상기 와 같 은 본 발명 에 따르 면 , 금속 막 패턴 이 형성 된 반도체 기판 을 유기 또는 무기 스트립 용액 을 이용 하 여 스트립 한 다음 질소 용해 된 세정 용액 을 사용 하 면서 메가 소닉 에너지 가 인가 되 는 세정 공정 을 통해 식각 부산물 인 잔여 폴리머 의 제거 뿐 아니 라 식각 가스 와 금속 막 사이 의 반응 에 의해 발생 되 는 불순물 의 제거 도 금속 배선 에 손상 을 주 지 않 으면서 수행 할 수 있 다 . 따라서 , 불순물 이 완전히 제거 되 고 손상 이 없 는 금속 막 패턴 이 형성 된 반도체 기판 이 제조 되 어 , 반도체 제조 공정 에서 의 생산 수율 및 신뢰도 를 향상 시킬 수 있 다 .