도 5 c 에 도시 된 바 와 같이 하부 반도체 칩 ( 10 ) 의 상부 에 스 페이서 ( 20 ) 가 부착 되 면 , 콜렛 ( 130 ) 에 인가 된 진공 압 이 해제 되 면서 , 보이드 제거 핀 ( 140 ) 들 이 콜렛 의 바닥 면 으로 돌출 된다 . 이 와 다르 게 , 스 페이서 ( 20 ) 를 하부 반도체 칩 ( 10 ) 에 부착 시키 는 어태 치 공정 에서 는 보이드 제거 핀 ( 140 ) 을 콜렛 ( 130 ) 의 내부 로 업 시키 고 , 어태 치 공정 이 완료 되 면 , 보이드 제거 핀 ( 140 ) 들 을 콜렛 ( 130 ) 의 바닥 면 으로 다운 시키 는 업 다운 장치 에 의해서 보이드 제거 핀 ( 140 ) 들 이 콜렛 ( 130 ) 의 바닥 면 으로 돌출 될 수 있 다 .