얇 은 ( 예 를 들 어 , 수백 옹스트롬 이하 ) 게르마늄 및 / 또는 ( 도시 되 지 않 은 ) 실리콘 - 게르마늄 합금 층 ( 도시 되 어 있 지 않 음 ) 은 n + 실리콘 층 ( 416 ) 으로부터 고유 실리콘 층 ( 418 ) 내 로 도 펀트 이동 을 감소 시키 거나 및 / 또는 방지 하 기 위해 고유 실리콘 층 ( 418 ) 의 증착 에 앞서 n + 실리콘 층 ( 416 ) 위 에 형성 할 수 있 다 ( 이전 에 포함 된 ' 331 출원 에 기술 한 바 와 같 음 ) .