IV 족 원소 또는 화합물 과 관련 하 여 , 이러 한 종류 의 반 전도성 재료 는 도핑 된 다이아몬드 ( C ) , 도핑 된 실리콘 ( Si ) , 탄화 규소 ( SiC ) , 실리콘 게르마늄 ( SiGe ) 및 도핑 된 게르마늄 ( Ge ) 을 포함 하 는 그룹 으로부터 선택 될 수 있 으며 , 상기 반 전도성 재료 는 결정 형 물질 , 마이크 로 결정 형 재료 ( microcrystalline material ) , 또는 바람직 하 게 는 비정질 재료 로부터 선택 될 수 있 다 . 일반 적 으로 사용 되 는 바 와 같이 , " "" 비정질 "" 이 라는 용어 는 반 전도성 재료 의 비결정 동소 체상 ( non - crystalline allotropic phase ) 을 지칭 한다 . 특히 ", 광전도 성 재료 는 적어도 하나 의 수소 화 된 비정질 반 전도성 재료 를 포함 할 수 있 으며 , 비정질 재료 는 또한 수소 를 상기 물질 에 적용 함 으로써 부동태 화 되 고 , 이 에 의해 , 이론 에 얽매이 지 않 고 , 상기 재료 내 에서 많 은 불포화 결합 ( dangling bonds ) 이 몇 배 정도 감소 되 는 것 으로 나타난다 . 특히 , 수소 화 비정질 반 전도성 재료 는 수소 화 비정질 실리콘 ( a - Si : H ) , 수소 화 비정질 실리콘 탄소 합금 ( a - SiC : H ) 또는 수소 화 비정질 게르마늄 실리콘 합금 ( a - GeSi : H ) 으로 이루어진 그룹 으로부터 선택 될 수 있 다 . 그러나 , 수소 화 마이크 로 결정 형 실리콘 ( μ c - Si : H ) 과 같 은 다른 종류 의 물질 도 이러 한 목적 으로 사용 될 수 있 다 .