일반 적 으로 , 반도체 소자 의 제조 공정 중 하나 인 팹 공정 은 상기 실리콘 웨이퍼 상 에 막 을 형성 하 기 위한 증착 공정 과 , 상기 막 을 평탄 화 하 기 위한 화학 적 기계 적 연마 공정 과 , 상기 막 상 에 포토레지스트 패턴 을 형성 하 기 위한 포토 리소그래피 공정 과 , 상기 포토레지스트 패턴 을 이용 하 여 상기 막 을 전기 적 인 특성 을 갖 는 패턴 으로 형성 하 기 위한 식각 공정 과 , 상기 실리콘 웨이퍼 의 소정 영역 에 특정 이온 을 주입 하 기 위한 이온 주입 공정 과 , 상기 실리콘 웨이퍼 상 의 불순물 을 제거 하 기 위한 세정 공정 과 , 상기 막 또는 패턴 이 형성 된 상기 실리콘 웨이퍼 의 표면 을 검사 하 기 위한 검사 공정 등 을 포함 한다 .