여기 서 , 본 발명 의 실시 예 에서 는 , 설명 의 편의 를 위해 , 메모리 장치 ( 150 ) 가 , 플래시 메모리 , 예컨대 NAND 플래시 메모리 등 과 같 은 비휘발성 메모리 등 으로 구현 되 는 것 을 일 예 로 설명 하 지만 , 상변환 메모리 ( PCRAM : Phase Change Random Access Memory ) , 저항 메모리 ( RRAM ( ReRAM ) : Resistive Random Access Memory ) , 강유전체 메모리 ( FRAM : Ferroelectrics Random Access Memory ) , 및 스핀 주입 자기 메모리 ( STT - RAM ( STT - MRAM ) : Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory ) 등 과 같 은 메모리 들 중 어느 하나 의 메모리 로 구현 될 수 도 있 다 .