도 8 을 참조 하 면 , 상기 마스크 막 패턴 ( 116 a ) 및 패드 산화 막 패턴 ( 114 a ) 으로 이루어지 는 제 2 하드 마스크 패턴 ( 122 ) 을 제거 한다 . 상기 마스크 막 패턴 ( 116 a ) 및 패드 산화 막 패턴 ( 114 a ) 은 인산 ( H 2 PO 4 ) 을 포함 하 는 식각 액 및 / 또는 희석 된 불 산 ( HF ) 용액 을 사용 하 는 습식 식각 공정 을 통해 제거 된다 . 상기 패드 산화 막 패턴 ( 114 a ) 이 제거 되 면 , 게이트 리 세스 ( 120 ) 주변 의 기판 ( 100 ) 의 표면 이 노출 되 는 동시 에 게이트 리 세스 ( 120 ) 의 저면 및 측벽 을 통해 기판 ( 100 ) 이 노출 된다 .