고 진공 ( < 10 - 7 Torr ) 열 증발 로 모든 예시 디바이스 를 제작 하 였 다 . 　 애노드 전극 은 800 Å 의 인듐 주석 산화물 ( ITO ) 이 었 다 . 　 캐소드 는 10 Å 의 Liq ( 8 - 히드록시 퀴놀린 리튬 ) 다음 에 1 , 000 Å 의 Al 로 이루 어 졌 다 . 　 모든 디바이스 는 제작 직후 질소 글로브 박스 ( < 1 ppm 의 H 2 O 및 O 2 ) 에 에폭시 수지 로 밀봉 된 유리 뚜껑 으로 캡슐 화 되 었 고 , 수분 게터 는 패키지 내 에 통합 되 었 다 . 디바이스 예의 유기 스택 은 , ITO 표면 으로부터 순차 적 으로 , 정공 주입 층 ( HIL ) 으로서 의 100 Å 의 HAT - CN ; 정공 수송 층 ( HTL ) 으로서 의 450 Å 의 HTM ; 두께 400 Å 의 발광 층 ( EML ) 으로 이루 어 졌 다 . 발광 층 은 6 : 4 비율 의 H - 호스트 ( H 1 ) : E - 호스트 ( H 2 ) 및 12 중량 % 의 녹색 이미터 를 함유 한다 . 　 350 Å 의 Liq ( 8 - 히드록시 퀴놀린 리튬 ) 은 ETL 로서 40 % 의 ETM 으로 도핑 되 었 다 . 디바이스 의 개략 적 인 구조 는 하 기 표 1 에 제공 된다 . 디바이스 물질 의 화학 구조 는 하 기 제시 된다 :