도 7 은 콘택트 에칭 정지 층 ( CESL , Contact Etch Stop Layer ) ( 46 ) 및 층간 유전체 ( ILD , Inter - Layer Dielectric ) ( 48 ) 의 형성 후 의 구조물 의 투시도 를 도시 한다 . 도 25 에 도시 된 공정 흐름 ( 200 ) 에서 각 공정 은 공정 ( 212 ) 으로서 도시 되 어 있 다 . CESL ( 46 ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 또는 실리콘 탄화 질화물 등 으로 형성 될 수 있 으며 , CVD 또는 ALD 등 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . ILD ( 48 ) 는 , 예컨대 , FCVD , 스핀 온 코팅 , CVD , 또는 다른 성막 방법 을 사용 해 형성 된 유전체 물질 을 포함 할 수 있 다 . ILD ( 48 ) 는 , ( 예컨대 , 테트라 에틸 오르토 실리케이트 ( TEOS , Tetra Ethyl Ortho Silicate ) 를 공정 가스 로서 사용 하 여 형성 된 ) 실리콘 산화물 과 같 은 실리콘 산화물 계 유전체 물질 일 수 있 는 산소 함유 유전체 물질 , 인 규산염 유리 ( PSG , Phospho - Silicate Glass ) , 붕소 규산염 유리 ( BSG , Boro - Silicate Glass ) , 또는 붕소 도핑 인 규산염 유리 ( BPSG , Boron - Doped Phospho - Silicate Glass ) 등 으로 형성 될 수 있 다 . ILD ( 48 ) , 더미 게이트 스택 ( 30 ) , 및 게이트 스 페이서 ( 38 ) 의 상단 표면 들 을 서로 수평 하 게 하 기 위해 화학 적 기계 적 연마 ( CMP ) 공정 또는 기계 적 그라인딩 공정 과 같 은 평탄 화 공정 이 수행 될 수 있 다 .