도 2 의 ( a ) 및 ( b ) 는 예시 적 인 방법 ( 예 , 방법 ( 100 ) ) 에 따라 형성 되 고 / 형성 되 거나 본원 에 기술 된 장치 를 사용 하 는 구조 체 ( 200 ) 를 나타낸다 . 구 조체 ( 200 ) 는 기판 ( 202 ) , 그 안 에 형성 된 오 목부 ( 204 ) , 및 증착 된 재료 ( 206 ) 를 포함 한다 . 오 목부 ( 204 ) 가 증착 된 재료 ( 206 ) 로 충 진 되 는 경우 , 증착 된 재료 ( 206 ) 는 공동 이 없 고 / 없 거나 이음매 가 없 을 수 있 어서 , 가시 적 인 공동 또는 이음매 는 증착 된 재료 ( 206 ) 에서 관찰 되 지 않 는다 . 예 로서 , 증착 된 재료 ( 206 ) 는 실리콘 산화물 ( SiOx ) 과 같 은 유전체 또는 절연 재료 를 포함 할 수 있 다 . 추가 적 으로 , 증착 된 재료 ( 206 ) , 예 를 들 어 SiOx 은 비교 적 고 품질 일 수 있 고 , 예 를 들 어 0 . 5 % 희석 된 HF 용액 에서 10 , 8 , 6 , 또는 심지어 4 nm / 분 미만 인 습식 에칭 속도 를 갖 는다 .