다음 으로 , 도 23 의 S 45 에서 설명 한 바 와 같이 , IZO 막 세정 , 즉 웨트 에칭 에 의한 IZO 막 의 표면 층 의 제거 가 행해진다 . 이 공정 에 의해 , 단자 용 IZO 막 ( 198 ) 의 표면 의 산화 막 등 을 제거 할 수 있 다 . 도 24 b 에서 설명 한 표면 생성물 은 단자 용 IZO 막 ( 198 ) 의 표면 에 생성 되 지만 , 단자 용 IZO 막 ( 198 ) 의 표면 에 는 산화 막 등 이 형성 되 어 있 으므로 , 이 표면 생성물 도 IZO 막 ( 198 ) 의 산화 막 등 위 에 생 성 되게 된다 . 따라서 , 이 공정 에서 IZO 막 의 표면 이 제거 될 때 에 , 그 위 에 생성 되 어 있 는 산화 막 등 과 함께 표면 생성물 도 , 소위 리프트 오프 작용 에 의해 , 함께 제거 된다 . 그 모습 을 도 24 c 에 도시 한다 . 여기 서 는 , 계면 상태 ( 210 ) 로서 , 단자 용 IZO 막 ( 198 ) 표면 에 청 정면 이 노출 되 는 모습 이 도시 되 어 있 다 .