발명 의 적어도 일 실시 예 에서 , " 예 를 들 어 전체 를 여기 에 참조 로 포함 시키 는 2006 년 5 월 13 일 출원 된 "" CONDUCTIVE HARD MASK TO PROTECT PATTERNED FEATURES DURING TRENCH ETCH "" 명칭 의 미국 특허 출원 번호 11 / 444 "," 936 ( 이하 ""' 936 출원 "") 에 기술 된 바 와 같이 ", 다이오드 들 ( 428 ) 상 에 하드 마스크 가 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 진성 실리콘 층 ( 418 ) 및 n + 실리콘 층 ( 416 ) 의 패 터닝 및 에칭 에 앞서 , 진성 층 ( 418 ) 을 도핑 함 으로써 ( 예 를 들 어 , 이온 주입 또는 또 다른 도핑 방법 을 사용 하 여 ) p + 실리콘 층 이 형성 될 수 있 다 . 실리사이드 - 형성 금속 층 ( 430 ) 이 p + 실리콘 층 상 에 형성 될 수 있 고 , 이어서 장벽 층 및 / 또는 도전 층 이 형성 될 수 있 다 . 이 들 장벽 층 및 도전 층 은 다이오드 들 ( 428 ) 의 패 터닝 및 에칭 동안 하드 마스크 로서 작용 할 수 있 고 , 상부 도체 들 ( 436 ) 의 형성 동안 일어날 수 있 는 임의 의 과도 에칭 을 완화 시킬 수 있 다 ( ' 936 출원 에 기술 된 바 와 같이 ) .