여기 서 , 전극 과 동일 한 재질 로 형성 된 제 1 도 전체 ( 143 ) 는 반도체 기판 ( 110 ) 의 제 1 측면 ( 100 S 1 ) 에서 연장 되 는 제 1 모 따 기 된 측면 ( 100 CS 1 ) 에 인접 하 여 사선 방향 으로 형성 될 수 있 으며 , 전극 과 동일 한 재질 로 형성 된 제 2 도 전체 ( 144 ) 는 반도체 기판 ( 110 ) 의 제 2 측면 ( 100 S 2 ) 에서 연장 되 는 제 2 모 따 기 된 측면 ( 100 CS 2 ) 에 인접 하 여 사선 방향 으로 형성 될 수 있 다 .