도 5 a 내지 5 d 는 상이 한 공정 시간 에서 본 발명 의 반도체 소자 구조 ( 100 ) 의 제조 를 도시 하 며 , 여기 서 화합물 반도체 층 ( 21 ) 은 이 예 에서 화학 적 전환 에 의해 금속화 층 ( 31 ) 의 일부 로부터 생성 된다 . 금속화 층 ( 31 ) 상 에 화합물 반도체 층 ( 21 ) 의 전술 한 퇴적 이 또한 가능 할 것 이 다 .