게이트 전극 ( 120 ) 의 양 측벽 상 에 는 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 이 배치 될 수 있 다 . 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 은 게이트 전극 ( 120 ) 의 양 측벽 상 에서 게이트 전극 ( 120 ) 의 연장 방향 을 따라 연장 될 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 들 에 있 어서 , 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 은 실리콘 산화물 ( SiOx ) , 실리콘 질화물 ( SiNx ) , 실리콘 산질 화물 ( SiOxNy ) , 실리콘 탄화 질화물 ( SiCxNy ) , 실리콘 산화 탄화 질화물 ( SiOxCyNz ) 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 은 제 1 방향 ( X 방향 ) 을 따라 약 1 내지 30 nm 의 제 1 두께 ( T 1 ) 를 가질 수 있 다 .