SONOS 타입 의 플래시 메모리 소자 는 부도체 인 질화 막 에 전하 를 트랩 ( trap ) 하 여 프로그램 함 으로써 전하 손실 ( charge loss ) 이 작 기 때문 에 리 텐션 ( retention ) 특성 이 향상 될 수 있 다 . 반면 에 , 질화 막 에 트랩 된 전하 를 소거 하 는 것 은 어렵 기 때문 에 통상 적 으로 게이트 에 높 은 전압 을 가하 여 소거 한다 . 그런데 , 게이트 에 높 은 전압 을 가하 면 전하 가 질화 막 으로 유입 되 어 다시 프로그램 될 수 있 기 때문 에 소거 가 잘 되 지 않 아 소거 시간 이 증가 하 는 단점 이 있 다 . 따라서 , 전하 차 단막 을 유전 율 이 큰 물질 로 형성 하 여 전하 차 단막 의 전기장 을 약화 시키 거나 , n 형 폴리 실리콘 보다 일 함수 가 큰 금속 물질 로 메탈 게이트 를 형성 하 여 문턱 전압 을 증가 시키 는 기술 이 선보이 고 있 다 . 그런데 , 메탈 게이트 를 형성 하 려면 추가 공정 을 도입 하 여야 하 고 후속 하 는 열 공정 이나 세정 공정 등 으로 인하 여 게이트 가 손상 될 수 도 있 다 .