도 5 를 참조 하 면 , 본 실시 예 에 따른 집적 형 인덕 터 는 실리콘 기판 ( 10 ) , 실리콘 기판 상 에 형성 되 는 제 1 층간 절 연막 ( 12 ) , 제 1 층간 절 연막 상 에 형성 되 는 소정 패턴 의 고저 항 폴리 ( 22 ) , 고저 항 폴리 ( 22 ) 상 에 형성 되 는 제 2 층간 절 연막 ( 14 ) , 제 2 층간 절 연막 상 에 형성 되 는 금속 성 탭 ( 24 ) , 금속 성 탭 상 에 형성 되 는 제 3 층간 절 연막 ( 16 ) , 제 3 층간 절 연막 상 에 형성 되 는 나선 형 금속 배선 ( 30 ) , 및 나선 형 금속 배 선 상 에 형성 되 는 보호막 ( 40 ) 을 구비 한다 . 여기 서 , 고저 항 폴리 ( 22 ) 는 나선 형 금속 배선 ( 24 ) 에 유기 되 는 전류 의 흐름 을 끊 는 방향 으로 연장 되 는 패턴 을 구비 하 며 , 금속 성 탭 ( 24 ) 은 비아 ( 미 도시 ) 를 통해 고저 항 폴리 ( 22 ) 에 접속 된다 . 그리고 나선 형 금속 배선 ( 30 ) 은 안쪽 금속 라인 의 폭 이 바깥쪽 금속 라인 의 폭 보다 작 게 설계 된다 .