본 발명 의 다른 실시 예 에 있 어서 , 열 산화 막 ( 118 ) 은 화학 기상 증착 ( CVD ) 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 이 와 같이 화학 기상 증착 공정 을 통해 열 산화 막 ( 118 ) 을 형성 하 는 경우 , 열 산화 막 ( 118 ) 이 제 1 트렌치 ( 110 ) 및 제 2 트렌치 ( 116 ) 의 측벽 및 저면 뿐 만 아니 라 제 1 패턴 들 ( 104 ) 및 제 2 패턴 들 ( 106 ) 의 표면 을 따라 연속 적 으로 형성 될 수 있 다 .