이 와 달리 , 상기 종래 의 ALD 기술 의 경우 , ALD 기술 자체 의 특성 으로 인하 여 상기 종래 의 CVD 기술 과 는 다른 결과 가 나타날 수 있 다 . 상기 종래 의 ALD 기술 의 경우 , TiCl 4 가스 가 공급 되 지 않 은 상태 에서 H 2 가스 및 Ar 가스 만 공급 한 채 상기 제 3 단계 를 수행 한다 . 상기 제 3 단계 중 에 , 상기 잔류 NH 3 가 순수 한 Ti 막 의 형성 을 위하 여 바람직 하 지 아니한 플 라즈 마 상태 로 활성 화 되 어 상기 반도체 기판 상 에 형성 된 원자 층 두께 의 TiCl 4 막 과 반응 함 으로써 Ti 막 대신 에 TiN 막 을 생성 할 수 있 다 .