그리고 , 도 8 은 하우징 의 내측 벽면 상 에 고정 된 상기 센서 ( 20 ) 의 위치 보다 반사판 ( 30 ) 의 위치 가 하부 측 으로 이동 되 었 을 경우 에 는 센서 ( 20 ) 의 발광 부 ( 21 ) 에서 조사 된 적외선 은 반사판 ( 30 ) 의 상부 , " 즉 반사면 ( 31 ) 에 대하 여 흡수 면 ( 32 ) 이 최대 의 면적 을 가지 는 도 8 b 의 "" C "" 지점 에 반사 됨 으로써 ", 상기 반사판 ( 30 ) 에서 최소 의 반사 광량 이 조사 각도 와 동일 한 각도 로 수 광부 ( 22 ) 로 입사 되 며 , 상기 수 광부 ( 22 ) 는 그 반사 광량 에 대한 광 변환 에 의해서 최대 의 전압 이 생성 되 고 , 이때 상기 전압 은 대략 2 . 4 ~ 2 . 7 V 의 전압 이 발생 하 게 된다 .