발광 소자 ( 1 ) 는 , 예 를 들 면 발광 다이오드 등 의 반도체 발광 소자 이 며 , 예 를 들 면 사파이어 기판 상 에 GaN 을 결정 성장 시킴 으로써 제작 된다 . 발광 소자 ( 1 ) 의 발광 피크 는 , 후술 하 는 YAG 계 형광체 와 조합 하 여 구성 되 는 경우 에 는 , 예 를 들 면 460 ㎚ 로 설정 된다 . 도 1 에 도시 하 는 발광 장치 ( 10 ) 에서 는 , 상면 에 정부 의 전극 이 형성 된 발광 소자 를 예시 하 고 있 지만 , 플립 칩 실장 타입 의 발광 소자 , Si 기판 에 GaN 이 접합 되 어 양면 에 전극 이 형성 된 발광 소자 를 이용 할 수 도 있 다 . 또한 , 목적 이나 용도 에 따라 이용 하 는 발광 소자 의 조성 이나 발광 색 , 크기 나 , 개수 등 은 목적 에 따라 적절히 선택 할 수 있 다 .