상기 와 같이 실시 한 ( 3 ) 현상 공정 후 에 , 패 터닝 된 박막 에 대하 여 , 바람직 하 게 는 예 를 들 면 유수 세정 에 의한 헹굼 처리 를 행하 고 , 더욱 바람직 하 게 는 고압 수은등 등 에 의한 방사선 을 전체 면 에 조사 ( 후 노광 ) 함 으로써 , 상기 박막 중 에 잔존 하 는 1 , 2 - 퀴논 디 아지드 화합물 의 분해 처리 를 행한 후 , 이 박막 을 , 핫 플레이트 , 오븐 등 의 가열 장치 에 의해 가열 처리 ( 포스트 베이 킹 처리 ) 함 으로써 상기 박막 의 경화 처리 를 행한다 . 상기 후 노광 공정 에서 의 노광량 은 바람직 하 게 는 2 , 000 내지 5 , 000 J / m 2 정도 이 다 . 또한 , 이 경화 처리 에서 의 소성 온도 는 예 를 들 면 120 내지 250 ℃ 이 다 . 가열 시간 은 가열 기기 의 종류 에 따라 다르 지만 , 예 를 들 면 핫 플레이트 상 에서 가열 처리 를 행하 는 경우 에 는 5 내지 30 분 간 , 오븐 내 에서 가열 처리 를 행하 는 경우 에 는 30 내지 90 분 간 으로 할 수 있 다 . 이 때 , 2 회 이상 의 가열 공정 을 행하 는 스텝 베이 킹 법 등 을 이용 할 수 도 있 다 .