도 3 은 본 발명 의 일부 실시 예 에 따른 , 도 2 에 도시 된 MuGFET 디바이스 ( 200 ) 의 단면도 를 도시 한 도면 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 기판 은 실리콘 으로 이루어진다 . 기타 다른 실시 예 에서 , 기판 은 게르마늄 및 갈륨비소 와 같 은 기타 다른 반도체 재료 로 이루어질 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 기판 은 매립 형 산화물 ( Buried Oxide : BOX ) 구조 를 가질 수 있 다 . 또 다른 실시 예 에서 , 기판 은 절연체 상 실리콘 ( SOI ) 구조 를 가질 수 있 다 .