또는 본 발명 의 다른 일 형태 는 양극 과 , 음극 과 , 상기 양극 과 상기 음극 사이 에 위치 하 는 EL 층 을 가지 고 , 상기 EL 층 은 발광 층 과 전자 수송 층 을 가지 고 , 상기 전자 수송 층 은 전자 수송 재료 를 가지 고 , 상기 전자 수송 재료 는 제 1 골격 과 , 제 2 골격 과 , 제 3 골격 을 가지 는 유기 화합물 이 고 , 상기 제 1 골격 은 전자 를 수송 하 는 기능 을 가지 고 , 상기 제 2 골격 은 정공 을 수용 하 는 기능 을 기지 고 , 상기 제 2 골격 은 2 환 이상 의 축합 방향 족 탄화수소 고리 를 가지 고 , 상기 제 3 골격 은 단일 고리 이 며 π 전자 부족 형 인 헤테로 방향 족 고리 를 가지 는 발광 디바이스 이 다 .