플래시 메모리 소자 는 비휘발성 의 특성 을 가지 면서 도 자유 롭 게 정보 를 입력 및 출력 할 수 있 어 근래 에 다양 한 전자 장치 에서 이용 되 고 있 다 . 플래시 메모리 소자 중 에 낸드 플래시 ( NAND flash ) 메모리 소자 는 트랜지스터 의 게이트 산화층 에 정보 를 저장 하 도록 설계 된 것 이 다 . 낸드 플래시 메모리 소자 는 높 은 동작 속도 와 우수 한 안정 성 을 가지 고 있 어 여러 분야 에서 연구 되 어 왔 고 , 이 에 따라 기술 적 으로 많이 발전 해 왔 다 . 그러나 , 이 와 같 은 낸드 플래시 메모리 소자 는 게이트 영역 의 공정 의 난이도 가 높 고 , 쓰 기 및 삭제 동작 의 반복 에 따라 게이트 누설 전류 가 발생 하 는 문제점 이 있 었 다 . 또한 , 주로 적층 기술 과 플로팅 게이트 ( floating gate ) 위주 로 낸드 플래시 소자 에 대한 연구 가 진행 되 고 있 어 , 트랜지스터 의 성능 향상 에 대한 연구 는 상대 적 으로 부족 한 편 이 다 . 구체 적 으로 낸드 플래시 메모리 소자 는 적층 형 구조 로 제작 되 어 있 어 성능 향상 을 위한 공정 을 추가 하 기 어렵 고 , 또한 메모리 기능 을 수행 하 는 플로팅 게이트 ( floating gate ) 의 안정 성 및 신뢰 성 을 개선 하 기 어렵 다 .