그러므로 본 발명 의 디렉 셔 널 결정 화 방법 에 의하 여 결정 화 된 다결정 실리콘 층 에 는 결정 성장 방향 과 평행 한 방향 으로 위치 하 는 결정립계 만 이 존재 하 는 균일 한 실리콘 층 을 형성 한다 . 또한 , 결정립 의 크기 가 매우 커서 전기 적 소자 로 이 용시 우수 한 특성 을 가질 수 있 으며 , 상기 다 결정 실리콘 층 을 반도체 층 으로 이 용시 상기 결정립계 는 전하 가 흐르 는 방향 과 평행 한 방향 으로 위치 하 게 형성 한다 .