즉 , 입사광 ( L 1 ) 은 광 도파관 ( 335 ) 와 층간 절연 층 ( 333 ) 사이 의 전반사 임계각 보다 큰 임계각 ( θ 1 ) 으로 입사 하 여 굴절 됨 없이 포토 다이오드 ( 350 ) 로 입사 할 수 있 다 . 반면 , 입사광 ( L 2 ) 은 상기 전반사 임계각 보다 작 은 임계각 ( θ 2 ) 로 입사 하 여 층간 절연 층 ( 333 ) 내부 로 굴절 된다 . 굴절 된 입사광 ( L 2 ) 은 층간 절연 층 ( 333 ) 내부 의 금속 배선 층 ( 331 ) 에 의해 반사 되 어 인접 한 단위 화소 로 진입 할 수 있 다 . 이 경우 의도 하 지 않 게 이웃 한 단위 화소 로 입사 된 입사광 ( L 2 ) 은 해당 단위 화소 ( 300 ) 의 수광 효율 을 낮추 는 동시 에 인접 한 단위 화소 의 노이즈 로 작용 하 게 된다 . 이러 한 현상 은 단위 화소 ( 300 ) 의 수광 효율 을 낮추 고 단위 화소 ( 300 ) 들 사이 에 광학 적 크로스 토크 ( optical cross talk ) 를 발생 시켜 씨 모스 이미지 센서 의 성능 을 열화 시킬 수 있 다 .