프로그램 동작 시 에 는 상기 메모리 셀 들 ( 160 ) 에 상기 비트 라인 들 ( BL 1 - BLn ) 을 통해 전류 를 제공 하 고 상기 워드 라인 들 ( WL 1 - WLm ) 을 로우 레벨 또는 접지 레벨 로 천 이 시키 면 , 상기 셀 다이오드 들 ( D ) 에 순방향 전류 가 흐르 게 되 어 비트 라인 들 ( BL 1 - BLn ) 로부터 워드 라인 들 ( WL 1 - WLm ) 로 전류 패스 가 형성 된다 . 따라서 상기 메모리 셀 들 ( 160 ) 의 상기 상전 이 저장 소자 들 ( R ) 의 상변 이 물질 층 들 ( 230 ) 이 상변화 가 일어나 게 되 어 , 고 저항 의 리세트 상태 또는 저 저항 의 세트 상태 로 된다 .