전술 한 반도체 층 ( 1130 ) 상 에 는 제 1 절연 층 ( 111 b , 도 7 ) 이 배치 되 고 , 제 1 절연 층 ( 111 b ) 상 에 는 스캔 라인 ( SL ) , 이전 스캔 라인 ( SL - 1 ) , 발광 제어 라인 ( EL ) 및 구동 게이트 전극 ( G 1 ) 이 배치 될 수 있 다 . 제 1 절연 층 ( 111 b ) 은 실리콘 옥사이드 , 실리콘 나이트 라이드 , 실리콘 옥시 나이트 라이드 와 같 은 무기물 을 포함 할 수 있 다 . 스캔 라인 ( SL ) , 이전 스캔 라인 ( SL - 1 ) , 발광 제어 라인 ( EL ) 및 구동 게이트 전극 ( G 1 ) 은 , 몰리 브 데 늄 ( Mo ) , 알루미늄 ( Al ) , 구리 ( Cu ) , 티타늄 ( Ti ) 및 이 들 의 합금 과 같 은 금속 을 포함 할 수 있 다 .