a - SiCx : H 는 일반 적 으로 실란 , 탄화수소 및 수소 의 가스 혼합물 의 가스 상 ( 예 , 플라 즈 마 - CVD ) 으로부터 화학 적 증착 에 의해 제조 한다 . 그러나 , 이러 한 공정 후 , 요소 Si , C 및 H 는 정확 하 게 조절 되 는 방식 으로 는 충분히 제거 되 지 않 아 , 효율 을 감소 시키 는 원 하 지 않 는 화학 적 결합 이 형성 될 수 있 다 . 이러 한 현상 을 방지 하 기 위해 , 가수 혼합물 대신 알킬 실란 을 사용 하 여 a - SICx : H - 층 을 제조 한다 . Si 함량 이 낮 고 및 / 또는 C - 함량 이 높 은 코팅 의 열적 및 플 라즈 마 증착 에서 의 메틸 실란 은 그 로 인해 높 은 전기 저항성 을 유도 하 기 때문 에 , 비스 ( 실릴 ) 메탄 , H 3 SiCH 2 SiH 3 ( US - PS 4690830 , EP - A - 0233613 참조 ) 와 같이 실릴 이 다량 포함 된 화합물 이 사용 된다 . 이러 한 화합물 은 아민 의 존재 하 에 트리 클로로 실란 ( HSiCl 3 ) 을 이용 하 여 클로로포름 을 H 2 C ( SiCl 3 ) 2 로 변환 시킴 으로써 제조 하 고 , 이 는 리튬 알루미늄 하이드라이드 ( LiAlH 4 ) 를 이용 하 여 비스 ( 실릴 ) 메탄 으로 환원 시켜 제조 된다 . 다른 제조 방법 은 , 디브 롬 메탄 의 [ Z . nature - vigorously . 41 b , P . 1527 - 1534 ( 1986 ) ] 의 KSiH 3 를 이용 한 방법 을 기초 로 한다 . DE 3941997 Cl 은 3 단계 의 합성 공정 을 개시 하 고 있 다 .