또 다른 실시 에서 , 웨이퍼 는 기판 의 순차 층 , SiGe 층 , 절연 층 , 및 표면 실리콘 층 을 포함 한다 . SiGe 층 은 증착 되 면서 압축 변형 된다 . 소자 제조 동안 , 분리 트렌치 는 SiGe 층 에서 변형 의 일부 를 완화 시키 기 위해 적절 한 간격 에서 절단 되 며 , 이 는 절연 층 을 통하 여 하부 실리콘 층 에 응력 힘 을 전달 한다 . 절연 층 이 SiGe 를 활성 실리콘 층 으로부터 분리 시키 기 때문 에 , SiGe 층 내 결함 은 활성 실리콘 층 에 영향 을 미치 지 않 을 것 이 며 , 따라서 SiGe 층 에서 압축 응력 의 양 은 임계 두께 로 제한 되 지 않 는다 . 결과 적 으로 소자 가 형성 되 는 표면 실리콘 층 은 인장 변형 될 것 이 다 .