그리고 , 제 1 몸 체부 ( 110 ) 는 반도체 멤 스 공정 을 통해 , 적층 된 복수 의 웨이퍼 ( 110 a , 110 b ) 를 식각 하 여 형성 됨 으로써 , 제 1 몸 체부 ( 110 ) 내부 의 빈 공간 인 전송 공간 의 높이 가 높 게 형성 될 수 있 게 한다 . 즉 , 전 송공 간 의 높이 가 높 게 형성 됨 으로써 , 보다 높 은 큐 인자 를 확보 할 수 있 게 된다 .