이어서 , 레지스 트 ( 6 a 및 6 b ) 는 에칭 가스 로서 탄화 플루오르 가스 를 이용 한 건식 에칭 에 의해 실리콘 산화 막 ( 5 ) 을 처리 하 기 위한 마스크 로서 이용 되 어 넓 은 폭 과 좁 은 폭 패턴 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 패 터닝 된 실리콘 산화 막 ( 5 ) 과 실리콘 질화 막 ( 3 ) 에 대한 에칭 선택 비 를 이용 할 수 있 는 조건 하 에서 , 이방성 에칭 을 이용 하 여 레지스 트 ( 6 a 및 6 b ) 를 제거 하 고 또 한 유기 재료 막 ( 4 ) 을 좁 은 폭 패턴 과 넓 은 폭 패턴 으로 패 터닝 한다 . 예컨대 , 유기 재료 막 ( 4 ) 은 에칭 가스 로서 산소 가스 를 이용 한 건식 에칭 에 의해 수직 처리 되 고 , 레지스 트 ( 6 a 및 6 b ) 는 1 : 3 의 라인 - 스페이스 비율 을 갖 는 패턴 과 , 실리콘 산화 막 ( 5 ) 및 유기 재료 막 ( 4 ) 에서 의 와이더 라인 의 패턴 을 형성 하 도록 제거 된다 .