도 6 a 를 참조 하 면 , 기판 ( 100 ) 상 에 도전 막 을 형성 한 뒤 , 패 터닝 하 여 다수 의 게이트 배선 ( 110 ) , 게이트 전극 ( 102 ) 을 형성 한다 . 이 와 동시 에 , 상기 다수 의 게이트 배선 중 일부분 은 상기 게이트 배선 ( 110 ) 과 연장 되 는 제 1 게이트 패드 라인 ( 150 a ) 을 동시 에 형성 한다 .