한편 , 위 에서 설명 한 화소 영역 의 전극 배치 구조 는 화소 전극 과 공통 전극 이 서로 교번 하 여 형성 되 는 IPS ( In - Plane Switching : 수평 전계 ) 모드 로 , 위 와 같이 , 상기 광학 보상 평탄 화 층 을 박막 트랜지스터 어레이 하부 에 위치 시키 는 구성 을 동일 하 게 TN ( Twisted Nematic ) 모드 로 적용 할 수 도 있 다 . TN 모드 의 경우 에 는 상기 화소 영역 에 대응 되 는 상기 보호막 상 에 화소 전극 이 형성 되 고 , 상기 제 2 기판 전면 에 공통 전극 이 형성 된 점 이 위 에서 설명 한 IPS 모드 의 구조 와 의 차이점 이 다 .