다른 실시 예 에서 , 본 발명 은 상기 기판 의 최 상단 에 절연 층 이 증착 된 기판 을 제공 하 는 단계 , 상기 기판 의 최 상단 에 집 적 패시브 회로 를 형성 하 는 단계 , 플립 - 칩 ( flip - chip ) 또는 와이어 본딩 ( wire bonding ) 을 갖 는 집 적 패시브 회로 의 제 1 면상 에 위치 한 개별 부품 ( discrete components ) 또는 IC 다이 를 표면 장착 하 는 단계 , 유전 몰딩 재료 ( dielectric molding material ) 로 웨이퍼 를 몰딩 ( molding ) 하 는 단계 , 상기 기판 을 제거 하 는 단계 , 상기 절연 층상 에 절연 폴리머 필름 층 을 증착 하 는 단계 및 , 상기 절연 폴리머 필름 층상 에 상호 연결 구조 를 증착 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 이 다 .