상기 와 같이 하 여 형성 한 반사 전극 의 시료 에 , 포토 리소그래피 및 에칭 에 의해 , 접촉 저항 측정 패턴 ( 접촉 에어리어 : 20 , 40 , 80 ㎛□) 을 형성 한 후 , 질소 분위기 에서 177 ℃( 450 K ) × 1 시간 의 열처리 를 행한 후 , 접촉 저항 치를 4 단자 켈빈 법 으로 측정 하 였 다 . 결과 를 표 1 에 나타낸다 .