도 2 를 참조 하 면 , 시모스 이미지 센서 는 기판 에 형성 되 어 다이오드 영역 ( 201 ) 및 활성 영역 을 한정 하 는 소자 분리 패턴 ( 211 ) 을 포함 한다 . 통상 적 으로 상기 다이오드 영역 ( 201 ) 은 광 효율 을 높이 기 위하 여 넓 게 형성 되 고 , 상기 활성 영역 은 상기 다이오드 영역 ( 201 ) 의 일 측 에 연장 되 어 형성 된다 . 상기 활성 영역 상 에 트랜스퍼 게이트 ( 205 ) , 리셋 게이트 ( 207 ) , 액세스 게이트 ( 208 ) 및 선택 게이트 ( 209 ) 가 순차 적 으로 소정 간격 이격 되 어 형성 된다 . 이때 상기 트랜스퍼 게이트 ( 205 ) 는 상기 다이오드 영역 ( 201 ) 에 인접 하 여 상기 활성 영역 에 형성 된다 . 상기 트랜스퍼 게이트 ( 205 ) 및 상기 리셋 게이트 ( 207 ) 사이 의 활성 영역 에 부유 확산 층 ( 213 ) 이 형성 된다 . 한편 , 도시 하 지 는 않 았 지만 , 상기 부유 확산 층 ( 213 ) 은 상기 액세스 게이트 ( 208 ) 및 상기 선택 게이트 ( 209 ) 와 배선 에 의해 전기 적 으로 접속 된다 . 한편 전원 전압 단의 인가전압 ( VDD , 203 ) 은 리셋 게이트 ( 207 ) 트랜지스터 의 드레 인 및 선택 게이트 ( 209 ) 트랜지스터 의 드레 인 에 접속 된다 .