상술 한 바 와 같이 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 리세 스 게이트 형성 방법 에 따르 면 , 반도체 기판 상 에 식각 정지 패턴 을 형성 한 후 , 트렌치 의 형성 깊이 만큼 패드 기판 을 형성 한 다음 식각 정지 패턴 이 형성 된 위치 에 리세 스 트렌치 를 형성 한다 . 이때 , 식각 정지 패턴 이 식각 종료 점 으로 작용 하 여 리 세스 트렌치 의 깊이 를 균일 하 게 형성 할 수 있 다 .