먼저 공정 ( a ) 에서 절 연판 ( 410 ) 에 사선 으로 하부 코일 ( 420 ) 을 만들 기 위하 여 4 개 의 배선 을 금속 과 같 은 도체 또는 반도체 물질 등 으로 긴 막대기 형태 로 패턴 을 형성 한다 . 그리고 각 코일 의 양 단부 ( 421 , 422 ) 는 계속 적층 하 기 용이 하 도록 별도 로 구획 을 마련 하 고 그 사이 를 비스듬히 하부 코 일선 ( 425 ) 을 연결 한다 . 공정 ( b ) 에서 공정 ( a ) 의 적층 구역 을 제외 하 고 는 모두 절연물 질 로 덮 어 절연 층 ( 430 ) 을 형성 하 고 , 양 단부 ( 431 , 432 ) 를 코일 을 양부 를 유지 하 도록 남긴다 . 공정 ( c ) 에서 남 은 적층 구역 에 계속 도체 로서 양 단부 ( 441 , 442 ) 를 적층 하 여 절연 물질 위 로 돌출 시킨다 . 공정 ( d ) 에서 코일 의 양단 사이 에 코어 역할 을 할 수 있 도록 도체 나 반도체 등 을 긴 직 사면체 형태 로서 형성 시켜 코 어부 ( 450 ) 를 만든 다 . 공정 ( e ) 에서 코일 양단 의 구획 부 ( 471 , 472 ) 와 코 어부 ( 450 ) 를 공정 ( b ) 와 같이 절연물 질 로 덮 어 절연 층 ( 460 ) 을 형성 하 고 양 구획 부 ( 471 , 472 ) 를 공정 ( a ) 에서 형성 된 패턴 과 엇갈리 도록 다시 긴 막대기 형태 로 패턴 을 상부 코 일선 ( 475 ) 를 형성 하 여 코일 을 완성 한다 . 그리하여 코어 를 중심 으로 코일 을 감 은 형태 가 되 도록 디플렉터 전극 ( 473 , 474 ) 을 형성 할 수 있 다 . 공정 ( e ) 에서 남 은 양쪽 구 획부 ( 473 , 474 ) 는 배선 을 위하 여 사용 될 수 있 으며 하나 의 평면 에 필요 한 디플렉터 전극 수 만큼 만들 수 있 으며 전자 빔 이 관통 되 는 부분 은 에칭 공정 이나 레이저 가공 등 으로 만들 수 있 다 .