기판 을 의도 적 으로 가열 하 여 성막 하 는 것 및 ／ 또는 성막 후 에 열처리 하 는 것 의 효과 는 , 전계 효과 이동도 의 향상 뿐 만 아니 라 , 트랜지스터 의 노 멀리 오프 화 를 도모 하 는 것 에 도 기여 하 고 있 다 . 기판 을 의도 적 으로 가열 하 지 않 고 형성 된 In , Sn , Zn 을 주성분 으로 하 는 산화물 반도체 막 을 채널 형성 영역 으로 한 트랜지스터 는 , 임계 값 전압 이 마이너스 시프트 되 어 버리 는 경향 이 있 다 . 그러나 , 기판 을 의도 적 으로 가열 하 여 형성 된 산화물 반도체 막 을 사용 한 경우 , 이 임계 값 전압 의 마이너스 시프트 화 는 해소 된다 . 즉 , 임계 값 전압 은 트랜지스터 가 노 멀리 오프 상태 로 되 는 방향 으로 움직이 며 , 이러 한 경향 은 도 27 a 와 도 27 b 의 대비 로부터 도 확인 할 수 있 다 .