상기 의 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 듀얼 다 마신 구조 를 가지 는 반도체 소자 의 제조 방법 은 하부금 속배 선 을 포함 하 는 제 1 층간 절연 층 이 형성 된 기판 을 준비 하 는 단계 와 , 상기 하부금 속배 선 을 포함 하 는 제 1 층간 절연 층 상 에 제 2 층간 절연 층 , 제 1 완충 층 , 제 3 층간 절연 층 , 제 2 완충 층 및 하드 마스크 를 순차 적 으로 형성 하 는 단계 와 , 상기 하드 마스크 상 에 트렌치 예정 영역 을 정의 하 기 위한 감광막 을 증착 및 패턴 한 후 상기 감광막 을 마스크 로 하 여 상기 하드 마스크 를 식각 하 여 트렌치 패턴 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 하드 마스크 를 포함 하 는 제 2 완충 층 상 에 비 아홀 을 정의 하 기 위한 감광막 을 증착 및 패턴 한 후 상기 제 2 완충 층 과 제 3 층간 절연 층 을 순차 적 으로 식각 하 는 단계 와 , 상기 하드 마스크 를 식각 마스크 로 상기 제 2 완충 층 을 식각 하 면서 동시 에 상기 제 3 층간 절연 층 을 식각 마스크 로 하 여 상기 제 1 완충 층 을 식각 하 는 단계 와 , 상기 하드 마스크 를 식각 마스크 로 하 여 제 3 층간 절연 층 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 면서 상기 트렌치 형성 에 따라 노출 되 는 제 1 완충 층 을 식각 마스크 로 하 여 상기 제 2 층간 절연 층 을 식각 하 여 비 아홀 을 형성 하 는 단계 및 상기 트렌치 및 비 아홀 을 금속 으로 매립 하 여 상부 금속 배선 과 비아 플러그 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .