이제 , 도 3 을 참조 하 면 , 일반 적 인 종래 기술 의 용량 성 터치 감지 스크린 ( 16 ) 은 제 1 터치 패드 ( 24 ) , 제 2 터치 패드 ( 26 ) , 제 3 터치 패드 ( 28 ) , 트레이스 들 ( 20 ) 에 결합 된 터치 패드 전도체 들 ( 30 ) , 금속 브래킷 ( metal bracket ; 32 ) 및 나사 ( screw ; 34 ) 를 포함 한다 . 금속 브래킷 ( 32 ) 및 나사 ( 34 ) 는 일반 적 으로 섀시 접지 전위 ( chassis ground potential ) 이 다 . 기생 커패시턴스 ( parasitic capacitance ; 36 ) 은 도 3 에 도시 된다 . 전도성 부분 들 이 서로 근접 하 기 때문 에 회로 의 다양 한 전도성 부분 들 사이 에 기생 커패시턴스 ( 36 ) 이 존재 한다 . 도 3 에서 , 기생 커패시턴스 는 , 제 1 터치 패드 ( 24 ) 와 금속 브래킷 ( 32 ) 사이 , 제 3 터치 패드 ( 28 ) 와 나사 ( 34 ) 사이 , 및 전 도체 들 ( 30 ) 사이 는 물론 , 제 1 터치 패드 ( 24 ) , 제 2 터치 패드 ( 26 ) 및 제 3 터치 패드 ( 28 ) 사이 에 존재 하 는 것 으로 도시 된다 . 기생 커패시턴스 는 또한 다른 전도성 아티 팩 트 들 ( conductive artifacts ) 과 같 은 다른 요소 들 , 및 보호 기판 자체 에 의해 추가 될 수 있 다 .