일반 적 으로 식각 공정 은 감광막 을 마스크 층 으로 이용 하 여 실리콘 기판 상 의 식각 할 층 을 선택 적 으로 식각 하 는 경우 와 , 마스크 층 을 이용 하 지 않 고 실리콘 기판 상 의 식각 할 층 을 전면 적 으로 식각 하 는 경우 로 구분 될 수 있 다 . 이 들 두 경우 에 있 어서 , 식각 할 층 과 그 하부 층 인 식각 하 지 않 아야 할 층 또는 감광막 간 의 식각 속도 차이 에 의해 식각 공정 의 조절 이 이루어지 지만 , 하부 층 이 어느 정도 식각 되 므로 반도체 소자 의 특성 이 악화 되 기 쉽 다 .