여기 서 , SF 6 가스 를 이용 한 반도체 웨이퍼 의 Si 의 에칭 프로세스 는 BOSCH 프로세스 라고 도 불리 고 , 노출 된 Si 와 SF 6 을 플 라즈 마 화 하 여 생성 한 F 원자 를 반응 시켜서 , 4 불화 규소 ( SiF 4 ) 로서 제거 하 는 것 이 며 , 리 엑 티 브 이온 에칭 ( RIE ) 이 라고 도 불린다 . 한편 , O 2 플 라즈 마 에 의한 제거 는 , 반도체 제조 프로세스 중 에서 는 플 라즈 마 클리너 로서 도 이용 되 는 방법 으로 애 싱 ( 灰化 ) 이 라고 도 불리 고 , 대 유기물 제거 의 방법 의 하나 이 다 . 반도체 디바이스 표면 에 남 은 유기물 잔사 를 클리닝 하 기 위해서 행해진다 .