지금 까지 의 제 1 실시 예 에서 는 기판 ( 110 ) 이 단결정 실리콘 기판 ( 110 ) 이 고 , 에미 터부 와 후면 전계 부가 확산 공정 을 통하 여 형성 된 경우 를 예 로 설명 하 였으나 , 이 와 다르 게 다음 에 설명 할 제 2 실시 예 에서 는 에미 터부 와 후면 전계 부가 결정질 실리콘 으로 형성 된 경우 와 다르 게 비정질 실리콘 층 이 층 착하 여 형성 된 경우 를 일례 로 설명 한다 .