제 2 절연 층 ( 113 ) 의 상면 의 일부분 , 제 2 비아 오프닝 ( VO 2 ) 의 내 측벽 , 및 제 2 비아 오프닝 ( VO 2 ) 을 통하 여 노출 된 제 1 도전 성 라인 패턴 ( 121 ) 의 상면 의 일부분 상 에 는 제 2 씨드 층 ( 135 ) 이 배치 될 수 있 다 . 제 2 씨드 층 ( 135 ) 의 일부 는 제 2 도전 성 라인 패턴 ( 131 ) 과 제 2 절연 층 ( 113 ) 의 상면 사이 에 개재 되 고 , 제 2 씨드 층 ( 135 ) 의 다른 일부 는 제 2 도전 성 비아 패턴 ( 133 ) 의 측벽 을 둘러싸 고 제 2 도전 성 비아 패턴 ( 133 ) 과 제 1 도전 성 라인 패턴 ( 121 ) 사이 에 개재 될 수 있 다 .