다음 에 , MOCVD 법 에 의해 상기 개구 에 Ge 층 ( 120 ) 을 선택 적 으로 성장 시켰 다 . 원료 가스 에 는 , GeH 4 를 이용 하 였 다 . 원료 가스 의 유량 및 성막 시간 은 , 각각 미리 정해진 값 으로 설정 하 였 다 . 다음 에 , MOCVD 법 에 의해 소자 형성 층 ( 124 ) 의 일례 로서 , GaAs 결정 을 형성 하 였 다 . GaAs 결정 은 620 ℃, 8 MPa 의 조건 에 의해 개구 내부 의 Ge 층 ( 120 ) 의 표면 에 에피 택 셜 성장 시켰 다 . 원료 가스 에 는 트리 메틸 갈륨 및 아르신 을 이용 하 였 다 . 원료 가스 의 유량 및 성막 시간 은 각각 미리 정해진 값 으로 설정 하 였 다 .