실시 예 에 따른 이미지 센서 는 , 반도체 기판 상 에 형성 된 게이트 ; 상기 게이트 하부 에 배치 된 제 1 p 형 도핑 영역 및 제 2 p 형 도핑 영역 ; 상기 제 1 p 형 도핑 영역 의 일 측 에 접하 도록 상기 반도체 기판 의 얕 은 영역 에 형성 된 제 3 p 형 도핑 영역 ; 상기 제 3 p 형 도핑 영역 의 일 측 에 접하 도록 상기 반도체 기판 의 얕 은 영역 에 형성 된 제 4 p 형 도핑 영역 ; 상기 제 1 p 형 도핑 영역 , 제 3 p 형 도핑 영역 및 제 4 p 형 도핑 영역 하부 에 형성 되 도록 상기 반도체 기판 의 깊 은 영역 형성 된 n 형 도핑 영역 ; 및 상기 제 2 p 형 도핑 영역 에 접하 도록 상기 반도체 기판 의 표면 에 형성 된 플로팅 확산 영역 을 포함 한다 .