그래서 결정 결함 밀도 를 감소 시키 는 목적 으로 , 사파이어 기판 상 에 GaN 버퍼 층 , GaN 층 을 순차 적층 하 고 그 위 에 SiO 2 로 구성 되 는 스트라이프 의 마스크 를 형성 하 고 또한 그 위 에 GaN 층 을 성장 하 는 방법 이 제안 된 바 있 다 . 이 방법 에 의하 면 GaN 층 의 결정 결함 밀도 가 종래 보다 어느 정도 감소 되 었 다 .