도 3 은 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 장치 의 소 용량 비휘발성 메모리 의 셀 평면 일부 확대 레이아웃 이 고 , 도 4 는 도 3 에 있 어서 , A - A ' 방향 을 따라 절단 하 여 나타낸 단면도 이 고 , 도 5 는 도 3 에 있 어서 , B - B ' 방향 을 따라 절단 하 여 나타낸 단면도 이 고 , 도 6 은 도 3 에 있 어서 , C - C ' 방향 을 따라 절단 하 여 나타낸 단면도 이 고 , 도 7 은 상기 도 4 내지 도 6 의 단면 을 종합 하 여 본 발명 에 따른 반도체 장치 의 소 용량 비휘발성 메모리 의 구조 를 나타낸 단면도 이 다 .