이 와 같 은 구조 의 비휘발성 메모리 소자 ( 1000 e ) 는 도 4 g 및 도 6 을 참조 하 여 상술 한 제조 방법 에서 , 상기 공통 소스 라인 ( 200 ) 을 형성 한 후 , 반도체 영역 들 ( 130 ) 의 사이 마다 제 4 개 구부 ( 109 ) 를 형성 한다 . 즉 , 상기 제 4 개 구부 ( 109 ) 는 반도체 영역 ( 130 ) 하나 마다 하나 씩 형성 될 수 있 다 . 상기 제 4 개 구부 ( 109 ) 는 스트링 선택 트랜지스터 들 ( SST 1 , SST 2 ) ( 도 3 참조 ) 의 하단 까지 형성 될 수 있 다 . 이후 , 도 4 j 를 참조 하 여 상술 한 공정 과 동일 한 공정 에 의해 절연 영역 들 ( 180 ) 을 형성 할 수 있 다 .