메모리 제 어부 ( 230 ) 는 비휘발성 메모리 ( 240 ) 를 직접 제어 하 기 위하 여 칩 인 에이블 신호 ( CEB ) 와 라이트 인 에 이 블 신호 ( WEB ) 를 포함 한 각종 신호 를 출력 한다 . 칩 인 에이블 신호 ( CEB ) 는 비휘발성 메모리 ( 240 ) 를 활성 화 하 기 위한 신호 이 며 , 라이트 인 에 이 블 신호 ( WEB ) 는 비휘발성 메모리 ( 240 ) 의 리드 또는 라이트 동작 을 지시 하 는 신호 이 다 . 도 3 에서 는 시스템 ( 200 ) 의 전원 스위치 ( SW ) 가 오프 되 면 곧바로 칩 인 에이블 신호 ( CEB ) 와 라이트 인 에 이 블 신호 ( WEB ) 가 로우 레벨로 활성 화 되 었 으나 , 도 5 에 도시 된 본 발명 에서 는 시스템 ( 200 ) 의 전원 스위치 ( SW ) 가 오프 되 어 저전압 신호 ( LPW ) 가 활성 화 되 면 메모리 제 어부 ( 230 ) 는 칩 인 에이블 신호 ( CEB ) 와 라이트 인 에 이 블 신호 ( WEB ) 를 하이 레벨 로 비활성 화 한다 .