따라서 , 상기 열 산화 에 따른 파라미터 중 적어도 하나 이상 을 조정 하 고 , 및 / 또는 , 오 목부 를 형성 할 때 의 드라이 에칭 시간 을 조정 함 으로써 , 리세 스 LOCOS 층 ( 107 ) 을 상기 형태 ( 즉 , 리세 스 LOCOS 층 ( 107 ) 의 표면 이 Si 기판 ( 1 ) 표면 보다 도 상측 에 위치 하 고 , 또한 , 그 표면 간 의 단차 L 이 후 공정 에서 형성 되 는 Si 층 ( 13 ) 의 두께 와 동일 한 정도 로 되 도록 하 는 형태 ) 로 형성 하 는 것 이 가능 하 다 . 이 제 2 실시 형태 에서 는 , 예 를 들 면 , 드라이 에칭 의 시간 을 약간 짧 게 하 여 오목 부를 얕 게 형성 함 으로써 , 리세 스 LOCOS 층 ( 107 ) 을 상기 형태 로 형성 하 는 것 으로 한다 .