" 소위 "" 비아 - 퍼스트 방식 ( via - first approach ) "" 에서 ", 식각 마스크 및 포토 레지스 트 및 / 또는 그 밖 의 다른 좀 더 강한 마스크 물질 을 이용 한 식각 에 의해 홀 이 실리콘 에 먼저 형성 된다 . 마스크 물질 층 은 두꺼운 실리콘 위 의 비교 적 얇 은 층 이 다 . 비아 - 홀 이 레이저 - 드릴링 에 의해 형성 되 는 경우 , 어떠 한 식각 마스크 물질 도 사용 되 지 않 으며 , 홀 은 오직 두꺼운 실리콘 에서 만 형성 된다 . 비아 - 홀 직경 은 1 마이크 론 에서 수십 마이크 론 까지 정률 로 증가 하 는 범위 일 수 있 고 , 깊이 - 직경 종횡비 ( aspect - ratio ) 는 5 이하 에서 최대 30 이상 일 수 있 다 . 홀 사이 에 구현 될 수 있 는 최소 피치 가 , 수직 으로 적층 된 IC 사이 를 전기 신호 가 커버 해야 하 는 거리 를 최소 화 하 는데 있 어 결정 적 인 파라미터 이 다 . 최소 피치 는 일반 적 으로 최소 홀 직경 의 적 은 배수 이 다 .