본 발명 에 따른 반도체 소자 및 그 의 형성 방법 은 게이트 채널 이 형성 되 는 영역 의 활성 영역 을 철 ( 凸 ) 부 로 형성 함 으로써 , 게이트 채널 길이 를 확장 시키 고 , 후속 공정 에서 핀 형 활성 영역 을 형성 하 는 공정 마진 을 향상 시킬 수 있 다 . 따라서 , 게이트 전류 구동 능력 을 향상 시키 고 , 게이트 채널 길이 를 효율 적 으로 향상 시켜 게이트 전압 을 높이 면서 리 프레쉬 ( Refresh ) 특성 을 향상 시킬 수 있 는 효과 를 제공 한다 .