이때 , 상기 InN 을 성장 시키 는 동안 , 챔버 내 에 잔류 하 는 Ga 소오 스 가 함께 반응 하 여 InuGa 1 - uN 층 ( 73 a ) 이 형성 될 수 있 으며 , 또한 , GaN 을 성장 시키 는 동안 , 챔버 내 에 잔류 하 는 In 소오 스 가 함께 반응 하 여 InvGa 1 - vN 층 ( 73 b ) 이 형성 될 수 있 다 . 여기 서 , 0 ≤ u , v ≤ 1 이고 , u > v 이 다 . 상기 InuGa 1 - uN 및 InvGa 1 - vN 는 800 ~ 900 ℃ 에서 MOCVD 기술 을 사용 하 여 예컨대 , 2 . 5 내지 20 Å 범위 의 두께 로 반복 적 으로 형성 될 수 있 다 .