본 발명 의 기술 적 사상 의 일 실시 예 에 의한 반도체 소자 제조 방법 은 기판 상 에 차례 로 적층 된 계면 층 및 강유 전 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 강유 전 층 상 에 안정 화 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 안정 화 층 상 에 산소 확산 배리 어 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 산소 확산 배리 어 층 상 에 실리콘 층 을 형성 하 는 단계 , 및 상기 강유 전 층 을 어닐링 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .