도 2 는 예시 적 인 MuGFET 전원 스위치 ( 200 ) 의 블록 다이어그램 이 다 . 트랜지스터 ( 200 ) 는 단일 핀 또는 p - 형 트랜지스터 ( 200 ) 일 수 있 으며 , 또한 핀 ( 210 ) 으로 도 지칭 되 는 몸체 ( 210 ) 를 구비 한다 . 핀 ( 210 ) 은 기판 ( 220 ) 의 절연 표면 ( 215 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 절연 표면 ( 215 ) 은 실리콘 또는 기타 다른 반도체 기판 ( 220 ) 상 의 매립 형 산화물 또는 기타 다른 절연 층 일 수 있 다 . 핀 ( 210 ) 의 전기 적 절연 은 또한 , 만일 핀 들 이 벌크 형 실리콘 기판 상 에 형성 되 는 경우 , 공간 전하 영역 ( space - charge region ) 에 의해 제공 될 수 있 다 . 게이트 유전체 ( 230 ) 는 반도체 핀 ( 210 ) 의 상부 및 측면 상 에 형성 된다 . 게이트 전극 ( 235 ) 은 게이트 유전체 ( 230 ) 의 상부 및 측면 상 에 형성 되 며 , 금속 층 을 포함 할 수 있 다 . 소스 ( 240 ) 영역 및 드레 인 ( 245 ) 영역 은 게이트 전극 ( 235 ) 의 어느 일 측면 상 의 반도체 핀 ( 210 ) 내 에 형성 될 수 있 으며 , 다양 한 실시 예 에서 게이트 전극 ( 235 ) 아래 에서 핀 ( 210 ) 보다 상당히 더 커 지 도록 측 방향 으로 ( laterally ) 확장 될 수 있 다 .