동일 하 게 , 트랜지스터 ( M 214 ) 및 트랜지스터 ( M 215 ) 는 선택 된 제어 전류 ( ISEL ) 의 또 다른 미러 링 된 버전 을 제공 하 는 전류 미러 를 구성 한다 . 선택 된 제어 전류 ( ISEL ) 의 이 미러 링 된 버전 은 서로 결합 되 어 있 는 게이트 및 드레 인 을 갖 는 트랜지스터 ( M 212 ) 를 통해 흐른다 . 즉 , 트랜지스터 ( M 212 ) 는 다이오드 구성 으로 배열 되 고 그 의 게이트 와 그 의 소스 사이 에서 선택 된 제어 전류 ( ISEL ) 의 함수 로서 변동 되 는 전압 을 생성 한다 . 이 전압 은 트랜지스터 ( M 211 ) 의 게이트 와 소스 사이 에 부과 된다 . 트랜지스터 ( M 211 ) 는 그 에 따라 바이어 싱 되 고 , 트랜지스터 ( M 212 ) 의 것 의 두 배 인 W / L 비율 을 가지 며 도 2 에 도시 되 어 있 는 기준 전압 캐 패 시 턴 스 ( Cr ) 가 선택 된 제어 전류 ( ISEL ) 를 초과 하 는 충전 전류 를 수신 하 는 것 을 효과 적 으로 방지 한다 .