그러나 , 상기 반도체 기판 ( 100 ) 을 식각 하 여 트렌치 ( 120 ) 를 형성 할 때 , 상기 트렌치 ( 120 ) 의 내 측벽 은 식각 시 의 데미지 ( Damage ) 에 의해 미세 결함 이 다량 발생 하 게 된다 . 이 와 같 은 , 미세 결함 은 트랩 싸이트 ( Trap Site ) 로 작용 하 며 , 이러 한 트랩 싸이트 가 존재 하 는 상태 에서 포토 다이오드 를 형성 하 여 빛 에 의한 광전자 를 만들 어 주 게 되 면 , 전자 의 일부 는 상기 트랩 싸이트 에 잡혀서 광 손실 의 원인 이 된다 .