본 발명 의 세정 조성물 과 방법 은 결함 을 저하 시켜 웨이퍼 수율 을 증가 시킴 에 의해 또는 세정 시간 을 감소 시켜 웨이퍼 생산 율 을 증가 시킴 에 의해 제조 효율 을 향상 시킬 수 있 다 . 본 발명 의 추가 의 이점 은 하 기 를 포함 한다 : ( 1 ) 요구 되 는 화학 적 처리 단계 가 보다 적음 으로 인한 처리 시간 감소 ; ( 2 ) 세정 조성물 의 감소 된 가연 성 ( 예 를 들 어 , 높 은 수준 의 아이소프로필 알코올 을 함유 하 는 조성물 과 비교 할 때 ) ; ( 3 ) 웨이퍼 표면 에 입자 를 남길 수 있 는 수성 플루오르화 수소 헹굼 단계 의 제거 ; ( 4 ) 아마도 기판 의 개선 된 습윤 으로 인한 , " "" 플루오르화 수소 라스트 "" 처리 된 기판 상 에 남 아 있 는 더 적 은 입자 ; ( 5 ) 무기 및 유기 성분 둘 모두 를 갖 는 잔류물 의 보다 우수 한 제거 ; 및 ( 6 ) 수성 플루오르화 수소 에칭 조성물 을 이용 하 는 종래 의 에칭 세정 공정 에서 실현 되 는 것 보다 빠른 에칭 속도 및 ( 7 ) 종래 기술 의 수성 시스템 에 비하 여 보다 적 은 부식성 . "