또한 , 게이트 절연 층 ( 402 ) 에 는 산화물 반도체 층 과 동종 의 성분 을 포함 하 는 절연 재료 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이러 한 재료 는 , 산화물 반도체 층 과 의 계면 상태 를 양호 하 게 유지 할 수 있 다 . 여기 에서 , 「 산화물 반도체 층 과 동종 의 성분 」 이 란 , 산화물 반도체 층 의 구성 원소 로부터 선택 되 는 하나 또는 복수 의 원소 를 의미 한다 . 예 를 들 면 , 산화물 반도체 층 이 In - Ga - Zn 계 의 산화물 반도체 재료 에 의해 구성 되 는 경우 , 동종 의 성분 을 포함 하 는 절연 재료 로서 는 산화 갈륨 이나 산화알루미늄 갈륨 등 이 있 다 .