또한 , 보강 막 ( 109 ) 은 , 제 1 도 전막 ( 108 ) 및 게이트 절 연막 ( 107 ) 을 덮 도록 형성 되 어 있 다 . 또한 , 보강 막 ( 109 ) 은 , 반도체 막 ( 106 ) 전역 을 덮 도록 형성 되 어 있 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 보강 막 ( 109 ) 의 면적 은 , 보강 막 ( 103 ) 의 면적 보다 도 큰 것 이 바람직 하 다 . 이 와 같이 , 채널 형성 영역 의 전역 이 보강 막 ( 103 ) 과 보강 막 ( 109 ) 의 사이 에 형성 되 어 있 는 것 이 바람직 하 다 .