반면 에 , 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 는 제 2 활성 층 ( 450 ) 이 적 은 양 의 산소 결함 영역 ( Vo ) 을 가질수록 우수 한 소자 특성 을 가질 수 있 다 . 이 를 위해 , 제 2 활성 층 ( 450 ) 상 에 배치 되 는 제 2 게이트 절 연막 ( 140 ) 은 제 2 활성 층 ( 450 ) 에 유입 되 는 수소 의 양 이 낮 아 지 는 재료 를 갖 거나 공정 을 통해 형성 될 수 있 다 .