이어서 , 제 1 산화 막 ( 105 ) 과 제 2 트랜 치 ( A ) 내부 의 산화 막 ( 108 ) 의 일부 를 제거시키 는데 , 가령 이방성 식각 공정 을 처리 함 으로써 제 1 산화 막 ( 105 ) 과 제 2 트랜 치 ( A ) 저면 의 산화 막 ( 108 ) 은 제거 되 고 , 제 2 트랜 치 ( A ) 측벽 의 산화 막 ( 108 ) 은 남 도록 한다 . 따라서 , 도 8 에 도시 된 바 이 폴라 트랜지스터 ( 100 ) 의 형태 가 완성 된다 .