또 다른 예 로 , 보호막 ( 160 ) 을 상술 한 바 와 같 은 사이 클릭 화학 기상 증착 ( Cyclic CVD ) 방법 으로 형성 하 며 , 실리콘 옥사이드 ( SiO 2 ) 및 실리콘 나이트 라이드 ( SiN ) 중 적어도 하나 로 형성 될 수 있 다 . 여기 서 , 실리콘 옥사이드 ( SiO 2 ) 및 실리콘 나이트 라이드 ( SiN ) 중 적어도 하나 로 보호막 ( 160 ) 을 형성 하 는데 있 어서 , 실리콘 ( Si ) 을 포함 하 는 소스 원료 , 알루미늄 ( Al ) 을 포함 하 는 소스 원료 는 앞 에서 설명 한 게이트 절 연막 ( 130 ) 을 형성 하 는 소스 원료 와 동일 한 재료 를 이용 할 수 있 다 .