전하 수송 층 은 전도성 도 펀트 로 도핑 되 어 이 의 전하 캐리어 밀도 를 실질 적 으로 변화 시킬 수 있 고 , 이 는 결과 적 으로 이 의 전도 성 을 변화 시킬 것 이 다 . 전도 성 은 매트릭스 물질 에서 전하 캐리어 를 생성 시킴 으로써 증가 되 며 , 도 펀트 의 유형 에 따라 , 반도체 의 페르미 준위 에서 의 변화 가 또한 달성 될 수 있 다 . 정공 수송 층 은 p 형 전도성 도 펀트 로 도핑 될 수 있 고 n 형 전도성 도 펀트 는 전자 수송 층 에서 사용 된다 .