이 와 같 은 구조 의 비휘발성 메모리 소자 ( 2000 a ) 는 도 4 f 를 참조 하 여 상술 한 제조 방법 에서 반도체 영역 들 ( 130 ) 의 사이 마다 제 3 개 구부 ( 108 ) ( 도 4 f 참조 ) 를 형성 한다 . 상기 제 3 개 구부 ( 108 ) 내 에 하부 연결 전극 ( 165 a ) 물질 을 증착 하 고 에치 백 하 여 하부 연결 전극 ( 165 a ) 을 형성 한다 . 다음 으로 , 도 4 g 내지 도 4 i 를 참조 하 여 상술 한 공정 과 같이 , 절연 층 ( 170 ) 을 형성 하 고 , 제 4 개 구부 ( 109 ) ( 도 4 g 참조 ) 를 형성 한 후 , 상부 연결 전극 ( 165 b ) 물질 의 증착 및 식각 공정 을 반복 하 여 상부 연결 전극 ( 165 b ) 을 형성 한다 .