다음 으로 , 도전 막 ( 112 f ) 및 금속 산화 물막 ( 114 f ) 의 일부 를 에칭 하 여 도전 층 ( 112 ) 및 금속 산화물 층 ( 114 ) 을 형성 하 고 , 그 후 에 절연 층 ( 110 ) 의 일부 를 에칭 하 여 반도체 층 ( 108 ) 의 일부 를 노출 시킨다 ( 도 14 의 ( B ) 참조 ) . 이 로써 , 상면 형상 이 대략 일치 한 도전 층 ( 112 ) , 금속 산화물 층 ( 114 ) , 및 절연 층 ( 110 ) 을 형성 할 수 있 다 .