본 명세서 에 사용 되 는 바 와 같이 , " "" 반도체 성 재료 "" 는 1 . 0 × 10 - 5 S / m 내지 1 . 0 × 105 S / m 범위 의 전기 전도도 를 갖 는 재료 를 지칭 한다 . 본 명세서 에 사용 되 는 바 와 같이 "," "" 반도체 재료 "" 는 전기 도 펀트 가 내부 에 존재 하 지 않 을 시 1 . 0 × 10 - 5 S / m 내지 1 . 0 S / m 범위 의 전기 전도도 를 갖 는 재료 를 지칭 하 며 ", 전기 도 펀트 를 이용 한 적합 한 도핑 시 1 . 0 S / m 내지 1 . 0 × 105 S / m 범위 의 전기 전도도 를 갖 는 도핑 된 재료 를 생성 할 수 있 다 . 본 명세서 에 사용 되 는 바 와 같이 , " "" 전기 도 펀트 "" 는 밴드 구조 ( band structure ) 내 의 가전 자대 에 홀 을 추가 하 는 p - 형 도 펀트 ", 또는 밴드 구조 내 의 전도 대 에 전자 를 추가 하 는 n - 형 도 펀트 를 지칭 한다 . 본 명세서 에 사용 되 는 바 와 같이 , " "" 전도성 재료 "" 는 1 . 0 × 105 S / m 초과 인 전기 전도도 를 갖 는 재료 를 지칭 한다 . 본 명세서 에 사용 되 는 바 와 같이 "," "" 절연체 재료 "" 또는 "" 유전체 재료 "" 는 1 . 0 × 10 - 5 S / m 미만 인 전기 전도도 를 갖 는 재료 를 지칭 한다 . 본 명세서 에 사용 되 는 바 와 같이 "," "" 고 농도 로 도핑 된 반도체 재료 "" 는 ", 결정질 재료 로서 형성 된 바 와 같이 또는 ( 예 를 들 어 , 초기 비정질 상태 로부터 ) 어닐링 공정 을 통해 결정질 재료 로 전환 되 는 경우 전도성 재료 가 되 도록 , 즉 1 . 0 × 105 S / m 초과 인 전기 전도도 를 갖 도록 , " 충분히 높 은 원자 농도 에서 전기 도 펀트 로 도핑 된 반도체 재료 를 지칭 한다 . "" 도핑 된 반도체 재료 "" 는 고농도 로 도핑 된 반도체 재료 일 수 있 거나 ", 또는 1 . 0 × 10 - 5 S / m 내지 1 . 0 × 105 S / m 범위 의 전기 전도도 를 제공 하 는 농도 에서 의 전기 도 펀트 ( 즉 , " p - 형 도 펀트 및 / 또는 n - 형 도 펀트 ) 를 포함 하 는 반도체 재료 일 수 있 다 . "" 진성 반도체 재료 "" 는 전기 도 펀트 로 도핑 되 지 않 는 반도체 재료 를 지칭 한다 . 따라서 ", 반도체 재료 는 반도체 성 또는 전도성 일 수 있 고 , 진성 반도체 재료 또는 도핑 된 반도체 재료 일 수 있 다 . 도핑 된 반도체 재료 는 그 내부 의 전기 도 펀트 의 원자 농도 에 따라 반도체 성 또는 전도성 일 수 있 다 . 본 명세서 에 사용 되 는 바 와 같이 , " "" 금속 성 재료 "" 는 적어도 하나 의 금속 성 원소 를 내부 에 포함 하 는 전도성 재료 를 지칭 한다 . 전기 전도도 에 대한 모든 측정 은 표준 조건 에서 이루어진다 . "