하드 마스크 층 ( 103 ) 이 패 터닝 된 후 에 , 측벽 스 페이서 ( 107 ) 를 위한 절연 재료 의 블랭킷 층 이 CVD 또는 다른 적합 한 방법 을 사용 함 으로써 컨 포 멀 하 게 ( conformally ) 형성 된다 . 블랭킷 층 은 , 더미 게이트 구조물 의 측벽 과 같 은 수직 표면 , 수평 표면 및 상부 상 에 실질 적 으로 동일 한 두께 를 갖 게 형성 되 도록 , 컨 포 멀 방식 으로 퇴적 된다 . 일부 실시 예 에서 , 블랭킷 층 은 약 2 nm 내지 약 20 nm 범위 내 의 두께 로 퇴적 된다 . 일부 실시 예 에서 , 블랭킷 층 의 절연 재료 는 제 2 아이 솔 레 이 션 절연 층 ( 106 ) 의 재료 와 는 상이 하 고 , 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , SiON , SiOC , SiOCN 또는 SiCN 및 임의 의 다른 적합 한 유전체 재료 의 하나 이상 으로 제조 된다 . 다공성 재료 또는 유기 재료 가 측벽 스 페이서 ( 107 ) 에 사용 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 유전체 재료 의 둘 이상 의 층 ( 예컨대 , 3 또는 4 층 ) 이 형성 된다 . 일부 실시 예 에서 , 블랭킷 층 ( 측벽 스 페이서 ( 107 ) ) 은 비 다공 성 또는 다공성 SiOC 로 제조 된다 . 도 6 a 및 도 6 b 에 도시 된 바 와 같이 , 측벽 스 페이서 ( 107 ) 는 이방성 에칭 에 의해 하드 마스크 층 ( 103 ) 및 더미 게이트 구조물 ( 107 ) 의 대향 측벽 상 에 형성 된다 .