상기 저유 전막 의 형성 방법 은 , 상기 제 1 사후 처리 하 는 단계 후 , 상기 공정 챔버 내 에서 제 3 기판 상 에 실리콘 및 탄소 를 함유 하 는 제 3 저유 전막 ( low - k dielectric layer ) 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 공정 챔버 내 탄소 를 줄이 도록 상기 공정 챔버 를 제 2 인터 퍼징 ( inter purging ) 하 는 단계 와 , 상기 공정 챔버 에 실리콘 을 함유 하 는 제 2 프리 코팅 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 공정 챔버 내 에서 제 4 기판 상 에 실리콘 및 탄소 를 함유 하 는 제 4 저유 전막 을 형성 하 는 단계 와 상기 공정 챔버 를 제 2 사후 처리 ( post - treating ) 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .