도핑 된 기판 으로부터 과잉 도 펀트 들 을 제거 하 기 위한 방법 및 장치 가 제공 된다 . 일 실시 예 에서 , 기판 은 도 펀트 의 표면 증착 에 의해 도핑 되 고 , 캡 핑 층 의 형성 및 열 적 확산 드라이브 - 인 이 이 에 뒤따른다 . 반응 성 에 천 트 혼합물 은 선택 적 인 플 라즈 마 를 이용 하 여 프로세스 챔버 에 제공 되 어 , 캡 핑 층 을 에칭 하 고 과잉 도 펀트 와 반응 함 으로써 휘발 성 화합물 들 을 형성 한다 . 다른 실시 예 에서 , 기판 은 도 펀트 의 고 에너지 주입 에 의해 도핑 된다 . 반응 성 가스 혼합물 은 선택 적 인 플 라즈 마 를 이용 하 여 프로세스 챔버 에 제공 되 어 , 휘발 성 화합물 들 을 형성 하 기 위해 도 펀트 와 반응 함 으로써 기판 상 에 흡착 된 과잉 도 펀트 및 기판 근처 의 고 - 농도 도 펀트 를 제거 한다 . 반응 성 가스 혼합물 은 열처리 동안 제공 될 수 있 거나 , 열처리 온도 와 상이 한 온도 들 에서 그 전 에 또는 그 후 에 제공 될 수 있 다 . 휘발 성 화합물 들 은 제거 된다 . 이렇게 처리 된 기판 들 은 프로세스 장비 외부 에서 저장 또는 운송 될 때 독성 화합물 들 을 형성 하 지 않 는다 .