그 후 , 도 4 d 에서 볼 수 있 는 바 와 같이 , 제 1 마스크 층 ( 222 ) 을 식각 제거 하 고 , 프로브 의 팁 부 의 상단 을 위한 일정 영역 이 식각 제거 된 산화 막 ( 221 ) 을 마스크 로 하 여 희생 기판 ( 200 ) 을 식각 하 여 프로브 팁 부 의 상단 을 위한 트랜 치 ( 223 ) 를 형성 한다 . 이때 식각 용액 으로 KOH 가 사용 될 수 있 으며 , 식각 시간 을 조절 하 여 트랜 치 ( 223 ) 의 깊이 나 형상 을 적절 하 게 조절 할 수 있 게 된다 . 이렇게 형성 된 트랜 치 ( 223 ) 의 밑 바닥 은 프로브 팁 부 의 상단 의 상부 에 대응 하 게 된다 .