본 발명 은 낮 은 비저항 을 갖 는 캐 패 시터 전극 을 형성 하 여 캐 패 시터 의 동작 속도 를 향상 시키 는 반도체 소자 및 그 제조 방법 에 관한 것 으로 , 이 를 위해 본 발명 은 , 플러그 , 상기 플러그 상 의 니켈 이 함유 된 제 1 전극 , 상기 제 1 전극 상 의 유전 막 및 상기 유전 막 상 의 제 2 전극 으로 이루어진 캐 패 시터 및 상기 플러그 와 상기 캐 패 시터 의 제 1 전극 사이 에 개재 된 니켈 이 함유 된 오 믹 콘 택 층 을 포함 하 는 반도체 소자 를 제공 하 며 , 상술 한 본 발명 은 캐 패 시터 전극 의 비저항 을 감소 시키 고 , 플러그 와 캐 패 시터 전극 간 의 접촉 저항 을 감소 시켜 캐 패 시터 의 전기 적 특성 을 향상 시킬 수 있 다 .