그리고 , 제 1 메모리 장치 들 ( NAND 1 < 1 : 4 >) 과 제 2 메모리 장치 들 ( NAND 2 < 1 : 4 >) 과 제 3 메모리 장치 들 ( NAND 3 < 1 : 4 >) 및 제 4 메모리 장치 들 ( NAND 4 < 1 : 4 >) 에 저장 된 배드 블록 물리 주소 들 ( WBPA < 1 : 4 >) 은 , 제 1 메모리 장치 들 ( NAND 1 < 1 : 4 >) 과 제 2 메모리 장치 들 ( NAND 2 < 1 : 4 >) 과 제 3 메모리 장치 들 ( NAND 3 < 1 : 4 >) 및 제 4 메모리 장치 들 ( NAND 4 < 1 : 4 >) 을 생산 하 는 과정 에서 테스트 를 통해 그 값 이 미리 정해져 있 을 수 있 다 . 물론 , 제 1 메모리 장치 들 ( NAND 1 < 1 : 4 >) 과 제 2 메모리 장치 들 ( NAND 2 < 1 : 4 >) 과 제 3 메모리 장치 들 ( NAND 3 < 1 : 4 >) 및 제 4 메모리 장치 들 ( NAND 4 < 1 : 4 >) 의 동작 과정 에서 내부 의 배드 메모리 블록 을 검출 하 여 배드 블록 물리 주소 들 ( WBPA < 1 : 4 >) 의 값 을 결정 할 수 도 있 다 .