일 구체 예 에서 , 다 가 양 이온 전 달체 는 표면 처리 용 화합물 로 표면 처리 된 다 가 양 이온 전 달체 일 수 있 다 . 본 발명 에서 는 다가 양 이온 전 달체 를 표면 처리 하 여 분산상 에서 의 균일 한 분산 이 이루어지 게 할 수 있 다 . 이때 , 상기 표면 처리 용 화합물 로 세 틸 트리 메틸 암모늄 브로마이드 ( Cetyltrimethylammonium bromide ) , 세 틸 트리 메틸 암모늄 클로라이드 ( Cetyltrimethylammonium chloride ) , 디스 테 아 디모 늄 클로라이드 ( Disteardimonium chloride ) 및 알루미늄 스테아 레이트 ( Aluminium stearate ) 등 의 비 공유 결합성 표면 처리 화합물 ; 할로 실란 ( Halosilane ) 계열 의 화합물 , 알 콕 시 실란 ( Alkoxysilane ) 등 의 공유 결합성 표면 처리 화합물 을 사용 할 수 있 다 .