도 1 은 본 개시 의 일 예 에 따른 비휘발성 메모리 시스템 을 나타내 보인 블록 도 이 다 . 그리고 도 2 는 도 1 의 비휘발성 메모리 소자 의 내부 구성 을 나타내 보인 도면 이 다 . 도 1 을 참조 하 면 , 본 예 에 따른 비휘발성 메모리 시스템 ( 100 ) 은 , 비휘발성 메모리 소자 ( NVM ) ( 110 ) 및 메모리 컨트롤러 ( 120 ) 를 포함 할 수 있 다 . 일 예 에서 비휘발성 메모리 소자 ( NVM ) ( 110 ) 는 , PRAM , FRAM , MRAM , NFGM ( Nano Floating Gate Memory ) , 또는 폴리머 램 ( Polymer RAM ) 등 과 같이 비트 단위 ( 또는 셀 단위 ) 로 의 액세스 가 가능 한 비휘발성 메모리 소자 일 수 있 다 . 도 2 에 나타낸 바 와 같이 , 비휘발성 메모리 소자 ( 100 ) 는 , 복수 개 , 예컨대 M 개 의 블록 들 ( Block - 1 , Block - 2 , … , Block - M ) 을 포함 할 수 있 다 . 본 예 에 따른 비휘발성 메모리 소자 ( 100 ) 는 하나 의 칩 ( chip ) 형태 로 구성 될 수 있 다 . 각각 의 블록 은 1 개 의 대표 페이지 와 N 개 의 저장 페이지 들 을 포함 할 수 있 다 . 예컨대 첫 번 째 블록 ( Block - 1 ) 은 1 개 의 첫 번 째 대표 페이지 ( DP - 1 ) 와 N 개 의 첫 번 째 저장 페이지 들 ( P - 11 , P - 12 , P - 13 , … , P - 1 N ) 을 포함 하 여 구성 될 수 있 다 . 두 번 째 블록 ( Block - 2 ) 은 1 개 의 두 번 째 대표 페이지 ( DP - 2 ) 와 N 개 의 두 번 째 저장 페이지 들 ( P - 21 , P - 22 , P - 23 , … , P - 2 N ) 을 포함 하 여 구성 될 수 있 다 . 마찬가지 로 M 번 째 블록 ( Block - M ) 은 1 개 의 M 번 째 대표 페이지 ( DP - M ) 와 N 개 의 M 번 째 저장 페이지 들 ( P - M 1 , P - M 2 , P - M 3 , … , P - MN ) 을 포함 하 여 구성 될 수 있 다 .