주 기억 장치 ( 1220 ) 는 프로그램 이 실행 될 때 보조 기억 장치 ( 1230 ) 로부터 프로그램 코드 나 자료 를 이동 시켜 저장 , 실행 시킬 수 있 는 기억 장소 로 , 전원 이 끊어져도 기억 된 내용 이 보존 될 수 있 다 . 주 기억 장치 ( 1220 ) 는 전술 한 반도체 장치 의 실시 예 들 중 하나 이상 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 주 기억 장치 ( 1220 ) 는 상기 가변저항 소자 ( 63 ) 및 상기 가변저항 소자 ( 63 ) 를 포함 하 는 메모리 소자 를 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 상기 가변 저항 소자 ( 63 ) 는 상기 상부 스 페이서 ( 41 ) , 상기 하부 전극 ( 45 ) , 및 상기 가변 저항 패턴 ( 62 ) 을 포함 할 수 있 다 . 이 를 통해 , 주 기억 장치 ( 1220 ) 의 데이터 저장 특성 및 동작 특성 이 향상 될 수 있 다 . 결과 적 으로 , 시스템 ( 1200 ) 의 동작 특성 향상 이 가능 하 다 .