일부 실시 예 에서 , 도 29 의 단면도 ( 2900 ) 에 의해 예시 된 바 와 같이 , 측벽 ( 2704 ) 을 더미 게이트 전극 층 ( 181 ) 을 통해 연장 하 도록 그리고 로직 영역 ( 104 l ) 으로부터 더미 게이트 전극 층 ( 181 ) 을 제거 하 도록 이 프로세싱 단계 에서 또 다른 에칭 이 수행 된다 . 일부 실시 예 에서 , 이 에칭 단계 는 스킵 되 고 , 나중 의 프로세싱 단계 에서 더미 게이트 전극 층 ( 181 ) 이 로직 영역 ( 104 l ) 으로부터 제거 된다 . 이 에칭 은 제 1 더미 캐 핑 층 ( 2304 ) 의 두께 를 감소 시킬 수 있 지만 , 제 1 더미 캐 핑 층 ( 2304 ) 을 제거 하 지 않 는다 . 이 에칭 은 플 라즈 마 를 이용 한 건식 에칭 과 같 은 등방성 에칭 일 수 있 으며 , 그 에 의해 더미 게이트 전극 층 ( 181 ) 은 측벽 ( 2704 ) 안 으로 상당히 리세 싱하 지 않 는다 . 에칭 프로세스 는 더미 게이트 유전체 층 ( 183 ) 상 에서 또는 더미 게이트 유전체 층 ( 183 ) 에서 정지 한다 . 더미 게이트 유전체 층 ( 183 ) 이 상이 한 재료 의 복수 의 층 에 의해 구성 되 는 경우 , 에칭 은 임의 의 적합 한 층 상 에서 정지 할 수 있 다 . 에칭 이 층 상 에서 정지 할 때 , 그 층 은 종종 에칭 프로세스 가 끝 나기 전 에 어느 정도 안 으로 에칭 된다 .