이 와 같 은 문제 는 하부 게이트 나 활성 영역 까지 식각 이 진행 되 어 소자 가 제대로 작동 되 지 않 는 불량 을 유발 하 여 수율 저하 의 원인 으로 작용 한다 . 이 를 방지 하 기 위하 여 메탈 콘 택 의 과도 식각 시간 을 줄이 게 되 면 비트 라인 위 의 콘 택 바닥 면적 이 감소 하 여 콘 택 저항 이 증가 할 뿐 만 아니 라 웨이퍼 내 의 식각 속도 가 느린 부위 에 는 콘 택 낫 오픈 의 최악 의 상황 이 발생 한다 . 또한 , 낮 은 시트 저항 ( Low Rs ) 의 텅스텐 을 비트 라인 으로 사용 하 는 경우 메탈 콘 택 홀 형성 을 위한 M 1 C 식각 및 후속 PET , LET 처리 에서 텅스텐 펀치 가 발생 되 는 문제 가 있 다 .