도 50 a 및 50 b 는 예시 적 인 반도체 디바이스 ( 400 ) 를 제조 하 기 위한 예시 적 인 방법 의 사시도 및 단면도 를 도시 한다 . 도 50 a 및 50 b 에 도시 된 예 에서 , 전자 컴 포 넨 트 ( 430 ) 가 서브 스트레이트 ( 110 ) 의 인 캡슐 란트 ( 115 ) 에 부착 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 전자 컴 포 넨 트 ( 430 ) 는 인 캡슐 란트 ( 115 ) 에 형성 된 오프닝 ( 119 ) 과 대응 ( 중첩 ) 되 는 영역 에 제공 될 수 있 다 . 일부 예 에서 , 전자 컴 포 넨 트 ( 430 ) 에 의해 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 오프닝 ( 119 ) 이 막힌 형태 일 수 있 다 . 이 에 따라 , 서브 스트레이트 ( 110 ) 의 오프닝 ( 119 ) 을 통해 외부 신호 ( 예 를 들 면 , 압력 , 소리 등 ) 가 전자 컴 포 넨 트 ( 430 ) 에 전달 될 수 있 다 . 일부 예 에서 , 전자 컴 포 넨 트 ( 430 ) 는 접착제 를 통하 여 서브 스트레이트 ( 110 ) 의 인 캡슐 란트 ( 115 ) 에 접착 될 수 있 다 . 일부 예 에서 , 전자 컴 포 넨 트 ( 430 ) 는 터미널 ( 431 ) 및 MEMS 영역 ( 예 를 들 면 , 다이아 프레임 영역 ) ( 432 ) ( 오프닝 ( 119 ) 으로 노출 됨 ) 을 포함 할 수 있 다 . 전자 컴 포 넨 트 ( 430 ) 는 MEMS , 반도체 다이 또는 반도체 칩 을 포함 하 거나 이 들 로 지칭 될 수 있 다 . 전자 컴 포 넨 트 ( 430 ) 의 두께 는 대략 150 ㎛ 내지 대략 250 ㎛ 일 수 있 다 . 이러 한 전자 컴 포 넨 트 ( 430 ) 는 마이크 역할 을 하 거나 또는 압력 센서 역할 을 할 수 있 다 .