여기 서 , 트랜지스터 ( 162 ) 의 드레 인 전극 ( 또는 소스 전극 ) 과 , 트랜지스터 ( 160 ) 의 게이트 전극 과 , 용량 소자 ( 164 ) 의 한쪽 의 전극 이 전기 적 으로 접속 된 노드 ( 플로팅 게이트 부 FG ) 는 불휘발성 메모리 소자 로서 이용 되 는 플로팅 게이트 형 트랜지스터 의 플로팅 게이트 와 동등 한 작용 을 발휘 한다 . 트랜지스터 ( 162 ) 가 오프 의 경우 , 당해 플로팅 게이트 부 FG 는 절연체 중 에 매설 되 었 다고 볼 수 있 으므로 , 플로팅 게이트 부 FG 에 는 전하 가 유지 된다 . 산화물 반도체 를 포함 하 는 트랜지스터 ( 162 ) 의 오프 전류 는 실리콘 반도체 등 으로 형성 되 는 트랜지스터 의 10 만 분 의 1 이하 이 기 때문 에 , 트랜지스터 ( 162 ) 의 리크 전류 로 인해 플로팅 게이트 부 FG 에 축적 된 전하 의 손실 을 무시 하 는 것 이 가능 하 다 . 즉 , 산화물 반도체 를 포함 하 는 트랜지스터 ( 162 ) 에 의해 전력 의 공급 이 없 어도 데이터 의 유지 가 가능 한 불휘발성 의 기억 장치 를 실현 하 는 것 이 가능 하 다 .