도 7 에 도시 된 디바이스 ( 500 ) 에서 와 같이 , 스 페이서 층 ( 740 ) 은 세차 운동 스핀 전류 자기 구조 ( 750 ) 로부터 자기 터널 접합 ( 730 ) 으로 스핀 - 분극 전류 의 효과 적 인 주입 을 위해 사용 된다 . 논의 되 는 바 와 같이 , 스핀 전류 는 제 2 세 차 운동 스핀 전류 강자성 층 ( 747 ) 의 자화 방향 을 세차 운동 시킴 으로써 생성 되 고 스핀 펌핑 효과 를 사용 하 여 비 자기 세차 운동 스핀 전류 삽입 층 ( 745 ) 을 통해 제 1 세 차 운동 스핀 전류 강자성 층 ( 743 ) 으로 의 스핀 확산 운송 에 의해 전달 된다 . 제 2 세 차 운동 스핀 전류 강자성 층 ( 747 ) 및 제 1 세 차 운동 스핀 전류 강자성 층 ( 743 ) 자화 들 은 스핀 펌핑 메커니즘 을 통해 동적 으로 커플링 된다 . 제 1 세 차 운동 스핀 전류 강자성 층 ( 743 ) 은 제 2 세 차 운동 스핀 전류 강자성 층 ( 747 ) 에 의해 생성 된 스핀 전류 의 연속 성 을 제공 하 는 스핀 전류 주입 층 으로서 역할 을 한다 . 도 7 의 디바이스 실시 예 ( 500 ) 에 관해 위 에서 또한 논의 된 바 와 같이 , 비 자기 세차 운동 스핀 전류 삽입 층 ( 745 ) 의 두께 는 제 2 세 차 운동 스핀 전류 강자성 층 ( 747 ) 과 제 1 세 차 운동 스핀 전류 강자성 층 ( 743 ) 의 원 하 는 양 의 커플링 을 선택 하 기 위해 선택 될 수 있 으며 , 이 는 결국 , 세차 운동 스핀 전류 자기 구조 ( 750 ) 와 자유 층 ( 736 ) 의 커플링 을 조정 하 는 데 사용 될 수 있 다 .