데이터 저 장소 ( 202 ) 가 , 예 를 들 어 , 휘발 성 메모리 또는 비휘발성 메모리 일 수 있 거나 , 휘발 성 메모리 및 비휘발성 메모리 둘 다를 포함 할 수 있 다는 것 을 잘 알 것 이 다 . 제한 이 아닌 예시 로서 , 비휘발성 메모리 는 판독 전용 메모리 ( ROM ) , 프로그램 가능 ROM ( PROM ) , 전기 적 프로그램 가능 ROM ( EPROM ) , 전기 적 소거 가능 프로그램 가능 ROM ( EEPROM ) , 또는 플래시 메모리 를 포함 할 수 있 다 . 휘발 성 메모리 는 외부 캐시 메모리 로서 기능 하 는 랜덤 액세스 메모리 ( RAM ) 를 포함 할 수 있 다 . 제한 이 아닌 예시 로서 , RAM 은 SRAM ( static RAM ) , DRAM ( dynamic RAM ) , SDRAM ( synchronous DRAM ) , DDR SDRAM ( double data rate SDRAM ) , ESDRAM ( enhanced SDRAM ) , SLDRAM ( Synchlink DRAM ) , RDRAM ( Rambus direct RAM ) , DRDRAM ( direct Rambus dynamic RAM ) , 및 RDRAM ( Rambus dynamic RAM ) 등 의 많 은 형태 로 이용 가능 하 다 . 본 시스템 및 방법 의 데이터 저 장소 ( 202 ) 는 이 들 및 임의 의 다른 적합 한 유형 의 메모리 ( 이 들 로 제한 되 지 않 음 ) 를 포함 하 는 것 으로 보 아야 한다 . 그 에 부가 하 여 , 데이터 저 장소 ( 202 ) 가 서버 , 데이터베이스 , 하드 드라이브 , 펜 드라이브 ( pen drive ) , 외장형 하드 드라이브 , 휴대 용 하드 드라이브 , 기타 등등 일 수 있 다는 것 을 잘 알 것 이 다 .