제 1 에피 택 셜 적층 구조 는 화학식 InxAlyGazN ( x , y , z 는 0 이상 의 정수 이 고 , 또한 x , y , z 는 동시 에 0 이 아니 다 ) 및 SixCyNz ( x , y , z 는 0 이상 의 정수 이 고 , 또한 x , y 는 동시 에 0 이 아니 다 ) 으로 표기 된 물질 들 인 GaN , AlN , InN , AlGaN , InGaN , AlInN , InAlGaN , SiC , SiCN 등 의 단결정 형태 로 구성 되 며 , 적어도 30 나노미터 ( nm ) 이상 의 단층 ( single layer ) , 이중층 ( bi - layer ) , 또는 이중층 이상 의 다층 형태 로 적층 되 어야 한다 .