상술 한 바 와 같이 하 여 반 투광 성막 패턴 ( 23 ) 을 형성 한 후 , 차광성 막 패턴 ( 22 ) 을 구성 하 는 차광성 막 ( 18 ) 의 원 하 는 부분 이외 를 제거 하 는 공정 을 실시 한다 . 즉 , 차광성 막 패턴 ( 22 ) 위 및 투광 성 기판 ( 16 ) 위 에 레지스 트 막 을 성막 하 고 , 이 레지스 트 막 을 전술 과 마찬가지 로 노광 , 현상 하 여 , 제 2 레지스 트 패턴 ( 24 ) 을 형성 한다 ( 도 2 의 ( F ) ) . 이 제 2 레지스 트 패턴 ( 24 ) 은 그 레이톤 부 ( 15 ) 를 개구 영역 으로 하 는 형상 으로 형성 된다 . 다음 으로 , 제 2 레지스 트 패턴 ( 24 ) 을 마스크 로 하 여 , 차광성 막 패턴 ( 22 ) 을 구성 하 는 차광성 막 ( 18 ) 을 다시 웨트 에칭 또는 드라이 에칭 한다 ( 도 2 의 ( G ) ) .