본 발명 은 반도체 소자 의 제조 방법 관한 것 으로 , 종래 기술 에 따른 노광 공정 시 웨이퍼 의 배면 에 발생 하 는 불순물 ( Particle ) 또는 웨이퍼 자체 의 평탄 도 불량 ( Abnormal deposition ) 에 의하 여 웨이퍼 가 노광 장치 에 정렬 되 었 을 때 의 웨이퍼 표면 높이 가 균일 하 게 나타나 지 못하 여 노광 초점 에 오 차 가 발생 하 는 문제 를 해결 하 기 위하 여 , 초점 높이 분석 ( Focus Level Analysis ) 장치 를 이용 하 여 노광 렌즈 의 초점 을 정확 하 게 보정 함 으로써 , 노광 공정 이 정상 적 으로 수행 되 지 못하 는 문제 를 해결 하 고 반도체 소자 의 결함 을 방지 하 는 발명 에 관한 것 이 다 .