다음 으로 , 도 2 a 및 도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , 마스크 층 에 대해 패 터닝 동작 이 수행 되 고 , 더미 게이트 전극 층 이 더미 게이트 구조물 ( 105 ) 로 패 터닝 된다 . 더미 게이트 구조물 을 패 터닝 함 으로써 , 도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , 소스 / 드레 인 영역 이 될 핀 구조물 ( 20 ) 의 상부 부분 은 더미 게이트 구조물 ( 105 ) 의 대향 측 상 에서 부분 적 으로 노출 된다 . 본 개시 에서 , 소스 및 드레 인 은 상호 교환 가능 하 게 사용 되 고 이 의 구조물 은 실질 적 으로 동일 하 다 . 도 2 a 및 도 2 b 에서 , 2 개 의 더미 게이트 구조물 ( 105 ) 이 4 개 의 핀 구조물 ( 20 ) 상 에 형성 된다 . 그러나 , 레이아웃 은 도 2 a 및 도 2 b 에 한정 되 지 않 고 , 더미 게이트 구조물 의 수 는 동일 한 핀 구조물 ( 들 ) 에 대하 여 하나 이 거나 또는 둘 보다 더 많 을 수 있 다 .