그 제 2 도전 성 사이드 월 구조 체 는 , 그 제 2 절연성 사이드 월 구 조체 에 의해 그 게이트 구조 체로 부터 전기 적 으로 절연 됨 과 함께 전술 한 소스 영역 의 일부 에 접함 으로써 , 그 소스 영역 을 구성 하 는 소스 ( 11 - 2 ) 와 , 제 2 익스텐션 ( 9 - 2 ) 과 , 제 4 실리사이드 층 ( 14 - 2 ) 과 실질 적 으로 동전 위 , 즉 소스 와 실질 적 으로 동일 한 전위 를 갖 는다 . 그 제 2 도전 성 사이드 월 구조 체 는 , 또한 제 2 소스 측벽 도전 막 ( 10 - 2 ) 과 제 2 실리사이드 층 ( 13 - 2 ) 을 포함 할 수 있 다 . 그 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 2 ) 은 , 게이트 절 연막 ( 3 ) 상 으로 연장 됨 과 함께 그 제 2 절연성 사이드 월 구 조체 에 접하 고 , 또한 그 제 2 절연성 사이드 월 구 조체 에 의해 그 게이트 구조 체로 부터 이 간 되 고 또 한 전기 적 으로 절연 되 어서 , 다시 제 4 실리사이드 층 ( 14 - 2 ) 상부 영역 의 내측 단부 에 접한다 . 한편 , 제 2 실리사이드 층 ( 13 - 2 ) 은 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 2 ) 에 의해 게이트 절 연막 ( 3 ) 으 로부터 이 간 되 고 , 또한 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 2 ) 및 그 제 2 절연성 사이드 월 구 조체 에 의해 , 게이트 구조 체로 부터 이 간 되 고 또 한 전기 적 으로 절연 됨 과 함께 제 4 실리사이드 층 ( 14 - 2 ) 상부 영역 의 내측 단부 에 접한다 .