상술 한 바 와 같이 n + 비정질 실리콘 층 ( 135 a ) 상 에 포토레지스트 패턴 ( 350 a ) 을 형성 한 후 , 도 10 c 에 도시 된 바 와 같이 , 포토레지스트 패턴 ( 350 a ) 에 의해 노출 된 n + 비정질 실리콘 ( 135 a ) 및 비정질 실린 콘 층 ( 134 a ) 에 대한 건식 에칭 ( dry etching ) 을 순차 적 으로 수행 한다 .