이 에 따라 , 본 발명 은 종래 기술 에 따른 문제점 인 이온 주입 결함 없이 에 피 성장 공정 을 통해 상기 NCST 불순물 영역 ( 150 ) 을 안 전하 게 형성 하 여 상기 포토다이오드 ( 160 ) 와 소자 분리 막 ( 130 ) 을 서로 격리 시킴 으로써 , 이온 주입 결함 으로 인한 디스 로케이션 ( dislocation ) 현상 및 어닐링 공정 시 , NCST 불순물 영역 이 확산 되 어 포토다이오드 형성 영역 이 축소 되 는 현상 의 발생 을 방지 할 수 있 다 .