일 양태 에서 , III 족 - N 반도체 층 ; 상기 III 족 - N 반도체 층 과 오 믹 접촉 하 는 소스 전극 구조 체 및 드레 인 전극 구 조체 ; 상기 III 족 - N 반도체 층 과 접촉 하 고 , 소스 전극 구 조체 와 드레 인 전극 구조 체 사이 에 배치 되 는 게이트 전극 구 조체 를 포함 하 고 , 각각 의 소스 전극 구조 체 , 드레 인 전극 구조 체 및 게이트 전극 구조 체 는 전기 접촉 구조 체 및 상기 전기 접촉 구조 체 상 의 전극 접촉 을 포함 하 고 , 상기 전극 접촉 은 동일 평면 상 의 상부 면 을 갖 는 반도체 구조 체가 제공 된다 .