이 표 5 에 나타내 는 결과 는 웨이퍼 W 상 의 에칭 형상 의 균일성 을 확인 하 기 위해 , 이하 의 방법 으로 웨이퍼 면내 의 임계 치수 ( CD ; critical dimension ) 의 차 를 계측 한 것 이 다 . CD 는 도 9 ( b ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 산화 규소 ( SiO 2 ) 막 ( 302 ) 과 질화규소 ( Si 3 N 4 ) 막 ( 303 ) 의 계면 에 있 어서 , 그 폭 을 계측 하 여 구하 였 다 .