도 13 의 제 2 순서 에 있 어서 는 , 웨이퍼 를 수용 한 처리 실 내 에 실리콘 을 포함 하 는 원료 가스 를 공급 함 으로써 , 웨이퍼 상 에 실리콘 함유층 을 형성 하 는 공정 ( 스텝 1 ) 과 , 처리 실 내 에 질소 를 포함 하 는 가스 를 플 라즈 마 또는 열 로 활성 화 하 여 공급 함 으로써 , 실리콘 함유층 을 질화 하 여 실리콘 질화 층 으로 개질 하 는 공정 ( 스텝 2 ) 과 , 가열 된 감압 의 처리 실 내 에 산소 함유 가스 와 수소 함유 가스 를 공급 함 으로써 , 실리콘 질화 층 을 산화 하 여 실리콘 산화층 으로 개질 하 는 공정 ( 스텝 3 ) 을 1 사이클 로 하 고 , 이 사이클 을 적어도 1 회 이상 수행 한다 .