이렇게 해서 , 반도체 재료 를 포함 하 는 기판 ( 600 ) 을 사용 한 트랜지스터 ( 660 ) 가 형성 된다 ( 도 11 b 참조 ) . 이러 한 트랜지스터 ( 660 ) 는 고속 동작 이 가능 하 다는 특징 을 갖 는다 . 이 로 인해 , 트랜지스터 ( 660 ) 를 사용 함 으로써 , 기억 소자 는 정보 의 판독 을 고속 으로 행할 수 있 다 .