본 개시 의 일부 구 현예 에서 , 선택 적 증착 장치 ( 11 ) 의 전구체 분배 및 제거 시스템 ( 14 ) 은 , SnI 4 또는 SnCl 4 를 포함 한 전구체 를 반응 챔버 에 제공 하 도록 구성 되 고 배열 된다 . 본 개시 의 일부 구 현예 에서 , 예시 적 인 선택 적 증착 장치 ( 11 ) 는 , 테트라에틸 주석 , 테트라메틸 주석 또는 주석 아세틸 아 세토 네이트 를 포함 하 는 군 으로부터 선택 된 전구체 를 반응 챔버 에 제공 하 도록 구성 되 고 배열 되 는 전구체 분배 및 제거 시스템 을 포함 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 선택 적 증착 장치 ( 11 ) 는 , 예 를 들 어 레지스 트 와 같 은 개질 및 비 개질 층 의 하나 안 에 또는 그 위 에 주석 과 같 은 금속 을 선택 적 으로 제공 할 수 있 다 .