애노드 ( 342 ) 및 평탄 화 층 ( 337 ) 상 에 배치 되 는 뱅크 ( 350 ) 는 실제로 광 을 발광 하 는 영역 을 구획 하 는 화소 를 정의 할 수 있 다 . 애노드 ( 342 ) 상 에 포토레지스트 ( Photoresist ) 를 형성 한 후 에 사진 식각 공정 ( Photolithography ) 에 의해 뱅크 ( 350 ) 를 형성 한다 . 포토레지스트 는 광 의 작용 에 의해 현상액 에 대한 용해 성 이 변화 되 는 감광성 수지 를 말 하 며 , 포토레지스트 를 노광 및 현상 하 여 특정 패턴 이 얻 어 질 수 있 다 . 포토레지스트 는 포지티브 형 포토레지스트 ( Positive Photoresist ) 와 네거티브 형 포토레지스트 ( Negative photoresist ) 로 분류 될 수 있 다 . 포지티브 형 포토레지스트 는 노광 으로 노광 부 의 현상액 에 대한 용해 성 이 증가 되 는 포토레지스트 를 말 하 며 , 포지티브 형 포토레지스트 를 현상 하 면 노광 부 가 제거 된 패턴 이 얻 어 진다 . 그리고 , 네거티브 형 포토레지스트 는 노광 으로 노광 부 의 현상액 에 대한 용해 성 이 크 게 저하 되 는 포토레지스트 를 말 하 며 , 네거티브 형 포토레지스트 를 현상 하 면 비노 광부 가 제거 된 패턴 이 얻 어 진다 .