다음 에 , 반도체 영역 ( 104 ) 에 인 ( P ) 이나 비소 ( As ) 등 을 첨가 하 고 , 채널 형성 영역 ( 116 ) 및 불순물 영역 ( 120 ) 을 형성 한다 ( 도 8 d 참조 ) . 또한 , 여기 에서 는 n 형 트랜지스터 를 형성 하 기 위해서 인 이나 비소 를 첨가 하 고 있 지만 , p 형 트랜지스터 를 형성 하 는 경우 에 는 , 붕소 ( B ) 나 알루미늄 ( Al ) 등 의 불순물 원소 를 첨가 하 면 된다 . 여기 에서 , 첨가 하 는 불순물 의 농도 는 적절히 설정 할 수 있 지만 , 반도체 소자 가 고도 로 미세 화 되 는 경우 에 는 , 그 농도 를 높 게 하 는 것 이 바람직 하 다 .