제 2 실시 형태 에 있 어서 는 , 플래시 광 의 조사 가 개시 된 시각 ( t 2 ) 으로부터 플래시 램프 ( FL ) 에 의한 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 플래시 가열 이 종료 되 는 시각 ( t 3 ) 까지 의 기간 에 측정 된 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 표면 온도 및 이면 온도 를 각각 적산 하 여 표면 온도 적 산치 ( FS ) 및 이면 온도 적 산치 ( BS ) 를 산정 하 고 있 다 . 그리고 , 그 들 표면 온도 적 산치 ( FS ) 및 이면 온도 적 산치 ( BS ) 에 의거 하 여 깨 짐 판 정부 ( 32 ) 가 플래시 광 조사 시 의 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 깨 짐 을 판정 하 고 있 다 . 따라서 , 시각 ( t 4 ) 이후 에 분위기 치환 이 개시 되 기 전 에 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 깨 짐 이 판정 되 게 된다 . 이 때문 에 , 플래시 광 조사 시 에 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 깨져 있 는 경우 에 는 , 분위기 치환 이 개시 되 기 전 에 웨이퍼 깨 짐 이 검출 되 게 되 고 , 분위기 치환 전 에 처리 가 중단 되 어 분위기 치환 은 실행 되 지 않 는다 . 그 결과 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 깨져 발생 한 파티클 을 배기 부 ( 190 ) 의 진공 펌프 가 끌어들여 고장나 는 것 이 방지 된다 . 또한 , 챔버 ( 6 ) 내 가 암모니아 등 의 반응 성 가스 의 분위기 인 채 로 챔버 ( 6 ) 를 개방 하 여 청소 작업 을 행할 수 는 없 기 때문 에 , 챔버 ( 6 ) 로부터 가장 작 은 배기 유량 으로 배기 를 행하 여 반응 성 가스 를 배출 한 후 에 질소 가스 를 공급 하 여 분위기 치환 을 행하 도록 해도 된다 .