소자 영역 ( 1 A , 1 B ) 에 형성 된 산화 막 ( 7 ) 을 제거 한 후 , 도 32 에 도시 하 는 바 와 같이 , 제 1 , 제 2 영역 ( R 1 , R 2 ) 에 존재 하 는 소자 영역 ( 1 A , 1 B ) 상 에 실리콘 산화 막 ( 20 ) 을 형성 한다 . 실리콘 산화 막 ( 20 ) 의 막 두께 는 , 제 2 영역 ( R 2 ) 에 형성 되 는 고 내압 트랜지스터 의 게이트 절 연막 의 막 두께 와 동일 하 게 한다 . 또 , 고 내압 트랜지스터 의 게이트 절 연막 의 막 두께 는 , 예컨대 10 ㎚ 로 한다 .