처리 모듈 ( 12 ) 은 , 메탈 함유 레지스 트 의 피막 을 형성 하 는 성막 처리 를 행한다 . 처리 모듈 ( 12 ) 은 , 도포 유닛 ( U 3 ) 과 , 열처리 유닛 ( U 4 ) 과 , 이 들 유닛 에 웨이퍼 ( W ) 를 반송 하 는 반송 장치 ( A 3 ) 를 내장 하 고 있 다 . 처리 모듈 ( 12 ) 은 , 도포 유닛 ( U 3 ) 및 열처리 유닛 ( U 4 ) 에 의해 하 층막 상 에 메탈 함유 레지스 트 의 피막 을 형성 한다 . 도포 유닛 ( U 3 ) 은 , 피막 형성 용 의 처리 액 으로서 메탈 함유 레지스 트 를 하층 막 위 에 도포 한다 . 열처리 유닛 ( U 4 ) 은 , 피막 의 형성 에 따르 는 각종 열처리 를 행한다 . 이 에 의해 , 웨이퍼 ( W ) 의 표면 에 메탈 함유 레지스 트 의 피막 이 형성 된다 .