SnO 2 - Sb 2 O 3 계 이외 의 SnO 2 계 재료 로서 는 , 예 를 들 어 이하 의 것 이 제안 되 고 있 다 . Al , Si , Nb , Ta 및 Y 로 이루어지 는 군 ( 그룹 ) 으로부터 선택 된 적어도 1 종 을 포함 하 고 , 그 첨가량 의 합계 가 산화물 환산 으로 20 중량 % 이하 이 고 , 또한 , 비저항 이 1 × 107 Ω · ㎝ 인 SnO 2 계 소 결체 가 알려져 있 다 ( 예 를 들 어 , 일본 특개 2000 - 281431 호 공보 참조 ) . 또 , 산화 주석 에 0 . 5 ~ 10 중량 % 의 산화 탄 탈륨 을 단독 으로 첨가 해서 이 루어 지 는 막 생 성용 조성물 을 증발 재료 로 사용 하 여 저 저항 투명 도 전막 을 생성 하 는 방법 도 알려져 있 다 ( 예 를 들 어 , 일본 특공 평 5 - 42763 호 공보 참조 ) . 또 , 니오븀 , 탄 탈륨 등 의 산화물 을 0 . 5 중량 % 이하 포함 하 는 산화 제 2 주석 의 소 결체 도 알려져 있 다 ( 예 를 들 어 , 일본 특개소 50 - 18505 호 공보 참조 ) . 또 , 투명 기판 의 판면 에 , 주석 과 니오븀 또는 탄 탈륨 을 포함 하 는 금속 산화물 투명 도 전막 이 형성 되 어 있 는 투명 터치 패널 용 기판 도 알려져 있 다 ( 예 를 들 어 , 일본 특개 2002 - 73280 호 공보 참조 ) . 그러나 , 이 들 어느 문헌 에 있 어서 도 , 스퍼터링 중 의 이상 방전 을 저감 하 면서 , 가열 처리 없이 낮 은 막비 저항 을 실현 할 수 있 는 SnO 2 계 스퍼터링 타 겟 트 에 대한 내용 은 개시 되 어 있 지 않 다 .