선폭 이 70 nm 급 이후 의 소자 에서 는 기존 의 SAFG ( Self Aligned Floating Gate ) 공정 에서 발생 되 는 모트 ( moat ) 와 같 은 문제 를 해결 하 기 위하 여 SA - STI ( Shallow Trench Isolation ) 공정 을 통해 플로팅 게이트 를 형성 하 고 있 다 . 제조 공정 을 살펴보 면 , 불순물 이 도핑 되 지 않 은 언 - 도프 트 ( un - doped ) 폴리 실리콘 막 과 , 불순물 이 도핑 된 도프 트 ( doped ) 폴리 실리콘 막 을 순차 적 으로 적층 시킨 후 열처리 공정 을 통해 도프 트 폴리 실리콘 막 에 도핑 된 도 펀트 ( dopant ) 를 언 - 도프 트 폴리 실리콘 막 으로 확산 시켜 전체 적 으로 균일 한 도핑 농도 를 갖 는 플로팅 게이트 를 형성 하 는 공정 순 으로 진행 된다 .