이 에 의해 , 플라스마 생성 공간 ( 201 a ) 에서 는 , 생성 한 플라스마 를 안정 시킬 수 있 어 , 서 셉 터 ( 217 ) 에 보유 지지 된 웨이퍼 ( 200 ) 를 일정 레이트 로 또한 균일 하 게 처리 할 수 있 다 . 이 와 같이 , 안정 된 플라스마 를 생성 할 수 있 으면 , 웨이퍼 ( 200 ) 와 공진 코일 ( 212 ) 의 하단 사이 의 거리 가변 에 의해 얻 어 지 는 작용 효과 를 확실 한 것 으로 할 수 있 고 , 그 결과 로서 , 플라스마 를 이용 해서 행하 는 기판 처리 의 적정 화 를 도모 함 에 있 어서 매우 바람직 한 것 이 된다 .