상술 한 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 메모리 장치 의 컬럼 리 던 던 시 제어 회로 는 , 복수 개 의 셀 매트 의 동작 여부 를 알려 주 는 매트 선택 신호 의 입력 에 대응 하 여 공통 노드 의 전위 레벨 을 제어 하 는 퓨즈 부 ; 상기 복수 개 의 셀 매트 중 어느 하나 의 셀 매트 에서 라도 불량 이 발생 했 는지 의 여부 에 따라 제 1 전원 을 상기 공통 노드 에 공급 또는 차단 하 는 스위칭 부 ; 및 반도체 메모리 장치 의 초기 동작 시 발생 하 는 초기 신호 의 입력 에 대응 하 여 상기 공통 노드 의 전위 를 그라운드 전압 ( VSS ) 레벨 로 초기 화 시키 기 위한 초기 화부 ; 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .