도 3 e 를 참조 하 면 , 도 3 d 의 홀 ( h 1 ) 내부 에 산화물 을 매립 ( fill up ) 한 뒤 , 예 를 들 어 CMP 공정 에 의해 평탄 화 를 실시 한다 . 도 7 a 는 도 3 e 의 A - A ' 선 을 따라 절개 한 단면도 로서 , 제 1 절연 층 ( 22 ) 이 그대로 잔존 하 고 있 는 것 을 알 수 있 다 . 도 7 b 는 도 3 e 의 B - B ' 선 을 따라 절개 한 단면도 로서 , 폭 이 감소 한 핀 들 ( 21 a , 21 b ) 사이 의 반도체 기판 ( 21 ) 상 에 는 제 1 절연 층 ( 22 ) 이 매립 된 구조 인 것 을 알 수 있 다 .