여기 서 열처리 는 배치 타입 ( batch type ) 의 퍼니스 ( funace ) 에서 저온 , 예 를 들 어 500 ℃ 이하 의 온도 에서 진행 하 며 , 분위기 가스 로서 분위기 가스 로 N 2 , O 2 , NH 3 , N 2 O , Ar 을 포함 하 는 그룹 가운데 하나 또는 그 이상 을 사용 할 수 있 다 . 또한 , 싱글 타입 의 퍼니스 에서 저온 , 예 를 들 어 500 ℃ 이하 의 온도 에서 급속 열처리 ( RTA ; Rapid thermal annealing ) 공정 을 진행 하 며 , 분위기 가스 로서 분위기 가스 로 N 2 , O 2 , NH 3 , N 2 O , Ar 을 포함 하 는 그룹 가운데 하나 또는 그 이상 을 사용 할 수 도 있 다 . 그러면 , 저온 에서 결정화 가 가능 한 불순물 이 도핑 되 지 않 은 폴리 실리콘 게르마늄 ( poly SiGe ) 막 ( 150 ) 내 에 위치 한 이온 주입 층 ( 160 ) 이 균일 하 게 활성 화 한다 .