모노 리식 3 차원 메모리 어레이 는 개재 되 는 어떠 한 기판 들 도 없이 복수 의 메모리 레벨 들 이 웨이퍼 와 같 은 단일 기판 위 에 형성 되 는 어레이 이 다 . 한 메모리 레벨 을 형성 하 는 층 들 은 현존 레벨 또는 레벨 들 의 층 들 상 에 직접 증착 또는 성장 된다 . 반대 로 , " 적층 된 메모리 는 "" Thress dimensional structure memory "" 명칭 의 Leedy 의 미국 특허 5 ", 915 , 167 에서 와 같이 , 별도 의 기판 들 상 에 메모리 레벨 들 을 형성 하 고 메모리 레벨 들 을 수직 으로 부착 함 으로써 구축 되 었 다 . 기판 들 은 본딩 전 에 얇 게 하 거나 메모리 레벨 들 로부터 제거 될 수 도 있 는데 , 그러나 메모리 레벨 들 이 초기 에 별도 의 기판 들 상 에 형성 되 기 때문 에 , 이러 한 메모리 는 진정한 모노 리식 3 차원 메모리 어레이 들 이 아니 다 .