도 2 의 예 에 도시 된 바 와 같이 , 링 ( 200 ) 은 n 형 도핑 된 실리콘 의 외부 링 ( 211 ) 으로 둘러싸이 고 , 링 내부 의 영역 ( 212 ) 은 p 형 도핑 되 어 , 도파관 자체 를 PIN ( positive - intrinsic - negative ) 다이오드 의 진성 영역 으로 만든 다 . 물론 도핑 은 외부 링 ( 211 ) 이 p 형 도핑 되 고 링 내부 의 영역 ( 212 ) 이 n 형 도핑 되 는 반대 방식 일 수 있 다 . 단자 ( 214 ) 에서 접합부 양단 에 전압 이 인가 되 면 , 링 도파관 ( 200 ) 내 로 전자 및 홀 이 주입 되 어 , 굴절 률 및 공진 주파수 가 변하 며 이 로써 더 이상 동일 한 파장 의 광 을 통과 시키 지 않 게 된다 . 따라서 , 전압 을 턴 온 하 면 광 빔 이 오프 로 전환 되 어 스위치 를 작동 시킨다 .