도 17 및 도 18 을 참조 하 면 , 본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따른 반도체 패키지 ( 100 C ) 에서 , 반도체 칩 ( 120 ) 은 접속 전극 들 ( 120 P ) 이 배치 되 는 상면 과 상기 상면 의 반 대면 에 위치 하 며 기판 ( 110 ) 에 부착 되 는 하면 을 가질 수 있 다 . 상기 접속 전극 들 ( 120 P ) 의 일부 는 본딩 와이어 ( WB ) 에 의해 기판 ( 110 ) 의 제 1 패드 ( 111 ) 에 접속 될 수 있 고 , 상기 접속 전극 들 ( 120 P ) 의 나머지 일부 는 상부 연결 단자 들 ( 123 ) 과 연결 될 수 있 다 . 상기 상부 연결 단자 들 ( 123 ) 은 제 2 반도체 패키지 ( 200 A ) 의 하부 연결 단자 들 을 수용 할 수 있 다 . 본 실시 예의 구성 요소 에 대한 설명 은 특별히 반대 되 는 설명 이 없 는 한 , 도 1 에 도시 된 반도체 패키지 ( 100 A ) 의 동일 하 거나 유사 한 구성 요소 에 대한 설명 을 참조 할 수 있 다 .