상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 일 측면 에 따른 본 발명 은 , 소자 분리 막 이 형성 된 기판 을 제공 하 는 단계 와 , 상기 소자 분리 막 을 포함 하 는 전체 구조 상부 에 핀 마스크 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 핀 마스크 를 이용 한 핀 식각 공정 을 실시 하 여 새들 형 핀 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 핀 마스크 를 이용 한 이온 주입 공정 을 실시 하 여 노출 되 는 상기 새들 형 핀 에 산화 속도 를 증가 시키 는 원소 를 주입 하 는 단계 와 , 상기 핀 마스크 를 제거 한 후 산화 공정 을 실시 하 여 상기 새들 형 핀 의 상부 에 게이트 산화 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 새들 형 핀 을 덮 도록 게이트 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 새들 형 핀 트랜지스터 제조 방법 을 제공 한다 .