산화물 반도체 층 ( 산화물 반도체 층 ( 713 ) , 산화물 반도체 층 ( 723 ) , 산화물 반도체 층 ( 733 ) , 산화물 반도체 층 ( 743 ) ) 과 접하 는 게이트 절연 층 으로서 의 기능 을 갖 는 절연 층 ( 절연 층 ( 712 ) , 절연 층 ( 722 ) , 절연 층 ( 732 ) , 절연 층 ( 742 ) ) 에 는 산소 를 포함 하 는 절연 층 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 고 , 상기 산소 를 포함 하 는 절연 층 이 화학 양론 적 조성 비율 보다 산소 가 많 은 영역 ( 산소 과잉 영역 이 라고 도 표기 함 ) 을 포함 하 는 것 이 보다 바람직 하 다 .