이 들 기술 은 상 , 하부 전극 이 TiN 으로서 위치 및 재료 가 고정 되 어 있 기 때문 에 GST 셀 의 이동 이 불 가능 하 고 , 셋 / 리셋 반복 실험 중 fail 이 발생 하 면 더 이상 사용 할 수 없 는 셀 이 되 어 버리 는 문제 가 있 으며 , 반도체 소자 의 피로 현상 이 일어난 셀 의 TEM 과 같 은 2 차 샘플링 이 어렵 게 되 는 문제 , 즉 실제 상변화 가 일어난 영역 의 위치 를 규명 하 기 곤란 한 문제 가 있 다 .