이상 에서 와 같이 , 본 발명 은 TMR 소자 의 터널 링 장벽층 ( 200 ) 으로 저 저항 의 TeO 2 층 을 사용 한다 . 이러 한 본 발명 에 따르 면 , 터널 링 장벽층 ( 200 ) 의 두께 를 감소 시키 지 않 더라도 낮 은 저항 을 갖 고 센싱 ( sensing ) 을 위해 충분히 높 은 MR 비 를 갖 는 TMR 소자 를 구현 할 수 있 다 . 그러므로 , 본 발명 은 터널 링 장벽층 ( 200 ) 의 두께 감소 에 따른 제반 문제 , 즉 소자 특성 의 불 균일 화 및 신뢰 성 열화 를 억제 하 면서 , TMR 소자 의 소비 전력 을 낮추 고 동작 속도 를 증가 시킬 수 있 다 .