도 2 g 를 참조 하 면 , 제 1 실리콘 막 패턴 ( 30 ) 중 에서 제 2 산화 막 패턴 ( 40 b ) 의 상면 보다 높 은 위치 에 형성 되 는 부분 을 습식 식각 , 건식 식각 또는 화학 기계 적 연마 를 통하 여 제거 하 여 제 2 실리콘 막 패턴 ( 30 a ) 을 형성 한다 . 이 경우 상기 화학 기계 적 연마 는 제 1 실리콘 막 패턴 ( 30 ) 의 연마 속도 가 제 2 산화 막 패턴 ( 40 b ) 의 연마 속도 보다 높 도록 제공 되 는 것 이 바람직 하 다 . 도면 에 도시 된 것 처럼 , 제 1 산화 막 패턴 ( 20 a ) , 제 2 실리콘 막 패턴 ( 30 a ) 및 제 2 산화 막 패턴 ( 40 b ) 의 피처 사이즈 ( feature size ) 는 각각 F 1 , F 2 및 F 3 이 다 .