벤딩 영역 ( BR ) 에서 비아 층 ( VIA ) 상 에 는 상술 한 제 2 도전 층 ( DCL 2 ) 의 소스 연결 전극 ( SCE ) 이 배치 될 수 있 다 . 소스 연결 전극 ( SCE ) 은 벤딩 영역 ( BR ) 에 위치 할 수 있 다 . 소스 연결 전극 ( SCE ) 은 벤딩 영역 ( BR ) 에서 각각 제 2 콘 택 홀 ( CNT 2 ) 및 제 3 콘 택 홀 ( CNT 3 ) 을 통해 제 2 - 1 터치 연결 전극 ( TCE 21 ) , 및 제 2 - 2 터치 연결 전극 ( TCE 22 ) 과 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 제 2 콘 택 홀 ( CNT 2 ) 및 제 3 콘 택 홀 ( CNT 3 ) 은 제 2 터치 도전 층 ( TCL 2 ) 하부 의 봉지 층 ( 116 ) , 화소 정의 막 ( 115 ) , 보호 층 ( 114 ) 을 관통 하 여 제 2 도전 층 ( DCL 2 ) 의 소스 연결 전극 ( SCE ) 과 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 .