본 변형 예 에 따라 형성 된 제 1 및 제 2 게이트 전극 들 ( 175 a , 175 b ) 의 상기 제 1 및 제 2 높이 들 은 상기 제 1 및 제 2 더미 게이트 패턴 들 ( 130 a ', 130 b ') 의 높이 들 에 의존 될 수 있 다 . 상술 된 바 와 같이 , 상기 제 1 게이트 전극 ( 175 a ) 의 제 1 높이 는 제 1 금속 함유 패턴 ( 115 a ) 의 상부 면 으로부터 제 1 금속 패턴 ( 170 a ) 의 상부 면 까지 의 높이 이 며 , 상기 제 2 게이트 전극 ( 175 b ) 의 제 2 높이 는 제 2 금속 함유 패턴 ( 115 b ) 의 상부 면 으로부터 제 2 금속 패턴 ( 170 b ) 의 상부 면 까지 의 높이 이 다 . 본 변형 예 에 따르 면 , 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 과 같이 , 상기 제 1 및 제 2 더미 게이트 패턴 들 ( 130 a ', 130 b ') 의 각각 은 단일 반도체 층 을 포함 할 수 있 다 . 본 변형 예 에서 , 제 1 및 제 2 게이트 전극 들 ( 175 a , 175 b ) 의 형성 을 위한 평탄 화 공정 에 의하 여 제 1 층간 유전 막 ( 157 a ) 이 제 1 및 제 2 더미 반도체 패턴 들 ( 125 a , 125 b ) 의 상부 면 들 이 위치 했 던 레벨 보다 낮 아 지 는 경우 에 , 상기 제 1 및 제 2 게이트 전극 들 ( 175 a , 175 b ) 의 제 1 및 제 2 높이 들 이 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 의 상기 제 3 높이 보다 작 을 수 있 다 .