이어서 , 폴리 실리콘 층 ( 13 ) 상 에 마스크 패턴 ( 14 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 마스크 패턴 ( 14 ) 은 후속 플 라즈 마 도핑 시 도핑 베리어 로 사용 하 기 위한 것 으로 , 폴리 실리콘 층 ( 13 ) 상 에 감광막 을 코팅 하 고 노광 및 현상 으로 도핑 영역 이 오픈 되 도록 패 터닝 하 여 형성 할 수 있 다 . 이때 , 도핑 영역 은 NMOS 영역 또는 PMOS 영역 일 수 있 다 .