본 발명 에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판 의 제조 방법 은 기판 위 에 박막 트랜지스터 의 게이트 전극 , 상기 게이트 전극 과 접속 된 게이트 라인 및 상기 게이트 라인 을 형성 하 는 단계 와 ; 게이트 절 연막 을 사이 에 두 고 상기 게이트 라인 과 교차 되 는 데이터 라인 , 상기 데이터 라인 과 접속 되 는 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터 와 접속 된 화소 전극 을 형성 하 는 단계 와 ; 상기 화소 전극 을 덮 는 보호막 을 형성 하 는 형성 하 는 단계 와 ; 상기 보호막 위 에 위치 하 며 상기 화소 전극 과 중첩 되 는 영역 에서 는 다수 의 슬릿 을 포함 함 과 아울러 상기 박막 트랜지스터 와 는 비 중첩 되 는 공통 전극 을 형성 한다 .