도 7 에 는 , 일 예 로서 , MSB 데이터 를 리드 하 는 데 이용 될 최적 리드 전압 들 ( Ropt 0 , Ropt 4 ) 을 결정 하 거나 추정 하 기 위하 여 , 제 2 리드 동작 이 프로그램 상태 들 ( P 1 , P 4 , P 5 ) 에 대응 하 여 수행 되 는 경우 를 도시 하 였 다 . 그러나 , 본 발명 의 실시 예 들 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 메모리 셀 들 이 가질 수 있 는 상태 들 중 적어도 하나 의 상태 에 대응 하 는 최적 리드 전압 을 결정 하 기 위하 여 , 적어도 하나 의 프로그램 상태 들 에 대응 하 는 제 2 리드 동작 이 수행 될 수 도 있 다 . 이하 의 도면 들 을 참조 한 실시 예 들 에서 도 마찬가지 이 다 . 제 2 리드 동작 에 대응 하 는 리드 데이터 를 기반 으로 , 채널 특성 이 변경 된 메모리 셀 들 의 문턱 전압 분포 들 이 확인 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 7 에 도시 된 바 와 같이 , 프로그램 상태 들 ( P 1 , P 4 , P 5 ) 에 대응 하 는 문턱 전압 분포 들 이 확인 될 수 있 다 .