이때 , 상기 플라 즈 마 CVD 에 의한 LTO 배면 실 증착 공정 의 SiH 4 에 대한 N 2 O 의 혼합 조성 비 는 10 내지 40 , RF 파워 는 100 내지 400 watt 인 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 상기 SiH 4 와 N 2 O 의 혼합 반응 가스 의 총유 량 은 3500 내지 4500 sccm , 압력 은 3 - 4 Torr 인 것 이 바람직 하 다 . 상기 웨이퍼 로서 p 형 실리콘 웨이퍼 또는 n 형 실리콘 웨이퍼 를 사용 할 수 있 다 .