일반 적 으로 , 절연 물질 의 식각 공정 동안 형성 할 수 있 는 홀 또는 트렌치 의 깊이 는 , 플 라즈 마 에 있 는 이온 이 접근 할 수 있 는 깊이 에 주로 의존 한다 . 높 은 종횡비 ( ＞ 40 ) 의 식각 공정 에서 , " 항상 "" 이온 이 제한 되 는 "" 공정 구간 이 발생 할 수 있 다 . 이 는 시스 를 통과 한 후 에 이온 자체 의 에너지 가 제한 되 고 ", 또한 깊 은 홀 의 측벽 에 축적 된 전하 에 의해 형성 된 전기장 이 식각 된 깊이 의 증가 에 따라 홀 의 바닥 에 도달 하 는 이온 의 수 가 훨씬 감소 하 도록 이온 에 대한 반발 력 을 가하 고 , 또는 이온 이 홀 의 바닥 에 도달 한다 해도 그 에너지 가 식각 제 ( 활성기 ) 로 바닥 재료 에 대한 식각 을 계속 할 정도 로 충분 하 지 않 음 으로써 , 홀 의 깊이 에 따른 공정 요구 를 만족 시킬 수 없 기 때문 이 다 . 따라서 , 이 공정 문제 를 극복 하 기 위한 관건 은 , 이온 에너지 를 높이 고 전하 축적 효과 을 낮추 기 위한 방법 이 다 .