실리사이드 층 ( 80 ) 은 소스 층 S 및 드레 인 층 D 상 에 제공 되 어 컨 택 저항 을 감소 시킨다 . 실리사이드 층 ( 81 ) 은 게이트 전극 ( 60 ) 상 에 제공 되 어 게이트 저항 을 감소 시킨다 . 실리사이드 층 ( 80 및 81 ) 은 예 를 들 어 , 니켈 실리사이드 이 다 . 실리사이드 층 ( 80 ) 은 또한 더미 액티브 영역 DAA 상 에 제공 될 수 있 다 . 이 는 , 실리사이드 층 ( 80 ) 이 더미 액티브 영역 DAA 에 형성 되 더라도 , 더미 액티브 영역 DAA 의 효과 ( 디싱 억제 효과 ) 를 얻 을 수 있 기 때문 이 다 . 라이너 층 ( 90 ) 은 실리콘 질화 막 을 포함 하 고 , 게이트 전극 ( 60 ) 및 측벽 층 ( 70 ) 을 덮 도록 제공 된다 .