도 43 에 예시 된 바 와 같이 , 게이트 ( 450 ) 는 게이트 산화물 층 ( 440 ) 위 에 배치 된다 . 일부 실시 예 에서 , 게이트 ( 450 ) 는 폴리 실리콘 ( 또는 폴리 ) 층 으로서 형성 된다 . 일부 실시 예 에서 , 게이트 ( 450 ) 는 게이트 유전체 층 ( 미 도시 ) 및 금속 게이트 층 ( 미 도시 ) 을 추가 로 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 게이트 ( 450 ) 는 폴리 층 대신 에 하나 이상 의 금속 층 을 포함 한다 . 다양 한 실시 예 에서 , 게이트 산화물 층 ( 440 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) 또는 실리콘 산질 화물 ( SiON ) 을 포함 하 는 유전체 재료 를 포함 하 고 , 화학 적 산화 , 열 산화 , 원자 층 증착 ( ALD ) , 화학 적 기상 증착 ( CVD ) 및 / 또는 다른 적절 한 방법 에 의해 형성 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 폴리 실리콘 층 은 예 를 들 어 , 저압 화학 적 기상 증착 ( LPCVD ) 및 플 라즈 마 강화 CVD ( PECVD ) 를 포함 하 는 적절 한 증착 공정 에 의해 형성 된다 . 일부 실시 예 에서 , 게이트 유전체 층 은 예 를 들 어 , 하프늄 산화물 ( HfO 2 ) , Al 2 O 3 , 란탄 산화물 , TiO 2 , HfZrO , Ta 2 O 3 , HfSiO 4 , ZrO 2 , ZrSiO 2 , 이 들 의 조합 , 또는 다른 적절 한 재료 를 포함 하 는 하이 - k 유전체 재료 를 사용 하 며 , 게이트 유전체 층 은 ALD 및 / 또는 다른 적절 한 방법 에 의해 형성 된다 . 금속 게이트 층 은 p - 형 일함수 금속 또는 n - 형 일함수 금속 을 포함 하 고 , CVD , PVD 및 / 또는 다른 적절 한 공정 에 의해 증착 된다 . 예 시 적 인 p - 형 일함수 금속 은 TiN , TaN , Ru , Mo , Al , WN , ZrSi 2 , MoSi 2 , TaSi 2 , NiSi 2 , WN , 다른 적절 한 p - 형 일함수 재료 또는 이 들 의 조합 을 포함 한다 . 예 시 적 인 n - 형 일함수 금속 은 Ti , Ag , TaAl , TaAlC , TiAlN , TaC , TaCN , TaSiN , Mn , Zr , 다른 적절 한 n - 형 일함수 재료 또는 이 들 의 조합 을 포함 한다 . 하나 이상 의 금속 층 은 알루미늄 ( Al ) , 텅스텐 ( W ) , 구리 ( Cu ) , 코발트 ( Co ) 및 / 또는 다른 적절 한 재료 를 사용 하 고 ; CVD , PVD , 도금 및 / 또는 다른 적절 한 공정 에 의해 형성 된다 . 게이트 ( 450 ) 및 게이트 산화물 층 ( 440 ) 과 관련 된 구성 및 / 또는 재료 는 예시 의 목적 으로 제공 된다 . 게이트 ( 450 ) 및 게이트 산화물 층 ( 440 ) 과 관련 된 다양 한 구성 및 / 또는 재료 는 본 개시 내용 의 고려 범위 내 에 있 다 .