또 , 상기 실시 형태 에 있 어서 는 , 접속 층 ( 25 , 38 ) 을 형성 하 는 산화물 반도체 로써 산화 인듐 갈륨 아연 ( IGZO ) 을 사용 하 고 , 접속 층 ( 25 , 38 ) 과 접촉 하 는 드레 인 전극 ( 16 b ) 의 제 1 도전 층 ( 14 b ) 및 제 1 도전 층 ( 14 a ) 및 제 2 도전 층 ( 15 a ) 에 의해 형성 된 배선 의 제 1 도전 층 ( 14 a ) 을 티타늄 에 의해 형성 하 는 구성 으로 했으나 , 접속 층 ( 25 , 38 ) 을 형성 하 는 산화물 반도체 를 드레 인 전극 ( 16 b ) 의 제 1 도전 층 ( 14 b ) 및 제 1 도전 층 ( 14 a ) 및 제 2 도전 층 ( 15 a ) 에 의해 형성 된 배선 의 제 1 도전 층 ( 14 a ) 을 형성 하 는 금속 에 의해 환원 함 으로써 , 산화물 반도체 에 의해 형성 된 접속 층 ( 25 , 38 ) 의 저 저항 화 를 도모 할 수 있 는 것 이 라면 , 드레 인 전극 ( 16 b ) 의 제 1 도전 층 ( 14 b ) 및 제 1 도전 층 ( 14 a ) 및 제 2 도전 층 ( 15 a ) 에 의해 형성 된 배선 의 제 1 도전 층 ( 14 a ) 을 형성 하 는 금속 으로써 , 티타늄 이외 의 재료 를 사용 할 수 있 다 .