한편 , 일본 특개 2000 - 196152 호 공보 , 일본 특개 2005 - 5679 호 공보 , 일본 특개 2003 - 69075 호 공보 , 일본 특개 2005 - 244201 호 공보 , 일본 특개 2006 - 147787 호 공보 에 기재 된 발광 소자 에서 는 광취 출 측 의 반도체 층 표면 에 똑같이 요철 형상 이 마련 되 어 있 다 . 따라서 광 출력 을 높이 려고 반도체 층 표면 을 깊 게 팔 수록 전극 이 쉽 게 벗겨지 는 ( 박리 ) 경향 이 있 다 . 예 를 들 면 , 전극 을 형성 한 영역 과 볼록 형상 을 마련 한 영역 을 분리 한 발광 소자 에서 는 , 광취 출 효율 과 아울러 광 출력 도 높일 경우 에 는 전극 에 인접 한 영역 에 까지 요철 형상 을 깊 게 마련 할 필요 가 있 기 때문 에 전극 이 쉽 게 벗겨진다 . 따라서 광취 출 효율 을 향상 시키 는 것 을 전제 로 하 면서 광 출력 을 높이 려고 할 경우 에 는 광취 출 측 면 에 형성 되 는 전극 이 벗겨지 는 것 을 방지 할 수 있 는 신뢰 성 높 은 소자 가 요구 되 고 있 다 .