본 발명 의 막 은 , 본 발명 의 조성물 을 지 지체 상 에 적용 하 는 공정 을 거쳐 제조 할 수 있 다 . 지 지체 로서 는 , 예 를 들 면 실리콘 , 무 알칼리 유리 , 소다 유리 , 파이렉스 ( 등록 상표 ) 유리 , 석영 유리 등 의 재질 로 구성 된 기판 을 들 수 있 다 . 이 들 기판 에 는 , 유기 막 이나 무기 막 등 이 형성 되 어 있 어도 된다 . 유기 막 의 재료 로서 는 수지 등 을 들 수 있 다 . 또 , 지 지체 로서 는 , 수지 로 구성 된 기판 을 이용 할 수 도 있 다 . 또 , 지 지체 에 는 , 전하 결합 소자 ( CCD ) , 상보 형 ( 相補 型 ) 금속 산화 막 반도체 ( CMOS ) , 투명 도전 막 등 이 형성 되 어 있 어도 된다 . 또 , 지 지체 에 는 , 각 화소 를 격리 하 는 블랙 매트릭스 가 형성 되 어 있 는 경우 도 있 다 . 또 , 지 지체 에 는 , 필요 에 따라 , 상부 의 층 과 의 밀착 성 개량 , 물질 의 확산 방지 혹은 기판 표면 의 평탄 화 를 위하 여 언더 코트 층 을 마련 해도 된다 . 또 , 지 지체 로서 유리 기판 을 이용 하 는 경우 에 있 어서 는 , 유리 기판 상 에 무기 막 을 형성 하 거나 , 유리 기판 을 탈 알칼리 처리 하 여 이용 하 는 것 이 바람직 하 다 .