도 2 에서 브리지 배선 ( 1 ) 위 에 만 형성 되 었 던 절연 층 ( 2 a ) 과 달리 , 도 12 의 절연 층 ( 2 ) 은 기판 ( 210 ) 위 에 전체 적 으로 형성 되 어 있 고 , 브리지 배선 ( 1 ) 의 제 1 접촉 부 및 제 2 접촉 부 를 노출 시키 는 접촉 구멍 ( C 1 , C 2 ) 을 갖 는다 . 도 12 의 절연 층 ( 2 ) 형성 은 도 2 의 절연 층 ( 2 a ) 형성 보다 에칭 면적 과 에칭 시간 을 감소 시킬 수 있 다 . 또한 , 에칭 균 일도 를 향상 시키 고 , 서로 절연 되 어야 하 는 제 1 전극 패턴 ( 13 ) 및 제 2 전극 패턴 ( 14 ) 의 단락 을 방지 할 수 있 다 .