또한 다른 예 로서 는 , 제 1 트랜지스터 는 , 절연 표면 상 에 형성 되 어 산화물 반도체 이외 의 반도체 재료 로 이루어지 는 반도체 층 에 마련 된 채널 형성 영역 과 , 채널 형성 영역 을 사이 에 두 도록 마련 된 한 쌍 의 불순물 영역 과 , 채널 형성 영역 과 겹치 는 제 1 게이트 절연 층 과 , 제 1 게이트 절연 층 을 사이 에 두어 채널 형성 영역 과 중첩 하 도록 마련 된 제 1 게이트 를 갖 는 구성 으로 할 수 가 있 다 . 여기 서 , 한 쌍 의 불순물 영역 중 의 한 쪽 이 소스 가 되 고 다른 쪽 이 드레 인 이 된다 .