도 1 의 ( b ) 는 도 1 의 ( a ) 의 A - A 단면도 이 다 . 도 1 의 ( b ) 에서 , 단자 부 의 단자 배선 은 모두 동일 한 층 상 에 동일 한 재료 ( 게이트 메탈 ( 50 ) ) 에 의해 형성 되 어 있 다 . 따라서 , 서로 인접 하 는 단자 배선 은 동일 한 층 에 형성 되 어 있 다 . 게이트 메탈 ( 50 ) 의 폭 은 , 단자 용 컨 택트 홀 ( 41 ) 이 형성 되 어 있 는 제 1 부분 ( 11 ) 에서 는 넓 고 , 그 밖 의 부분 ( 제 2 부분 ( 12 ) 을 포함 함 ) 에서 는 제 1 부분 ( 11 ) 보다 도 좁 다 . 도 1 의 ( b ) 에서 , 게이트 메탈 ( 50 ) 상 에 는 게이트 절 연막 ( 55 ) 이 형성 되 고 , 게이트 절 연막 ( 55 ) 상 에 는 패 시베이 션 막 ( 65 ) 이 형성 되 어 있 다 . 단자 배선 l 의 제 1 부분 ( 11 ) 에 상당 한 부분 에 는 단자 용 컨 택트 홀 ( 41 ) 이 형성 되 고 , ITO ( 30 ) 와 게이트 메탈 ( 50 ) 이 컨 택트 한다 . 단자 배선 l 의 우측 옆 에 는 , 단자 배선 m 이 소정 의 간격 을 두 고 연장 되 고 , 단자 배선 m 의 더욱 우측 옆 에 는 , 단자 배선 n 의 제 2 부분 ( 12 ) 이 존재 하 고 있 다 . 단자 배선 n 의 제 2 부분 ( 12 ) 에 상당 한 부분 에서 는 , 게이트 메탈 ( 50 ) 의 폭 은 작 고 , 단자 배선 m 과 동일 한 폭 이 다 . 한편 , 단자 배선 n 상 에 는 , 게이트 절 연막 ( 55 ) 및 패 시베이 션 막 ( 65 ) 을 개재 하 여 ITO ( 30 ) 가 존재 하 고 있 다 . 이 ITO ( 30 ) 는 , 단자 배선 n 의 제 1 부분 ( 11 ) 에 형성 된 단자 용 컨 택트 홀 ( 41 ) 에 의해 게이트 메탈 ( 50 ) 과 접속 되 어 있 다 . 단자 배선 n 의 제 2 부분 ( 12 ) 에서 의 게이트 메탈 ( 50 ) 의 폭 이 작 기 때문 에 , 게이트 메탈 ( 50 ) 을 동일 평면 상 에 형성 하 여도 , 게이트 메탈 ( 50 ) 끼리 의 사이 의 간격 d 4 를 노광 에 의한 패 터닝 이 가능 한 크기 까지 크 게 할 수 있 다 .