본 발명 의 목적 은 또한 다 결정질 실리콘 단편 을 함유 하 고 상기 단편 중 90 % 이상 의 크기 가 45 mm 를 초과 하 는 제 3 분획 크기 의 다결정 질 실리콘 에 의하 여 달성 되 며 , 이것 은 400 ㎛ 미만 의 입도 에 대하 여 15 ppmw 미만 , 50 ㎛ 미만 의 입도 에 대하 여 14 ppmw 미만 , 10 ㎛ 미만 의 입도 에 대하 여 10 ppmw 미만 및 1 ㎛ 미만 의 입도 에 대하 여 3 ppmw 미만 의 실리콘 분진 입자 함량 을 특징 으로 하 고 , 또한 표면 금속 불순물 이 0 . 1 ppbw 이상 100 ppbw 이하 인 것 을 특징 으로 한다 .