상기 제 1 게이트 구조물 은 기판 ( 100 ) 상 에 게이트 절 연막 , 폴리 실리콘 막 , 금속 막 , 및 게이트 마스크 막 을 순차 적 으로 적층 하 고 이 들 을 패 터닝 함 으로써 형성 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 상기 제 1 게이트 구조물 은 순차 적 으로 적층 된 게이트 절연 패턴 ( 110 ) , 제 1 폴리 실리콘 패턴 ( 120 ) , 제 1 금속 패턴 ( 130 ) , 및 제 1 게이트 마스크 ( 140 ) 를 포함 할 수 있 다 . 이때 , 제 1 폴리 실리콘 패턴 ( 120 ) 및 제 1 금속 패턴 ( 130 ) 은 제 1 게이트 전극 을 정의 할 수 있 다 .