이 를 위하 여 본 발명 에서 는 도 6 에 도시 된 바 와 같이 TiO 2 의 나노 입자 콜로이드 용액 ( nanoparticle colloidal solution ) 을 SiO 2 ( 100 nm ) / Si 기판 또는 유리 기판 상 에 두 번 스핀코팅 하 여 박막 TiO 2 층 ( 20 ~ 30 nm ) 을 형성 하 고 , 그 상부 에 열 증착 법 ( thermal evaporation ) 을 통해 매우 얇 은 Ti 층 ( 1 ~ 10 nm ) 을 추가 한 후 , 이 를 550 ℃- 800 ℃ 의 온도 에서 수분 간 RTA ( rapid thermal annealing ) 처리 하 여 Ti 가 TiO 2 층 으로 확산 하 게 함 으로써 Ti 가 도핑 된 TiO 2 막 을 얻 는 방법 을 개발 하 였 다 . 도 3 a 및 3 b 에서 볼 수 있 듯이 , RTA 처리 이전 ( 도 3 a ) 과 이후 ( 도 3 b ) 에 Ti / TiO 2 층 의 HRTEM ( high resolution transmission electron microscopy ) 이미지 를 대비 하 면 , RTA ( 550 ℃, 4 분 ) 처리 이전 에 대략 적 으로 7 nm 두께 의 Ti 층 이 존재 하 였으나 이 를 기초 로 RTA 처리 이후 에 는 Ti 원자 의 확산 이 일어났 음 을 확인 할 수 있 었 다 .