희생 막 ( 180 ) 은 화학 증착 공정 ( CVD ) , 원자 층 증착 공정 ( ALD ) , 물리 증착 공정 ( PVD ) 등 을 통해 형성 할 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 들 에 따르 면 , 희생 막 ( 180 ) 은 탄소 기반 의 스핀 온 게이트 마스크 ( C - SOH ) 혹은 실리콘 기반 의 스핀 온 게이트 마스크 ( Si - SOH ) 를 사용 하 여 형성 된다 .