도 5 는 본 발명 의 대안 적 인 예시 적 인 실시 예 를 나타낸다 . 도 5 의 실시 예 에서 , 듀얼 권선 이 단일 자기 코어 에 이용 된다 . 제 1 EAS 권선 ( 56 ) 이 인덕 터 ( 58 ) 및 저항기 ( 60 ) 에 의해 도 5 에 표현 된다 . 제 1 EAS 권선 ( 56 ) 은 커패시터 ( 62 ) 와 전기 적 으로 병렬 관계 로 위치 되 어 , 이 에 의해 관련 주파수 F 1 로 튜닝 된다 . 주파수 F 1 을 갖 는 자계 내 에 위치 될 때 , 전압 V 1 이 자기 코어 에 걸쳐서 나타난다 . 주파수 F 1 에서 의 전압 V 1 의 레벨 이 미리 결정 된 레벨 에 도달 할 때 , EAS 신호 인 에 이 블 회로 ( 64 ) 는 압 전 스피커 , 섬광등 등 과 같 은 경보 디바이스 ( 70 ) 를 구동 하 는 경보 회로 ( 68 ) 를 트리 거하 는 인 에 이 블 신호 ( 66 ) 를 생성 한다 . 일 실시 예 에서 , 인 에 이 블 신호 ( 66 ) 는 I / O 포트 들 중 하나 를 통해서 RFID 칩 ( 72 ) 으로 또한 인가 되 어 , EAS 경보 신호 가 원격 RFID 판독기 ( 86 ) 에 전송 되 게 한다 .