반도체 소자 의 컨 택 형성 방법 은 , 반도체 기판 상 에 형성 된 층간 절 연막 에 컨 택 홀 을 형성 하 는 단계 , 반도체 기판 이 로딩 된 반응 챔버 내 에 알루미늄 전구체 를 포함 하 는 반응 가스 를 주입 하 는 단계 와 알루미늄 전구체 의 열분해 가 일어나 도록 반응 챔버 에 반응 에너지 를 공급 하 는 단계 를 주기 적 으로 반복 하 여 반도체 기판 에 제 1 알루미늄 막 을 증착 하 는 단계 , 및 컨 택 홀 을 제 2 알루미늄 막 으로 매립 하 는 단계 를 포함 한다 .