도 3 을 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 플래시 소자 제조 방법 은 , 먼저 , 반도체 기판 ( 100 ) 에 얕 은 소자 분리 ( STI ) 공정 을 수행 하 고 , PMOS / NMOS 웰 ( well ) 형성 공정 을 수행 한다 . 이때 발생 될 수 있 는 손상 을 큐어 ( cure ) 하 기 위해 어닐링 을 수행 한다 . 이후 에 , 셀 트랜지스터 의 스토리지 노드 로 이용 되 는 ONO 층 ( Oxide ( 210 ) - Nitride ( 230 ) - Oxide ( 250 ) : 200 ) 을 형성 한다 . 이후 에 , ONO 층 ( 200 ) 의 치밀 화 를 위한 어닐링 공정 을 수행 한다 .