도 8 을 참조 하 여 , 제 2 재료 ( 68 ) ( 도 7 ) 는 제거 되 어 보이드 ( 80 ) 를 남긴다 . 이러 한 제거 는 재료 들 ( 44 및 66 ) 에 대비 한 제 2 재료 ( 68 ) 에 대하 여 선택 적 인 임의 의 적절 한 에칭 으로 달성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 2 재료 ( 68 ) 는 폴리 실리콘 을 포함 하 고 재료 ( 44 및 66 ) 는 각각 실리콘 질화물 및 실리콘 이 산화물 을 포함 하 고 , 에칭 은 테트라메틸 암모늄 수산화물 ( TMAH ) 를 이용 할 수 있 다 . 도시 되 지 않 은 프로세싱 단계 에서 , 제 1 레벨 및 제 2 레벨 ( 62 / 64 ) ( 도 7 ) 에 대한 액세스 를 제공 하 기 위해 슬릿 이 스택 ( 60 ) ( 도 7 ) 을 통해 형성 될 수 있 다 . 에 천 트 가 제 2 재료 ( 68 ) 에 액세스 하 기 위해 이러 한 슬릿 내 로 유동 될 수 있 다 ( 도 7 ) .