또한 , 도 24 는 , 도 25 b 에 나타내 어 지 는 구조 의 트랜지스터 에서 , 오프셋 길이 ( Loff ) 를 15 ㎚ 로 한 것 의 드레 인 전류 ( Id ) ( 실선 ) 및 이동도 μ ( 점선 ) 의 게이트 전압 의존 성 을 나타낸다 . 드레 인 전류 ( Id ) 는 , 드레 인 전압 을 + 1 V 로 하 고 , 이동도 μ 은 드레 인 전압 을 + 0 . 1 V 로 하 여 계산 한 것 이 다 . 도 24 a 는 게이트 절연 층 의 두께 를 15 ㎚ 로 한 것 이 며 , 도 24 b 는 10 ㎚ 로 한 것 이 며 , 도 24 c 는 5 ㎚ 로 한 것 이 다 .