다시 도 1 d 를 참조 하 면 , 위 와 같 은 공정 조건 을 반사 방지 막 을 식각 한 다음 , 제 2 감광막 패턴 ( 50 b ) 을 마스크 로 하 여 폴리 실리콘 을 식각 하 여 반사 방지 막 패턴 ( 40 a ) 아래 부분 에 남 는 제 1 폴리 실리콘 패턴 ( 30 a ) 과 게이트 산화 막 ( 20 ) 위 에 남 는 제 2 폴리 실리콘 패턴 ( 30 b ) 을 형성 한다 . 즉 , 본 발명 에서 는 폴리 실리콘 을 식각 할 때 이것 을 한 번 에 모두 제거 하 지 않 고 , 얇 은 두께 의 폴리 실리콘 이 기판 표면 에 남 도록 한다 . 기판 표면 에 남 는 제 2 폴리 실리콘 패턴 ( 30 b ) 의 두께 는 수백 옴 스트롱 으로 한다 . 제 2 폴리 실리콘 패턴 ( 30 b ) 을 남기 는 이유 는 폴리 실리콘 을 식각 할 때 폴리 실리콘 과 게이트 산화 막 의 낮 은 식각 선택 비 로 인하 여 게이트 산화 막 ( 20 ) 아래 에 있 는 실리콘 기판 까지 식각 되 는 불량 을 방지 하 기 위한 것 이 다 .