또는 , 상기 고분자 전해질 조성물 을 상기 반도체 전극 또는 상기 상대 전극 상 에 도포 한다 . 그리고 도포 된 전극 양단 에 두께 조절 용 스 페이서 ( spacer ) 를 고정 시키 고 그 위 에 나머지 전극 을 덮 는다 . 그리고 열 원 을 이용 하 여 상기 고분자 전해질 조성물 을 경화 시켜 고체 고분자 전해질 조성물 을 제조 한다 . 이때 열 원 의 온도 는 30 내지 150 ℃ 로 유지 하 여 준다 .