이어서 , 게이트 절 연막 ( 313 ) 위 에 금속 막 을 형성 한 후 , 제 2 포토 마스크 를 사용 하 여 , 게이트 전극 ( 334 ) , 배선 ( 314 및 315 ) , 단자 전극 ( 350 ) 을 형성 한다 ( 도 1 b 참조 ) . 이 금속 막 으로서 , 예 를 들 면 질화 탄탈 및 텅스텐 을 각각 30 nm , 370 nm 적층 한 막 을 사용 한다 .