또한 , 비휘발성 메모리 장치 ( 3 ) 는 게이트 유전 층 구조물 ( 420 ) 및 소스 컨 택 층 ( 203 ) 상 에 배치 되 는 채널 층 ( 430 ) 을 포함 할 수 있 다 . 도 6 a 및 도 6 c 를 참조 하 면 , 채널 층 ( 430 ) 의 일부분 이 소스 컨 택 층 ( 203 ) 의 측벽 면 과 접 도록 배치 됨 에 따라 , 채널 층 ( 430 ) 이 소스 컨 택 층 ( 203 ) 과 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 채널 층 ( 430 ) 은 일 예 로서 , 반도체 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 반도체 물질 은 실리콘 , 게르마늄 , 실리콘 게르마늄 , 갈륨비소 , 인듐 갈륨비소 또는 이 들 의 둘 이상 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 상기 반도체 물질 은 n 형 또는 p 형 으로 도핑 될 수 있 다 . 채널 층 ( 430 ) 은 다른 예 로서 , 전도성 금속 산화물 을 포함 할 수 있 다 . 상기 전도성 금속 산화물 은 인듐 - 갈륨 - 아연 산화물 , 인듐 - 주석 산화물 등 을 포함 할 수 있 다 . 한편 , 채널 층 ( 430 ) 상 에 는 필링 절연 층 ( 440 ) 이 형성 될 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 필링 절연 층 ( 440 ) 은 트렌치 ( 10 ) 내부 공간 을 채우 도록 배치 될 수 있 다 .