반도체 소자 ( 202 ) 가 배선 기판 ( 201 ) 에 탑재 된 후 , 언더 필 수지 ( 203 ) 는 다음 과 같이 형성 된다 . 우선 , 언더 필 수지 를 공급 하 기 위한 노즐 ( 도시 생략 ) 은 홈 ( 231 ) 에 대향 하 도록 배치 된다 . 여기 서 , 홈 ( 231 ) 은 반도체 소자 ( 202 ) 의 외 주단 ( 外周 端 ) 과 , 댐 ( 217 ) 의 내벽 사이 의 언더 필 수지 공급 영역 ( K ) 에 형성 된다 ( 도 1 참조 ) . 다음 , 도 1 에 도시 된 방향 ( N ) 에 도시 된 바 와 같이 노즐 을 이동 시키 면서 , 언더 필 수지 가 노즐 로부터 공급 된다 . 따라서 , 댐 ( 217 ) 의 내주 ( 內 周 ) 의 내부 에 걸 처 퍼진 공급 된 언더 필 수지 는 언더 필 수지 공급 영역 ( K ) 과 언더 필 수지 ( 203 ) 가 형성 되 는 모서리 의 반대 모서리 에 도달 한다 .