상기 와 같이 형성 된 막 의 단면 을 TEM 에 의해 관찰 함 으로써 , 실리콘 기판 ( 101 ) 위 에 막 두께 0 . 7 nm 의 얇 은 실리콘 산화 막 ( 105 ) 이 형성 되 고 , 그 위 에 막 두께 1 . 6 nm 의 질화 된 Hf 실리케이트 막 ( 104 ) 이 형성 되 어 있 는 것 이 확인 되 었 다 . 더욱 , XPS 에 의해 질화 된 Hf 실리케이트 막 ( 104 ) 에 포함 되 는 질소 농도 를 측정 함 으로써 , 19 원자 % 만큼 높 은 농도 의 질소 가 막 중 에 도입 되 어 있 는 것 이 확인 되 었 다 .