또한 , 마스크 재 층 ( 3 b ) 을 O 2 플 라즈 마로 제거 할 수 있 기 때문 에 , 플라 즈 마 다 이싱 을 행하 는 장치 와 동일 한 장치 로 마스크 부분 의 제거 를 할 수 있 다 . 이 에 더 하 여 패턴 면 ( 2 ) 측 ( 표면 ( S ) 측 ) 으로부터 플 라즈 마 다 이싱 을 행하 기 때문 에 , 피 킹 작업 전 에 칩 의 상하 를 반전 시킬 필요 가 없 다 . 이 들 의 이유 로부터 설비 를 간이화 할 수 있 고 , 프로세스 비용 을 큰 폭 으로 억제 할 수 있 다 .