도 4 , 도 6 및 도 7 에 나타낸 바 와 같이 , 확산 층 ( 32 ) 의 단부 로부터 해당 확산 층 ( 32 ) 상 에 형성 된 컨 택트 플러그 ( CP 4 , CP 5 ) 까지 의 거리 는 통상 일정 하 게 된다 . 따라서 , 컨 택트 플러그 ( CP 4 , CP 5 ) 로부터 그 에 근접 하 는 소자 분리 영역 ( STI ) 단부 까지 의 거리 에서 , MOS 트랜지스터 TR 1 ∼ TR 3 는 MOS 트랜지스터 TR 4 ∼ TR 9 보다 도 작아진다 . 즉 , " 거리 b 는 "" 컨 택트 플러그 ( CP 4 ", CP 5 ) 로부터 소자 분리 영역 ( STI ) ( 즉 , " 소자 영역 ( AA ) 과 소자 분리 영역 ( STI ) 간 의 경계 ) 까지 의 게이트 폭 방향 에 따른 거리 "" 라고 할 수 도 있 다 . "