상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 방법 은 , 반도체 기판 상 에 소자 를 형성 하 는 단계 , 소자 가 형성 된 반도체 기판 전면 에 라이너 절 연막 을 형성 하 는 단계 , 라이너 절 연막 이 형성 된 기판 에 오존 처리 를 하 는 단계 , 오존 처리 된 공정 기판 전면 에 불순물 이 포함 된 주 된 PMD 막 을 적층 하 는 단계 , 주된 PMD 막 이 형성 된 기판 에 산소 플 라즈 마 를 인가 하 고 , 캡 핑 절 연막 을 적층 하 는 단계 , 패 터닝 을 통해 캡 핑 절 연막 , 주된 PMD 막 , 라이너 절 연막 을 관통 하 는 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 , 콘 택 홀 이 형성 된 기판 에 도전 물질 을 채워 콘 택 을 형성 하 는 단계 를 구비 하 여 이루어지 는 것 을 특징 으로 한다 .