일 실시 형태 에 있 어서 , 동작 ( 503 ) 은 가스 분배 유닛 내 의 복수 의 독립 적 으로 제어 가능 한 가스 공급 존 들 로부터 플 라즈 마 프로세싱 체적 내부 로 플 라즈 마 프로세싱 가스 를 플로우 하 는 것 을 포함 한다 . 본 실시 형태 에 있 어서 , 복수 의 가스 공급 존 들 각각 을 통한 플 라즈 마 프로세싱 가스 의 각각 의 플로우 레이트 들 은 반도체 웨이퍼 에 걸친 플 라즈 마 밀도 제어 를 가능 하 게 하 도록 제어 된다 . 또한 , 본 실시 형태 의 일 구현 에 있 어서 , 복수 의 독립 적 으로 제어 가능 한 가스 공급 존 들 은 가스 분배 유닛 에 걸쳐 동심 으로 정의 된다 . 부가 적 으로 , 일 실시 형태 에 있 어서 , 가스 분배 유닛 내 로부터 플 라즈 마 프로세싱 체적 내부 로 플 라즈 마 프로세싱 가스 를 플로우 하 는 것 , 및 가스 분배 유닛 을 통해 플 라즈 마 프로세싱 체적 내 로부터 플 라즈 마 프로세싱 가스 의 배출 플로우 를 지향 시키 는 것 은 , 반도체 웨이퍼 에 대한 노출 시 플 라즈 마의 상주 시간 을 제어 하 기 위해 펄스 형 방식 으로 수행 된다 .