이어서 , 산화 막 ( 27 ) 에 대하 여 통상 적 인 사진 공정 과 식각 공정 을 진행 한다 . 그 결과 , 도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , 산화 막 ( 27 ) 에 는 개구부 ( 27 a , opening ) 가 만들 어 진다 . 이 개구부 ( 27 a ) 는 게이트 채널 영역 을 노출 시키 기 위한 것 이 다 . 산화 막 ( 27 ) 에 개구부 ( 27 a ) 를 형성 하 는 사진 식각 공정 은 게이트 마스크 와 동일 한 마스크 를 이용 할 수 있 다 . 개구부 ( 27 a ) 의 길이 ( L 1 ) 는 후속 공정 에서 형성 될 게이트 의 길이 보다 100 Å 내지 1000 Å 정도 작 게 형성 되 는데 , 동일 마스크 를 이용 하 더라도 노광 도즈 ( dose ) 와 초점 을 조절 함 으로써 가능 해진다 . 개구부 ( 27 a ) 와 게이트 의 크기 차이 는 반도체 소자 의 세부 특성 에 따라 달라질 수 있 다 .