또한 , 비휘발성 메모리 장치 ( 3 ) 는 제 1 부분 ( 10 a ) 과 제 2 부분 ( 10 b ) 을 구비 하 는 트렌치 ( 10 ) 를 구비 한다 . 트렌치 ( 10 ) 의 제 1 부분 ( 10 a ) 은 기판 ( 201 ) 의 상부 에서 전극 적층 체 ( 3 a ) 를 관통 하 도록 형성 되 며 , 제 2 부분 ( 20 b ) 은 제 1 부분 ( 10 a ) 의 하부 로 불연속 적 으로 연장 된 형태 를 가지 며 , 기판 ( 201 ) 내부 에 형성 될 수 있 다 . 트렌치 ( 10 ) 의 제 1 부분 ( 10 a ) 은 제 1 내지 제 8 게이트 전극 층 ( 310 a , 310 b , 310 c , 310 d , 310 e , 310 f , 310 g , 310 h ) 및 제 1 내지 제 8 층간 절연 층 ( 210 a , 210 b , 210 c , 210 d , 210 e , 210 f , 210 g , 210 h ) 의 측 벽면 을 노출 시킬 수 있 다 .