또한 , 종래 기술 의 식각 반응기 로서 , 높 은 종횡비 의 식각 을 실행 할 때 , 이온 이 충분 한 깊이 로 홀 의 바닥 에 도달 할 수 있 도록 매우 큰 저주파 RF 전력 을 출력 할 필요 가 있 다 . 파워 의 출력 을 증가 시키 는 것 은 이온 이 아래 방향 으로 입사 하 는 에너지 를 증가 시키 지만 , 에너지 의 일부 가 식각 가스 를 해리 할 수 도 있 기 때문 에 , 기판 상부 에서 플라 즈 마 농도 와 성분 이 변할 수 있 으며 , 고주파 RF 전력 의 해리 효과 와 서로 겹칠 수 있 다 . 그 결과 , RF 전력 에 대한 제어 가 어려워진다 . 또한 , 식각 가스 는 상당 한 양 의 플 루 오로 카본 화합물 및 플 루 오로 카본 수소 화합물 을 포함 한다 . 이 성분 들 이 초고 파워 를 갖 는 저주파 RF 전력 의 공급 으로 인해 대량 으로 해리 될 때 , 과도 한 중합체 가 식각 홀 의 측벽 과 개구 에 증착 되 며 , 개구 가 밀봉 되 고 식각 을 계속 할 수 없 다 . 매우 높 은 저주파 RF 전력 에 의한 전술 한 여러 가지 문제 로 인해 , 플라 즈 마 식각 반응기 의 처리 및 제조 비용 을 크 게 증가 시킨다 .