본 발명자 들 은 , 입방정 결정 구조 와 [ 111 ] 방향 으로 성장 하 는 나노 와 이 어의 ( 111 ) 평면 에서 의 ( 또는 육방정 결정 구조 와 [ 0001 ] 방향 으로 성장 하 는 나노 와 이 어의 ( 0001 ) 평면 에서 의 ) 흑연 질 기판 의 육각형 대칭 및 반도체 원자 의 육각형 대칭 으로 인해 , 성장 하 는 나노 와이어 와 기판 사이 에 격자 정합 이 달성 될 수 있 음 을 알 았 다 . 이러 한 과학 에 대한 포괄 적 인 설명 은 WO 2013 / 104723 에서 찾 을 수 있 다 .