이어서 , 도 20 a 내지 도 20 c 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 본딩 패드 ( 171 ) 와 제 2 본딩 패드 ( 172 ) 가 형성 될 수 있 다 . 도 20 a 는 실시 예 에 따른 반도체 소자 제조 방법 에 따라 형성 된 상기 제 1 본딩 패드 ( 171 ) 와 상기 제 2 본딩 패드 ( 172 ) 의 형상 을 나타낸 평면도 이 고 , 도 20 b 는 도 20 a 에 도시 된 반도체 소자 의 B - B 선 에 따른 공정 단면도 를 나타낸 것 이 고 , 도 20 c 는 도 20 a 에 도시 된 반도체 소자 의 C - C 선 에 따른 공정 단면도 를 나타낸 것 이 다 .