본 발명 의 실시 예 에 따른 이미지 센서 의 제조 방법 은 , 단위 화소 를 포함 하 는 제 1 반도체 기판 상 에 PMD 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 단위 화소 이외 의 영역 에 해당 하 는 상기 PMD 층 및 상기 제 1 기판 을 관통 하 는 제 1 비아 컨 택 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 비아 컨 택 을 포함 하 는 상기 제 1 반도체 기판 상 에 제 1 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 단위 화소 및 제 1 비아 컨 택 과 연결 되 도록 상기 제 1 층간 절 연막 에 금속 배선 을 형성 하 는 단계 ; 상기 금속 배선 상 에 전도성 배리 어막 을 형성 하 는 단계 ; 금속 배선 및 제 2 층간 절 연막 을 포함 하 는 제 2 반도체 기판 을 준비 하 는 단계 ; 상기 제 2 반도체 기판 의 금속 배선 과 연결 되 도록 상기 제 2 층간 절 연막 을 관통 하 는 제 2 비아 컨 택 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 반도체 기판 의 제 1 비아 컨 택 하부 로 상기 제 2 반도체 기판 의 제 2 비아 컨 택 이 위치 되 도록 정렬 시키 는 단계 ; 및 상기 제 1 반도체 기판 과 상기 제 2 반도체 기판 을 본 딩 하 는 단계 를 포함 한다 .