본 발명 은 반도체 소자 의 소자 분리 막 형성 방법 에 관한 것 으로 , 보다 상세 하 게 는 소자 분리 막 형성 시 라이너 질화 막 증착 후 그 상부 에 버퍼 로서 폴리 실리콘 을 증착 하 고 산화 시킴 으로써 후속 소자 분리 막 용 산화 막 을 증착 공정 에서 발생 하 는 라이너 질화 막 의 손실 을 방지 하 고 절연체 특성 을 향상 시킬 수 있 어 , 궁극 적 으로 는 소자 분리 막 형성 에서 기인 하 는 소자 의 열화 를 방지 하 고자 하 는 방법 에 관한 것 이 다 .