TFT ( 6 ) 는 게이트 라인 ( 2 ) 에 접속 된 게이트 전극 ( 8 ) 과 , 데이터 라인 ( 4 ) 에 접속 된 소스 전극 ( 10 ) 과 , 화소 전극 ( 18 ) 에 접속 된 드레 인 전극 ( 12 ) 과 , 게이트 전극 ( 8 ) 과 중첩 되 고 소스 전극 ( 10 ) 과 드레 인 전극 ( 12 ) 사이 에 채널 을 형성 하 는 활성 층 ( 14 ) 을 구비 한다 . 활성 층 ( 14 ) 은 데이터 라인 ( 4 ) , 소스 전극 ( 10 ) 및 드레 인 전극 ( 12 ) 과 중첩 되 게 형성 되 고 소스 전극 ( 10 ) 과 드레 인 전극 ( 12 ) 사이 의 채널 부 를 더 포함 한다 . 활성 층 ( 14 ) 위 에 는 데이터 라인 ( 4 ) , 소스 전극 ( 10 ) 및 드레 인 전극 ( 12 ) 과 오 믹 접촉 을 위한 오 믹 접촉 층 ( 48 ) 이 더 형성 된다 . 여기 서 , 통상 적 으로 활성 층 ( 14 ) 및 오 믹 접촉 층 ( 48 ) 을 반도체 패턴 ( 45 ) 이 라 명명 한다 .