상기 제 1 도전 형 절연 층 ( 90 ) 은 이온 주입 방법 에 의해 p 0 불순물 을 상기 채널 부 ( 50 ) 및 제 2 도전 형 확산 영역 ( 40 ) 을 포함 하 는 p 형 에 피층 ( 20 ) 상 에 이온 주입 하 여 형성 된다 . 특히 이온 주입 시 큰 각도 를 갖 도록 틸 트 이온 주입 방법 을 사용 함 으로써 상기 트랜스퍼 게이트 ( 60 ) 의 스 페이서 하부 까지 p 0 불순물 이 이온 주입 되 도록 형성 할 수 있 다 .