이때 , 상기 다수 의 게이트 배선 ( 115 ) 과 데이터 배선 ( 140 ) 이 교차 하 여 정의 된 다수 의 화소 영역 ( P ) 에 는 각각 게이트 전극 ( 118 ) 과 게이트 절 연막 ( 미 도시 ) 과 반도체 층 ( 135 ) 과 서로 이격 하 는 소스 및 드레 인 전극 ( 143 , 146 ) 으로 이루어진 스위칭 소자 인 박막 트랜지스터 ( Tr ) 가 상기 게이트 배선 ( 115 ) 및 데이터 배선 ( 140 ) 과 연결 되 며 형성 되 고 있 다 .