도핑 방법 으로 는 기존 의 확산 법 을 그대로 이용 할 수 있 다 . 즉 , 패 시베이 션 층 ( 203 ) 이 증착 되 어 있 는 p 형 결정질 실리콘 기판 ( 201 ) 을 고온 의 노 ( furnace ) 에 주입 하 고 약 850 ℃ 에서 n 형 불순물 ( 예 를 들 면 , POCl 3 ) 를 상기 노 내부 로 흘려 주 어 도핑 시키 는 방법 을 이용 할 수 있 다 . 또한 , 이온 임 플란테 이 션 ( ino implatation ) 법 을 이용 하 여 패 시베이 션 층 ( 203 ) 에 n 형 분순 물 을 직접 주입 함 으로써 n 형 으로 도핑 된 패 시베이 션 층 ( 203 ) 을 얻 을 수 도 있 다 .