패시 베이 션 층 ( 203 ) 은 이종 접합 태양 전지 ( 200 ) 에서 비정질 실리콘 과 결정질 실리콘 사이 경계 면 에서 의 전자 와 정공 의 재결합 을 최대한 으로 방지 하 기 위한 층 이 다 . p 형 결정질 실리콘 기판 ( 201 ) 과 n 형 으로 도핑 된 패 시베이 션 층 ( 203 ) 이 pn 접합 을 이루 고 있 는 이종 접합 태양 전지 ( 200 ) 에서 는 패 시베이 션 층 ( 203 ) 이 그 자체 로서 n 형 비정질 실리콘 층 으로서 기능 함 과 동시 에 p 형 결정질 실리콘 기판 ( 201 ) 과 의 경계 에서 보호막 으로서 의 기능 을 하 게 되 어 pn 접합 에서 의 경계 면 에서 발생 할 수 있 는 결함 등 을 최소 화 함 으로써 전자 와 정공 의 재결합 을 최대한 방지 한다 .