다음 으로 ， 도 7 내지 도 10 을 이용 하 여 , 이 실시 형태 에 따른 불휘발성 반도체 기억 장치 의 캐시 리드 동작 ( 데이터 판독 동작 ) 에 대하 여 설명 한다 . 이 설명 에서 는 , 도 7 의 플로우 에 의거 하 여 설명 한다 . 여기 에서 는 , 도 8 에 도시 한 바 와 같이 , 플레인 plane 0 , Plane 1 내 의 블록 Block A ∼ Block D 내 의 페이지 n 및 페이지 m 을 판독 하 는 경우 를 일례 로 들 어 , 이하 설명 한다 .