도 3 f 를 참조 하 면 , 상기 제 2 확산 방지 막 ( 310 ) 상 에 금속 막 ( 312 ) 을 형성 한다 . 상기 금속 막 ( 312 ) 은 텅스텐 막 으로 형성 하 며 , 상기 텅스텐 막 은 상기 비정질 상 ( Amorphous Phase ) 으로 형성 된 씨드 막 ( 308 ) 으로 인해 결정 의 크기 가 큰 상태 로 형성 되 므로 , 게이트 의 저항 을 낮출 수 있 다 .