상기 제 1 실리콘 절 연막 ( 30 ) 의 두께 는 1 ÅA 내지 10 ÅA 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 실리콘 절 연막 ( 30 ) 의 두께 가 1 Å 이하 인 경우 상기 전극 ( 20 ) 및 상기 기판 ( 10 ) 의 금속 물질 이 산화 되 는 것 을 방지 하 기 힘들 수 있 고 , 상기 제 1 실리콘 절 연막 ( 30 ) 의 두께 가 10 Å 이상 인 경우 실리콘 절 연막 의 유전 율 이 커질 수 있 다 . 상기 제 1 실리콘 절 연막 ( 30 ) 이 MRAM ( Magnetic random access memory ) 에서 는 그 두께 가 10 ÅA 내지 100 ÅA 로 형성 될 수 있 고 , 반도체 소자 의 종류 에 따라서 상기 제 1 실리콘 절 연막 ( 30 ) 의 두께 가 변화 할 수 있 다 .