본 발명 은 p - 형 산화아연 층 의 형성 방법 및 p - 형 산화아연 층 을 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 에 관한 것 으로서 , 더욱 구체 적 으로 는 공정 이 간단 할 뿐 만 아니 라 대면 적 제품 의 대량 생산 에 유리 한 p - 형 산화아연 층 의 형성 방법 및 p - 형 산화아연 층 을 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 에 관한 것 이 다 .