제 1 산화물 반도체 층 의 성막 은 , 감압 상태 로 유지 된 성막 실내 에 기판 ( 400 ) 을 유지 하 고 , 기판 온도 를 100 ℃ 이상 600 ℃ 이하 , 바람직 하 게 는 200 ℃ 이상 400 ℃ 이하 로 하 여 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 기판 ( 400 ) 을 가열 하 면서 성막 함 으로써 , 성막 한 제 1 산화물 반도체 층 에 포함 되 는 불순물 농도 를 저감 시킬 수 있 다 . 또한 , 스퍼터링 에 의한 손상 이 경감 된다 . 그리고 , 성막 실 내 의 잔류 수분 을 제거 하 면서 수소 및 물 이 제거 된 스퍼터 가스 를 도입 하 고 , 상기 타 겟 을 사용 하 여 기판 ( 400 ) 위 에 제 1 산화물 반도체 층 을 성막 한다 . 성막 실 내 의 잔류 수분 을 제거 하 기 위해서 는 , 흡착 형 의 진공 펌프 , 예 를 들 면 , 크라이 오 펌프 , 이온 펌프 , 티탄 서 블 리메 이 션 펌프 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 배기 수단 은 터보 분자 펌프 에 콜드 트랩 을 더한 것 이 라도 좋 다 . 크라이 오 펌프 를 사용 하 여 배기 한 성막 실은 , 예 를 들 면 , 수소 원자 , 물 ( H 2 O ) 등 수소 원자 를 포함 하 는 화합물 ( 보다 바람직 하 게 는 탄소 원자 를 포함 하 는 화합물 도 ) 등 이 배기 되 기 때문 에 , 상기 성막 실 에서 성막 한 제 1 산화물 반도체 층 에 포함 되 는 불순물 의 농도 를 저감 시킬 수 있 다 .