또한 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 따르 면 , 게이트 절 연막 ( 240 ) 은 750 ~ 950 ℃ 의 온도 하의 노 ( 爐 , Furnace ) 에서 습식 또는 건식 산화 방식 으로 20 ~ 70 Å 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 게이트 절 연막 ( 240 ) 에 대한 형성 공정 은 엔 모스 영역 ( 2000 n ) 과 피 모스 영역 ( 2000 p ) 에서 게이트 절 연막 의 두께 를 달리 하 는 듀얼 게이트 절연 ( Dual gate insulating ) 막 방법 으로 수행 될 수 있 다 . 그리고 , 게이트 절 연막 ( 240 ) 에 대한 형성 공정 은 플 라즈 마 질화 산화 ( Plasma nitrified oxide ) 방법 이나 , 라디컬 산화 ( Radical oxide ) 방법 으로 도 수행 할 수 있 다 .