게이트 절연 층 ( 123 ) 이 버퍼 층 ( 121 ) 및 활성 층 ( 122 ) 위 에 배치 된다 . 게이트 절연 층 ( 123 ) 은 SiNx , SiOx , SiOxNy 등 과 같 은 임의 의 적합 한 물질 로 형성 될 수 있 다 . 게이트 전극 ( 124 ) 은 활성 층 ( 122 ) 에 중첩 되 는 영역 에서 게이트 절연 층 ( 123 ) 위 에 배치 될 수 있 다 . 게이트 전극 ( 124 ) 은 도 2 의 스위칭 트랜지스터 ( 53 ) 에 연결 될 수 있 다 .