즉 , 본 발명 의 실시 예 에서 , 도 4 및 도 5 의 실시 예 에 의한 스위칭 트랜지스터 ( Ts ) 의 구조 는 , 필요 에 따라 화소 ( PXL ) 를 구성 하 는 적어도 하나 의 스위칭 트랜지스터 에 선택 적 으로 적용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 2 및 도 3 의 실시 예 들 에서 와 같이 , 각각 의 화소 ( PXL ) 가 제 2 내지 제 7 트랜지스터 들 ( T 2 ~ T 7 ) 과 같이 복수 의 스위칭 트랜지스터 들 을 포함 할 경우 , 상기 스위칭 트랜지스터 들 중 누설 전류 에 취약 하 거나 누설 전류 저감 이 보다 중요 한 일부 의 스위칭 트랜지스터 에 만 선택 적 으로 광폭 밴드 - 갭 영역 을 형성 할 수 있 을 것 이 다 . 일 예 로 , 도 3 의 제 3 및 / 또는 제 4 트랜지스터 들 ( T 3 , T 4 ) 은 , 각각 이 도 4 및 도 5 의 실시 예 에 의한 스위칭 트랜지스터 ( Ts ) 로 형성 될 수 있 다 . 또는 , 실시 예 에 따라서 는 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) 를 듀얼 구조 로 구성 하 고 , 상기 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) 를 도 4 및 도 5 의 실시 예 에 의한 스위칭 트랜지스터 ( Ts ) 와 같 은 구조 로 형성 할 수 도 있 을 것 이 다 .