상술 한 실시 형태 에서 는 다 결정 실리콘 막 ( 14 ) 을 부유 게이트 로서 이용 한 NAND 형 메모리 셀 에 대해서 상세 하 게 설명 하 였 다 . 물론 , 본 실시 형태 는 전하 축적 층 으로서 절 연막 이 사용 되 는 일명 MONOS 구조 를 갖 는 NAND 형 메모리 에 도 적용 될 수 있 다 . 이 MONOS 구조 에서 , 전하 축적 층 은 실리콘 질화 막 , 실리콘 산질 화 막 , HfSiO 막 , HfAlO 막 , AlOx 막 , HfO 막 , TiO 막 , TaO 막 , 또는 이 들 의 적층 구조 로 형성 된다 . 금속 실리사이드 층 을 제어 게이트 전극 ( 16 ) 에 적용 한 경우 에 는 , 금속 실리사이드 층 은 절 연막 ( 15 ) 에 접하 도록 형성 될 수 도 있 다 .