도 16 및 도 17 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 전극 ( 120 ) 은 절연 층 ( 130 ) 의 상부 일부 영역 상 에 형성 될 수 있 다 . 게이트 전극 ( 120 ) 은 드레 인 전극 ( 180 ) 과 상하 로 일부 중첩 되 도록 배치 될 수 있 다 . 트랩 층 ( 190 ) 은 상기 게이트 전극 ( 120 ) 과 제 1 반도체 층 ( 150 ) 사이 에 배치 될 수 있 다 . 트랩 층 ( 190 ) 의 폭 은 게이트 전극 ( 120 ) 의 폭 과 대응 될 수 있 다 . 트랩 층 ( 190 ) 은 문턱 전압 조절 층 ( 140 ) 에 의해 둘러싸 일 수 있 다 . 트랩 층 ( 190 ) 은 드레 인 전극 ( 180 ) 과 상하 로 일부 중첩 되 도록 배치 될 수 있 다 .