각 스트링 ( ST ) 에서 , 높이 가 정의 된다 . 실시 예 에 있 어서 , 각 스트링 ( ST ) 에서 , 접지 선택 트랜지스터 ( GST ) 에 인접 한 메모리 셀 ( MC 1 ) 의 높이 는 1 이 다 . 각 스트링 ( ST ) 에서 , 스트링 선택 트랜지스터 ( SST ) 에 인접 할수록 메모리 셀 의 높이 는 증가 한다 . 각 스트링 ( ST ) 에서 , 스트링 선택 트랜지스터 ( SST ) 에 인접 한 메모리 셀 ( MC 7 ) 의 높이 는 7 이 다 .