이때 , 상기 적 층막 은 메인 칩 영역 뿐 만 아니 라 스 크 라 이브 라인 영역 에 도 형성 되 게 되 며 , 그 에 따라 도 2 a 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 오버레이 마크 ( 10 B ) 가 형성 된 기판 ( 30 ) 상 에 비정질 카본 막 ( 31 ) 과 , 난반사 방지 막 ( 32 ) , 하부 반사 방지 막 ( 미 도시 ) 및 포토레지스트 ( PR ) 가 적층 되게 된다 . 여기 서 , 난반사 방지 막 ( 32 ) 은 실리콘 산화 질화 막 ( SiON ) 을 이용 하 여 형성 된다 .