상술 한 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 기술 적 수단 으로서 , 본 개시 의 제 1 측면 은 , 비휘발성 메모리 장치 는 반도체 층 및 저항 변화 층 을 포함 하 는 수직 적층 형 구조 의 메모리 셀 어레이 ; 독 출 모드 시 , 상기 메모리 셀 어레이 중 비 선택 메모리 셀 의 반도체 층 에 만 전류 - 온 시키 는 제 1 전압 을 인가 하 고 , 상기 셀 어레이 중 선택 메모리 셀 의 반도체 층 및 저항 변화 층 모두 에 전류 - 온 시키 는 제 2 전압 을 인가 하 도록 제어 하 는 제어 로직 ; 및 상기 선택 메모리 셀 에 독 출 전압 을 인가 하 는 비트 라인 ; 을 포함 한다 .