도 2 i 에 도시 된 바 와 같이 , 평탄 화 된 스 페이서 ( 23 a ) 를 습식 딥 ( dip ) 방식 으로 제거 한다 . 그 결과 , 기판 결과물 상 에 는 스 페이서 ( 23 a ) 의 폭 ( w 3 ) 정도 로 이격 된 제 1 식각 마스크 패턴 ( 22 a ) 및 제 2 식각 마스크 패턴 ( 24 a ) 이 잔류 하 고 , 제 1 식각 마스크 패턴 ( 22 a ) 패턴 의 하부 폭 ( w 1 ) 과 제 2 식각 마스크 패턴 ( 24 a ) 의 폭 ( w 2 ) 은 20 nm 이하 로 미세 하 게 형성 된다 . 따라서 , 이러 한 식각 마스크 패턴 ( 22 a , 24 a ) 을 이용 하 여 하부 층 을 식각 하 면 20 nm 이하 의 폭 을 갖 는 초미세 패턴 을 형성 할 수 있 다 . 이때 , 바람직 하 게 는 스 페이서 ( 23 a ) 의 폭 ( w 3 ) 을 조절 하 여 제 1 식각 마스크 패턴 ( 22 a ) 의 하부 폭 ( w 1 ) 과 제 2 식각 마스크 패턴 ( 24 a ) 의 폭 ( w 2 ) 을 거의 동일 하 게 조절 할 수 도 있 다 .