한편 , 본 발명 의 유기 발광 다이오드 에서 의 발광 을 설명 하 기 위한 도 3 b 를 참조 하 면 , 발광 물질 층 ( EML ) 의 n - 타입 호스트 ( 본 발명 의 유기 화합물 ) 에 의해 전자 의 이동 속도 가 상대 적 으로 빨라 지 고 이 에 따라 정공 과 전자 의 결합 으로 인한 발광 영역 이 발광 물질 층 ( EML ) 과 전자 차단 층 ( EBL ) 의 계면 근처 에 형성 된다 .