복수 의 비트 라인 ( 147 ) 을 형성 하 기 위한 식각 공정 에서 , 수직 적 으로 비트 라인 ( 147 ) 과 오버랩 되 지 않 는 상기 다이렉트 콘 택용 도전 층 의 부분 을 함께 식각 공정 으로 제거 하 여 복수 의 다이렉트 콘 택 도전 패턴 ( 134 ) 을 형성 할 수 있 다 . 이때 , 절 연막 패턴 ( 112 , 114 ) 은 복수 의 비트 라인 ( 147 ) 및 복수 의 다이렉트 콘 택 도전 패턴 ( 134 ) 을 형성 하 는 식각 공정 에서 식각 정지 막 의 기능 을 수행 할 수 있 다 . 복수 의 다이렉트 콘 택 도전 패턴 ( 134 ) 은 도 1 에 예시 한 복수 의 다이렉트 콘 택 ( DC ) 을 구성 할 수 있 다 . 복수 의 비트 라인 ( 147 ) 은 복수 의 다이렉트 콘 택 도전 패턴 ( 134 ) 을 통하 여 복수 의 활성 영역 ( 118 ) 과 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 .