본 양태 에 따라 , 배선 재료 인 구리 와 의 밀착 성 이 우수 한 절 연막 을 갖 는 반도체 장치 를 얻 을 수 있 다 . 이 에 따라 , 저 유전 률 이 면서 신뢰 성 이 높 은 절 연막 을 갖 는 반도체 장치 를 실현 할 수 있 고 , 특히 반도체 장치 의 응답 속도 의 고속화 에 기여 할 수 있 다 . 또한 , 밀착 성 의 향상 에 의해 절 연막 의 기계 적 특성 ( 강도 등 ) 의 개량 에 도 이바지 할 수 있 다 .