이어서 상기 발광 층 위 에 정공 차단 층 으로 Bis ( 2 - methyl - 8 - quinolinato ) ( p - phenylphenolato ) aluminum ( III ) ( BAlq ) 을 10 nm 의 두께 로 증착 시키 고 , 실시 예 6 과 동일 한 방법 으로 정공 차단 층 과 전자 전달 층 , 전자 주입 층 을 증착 한 후 , 다른 진공 증착 장비 를 이용 하 여 Al 음극 을 150 nm 의 두께 로 증착 하 여 OLED 를 제작 하 였 다 .