소자 형성 층 ( 124 ) 은 , Ge 에 격자 정합 또는 의사 격자 정합 되 는 3 - 5 족 화합물 층 또는 2 - 6 족 화합물 층 이 어도 좋 다 . 또한 소자 형성 층 ( 124 ) 은 , Ge 에 격자 정합 또는 의사 격자 정합 하 는 3 - 5 족 화합물 층 으로서 , 3 족 원소 로서 Al , Ga , In 중 하나 이상 을 함유 하 고 , 5 족 원소 로서 N , P , As , Sb 중 하나 이상 을 함유 하 는 것 이 어도 좋 다 . 예컨대 소자 형성 층 ( 124 ) 으로서 , GaAs 층 을 예시 할 수 있 다 . 의사 격자 정합 은 , 서로 접하 는 2 개 의 반도체 층 의 각각 의 격자 정수 의 차 가 작 기 때문 에 , 완전 한 격자 정합 은 아니 지만 , 격자 부정합 에 의한 결함 의 발생 이 현저 하 지 않 은 범위 에서 거의 격자 정합 하 여 서로 접하 는 2 개 의 반도체 층 을 적층 시킬 수 있 는 상태 를 말 한다 . 예컨대 , Ge 층 과 GaAs 층 의 적층 상태 는 의사 격자 정합 이 라 불린다 .