활성 영역 의 소스 영역 ( 113 S ) 과 드레 인 영역 ( 113 D ) 사이 의 영역 상 에 는 제 2 유전체 층 ( 114 ) 이 배치 된다 . 제 2 유전체 층 ( 114 ) 은 대략 50 nm 의 두께 로 형성 될 수 있 다 . 또한 , 제 2 유전체 층 ( 114 ) 은 유전 율 이 큰 물질 인 매우 얇 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산화 질화물 , 고유 전 상수 ( high - k ) 를 갖 는 유전체 및 이 들 의 조합 으로 이루어질 수 있 다 . 고유 전 상수 ( high - k ) 의 재료 는 하프늄 산화물 , 하프 튬 산화물 ( HfO 2 ) , 탄탈룸 산화물 ( Ta 2 O 5 ) , 지르코늄 산화물 ( ZrO 2 ) , 알루미늄 산화물 ( Al 2 O 3 ) 또는 이 들 의 조합 등 으로 이루어질 수 있 다 . 한편 , 본 발명 에서 제 2 유전체 층 ( 114 ) 은 상부 유전체 층 또는 상부 절 연막 으로 지칭 될 수 도 있 다 .