또 다른 실시 예 에서 , 기판 표면 상 에 산화물 층 을 포함 하 는 기판 을 프로세싱 챔버 내 에 위치 시키 는 단계 ; 상기 기판 의 제 1 온도 를 약 100 ℃ 미만 으로 조절 하 는 단계 ; 상기 프로세싱 챔버 내 에 가스 혼합물 로부터 세정 플 라즈 마 를 생성 하 는 단계 를 포함 하 는 , 기판 표면 으로부터 자연 산화물 들 을 제거 하 기 위한 방법 이 제공 된다 . 상기 가스 혼합물 은 약 10 이상 의 NH 3 / NF 3 몰 비 를 갖 는 암모니아 및 삼 불화 질소 를 포함 하 고 상기 세정 플라 즈 마는 약 5 와트 내지 약 50 와트 의 RF 전력 에 의해 생성 된다 . 상기 방법 은 플 라즈 마 세정 프로세스 동안 박막 을 형성 하 도록 상기 기판 을 상기 세정 플 라즈 마 에 노출 시키 는 단계 ― 상기 박막 은 상기 실리콘 산화물 층 으로부터 부분 적 으로 형성 된 암모늄 헥사 플 루 오로 실리케이트 를 포함 함 ―; 상기 박막 을 상기 기판 으로부터 제거 하 고 그 상부 에 패 시베이 션 표면 을 형성 하 면서 , 상기 기판 을 상기 프로세싱 챔버 내 에서 약 100 ℃ 이상 의 제 2 온도 로 가열 하 는 단계 ; 및 상기 기판 의 상기 패 시베이 션 표면 상 에 에피 택 셜 층 을 성장 시키 는 단계 를 더 포함 한다 .