비휘발성 기억 장치 의 셀 어레이 가 축소 ( scale down ) 됨 에 따라 , 셀 트랜지스터 및 선택 트랜지스터 의 채널 폭 이 협소 해 지 고 채널 길이 는 짧 아 지 고 있 다 . 셀 어레이 의 고집 적 화 는 대용량 기억 장치 를 제조 함 에 있 어서 기여 도 가 높 은 반면 , 단채 널 효과 로 인한 신뢰 성 저하 와 , 채널 폭 의 감소 로 인한 전 류량 감소 등 의 문제 가 심화 된다 .