우선 도 4 a 에 도시 한 바 와 같이 , 게이트 전극 ( 15 ) 및 이 와 연결 된 게이트 배선 ( 미 도시 ) 이 형성 된 기판 ( 10 ) 에 무기 절연 물질 과 비정질 실리콘 과 불순물 비정질 실리콘 과 금속 물질 을 순차 적 으로 적층 하 여 각각 게이트 절 연막 ( 20 ) 과 , 순수 비정질 실리콘 층 ( 21 ) 과 불순물 비정질 실리콘 층 ( 24 ) 과 금속 물질 층 ( 28 ) 을 형성 한다 .