보다 자세 하 게 는 반도체 제조 공정 중 옥사이드 또는 실리콘 , 실리콘 화합물 층 의 식각 공정 에 있 어서 , 식각 대상물 에 유기 막 과 무기 막 을 차례 대로 적절 한 두께 로 적층 하 는데 , 먼저 탄소 가 다량 함유 되 어 있 는 유기 탄소막 층 을 코팅 하 고 , 그리고 SiON 층 을 화학 기상 증착 법 으로 증착 한 다음 , 그 위 에 포토레지스트 를 코팅 하 여 패 터닝 을 진행 한다 . 패 터닝 된 포토레지스트 를 이용 하 여 SiON 층 을 할로겐 플 라즈 마로 식각 한 다음 , 산소 플 라즈 마로 유기 탄소막 층 을 식각 하 고 , 기판 층 인 옥사이드 층 을 할로겐 플 라즈 마 를 이용 하 여 식각 한다 . 옥사이드 층 을 할로겐 플 라즈 마로 식각 한 다음 , 이 패턴 에 폴리 층 ( Poly 층 ) 또는 기타 화합물 층 을 화학 기상 증착 법 으로 증착 하 고 최종 기판 층 을 할로겐 플 라즈 마 를 이용 하 여 식각 하 여 형성 하 고자 하 는 패턴 을 만든 다 .