도 1 , 도 2 m 및 도 3 m 를 참조 하 면 , 상기 트렌치 를 포함 하 는 제 2 절 연막 ( 116 ) 상 에 도전 물질 , 예 를 들 면 폴리 실리콘 을 이용 하 여 제 2 절 연막 ( 116 ) 에 형성 된 상기 트렌치 를 도전 물질 로 채운다 . 그리고 제 2 절 연막 ( 116 ) 상 에 형성 된 상기 도전 물질 에 대해 화학 기계 적 연마 방법 과 같 은 평탄 화 공정 을 실시 하 여 제 2 절 연막 ( 116 ) 에 형성 된 상기 트렌치 에 만 도전 물질 이 형성 하 도록 한다 . 이 로써 , 스토리 지 노드 콘 택 플러그 ( 120 ) 가 형성 된다 . 스토리지 콘 텍 플러그 ( 120 ) 는 도 1 의 선 C 에서 랜딩 콘 택 플러그 ( 108 b ) 와 연결 된다 . 이후 에 는 , 도시 하 지 않 았 지만 스토리지 노드 콘 택 플러그 ( 120 ) 상 에 캐 패 시터 등 을 형성 하 여 디램 소자 의 제조 를 완료 한다 .