희생 재료 층 들 ( 142 , 242 ) 이 유전체 분리 영역 들 ( 150 , 250 ) 의 외측 에서 제거 된 체적 들 내 에 후면 리세 스 들 ( 143 , 243 ) 이 형성 된다 . 후면 리세 스 들 ( 143 , 243 ) 은 제 1 희생 재료 층 들 ( 142 ) 이 제거 된 체적 들 내 에 형성 되 는 제 1 후면 리세 스 들 ( 143 ) , 및 제 2 희생 재료 층 들 ( 242 ) 이 제거 된 체적 들 내 에 형성 되 는 제 2 후면 리세 스 들 ( 243 ) 을 포함 한다 . 후면 리세 스 들 ( 143 , 243 ) 각각 은 , 공동 의 수직 크기 보다 큰 측 방향 치수 를 갖 는 측 방향 연장 공동 일 수 있 다 . 다시 말 하 면 , 후면 리세 스 들 ( 143 , 243 ) 각각 의 측 방향 치수 는 각자 의 후면 리세 스 ( 143 , 243 ) 의 높이 보다 더 클 수 있 다 . 희생 재료 층 들 ( 142 , 242 ) 의 재료 가 제거 된 체적 들 내 에 복수 의 후면 리세 스 들 ( 143 , 243 ) 이 형성 될 수 있 다 . 후면 리세 스 들 ( 143 , 243 ) 각각 은 기판 반도체 층 ( 9 ) 의 상단 표면 에 실질 적 으로 평행 하 게 연장 될 수 있 다 . 후면 리세 스 ( 143 , 243 ) 는 아래 에 놓인 절연 층 ( 132 , 232 ) 의 상단 표면 및 위 에 놓인 절연 층 ( 132 , 232 ) 의 하단 표면 에 의해 수직 으로 경계 지어 질 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 후면 리세 스 들 ( 143 , 243 ) 각각 은 전체 에 걸쳐서 균일 한 높이 를 가질 수 있 다 .