우선 기판 온도 를 25 ℃ 로 하 고 Vd 을 10 V 로 하 고 , 트랜지스터 의 Id - Vg 특성 의 측정 을 행하 였 다 . 또한 , Vd 는 드레 인 전압 ( 드레 인과 소스 의 전위차 ) 을 나타낸다 . 다음 에 , 기판 온도 를 150 ℃ 로 하 고 , Vd 을 0 . 1 V 로 하 였 다 . 다음 에 , 게이트 절연 층 에 인가 되 는 전계 강도 가 2 MV / ㎝ 이 되 도록 Vg 에 20 V 를 인가 하 고 , 그대로 1 시간 동안 유지 하 였 다 . 다음 에 , Vg 을 0 V 로 하 였 다 . 다음 에 , 기판 온도 25 ℃ 로 하 고 , Vd 을 10 V 로 하 고 , 트랜지스터 의 Id - Vg 측정 을 행하 였 다 . 이것 을 플러스 BT 시험 이 라고 부른다 .