다이오드 ( 204 ) 를 증착 된 실리콘 ( 예 를 들 어 , 비결정성 또는 다결정 성 ) 으로 형성 하 는 경우 에 규소 화합물 층 ( 310 ) 은 제조 되 는 것 과 같이 낮 은 저항 상태 의 증착 실리콘 을 두 기 위해서 다이오드 ( 204 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 이러 한 낮 은 저항 상태 로 낮 은 저항 상태 에 증착 된 실리콘 을 전환 하 기 위해서 많 은 전압 이 필요 로 하 지 않 기 때문 에 메모리 셀 ( 200 ) 의 프로그래밍 이 더 용이 하 게 되 도록 한다 . 예 를 들 어 , 규소 화합물 - 형성 금속 층 ( 312 ) , 예 를 들 어 티타늄 또는 코발트 는 p + 폴리 실리콘 영역 ( 306 ) 상 에 증착 될 수 있 다 . 다이오드 ( 204 ) 를 형성 하 는 증착 된 실리콘 을 결정 화 시키 기 위해서 이용 되 는 이후 어닐링 단계 ( 하 기 에 기재 되 어 있 음 ) 중 에 규소 화합물 - 형성 금속 층 ( 312 ) 및 다이오드 ( 204 ) 의 증착 실리콘 이 상호 작용 하 여 규소 화합물 - 형성 금속 층 ( 312 ) 중 전부 또는 일부 를 소비 하 는 규소 화합물 층 ( 310 ) 을 형성 한다 .