 하 여 상기 패 시베이 션 막 ( 128 ) , 상기 드레 인 전극 ( 119 ) 의 측면 을 커버 하 는 커버 패턴 ( 128 a ) 및 상기 게이트 절 연막 ( 126 ) 을 형성 한다 .