다음 으로 , 보호 절 연막 ( 62 ) 이 형성 된다 . 상기 한 바 와 같이 , 이 형성 열 에 의해서 는 IZO 막 은 결정 화 되 지 않 는다 . 그리고 도시 되 어 있 지 않 은 평탄 화 막 이 형성 된다 . 단자 부 및 단자 부 주변 에서 는 평탄 화 막 은 일단 형성 된 후 , 모두 제거 된다 . 그 후 , 보호 절 연막 ( 62 ) 에 는 단자 용 IZO 막 ( 198 ) , 단자 용 접속 배선 ( 124 ) 에 대응 하 는 개소 에 개구부 가 형성 된다 . 보호 절 연막 ( 62 ) 에 개구부 를 형성 할 때 에 는 , 도 6 의 S 42 에서 설명 한 내용 과 마찬가지 로 , SF 6 혹은 CF 4 + O 2 등 의 에칭 가스 를 이용 하 는 드라이 에칭 기술 에 의해 행할 수 있 다 . 그 모습 이 도 17 의 ( b ) 에 도시 된다 .