상변화 층 스 페이서 를 갖 는 상변화 메모리 소자 를 제공 한다 . 본 발명 은 제 1 단위 상변화 메모리 소자 부분 및 제 2 단위 상변화 메모리 소자 부분 으로 한정 된 반도체 기판 을 포함 한다 . 상기 제 1 단위 상변화 메모리 소자 부분 에 는 제 1 하부 전극 및 제 1 발열 전극 이 순차 적 으로 형성 되 어 있 고 , 상기 제 1 발열 전극 상 에 는 외측 으로 기울 기 를 갖 게 제 1 상변화 층 스 페이서 가 형성 되 어 있 다 . 상기 제 2 단위 상변화 메모리 소자 부분 에 는 제 2 하부 전극 및 제 2 발열 전극 이 순차 적 으로 형성 되 어 있 고 , 상기 제 2 발열 전극 상 에 는 외측 으로 기울 기 를 갖 고 상기 제 1 상변화 층 스 페이서 와 대향 하 게 제 2 상변화 층 스 페이서 가 형성 되 어 있 다 . 상기 제 1 단위 상변화 메모리 소자 부분 및 제 2 단위 상변화 메모리 소자 는 매몰 절연 층 으로 절연 된다 . 상기 제 1 상변화 층 스 페이서 및 제 2 상변화 층 스 페이서 상 에 는 상부 전극 이 형성 되 어 있 다 . 이 에 따라 , 본 발명 은 외측 으로 기울 기 를 갖 는 스 페이서 형태 로 상변화 층 스 페이서 를 구비 하 여 단위 상변화 메모리 소자 들 간 에 미스 얼라인 을 방지 하 고 , 디자인 룰 이 감소 하 더라도 제 1 상변화 층 스 페이서 및 제 2 상변화 층 스 페이서 간 의 전기 적 연결 에 의한 쇼트 를 방지 할 수 있 다 .