우선 , 판독 을 행하 는 1 행 째 의 메모리 셀 이 갖 는 , 용량 선 CL 1 의 선택 을 행한다 . 구체 적 으로 도 4 에서 는 , 용량 선 CL 1 에 접 지 전위 ( GND ) 가 공급 되 고 , 다른 용량 선 CL 2 ∼ CLy 에 하이 ( high ) 레벨 의 전위 ( VDD ) 가 공급 된다 . 또한 판독 기간 Tr 에서 는 , 모든 제 1 워드 선 WLCG 는 , 접지 전위 ( GND ) 가 공급 됨 으로써 비 선택 의 상태 로 되 어 있 다 . 그리고 , 용량 선 CL 1 의 선택 이 행해 지 고 있 는 기간 에서 , 모든 소스 선 SL 에 는 하이 ( high ) 레벨 의 전위 ( VR ) 가 공급 된다 . 또한 , 전위 ( VR ) 는 , 전위 ( VDD ) 와 같 거나 , 그렇 지 않 으면 전위 ( VDD ) 보다 낮 고 접 지 전위 ( GND ) 보다 도 높 은 전위 인 것 으로 함 을 주목 하 라 .