본 발명 의 실시 예 에 따른 웨이퍼 제조 방법 은 슬라이 싱 ( Slicing ) , 랩 핑 ( Lapping ) , 에칭 ( Etching ) , 화학 기상 증착 ( Chemical Vapor Deposition ; CVD ) , 폴리 싱 ( Polishing ) , 에피 성장 ( Epitaxial growing ) 공정 을 포함 하 는 웨이퍼 제조 방법 에 있 어서 , 상기 화학 기상 증착 공정 에 투입 되 는 웨이퍼 의 Bow ( 보우 또는 구 부러짐 ) 를 제어 하 는 단계 를 더 포함 한다 . 상기 화학 기상 증착 공정 은 플 라즈 마 화학 기상 증착 ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ; PECVD ) 방법 을 이용 하 는 것 이 바람직 하 다 .