상기 와 같 은 종래 의 실리콘 결정 화 방법 의 문제점 을 해결 하 기 위하 여 , 본 발명 에서 는 레이저 중 빛 의 조사 폭 이 좁 은 레이저 를 사용 하 여 비정질 실리콘 을 다 결정 실리콘 으로 형성 하 여 결정립 이 크 고 표면 에 돌기 가 없 어 소자 성능 을 향상 시키 고 공정 또는 장비 의 마진 을 확보 할 수 있 는 실리콘 의 결정 화 방법 을 제공 하 는데 그 목적 이 있 다 .