이 와 같이 , p - 형 산화아연 층 ( 216 p ) 과 n - 형 산화아연 층 ( 216 n ) 이 접합 된 형태 의 구조 를 갖 는 제 1 산화아연 층 ( 216 a ) 을 얻 은 후 에 는 경우 에 따라 도 펀트 층 ( 214 a ) 을 제거 할 필요 가 있 을 수 있 는데 , 도 펀트 층 ( 214 a ) 의 성질 에 따라 화학 적 기계 적 연마 ( CMP : chemical mechanical polishing ) , 당 기술 분야 에 알려진 건식 식각 방법 을 이용 하 여 제거 할 수 도 있 다 .