그 결과 , 멀티 - 게이트 MOSFET 은 복수 의 표면 상 에 복수 의 게이트 를 이용 함 으로써 관심 을 모으 고 있 고 , 따라서 , 오프 - 상태 누설 전류 를 효과 적 으로 억제 할 수 있 다 . 더욱이 , 이러 한 복수 의 게이트 는 온 - 상태 에서 개선 된 전류 , 즉 , 구동 전류 를 가능 하 게 한다 . 이러 한 장점 은 전력 소모 를 줄이 고 소자 성능 을 개선 시킨다 . 더욱이 , 이러 한 비 - 평면형 소자 는 종래 의 평면형 트랜지스터 보다 작 고 , 따라서 , 더 높 은 회로 밀도 를 구현 할 수 있 고 , 따라서 , 더 소형 의 시스템 크기 를 가능 하 게 한다 .