도 1 의 공정도 를 참조 하 면 , 집 적 회로 장치 의 형성 방법 ( 100 ) 은 반도체 웨이퍼 의 초기 의 표면 상 에 제 1 전기 적 절 연막 을 형성 하 는 것 을 포함 한다 ( 블록 102 ) . 제 1 전기 적 절연 막 은 초기 의 표면 에 비교 적 근접 하 게 형성 되 거나 , 하나 이상 의 하부 층 및 집 적 회로 구조물 에 의해 초기 의 표면 으로부터 분리 된 층간 절 연막 일 수 있 다 . 제 1 전기 적 절연 막 은 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물 로 형성 될 수 있 으나 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 어 , 다른 전기 적 절연성 물질 및 유전체 물질 이 사용 될 수 있 다 . 블록 104 및 106 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 전기 적 절 연막 상 에 반사 방지 코팅 ( Anti - Reflective Coating ; ARC ) 막 이 선택 적 으로 증착 되 고 , 반사 방지 코팅 막 상 에 마스크 층 이 증착 된다 . 이어서 , 마스크 층 은 포토 리소그래피 공정 으로 패 터닝 되 어 반도체 웨이퍼 를 가로질러 연장 하 는 마스크 를 정의 한다 .