이어서 , 상기 버퍼 층 ( 212 ) 상 에 Si , Ge , Sn 등 과 같 은 n 형 도전 형 불순물 이 도핑 된 GaN 층 ( 213 a ) 및 제 1 n + 형 GaN 층 ( 213 b ) 이 순차 적 으로 적층 된 n 형 질화물 반도체 층 ( 213 ) 을 형성 한 후 , 상기 제 1 n + 형 GaN 층 ( 213 b ) 상 에 유전체 층 ( 220 ) 을 형성 한다 .