우선 , 단결정 반도체 층 ( 518 ) 을 섬 형상 으로 가공 하 여 , 반도체 층 ( 120 ) 을 형성 한다 ( 도 19 a 참조 ) . 또한 , 이 공정 전후 에서 , 트랜지스터 의 임계 값 전압 을 제어 하 기 위해 , n 형 의 도전 성 을 부여 하 는 불순물 원소 나 , p 형 의 도전 성 을 부여 하 는 불순물 원소 를 반도체 층 에 첨가 하 여도 된다 . 반도체 가 실리콘 인 경우 , n 형 의 도전 성 을 부여 하 는 불순물 원소 로서 는 , 예 를 들 어 인 이나 비소 등 을 이용 할 수 있 다 . 또한 , p 형 의 도전 성 을 부여 하 는 불순물 원소 로서 는 , 예 를 들 어 붕소 , 알루미늄 , 갈륨 등 을 이용 할 수 있 다 .