" 도 1 d 에 도시 된 바 와 같이 SOT 전환 에 내재 하 는 "" 직교 성 문제 "" 를 해결 하 기 위한 다른 접근 법 은 대신 에 평면 내 자화 된 자유 층 들 및 핀 드 층 들 을 사용 하 여 ", 주입 된 SHE - 유도 된 스핀 전류 의 스핀 - 편광 방향 과 자화 가 다시 한 번 동일 선상 이 되게 하 는 것 이 다 . 그러나 , 그러 한 옵션 은 , 본 기술 분야 에 공지 된 바 와 같이 , 수직 MRAM 셀 설계 가 이전 에 기술 적 으로 선호 되 게 만든 앞서 언급 된 동일 한 MRAM 셀 크기 스케일링 단점 을 갖 는다 . 기록 전류 가 터널 장벽 을 통과 하 지 않 고 , 단순히 기록 전류 극성 의 선택 에 의해 수직 자유 층 의 결정 론 적 전환 을 허용 하 는 효율 적 인 MRAM 셀 설계 가 필요 하 다 .