이어서 , 포토 리소그래피 법 을 사용 하 여 레지 스트로 이루어지 는 마스크 를 형성 하 고 , 도전 막 ( 122 ) , 도전 막 ( 123 ) 을 선택 적 으로 에칭 함 으로써 , 제 1 도 전막 ( 108 ) 을 형성 한 후 , 상기 제 1 도 전막 ( 108 ) 을 마스크 로 하 여 반도체 막 ( 106 ) 에 불순물 원소 를 도입 하 여 채널 형성 영역 ( 106 a ) 과 불순물 영역 ( 106 b ) 을 형성 한다 ( 도 4 d 참조 ) . 제 1 도 전막 ( 108 ) 은 박막 트랜지스터 에 있 어서 게이트 전극 ( 게이트 배선 을 포함 함 ) 으로서 기능 하 고 , 불순물 영역 ( 106 b ) 은 , 박막 트랜지스터 에 있 어서 소스 영역 또는 드레 인 영역 으로서 기능 한다 .