예 를 들 면 , 기판 처리 열 ( Ｌｕ , Ｌｄ ) 에서 의 각 공정 을 각각 , 도포 현상 공정 의 전부 또는 일부 로 하 는 것 이 가능 하 다 . 도포 현상 공정 의 일부 로서 는 , 예 를 들 면 , 기판 ( Ｗ ) 에 레지스 트 막 을 형성 하 기 위한 공정 ( 이하 , 적당히 「 레지스 트 공정 ( 工程 ) 」 이 라 한다 ) 과 , 기판 을 현상 하 기 위한 공정 ( 이하 , 적당히 「 현상 공정 」 이 라 한다 ) 등 이 예시 된다 . 레지스 트 공정 으로서 는 , 냉각 처리 ( Ｔ １ ) 로부터 에지 노광 ( Ｔ ８ ) 까지 의 일련 의 처리 가 예시 된다 . 현상 공정 으로서 는 , ＰＥＢ 처리 ( Ｔ １０ ) 로부터 냉각 처리 ( Ｔ １４ ) 까지 의 일련 의 처리 가 예시 된다 . 이 외 , 도포 현상 공정 의 일부 로서 는 , 예 를 들 면 , 레지스 트 막 재료 도포 처리 ( Ｔ ５ ) 를 포함 하 여 , 이 에 관련 되 는 공정 이나 , 현상 처리 ( Ｔ １２ ) 를 포함 하 여 , 이 에 관련 되 는 공정 이나 , 열처리 를 포함 하 여 , 이 에 관련 되 는 공정 으로 해도 좋 다 . 혹은 , 냉각 처리 ( Ｔ ４ ) 로부터 가열 / 냉각 처리 ( Ｔ ６ ) 까지 의 공정 이나 , 에지 노광 ( Ｔ ８ ) 만 으로 이루어지 는 공정 등 을 임의 로 선택 할 수 있 다 .