다른 하나 의 실시 예 에서 , 본 발명 은 논 - 실리콘 기판 과 절연 층 이 논 - 실리콘 기판 상 에 형성 되 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 이 다 . 패시브 회로 소자 는 절연 층상 에 형성 된다 . 패 시베이 션 층 은 패시브 회로 소자 상 에 형성 된다 . 패시브 회로 소자 와 전기 적 접촉 을 하 는 패 시베이 션 층상 에 UBM 이 형성 된다 . 솔 더 범프 는 UBM 상 에 형성 된다 .