본원 에 따르 지 않 는 OLED 소자 를 제조 하 였 다 . 우선 , OLED 용 글 래스 ( 지 오마 텍 사 제조 ) 기판 상 의 투명 전극 ITO 박막 ( 10 Ω / □) 을 아세톤 및 이소프로필알코올 을 순차 적 으로 사용 하 여 초음파 세척 을 실시 한 후 , 이소프로판올 에 넣 어 보관 한 후 사용 하 였 다 . 다음 으로 진공 증착 장비 의 기판 홀더 에 ITO 기판 을 장착 한 후 , 진공 증착 장비 내 의 셀 에 화합물 HI - 1 을 넣 고 챔버 내 의 진공도 가 10 - 7 torr 에 도달 할 때 까지 배기 시킨 후 , 셀 에 전류 를 인가 하 여 증발 시켜 ITO 기판 위 에 60 nm 두께 의 제 1 정공 주입 층 을 증착 하 였 다 . 이어서 , 진공 증착 장비 내 의 다른 셀 에 화합물 HI - 2 을 넣 고 , 셀 에 전류 를 인가 하 여 증발 시켜 제 1 정공 주입 층 위 에 5 nm 두께 의 제 2 정공 주입 층 을 증착 하 였 다 . 이어서 , 진공 증착 장비 내 의 다른 셀 에 화합물 HT - 1 을 넣 고 , 셀 에 전류 를 인가 하 여 증발 시켜 제 2 정공 주입 층 위 에 20 nm 두께 의 제 1 정공 전달 층 을 증착 하 였 다 . 이어서 , 진공 증착 장비 내 의 다른 셀 에 화합물 HT - 2 를 넣 고 , 셀 에 전류 를 인가 하 여 증발 시켜 제 1 정공 전달 층 위 에 5 nm 두께 의 제 2 정공 전달 층 을 증착 하 였 다 . 정공 주입 층 과 정공 전달 층 을 형성 시킨 후 , 그 위 에 발광 층 을 다음 과 같이 증착 시켰 다 . 진공 증착 장비 내 의 한쪽 셀 에 호스트 로서 화합물 H - 34 을 넣 고 , 또 다른 셀 에 는 도판 트 로서 화합물 D - 38 을 각각 넣 은 후 , 두 물질 을 다른 속도 로 증발 시켜 호스트 와 도판 트 의 합계 량 에 대해 도판 트 를 2 중량 % 의 양 으로 도핑 함 으로써 상기 제 2 정공 전달 층 위 에 20 nm 두께 의 발광 층 을 증착 하 였 다 . 이어서 상기 발광 층 위 에 전자 전달 재료 로서 한 쪽 셀 에 ETL - 1 을 넣 고 다른 한쪽 셀 에 EIL - 1 을 각각 넣 은 후 , 50 : 50 의 중량 비로 증발 시켜 35 nm 두께 의 전자 전달 층 을 증착 하 였 다 . 이어서 전자 주입 층 으로 화합물 EIL - 1 을 전자 전달 층 위 에 2 nm 두께 로 증착 한 후 , 다른 진공 증착 장비 를 이용 하 여 Al 음극 을 상기 전자 주입 층 위 에 80 nm 의 두께 로 증착 하 여 OLED 소자 를 제조 하 였 다 . 재료 별로 각 화합물 은 10 - 6 torr 하 에서 진공 승화 정제 하 여 사용 하 였 다 .