집적도 가 향상 됨 에 따라서 단위 셀 스트링 에 포함 된 메모리 셀 들 의 개수 가 증가 되 고 있 다 . 단위 셀 스트링 에 포함 된 메모리 셀 들 의 개수 가 증가 되 면 증가 된 메모리 셀 들 의 개수 만큼 워드 라인 들 의 개수 를 증가 시켜야 하 고 증가 된 워드 라인 들 의 개수 에 대응 하 는 만큼 연결 배선 들 의 개수 를 늘려야 할 것 이 다 . 따라서 , 한정 된 영역 내 에 보다 많 은 연결 배선 들 을 형성 해야 만 하 며 연결 배선 들 의 선폭 을 미세 화 시켜야 할 필요 가 있 다 .