한편 , 비정질 실리콘 층 에 소정 면적 을 갖 는 복수 개 의 영역 들 의 온도 가 주위 보다 높 게 가열 하 는 일 방식 은 , 하부 에 판 형상 을 가지 는 지 지체 ; 및 상기 지 지체 의 판 형상 에 는 편평 한 하 부면 을 가지 고 복수 개 서로 소정 간격 으로 이격 되 어 구비 된 복수 개 의 돌출부 를 구비 한 상기 결정 화용 구조물 을 이용 하 되 , 상기 하 부면 의 온도 는 상기 지 지체 의 온도 보다 높 게 설정 하 는 것 을 특징 으로 하 는 비정질 실리콘 층 의 결정 화 방법 .