블록 S 10 은 다양 한 방법 중 어느 것 으로 패드 ( 또는 비아 ) 층 ( 183 ) 을 형성 하 는 것 을 포함 할 수 있 고 , 그 비 제한 적 인 예시 적 이 여기 서 제시 된다 . 예 를 들 어 , 블록 S 10 은 다양 한 프로세스 ( 예 를 들 어 , 전해 도금 , 무전 해 도금 , 화학 적 기상 증착 ( CVD ) , 금속 유기 화학 적 기상 증착 ( MOCVD ) , 스퍼터링 또는 물리 적 기상 증착 ( PVD ) , 원자 층 증착 ( ALD ) , 플라스마 증착 , 프린팅 , 스크린 프린팅 , 리소그래피 등 ) 의 어느 하나 이상 을 이용 하 여 패드 ( 또는 비아 ) 층 ( 183 ) 을 형성 하 는 것 을 포함 할 수 있 으나 , 본 개시 의 범위 는 그 에 제한 되 지 않 는다 . 블록 S 10 은 예 를 들 어 , 제 2 금속 필러 ( 150 ) 의 상측 , 도전 성 범프 ( 162 ) 의 상측 등 의 상 에 패드 층 ( 183 ) 을 형성 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 .