이어서 , 도 6 c 에 나타내 는 바 와 같이 , 포토 리소그래피 법 을 이용 해서 상기 평탄 화 막 ( 14 ) 및 보호 절 연막 ( 13 ) 을 에칭 하 여 , 적어도 트랜지스터 ( Tr 12 ) 의 소스 전극 ( Tr 12 s , 또는 , 커패시터 ( Cs ) 의 다른 쪽 측 의 전극 ( Ecb ) ) 의 상면 이 노출 하 는 콘택트 홀 ( CH 14 ) 을 형성 한다 .