도 7 a , 7 b 및 7 c 는 예시 적 인 반도체 디바이스 ( 100 ) 를 제조 하 기 위한 예시 적 인 방법 의 사시도 , 단면 도 및 확대 단면도 를 도시 한다 . 도 7 a , 7 b 및 7 c 에 도시 된 예 에서 , 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 가 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 오프닝 ( 116 ) 에 형성 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 는 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 오프닝 ( 116 ) 에 충 진 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 는 도전 층 ( 103 ) 을 통한 전해 도금 공정 으로 형성 될 수 있 어 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 의 높이 및 / 또는 두께 는 점차 증가 할 수 있 다 . 전해 도금 공정 말기 에 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 의 높이 및 / 또는 두께 는 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 두께 와 비슷 하 거나 동일 할 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 는 전해 도금 외 에 도 그리고 / 또는 스퍼터링 , 무전 해 도금 , PVD , CVD , MOCVD , ALD , LPCVD 또는 PECVD 로 형성 될 수 도 있 다 . 일부 예 들 에서 , 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 는 구리 , 금 , 은 , 팔라듐 또는 니켈 로 형성 될 수 있 다 . 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 는 필라 , 포스트 , 비아 , TMV , 수직 경로 또는 도전 경로 로 지칭 될 수 있 다 . 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 의 폭 은 대략 5 ㎛ 내지 대략 20 ㎛ 일 수 있 고 , 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 의 두께 는 대략 50 ㎛ 내지 대략 200 ㎛ 일 수 있 다 . 추후 에 설명 하 겠 지만 , 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 는 내부 인터 커넥트 ( 180 A , 180 B ) 와 외부 인터 커넥트 ( 160 ) 를 상호 간 전기 적 및 기계 적 으로 연결 할 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 인 캡슐 란트 ( 115 ) 와 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 는 서브 스트레이트 ( 110 ) 의 구성 요소 로 볼 수 있 다 .