이어서 , N 형 및 P 형 폴리 실리콘 층 ( 303 A , 303 B ) 상 에 배리 어 메탈 층 ( 306 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 배리어 메탈 층 ( 306 ) 은 확산 방지 ( Diffusion Barrier ) 역할 즉 , 텅스텐 과 폴리 실리콘 이 직접 접촉 하 여 후속 열 공정 시 실리사이드 반응 이 일어나 부피 팽창 에 의한 스트레스 반응 이 일어나 는 것 을 방지 하 기 위한 것 으로 , Ti ( 티타늄 ) 와 ＷN ( 텅스텐 질화 막 ) 의 적층 구조 일 수 있 다 . 따라서 , 게이트 의 Rc ( 콘 택 저항 ) 및 Rs ( 면저항 ) 값 을 동시 에 낮출 수 있 다 .