다음 에 , 도 5 b 에 도시 하 는 바 와 같이 , 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 이 첨가 된 반도체 막 ( 63 ) 및 게이트 절 연막 ( 52 b ) 위 에 도전 막 ( 65 a 내지 65 c ) 을 형성 하 고 , 도전 막 ( 65 a 내지 65 c ) 위 에 레지스 트 마스크 ( 66 ) 를 형성 한다 . 도전 막 ( 65 a 내지 65 c ) 은 스퍼터링 법 , CVD 법 , 인쇄 법 , 액 적 토출 법 , 증착 법 등 을 사용 하 여 형성 한다 . 여기 서 는 도전 막 으로서 , 도전 막 ( 65 a 내지 65 c ) 의 3 층 이 적층 한 구조 의 도전 막 을 제시 하 고 , 도전 막 ( 65 a , 65 c ) 에 몰리브덴 막 , 도전 막 ( 65 b ) 에 알루미늄 막 을 사용 한 적층 도전 막 이나 , 도전 막 ( 65 a , 65 c ) 에 티타늄 막 , 도전 막 ( 65 b ) 에 알루미늄 막 을 사용 한 적층 도전 막 을 제시 한다 . 도전 막 ( 65 a 내지 65 c ) 은 스퍼터링 법 이나 진공 증착 법 을 사 용 하 여 형성 한다 .