이 제 1 발명 에서 는 , 지지 기재 로서 박막 글래스 기판 을 이용 하 고 있 음 으로써 , 색소 증감 반도체 층 에 사용 하 는 다공질 반도체 층 의 형성 시 에 예 를 들 어 500 ℃ 정도 의 높 은 온도 에서 소성 처리 를 행하 는 것 이 가능 하 게 되 기 때문 에 , 다공질 반도체 층 의 결정 성 이나 입자 의 결합 상태 가 양호 하 게 되 고 , 높 은 전자 전도 성 을 얻 을 수 있 기 때문 에 , 높 은 발전 효율 을 얻 을 수 있 다 . 또한 , 두께 가 0 . 2 ㎜ 이하 인 박막 글래스 기판 은 , 플라스틱 기판 과 마찬가지 로 , 용이 하 게 구부릴 수 있 어 플렉시블 할 뿐 만 아니 라 , 경량 이 다 . 박막 글래스 기판 은 , 두께 가 작 을수록 구부러지 기 쉬워져 경량 화 로 도 연결 되 지만 , 두께 가 지나치 게 작아지 면 기계 적 강도 가 지나치 게 저하 하 기 때문 에 , 이 들 의 관점 으로부터 바람직 한 두께 가 존재 하 며 , 구체 적 으로 는 , 0 . 01 ~ 0 . 2 ㎜ 가 바람직 하 다 . 이 두께 가 0 . 2 ㎜ 이하 인 박막 글래스 기판 은 , 보다 두꺼운 글래스 기판 을 연마 에 의해 얇 게 함 으로써 제작 해도 되 고 , 처음 부터 이 두께 로 제작 된 박막 글래스 기판 을 이용 해도 된다 . 이 박막 글래스 기판 의 재질 은 특별히 제한 되 지 않 고 , 종래 공지 된 각종 의 것 을 사용 할 수 있 으며 , 이 들 중 으로부터 적절 하 게 선택 된다 . 이 박막 글래스 기판 은 , 필요 에 따라서 , 강화 유리 화 함 으로써 기계 적 강도 를 늘리 는 것 도 가능 하 다 .