도 8 의 제 2 순서 에서 는 , ALD 반응 또는 CVD 반응 이 생기 는 조건 하 에서 , 기판 에 대해 소정 의 원소 를 포함 하 는 원료 가스 를 공급 함 으로써 기판 상 에 소정 의 원소 함유층 을 형성 하 는 제 1 공정 ( 스텝 1 ) 과 , 그 소정 원소 함유층 에 대해 질소 를 포함 하 는 가스 를 플 라즈 마 또는 열 로 활성 화 하 여 공급 함 으로써 , 소정 원소 함유층 을 질화 층 으로 개질 하 는 제 2 공정 ( 스텝 2 ) 과 , 그 질화 층 에 대해 산소 를 포함 하 는 가스 를 열 로 활성 화 하 여 공급 함 으로써 , 질화 층 을 산질 화 층 으로 개질 하 는 제 3 공정 ( 스텝 3 ) 을 1 사이클 로 하 고 , 이 사이클 을 적어도 1 회 이상 수행 한다 . 이 에 의해 원 하 는 막 두께 의 산질 화 막 을 형성 한다 . 제 1 공정 에서 는 기판 상 에 1 원자 층 미만 으로부터 몇 원자 층 의 소정 원소 함유층 이 형성 되 고 , 제 2 공정 에서 는 그 소정 원소 함유층 이 질화 층 으로 치환 되 며 , 제 3 공정 에서 는 그 질화 층 이 산질 화 층 으로 치환 된다 . 한편 , 도 7 과 8 양 쪽 모두 , 소정 원소 가 Si 이 고 , 원료 가스 가 HCD 가스 이 며 , 질소 를 포함 하 는 가스 가 NH 3 가스 이 고 , 산소 를 포함 하 는 가스 가 NO 가스 또는 N 2 O 가스 인 경우 의 예 를 나타낸다 . 이 경우 , 소정 의 원소 함유층 은 실리콘 함유층 으로 되 고 , 질화 층 은 실리콘 질화 층 ( SiN 층 ) 이 되 며 , 산질 화 층 은 실리콘 산질 화 층 ( SiON 층 ) 이 되 고 , 산질 화 막 은 실리콘 산질 화 막 ( SiON 막 ) 이 된다 .