제 2 사이드 월 구조 체 는 전술 한 제 1 사이드 월 구 조체 와 동일 한 구조 여도 되 고 , 또는 상이 한 구조 여도 된다 . 전술 한 바 와 같이 , 게이트 와 드레 인 사이 의 전계 집중 을 완화 시키 는 것 이 본 발명 에 관련 된 트랜지스터 에 있 어서 중요 한 것 이 된다 . 그래서 , 드레 인 측 에 위치 하 는 제 1 사이드 월 구조 체가 제 1 도전 성 사이드 월 구 조체 를 포함 하 고 , 또한 그 제 1 도전 성 사이드 월 구조 체가 게이트 및 드레 인 으로부터 전기 적 으로 절연 되 고 , 또한 제 1 용량 ( C 1 ) 의 역수 는 제 2 용량 ( C 2 ) 의 역수 보다 크 게 함 으로써 , 그 제 1 도전 성 사이드 월 구조 체의 전위 가 , 게이트 전위 와 비교 하 여 보다 드레 인 을 강하 게 추종 하 도록 하 면 된다 . 따라서 , 소스 측 에 위치 하 는 제 2 사이드 월 구 조체 에 이러 한 요구 가 없 는 경우 에 는 , 반드시 전술 한 제 1 도전 성 사이드 월 구 조체 와 동일 한 구조 로 할 필요 는 없 다 . 예 를 들 어 , 제 2 사이드 월 구 조체 를 기지 의 사이드 월 구조 체로 구성 하 는 것 이 가능 하 다 . 또한 , 제 2 사이드 월 구 조체 를 전술 한 제 1 사이드 월 구 조체 와 유사 한 구조 , 즉 층 구조 는 동일 하 지만 , 각 막 두께 나 물질 등 이 상이 한 구성 으로 하 는 것 도 가능 하 다 . 그러나 , 제 2 사이드 월 구 조체 를 제 1 사이드 월 구 조체 와 동일 한 구조 로 함 으로써 , 트랜지스터 의 제조 공정 수 를 저감 하 는 것 이 용이 해진다 . 이하 , 제 2 사이드 월 구조 체가 제 1 사이드 월 구 조체 와 동일 한 구조 를 취하 는 경우 에 관하 여 설명 한다 .