본 기술 은 메모리 소자 를 제공 한다 . 메모리 소자 는 제 1 방향 으로 연장 된 제 1 도전 라인 들 과 상기 제 1 도전 라인 들 에 교차 되 는 제 2 도전 라인 들 에 연결 된 가변저항 메모리 셀 들 을 갖 는 메모리 셀 어레이 , 및 상기 제 1 도전 라인 들 을 선택 하 는 선택 회로 를 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 도전 라인 들 은 , 상기 제 1 방향 에 교차 되 는 제 2 방향 으로 연장 된 직선형 도전 라인 들 및 상기 직선형 도전 라인 들 을 사이 에 두 고 상기 선택 회로 로부터 이격 되 고 서로 나란 하 게 연장 된 L 형 의 제 1 밴 딩 도전 라인 들 을 포함 할 수 있 다 .