도 1 a 내지 도 1 e 는 본 발명 의 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 을 설명 하 기 위하 여 도시 한 공정 단면도 이 다 . 여기 서 는 설명 의 편의 를 위해 낸드 플래시 메모리 소자 의 메모리 셀 이 형성 된 셀 영역 만 을 도시 하 였으며 , 일례 로 ASA - STI ( Advanced Self Aligned - Shallow Trench Isolation ) 공정 을 적용 한 제조 방법 에 대해 설명 하 기 로 한다 .