다음 에 , 도 19 b 에 도시 하 는 바 와 같이 , 레지스 트 마스크 ( 223 ) 를 사용 하 여 절 연막 ( 101 ) 을 에칭 한다 . 다음 에 , 보호 절 연막 ( 76 ) 을 에칭 한다 . 다음 에 , 게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b ) 을 선택 적 으로 에칭 한다 . 이 결과 , 게이트 전극 ( 251 ) , 공통 선 ( 256 ) 을 노출 시키 는 콘택트 홀 ( 224 , 226 ) 과 , 신호선 ( 271 c ) 을 노출 시키 는 콘택트 홀 ( 225 ) 을 형성 할 수 있 다 .