본 발명 에 있 어서 , 상기 발진 회로 에서 발생 하 는 발진 주파수 는 상기 인가 전압 및 저항 값 중 적어도 하나 의 변화 에 의해 변화 될 수 있 다 . 한편 , 상기 발진 회로 에 커패시터 및 인덕 터 중 적어도 하나 가 연결 된 경우 , 상기 발진 주파수 는 상기 커패시터 의 커패시턴스 ( capacitance ) 및 상기 인덕 터 의 인덕턴스 ( inductance ) 중 적어도 하나 의 변화 에 의해 변화 될 수 있 다 .