게이트 절연 층 ( 146 ) 의 형성 후 에 는 , 불활성 가스 분위기 하 , 또는 산소 분위기 하 에서 제 2 열처리 를 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 . 열처리 의 온도 는 , 200 ℃ 이상 450 ℃ 이하 , 바람직 하 게 는 250 ℃ 이상 350 ℃ 이하 이 다 . 예 를 들 면 , 질소 분위기 하 에서 250 ℃, 1 시간 의 열처리 를 실시 하 면 좋 다 . 제 2 열처리 를 실시 함 에 의해 , 트랜지스터 ( 162 ) 의 전기 적 특성 의 편차 를 경감 할 수 가 있 다 . 또한 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 이 산소 를 포함 하 는 경우 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 에 산소 를 공급 하 고 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 산소 결손 을 보충 하 여 , i 형 ( 진성 반도체 ) 또는 i 형 에 거의 가까운 산화물 반도체 층 을 형성 할 수 도 있 다 .