상술 한 바 와 같이 , 본 발명 에서 는 CD 타 겟 에 가장 잘 맞 는 트랜지스터 크기 를 구현 하 기 위해 소자 개발 초기 의 OPC 파라미터 추출 시 에 포토레지스트 막 의 두께 를 달리 하 여 OPC 파라미터 를 추출 함 으로써 , 최적 의 포토레지스트 막 두께 를 결정 한 다음 , 이 를 실제 리 소그라 피 공정 에 적용 하 는 것 으로 , 원 하 는 OPC 파라미터 값 을 얻 기 위해 상기 에서 결정 된 최적 의 포토레지스트 막 의 두께 만 일정 하 게 유지 시켜 주 면 되 는 것 이 다 .