그 후 에 , 도 6 b 에 도시 된 바 와 같이 , 하나 이상 의 탄소 나노 튜브 ( CNT ) ( 100 ) 가 바닥 지지 층 ( 15 ) 위 에 배열 된다 . 일부 실시 예 에서 , 바닥 지지 층 은 사용 되 지 않 고 CNT ( 100 ) 가 기판 ( 10 ) 상 에 직접 배치 된다 . CNT 는 실질 적 으로 동일 한 방향 ( 예 를 들 면 , Y 방향 ) 으로 정렬 된 바닥 지지 층 ( 15 ) 상 에 배열 된다 . CNT ( 100 ) 의 정렬 의 Y 방향 으로부터 의 편차 는 일부 실시 예 에서 약 ± 10 도 이 고 , 다른 실시 예 에서 약 ± 5 도 이 다 . 특정 실시 예 에서 , 편차 는 약 ± 2 도 이 다 . CNT ( 100 ) 는 일부 실시 예 에서 X 방향 을 따라 대략 50 튜브 / ㎛ 내지 대략 300 튜브 / ㎛ 범위 내 의 밀도 로 배열 되 고 , 다른 실시 예 에서 , 밀도 는 X 방향 을 따라 100 튜브 / ㎛ 내지 대략 200 튜브 / ㎛ 의 범위 내 에 있 다 . CNT ( 100 ) 의 길이 ( Y 방향 으로 ) 는 일부 실시 예 에서 대략 0 . 5 μ m 내지 5 μ m 의 범위 내 에 있 고 , 다른 실시 예 에서 는 대략 1 μ m 내지 대략 2 μ m 의 범위 내 에 있 다 . CNT ( 100 ) 의 평균 직경 은 일부 실시 예 에서 대략 1 . 0 nm 내지 대략 2 . 0 nm 의 범위 내 에 있 다 .