먼저 , 도 2 a 를 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 디바이스 ( 100 ) 의 제조 방법 중 전면 처리 공정 에서 는 더미 기판 ( 10 ) 위 에 시드 층 ( 11 , 12 ) 을 형성 하 는 단계 가 이루어진다 . 상기 더미 ( 10 ) 의 상면 전체 에 하부 층 ( 11 ) 으로 티타늄 층 , 상부 층 ( 12 ) 으로 구리 층 이 형성 되 거나 , 또는 하부 층 ( 11 ) 으로 티타늄 텅스텐 층 , 상부 층 ( 12 ) 으로 구리 층 이 형성 됨 으로써 , 추후 재배 선 층 ( 111 ) 의 도금 을 위한 시드 층 ( 11 , 12 ) 이 구비 된다 . 각각 의 재 배선 층 ( 111 ) 하부 에 는 시드 층 이 ( 11 , 12 ) 존재 한다 .