일 예 에서 , ALD 프로세스 는 기판 을 200 내지 400 ℃ 의 온도 에서 ALD 진공 장치 에서 SnCl 4 ( 주석 - 함유 전구체 ) 및 탈 이 온수 ( 산소 - 함유 반응 물질 ) 에 순차 적 으로 그리고 교번 적 으로 노출 하 는 단계 를 포함 한다 . ALD 사이클 의 특정 한 예 에서 , N 2 캐리어 가스 와 SnCl 4 증기 의 혼합물 이 0 . 5 초 동안 ALD 프로세스 챔버 내 로 도입 되 고 , 이어서 3 초 동안 기판 에 노출 된다 . 다음 에 , ALD 프로세스 챔버 가 프로세스 챔버 의 대부분 으로부터 SnCl 4 를 제거 하 도록 10 초 동안 N 2 를 사용 하 여 퍼지 되 고 , N 2 캐리어 가스 와 H 2 O 증기 의 혼합물 이 1 초 동안 프로세스 챔버 내 로 흐르 고 3 초 동안 기판 에 노출 된다 . 다음 에 , ALD 프로세스 챔버 는 N 2 를 사용 하 여 퍼지 되 고 사이클 이 반복 된다 . ALD 프로세스 는 대기압 이하 압력 ( 예 를 들 어 , 0 . 4 Torr ) 및 200 내지 400 ℃ 의 온도 에서 수행 된다 .