도 3 a 및 도 3 b 는 캐리어 ( 20 ) 위 에 코어 프레임 ( 26 ) 을 배치 하 는 것 을 도시 한다 . 각각 의 공정 은 도 16 에 도시 된 공정 흐름 ( 200 ) 에서 공정 ( 204 ) 으로 도시 된다 . 코어 프레임 ( 26 ) 은 또한 DAF ( 23 ) 를 통해 캐리어 ( 20 ) 에 부착 될 수 있 다 . 대안 적 실시 예 에 따르 면 , 모든 SoC 다이 ( 100 ) 및 HBM 스택 ( 108 ) 이 위 에 부착 되 는 웨이퍼 레벨 DAF 를 형성 하 는 대신 에 , 패키지 컴포넌트 ( 24 ) 및 HBM 스택 ( 108 ) 각각 은 그 아래 에 개별 DAF 를 가질 수 있 고 , 그 개별 DAF 는 대응 하 여 그 위 에 위치 하 는 패키지 컴포넌트 ( 24 ) 및 HBM 스택 ( 108 ) 과 동일 한 형상 및 동일 한 크기 를 가질 수 있 다 . 마찬가지 로 , 웨이퍼 레벨 DAF 가 사용 되 지 않 을 때 , DAF 가 또한 접착 을 위해 코어 프레임 ( 26 ) 의 하부 에 부착 될 수 있 다 . 도 3 b 에 도시 된 바 와 같이 , 코어 프레임 ( 26 ) 은 직사각 형 링 을 형성 하 며 , 스루 개구부 ( 28 ) 가 그 안 에 위치 하 고 , 패키지 컴포넌트 ( 24 ) 가 개구부 ( 28 ) 에 위치 할 수 있 다 . 본 개시 의 일부 실시 예 에 따르 면 , 코어 프레임 ( 26 ) 은 유사 한 구조물 을 가지 며 , 코어 형 패키지 기판 에서 코어 프레임 과 동일 한 재료 로 형성 될 수 있 다 . 그러나 , 코어 형 패키지 기판 에서 코어 프레임 ( 26 ) 에 도금 스루홀 ( PTH : Plating Through - Holes ) 이 없 다는 점 에서 , 코어 프레임 ( 26 ) 은 종래 의 코어 형 패키지 기판 과 상이 하 다 . PTH 는 코어 유전체 를 관통 하 는 ( 예 를 들 어 , 구리 를 포함 할 수 있 는 금속 과 같 은 ) 도전 성 파이프 이 며 , 코어 유전체 의 양면 들 위 의 전기 신호 및 전력 을 전도 하 는 데 사용 된다 . 또한 , 코어 프레임 ( 26 ) 은 코어 유전체 ( 32 ) 의 대향 하 는 측 부 위 의 금속 플레이트 ( 30 ) 를 포함 하 고 , 이 금속 플레이트 ( 30 ) 는 그 안 에 홀 및 파단 ( break ) 이 없 는 블랭킷 금속 플레이 트일 수 있 으며 , 이 는 종래 의 코어 형 패키지 기판 의 패 터닝 된 RDL 과 상이 하 다 . 금속 플레이트 ( 30 ) 는 휨 에 대한 코어 프레임 ( 26 ) 의 저항 이 개선 되 도록 구조 적 지지 를 제공 하 는 기능 을 갖 는다 .