상기 칼 코 게나 이드 물질 들 및 소자 들 의 현재 의 개발 은 소자 어 레이 들 의 제조 도 지향 하 고 있 다 . 칼 코 게나 이드 물질 은 전통 적 인 이진 ( binary ) 데이터 저장 장치 또는 멀티 레벨 ( multilevel ) 방법 에 따라 동작 할 수 있 는 고밀도 메모리 , 로직 및 신경망 어레이 로서 의 가능 성 을 제공 한다 . 칼 코 게나 이드 어레이 들 은 나아가 단일 칩 상 에 메모리 와 처리 기능 을 통합 하 여 고속 동작 을 가능 하 게 하 는 전망 을 제공 한다 .