도 28 의 단면도 ( 2800 ) 에 의해 예시 된 바 와 같이 , 본 개시 의 일부 양상 에 따르 면 , 제 1 더미 캐 핑 층 ( 2304 ) 과 더미 게이트 전극 층 ( 181 ) 사이 의 층 을 측벽 ( 2704 ) 안 으로 리세 싱하 도록 에칭 이 수행 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 산화물 및 질화물 층 이 제 1 더미 캐 핑 층 ( 2304 ) 에 대해 리세 싱 되 며 , 이 는 폴리 실리콘 일 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 리세 싱 된 층 은 산화물 및 질화물 층 을 포함 한다 . 리세 스 질화물 층 은 제어 게이트 하드 마스크 ( 708 ) 의 제 1 질화물 층 ( 708 l ) 을 포함 할 수 있 다 . 리세 스 산화물 층 은 제어 게이트 하드 마스크 ( 708 ) 의 산화물 층 ( 708 m ) 및 / 또는 더미 라이너 층 ( 304 ) 을 포함 할 수 있 다 . 본 교시 의 일부 양상 에 따르 면 , 에칭 백 프로세스 는 이방성 에칭 프로세스 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 에칭 프로세스 는 습식 에칭 프로세스 이 다 . 적합 한 습식 에칭 프로세스 는 불 산 ( HF ) 을 이용 한 에칭 을 포함 할 수 있 다 . 적합 한 이방성 에칭 프로세스 의 또 다른 예 는 산화물 의 경우 HF 그리고 질화물 의 경우 H 3 PO 4 의 증기 를 이용 한 에칭 이 다 . 에칭 프로세스 는 도 28 에 도시 된 리세 싱 된 상부 코너 ( 337 ) 를 생성 하 도록 에칭 백 되 는 층 의 최 상부 에 대하 여 더 높 은 에칭 속도 를 가질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 리세 싱 된 상부 코너 ( 337 ) 는 산화물 층 이 질화물 층 보다 더 큰 감응 도 를 갖 는 에칭 프로세스 에 의해 생성 될 수 있 다 . 에칭 프로세스 는 산화물 이 질화물 의 에칭 속도 의 두 배 이상 을 가질 수 있 는 조건 을 제공 할 수 있 다 . 이 들 층 을 리세 싱하 는 것 은 나중 의 프로세싱 단계 에서 이 들 이 노출 되 는 것 을 막 을 수 있 다 .