도 7 에 나타낸 바 와 같이 , 층간 절 연막 ( 30 ) 을 형성 하 고 , 반도체 층 ( 18 ) 의 소 스 영역 및 드레 인 영역 에 컨 택트 홀 을 개구 ( 開口 ) 한다 . 층간 절 연막 ( 30 ) 은 예 를 들 어 액체 재료 의 폴리 실라 잔 을 스핀 코팅 법 에 의해 기판 위 에 도포 하 여 건조 시킨 후 , 산소 분위기 하 에서 열처리 ( 열 산화 ) 를 실시 하 여 산화 실리콘 층 을 얻 음 으로써 형성 된다 . 다음 으로 , 포토레지스트 ( 도시 생략 ) 를 도포 하 고 , 베이 킹 등 의 소요 처리 를 행하 여 컨 택트 홀 의 패턴 을 노광 시키 고 , 현상 하 여 에칭 마스크 를 형성 한다 . 이 마스크 를 사용 하 여 층간 절 연막 ( 30 ) 및 상측 게이트 절연 층 ( 22 b ) 에 이방성 ( 異方 性 ) 에칭 을 행하 여 반도체 층 ( 18 ) 을 노출 시키 는 컨 택트 홀 ( 32 , 34 ) 을 개구 한다 .