몰딩 된 몰드 층 ( 600 ) 의 일부 를 그라인딩 ( grinding ) 과 같 은 제거 과정 으로 제거 하 여 , 코어 다이 ( 200 ) 의 제 8 표면 ( 211 - 3 ) 을 노출 시킬 수 있 다 . 이 에 따라 , 몰드 층 ( 600 ) 은 베이스 다이 웨이퍼 ( 100 ) 상 에서 스택 들 ( 291 , 292 ) 의 측면 ( 213 ) 외측 에 만 위치 하 는 사이드 몰드 층 ( side mold layer ) 형상 을 가지 게 될 수 있 다 . 몰드 층 ( 600 ) 은 실질 적 으로 코어 다이 ( 200 ) 의 제 1 스택 ( 291 ) 과 제 2 스택 ( 292 ) 사이 를 채우 는 형태 를 가지 도록 가공 될 수 있 다 . 언더 필 물질 층 ( 502 ) 의 필 릿 부분 ( 502 - F ) 및 몰드 층 ( 600 ) 의 복합 층 에 의해서 베이스 다이 웨이퍼 ( 100 ) 상 에 적층 된 코어 다이 ( 200 ) 들 의 스택 들 ( 291 , 292 ) 들 의 측면 ( 213 ) 이 감싸 진 제 1 적층 패키지 구조 ( 11 ) 가 이루어질 수 있 다 .