돌출 반도체 핀 ( 126 ') 이 실리콘 핀인 몇몇 실시 예 에 따르 면 , 에칭 은 습식 에칭 을 사용 하 여 수행 될 수 도 있 고 , 에칭 화학 물 은 유기 또는 무기 알칼리 ( 들 ) 를 포함 할 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 에칭 화학 물 은 금속 수산화물 ( Mn +( OH -) n ) , 아민 유도체 , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 도 있 다 . 금속 수산화물 은 NaOH , KOH , LiOH , RbOH , CsOH , 또는 이 들 의 혼합물 을 포함 할 수 도 있 다 . 4 원 암모늄 ( - R 4 N +), 설 페이트 ( - OSO 3 -), 설 포 네이트 ( - SO 3 -), 포스 페이트 , 카르복실 레이트 ( - COO -) 유도체 와 같 은 이온 성 계면 활성제 또는 알코올 에 톡 실 레이트 , 알킬 페놀 에 톡 실 레이트 , 지방산 에 톡 실 레이트 , 지방족 아민 에 톡 실 레이트 , 글리콜 에스테르 , 글리세롤 에스테르 와 같 은 비 이온 성 계면 활성제 가 에칭 화학 물 의 표면 장력 을 감소 시키 기 위해 첨가 될 수 도 있 다 . 아민 유도체 는 암모니아 , 테트라 메틸 암모늄 하이드 록 사이드 ( Tetra Methyl Ammonium Hydroxide : TMAH ) , 테트라 에틸 암모늄 하이드 록 사이드 ( Tetra Ethyl Ammonium Hydroxide : TEAH ) , 테트라 데 실 트리 메틸 암모늄 하이드 록 사이드 ( Tetradecyl Trimethyl Ammonium Hydroxide : TTAH ) , 테트라 부틸 암모늄 하이드 록 사이드 ( Tetra Butyl Ammonium Hydroxide : TBAH ) 등 , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 도 있 다 . 도 16 은 OH 기 , 질소 원자 , 질소 원자 에 결합 된 R 1 , R 2 , R 3 , 및 R 4 를 포함 하 는 아민 유도체 의 화학 구조 를 도시 하고 있 다 . R 1 , R 2 , R 3 , R 4 의 각각 은 수소 원자 또는 기능기 C 1 내지 C 20 중 하나 일 수 도 있 다 . 기능기 C 1 내지 C 20 은 아민 , 알코올 , 할로겐화물 , 에스테르 , 케톤 , 산 , 알칸 , 알켄 , 알킨 , 에테르 , 설파이드 , 알데히드 , 이민 , 니트릴 , 방향 족 , 티 올 등 을 포함 할 수 도 있 다 . 에칭 프로세스 에서 , 에칭 화학 물 의 온도 는 약 5 ℃ 내지 약 90 ℃ 의 범위 일 수 도 있 다 .