또한 , 상기 콘택트 홀 을 통하 여 상기 강유전체 커패시터 ( C 1 ) 중 의 PZT 막 ( 74 A , 75 A ) 및 강유전체 커패시터 ( C 2 ) 중 의 PZT 막 ( 74 C , 75 C ) 을 산소 분위기 중 에서 열처리 하 여 , 산소 결손 을 보상 한 후 , 상기 산소 배리 어막 을 제거 하 여 , 상기 층간 절 연막 ( 81 ) 위 에 , 전극 패턴 ( 85 A , 85 B , 85 C ) 을 , 각각 상기 강유전체 커패시터 ( C 1 ) 의 상부 전극 ( 76 A ) , 비어 플러그 ( 84 B ) , 및 상기 강유전체 커패시터 ( C 2 ) 의 상부 전극 ( 76 C ) 에 대응 하 여 형성 한다 .