하지만 , 일반 반도체 소자 와 는 달리 이미지 센서 의 상부 에 는 250 ℃ 이상 의 열 에 취약 한 감광성 유기물 물질 로 형성 되 어 있 어서 , 플라 즈 마 손상 등 에 의한 인터페이스 트랩 ( Interface trap ) 등 을 방지 할 수 있 는 H 2 어 닐 등 의 공정 진행 이 어려워 패 시베이 션 층 을 형성 한 후 H 2 어닐링 공정 을 진행 하 고 있 다 .