상술 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 바이 폴라 트랜지스터 의 제조 방법 은 제 1 도전 형 의 제 1 웰 영역 과 제 2 도전 형 의 제 2 웰 영역 이 형성 된 반도체 기판 의 소자 분리 영역 에 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 2 웰 영역 의 소정 영역 에 제 2 도전 형 의 이온 을 주입 하 여 , 콜렉터 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 웰 영역 에 제 1 도전 형 의 저 농도 이온 을 주입 하 여 , 제 3 웰 영역 을 형성 하 고 , 상기 제 3 웰 영역 에 제 1 도전 형 의 고농 도 이온 을 주입 하 여 , 베이스 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 반도체 기판 을 소정 깊이 패 터닝 하 여 , 상기 제 3 웰 영역 을 노출 하 는 단계 와 , 상기 패 터닝 된 반도체 기판 의 측벽 에 스 페이서 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 스 페이서 가 형성 된 기판 전면 에 도전 막 을 형성 한 후 패 터닝 하 여 , 상기 제 3 웰 영역 과 접촉 되 도록 에 미터 전극 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 에 미터 전극 이 형성 된 기판 전면 에 확산 공정 을 수행 하 여 , 상기 제 3 웰 영역 에 에 미터 영역 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .