수직 형 메모리 장치 는 셀 영역 및 주변 회로 영역 을 포함 하 는 기판 의 상기 주변 회로 영역 상 에 형성 되 어 제 1 게이트 전극 을 포함 하 는 게이트 구조물 , 상기 기판 상면 에 수직 한 수직 방향 을 따라 상기 기판 의 셀 영역 상 의 복수 의 층 들 에 순차 적 으로 형성 된 제 2 내지 제 4 게이트 전극 들 , 상기 기판 의 셀 영역 상 에 형성 되 어 상기 제 2 게이트 전극 을 관통 하 는 제 1 에피택시 얼 층 , 상기 제 1 에피택시 얼 층 상 에 상기 수직 방향 을 따라 연장 되 어 상기 제 3 및 제 4 게이트 전극 들 을 관통 하 는 채널 , 및 상기 게이트 구조물 에 인접 한 상기 기판 의 주변 회로 영역 상 에 형성 된 제 2 에피택시 얼 층 을 포함 할 수 있 다 .