도 23 을 참조 하 면 , 상기 화합물 패턴 들 ( 310 ) 을 제거 하 여 회절 격자 ( 113 ) 를 형성 할 수 있 다 . 상기 반도체 층 ( 105 ) 을 패 터닝 하 여 회절 격자 커플러 ( 115 a ) 를 형성 한다 . 상기 회절 격자 커플러 ( 115 a ) 는 광도 파로 ( 112 ) 및 상기 광도 파로 ( 112 ) 상 에 배치 된 회절 격자 ( 113 a ) 를 포함 한다 . 상기 회절 격자 ( 113 a ) 는 복수 의 경사진 측벽 들 을 갖 는 돌출부 들 ( 114 a ) 을 포함 한다 . 상기 회절 격자 ( 113 a ) 의 돌출부 들 ( 114 a ) 이 반도체 기판 ( 100 ) 의 상부 면 에 대하 여 경사지 게 형성 됨 으로써 , 상기 회절 격자 커플러 ( 115 a ) 의 커플링 효율 성 이 증가 된다 . 상술 한 바 와 같이 , 상기 반도체 층 ( 105 ) 에 상기 회절 격자 ( 113 a ) 를 형성 한 후 에 , 상기 광도 파로 ( 112 ) 를 형성 할 수 있 다 . 이 와 는 반대 로 , 상기 광도 파로 ( 112 ) 를 형성 한 후 에 , 상기 광도 파로 ( 112 ) 의 윗부분 에 상기 화합물 패턴 들 ( 310 ) 을 형성 하 여 상기 회절 격자 ( 113 a ) 를 형성 할 수 도 있 다 .