본 형태 는 실시 형태 1 과 다른 제조 공정 을 도 18 에 도시 한다 . 도 18 에 있 어서 , ( A ) 보호막 ( 120 ) 을 형성 하 여 수소 의 클러스터 이온 을 주입 하 여 손상 층 ( 121 ) 을 형성 하 고 , ( B ) 보호막 ( 120 ) 을 그대로 남기 고 제 1 불순물 반도체 층 ( 107 ) 을 형성 한다 . 그리고 , ( C ) 보호막 ( 120 ) 을 제거 하 여 제 1 전극 ( 103 ) 을 형성 한다 . 이러 한 공정 으로 함 으로써 , 보호막 ( 120 ) 을 유효 하 게 이용 할 수 있 다 . 또한 , 손상 층 ( 121 ) 을 형성 한 후 에 , 제 1 불순물 반도체 층 ( 107 ) 을 형성 함 으로써 , 상기 제 1 불순물 반도체 층 ( 107 ) 의 불순물 농도 를 고농도 화 할 수 있 고 , 얕 은 접합 을 형성 할 수 있 다 . 그것 에 의해서 , 이면 전계 ( BSF : Back Surface Field ) 효과 에 의해 광 생성 캐리어 의 수집 ( 收集 ) 효율 이 높 은 광전 변환 장치 를 제조 할 수 있 다 .