소자 영역 ( AA ) 을 둘러싸 는 소자 분리 영역 ( STI ) 바로 아래 의 영역 에 는 p 형 웰 영역 ( 36 ) 이 형성 되 어 있 다 . 또한 , 소자 분리 영역 ( STI ) 바로 아래 의 영역 으로서 , 웰 영역 ( 36 ) 의 측면 에 는 p 형 영역 ( p 형 불순물 확산 층 ) ( 37 ) 이 형성 되 어 있 다 . 따라서 , 도 4 내지 도 7 에 나타낸 바 와 같이 , MOS 트랜지스터 TR 를 상면 으로부터 보 면 , 소자 영역 ( AA ) 의 주위 를 소자 분리 영역 ( STI ) 이 둘러싸 고 , 그 주위 를 p 형 영역 ( 37 ) 이 둘러싸 며 , 그 주위 를 웰 영역 ( 36 ) 이 둘러싸 는 것 과 같 은 형상 으로 되 어 있 다 .