( a ) 전술 한 특허 공보 에 개시 된 자성 도막 과 금속판 사이 에 , 도전 성 입자 를 함유 하 지 않 는 수지 도막 을 스 페이서 로서 개재 시킨 적층 구조 로 하 면 , 후기 하 는 실시 예 에 나타내 는 바 와 같이 , 종래 보다 양호 한 전자파 흡수성 이 얻 어 졌 다 . 전자파 흡수 성 뿐 만 아니 라 가공 성 을 고려 하 면 , 상기 한 스 페이서 의 막 두께 를 소정 범위 로 제어 할 필요 가 있 다 .