로 된다 . 수학식 5 의 우변 은 Vg 의 함수 이 다 . 이 수학식 으로부터 알 수 있 는 바 와 같이 , 종축 을 ln ( Id / Vg ) , 횡축 을 1 / Vg 로서 실측값 을 플롯 하 여 얻 어 지 는 그래프 의 직선 의 기울기 로부터 결함 밀도 N 이 구해진다 . 즉 , 트랜지스터 의 Id - Vg 특성 으로부터 , 결함 밀도 를 평가 할 수 있 다 . 산화물 반도체 로서 는 , 인듐 ( In ) , 주석 ( Sn ) , 아연 ( Zn ) 의 비율 이 , In : Sn : Zn = 1 : 1 : 1 의 것 에서 는 결함 밀도 N 은 1 × 1012 / ㎠ 정도 이 다 .