종래 의 반도체 메모리 장치 는 테스트 동작 시 에 AC 특성 테스트 및 기능 테스트 를 수행 하 게 되 며 , AC 특성 테스트 는 신호 지연 시간 및 억 세스 타임 등 의 동적 특성 을 테스트 하 는 것 이 고 , 기능 테스트 는 반도체 메모리 장치 로 테스트 데이터 를 라이트 하 고 리드 하 는 동작 을 수행 하 여 반도체 메모리 장치 의 내부 의 메모리 셀 어레이 의 셀 들 이 정상 셀 인지 불량 셀 인지 를 테스트 하 는 것 이 다 . AC 특성 테스트 와 기능 테스트 는 일반 적 으로 동시 에 수행 된다 . 예 를 들 면 , 외부 전원 전압 의 레벨 을 가 변하 면서 , 가변 된 외부 전원 전압 에서 반도체 메모리 장치 에 대한 기능 테스트 를 수행 하 여 스펙 상 의 억세 스 타임 ( 예 를 들 면 , 로우 어드레스 스트로 우 브 신호 ( RASB ) 가 활성 화 된 시점 에서부터 유효 출력 데이터 가 반도체 메모리 장치 의 출력 단자 로 출력 될 때 까지 의 시간 ) 을 만족 하 는지 를 테스트 하 게 된다 .