도 1 에 는 플래시 메모리 소자 를 제조 하 는 과정 에서 플로팅 게이트 어레이 가 형성 된 반도체 기판 의 단면도 를 도시 하 였 다 . 도 1 에서 도시 된 기판 의 단면 은 플래시 메모리 소자 의 워드 라인 에 평행 한 수직 단면 을 나타낸다 . 종래 의 플래시 메모리 소자 에서 는 , 워드 라인 에 수직 한 방향 으로 일련 의 소자 분리 막 ( 11 ) , 예컨대 STI ( Shallow Trench Isolation ) 을 기판 ( 10 ) 에 형성 하 여 활성 소자 영역 을 정의 한다 . 그리고 나 서 , 기판 ( 10 ) 의 전면 에 터널 산화 막 으로 사용 되 는 실리콘 산화 막 ( 12 ) 을 소정 의 두께 로 형성 한 후 , 플로팅 게이트 로 사용 할 다결정 실리콘 층 을 형성 한다 . 이렇게 형성 된 다결정 실리콘 층 을 사진 공정 및 에칭 공정 을 통해 패 터닝 하 여 복수 의 플로팅 게이트 어레이 ( 14 ) 를 형성 한다 .