도 7 ( a ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 텅스텐 막 ( 116 a ) 상 에 막 두께 100 ㎚ 의 실리콘 산화 막 을 형성 하 고 , 도 1 의 워드 라인 ( 116 ) 형상 으로 가공 하 여 , 하드 마스크 ( 117 ) 를 형성 한다 . 이 실리콘 산화 막 은 예 를 들 어 , NSG ( Non - Doped Silicate Glass ) 를 CVD 법 으로 막 형성 하 여 형성 할 수 있 다 . 이 CVD 법 은 TEOS ( Si ( OC 2 H 6 ) 4 ) = 150 sccm , 압력 = 0 . 3 Torr ( 40 Pa ) 의 조건 으로 실시 할 수 있 다 . 실리콘 산화 막 은 예 를 들 어 , 드라이 에칭 으로 가공 할 수 있 다 . 이 드라이 에칭 은 예 를 들 어 , CF 4 / CH 2 F 2 / He = 45 / 30 / 100 sccm , 압력 = 10 mTorr ( 1 . 33 Pa ) , RF 파워 상부 / 하부 = 900 / 80 W 의 조건 으로 실시 할 수 있 다 .