본 발명 의 일 실시 예 에 따른 플 래쉬 메모리 소자 의 제조 방법 은 , 플로팅 게이트 패턴 이 형성 된 반도체 기판 상부 에 제 1 산화 막 , 고유 전막 및 제 2 산화 막 으로 구성 된 유전체 막 및 컨트롤 게이트 용 도전 층 을 순차 적 으로 형성 하 는 단계 와 , 건식 식각 공정 을 실시 하 여 상기 컨트롤 게이트 용 도전 층 및 제 2 산화 막 의 소정 영역 을 식각 하 는 단계 와 , 습식 식각 공정 을 실시 하 여 상기 고유 전막 의 소정 영역 을 식각 하 는 단계 와 , 건식 식각 공정 을 실시 하 여 상기 제 1 산화 막 의 소정 영역 을 식각 하 는 단계 를 포함 하 는 플 래쉬 메모리 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .