본 발명 의 하나 의 장점 은 비트 라인 전압 을 감소 시킴 으로써 개선 된 판독 안정 성 이 다 . 비트 라인 들 에 대한 정확 한 전압 레벨 은 선택 될 수 있 다 . 상기 언급 된 바 와 같이 , 비트 라인 전압 의 감소 는 메모리 장치 의 정적 잡음 마진 ( SNM ) 을 개선 시킨다 . 액세스 된 비트 셀 들 및 하프 ( half ) - 선택 된 비트 셀 들 양쪽 은 모든 비트 라인 들 이 비트 셀 의 공급 전압 에 비해 낮 은 전압 을 나타내 기 때문 에 개선 된다 . 하프 - 선택 된 비트 셀 들 은 그 의 비트 라인 들 에 의해 선택 되 는 것 이 아니 고 선언 ( assert ) 된 워드 라인 에 의해 선택 된다 .