( 9 ) 반도체 층 을 준비 하 는 단계 에서 , 제 2 면 에 반도체 층 과 결합 된 플레이트 가 구비 되 어 있 으며 , 플레이트 는 반도체 층 이 성장 되 는 제 1 임시 기판 ( 성장 기판 ) 이 고 , 유리 막 으로 변환 하 는 단계 다음 에 , 플레이트 를 제거 하 는 단계 ; 및 , 플레이트 가 제거 된 반도체 층 의 적어도 일부 를 제거 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 는 파장 변환 용 글라스 부재 를 제조 하 는 방법 .