본 실시 형태 에서 도 , 갈륨 을 주된 금속 원소 로 하 는 절연성 산화물 층 ( 104 b ) 을 사용 하 는데 , 이러 한 재료 를 , 특히 금속 원소 에 차지 하 는 갈륨 의 비율 이 0 . 2 이상 인 반도체 성 산화물 과 접촉 시키 는 구조 로 하 면 , 반도체 성 산화 물막 과 의 계면 에서 의 전하 포획 을 충분히 억제 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 신뢰 성 이 높 은 반도체 장치 를 제공 할 수 있 다 .