상술 된 기술 적 과제 들 을 해결 하 기 위한 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 . 이 방법 은 제 1 영역 및 제 2 영역 을 포함 하 는 기판 을 준비 하 는 것 ; 상기 제 1 및 제 2 영역 내 에 소자 분리 패턴 을 형성 하 되 , 상기 소자 분리 패턴 은 상기 제 1 영역 내 에 활성 부 를 정의 하 는 것 ; 상기 제 2 영역 내 의 소자 분리 패턴 내 에 리세 스 영역 을 형성 하 되 , 상기 리세 스 영역 의 바닥 면은 상기 활성 부 의 상부 면 보다 낮 은 것 ; 및 상기 리세 스 영역 의 바닥 면 상 에 수동 소자 패턴 을 형성 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 .