반도체 메모리 를 포함 하 는 전자 장치 가 제공 된다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 메모리 는 , 제 1 가변 저항 소자 ; 상기 제 1 가변 저항 소자 에 접속 하 는 제 1 스위칭 소자 ; 제 2 가변 저항 소자 ; 및 상기 제 2 가변 저항 소자 에 접속 하 는 제 2 스위칭 소자 를 포함 하 고 , 상기 제 1 스위칭 소자 와 상기 제 1 가변 저항 소자 사이 의 거리 는 , 상기 제 2 스위칭 소자 와 상기 제 2 가변 저항 소자 사이 의 거리 보다 크 고 , 상기 제 1 스위칭 소자 의 제 1 단부 로부터 상기 제 1 가변 저항 소자 까지 의 제 1 경로 에 비하 여 , 상기 제 2 스위칭 소자 의 제 2 단부 로부터 상기 제 2 가변 저항 소자 까지 의 제 2 경로 는 저항 성분 을 더 포함 할 수 있 다 .