반도체 장치 가 고집 적 화 됨 에 따라 , 사용 자 가 요구 하 는 트랜지스터 성능 을 구현 하 기 점점 어려워 지 고 있 다 . 이러 한 기술 적 어려움 을 극복 하 기 위해 , 다양 한 전계 효과 트랜지스터 구조 들 이 제안 되 어 왔 다 . 예 를 들 면 , 고유 전막 - 금속 게이트 구조 가 , 실리콘 산화물 및 다결정 실리콘 을 각각 게이트 절연 층 및 게이트 전극 물질 로 사용 하 는 , 종래 의 전계 효과 트랜지스터 를 대체 하 기 위해 제안 되 었 다 .