도 1 은 본 개시 의 일 실시 예 에 따르 는 강유 전 성 메모리 장치 를 개략 적 으로 나타내 는 단면도 이 다 . 도 1 을 참조 하 면 , 강유 전 성 메모리 장치 ( 10 ) 는 소스 영역 ( 102 ) 및 드레 인 영역 ( 103 ) 을 구비 하 는 기판 ( 101 ) 을 구비 한다 . 또한 , 강유 전 성 메모리 장치 ( 10 ) 는 기판 ( 101 ) 상 에 배치 되 는 강유 전 성 구조물 ( 125 ) 및 게이트 전극 층 ( 135 ) 을 포함 할 수 있 다 . 본 실시 예의 강유 전 성 메모리 장치 ( 10 ) 는 게이트 전극 층 ( 135 ) 에 인가 되 는 전압 의 극성 또는 크기 에 따라 , 강유 전 성 구조물 ( 125 ) 및 기판 ( 101 ) 의 채널 영역 의 분극 상태 가 가변 적 으로 변화 할 수 있 다 . 상기 채널 영역 의 분극 상태 에 따라 , 상기 채널 영역 의 전기 저항 이 서로 식별 됨 으로써 , 전기 적 정보 를 비 휘발 적 으로 저장 할 수 있 다 .