도 6 은 상술 한 웨이퍼 프로세스 공정 의 상세 한 플로 차트 를 나타낸다 . 특히 , 스텝 S 11 은 웨이퍼 의 표면 을 산화 시키 는 산화 공정 이 다 . 스텝 S 12 은 , 웨이퍼 표면 에 절 연막 을 형성 하 기 위한 CVD 공정 이 다 . 스텝 S 13 은 웨이퍼 상 에 전극 을 증착 에 의해 형성 하 는 전극 형성 공정 이 다 . 스텝 S 14 는 웨이퍼 에 이온 을 주입 하 는 이온 주입 공정 이 다 . 스텝 S 15 는 웨이퍼 에 감광제 를 도포 하 는 레지스 트 처리 공정 이 다 . 스텝 S 16 은 상기 설명 한 노광 장치 를 이용 해 마스크 의 회로 패턴 을 웨이퍼 에 프린트 하 는 노 광 공정 이 다 . 스텝 S 17 은 노광 한 웨이퍼 를 현상 하 는 현상 공정 이 다 . 스텝 S 18 은 현상 한 레지스 트 상 이외 의 부분 을 에칭 하 는 에칭 공정 이 다 . 스텝 S 19 는 에칭 공정 이 끝나 불 필요 해진 레지스 트 를 제거 하 는 레지스 트 박리 공정 이 다 . 이러 한 스텝 을 반복 해 행하 는 것 으로 , 웨이퍼 상 에 다층 회로 패턴 을 형성 한다 . 각 공정 에서 사용 하 는 제조 장치 는 상기 설명 한 원격 보수 시스템 에 의해 보수 되 기 때문 에 , 문제 가 발생 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 만약 문제 가 발생 해도 , 신속 한 복구 가 가능 해 , 종래 에 비해 반도체 디바이스 의 생산 성 을 향상 시킬 수 가 있 다 .