갈륨비소 알루미늄 과 고순 도 갈륨비소 의 n 형 헤테로 접합 계면 은 전자 친화도 의 차이 에 의해 에너지 밴드 구조 로 되 며 , 고밀도 고 이동도 ( 실리콘 의 5 ～ 6 배 ) 의 특성 을 가지 는 전자 를 캐리어 로 이용 한다 . HEMT 의 바이어스 조건 은 저잡음 갈륨비소 FET 와 거의 같 으며 , 잡음 지수 는 0 . 25 ㎙ 게이트 의 HEMT 가 12 GHz 에서 0 . 6 kt 대이 다 .