상기 콘트롤 게이트 전극 ( 214 a ) 은 상기 플로팅 게이트 전극 ( 204 b ) 의 측벽 부위 와 서로 대향 하 지 않 는다 . 상기 콘트롤 게이트 전극 ( 214 a ) 은 4 . 6 내지 5 . 2 eV 의 높 은 일함수 를 갖 는 금속 질화 막 패턴 으로 이루어지 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 금속 질화 막 패턴 은 탄 탈륨 질화물 및 티타늄 질화물 을 포함 한다 . 이 들 은 단독 또는 혼합 하 여 사용 할 수 있 다 .