" PRAM 장치 는 통상 적 으로 칼코겐 ( chalcogenide ) 화합물 의 상전이 ( phase transition ) 에 의한 비정질 상태 와 결정 상태 간 의 저항 의 차이 를 이용 하 여 데이터 를 저장 한다 . PRAM 장치 는 인가 된 펄스 의 진폭 과 길이 에 따라 칼코겐 화합물 인 게르마늄 - 안티몬 - 텔루르 ( Ge - Sb - Te ; GST ) 로 이루어진 상변화 물질 층 의 가역 적 상변화 ( reversible phase transition ) 를 이용 하 여 데이터 를 "" 0 "" 과 "" 1 "" 의 상태 로 저장 한다 . 구체 적 으로 ", 저항 이 큰 비정질 상태 로 의 전환 에 요구 되 는 리셋 ( reset ) 전류 와 저항 이 작 은 결정 상태 로 바꾸 는 셋 ( set ) 전류 는 상변화 물질 층 아래 에 위치 하 는 트랜지스터 로부터 하부 전극 을 거쳐 상변화 물질 층 으로 전달 되 어 상변화 가 일어난다 . 이러 한 종래 의 PRAM 장치 및 그 제조 방법 은 미국 특허 제 5 , 166 , 758 호 , 미국 특허 제 5 , 825 , 046 호 , 대한민국 공개 특허 제 2004 - 100499 호 및 대한민국 공개 특허 제 2003 - 81900 호 등 에 개시 되 어 있 다 .