도 15 a 는 도 6 a 와 대응 하 고 있 고 , 대면 적 기판 ( 161 ) 에 있 어서 , 광전 변환 소자 ( 103 ) 가 형성 되 어 있 는 면 과 는 반대 의 면 에 수지 층 ( 163 ) 이 형성 되 어 있 다 . 다음 에 수지 층 ( 163 ) 위 에 또 수지 층 을 형성 하 고 , 수지 층 ( 170 ) 을 형성 한다 . 본 실시 형태 에서 는 수지 층 ( 163 ) 과 같 은 재료 의 수지 층 을 적층 한다 ( 도 15 b 참조 ) . 도 6 과 같이 다 이싱 테이프 로 고정 한 수지 층 ( 170 ) 및 대면 적 기판 ( 161 ) 을 , 다 이싱 블레이드 에 의해서 분단 하 여 , 끝 면 에 수지 층 이 형성 되 고 , 또한 광전 변환 소자 ( 103 ) 가 형성 된 기판 ( 164 ) 을 형성 한다 ( 도 15 c 참조 ) . 이상 의 공정 에서 , 형성 되 는 도 15 c 의 반도체 장치 는 도 6 보다 수지 층 을 두껍 게 형성 하 고 있 기 때문 에 , 기판 ( 164 ) 과 수지 층 단부 가 일치 하 는 형상 이 된다 .