금속 스터 드 범프 ( 130 ) 와 솔 더 층 ( 330 ) 이 접합 된 상태 에서 , 열 을 가하 여 금속 스터 드 범프 ( 130 ) 와 솔 더 층 ( 330 ) 의 온도 를 280 ℃ 내지 350 ℃ 로 승 온 시킨다 . 또한 , 금속 스터 드 범프 ( 130 ) 와 솔 더 층 ( 330 ) 의 접합 을 위하 여 반도체 소자 ( 110 ) 의 상부 에서 압력 을 가할 수 있 다 . 이 과정 에서 , 열 에 의해 용융 된 솔 더 층 ( 330 ) 의 일부 가 금속 스터 드 범프 ( 130 ) 에 형성 된 음각 패턴 , 즉 , 홈 을 타 고 흘러 외부 로 배출 된다 . 다시 말 해 , 금속 스터 드 범프 ( 130 ) 와 의 접합 영역 에 는 접합 에 필요 한 양 의 솔 더 층 ( 330 ) 만 이 잔존 하 고 , 잔여 솔 더 층 을 외부 로 배출 시켜 솔 더 층 ( 330 ) 의 양 을 감소 시킨다 . 따라서 , 금속 스터 드 범프 ( 130 ) 로 확산 하 는 솔 더 층 ( 330 ) 의 양 이 감소 및 최소 화 되 어 금속 간 화합물 이 1 ㎛ 이하 의 두께 로 형성 될 수 있 다 . 그 결과 , 반도체 소자 와 반도체 기판 사이 의 접합 영역 간 의 접합 강도 및 기계 적 인 신뢰 성 이 향상 될 수 있 다 .