광전자 반도체 소자 ( 1 ) 의 적어도 하나 의 실시 예 에서 , 상기 반도체 소자 는 광전자 반도체 칩 ( 2 ) 을 구비 한다 . 또한 , 상기 반도체 소자 ( 1 ) 는 적어도 하나 의 산란 체 ( 34 ) 를 포함 하 며 , 상기 산란 체 는 방사선 투과성 매트릭스 재료 ( 3 ) 와 상기 매트릭스 재료 내부 에 매립 되 는 , 입자 재료 로 이루어진 산란 입자 ( 4 ) 를 함유 한다 . 상기 산란 체 ( 34 ) 는 반도체 칩 ( 2 ) 다음 에 배치 되 었 다 . 온도 변화 시 에 는 상기 매트릭스 재료 ( 3 ) 와 상기 입자 재료 사이 의 굴절 률 차이 가 변한다 . 온도 가 300 K 일 때 , 상기 매트릭스 재료 와 상기 입자 재료 사이 의 굴절 률 차이 는 최대 0 . 15 이 다 .