도 2 를 참조 하 면 , 종래 의 플래시 소자 제조 의 공정 순서 는 , 먼저 , 반도체 기판 ( 10 ) 에 얕 은 소자 분리 ( STI ) 공정 을 수행 하 고 , PMOS / NMOS 웰 ( well ) 형성 공정 및 손상 어닐링 ( damage annealing ) 을 수행 한다 . 이후 에 , 스토리지 노드 로 이용 되 는 ONO 층 ( Oxide ( 21 ) - Nitride ( 23 ) - Oxide ( 25 ) : 20 ) 을 형성 하 는 공정 을 실시 한 후 치밀 화 ( densification ) 를 수행 한다 .