본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 상변화 물질 ( 113 ) 과 제 1 도 전체 ( 95 ) 는 제 1 절 연막 ( 60 ) 의 개구부 ( 70 ) 내 에 한정 될 수 있 다 . 따라서 상변화 물질 ( 113 ) 과 제 1 도 전체 ( 95 ) 그리고 / 또는 상변화 물질 ( 113 ) 과 제 2 도 전체 ( 120 ) 사이 의 접촉면 적 을 줄일 수 있 어 , 낮 은 전력 으로 작동 할 수 있 는 메모리 소자 를 구현 할 수 있 다 . 또 , 개구부 ( 70 ) 의 중심부 에 제 2 절 연막 ( 103 ) 이 더 구비 될 수 있 다 . 제 2 절 연막 ( 103 ) 은 마주 하 는 제 1 면 및 제 2 면 그리고 이 들 을 연결 하 는 제 3 면 을 구비 하 여 3 차원 구조 를 나타낼 수 있 다 . 이하 에서 , 설명 의 편의 를 위해서 , 제 2 도 전체 ( 120 ) 에 인접 한 제 2 절 연막 ( 103 ) 의 면 을 상부 면 ( 또는 제 1 면 ) , 개구부 ( 90 ) 의 측벽 에 인접 한 면 을 측면 ( 또는 제 3 면 ) , 그리고 개구부 ( 90 ) 의 바닥 에 인접 한 면 을 바닥 면 ( 또는 제 2 면 ) 이 라 한다 .