먼저 기판 ( 110 ) 상 에 SiO 2 등 으로 버퍼 층 ( 120 ) 이 구비 되 어 있 다 . 버퍼 층 ( 120 ) 의 일면 상 에 는 반도체 층 ( 130 ) 이 구비 되 는데 , 반도체 층 ( 130 ) 은 비정질 실리콘 층 또는 다 결정질 실리콘 층 으로 형성 될 수 있 으며 , 또는 유기 반도체 물질 로 형성 될 수 도 있 다 . 도면 에서 자세히 도시 되 지 는 않 았 으나 , 필요 에 따라 반도체 층 ( 130 ) 은 N + 형 또는 P + 형 의 도 펀트 들 로 도핑 되 는 소스 및 드레 인 영역 과 , 채널 영역 을 구비 할 수 있 다 .