본 명세서 에 개시 하 는 반도체 장치 ( 예 를 들 어 , 실시 형태 1 및 실시 형태 2 에 있 어서 의 트랜지스터 ( 162 ) ) 에 적용 할 수 있 는 트랜지스터 의 단면 구조 의 예 를 도 15 a 내지 d 에 도시 한다 . 도 15 a 내지 d 에 도시 한 트랜지스터 는 절연 층 ( 400 ) 위 에 설치 하 는 예 를 나타내 지만 , 유리 기판 등 의 기판 위 에 설치 되 어도 좋 다 . 또한 , 도 15 a 내지 d 에 도시 하 는 트랜지스터 를 실시 형태 1 및 실시 형태 2 에 있 어서 의 트랜지스터 ( 162 ) 에 적용 하 는 경우 , 절연 층 ( 400 ) 은 , 절연 층 ( 128 ) 에 상당 한다 .