QD ( 들 ) 은 , 더 높 은 밴드 갭 재료 의 영역 으로 실질 적 으로 둘러싸인 더 낮 은 밴드 갭 재료 의 영역 을 포함 한다 . 더 낮 은 밴드 갭 영역 의 크기 는 브로이 파장 의 크기 정도 이 다 . 더 낮 은 밴드 갭 영역 은 더 높 은 밴드 갭 재료 를 만나 는 헤테로 접합부 에서 전위 에너지 불연속 부 를 형성 한다 . 이러 한 전위 에너지 불연속 부 는 QD 밴드 구조 의 전도 밴드 및 / 또는 원자 가 밴드 에서 3 차원 전위 우물 을 한정 한다 . 3 차원 전위 우물 은 3 차원 모두 에서 캐리어 를 더 낮 은 밴드 갭 영역 으로 한정 할 수 있 고 , 하나 이상 의 개별 에너지 레벨 의 형성 을 초래 할 수 있 다 . 더 낮 은 밴드 갭 영역 내 의 캐리어 는 전위 우물 에 한정 될 때 개별 에너지 레벨 을 점유 할 수 있 다 .