상기 도면 을 통하 여 알 수 있 듯이 , 상변화 메모리 는 고 인가전압 의 짧 은 펄스 를 가하 면 비정질 상 으로 , 저 인가전압 의 긴 펄스 를 가하 면 결정질 상 으로 수 내지 수십 나노 초 의 간격 으로 상전이 를 일으킨다 . 비정질 상 에서 는 고 저항 으로 , 결정질 상 에서 는 저 저항 으로 저항 값 을 가지 기 때문 에 그 저 항차 를 메모리 소자 에 응용 한 것 이 PRAM 인 것 이 다 .