트랜지스터 의 게이트 , 소스 , 및 드레 인 , 및 표시 장치 에 포함 된 배선 및 전극 등 의 도전 층 에 사용 될 수 있 는 투광 성 도전 재료 로서 는 , 산화 인듐 , 인듐 주석 산화물 , 인듐 아연 산화물 , 산화 아연 , 또는 갈륨 이 첨가 된 산화 아연 등 의 도전 성 산화물 , 또는 그래핀 을 사용 할 수 있 다 . 또는 , 금 , 은 , 백금 , 마그네슘 , 니켈 , 텅스텐 , 크로뮴 , 몰리브데넘 , 철 , 코발트 , 구리 , 팔라듐 , 또는 타이타늄 등 의 금속 재료 , 또는 상기 금속 재료 를 포함 한 합금 재료 를 사용 할 수 있 다 . 또는 , 상기 금속 재료 의 질화물 ( 예 를 들 어 질화 타이타늄 ) 등 을 사용 하 여도 좋 다 . 금속 재료 또는 합금 재료 ( 또는 이 들 의 질화물 ) 를 사용 하 는 경우 에 는 , 광 을 투과 시킬 수 있 을 정도 로 두께 를 얇 게 한다 . 상기 재료 중 임의 의 것 의 적층 막 을 도전 층 에 사용 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 인듐 주석 산화물 과 , 은과 마그네슘 의 합금 의 적층 막 을 사용 하 면 , 도전 성 을 높일 수 있 어 바람직 하 다 . 이 들 은 , 표시 장치 에 포함 되 는 배선 및 전극 등 의 도전 층 , 및 표시 소자 에 포함 되 는 도전 층 ( 예 를 들 어 , 화소 전극 또는 공통 전극 으로서 의 기능 을 갖 는 도전 층 ) 에 사용 될 수 도 있 다 .