본 발명 의 선호 되 는 추가 적 인 개발 에 따르 면 , 제 2 반도체 기판 ( 13 ) 으로부터 떨어져 면하 는 제 2 컨 택 들 ( 18 ) 의 리 미팅 페이스 들 및 제 2 반도체 기판 ( 13 ) 으로부터 떨어져 면하 는 제 2 지지 엘리먼트 들 ( 19 ) 의 리 미팅 페이스 들 이 제 3 상호 평면 ( E 3 ) 내 에 있 도록 제 2 전자 컴포넌트 ( 12 ) 가 구성 되 고 , 인터 포저 기판 ( 24 ) 으로부터 떨어져 면하 는 제 5 컨 택 들 ( 31 ) 의 리 미팅 페이스 들 및 인터 포저 기판 ( 24 ) 으로부터 떨어져 면하 는 제 4 지지 엘리먼트 들 ( 32 ) 의 리 미팅 페이스 들 이 제 4 상호 평면 ( E 4 ) 내 에 있 도록 연결 구조 ( 22 ) 가 구성 된다 .