도 30 ( A ) 에 도시 하 는 트랜지스터 는 , 하 지 절연 층 ( 501 ) 과 , 하 지 절연 층 ( 501 ) 에 묻히 도록 형성 된 산화 알루미늄 으로 된 삽입 절연물 ( 502 ) 의 위 에 형성 된다 . 트랜지스터 는 반도체 영역 ( 503 a ) , 반도체 영역 ( 503 c ) 과 , 그 들 에 끼워져 , 채널 형성 영역 이 되 는 진성 의 반도체 영역 ( 503 b ) 과 , 게이트 층 ( 505 ) 을 가진다 . 게이트 층 ( 505 ) 의 폭 을 33 nm 로 한다 .