또 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 는 실리콘 잉곳 의 특정 의 결정 방위 를 따라 슬라이스 되 어 있 다 . 일반 적 으로 는 , 면방 위가 ( 100 ) 면 , ( 110 ) 면 , ( 111 ) 면 이 되 는 3 종류 의 웨이퍼 가 이용 되 고 있 지만 , ( 100 ) 면 방위 의 것 이 가장 많이 사용 되 고 있 다 . 본 실시 형태 에 있 어서 도 , 처리 대상 이 되 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 는 면방 위가 ( 100 ) 면 인 단결정 실리콘 의 웨이퍼 이 다 . 이 ( 100 ) 면 방위 의 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 이온 주 입법 에 따라 불순물 ( 이온 ) 이 첨가 되 며 , 그 불순물 의 활성 화 가 열처리 장치 ( 100 ) 에 의한 플래시 광 조사 가열 처리 ( 어 닐 ) 에 의해 실행 되 는 것 이 다 . 이하 에 설명 하 는 열처리 장치 ( 100 ) 의 처리 순서 는 , 제 어부 ( 3 ) 가 열처리 장치 ( 100 ) 의 각 동작 기구 를 제어 함 으로써 진행 된다 .