따라서 , 하나 의 트랜지스터 ( TR 6 ) 내 에 분리 된 게이트 간 의 거리 는 동일 하 지만 , 각 트랜지스터 들 ( TR 1 내지 TR 7 ) 의 게이트 사이 의 거리 ( GD 1 , GD 2 , GD 3 ) 는 불 규칙 하 게 배치 되 어 , 포토 공정 및 식각 공정 에서 의 공정 편차 가 증가 하 게 된다 . 리프 셀 영역 ( 1 ) 가장자리 와 마주 하 는 트랜지스터 ( TR 1 , TR 7 ) 의 게이트 의 가장자리 도 마찬가지 로 포토 공정 및 식각 공정 에서 의 공정 편차 가 증가 하 게 된다 .