상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 은 , 기판 상 에 식각 을 통하 여 한 쌍 의 전극 이 형성 될 홈 들 을 형성 하 는 단계 , 한 쌍 의 전극 이 형성 될 홈 들 에 금속 박막 을 증착 하 여 한 쌍 의 전극 을 형성 하 는 단계 및 한 쌍 의 전극 에 전압 을 인가 하 여 비 균일 전기장 의 형성 으로 인한 유전 영동 을 포함 하 는 전기 화학 적 힘 에 의해 한 쌍 의 전극 간 에 반도체 나노 선 을 정렬 하 는 단계 를 포함 한 것 을 특징 으로 하 는 나노 선 전계 효과 트랜지스터 의 제조 방법 을 제공 한다 .