본 양태 에 대해서 도 , 상기 양태 에 있 어서 와 동일 한 바람직 한 형태 가 존재 한다 . 또한 , 본 양태 에 대해서 는 , 상기 조성물 의 도포 전 에 상기 구리 배선 층 의 구리 표면 이 산화 되 어 있 는 것 , 상기 구리 배선 층 의 구리 표면 에 Cu - O - Si 결합 이 형성 되 는 것 , 상기 조성물 의 도포 후 에너지 부여 처리 를 행하 는 것 , 그 경우 의 에너지 부여 처리 가 , 가열 처리 , 전자선 조사 처리 , 자외선 조사 처리 , X 선 조사 처리 및 이 들 의 임의 의 조합 으로 이루어진 군 으로부터 선택 된 처리 인 것 및 상기 조성물 의 도포 전 또는 도포 후 에 , 상기 구리 배선 층 상 에 실란 커플링 제 를 도포 하 는 것 이 바람직 하 다 .