도 1 ( b ) 를 참조 하 면 , 제 1 절 연막 ( 14 ) 상부 에 제 2 언 도프 트 폴리 실리콘 막 ( 15 ) 을 형성 한다 . 제 2 언 도프 트 폴리 실리콘 막 ( 15 ) 은 제 1 언 도프 트 폴리 실리콘 막 ( 13 ) 과 동일 한 조건 으로 형성 한다 . 즉 , 제 2 언 도프 트 폴리 실리콘 막 ( 15 ) 은 SiH 4 가스 를 소오 스 가스 로 하 여 650 ∼ 750 ℃ 의 온도 와 0 . 1 ∼ 300 Torr 의 압력 에서 LPCVD 방법 으로 20 ∼ 100 Å 의 두께 로 증착 함 으로써 제 1 그레인 사이즈 를 갖 도록 한다 . 그리고 , 제 2 언 도프 트 폴리 실리콘 막 ( 15 ) 상부 에 제 2 절 연막 ( 16 ) 을 수 Å , 예컨데 1 ∼ 10 Å 의 얇 은 두께 로 형성 하 는데 , 제 2 절 연막 ( 16 ) 은 O 2 또는 N 2 O 가스 를 이용 하 여 산화 막 또는 질화 막 으로 형성 한다 .