도 4 b 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 소정 두께 잔존 한 도전 층 ( 165 ) 을 포함 한 기판 전면 에 As , P , B 등 의 이온 을 통한 이온 주입 공정 을 수행 한다 . 따라서 , 상기 이온 주입 공정 은 감광막 패턴 ( 150 ) 이 정의 된 영역 이 제외 된 도전 층 에 만 선택 적 으로 이온 을 주입 하 여 , 도핑 된 도전 층 ( 165 a ) 을 형성 한다 .