본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 소자 는 기판 상 에 적층 되 는 절 연막 및 제 1 도 전막 과 , 제 1 도 전막 상 에 형성 되 며 제 1 도 전막 의 일부 를 노출 시키 는 콘 택 홀 을 포함 하 는 유전체 막 과 , 유전체 막 상 에 형성 되 고 , 유전체 막 에 의해 제 1 도 전막 과 격리 되 는 제 1 패턴 과 콘 택 홀 을 통해 유전체 막 과 접촉 되 는 제 2 패턴 을 포함 하 는 제 2 도 전막 과 , 제 2 도 전막 의 제 1 패턴 과 연결 되 는 제 1 콘 택 구조 , 및 제 2 도 전막 의 제 2 패턴 과 연결 되 는 제 2 콘 택 구조 를 포함 한다 .