한편 , 물질 의 종류 및 형성 방법 에 있 어서 , 상기 전 하저 장막 ( CL ) 은 트랩 사이트 들 이 풍부 한 절 연막 들 및 나노 입자 들 을 포함 하 는 절 연막 들 중 의 하나 일 수 이 었 으며 , 화학 기상 증착 또는 원자 층 증착 기술 들 중 의 한 가지 를 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 전 하저 장막 ( CL ) 은 트랩 절 연막 , 부유 게이트 전극 또는 도전 성 나노 돗 들 ( conductive nano dots ) 을 포함 하 는 절 연막 중 의 한 가지 를 포함 할 수 있 다 . 일 예 로 , 상기 전 하저 장막 ( CL ) 은 실리콘 질화 막 , 실리콘 산 화질 화 막 , 실리콘 - 풍부 질화 막 ( Si - rich nitride ) , 나노 크리스탈 실리콘 ( nanocrystalline Si ) 및 박 층 화 된 트랩 막 ( laminated trap layer ) 중 의 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 .