다음 으로 도 6 ( c ) 에 도시 한 것 처럼 반도체 적층 체 ( 40 ) 의 상면 ( n 형 반도체 층 ( 41 ) 의 표면 ) 에 소정 간격 을 두 고 n 측 전극 ( 50 ) 을 형성 한다 . 다음 으로 도 6 ( d ) 에 도시 한 것 처럼 n 측 전극 ( 50 ) 의 상면 및 측면 을 전부 덮 는 마스크 ( 110 ) 를 마련 하 고 습식 식각 에 의해 비 마스크 부를 식각 한다 . 비 마스크 부 는 제 1 볼록 영역 ( 80 ) 이 되 는 부분 으로서 이 식각 에 의해 불 완전 한 제 1 볼록 부 가 다수 형성 된다 . 즉 비교 적 얕 은 위치 에서 돌출 된 낮 은 볼록 부가 형성 된다 . 아울러 가공 량 ( 깊 음 ) 이나 볼록 부 의 높이 는 , 습식 식각 에서 는 온도 나 침지 시간 을 바꿈 으로써 조정 할 수 있 다 . 예 를 들 면 식각 용액 을 50 ~ 100 ℃ 로 가열 하 고 , 예 를 들 면 30 분 간 침지 해도 좋 다 .