배선 ( 11 , 12 , 13 ) 의 글래스 기판 ( 100 ) 위 의 부분 은 , 예 를 들 면 알루미늄 배선 으로 형성 할 수 있 다 . 도 3 에 도시 한 바 와 같이 , 배선 ( 11 , 12 , 13 ) 은 플러스 전원 발생 회로 ( 1 ) 와 단자 P 1 , P 2 , P 3 사이 에 배치 된다 . 그리고 , 그 들 배선 길 이 L 은 동일 하 며 , 배선 폭 을 서로 다르 게 함 으로써 저항 치 R 1 , R 2 , R 3 을 전술 한 관계 를 충족 시키 도록 조정 할 수 있 다 . 즉 , 배선 ( 11 ) 의 배선 폭 을 W 1 , 배선 ( 12 ) 의 배선 폭 을 W 2 , 배선 ( 13 ) 의 배선 폭 을 W 3 으로 하 면 , W 3 < W 1 , W 3 < W 2 라는 관계 로 하 는 것 이 다 .