산화 티타늄 을 활성 층 으로 갖 는 박막 트랜지스터 의 제조 방법 및 그 구조 를 개시 한다 . 본 발명 에 따른 박막 트랜지스터 는 기판 , 상기 기판 상 에 다결정 또는 비정질 산화 티타늄 을 이용 하 여 형성 된 활성 층 , 및 상기 활성 층 상 에 형성 되 는 절 연막 을 포함 한다 . 또한 , 본 발명 에 따른 박막 트랜지스터 제조 방법 은 기판 을 형성 하 는 단계 , 상기 기판 상 에 다결정 내지 비정질 의 산화 티타늄 을 이용 하 여 활성 층 을 형성 하 는 단계 , 및 상기 활성 층 상 에 절 연막 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 . 이 를 통해 , 본 발명 은 성능 을 향상 시킬 수 있 을 뿐 만 아니 라 저 비용 으로 제조 가 가능 하 고 , 환경 문제 가 적 으며 , 특정 유형 의 전자 기기 에 널리 적용 될 수 있 는 효과 가 있 다 .