도 3 a 및 도 4 a 를 참조 하 면 , 활성 영역 이 돌출 된 반도체 기판 ( 10 ) 을 마련 한 후 , 상기 기판 의 활성 영역 이외 영역 상 에 필드 산화 막 ( 20 ) 을 형성 한다 . 후속 게이트 가 형성 하 는 필드 산화 막 부분 이 식각 되 는 것 을 방지 하 기 위해 상기 필드 산화 막 이 형성 된 기판 결과물 에 상 에 활성 영역 의 길 이 방향 에 대해 활성 영역 및 그 양측 의 인접 한 필드 산화 막 부분 들 을 노출 시키 는 개구부 를 갖 는 감광막 패턴 ( 30 ) 을 형성 한다 .