기판 ( 600 ) 으로서 는 , 유리 기판 을 사용 하 고 , 하 지 절 연막 ( 602 ) 으로서 는 산화 실리콘 막 을 사용 하 고 , 산화물 반도체 막 ( 606 ) 으로서 는 In - Sn - Zn - O 막 을 사용 하 고 , 한 쌍 의 전극 ( 614 ) 으로서 는 텅스텐 막 을 사용 하 고 , 게이트 절연 층 ( 608 ) 으로서 는 산화 실리콘 막 을 사용 하 고 , 게이트 전극 ( 610 ) 으로서 는 질화 탄 탈막 과 텅스텐 막 의 적층 구조 를 사용 하 고 , 층간 절 연막 ( 616 ) 으로서 는 산화 질화 실리콘 막 과 폴리 이미드 막 의 적층 구조 를 사용 하 고 , 배선 ( 618 ) 으로서 는 티타늄 막 , 알루미늄 막 , 티타늄 막 이 이 순서 로 형성 된 적층 구조 를 사용 하 고 , 보호막 ( 620 ) 으로서 는 폴리 이미드 막 을 사용 하 였 다 .