본 발명 의 규소 함유 레지스 트 하층 막 형성 용 조성물 을 이용 하 면 , LWR 이나 CDU 가 양호 한 상층 레지스 트 패턴 을 형성 할 수 있 을 뿐 만 아니 라 , 이것 에 의해 형성 된 규소 함유 레지스 트 하 층막 이 , 상층 레지스 트 ( 포토레지스트 막 ) 및 유기 하층 막 과 의 드라이 에칭 선택 성 이 우수 하 기 때문 에 , 수율 좋 게 반도체 장치 용 패턴 을 기판 에 형성 할 수 있 다 .