그러나 , 현재 포토 리소그래피 장비 로 구현 할 수 있 는 포토레지스트 패턴 의 임계 치수 ( Critical Dimension ; CD ) 의 한계 는 60 nm 정도 이 고 그 이하 의 포토레지스트 패턴 형성 은 매우 힘들 므로 , 이러 한 포토레지스트 패턴 에 의해 형성 할 수 있 는 패턴 의 최소 선폭 도 50 nm 이하 로 형성 하 기 가 매우 어렵 다 .