이러 한 본 발명 의 제 6 실시 예 에 따른 커패시터 는 베이스 기판 의 상면 및 하면 을 에칭 하 여 상기 베이스 기판 의 상면 및 하 면 각각 에 서로 이웃 하 는 복수 의 상부 홈 및 복수 의 하부 홈 을 형성 하 는 단계 ; 각각 의 상부 홈 상 에 제 1 산화 막 을 형성 하 는 단계 ; 각각 의 하부 홈 상 에 제 2 산화 막 을 형성 하 는 단계 ; 및 각각 의 제 1 산화 막 및 각각 의 제 2 산화 막 상 에 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 커패시터 제조 방법 에 의해 제조 된다 .