도 3 d 를 참조 하 면 , 상기 소자 분리 막 ( 220 ) , 상기 제 1 산화 막 패턴 ( 334 ) 및 마스크 패턴 ( 336 ) 을 마스크 로 식각 공정 을 진행 하 여 , 상기 개구부 의 측면 을 덮 는 상기 제 1 예비 부유 게이트 패턴 ( 332 ) 이 제거 된다 . 상기 제 1 예비 부유 게이트 패턴 ( 332 ) 은 습식 식각 공정 으로 제거 될 수 있 다 . 이 에 의해 , 상기 마스크 패턴 ( 336 ) 과 상기 터널 절 연막 ( 325 ) 사이 에 개재 된 제 2 예비 부유 게이트 패턴 ( 340 a ) 이 형성 된다 .