여기 서 , 도 5 d 는 상기 질화 막 ( 150 ) 증착 후 소정 의 감광막 ( 미 도시 ) 을 사용 하 여 포토 다이오드 영역 ( 140 ) 은 건식 식각 되 지 않 도록 소정 의 감광막 ( PR ) 로 블로킹 한 후 포토 다이오드 영역 ( 140 ) 을 제외 한 게이트 폴리 ( 120 ) 측벽 에 스 페이서 물질 층 ( 150 a , 150 b ) 을 형성 한 상태 를 나타낸 도면 이 다 . 따라서 , 포토 다이오드 표면 이 건식 식각 되 지 않 으므로 이온 데미지 에 의한 이미지 센서 ( Image Sensor ) 저조 도 특성 열화 를 방지 할 수 있 다 .