그러나 , 전술 한 종래 방사성 동위 원소 전지 에 따르 면 , 양전극 과 음전극 사이 에 방사성 동위 원소 층 을 형성 한다는 것 은 N - 반도체 영역 과 P - 반도체 영역 사이 에 형성 된 진성 반도체 표면 에 방사성 동위 원소 를 증착 한다는 것 을 의미 하 는 것 인 바 , 이러 한 증착 공정 에 있 어서 방사성 동위 원소 층 이 진성 반도체 영역 을 벗어나 N - 반도체 영역 과 P - 반도체 영역 의 표면 에 형성 되 는 경우 에 는 N - 반도체 영역 과 P - 반도체 영역 이 증착 된 방사성 동위 원소 층 을 통해 단락 ( short ) 된다고 하 는 구조 적 인 문제점 이 있 었 다 . 즉 , 도 2 에 도시 한 바 와 같이 도면 부호 50 으로 표시 된 영역 에 있 어서 만 방사성 동위 원소 의 증착 이 정밀 하 게 이루어져야 하 는 것 을 의미 하 는 것 인데 , 이 는 곧 실리콘 웨이퍼 상 에 부분 적 으로 정밀 증착 하 기 는 대단히 어려우 며 설령 , 정밀 증착 이 가능 하 다 할지라도 대량 으로 전지 를 생산 하 기 에 는 효율 적 이 지 못하 다는 것 을 반증 하 는 것 이 다 .