근년 , 반도체 기판 표면 의 다층 배선 화 에 수반 하 여 , 디바이스 를 제조 할 때 , 물리 적 으로 반도체 기판 을 연마 하 여 평탄 화 하 는 , 소위 , 화학 적 기계 적 연마 ( Chemical Mechanical Polishing ; CMP ) 기술 이 이용 되 고 있 다 . CMP 는 , 실리카 나 알루미나 , 세리아 등 의 지 립 , 방식제 , 계면 활성제 등 을 포함 하 는 연마 용 조성물 ( 슬러리 ) 을 사용 하 여 , 반도체 기판 등 의 연마 대상물 ( 피연 마물 ) 의 표면 을 평탄 화 하 는 방법 이 며 , 연마 대상물 ( 피연 마물 ) 은 , 실리콘 , 폴리 실리콘 , 산화 규소 , 질화규소 나 , 금속 등 을 포함 하 는 배선 , 플러그 등 이 다 .