또한 , 제 1 및 제 2 수단 에 기재 된 발명 에서 는 , 의도 적 으로 제 2 주면 측 이 볼록 하 게 되 는 휨 ( warp ) 이 발생 하 는 적층 구 조체 를 제작 하 고 있 다 . 이 때문 에 , 적층 구조 체의 열팽창 계수 가 IC 칩 의 열팽창 계수 보다 도 큰 경우 에 는 , 적층 구조 체의 IC 칩 접속 단자 에 IC 칩 을 접속 하 였을 때 에 , IC 칩 의 재료 와 적층 구조 체의 재료 의 열팽창 계수 차 에 기인 하 는 열응력 의 영향 을 받 아 적층 구조 체가 제 1 주면 측 으로 휘어지 게 된다 . 그 결과 , 적층 구조 체의 제 2 주면 측 이 볼록 하 게 되 는 휨 이 교정 된다 . 따라서 , IC 칩 접속 후 에 휨 이 없 는 다층 배선 기판 을 제작 할 수 있 다 .