이상 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 게이트 구조 와 그 제조 방법 은 게이트 절 연막 의 양쪽 가장자리 에 보호 산화 막 을 형성 함 으로써 게이트 식각 공정 에서 게이트 절 연막 이 노출 되 지 않 아 플 라즈 마 손상 을 피할 수 있 다 . 따라서 핫 캐리어 효과 에 의한 게이트 절 연막 의 특성 저하 를 방지 할 수 있 고 반도체 소자 의 신뢰 성 을 개선 할 수 있 다 . 또한 , 저 농도 이온 주입 에 이용 되 는 임시 산화 막 의 증착 공정 과 제거 공정 에서 게이트 절 연막 의 손상 을 방지 한다 .