본 발명 은 공정 단순 화 를 이룸 과 아울러 공정 진행 이 용이 하 도록 할 수 있 는 상변환 기억 소자 의 제조 방법 을 개시 한다 . 개시 된 본 발명 에 따른 상변환 기억 소자 의 제조 방법 은 , 하부 패턴 을 구비 한 반도체 기판 을 제공 하 는 단계 와 , 상기 하부 패턴 을 덮 도록 기판 전면 상 에 제 1 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 층간 절 연막 내 에 하부 패턴 과 콘 택하 는 콘 택 플러그 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 콘 택 플러그 를 포함 한 제 1 층간 절 연막 상 에 제 1 도 전막 과 절 연막 을 차례 로 형성 하 는 단계 와 , 상기 절 연막 내 에 제 1 도 전막 을 노출 시키 는 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 콘 택 홀 내 에 상변환 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 상변환 막 을 포함 한 절 연막 상 에 제 2 도 전막 을 형성 하 는 단계 와 , 하나 의 식각 마스크 를 이용 하 여 상기 제 2 도 전막 과 상기 절 연막 및 상기 제 1 도 전막 을 식각 하 여 절 연막 을 사이 에 두 고 분리 되 는 상부 전극 및 하부 전극 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 상부 전극 을 포함 한 제 1 층간 절 연막 상 에 제 2 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 2 층간 절 연막 상 에 상부 전극 과 콘 택하 는 비트 라인 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .