그 다음 , 도 5 에 도시 된 바 와 같이 상기 시드 마이크 로 렌즈 ( 51 ) 상 에 제 2 절 연막 ( 53 ) 이 형성 되 어 갭 이 없 는 상태 가 되 면 상기 마이크 로 렌즈 ( 55 ) 위 로 상기 패드 ( 60 ) 를 오픈 하 기 위하 여 상기 패드 ( 60 ) 영역 에 해당 하 는 영역 을 노출 시키 는 패드 마스크 ( 80 ) 를 형성 한다 . 상기 패드 마스크 ( 80 ) 는 포토레지스트 를 패 터닝 하 여 형성 하 는 것 이 며 , 상기 패드 마스크 ( 80 ) 를 식각 마스크 로 사용 하 여 상기 시드 마이크 로 렌즈 ( 51 ) 를 형성 할 때 수행 했 던 식각 공정 을 이용 하 여 상기 패드 ( 60 ) 상부 의 제 2 절 연막 ( 53 ) , 제 1 절 연막 ( 50 ) 및 패 시베이 션 층 ( 20 ) 을 제거 하 여 패드 오픈 홀 ( 61 ) 을 형성 함 으로써 상기 패드 ( 60 ) 를 노출 시킬 수 있 게 된다 .