이후 에 , 박막 을 승화 시키 기 위하 여 , 기판 ( 400 ) 은 약 100 ℃ 이상 , 예 를 들 어 , 약 100 ℃ 내지 약 200 ℃, 바람직 하 게 는 약 100 ℃ 내지 약 150 ℃, 보다 바람직 하 게 는 약 110 ℃ 내지 약 125 ℃ 의 온도 로 가열 된다 . 그 후 , 프로세싱 챔버 는 퍼지 처리 되 고 진공 처리 되 며 , 기판 ( 400 ) 은 후속 단계 들 을 위한 준비 가 된다 . 일 예 에서 , 기판 은 식각 프로세스 동안 약 20 ℃ 내지 약 80 ℃ 범위 내 의 제 1 온도 에 있 고 후속 하 여 승화 프로세스 동안 약 100 ℃ 내지 약 150 ℃ 의 범위 내 의 제 2 온도 로 가열 된다 . 다른 예 에서 , 기판 은 식각 프로세스 동안 약 22 ℃ 내지 약 40 ℃ 범위 내 의 제 1 온도 에 있 고 후속 하 여 승화 프로세스 동안 약 110 ℃ 내지 약 125 ℃ 의 범위 내 의 제 2 온도 로 가열 된다 .