본 발명 에 따른 반도체 소자 의 듀얼 폴리 게이트 형성 방법 은 , NMOS 영역 및 PMOS 영역 을 갖 는 반도체 기판 상 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 절 연막 상 에 비 도핑 된 제 1 폴리 실리콘 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 비 도핑 된 제 1 폴리 실리콘 막 내 에 N 형 불순물 을 이온 주입 하 는 단계 ; 상기 N 형 불순물 이 이온 주입 된 PMOS 영역 상 의 제 1 폴리 실리콘 막 부분 내 에 선택 적 으로 P 형 불순물 을 이온 주입 하 는 단계 ; 상기 N 형 및 P 형 불순물 이 이온 주입 된 제 1 폴리 실리콘 막 상 에 금속 계 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 금속 계 막 상 에 비 도핑 된 제 2 폴리 실리콘 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 비 도핑 된 제 2 폴리 실리콘 막 상 에 하드 마스크 막 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 하드 마스크 막 , 비 도핑 된 제 2 폴리 실리콘 막 , 금속 계 막 , N 형 및 P 형 불순물 이 도핑 된 제 1 폴리 실리콘 막 및 게이트 절 연막 을 식각 하 는 단계 ; 를 포함 한다 .