다음 에 , n 형 도전 형 을 갖 는 버퍼 ( 84 ) 위 에 마스크 를 형성 한 후 , 수소 농도 및 산소 결손 이 저감 된 산화물 반도체 막 ( 57 ) 및 n 형 도전 형 을 갖 는 버퍼 ( 84 ) 를 에칭 하 여 섬 형상 의 산화물 반도체 막 ( 59 ) 및 n 형 도전 형 을 갖 는 버퍼 ( 85 ) 를 형성 한다 . 그 후 , 마스크 를 제거 한다 ( 도 5 b 참조 ) .