본 실시 예의 상기 마이크 로 통합 스펙트로미터 에서 , 만약 광변조 층 ( 1 ) 을 제조 함 에 있 어서 직접 증착 하 여 성장 시키 는 공정 방안 을 적용 할 경우 , 화학 기상 증착 법 , 스퍼터링 및 스핀 코팅 등 방식 을 통하 여 스펙트럼 검출 층 에 상기 투광 매질 층 ( 4 ) 을 커버 한 후 , 그 상방 에서 광변조 층 ( 1 ) 부분 의 증착 , 에칭 을 진행 하 면 된다 . 만약 전사 하 는 공정 방안 을 적용 할 경우 , 이산화규소 를 광변조 층 ( 1 ) 의 제조 기판 으로 하 고 , 기판 의 상반부 에서 직접 마이크 로 나노 천 공 가공 을 통하 여 광변조 층 ( 1 ) 을 제조 한 후 , 이산화규소 기판 의 하반부 를 직접 투광 매질 층 ( 4 ) 으로 하 고 , 제조 한 광변조 층 ( 1 ) 과 투광 매질 층 ( 4 ) 이 두 부분 전체 를 광 검출 층 으로 전사 하 면 된다 .