또한 , 도 8 내지 도 10 에서 는 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) 는 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 이 고 , 제 3 트랜지스터 ( T 3 ) 가 옥사이드 ( oxide ) 박막 트랜지스터 인 것 으로 설명 하 였으나 , 이 에 한정 되 지 않 는다 . 예 를 들 어 , 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) 및 / 또는 제 3 트랜지스터 ( T 3 ) 는 각각 다양 한 방법 으로 형성 된 액티브 층 을 가질 수 있 다 .