상기 반도체 층 ( 105 ) 을 패 터닝 하 여 광도 파로 ( 112 ) 및 회절 격자 ( 113 ) 을 포함 하 는 회절 격자 커플러 ( 115 ) 를 형성 한다 . 상기 회절 격자 커플러 ( 115 ) 의 형성 방법 은 도 5 b 를 참조 하 여 설명 한 것 과 동일 하 게 수행 될 수 있 다 . 상기 제 1 , 제 2 , 제 3 및 제 4 원소 주입 층 들 ( 124 a , 124 b , 124 c , 124 d ) 의 형성 공정 들 을 형성 한 후 에 , 상기 회절 격자 커플러 ( 115 ) 를 형성 할 수 있 다 . 이 와 는 반대 로 , 상기 회절 격자 커플러 ( 115 ) 를 형성 한 후 에 , 상기 제 1 , 제 2 , 제 3 및 제 4 원소 주입 층 들 ( 124 a , 124 b , 124 c , 124 d ) 을 형성 할 수 도 있 다 .