본 발명 에 따른 방사선 방출 컴포넌트 의 한 가지 추가 실시 예 에 따르 면 , 변환 소자 와 방사선원 의 간격 이 200 ㎛ 이하 그리고 특히 50 ㎛ 이하 이 기 때문 에 , 결과 적 으로 변환 은 방사선원 가까이 에서 이루어지 게 된다 ( chip - level conversion ) . 이때 상기 변환 소자 는 바람직 하 게 소형 플레이트 의 형태 또는 칩 의 형태 를 갖 는다 . 다른 형태 들 도 마찬가지 로 사용 될 수 있 다 . 이때 상기 변환 소자 는 예 를 들 어 캐스팅 재료 에 의해 방사선원 과 재료 결합 방식 으로 결합 되 어 있 다 . 상기 컴포넌트 는 예 를 들 어 나머지 리세 스 를 완전히 또는 부분 적 으로 채우 는 추가 의 캐스팅 재료 를 포함 할 수 있 다 . 상기 캐스팅 재료 들 중 에 적어도 한 가지 캐스팅 재료 는 투명 한 몸체 를 포함 하 거나 또는 투명 한 몸체 로 이루어진다 . 상기 두 가지 캐스팅 재료 는 동일 할 수 도 있 다 .