한편 , 본 발명 의 전계 효과 형 트랜지스터 에서 는 , 반도체 층 과 소스 전극 또는 드레 인 전극 사이 에 콘택트 층 을 설치 하 는 것 이 바람직 하 다 . 콘택트 층 의 형성 재료 는 , 상술 한 반도체 층 과 동일 한 조성 의 복합 산화물 을 사용 할 수 있 다 . 즉 , 콘택트 층 은 In 이나 Zn 등 , 반도체 층 에 포함 되 는 원소 를 주성분 으로 하 는 산화물 인 것 이 바람직 하 다 . 이 들 원소 를 포함 하 지 않 으면 , 콘택트 층 과 반도체 층 사이 에서 원소 의 이동 이 발생 하 여 , 스트레스 시험 등 을 행했 을 때 에 역치 전압 의 시프트 가 커질 우려 가 있 다 .