본 발명 의 제 8 면 에서 , ( 1 ) 제 1 방향 으로 확장 하 는 실질 적 으로 평행 하 고 실질 적 으로 공면 의 복수 의 제 1 도체 들 ; ( 2 ) 복수 의 다이오드 들 ; ( 3 ) 복수 의 가역 저항 전환 소자 들 ; 및 ( 4 ) 상기 제 1 방향 과 는 다른 제 2 방향 으로 확장 하 는 실질 적 으로 평행 하 고 실질 적 으로 공면 의 복수 의 제 2 도체 들 를 포함 한다 . 각각 의 메모리 셀 에서 , 상기 다이오드 들 중 하나 및 상기 가역 저항 전환 소자 들 중 하나 는 직렬 로 배열 되 고 , 상기 제 1 도체 들 중 하나 와 상기 제 2 도체 들 중 하나 사이 에 배치 된다 . 각각 의 가역 저항 전환 소자 는 선택 적 으로 제조 된 탄소 나노 튜브 ( CNT ) 물질 을 포함 한다 . 각각 의 가역 저항 전환 소자 는 상기 가역 저항 전환 소자 의 상기 CNT 물질 이 선택 적 으로 제조 되 는 패 터닝 및 에칭 된 CNT 시드 층 을 포함 한다 . 각각 의 가역 저항 전환 소자 의 상기 CNT 시드 층 은 도전 층 을 포함 한다 . 각각 의 가역 저항 전환 소자 의 상기 도전 층 은 질화 티탄 을 포함 한다 . 각각 의 가역 저항 전환 소자 의 상기 질화 티탄 층 은 요철 표면 을 갖 는 복수 의 비휘발성 메모리 셀 들 이 제공 된다 .