한편 , 초 소형 전지 제조 분야 에서 는 이러 한 방사성 동위 원소 에서 방출 되 는 방사선 에 의해 반도체 에서 생성 되 는 전자 ( electron ) / 정공 ( hole ) 쌍 을 에너지원 으로 하 여 마이크 로 와트 급 의 회로 소자 예 를 들 면 , 무인 전자 장치 또는 무인 초소형 기계 장치 ( Micromachine ; MEMS ) 에서 반 영구 적 으로 쓰일 수 있 는 이른바 , 방사성 동위 원소 전지 의 개발 이 시도 되 고 있 다 . 이 의 한 방편 으로써 한국 등록 특허 제 592478 호 에 ' 핀 ( PIN ) 다이오드 를 이용 한 초 소형 동위 원소 전지 ( 이하 선행 발명 ) ' 가 제안 되 어 있 다 . 여기 서 , 핀 다이오드 는 일반 적 으로 진성 반도체 ( intrinsic semiconductor ) 즉 , 실리콘 웨이 버 에 3 가 원소 와 5 가 원소 와 같 은 불순물 을 주입 ( implantation ) 하 여 P 형 및 N 형 을 형성 시킨 반도체 를 지칭 하 는 것 이 다 .