다음 에 , 제 2 성막 조건 으로 바꾸 어 성막 속도 를 높여 미결정 반도체 막 ( 53 ) 을 성막 한다 . 이 단계 에서 의 단면도 가 도 9 ( C ) 에 상당 한다 . 미결정 반도체 막 ( 53 ) 의 막 두께 는 , 50 nm ∼ 500 nm ( 바람직 하 게 는 100 nm ∼ 250 nm ) 의 두께 로 하 면 좋 다 . 또한 , 본 실시 형태 에서 는 , 미결정 반도체 막 ( 53 ) 의 성막 시간 은 , 제 1 성막 조건 으로 성막 이 행해 지 는 제 1 성막 기간 과 제 2 성막 조건 으로 성막 이 행해 지 는 제 2 성막 기간 을 가진다 .