도시 된 배열 에서 , 소자 반도체 구조 ( 100 ) 는 트랜지스터 구조 를 형성 할 수 있 다 . 여기 서 , 3 개 의 화합물 반도체 층 ( 21 , 22 , 23 ) 이 서로 의 상부 에 배열 되 어 트랜지스터 구조 를 실현 하 는 3 개 의 교번 하 는 p - n 접합 을 형성 할 수 있 다 . 연결 유형 에 따라 , 제 1 화합물 반도체 층 ( 21 ) 은 트랜지스터 의 이미터 층 을 제공 할 수 있 다 . 제 2 화합물 반도체 층 ( 22 ) 은 트랜지스터 의 베이스 층 을 제공 할 수 있 다 . 그리고 제 3 화합물 반도체 층 ( 23 ) 은 트랜지스터 의 컬렉터 층 을 제공 할 수 있 다 . 이 미터 층 과 컬렉터 층 도 교환 될 수 있 다 . 일반 적 으로 , 이 미터 층 은 베이스 층 보다 더 높 은 전하 캐리어 밀도 를 가질 것 이 고 , 베이스 층 은 다시 컬렉터 층 보다 더 높 은 전하 캐리어 밀도 를 가질 것 이 다 .