제 1 내지 제 4 컨 택 홀 들 ( 113 , 180 , 126 , 136 ) 을 포함 하 는 보호막 ( 152 ) 의 형성 을 상세히 설명 하 면 , 소스 / 드레 인 금속 패턴 이 형성 된 게이트 절 연막 ( 146 ) 상 에 PECVD 등 의 증착 방법 으로 보호막 ( 152 ) 이 전면 형성 된다 . 이어서 , 보호막 ( 152 ) 이 제 3 마스크 를 이용 한 포토 리소그래피 공정 과 식각 공정 으로 패 터닝 됨 으로써 제 1 내지 제 4 컨 택 홀 들 ( 113 , 180 , 126 , 136 ) 이 형성 된다 . 제 1 컨 택 홀 ( 113 ) 은 보호막 ( 152 ) 을 관통 하 여 드레 인 전극 ( 112 ) 을 , 제 2 컨 택 홀 ( 180 ) 은 공통 라인 의 제 1 수 평부 ( 116 A ) 를 , 제 3 컨 택 홀 ( 126 ) 은 보호막 ( 152 ) 및 게이트 절 연막 ( 146 ) 을 관통 하 여 게이트 패드 하부 전극 ( 122 ) 을 , 제 4 컨 택 홀 ( 136 ) 은 보호막 ( 152 ) 을 관통 하 여 데이터 패드 하부 전극 ( 132 ) 을 노출 시킨다 .