도 22 d 는 금속 성 제 1 표면 과 중첩 되 는 제 2 표면 상 에 유전체 층 ( 2602 ) 이 선택 적 으로 증착 된 후 의 도 22 c 의 장치 를 도시 한다 . 일부 구 현예 에서 , 유전체 층 ( 2602 ) 은 고 유전율 재료 일 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 상기 고 유전율 재료 는 ZrO 2 일 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 선택 적 유전체 층 ( 2602 ) 은 SiOC , Al 2 O 3 , 및 SiN 과 같 은 저 유전율 재료 일 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 선택 적 으로 증착 된 유전체 재료 ( 2602 ) 는 금속 성 배리 어 재료 ( 2614 ) 를 노출 시키 는 트렌치 또는 비아 를 개방 하 기 위해 저 유전율 재료 ( 2608 ) 를 통한 후속 하 는 식각 에 대해 식각 정지 재료 로서 작용 할 수 있 다 .