전자 수송 층 ( 124 ) 에 사용 하 는 전자 수송 성 재료 는 , 발광 층 ( 123 ) 의 호스트 재료 보다 전계 강도 [ V / cm ] 의 제곱근 이 600 일 때 의 전자 이동도 가 작 은 것 이 바람직 하 다 . 전자 수송 층 ( 124 ) 에서 의 전자 수송 성 을 낮 게 함 으로써 발광 층 ( 123 ) 으로 의 전자 주 입량 을 제어 할 수 있 어 , 발광 층 ( 123 ) 이 전자 과다 상태 가 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .