상기 제 1 도 전막 은 언 도프 트 폴리 실리콘 막 으로 형성 할 수 있 다 . 상기 제 1 도전 막 은 100 ~ 500 Å 의 두께 로 형성 할 수 있 다 . 상기 제 1 도전 막 은 화학 기상 증착 방법 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 상기 보호막 은 SiH 4 가스 와 H 2 가스 를 소스 가스 로 사용 하 고 N 2 가스 를 캐리어 가스 로 사용 하 여 5 ~ 280 토르 의 압력 에서 싱글 웨이퍼 타입 으로 형성 할 수 있 다 . 상기 제 1 도전 막 은 크기 가 50 ~ 130 Å 인 랜덤 형 나노 그레인 을 포함 할 수 있 다 .