상기 레지스 트 층 형성 두께 는 50 마이크 론 이하 , 보다 좋 게 는 1 마이크 론 이상 25 마이크 론 이하 가 바람직 하 다 . 레지스 트 층 두께 는 전도성 패턴 형성 및 흑화 처리 시 단층 패턴 형성 이나 다층 패턴 형성 조건 에 따라 조절 이 필요 하 다 . 레지스 트 층 형성 시 건조 는 보통 80 ~ 400 ℃ 로 진행 하 는 바람직 하 고 비 전도성 기재 가 변형 되 지 않 은 온도 범위 에서 는 가능 하 다 .