상기 에서 설명 한 바 와 같이 , 본 실시 예 에 관한 웨이퍼 연마 모니터 방법 과 그 장치 에 있 어서 는 , 도전 성막 ( 8 ) 의 연마 가 진행 되 어 , 표피 깊이 ( δ ) 로 정의 되 는 극히 얇 은 막 두께 에 달한 이후 의 막 두께 의 변화 에 따라 마이크 로 스트립 라인 ( 9 ) 을 구비 한 전송로 에 관한 투과 계수 및 반사 계수 가 크 게 변화 하 고 , 또한 유전 율 및 유전체 손실 을 포함 하 는 손실 계수 도 변화 하 는 것 으로부터 , 투과 계수 , 반사 계수 에 유전 율 및 손실 계수 를 더 한 복수 의 지표 중 적어도 어느 하나 의 변화 를 기본 으로 , 연마 시 의 슬러리 등 의 영향 을 받 는 일 없이 도전 성막 ( 8 ) 의 연마 제거 의 종 료 점 을 높 은 정밀도 로 확실히 검출 할 수 있 다 .