오늘날 의 많 은 전자 디바이스 들 은 데이터 를 저장 하 도록 구성 된 전자 메모리 를 포함 한다 . 전자 메모리 는 휘발 성 메모리 또는 비휘발성 메모리 일 수 있 다 . 휘발 성 메모리 는 전력 이 공급 되 었 을 때 데이터 를 저장 하 는 반면 에 , 비휘발성 메모리 는 전력 이 제거 된 경우 에 도 데이터 를 저장 할 수 있 다 . 강유전체 랜덤 액세스 메모리 ( ferroelectric random - access memory ; FeRAM ) 디바이스 는 차세대 비휘발성 메모리 기술 의 하나 의 전도유망 한 후보 이 다 . 이 는 FeRAM 디바이스 가 고속 기록 시간 , 높 은 내구 성 , 낮 은 전력 소비 , 및 복사선 으로부터 의 손상 에 대한 낮 은 취약 성 을 비롯 하 여 , 많 은 장점 들 을 제공 하 기 때문 이 다 .