본 발명 에 의해서 플래시 메모리 장치 의 프로그래밍 된 단위 셀 의 문턱 전압 분포 가 더 좁 아 져야 더 쉽 게 이레이저 동작 을 수행 하 고 , 리드 동작 에서 데이터 를 쉽 게 읽 어 낼 수 있 다 . 특히 단위 셀 의 문턱 전압 을 다양 한 레벨 로 가지 게 되 는 MLC 의 경우 에 본 발명 을 적용 하 게 되 면 데이터 의 프로그래밍 및 리드 동작 을 보다 신뢰 성 있 게 수행 할 수 있 다 .