도 3 을 참조 하 면 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 메모리 컨트롤러 ( 2100 ) 는 , 호스트 인터페이스 ( host interface ; 2110 b ) , 중앙 처리 장치 ( central processing unit ; 2120 b ) , 최적 리드 전압 관리 부 ( 2130 b ) , 메모리 인터페이스 ( memory interface ; 2140 b ) , 버퍼 메모리 ( buffer memory ; 2150 b ) , 오류 정정 회로 ( error correction circuit ; 2160 b ) 및 내부 메모리 ( internal memory ; 2170 b ) 를 포함 할 수 있 다 .