경우 에 따라 , 게이트 전극 층 ( 126 ) 의 폭 을 줄이 기 위한 트리밍 공정 을 수행 할 수 있 다 . 종래 에 는 채널 층 의 하부 에 도 게이트 전극 층 이 형성 되 어 있 기 때문 에 , 트리밍 에 의해 채널 층 상부 의 게이트 전극 층 의 폭 이 좁 아 지나 채널 층 하부 의 게이트 전극 층 의 폭 은 제거 되 지 않 고 그대로 유지 되 었 다 . 이 에 따라 , 트리밍 에 의해 불 균일 한 게이트 전극 층 폭 이 형성 하 였 다 . 하지만 , 본 발명 에서 는 채널 층 의 하부 에 는 게이트 전극 층 이 형성 되 지 않 으므로 , 트리밍 에 의해 게이트 전극 층 의 폭 을 균일 하 게 줄일 수 있 다 .