" 본 발명 에서 "" 그래핀 ( graphene ) "" 은 벌집 모양 으로 배열 되 어 있 는 탄소 들 의 하나 의 층 을 의미 한다 . 2 차원 평면 형태 를 가지 고 있 으며 ", 두께 는 0 . 2 nm ( 1 nm 은 10 억 분 의 1 m ) 즉 100 억 분 의 2 m 정도 로 엄청나 게 얇 으면서 물리 적 · 화학 적 안정 성 도 높 다 . 구리 보다 100 배 이상 전기 가 잘 통하 고 , 반도체 로 주로 쓰이 는 단결정 실리콘 보다 100 배 이상 전자 를 빠르 게 이동 시킬 수 있 다 . 강도 는 강철 보다 200 배 이상 강하 며 , 최고 의 열전도 성 을 자랑 하 는 다이아몬드 보다 2 배 이상 열전도 성 이 높 다 . 또 탄성 이 뛰어나 늘리 거나 구부려도 전기 적 성질 을 잃 지 않 는다 . 탄소 나노 튜브 보다 균일 한 금속 성 을 갖 고 있 다 . 그래핀 은 비교 적 소수성 이 고 , 통상 적 으로 초임계 이산화 탄소 를 이용 하 여 일어날 수 있 는 흑연 의 박락 에 의해 , 또는 미세 기계 적 절단 에 의해 , 또는 탄화규소 또는 소정 의 금속 기재 ( substrate ) 상 에서 의 에피택시 성장 에 의해 형성 된다 . 그래핀 은 또한 대기압 전자파 플 라즈 마 반응기 에서 아르곤 플 라즈 마 내 로 에탄올 의 액적 을 통과 시킴 으로써 기상 에서 형성 될 수 도 있 다 ( 문헌 [ Dato et al . ," "" Substrate - Free Gas - Phase Synthesis of Graphene Sheets """, Nano Lett . , Vol . 8 , pp . 2012 - 2016 , 2008 ] 참조 ) .