본 발명 에서 는 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 사각 형상 으로 이루어진 태양 전지용 웨이퍼 ( 100 ) 를 적용 하 지만 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 고 4 모서리 부분 이 테 이 퍼진 사각 형상 을 적용 할 수 도 있 다 . 또 상기 웨이퍼 ( 100 ) 는 도 7 에 도시 된 바 와 같이 , 상부 및 하부 에 각각 다수 의 전도 층 으로서 상부 전극 ( 50 ) 과 하부 전극 ( 60 ) 이 형성 된 HIT ( Hetrojunction with Intrinsic Thin lyaer ) 구조 를 적용 할 수 있 다 . 즉 웨이퍼 상 에 는 다수 의 스트립 ( 200 ) 의 각각 대응 하 여 다수 의 전도 층 이 마련 된다 .