상술 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 은 공통 전극 이 보호막 이 위 에 위치 하 고 화소 전극 과 중첩 되 는 영역 에서 는 다수 의 슬릿 들 이 형성 되 어 있 다 . 이 와 동시 에 , 공통 전극 은 박막 트랜지스터 와 비 중첩 되 도록 형성 된다 . 이 에 따라 , 박막 트랜지스터 의 활성 층 은 공통 전극 에서 의 기준 전압 에 의해 활성 화 되 지 않 게 되 어 박막 트랜지스터 의 오작동 및 누설 전류 가 발생 이 방지 된다 . 그 결과 , 표시 품질 의 저하 를 방지 할 수 있 게 된다 .