도 12 는 0 . 2 % 스트레인 ( strain ) 하 에서 의 캡슐 화 층 을 포함 하 지 않 는 스트레인 센서 ( no SU - 8 ) , 700 nm 두께 의 캡슐 화 층 ( 700 nm SU - 8 ) 및 10 ㎛ 두께 의 캡슐 화 층 ( 10 ㎛ SU - 8 ) 을 포함 하 는 본 발명 의 실시 예 에 따른 스트레인 센서 의 스트레인 사이클 ( strain cycles ) 에 따른 저항 변화 를 도시 한 그래프 이 고 , 도 13 은 캡슐 화 층 을 포함 하 지 않 는 스트레인 센서 ( no SU - 8 ) , 700 nm 두께 의 캡슐 화 층 ( 700 nm SU - 8 ) 및 10 ㎛ 두께 의 캡슐 화 층 ( 10 ㎛ SU - 8 ) 을 포함 하 는 본 발명 의 실시 예 에 따른 스트레인 센서 의 인가 스트레인 ( applied strain ) 에 따른 저항 변화 를 도시 한 그래프 이 다 .