본 발명 은 도전 성 식각 부산물 로 인한 특성 열화 를 방지 할 수 있 는 자기 터널 접합 셀 ( Magnetic Tunnel Junction cell , MTJ cell ) 의 형성 방법 에 관한 것 으로 , 이 를 위한 본 발명 의 자기 터널 접합 셀 의 형성 방법 은 , 제 1 전극 상 에 피닝 막 , 핀 드 막 , 절 연막 및 자유 막 이 순차 적 으로 적층 하 는 단계 ; 상기 자유 막 상 에 제 2 전극 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 2 전극 을 식각 장벽 으로 상기 자유 막 및 절 연막 을 식각 하 여 제 1 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 패턴 의 측벽 에 쇼트 방지 막 을 형성 하 는 단계 및 상기 제 2 전극 및 상기 쇼트 방지 막 을 식각 장벽 으로 상기 핀 드 막 및 피닝 막 을 식각 하 여 제 2 패턴 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 고 있 으며 , 본 발명 에 따르 면 , 쇼트 방지 막 을 형성 함 으로써 , 피닝 막 을 식각 하 는 과정 에서 발생 된 도전 성 식각 부산물 로 인하 여 자기 터널 접합 셀 의 전기 적 인 특성 이 열화 되 는 것 을 방지 할 수 있 는 효과 가 있 다 .