또한 , 제 1 전극 ( 16 ) 의 측벽 에 주입 된 질소 는 후속 하 는 산화 공정 동안 에 제 1 전극 ( 16 ) 의 측벽 이 산화 되 는 것 을 방지 한다 . 즉 , 다른 산화 공정 , 예컨대 도 1 a 에서 게이트 산화 막 ( 24 ) 을 형성 하 는 공정 을 거치 더라도 , 폴리 실리콘 으로 형성 되 는 제 1 전극 의 측벽 표면 에 산화 막 이 형성 되 지 않 는다 . 따라서 , 제 1 전극 ( 16 ) 에 는 도 2 에서 와 같 은 버즈 비크 가 발생 하 지 않 으므로 , 버즈 비크 로 인해 ONO 막 ( 24 ) 을 구성 하 는 블로킹 산화 막 이 두꺼워 지 는 현상 이 일어나 지 않 는다 .