도 4 a ~ f 를 참조 하 여 하 기 에 추가 설명 하 는 것 과 같이 CNT 재료 ( 212 ) / 가역 저항 전환 소자 ( 202 ) 의 형성 이후 에 유전체 재료 를 CNT 재료 ( 212 ) 및 제 1 전도체 ( 206 ) 상부 및 주위 에 증착 시킨다 . 몇몇 실시 예 에서 , 상기 유전체 재료 는 화학 증기 증착 법 ( CVD ) , 고밀 도 플 라즈 마 ( HDP ) 증착 법 , 아크 플라 즈 마 원조 증착 법 , 스핀 - 코팅 증착 법 등 을 사용 하 여 증착 시킬 수 있 다 . 상기 유전체 재료 는 메모리 셀 ( 200 ) 을 포함 하 는 메모리 레벨 상 에 제조 된 다른 메모리 셀 ( 도시 되 어 있 지 않 음 ) 의 제 1 전도체 및 다른 유사 한 CNT 재료 ( 212 ) 로부터 CNT 재료 ( 212 ) 및 제 1 전도체 ( 206 ) 를 분리 한다 . CMP 또는 유전체 에치 백 단계 를 다음 에 실행 시켜 상기 CNT 재료 ( 212 ) 의 상부 로부터 유전체 재료 를 제거 하 고 , 유전체 재료 를 평탄 화 시킨다 . 다음 에 다이오드 ( 204 ) 는 CNT 재료 ( 212 ) / 가역 저항 전환 소자 ( 202 ) 상 에 형성 된다 .