후속 적 으로 , 전하 저장 층 ( 54 ) 이 형성 될 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 전하 저장 층 ( 54 ) 은 , 예 를 들 어 실리콘 질화물 일 수 있 는 유전체 전하 트래핑 재료 를 포함 하 는 전하 트래핑 재료 의 연속 적 인 층 또는 패턴 화 된 개별 부분 들 일 수 있 다 . 대안 적 으로 , 전하 저장 층 ( 54 ) 은 예 를 들 어 , 측 방향 리세 스 들 내 에서 희생 재료 층 들 ( 42 ) 내 로 형성 됨 으로써 , 다수 의 전기 적 으로 격리 된 부분 들 ( 예컨대 , 플로팅 게이트 들 ) 내 로 패턴 화 되 는 금속 성 재료 또는 도핑 된 폴리 실리콘 과 같 은 전도성 재료 의 연속 적 인 층 또는 패턴 화 된 개별 부분 들 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 전하 저장 층 ( 54 ) 은 실리콘 질화물 층 을 포함 한다 . 일 실시 예 에서 , 희생 재료 층 들 ( 42 ) 및 절연 층 들 ( 32 ) 은 수직 으로 일치 하 는 측벽 들 을 가질 수 있 고 , 전하 저장 층 ( 54 ) 은 단일 연속 층 으로서 형성 될 수 있 다 .