도 2 를 참조 하 면 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 원자 층 증착 설비 ( 210 ) 는 , 웨이퍼 와 같 은 샘플 ( 100 ) 이 배치 되 며 샘플 ( 100 ) 상부 의 반응 공간 을 한정 하 는 챔버 ( 211 ) 를 구비 한다 . 챔버 ( 211 ) 내 의 화살표 는 기체 의 이동 을 나타내 는데 , 여기 서 기체 는 원료 기체 와 반응 기체 로 구분 될 수 있 다 . 원료 기체 는 박막 재료 의 원료 로 사용 되 는 전구체 ( precursor ) 를 의미 하 며 , 반응 기체 는 원료 기체 가 샘플 ( 100 ) 표면 과 반응 하 여 발생 한 기체 를 의미 한다 . 챔버 ( 211 ) 에 는 챔버 ( 211 ) 내 의 반응 공간 으로 원료 기체 를 공급 하 는 공급 라인 ( 212 ) 과 , 그리고 챔버 ( 211 ) 내 의 반응 공간 에 있 는 반응 기체 를 펌핑 시스템 으로 배출 하 는 배출 라인 ( 213 ) 이 연결 된다 . 이 외 에 도 챔버 ( 211 ) 에 는 질량 분석 계 ( 214 ) 가 배치 되 어 챔버 ( 211 ) 내 에서 일어나 는 반응 메커니즘 을 모니터링 할 수 있 다 .