산화 실리콘 층 ( 140 ) 을 에칭 하 여 텅스텐 층 ( 130 ) 이 노출 된 직후 부터 텅스텐 층 ( 130 ) 상 에 보호막 이 형성 되 기 까지 , 텅스텐 층 ( 130 ) 은 희가스 이온 에 의해 스퍼터링 된다 . 그런데 , 본 에칭 처리 방법 에 사용 되 는 희가스 에 포함 되 는 제 1 가스 는 , Ar 가스 보다 이온 화 에너지 가 크 며 이온 화 된 입자 하나 가 갖 는 운동량 이 이온 화 된 Ar 가스 입자 하나 의 운동량 보다 적 은 가스 이 다 . 따라서 , 스퍼터링 일 드 ( sputtering yield ) 가 낮 으며 그만큼 텅스텐 층 ( 130 ) 의 손실 을 적 게 할 수 있 다 . 또한 , 해리성 ( 解離 性 ) 이 높 아 흡착 계수 가 낮 은 전구체 가 생성 되 며 , 노출 된 텅스텐 층 ( 130 ) 상 에 보호막 이 형성 되 므로 , 텅스텐 층 ( 130 ) 의 손실 을 더욱 적 게 할 수 있 다 .