상술 한 구조 를 갖 는 본 실시 예 에 따른 적층 형 소자 는 제 6 절 연막 ( 166 ) 상 에 도전 성막 으로 형성 된 배선 층 ( 169 ) 이 형성 될 수 있 으며 , 이러 한 배선 층 ( 169 ) 에 의해 제 1 내지 제 4 상부 도전 성 플러그 ( 180 , 190 , 200 , 210 ) 를 연결 하 여 적층 형 소자 의 정전 용량 을 조절 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 내지 제 4 커패시터 가 각각 1 pF , 2 pF , 3 pF , 4 pF 의 정전 용량 을 가질 때 적층 형 소자 의 정전 용량 을 8 pF 으로 설정 하 고자 할 경우 , 제 1 커패시터 와 제 3 및 제 4 커패시터 를 배선 층 ( 169 ) 으로 연결 하 여 적층 형 소자 의 정전 용량 을 8 pF 으로 설정 할 수 있 다 . 즉 , 상기 제 6 절 연막 ( 166 ) 의 전체 구조 상 에 도전 성막 을 형성 하 고 이 를 패 터닝 하 여 상기 제 1 커패시터 와 제 3 및 제 4 커패시터 와 연결 된 제 1 상부 도전 성 플러그 와 제 3 및 제 4 도전 성 플러그 를 연결 하 여 적층 형 소자 의 정전 용량 을 8 pF 으로 설정 할 수 있 다 . 이때 , 상기 배선 층 ( 169 ) 은 상기 도전 성막 또는 도전 성 플러그 와 동일 한 물질 로 형성 되 거나 , 이 와 는 다른 도전 성 물질 로 형성 될 수 도 있 다 .