또한 , 제 1 트랜지스터 ( Tr 1 ) 는 제 1 게이트 절 연막 ( 401 ) 및 제 1 게이트 전극 ( 501 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 게이트 절 연막 ( 401 ) 및 제 1 게이트 전극 ( 501 ) 은 제 1 채널 층 ( 11 ) 상 에 순차 적 으로 적층 되 어 형성 될 수 있 다 . 제 1 게이트 절 연막 ( 401 ) 은 산화 실리콘 ( SiO 2 ) 등 의 절연 물질 을 포함 할 수 있 으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 제 1 게이트 전극 ( 501 ) 은 폴리 실리콘 , 금속 , 합금 또는 금속 화합물 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 게이트 전극 ( 501 ) 은 TiN , TaN 등 의 물질 을 포함 할 수 있 으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .