또한 , 상기 기판 의 제 1 도전 패턴 ( 102 b ) 들 사이 에 는 절 연막 패턴 ( 104 ) 이 구비 된다 . 상기 절 연막 패턴 ( 104 ) 은 실리콘 산화물 로 이루어질 수 있 다 . 상기 절 연막 패턴 ( 104 ) 의 상부 면은 상기 제 1 도전 패턴 ( 102 b ) 의 상부 면 과 동일 한 평면 에 위치 하 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 절 연막 패턴 ( 104 ) 및 상기 제 1 도전 패턴 ( 102 b ) 들 에 의해 상기 기판 ( 100 ) 의 콘 택 형성 영역 이 노출 된다 .