도 4 의 ( Bx ) , 도 4 의 ( By ) 에 나타난 바 와 같이 , 프리 층 ( 7 ) 위 에 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 을 형성 하 고 , 이온 밀링 등 에 의해 , 프리 층 ( 7 ) 으로부터 강자성 층 ( 2 ) 까지 의 코어 폭 방향 의 에칭 을 행한다 . 하 지 층 ( 14 ) 까지 에칭 해도 관계 없 다 . 반강자성 층 ( 2 ) 은 일부 남 아도 관계 없 다 . 다음 에 , 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 을 제거 하 지 않 고 , Al 2 O 3 등 의 비자 성 절 연막 ( 11 ) 을 성막 한다 .