사용 된 기체 는 웨이퍼 캐리어 아래 에 배치 된 배기 포트 들 을 통해 반응 챔버 로부터 방출 되 고 , 통상 적 으로 그 챔버 의 주변 부근 에서 스핀 들 의 축 주변 으로 분포 된다 . 배기 포트 들 은 각 포트 로 기체 의 흐름 을 제한 하 는 특징 물 들 을 가질 수 있 으며 , 이것 은 그 포트 들 로 의 기체 의 균일 한 흐름 을 촉진 한다 . 통상 적 인 CVD 반응기 에서 , 반응물 들 의 산물 들 의 기생 증착 이 배기 포트 들 상 에 형성 될 수 있 다 . 그러 한 기생 증착 은 , 반응물 흐름 이 가능 한 균일 하 게 유지 될 수 있 도록 주기 적 으로 제거 될 수 있 으며 , 그 로 인해 웨이퍼 표면 들 에서 의 그러 한 프로세스 의 균일성 을 향상 시킨다 . 그러나 , 그러 한 제거 는 통상 적 으로 반응기 의 분해 를 필요 로 하 며 따라서 생산 시간 을 잃 는다 .