또한 , 제 1 처리 로 ( 202 ) 와 제 2 처리 로 ( 137 ) 는 , 각각 동일 한 처리 를 해도 되 며 , 다른 처리 를 해도 된다 . 제 1 처리 로 ( 202 ) 와 제 2 처리 로 ( 137 ) 에서 다른 처리 를 하 는 경우 , 예 를 들 면 제 1 처리 로 ( 202 ) 에서 웨이퍼 ( 200 ) 에 어떤 처리 , 예 를 들 면 기판 표면 에 형성 된 절 연막 의 세정 처리 를 한 후 , 계속 하 여 제 2 처리 로 ( 137 ) 에서 다른 처리 , 예 를 들 면 본 실시 형태 에 있 어서 의 실리콘 입자 의 형성 처리 를 해도 된다 . 또한 , 제 1 처리 로 ( 202 ) 에서 웨이퍼 ( 200 ) 에 소정 의 처리 를 한 후 , 제 2 처리 로 ( 137 ) 에서 다른 처리 를 하 도록 하 는 경우 , 제 1 쿨링 유 니트 ( 138 ) 또는 제 2 쿨링 유 니트 ( 139 ) 를 경유 하 도록 해도 된다 .