본 발명 의 실시 예 들 은 이 차원 전이 금속 칼코겐 화합물 ( TMD ) 기반 의 가스 센서 의 반응도 를 높이 기 위한 방법 으로 전극 의 종류 변화 를 통해 쇼트 키 배리어 를 조절 함 으로써 , 채널 층 인 전이 금속 칼코겐 화합물 ( TMD ) 과 금속 의 쇼트 키 배리 어 차이 에 의한 저항 변화 및 가스 에 대한 반응도 에 차이 를 확인 할 수 있 다 . 이 를 통해 가스 에 대한 반응 도 향상 과 반응 성 이 없 는 가스 에 대해서 도 전극 선택 에 따라 반응 을 형성 시키 는 데 발명 의 주 된 목적 이 있 다 .