GaAs 층 ( 202 ) 은 , 이 실시 형태 에 있 어서 는 저온 에서 형성 한다 . 따라서 , 저해 층 ( 104 ) 의 기능 은 완전히 작용 하 지 는 않 으며 , GaAs 의 형성 물 ( 204 ) 을 저해 층 ( 104 ) 의 표면 에 석출 시킨다 . 형성 물 ( 204 ) 은 적절 하 게 에칭 등 에 의해 제거 하 는 것 이 가능 하 고 , 도 12 에 도시 된 바 와 같이 , 형성 물 ( 204 ) 을 제거 한다 . 그 후 의 공정 은 , 반도체 기판 ( 101 ) 의 경우 와 동일 하 여도 좋 다 .