참고 로 버퍼 층 ( 130 ) 의 개구 ( 130 a ) 를 형성 한 후 , 게이트 절 연막 ( 120 ) 의 개구 ( 120 a ) 와 층간 절연 층 ( 130 ) 의 개구 ( 130 a ) 는 동시 에 형성 할 수 있 다 . 박막 트랜지스터 ( 210 ) 를 형성 할 시 소스 전극 ( 215 ) 과 드레 인 전극 ( 217 ) 이 반도체 층 ( 211 ) 에 컨 택하 도록 하 기 위해 게이트 절 연막 ( 120 ) 과 층간 절연 층 ( 130 ) 을 관통 하 는 컨 택 홀 들 을 형성 해야 하 는 바 , 이러 한 컨 택 홀 들 을 형성 할 시 게이트 절 연막 ( 120 ) 의 개구 ( 120 a ) 와 층간 절연 층 ( 130 ) 의 개구 ( 130 a ) 를 동시 에 형성 할 수 있 다 . 이 에 따라 게이트 절 연막 ( 120 ) 의 개구 ( 120 a ) 의 내 측면 과 층간 절연 층 ( 130 ) 의 개구 ( 130 a ) 의 내 측면 은 도 14 에 도시 된 것 과 같이 연속 면 을 형성 할 수 있 다 .