일반 적 인 반도체 소자 의 콘 택 형성 방법 에 따르 면 , 게이트 , 접합 영역 등 의 하부 구조물 이 형성 되 어 있 는 기판 상 에 층간 절 연막 을 형성 하 고 , 층간 절 연막 을 선택 적 식각 하 여 게이트 또는 접합 영역 의 일부분 을 드러내 는 콘 택 홀 을 형성 한 다음 , 콘 택 홀 에 도전 물 을 매립 하 여 콘 택 을 형성 하 고 있 다 . 그러나 , 이 와 같이 형성 된 반도체 소자 는 콘 택 과 접합 영역 간 접촉면 적 이 작 아 콘 택 저항 이 매우 크 고 , 층간 절 연막 의 불 완전 한 식각 으로 인한 콘 택 홀 낫 오픈 ( not open ) 가능 성 이 큰 문제점 이 있 다 .