본 발명 의 다른 실시 예 에서 는 반도체 기판 , 상기 반도체 기판 의 후면 으로 형성 된 제 1 도전 형 영역 과 제 2 도전 형 영역 , 상기 제 1 도전 형 영역 에 접촉 된 제 1 전극 , 상기 제 2 도전 형 영역 에 접촉 되 고 제 1 방향 에서 상기 제 1 전극 과 교대 로 형성 된 제 2 전극 을 포함 하 고 , 상기 제 1 방향 으로 상기 제 1 전극 끼리 또는 상기 제 2 전극 끼리 연결 시키 며 제 1 길이 를 갖 는 제 1 브릿지 전극 과 , 상기 도전 성 배선 들 이 상기 반도체 기판 밖 으로 연장 되 는 인출 부분 과 접합 되 고 , 상기 제 1 전극 끼리 또는 상기 제 2 전극 끼리 연결 시키 며 상기 제 1 길이 보다 작 은 제 2 길이 를 갖 는 제 2 브릿지 전극 을 포함 하 는 태양 전지 를 개시 한다 .