본 발명 에 따른 반도체 소자 는 기판 ; 상기 기판 상 에 제공 되 는 제 1 절연 층 ; 상기 제 1 절연 층 내 에 제공 되 는 제 1 하부 도전 라인 ; 상기 제 1 절연 층 상 의 식각 저지 막 ; 상기 식각 저지 막 을 관통 하 여 상기 제 1 하부 도전 라인 과 연결 되 는 비아 ; 상기 식각 저지 막 상 의 제 2 절연 층 ; 및 상기 제 2 절연 층 을 관통 하 여 상기 비아 와 연결 되 는 상부 도전 라인 을 포함 한다 . 상기 상부 도전 라인 은 상기 식각 저지 막 의 상면 에 접하 고 , 상기 식각 저지 막 은 그 의 상부 에 상기 비아 에 접하 는 라운드 된 면 을 포함 한다 .