비 제한 적 예 로서 , 3 차원 NAND 메모리 어레이 에서 , 메모리 소자 들 은 함께 결합 되 어 , 단일 수평 ( 예 를 들 어 , x - z ) 메모리 디바이스 레벨 내 에 NAND 스트링 을 형성 할 수 있 다 . 대안 으로서 , 메모리 소자 들 은 함께 결합 되 어 복수 의 수평 메모리 디바이스 레벨 들 을 가로지르 는 수직 NAND 스트링 을 형성 할 수 있 다 . 일부 NAND 스트링 은 단일 메모리 레벨 에서 메모리 소자 들 을 포함 하 는 반면 다른 스트링 들 은 복수 의 메모리 레벨 들 에 걸쳐 있 는 메모리 소자 들 을 포함 하 는 다른 3 차원 구성 들 도 생각 해 볼 수 있 다 . 3 차원 메모리 어레이 는 또한 , NOR 구성 으로 및 ReRAM 구성 으로 설계 될 수 있 다 .