제 2 반도체 층 ( 32 ) 에 의해 제 1 반도체 층 ( 30 ) 에 2 DEG 채널 이 형성 되 므로 , 제 2 반도체 층 ( 32 ) 은 자신 보다 분극 률 이 작 은 ( 혹은 밴드 갭 이 작 은 ) 제 1 반도체 층 ( 30 ) 에 2 DEG 채널 을 형성 시키 는 채널 공급 층 일 수 있 다 . 또한 , 채널 공급 층 인 제 2 반도체 층 ( 32 ) 에 의해서 형성 되 는 2 DEG 채널 은 제 1 반도체 층 ( 30 ) 에 형성 되 므로 제 1 반도체 층 ( 30 ) 은 2 DEG 채널 을 포함 하 게 된다 . 따라서 제 1 반도체 층 ( 30 ) 은 2 DEG 채널 이 형성 되 어 지 는 층 으로써 , 채널 형성 층 이 라 할 수 있 다 .