예 를 들 어 , 도 1 에 나타내 는 적 층막 을 에칭 하 는 경우 , Ar 가스 와 He 가스 의 비율 을 이하 와 같이 제어 할 수 도 있 다 . 다만 , 이러 한 에칭 처리 방법 은 , Ar 가스 와 He 가스 를 제어 하 는 일 예이 며 , 이 에 한정 되 지 는 않 는다 . 도 1 에 나타내 는 바 와 같이 , 텅스텐 층 ( 130 ) 이 서로 다른 깊이 에 단 을 이루 어 위치 하 는 경우 , 얕 은 영역 에 위치 하 는 텅스텐 층 ( 130 ) 을 노출 시키 는 에칭 을 하 는 동안 에 는 , 희가스 에 Ar 만 을 또는 Ar 가스 에 대한 He 가스 의 비율 이 제 1 비율 로 혼합 된 혼합 가스 를 사용 하 여 보다 높 은 에칭 율 로 에칭 할 수 있 다 . 그리고 , 깊 은 영역 에 위치 하 는 텅스텐 층 ( 130 ) 을 노출 시키 는 에칭 을 하 는 동안 에 는 , 희가스 에 Ar 가스 에 대한 He 가스 의 비율 이 제 1 비율 보다 큰 제 2 비율 로 혼합 된 혼합 가스 를 또는 He 가스 만 을 사용 할 수 도 있 다 . 이 에 의하 면 , 얕 은 영역 의 에칭 은 , Ar 가스 만 을 또는 He 가스 에 대한 Ar 가스 의 비율 이 높 은 혼합 가스 를 사용 함 으로써 , Ar 가스 에 대한 He 가스 의 비율 이 높 은 혼합 가스 를 또는 He 가스 만 을 사용 한 경우 보다 산화 실리콘 층 ( 140 ) 의 에칭 을 촉진 할 수 있 다 . 또한 , Ar 가스 만 을 또는 He 가스 에 대한 Ar 가스 의 비율 이 높 은 혼합 가스 를 사용 함 으로써 , Ar 가스 에 대한 He 가스 의 비율 이 높 은 혼합 가스 를 또는 He 가스 만 을 사용 한 경우 보다 적 게 해리 되 어 흡착 계수 가 큰 전구체 가 생성 되 어 , 마스크 층 ( 100 ) 표면 에 두껍 게 퇴적 된 폴리머 ( 105 ) 가 보호막 으로서 사용 되 며 마스크 층 ( 100 ) 에 대한 산화 실리콘 층 ( 140 ) 의 선택 비 를 높일 수 있 다 . 또한 , 텅스텐 층 ( 130 ) 이 얕 은 영역 에 위치 하 면 , 적 게 해리 되 어 흡착 계수 가 큰 전구체 로 도 충분히 텅스텐 층 ( 130 ) 표면 에 퇴적 되 어 보호막 으로서 폴리머 ( 105 ) 를 형성 할 수 있 다 . 한편 으로 , 깊 은 영역 의 에칭 은 , Ar 가스 에 대한 He 가스 의 비율 이 큰 혼합 가스 를 또는 He 가스 만 을 사용 함 으로써 , Ar 가스 만 을 또는 He 가스 에 대한 Ar 가스 의 비율 이 큰 혼합 가스 를 사용 한 경우 보다 홀 개구 를 폐색 시키 지 않 으며 텅스텐 층 ( 130 ) 의 손실 을 저감 시킬 수 있 다 . 즉 , 에칭 깊이 에 따라 희가스 에 있 어 Ar 가스 와 He 가스 의 비율 을 제어 함 으로써 , 산화 실리콘 층 ( 140 ) 의 에칭 속도 와 , 텅스텐 층 ( 130 ) 및 마스크 층 ( 100 ) 에 대한 선택 비 의 양립 이 가능 하 게 된다 .