도 15 ( d ) 를 참조 하 면 , n 형 반도체 층 ( 100 ) 상부 의 소정 영역 에 n 형 전극 층 ( 900 ) 을 형성 한 후 n 형 전극 층 ( 900 ) 이 형성 되 지 않 은 n 형 반도체 층 ( 100 ) 을 러프 닝 한다 . 그리고 , 다 이싱 ( dicing ) 이나 레이저 커팅 방법 으로 발광 소자 영역 사이 의 커버 층 ( 600 ) , 제 1 지지층 ( 710 ) 을 절단 하 여 칩 을 완성 한다 .