메모리 장치 ( 100 ) 의 판독 동작 또는 기입 동작 에서 , 로우 디코더 ( 120 ) 는 , 로우 드라이버 ( 130 ) 로부터 출력 되 는 전압 의 레벨 로 워드 라인 들 ( WL 2 , WL 4 ) 을 바이어 싱 할 수 있 고 그리고 로우 드라이버 ( 130 ) 로부터 출력 되 는 전압 의 레벨 에서 워드 라인 들 ( WL 1 , WL 5 ~ WLs ) 을 플로팅 시킬 수 있 다 . 메모리 장치 ( 100 ) 의 판독 동작 또는 기입 동작 에서 , 컬럼 디코더 ( 150 ) 는 , 컬럼 드라이버 ( 160 ) 로부터 출력 되 는 전압 의 레벨 로 비트 라인 들 ( BL 4 , BL 6 ) 을 바이어 싱 할 수 있 고 그리고 컬럼 드라이버 ( 160 ) 로부터 출력 되 는 전압 의 레벨 에서 비트 라인 들 ( BL 1 ~ BL 3 , BL 7 ~ BLt ) 을 플로팅 시킬 수 있 다 . 즉 , 비 선택 된 워드 라인 들 ( WL 1 , WL 2 , WL 4 , WL 5 ) 중 바이어 싱 되 는 워드 라인 들 ( WL 2 , WL 4 ) 의 개수 및 비 선택 된 비트 라인 들 ( BL 1 ~ BL 4 , BL 6 ~ BLt ) 중 바이어 싱 되 는 비트 라인 들 ( BL 4 , BL 6 ) 의 개수 는 각각 2 개 일 수 있 다 . 다만 , 상술 된 수치 들 은 본 발명 의 범위 를 제한 하 지 않 는다 .