플립 칩 기술 ( flip chip techniques ) 에서 , " 집 적 회로 ( integrated circuit ) ( "" IC "") 웨이퍼 의 상부 표면 상 에 는 집 적 회로 ( IC ) 웨이퍼 상 에 형성 된 집 적 회로 들 ( ICs ) 과 관련 한 금속 패드 들 이 형성 된다 . 이 들 금속 패드 상 에 는 솔 더 범프 ( Solder bumps ) 또는 구리 범프 ( copper bumps ) 가 증착 된다 . IC 들 은 그 후 웨이퍼 에서 IC 다이 들 ( IC dies ) 로 절단 된다 . 절단 된 IC 다이 들 은 솔 더 범프 가 캐리어 기판 상 의 커넥터 와 대면 하 도록 캐리어 기판 상 에 플립 핑 되 고 포지션 된다 . 솔 더 범프 는 그 후 ", 예컨대 , 써 모 소닉 본딩 ( thermosonic bonding ) 또는 대안 적 으로 리플 로우 솔 더 공정 ( reflow solder process ) 을 사용 하 여 재 용융 되 고 , 그 에 따라 IC 는 캐리어 기판 상 에 견고 하 게 결합 된다 . 용융 된 솔 더 범프 와 커넥터 사이 에 는 전기 접속 부 ( electrical connections ) 가 형성 된다 . IC 다이 와 하부 캐리어 기판 사이 의 작 은 공간 은 전기 절연 접착제 로 언더 필 된다 ( underfilled ) .