산화물 반도체 층 으로서 는 , 적어도 In , Ga , Sn , Zn , Al , Mg , Hf 및 란타노이드 로부터 선택 된 1 종 이상 의 원소 를 함유 한다 . 예 를 들 어 , In - Sn - Ga - Zn 계 , In - Ga - Zn 계 , In - Sn - Zn 계 , In - Al - Zn 계 , Sn - Ga - Zn 계 , Al - Ga - Zn 계 , Sn - Al - Zn 계 , In - Hf - Zn 계 , In - La - Zn 계 , In - Ce - Zn 계 , In - Pr - Zn 계 , In - Nd - Zn 계 , In - Pm - Zn 계 , In - Sm - Zn 계 , In - Eu - Zn 계 , In - Gd - Zn 계 , In - Tb - Zn 계 , In - Dy - Zn 계 , In - Ho - Zn 계 , In - Er - Zn 계 , In - Tm - Zn 계 , In - Yb - Zn 계 , In - Lu - Zn 계 , Zn - Mg 계 , Sn - Mg 계 , In - Mg 계 , In - Ga 계 , In - Zn 계 , Sn - Zn 계 , Al - Zn 계 , In 계 , Sn 계 , Zn 계 의 산화물 반도체 층 , 특히 비정질 산화물 반도체 층 을 사용 하 는 것 이 적합 하 다 . 여기 에서 는 산화물 반도체 층 으로서 In - Ga - Zn 계 의 금속 산화물 타깃 을 사용 하 여 , 비정질 의 산화물 반도체 층 을 스퍼터링 법 에 의해 형성 하 는 것 으로 한다 . 또한 , 비정질 의 산화물 반도체 층 중 에 실리콘 을 첨가 함 으로써 그 의 결정화 를 억제 할 수 있 기 때문 에 , 예 를 들 어 SiO 2 를 2 중량 ％ 이상 10 중량 ％ 이하 로 포함 하 는 타깃 을 이용 하 여 산화물 반도체 층 을 형성 할 수 있 다 .