그 후 , 결과물 상부 에 층간 절 연막 ( 150 ) , 예컨대 실리콘 질화 막 을 증착 한다 . 층간 절 연막 ( 150 ) 은 예 를 들 어 4000 내지 6000 Å 두께 로 증착 될 수 있 다 . 그 후 , 상기 에 미터 전극 ( 125 a ) 의 표면 ( 141 ) , 베이스 전극 ( 130 ) 의 표면 ( 142 ) 및 콜렉터 전극 ( 140 ) 이 노출 되 도록 층간 절 연막 ( 150 ) 을 소정 부분 식각 한다 . 그 후 노출 된 에 미터 전극 ( 125 a ) 의 표면 ( 141 ) , 베이스 전극 ( 130 ) 의 표면 ( 142 ) 및 콜렉터 전극 ( 140 ) 부분 과 각각 콘 택 되 도록 금속 증착 방식 및 리프트 오프 방식 에 의해 금속 배선 ( 155 ) 을 형성 한다 .