본 발명 에서 는 ， Ge 의 농도 를 절연 기판 측 에서 높 게 하 는 구성 으로 하 였 다 . 이 와 같 은 Ge 농도 분포 는 RBS ( Rutherford Back Scattering ) 등 으로 평가 하 는 것 이 가능 하 다 . 절연 기판 측 의 Ge 농도 를 높 게 함 으로써 성막 초기 의 결정핵 을 저온 에서 생성 하 는 것 이 가능 하 게 된다 . 또한 , 기판 측 표면 을 결정핵 으로 피복 할 수 있 도록 등방 성장 을 촉진 하 기 위해서 , 결정면 의 배향 성 이 랜덤 하 게 되 도록 제어 하 였 다 . 또한 , 막 표면 측 의 Ge 농도 를 감소 하 였 다 . 또한 , 막 표면 측 에서 결정 성 이 ( 110 ) , ( 111 ) 혹은 ( 100 ) 배향 으로 되 도록 하 였 다 . 이 들 결정 배향 성 은 , X 선 회절 에 의해 평가 할 수 있 다 . 이 와 같 은 구조 로 함 으로써 결정 입자 를 치밀 하 게 성장 시킬 수 있 다 .