시뮬레이션 및 측정 을 위해 제 1 도전 형 반도체 층 으로 N - GaN ( n = 2 . 4 ) 을 사용 하 고 , 제 2 도전 형 반도체 층 으로 P - GaN ( n = 2 . 4 ) 을 사용 하 고 , 돌출 패턴 ( 21 a ) 직경 이 3 . 5 ㎛ 이 고 , 돌출 패턴 간 의 거리 가 1 . 5 ㎛ 이 고 , 두께 가 100 ㎛ 인 사파이어 기판 ( n = 1 . 76 ) 을 사용 하 고 , 그 기판 위 에 제 1 도전 형 반도체 층 의 두께 를 변화 시켰 다 .