그러나 , 금속 으로 형성 되 는 도전 성막 ( 4 ) 에 통전 시키 는 방법 은 , 간단 하 고 편리 하 기 는 하 지만 , " "" 통전 포 밍 "" 처리 에 필요 로 하 는 전력량 이 커진다 . 따라서 "," "" 통전 포 밍 "" 처리 에 요구 되 는 장치 의 성능 이 고 레벨 로 높 아 진다고 하 는 문제 가 있 었 다 . 또 ", 예 를 들 면 30 인치 이상 의 디스플레이 라고 가정 할 경우 에 , 제조 시간 을 단축 하 기 위해서 , " 금속 으로 형성 되 는 다수 의 도전 성막 의 시트 를 동시 에 "" 통전 포 밍 처리 "" 하 려고 하 면 ", 도전 성막 을 공통 으로 접속 하 는 배선 에 흘러야 할 전 류량 이 극단 적 으로 증대 하 게 된다 . 그 결과 , 큰 전류 를 흐르 게 할 수 있 는 배선 이 필요 하 다 . 또 , 배선 저항 에 기인 한 전압 강하 가 발생 하 여 , 각 도전 성막 의 시트 에 인가 되 는 전압 이 다르 게 되 고 , 형성 되 는 간극 의 형상 에 분산 ( dispersion ) 을 발생 시키 기 쉬워 지 는 경우 가 있 다 .