보상 반도체 층 ( AO 3 ) 하부 에 는 제 1 하부 제어 전극 ( G 3 a ) 이 배치 되 며 , 보상 반도체 층 ( AO 3 ) 상부 에 는 제 1 상부 제어 전극 ( G 3 b ) 가 배치 될 수 있 다 . 즉 , 보상 박막 트랜지스터 ( T 3 ) 는 이중 제어 전극 을 구비 할 수 있 다 . 이 와 같이 보상 박막 트랜지스터 ( T 3 ) 는 동일 한 신호 가 인가 되 는 제 1 상부 제어 전극 ( G 3 b ) 및 제 1 하부 제어 전극 ( G 3 a ) 을 구비 하 고 있 는 바 , 보상 반도체 층 ( AO 3 ) 은 안정 적 으로 구동 할 수 있 다 . 또한 , 제 1 하부 제어 전극 ( G 3 a ) 에 의해서 기판 ( 110 ) 의 하부 에서부터 인가 될 수 있 는 광 을 차단 하 는 역할 을 할 수 있 다 .