이 에 , 본 발명 은 상기 한 사정 을 감안 하 여 창출 된 것 으로 , 다수 의 그리드 전극 이 일정 거리 이격 되게 적층 되 는 형상 의 그리드 플레이트 를 빔 이 발생 된 하측 에 배치 하 고 , 그리드 전극 에 형성 된 각 전극 라인 으로 인가 되 는 전원 을 각각 조절 하 여 그리드 플레이트 로 유입 되 는 영역 별 빔 의 상태 를 변경 시킴 으로써 , 장비 의 고유 공정 환경 에 상관없이 공정 완료 된 박막 이 항상 균일성 을 유지 할 수 있 도록 해 주 는 빔 조절 기능 을 갖 는 반도체 공정 시스템 용 그리드 장치 및 이 를 이용 한 반도체 박막 공정 방법 을 제공 함 에 그 기술 적 목적 이 있 다 .