다음 에 용기 하층 막 형성 용액 을 실리콘 기판 상 에 회전 도포 하 고 250 ~ 300 ℃ 에서 90 초간 베 이크 하 여 하층 막 으로 는 막 두께 200 ㎚ 의 하층 막 을 얻 고 , J . A . 워 람 사 의 입사 각도 가변 의 분광 엘 립 소 미터 ( variable angle spectroscopic ellipsometer , VASE ) 로 파장 193 ㎚ 에서 측정 하 고 , General Oscillator Model 로 흡수 를 Gaussian 의 진동자 로 근사 해 피팅 함 으로써 이 하층 막 의 복소 굴절 률 을 얻 고 , 굴절 률 n , 소 쇠 계수 k 를 구해 결과 를 표 1 에 나타냈 다 . 또 에칭 시험 은 하 기 에 나타내 는 조건 으로 실시 해 결과 를 표 1 내지 표 3 에 나타냈 다 .