CNT 물질 ( 324 ) / 가역 저항 전환 소자 ( 202 ) 의 형성 에 이어 , CNT 물질 ( 324 ) 를 메모리 셀 ( 200 ) 을 포함 하 는 메모리 레벨 상 에 제조 된 다른 메모리 셀 들 ( 도시 되 지 않 음 ) 의 다른 유사 한 CNT 물질 영역 들 로부터 격리 시키 기 위해서 CNT 물질 ( 324 ) 위 에 그리고 그 주위 에 유전 물질 ( 326 ) 이 증착 된다 . 이어서 유전 물질 ( 326 ) 을 평탄 화 하 고 CNT 시드 층 ( 324 ) 위 로부터 유전 물질 을 제거 하 기 위해서 CMP 또는 유전 에치 백 단계 가 수행 된다 .