도 3 을 참조 하 여 , 상기 게이트 ( 60 ) 일 측 의 n 형 도핑 영역 ( 40 ) 상부 에 제 3 p 형 도핑 영역 ( 70 ) 이 형성 된다 . 상기 제 3 p 형 도핑 영역 ( 70 ) 은 중농 도 의 p 형 도 펀트 ( p +) 를 이온 주입 하 여 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 3 p 형 도핑 영역 ( 70 ) 은 BF 2 또는 보론 이온 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 3 p 형 도핑 영역 ( 70 ) 은 상기 반도체 기 판 ( 10 ) 상 에 n 형 도핑 영역 ( 40 ) 을 노출 시키 는 제 2 포토레지스트 패턴 ( 220 ) 을 형성 한 후 , 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 220 ) 및 게이트 ( 60 ) 를 이온 주입 마스크 로 사용 한 이온 주입 공정 에 의하 여 형성 될 수 있 다 . 상기 제 3 p 형 도핑 영역 ( 70 ) 의 이온 주입 공정 은 약 0 ~ 10 ° 의 틸 트 각도 로 이온 주입 될 수 있 다 . 따라서 , 상기 제 3 p 형 도핑 영역 ( 70 ) 은 상기 게이트 ( 60 ) 의 일 측 에 얼라인 되 도록 형성 될 수 있 다 .