다음 에 , 도 6 c 에 도시 하 는 바 와 같이 , 보호 절 연막 ( 76 ) 에 제 4 포토 마스크 를 사용 하 여 형성 한 레지스 트 마스크 를 사용 하 여 보호 절 연막 ( 76 ) 을 부분 적 으로 에칭 하 여 콘택트 홀 을 형성 하 고 , 상기 콘택트 홀 에 있 어서 배선 ( 71 c ) 에 접하 는 화소 전극 ( 77 ) 을 형성 한다 . 또한 , 도 6 c 는 도 7 c 의 A - B 의 단면도 에 상당 한다 . 표시 소자 의 화소 전극 ( 77 ) 에 접속 되 는 배선 ( 71 a 내지 71 c ) 을 드레 인 전극 으로 하 고 , 반도체 층 위 에 있 어서 상기 배선 과 대향 되 는 배선 ( 71 a 내지 71 c ) 을 소스 전극 ( 소스 배선 ) 으로 함 으로써 , 박막 트랜지스터 의 Ion 을 높 게 할 수 있 거나 혹은 반복 동작 으로 인한 열화 를 저감 할 수 있 다 . 또한 , 게이트 전극 ( 51 ) 과 드레 인 전극 으로서 기능 하 는 배선 ( 71 a 내지 71 c ) 사이 에 생기 는 기생 용량 이 발생 되 기 어렵 고 , 화소 전극 ( 77 ) 에 전하 를 축적 하 기 쉽 다 . 따라서 , 상기 박막 트랜지스터 를 액정 표시 장치 에 사용 하 는 경우 , 액정 의 고속 동작 이 가능 하 다 .