이어서 , 게이트 절 연막 ( 22 ) 상 에 폴리 실리콘 막 ( 23 ) 을 증착 한 후 , 폴리 실리콘 막 ( 23 ) 상 에 희생 막 ( 24 ) 을 증착 한다 . 이때 , 희생 막 ( 24 ) 은 산화 막 , 바람직 하 게 는 실리콘 산화 막 ( Silicon oxide ) 으로 형성 하 며 , 실리콘 산화 막 은 HDP 산화 막 ( High Density Plasma Oxide ) , BPSG ( Boro - Phospho - Silicate Glass ) , HTO ( Hot Thermal Oxide ) , TEOS ( Tetra Ethyl Ortho Silicate ) 또는 SOG ( Spin On Glass ) 중 에서 선택 된 어느 하나 를 사용 한다 .