구체 적 으로 는 , 도 5 a 에 도시 한 바 와 같이 , 용량 선 CL 의 전위 를 High 전위 ( 이하 , ' H 전위 ' 라고 기재 함 ) 로부터 Low 전위 ( 이하 , ' L 전위 ' 라고 기재 함 ) 로 서서히 하강 시키 는 경우 , 플로팅 게이트 부 FG 의 전위 는 용량 결합 에 의해 , 용량 선 CL 과 마찬가지 로 고전 위 측 으로부터 저 전위 측 으로 서서히 하강 한다 . 플로팅 게이트 부 FG 의 전위 가 고전 위 측 으로부터 저 전위 측 으로 서서히 하강 하 면 , 판독 트랜지스터 ( 도 4 b 에서 는 , 트랜지스터 ( 160 ) ) 의 저항 값 이 고 저항 측 으로부터 저 저항 측 으로 변화 한다 . 비트 선 BL 의 전위 는 , 판독 회로 의 부하 ( 323 ) 와 , 트랜지스터 ( 160 ) 의 저항 분할 에 의해 결정 되 기 때문 에 , 트랜지스터 ( 160 ) 의 저항 값 이 하강 함 에 따라 비트 선 BL 의 전위 는 상승 한다 .