도 8 에 도시 된 공정 흐름 도 를 이용 하 여 제 3 실시 예의 카메라 모듈 을 제조 하 는 것 도 가능 하 다 . 도 3 에 도시 된 수지 마스크 패턴 형성 ( 단계 S 6 ) , 실리콘 기판 에칭 ( 단계 S 7 ) , 및 수지 마스크 패턴 제거 ( 단계 S 8 ) 대신 에 , 도 8 에 도시 된 공정 흐름 도 의 CMP 또는 습식 에칭 에 의해 접착제 ( 20 ) 의 바로 아래 에 있 는 실리콘 기판 ( 10 ) 의 두께 가 공동 ( 18 ) 의 바로 아래 에 있 는 실리콘 기판 ( 10 ) 의 두께 보다 얇 게 된다 .