또한 , 제 2 블로킹 패턴 ( 285 ) 은 상기 각 게이트 전극 들 의 상면 , 저면 및 일부 측벽 , 보다 구체 적 으로 전하 저장 구조물 ( 210 ) 에 대향 하 는 측벽 과 , 각 절연 패턴 들 ( 115 ) 의 측벽 상 에 형성 될 수 있 다 . 다만 , 제 2 블로킹 패턴 ( 285 ) 은 상기 게이트 전극 들 중 제 1 게이트 전극 ( 292 ) 의 절연성 분리 패턴 ( 335 ) 에 대향 하 는 측벽 에 는 형성 되 지 않 을 수 있 다 . 이 에 따라 , 절연성 분리 패턴 ( 335 ) 은 각 제 1 게이트 전극 들 ( 292 ) 에 포함 된 제 1 게이트 도전 패턴 ( 292 a ) 및 제 1 게이트 배리 어 패턴 ( 292 b ) 의 측벽 들 , 및 제 2 블로킹 패턴 ( 285 ) 의 측벽 에 직접 접촉 할 수 있 다 . 제 2 블로킹 패턴 ( 285 ) 은 전하 저장 구조물 ( 210 ) 의 측벽 과 도 접촉 할 수 있 다 .