프로그램 모드 시 , 제 어 로직 ( 250 ) 은 비 선택 메모리 셀 의 게이트 ( 531 b ) 에 턴 - 온 전압 ( Von ) 를 인가 하 고 , 선택 메모리 셀 의 게이트 ( 531 a ) 에 턴 - 오프 전압 ( Voff ) 를 인가 하 도록 제어 할 수 있 다 . 그리하여 , 비 선택 메모리 셀 의 게이트 ( 531 b ) 에 대응 하 는 반도체 층 ( 522 b ) 은 도체 특성 을 갖 고 , 선택 메모리 셀 의 게이트 ( 531 a ) 에 대응 하 는 반도체 층 ( 522 a ) 은 절연 특성 을 갖 게 될 수 있 다 . 선택 메모리 셀 ( 710 ) 에 전기 적 으로 연결 된 비트 라인 에 프로그램 전압 ( Vprogram ) 이 인가 함 에 따라 선택 메모리 셀 ( 710 ) 에 대응 하 는 저항 변화 층 ( 523 a ) 에 는 전 압차 가 발생 하 게 된다 .