상기 제 1 , 제 2 및 제 3 패턴 부 각각 에 는 광 을 투과 및 차단 시켜 실리콘 을 결정 화 시키 는 복수 의 단위 블 럭 들 이 형성 되 며 , 상기 제 1 , 제 2 및 제 3 패턴 부 중 적어도 둘 은 서로 대응 되 는 패턴 을 갖 는다 . 상기 단위 블럭 은 광 을 투과 시키 는 투과 블럭 및 광 을 차단 시키 는 차단 블 럭 을 포함 한다 . 이때 , 상기 제 1 , 제 2 및 제 3 패턴 부 각각 은 복수 의 서브 패턴 부 들 로 분할 될 수 있 다 .