일실 시예 에서 , 제 1 영역 들 ( 760 f ) 내 에서 리세 스 들 을 형성 함 으로써 PCD 소재 를 제거 하 는 것 은 제 1 영역 들 ( 760 f ) 의 적어도 일부 사이 에 마루 들 또는 채널 들 을 생성 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 채널 들 및 / 또는 마루 들 은 제 1 영역 들 ( 760 f ) 중 적어도 일부 사이 에 형성 될 수 있 다 . 이 들 채널 들 및 / 또는 마루 들 을 보상 하 고 표면 마감 을 향상 시키 기 위해 , 제 2 영역 들 ( 760 g ) 은 제 1 영역 들 ( 760 f ) 에 대해 오프셋 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 2 영역 들 ( 760 g ) 은 x 방향 오프셋 ( 748 g ) 및 / 또는 y 방향 오프셋 ( 752 g ) 중 적어도 하나 만큼 제 1 영역 들 ( 7650 f ) 에 대해 오프셋 될 수 있 다 . x 방향 오프셋 ( 748 g ) 은 x 방향 으로 연장 된 제 1 및 / 또는 제 2 영역 들 ( 760 f , 760 g ) 의 최대 크기 의 약 1 % 내지 약 99 . 95 %( 예컨대 , 약 1 % 내지 약 10 %, 약 5 % 내지 약 25 %, 약 20 % 내지 약 40 %, 약 30 % 내지 약 50 %, 약 40 % 내지 약 60 %, 약 55 % 내지 약 75 %, 약 70 % 내지 약 90 %, 또는 약 80 % 내지 약 99 %) 일 수 있 다 . y 방향 오프셋 ( 752 g ) 은 y 방향 으로 연장 된 제 1 및 / 또는 제 2 영역 들 ( 760 f , 760 g ) 의 최대 크기 의 약 1 % 내지 약 99 . 95 %( 예컨대 , 약 1 % 내지 약 10 %, 약 5 % 내지 약 25 %, 약 20 % 내지 약 40 %, 약 30 % 내지 약 50 %, 약 40 % 내지 약 60 %, 약 55 % 내지 약 75 %, 약 70 % 내지 약 90 %, 또는 약 80 % 내지 약 99 %) 일 수 있 다 .