일 실시 예 에서 , 제 1 절연 층 ( 103 ) 에 는 제 1 스탬 핑 공정 ( S 202 ) 을 통해 제 1 비아 홀 ( H 1 ) 이 형성 될 수 있 다 . 보다 구체 적 으로 , 제 1 비아 홀 ( H 1 ) 은 칩 패드 ( 102 ) 가 형성 된 부분 에서 제 1 절연 층 ( 103 ) 을 관통 하 여 형성 될 수 있 다 . 제 1 비아 홀 ( H 1 ) 은 테이퍼 구조 일 수 있 다 . 보다 구체 적 으로 , 제 1 비아 홀 ( H 1 ) 은 칩 패드 ( 102 ) 에서 멀 어 지 는 방향 으로 단면적 이 커지 는 테이퍼 구조 일 수 있 다 . 다만 이 에 한정 되 지 않 고 , 제 1 비아 홀 ( H 1 ) 은 다양 한 구조 일 수 있 다 .