또한 반도체 층 으로서 인듐 , 갈륨 , 및 아연 에 더 하 여 알루미늄 , 실리콘 , 붕소 , 이트륨 , 주석 , 구리 , 바나듐 , 베릴륨 , 타이타늄 , 철 , 니켈 , 저마늄 , 지르코늄 , 몰리브데넘 , 란타넘 , 세륨 , 네오디뮴 , 하프늄 , 탄탈럼 , 텅스텐 , 및 마그네슘 중 하나 이상 을 포함 한 산화물 을 사용 할 수 도 있 다 . 특히 , 반도체 층 으로서 인듐 , 갈륨 , 및 아연 에 더 하 여 주석 , 알루미늄 , 또는 실리콘 을 포함 한 산화물 을 사용 하 면 , 높 은 전계 효과 이동도 가 실현 된 트랜지스터 로 할 수 있 기 때문 에 바람직 하 다 .