가열 에 의하 여 산소 의 일부 가 탈리 되 는 산화물 절 연막 의 대표 적 인 예 로서 산화 실리콘 막 을 형성 하 는 경우 , 석영 ( 바람직 하 게 는 합성 석영 ) 을 타깃 으로 사용 하 고 , 기판 온도 30 ℃ 이상 450 ℃ 이하 ( 바람직 하 게 는 70 ℃ 이상 200 ℃ 이하 ) , 기판 과 타깃 사이 의 거리 ( T - S 간 거리 ) 를 20 mm 이상 400 mm 이하 ( 바람직 하 게 는 40 mm 이상 200 mm 이하 ) , 압력 을 0 . 1 Pa 이상 4 Pa 이하 ( 바람직 하 게 는 0 . 2 Pa 이상 1 . 2 Pa 이하 ) , 고주파 전원 을 0 . 5 kW 이상 12 kW 이하 ( 바람직 하 게 는 1 kW 이상 5 kW 이하 ) , 성막 가스 중 의 O 2 / ( O 2 + Ar ) 비율 을 1 % 이상 100 % 이하 ( 바람직 하 게 는 6 % 이상 100 % 이하 ) 로 하 여 RF 스퍼터링 법 에 의하 여 산화 실리콘 막 을 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 석영 ( 바람직 하 게 는 합성 석영 ) 타깃 대신 에 실리콘 타깃 을 사용 할 수 도 있 다 . 또한 , 성막 가스 로서 는 , 산소 만 을 사용 하 여도 좋 다 .