상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 씨 모스 이미지 센서 의 제조 방법 은 다수 의 포토다이오드 들 이 형성 된 반도체 기판 상 에 층간 절연 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 층간 절연 층상 에 일정 한 간격 을 갖 는 다수 의 칼라 필터 층 들 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 각 칼라 필터 층 을 포함 한 반도체 기판 의 전면 에 평탄 화 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 각 포토다이오드 와 대응 하 도록 상기 평탄 화 층상 에 마이크 로 렌즈 패턴 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 마이크 로 렌즈 패턴 에 Ar 스퍼터링 을 실시 하 여 타원 형 의 제 1 마이크 로 렌즈 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 마이크 로 렌즈상 에 제 2 마이크 로 렌즈 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 여 형성 함 을 특징 으로 한다 .