따라서 , NMOS 영역 의 게이트 패턴 은 게이트 절 연막 ( 302 A ) , N 형 폴리 실리콘 전극 ( 303 C ) , 배리어 메탈 ( 306 A ) , 식각 정지 층 ( 307 A ) 및 텅스텐 전극 ( 308 A ) 이 적층 된 구조 , PMOS 영역 의 게이트 패턴 은 P 형 폴리 실리콘 전극 ( 303 D ) , 배리어 메탈 ( 306 A ) , 식각 정지 층 ( 307 A ) 및 텅스텐 전극 ( 308 A ) 이 적층 된 구조 형성 된다 .