그렇지만 , 산화물 반도체 층 을 이용 한 트랜지스터 는 오프 전류 가 극히 작 지만 , 실리콘 등 을 이용 한 트랜지스터 와 비교 해 스위칭 속도 가 늦 다 . 그래서 , 트랜지스터 ( 162 ) 와 직렬 로 전기 적 으로 접속 된 트랜지스터 ( 160 ) 는 , 산화물 반도체 이외 의 재료 를 이용 한 트랜지스터 로 한다 . 산화물 반도체 이외 의 재료 를 이용 한 트랜지스터 , 예 를 들 면 실리콘 기판 또는 실리콘 층 에 채널 이 형성 되 는 트랜지스터 는 , 산화물 반도체 재료 를 이용 한 트랜지스터 보다 , 스위칭 속도 가 빠르 고 , 고속 동작 이 가능 하 다 . 그 때문 에 , 산화물 반도체 이외 의 재료 를 이용 한 트랜지스터 를 , 산화물 반도체 재료 를 이용 한 트랜지스터 와 조합 하 여 이용 함 에 의해 , 반도체 장치 의 동작 의 고속 성 을 확보 할 수 가 있 다 .