상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 은 , 활성 영역 이 돌출 된 반도체 기판 을 마련 하 는 단계 ; 상기 기판 의 활성 영역 이외 영역 상 에 필드 산화 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 필드 산화 막 이 형성 된 기판 결과물 상 에 활성 영역 의 길 이 방향 에 대해 활성 영역 및 그 양측 의 인접 한 필드 산화 막 부분 들 을 노출 시키 는 개구부 를 갖 는 감광막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 활성 영역 의 양 측면 이 노출 되 도록 감광막 패턴 을 식각 마스크 로 이용 해서 노출 된 필드 산화 막 부분 의 일부 두께 를 식각 하 는 단계 ; 상기 감광막 패턴 을 제거 하 는 단계 ; 및 상기 양 측면 이 노출 된 활성 영역 상 에 게이트 를 형성 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 트랜지스터 제조 방법 을 제공 한다 .