이러 한 공정 설비 는 PR 과 산화 반응 이 일어나 는 사용 처 즉 웨이퍼 나 LCD 기판 의 표면 에서 오존 의 산화 효과 를 최대 화 시키 고자 하 는 것 이 다 . 즉 , 산화 대상물 표면 에 얇 은 수 ( 水 ) 경계 막 이 형성 되 도록 vapor 나 스프레이 시스템 을 설계 하 여 공정 챔버 내 에 증기 및 고 온 분위기 를 조성 한 후 , 고농 도 오존 가스 가 웨이퍼 나 LCD 기판 의 수 경계 막 에 확산 되 도록 공정 챔버 내 에 주입 함 으로써 난 분해 성 유기 화합물 인 PR 과 빠르 게 반응 하 는 것 이 다 .