이러 한 패 터닝 의 기술 로서 , 우선 패턴 수평 부분 의 습식 식각 속도 및 패턴 수직 부분 의 습식 식각 속도 가 상이 하 도록 특정 조건 하 에서 기판 의 패 터닝 된 표면 상 에 SiN 막 을 증착 한 다음 , 습식 식각 에 의해서 선택 적 으로 패턴 의 측벽 부분 만 또는 패턴 의 수평 부분 부분 만 을 남기 는 것 이 공지 되 어 있 다 ( 예 , 미국 특허 출원 공개 번호 2017 / 0243734 에 개시 된 바 와 같이 , " 그 개시 내용 은 본원 에 개시 된 특정 구 현예 에 적용 가능 하 게 참조 로 전체 가 포함 됨 ) . 이 기술 은 SiN 의 토폴로지 - 선택 적 막 ( "" TS - SiN "") 의 형성 으로 지칭 될 수 있 다 . 상기 에서 ", 패턴 수직 부분 만 또는 수평 부분 만 을 선택 적 으로 제거 하 기 위해 건식 식각 이 아닌 습식 식각 을 사용 하 기 때문 에 , 하부 막 에 대한 패턴 의 높 은 습식 식각 선택도 를 설정 하 는 것 이 가능 하 고 , 삭각 의 균일성 을 고려 할 필요 가 없 는 장점 을 실현 하 는 것 이 가능 하 다 . TS - SiN 에서 , 습식 식각 선택도 를 높 게 하 려면 RF 전력 을 증가 시킴 으로써 얻 어 질 수 있 으나 , 이러 한 조건 은 SiO 막 에서 작동 하 지 않 아 유사 하 게 높 은 습식 식각 선택도 를 갖 지 못한다 . 따라서 , " 반도체 산업 에서 SiO 의 토폴로지 - 선택 적 막 ( "" TS - SiO "") 의 형성 에 대한 수요 가 높 지만 ", TS - SiO 는 성공 적 으로 실현 되 지 않 았 다 .