박막 트랜지스터 기판 ( 20 ) 은 , 절연 기판 ( 10 a ) 과 , 절연 기판 ( 10 a ) 상 에 형성 된 게이트 절연 층 ( 12 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 12 ) 상 에 형성 되 어 , 산화 인듐 갈륨 아연 ( IGZO ) 에 의해 형성 된 접속 층 ( 25 ) 과 , 접속 층 ( 25 ) 상 에 형성 되 어 , 티타늄 에 의해 형성 된 드레 인 전극 ( 16 b ) 과 , 접속 층 ( 25 ) 및 드레 인 전극 ( 16 b ) 에 형성 된 콘택트 홀 ( Ca ) 과 , 콘택트 홀 ( Ca ) 의 표면 상 에 형성 되 어 , 접속 층 ( 25 ) 에 접하 는 화소 전극 ( 19 a ) 을 구비 한다 . 그리고 , 드레 인 전극 ( 16 b ) 과 화소 전극 ( 19 a ) 이 , 접속 층 ( 25 ) 을 개재 하 고 전기 적 으로 접속 된다 .