본 발명 의 실시 예 에 따른 수직 형 반도체 장치 는 , 메모리 셀 영역 과 정렬 키 영역 을 포함 하 는 기판 ; 상기 메모리 셀 영역 의 기판 상 에 절연 층 들 과 게이트 전극 들 이 교번 하 여 적층 된 메모리 셀 스택 ; 상기 정렬 키 영역 의 기판 상 에 형성 된 더미 스택 ; 상기 메모리 셀 스택 의 하부 를 관통 하 는 하부 채널 구조물 ; 상기 메모리 셀 스택 의 상부 를 관통 하 여 상기 하부 채널 구조물 상 에 위치 하 는 상부 채널 구조물 ; 상기 더미 스택 의 하부 에 제공 된 트렌치 형상 의 하부 단차 형 정렬 키 ; 및 상기 더미 스택 의 상부 에 제공 되 며 , 상기 하부 단차 형 정렬 키 로부터 유도 된 상부 단차 형 정렬 키를 포함 할 수 있 다 .