도 9 b 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 470 ) 의 상부 에 제 1 층간 절연 층 ( 433 a ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 1 층간 절연 층 ( 433 a ) 은 물리 적 기상 증착 법 ( Physical Vapor Deposition ; PVD ) 및 / 또는 화학 적 기상 증착 법 ( Chemical Vapor Deposition ; CVD ) 등 의 방법 에 의해 반도체 기판 ( 470 ) 상부 에 절 연막 을 증착 시킴 으로써 형성 할 수 있 다 . 도 5 의 단위 화소 를 제조 하 기 위하 여 제 1 층간 절연 층 ( 433 a ) 를 형성 하 기 위해 증착 되 는 절연 막 은 이산화규소 의 유전율 인 3 . 9 보다 작 은 유전율 을 갖 는 물질 로 구성 될 수 있 다 . 도 9 b 에 는 도시 되 지 않 았 으나 , 제 1 층간 절연 층 ( 433 a ) 가 형성 된 후 에 평탄 화 공정 이 수행 될 수 있 다 .