산화 인듐 을 포함 하 는 비정질 막 이 산화 인듐 의 빅스 바이트 구조 의 모서리 공유 구조 의 적어도 일부 를 유지 하 고 있 는가 여부 는 , 고 휘도 의 싱크로트론 방사 등 을 이용 한 미소 각 입사 X 선 산란 ( GIXS ) 에 의해서 구해진 동경 분포 함수 ( radial distribution function ; RDF ) 에 의해 , In - X ( X 는 In , Ga , Zn ) 를 나타내 는 피크 가 0 . 30 으로부터 0 . 36 nm 의 사이 에 있 는 것 으로 확인 할 수 있 다 . 상세 사항 에 대해서 는 , 하 기 의 문헌 을 참조 하 면 된다 .