도 9 ( A ) 및 도 9 ( B ) 에 도시 한 반도체 장치 는 절연 층 ( 601 ) 을 사이 에 두 고 기판 ( 603 ) 위 에 제공 된 단결정 실리콘 으로 채널 영역 이 형성 되 는 트랜지스터 ( 12 ) 및 트랜지스터 ( 13 ) 와 , 트랜지스터 ( 12 ) 및 트랜지스터 ( 13 ) 를 덮 는 절연 층 ( 627 ) 위 에 제공 된 산화물 반도체 로 채널 영역 이 형성 되 는 트랜지스터 ( 10 ) , 트랜지스터 ( 11 ) , 및 용량 소자 ( 14 ) 를 갖 는다 .