일 실시 형태 에서 , 스택 의 각각 의 메모리 디바이스 는 평면 형상 이 고 , 각각 상단 페이 싱 및 하단 페이 싱 을 갖 는다 . 제 1 메모리 디바이스 및 후속 메모리 디바이스 는 , 제 2 메모리 디바이스 의 각각 의 바닥 페이 싱이 제 1 메모리 디바이스 의 상단 페이 싱에 고정 되 도록 서로 의 상단 상 에 스택 된다 . 제 1 메모리 디바이스 의 상단 페이 싱 및 제 2 메모리 디바이스 의 상단 페이 싱 은 스택 을 따라 동일 한 방향 을 향한다 . 스택 의 메모리 디바이스 의 적절 한 정렬 에 기초 하 여 , 제 1 메모리 디바이스 의 상단 상 에 위치 된 출력 부 들 은 제 2 메모리 디바이스 의 상단 상 에 위치 된 대응 하 는 입력 부들 에 대해 수직 으로 정렬 된다 . 즉 , 메모리 디바이스 는 , 스택 의 일 메모리 디바이스 의 표면 패드 ( 출력 부 ) 가 스택 의 후속 메모리 디바이스 로 의 쓰루 - 홀 ( 입력 부 ) 과 직접 정렬 되 도록 정렬 될 수 있 다 .