( 4 ) 　 식각 : ICP 식각 기술 을 사용 하 여 절차 ( 3 ) 의 사파이어 기판 을 식각 시키 고 , 그 중 BCl 3 / Cl 2 혹은 Ar / Cl 2 플 라즈 마 를 선택 하 여 기판 을 식각 시키 는데 , 식각 의 조건 은 다음 과 같 다 . BCl 3 의 유량 은 5 sccm ， Ar 의 유량 은 5 sccm ， Cl 2 의 유량 은 15 sccm ， 공체 압력 은 10 mTorr , ICP : 500 W ， RF : 50 W ， DC Bias : 80 V ， 식각 시간 은 15 분 이 며 ， 식각 후 , 기판 상 에 균일 하 게 직경 5 미크론 ( Micron ) 의 원기둥체 를 배치 시키 는데 , 이 때 , 원기둥체 의 높이 는 0 . 5 미크론 이 며 , 식각 후 사파이어 기판 의 두께 는 0 . 8 ~ 1 . 0 μ m 이 다 .