인듐 의 원 자비 가 지나치 게 높 은 경우 , 질산 계 에칭 제 로 에칭 했 을 때 에 에칭 속도 가 늦 어 지 거나 에칭 후 에 잔여물 이 남 거나 , 테이퍼 각 의 조정 이 곤란 해 지 거나 , 금속 또는 합금 과 의 밀착 성 이 저하 되 거나 , 인산 을 포함 하 는 에칭 액 에 의한 에칭 속도 A 와 옥살산 을 포함 하 는 에칭 액 에 의한 에칭 속도 B 와 의 비 , B / A 가 저하 될 우려 가 있 고 , 또한 지나치 게 낮 은 경우 , 저항 이 커지 거나 , 전극 으로서 이용 할 때 에 TCP 접속 부 의 내구 성 이 저하 될 우려 가 있 다 .