이 와 같 은 목적 을 실현 하 기 위한 본 발명 의 일 관점 으로서 반도체 소자 의 제조 방법 은 , 반도체 기판 에 소자 분리 막 을 형성 하 여 필드 영역 과 액티브 영역 을 정의 하 는 단계 와 , 액티브 영역 의 반도체 기판 상 에 플로팅 게이트 와 콘트롤 게이트 가 적층 된 스택 게이트 구조 를 형성 하 는 단계 와 , 스택 게이트 구조 상 에 제 1 광원 에 의해 감광 하 는 제 1 포토레지스트 와 제 2 광원 에 의해 감광 하 는 제 2 포토레지스트 를 순차 로 형성 하 는 단계 와 , 제 2 광원 을 이용 하 는 패 터닝 공정 을 통해 소스 라인 지역 의 제 2 포토레지스트 를 제거 하 는 단계 와 , 제 1 광원 을 이용 하 는 패 터닝 공정 을 통해 소스 라인 지역 의 제 1 포토레지스트 를 제거 하 여 소자 분리 막 을 노출 시키 는 단계 와 , 노출 된 소자 분리 막 을 제거 하 여 소스 라인 지역 의 반도체 기판 을 노출 시키 는 단계 와 , 패 터닝 된 제 2 포토레지스트 를 이온 주입 마스크 로 이용 한 셀 소스 이온 주입 공정 을 진행 하 여 소스 라인 지역 의 반도체 기판 에 불순물 이온 이 주입 된 소스 라인 를 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .