다음 에 , 도 4 f 에 도시 된 바 와 같이 , 외부 로 노출 된 원소 재 기판 ( S ) 의 양면 을 식각 하 는 에칭 단계 가 진행 된다 ( P 60 ) . 본 에칭 단계 에서 는 원소 재 기판 ( S ) 에 대한 선택 적 인 부식 특성 을 갖 는 에칭 액 , 예 를 들 어 , Cupric chloride ( CuCl 2 ) , Ferric chloride ( FeCl 3 ) , Alkaline etchants , Hydrogen peroxide Sulphuric acid ( H 2 O 2 + H 2 SO 4 ) 등 을 고압 으로 분사 하 는 스프레이 노즐 이 상하 로 다수 배치 되 어 있 는 이송 경로 상 으로 원소 재 기판 ( S ) 을 주행 시킴 에 의해 행해질 수 있 다 . 이때 , 에칭 액 의 선택 에 관하 여서는 에칭 마스크 로 작용 하 는 금속 피막 ( M 1 ) 은 손상 시키 지 않 고 노출 된 원소 재 기판 ( S ) 만 을 선별 적 으로 부식 시키 는 특성 이 필요 하 다 . 본 에칭 단계 는 상하 양면 에서 진행 되 는 양면 에칭 을 통하 여 , 각 개 의 리드 ( 220 ) 와 다이 패드 ( 210 ) 가 서로 분리 되 어 개별 화 될 때 까지 진행 된다 .