패턴 화 된 포토레지스트 층 을 에칭 마스크 층 으로서 사용 하 여 이방성 에칭 공정 이 수행 될 수 있 다 . 이방성 에칭 공정 은 제 2 기판 ( 708 ) 의 마스킹 되 지 않 은 영역 들 을 통해 그리고 근위 상호 연결 - 레벨 유전체 재료 층 들 ( 740 ) 을 통해 에칭 할 수 있 다 . 이방성 에칭 공정 의 다양 한 단계 들 의 에칭 화학 작용 들 은 다양 한 마스킹 되 지 않 은 재료 부분 들 을 통해 에칭 하 도록 선택 될 수 있 고 , 이방성 에칭 공정 의 최종 단계 는 제 2 금속 상호 연결 구조물 들 의 금속 성 재료 에 대해 선택 적 으로 근위 상호 연결 - 레벨 유전체 재료 층 들 ( 740 ) 중 하나 를 이방성 으로 에칭 하 는 에칭 화학 작용 을 포함 할 수 있 다 .