여기 서 , 트랜지스터 ( 160 ) 는 , 소스 영역 또는 드레 인 영역 으로서 기능 하 는 불순물 영역 ( 120 ) 및 금속 화합물 영역 ( 124 ) 을 공유 하 고 , 제 1 행 째 부터 제 m 행 째 까지 직렬 로 접속 된다 . 즉 , 제 l - 1 ( l 은 2 이상 m 이하 의 자연수 ) 행 째 의 트랜지스터 ( 160 ) 의 소스 영역 으로서 기능 하 는 불순물 영역 ( 120 ) 및 금속 화합물 영역 ( 124 ) 은 , 제 l 행 째 의 트랜지스터 ( 160 ) 의 드레 인 영역 으로서 기능 하 게 된다 . 이 와 같이 , 메모리 셀 ( 190 ) 의 트랜지스터 ( 160 ) 를 직렬 로 접속 함 으로써 , 각 메모리 셀 ( 190 ) 사이 에서 트랜지스터 ( 160 ) 의 소스 영역 및 드레 인 영역 을 공유 할 수 있 다 . 이 에 의해 , 트랜지스터 ( 160 ) 의 평면 레이아웃 은 , 후술 하 는 트랜지스터 ( 162 ) 의 평면 레이아웃 과 용이 하 게 겹칠 수 있 어 , 메모리 셀 ( 190 ) 의 점유 면적 의 저감 을 도모 할 수 있 다 .