한 양태 에서 , 기판 처리 도구 ( 200 ) 는 , 선형 으로 연장 된 측면 ( 210 S 1 , 210 S 2 ) 중 적어도 하나 를 따라서 선형 으로 배열 되 고 대응 하 는 대응 하 는 측면 기판 이송 개구 ( 270 A 1 - 270 A 6 , 270 B 1 - 270 B 6 ) 를 통해 이송 챔버 ( 210 ) 와 각각 연통 하 는 복수 의 프로세스 모듈 ( PM ) 을 포함 한다 . 한 양태 에서 , 프로세스 모듈 ( PM ) 선형 어레이 는 실질 적 으로 공통 의 레벨 에서 적어도 하나 의 선형 으로 연장 된 측면 ( 210 S 1 , 210 S 2 ) 을 따라서 분포 된 적어도 6 개 의 프로세스 모듈 기판 홀딩 스테이션 ( PMH , PMH 1 , PMH 2 ) 을 제공 하 고 , 각각 의 기판 홀딩 스테이션 은 대응 하 는 측면 이송 개구 ( 270 A 1 - 270 A 6 , 270 B 1 - 270 B 6 ) 를 통하 여 기판 이송 아암 ( 250 , 250 A , 250 B ) 의 공통 의 엔드 이펙터 ( 250 E , 250 E 1 , 250 E 2 ) 로 접근 한다 . 기판 이송 챔버 ( 210 ) 의 각각 의 측면 ( 210 S 1 , 210 S 1 ) 상 에 3 개 의 프로세스 모듈 ( PM ) 이 일반 적 으로 도시 되 어 있 지만 ( 도 2 a 에서 의 단일 프로세스 모듈 ( SPM ) 제외 ) , 각각 의 측면 ( 210 S 1 , 210 S 2 ) 상 의 임의 의 적절 한 수 의 기판 홀딩 스테이션 을 제공 하 는 각각 의 측면 ( 210 S 1 , 210 S 2 ) 상 에 3 개 보다 많 은 프로세스 모듈 ( PM ) 또는 3 개 미만 의 프로세스 모듈 ( PM ) 이 있 을 수 있 다 . 한 양태 에서 , 측면 개구 ( 270 A 1 - 270 A 6 , 270 B 1 - 270 B 6 ) 및 프로세스 모듈 ( PM ) 은 도 2 e 에 대하 여 본 명세서 에 기술 된 것 및 단부 벽 ( 210 E 1 , 210 E 2 ) 개구 ( 260 A , 260 B , 206 A ', 260 B ') 과 실질 적 으로 유사 한 방식 으로 개구 및 프로세스 모듈 의 그리드 를 형성 하 도록 상이 한 레벨 상 에 배열 될 수 있 다 ( 여기 에서 , 이송 장치 ( 245 ) 는 엔드 이펙터 ( 250 E , 250 E 1 , 250 E 2 ) 를 상이 한 레벨 ( TP 1 , TP 2 ) 로 상승 및 하강 시키 는 Z - 축 드라이버 를 포함 한다 ) . 한 양태 에서 , 프로세스 모듈 ( PM ) 은 기판 상 에 전기 회로 또는 다른 필요 한 구조 를 형성 하 도록 다양 한 증착 , 에칭 또는 다른 유형 의 프로세스 를 통해 기판 상 에서 동작 할 수 있 다 . 전형 적 인 프로세스 는 플 라즈 마 에칭 또는 다른 에칭 프로세스 와 같 은 진공 을 사용 하 는 박막 프로세스 , 화학 기상 증착 ( CVD ) , 플라 즈 마 기상 증착 ( PVD ) , 이온 주입 과 같 은 주입 , 계측 , 급속 열 처리 ( RTP ) , 건식 스트립 원자 층 증착 ( ALD ) , 산화 / 확산 , 질화물 형성 , 진공 리소그래피 , 에피택시 ( EPI ) , 와이어 본더 및 증발 또는 진공 압력 을 사용 하 는 기타 박막 프로세스 를 포함 하 지만 이 에 한정 되 지 않 는다 .