상술 한 바 와 같이 , 게이트 의 전기 적 특성 을 향상 시키 기 위하 여 핀 형 활성 영역 을 형성 하 고 이 를 포함 하 는 게이트 를 형성 하 는 방법 을 사용 하 고 있 으나 , 핀 형 활성 영역 형성 을 위한 트렌치 의 깊이 를 깊 게 형성 할 경우 증가 되 는 전류 구동 능력 에 맞추 어 소스 / 드레 인 영역 의 불순물 이온 농도 를 증가 시켜야 하 므로 트렌치 를 무한정 증가 시킬 수 없 는 문제 가 있 다 . 따라서 핀 형 활성 영역 을 형성 하 는 공정 마진 이 감소 되 고 반도체 소자 를 형성 하 는 수율 및 신뢰 성 이 감소 하 는 문제 가 있 다 .