상기 분리 시 의 열처리 온도 는 가능 한 한 낮 은 것 이 바람직 하 다는 점 에 주목 한다 . 분리 시 의 온도 가 낮 을수록 단결정 반도체 층 ( 516 ) 의 표면 거칠 음 을 억제 할 수 있 기 때문 이 다 . 구체 적 으로 는 , 예 를 들 어 , 상기 분리 시 의 열처리 온도 는 , 300 ℃ 이상 600 ℃ 이하 로 하 면 되 고 , 500 ℃ 이하 ( 400 ℃ 이상 ) 로 하 면 , 보다 효과 적 이 다 .