상기 본 발명 의 과제 를 이루 기 위하 여 , 본 발명 의 제 1 태양 은 , 게이트 전극 과 , 상기 게이트 전극 과 절연 된 소스 및 드레 인 전극 과 , 상기 게이트 전극 과 절연 되 고 , 상기 소스 및 드레 인 전극 에 각각 접하 는 반도체 층 과 , 상기 소스 및 드레 인 전극 및 상기 반도체 층 과 상기 게이트 전극 을 절연 시키 는 절연 층 과 , 상기 게이트 전극 에 연결 된 제 1 배선 과 , 상기 소스 및 드레 인 전극 중 어느 하나 에 연결 된 제 2 배선 을 구비 하 고 , 상기 게이트 전극 , 상기 제 1 배선 , 상기 소스 및 드레 인 전극 및 상기 제 2 배선 중 적어도 하나 의 표면 조도 가 rms 1 Å 내지 200 Å 인 박막 트랜지스터 를 제공 한다 .