본 발명 의 3 차원 인덕 터 를 구비 한 반도체 구조 는 , 제 1 접속 패드 및 제 2 접속 패드 를 구비 하 는 제 1 기판 ; 상기 제 1 기판 상 에 위치 하 며 , 복수 의 제 1 인덕 터부 를 구비 하 고 , 상기 제 1 인덕 터부 들 은 상기 제 1 기판 에 방사형 으로 배열 되 며 , 이 들 중 하나 의 상기 제 1 인덕 터부 는 상기 제 1 접속 패드 에 연결 되 고 , 다른 하나 의 상기 제 1 인덕 터부 는 상기 제 2 접속 패드 에 연결 되 며 , 각각 의 상기 제 1 인덕 터부 는 제 1 외측 단 및 제 1 내측 단 을 구비 하 는 제 1 횡 방향 인덕 터 ; 상기 제 1 횡 방향 인덕 터 상 에 위치 하 며 , 지지층 , 복수 의 외측 인덕 터부 및 복수 의 내측 인덕 터부 를 구비 하 고 , 상기 지지층 은 복수 의 외측 개구 및 복수 의 내측 개구 를 구비 하 며 , 상기 외측 인덕 터부 들 은 상기 외측 개구 들 에 위치 하 고 , 상기 내측 인덕 터부 들 은 상기 내측 개구 들 에 위치 하 는 종 방향 인덕 터 ; 상기 종 방향 인덕 터 상 에 위치 하 며 , 절연 층 및 복수 의 제 2 인덕 터부 를 구비 하 고 , 상기 절연 층 은 복수 의 방사형 배열 을 이루 는 개구 를 구비 하 며 , 상기 제 2 인덕 터부 들 은 상기 개구 들 에 위치 하 고 방사형 배열 을 이루 며 , 각각 의 상기 제 2 인덕 터부 는 제 2 외측 단 및 제 2 내측 단 을 구비 하 는 제 2 횡 방향 인덕 터 ; 및 상기 제 2 횡 방향 인덕 터 상 에 위치 하 는 제 2 기판 ; 을 포함 하 고 , 각각 의 상기 외측 인덕 터부 의 양단 은 상기 제 1 인덕 터부 의 상기 제 1 외측 단 및 상기 제 2 인덕 터부 의 상기 제 2 외측 단 에 각각 연결 되 며 , 각각 의 상기 내측 인덕 터부 의 양단 은 상기 제 1 인덕 터부 의 상기 제 1 내측 단 및 상기 제 2 인덕 터부 의 상기 제 2 내측 단 에 각각 연결 되 고 , 또한 동일 한 상기 제 2 인덕 터부 에 연결 된 상기 외측 인덕 터부 및 상기 내측 인덕 터부 는 서로 인접 한 2 개 의 상기 제 1 인덕 터부 에 각각 연결 된다 .