상기 아 노다 이징 처리 후 수화 봉공 처리 를 통해 형성 된 양극 산화 피막 을 구비 한 알루미늄 소재 로 이루어진 부품 은 상기 증착 챔버 내부 에서 고진공 또는 고온 의 가혹 한 증착 환경 에 노출 된다 . 증착 챔버 내 의 250 내지 500 ℃ 의 고온 증착 환경 에서 상기 알루미늄 부품 의 양극 산화 피막 에 크랙 ( crack ) 이 발생 하 고 , 이 로 인해 증착 챔버 내 에 불순물 파티클 이 증대 된다 .