일 실시 예 에서 , 상부 전극 ( 745 ) 과 핀 층 ( PIN ) 의 단부 는 서로 일치 하 지 않 고 , 상부 전극 ( 745 ) 이 핀 층 ( PIN ) 보다 좁 은 면적 을 가지 도록 패 터닝 될 수 있 다 . 이 와 같이 상부 전극 ( 745 ) 이 핀 층 ( PIN ) 의 내층 에 형성 되 어 핀 층 ( PIN ) 의 가장 자리 를 노출 시키 는 인 셋 구조 로 형성 되 면 , 광전 소자 ( PD ) 의 누설 전류 가 최소 화 될 수 있 다 .