본 발명 의 실시 예 에서 는 , 유리 기판 을 투광 기판 으로서 사용 하 고 , 다양 한 레지스 트 들 을 경화 하 거나 CVD 를 수행 할 때 기판 에 100 ℃ 내지 200 ℃ 의 온도 를 가한다 . 실리콘 과 유리 의 열팽창 계수 들 이 서로 다르 면 , 실리콘 반도체 기판 ( 10 ) 은 파괴 되 거나 균열 된다 . 이 에 따라 , 실리콘 의 열팽창 계수 와 거의 동일 한 열팽창 계수 를 갖 는 유리 를 사용 할 필요 가 있 다 . 또한 , 실리콘 의 열팽창 계수 와 거의 동일 한 열팽창 계수 를 갖 는 유리 는 일반 적 으로 고 저항 을 갖 는 절연체 이 다 . 그러나 , 처리 되 고 있 는 샘플 은 , RIE 장치 , 애셔 ( asher ) 장치 , 스퍼터링 장치 등 에서 기계 적 처크 가 아닌 정전 처크 에 의해 유지 된다 . 이 경우 , 정전 처크 에 의해 유리 기판 을 유지 할 수 없 다 . 이러 한 문제점 을 회피 하 기 위해 , 유리 표면 상 에 도전 막 또는 판 을 부착 해야 하 며 , 또는 유리 표면 을 도전 성 액체 로 스핀 코팅 해야 한다 .