산화물 반도체 박막 트랜지스터 의 제조 방법 이 개시 된다 . 개시 된 제조 방법 은 기판 상 에 게이트 를 형성 한 다음 , 이 게이트 를 덮 도록 기판 상 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 게이트 절 연막 상 에 산화물 반도체 로 이루어진 채널 층 을 형성 하 는 단계 ; 채널 층 의 양 측면 상 에 각각 소스 및 드레 인 전극 을 형성 하 는 단계 ; 채널 층 에 산소 를 공급 하 기 위한 플 라즈 마 처리 공정 을 수행 하 는 단계 ; 소스 및 드레 인 전극 과 , 채널 층 을 덮 도록 보호막 을 형성 하 는 단계 ; 및 보호막 을 형성 한 다음 , 열처리 공정 을 수행 하 는 단계 ; 를 포함 한다 .