본 발명 은 상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위해서 , 복수 개 의 포토다이오드 가 형성 된 반도체 기판 을 준비 하 는 공정 ( 제 1 공정 ) ; 상기 반도체 기판 상 에 층간 절연 층 을 형상 하 는 공정 ( 제 2 공정 ) ; 상기 층간 절연 층 상 에 컬러 필터 층 을 형성 하 는 공정 ( 제 3 공정 ) ; 상기 컬러 필터 층 상 에 평탄 화 층 을 형성 하 는 공정 ( 제 4 공정 ) ; 및 상기 평탄 화 층 상 에 지용성 폴리머 가 도포 된 마이크 로 렌즈 를 형성 하 는 공정 ( 제 5 공정 ) 을 포함 하 여 이루어지 는 것 을 특징 으로 하 는 이미지 센서 제조 방법 을 제공 한다 .