도 5 를 참조 하 여 , 도 4 의 상태 에서 상기 반도체 기판 ( 1 ) 의 전면 상 에 제 2 희생 절 연막 ( 9 ) 을 콘 포말 하 게 형성 하 여 상기 제 1 희생 절 연막 ( 7 ) 의 상부 면 , 상기 활성 기둥 ( AP ) 의 측벽 과 상부 면 을 덮 는다 . 상기 제 2 희생 절 연막 ( 9 ) 은 상기 제 1 희생 절 연막 ( 7 ) 및 상기 활성 기둥 ( AP ) 와 동시 에 식각 선택 비 를 가지 는 물질 로 , 예 를 들 면 실리콘 질화 막 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 2 희생 절 연막 ( 9 ) 상 에 제 3 희생 절 연막 ( 11 ) 을 적층 한 후 에치 백 이나 화학 기계 적 연마 공정 과 같 은 평탄 화 공정 을 진행 하 여 상기 활성 기둥 ( AP ) 상 의 상기 제 2 희생 절 연막 ( 9 ) 의 상부 면 을 노출 시킨다 . 상기 제 3 희생 절 연막 ( 11 ) 은 예 를 들 면 실리콘 산화 막 으로 형성 될 수 있 다 .