본 발명 의 다른 목적 은 , 0 . 13 um FCT 의 구리 배선 공정 에서 M 1 저항 을 개선 하 기 위해 반응 성 이온 식각 진행 전 에 추가 로 W - 심 위 에 마스크 를 증착 한 후 , 그 주변 을 건식 식각 으로 대략 200 Å 정도 식각 하 고 , 반응 성 이온 식각 의 진행 시 기존 조건 보다 더 오버 식각 시간 을 진행 함 으로써 , M 1 의 저항 을 개선 할 수 있 는 방법 을 제공 하 는데 있 다 .