SOI 기판 을 제조 하 는 방법 의 하나 로 , 스마트 커트 ( 등록 상표 ) 법 이 알려져 있 다 . 스마트 커트 법 에 의한 SOI 기판 의 제조 방법 의 개요 를 이하 에 설명 한다 . 우선 , 박리 용 기판 이 되 는 실리콘 웨이퍼 에 이온 주입 법 을 사용 하 여 수소 이온 을 주입 함 으로써 표면 으로부터 소정 의 깊이 에 이온 주입 층 을 형성 한다 . 다음 에 산화 실리콘 막 을 통해 , 수소 이온 을 주입 한 실리콘 웨이퍼 를 다른 실리콘 웨이퍼 에 본딩 ( 접합 ) 시킨다 . 그 후 에 열처리 를 행함 으로써 , 이온 주입 층 이 벽개면 이 되 고 , 수소 이온 을 주입 한 박리 용 의 실리콘 웨이퍼 가 박막 모양 으로 박리 하 여 , 피박 리용 의 실리콘 웨이퍼 위 에 단결정 실리콘 막 을 형성 할 수 있 다 . 또한 스마트 커트 법 은 수소 이온 주입 박리 법 으로 부르 는 경우 도 있 다 .