각각 의 하부 도체 ( 408 ) 상 에 CNT 물질 ( 409 ) 의 형성 에 이어 , 이웃 한 CNT 물질 영역 들 을 서로 격리 시키 기 위해서 CNT 물질 ( 409 ) 의 영역 들 위 및 주위 에 유전체 물질 ( 411 ) 이 증착 된다 . 일부 실시 예 에서 , 유전체 물질 ( 411 ) 은 화학 증기 증착 ( CVD ) , 고밀 도 플 라즈 마 ( HDP ) 증착 , 아크 플라 즈 마 이용 증착 , 스핀 - 코팅 증착 등 을 사용 하 여 증착 될 수 있 다 . 유전체 물질 ( 411 ) 을 평탄 화 하 고 CNT 물질 영역 의 위 로부터 유전체 물질 을 제거 하 기 위해 CMP 또는 유전 에치 백 단계 가 수행 된다 . 예 를 들 어 , 근사 적 으로 200 내지 7000 옹스트롬 , 및 일부 실시 예 에서 1 마이크 론 이상 의 이산화 실리콘 이 증착 되 고 화학 기계식 연마 또는 에치 백 공정 을 사용 하 여 평탄 화 될 수 있 다 . 질화 실리콘 , 실리콘 옥시 질화물 , 저 k 유전체 들 등 과 같 은 그 외 의 유전체 물질 들 , 및 / 또는 다른 유전체 층 두께 가 사용 될 수 있 다 . 바람직 한 저 k 유전체 는 탄소 가 도핑 된 산화물 , 실리콘 탄소 층 등 을 포함 한다 .