층간 절연 층 ( 40 ) 이 노출 되 도록 강유 전 층 ( 22 ) , 안정 화 층 ( 23 ) , 산소 확산 배리 어 층 ( 24 ) , 제 1 문턱 전압 제어 층 ( 125 ) , 제 2 문턱 전압 제어 층 ( 225 ) , 상단 배리 어 층 ( 26 ) , 및 게이트 충 진 층 ( 27 ) 을 평탄 화 할 수 있 다 . 이 로써 도 4 a 에 도시 된 반도체 소자 ( 200 ) 가 제조 될 수 있 다 .