반도체 메모리 장치 는 크 게 휘발 성 반도체 메모리 장치 ( volatile semiconductor memory device ) 와 불 휘발 성 반도체 메모리 장치 ( non - volatile semiconductor memory device ) 로 구분 된다 . 휘발 성 반도체 메모리 장치 는 읽 고 쓰 는 속도 가 빠르 지만 외부 전원 공급 이 끊기 면 저장 된 내용 이 사라져 버리 는 단점 이 있 다 . 반면 에 , 불 휘발 성 반도체 메모리 장치 는 외부 전원 공급 이 중단 되 더라도 그 내용 을 보존 한다 . 그러므로 , 불 휘발 성 반도체 메모리 장치 는 전원 이 공급 되 었 는지 의 여부 에 관계없이 보존 되 어야 할 내용 을 기억 시키 는 데 쓰인다 . 불 휘발 성 반도체 메모리 장치 로 는 마스크 롬 ( mask read - only memory , MROM ) , 프로그램 가능 한 롬 ( programmable read - only memory , PROM ) , 소거 및 프로그램 가능 한 롬 ( erasable programmable read - only memory , EPROM ) , 전기 적 으로 소거 및 프로그램 가능 한 롬 ( electrically erasable programmable read - only memory , EEPROM ) 등 이 있 다 .