이 때 , 상기 열처리 는 200 ℃ 내지 900 ℃ 의 온도 에서 20 분 내지 2 시간 동안 수행 될 수 있 다 . 선택 적 으로 , 상기 도 펀트 층 을 기판 위 에 형성 하 는 단계 를 더 포함 하 고 , 상기 제 1 산화아연 층 이 상기 도 펀트 층 위 에 직접 접촉 되 어 형성 될 수 있 다 . 선택 적 으로 , 상기 제 1 산화아연 층 을 기판 위 에 형성 하 는 단계 를 더 포함 하 고 , 상기 도 펀트 층 이 상기 제 1 산화아연 층 위 에 직접 접촉 되 어 형성 될 수 있 다 .