구체 적 으로 , 데이터 라인 ( DL ) , 소스 및 드레 인 전극 ( 21 a , 21 b ) , 스토리지 전극 ( 23 ) 을 포함 하 는 소스 / 드레 인 패턴 상 에 보호막 ( 30 ) 이 형성 된 후 , 마스크 를 이용 한 포 토리 쏘 그래피 공정 및 식각 공정 에 의해 패 터닝 되 어 드레 인 전극 ( 21 b ) 을 노출 시키 는 제 1 콘 택 홀 ( 33 ) 과 , 연결 전극 ( 14 ) 의 제 1 수 직부 ( 14 a ) 를 노출 시키 는 제 2 콘 택 홀 ( 35 ) 과 , 연결 전극 ( 14 ) 의 제 2 수 직부 ( 14 b ) 를 노출 시키 는 제 3 콘 택 홀 ( 37 ) 과 , 스토리지 전극 ( 23 ) 을 노출 시키 는 제 4 콘 택 홀 ( 39 ) 이 형성 된다 .