트랜지스터 ( 20 ) 는 , 상술 한 Fin - FET 형 트랜지스터 이외 에 , Tri - Gate 트랜지스터 , 나노 와이어 ( Nano - Wire ) 트랜지스터 , FD - SOI 트랜지스터 및 T - FET 여도 된다 . Fin - FET 트랜지스터 를 포함 하 는 상기 트랜지스터 는 , 반도체 재료 로서 , 실리콘 ( Si ) 이외 에 , 게르마늄 ( Ge ) 등 의 무기 반도체 나 , 예 를 들 어 III - V 족 반도체 및 II - VI 족 반도체 등 의 화합물 반도체 를 사용 할 수 있 다 . 구체 적 인 II - VI 족 반도체 로서 는 , InGaAs , InGaSb , SiGe , GaAsSb , InAs , InSb , InGanZnO ( IGZO ) , MoS 2 , WS 2 , BoronNitride 및 Silicane Germanene 를 들 수 있 다 . 이 밖 에 , 그래핀 을 사용 된 그래핀 트랜지스터 를 들 수 있 다 . 또한 , 트랜지스터 ( 20 ) 는 , 고유 전 율 막 / 금속 게이트 ( High - K / Metal Gate ) 기술 이 사용 된 트랜지스터 여도 된다 . 또는 , 소위 Si · 플래너 형 트랜지스터 여도 된다 ( 도 8 참조 ) .