이 어 , 상기 패 시베이 션 막 ( 340 ) 을 식각 하 여 상기 소오 스 / 드레 인 전극 ( 330 a , 330 b ) 중 어느 하나 를 노출 시키 는 비어홀 ( 345 ) 을 형성 하 고 , 상기 소오 스 / 드레 인 전극 ( 330 a , 330 b ) 중 어느 하나 와 연결 되 는 제 1 전극 ( 350 ) 을 형성 한다 . 상기 제 1 전극 ( 350 ) 은 상기 비 아홀 ( 345 ) 의 바닥 에 위치 하 여 상기 노출 된 소오 스 / 드레 인 전극 ( 330 a , 330 b ) 중 어느 하나 에 접하 고 , 상기 패 시베이 션 막 ( 340 ) 상 으로 연장 된다 . 상기 제 1 전극 ( 350 ) 은 ITO ( Indium Tin Oxide ) 또는 IZO ( Indium Zinc Oxide ) 를 사용 할 수 있 다 .