영역 Ⅱ 는 완전 용융 근접 영역 ( near - complete melting region ) 으로 , 상기 비정질 실리콘 층 이 거의 용융 될 정도 로 레이저 에너지 를 조사 하 는 영역 이 며 , 용융 후 완전히 용융 되 지 않 고 남 아 있 는 것 을 중심 으로 하 여 결정 을 성장 시켜 제 1 영역 에 비해 성장 한 결정 입자 를 얻 을 수 있 으나 , 균일 한 결정 입자 를 얻 기 는 곤란 하 다 . 여기 서 , 상기 영역 Ⅱ 은 상기 영역 Ⅰ 에 비해 상당히 소폭 이 다 .