제 1 절연 층 ( IL 1 ) 과 제 2 절연 층 ( IL 2 ) 사이 에 는 제 1 도전 층 ( 110 ) 이 배치 될 수 있 다 . 제 1 도전 층 ( 110 ) 은 몰리브덴 ( Mo ) , 알루미늄 ( Al ) , 백금 ( Pt ) , 팔라듐 ( Pd ) , 은 ( Ag ) , 마그네슘 ( Mg ) , 금 ( Au ) , 니켈 ( Ni ) , 네오디뮴 ( Nd ) , 이리듐 ( Ir ) , 크롬 ( Cr ) , 칼슘 ( Ca ) , 티타늄 ( Ti ) , 탄 탈륨 ( Ta ) , 텅스텐 ( W ) , 구리 ( Cu ) 가운데 선택 된 하나 이상 의 금속 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 도전 층 ( 110 ) 은 단 일 막 또는 다층막 일 수 있 다 . 제 1 도전 층 ( 110 ) 은 트랜지스터 의 게이트 전극 및 유지 커패시터 의 제 1 전극 을 포함 할 수 있 다 .