이러 한 플래시 메모리 소자 는 소스 라인 ( source line ) 을 형성 하 기 위해 각 단위 셀 의 소스 를 연결 하 는 소스 연결 층 을 가진다 . 이러 한 소스 연결 층 은 각 단위 셀 의 소스 에 콘 택 ( contact ) 을 형성 하 여 연결 하 는 금속 콘 택 ( metal contact ) 방법 을 이용 하 여 형성 될 수 있 지만 , 이 방법 은 콘 택 마진 ( contact margin ) 을 고려 해야 하 기 때문 에 고집 적 소자 에 는 적절 하 지 않 다 . 따라서 소자 의 고집 적 화 를 실현 하 기 위해 최근 에 는 자기 정렬 소스 ( Self Aligned Source , SAS ) 공정 을 통해 불순물 확산 층 으로 된 공통 소스 라인 ( common source line ) 을 많이 적용 하 고 있 다 .