상기 패 터닝 용 박막층 ( 20 ) 은 산화물 계열 ( 예 : XOy 또는 X 2 Oy 의 형태 , X 는 Ba , Be , Ce , Cr , Er , Ga , In , Mg , Ni , Si , Sc , Ta , Ti , Zn , Zr 중 어느 하나 이 고 Y 는 0 < y ≤ 9 ) 인 물질 , 또는 질화물 계열 인 물질 ( 예 : SiNx ) , 또는 W 또는 Pt 중 적어도 어느 하나 의 물질 을 플 라즈 마 CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 방식 , E - Beam 또는 스퍼터링 ( Sputtering ) 방식 으로 증착 시켜 형성 할 수 있 다 .