이 때문 에 , 본 발명 에서 는 , 마스크 재 층 의 355 nm 의 파장 영역 에 있 어서 의 평행 광선 투과 율 이 30 % 이하 이 다 . 평행 광선 투과 율 이 30 % 보다 높 으면 마스크 재 층 의 레이 저광 흡수성 이 부족 하 고 , 마스크 재 층 의 반도체 웨이퍼 의 스트리트 부 의 개구 공정 에서 , 개구 하 기 위해서 , 레이저 조사 가 여러 차례 필요 하 고 , 가공 장시간 화 나 , 과잉 의 레이 저광 의 에너지 투입 에 의해 마스크 재 층 이 용융 되 어 잔사 ( 殘渣 ) 가 되 고 , 그 결과 , 반도체 웨이퍼 의 표면 에 잔류 하 여 , 가공 품질 을 악화 시킬 우려 가 있 다 .