SOI 기판 의 제조 방법 은 다양 한 것 이 있 지만 , 높 은 품질 과 SOI 층 을 갖 는 SOI 기판 의 생산 하 기 쉬움 ( 높 은 스루풋 ) 을 양립 시킨 방법 으로서 스마트 컷 트 ( Smart Cut ) ( 등록 상표 ) 가 알려져 있 다 . 이 SOI 기판 은 다음 과 같 은 방법 으로 형성 된다 . 실리콘 층 의 베이스 가 되 는 베이스 웨이퍼 에 수소 이온 을 주입 하 고 , 이 결과 얻 어 지 는 웨이퍼 를 다른 웨이퍼 ( 본드 웨이퍼 ) 에 실온 에서 붙인다 . 베이스 웨이퍼 와 본드 웨이퍼 사이 에 는 반 데르 발스 력 으로 인해 실온 에서 도 강고 한 접합 을 형성 할 수 있 다 . 본드 웨이퍼 와 접합 된 베이스 웨이퍼 를 500 ℃ 정도 의 온도 에서 열처리 하 여 , 수소 이온 이 주입 된 층 을 경계 로 사용 하 여 실리콘 층 을 베이스 웨이퍼 로부터 박리 한다 .