그러나 , 특허 문헌 1 기재 와 같이 영구 자석 을 마스크 박 의 길 이 방향 으로 복수 의 N 극 과 복수 의 S 극 을 주기 적 으로 배치 한 경우 , 마스크 박 의 교 차부 에서 자기 간섭 이 생긴다 . 그 때문 에 , 흡 착력 이 상정 한 것 보다 커 지 거나 , 작아지 거나 하 여 , 마스크 박 의 흡 착력 에 불 균일 이 생기 는 경우 가 있 다 . 또한 , 복수 의 영구 자석 사이 에 간격 을 두 면 , 자기 간섭 은 회피 할 수 있 지만 다른 장소 에 비해 흡 착력 이 저하 된다 . 이러 한 , 흡 착력 의 불 균일 은 , 기판 과 마스크 박 의 틈 의 요인 이 될 수 있 다 .