이 와 같 은 패턴 형성 방법 및 이 를 이용 한 전자 소자 의 제조 방법 에 따르 면 , 제 1 판 ( 10 ) 에 있 어서 의 액체 조성물 이 도포 되 는 표면 의 표면 장력 을 α , 최대 기 포압 법 에 의한 100 msec 시 의 액체 조성물 의 동적 표면 장력 을 β , 제 2 판 ( 20 ) 에 있 어서 의 볼록 부 ( 20 a ) 의 정상면 의 표면 장력 을 γ 로 한 경우 , γ ＞ α ≥ β 가 되 므로 , 제 1 판 ( 10 ) 상 에 액체 조성물 을 도포 한다는 움직임 이 있 어도 , 동적 표면 장력 을 이용 하 여 상기 식 과 같이 규정 함 으로써 , 제 1 판 ( 10 ) 상 에 도전 성 막 ( D ) 이 확실 하 게 형성 된다 . 또한 , γ ＞ α 인 것 에 의해 , 제 1 판 ( 10 ) 상 의 도전 성 막 ( D ) 의 불 필요 한 패 턴 을 제 2 판 ( 20 ) 의 볼록 부 ( 20 a ) 의 정상 면 에 확실 하 게 전사 하 는 것 이 가능 해진다 . 따라서 , 미세 하 고 정밀 한 도전 성 패턴 ( D ') 을 안정 되게 형성 할 수 있 다 . 또한 , 인쇄 법 에 의해 , 전자 소자 의 미세 한 도전 성 패턴 ( D ') 을 형성 할 수 있 어 , 전자 소자 의 제조 공정 을 간략 화 할 수 있 다 .