많 은 응용 에서 , 하나 이상 의 반도체 장치 들 의 웨이퍼 레벨 패키지 집적 을 이루 는 것 이 요망 된다 . 반도체 다 이 사이 의 상호 접속 은 관통 홀 도전 비어 와 리디 스트리 뷰 션 층 ( redistribution layer , RDL ) 을 통해서 달성 되 어 왔 다 . 그러나 , RDL 을 포함 하 는 상호 접속 구조 체의 형성 이 낮 은 글래스 전이 온도 ( glass transition temperature , Tg ) 를 갖 는 유기 기판 상 에서 전형 적 으로 수행 된다 . 그 기판 Tg 는 일반 적 으로 200 ℃ 미만 이 고 , 이것 은 상호 접속 구조 체 에 대한 프로세스 선택 을 제한 한다 . 또한 , 반도체 웨이퍼 의 인터 - 웨이퍼 ( inter - wafer ) 및 인트 라 - 웨이퍼 ( intra - wafer ) 레지스 트래 이 션 변형 이 비교 적 크 고 , 이것 은 제조 성 ( manufacturability ) 및 웨이퍼 집적 을 감소 시킨다 .