도시 된 바 와 같이 , STI 공정 에 따라 반도체 기판 ( 200 ) 의 게이트 형성 영역 을 포함 하 는 활성 영역 ( 202 ) 및 더미 활성 영역 ( 204 ) 을 정의 하 는 소자 분리 막 ( 도시 안 됨 ) 을 형성 한 다음 , 상기 반도체 기판 ( 200 ) 에 대해 이온 주입 공정 을 수행 하 여 상기 기판 ( 200 ) 을 N 형 , 또는 , P 형 으로 만들 어 준다 . 한편 , 상기 반도체 기판 ( 200 ) 으로서 , P 형 기판 을 사용 할 경우 에 는 상기 이온 주입 공정 을 수행 할 필요 가 없 다 .