상기 도 펀트 층 ( 114 ) 과 상기 제 1 산화아연 층 ( 116 ) 은 각각 스퍼터링 , 분자 빔 에피택시 ( MBE : molecular beam epitaxy ) , e - 빔 증착 ( e - beam evaporation ) , 열 증착 ( thermal evaporation ) , 원자 층 에피택시 ( atomic layer epitaxy ) , PLD ( pulsed laser deposition ) , 화학 기상 증착 ( CVD : chemical vapor deposition ) , 졸 - 겔 법 , 원자 층 증착 ( ALD : atomic layer deposition ) 등 의 방법 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 이상 의 방법 을 이용 하 여 도 펀트 층 ( 114 ) 과 제 1 산화아연 층 ( 116 ) 을 형성 하 는 방법 은 당 기술 분야 에 잘 알려져 있 으므로 상세 한 설명 은 생략 한다 .