도 12 를 참조 하 면 , 보조 패턴 ( 도 11 의 915 ) 이 생성 된 레이아웃 ( 도 11 의 555 ) 에 대해 광 근접 효과 보정 ( OPC ) 을 수행 하 여 , OPC 된 레이아웃 ( 556 ) 을 얻 는다 ( 도 1 의 407 ) . OPC 는 실제 노광 과정 에서 발생 되 는 광 근접 효과 를 고려 하 여 , 보다 정확 한 패턴 형상 이 반도체 기판 상 으로 전사 되 도록 유도 하 기 위해서 수행 된다 . 이후 에 , OPC 된 레이아웃 ( 556 ) 을 투명 한 석영 마스크 기판 상 에 마스크 패턴 으로 전사 하 여 포토 마스크 를 형성 하 고 , 포토 마스크 를 이용 한 노광 과정 을 수행 하 여 반도체 기판 상 으로 레이아웃 ( 556 ) 을 전사 한다 . 이 에 따라 , 반도체 기판 상 에 는 스컴 발생 이 억제 된 포토레지스트 패턴 이 구현 된다 . 이때 , 포토 마스크 는 하프톤 ( half tone ) 마스크 구조 나 , 바이너리 ( binary ) 마스크 구조 또는 위상 반전 ( phase shift ) 마스크 구조 등 으로 형성 될 수 있 다 .