도 1 a 를 참조 하 면 , 제 1 기판 ( 100 ) 상 에 발광 구 조체 ( 120 ) 가 형성 된다 . 상기 제 1 기판 ( 100 ) 은 GaAs 기판 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 발광 구 조체 ( 120 ) 는 상기 제 1 기판 ( 100 ) 상 에 차례 로 성장 된 n 형 층 ( 122 ) , 활성 층 ( 124 ) 및 p 형 층 ( 126 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 활성 층 ( 124 ) 은 다 중양자 우물 ( multi - quantum well : MQW ) 을 가지 는 물질 로 형성 될 수 있 다 .