또 다른 실시 예 에서 는 , 배리어 오픈 공정 에 의해 기판 상 의 모든 유전체 층 이 비아 바닥 에서 제거 되 어 비아 바닥 의 컨 덕 터 가 노출 된 이후 에 희생 층 이 다 마신 개구 상 에 증착 될 수 있 다 . 이후 , 상기 컨 덕 터 에서 오목 부를 형성 하 기 위해 상기 컨 덕 터 를 노출 시키 는 공정 은 상기 희생 층 을 통과 하 여 수행 된다 . 예 를 들 어 , 본 실시 예 에서 상기 희생 층 은 도 1 에 도시 되 는 종래 기술 의 다 마신 개구 상 에 증착 되 며 , 이후 비아 바닥 의 컨 덕 터 에 오목 부를 형성 하 는 컨 덕 터 노출 공정 이 수행 된다 . 이러 한 접근 방법 에 의해 , 비록 배리 어 오픈 공정 의 완성 에 따른 손상 및 오염 은 불가피 하 더라도 , 오 목부 를 형성 하 기 위한 공정 에 의해 유발 되 는 비아 홀 및 트렌치 의 측벽 과 같 은 유전체 층 표면 의 심각 한 손상 및 오염 이 방지 될 수 있 다 . 이것 은 매우 바람직 한 접근 방법 은 아니 지만 유익 한 방법 이 다 .