그리고 , 이 들 을 목적 으로 하 는 형상 으로 가공 하 고 , N 형 반도체 성 산화 물막 ( 106 a ) 및 ( 106 b ) 와 , 소스 전극 ( 107 a ) 과 드레 인 전극 ( 107 b ) 을 형성 한다 . 이상 에서 트랜지스터 의 기본 적 인 구조 가 완성 된다 . 또한 , 도전 막 의 에칭 시 에 , 반도체 성 산화 물막 ( 105 b ) 의 일부 도 에칭 되 어 , 반도체 성 산화 물막 ( 105 b ) 에 홈 부 ( 오 목부 ) 가 형성 되 는 경우 도 있 다 .