다음 으로 ， 상기 구성 의 NAND 셀 의 단면 구성 에 대하 여 도 3 을 이용 하 여 설명 한다 . 도 3 은 , NAND 셀 의 비트 선 방향 을 따른 단면도 이 다 . 도시 한 바 와 같이 , p 형 반도체 기판 ( 10 ) 의 표면 영역 내 에 n 형 웰 영역 ( 11 ) 이 형성 되 고 , n 형 웰 영역 ( 11 ) 의 표면 영역 내 에 p 형 웰 영역 ( 12 ) 이 형성 되 어 있 다 . p 형 웰 영역 ( 12 ) 위 에 는 게이트 절 연막 ( 13 ) 이 형성 되 고 , 게이트 절 연막 ( 13 ) 위 에 , 메모리 셀 트랜지스터 MT 및 선택 트랜지스터 ST 1 , ST 2 의 게이트 전극 이 형성 되 어 있 다 . 메모리 셀 트랜지스터 MT 및 선택 트랜지스터 ST 1 , ST 2 의 게이트 전극 은 , 게이트 절 연막 ( 13 ) 위 에 형성 된 다결정 실리콘 층 ( 14 ) , 다 결정 실리콘 층 ( 14 ) 위 에 형성 된 게이트 간 절 연막 ( 15 ) 및 게이트 간 절 연막 ( 15 ) 위 에 형성 된 다결정 실리콘 층 ( 16 ) 을 갖 는다 . 게이트 간 절 연막 ( 15 ) 은 , 예 를 들 면 실리콘 산화 막 , 또는 실리콘 산화 막 과 실리콘 절 연막 의 적층 구조 인 ON 막 , NO 막 또는 ONO 막 으로 형성 된다 .