또 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 반도체 막 ( 47 ) 을 형성 하 는 대신 에 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 지 않 는 반도체 막 을 형성 하 고 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 으로서 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 절 연막 을 형성 하 여도 좋 다 . 예 를 들 면 , 도너 가 되 는 불순물 원소 ( 인 , 비소 , 또는 안티몬 ) 를 포함 하 는 산화 규소 막 , 질화규소 막 , 산화 질화규소 막 , 또는 질화 산화 규소 막 등 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 을 적층 구조 로 하 는 경우 , 미결정 반도체 막 ( 45 ) 에 접하 는 층 또는 기판 ( 50 ) 에 접하 는 층 에 도너 가 되 는 불순물 원소 를 첨가 하 여도 좋 다 .