상기 와 같이 , 상기 화학식 1 의 m 이 3 인 경우 , 즉 3 개 의 벤조 티 아 졸기 를 갖 는 N - 헤테로 고리 화합물 은 전자 수송 층 재료 로 사용 시 , 전자 수송 층 의 HOMO 에너지 준위 와 발광 물질 층 의 HOMO 에너지 준위 의 차이 를 보다 높인다 . 또한 , 이 를 발광 층 재료 로 사용 시 , 현저 하 게 향상 된 발광 특성 의 구현 과 동시 에 낮 은 구동 전압 을 가능 케 한다 .