또한 , 기재 와 스피넬 형 산화물 층 의 사이 에 Cr 산화물 층 이 존재 함 으로써 , 스피넬 형 산화물 도 안정 적 으로 유지 된다 . 즉 , 산화물 층 의 성장 을 억제 하 고 , 또한 도전 성 을 확보 하 는 관점 에서 는 , 기재 의 표면 에 , Cr 산화물 층 및 스피넬 형 산화물 층 을 순서 대로 적층 함 과 더불 어 , Cr 산화물 층 및 스피넬 형 산화물 층 의 두께 의 비 를 조정 할 필요 가 있 다 .