제 1 및 / 또는 제 2 반도체 다이 ( 104 및 106 ) 중 일부 또는 전부 가 유전체 언더 필 물질 ( 121 ) 에 적어도 부분 적 으로 캡슐 화 될 수 있 다 . 언더 필 물질 ( 121 ) 은 일부 또는 모든 다 이 주위 에 및 / 또는 사이 에 증착 되 거나 그 밖 의 다른 방식 으로 형성 되 어 , 다 이 와 의 기계 적 연결 을 개선 하 거나 및 / 또는 전도성 특징 부 및 / 또는 구조물 ( 가령 , 인터 커넥트 ) 간 전기 적 절연 을 제공 할 수 있 다 . 언더 필 물질 ( 121 ) 은 비 전도성 에폭시 페이스트 , 모세관 언더 필 , 비 전도성 필름 , 몰딩 된 언더 필 이 거나 및 / 또는 그 밖 의 다른 적합 한 전기 절연 물질 을 포함 할 수 있 다 . 복수 의 실시 예 에서 , 언더 필 물질 ( 121 ) 은 이 의 열 전도율 을 기초 로 선택 되 어 , 조립 체 ( 100 ) 의 다이 를 통한 열 분산 을 개선 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 언더 필 물질 ( 121 ) 이 제 1 본드 물질 ( 120 a ) 및 / 또는 제 2 본드 물질 ( 120 b ) 을 대신 하 여 사용 되 어 , 리드 ( 114 ) 를 최 상부 반도체 다이 ( 106 d ) 에 부착 할 수 있 다 .