상기 식 에서 , R 1 은 독립 적 으로 선형 C 1 내지 C 10 알킬 기 , 분지 된 C 3 내지 C 10 알킬 기 , C 3 내지 C 10 환형 알킬 기 , C 3 내지 C 10 헤테로 환형 기 , C 3 내지 C 10 알케 닐 기 , C 3 내지 C 10 알키 닐 기 , 및 C 4 내지 C 10 아릴 기 로부터 선택 되 며 ; R 2 는 수소 , C 1 내지 C 10 선형 알킬 기 , 분지 된 C 3 내지 C 10 알킬 기 , C 3 내지 C 10 환형 알킬 기 , C 3 내지 C 10 헤테로 환형 기 , C 3 내지 C 10 알케 닐 기 , C 3 내지 C 10 알키 닐 기 , 및 C 4 내지 C 10 아릴 기 로 이루어진 군 으로부터 선택 되 며 , 여기 서 , R 1 및 R 2 는 환형 고리 구조 를 형성 시키 기 위해 연결 되 거나 환형 고리 구조 를 형성 하 도록 연결 되 지 않 으며 ; R 3 - 10 은 각각 독립 적 으로 수소 , 선형 C 1 내지 C 10 알킬 기 , 분지 된 C 3 내지 C 10 알킬 기 , C 3 내지 C 10 환형 알킬 기 , C 2 내지 C 10 알케 닐 기 , C 2 내지 C 10 알키 닐 기 , 및 C 4 내지 C 10 아릴 기 로부터 선택 되 며 ; X 는 선형 C 1 내지 C 10 알킬 기 , 분지 된 C 3 내지 C 10 알킬 기 , C 3 내지 C 10 환형 알킬 기 , C 2 내지 C 10 알케 닐 기 , C 2 내지 C 10 알키 닐 기 , C 4 내지 C 10 아릴 기 , C 1 내지 C 10 아실 기 , 아민 기 ( - NR 1 R 2 ) , H , Cl , Br , I , F , C 2 내지 C 12 카 복실 레이트 기 , C 1 내지 C 10 선형 또는 분지 된 알 콕 시 기 , 트리 메틸 실록 시 기 , 디 메틸 실록 시 기 , 메틸 실록 시 기 , 또는 실록 시 기 로 이루어진 군 으로부터 선택 되 며 , R 1 및 X 는 환형 고리 를 형성 하 도록 연결 되 거나 환형 고리 를 형성 하 도록 연결 되 지 않 는다 .