다음 에 도 2 h 를 참조 하 면 , 제 1 트렌치 ( 214 ) 상 에 식각 공정 의 배리 어막 역할 을 하 는 산화 막 ( 218 ) 을 형성 한다 . 여기 서 산화 막 ( 218 ) 은 벌브 타입 의 리세 스 채널 용 트렌치 를 형성 하 기 위한 제 2 식각 공정 에서 반도체 기판 ( 200 ) 이 과도 하 게 식각 되 는 것 을 방지 하 는 역할 을 하 며 , 50 - 80 Å 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이때 , 산화 막 ( 216 ) 은 고온 산화 막 ( HTO ; High Temperature Oxidation ) 또는 TEOS ( Tetra Ethyl Ortho Silicate ) 산화 막 을 이용 할 수 있 다 .