전술 한 제 1 처리 예 및 제 2 처리 예 에서 는 , 소수 화제 에 의해 기판 ( W ) 이 소수 화 된다 ( 제 1 소수 화 처리 및 제 2 소수 화 처리 ) . 이 에 의해 , 기판 ( W ) 에 대한 처리 액 의 접촉각 이 90 도 에 가깝 게 할 수 있 다 . 따라서 , 패턴 ( P ) 에 가해 지 는 힘 을 감소 시켜 , 패턴 ( P ) 의 도괴 를 억제 또는 방지 할 수 있 다 .