본 발명 은 , 이 와 같 은 상황 을 감안 하 여 이루어진 것 으로써 , 정공 리크 방지 특성 , 전자 수송 특성 , 디바이스 제작 , 프로세스 온도 에 대한 내열성 , 가시 광 투명 성 등 이 우수 한 블록 층 의 재료 가 되 는 광전 변환 소자 용 재료 및 , 당해 광전 변환 소자 용 재료 를 포함 하 는 광전 변환 소자 를 비롯 한 여러 가지 의 일렉트로닉스 디바이스 를 제공 하 는 것 을 목적 으로 한다 .