Si 웨이퍼 ( 102 ) 및 저해 층 ( 104 ) 은 전술 한 바 와 같 아도 좋 다 . Ge 층 ( 120 ) 은 저해 층 ( 104 ) 의 개구 영역 ( 106 ) 에 결정 성장 된다 . 결정 성장 은 선택 적 으로 행해져 도 좋 다 . 결정 성장 의 일례 로서 에피 택 셜 성장 을 예시 할 수 있 다 . 즉 , Ge 층 ( 120 ) 이 예컨대 에피 택 셜 성장 되 는 경우 , 저해 층 ( 104 ) 이 에피 택 셜 성장 을 저해 하 기 때문 에 , Ge 층 ( 120 ) 은 저해 층 ( 104 ) 의 상면 에 는 형성 되 지 않 고 , 저해 층 ( 104 ) 으로 덮여 지 지 않 는 개구 영역 ( 106 ) 의 Si 웨이퍼 ( 102 ) 의 상면 에 에피 택 셜 성장 된다 . Ge 층 ( 120 ) 은 , 결정 결함 이 이동 할 수 있 는 온도 및 시간 으로 어닐링 할 수 있 고 , 어닐링 은 복수 회 반복 할 수 있 다 .