메모리 어레이 MA 는 , 16896 ( = 214 + 29 ) 개 의 서브 메모리 어레이 SM 0 ∼ SM 16895 와 , 제 1 멀티플렉서 군 MUXB 1 , 제 2 멀티플렉서 군 MUXB 2 로 구성 된다 . 서브 메모리 어레이 SM 0 ∼ SM 16895 의 각각 은 , 예 를 들 면 서브 메모리 어레이 SM 0 과 같이 , 4096 ( = 212 ) 개 의 워드 선 WL 0 ∼ WL 4095 ( = WL ( 212 - 1 ) ) 와 8 조 의 로컬 비트 선 쌍 ( LB 001 ∼ LB 004 ) ∼( LB 071 ∼ LB 074 ) 의 각 교점 에 배치 된 적층 메모리 셀 군 MB 00 ∼ MB ( 212 - 1 ) 7 로 구성 된다 . 적층 메모리 셀 군 MB 00 ∼ MB ( 212 - 1 ) 7 의 각각 은 , 칼 코 게나 이드 재료 를 이용 한 기록 층 의 기능 을 갖 는 상변화 저항 소자 R 과 , 메모리 셀 선택 용 의 다이오드 D 가 , 대응 하 는 비트 선 과 워드 선 사이 에서 직렬 접속 된 메모리 셀 MC 1 ∼ MC 4 로 구성 된다 .