도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 , 뱅크 ( bank , 메모리 셀 ( memory cell ) 의 군집 영역 으로 다이 ( die ) 보다 큰 영역 이 고 , 웨이퍼 ( wafer ) 보다 는 작 은 영역 에 해당 ) 최 외곽 다이 의 엣지 ( edge ) 영역 ( EDG ) 과 뱅크 의 중앙 영역 ( MID ) 으로 구분 된 기판 ( 11 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 12 ) , 게이트 전 도막 ( 13 ) , 게이트 금속 막 ( 14 ) 및 게이트 하드 마스크 층 ( 15 ) 을 순차 적 으로 형성 하 고 , 게이트 패 터닝 마스크 를 이용 하 여 이 들 을 식각 한다 .