다음 으로 , 도 10 d 및 도 11 d 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 화소 전극 ( 218 ) 이 형성 된 어레이 기판 ( 210 ) 전면 에 보호막 ( 215 b ) 을 형성 한 후 , 포토 리소그래피 공정 ( 제 4 마스크 공정 ) 을 통해 선택 적 으로 제거 함 으로써 상기 어레이 기판 ( 210 ) 의 데이터 패드 부 및 게이트 패드 부 에 각각 상기 데이터 패드 라인 ( 217 p ) 및 게이트 패드 라인 ( 216 p ) 의 일부 를 노출 시키 는 제 1 콘 택 홀 ( 240 a ) 과 제 2 콘 택 홀 ( 240 b ) 을 형성 한다 .