또한 , 도 10 c 에 도시 하 는 바 와 같이 , 기판 ( 111 ) 위 에 형성 된 산화물 절 연막 ( 113 ) 표면 의 일부 를 덮 는 섬 형상 의 산화물 반도체 막 ( 117 ) 이 형성 된 상태 로 가열 처리 를 행하 면 , 노출 된 산화물 절 연막 ( 113 ) 으로부터 산소 가 방출 된다 . 또한 , 섬 형상 의 산화물 반도체 막 ( 117 ) 과 접하 는 산화물 절 연막 ( 113 ) 에 포함 되 는 산소 가 확산 되 고 , 노출 된 산화물 절 연막 ( 113 ) 으로부터 방출 된다 . 이것 은 , 산화물 절 연막 ( 113 ) 으로부터 산화물 반도체 막 으로 의 산소 의 확산 보다 산화물 절 연막 중 의 산소 확산 계수 쪽 이 크 기 때문 에 , 산화물 절 연막 으로부터 산화물 반도체 막 으로 확산 되 는 것 보다 산화물 절 연막 중 에서 산소 가 확산 되 는 것 이 더 빠르 고 , 섬 형상 의 산화물 반도체 막 주변 으로 산소 가 확산 되 기 때문 이 다 . 구체 적 으로 는 , 450 ℃ 의 가열 처리 에 있 어서 , 산화물 절 연막 ( 113 ) 중 의 산소 의 확산 계수 는 1 × 10 - 10 cm 2 / sec 정도 이 고 , 산화물 반도체 막 ( 117 ) 중 의 산소 의 확산 계수 는 1 × 10 - 17 cm 2 / sec 정도 인 것 이 분석 에 의하 여 확인 된다 . 또한 , 상기 산화물 반도체 막 ( 117 ) 중 의 산소 의 확산 계수 는 , 산화물 반도체 막 으로서 In - Ga - Zn - O 막 에 있 어서 의 값 을 나타내 었 지만 , 다른 산화물 반도체 도 마찬가지 의 경향 을 나타낸다 . 예 를 들 어 , In - Sn - O 막 중 의 산소 의 확산 계수 는 6 × 10 - 16 cm 2 / sec 정도 이 고 , 산화물 절 연막 ( 113 ) 중 의 산소 의 확산 계수 보다 충분히 작 은 값 을 나타낸다 . 그래서 , 도 9 c 의 실선 ( 211 ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 가열 처리 가 있 는 시료 6 에 있 어서 는 시료 5 와 비교 하 여 TDS 분석 에 있 어서 의 산소 의 방출 량 이 저감 된다 . 이것 은 가열 처리 에 의하 여 산화물 절 연막 으로부터 산소 의 일부 가 외부 로 방출 되 고 , 산화물 절 연막 에 포함 되 는 가열 에 의하 여 탈리 될 수 있 는 산소 함유량 이 저감 되 기 때문 이 다 .