그 다음 , 마스크 패턴 을 이용 하 여 게이트 전극 ( 140 ) 및 제 1 절연체 층 ( 130 ) 을 식각 하 여 전자 방출 원 홀 ( 131 ) 을 형성 한다 ( 도 5 ) . 식각 공정 은 게이트 전극 ( 140 ) 및 절연체 층 ( 130 ) 의 재료 , 두께 등 에 따라 식각 액 을 이용 하 는 습식 식각 이나 , 부식성 가스 를 이용 하 는 건식 식각 또는 이온 빔 ( ion beam ) 등 을 이용 하 는 마이크 로 머시닝 방식 에 의해 이루어질 수 있 다 .