상술 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 은 , 엘 디 모스 채널 형성 방법 으로서 , 반도체 층 의 필드 절연 영역 상 에 제 1 도 전형 을 형성 하 기 위한 마스크 역할 의 옥사이드 막 을 형성 하 는 단계 와 , 옥사이드 막 상 에 삼염화붕소 ( BCl 3 ) 를 이용 한 확산 공정 으로 제 1 도 전형 을 형성 하 는 단계 와 , 제 1 도전 형 에 비소 를 이용 한 이온 주입 으로 제 2 도 전형 을 형성 하 는 단계 와 , 옥사이드 막 의 제거 와 같이 어 널 링 공정 을 통하 여 게이트 에 좌 , 우 대칭 인 채널 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 엘 디 모스 채널 형성 방법 을 제공 한다 .