상기 트랜 치 를 형성 하 는 공정 은 상기 랜딩 콘 택 플러그 와 상기 제 1 절연 층 의 식각 선택 비 가 동일 한 조건 으로 실시 할 수 있 다 . 상기 식각 정지 막 은 질화 막 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 스토리지 노드 콘 택 플러그 를 형성 하 는 공정 은 , 상기 식각 정지 막 에 비해 상기 제 2 절연 층 이 더욱 식각 되 는 식각 선택 비 를 갖 는 식각 공정 으로 상기 제 2 절 연막 을 식각 하 는 단계 및 상기 식각 된 제 2 절 연막 을 도전 물질 을 채우 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 절 연막 과 상기 제 2 절연 막 은 산화 막 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 비트 라인 측벽 에 스 페이서 를 형성 하 는 단계 를 더욱 포함 할 수 있 다 . 상기 스 페이서 는 질화 막 으로 형성 될 수 있 다 .