특정 실시 형태 에 있 어서 , 비가역 상태 를 메모리 셀 ( 102 ) 에 프로그래밍 하 기 전 , 메모리 셀 ( 102 ) 은 기입 전압 ( 프로그램 전압 에 대향 됨 ) 을 제 1 저항 메모리 엘리먼트 ( 106 ) 에 또는 제 2 저항 메모리 엘리먼트 ( 108 ) 에 인가 하 여 가역 값 을 메모리 셀 ( 102 ) 에 저장 함 으로써 다 수회 프로그램 가능 ( MTP ) 셀 로서 사용 될 수 도 있 다 . MTP 셀 들 의 예 들 은 도 4 에 관하 여 더 설명 된다 . 메모리 셀 ( 102 ) 의 원타임 프로그램 가능 ( OTP ) 셀 또는 MTP 셀 로서 의 사용 은 , 기입 전압 을 제 1 저항 메모리 엘리먼트 ( 106 ) 에 또는 제 2 저항 메모리 엘리먼트 ( 108 ) 에 인가 한 후 , 제 1 저항 메모리 엘리먼트 ( 106 ) 및 제 2 저항 메모리 엘리먼트 ( 108 ) 의 각각 의 메모리 엘리먼트 를 판독 함 으로써 메모리 셀 ( 102 ) 의 동작 의 테 스팅 을 가능 케 한다 .