도 1 c 를 참조 하 면 , 포토레지스트 도포 → 노광 → 현상 공정 을 수행 하 여 상부 금속 물질 ( 17 a ) 의 상부 에 임의 의 패턴 을 갖 는 식각 마스크 패턴 ( 도시 생략 ) 을 형성 하 고 , 이 식각 마스크 패턴 을 식각 장벽층 으로 하 는 식각 공정 ( 또는 마스크 공정 ) 을 통해 상부 금속 물질 ( 17 a ) , 절연 물질 ( 15 a ) 의 일부 를 선택 적 으로 식각 함 으로써 , 반도체 기판 ( 11 ) 상 에 하부 금속 층 ( 13 ) , 절 연막 ( 15 ) , 상부 금속 층 ( 17 ) 으로 된 MIM 구조 의 캐 패 시터 를 완성 한다 .