상기 하드 마스크 패턴 ( 155 ) 은 상기 포토다이오드 ( 140 ) 상 에 하드 마스크 층 ( 미 도시 ) 을 형성 한 후 사진 및 식각 공정 에 의하 여 형성 될 수 있 다 . 상기 하드 마스크 패턴 ( 155 ) 은 상기 금속 배선 ( 130 ) 에 대응 하 는 상기 포토다이오드 ( 140 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 따라서 , 상기 하드 마스크 패턴 ( 155 ) 은 상기 금속 배선 ( 130 ) 사이 에 해당 하 는 상기 포토다이오드 ( 140 ) 를 선택 적 으로 노출 시킬 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 하드 마스크 패턴 ( 155 ) 은 TEOS 를 포함 하 는 산화 막 으로 형성 될 수 있 다 . 또한 , 상기 하드 마스크 패턴 ( 155 ) 은 3000 ~ 5000 Å 의 두께 로 형성 될 수 있 다 . 또한 , 상기 하드 마스크 패턴 ( 155 ) 은 상기 금속 배선 ( 130 ) 보다 넓 은 영역 을 가지 도록 형성 될 수 있 다 .