우선 , 도 5 의 A 에 도시 하 는 바 와 같이 , 박막 글래스 기판 ( 1 ) 을 준비 하 고 , 이 박막 글래스 기판 ( 1 ) 의 전체 면 에 투명 도전 층 ( 2 ) 을 형성 한 후 , 이 투명 도전 층 ( 2 ) 을 에칭 에 의해 스트라이프 형상 으로 패 터닝 한다 . 여기 서 , 박막 글래스 기판 ( 1 ) 으로서 , 처음 부터 두께 가 0 . 2 ㎜ 이하 인 것 을 사용 해도 되 고 , 두께 가 0 . 2 ㎜ 보다 큰 것 을 이용 해도 된다 . 후자 의 경우 에 는 , 이후 에 박막 글래스 기판 ( 1 ) 을 연마 등 에 의해 얇 게 해서 0 . 2 ㎜ 이하 의 두께 로 한다 . 다음 으로 , 각 투명 도전 층 ( 2 ) 상 에 반도체 미립자 가 분산 된 페이스트 를 소정 의 갭 에 도포 한다 . 다음 으로 , 박막 글래스 기판 ( 1 ) 을 소정 온도 로 가열 해서 반도체 미립자 를 소결 하 고 , 반도체 미립자 소 결체 로 이루어지 는 다공질 반도체 층 을 형성 한다 .