일부 실시 예 에서 , CNT 시드 층 ( 314 ) 및 가역 저항 전환 소자 ( 202 ) 은 도전 성 실리사이드 - 형성 금속 층 ( 312 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 이러 한 실시 예 에서 , CNT 시드 층 ( 314 ) 및 실리사이드 - 형성 금속 층 ( 312 ) 은 도 4 a 내지 도 4 d 을 참조 하 여 이하 기술 되 는 바 와 같이 다이오드 ( 204 ) 의 형성 동안 패 터닝 되 고 에칭 될 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , CNT 시드 층 ( 31 ) 및 저항 전환 소자 ( 202 ) 의 형성 에 앞서 실리사이드 형성 금속 층 ( 312 ) 상 에 금속 하드 마스크 가 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 장벽층 ( 316 ) 및 / 또는 도전 층 ( 318 ) 이 실리사이드 형성 금속 층 ( 312 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 이어서 , CNT 시드 층 ( 314 ) 이 도전 층 ( 318 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 장벽층 ( 316 ) 은 질화 티탄 , 질화 탄탈 , 질화 텅스텐 등 을 포함 할 수 있 고 도전 층 ( 318 ) 은 텅스텐 또는 다른 적합 한 금속 층 을 포함 할 수 있 다 .