상술 한 바 와 같 은 목적 을 구현 하 기 위한 본 발명 의 광도 파로 를 이용 한 마스크 의 수평 조절 방법 은 , 반도체 제작 공정 에 사용 되 는 마스크 상 에 회로 패턴 이 형성 되 는 부분 의 둘레 부위 에 광도 파로 를 형성 하 는 단계 ; 상기 광도 파로 의 일 측 단 에 레이저 광선 을 입사 하 는 단계 ; 상기 입사 된 레이저 광선 이 상기 광도 파로 의 코어 의 경로 를 따라 투과 되 어 상기 광도 파로 의 타 측 단 으로 나오 는 레이저 광선 의 위치 를 수 광부 에서 검지 하 는 단계 ; 상기 수 광부 에서 검지 한 레이저 광선 의 위치 값 과 상기 마스크 가 정확 한 수평 상태 일 때 측정 한 기준 값 을 비교 하 는 단계 ; 및 상기 비교 결과 에 따라 상기 마스크 를 수평 상태 로 조절 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .