상기 스토리지 캐 패 시터 는 제 1 스토리지 전극 으로 하 는 게이트 라인 과 , 제 2 스토리지 전극 으로 하 는 화소 전극 과 , 제 1 및 제 2 스토리지 전극 사이 에 유전율 을 갖 는 게이트 절 연막 및 보호막 에 의해 형성 된다 . 제 1 및 제 2 스토리지 전극 은 오버랩 될 수 있 다 . 이 와 같 은 구조 를 갖 는 방식 을 스토리 지 온 게이트 ( SOG ) 방식 이 라 한다 .