터널 절연 패턴 ( 200 ) 및 제 1 블로킹 패턴 ( 180 ) 은 각각 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 과 같 은 산화물 을 포함 할 수 있 으며 , 전하 저장 패턴 ( 190 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 질화물 과 같 은 질화물 을 포함 할 수 있 다 . 한편 , 패드 ( 240 ) 는 예 를 들 어 , 불순물 이 도핑 된 결정질 실리콘 을 포함 할 수 있 다 .