또한 , 상기 본 발명 의 실시 형태 에서 는 , 논 도프 의 아몰 퍼스 실리콘 막 상 에 불순물 을 함유 한 아몰 퍼스 실리콘 막 을 성막 하 고 , 그 후 열처리 함 으로써 , 상층 의 불순물 을 하층 에 고상 확산 시켜 불순물 을 활성 화 함 과 함께 , 아몰 퍼스 실리콘 을 다 결정 화 시켜 , 불순물 을 함유 한 다결정 실리콘 막 을 성막 하 였 지만 , 이 불순물 을 함유 한 다결정 실리콘 막 의 성막 공정 으로서 는 , 하 기 의 방법 을 이용 할 수 도 있 다 .