상기 화소 전극 ( 67 ) 과 상기 스토리지 전극 ( 61 ) 은 소정 영역 오버랩 되 도록 배치 될 수 있 다 . 따라서 , 상기 화소 전극 ( 67 ) 과 상기 스토리지 전극 ( 61 ) 그리고 상기 화소 전극 ( 67 ) 과 상기 스토리지 전극 ( 61 ) 사이 에 형성 된 보호막 ( 65 ) 에 의해 스토리지 캐 패 시 턴 스가 형성 될 수 있 다 .