서브 70 nm 급 의 반도체 소자 에서 는 소자 특성 을 향상 또는 만족 시키 기 위해 신 공정 및 신 물질 등 을 도입 하 고 있 는 상황 이 다 . 특별히 , 이 와 같 은 차세대 반도체 개발 에 있 어서 가장 중요 한 이슈 중 의 하나 는 반도체 소자 의 채널 길이 ( Channel Length ) 가 계속 짧아지 면서 SCE ( short channel effect ) 가 증가 하 게 되 어 문턱 전압 의 급격 한 감소 및 이 로 인한 많 은 소자 특성 열화 가 나타나 고 있 다 .