추가 의 바람직 한 실시 예 에서 , 용량 성 소자 에 적어도 하나 의 감광층 이 적어도 하나 의 반 도전 성 흡 수체 층 , 특히 , 비정질 실리콘 을 포함 할 수 있 고 , 이 비정질 실리콘 은 바람직 하 게 는 층 으로서 , 특히 , 박막 으로서 적절 한 기판 상 에 증착 하 여 얻 어 질 수 있 다 . 그러나 , 다른 방법 이 적용 될 수 있 다 . 또한 , 비정질 실리콘 은 , 가장 바람직 하 게 는 , 수소 를 사용 하 여 부동태화 ( passivated ) 될 수 있 고 , 이 로 인해 비정질 실리콘 내 의 다수 의 댕 글 링 본드 ( dangling bond ) 가 수 배 만큼 감소 될 수 있 다 . 결과 적 으로 , " 수소 화 된 비정질 실리콘 ( 일반 적 으로 "" a - Si : H "" 로 약칭 됨 ) 은 적 은 결함 을 나타낼 수 있 으므로 광학 장치 용 으로 사용 할 수 있 다 . 그러나 ", 본 명세서 에 사용 되 는 바 와 같이 , " "" 비정질 실리콘 "" 이 라는 용어 는 명시 적 으로 지시 하 지 않 는 한 ", 수소 화 된 비정질 실리콘 을 지칭 할 수 도 있 다 . 대안 으로 , 실리콘 과 탄소 의 비정질 합금 ( a - SiC ) , 바람직 하 게 는 수소 화 된 비정질 실리콘 카본 합금 ( a - SiC : H ) , 또는 게르마늄 과 실리콘 의 비정질 합금 ( a - GeSi ) , 바람직 하 게 는 수소 화 비정질 게르마늄 실리콘 합금 ( a - GeSi : H ) 도 사용 될 수 있 다 . 본 명세서 에서 , a - GeSi : H 는 공통 반응기 내 의 프로세스 가스 로서 , 바람직 하 게 는 SiH 4 , GeH 4 및 H 2 를 이용 하 여 제조 될 수 있 고 , 다른 제조 방법 도 가능 할 수 있 다 . 반도체 흡 수체 층 에 대한 또 다른 대안 으로서 , 결정질 실리콘 ( c - Si ) 또는 미세 결정 실리콘 ( μ c - Si ) , 바람직 하 게 는 수소 화 된 미세 결정 실리콘 ( μ c - Si : H ) 이 또한 적용 가능 할 수 있 다 . 본 명세서 에서 , 수소 화 된 미세 결정 실리콘 ( μ c - Si : H ) 은 바람직 하 게 는 SiH 4 및 H 2 의 기체 혼합물 에서 제조 될 수 있 다 . 결과 적 으로 , 5 nm 내지 30 nm 의 전형 적 인 크기 를 갖 고 , 서로 에 대해 10 nm 내지 200 nm 이격 된 기판 재료 가 정렬 된 컬럼 사이 에 위치 되 는 미세 결정 을 포함 하 는 기판 상의 2 상 재료 가 얻 어 질 수 있 다 . 그러나 , 다른 제조 방법 도 또한 가능 할 수 있 다 .