반도체 기판 ( 101 ) 의 노출 부분 을 덮 도록 , 예 를 들 어 , 10 ㎚ 정도 의 마스크 산화 막 ( 도시 하 지 않 음 ) 을 열 산화 또는 CVD 법 으로 형성 한다 . 이 마스크 산화 막 을 개재 하 여 , 도 3 ( a ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 실리콘 질화 막 ( 107 ) 및 폴리 실리콘 막 ( 106 ) 의 양측 의 반도체 기판 ( 101 ) 표면 에 LDD 형성 을 위한 이온 주입 을 실시 한다 . 이 이온 주입 은 예 를 들 어 , 가속 도 30 keV , 도즈 량 1 × 1013 cm - 2 으로 비소 ( As ) 를 주입 하 여 실시 할 수 있 다 . 그 후 , 반도체 기판 ( 101 ) 을 열처리 하 여 , 주입 한 이온 을 확산 시켜 LDD ( 108 ) 을 형성 한다 . LDD ( 108 ) 은 도 1 의 게이트 패턴 ( 130 ) 의 개구부 에 대응 하 는 형상 으로 형성 된다 . 그 후 , 마스크 산화 막 을 제거 한다 .