그 후 에 , 도 3 g 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 식각 후 잔류 된 제 1 및 제 2 하드 마스크 막 ( 101 , 108 ) 및 보호막 ( 107 ) 을 제거 하 여 , 센서 웨이퍼 를 완성 한다 . 여기 서 , 상기 제 1 및 제 2 하드 마스크 막 ( 101 , 108 ) 은 HF 를 이용 하 여 제거 하 고 , 상기 보호막 ( 107 ) 은 H 3 PO 4 를 이용 하 여 제거 한다 . 이 와 같이 , 상기 하드 마스크 막 ( 101 , 108 ) 및 보호막 ( 107 ) 의 제거 가 완료 됨 에 따라 , 상기 제 1 Cu 본딩 라인 ( 106 a ) 및 제 1 Cu 본딩 패드 ( 106 b ) 가 제 1 실리콘 기판 ( 100 ) 상 에 일정 두께 만큼 돌출 되 도록 형성 되 므로 , 센서 파트 ( 109 ) 가 필요 로 하 는 공간 을 추가 적 으로 확보 하 여 , 캡 웨이퍼 에 형성 되 는 캐비 티 ( 209 ) 의 공간 을 줄일 수 있 을 뿐 만 아니 라 , 웨이퍼 본딩 공정 에서 의 오 정렬 ( misalign ) 로 인해 , 센서 웨이퍼 상 에 구리 실리사이드 ( silicide ) 가 형성 되 는 것 을 방지 할 수 있 게 된다 .