이 와 같 은 반도체 소자 의 구 동시 소오 스 / 드레 인 에 전압 이 인가 되 면 , 게이트 라인 ( 15 ) 하부 의 활성 영역 ( 10 A ) 에서 전자 / 홀 쌍 ( EHP : Electron Hole Pair ) 이 생성 된다 . 전자 / 홀 쌍 ( EHP ) 에서 홀 ( Hole ) 은 전하 를 운반 하 는 역할 을 하 지만 , 전자 ( Electron ) 는 게이트 산화 막 ( 12 ) 계면 에 트랩 ( trap ) 되 어 누설 전류 를 발생 시키 는 원인 이 된다 . 특히 , 게이트 산화 막 ( 12 ) 의 두께 가 두꺼운 활성 영역 ( 10 A ) 의 가장자리 부분 에서 가장 먼저 누설 전류 가 발생 되 어 트랜지스터 의 특성 을 악화 시킨다 .