본 발명 의 일 실시 예 에 따른 유기 반사 방지 막 용 조성물 을 웨이퍼 상 에 도포 한 후 , 베이 킹 등 의 열 공정 을 수행 하 면 상기 열 산 발생 제 로부터 산 이 발생 된다 . 발생 된 산 의 존재 하 에 , 상기 화학식 1 의 유기 반사 방지 막 용 흡광 제 와 상기 경화제 사이 에서 가교 반응 이 촉진 되 어 , 포토레지스트 의 용매 에 용해 되 지 않 는 유기 반사 방지 막 이 형성 된다 . 이러 한 유기 반사 방지 막 은 포토레지스트 를 투과 하 여 반사 방지 막 에 도달 한 원자외선 을 흡수 하 여 포토레지스트 하 부막 으로부터 의 난반사 를 방지 한다 .