여기 서 , 상기 지지대 ( 240 ) 는 후속 공정 인 기판 제거 공정 이후 기판 상부 의 발광 구조물 들 을 발광 소자 로 완성 시키 는 공정 을 수행 하 는 동안 발광 소자 들 이 낱개 로 해체 되 는 것 을 방지 하 며 , 복수 개 의 발광 구조물 들 을 웨이퍼 ( Wafer ) 단위 로 핸들링 ( Handling ) 하 기 용이 하 도록 하 기 위해 형성 하 는 것 이 다 .