본 발명 의 일 실시 예 에 따른 네거티브 포토레지스트 막 을 이용 한 포토 마스크 는 , 투명 기판 상 에 흡수 층 을 증착 하 여 초기 흡수 층 의 증착 높이 를 조절 함 에 따라 흡수 층 패턴 의 깊이 를 조절 하 여 높 은 종횡비 를 갖 는 흡수 층 패턴 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 네거티브 타입 의 포토레지스트 막 을 형성 한 다음 원자 현미경 ( AFM ) 을 이용 한 전자 노광 법 을 이용 함 으로써 전자 빔 노광 에 비해 상대 적 으로 낮 은 에너지 , 예컨대 수 내지 수십 V 의 에너지 를 이용 하 여 포토레지스트 막 을 노광 할 수 있 다 . 아울러 포토레지스트 막 을 이용 하 여 패턴 을 형성 함 으로써 수십 nm 수준 의 패턴 을 형성 할 수 있 어 좁 은 선폭 의 구조물 을 형성 할 수 있 다 .