배치 대 ( 2 ) 는 , 처리 용기 ( 1 ) 내 에서 웨이퍼 ( W ) 를 수평 으로 지지 한다 . 배 치대 ( 2 ) 는 , 웨이퍼 ( W ) 에 대응 한 크기 의 원판 형 으로 형성 되 어 있 고 , 지지 부재 ( 23 ) 에 지지 되 어 있 다 . 배 치대 ( 2 ) 는 , 질화알루미늄 ( AlN ) 등 의 세라믹스 재료 나 , 알루미늄 이나 니켈 합금 등 의 금속 재료 로 형성 되 어 있 고 , 내부 에 웨이퍼 ( W ) 를 가열 하 기 위한 히터 ( 21 ) 가 매립 되 어 있 다 . 히터 ( 21 ) 는 , 히터 전원 ( 도시 하 지 않 음 ) 으로부터 급전 되 어 발열 한다 . 그리고 , 배치 대 ( 2 ) 의 상면 근방 에 설치 된 열전대 ( 도시 하 지 않 음 ) 의 온도 신호 에 의해 히터 ( 21 ) 의 출력 을 제어 함 으로써 , 웨이퍼 ( W ) 가 미리 정해진 온도 로 제어 된다 . 배 치대 ( 2 ) 에 는 , 상면 의 외주 영역 및 측면 을 덮 도록 알루미나 등 의 세라믹스 에 의해 형성 된 커버 부재 ( 22 ) 가 설치 되 어 있 다 .