SRAM ( Static Random Access Memory ) 은 p - 형 멀티 게이트 전계 효과 트랜지스터 ( MuGFET ) 엑세스 디바이스 들 로써 구현 된다 . P - MuGFET ( p - type MuGFET ) 디바이스 들 은 그 들 의 게이트 들 이 하이 ( high ) 전압 으로 구동 될 경우 오프 모드 이 며 , 로우 ( low ) 전압 으로 구동 될 경우 온 모드 이 다 . 일 실시 예 에서 , 워드 라인 디코더 들 과 같 은 , 주변 엑세스 회로 는 접 지 또는 VSS 및 엑세스 회로 사이 에 배치 된 n - MuGFET ( n - type MuGFET ) 파워 스위치 들 의 사용 에 의해 스위칭 오프 된다 . 로우 전압 의 인가 함 으로써 제어 되 는 바 와 같이 , 파워 스위치 들 이 오프 될 때 , 워드 라인 들 또한 하이 전압 으로 이동 하 게 하 여 , 엑세스 회로 가 공급 전압 또는 VDD 로 부상 하 며 , 차례 로 , p - MuGFET 엑세스 디바이스 들 이 오프 되 어 , 누설 전류 를 또한 감소 시킨다 .