상기 프로브 지지대 ( 120 ) 가 상방 으로 이동 되 면 , 상기 프로브 지지대 ( 120 ) 에 그 일 측 이 고정 된 탄성 부재 ( 140 ) 가 압축 된다 . 그러면 , 상기 프로브 ( 130 ) 에 가해 지 는 힘 의 일부 가 상기 탄성 부재 ( 140 ) 에 의해 흡수 될 수 있 다 . 따라서 , 상기 프로브 ( 130 ) 와 , 그 와 접촉 된 반도체 칩 의 패드 사이 가 소정 힘 을 유지 하 면서 접촉 될 수 있 다 . 상기 탄성 부재 ( 140 ) 의 탄성 계수 를 조절 하 는 등 의 방법 에 의해 , 상기 탄성 부재 ( 140 ) 에 의해 흡수 되 는 힘 의 크기 가 적절히 조절 될 수 있 다 . 그러 한 힘 의 조절 을 통해 , 상기 반도체 칩 의 패드 에 프로 빙 마크 외 의 의도 되 지 않 은 손상 이 발생 되 지 않 도록 할 수 있 다 . 따라서 , 상기 프로브 ( 130 ) 와 , 그 와 접촉 된 상기 반도체 칩 의 손상 / 변형 이 발생 되 는 것 이 방지 될 수 있 다 .