어떤 실시 예 들 에서 , 버퍼 층 은 절연 층 을 포함 할 수 있 다 . 절연 층 은 예 를 들 어 , 약 2 nm 미만 으로 얇 아야 하 므로 , 전자 들 은 전도 금속 영역 ( conducting metal region ) , 예 를 들 어 , 스위칭 층 및 제 1 전극 에서 의 은 입자 들 로부터 얇 은 절연 버퍼 층 에 걸쳐 터널 링 할 수 있 다 . 전자 터널 링 ( electron tunneling ) 은 적당 한 전압 이 전극 들 에 인가 될 때 에 디바이스 가 온 상태 에 있 는 것 을 허용 한다 . 또한 , 전자 터널 링 은 작 은 바이어스 전압 이 인가 될 때 에 디바이스 의 적당 한 판독 동작 을 허용 한다 . 특정 실시 예 에서 , 이러 한 버퍼 층 및 제 1 전극 사이 의 접촉 저항 은 중요 하 지 않 을 수 있 다 .