반도체 공정 등 에서 증착 , 에칭 공정 등 을 위하 여 기판 또는 웨이퍼 등 이 서 셉 터 ( susceptor ) 위 에 놓여진다 . 이러 한 서 셉 터 는 고온 등 의 조건 에서 견딜 수 있 도록 내열성 이 높 은 탄화 규소 를 포함 할 수 있 다 . 일반 적 인 서 셉 터 는 흑연 을 포함 하 는 몸체 의 외부 면 에 탄화 규소 층 을 화학 기상 증착 ( chemical vapor deposition , CVD ) 하 여 형성 된다 .