본 발명 의 실시 예 에 따른 메모리 장치 는 복수 의 워드 라인 들 각각 에 대응 하 는 복수 의 페이지 들 을 포함 하 는 메모리 셀 블록 ; 상기 복수 의 페이지 들 에 대한 프로그램 동작 을 수행 하 기 위한 주변 회로 ; 및 상기 주변 회로 를 제어 하 여 상기 프로그램 동작 을 수행 하 되 , 상기 복수 의 페이지 들 각각 의 프로그램 순서 에 따라 상기 프로그램 동작 중 프로그램 검증 동작 시 상기 메모리 셀 블록 의 비트 라인 들 에 인가 되 는 비트 라인 전압 을 가변 시켜 설정 하 는 제어 로직 을 포함 한다 .