제 4 트랜지스터 ( T 4 ) 는 누설 전류 를 방지 하 기 위해 이중 게이트 구조 로 제공 될 수 있 다 . 즉 , 제 4 트랜지스터 ( T 4 ) 는 제 4 a 트랜지스터 와 제 4 b 트랜지스터 를 포함 할 수 있 다 . 제 4 a 트랜지스터 ( T 4 ) 는 제 4 a 게이트 전극 ( GE 4 a ) , 제 4 a 액티브 패턴 ( ACT 4 a ) , 제 4 a 소스 전극 ( SE 4 a ) , 및 제 4 a 드레 인 전극 ( DE 4 a ) 을 포함 하 고 , 제 4 b 트랜지스터 는 제 4 b 게이트 전극 ( GE 4 b ) , 제 4 b 액티브 패턴 ( ACT 4 b ) , 제 4 b 소스 전극 ( SE 4 b ) , 및 제 4 b 드레 인 전극 ( DE 4 b ) 을 포함 할 수 있 다 . 하 기 에서 는 , 제 4 a 게이트 전극 ( GE 4 a ) 과 제 4 b 게이트 전극 ( GE 4 b ) 을 제 4 게이트 전극 ( GE 4 ) , 제 4 a 액티브 패턴 ( ACT 4 a ) 과 제 4 b 액티브 패턴 ( ACT 4 b ) 을 제 4 액티브 패턴 ( ACT 4 ) , 제 4 a 소스 전극 ( SE 4 a ) 과 제 4 b 소스 전극 ( SE 4 b ) 을 제 4 소스 전극 ( SE 4 ) , 그리고 제 4 a 드레 인 전극 ( DE 4 a ) 과 제 4 b 드레 인 전극 ( DE 4 b ) 을 제 4 드레 인 전극 ( DE 4 ) 으로 지칭 한다 .