첫째 , 게이트 전극 과 드리프트 영역 간 의 중첩 영역 에서 의 게이트 산화 막 두께 가 드리프트 영역 사이 영역 에서 의 게이트 산화 막 두께 보다 두꺼워 게이트 전극 과 드리프트 영역 간 의 중첩 영역 에서 게이트 전극 과 드리프트 영역 간 의 전계 를 약화 시킬 수 있 다 . 따라서 , 드리프트 영역 의 항복 전압 을 충분히 높혀 드리프트 영역 파괴 를 방지 할 수 있 다 .