또한 , 반도체 막 ( 47 ) 을 형성 하 기 전 에 , 성막 장치 의 반응 실 내 에 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 함유 하 는 기체 를 흘리 고 , 피막 ( 41 ) 표면 및 반응 실 내벽 에 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 흡착 시켜 도 좋 다 . 그 후 , 반도체 막 ( 47 ) 을 형성 함 으로써 , 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 흡수 하 면서 반도체 막 이 퇴적 되 기 때문 에 , 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 함유 하 는 반도체 막 ( 47 ) 을 형성 할 수 있 다 .