반도체 기판 ( substrate ) 은 제 1 도전 형 의 깊 은 웰 ( Deep N - well ) 로 구성 되 는 콜렉터 영역 ( 20 ) 과 , 제 1 도전 형 의 웰 플러그 ( 40 ) 와 , 제 2 도 전형 웰 로 구성 되 는 베이스 영역 ( 30 ) 과 , 에 미터 영역 ( 60 ) , 베이스 콘 택 ( 80 ) 및 콜렉터 콘 택 ( 70 ) 을 포함 한다 . 여기 서 , 에 미터 영역 ( 60 ) 은 제 1 도핑 영역 으로 , 콜렉터 콘 택 ( 70 ) 은 제 2 도핑 영역 으로 , 베이스 콘 택 ( 80 ) 은 제 3 도핑 영역 으로 정의 될 수 있 으며 , 그 들 도핑 영역 들 은 기판 내 에서 서로 이격 되게 형성 된다 .