요약 하 자면 IPDs 는 저렴 한 비용 의 희생 기판 ( 30 ) 을 이용 하 여 형성 되 었 다 . 임시 적 인 캐리어 는 웨이퍼 의 후면 에 논 - 실리콘 기판 ( 62 ) 이 형성 될 때 까지 모든 반도체 소자 를 수용 한다 . 논 - 실리콘 기판 은 폴리머 매트릭스 조성물 필름 ( polymer matrix composite film ) , 유리 또는 몰딩 컴 파운드 와 같이 실리콘 을 대체 하 는 저렴 한 비용 의 기판 이 다 . 상기 공정 은 선행 기술 에서 흔히 이용 되 듯 높 은 저항률 을 지닌 고가 의 실리콘 웨이퍼 를 대체 하 는 논 - 실리콘 기판 을 포함 한다 .