특히 , 본 발명 의 실시 예 에서 는 게이트 산화 막 ( 29 ) 의 두께 가 영역 별로 다르 게 형성 되 어 드리프트 영역 ( 27 ) 에 고전압 을 인가 할 시 에 드리프트 영역 ( 27 ) 의 딥 디 플리 션 에 의한 영역 파괴 가 쉽 게 발생 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 이때 , ' H 2 ' 는 ' H 1 ' 의 3 ~ 5 배 가량 의 두께 를 갖 는다 .