이러 한 구조 를 갖 는 발광 다이오드 ( 600 ) 에서 활성 층 ( 630 ) 과 P 형 반도체 층 ( 650 ) 사이 에 는 전자 장벽층 ( 640 ) 이 형성 되 어 있 다 . 이러 한 전자 장벽층 ( 640 ) 은 전체 가 그래핀 으로 형성 될 수 있 으며 , 예 를 들 어 이종원 소 의 도핑 농도 를 P 형 반도체 층 과 다르 게 형성 한 종래 의 전자 장벽층 에 그래핀 을 추가 로 형성 한 구조 로 이루어질 수 도 있 다 .