도 14 를 참조 하 여 , 전도성 레벨 ( 20 ) 이 형성 되 고 , 도시 된 실시 예 에서 , 전도성 레벨 ( 20 ) 는 재료 ( 28 및 30 ) 를 포함 한다 . 전도성 레벨 ( 20 ) 은 제 1 세그먼트 ( 85 ) 내 에 비 - 종단 영역 ( 51 ) 을 갖 고 , 제 2 세그먼트 ( 87 ) 내 에 종단 영역 ( 53 ) 을 갖 는다 . 비 - 종단 영역 ( 51 ) 은 수직 두께 T 1 을 갖 고 종단 영역 ( 53 ) 은 도 2 를 참조 하 여 전술 한 실시 예 와 유사 하 게 수직 두께 T 2 를 갖 는다 . 따라서 , 도 14 의 구조 ( 10 c ) 는 도 2 를 참조 하 여 전술 한 NAND 메모리 어레이 ( 12 b ) 와 유사 한 NAND 메모리 어레이 ( 12 b ) 를 포함 한다 . 제 1 재료 ( 66 ) 는 일부 실시 예 에서 재료 ( 26 ) 와 동일 할 수 있 다 ( 예 를 들 어 , 실리콘 이 산화물 또는 다른 적절 한 절연성 재료 를 포함 할 수 있 다 ) . 대안 적 으로 , 일부 실시 예 에서 는 제 1 재료 ( 66 ) 는 제거 되 고 재료 ( 26 ) 로 대체 될 수 있 다 .