상기 방법 ( 900 ) 은 실질 적 으로 단결정 성 인 실리콘 층 에 연결 되 는 에피 택 셜 GaN 층 을 성장 시키 는 단계 ( 906 ) , 및 에피 택 셜 GaN 층 에 연결 되 는 2 차원 전자 가스 ( 2 DEG ) 유도 층 을 성장 시키 는 단계 ( 908 ) 를 더 포함 할 수 있 다 . 상기 방법 ( 900 ) 은 2 DEG 유도 층 의 제 1 영역 에 연결 되 는 드레 인 을 형성 하 는 단계 ( 910 ) , 2 DEG 유도 층 의 제 2 영역 에 연결 되 는 소스 를 형성 하 는 단계 ( 912 ) , 2 DEG 유도 층 의 제 3 영역 에 연결 되 는 게이트 유전체 층 을 형성 하 는 단계 ( 914 ) , 및 게이트 유전체 층 에 연결 되 는 게이트 를 형성 하 는 단계 ( 916 ) 를 더 포함 할 수 있 다 .