스퍼터 증착 된 전도성 확산 배리 어 층 의 본질 적 인 빈약 한 컨 포 멀리 티 ( Conformality ) 에 의한 다양 한 문제 를 해결 하 고 , 임베디드 비아 의 형성 을 위해 아래 의 컨 덕 터 에 오목 부를 형성 하 기 위해 , 종래 다 마신 공정 에서 는 전도성 라이너 층 의 증착 동안 및 / 또는 이후 에 강력 한 에치 백 공정 이 수행 되 어 왔 다 . 상기 강력 한 에치 백 공정 에 의해 , 영역 305 , 309 및 301 의 두꺼운 전도성 라이너 물질 이 에치 백 되 어 , 에치 백 된 ( 재스퍼 터 된 ) 물질 들 이 얇 은 전도성 확산 배리 어 층 ( 303 및 307 ) 을 강화 하 기 위해 재 분배 되 는 것 으로 기대 되 었 다 .