이 와 는 달리 , 종래 의 박막 트랜지스터 의 제조 방법 에 의하 면 , 진공 조건 하 에서 기판 상 에 산화물 반도체 층 을 증착 하 고 , 상기 증착 된 산화물 반도체 층 을 노광 식각 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 종래 의 박막 트랜지스터 의 제조 방법 은 , 진공 조건 형성 을 위한 고가 의 장비 및 긴 공정 시간 이 요구 되 는 단점 이 있 다 .