상기 초기 하부 절 연막 ( 23 ) 을 패 터닝 하 여 상기 반도체 기판 ( 21 ) 의 소정 영역 을 노출 시키 는 개구부 를 형성 하 고 , 상기 개구부 를 채우 는 하부 도전 성 패턴 ( 25 ) 을 형성 한다 . 상기 개구부 는 반도체 소자 의 고집 적 화 로 인해 종횡비 ( aspect ratio ) 가 커져 높이 에 비해 매우 좁 은 폭 을 가질 수 있 다 . 상기 하부 도전 성 패턴 ( 25 ) 은 알루미늄 ( Al ) 막 또는 텅스텐 ( W ) 막 으로 형성 할 수 있 다 . 상기 하부 도전 성 패턴 ( 25 ) 은 도전 성 배선 또는 콘 택 플러그 일 수 있 다 .