반도체 층 ( ACT ) 은 채널 영역 과 , 채널 영역 의 양 측 에 배치 되 며 , 불순물 이 도핑 된 소스 영역 및 드레 인 영역 을 포함 할 수 있 다 . 상기 소스 영역 은 제 6 트랜지스터 ( T 6 ) 의 소스 전극 ( SE ) 과 연결 되 고 , 상기 드레 인 영역 은 제 6 트랜지스터 ( T 6 ) 의 드레 인 전극 ( DE ) 과 연결 될 수 있 다 .