절연 층 ( 400 ) 상 에 절연 층 ( 437 ) 을 형성 한다 . 여기 에서 는 절연 층 ( 437 ) 으로서 , PECVD 법 또는 스퍼터링 법 을 이용 하 여 50 nm 이상 600 nm 이하 의 막 두께 의 산화물 절연 층 을 형성 한다 . 예 를 들 어 , 당해 산화물 절연 층 으로서 , 산화 실리콘 층 , 산화 갈륨 층 , 산화알루미늄 층 , 산화 질화 실리콘 층 , 산화 질화알루미늄 층 , 혹은 질화 산화 실리콘 층 으로부터 선택 된 1 층 또는 이 들 의 적층 을 사용 할 수 있 다 .