이때 , 상기 결정 화 된 제 1 실리콘 층 ( 114 ) 위 에 형성 된 순수 비정질 실리콘 의 제 2 실리콘 층 ( 119 ) 을 형성 하 는 이유 는 상기 폴리 실리콘 의 제 1 실리콘 층 ( 114 ) 을 형성 함 으로써 폴리 실리콘 특성 상 이동도 ( mobility ) 가 월등히 향상 되 지만 , 부가 적 으 로 불순물 을 포함 하 는 오 믹 콘 택 층 ( 125 ) 과 결정 화 된 제 1 실리콘 층 ( 114 ) 간 의 경계 에서 누설 전류 가 증가 함 으로써 오프 전류 ( Ioff ) 또한 커지 게 되 므로 이러 한 누설 전류 의 증가 를 줄이 기 위함 이 다 .