제 5 게이트 전극 ( GE 5 ) 은 제 k 발광 제어 라인 ( Ek ) 에 연결 될 수 있 다 . 제 5 게이트 전극 ( GE 5 ) 은 제 k 발광 제어 라인 ( Ek ) 일부 로 제공 되 거나 제 k 발광 제어 라인 ( Ek ) 으로부터 돌출 된 형상 으로 제공 될 수 있 다 . 제 5 액티브 패턴 ( ACT 5 ) , 제 5 소스 전극 ( SE 5 ) 및 제 5 드레 인 전극 ( DE 5 ) 은 불순물 이 도핑 되 지 않 거나 불순물 이 도핑 된 반도체 층 으로 형성 된다 . 예 를 들 면 , 제 5 소스 전극 ( SE 5 ) 및 제 5 드레 인 전극 ( DE 5 ) 은 불순물 이 도핑 된 반도체 층 으로 이루어지 며 , 제 5 액티브 패턴 ( ACT 5 ) 은 불순물 이 도핑 되 지 않 은 반도체 층 으로 이루어질 수 있 다 . 제 5 액티브 패턴 ( ACT 5 ) 은 제 5 게이트 전극 ( GE 5 ) 과 중첩 된 부분 에 해당 한다 . 제 5 소스 전극 ( SE 5 ) 의 일단 은 제 5 액티브 패턴 ( ACT 5 ) 에 연결 될 수 있 다 . 제 5 소스 전극 ( SE 5 ) 의 타단 은 제 5 콘 택 홀 ( CH 5 ) 을 통해 전원 라인 ( PL ) 에 연결 될 수 있 다 . 제 5 드레 인 전극 ( DE 5 ) 의 일단 은 제 5 액티브 패턴 ( ACT 5 ) 에 연결 될 수 있 다 . 제 5 드레 인 전극 ( DE 5 ) 의 타단 은 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 의 제 1 소스 전극 ( SE 1 ) 및 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) 의 제 2 드레 인 전극 ( DE 2 ) 에 연결 될 수 있 다 .