본 발명 에 따르 면 , 비휘발성 메모리 소자 및 제조 방법 이 제공 된다 . 비휘발성 메모리 소자 는 저항 스위칭 금속 산화물 층 을 가질 수 도 있 다 . 적층 된 비휘발성 메모리 소자 배열 , 및 다이오드 및 트랜지스터 와 같 은 전류 구동 소자 ( current steering element ) 와 직렬 로 접속 되 는 저항 스위칭 금속 산화물 을 가진 비휘발성 메모리 소자 가 또한 제공 될 수 도 있 다 .