기업 들 이 선보인 기술 중 에선 삼성전자 와 SK 하이닉스 가 세계 최초 로 개발 한 2 세대 10 나노 급 D 램 기술 이 첫 손가락 에 꼽혔 다 . 삼성전자 는 세계 최초 로 2 세대 10 나노 급 공정 을 적용 해 16 Gb ( 기 가 비트 ) LPDDR 4 X 모바일 D 램 을 개발 했 다 . 내년 초 출시 될 프리미엄 스마트폰 신 제품 에 탑재 될 예정 이 다 . SK 하이닉스 역시 2 세대 10 나노 급 16 Gb DDR 5 D 램 을 내놨 다 . 기존 제품 의 최대치 보다 1 . 6 배 빨라진 모델 이 다 .