이어서 , 도 1 b 에 도시 된 바 와 같이 , STI ( Shallow Trench Isolation ) 식각 공정 을 실시 하 여 제 1 및 제 2 하드 마스크 ( 104 A , 105 A ) , 완충 막 ( 103 A ) , 도전 막 ( 102 A ) , 터널 링 절 연막 ( 101 A ) , 기판 ( 100 A ) 을 일부 식각 하 여 트렌치 ( 106 ) 를 형성 한다 . 이러 한 트렌치 ( 106 ) 는 1500 ~ 2500 Å , 바람직 하 게 는 2000 Å 의 깊이 로 형성 할 수 있 다 . 예컨대 , STI 식각 공정 은 건식 식각 공정 으로 실시 하 며 , 동일 챔버 내 에서 인 - 시튜 ( in - situ ) 공정 으로 실시 한다 . 또한 , 식각 용액 으로 는 불화 탄소 화합물 , 즉 CxFy ( x , y 는 0 을 제외 한 자연수 ) , 예컨대 CF 4 , C 2 F 6 , C 4 F 8 , C 5 F 8 를 사용 하 거나 , 또는 CxFyHz ( x , y , z 는 0 을 제외 한 자연수 ) , 예컨대 CF 3 H , CF 2 H 2 , CFH 3 , C 2 HF 5 를 사용 한다 . 이외 에 도 NF 3 , SF 6 또는 CF 3 Cl 를 사용 할 수 있 다 . 또한 , 첨가 가스 로 H 2 또는 O 2 를 사용 할 수 있 다 .