지지 유닛 ( 40 ) 은 불순물 을 더미 액티브 영역 DAA 에 만 선택 적 으로 주입 함 으로써 도전체 가 될 수 있 다 . 이 경우 에 , 더미 액티브 영역 DAA 의 전위 는 벌크 기판 ( 10 ) 의 전위 와 동일 하 게 설정 될 수 있 다 . 더미 액티브 영역 DAA 이 전기 적 으로 부동 상태 에 있 으면 , BOX 층 ( 20 ) 또는 메모리 셀 MC 은 , 제조 동안 의 더미 액티브 영역 DAA 에서 의 전하 의 축 적 으로 인해 파괴 될 위험 이 있 다 . 더미 액티브 영역 DAA 이 전기 적 으로 부동 상태 에 있 으면 , 메모리 셀 MC 의 특성 이 불 안정 하 게 되 는 부정 적 인 영향 의 위험 이 존재 한다 . 그러나 , 더미 액티브 영역 DAA 의 전위 가 본 실시 예 에서 와 같이 벌크 기판 ( 10 ) 의 전위 로 고정 되 면 , 상기 문제점 은 존재 하 지 않 는다 .