도 3 c 에 도시 된 바 와 같이 , 세 정처 리후 시간지연 ( Time delay ) 없이 리세 스 드 표면 ( 27 A , 27 B ) 상 에 선택 적 에 피 탁 셜 성장 ( Selective Epitaxial Growth ) 공정 을 사용 하 여 선택 적 으로 에피 탁 셜 실리콘 층 ( 28 ) 과 에피 탁 셜 실리콘 저마늄 층 ( 29 ) 을 순차 적 으로 인시 튜 ( In - situ ) 성장 시킨다 . 세정 처리 후 시간 지연 없이 바로 선택 적 에 피 탁 셜 성장 ( Selective Epitaxial Growth ) 공정 을 진행 하 면 , 자연 산화 막 등 의 불순물 이 근본 적 으로 차단 된다 .