반도체 제조 공정 에서 많이 사용 되 는 박막 증착 공정 은 주로 이온 화 된 플 라즈 마 가스 를 사용 하 여 반응물 을 웨이퍼 위 에 침전 시켜 새로운 막 을 형성 하 는 방법 을 사용 하 고 있 다 . 또한 , 원 하 는 패턴 을 형성 하 기 위한 건 식각 공정 역시 이온 화 된 플 라즈 마 가스 를 사용 하 여 웨이퍼 상 의 특정 물질 을 식각 하 는 방법 을 사용 한다 .