실리콘 웨이퍼 와 같 은 기판 상 에 막 을 증착 하 기 위한 반응 이 수행 되 기 전 에 , 반응 챔버 내 로 인입 되 기 위하 여 반응 가스 들 은 저 장부 로부터 도관 ( conduit ) 및 샤워 플레이트 를 통하 여 유동 될 수 있 다 . 상기 샤워 플레이트 는 상부 표면 및 하부 표면 을 가지 고 , 상기 상부 표면 으로부터 상기 하부 표면 까지 상기 샤워 플레이트 를 관통 하 여 연장 하 는 많 은 홀 들 을 포함 한다 . 반응 가스 들 및 세정 가스 들 을 포함 하 는 다른 가스 들 은 , 상기 기판 상 에 배분 되 기 전 에 상기 샤워 플레이트 의 홀 들 을 통하 여 유동 한다 . 상기 샤워 플레이트 의 목적 은 막 의 증착 을 더 균일 하 게 하 기 위하 여 , 상기 기판 표면 을 가로질러 반응 가스 들 을 균일 하 게 배분 하 는 것 이 다 . 막 두께 균 일도 를 증진 하 기 위하 여 , 상기 샤워 플레이트 의 홀 들 은 통상 적 으로 일단 부 에서 수축 되 고 , 이 에 따라 상기 홀 들 은 배 출부 또는 가스 가 배출 되 는 영역 에 비하 여 더 큰 인입 부 , 또는 가스 가 인입 되 는 영역 을 가진다 . 또한 , 상기 샤워 플레이트 는 , 예 를 들 어 평행 플레이트 CVD 장치 내 에서 , 전극 으로서 기능 할 수 있 으며 , 이 에 따라 웨이퍼 공정 단계 중 에 상기 반응 챔버 내 에서 가스 들 을 플 라즈 마로 활성 화 한다 .