공개 내용 중 에서 , 본 발명 을 따르 는 방법 은 광학 요소 , 특히 렌즈 와 기판 의 정렬 을 이용 하 여 예시 적 으로 설명 될 것 이 다 . 본 발명 을 따르 는 방법 은 광학 요소 와 기판 의 정렬 로 제한 되 지 않 고 , 기판 스택 내 에서 임의 의 기판 들 의 정렬 을 위해 이용 될 수 있 다는 것 을 당업자 들 이 이해 한다 . 특히 , 상기 방법 은 예 를 들 어 복수 의 기판 과 TSV ( Through Silicon Via : 실리콘 관통 전극 ) 의 정렬 을 위해 이용 될 수 있 다 . 특히 , 기판 들 사이 에 TSV 연결부 를 갖 는 기판 스택 은 전자 부품 에 관한 고도 의 3 D 기술 로 인해 점점 중요 해 지 고 있 다 . 무엇 보다 도 상기 TSV 기판 은 메모리 생산 을 위해 근본 적 으로 중요 하 다 .