더미 패턴 ( 109 ) 은 증착 공정 과 식각 공정 을 통해 X 축 방향 으로 신장 된 라인 형태 로 형성 할 수 있 으며 , 식각 공정 시 플로팅 게이트 ( 106 ) 의 손상 을 최소 화 하 기 위해 저부 에 형성 된 식각 저지 층 ( 107 ) 을 더 포함 할 수 도 있 다 . 이때 , 더미 패턴 ( 109 ) 은 식각 저지 층 ( 107 ) 과 높 은 식각 선택 비 를 갖 는 물질 로 이루어진 물질 , 예컨대 식각 저지 층 ( 107 ) 이 질화 막 , 예컨대 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 으로 이루어진 경우 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 으로 형성 한다 . 이외 에 도 , BPSG ( BoroPhosphoSilicate Glass ) , BSG ( BoroSilicate Glass ) , PSG ( PhosphoSilicate Glass ) , HDP ( High Density Plasma ) , TEOS ( Tetra Ethyle Ortho Silicate ) , USG ( Undoped Silicate Glass ) 및 SOG ( Spin On Glass ) 중 선택 된 어느 하나 의 막 으로 형성 할 수 있 다 . 한편 , 식각 저지 층 ( 107 ) 은 플로팅 게이트 ( 106 ) 의 물질 에 따라 적절히 변경 될 수 있 으며 , 플로팅 게이트 ( 106 ) 및 더미 패턴 ( 109 ) 과 의 높 은 식각 선택 비 를 갖 는 물질 은 모두 사용 할 수 있 다 .