일 예 에서 , 스 트럭 쳐 를 가진 기판 은 플 라즈 마 프로세싱 챔버 내 에 배치 된다 ( 단계 104 ) . 도 4 a 는 게이트 스 트럭 쳐 들 ( 418 ) , 및 ( 412 ) 와 , 실리콘 층 ( 408 ) 아래 실리콘 기판 ( 404 ) 을 가진 스택 과 같 은 스 트럭 쳐 ( 400 ) 의 개략 적 인 단면도 이 다 . 게이트 스 트럭 쳐 들 ( 418 ) 은 금속 성 게이트 스 트럭 쳐 들 이 다 . SiN 의 CESL ( coated etch stop layer ) ( 420 ) 은 게이트 스 트럭 쳐 들 ( 418 ) 및 콘택트 스 트럭 쳐 들 ( 412 ) 위 에 컨 포 멀 하 게 증착 되 었 다 . SiO 의 유전체 층 ( 424 ) 은 CESL ( 420 ) 위 에 있 다 . 하드 마스크 ( 428 ) 는 유전체 층 ( 424 ) 위 에 형성 된다 .