본 발명 은 반도체 소자 에 관한 것 으로서 , 특히 듀얼 다 마신 구조 를 가지 는 반도체 소자 및 그 제조 방법 에 관한 것 이 다 . 본 발명 에 따른 듀얼 다 마신 구조 를 가지 는 반도체 소자 는 하부금 속배 선 을 포함 하 는 제 1 층간 절연 층 이 형성 된 기판 과 , 상기 하부금 속배 선 을 포함 하 는 제 1 층간 절연 층 상 에 형성 되 면서 소정 의 비 아홀 을 포함 하 는 제 2 층간 절연 층 과 , 상기 제 2 층간 절연 층 상 에 형성 되 는 제 1 완충 층 과 , 상기 비 아홀 보다 넓 은 폭 을 가지 는 트렌치 를 포함 하 는 제 3 층간 절연 층 과 , 상기 제 3 층간 절연 층 상 에 형성 되 는 제 2 완충 층 과 , 상기 제 2 완충 층 상부 에 형성 되 는 하드 마스크 및 상기 비 아홀 과 트렌치 를 매립 하 여 각각 형성 되 는 비아 플러그 와 상부 금속 배선 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 고 , 본 발명 에 따르 면 완충 층 을 이용 하 여 층간 절연 층 과 감광막 의 반응 에 의해 발생 하 는 감광막 포이즌 현상 을 예방 하 며 , 완충 층 을 이용 하 여 플 라즈 마 를 이용 하 는 식각 또는 애 싱 공정 에서 발생 하 는 플 라즈 마손 상 을 방지 할 수 있 는 효과 가 있 다 .