기판 상 에 레지스 트 막 을 형성 함 에 앞서 , 상기 기판 상 에 하 층막 ( 반사 방지 막 , 레지스 트 밀착 성 개선 을 위한 막 , 레지스 트 형상 개선 을 위한 막 등 ) 을 형성 해도 된다 . 반사 방지 막 을 형성 함 으로써 , 일부 조사 공정 에 있 어서 방사선 이 기판 등 에서 반사 하 는 것 에 의한 정재파 의 발생 을 억제 할 수 있 다 . 레지스 트 밀착 성 개선 을 위한 막 을 형성 함 으로써 , 기판 과 레지스 트 막 사이 의 밀착 성 을 향상 시킬 수 있 다 . 레지스 트 형상 개선 을 위한 막 을 형성 함 으로써 , 현상 후 의 레지스 트 형상 을 더욱 향상 시킬 수 있 다 . 즉 , 레지스 트 의 끝단 끌기 형상 또는 잘록 한 형상 을 저감 할 수 있 다 . 한편 , 전체 면 조사 의 방사선 정재파 발생 에 의한 레지스 트 형상 열화 를 방지 하 기 위해서 , 하 층막 의 두께 는 전체 면 조사 의 방사선 의 반사 도 억제 되 도록 설계 하 는 것 이 바람직 하 다 . 하 층막 은 , 전체 면 조사 의 방사선 을 흡수 하 지 않 는 막 인 것 이 바람직 하 다 . 가령 , 하 층막 이 전체 면 조사 의 방사선 을 흡수 하 는 경우 , 하 층막 으로부터 의 에너지 이동 또는 전자 이동 에 의해 레지스 트 막 내 에서 방사선 증감 반응 이 발생 하 고 , 이 에 의해 비 일부 조 사 부 에서 산 이 발생 할 우려 가 있 다 . 그 때문 에 , 레지스 트 막 과 하층 막 사이 에 방사선 증감 반응 을 전반 하 지 않 는 버퍼 층 을 배치 하 고 , 방사선 을 흡수 한 하층 막 으로부터 의 증감 을 방지 해도 된다 .