일부 구 현예 에서 는 , 본원 에 기재 된 임의 의 방법 은 이소프렌 을 회수 하 는 것 을 추가 로 포함 한다 . 예 를 들 어 , 본 발명 의 조성물 및 방법 을 사용 하 여 생성 된 이소프렌 은 기체 스트리 핑 , 분획 화 , 흡수 / 탈착 , 투과 증발 , 고체상 으로부터 의 이소프렌 의 열 또는 진공 탈착 , 또는 고정 또는 흡수 된 이소프렌 을 용매 를 사용 하 여 고체상 으로 추출 하 는 것 과 같 은 표준 기술 을 사용 하 여 회수 될 수 있 다 ( 예 를 들 어 미국 특허 제 4 , 703 , 007 호 및 제 4 , 570 , 029 호 참조 ; 특히 이소프렌 회수 및 정제 방법 에 대해 그 전문 이 참 고 문헌 으로 각각 포함 됨 ) . 일부 구 현예 에서 는 , 이소프렌 의 회수 는 액체 형태 의 이소프렌 ( 예 를 들 어 용매 중 이소프렌 의 용액 또는 이소프렌 의 순 용액 ) 의 단리 를 포함 한다 . 기체 스 트리핑 은 연속 방식 으로 발효 배출 기체 흐름 으로부터 이소프렌 증기 를 제거 하 는 것 을 포함 한다 . 이러 한 제거 는 고체상 으로 의 흡수 , 액체상 으로 의 분할 , 또는 직접 축합 을 비 제한 적 으로 포함 하 는 여러 상이 한 방법 으로 달성 될 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 는 , 희석 이소프렌 증기 흐름 의 막 풍부 함 은 액체 이소프렌 의 축합 을 야기 하 는 증기 의 이슬점 을 초과 한다 .