상기 광전 변환 소자 는 투명 금속 으로 형성 되 는 제 1 전극 ; 상기 제 1 전극 상 에 배치 되 며 p + 비정질 실리콘 으로 형성 되 는 제 1 오 믹 접촉 층 ; 상기 제 1 오 믹 접촉 층 상 에 배치 되 며 비정질 실리콘 으로 형성 되 는 진성 반도체 층 ; 상기 진성 반도체 층 상 에 배치 되 며 n + 비정질 실리콘 으로 형성 되 는 제 2 오 믹 접촉 층 ; 및 상기 제 2 오 믹 접촉 층 상 에 배치 되 며 불 투명 금속 으로 형성 되 는 제 2 전극 을 구비 한다 .