또한 HOMO 준위 가 - 6 . 0 eV 이상 인 전자 수송 성 재료 로서 는 , 예 를 들 어 안트라센 골격 을 가지 는 유기 화합물 이나 , 안트라센 골격 과 헤테로 고리 골격 을 가지 는 유기 화합물 등 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 따라서 , 본 발명 의 일 형태 인 퀴녹살린 유도체 를 전자 수송 성 재료 로서 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 그 외 에 , 상기 호스트 재료 에 사용 할 수 있 는 전자 수송 성 재료 의 일부 , 또는 상기 형광 발광 물질 과 조합 하 여 호스트 재료 로서 사용 할 수 있 는 재료 로서 든 것 을 전자 수송 층 ( 114 ) 에 사용 할 수 있 다 .