그리고 소성 된 제 2 페이스트 층 ( 180 c ) 을 화학 적 식각 방법 으로 하부 유전체 층 ( 175 ) 이 노출 되 도록 식각 하 여 매트릭스 형 의 격벽 을 완성 한다 . 이때 , 하부 유전체 층 ( 175 ) 은 상기 제 2 페이스트 층 ( 180 c ) 보다 낮 은 식각 선택 비 를 갖 는 제 1 물질 을 주성분 으로 함유 함 으로써 , 식각 이 잘 되 지 않 아 식각 정지 막 으로 작용 할 수 있 다 .