상기 도 25 및 도 26 에 나타내 는 메모리 분리 홈 ( 94 ) 의 형성 공정 에 의해 , 제 1 내지 제 8 판상 워드 선간 절연 층 ( 31 a ' 내지 31 h ') 은 로우 방향 으로 서로 평행 하 게 연장 되 는 형상 을 갖 고 칼럼 방향 으로 제 1 간격 을 두 고 라인 상태 로 반복 적 으로 형성 된 제 1 내지 제 8 워드 선간 절연 층 ( 31 a 내지 31 h ) 이 된다 . 또한 , 제 1 내지 제 8 판상 폴리 실리콘 도전 층 ( 32 a ' 내지 32 h ') 은 로우 방향 으로 서로 평행 하 게 연장 되 는 형상 을 갖 고 칼럼 방향 으로 제 1 간격 을 두 고 라인 상태 로 반복 적 으로 형성 된 제 1 내지 제 8 워드 선 도전 층 ( 32 a 내지 32 h ) 이 된다 . 또한 , 제 1 및 제 2 판상 분리 / 절연 층 ( 33 a ', 33 b ') 은 로우 방향 으로 서로 평행 하 게 연장 되 는 형상 을 갖 고 칼럼 방향 으로 제 1 간격 을 두 고 라인 상태 로 반복 적 으로 형성 된 제 1 및 제 2 분리 / 절연 층 ( 33 a , 33 b ) 이 된다 .