일실 시예 에서 , 반도체 나노 결정 들 의 알 로 이 쉘 은 코어 의 결정학 적 격자 간격 으로부터 최 외곽 층 의 결정학 적 격자 간격 까지 결정학 적 격자 간격 의 점진 적 변화 를 나타낸다 . 이 쉘 은 3 원 알 로이 ( ternary alloy ) 로서 , 격자 파라미터 , 에너지 갭 등등 같 은 반도 성 및 구조 적 성질 들 이 알 로 이 조성 변화 에 의해 제어 가능 한 방식 으로 바뀔 수 있 다 . 알 로 이 의 조성 은 상술 한 바 와 같이 3 원 알 로 이 의 조성 일 수 있 다 . 즉 , ABxC 1 - x 의 형태 를 가질 수 있 고 , 이때 , x 는 0 과 1 사이 에서 점진 적 으로 변화 하 는 값 이 다 . 따라서 , 알 로 이 쉘 PbSexS 1 - x 의 경우 에 , 그 조성 과 이 에 따른 재료 성질 이 PbSe 의 조성 및 성질 로부터 PbS 의 조성 및 성질 로 점차 바뀌 게 된다 . 조성 변화 는 나노 결정 반경 R 의 변화 를 따르 게 되 며 , 이때 , 알 로 이 쉘 의 조성 은 R 이 작 은 값 일 때 코어 의 조성 과 유사 하 며 , R 이 증가 함 에 따라 x 는 최소 값 을 향해 감소 한다 . 결정학 적 격자 간격 의 점진 적 변화 는 코어 와 쉘 간 의 계면 결함 을 방지 하 게 된다 . 이러 한 결함 들 은 전하 캐리어 에 대한 트랩 사이트 로 기능 하 게 되 며 , 광기 전 효율 을 저하 시키 게 된다 .