도 3 h 를 참조 하 면 , 상기 대향 전극 ( 20 ) 의 측벽 을 둘러싸 는 측벽 보호 층 ( 60 ) 을 더 형성 한다 . 예 를 들 면 , 상기 측벽 보호 층 ( 60 ) 은 상기 대향 전극 ( 20 ) 을 둘러싸 는 폐 루프 형상 으로 열가소성 수지 , 열경화성 수지 , 자외선 경화 성 수지 또는 유리 프리트 를 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 상기 측벽 보호 층 ( 60 ) 은 상기 대향 전극 ( 20 ) 의 측벽 으로부터 상기 반도체 전극 ( 10 ) 의 하부 까지 연장 하 여 형성 할 수 있 다 .