이어서 , 상기 제 1 마스크 패턴 을 제거 하 고 , 상기 기판 ( 110 ) 상 에 복수 의 제 2 개 구부 들 을 갖 는 제 2 마스크 패턴 을 형성 한다 . 상기 제 2 마스크 패턴 을 이온 주입 마스크 로 사용 하 여 제 2 주 입 에너지 의 원소 이온 주입 공정 을 수행 하 여 상기 제 1 원소 주입 층 ( 229 a ) 상 에 복수 의 제 2 원소 주입 층 ( 229 b ) 을 형성 한다 . 상기 제 2 주 입 에너지 는 상기 제 1 주 입 에너지 에 비하 여 작 다 . 이어서 , 상기 제 2 마스크 패턴 을 제거 한다 .