상기 전도성 지지층 은 금속 층 , 전도성 세라믹 층 또는 불순물 이 도핑 된 반도체 층 중 적어도 어느 하나 가 단일 층 또는 다층 으로 형성 되 고 , 상기 전도성 세라믹 은 Nb 가 도핑 된 SrTiO 3 , Al 이 도핑 된 ZnO , ITO 또는 IZO 중 적어도 어느 하나 를 포함 하 며 , 상기 반도체 층 은 B 가 도핑 된 Si , As 가 도핑 된 Si , 불순물 이 도핑 된 다이아몬드 , 불순물 이 도핑 된 Ge 중 적어도 어느 하나 를 포함 한다 .