구체 적 으로 는 , 상기 소자 분리 막 ( 110 a ) 이 식각 된 높이 만큼 상기 기생 게이트 ( 171 a ) 는 셀 트랜지스터 의 채널 길이 와 가까워 지 게 되 는데 , 이 처럼 , 기생 게이트 와 셀 트랜지스터 채널 길 이 간 ( A 거리 ) 의 짧아진 거리 로 인하 여 상호 영향력 이 증가 됨 으로써 , 트랜지스터 의 off 특성 이 열화 되 고 있 는 실정 이 다 .