우선 , 상기 기판 ( 110 ) 상 에 는 하부금 속배 선 ( 120 ) 을 포함 하 는 제 1 층간 절연 층 ( 130 ) 이 형성 될 수 있 다 . 이때 , 상기 하부금 속배 선 ( 120 ) 은 Cu , Al , Ag , Au 또는 W 으로 이루어지 는 그룹 으로부터 선택 된 어느 하나 를 사용 할 수 있 다 . 또한 , 상기 제 1 층간 절연 층 ( 130 ) 은 TEOS - CVD , PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) - SiO 2 , PECVD - SiON , 그리고 TEOS 를 이용 한 BPSG 를 사용 할 수 있 으며 , 다른 층간 유전체 를 사용 할 수 도 있 다 .