종래 의 유전체 막 에서 하부 산화 막 및 상부 산화 막 은 DCS 또는 MS 기반 의 화학 적 기상 증착 법 을 이용 하 여 형성 한다 . 이러 한 화학 기상 반응 에 의하 여 형성 된 산화 막 은 통상 의 건식 및 습식 산화 에 의해 형성 된 산화 막 에 비하 여 막 질 이 떨어지 며 85 % 이하 의 낮 은 스텝 커버리지 ( step coverage ) 를 갖 는 문제점 이 있 다 . 그리고 반도체 소자 가 고집 적 화 되 어 유전체 막 의 일반 적 인 구조 인 하부 산화 막 , 질화 막 , 상부 산화 막 의 두께 가 감소 됨 에 따라 누설 전류 나 신뢰 성 특성 이 열화 되 는 문제 가 발생 하 고 있 다 .