예 를 들 어 , 포토 레지스 트 ( 11 ) 가 양성 ( positive ) 인 경우 , 원 하 는 패턴 이 그려져 있 는 마스크 를 통해 EUV 등 의 빛 을 포토 레지스 트 ( 11 ) 에 비춘다 . 그러면 , 빛 을 받 은 포토 레지스 트 ( 11 ) 는 경화 된다 . 경화 된 포토 레지스 트 ( 11 ) 를 선택 적 으로 제거 하 는 용액 에 의해 제거 함 으로써 , 포토 레지스 트 ( 11 ) 막 에 패턴 을 형성 할 수 있 다 .