도 11 은 도 8 의 S 840 및 S 850 단계 의 실시 예 이 다 . 도 11 에 도시 된 바 와 같이 , 포토 리소그래피 ( photolithography ) 를 진행 하 고 SiO 2 및 TiO 2 를 플 라즈 마 에칭 ( plasma etching ) 하 여 캐소드 영역 인 MIS 컨 택 영역 ( 901 ) 에 TiO 2 층 ( 710 a ) 을 남겨 두 고 애노드 ( anode ) 영역 인 MS 컨 택 영역 ( 902 ) 을 정의 한다 . 이때 , TiO 2 층 을 식각 하 기 위해 SF 6 ( 6 - 플루오린화 황 ) 을 이용 하 여 건식 식각 ( dry etching ) 공정 을 진행할 수 있 다 . 이후 남 은 SiO 2 층 에서 제 2 영역 인 MS 컨 택 영역 ( 902 ) 을 식각 하 기 위해 도 9 와 같이 HF 용액 을 이용 하 여 습식 식각 프로세스 를 진행할 수 있 다 .