본 명세서 에 언급 된 바 와 같이 , 메모리 디바이스 는 , 메모리 셀 에 저장 된 논리 상태 를 감지 하 도록 구성 될 수 있 는 , 래치 ( latch ) 와 연결 된 감지 증폭기 를 포함 할 수 있 다 . 액세스 동작 의 제 1 부분 동안 , 각자 의 디 지트 라인 및 워드 라인 을 선택 함 으로써 ( 가령 , 이 의 전압 을 증가 시킴 으로써 ) 메모리 셀 은 제 1 지속 시간 동안 활성 화 될 수 있 다 . 액세스 동작 의 제 1 부분 이 , 예 를 들 어 , 호스트 디바이스 로부터 메모리 디바이스 에 의해 수신 될 수 있 는 활성 화 커맨드 를 기초 로 할 수 있 다 ( 가령 , 활성 화 커맨드 에 의해 트리거 될 수 있 다 ) . 제 1 지속 시간 동안 , 플레이트 의 전압 은 낮 게 유지 될 수 있 으며 , 메모리 셀 에 의해 이전 에 저장 된 논리 상태 가 감지 될 수 있 고 , 감지 된 논리 상태 가 래치 에 저장 될 수 있 다 . 제 1 지속 시간 동안 선택 된 디 지트 라인 및 플레이트 의 전압 값 의 결과 로서 , ( 가령 , 제 1 지속 시간 전 에 메모리 셀 에 저장 된 논리 상태 에 무관 하 게 , 따라서 감지 된 논리 상태 에 무관 하 게 ) 제 1 지속 시간 동안 제 1 논리 상태 ( 가령 , " 논리 "" 1 "") 가 메모리 셀 에 적어도 부분 적 으로 써질 수 있 다 . 논리 상태 에 따른 논리 값 ( 가령 "," 특정 논리 상태 가 "" 1 "" 또는 "" 0 "" 으로 지칭 되 는 것 ) 이 임의 의 판정 일 수 있 음 이 이해 될 것 이 다 . "