제 1 필터 부재 는 예 를 들 면 온도 에 따라 원자 또는 분자 의 근거리 질서 를 변경 할 수 있 는 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 1 필터 부재 는 층 또는 층 스택 으로서 형성 될 수 있 고 , 상기 층 스택 은 한계 온도 미만 일 때 간섭 성 제 1 전자기 복사 및 비 간섭 성 제 2 전자기 복사 에 커플링 될 수 있 는 표면 플라 즈 몬 모드 를 포함 할 수 있 다 . 플 라즈 몬 으로서 제 1 필터 부재 또는 제 1 필터 부재 의 층 에서 주기 적 으로 진동 하 는 자유 전하 캐리어 , 즉 전자 의 밀도 편차 를 가리킬 수 있 다 . 특히 , 표면 플라 즈 몬 은 종 방향 의 전하 캐리어 밀도 편차 를 가리키 며 , 상기 편차 는 제 1 필터 부재 의 층 의 표면 의 연장 방향 에 대해 평행 하 게 상기 표면 에서 발생 한다 . 표면 플라 즈 몬 모드 는 제 1 필터 부재 의 적어도 하나 의 층 의 원자 또는 분자 의 근거리 질서 에 의존 할 수 있 다 . 표면 플 라즈 몬 은 특히 반도체 층 시퀀스 를 향한 제 1 필터 부재 의 층 의 표면 에서 생성 될 수 있 다 . 제 1 필터 부재 에서 표면 플 라즈 몬 에 전자기 복사 가 커플링 됨 으로써 전자기 복사 의 에너지 는 제 1 필터 부재 에 전달 될 수 있 어서 , 전자기 복사 의 에너지 의 적어도 일부 가 흡수 될 수 있 다 . 상기 전자기 복사 가 표면 플 라즈 몬 에 커플링 되 는 것 은 표면 플 라즈 몬 공진 으로 표현 될 수 있 다 . 제 1 필터 부재 는 상기 제 1 필터 부재 에 전자기 복사 가 조사 되 는 영역 에서 가열 될 수 있 다 .