절연 기판 ( 110 ) 과 게이트 전극 ( 121 ) 위 에 는 실리콘 질화물 ( SiNx ) 등 으로 이루어진 게이트 절 연막 ( 122 ) 이 형성 되 어 있 다 . 게이트 전극 ( 121 ) 이 위치 한 게이트 절 연막 ( 122 ) 상 에 는 비정질 실리콘 으로 이루어진 반도체 층 ( 123 ) 과 n 형 불순물 이 고농 도 도핑 된 n + 수소 화 비정질 실리콘 으로 이루어진 저항성 접촉 층 ( 124 ) 이 순차 적 으로 형성 되 어 있 다 . 　 여기 서 , 저항성 접촉 층 ( 124 ) 은 게이트 전극 ( 121 ) 을 중심 으로 양쪽 으로 분리 되 어 있 다 .