본 명세서 에 개시 하 는 반도체 장치 ( 예 를 들 어 , 실시 형태 1 내지 4 에 있 어서 의 스위치 트랜지스터 ( 202 _ 1 ) 내지 스위치 트랜지스터 ( 202 _ n ) , 트랜지스터 ( 232 _ 1 ) 내지 트랜지스터 ( 232 _ n ) , 트랜지스터 ( 204 ) ) 에 적용 할 수 있 는 트랜지스터 의 단면 구조 의 예 를 도 13 a 내지 도 13 d 에 도시 하 였 다 . 도 13 a 내지 도 13 d 에 도시 한 트랜지스터 는 절연 층 ( 400 ) 위 에 설치 하 는 예 를 나타내 지만 , 유리 기판 등 의 기판 위 에 설치 될 수 도 있 다 . 또한 , 도 13 a 내지 도 13 d 에 도시 한 트랜지스터 를 실시 형태 4 에 있 어서 의 스위치 트랜지스터 ( 202 _ 1 ) 에 적용 하 는 경우 , 절연 층 ( 400 ) 은 절연 층 ( 130 ) 에 상당 한다 .