이러 한 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 측면 에 의하 면 , 돌출 된 패턴 들 및 리세 스 된 영역 들 을 갖 도록 패 터닝 된 기판 과 , 상기 기판 위 에 형성 된 제 1 도전 형 반도체 층 과 , 상기 제 1 도전 형 반도체 층 위 에 형성 된 활성 층 과 , 상기 활성 층 위 에 형성 된 제 2 도전 형 반도체 층 을 포함 하 며 , 상기 기판 의 리세 스 된 영역 과 상기 활성 층 까지 의 거리 는 2 ∼ 4 ㎛ 인 발광 다이오드 를 제공 한다 .