도 2 f 를 참조 하 면 , 개방 부 또는 윈도우 ( 46 ) 는 도시 되 는 바 와 같이 핑거 형 게이트 전극 구 조체 ( 141 - 144 ) ( 도 1 a 및 1 b ) 가 형성 되 는 III 족 - N 반도체 층 ( 36 ) 의 일부 를 노출 시키 기 위해 임의 의 종래 의 실리콘 ( Si ) 주조 호환 리소그래피 및 에칭 가공 기술 을 사용 하 여 , 여기 서 이 양태 에서 , III 족 - N 반도체 층 ( 36 ) , 여기 서 는 AlGaN 층 과 쇼트 키 접촉 하 는 층 ( 44 ) 내 에 형성 된다 .