이러 한 문제 를 해결 하 기 위해 에피 택 셜 층 을 성장 시키 기 전 에 기판 상 에 AlxGa ( 1 - x ) N 의 다결정 박막 을 버퍼 층 으로 성장 시키 는 방법 이 제안 되 었 다 . 이 는 사파이어 기판 상 에 섭씨 400 내지 900 도 의 저온 에서 버퍼 층 을 성장 시킨 다음 , 고온 에서 버퍼 층 상 에 도핑 되 지 않 은 GaN 층 또는 실리콘 ( Si ) 이 도핑 된 n - GaN 층 을 성장 한다 . 이러 한 방법 을 통해 에피 택 셜 층 의 결정 성 을 어느 정도 개선 시킬 수 있 다 .