또는 본 발명 의 다른 일 형태 는 제 1 골격 , 제 2 골격 , 제 3 골격 을 가지 고 , 전자 수송 층 에 사용 되 는 화합물 이 고 , 상기 제 1 골격 은 전자 를 수송 하 는 기능 을 가지 고 , 상기 제 2 골격 은 정공 을 수용 하 는 기능 을 가지 고 , 상기 제 3 골격 은 단일 고리 이 며 π 전자 부족 형 인 헤테로 방향 족 고리 를 가지 는 화합물 이 다 .