그래서 , 식 ( 2 ) 의 반응 으로 생성 되 는 Cl 2 가스 의 양 을 검출 하 고 , 이 가스 의 발생 이 확인 되 지 않 게 된 시점 에서 클리닝 처리 를 종료 시킨다 . 클리닝 처리 를 끝낸 후 에 는 , 서 셉 터 에 대하 여 SiC 막 의 재생 처리 를 실시 한다 . 클리닝 처리 에 의해 , SiC 막 의 형성 공정 에서 서 셉 터 에 부착 된 SiC 막 뿐 만 아니 라 , 서 셉 터 를 구성 하 는 SiC 막도 에칭 되 기 때문 이 다 .