여기 서 는 , 산화물 반도체 막 을 가열 하 여 산화물 반도체 막 으로부터 수소 를 탈리 시키 는 것 과 함께 , 산화물 절 연막 으로부터 산화물 반도체 막 으로 산소 를 확산 시킨 후 , 상기 산화물 반도체 막 위 에 n 형 도전 형 을 갖 는 버퍼 ( 84 ) 를 형성 하 기 때문 에 , 산화물 반도체 막 으로부터 수소 를 충분히 탈리 시킬 수 있 다 . 결과 적 으로 , 산화물 반도체 막 중 의 수소 농도 및 산소 결손 을 저감 시킬 수 있 고 , 트랜지스터 의 임계 값 전압 의 마이너스 시프트 를 저감 할 수 있 다 .