또 하나 의 일 실시 상태 에 따르 면 , 상기 발광 층 은 전술 한 화학식 1 로 표시 되 는 화합물 을 발광 층 의 초 형광 도 펀트 ( hyperfluorescence dopant ) 로서 포함 하 고 , 열 활성 화 지연 형광 도판 트 와 함께 사용 할 수 있 다 . 이때 , 열 활성 화 지연 형광 도판 트 의 1 차 적 인 발광 을 상기 화합물 이 흡수 하 여 일 중항 여기 상태 로 전이 가 되 고 , 일 중항 여기 상태 의 엑시톤 이 바닥 상태 ( ground state ) 로 이동 하 여 최종 적 인 형광 발광 을 일으킨다 . 일반 적 인 열 활성 화 지연 형광 도판 트 의 발광 피크 보다 전술 한 화합물 을 초 형광 도 펀트 로 사용 하 였을 때 좁 은 반치 폭 을 가지 는 발광 피크 를 얻 을 수 있 으므로 , 보다 고 효율 의 유기 발광 소자 를 얻 을 수 있 다 .