반면 , 선택 블록 의 메모리 트랜지스터 의 데이터 소거 를 행할 때 , 비 선택 블록 에서 는 워드 선 WLm 1 내지 WLm 8 을 플로팅 상태 로 한다 . 이러 한 동작 에 의해 , 메모리 트랜지스터 ( MTr 1 mn 내지 MTr 8 mn ) 의 채널 형성 영역 ( 바디 부 ) 의 전위 의 상승 은 커플링 에 의해 워드 선 WLm 1 내지 WLm 8 의 전위 를 상승 시킨다 . 따라서 , 워드 선 WLm 1 내지 WLm 8 과 메모리 트랜지스터 MTr 1 mn 내지 MTr 8 mn 의 전하 축적 층 ( EC ) 사이 에 전위차 가 발생 하 지 않 기 때문 에 , 전하 축적 층 ( EC ) 으로부터 전자 가 추출 ( 소거 ) 되 지 않 는다 .