그러므로 , 본 발명 에 따른 듀얼 폴리 게이트 의 형성 에 있 어서 , 보론 의 확산 방지 및 스트레스 완화 을 위한 비 도핑 된 폴리 실리콘 막 은 500 ∼ 520 ℃ 의 온도 , 바람직 하 게 는 510 ℃ 의 온도 및 0 . 8 ∼ 1 . 2 torr , 바람직 하 게 는 1 . 0 torr 의 압력 조건 하 에서 SiH 4 를 800 ∼ 1200 sccm , 바람직 하 게 는 1000 sccm 정도 플로우 시켜 100 ∼ 200 Å 두께 로 증착 함 이 바람직 하 다 .