도 4 에 도시 하 는 바 와 같이 , 우선 , 실리콘 기판 ( 1 ) 상 에 , 열 산화 법 에 의해 산화 막 ( 2 ) 을 형성 한다 . 산화 막 의 막 두께 는 , 예컨대 10 ㎚ 로 한다 . 계속 해서 , 산화 막 ( 2 ) 상 에 , 예컨대 CVD ( Chemical Vapor Deposition ; 화학 기상 성장 ) 에 의해 , 실리콘 질화 막 ( 3 ) 을 형성 한다 . 실리콘 질화 막 ( 3 ) 의 막 두께 는 , 예컨대 60 ㎚∼ 120 ㎚ 로 한다 . 그리고 , 실리콘 질화 막 ( 3 ) 상 에 , 포토 리소그래피 법 에 의해 레지스 트 패턴 을 형성 하 고 , 상기 레지스 트 패턴 을 마스크 로 해서 , 실리콘 질화 막 ( 3 ) 및 산화 막 ( 2 ) 을 에칭 한다 .