도 1 e 를 참조 하 면 , 전체 표면 상부 에 층간 절 연막 ( 미 도시 ) 을 형성 하 고 , 저장 전극 콘 택 및 비트 라인 콘 택 마스크 를 이용 한 사진 식각 공정 으로 상기 층간 절 연막 을 식각 하 여 상기 제 3 에피 택 셜 성장 층 ( 30 ) 을 노출 시키 는 저장 전극 콘 택 홀 ( 미 도시 ) 및 비트 라인 콘 택 홀 ( 미 도시 ) 을 형성 한다 .