자세 하 게 , 상기 하부 전극 은 상기 수 용부 와 동일 한 패턴 형상 으로 형성 될 수 있 다 . 즉 , 상기 하부 전극 은 상기 수 용부 와 중첩 되 도록 패 터닝 될 수 있 다 . 즉 , 상기 하부 전극 은 상기 양 각부 와 중첩 되 는 영역 에 는 형성 되 지 않 고 , 상기 수 용부 와 중첩 되 는 영역 에 만 형성 되 도록 패 터닝 될 수 있 다 .