개구부 ( 238 a 및 238 b ) 를 형성 한 후 , 반도체 층 ( 231 ) 에 불순물 원소 를 첨가 하 는 것 이 바람직 하 다 . 구체 적 으로 는 , 산소 결손 을 형성 하 는 원소 또는 산소 결손 과 결합 되 는 원소 를 첨가 하 는 것 이 바람직 하 다 . 자세 하 게 는 나중 에 설명 하 겠 지만 , 이 에 의하 여 반도체 층 ( 231 ) 에서 도전 층 ( 222 a ) 과 중첩 되 는 영역 ( 소스 영역 및 드레 인 영역 중 한 쪽 ) 및 반도체 층 ( 231 ) 에서 도전 층 ( 222 b ) 과 중첩 되 는 영역 ( 소스 영역 및 드레 인 영역 중 다른 쪽 ) 의 도전 성 을 높일 수 있 다 . 이 로써 , 트랜지스터 ( 200 c ) 의 전류 구동 능력 이 향상 되 어 , 높 은 온 상태 전류 를 얻 을 수 있 다 .