채널 홀 들 ( CH ) 및 더미 홀 들 ( DH ) 각각 의 내벽 을 차례 로 덮 는 수직 절연 층 ( VP ) 및 상부 반도체 패턴 ( USP ) 이 형성 될 수 있 다 . 수직 절연 층 ( VP ) 및 상부 반도체 패턴 ( USP ) 각각 은 원자 층 증착 ( ALD ) 또는 화학 적 기상 증착 ( CVD ) 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 . 이어서 , 채널 홀 들 ( CH ) 및 더미 홀 들 ( DH ) 을 완전히 채우 는 매립 절연 패턴 ( VI ) 이 형성 될 수 있 다 .