본 발명 은 게르마늄 - 게르마늄 산화 막 - 고 유전율 절 연막 의 제조 방법 , 이 에 의해 제조 된 게르마늄 - 게르마늄 산화 막 - 고 유전율 절 연막 및 상기 게르마늄 - 게르마늄 산화 막 - 고 유전율 절 연막 을 포함 하 는 전계 효과 트랜지스터 에 관한 것 으로 , 본 발명 의 게르마늄 - 게르마늄 산화 막 - 고 유전율 절 연막 의 제조 방법 은 간단 한 방법 으로 high - k 물질 과 이산화 게르마늄 의 이종 접합 산화물 을 형성 하 여 계면 결함 을 현저히 낮추 고 , 이 를 바탕 으로 C - V 특성 , 히스테리시스 등 의 전기 적 특성 이 향상 된 게르마늄 - 게르마늄 산화 막 - 고 유전율 절 연막 을 제조 할 수 있 다 .