그 다음 에 는 , 셀 영역 의 게이트 사이 에 랜딩 플러그 ( 165 ) 를 형성 한다 . 이때 , 주변 회로 영역 의 활성 영역 ( 120 ) 상부 에 는 제 1 저장 전극 콘 택 플러그 ( 160 ) 를 형성 한다 . 여기 서 , 제 1 저장 전극 콘 택 플러그 ( 160 ) 는 저장 캐 패 시 터 에 전원 전압 을 안정 적 으로 인가 할 수 있 도록 복수 개 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 며 , 그 위치 는 도 2 에 도시 된 제 2 저장 전극 콘 택 플러그 ( 180 ) 영역 과 중첩 되 는 위치 에 형성 한다 . 즉 후속 공정 에서 형성 되 는 비트 라인 과 중첩 되 지 않 는 위치 에 형성 하 는 것 이 다 .