우선 , 본 발명 에 관련 된 열처리 장치 ( 100 ) 의 전체 개략 구성 에 대해서 간단 하 게 설명 한다 . 도 1 은 , 본 발명 에 관련 된 열처리 장치 ( 100 ) 를 나타내 는 평면도 이 며 , 도 2 는 그 정면도 이 다 . 열처리 장치 ( 100 ) 는 기판 으로서 원판 형상 의 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 플래시 광 을 조사 하 고 그 반도체 웨이퍼 ( W ) 를 가열 하 는 플래시 램프 어 닐 장치 이 다 . 처리 대상 이 되 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 사이즈 는 특별히 한정 되 는 것 은 아니 지만 , 예 를 들 면 φ 300 mm 나 φ 450 mm 이 다 . 열처리 장치 ( 100 ) 에 반입 되 기 전 의 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 는 불순물 이 주입 되 어 있 으며 , 열처리 장치 ( 100 ) 에 의한 가열 처리 에 의해 주입 된 불순물 의 활성 화 처리 가 실행 된다 . 또한 , 도 1 및 이후 의 각 도 에 있 어서 는 , 이해 용이 를 위해 , 필요 에 따라 각 부 의 치수 나 수 를 과장 또는 간략 화 하 여 그리 고 있 다 . 또 , 도 1 , 2 및 이후 의 각 도 에 있 어서 는 , 그 들 의 방향 관계 를 명확 하 게 하 기 위해 Z 축 방향 을 연직 방향 으로 하 고 , XY 평면 을 수평면 으로 하 는 XYZ 직교 좌표계 를 필요 에 따라 붙이 고 있 다 .