도 4 a 와 마찬가지 로 , 기판 ( 50 ) 위 에 도전 막 을 형성 하 고 , 도전 막 위 에 레지스 트 를 도포 하 고 , 제 1 포토 마스크 를 사용 한 포토 리소그래피 공정 에 의하 여 형성 한 레지스 트 마스크 를 사용 하 여 도전 막 을 부분 적 으로 에칭 하 여 게이트 전극 ( 51 ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 도 9 a 에 도시 하 는 바 와 같이 , 게이트 전극 ( 51 ) 위 에 게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 미결정 반도체 막 ( 45 ) , 버퍼 층 ( 54 ) , 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 반도체 막 ( 55 ) , 및 도전 막 ( 65 a 내지 65 c ) 을 순차 로 형성 한다 . 다음 에 , 도전 막 ( 65 c ) 위 에 레지스 트 ( 80 ) 를 도포 한다 .