이때 , 전자 밀도 의 미분 값 ( dNsc ) 은 , 아래 의 수학식 8 에 나타낸 바 와 같이 , 공핍 모드 에서 반도체 층 ( ACT ) 에 축적 되 는 유효 전자 밀도 ( Nsac ) 와 , 서브 문턱 모드 에서 반도체 층 ( ACT ) 에 축적 되 는 유효 전자 밀도 ( Nsb ) 에 따라 정의 된다 . 그리고 , 공핍 모드 에서 반도체 층 ( ACT ) 에 축적 되 는 유효 전자 밀도 ( Nsac ) 는 , 아래 의 수학식 9 에 나타낸 바 와 같이 , 게이트 절 연막 ( GI ) 의 유전율 ( ε 1 ) 과 게이트 전압 ( Vgs ) 에 대응 하 는 변수 ( Vgte ) 에 비례 하 고 , 전하량 ( q ) 과 게이트 절 연막 ( GI ) 의 두께 ( TOX ) 에 반비례 한 값 으로 도출 된다 .