이어서 , CVD 법 에 의해 산화 규소 막 을 포함 하 는 제 1 층간 절 연막 ( 도시 하 지 않 음 ) 을 50 nm 형성 한 후 , 각각 의 섬 형상 반도체 영역 에 첨가 된 불순물 원소 를 활성 화 처리 하 는 공정 을 한다 . 이 활성 화 공정 은 , 램프 광원 을 사용 한 래피드 서멀 어 닐 법 ( RTA 법 ) , 또는 YAG 레이저 또는 엑 시머 레이저 를 이면 으로부터 조사 하 는 방법 , 또는 노 를 사용 한 열 처리 , 또는 이 들 의 방법 중 , 어느 하나 와 조합 한 방법 에 의해 서 행한다 .