스퍼터링 법 에 있 어서 , 막 캐리어 농도 를 고재 현성 으로 소정 의 값 으로 할 수 있 는 a - IGZO 산화물 박막 의 제조 방법 을 제공 한다 . 주로 인듐 ( In ) , 갈륨 ( Ga ) , 아연 ( Zn ) 및 산소 ( O ) 를 구성 원소 로 하 고 , 인듐 과 갈륨 의 합량 에 대한 인듐 의 원자 수비 [ In ] / ( [ In ] ＋ [ Ga ] ) 가 20 ％ ∼ 80 ％, 인듐 과 갈륨 과 아연 의 합량 에 대한 아연 의 원자 수비 [ Zn ] / ( [ In ] ＋ [ Ga ] ＋ [ Zn ] ) 가 10 ％ ∼ 50 ％ 이 며 , 비저항 이 1 . 0 × 10 - 1 Ω ㎝ 이하 인 산화물 소 결체 를 스퍼터링 타깃 으로서 이용 하 여 , 스퍼터 파워 밀도 를 2 . 5 ∼ 5 . 5 W / ㎠ 로 하 여 기판 상 에 직류 스퍼터 성막 하 는 것 을 포함 하 는 비정질 In - Ga - Zn - O 계 산화물 박막 의 제조 방법 이 다 .