이러 한 조성물 은 얕 은 트렌치 소자 분리 ( Shallow Trench Isolation , STI ) , 층간 절 연막 ( Inter Layer Dielectric , ILD ) 폴리시 , 금속 간 절 연막 ( Inter Metal Dielectric , IMD ) 폴리시 , 관통 규소 비아 ( through silicon via , TSV ) 폴리시 및 베어 웨이퍼 폴리 싱 ( bare wafer polishing ) 을 포함 하 지만 , 이 로 제한 되 지 않 는 다양 한 적용 에서 사용 될 수 있 다 .