이상 에서 설명 한 바 와 같이 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 저장 전극 형성 방법 은 , 한 번 의 저장 전극 콘 택 공정 으로 저장 전극 콘 택 플러그 와 저장 전극 간 의 콘 택 특성 을 향상 시키 고 , 반도체 소자 의 제조 공정 을 단순 화 시키 며 그 에 따른 소자 의 특성 열화 ( 복잡 한 공정 으로 인한 오염 문제 ) 를 감소 시킬 수 있 도록 하 는 효과 를 제공 한다 .