1 . 기판 상 에 , 적어도 반도체 층 , 반도체 층 의 보호 층 , 소스 전극 , 드레 인 전극 , 게이트 절 연막 , 및 게이트 전극 을 갖 고 , 상기 소스 전극 과 드레 인 전극 이 반도체 층 을 통해서 접속 되 어 있 고 , 상기 게이트 전극 과 상기 반도체 층 사이 에 게이트 절 연막 이 있 고 , 상기 반도체 층 의 적어도 일면 측 에 보호 층 을 갖 고 , 상기 반도체 층 이 , In ( 인듐 ) 원소 , Zn ( 아연 ) 원소 및 Ga ( 갈륨 ) 원소 를 하 기 ( 1 ) 내지 ( 3 ) 의 원 자비 로 포함 하 는 복합 산화물 로 이루어지 는 전계 효과 형 트랜지스터 .