반도체 기판 인 질화규소 기판 및 폴리 실리콘 기판 에 대하 여 , " 연마 용 조성물 M ( 조성 ; 술폰산 수식 콜로 이달 실리카 ( "" Sulfonic acid - functionalized silica through quantitative oxidation of thiol groups """, Chem . Commun . 246 - 247 ( 2003 ) 에 기재 된 방법 으로 제작 , 평균 1 차 입자 직경 30 nm , 평균 2 차 입자 직경 60 nm ) 4 질량 ％, 농도 30 질량 ％ 의 말레산 수용액 0 . 018 질량 ％, 용매 : 물 ) 을 사용 하 여 , 각각 하 기 조건 에서 연마 를 행하 였 다 . 여기 서 , 질화규소 기판 및 폴리 실리콘 기판 은 , 각각 300 mm 웨이퍼 를 사용 하 였 다 .