도 10 ( c ) 를 참조 하 면 , p 형 전극 층 ( 400 ) 및 에칭 스탑 층 ( 500 ) 사이 가 매립 되 고 p 형 전극 층 ( 400 ) 및 에칭 스탑 층 ( 500 ) 상부 에 커버 층 ( 600 ) 을 형성 한다 . 커버 층 ( 600 ) 은 p 형 전극 층 ( 400 ) 이 대기 중 에 노출 되 는 것 을 방지 하 고 , 전류 인가 중 에 p 형 전극 층 ( 400 ) 의 원자 가 전기장 에 의해 이동하 는 일렉트로 마이 그레이 션 현상 을 최소 화 하 기 위해 형성 한다 . 커버 층 ( 600 ) 은 이후 형성 될 지지층 ( 700 ) 과 접착력 이 우수 한 금속 물질 을 이용 하 여 형성 하 고 , 커버 층 ( 600 ) 상부 에 는 확산 방지 층 ( 미 도시 ) 이 더 형성 될 수 있 다 . 커버 층 ( 600 ) 은 금속 물질 과 의 접착력 이 우수 한 물질 , 예 를 들 어 Ti , Cr 등 을 이용 할 수 있 다 . 또한 , 커버 층 ( 600 ) 상부 에 형성 되 는 확산 방지 층 은 Pt , Pd , W , Ni , Ru , Mo , Ir , Rh , Ta , Hf , Ta , Zr , Nb , V 등 을 이용 할 수 있 다 . 커버 층 ( 600 ) 은 단층 또는 다층 구조 로 형성 할 수 있 는데 , 단층 으로 형성 할 경우 Ti 또는 Cr 등 의 접착력 이 우수 한 물질 을 형성 하 고 , 다층 구조 로 형성 할 경우 접착력 이 우수 한 물질 과 확산 방지 층 을 적층 하 여 예 를 들 어 Ti / Pt 구조 와 Ti / Pt / W / Pt 의 구조 등 으로 형성 할 수 있 다 . 또한 , 커버 층 ( 600 ) 은 1 ∼ 1000 ㎚ 의 두께 로 형성 할 수 있 다 .