메모리 디바이스 ( 110 ) 는 메모리 셀 의 2 차원 ( 2 D ) 어레이 의 하나 의 예시 이 거나 메모리 셀 의 3 차원 ( 3 D ) 어레이 의 하나 의 예시 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 2 D 메모리 디바이스 는 단일 메모리 다이 ( 160 ) 를 포함 할 수 있 다 . 3 D 메모리 디바이스 는 둘 이상 의 메모리 다이 ( 160 ) ( 가령 , 메모리 다이 ( 160 - a ) , 메모리 다이 ( 160 - b ) 및 / 또는 임의 의 수량 의 메모리 다이 ( 160 - N ) ) 를 포함 할 수 있 다 . 3 D 메모리 디바이스 에서 , 복수 의 메모리 다이 ( 160 - N ) 는 서로 상하 로 적층 되 거나 나란히 위치 할 수 있 다 . 일부 경우 , 3 D 메모리 디바이스 내 메모리 다이 ( 160 - N ) 는 데크 , 레벨 , 층 , 또는 다이 로서 지칭 될 수 있 다 . 3 D 메모리 디바이스 는 임의 의 수량 의 적층 된 메모리 다이 ( 160 - N ) ( 가령 , 2 하이 , 3 하이 , 4 하이 , 5 하이 , 6 하이 , 7 하이 , 8 하이 ) 를 포함 할 수 있 다 . 이 는 단일 2 D 메모리 디바이스 와 비교 할 때 기판 상 에 위치 될 수 있 는 메모리 셀 의 수량 을 증가 시킬 수 있 으며 , 이 는 제작 비용 을 감소 시키 거나 메모리 어레이 의 성능 을 증가 시키 거나 둘 모두 를 가능 하 게 할 수 있 다 . 일부 3 D 메모리 디바이스 에서 , 일부 데크 가 워드 라인 , 디 지트 라인 , 및 / 또는 플레이트 라인 중 적어도 하나 를 공유 할 수 있 도록 상이 한 데크 는 적어도 하나 의 공통 액세스 라인 을 공유 할 수 있 다 .