본 개시 는 , 반도체 디바이스 구조물 을 형성 하 는 방법 을 제공 한다 . 상기 방법 은 , 반도체 기판 상 의 유전체 층 에 트렌치 를 형성 하 는 단계 ; 선택 적 퇴적 에 의해 상기 트렌치 의 하부 부분 에 제 1 금속 의 하부 금속 특징 부 를 형성 하 는 단계 ; 상기 트렌치 의 상부 부분 에 배리 어 층 을 퇴적 하 는 단계 - 상기 배리어 층 은 상기 하부 금속 특징 부 의 상부 표면 과 상기 유전체 층 의 측벽 둘 다 에 직접 접촉 함 - ; 및 상기 배리 어 층 상 에 상기 트렌치 의 상부 부분 을 채우 는 제 2 금속 - 상기 제 2 금속 은 상기 제 1 금속 과 는 조성 이 상이 함 - 의 상부 금속 특징 부 를 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .