모 기재 ( MS ) 는 약 400 ℃ 내지 약 600 ℃ 에서 염 처리 될 수 있 다 . 상기 공정 온도 는 염의 녹는점 보다 높 을 수 있 다 . 따라서 , 염 처리 공정 중 염 은 용융 된 상태 로 유지 될 수 있 다 . 아울러 , 공정 온도 를 상기 온도 범위 로 유지 함 으로써 , 모 기재 ( MS ) 표면 에서 모 기재 ( MS ) 와 염 간 의 반응 이 촉진 될 수 있 다 . 공정 온도 가 약 400 ℃ 미만 인 경우 , 모 기재 ( MS ) 와 염 간 의 반응 속도 가 느려져 실리콘 풍부 층 ( SRL ) 형성 이 저하 될 수 있 다 . 공정 온도 가 약 600 ℃ 보다 높 을 경우 , 염과 모 기재 ( MS ) 사이 의 반응 이 커지 고 , 이 에 따라 모 기재 표면 에 부식 이 발생 할 수 있 다 . 부식 이 발생 함 에 따라 모 기재 ( MS ) 및 모 기재 ( MS ) 로부터 제작 되 는 표시 장치 윈도우 ( WG ) 표면 에 헤이즈 ( Haze ) 가 증가 하 여 투명 성 이 저하 될 수 있 다 . 또한 , 모 기재 ( MS ) 표면 에서 1 족 및 2 족 원소 제거 반응 외 에 다른 부 반응 ( side reaction ) 이 일어나 , 표시 장치 윈도우 ( WG ) 의 품질 이 저하 될 수 있 다 .