다음 에 , 도 14 ( C ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 게이트 절 연막 ( 709 ) 위 에 도전 막 을 형성 한 후 , 그 도전 막 을 소정 의 형상 으로 가공 ( 패 터닝 ) 함 으로써 , 섬 형상 의 반도체 막 ( 705 ∼ 707 ) 의 상방 에 전극 ( 710 ) 을 형성 한다 . 본 실시 예 에서 는 적층 된 2 개 의 도전 막 을 패 터닝 하 여 전극 ( 710 ) 을 형성 한다 . 도전 막 은 탄탈 ( Ta ) , 텅스텐 ( W ) , 티탄 ( Ti ) , 몰리브덴 ( Mo ) , 알루미늄 ( Al ) , 구리 ( Cu ) , 크롬 ( Cr ) , 니오브 ( Nb ) 등 을 사용 할 수 있 다 . 또한 , 상기 금속 을 주성분 으로 하 는 합금 을 사용 하 여도 좋 고 , 상기 금속 을 함유 하 는 화합물 을 사용 하 여도 좋 다 . 또는 , 반도체 막 에 도전 성 을 부여 하 는 인 등 의 불순물 원소 를 도핑 한 , 다 결정 규소 등 의 반도체 를 사용 하 여 형성 하 여도 좋 다 .