반도체 메모리 장치 가 고집 적 화 , 고속 화 됨 에 따라 , 내부 전원 전압 은 반도체 메모리 장치 의 신뢰 성 과 전력 소모량 의 관점 에서 보다 낮 은 레벨 로서 칩 내부 의 필요 한 곳 에 인가 되 는 것 이 바람직 하 다 . 따라서 , 상대 적 으로 높 은 레벨 의 외부 전원 전압 을 일정 레벨 로 강하 하 여 반도체 메모리 장치 의 동작 에 필요 한 내부 전원 전압 을 발생 하 는 내부 전원 전압 발생 회로 가 필요 하 게 된다 . 특히 , 디램 ( DRAM ) 등 과 같 은 반도체 메모리 장치 에서 는 외부 전원 전압 을 변환 하 여 일정 한 내부 전원 전압 을 칩 내부 의 회로 들 에 공급 하 는 내부 전원 전압 발생 회로 ( Internal Voltage down Converter ) 가 많이 채용 되 어 진다 .