다음 에 기판 ( 500 ) 전체 면 에 절 연막 ( 535 ) 을 형성 한다 ( 도 20 a 참조 ) . 절 연막 ( 535 ) 은 , 무기 재료 또는 유기 재료 로 된 단층 구조 의 막 이 거나 , 적층 구조 의 막 이 어도 된다 . 예 를 들 면 절 연막 ( 535 ) 을 구성 하 는 막 으로서 , CVD 법 이나 스퍼터링 법 에 의해 , 산화 실리콘 막 , 산화 질화 실리콘 막 , 질화 실리콘 막 또는 질화 산화 실리콘 막 등 을 형성 할 수 있 다 . 또한 폴리 이미드 막 , 폴리아미드 막 , 폴리비닐 페놀 막 , 벤조 시클 로부 텐 막 , 아크릴 막 혹은 에폭시 막 , 실록 산 수지 등 의 실록 산 재료 로 된 막 , 옥 사졸 수지 막 을 , 스핀 코트 법 등 의 도포 법 에 의해 형성 할 수 있 다 .