전이 금속 은 일함수 가 높 다 . 따라서 전이 금속 을 포함 하 는 제 1 도 전막 패턴 ( 106 a ) 및 제 2 도 전막 패턴 ( 215 a ) 을 플로팅 게이트 ( 104 b ) 와 유전 막 패턴 ( 114 a ) 사이 및 유전 막 패턴 ( 114 a ) 과 컨트롤 게이트 ( 116 a ) 사이 에 형성 하 는 경우 에너지 장벽 의 높이 가 높 아 진다 . 결과 적 으로 유전 막 패턴 ( 114 a ) 을 통해 흐르 는 누설 전류 를 줄일 수 있 다 . 따라서 요구 되 는 커플링 비 를 얻 기 위하 여 유전 막 패턴 ( 114 a ) 의 등가 산화 막 두께 를 낮추 더라도 누설 전류 를 줄일 수 있 다 .