상술 한 본 발명 은 어드밴스 드 STI 구조 를 적용 하 고 있 으며 , 라이너 질화 막 을 도입 하 여 고밀 도 플 라즈 마산 화 막 공정 진행시 측벽 의 어택 을 방지 할 수 있 으며 , 또한 PCL M / K 공정 및 OBN 공정 을 도입 하 므로써 셀 영역 과 주변 회로 영역 두 지역 의 EFH 를 각각 따로 제어 한다 . 이 로써 , 게이트 식각 공정 진행시 주 벼 회로 영역 의 EFH 를 높여 게이트 식각 시 활성 영역 어택 을 방지 할 수 있 는 효과 가 있 다 .