본 발명 은 반도체 메모리 의 메탈 라인 패턴 형성 방법 에 관하 여 개시 한다 . 개시 된 본 발명 은 복수 개 의 셀 로 구성 되 는 블록 으로 서로 다른 전원 을 공급 하 는 제 1 메탈 라인 패턴 이 형성 되 고 , 상기 제 1 메탈 라인 패턴 사이 에 형성 되 어 상기 셀 들 간 의 신호 를 전달 하 는 제 2 메탈 라인 패턴 이 형성 되 며 , 상기 제 2 메탈 라인 패턴 사이 에 형성 되 는 더미 메탈 라인 패턴 은 상기 제 2 메탈 라인 패턴 의 길 이 방향 에 대하 여 최소한 둘 이상 으로 분할 되 어 형성 됨 을 특징 으로 하 며 , 메탈 라인 패턴 의 밀도 차 를 감소 시켜 화학 기계 적 연마 공정 에 의한 디싱 을 방지 함 으로써 메탈 라인 패턴 의 균 일도 를 향상 시키 는 효과 가 있 다 .