도 2 a - 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , WL RDL ( 48 ) 은 반도체 다이 들 ( 50 , 54 ) 에 장착 되 기 전 에 더미 기판 ( 30 ) 에 형성 된다 . 일단 반도체 다이 가 장착 되 고 캐 슐 화 되 면 , 더미 기판 은 제거 되 고 UBM ( 60 ) 및 솔 더 범프 ( 62 ) 와 같 은 외부 상호 접속 체가 형성 될 수 있 다 . 반도체 기판 을 장착 하 기 전 에 더미 기판 상 에 WL RDL ( 48 ) 을 형성 함 으로써 백 그라운드 에서 언급 되 는 WL RDL 공정 으로 인한 공정 온도 제한 이 줄어들 수 있 다 . 환언 하 면 , 공정 에서 사용 된 200 ℃ 미만 의 Tg 를 갖 는 기판 이 없 기 때문 에 , 200 ℃ 를 초과 하 는 보다 높 은 온도 가 WL RDL ( 48 ) 형성 을 위해 사용 될 수 있 다 . 또한 , 반도체 다이 의 인터 - 웨이퍼 ( inter - wafer ) 및 인트 라 - 웨이퍼 ( intra - wafer ) 레지스 트래 이 션 변형 이 다이 를 패턴 화 된 더미 기판 에 장착 시키 는 것 에 의해 감소 될 수 있 다 . 공정 들 은 제조 성 , 신축성 , 웨이퍼 집적 도 및 WL RDL 의 자체 얼라인먼트 효과 를 개선 시킨다 .