상기 하나 이상 의 추가 적 인 층 들 중 마지막 이 증착 된 후 , 상기 소자 는 봉쇄 층 ( 160 ) 이 형성 될 때 까지 높 은 주변 온도 와 혹독 한 화학 적 환경 들 로부터 보호 되 는 것 이 바람직 하 다 . 봉쇄 층 ( 160 ) 은 저온 에서 스퍼터링 , 물리 기상 증착 , 화학 기상 증착 , 유기 금속 기상 증착 , 플라 즈 마 - 강화 화학 기상 증착 , 액상 증착 , 선택 적 증착 , 원자 층 증착 , 증발 또는 다른 수단 을 통하 여 형성 될 수 도 있 다 . 일 실시 예 에 있 어서 , 상기 봉쇄 층 의 증착 온도 는 상기 활물질 의 휘발 온도 의 80 % 보다 작 거나 같 다 . 다른 실시 예 에 있 어서 , 상기 봉쇄 층 ( 160 ) 의 증착 온도 는 상기 활물질 ( 130 ) 의 휘발 온도 의 65 % 보다 작 거나 같 다 . 다른 실시 예 에 있 어서 , 상기 봉쇄 층 ( 160 ) 의 증착 온도 는 상기 활물질 ( 130 ) 의 휘발 온도 의 50 % 보다 작 거나 같 다 . 또 다른 실시 예 에 있 어서 , 상기 봉쇄 층 의 증착 온도 는 300 ℃ 보다 작 다 . 한 예 를 들 면 , 봉쇄 층 ( 160 ) 은 250 ℃ 에서 플라 즈 마 - 강화 화학 기상 증착 공정 을 통하 여 증착 된 산화물 ( 예 를 들 면 , SiO 2 ) 또는 질화물 ( 예 를 들 면 Si 3 N 4 ) 일 수 있 다 . 다른 예 에서 , 봉쇄 층 ( 160 ) 은 ( 에너지 가 인가 된 전자 또는 이온 빔 으로 목표 금속 을 때려 상기 금속 의 원자 또는 분자 파편 들 이 방출 되 어 상기 전기 적 소자 상 에 증착 되 는 ) 에너지 빔 공정 또는 증발 공정 에서 형성 된 금속 일 수 있 다 .