그러나 , 파장 과 굴절 률 이 반비례 관계 이 기 때문 에 , 상기 구조 의 DBR 구조물 을 1 . 3 ㎛ 발진 파장 의 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 에 이용 하 는 경우 에 는 , InAlGaAs 물질 의 조성 을 선택 하 는 것 이 용이 하 지 않 다 . 예 를 들 어 , 1 . 3 ㎛ 레이저 발진 파장 과 오버랩 ( overlap ) 되 지 않 는 약 1 . 2 ㎛ 파장 을 갖 는 InAlGaAs 이 선택 되 면 , InAlGaAs 가 InP 와 접합 할 때 , 밴드 의 라인업 ( line - up ) 이 타입 - I 이 아닌 타입 - II 밴드 라인업 으로 형성 된다 . 이 로 인해 대략 1 . 28 ~ 1 . 3 ㎛ 영역 의 천 이 파장 이 나올 수 있 으며 , 이 를 통해 1 . 3 ㎛ 레이저 발진 파장 과 오버랩 된다 . 이 경우 , 1 . 3 ㎛ 레이저 발진 파장 을 갖 는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 의 활성 층 에서 만들 어 진 광자 ( photon ) 가 여러 주기 의 DBR 층 을 계속 적 으로 이동하 여 ( round - trip ) 반사 이득 을 얻 지 못하 고 , 상기 타입 - Ⅱ 밴드 라인업 에 의해 형성 된 흡수 밴드 에 광자 를 빼앗기 는 결과 를 야기 하 므로 , 전체 적 인 레이저 다이오드 의 성능 을 저하 시키 게 된다 .