일부 구 현예 에서 , 본원 에 기재 된 탄소 입자 , 나노 입자 , 응 집체 및 재료 는 하 기 미국 출원 에 기재 된 임의 의 적당 한 마이크로파 반응기 또는 방법 과 같 은 마이크로파 플라스마 반응기 및 방법 을 사용 하 여 제조 된다 : 특허 출원 제 15 / 351 , 858 호 , 발명 의 명칭 “ Microwave Chemical Processing ” 또는 상기 언급 된 미국 출원 특허 출원 제 15 / 428 , 474 호 , 발명 의 명칭 “ Microwave Chemical Processing Reactor , ” 이 는 본원 과 동일 한 양수인 에 양도 되 고 모든 목적 을 위해 본원 에 완전히 제시 된 것 처럼 , 본원 에 참조 로 인용 된다 . 본원 에 기재 된 탄소 나노 입자 및 응 집체 를 제조 하 기 위한 마이크로파 플라스마 가스 가공 처리 시스템 방법 및 장치 에 대한 추가 의 정보 및 구 현예 는 또한 하 기 미국 출원 에 기재 되 어 있 다 : 특허 출원