최근 , 반도체 디바이스 분야 에서 요구 되 는 용량 및 속도 가 증가 함 에 따라 , 좁 은 면적 안 에 더 많 은 용량 의 메모리 를 실장 하 고 이 를 효율 적 으로 구동 하 기 위한 다양 한 시도 가 이루어지 고 있 다 . 이 와 더불 어 반도체 디바이스 의 집적 도 향상 을 위해 , 입체 적 구조 를 갖 는 반도체 디바이스 가 연구 개발 되 고 있 으며 . 이 가운데 에서 도 TSV ( Through Silicon Via ) 방식 을 적용 한 반도체 디바이스 가 주목 받 고 있 다 . 이러 한 입체 적 구조 를 갖 는 반도체 디바이스 는 초고 밀도 설계 가 가능 하 고 , TSV 를 연결선 통로 로 활용 함 으로써 회로 사이 의 연결선 길이 를 감소 시킬 수 있 어 , 신호 속도 증가 , 전력 소모량 감소 등 다양 한 장점 을 얻 을 수 있 다 .