또한 , 실시 형태 1 에서 나타낸 제 1 열처리 를 행하 고 , 특히 반도체 성 산화물 층 ( 104 a ) 에 접하 는 부분 의 반도체 성 산화 물막 ( 105 b ) 을 결정 화 시켜 , 반도체 성 산화 물막 ( 105 a ) 을 얻 는다 ( 도 4 d 참조 ) . 또한 , 도 4 e 에 도시 한 바 와 같이 , 게이트 절연물 ( 112 ) 을 퇴적 하 고 , 게이트 절연물 ( 112 ) 상 에 는 게이트 전극 ( 113 ) 을 형성 한다 .