본 발명 은 탄소 - 나노 튜브 - 기재 전계 효과 트랜지스터 ( carbon - nanotube - based field effect transistor : CNTFET ) 를 위한 수직 형 디바이스 의 기하학 적 구조 를 제공 한다 . 본 발명 의 일 구체 예 에서 , 소스 ( source ) 및 드레 인 ( drain ) 전극 이 절연 필름 에 의해 분리 되 고 , 트랜 치 ( trench ) ( 또는 홀 ) 로 패턴 화 된 수직 으로 층 형성 된 필름 스택 에 혼입 되 어 소스 및 드레 인 필름 에지 를 노출 시킨다 . 트렌치 저부 에서 의 촉매 층 은 트렌치 의 측벽 을 따라 성장 된 탄소 나노 튜브 ( CNT ) 를 응집 시켜서 하나 또는 그 초과 의 나노 튜브 가 S 및 D 전극 둘 모두 의 노출 된 에지 와 접촉 하 도록 하 는 역할 을 한다 . 얇 은 게이트 절연체 가 탄소 나노 튜브 상 에 증착 된 후 , 상부 게이트 ( top gate ) 전극 의 증착 및 패턴 화 가 수행 된다 . 이러 한 수직 구조 ( 기판 에 수직 ) 는 CNTFET 가 파워 트랜지스터 적용 ( power transistor application ) 을 위해 전력 밀도 를 최소 화 하 도록 치밀 하 게 패 키 징 될 수 있 도록 한다 . 또한 , 상기 기하학 적 구조 는 소스 및 드레 인 전극 이 고가 의 고해상도 전사 없이 도 긴밀 하 게 이격 되 도록 함 으로써 , 탄소 나노 튜브 의 성능 이 크 게 개선 될 수 있 다 .