S 30 단계 에서 , 메모리 장치 ( 100 ) 는 소거 검증 동작 을 수행 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 메모리 장치 ( 10 ) 는 S 10 단계 및 S 20 단계 가 수행 된 제 1 메모리 블록 ( BLK 1 ) 에 포함 된 메인 셀 들 에 대한 소거 검증 을 수행 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 메모리 블록 ( BLK 1 ) 에 포함 된 메인 셀 들 의 문턱 전압 산포 가 소거 검증 전압 이하 로 이동하 였 는지 검증 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 메모리 장치 ( 10 ) 는 S 10 단계 및 S 20 단계 가 수행 된 제 1 메모리 블록 ( BLK 1 ) 의 일부 에 포함 된 메인 셀 들 에 대한 소거 검증 을 수행 할 수 도 있 다 . 메모리 장치 ( 100 ) 는 소거 가 완료 되 지 않 은 것 으로 판단 하 는 경우 , S 30 단계 를 재 수행 할 수 있 다 . 메모리 장치 ( 100 ) 는 S 30 단계 이후 에 , 데이터 가 소거 된 메인 셀 들 에 새로운 데이터 를 프로그램 하 기 위한 프로그램 동작 을 더 수행 할 수 있 다 .