그리고 , 상기 형성 된 실리콘 화합물 ( 12 ) 막 의 상부 면 에 포토 레지스 트 ( 11 ) 막 을 형성 하 고 ( 도 4 d ) , 상기 포토 레지스 트 ( 11 ) 막 에 패턴 이 정의 된 마스크 층 을 형성 한다 ( 도 4 e ) . 그리고 , 상기 마스크 층 을 사용 하 여 상기 실리콘 화합물 ( 12 ) 막 을 건식 식각 하 여 상기 패턴 을 상기 실리콘 화합물 ( 12 ) 막 으로 전사 한다 ( 도 4 f ) . 그 후 , 상기 마스크 층 을 제거 한다 ( 도 4 g ) .