본 발명 의 핀 - 스텝 ( FIN - step ) 형 트랜지스터 의 제조 방법 은 , 트랜 치 소자 분리 막 에 의해 한정 되 는 반도체 기판 의 활성 영역 의 일부 를 식각 하 여 리세 스 된 제 1 영역 및 리세 스 되 지 않 은 제 2 영역 을 한정 하 는 단계 와 , 제 1 영역 및 제 2 영역 의 측면 이 노출 되 도록 트랜 치 소자 분리 막 을 일정 두께 제거 하 는 단계 와 , 수직면 에 대한 제 1 각도 의 틸 트 이온 주입 방법 을 사용 하 여 제 1 영역 및 제 2 영역 의 노출 측면 에 대한 1 차 채널 이온 주입 을 수행 하 는 단계 와 , 제 1 각도 보다 작 은 제 2 각도 의 틸 트 이온 주입 방법 을 사용 하 여 제 1 영역 및 제 2 영역 의 상부 에 대한 2 차 채널 이온 주입 을 수행 하 는 단계 와 , 그리고 제 1 영역 및 제 2 영역 사이 의 계단 형 단차 와 중복 되 도록 게이트 절 연막 및 게이트 스택 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .