도 3 a 를 참조 하 면 , 소자 분리 공정 을 이용 하 여 반도체 기판 이나 금속 산화물 단결정 기판 을 포함 하 는 기판 ( 200 ) 상 에 산화물 로 이루어진 소자 분리 막 ( 205 ) 을 형성 한다 . 예 를 들 면 , 소자 분리 막 ( 205 ) 은 STI 공정 또는 열 산화 공정 을 통해 형성 될 수 있 다 . 소자 분리 막 ( 205 ) 의 형성 에 따라 기판 ( 200 ) 에 는 액티브 영역 및 필드 영역 이 정의 된다 .