본 개시 의 다른 하나 의 양상 은 반도체 제조 방법 에 관한 것 이 다 . 방법 은 , 위 에 형성 되 어 있 는 전계 효과 트랜지스터 및 상기 전계 효과 트랜지스터 에 전기 적 으로 접속 된 아래 의 전도성 스택 을 갖 는 반도체 기판 을 수용 하 는 단계 ; 상기 반도체 기판 상 에 유전체 층 을 퇴적 하 는 단계 ; 전도성 특징 부가 트렌치 내 에서 노출 되 도록 상기 유전체 층 에 상기 트렌치 를 형성 하 는 단계 - 상기 트렌치 는 하부 부분 및 상기 하부 부분 으로부터 연속 으로 연장 하 는 상부 부분 을 포함 함 - ; 바텀 업 퇴적 에 의해 상기 트렌치 의 하부 부분 에 제 1 금속 - 상기 제 1 금속 은 상기 아래 의 전도성 스택 의 금속 과 는 상이 한 것 임 - 의 하부 금속 특징 부 를 형성 하 는 단계 ; 상기 하부 금속 특징 부 상 에 그리고 상기 트렌치 의 상부 부분 내 의 상기 유전체 층 의 측벽 을 따라 배리 어 층 을 퇴적 하 는 단계 ; 및 상기 트렌치 의 상부 부분 에 제 2 금속 을 채우 도록 , 상기 배리 어 층 상 에 상기 제 2 금속 의 상부 금속 특징 부 를 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .