본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치 는 제 1 접착 층 ( 121 ) 의 열전도도 가 제 2 접착 층 ( 122 ) 보다 더 높 은 것 을 특징 으로 한다 . 예 를 들 어 , 제 1 접착 층 ( 121 ) 의 열전도도 는 0 . 8 W / m * K 이상 일 수 있 다 . 이 를 위해 , 제 1 접착 층 ( 121 ) 은 별도 의 열전도 성 물질 을 포함 할 수 있 다 , 그리고 , 이 열전도 성 물질 은 전자 부품 ( 240 ) 의 쇼트 ( Shrot ) 를 방지 하 기 위해 도전 성 이 없 는 물질 인 것 이 바람직 하 다 .