선택 적 전도성 플레이트 층 ( 6 ) 및 인 - 프로세스 소스 레벨 재료 층 들 ( 10 ') 은 , 스루 - 메모리 레벨 콘택트 비아 구조물 들 및 스루 - 유전체 콘택트 비아 구조물 들 이 후속 적 으로 형성 될 영역 들 에 개구 들 을 제공 하 도록 패턴 화 될 수 있 다 . 전도성 플레이트 층 ( 6 ) 및 인 - 프로세스 소스 레벨 재료 층 들 ( 10 ') 의 스택 의 패턴 화 된 부분 들 은 3 차원 메모리 스택 구조물 들 이 후속 적 으로 형성 될 각각 의 메모리 어레이 영역 ( 100 ) 에 존재 한다 .