도 15 의 좌측 에 는 , 화소 부 ( 14 ) 에서 의 화소 용 접속 배선 ( 24 ) 의 부분 확대도 가 도시 되 어 있 다 . 화소 용 접속 배선 ( 24 ) 은 게이트 절 연막 ( 56 ) 과 층 간 절 연막 ( 60 ) 에 뚫려 진 컨 택트 홀 에 의해 노출 된 반도체 층 ( 54 ) 에 접속 하 고 , 하층 측 으로부터 상층 측 을 향하 여 , 티탄 ( 90 ) , 알루미늄 ( 92 ) , 최상층 의 티탄 ( 94 ) 이 이 순 으로 적층 되 어 구성 된다 . 그리고 , 최상층 의 티탄 ( 94 ) 위 에 는 보호 절 연막 ( 62 ) 과 평탄 화 막 ( 64 ) 이 적층 하 여 배치 되 고 , 이 적층 절 연막 에 , 최상층 의 티탄 ( 94 ) 의 일부 가 노출 되 도록 컨 택트 홀 이 뚫려 진다 . 이 컨 택트 홀 에 노출 된 최상층 의 티탄 ( 94 ) 을 덮 도록 , 화소 용 투명 도전 막 ( 28 ) 이 배치 된다 . 이 와 같이 하 여 , 도 2 에서 설명 한 바 와 같이 , 화소 용 투명 도전 막 ( 28 ) 은 스위칭 소자 ( 26 ) 의 드레 인 에 접속 되 어 , 평탄 화 막 ( 64 ) 위 에 배치 되 는 화소 전극 으로 된다 .