여기 서 , 상기 게이트 ( 428 , 528 ) 는 게이트 절 연막 ( 414 , 514 ) , 폴리 실리콘 막 ( 416 , 516 ) , 금속 계 막 ( 418 , 518 ) 및 하드 마스크 막 ( 420 , 522 ) 의 적층 막 으로 이루어지 며 , 상기 게이트 절 연막 ( 414 , 514 ) 은 실리콘 산화 막 , 하프늄 산화 막 , 알루미늄 산화 막 , 지르코늄 산화 막 및 실리콘 질화 막 중 어느 하나 로 이루어진 단일 막 또는 적어도 둘 이상 으로 이루어진 적 층막 으로 형성 된다 .