도 15 a 는 단일 의 p - i - n 접합부 비정질 실리콘 태양 전지 구조 체의 약도 를 나타내 고 있 다 . 이 장치 는 , PV 전지 가 복수 개 의 ITO 층 을 포함 하 는 것 을 제외 하 고 ( Miro Zeman 에 의해 개시 된 TCO 층 과 ZnO 층 을 대체 함 ) , " 문헌 [ Miro Zeman 의 "" Thin Film Solar Cells ", Fabrication , Characterization & Applications , "( J . Poortmans & V . Arkhipov 편저 , John Wiley and Sons , 2006 , pg . 205 ) 의 제 5 장 참조 ] 에 개시 된 것 과 유사 하 다 . 도 15 a 에 나타낸 실시 형태 는 텍스처 화 된 ( textured ) 유리 기판 ( 1501 ) , 대략 900 ㎚ 두께 의 제 1 ITO 층 ( 1502 ) , 대략 330 ㎚ 의 p - i - n 접합부 ( 여기 서 , 영역 ( 1504 ) 은 α : Si 를 포함 함 ) , 80 ㎚ 두께 의 제 2 ITO 층 ( 1506 ) 및 300 ㎚ 두께 의 Ag 또는 Al 층 ( 1507 ) 을 포함 한다 . 각종 층 의 두께 는 , Miro Zeman 에 의해 개시 된 전체 적층 체 중 의 총 흡수 가 최대 화 되 도록 채택 된 Miro Zeman 에 의해 개시 된 두께 와 일치 한다 . 이 최대 화 는 PV 전지 가 흑색 으로 보일 때 까지 각종 층 의 두께 를 변화 시킴 으로써 달성 되 었 다 . 총 흡수 대 파장 은 도 15 b 에 예시 되 어 있 다 . 모든 파장 은 PV 적층 체 에 균일 하 게 흡수 되 는 것 이 관찰 될 수 있 다 . PV 장치 로부터 의 총 반사 대 파장 은 도 15 c 에 예시 되 어 있 다 . PV 전지 로부터 의 총 반사 는 낮 고 , 마찬가지 로 PV 전지 는 흑색 으로 보인다 . 도 15 d 는 PV 전지 의 흡 수체 혹은 활성 층 ( 1504 ) 에서 의 흡수 를 나타내 고 있 다 . 도 15 e 내지 도 15 g 는 제 1 ITO 층 ( 1502 ) , 제 2 ITO 층 ( 1506 ) 및 Ag 또는 Al 층 ( 1507 ) 의 흡수 를 나타내 고 있 다 . 도 15 d 및 도 15 e 에 나타낸 바 와 같이 , 활성 층 ( 1504 ) 에 흡수 된 방사선량 은 제 1 ITO 층 ( 1502 ) 에 흡수 된 방사선량 과 대략 동일 하 다 . 이 와 같이 해서 , 이 설계 는 , 그렇 지 않 으면 활성 층 ( 1504 ) 에 의해 전기 에너지 로 변환 될 수 있 었 을 광이 대신 에 제 1 ITO 층 ( 1502 ) 에 흡수 됨 에 따라 차선책 이 다 . 제 2 ITO 층 ( 1506 ) 및 Ag 또는 Al 층 ( 1507 ) 의 흡수량 은 무시 가능 하 다 .