특히 바람직 한 실시 양태 에서 , 본 발명 에 따른 매질 은 X 0 이 F , OCF 3 , OCHF 2 , OCH = CF 2 , OCF = CF 2 또는 OCF 2 - CF 2 H 인 화학식 II 내지 V ( 바람직 하 게 는 , 화학식 II , III 및 / 또는 IV , 특히 IVb ) 의 화합물 을 포함 한다 . 화학식 I 의 화합물 과 의 유리 한 상승 효과 로 인해 특히 유리 한 특성 이 생긴다 . 특히 , 화학식 XII 내지 XXVI 의 화합물 로 이루어진 군 으로부터 의 화합물 하나 이상 과 조합 된 화학식 I 및 IVb 의 화합물 을 포함 하 는 혼합물 은 이 들 의 낮 은 문턱 전압 을 특징 으로 한다 .