또한 , 상기 유전체 층 의 각 홀 주변 에 는 신호 라인 이 형성 되 어 그리드 제 어부 와 연결 되 고 , 상기 그리드 제 어부 는 유전체 층 에 연결 된 홀 별 신호 라인 으로 인가 되 는 전계 값 을 근거 로 해당 홀 을 통과 하 는 빔 의 상태 를 판 단함 과 더불 어 , 홀 별 빔 상태 를 근거 로 공정 완료 된 박막 이 균일 한 특성 을 갖 도록 하 기 위해 비 균일 영역 에 해당 하 는 각 그리드 전극 별 다수 전극 라인 으로 공급 되 는 전원 을 변경 하 여 개별 제어 하 는 것 을 특징 으로 하 는 빔 조절 기능 을 갖 는 반도체 공정 시스템 용 그리드 장치 가 제공 된다 .