대부분 의 전도성 고분자 는 가시광선 영역 의 빛 을 흡수 하 기 때문 에 투명도 가 많이 저하 되 는 단점 이 있 다 . 따라서 이 들 전도성 고분자 는 높 은 투명 성 이 요구 되 지 않 는 분야 로 의 사용 으로 그 용도 가 제한 되 지만 , 본원 발명 의 다이 옥시 싸이오펜 계 전도성 고분자 단량체 로부터 제조 되 는 전도성 고분자 는 기존 의 전도성 고분자 에 비해 산화 상태 의 고분자 흡수 밴드 가 적외선 영역 에서 존재 하 므로 투명 성 이 우수 하 다 .