본 발명 의 다른 실시 예 는 복수 의 워드 라인 , 복수 의 비트 라인 을 포함 하 는 비휘발성 메모리 장치 및 복수 의 비휘발성 메모리 셀 을 포함 하 는 비휘발성 메모리 셀 어레이 에 관한 것 이 다 . 복수 의 워드 라인 은 상기 메모리 셀 어레이 에서 약 60 도 의 각도 로 상기 복수 의 비트 라인 과 교차 한다 . 상기 비휘발성 메모리 셀 어레이 내 의 상기 복수 의 비휘발성 메모리 셀 은 실질 적 으로 평행 사변형 형상 인 복수 의 서브 어레이 에 배열 된다 .