또한 , 미결정 반도체 막 을 채널 형성 영역 에 사용 한 박막 트랜지스터 ( TFT ) 를 화소 부 , 또 구동 회로 에 사용 하 여 표시 장치 를 제작 한다 . 본 발명 의 미결정 반도체 막 은 , 게이트 절 연막 과 의 계면 에서 의 결정 성 이 높 기 때문 에 , 상기 미결정 반도체 막 을 사용 한 박막 트랜지스터 는 , 그 전계 효과 이동도 가 2 . 5 내지 10 ㎠/ V · sec 로 , 비정질 반도체 막 을 사용 한 박막 트랜지스터 의 5 내지 20 배 의 전계 효과 이동도 를 갖 고 있 기 때문 에 , 구동회 로 의 일부 또는 전체 를 , 화소 부 와 같 은 기판 위 에 일체 형성 하 여 , 시스템 온 패널 을 형성 할 수 있 다 .