구체 적 으로 는 보호막 ( 24 ) 에 의해 피복 된 반도체 웨이퍼 ( 2 ) 에서 , 상기 와 같이 가공 홈 ( 25 ) 을 형성 한 후 , 보호막 ( 24 ) 과 가공 홈 ( 25 ) 으로부터 노출 되 는 반도체 기판 ( 20 ) 의 표면 ( 20 a ) 에 대하 여 플 라즈 마 조사 를 실시 함 으로써 , 반도체 웨이퍼 ( 2 ) 가 , 반도체 칩 ( 22 ) 의 형상 에 따라 절단 되 고 , 반도체 웨이퍼 ( 2 ) 가 반도체 칩 ( 22 ) 으로 분할 된다 .