종래 의 트랜지스터 에 제조 방법 은 실리콘 ( Si ) 기판 내 에 소자 분리 산화 막 및 소오 스 / 드레 인 영역 ( source / drain region ) 이 위치 하 게 트랜지스터 구조 를 형성 하 고 있 다 . 따라서 , 소오 스 / 드레 인 영역 이 실리콘 기판 아래 에 존재 하 고 있 으므로 , 소오 스 / 드레 인 저항 을 감소 시키 는 것 이 어렵 다 .