도 4 b 에서 , 화합물 반도체 층 ( 21 ) 은 화학 적 전환 에 의해 금속화 층 ( 31 ) 의 적어도 일부 로 형성 되 는 것 을 알 수 있 다 . 금속화 층 ( 31 ) 의 원래 층 두께 는 도시 된 층 두께 ( D ) 에 대응 한다 . 상부 , 즉 금속화 층 ( 31 ) 의 제 1 기판 ( 1 ) 과 기판 ( 10 ) 의 제 1 주면 ( 11 ) 을 향하 는 부분 이 각각 화학 적 으로 전환 되 어 화합물 반도체 층 ( 21 ) 이 생성 되 었 다 . 이 는 금속화 층 ( 31 ) 의 일부 가 화합물 반도체 층 ( 21 ) 으로 전환 되 었 음 을 의미 한다 .