또한 , 본 발명 에서 는 , 복수 의 칩 이 형성 된 웨이퍼 의 제조 방법 에 있 어서 , 표면 에 형성 된 레지스 트 의 전체 노광 샷 영역 중 적어도 1 개소 의 노광 샷 영역 을 제외 한 노광 샷 영역 에 제 1 레티 클 을 사용 하 여 노광 을 행하 는 제 1 노광 공정 과 , 상 기 적어도 1 개소 의 노광 샷 영역 에 제 2 레티 클 을 사용 하 여 노광 을 행하 는 제 2 노광 공정 을 갖 는 것 을 특징 으로 하 는 웨이퍼 의 제조 방법 이 제공 된다 .