불휘발성 메모리 장치 ( 130 ) 는 메모리 컨트롤러 ( 110 ) 의 제어 에 따라 , 데이터 를 저장 하 거나 또는 저장 된 데이터 를 메모리 컨트롤러 ( 110 ) 로 제공 하 도록 구성 될 수 있 다 . 예 시 적 으로 , 불휘발성 메모리 장치 ( 130 ) 는 ROM ( Read Only Memory ) , PROM ( Programmable ROM ) , EPROM ( Electrically Programmable ROM ) , EEPROM ( Electrically Erasable and Programmable ROM ) , 플래시 메모리 장치 , PRAM ( Phase - change RAM ) , MRAM ( Magnetic RAM ) , RRAM ( Resistive RAM ) , FRAM ( Ferroelectric RAM ) , TRAM ( Thyristor RAM ) 등 과 같 은 불휘발성 메모리 를 포함 할 수 있 다 .