이 와 같 은 , 일반 적 인 기판 처리 장치 는 기판 ( W ) 을 서 셉 터 ( 30 ) 에 로딩 시킨 다음 , 챔버 ( 10 ) 의 반응 공간 에 소정 의 소스 가스 를 분사 함 과 아울러 플 라즈 마 전극 ( 20 ) 에 RF 전력 을 공급 해 반응 공간 에 전자기장 을 형성 함 으로써 상기 전자기장 에 의해 기판 ( W ) 상 에 형성 되 는 플 라즈 마 를 이용 해 기판 ( W ) 상 의 소정 의 박막 을 형성 하 게 된다 .