일부 실시 예 에서 , 발광 층 ( 120 ) 의 일부 가 제 1 개 구 ( O 1 ) 에 배치 된다 . 구체 적 으로 , 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 개 구 ( O 1 ) 에 배치 된 발광 층 ( 120 ) 의 일부 는 , 격리 층 ( 110 ) 에 의해 규정 된 제 1 개 구 ( O 1 ) 의 측벽 ( 즉 , 제 1 격리 패턴 ( 112 ) 의 제 1 측 표면 ( S 1 ) ) 및 제 1 개 구 ( O 1 ) 에 의해 노출 된 반도체 기판 ( 100 ) 의 도시 된 상단 표면 의 일부 를 커버 한다 . 즉 , 제 1 개 구 ( O 1 ) 에 배치 된 발광 층 ( 120 ) 의 일부 는 , 주변 영역 ( B ) 에서 , 제 1 격리 패턴 ( 112 ) 의 제 1 측 표면 ( S 1 ) 으로부터 제 1 격리 패턴 ( 112 ) 에 의해 커버 되 지 않 은 반도체 기판 ( 100 ) 의 도시 된 상단 표면 까지 연장 된다 . 또한 , 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 개 구 ( O 1 ) 에 배치 된 발광 층 ( 120 ) 의 일부 의 외측 가장자리 와 제 1 격리 패턴 ( 112 ) 의 제 1 측 표면 ( S 1 ) ( 즉 , 제 1 개 구 ( O 1 ) 의 측벽 ) 사이 의 최소 거리 ( D ) 는 , 격리 층 ( 110 ) 의 높이 의 절반 이상 이 다 . 즉 , 제 1 개 구 ( O 1 ) 에 배치 된 발광 층 ( 120 ) 의 일부 의 외측 가장자리 는 제 1 격리 패턴 ( 112 ) 의 제 1 측 표면 ( S 1 ) 까지 최소 거리 ( D ) 만큼 돌출 된다 . 다시 말 해서 , 반도체 기판 ( 100 ) 은 제 1 개 구 ( O 1 ) 에 배치 된 발광 층 ( 120 ) 의 일부 에 의해 최소 거리 ( D ) 의 범위 만큼 커버 되 어 있 다 . 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 100 ) 의 두께 방향 ( Z ) 에 수직 인 방향 ( X ) 을 따라 , 반도체 기판 ( 100 ) 의 도시 된 상단 표면 상 으로 의 수직 투영 에서 , 전체 발광 층 ( 120 ) 의 최 외측 가장자리 의 투영 위치 는 전체 격리 층 ( 110 ) 의 최 외측 가장자리 의 투영 위치 에서 최소 거리 ( D ) 만큼 옆 에 위치 한다 .