본 명세서 에 기재 된 방법 ( 1100 ) 및 장치 의 일부 예시 는 강유 전 성 메모리 셀 에 대한 타깃 논리 상태 가 제 2 논리 상태 일 수 있 음 을 결정 하 고 , 타깃 논리 상태 가 제 2 논리 상태 임 을 기초 로 , 디 지트 라인 의 전압 을 제 2 전압 에서 제 1 전압 으로 감소 시키 며 , 디 지트 라인 의 전압 을 제 2 전압 으로 감소 시키 는 것 을 기초 로 제 2 논리 상태 를 강유 전 성 메모리 셀 에 쓰 기 위한 동작 , 특징 부 , 수단 , 또는 명령 을 더 포함 할 수 있 다 .