이어서 , 상기 제 2 감광막 패턴 ( 113 ) 을 에 싱 ( ashing ) 처리 하 여 상기 에치 스톱 퍼 패턴 ( 111 a ) 의 가장자리 부 를 노출 시킨다 . 이때 , 상기 에 싱 공정 은 산소 활성 종 을 포함 한 는 가스 를 유기 막 성분 의 감광막 과 산화 반응 시켜 제거 하 는 공정 인데 , 상기 에 싱 공정 을 통해 상기 제 2 감광막 패턴 ( 113 ) 의 중앙 부분 은 일부 두께 만큼 제거 되 고 , 상기 에치 스톱 퍼 패턴 ( 111 a ) 의 가장자리 부 에 있 는 제 2 감광막 패턴 ( 113 ) 의 양 측면 부분 은 완전히 제거 된다 .