그리고 , 도시 하 지 않 았 지만 , 기판 ( 21 ) 에 는 스토리지 노드 콘 택 플러그 ( Storagenode contact plug ) 가 형성 되 어 있 다 . 이때 , 스토리지 노드 콘 택 플러그 는 콘 택 홀 형성 후 폴리 실리콘 막 증착 , CMP ( Chemical Mechanical Polishing ) 공정 및 에치 백 공정 을 실시 하 여 형성 한다 . 또한 , 스토리지 노드 콘 택 플러그 의 표면 에 는 확산 배리 어인 티타늄 막 ( Ti ) 과 티타늄 질화 막 ( TiN ) 의 적층 막 이 형성 될 수 있 고 , 또한 스토리지 노드 콘 택 플러그 의 표면 에 는 오 믹 콘 택 층 으로서 티타늄 실리사이드 막 이 형성 될 수 있 다 .