상기 스 트랩 핑 콘 택 들 ( 173 , 177 ) 은 동일 스 트랩 핑 영역 ( 105 a , 105 b , 105 c ) 에서 상기 비트 라인 길 이 방향 으로 어 굿 나 게 배열 되 되 , 동일 스 트랩 핑 영역 ( 105 a , 105 b , 105 c ) 에서 액티브 패턴 ( 111 - 126 ) 마다 하나 씩 배열 된다 . 즉 상기 액티브 패턴 들 ( 111 - 126 ) 중 기수 번 째 액티브 패턴 들 ( 111 , 113 , ... 125 ) 들 에 배열 되 는 스 트랩 핑 콘 택 들 ( 177 ) 이 동일 선상 에 배열 되 고 , 우수 번 째 액티브 패턴 들 ( 112 , 124 , ... 136 ) 들 에 배열 되 는 스 트랩 핑 콘 택 들 ( 173 ) 이 동일 선상 에 배열 된다 . 한편 , 상기 스 트랩 핑 콘 택 들 ( 173 , 177 ) 은 워드 라인 길 이 방향 으로 상기 단위 셀 그룹 들 ( 160 a , 160 b , 160 c ) 마다 하나 씩 배열 된다 . 따라서 상기 스 트랩 핑 콘 택 들 ( 173 , 177 ) 은 워드 라인 길 이 방향 에서 i 개 의 메모리 셀 즉 , 8 개 의 메모리 셀 단위 로 배열 된다 .