다음 에 도 2 j 를 참조 하 면 , 벌브 타입 의 리세 스 채널 용 트렌치 ( 222 ) 상 에 게이트 스택 ( 232 ) 을 형성 하 고 , 불순물 을 주입 하 여 소스 / 드레 인 영역 ( 234 ) 을 형성 한다 . 여기 서 게이트 스택 ( 232 ) 은 30 - 50 Å 두께 의 게이트 절 연막 패턴 ( 224 ) 과 , 400 - 700 Å 두께 의 도핑 된 폴리 실리콘 막 으로 이루어진 도전 막 패턴 ( 226 ) 과 , 1000 - 1500 Å 두께 의 텅스텐 실리사이드 막 으로 이루어진 금속 막 패턴 ( 228 ) 및 2000 - 2500 Å 두께 의 하드 마스크 막 패턴 ( 230 ) 을 포함 하 여 형성 할 수 있 다 .