여기 에서 설명 되 는 데이터 저장 ( 예 를 들 어 , 메모리 ( 708 ) ) 은 휘발 성 메모리 또는 비휘발성 메모리 일 수 있 고 , 휘발 성 및 비휘발성 메모리 모두 를 포함 할 수 있 음 이 이해 될 것 이 다 . 제한 이 아닌 예시 로서 , 비휘발성 메모리 는 판독 전용 메모리 ( ROM ) , 프로그램 가능 ROM ( PROM ) , 전기 적 으로 프로그램 가능 한 ROM ( EPROM ) , 전기 적 으로 삭제 가능 한 PROM ( EEPROM ) , 또는 플 래쉬 메모리 를 포함 할 수 있 다 . 비휘발성 메모리 는 외부 캐시 메모리 로서 동작 하 는 랜덤 액세스 메모리 ( RAM ) 를 포함 할 수 있 다 . 제한 이 아닌 예시 로서 , RAM 은 예 를 들 어 , 동기식 RAM ( SRAM ) , 동적 RAM ( DRAM ) , 동기식 DRAM ( SDRAM ) , 2 배속 SDRAM ( DDR SDRAM ) , 강화 된 SDRAM ( ESDRAM ) , 싱크 링크 DRAM ( SLDRAM ) , 및 다이렉트 램버스 RAM ( DRRAM ) 과 같 은 다양 한 형태 들 로 이용 가능 하 다 . 본 발명 의 시스템 들 및 방법 들 의 메모리 ( 708 ) 는 이러 한 그리고 임의 의 다른 적합 한 타입 들 의 메모리 를 포함 하 지만 , 이 들 로 제한 되 지 않 는 것 으로 의도 된다 .