실시 예 에 의한 반도체 소자 의 제조 방법 은 소자 분리 막 이 형성 된 기판 에 제 1 산화 막 이 형성 되 는 단계 ; 상기 소자 분리 막 사이 의 제 1 산화 막 일부 가 식각 되 고 상기 식각 영역 의 기판 에 상기 제 1 산화 막 보다 얇 은 제 2 산화 막 이 형성 되 는 단계 ; 상기 제 1 산화 막 의 식각 영역 에 폴리 실리콘 층 이 매립 되 는 단계 ; 상기 폴리 실리콘 층 측면 에 접한 제 1 산화 막 의 일부 를 남긴 채 상기 제 1 산화 막 이 식각 되 는 단계 ; 및 상기 폴리 실리콘 층 측면 의 제 1 산화 막 과 상기 소자 분리 막 사이 의 기판 영역 에 LDD 영역 이 형성 되 는 단계 를 포함 한다 .