그 다음 에 는 , 게이트 를 정의 하 는 마스크 를 이용 한 식각 공정 으로 게이트 하드 마스크 층 ( 275 ) , 게이트 금속 층 ( 270 ) , 게이트 폴리 실리콘 층 ( 265 ) 및 게이트 산화 막 ( 260 ) 을 식각 하 여 게이트 를 형성 한다 . 이때 , 상대 적 으로 깊 게 형성 된 제 1 리세 스 게이트 영역 ( 225 a ) 을 포함 하 는 제 1 게이트 ( 280 a ) 와 낮 은 깊이 로 형성 된 제 2 리세 스 게이트 영역 ( 225 b ) 을 포함 하 는 제 2 게이트 ( 280 b ) 로 구분 된다 .