도 18 ( b ) 를 참조 하 면 , 노출 된 기판 ( 50 ) 상부 로부터 n 형 반도체 층 ( 100 ) , 활성 층 ( 200 ) 및 p 형 반도체 층 ( 300 ) 의 측벽 , 그리고 p 형 반도체 층 ( 300 ) 상부 의 소정 영역 까지 에칭 스탑 층 ( 500 ) 을 형성 한다 . 에칭 스탑 층 ( 500 ) 은 p 형 반도체 층 ( 300 ) 상부 에서 p 형 전극 층 ( 400 ) 과 소정 간격 이격 되 도록 형성 한다 . 그리고 , p 형 전극 층 ( 400 ) 및 에칭 스탑 층 ( 500 ) 을 포함 한 전체 상부 에 커버 층 ( 600 ) 을 형성 한 후 커버 층 ( 600 ) 상부 에 제 1 본딩 층 ( 651 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 지지 기판 ( 750 ) 상부 에 제 2 본딩 층 ( 652 ) 을 형성 한 후 제 1 본딩 층 ( 651 ) 및 제 2 본딩 층 ( 652 ) 를 본 딩 하 여 커버 층 ( 600 ) 과 지지 기판 ( 750 ) 이 본딩 되 도록 한다 .