또한 특허 문헌 3 에 기재 되 어 있 는 기구 에서 는 , 본딩 스테이지 상 의 본딩 위치 에 고정 된 직교 하 는 두 면 을 갖 는 위치 결정 가이드 에 위치 결정 클릭 으로 반도체 다이 를 꽉 눌러 위치 결정 을 행하 고 있 다 . 그러나 , 반도체 다이 의 두께 가 50 μ m 이하 로 까지 얇 아 지 면 위치 결정 가이드 , 위치 결정 클릭 의 두께 가 반도체 다이 의 두께 보다 두꺼워 지 게 되 어 반도체 다이 의 가장자리 부분 의 전극 패드 에 범프 를 형성 할 때 캐 필러 리 등 의 본딩 툴 과 위치 결정 가이드 또는 위치 결정 클릭 이 간섭 하 게 되 어 범프 의 형성 을 할 수 없 게 된다는 문제 가 있 었 다 .