본 발명 은 중첩 마크 용 노광 마스크 및 이 를 이용 한 중첩 마크 형성 방법 에 관한 것 으로 , 선폭 이 최소 화 된 복수 개 의 중첩 마크 를 형성 함 으로써 , 후속 공정 인 비정질 탄소 층 형성 시 상기 비정질 탄소 층 의 스텝 커버리지 특성 이 불량 하 더라도 그 선폭 이 매우 미세 하 므로 , 실리콘 산화 질화 막 이 상기 비정질 탄소 층 상부 에 평탄 하 게 도포 되 어 02 플 라즈 마 스트립 및 클리닝 공정 시 어택 ( Attack ) 을 받 는 것 을 방지 하 고 , 이 로 인해 발생 하 는 디 펙 트 ( Defect ) 를 방지 하 여 소자 의 정렬 및 오버레이 정확도 를 향상 시키 는 기술 을 개시 한다 .