그래핀 은 흑연 을 이루 고 있 는 기본 단위 이 며 , 탄소 원자 1 개 의 두께 로 이루어진 얇 은 막 이 다 . 구체 적 으로 , 탄소 가 육각형 모양 으로 공유 결합 을 이루 는 2 차원 평면 물질 이 다 . 그래핀 은 열전도 성 및 전기 전도 성 을 가지 며 물리 적 및 화학 적 성질 이 매우 뛰어난 소재 이 다 . 이러 한 그래핀 의 제조 방법 은 크 게 두 가지 로 분류 할 수 있 다 . 상 향식 접근 ( bottom - up process ) 과 하향식 접근 ( top - down process ) 방법 이 있 다 . 상 향식 접근 방법 의 대표 적 인 방법 으로 는 화학 증기 증착 법 , 에피택시 얼 ( epitaxial ) 등 탄소 전구체 를 이용 하 여 금속 혹은 실리콘 등 의 기판 위 에서 그래핀 을 합성 하 는 방법 이 다 . 이 방법 은 그래핀 을 생성 시 조건 에 따라 고품질 을 얻 을 수 있 으나 높 은 온도 ( 약 1 , 000 ℃) 에서 합성 이 가능 하 며 사용 한 기판 의 면적 에 따라 생산량 이 제한 적 인 단점 이 있 다 . 하향식 접근 방법 은 판상 형 의 흑연 으로부터 한 장 의 그래핀 을 박리 하 는 방법 으로 흑연 을 산화 하 여 그래핀 을 박리 하 였 다가 다시 환원 시켜 얻 는 그래핀 산화 환원법 이 대표 적 이 다 . 이 는 강산 을 이용 하 여 산화 를 하 며 , 환원 시 강한 환원제 를 사용 한다 . 환원 을 하 여도 손상 된 구조 는 원래 의 상태 로 완전히 복원 하 기 어려운 단점 이 있 다 . 그 밖 에 흑연 을 이루 고 있 는 그래핀 의 가장자리 만 선택 적 으로 기능 화 시켜 박리 시키 는 그래핀 가장자리 박리 법 , 흑연 을 기계 적 으로 박리 하 는 볼밀 링 법 등 이 존재 한다 .