이러 한 문제 를 해결 하 기 위하 여 최근 2 장 의 포토 마스크 를 이용 하 여 패턴 을 형성 하 는 더블 패 터닝 ( double patterning ) 기술 이 제안 되 었 으며 , 이 는 현재 상용 화 된 포토 리소그래피 장비 를 이용 하 면서 도 60 nm 이하 의 미세 한 L / S 패턴 형성 을 용이 하 게 한다 . 이하 , 도 1 을 참조 하 여 더욱 상세히 설명 하 기 로 한다 .