도 8 a 에 도시 된 바 와 같이 기판 ( 300 ) 상 에 스퍼터링 공정 에 의하 여 Ⅲ - Ⅴ 족 화합물 반도체 층 인 나노 물질 층 ( 310 ) 을 형성 한다 . 예 를 들 어 , Ⅲ - Ⅴ 족 화합물 반도체 는 AlN , GaN , GaP , AlAs , AlSb 중 하나 의 물질 일 수 있 다 . 나노 물질 층 ( 310 ) 의 두께 는 구현 하 고자 하 는 광학 적 기능 을 고려 하 여 적절히 결정 될 수 있 다 . 스퍼터링 온도 는 소망 하 는 조성 비 의 나노 물질 층 ( 310 ) 을 얻 을 수 있 도록 결정 된다 . 또한 스퍼터링 온도 는 나노 물질 층 ( 310 ) 의 산화 에 의하 여 나노 물질 층 ( 310 ) 상 에 소정 두께 미만 , 예 를 들 어 2 nm 미만 의 산화 막 이 형성 되 거나 산화 막 이 형성 되 지 않 도록 결정 될 수 있 다 . 또한 , 스퍼터링 온도 가 너무 높 으면 소망 하 는 표면 거칠 기 , 예 를 들 어 RMS ( Rq ) 2 . 5 nm 를 구현 할 수 없 으므로 , 이 를 고려 하 여 결정 된다 . 예 를 들 어 , 스퍼터링 온도 는 150 ~ 350 ℃ 정도 일 수 있 다 .