최근 SiC ( 탄화규소 ( 실리 콘카 바이트 ) ) 의 에피 택 셜 성장 기술 이 주목 받 고 있 다 . SiC 는 , Si ( 실리콘 ) 나 GaAs ( 갈륨비소 ) 와 같 은 종래 의 반도체 재료 와 비교 하 여 에너지 갭 이 2 ∼ 3 배 크 고 , 절연 파괴 전계 가 약 한 자리 수 크 다는 특징 이 있 다 . 이 때문 에 , 고 내압 의 파워 반도체 디바이스 로 의 이용 이 기대 되 고 있 는 반도체 재료 이 다 .