도 14 ∼ 16 은 , 시료 S 1 ∼ S 3 의 직류 중첩 특성 을 나타낸다 . 도 14 에 나타낸 바 와 같이 비 자성체 시트 ( 15 ) 의 두께 가 10 μ m 인 시료 S 1 에서 는 , 자기 갭 효과 를 얻 을 수 없 고 , 저 중첩 전류 시 ( 0 ∼ 700 mA ) 에 온도 에 대하 여 안정 된 인덕턴스 를 얻 을 수 없 다 . 도 15 및 도 16 에 나타낸 바 와 같이 , 비 자성체 시트 ( 15 ) 의 두께 가 20 μ m 인 시료 S 2 및 30 μ m 인 시료 S 3 에서 는 , 넓 은 중첩 전류 범위 에 있 어서 온도 에 대하 여 안정 된 인덕턴스 를 얻 을 수 있 었 다 . 시료 S 2 에서 는 500 mA 이상 의 중첩 전류 에서 시료 S 1 보다 큰 인덕턴스 를 얻 을 수 있 고 , 시료 S 3 에서 는 700 mA 이상 의 중첩 전류 에서 시료 S 1 보다 큰 인덕턴스 를 얻 을 수 있 다 .