다층 커패시터 ( C 1 ) 에서 는 부분 ( E 21 ) 이 주 표면 ( 3 a ) 상 에 위치 하 므로 , 전자 디바이스 로부터 다층 커패시터 ( C 1 ) 에 가해 지 는 외력 이 요소 바디 ( 3 ) 에 작용 하 지 않 는 경향 이 있 다 . 부분 ( E 21 ) 에서 의 갭 들 의 존재 비율 이 부분 ( E 23 ) 에서 의 갭 들 의 존재 비율 보다 큰 경우 , 부분 ( E 21 ) 은 부분 ( E 23 ) 과 비교 하 여 요소 바디 ( 3 ) 에 가해 지 는 외력 을 완화 시키 는 경향 이 있 다 . 따라서 , 다층 커패시터 ( C 1 ) 는 요소 바디 ( 3 ) 내 의 균열 의 발생 을 신뢰 성 있 게 제어 한다 .