최근 정보 통신 분야 의 급속 한 발달 과 , 컴퓨터 와 같 은 정보 매체 의 대중 화 에 따라 반도체 장치 도 비약 적 으로 발전 하 고 있 다 . 또한 , 그 기능 적 인 면 에 있 어서 반 도체 장치 의 소자 고집 적 화 경향 에 따라 기판 에 형성 되 는 개별 소자 의 크기 를 줄이 면서 한편 으로 소자 성능 을 극대 화 시키 기 위해 여러 가지 방법 이 연구 개발 되 고 있 다 . 이러 한 방법 중 에 CMOS 기술 과 같이 , 실리콘 기판 에 도전 성 불순물 을 주입 하 는 이온 주입 기술 이 대두 되 고 있 다 . 이온 주입 기술 은 열 확산 기술 과 함께 반도체 기판 중 에 불순물 도입 을 위한 기본 공정 기술 이 다 . 원리 적 으로 는 옛날 부터 가능 하 다고 되 고 있 던 기술 로서 , 1960 년 대 에 는 이미 트랜지스터 등 이 이 방법 에 의해서 시작 되 었 다 . 최근 , LSI 의 고집 적 화 , 고 밀도 화 에 대응 해서 더 정밀 한 불순물 제어 가 요구 되 고 있 다 . 더욱이 , 양산 기술 면 에서 는 재현 성 의 향상 , 처리 능력 의 향상 이 요구 되 고 있 다 . 그 중 에서 이온 주입 기술 은 더욱 그 중요 성 이 증가 하 여 열 확산 기술 에 대체 해서 실용 화 되 게 되 었 다 . 또 이 기술 에서 는 열 확산 기술 로 는 불 가능 내지 는 아주 어려운 저 농도 불순물 도입 이나 절 연막 을 통한 도핑 등 도 가능 하 게 되 었 다 . 이 와 같 은 이온 주입 기술 에 사용 되 는 일반 적 인 이온 주입 장치 가 미국 특허 번호 4 , 922 , 106 또는 미국 특허 번호 6 , 635 , 880 에 기재 되 어 있 다 .