또한 , 상술 한 도 2 f 단계 이후 에 형성 되 는 상부 층 ( 미 도시 ) 이 빛 이 투과 하 지 않 는 물질 , 예컨대 , 폴리 실리콘 , 금속 층 또는 이 들 을 포함 하 는 물질 인 경우 에 는 도 2 g 의 ( ⅱ ) 와 같이 정렬 키 ( 135 ) 를 일부 식각 하 여 낮 은 단차 를 형성 한다 . 그 다음 , 이 단차 를 이용 하 여 정렬 키 를 리딩 한다 . 여기 서 , 정렬 키 ( 135 ) 는 800 ~ 1200 Å 두께 로 식각 하 여 단차 를 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이러 한 식각 공정 은 종래 에 진행 되 던 키 오픈 공정 에 비해 낮 은 두께 만 식각 하 여도 되 므로 , 반도체 기판 에 스트레스 를 유발 시키 지 않 는다 .