도 20 은 본 발명 의 제 2 실시 형태 에 의한 기판 처리 장치 ( 201 ) 에 의해 기판 ( W ) 을 처리 할 때 의 제 4 처리 예 에 대하 여 설명 하 기 위한 공정도 이 다 . 이하 에서 는 , 도 17 및 도 20 을 참조 하 여 , 디바이스 형성 면 인 표면 에 패턴 ( P ) 이 형성 된 기판 ( W ) 을 처리 할 때 의 처리 예 에 대하 여 설명 한다 . 제 4 처리 예 에서 는 , 2 종류 의 소수 화제 의 증기 가 기판 ( W ) 에 공급 된다 . 제 4 처리 예 에 있 어서 , 제 1 소수 화 처리 ( S 204 ) 까지 의 공정 은 제 3 처리 예 와 같 으므로 , 제 3 처리 예 와 동일 한 참조 부호 를 붙여 그 설명 을 생략 한다 . 따라서 , 이하 에서 는 , 제 1 소수 화 처리 가 행하 여진 후 의 공정 에 대하 여 설명 한다 .