일부 실시 예 에서 , 격리 구조물 ( 52 ) 이 도 25 a 및 25 b 에 도시 된 바 와 같이 형성 된다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 ILD 층 ( 50 ) 및 적층 구조물 ( 29 ) 은 하나 이상 의 리소그래피 및 에칭 동작 에 의해 패턴 화 되 어 개구부 를 형성 하 고 , 그 후 에 개구부 는 하나 이상 의 절연 재료 로 충 진 된다 . 또한 , 하드 마스크 층 ( 62 ) 이 형성 및 패턴 화 되 고 , 그 후 에 도 25 a 및 도 25 b 에 도시 된 바 와 같이 , 소스 / 드레 인 접촉 개구부 ( 65 ) 가 제 2 ILD 층 ( 60 ) 및 제 1 ILD 층 ( 50 ) 을 에칭 함 으로써 형성 된다 . 소스 / 드레 인 접촉 개구부 ( 65 ) 에서 , 핀 구조물 ( 30 ) 의 적층 된 구조물 ( 29 ) 이 도 25 b 에 도시 된 바 와 같이 노출 된다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 ILD 층 의 일부 는 희생 게이트 구조물 ( 40 ) 을 따라 접촉 측벽 ( 54 ) 으로서 남 아 있 다 .