기존 의 FET 센서 는 평면형 구 조체 를 사용 함 으로써 상부 한쪽 면 에 만 표적 물질 이 감지 물질 과 결합 하 게 되 는 반면 , 본 발명 에 따른 핀 구조 는 양쪽 측면 에서 표적 물질 과 감지 물질 이 결합 하 게 되 어 채널 의 공핍 과 축적 을 보다 효과 적 으로 조절 하 여 높 은 신호 를 얻 을 수 있 다 . 이 에 따라 본 발명 에 따른 핀 구조 를 갖 는 FET 센서 는 기존 의 평면형 구 조체 를 사용 하 는 FET 센서 보다 고감도 의 표적 물질 검출 이 가능 하 다 .