실리콘 맨드릴 제거 를 위한 또 다른 옵션 은 HBr 과 O 2 의 혼합물 로 형성 된 플 라즈 마의 사용 이 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 에칭 이 시작 되 기 전 에 , 박형 의 실리콘 옥사이드 보호 층 이 실리콘 맨드릴 들 의 표면 으로부터 제거 된다 . 이 는 플루오르화 탄소 를 포함 하 는 프로세스 가스 로 형성 된 플 라즈 마 에 기판 을 짧 게 노출 함 으로써 이루어질 수 있 다 . 맨드릴 들 로부터 보호 실리콘 옥사이드 층 의 제거 후 , 실리콘 이 선택 적 으로 에칭 된다 . 일부 실시 예 들 에서 , 이 단계 에서 기판 에 대해 상대 적 으로 작 은 RF 바이어스 를 사용 하 거나 , 외부 바이어스 가 전혀 없 는 것 이 바람직 하 다 . 외부 바이어스 가 사용 되 지 않 으면 , 기판 의 자 가 바이어스 ( 10 내지 20 V ) 가 충분 하 다 . 바이어스 가 없 거나 저 바이어스 조건 들 하 에서 , HBr / O 2 플 라즈 마는 주석 옥사이드 및 실리콘 옥사이드 의 존재 시 실리콘 을 선택 적 으로 에칭 할 것 이 다 . 이 에칭 은 실리콘 - 함유 화합물 들 을 포함 하 는 ESL 의 존재 시 수행 될 수 있 다 .