다른 실시 예 에서 트랜지스터 들 ( T 1 ~ T 7 ) 은 N 형 ( NMOS ) 트랜지스터 들 일 수 있 다 . 이때 , 트랜지스터 들 ( T 1 ~ T 7 ) 의 채널 들 은 산화물 반도체 ( oxide semiconductor ) 로 구성 될 수 도 있 다 . 산화물 반도체 트랜지스터 는 저온 공정 이 가능 하 며 , 폴리 실리콘 에 비하 여 낮 은 전하 이동도 를 갖 는다 . 따라서 , 산화물 반도체 트랜지스터 들 은 턴 - 오프 상태 에서 발생 하 는 누설 전류 량 이 폴리 실리콘 트랜지스터 들 에 비해 작 다 .