종래 의 반도체 장치 의 제조 방법 의 일 실시 예 로서 , 하 기 의 횡 형 PNP 트랜지스터 의 제조 방법 이 알려져 있 다 . 횡 형 PNP 트랜지스터 에서 , N 형 의 실리콘 기판 상 에 50 ∼ 150 ( ㎛) 의 막 두께 의 절 연막 을 형성 한 후 , 공지 의 포토 리소그래피 기술 을 이용 하 여 , 에 미터 확산 층 , 콜렉터 확산 층 을 형성 하 는 영역 에 개구부 를 형성 한다 . 그 개구부 를 이용 하 여 , P 형 불순물 , 예 를 들 면 , 붕소 ( B ) 를 이온 주입 하 여 , 에 미터 확산 층 , 콜렉터 확산 층 을 형성 한다 . 그리고 , 절 연막 상 에 에 미터 인출 전극 , 콜렉터 인출 전극 을 형성 한 후 , 다시 , 절 연막 을 형성 한다 . 공지 의 포토 리소그래피 기술 을 이용 하 여 , 에 미터 인출 전극 및 콜렉터 인출 전극 상방 의 절 연막 에 개구부 를 형성 하 고 , 에 미터 전극 , 콜렉터 전극 을 형성 한다 ( 예 를 들 면 , 특허 문헌 2 참조 ) .