" 도 1 ( A ) 는 정보 를 유지 할 수 있 는 반도체 장치 의 구성 예 를 도시 한 회로도 다 . 도 1 ( A ) 에 도시 한 반도체 장치 는 산화물 반도체 ( 도 1 ( A ) 에서 "" OS "" 라고 부기 함 ) 로 채널 영역 이 형성 되 는 트랜지스터 ( 10 ) 및 트랜지스터 ( 11 ) ", 트랜지스터 ( 12 ) 및 트랜지스터 ( 13 ) , 용량 소자 ( 14 ) , 신호선 ( 20 ) , 신호선 ( 21 ) , 비트 선 ( 22 ) , 데이터 선 ( 23 ) , 워드 선 ( 24 ) , 고정 전위선 ( 25 ) 을 갖 는다 . 또한 , 트랜지스터 ( 12 ) , 트랜지스터 ( 13 ) 로서 산화물 반도체 로 채널 영역 이 형성 되 는 트랜지스터 뿐 만 아니 라 실리콘 등 다른 반도체 로 채널 영역 이 형성 되 는 트랜지스터 를 적용 할 수 도 있 다 . 또한 , 여기 서 는 , 트랜지스터 ( 10 ) 내지 트랜지스터 ( 13 ) 는 n 채널 형 트랜지스터 인 것 으로 한다 .