본 발명 은 반도체 소자 의 금속 배선 형성 방법 에 관한 것 으로 , 반도체 기판 상부 에 제 1 절 연막 , 식각 정지 막 및 제 2 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 2 절 연막 , 상기 식각 정지 막 및 상기 제 1 절 연막 을 식각 하 여 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 콘 택 홀 에 콘 택 플러그 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 2 절 연막 을 패 터닝 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 및 상기 트렌치 에 도전 물질 을 형성 하 여 금속 배선 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 기 때문 에 , 콘 택 플러그 상부 에 금속 배선 을 형성 할 때 콘 택 플러그 상부 에 잔류물 이 생성 되 지 않 는다 .