일 실시 예 에 따르 면 , 상기 게터 링 영역 내 에 는 상기 원소 들 에 의해 생성 된 다 수 의 베이컨 시 ( vacancy ) 및 / 또는 다수 의 디스 로케이션 ( dislocation ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 베이컨 스 및 / 또는 디스 로케이션 은 상기 사이트 이 고 , 상기 베이컨 시 및 / 또는 디스 로케이션 은 상기 게터 링 영역 내 반도체 또는 절연물 의 결합 구조 가 끊어진 상태 일 수 있 다 .