이 에 대해 , 본 실시 형태 에 관한 플 라즈 마 에칭 방법 에서 는 플 라즈 마 에칭 장치 ( 100 ) 에 있 어서 , 처리 가스 로서 플 루 오로 카본 가스 , 하이드로 플 루 오로 카본 가스 , 희가스 및 O 2 를 포함 하 는 처리 가스 , 예 를 들 면 CF 4 / CHF 3 / Ar / O 2 를 이용 하 고 , 레지스 트 ( PR ) ( 107 ) 를 마스크 로 해서 그 패턴 에 의거 하 여 , 반사 방지 막 ( Barc ) ( 106 ) , 질화규소 ( Si 3 N 4 ) 막 ( 105 ) , 다 결정 실리콘 층 ( 104 ) , 질화규소 ( Si 3 N 4 ) 막 ( 103 ) , 산화 규소 ( SiO 2 ) 막 ( 102 ) 까지 를 단숨에 에칭 한다 . 이 적층 막 일괄 에칭 에 의해 , 1 단계 의 에칭 공정 으로 도 6 에 나타내 는 바 와 같이 오 목부 ( 108 ) 를 형성 할 수 있 다 .