본 발명 에 따른 반도체 소자 의 게이트 산화 막 결함 검사 방법 은 , 게이트 용 폴리 실리콘 막 의 상부 가 드러나 도록 습식 식각 공정 을 실시 하 여 층간 절 연막 의 일부 를 제거 하 는 단계 와 , 게이트 용 폴리 실리콘 막 및 층간 절 연막 의 상부 에 잔존 하 는 이 물질 을 제거 하 는 단계 와 , 게이트 산화 막 이 드러나 도록 게이트 용 폴리 실리콘 막 을 제거 하 는 단계 를 포함 한다 .