다음 으로 , 도 44 에서 , 습식 에칭 공정 ( 119 ) 이 수행 되 어 N 타입 일함수 층 ( 85 ) 의 노출 된 부분 을 선택 적 으로 제거 한다 . 일부 실시 형태 에서 , 습식 에칭 공정 ( 119 ) 은 N 타입 일함수 층 ( 85 ) 에 대해 선택 적 인 제 3 에칭 화학 물 ( W 3 ) 을 사용 한다 . 일부 실시 형태 에서 , 제 3 에칭 화학 물 ( W 3 ) 은 에칭 제 와 산화제 를 포함 한다 . 일 실시 형태 에서 , 에 칭제 는 염화수소 ( HCl ) , 인산 ( H 3 PO 4 ) 등 과 같 은 산 이 다 . 다른 실시 형태 에서 , 에 칭제 는 수산화 암모늄 ( NH 4 OH ) 과 같 은 염기 이 다 . 제 3 에칭 화학 물 ( W 3 ) 에 사용 되 는 산화제 는 예컨대 과산화수소 ( H 2 O 2 ) 일 수 있 다 . 일부 실시 형태 에서 , 에 칭제 ( 예컨대 , 염기 또는 산 ) 와 산화제 는 제 3 에칭 화학 물 ( W 3 ) 을 형성 하 기 위해 탈 이온 수 ( DIW ) 와 같 은 수용액 에 혼합 된다 . 제 3 에칭 화학 물 ( W 3 ) 중 의 에칭 제 및 산화제 의 농도 ( 예컨대 , 체적 농도 ) 는 약 1 % 내지 약 10 % 와 같이 약 1 % 보다 높 다 . 습식 에칭 공정 ( 119 ) 은 약 40 ℃ 내지 약 70 ℃ 의 온도 에서 그리고 약 1 분 내지 약 5 분 의 지속 시간 동안 수행 될 수 있 다 . 습식 에칭 공정 ( 119 ) 의 에칭 선택 성 으로 인해 , N 타입 일함수 층 ( 94 ) 을 실질 적 으로 공격 하 지 않 으면서 N 타입 일함수 층 ( 85 ) 의 노출 된 부분 이 제거 된다 .