다음 으로 전극 패드 ( 120 ) 에 인접 한 영역 , 즉 , 다 이싱 스트리트 에 인접 하 여 노출 된 실리콘 웨이퍼 기판 ( 140 ) 전면 을 습식 또는 건식 식각 하 여 수 내지 수십 마이크로 의 직경 과 100 ㎛ 내지 300 ㎛ 의 깊이 를 갖 는 비 아홀 ( 150 ) 을 형성 한다 ( 도 5 a ) . 이때 , 비 아홀 의 한 변의 직경 이 수 내지 수십 ㎛ 이 므로 , 그 면적 은 수십 내지 최대 수천 ㎛ 2 로써 , 전극 패드 ( 120 ) 의 면적 보다 넓 다 .