본 실시 예 에서 , 쓰 기 동작 을 하 기 위해서 는 소스 ( 12 ) 를 접지 시키 고 드레 인 ( 14 ) ( VG ) 에 3 ~ 6 V , 쓰 기 전압 6 ~ 11 V 를 컨트롤 게이트 ( 18 ) ( VG ) 와 기판 ( 10 ; Vsub ) 사이 에 인가 한다 . 이 경우 소자 의 기판 ( 10 ) 에 반전 층 에 생성 된 전자 들 이 열전자 상태 가 되 어 터널 산화 막 ( 15 ; SiO 2 ) 층 을 넘 어 플로팅 게이트 ( 16 ) 층 에 포획 되 게 된다 . 이 상태 를 상태 ' 0 ' 으로 정의 한다 . 포획 된 전자 는 게이트 전극 을 향해 내부 전계 를 발생 하 게 된다 .