청구 항 20 에 기재 된 발명 은 , 상기 공동 공진기 는 , 공동 부 의 용적 혹은 형상 중 적어도 어느 하나 를 변화 시킴 으로써 , 공진 주파수 를 변화 시키 는 것 이 가능 한 웨이퍼 연마 모니터 장치 로 하 였으므로 , 공동 공진기 의 공진 주파수 를 적절히 조정 함 으로써 , 도전 성막 의 연마 가 진행 되 어 , 표피 깊이 로 정의 되 는 극히 얇 은 막 두께 에 달한 이후 의 막 두께 의 변화 에 따른 전자파 의 투과 계수 , 반사 계수 혹은 손실 계 수 를 크 게 변화 시킬 수 가 있 다고 하 는 이점 이 있 다 .