도 2 내지 도 4 는 핀 ( 64 ) 을 형성 하 는 실시 형태 를 도시 하 지 마 , 핀 은 다양 한 상이 한 공정 에서 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 기판 ( 50 ) 의 상단 부 는 형성 될 의도 하 는 타입 ( 예컨대 , N 타입 또는 P 타입 ) 의 반도체 디바이스 에 적합 한 에피 택 셜 재료 와 같 은 적절 한 재료 로 대체 될 수 도 있 다 . 이어서 , 에피 택 셜 재료 가 상단 부 에 있 는 기판 ( 50 ) 을 패 터닝 하 여 , 에피 택 셜 재료 를 포함 하 는 반도체 핀 ( 64 ) 을 형성 한다 .