도 4 c 에 도시 된 바 와 같이 , 질화 산화 막 ( 23 B ) 상 에 폴리 실리콘 막 ( 24 ) 을 증착 한다 . 이때 , 폴리 실리콘 막 ( 24 ) 은 언 도프 드 ( undoped ) 폴리 실리콘 막 이 며 , SiH 4 를 이용 하 여 저 합화 학기 상 증착 ( LPCVD , Low Pressure Chemical Vapor Deposition ) 방식 으로 증착 한다 .