SiO 2 / Si 기판 을 에탄올 , 아세톤 , 이소프로필 알코올 ( IPA ) 및 DI water 를 순차 적 으로 이용 하 여 세척 해 표면 의 유기 오염 물질 을 제거 하 였 다 . MoO 3 3 . 5 mg 과 NaCl 1 . 5 mg 을 혼합 한 혼합 전구체 를 석영 보트 ( quartz boat ) 의 중앙 에 놓 고 , 상기 SiO 2 / Si 기판 을 상기 석영 보트 위 에 놓 았 다 . 상기 석영 보트 를 석영 튜브 ( quartz tube ) 안 에 배치 시키 고 , 황 ( S ) 분말 을 함유 하 는 산화 알루미늄 도가니 를 상기 석영 보트 와 17 cm 거리 를 두 고 상기 석영 튜브 안 에 배치 하 였 다 . 상기 석영 튜브 안 을 진공 상태 로 만들 어 준 후 , 500 sccm 아르곤 ( Ar ) 가스 를 흘려 주 고 압력 150 Torr 조건 에서 상기 SiO 2 / Si 기판 을 5 분 동안 730 ℃ 로 열처리 하 는 동시 에 상기 도가니 를 200 ℃ 로 열처리 하 여 상기 SiO 2 / Si 기판 상 에 MoS 2 층 을 형성 하 여 SiO 2 / Si 기판 / MoS 2 층 을 제조 하 였 다 .