다음 , 도 6 b 에 나타나 있 는 바 와 같이 레지스 트 패턴 ( 96 ) 을 제거 하 고 , 회복 어닐링 을 행한다 . 이 회복 어닐링 에서 는 , 예 를 들 면 종 형로 를 사용 하 여 반도체 기판 ( 1 ) 의 온도 를 500 ℃ 로 하 고 , 처리 시간 을 60 분 간 으로 하 고 , 산소 가스 의 공급량 을 20 l ( liter ) / 분 으로 한다 . 이 때 , 컨 택트 플러그 ( 14 s , 14 d ) 가 실리콘 산질 화 막 ( 15 ) 에 의해 덮여 있 으므로 , 이 들 이 산화 할 일 은 없 다 .