상기 발광 소자 가 수평 형 ( lateral ) 발광소 자일 경우 , 상기 발광 소자 의 제조 방법 은 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 310 ) 의 일부 가 노출 되 도록 메사 식각 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 상기 단계 는 상기 투광 성 전극 ( 405 ) , 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 330 ) 및 상기 활성 층 ( 320 ) 의 일부 를 제거 하 여 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 310 ) 의 일부 가 노출 되 도록 하 는 단계 일 수 있 다 .