또한 도 5 의 ( A ) 및 ( C ) 에 도시 된 바 와 같이 , 채널 폭 방향 에서 도전 층 ( 112 ) 및 도전 층 ( 106 ) 이 반도체 층 ( 108 ) 의 단부 보다 외측 에 돌출 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이때 , 도 5 의 ( C ) 에 도시 된 바 와 같이 , 반도체 층 ( 108 ) 의 채널 폭 방향 의 전체 가 절연 층 ( 110 ) 과 절연 층 ( 103 ) 을 개재 하 여 도전 층 ( 112 ) 과 도전 층 ( 106 ) 으로 덮인 구성 이 된다 .