상기 MOCVD 법 에 의하 여 GaN 보호막 ( 50 ) 을 형성 하 는 단계 에 사용 되 는 반응 원료 는 당업 계 에서 통상 적 으로 사용 되 는 것 이 면 특별히 제한 되 지 않 으며 , 예 를 들 어 , TMG ( trimethylgallium ) , NH 3 등 의 기체 를 사용 할 수 있 다 . 상기 GaN 보호막 ( 50 ) 은 GaN 나노 막대 ( 43 ) 의 보호 층 ( protective layer ) 으로서 의 역할 및 이후 의 GaN 후막 ( 60 ) 성장 단계 에서 동종 성장 ( homoepitaxy ) 의 종자 층 ( seed layer ) 으로서 의 역할 을 한다 .