도 7 a 를 참조 하 면 , 활성 영역 을 한정 하 는 소자 분리 막 ( 302 ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 300 ) 상 에 산화 막 과 폴리 실리콘 막 으로 게이트 형성 영역 을 노출 시키 는 마스크 패턴 ( 320 ) 을 형성 한 후 , 식각 공정 을 진행 하 여 활성 영역 의 게이트 형성 영역 을 300 ∼ 3000 Å 의 깊이 ( H ) 로 리세 스 시 킨다 .