본 실시 형태 의 반도체 장치 의 제조 방법 에 따르 면 , 수소 와 드라이 에어 의 혼합 가스 를 이용한 수소 버 닝 에 의해 패키지 기판 ( 3 ) 의 복수 의 플립 칩 접속 용 단자 ( 3 c ) 상 의 땜납 ( 6 ) 을 열처리 하 고 , 그 후 에 금 - 땜납 접속 에 의해 플립 칩 접속 함 으로써 , 땜납 ( 6 ) 의 표면 에 부착 된 유기물 ( 카본 등 ) 을 제거 하 여 땜납 ( 6 ) 의 젖 음성 을 향상 시킬 수 있 고 , 그 결과 양호 한 금 - 땜납 접속 을 실현 할 수 있 다 .