도 8 은 , ITO 막 ( 52 ) 을 갖 는 기판 에 대해서 본 실시 형태 에 따른 클리닝 방법 을 실행 한 실험 결과 를 나타내 는 도면 이 다 . 도 8 ( a ) 는 , ITO 막 ( 52 ) 상 의 실리콘 산화 막 ( 53 ) 의 일부 가 , 에칭 되 어 개구 하 여 , ITO 막 ( 52 ) 의 마스크 로서 형성 된 상태 를 나타낸다 . 도 8 ( b ) 는 , 탄화수소 가스 에 의한 제 5 클리닝 공정 을 포함 하 는 본 실시 형태 에 따른 클리닝 방법 을 실행 하 여 , ITO 막 ( 52 ) 의 하지 층 이 노출 될 때 까지 에칭 을 실행 한 결과 를 나타낸다 . 클리닝 방법 을 실행 하 고 있 는 동안 , 플 라즈 마 에 의해 생성 되 는 이온 을 기판 으로 인입 하 기 위한 바이어스 파워 는 인가 되 어 있 지 않 다 . 이것 에 의하 면 , 이온 의 인입 없 는 제 5 클리닝 공정 이 어도 ITO 막 ( 52 ) 이 에칭 제거 되 는 것 이 가능 하 다 . 즉 , 본 실시 형태 에 따른 클리닝 방법 에 의해 , 기판 상 뿐 만 아니 라 , 챔버 ( 11 ) 내벽 이나 챔버 ( 11 ) 내 의 각 파츠 재 에 부착 된 인듐 의 잔사 를 제거 할 수 있 음 을 알 수 있 었 다 .