다음 으로 , 제 2 게이트 전극 이 되 는 도전 막 으로서 두께 약 20 ㎚ 의 인듐 아연 산화 물막 , 두께 약 100 ㎚ 의 구리 막 , 및 두께 약 30 ㎚ 의 인듐 아연 산화 물막 을 스퍼터링 법 에 의하 여 각각 성막 하 였 다 . 그 후 , 각 도전 막 및 산화 질화 실리콘 막 을 가공 하 여 제 2 게이트 전극 및 제 2 게이트 절연 층 을 얻 었 다 .