상기 점 적 실험 은 다음 과 같이 실시 되 었 다 . TSB 배지 에 엔 테 로 코 쿠스 패 슘 을 1 / 1000 비율 로 접종 한 다음 에 37 ℃ 에서 한 밤 동안 진탕 배양 하 였 다 . 이렇게 하 여 준비 된 엔 테 로 코 쿠스 패 슘 의 배양액 3 ml ( OD 600 이 1 . 5 ) 을 TSA ( Tryptic Soy Agar ) 평판 배지 ( 카제 인 다이제스트 , 15 g / L ; 소이 빈 다이제스트 , 5 g / L ; NaCl , 5 g / L ; 아가 , 15 g / L ) 에 도말 ( Spreading ) 하 였 다 . 도말 한 평판 배지 를 클린 벤치 ( Clean bench ) 에서 약 30 분 정도 방치 하 여 도말 액 이 건조 되 게 하 였 다 . 건조 후 에 앞 에서 준비 한 여 과액 10 μ l 를 엔 테 로 코 쿠스 패 슘 이 도말 된 평판 배지 위 에 점적 하 였 다 . 이 를 30 분 정도 방치 하 여 건조 시켰 다 . 건조 후 점적 한 평판 배지 를 37 ℃ 에서 하루 동안 정치 배양 한 다음 에 여과 액 이 떨어진 위치 에 투명 환 ( Clear zone ) 이 생성 되 는가 를 조사 하 였 다 . 투 명환 이 생성 되 는 여 과액 의 경우 가 엔 테 로 코 쿠스 패 슘 을 사멸 시킬 수 있 는 박테리오파지 가 포함 되 어 있 다고 판단 할 수 있 다 . 이러 한 조사 를 통하 여 엔 테 로 코 쿠스 패 슘 에 대한 사멸 능 을 가진 박테리오파지 를 포함 한 여 과액 을 확보 할 수 있 었 다 .