본 발명 의 핵심 기술 요지 는 , 포토 마스크 를 이용 하 여 원 하 는 반도체 소자 의 패턴 을 웨이퍼 상 에 형성 시키 는 포토 리소그래피 공정 에서 임의 의 웨이퍼 에 대한 임계 치수 데이터 의 상관 관계 를 데이터베이스 화 한 후 에 , 양산 제품 의 웨이퍼 를 노광 한 후 CD SEM 장치 를 이용 하 여 포토레지스트 패턴 을 측정 하 고 , 측정 된 패턴 의 임계 치수 데이터 를 저장 하 며 , 저장 된 임계 치수 데이터 와 임계 치수 데이터 의 상관 관계 를 비교 한 후 에 비교 결과 에 따라 노광 공정 에 대한 포커스 및 노광량 을 보정 하 여 이러 한 보정 값 을 적용 하 여 이 후 공정 을 진행 한다는 것 으로 , 이러 한 기술 적 수단 을 통해 본 발명 에서 목적 으로 하 는 바 를 쉽 게 달성 할 수 있 다 .