이렇게 하 면 , 상기 HDP 방식 을 통한 절 연막 의 형성 시 SDR ( Sputtering Deposition Ratio ) 이 감소 되 어 상기 스토리지 노드 용 홀 의 측면 에 표면 이 거친 형상 을 갖 는 절 연막 을 형성 할 수 있 으므로 스토리지 노드 의 표면적 을 종래 보다 증가 시킬 수 있 으며 , 이 를 통해 , 상기 캐 패 시터 의 용량 을 증가 시켜 반도체 소자 의 동작 특성 을 개선 할 수 있 다 .