이때 , 임의 의 막 에 대한 패 터닝 ( patterning ) 은 통상 포토 리소그래피 ( photo - lithography ) 공정 과 뒤이 은 식각 ( etching ) 공정 을 이용 하 며 , 먼저 포토 리소그래피 공정 을 통해 임의 의 막 위 에 감광막 ( photo - resist ) 을 도포 하 고 이 를 노광 ( exposure ) 및 현상 ( developing ) 함 으로써 임의 의 막 상부 에 원하 는 형상 의 감광막 패턴 을 형성 하 며 , 이 와 같이 형성 된 감광막 패턴 을 이용 하 여 하부 의 막 을 선택 적 으로 식각 하 여 제거 함 으로써 수행 된다 .