상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 제 1 실시 예 에 따르 면 , 반도체 기판 상 에 제 1 소자 영역 과 제 2 소자 영역 이 정의 되 고 , 상기 제 1 소자 영역 에 형성 된 제 1 소자 와 상기 제 2 소자 영역 에 형성 된 제 2 소자 를 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 은 , 상기 제 1 소자 영역 의 제 1 게이트 와 상기 제 2 소자 영역 의 제 2 게이트 를 동시 에 형성 하 는 단계 ; 상기 반도체 기판 상 에 PMD 막 을 증착 한 후 패 터닝 하 여 상기 제 1 게이트 가 노출 된 제 1 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 ; 상기 반도체 기판 상 에 상기 높 은 유전 상수 물질 과 제 1 및 제 2 금속 물질 을 증착 한 후 상기 PMD 막 이 노출 되 도록 평탄 화 하 여 상기 제 1 콘 택 홀 에 절 연막 , 금속 막 및 제 3 게이트 를 형성 하 는 단계 ; 상기 PMD 막 을 패 터닝 하 여 상기 제 2 게이트 가 노출 된 제 2 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 반도체 기판 상 에 제 3 금속 물질 을 증착 한 후 상기 PMD 막 이 노출 되 도록 평탄 화 하 여 상기 제 2 콘 택 홀 에 콘 택 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .