SRAM 장치 는 통상 적 으로 래치 구조 를 이루 는 4 개 의 트랜지스터 와 전송 게이트 로 작용 하 는 2 개 의 트랜지스터 로 구성 된 단위 메모리 셀 을 가진다 . SRAM 장치 는 래치 구조 의 단위 메모리 셀 에 데이터 를 저장 하 기 때문 에 DRAM 과 같 은 리 프레쉬 동작 이 필요 없 고 , DRAM 에 비하 여 동작 속도 가 빠르 며 소모전 력 이 적 다는 장점 을 가진다 . 그러나 , SRAM 은 단위 메모리 셀 이 6 개 의 트랜지스터 로 구현 되 기 때문 에 DRAM 의 단위 메모리 셀 에 비하 여 레이아웃 면적 이 크 다는 단점 을 가진다 .