또한 , 도 3 에서 알 수 있 는 바 와 같이 C 6 H 6 와 C 8 H 18 의 혼합물 을 이용 하 여 비정질 탄소막 을 형성 할 경우 C 6 H 6 와 C 8 H 18 의 혼합물 에 대한 C 6 H 6 의 비율 이 20 ∼ 35 부피 % 까지 비정질 탄소막 과 산화 막 의 식각 선택 비 가 1 : 100 이상 이 며 , 그 이하 에서 는 비정질 탄소막 과 산화 막 의 식각 선택 비 를 1 : 20 ∼ 1 : 100 으로 조절 할 수 있 다 . 특히 약 28 부피 % 정도 에서 는 비정질 탄소막 과 산화 막 의 식각 선택 비 가 1 : 120 정도 이 다 . 즉 , C 6 H 6 와 C 8 H 18 의 혼합물 을 이용 하 여 비정질 탄소막 을 형성 할 경우 C 6 H 6 와 C 8 H 18 의 혼합물 에 대한 C 6 H 6 의 비율 을 조절 함 으로써 비정질 탄소막 과 산화 막 의 식각 선택 비 를 1 : 20 ∼ 1 : 120 까지 조절 할 수 있 다 .