한편 , 상기 반도체 층 ( 214 ) 의 채널 영역 은 상기 데이터 배선용 금속 막 을 식각 하 는 과정 또는 후속 의 화소 전극 패 터닝 공정 에서 데미지 를 입 게 된다 . 따라서 , 상기 반도체 층 의 채널 영역 의 데미지 를 회복 하 기 위해 , 상기 소오 스 전극 ( 208 ) 및 드레 인 전극 ( 210 ) 에 의해 노출 된 반도체 층 ( 214 ) 의 채널 영역 에 선택 적 으로 O 2 플 라즈 마 처리 공정 ( 251 ) 을 진행 하 여 실리콘 산화 막인 채널 보호막 ( 221 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 채널 보호막 ( 221 ) 은 상기 O 2 플 라즈 마 대신 N 2 플 라즈 마 를 공급 하 여 형성 할 수 도 있 다 .