베이스 층 ( BL ) 의 상면 에 적어도 하나 의 무기 층 을 형성 한다 . 무기 층 은 알루미늄 옥사이드 , 티타늄 옥사이드 , 실리콘 나이트 라이드 , 실리콘 옥사이드 , 실리콘 옥시 나이트 라이드 , 지르코늄 옥사이드 , 및 하프늄 옥사이드 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 무기 층 은 다층 으로 형성 될 수 있 다 . 다층 의 무기 층 들 은 버퍼 층 ( BFL ) 을 구성 할 수 있 다 . 버퍼 층 ( BFL ) 은 외부 로부터 이 물질 이 유입 되 는 것 을 방지 한다 . 또한 , 버퍼 층 ( BFL ) 은 베이스 층 ( BL ) 에 직접 형성 된 도전 성 패턴 들 또는 반도체 패턴 들 대비 결합력 을 향상 시킬 수 있 다 .