또 , 비정질 중 에 미결정 을 배열 시킴 으로써 , 산화물 반도체 층 의 전기 적 특성 을 변화 시킬 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , In - Ga - Zn - O 계 의 금속 산화물 타 겟 을 이용 하 여 산화물 반도체 층 을 형성 하 는 경우 에 는 , 전기 적 이방성 을 가지 는 In 2 Ga 2 ZnO 7 의 결정립 이 배향 한 미결 정부 를 형성 함 으로써 , 산화물 반도체 층 의 전기 적 특성 을 변화 시킬 수 있 다 .