메모리 셀 ( 105 ) 액세스 는 로우 디코더 ( 120 ) 및 컬럼 디코더 ( 130 ) 를 통해 제어 될 수 있 다 . 로우 디코더 ( 120 ) , 감지 컴포넌트 ( 125 ) 및 컬럼 디코더 ( 130 ) 는 메모리 셀 들 ( 105 ) 아래 에 구성 될 수 있 다 . 이하 에서 설명 되 는 바 와 같이 , 이 들 컴포넌트 들 은 어레이 를 밑 에 놓인 기판 층 의 일부 를 점유 할 수 있 다 . 일부 예 에서 , 로우 디코더 ( 120 ) 는 메모리 제어기 ( 140 ) 로부터 로우 어드레스 를 수신 하 고 , 수신 된 로우 어드레스 에 기초 하 여 적절 한 워드 라인 ( 110 ) 을 활성 화 한다 ; 적절 한 워드 라인 ( 110 ) 은 후술 되 는 바 와 같이 타 겟 메모리 셀 ( 105 ) 을 포함 하 는 데크 ( desk ) 와 관련 된 워드 라인 ( 110 ) 일 수 있 다 . 유사 하 게 , 컬럼 디코더 ( 130 ) 는 메모리 제어기 ( 140 ) 로부터 컬럼 어드레스 수신 하 고 적절 한 디 지트 라인 ( 115 ) 을 활성 화 한다 . 예 를 들 어 , 메모리 디바이스 ( 100 ) 는 예시 적 인 어레이 ( 102 ) 에 대해 WL _ 1 내지 WL _ M 으로 라벨 링 된 다수 의 워드 라인 ( 110 ) 을 포함 할 수 있 고 , DL _ 1 내지 DL _ N 으로 라벨 링 된 다수 의 디 지트 라인 ( 115 ) 을 포함 할 수 있 고 , 여기 서 M 과 N 은 어레이 크기 에 의존 한다 . 따라서 , WL _ 2 및 DL _ 2 와 같 은 워드 라인 ( 110 ) 및 디 지트 라인 ( 115 ) 을 활성 화 함 으로써 , 그것 들 의 인터 섹션 에 메모리 셀 ( 105 ) 이 액세스 될 수 있 다 .