본 발명 은 반도체 소자 의 제조 기술 에 관한 것 으로서 , 더욱 구체 적 으로 는 층간 절 연막 으로 사용 되 는 저 유전 물질 을 질소 플 라즈 마 처리 하 여 층간 절 연막 의 표 면 에 변질 된 표면 층 을 형성 함 으로써 수분 및 암모니아 를 포함 한 기체 의 흡착 을 방지 할 수 있 는 층간 절 연막 을 갖 는 반도체 소자 의 구리 금속 배선 형성 방법 에 관한 것 이 다 .