다음 에 , 도 17 및 도 18 을 참조 하 면서 , 상술 한 노광 장치 ( 500 ) 를 사용 한 디바이스 의 제조 방법 의 실시 형태 에 대해서 설명 하 다 . 도 17 은 디바이스 ( 예 를 들 면 , IC 및 LSI 등 의 반도체 칩 , LCD , CCD 등 ) 를 제조 하 는 방법 을 설명 하 는 흐름 도 이 다 . 여기 서 는 , 반도체 칩 의 제조 를 예 로서 설명 한다 . 스텝 1 ( 회로 설계 ) 에서 는 반도체 디바이스 의 회로 를 설계 한다 . 스텝 2 ( 레티 클 제작 ) 에서 는 설계 된 회로 패턴 을 가진 레 티 클 을 형성 한다 . 스텝 3 ( 웨이퍼 제조 ) 에서 는 실리콘 등 의 재료 를 사용 하 여 웨이퍼 를 제조 한다 . 스텝 4 ( 웨이퍼 프로세스 ) 는 , 전 공정 으로 도 부르 며 , 레티 클 및 웨이퍼 를 사용 하 여 리소그래피 에 의해 웨이퍼 에 실제 의 회로 를 형성 한다 . 스텝 5 ( 조립 ) 는 , 후 공정 으로 도 부르 며 , 스텝 4 에서 형성 된 웨이퍼 를 반도체 칩 으로 형성 하 고 , 조립공 정 ( 예 를 들 면 , 다 이싱 , 본딩 ) , 패 키 징 공정 ( 칩 밀봉 ) 등 을 포함 한다 . 스텝 6 ( 검사 ) 에서 는 스텝 5 에서 제조 된 반도체 디바이스 에 대한 동작 확인 테스트 및 내 구성 검사 등 의 각종 검사 를 실행 한다 . 이 들 공정 을 거쳐서 , 반도체 디바이스 를 완료 해서 출하 한다 ( 스텝 7 ) .