그 다음 으로 , 더미 게이트 스택 ( 30 ) 의 측벽 상 에 게이트 스 페이서 ( 38 ) 가 형성 된다 . 본 개시 의 일부 실시 예 에 따라서 , 게이트 스 페이서 ( 38 ) 는 실리콘 질화물 또는 실리콘 탄화 질화물 등 과 같 은 유전체 물질 ( 들 ) 로 형성 되 며 , 복수 의 유전체 층 을 포함 하 는 다중 층 구조 또는 단일 층 구조 를 가질 수 있 다 .