메모리 제품 의 고속 화 및 고집 적 화 가 진행 되 면서 단위 면적 당 소자 의 밀도 가 증가 하 고 , 더불 어 상호 연결선 ( interconnection line ) 영역 에서 상호 연결선 의 밀도 가 증가 하 고 있 다 . 특히 수천 ㎛ 이상 떨어져 있 는 트랜지스터 의 소오 스 , 드레 인 , 게이트 전원 및 신호 의 상호 연결선 으로 금속 배선 을 주로 사용 하 고 있 으며 , 각 단위 회로 간 국부 적 상호 연결선 으로 금속 배선 을 종종 사용 하 고 있 다 .