다음 으로 , 기판 ( 100 ) 을 덮 도록 절연 층 을 형성 하 고 , 해당 절연 층 을 선택 적 으로 제거 함 으로써 소자 분리 절연 층 ( 106 ) 을 형성 한다 ( 도 10 ( C ) 참조 ) . 해당 절연 층 은 , 산화 실리콘 이나 질화 실리콘 , 산질 화 실리콘 등 을 이용 하 여 형성 된다 . 절연 층 의 제거 방법 으로서 는 , CMP ( 화학 적 기계 적 연마 ) 처리 등 의 연마 처리 나 에칭 처리 등 이 있 지만 , 그 중 에 어떤 것 을 이용 하 여도 좋 다 . 이 에 의해 다른 반도체 영역 과 분리 된 반도체 영역 ( 104 ) 이 형성 된다 . 또한 , 보호 층 ( 102 ) 을 마스크 로 한 기판 ( 100 ) 의 에칭 후 , 또는 소자 분리 절연 층 ( 106 ) 의 형성 후 에 는 , 보호 층 ( 102 ) 을 제거 한다 .