본 발명 에 따르 면 , 구리 ECP 공정 후 에 구리 이외 의 금속 으로 이루어진 캐 핑 막 을 형성 함 으로써 후속 하 는 열처리 공정 동안 에 구리 금속 배선 의 표면 에 힐 락 이 발생 하 는 것 을 효과 적 으로 방지 할 수 있 다 . 캐 핑 막 을 이루 는 금속 원자 가 구리 의 그레인 바운더리 를 따라 확산 되 어 있 으므로 , 구리 의 이동 이 방지 될 수 있 으며 , 이 를 통해 힐 락 이 억제 된다 . 또한 후속 하 는 공정 의 높 은 온도 환경 에서 도 구리 의 힐 락 이 발생 하 거나 심화 되 지 않 는다 . 따라서 , 반도체 소자 의 신뢰도 가 크 게 향상 될 수 있 다 . 본 발명 에 따른 구리 금속 배선 형성 방법 은 , 듀얼 다 마신 공정 뿐 만 아니 라 싱글 다 마신 공정 에 도 적용 될 수 있 다 .