예시 된 실시 예 에서 , 증착 된 패턴 의 크기 는 중간층 ( 170 ) , 제 2 전극 층 ( 180 ) , 패 시베이 션 층 ( 116 ) 으로 갈수록 더 커 지 는데 , 동일 한 마스크 패턴 ( PRT ) 을 이용 하 되 상기 한 바 와 같 은 공정 조건 을 변형 하 여 예시 된 바 와 같 은 패턴 형상 을 형성 할 수 있 다 . 즉 , 중간층 ( 170 ) 은 제 1 전극 ( 161 ) 및 뱅크 층 ( 115 ) 의 일부 를 덮 도록 증착 되 고 , 제 2 전극 층 ( 180 ) 은 평면 상 중간층 ( 170 ) 보다 더 큰 크기 를 갖 고 중간층 ( 170 ) 전부 를 덮 으며 그 로부터 외측 으로 연장 되 어 뱅크 층 ( 115 ) 을 덮 고 주변 의 보조 전극 ( 162 ) 의 일부 와 접촉 하 도록 증착 되 며 , 패 시베이 션 층 ( 116 ) 은 평면 상 제 2 전극 층 ( 180 ) 보다 더 큰 크기 를 갖 고 제 2 전극 층 ( 180 ) 전부 를 덮 고 그 로부터 외측 으로 연장 되 어 보조 전극 ( 162 ) 의 일부 와 접촉 하 도록 증착 될 수 있 다 .