일부 실시 예 에서 , 3 D 메모리 장치 는 교번 층 스택 을 통해 연장 되 는 수직 메모리 스트링 의 제 2 열 과 , 제 1 방향 을 따라 변위 되 고 제 2 방향 을 따라 연장 되 는 제 2 복수 의 비트 라인 을 더 포함 한다 . 수직 메모리 스트링 의 제 2 열 은 제 2 방향 에 대해 제 2 각도 로 배치 된다 . 제 2 복수 의 비트 라인 의 각각 은 제 2 열 내 의 개별 수직 메모리 스트링 에 접속 된다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 방향 은 제 2 방향 에 직교 한다 .