실시 예 에서 , 제 1 플레인 ( Plane 1 ) 에 포함 된 예측 블록 ( BLK _ EXP ) 에 저장 된 롬 데이터 는 제 P 1 롬 데이터 ( ROMDATA _ P 1 ) , 제 2 플레인 ( Plane 2 ) 에 포함 된 예측 블록 ( BLK _ EXP ) 에 저장 된 롬 데이터 는 제 P 2 롬 데이터 ( ROMDATA _ P 2 ) , 제 3 플레인 ( Plane 3 ) 에 포함 된 예측 블록 ( BLK _ EXP ) 에 저장 된 롬 데이터 는 제 P 3 롬 데이터 ( ROMDATA _ P 3 ) , 제 4 플레인 ( Plane 4 ) 에 포함 된 예측 블록 ( BLK _ EXP ) 에 저장 된 롬 데이터 는 제 P 4 롬 데이터 ( ROMDATA _ P 4 ) 일 수 있 다 . 각 플레인 에 저장 된 롬 데이터 는 메모리 장치 의 초기 화 동작 시 읽 기 전용 메모리 ( 150 ) 로부터 리드 되 어 프로그램 될 수 있 다 .