다른 실시 형태 는 플 라즈 마 처리 장치 에서 반도체 기판 을 처리 하 는 방법 을 제공 한다 . 플 라즈 마 처리 장치 의 반응 챔버 내 의 기판 지 지체 상 에 기판 을 위치 시킨다 . 처리 가스 를 복합 샤워 헤드 전극 어셈블리 를 이용 하 여 반응 챔버 로 도입 시킨다 . 복합 샤워 헤드 전극 어셈블리 와 기판 사이 의 반응 챔버 에서 처리 가스 로부터 플 라즈 마 를 생성 한다 . 플 라즈 마 를 이용 하 여 기판 을 처리 한다 .