도 2 의 ( i ) 를 참조 하 면 , 압전성 웨이퍼 의 비아 ( 211 ) 의 위치 에 대응 하 는 개구부 ( 240 ) 가 형성 된다 . 마스크 ( mask ) 등 이 활용 되 는 경우 , 개구부 ( 240 ) 는 절연 층 과 동시 에 형성 될 수 있 다 . 또한 , 사진 식각 ( lithography ) 및 에칭 ( etching ) 공정 을 이용 하 여 이미 형성 된 절연 층 ( 230 ) 에 개구부 ( 240 ) 를 형성 할 수 도 있 다 .