실리콘 나이트 라이드 ( SiN ) 멤 브레인 박막 형성 시 KOH 배스 에서 Si 기판 을 습식 각 하 고 건조기 에서 멤 브레인 박막 을 건 조시 진행 과정 에서 발생 되 는 표면장력 에 의하 여 멤 브레인 박막 이 파괴 되 는 현상 이 발생 될 수 있 다 . 본 발명 은 KOH 약액 에서 의 Si 기판 습 식각 과 탈 이온 수 세정 ( Rinse ) 및 건조 가 하나 의 일체 형 배스 에서 진행 되 어 이동 에 따른 박막 의 손상 을 사전 차단 하 는 세정 방법 및 장치 를 제안 한다 . 멤 브레인 박막 의 파괴 를 최소 화 하 기 위해서 는 KOH 배스 에서 Si 기판 을 습 식각 하 고 탈 이온 수 세정 을 한 후 건조 공정 진행시 IPA 층 을 DI 층 위 에 분사 하 고 느린 속도 로 실리콘 나이트 라이드 ( SiN ) 멤 브레인 이 형성 된 웨이퍼 기판 을 들 어 올려서 마 란 고니 ( Marangoni ) 힘 에 의하 여 표면장력 을 최소 화 하 면 멤 브레인 박막 의 파괴 를 최소 화 할 수 있 다 .