일부 실시 예 에서 , 로직 측벽 스 페이서 ( 320 ) 는 로직 게이트 전극 ( 318 ) 및 제 2 로직 게이트 유전체 층 ( 316 b ) 의 측벽 을 라이닝 한다 . 로직 측벽 스 페이서 ( 320 ) 는 로직 디바이스 ( 110 ) 에 사용 되 는 하이 k 유전체 를 포함 하 도록 도울 수 있 다 . 더미 로직 게이트 구조물 ( 189 ) 이 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 상 에 형성 된다 . 더미 로직 게이트 구조물 ( 189 ) 은 제 1 및 제 2 로직 디바이스 ( 110 a , 110 b ) 에서 의 층 과 조성 및 / 또는 두께 가 대응 하 는 하나 이상 의 층 을 포함 할 수 있 다 . 더미 로직 게이트 구조물 ( 189 ) 은 로직 측벽 스 페이서 ( 320 ) 와 동일 한 조성 의 측벽 스 페이서 ( 191 ) 를 가질 수 있 다 . 더미 로직 게이트 구조물 ( 189 ) 은 , 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 에 인접 한 로직 소스 / 드레 인 영역 ( 312 ) 과 , 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 에 더 멀리 있 는 로직 소스 / 드레 인 영역 ( 312 ) 사이 의 균일 한 도핑 레벨 을 달성 하 는 것 에 기여 할 수 있 다 .