또한 , 도 11 a 의 구조 에서 는 상기 층간 절 연막 ( 66 ) 위 에 , 두께 가 예 를 들 면 130 nm 인 다른 SiON 막 ( 67 ) 을 통하 여 실리콘 산화 막 으로 이루어진 다음 의 층간 절 연막 ( 68 ) 이 , 상기 층간 절 연막 ( 66 ) 과 마찬가지 로 하 여 TEOS 를 원료 로 하 는 플 라즈 마 CVD 법 에 의해 , 예 를 들 면 300 nm 의 두께 로 형성 되 어 있 다 . 여기 서 상기 SiON 막 ( 67 ) 대신 에 SiN 막 또는 Al 2 O 3 막 을 사용 하 는 것 도 가능 하 다 .