순환 적 인 프로세스 는 여러 번 반복 된다 . 이러 한 예 에서 , 프로세스 는 10 내지 20 번 반복 된다 . 도 4 d 는 원자 층 에칭 이 10 사이클 넘 게 수행 된 후 스 트럭 쳐 ( 400 ) 의 개략 적 인 단면도 이 다 . 원자 층 에칭 은 게이트 스 트럭 쳐 들 ( 418 ) , 실리콘 층 ( 408 ) , 및 SiGe 또는 Si 콘택트 스 트럭 쳐 들 ( 412 ) 에 대해 SiO 및 SiN 층 들 을 선택 적 으로 에칭 했 다 . 이러 한 예 에서 , 중심 게이트 스 트럭 쳐 ( 418 ) 위 에 형성 된 SiN ( 420 ) 의 층 이 남 는다 . 이 는 SiN 의 원자 층 에칭 이 종횡비 에 좌우 되 기 때문 이 며 , 보다 낮 은 높이 대 폭 종횡비 를 갖 는 SiN 의 영역 이 SiN 을 보다 느리 게 에칭 하 고 , 플루오르 화 된 폴리머 가 금속 성 게이트 스 트럭 쳐 들 ( 418 ) 상 에 보다 두껍 게 증착 되 기 때문 이 다 . 이 는 보다 높 은 종횡비 를 가진 콘택트 스 트럭 쳐 들 ( 412 ) 위 에서 SiN 의 보다 빠른 에칭 을 발생 시킨다 .