읽 기 전압 VR ( 0 ) 및 읽 기 전압 VR ( 1 ) 의 인 가시 소자 에 전류 가 흐르 지 않 는 경우 에 는 다시 읽 기 전압 VR ( 2 ) 를 인가 한다 . 이때 , 소스 영역 ( 112 ) 과 드레 인 영역 ( 114 ) 간 에 전류 가 흐르 면 소자 는 상태 ' 2 ' 에 있 는 것 으로 판단 될 수 있 다 . 즉 , 읽 기 전압 VR ( 2 ) 은 상태 ' 2 ' 의 문턱 전압 ( VTH ( 2 ) ) 보다 크 고 상태 ' 3 ' 의 문턱 전압 ( VTH ( 3 ) ) 보다 작 은 값 으로 설정 되 므로 , 읽 기 전압 VR ( 2 ) 의 인가 하 였을 때 소자 에 전류 가 흐른다는 것 은 소자 의 문턱 전압 이 VTH ( 2 ) 인 상태 , 즉 소자 가 상태 ' 2 ' 에 있 다는 것 을 의미 한다 . 반대 로 읽 기 전압 VR ( 2 ) 를 인가 하 였을 때 에 도 소자 에 전류 가 흐르 지 않 는다는 것 은 소자 가 상태 ' 0 ', 상태 ' 1 ' 및 상태 ' 2 ' 가 아닌 상태 ( 즉 , 상태 ' 3 ') 에 있 음 을 의미 하 게 된다 . 상술 한 방법 에 의하 여 본 발명 의 플래시 기억 소자 에서 의 각 기억 상태 에 따른 읽 기 ( 기억 상태 의 판단 ) 가 가능 할 수 있 다 .