PYS 측정 의 결과 를 도 4 및 도 5 에 나타내 었 다 . 도 4 는 질화규소 막 의 막 두께 가 3 ㎚ 의 결과 이 고 , 도 5 는 질화규소 막 의 막 두께 가 10 ㎚ 의 결과 이 다 . 원료 가스 로서 암모니아 와 디 실란 을 이용 하 여 126 ㎩ 의 처리 압력 의 플 라즈 마 CVD 조건 2 로 형성 된 질화규소 막 ( 시험 구분 E , F , G , H ) 은 원료 가스 로서 질소 와 디 실란 을 이용 하 고 7 . 6 ㎩ 의 처리 압력 의 플 라즈 마 CVD 조건 1 로 형성 된 질화규소 막 ( 시험 구분 A , B , C , D ) 에 비하 여 , 광전자 수율 이 크 고 , 트랩 밀도 가 높 은 것 이 시사 되 었 다 .