게이트 금속 패턴 이 형성 된 하부 기판 ( 101 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 112 ) 이 형성 되 고 , 그 위 에 데이터 라인 ( 104 ) , 소스 전극 ( 108 ) , 드레 인 전극 ( 110 ) , 데이터 하부 전극 ( 162 ) 을 포함 하 는 데이터 금속 패턴 과 , 데이터 금속 패턴 을 따라 그 아래 에 중첩 된 활성 층 ( 114 ) 및 오 믹 접촉 층 ( 116 ) 을 포함 하 는 반도체 패턴 이 형성 된다 . 이러 한 반도체 패턴 ( 115 ) 과 데이터 금속 패턴 은 슬릿 마스크 또는 하프 톤 ( Half Tone ) 를 이용 한 하나 의 마스크 공정 으로 형성 된다 .