본 발명 이 이루 고자 하 는 기술 적 과제 는 반도체 기판 상 에 트렌치 형성 하 고 상기 트렌치 를 포함 한 전체 구조 상 에 소자 분리 용 절 연막 을 매립 한 후 , 매립 공정 시 발생 하 는 잔류물 을 제거 하 기 위한 식각 공정 을 진행 함 으로써 , 후속 평탄 화 공정 시 잔류물 에 의해 소자 가 손상 되 는 것 을 방지 할 수 있 는 반도체 메모리 소자 의 소자 분리 막 형성 방법 을 제공 하 는 데 있 다 .