먼저 , 게이트 전극 인 알루미늄 기판 상 에 n - type 도핑 된 Si 층 240 nm 를 형성 한 후 , SiO 2 절연 층 260 nm 를 열 산화 ( Thermal oxidation ) 방식 으로 형성 하 였 다 . 상기 SiO 2 절연 층 상 에 화학 기상 증착 법 으로 성장 시킨 MoS 2 채널 층 을 전사 하 였 다 . 상기 MoS 2 채널 층 상 에 리소그래피 를 이용 한 패 터닝 으로 Pt 를 증착 하 여 전극 을 형성 하 였으며 , 상기 전극 은 제 1 전극 과 제 2 전극 으로서 상기 MoS 2 채널 층 상 에 이격 되 어 형성 하 였 다 . 상기 제 1 전극 과 상기 제 2 전극 은 각각 독립 적 으로 소스 전극 또는 드레 인 전극 으로서 작용 한다 .