또한 , 본 발명 에 의하 면 , 상기 의 목적 을 달성 하 기 위해서 실리콘 기판 위 에 질화 금속 실리케이트 를 포함 한 절 연막 을 형성 하 는 방법 이 제공 되 는데 , 이 방법 은 , 상기 실리콘 기판 위 에 질소 , 금속 및 실리콘 으로 이루어진 막 을 , 비산 화 분위기 중 에서 , 적어도 질소 원자 를 포함 한 가스 를 이용 한 리 엑 티 브 스퍼터링 법 에 의해 퇴적 하 는 제 1 의 공정 과 , 상기 질소 , 금속 및 실리콘 으로 이루어진 막 을 , 적어도 산소 원자 를 포함 하 는 플 라즈 마 를 이용 하 고 , 아몰 퍼스 상태 가 유지 가능 한 온도 에서 산화 해서 질화 금속 실리케이트 막 을 형성 하 고 , 상기 질소 , 금속 및 실리콘 으로 이루어진 막 아래 의 상기 실리콘 기체 의 표층 부를 산화 하 여 0 . 5 nm 이상 2 . 0 nm 이하 의 실리콘 산화 막 을 형성 하 는 제 2 의 공정 을 포함 을 포함 한다 .