제 1 도전 물질 ( 233 ) 은 게이트 ( 또는 제 어 게이트 ) 로 동작 할 것 이 다 . 즉 , 게이트 ( 또는 제 어 게이트 ) 로 동작 하 는 제 1 도전 물질 ( 233 ) , 블로킹 절 연막 으로 동작 하 는 제 3 서브 절 연막 ( 119 ) , 전하 저 장막 으로 동작 하 는 제 2 서브 절 연막 ( 118 ) , 터널 링 절 연막 으로 동작 하 는 제 1 서브 절 연막 ( 117 ) , 그리고 바디 로 동작 하 는 p 타입 실리콘 을 포함 하 는 채널 막 ( 114 ) 은 트랜지스터 ( 또는 메모리 셀 트랜지스터 ) 로 동작 할 것 이 다 . 예 를 들 면 , 제 1 도전 물질 ( 233 ) , 제 3 서브 절 연막 ( 119 ) , 제 2 서브 절 연막 ( 118 ) , 제 1 서브 절 연막 ( 117 ) , 그리고 채널 막 ( 114 ) 은 전하 포획 형 트랜지스터 ( 또는 메모리 셀 트랜지스터 ) 로 동작 할 것 이 다 .