ArF PR 을 사용 할 때 생기 는 또 다른 문제점 으로 는 식각 공정 진행 시 플라 즈 마 내 의 반응 래디컬 과 의 반응 성 이 현재 의 KrF 대비 높 아 PR 소모량 이 많 음 으로 인해 폴리 실리콘 을 식각 할 때 마스크 역할 을 제대로 할 수 없 다는 점 이 다 . 이 를 해결 하 기 위해서 PR 소모량 이 가장 많이 발생 하 는 BARC 식각 단계 에서 EPD 를 사용 하 여 반사 방지 막 이 완전히 소모 되 는 시간 을 확인 한 후 과도 식각 ( over etch ) 되 는 타 겟 을 기존 의 100 % 에서 30 % 로 변경 하 여 공정 조건 을 적정 화 하 였 다 .