해당 업계 종사자 가 이해 할 수 있 는 바 와 같이 , NAND 스트링 내 의 선택 된 메모리 셀 에서 수행 되 는 감지 동작 에서 , 스트링 의 선택 되 지 않 은 메모리 셀 이 바이어스 되 어 전 도 상태 에 놓이 도록 한다 . 이러 한 감지 동작 에서 , 선택 된 셀 에 저장 되 는 데이터 는 , 스트링 에 대응 하 는 비트 라인 에서 감지 되 는 전류 및 / 또는 전압 에 근거 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 선택 된 셀 에 저장 되 는 데이터 는 , 비트 라인 전류 가 특정 양 만큼 변화 하 는지 또는 비트 라인 전류 가 지정 시간 기간 내 에 특정 레벨 에 도달 하 는지 아닌지 에 근거 할 수 있 다 .