상술 한 본 발명 의 일 과제 를 달성 하 기 위하 여 , 예시 적 인 실시 예 들 에 따른 수직 형 메모리 장치 는 기판 상 에 형성 되 어 상기 기판 상면 에 수직 한 수직 방향 으로 연장 된 채널 , 상기 채널 의 외측 벽 에 형성 되 어 , 상기 기판 상면 에 평행 한 수평 방향 을 따라 순차 적 으로 적층 된 터널 절연 패턴 , 전하 트래핑 패턴 및 제 1 블로킹 패턴 을 포함 하 는 전하 저장 구조물 , 및 상기 기판 상 에 상기 수직 방향 으로 서로 이격 되 고 , 각각 이 상기 전하 저장 구조물 을 둘러싸 는 게이트 전극 들 을 포함 할 수 있 으며 , 상기 전하 트래핑 패턴 은 상기 수평 방향 으로 상기 게이트 전극 들 에 각각 대향 하 도록 복수 개 로 형성 되 어 상기 수직 방향 으로 서로 이격 되 고 , 상기 각 전하 트래핑 패턴 들 에서 , 상기 터널 절연 패턴 에 대향 하 는 내 측벽 의 상기 수직 방향 으로 의 제 1 길이 는 상기 제 1 블로킹 패턴 에 대향 하 는 외측 벽 의 상기 수직 방향 으로 의 제 2 길이 보다 작 을 수 있 다 .