제 1 탄소 계 산화 장벽 층 ( 992 ) 및 / 또는 제 2 탄소 계 산화 장벽 층 ( 792 ) 은 제 1 접합 패드 들 ( 988 ) 및 / 또는 제 2 접합 패드 들 ( 788 ) 의 산화 를 감소 시켜 , 제 1 접합 패드 들 ( 988 ) 과 제 2 접합 패드 들 ( 788 ) 사이 의 접합 강도 를 향상 시킬 수 있 다 . 또한 , 계면 영역 들 ( 994 , 794 ) 에서 의 산소 밀도 의 감소 는 제 1 접합 패드 ( 988 ) 및 제 2 접합 패드 ( 788 ) 의 접합 된 쌍 들 의 계면 저항 을 감소 시켜 , 제 1 반도체 다이 ( 900 ) 와 제 2 반도체 다이 ( 700 ) 사이 의 전류 흐름 을 개선 할 수 있 다 .