또한 , 상기 와 같 은 구조 를 취하 는 경우 , 발광 소자 의 반도체 층 ( 본 실시 예의 경우 p 형 반도체 층 ) 이 기판 과 접하 는 형태 로 제공 되 므로 , 발광 소자 ( 11 ) 에서 발생 한 열 이 기판 을 통하 여 효과 적 으로 방출 될 수 있 다 . 이 에 대하 여 , 종래 발광 소자 패키지 구조 의 경우 발광 소자 를 사파이어 기판 면 이 기판 과 접하 도록 형성 하 였으나 , 사파이어 기판 은 열전도 율 이 반도체 층 보다 낮 아 효과 적 인 방열 에 한계 가 있 었 다 .