두 개 의 여기 노드 ( A , C ) 와 두 개 의 리드 아웃 노드 ( B , D ) 를 가진 수동 저항성 센서 구조물 ( 301 ) 을 바이어 싱 및 리딩 - 아웃 하 는 방법 에 있 어서 , 상기 방법 은 , a ) 제 1 양 의 전하 ( Q 1 ) 에 대응 되 는 제 1 커패시터 ( C 1 ) 의 제 1 상태 ( V 1 ) 를 결정 하 는 단계 와 , b ) 바이어 싱 전류 ( Ibias ) 가 제 1 시간 간격 ( T 1 ) 동안 에 상기 제 1 커패시터 ( C 1 ) 를 통과 하 도록 센서 구조물 을 바이어 싱 하 는 단계 와 , c ) 제 2 양 의 전하 ( Q 2 ) 에 대응 되 는 제 1 커패시터 ( C 1 ) 의 제 2 상태 ( V 2 ) 를 결정 하 는 단계 ( 430 ) 와 , d ) 제 1 시간 간격 ( T 1 ) 과 관련 된 제 2 시간 간격 ( T 2 ) 동안 에 리드 아웃 신호 를 적분 하 거나 평균 화 하 여서 , 적분 되 거나 평균 화 된 리드 아웃 신호 ( Vi ) 를 획득 하 는 단계 와 , e ) 적분 되 거나 평균 화 된 리드 아웃 신호 ( Vi ) 와 제 1 커패시터 ( C 1 ) 의 상태 ( V ) 의 변화 에 기초 하 여 센서 리드 아웃 신호 ( Vout ) 를 결정 하 는 단계 ( 440 ) 를 포함 한다 .