또한 , 상기 반도체 기판 ( 101 ) 의 트랜지스터 영역 에 는 게이트 절 연막 ( 104 ) 을 개재 하 여 게이트 전극 ( 105 ) 들 이 형성 되 고 , 상기 게이트 전극 ( 105 ) 의 양 측면 에 절 연막 측벽 ( 106 ) 이 형성 되 며 , 상기 게이트 전극 ( 105 ) 일 측 의 포토다이오드 영역 에 n - 형 확산 영역 ( 107 ) 이 형성 된다 .