우선 게이트 가 형성 된 반도체 기판 의 구조물 에 층간 절 연막 을 증착 한다 . 상기 층간 절연 막 은 상기 기판 전면 에 화학 기상 증착 법 을 이용 해 BPSG ( Boro - phospho Silicate Glass ) 로 이루어진 제 1 절 연막 ( 1 ) 및 PE - TOES ( Plasma Enhanced Tetra Ethyl Ortho Silicate ) 로 이루어진 제 2 절 연막 ( 2 ) 이 차례 로 증착 되 는 것 이 다 . 이때 , 상기 층간 절 연막 을 BPSG 막 과 TEOS 막 의 이 중막 으로 구성 하 는 이유 는 RC 딜레이 시간 을 줄이 기 위한 것 이 다 .