5 . 반응 챔버 내 의 온도 를 1150 ℃ 로 유지 시키 고 , 압력 을 200 mbar 로 유지 시키 며 , 반응 챔버 내부 로 수소 가스 , 트리 메틸 갈륨 （ 50 mL / min ）, 트리 메틸 알루미늄 （ 200 mL / min ） 및 암모니아 가스 를 유입 시키 고 , 실란 을 혼입 하 여 , 두께 가 약 12 nm 인 AlxGa 1 - xN 배리 어 층 을 생성 하 되 , 여기 서 x = 0 . 58 , Si 의 도핑 농도 는 1 × 1018 cm - 3 이 고 ;