예시 적 인 장치 에서 는 , 비 전도 성 저 굴절 률 층 의 영역 ( 36 ) 이 p - 타입 영역 ( 20 ) 과 p - 콘택트 ( 24 ) 의 사이 에 증착 된다 . 적당 한 저 굴절 률 층 들 의 예 들 은 SiO 2 ( n = 1 . 5 ) , SiN , TiO 2 , 또는 Al 2 O 3 와 같 은 유전체 들 및 ZnO 와 같 은 반도체 들 을 포함 한다 . 유전체 저 유전 률 층 은 ( 위 에 설명 된 바 와 같이 ) 스침 광 의 반사 를 보장 하 기 에 족할 만큼 두꺼워야 한다 ; 예 를 들 면 , 적어도 80 nm . 일부 실시 예 들 에서 , 유전체 저 유전 률 층 은 위 에 설명 된 바 와 공명 을 피하 기 에 족할 만큼 얇 거나 ( 예 를 들 면 100 nm 미만 ) , 또는 하나 의 공명 만 을 지원 하 기 에 족할 만큼 얇 을 수 있 다 ( 예 를 들 면 , 250 nm 미만 ) . 다른 실시 예 들 에서 저 귤 절 률 층 은 더 두껍 고 공명 들 을 지원 하 지만 , 반도체 구조 의 두께 는 저 굴절 률 층 에 의해 지원 되 는 공명 들 에 대응 하 는 각도 들 에서 광 을 방출 하 는 것 을 피하 도록 조정 된다 . 일부 실시 예 들 에서 , 임계 각도 미만 에서 입사 하 는 광 의 반사율 은 95 % 보다 크 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 임계 각도 보다 큰 각도 에서 입사 하 는 광 의 반사율 은 98 % 보다 크 다 .