또 다른 실시 예 에 따른 반도체 디바이스 를 제작 하 는 방법 은 , 자성 층 을 제공 하 는 단계 와 , 상기 자성 층 의 하부 에 반도체 디바이스 를 배치 하 는 단계 와 , 상기 반도체 디바이스 가 배치 된 이후 , 산화 막 을 형성 하 는 과정 을 통해 , 상기 자성 층 상 에 산화 막 층 을 배치 하 는 단계 와 , 상기 산화 막 층 상 에 도전 층 을 배치 하 는 단계 를 포함 한다 . 여기 서 , 상기 자성 층 과 상기 도전 층 은 상기 산화 막 층 에 의해 서로 접착 될 수 있 다 .