도 3 a 를 참조 하 면 , 기판 ( 101 ) 상 에 제 1 희생 막 들 ( 111 - 115 ) 과 제 2 희생 막 들 ( 121 - 124 ) 을 교대 로 반복 적 으로 증착 하 여 몰드 스택 ( 103 ) 을 형성 할 수 있 다 . 기판 ( 101 ) 은 반도체 특성 을 가진 물질 , 가령 실리콘 웨이퍼 혹은 절연체 에 의해 반도체 를 포함 하 는 기판 일 수 있 다 . 몰드 스택 ( 103 ) 은 제 1 희생 막 그룹 ( 110 ) 과 제 2 희생 막 그룹 ( 120 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 희생 막 그룹 ( 110 ) 은 복수 개 의 제 1 희생 막 들 ( 111 , 112 , 113 , 114 , 115 ) 을 포함 할 수 있 고 , 제 2 희생 막 그룹 ( 120 ) 은 복수 개 의 제 2 희생 막 들 ( 121 , 122 , 123 , 124 ) 을 포함 할 수 있 다 . 본 실시 예 에 의하 면 , 몰드 스택 ( 103 ) 의 최하층 및 최상층 은 제 1 희생 막 들 ( 111 , 115 ) 로 구성 될 수 있 다 . 제 1 희생 막 그룹 ( 110 ) 의 제 1 희생 막 들 ( 111 - 115 ) 의 적층 수 는 임의 적 이 다 . 제 2 희생 막 그룹 ( 120 ) 의 제 2 희생 막 들 ( 121 - 124 ) 의 적층 수도 이 와 마찬가지 다 . 본 실시 예 에서 는 , 본 발명 을 이 에 한정 하 려는 의도 가 전혀 아닌 하나 의 예 로서 5 개 의 제 1 희생 막 들 ( 111 - 115 ) 과 4 개 의 제 1 희생 막 들 ( 121 - 124 ) 이 교대 로 반복 적층 된 경우 에 대해 설명 하 기 로 한다 .