도 2 에 도시 한 바 와 같이 , 자 성분 ( 4 ) 의 표면 을 피복 하 는 절연 층 ( 6 ) 에 는 다수 의 공극 ( 8 ) 이 포함 되 어 있 다 . 즉 , 절연 층 ( 6 ) 은 완전히 치밀 한 막 이 아니 고 , 산화 실리콘 이 존재 하 지 않 는 부분 을 갖 고 있 다 . 특별히 제한 되 는 것 은 아니 지만 , 절연 층 ( 6 ) 의 두께 는 5 ~ 200 nm 정도 로 할 수 있 다 . 내열 시험 후 의 절연 성 을 충분히 유지 하 기 위해서 는 , 절연 층 ( 6 ) 은 보다 치밀 한 것 이 바람직 하 다 . 즉 , 공극 ( 8 ) 이 차지 하 는 비율 이 작 은 것 이 바람직 하 다 . 이 는 , 공극 ( 8 ) 이 차지 하 는 비율 이 크 면 , 열 에 의해 자 성분 ( 4 ) 에 포함 되 는 철 이 산화 하 고 , 이 산화철 이 공극 ( 8 ) 을 따라 절연 층 ( 6 ) 의 표면 으로 확산 하 기 때문 이 다 . 구체 적 으로 는 , 내열 시험 후 의 절연 성 을 충분히 유지 하 기 위해서 는 , 절연 층 ( 6 ) 의 단면 에서 의 공극 ( 8 ) 의 면적 비율 이 5 % 이하일 필요 가 있 다 . 공극 ( 8 ) 의 면적 비율 을 작 게 하 기 위해서 는 , 절연 층 ( 6 ) 을 구성 하 는 산화 실리콘 의 입경 이 가능 한 한 작 은 것 이 바람직 하 다 . 이 는 , 입경 이 큰 산화 실리콘 의 집합체 에 의해 절연 층 ( 6 ) 이 구성 되 면 , 필연 적 으로 공극 ( 8 ) 의 사이즈 가 커지 고 , 산화철 의 확산 이 일어나 기 쉬워 지 기 때문 이 다 . 구체 적 으로 는 , 절연 층 ( 6 ) 을 구성 하 는 산화 실리콘 의 평균 입경 은 6 nm 이하 인 것 이 바람직 하 다 .