상기 에칭 공정 의 종료 후 , 애 싱 처리 등 을 행하 여 남 아 있 는 레지스 트 마스 크 를 제거 한다 . 이렇게 하 여 도 1 ( C ) 에서 나타내 는 바 와 같이 , 기판 ( 101 ) 위 에 제 1 배선 층 ( 107 a ) 과 제 2 배선 층 ( 107 b ) 이 각각 형성 된다 . 여기 에서 는 , 화소 부 에 형성 되 는 제 1 배선 층 ( 107 a ) 의 테이퍼 각 ( θ 1 ) 을 약 50 ° 로 하 고 , 단자 부 에 형성 되 는 제 2 배선 층 ( 107 b ) 의 테이퍼 각 ( θ 2 ) 을 약 70 ° 로 한다 . 후 의 공정 에서 , 제 1 배선 층 ( 107 a ) 위 에 는 반도체 막 이나 배선 을 형성 하 므로 , 단절 ( 段 切 ) 방지 를 위해 양 측면 의 테이퍼 각 을 작 게 가공 하 는 것 은 효과 적 이 다 . 또한 , 제 2 배선 층 ( 107 b ) 은 서로 인접 하 여 복수 배치 되 고 , FPC 등 과 접속 되 기 때문 에 , 서로 인접 하 는 제 2 배선 층 ( 107 b ) 사이 에서 단락 이 발생 하 지 않 도록 양 측면 의 테이퍼 각 을 크 게 가공 하 는 것 은 효과 적 이 다 . 또한 , 복수 의 제 2 배선 층 ( 107 b ) 을 좁 은 범위 에 나열 하 고자 하 는 경우 , 인접 하 는 제 2 배선 층 ( 107 b ) 의 간격 을 좁 게 할 수 있 기 때문 에 , 양 측면 의 테이퍼 각 을 크 게 가공 하 는 것 은 효과 적 이 다 .