도 7 을 참조 하 면 , 포토레지스트 막 패턴 ( 312 ) 을 마스크 로 노출 된 제 2 층간 절 연막 ( 306 ) 을 식각 하 여 제 1 컨 택 플러그 ( 302 ) 및 제 1 층간 절 연막 ( 302 ) 의 일부 영역 을 노출 시키 는 개구부 ( c ) 를 형성 한다 . 다음 에 포토레지스트 막 패턴 ( 312 ) 은 애 슁 ( ashing ) 공정 을 이용 하 여 제거 한다 . 여기 서 제 2 층간 절 연막 ( 306 ) 내 에 형성 된 개구부 ( c ) 는 노출 된 제 1 컨 택 플러그 ( 304 ) 의 표면 적 보다 상대 적 으로 넓 은 영역 이 노출 되 도록 형성 한다 .