인덕 터 도체 부 ( 121 내지 128 ) 는 제 1 실시 형태 와 같이 , 인덕 터 층 ( 62 내지 69 ) 에 형성 되 고 , 인덕 터 적층 부 ( 7 ) 와 배리스터 적층 부 ( 9 ) 의 사이 의 계면 ( P ) 으로부터 20 ㎛ 이상 떨어진 위치 에 형성 되 어 있 다 . 즉 , 인덕 터 층 ( 69 ) 의 두께 치수 ( D 1 ) 는 20 ㎛ 이상 이 다 . 또한 , 인덕 터 도체 부 ( 128 ) 의 두께 는 적층 체 ( 2 ) 의 표면 으로부터 인덕 터 확산 층 ( 6 D ) 으로 Li 이 확산 되 기 쉽 도록 3 ㎛ 이상 이 다 .