도 7 e 및 도 7 f 를 함께 참조 하 면 , 제 2 커버 층 ( CVL 2 a ) 을 식각 마스크 로 제 1 커버 희생 층 ( SCL 1 a ) 을 등방성 식각 하 여 , 예비 전하 저 장막 ( 130 Pa ) 의 일부분 을 노출 시키 는 제 1 커버 희생 층 ( SCL 1 a ) 의 일부분 인 제 3 커버 층 ( CVL 3 a ) 을 형성 한다 . 제 3 커버 층 ( CVL 3 a ) 은 예비 전하 저 장막 ( 130 Pa ) 의 제 2 홈 ( GR 2 a ) 을 노출 시키 는 제 1 리세 스 공간 ( RS 1 a ) 을 가질 수 있 다 .