이러 한 본 발명 을 이용 하 면 , 상변화 메모리 소자 의 리세트 전류 를 줄일 수 있 다 . 그러므로 본 발명 의 상변화 메모리 소자 의 집적도 를 도 1 에 도시 한 상변화 메모리 소자 의 집적도 보다 높일 수 있 다 . 또한 상변화 영역 이 1 차원 채널 로 한정 되 는 바 , 리세트 전류 와 상변화 되 는 영역 의 길 이 사이 에 비례 성 이 있 고 , 따라서 상변화 영역 의 길이 를 조절 함 으로써 , 멀티 비트 를 기록 할 수 도 있 다 .