다음 에 , 제 1 전극 ( 2102 ) 이 형성 된 면 이 하방 이 되 도록 , 제 1 전극 이 형성 된 기판 을 진공 증착 장치 내 에 설치 된 기판 홀더 에 고정 하 였 다 . 성막 실 을 10 - 4 Pa 정도 까지 감압 한 후 , 제 1 전극 ( 2102 ) 위 에 , 4 , 4 '- 비스 [ N -( 1 - 나프 틸 ) - N - 페닐 아미노 ] 비페닐 ( 약칭 : NPB ) 과 산화 몰리브덴 ( VI ) 을 공 증착 함 으로써 , 유기 화합물 과 무기 화합물 을 복합 하 여 이루어지 는 복합 재료 를 포함 하 는 층 ( 2111 ) 을 형성 하 였 다 . 그 의 막 두께 는 50 nm 로 하 고 , NPB 와 산화 몰리브덴 ( VI ) 과 의 비율 은 중량 비로 4 : 1 ( = NPB : 산화 몰리브덴 ) 이 되 도록 조절 하 였 다 . 또한 , 공 증착 법 이란 , 하나 의 처리 실 내 에서 복수 의 증발원 으로부터 동시 에 증착 을 행하 는 증착 법 이 다 .