그러나 , 상기 와 같이 상변화 메모리 소자 를 완성 하 기 위한 공정 과정 은 매우 복잡 할 뿐 만 아니 라 , 특히 하부 전극 을 증착 하 기 위해 필수 적 으로 금속 질화 막 을 증착 해야 하 는데 , 현재 와 같이 급격 하 게 발달 된 반도체 공정 기술 , 즉 다 마신 및 듀얼 다 마신 공정 기술 을 고려 할 때 , 이 공정 기술 에서 금속 배선 및 비아 를 형성 하 기 위한 금속 의 증착 및 도금 하 기 전 에 증착 하 는 베리어 메탈 을 이용 하 여 기존 에서 와 같이 하부 전극 을 동일 하 게 형성 할 수 있 어 별도 의 하부 전극 을 형성 하 기 위한 박막 증착 공정 이 불 필요 함 에 따라 새로운 공정 과정 을 개발 해야 할 필요 성 이 있 었 다 .