이하 에 나타낸 것 과 같이 , 본 실시 예의 구성 을 다른 표현 으로 기술 할 수 있 다 . 본 실시 예 에서 나타낸 화소 는 , 서로 평행 하 게 배치 된 제 1 내지 제 4 부 화소 와 , 서로 평행 하 게 배치 된 제 1 내지 제 4 신호선 ( 예 를 들 면 , S ( j + 2 ) 내지 S ( j + 5 ) ) 과 , 서로 평행 한 제 1 과 제 2 주사선 ( 예 를 들 면 , G ( i ) 과 G ( i + 1 ) ) 을 갖 고 있 다 . 제 1 과 제 4 부 화소 는 제 2 와 제 3 부 화소 의 사이 에 설치 되 고 , 제 1 부 화소 는 제 3 부 화소 보다 도 제 2 부 화소 에 가깝 고 , 제 4 부 화소 는 제 2 부 화소 보다 도 제 3 부 화소 에 가깝 다 . 제 1 내지 제 4 신호선 은 제 1 과 제 2 주사선 과 직교 하 고 있 고 , 제 2 와 제 3 신호선 은 제 1 과 제 4 신호선 의 사이 에 설치 되 고 , 제 2 신호선 은 제 4 신호선 보다 도 제 1 신호선 에 가깝 고 , 제 3 신호선 은 제 1 신호선 보다 도 제 4 신호선 에 가깝 다 . 제 1 내지 제 4 부 화소 는 , 제 2 신호선 , 제 3 신호선 , 제 1 주사선 및 제 2 주사선 에 둘러싸인 영역 에 설치 되 어 있 다 . 제 1 내지 제 4 부 화소 각각 은 TFT 를 갖 고 있 다 . 제 1 부 화소 의 TFT 는 제 2 주사선 과 제 3 신호선 에 의해 구동 되 고 , 제 2 부 화소 의 TFT 는 제 1 주사선 과 제 4 신호선 에 의해 구동 되 고 , 제 3 부 화소 의 TFT 는 제 2 주사선 과 제 2 신호선 에 의해 구동 되 고 , 제 4 부 화소 의 TFT 는 제 1 주사선 과 제 1 신호선 에 의해 구동 된다 . 더구나 , 제 1 부 화소 의 TFT 는 제 2 신호선 보다 도 제 3 신호선 에 더 가깝 게 배치 되 고 , 또한 제 1 주사선 보다 도 제 2 주사선 에 더 가깝 게 배치 된다 . 또한 , 제 2 부 화소 의 TFT 는 제 2 신호선 보다 도 제 3 신호선 에 더 가깝 게 배치 되 고 , 또한 제 2 주사선 보다 도 제 1 주사선 에 더 가깝 게 배치 된다 . 또한 , 제 3 부 화소 의 TFT 는 제 3 신호선 보다 도 제 2 신호선 에 더 가깝 게 배치 되 고 , 또한 제 1 주사선 보다 도 제 2 주사선 에 더 가깝 게 배치 된다 . 제 4 부 화소 의 TFT 는 제 3 신호선 보다 도 제 2 신호선 에 더 가깝 게 배치 되 고 , 또한 제 2 주사선 보다 도 제 1 주사선 에 더 가깝 게 배치 된다 . 본 실시 예 에 따르 면 , 모든 TFT 가 균등 한 간격 으로 배치 되 는 종래 의 배치 와 달리 , 다른 화소 에 포함 되 는 4 개 의 TFT 가 4 개 의 신호선 과 1 개 의 주사선 의 교 차부 근방 에 설치 되 어 1 개 의 TFT 군 을 형성 한다 . 이 TFT 군 에 있 어서 , 도 6 에 나타낸 것 과 같이 , 각각 의 TFT 는 주사선 또는 신호선 을 사이 에 끼워서 TFT 와 대향 하 도록 배치 함 으로써 , 종래 의 TFT 배치 와 비교 하 여 , TFT 가 각각 설치 되 는 영역 들 사이 의 간격 을 확장 할 수 있 다 . 즉 , 도 6 에 나타낸 것 과 같이 , 다른 화소 에 각각 속하 는 4 개 의 TFT 를 포함 하 는 TFT 군 사이 의 거리 X 1 은 , 종래 의 TFT 배치 에 있 어서 의 TFT 간 거리 보다 도 크 다 . 따라서 , SOI 층 형성 시 에 있 어서 의 위치 맞춤 의 마진 이 증대 한다 .