반도체 장치 ( 1000 a ) 는 , 게이트 스 페이서 층 들 ( 164 ) 과 기판 ( 101 ) 의 상면 에 수직 한 z 방향 에서 같 은 높이 에 위치 하 되 , 분리 구조물 ( 200 a ) 의 측면 들 상 에 배치 되 고 , z 방향 으로 연장 되 는 분리 스 페이서 층 들 ( 164 a ) 을 더 포함 할 수 있 다 . 분리 스 페이서 층 들 ( 164 a ) 은 게이트 스 페이서 층 들 ( 164 ) 이 일 측면 에서 x 방향 으로 소정 의 폭 만큼 제거 된 형상 과 동일 한 형상 을 가질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 분리 스 페이서 층 들 ( 164 a ) 은 분리 구조물 ( 200 a ) 와 일부 영역 이 겹칠 수 있 으며 , 이 에 따라 , 분리 스 페이서 층 들 ( 164 a ) 의 일 측면 이 기판 ( 101 ) 에 대하 여 경사진 면 을 포함 할 수 있 다 . 그러나 , 분리 스 페이서 층 들 ( 164 a ) 의 형상 은 이 에 한정 하 지 않 으며 , 게이트 스 페이서 층 들 ( 164 ) 과 동일 한 형상 을 가질 수 있 다 . 분리 스 페이서 층 들 ( 164 a ) 은 게이트 스 페이서 층 들 ( 164 ) 과 실질 적 으로 동일 하 거나 , 게이트 스 페이서 층 들 ( 164 ) 이 일부 변형 된 형상 과 동일 할 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 게이트 스 페이서 층 들 ( 164 ) 과 분리 스 페이서 층 들 ( 164 a ) 은 x 방향 에서 실질 적 으로 동일 한 폭 을 가질 수 있 다 .