이때 반도체 웨이퍼 및 다 이싱 다이 본딩 필름 의 점착 층 은 다 이싱 다이 본딩 필름 의 접착 층 으로부터 박리 되 어 접착 층 만 이 부착 된 칩 을 얻 을 수 있 다 . 수득 한 상기 접착 층 이 부착 된 칩 을 반도체 용 기판 에 부착 한다 . 칩 의 부착 온도 는 통상 100 ~ 180 ℃ 이 며 , 부착 시간 은 0 . 5 ~ 3 초 , 부착 압력 은 0 . 5 ~ 2 kgf / cm 2 이 다 . 이 공정 중 에 굴곡 이 있 는 유기 배선 기판 을 사용 할 경우 매립 성 이 요구 된다 .