도 3 에서 알 수 있 는 바 와 같이 , 본 발명 에서 는 화소 ( 12 ) 의 출력 단 에 화소 전압 ( VPXL 1 ) 과 바이어스 전압 ( BIAS ) 을 스위칭 하 는 스위치 ( 또는 스위치 역할 을 수행 하 는 트랜지스터 ) 를 별도 로 구비 하 지 않 는다 . 그 결과 , 칩 의 사이즈 가 감소 된다 . 그러나 , CMOS 이미지 센서 ( 1000 ) 의 물리 적 특성 상 불가피 하 게 존재 하 는 다크 커런트 ( dark current ) 의 영향 때문 에 , 테스 트시 화소 ( 12 ) 의 출력 은 바이어스 전압 ( BIAS ) 과 일치 하 지 않 을 수 도 있 다 . 즉 , 빛 이 인가 되 지 않 은 상태 에서 도 다크 커런트 로 인해 화소 ( 12 ) 로부터 원치 않 는 화소 전압 ( VPXL 1 ) 값 이 발생 될 수 도 있 다 . 그러나 , 이 와 같 은 다크 커런트 의 영향 은 간단 한 수학 적 연산 을 통해 제거 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 빛 과 바이어스 전압 ( BIAS ) 이 인가 되 지 않 은 상태 에서 화소 들 ( 12 ) 로부터 발생 된 전압 ( VPXL 1 ) 을 취득 한 후 , 취득 된 결과 를 다크 커런트 로부터 비롯 된 오프셋 을 보상 하 는 데 사용 할 수 있 다 . 이 경우 , 오프셋 보상 에 사용 되 는 수학 적 연산 은 뺄셈 과 같 은 매우 간단 한 연산 이 사용 된다 . 빛 과 바이어스 전압 ( BIAS ) 이 인가 되 지 않 은 상태 에서 화소 들 ( 12 ) 로부터 발생 된 전압 ( VPXL 1 ) 을 취득 하 는 것 은 , 바이어스 전압 ( BIAS ) 을 인가 하 는 타이밍 을 제어 하 는 것 에 의해 조절 가능 하 다 . 그러므로 , 본 발명 에서 는 테스 트시 아날로그 - 디지털 변환기 ( 20 ) 의 입력 으로 바이어스 전압 ( BIAS ) 이 인가 되 는 경우 에 대해서 만 살펴보 기 로 한다 . 즉 , 다크 커런트 에 의한 영향 은 앞 에서 설명 한 방식 에 의해 보상 이 가능 하 므로 , 아래 에서 는 다크 커런트 에 의한 영향 은 고려 하 지 않 고 바이어스 전압 ( BIAS ) 을 이용 한 테스트 에 대해서 만 살펴보 기 로 한다 .