본 발명 은 반도체 소자 의 제조 방법 에 관한 것 으로서 , 반도체 기판 위 에 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 , 상기 반도체 기판 및 상기 게이트 전극 위 에 상기 반도체 기판 또는 상기 게이트 에 연결 된 비 아홀 및 상기 비 아홀 에 연결 된 트렌치 를 가지 는 절 연막 을 형성 하 는 단계 , 상기 비 아홀 및 트렌치 내벽 에 티타늄 ( Ti ) 배리 어막 을 형성 하 는 단계 , 상기 티타늄 배리 어막 위 에 텅스텐 ( W ) 배리 어막 을 형성 하 는 단계 , 상기 반도체 기판 에 어 닐 공정 을 진행 하 는 단계 , 그리고 상기 비 아홀 및 트렌치 내부 를 채우 는 금속 배선 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .