다음 으로 , 도 1 d 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 구조물 전면 에 식각 정지 막 으로서 실리콘 질화 막 ( 90 ) 을 형성 하 고 그 위 에 층간 절 연막 ( 100 ) 을 증착 한다 . 층간 절 연막 ( 100 ) 은 BPSG ( BoroPhospho Silicate Glass ) , BSG ( Boro Silicate Glass ) , PSG ( Phospho Silicate Glass ) 또는 이 의 등가물 중 어느 하나 로 형성 될 수 있 다 . 계속 해서 층간 절 연막 ( 100 ) 의 표면 을 화학 적 기계 적 연마 ( Chemical Mechanical Polishing ) 로 평탄 화 한다 . 도면 에 도시 하 지 는 않 았 지만 계속 해서 사진 공정 을 진행 하 여 NMOS 영역 이나 PMOS 영역 의 구조물 에 n 형 또는 p 형 도 펀트 를 도핑 하 고 , 어 닐 공정 을 진행 하 여 도핑 된 도 펀트 를 확산 시킨다 .