따라서 , 장치 ( 100 ) 는 중합체 증착 을 위해 전술 한 기화 및 반응물 의 공급 을 위해 소스 용기 ( 105 , 140 ) 를 포함 한다 ( 예 : 디아민 용 용기 하나 , 및 이 무수물 전구체 용 용기 하나 임 ) . 플라 즈 마 소스 ( 147 ) 는 H 2 및 불활성 가스 ( 예 : 희귀 가스 , 구체 적 으로 는 아르곤 ) 를 포함 하 는 가스 소스 ( 150 ) 와 연통 한다 . 또한 , 장치 ( 100 ) 는 , 가스 를 공급 하 고 본원 에 기술 된 중합체 증착 뿐 만 아니 라 수소 플 라즈 마 에치 백 을 수행 하 는 방식 으로 플 라즈 마 소스 를 작동 시키 도록 프로그램 된 제어 시스템 ( 125 ) 을 포함 한다 . 제 어 시스템 ( 125 ) 은 기판 ( 120 ) 을 반응 공간 ( 115 ) 에서 제거 하 지 않 고 도 중합체 증착 및 에치 백 이 동일 한 온도 에서 순차 적 으로 수행 될 수 있 도록 , 기판 ( 120 ) 을 바람직 하 게 는 180 ℃ 내지 220 ℃ 범위 , 더 바람직 하 게 는 약 190 ℃ 내지 210 ℃ 범위 에 유지 시킨다 . 에치 백 은 1 내지 20 초 , 구체 적 으로 는 5 내지 15 초 일 수 있 다 . 실시 예 로서 , 200 ℃ 에서 Ar / H 2 플 라즈 마 를 사용 하 는 10 초 식각 으로 4 . 5 nm 이하 의 폴리 이미드 층 의 식각 이 이루어지 는 것 으로 밝혀졌 다 . 다른 실시 예 로서 , 도 24 및 25 를 참조 하 여 아래 에 기술 된 바 와 같이 패 시베이 션 층 의 제거 및 챔버 세척 을 위한 고농 도 오존 ( O 3 ) 식각 단계 와 마찬가지 로 , 펄 싱 된 O 3 식각 단계 가 에치 백 단계 에 사용 될 수 있 다 . 당업자 가 이해 할 수 있 듯이 , 제 1 표면 상 의 원 하 는 패 시베이 션 층 의 식각 과잉 을 최소 화 하 기 위한 부분 적 에치 백 을 위해서 , 보다 느리 고 보다 제어 된 식각 을 위해 공정 조건 이 변경 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 펄스 기간 이 더 짧아질 수 있 거나 , 단일 펄스 가 충분 할 수 있 고 , O 3 농도 가 낮 아 지 고 / 지 거나 , 도 24 를 참조 해 아래 에 기술 된 중합체 제거 단계 에 비해 온도 가 낮 아 질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 24 의 125 ℃ 단계 는 유기 재료 가 최소 화 되 어야 하 는 표면 으로부터 임의 의 유기 재료 의 부분 에치 백 에 알맞 도록 충분히 낮 은 것 일 수 있 다 . 실제로 , 도 25 는 식각 속도 가 중합체 의 O 3 식각 을 위한 식각 온도 에 얼마나 의존 하 는지 를 나타낸다 . 패 시베이 션 층 의 선택 적 식각 을 부분 적 에치 백 과 조합 해도 , 식각 단계 가 일반 적 으로 매우 짧 아서 단일 챔버 의 공정 시간 이 많이 증가 되 지 않 을 것 이 다 .