또한 , 버퍼 층 ( 43 ) 이 게르마늄 을 주성분 으로 하 는 반도체 막 ( 61 ) 의 상면 및 측 면 을 덮 고 있 기 때문 에 , 게르마늄 을 주성분 으로 하 는 반도체 막 ( 61 ) 이 배선 ( 71 a 내지 71 c ) 과 접하 지 않 고 , 리크 전류 를 저감 할 수 있 다 . 이 때문 에 , 온 전류 및 전계 효과 이동도 가 높 고 , 오프 전류 가 낮 은 박막 트랜지스터 가 된다 .