본 발명 은 반도체 소자 의 트렌치 형성 방법 에 관한 것 으로서 , 실리콘 기판 상 에 식각 종료 층 과 하드 마스크 를 차례 로 형성 한 후 실리콘 기판 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 와 , 트렌치 의 내부 로 라운드 에칭 을 실시 하 는 단계 와 , 라운드 에칭 이 실시 된 트렌치 의 내부 에 게이트 산화 막 을 형성 하 고 폴리 실리콘 막 을 증착 하 여 트렌치 를 채우 는 단계 와 , 폴리 실리콘 막 과 하드 마스크 를 식각 종료 층 까지 식각 하 는 단계 와 , 식각 종료 층 을 제거 하 여 트렌치 로부터 폴리 스틱 업 부분 이 돌출 형성 되 는 단계 를 포함 한다 . 따라서 본 발명 은 , 실리콘 기판 과 하드 마스크 의 사이 에 식각 종료 층 을 형성 함 으로써 , 트렌치 의 폴리 스틱 업 부분 의 리세 스 ( recess ) 방지 및 두께 를 균일 하 게 유지 하 여 IDSS 감소 방지 를 통한 수율 을 향상 시키 는 효과 가 있 다 .