본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 실리콘 풍부 층 ( SRL ) 이 염기 성 용액 을 이용 한 식각 에 의해 제거 되 는 바 , 산 성 용액 을 이용 한 식각 은 수행 되 지 않 을 수 있 다 . 이 경우 , 산 성 용액 에 의한 식각 공정 을 생략 할 수 있 기 때문 에 공정 이 간단 해진다 . 또한 , 이 에 따라 공정 설비 가 간단 해질 수 있 다 . 아울러 , 산 성 용액 을 이용 한 식각 을 수행 하 지 않 을 경우 , 식각 공정 에서 설비 가 부식 될 우려 가 적 다 . 이 에 따라 설비 수명 이 향상 될 수 있 다 . 다만 , 필요 에 따라 염기 성 용액 에 의한 식각 공정 전 또는 후 에 산 성 용액 을 이용 한 식각 을 더 수행 할 수 도 있 다 .