반도체 장치 및 이 의 제조 방법 을 제공 한다 . 이 반도체 장치 는 활성 기둥 상 의 소오 스 / 드레 인부 의 적어도 하 부면 을 덮 는 스 페이서 를 포함 하 며 , 게이트 전극 이 상기 활성 기둥 의 측면 과 적어도 상기 스 페이서 의 하 부면 을 덮 는다 . 이 방법 에서 는 , 후 속 에 형성 되 는 트랜지스터 의 게이트 길이 를 , 에치 백 된 희생 절 연막 의 두께 로써 결정 할 수 있 다 .