양 의 반주기 동안 , 전자 가 초저주파 전압 VDD 에 의해 아래 방향 으로 구동 되 어 기판 표면 에 도달 하 고 장기간 의 축적 된 전 하 는 기판 표면 의 바이어스 전압 VDC 의 음 의 바이어스 진폭 증가 를 야기 한다 . 음 의 반주기 에 속하 는 Pa 기간 에서 전자 가 기판 으로부터 멀 어 지 며 플 라즈 마 에 있 는 이온 이 아래 방향 으로 가속 하 기 시작 한다 . Pb 기간 이 된 후 에 아래 방향 으로 운동 하 는 이온 은 기판 표면 및 식각 홀 에 충돌 하 기 에 충분 한 속도 로 가속 된다 . 동시 에 대량 의 양전기 를 갖 는 이온 의 도달 하 여 , 기판 표면 에 축적 되 는 음 의 바이어스 전위 가 감소 하 지만 , 초저주파 바이어스 파워 신호 주기 전체 에서 음 의 바이어스 전압 이 여전히 좁 은 범위 에서 요동 하 는 상태 를 유지 할 수 있 다 .