도 1 b 를 참조 하 면 , 기판 ( 200 ) 상 에 도전 층 으로 이루어진 파이프 게이트 도전 층 ( 204 ) 이 형성 된다 . 기판 ( 200 ) 과 파이프 게이트 도전 층 ( 204 ) 을 격리 시키 기 위하 여 기판 ( 200 ) 과 파이프 게이트 도전 층 ( 204 ) 사이 에 는 절 연막 ( 202 ) 이 형성 된다 . 파이프 게이트 도전 층 ( 204 ) 은 수직 채널 층 들 ( 230 A , 230 B ) 을 전기 적 으로 연결 하 기 위한 파이프 트랜지스터 의 게이트 로 사용 된다 . 파이프 게이트 도전 층 ( 204 ) 의 소정 영역 에 는 트렌치 가 형성 되 고 , 파이프 게이트 도전 층 ( 204 ) 의 트렌치 에 는 폴리 실리콘 층 으로 이루어진 파이프 채널 층 ( 230 C ) 이 형성 된다 .