그 다음 , 도 3 s 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 제 3 식각 마스크 패턴 층 ( 210 a ) 이 충분히 매립 되 도록 HSQ ( hydrogen silsequioxane ) 용액 을 퇴적 한다 . 이어서 , 상기 제 3 식각 마스크 패턴 층 ( 210 a ) 의 양측 에 스페이스 막 ( 또는 HSQ ) ( 250 ) 이 형성 되 도록 하 고 나머지 부분 은 마스크 ( 미 도시 ) 를 이용 하 여 제거 한다 .