전술 한 다른 실시 예 에 따르 면 , 서로 다른 높이 를 갖 고 서로 다른 게르마늄 함량 을 갖 는 반도체 에 피층 패턴 들 ( 도 5 의 115 a , 120 a ) 이 식각 단계 에서 1 차 평탄 화 되 고 , CMP 단계 에서 2 차 평탄 화 될 수 있 다 . 특히 , 식각 단계 는 CMP 단계 에서 식각 된 반도체 에 피층 패턴 들 ( 도 10 의 115 b , 120 b ) 의 식각 속도 의 차이 를 보상 하 도록 적절 하 게 조절 될 수 있 다 .