실리콘 질화물 필름 내 의 불순물 의 존재 는 종종 더 높 은 에칭 률 과 관련 되 고 에칭 정지 로서 활용 을 감소 시켰 다 . 성장 하 는 실리콘 질화물 필름 으로 쉽 게 통합 되 는 일 불순물 은 수소 이 다 . 통상 적 열 CVD 방법 으로 성장 하 는 실리콘 질화물 은 10 % 미만 으로 수소 함량 을 줄이 는데 성공 하 였 지만 , 화학 증기 증착 을 위한 기판 온도 는 700 ℃ 내지 1000 ℃ 의 범위 이 다 . 더 높 은 온도 는 물질 특성 및 초기 프로세싱 단계 에서 세워진 장치 를 악화 시킬 수 있 고 심지어 망가 트릴 수 있 다 .