상기 발광 구조물 ( 310 ) 은 n - p 접합 구조 , p - n 접합 구조 , n - p - n 접합 구조 , p - n - p 접합 구조 중 어느 한 구조 로 구현 할 수 있 다 . 여기 서 , 상기 p 는 p 형 반도체 층 이 며 , 상기 n 은 n 형 반도체 층 이 며 , 상기 - 은 p 형 반도체 층 과 n 형 반도체 층 이 직접 접촉 되 거나 간접 접촉 된 구조 를 포함 한다 . 이하 , 설명 의 편의 를 위해 , 발광 구조물 ( 310 ) 의 최 상층 은 제 2 도전 형 반도체 층 ( 315 ) 으로 설명 하 기 로 한다 .