본 발명 의 다른 실시 예 에 의하 면 , RF 디바이스 는 다 결정 성 세라믹 코어 및 층간 구조 를 포함 할 수 있 다 . 층간 구조 는 다 결정 성 세라믹 코어 에 연결 된 제 1 실리콘 산화물 층 , 제 1 실리콘 산화물 층 에 연결 된 폴리 실리콘 층 , 폴리 실리콘 층 에 연결 된 제 2 실리콘 산화물 층 , 제 2 실리콘 산화물 층 에 연결 된 제 1 실리콘 질화물 층 , 제 1 실리콘 질화물 층 에 연결 된 금속 층 , 금속 층 에 연결 된 제 2 실리콘 질화물 층 , 제 2 실리콘 질화물 층 에 연결 된 제 3 실리콘 산화물 층 , 및 제 3 실리콘 산화물 층 에 연결 된 실질 적 으로 단결정 성 인 실리콘 층 을 포함 할 수 있 다 . RF 디바이스 는 실질 적 으로 단결정 성 인 실리콘 층 에 연결 된 에피 택 셜 질화 갈륨 ( GaN ) 층 , 에피 택 셜 GaN 층 에 연결 된 2 차원 전자 가스 ( two - dimensional electron gas : 2 DEG ) 유도 층 , 및 전계 효과 트랜지스터 ( FET ) 를 더 포함 할 수 있 다 . FET 는 2 DEG 유도 층 의 제 1 영역 에 연결 된 드레 인 , 2 DEG 유도 층 의 제 2 영역 에 연결 된 소스 , 2 DEG 유도 층 의 제 3 영역 에 연결 된 게이트 유전체 층 , 및 게이트 유전체 층 에 연결 된 데이트 를 포함 할 수 있 다 . RF 디바이스 는 에피 택 셜 GaN 층 및 2 DEG 유도 층 을 통한 제 1 비아 를 더 포함 할 수 있 다 . 제 1 비아 는 소스 를 층간 구조 의 금속 층 에 연결 시키 고 , 여기 서 금속 층 은 그라운드 ( ground ) 에 접속 된다 .