이상 설명 한 반도체 기판 의 제조 방법 에 의하 면 , 원소 재 기판 과 의 양호 한 밀착력 을 갖 는 금속 피막 을 에칭 마스크 로 활용 함 에 의해 , 원소 재 기판 과 에칭 마스크 간 의 계면 을 통한 에칭 액 의 침투 가 억제 되 고 , 이것 에 따라 , 설계 된 에칭 영역 을 초과 하 는 과 에칭 현상 이 방지 될 수 있 다 . 또한 , 본 발명 에 개시 된 반도체 기판 의 제조 방법 은 향상 된 가공 정밀도 를 바탕 으로 , 고집 적 , 고해상도 의 패턴 을 갖 는 기판 제작 에 적합 하 게 활용 될 수 있 다 .