즉 도 14 에서 설명 한 바 와 같이 , 베이스 ( 210 ) 의 제 1 외측 면 ( S 1 ) 에 형성 되 는 제 1 홈 ( 9 A ) 의 깊이 ( DT 1 ) 를 베이스 ( 210 ) 의 제 2 외측 면 ( S 2 ) 에 형성 되 는 제 2 홈 ( 9 B ) 의 깊이 ( DT 2 ) 보다 크 게 함 으로써 ( DT 1 > DT 2 ) , 회로 기판 ( 180 ) 의 제 1 및 제 2 단자 들 ( 81 , 82 ) 과 의 공간 적 간섭 에 의하 여 센싱 코일 ( 170 ) 의 턴 수 가 제약 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .