상기 실리콘 에 피층 ( 230 ) 상 에 는 리 소그라 피 , 에칭 , 불순물 주입 등 의 공정 을 통해 트랜지스터 ( 270 ) 가 형성 될 수 있 다 . 상기 트랜지스터 ( 270 ) 는 상기 연결 비아 ( 240 ) 와 전기 적 으로 연결 되 며 , 상기 트랜지스터 ( 270 ) 의 소스 또는 드레 인 영역 은 실리사이드 화 되 어 형성 될 수 있 다 .