상술 한 바 와 같이 , 스텝 커버리지 특성 이 우수 한 ALD 로 유전 율 이 ∼ 9 인 고유 전 물질 막 ( Al 2 O 3 ) 과 유전 율 이 ∼ 3 . 8 인 산화 막 ( SiO 2 ) 을 비활성 메모리 소자 의 유전 막 으로 채용 하 여 , 적절 한 두께 조절 을 통하 여 비활성 메모리 소자 에서 유전 막 이 요구 하 는 전기 적 특성 을 충분히 만족 시킬 수 있 으므로 , 신뢰 성 이 우수 한 비활성 메모리 소자 를 제조 할 수 있 다 .