일례 로서 , Si 웨이퍼 ( 102 ) 표면 의 ( 100 ) 면 에 저해 층 ( 104 ) 을 형성 하 고 , 저해 층 ( 104 ) 에 정사각형 또는 직사각 형 의 바닥 면 형상 을 갖 는 개구 영역 ( 106 ) 을 형성 하 며 , 개구 영역 ( 106 ) 의 내부 에 Ge 층 ( 120 ) 및 소자 형성 층 ( 124 ) 의 일례 로서 의 GaAs 결정 을 형성 하 는 경우 에 대해서 설명 한다 . 이 경우 , 개구 영역 ( 106 ) 의 바닥 면 형상 의 1 변 이상 의 방향 은 , Si 웨이퍼 ( 102 ) 의 < 010 > 방향 , < 0 - 10 > 방향 , < 001 > 방향 및 < 00 - 1 > 방향 으로 이루어진 군 에서 선택 된 어느 하나 의 방향 과 실질 적 으로 평행 하 여도 좋 다 . 이 에 따라 , GaAs 결정 의 측면 에 안정 된 면 이 드러난다 .