한편 , 기존 의 실리콘 을 사용 하 는 태양 전지 와 는 달리 10 ㎛ 이하 의 두께 로 제작 가능 하 고 장시간 사용 시 안정 적 인 특성 을 가지 고 있 는 CuInSe 2 의 삼 원계 박막 은 최근 활발히 연구 되 고 있 는 화합물 반도체 중 의 하나 이 다 . 또한 , 실험 적 으로 최고 변환 효율 이 19 . 5 % 로 다른 태양 전지 에 비해 월등히 뛰어나 실리콘 을 대체 할 수 있 는 저 가 고 효율 의 태양 전지 로 상업 화 가능 성 이 아주 높 다 . 이러 한 특성 을 고려 하 여 대한민국 특허 공개 제 2002 - 0007777 호 는 이원 화합물 의 진공 증발 증착 에 의한 CuInSe 2 박막 , 일본 특허 공보 제 2004 - 342678 호 에서 는 높 은 효율 을 가지 는 태양 전지 와 CuInGaSe 2 의 제조 방법 을 제시 하 고 있 으나 , 상기 박막 의 구조 가 평면형 기판 상 에 n 과 p 형 반도체 를 적층 하 는 구조 를 가지 고 있 어서 , 계절 이나 하루 중 태양 의 고도 에 따른 태양광 의 입사 량 에 의한 영향 을 여전히 받 고 있 는 문제 가 있 다 .