도 5 b 를 참조 하 면 , 반도체 장치 ( 1000 e ) 는 도 2 를 참조 하 여 상술 한 실시 예 에서 와 달리 , 소스 / 드레 인 영역 들 ( 150 ) 의 하부 보다 낮 게 위치 하 는 분리 구조물 ( 200 e ) 의 하부 영역 이 다른 형상 을 가질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 5 b 에 도시 된 것 과 같이 , 분리 구조물 ( 200 e ) 의 하부 영역 의 측면 들 이 소스 / 드레 인 영역 들 ( 150 ) 의 하부 영역 을 향하 여 볼록 하 게 확장 되 는 형상 을 가질 수 있 다 .