상기 전도성 층 ( 440 ) 은 임의 의 적당 한 방법 ( 예 , 화학 증기 증착 법 , 물리 적 증기 증착 법 등등 ) 으로 증착 된 텅스텐 이나 다른 알맞 은 금속 , 많이 도핑 된 반도체 재료 , 전도성 규소 화합물 , 전도성 규소 화합물 - 게르마 나 이드 , 전도성 게르마 나 이드 등 과 같 은 임의 의 적당 한 전도성 재료 로 형성 될 수 있 다 . 다른 전도성 층 재료 를 사용 할 수 있 다 . 장벽 층 들 및 / 또는 접합 층 들 ( 438 ) 은 티타늄 질화물 및 탄탈 질화물 , 또는 또 다른 적당 한 층 , 예 를 들 어 텅스텐 질화물 , 하나 이상 의 조합 물 또는 다른 적절 한 재료 ( 들 ) 를 포함 할 수 있 다 . 상기 증착 된 전도 층 ( 440 ) , 장벽 및 / 또는 접합 층 ( 438 ) , 및 / 또는 규소 화합물 - 형성 금속 층 ( 430 ) 은 패턴 화 및 에칭 되 어 전도체 ( 436 ) 의 제 2 세트 를 형성 할 수 있 다 . 적어도 하나 의 실시 예 에서 , 상부 전도체 ( 436 ) 는 하부 전도체 ( 408 ) 와 상이 한 방향 으로 연장 되 는 실질 적 으로 평행 하 고 실질 적 으로 동일 평면 인 전도체 이 다 .