도 8 b 는 도 8 a 의 복수 - 국면 프로그래밍 동작 의 단계 ( 800 , 802 또는 806 ) 를 세부 적 으로 나타낸 것 이 다 . 단계 ( 810 ) 는 , 선택 된 저장 소자 들 에 어떠 한 감속 조치 도 적용 함 이 없이 제 1 세트 의 검증 레벨 들 을 사용 하 여 프로그래밍 을 행하 는 것 을 포함 한다 . 1 세트 내 의 검증 레벨 보다 큰 Vth 를 갖 는 저장 소자 들 은 후속 프로그래밍 으로부터 락 아웃 ( lock out ) 되 는 바 , 이러 한 락 아웃 은 예 를 들 어 , 관련 된 비트 라인 전압 을 , 프로그래밍 동안 SGD 를 셧 오프 ( shot off ) 시킴 과 아울러 관련 채널 을 격리 시켜 부 스팅 ( boosting ) 상태 ( 이것 은 저장 소자 들 의 후속 프로그래밍 을 금지 함 ) 가 되게 하 기 에 충분히 높 은 레벨 까지 상승 시킴 으로써 행해진다 . 단계 ( 812 ) 에서 는 , 특정 시간 에 , 예 를 들 어 , 특정 트리거 조건 ( trigger condition ) 이 검출 되 는 때 , 고속 - 프로그래밍 저장 소자 들 과 저속 - 프로그래밍 저장 소자 들 이 구별 된다 . 이러 한 구별 동작 은 예 를 들 어 , 프로그래밍 된 데이터 상태 들 ( 소거 된 상태 와 는 다른 데이터 상태 들 ) 모두 에 대해 일어날 수 있 다 . 고속 - 프로그래밍 저장 소자 들 과 저속 - 프로그래밍 저장 소자 들 을 식별 및 구분 하 는 정보 ( 프로그래밍 속도 데이터 ) 로 래치 들 이 업데이트 된다 . 예 를 들 어 , 저장 소자 와 관련 된 래치 에서 의 하나 의 비트 값 ( 0 또는 1 ) 은 저속 상태 를 표시 할 수 있 고 , 다른 비트 값 ( 1 또는 0 ) 은 고속 상태 를 표시 할 수 있 다 .