그리고 , 상기 게이트 절 연막 ( 116 ) 상 에 금속 층 일예 로 , 구리 ( Cu ) , 알루미늄 ( Al ) , 알루미늄 합금 ( AlNd ) , 몰리브덴 ( Mo ) , 크롬 ( Cr ) , 티타늄 ( Ti ) , 탄 탈륨 ( Ta ) , 몰리브덴 - 텅스텐 ( MoW ) 등 을 증착 하 고 제 3 노광 마스크 를 이용 한 포토 식각 기술 로 게이트 전극 ( 112 ) 및 커패시터 상부 전극 ( 122 ) 을 형성 한다 .