다음 으로 , " 상기 제 2 스토리지 영역 에 는 제 3 반도체 층 ( 316 ) 과 게이트 전극 층 ( 336 ) 간 게이트 절 연막 ( 320 ) 을 매개 로 하 여 제 2 스토리지 캐 패 시터 ( C "" st ) 가 형성 된다 . 상기 제 3 반도체 층 ( 316 ) 은 제 1 ", 2 반도체 층 ( 310 , 315 ) 과 동일 층 에 형성 되 며 , 상기 게이트 전극 층 ( 336 ) 은 상기 듀얼 게이트 전극 ( 330 ) 과 동일 층 에 동일 한 물질 로 형성 된다 .