이어서 , 웨이퍼 ( W ) 에 대한 에칭 처리 가 행해진다 . 웨이퍼 ( W ) 를 회전 시키 고 , 또한 컵 체 ( 2 ) 의 가스 토출구 ( 212 , 213 ) 로부터 핫 N 2 가스 를 토출 시켜 , 웨이퍼 ( W ) , 특히 피 처리 영역 인 웨이퍼 ( W ) 주연 부를 에칭 처리 에 적합 한 온도 ( 예 를 들 면 60 ℃ 정도 ) 까지 가열 한다 . 또한 , 웨이퍼 ( W ) 의 가열 을 필요 로 하 지 않 는 약액 처리 를 행하 는 경우 에 는 , 히터 ( 216 ) 를 동작 시키 지 않 고 상온 의 N 2 가스 를 토출 해도 된다 . 웨이퍼 ( W ) 가 충분히 가열 되 면 , 웨이퍼 ( W ) 를 회전 시킨 채 로 약액 노즐 ( 71 ) 로부터 에칭 액 ( 에칭 용 의 약액 , 예 를 들 면 HF ) 을 웨이퍼 ( W ) 의 표면 의 주연 부 에 공급 하 여 , 웨이퍼 ( W ) 의 표면 의 주연 부 에 있 는 불 필요 한 막 을 제거 한다 . 이 와 동시 에 , 필요 에 따라 , 이면 노즐 ( 76 ) 로부터 약액 을 웨이퍼 ( W ) 의 이면 의 주연 부 에 공급 하 여 , 웨이퍼 이면 의 주연 부 에 있 는 불 필요 한 막 을 제거 해도 된다 . 약액 은 , 제거 된 막 유래 의 물질 ( 반응 생성물 ) 과 함께 웨이퍼 ( W ) 의 외방 으로 비산 하 고 , 컵 체 ( 2 ) 에 의해 회수 된다 . 웨이퍼 ( W ) 에 대한 에칭 액 의 공급 조건 및 에칭 액 의 거동 은 이후 에 상술 한다 .