한편 , 상술 한 일련 의 공정 을 통해서 는 N 형 또는 P 형 폴리 실리콘 박막 트랜지스터 를 형성 할 수 도 있 고 , 본 실시 예의 공지 된 LDD ( Lightly doped drain ) 구조 를 적용 할 수 도 있 음 은 당연 하 다 . LDD 구조 는 상술 한 게이트 전극 ( 70 ) 을 도핑 마스크 로 하 여 저 농도 도핑 하 고 , 다음 으로 , 스 페이서 공정 등 을 이용 하 여 게이트 전극 ( 70 ) 의 양쪽 또는 한쪽 에 도핑 마스트 의 역할 을 할 수 있 는 스페이스 또는 포토레지스트 등 을 형성 하 고 , 이 를 마스크 로 고농 도 도핑 을 한 후 , 상술 한 바 와 같 은 소오 스 또는 드레 인 전극 을 형성 하 여 LDD 구조 를 완성 한다 .