도 15 를 참조 하 면 , 먼저 , 쵸 크랄스 키 방법 으로 결정 성장 된 잉곳 을 슬 라 이싱 하 여 만들 어 진 실리콘 웨이퍼 를 급속 열처리 장비 에 로딩 ( loading ) 한다 . 이때 , 급속 열처리 장비 의 온도 는 약 700 ℃ 정도 로 설정 되 어 있 는 것 이 바람직 하 다 . 이때 , 아르곤 ( Ar ) 가스 는 20 slm 정도 의 유량 으로 공급 하 여 준다 .