그런데 , 전술 한 현상 처리 가 실시 된 후 의 레지스 트 패턴 의 표면 에 는 , 노광 처리 시 에 웨이퍼 의 표면 에 조사 되 는 빛 의 파동 적 성질 { 예컨대 , KrF 의 파장 은 248 ㎚, ArF 의 파장 은 193 ㎚} 에 의해 레지스 트 패턴 의 측벽 면 의 수평 및 연직 방향 으로 복수 의 줄무늬 가 생겨 , 레지스 트 패턴 의 표면 에 요철 { LWR ( Line Width Roughness ) , LER ( Line Edge Roughness ) } 이 생긴다 . 이 와 같이 , 레지스 트 패턴 의 표면 에 요철 이 생겨 표면 이 거칠 어 지 면 , 그 레지스 트 패턴 을 마스크 로 해서 하 지 막 을 에칭 처리 했 을 때 에 , 하 지 막 에 는 레지스 트 패턴 의 줄무늬 에 대응 한 줄무늬 등 의 요철 이 생겨 , 정밀 한 회로 패턴 이 형성 되 지 않 으므로 , 원 하 는 품질 의 반도체 디바이스 가 제조 되 지 않 게 된다 .