일반 적 으로 , 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 에 사용 가능 한 DBR 구조 물 은 , 서로 굴절 률 이 다른 두 물질 을 발진 파장 의 1 / 4 두께 로 교대 로 적층 하 는데 , 이 경우 높 은 반사 율 을 얻 기 위해 두 물질 간 의 굴절 률 차이 가 커야 한다 . 이 에 , 굴절 률 차이 가 크 고 격자 정합 이 가능 한 GaAs 와 AlAs 가 주로 이용 된다 . GaAs 를 이용 하 여 제작 된 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 는 단파장 ( 1 ㎛ 이하 ) 레이저 다이오드 에 사용 하 기 적합 하 다 .