박막 트랜지스터 ( TFT ) 는 게이트 라인 ( GL ) 에서 분기 된 게이트 전극 ( 12 ) 과 , 게이트 전극 ( 12 ) 이 형성 된 기판 ( 10 ) 의 전면 에 형성 된 게이트 절 연막 ( 17 ) 과 , 게이트 절 연막 ( 17 ) 상 에 게이트 전극 ( 12 ) 과 중첩 되 게 형성 된 오 믹 콘 택 층 ( 19 a ) 및 활성 층 ( 19 b ) 으로 구성 된 반도체 층 ( 19 ) 과 , 데이터 라인 ( DL ) 에서 분기 되 어 반도체 층 ( 19 ) 상 에 형성 되 는 소스 전극 ( 21 a ) , 반도체 층 ( 19 ) 상 에 소스 전극 ( 21 a ) 과 마주 하 게 형 성 된 드레 인 전극 ( 21 b ) 으로 구성 된다 . 여기 서 반도체 층 ( 19 ) 은 데이터 라인 ( DL ) 과 도 중첩 되 면서 연장 된다 .