미국 등록 특허 공보 제 4 , 177 , 084 호 에 는 사파이어 기판 상 에 단결정 실리콘 층 을 에픽 택 셜 증착 시키 는 단계 ; 상기 실리콘 층 내부 의 실리콘 과 사파이어 의 계면 에 이온 을 상기 실리콘 층 의 주 된 결정축 과 평행 한 방향 으로 주입 하 여 무 정형 실리콘 영역 을 형성 시키 는 단계 ; 및 상기 기판 을 열처리 하 여 상기 무정형 실리콘 을 단결정 실리콘 으로 전환 시키 는 단계 를 포함 하 는 SOS 웨이퍼 의 제조 방법 이 개시 되 어 있 으나 , 실리콘 층 을 이미 형성 시킨 다음 에 후처리 공정 으로서 이온 주입 을 하 기 때문 에 실리콘 층 의 표면 의 평탄 도 가 떨어지 는 문제점 이 있 으며 , 열처리 이후 에 불순물 등 이 최 표면층 ( thining 층 ) 에 모여 있 게 되 어 상기 최 표면 층 을 제거 하 는 추가 적 인 공정 이 필요 하 다 .