또한 , 하부 게이트 전극 ( 150 ) 은 게이트 절 연막 ( 140 ) 상부 에 위치 되 며 , 3 차원 리세 스 채널 구조 ( 130 ) 를 매립 한다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 하부 게이트 전극 ( 150 ) 은 인 ( P ) 을 포함 한 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 층 으로 형성 한다 . 이때 , 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 층 은 5 ~ 80 Torr 의 압력 과 450 ~ 600 ℃ 의 온도 하 에서 PH 3 와 SiH 4 를 포함 한 소스 가스 를 이용 한 LPCVD ( Low pressure chemical deposition ) 방법 으로 500 ~ 1 , 500 Å 의 두께 로 형성 한다 . 또한 , 도핑 된 폴리 실리콘 층 은 10 ~ 30 Torr 의 압력 과 510 ~ 550 ℃ 의 온도 하 에서 600 ~ 1 , 000 Å 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 한편 , PH 3 의 도즈 량 은 1 . 0 E 20 ~ 3 . 0 E 20 ions / ㎠ 인 것 이 바람직 하 다 .