상기 절연 층 ( 20 ) 은 고온 에서 도 안정 적 으로 비저항 을 확보 할 수 있 는 붕소 질화물 ( boron nitride ) , 알루미늄 질화물 ( aluminium nitride ) 또는 실리콘 질화물 ( silicon nitride ) 중 어느 하나 를 주 성분 으로서 포함 하 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 성분 들 은 모두 세라믹 물질 기반 의 절연체 라는 공통점 이 있 다 .