또한 , 상기 제 1 산화아연 층 의 형성 은 Ar / O 2 분위기 에서 수행 될 수 있 다 . 특히 , 이 때 상기 Ar 과 O 2 의 몰 비 는 99 : 1 내지 50 : 50 일 수 있 다 . 선택 적 으로 , 상기 p - 도 펀트 가 도핑 된 도 펀트 층 은 실리콘 ( Si ) , 실리콘 저 매 늄 ( SiGe ) , 저 매 늄 ( Ge ) , 갈륨비소 ( GaAs ) , 실리콘 카바이드 ( SiC ) , 및 산화아연 ( ZnO ) 으로 이루어지 는 군 으로부터 선택 되 는 1 종 이상 의 층 에 p - 도 펀트 가 도핑 된 층 일 수 있 다 . 특히 , 상기 도 펀트 층 의 도 펀트 농도 는 1018 내지 1022 / cm 3 일 수 있 다 . 선택 적 으로 , 상기 도 펀트 층 의 도 펀트 농도 는 1018 내지 1020 / cm 3 일 수 있 다 .