더불 어 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 디바이스 의 제조 방법 은 제 1 면 과 상기 제 1 면 의 반 대면 인 제 2 면 을 포함 하 는 금속 플레이트 를 구비 하 는 단계 ; 상기 금속 플레이트 의 제 1 면 과 제 2 면 에 각각 포토레지스트 필름 을 형성 하 는 단계 ; 상기 포토레지스트 필름 을 배리어 로 상기 제 2 면 에 대한 식각 을 진행 하 여 , 상기 포토레지스트 필름 의 패턴 에 따라 금속 플레이트 의 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 포토레지스트 필름 을 제거 하 는 단계 ; 상기 금속 플레이트 의 제 2 면 에 대해 절연 부재 를 형성 하 는 단계 ; 상기 금속 플레이트 의 제 2 면 으로부터 그라인딩 을 수행 하 여 서브 스트레이트 를 형성 하 는 단계 ; 및 상기 금속 플레이트 의 제 1 면 에 대해 반도체 다이 를 실장 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .