상기 기판 ( 100 ) 상 에 제 1 소스 물질 ( SM 1 ) 이 제공 되 면 , 상기 제 1 소스 물질 ( SM 1 ) 은 상기 기판 ( 100 ) 상 에 자기 제한 적 으로 흡착 될 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에 있 어서 , 상기 제 1 소스 물질 ( SM 1 ) 은 상기 기판 ( 100 ) 의 표면 상 에 화학 흡착 ( chemisorption ) 될 수 있 다 . 도 3 a 에 는 상세 하 게 도시 하 지 않 았 지만 , 일부 실시 예 들 에 있 어서 , 상기 기판 ( 100 ) 의 표면 은 히드록시기 ( - OH ) 로 종결 될 수 있 으며 , 상기 히드록시기 는 상기 제 1 소스 물질 ( SM 1 ) 의 리간드 와 반응 하 여 공유 결합 을 이루 는 결과 를 가져올 수 있 다 .