캐 쏘 드 시트 ( 110 ) 는 캐 쏘 드 기판 ( 114 ) 의 반대 면 상 에 위치 된 활성 캐 쏘 드 층 ( 112 ) 을 포함 할 수 있 다 . 캐 쏘 드 기판 ( 114 ) 은 알루미늄 과 같 은 금속 호일 의 하나 이상 의 층 으로 형성 될 수 있 다 . 활성 캐 쏘 드 층 ( 112 ) 은 비록 , TiS 2 ( 이황화 티타늄 ) 과 같 은 재료 들 이 사용 될 수 있 으나 , 다층 산화물 ( 예 를 들 어 , 리튬 코발트 산화물 ) , 고분자 음 이온 을 기초 로 한 재료 ( 예 를 들 어 , 리튬 철 인산염 ) 또는 첨정석 ( 예 를 들 어 , 리튬 마그네슘 산화물 ) 과 같 은 재료 들 로 형성 될 수 있 다 .