전자 감지 요소 ( 306 ) 는 센서 영역 에서 받아들여진 전자 에 비례 하 는 전류 신호 를 생성 할 수 있 다 . 전처리 회로 는 생성 된 전류 신호 를 ( 받아들여진 전자 빔 스폿 의 세기 를 나타내 는 ) 전압 신호 로 변환 할 수 있 다 . 전처리 회로 는 , 예 를 들 어 고속 트랜스 임피던스 증폭기 ( transimpedance amplifier ) 를 포함 할 수 있 다 . 처리 시스템 은 예 를 들 어 센서 영역 내 에 위치 된 전자 감지 요소 들 에 의해 생성 된 전압 들 을 합산 함 으로써 전자 빔 스폿 의 세기 신호 를 생성 할 수 있 으며 , 세기 신호 를 웨이퍼 상 에 입사 하 는 일차 전자 빔 의 스캔 경로 데이터 와 관련 시킬 수 있 고 , 또한 연관 성 에 기초 하 여 웨이퍼 의 이미지 를 구성 할 수 있 다 .