반도체 소자 를 제조 함 에 있 어서 , 콘 택 홀 을 포함 한 각종 패턴 들 은 포 토리 소 그패 피 ( Photolithography ) 공정 을 통해 형성 하 고 있 다 . 이러 한 포 토리 소 그패 피 공정 은 , 알려진 바 대로 , 식각 대상 층 상 에 포토레지스트 를 도포 하 는 도포 ( coating ) 공정 과 , 도포 된 포토레지스트 의 소정 부분 에 광 을 조사 하 는 노광 ( exposure ) 공정 및 노광 되 거나 노광 되 지 않 은 포토레지스트 부분 을 제거 하 는 현상 ( develop ) 공정 으로 구성 되 며 , 최종 적 으로 얻 어 진 포토레지스트 패턴 을 이용 해서 식각 대상 층 을 식각 함 으로써 소망 하 는 패턴 을 형성 하 게 된다 .