이때 , 상기 저항성 접착 층 ( 416 ) 은 상기 유기 반도체 층 ( 418 ) 과 동일 하 거나 또는 유사 한 일함수 즉 , 4 . 9 ~ 5 . 1 eV 정도 를 가지 면서 동시 에 상기 소스 / 드레 인 전극 ( 414 a , 414 b ) 으로 사용 될 투명 도 전막 과 는 유사 한 도전 성질 을 갖 는 금속 무기 물질 로 형성 되 어 , 유기 반도체 층 ( 418 ) 과 소스 / 드레 인 전극 ( 414 a , 414 b ) 간 의 접촉면 저항 을 감소 시킨다 .