다음 , 상기 결과물 을 라이너 질화 막 ( 118 ) 을 식각 정지 막 으로 평탄 화 하 고 , 습식 식각 공정 으로 반도체 기판 상부 에 남 아 있 는 라이너 질화 막 ( 118 ) 을 제거 하 여 반도체 소자 의 소자 분리 막 을 형성 하 는데 , 종래 와 달리 활성 영역 과 소자 분리 영역 사이 에 질화 막 의 손실 , 즉 모트 현상 은 나타나 지 않 는다 ( 도 2 g 참조 ) .