본 발명 은 그래핀 의 우수 한 물 성 을 가능 한 한 잃 지 않 고 , 반도체 소재 로 이용 하 기 위하 여 최소 0 . 3 eV 이상 의 밴드 갭 을 형성 시키 는 데 목적 을 두 고 있 다 . 특히 리튬 이온 흡착 및 기판 의 열처리 를 통한 밴드 갭 형성 과 그 크기 를 인위 적 으로 조절 하 여 소자 의 필수 요소 인 on / off 기능 을 갖 게 하 는데 목적 이 있 다 .