상기 제 1 가스 는 기판 ( W ) 상 에 증착 될 박막 물질 을 포함 하 는 소스 가스 ( Source Gas ) 가 될 수 있 다 . 상기 소스 가스 는 실리콘 ( Si ) , 티탄 족 원소 ( Ti , Zr , Hf 등 ) , 알루미늄 ( Al ) 등 을 함유 하 여 이루어질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 실리콘 ( Si ) 을 함유 하 여 이루어진 소스 가스 는 실란 ( Silane ; SiH 4 ) , 디 실란 ( Disilane ; Si 2 H 6 ) , 트리 실란 ( Trisilane ; Si 3 H 8 ) , TEOS ( Tetraethylorthosilicate ) , DCS ( Dichlorosilane ) , HCD ( Hexachlorosilane ) , TriDMAS ( Tri - dimethylaminosilane ) 및 TSA ( Trisilylamine ) 등 이 될 수 있 다 .