실리콘 을 관통 하 는 얇 은 비아 ( via ) 를 형성 하 고 비아 를 구리 와 같 은 전도성 물질 로 채움 으로써 전극 을 형성 하 는 기술 ( TSV 기술 ) 이 개발 되 었 다 . 보통 TSV 기술 에서 구리 가 전극 으로 사용 되 는 경우 에 는 , 실리콘 기판 ( 1 ) 에 개구부 가 제공 되 며 , 그 다음 에 실리콘 옥사이드 층 ( 즉 , 낮 은 - k 유전 층 ) ( 2 ) 및 티타늄 , 탄 탈륨 등 의 장벽 금속 층 ( 3 ) 이 개구부 의 내벽 에 형성 된다 . 나중 에 , 구리 시드 층 ( 4 ) 이 금속 유기 화학 적 기상 증착 법 또는 물리 적 기상 증착 법 에 의하 여 형성 된다 ( 도 1 ) . 그 다음 , 구리 시드 층 에서 전극 이 형성 되 는 부분 이 아닌 부분 의 구리 시드 층 위 에 저항 수지 ( 5 ) 로 보호 필름 이 형성 된다 ( 도 2 ) . 구리 와 같 은 금속 ( 6 ) 은 범프 를 형성 하 기 위해 보호 필름 이 형성 되 지 않 는 부분 에 끼워 넣 어 진다 . 불리 하 게 도 , 상기 구리 가 보호 되 지 않 는다면 , 연결 확실 성 은 표면 산화 현상 에 의하 여 감소 한다 . 따라서 , 보통 , 니켈 층 ( 7 ) 및 금 또는 주석 과 은의 합금 의 솔 더 층 ( 8 ) 은 각각 적층 된다 ( 도 3 ) . 그 다음 , 상기 범프 ( 9 ) 는 저항 수지 의 제거 에 의해 형성 된다 ( 도 4 ) .