도 6 의 ( C ) 는 , 도 1 의 ( C ) 와 같 은 계산기 시뮬레이션 의 결과 를 나타내 는 그래프 이 다 . 돌출 량 ( a ) 을 0 에서부터 증가 해 가 면 , 합성 자계 는 500 Oe 에서부터 감소 하 고 , a 가 약 3 ~ 4 ㎚ 에서 최소치 약 320 Oe 를 나타내 며 , 그 후 는 a 의 증가 와 함께 증대 하 고 , a 가 약 16 ㎚ 에서 17 ㎚ 에서 a = 0 의 경우 와 같 은 약 500 Oe 이 되 고 , a 를 더 증대 하 면 합성 자계 는 더 증대 한다 . 핀 층 의 돌출부 에서 레퍼런스 층 측 이 삭감 되 어 프리 층 에서부터 이간 된 형상 이 되 므로 , 같 은 돌출 량 에서 얻 어 지 는 합성 자계 저감 효과 는 작아지 게 된다 . 도 1 의 ( C ) 의 경우 와 같 은 , 돌출 량 a 를 1 ㎚~ 15 ㎚ 로 할 때 , 확실 하 게 합성 누설 자계 감소 의 효과 가 얻 어 질 것 이 다 .