그 후 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 에 대하 여 열 처리 ( 제 1 열 처리 ) 를 행하 여도 좋 다 . 열 처리 를 행함 으로써 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 중 에 포함 되 는 수소 원자 를 포함 하 는 물질 을 더 제거 할 수 있 다 . 열 처리 의 온도 는 불활성 가스 분위기 하 , 250 ℃ 이상 700 ℃ 이하 , 바람직 하 게 는 450 ℃ 이상 600 ℃ 이하 , 또는 기판 의 병 형 점 미만 으로 한다 . 불활성 가스 분위기 로서 는 , 질소 또는 희 가스 ( 헬륨 , 네온 , 아르곤 등 ) 를 주성분 으로 하 는 분위기 이 고 , 물 , 수소 등 이 포함 되 지 않 는 분위기 를 적용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 어 , 열 처리 장치 에 도입 하 는 질소 나 헬륨 , 네온 , 아르곤 등 의 희 가스 의 순도 를 6 N ( 99 . 9999 %) 이상 , 바람직 하 게 는 7 N ( 99 . 99999 %) 이상 ( 즉 , 불순물 농도 가 1 ppm 이하 , 바람직 하 게 는 0 . 1 ppm 이하 ) 으로 한다 .