도 2 는 칩 패키지 ( 100 ) 의 측면도 를 도시 한 블록 도 를 제시 한다 . 이러 한 예 에서 , 광 신호 ( 210 ) 는 소정 의 반도체 다이 의 에지 ( 212 ) 를 통해 소정 의 반도체 다이 ( 이를테면 , 반도체 다이 ( 110 - N ) ) 에 광학 적 으로 결합 된다 ( 즉 , 소정 의 반도체 다이 의 에지 ( 212 ) 에 수직 이 고 법선 ( 214 ) 에 평행 ) . 전술 한 바 와 같이 , 일부 실시 예 들 에서 , 광 신호 ( 210 ) 의 광 결합 은 램프 컴포넌트 ( 122 ) 와 소정 의 반도체 다 이 사이 의 광 근접 통신 을 수반 한다 . 또한 , 일부 실시 예 들 에서 , 광 결합 은 , 소정 의 반도체 다이 가 그 의 페어런트 웨이퍼 ( parent wafer ) 로부터 절단 된 후 에 에지 ( 212 ) 를 연마 ( polishing ) 함 으로써 용이 하 게 된다 . 이러 한 연마 는 , 에지 ( 212 ) 의 거칠 기 가 광 신호 ( 210 ) 의 캐리어 파장 보다 적 도록 보장 할 수 있 다 .