제 1 및 제 2 양극 ( 331 , 332 ) 표면 에 이산화 티탄 ( TiO 2 ) , 로듐 ( Rh ) , 백금 ( Pt ) , 팔라듐 ( Pd ) , 루테늄 ( Ru ) , 아연 ( Zn ) , 지르코늄 ( Zr ) , 하프늄 ( Hf ) , 바나듐 ( V 2 O 5 ) , 니오븀 , 텅스텐 ( W ) , 철 ( Fe ) , 산화 루테늄 ( RuO 2 , RuO 4 ) , 산화 로듐 ( Rh 2 O 3 ) , 산화 구리 ( CuO ) , 산화아연 ( ZnO ) , 산화지르코늄 ( ZrO 2 ) , 이산화규소 ( SiO 2 ) , 산화 티타늄 ( TiO 2 ) , 산화 하프늄 ( HfO 2 ) , 산화알루미늄 ( Al 2 O 3 ) , 산화바나듐 ( VO , V 2 O 3 ) , 산화 니오븀 ( Nb 2 O 5 ) , 산화 텅스텐 ( WO ) , 망간 ( Mn ) 및 산화철 ( FeO ) 중 에서 어느 한 가지 이상 의 물질 이 선택 및 도포 하 여 플라이 애쉬 에 함유 되 어 있 거나 처리 과정 중 에 발생 되 는 일산 화 탄소 ( CO ) , 질소 산화물 ( NOX ) , 황산화물 ( SOX ) 등 의 물질 처리 효율 을 향상 시킨다 .