이 와 같이 고 순도 화 되 고 , 진성 화 된 산화물 반도체 층 ( 144 ) 을 이용 함 으로써 , 스위치 트랜지스터 ( 202 _ 1 ) 의 오프 전류 를 충분히 저감 하 는 것 이 용이 해진다 . 그리고 , 이러 한 스위치 트랜지스터 ( 202 _ 1 ) 를 이용 함 으로써 , 장기 에 걸쳐 전위 를 유지 하 는 것 이 가능 한 반도체 장치 가 얻 어 진다 .