또한 , 컨 택트 홀 ( 127 t , 127 b ) 을 형성 하 기 전 에 , 컨 택트 홀 ( 128 s , 128 d ) 및 컨 택트 플러그 ( 129 t , 129 b ) 를 형성 하 는 것 도 고려 될 수 있 지만 , 이 경우 에 는 컨 택트 플러그 ( 129 t , 129 b ) 의 산화 방지 막 , 예 를 들 면 알루미늄 산화 막 을 형성 하 는 것 이 필요 하 게 된다 . 이 때문 에 , 실리콘 산화 막 보다 에칭 율 ( etching rate ) 이 낮 은 막 의 수 가 증가 하 고 , 컨 택트 홀 ( 127 t , 127 b ) 을 형성 하 기 위한 에칭 이 곤란 해진다 . 그리고 , 컨 택트 홀 ( 127 t , 127 b ) 의 하단 이 얇 아 지 거나 , 컨 택트 홀 ( 127 t , 127 b ) 의 크기 에 편차 ( variation ) 가 생기 기 쉽 다 . 이 때문 에 , 컨 택트 저항 등 의 특성 을 안정 시키 는 것 이 곤란 하 다 .