가장 선호 되 는 분리 방법 은 본딩 된 스택 ( 34 ) 을 적어도 약 100 ℃, 바람직 하 게 는 약 150 ℃ 내지 약 220 ℃, 더 바람직 하 게 는 약 180 ℃ 내지 약 200 ℃ 의 온도 까지 가열 하 는 것 을 포함 한다 . 이 들 온도 에서 , 제 2 본딩 층 ( 32 ) 은 연화 될 것 이 며 , 이 에 따라서 , 기판 ( 12 및 24 ) 이 분리 될 수 있 음 을 알 것 이 다 ( 가령 , 슬라이딩 디 본딩 방법 에 의해 , 가령 , 미국 특허 공개 번호 2008 / 0200011 에 기재 된 방법 에 의해 분리 될 수 있 으며 , 상기 미국 특허 는 본원 에서 참조 로서 포함 된다 ) . 분리 후 , 특정 층 ( 20 또는 32 ) 을 용해 시킬 수 있 는 용매 에 의해 , 임의 의 남 아 있 는 제 1 또는 제 2 본딩 층 ( 20 및 32 ) 이 제거 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 본딩 층 ( 20 ) 을 형성 하 기 위한 조성물 은 , 제 1 기판 ( 12 ) 상 에 상기 조성물 의 일부 또는 전부 가 영구 적 으로 남 아 있 기에 적합 하 도록 선택 될 것 이 다 . 이러 한 경우 , 제 1 본딩 층 ( 20 ) 은 후속 하 는 웨이퍼 공정 단계 에서 일부 기능 ( 가령 , 갭 충전 ( gap fill ) ) 을 수행 할 것 이 며 , 이 는 종래 기술 공정 에 는 없 는 이점 이 다 .