처리 실 ( 42 ) 은 , 웨이퍼 ( W ) 에 대해서 PVD 처리 등 의 성막 처리 를 실시 한다 . 처리 실 ( 42 ) 내 에 는 , 웨이퍼 ( W ) 가 수평 으로 탑재 되 는 기판 탑재 영역 으로서 의 웨이퍼 탑재 영역 ( 43 a ) 을 갖 는 탑재 대 ( 43 ) 가 마련 되 어 있 다 . 탑 재 대 ( 43 ) 의 상부 에 는 필요 에 따라서 정전 척이 마련 되 어 있 다 . 또한 , 탑재 대 ( 43 ) 에 는 , 상기 탑재 대 ( 43 ) 를 소망 의 온도 로 조정 하 여 상기 탑재 대 ( 43 ) 에 탑재 된 웨이퍼 ( W ) 를 소망 의 온도 로 조절 하 기 위한 온도 조절 기구 ( 도시 하 지 않 음 ) 로서 , 열 판 이나 , 온조 매체 의 유로 가 마련 되 어 있 다 .