다음 , 결과물 상부 에 제 2 실리콘 질화 막 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 50 내지 100 Å 을 소정 두께 로 증착 하 여 , 에 미터 층 들 ( 112 , 114 , 116 ) 의 측벽 과 베이스 층 ( 108 ) 사이 에 1 차 적 으로 간격 , 즉 절연 을 유지 시킨다 . 다음 , 에 미터 전극 ( 125 a ) 을 마스크 로 이용하 여 , 상기 절 연막 을 비등방성 식각 한다 . 이 에 따라 , 에 미터 전극 ( 125 a ) 양측 의 제 2 식각 정지 층 ( 110 ) 이 노출 된다 . 이어서 , 베이스 전극 예정 영역 이 노출 되 도록 결 과물 상부 에 포토레지스트 패턴 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 한 다음 , 포토레지스트 패턴 을 마스크 로 하 여 노출 된 제 2 식각 정지 층 ( 110 ) 을 소정 부분 노출 시킨다 . 그 후 포토레지스트 패턴 을 제거 한다 . 여기 서 , 미 설명 부호 128 은 언더컷 발생 부분 을 나타낸다 .