이 와 같 은 본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 반도체 패키지 에 구성 된 LED 소자 ( 32 ) 에서 발산 된 열 의 전달 분포도 ( 온도 구배 ) 는 도 7 에서 와 같이 된다 . 상술 한 표 4 를 참고 하 여 보 면 도 7 에서 , 가장 내측 에 있 는 열 전달 분 포선 ( 즉 , LED 소자 ( 32 ) 의 하부 에 가장 근접 해 있 는 선 ) 이 90 도 정도 를 가리키 게 되 고 외측 으로 나갈수록 80 도 , 70 도 , 60 도 등 으로 온도 가 낮 아 지 게 된다 . 이 에 비해 , 도 3 b 의 구성 에서 는 표 4 를 근거 하 여 보 면 가장 내측 에 있 는 열 전달 분 포선 이 100 도 정도 를 가리키 게 되 고 외측 으로 나갈수록 90 도 , 80 도 , 70 도 등 으로 온도 가 낮 아 지 게 된다 . 따라서 , 도 7 의 내부 전극 의 위치 와 도 3 b 의 내부 전극 의 위치 가 동일 하 다면 도 7 의 내부 전극 이 도 3 b 에 비해 LED 소자 에서 발산 되 는 열 에 대한 영향 을 훨씬 조금 받 음 을 알 수 있 다 .