상기 반도체 층 ( 115 ) 이 형성 된 기판 상부 로 게이트 절 연막 ( 120 ) 과 게이트 전극 ( 125 a ) 이 위치 하 고 , 그 상부 로 층간 절연 층 ( 130 ) 이 위치 한다 . 또한 상기 층간 절연 층 ( 130 ) 상 에 는 상기 반도체 층 ( 115 ) 과 콘 택 이 되 는 소스 전극 ( 135 a ) 또는 드레 인 전극 ( 135 b ) 이 위치 한다 .