도 22 a 및 22 b 에서 의 SJ - MOS 트랜지스터 ( 90 ) 의 고 내압 을 얻 기 위해서 는 , 전 술 한 바 와 같이 , 드리프트 층 인 N 형 칼럼 ( 20 n ) 에 공핍 층 을 확장 할 필요 가 있 다 . N 형 칼럼 ( 20 n ) 에 공핍 층 을 확장 하 기 위해서 는 , " "" N 형 칼럼 ( 20 n ) 의 불순물 양 ( = 농도 × 체적 ) 및 P 형 칼럼 ( 20 p ) 의 불순물 양 ( = 농도 × 체적 ) 이 서로 동일 하 게 이루어져야 하 는 조건 이 부과 된다 . 이러 한 조건 을 성립 시키 도록 PN 칼럼 층 ( 10 ) 이 설계 된다 . 하 지만 ", 문제점 이 존재 한다 . PN 칼럼 층 ( 10 ) 이 형성 된 경우 , 형상 가공 편차 또는 불순물 농도 편차 ( 이하 , 공동 으로 형성 편차 라 칭함 ) 가 발생 하 면 , 상기 조건 은 성립 될 수 없 다 . 이러 한 이유 로 인하 여 , N 형 칼럼 ( 20 n ) 또는 P 형 칼럼 ( 20 p ) 의 불순물 양 의 잉여량 에 의해 드리프트 층 에서 의 공핍 층 의 확장 이 방지 될 수 있 고 , SJ - MOS 트랜지스터 ( 90 ) 의 내압 이 저하 된다 . 상기 형성 편차 로 인한 내압 의 감소 는 SJ - MOS 트랜지스터 ( 90 ) 의 온 저항 이 감소 함 에 따라 더 현저 하 게 이루어진다 . 즉 , N 형 칼럼 ( 2 n ) 의 불순물 양 이 증가 하 면 온 저항 이 감소 하 므로 , 이 와 유사 하 게 P 형 칼럼 ( 20 p ) 의 불순물 양 도 증가 시킬 필요 가 있 다 . 그 결과 , 형성 편차 에 의해 생기 는 불순물 의 잉여량 의 편차 는 상대 적 으로 증가 한다 . 이러 한 이유 로 인하 여 , N 형 칼럼 ( 20 n ) 의 불순물 양 이 증가 하 여 SJ - MOS 트랜지스터 ( 90 ) 의 온 저항 이 감소 함 에 따라 , 상기 형성 편차 에 의해 내압 의 편차 가 더 증가 한다 .