상기 제 1 식각 공정 은 아르곤 가스 를 사용 하 여 실시 하 며 , 상기 제 1 식각 공정 은 NF 3 를 20 ~ 30 sccm 사용 하 여 실시 한다 . 상기 제 1 식각 공정 은 4 ~ 10 mT 의 압력 에서 소스 파워 를 800 ~ 1200 W 로 사용 하 고 , 바이어스 파워 를 40 ~ 100 W 사용 하 여 실 시 며 , 상기 제 2 식각 공정 은 과도 식각 타 겟 을 20 ~ 40 % 설정 하 여 실시 한다 . 상기 제 2 식각 공정 은 NF 3 가스 , CL 2 가스 , 및 Ar 가스 를 사용 하 여 실시 한다 . 상기 제 1 및 제 2 식각 공정 은 ICP 타입 의 장비 에서 실시 한다 .