한편 , 제 2 절 연막 ( 118 ) 에 대한 평탄 화 공정 을 실시 한 후 에 는 제 2 절 연막 ( 118 ) 의 치밀 화 를 도와 제 2 절 연막 ( 118 ) 의 식각 비 ( etch rate ) 를 제어 할 만 한 수준 으로 낮추 기 위해 큐어 링 공정 을 더 실시 할 수 있 다 . 이때 , 큐어 링 공정 은 저온 스팀 어 닐 방식 과 고온 N 2 어 닐 방식 의 혼합 방식 을 이용 하 여 진행 할 수 있 으며 , 다른 방식 을 이용 하 여 진행 하 더라도 무관 하 다 .