구체 적 으로 , 본 발명 에 따른 화소 회로 는 상기 캐 패 시터 ( C ) 에 충전 된 전하량 에 따라 상기 유기 발광 다이오드 ( OLED ) 의 발광 량 을 조절 하 는 제 4 박막 트랜지스터 ( T 4 ) 와 , 대응 하 는 게이트 라인 에 인가 되 는 스캔 신호 ( scan ( n ) ) 에 응답 하 여 대응 하 는 데이터 라인 으로부터 상기 캐 패 시터 ( C ) 에 충전 될 데이터 전압 ( Vdata ) 을 스위칭 하 기 위한 제 1 박막 트랜지스터 ( T 1 ) 와 , 상기 대응 하 는 게이트 라인 의 전단 인 이전 게이트 라인 에 인가 됐 던 스캔 신호 ( scan ( n - 1 ) ) 에 응답 하 여 상기 캐 패 시터 ( C ) 를 초기 화 시키 는 제 2 박막 트랜지스터 ( T 2 ) 및 상기 제 1 박막 트랜지스터 ( T 1 ) 의 소스 에 접속 되 어 제 1 노드 ( N 1 ) 에 상기 데이터 전압 ( Vdata ) 이 충전 되 도록 하 는 완충제 역할 을 하 는 제 3 박막 트랜지스터 ( T 3 ) 를 포함 한다 . 정확히 , 상기 제 3 박막 트랜 지스 터 ( T 3 ) 는 상기 제 1 노드 ( N 1 ) 상 의 전압 이 상기 제 1 박막 트랜지스터 ( T 1 ) 방향 으로 영향 을 미치 지 못하 게 완충 기능 을 한다 .