427 : 절연 층 , 430 : 트랜지스터 , 437 : 절연 층 , 440 : 트랜지스터 , 441 : 트랜지스터 , 442 : 트랜지스터 , 450 a : 결정 성 산화물 반도체 층 , 450 b : 결정 성 산화물 반도체 층 , 453 : 산화물 반도체 층 , 500 : 반도체 기판 , 510 : 단결정 반도체 기판 , 512 : 산화 막 , 514 : 취화 영역 , 516 : 단결정 반도체 층 , 518 : 단결정 반도체 층 , 701 : 하우징 , 702 : 하우징 , 703 : 표시 부 , 704 : 키보드 , 711 : 본체 , 712 : 스타일러스 , 713 : 표시 부 , 714 : 조작 버튼 , 715 : 외부 인터페이스 , 720 : 전자 서적 , 721 : 하우징 , 723 : 하우징 , 725 : 표시 부 , 727 : 표시 부 , 731 : 전원 스위치 , 733 : 조작 키 , 735 : 스피커 , 737 : 축 부 , 740 : 하우징 , 741 : 하우징 , 742 : 표시 패널 , 743 : 스피커 , 744 : 마이크로폰 , 745 : 조작 키 , 746 : 포인팅 디바이스 , 747 : 카메라 용 렌즈 , 748 : 외부 접속 단자 , 749 : 태양 전지 , 750 : 외부 메모리 슬롯 , 761 : 본체 , 763 : 접안 부 , 764 : 조작 스위치 , 765 : 표시 부 , 766 : 배터리 , 767 : 표시 부 , 770 : 텔레비전 장치 , 771 : 하우징 , 773 : 표시 부 , 775 : 스탠드 , 780 : 리모 콘 , 1101 : 하 지 절연 층 , 1102 : 매립 절연체 , 1103 a : 반도체 영역 , 1103 b : 반도체 영역 , 1103 c : 반도체 영역 , 1104 : 게이트 절연 층 , 1105 : 게이트 , 1106 a : 측벽 절연체 , 1106 b : 측벽 절연체 , 1107 : 절연체 , 1108 a : 소스 , 1108 b : 드레 인 , 1200 : 기판 , 1202 : 하 지 절연 층 , 1204 : 보호 절 연막 , 1206 : 산화물 반도체 막 , 1206 a : 고저 항 영역 , 1206 b : 저 저항 영역 , 1208 : 게이트 절연 층 , 1210 : 게이트 전극 , 1212 : 측벽 절 연막 , 1214 : 전극 , 1216 : 층간 절 연막 , 1218 : 층간 절 연막 , 1600 : 기판 , 1602 : 하 지 절연 층 , 1606 : 산화물 반도체 막 , 1608 : 게이트 절연 층 , 1610 : 게이트 전극 , 1614 : 전극 , 1616 : 층간 절 연막 , 1618 : 배선 , 1620 : 보호막 .