여기 서 , 상기 제 1 하드 마스크 층 의 두께 는 10 ~ 1000 Å 의 범위 에서 토폴 러지 ( Topology ) 를 갖 게 형성 되 는 것 을 특징 으로 하 고 , 상기 제 1 하드 마스크 층 은 산화 막 또는 질화 막 중 선택 된 어느 하나 를 이용 하 여 형성 하 는 것 을 특징 으로 하 고 , 상기 이종 깊이 를 갖 는 리 세스 게이트 영역 형성 공정 은 건식 식각 ( Dry Etching ) 공정 을 이용 하 여 수행 하 는 것 을 특징 으로 한다 .