아울러 , 복수 의 제 2 더미 기판 ( ST 4 b ) 상 에 도 검사 기판 ( ST 5 ) 과 같이 , 하나 이상 의 절연 층 이 배치 된다 . 금속 층 ( ML ) 또한 검사 패턴 ( 161 ) 과 같이 , 복수 의 제 1 기판 ( ST 1 ) 상 의 다양 한 구성 요소 제조 시 , 복수 의 제 2 더미 기판 ( ST 4 b ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 금속 층 ( ML ) 이 게이트 전극 ( GE ) 과 동일 한 물질 및 동일 한 공정 으로 형성 되 는 경우 , 복수 의 제 2 더미 기판 ( ST 4 b ) 및 복수 의 제 1 기판 ( ST 1 ) 상 에 버퍼 층 ( 111 ) 및 게이트 절연 층 ( 112 ) 이 순차 적 으로 형성 될 수 있 다 . 이어서 , 복수 의 제 2 더미 기판 ( ST 4 b ) 에 형성 된 게이트 절연 층 ( 112 ) 상 에 금속 층 ( ML ) 이 형성 되 는 동시 에 , 복수 의 제 1 기판 ( ST 1 ) 에 형성 된 게이트 절연 층 ( 112 ) 상 에 게이트 전극 ( GE ) 이 함께 형성 될 수 있 다 . 다만 , 복수 의 제 2 더미 기판 ( ST 4 b ) 상 에 배치 된 버퍼 층 ( 111 ) 및 게이트 절연 층 ( 112 ) 과 금속 층 ( ML ) 은 예시 적 인 것 이 며 , 버퍼 층 ( 111 ) 및 게이트 절연 층 ( 112 ) 과 같 은 절연 층 없이 복수 의 제 2 더미 기판 ( ST 4 b ) 상 에 바로 복수 의 금속 층 ( ML ) 이 배치 될 수 도 있 고 , 금속 층 ( ML ) 을 이루 는 물질 또한 설계 에 따라 다양 하 게 변경 될 수 있 다 .