그런 다음 하부 의 실리콘 기판 을 식각 한다 ( 315 ) . 이때 기존 의 식각 방식 과 는 달리 식각 시 에 공진 변경 부 ( 317 ) 를 남기 는 방식 으로 식각 한다 . 이러 한 식각 을 위해서 일반 적 으로 포토 레지스터 를 하부 실리콘 기판 에 전사 한 후 DRIE 방법 이나 KOH 방식 을 사용 하 여 식각 하 는데 이렇게 식각 하 는 경우 실리콘 기판 의 두께 의 약 30 % 정도 가 불 균일 하 게 식각 된다 . 이러 한 불 균일 성 은 압 전 스피커 의 음향 특성 에 큰 영향 을 주 게 된다 . 따라서 일반 적 으로 2 내지 3 단계 로 식각 을 나눠서 진행 한다 . DRIE 를 이용 한 2 단계 식각 방법 을 설명 하 면 다음 과 같 다 . 실리콘 기판 위 에 SiO 2 나 SiNx 를 증착 한 후 포토레지스트 를 도포 한 후 패 터닝 을 한다 . 이 1 차 패턴 을 이용 하 여 SiO 2 나 SiNx 를 원하 는 두께 만큼 식각 을 한다 . 이 는 DRIE 식각 을 수행 하 면서 공진 변경 부 ( 317 ) 를 형성 하 기 위한 것 이 다 . 공진 변경 부 ( 317 ) 를 형성 하 기 위한 2 차 패턴 을 정의 한 후 DRIE 방법 또는 RIE 방법 을 이용 하 여 실리콘 기판 을 원하 는 두께 만큼 식각 을 한 후 포토레지스트 를 제거 한다 . 이렇게 형성 된 패턴 을 이용 하 여 DRIE 식각 을 수행 하 면 최종 적 으로 공진 변경 부 ( 317 ) 가 형성 된다 .