마이크 로 요동 소자 X 1 의 제조 에서 는 , 우선 도 8 의 ( a ) 에 도시 한 바 와 같 은 재료 기판 ( 100 ) 을 준비 한다 . 재료 기판 ( 100 ) 은 실리콘 층 ( 101 , 102 ) 과 , 그 실리콘 층 ( 101 , 102 ) 간 의 절연 층 ( 103 ) 으로 이루어지 는 적층 구조 를 갖 는 SOI 웨이퍼 이 며 , 도면 외 에서 도전 비아 ( 16 , 21 d ) 가 미리 매립 형성 된 것 이 다 . 실리콘 층 ( 101 , 102 ) 은 불순물 을 도프 함 으로써 도전 성 이 부여 된 실리콘 재료 로 이루어진다 . 불순물 로서 는 , B 등 의 p 형 불순물 이나 , P 및 Sb 등 의 n 형 불순물 을 채용 할 수 있 다 . 절연 층 ( 103 ) 은 예 를 들 면 산화 실리콘 으로 이루어진다 . 실리콘 층 ( 101 ) 의 두께 는 예 를 들 면 10 ∼ 100 ㎛ 이 며 , 실리콘 층 ( 102 ) 의 두께 는 예 를 들 면 50 ∼ 500 ㎛ 이 며 , 절연 층 ( 103 ) 의 두께 는 예 를 들 면 0 . 3 ∼ 3 ㎛ 이 다 .