본 발명 은 상기 한 바 와 같 은 결점 을 해소 시키 기 위하 여 안출 된 것 으로서 , 실리콘 기판 과 하드 마스크 의 사이 에 식각 종료 층 을 형성 함 으로써 , 트렌치 의 폴리 스틱 업 부분 의 리세 스 ( recess ) 방지 및 두께 를 균일 하 게 유지 시킬 수 있 는 반도체 소자 의 트렌치 형성 방법 을 제공 하 는데 그 목적 이 있 다 .