본 발명 은 반도체 소자 의 소자 분리 막 형성 방법 에 관한 것 으로 , 셀 영역 및 주변 회로 영역 내 소자 분리 영역 에 트렌치 가 형성 된 반도체 기판 이 제공 되 는 단계 , 상기 트렌치 를 채우 는 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 , 상기 소자 분리 막 상 에 희생 막 및 포토레지스트 패턴 을 순차 적 으로 형성 하 는 단계 , 상기 포토레지스트 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 상기 셀 영역 의 희생 막 이 제거 되 도록 상기 희생 막 을 패 터닝 하 는 단계 , 상기 포토레지스트 패턴 을 제거 하 는 단계 , 및 패 터닝 된 상기 희생 막 을 식각 마스크 로 하 여 상기 셀 영역 의 상기 소자 분리 막 을 식각 하 는 단계 를 포함 함 으로써 , 셀 영역 내 유효 산화 막 높이 ( Effective Field oxide Height ; EFH ) 제어 를 위한 소자 분리 막 의 식각 공정 시 주변 회로 영역 에 패 터닝 된 희생 막 을 식각 마스크 로 이용 하 는 습식 식각 공정 으로 포토레지스트 에 의한 오염 이나 포토 레지스 패턴 으로 인한 공정 불량 없이 셀 영역 내 EFH 편차 ( variation ) 를 개선 할 수 있 다 .