최근 고집 적 메모리 소자 에서 패턴 의 미세화 로 인해 스토리지 노드 가 형성 될 공간 을 제공 하 는 오픈 영역 ( Storage node hole ) 등 과 같 은 홀 패턴 의 간격 ( Hole spacing ) 이 좁 아 지 고 있 다 . 이 에 따라 높 은 종횡비 프로파일 ( High Aspect profile ) 로 인해 마진 이 급속히 줄어들 게 되 어 하부 층 의 단차 도 증가 한다 .