예시 적 인 실시 예 들 에 있 어서 , 기판 처리 장치 ( 10 ) 는 플 라즈 마 를 이용 하 여 기판 을 식각 하 기 위한 플 라즈 마 처리 장치 일 수 있 다 . 예 를 들 면 , 기판 처리 장치 ( 10 ) 는 유도 결합 형 플 라즈 마 ( ICP , induced coupled plasma ) 챔버 ( 20 ) 내 에 배치 된 포토 마스크 기판 과 같 은 기판 상 의 식각 대상 막 을 식각 하 기 위한 장치 일 수 있 다 . 하지만 , 상기 플 라즈 마 처리 장치 에 의해 생성 된 플라 즈 마는 유도 결합 형 플 라즈 마 에 제한 되 지 는 않 으며 , 예 를 들 면 , 용량 결합 형 플 라즈 마 , 마이크로웨이브 형 플 라즈 마 를 생성 할 수 있 다 . 또한 , 상기 플 라즈 마 처리 장치 는 반드시 식각 장치 로 제한 되 지 않 으며 , 예 를 들 면 , 증착 장치 , 세정 장치 등 으로 사용 될 수 있 다 . 여기 서 , 상기 기판 은 포토 마스크 기판 , 반도체 기판 , 유리 기판 등 을 포함 할 수 있 다 .