도 3 을 참조 하 면 , 대안 적 으로 이하 에 얕 은 트렌치 격리 ( STI ) 영역 이 라 칭하 는 격리 영역 ( 22 ) 이 형성 된다 . 각각 의 프로세스 는 도 18 에 도시 되 어 있 는 프로세스 흐름 ( 400 ) 에서 프로세스 ( 408 ) 로서 예시 되 어 있 다 . STI 영역 ( 22 ) 은 유전 재료 ( 들 ) 로 트렌치 ( 23 ) ( 도 2 ) 를 충전 하 는 것 , 이어서 유전 재료 의 잉여 부분 을 제거 하 기 위해 화학 기계 적 연마 ( Chemical Mechanical Polish : CMP ) 프로세스 또는 기계 적 연삭 프로세스 와 같 은 평탄 화 프로세스 에 의해 형성 된다 . 유전 재료 ( 들 ) 의 나머지 부분 은 STI 영역 ( 22 ) 이 다 . STI 영역 ( 22 ) 은 반도체 재료 의 표면 층 의 열 산화 를 통해 형성 된 열 산화물 층 일 수 도 있 는 라이너 유전체 ( 도시 생략 ) 를 포함 할 수 도 있 다 . 라이너 유전체 는 또한 , ALD , 고밀도 플라 즈 마 화학 기상 증착 ( High - Density Plasma Chemical Vapor Deposition : HDPCVD ) , 또는 화학 기상 증착 ( Chemical Vapor Deposition : CVD ) 을 사용 하 여 형성 된 증착 된 실리콘 산화물 층 , 실리콘 질화물 층 등 일 수 도 있 다 . STI 영역 ( 22 ) 은 라이너 산화물 위 에 유전 재료 를 또한 포함 할 수 도 있 고 , 여기 서 유전 재료 는 유동 성 화학 기상 증착 ( Flowable Chemical Vapor Deposition : FCVD ) , 스핀 - 온 코팅 ( spin - on coating ) 등 을 사용 하 여 형성 될 수 도 있 다 . 라이너 유전체 위 의 유전 재료 는 몇몇 실시 예 에 따라 실리콘 산화물 을 포함 할 수 도 있 다 . 평탄 화 프로세스 로 인해 , 하드 마스크 ( 29 ) 의 상면 및 STI 영역 ( 22 ) 의 상면 은 실질 적 으로 서로 동일 높이 에 있 을 수 도 있 다 .