다음 에 , 기판 ( 11 ) 의 격벽 형성 용 감 ( 感 ) 방사선 성 조성물 을 기판 ( 11 ) 의 한쪽 면 의 거의 전체 에 부여 하 여 , 도막 ( 3 ) 을 형성 한다 ( 1 b ) . 또한 , 기판 ( 11 ) 위 에 감방 사선 성 조성물 을 부여 한 후 , 필요 에 따라 프리 베이 킹 ( prebaking ) 처리 를 행해도 된다 . 프리 베이 킹 처리 는 , 예 를 들 면 가열 온도 50 ∼ 150 ℃, 가열 시간 30 ∼ 600 초 라는 조건 으로 행할 수 있 다 .