챔버 부품 들 을 위한 많 은 물질 들 이 현재 사용 되 고 있 으며 및 / 또는 연구 되 어 왔 다 . 그러나 , 모든 물질 들 은 노출 된 표면 들 상 에 의 전구체 물질 들 의 고착 ( adhesion ) , 또는 이 들 노출 된 표면 들 의 부식 또는 산화 로 인해 복사율 변화 를 경험 한다 . 또한 , 물질 들 이 세척 될 수 있 더라도 , 표면 들 의 복사율 은 새로운 표면 의 복사율 의 레벨 로 세척 될 수 없 으며 및 / 또는 세척 된 표면 은 후속 의 프로세싱 중 복사율 변화 를 경험 할 것 이 다 . 복사율 변화 들 은 프로세스 드리프트 ( process drift ) 로 나타나 며 , 이 는 반복 가능 한 웨이퍼 투 웨이퍼 ( wafer - to - wafer ) 및 웨이퍼 내 ( within wafer ) 증착 결과 들 을 제공 하 기 위해 모니터링 된 프로세스 에 기초 하 여 변화 되 어야 만 하 는 추가 적 인 모니터링 및 튜닝 ( tuning ) 을 요구 한다 .