도 10 a 및 도 10 d 를 참조 하 면 , 본 발명 의 제 3 및 제 6 내지 제 8 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 내 아연 ( Zn ) , 인듐 ( In ) , 및 산소 ( O ) 가 존재 하 는 것 을 확인 하 였 다 . 또한 , 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 산화물 반도체 박막 은 원자 층 증착 공정 에 의해 제조 되 므로 , 원자 층 증착 공정 시 상기 제 1 박막 을 형성 하 기 위해 제공 되 는 인듐 전구체 [ 1 , 1 , 1 - trimethyl - N -( trimethylsilyl ) silanaminato ] indium ( InCA - 1 ) 및 상기 제 2 박막 을 형성 하 기 위한 아연 전구체 diethylzinc ( DEZ ) 의해 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 산화물 반도체 박막 들 내 에 탄소 ( C ) 가 포함 되 는 것 을 확인 하 였 다 .