이 와 같이 , 종래 기술 에 따른 낸드 플래시 메모리 소자 의 제조 방법 은 소자 분 리 막 용 트렌치 ( 104 ) 를 형성 한 후 , 노출 되 는 반도체 기판 ( 100 A ) 의 채널 영역 에 대해 이온 주입 공정 ( 105 ) 을 실시 하 는데 , 그 이유 는 문턱 전압 조절 을 위해 반도체 기판 ( 100 A ) 의 채널 영역 내 에 주입 된 불순물 이온 들 이 후속 트렌치 ( 104 ) 에 매립 되 는 소자 분리 막 으로 확산 되 어 채널 영역 의 도핑 농도 가 감소 하 는 문제 를 보상 하 기 위함 이 다 .