유지 플레이트 ( 75 ) 의 상면 중 가이드 링 ( 76 ) 보다 내측 의 영역 이 반도체 웨이퍼 ( W ) 를 유지 하 는 평면형 의 유지 면 ( 75 a ) 이 된다 . 유지 플레이트 ( 75 ) 의 유지 면 ( 75 a ) 에 는 , 복수 의 기판 지지 핀 ( 77 ) 이 세워 설치 되 어 있 다 . 본 실시 형태 에 있 어서 는 , 유지 면 ( 75 a ) 의 외주 원 ( 가이드 링 ( 76 ) 의 내 주원 ) 과 동심원 의 둘레 상 을 따라 30 ° 마다 합계 12 개 의 기판 지지 핀 ( 77 ) 이 세워 설치 되 어 있 다 . 12 개 의 기판 지지 핀 ( 77 ) 을 배치 한 원 의 지름 ( 대향 하 는 기판 지지 핀 ( 77 ) 간 의 거리 ) 은 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 지름 보다 작 고 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 지름 이 φ 300 mm 이 면 φ 270 mm ~ φ 280 mm ( 본 실시 형태 에서 는 φ 270 mm ) 이 다 . 각각 의 기판 지지 핀 ( 77 ) 은 석영 으로 형성 되 어 있 다 . 복수 의 기판 지지 핀 ( 77 ) 은 , 유지 플레이트 ( 75 ) 의 상면 에 용접 에 의해 설치 하 도록 해도 되 고 , 유지 플레이트 ( 75 ) 와 일체 로 가공 하 도록 해도 된다 .