게이트 재산 화 를 실시 함 으로써 폴리 실리콘 전극 ( 23 A ) 의 측벽 및 기판 ( 21 ) 상 에 재산 화 막 ( 24 ) 이 형성 된다 . 또한 , 게이트 재산 화 를 실시 하 기 전 에 금속 계 전극 ( 23 B ) 의 이상 산화 및 폴리 실리콘 전극 ( 23 A ) 과 금속 계 전극 ( 23 B ) 의 계면 반응 을 방지 하 기 위해 게이트 패턴 ( 23 ) 의 측벽 에 캡 핑 보호막 을 형성 할 수 있 다 . 이때 , 캡 핑 보호막 은 질화 막 일 수 있 다 .