이제 도 6 내지 도 8 b 를 참조 하 면 , 제 2 IBE 가 수행 된 후 , SiN 층 ( 178 ) 은 도 5 에 도시 된 구조 체 들 상 에 증착 된다 . 일부 예 들 에서 , SiN 층 ( 178 ) 은 컨 포 멀 한 증착 프로세스 를 사용 하 여 증착 된다 . SiN 층 ( 178 ) 을 증착 한 후 , SiO 2 또는 SiN 과 같 은 실리콘 - 함유 층 ( 180 ) 이 도 7 에서 알 수 있 는 바 와 같이 , MRAM 스택 들 ( 158 ) 사이 의 갭 충 진 연장 된 영역 들 에 증착 된다 . 도 8 a 및 도 8 b 에서 , 오버 버든 이 제 1 하드 마스크 층 ( 170 ) 에 이르 기 까지 제거 된다 . 이 프로세스 에서 , 제 2 하드 마스크 층 이 제거 된다 .