도 9 b 를 참조 하 면 , 몰드 스택 ( 303 a ) 을 건식 식각 하 여 수직 채널 들 ( 340 ) 사이 에 워드 라인 컷 ( 352 ) 을 형성 하 고 , 워드 라인 컷 ( 352 ) 을 통해 인산 ( H 3 PO 4 ) 을 제공 하 여 제 2 희생 막 들 ( 321 - 324 ) 을 선택 적 으로 습식 식각 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 2 희생 막 들 ( 321 - 324 ) 이 형성 되 어 있 던 자리 에 리세 스 영역 들 ( 326 ) 이 형성 될 수 있 다 .