도 9 의 ( d ) 는 질화 막 퇴적 공정 의 일례 를 도시 한 도면 이 다 . 도 9 의 ( d ) 에 도시 된 바 와 같이 , 웨이퍼 ( W ) 가 분리 영역 ( D ) 을 통과 하 고 퍼지 가스 가 공급 되 어 퍼지 된 후 , 제 2 처리 영역 ( P 2 ) 을 통과 함 으로써 , 플라스마 에 의해 활성 화 된 NH 3 가스 가 공급 된다 . NH 3 가스 의 공급 에 의해 , 트렌치 T 내 에 흡착 한 DCS 와 공급 된 NH 3 가 반응 하 고 , SiN 막 의 분자 층 이 반응 생성물 로서 형성 된다 . 여기 서 , DCS 는 트렌치 T 의 저부 부근 에 많이 흡착 하 고 있 으므로 , 트렌치 T 내 의 저부 부근 에 많이 SiN 막 이 형성 된다 . 따라서 , 도 9 의 ( d ) 에 도시 된 바 와 같 은 보텀 업 성 이 높 은 매립 성막 이 가능 해진다 .