먼저 , 도 3 과 같이 , 커버 부 ( 120 ) 를 선회 시켜 하우징 ( 110 a ) 의 개구 ( 110 b ) 를 개방 시킨다 . 이 상태 에서 다수 의 슬롯 ( 115 ) 에 테 트 스 시료 인 전자 소자 ( 300 ) 를 장착 한 후 , 힌 지축 ( 126 b ) 를 중심 으로 커버 부 ( 120 ) 를 선회 시켜 개구 ( 110 b ) 를 폐쇄 하 면 , 도 4 와 같이 , 본 체부 ( 110 ) , 커버 부 ( 120 ) 및 공기 냉 각부 ( 130 ) 사이 에 는 소정 의 챔버 ( C ) 가 형성 된다 .