이어서 , 제 1 기판 ( 10 ) 상 에 는 게이트 라인 ( GL ) , 스위칭 트랜지스터 ( TR ) 의 게이트 전극 ( G 1 ) , 구동 트랜지스터 ( DTR ) 의 게이트 전극 ( G 2 ) 을 덮 는 게이트 절 연막 ( 12 ) 이 형성 된다 . 게이트 절 연막 ( 12 ) 은 실리콘 산화 막 또는 실리콘 질화 막 일 수 있 고 , 게이트 절 연막 ( 12 ) 은 화학 기상 증착 공정 ( CVD ) 에 의하 여 형성 될 수 있 다 .