도 2 k 및 도 2 l 을 참조 하 면 , 상기 화소 전극 ( 120 ) 과 패턴 화 된 포토레지스트 막 ( 172 ) 을 마스크 들 로 이용 하 여 상기 반도체 물질 층 ( 140 ) 을 패 터닝 함 으로써 반도체 층 ( 142 ) 을 형성 한다 . 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정 을 통하 여 상기 반도체 물질 층 ( 140 ) 을 상기 반도체 층 ( 142 ) 으로 패 터닝 하 여 상기 콘 택 홀 ( H ) 을 통해 상기 유전 층 ( 130 ) 의 일부 를 노출 시킨다 . 다음 에 , 상기 화소 전극 ( 152 ) 및 상기 패턴 화 된 포토레지스트 막 ( 172 ) 을 마스크 들 로 이용 하 는 식각 공정 을 통해 상기 유전 층 ( 130 ) 을 패 터닝 하 여 상기 기판 ( 10 ) 의 일부 를 노출 시킨다 . 계속 하 여 , 도 2 l 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 패턴 화 된 포토레지스트 막 ( 172 ) 을 스트링 공정 을 이용 하 여 제거 한다 . 그러나 상기 유전 층 ( 130 ) 을 패 터닝 하 기 위한 식각 공정 은 선택 적 인 공정 이 며 수행 되 지 않 을 수 있 다 .