이온 화 게이지 ( 100 ) 는 기술 된 시드 전자 소스 로서 복수 의 냉 전자 방출 기 들 ( 105 ) 을 또한 포함 할 수 있 다 . 방출 기 들 ( 105 ) 이 도 1 a 에 도시 된 것 과 유사 한 방식 으로 애노드 ( 115 ) 가까이 에 일반 적 으로 위치 되 나 , 도시 된 원통형 애노드 ( 115 ) 주위 에 추가 적 인 방위각 위치 에 위치 된다 . 전자 소스 ( 105 ) 는 도 1 a 에 도시 된 원통형 애노드 ( 115 ) 의 단부 에 근접 하 게 또 한 위치 될 수 있 다 . 더욱이 , 냉 전자 방출 기 ( 105 ) 의 작동 에 해로울 수 있 는 예측 하 지 못한 환경 조건 들 에 대해 요구 되 는 냉 전자 방출 기 ( 105 ) 에 대한 백업 으로서 , 추가 적 인 통상 적 제 2 열음극 ( 105 ')( 도 8 ) 이 전술 된 복수 의 냉 전자 방출 기 들 ( 105 ) 의 것 과 유사 한 방식 으로 게이지 조립 체 ( 100 ) 에 또한 위치 될 수 있 다 . 이것 은 현재 실행 되 지 않 는 미래 의 알려 지 지 않 은 가스 환경 들 을 위해 제공 될 것 이 다 . 필요 하 다면 압력 신호 에 대해 사용 되 는 현재 이온 이 극도 로 작 을 경우 에 극도 로 낮 은 압력 들 에 추가 된 방출 을 또한 제공 할 것 이 다 .