본 발명 은 , 트랜지스터 의 커패시턴스 를 모델링 하 는 시뮬레이션 방법 에 관한 것 으로 , 임의 의 공정 파라미터 를 갖 는 트랜지스터 의 커패시턴스 를 모델링 함 에 있 어서 , 상기 공정 파라미터 를 이용 하 여 , 상기 트랜지스터 의 동작 모드 변동 에 대응 하 는 적어도 4 개 의 게이트 전압 으로 지정 되 는 복수 의 변곡점 에 각각 대응 하 는 복수 의 모델링 값 을 도출 하 는 단계 ; 및 상기 복수 의 모델링 값 을 조합 하 여 , 상기 트랜지스터 의 커패시턴스 를 도출 하 는 단계 를 포함 한다 . 여기 서 , 상기 복수 의 변곡점 중 하나 에 대응 하 는 모델링 값 을 도출 하 는 단계 는 , 상기 공정 파라미터 를 이용 하 여 , 상기 하나 의 변곡점 에 대응 하 는 예비 모델링 값 을 생성 하 는 단계 ; 상기 공정 파라미터 및 임의 의 트랜지스터 의 커패시턴스 에 대한 실측값 을 이용 하 여 , 상기 하나 의 변곡점 에 대응 하 는 보정 값 을 생성 하 는 단계 및 상기 예비 모델링 값 과 상기 보정 값 을 이용 하 여 , 상기 하나 의 변곡점 에 대응 하 는 모델링 값 을 생성 하 는 단계 를 포함 한다 .