이 경우 , 상기 포토레지스트 패턴 외부 로 노출 된 보호 층 을 제거 하 여 상기 드레 인 전극 끝단 을 노출 시키 는 단계 는 상기 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴 외부 로 노출 된 보호 층 과 그 하부 의 게이트 절 연막 을 식각 함 으로써 상기 게이트 패드 전극 과 데이트 패드 전극 을 각각 노출 시키 는 제 1 , 2 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 와 ; 애 싱 ( ashing ) 을 실시 하 여 상기 제 1 두께 의 제 1 포토레지스트 패턴 을 제거 함 으로써 상기 화소 영역 의 중앙부 를 포함 하 여 상기 드레 인 전극 끝단 상부 의 보호 층 을 노출 시키 는 단계 와 ; 상기 제 1 포토레지스트 패턴 이 제거 됨 으로써 노출 된 보호 층 을 식각 하 는 단계 를 포함 하 며 , 이때 , 상기 제 1 포토레지스트 패턴 이 제거 됨 으로써 노출 된 보호 층 의 식각 은 등방 성 의 드라이 에칭 ( dry etching ) 을 실시 함 으로써 상기 기판 상 에 남 아 있 는 보호 층 이 상기 제 2 포토레지스트 패턴 하부 에서 언더 컷 형태 를 갖 도록 형성 되 는 것 이 특징 이 다 . 또한 이때 , 상기 포토레지스트 패턴 의 스트립 ( strip ) 은 상기 제 2 포토레지스트 패턴 의 스트립 ( strip ) 인 것 이 바람직 하 며 , 상기 화소 전극 을 형성 하 는 단계 는 상기 제 1 , 2 콘 택 홀 을 통해 상기 게이트 패드 전극 과 상기 데이터 패드 전극 과 각각 접촉 하 는 게이트 보조 패드 전극 과 데이터 보조 패드 전극 을 형성 하 는 단계 를 더욱 포함 한다 . 또한 , 이때 , 상기 화소 전극 은 , 상기 게이트 배선 까지 연장 형성 됨 으로써 상기 화소 전극 과 중첩 된 게이트 배선 을 제 1 스토리지 전극 , 상기 화소 전극 을 제 2 스토리지 전극 , 상기 화소 전극 과 게이트 배선 사이 에 형성 된 게이트 절 연막 을 유전체 층 으로 하 는 스토리지 커패시터 를 형성 하 는 것 이 특징