덧붙여 , 제 1 적층 구 조체 ( ST 1 ) 와 수평 반도체 층 ( 150 ) 사이 와 , 제 1 적층 구 조체 ( ST 1 ) 및 충 진 절 연막 ( 154 ) 사이 에 , 희생 절 연막 ( 155 ) 가 배치 될 수 있 다 . 희생 절 연막 ( 155 ) 는 컨 택 지지막 ( CSB ) 과 접촉 할 수 있 다 . 희생 절 연막 ( 155 ) 는 컨 택 지지막 ( CSP ) 를 형성 하 기 위한 몰드 역할 을 할 수 있 다 . 희생 절 연막 ( 155 ) 는 컨 택 지지막 ( CSP ) 을 형성 을 위한 공간 을 만드 는 과정 에서 , 제거 되 지 않 고 남 은 몰드 부분 일 수 있 다 . 희생 절 연막 ( 155 ) 는 예 를 들 어 , 실리콘 질화물 을 포함 할 수 있 지만 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 .