본 발명 의 다른 실시 예 에 따르 면 , 배리어 층 ( 270 ) 은 텅스텐 실리사이드 ( WSix ) 막 , 텅스텐 질화 ( WN ) 막 , 티타늄 ( Ti ) 막 , 티타늄 질화 ( TiN ) 막 및 이 들 의 조합 으로 이루어진 일군 으로부터 선택 된 어느 하나 인 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 배리어 층 ( 270 ) 은 50 ~ 200 Å 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따르 면 , 상부 게이트 도전 층 ( 280 ) 은 텅스텐 ( W ) 층 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 상부 게이트 도전 층 ( 280 ) 은 200 ~ 600 Å 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .