도 15 를 참조 하 면 , 본 발명 의 제 2 실시 예 에 따른 반도체 메모리 장치 는 데이 터 리드 속도 ( Data Read Speed ) 면 에서 종래 기술 에 비해 약 22 퍼센트 증가 되 고 , 매트 의 면적 면 에서 약 16 퍼센트 감소 된다 . 그리고 , 하나 의 I / O 포트 의 전력 소모 ( 1 I / O Power ) 도 약 30 퍼센트 감소 되 는 효과 를 갖 는다 . 상기 데이터 리드 속도 ( Data Read Speed ) 로 나타내 어 진 그래프 는 데이터 리드 시 소모 되 는 시간 의 그래프 이 다 .