본 발명 에서 는 게이트 배선 ( 101 ) , 제 1 공통 배선 ( 103 ) , 제 1 공통 전극 ( 103 a ) 및 제 1 스토리지 전극 ( 106 ) 은 절연 기판 상 에 2700 Å ~ 3000 Å 깊이 로 형성 된 홈 내측 에 형성 하 여 절연 기판 표면 과 게이트 배선 ( 101 ) , 제 1 공통 배선 ( 103 ) , 제 1 공통 전극 ( 103 a ) 및 제 1 스토리지 전극 ( 106 ) 들 의 표면 이 동일 평면 을 이루 도록 하 여 단차 발생 을 최소 화 하 였 다 .