LiTaO 3 압전체 기판 ( 2 ) 과 Si 지지 기판 ( 10 ) 을 접합 한 후 500 ℃ 에서 가열 한다 . 이 에 의해 , H ＋ 이온 을 주입 한 LiTaO 3 압전체 기판 ( 2 ) 의 표면 ( 2 a ) 으로부터 1 μ m 의 깊이 의 결함 층 ( 4 ) 에 는 표면 ( 2 a ) 을 따라서 마이크 로 캐 비 티 가 발생 하 고 가열 에 의해 이 캐비 티 가 성장 한다 .