14 . 단계 10 - 13 을 총 8 개 의 사이클 만큼 반복 적 으로 수행 하 여 , 전자 차단 층 상 에 정공 주입 층 을 형성 하 여 , 자외선 LED 에피택시 얼 웨이퍼 를 획득 한다 . 여기 서 정공 주입 층 은 8 개 의 서브 층 을 포함 하 고 , 서브 층 각각 은 기판 으로부터 위 를 향해 순차 적 으로 적층 설치 된 P 형 AluGa 1 - uN 층 및 P 형 AlvGa 1 - vN 층 을 포함 한다 .