제 3 포토 리소그래피 공정 에 의해 도전 막 위 에 레지스 트 마스크 를 형성 하 고 , 선택 적 으로 에칭 을 행하 여 제 1 도전 층 ( 406 a ) 과 제 2 도전 층 ( 405 a ) 으로 형성 된 소스 전극 , 제 1 도전 층 ( 406 b ) 과 제 2 도전 층 ( 405 b ) 으로 형성 된 드레 인 전극 을 형성 한 후 , 레지스 트 마스크 를 제거 한다 ( 도 12 d ) . 제 3 포토 리소그래피 공정 에서 의 레지스 트 마스크 형성 시 의 노광 에 는 , 자외선 이나 KrF 레이 저광 이나 ArF 레이 저광 을 사용 하 면 좋 다 . 산화물 반도체 층 ( 409 ) 위 에서 이웃 하 는 제 1 도전 층 ( 406 a ) 과 제 2 도전 층 ( 405 a ) 으로 형성 된 소스 전극 의 하단 부 와 제 1 도전 층 ( 406 b ) 과 제 2 도전 층 ( 405 b ) 으로 형성 된 드레 인 전극 의 하단 부 의 간격 폭 에 의해 나중 에 형성 되 는 트랜지스터 의 채널 길이 ( L ) 가 결정 된다 . 또한 , 채널 길이 ( L ) = 25 nm 미만 의 노광 을 행하 는 경우 에 는 , 예 를 들 면 , 수 nm 내지 수십 nm 으로 지극히 파장 이 짧 은 초 자외선 ( Extreme Ultraviolet ) 을 사용 하 여 제 3 포토 리소그래피 공정 에서 의 레지스 트 마스크 형성 시 의 노광 을 행하 면 좋 다 . 초 자외선 에 의한 노광 은 , 해상도 가 높 고 초점 심도 도 크 다 . 따라서 , 나중 에 형성 되 는 트랜지스터 의 채널 길이 ( L ) 를 미세 화 하 는 것 이 가능 하 여 , 회로 의 동작 속도 를 고속 화 할 수 있 다 .