제 어 게이트 ( CG ) 는 제 1 유전체 층 ( 112 ) 상 에서 채널 영역 ( 113 C ) 과 이격 되 도록 배치 되 며 , 제 2 유전 층 상부 에 는 센싱 게이트 가 배치 된다 . 제 어 게이트 ( CG ) 는 제 1 유전체 층 ( 112 ) 에 의해 플로팅 게이트 ( FG ) 와 분리 되 고 , 감지 게이트 ( SG ) 는 제 2 유전체 층 ( 114 ) 에 의해 플로팅 게이트 ( FG ) 와 분리 된다 . 여기 서 , 제 어 게이트 ( CG ) 및 감지 게이트 ( SG ) 는 Al , Cu , W , Ti , Ta , Cr , Pt , Ag , Au 와 같 은 금속 재료 로 이루어질 수 있 고 , TiSi 2 , NiSi , CoSi 와 같 은 실리사이드 ( silicide ) 로 이루어질 수 있 고 , 도핑 된 다결정 실리콘 으로 이루 질 수 있 고 , 또는 ITO , MWCNT , Ag 나노 파이버 와 같 은 투명 전극 으로 이루어질 수 있 다 .