n 형 반도체 층 은 n 형 불순물 ( 예컨대 , Si ) 을 포함 하 는 도전 형 반도체 층 일 수 있 고 , p 형 반도체 층 은 p 형 불순물 ( 예컨대 , Mg ) 을 포함 하 는 도전 형 반도체 층 일 수 있 다 . 그리고 활성 층 은 n 형 반도체 층 및 p 형 반도체 층 사이 에 개재 될 수 있 으며 , 다중 양자 우물 구조 ( MQW ) 를 포함 할 수 있 다 . 그리고 원 하 는 피크 파장 의 광 을 방출 할 수 있 게 조성 비 가 결정 될 수 있 다 .