본 발명 의 일 실시 예 에 따른 메모리 장치 ( 200 ) 는 , 메모리 컨트롤러 ( 220 ) 가 메모리 셀 ( 210 ) 에 공급 하 는 전원 에 의해 동작 할 수 있 다 . 도 5 를 참조 하 면 , 메모리 셀 ( 210 ) 은 하부 전극 ( 211 ) , 가열 전극 ( 212 ) , 정보 저장 소자 ( 214 ) , 스위치 소자 ( 215 ) 및 상부 전극 ( 216 ) 등 을 포함 할 수 있 다 . 하부 전극 ( 211 ) 과 상부 전극 ( 216 ) 은 워드 라인 또는 비트 라인 등 을 통해 메모리 컨트롤러 ( 220 ) 가 출력 하 는 전압 을 공급 받 을 수 있 다 . 가열 전극 ( 212 ) 의 주변 에 는 절연 층 ( 213 ) 이 마련 될 수 있 으며 , 가열 전극 ( 212 ) 과 인접 하 는 정보 저장 소자 ( 214 ) 의 일부 영역 ( 214 a ) 에서 , 메모리 컨트롤러 ( 220 ) 가 공급 하 는 전원 에 의한 상변화 가 발생 할 수 있 다 .