도 16 은 바람직 한 실시 예 에 따른 록 아웃 감지 모듈 로부터 노이즈 분리 을 개선 시킨 감지 모듈 스택 을 나타낸다 . 감지 모듈 스택 은 공통 SABus ( 422 ) 를 공유 하 는 감지 모듈 480 - 1 내지 480 - k 로 구성 된다 . 작업 에서 , 메모리 셀 의 페이지 는 병렬 로 감지 된다 . 도 11 에서 도시 된 바 와 같이 , p 개 의 비트 라인 에 의해 p 개 의 메모리 셀 의 페이지 로 연결 된 p 개 의 감지 모듈 이 있 다 . 그러므로 , 도 16 에 도시 된 감지 모듈 스택 은 페이지 에 있 어서 감지 모듈 의 전체 세트 를 형성 하 는 p / k 스택 중 하나 를 대표 한다 . 메모리 셀 의 페이지 는 전압 CLSRC 를 갖 는 페이지 소스 라인 ( 34 ) ( 도 14 및 도 15 참조 ) 에 결합 된 각 메모리 셀 의 소스 를 갖 는다 .