리 세스 게이트 를 갖 는 반도체 소자 는 기존 의 플래나 게이트 ( planar ) 를 갖 는 반도체 소자 에 비해 유효 채널 길이 를 증가 시킨 구조 로서 단 채널 특성 을 줄여 주 고 , 적 은 도핑 농도 로 소망 하 는 문턱 전압 을 확보 할 수 있 다 . 또한 , 상기 리세 스 게이트 를 갖 는 반도체 소자 는 , 기존 의 플래나 게이트 를 갖 는 반도체 소자 에 비해 전계 감소 및 누설 전류 를 감소 시켜 데 이타 의 정체 시간 ( Retention Time ) 을 증가 시킬 수 있 는 등 트랜지스터 의 특성 을 향상 시킬 수 있 다 .