상기 제 2 하부 전극 층 ( 44 L ) 의 평탄 화 에 는 화학 기계 적 연마 ( chemical mechanical polishing ; CMP ) 공정 , 에치 - 백 ( etch - back ) 공정 , 또는 이 들 의 조합 이 적용 될 수 있 다 . 본 발명 기술 적 사상 의 실시 예 들 에 따르 면 , 상기 상부 스 페이서 ( 41 ) 는 상기 제 2 하부 전극 ( 44 ) 의 상기 상부 ( 44 B ) 에 의하 여 완전히 덮일 수 있 다 . 상기 상부 ( 44 B ) 및 상기 제 2 층간 절연 층 ( 36 ) 의 상부 표면 들 은 , 상기 상부 스 페이서 ( 41 ) 가 노출 되 는 경우 에 비하 여 , 현저히 평평 한 평면 을 가질 수 있 다 . 상기 상부 ( 44 B ) 및 상기 제 2 층간 절연 층 ( 36 ) 의 상부 표면 들 은 실질 적 으로 동일 평면 상 에 노출 될 수 있 다 .