도 13 를 참조 하 면 , 도 12 에서 형성 된 감광제 ( 133 ) 패턴 을 기준 으로 산화 막 ( 131 ) 을 부분 적 으로 식각 한다 . 또한 , 도 14 에 도시 된 바 와 같이 , 감광제 ( 133 ) 패턴 을 기준 으로 실리콘 건식 식각 공정 을 통해 실리콘 ( 131 ) 을 부분 적 으로 식각 한다 . 이 를 통해 제 2 함몰 영역 ( 111 ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 2 함몰 영역 ( 111 ) 은 실리콘 ( 131 ) 까지 함몰 된 상태 로 , 바닥 면은 실리콘 질화 막 ( 120 ) 일 수 있 다 . 이후 단계 에서 , 실리콘 질화 막 ( 120 ) 에 대한 추가 적 인 식각 이 수행 되 고 제 2 함몰 영역 ( 111 ) 은 하부 가 개방 되 어 벤트 홀 ( 150 ) 로 형성 될 수 있 다 .