구체 적 으로 , 저항성 메모리 셀 ( 220 ) 이 SET 상태 인 경우 에 , 프리 차지 전압 ( 예 를 들 어 , Vpre 1 ) 으로 프리 차지 된 로컬 워드 라인 노드 ( NW ) 는 프리 차지 중 인 비트 라인 노드 ( NB ) 로부터 전하 가 충전 되 어 NWSET 그래프 를 따라 전압 이 변할 수 있 다 . 로컬 워드 라인 노드 ( NW ) 가 저항성 메모리 셀 ( 220 ) 을 통해 비트 라인 노드 ( NB ) 로부터 전하 를 전달 받 으면 , 전하 충전 커패시터 ( CA ) 에 전하 가 충전 될 수 있 다 .