일 실시 예 에 있 어서 , 상기 확산 방지 층 은 0 . 5 nm 이상 3 nm 이하 의 두께 를 갖 고 , 상기 캡 핑 층 은 CoWP , CoWB , NiMoP , Co , SiN , SiCN , SiC , SiON , SiCON 으로 이루어진 그룹 에서 선택 된 하나 이상 의 재료 로 형성 되 며 , 상기 제 1 도 전체 와 상기 제 2 도 전체 는 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 .