본 실시 예의 구성 은 전술 한 바 와 같 다 . 본 발명 의 특징 은 p - 콘 택 층 에 C 이외 에 Zn 이 도프 되 어 있 는 점 에 있 다 . 그 의의 를 설명 하 기 위해 , p - 콘 택 층 에 Zn 이 도프 되 지 않 는 , 도 4 의 구성 을 가지 는 반도체 레이저 ( 이후 , 비 교예 라고 칭한다 ) 에 대하 여 설명 한다 . 비교 예의 구성 이 , 도 2 에 나타내 는 본 발명 에 따른 구성 과 서로 다른 점 은 p - 콘 택 층 에 C 이외 에 Zn 을 가지 지 않 는 점 뿐 이 다 . 따라서 , 비 교예 는 p - 콘 택 층 형성 공정 에 있 어서 의 가스 유량 비 를 제외 하 고 도 3 을 사용 하 여 설명 한 제조 공정 과 동일 한 공정 에 의해 제조 된다 . 즉 , 비 교예 에 있 어서 도 도 3 의 스텝 102 에서 소자 에 가해 지 는 열 및 스텝 104 의 열처리 에 의해 소자 에 가해 지 는 열 ( 이후 전술 한 2 종류 의 열 을 , 공정 기인 열 이 라고 칭한다 . ) 이 존재 하 게 된다 . 비 교예 에 있 어서 는 , 이 공정 기인 열 에 의해 p - BDR 층 의 도 팬 트인 Zn 이 , p - 콘 택 층 으로 확산 되 는 경우 가 있 다 . 이 에 따라 , p - BDR 층 안 의 도 팬 트 밀도 가 저하 하 고 , 소자 저항 이 설계 로부터 예상 되 는 값 ( 이후 , 설계 값 이 라고 칭한다 ) 과 비교 하 여 증대 한다는 문제 가 있 었 다 .