이 를 위하 여 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 광 증폭기 가 집적 된 슈퍼 루미 네슨 트 다이오드 는 , SLD ( Super Luminescent Diode ) 영역 과 , 상기 SLD 영역 으로부터 생성 된 광 을 증폭 하 기 위한 SOA ( Semiconductor Optical Amplifier ) 영역 을 가지 는 기판 ; 상기 기판 상 에서 상기 SLD 영역 및 상기 SOA 영역 에 걸쳐 연장 되 며 상기 SOA 영역 에서 테이퍼 형태 를 갖 는 활성 층 을 포함 하 는 매립 형 이종 접합 구조 ( Buried Heterostructure ) 구조 의 광 도파 로 ; 상기 활성 층 주위 에 형성 되 어 상기 활성 층 이외 로 의 전류 흐름 을 차단 하 며 , 서로 다른 도전 형 의 반도체 층 이 적층 된 전류 차단 층 ; 및 상기 광 도파 로 및 상기 전류 차단 층 상 에 형성 된 클래드 층 을 포함 한다 .