상기 전자 수송 층 상부 에 테트라 센 을 50 , 75 , 100 , 150 Å 두께 로 각각 형성 하 여 p 형 유기 물막 을 형성 하 였 다 . 이어서 , 상기 p 형 유기 물막 상부 에 ( LiF ) 을 이용 하 여 전자 주입 층 을 형성 하 고 나 서 , 그 상부 에 Al 를 증착 하 여 캐소드 를 800 Å 의 두께 로 형성 하 여 유기 발광 소자 를 제조 하 였 다 .