원자 층 증착 ( ALD ) 및 플 라즈 마 강화 원자 층 증착 ( PEALD ) 은 예 를 들 어 , 저온 ( < 500 ℃) 에서 예 를 들 어 , 산화 규소 콘 포말 한 막 ( conformal film ) 을 증착 시키 기 위해 사용 되 는 공정 이 다 . ALD 및 PEALD 공정 둘 모두 에서 , 전 구체 및 반응 성 가스 ( 예 를 들 어 , 산소 또는 오존 ) 는 각 사이클 ( cycle ) 에서 산화 규소 의 단일 층 을 형성 하 기 위해 특정 수 의 사이클 에서 별도 로 펄 싱 된다 . 그러나 , 이러 한 공정 을 이용 하 여 저온 에서 증착 된 산화 규소 는 특정 반도체 적용 에서 유해 할 수 있 는 , 비 제한 적 으로 , 탄소 ( C ) 또는 수소 ( H ) 와 같 은 소정 수준 의 불순물 을 함유 할 수 있 다 . 이러 한 문제 를 해결 하 기 위하 여 , 하나 의 가능 한 해법 은 증착 온도 를 500 ℃ 이상 까지 증가 시키 는 것 이 다 . 그러나 , 이러 한 보다 높 은 온도 에서 , 반도체 산업 에 의해 사용 되 는 통상 적 인 전구체 는 자가 - 반응 하 고 , 열 적 으로 분해 하 고 , ALD 모드 보다 는 오히려 화학 적 증기 증착 ( chemical vapor deposition , CVD ) 모드 에서 증착 하 는 경향 이 있 다 . CVD 모드 증착 은 특히 , 다수 의 반도체 적용 에서 요구 되 는 고 종횡비 구조물 에 대하 여 , ALD 증착 에 비해 감소 된 콘 포말 성 ( conformality ) 을 갖 는다 . 또한 , CVD 모드 증착 은 ALD 모드 증착 에 비해 낮 은 막 또는 물질 두께 조절 을 갖 는다 .