본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 반도체 집적회로 의 형성 방법 은 차례 로 적층 된 반도체 기판 , 피복층 및 반도체 층 을 포함 하 는 기판 을 준비 하 는 단계 ; 상기 반도체 층 의 윗부분 에 이온 주입 공정 을 사용 하 여 화합물 패턴 들 을 형성 하 되 , 상기 화합물 패턴 들 은 서로 옆 으로 이격 되 고 경사진 양측 벽 을 갖 도록 형성 하 는 단계 ; 및 상기 반도체 층 을 패 터닝 하 여 상기 클 레딩 상 에 위치 한 광도 파로 및 상기 광도 파로 상 의 회절 격자 를 포함 하 는 회절 격자 커플러 를 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 상기 회절 격자 의 돌출 된 부분 은 상기 화합물 패턴 들 사이 의 상기 반도체 층 의 일부분 이 다 .