상기 n 형 TFT 영역 의 상기 층간 절 연막 ( 340 ) 에 는 상기 제 1 반도체 층 ( 310 ) 의 소스 영역 ( 310 a ) 에 대응 되 는 층간 절 연막 ( 340 ) 이 일부분 식각 되 어 상기 소스 영역 ( 310 a ) 의 표면 일부 를 노출 시키 는 제 1 콘 택 홀 ( 341 ) 및 상기 제 1 반도체 층 ( 310 ) 의 드레 인 영역 ( 310 c ) 에 대응 되 는 층간 절 연막 ( 340 ) 영역 이 일부분 식각 되 어 상기 드레 인 영역 ( 310 c ) 의 표면 일부 를 노출 시키 는 제 2 콘 택 홀 ( 343 ) 이 형성 된다 .