그런 다음 , 감광막 ( 32 b ) 패턴 을 콘 택 마스크 로 이용해 주변 회로 부 의 PMOS 트랜지스터 영역 ( P ) 상 의 절연 산화 막 ( 30 ) 과 그 하부 의 게이트 하드 마스크 층 ( 16 ) 을 식각 하 여 비트 라인 콘 택 홀 ( 36 ) 을 형성 하 고 , 또한 절연 산화 막 ( 30 ) 과 그 하부 의 절연 산화 막 ( 26 ) 을 식각 하 여 또 다른 비트 라인 콘 택 홀 ( 36 ) 을 형성 한 다음 , 잔여 감광막 ( 32 b ) 을 습식 식각 하 여 제거 한다 .