도 1 h 를 참조 하 면 , n - 형 CIS 막 ( 130 a ) 이 노출 되 도록 게이트 전극 ( 110 a ) 상 에 위치 하 는 제 2 도전 층 ( 150 ) 과 p - 형 CIS 막 ( 140 a ) 을 식각 하 여 트렌치 ( 155 ) 를 형성 한다 . 이 경우 에 , n - 형 CIS 막 ( 130 a ) 의 일부 영역 을 더 식각 할 수 도 있 다 . 상기 식각 공정 은 동시 에 수행 할 수 도 있 고 , 복수 의 마스크 를 사용 하 여 일련 의 식각 공정 에 의하 여 수행 될 수 도 있 다 . 상기 식각 공정 을 수행 하 면 , 제 2 도전 층 ( 150 ) 은 분리 되 어 소스 / 드레 인 영역 ( 150 a ) 이 되 고 , 또한 n - 형 CIS 막 ( 130 a ) 은 액티브 층 ( active layer ) 이 된다 . 상술 한 바 와 같이 , 기판 ( 100 ) 상 에 p - 형 CIS 층 ( 140 ) 을 n - 형 CIS 층 ( 130 ) 보다 먼저 형성 한 경우 에 는 p - 형 CIS 막 ( 140 a ) 이 액티브 층 이 된다 .