본 발명 의 제 2 양태 는 , 지 지체 상 에 , 상기 제 1 양태 에 관련 된 레지스 트 조성물 을 사용 하 여 레지스 트 막 을 형성 하 는 공정 , 상기 레지스 트 막 을 노광 하 는 공정 , 및 상기 노광 후 의 레지스 트 막 을 현상 하 여 레지스 트 패턴 을 형성 하 는 공정 을 갖 는 것 을 특징 으로 하 는 레지스 트 패턴 형성 방법 이 다 .