난수 생성 메모리 ( 100 ) 는 3 차원 크로스바 메모리 구조 를 갖 는 복수 의 메모리 층 을 포함 한다 . 난수 생성 메모리 ( 100 ) 는 도 2 또는 도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 서로 나란 하 게 배치 된 N 개 ( N 은 자연수 ) 의 비트 라인 들 , 각 비트 라인 과 교차 하 도록 비트 라인 의 상부 에 서로 나란 하 게 배치 되 는 M 개 ( M 은 자연수 ) 의 상부 워드 라인 들 , 상부 워드 라인 들 과 대향 하 며 비트 라인 의 하부 에 배치 되 는 M 개 의 하부 워드 라인 들 , 비트 라인 과 상부 워드 라인 의 각 교차 지점 에 배치 된 제 1 메모리 소자 들 및 비트 라인 과 하부 워드 라인 의 각 교차 지점 에 배치 된 제 2 메모리 소자 들 을 포함 하 는 형태 를 가질 수 있 다 .