본 발명 의 한 관점 에 따르 면 , 반도체 기판 에 트렌치 를 형성 하 여 , 제 1 , 제 2 소자 영역 을 획정 하 는 공정 과 , 상기 트렌치 에 제 1 산화 막 을 매립 하 는 공정 과 , 상기 제 1 , 제 2 소자 영역 의 표면 에 제 2 산화 막 을 형성 하 는 공정 과 , 상기 제 2 산화 막 을 형성 한 후 에 , 상기 제 1 소자 영역 및 상기 제 1 산화 막 의 일부 를 포함 하 는 제 1 영역 을 노출 시키 는 제 1 마스크 를 사용 하 여 , 제 1 이온 주입 을 실시 하 는 공정 과 , 상기 제 2 산화 막 을 형성 한 후 에 , 상기 제 2 소자 영역 및 상기 제 1 산화 막 의 일부 를 포함 하 는 제 2 영역 을 노출 시키 는 제 2 마스크 를 사용 하 여 , 제 2 이온 주입 을 실시 하 는 공정 과 , 상기 제 2 이온 주입 을 실시 한 후 에 , 상기 제 2 마스크 를 사용 하 여 , 상기 제 2 영역 에 포함 되 는 상기 제 1 산화 막 을 약액 에 의해 후퇴 시키 는 공정 과 , 상기 제 2 영역 에 포함 되 는 상기 제 1 산화 막 을 후퇴 시킨 후 에 , 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역 에 포함 되 는 상기 제 2 산화 막 을 약액 에 의해 제거 하 는 공정 을 포함 하 는 반도체 장치 의 제조 방법 이 제공 된다 .