상기 전도성 패턴 ( 230 ) 을 소결 하 기 위해 고온 의 열 을 가해 주 면 , 상기 베이스 ( 220 ) 가 물리 적 또는 화학 적 으로 손상 될 수 있 다 . 그러나 , 상기 베이스 ( 220 ) 는 상기 유리 성분 을 더 포함 하 므로 녹는점 이 증가 한다 . 상기 베이스 ( 220 ) 의 녹는점 이 상기 전도성 패턴 ( 230 ) 의 소결 온도 보다 높 아 지 도록 상기 베이스 ( 220 ) 의 상기 유리 성분 의 양 을 조절 하 여 , 상기 베이스 ( 220 ) 의 손상 없이 상기 회로 패턴 ( 240 ) 을 형성 할 수 있 다 .