본 발명 의 제 2 실시 예 에 따라 3 중 노출 을 사용 하 는 단일 메모리 레벨 의 제조 방법 이 상세히 설명 될 것 이 다 . 상기 방법 은 바람직 하 게 제 1 실시 예 에서 설명 된 비휘발성 메모리 어레이 를 형성 하 기 위해 사용 되 지만 . 상기 방법 은 로직 , 디스플레이 , 광기 전 , 자기 데이터 저장 등 의 장치 와 같 은 다른 장치 와 함께 , 임의 의 다른 휘발 성 또는 비휘발성 메모리 어레이 를 형성 하 기 위하 여 사용 될 수 있 다 . 또한 , 제 1 실시 예의 어레이 는 종래 의 단일 노출 포토 리소그래피 에 의한 것 과 같이 3 중 노출 이외 의 방법 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 추가 메모리 레벨 이 각각 모노 리식 으로 형성 된 그 아래 위 에 쌓 아 질 수 있 다 . 본 실시 예 에서 , 다 결정 반도체 다이오드 가 메모리 셀 로 사용 될 것 이 다 . 대안 적 으로 , 메모리 셀 은 안티 퓨즈 , 퓨즈 , 다이오드 와 직렬 로 배열 된 안티 퓨즈 , 폴리 실리콘 메모리 효과 셀 , 금속 산화물 메모리 , 스위칭 가능 착 물 금속 산화물 , 카본 나노 튜브 메모리 , 상 변화 물질 메모리 , 전도성 브리지 소자 , 또는 스위치 가능 중합체 메모리 가 될 수 있 다 .