종래 부터 고 성능 의 전자 및 광전자 소자 용 질화 갈륨 계 반도체 에피 텍 셜 적층 구조 를 성장 하 기 위해서 사파이어 ( sapphire ) , 실리콘 카바이드 ( silicon carbide ) , 실리콘 ( silicon ) , 또는 갈륨 아세 나 이드 ( gallium asenide ) 등 과 같이 이종 물질 기판 ( hetero - substrate ) 이 개발 되 어 사용 되 어 오 고 있 다 .