도 6 a 및 도 6 b 를 함께 참조 하 면 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 트랜지스터 는 반도체 패턴 에 중첩 하 는 배리어 패턴 을 포함 함 에 따라 , 반도체 패턴 의 안정 성 및 신뢰 성 이 향상 되 고 , 트랜지스터 의 전기 적 특성 이 안정 적 으로 유지 될 수 있 다 . 특히 , 도 6 a 에 도시 된 바 와 같이 배리 어 패턴 이 생략 된 종래 의 트랜지스터 의 경우 , 저 산소 분압 에서 형성 된 산화물 반도체 패턴 에 쇼트 ( short ) 가 발생 할 수 있 다 ( A ) . 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 트랜지스터 는 반도체 패턴 에 중첩 하 는 배리어 패턴 을 형성 하 는 공정 에서 산화물 반도체 패턴 에 산소 공급 이 가능 하 여 , 반도체 패턴 의 안정 성 및 신뢰 성 이 향상 되 고 , 쇼트 ( short ) 등 이 발생 하 는 것 이 방지 되 어 트랜지스터 의 전기 적 특성 이 안정 적 으로 유지 될 수 있 다 .