최근 , 반도체 집 적 회로 ( 이하 , 「 LSI 」 로 기재 함 ) 의 고집 적 화 또는 고 성능 화 에 따라 새로운 미세 가공 기술 이 개발 되 고 있 다 . 화학 기계 적 연마 ( 이하 , 「 CMP 」 로 기재 함 ) 법 도 그 하나 이 며 , LSI 제조 공정 ( 특히 , 다층 배선 형성 공정 에서 의 층간 절 연막 의 평탄 화 , 금속 플러그 형성 , 매립 배선 형성 등 ) 에 있 어서 빈번 하 게 이용 되 는 기술 이 다 . 이 기술 은 , 예 를 들 면 , 하 기 특허 문헌 1 에 개시 되 어 있 다 .