본 발명 의 알루미늄 부재 제조 방법 은 , 상기 무공 질 양극 산화층 적층 단계 ( S 20 ) 이후 에 , 진공 환경 또는 질소 기체 가 채워진 환경 에서 상기 무공 질 양극 산화층 ( 20 ) 이 적층 된 모재 ( 11 ) 를 열처리 하 는 열처리 단계 를 더 구비 할 수 있 다 . 구체 적 으로 , 상기 무공 질 양극 산화층 ( 20 ) 이 적층 된 모재 ( 11 ) 를 200 내지 500 ℃ 온도 에서 방치 하 여 열처리 할 수 있 다 . 열처리 시간 은 온도 가 높 을수록 짧아질 수 있 다 . 열처리 단계 의 다른 예 로서 , 상기 무공 질 양극 산화층 ( 20 ) 이 적층 된 모재 ( 11 ) 를 500 ℃ 보다 높 은 고온 에서 30 초 이내 의 시간 동안 방치 하 는 RTA ( Rapid Thermal Annealing ) 를 적용 할 수 있 다 . 500 ℃ 보다 높 은 고온 으로 열처리 하 는 경우 에 상기 모재 ( 11 ) 를 고온 에서 너무 오랜 시간 방치 하 면 베 어 알루미늄 합금 으로 이루어진 모재 ( 11 ) 에 변형 이 올 수 도 있 으므로 , 이 를 예방 하 기 위하 여 짧 은 시간 동안 만 열처리 하 게 된다 . 상기 열처리 단계 를 통하 여 무공 질 양극 산화층 ( 20 ) 에 함유 된 수분 이 제거 되 고 재질 의 밀도 가 증가 하 므로 , 무공 질 양극 산화층 ( 20 ) 의 내식성 이 더욱 향상 된다 .