본 제조 방법 에 따르 면 앞서 설명 한 제조 방법 에서 와 달리 p 형 실리콘 기판 의 일면 에 만 n + 도전 층 을 형성 한 후 그 이후 의 단계 를 진행 하 게 되 는데 , n + 도전 층 은 대표 적 으로 실리콘 기판 의 일면 에 n 형 도 펀트 를 함유 하 는 조성물 을 도포 하 고 , 실리콘 기판 을 확산 로 에서 열처리 함 에 의해 형성 될 수 있 다 .