일부 실시 예 에서 , 데이터 준비 ( 1532 ) 는 IC 소자 ( 1560 ) 를 제조 하 기 위해 IC 팹 ( 1550 ) 에 의해 구현 될 프로세싱 을 시뮬레이션 하 는 리소그래피 프로세스 체 킹 ( LPC ) 를 포함 한다 . LPC 는 시뮬레이션 된 IC 소자 ( 1560 ) 등 의 제조 소자 를 형성 하 기 위해 IC 설계 레이아웃 다이어그램 ( 1522 ) 을 기초 로 이 프로세싱 을 시뮬레이션 한다 . LPC 시뮬레이션 에서 의 프로세싱 파라미터 는 IC 제조 사이클 의 다양 한 프로세스 와 관련 된 파라미터 , IC 를 제조 하 는 데 사용 되 는 툴 과 관련 된 파라미터 , 및 / 또는 제조 프로세스 의 다른 측면 을 포함 할 수 있 다 . LPC 는 에어리얼 이미지 콘트 라스트 ( aerial image contrast ) , " 초점 심도 ( "" DOF "")"," 마스크 에러 향상 계수 ( "" MEEF "")", 다른 적절 한 요소 등 과 같 은 다양 한 요소 또는 이 들 의 조합 을 고려 한다 . 일부 실시 예 에서 , 시뮬레이션 된 제조 소자 가 LPC 에 의해 생성 된 후 , 시뮬레이션 된 소자 가 설계 률 을 만족 시키 기 에 충분 한 형상 을 갖 지 않 으면 , OPC 및 / 또는 MRC 는 IC 설계 레이아웃 다이어그램 ( 1522 ) 을 더 개선 하 기 위해 반복 된다 .