본 실시 형태 는 전자 의 이동 문제 외 에 정공 의 이동 까지 고려 한 것 으로서 정공 의 이동 경로 상 에 양자 준위 가 높 은 제 3 양자 우물 층 ( 65 a ) 을 추가 배치 하 여 , 정공 이 인접 한 양자 우물 층 으로 용이 하 게 주입 되 도록 하 였으며 , 제 2 터널 링 양자 장벽층 ( 65 b ) 은 제 1 터널 링 양자 장벽층 ( 65 d ) 과 동일 한 목적 으로 채용 된 것 이 다 .