여기 에서 , R 은 수소 이 거나 , 산소 , 질소 와 같 은 헤테로 원자 를 포함 할 수 있 는 지방족 , 지환 족 및 / 또는 방향 족 기이 고 , n 은 1 내지 10 , 바람직 하 게 는 2 내지 4 의 정수 이 다 . n 이 1 일 경우 , 지환 족 에폭시 드 는 모노 에폭시 드이 다 . n 이 2 이상 일 경우 , 디 - 또는 폴리 에 폭 시드 가 형성 된다 . R 은 최대 10 개 의 탄소 원자 를 함유 하 는 것 이 바람직 하 다 . 모노 -, 디 - 및 / 또는 폴리 에 폭 시드 의 혼합물 이 사용 될 수 도 있 다 . 본원 에 참조 로서 포함 된 미국 특허 제 3 , 686 , 359 호 에 기재 된 바 와 같 은 지 환족 에폭시 수지 가 본 발명 에 사용 될 수 도 있 다 . 특히 중요 한 지 환족 에폭시 수지 는 , ( 3 , 4 - 에폭시 시클 로 헥 실 - 메틸 ) - 3 , 4 - 에폭시 - 시클로헥산 카 복실 레이트 , 비스 -( 3 , 4 - 에폭시 시클 로 헥 실 ) 아디 페이트 , 비닐 시클 로 헥 센 일산화물 및 이 들 의 혼합물 이 다 .