이어서 , 메모리 셀 영역 에서 소자 분리 막 의 EFH ( Effective Field oxide Height ) 를 조절 하 기 위해 식각 공정 을 실시 한다 . 이때 , 식각 공정 은 주변 회로 영역 은 닫히 고 , 셀 영역 만 개방 된 구조 를 갖 는 감광막 패턴 을 식각 마스크 로 사용 하 여 실시 한다 . 예컨대 , 식각 공정 은 BOE 용액 또는 탈 이 온수 에 희석 된 HF 용액 으로 실시 한다 .