필라 ( 113 _ 3 ) 의 구성 및 절 연막 ( 116 _ 3 ) 의 구성 은 도 17 의 트랜지스터 구조 ( TSa ) 와 상이 하 다 . 그러나 , 제 1 도전 물질 ( 233 ) 및 채널 막 ( 114 ) 사이 에 , 제 1 내지 제 3 서브 절 연막 들 ( 117 _ 1 , 118 _ 1 , 119 _ 1 ) 이 제공 된다 . 즉 , 도 17 을 참조 하 여 설명 된 바 와 마찬가지 로 , 제 1 도전 물질 ( 233 ) , 제 1 내지 제 3 서브 절 연막 들 ( 117 _ 1 , 118 _ 1 , 119 _ 1 ) , 그리고 채널 막 ( 114 ) 은 트랜지스터 ( 또는 메모리 셀 트랜지스터 ) 로 동작 한다 .