다음 , 마스크 패턴 ( 54 ) 을 마스크 로 하 여 도전 층 ( 150 ) 을 식각 하 여 도 26 에 도시 한 바 와 같이 게이트 전극 ( 154 d ) 및 더미 전극 ( 154 d 1 ) 을 형성 한다 . 이 때 식각 은 습식 식각 을 이용 할 수 있 다 . 게이트 전극 ( 154 d ) 의 가장자리 는 마스크 패턴 ( 54 ) 의 부분 ( 54 a ) 의 가장자리 보다 안쪽 에 위치 할 수 있 고 , 더미 전극 ( 154 d 1 ) 의 가장자리 는 마스크 패턴 ( 54 ) 의 부분 ( 54 b ) 의 가장자리 보다 안쪽 에 위치 할 수 있 도록 식각 될 수 있 다 .