본 발명 에 의하 면 , 절연 층 을 구성 하 는 산화 실리콘 의 O / Si 비 가 2 . 1 이상 , 2 . 2 이하 로 개질 되 어 있 으므로 , 자 성분 에 포함 되 는 철 의 확산 이 억제 된다 . 이 때문 에 , 고온 환경 하 에 장시간 방치 하 는 내열 시험 을 행한 경우 에 도 , 절연 층 의 절연 성 을 충분히 확보 하 는 것 이 가능 해진다 .