본 발명 은 진공 가열 과 플 라즈 마 보조 방식 을 조합 한 방식 을 채택 한다 . 이 는 한편 으로 는 CVD 법 을 이용 하 여 구리 , 니켈 , 백금 , 이리듐 , 루테늄 , 금 , 은 등 금속 , 산화 규소 , 산화알루미늄 , 탄화규소 등 비 금속 을 기판 으로 삼 아 성장 한 주름 진 그래핀 에 있 어서 , 가열 온도 와 수소 플 라즈 마 전력 과 시간 을 조절 함 으로써 , 양성자 선택 투과 원리 를 이용 하 여 주름 을 효과 적 으로 감소 및 제거 하 여 , 더욱 평탄 한 그래핀 을 구현 한다 . 다른 한편 으로 는 CVD 성장 과 동시 에 수소 플 라즈 마 를 추가 하 여 주름 없 는 그래핀 을 직접 생산 할 수 있 다 . 이러 한 조절 을 통해 더욱 평탄 한 그래핀 을 제조 할 수 있 으며 , 고 성능 그래핀 단결정 및 필름 최적화 를 위한 제조 방법 을 지원 한다 .