이러 한 평가 를 위하 여 게이트 산화 막 ( 20 ) 을 16 옴 스트롱 으로 도포 한 다음 플 라즈 마 질화 처리 를 하 였으며 , 감광막 패턴 형성 은 니콘 ( Nikon ) 사 의 NSR S 306 C 193 nm 스캐너 ( scanner ) 와 , ShinEtsu 사 의 SAIL - X 108 를 감광 재로 사용 하 고 , Shippley 사 의 AR 26 - 300 유기 BARC 물질 을 반사 방지 막 으로 사용 하 였 다 . 또한 , 노광 을 위한 광 마스크 로 는 6 % 하프톤 ( halftone ) attPSM ( Phase Shift mask ) 를 이용 하 였 다 . 감광막 은 TEL 청정 트랙 ( clean track ) 에서 2700 옴 스트롱 으로 코팅 하 였 는데 , 이것 은 폴리 실리콘 을 식각 할 때 폴리 실리콘 의 손실 이 없 는 최소한 의 마진 을 고려 한 것 으로 식각 후 에 남 은 감광막 의 두께 가 1000 옴 스트롱 이상 이 되 기 위한 전 제하 에서 DOF 마진 이 있 는 두께 를 선정 하 였 다 . 또한 감광막 의 LER 및 DOF 마진 을 향상 하 기 위해 사용 하 는 무기 BARC 물질 인 SiON 막 을 사용 하 는 대신 에 유기 BARC 막 을 사용 하 였으며 330 옴 스트롱 의 두께 로 반사 방지 막 을 코팅 하 는 조건 으로 설정 되 었 다 .