또한 , 지지 기판 을 사용 하 는 경우 에 는 , 다 이싱 공정 전 에 지지 기판 을 제거 하 는 공정도 필요 해진다 . 이 지지 기판 제거 공정 은 , 통상 , 상기 서술 한 기판 의 제거 공정 과 마찬가지 로 , 연삭 이나 에칭 등 의 방법 , 혹은 지지 기판 접합 공정 에서 지지 기판 과 봉지 수지 층 사이 에 가 접착 층 을 형성 시킨 경우 는 , UV 나 레이저 등 에 의해 접착력 을 저하 시키 고 , 가 접착 층 과 배선 층 사이 에서 박리 시키 는 방법 으로 행해진다 . 이 에 반해 , 도 1 에 나타내 는 바 와 같 은 본 발명 의 반도체 장치 의 제조 방법 에서 는 , 상기 서술 한 바 와 같이 지지 기판 을 사용 할 필요 가 없 으므로 , 당연히 , 지지 기판 을 제거 할 필요 도 없 다 . 이 와 같이 , 본 발명 이 면 , 종래 법 에 있 어서 별도 행할 필요 가 있 었 던 지지 기판 의 제거 공정도 생략 할 수 있 다 .