지지막 ( 160 ) 은 채널 연결 패턴 ( 330 ) 상 에 형성 될 수 있 으며 , 지지 패턴 ( 165 ) 은 이 에 연결 되 어 기판 ( 100 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 상기 제 3 방향 으로 서로 이웃 하 는 상기 분리 구조물 들 사이 에서 , 지지막 ( 160 ) 은 상기 제 2 방향 으로 연장 될 수 있 으며 , 지지 패턴 ( 165 ) 은 상기 제 2 및 제 3 방향 들 을 따라 복수 개 로 형성 될 수 있 다 . 지지막 ( 160 ) 과 지지 패턴 ( 165 ) 은 서로 동일 한 물질 , 예 를 들 어 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 혹은 불순물 이 도핑 되 지 않 은 폴리 실리콘 을 포함 할 수 있 으며 , 서로 일체 적 으로 형성 될 수 있 다 .