상기 과제 의 해결 수단 에 의하 면 , 본 발명 에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 은 기판 지지 부 상 에 공간 적 으로 분리 되 어 배치 된 복수 의 가스 분사 모듈 을 통해 소스 가스 와 반응 가스 를 공간 적 으로 분리 하 여 기판 상 에 분사 함 으로써 각 기판 에 증착 되 는 박막 의 증착 균 일도 를 증가 시키 고 , 박막 의 막 질 제어 를 용이 하 게 할 수 있 으며 , 공정 챔버 내 에 증착 되 는 누적 두께 를 최소 화 하 여 파티클 을 개선 할 수 있 다 .