다음 에 , 상기 스토리지 노드 컨 택 을 포함 하 는 영역 의 상기 몰드 산화 막 ( 260 ) 을 이방성 식각 하 여 제거 한다 . 그리고 , 몰드 산화 막 패턴 이 형성 된 결과물 상 에 금 속 전 극막 , 예컨대 티타늄 나이트 라이드 ( TiN ) 를 증착 하 여 스토리지 전극 용 제 1 도 전막 ( 272 ) 을 형성 한다 . 상기 티타늄 나이트 라이드 ( TiN ) 는 염화 티타늄 ( TiCl 4 ) 가스 를 소스 가스 로 사용 하 여 , 예 를 들 어 화학 기상 증착 ( CVD ) 방법 으로 증착 할 수 있 다 .