본 발명 에 따른 반도체 소자 의 트렌치 형성 방법 은 , 분리 된 다수 개 가 물결 모양 으로 배열 되 는 활성 영역 들 을 한정 하 는 소자 분리 막 을 형성 하 기 위한 반도체 소자 의 트렌치 형성 방법 에 있 어서 , 활성 영역 및 소자 분리 영역 을 갖 는 반도체 기판 상 에 패드 산화 막 , 패드 질화 막 , 비정질 카본 막 , 질화 막 및 폴리 실리콘 막 을 차례 로 형성 하 는 단계 와 , 상기 폴리 실리콘 막 을 등 간격 으로 배치 되 는 다수 의 물결 모양 라인 패턴 들 이 형성 되 도록 1 차 식각 하 는 단계 와 , 상기 1 차 식각 된 폴리 실리콘 막 을 물결 모양 라인 패턴 들 이 다수 개 로 분리 되 도록 2 차 식각 하 는 단계 와 , 상기 2 차 식각 된 폴리 실리콘 막 을 식각 장벽 으로 이용 해서 질화 막 및 비정질 카본 막 을 식각 하 는 단계 와 , 상기 식각 된 비정질 카본 막 을 식각 장벽 으로 이용 해서 패드 질화 막 과 패드 산화 막 을 식각 하 는 단계 와 , 상기 식각 된 비정질 카본 막 을 식각 장벽 으로 이용 해서 반도체 기판 을 식각 하 는 단계 를 포함 한다 .