여기 서 , V TH 는 MOS 임계 전압 이 고 , I DS 는 디바이스 에 흐르 는 드레 인 - 소스 ( 또는 채널 ) 전류 이 며 , W 및 L 은 각각 실리콘 채널 ( 예컨대 , 도 1 의 110 ) 의 폭 및 길이 이 고 , μ N 은 채널 내 에서 의 캐리어 이동도 이 며 , C OX 는 트랜지스터 ( 209 ) 의 단위 면적 당 게이트 산화물 커패시턴스 이 다 .