이 때 , 마스크 층 ( 130 ) 이 포토 레지스 트 막인 경우 에 는 예 를 들 어 애 싱 공정 으로 제거 할 수 있 으며 , 실리콘 산질 화 막 또는 비결정 카본 층 등 인 경우 에 는 습식 식각 공정 또는 건식 식각 공정 으로 제거 할 수 있 다 . 마스크 층 ( 130 ) 은 게이트 절 연막 ( 110 ) 에 대하 여 식각 선택 비 가 큰 물질 이 다 . 또한 , 마스크 층 ( 130 ) 식각 공정 은 게이트 절 연막 ( 110 ) 보다 마스크 층 ( 130 ) 에 대한 식각 선택 비 가 큰 식각 가스 또는 식각 액 을 이용 하 여 진행 될 수 있 다 . 따라서 , 게이트 절 연막 ( 110 ) 이 식각 되 는 것 을 최소 화 하 며 마스크 층 ( 130 ) 을 용이 하 게 제거 할 수 있 다 .