그 다음 으로 , SiN 층 ( 72 ') 을 형성 하 기 위해 , 도 13 에 도시 된 바 와 같 은 플 라즈 마 처리 공정 과 유사 한 , 또 다른 플 라즈 마 처리 공정 ( 70 ') 이 수행 된다 . 도 25 에 도시 된 공정 흐름 ( 200 ) 에서 각 공정 은 공정 ( 236 ) 으로서 도시 되 어 있 다 . 본 개시 의 일부 실시 예 에 따라서 , 질소 함유 가스 및 수소 ( H 2 ) 를 포함 하 는 공정 가스 를 사용 하 여 플 라즈 마 처리 공정 ( 70 ') 이 수행 된다 . 질소 함유 가스 는 N 2 또는 암모늄 ( NH 3 ) 등 을 포함 할 수 있 다 . 처리 는 플 라즈 마 가 턴 온 된 상태 로 수행 된다 . 또한 , 직접 플 라즈 마가 사용 될 수 있 으며 , 플라 즈 마는 , 플라 즈 마 처리 공정 을 위해 웨이퍼 ( 10 ) 가 배치 되 는 동일 한 공정 챔버 내 에서 생성 된다 . 본 개시 의 일부 실시 예 에 따라서 , 수소 의 유량 은 약 10 sccm 와 약 50 sccm 사이 의 범위 이 고 , 질소 함유 가스 의 유량 은 약 10 sccm 과 약 50 sccm 사이 의 범위 이 다 . 처리 지속 시간 은 약 100 초 와 약 150 초 사이 의 범위 일 수 있 다 . 플 라즈 마 처리 중 의 웨이퍼 ( 10 ) 의 온도 는 ( 약 21 ° C 와 같 은 ) 실온 일 수 있 거나 , 상승 되 어 약 400 ° C 와 약 450 ° C 사이 의 범위 일 수 있 다 .