전통 적 으로 워드 라인 이나 비트 라인 을 이루 는 도전 막 으로 퓨즈 를 형성 하 였으나 , 반도체 메모리 장치 가 고집 적 화 되 면서 워드 라인 또는 비트 라인 의 상단 에 너무 많 은 층 이 형성 되 어 퓨즈 박스 를 형성 하 기 가 매우 힘들 어 졌 다 . 이 를 해결 하 기 위해 워드 라인 또는 비트 라인 보다 높 은 곳 에 위치 되 는 캐 패 시터 의 전 극막 을 이용 하 기 도 한다 .