도 2 의 구조 는 전술 한 평 행판 정전 용량 및 사용 자 의 손가락 에 의해 방해 받 을 수 있 는 프린 징 정전 용량 을 모두 생성 한다 . 이러 한 구조 는 , 행 및 열 사이 의 재료 가 변형 될 때 , 프린 징 필드 로부터 의 실제 정전 용량 터치 및 평 행판 정전 용량 으로부터 의 힘 을 모두 측정 한다 . 이러 한 구조 는 비교적 스 파스 한 ( sparce ) 상대 적 배열 로 최 상부 전도체 들 을 배향 하 고 , 이 들 사이 의 공간 이 필드 를 두르 게 하 며 , 이 구조 의 예 가 도 2 에 도시 되 어 있 지만 , 이 특성 을 갖 는 다른 구조 또한 고려 해 볼 수 있 다 . 예 를 들 면 , 도 8 에 도시 되 어 있 는 다이아몬드 패턴 ( 800 ) 은 , 다이아몬드 들 사이 의 프린 징 필드 및 행 ( 820 ) 및 열 ( 830 ) 이 서로 교차 하 는 평 행판 정전 용량 또는 맞물린 패턴 ( interdigitated pattern ) 을 이용 하 여 , 이 특성 을 갖 도록 구성 될 수 도 있 다 .