도 8 은 제 3 실시 예 에 따라 CuIn ( Se 1 - ySy ) 2 화합물 박막 을 제조 하 는 일예 를 개략 적 으로 나타낸 도면 으로서 , 도 8 에 도시 된 바 와 같이 기판 상 에 In 및 Se 를 포함 하 는 단일 전구체 와 , Cu 1 가 전구체 와 , Se 를 포함 하 는 전구체 또는 Se 를 함유 하 는 가스 를 함께 공급 하 여 유기 금속 화학 기상 증착 법 으로 CIS 박막 을 성장 하 는 과정 에서 In 과 S 를 포함 하 는 단일 전구체 를 함께 공급 하 여 증착 하 면 CuIn ( Se 1 - ySy ) 2 화합물 박막 ( 0 ≤ y ≤ 1 ) 이 형성 되 게 된다 .