아울러 , 메모리 장치 ( 150 ) 의 리드 / 라이트 ( read / write ) 회로 ( 320 ) 는 , 제 어 회로 에 의해서 제어 되 며 , 동작 모드 에 따라 감지 증폭기 ( sense amplifier ) 로서 또는 라이트 드라이버 ( write driver ) 로서 동작 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 검증 / 정상 리드 동작 의 경우 리드 / 라이트 회로 ( 320 ) 는 , 메모리 셀 어레이 로부터 데이터 를 리드 하 기 위한 감지 증폭기 로서 동작 할 수 있 다 . 또한 , 프로그램 동작 의 경우 리드 / 라이트 회로 ( 320 ) 는 , 메모리 셀 어레이 에 저장 될 데이터 에 따라 비트 라인 들 을 구동 하 는 라이트 드라이버 로서 동작 할 수 있 다 . 리드 / 라이트 회로 ( 320 ) 는 , 프로그램 동작 시 셀 어레이 에 라이트 될 데이터 를 버퍼 ( 미 도시 ) 로부터 수신 하 고 , 입력 된 데이터 에 따라 비트 라인 들 을 구동 할 수 있 다 . 이 를 위해 , 리드 / 라이트 회로 ( 320 ) 는 , 열 ( column ) 들 ( 또는 비트 라인 들 ) 또는 열 쌍 ( column pair ) ( 또는 비트 라인 쌍 들 ) 에 각각 대응 되 는 복수 개 의 페이지 버퍼 들 ( PB ) ( 322 , 324 , 326 ) 을 포함 할 수 있 으며 , 각각 의 페이지 버퍼 ( page buffer ) ( 322 , 324 , 326 ) 에 는 복수 의 래치 들 ( 도시 하 지 않 음 ) 이 포함 될 수 있 다 .