그 다음 , 상기 공정 챔버 ( 200 ) 에서 선행 되 는 해당 반도체 제조 공정 이 완료 된 웨이퍼 ( W ) 가 배출 되 거나 새로운 해당 반도체 제조 공정 이 수행 될 웨이퍼 ( W ) 가 상기 공정 챔버 ( 200 ) 에 전달 되 어야 할 경우 , 상기 제 1 진공 펌프 ( 160 ) 의 펌핑 에 의해 상기 로드 락 챔버 ( 100 ) 내부 의 공기 가 펌핑 되 어 제 2 설정 값 에 도달 토록 하 고 , 상기 제 1 진공 펌프 ( 160 ) 와 상기 로드 락 챔버 ( 100 ) 사이 의 제 1 펌핑 라인 ( 150 ) 에 형성 된 제 1 펌핑 밸브 ( 170 ) 를 계속 열 어 둔 채 로 상기 슬릿 밸브 ( 120 ) 를 열 어 상기 로드 락 챔버 ( 100 ) 와 상기 공정 챔버 ( 200 ) 를 서로 연통 시킨다 ( S 30 ) . 예컨대 , 상기 슬릿 밸브 ( 120 ) 가 열리 기 전 에 상기 로드 락 챔버 ( 100 ) 는 약 50 × 10 - 3 Torr 이 하의 진공 압 을 갖 도록 설정 될 수 있 다 . 또한 , 상기 공정 챔버 ( 200 ) 는 상기 제 2 및 제 3 진공 펌프 ( 262 , 264 ) 의 펌핑 에 의해 약 10 × 10 - 3 Torr 이하 의 진공 압 을 갖 도록 설정 되 어 있 기 때문 에 상기 슬릿 밸브 ( 120 ) 가 열려 지 더라도 상기 로드 락 챔버 ( 100 ) 내부 의 공기 가 상기 제 1 진공 펌프 ( 160 ) 로 펌핑 되 면서 일부 상기 공정 챔버 ( 200 ) 의 내부 로 유동 될 수 있 다 . 이때 , 상기 로드 락 챔버 ( 100 ) 내부 의 공기 가 유동 되 는 제 1 펌핑 라인 ( 150 ) 에 형성 된 상기 제 1 펌핑 밸브 ( 170 ) 가 열려 있 더라도 상기 공정 챔버 ( 200 ) 내부 의 공기 가 상기 로드 팍 챔버 내부 로 역류 되 어 발생 되 는 오염 을 방지 토록 할 수 있 다 .