절연 구조물 의 형성 방법 및 이 를 이용 한 반도체 장치 의 제조 방법 이 개시 된다 . 적어도 1 회 의 산화 공정 을 수행 하 여 기판 과 같 은 대 상체 상 에 적어도 하나 의 산화 막 을 형성 한 다음 , 적어도 하나 의 산화 막 에 대하 여 적어도 1 회 의 질화 공정 을 수행 하 여 산화 막 의 적어도 일부 를 변화 시켜 적어도 하나 의 질화 막 을 형성 한다 . 절연 구조물 의 중앙부 와 에지 부분 을 포함 하 는 주변 부 사이 의 두께 차이 가 실질 적 으로 없 기 때문 에 균일 하 고 우수 한 절연 특성 을 확보 할 수 있 다 . 이러 한 절연 구조물 을 반도체 장치 의 터널 절 연막 으로 적용 할 경우 , 반도체 장치 의 각 셀 들 의 문턱 전압 들 의 산포 를 균일 하 게 하 여 프로그래밍 동작 및 소거 동작 시 에 반도체 장치 의 내구 성 및 전기 적 인 특성 을 개선 할 수 있 다 .