피 가 공물 ( 101 ) 은 , 도 1 에 도시 한 바 와 같이 , 본 실시 형태 에서 는 , 실리콘 , 사파이어 , 갈륨 비소 또는 SiC ( 탄화 규소 ) 등 을 기판 ( 102 ) 으로 하 는 원판 형상 의 반도체 웨이퍼 나 광 디바이스 웨이퍼 이 다 . 피 가 공물 ( 101 ) 은 , 도 1 에 도시 한 바 와 같이 , 교차 ( 본 실시 형태 에서 는 , 직교 ) 하 는 복수 의 분할 예정 라인 ( 104 ) 으로 구획 된 기판 ( 102 ) 의 표면 ( 103 ) 의 각 영역 에 각각 디바이스 ( 105 ) 가 형성 되 어 있 다 .