도 39 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 400 ) 으로부터 마스크 구조물 ( 425 ) 을 제거 하 여 트렌치 들 ( 430 ) 을 채우 는 예비 소자 분리 막 패턴 들 ( 435 ) 을 반도체 기판 ( 400 ) 의 상면 으로부터 소정 의 높이 로 돌출 시킨다 . 마스크 구조물 ( 425 ) 은 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정 을 이용 하 여 제거 될 수 있 다 . 마스크 구조물 ( 425 ) 이 제거 되 면 예비 소자 분리 막 패턴 들 ( 435 ) 사이 의 상기 액티브 영역 들 이 노출 된다 .