이어서 , 보호 절연 층 ( 144 ) 상 에 층간 절연 층 ( 146 ) 을 형성 한다 ( 도 15 의 ( a ) 참조 ) . 층간 절연 층 ( 146 ) 은 PVD 법 이나 CVD 법 등 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 , 산화 실리콘 , 질화 산화 실리콘 , 질화 실리콘 , 산화 하프늄 , 산화알루미늄 , 산화 탄탈 등 의 무기 절연 재료 를 포함 하 는 재료 를 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 층간 절연 층 ( 146 ) 의 형성 후 에 는 , 그 의 표면 을 CMP 나 에칭 등 의 방법 에 의해 평탄 화 해 두 는 것 이 바람직 하 다 .