다음 , 도 3 b 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 게이트 전극 ( 112 ) 을 포함 한 기판 전면 에 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물 등 의 무기 절연 물질 을 PECVD 방법 으로 증착 하 거나 또는 BCB , 아크릴 수지 와 같 은 유기 절연 물질 을 도포 하 여 제 1 층간 절 연막 ( 118 ) 을 형성 한 후 , 제 4 노광 마스크 를 이용 한 포토 식각 기술 을 적용 하 여 상기 소스 / 드레 인 영역 ( 114 a , 114 c ) 의 소정 부위 가 드러나 도록 제 1 콘 택 홀 ( 도시 하 지 않 음 ) 을 형성 한다 .