다음 에 , 게이트 절 연막 ( 53 ) 위 에 막 두께 가 25 nm 인 산화물 반도체 층 을 스퍼터링 법 에 의하 여 형성 하 였 다 . 또한 , 상기 산화물 반도체 층 은 In 2 O 3 : Ga 2 O 3 : ZnO = 1 : 1 : 2 [ mol ] 의 금속 산화물 타깃 을 사용 하 여 형성 하 였 다 . 또한 , 상기 산화물 반도체 층 은 기판 온도 200 ℃, 챔버 내압 0 . 6 Pa , 직류 전압 5 kW , 산소 및 아르곤 의 혼합 분위기 ( 산소 유량 50 sccm , 아르곤 유량 50 sccm ) 의 조건 으로 형성 하 였 다 . 또한 , 상기 산화물 반도체 층 을 포토 리소그래피 법 을 사용 하 여 선택 적 으로 에칭 함 으로써 산화물 반도체 층 ( 54 ) 을 형성 하 였 다 ( 도 2 ( D ) 참조 ) .