도 10 c 는 도 10 b 에 도시 된 실시 예 에 기초 한 추가 의 예 를 도시 한다 . 여기 서 , 동일 한 유형 의 층 이 도 10 b 에 도시 된 것 과 동일 유형 의 배열 로 사용 되 지만 , 공여 재료 층 ( 234 ) 과 수용 재료 층 ( 236 ) 은 단일 감광층 ( 180 ) 에 포함 되 며 , 도 7 a 및 도 7 b 의 실시 예 와 마찬가지 로 , 벌크 이종 접합 이 이러 한 유형 의 감광층 ( 180 ) 내 에서 발생 된다 . 또한 , 그 기능 을 증가 시키 기 위해 용량 성 소자 ( 134 ) 에 추가 의 층 이 도입 된다 . 특히 , 추가 의 n - 도핑 된 수용체 층 ( 242 ) 과 추가 의 전자 추출 층 ( 238 ) 은 절연 층 ( 178 ) 과 수용 재료 층 ( 236 ) 사이 에 도입 되 는 반면 , 추가 의 p - 도 펀트 층 ( 246 ) 에 의해 도 펀트 가 제공 되 는 p 도핑 추출 층 ( 244 ) 이 정공 추출 층 ( 240 ) 과 제 2 전극 ( 174 ) 사이 에 도입 된다 . 추가 로 n - 도핑 된 수용체 층 ( 242 ) 을 도입 하 거나 , 용량 성 소자 의 특정 배열 에 따라 , 선택 적 으로 추가 의 p - 도핑 수용체 층 을 도입 하 는 것 은 , 특히 , 입사 광 빔 ( 132 ) 의 위상 및 제 2 전극 ( 174 ) 에서 반사 되 고 있 는 광 빔 의 위상 매칭 을 향상 시키 기 위해 , ITO 층 ( 168 ) 으로부터 상기 반사 하 는 제 2 전극 ( 174 ) 까지 의 거리 를 조정 하 는 데 사용 될 수 있 고 , 그 에 따라 , 유기 감광층 ( 198 ) 내 의 조명 전력 과 관련 하 여 용량 층 ( capacitive layer ) ( 134 ) 의 성능 을 최적 화 할 수 있 다 .