상술 한 바 와 같이 , 광 빔 에 의해 조명 의 동일 한 총 전력 이 주어지 면 , 적어도 하나 의 종 방향 센서 신호 는 , FiP 효과 에 따라 , 적어도 하나 의 종 방향 광학 센서 의 센서 영역 내 의 광 빔 의 빔 단면 에 좌우 된다 . 본 명세서 에 사용 된 바 와 같이 , 빔 단면 이 라는 용어 는 일반 적 으로 특정 위치 에서 광 빔 에 의해 생성 된 광 스폿 또는 광 빔 의 측 방향 연장 부를 지칭 한다 . 원형 의 광 스폿 이 생성 되 는 경우 , 반경 , 직경 또는 가우스 빔 웨이스트 또는 2 배 의 가우스 빔 웨이스트 가 빔 단면 의 척도 ( measure ) 로서 기능 할 수 있 다 . 비 원형 광 스폿 이 발생 되 는 경우 , 등 가 빔 단면 이 라고 도 지칭 되 는 , 비 원형 광 스폿 과 동일 한 면적 을 갖 는 원 의 단면 을 결정 하 는 것 과 같 은 임의 의 다른 가능 한 방법 으로 단면 이 결정 될 수 있 다 . 이 와 관련 하 여 , 광전 재료 ( photovoltaic material ) 와 같 은 상응 하 는 재료 가 광학 렌즈 에 의해 영향 을 받 는 초점 또는 그 부근 에 위치 될 수 있 는 경우 와 같이 , 가능 한 한 최소 단면 을 가진 광 빔 에 의해 충돌 될 수 있 는 조건 하 에서 , 종 방향 센서 신호 의 극값 , 즉 , 최대 값 또는 최소 값 , 특히 , 전역 의 극값 ( global extremum ) 의 관측 을 이용 하 는 것 이 가능 할 수 있 다 . 극값 이 최대 값 인 경우 , 이 관측 은 양 의 FiP 효과 로 명명 될 수 있 는 반면 , 극값 이 최소 값 인 경우 , 이 관측 은 음의 FiP 효과 로 명명 될 수 있 다 . 이하 의 예 에서 설명 하 는 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 센서 영역 내 에 감광층 을 갖 는 용량 성 소자 를 포함 하 는 광학 센서 는 FiP 효과 , 특히 , 음의 FiP 효과 를 나타낸다 .