선택 된 무기 산화물 이 SiO 2 # 2 이 고 처리 된 입자 들 을 생성 하 는 단일 작용 화 를 수행 하 였 다 . 이 들 처리 된 입자 들 은 선택 된 캡 핑 제 가 Cl - S ( O ) 2 -( CH 2 ) 2 -( CF 2 ) 5 - CF 3 인 캡 핑 단계 에 처하 여 , Ξ Si -( CH 2 ) 3 - NH - S ( O ) 2 -( CH 2 ) 2 -( CF 2 ) 5 - CF 3 의 플 루 오로 실란 잔기 를 갖 는 소수 화 된 입자 를 제조 하 였 다 . Ξ "" 표시 는 규소 로부터 의 3 개 의 공유 결합 을 나타내 는데 ", 그 중 적어도 하나 는 입자 표면 과 결합 된다 . 이 들 소수 화 된 입자 들 을 이용 하 여 박막 캐스팅 에 의해 필름 샘플 을 제조 하 였 다 . 이 필름 샘플 상 에서 접촉각 측정 을 수행 하 였으며 그 결과 를 표 6 에 나타냈 다 .