또한 , 본 발명 에 관한 고체 촬상 소자 의 제조 방법 은 , 입사광 을 광전 변환 하 는 수 광부 를 구비 함 과 함께 , 그 표면 에 산화물 층 이 형성 된 반도체 기판 의 상층 에 , 상기 산화물 층 을 구성 하 는 재료 의 산화 엔탈피 보다 도 작 은 산화 엔탈피 를 나타내 는 재료 로 구성 되 는 산소 공급 층 을 형성 하 는 공정 과 , 그 산소 공급 층 보다 도 상층 에 밀착 층 을 통하 여 배선 층 을 형성 하 는 공정 을 구비 한다 .