본 실시 형태 에 있 어서 , 상기 ( 1 ) 베이스 성분 은 유기 화합물 이 어도 되 고 , 무기 화합물 이 어도 된다 . 이 유기 화합물 은 고분자 화합물 이 어도 되 고 , 저 분자 화합물 이 어도 된다 . 또한 , 상기 고분자 화합물 은 , 산 의 작용 에 의해 현상액 에 대한 용해 성 이 변화 하 는 중합체 여도 된다 . 이러 한 중합체 는 레지스 트 재료 의 베이스 성분 으로서 널리 사용 되 고 있 다 . 또한 , ( 1 ) 베이스 성분 은 , 일부 조사 에 있 어서 의 제 1 방사선 을 과도 하 게 흡수 하 지 않 고 , 충분히 수직 성 이 높 은 형상 의 레지스 트 패턴 의 형성 을 실현 할 수 있 는 것 인 것 이 바람직 하 다 . 또한 , ( 1 ) 베이스 성분 에서 는 , 전체 면 조사 에 있 어서 의 제 2 방사선 의 흡수 가 낮 아 , 전체 면 조사 시 에 비조 사 부 에서 불 필요 한 증감 반응 의 유발 이 일어나 기 어려운 것 인 것 이 바람직 하 다 .