전술 한 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 기판 처리 방법 은 공정 챔버 에 설치 된 기판 지지 부 에 복수 의 기판 들 을 일정 한 간격 으로 안착 시키 는 단계 ( A ) ; 상기 복수 의 기판 들 이 안착 된 기판 지지 부를 회전 시키 는 단계 ( B ) ; 및 상기 기판 지지 부 에 대향 되 도록 상기 공정 챔버 의 상부 를 덮 는 챔버 리드 에 일정 한 간격 으로 배치 된 제 1 및 제 2 가스 분사 모듈 각각 을 통해 서로 상이 한 제 1 및 제 2 가스 를 공간 적 으로 분리 하 여 상기 복수 의 기판 으로 분사 하 는 단계 ( C ) 를 포함 하 여 이루어지 고 , 상기 단계 ( C ) 에서 상기 제 1 가스 분사 모듈 은 복수 의 접지 전극 부재 사이 의 가스 분사 공간 에 공급 되 는 상기 제 1 가스 를 상기 복수 의 기판 으로 분사 하 고 , 상기 제 2 가스 분사 모듈 은 복수 의 접지 전극 부재 사이 의 가스 분사 공간 에 공급 되 는 상기 제 2 가스 를 상기 제 1 가스 와 공간 적 으로 분리 되 도록 상기 복수 의 기판 으로 분사 한다 .