또 , 제 3 유닛 셀 ( 115 ) 의 비단 결정 반도체 층 ( 116 ) 의 에너지 갭 을 1 . 45 eV 내지 1 . 65 eV 로 하 기 위해서 는 , 비정질 실리콘 게르마늄 , 또는 미결정 실리콘 을 적용 한다 . 제 3 유닛 셀 ( 115 ) 의 비단 결정 반도체 층 ( 116 ) 의 에너지 갭 을 1 . 7 eV 내지 2 . 0 eV 로 하 기 위해서 는 , 비정질 실리콘 ( 1 . 75 eV ) , 비정질 실리콘 카바이드 ( 1 . 8 eV 내지 2 . 0 eV ) 를 적용 한다 .