본 발명 은 또한 , 상기 서술 한 본 발명 의 경화 릴리프 패턴 의 제조 방법 에 의해 얻 어 지 는 경화 릴리프 패턴 을 포함 하 는 반도체 장치 를 제공 한다 . 본 발명 은 반도체 소자 인 기재 와 , 상기 기재 상 에 상기 서술 한 경화 릴리프 패턴 제조 방법 에 의해 형성 된 수지 의 경화 릴리프 패턴 을 포함 하 는 반도체 장치 도 제공 한다 . 또 , 본 발명 은 기재 로서 반도체 소자 를 사용 하 여 , 상기 서술 한 경화 릴리프 패턴 의 제조 방법 을 공정 의 일부 로서 포함 하 는 반도체 장치 의 제조 방법 에 도 적용 할 수 있 다 . 본 발명 의 반도체 장치 는 , 상기 경화 릴리프 패턴 제조 방법 에 의해 형성 되 는 경화 릴리프 패턴 을 , 표면 보호막 , 층간 절 연막 , 재 배선용 절 연막 , 플립 칩 장치 용 보호막 , 또는 범프 구조 를 갖 는 반도체 장치 의 보호막 등 으로서 형성 하 고 , 이미 알려진 반도체 장치 의 제조 방법 과 조합 함 으로써 제조 할 수 있 다 .