금속 함유 촉매 층 ( 118 ) 을 이용 한 유전체 층 표면 ( 120 ) 의 코팅 , 실라 놀 가스 를 함유 한 프로세스 가스로 의 노출 을 사용 하 는 SiO 2 퇴적 프로세스 , 및 에칭 프로세스 는 SiO 2 막 ( 130 ) 의 두께 를 증가 시키 기 위해 적어도 한번 반복 될 수 있 다 . 도 2 d 는 프로세스 를 7 번 반복 하 고 SiO 2 막 ( 130 ) 내 에 자기 정렬 된 리세 스 된 특징 부 ( 142 ) 를 형성 한 이후 의 평탄 화 된 기판 ( 200 ) 을 도시 한다 .