게이트 패턴 ( 130 ) 은 복수 의 N + 확산 층 ( 112 ) 을 서로 분리 하 도록 형성 되 어 있 다 . 이 때문 에 게이트 패턴 ( 130 ) 은 도 1 에 나타내 는 바 와 같이 , y 방향 을 따라 연장 되 는 복수 의 부분 과 , y 방향 을 따라 연장 되 는 부분 을 단부 부근 에서 서로 접속 하 는 부분 을 가지 고 구성 되 어 있 다 . 또 , 게이트 패턴 ( 130 ) 은 메모리 셀 영역 ( 1001 ) 을 둘러싸 도록 형성 되 어 있 다 . 이것 은 본 반도체 장치 ( 1000 ) 에서 는 게이트 패턴 ( 130 ) 의 내측 가장자리 부 에 형성 되 는 사이드 월 ( 131 , 113 ) 에 의해 각 확산 층 마다 확산 층 을 서로 분리 시켜서 , 전기 적 으로 절연 하 는 구성 이 다 .