일 실시 예 에 따르 면 , 도전 성 스토퍼 ( 39 ) 의 형상 인자 ( form factor ) 는 다양 한 인자 에 따라 변경 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 단일 의 MEMS 스위치 를 위한 도전 성 스토퍼 는 기둥 또는 포스트 ( post ) 와 유사 할 수 있 고 , 반면 스위치 어레이 를 위한 도전 성 스토퍼 는 비 임 과 유사 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 도전 성 스토퍼 는 그 길 이 또는 폭 보다 큰 높이 [ 예 를 들 어 , 가동 액추에이터 ( 33 ) 를 향해 연장 하 는 치수 ] 를 가질 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 도전 성 스토퍼 ( 39 ) 는 가동 전극 ( 33 ) 이 도전 성 스토퍼 에 접촉 하 기 전 에 기판 접점 ( 35 ) 과 접촉 하 도록 구성 될 수 있 다 . 대안 적 인 실시 예 에서 , 도전 성 스토퍼 ( 39 ) 는 가동 전극 ( 33 ) 이 도전 성 스토퍼 와 접촉 할 때 와 실질 적 으로 동시 에 기판 접점 ( 35 ) 과 접촉 하 도록 구성 될 수 있 다 . 또 다른 대안 적 인 실시 예 에서 , 도전 성 스토퍼 ( 39 ) 는 가동 전극 ( 33 ) 이 기판 접점 ( 35 ) 과 접촉 하 기 전 에 도전 성 스토퍼 ( 39 ) 와 먼저 접촉 하 도록 구성 될 수 있 다 . 이러 한 실시 예 에서 , 도전 성 스토퍼 ( 39 ) 는 기판 접점 ( 35 ) 의 높이 보다 큰 높이 를 가질 수 있 다 . 도전 성 스토퍼 ( 39 ) 를 기판 접점 ( 35 ) 보다 더 높 게 ( 예 를 들 어 , 가동 액추에이터 에 더 근접 하 게 ) 제조 함 으로써 , 가동 접점 ( 33 ) 의 유효 공진 주파수 를 증가 시켜 기판 접점 ( 35 ) 과 가동 액추에이터 ( 33 ) 사이 의 보다 신속 한 분리 를 초래 하 는 것 이 가능 하 다 . 더욱이 , 도전 성 스토퍼 ( 39 ) 를 기판 접점 ( 35 ) 보다 높 게 제조 함 으로써 , 가동 액추에이터 ( 33 ) 는 비 임 을 작동 시키 기 위해 증가 된 흡인 전압 ( pull - in voltage ) 을 먼저 필요 로 하 는 도전 성 스토퍼 ( 39 ) 와 접촉 할 것 이 다 .