전하 차단 영역 ( 118 a ) 은 선택 라인 과 이 와 인접 하 여 형성 된 워드 라인 ( WL 0 ) 사이 의 접합 영역 ( 114 a ) 에서 전자 의 이동성 을 감소 시킬 수 있 기 때문 에 , 선택 라인 에서 생성 되 는 핫 일렉트론 이 인접 하 여 형성 된 워드 라인 ( WL 0 ) 까지 이동 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 따라서 선택 라인 과 인접 하 여 형성 된 워드 라인 ( WL 0 ) 이 프로그램 디 스터 번스 되 는 문제점 을 해결 할 수 있 다 .