이상 에서 와 같이 , 본 발명 은 피 모스 ( PMOS ) 트랜지스터 를 제조 함 에 있 어서 , 소오 스 영역 및 그 와 인접 한 채널 영역 의 일부분 이 드레 인 영역 및 나머지 채널 영역 보다 채널 폭 방향 으로 돌출 되 도록 하 여 , 전자 가 드레 인 영역 에 인접 한 소자 분리 막 부분 으로 유입 되 지 않 도록 함 으로써 , HEIP 현상 을 효과 적 으로 방지 할 수 있 다 . 그러므로 , 본 발명 은 피 모스 ( PMOS ) 트랜지스터 의 HEIP 현상 에 의한 오프 누설 전류 증가 , 동작 전압 손실 , 동작 속도 저하 , 항복 전압 감소 등 의 문제 를 개선 하 여 피 모스 ( PMOS ) 트랜지스터 의 특성 을 개선 할 수 있 다 .