도 5 a 내지 도 5 c 를 참조 하 면 , 제 2 티어 구조물 이 제 1 티어 구조물 ( 132 , 142 , 170 , 148 ) 위 에 형성 될 수 있 다 . 제 2 티어 구조물 은 희생 재료 층 들 일 수 있 는 스 페이서 재료 층 들 과 절연 층 들 의 추가 적 인 수직 교번 시퀀스 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 후속 적 으로 재료 층 들 의 제 2 수직 교번 시퀀스 ( 232 , 242 ) 가 제 1 수직 교번 시퀀스 ( 132 , 142 ) 의 상단 표면 상 에 형성 될 수 있 다 . 제 2 수직 교번 시퀀스 ( 232 , 242 ) 는 교번 하 는 복수 의 제 3 재료 층 들 및 제 4 재료 층 들 을 포함 한다 . 각각 의 제 3 재료 층 은 제 3 재료 를 포함 할 수 있 고 , 각각 의 제 4 재료 층 은 제 3 재료 와 상이 한 제 4 재료 를 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 제 3 재료 는 제 1 절연 층 ( 132 ) 의 제 1 재료 와 동일 할 수 있 고 , 제 4 재료 는 제 1 희생 재료 층 들 ( 142 ) 의 제 2 재료 와 동일 할 수 있 다 .