이때 , 터널 링 절 연막 ( 201 ) 은 실질 적 으로 F - N 터널 링 ( Fouler - Nordheim Tunneling ) 이 일어나 는 층 으로서 , 산화 막 , 예컨대 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 으로 형성 하 거나 , 산화 막 과 질화 막 , 예컨대 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 의 적층 구조 로 형성 할 수 있 으며 , 그 제조 방법 으로 는 건식 산화 ( dry oxidation ) , 습식 산화 ( wet oxidation ) 또는 라디컬 산화 ( radical oxidation ) 공정 을 이용 한다 .