도 8 d 를 참조 하 면 , 도 5 h 내지 도 5 p 와 유사 한 공정 을 수행 하 여 , 블로킹 유전 막 ( 125 b ) 상 에 전하 저 장막 ( 130 b ) , 터널 링 유전 막 ( 140 ) , 채널 막 ( 150 ) , 및 매립 절 연막 ( 156 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 이 후 , 복수 의 희생 막 ( 도 8 c 의 PLc ) 을 제거 한 공간 을 채우 는 복수 의 워드 라인 구조물 ( WSc ) 를 형성 하 여 , 집적회로 소자 ( 100 c ) 를 형성 할 수 있 다 . 복수 의 워드 라인 구조물 ( WSc ) 각각 은 채널 막 ( 150 ) 을 향하 는 단부 에 제 3 방향 ( Z 방향 ) 으로 높이 가 희생 막 ( PLc ) 가 나머지 부분 의 높이 보다 작 은 값 을 가지 는 트리밍 부 ( WTR ) 을 가질 수 있 다 .