〔 발명 6 〕 발명 6 의 반도체 장치 의 제조 방법 은 , SOI 영역 과 벌크 영역 을 동일 한 반도체 기판 에 갖 는 반도체 장치 의 제조 방법 으로서 , SOI 영역 의 상기 반도체 기판 위 에 제 1 반도체 층 을 형성 함 과 함께 , 벌크 영역 의 상기 반도체 기판 위 에 는 상기 제 1 반도체 층 을 형성 하 지 않 는 공정 과 , SOI 영역 의 상기 제 1 반도체 층 위 와 , 벌크 영역 의 상기 반도체 기판 위 에 각각 제 2 반도체 층 을 형성 하 는 공정 과 , 상기 제 2 반도체 층 과 상기 제 1 반도체 층 을 부분 적 으로 에칭 하 여 , SOI 영역 의 상기 제 1 반도체 층 의 측면 을 노출 시키 는 홈 을 형성 하 는 공정 과 , 상기 제 2 반도체 층 보다 도 상기 제 1 반도체 층 쪽 이 에칭 되 기 쉬운 에칭 조건 에서 , 상기 홈 을 통하 여 상기 제 1 반도체 층 을 에칭 함 으로써 , SOI 영역 의 상기 반도체 기판 과 상기 제 2 반도체 층 사이 에 공동 부 를 형성 하 는 공정 과 , 상기 공동 부 내 에 매립 절 연막 을 형성 하 는 공정 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 는 것 이 다 .