상기 열처리 는 400 내지 600 ℃ 의 온도 에서 수행 되 는데 , 이 는 일반 적 으로 상기 ( A ) 단계 와 같이 처음 게르마늄 기판 상 에 이산화 게르마늄 층 을 형성 하 기 위하 여 수행 되 는 산소 분위기 의 열처리 보다 다소 낮 은 온도 에서 이루어지 는 것 에 해당 한다 . 상기 열처리 의 온도 가 400 ℃ 미만 일 경우 게르마늄 의 산화 가 일어나 지 않 을 수 있 고 , 600 ℃ 를 초과 할 경우 , GeO 의 생성량 이 급격히 증가 하 여 계면 상태 가 조악 해질 수 있 다 .