이어서 , 도 4 c 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 에치 스톱 퍼 ( 111 ) 상 에 제 2 감광막 ( 미 도시 ) 을 도포 한 후 상기 제 2 감광막 위 에 제 2 마스크 공정 으로 회절 노광 마스크 인 제 2 마스크 ( 미 도시 ) 를 위치 시킨 상태 에서 자외선 과 같 은 광 을 조사 하 고 이어 현상 공정 을 진행 하 여 , 제 2 감광막 패턴 ( 113 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 제 2 감광막 패턴 ( 113 ) 의 중앙 부분 은 양 측면 보다 막 두께 가 더 두껍 게 형성 된다 . 즉 , 이 는 회절 마스크 를 이용 하 여 제 2 감광막 의 중앙 부분 으로 광 투과 가 되 지 않 도록 한 반면 에 , 제 2 감광막 의 양 측면 쪽 으로 는 약간 의 광이 투과 되 도록 하 므로써 가능 하 다 . 또한 , 상기 제 2 감광막 패턴 ( 113 ) 은 소자 의 반도체 층 영역 을 한정 한다 .