먼저 , 활성 영역 을 정의 하 는 소자 분리 막 이 구비 된 반도체 기판 에 게이트 들 을 형성 한 후 , 상기 게이트 양측 활성 영역 내 에 소오 스 영역 및 드레 인 영역 을 형성 한다 . 그런 다음 , 상기 결과물 상 에 게이트 를 덮 도록 층간 절 연막 을 형성 하 고 나 서 , 상기 층간 절 연막 을 식각 하 여 수 개 의 게이트 들 및 이 들 사이 의 소오 스 영역 및 드레 인 영역 을 노출 시키 는 콘 택 홀 을 형성 한다 .