다음 에 , 제 1 레지스 트 마스크 ( 112 ) 를 이용 하 여 제 2 에칭 을 행한다 . 즉 , 제 1 도 전막 ( 102 ) 을 에칭 하 여 , 게이트 전극 층 ( 116 ) 을 형성 한다 ( 도 1 ( C ) , 도 4 ( C ) , 도 7 ( C ) , 도 10 ( C ) , 도 13 ( C ) , 도 17 을 참조 ) . 이 에칭 공정 을 제 2 에칭 이 라고 부른다 .