마이크 로 전자 공학 산업 에서 필요 로 하 는 높 은 품질 을 보유 한 실리콘 탄화물 의 에피 택 셜 성장 은 매우 높 은 온도 , 즉 1 , 500 ℃ 보다 높 은 온도 ( 일반 적 으로 1 , 500 ℃ 와 1 , 700 ℃ 사이 , 바람직 하 게 는 1 , 550 ℃ 와 1 , 650 ℃ 사이 ) 를 요구 한다 . 이러 한 온도 는 실리콘 에피 택 셜 성장 에 필요 한 온도 , 일반 적 으로 1 , 100 ℃ 와 1 , 200 ℃ 사이 의 온도 보다 훨씬 높 다 . 열 벽 반응 챔버 를 가진 에피 택 셜 반응기 는 그러 한 높 은 온도 를 얻 기 에 특히 적합 하 다 .