본 발명 의 전계 효과 형 트랜지스터 는 , 상술 한 제 1 태양 또는 제 2 태양 에서 나타낸 반도체 층 을 갖 고 있 으면 , 다른 구성 에 관해서 는 특별히 한정 은 없 다 . 상부 게이트 형 이나 하부 게이트 형 등 공지 된 구조 를 이용 할 수 있 다 . 이하 , 전계 효과 형 트랜지스터 의 구성 예 에 관하 여 도면 을 참조 하 여 설명 한다 .