본 발명 의 한 형태 에 의하 면 , 처리 실 내 에 기판 을 반입 하 는 공정 과 , 기판 상 에 박막 을 형성 하 는 처리 를 수행 하 는 공정 과 , 처리 후 의 상기 기판 을 상기 처리 실 내 로부터 반출 하 는 공정 과 , 상기 처리 실 내 에 상기 기판 이 없 는 상태 에서 , 상기 처리 실 내 의 온도 를 강하 시켜서 상기 처리 실 내 에 퇴적 한 상기 박막 에 열 충격 을 주 어 강제 적 으로 크랙 을 발생 시키 고 , 동시 에 , 부착력 이 약한 부착물 을 강제 적 으로 박리 시켜서 , 상기 처리 실 내 를 가스 퍼지 하 는 공정 과 , 상기 각 공정 을 반복 한 후 에 , 상기 처리 실 내 를 클리닝 하 는 공정 을 포함 하 고 , 상기 처리 실 내 를 클리닝 하 는 공정 은 , 제 1 온도 로 가열 된 상기 처리 실 내 에 불소 계 가스 를 공급 하 여 , 상기 처리 실 내 에 퇴적 한 상기 박막 을 열화학 반응 에 의해 제거 하 는 공정 과 , 제 2 온도 로 가열 된 상기 처리 실 내 에 불소 계 가스 를 공급 하 여 , 상기 박막 을 열화학 반응 에 의해 제거 하 는 공정 이 종료 한 후 에 상기 처리 실 내 에 잔류 한 부착물 을 열화학 반응 에 의해 제거 하 는 공정 을 포함 하 는 반도체 장치 의 제조 방법 이 제공 된다 .