교번 하 는 복수 의 스택 은 본 명세서 에서 교번 하 는 스택 ( 32 , 42 ) 으로 지칭 된다 . 일 실시 예 에서 , 교번 하 는 스택 ( 32 , 42 ) 은 제 1 재료 로 구성 된 절연 층 들 ( 32 ) , 및 절연 층 들 ( 32 ) 의 재료 와 상이 한 제 2 재료 로 구성 된 희생 재료 층 들 ( 42 ) 을 포함 할 수 있 다 . 절연 층 들 ( 32 ) 의 제 1 재료 는 적어도 하나 의 절연 재료 일 수 있 다 . 이 와 같이 , 각각 의 절연 층 ( 32 ) 은 절연 재료 층 일 수 있 다 . 절연 층 들 ( 32 ) 에 사용 될 수 있 는 절연 재료 들 은 실리콘 산화물 ( 도핑 된 또는 도핑 되 지 않 은 실리케이트 유리 포함 ) , 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화물 , 유기 실리케이트 유리 ( OSG ) , 스핀 - 온 유전체 재료 , 고 유전 상수 ( 고 - k ) 유전체 산화물 ( 예 를 들 어 , 알루미늄 산화물 , 하프늄 산화물 등 ) 로 통상 적 으로 알려진 유전체 금속 산화물 및 그 실리케이트 , 유전체 금속 산질 화물 및 그 실리케이트 , 및 유기 절연 재료 를 포함 하 지만 , 이 들 로 제한 되 지 않 는다 . 일 실시 예 에서 , 절연 층 들 ( 32 ) 의 제 1 재료 는 실리콘 산화물 일 수 있 다 .