본 발명 은 반도체 다 마신 공정 에서 의 금속 배선 형성 방법 에 관한 것 으로 , 반도체 기판 상 에 제 1 도전 층 을 형성 하 고 , 제 1 도전 층 상부 에 대해 선택 적 증착 을 진행 하 여 선택 적 증착 막 을 형성 한 후 층간 절 연막 을 도포 하 며 , 포토레지스트 를 도포 한 후 포토 공정 을 통해 비 아홀 용 포토레지스트 패턴 을 형성 하 고 , 비 아홀 용 포토레지스트 패턴 을 마스크 로 하 여 층간 절 연막 을 1 차 식각 함 으로써 비 아홀 영역 을 형성 하 며 , 비 아홀 용 포토레지스트 패턴 을 제거 하 고 제거 된 결과물 상 에 포토레지스트 를 도포 한 후 포토 공정 을 통해 트렌치 형성 용 포토레지스트 패턴 을 형성 하 고 , 트렌치 형성 용 포토레지스트 패턴 을 마스크 로 하 여 층간 절 연막 을 2 차 식각 함 으로써 트렌치 배선 영역 을 형성 하 며 , 트렌치 형성 용 포토레지스트 패턴 을 제거 하 고 제거 된 결과물 상 에 제 2 도전 층 을 적층 하 여 비 아홀 영역 및 트렌치 배선 영역 내부 를 충 진하 고 , 제 2 도전 층 이 충 진 되 면 연마공 정 을 진행 하 여 제 2 도전 층 이 비 아홀 영역 및 트렌치 배선 영역 에 만 잔존 하 게 함 으로써 비아 접촉 부 및 배 선부 를 각각 형성 하 는 것 을 특징 으로 한다 . 본 발명 에 의하 면 , 하부 금속 배선 상부 에 대해서 만 증착 막 을 선택 적 으로 형성 함 으로써 , 유전 상수 ( k ) 를 증가 시키 지 않 는 확산 방지 막 혹은 캡 핑 막 으로서 의 역할 을 충분히 수행 할 수 있 다 . 또한 , 본 발명 은 하부 금속 배선 에 대한 어택 을 방지 할 수 있 기 때문 에 하부 금속 배선 의 오픈 을 방지 하 기 위한 희생 막 형성 과정 이 필요 치 않 아 전체 공정 이 간소 화 되 는 효과 가 있 다 .