다음 으로 , 상기 게이트 전극 ( 130 ) , 게이트 라인 ( 125 n , 125 n - 1 ) 및 스토리지 라인 ( 135 ) 상 에 는 기판 ( 100 ) 전면 에 걸쳐 층간 절 연막 ( 140 ) 이 형성 되 어 있 고 , 상기 nTFT 영역 의 반도체 층 ( 110 ) 의 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 110 a , 110 c ) 과 대응 되 는 층간 절 연막 ( 140 ) 및 게이트 절 연막 ( 120 ) 이 식각 되 어 형성 된 제 1 콘 택 홀 ( 143 ) 을 통해 상기 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 110 a , 110 b ) 과 전기 적 으로 연결 되 는 소스 전극 및 제 1 드레 인 전극 ( 150 , 160 ) 이 형성 되 어 있 다 .