polyester 계열 , poly vinylester 계열 , poly acrylate 계열 의 고분자 물질 중 하나 또는 에폭시 수지 ( epoxy resin ) 로 이루어진 투명 한 플라스틱 또는 유리 재질 로 이루어진 절연 기판 ( 201 ) 상면 ( 201 a ) 의 스위칭 영역 ( TrA ) 에 최 하부 로부터 순차 적 으로 게이트 전극 ( 213 ) 과 , 게이트 절 연막 ( 220 ) 과 , 상기 게이트 전극 ( 213 ) 을 사이 에 두 고 서로 이격 하 는 소스 및 드레 인 전극 ( 225 , 227 ) 과 , 상기 서로 마주 하 는 소스 및 드레 인 전극 ( 225 , 227 ) 의 끝 단부 를 포함 하 여 이 들 두 전극 ( 225 , 227 ) 사이 의 이격 영역 에 대응 하 여 유기 반도체 층 ( 235 ) 과 보호 패턴 ( 240 ) 의 순 으로 적층 형성 된 탑 게이트 구조 의 유기 박막 트랜지스터 ( Tr ) 가 형성 되 어 있 다 .