도 5 에 도시 한 타이밍 차트 는 , 입력 기간 Ta 에서 제 2 워드 선 WLBG 의 전위 만 이 도 4 와 다르 다 . 구체 적 으로 도 5 에서 는 , 입력 기간 Ta 에서 , 제 1 워드 선 WLCG 1 이 선택 된 기간 에 , 입력 을 행하 는 행의 메모리 셀 이 갖 는 제 2 워드 선 WLBG 1 에 접 지 전위 ( GND ) 가 공급 되 어 있 다 . 또한 , 제 1 워드 선 WLCGy 가 선택 된 기간 에 , 입력 을 행하 는 y 행 째 의 메모리 셀 이 갖 는 제 2 워드 선 WLBGy 에 접 지 전위 ( GND ) 가 공급 되 어 있 다 . 상기 구성 에 의해 , 데이터 의 입력 이 행해 지 는 기간 에서 트랜지스터 ( 101 ) 의 문턱 전압 을 낮출 수 있 기 때문 에 , 유지 기간 Ts 에서 전하 의 누설 을 억제 하 면서 도 , 입력 기간 Ta 에서 메모리 셀로 의 데이터 의 입력 을 고속 화 시킬 수 있 다 .