본 발명 의 보다 넓 은 범위 의 형태 중 다른 하나 는 반도체 디바이스 를 포함 하 며 , 이 반도체 디바이스 는 , 시일 링 영역 및 회로 영역 을 갖 는 기판 , 및 시일 링 영역 위 에서 회로 영역 에 인접 하 게 배치 되 고 , 복수 의 삼각형 금속 층 을 구비 하 는 제 1 시 일 링 구 조체 를 포함 한다 . 반도체 디바이스 는 또 한 시 일 링 영역 위 에서 분리 선 및 제 1 시 일 링 구 조체 에 인접 하 게 배치 되 고 , 복수 의 직선형 금속 층 을 갖 는 제 2 시 일 링 구 조체 를 더 포함 한다 . 이 들 제 1 및 제 2 시 일 링 구조 체 위 에 는 제 1 부동태 층 이 배치 된다 .