도 5 를 참조 하 면 , 본 발명 의 다른 실시 예 에서 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 의 활성 층 패턴 ( 120 ) 은 영역 별 로 상이 한 두께 를 가질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 활성 층 패턴 ( 120 ) 은 제 1 구동 트랜지스터 ( T 1 _ 1 ) 가 형성 되 는 영역 과 제 2 구동 트랜지스터 ( T 1 _ 2 ) 가 형성 되 는 영역 에서 상이 한 두께 를 가질 수 있 다 .