도 6 에 는 전술 한 절단 공정 에 의해 절단 되 어 형성 된 발광 칩 ( 100 ) 의 단면 구 조 가 잘 도시 되 어 있 다 . 도 6 을 참조 하 면 , 상기 발광 칩 ( 100 ) 은 , 도전 성 패턴 ( 12 ) , 즉 , 제 1 및 제 2 도전 성 패턴 ( 12 a , 12 b ) 이 형성 된 서브 마운트 ( 10 ) 와 , 제 1 도전 성 패턴 ( 12 a ) 에 실장 되 고 본딩 와이어 ( W 1 ) 에 의해 제 2 도전 성 패턴 ( 12 b ) 에 연결 된 LED 다이 ( 20 ) 와 , 상기 LED 다이 ( 20 ) 와 상기 서브 마운트 ( 10 ) 의 일부 에 균일 하 게 형성 된 형광체 층 ( 30 ) 을 포함 한다 . 그리고 , 상기 형광체 코팅 과정 에서 제외 된 상기 서브 마운트 의 도전 성 패턴 ( 12 ) 일부 영역 은 접점 영역 ( 120 ) 으로 남 는다 . 상기 접점 영역 ( 120 ) 은 제 1 및 제 2 도전 성 패턴 ( 12 a , 12 b ) 각각 의 일부 인 제 1 및 제 2 접점 영역 ( 120 a , 120 b ) 으로 이루어지 며 , 이 는 도 5 및 도 8 에 잘 도시 되 어 있 다 .