위 와 같이 증착 된 금속 층 ( 330 ) 을 금속 의 녹는점 근처 까지 가열 하 면 금속 원자 의 이동도 가 높 아지므로 각각 의 결정 사이 에 원자 의 이동 이 발생 하 고 우세 한 결정 이 인접 한 결정 을 병합 하 는 결정 성장 ( grain growth ) 이 발생 한다 ( S 203 ) . 성장 된 금속 결정 이 산소 를 접하 게 되 면 금속 산화 막 층 ( 340 ) 을 형성 하 며 ( S 204 ) , 금속 산화 막 이 특별 한 두께 이하 인 경우 에 금속 산화 막 층 ( 340 ) 은 하부 의 금속 막 의 결정 방향 에 의존 하 여 특별 한 결정 방향 을 유지 하 게 된다 . 이후 상기 금속 산화 막 층 ( 340 ) 위 에 결정 성장 된 반도체 층 ( 350 ) 을 형성 한다 ( S 205 ) .