도 19 는 베이스 기판 ( 120 ) 위 에 설치 한 단결정 반도체 막 ( 124 ) 을 사용 하 여 , 표시 패널 ( 213 ) 을 형성 하 는 예 를 도시 하고 있 다 . 화면 영역 ( 214 ) 은 , 화소 ( 217 ) 로 구성 되 어 있 다 . 화소 ( 217 ) 에 는 단결정 반도체 막 ( 124 ) 으로부터 트랜지스터 ( 218 ) 가 형성 되 어 있 다 . 단결정 반도체 를 사용 함 으로써 , 트랜지스터 의 사이즈 를 작 게 할 수 있 고 , 화소 의 개구율 을 향상 시킬 수 있 다 . 또한 단결정 반도체 로 트랜지스터 를 형 성함 으로써 , 120 MHz 이상 의 프레임 주파수 에서 동작 하 는 액정 표시 패널 을 용이 하 게 제조 할 수 있 다 . 단결정 반도체 막 ( 124 ) 을 사용 함 으로써 , 표시 패널 ( 213 ) 에 는 화면 영역 ( 214 ) 외 에 , 데이터 드라이버 회로 ( 215 ) , 게이트 드라이버 회로 ( 216 ) 를 형성 할 수 있 다 . 또한 , 화소 처리 프로세서 나 메모리 등 을 동일 기판 위 에 형성 할 수 있 다 .