그래핀 을 소성 전 의 질화알루미늄 에 첨가 하 면 , 첨가 된 그래핀 의 대부분 이 , 질화알루미늄 성 형체 의 평면 방향 에 있 어서 1 축 가압 소성 ( 핫 프레스 ) 소 결체 의 평면 방향 으로 배향 한다고 생각 되 고 , 실제로 질화알루미늄 소 결체 ( 2 ) 의 평면 방향 에 높 은 열전도율 을 나타냄 과 함께 질화알루미늄 소 결체 의 평면 방향 의 체적 저항 률 이 두께 방향 의 체적 저항률 보다 약간 낮 아 지 는 것 을 알 수 있 었 다 . 그 때문 에 , 질화알루미늄 소 결체 ( 2 ) 의 평면 방향 으로 전기 전도성 이 부여 되 지만 , 두께 방향 의 전기 도전 성 은 억제 된다 . 즉 , 질화알루미늄 소 결체 ( 2 ) 의 두께 방향 으로 간격 을 두 고 매설 된 고주파 발생 용 전극 ( 4 a ) 과 히터 용 전극 ( 4 b ) 사이 에서 리크 전류 가 흐르 는 것 을 억제 할 수 있 다 . 또 , 질화알루미늄 소 결체 ( 2 ) 에 고주파 발생 용 전극 ( 4 a ) 대신 에 정전 흡착 용 전극 이 매설 된 정전 척 으로서 반도체 제조 장치 용 부품 ( 1 ) 을 사용 하 는 경우 에 는 , 그래핀 의 첨가 에 의한 전기 도전 성 을 부여 함 으로써 존슨 라벡 효과 를 작용 시켜 강한 정전 흡착 력 을 발휘 시킬 수 있 다 . 그 결과 , 정전 척 과 흡착 된 기판 사이 의 열 저항 이 작아져 기판 의 온도 를 균일화 할 수 있 게 된다 .