이 와 같이 , 듀얼 다 마신 ( dual damascene ) 공정 을 통하 여 제 1 , 제 2 및 제 3 비아 홀 ( 111 , 113 , 115 ) 및 제 1 , 제 2 및 제 3 트렌치 ( 112 , 114 , 116 ) 내부 를 종래 에 사용 한 텅스텐 ( W ) 보다 저항 이 낮 은 구리 ( Cu ) 금속 으로 채움 으로써 반도체 소자 의 동작 속도 를 향상 시킬 수 있 다 .