제 2 익스텐션 ( 9 - 2 ) 은 불순물 이 도입 된 실리콘 으로 구성 하 는 것 이 가능 하 다 . 그 제 2 익스텐션 ( 9 - 2 ) 이 P 형 웰 ( 4 ) 에 형성 되 는 경우 , 그 불순물 은 N 형 불순물 로 구성 할 수 있 다 . 즉 , 제 2 익스텐션 ( 9 - 2 ) 은 N 형 불순물 이 도입 된 실리콘 으로 구성 할 수 있 다 . 불순물 의 농도 는 소스 ( 11 - 2 ) 의 불순물 의 농도 보다 낮 으면 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 전형 적 으로 는 1 E 20 [ 1 / ㎤] 여도 된다 . 제 2 익스텐션 ( 9 - 2 ) 의 깊이 는 소스 ( 11 - 2 ) 의 깊이 보다 얕 으면 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 전형 적 으로 는 50 ㎚ 여도 된다 . 제 2 익스텐션 ( 9 - 2 ) 의 외측 단부 는 소스 ( 11 - 2 ) 의 내측 단부 에 의해 획정 된다 . 제 2 익스텐션 ( 9 - 2 ) 의 내측 단부 는 게이트 구조 체의 제 2 측벽 에 대략 정합 하 고 , 그 제 2 익스텐션 ( 9 - 2 ) 이 게이트 ( 5 ) 에 대하 여 크 게 오버랩 도 오프셋 도 되 지 않 는 것 이 바람직 하 다 . 구체 적 으로 는 , 제 2 익스텐션 ( 9 - 2 ) 의 내측 단부 는 게이트 구조 체의 제 2 측벽 에 대하 여 ± 10 ㎚ 의 오 차 로 정합 하 는 것 이 바람직 하 다 .