따라서 , 상기 에 설명 한 바 와 같이 , 제 1 에칭 에 의해 제 1 도 전막 ( 102 ) 을 가공 하 여 에칭 된 제 1 도 전막 ( 115 ) 을 형성 하 고 , 제 2 에칭 에 의해 게이트 전극 층 ( 116 ) 을 형성 함 으로써 , 상기 간격 ( d 1 ) 을 제 1 도 전막 ( 102 ) 의 두께 보다 작 게 하 는 것 이 가능 하 게 된다 . 즉 , 상기 간격 ( d 1 ) 을 제 1 도 전막 ( 102 ) 의 두께 에 대하 여 독립 적 으로 설계 할 수 있 어 레이아웃 설계 의 자유도 가 향상 된다 .