한편 , 상기 아일랜드 의 크기 는 , 이 로써 한정 되 는 것 은 아니 나 , 1 ㎛ 이하 , 구체 적 으로 1 nm 내지 800 nm , 더욱 구체 적 으로 5 nm 내지 500 nm 일 수 있 다 . 상기 아일랜드 의 크기 가 지나치 게 클 경우 양극 활물질 의 표면 을 과하 게 막 아 초기 저항 이 지나치 게 증가 할 수 있 고 , 상기 아일랜드 의 크기 가 지나치 게 작 을 경우 양극 활물질 표면 에 상기 코팅 층 을 형성 시킨 효과 가 부족 하 므로 , 상기 범위 의 크기 를 만족 할 경우 코팅 층 형성 의 효과 를 발휘 하 면서 도 초기 저항 증가 를 최소 화 할 수 있 다 . 상기 와 같이 양극 활물질 의 표면 에 폴리 이미드 가 아일랜드 형상 으로 분산 된 코팅 층 이 형성 될 경우 , 상기 폴리 이미드 에 의해 전해액 과 양극 활물질 의 부반응 이 억제 되 고 , 막 형태 의 폴리 이미드 코팅 층 에서 발생 하 는 리튬 이동도 저하 문제 를 최소 화 할 수 있 기 때문 에 , 고온 / 고전압 조건 에서 도 우수 한 용량 특성 및 전기 화학 특성 을 구현 할 수 있 다 .