도 6 내지 도 9 에 도시 한 구성 에서 는 , 트랜지스터 ( 660 ) 가 반도체 기판 에 형성 되 는 예 를 나타냈 다 . 그러나 이것 에 한정 되 지 않 는다 . 트랜지스터 ( 660 ) 는 SOI 기판 상 에 형성 해도 좋 다 . 또한 , 일반 적 으로 「 SOI 기판 」 은 , 절연 표면 상 에 실리콘 반도체 층 이 형성 된 구성 의 기판 을 말 하 지만 , 본 명세서 등 에 있 어서 는 , 절연 표면 상 에 실리콘 이외 의 재료 로 이루어지 는 반도체 층 이 형성 된 구성 의 기판 도 포함 하 는 개념 으로서 사용 한다 . 즉 , 「 SOI 기판 」 이 갖 는 반도체 층 은 , 실리콘 반도체 층 에 한정 되 지 않 는다 . 또한 , 트랜지스터 ( 660 ) 는 , 절연 표면 을 갖 는 기판 상 에 형성 된 실리콘 등 의 반도체 층 을 사용 하 여 형성 해도 좋 다 . 당해 반도체 층 은 , 절연 표면 상 에 형성 된 비정질 반도체 박 층 을 결정 화 함 으로써 형성 된 것 이 어도 좋 다 .