발광 디바이스 5 - 1 은 발광 디바이스 4 - 1 에서 의 dchPAF 를 상기 구조식 ( vi ) 으로 나타내 어 지 는 N -[( 3 ', 5 '- 다 이 삼 차 뷰 틸 ) - 1 , 1 '- 바이페닐 - 4 - 일 ] - N -( 4 - 사이클 로 헥 실 페닐 ) - 9 , 9 - 다이메틸 - 9 H - 플 루 오렌 - 2 - 아민 ( 약칭 : mmtBuBichPAF ) 으로 바꾼 것 을 제외 하 고 는 발광 디바이스 4 - 1 과 마찬가지 로 제작 하 였 다 . 또한 발광 디바이스 5 - 2 내지 발광 디바이스 5 - 4 는 mmtBuBichPAF 를 막 두께 가 35 nm 가 되 도록 증착 한 후 에 , DBfBB 1 TP 를 발광 디바이스 5 - 2 에서 는 15 nm 가 되 도록 , 발광 디바이스 5 - 3 에서 는 20 nm 가 되 도록 , 발광 디바이스 5 - 4 에서 는 25 nm 가 되 도록 증착 하 여 정공 수송 층 ( 112 ) 을 형성 한 것 을 제외 하 고는 , 발광 디바이스 5 - 1 과 마찬가지 로 제작 하 였 다 .