다음 으로 , 기판 ( 10 ) 의 제 1 영역 ( R 1 ) 상 에 제 1 계면 층 ( 121 ) 및 기판 ( 10 ) 의 제 2 영역 ( R 2 ) 상 에 제 2 계면 층 ( 122 ) 이 형성 될 수 있 다 . 다음 으로 , 기판 ( 10 ) 의 제 1 영역 ( R 1 ) 및 제 2 영역 ( R 2 ) 상 에 강유 전 층 ( 22 ) , 안정 화 층 ( 23 ) , 산소 확산 배리 어 층 ( 24 ) , 및 실리콘 층 ( 50 ) 을 차례 로 형성 하 고 , 강유 전 층 ( 22 ) 을 어닐링 할 수 있 다 . 다음 으로 , 실리콘 층 ( 50 ) 은 제거 될 수 있 다 .