다른 태양 에서 , 본 발명 은 기판 을 처리 하 는 , 예 를 들 어 에칭 및 / 또는 세정 하 는 방법 을 제공 한다 . 본 방법 은 기판 을 본 발명 에서 개시 된 처리 조성물 과 접촉 시키 는 단계 와 , 원 하 는 표면 처리 를 위하 여 원위치 생성 된 플 루오 라이드 이온 내용물 을 이용 하 는 단계 와 ; 이어서 처리 된 기판 으로부터 세정 조성물 을 분리 하 는 단계 를 포함 한다 . 세정 공정 은 이용 가능 한 플 루오 라이드 이온 내용물 이 효율 적 으로 이용 되게 하 며 , 상대 적 으로 낮 은 플루오르화 수소 농도 를 이용 함 에 도 불구 하 고 , 그리고 무수 플루오르화 수소 로 작업 하 는 공지 의 어려움 과 수성 계 조성물 을 이용 한 작업 의 공지 의 문제점 및 상해 없이 종래 의 수성 플루오르화 수소 조성물 의 에칭 세정 속도 와 비견 되 는 에칭 세정 속도 를 달성 한다 .