또한 , 본 명세서 에서 개시 하 는 본 발명 중 한 형태 는 , 기판 과 , 기판 상 의 절연성 산화물 층 과 , 절연성 산화물 층 에 접해서 설치 된 반도체 성 산화물 층 을 갖 고 , 반도체 성 산화물 층 은 적어도 제 1 금속 원소 와 제 2 금속 원소 를 갖 고 , 절연성 산화물 층 에서 의 제 1 금속 원소 의 농도 는 , 기판 에 면하 는 부분 보다 도 , 반도체 성 산화물 층 에 접하 는 부분 쪽 이 높 고 , 절연성 산화물 층 에서 의 제 2 금속 원소 의 농도 는 , 기판 에 면하 는 부분 보다 도 , 반도체 성 산화물 층 에 접하 는 부분 쪽 이 낮 은 것 을 특징 으로 하 는 반도체 장치 이 다 .