도 9 a 및 9 b 는 예시 적 인 반도체 디바이스 ( 100 ) 를 제조 하 기 위한 예시 적 인 방법 의 사시도 및 단면도 를 도시 한다 . 도 9 a 및 9 b 에 도시 된 예 에서 , 전자 컴 포 넨 트 ( 130 ) 가 서브 스트레이트 ( 110 ) 에 부착 될 수 있 거나 또는 서브 스 트레 레이트 ( 110 ) 에 임베디드 된 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 에 부착 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 의 폭 이 전자 컴 포 넨 트 ( 130 ) 의 폭 보다 클 수 있 다 . 이러 한 예 에서 , 전자 컴 포 넨 트 ( 130 ) 의 하 면 이 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 의 상면 또는 서브 스트레이트 ( 110 ) 의 상면 에 접착제 ( 170 A , 도 1 참조 ) 로 접착 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 의 폭 이 전자 컴 포 넨 트 ( 130 ) 의 폭 보다 작 을 수 있 다 . 이러 한 예 에서 , 전자 컴 포 넨 트 ( 130 ) 의 하 면 일부 는 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 의 상면 에 접착제 ( 170 A ) 로 접착 될 수 있 고 , 전자 컴 포 넨 트 ( 130 ) 의 하 면 일부 는 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 상면 에 접착제 ( 170 A ) 로 접착 될 수 있 다 . 전자 컴 포 넨 트 ( 130 ) 의 상면 은 터미널 ( 131 ) 을 포함 할 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 터미널 ( 131 ) 은 다 이 패드 , 본드 패드 , 솔 더 범프 또는 필라 범프 를 포함 하 거나 이 들 로 지칭 될 수 있 다 . 터미널 ( 131 ) 의 폭 은 대략 2 ㎛ 내지 대략 80 ㎛ 일 수 있 다 . 전자 컴 포 넨 트 ( 130 ) 는 MEMS 다이 , 반도체 다이 또는 반도체 칩 을 포함 하 거나 이 들 로 지칭 될 수 있 다 . 전자 컴 포 넨 트 ( 130 ) 의 두께 는 대략 200 ㎛ 내지 대략 300 ㎛ 일 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 전자 컴 포 넨 트 ( 130 ) 는 상면 상의 MEMS 또는 마이크 로 일렉트로 메 카니 컬 컴 포 넨 트 와 같 은 상면 상 의 액티브 영역 을 포함 할 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 전자 컴 포 넨 트 ( 130 ) 는 MEMS 영역 ( 132 ) 을 보호 하 기 위해 상면 에 접착제 ( 170 B , 도 1 참조 ) 로 부착 된 캡 ( 140 ) 을 더 포함 할 수 있 다 . 캡 ( 140 ) 의 하면 과 전자 컴 포 넨 트 ( 130 ) 의 상면 또는 액티브 영역 사이 에 갭 또는 스페이스 가 구비 될 수 있 다 . 캡 ( 140 ) 은 폭 이 전자 컴 포 넨 트 ( 130 ) 의 폭 보다 작 을 수 있 고 , 전자 컴 포 넨 트 ( 130 ) 의 터미널 ( 131 ) 과 중첩 되 지 않 은 채 부착 될 수 있 다 . 캡 ( 140 ) 은 커버 또는 리드 ( lid ) 로 지칭 될 수 있 다 . 캡 ( 140 ) 은 실리콘 , 글래스 , 금속 또는 수지 로 형성 될 수 있 다 . 캡 ( 140 ) 은 투명 또는 반투명 한 투명 ( 반투명 ) 재질 일 수 있 고 그리고 / 또는 캡 ( 140 ) 의 두께 는 대략 200 ㎛ 내지 대략 250 ㎛ 일 수 있 다 .