본 발명 의 일 측면 은 , 실리콘 기판 에 패턴 을 형성 하 여 실리콘 몰드 를 준비 하 는 단계 ; 상기 패턴 을 포함 한 상기 실리콘 몰드 의 표면 을 따라 확산 방지 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 패턴 이 채워 지 도록 상기 확산 방지 막 상 에 압 전 물질 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 압 전 물질 층 을 저온 소결 하 고 상기 패턴 의 상부 가 노출 되 도록 상기 압 전 물질 층 및 상기 확산 방지 막 의 상부 를 평탄 화 하 는 단계 ; 상기 확산 방지 막 의 측면 의 일부 가 노출 되 도록 상기 실리콘 몰드 의 상부 를 제거 하 는 단계 ; 상기 노출 된 부위 를 고온 소결 하 고 상기 실리콘 몰드 가 제거 된 상부 에 에폭시 를 형성 하 는 단계 ; 상기 실리콘 몰드 의 하부 를 제거 하 는 단계 ; 상기 실리콘 몰드 가 제거 된 하부 에 에폭시 를 형성 하 는 단계 ; 및 상기 압 전 물질 층 이 노출 되 도록 상기 상부 에폭시 의 상면 및 상기 하부 에폭시 의 하면 을 평탄 화 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 , 압 전 어레이 소자 제조 방법 을 제공 한다 .