도 1 c 에 도시 된 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 11 ) 상 에 게이트 전극 ( 16 ) 이 형성 되 면 , 게이트 전극 ( 16 ) 양측 에 LDD ( Lightly Doped Drain ) 영역 ( 17 ) 을 형성 한다 . 이 를 위해 게이트 전극 ( 16 ) 을 마스크 로 이용 하 여 반도체 기판 ( 11 ) 전면 에 저 농도 불순물 이온 을 주입 하 여 게이트 전극 ( 16 ) 양측 의 반도체 기판 ( 11 ) 표면 내 에 LDD 영역 ( 17 ) 을 형성 한다 . 그런 다음 , 게이트 전극 ( 16 ) 을 포함 한 반도체 기판 ( 11 ) 전면 에 실리콘 산화 막 또는 실리콘 질화 막 을 사용 하 여 절 연막 을 형성 하 고 , 절 연막 의 전면 에 에치 백 ( etch back ) 공정 을 실시 하 여 게이트 전극 ( 16 ) 의 양 측면 에 게이트 스 페이서 ( 18 ) 를 형성 한다 .