반도체 내부 에 결함 이 없 는 이상 적 인 산화물 반도체 를 채널 에 이용 한 트랜지스터 의 이동도 μ 2 을 계산 한 결과 를 도 32 에 도시 한다 . 계산 에 는 , 시놉시스 ( Synopsys ) 사제 디바이스 시뮬레이션 소프트웨어 Sentaurus Device 를 사용 하 고 , 산화물 반도체 의 밴드 갭 , 전자 친화력 , 비 유전 률 , 두께 를 각각 , 2 . 8 eV , 4 . 7 eV , 15 , 15 nm 로 했 다 . 이것 들 의 값 은 스퍼터링 법 에 의해 형성 된 박막 을 측정 해서 얻 어 진 것 이 다 .