본 개시 내용 의 다양 한 3 차원 메모리 디바이스 들 은 모놀리식 3 차원 NAND 스트링 메모리 디바이스 를 포함 하 며 , 본 명세서 에 기술 된 다양 한 실시 예 들 을 사용 하 여 제작 될 수 있 다 . 모놀리식 3 차원 NAND 스트링 은 기판 위 에 위치 된 NAND 스트링 들 의 모놀리식 3 차원 어레이 내 에 위치 된다 . NAND 스트링 들 의 3 차원 어레이 의 제 1 디바이스 레벨 내 의 적어도 하나 의 메모리 셀 이 NAND 스트링 들 의 3 차원 어레이 의 제 2 디바이스 레벨 내 의 다른 메모리 셀 위 에 위치 된다 .