본 발명 은 ( a ) 용매 , 유기 반도체 , 절연성 고분자 를 포함 하 는 혼합 용액 을 제조 하 는 단계 ; 및 ( b ) 상기 혼합 용액 을 기판 상 에 스핀 코팅 하 고 건조 시켜 유기 반도체 층 / 절연성 고분자 층 / 기판 적층 체 를 제조 하 는 단계 ; 를 포함 하 고 , 상기 유기 반도체 의 표면 에너지 가 상기 절연성 고분자 의 표면 에너지 보다 작 고 , 단계 ( b ) 에서 , 상기 스핀 코팅 시간 을 조절 하 여 상기 유기 반도체 와 절연성 고분자 의 수직 상 분리 및 상기 유기 반도체 의 결정 성장 을 제어 하 는 것 인 , 결정 성장 이 제어 된 유기 반도체 적층 체의 제조 방법 을 제공 한다 . 본 발명 은 저 분자 반도체 물질 과 절연성 고분자 블 렌 드 를 이용 하 여 스핀코팅 시간 을 조절 함 으로써 , 박막 형성 시 수직 상 분리 및 결정 화도 를 조절 하 여 , 저 분자 반도체 및 절연성 고분자 의 종류 에 따라 최적 의 수직 상 분리 정도 및 결정 화도 를 조절 할 수 있 는 효과 가 있 다 . 또한 , 이 를 이용 하 여 유기 전계 효과 트랜지스터 의 제조 함 으로써 , 안정 성 향상 및 전기 적 특성 이 우수 한 소자 를 제조 할 수 있 는 효과 가 있 다 .