이어서 , 적어도 하드 마스크 ( 11 ) 패턴 을 식각 베리어 로 반도체 기판 ( 10 ) 을 식각 하 여 소자 분리 용 트렌치 ( 13 ) 를 형성 한다 . 이때 , 소자 분리 용 트렌치 ( 13 ) 는 수직 프로파일 ( vertical profile ) 을 갖 는 것 이 바람직 하 다 . 이 는 후속 리세 스 게이트 형성 공정 을 진행 하 는 경우 소자 분리 막 과 리세 스 패턴 의 경 계부 에 발생 하 는 첨 점 형태 의 혼 ( horn ) 의 높이 를 최소 화 하 기 위함 이 다 . 이러 한 혼 은 리 프레시 특성 등 소자 의 전기 적 특성 을 열화 시키 는 원인 이 된다 .