TCC 제거 스테이션 ( 322 ) 에서 , TCC 층 ( 320 ) 이 기재 어셈블리 ( 302 ) 로부터 분리 되 어 , 분리 또는 독립 된 TCC 층 ( 326 ) 을 형성 시킨다 . 기재 어셈블리 ( 302 ) 로부터 의 TCC 층 ( 320 ) 의 분리 는 스 크레이 핑 , 박리 , 나이프 분리 또는 부동 ( floating ) 과 같 은 물리 적 방법 에 의해 , 또는 이 형제 의 용해 또는 가열 과 같 은 화학 적 방법 에 의해 달성 할 수 있 다 . 이 형제 또는 박리 층 의 존재 , 또는 부착 제 의 존재 도 전극 층 ( 320 ) 의 제거 를 가능 하 게 하 는 데 에 이용 할 수 있 다 .