다음 으로 , 도 9 에 도시 하 는 바 와 같이 , 예컨대 인산 ( H 3 PO 4 ) 등 의 약액 을 공급 하 여 , 습식 에칭 에 의해 , 실리콘 질화 막 ( 3 ) 을 제거 한다 . 실리콘 질화 막 ( 3 ) 을 제거 함 으로써 , 산화 막 ( 5 ) 이 소자 영역 ( 1 A , 1 B ) 보다 도 높 아 진다 . 계속 해서 , 예컨대 불화 수소산 등 의 약액 을 공급 하 여 , 습식 에칭 에 의해 , 산화 막 ( 2 ) 을 제거 한 후 , 800 ℃∼ 1000 ℃ 에서 고온 어닐링 을 행한다 . 그리고 , 실리콘 기판 ( 1 ) 의 소자 영역 ( 1 A , 1 B ) 의 표면 에 , 열 산화 법 에 의해 산화 막 ( 7 ) 을 형성 한다 . 또 , 열 산화 법 에 의해 형성 되 는 산화 막 ( 7 ) 은 HDP - CVD 에 의해 형성 되 는 산화 막 ( 5 ) 보다 치밀 한 구조 가 된다 . 따라서 , 산화 막 ( 7 ) 은 산화 막 ( 5 ) 에 비하 여 , 불화 수소산 등 의 약액 의 에칭 률 이 낮 아 진다 . 산화 막 ( 7 ) 의 막 두께 는 , 예컨대 5 ㎚∼ 20 ㎚ 로 한다 .