도 4 는 , 기억 부 ( 42 ) 의 구성 의 일례 를 나타낸 것 이 다 . 기억 부 ( 42 ) 는 , 예 를 들 어 도전 막 ( 41 ) 에 가까운 쪽 으로부터 순서 대로 , 하 지 층 ( 42 A ) , 자화 고정층 ( 42 B ) , 절연 층 ( 42 C ) , 기억 층 ( 42 D ) , 캡 층 ( 42 E ) 이 적층 된 구성 을 갖 고 있 다 . 즉 , 기억 소자 ( 40 ) 는 , 적층 방향 의 아래 부터 위 를 향하 여 자화 고정층 ( 42 B ) , 절연 층 ( 42 C ) 및 기억 층 ( 42 D ) 을 이 순서 대로 갖 는 보텀 핀 구조 를 갖 고 있 다 . 기억 소자 ( 40 ) 에서 는 , 1 축 이방성 을 갖 는 기억 층 ( 42 D ) 의 자화 M 42 D 의 방향 을 변화 시킴 으로써 정보 의 기억 이 행해 지 고 , 기억 층 ( 42 D ) 의 자화 M 42 D 와 자화 고정층 ( 42 B ) 의 자화 M 42 B 와 의 상대 적 인 각도 ( 평행 또는 반평행 ) 에 의해 정보 의 「 0 」 또는 「 1 」 이 규정 된다 .