반도체 소자 의 응용 분야 가 확장 됨 에 따라 , 고집 적 및 / 또는 고속도 의 반도체 소자 의 수요 도 증가 하 고 있 다 . 반도체 소자 의 집적도 가 증가 함 에 따라 , 디자인 룰 도 작아지 고 있 다 . 디자인 룰 의 감소 로 인하 여 , 전계 효과 트랜지스터 ( FET ) 의 채널 길이 와 폭 도 유사 하 게 감소 하 였 다 . 채널 폭 의 감소 는 단 채널 효과 ( short channel effect ) 를 야기 한다 . 단 채널 효과 는 소오 스 영역 및 드레 인 영역 의 전위 가 채널 층 에 심각 하 게 미치 는 것 을 말 한다 . 또한 , 얕 은 트렌치 소자 분리 막 을 사용 하 는 트랜지스터 에서 , 협소 한 채널 은 문턱 전압 을 감소 시킨다 . 단 채널 효과 및 / 또는 협채 널 효과 의 발생 을 방지 하 기 위하 여 , 다양 한 형태 의 FET 가 제안 되 었 다 .