상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 한 실시 예 에 따른 질화 규소 막 증착 방법 은 기판 이 장착 되 어 있 는 반응기 에 실리콘 원료 기체 , 할로 실란 ( halo - silane ) 를 공급 하 는 단계 , 상기 반응기 에 퍼지 기체 를 공급 하 는 단계 , 그리고 상기 실리콘 원료 기체 를 공급 하 지 않 으면서 상기 반응기 에 암모니아 플 라즈 마 를 발생 하 는 단계 를 복수 회 반복 한다 .