본 발명 의 실시 예 에서 는 채널 층 의 일부 가 부분 절연 층 에 접촉 된 다중 채널 층 을 갖 는 반도체 소자 및 그 제조 방법 이 제공 될 것 이 다 . 즉 , 채널 층 은 부분 절연 층 상 에 만 형성 되 어 , 채널 층 의 하부 의 반도체 기판 에 기생 채널 이 형성 되 는 것 을 방지 할 것 이 다 . 또한 , 본 발명 의 소오 스 영역 및 드레 인 영역 의 역할 을 하 는 도전 성 영역 은 반도체 기판 과 접촉 된 구조 를 갖 으며 , 도전 성 영역 에 는 희생 물질 층 이 잔존 하 지 않 는다 .