본 발명 은 자외선 LED 및 그 제조 방법 이 개시 된다 . 상기 자외선 LED 는 기판 및 기판 으로부터 위 를 향해 순차 적 으로 적층 설치 된 비 도핑 AltGa 1 - tN 층 , N 형 AlwGa 1 - wN 층 , AlxGa 1 - xN / AlyGa 1 - yN 다중 양자 우물 층 , 전자 차단 층 및 정공 주입 층 을 포함 하 되 ; 여기 서 , 정공 주입 층 은 적어도 하나 의 서브 층 을 포함 하 며 , 서브 층 은 적층 설치 된 P 형 AluGa 1 - uN 층 , P 형 AlvGa 1 - vN 층 및 P 형 GaN 층 중 적어도 두 층 을 포함 하 고 ; 0 ＜ t ＜ 1 , 0 ＜ w ＜ 1 , 0 ＜ y ＜ x ＜ 1 , 0 ＜ v ≤ 1 , 0 ＜ u ≤ 1 , u ≠ v 이 다 . 본 발명 에 따른 자외선 LED 는 사이클 구조 의 정공 주입 층 을 구비 함 으로써 , 발광 효율 을 향상 시킬 수 있 다 .