제 2 도전 형 반도체 층 ( 26 ) 은 반도체 화합물 로 형성 될 수 있 다 . 제 2 도전 형 반도체 층 ( 26 ) 은 - Ⅴ 족 , - Ⅵ 족 등 의 화합물 반도체 로 구현 될 수 있 으며 , 제 2 도전 형 도 펀트 가 도핑 될 수 있 다 . 제 2 도전 형 반도체 층 ( 26 ) 은 예컨대 , InxAlyGa 1 - x - yN ( 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 , 0 ≤ x + y ≤ 1 ) 의 조성식 을 갖 는 반도체 물질 , AlGaN , GaN AlInN , AlGaAs , GaP , GaAs , GaAsP , AlGaInP 중 어느 하나 이상 으로 형성 될 수 있 으며 , 예 를 들 어 제 2 도전 형 반도체 층 ( 26 ) 이 AlxGa ( 1 - x ) N 으로 이루어질 수 있 다 .