그 다음 도 4 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 보호막 ( 130 ) 상 으로 후 공정 에서 의 패드 부식 및 손상 을 방지 하 기 위해 캡 핑 산화 막 ( 140 ) 을 형성 한다 . 이 에 따라 상기 캡 핑 산화 막 ( 140 ) 은 상기 보호막 ( 130 ) 의 표면 과 상기 패드 오픈 부 ( 135 ) 에 의해 노출 된 패드 ( 120 ) 의 표면 을 모두 덮 도록 형성 된다 . 본 실시 예 에서 상기 캡 핑 산화 막 ( 140 ) 은 얇 은 두께 로 형성 되 며 , 예 를 들 어 TEOS 막 을 5 ~ 20 ㎚ 이하 로 두께 로 형성 시켜 얇 은 TEOS 막 ( thin TEOS ) 을 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .