또한 , 이러 한 관점 에서 , 본 발명 에 따른 절연 막 은 Si - OH 기 를 포함 하 는 것 이 바람직 하 다 . Si - OH 기 의 존재 는 FT - IR ( 푸리에 변환 적 외 분광법 ) 에 의해 검출 할 수 있 다 . 또한 , Si - OH 기 는 본 발명 에 따른 조성물 중 에 는 존재 하 지 않 는 경우 도 있 을 수 있 다 . 즉 , 본 발명 에 따른 조성물 의 가수 분해 등 에 의해 Si - OH 기 가 생성 되 면 , 본 발명 에 따른 절 연막 이 Si - OH 기 를 포함 하 게 된다 . 또한 , 상기 Cu - O - Si 결합 은 , Si - OH 기와 Cu - OH 와 의 반응 에 의해 발생 하 는 것 이 라고 생각 되 지만 , 존재 하 는 Si - OH 기 전부 가 Cu - OH 와 반응 하 여 소비 되 어 버리 는 것 은 아니 기 때문 에 , 본 발명 에 따른 절 연막 이 형성 되 고 , 후술 하 는 에너지 부여 처리 를 받 은 후 에 는 , 잔존 하 는 Si - OH 기 가 검출 되 게 된다 .