도 16 a 는 고온 에서 제 1 급속 열처리 , 저온 에서 제 2 급속 열처리 를 실시 한 2 단계 급속 열처리 방법 을 설명 하 기 위하 여 도시 한 도면 이 다 . 도 16 b 는 도 16 a 에 도시 된 2 단계 급속 열처리 를 실시 한 실리콘 웨이퍼 에 대한 NSMD ( Near Surface Micro Defect ) 측정 결과 를 나타낸 도면 이 다 . 도 16 b 는 5 ㎛ 깊이 로 연마 하 여 NSMD 를 측정 한 결과 이 다 . NSMD 는 일본 미츠이 - 마이닝 ( Mitsui - Mining ) 사 의 MO 6 장비 로 측정 하 였 다 .