본 발명 에서 최초 성장 기판 인 사파이어 상층부 에 형성 된 제 1 에피 택 셜 적층 구조 는 전체 적 으로 적어도 30 나노미터 ( nm ) 이상 의 두께 로 하 며 , 제조 하 고자 하 는 전자 및 광전자 소자 종류 에 따라서 엔 형 도판 트 ( n - type dopant ) 인 4 족 원소 ( Si , Ge , Te , Se ) 및 피형 도판 트 ( p - type dopant ) 인 3 족 원소 ( Mg , Zn , Be ) 등 을 첨가 할 수 있 다 .