도 1 및 도 2 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 1 ) 로부터 활성 기둥 들 ( AP ) 이 돌출 된다 . 상기 반도체 기판 ( 1 ) 은 예 를 들 면 실리콘 ( Si ) 기판 , 저마늄 ( Ge ) 기판 , 실리콘 - 저마늄 기판 , Ⅱ - Ⅵ 족 화합물 반도체 기판 , 또는 Ⅲ - Ⅴ 족 화합물 반도체 기판 일 수 있 다 . 상기 활성 기둥 들 ( AP ) 은 상기 반도체 기판 ( 1 ) 으로부터 형성 될 수 있 다 . 상기 활성 기둥 들 ( AP ) 아래 의 상기 반도체 기판 ( 1 ) 에 는 제 1 소오 스 / 드레 인부 ( 3 ) 가 배치 된다 . 상기 제 1 소오 스 / 드레 인부 ( 3 ) 에 는 N 형 또는 P 형 의 불순물 이 도핑 될 수 있 다 . 상기 제 1 소오 스 / 드레 인부 ( 3 ) 는 복수 개 의 활성 기둥 들 ( AP ) 과 중첩 될 수 있 다 . 상기 활성 기둥 들 ( AP ) 옆 에 상기 반도체 기판 ( 1 ) 상 에 는 제 1 절 연막 ( 5 ) 이 배치 된다 . 상기 제 1 절 연막 ( 5 ) 은 게이트 절 연막 ( 25 ) 보다 두 꺼 울 수 있 다 . 상기 제 1 절 연막 ( 5 ) 은 질화 막 의 단일 막 이 거나 또는 산화 막 과 질화 막 의 이 중막 일 수 있 다 . 이때 상기 제 1 절 연막 ( 5 ) 을 구성 하 는 산화 막 은 상기 질화 막 과 상기 반도체 기판 ( 1 ) 사이 의 스트레스 를 완화 시킬 수 있 다 . 상기 질화 막 은 후속 의 패 터닝 과정 중 식각 방지 막 의 역할 을 할 수 있 다 .