이어서 , 플루오르 산 을 포함 하 는 에 천 트 로 산화 막 을 제거 하 는 동시 에 섬 형상 반도체 영역 ( 331 ) 의 표면 을 세정 한 후 , 게이트 절 연막 ( 313 ) 이 되 는 규소 를 주성분 으로 하 는 절 연막 을 형성 한다 . 여기 에서 는 플 라즈 마 CVD 법 에 의해 115 nm 의 두께 로 질소 를 포함 하 는 산화 규소 막 ( 조성 비 Si = 32 %, O = 59 %, N = 7 %, H = 2 %) 으로 형성 한다 .