게이트 구조물 ( 160 ) 은 활성 영역 ( 105 ) 및 채널 구조물 들 ( 140 ) 의 상부 에서 활성 영역 ( 105 ) 및 채널 구조물 들 ( 140 ) 과 교차 하 여 일 방향 , 예 를 들 어 y 방향 으로 연장 되 도록 배치 될 수 있 다 . 게이트 구조물 ( 160 ) 과 교차 되 는 활성 영역 ( 105 ) 및 채널 구조물 들 ( 140 ) 에 는 트랜지스터 들 의 채널 영역 이 형성 될 수 있 다 . 게이트 구조물 ( 160 ) 은 게이트 전극 ( 165 ) , 게이트 전극 ( 165 ) 과 복수 의 채널 층 들 ( 141 , 142 , 143 ) 사이 의 게이트 유전 층 ( 162 ) , 게이트 전극 ( 165 ) 의 측면 들 상 의 게이트 스 페이서 층 들 ( 164 ) , 및 게이트 전극 ( 165 ) 의 상면 상 의 게이트 캡 핑 층 ( 166 ) 을 포함 할 수 있 다 .