본 발명 은 플 라즈 마 도핑 시 보론 의 아웃 디 퓨전 을 방지 할 수 있 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 하 는데 그 목적 이 있 다 . 또한 , 이온 주입 후 활성 화 어 닐 에 의해 폴리 실리콘 이 결정 질 로 바뀌 어 식각 프로파일 불량 을 초래 하 는 것 을 방지 하 기 위한 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 본 발명 은 NMOS 영역 과 PMOS 영역 을 갖 는 기판 상 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 , 상기 게이트 절 연막 상 에 제 1 폴리 실리콘 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 NMOS 영역 의 제 1 폴리 실리콘 층 상 에 마스크 패턴 을 형성 하 는 단계 , 상기 PMOS 영역 의 제 1 폴리 실리콘 층 에 P 형 불순물 을 도핑 하 는 단계 , 상기 마스크 패턴 을 제거 하 는 단계 , 상기 제 1 폴리 실리콘 층 을 패 터닝 하 여 제 1 폴리 실리콘 전극 을 형성 하 는 단계 , 상기 제 1 폴리 실리콘 전극 을 포함 하 는 전면 에 제 2 폴리 실리콘 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 제 1 폴리 실리콘 전극 을 감싸 도록 상기 제 2 폴리 실리콘 층 을 패 터닝 하 여 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .