두 번 째 문제 는 , 첫 번 째 문제 와 마찬가지 의 열 이력 때문 에 생긴 메모리 셀 의 전기 특성 의 차 에 의해 , 통상 의 재 기입 동작 후 의 저항 값 에 변동 이 발생 할 우려 가 있 는 점 에 있 다 . 앞서 설명 한 특허 문헌 1 에 기재 된 강유전체 층 을 갖 는 메모리 , 즉 강유전체 메모리 에서 는 강유전체 에 전계 를 가하 여 , 자발 분극 의 방향 을 바꿈 으로써 정보 를 기억 한다 . 형성 된 층 사이 에서 생기 는 메모리 셀 의 전기 특성 차 를 보상 하 는 방법 으로서 , 층 마다 재 기입 전압 을 바꾸 는 것 이 생각 된다 . 그러나 , 이 방법 은 층 마다 재 기입 전압 을 바꾸 기 위한 전압 제어 회로 를 형성 할 필요 가 있 고 , 또한 트랜지스터 사이즈 의 증대 와 아울러 , 칩 면적 의 증가 를 초래 하 므로 , 바람직 하 지 않 다 . 따라서 , 재 기입 동작 후 에서 의 메모리 셀 에 생긴 전기 특성 의 차 는 , 특허 문헌 1 에서 기재 되 어 있 는 바 와 같이 , 판독 조건 ( 여기 서 는 , 참조 전압 ) 을 조정 함 으로써 보상 해야 만 하 였 다 .