일부 구 현예 에서 , 복사선 개질 가능 층 의 형성 은 , 기판 상 에 하부 층 , 예 를 들 어 비정질 탄소 ( sp 3 / sp 2 탄소 ) 하부 층 의 증착 을 포함 한다 . 비정질 탄소 하부 층 은 , 예 를 들 어 탄화수소 함유 전구체 , 및 귀 가스 플 라즈 마 , 예 를 들 어 헬륨 플라 즈 마 또는 아르곤 플 라즈 마 와 같 은 플 라즈 마 에 의해 증착 될 수 있 다 . 복사선 개질 가능 층 은 추가 플 라즈 마 처리 에 의해 하부 층 의 표면 상 에 형성 될 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 복사선 개질 가능 층 은 비정질 탄소 하부 층 상 에 표면 작용기 , 예컨대 NH 2 , Cl , F 및 CH 3 작용기 를 포함 한다 . 예 시 적 인 구 현예 에서 , 이러 한 기 는 , 하부 층 을 플 라즈 마 처리 를 거치 게 함 으로써 비정질 탄소 하부 층 의 표면 상 에 형성 될 수 있 고 , 여기 서 F , Cl , N , 및 / 또는 H 를 포함 한 플 라즈 마가 사용 된다 . 따라서 형성 된 NH 2 , Cl , F 및 / 또는 CH 3 작용기 는 , 극자외선 ( EUV ) 으로 의 노광 시 C - NH 2 , C - Cl , C - F , 및 / 또는 C - CH 3 결 합의 분리 에 기인 하 여 손상 될 수 있 고 , 그 다음 웨이퍼 가 산소 에 노출 되 는 경우 C - OH 기 로 교체 될 수 있 다 . 산소 는 , 예 를 들 어 반응기 챔버 내 노출 에 의해 , 또는 기판 을 공기 에 노출 시킴 으로써 제공 될 수 있 다 .