또한 , 상기 마스크 를 제거 한 후 , 도 5 의 단계 S 102 에 나타내 는 바 와 같이 , 상기 패 터닝 된 도전 성 박막 의 표면 에 대하 여 양극 산화 등 의 산화 처리 를 실시 하 고 , 상기 도전 성 박막 의 표면 에 오산 화 탄탈 ( Ta 2 O 5 ) 등 의 산화 피막 을 형성 한다 ( 도 6 A ( a ) 참조 ) . 이 산화 피막 은 유기 트랜지스터 ( 6 ) 의 게이트 절 연막 ( 63 ) , 커 패 시 터 ( 7 ) 의 유전체 막 ( 72 ) , 및 각 배선 라인 의 층간 절 연막 으로서 기능 한다 . 한편 , 이 들 절 연막 으로서 기능 하 는 막 은 산화 처리 에 의해 형성 하 는 것 에 한정 되 지 않 으며 , 예 를 들 면 스퍼터 나 CVD , 도포 프로세스 에 의해 형성 하 도록 해도 된다 .