급속 열처리 장비 내 의 온도 가 목표 하 는 제 3 온도 ( T 3 ) 까지 상승 하 면 제 3 온도 ( T 3 ) 에서 일정 시간 ( t 2 , 예컨대 , 2 ~ 20 초 ) 동안 유지 하 여 제 2 열처리 를 실시 한다 . 상기 제 3 온도 ( T 3 ) 는 상기 제 1 온도 ( T 1 ) 보다 는 높 은 온도 이 다 . 제 3 온도 ( T 3 ) 로 유지 하 여 제 2 열처리 를 실시 하 는 동안 에 는 아르곤 ( Ar ) 가스 를 계속 적 으로 공급 하 여 준다 . 아르곤 ( Ar ) 가스 는 2 ∼ 6 slm 정도 의 유량 으로 공급 한다 . 제 2 열처리 를 실시 함 으로서 , 웨이퍼 표면 영역 또는 표면 근처 영역 에 존재 하 는 산소 석출 물 의 핵 들 은 제거 되 고 상기 실리콘 웨이퍼 의 벌크 영역 에 존재 하 는 산소 석축 물 의 핵 들 은 더욱 성장 되 게 된다 .