도 4 는 도 3 의 In 소스 유량 프로파일 에 의해 얻 어 지 는 InGaN 우물 층 의 In 함량 프로 파일 을 나타내 는 그래프 이 다 . 도 4 을 참조 하 면 , GaN 장벽층 들 ( b ') 사이 에 개재 된 InGaN 우물 층 ( a ') 은 성장 방향 의 두께 에 따라 균일 한 In 함량 을 나타내 고 있 다 . 이 는 , In 분리 현상 을 보상 하 도록 의도 적 으로 In 소스 유량 에 도 3 과 같 은 그래 디언 트 ( gradient ) 를 주 었 기 때문 이 다 .