각 반응 실은 형성 하 는 박막 의 종류 에 따라 구분 된다 . 예 를 들 어 , 제 1 반응 실 ( 400 a ) 에서 게이트 절 연막 등 의 절 연막 을 형성 하 고 , 제 2 반응 실 ( 400 b ) 에서 채널 을 형성 하 는 미결정 반도체 막 을 형성 하 고 , 제 3 반응 실 ( 400 c ) 에서 버퍼 층 을 형성 하 고 , 제 4 반응 실 ( 400 d ) 에서 소스 및 드레 인 을 형성 하 는 일 도전 형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 반도체 막 을 형성 하 는 반응 실 로서 충당 된다 . 물론 , 반응 실 수 는 이것 에 한정 되 지 않 고 , 필요 에 따라 임의 로 증감 할 수 있 다 . 또한 , 하나 의 반응 실 에서 하나 의 막 을 형성 하 여도 좋 고 , 하나 의 반응 실 에서 복수 의 막 을 형성 하 도록 구성 하 여도 좋 다 .