본 발명 은 상기 한 종래 기술 에서 의 문제점 을 해결 하 고자 하 는 것 으로 , 표면 방출 레이저 제조 를 위하 여 III - V 족 물질 로 구성 된 적어도 2 종류 의 화합물 반도체 층 들 이 교대 로 적층 되 어 있 는 반도체 다층 구조 를 식각 하 는 데 있 어서 균일 한 식각 속도 및 원활 한 식각 면 을 제공 함 으로써 표면 방출 레이저 의 신뢰 성 을 높일 수 있 는 III - V 족 반도체 다층 구조 의 식각 방법 을 제공 하 는 것 이 다 .