도 2 를 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 TFT 어레이 기판 은 하부 기판 ( 20 ) 상 에서 서로 교차 하 여 화소 셀 을 정의 하 는 게이트 라인 ( 121 ) 및 데이터 라인 ( 123 ) , 이 들 ( 121 , 123 ) 에 접속 된 TFT , 각 화소 셀 에 형성 되 고 TFT 에 접속 된 화소 전극 ( 129 ) 과 , 각 화소 셀 의 반사 영역 에 형성 된 반사 전극 ( 29 ) 을 구비 한다 . 여기 서 , TFT 는 N 형 MOS - FET 또는 P 형 MOS - FET 모두 가능 하 지만 이하 의 실시 예 에서 TFT 를 N 형 MOS - FET 으로 가정 하 여 설명 하 기 로 한다 .