반도체 소자 가 고집 적 화 되 어 트랜지스터 의 채널 길이 ( channel length ) 가 감소 함 에 따라 여러 가지 단채 널 효과 ( short channel effect ) 들 이 발생 하 여 트랜지스터 의 특성 확보 를 어렵 게 하 고 있 다 . 단 채널 효과 는 펀치 쓰루 ( punch through ) 에 의한 낮 은 항복 전압 ( breakdown voltage ) , 문턱 전압 ( threshold voltage ) 의 감소 , 접합 누설 ( junction leakage ) 의 증가 , DIBL ( Drain Induced Barrier Lowering ) 효과 , 핫 캐리어 ( hot carrier ) 효과 등 이 있 다 .