이어서 상기 SiO 2 / Si 기판 / MoS 2 층 / TPN 을 화학 기상 증착 ( Chemical vapor deposition , CVD ) 장비 안 에 넣 는다 . 이 때 그래핀 이 성장 하 는 온도 에서 Cu vapor 가 촉매 로써 작용 할 수 있 게 Cu foil 조각 을 샘플 위 에 올려 놓 는다 . 그 후 , CVD 장치 의 히터 온도 상승 률 은 10 ℃/ min 으로 조절 하 였 고 , 동시 에 Ar 100 sccm 을 흘려 주 어 내부 의 압력 을 약 2 . 7 x 10 - 2 Torr 을 유지 하 였 다 . 그래핀 의 성장 온도 인 900 ℃ 에 도달 하 면 30 분 가량 유지 시켜 준다 . 성장 이 끝난 후 에 는 냉각 속도 ( cooling rate ) 를 - 60 ℃/ min 으로 하 여 빠르 게 온도 를 낮추 었 다 . 실온 에 도달 한 것 을 확인 한 뒤 에 샘플 을 CVD 의 챔버 로부터 꺼내 그래핀 적층 체 를 제조 하 였 다 .