도 16 ( c ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 그 레지스 트 패턴 ( 53 ) 을 마스크 로서 사용 하 고 , 선택 적 으로 이온 주입 을 실시 함 으로써 , 실리콘 기판 ( 1 ) 의 상부 영역 에 선택 적 으로 P 형 웰 ( 4 ) 을 형성 한다 . 그 이온 주입 은 기판 면 에 대하 여 수직 방향 으로부터 , P 형 이온 종 으로서 BF 2 를 사용 하 고 , 가속 에너지 80 KeV , 도즈 량 5 E 12 [ 1 / ㎠] 의 조건 하 에 실시 할 수 있 다 . 이온 종 BF 2 는 , 게이트 산화 막 ( 3 ) 을 관통 하 여 실리콘 기판 ( 1 ) 의 상부 영역 에 주입 된다 . 이 경우 , P 형 웰 ( 4 ) 의 깊이 는 200 ㎚ 가 된다 .