고주파 전원 ( 8 ) 으로부터 상부 전극 ( 4 ) 에 플라스마 생성 용 고주파 전력 을 인가 하 여 시료 대 ( 2 ) 와 샤워 플레이트 ( 5 ) 사이 에 플라스마 ( 11 ) 를 발생 시킨 상태 에서 , 바이어스 용 고주파 전원 ( 20 ) 으로부터 기재 ( 2 a ) 에 고주파 전력 을 공급 함 으로써 , 기재 ( 2 a ) 에 는 , 바이어스 전위 가 발생 한다 . 이 바이어스 전위 에 의해 , 플라스마 ( 11 ) 중 의 이온 등 의 하전 입자 는 , 시료 ( 3 ) 의 상면 또는 재치 면 ( 141 ) 으로 유인 된다 . 즉 , 기재 ( 2 a ) 는 , 상부 전극 ( 4 ) 의 아래쪽 에 있 어서 , 바이어스 용 고주파 전력 이 인가 되 는 하부 전극 으로서 기능 한다 .