도 13 ( b ) 를 참조 하 면 , p 형 반도체 층 ( 300 ) 상부 의 소정 영역 에 에칭 스탑 층 ( 500 ) 을 형성 한다 . 즉 , 에칭 스탑 층 ( 500 ) 은 p 형 반도체 층 ( 300 ) 상부 에서 p 형 전극 층 ( 400 ) 과 소정 간격 이격 되 도록 형성 한다 . 그리고 , 분리 된 발광 소자 영역 의 p 형 전극 층 ( 400 ) 및 에칭 스탑 층 ( 500 ) 상부 에 커버 층 ( 600 ) 을 형성 한 후 전체 구조 상부 에 제 1 지지층 ( 710 ) 및 제 2 지지층 ( 720 ) 을 형성 한다 . 소정 의 사진 및 식각 공정 으로 제 2 지지층 ( 720 ) 의 소정 영역 을 식각 한다 .