또한 , 상기 와이퍼 블레이드 의 표면 에 디엘 씨 박막 을 형성 함 에 있 어 비교 적 저온 의 상황 에서 디엘 씨 박막 을 형성 할 수 있 는 플 라즈 마씨 브이 디 법 과 스퍼터링 법 을 이용 하 여 75 ~ 200 ℃ 의 온도 조건 에서 디엘 씨 박막 을 형성 하 게 됨 으로써 고무 또는 합성수 지재 의 블레이드 가 열 에 의해 손상 되 지 않 는 최적 의 조건 에서 디엘 씨 박막 을 형성 가능 하 게 된다 .