도 2 및 도 22 를 참조 하 면 , 상기 트렌치 들 ( TR ) 에 의하 여 노출 된 상기 희생 막 들 ( HL 1 , HL 2 ) 을 선택 적 으로 제거 하 여 리세 스 영역 들 ( 155 ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 리세 스 영역 들 ( 155 ) 은 상기 희생 막 들 ( HL 1 , HL 2 ) 이 제거 된 영역 들 에 해당 될 수 있 다 . 상기 희생 막 들 ( HL 1 , HL 2 ) 이 실리콘 질화 막 또는 실리콘 산질 화 막 을 포함 하 는 경우 , 상기 희생 막 들 ( HL 1 , HL 2 ) 의 제거 공정 은 인산 을 포함 하 는 식각 용액 을 사용 하 여 수행 될 수 있 다 . 상기 리세 스 영역 들 ( 155 ) 에 의하 여 상기 게이트 절 연막 ( 145 ) 의 측벽 의 일부 들 이 노출 될 수 있 다 .