본 발명 의 IBC 형 태양 전지 제조 방법 에 따르 면 , 먼저 p 형 실리콘 기판 에 n + 도전 층 ( 202 ) 을 형성 한다 ( 도 2 참조 ) . 본 단계 에서 는 도 2 에 도시 된 바 와 같이 실리콘 기판 의 양면 에 n + 도전 층 을 형성 할 수 있 을 뿐 만 아니 라 , 실리콘 기판 의 일면 에 만 n + 도전 층 을 형성 할 수 도 있 다 . 전자 의 경우 대표 적 으로 상기 실리콘 기판 을 확 산로 에 넣 고 n 형 도 펀트 를 함유 하 는 가스 를 주입 한 후 열처리 하 여 n + 도전 층 을 형성 할 수 있 으며 , 후자 의 경우 대표 적 으로 상기 실리콘 기판 의 일면 에 n 형 도 펀트 를 함유 하 는 조성물 을 도포 하 고 실리콘 기판 을 확산 로 에서 열처리 함 에 의해 n + 도전 층 을 형성 할 수 있 다 . 여기 서 , 상기 n 형 도 펀트 로 는 P , As , Sb 등 의 5 족 원소 들 이 바람직 하 게 사용 될 수 있 다 .