도 1 에 도시 한 반도체 장치 의 제 k 행 째 의 메모리 셀 ( 190 ) 의 노드 FG 는 , 도 2 aa 에 도시 한 구성 과 동등 하 다 . 여기 서 , 제 k 행 째 에 있 어서 , 산화물 반도체 를 사용 한 트랜지스터 ( 162 ) 는 , 오프 전류 가 매우 작 으므로 , 도 1 에 도시 한 반도체 장치 의 메모리 셀 ( 190 ) 에 있 어서 도 , 도 2 aa 에 도시 한 반도체 장치 와 마찬가지 로 , 트랜지스터 ( 162 ) 를 오프 상태 로 함 으로써 , 노드 FG 의 전위 를 매우 장시간 에 걸쳐 유지 하 는 것 이 가능 하 다 .