이어서 , 열 처리 ( 300 내지 550 ℃ 에서 1 내지 12 시간 의 열 처리 , 예 를 들 면 질소 분위기 중 에서 1 시간 ) 를 하 여 , 섬 형상 반도체 막 을 수소 화 한다 . 이 공정 은 제 2 층간 절 연막 ( 316 ) 에 포함 되 는 수소 에 의해 섬 형상 반도체 막 의 댕 글 링 본드 를 종단 시키 기 위해서 행하 는 것 이 다 . 게이트 절 연막 ( 313 ) 의 존재 에 관계없이 섬 형상 반도체 막 을 수소 화 할 수 있 다 .