도 11 을 참조 하 면 , 시냅스 유닛 ( 160 ) 의 가중치 ( 컨덕턴스 ) 를 조절 하 기 위해 마련 되 는 각 패스 트랜지스터 ( 1822 , 1824 , 1826 , 1828 ) 는 드레 인단 ( D ) , 소스 단 ( S ) , 채널 층 ( 도시 생략 ) , 및 절연 된 게이트 단 ( G ) 을 포함 할 수 있 다 . 도시 된 예 에서 , 패스 트랜지스터 는 탑 게이트 ( top gate ) 구조 로 이루어져 있 으나 , 바텀 게이트 ( bottom gate ) 구조 로 제공 되 는 것 도 가능 하 다 .