도 9 f 를 참조 하 면 , 기판 ( 10 ) , 한 쌍 의 소스 / 드레 인 ( 12 ) , 및 더미 게이트 구 조체 ( 60 ) 상 에 층간 절연 층 ( 40 ) 이 형성 될 수 있 다 . 이후 , 더미 게이트 전극 층 ( 62 ) 이 노출 되 도록 층간 절연 층 ( 40 ) 이 평탄 화 될 수 있 다 . 평탄 화 에 의해 더미 게이트 마스크 ( 63 ) 도 제거 될 수 있 다 . 평탄 화 는 예 를 들 어 CMP 공정 을 포함 할 수 있 다 .