게이트 산화 막 ( 14 ) 에 전하 가 포획 되 는 매 커 니즘 ( mechanism ) 을 EOS ( Electric Over - Stress ) 관점 에서 살펴보 면 크 게 두 가지 로 분류 할 수 있 다 . 하나 는 플 라즈 마 식각 공정 시 형성 된 높 은 플 라즈 마 이온 들 이 금속 배선 ( 23 A ) 을 통해 게이트 전극 ( 18 ) 으로 유입 되 고 , 이렇게 유입 된 플 라즈 마 이온 들 에 의해 게이트 전극 ( 18 ) 에 높 은 전기장 을 유발 시켜 게이트 산화 막 ( 14 ) 에 전하 가 포획 되 는 매 커 니즘 이 다 . 또 다른 하나 는 플 라즈 마 식각 공정 시 형성 된 플 라즈 마 이온 들 이 금속 배선 ( 23 D ) 을 통해 p - 웰 ( 11 B ) 내 에 포획 되 어 있 다가 세정 ( cleaning ) 공정 과 같 은 후속 공정 에서 테스트 셀 용 p - 웰 ( 11 B ) 로부터 방전 ( discharge ) 되 면서 게이트 산화 막 ( 14 ) 으로 포획 되 는 매 커 니즘 이 다 .