도 6 에서 , 절연 물질 ( 54 ) 은 얕 은 트렌치 격리 ( Shallow Trench Isolation ; STI ) 영역 ( 56 ) 을 형성 하 도록 리세 스 된다 . 절연 물질 ( 54 ) 은 영역 ( 50 N ) 및 영역 ( 50 P ) 에서 핀 ( 52 ) 의 상위 부분 이 이웃 하 는 STI 영역 ( 56 ) 사이 에서 돌출 되 도록 리세 스 된다 . 또한 , STI 영역 ( 56 ) 의 상부 표면 은 도시 된 바 와 같 은 평평 한 표면 , 볼록 한 표면 , 오목 한 표면 ( 예컨대 , 디싱 ) , 또는 이 들 의 조합 을 가질 수 있 다 . STI 영역 ( 56 ) 의 상부 표면 은 적절 한 에칭 에 의해 평평 하 게 , 볼록 하 게 및 / 또는 오목 하 게 형성 될 수 있 다 . STI 영역 ( 56 ) 은 절연 물질 ( 54 ) 의 재료 에 선택 적 인 것 과 같 은 허용 가능 한 에칭 공정 을 사용 하 여 리세 스 될 수 있 다 ( 예 를 들 어 , 핀 ( 52 ) 의 재료 보다 빠른 속도 로 절연 물질 ( 54 ) 의 재료 를 에칭 함 ) . 예 를 들 어 , 묽 은 불 산 ( dHF ) 을 사용 한 산화물 제거 가 사용 될 수 있 다 .