본 개시 에 따른 다양 한 실시 예 는 제 1 도전 형 의 제 1 채널 층 을 가지 는 제 1 트랜지스터 , 제 1 트랜지스터 와 나란 하 게 마련 되 고 , 제 2 도전 형 의 제 2 채널 층 을 가지 는 제 2 트랜지스터 , 제 1 트랜지스터 및 제 2 트랜지스터 의 상부 에 적층 되 며 , 강유 전 성 물질 을 포함 하 는 게이트 절 연막 및 상기 게이트 절 연막 을 사이 에 두 고 두께 방향 으로 서로 이격 되 어 마련 된 제 3 채널 층 및 게이트 전극 을 가지 는 제 3 트랜지스터 를 포함 하 는 반도체 소자 를 제공 한다 .