도 11 은 다른 실시 예 에 따른 메모리 블록 의 프로그램 모드 시 등 가 회로 를 나타내 는 도면 이 다 . 도 7 과 도 11 을 비교 하 면 , 도 7 의 하나 의 셀 스트링 은 하나 의 보상 메모리 셀 을 포함 하 고 있 으나 , 도 11 의 하나 의 셀 스트링 은 복수 개 의 보상 메모리 셀 ( 710 ) , 예 를 들 어 , 제 1 및 제 2 보상 메모리 셀 ( 710 a , 710 b ) 을 포함 할 수 있 다 . 도 11 에서 는 두 개 의 보상 메모리 셀 ( 710 a , 710 b ) 이 도시 되 어 있 으나 , 이 에 한정 되 지 않 는다 . 3 개 이상 의 보상 메모리 셀 을 포함 할 수 도 있 다 .