또 , 게르마늄 을 주성분 으로 하 는 반도체 막 ( 61 ) 으로서 비정질 게르마늄 막 을 형성 하 는 1 형태 로서 , 반응 실 에서 , 게르마늄 을 포함 하 는 퇴적 성 기체 를 사용 한 글 로 방전 플 라즈 마 에 의해 비정질 게르마늄 막 을 형성 할 수 있 다 . 또는 , 게르마늄 을 포함 하 는 퇴적 성 기체 에 , 헬륨 , 아르곤 , 크립톤 , 네온 으로부터 선택 된 1 종 또는 복수 종 의 희가스 원소 로 희석 하 여 , 글 로 방전 플 라즈 마 에 의해 비정질 게르마늄 막 을 형성 할 수 있 다 . 또는 , 게르마늄 을 포함 하 는 퇴적 성 기체 의 유량 의 1 배 이상 10 배 이하 , 더욱 바람직 하 게 는 1 배 이상 5 배 이하 의 유량 의 수소 를 사용 한 글 로 방전 플 라즈 마 에 의해 , 비정질 게르마늄 막 을 형성 할 수 있 다 . 또 , 게르마늄 을 포함 하 는 퇴적 성 기체 , 수소 와 함께 , 실리콘 을 포함 하 는 퇴적 성 기체 를 사용 하 는 것 으로 , 게르마늄 을 주성분 으로 하 는 반도체 막 ( 61 ) 으로서 비정질 실리콘 게르마늄 막 을 형성 할 수 있 다 .