또한 , 열처리 에 의해 산화물 반도체 에 결정 이 적어도 일부 에 포함 되 도록 함 으로써 , 보다 안 정한 산화물 반도체 막 을 얻 을 수 있 다 . 예 를 들 면 , 조성 비 In ： Sn ： Zn = 1 ： 1 ： 1 의 타 겟 을 이용 하 여 , 기판 을 의도 적 으로 가열 하 지 않 고 스퍼터링 성막 한 산화물 반도체 막 은 , X 선 회절 ( XRD ： X － Ray Diffraction ) 로 할로 패턴 ( halo pattern ) 이 관측 된다 . 이 성막 된 산화물 반도체 막 을 열처리 함 으로써 결정 화 시킬 수 가 있 다 . 열처리 온도 는 임의 적 이 지만 , 예 를 들 면 650 ℃ 의 열처리 를 실시 함 에 의해 , X 선 회절 에 의해 명확 한 회절 피크 를 관측 할 수 가 있 다 .