일부 실시 형태 에서 , 메모리 어레이 의 메모리 셀 은 상부 전극 , 유전체 층 , 및 하부 전극 에 의해 형성 되 는 PCRAM 메모리 셀 일 수 도 이것 을 포함 할 수 도 있 다 . PCRAM 메모리 셀 의 상부 전극 의 재료 는 Ti , Ta , TiN , TaN , W , C , 또는 이 들 의 임의 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . PCRAM 메모리 셀 의 유전체 전극 의 재료 는 GeSbTe , GeTe , GeSb , SbTe , 또는 이 들 의 임의 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 형태 에서 , PCRAM 메모리 셀 의 유전체 층 의 재료 는 상이 한 조성 비 를 포함 하 고 N , O , C , Si , In , SiO 2 와 같 은 다양 한 도 펀트 원소 를 포함 한다 . PCRAM 메모리 셀 의 하부 전극 의 재료 는 Ti , Ta , TiN , TaN , W , C , 또는 이 들 의 임의 의 조합 을 포함 할 수 있 다 .