상술 한 바 와 같이 , 보다 미세 한 패턴 을 정확 하 게 제작 하 기 위해서 는 , 가공 시 에 레지스 트 패턴 에 , 보다 손상 을 제공 하 지 않 는 가공 조건 으로 가공 가능 한 차광막 으로 할 필요 가 있 는데 , 일본 특허 공개 제 2007 - 241060 호 공보 ( 특허 문헌 3 ) 에서 제안 된 전이 금속 과 규소 를 , 투과율 감소 기능 을 제공 하 는 원소 로서 함유 하 고 , 추가 로 필요 에 따라 질소 나 산소 등 의 저 원자량 성분 을 포함 하 는 재료 를 이용 하 는 차광막 과 , 크롬 계 의 하드 마스크 막 을 갖 는 포토 마스크 블랭크 의 경우 , 레지스 트 에 대한 부하 를 작 게 하 기 위한 유효 한 방책 으로 는 , 하드 마스크 막 의 막 두께 와 함께 , 차광막 의 막 두께 자체 를 얇 게 하 는 방법 을 들 수 있 다 . 이 경우 , 특히 차광막 측 에 대해서 는 , 박막 으로 높 은 차광성 을 얻 기 위해 , 이용 하 는 재료 에 가하 는 질소 나 산소 등 의 저 원자량 성분 은 최대한 저 농도 로 하 여 , 이른바 금속 성 이 높 은 막 이 차광막 으로서 이용 된다 .