게이트 유전체 층 ( 82 ) 이 형성 된 후 , 게이트 유전체 층 ( 82 ) 위 에 P 타입 일함수 층 극 ( 84 ) 이 ( 예컨대 , 등각 으로 ) 형성 된다 . 예 시 적 인 P 타입 일함수 금속 은 TiN , TaN , Ru , Mo , Al , WN , ZrSi 2 , MoSi 2 , TaSi 2 , NiSi 2 , WN , 기타 P 타입 일함수 재료 , 또는 이 들 의 조합 을 포함 한다 . 도시 하 는 실시 형태 에서 , P 타입 일함수 층 ( 84 ) 은 티탄 질화물 ( TiN ) 또는 티탄 ( Ti ) 와 같 은 티탄 함유 재료 로 형성 된다 . P 타입 일함수 층 ( 84 ) 의 두께 는 약 10 옹스트롬 과 약 30 옹스트롬 사이 일 수 있 다 . 일함수 값 이 일함수 층 의 재료 조성 과 연관 되 기 때문 에 , 일함수 층 의 재료 는 일함수 값 을 조정 하 여 형성 될 디바이스 에서 타 겟 임계 전압 ( Vt ) 을 달성 하 는 것 이 선택 된다 . 일함수 층 은 CVD , 물리 적 기상 퇴적 ( PVD ) , 및 / 또는 기타 적절 한 공정 에 의해 퇴적 될 수 있 다 .