도 9 a 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 470 ) 내 에 포토 다이오드 ( 450 ) 를 포함 하 는 단위 화소 가 형성 될 수 있 다 . 반도체 기판 ( 470 ) 은 p 형 벌크 ( bulk ) 반도체 기판 상 에 p 형 에피 택 셜 층 이 형성 된 반도체 기판 일 수 있 는데 , 이러 한 p 형 에피 택 셜 층 내 에 포토 다이오드 ( 450 ) 를 포함 하 는 단위 화소 들 이 형성 될 수 있 다 . 단위 화소 들 은 입사광 을 전하 로 변환 하 고 , 상기 전하 를 축적 하 여 상응 하 는 전기 신호 를 생성 할 수 있 다 . 이 를 위하 여 단위 화소 들 은 포토 다이오드 ( 450 ) 및 복수 의 트랜지스터 들 ( 미 도시 ) 을 포함 할 수 있 다 . 단위 화소 는 상기 트랜지스터 들 ( 미 도시 ) 의 개수 에 따라 1 - 트랜지스터 구조 , 3 - 트랜지스터 구조 , 4 - 트랜지스터 구조 또는 5 - 트랜지스터 구조 로 구분 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 단위 화소 는 5 - 트랜지스터 구조 인 경우 에 리셋 트랜지스터 ( reset transistor ) , 소스 폴 로워 트랜지스터 ( source follower transistor ) , 셀렉 트 트랜지스터 ( select transistor ) , 트랜스퍼 트랜지스터 ( transfer transistor ) 및 바이어스 트랜지스터 ( bias transistor ) 를 포함 할 수 있 다 . 다만 , 도 9 a 내지 도 9 i 에서 는 단위 화소 를 설명 함 에 있 어서 복수 의 트랜지스터 들 ( 미 도시 ) 에 대한 설명 은 생략 하 기 로 한다 .