종래 의 에스오 아이 단일 전자 트랜지스터 는 에스오 아이 기판 위 에 나노 선 을 제작 하 고 , 제작 된 나 노선 에 식각 으로 흠집 을 내 어 공핍 영역 의 증가 에 의한 포 텐 셜 에너지 장벽 을 만든다 . 2 개 의 직렬 로 연결 된 포 텐 셜 에너지 장벽 사이 는 실리콘 양자 점 으로 기능 하 고 , 소스 전극 - 실리콘 양자 점 - 드레 인 전극 으로 전자 가 흐른다 . 이 와 같 은 제조 방법 은 나 노선 에 식각 을 이용 해 협 색 을 만들 기 때문 에 , 식각 공정 동안 나 노선 에 손상 을 주 게 되 고 소자 의 특성 이 저하 되 는 문제점 이 있 다 . 그러므로 식각 공정 을 이용 한 나노 선 의 손상 을 줄이 기 위해 자발 적 으로 포 텐 셜 에너지 장벽 을 만드 는 기술 이 절실히 요구 되 고 있 다 .