이 와 는 달리 , 별도 의 도핑 공정 에 의해 , 제 2 에피택시 얼 층 ( 204 ) 에 만 n 형 불순물 을 도핑 할 수 도 있 으며 , 이 에 따라 제 2 에피택시 얼 층 ( 204 ) 은 엔 모스 ( Negative - channel Metal Oxide Semiconductor : NMOS ) 트랜지스터 의 소스 / 드레 인 영역 역할 을 수행 할 수 있 다 .