다음 에 , 필러 의 상부 상 의 유전체 물질 이 제거 되 어 유전체 물질 에 의해 분리 된 필러 의 상부 를 노출 시키 고 실질 적 으로 평면 표면 을 남긴다 . 유전체 과다 충전 의 제거 는 CMP ( chemical mechanical polishing ) 또는 에칭 백과 같이 기술 분야 에 알려진 임의 의 공정 에 의해 수행 될 수 있 다 . CMP 또는 에칭 백 후 , 이온 주입 이 수행 되 어 다이오드 의 크 게 도핑 된 p - 타입 상부 영역 을 형성 한다 . p - 타입 도 펀트 는 바람직 하 게 붕소 또는 BCl 3 이 다 . 이 주입 단계 는 다이오드 의 형성 을 완료 한다 . 막 형성 된 다이오드 에서 크 게 도핑 된 하부 영역 은 n - 타입 인 반면 , 상부 의 크 게 도핑 된 영역 은 p - 타입 이 다 .