도 33 a 및 33 b 는 예시 적 인 반도체 디바이스 ( 300 ) 를 제조 하 기 위한 예시 적 인 방법 의 사시도 및 단면도 를 도시 한다 . 도 33 a 및 33 b 에 도시 된 바 와 같이 , 인 캡슐 란트 ( 115 ) 가 도전 층 ( 103 ) 및 전자 컴 포 넨 트 ( 320 , 330 ) 의 표면 에 형성 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 인 캡슐 란트 ( 115 ) 는 전자 컴 포 넨 트 ( 320 , 330 ) 의 측면 들 에 접촉 할 수 있 다 . 또한 , 인 캡슐 란트 ( 115 ) 는 전자 컴 포 넨 트 ( 320 , 330 ) 의 하면 과 중첩 되 지 않 은 도전 층 ( 103 ) 의 표면 에 접촉 할 수 있 다 . 또한 , 전자 컴 포 넨 트 ( 320 , 330 ) 의 상면 과 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 상면 이 대체로 동일 평면 을 이룰 수 있 다 . 따라서 , 한 쌍 의 전자 컴 포 넨 트 ( 320 , 330 ) 가 수평 방향 으로 인 캡슐 란트 ( 115 ) 에 임베디드 된 형태 를 할 수 있 고 , 또한 전자 컴 포 넨 트 ( 320 , 330 ) 의 상면 이 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 상면 을 통해 노출 될 수 있 다 .