계속 해서 , 도 1 의 ( b ) 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 ( 100 ) 에 염소 함유 가스 를 공급 하 여 , 오 목부 ( 103 ) 의 상부 에 하부 보다 도 고밀도 로 염소 ( 104 ) 를 흡착 시킨다 . 예 를 들 어 , 오 목부 ( 103 ) 의 상면 ( 103 a ) 및 측면 ( 103 b ) 의 상부 에 염소 ( 104 ) 를 흡착 시키 고 , 오 목부 ( 103 ) 의 측면 ( 103 b ) 의 하부 및 저면 ( 103 c ) 에 는 염소 ( 104 ) 를 흡착 시키 지 않 는다 . 오 목부 ( 103 ) 의 상부 에 하부 보다 도 고밀도 로 염소 ( 104 ) 를 흡착 시키 는 방법 은 , 특별히 한정 되 지 않 지만 , 예 를 들 어 감압 된 처리 용기 내 에 염소 함유 가스 를 플라스마 로 활성 화 해서 공급 하 는 방법 이 면 된다 . 또한 , 예 를 들 어 염소 함유 가스 를 플라스마 로 활성 화 하 지 않 고 , 처리 용기 내 의 압력 , 온도 , 가스 유량 등 의 처리 조건 을 조정 하 는 방법 이 어도 된다 . 염소 함유 가스 는 , 예 를 들 어 Cl 2 가스 이 다 .