열처리 및 / 또는 광 처리 는 통상 대기 중 에서 행해 지 지만 , 필요 에 따라 질소 , 아르곤 , 헬륨 등 의 불활성 가스 분위기 중 또는 수소 등 의 환원 분위기 중 에서 행할 수 도 있 다 . 열처리 및 / 또는 광 처리 의 처리 온도 는 분산매 의 비점 ( 증기압 ) , 분위기 가스 의 종류 나 압력 , 미립자 의 분산 성 이나 산화 성 등 의 열 적 거동 , 코팅 재의 유무 나 양 , 기재 ( 基 材 ) 의 내열 온도 등 을 고려 하 여 적절히 결정 된다 . 본 실시 예 에 서 는 , 토출 되 어 패턴 을 형성 한 기능 액 ( 40 ) 에 대하 여 대기 중 클린 오븐 에 의해 280 ∼ 300 ℃ 에서 300 분 간 의 소성 공정 이 행해진다 . 예 를 들 어 유기 은 화합물 의 유 기분 을 제거 하 기 위해서 는 , 약 200 ℃ 에서 소성 하 는 것 이 필요 하 다 . 또한 , 플라스틱 등 의 기판 을 사용 할 경우 에 는 , 실온 이상 250 ℃ 이하 에서 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 이상 의 공정 에 의해 토출 공정 후 의 건조 막 은 미립자 사이 의 전기 적 접촉 이 확보 되 어 도전 성 막 으로 변환 된다 .