본 발명 에 따른 반도체 메모리 장치 의 온 다이 터 미 네이션 회로 는 노멀 코드 에 상응 하 는 전압 과 기준 전압 을 비교 하 여 그 비교 결과 신호 를 출력 하 는 비 교부 ; 및 상기 비교 결과 신호 에 따라 상기 노멀 코드 를 가변 시켜 출력 하 고 리셋 신호 에 따라 상기 노멀 코드 를 기 설정 된 리셋 코드 또는 가변 가능 한 퓨즈 코드 중 어느 하나 로 리셋 시키 는 코드 조정 부를 구비 함 을 특징 으로 한다 .