일 실시 예 에 따르 면 , 상기 반사체 를 형성 하 는 단계 는 , 상기 마스크 패턴 을 마스크 로 사용 하 여 서로 다른 주입 에너지 를 갖 는 복수 의 원소 이온 주입 공정 들 을 순차 적 으로 수행 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 이 경우 에 , 복수 의 평판 형태 의 반사체 들 이 상기 기판 내 에 형성 되 고 , 상기 반사체 들 은 차례 로 적층 되 고 , 상기 반사체 들 은 상기 반도체 기판 의 상부 면 에 수직 한 방향 으로 서로 이격 된다 .