이어서 , 도전 성 의 금속 막 ( 티타늄 ( Ti ) 또는 몰리브덴 ( Mo ) 등 ) 을 성막 한다 . 이 도전 성 의 금속 막 은 , 후 에 형성 되 는 광전 변환 층 ( 대표 적 으로 는 어모퍼스 실리콘 ) 과 반응 하 여 합금 이 되 기 어려운 도전 성 의 금속 막 을 사용 한다 . 그 후 , 제 5 포토 마스크 를 사용 하 여 레지 스트로 이루어지 는 마스크 를 형성 하 고 , 선택 적 으로 도전 성 의 금속 막 을 에칭 하 여 배선 ( 319 ) 을 덮 는 보호 전극 ( 318 ) , 보호 전극 ( 345 ) , 보호 전극 ( 346 ) , 및 보호 전극 ( 348 ) 을 형성 한다 ( 도 2 a ) . 여기 서 는 스퍼터 법 으로 얻 어 지 는 막 두께 200 nm 의 Ti 막 을 사용 한다 . 또 , 마찬가지 로 접속 전극 ( 320 ) , 단자 전극 ( 351 ) , TFT ( 113 ) 의 소스 전극 또는 드레 인 전극 ( 341 ) 도 도전 성 의 금속 막 으로 덮인다 . 따라서 , 도전 성 의 금속 막 은 , 이 들 의 전극 에 있 어서 의 2 층 째 의 Al 막 이 노정 되 어 있 는 측면 도 덮 고 , 도전 성 의 금속 막 은 광전 변환 층 에 대한 알루미늄 원자 의 확산 도 방지 할 수 있 다 .