3 . 반응 챔버 내 의 온도 를 1150 ℃ 로 낮추 고 , 압력 을 200 mbar 로 유지 시켜 , 반응 챔버 내부 로 수소 가스 , 트리 메틸 갈륨 （ 100 mL / min ）, 트리 메틸 알루미늄 （ 360 mL / min ） 및 암모니아 가스 를 유입 시켜 , 비 도핑 AlN 층 상 에 두께 가 약 1500 nm 인 한 층 의 비 도핑 AltGa 1 - tN 층 을 생성 하 되 , 여기 서 t = 0 . 52 이 고 ;