다음 에 , 도 11 t 의 공정 에서 상기 수소 배리 어막 ( 82 ) 위 에 는 실리콘 산화 막 으로 이루어진 층간 절 연막 ( 83 ) 이 TEOS 원료 의 플 라즈 마 CVD 법 에 의해 300 nm 내지 500 nm 의 막 두께 로 형성 되 고 , 도 11 u 의 공정 에서 상기 층간 절 연막 ( 83 ) 내 에 상기 강유전체 커패시터 ( C 1 ) 의 상부 전극 ( 76 A ) 을 노출 시키 는 비어 홀 ( 83 A ) 및 상기 강유전체 커패시터 ( C 2 ) 의 상부 전극 ( 76 C ) 을 노출 시키 는 비어 홀 ( 83 C ) 이 형성 된다 .