실시 형태 1 과 마찬가지 로 도 1 a 및 도 1 b 의 공정 에 의하 여 산화물 절 연막 ( 53 ) 위 에 산화물 반도체 막 ( 55 ) 을 형성 하 고 , 산화물 반도체 막 ( 55 ) 을 가열 하 여 수소 농도 및 산소 결손 이 저감 된 산화물 반도체 막 ( 57 ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 도 5 a 에 도시 하 는 바 와 같이 , 수소 농도 및 산소 결손 이 저감 된 산화물 반도체 막 ( 57 ) 위 에 n 형 도전 형 을 갖 는 버퍼 ( 84 ) 를 형성 한다 .