도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 반도체 제조 설비 의 특정 공정 을 위한 가스 또는 케미컬 공급 장치 는 , 상기 가스 ( A ) 또는 케미컬 ( B ) 을 외부 로부터 공급 받 아 공 정 챔버 ( 30 ) 로 공급 하 는 공급 제 어부 ( 10 ) 와 상기 공급 제 어부 ( 10 ) 에서 상기 공정 챔버 ( 30 ) 로 상기 가스 ( A ) 또는 케미컬 ( B ) 을 이동 시키 기 위한 제 2 배관 ( P 5 ) 을 구비 한다 .