예컨대 , 박막 재료 로 는 실리콘 질화물 , 알루미늄 질화물 , 지르코늄 질화물 , 티타늄 질화물 , 하프늄 질화물 , 탄 탈륨 질화물 , 실리콘 산화물 , 알루미늄 산화물 , 티타늄 산화물 , 지르코늄 산화물 , 마그네슘 산화물 , 티타늄 산화물 , 석산 화물 , 세륨 산화물 , 실리콘 산화 질화물 ( SiON ) 등 을 들 수 있 으며 , 이 들 의 적층 방법 으로 는 스퍼터링 , 화학 기상 증착 법 ( CVD ) , E - 빔 ( e - beam ) , 열 증착 법 , 열 적 이온 빔 보조 증착 법 ( thermal Ion Beam Assisted Deposition : IBAD ) 등 의 진공 성막 법 을 이용 할 수 있 다 . 상기 CVD 방법 으로 는 ICP - CVD ( Induced Coupled Plasma - Chemical Vapor Deposition ) , CCP ( Capacitively Coupled Plasma ) - CVD , SWP ( Surface Wave Plasma ) - CVD 방법 등 을 들 수 있 다 .