반도체 메모리 장치 는 , 메모리 셀 , 워드 선 , 드라이버 회로 및 제 어 회로 를 포함 한다 . 메모리 셀 은 , 전하 축적 층 과 제어 게이트 를 포함 한다 . 복수 의 메모리 셀 은 직렬 접속 된다 . 워드 선 은 , 메모리 셀 의 제어 게이트 에 접속 된다 . 드라이버 회로 는 , 워드 선 을 선택 하 고 , 선택 한 워드 선 에 제 1 전압 을 인가 함 과 함께 , 비 선택 의 워드 선 에 제 2 전압 을 인가 하 는 프로그램 동작 을 반복 함 으로써 , 선택 한 워드 선 에 접속 된 메모리 셀 에 데이터 를 기입 한다 . 제 어 회로 는 , 프로그램 동작 이 반복 되 는 과정 에서 , 제 1 전압 을 스텝업 시킴 과 함께 , 제 1 전압 이 소정 의 제 1 임계 값 에 달할 때 까지 는 제 2 전압 을 일정 하 게 하 고 , 제 1 임계 값 에 달한 후 에 는 제 2 전압 을 스텝업 시킨다 .