이때 , 제 1 n 측 핑거 ( 471 ) 와 제 2 n 측 핑거 ( 472 ) 는 각각 의 길이 ( L 31 , L 32 ) 가 서로 다르 게 방사형 으로 교대 로 반복 형성 되 되 , 제 1 n 측 핑거 ( 471 ) 는 수직 형 질화물 반도체 발광 소자 의 각 변 으로 각각 연장 형성 되 고 제 2 n 측 핑거 ( 472 ) 는 제 1 n 측 핑거 ( 471 ) 사이 에 개재 되 어 수직 형 질화물 반도체 발광 소자 의 모서리 방향 으로 제 1 n 측 핑거 ( 471 ) 의 길이 ( L 31 ) 보다 길 게 각각 연장 형성 될 수 있 다 .