상술 과 같이 건재 의 표면 에 형성 된 도막 은 , 청구 항 1 또는 2 에 기재 된 바 와 같이 , 비 광 여기 상태 에서 의 당해 도막 의 정적 접촉각 또는 동적 후퇴 접촉각 중 어느 하나 가 30 ° 이하 가 되 기 때문 에 , 비 광 여기 상태 에서 도 우수 한 오염 방지 기능 을 구비 한다 . 또한 , 청구 항 1 또는 2 에 기재 된 바 와 같이 , 메틸렌 블 루 분해 활성 지수 가 3 . 0 이상 으로 되 기 때문 에 , 충분 한 곰팡이 방지 , 소취 , 항균 , 대기 정화 효과 도 구비 한다 . 또한 , 도막 의 막 두께 를 0 . 1 내지 3 ㎛ 로 두껍 게 함 으로써 , 당해 도막 의 표면 저항 치가 작아져 당해 도막 표면 에 먼지 나 오염 을 접근 시키 기 어렵 게 되 는 동시 에 , 당해 도막 에 접하 는 하지 의 기재 ( 또는 별도 의 도막 ) 의 표면 이 장기간 에 걸쳐 보호 되 기 때문 에 , 하지 의 기재 의 표면 이 시간 경과 와 함께 감소 되 는 도막 감소 가 일어나 기 어려워져 건재 는 고내 후성 이 된다 .