도 4 a 를 참조 하 면 , 기판 ( 100 ) 내 에 광전 변환 부들 ( PD ) 및 소자 분리 영역 ( 110 ) 이 형성 될 수 있 다 . 기판 ( 100 ) 의 제 2 면 ( 100 b ) 상 에 배선 층 ( 200 ) 및 패 시베이 션 막 ( 290 ) 이 형성 될 수 있 다 . 소자 분리 패턴 ( 300 ) , 접착 층 ( 400 ) , 및 차광 패턴 ( 450 ) 이 기판 ( 100 ) 의 제 1 면 ( 100 a ) 상 에 형성 될 수 있 다 .