도 35 a 내지 도 35 c 에서 , 바닥 제 2 유전체 층 ( 220 A ) 이 지지 층 ( 20 ) ( 또는 바닥 지지 층 ( 15 ) ) 상 에 형성 되 고 바닥 제 1 유전체 층 ( 210 A ) 이 바닥 제 2 유전체 층 ( 220 A ) 상 에 형성 된다 . CNT ( 100 ) 는 바닥 제 2 유전체 층 ( 210 A ) 상 에 배치 된다 . 그 후 에 , 도 35 a 에 도시 된 바 와 같이 , 상부 제 1 유전체 층 ( 210 B ) 이 형성 되 어 CNT ( 100 ) 를 커버 하 고 상부 제 2 유전체 층 ( 220 B ) 이 상부 제 1 유전체 층 ( 210 B ) 상 에 형성 된다 . 일부 실시 예 에서 , 상부 제 1 및 제 2 유전체 층 은 컨 포 멀 하 게 형성 된다 . 도 35 b 에 도시 된 바 와 같이 , 에치 - 백 동작 및 CMP 동작 과 같 은 평탄 화 동작 이 수행 되 고 , 상부 제 1 및 제 2 유전체 층 이 부분 적 으로 제거 되 어 CNT ( 100 ) 의 상부 부분 을 노출 시킨다 . 추가 적 인 지지 층 ( 20 ) 이 상부 유전체 층 ( 200 A ) 및 CNT ( 100 ) 위 에 그 후 에 형성 된다 . 도 35 c 는 소스 / 드레 인 접촉 부 ( 70 ) 가 형성 된 이후 의 구조물 을 도시 한다 . 일부 실시 예 에서 , 바닥 제 1 및 / 또는 제 2 유전체 층 은 도 33 a 내지 33 d 와 유사 하 게 형성 되 지 않 는다 .