본 발명 은 , 대면 적 기판 을 반도체 소자 마다 분단 함 으로써 , 복수 의 반도체 장치 를 칩 형 으로 추출 한다 . 본 발명 은 , 분단 방법 에 있 어서 , 우선 , 기판 의 두께 를 얇 게 가공 하 여 , 분단 에 걸리 는 공정 시간 의 단축 및 분단 에 사용 하 는 다 이서 등 가공 수단 의 마모 를 경감 한다 . 또 분단 공정 은 , 한 번 에 행하 지 않 고 , 우선 , 기판 에 반도체 소자 를 분단 하 기 위한 홈 을 형성 하 고 , 홈 이 형성 된 기판 위 에 수지 층 을 형성 한다 . 그 후 , 수지 층 및 기판 을 홈 에 있 어서 , 절단 하 여 , 복수 의 반도체 장치 에 분단 ( 분할 ) 한다 .