그 다음 , 도 7 e 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 도전 성 이물 방지 예비 패턴 을 마스크 로 상기 투명 도 전막 을 식각 하 여 제 2 콘 택 홀 ( 118 H 2 ) 과 화소 부 을 덮 는 화소 전극 ( 122 P 2 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 투명 도 전막 식각 공정 은 습식 식각 으로 진행 한다 . 한편 , 상기 화소 전극 ( 122 P 2 ) 형성 과 동시 에 제 1 콘 택 홀 ( 118 H 1 ) 및 제 3 콘 택 홀 ( 118 H 3 ) 을 덮 는 각각 의 게이트 패드 상부 전극 ( 122 P 1 ) 및 데이터 패드 상부 전극 ( 122 P 3 ) 이 형성 된다 .