또한 , 본 발명 은 스토리지 전극 ( 61 ) 을 상기 게이트 절 연막 ( 47 ) 상 에 형성 하 여 상기 스토리지 전극 ( 61 ) 과 상기 화소 전극 ( 67 ) 사이 에 보호막 ( 65 ) 만 을 형성 함 으로써 , 상기 스토리지 전극 ( 61 ) 과 상기 화소 전극 ( 67 ) 간 의 거리 를 감소 시켜 스토리지 캐 패 시 턴 스 의 용량 을 증가 시킬 수 있 다 . 이 에 따라 , 본 발명 의 스토리지 캐 패 시턴 스 에 의해 한 프레임 동안 충분히 상기 화소 전극 으로 인가 된 데이터 전압 을 유지 시켜 줄 수 있 어 , 화질 이 향상 될 수 있 다 .