이제 도 4 p 내지 도 4 t 를 참조 하 면 , 기판 의 상이 한 부분 들 을 개방 하 도록 다양 한 상이 한 에칭 단계 들 이 수행 된다 . 도 4 p 및 도 4 q 에서 , 다양 한 에칭 단계 들 의 예 가 도시 된다 . 도 4 p 에서 , ILD 층 ( 166 ) 이 에칭 정지 층 ( 164 ) 의 부분 ( 190 ) 내 에서 아래 에 놓인 층 들 을 선택 적 으로 노출 하 도록 에칭 된다 . 도 4 q 에서 , 에칭 정지 층 ( 164 ) 은 추가 프로세싱 을 위해 , 게이트 캡 핑 층 ( 145 ) , 에 어 갭 시일 링 ( 157 ) , 금속 층 들 ( 155 ) 및 ILD 층 ( 132 ) 의 부분 들 을 개방 하 도록 에칭 된다 .