트랜지스터 ( 200 f ) 는 S - channel 구조 를 갖 기 때문 에 , 채널 을 유발 시키 기 위한 전계 를 도전 층 ( 221 또는 223 ) 에 의하 여 반도체 층 ( 231 ) 에 효과 적 으로 인가 할 수 있 다 . 그러므로 , 트랜지스터 ( 200 f ) 의 전류 구동 능력 이 향상 되 고 높 은 온 상태 전류 특성 을 얻 을 수 있 다 . 온 상태 전류 가 높 아 진 결과 , 트랜지스터 ( 200 f ) 의 크기 를 축소 할 수 있 다 . 또한 , 트랜지스터 ( 200 f ) 는 반도체 층 ( 231 ) 이 도전 층 ( 221 및 223 ) 으로 둘러싸인 구조 를 갖 기 때문 에 , 트랜지스터 ( 200 f ) 의 기계 적 강도 를 높일 수 있 다 .