그리고 , 1 차 메탈 콘 택식 각 에서 는 후속 비트 라인 ( 26 a ) 위 에서 일정 바닥 면적 을 확보 하 기 위하 여 식각 깊이 ( 제 5 층간 절 연막 과 제 4 층간 절 연막 을 합한 총 두께 에 대응 ) 에 대하 여 5 %∼ 25 % 정도 의 과도 식각 ( over etch ) 을 진행 하 여 식각 멈춤 막 ( 28 ) 상부 에서 바닥 면적 을 미리 확보 해 둔다 . 이 처럼 , 일정 수준 의 과도 식각 을 진행 해 주 면 웨이퍼 내 의 식각 속도 의 불 균일 에 의한 에지 낫 오픈 ( edge not open ) 을 방지 한다 .