본 발명 의 실시 예 에서 는 , 비정질 실리콘 상 에 코발트 ( Co ) 또는 니켈 ( Ni ) 을 형성 하 여 실리사이드 화 하 여 풀리 실리사이드 실리콘 을 보다 용이 하 게 형성 할 수 있 다 . 비정질 실리콘 을 사용 하 면 기존 의 공정 보다 낮 은 온도 에서 보다 정교 한 풀리 실리사이드 실리콘 을 보다 쉽 게 형성 할 수 있 으며 , 열적 버짓 측면 에서 도 트랜지스터 의 열화 에 의한 소자 성능 저하 를 방지 할 수 있 다 .