도 6 ( c ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 101 ) 의 전면 에 걸쳐서 , 막 두께 100 ㎚ 의 텅스텐 막 ( 116 a ) 을 형성 한다 . 텅스텐 막 ( 116 a ) 은 폴리 실리콘 막 ( 106 ) 을 덮 도록 형성 한다 . 특히 , 사이드 월 ( 131 , 113 ) 의 내측 을 메워 , 폴리 실리콘 막 ( 106 ) 을 덮 도록 형성 한다 . 텅스텐 막 ( 116 a ) 은 예 를 들 어 , CVD 법 으로 형성 할 수 있 다 . CVD 법 은 예 를 들 어 , WF 6 / SiH 4 / H 2 / Ar / N 2 = 22 / 10 / 400 / 250 / 350 sccm , 압력 500 Pa 의 조건 으로 실시 할 수 있 다 .