점착제 로서 점착 저감 형 점착제 를 사용 하 는 경우 , 다 이싱 다이 본드 필름 ( 20 ) 의 사용 과정 에 있 어서 , 점착제 층 ( 2 ) 이 비교 적 높 은 점착력 을 나타내 는 상태 ( 이하 , 고 점착 상태 라고 함 ) 와 , 비교 적 낮 은 점착력 을 나타내 는 상태 ( 이하 , 저 점착 상태 라고 함 ) 를 구분지 어 사용 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 다 이 본드 층 ( 3 ) 및 다 이 본드 층 ( 3 ) 에 첩부 된 반도체 웨이퍼 가 할단 에 제공 될 때 에 는 , 할단 에 의해 개편 화 된 복수 의 다이 본드 층 ( 3 ) 이 , 점착제 층 ( 2 ) 으로부터 부상 하 거나 박리 하 거나 하 는 것 을 억제 하 기 위해서 , 고 점착 상태 를 이용 한다 . 이 에 비해 , 다 이 본드 층 ( 3 ) 및 다 이 본드 층 ( 3 ) 에 첩부 된 반도체 웨이퍼 의 할단 후 에 , 개편 화 된 복수 의 다이 본드 층 을 구비 한 반도체 칩 을 픽업 하 기 위해서 는 , 점착제 층 ( 2 ) 으로부터 복수 의 다이 본드 층 을 구비 한 반도체 칩 을 픽업 하 기 쉽 게 하 기 위해서 , 저 점착 상태 를 이용 한다 .