이어서 , 스토리지 전극 ( 46 a ) 의 상부 표면 이 드러날 때 까지 스 페이서 식각 공정 을 수행 하 여 돌출 된 스토리지 전극 ( 46 a ) 의 측벽 에 실리콘 산화 막 ( 51 a ) , 실리콘 산화 막 ( 51 a ) 에 접하 면서 실리콘 산화 막 ( 51 a ) 에 의해 덮이 지 않 은 스토리지 전극 ( 46 a ) 의 측벽 부분 에 접하 는 질화 막 ( 51 b ) 및 질화 막 ( 51 b ) 에 접하 는 실리콘 막 ( 51 c ) 으로 이루어진 스 페이서 ( 51 ) 를 형성 한다 .