도 10 ( a ) 를 참조 하 면 , 기판 ( 50 ) , 예 를 들 어 사파이어 기판 ( 50 ) 상부 에 n 형 반도체 층 ( 100 ) , 활성 층 ( 200 ) 및 p 형 반도체 층 ( 300 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . n 형 반도체 층 ( 100 ) 은 N 형 불순물 이 도핑 된 GaN 을 이용 하 여 형성 하 고 , 활성 층 ( 200 ) 은 불순물 이 도핑 되 지 않 은 InGaN 을 이용 하 여 형성 하 며 , p 형 반도체 층 ( 300 ) 은 P 형 불순물 이 도핑 된 GaN 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . n 형 반도체 층 ( 100 ) , 활성 층 ( 200 ) 및 p 형 반도체 층 ( 300 ) 은 금속 유기 화학 증착 법 ( Metal Organic Chemical Vapor Deposition ; MOCVD ) , 화학 기상 증착 법 ( Chemical Vapor Deposition ; CVD ) , 플라 즈 마 화학 기상 증착 법 ( Plasma - Enhanced Chemical Vapor Deposition ; PECVD ) , 분자선 성 장법 ( Molecular Beam Epitaxy ; MBE ) , 수소화물 기상 성 장법 ( Hydride Vapor Phase Epitaxy ; HVPE ) 등 을 포함 한 다양 한 증착 또는 성장 방법 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 , n 형 반도체 층 ( 100 ) , 활성 층 ( 200 ) 및 p 형 반도체 층 ( 300 ) 은 인 시투 공정 으 로 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 어 사파이어 기판 ( 50 ) 을 MOCVD 챔버 에 로딩 하 고 챔버 의 온도 를 900 ∼ 1000 ℃ 정도 로 조절 한 후 갈륨 ( Ga ) 소오 스 로서 트리 메틸 갈륨 ( trimethylgallium ; TMGa ) 와 질소 소오 스 로서 암모니아 ( NH 3 ) , 그리고 N 형 불순물 로서 SiH 4 또는 SiH 6 를 유입 시켜 실리콘 이 도핑 된 GaN 층 을 형성 한다 . 한편 , n 형 반도체 층 ( 100 ) 으로 GaN 대신 에 InN , AlN 등 을 형성 하 기 위해서 는 갈륨 소오 스 대신 에 인듐 소오 스 와 알루미늄 소오 스 를 유입 시키 면 된다 . 그리고 , 챔버 의 온도 를 700 ∼ 850 ℃ 의 온도 로 조절 한 후 인듐 소오 스 로서 트리 메틸 인듐 ( trimethylindium ; TMIn ) 또는 트리 에틸 인듐 ( triethylindium ; TEIn ) 과 갈륨 소오 스 , 그리고 질소 소오 스 를 유입 시켜 불순물 이 도핑 되 지 않 은 InGaN 층 을 형성 한다 . 그리고 , 챔버 의 온도 를 다시 900 ∼ 1100 ℃ 로 유지 한 상태 에서 갈륨 소오 스 와 질소 소오 스 및 비스 시클 로 펜 타 다 이 닐 마그네슘 ( b i s cyclopentadienylmagnesium ; Cp 2 Mg ) 을 P 형 불순물 로서 유입 시켜 Mg 가 도핑 된 GaN 층 을 형성 한다 .