상기 에 나타낸 형태 에 의해 , 과제 중 적어도 하나 를 해결 할 수 있 다 . 제 1 결정 성 반도체 성 산화물 층 과 제 2 결정 성 반도체 성 산화물 층 의 적층 을 갖 는 트랜지스터 는 , 트랜지스터 에 광 조사 를 행하 거나 , 또는 바이어스 - 열 스트레스 ( BT ) 시험 을 행해도 트랜지스터 의 역치 전압 의 변화 량 을 저감 시킬 수 있 어 , 안정 된 전기 적 특성 을 갖 는다 .