다음 에 는 , 패드 산화 막 패턴 ( 40 ) 및 패드 질화 막 패턴 ( 45 ) 을 마스크 로 하 여 반도체 기판 ( 10 ) 을 식각 함 으로써 , 소자 분리 용 트렌치 ( 25 ) 를 형성 한다 . 이때 , 반도체 소자 의 크기 가 감소 되 면서 소자 분리 용 트렌치 ( 25 ) 의 선폭 은 좁 고 깊이 는 더 깊 게 형성 하 여야 하 는 문제 가 발생 하 므로 공정 마진 이 감소 하 게 된다 .