이웃 하 는 제 1 반도체 필라 ( 13 N ) 사이 에 분리 트렌치 ( 13 T ) 가 정의 될 수 있 다 . 분리 트렌치 ( 13 T ) 에 의해 이웃 하 는 제 1 반도체 필라 ( 13 N ) 가 서로 이격 될 수 있 다 . 분리 트렌치 ( 13 T ) 의 깊이 는 제 1 반도체 필라 ( 13 N ) 의 높이 와 동일 할 수 있 다 . 제 1 반도체 필라 ( 13 N ) 의 높이 는 약 2000 Å 일 수 있 다 . 분리 트렌치 ( 13 T ) 의 깊이 는 제 1 반도체 필라 ( 13 N ) 의 높이 와 동일 할 수 있 다 . 분리 트렌치 ( 13 T ) 의 깊이 는 약 2000 Å 일 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 분리 트렌치 ( 13 T ) 의 깊이 는 제 1 반도체 필라 ( 13 N ) 의 높이 보다 더 클 수 있 다 .