지금 까지 개발 된 I - Ⅲ - Ⅵ2 족 화합물 반도체 박막 의 제조 방법 중 CIS 계 박막 을 제조 하 기 위한 다양 한 방법 으로서 미국 특허 4 , 523 , 051 호 에서 는 진공 분위기 에서 각각 의 원소 를 동시 에 증발 시켜 기판 에 증착 시키 는 방법 을 소개 하 고 있 다 . 그러나 이러 한 방법 은 대 면적 화 가 불 가능 할 뿐 만 아니 라 대량 생산 이 어려워 비 경제 적 이 라는 문제점 이 있 었 다 .