트랜지스터 는 , 기판 위 에 , 게이트 전극 과 , 게이트 절연 층 과 , 아모 퍼스 산화물 로 이루어진 반도체 층 과 , 소스 - 드레 인 전극 과 , 보호 층 을 구비 한다 . 상기 반도체 층 은 , 상기 소스 - 드레 인 전극 이 형성 된 영역 에 대응 하 는 제 1 의 영역 과 , 상기 소스 - 드레 인 전극 이 형성 된 영역 에 대응 하 지 않 는 제 2 의 영역 을 포함 한다 . 적어도 상기 제 1 의 영역 은 상기 제 2 의 영역 의 아모 퍼스 산화물 의 조성 과 다른 조성 을 갖 는 결정 성분 을 포함 한다 .