반도체 성 산화물 층 을 트랜지스터 의 반도체 층 에 사용 한 경우 , 반도체 장치 의 제조 공정 에 따라서 는 , 트랜지스터 의 역치 전압 이 마이너스 측 , 혹은 플러스 측 으로 시프트 하 는 경우 가 있 다 . 그 로 인해 , 상술 한 트랜지스터 와 같이 , 제 2 게이트 절연물 ( 112 ) 상 에 제 2 게이트 전극 ( 113 ) 을 설치 해서 듀얼 게이트 형 의 구조 로 하 고 , 역치 전압 의 제어 를 행할 수 있 는 구성 이 적합 해서 , 제 1 게이트 전극 ( 102 ) 또는 제 2 게이트 전극 ( 113 ) 의 전위 를 제어 함 으로써 적절 한 값 의 역치 전압 으로 제어 할 수 있 다 .