그 후 , 제조 시스템 은 단계 ( S 1250 ) 에서 도 16 과 같이 희생 막 ( 1410 ) 을 제거 하 여 희생 막 ( 1410 ) 에 제거 된 공간 에 기판 ( 1310 ) 에 매몰 되 도록 소스 라인 ( 1620 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 단계 ( S 1250 ) 에서 제조 시스템 은 , 텅스텐 , 티타늄 , 탄 탈륨 등 의 도전 성 물질 로 소스 라인 ( 1620 ) 을 형성 할 수 있 다 .