도 12 에 도시 한 트랜지스터 ( 160 ) 가 갖 는 소스 층 ( 130 a ) 은 , 상층 영역 에 설치 된 전극 층 ( 136 a ) , 전극 층 ( 150 a ) 및 전극 층 ( 154 a ) 에 전기 적 으로 접속 되 어 있 다 . 그 로 인해 , 트랜지스터 ( 160 ) 의 소스 층 ( 130 a ) 은 이 들 도전 층 을 적절히 형성 함 으로써 , 상층 영역 에 설치 된 트랜지스터 ( 164 ) 가 갖 는 전극 층 중 어느 하나 와 전기 적 으로 접속 시키 는 것 이 가능 하 다 . 또한 , 트랜지스터 ( 160 ) 가 갖 는 드레 인 층 ( 130 b ) 에 대해서 도 마찬가지 로 , 상층 영역 에 설치 된 트랜지스터 ( 164 ) 가 갖 는 전극 층 중 어느 하나 와 전기 적 으로 접속 시키 는 것 이 가능 하 다 . 또한 , 도 12 에 는 도시 하 지 는 않 았 지만 , 트랜지스터 ( 160 ) 가 갖 는 게이트 층 ( 110 a ) 이 , 상층 영역 에 설치 된 전극 층 을 개재 하 여 , 트랜지스터 ( 164 ) 가 갖 는 전극 층 중 어느 하나 와 전기 적 으로 접속 하 는 구성 으로 할 수 도 있 다 .