다른 예 로 , 게이트 절 연막 ( 130 ) 을 상술 한 바 와 같 은 사이 클릭 화학 기상 증착 ( Cyclic CVD ) 방법 으로 형성 하 며 , 실리콘 옥사이드 ( SiO 2 ) , 실리콘 나이트 라이드 ( SiN ) , 고유 전 상수 ( High - K ) 를 가지 는 금속 산화물 중 적어도 하나 로 형성 될 수 있 다 . 여기 서 , 고유 전 상수 ( High - K ) 를 가지 는 금속 산화물 은 산화알루미늄 ( Al 2 O 3 ) , 산화지르코늄 ( ZrO 2 , Zr 2 O 3 ) , 산화 하프늄 ( HfO 2 , Hf 2 O 3 ) , 산화 탄 탈륨 ( TaO 2 , Ta 2 O 3 ) 및 산화 티타늄 ( TiO 2 , Ti 2 O 3 ) 일 수 있 다 .