현재 경질 기판 위 에 박막 트랜지스터 ( TFT ) 를 제작 하 는 기술 이 이미 성숙 단계 로 들어서 고 있 지만 , 가요 성 기판 위 에 TFT 를 제작 하 는 기술 이 아직 도 더 개발 될 필요 가 있 다 . 일반 적 으로 가요 성 기판 위 에 TFT 를 제작 할 때 에 는 먼저 가요 성 기판 을 경질 기판 위 에 점착 시킨 후 에 박막 형성 공정 을 진행 해야 한다 . 가요 성 기판 과 경질 기판 의 열팽창 계수 의 차이 ( thermal expansion coefficient mis - match ) 가 매우 크 기 때문 에 , 가요 성 기판 위 에서 다양 한 박막 형성 공정 ( 고온 공정 ) , 리 소그라 피 ( Lithography ) 공정 , 에칭 공정 을 실시 할 때 , 조작 온도 상승 으로 인해 가요 성 기판 에 밴 딩 이 생긴다 . 주의 할 것 은 밴 딩 이 심한 가요 성 기판 위 에서 박막 형성 공정 을 수행 할 경우 막 층 과 막 층 사이 에 심각 한 오정 열 ( mis - alignment ) 이 나타나 서 공정 이 실패 하 게 되 므로 , 가요성 어레이 기판 의 공정 수율 을 높이 기 어렵 다는 것 이 다 .