이후 , 도 11 을 참조 하 여 설명 한 바 와 같이 , 제 2 반도체 칩 ( 500 ) 의 제 2 칩 패드 들 ( 512 ) 은 제 1 반도체 칩 들 ( 300 ) 의 제 1 관통 전극 들 ( 320 ) 과 접합 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 2 칩 패드 들 ( 512 ) 은 제 1 관통 전극 들 ( 320 ) 과 결합 하 여 일체 를 형성 할 수 있 다 . 제 2 칩 패드 들 ( 512 ) 과 제 1 관통 전극 들 ( 320 ) 의 결합 은 자연 적 으로 진행 될 수 있 다 . 제 2 반도체 칩 들 ( 500 ) 의 제 2 칩 패드 들 ( 512 ) 의 하면 들 이 평탄 화 됨 에 따라 , 평탄 한 제 1 관통 전극 들 ( 320 ) 의 상면 들 과 평탄 한 제 2 칩 패드 들 ( 512 ) 의 하 면은 이격 되 는 부분 이 없이 접할 수 있 으며 , 제 1 관통 전극 들 ( 320 ) 과 제 2 칩 패드 들 ( 512 ) 의 하이브리드 본딩 ( hybrid bonding ) 이 용이 하 게 이루어질 수 있 다 . 또한 , 일체 로 결합 되 는 제 1 관통 전극 들 ( 320 ) 과 제 2 칩 패드 들 ( 512 ) 내 에 기공 등 이 형성 되 지 않 을 수 있 으며 , 제 2 반도체 칩 들 ( 500 ) 은 결합력 이 강한 금속 간 접합 을 이용 하 여 제 1 반도체 칩 들 ( 300 ) 상 에 실장 될 수 있 으며 , 이 에 따라 반도체 패키지 의 구조 적 안정 성 이 향상 될 수 있 다 .