또한 , 이 장치 는 , 반응기 로 의 차등 펌핑 으로 일체 화 될 수 있 다 . 샤워 헤드 장치 및 반응 챔버 의 컨덕턴스 와 펌핑 속도 를 조절 하 여 , 반응기 내 의 체류 시간 분포 및 부분 압력 프로파일 , 및 따라서 기판 ( 예 , 웨이퍼 ) 의 에칭 프로 파일 을 미세 조정 하 는 것 이 가능 하 다 . 예 를 들 어 , 안정 상태 모드 ( 예 , 일정 한 에칭 반응물 , 예 를 들 어 , 에 천 트 흐름 ) , 부분 압력 펄스 화 모드 ( 예 , 전체 압력 을 일정 하 게 하 면서 에 천 트 흐름 을 펄스 화 ) , 압력 펄스 화 모드 ( 예 , 일정 한 에 천 트 흐름 , 총 압력 을 펄스 화 ) 또는 총 압력 펄스 화 모드 ( 예 , 부분 압력 과 총 압력 을 펄스 화 ) , 또는 이 들 의 조합 에서 , 이 장치 를 사용 할 수 있 다 . 펄스 화 모드 및 펌핑 모드 는 , 동적 흐름 조건 에서 웨이퍼 위 로 에 천 트 가스 의 부분 압력 및 체류 시간 분포 를 결정 할 수 있 고 , 따라서 에칭 공정 의 등각 성 및 균일성 을 제어 할 수 있 다 .