평탄 화 층 ( 140 ) 에 는 박막 트랜지스터 ( 210 ) 의 소스 전극 ( 215 ) 및 드레 인 전극 ( 217 ) 중 적어도 어느 하나 를 노출 시키 는 개구부 가 존재 하 며 , 이 개구부 를 통해 소스 전극 ( 215 ) 및 드레 인 전극 ( 217 ) 중 어느 하나 와 컨 택하 여 박막 트랜지스터 ( 210 ) 와 전기 적 으로 연결 되 는 화소 전극 ( 310 ) 이 평탄 화 층 ( 140 ) 상 에 배치 된다 . 화소 전극 ( 310 ) 은 ( 반 ) 투명 전극 또는 반사 형 전극 일 수 있 다 . 화소 전극 ( 310 ) 이 ( 반 ) 투명 전극 일 경우 에 는 예컨대 ITO , IZO , ZnO , In 2 O 3 , IGO 또는 AZO 를 포함 할 수 있 다 . 화소 전극 ( 310 ) 이 반사 형 전극 일 때 에 는 Ag , Mg , Al , Pt , Pd , Au , Ni , Nd , Ir , Cr 및 이 들 의 화합물 등 으로 형성 된 반사막 과 , ITO , IZO , ZnO , In 2 O 3 , IGO 또는 AZO 로 형성 된 층 을 포함 할 수 있 다 . 물론 본 발명 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 고 화소 전극 ( 310 ) 은 다양 한 재질 을 포함 할 수 있 으며 , 그 구조 또한 단층 또는 다층 이 될 수 있 는 등 다양 한 변형 이 가능 하 다 .