본 개시 의 일부 실시 예 에 따라서 , 집적회로 구조물 은 유전체 층 ; 유전체 층 의 측벽 과 접촉 하 는 금속 링 ; 금속 링 에 의해 둘러싸인 금속 영역 ; 및 금속 링 과 금속 영역 사이 의 실리콘 및 질소 부유층 - 실리콘 및 질소 부유층 내 의 실리콘 원자 백분율 은 금속 링 및 금속 영역 둘 다 내 의 실리콘 원자 백 분 율 보다 더 높 고 , 실리콘 및 질소 부유층 내 의 제 1 질소 원자 백분율 은 금속 링 및 금속 영역 내 의 제 2 질소 원자 백 분 율 보다 더 높 음 - 을 포함 한다 . 한 실시 예 에서 , 집 적 회로 구조물 은 , 유전체 층 아래 에 놓이 는 반도체 영역 ; 반도체 영역 의 상단 상 의 금속 규화물 영역 - 금속 규화물 영역 은 금속 영역 에 의해 겹쳐짐 - ; 및 금속 규화물 영역 과 겹치 고 접촉 하 는 질소 부유층 - 질소 부유층 내 의 제 3 질소 원자 백분율 은 금속 규화물 영역 내 의 제 4 질소 원자 백 분 율 및 금속 영역 내 의 제 2 질소 원자 백 분 율 보다 더 높 음 - 을 포함 한다 . 한 실시 예 에서 , 금속 링 및 금속 영역 은 , 상이 한 금속 으로 형성 된다 . 한 실시 예 에서 , 금속 링 은 티타늄 을 포함 하 고 , 금속 영역 은 코발트 를 포함 한다 . 한 실시 예 에서 , 유전체 층 은 실리콘 계 유전체 물질 을 포함 한다 .