즉 , 제 1 이 젝 터 ( 200 ) 는 후술 하 는 승강 장치 ( 500 ) 에 의해 상 승시 분리 하 고자 하 는 반도체 다이 를 웨이퍼 시트 와 함께 밀 어 올려 약 100 ~ 500 ㎛ 상승 시키 되 , 그 상승 시 제 1 이 젝 터 ( 200 ) 가 반도체 다이 보다 작 은 직경 을 이루 는 것 인 바 , 팽팽 하 게 긴장 된 웨이퍼 시트 로부터 반도체 다이 의 가장자리 를 분리 시키 게 된다 .