도 5 a 를 참조 하 면 , 종래 기술 에서 와 같 은 방법 으로 , 반도체 기판 ( 200 ) 상 에 소자 분리 예정 영역 을 노출 시키 는 마스크 패턴 으로서 패드 산화 막 ( 210 ) 과 패드 질화 막 ( 220 ) 의 적층 패턴 을 형성 한 후 , 상기 적층 패턴 을 식각 마스크 로 이용 해서 노출 된 기판 ( 200 ) 부분 을 식각 하 여 제 1 및 제 2 트렌치 ( T 1 , T 2 ) 를 형성 한다 . 여기 서 , 상기 제 1 트렌치 ( T ) 는 도 1 에서 의 B 영역 에서 와 같이 좁 은 폭 을 갖 는 트렌치 이 며 , 제 2 트렌치 ( T 2 ) 는 도 1 에서 의 C 영역 에서 와 같이 큰 폭 을 갖 는 트렌치 이 다 .