그 후 , 제 2 - 도포 된 PR 재료 가 제 2 마스크 피 쳐 들 ( 216 ) 로 패 터닝 된다 ( 단계 108 ) . 제 2 마스크 피 쳐 들 로 의 PR 재료 의 패 터닝 은 , 제 2 마스크 피 쳐 들 에 대응 하 는 제 2 레티 클 을 사용 하 여 , 예컨대 종래 의 포토 리소그래피 프로세스 와 같 은 , 제 1 PR 마스크 의 패 터닝 과 유사 한 방식 으로 수행 될 수 도 있 다 . 도 2 d 는 제 1 마스크 피 쳐 들 ( 208 ) 및 제 2 마스크 피 쳐 들 ( 216 ) 을 포함 하 는 제 2 PR 마스크 ( 220 ) 의 개략 적 인 단면도 이 다 . 즉 , 제 1 마스크 피 쳐 들 ( 208 ) 및 제 2 마스크 피 쳐 들 ( 216 ) 은 함께 조합 되 어 제 2 PR 마스크 ( 220 ) 를 형성 한다 . 도 2 d 에 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 의 일 실시 형태 에 따르 면 , 제 1 마스크 피 쳐 들 ( 208 ) 사이 에 제 2 마스크 피 쳐 들 ( 216 ) 이 제공 된다 . 예컨대 , 라인 패턴 의 경우 에 , 예컨대 약 32 ㎚ 내지 45 ㎚ 와 같 은 더 작 은 CD ( 226 ) 를 달성 하 기 위해 제 1 마스크 피 쳐 들 ( 208 ) 및 제 2 마스크 피 쳐 들 ( 216 ) 이 교번 하 여 형성 된다 . 그러나 , 본 발명 은 라인 패턴 들 에 한정 되 지 않 고 , 2 개 의 치수 설계 패턴 이 2 개 의 개별 적 인 레티 클 들 , 즉 PR 마스크 피 쳐 들 의 2 개 의 세트 로 분할 된 임의 의 설계 패턴 에 적용 가능 할 수 있 다 .