또한 , 본 발명 에 의한 반도체 소자 의 제조 방법 은 기판 상부 에 폴리 실리콘 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 폴리 실리콘 층 상 에 텅스텐 과 식각 선택 비 를 갖 는 식각 정지 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 식각 정지 층 상 에 텅스텐 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 텅스텐 층 상 에 마스크 패턴 을 형성 하 는 단계 , 상기 텅스텐 층 을 식각 하 는 단계 , 상기 식각 정지 층 을 식각 하 는 단계 , 상기 폴리 실리콘 층 을 식각 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .