센서 웨이퍼 모듈 에 는 절단 전 의 복수 의 관통 구멍 웨이퍼 ( 1 ) 가 제공 된 센서 웨이퍼 ( 1 A ) 의 표면 측 에 복수 의 촬상 소자 ( 11 ) ( 각 촬상 소자 에 복수 의 화소 를 구성 하 는 복수 의 수 광부 가 제공 되 어 있 음 ) 가 매스 릭스 로 배열 되 어 있 다 . 관통 구멍 웨이퍼 ( 1 ) 의 두께 는 100 ~ 200 ㎛ 이 다 . 도 2 에 나타낸 바 와 같이 , 관통 구멍 웨이퍼 ( 1 ) 의 이면 으로부터 표면 의 패드 ( 13 ) 아래 로 관통 하 는 복수 의 관통 구멍 ( 12 ) 이 제공 되 어 있 다 . 관통 구멍 ( 12 ) 의 측벽 과 이면 측 은 절 연막 ( 14 ) 으로 커버 되 어 있 고 , 패드 ( 13 ) 에 콘택트 를 갖 는 배선 층 ( 15 ) 은 관통 구멍 ( 12 ) 을 통해서 이면 까지 형성 되 어 있 다 . 관통 구멍 ( 1 ) 의 이면 및 배선 층 ( 15 ) 상 에 는 솔 더 레지스 트 ( 16 ) 가 형성 된다 . 땜납 볼 ( 17 ) 이 배선 층 ( 15 ) 상 에 형성 되 는 부분 에 대하 여 솔 더 레지스 트 ( 16 ) 가 개구 되 어 땜납 볼 ( 17 ) 이 외부 로 노출 되 어 형성 되 어 있 다 . 각 층 은 통상 의 반도체 프로세스 에 사용 되 는 포토 리소그래피 , 에칭 , 도금 및 CVD 법 등 의 기술 에 의해 형성 될 수 있 다 . 웨이퍼 절단 후 에 관통 구멍 웨이퍼 ( 1 ) 로서 센서 기판 ( 전자 소자 칩 부 로서 의 센서 칩 부 ) 이 구성 되 고 , 소자 영역 을 갖 는다 .