먼저 , 도 11 에 도시 된 바 와 같이 , 플레이트 로 기능 하 는 제 1 임시 기판 ( 41 ; 예 : Al 2 O 3 ) 에 희생 층 ( 42 ) 을 매개 로 , 반도체 층 ( 40 ) 을 성장 시킨다 . 반도체 층 ( 40 ) 을 성장 하 는 과정 에서 , 성장 조건 을 조절 하 여 , 반도체 층 ( 40 ) 자체 의 표면 이 거친 표면 을 가지 도록 할 수 있 으며 ( 미국 등록 특허 공보 제 6 , 441 , 403 호 참조 ) , 이 경우 에 , 최종 적 으로 도 2 ( e ) 에 도시 된 형태 의 글라스 부재 를 형성 하 는 것 이 가능 하 다 .