상기 발광 층 상 에 화합물 E 10 을 진공 증착 하 여 50 Å 의 두께 로 정공 차단 층 을 형성 하 였 다 . 상기 정공 차단 층 상 에 화합물 E 2 과 하 기 LiQ 화합물 을 1 : 1 의 중량 비 로 진공 증착 하 여 300 Å 의 두께 로 전자 주입 및 수송 층 을 형성 하 였 다 . 상기 전자 주입 및 수송 층 상 에 순차 적 으로 10 Å 의 두께 로 리튬 플 루오 라이드 ( LiF ) 와 1000 Å 두께 로 알루미늄 을 증착 하 여 음극 을 형성 하 였 다 .