본 개시 의 일부 실시 예 에 따르 면 , 패키지 컴포넌트 ( 24 ) 의 형성 은 , 복수 의 SoC 다이 ( 100 ) 및 복수 의 HBM 스택 ( 108 ) 을 다른 캐리어 ( 미 도시 ) 위 에 위치 시키 는 단계 , 복수 의 SoC 다이 ( 100 ) 및 복수 의 HBM 스택 ( 108 ) 을 봉 지재 ( 122 ) 내 에 캡슐 화 하 는 단계 , 및 금속 범프 ( 102 , 112 ) 가 노출 될 때 까지 화학 적 기계 적 연마 ( CMP : Chemical Mechanical Polish ) 공정 또는 기계 적 연삭 공정 과 같 은 평탄 화 공정 을 수행 하 는 단계 를 포함 한다 . 다음 으로 , 상호 연결 구조물 ( 120 ) 이 SoC 다이 ( 100 ) , HBM 스택 ( 108 ) 및 봉 지재 ( 122 ) 위 에 형성 된다 . 상호 연결 구조물 ( 120 ) 은 유전체 층 ( 118 ) 및 유전체 층 ( 118 ) 내의 RDL ( 116 ) 을 포함 한다 . ( 금속 패드 , 금속 기둥 등 과 같 은 ) 표면 도전 성 피처 가 패키지 컴포넌트 ( 24 ) 의 상부 표면 에 형성 된다 . 따라서 , 복수 의 SoC 다이 ( 100 ) 및 복수 의 HBM 스택 ( 108 ) 을 포함 하 는 재 구성 된 웨이퍼 가 형성 된다 . 다음 으로 , 재 구성 된 웨이퍼 를 복수 의 패키지 컴포넌트 ( 24 ) 로 관통 절단 ( saw - through ) 하 도록 싱 귤 레 이 션 공정 이 수행 될 수 있 다 .