도 12 에서 , 전도성 커넥터 ( 150 ) 가 UBM 상 에 형성 된다 . 일부 실시 형태 에서 는 , 전도성 커넥터 ( 150 ) 가 시일 링 링 ( 140 ) 의 노출 된 부분 상 에 형성 되 지 않 는다 . 전도성 커넥터 ( 150 ) 는 볼 그리드 어레이 ( BGA ) 커넥터 , 솔 더 볼 , 금속 기둥 부 ( metal pillar ) , C 4 ( controlled collapse chip connection ) 범프 , 마이크 로 범프 , 무전 해 니켈 무전 해 팔라듐 침지 금 ( ENEPIG ) 기술 로 형성 된 범프 등 일 수 있 다 . 전도성 커넥터 ( 150 ) 는 솔 더 , 구리 , 알루미늄 , 금 , 니켈 , 은 , 팔라듐 , 주석 등 , 또는 이 들 의 조합 과 같 은 도전 성 재료 를 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 형태 에 있 어서 , 전도성 커넥터 ( 150 ) 는 증착 ( evaporation ) , 전기 도금 , 인쇄 , 솔 더 전사 , 볼 배치 등등 을 통해 초기 에 솔 더 층 을 형성 함 으로써 형성 된다 . 구조 상 에 솔 더 층 이 형성 되 었 으면 , 재료 를 원하 는 범프 형상 으로 성형 하 기 위해 리플 로 우가 수행 될 수 있 다 . 다른 실시 형태 에 있 어서 , 전도성 커넥터 ( 150 ) 는 스퍼터링 , 인쇄 , 전기 도금 , 무전 해 도금 , CVD 등 에 의해 형성 된 금속 기둥 부 ( 예컨대 , 구리 기둥 부 ) 를 포함 한다 . 금속 기둥 부 는 솔 더 프리 일 수 도 있 고 실질 적 으로 수직 측벽 을 갖 는다 . 일부 실시 형태 에서 는 , 금속 캡 층 이 금속 기둥 부 의 상측 상 에 형성 된다 . 금속 캡 층 은 니켈 , 주식 , 주석 - 납 , 금 , 은 , 팔라듐 , 인듐 , 니켈 - 팔라듐 - 금 , 니켈 - 금 등 , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 고 , 도금 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 .