또한 , 도면 에 도시 되 어 있 지 않 으나 , 반도체 기판 ( 100 ) 에 는 활성 영역 을 정의 하 는 소자 분리 영역 ( 미 도시 ) 이 형성 된다 . 소자 분리 영역 은 LOCOS ( LOCal Oxidation of Silicon ) 방법 을 이용 한 FOX ( Field OXide ) 또는 STI ( Shallow Trench Isolation ) 가 될 수 있 다 . 여기 서 활성 영역 은 바 ( bar ) 또는 트랙 의 형태 로 형성 될 수 있 다 . 활성 영역 에 는 워드 라인 으로 제공 되 는 게이트 전극 및 소오 스 / 드레 인 영역 을 포함 하 는 MOS 트랜지스터 들 이 위치 한다 .