본 실시 예 는 이 에 착안 하 여 , 제 1 굴절 률 조절 층 ( 21 ) 과 제 2 굴절 률 조절 층 ( 22 ) 을 스퍼터링 증착 법 또는 전자선 증착 법 또는 레이저 증착 법 에 의해 자발 적 으로 나노 패 싯 ( facet ) 구조 를 형성 하 는 물질 을 채택 하 여 구성 한 후 , 이 물질 에 대해 증착 온도 20 ℃ 이상 1000 ℃ 이하 에서 , 스퍼터링 증착 공정 또는 전자선 증착 공정 또는 레이저 증착 공정 을 수행 함 으로써 , 제 1 굴절 률 조절 층 ( 21 ) 과 제 2 굴절 률 조절 층 ( 22 ) 의 단면 형상 을 별도 의 리소그래피 ( lithography ) 및 패 터닝 공정 을 수행 하 지 않 고 자발 적 으로 나노 패 싯 구조 를 갖 도록 할 수 있 다 .