상기 게이트 패드 ( 221 ) 가 형성 된 제 1 기판 ( 222 ) 에 는 게이트 절연 층 ( 122 ) 이 형성 된다 . 도면 에 는 도시 하 지 않 았 지만 , 상기 게이트 절연 층 ( 222 ) 이 액정 패널 ( 210 ) 의 화상 표시 부 로 연장 되 어 박막 트랜지스터 의 게이트 전극 및 게이트 라인 위 에 도 형성 된다 . 상기 게이트 절연 층 ( 222 ) 위 에 는 투명 도전 층 ( 228 ) 이 형성 된다 . 상기 투명 도전 층 ( 228 ) 은 화상 표시 부 에 형성 되 는 화소 전극 으로서 ITO 나 IZO 등 의 금속 산화물 로 이루어진다 . 도면 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 제 1 영역 ( 214 a ) 및 제 2 영역 ( 214 b ) 사이 의 게이트 패드 ( 221 ) 에 는 단선 영역 ( 260 ) 이 형성 된다 .