또한 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 은 , 게이트 형성 영역 과 비트 라인 콘 택 영역 및 스토리지 노드 콘 택 영역 을 포함 하 는 활성 영역 을 갖 는 반도체 기판 내 에 상기 활성 영역 을 한정 하 는 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 반도체 기판 상 에 활성 영역 의 게이트 형성 영역 및 비트 라인 콘 택 영역 을 노출 시키 도록 절 연막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 노출 된 활성 영역 의 게이트 형성 영역 및 비트 라인 콘 택 영역 상 에 실리콘 에 피층 을 성장 시키 는 단계 ; 상기 실리콘 에 피층 내 에 불순물 을 도핑 하 는 단계 ; 상기 절 연막 패턴 을 제거 하 는 단계 ; 상기 활성 영역 의 게이트 영역 상 에 형성 된 실리콘 에 피층 부분 및 이 에 인접 한 실리콘 에 피층 은 측면 상 에 단 차진 게이트 를 형성 하 는 단계 ; 및 상기 활성 영역 의 스토리지 노드 콘 택 영역 내 에 제 1 접합 영역 을 형성 함 과 아울러 상기 활성 영역 은 비트 라인 콘 택 영역 상부 의 실리콘 에 피층 내 에 제 2 접합 영역 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 한다 .