도 2 는 제조 의 중단 단계 에서 활물질 소자 ( 100 ) 를 도시 한다 . 상기 소자 는 기판 ( 105 ) 상 에 형성 된 하부 전극 ( 110 ) 을 포함 한다 . 일반 적 으로 기판 ( 105 ) 은 트랜지스터 들 , 다이오드 들 , n - 도핑 된 영역 들 , p - 도핑 된 영역 들 , 또는 상기 소자 에 접근 하 거나 동작 하 기 위하 여 필요 한 다른 회로 들 또는 구성 요소 들 을 포함 할 수 있 는 실리콘 웨이퍼 이 다 . 하부 전극 ( 110 ) 은 도전 층 , 일반 적 으로 금속 , 금속 합금 , 금속 조성물 , 또는 탄소 이 다 . 대표 적 인 하부 전극 물질 들 은 Ti , TiN , TiAlN , TiSiN , TiW , C , W , Mo , MoN , 및 TaN 을 포함 한다 . 절연체 층 ( 115 ) 은 하부 전극 ( 110 ) 위 에 형성 된다 . 절연체 층 ( 115 ) 은 가장 일반 적 으로 산화물 ( 예 를 들 어 , SiO 2 ) 또는 질화물 ( 예 를 들 어 , Si 3 N 4 ) 이 고 , 개구 ( opening ) 를 포함 한다 . 도 2 에 나타난 일 실시 예 에 있 어서 , 절연체 층 ( 115 ) 의 상기 개구 는 경사진 측벽 들 ( 120 ) 을 가진다 . 다른 실시 예 들 에 있 어서 , 상기 측벽 들 은 실질 적 으로 수직 일 수 있 다 . 상기 개구 는 상기 하부 전극 과 활물질 ( 130 ) 사이 에 콘 택 구역 을 구축 한다 . 상기 소자 를 프로그래밍 하 기 에 필요 한 에너지 를 최소 화 하 기 위하 여 , 상기 콘 택 구역 을 최소 화 하 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 개구 는 리 소그 래픽 디 멘 전 ( dimension ) 을 달성 하 기 위하 여 표준 리 소그 래픽 기술 들 ( 예 를 들 어 , 마스킹 및 식각 ) 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 상기 개구 는 홀 , 트렌치 ( trench ) , 또는 함몰 ( depression ) 된 형태 일 수 있 다 . 선택 적 으로 , 해당 기술 분야 에서 알려진 바 와 같이 , 서브 - 리 소그 래픽 ( sub - lithographic ) 디 멘 전 들 은 상기 개구 들 내 에 측벽 스 페이서 를 포함 함 으로써 달성 될 수 있 다 . ( 도 2 에 는 도시 되 지 않 음 )