무엇 보다 , 산화물 반도체 층 의 성막 시 에 수소 나 수분 이 막 중 에 혼입 되 지 않 도록 , 성 막 실 외부 로부터 의 누설 이나 성막 실 내 의 내벽 으로부터 의 탈 가스 를 충분히 억제 , 스퍼터 가스 의 고순 도화 를 도모 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 어 , 스퍼터 가스 는 수분 이 막 중 에 포함 되 지 않 도록 노점 - 70 ℃ 이하 인 가스 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 타깃 그 자체 에 수소 나 수분 등 의 불순물 이 포함 되 지 않 도록 , 고 순도 화 된 타깃 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . In , Sn , Zn 을 주성분 으로 하 는 산화물 반도체 는 열처리 에 의해 막 중 의 수분 을 제거 할 수 있 지만 , In , Ga , Zn 을 주성분 으로 하 는 산화물 반도체 와 비교 하 여 수분 의 방출 온도 가 높 기 때문 에 , 바람직 하 게 는 처음 부터 수분 이 포함 되 지 않 는 막 을 형성 해 두 는 것 이 바람직 하 다 .