포토레지스트 래커 ( photoresist lacquer ) 를 MEMS 소자 용 실리콘 웨이퍼 에 도포 시켰 다 . 원 하 는 트렌치 들 을 포함 하 는 원 하 는 구조 체 에 따라 포토레지스트 래커 를 빛 에 일부 노출 한 후 에 , 래커 의 비 노출 ( non - exposed ) 부분 들 을 제거 하 였 다 . 그런 후 에 는 실리콘 웨이퍼 를 플 라즈 마 챔버 내 에 투입 하 였 다 . 불소 원소 20 vol %, 질소 70 vol % 및 아르곤 10 vol % 로 구성 된 실시 예 1 . 1 에 따른 , 예비 혼합 된 식각 혼합물 을 대략 0 . 2 mbar 의 압력 에서 챔버 내 로 도입 하 고 , 플라 즈 마 조건 이 개시 되 도록 극초단파 조사 를 시작 하 였 다 . 포토레지스트 로 도포 되 지 않 은 영역 들 내 의 실리콘 을 등방 적 으로 식각 함 으로써 실리콘 내 에 트렌치 를 형성 하 였 다 . 대략 20 μ m 의 폭 을 갖 는 트렌치 를 형성 한 후 에 , 반응기 로부터 식각 가스 를 제거 하 고 , C 4 F 6 60 vol % 및 아르곤 40 vol % 로 구성 된 실시 예 1 . 5 에 따른 부동태화 가스 를 반응기 내부 로 도입 하 고 , 플 라즈 마가 개시 되 도록 극초단파 조사 를 시작 하 였 다 . 반응기 내부 로 도입 된 헥사 플 루 오로 부타디엔 은 본질 적 으로 실리콘 내 에 형성 된 트렌치 들 의 벽 에 플 루 오로 폴리머 피막 을 형성 하 는 한편 , 아르곤 은 플 라즈 마 를 안정 화 시킨다 . 원 하 는 두께 의 피막 을 벽 에 형성 한 후 에 , 부동태화 가스 를 제거 하 고 , 새로운 식각 가스 를 반응기 내부 로 도입 하 였 다 . 이어서 , 실리콘 층 을 다시 등방 적 으로 식각 함 으로써 첫 번 째 식각 단계 에서 형성 된 트렌치 가 더 깊 어 지 게 하 였 다 . 부동태 층 은 트렌치 의 벽 을 보호 한다 . 트렌치 에 대한 원 하 는 추가 깊이 를 달성 하 면 , 식각 을 끝내 고 식각 가스 를 플 라즈 마 반응기 로부터 제거 하 였 다 . 다시 한 번 , 부동태화 가스 를 도입 하 고 , 별도 의 부동태화 단계 를 수행 하 였 다 . 그 후 , 부동태화 가스 를 제거 하 고 , 이방성 식각 을 계속 수행 하 였 다 . 원 하 는 깊이 의 트렌치 가 형성 될 때 까지 식각 및 부동태화 를 순차 적 으로 수행 하 였 다 . 식각 된 웨이퍼 를 챔버 로부터 제거 할 수 있 었 다 .