다양 한 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 3 슬릿 ( 516 c ) 은 상기 제 1 측면 부분 ( 511 ) 과 상기 제 3 측면 부분 ( 513 ) 의 사이 에 형성 될 수 있 다 . 한 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 3 슬릿 ( 516 c ) 은 상기 제 3 측면 부분 ( 513 ) 의 제 2 면 ( 513 b ) 으로부터 30 mm 이상 , 50 mm 이내 ( 예 : 40 mm ) 의 거리 ( D 1 ) 를 갖 는 제 1 길이 ( L 1 ) 의 위치 에 형성 됨 으로써 , 전자 장치 ( 예 : 도 2 의 전자 장치 ( 200 ) ) 에서 요구 되 는 방사 성능 을 가진 방사 도체 ( 예 : 상기 제 3 측면 부분 ( 513 ) ) 로 동작 할 수 있 다 .