도 3 f 및 4 f 에 도시 된 바 와 같이 , 제 2 마스크 층 ( 11 UM ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 2 마스크 층 ( 11 UM ) 은 포토레지스트 패턴 을 포함 할 수 있 다 . 제 2 마스크 층 ( 11 UM ) 은 복수 의 제 2 오프닝 ( 11 UV ) 이 정의 되 어 있 을 수 있 다 . 제 2 오프닝 들 ( 11 UV ) 은 메모리 셀 영역 ( MC ) 에 대응 하 여 형성 될 수 있 다 . 제 2 마스크 층 ( 11 UM ) 을 위한 오버레이 정렬 은 오버레이 측정 용 단차 들 ( 14 LK , 15 K , 15 G ) 을 이용 할 수 있 다 . 제 2 오프닝 ( 11 UV ) 은 50 nm× 50 ㎚( 0 . 05 ㎛ × 0 . 05 ㎛) 의 크기 를 가질 수 있 고 , 제 2 오프닝 ( 11 UV ) 와 제 1 오프닝 ( 11 LV ) 은 동일 한 크기 일 수 있 다 . 제 2 마스크 층 ( 11 UM ) 의 정확 한 오버레이 제어 를 위하 여 하부 에서 명확히 식별 되 는 정렬 키를 사용 해야 한다 . 본 실시 예 는 오버레이 측정 용 하부 단차 ( 14 LK , 15 K , 15 G ) 를 이용 하 여 정렬 키 신호 를 확보 할 수 있 다 .