중도 핑 된 N 형 기판 층 ( 2 ) 을 제공 하 는 단계 ; 기판 층 ( 2 ) 상 에 경도 핑 된 N 형 에피 택 셜 층 ( 3 ) 을 성장 시키 는 단계 ; 에피 택 셜 층 ( 3 ) 의 기판 층 ( 2 ) 에서 먼 제 1 표면 ( 30 ) 에 건식 에칭 을 통해 간격 을 두 고 배열 되 며 에피 택 셜 층 ( 3 ) 내부 로 함몰 되 는 다수 의 트렌치 ( 31 ) 를 형성 하 는 단계 ; 트렌치 ( 31 ) 사이 의 에피 택 셜 층 ( 3 ) 의 제 1 표면 ( 30 ) 에 또 한 번 의 건식 에칭 을 통해 간격 을 두 고 배열 되 며 에피 택 셜 층 ( 3 ) 내부 로 함몰 되 는 다수 의 블라인드 홀 ( 32 ) 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .