본 발명 의 실시 예 들 에 있 어서 , 상기 제 1 상부 도전 막 은 금속 을 사용 하 여 제 1 박막 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 하 고 , 상기 제 1 박막 상 에 금속 질화물 을 사용 하 여 제 2 박막 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 하 여 제조 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 1 박막 은 알루미늄 , 갈륨 , 인듐 , 티타늄 , 크롬 , 망간 , 철 , 코발트 , 니켈 , 지르코늄 , 몰리브덴 , 루테늄 , 팔라듐 , 하프늄 , 탄 탈륨 , 이리듐 또는 백금 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 이 들 은 단독 으로 또는 서로 혼합 되 어 사용 될 수 있 다 . 또한 , 상기 제 2 박막 은 알루미늄 질화물 , 갈륨 질화물 , 인듐 질화물 , 티타늄 질화물 , 크롬 질화물 , 망간 질화물 , 철 질화물 , 코발트 질화물 , 니켈 질화물 , 지르코늄 질화물 , 몰리브덴 질화물 , 루테늄 질화물 , 팔라듐 질화물 , 하프늄 질화물 , 탄 탈륨 질화물 , 이리듐 질화물 , 백금 질화물 , 텅스텐 질화물 , 알루미늄 질화물 , 니오븀 질화물 , 티타늄 실리콘 질화물 , 티타늄 알루미늄 질화물 , 티타늄 보론 질화물 , 지르코늄 실리콘 질화물 , 텅 스 텐 실리콘 질화물 , 텅스텐 보론 질화물 , 지르코늄 알루미늄 질화물 , 몰리브덴 실리콘 질화물 , 몰리브덴 알루미늄 질화물 , 탄 탈륨 실리콘 질화물 및 / 또는 탄 탈륨 알루미늄 질화물 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 .