도 3 i 및 도 4 i 에 도시 된 바 와 같이 , 슬릿 ( 16 ) 이 형성 될 수 있 다 . 슬릿 ( 16 ) 을 형성 하 기 위해 , 상부 교번 스택 ( 11 U ) 및 하부 교번 스택 ( 11 L ) 이 순차 적 으로 식각 될 수 있 다 . 탑 뷰 로 볼 때 , 슬릿 ( 16 ) 은 어느 한 방향 ( 제 1 방향 ( D 1 ) ) 으로 길 게 연장 되 는 라인 형상 일 수 있 다 . 슬릿 ( 16 ) 은 메모리 셀 영역 ( MC ) 을 블록 단위 로 분할 할 수 있 다 . 하나 의 블록 은 9 개 의 필라 구조물 어레이 를 포함 할 수 있 다 .