또는 , 도 9 b 에 도시 된 바 와 같이 , 저항 변화 층 ( 523 b ) 중 반도체 층 ( 522 b ) 과 가까운 영역 에 산소 공공 의 밀도 가 낮 은 경우 , 전압 강하 된 프로그램 전압 ( Vprogram ') 은 저항 변화 층 ( 523 b ) 의 일정 한 거리 간격 으로 떨어져 있 는 트랩 에 전자 가 채워 지 게 할 수 있 다 . 그리하여 , 전류 전도 형상 의 변화 로 인해 저항 변화 층 ( 523 b ) 은 저 저항 상태 가 되 고 , 선택 메모리 셀 ( 720 ) 은 Hopping , SCLC , Poole - Frenkel 과 같 은 벌크 ( bulk ) 전 도 특성 을 가질 수 있 다 .