반도체 양자 점 ( 130 ) 은 소자 에 인가 된 쓰 기 전압 에 상응 하 여 반도체 기판 ( 110 ) 의 소정 영역 에 형성 되 는 채널 을 통해 이동하 는 전자 들 중 의 일부 를 포획 하 는 전자 포획 의 중심점 으로서 의 역할 을 수행 하 게 된다 . 이때 , 소자 에 인가 된 쓰 기 전압 의 크기 에 따라 전자 는 절연성 반도체 박막 ( 120 ) 에 형성 된 각 양자 점층 중 어느 하나 의 양자 점층 에 만 포획 될 수 도 있 으며 , 각각 의 양자 점층 모두 에 포획 될 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 소자 에 제 1 쓰기 전압 ( VW 1 ) 이 인가 된 경우 에 는 제 1 양자 점층 ( 132 ) 에 만 전자 가 포획 되 고 , 제 3 쓰기 전압 ( VW 3 ) 이 인가 된 경우 에 는 제 1 양자 점층 ( 132 ) , 제 2 양자 점층 ( 134 ) 및 제 3 양자 점층 ( 136 ) 모두 에 전자 가 포획 될 수 있 다 ( 후술 할 도 6 내지 도 8 참조 ) . 즉 , 본 발명 의 플래시 기억 소자 에 있 어서 절연성 반도체 박막 ( 120 ) 및 그 내부 에 형성 된 반도체 양자 점 ( 130 ) 은 소자 에 인가 되 는 인가 전압 에 따라 전하 의 축적 ( 즉 , 전자 의 포획 ) 을 담당 하 는 플로팅 게이트 로 사용 되 고 있 는 것 이 다 . 이때 , 본 발명 에 있 어 플로팅 게이트 로 사용 되 는 절연성 반도체 박막 ( 120 ) 및 반도체 양자 점 ( 130 ) 은 각각 우수 한 절연 특성 및 높 은 전자 포획 특성 을 가지 고 있 으므로 고 효율 의 플래시 기억 소자 를 제작 할 수 있 는 이점 이 있 다 . 특히 , 도 1 에서 와 같이 절연성 반도체 박막 ( 120 ) 안 에 양자 점층 ( 130 ) 이 다층 구조 로 형성 되 는 경우 에 는 각각 의 양자 점층 이 공간 적 으로 명확히 분리 되 어 있 기 때문 에 , 기억 소자 에서 의 각 기억 상태 에 따른 다중 준위 특성 또한 명확히 구분 될 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 의 경우 각 기억 상태 의 읽 기 동작 에 있 어 그 정확 성 및 동작 속도 를 보다 높일 수 있 으며 , 각 기억 상태 에 대한 읽 기 , 쓰 기 동작 등 을 제어 하 기 위한 구동 회로 의 설계 , 구성 을 보다 단순 화 시킬 수 있 는 이점 이 있 다 .