본 발명 에 따르 면 , 기판 상면 에 Au ( 금 ) 가 진공 증착 되 면서 Au 가 결정 화 되 어 Au 박막 이 형성 되 는 Au 증착 단계 ; Au 박막 상면 에 도전 성 소재 또는 반도 성 소재 를 진공 증착 시키 는 상부 박막 증착 단계 ; 및 Au 박막 상면 에 도전 성 소재 또는 반도 성 소재 가 증착 되 는 동안 , 증착 되 는 도전 성 소재 또는 반도 성 소재 가 결정 화 된 Au 박막 의 결정 구조 에 대응 되 는 형상 으로 성장 하 여 자기 결정화 가 이루어짐 에 따라 결정 상태 의 상부 박막 이 형성 되 는 상부 박막 자기 결정 화 단계 를 포함 하 는 저온 다결정 성장 방법 이 제공 된다 . 개시 된 저온 다결정 성장 방법 에 따르 면 , 별도 의 열처리 와 같 은 후속 공정 없이 도 저온 의 환경 에서 결정 화도 가 높 은 Au 를 이용 함 에 따라 기판 에 증착 되 는 비정질 상태 의 ITO 또는 Si 소재 의 자기 결정 화 유도 가 가능 하 여 제작 비용 및 제작 시간 을 크 게 절감 할 수 있 는 이점 이 있 다 .