모든 플 라즈 마 침착 공정 이 플 라즈 마 중합체 로 이어지 는 것 은 아니 다 . 무기 박막 은 종종 무정형 규소 , 산화 규소 , 질화규소 , 질화알루미늄 등 과 같 은 무기 박막 을 생성 하 기 위하 여 상승 된 기판 온도 에서 PECVD 에 의해 침착 된다 . 보다 낮 은 온도 에서 의 공정 이 무기 전구체 , 예 를 들 어 실란 ( SiH 4 ) 및 암모니아 ( NH 3 ) 와 함께 사용 될 수 있 다 . 일부 경우 에 , 전 구체 에 존재 하 는 유기 성분 은 전구체 혼합물 을 과량 으로 유동 되 는 산소 와 함께 공급 함 으로써 플 라즈 마 에서 제거 된다 . 규소 풍부 필름 은 종종 테트라메틸 다 이 실록 산 ( TMDSO ) - 산소 혼합물 로부터 생성 되 며 , 여기 에서 산소 유속 은 TMDSO 유속 의 10 배 이 다 . 이러 한 경우 에서 생성 된 필름 은 산소 대 규소 의 비 가 약 2 이 며 , 이 는 이산화규소 의 산소 대 규소 의 비 와 비슷 하 다 .