이 실시 예 에 있 어서 , 상기 엔 모스 트랜지스터 는 공핍 형 트랜지스터 이 고 , 상기 공핍 형 트랜지스터 는 피형 에피 상 의 피형 웰 ; 상기 피형 웰 에 형성 되 어 활성 영역 을 한정 하 는 절 연막 ; 상기 활성 영역 상 에 배치 된 게이트 ; 상기 게이트 와 상기 활성 영역 사이 에 개재 된 게이트 옥사이드 ; 상기 게이트 양측 의 활성 영역 에 형성 된 소오 스 영역 및 드레 인 영역 ; 및 상기 게이트 아래 의 활성 영역 에 형성 된 엔 타입 으로 도핑 된 엔 타입 채널 영역 을 포함 하 고 , 상기 엔 형 채널 영역 은 상기 게이트 양측 에 형성 되 어 있 는 절 연막 까지 도핑 되 어 있 다 .