상기 제 1 산화 공정 을 수행 함 에 따라서 , 상기 제 1 방향 으로 서로 이격 된 전하 트래핑 패턴 들 ( 232 ) 사이 의 예비 전하 트래핑 패턴 ( 230 ) 부분 이 산화 되 어 , 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) 을 포함 하 는 분리 패턴 ( 234 ) 이 형성 될 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 들 에 있 어서 , 기판 ( 100 ) 상면 에 대한 분리 패턴 ( 234 ) 의 상면 혹은 하면 의 기울기 의 절대값 은 터널 절연 패턴 ( 240 ) 으로부터 제 1 블로킹 패턴 ( 220 ) 을 향해 다가갈수록 점차 감소 할 수 있 다 .