톱 게이트 형 TFT 를 형성 하 는 경우 , 반도체 층 ( 4 ) 으로서 의 SiGe 막 을 , 포토 리소그래피 를 이용 하 여 섬 형상 으로 가공 한다 . 다음 으로 , 이 위 에 게이트 절연 층 ( 5 ) 을 형성 한다 . 게이트 절연 층 ( 5 ) 의 재료 로서 는 , SiO 2 나 SiN 등 을 들 수 있 다 . 이 들 막 을 PECVD , 스퍼터링 법 등 으로 성막 한다 . 또한 , 플라 즈 마 산화 , 광 산화 등 을 겸용 해도 된다 . 이 위 에 , 게이트 전극 배선 ( 6 ) 을 형성 한다 . 게이트 전극 배선 ( 6 ) 의 재료 로서 는 , Si , Ge 나 그 합금 , Nb , Mo , W , Ta , Cr , Ti , Fe , Ni , Co 등 이나 그 들 의 합금 을 들 수 있 다 . 다음 으로 , 포토 리소그래피 를 이용 하 여 게이트 전극 배선 패턴 으로 가공 하 였 다 .