이어서 , 상기 결과물 을 상 에 실리콘 산화물 로 이루어진 절 연막 ( 110 ) 을 형성 한다 . 절 연막 ( 110 ) 은 BPSG , PSG , SOG , PE - TEOS , USG 또는 HDP - CVD 산화물 을 화학 기상 증착 공정 , 플라 즈 마 증대 화학 기상 증착 공정 , 고밀도 플라 즈 마 화학 기상 증착 공정 을 수행 한 후 평탄 화 공정 을 수행 하 여 형성 된다 .