한편 , 제조 하 고자 하 는 광소자 가 수 광소자 인 경우 , 전술 한 발광 소자 의 경우 와 비교 하 여 n 형 및 p 형 도핑 층 ( 500 및 520 ) 의 위치 가 변경 되 고 , n 형 하부 전극 ( 550 ) 이 p 형 하부 전극 으로 변경 되 었 을 뿐 동일 한 구조 를 갖 으며 , 설명 의 편의 상 부호 는 동일 하 게 사용 하 며 구성 요소 의 명칭 만 변경 하 여 설명 하 기 로 한다 .