인듐 도핑 된 산화주석 투명 전도체 위 에 입경 5 내지 15 nm 정도 크기 의 산화 티타늄 분 산액 을 닥터 블레이드 법 을 이용 하 여 1 cm 2 면적 에 도포 하 고 , 450 ℃ 에서 30 분 간 열처리 소성 공정 을 통해 18 ㎛ 두께 의 다공성 산화 티타늄 후막 을 제작 하 였 다 . 그 후 80 ℃ 에서 시편 을 유지 한 후 하 기 화학식 8 의 구조 를 갖 는 화합물 을 에탄올 에 용해 시킨 0 . 3 mM 염료 분 산액 에 10 mM 농도 로 상기 디 옥시 콜린 산 을 첨가 에 침지 하 여 염료 흡착 처리 를 12 시간 이상 실시 하 였 다 . 이후 염료 흡착 된 다공성 산화 티타늄 후막 을 에탄올 을 이용 하 여 세척 하 고 상온 건조 하 여 광 흡수 층 이 형성 된 제 1 전극 을 제조 하 였 다 .