헥 사키스 ( 에틸 아미노 ) 디 실란 및 O 3 를 이용 하 여 매 엽 식 원자 층 증착 공정 으로 SiO 2 막 들 을 증착 하 였 다 . 상기 증착 은 각 전구체 에 대하 여 하나 씩 , 모두 두 개 의 인 젝 터 를 사용 하 고 , 웨이퍼 120 장 이 로딩 되 는 ASM A 412 TM 반응기 내 의 300 mm 실리콘 웨이퍼 상 에서 수행 되 었 다 . 증착 온도 는 약 300 ℃ 로 고정 되 었 다 . 헥 사키스 ( 에틸 아미노 ) 디 실란 전구체 의 증발 속도 는 약 20 g / hr 였으며 , 그 결과 증발기 로부터 의 유속 은 약 23 sccm 이 되 었 다 . 증발기 는 148 ℃ 의 온도 에 있 었 다 . 디 실란 전구체 펄스 들 은 약 30 초 였 다 . 산소 소스 는 오존 이 었 으며 , 오존 의 유속 은 약 3000 sccm 이 었 다 . 오존 펄스 는 약 10 초 였 다 . 펄스 들 사이 에 10 초 의 퍼징 및 진공 화 ( evacuation ) 단계 가 사용 되 었 다 . 스캐닝 전자 현미경 ( SEM : scanning electron microscope ) 을 이용 하 여 단차 도포 성 을 결정 하 였 다 .