실시 예 및 비 교예 에서 얻 어 진 광 기록 매체 제조 용 시트 에서 스탬퍼 수용 층 용 으로부터 중 박리 형 박리 시트 를 박리 하 고 , 노출 된 스탬퍼 수용 층 의 표면 에서 의 실리콘 전이 량 을 주사 형 X 선 광전자 분광 분석법 ( 아루 박 · 파이 ( Ulvac - Phi ) 사 제품 , PHI Quantera SXM 을 사용 ) 에 의해 측정 했 다 ( 측정 원소 : 규소 ( Si ) 및 탄소 ( C ) ) .