특히 ALD 증착 법 은 증착 하 려는 물질 을 구성 하 는 원소 ( 이하 , ' 소스 ' 라 함 ) 상호 간 의 화학 적 흡착 ( chemisorption ) 및 탈착 ( desorption ) 과정 을 번갈 아 진행 함 으로써 피 증착 기판 상 에 단원자 층 에 해당 하 는 두께 의 막 을 형성 할 수 도 있 어 초극 박막 의 증착 시 유리 한 방법 이 다 . ALD 증착 법 은 소스 ( 예 를 들 어 , 증착 하 려는 물질 이 Al 2 O 3 인 경우 에 는 알루미늄 ( Al ) 과 산소 ( O 2 ) 임 ) 를 하나 씩 순차 적 으로 주입 시켜 피 증착 기판 의 표면 에서 화학 반응 이 일어나 도록 한다 . 이러 한 이유 로 ALD 증착 법 을 이용 하 면 피 증착 기판 상 에 단원자 층 에 해당 하 는 초극 박막 의 증착 이 가능 하 며 , 피 증착 기판 의 면적 및 피 증착 기판 의 요철 에 관계없이 균일 한 두께 의 막 을 형성 할 수 있 게 된다 . 즉 , 피 증착 기판 상 에 부착 성 ( adhesion ) 또는 도포 성 이 우수 한 증착 물질 로 이루어진 막 을 형성 할 수 있 는 이점 이 있 다 .