기억 회로 를 가지 는 복수 의 순서 회로 의 각각 에 있 어서 , 산화물 반도체 에 의해 채널 형성 영역 이 구성 되 는 트랜지스터 와 , 이 트랜지스터 가 오프 상태 가 됨 으로써 한쪽 의 전극 이 전기 적 으로 접속 된 노드 가 부유 상태 가 되 는 용량 소자 를 형성 한다 . 또한 , 산화물 반도체 에 의해서 트랜지스터 의 채널 형성 영역 이 구성 됨 으로써 , 오프 전류 ( 리크 전류 ) 가 극히 낮 은 트랜지스터 를 실현 할 수 있 다 . 이 때문 에 , 기억 회로 에 대하 여 전원 전압 이 공급 되 지 않 는 기간 에서 상기 트랜지스터 를 오프 상태 로 함 으로써 , 상기 기간 에서 의 용량 소자 의 한쪽 의 전극 이 전기 적 으로 접속 된 노드 의 전위 를 일정 또는 거의 일정 하 게 유지 하 는 것 이 가능 하 다 . 그 결과 , 상기 한 과제 를 해결 하 는 것 이 가능 하 다 .