본 개시 내용 의 혜택 들 은 , 기판 전체 에 걸쳐 , 즉 중심 으로부터 에지 까지 성장 균일성 을 제어 하 도록 가스 를 기판 의 에지 를 향하 여 지향 시키 기 위해 처리 챔버 에서 개선 된 측면 가스 어셈블리 를 이용 하 는 것 을 포함 한다 . 측면 가스 어셈블리 는 처리 챔버 의 가스 주입 측 ( 예 를 들 어 , 슬릿 밸브 ) 및 / 또는 처리 챔버 의 가스 배기 측 ( 예 를 들 어 , 펌프 시스템 ) 을 향하 도록 구성 된 각 진 가스 유입 구 를 갖 는다 . 특히 , 놀랍 게 도 , 불 균일 한 반각 들 을 갖 는 가스 채널 을 통해 가스 를 지향 시키 는 것 은 RadOx ® 프로세스 에서 기판 의 에지 에서 또는 그 에지 근처 에서 반응 을 상당히 증가 시킬 것 이 고 , 이 로써 기판 의 에지 를 따라 두께 균일성 이 개선 될 뿐 만 아니 라 기판 의 전체 두께 균일성 이 개선 된다는 점 이 관찰 되 었 다 .