폴리 이미드 층 의 제 2 배치 는 W 표면 상 에서 250 증착 사이클 을 갖 는 단계 의 경우 7 nm 와 1000 증착 사이클 을 갖 는 단계 의 경우 28 nm 범위 의 두께 를 갖 는 것 으로 밝혀졌 다 . 실리콘 산화물 표면 상 의 폴리 이미드 층 두께 는 250 증착 사이클 을 갖 는 단계 의 경우 4 nm 와 1000 증착 사이클 을 갖 는 단계 의 경우 6 nm 의 범위 였 다 . 따라서 , 폴리 이미드 증착 은 190 ℃ 의 반응 온도 에서 선택 적 이 었 다 . W 표면 에서 의 성장 속도 는 약 0 . 2 ~ 1 Å / 사이클 이 었 다 .