상술 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 은 PVD 를 이용 한 반도체 기판 상 금속 박막 증착 방법 으로서 , ( a ) PVD 공정 챔버 로 금속 박막 증착 을 위한 반도체 기판 을 위치 시키 는 단계 와 , ( b ) 상기 공정 챔버 내 위치 한 반도체 기판 상 으로 스퍼터링 을 위한 플 라즈 마 가스 를 유입 시키 는 단계 와 , ( c ) 상기 반도체 기판 상부 에 위치 한 타 겟 에 전원 을 인가 하 여 상기 플 라즈 마 가스 를 이용한 스퍼터링 을 수행 하 는 단계 와 , ( d ) 상기 스퍼터링 에 의해 상기 타 겟 으로부터 분리 되 는 소스 원자 와 분자 들 을 상기 반도체 기판 상 에 증착 시켜 금속 박막 을 형성 시키 는 단계 와 , ( e ) 상기 타 겟 의 소모 에 따라 상기 공정 챔버 내 상기 타 겟 의 하부 에 위치 한 반도체 기판 을 점차 적 으로 하강 시켜 상기 타 겟 과 반도체 기판 상 거리 가 점차 적 으로 멀 어 지 도록 거리 를 보상 시키 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .