소스 구조 ( SL ) 는 수직 베리어 ( VB ) , 셀 플러그 ( CPL ) 및 더미 플러그 ( DPL ) 각각 의 단부 를 감싸 고 , 셀 적층 체 ( STc ) 및 더미 적층 체 ( STd ) 에 중첩 되 도록 연장 될 수 있 다 . 소스 구조 ( SL ) 는 소스 콘 택 구조 들 ( SCT 1 , SCT 2 ) 에 연결 될 수 있 다 . 소스 콘 택 구조 들 ( SCT 1 , SCT 2 ) 은 도 2 에 도시 된 제 1 슬릿 들 ( SI 1 ) 내부 에 배치 되 는 도전 물 이 다 . 소스 콘 택 구조 들 ( SCT 1 , SCT 2 ) 은 도프 트 실리콘 막 , 금속 막 , 금속 실리사이드 막 및 베리 어막 등 다양 한 도전 물 을 포함 할 수 있 으며 , 2 종 이상 의 도전 물 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 소스 콘 택 구조 들 ( SCT 1 , SCT 2 ) 은 소스 구조 ( SL ) 에 접촉 된 도프 트 실리콘 막 및 도프 트 실리콘 막 상 에 형성 된 금속 막 의 적층 구조 로 형성 될 수 있 다 . 도프 트 실리콘 막 은 n 타입 도 펀트 를 포함 할 수 있 고 , 금속 막 은 저항 을 낮추 기 위해 텅스텐 과 같 은 저 저항 금속 을 포함 할 수 있 다 . 도 3 a 및 도 3 b 는 서로 이웃 한 제 1 및 제 2 소스 콘 택 구조 들 ( SCT 1 , SCT 2 ) 을 나타낸다 .