도 11 f 를 참조 하 면 , 제 1 소자 반도체 층 ( 200 ) 상 에 제 2 절연 층 ( 150 ') 을 형성 한다 . 상기 제 2 절연 층 ( 150 ') 상 에 도 10 의 제 2 소자 반도체 층 ( 200 ') 및 상기 제 2 소자 반도체 층 ( 200 ') 내 의 제 2 게터 링 영역 ( 365 a ') 을 형성 한다 . 상기 제 2 소자 반도체 층 ( 200 ') 및 제 2 게터 링 영역 ( 365 a ') 은 상술 한 제 1 소자 반도체 층 ( 200 ) 및 제 1 게터 링 영역 ( 365 a ) 을 형성 하 는 방법 과 동일 한 방법 으로 형성 될 수 있 다 .