최근 , 하나 의 반도체 칩 에 109 개 이상 의 소자 가 집적 되 어 있 다 . 이렇 듯 반도체 칩 이 점점 미세 화 되 어 소자 구조 가 복잡 해 지 고 다층 배선 의 층수 가 증가 함 에 따라 칩 의 표면 에 는 요철 이 증가 한다 . 따라서 평탄 화 기술 이 더욱 중요 해 지 고 있 는데 , 특히 화학 적 기계 적 연마 ( chemical mechanical polishing 이하 , CMP ) 공정 은 반도체 소자 의 사이즈 감소 및 집적 도 증가 에 따른 평탄 화 요구 에 대응 하 기 위해 필수 적 으로 도입 되 는 반도체 공정 의 하나 이 다 .