또한 , 본 발명 의 다른 측면 에 따르 면 , 게이트 전극 과 게이트 하드 마스크 층 을 포함 하 는 게이트 패턴 이 형성 된 기판 상 에 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 , 상기 층간 절 연막 상 에 게이트 패턴 사이 의 기판 을 노출 시키 는 식각 장벽 패턴 을 형성 하 는 단계 , 상기 식각 장벽 패턴 으로 절 연막 과 게이트 하드 마스크 층 을 일부 식각 하 여 바닥 면 이 평탄 한 1 차 홀 을 형성 하 는 단계 및 상기 1 차 홀 아래 의 층간 절 연막 을 식각 하 여 상기 기판 을 노출 시키 는 2 차 홀 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 제조 방법 을 제공 한다 .