일반 적 으로 네기 티 브 감광막 은 광이 조사 된 영역 이 현상 공정 후 남 아 있 고 , 광 조사 가 차단 된 영역 이 현상 공정 후 제거 되 는 특징 이 있 다 . 따라서 , 도 6 a 에서 와 같이 마스크 ( 300 ) 의 투과 영역 에 대응 되 는 영역 에서 는 감광막 패턴 ( 200 ) 이 남 아 있 고 , 마스크 ( 300 ) 의 비 투과 영역 에 대응 되 는 영역 에서 는 감광막 이 제거 된다 . 또한 , 네 가티 브 감광막 으로 형성 된 패턴 은 공 정상 역 테이퍼 구조 를 갖 는다 .