상기 다른 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 바람직 한 실시 예 에 따른 플 라즈 마 식각 방법 은 챔버 내 에 위치 하 는 스테이지 와 상기 스테이지 상 에 공간 을 갖 도록 위치 하 면서 그 상부 에 는 반도체 기판 이 놓여진 제 1 전극 으로 동시 에 고주파 에너지 를 인가 시킨다 . 아울러 , 상기 제 1 전극 에 놓여 지 는 반도체 기판 을 리프팅 시킬 수 있 게 상기 스테이지 를 둘러싸 는 하부 - 제 2 전극 과 상기 스테이지 와 마주 보 게 절연체 를 노출 시 면서 그 들 사이 에 는 공간 을 갖 도록 둘러싸 는 상부 - 제 2 전극 을 동시 에 접지 시킨다 . 그러면 , 상기 반도체 기판 의 가장자리 상부 , 측면 및 가장 자리 하부 에 플 라즈 마가 생성 되 고 , 그 결과 상기 반도체 기판 의 가장자리 상부 , 측면 및 가장 자리 하부 에 흡착 또는 증착 된 이 물질 의 식각 이 이루어진다 .