종래 의 펀치 쓰루 접근 법 의 본질 적 문제점 인 에치 백 공정 의 불 균일 한 효과 ( 문제점 12 ) 역시 신규 의 다마 신 - 개구 - 형성 공정 에 의해 해결 될 수 있 는데 , 이 는 종래 기술 공정 에 이용 되 는 피 브이 디 - 성장 과 비교 하 여 매우 작 은 에스 펙 트 비율 의존 성 을 보이 는 희생 층 이 증착 될 수 있 는 적절 한 희생 층 증착 방법 을 선택 할 수 있 는 기회 가 많 기 때문 이 다 . 이것 은 다 마신 개구 의 에스 펙 트 비율 을 변경 함 에 따라 위상 적 특징 이 덜 변 할수록 , 컨 덕 터 내 에 오목 부를 형성 하 는 에치 백 공정 의 결과 변동 이 작아지 기 때문 이 다 . 다 마신 개구 의 에스 펙 트 비율 을 변화 시킴 에 따른 위상 적 특징 의 변화 가 크 지 않 은 희생 층 을 제공 할 수 있 는 적절 한 증착 방법 중 의 하나 는 간헐 적 씨 브이 디 ( Intermittent CVD ) 와 같 은 화학 적 증착 방법 이 다 . 다 마신 개구 상 에 전도성 확산 배리어 층 을 증착 한 이후 상기 컨 덕 터 에 오 목부 가 형성 됨 으로 인해 유발 되 는 , 배리어 물질 에 대한 제한 된 선택 및 증착 방법 은 종래 다 마신 공정 의 독특 한 문제점 이 다 ( 문제점 13 ) . 컨 덕 터 에 오목 부를 형성 하 기 위해 비아 바닥 으로부터 전도성 확산 배리 어 층 을 제거 하 기 위한 에치 백 공정 을 수행 하 지 않 아도 되 므로 , 확산 배리 어 층 의 컨 포 멀리 티 및 결합력 과 같 은 특성 에 의해 상기 신규 의 다 마신 개구 형성 공정 이 전혀 영향 을 받 지 않 으므로 , 문제점 13 으로 분류 된 문제점 들 에 대한 해결책 을 제공 한다 . 그러므로 , 본 발명 은 종래 다 마신 공정 에서 보여 지 는 거의 모든 문제점 에 대한 이상 적 인 해결책 을 제공 한다 . 본 발명 의 더욱 이로운 잇 점 들 은 하 기 될 것 이 다 .