16 . 제 15 항 에 있 어서 , 상기 제 2 일 함수 금속 층 을 퇴적 시키 는 단계 이후 에 그리고 상기 유전체 물질 을 형성 하 는 단계 이전 에 , 상기 제 1 일 함수 금속 층 , 상기 충전 금속 층 , 및 상기 제 2 일 함수 금속 층 을 에칭 하 는 단계 를 더 포함 하 며 , 상기 충전 금속 층 은 상기 제 1 일 함수 금속 층 및 상기 제 2 일 함수 금속 층 보다 더 느린 에칭 레이트 로 에칭 되 고 , 이 에 의해 상기 충전 금속 층 의 복수 의 세그먼트 가 상기 제 1 일 함수 금속 층 및 상기 제 2 일 함수 금속 층 위 로 돌출 되게 하 는 , 방법 .