본 발명 의 한 실시 양태 는 , 요오드 또는 브롬 으로 치환 된 방향 환 을 갖 는 플 루 오로 술폰산 의 암모늄염 구조 를 갖 는 반복 단위 ( a ) , 및 수소 원자 가 산불 안정기 로 치환 된 카르복실기 를 갖 는 반복 단위 ( b 1 ) 및 수소 원자 가 산불 안정기 로 치환 된 페놀 성 히드록실기 를 갖 는 반복 단위 ( b 2 ) 에서 선택 되 는 적어도 1 종 의 반복 단위 를 포함 하 는 베이스 폴리머 를 포함 하 는 포지티브 형 레지스 트 재료 이 다 .