본 발명 의 제 2 양태 에 따른 NAND 플래시 메모리 소자 에서 , 상기 반도체 기판 은 상기 복수 의 제 1 도전 라인 및 복수 의 제 2 도전 라인 에 의해 복수 의 메모리 셀 이 형성 되 는 메모리 셀 영역 과 , 상기 복수 의 제 1 콘 택 패드 및 복수 의 제 2 콘 택 패드 가 형성 되 는 접속 영역 을 포함 할 수 있 다 . 상기 복수 의 제 1 도전 라인 및 복수 의 제 2 도전 라인 은 상기 메모리 셀 영역 및 상기 접속 영역 에 걸쳐서 연장 되 어 있 고 , 상기 복수 의 제 1 더미 도전 라인 및 상기 복수 의 제 2 더미 도전 라인 은 상기 접속 영역 에 만 형성 되 고 , 상기 메모리 셀 영역 으로부터 멀 어 질수록 더 긴 길이 를 가질 수 있 다 . 또한 , 상기 복수 의 제 1 더미 도전 라인 및 상기 복수 의 제 2 더미 도전 라인 은 각각 서로 다른 길이 를 가지 고 , 상기 복수 의 제 1 더미 도전 라인 중 에서 선택 되 는 어느 하나 의 제 1 더미 도전 라인 은 상기 선택 된 제 1 더미 도전 라인 과 대향 하 고 있 는 제 2 더미 도전 라인 과 상호 동일 한 길이 를 가질 수 있 다 .