본 발명 의 제 5 측면 은 , 광소자 의 제조 방법 에 있 어서 , " ( a "") 하부 전지 층 ", 중간 전지 층 및 상부 전지 층 을 순차 적 으로 적층 한 후 , " 상기 p 형 상부 전극 영역 을 제외 한 상부 전지 층 의 상면 에 금속 이온 이 유기물 또는 무기물 이온 과 결합 된 용액 을 도포 하 는 단계 ; ( b "") 상기 도포 된 용액 을 열처리 하 여 나노 크기 의 금속 입자 로 변형 시키 는 단계 ; 및 ( c "") 상기 p 형 상부 전극 영역 을 제외 한 상부 전지 층 의 상면 에 광파 장 이하 의 주기 를 갖 는 위 로 갈수록 가늘 어 지 는 무 반사 나노 구조 가 형성 되 도록 상기 금속 입자 를 마스크 또는 반응 의 촉진제 로 이용 하 여 상기 p 형 상부 전극 영역 을 제외 한 상부 전지 층 의 상면 을 화학 적 으로 식각 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 는 무 반사 나노 구조 가 집적 된 광소자 의 제조 방법 을 제공 하 는 것 이 다 . "