다음 으로 , 이 처럼 고온 에서 해리 된 반응 가스 는 그 다음 영역 인 나노 막대 형성 영역 ( C 3 ) 으로 이동 하 여 이종기 판 ( 21 ) 상 에 GaN 나노 막대 를 형성 하 게 된다 . 상기 반응 원료 기체 화 영역 ( C 1 ) , 혼합 가스 반응 영역 ( C 2 ) 및 나노 막대 형성 영역 ( C 3 ) 은 온도 구배 를 가지 며 , 상기 나노 막대 형성 영역 ( C 3 ) 의 온도 가 상기 혼합 가스 반응 영역 ( C 2 ) 의 온도 보다 낮 아서 , 상기 혼합 가스 반응 영역 ( C 2 ) 에서 운반 된 반응 가스 의 분압 이 포화 상태 에 이르 게 조절 하 는 것 이 바람직 하 다 . 구체 적 으로 , 상기 반응 원료 기체 화 열 원 부 ( 10 ) 의 온도 는 800 ∼ 850 ℃ 이 고 , 상기 혼합 가스 반응열 원부 ( 11 ) 의 온도 는 900 ∼ 1150 ℃ 이 며 , 상기 나노 막대 형성 열 원 부 ( 12 ) 의 온도 는 600 ∼ 750 ℃ 인 것 이 바람직 한데 , 상기 반응 원료 기체 화 열 원 부 ( 10 ) 의 온도 가 800 ℃ 미만 인 때 에 는 Ga 금속 의 기화 가 불충분 할 수 있 고 , 850 ℃ 를 초과 하 는 때 에 는 Ga 금속 의 과잉 기화 로 인해 Ga / N 의 반응 비율 이 적당 하 지 않 을 염려 가 있 다 . 또한 , 혼합 가스 반응열 원부 ( 11 ) 의 온도 가 900 ℃ 미만 인 때 에 는 기체 들 의 해리 가 불충분 할 염려 가 있 고 , 1150 ℃ 를 초과 하 는 때 에 는 NH 3 기체 의 과잉 해리 로 인해 GaN 물질 의 성장 에 저해 가 있 을 수 있 고 , 나노 막대 형성 열 원 부 ( 12 ) 의 온도 가 600 ℃ 미만 인 때 에 는 나노 입자 의 소결 과정 이 원활 하 지 않 아 나노 막대 가 제대로 형성 되 지 않 을 염려 가 있 으며 , 750 ℃ 를 초과 하 는 때 에 는 나노 막대 가 형성 되 지 않 고 , 박막 형태 로 증착 이 되 기 때문 에 바람직 하 지 않 다 .