발명자 는 재료 성형 을 위한 일부 응용 분야 에서 이 문서 에 설명 된 방법 중 하나 를 구현 할 때 스테레오 리소그래피 ( SLA ) 라는 특별 한 성형 기술 을 발견 했 다 . 일부 구현 에서 , 사용 되 는 적층 제조 성형 기술 은 스테레오 리소그래피 ( SLA ) 이 다 . 발명자 는 근적외선 ( NIR ) 에서 파장 방사선 에 민감 한 재료 를 사용 하 는 특정 용도 를 발견 했 다 . 파장 에 민감 한 물질 은 그러 한 파장 에서 경화 또는 중합 될 수 있 는 물질 을 지칭 한다 . 일반 적 으로 , 740 - 870 nm , 740 - 980 nm , 780 - 1240 nm 및 심지어 780 - 1420 nm 범위 의 다양 한 구현 에서 볼 수 있 다 . 일부 용도 의 경우 , 재료 경화 시 사용 되 는 파장 은 710 nm , 830 nm , 880 nm 초과 및 920 nm 초과 의 다른 실시 예 에서 개시 된 바 와 같이 훨씬 더 높 은 파장 의 사용 을 배제 하 지 않 는다 . 대신 에 , 특정 값 이하 에서 재료 를 경화 하 는 데 사용 되 는 파장 내 에서 는 1390 nm , 1030 nm , 990 nm 미만 및 심지어 810 nm 미만 의 파장 이 선호 된다 . 일반 적 으로 파장 이 길 면 침투 능력 이 더 커 지 며 , 이 들 적용 에서 때때로 970 nm , 1090 nm , 1130 nm 이상 , 및 1270 nm 이상 에서 도 재료 를 경화 시키 기 위해 더 높 은 파장 이 사용 된다 . 일부 적용 의 경우 , 생성 된 지오 메트리 에서 높 은 유연 성 을 갖 는다 . 이러 한 관점 에서 , 본 발명자 들 은 방사선 시스템 의 국부 변조 에 기초 한 시스템 이 다른 장소 에서 서로 다른 노출 수준 ( CD 또는 DLP 와 같 은 계층 별 생산 시스템 계층 별 노출 수준 ) 을 갖 기 위해 매우 유리 할 수 있 음 을 발견 했 다 . 일단 빛 이 변조 되 면 , 특정 응용 에 필요 한 정의 ( 종종 렌즈 로 ) 에 따라 변환 ( 발광 물질 을 포함 하 는 시스템 ) , 전환 ( 거울 등 을 사용 ) , 회절 , 집중 , 분산 또는 방사선 을 편리 하 게 수정 하 기 위해 광학 또는 전자 시스템 을 사용 할 수 있 다 . 따라서 , 변조 의 발생 은 경화 에 사용 되 는 파장 과 다른 파장 에서 행해질 수 있 다 . 가장 중요 한 것 은 선택 한 파장 에서 경화 되 는 재료 를 갖 는 것 이 다 . 일부 경우 에 , 1390 nm , 1030 nm , 990 nm 미만 및 심지어 810 nm 미만 의 파장 에서 경화 되 는 재료 가 적절 하 다 . 실시 된 예 에서 , 재료 는 광 - 경화 성 재료 이 고 , 성분 은 460 nm , 560 nm , 760 nm , 860 nm , 940 nm , 1060 nm 이상 , 및 심지어 1210 nm 이상 의 파장 에서 도 광 촉 이 가능 하 다 . 다른 측면 은 이전 에 명시 된 바 와 같 은 광 개시제 의 사용 을 지칭 한다 . 일부 적용 에서 , 재료 에 함유 된 광 개시제 를 활성 화 하 여 경화 한다 . 유기 부분 은 수지 및 광 개시제 로 구성 된다 . 다른 구체 적 인 예 에서 , 광 개시제 는 소재 의 유기 부분 의 중량 에 대하 여 0 . 1 ~ 1 . 5 %, 0 . 1 ~ 1 . 3 %, 0 . 1 ~ 0 . 9 %, 0 . 1 ~ 0 . 6 %, 및 0 . 1 ~ 0 . 4 % 이 다 . 대체 적 인 구현 에서 , 상기 백분율 은 체적 기준 이 다 . 다른 예 에서 , 재료 를 경화 하 기 위한 광원 은 사용 된 재료 의 경화 할 수 있 는 스펙트럼 내 1100 , 2200 , 4200 루멘 이상 및 11000 루멘 이상 이 다 . 이러 한 광 개시제 의 활성 화 는 일부 예 에서 690 ~ 1390 nm , 730 ~ 1240 nm , 760 ~ 1130 nm , 및 780 ~ 940 nm 의 다양 한 파장 에서 이루어질 수 있 다 . 일부 구현 에서 광 개시제 를 활성 화 시키 기 위해 700 nm , 760 nm , 840 nm , 960 nm , 1180 nm 이상 및 1330 nm 이상 의 파장 에서 광 개시제 를 포함 하 는 물질 을 지칭 하 며 , 다른 예 에서 , 광 개시제 를 활성 화 시키 기 위해 1375 nm , 1120 nm , 940 nm 미만 및 830 nm 미만 의 파장 이 사용 됐 다 . 일부 구현 에서 , 재료 는 광 개시제 를 추가 로 포함 하 고 , 상기 명시 된 파장 에서 광경 화 될 수 있 다 . 일부 적용 에서 , 재료 는 본 문서 를 통해 명시 된 바 와 같이 입자 가 추가 로 적재 될 수 있 다 . 이 들 재료 의 경우 , 경화 에 사용 되 는 파장 은 이전 단락 에 명시 된 값 및 범위 내 에 있 다 . 따라서 , 이 들 물질 을 경화 하 기 위해 705 nm , 710 nm , 830 nm , 880 nm 이상 및 920 nm 이상 의 파장 이 적절 하 다 . 또한 1130 nm 이상 및 1270 nm 이상 의 더 높 은 파장 도 배제 하 지 않 는다 . 발명자 는 1390 nm , 1030 nm , 990 nm 이 하 및 810 nm 이하 의 다른 구현 의 파장 에서 경화 가 이루어질 수 있 음 을 발견 했 다 . 이 문서 에서 실시 된 구현 은 상호 배타 적 이 지 않 다면 어떠 한 조합 에서 도 임의 의 다른 구현 과 결합 될 수 있 다 . 본 문서 에서 이전 에 명시 된 일부 실시 예의 조합 은 다음 과 같 다 . :