전극 형성 공정 이 넓 은 범위 의 온도 및 시간 에서 가능 하 므로 용이 해진다 . 또한 , 금속 페이스트 에 글래스 프릿 이 함유 되 어 있 지 않 으므로 전도도 가 향상 된다 . 그리고 , SiOx 막 의 추가 로 인해 표면 패 시베이 션 효과 가 증대 된다 . 그리고 , 전극 을 형성 하 는 금속 과 실리콘 기판 의 넓 은 접촉 으로 인해 직렬 저항 이 감소 한다 .