따라서 본 발명 은 , 전형 적 으로 전자 집 적 회로 에 사용 되 는 CMOS 제조법 , 특히 단 일체 통합 화 를 사용 하 여 저렴 하 게 또한 대량 생산 으로 제조 될 수 있 는 특히 수십 나노미터 내지 수백 나노미터 의 큰 파장 FSR 를 갖 는 최적 으로 균형 잡힌 포 토닉 MZ 간섭계 에서 플라 즈 몬 도파 로 를 사용 하 여 , 시험 적 으로 150000 nm / RIU 의 전례 없 는 광학 적 감도 를 갖 는 통합 형 , 즉 컴팩트 한 감지 장치 ( 칩 ) 에 대한 요구 를 해결 하 고자 하 는 것 이 다 . 이러 한 관점 에서 , 센서 설계 , 부품 제조 방법 과 장치 및 감지 방법 이 본 발명 에 따라 제안 된다 .