또한 , 본 발명 의 반도체 장치 의 제조 방법 에 따르 면 , 형상 이상 의 발생 을 억제 하 여 미세 하 며 또 한 고선명 인 레지스 트 패턴 을 치수 정밀 도 좋 게 형성 가능 하 고 , 상기 레지스 트 패턴 을 이용 하 여 형성 한 미세 한 배선 패턴 을 갖 는 고 성능 인 반도체 장치 , 예컨대 , 플래시 메모리 , DRAM , FRAM , 등 을 효율 적 으로 양산 시킬 수 있 다 .