도 8 a ~ 8 i 를 참조 하 면 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 하이브리드 터치 패널 을 제조 하 는 예 를 위한 흐름 도 를 나타낸다 . 먼저 , 도 8 a 에 도시 된 바 와 같이 제 1 전도 층 ( 231 ) 을 갖 는 기재 ( 230 ) 를 제공 하 는 단계 이 다 . 둘째 로 , 제 1 전도 층 ( 231 ) 상 에 불 필요 한 전도성 재료 를 제거 함 으로써 적어도 하나 의 제 1 저 항식 접촉 영역 ( 232 ) 및 적어도 하나 의 정전 용 량식 접촉 영역 ( 233 ) 을 형성 하 는 단계 로 , 이 는 제 1 전도성 모듈 ( 23 ) 을 구축 한다 . 제 1 저 항식 접촉 영역 ( 232 ) 및 정전 용 량식 접촉 영역 ( 233 ) 사이 에 는 격리 영역 ( 234 ) 이 있 다 . 제거 단계 에 관해서 이 는 주지 의 기술 , 에칭 방법 일 수 있 으며 , 이 는 더 이상 설명 되 지 않 는다 . 나아가 은과 같 은 인쇄 된 금속 이 컨덕턴스 를 위해 제 1 전도 층 ( 231 ) 상 에 형성 될 수 있 다 .