제 1 박막 트랜지스터 ( 74 a ) 및 제 2 박막 트랜지스터 ( 74 b ) 위 에 보호 절 연막 ( 76 ) 을 형성 하 고 , 보호 절 연막 ( 76 ) 위 에 평탄 화 막 ( 78 ) 을 형성 하 고 , 평탄 화 막 ( 78 ) 및 보호 절 연막 ( 67 ) 에 형성 되 는 콘택트 홀 에 있 어서 , 배선 ( 93 f ) 에 접속 하 는 제 1 전극 ( 79 ) 이 형성 된다 . 평탄 화 막 ( 78 ) 은 , 아크릴 , 폴리 이미드 , 폴리아미드 등 의 유기 수지 , 또는 실록 산 중합체 를 사용 하 여 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 콘택트 홀 에 있 어서 는 , 제 1 전극 ( 79 ) 이 요철 을 갖 기 때문 에 , 상기 영역 을 덮 고 , 또한 개구부 를 갖 는 격벽 ( 91 ) 을 형성 한다 . 격벽 ( 91 ) 의 개구부 에서 제 1 전극 ( 79 ) 과 접하 도록 , EL 층 ( 92 ) 이 형성 되 고 , EL 층 ( 92 ) 을 덮 도록 제 2 전극 ( 93 ) 이 형성 되 고 , 제 2 전극 ( 93 ) 및 격벽 ( 91 ) 을 덮 도록 보호 절 연막 ( 95 ) 이 형성 된다 .