또 다른 실시 예 들 에서 , 본 발명 개시 는 집 적 칩 을 형성 하 는 방법 에 관한 것 이 다 . 본 방법 은 , 기판 위 의 하부 유전체 구조물 내 에서 복수 의 상호 연결 층 들 위 에 하부 절연 구조물 을 형성 하 는 단계 ; 하부 절연 구조물 을 관통 하 여 복수 의 상호 연결 층 들 까지 연장 된 개구 들 을 규정 하 도록 하부 절연 구조물 의 일부 를 제거 하 는 단계 ; 하부 절연 구조물 위 에 하부 전극 층 , 강유전체 층 , 상부 전극 층 , 및 하드 마스크 층 을 순차 적 으로 퇴적 하 는 단계 - 하부 전극 층 , 강유전체 층 , 상부 전극 층 , 및 하드 마스크 층 은 하부 전극 층 의 최저 면 위 에 배치 된 리세 스 를 규정 하 는 측벽 들 을 각각 가짐 -; 및 하부 전극 과 상부 전극 사이 에 배치 된 강유전체 물질 을 갖 는 강유전체 랜덤 액세스 메모리 ( FeRAM ) 디바이스 를 규정 하 도록 하부 전극 층 , 강유전체 층 , 상부 전극 층 , 및 하드 마스크 층 을 패 터닝 하 는 단계 를 포함 한다 .