이상 과 같 은 구조 의 비휘발성 반도체 메모리 장치 ( 200 ) 의 동작 예 에 대해 설명 한다 . 우선 , 데이터 기입 시 에 는 , Si 기판 ( 201 ) 의 전위 를 기준 으로 하 여 , 소스 영역 ( 212 ) 및 드레 인 영역 ( 214 ) 을 0 V 로 유지 하 고 , 전극 ( 211 ) 에 소정 의 정 ( 正 ) 의 전압 을 인가 한다 . 이 때 , 채널 형성 영역 ( 216 ) 에 전자 가 축적 되 어 반전 층 이 형성 되 고 , 그 반전 층 내 의 전자 의 일부 가 터널 효과 에 의해 터널 산화 막 ( 205 ) 을 통해 질화규소 막 ( 207 ) 으로 이동 한다 . 질화규소 막 ( 207 ) 으로 이동한 전자 는 질화규소 막 ( 207 ) 내 에 형성 된 전하 포획 중심 인 트랩 에 포획 되 어 , 데이터 의 축적 이 행하 여진다 .