이때 , 산화 질화 규소 막 ( 101 ) 및 질화 산화 규소 막 ( 102 ) 은 베이스 기판 ( 106 ) 으로부터 확산 된 나트륨 이온 등 의 불순물 로 인한 단결정 반도체 층 의 오염 을 방지 하 기 위해 설치 되 어 있 다 . 여기 에서 , 질화 산화 규소 막 이란 , 산소 보다 도 질소 의 함유량 이 많 고 , 산소 , 질소 , Si 및 수소 를 각각 15 ∼ 30 원자 %, 20 ∼ 35 원자 %, 25 ∼ 35 원자 % 및 15 ∼ 25 원자 % 범위 의 농도 로 포함 하 고 전체 농도 가 100 원자 % 가 되 는 막 을 말 한다 . 또한 , 산화 질화 규소 막 이란 , 질소 보다 도 산소 의 함유량 이 많 고 , 산소 , 질소 , Si 및 수소 를 각각 55 ∼ 65 원자 %, 1 ∼ 20 원자 %, 25 ∼ 35 원자 % 및 0 . 1 ∼ 10 원자 % 범위 의 농도 로 포함 하 고 전체 농도 가 100 원자 % 가 되 는 막 을 말 한다 . 이때 , 질화 알루미늄 , 질화 산화 알루미늄 등 을 사용 해도 된다 . 이때 , 산화 질화 규소 막 ( 101 ) 및 질화 산화 규소 막 ( 102 ) 은 반드시 설치 할 필요 는 없 고 , 후술 하 는 단결정 반도체 기판 에 이온 주입 을 행하 여 이온 주입 층 만 을 형성 된 기판 을 사용 해도 된다 .