고온 가열 및 플 라즈 마 보충 을 통해 산화알루미늄 기판 상 에 성장 한 그래핀 의 주름 을 감소 및 제거 하 며 ( 본 실시 예 에서 기판 에 산화알루미늄 , 산화 규소 , 탄화규소 , 산화마그네슘 , 실리콘 , 육방정 질화붕소 등 비 금속 기판 을 사용 하 며 산화알루미늄 을 예시 로 사용 함 ) , 구체 적 으로 먼저 산화알루미늄 기판 상 에 이미 성장 한 주름 진 그래핀 필름 을 플 라즈 마 보조 화학 기상 증착 시스템 에 넣 고 수소 를 주입 하 며 , 압력 조절 밸브 를 통해 반응 챔버 압력 을 10 Pa 로 안정 화 시키 며 , 300 ℃ 로 가열 하 고 ( 본 실시 예 에서 가열 온도 범위 는 100 내지 500 ℃ 로 낮춤 ) 1 내지 10 분 동안 유지 한다 . 유도 결합 플 라즈 마 발생기 를 가동 하 고 전력 을 300 W 로 조정 하 며 ( 본 실시 예 에서 는 반응 전력 을 높여 범위 가 200 내지 500 W 임 ) , 20 분 동안 처리 하 면 ( 본 실시 예 에서 는 처리 시간 을 연장 함 ) , 그래핀 필름 중 의 주름 을 효과 적 으로 감소 및 제거 할 수 있 다 . 처리 가 완료 된 후 온도 를 자연 적 으로 냉각 하 며 , 온도 가 실온 에 가까워 지 면 가스 를 차단 한다 .