하부 도전체 ( 102 ) 는 구리 ( Cu ) , 알루미늄 ( Al ) , 텅스텐 ( W ) , 은 ( Ag ) , 금 ( Au ) , 백금 ( Pt ) 등 으로 형성 될 수 있 고 , 식각 정지 막 ( 104 ) 은 SiN 또는 SiH 4 등 으로 형성 할 수 있 다 . 그리고 층간 절 연막 ( 106 ) 은 FSG ( fluorine silicate glass ) , USG ( un - doped silicate glass ) , SiH 4 , TEOS ( tetra ethyl ortho silicate ) 따위 의 무기 절연물 또는 유기 절연물 등 을 단층 또는 복수 층 으로 적층 하 여 형성 될 수 있 으며 , BD ( black diamond ) 등 과 같 은 유전율 3 . 0 이하 의 저 유전율 물질 을 사용 하 여 형성 할 수 도 있 다 .