구체 적 으로 , 제 2 포토레지스트 패턴 은 상기 소스 전극 영역 ( SEA ) , 드레 인 전극 영역 ( DEA ) 및 소스 패드 영역 ( SPA ) 에 제 1 두께 ( t 1 ) 로 형성 된 제 1 패턴 ( PR 21 ) 과 , 상기 화소 전극 영역 ( PEA ) 에 제 2 두께 ( t 2 ) 로 형성 된 제 2 패턴 ( PR 22 ) 을 포함 한다 . 상기 제 2 포토레지스트 층 이 포지티브 형 인 경우 , 상기 제 2 패턴 ( PR 22 ) 은 슬릿 마스크 또는 하프톤 마스크 를 통해서 패 터닝 되 어 상기 제 1 두께 ( t 1 ) 보다 얇 은 상기 제 2 두께 ( t 2 ) 로 형성 된다 .