상기 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 실리콘 습식 식각 방법 에서 는 패럴 린 마스크 를 이용 하 여 1 차 습식 식각 공정 을 수행 하 므로 , 실리콘 기판 ( 200 ') 에 대한 열 산화 공정 의 회수 가 줄어들 게 된다 . 따라서 , 열 산화 공정 에 의해 발생 될 수 있 는 실리콘 기판 ( 200 ') 내부 의 열 적 결함 이 방지 되 거나 줄어들 수 있 으므로 , 2 차 습식 식각 에 의해 형성 되 는 댐퍼 ( 211 ) 의 형상 균 일도 가 향상 될 수 있 다 . 또한 , 댐퍼 ( 211 ) 의 형상 균 일도 가 향상 되 면 , 이 에 따라 잉크 토출구 ( 212 ) 의 길이 도 균일 하 게 형성 될 수 있 어서 잉크 토출 성능 이 향상 된다 . 이 에 대해서 는 , 뒤 에서 도 8 을 참조 하 여 다시 설명 하 기 로 한다 .