상기 제 1 부 화소 전극 ( 191 ) 은 보호막 ( 171 , 172 ) 위 에 형성 되 며 , 제 1 컨 택 홀 ( 181 ) 을 통해 제 1 드레 인 전극 ( 162 ) 과 연결 된다 . 그리고 , 제 1 부 화소 전극 ( 191 ) 은 스토리지 라인 ( 125 ) 과 적어도 일부분 이 중첩 되 게 형성 되 어 제 1 스토리지 커패시터 ( H _ Cst ) 를 형성 한다 . 제 1 부 화소 전극 ( 191 ) 은 투명 한 도전 물질 인 인듐 주석 산화물 ( Indium Tin Oxide : 이하 ITO ) , 인듐 아연 산화물 ( Indium Zinc Oxide : 이하 IZO ) , 인듐 주석 아연 산화물 ( Indium Tin Zinc Oxide : 이하 ITZO ) 등 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 이때 , " 제 1 부 화소 전극 ( 191 ) 은 화소 영역 내 에서 ""<"" 형태 로 형성 될 수 있 다 . "