이 어 , 도 19 를 참조 하 면 , 도 18 의 결과물 에 대해 전면 식각 을 진행 하 여 , 제 3 개 구부 ( OP 3 ) 에 의해 노출 된 패 시베이 션 층 ( 164 a ) 을 제거 하 여 소스 전극 ( SEL ) 의 표면 을 노출 하 는 제 3 컨 택 홀 ( CNT 3 ) 을 형성 하 고 , 제 4 개 구부 ( OP 4 ) 에 의해 노출 된 패 시베이 션 층 ( 164 a ) 을 제거 하 여 패드 영역 ( PDA ) 의 제 1 게이트 도전 층 ( 130 ) 상부 의 층간 절 연막 ( 163 a ) 을 노출 한다 . 전면 식각 은 건식 식각 으로 진행 될 수 있 다 . 본 단계 에서 , 전면 식각 에 노출 된 비아 층 ( 165 a ) 도 패 시베이 션 층 ( 164 a ) 과 함께 식각 되 어 그 높이 ( 두께 ) 가 감소 할 수 있 다 . 나아가 , 제 4 개 구부 ( OP 4 ) 에 의해 노출 된 층간 절 연막 ( 163 a ) 에 대한 부분 식각 을 더 진행 하 여 패드 영역 ( PDA ) 의 층간 절 연막 ( 163 a ) 의 두께 를 더 감소 시킬 수 있 다 . 즉 , 도 19 의 식각 공정 결과 표시 영역 ( DPA ) 의 게이트 도전 층 ( 130 ) 상부 의 층간 절 연막 ( 163 a ) 의 두께 보다 패드 영역 ( PDA ) 의 게이트 도전 층 ( 130 ) 상부 의 층간 절 연막 ( 163 a ) 의 두께 가 더 작아질 수 있 다 . 다만 , 이 경우 에 도 , 패드 영역 ( PDA ) 의 게이트 도전 층 ( 130 ) 은 노출 되 지 않 고 층간 절 연막 ( 163 a ) 에 의해 덮이 도록 제어 된다 . 이 와 같이 , 본 단계 에서 패드 영역 ( PDA ) 의 층간 절 연막 ( 163 a ) 의 두께 를 감소 시키 면 , 후속 하 는 패드 영역 ( PDA ) 의 게이트 도전 층 ( 130 ) 을 노출 하 는 전면 식각 공정 을 보다 효과 적 으로 진행 할 수 있 다 .