일반 적 으로 반도체 소자 는 적 은 공간 에서 미세 한 구조 로 형성 되 기 때문 에 반도체 소자 를 제조 하 는 공정 에 는 패턴 을 형성 하 기 위해 노광 공정 이 필수 적 으로 사용 된다 . 이 와 같 은 노광 공정 에서 는 패턴 의 크기 와 패턴 의 형태 에 따라 패턴 의 왜곡 이 발생 된다 . 따라서 노광 시 발생 하 는 왜곡 들 을 최소 화 하 기 위하 여 해상력 이 더 좋 은 노광 장치 로 작 은 패턴 을 노광 하 여 전체 적 으로 원 하 는 패턴 을 형성 시킨다 . 그러나 이 와 같이 해상력 이 더 좋 은 노광 장치 를 이용 하 여 노광 하 는 방법 은 전체 패턴 형성 에 많 은 시간 이 걸리 게 된다 .