즉 , 반도체 메모리 장치 가 높 은 ( 낮 은 ) 레벨 의 외부 전원 전압 범위 ( 1 . 8 V 이상 ) 에서 는 정상 적 으로 동작 을 수행 하 는 데 비해서 낮 은 ( 높 은 ) 레벨 의 외부 전원 전압 범위 ( 1 . 7 V 이 하 ) 에서 는 정상 적 으로 동작 하 지 못하 게 되 는 경우 가 발생 하 게 된다 . 이 경우 에 , 제 어 신호 설 정부 의 제어 신호 를 가 변하 여 내부 회로 들 의 지연 시간 을 가변 함 으로써 억세 스 타임 을 가 변하 고 , 이 에 따라 , 높 은 ( 낮 은 ) 레벨 의 외부 전원 전압 범위 뿐 만 아니 라 낮 은 ( 높 은 ) 레벨 의 외부 전원 전압 범위 에서 도 장치 가 정상 적 으로 동작 할 수 있 도록 조절 하 여 정상 이 아닌 반도체 메모리 장치 를 정상 인 반도체 메모리 장치 로 구제 하 는 것 이 가능 하 다 .