즉 , 플 래 이 트 에 안착 된 웨이퍼 의 전체 대역 에 대한 온도 조절 을 위하 여 , 웨 이 퍼 전 영역 또는 특정 영역 에 국한 되 어 플 래이 트 를 가열 하 고 , 이 를 통해 온도 조절 을 진행 하 였으며 , 온도 감지 또한 웨이퍼 의 중앙 ( Center ) 부위 , 가장 자리 ( Edge ) 부위 및 , 중간 ( Middle ) 부위 에 위치 한 복수 영역 에 대하 여 온도 를 측정 하 여 온도 를 제어 하 는 경험 적 인 방식 에 의존 하 여 온 것 이 현실 이 다 . 그러나 이 와 같 은 온도 조절 방식 의 경우 , 챔버 구조 상 중앙 부위 와 가장자리 부위 와 의 온도 차 로 인하 여 열 적 손실 및 열 원 에너지 의 전도 및 포화 등 으로 인한 불 균형 , 그리고 반도체 제조 설비 의 공정 시 다양 한 변수 예 를 들 어 , 고주파 ( RF ) , 가스 등 과 같 은 외란 적 요소 에 대하 여 웨이퍼 전 영역 에 대한 정확 하 고 균일 한 온도 제어 가 되 지 않 는 단점 이 있 으며 , 결국 이 는 해당 공정 의 처리 시 오류 및 치명 적 인 결과 가 야기 되 는 문제점 을 가지 고 있 다 .