도 18 은 질화 규소 건식 식각 공정 을 통해 실리콘 질화 막 ( 120 ) 의 후면 을 추가 적 으로 식각 한 결과 를 3 차원 구조 로 나타낸 도면 이 다 . 도 18 을 참조 하 면 , 실리콘 질화 막 ( 120 ) 이 제 2 함몰 영역 ( 111 ) 의 바닥 면 을 폐쇄 하 고 있 는 상태 이 다 . 실리콘 질화 막 ( 120 ) 의 하부 에 대한 추가 적 인 식각 이후 , 제 2 함몰 영역 ( 111 ) 은 바닥 면 이 개방 되 어 벤트 홀 ( 150 ) 이 될 수 있 다 .