도 10 e 를 참조 하 면 , 상기 마스크 패턴 ( 190 m ) 을 식각 마스크 로 하 여 상기 제 1 몰드 막 ( 140 m 1 ) , 제 1 지지 물질 막 ( 157 am ) , 및 제 2 몰드 막 ( 140 m 2 ) 을 패 터닝 함 으로써 , 하부 전극 을 형성 하 고자 하 는 위치 에 리세 스 패턴 ( RS ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 리세 스 패턴 ( RS ) 은 상기 콘 택 패드 ( CP ) 를 노출 시키 도록 형성 될 수 있 다 . 콘 택 패드 ( CP ) 를 형성 하 지 않 는 경우 에 있 어서 , 상기 리세 스 패턴 ( RS ) 은 하부 전극 에 대응 되 는 위치 의 콘 택 플러그 ( BC ) 가 노출 되 도록 형성 될 수 있 다 .