또한 , 상술 한 예 에서 는 , Si 함유 가스 와 O 3 가스 를 사용 해서 산화 실리콘 막 을 성막 하 는 예 에 대해서 설명 했 지만 , 예 를 들 어 제 1 반응 가스 및 제 2 반응 가스 로서 각각 Si 함유 가스 와 암모니아 ( NH 3 ) 가스 를 사용 해서 질화 실리콘 막 을 성막 해도 좋 다 . 이 경우 에 는 , 플라 즈 마를 발생 시키 기 위한 처리 가스 로 는 , 아르곤 가스 와 질소 가스 또는 암모니아 가스 등 이 사용 되 고 , 상술 한 각 예 와 마찬가지 로 웨이퍼 ( W ) 의 질화 의 유무 가 제어 된다 . 즉 , 성막 처리 를 개시 한 초기 에 플 라즈 마의 강도 를 작 게 혹은 제로 로 하 고 , 그 후 플 라즈 마의 강도 를 크 게 하 면 , 웨이퍼 ( W ) 의 질화 가 억제 되 는 동시 에 막 두께 방향 에 걸쳐서 치밀 한 박막 이 얻 어 진다 . 한편 , 성막 개시 초기 에 , 플 라즈 마가 웨이퍼 ( W ) 의 표면 에 도달 하 도록 플 라즈 마의 강도 를 크 게 하 면 , 웨이퍼 ( W ) 의 표층 이 질화 되 어 , 질화 실리콘 막 과 웨이퍼 ( W ) 의 사이 의 계면 에 대해서 양호 한 평탄 성 이 얻 어 진다 .