SOI ( silicon on insulator ) 타입 으로 이루어진 기판 은 고도 의 집적회로 ( 나노 및 마이크 로 - 일렉트릭 ) 의 제조 에 이용 될 수 있 으며 , 또한 , 불 연속 성 반도체 소자 나 또는 마이크 로 - 시스템 MEMS 의 제조 에 도 이용 될 수 있 다 . 실리콘 기판 과 관련 하 여 SOI 기판 을 이용 하 는 주요 장점 중 하나 는 집적회로 의 트랜지스터 들 의 절연성 이 개 선 된다는 것 이 며 ( 누설 전류 가 작 다 ) , 이것 은 감소 된 에너지 소비 에 의해 증명 된다 . 이러 한 절연성 이득 은 특히 , 지지 기판 과 액티브 단결정 실리콘 층 사이 에 삽입 된 유전체 층 으로 인한 것 이 다 . SOI 에 기반 한 집적회로 는 엄격 한 조건 ( 온도 , 방사선 등 ) 에서 의 이용 에 도 적합 하 다 .