단계 ( 466 ) 에서 , 하드 마스크 ( 557 ) 가 증착 된다 . 하드 마스크 ( 557 ) 는 TaN 을 포함 할 수 있 다 . 그 후 , MTJ 스택 ( 500 ) 은 300 ℃ 에서 1 시간 동안 어닐링 된다 . 이러 한 디바이스 는 어닐링 후 에 , 5 - 10 Ω ㎛ 2 의 저항 영역 곱 ( RA ) 범위 를 갖 는 100 % 초과 의 터널 링 자기 저항 ( TMR ) 을 가졌 다 .