이 어 , 도 6 및 도 7 에서 보 는 바 와 같이 기판 ( 110 ) 위 에 질화 규소 또는 산화 규소 를 적층 하 고 패 터닝 하 여 구동 반도체 ( 154 b ) 상부 에 경기장 트랙 형상 의 고리 모양 의 식각 저 지막 ( 147 b ) 과 스위칭 반도체 ( 154 a ) 상부 에 막대 모양 의 식각 저 지막 ( 147 a ) 을 형성 한다 . 이 어 , 박막 트랜지스터 의 특성 을 향상 시키 기 위하 여 드러난 구동 반도체 ( 154 b ) 를 표면 에 H 2 플라스마 처리 를 실시 한다 .