다음 으로 , 상기 제 1 위치 에서 의 홀 ( 67 ) 내부 에서 접하 고 있 는 유전체 층 ( 64 ) 을 다시 습식 에칭 한다 . 이때 사용 된 에칭 액 에 있 어서 , 유전체 층 ( 64 ) 은 가용성 이 며 , 전극 층 WL 및 실리콘 질화 막 ( 76 ) 은 불용성 이 다 . 따라서 , 유전체 층 ( 64 ) 만 이 , 도 15 a 및 도 15 b 에 도시 된 제 1 위치 로부터 도 16 a 에 도시 된 제 2 위치 까지 , 홀 ( 67 ) 의 중심축 으로부터 이격 되 어 더 후퇴 된다 . 이러 한 에칭 도 등방성 이 면 되 고 , 습식 에칭 이외 에 도 CDE 도 가능 하 다는 점 에 주목 한다 .