본 발명 은 반도체 웨이퍼 의 습식 화학 적 처리 방법 에 관한 것 으로 , a ) 반도체 웨이퍼 를 회전 시키 는 단계 ; b ) 100 ㎛ 이하 의 직경 을 갖 는 기포 ( gas bubble ) 를 포함 하 는 세정액 ( cleaning liquid ) 을 회전 하 는 반도체 웨이퍼 에 도포 하 여 , 반도체 웨이퍼 위 에 액상 필름 을 형성 하 는 단계 ; c ) 회전 하 는 반도체 웨이퍼 를 반응 성 기체 를 갖 는 기체 분위기 에 노출 시키 는 단계 ; d ) 액상 필름 을 제거 하 는 단계 를 포함 한다 .