본 실시 예 에 따른 반도체 메모리 장치 의 특징 은 위상 비교기 를 제어 하 기 위한 클럭 주기 감지 부 ( 1000 ) 가 구비 되 어 있 는 것 이 다 . 클럭 주기 감지 부 ( 1000 ) 는 기준 클럭 ( RCKT 2 ) 의 주기 를 감지 하 여 위상 비교기 ( 800 ) 에서 패스트 모드 로 동작 할 것 인지 아닌지 를 제어 한다 . 클럭 주기 감지 부 ( 1000 ) 에서 기준 클럭 ( RCKT 2 ) 의 주기 가 예정 된 폭 보다 더 작음 을 감지 하 면 , 위상 비교기 ( 800 ) 는 패스트 모드 로 동작 하 지 않 고 노멀 모드 와 미세 조정 모드 로 만 동작 한다 . 여기 서 예정 된 폭 은 반도체 메모리 장치 의 동작 상태 에 따라 적합 하 게 정해질 수 있 으며 , 특히 딜레이 라인 에 구비 되 는 단위 딜레이 의 지연 값 에 따라 정해 지 는 것 이 바람직 하 다 .