가스 공급 기구 ( 60 ) 로부터 는 , 플라스마 처리 에 따라서 적절 한 가스 가 공급 되 도록 되 어 있 다 . 가스 로서 는 , 예 를 들 어 플라스마 생성 가스 인 Ar 가스 등 의 희가스 및 처리 가스 가 공급 된다 . 플라스마 처리 로서 는 질화 처리 가 예시 되 며 , 그때 의 처리 가스 로서 는 , 예 를 들 어 H 2 가스 및 N 2 가스 나 NH 3 가스 등 의 질화 가스 가 공급 된다 . 플라스마 CVD 에 의해 절 연막 을 성막 하 는 경우 에 는 , 그 밖 에 처리 가스 로서 원료 가스 및 반응 가스 가 공급 된다 . 예 를 들 어 , 절 연막 으로서 SiN 막 을 성막 하 는 경우 에 는 , 원료 가스 로서 모노 실란 ( SiH 4 ) 이나 디 실란 ( Si 2 H 6 ) 등 의 Si 원료 가스 , 반응 가스 로서 H 2 가스 및 N 2 가스 나 암모니아 ( NH 3 ) 가스 와 같 은 질화 가스 가 사용 된다 . 이때 , 마이크로파 플라스마 에 의해 플라스마 화 하 는 대상 은 , 주로 질화 가스 이 다 . 본 실시 형태 의 장치 는 , ALD ( 원자 층 퇴적 법 ) 에 의한 절 연막 의 성막 에 도 적용 할 수 있 고 , 그 경우 에 는 , 원료 가스 와 반응 가스 를 교대 로 공급 하 고 , 반응 가스 를 공급 할 때 플라스마 를 착화 한다 . 예 를 들 어 웨이퍼 ( W ) 에 의 Si 원료 가스 흡착 과 , 플라스마 에 의한 질화 를 교대 로 반복 한다 .