본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 메모리 시스템 의 동작 방법 은 비휘발성 메모리 장치 의 복수 의 메모리 블록 들 의 복수 의 페이지 각각 의 에러 비트 정보 를 획득 하 는 단계 ; 상기 복수 의 페이지 각각 의 에러 비트 정보 를 바탕 으로 상기 메모리 블록 들 각각 의 상기 복수 의 페이지 중 에서 상기 에러 비트 정보 가 에러 임계 치 를 넘어서 는 페이지 들 을 에러 가능 페이지 로 선정 하 는 단계 ; 상기 할당 된 상기 에러 가능 페이지 각각 의 상기 에러 비트 정보 에 대한 우선순위 를 상기 에러 가능 페이지 에 부여 하 는 단계 ; 및 상기 에러 가능 페이지 중 상기 우선 순위 가 기 설정 된 임계 치 를 넘어서 는 에러 가능 페이지 에 테스트 리드 동작 을 수행 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .