또한 , 상기 구성 에 한정 되 지 않 고 , 전이 금속 산화물 로 이루어지 는 층 및 복합 재료 를 포함 하 는 층 을 복수 층 사용 하 여 , 중간 층 을 형성 하 여도 좋 다 . 그 경우 에 도 , 유기 반도체 재료 를 포함 하 는 제 2 유닛 셀 ( 105 ) 과 접하 도록 복합 재료 를 포함 하 는 층 을 형성 하 고 , 밀착 성 을 향상 시키 는 것 이 바람직 하 다 . 도 7 에 는 제 1 유닛 셀 ( 104 ) 위 에 , 전이 금속 화합물 과 유기 화합물 을 복합 한 복합 재료 를 포함 하 는 층 ( 161 ) , 전이 금속 산화물 로 이루어지 는 층 ( 162 ) , 전이 금속 화합물 과 유기 화합물 을 복합 한 복합 재료 를 포함 하 는 층 ( 163 ) 을 적층 한 구성 의 중간층 ( 141 ) 의 에너지 밴드 도 를 도시 한다 . 도 7 에 도시 하 는 바 와 같이 , 3 층 적층 한 구성 의 중간층 이 어도 , 재결합 중심 으로서 기능 한다 . 따라서 , 이 중간층 ( 141 ) 의 작용 에 의해 , 제 1 유닛 셀 ( 104 ) 과 제 2 유닛 셀 ( 105 ) 의 사이 에서 재결합 전류 를 흘릴 수 있 다 . 즉 , 제 2 불순물 반도체 층 ( 108 ) 과 p 층 ( 110 ) 이 직접 접합 함 으로써 발생 하 는 내부 기전력 효과 를 없앨 수 있 고 , 텐 덤 형 의 광전 변환 장치 의 변환 효율 을 높일 수 있 다 .