상기 제 2 도전 성 반도체 층 ( 150 ) 은 제 1 반도체 층 ( 151 ) 및 제 2 반도체 층 ( 155 ) 을 포함 하 며 , 상기 제 1 반도체 층 ( 151 ) 은 상부 에 러프 니스 ( 152 ) 가 형성 된다 . 상기 러프 니스 ( 152 ) 는 산 과 골 을 갖 는 원뿔 형상 으로 형성 되 며 , 러프 니스 한 산 부분 의 두께 ( H ) 는 0 . 5 ~ 1 . 2 um 이 고 , 러프 니스 한 골 과 골 사이 의 간격 ( d ) 또는 러프 니스 한 산 부분 의 최대 직경 은 0 . 3 ~ 1 . 0 um 로 형성 될 수 있 다 .