도 22 를 참조 하 면 , 그라인딩 공정 에 의해 제 1 반도체 칩 ( 130 ) 의 상면 이 노출 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 반도체 칩 ( 130 ) , 봉 지재 ( 140 ) 및 희생 층 ( 522 ) 이 그라인딩 될 수 있 다 . 희생 층 ( 522 ) 의 상면 은 제 1 반도체 칩 ( 130 ) 의 상면 및 봉 지재 ( 142 ) 의 상면 과 동일 한 레벨 에 위치 할 수 있 다 . 희생 층 ( 522 ) 의 하부 에 배치 되 는 전도성 필라 ( 122 ) 는 그라인딩 공정 시 식각 되 지 않 을 수 있 다 .