20 내지 25 ℃, 바람직 하 게 23 ℃ 에서 제 1 접착제 층 의 저장 모듈 러스 G ' 는 0 . 5 × 105 내지 12 × 105 Pa 이 고 , 바람직 하 게 2 × 105 내지 9 × 105 Pa 이 다 . 20 내지 25 ℃, 바람직 하 게 23 ℃ 에서 제 1 접착제 층 의 저장 모듈 러스 G ' 가 상기 범위 에 있 을 경우 , 칩 을 감압 접착 시트 에 접착 시킬 때 및 수지 로 칩 을 캡슐 화 할 때 의 압력 으로 인해 칩 을 접착제 층 에 삽입 하 는 것 을 감소 시킬 수 있 고 , 삽입 에 수반 되 는 칩 표면 이 캡슐 화 수지 표면 에 대해 돌출 되 는 위치 차이 ( 편이 ) 를 감소 시킬 수 있 다 . 본 발명 에서 , 저장 모듈 러스 G ' 는 동적 기계 적 분석기 ( DMA ) 에 의해 측정 될 수 있 다 .