많 은 에피 택 셜 반응기 에서 , 기판 들 은 반응 챔버 의 실질 적 으로 수평 인 하부 벽 에 의해 지 지 되 고 ( 직접 적 으로 또는 간접 적 으로 ) , 반응 챔버 의 상부 벽 의 바로 아래 에 위치 한다 . 그러므로 상부 벽 으로부터 떨어져 나온 파티클 은 놓여 있 는 기판 들 에 떨어지 기 쉽 고 , 성장 하 는 층 에 손상 을 입히 게 된다 . 챔버 내 에서 의 가스 흐름 이 상부 벽 과 하부 벽 모두 에 실질 적 으로 평행 할 때 에 도 ( 도시 된 실시 예 들 과 같이 ) 마찬가지 다 . 이러 한 경우 더 뜨거운 벽 이 하부 에 위치 하 여 기판 들 이 매우 뜨거워 지 고 , 더 차가운 벽 이 상부 에 위치 하 여 물질 증착 에 따른 성장 이 제한 되 는 것 이 유리 하 다 .