구체 적 으로 종래 의 웨이퍼 전체 영역 에 대한 온도 를 제어 하 는 방식 은 , 웨이퍼 전체 영역 또는 특정 영역 에 대한 단일 온도 제어 를 통해 웨이퍼 전체 영역 의 온도 를 제어 하 는 기법 즉 , SISO ( Single Input Single Output ) 제어 함 으로써 웨이퍼 전체 영역 의 온도 균일화 가 곤란 하 다 . 또 하드웨어 구조 예 를 들 어 , 웨이퍼 의 중앙 부위 , 가장 자리 부위 등 에 대한 열 손실 , 각종 외란 등 과 같 은 외부 적 인 요인 의 발생 시 원 하 는 응답 을 얻 기 가 매우 난해 하 며 , 그 에 대한 보정 ( Calibration ) 또한 매우 난해 하 다 . 또 온도 제어 에 대한 충분 한 최적 성능 설계 가 고려 되 었 는지 에 대하 여 경험 적 인 방식 으로 의존 하 므로 , 온도 제어 시 최적 화 된 응답 을 기대 하 기 가 곤란 하 다 . 또 경험 적 인 방식 에 의한 열 적 포화 상태 를 기반 으로 제어 함 으로써 , 온도 제어 초기 화시 매우 많 은 시간 적 인 손실 이 발생 된다 . 그리고 이러 한 기존 의 온도 제 어 방식 은 대부분 열전대 ( TC : ThermoCouple ) , 저항 온도 센서 ( RTD : Resistance Temperature Detector ) 등 과 같 은 접촉 식 온도 제어 방식 으로 온도 를 제어 하 며 , 웨이퍼 온도 측정 부위 에 대한 열 적 손실 로 인해 정확 한 측정 이 곤란 하 다 .