상기 기판 ( 101 ) 의 적어도 일면 에 형성 된 유기 전자 장치 ( 102 ) 는 상기 기판 ( 102 ) 상 에 하부 전극 을 박막 하 고 그 위 로 n 형 반도체 층 , 활성 층 , p 형 반도체 층 , 상부 전극 을 순차 적 으로 적층 한 후 식각 하 여 형성 되 거나 또는 별도 의 기판 을 통해 제조 된 후 상기 기판 ( 101 ) 상 에 배치 시켜 형성 시킬 수 있 다 . 이러 한 유기 전자 장치 ( 102 ) 를 기판 ( 101 ) 상 에 형성 시키 는 구체 적 인 방법 은 당업 계 의 공지 관용 의 방법 에 의할 수 있 는 바 , 본 발명 에서 는 특별히 한정 하 지 않 으며 , 상기 유기 전자 장치 ( 102 ) 는 유기 발광 다이오드 일 수 있 다 .