특히 반도체 혹은 전자 재료 의 제조 과정 에서 보관 용기 를 약 250 ℃ 정도 의 고온 으로 가열 하 여 사용 하 게 되 는데 , 그 에 따라 보관 용기 는 가열 과 냉각 의 반복 과정 에 의해 테 프론 계열 의 절연재 로 된 하부 가스 킷 ( 44 ) 이 열팽창 과 수축 을 반복 하 게 되 며 , 이 과정 에서 하부 가스 킷 ( 44 ) 과 금속 탐침 ( 41 ) 사이 에 미세 한 간극 이 형성 되 어 누설 이 발생 할 수 있 다 . 그러나 본 고안 에서 와 같이 스프링 ( 48 ) 이 형성 될 경우 스프링 ( 48 ) 이 지속 적 으로 상부 가 스킷 ( 43 ) 을 눌러 주 게 되 어 금속 탐침 ( 41 ) 이 하부 가 스킷 ( 44 ) 에 밀착 되 게 됨 으로서 누설 이 방지 되 게 된다 . 이 와 같이 누설 이 방지 됨 에 따라 보관 용기 내부 의 전구체 의 사용 효율 성 이 좋 아 지 고 , 전 구체 의 사용 기간 이 늘어나 며 , 특히 ALD 및 CVD 공정 에서 의 반도체 및 전자 소자 의 불량 발생 을 억제 하 게 된다 .