일반 적 HDP - CVD 방법 은 기하학 적 갭 채움 에 맞춰져 있 다 . 이 방법 에서 , 바이 아스 파워 는 , 좁 은 범위 의 접근 궤도 를 만드 는 성장 표면 으로 이온 을 가속 시키 는 데 사용 된다 . 비아 ( via ) 의 탑 코너 들 이 함께 모여 빈 곳 ( void ) 을 형성 하 기 전 에 , 스퍼터링 활동 과 통합 된 이 좁힘 에 의해 일부 갭 들 은 채워질 수 있 다 . 이러 한 갭 채움 에 적용 되 는 D / S 비율 은 종종 3 내지 10 의 범위 이 며 , 일반 적 이 지 않 은 ( exotic ) 적용 에서 는 25 를 넘 는 D / S 비율 을 가진다 . 본 발명 의 구체 예 는 , 거의 또는 전혀 바이 아스 파워 를 가지 지 않 은 , HDP - CVD 프로세스 를 사용 하 여 달성 된 , 고밀도 실리콘 질화물 필름 의 형성 을 포함 한다 . 이 조건 하 에서 전체 ( blanket ) 스퍼터링 속도 는 낮 고 측정 하 기 어렵 지만 , D / S 비율 은 약 100 초과 로 일반 적 으로 예측 될 수 있 다 .