본 발명 에 의하 면 , 기판 에 패턴 을 형성 할 때 기판 위 에 ( 100 ) 면 으로 우선 배양 된 실리콘 층 을 형성 한 후 그 실리콘 층 을 식각 함 으로써 실리콘 의 결정 구조 특성 에 의해 ( 111 ) 면 이 드러나 도록 하 여 사면체 실리콘 패턴 을 형성 하 고 , 그 사면체 실리 콘 패턴 을 마스크 패턴 으로 하 여 기판 에 식각 을 수행 함 으로써 기판 에 사면체 패턴 을 가지 는 기판 을 용이 하 게 제작 할 수 있 다 .