상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 쇼트 키 장벽 관통 트랜지스터 는 , SOI 기판 ; 상기 SOI 기판 상 에 형성 된 채널 층 ; 상기 SOI 기판 상 의 상기 채널 층 양단 에 형성 된 소스 및 드레 인 ; 상기 채널 층 위 에 형성 되 는 게이트 ; 상기 게이트 를 상기 소스 , 드레 인 및 채널 층 과 차폐 하 기 위한 제 1 게이트 절 연막 ; 및 상기 제 1 게이트 절 연막 및 상기 게이트 사이 에 형성 되 는 고유 전률 절 연막 으로 이루어지 는 제 2 절 연막 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .