상기 산화 피막 ( 135 t ) 의 형성 과 관련 하 여 , 방전 공간 ( S ) 과 접하 는 방 전부 ( 135 a ) 의 모서리 를 따라서 는 라운드 진 곡 면부 ( R 1 ) 가 형성 되 어 있 다 . 일반 적 으로 , 상기 방전 공간 ( S ) 들 은 전극 시트 ( 130 ) 에 대한 펀칭 작업 을 통해 형성 될 것 이 므로 , 방전 공간 ( S ) 과 접하 는 면 은 펀칭 시 의 절단면 에 해당 되 고 , 절단면 측 의 모서리 에 는 날카로운 에지 가 형성 될 가능 성 이 높 다 . 한편 , 아노 다 이징 등 의 산화 공정 에서 는 노 출 된 가공물 의 표면 을 기반 으로 하 여 이 로부터 산화물 을 성장 시키 게 되 므로 , 절단 을 통해 형성 된 날카로운 에지 위 에 는 치밀 한 조직 의 산화물 이 형성 되 기 어렵 다 . 이 에 , 본 발명 에서 는 절단 으로 형성 된 모서리 의 날카로운 에지 가 제거 되 도록 라운드 처리 된 곡 면부 ( R 1 ) 를 형성 함 으로써 , 모서리 의 에지 에 의해 그 위 에 형성 될 산화 피막 ( 135 t ) 의 성장기 반 이 취약 해 지 는 것 을 막 고 , 모서리 부분 을 포함 하 는 전체 표면 에 걸쳐 균일 한 산화 피막 ( 135 t ) 이 형성 되 도록 한다 .