아울러 , 컨트롤러 ( 130 ) 의 프로세서 ( 134 ) 에 는 , 메모리 장치 ( 150 ) 의 배드 관리 를 수행 하 기 위한 관리 유닛 ( 도시 하 지 않 음 ) 이 포함 될 수 있 으며 , 관리 유닛 은 , 메모리 장치 ( 150 ) 에 포함 된 복수 의 메모리 블록 들 ( 152 , 154 , 156 ) 에서 배드 블록 을 확인 한 후 , 확인 된 배드 블록 을 배드 처리 하 는 배드 블록 관리 를 수행 한다 . 여기 서 , 배드 관리 는 , 메모리 장치 ( 150 ) 가 플래시 메모리 , 예컨대 낸드 플래시 메모리 일 경우 , 낸드 의 특성 으로 인해 데이터 라이트 , 예컨대 데이터 프로그램 ( program ) 시 에 프로그램 실패 ( program fail ) 가 발생 할 수 있 으며 , 프로그램 실패 가 발생 한 메모리 블록 을 배드 ( bad ) 처리 한 후 , 프로그램 실패 된 데이터 를 새로운 메모리 블록 에 라이트 , 즉 프로그램 하 는 것 을 의미 한다 . 또한 , 메모리 장치 ( 150 ) 가 , 전술 한 바 와 같이 , 3 차원 입체 스택 구조 를 가질 경우 에 는 , 프로그램 실패 에 따라 해당 블록 을 배드 블록 으로 처리 하 면 , 메모리 장치 ( 150 ) 의 사용 효율 및 메모리 시스템 ( 100 ) 의 신뢰 성 이 급격 하 게 저하 되 므로 , 보다 신뢰 성 있 는 배드 블록 관리 수행 이 필요 하 다 . 그러면 이하 에서 는 , 도 2 내지 도 4 를 참조 하 여 본 발명 의 실시 예 에 따른 메모리 시스템 에서 의 메모리 장치 에 대해서 보다 구체 적 으로 설명 하 기 로 한다 .