도 14 는 몇몇 실시 예 에 따른 핀 - 시닝 프로세스 의 프로세스 흐름 ( 300 ) 을 도시 하고 있 는데 , 이 프로세스 는 도 11 내지 도 13 을 참조 하 여 설명 된다 . 도 14 에서 와 같 은 프로세스 ( 302 ) 에서 , 돌출 반도체 핀 ( 126 ', 226 ') 은 인접 한 STI 영역 ( 22 ) 의 상면 보다 더 높 게 돌출 되 도록 형성 되 는데 , 이 프로세스 는 또 한 도 4 및 도 9 에 도시 되 어 있 는 프로세스 에 대응 한다 . 최종 단면도 가 도 11 에 도시 되 어 있 다 . 또한 , 프로세스 흐름 ( 300 ) 에서 , 제 1 유형 핀 ( 제 1 유형 FinFET 를 형성 하 기 위한 핀 ) 및 제 2 유형 핀 ( 제 2 유형 FinFET 을 형성 하 기 위한 핀 ) 은 반대 전도도 형 이 고 , 제 1 유형 핀 은 n - 형 핀 또는 p - 형 핀 일 수 도 있 고 , 제 2 유형 핀 은 p - 형 핀 또는 n - 형 핀 일 수 도 있 다 . 이하 에 설명 되 는 예 에서 , 돌출 반도체 핀 ( 126 ')( 제 1 유형 핀 ) 은 실리콘 으로 형성 되 고 , 돌출 반도체 핀 ( 226 ')( 제 2 유형 핀 ) 은 실리콘 게르마늄 또는 게르마늄 으로 형성 되 는 것 으로 가정 된다 . 돌출 반도체 핀 ( 126 ', 226 ') 은 또한 다른 재료 로 형성 될 수 도 있 다는 것 이 이해 된다 .