한편 , 종래 기술 에서 는 경사면 을 포함 하 여 Au , Ag , Al 등 의 반사 성 금속 을 반도체 웨이퍼 의 상부 면 에 증착 하 였으나 , 본 발명 에서 는 도 6 의 ( d ) 에 도시 된 바 와 같이 경사면 을 포함 하 지 않 는 반도체 웨이퍼 의 하면 에 반사 성 금속 을 증착 하 여 코팅 층 ( 4 ) 을 형성 하 게 된다 . 반도체 웨이퍼 의 경우 제작 단계 에서 웨이퍼 의 양면 을 폴리 싱하 여 거 울면 을 만들 수 있 으며 , 연마 에 의해 형성 된 거 울면 은 매우 평활도 가 좋 아 난반사 가 일어나 지 않 는다 . 이렇게 제작 된 반도체 웨이퍼 를 도 6 의 ( e ) 에서 와 같이 적당 한 크기 로 잘라 내 면 원 하 는 45 ° 경사 거울 ( 10 ; 도 6 의 ( f ) 참조 ) 을 완성 할 수 있 는 것 이 며 , 이러 한 쐐기 모양 의 경사 거울 을 도 6 의 ( g ) 와 같이 뒤집 어서 식각 에 의해 나타난 ( 111 ) 면 을 바닥 으로 가 게 위치 시키 면 폴리 싱 된 반도체 웨이퍼 의 바닥 면 에 형성 된 반사 성 금속 코팅 층 ( 4 ) 을 이용 하 여 빛 의 경로 ( R ) 를 직각 으로 바꾸 어 줄 수 있 는 것 이 다 .