또 , 도 18 ( B ) 에 도시 하 는 트랜지스터 ( 164 ) 는 , 층간 절연 층 ( 128 ) 위 에 형성 된 산화물 반도체 층 ( 140 ) 과 , 산화물 반도체 층 ( 140 ) 의 상측 표면 에 접하 도록 형성 된 소스 층 ( 142 a ) 및 드레 인 층 ( 142 b ) 과 , 소스 층 ( 142 a ) , 드레 인 층 ( 142 b ) 및 산화물 반도체 층 ( 140 ) 위 에 형성 된 게이트 절연 층 ( 138 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 138 ) 위 에 형성 된 게이트 층 ( 136 d ) 을 가진다 . 또한 , 게이트 층 ( 136 d ) 은 , 게이트 절연 층 ( 138 ) 을 통하 여 , 산화물 반도체 층 ( 140 ) 과 중첩 하 는 영역 에 형성 된다는 점 을 주목 하 라 .