반도체 층 ( 131 ) 은 산화물 반도체 또는 비정질 반도체 로 구성 될 수 있 다 . 반도체 층 ( 131 ) 은 수소 를 흡수 할 수 있 다 . 반도체 층 ( 131 ) 이 수소 를 흡수 하 는 경우 , 박막 트랜지스터 ( 130 ) 의 문턱 전압 ( Vth ) 이 이동 ( shift ) 되 어 박막 트랜지스터 ( 130 ) 의 이동도 가 증가 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 박막 트랜지스터 ( 130 ) 의 특성 이 변화 하 여 성능 이 저하 될 수 있 다 .