반도체 소자 의 형성 방법 을 제공 한다 . 이 방법 에 따르 면 , 제 1 가이드 패턴 들 을 형성 하 고 , 마스크 막 을 콘 포말 하 게 형성 하 고 , 제 1 가이드 패턴 양측 의 빈 영역 을 채우 는 제 2 가이드 패턴 을 형성 한다 . 이때 , 서로 인접 한 제 1 및 제 2 가이드 패턴 들 사이 의 마스크 막 의 일부 를 마스크 패턴 으로 사용 한다 . 이 로써 , 균일 하 고 미세 한 반도체 패턴 들 을 형성 할 수 있 다 .