따라서 , 도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 제 2 액티브 층 ( 321 ) 과 중첩 하 는 영역 에 는 질화 실리콘 ( SiNx ) 물질 로 이루어진 제 1 층간 하부 절연 층 ( 113 a ) 은 제거 되 고 , 산화 실리콘 ( SiOx ) 물질 로 이루어진 제 1 층간 상부 절연 층 ( 113 b ) 만 이 배치 될 수 있 다 . 도 3 을 참조 하 면 , 제 1 층간 상부 절연 층 ( 113 b ) 은 제 2 채널 영역 ( 321 a ) 과 중첩 하 도록 배치 된 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 의 상부 면 및 양 측면 과 직접 접촉 하 도록 배치 될 수 있 다 . 그리고 , 제 1 층간 상부 절연 층 ( 113 b ) 은 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 의 상부 면 및 양 측면 을 둘러싸 도록 형성 될 수 있 다 .