In - Sn - Zn - O 막 은 , 스퍼터링 장치 를 이용 하 여 , 산소 분위기 에서 전력 을 100 W ( DC ) 로서 성막 하 였 다 . 타깃 은 , 원자 수비 로 , In : Sn : Zn = 1 : 1 : 1 의 In - Sn - Zn - O 타깃 을 이용 하 였 다 . 또한 , 성막 시 의 기판 가열 온도 는 200 ℃ 로 하 였 다 . 이 와 같이 하 여 제작 한 시료 를 시료 A 로 하 였 다 .