수직 베리어 ( VB ) 의 유전 막 들 ( MLc , MLd ) 은 더미 측 유전 막 ( MLd ) 및 셀 측 유전 막 ( MLc ) 을 포함 할 수 있 다 . 더미 측 유전 막 ( MLd ) 및 셀 측 유전 막 ( MLc ) 각각 은 반도체 패턴 ( SE ) 의 외벽 을 따라 연장 된다 . 더미 측 유전 막 ( MLd ) 은 반도체 패턴 ( SE ) 과 더미 적층 체 ( STd ) 사이 에 배치 되 고 , 셀 측 유전 막 ( MLc ) 은 반도체 패턴 ( SE ) 과 셀 적층 체 ( STc ) 사이 에 배치 된다 . 더미 측 유전 막 ( MLd ) 은 소스 구조 ( SL ) 의 제 3 소스 막 ( SL 3 ) , 더미 소스 적층 체 ( DS ) , 제 2 소스 막 ( SL 2 ) 및 제 1 소스 막 ( SL 1 ) 각각 과 반도체 패턴 ( SE ) 사이 로 연장 된다 . 더미 측 유전 막 ( MLd ) 과 셀 측 유전 막 ( MLc ) 은 수직 베리어 ( VB ) 의 홈 ( groove : GV ) 에 삽입 된 제 2 소스 막 ( SL 2 ) 에 의해 서로 분리 될 수 있 다 . 홈 ( GV ) 은 제 1 소스 콘 택 구조 ( SCT 1 ) 및 제 2 소스 콘 택 구조 ( SCT 2 ) 를 향하 는 수직 베리어 ( VB ) 의 측벽 들 에 각각 형성 될 수 있 다 . 제 2 소스 막 ( SL 2 ) 은 홈 ( GV ) 을 통해 반도체 패턴 ( SE ) 의 측벽 에 직접 접촉 될 수 있 다 . 더미 소스 적층 체 ( DS ) 는 제 2 하부 절 연막 ( LIL 2 ) 과 더미 측 유전 막 ( MLd ) 사이 에 배치 될 수 있 다 .