이면 조사 형 의 고체 촬상 장치 ( 131 ) 에서 는 , 다층 배선 층 및 화소 트랜지스터 가 형성 된 기판 표면 과 는 반대 측 의 기판 이면 을 수 광면 ( 132 ) 으로 하 여 , 광 ( L ) 이 이 기판 이면 측 으로부터 입사 하 게 된다 . 또한 , 광 ( L ) 은 다층 배선 층 ( 119 ) 의 제약 을 받 는 일 없이 , 포토 다이오드 ( PD ) 에 입사 되 기 때문 에 , 포토 다이오드 ( PD ) 의 개구 를 넓 게 취할 수 있 고 , 고감도 화 가 실현 된다 .