한편 , 핀 드 포토다이오드 를 구성 함 에 있 어서 , p 형 및 n 형 도핑 영역 을 다 수번 번갈 아 거 며 적층 되 도록 구성 하 므로써 , 바이어스 가 인가 될 때 포토다이오드 의 공핍 영역 을 증대 시키 므로써 입사 된 광 ( 110 ) 에 의해 발생 되 는 전하 를 n 형 도핑 영역 에 모으 기 위한 기술 이 Ju Il Lee 에 의한 미국 특허 제 6489643 B 1 호 에 개시 되 어 있 다 .