절 연막 ( 405 ) 으로서 질화 실리콘 막 ( SiNx ) 또는 질화 산화 실리콘 막 ( SiNxOy ) ( x > y ) ) , 산화 질화 실리콘 막 ( SiOxNy ) ( x > y ) ) 을 형성 할 수 있 다 . 절 연막 ( 405 ) 으로서 , 질화 실리콘 막 또는 질화 산화 실리콘 막 을 형성 하 는 것 으로 , 지지 기판 에 포 함 되 는 가동 이온 이나 수분 등 의 불순물 이 단결정 반도체 층 으로 확산 하 는 것 을 방지 하 기 위한 배리어 층 으로서 절 연막 ( 405 ) 을 기능 시킬 수 있 기 때문 에 바람직 하 다 .