제 2 열처리 를 행함 으로써 , 제 2 산화물 반도체 층 과 제 1 산화물 반도체 층 ( 403 ) 의 계면 에 형성 된 결정 영역 으로부터 제 2 산화물 반도체 층 의 전체 를 결정 화 시켜 제 2 산화물 반도체 층 ( 404 ) 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 제 2 열처리 에 의해 , 더욱 높 은 배향 성 을 갖 는 결정 층 으로 이루어지 는 제 1 산화물 반도체 층 ( 403 ) 으로 할 수 있 다 .