유기 EL 표시 장치 나 액정 표시 장치 등 의 주변 회로 에 적용 가능 한 이동도 가 높 은 박막 트랜지스터 ( 이하 「 TFT 」 라고 함 ) 로서 , 다 결정 Si 를 반도체 층 에 적용 한 poly - Si TFT 가 있 다 . 특히 , TFT 를 보다 저온 에서 형성 하 기 위해서 , Ge 를 도입 한 다결정 SiGe 를 반도체 층 에 적용 하 는 방법 이 있 다 . JP - A - 2002 - 231958 에서 는 , 이동도 특성 을 향상 시키 기 위해서 , Ge 를 결정립계 에 편석 하 는 구성 이 개시 되 어 있 다 .