다음 으로 , 도 8 에서 보 듯이 , 제 2 질화 막 패턴 ( 22 ) 을 식각 마스크 로 사용 하 여 , 틈 ( 20 b ) 에 의해 노출 된 플로팅 게이트 형성 막 ( 14 a ) 의 일부 를 완전히 제거 한다 . 이 를 통해 , 단위 셀 을 구성 하 는 복수 의 플로팅 게이트 패턴 ( 14 ) 을 형성 한다 . 이 때 , 복수 의 플로팅 게이트 패턴 ( 14 ) 들 사이 에 는 좁 고 깊 은 트랜 치 ( 20 c ) 가 형성 되 는데 , 이 트랜 치 ( 20 c ) 에 의해 복수 의 플로팅 게이트 패턴 ( 14 ) 들 의 측벽 이 노출 된다 .