하부 기판 ( 110 ) 상 의 표시 영역 ( 10 ) 에 제 1 내지 제 3 액티브 층 들 ( 130 _ 1 , 130 _ 2 , 130 _ 3 ) 이 서로 이격 하 여 배치 될 수 있 다 . 제 1 내지 제 3 액티브 층 들 ( 130 _ 1 , 130 _ 2 , 130 _ 3 ) 각각 은 금속 산화물 반도체 , 무기물 반도체 ( 예 를 들 면 , 아몰 퍼스 실리콘 ( amorphous silicon ) , 폴리 실리콘 ( poly silicon ) ) 또는 유기물 반도체 등 을 포함 할 수 있 고 , 소스 영역 및 드레 인 영역 을 포함 할 수 있 다 .