3 층 째 의 게이트 절 연막 으로서 형성 하 는 두께 1 nm 내지 5 nm 정도 의 질화 실리콘 막 혹은 질산화 실리콘 막 은 플 라즈 마 CVD 법 에 의하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 에 대하 여 , 고밀 도 플 라즈 마 를 사용 하 여 질화 처리 하 여 게이트 절 연막 ( 52 b ) 표면 에 질화 실리콘 층 을 형성 할 수 있 다 . 고밀 도 플 라즈 마 를 사용 하 여 질화 함 으로써 , 더 높 은 농도 의 질소 를 함유 하 는 질화 실리콘 층 을 얻 을 수 도 있 다 . 고밀도 플라 즈 마는 높 은 주파수 의 마이크로파 , 예 를 들 어 , 2 . 45 GHz 를 사용 함 으로써 생성 된다 . 저 전자 온도 가 특징 인 고밀도 플라 즈 마는 활성 종 ( 活性 種 ) 의 운동 에너지 가 낮 기 때문 에 , 종래 의 플 라즈 마 처리 와 비교 하 여 플 라즈 마 대미지 가 적 고 결함 이 적 은 층 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 의 표면 거칠 기 를 작 게 할 수 있 기 때문 에 , 캐리어 이동도 를 크 게 할 수 있 다 .