이어서 , 저항 가열 을 사용 한 증착 법 에 의해 제 1 층 ( 1511 ) 위 에 정공 수송 성 재료 를 10 nm 의 두께 로 침착 시켜 , 정공 수송 층 인 제 2 층 ( 1512 ) 을 형성 하 였 다 . 또 , 발광 소자 1 을 형성 할 경우 에 는 4 , 4 '- 비스 [ N -( 1 - 나프 틸 ) - N - 페닐 아미노 ] 비페닐 ( 약칭 : NPB ) 을 사용 하 고 , 발광 소자 2 을 형성 할 경우 에 는 4 - 페닐 - 4 '-( 9 - 페닐 - 9 H - 카바졸 - 3 - 일 ) 트리 페닐 아민 ( 약칭 : PCBA 1 BP ) 을 사용 하 고 , 발광 소자 3 을 형성 할 경우 에 는 4 , " 4 '- 디페닐 - 4 ""-( 9 - 페닐 - 9 - H - 카바졸 - 3 - 일 ) 트리 페닐 아민 ( 약칭 : PCBBi 1 BP ) 을 사용 하 고 ", 발광 소자 4 를 형성 할 경우 에 는 9 , 9 - 디 메틸 - N - 페닐 - N -[ 4 -( 9 - 페닐 - 9 H - 카바졸 - 3 - 일 ) 페닐 ] - 플 루 오렌 - 2 - 아민 ( 약칭 : PCBAF ) 을 사용 하 고 , 발광 소자 5 를 형성 할 경우 에 는 N - 페닐 - N -[ 4 -( 9 - 페닐 - 9 H - 카바졸 - 3 - 일 ) 페닐 ] - 스피로 - 9 , 9 '- 비플 루 오렌 - 2 - 아민 ( 약칭 : PCBASF ) 을 사용 함 을 유의 한다 .