앞선 실시 예 와 마찬가지 로 , 상기 발광 셀 ( 200 ) 은 N 형 반도체 층 ( 220 ) , 활성 층 ( 240 ) , 그리고 , P 형 반도체 층 ( 260 ) 이 연속 적 으로 적층 된 구조 를 이루 며 , 활성 층 ( 240 ) 은 전술 한 메사 형성 에 의해 N 형 반도체 층 ( 220 ) 의 일부 영역 위 에 한정 적 으로 형성 되 고 , 상기 활성 층 ( 240 ) 위 로 는 P 형 반도체 층 ( 260 ) 이 형성 된다 . 따라서 , 상기 N 형 반도체 층 ( 220 ) 은 일부 영역 이 활성 층 ( 240 ) 과 접합 되 어 있 으며 나머지 영역 이 N 형 접점 패드 ( 222 ) 형성 을 위한 접점 영역 으로 노출 된다 . 그리고 , 상기 P 형 반도체 층 ( 260 ) 상 에 는 ITO 층 ( 292 ) 이 형성 된다 .