일례 로 , 광활 성 층 ( 40 ) 의 경우 코팅 공정 후 25 내지 150 ℃ 에서 5 내지 145 분 동안 건조 및 열처리 하 는 후처리 공정 을 실시 할 수 있 다 . 상기 건조 공정 과 열처리 공정 의 적절 한 조절 에 의하 여 상기 전자 수용체 와 상기 정공 수용체 사이 에 적절 한 상 분리 를 유도 할 수 있 고 , 상기 전자 수용체 의 배향 을 유도 할 수 있 다 . 상기 열처리 공정 의 경우 , 온도 가 25 ℃ 미만 인 경우 상기 전자 수용체 및 상기 정공 수용체 의 이동도 가 낮 아서 열처리 효과 가 미미 할 수 있 고 , 상기 열처리 온도 가 150 ℃ 를 초과 하 는 경우 상기 전자 수용체 의 열화 로 인하 여 성능 이 저하 될 수 있 다 . 또한 , 상기 열처리 시간 이 5 분 미만 인 경우 상기 전자 수용체 및 상기 정공 수용체 의 이동도 가 낮 아서 열처리 효과 가 미미 할 수 있 고 , 상기 열처리 시간 이 145 분 을 초과 하 는 경우 상기 전자 수용체 의 열화 로 인하 여 성능 이 저하 될 수 있 다 .