또한 , 도 17 에 나타낸 바 와 같이 , 제 1 에칭 에 의해 형성 되 는 박막 적층 체 ( 114 ) 는 , 게이트 전극 층 ( 116 B ) 및 게이트 전극 층 ( 116 D ) 에 의해 구성 되 는 지 지부 에 접하 는 부분 에서 는 가늘 어 지 도록 설계 된다 ( 도 17 에서 양쪽 화살표 로 나타낸 부분 참조 ) . 이 와 같 은 구조 로 함 으로써 , 제 2 에칭 에 의해 게이트 전극 층 ( 116 A ) 과 , 게이트 전극 층 ( 116 B ) 또는 게이트 전극 층 ( 116 D ) 을 분단 하 여 절연 시킬 수 있 다 .