포토레지스트 ( 도시 생략 ) 가 하드 마스크 층 ( 29 ) 상 에 형성 되 고 , 이어서 포토 리소그래피 프로세스 를 통해 패 터닝 된다 . 하드 마스크 층 ( 29 ) 은 이어서 도 2 에 도시 되 어 있 는 바 와 같이 , 패 터닝 된 포토레지스트 를 에칭 마스크 로서 사용 하 여 패 터닝 되 어 하드 마스크 ( 29 ) 를 형성 한다 . 다음 에 , 패 터닝 된 하드 마스크 층 ( 29 ) 은 패드 산화물 층 ( 28 ) 및 하위 에 있 는 기판 ( 20 ) 및 에피택시 반도체 층 ( 21 ) 을 에칭 하 기 위한 에칭 마스크 로서 사용 된다 . 최종 구조 체가 도 2 에 도시 되 어 있 다 . 최종 트렌치 ( 23 ) 는 에피택시 반도체 층 ( 21 ) 을 관통 하 여 하위 에 있 는 반도체 기판 ( 20 ) 내 로 연장 될 수 도 있 다 . 디바이스 영역 ( 100 ) 에서 , 트렌치 ( 23 ) 사이 의 반도체 기판 ( 20 ) 의 부분 은 반도체 스트립 ( 126 ) 이 라 칭한다 . 디바이스 영역 ( 200 ) 에서 , 트렌치 ( 23 ) 사이 의 반도체 기판 ( 20 ) 및 에피택시 반도체 층 ( 21 ) 의 부분 들 은 반도체 스트립 ( 226 ) 이 라 칭한다 .