화학식 4 에서 의 반복 단위 의 수 를 나타내 는 n 4 는 1 내지 30 , 000 의 범위 가 바람직 하 고 , 3 내지 30 , 000 의 범위 가 더욱 바람직 하 다 . n 4 가 1 이상 이 면 , 술폰산기 ( SO 3 H 기 ) , 벤젠 고리 및 파라 반산 구조 가 충분 한 분량 이 되 어 프로톤 전도도 를 저하 시키 거나 내열성 이 저하 될 우려 가 없 다 . 또한 , n 4 가 3 O , OOO 이하 이 면 , 매트릭스 고분자 전체 의 평균 분자량 이 지나치 게 커지 지 않 아 용매 에 대한 용해 성 이 저하 되 지 않 으며 , 이른바 캐스트 법 에 의한 성형 성 이 향상 되 어 고분자 전해질 을 원하 는 형상 으로 쉽 게 만들 수 있 게 된다 .