도 2 를 참조 하 면 , 도 1 를 참조 하 여 설명 한 바 와 같이 , 기판 ( 11 ) 상 에 질화 갈 륨 계열 의 N 형 화합물 반도체 층 ( 25 ) 이 위치 하 고 , 기판 ( 21 ) 과 N 형 화합물 반도체 층 ( 25 ) 사이 에 버퍼 층 ( 23 이 개 재 될 수 있 다 . 또한 , 상기 N 형 화합물 반도체 층 ( 25 ) 상부 에 질화 갈륨 계열 의 P 형 화합물 반도체 층 ( 33 ) 이 위치 하 고 , 상기 N 형 화합물 반도체 층 ( 25 ) 과 P 형 화합물 반도체 층 ( 33 ) 사이 에 활성 층 ( 29 ) 이 개재 된다 . 상기 N 형 화합물 반도체 층 및 P 형 화합물 반도체 층 은 ( Al , Ga , In ) N 계열 의 III 족 질화물 반도체 층 으로 형성 될 수 있 다 . 예컨대 , 상기 N 형 화합물 반도체 층 ( 25 ) 및 P 형 화합물 반도체 층 ( 33 ) 은 각각 N 형 및 P 형 GaN 로 형성 될 수 있 다 . 또한 , 상기 활성 층 ( 29 ) 은 단일 의 웰 층 을 갖 는 단일 양자 웰 또는 웰 층 과 장벽층 이 교대 로 적층 된 다중 양자 웰 일 수 있 다 . 상기 웰 층 은 InGaN 로 형성 되 며 , 장벽층 은 ( Al , In , Ga ) N 로 형성 될 수 있 다 . 상기 웰 층 은 장벽층 에 비해 더 많 은 In 을 포함 하 여 양자 웰 을 형성 한다 .