반도체 장치 의 제조 공정 의 일 공정 으로서 , 예 를 들 면 열화학 기상 성 장법 ( 열 CVD 법 ) 에 의해 , 반도체 웨이퍼 등 의 기판 상 에 질화 실리콘 막 ( Si 3 N 4 막 ) 등 의 CVD 박막 을 형성 하 는 박막 형성 공정 이 있 다 . 열 CVD 법 에 따른 박막 형성 공정 은 , 기판 을 반입 한 처리 실 내 에 처리 가스 를 공급 함 으로써 이루어진다 . 박막 형성 공정 의 목적 은 기판 표면 에 대한 박막 형성 인데 , 실제로 는 기판 표면 이외 , 예 를 들 면 처리 실 의 내벽 등 에 대해서 도 박막 을 포함 하 는 퇴적물 이 부착 하 는 경우 가 있 다 . 이 와 같 은 퇴적물 은 , 박막 형성 공정 을 실시 할 때 마다 누적 되 어 부착 하 고 , 일정 한 두께 이상 으로 도달 하 면 처리 실 의 내벽 등 으로부터 박리 하 고 , 처리 실 내 에 있 어서 의 이 물질 ( 파티클 ) 발생 요인 이 된다 . 그 때문 에 퇴적물 의 두께 가 일정 한 두께 에 도달 할 때 마다 퇴적물 을 제거 함 으로써 , 처리 실 내부 나 처리 실 내부 의 부재 를 클리닝 할 필요 가 있 다 .