도 4 는 메모리 셀 의 NOR 어레이 의 예 를 나타낸다 . 메모리 어레이 ( 200 ) 에서 , 각 메모리 셀 의 열 은 데이지 - 체인 방식 ( daisy - chain manner ) 으로 이 들 소스 ( 14 ) 및 드레 인 ( 16 ) 에 의해 연결 된다 . 상기 디자인 은 때때로 가상 접지 디자인 ( virtual ground design ) 이 라 한다 . 열 내 셀 ( 10 ) 은 워드 라인 ( 42 ) 와 같 은 워드 라인 에 연결 된 이 들 의 제 어 게이트 ( 30 ) 를 갖 는다 . 행 내 셀 은 비트 라인 ( 34 및 36 ) 과 같이 선택 된 비트 라인 에 각각 연결 된 소스 및 드레 인 을 갖 는다 .