간략 한 도입부 로서 , 도 1 은 예시 적 인 리소그래피 투영 장치 ( 10 A ) 를 나타낸다 . 주요 구성 요소 들 은 심 자 외선 엑 시머 레이저 소스 또는 극자외선 ( EUV ) 소스 를 포함 한 다른 형태 의 소스 일 수 있 는 방사선 소스 ( 12 A ) ( 앞서 언급 된 바 와 같이 , 리소그래피 투영 장치 자체 가 방사선 소스 를 가질 필요 는 없 음 ) ; ( 시그마 로서 표시 된 ) 부분 간섭성 ( partial coherence ) 을 정의 하 고 , 소스 ( 12 A ) 로부터 의 방사선 을 성형 하 는 광 학기 ( 14 A , 16 Aa 및 16 Ab ) 를 포함 할 수 있 는 조명 광 학기 ; 패 터닝 디바이스 ( 18 A ) ; 및 기판 평면 ( 22 A ) 상 으로 패 터닝 디바이스 패턴 의 이미지 를 투영 하 는 투과 광 학기 ( 16 Ac ) 이 다 . 투영 광 학기 의 퓨 필 평면 에서 의 조정 가능 한 필터 또는 어퍼 처 ( 20 A ) 가 기판 평면 ( 22 A ) 상 에 부딪히 는 빔 각도 들 의 범위 를 제한 할 수 있 으며 , 이때 가능 한 최대 각도 는 투영 광 학기 의 개구수 를 정의 하 고 NA = n sin ( Θ max ) , n 은 투영 광 학기 의 최종 요소 와 기판 사이 의 매질 의 굴절률 이 며 , Θ max 는 기판 평면 ( 22 A ) 상 에 여전히 부딪힐 수 있 는 투영 광 학기 로부터 나가 는 빔 의 최대 각도 이 다 .