본 발명 의 반도체 패키지 범프 형성 방법 에 따르 면 , 반도체 칩 과 기판 사이 에 변형 소자 를 삽입 하 고 변형 소자 의 변형 에 의해 범프 의 형태 내지 높이 를 정밀 하 게 제어 함 으로써 언더 필 공정 의 불량 을 감소 시켜 파인 피치 의 디바이스 에서 도 쇼트 가 발생 하 지 않 으며 , 공정 단순 화 를 꾀할 수 있 는 잇 점 이 있 다 .