본 발명 은 수직 구조 를 갖 는 질화 갈륨 계 LED 소자 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 특히 발광 다이오드 소자 의 제조 공정 및 최종 패 키 징 공정 시 발생 할 수 있 는 외부 의 충격 에 의해 소자 가 손상 을 받 지 않 도록 소자 의 형태 를 유지 하 는 금속 구조 지지층 이 형성 된 수직 구조 질화 갈륨 계 LED 소자 의 제조 방법 에 관한 것 이 다 .