본 발명 의 실시 예 에 따른 지문 센서 는 센서 기판 ; 사용 자 의 터치 에 대응 한 정전 용량 변화 를 감지 하 고 , 각각 이 센서 전극 을 포함 하 는 복수 의 센서 화소 들 ; 및 상기 센서 기판 및 상기 복수 의 센서 화소 들 을 보호 하 는 센서 보호 층 을 포함 하 고 , 상기 센서 보호 층 은 상기 센서 전극 상 에 위치 한 제 1 영역 및 상기 제 1 영역 과 다른 제 2 영역 을 포함 하 고 , 상기 제 1 영역 은 제 1 유전율 을 갖 고 , 상기 제 2 영역 은 상기 제 1 유전 율 보다 작 은 제 2 유전율 을 가질 수 있 다 .