반도체 층 이 In - M - Zn 산화물 인 경우 , In - M - Zn 산화물 을 성막 하 기 위하 여 사용 하 는 스퍼터링 타깃 은 M 에 대한 In 의 원자 수비 가 1 이상 인 것 이 바람직 하 다 . 이러 한 스퍼터링 타깃 의 금속 원소 의 원자 수비 로서 In : M : Zn = 1 : 1 : 1 , In : M : Zn = 1 : 1 : 1 . 2 , In : M : Zn = 2 : 1 : 3 , In : M : Zn = 3 : 1 : 2 , In : M : Zn = 4 : 2 : 3 , In : M : Zn = 4 : 2 : 4 . 1 , In : M : Zn = 5 : 1 : 3 , In : M : Zn = 10 : 1 : 3 , In : M : Zn = 5 : 1 : 6 , In : M : Zn = 5 : 1 : 7 , In : M : Zn = 5 : 1 : 8 , In : M : Zn = 6 : 1 : 6 , In : M : Zn = 5 : 2 : 5 등 을 들 수 있 다 . 또한 상기 구성 에서 , 원소 M 으로서 2 종류 이상 의 원소 를 포함 하 는 경우 , 상기 원자 수비 에서 의 M 의 비율 은 상기 2 종류 이상 의 금속 원소 의 원자 수 의 합계 에 대응 하 는 것 으로 한다 .