본 발명 의 제 2 실시 예 에 따른 전자 소자 의 제조 방법 에서 처럼 희생 층 을 형성 하 는 경우 에 도 , 앞서 본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 전자 소자 의 제조 방법 의 경우 와 같이 , 선택 적 노광 을 실시 함 으로써 촉매 형성 위치 를 제어 할 수 있 다 . 나아가 , 제 2 실시 예 에 따른 전자 소자 의 제조 방법 에서 처럼 희생 층 을 형성 하 는 경우 에 는 선택 적 노광 을 함 에 있 어서 얼라인먼트 의 정밀도 를 더욱 낮출 수 있 다 . 이하 도 11 을 참조 하 여 상술 한다 .