이 경우 , 커패시터 ( 30 ) 의 양 전극 사이 에 개재 된 물질 의 유전 율 이 높 을수록 커패시터 ( 30 ) 의 커패시턴스 가 증가 하 게 되 어 효율 적 인 커패시터 ( 30 ) 가 된다 . 그러 나 커패시터 ( 30 ) 의 양 전극 사이 에 개재 된 물질 은 바로 게이트 절 연막 ( 27 ) 이 므로 , 고유 전 율 값 을 갖 는 게이트 절 연막 ( 27 ) 의 사용 은 결국 게이트 전극 ( 25 ) 과 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 21 ) 이 중첩 되 는 부분 에서 발생 하 게 되 는 기생 커패시턴스 역시 증가 시키 게 된다는 문제점 이 있 었 다 .