EEPROM 및 전기 적 프로그램 가능 판독 전용 메모리 ( EPROM ) 는 소거 될 수 있 고 , " 이 들 메모리 셀 에 새로운 데이터 가 쓰여 지 거나 또는 "" 프로그램 "" 될 수 있 는 비휘발성 메모리 이 다 . 이 들 은 전계 효과 트랜지스터 구조 에서 소스 ( source ) 와 드레 인 영역 ( drain regions ) 사이 의 반도체 기판 에서 채널 영역 ( channel region ) 위 에 위치 하 는 플로팅 ( 연결 되 지 않 은 ) 전도성 게이트 ( floating ( unconnected ) conductive gate ) 를 사용 한다 . 그 후 제어 게이트 가 플로팅 게이트 위 에 제공 된다 . 트랜지스터 의 임계 전압 특성 ( threshold voltage characteristic ) 은 플로팅 게이트 에 보유 된 전하 의 양 에 의해 제어 된다 . 이 는 플로팅 게이트 에 전하 의 주어진 레벨 에 있 어서 트랜지스터 의 소스 와 드레 인 영역 사이 에서 전도 가 일어나 기 위해서 트랜지스터 가 "" 연결 ( on ) "" 되 기 전 에 제어 게이트 로 적용 되 어야 하 는 해당 하 는 전압 ( 임계 ) 이 다 . "