본 발명 에 따른 반도체 메모리 장치 및 그것 의 입출력 구동회 로 및 그것 에 대한 전류 공급 방법 은 입력 되 는 데이터 패턴 에 따라 서로 다른 방법 으로 전류 를 공급 해 준다 . 예 를 들 어 , 순식간 에 많 은 전류 를 필요 로 할 때 , 본 발명 의 반도체 메모리 장치 및 그것 의 입출력 구동회 로 및 그것 에 대한 전류 공급 방법 은 일시 적 으로 외부 전압 ( VEXT ) 으로 발생 된 전류 를 공급 받 게 된다 . 따라서 , 본 발명 에 따른 반도체 메모리 장치 및 그것 의 입출력 장치 및 그것 에 대한 전류 공급 방법 은 입력 데이터 의 전압 레벨 이 로우 에서 하이 혹은 하이 에서 로우 레벨 로 바뀔 때 발생 되 는 출력 파워 노이즈 를 줄일 수 있 게 된다 .