상기 제 1 서브 화소 ( 21 ) 에 배치 된 제 1 전극 ( 6 ) 은 반사판 ( 4 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 제 1 전극 ( 6 ) 은 제 1 절연 층 ( 3 ) , 반사판 ( 4 ) , 및 제 2 절연 층 ( 5 ) 을 관통 하 는 콘 택 홀 을 통해 제 1 박막 트랜지스터 ( 31 a ) 의 소스 전극 에 접속 된다 . 상기 제 1 전극 ( 6 ) 은 상기 제 2 절연 층 ( 5 ) 을 관통 하 는 콘 택 홀 을 통해 상기 반사판 ( 4 ) 에 연결 되 고 , 상기 반사판 ( 4 ) 은 상기 제 1 절연 층 ( 3 ) 을 관통 하 는 콘 택 홀 을 통해 제 1 박막 트랜지스터 ( 31 a ) 에 연결 됨 으로써 , 상기 제 1 박막 트랜지스터 ( 31 a ) 에 연결 될 수 도 있 다 .