도 3 d 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 제 2 감광막 ( 67 ) 을 완전히 제거 하 고 , 상기 게이트 전극 ( 65 ) 을 포함 한 반도체 기판 ( 61 ) 의 전면 에 실리콘 나이트 라이드 ( SiN ) 막 을 형성 한 후 , 전면 에 에치 백 공정 을 실시 하 여 상기 게이트 전극 ( 65 ) 의 양 측면 에 절 연막 측벽 ( 69 ) 을 형성 한다 .