본 발명 은 제 1 GaN 층 위 에 형성 된 활성 층 ; 상기 활성 층 위 에 형성 된 제 2 GaN 층 ; 상기 제 2 GaN 층 위 에 형성 되 며 , 상면 으로부터 하 면 까지 관통 되 는 홈 또는 홀 ( Hole ) 을 구비 한 연결 층 ; 및 상기 홈 또는 홀 의 내부 를 충 진하 며 , 상기 연결 층 위 에 형성 되 는 반사 층 을 포함 하 여 이루어지 는 질화 갈륨 계 발광 다이오드 이 다 .