한편 , 상부 전극 및 하부 전극 은 일반 적 으로 유전 상수 ( k ) 가 높 은 물질 을 이용 하 는 유전체 막 과 의 반응 성 이 낮 은 금속 막 을 사용 하 고 있 으며 , 특히 상부 전극 의 경우 금속 막 이 가지 고 있 는 스트레스 문제 로 인해 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 ( Doped polysilicon ) 을 버퍼 막 으로 하 는 금속 막 과 폴리 실리콘 막 을 적층 한 구조 로 하 고 있 다 . 이때 , 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 이 전극 으로서 기여 하 기 위해서 는 불순물 ( dopant ) 의 활성 화 를 위해 대략 600 ℃ 이상 의 고온 에서 후속 열처리 공정 ( annealing ) 을 실시 해야 한다 .