주사선 ( 3 a ) 상 에 , 스위칭 소자 인 TFT ( 30 ) 가 형성 되 어 있 다 . TFT ( 30 ) 는 섬 형상 의 아몰 퍼스 실리콘 막 으로 이루어지 는 반도체 층 ( 35 ) 과 , 반도체 층 ( 35 ) 과 일부 평면 적 으로 겹치 도록 배치 된 소스 전극 ( 6 b ) 및 드레 인 전극 ( 32 ) 을 구비 하 고 있 다 . 주사선 ( 3 a ) 은 반도체 층 ( 35 ) 과 평면 적 으로 겹치 는 위치 에서 TFT ( 30 ) 의 게이트 전극 으로서 기능 한다 .