본 명세서 의 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 는 , 소자 기판 상 에 위치 하 고 소스 영역 과 드레 인 영역 사이 에 위치 하 는 채널 영역 을 포함 하 는 산화물 반도체 패턴 , 산화물 반도체 패턴 의 채널 영역 과 중첩 하 고 제 1 수소 배리 어 층 과 게이트 도전 층 의 적층 구조 인 게이트 전극 , 및 산화물 반도체 패턴 과 게이트 전극 사이 에 위치 하 고 산화물 반도체 패턴 의 소스 영역 및 드레 인 영역 을 노출 하 는 게이트 절 연막 을 포함 할 수 있 다 . 그리고 , 게이트 전극 은 소스 영역 에 인접 한 게이트 절 연막 의 일부 영역 및 드레 인 영역 에 인접 한 게이트 절 연막 의 일부 영역 을 노출 할 수 있 다 .