도 25 에 도시 한 반도체 장치 는 메모리 셀 에 포함 된 비트 선 BL 과 노드 FG 가 트랜지스터 ( 162 ) 를 통해서 접속 되 는 구조 를 가지 므로 , 기입 동작 에서 , 전하 를 축적 하 는 부위 인 플로팅 게이트 부 FG 에 직접 전위 를 부여 하 는 것 이 가능 하 다 . 그 결과 , 개개 의 메모리 셀 에 의 기입 동작 을 고속 으로 행하 는 것 이 가능 하 다 . 특히 , 불휘발성 메모리 소자 로서 이용 되 는 플로팅 게이트 형 의 트랜지스터 와 같이 , 미소 한 터널 전류 에서 전하 주입 을 행하 는 기입 방법 과 비교 하 여 , 단시간 에 , 또한 , 높 은 정밀도 로 플로팅 게이트 FG 의 전위 를 제어 하 고 기입 을 행할 수 있 다 .