도 9 b 에서 , 금속화 패턴 ( 126 ) 과 , 시일 링 링 ( 140 ) 의 제 1 층 ( 140 A ) 이 동시 에 형성 된다 . 금속화 패턴 ( 126 ) 과 제 1 시 일 링 링 층 ( 140 A ) 은 유전체 층 ( 124 ) 의 주표 면 상 에서 그리고 주 표면 을 따라 연장 되 는 라인 부분 ( 전도성 라인 이 라고 도 함 ) 을 포함 한다 . 금속화 패턴 ( 126 ) 과 제 1 시 일 링 링 층 ( 140 A ) 은 , 유전체 층 ( 124 ) 을 통해 연장 되 어 쓰루 비아 ( 116 ) 및 집 적 회로 다이 ( 50 ) 를 물리 적 으로 그리고 전기 적 으로 결합 시키 는 비아 부분 ( 전도성 비아 라고 도 함 ) 를 더 포함 한다 . 금속화 패턴 ( 126 ) 과 제 1 시 일 링 링 층 ( 140 A ) 을 형성 하 는 일례 로서 , 시드 층 이 유전체 층 ( 124 ) 위 에 그리고 그 유전체 층 ( 124 ) 을 통해 연장 되 는 개구부 ( 125 A 및 125 B ) 내 에 형성 된다 . 일부 실시 형태 에서 는 , 시드 층 이 금속 층 이 며 , 이것 은 단일 층 이 거나 , 상이 한 재료 로 형성 된 복수 의 서브 층 을 포함 하 는 복합 층 일 수 있 다 . 일부 실시 형태 에 있 어서 , 시드 층 은 티탄 층 과 그 티탄 층 위 에 구리 층 을 포함 할 수 있 다 . 시드 층 은 예컨대 PVD 등 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 . 그런 다음 , 포토레지스트 가 시드 층 상 에 형성 되 어 패 터닝 된다 . 포토레지스트 는 스핀 코팅 등 으로 형성 될 수 있 고 패 터닝 을 위해 노광 될 수 있 다 . 포토레지스트 의 패턴 은 금속화 패턴 ( 126 ) 과 제 1 시 일 링 링 층 ( 140 A ) 에 대응 한다 . 시드 층 을 노출 시키 기 위해 패 터닝 은 포토레지스트 를 관통 하 는 개구부 를 형성 한다 . 그런 다음 , 포토레지스트 의 개구부 내 에 그리고 시드 층 의 노 출부 상 에 전도성 재료 가 형성 된다 . 전도성 재료 는 전기 도금 이나 무전 해 도금 등 의 도금 에 의해 형성 될 수 있 다 . 전도성 재료 는 금속 , 동종 구리 , 티탄 , 텅스텐 , 알루미늄 , 등 을 포함 할 수 있 다 . 전도성 재료 및 시드 층 의 하측 부분 의 조합 이 금속화 패턴 ( 126 ) 과 제 1 시 일링 링 층 ( 140 A ) 을 형성 한다 . 전도성 재료 가 형성 되 지 않 은 시드 층 의 부분 과 포토레지스트 가 제거 된다 . 포토레지스트 는 예컨대 산소 플라 즈 마 또는 동류 를 이용 하 여 , 조건 에 맞 는 애 싱 또는 박리 공정 에 의해 제거 될 수 있 다 . 포토레지스트 가 제거 되 면 , 시드 층 의 노 출부 는 , 예컨대 습식 또는 건식 에칭 등 의 조건 에 맞 는 에칭 공정 을 사용 하 여 제거 된다 .