포토 마스크 는 포 토리 소그라 피 ( photolithography ) 공정 을 사용 하 여 반도체 소자 에 형성 하 고자 하 는 패턴 을 구현 하 기 위해 이용 되 고 있 다 . 포토 마스크 를 제조 하 기 위해서 는 먼저 , 투명 기판 상 에 식각 대상 막 및 레지스 트 막 을 형성 한 후 , 레지스 트 막 에 원하 는 회로 패턴 을 전자 빔 으로 전사 한다 . 다음 에 , 현상 공정 을 수행 하 여 레지스 트 패턴 을 형성 하 고 레지스 트 패턴 을 식각 마스크 로 사용 한 식각 공정 을 수행 하 여 식각 대상 막 패턴 을 형성 하 는 단계 로 이루어진다 .