본 발명 에 의한 TFT 는 , 노출 된 게이트 전극 ( 120 ) , 게이트 절연 층 ( 130 ) , 활성 층 ( 140 ) , 제 1 전극 ( 151 ) 및 제 2 전극 ( 152 ) 을 덮 는 통상 의 보호 층 ( passivation layer ) 이 구비 될 수 있 다 ( 도시 생략 ) . 보호 층 은 실리콘 산화물 층 , 실리콘 질산 화물 층 , 실리콘 질화물 층 또는 유기 절연 층 이 거나 , 이 들 중 적어도 두 개 이상 이 적층 된 구조 를 가질 수 있 다 .