이 때 , 제 2 의 목표 높이 ( H 2 ) 는 , 압기 분사 에 의한 자력 부상 작용 이 작동 하 기 시작 하 는 높이 영역 내 에 설정 되 어 있 기 때문 에 , 전사 헤드 기체 ( 104 ) 가 제 2 의 목표 높이 ( H 2 ) 까지 강하 하 는 도중 에 , 전사판 홀더 ( 103 ) 는 전사 헤드 기체 ( 104 ) 에 대해 자력 부상 한다 . 그 때문 에 , 제 1 및 제 2 의 목표 높이 에 접근 하 기 위한 오픈 루프 제어 에 다소 의 오 차 가 있 거나 , 리페 어 대상물 측 의 이유 로 표면 높이 가 변동 하 거나 하 여도 , 전사 헤드 ( 1 ) 가 강하 하 는 과정 에서 , 전사판 ( 101 ) 이 리페 어 대상물 에 충돌 하 여 표면 을 파괴 하 는 등 의 우려 를 확실 하 게 회피 할 수 있 고 , 전사판 ( 101 ) 과 리페 어 대상물 의 거리 는 , 압기 분사 에 의한 자력 부상 작용 에 의해 , 압기 의 압력 내지 유량 을 적절 하 게 설정 함 으로써 , 최적 범위 ( 예 를 들 면 , 5 내지 20 ㎛) 로 유지 되게 된다 .