상기 본 발명 의 태양 에 따른 방법 의 일 구 현예 에 따르 면 , 상기 p - 타입 이 미터 층 을 제조 하 는 단계 는 : 상기 p - 타입 이 미터 층 의 표면 상 에 접촉 부 를 형성 함 으로써 상기 p - 타입 이 미터 층 이 상기 접촉 부 의 위 에 놓이 게 하 는 단계 를 더 포함 하 며 , 상기 p - 타입 이 미터 층 은 액상 에피택시 얼 재성장 에 의해서 형성 된 p + 이 미터 층 을 포함 하 고 , 상기 접촉 부 는 상기 p + 이 미터 층 에 전기 적 으로 접속 된다 .