상기 반도체 클래드 층 기둥 ( 29 ) 의 주변 에 코팅 된 유전체 절연 층 ( 28 ) 은 상기 활성 층 ( 23 ) 에서 발생 한 광자 가 상부 로 방출 되 는 효율 을 높이 기 위한 것 이 다 . 상기 유전체 절연 층 ( 28 ) 이 반도체 클래드 층 기둥 ( 29 ) 의 클래드 층 을 구성 하 는 물질 보다 굴절 률 이 작 은 것 으로 형성 되 면 , 상기 활성 층 ( 23 ) 에서 발생 한 광자 가 반도체 클래드 층 기둥 ( 29 ) 과 유전체 절연 층 ( 28 ) 의 경계 면 에서 전반사 될 확률 이 높 아 진다 .