또한 , 비휘발성 메모리 장치 ( 3 ) 는 트렌치 ( 10 ) 의 내 벽면 을 따라 강유 전 층 ( 410 ) 상 에 배치 되 는 게이트 유전 층 구조물 ( 420 ) 을 포함 할 수 있 다 . 게이트 유전 층 구조물 ( 420 ) 은 기판 ( 201 ) 에 수직 인 방향 , 즉 , z - 방향 으로 연장 되 어 , 제 1 내지 제 8 게이트 전극 층 ( 310 a , 310 b , 310 c , 310 d , 310 e , 310 f , 310 g , 310 h ) 및 제 1 내지 제 8 층간 절연 층 ( 210 a , 210 b , 210 c , 210 d , 210 e , 210 f , 210 g , 210 h ) 을 커버 하 도록 배치 될 수 있 다 . 게이트 유전 층 구조물 ( 420 ) 은 강유 전 층 ( 410 ) 상 에서 순차 적 으로 배치 되 는 전하 장벽층 ( 422 ) , 전하 트랩 층 ( 424 ) 및 전하 터널 링 층 ( 426 ) 을 포함 할 수 있 다 . 전하 장벽층 ( 422 ) 은 강유 전 층 ( 410 ) 과 계면 을 이루 도록 배치 될 수 있 다 . 일 실시 예 에 있 어서 , 게이트 유전 층 구조물 ( 420 ) 은 양 의 캐 패 시턴 스 를 가질 수 있 다 . 전하 장벽층 ( 422 ) , 전하 트랩 층 ( 424 ) 및 전하 터널 링 층 ( 426 ) 은 각각 상유 전 층 일 수 있 다 . 전하 장벽층 ( 422 ) , 전하 트랩 층 ( 424 ) 및 전하 터널 링 층 ( 426 ) 은 도 1 내지 도 4 와 관련 하 여 상술 한 전하 장벽층 ( 126 ) , 전하 트랩 층 ( 124 ) 및 전하 터널 링 층 ( 122 ) 와 실질 적 으로 동일 할 수 있 다 .