상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 일실 시예 에 따른 상변화 메모리 소자 는 하부 전극 , 상변화 물질 패턴 및 상부 전극 이 제 1 방향 으로 순차 적 으로 적층 되 며 , 상기 상변화 물질 패턴 의 제 2 방향 으로 의 폭 이 상기 제 1 방향 으로 불연속 적 로 증가 한다 . 여기 에서 상기 제 1 방향 과 상기 제 2 방향 은 서로 수직 이 다 . 상기 하부 전극 에 인접 한 상기 상변화 물질 패턴 의 제 2 방향 으로 의 폭 은 상기 상부 전극 에 인접 한 상기 상변화 물질 패턴 의 제 2 방향 으로 의 폭 보다 작 다 . 상기 상변화 물질 패턴 은 상기 하부 전극 에 대해서 대칭 인 형상 을 가지 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 상변화 물질 패턴 은 게르마늄 ( Ge ) , 안티몬 ( Sb ) 및 텔 루 늄 ( Te ) 을 포함 하 는 것 이 바람직 하 다 .