구체 적 으로 , 포토레지스트 막 ( 210 ) 상 에 원자 현미경 ( AFM ) 을 이용 하 여 포토 레 지스 트 막 ( 210 ) 의 일부 영역 ( b ) 에 빛 을 조사 하 는 노광 공정 을 수행 한다 . 여기 서 빛 이 조사 된 부분 이 후속 진행 될 현상 공정 에서 현상액 에 의해 제거 되 지 않 는 네거티브 타입 의 포토레지스트 물질 의 특성 에 의해 패턴 을 형성 할 영역 에 빛 을 조사 한다 . 그러면 , 투과 된 빛 이 포토레지스트 막 의 노광 지역 에 광화학 반응 을 일으켜 빛 이 조사 된 부분 과 조사 되 지 않 은 부분 의 용해도 차이 를 유발 한다 .