도 3 ( D ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 변형 된 제 1 포토레지스트 ( 305 a , 305 c ) 를 사용 하 여 , 제 1 금속 층 ( 3031 a , 3032 a , 3031 c ) 을 습식 에칭 법 에 의해 에칭 하 여 , 게이트 전극 ( 306 ) , 게이트 배선 ( 307 ) 및 공통 전극 ( 101 ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 애 싱 처리 를 행하 여 , 변형 된 제 1 포토레지스트 ( 305 a , 305 c ) 를 제거 한다 .