도 3 a 는 본 개시 내용 의 예 들 에 따른 , 터치 노드 전극 ( 302 ) 및 감지 회로 ( 314 ) 의 자기 - 용량 측 정부 에 대응 하 는 예시 적 인 터치 센서 회로 ( 300 ) 를 예시 한다 . 터치 노드 전극 ( 302 ) 은 터치 스크린 ( 400 ) 의 터치 전극 ( 404 또는 406 ) 또는 터치 스크린 ( 402 ) 의 터치 노드 전극 ( 408 ) 에 대응 할 수 있 다 . 터치 노드 전극 ( 302 ) 은 그 와 연관 된 접지 에 대한 고유 한 자기 - 용량 을 가질 수 있 고 , 또한 손가락 ( 305 ) 과 같 은 물체 가 전극 에 근접 해 있 거나 터치 하 는 경우 에 형성 되 는 접지 에 대한 부가 적 인 자기 - 용량 을 가질 수 있 다 . 터치 노드 전극 ( 302 ) 의 접지 에 대한 총 자기 - 용량 은 용량 ( 304 ) 으로 예시 될 수 있 다 . 터치 노드 전극 ( 302 ) 은 감지 회로 ( 314 ) 에 커플링 될 수 있 다 . 감지 회로 ( 314 ) 는 연산 증폭기 ( 308 ) , 피드백 저항기 ( 312 ) 및 피드백 커패시터 ( 310 ) 를 포함 할 수 있 지만 , 다른 구성 들 이 채용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 피드백 저항기 ( 312 ) 는 가변 피드백 저항기 에 의해 야기 될 수 있 는 기생 용량 효과 를 최소 화 하 기 위해 스위치 드 - 커패시터 저항기 ( switched capacitor resistor ) 에 의해 대체 될 수 있 다 . 터치 노드 전극 ( 302 ) 은 연산 증폭기 ( 308 ) 의 반전 입력 ( -) 에 커플링 될 수 있 다 . AC 전압 원 ( 306 ) ( Vac ) 이 연산 증폭기 ( 308 ) 의 비 - 반전 입력 ( +) 에 커플링 될 수 있 다 . 터치 센서 회로 ( 300 ) 는 터치 센서 패널 을 터치 하 거나 그 에 근접 한 손가락 또는 물체 에 의해 유도 된 터치 노드 전극 ( 302 ) 의 총 자기 - 용량 ( 304 ) 에서 의 변화 들 ( 예컨대 , 증가 들 ) 을 감지 하 도록 구성 될 수 있 다 . 출력 ( 320 ) 은 근접 또는 터치 이벤트 의 존재 를 결정 하 기 위해 프로세서 에 의해 사용 될 수 있 거나 , 또는 출력 은 근접 또는 터치 이벤트 의 존재 를 결정 하 기 위해 별개 의 로직 네트워크 내 에 입력 될 수 있 다 .