상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 씨 모스 ( CMOS ) 이미지 센서 는 포토다이오드 영역 과 패드 영역 으로 구분 되 는 반도체 기판 ; 상기 반도체 기판 상 에 형성 되 는 절 연막 ; 상기 패드 영역 에 대응 하 는 부분 의 절 연막 상 에 형성 되 는 금속 패드 ; 상기 절 연막 상 에 형성 되 되 상기 금속 패드 의 표면 이 노출 되 도록 금속 패드 오픈 부를 포함 하 는 제 1 평탄 화 층 ; 상기 포토다이오드 영역 에 대응 하 는 부분 의 제 1 평탄 화 층 상 에 형성 되 는 보호막 ; 상기 보호막 상 에 형성 되 는 칼라 필터 어레이 ; 상기 칼라 필터 어레이 상 에 형성 되 되 , 플 라즈 마로 표면 이 처리 된 제 2 평탄 화 층 ; 및 상기 플 라즈 마로 표면 이 처리 된 제 2 평탄 화 층 상 에 형성 되 는 마이크 로 렌 즈 를 포함 한다 .