제 3 기판 ( 300 ) 에서 는 , 예 를 들 어 반도체 기판 ( 50 ) 의 면 ( 50 S 2 ) 에 다층 배선 형성 부 ( 70 ) 및 표면 배선 형성 부 ( 75 ) 가 순서 대로 적층 되 어 있 다 . 반도체 기판 ( 50 ) 의 면 ( 50 S 2 ) 의 근방 에 는 , Si · 플래너 형 트랜지스터 ( 60 ) 가 마련 되 어 있 고 , 반도체 기판 ( 50 ) 의 면 S 1 측 에 는 절연 층 ( 52 , 53 ) 을 사이 에 두 고 도전 막 ( 54 ) 이 마련 되 어 있 다 . 또한 , 도 7 에서 는 , 세 트랜지스터 ( 60 ) 를 마련 한 예 를 나타냈 지만 , 반도체 기판 ( 50 ) 에 마련 되 는 트랜지스터 ( 60 ) 의 수 는 특별히 한정 되 지 않 는다 . 하나 여 도 되 고 , 둘 이상 이 어도 된다 . 또한 , Si · 플래너 형 트랜지스터 이외 의 트랜지스터 가 마련 되 어 있 어도 된다 .