도 3 c 를 참조 하 면 , 상기 에피 실리콘 게르마늄 막 ( 302 ) 과 제 1 에 피 실리콘 막 ( 304 ) 의 적층 패턴 ( 306 ) 이 형성 된 실리콘 기판 ( 300 ) 에 대해 3 차 SEG 공정 을 수행 하 여 상기 실리콘 기판 ( 300 ) 상 에 상기 적층 패턴 ( 306 ) 과 동일 한 높이 의 제 2 에 피 실리콘 막 ( 308 ) 을 형성 한다 .