( i ) 씬 필름 디바 이시즈 ( Thin Film Devices ) ( 미국 캘리포니아주 안 나 하임 에 위치 함 ) 로부터 구입 한 유리 기판 상 의 패 터닝 된 인듐 주석 산화물 ( ITO , 애노드 , 60 Ω / sq ) , ( ii ) 에이치 씨 스타크 ( HC Stark ) 로부터 구입 한 PEDOT / PSS ( AI 4083 ) 을 포함 하 는 HIL 박 층 ( 30 nm 두께 ) , ( iii ) 메타 노 풀러렌 [ 6 , 6 ] - 페닐 C 61 - 부티르산 메틸 에스테르 ( PCBM ) ( 나노 - 씨 ( Nano - C ) ( 미국 매사추세츠 주 웨스트우드 에 위치 함 ) 로부터 구입 함 ) , C 60 - 인 덴 모노 - 부가물 , 또는 C 60 - 인 덴 비스 - 부가물 ( 이 들 풀러렌 부가물 들 은 상기 실시 예 에서 기술 된 바 와 같이 제조 함 ) 인 n 형 과 블 렌 딩 된 플렉스 코어 P 3 HT ( 실시 예 7 에 기술 된 바 와 같이 제조 함 ) 를 포함 하 는 100 nm 활성 층 , 및 ( iv ) Ca / Al 이중층 캐소드 를 포함 하 는 광기전력 소자 를 제조 하 였 다 .