그리고 산화물 반도체 에서 도 K 0 . 3 MoO 3 라는 물질 과 저항 을 직렬 로 연결 하 여 회로 를 구성 한 뒤 , 회로 에 직류 전압 을 인가 하 면 회로 의 전류 에 발진 현상 이 발생 한다는 것 이 보 고 되 었 으며 , 이 현상 은 전하 - 밀도 파 ( charge - density wave ) 의 미끄러짐 운동 ( sliding motion ) 에 의해 발생 한다고 설명 되 고 있 다 ( A . Maeda , Physical Review B , vol . 36 , p 7709 , 1987 ) . 이러 한 발진 특성 은 20 K 근처 의 저온 에서 구현 되 었 으며 , 특히 인가 전압 의 크기 에 따라 발진 주파수 가 변하 는 특성 을 보였 다 .