더불 어 , 본 발명 에 따른 반도체 디바이스 는 서브 스트레이트 ; 상기 서브 스트레이트 와 동일 한 높이 로 형성 된 랜드 ; 상기 서브 스트레이트 의 상부 에 형성 된 반도체 디바이스 ; 상기 반도체 디바이스 와 랜드 를 전기 적 으로 연결 하 는 도전 성 연결 부재 ; 상기 서브 스트레이트 의 상부 레 형성 되 고 상기 반도체 디바이스 및 도전 성 연결 부재 를 감싸 는 인 캡슐 런 트 를 포함 하 고 , 상기 랜드 는 측면 하부 로부터 내부 를 향해 인입 된 홈 으로 형성 된 필렛 을 더 포함 할 수 있 다 .