상기 다른 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 장치 의 저항 구조물 의 제조 방법 으로 , 먼저 기판 의 액티브 영역 상 에 , 제 1 방향 으로 연장 되 면서 서로 나란 하 게 배치 되 고 게이트 산화 막 및 전극 이 적층 된 적어도 2 개 의 게이트 구조물 들 을 형성 한다 . 상기 게이트 구조물 들 의 양측 의 액티브 영역 표면 아래 에 제 1 도전 형 의 불순물 을 도핑 시켜 , 상기 제 1 방향 으로 연장 되 고 저항 으로 사용 되 는 저항 영역 들 을 형성 한다 . 상기 게이트 구조물 에서 제 1 방향 으로 의 양 단부 와 인접 하 는 부위 의 저항 영역 들 과 접속 하 는 콘 택 들 을 형성 한다 . 다음 에 , 상기 콘 택 들 을 서로 연결 시키 는 배선 라인 들 을 형성 한다 .