세정 한 소다 석회 ( soda - lime ) 의 글래스 2006 ( 리어 플레이트 ) 의 표면 에 , 0 . 5 ㎛ 의 SiO 22 층 을 스퍼터링 한 후 에 , 스퍼터링 막 형성 공정 과 포토 리소그래피 공정 을 이 용해 각 표면 전도 형 전자 방출 소자 의 소자 전극 ( 2001 ) 을 형성 한다 . 소자 전극 ( 2001 ) 의 재질 은 Ti 와 Ni 를 적층 한 것 이 다 . 또 , 2 개 의 인접 한 소자 전극 ( 2001 ) 간 의 간격 은 2 ㎛ 로 설정 했 다 ( 도 2 a 참조 ) .