Ge 층 ( 120 ) 은 , 결정 결함 이 이동 할 수 있 는 온도 및 시간 을 만족 하 는 조건 으로 어닐링 되 어도 좋 다 . Ge 층 ( 120 ) 에 어닐링 처리 를 행하 면 , Ge 층 ( 120 ) 내부 의 결정 결함 이 Ge 층 ( 120 ) 의 내부 에서 이동 되 어 예컨대 , Ge 층 ( 120 ) 과 저해 층 ( 104 ) 과 의 계면 , Ge 층 ( 120 ) 의 표면 , 또는 , Ge 층 ( 120 ) 의 내부 의 게터 링 싱크 에 포착 된다 . 이 에 따라 , Ge 층 ( 120 ) 의 표면 근방 의 결정 결함 을 배제 할 수 있 다 . Ge 층 ( 120 ) 과 저해 층 ( 104 ) 의 계면 , Ge 층 ( 120 ) 의 표면 , 또는 , Ge 층 ( 120 ) 의 내부 의 게터 링 싱크 는 , Ge 층 ( 120 ) 의 내부 에서 이동 되 는 결정 결함 을 포착 하 는 결함 포착 부 의 일례 여도 좋 다 .