또한 , 게이트 전극 ( 610 ) 주위 에 사이드 월 절연 층 을 형성 하 고 , 도전 형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 다른 농도 로 첨가 된 복수 의 불순물 영역 ( 예 를 들 어 , 사이드 월 절연 층 과 겹치 지 않 는 고농 도 불순물 영역 과 , 사이드 월 절연 층 과 겹치 는 저 농도 불순물 영역 ) 을 반도체 영역 ( 604 ) 에 형성 해도 좋 다 .