본 실시 형태 에 있 어서 는 , 활성 금속 질화물 층 ( 131 ) ( 질화 티탄 층 ) 의 내부 에 , Cu 입자 ( 135 ) 가 분산 되 어 있 으므로 , 구리판 ( 122 ) 의 Cu 가 세라믹스 기판 ( 111 ) 의 접합면 에서 충분히 반응 하 고 있 게 되 어 , 회로 층 ( 112 ) ( 구리판 ( 122 ) ) 과 세라믹스 기판 ( 111 ) 이 강고 하 게 접합 된 절연 회로 기판 ( 110 ) ( 구리 / 세라믹스 접합체 ) 을 얻 는 것 이 가능 해진다 .