도 2 내지 도 6 과 관련 하 여 설명 된 공정 은 핀 ( 52 ) 이 형성 될 수 있 는 방법 의 단지 하나 의 예 이 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 핀 은 에피 택 셜 성장 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 유전체 층 이 기판 ( 50 ) 의 상부 표면 위 에 형성 될 수 있 고 , 트렌치 가 유전체 층 을 통해 에칭 되 어 밑 에 있 는 기판 ( 50 ) 을 노출 시킬 수 있 다 . 호모 에피 택 셜 구조 가 트렌치 에서 에피 택 셜 성장 될 수 있 고 , 호모 에피 택 셜 구조 가 유전체 층 으로부터 돌출 되 어 핀 을 형성 하 도록 유전체 층 이 리세 스 될 수 있 다 . 또한 , 일부 실시 예 들 에서 , 헤테로 에피 택 셜 구조 가 핀 ( 52 ) 에 사용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 5 의 핀 ( 52 ) 은 리세 스 될 수 있 고 , 핀 ( 52 ) 과 상이 한 물질 이 리세 스 된 핀 ( 52 ) 위 에 에피 택 셜 성장 될 수 있 다 . 이러 한 실시 예 들 에서 , 핀 ( 52 ) 은 리세 스 된 물질 뿐 만 아니 라 리세 스 된 물질 위 에 배치 된 에피 택 셜 성장 된 물질 을 포함 한다 . 또 다른 실시 예 에서 , 유전체 층 이 기판 ( 50 ) 의 상부 표면 위 에 형성 될 수 있 고 , 트렌치 가 유전체 층 을 통해 에칭 될 수 있 다 . 헤테로 에피 택 셜 구조 가 기판 ( 50 ) 과 상이 한 물질 을 사용 하 여 트렌치 에서 에피 택 셜 성장 될 수 있 고 , 헤테로 에피 택 셜 구조 가 유전체 층 으로부터 돌출 되 어 핀 ( 52 ) 을 형성 하 도록 유전체 층 이 리세 스 될 수 있 다 . 호모 에 피 택 셜 구조 또는 헤테로 에 피 택 셜 구조 가 에피 택 셜 성장 되 는 일부 실시 예 들 에서 , 에피 택 셜 성장 된 물질 은 성장 동안 사전 및 후속 주입 을 제거 할 수 있 는 인시 츄 ( in situ ) 도핑 될 수 있 지만 , 인시 츄 도핑 및 주입 이 함께 사용 될 수 있 다 .