즉 , 본 발명 은 , 반도체 장치 를 제조 하 는 방법 으로서 , 기판 상 에 형성 된 배선 층 상 에 플립 칩 형 의 반도체 소자 를 복수 탑재 한 반도체 소자 탑재기 판 을 준비 하 는 공정 과 , 이 반도체 소자 탑재기 판 의 소자 탑 재면 을 , 기재 와 이 기재 의 일방 의 표면 에 형성 된 미경 화 또는 반경 화 의 열경화성 수지 성분 을 포함 하 는 봉지 수지 층 을 갖 는 반도체 봉지 용 기재 가 부착 된 봉 지재 에 의해 일괄 봉지 하 는 공정 과 , 이 일괄 봉지 한 반도체 소자 탑재기 판 으로부터 상기 기판 을 제거 하 는 공정 을 포함 하 는 반도체 장치 의 제조 방법 이 다 .