타 겟 층 ( 724 ) 은 실리콘 질화물 로 구성 될 수 있 다 . 도 7 a 에 도시 된 바 와 같이 , 타 겟 층 ( 724 ) 은 유지 층 ( 722 ) 내 의 트렌치 또는 비아 ( 725 ) 를 충전 하 고 , 트렌치 또는 비아 ( 725 ) 는 깊이 ( D ) ( 727 ) , 폭 ( W ) ( 726 ) , 및 애 스펙 트 비 ( aspect ratio ) ( D / W ) 를 갖 는다 . 애스 팩 트 비 는 3 , 4 , 또는 5 보다 클 수 있 다 . 일부 구조물 들 에 대해 , 애 스 팩 트 비 는 10 , 15 , 또는 심지어 20 보다 클 수 있 다 . 폭 ( W ) ( 726 ) 은 50 nm , 40 nm , 30 nm , 또는 20 nm 보다 작 을 수 있 다 . 일부 응용 들 에서 , 폭 ( W ) ( 726 ) 은 10 nm 보다 작 다 . 유지 층 ( 722 ) 은 실리콘 산화물 ( SiOx ) , 실리콘 산화 질화물 ( SiOxNy ) , 전이 금속 잔화 물 ( transition metal oxide ) [ 예 를 들 어 , 티타늄 산화물 ( TiOx ) ] , 전이 금속 질화물 [ 예 를 들 어 , 티타늄 산화물 ( TiNy ) ] , 및 실리콘 함량 이 중량 으로 15 % 내지 중량 으로 50 % 범위 인 실리콘 함유 유기 재료 로 구성 된 그룹 으로부터 선택 되 는 재료 로 구성 될 수 있 다 .