각 구성 요소 를 자세 하 게 설명 하 면 , 게이트 절연 막 은 일반 적 으로 산화 막 ( SiO 2 ) 을 사용 하 는데 , 게이트 절 연막 의 신뢰 성 확보 를 위해서 게이트 절 연막 상부 에 게이트 전 도막 으로서 폴리 실리콘 ( poly silicon ) 막 을 형성 시키 고 있 다 . 그리고 , 폴리 실리콘 막 만 으로 는 게이트 저항 이 높 기 때문 에 , 폴리 실리콘 막 상 에 비저항 이 매우 낮 은 게이트 금속 막 예컨대 , 텅스텐 실리사이드 층 ( WSix ) 또는 텅스텐 ( W ) 막 을 형성 시킨다 . 최근 에 는 열 적 안정 성 ( thermal stability ) 이 매우 우수 하 면서 도 저항 이 매우 낮 은 텅스텐 을 주로 사용 하 며 , 이 경우 폴리 실리콘 막 과 텅스텐 막 사이 에 확산 방지 막 ( diffusion barrier metal ) 의 삽입 이 필요 하 다 . 그리고 , 확산 방지 막 은 티타늄 , 텅스텐 , 실리콘 및 질화 막 중 어느 하나 또는 이 들 의 적층 막 으로 형성 한다 .