또한 , 추가 로 유기 반도체 층 을 형성 할 수 도 있 다 . 이 층 은 발광 층 으로 의 정공 주입 또는 전자 주입 을 돕 는 층 이 며 , 10 - 10 S / cm 이상 의 도전 율 을 갖 는 것 이 바람직 하 다 . 이러 한 유기 반도체 층 의 재료 로서 는 , 일본 특허 공개 ( 평 ) 8 - 193191 호 공보 에 개시 되 어 있 는 아릴 아민 함유 올리고머 등 의 도전 성 올리고머 , 아릴 아민 함유 덴 드리머 등 의 도전 성 덴 드리머 , C 60 등 의 풀러렌 유도체 , 구리 프탈 로 시아닌 ( CuPc ) , CFx , MoO 3 등 을 사용 할 수 있 다 .