또한 , 상기 본 발명 의 반도체 소자 의 MIM 캐 패 시터 제조 방법 에서 , 상기 상부 전극 을 형성 하 는 단계 후 에 , 상기 정렬 키 내 에 구리 를 매립 한 후 , 상기 결과물 상 에 듀얼 다 마신 패턴 이 구비 된 제 2 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 및 상기 듀얼 다 마신 패턴 내 에 상부 구리 배선 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 하 는 것 이 바람직 하 다 .