이러 한 III 족 원소 의 질화물 반도체 층 은 육방 정계 의 구조 를 갖 는 사파이어 ( Sapphire ) 나 실리콘 카바이드 ( SiC ) 등 의 이종 기판 ( 11 ) 에서 금속 유기 화 학기 상 증착 법 ( MOCVD ) 등 의 공정 을 통해 성장 된다 . 그러나 , III 족 원소 의 질화물 반도체 층 이 이종기 판 ( 11 ) 상 에 형성 될 경우 , 반도체 층 과 기판 사이 의 격자 상수 및 열팽창 계수 의 차이 에 기인 하 여 반도체 층 내 에 크랙 ( crack ) 또는 뒤틀림 ( warpage ) 이 발생 하 고 , 전위 ( dislocation ) 가 생성 된다 .