3 차원 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법 이 제공 된다 . 3 차원 반도체 메모리 장치 는 기판 상 에 수직 적 으로 적층 된 복수 개 의 셀 전극 들 을 포함 하 며 , 제 1 방향 으로 연장 되 는 전극 구조 체 , 상기 전극 구조 체 상 에 차례 로 적층 된 하부 및 상부 스트링 선택 전극 들 , 상기 하부 및 상부 스트링 선택 전극 들 및 상기 전극 구 조체 를 관통 하 는 제 1 수직 구조 체 , 상기 상부 스트링 선택 전극 과 이격 되 어 상기 하부 스트링 선택 전극 및 상기 전극 구 조체 를 관통 하 는 제 2 수직 구조 체 , 및 상기 전극 구 조체 를 가로질러 상기 제 1 방향 과 다른 제 2 방향 으로 연장 되 며 , 상기 제 1 및 제 2 수직 구 조체 들 에 공통 으로 연결 된 제 1 비트 라인 을 포함 한다 .