그 후 , 현상액 을 사용 하 여 평탄 화 막 ( 14 ) 을 현상 함 으로써 , 도 16 의 ( a ) 에 나타낸 바 와 같이 , 평탄 화 막 ( 14 ) 에 화소 컨 택트 용 의 접속 구멍 ( 관통 구멍 ) ( 23 ) 을 형성 하 는 동시 에 , 평탄 화 막 ( 14 ) 의 상면 에 오 목부 ( 7 ) 를 형성 한다 . 화소 컨 택트 용 의 접속 구멍 ( 23 ) 은 , 신호 배선 ( 20 ) 의 표면 ( 상면 ) 을 부분 적 으로 노출 시킨 상태 로 형성 된다 . 오 목부 ( 7 ) 는 제 2 노광 마스크 ( 33 ) 의 개구 ( 32 ) 를 통해 노광 된 부분 에 오목 한 형상 으로 형성 된다 . 다음 에 , 도 16 의 ( b ) 에 나타낸 바 와 같이 , 평탄 화 막 ( 14 ) 의 상면 을 덮 은 상태 로 투명 전극 ( 22 ) 을 형성 한다 . 투명 전극 ( 22 ) 은 , 예 를 들 면 ITO 를 스퍼터링 법 으로 성막 한 후 , ITO 막 을 단위 화소 마다 구획 하 도록 패 터닝 함 으로써 형성 된다 .