300 mm 의 2 장 의 실리콘 웨이퍼 를 , 실시 예 1 과 동일 한 방법 및 조건 으로 처리 하 여 , 두께 2 . 0 nm 의 산화 막 을 형성 하 였 다 . 산화 막 의 두께 는 , 엘 립 소 메트리 법 에 의해 측정 하 여 , 확인 하 였 다 . 이어서 , 질소 가스 분위기 에서 플라 즈 마 처리 ( 25 Pa , 20 초간 ) 를 행한 후 , 직접 접합 시켰 다 . 그 후 , 접합 강도 를 향상 시키 기 위한 열처리 ( 아르곤 가스 분위기 에서 , 1100 ℃, 2 hr ) 를 행하 고 , 추가 로 , 활성 층 측 의 웨이퍼 를 연삭 및 연마 에 의해 소정 의 두께 까지 가공 을 행하 여 접합 웨이퍼 를 제작 하 였 다 . 그 후 , 접합 웨이퍼 의 표면 을 눈 으로 검사 하 였 다 . 그 결과 , 접합 계면 에 국소 적 인 산화물 은 발생 해 있 지 않 는 것 이 확인 되 었 다 ( 도 1 참조 ) .