도 21 ( a ) 를 참조 하 면 , 사파이어 기판 ( 50 ) 상부 에 n 형 반도체 층 ( 100 ) , 활성 층 ( 200 ) 및 p 형 반도체 층 ( 300 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 그리고 , p 형 반도체 층 ( 300 ) , 활성 층 ( 200 ) 및 n 형 반도체 층 ( 100 ) 의 소정 영역 을 식각 하 여 기판 ( 50 ) 을 노출 시킨다 . 그리고 , p 형 반도체 층 ( 300 ) 상부 의 소정 영역 에 p 형 전극 층 ( 400 ) 및 반사 층 ( 450 ) 을 형성 한다 .