한편 , 도 2 에 는 챔버 ( 2 ) 의 내부 와 빔 발생 장치 ( 100 ) 와 그리드 플레이트 ( 200 ) 가 함께 구비 되 는 반도체 공정 시스템 이 도시 되 어 있 으나 , 도 3 에 도시 된 바 와 같이 빔 발생 장치 ( 100 ) 가 챔버 ( 2 ) 의 외측 에 결합 되 어 챔버 ( 2 ) 의 내측 으로 빔 을 공급 하 는 구조 에 적용 하 여 실시 할 수 있 음 은 물론 이 다 .