본 발명 은 현재 의 포토 리소그래피 장비 및 DEET 공정 을 사용 하 면서 도 50 nm 이하 의 미세 한 라인 선폭 을 구현 할 수 있 는 알루미늄 패턴 의 형성 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 본 발명 은 DEET ( Double Expose Etch Technology ) , W / TiN 의 이중 하드 마스크 , 비정질 카본 층 ( Amorphous Carbon Layer ; ACL ) , 알루미늄 애 노 딕 산화 ( Al anodic oxidation ) 및 선택 적 습식 케미컬 식각 ( Selective wet chemical etching ) 을 조합 ( combination ) 하 여 라인 선폭 이 50 nm 이하 가 되 는 미세 알루미늄 패턴 을 형성 할 수 있 어 , 보다 고집 적 화 된 반도체 소자 의 개발 을 구현 할 수 있 는 효과 가 있 다 .