특히 , 마스크 패턴 ( 14 ) 제거 후 열처리 , 열처리 후 세정 공정 과 같 은 각각 의 공정 은 시간 간격 이 적어도 2 시간 을 넘 지 않 도록 시간지연 ( Time Delay ) 없이 연속 적 으 로 진행 할 수 있 다 . 이 는 각 공정 간 에 2 시간 이상 시간 지연 이 되 는 경우 폴리 실리콘 층 ( 13 , 13 A ) 상 에 얇 은 산화 막 등 이 형성 되 어 절 연막 역할 을 함 으로써 게이트 패턴 이 저항 으로 작용 하 게 되 는 문제 를 방지 하 기 위함 이 다 .