핫 전극 ( 16 ) 및 접지 전극 ( 17 ) 은 배리스터 층 ( 82 ) 을 사이 에 두 고 형성 되 고 , 인덕 터 적층 부 ( 7 ) 와 배리스터 적층 부 ( 9 ) 의 사이 의 계면 ( P ) 으로부터 40 ㎛ 이상 떨어진 위치 에 형성 되 어 있 다 . 즉 , 접지 전극 ( 17 ) 과 인덕 터 적층 부 ( 7 ) 의 사이 에 위치 하 는 배리스터 층 ( 81 ) 의 두께 치수 ( D 2 ) 는 40 ㎛ 이상 이 다 .