한편 , PRAM 의 피로 측정 과 관련 한 종래 기술 로서 , CMOS 공정 , 전자 빔 리소그래피 ( E - beam lithography ) 등 을 이용 한 GST cell 과 펄스 제너 레이터 ( pulse generator ) 및 파라미터 애널라이저 ( parameter analyzer ) 를 이용 한 기술 이 발표 되 었 는데 현재 대부분 반도체 관련 업체 에서 이용 되 고 있 다 ( KIST - 2005 년 추계 대한 금속 재료 학회 논문 , Int . Electron Devices Meet . IEEE , 36 . 5 . 1 , Nature materials 4 . 347 ( 2005 ) 참조 ) .