본 발명 에 따른 반도체 기판 의 제조 방법 에서 는 , 상기 제 1 반도체 층 을 형성 하 는 공정 전 에 , 상기 반도체 기재 의 결정 성 을 이어받 아 상기 제 1 반도체 층 을 형성 하 도록 상기 반도체 기재 위 에 제 3 반도체 층 을 형성 하 는 공정 을 더 갖 고 , 상기 제 3 반도체 층 을 형성 하 는 공정 은 , 상기 반도체 기재 가 노출 되 어 있 는 영역 에 만 상기 제 3 반도체 층 을 제 2 조건 에 의해 성막 한다 .