한편 , 도 9 의 종래 기술 의 순서 및 도 10 의 본 실시 형태 의 제 2 순서 에서 는 , 제 1 스텝 에서 실리콘 웨이퍼 표면 에 HCD 의 흡착 층 이 형성 되 는 경우 에 대해서 설명 했 는데 , 제 1 스텝 에서 공급 한 HCD 가스 가 자기 분해 하 여 실리콘 웨이퍼 표면 에 실리콘 층 이 형성 되 는 경우 에 대해서 도 동일 하 다고 할 수 있 다 . 그 경우 , 도 9 , 도 10 의 HCD 분자 를 Si 분자 로 치환 하 면 , 동일 한 설명 이 가능 하 다 .