도쿄 일렉트론 사의 「 클린 트랙 ACT - 8 」 내 에서 , 실리콘 웨이퍼 상 에 상기 제조 한 레지스 트 재료 를 스핀 코트 한 후 , 130 ℃, 60 초 의 조건 에서 PB 를 행하 여 , 평균 두께 50 ㎚ 의 레지스 트 막 을 형성 했 다 . 이어서 , 이 레지스 트 막 에 , i 선 스 테퍼 ( 니콘 사의 「 NSR 2205 i 12 D 」 ) 를 사용 해서 레지스 트 막 에 i 선 을 0 . 5 ㎝ 사방 의 영역 에 1 , 000 mJ / ㎠ 로 조사 했 다 . i 선 의 조사 후 , 상기 클린 트랙 ACT - 8 내 에서 , 110 ℃, 60 초 의 조건 에서 PEB 를 행하 고 , 이어서 상기 클린 트랙 ACT - 8 내 에서 , 2 . 38 질량 % 수산화 테트라메틸 암모늄 ( TMAH ) 수용액 을 사용 하 여 , 23 ℃ 에서 1 분 간 , 퍼 들 법 에 의해 현상 했 다 . 현상 후 , 순수 로 의 수세 및 건조 에 의해 포지티브 형 레지스 트 패턴 을 형성 했 다 . 이 처리 후 , i 선 조사 부 에 있 어서 의 막 두께 를 확인 하 여 , 잔 막 이 0 , 즉 해상 이 되 어 있 는 것 을 A ( 양호 ) 라 하 고 , 해상 이 되 어 있 지 않 은 것 을 B ( 불량 ) 라 했 다 . 평가 결과 를 하 기 표 3 에 나타낸다 . 이 시험 에 있 어서 , A ( 양호 ) 였 던 것 에 대해서 는 , 증감제 가 i 선 을 흡수 해서 여기 되 고 , 이 여기 체로 부터 감방 사선 성 산 발생 제 로 에너지 또는 전자 이동 이 효율 적 으로 일어나 서 , 감방 사선 성 산 발생 제 로부터 산 이 발생 하 고 , 이어서 중합체 의 탈 보호 반응 이 진행 된 것 으로 추측 된다 .