제 2 질소 함유층 ( 25 ) 은 열 산화 막 ( 15 ) 의 표면 부위 를 리모트 플 라즈 마 질화 공정 으로 처리 하 여 형성 된다 . 이러 한 리모트 플 라즈 마 질화 공정 에 따라 , 화살표 로 도시 한 바 와 같이 질소 가 열 산화 막 ( 15 ) 의 표면 부위 에 축적 되 어 열 산화 막 ( 15 ) 상 에 제 2 질소 함유층 ( 25 ) 이 형성 된다 . 제 2 질소 함유층 ( 25 ) 은 후속 하 는 공정 동안 불순물 이온 들 이 절 연막 ( 30 ) 으로 침투 하 는 것 을 방지 한다 .