도 8 및 도 9 에서 는 , 게이트 전극 ( 648 ) 이 산화물 반도체 층 ( 644 ) 의 하방 에 배치 되 는 구성 을 도시 했 다 . 이 구성 에 있 어서 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 전체 가 게이트 전극 ( 648 ) 과 겹쳐짐 으로써 , 하방 으로부터 의 광이 산화물 반도체 층 ( 644 ) 에 들어가 는 것 을 억제 할 수 있 다 . 이렇게 해서 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 의 광 열화 를 억제 할 수 있 다 . 또한 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 전체 가 배선 ( 658 ) 과 겹쳐지 는 ( 배선 ( 658 ) 으로 덮인 ) 구성 으로 함 으로써 , 상방 으로부터 의 광이 산화물 반도체 층 ( 644 ) 에 들어가 는 것 을 억제 할 수 도 있 다 . 이렇게 해서 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 의 광 열화 를 더욱 억제 할 수 있 다 .