다음 에 , 제 조예 4 에서 얻 은 반응 액 3 ( 단분자막 형성 재료 용액 ( 4 e ) ) 에 앞 의 기판 ( 1 a ) 를 12 시간 침지 시켜 ( 도 1 ( 4 ) ) , 단분자막 ( 5 f ) 를 형성 하 였 다 ( 도 1 ( 5 ) ) . 그 기판 을 클로로포름 중 , 이어서 아세톤 , 물 중 에 침지 시켜 각각 5 분 간 , 초음파 세정 을 행하 여 동시 에 레지스 트 막 ( 1 b ) 도 제거 하 였 다 .