본 발명 이 이루 고자 하 는 기술 적 과제 는 게이트 패턴 식각 공정 시 분자량 이 높 은 아르곤 가스 를 사용 하 여 플 라즈 마의 비등방 식각 특성 을 증가 시키 고 , 금속 전극 층 의 과도 식각 을 감소 시켜 보 윙 프로 파일 을 감소 시킴 으로써 , 워드 라인 의 저항 을 감소 시켜 소자 의 전기 적 특성 을 개선 할 수 있 는 플래시 메모리 소자 의 게이트 패턴 형성 방법 을 제공 하 는 데 있 다 .