도 2 b 는 스터핑 층 ( 3 ) 과 그 상하 의 제 2 완충 층 ( 4 ) 과 제 1 완충 층 ( 2 ) 과 의 격자 상수 를 달리 함 으로써 결정립계 ( grain boundary ) 를 통한 Si 확산 경로 ( 화살표 ) 의 길이 를 확장 하 게 된다 . 따라서 스터핑 층 ( 3 ) 의 두께 에 비해 큰 길이 의 확산 경로 를 얻 을 수 있 게 되 고 따라서 GaN 으로 의 Si 확산 량 을 감소 시킬 수 있 다 .