이상 에서 살펴본 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 은 , 폴리머 막 과 실리콘 ( Si ) 을 함유 한 하드 마스크 층 을 사용 함 으로써 페리 영역 의 게이트 선폭 을 조절 하 기 위한 트리밍 ( trimming ) 공정 을 효율 적 으로 수행 할 수 있 고 , CVD ( chemical vapor deposition ) 방법 대신 스핀 온 코팅 ( spin on coating ) 방법 을 사용 하 여 비용 을 절감 할 수 있 다 . 또한 , 추가 로 반사 방지 막 을 형성 할 필요 가 없 어 공정 을 단순 화 할 수 있 는 효과 를 제공 한다 .