도 14 에 따른 실시 예 에서 , 필터 구 조체 ( 5 ) 는 방출 방향 ( 90 ) 에 대해 약 45 ° 의 각도 로 연장 되 는 트렌치 의 형태 로 제 4 필터 부재 ( 9 ) 를 포함 한다 . 트렌치 의 플랭크 는 다시 반도체 층 시퀀스 ( 10 ) 의 성장 방향 과 0 ° 내지 45 ° 의 각 을 가지 며 , 예 를 들 면 불 투명 흡수성 물질 로 코팅 될 수 있 다 . 리지 구조 ( 11 ) 에 대한 간격 은 4 ㎛ 보다 작 다 . 도 14 에 도시 된 제 4 필터 부재 ( 9 ) 에 의해 , 비 간섭 성 제 2 전자기 복사 ( 52 ) 가 복사 아웃 커플링 면 으로부터 아웃 커플링 되 는 경우 가 효과 적 으로 방지 될 수 있 다 .