한편 , 주변 회로 영역 에서 핀 트랜지스터 형성 을 위해서 는 활성 영역 ( 41 a ) 을 제외 한 필드 산화 막 ( 42 ) 부분 만 소정 깊이 로 식각 되 면 된다 . 특히 , 본 명세서 에서 는 필드 산화 막 ( 42 ) 중 게이트 전극 이 통과 할 부분 의 필드 산화 막 ( 42 ) 을 선택 적 식각 한다 . 필드 산화 막 ( 42 ) 의 선택 적 식각 으로 형성 되 는 부분 을 제 3 요 홈 부 ( G 3 ) 라 하 며 , 제 3 요 홈 부 ( G 3 ) 형성 에 의해 필드 산화 막 ( 42 ) 상부 로 돌출 된 활성 영역 ( 41 a ) 부분 을 핀 이 라 한다 . 따라서 , 포토레지스트 패턴 ( 44 ) 은 제 3 요 홈 부 ( G 3 ) 가 형성 될 부분 및 활성 영역 ( 41 a ) 을 노출 시키 도록 형성 된다 .