상기 제 3 반응 가스 로부터 생성 된 제 2 산소 라디칼 과 제 2 예비 산화 막 ( 110 ) 에 포함 된 실리콘 사이 의 반응 에 따라 제 2 예비 산화 막 ( 110 ) 이 하부 산화 막 ( 118 ) 으로 변화 되 는 동시 에 하부 산화 막 ( 118 ) 상 에 실리콘 산화물 로 이루어진 상부 산화 막 ( 125 ) 이 형성 된다 . 상기 제 2 산소 라디칼 을 형성 하 기 위한 상기 제 2 산화 공정 동안 , 예비 질화 막 ( 115 ) 에 포함 된 질소 원자 들 이 대 상체 ( 100 ) 내 로 확산 됨 으로써 , 예비 질화 막 ( 115 ) 의 두께 보다 실질 적 으로 두꺼운 두께 를 갖 는 질화 막 ( 120 ) 이 대 상체 ( 100 ) 상 에 형성 된다 . 본 발명 의 다른 실시 예 들 에 있 어서 , 리모트 플 라즈 마 방식 또는 다이렉트 플라 즈 마 방식 을 이용 하 여 형성 된 제 2 산소 라디칼 ( O *) 과 제 2 예비 산화 막 ( 110 ) 에 포함 된 실리콘 을 반응 시켜 상부 산화 막 ( 125 ) 을 형성 할 수 있 다 .