상기 와 같이 첫 번 째 단계 의 공정 에서 하프톤 마스크 ( 227 ) 가 사용 되 는 이유 는 이후 의 제 1 , 제 2 , 제 3 컨 택트 홀 ( 도 5 c 의 225 a , 225 b , 225 c ) 형성 공정 에서 첫 번 째 단계 에서 사용 된 포토 마스크 ( 227 ) 가 다시 사용 되 기 때문 이 며 , 이 를 이유 로 게이트 전극 ( 203 ) 과 동일 적층 구조 상 의 제 1 , 제 3 컨 택트 홀 ( 도 5 c 의 225 a , 225 c ) 부분 에 금속 패턴 들 ( 203 a , 203 b ) 이 형성 되 지만 이 는 박막 트랜지스터 를 포함 한 소자 구동 에 아무런 영향 을 미치 지 는 아니한다 .