절 연막 ( 31 , 32 ) 은 피형 웰 층 ( 26 ) 에 형성 되 어 활성 영역 을 한정 한다 . 게이트 게이트 ( 21 ) 는 활성 영역 상 에 배치 되 며 , 옥사이드 ( 22 ) 는 게이트 ( 21 ) 와 활성 영역 사이 에 개재 된다 . 따라서 , 도 7 에 도시 된 소오 스 영역 및 드레 인 영역 ( 23 , 24 ) 은 게이트 ( 21 ) 양측 의 활성 영역 에 형성 되 며 , N 타입 으로 도핑 된 N - 타입 채널 영역 ( 27 ) 은 게이트 ( 21 ) 아래 의 활성 영역 에 형성 된다 . N - 타입 채널 영역 ( 27 ) 은 상기 게이트 ( 21 ) 양측 에 형성 되 어 있 는 절 연막 ( 31 , 32 ) 까지 도핑 되 어 있 다 .