제 3 게이트 유전 막 ( 167 ) 은 제 1 적층 구 조체 ( SS 1 ) 와 제 3 강유전체 막 ( 165 ) 사이 에 개재 될 수 있 다 . 제 4 게이트 유전 막 ( 267 ) 은 제 2 적층 구 조체 ( SS 2 ) 와 제 4 강유전체 막 ( 265 ) 사이 에 개재 될 수 있 다 . 제 3 게이트 유전 막 ( 167 ) 및 제 4 게이트 유전 막 ( 267 ) 은 제 3 방향 ( Z ) 을 따라 연장 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 3 게이트 유전 막 ( 167 ) 및 제 4 게이트 유전 막 ( 267 ) 은 복수 의 제 2 절연 패턴 ( 210 ) 의 측면 및 복수 의 제 2 반도체 패턴 ( 220 ) 의 측면 을 따라 연장 될 수 있 다 .