다음 으로 , 도 6 b 를 참조 하 면 , 상기 감광막 패턴 ( 118 ) 을 마스크 로 상기 투명 기판 ( 100 ) 을 소정 깊이 로 등방성 식각 하 여 트렌치 ( 120 ) 를 형성 한다 . 상기 등방성 식각 공정 은 , 예 를 들 어 , 상기 투명 기판 ( 100 ) 이 실리콘 산화 막 으로 이루어진 경우 불 산 ( HF ) , BOE 또는 DHF 등 을 사용 한 습식 식각 공정 으로 진행 할 수 있 으나 , 다만 , 상기 투명 기판 ( 100 ) 의 재질 이 달라지 는 경우 , 건식 식각 공정 으로 진행 할 수 도 있 다 . 이러 한 등방성 식각 공정 을 진행 하 면 , 상기 투명 기판 ( 100 ) 상 에 , 어느 한 방향 으로 배열 된 줄무늬 형태 를 가지 면서 반원형 단면 을 가진 트렌치 ( 120 ; 단 , 도 5 , 도 6 a 내지 도 6 e 및 도 7 에 도시 된 것 과 는 달리 , 상기 감광막 패턴 ( 118 ) 의 개구부 가 복수 의 양전극 층 ( 102 ) 과 평행 한 방향 으로 배열 되 는 경우 에 는 , 상기 트렌치 ( 120 ) 가 상기 복수 의 양전극 층 ( 102 ) 과 평행 한 방향 을 따라 반원형 단면 을 가지 게 된다 . ) 가 형성 된다 .