상기 채널 부 ( CH ) 와 일정 영역 이 중첩 되 도록 소스 전극 ( SE ) 및 드레 인 전극 ( DE ) 이 게이트 절연 패턴 ( 121 ) 위 에 형성 된다 . 상기 소스 전극 ( SE ) 및 드레 인 전극 ( DE ) 은 투명 도전 층 ( 152 , 153 ) 및 소스 전극 층 ( 162 , 163 ) 이 적층 된 이중 금속 층 으로 형성 된다 . 한편 , 소스 배선 들 ( DLm , DLm + 1 ) 은 상기 소스 및 드레 인 전극 ( SE , DE ) 과 동일 한 이중 금속 층 으로 형성 된다 .