예 를 들 어 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 에 접하 는 절연 층 으로서 산화 갈륨 을 이용 한 경우 , 산소 분위기 하 에서 의 열처리 나 , 산소 도핑 을 행함 으로써 , 산화 갈륨 의 조성 을 Ga 2 OX ( X = 3 + α , 0 < α < 1 ) 로 할 수 있 다 . 또한 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 에 접하 는 절연 층 으로서 산화 알루미늄 을 이용 한 경우 , 산소 분위기 하 에서 의 열처리 나 , 산소 도핑 을 행함 으로써 , 산화 알루미늄 의 조성 을 Al 2 OX ( X = 3 + α , 0 < α < 1 ) 로 할 수 있 다 . 산화물 반도체 층 ( 144 ) 에 접하 는 절연 층 으로서 산화 갈륨 알루미늄 ( 산화 알루미늄 갈륨 ) 을 이용 한 경우 , 산소 분위기 하 에서 의 열처리 나 , 산소 도핑 을 행함 으로써 , 산화 갈륨 알루미늄 ( 산화 알루미늄 갈륨 ) 의 조성 을 GaXAl 2 - XO 3 + α ( 0 < X < 2 , 0 < α < 1 ) 로 할 수 있 다 .