본 발명 의 다른 측면 에 따르 면 , 기억 장치 에 있 어서 , 워드 라인 들 ; 비트 라인 들 ; 및 상기 워드 라인 들 과 상기 비트 라인 들 간 의 연결 교차점 들 에 마련 되 는 복수 개 의 메모리 셀 ; 을 포함 하 되 , 상기 복수 개 의 메모리 셀 은 각각 하나 의 워드 라인 과 하나 의 비트 라인 사이 에 복수 개 의 메모리 소자 가 병렬 로 연결 된 구조 를 가지 며 , 상기 복수 개 의 메모리 셀 은 복수 의 행과 열 을 이루 는 격자 구조 로 제공 되 고 , 동일 한 행 에 배열 되 는 메모리 셀 들 은 동일 한 워드 라인 에 전기 신호 적 으로 연결 되 며 , 상기 기억 장치 는 , 상기 워드 라인 과 , 상기 동일 한 행 에 배열 되 는 메모리 셀 들 의 사이 에 연결 되 는 선택 부 ; 를 더 포함 하 고 , 상기 선택 부 는 , 상기 복수 개 의 메모리 소자 중 상기 워드 라인 의 전압 을 전달 할 하나 이상 의 메모리 소자 를 선택 하 는 기억 장치 가 제공 된다 .