게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b ) 은 각각 , CVD 법 이나 스퍼터링 법 등 을 사용 하 여 , 두께 50 내지 150 nm 의 산화 규소 막 , 질화규소 막 , 산화 질화규소 막 , 또는 질화 산화 규소 막 으로 형성 할 수 있 다 . 여기 에서 는 , 게이트 절 연막 ( 52 a ) 으로서 질화규소 막 또는 질화 산화 규소 막 을 형성 하 고 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 으로서 산화 규소 막 또는 산화 질화규소 막 을 형성 하 여 적층 하 는 형태 를 도시 한다 . 또 , 게이트 절 연막 을 2 층 으로 하 지 않 고 , 게이트 절 연막 을 , 산화 규소 막 , 질화규소 막 , 산화 질화규소 막 , 또는 질화 산화 규소 막 의 단층 으로 형성 할 수 있 다 . 또한 , 게이트 절 연막 을 , 상기 절 연막 을 사용 하 여 3 층 구조 로 할 수 있 다 .