이어서 , 본 발명 의 도면 에 는 도시 하 지 않 았 지만 상기 전자 수송 층 ( 250 ) 상 에 는 전자 주입 층 ( electron injecting layer , HTL ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 전자 주입 층 은 R , G , B 화소 의 발광 층 ( 241 , 243 , 245 ) 으로 의 전자 의 주입 을 용이 하 게 하 는 층 으로 예 를 들 어 , Alq 3 ( tris ( 8 - quinolinolato ) aluminum ) , LiF ( Lithium Fluoride ) , 갈륨 혼합물 ( Ga complex ) , PBD 를 사용 하 여 형성 할 수 있 다 .