테스트 셀 영역 ( TC ) 에 는 정상 메인 셀 ( 미 도시 ) 과 대응 되 도록 형성 된 복수 의 테스트 셀 ( TM ) 이 형성 된다 . 이러 한 테스트 셀 ( TM ) 은 정상 메인 셀 형성 공정 과 동일 공정 조건 으로 동시 에 형성 되 며 , 테스트 셀 ( TM ) 각각 은 게이트 전극 ( 118 ) , 소스 영역 ( 121 A ) 및 드레 인 영역 ( 121 B ) 을 포함 한다 . 게이트 전극 ( 118 ) 은 게이트 절 연막 ( 114 ) , 폴리 실리콘 막 ( 115 ) , 텅스텐 실리사이드 층 ( 116 ) 및 보호막 ( 117 ) 으로 이루 어 진다 .