도 6 은 , 반도체 층 의 면내 방향 의 전도도 를 측정 하 기 위한 , 4 단자 측정 소자 의 단면도 다 . 유리 기판 ( 1 ) 위 에 절연 층 ( 61 ) ( 두께 200 nm 의 아모 퍼스 SiOx ) 과 , 반도체 층 ( 4 ) ( In - Zn - Ga - 0 을 포함 하 는 두께 20 nm 의 아모 퍼스 산화물 반도체 ) 을 , 순서 적 으로 스퍼터링 법 에 의해 형성 한다 . 그 반도체 층 위 에 4 단자 측정 용 의 전극 ( 62 ) 을 증착 법 에 의해 추가 로 형성 한다 . 여기 에서 , 그 전극 은 , Au ( 40 nm ) / Ti ( 5 nm ) 를 포함 하 고 , 그 반도체 층 에 Ti 가 접하 고 있 다 .