상기 제 1 실시 예 와 동일 한 투명 기판 ( 1 ) 위 에 차광막 ( 2 a ) , 반사 방지 막 ( 3 ) , 하드 마스크 막 ( 4 ) 을 순서 대로 적층 하 고 그 위 에 상기 제 1 실시 예 와 동일 한 포토레지스트 ( 5 a ) 를 코팅 하 여 도 3 a 와 같이 본 실시 예 에 의한 블랭크 마스크 를 제조 하 였 다 . 상기 차광막 ( 2 a ) 은 상기 제 1 실시 예 와 달리 크롬 탄화 질화물 ( CrCN ) 을 적층 하 였으며 , 아르곤 ( Ar ) 80 sccm , 질소 ( 2 sccm ) , 메탄 ( CH 4 ) 1 sccm 을 사용 하 여 46 nm 두께 로 적층 하 였 다 . 그 다음 반사 방지 막 ( 3 ) 으로 크롬 탄화 산화 질화물 ( CrCON ) 을 적층 하 였으며 아르곤 ( Ar ) 40 sccm , 질소 ( 10 sccm ) , 이산화 탄소 ( CO 2 ) 1 . 5 sccm 을 사용 하 여 12 nm 두께 로 적층 하 였 다 . 그 다음 하드 마스크 막 ( 4 ) 으로 탄 탈륨 탄화 산화 질화물 ( TaCON ) 을 적층 하 였으며 , 아르곤 ( Ar ) 80 sccm , 질소 ( 10 sccm ) , 이산화 탄소 ( CO 2 ) 6 sccm 을 사용 하 여 32 nm 두께 로 적층 하 였 다 . 그 다음 상기 제 1 실시 예 와 동일 한 방법 으로 포토레지스트 ( 5 a ) 를 코팅 하 였 다 . 그 다음 상기 제 1 실시 예 와 동일 한 방법 으로 노광 및 현상 하 여 포토레지스트 ( 5 ) 패턴 을 형성 하 였 다 . 그 다음 도 3 b 내지 도 3 c 와 같이 상기 포토레지스트 ( 5 a ) 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 상기 탄탄 륨 계열 의 크롬 계열 의 하드 마스크 막 ( 4 ) 과 반사 방지 막 ( 3 ) 과 을 식각 하 기 위하 여 염소 ( Cl 2 ) 가스 와 소량 의 산소 ( O 2 ) 가스 및 헬륨 ( He ) 가스 를 사용 하 여 연속 적 으로 식각 하 였 다 . 이 때 상기 탄 탈륨 계열 의 하드 마스크 막 ( 4 ) 은 불소 ( F ) 계열 의 식각 가스 에 식각 가능 하 기 때문 에 상기 제 1 실시 예 와 같 은 방법 으로 불소 ( F ) 계열 의 식각 가스 로 하드 마스크 막 ( 4 ) 을 식각 하 여 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 을 형성 하 고 포토레지스트 ( 5 ) 패턴 을 제거 한 다음 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 식각 하 는 방법 도 가능 하 다 . 상기 와 같이 포토레지스트 ( 5 a ) 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 하드 마스크 막 ( 4 ) , 반사 방지 막 ( 3 ) , 차광막 ( 2 a ) 을 순차 적 으로 식각 하 는 경우 상기 포토레지스트 ( 5 ) 패턴 의 두께 가 얇 고 포토레지스트 ( 5 b ) 와 상기 식각 하 여야 하 는 금속 계열 의 막 과 식각 비 가 크 지 않 기 때문 에 상기 하드 마스크 막 ( 4 ) , 반사 방지 막 ( 3 ) 및 차광막 ( 2 a ) 이 식각 이 완료 되 면 도 3 c 와 같이 아주 얇 은 두께 의 포토레지스트 ( 5 b ) 패턴 이 잔류 하 거나 또는 거의 제거 되 게 된다 . 상기 얇 은 두께 의 포토레지스트 ( 5 b ) 패턴 은 건식 식각 시 식각 이온 의 충격 에 의하 여 손상 을 받 은 상태 이 므로 그 하부 의 하드 마스크 막 ( 4 ) 표면 에 잔류물 을 남기 지 않 고 제거 하 기 가 매우 힘들 다 . 그러나 상기 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 이 제거 되 기 때문 에 문제 가 되 지 않 는다 . 따라서 도 3 d 와 같이 상기 잔류 하 는 포토레지스트 ( 5 b ) 패턴 은 상기 제 1 실시 예 와 같 은 방법 으로 제거 하 여 하드 마스크 막 ( 4 ) 이 식각 될 수 있 도록 한 다음 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 을 습식 식각 으로 제거 하 여 도 2 e 와 같이 본 실시 예 에 의한 포토 마스크 를 제조 하 였 다 . 이 때 상기 탄 탈륨 계열 의 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 을 습식 식각 하 기 위하 여 수산화 나트륨 ( NaOH ) 수용액 을 85 ℃ 로 가열 하 여 5 분 간 디 핑 ( Dipping ) 하 여 충분히 제거 하 였 다 . 본 실시 예 에서 는 상기 차광 막 ( 2 a ) 식각 시 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 을 식각 마스크 로 하 지 않 고 종래 와 같이 포토레지스트 ( 5 a ) 패턴 을 식각 마스크 로 하 였으나 종래 의 포토 마스크 패턴 보다 포토레지스트 ( 5 a ) 의 두께 가 얇 기 때문 에 CD 특성 이 개선 된 포토 마스크 를 제조 할 수 있 으며 , 종래 의 블랭크 마스크 및 포토 마스크 와 달리 차광막 ( 2 a ) 위 에 습식 식각 이 가능 한 하드 마스크 막 ( 4 ) 을 더 적층 하 고 차광막 ( 2 a ) 패턴 형성 후 제거 하 기 때문 에 상기 포토레지스트 ( 5 a ) 와 차광막 ( 2 a ) 의 건 식식 각비 가 낮 더라도 차광막 ( 2 a ) 표면 에 포토레지스트 ( 5 b ) 잔류물 이 남 는 문제 가 없 다 . 따라서 차광막 ( 2 a ) 건 식식 각시 포토레지스트 ( 5 a ) 와 하드 마스크 막 ( 4 ) 이 모두 식각 되 지 않 는 범위 내 에서 더욱 얇 은 포토레지스트 ( 5 a ) 를 코팅 하 는 것 이 가능 하 다 .