도 2 a 를 참조 하 면 , 정보 저 장막 ( 155 ) 은 게이트 ( 165 ) 를 감싸 는 형태 로 형성 될 수 있 다 . 일례 로 , 정보 저 장막 ( 155 ) 은 수직 채널 ( 140 ) 과 접하 며 게이트 ( 165 ) 의 상하 면 을 감싸 는 형태 를 갖 는 터널 절 연막 ( 151 ) 과 , 게이트 ( 165 ) 의 일 측면 및 상하 면 들 에 접하 는 형태 를 갖 는 블록 킹 절 연막 ( 153 ) 과 , 터널 절 연막 ( 151 ) 과 블록 킹 절 연막 ( 153 ) 사이 에 개재 된 트랩 절 연막 ( 152 ) 을 포함 할 수 있 다 . 터널 절 연막 ( 151 ) 은 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 과 실리콘 질화 막 ( SiN , Si 3 N 4 ) 중 어느 하나 를 포함 하 고 , 트랩 절 연막 ( 152 ) 은 실리콘 질화 막 을 포함 하 고 , 블록 킹 절 연막 ( 153 ) 은 실리콘 산화 막 과 알루미늄 산화 막 ( AlO , Al 3 O 4 ) 중 어느 하나 를 포함 할 수 있 다 . 다른 예 로 , 트랩 절 연막 ( 152 ) 은 플로팅 게이트 로 대체 될 수 있 다 . 게이트 ( 165 ) 는 수직 채널 ( 140 ) 을 둘러싸 며 , 게이트 ( 165 ) 와 수직 채널 ( 140 ) 사이 에 정보 저 장막 ( 155 ) 이 개재 되 므로써 셀 ( 20 ) 을 구성 할 수 있 다 . 셀 ( 20 ) 은 게이트 ( 165 ) 가 가령 도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 메모리 게이트 ( 165 w ) 이 면 메모리 셀 이 고 , 이 와 다르 게 선택 게이트 ( 165 g , 165 s ) 이 면 비 메모리 셀 일 수 있 다 . 정보 저 장막 ( 155 ) 의 구조 는 도 2 b 내지 2 f 를 참조 하 여 후술 한 바 와 같이 다양 하 게 변형 될 수 있 다 . 이하 에선 구분 편의 상 도면 부호 를 바꾸 어 정보 저장 막 에 대해 설명 한다 .