한편 , 비트 라인 ( Bitline ) 형성 이후 에 스택 캐 패 시터 ( stack capacitor ) 를 형성 시키 는 최소 선폭 이 100 nm 이하 의 초 고집 적 소자 에서 , 선폭 이 좁 아 짐 에 따라 스택 캐 패 시터 와 스토리지 노드 접합 ( storage node junction ) 간 을 배선 할 목적 으로 형성 되 는 스토리지 노드 콘 택 형성 이 매우 어려워 지 게 되 었 다 . 매우 작 은 반경 의 콘 택 홀 하드 마스크 패턴 형성 이 한계 에 다 다르 게 됨 에 따라서 스토리지 노드 콘 택 형성 방법 이 기존 홀 타입 ( hole type ) 방식 대신 라인 타입 ( line type ) 방식 으로 전환 되 고 있 다 .