상기 P 형 - GaN 표면 에 전자 빔 증착 기 ( E - beam evaporator ) 를 이용 하 여 50 Å Ni 과 50 Å Au 를 증착 시키 고 , N 2 : O 2 의 몰 비율 이 4 : 1 이 되 도록 분위기 가스 를 흘리 며 450 ℃ 에서 1 분 간 열처리 하 여 투명 전 도막 인 광 투과성 금속 막 을 형성 시켰 다 . N 형 전극 패드 와 P 형 전극 패드 는 상기 에칭 공정 에 의해 표면 에 드러난 N 형 - GaN 상부 와 P 형 - GaN 상부 일부 에 각각 200 / 250 / 4000 Å 의 Cr / Ni / Au 를 증착 하 여 형성 시켰 다 .