한편 , 도 1 에 도시 된 실시 예 에서 , 역전 압 모니터링 회로 ( 130 ) 가 레 귤 레이터 ( 110 ) 의 입력단 및 출력 단 을 모니터링 하 는 것 으로 예시 되 었 으나 본 발명 의 실시 예 는 이 에 국한 될 필요 가 없 다 . 예컨대 , 반도체 장치 ( 100 ) 는 다양 한 종류 의 지능 소자 ( Intellectual Property , IP ) 들 을 포함 할 수 있 으며 , 적어도 일부 의 지능 소자 들 의 경우 입력단 의 전압 과 출력 단의 전압 의 레벨 이 다를 수 있 다 . 즉 , 역전 압 모니터링 회로 ( 130 ) 는 반도체 장치 ( 100 ) 내 에서 역전 압 모니터링 이 가능 한 다른 다양 한 종류 의 지능 소자 들 에 대한 모니터링 을 수행 하 여도 무방 할 것 이 다 . 예컨대 , 역전 압 모니터링 회로 ( 130 ) 는 내부 회로 ( 120 ) 에 구비 되 는 지능 소자 의 입력단 및 출력 단의 전압 을 이용 하 여 역 전압 모니터링 동작 을 수행 할 수 도 있 을 것 이 다 .