도 2 f 를 참조 하 면 , 상기 텅스텐 실리사이드 막 ( 212 ) 상 에 비 도핑 된 제 2 폴리 실리콘 막 ( 214 ) 을 형성 한다 . 상기 비 도핑 된 제 2 폴리 실리콘 막 ( 214 ) 은 P 형 폴리 실리콘 막 ( 210 ) 내 에 도핑 된 보론 이 텅스텐 실리사이드 막 ( 212 ) 과 이후 에 형성 될 하드 마스크 질화 막 의 계면 으로 외부 확산 되 어 쌓이 는 현상 을 방지 하 고 , 아울러 , 상기 하드 마스크 질화 막 형성 시 의 막 스트레스 를 완화 시키 기 위해 형성 해 주 는 것 이 다 . 이러 한 비 도핑 된 제 2 폴리 실리콘 막 ( 214 ) 은 퍼니스 또는 싱글 챔버 를 사용 하 여 500 ∼ 520 ℃ 의 온도 및 0 . 8 ∼ 1 . 2 torr 의 압력 하 에서 소오 스 가스 로서 SiH 4 를 800 ∼ 1200 sccm 으로 플로우 시켜 100 ∼ 200 Å 의 두께 로 형성 한다 .