또한 , 이러 한 고분자 물질 을 이용 함 으로써 , 폴링 처리 를 행하 지 않 아도 동작 조건 으로서 인가 하 는 게이트 전압 의 극성 을 변화 시킬 뿐 특별 한 처리 를 하 지 않 고 , 음 의 전압 을 인가 한 경우 는 통상 의 p 형 트랜지스터 의 특성 을 , 양 의 게이트 전압 을 인가 한 경우 는 n 형 트랜지스터 의 특성 을 나타내 는 , p 형 및 n 형 모두 의 트랜지스터 특성 을 나타내 는 양극 성 OFET 가 비교 적 간편 한 방법 으로 얻 어 지 는 것 을 발견 하 여 본 발명 을 완성 하 기 에 이르 렀다 .