또한 , 절연 층 ( 130 ) 의 표면 으로서 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 접하 는 영역 은 , 그 의 제곱 평균 평방근 ( RMS ) 조도 를 1 nm 이하 로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 와 같이 , 제곱 평균 평방근 ( RMS ) 조도 가 1 nm 이하라 는 극히 평탄 한 영역 에 스위치 트랜지스터 ( 202 _ 1 ) 의 채널 형성 영역 을 설치 함 으로써 , 스위치 트랜지스터 ( 202 _ 1 ) 가 미세 화 되 는 상황 에 있 어서 도 단 채널 효과 등 의 문제 를 방지 하 여 , 양호 한 특성 을 갖 는 스위치 트랜지스터 ( 202 _ 1 ) 를 제공 하 는 것 이 가능 하 다 .