본 개시 의 일 측면 에 따르 는 비휘발성 메모리 장치 는 채널 층 을 구비 하 는 기판 , 상기 채널 층 상 에 배치 되 고 양 의 캐 패 시턴 스 를 구비 하 는 게이트 유전 층 구조물 , 상기 게이트 유전 층 구조물 상 에 배치 되 고 음 의 캐 패 시턴 스 를 구비 하 는 강유 전 층 , 및 상기 강유 전 층 상 에 배치 되 는 게이트 전극 층 을 포함 한다 . 상기 게이트 유전 층 구조물 은 상기 채널 층 상 에 배치 되 는 전하 터널 링 층 , 전하 트랩 층 및 전하 장벽 층 을 포함 한다 .