본 발명 의 SOI 웨이퍼 는 , 열처리 등 의 공정 에 의해 절연 산화 막 층 과 지지층 과 의 계면 으로부터 당해 지지층 측 의 260 ㎛ 의 깊이 영역 에 있 어서 의 , 90 ° 광산 란 법 에 의한 광 산란 결함 의 밀도 가 , 2 × 108 / ㎤ 이하 이 기 때문 에 , 최고 온도 가 1200 ℃ 이상 에서 , 0 . 1 초 이하 의 레이저 어 닐 을 시행 해도 , 슬립 전위 는 발생 하 지 않 는다 . 따라서 , 산업 상 지극히 유용 하 다 .