상기 유기 반사 방지 막 은 반도체 기판 상 에 형성 되 는 포토레지스트 패턴 의 접합 특성 을 향상 시키 는 동시 에 상기 노광 시 에 포토레지스트 막 으로 입사 되 는 입사 광과 식각 대상 막 으로부터 반사 되 는 반사광 의 간섭 에 의해 발생 되 는 정재파 효과 를 방지 하 기 위해 기판 에 형성 될 수 있 다 . 또한 , 상기 유기 반사 방지 막 은 이전 공정 에서 기 형성 된 패턴 들 로부터 기인 하 는 단차 ( topography ) 에 따른 반사 및 모서리 에서 의 난 반사 를 방지 하 거나 현저히 감소 시키 는 작용 을 한다 .