그리고 산화 막 ( 20 ) 으로 는 SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , HfO 2 로 이루어지 는 군 에서 선택 되 는 어느 하나 인 것 이 바람직 하 다 . 특히 SiO 2 는 실리콘 ( Si ) 웨이퍼 를 가열 하 여 형성 할 수 있 어서 바람직 하 다 . 즉 , 도 2 에 상기 기판 ( 10 ) 을 가열 하 여 산화 실리콘 막 ( 20 ) 을 형성 하 는 것 이 다 . 본 발명 에서 는 이 산화 실리콘 막 ( 20 ) 의 두께 가 800 ~ 1200 Å 가 되 도록 한다 .