먼저 , 도 1 a 에서 와 같이 하부 메탈 배선 ( Metal line ) ( Cu ) ( 100 ) 을 형성 한 다음 캡 핑 ( Capping ) 및 스톱 레이어 ( Stop layer ) 로 나이트 라이드 막 ( SiN ) ( 102 ) 을 증 착하 고 , 도 1 b 에서 와 같이 CBM ( Capacitor Bottom Metal ) ( 104 ) 과 절연체 로써 층간 절 연막 ( SiN ) ( 106 ) 을 증착 하 고 , 이어 CTM ( Capacitor Top Metal ) ( 108 ) 과 층간 절 연막 ( SiN ) ( 110 ) 를 순차 적 으로 층 착한 다 . 이어 도 1 c 에서 와 같이 , 상기 증착 된 CBM ( 104 ) 에 대한 포토 ( photo ) 및 에치 공정 ( etch ) 을 마친 뒤 CTM ( 108 ) 에 대한 포토 및 에치 공정 을 진행 하 여 MIM 구조 를 완성 한다 .