다음 으로 각 화소 구조 ( 11 ) 에 배치 된 각 구조 의 기능 및 동작 에 대하 여 설명 한다 . 주사 배선 ( 21 ) 에 펄스 상 의 선택 전압 이 인가 됨 으로써 , 주사 배선 ( 21 ) 에 평행 한 방향 , 즉 도 1 에서 는 지면 을 향해서 상하 의 방향 으로 나열 되 어 배치 되 는 동일 열 의 화소 가 선택 된다 . 선택 전압 이 주사 배선 ( 21 ) 에 인가 되 는 선택 기간 동안 에 , 신호 배선 ( 23 ) 에 화상 신호 전압 이 인가 된다 . 상기 선택 기간 동안 에 는 게이트 전극 , 소스 전극 ( 24 ) , 드레 인 전극 ( 25 ) , 반도체 층 ( 26 ) 및 제 1 절 연막 ( 30 ) 등 에 의해서 구성 되 는 TFT 스위칭 소자 가 온 상태 가 되 어 , 신호 배선 ( 23 ) 에 접속 된 소스 전극 ( 24 ) 으로부터 드레 인 전극 ( 25 ) 으로 화상 신호 전압 이 인가 됨 과 아울러 , 소스 전극 ( 24 ) 으로부터 콘택트 홀 ( 28 ) 에 의해서 드레 인 전극 ( 25 ) 과 접속 된 화소 전극 ( 29 ) 에 화상 신호 전압 이 인가 된다 . 이렇게 해서 , 동일 열 의 화소 전극 ( 29 ) 에 일제히 화상 신호 전압 이 인가 된다 .