제 2 트렌치 ( T 2 ) 의 하 면은 단차 를 가질 수 있 다 . 구체 적 으로 , 소자 분리 막 ( 110 ) 상 에 형성 되 는 제 2 트렌치 ( T 2 ) 의 하 면은 기판 ( 100 ) 의 활성 영역 ( AR ) 상 에 형성 되 는 제 2 트렌치 ( T 2 ) 의 하면 보다 높 게 형성 될 수 있 다 . 다만 , 본 발명 의 기술 적 사상 이 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 . 즉 , 다른 몇몇 실시 예 에서 , 소자 분리 막 ( 110 ) 상 에 형성 되 는 제 2 트렌치 ( T 2 ) 의 하 면은 기판 ( 100 ) 의 활성 영역 ( AR ) 상 에 형성 되 는 제 2 트렌치 ( T 2 ) 의 하면 과 동일 평면 상 에 형성 될 수 있 다 .