다양 한 실시 예 에 따라서 , 703 동작 에서 , 전자 장치 ( 101 ) 는 , 펜 신호 가 감지 되 는지 여부 를 확인 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 전자 장치 ( 101 ) 는 , 디지타이저 에 포함 된 루프 코일 로 송신 신호 를 인가 할 수 있 다 . 송신 신호 인가 이후 에 , 전자 장치 ( 101 ) 는 , 디지타이저 에 포함 된 루프 코일 로부터 출력 되 는 신호 의 세기 가 임계 세기 이상 인 경우 에 펜 신호 가 감지 되 는 것 으로 확인 할 수 있 다 . 전자 장치 ( 101 ) 는 , 디지타이저 에 포함 된 루프 코일 로부터 출력 되 는 신호 의 세기 가 임계 세기 미만 인 경우 에 펜 신호 가 감지 되 지 않 는 것 으로 확인 할 수 있 다 . 스타일러스 펜 ( 201 ) 이 전자 장치 ( 101 ) 의 근처 에 위치 하 는 경우 , 디지타이저 에 포함 된 루프 코일 로부터 의 신호 에 의하 여 스타일러스 펜 ( 201 ) 의 공진 회로 가 공진 될 수 있 다 . 공진 으로부터 발생 된 신호 ( 예 : EMR 신호 ) 는 , 디지타이저 에 포함 된 루프 코일 에 유도 기전력 을 발생 시킬 수 있 으며 , 이 에 따라 각 루프 코일 로부터 신호 가 출력 될 수 있 다 . 전자 장치 ( 101 ) 와 스타일러스 펜 ( 201 ) 사이 의 거리 가 상대 적 으로 큰 경우 에 는 루프 코일 로부터 출력 되 는 신호 의 세기 가 상대 적 으로 작 을 수 있 으며 , 전자 장치 ( 101 ) 와 스타일러스 펜 ( 201 ) 사이 의 거리 가 상대 적 으로 작 은 경우 에 는 루프 코일 로부터 출력 되 는 신호 의 세기 가 상대 적 으로 클 수 있 다 . 이 에 따라 , 전자 장치 ( 101 ) 는 , 루프 코일 로부터 출력 되 는 신호 의 세기 가 임계 세기 이상 인 경우 에 펜 신호 가 감지 되 는 것 으로 확인 할 수 있 다 . 한편 , 전자 장치 ( 101 ) 가 ECR 방식 또는 C 타입 방식 으로 스타일러스 펜 ( 201 ) 의 위치 를 확인 하 도록 구현 된 경우 에 는 , 전자 장치 ( 101 ) 는 터치 패널 의 커패시턴스 ( 예 : 셀프 커패시턴스 또는 상호 커패시턴스 ) 의 변경 정도 가 임계 변경 정도 이상 인 경우 에 펜 을 검출 할 수 있 으며 , 이러 한 경우 에 도 펜 신호 를 검출 한 것 으로 표현 될 수 도 있 다 .