본 발명 은 고온 의 환경 하 에서 열 변형 이 발생 하 지 않 는 가스 분배 판 을 가지 는 기판 처리 장치 에 관한 것 으로 , 반응 공간 을 제공 하 며 , 상부 리드 를 가지 는 챔버 ; 상기 챔버 내부 의 상기 상부 리드 의 하부 에 설치 되 는 후방 플레이트 ; 상기 플 라즈 마 전극 의 하부 에 다수 의 분사 홀 을 가지 는 가스 분배 판 ; 상기 플 라즈 마 전극 과 대향 전극 으로 사용 되 며 , 기판 이 안치 되 는 기판 안 치대 ; 상기 플 라즈 마 전극 을 개재 하 여 , 상기 상부 리드 와 상기 가스 분배 판 을 연결 시키 는 결합 부재 ; 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .