본 발명 은 높 은 종횡비 의 식각 공정 에 적용 된다 . 도 4 은 다른 저주파 RF 주파수 를 사용 하 여 다른 깊이 로 식각 할 때 , 식각 속도 의 변화 곡선 들 을 나타낸다 . 도면 에서 , LF 1 은 종래 기술 에서 1 MHz 를 이용 할 때 식각 홀 이 아래 방향 으로 연장 되 고 깊이 가 증가 하 는 것 에 따라 식각 속도 가 빠르 게 감소 하 는 것 을 나타낸 곡선 이 다 . 식각 속도 가 빠르 게 감소 함 에 따라 , 대량 의 식각 가스 가 식각 홀 의 바닥 에 도달 하 고 아래 방향 으로 의 식각 이 실행 될 수 없 기 때문 에 , 식각 가스 는 식각 홀 의 측벽 을 수평 으로 식각 한다 . 최종 적 으로 형성 된 식각 홀 이 원 하 는 깊이 를 만족 해도 식각 홀 의 프로 파일 이 심하 게 변형 되 고 궁형 ( bowing ) 측벽 과 마스크 층 ( 105 ) 하부 재료 의 언더컷 ( undercut ) 이 생긴다 . 도 4 에서 의 곡선 LF 2 는 본 발명 에서 초저주파 를 바이어스 RF 전원 으로 사용 한 경우 의 식각 속도 의 변화 곡선 을 나타낸 것 이 다 . 본 발명 에서 식각 속도 는 깊이 에 따라 상대 적 으로 천천히 감소 하 며 대량 의 식각 가스 가 아래 방향 으로 식각 을 실행 할 수 있 고 측벽 에 대한 손상 을 줄일 수 있 다 . 본 발명 에서 초저주파 RF 전력 을 사용 함 으로써 이온 의 입사 파워 를 크 게 증가 시킬 수 있 기 때문 에 식각 홀 의 바닥 에 있 는 중합물 층 이 아래 방향 으로 입사 된 는 고 에너지 이온 에 의해 제거 되 고 아래 방향 으로 의 식각 을 계속 실행 할 수 있 다 .