상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 몇몇 실시 예 에 따른 반도체 장치 는 , 기판 상 에 교대 로 적층 되 는 복수 의 제 1 절연 패턴 및 복수 의 제 1 반도체 패턴 을 포함 하 고 , 기판 의 상면 과 평행 한 제 1 방향 으로 연장 되 는 제 1 적층 구조 체 , 제 1 적층 구조 체의 일 측면 상 에 , 기판 의 상면 과 교차 하 는 제 2 방향 으로 연장 되 는 제 1 도전 패턴 , 및 제 1 적층 구 조체 와 제 1 도전 패턴 사이 에 , 제 2 방향 으로 연장 되 는 제 1 강유전체 막 을 포함 하 고 , 각각 의 제 1 반도체 패턴 은 , 제 1 방향 을 따라 차례 로 배열 되 는 제 1 불순물 영역 , 제 1 채널 영역 및 제 2 불순물 영역 을 포함 한다 .