또한 , 상기 도전 층 의 일부 를 제거 하 여 전극 ( 154 ) 을 형성 할 때 는 , 그 표면 이 평탄 해 지 도록 가공 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 면 , 개구 ( 153 ) 를 포함 하 는 영역 에 티타늄 막 이나 질화 티타늄 막 을 얇 게 형성 한 후 에 , 개구 ( 153 ) 에 매립 하 듯이 텅스텐 막 을 형성 하 는 경우 에 는 , 그 후 의 CMP 처리 에 의해 , 불 필요 한 텅스텐 , 티타늄 , 질화 티타늄 등 을 제거 하 는 동시 에 , 그 표면 의 평탄 성 을 향상 시킬 수 있 다 . 이 와 같이 전극 ( 154 ) 을 포함 하 는 표면 을 평탄 화 함 으로써 , 나중 의 공정 에 있 어서 , 양호 한 전극 , 배선 , 절연 층 , 반도체 층 등 을 형성 하 는 것 이 가능 해진다 .