이후 하드 마스크 패턴 ( 230 ) 을 식각 마스크 로 사용 하 여 라인 컷 영역 ( CT ) 의 제 2 희생 게이트 ( 226 ) 및 제 1 희생 게이트 ( 222 ) 를 제거 하 고 라인 컷 리세 스 영역 ( 190 R ) 을 형성 할 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 들 에 있 어서 , 라인 컷 리세 스 영역 ( 190 R ) 의 바닥 부 에 희생 게이트 절연 층 패턴 ( 224 ) 이 잔류 할 수 있 다 . 그러나 본 발명 의 기술 적 사상 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 제 2 희생 게이트 ( 226 ) 및 제 1 희생 게이트 ( 222 ) 를 제거 하 는 공정 에서 희생 게이트 절연 층 패턴 ( 224 ) 이 함께 제거 될 수 도 있 다 .