도 2 를 참조 하 면 , 프레임 ( 210 ) 은 제 1 실리콘 층 ( 201 ) , 절연 층 ( 202 ) , 및 제 2 실리콘 층 ( 203 ) 이 적층 되 어서 형성 된 SOI 기판 ( 200 ) 으로부터 식각 되 어서 형성 되 어 있 다 . 프레임 ( 210 ) 은 도 1 의 구동 프레임 ( 120 ) , 고정 프레임 ( 130 ) 에 대응 될 수 있 다 . 제 1 실리콘 층 ( 201 ) 으로부터 형성 된 구동 콤 전극 ( 220 ) 과 , 제 2 실리콘 층 ( 203 ) 으로부터 형성 된 고정 콤 전극 ( 230 ) 이 엇갈리 게 형성 되 어 있 다 . 구동 콤 전극 ( 220 ) 과 고정 콤 전극 ( 230 ) 사이 의 간격 ( G 1 , G 2 ) 가 일정 하 게 형성 되 는 것 이 매우 중요 하 다 . 이 간격 ( G 1 , G 2 ) 에서 오 차 가 발생 하 면 , 스테이지 ( 110 ) 의 회동 운동 이 정상 적 으로 작동 하 지 않 을 수 있 다 . 상기 간격 ( G 1 , G 2 ) 을 일정 하 게 유지 하 기 위해서 제 1 실리콘 층 ( 201 ) 및 제 2 실리콘 층 ( 203 ) 에서 의 콤 전극 ( 220 , 230 ) 의 식각 이 정렬 마크 를 기준 으로 식각 오 차 를 줄여야 한다 .