일부 실시 예 에서 , 게이트 - 유전체 재료 ( 46 ) 는 전하 - 터널 링 재료 로 간주 될 수 있 으며 ; 즉 , 프로그래밍 동작 , 소거 동작 동안 메모리 셀 들 ( 36 ) 의 전하 - 저장 재료 ( 44 ) 와 채널 재료 ( 48 ) 사이 에서 전하 가 터널 링 되 는 재료 인 것 으로 간주 될 수 있 다 . 전하 - 터널 링 재료 는 상술 한 바 와 같이 실리콘 이 산화물 을 포함 할 수 있 으며 , 또는 밴드 갭 - 엔지니어링 된 재료 를 포함 할 수 있 다 ( 예컨대 , 2 개 의 산화물 사이 에 측방 으로 샌드위치 된 실리콘 질화물 과 같 은 , 여기 서 산화물 중 하나 또는 양자 는 실리콘 이 산화물 일 수 있 다 ) .