이어서 , 상기 비정질 규소 막 을 공지 의 기술 ( 고상 성 장법 , 레이저 결정 화 방법 , 촉매 금속 을 사용 한 결정 화 방법 등 ) 에 의해 결정 화 시켜 , 결정 구조 를 갖 는 반도체 막 ( 결정 성 반도체 막 ) , 예 를 들 면 다결정 규소 막 을 형성 한다 . 여기 에서 는 촉매 원소 를 사용 한 결정 화 방법 을 사용 하 여 , 다 결정 규소 막 을 얻 는다 . 중량 환산 으로 10 ppm 의 니켈 을 포함 하 는 아세트산니켈 용액 을 스피너 로 첨가 한다 . 또 , 용액 을 첨가 하 는 방법 대신 에 , 스퍼터 법 으로 니켈 원소 를 전체 면 에 살포 하 는 방법 을 사용 하 여도 좋 다 . 이어서 , 가열 처리 를 하 여 결정 화 시켜 결정 구조 를 갖 는 반도체 막 ( 여기 에서 는 다 결정 규소 막 ) 을 형성 한다 . 여기 에서 는 열 처리 ( 500 ℃, 1 시간 ) 후 , 결정화 를 위한 열 처리 ( 550 ℃, 4 시간 ) 를 하 여 다결정 규소 막 을 얻 는다 .