본 발명 이 이루 고자 하 는 기술 적 과제 는 트렌치 내 에 라이너 산화 막 을 형성 하 고 SOD 막 의 코팅 후 트렌치 깊이 를 고려 하 여 소스 가스 를 예열 하 여 SOD 큐어 링 공정 을 실시 함 으로써 , 트렌치 깊이 에 상관 없이 안정 적 인 소자 분리 막 을 형성 하 여 소자 의 전기 적 특성 향성 및 안정 한 EFH ( effective field oxide height ) 제어 가 가능 한 반도체 메모리 소자 의 소자 분리 막 형성 방법 을 제공 한다 .