제 3 의 실시 의 형태 의 고체 촬상 장치 ( 85 ) 의 제조 방법 에서 는 , 우선 , 실리콘 의 반도체 기판 ( 22 ) 의 화소 영역 을 형성 하 여야 할 영역 에 , p 형 반도체 영역 에 의한 소자 분리 영역 으로 분리 한 각 화소 에 대응 하 는 포토 다이오드 ( PD ) 를 형성 한다 . 또한 , 기판 표면 은 CVD 법 에 의해 산화 막 ( 13 ) 이 형성 되 어 있 다 .