산화물 반도체 층 의 가공 은 원 하 는 형상 의 마스크 를 산화물 반도체 층 위 에 형성 한 후 , 당해 산화물 반도체 층 을 에칭 함 으로써 행할 수 있 다 . 상술 한 마스크 는 포토 리소그래피 또는 잉크젯 트 법 등 의 방법 을 이용 해서 형성 할 수 있 다 . 산화물 반도체 층 의 에칭 은 , 드라이 에칭 또는 웨트 에칭 으로 할 수 있 다 . 물론 , 이것 들 을 조합 해서 이용 해도 된다 .