한편 , 대한민국 등록 특허 공보 제 88 - 2385 호 에 는 반도체 소자 의 SOS 구조 에 있 어서 , 공지 의 방법 으로 사파이어 의 위 에 실리콘 층 을 형성 한 다음 , 그 실리콘 층 의 위 에 SiO 2 산화층 을 형성 하 고 , 상기 실리콘 층 의 내부 에 질소 이온 을 주입 시킨 뒤 열처리 하 여 그 질소 이온 이 존재 하 는 부위 에 질화 실리콘 층 이 형성 되 게 한 다음 상기 SiO 2 산화층 을 제거 시킨 후 , 다시 실리콘 층 의 위 에 일정 두께 의 Si 단결정 층 을 성장 시켜 새로운 실리콘 층 을 형성 하 는 것 을 특징 으로 하 는 반도체 소자 의 SOS 구조 개선 방법 이 개시 되 어 있 으나 , 제조 공정 이 매우 복잡 하 다는 문제점 이 있 다 .