캡 핑 막 ( 205 ) 은 반사막 ( 204 ) 상 에 형성 되 어 흡 수막 ( 206 ) 의 패 터닝 을 위한 드라이 에칭 ( Dry Etching ) 공정 또는 세정 ( Cleaning ) 공정 시 하부 의 반사막 ( 204 ) 을 보호 하 는 역할 을 한다 . 이 를 위해 , 캡 핑 막 ( 104 ) 은 Ru 및 Nb 중 적어도 어느 하나 , 또는 Ru 또는 Nb 에 C , N , O 중 어느 하나 이상 이 포함 된 Ru 화합물 및 Nb 화합물 중 적어도 어느 하나 로 형성 된다 . 이때 주원 소인 Ru 또는 Nb 는 60 at % 이상 의 함유량 을 갖 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 캡 핑 막 ( 205 ) 은 그 상부 의 흡수 막 ( 206 ) 내 의 캡 핑 막 ( 205 ) 과 접하 는 층 , 즉 흡 수막 ( 206 ) 내 의 최 하부 층 에 대해 10 이상 의 식각 선택 비 를 갖 는 것 이 바람직 하 며 , 더욱 바람직 하 게 는 20 이상 의 식각 선택 비 를 갖 는다 . 식각 선택 비 가 큰 경우 , 상부 의 흡수 막 ( 206 ) 의 패 터닝 공정 시 캡 핑 막 ( 205 ) 의 식각 이 방지 되 어 하부 의 반사막 ( 204 ) 을 적절히 보호 할 수 있 게 된다 .