리소그래피 장치 에 의해 노출 되 는 기판 이 정확 하 고 일관 되게 노출 되 게 하 기 위해서 는 , 노출 된 기판 을 검사 하 여 , 후속 하 는 층 사이 의 오버레이 에러 , 라인 두께 , 임계 치수 ( CD ) , 등등 과 같 은 속성 을 측정 하 는 것 이 바람직 하 다 . 따라서 , 리 소 셀 ( litho cell ; LC ) 이 위치 되 는 제조 설비 도 또한 , 리 소 셀 에서 프로세싱 된 기판 ( W ) 의 일부 또는 전부 를 수용 하 는 계측 시스템 ( MET ) 을 포함 한다 . 계측 결과 는 감독 제어 시스템 ( SCS ) ( 138 ) 에 직접 적 으로 또는 간접 적 으로 제공 된다 . 에러 가 검출 되 는 경우 , 특히 동일 한 배치 ( batch ) 의 다른 기판 이 여전히 노출 될 만큼 충분히 빠르 고 신속 하 게 계측 이 수행 될 수 있 는 경우 , 후속 기판 의 노출 에 대해 조정 이 이루어질 수 도 있 다 . 또한 , 이미 노출 된 기판 은 수율 을 향상 시키 기 위해 제거 되 어 ( stripped ) 재 가공 될 수 도 있 거나 , 또는 폐기 될 수 도 있 고 , 그 에 의해 , 결함 이 있 는 것 으로 알려진 기판 에 대해 추가 적 인 프로세싱 을 수행 하 는 것 을 방지 할 수 도 있 다 . 기판 의 몇몇 타 겟 부분 만 이 결함 이 있 는 경우 , 양호 한 타 겟 부분 에 대해서 만 추가 적 인 노출 이 수행 될 수 있 다 .