상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 장치 는 , 이온 주입 에 의한 소오 스 드레 인 형성 이후 소오 스 드레 인 영역 에 실리사이드 를 형성 하 는 공정 에서 실리사이드 영역 자체 가 실질 적 으로 소오 스 드레 인 영역 의 역할 을 하 도록 소오 스 드레 인 영역 의 실리사이드 층 깊이 가 소오 스 드레 인 영역 의 불순물 층 형성 깊이 의 50 % 이상 되 도록 형성 하 는 것 을 특징 으로 한다 .