본 발명 의 일 형태 에 관한 표면 처리 방법 은 , 연마 완료 연마 대상물 이 연마 완료 반도체 기판 일 때 , 적합 하 게 적용 된다 . 즉 , 본 발명 의 다른 일 형태 에 따르 면 , 연마 완료 연마 대상물 이 연마 완료 반도체 기판 이 고 , 당해 연마 완료 반도체 기판 을 , 상기 표면 처리 방법 에 의해 연마 완료 반도체 기판 의 표면 에 있 어서 의 잔사 를 저감 하 는 것 을 포함 하 는 , 반도체 기판 의 제조 방법 도 또한 제공 된다 .