다음 으로 , 도 19 에 도시 하 는 바 와 같이 , 황산 과수 등 의 약액 을 공급 하 여 , 습식 에칭 에 의해 , 제 3 레지스 트 패턴 ( P 3 ) 을 제거 한 후 , 포토 리소그래피 법 에 의해 , 제 4 레지스 트 패턴 ( P 4 ) 을 형성 한다 . 제 4 레지스 트 패턴 ( P 4 ) 은 n - MOS 트랜지스터 가 형성 되 는 제 1 영역 ( R 1 ) 을 피복 하 고 , p - MOS 트랜지스터 가 형성 되 는 제 2 영역 ( R 2 ) 을 노출 시킨다 . 계속 해서 , 게이트 전극 ( 13 ) 및 제 4 레지스 트 패턴 ( P 4 ) 을 마스크 로 해서 , 이온 주입 을 행하 여 , 제 2 영역 ( R 2 ) 에 형성 된 소자 영역 ( 1 B ) 에 , 소스 확장 영역 ( 1 a ) 과 드레 인 확장 영역 ( 1 b ) 을 형성 한다 . 그리고 , 황산 과수 등 의 약액 을 공급 하 여 , 습식 에칭 에 의해 , 제 4 레지스 트 패턴 ( P 4 ) 을 제거 한다 .