본 발명 에 따르 면 , 상기 전류 분산 홀 들 ( 200 ) 은 전류 의 흐름 을 분산 시키 지만 , 상기 전류 는 여전히 상기 전류 분산 홀 들 ( 200 ) 사이 로 흐를 수 있 다 . 즉 , 본 발명 에 따르 면 , 전류 는 상기 전류 분산 홀 들 ( 200 ) 에 의해 분산 되 지만 차단 되 지 는 않 는다 . 상기 전류 가 일 영역 에서 차단 될 경우 , 상기 전류 는 이 영역 을 우회 하 는 ( roundabout ) 전류 경로 로 집중 되 는 문제 가 발생 할 수 있 지만 , 본 발명 에서 는 이러 한 우회 적 집중 ( indirect crowding ) 이 예방 될 수 있 다 . 또한 , 도 1 에 도시 된 것 처럼 , 상기 전류 분산 홀 ( 200 ) 이 상기 투명 전극 층 ( 105 ) 만 을 관통 하 도록 형성 될 경우 , 상기 전류 는 상기 전류 분산 홀 ( 200 ) 의 측면 뿐 만 이 아니 라 상기 전류 분산 홀 ( 200 ) 아래 의 상부 층 을 통해서 도 우회 하 기 때문 에 , 상술 한 우회 적 집중 의 문제 는 경감 될 수 있 다 . 본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따르 면 , 상기 전류 분산 홀 들 ( 200 ) 의 배치 밀도 는 상기 하부 전극 영역 ( 10 ) 및 상기 상부 전극 영역 ( 20 ) 으로부터 의 거리 를 고려 하 여 조절 될 수 있 다 . 상기 전류 분산 홀 들 ( 200 ) 의 배치 밀도 는 상기 전류 분산 홀 들 ( 200 ) 사이 의 간격 을 조절 하 는 방법 을 통해 변화 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 도 8 에 도시 된 것 처럼 , 상기 하부 전극 영역 ( 10 ) 으로부터 가까운 전류 분산 홀 들 ( 201 ) 사이 의 간격 은 이 로부터 이격 된 전류 분산 홀 들 ( 202 ) 사이 의 간격 보다 좁 을 수 있 다 . 또는 , 상기 전류 분산 홀 들 ( 200 ) 의 배치 밀도 는 상기 전류 분산 홀 들 ( 200 ) 의 크기 를 조절 하 는 방법 을 통해서 도 변화 될 수 있 다 .