도면 에 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 의 제 2 실시 예 에 따른 어레이 기판 ( 210 ) 에는 상기 어레이 기판 ( 210 ) 위 에 종횡 으로 배열 되 어 화소 영역 을 정의 하 는 게이트 라인 ( 216 ) 과 데이터 라인 ( 217 ) 이 형성 되 어 있 다 . 또한 , 상기 게이트 라인 ( 216 ) 과 데이터 라인 ( 217 ) 의 교차 영역 에 는 스위칭 소자 인 박막 트랜지스터 가 형성 되 어 있 으며 , 상기 화소 영역 내 에 는 횡전 계 를 발생 시켜 액정 ( 미 도시 ) 을 구동 시키 는 다 수개 의 슬릿 ( 208 s ) 을 가진 공통 전극 ( 미 도시 ) 과 박스 형태 의 화소 전극 ( 218 ) 이 형성 되 어 있 다 .