CMP 유도 웨이퍼 및 칩 스케일 프로세스 비 균일 성 은 예측 이 어려운 것 이 일반 적 이 며 , CMP 프로세싱 시스템 내 의 조건 이 발전함 에 따라 시간 에 따라 변화 하 게 되 어 있 다 . 효과 적 으로 모니터링 하 기 위해 , 그리고 허용 가능 한 범위 내 에서 임의 의 비 균일 성 이 남 아 있 는 것 을 보장 할 목적 을 위한 프로세스 조건 을 조정 하 기 위해 , 프로세스 엔지니어 가 다수 의 그리고 넓 은 범위 의 위치 에서 칩 에 대해 비 접촉 표면 토포 그래피 측정 을 자주 하 는 것 이 중요 하 다 . 이것 은 본 발명 의 간섭계 방법 및 시스템 의 실시 예 를 사용 하 면 가능 하 다 .