또한 , 본 실시 형태 에서 제작 하 는 박막 트랜지스터 는 채널 형성 영역 인 미결정 반도체 막 과 소스 영역 및 드레 인 영역 인 일 도전 형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 반도체 막 사이 에 버퍼 층 으로서 저항 률 이 높 은 비정질 반도체 막 을 형성 한다 . 오프 전류 는 상기 버퍼 영역 을 흐르 지만 , 버퍼 층 은 고저 항 영역 이 기 때문 에 , 오프 전류 를 억제 함 과 함께 미결정 반도체 막 의 산화 를 방지 하 는 기능 도 가진다 . 따라서 , 오프 전류 를 억제 함 과 함께 , 채널 형성 영역 에 있 어서 의 결함 저감 으로 인한 온 전류 의 상승 을 도모 할 수 있 다 .