도면 을 참조 하 면 , 본 발명 의 일실 시예 에 따른 단일 폴리 이이 피롬 은 크 게 전하 주입 영역 인 플로팅 게이트 영역 이 MOSFET 형태 로 반도체 기판 의 상부 에 형성 되 고 , 이 플로팅 게이트 영역 의 상부 에 는 플로팅 게이트 에 캐 패 시터 커플링 에 의해 고전압 을 인가 하 는 컨트롤 게이트 가 MIM ( metal insulator metal ) 캐 패 시터 형태 로 적층 된다 .