본 발명 에 따른 비휘발성 메모리 소자 및 이 를 이용 한 프로그램 방법 에 따르 면 , 드레 인 선택 라인 을 프로그램 가능 하 도록 형성 하 고 워드 라인 을 프로그램 한 뒤 드레 인 선택 라인 을 프로그램 함 으로써 , 전체 워드 라인 이 동일 한 간섭 효과 를 받 아 문턱 전압 분포 가 좁 게 형성 되 어 충분 한 읽 기 마진 을 확보 할 수 있 다 . 이 에 따라 프로그램 문턱 전압 의 최고 치가 감소 하 게 되 어 프로그램 시간 이 감소 하 고 반도체 소자 의 성능 이 향상 될 수 있 다 .