도 11 은 상기 고유 전률 절 연막 ( 11 ) 위 에 금속 을 증착 하 여 게이트 ( 12 ) 를 형성 한 후 , 게이트 , 소오 스 , 드레 인 전극 을 형성 한 상태 를 도시 하고 있 다 . 이 와 같 은 공정 으로 본 발명 의 사상 에 따른 단위 쇼트 키 장벽 관통 트랜지스터 가 완성 되 었 으며 , 이후 , 상기 소오 스 , 게이트 및 드레 인 에 필요 한 배선 이 연결 된다 .