이상 에서 상세히 설명 한 바 와 같이 본 발명 에 따르 면 , 기판 ( 10 ) 과 제 1 전극 ( 30 ) 사이 에 굴절 률 조절 층 ( 20 ) 을 삽입 함 으로써 제 1 전극 ( 30 ) 과 기판 ( 10 ) 과 의 굴절 률 차이 로 인해 형성 되 는 임계각 을 늘리 고 전반사 효과 를 억제 하 여 발광 층 ( 42 ) 에서 발생 한 빛 을 보다 효과 적 으로 기판 ( 10 ) 을 통하 여 외부 로 방출 함 으로써 소자 의 광 출력 을 향상 시킬 수 있 다 . 이 굴절 률 조절 층 ( 20 ) 표면 에 는 나노 사이즈 의 패 싯 이 형성 되 어 있 어 광 추출 효율 을 극대 화 할 수 있 으며 이 와 같 은 나노 패 싯 은 별도 의 리소그래피 공정 이나 패 터닝 공정 을 거치 지 않 고 증착 과정 중 에 자발 적 으로 형성 되 기 때문 에 고 효율 유기 발광 다이오드 의 제조 비용 을 저감 할 수 있 으며 제조 효율 을 향상 시킬 수 있 게 된다 .