한편 , 상기 반도체 층 ( 114 ) 의 채널 영역 은 상기 데이터 배선용 금속 막 을 식각 하 는 과정 에서 데미지 를 입 게 된다 . 따라서 , 상기 반도체 층 ( 114 ) 의 채널 영역 의 데미지 를 회복 하 기 위해 , 상기 반도체 층 ( 114 ) 의 채널 영역 에 O 2 플 라즈 마 를 공급 하 여 채널 보호막 ( 121 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 채널 보호막 ( 121 ) 은 상기 O 2 플 라즈 마 대신 N 2 플 라즈 마 를 공급 하 여 형성 할 수 도 있 다 . 여기 서 , 상기 채널 보호막 ( 121 ) 형성 공정 은 선택 적 으로 진행 될 수 있 다 .