도 10 a 및 도 10 b 를 참조 하 면 , 보호막 ( 48 ) 상 에 는 제 4 마스크 공정 으로 화소 전극 ( 40 ) , 게이트 패드 상부 전극 ( 142 ) , 데이터 패드 상부 전극 ( 143 ) 을 포함 하 는 투명 도 전 패턴 군 이 형성 된다 . 화소 전극 ( 40 ) 은 화소 접촉 홀 ( 49 ) 을 통해 드레 인 전극 ( 39 ) 과 접속 된다 . 게이트 패드 상부 전극 ( 142 ) 은 게이트 패드 접촉 홀 ( 134 ) 을 통해 게이트 패드 하부 전극 ( 132 ) 과 접속 된다 . 데이터 패드 상부 전극 ( 143 ) 은 데이터 패드 접촉 홀 ( 135 ) 을 통해 데이터 패드 하부 전극 ( 133 ) 과 접속 된다 . 또한 투명 도전 패턴 군 의 재료 로 는 틴 옥사이드 ( Tin Oxide : TO ) , 인듐 틴 옥사이드 ( Indium Tin Oxide : ITO ) , 인듐 징크 옥사이드 ( Indium Zinc Oxide : IZO ) , 인듐 틴 징크 옥사이드 ( Indium Tin Zinc Oxide : ITZO ) 등 을 포함 하 는 투명 산화 도전 층 이 이용 된다 .