발광 영역 ( LA ) 에서 상기 에칭 공정 을 통해 제 3 도전 물질 층 ( 도 18 의 43 c ) 은 패 터닝 될 수 있 으며 , 비 발광 영역 ( NLA ) 에서 상기 에칭 공정 을 통해 제 1 절연 물질 층 ( 도 18 의 45 a ) 은 패 터닝 될 수 있 다 . 이 에 따라 제 1 절연 층 ( 450 a ) 및 제 2 절연 층 ( 450 b ) 을 포함 하 는 절연 층 ( 450 ) 이 형성 될 수 있 다 . 또한 제 1 도전 패턴 ( 431 ) , 제 2 도전 패턴 ( 433 ) , 제 3 도전 패턴 ( 435 ) , 제 4 도전 패턴 ( 437 ) , 제 5 도전 패턴 ( 439 ) , 제 1 패드 ( P 1 ) , 제 2 패드 ( 도 5 의 P 2 ) , 제 1 연결 패턴 ( CL 1 ) 및 제 2 연결 패턴 ( 도 8 의 CL 2 ) 을 포함 하 는 배선 층 ( 430 ) 이 형성 될 수 있 다 . 배선 층 ( 430 ) 이 포함 하 는 하부 도전 층 ( 430 a ) , 중간 도전 층 ( 430 b ) , 상부 도전 층 ( 430 c ) 의 구체 적 구성 에 대한 설명 은 상술 한 바 와 동일 한 바 , 생략 한다 .