상술 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 은 , 반도체 기판 상 에 절연 층 을 형성 하 는 단계 와 , 절연 층 을 선택 적 으로 제거 하 여 콘 택 홀 및 트렌치 를 형성 하 는 단계 와 , 콘 택 홀 및 트렌치 가 형성 된 절연 층 상 에 배리 어 층 을 형성 하 는 단계 와 , 원자 박막 증착 공정 을 이용 하 여 배리 어 층 상 에 CVD 질화 티타늄 막 을 형성 하 는 단계 와 , 화학 기상 증착 공정 을 이용 하 여 CVD 질화 티타늄 막 상 에 텅스텐 막 을 형성 하 는 단계 와 , 평탄 화 공정 으로 콘 택 홀 및 트렌치 내부 에 배선 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 의 금속 배선 형성 방법 을 제공 한다 .