버퍼 막 상 에 는 박막 트랜지스터 ( 1235 ) 들 이 형성 된다 . 박막 트랜지스터 ( 1235 ) 들 각각 은 액티브 층 ( 1231 ) , 게이트 전극 ( 1232 ) , 소스 전극 ( 1233 ) 및 드레 인 전극 ( 1234 ) 을 포함 한다 . 도 7 에서 박막 트랜지스터 ( 1235 ) 들 각각 은 게이트 전극 ( 1232 ) 이 액티브 층 ( 1231 ) 의 상부 에 위치 하 는 상부 게이트 ( 탑 게이트 , top gate ) 방식 으로 형성 된 것 을 예시 하 였으나 , 이 에 한정 되 지 않 음 에 주의 하 여야 한다 . 즉 , 박막 트랜지스터 ( 1235 ) 들 각각 은 게이트 전극 ( 1232 ) 이 액티브 층 ( 1231 ) 의 하부 에 위치 하 는 하부 게이트 ( 보텀 게이트 , bottom gate ) 방식 또는 게이트 전극 ( 1232 ) 이 액티브 층 ( 1231 ) 의 상부 와 하부 에 모두 위치 하 는 더블 게이트 ( double gate ) 방식 으로 형성 될 수 있 다 .