상기 표 1 에서 보 는 바 와 같이 본 발명 의 실시 예 에 따른 코발트 화합물 을 이용 하 여 코발트 금속 층 을 형성 하 면 현저히 높 은 선택 비 로 코발트 금속 층 을 구리 배선 상 에 선택 적 으로 형성 할 수 있 음 을 알 수 있 다 . 즉 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 코발트 화합물 을 이용 하 면 , 60 분 , 120 분 , 180 분과 같이 극히 긴 시간 동안 CVD 공정 을 수행 하 여도 실리콘 산화물 영역 위 에 코발트 금속 층 이 실질 적 으로 형성 되 지 않 는 것 이 확인 되 었 다 . 성막 예 4 내지 8 에서 보 는 바 와 같이 구리 배선 상 에 코발트 금속 층 이 수십 내지 수백 nm 의 두께 로 증착 되 는 동안 실리콘 산화물 영역 에 는 코발트 금속 층 이 실질 적 으로 형성 되 지 않 았 다 .