다음 에 이 레지스 트 막 ( 1 b ) 에 대하 여 , 마스크 패턴 ( 2 c ) 를 이용 하 여 단분자막 을 형성 하 는 부위 에 KrF 엑 시머 레이저 광 ( 2 d ) 를 조사 하 였 다 ( 도 1 ( 2 ) ) . 노광 후 , 110 ℃ 에서 90 초간 포스트 베이 킹 을 행하 고 , 2 . 38 ％ 의 TMAH 수용액 으로 현상 함 으로써 , 단분자막 을 형성 하 는 부위 에 개구부 를 갖 는 레지스 트 패턴 을 얻 었 다 ( 도 1 ( 3 ) ) .