예 를 들 어 , 도 3 은 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 그러 한 아이 포인트 선택 을 도시 한다 . 도 3 은 본드 패드 들 ( 300 a , 300 b , 300 c , 300 d , 300 e , 300 f , 300 g , 300 h , 300 i , 300 j , 300 k , 300 l , 300 m ) 과 같 은 많 은 본드 패드 들 을 포함 하 는 반도체 디바이스 ( 300 ) 를 도시 한다 . 또한 , 반도체 디바이스 ( 100 / 200 ) 들 각각 의 회로 영역 들 ( 102 / 104 , 202 / 204 ) 과 유사 하 게 , 반도체 디바이스 ( 300 ) 는 회로 영역 들 ( 302 , 304 ) 을 포함 한다 . 회로 영역 들 ( 302 , 304 ) 이 디바이스 마다 달라지 는 ( 디바이스 ( 100 ) 과 ( 200 ) 을 비교 함 으로써 입증 되 는 ) 가능 성 때문 에 , 이러 한 영역 들 은 선택 된 아이 포인트 ( 310 ) 로부터 제거 된다 . 아이 포인트 ( 310 ) 는 본드 패드 그룹 ( 306 ; 본드 패드 들 ( 300 h , 300 i , 300 j , 300 k , 300 l , 300 m ) 을 포함 하 는 본드 패드 들 의 종렬 ) 과 본드 패드 그룹 ( 308 ; 본드 패드 들 ( 300 a , 300 b , 300 c , 300 d , 300 e , 300 f , 300 g ) 을 포함 하 는 본드 패드 들 의 횡 열 ) 을 포함 한다 . 아이 포인트 ( 310 ) 의 소정 형태 들 ( 예 를 들 어 , 본드 패드 들 각각 의 윤곽 모양 , 서로 에 대한 본드 패드 들 의 간격 등 ) 은 디바이스 마다 변하 지 않 는 경향 이 있 고 , 그럼 으로써 더욱 강건 한 티칭 프로세스 ( 및 와이어 본드 될 실제 디바이스 들 의 더욱 강건 한 후속 스캔 ) 가 제공 된다 .