도 1 a 는 , 본 발명 의 일 실시 형태 에 따른 물품 제조 방법 및 막 형성 방법 에서 제조 되 는 구조 를 개략 적 으로 도시 한다 . 도 1 b 는 , 종래 의 전통 적 인 접근 법 에 따른 물품 제조 방법 및 막 형성 방법 에서 제조 되 는 구조 를 개략 적 으로 도시 한다 . 먼저 , 요철 표면 을 포함 하 는 프로세스 웨이퍼 ( 프로세스 기판 ) ( W ) 가 준비 된다 . 표면 의 요철 은 프로세스 웨이퍼 ( W ) 의 패턴 에 의존 할 수 있 다 . 프로세스 웨이퍼 ( W ) 는 , 예 를 들 어 후 에 에칭 에 의해 패 터닝 되 는 층 을 포함 할 수 있 다 . 프로세스 웨이퍼 ( W ) 위 에 초점 보상 막 ( 3 ) 이 형성 될 수 있 다 . 초점 보상 막 ( 3 ) 은 , 예 를 들 어 60 nm 내지 200 nm 의 범위 내 의 두께 를 가질 수 있 지만 , 다른 두께 를 가져도 된다 .