도 1 을 참조 하 면 , P - 에 피층 ( 110 ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 100 ) 에 필드 산화 막 ( 120 ) 이 형성 되 고 , 기판 ( 100 ) 의 일 측 에 는 게이트 절 연막 ( 130 ) , 게이트 ( 140 ) 및 N ＋ 접합 영역 ( 미 도시 ) 으로 이루어지 는 NMOS 트랜지스터 가 형성 되 고 , 게이트 ( 140 ) 에 인접 한 기판 ( 100 ) 의 다른 측 에 는 수광 소자 로서 딥 N - 영역 ( 151 ) , P 0 영역 ( 152 ) 및 에 피층 ( 110 ) 으로 이루어지 는 PNP 구조 의 포토 다이오드 가 형성 된다 . 여기 서 , 게이트 ( 140 ) 는 전송 게이트 를 나타낸다 .