상기 배리어 층 은 Ta , Ti , W , Ru , V , Co 및 Nb 중 에서 선택 된 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 상기 시드 층 은 Al , Ti , Cr , Fe , Co , Ni , Cu , Zn , Pd , Pt , Au 및 Ag 중 에서 선택 된 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 배리어 층 은 Ti 을 포함 하 고 시드 층 은 Cu 를 포함 할 수 있 다 . 배리어 층 및 시드 층 은 물리 기상 증착 ( Physical Vapor Deposition ; PVD ) 공정 , 화학 기상 증착 ( Chemical Vapor Deposition ; CVD ) 공정 또는 원자 층 증착 ( Atomic Layer Deposition ; ALD ) 공정 등 에 의해 형성 될 수 있 다 .