도 19 및 도 20 a 를 참조 하 면 , 셀 영역 및 주변 회로 영역 ( PERI ) 을 포함 하 는 반도체 기판 ( 100 ) 이 제공 된다 . 반도체 기판 ( 100 ) 은 벌크 ( bulk ) 실리콘 기판 , 실리콘 - 온 - 인 슐레이터 ( silicon on insulator : SOI ) 기판 , 게르마늄 기판 , 게르마늄 - 온 - 인 슐레이터 ( germanium on insulator : GOI ) 기판 , 실리콘 - 게르마늄 기판 , 또는 선택 적 에피 택 셜 성장 ( selective epitaxial growth : SEG ) 을 수행 하 여 획득 한 에피 택 셜 박막 의 기판 일 수 있 다 .