이러 한 형광체 코팅 과정 에 의해 , 도 4 의 ( b ) 에 도시 된 것 과 같 은 형광체 층 ( 30 ) 이 상기 복수 의 LED ( 20 ) 상 에 형성 된다 . 이때 , 서브 마운트 ( 10 ) 상 에 도 형광체 의 코팅 이 이루어지 지만 , 상기 마스크 지그 ( M ) 에 의해 가려진 제 1 및 제 2 도전 성 패턴 ( 12 a , 12 b ) 의 일부 를 포함 하 는 영역 은 형광체 층 의 형성 이 제외 된다 . 그리고 , 형광체 층 의 형성 이 제외 된 영역 은 도 5 에 도시 된 것 과 같이 도전 성 패턴 이 노출 되 며 , 그 도전 성 패턴 이 노출 된 영역 들 은 상기 제 1 및 및 제 2 도전 성 패턴 ( 12 a , 12 b ) 들 각각 의 접점 영역 ( 120 ; 도 5 내지 도 8 참조 ) 이 된다 .