이제 도 2 로 돌아와서 , 전자 들 을 발생 시키 기 위한 전자 증가 소스 ( electron multiplying source ; 105 ) 를 포함 하 는 냉 전자 소스 이온 화 게이지 ( 100 ) 의 다른 대안 적 인 엘리먼트 의 근 접도 를 도시 한다 . 도 2 에서 , 전자 멀티플라이어 ( 105 ) 의 변경 된 마이크 로 채널 플레이트 ( 135 ) 의 기공 ( 200 ) 의 근 접도 가 도시 된다 . 도 1 a 의 플레이트 ( 135 ) 는 복수 의 기공 들 ( 200 ) 을 포함 할 수 있 으며 , 기공 들 ( 200 ) 은 대략 각각 가스 물질 을 이온 화 하 기 위해 전자 방출 을 위해 대략 5 microns 의 크기 를 갖 는다 .