다른 실시 예 들 에서 는 하나 이상 의 S - D 프로시저 를 이용 하 여 2 중 패 터닝 처리 시퀀스 가 수행 될 수 있 다 . 제 1 웨이퍼 세트 가 제 1 S - D 이송 서브시스템 ( 460 ) 및 / 또는 제 2 S - D 이송 서브시스템 ( 470 ) 에 의해 수납 될 수 있 다 . 제 1 웨이퍼 세트 는 하나 이상 의 제 1 S - D 요소 ( 410 ) 에 이송 될 수 있 다 . 제 1 마스킹 층 이 제 1 S - D 마스크 증착 프로시저 를 이용 하 여 각 웨이퍼 에 증착 될 수 있 고 , 제 1 S - D 평가 프로시저 를 이용 하 여 제 1 고 신뢰 도 웨이퍼 세트 가 확립 될 수 있 다 . 제 1 고 신뢰 도 웨이퍼 세트 는 제 1 S - D 이송 서브시스템 ( 460 ) 및 / 또는 제 2 S - D 이송 서브시스템 ( 470 ) 에 의해 수납 될 수 있 다 . 제 1 고 신뢰 도 웨이퍼 세트 는 하나 이상 의 제 2 S - D 요소 ( 420 ) 에 이송 될 수 있 다 . 각 웨이퍼 상 의 마스킹 층 은 제 1 S - D 노광 프로시저 를 이용 하 여 제 1 패 터닝 된 방사선 에 노광 될 수 있 으며 , 제 2 S - D 평가 프로시저 를 이용 하 여 제 2 고 신뢰 도 웨이퍼 세트 가 확립 될 수 있 다 . 제 2 고 신뢰 도 웨이퍼 세트 는 제 1 S - D 이송 서브시스템 ( 460 ) 및 / 또는 제 2 S - D 이송 서브시스템 ( 470 ) 에 의해 수납 될 수 있 다 . 제 2 고 신뢰 도 웨이퍼 세트 는 하나 이상 의 제 3 S - D 요소 ( 430 ) 에 이송 될 수 있 다 . 노광 된 층 은 S - D 현상 프로시저 를 이용 하 여 현상 될 수 있 고 , 제 3 S - D 평가 프로시저 를 이용 하 여 제 3 고 신뢰 도 웨이퍼 세트 가 확립 될 수 있 다 . 제 3 고 신뢰 도 웨이퍼 세트 는 제 1 S - D 이송 서브시스템 ( 460 ) 및 / 또는 제 2 S - D 이송 서브시스템 ( 470 ) 에 의해 수납 될 수 있 다 . 제 3 고 신뢰 도 웨이퍼 세트 는 하나 이상 의 제 4 S - D 요소 ( 440 ) 에 이송 될 수 있 다 . 현상 된 웨이퍼 는 S - D 에칭 프로시저 를 이용 하 여 에칭 될 수 있 고 , 제 1 피 에칭 구조물 세트 가 각 웨이퍼 상 의 하나 이상 의 층 에 작성 될 수 있 으며 , 제 4 S - D 평가 프로시저 를 이용 하 여 제 4 고 신뢰 도 웨이퍼 세트 가 확립 될 수 있 다 . 제 4 고 신뢰 도 웨이퍼 세트 는 제 1 S - D 이송 서브시스템 ( 460 ) 및 / 또는 제 2 S - D 이송 서브시스템 ( 470 ) 에 의해 수납 될 수 있 다 . 제 4 고 신뢰 도 웨이퍼 세트 는 하나 이상 의 제 5 S - D 요소 ( 450 ) 에 이송 될 수 있 다 . 하나 이상 의 제 1 재료 는 S - D 증착 프로시저 를 이용 하 여 , 에칭 된 웨이퍼 상 에 증착 될 수 있 고 , 제 1 충전 된 구조물 세트 가 각 웨이퍼 상 의 하나 이상 의 층 에 작성 될 수 있 으며 , 제 5 S - D 평가 프로시저 를 이용 하 여 제 5 고 신뢰 도 웨이퍼 세트 가 확립 될 수 있 다 .