본 발명 은 비휘발성 메모리 소자 및 그 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 반도체 기판 상 에 다수 의 선택 라인 및 다수 의 워드 라인 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 선택 라인 과 상기 워드 라인 이 형성 되 지 않 아 노출 된 반도체 기판 에 접합 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 선택 라인 및 상기 워드 라인 상 에 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 절 연막 을 선택 적 으로 식각 하 여 상기 선택 라인 및 상기 선택 라인 과 인접 한 상기 워드 라인 사이 의 상기 접합 영역 이 노출 되 는 단계 및 상기 노출 된 접합 영역 에 전하 차단 영역 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 기 때문 에 , 선택 라인 및 선택 라인 에 인접 한 워드 라인 사이 의 간격 을 넓 게 형성 하 지 않 으면서 도 선택 라인 에 인접 한 워드 라인 이 프로그램 디 스터 번스 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .