본 발명 에 있 어서 , 모니터링 셀 ( M / C ) 은 반도체 메모리 시스템 의 파워 - 업 ( power - up ) 시 에 검출 된다 . 따라서 , 모니터링 셀 ( M / C ) 이 프로그램 된 때 부터 반도체 메모리 시스템 이 파워 - 업 되 기 까지 의 메모리 셀 특성 변화 가 검출 될 수 있 다 . 모니터링 셀 ( M / C ) 은 해당 블록 과 동시 에 프로그램 된다 . 또는 , 모니터링 셀 ( M / C ) 은 특정 한 메모리 영역 ( 예 를 들 면 , 하나 의 블록 ) 에 대한 최초 읽 기 동작 이 수행 되 는 경우 에 검출 될 수 있 다 . 마지막 으로 , 모니터링 셀 ( M / C ) 은 읽 기 오류 개수 가 기준 개수 이상 인 경우 에 검출 될 수 있 다 .