본 발명 의 또 다른 실시 예 에 있 어서 , 도 18 을 참조 하 여 설명 한 공정 들 과 실 질 적 으로 동일 한 공정 들 을 적용 하 여 상기 액티브 영역 들 상 에 각기 하부 질화 막 , 하부 산화 막 , 상부 산화 막 및 상부 질화 막 을 포함 하 는 절연 구조물 들 ( 440 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상세 하 게 는 , 제 1 산화 공정 으로 상기 액티브 영역 상 에 제 1 예비 산화 막 을 형성 한 후 , 제 1 질화 공정 으로 상기 액티브 영역 상 에 예비 하부 질화 막 및 제 2 예비 산화 막 을 형성 한다 . 상기 제 1 예비 산화 막 은 상기 액티브 영역 을 부분 적 으로 산화 시켜 형성 되 고 , 상기 예비 하부 질화 막 은 상기 제 1 예비 산화 막 의 하부 를 질화 시켜 형성 된다 . 상기 제 2 예비 산화 막 은 상기 제 1 예비 산화 막 이 변화 되 어 형성 된다 . 다음 에 , 제 2 산화 공정 으로 상기 액티브 영역 상 에 상기 하부 질화 막 , 상기 하부 산화 막 및 예비 상부 산화 막 을 형성 한다 . 상기 하부 질화 막 은 상기 예비 하부 질화 막 으로부터 형성 되 며 , 상기 하부 산화 막 은 상기 제 2 예비 산화 막 이 변화 되 어 형성 된다 . 상기 예비 상부 상화 막 은 상기 제 2 예비 산화 막 을 부분 적 으로 산화 시켜 형성 된다 . 계속 하 여 , 그리고 제 2 질화 공정 으로 상기 액티브 영역 상 에 상기 하부 질화 막 , 상기 하부 산화 막 , 상기 상부 산화 막 및 상기 상부 질화 막 을 구비 하 는 절연 구조물 ( 440 ) 을 형성 한다 . 상기 상부 산화 막인 상기 예비 상부 산화 막 으로부터 형성 되 고 , 상기 상부 질화 막 은 상기 예비 상부 산화 막 을 부분 적 으로 질화 시켜 형성 된다 .