다음 으로 , 도 9 에 도시 된 바 와 같이 , 마스크 공정 등 을 통해 상부 전 극막 ( 745 ') 을 패 터닝 하 여 상부 전극 ( 745 ) 을 형성 하 고 , 핀 막 ( PIN ') 을 패 터닝 하 여 핀 층 ( PIN ) 을 형성 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 패 터닝 은 식각 액 을 이용 한 습식 식각 방식 으로 수행 될 수 있 다 .