방법 ( 600 B ) 은 어레이 상호 접속 층 이 주변 상호 접속 층 과 결합 되 는 동작 ( 628 ) 으로 진행 한다 . 어레이 상호 접속 층 은 제 1 기판 과 제 2 기판 을 플립 칩 본딩 함 으로써 주변 상호 접속 층 과 결합 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 는 , 결과 적 인 3 D 메모리 장치 에서 어레이 상호 접속 층 이 주변 상호 접속 위 에서 그 와 접촉 하 도록 , 어레이 상호 접속 층 및 주변 상호 접속 층 은 대 면 방식 으로 제 1 기판 및 제 2 기판 의 하이브리드 본딩 에 의해 결합 된다 .