LED ( n - 층 ( 16 ) ) 의 상부 표면 은 증가 된 광 추출 을 위해 텍스처 링 된다 ( textured ) . 하나 의 실시 예 에서 , " 층 ( 16 ) 은 KOH 용액 ( 46 ) 을 이용 하 여 광전기 화학 적 으로 ( photo - electrochemically ) 에칭 된다 . 이것 은 ( n - 타입 Si 도핑 을 갖 는 ) GaN 표면 에 "" 화이트 "" 거칠 기 ( "" white "" roughness ) 를 형성 한다 . 이 에칭 프로세스 는 또한 n - 층 ( 16 ) 을 더 박막 화 하 고 LED 형성 프로세스 동안 에 성장 된 에칭 정지 층 ( etch stop layer ) 을 이용 하 여 미리 결정 된 두께 에서 정지 하 여 ", 매끄러운 표면 을 남기 기 위해 이용 될 수 있 다 . 이 후자 의 방법 은 공명 장치 설계 를 위해 유용 하 다 . 그러 한 장치 들 에서 는 , 이제 LED 의 상부 표면 위 에 미러 스택 ( mirror stack ) ( 예 를 들 면 , 브래그 반사체 ( Bragg reflector ) ) 이 증착 될 수 있 다 . 추가 적 인 광 추출 기법 들 은 마이크 론 또는 나노미터 스케일 패턴 에칭 ( micron or nanometer scale patterned etching ) ( 딤플 ( dimple ) 또는 광 결정 ( photonic crystal ) ) 을 포함 할 수 있 다 .