낸드 플래시 메모리 의 경우 셀 구조 특성 에 의해 읽 고 / 쓰 는 모드 의 경우 는 페이지 단위 로 만 가능 하 며 쓰 기 전 에 수행 해야 하 는 지우기 기능 은 블록 단위 로 만 가능 하 기 때문 에 , 한 비트 가 배드 상태 이 면 블록 전체 ( 대 블록 의 경우 < 128 K + 4 K > 바이트 ) 를 못 쓰 게 된다 . 1 G 비트 급 대 블록 의 경우 1024 개 의 블록 이 제공 되 지만 , " 이러 한 특성 때문 에 "" 삼성전자 "" 와 "" 하이닉스 "" 에서 는 정상 품 이 라도 20 개 ( 전체 블록 의 2 % 수준 ) 까 지 의 배드 블록 은 허용 하 고 ", 그 이상 을 불량 및 등외 로 판정 한다 . 플래시 메모리 에 있 어서 페이지 단위 로 주 영역 과 함께 구성 되 는 여유 영역 ( spare area ) 은 배드 블록 정보 , 논리 적 섹터 번호 , 쓰 기 시 발생 한 파워 실패 상태 플래그 ( flag ) , 주 영역 및 논리 적 섹터 번호 의 에러 정정 코드 값 등 이 저장 되 어 사용 중 발생 하 는 비트 깨 짐 현상 등 에 대해서 어느 정도 신뢰 성 을 보장 하 며 복구 하 도록 되 어 있 다 . 즉 , 낸드 플래시 메모리 는 비 유효 ( invalid ) 블록 들 을 포함 할 수 있 지만 , 이 블록 에 정보 를 저장 하 지 말 아야 하 며 , 초기 비 유효 블록 은 출하 전 에 테스트 된 원래 의 배드 블록 을 의미 하 며 비 유효 블록 표시 는 그 블록 의 각 첫 번 째 페이지 여유 영역 에 00 H 를 써 넣 어 표시 하 고 , 사용 연한 내 ( 최소 10 년 ) 에서 쓰 고 지우 는 과정 에서 추가 적 인 배드 블록 이 발생 할 수 있 어 이 로 인한 데이터 손실 을 방지 하 기 위해 총 용량 의 10 % 내외 를 보관 ( reserved ) 영역 으로 설정 한다 . 쓰 고 지우 는 중 ( 읽 는 중 에 는 발생 확률 극히 적음 ) 에 배드 블록 이 발생 하 면 원래 의 데이터 를 이 보존 영역 에 옮겨 기록 하 는데 , 물론 사용 중 배드 블록 이 추가 로 발생 하 지 않 으면 보관 영역 은 사용 치 않 으므로 버려 지 는 영역 이 지만 데이터 손실 로 인한 사용자 의 클레임 에 대응 하 기 위해 플래시 메모리 를 사용 하 는 현재 장치 들 은 이 를 의무 적 으로 설정 하 고 있 다 . 즉 , 쓰 거나 지울 때 에러 가 발생 하 면 해당 블록 을 배드 블록 으로 마킹 하고 보관 영역 의 블록 으로 대체 하 지만 , 읽 을 때 에러 가 발생 하 면 에러 정정 코드 를 재 확인 하 여 정정 하 도록 구성 되 어 있 다 .