또한 , 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 함유 하 는 반도체 막 ( 47 ) 을 형성 하 는 대신 에 , 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 함유 하 지 않 는 반도체 막 을 형성 하 고 , 피막 ( 41 ) 에 도너 로서 기능 하 는 불순물 을 함유 하 는 절 연막 을 형성 하 여도 좋 다 . 예 를 들 어 , 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 ( 인 , 비소 , 혹은 안티몬 ) 를 함유 하 는 산화 실리콘 막 , 질화 실리콘 막 , 산질 화 실리콘 막 , 혹은 질산화 실리콘 막 등 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 , 피막 ( 41 ) 을 적층 구조 로 하 는 경우 , 반도체 막 ( 47 ) 에 접하 는 층 혹은 기판 ( 40 ) 에 접하 는 층 에 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 첨가 하 여도 좋 다 .