반도체 칩 ( 100 ) 은 순 도 높 은 실리콘 웨이퍼 상 에 형성 되 며 , 반도체 칩 ( 100 ) 의 내부 에 는 데이터 를 저장 하 고 처리 하 기 위한 회로 부 ( circuit portion ) 들 이 형성 된다 . 그리고 , 반도체 칩 ( 100 ) 의 일면 , 즉 , 패턴 필름 ( 120 ) 및 리드 프레임 ( 110 ) 이 부착 되 는 면 의 중앙 부분 에 는 회로 부들 과 전기 적 으로 연결 된 본딩 패드 ( 102 ) 들 이 배열 된다 . 본딩 패드 ( 102 ) 들 은 데이터 를 입력 하 고 출력 하 는 신호 패드 ( 104 ) 들 , 반도체 칩 ( 100 ) 에 전원 을 인가 하 는 전원 패드 ( 106 ) 및 반도체 칩 ( 100 ) 에 기준 전압 을 제공 하 는 그라운드 패드 ( 108 ) 들 로 구성 된다 . 상술 한 본딩 패드 ( 102 ) 들 중 거의 대부분 은 신호 패드 ( 104 ) 들 이 며 , 나머지 는 전원 및 그라운드 패드 ( 106 , 108 ) 들 인데 , 고 응답 속도 를 요구 하 는 반도체 칩 ( 100 ) 및 반도체 칩 ( 100 ) 의 전기 적 특성 을 향상 시키 기 원할 경우 반도체 칩 ( 100 ) 의 일면 에 전원 및 그라운드 패드 ( 106 , 108 ) 를 가능 한 많이 형성 한다 .