도 2 e 는 도 2 d 의 다음 공정 을 진행 한 반도체 소자 의 단면도 이 다 . 도 2 e 를 참조 하 면 , 폴리 의 식각 율 은 높 고 , 옥사이드 에 대한 식각 율 은 비교 적 낮 도록 HBr 및 He 혼합 가스 , HBr 및 O 2 혼합 가스 또는 Cl 2 및 O 2 혼합 가스 를 이용 하 여 잔여 제 1 폴리 실리콘 막 ( 104 ) 을 제거 하 며 , 동시 에 도 2 d 공정 에서 소량 잔류 된 유전체 막 혼 ( 108 a ) 도 제거 하 는 제 4 식각 공정 을 실시 한다 . 다음 , 클리닝 공정 을 실시 하 여 터널 산화 막 ( 102 ) 을 제거 한다 .