또한 , 예 를 들 어 , 이 하의 ( 1 ) 내지 ( 6 ) 공정 을 거쳐 반도체 칩 패키지 가 제조 되 는 경우 , 본 발명 의 수지 조성물 은 , 재 배선 층 을 형성 하 기 위한 절연 층 으로서 의 재 배선 형성 층 용 의 수지 조성물 ( 재 배선 형성 층 형성 용 의 수지 조성물 ) , 및 반도체 칩 을 밀봉 하 기 위한 수지 조성물 ( 반도체 칩 밀봉 용 의 수지 조성물 ) 로서 도 적합 하 게 사용 할 수 있 다 . 반도체 칩 패키지 가 제조 될 때 , 밀봉 층 위 에 추가 로 재 배선 층 을 형성 해도 좋 다 .