도 3 에 나타낸 바 와 같이 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 주사 전극 구동 부 ( 400 ) 는 상승 리셋 구동 부 ( 410 ) , 유지 구동 부 ( 420 ) , 하강 리셋 / 주사 구동 부 ( 430 ) 및 주사 회로 ( 440 ) 를 포함 한다 . 도 3 에서 는 트랜지스터 ( Ynf , YscL , Sch , Scl ) 를 n 채널 전계 효과 트랜지스터 , 특히 NMOS ( n - channel metal oxide semiconductor ) 트랜지스터 로 도시 하 였으며 , 이 들 트랜지스터 ( Ynf , YscL , Sch , Scl ) 에 는 소스 에서 드레 인 방향 으로 바디 다이오드 가 형성 될 수 있 다 . 그리고 NMOS 트랜지스터 대신 에 유사 한 기능 을 하 는 다른 트랜지스터 가 이 들 트랜지스터 ( Ynf , YscL , Sch , Scl ) 로 사용 될 수 도 있 다 . 또한 도 3 에서 는 트랜지스터 ( Ynf , YscL , Sch , Scl ) 를 각각 하나 의 트랜지스터 로 도시 하 였 지만 , 트랜지스터 ( Ynf , YscL , Sch , Scl ) 는 각각 병렬 로 연결 된 복수 의 트랜지스터 로 형성 될 수 있 다 .