또한 , 반 극성 질화물 단결정 박막 을 성장 시키 는 경우 , 기판 과 반 극성 질화물 단결정 박막 간 의 격자 상수 차이 로 인한 결정 결함 이 발생 하 게 되 는데 , 이러 한 결정 결함 은 발광 소자 동작 시 비 발광 재결합 ( non - radiative recombination ) 을 유발 시켜 높 은 열 을 발생 시킨다 . 따라서 , 광 추출 효율 의 향상 을 위해 반 극성 질화물 단결정 박막 의 결정 결함 을 최소 화 하 도록 성장 하 는 것 이 요구 된다 .