반도체 층 에 포함 되 는 금속 산화물 이 In - M - Zn 계 산화물 을 포함 하 는 경우 , In - M - Zn 계 산화물 의 막 형성 에 사용 되 는 스퍼터링 타깃 의 금속 원소 의 원자 수비 는 In = M 을 만족 시키 는 것 이 바람직 하 다 . 이러 한 스퍼터링 타깃 의 금속 원소 의 원자 수비 로서 는 In : M : Zn = 1 : 1 : 1 , In : M : Zn = 1 : 1 : 1 . 2 , In : M : Zn = 3 : 1 : 2 , In : M : Zn = 4 : 2 : 4 . 1 , In : M : Zn = 2 : 1 : 3 , In : M : Zn = 3 : 1 : 2 , In : M : Zn = 5 : 1 : 6 , In : M : Zn = 5 : 1 : 7 , In : M : Zn = 5 : 1 : 8 , In : M : Zn = 6 : 1 : 6 , 및 In : M : Zn = 5 : 2 : 5 등 이 바람직 하 다 . 또한 , 형성 되 는 반도체 층 의 금속 원소 의 원자 수비 는 상술 한 스퍼터링 타깃 의 금속 원소 의 원자 수비 로부터 오차 로서 ± 40 % 의 범위 내 에서 변동 된다 .