채널 ( 19 ) 영역 위 에 형성 된 플로팅 게이트 ( 16 ) 및 컨트롤 게이트 ( 18 ) 는 다 결정 실리콘 이나 비정질 실리콘 을 사용 할 수 있 고 , 비저항 값 을 줄이 기 위하 여 인 ( P ) 이나 붕소 ( B ) 등 을 높 은 농도 로 도핑 ( doping ) 할 수 있 다 . 여기 서 , 도핑 이 란 실리콘 에 인 ( P ) , 비소 ( As ) , 붕소 ( B ) 등 의 불순물 을 첨가 하 는 것 으로서 , 이 는 물리 적 으로 실리콘 의 일함수 ( work function ) 를 변화 시키 는 역할 을 한다 .