도 6 을 참조 하 면 , 상기 NMOS 영역 의 제 2 포토레지스트 마스크 ( 27 ) 를 제거 한다 . 상기 제 2 액티브 패턴 ( 22 ) 외측 의 반도체 기판 ( 1 ) 표면 및 상기 제 2 액티브 패턴 ( 22 ) 의 측면 상 에 P 형 의 불순물 이온 이 도핑 된 단 경정 실리콘 막 을 선택 적 에피택시 얼 방법 으로 성장 시켜 P 형 의 제 2 소오 스 / 드레 인 영역 ( 24 ) 을 형성 한다 .