상부 도체 ( 208 ) 의 형성 에 이어 , 메모리 셀 ( 200 ) 은 어닐링 되 어 다이오드 ( 204 ) 의 증착 된 반도체 물질 을 결정 화 할 수 있 다 ( 및 / 또는 실리사이드 층 ( 310 ) 을 형성 한다 ) . 적어도 일 실시 예 에서 , 어닐링 은 약 600 내지 800 ℃ 의 온도 , 더 바람직 하 게 는 650 내지 750 ℃ 의 온도 에서 질소 에서 약 10 초 내지 약 2 분 동안 수행 될 수 있 다 . 이외 의 어닐링 시간 들 , 온도 들 및 / 또는 환경 들 이 사용 될 수 있 다 . 언급 된 바 와 같이 , " 실리사이드 층 ( 310 ) 은 다이오드 ( 204 ) 를 형성 하 는 하지 의 증착 된 반도체 물질 에 대한 어닐링 동안 "" 결정 화 템 플레이트 "" 또는 "" 시드 "" 로서 작용 할 수 있 다 . 그럼 으로써 더 낮 은 저항률 의 다이오드 물질 이 제공 된다 . "