도 10 을 참조 하 면 , 폴리 실리콘 층 상 에 코발트 를 올려서 FUSI 를 형성 할 경우 , 상대 적 으로 두껍 고 좁 은 폴리 실리콘 내부 로 코발트 가 확산 하 여 실리사이드 를 형성 해야 하 므로 , 폴리 실리콘 깊숙 한 게이트 산화 막 가까이 에서 는 FUSI 가 형성 되 지 않 는 현상 이 도 10 에 제시 된 바 와 같이 일어나 며 , 이 를 보완 하 기 위해서 는 보다 높 은 온도 의 고온 공정 이 추가 되 어야 하 는 어려움 이 있 다 . 또한 , 이러 한 고온 공정 의 추가 는 과다 한 열적 버짓 ( thermal budget ) 에 의해 트랜지스터 열화 에 의한 소자 성능 저하 가 발생 될 수 있 다 .