또한 , 본 실시 형태 와 같이 , 지주 ( 15 ) 나 지지 핀 ( 16 ) 의 웨이퍼 ( 200 ) 와 의 접촉 개소 이외 의 부분 을 금속 산화 막 또는 비금 속막 의 적어도 한쪽 으로 코팅 함 으로써 , 지주 ( 15 ) 등 의 표면 에 퇴적물 의 막 이 형성 되 었 을 때 , 온도 변화 에 따라 지주 ( 15 ) 등 의 표면 과 퇴적물 의 막 의 사이 에 생기 는 응력 을 완화 하 여 , 퇴적물 의 막 에서 의 크랙 이나 막 박리 , 거기 에 기인 하 는 파티클 의 발생 을 억제 할 수 도 있 다 . 즉 , 웨이퍼 ( 200 ) 에 대하 여 성막 처리 를 행하 는 경우 , 성막 처리 에 있 어서 지주 ( 15 ) 등 의 표면 에 형성 되 는 퇴적물 의 막 과 동일 한 방향 의 응력 을 갖 는 금속 산화 막 , 또는 비금 속막 을 응력 완충 막 으로서 지주 ( 15 ) 등 의 표면 에 코팅 한다 . 이 경우 , 코팅 에 사용 하 는 금속 산화 막 이나 비금 속막 은 , 성막 처리 에서 형성 되 는 막 종 에 따라서 선택 된다 .