이 때 , 상부 전극 ( 15 ) 의 상부 에서 열 ( H ) 을 가하 면 상부 전극 ( 15 ) 은 고온 이 되 고 , 제 1 , 2 하부 전극 ( 13 , 14 ) 은 저온 이 되 어 온 도차 가 형성 된다 . 상기 온도 차 로 인해 N , P 형 반도체 ( 11 , 12 ) 에 기전력 이 발생 한다 . 구체 적 으로 , N , P 형 반도체 ( 11 , 12 ) 의 전하 운반자 ( charge carrier ) 가 모두 고온 에서 저온 으로 움직이 게 된다 . 따라서 N 형 반도체 ( 11 ) 에서 는 전자 가 상부 에서 하부 로 흐르 며 , P 형 반도체 ( 11 ) 에서 는 정공 ( positive hole ) 이 상부 에서 하부 로 흐르 게 된다 . 따라서 , 제 1 하부 전극 ( 13 ) 과 제 2 하부 전극 ( 14 ) 을 연결 하 는 회로 에서 , 도 1 과 같이 전류 ( I ) 가 시계 방향 으로 흐르 게 된다 .