도 6 을 참조 하 면 , 클리어 패 시베이 션 층 ( 74 ) 이 반도체 다이 ( 54 ) 의 액티브 표면 상 에 도시 되 었 다 . 글래스 층 ( 76 ) 이 클리어 패 시베이 션 층 ( 74 ) 에 인가 되 는 것 으로 도시 되 었 다 . 글래스 층 ( 76 ) 은 방전 을 위해 접지 될 수 있 고 , 그것 의 표면 상 에 더스트 ( dust ) 집적 을 감소 시킬 수 있 다 . THV ( 80 ) 가 레이저 드릴 닝 에 의해 다 이 확장 영역 ( 68 ) , 클리어 패 시베이 션 층 ( 74 ) 및 글래스 층 ( 76 ) 을 관통 하 여 형성 된다 . RDL ( 82 ) 이 글래스 층 ( 76 ) 상 에 형성 된다 . THV ( 80 ) 가 RDL ( 82 ) 를 반도체 패키지 ( 78 ) 의 백사이드 상 의 RDL ( 94 ) 에 전기 적 으로 연결 시킨다 . RDL ( 82 , 94 ) 은 알루미늄 ( Al ) , 알루미늄 구리 합금 ( AlCu ) , 구리 ( Cu ) 또는 구리 ( Cu ) 합금 으로 이루어질 수 있 다 . RDL ( 82 , 94 ) 은 반도체 다이 ( 54 ) 의 전기 적 기능 을 위해 필요 한 것 으로서 전기 적 신호 들 을 루팅 하 는 중간 도전 층 으로서 작용 한다 . RDL ( 82 ) 은 또한 THV ( 92 ) 를 관통 하 여 접촉 패드 ( 56 ) 에 전기 적 으로 연결 시킨다 . THV ( 92 ) 는 레이저 드릴 닝 에 의해 클리어 패 시베이 션 층 ( 74 ) 및 글래스 층 ( 76 ) 을 관통 하 여 형성 된다 .