본 발명 은 초음파 화학 적 반응 ( Ultrasonic Chemistry Reaction ) 에 의한 산화 인듐 분말 의 제조 에 관한 것 으로 , 특히 인듐 화합물 의 원료 용액 에 중화제 를 사용 하 여 반응 시 초음파 를 인가 하 여 생성 되 는 분말 의 내부 공동 현상 을 파괴 하 고 , 분산 된 평균 1 차 입자 크기 가 50 ㎚ 이하 의 산화 인듐 분말 을 제조 하 는 방법 에 관한 것 이 다 . 본 발명 은 평면 디스플레이 디바이스 의 투명 전 극막 으로서 널리 사용 되 고 있 는 박막 재료 용 고밀도 의 ITO 타 겟 재의 제조 를 위한 산화 인듐 분말 의 제조 방법 을 제공 한다 .