본 발명 은 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크 에 관한 것 으로서 , 보다 상세 하 게 는 , 위상 반 전막 은 i - h - g line ( 365 nm , 405 nm , 436 nm ) 의 파장 에서 표면 반사 율 이 35 % 이하 이 고 , 피전 사체 의 패턴 정밀도 를 향상 시킬 수 있 는 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크 제조 방법 에 관한 것 이 다 .