상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 일 측면 에 따른 본 발명 은 , 언 - 도프 트 폴리 실리콘 막 이 형성 된 기판 을 준비 하 는 단계 와 , 상기 언 - 도프 트 폴리 실리콘 막 상 에 도 펀트 가 함유 된 불순물 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 불순물 층 에 함유 된 도 펀트 를 상기 언 - 도프 트 폴리 실리콘 막 으로 확산 시키 는 단계 와 , 상기 언 - 도프 트 폴리 실리콘 막 상 에 상기 불순물 층 에 함유 된 도 펀트 와 동일 도전 형 을 갖 는 도 펀트 가 도핑 된 도프 트 폴리 실리콘 막 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .