도 3 b 를 참조 하 면 , 도 3 a 의 필드 영역 들 ( F 1 내지 Fn ) 내 트렌치 ( 310 ) 에 소자 분리 막 ( 320 ) 이 형성 된다 . 소자 분리 막 ( 320 ) 은 절연 물질 이 면 모두 적용 가능 하 며 , 바람직 하 게 갭 필 능력 이 우수 한 SOD ( Spin on Dielectric ) 또는 SOG ( Spin On Glass ) 물질 로 형성 될 수 있 다 .