따라서 , 반도체 기판 상 에 금속 막 패턴 을 형성 하 는 공정 에서 포토레지스트 패턴 을 제거 하 기 위하 여 사용 된 유기 또는 무기 스트립 용액 을 스트립 하 며 , 스트립 된 기판 을 질소 가 용해 된 탈 이 온수 에 메 가 소닉 에너지 를 제공 하 여 세정 함 으로써 , 종래 의 메가 소닉 에너지 를 사용 하 는 세정 에 비해 폴리머 및 식각 반응 의 부산물 로 이루어지 는 제 1 및 제 2 불순물 들 을 금속 막 패턴 의 손상 없이 제거 하 게 된다 .