실리콘 기판 ( 130 ) 의 일면 상 에 형성 된 산화 막 ( 131 ) 에 상기 실리콘 나노 와이어 및 상기 센서 구조 체 패턴 을 형상 화 한다 . 즉 , 노광 ( Photolithography ) 공정 으로 감광제 를 패 터닝 하 고 , 이산화 규소 건식 식각 공정 으로 산화 막 ( 131 ) 을 패 터닝 할 수 있 다 . 도 3 은 노광 ( Photolithography ) 공정 을 통해 감광제 가 패 터닝 된 결과 를 3 차원 구조 로 나타낸 도면 이 다 . 즉 , 산화 막 ( 131 ) 상 에 감광제 ( 132 ) 가 패 터닝 될 수 있 다 . 도 4 는 이산화 규소 건식 식각 공정 을 통해 산화 막 ( 131 ) 을 패 터닝 하 고 , 감광제 를 제거 한 결과 를 3 차원 구조 로 나타낸 도면 이 다 . 감광제 ( 133 ) 는 에 싱 공정 으로 제거 될 수 있 다 . 도 3 과 도 4 를 참조 하 면 , 실리콘 기판 ( 130 ) 상 에 산화 막 ( 131 ) 을 이산화 규소 건식 식각 공정 을 통해 소정 의 형상 으로 패 터닝 할 수 있 다 . 다음 단계 에서 , 산화 막 ( 131 ) 은 실리콘 기판 ( 130 ) 에 형성 될 나노 와이어 , 센서 구조물 및 이 를 둘러싸 는 고정 구조물 ( 140 ) 에 대응 하 도록 패 터닝 될 수 있 다 .