제 1 하부 절 연막 ( 110 ) 내 에 비트 라인 들 ( BL ) 이 제공 될 수 있 다 . 각각 의 비트 라인 들 ( BL ) 은 제 1 불순물 영역 ( SD 1 ) 과 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 일 예 로 , 비트 라인 들 ( BL ) 은 도핑 된 반도체 물질 , 도전 성 금속 질화물 , 금속 , 및 금속 - 반도체 화합물 중 어느 하나 를 포함 할 수 있 다 . 비트 라인 들 ( BL ) 각각 의 상면 상 에 제 2 캐 핑 패턴 ( CP 2 ) 이 제공 될 수 있 다 . 일 예 로 , 제 2 캐 핑 패턴 ( CP 2 ) 은 실리콘 질화 막 또는 실리콘 산화 질화 막 을 포함 할 수 있 다 .