WO 2006 / 027778 호 및 이 에 대응 하 는 US 2008 / 0296534 호 에서 는 코어 - 알 로 이 쉘 반도체 나노 결정 을 개시 하 고 있 다 . 상기 반도체 나노 결정 은 1 ) 선택 된 밴드 갭 에너지 를 가진 반도체 물질 의 코어 와 , 2 ) 상기 1 ) 반도체 와 또 다른 반도체 의 합금 ( 즉 , 알 로 이 : alloy ) 으로 구성 되 는 한 개 이상 의 층 들 을 포함 하 는 코어 - 오버 코팅 층 과 , 3 ) 코어 반도체 물질 이 HgTe 가 아닌 경우 외측 유기 리간드 층 을 포함 한다 . 이 들 공보 에서 는 상기 코어 - 알 로 이 쉘 반도체 나노 결정 의 합성 을 위한 단일 - 주입 프로세스 를 추가 로 개시 하 고 있 으며 , 이 경우 , 유기 리간드 로 이루어진 모체 용액 에 코어 및 쉘 반도체 물질 이나 그 프리 커서 들 을 화학 양론 적 양 으로 고온 상태 에서 비활성 조건 으로 동시 주입 한다 . 이 에 따라 , 코어 반도체 물질 의 고속 핵 생성 이 이루어지 고 , 이어서 반도체 쉘 물질 이 점진 적 인 조성 을 가지 면서 증착 된다 .