코팅 ( 291 ) 을 그 위 에 갖 는 가스 분배 샤워 헤드 조립 체 ( 204 ) 의 테 스팅 은 , 막 두께 가 사양 ( specification ) 으로부터 드리프트 되 기 전 에 세 척 간격 들 사이 의 증가 및 프로세스 - 런 들 의 개수 의 증가 를 나타내 었 다 . 예 를 들 어 , 코팅 ( 291 ) 을 그 위 에 갖 는 가스 분배 샤워 헤드 조립 체 ( 204 ) 는 사양 당 ( per ) 막 두께 를 유지 하 면서 80 개 의 프로세스 - 런 들 을 위해 사용 되 었 다 . 이것 은 10 개 의 프로세스 - 런들 후 에 막 두께 가 사양 으로부터 드리프트 되 는 , 코팅 없 는 가스 분배 샤워 헤드 와 비교 된다 . 따라서 , 일 양태 에 있 어서 , 여기 에 서술 한 바 와 같이 그 위 에 코팅 ( 291 ) 을 갖 는 가스 분배 샤워 헤드 조립 체 ( 204 ) 는 , 코팅 없이 샤워 헤드 를 사용 하 는 약 10 개 에 비해 인시 튜 세척 전 에 프로세스 - 런 들 의 개수 를 약 80 개 로 증가 시켰 다 . 일부 증착 프로세스 들 에 있 어서 , 프로세스 - 런 들 의 개수 는 인시 튜 세 척 이 요구 되 기 전 에 약 300 개 로 증가 될 수 있 는 것 으로 밝혀졌 다 . 따라서 , 여기 에 서술 한 바 와 같이 가스 분배 샤워 헤드 조립 체 ( 204 ) 는 챔버 의 정지 시간 을 최소 화 함 으로써 처리율 ( throughput ) 을 증가 시킨다 . 또한 , 그 위 에 코팅 ( 291 ) 을 갖 는 가스 분배 샤워 헤드 조립 체 ( 204 ) 의 테 스팅 은 , 약 40 ℃ 의 기판 지 지체 구조물 ( 214 ) 의 표면 의 온도 감소 와 같 은 , 프로세싱 체적 ( 208 ) 에 인접 한 표면 들 의 온도 감소 를 나타냈 다 . 기판 지 지체 구조물 의 온도 의 감소 는 코팅 ( 291 ) 의 표면 의 보다 높 은 복사 율 로 인한 것 이 었 으며 , 또한 따라서 코팅 ( 291 ) 은 기판 지 지체 구조물 ( 214 ) 및 기판 들 로부터 가스 분배 샤워 헤드 조립 체 ( 204 ) 로 의 복사 열전달 을 개선 시킨 것 으로 여겨진다 . 따라서 , 기판 지 지체 구조물 ( 214 ) 에 대한 열 손실 은 램프 들 ( 221 A , 221 B ) 로 입력 된 동일 한 전력 을 사용 하 여 가스 분배 샤워 헤드 조립 체 ( 204 ) 를 위한 감소 된 온도 로 나타난다 .