복수 매 의 기판 ( W ) 이 에칭 된 후 에 클리닝 방법 이 실행 되 는 경우 , ITO 막 ( 52 ) 및 실리콘 산화 막 ( 51 , 53 ) 의 에칭 으로 생성 된 폴리머 , Si 함 유물 , 인듐 함 유물 , 에칭 가스 등 이 챔버 ( 11 ) 내벽 에 반복 하 여 부착 되 어 , 잔사 가 된다 . 따라서 , 스텝 S 12 ∼ S 17 의 처리 를 소정 횟수 행함 으로써 효과 적 으로 잔사 를 제거 할 수 있 다 .