상기 다수 의 리드 ( 112 ) 는 다 이 패들 ( 111 ) 의 사방 에 인접 하 게 위치 한다 . 이러 한 다수 의 리드 ( 112 ) 는 솔 더 등 을 통해 외부 장치 에 전기 적 기계 적 으로 접촉 될 수 있 다 . 여기 서 , 상기 다수 의 리드 ( 112 ) 중 반도체 다이 ( 120 ) 의 가장 자리 와 대향 하 는 리드 ( 112 ) 는 다 이 패들 ( 111 ) 과 마주 보 는 측 부 에 형성 되 는 에칭 부 ( 112 a ) 를 포함 한다 . 그리고 , 상기 다수 의 리드 ( 112 ) 는 제 1 리드 홈 ( 112 b ) 과 제 2 리드 홈 ( 112 c ) 을 포함 한다 .