본 발명 의 실시 예 에 따른 기판 및 상기 기판 과 교차 하 는 방향 으로 적층 된 복수 의 메모리 셀 들 을 포함 하 는 불휘발성 메모리 장치 의 동작 방법 은 복수 의 스트링 선택 라인 들 에 대응 하 는 복수 의 메모리 셀 들 을 소거 하 는 단계 ; 그리고 상기 소거 된 복수 의 메모리 셀 들 을 각 스트링 선택 라인 의 단위 로 소거 검증 하 는 단계 를 포함 한다 .