메모리 막 ( 123 ) 은 도 6 a 에 도시 된 제 1 블로킹 절 연막 ( 123 a ) , 데이터 저 장막 ( 123 b ) , 및 터널 절 연막 ( 123 c ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 블로킹 절 연막 ( 123 a ) , 데이터 저 장막 ( 123 b ) , 및 터널 절 연막 ( 123 c ) 각각 은 채널 홀 ( 121 ) 의 표면 을 따라 연장 될 수 있 다 . 제 1 블로킹 절 연막 ( 123 a ) , 데이터 저 장막 ( 123 b ) , 및 터널 절 연막 ( 123 c ) 은 도 2 b 를 참조 하 여 설명 된 제 1 블로킹 절 연막 ( BI 1 ) , 데이터 저 장막 ( DS ) , 및 터널 절 연막 ( TI ) 의 물질 들 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 .