도 10 을 참조 하 면 , 표시 장치 ( 100 ) 는 복수 개 의 화소 로 이루어진 표시 영역 ( DA ) 과 표시 영역 ( DA ) 에 인접 하 여 배치 된 비 표시 영역 ( NDA ) 으로 이루어진 기판 ( 110 ) 을 포함 할 수 있 다 . 그리고 , 기판 ( 110 ) 상 에 는 제 1 버퍼 층 ( 111 ) , 제 1 게이트 절연 층 ( 112 ) , 제 1 층간 절연 층 ( 113 ) , 제 2 버퍼 층 ( 114 ) , 제 2 게이트 절연 층 ( 115 ) , 제 2 층간 절연 층 ( 116 ) , 제 1 평탄 화 층 ( 117 ) , 보조 전극 ( 160 ) , 제 2 평탄 화 층 ( 118 ) , 제 1 전극 ( 170 ) , 뱅크 ( 180 ) , 발광 구조물 ( 200 ) , 제 2 전극 ( 210 ) , 봉지 부 ( 220 ) , 제 1 금속 패턴 ( 510 ) , 제 2 금속 패턴 ( 520 ) , 제 1 박막 트랜지스터 ( 410 ) , 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) , 보조 드레 인 전극 ( 340 ) , 및 제 3 박막 트랜지스터 ( 330 ) 가 형성 될 수 있 다 . 여기 에서 , 제 1 박막 트랜지스터 ( 410 ) 는 기판 ( 110 ) 의 비 표시 영역 ( NDA ) 에 배치 될 수 있 으며 , 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 및 제 3 박막 트랜지스터 ( 330 ) 는 기판 ( 110 ) 의 표시 영역 ( DA ) 에 배치 될 수 있 다 .