그 후 , 도 1 g 에 나타낸 바 와 같이 이리듐 산화 막 ( 20 ) 을 패 터닝 하 고 , 회복 어닐링 을 행한다 . 이 회복 어닐링 에서 는 , 예 를 들 면 종형 로 ( vertical furnace ) 를 사용 하 여 반도체 기판 ( 1 ) 의 온도 를 650 ℃ 로 하 고 , 처리 시간 을 60 분 간 으로 하 고 , 산소 가스 의 공급량 을 20 l ( liter ) / 분 으로 한다 . 계속 해서 , PZT 막 ( 19 ) 을 패 터닝 하 고 , 회복 어닐링 을 행한다 . 이 회복 어닐링 에서 는 , 예 를 들 면 종 형로 를 사용 하 여 반도체 기판 ( 1 ) 의 온도 를 350 ℃ 로 하 고 , 처리 시간 을 60 분 간 으로 하 고 , 산소 가스 의 공급량 을 20 l ( liter ) / 분 으로 한다 . 다음 , 전체 면 에 , PVD 법 등 에 의해 , 두께 가 50 nm 정도 인 알루미늄 산화 막 ( 21 ) 을 형성 하 고 , 회복 어닐링 을 행한다 . 이 회복 어닐링 에서 는 , 예 를 들 면 종 형로 를 사용 하 여 반도체 기판 ( 1 ) 의 온도 를 550 ℃ 로 하 고 , 처리 시간 을 60 분 간 으로 하 고 , 산소 가스 의 공급량 을 20 l ( liter ) / 분 으로 한다 .