다음 으로 , 상기 게이트 전극 ( 328 ) 을 마스크 로 하 여 도전 형 의 불순물 을 도핑 하 여 소오 스 / 드레 인 영역 ( 322 ) 을 형성 한다 . 상기 소오 스 / 드레 인 영역 ( 322 ) 의 사이 에 위치 한 불순물 이 도핑 되 지 않 은 영역 은 채널 영역 ( 324 ) 으로 작용 한다 . 이 와 는 달리 , 상기 도핑 공정 은 게이트 전극 ( 328 ) 을 형성 하 기 전 에 포토레지스트 를 형성 하 여 진행 할 수 도 있 다 . 또한 , 본 발명 에서 는 반도체 층 형성 이후 에 게이트 전극 을 형성 하 는 공정 을 설명 하 였으나 , 반도체 층 형성 이전 에 반도체 층 하부 에 게이트 전극 을 형성 하 는 공정 을 진행할 수 도 있 다 .