상술 한 본 발명 은 DEET ( Double Expose Etch Technology ) , 릴 락스 물질 ( Resolution Enhancement Lithography Assisted Chemical Shrink ; RELACS ) , 비정질 카본 층 ( Amorphous Carbon Layer ; ACL ) 및 질화 막스 페이서 ( Nitride Spacer ; NSP ) 기술 을 연합 하 여 라인 선폭 이 25 nm 이하 가 되 는 초미세 패턴 을 형성 할 수 있 어 , 보다 고집 적 화 된 반도체 소자 의 개발 을 구현 할 수 있 는 효과 가 있 다 .