상기 목적 을 달성 하 기 위하 여 본 발명 은 , 전기로 가 외부 에 설치 된 반응 로와 , 그 반응 로 에 설치 되 는 Ⅲ 족 원소 를 포함 하 는 물질 을 담 는 용기 를 구비 한 불활성 가스 주 입관 과 , V - 족 원소 를 포함 하 는 기체 를 투입 하 는 가스 주 입관 과 , 나노 구조 체 를 성장 시키 는 기판 을 안치 시키 기 위한 기판 홀더 및 반응 로 에서 반응 한 가스 들 을 배출 하 는 배기구 로 구성 된 나노 구 조체 제조 장치 에 있 어서 , 상기 반응 로 의 일 측 에 에칭 가스 를 에칭 가스 주 입관 이 더 형성 된 것 을 특징 으로 하 는 에칭 가스 를 이용 한 나노 막대 제조 장치 를 제공 한다 .