이 어 , 상기 반도체 층 ( 310 ) 의 일정 영역 에 대응 되 도록 상기 게이트 절 연막 ( 315 ) 상 에 게이트 전극 ( 320 ) 을 형성 한다 . 상기 게이트 전극 ( 320 ) 은 알루미늄 ( Al ) , 알루미늄 합금 ( Al alloy ) , 몰리브덴 ( Mo ) , 몰리브덴 합금 ( Mo alloy ) , 텅스텐 ( W ) , 텅스텐 실리사이드 ( WSi 2 ) 로 이루어진 군 에서 선택 되 는 하나 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .