도 5 를 참조 하 면 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 접촉 저항 이 개선 된 가스 센서 제조 방법 은 , 절연체 층 을 형성 하 는 단계 ( S 110 ) ; 센서 물질 층 을 형성 하 는 단계 ( S 120 ) ; 센서 물질 층 을 부분 적 으로 식각 하 는 단계 ( S 130 ) ; 전극 용 메탈 층 을 형성 하 는 단계 ( S 140 ) ; 및 센서 물질 층 을 노출 시키 는 단계 ( S 150 ) 를 포함 할 수 있 다 .