도 5 a 와 같이 , 상기 실리콘 기판 ( 101 ) 에 대한 정렬 마크 ( 135 ) 에 대응 되 어 소정 의 개구부 를 구비 한 제 1 제로 마스크 ( 미 도시 ) 에 상기 더미 영역 ( 120 ) 의 소정 부위 에 대응 되 어 일 이상 의 제 1 패턴 ( 135 a ) 이 더 형성 되 도록 형성 한다 . 이 경우 , 상기 제 1 제로 마스크 ( 미 도시 ) 를 이용 하 여 상기 실리콘 기판 ( 101 ) 상 에 정렬 마크 형성 시 , 정렬 마크 에 대응 되 는 부위 가 소정 깊이 로 식각 되 는데 , 마찬가지 로 , 상기 제 1 패턴 ( 135 a ) 에 대응 되 는 부위 도 상기 제 1 게터 링 부 ( 102 ) 와 같이 , 상기 실리콘 기판 ( 101 ) 표면 으로부터 소정 깊이 식각 된다 .