도 7 a 및 도 7 b 를 참조 하 면 , 절연 층 ( 32 ) 및 희생 재료 층 들 ( 42 ) 의 교번 하 는 스택 ( 32 , 42 ) 위 에 , 그리고 메모리 스택 구조물 들 ( 55 ) 및 지지 기둥 구조물 들 ( 20 ) 위 에 , 콘 택 레벨 유전체 층 ( 73 ) 이 형성 될 수 있 다 . 콘 택 레벨 유전체 층 ( 73 ) 은 희생 재료 층 들 ( 42 ) 의 유전체 재료 와 상이 한 유전체 재료 를 포함 한다 . 예 를 들 어 , 콘 택 레벨 유전체 층 ( 73 ) 은 실리콘 산화물 을 포함 할 수 있 다 . 콘 택 레벨 유전체 층 ( 73 ) 은 두께 가 50 nm 내지 500 nm 의 범위 를 가질 수 있 지만 , 더 작 거나 더 큰 두께 도 또한 사용 될 수 있 다 .