패드 산화 막 ( 405 ) 은 열 산화 ( thermal oxidation ) 공정 또는 화학 기상 증착 ( CVD ) 공정 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 패드 산화 막 ( 405 ) 은 반도체 기판 ( 400 ) 의 일부 를 열 산화 공정 으로 산화 시켜 형성 되 거나 , 화학 기상 증착 공정 으로 반도체 기판 ( 400 ) 상 에 산화물 을 증착 하 여 형성 될 수 있 다 . 패드 산화 막 ( 405 ) 은 실리콘 산화물 을 포함 할 수 있 다 . 패드 산화 막 ( 405 ) 은 마스크 층 ( 410 ) 과 반도체 기판 ( 400 ) 사이 에 발생 되 는 스트레스 를 감소 시키 는 역할 을 할 수 있 다 .