도 2 는 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 플래시 기억 소자 의 제조 방법 을 나타낸 도면 . 또한 , 도 3 a 는 본 발명 에 따른 플래시 기억 소자 에서 의 절연성 반도체 박막 의 내부 에 형성 된 양자 점층 을 전자 현미경 으로 찍 은 평면 명시 야상 이 고 , 도 3 b 는 본 발명 에 따른 플래시 기억 소자 에서 의 절연성 반도체 박막 의 내부 에 형성 된 반도체 양자 점 에 대한 전자 회절상 이 며 , 도 3 c 및 도 3 d 는 본 발명 에 따른 플래시 기억 소자 에서 의 절연성 반도체 박막 의 내부 에 형성 된 양자 점층 을 전자 현미경 으로 찍 은 단면 명시 야상 이 다 .