도 1 b 를 참조 하 면 , 절연 구조물 ( 110 ) 을 부분 적 으로 식각 하 여 하부 구조물 ( 105 ) 을 노출 시키 는 홀 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 한 후 , 상기 홀 을 채우 면서 절연 구조물 ( 110 ) 상 에 도전 층 을 형성 한다 . 상기 도전 층 은 불순물 로 도핑 된 폴리 실리콘 , 금속 또는 도전 성 금속 질화물 을 사용 하 여 형성 된다 . 절연 구조물 ( 110 ) 이 노출 될 때 까지 상기 도전 층 을 부분 적 으로 제거 하 여 상기 홀 에 매립 되 는 패드 ( 115 ) 를 형 성 한다 . 상기 도전 층 은 에치 백 ( etch back ) 공정 , 화학 기계 적 연마 ( Chemical Mechanical Polishing ; CMP ) 공정 , 또는 화학 기계 적 연마 ( CMP ) 와 에치 백 을 조합 한 공정 등 을 이용 하 여 부분 적 으로 식각 된다 . 또한 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 패드 ( 115 ) 는 상기 홀 을 부분 적 으로 매립 하 여 형성 될 수 도 있 다 .