도 4 에 따르 면 , 상기 컨트롤 게이트 픽업 구조 ( 200 ) 은 하나 의 컨트롤 게이트 폴리 - 실리콘 층 ( 220 ) ; 복수 의 플로팅 게이트 폴리 - 실리콘 층 ( 210 a , 210 b , 210 c ) ; 상기 컨트롤 게이트 폴리 - 실리콘 층 과 연결 되 는 복수 의 워드 라인 ( word line ) 컨 택 ( 240 ) ; 을 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 이 다 . 상기 컨트롤 게이트 폴리 - 실리콘 층 ( 220 ) 은 평면 뷰 ( view ) 에서 X 축 방향 의 길이 가 Y 축 방향 의 길이 보다 길 게 형성 되 고 , 상기 컨트롤 게이트 폴리 - 실리콘 층 의 중심 축이 X 축 방향 과 평행 한 모양 을 갖 는 비휘발성 메모리 소자 이 다 . 그리고 컨트롤 게이트 폴리 - 실리콘 층 ( 220 ) 은 복수 의 플로팅 게이트 폴리 - 실리콘 층 ( 210 a , 210 b , 210 c ) 을 둘러싸 고 있 는 구조 이 다 . 여기 서 컨트롤 게이트 폴리 - 실리콘 층 ( 220 ) 은 셀 영역 ( 300 ) 의 컨트롤 게이트 ( 120 ) 와 물리 적 으로 전기 적 으로 서로 연결 되 어 있 다 . 그래서 컨트롤 게이트 폴리 - 실리콘 층 ( 220 ) 에 컨 택 플러그 ( 240 ) 를 통해 전압 이 인가 되 면 셀 영역 ( 300 ) 의 컨트롤 게이트 ( 120 ) 에 도 모두 같 은 전압 또는 전위 가 인가 되 는 것 이 다 .