본 제 2 실시 예 에 따라 전자 패키지 ( 100 ) 를 제조 함 으로써 , 커버 웨이퍼 ( 110 ) 을 구성 하 는 각각 의 재료 의 특성 에 따라 캐 비티 ( 130 ) 의 가공 을 용이 하 게 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 리튬 탄탈 레이트 , 석영 또는 리튬 니오베 이트 와 같이 가공 이 어려운 재료 가 커버 웨이퍼 ( 110 ) 에 포함 되 어 있 더라도 , 이 에 실리콘 , 세라믹 등 의 에칭 이 용이 한 재료 를 결합 함 으로써 , 고른 표면 을 갖 는 캐비 티 ( 130 ) 를 용이 하 게 형성 할 수 있 으므로 , 결과 적 으로 는 전자 패키지 ( 100 ) 제조 공정 의 효율 성 과 정확 성 을 높일 수 있 고 패키지 디자인 에 대한 폭 또한 넓힐 수 있 다 .