본 발명 에 의하 면 , 상기 에 미터 전극 을 p 형 으로 도핑 된 폴리 실리콘 막 으로 형 성한 후 이 p 형 이온 을 확산 하 여 에 미터 영역 을 형성 함 으로써 , 상기 베이스 영역 에 주입 된 이온 의 확산 으로 재 형성 된 베이스 영역 과 상기 에 미터 영역 간 에 소정 거리 가 유지 되 어 , 베이스 영역 의 저항 을 감소 시킬 수 있 는 효과 가 있 다 .