우선 , 도 5 ( a ) 에 도시 된 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 110 ) 상 에 순차 적 으로 버퍼 층 ( 미 도시 ) , n 형 반도체 층 ( 115 ) , 활성 층 ( 120 ) 및 p 형 반도체 층 ( 125 ) 을 성장 시켜 발광 구조물 을 형성 한 다음 , p 형 반도체 층 ( 125 ) 상 에 p 형 전극 ( 135 ) 을 형성 한다 .