이 와 같이 , 제 1 포토레지스트 층 ( 200 ) 이 형성 되 면 , 마스크 ( 도시 하 지 않 음 ) 을 통해 기판 의 배 선부 ( 110 ) 에 대응 하 는 부위 만 을 선택 적 으로 노광 시켜 , 제 1 포토레지스트 층 ( 200 ) 의 포토레지스트 물질 을 변질 시키 고 , 변질 된 포토레지스트 층만 을 선택 적 으로 식각 제거 할 수 있 는 식각 용액 을 이용 하 여 제 1 포토레지스트 층 ( 200 ) 에서 배 선부 ( 110 ) 에 대응 하 는 부위 만 을 식각 제거 하 여 프로브 카드 용 접촉 소자 의 기둥 부 에 대한 금형 을 형성 한다 .