일 실시 예 에서 , 제 1 스탬프 ( 41 ) 의 돌기 부 ( 44 ) 의 표면 이 해칭 형상 으로 패 터닝 될 수 있 어서 , 제 1 스탬프 ( 41 ) 를 이용 한 제 1 스탬 핑 공정 ( S 202 ) 에서 제 1 절연 층 ( 103 ) 에 큰 부하 가 가해 지 지 않 을 수 있 다 . 또한 , 돌기 부 ( 44 ) 의 표면 이 해칭 형상 으로 패 터닝 될 수 있 어서 , 제 1 절연 층 ( 103 ) 상 에 형성 된 제 1 비아 홀 ( H 1 ) 및 재 배선 패턴 ( P 1 ) 의 표면 역시 해칭 형상 일 수 있 다 . 이 에 따라 , 외부 에 노출 되 는 제 1 절연 층 ( 103 ) 의 단면적 이 넓 어 질 수 있 고 , 도금 방식 을 통해 제 1 비아 홀 ( H 1 ) 에 제 1 도전 성 비아 ( 104 ) 를 형성 하 는 단계 및 재 배선 패턴 ( P 1 ) 에 재 배선 층 ( 105 ) 을 형성 하 는 단계 들 의 속도 가 빨라질 수 있 다 .