우선 , 도 4 에 도시 한 바 와 같이 , P 형 의 단결정 실리콘 기판 ( 2 ) 을 준비 한다 . 기판 ( 2 ) 상 에 실리콘 산화 막 ( 31 ) 을 형성 하 고 , N 형 의 매립 확산 층 ( 3 ) 의 형성 영역 상 에 개구부 가 형성 되 도록 , 실리콘 산화 막 ( 31 ) 을 선택 적 으로 제거 한다 . 그리고 , 실리콘 산화 막 ( 31 ) 을 마스크 로서 이용 하 여 , 기판 ( 2 ) 의 표면 에 N 형 불순물 , 예 를 들 면 , 안티몬 ( Sb ) 을 포함 하 는 액체 소스 ( 32 ) 를 회전 도포 법 에 의해 도포 한다 . 그 후 , 안티몬 ( Sb ) 을 열 확산 하 여 , N 형 의 매립 확산 층 ( 3 ) 을 형성 한 후 , 실리콘 산화 막 ( 31 ) 및 액체 소스 ( 32 ) 를 제거 한다 .