제 1 단계 ( ST 10 ) 는 기판 상 에 소정 의 공정 이 진행 되 도록 기판 을 지지 하 는 기판 지지대 제조 방법 에 있 어서 , 기판 의 상기 소정 의 공정 이 진행 될 영역 의 크기 에 대응 하 는 관통 홀 을 형성 하 는 단계 이 다 . 기판 지지대 의 관통 홀 은 기판 에 소정 의 공정 이 진행 될 영역 의 크기 에 대응 하 여 형성 된다 . 이 는 기판 상 에서 소정 의 공정 , 예컨대 비정질 실리콘 ( amorphous silicon ) 층 에 엑 시머 레이저 빔 ( Excimer Laser Annealing : ELA ) 을 조사 하 여 , 다 결정 실리콘 층 으로 형성 하 는 공정 이 진행 되 는 영역 이 다 . 즉 , 관통 홀 은 레이저 빔 이 조사 되 는 영역 의 크기 에 대응 하 여 형성 된다 .