상기 다른 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 다른 실시 예 에서 는 상기 상변화 메모리 소자 에 있 어서 상기 제 1 상변화 물질 패턴 , 상기 제 2 상변화 물질 패턴 및 상기 제 3 상변화 물질 패턴 을 모두 비정질 상태 로 만들 수 있 는 제 1 크기 ( H 1 ) 를 가지 는 제 1 펄스 ; 상기 제 1 상변화 물질 및 상기 제 2 상변화 물질 패턴 만 을 비정질 상태 로 만들 수 있 으며 , 상기 제 1 크기 ( H 1 ) 보다 작 은 제 2 크기 ( H 2 ) 를 가지 는 제 2 펄스 ; 및 상기 제 1 상변화 물질 만 을 비정질 상태 로 만들 수 있 으며 , 상기 제 2 크기 ( H 2 ) 보다 작 은 제 3 크기 ( H 2 ) 를 가지 는 제 3 펄스 ; 를 조합 하 여 사용 하 여 순차 적 으로 저항 값 이 커지 는 제 1 저항 값 , 제 2 저항 값 , 제 3 저항 값 및 제 4 저항 값 을 각각 구현 할 수 있 는 상변화 메모리 소자 의 프로그래밍 을 위한 펄스 인가 방법 을 개시 한다 . 상기 제 1 저항 값 은 상기 상변화 물질 패턴 을 모두 결정질 상태 로 만들 기 위해 상기 제 1 펄스 를 인가 하 고 바로 서 냉 ( slow quench ) 하 는 단계 를 포함 하 여 구현 할 수 있 다 . 상기 제 2 저항 값 은 상기 제 1 상변화 물질 패턴 만 을 비정질 상태 로 만들 기 위해 상기 제 1 펄스 를 인가 하 고 바로 서 냉 ( slow quench ) 하 는 단계 ; 및 상기 제 3 펄스 를 인가 하 는 단계 ; 를 포함 하 여 구현 할 수 있 다 . 상기 제 3 저항 값 은 상기 제 1 상변화 물질 패턴 및 상기 제 2 상변화 물질 패턴 만 을 비정질 상태 로 만들 기 위해 상기 제 1 펄스 를 인가 하 고 바로 서 냉 ( slow quench ) 하 는 단계 ; 및 상기 제 2 펄스 를 인가 하 는 단계 ; 를 포함 하 여 구현 할 수 있 다 . 상기 제 4 저항 값 은 상기 제 1 상변화 물질 패턴 , 상기 제 2 상변화 물질 패턴 및 상기 제 3 상변화 물질 패턴 을 비정질 상태 로 만들 기 위해 상기 제 1 펄스 를 인가 하 고 바로 서 냉 ( slow quench ) 하 는 단계 ; 및 상기 제 1 펄스 를 인가 하 는 단계 ; 를 포함 하 여 구현 할 수 있 다 .