도 1 b 를 참조 하 면 , 워드 라인 과 선택 라인 을 포함 한 반도체 기판 ( 102 ) 전체 구조 상부 에 제 1 절 연막 ( 116 ) 을 형성 한다 . 제 1 절 연막 ( 116 ) 은 산화 막 뿐 만 아니 라 유전 상수 값 이 낮 은 물질 로 형성 할 수 있 으며 워드 라인 과 선택 라인 이 매립 되 도록 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이어서 , 제 1 절 연막 ( 116 ) 상부 에 대해 식각 공정 을 실시 하 여 반도체 기판 ( 102 ) 의 선택 라인 들 사이 의 영역 에 형성 된 제 1 절 연막 ( 116 ) 의 일부 를 제거 한다 . 이 로써 , 선택 라인 들 사이 에 형성 된 접합 영역 ( 114 b ) 이 노출 되 며 , 소스 선택 라인 과 드레 인 선택 라인 의 측벽 에 절연 막 스 페이서 ( 116 a ) 가 형성 된다 . 절 연막 스 페이서 ( 116 a ) 는 상부 는 폭 이 좁 고 하부 로 갈수록 폭 이 넓 어 지 기 때문 에 라운드 ( round ) 형상 을 갖 는다 . 따라서 측면 이 라운드 형상 인 게이트 프로파일 ( gate profile ) 을 갖 는다 . 또한 , 각각 의 워드 라인 들 사이 와 선택 라인 및 워드 라인 사이 는 폭 이 좁 기 때문 에 제 1 절 연막 ( 116 ) 이 잔류 하 여 각각 의 워드 라인 들 사이 와 선택 라인 및 워드 라인 사이 는 제 1 절 연막 ( 116 ) 으로 채워진다 .