메모리 장치 ( 100 ) 의 제어 로직 ( 140 ) 은 설정 된 노멀 프로그램 순서 에 기초 하 여 선택 된 메모리 블록 ( BLK 1 ) 에 포함 된 복수 의 페이지 들 ( Page 0 ~ Page 31 ) 각각 의 비트 라인 전압 을 설정 한다 ( S 720 ) . 비트 라인 전압 은 프로그램 검증 동작 시 선택 된 메모리 블록 ( BLK 1 ) 의 비트 라인 들 ( BL 1 ~ BLm ) 에 인가 되 는 전압 이 다 . 예 를 들 어 제어 로직 ( 140 ) 은 노멀 프로그램 순서 에 기초 하 여 선택 된 페이지 의 프로그램 순서 가 빠를수록 비트 라인 전압 을 높 게 설정 하 고 프로그램 순서 가 느릴 수록 비트 라인 전압 을 낮 게 설정 할 수 있 으며 , 동일 한 워드 라인 에 연결 된 페이지 들 은 동일 한 비트 라인 전압 으로 설정 할 수 있 다 .