본원 에서 사용 되 는 바 와 같이 , 용어 원자 층 증착 ( ALD ) 은 기상 증착 공정 을 지칭 할 수 있 고 , 여기 서 증착 사이클 은 , 전형 적 으로 복수 의 연속 증착 사이클 은 공정 챔버 에서 수행 된다 . 일반 적 으로 , 각각 의 사이클 중 에 전구체 는 증착 표면 ( 예 , 이전 ALD 사이클 로부터 이전 에 증착 된 재료 또는 다른 재료 를 포함 할 수 있 는 기판 표면 ) 에 화학 흡착 되 고 , 추가 적 인 전구체 와 쉽 게 반응 하 지 않 는 ( 즉 , 자기 제한 적 반응 인 ) 단층 또는 서브 단층 을 형성 한다 . 그 후 , 일부 경우 에서 , 반응물 ( 예 , 다른 전구체 또는 반응 가스 ) 을 후속 해서 공정 챔버 에 도입 시켜 증착 표면 상 에서 화학 흡착 된 전구체 를 원하 는 재료 로 전환 시키 는 데 사용 한다 . 반응물 은 전구체 와 더 반응 할 수 있 다 . 또한 , 각각 의 사이클 중 에 퍼지 단계 도 사용 할 수 있 어 , 공정 챔버 로부터 과잉 의 전구체 를 제거 하 고 / 제거 하 거나 , 화학 흡착 된 전구체 의 전환 이후 공정 챔버 로부터 과잉 의 반응물 및 / 또는 반응 부산물 을 제거 할 수 있 다 . 추가 로 , 본원 에서 사용 된 용어 원자 층 증착 은 전구체 ( 들 ) / 반응 가스 ( 들 ) , 및 퍼지 ( 예 , 불활성 캐리어 ) 가스 ( 들 ) 의 교번 펄스 로 수행 되 는 경우 , 화학 기상 원자 층 증착 , 원자 층 에피택시 ( ALE ) , 분자 빔 에피택시 ( MBE ) , 가스 공급원 MBE , 또는 유기 금속 MBE , 및 화학 적 빔 에피택시 와 같 은 관련 용어 들 에 의해 지정 된 공정 을 포함 하 는 것 을 또한 의미 한다 . 용어 반응물 및 전 구체 는 상호 교환 적 으로 사용 될 수 있 다 .