이때 , 상기 교번 자기장 은 상기 비정질 실리콘 층 ( 102 ) 과 수직 한 방향 으로 인가 되 고 , 상기 비정질 실리콘 층 ( 102 ) 은 상기 척 ( 201 ) 에 의해 가열 되 어 400 내지 500 ℃ 의 온도 로 유지 되 어 있 다 . 이러 한 조건 에서 상기 교번 자기장 은 상기 비정질 실리콘 층 ( 102 ) 내 에서 와상 전류 ( Eddy Current ) 가 발생 하 게 되 고 , 이러 한 와상 전류 는 옴 의 법칙 ( Ohm ' s Law ) 에 의해 줄 열 이 발생 하 여 상기 비정질 실리콘 층 ( 102 ) 을 제 1 다결정 실리콘 층 ( 103 ) 으로 결정 화 한다 .