본 실시 형태 에서 는 , 컨 택트 홀 ( 16 , 17 ) 을 이용 하 여 , 2 회 의 이온 주입 공정 에 의해 , 에 미터 영역 으로서 이용 하 는 P 형 의 확산 층 ( 6 , 7 ) 및 콜렉터 영역 으로서 이용 하 는 P 형 의 확산 층 ( 8 , 9 ) 을 형성 한다 . 전술 한 바 와 같이 , 2 회 째 의 이온 주입 시 에 는 , 1 회 째 의 이온 주입 시 보다 도 고 가속 전압 에 의해 , 불순물 을 이온 주입 한다 . 이 제조 방법 에 의해 , 에피 택 셜 층 ( 4 ) 심부 에 베이스 폭 Wb 1 ( 도 2 의 ( A ) 참조 ) 이 가장 좁 은 영역 이 형성 된다 .