다음 으로 , 도 16 및 도 17 을 참조 하 면 , 산화물 층 ( 370 ') 및 제 1 절 연막 ( IL 1 ) 상 에 도전 성 금속 층 ( CML ) 을 형성 하 고 , 산화물 층 ( 370 ') 과 도전 성 금속 층 ( CML ) 을 부분 적 으로 식각 하 여 제 1 산화물 층 ( 370 ) , 제 1 게이트 전극 ( 310 ) 및 제 2 게이트 전극 ( 410 ) 을 형성 한다 . 도전 성 금속 층 ( CML ) 은 산화물 반도체 층 ( 370 ') 을 포함 하 여 제 1 절 연막 ( IL 1 ) 상 에 전면 적 으로 형성 되 며 , 후속 공정 에서 제 1 도전 층 을 형성 할 수 있 다 . 즉 , 도전 성 금속 층 ( CML ) 은 이후 의 공정 에서 패 터닝 되 어 제 1 게이트 전극 ( 310 ) 및 제 2 게이트 전극 ( 410 ) 을 형성 할 수 있 다 .