또한 , 상기 설명 에서 , 본 발명 은 비 단결정 반도체 막 에 소정 광 강도 분포 를 갖 는 광 을 조사 하 여 결정 화 반도체 막 을 생성 하 는 결정 화 장치 및 결정 화 방법 에 적용 된다 . 그러나 , 본 발명 은 이 에 한정 되 지 않 고 , 결상 광학계 를 통해 소정 의 피조 사면 에서 소정 광 강도 분포 를 형성 하 는 광 조사 장치 에 도 일반 적 으로 적용 될 수 도 있 다 .