매그나칩 , 0 . 13 micron 1 . 5 / 2 . 5 V RF SOI 공정 출시 
 매그나칩 반도체 , 0 . 13 micron 1 . 5 / 2 . 5 V RF SOI 공정 출시 
 아날 로 그 및 혼 성 신호 반도체 전문 기업 인 매그나칩 반도체 ( 대표 이사 김영준 , NYSE : MX ) 는 0 . 13 micron 1 . 5 / 2 . 5 V RF Silicon on Insulator ( SOI ) 공정 을 출시 한다고 밝혔 다 . 매그나칩 의 0 . 13 micron RF SOI 공정 은 1 . 5 V 및 2 . 5 V 소자 를 동시 에 지원 하 는 Dual - gate 공정 으로 , 일반 웨이퍼 에 비해 뛰어난 RF 성능 을 보이 는 Trap - rich Thin - Film SOI 웨이퍼 를 사용 하 고 있 다 . 
 스위치 , 튜너 및 Low Noise Amplifiers ( LNA ) 는 Front - End Modules ( FEM ) 의 핵심 구성 요소 로 , 매그나칩 의 이번 0 . 13 micron RF SOI 공정 은 안테나 스위치 와 튜너 설계 에 최적 화 되 어 있 을 뿐 아니 라 , 효율 적 인 LNA 설계 를 지원 한다 . 또한 , 매그나칩 의 0 . 13 micron RF SOI 공정 은 합리 적 인 양산 비용 과 함께 경쟁력 있 는 성능 을 보여 주 고 있 어 , 이동전 화 및 Wi - Fi 분야 에서 경쟁력 을 갖추 고 있 는 것 이 특징 이 다 . 
 매그나칩 의 2 . 5 V 스위치 소자 공정 은 Ron * Coff 가 210 fs 로 타사 와 대등 한 수준 의 성능 을 자랑 하 고 있 으며 , Noise Figure model 을 포함 하 는 1 . 5 V CMOS 도 지원 해 경쟁력 있 는 Logic 설계 가 가능 하 다 . 매그나칩 의 CMOS 공정 은 Body - contacted 및 Floating - body 의 두 가지 형태 를 지원 해 유연 한 제품 설계 가 가능 한 것 이 특징 이 다 . 여기 에 3 가지 형태 의 Inductor 를 비롯 , 2 . 0 fF / micron MiM Capacitor , NMOS Varactor , 1 . 6 Kohm / sq . High - R Poly Resistor 및 Poly / Diffusion Resistor 등 을 지원 한다 . 경쟁력 있 는 2 . 5 V CMOS 소자 만 사용 하 기 를 원하 는 고객 을 위한 2 . 5 V Single - gate 공정도 제공 하 고 있 으며 , High - Voltage 소자 를 필요 로 하 는 고객 을 위한 5 V 및 20 V 소자 지원 도 준비 중 이 다 . 
 매그나칩 FSG ( Foundry Services Group ) 이태종 부사장 은 “ 고 성능 과 높 은 비용 효율 성 을 결합 한 0 . 13 micron 1 . 5 / 2 . 5 V RF SOI 공정 을 제공 하 게 된 것 을 매우 기쁘 게 생각 한다 , ” 며 “ 글로벌 고객 의 늘어나 고 있 는 니즈 에 부응 할 수 있 도록 , 지속 적 으로 RF SOI 공정 을 확대 해 나갈 것 ” 이 라고 밝혔 다 . 
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