본 발명 에 따른 폴리에틸렌 나 프탈 레이트 칩 은 바람직 하 게 는 나프탈렌 - 2 , 6 - 디 메틸 카르복실 레이트 ( NDC ) 및 에틸렌글리콜 원료 를 2 . 0 내지 2 . 3 비율 로 190 ℃ 에서 용융 혼합 하 여 제조 된 용융 혼합물 을 에스테르 교환 반응 ( 220 내지 230 ℃ 에서 약 2 내지 3 시간 동안 ) 및 축중합 반응 ( 280 내지 290 ℃ 에서 약 2 내지 3 시간 동안 ) 시켜 고유 점 도 0 . 42 내지 0 . 50 수준 의 로우 칩 을 만든 후 , 240 내지 260 ℃ 의 온도 및 진공 하 에서 0 . 80 내지 1 . 20 의 고유 점 도 및 30 ppm 이하 의 수분 율 을 갖 도록 고상 중합 하 는 방법 으로 제조 될 수 있 다 .