본 발명 의 핵심 기술 요지 를 살펴보 면 , 반도체 기판 상 에 포토 다이오드 ( 201 ) 와 산화 막 ( 203 ) 및 질화 막 ( 205 ) 과 평탄 화 층 ( 207 ) 을 순차 적 으로 형성 한 후 , 단위 화소 의 포토 다이오드 ( 201 ) 영역 에 컬러 필터 어레이 ( 209 ) 를 형성 시킨다 . 그런 다음 , 단위 화소 컬러 필터 어레이 ( 209 ) 상부 에 패 시베이 션 ( Passivation ) ( 211 ) 을 형성 한다 .