도 6 f 를 참조 하 면 , 가령 SiO 2 를 물리 기상 증착 을 이용 하 여 워드 라인 컷 ( 232 ) 을 채우 는 절 연막 ( 272 ) 을 형성 할 수 있 다 . 절 연막 ( 272 ) 은 대체로 스텝 커버리지 ( step coverage ) 가 나쁘 게 형성 하 여 에어 갭 들 ( 216 ) 이 절 연막 ( 272 ) 에 의해 채워 지 지 아니하 게 형성 할 수 있 고 , 절 연막 ( 272 ) 내부 에 공동 ( void , 272 a ) 이 형성 될 수 있 다 . 절 연막 ( 272 ) 은 수직 채널 ( 240 ) 이 노출 되 도록 가령 화학 물리 적 연마 ( CMP ) 혹은 에치 백 공정 으로 평탄 화 될 수 있 다 . 다른 예 로 , 절 연막 ( 272 ) 은 수직 채널 ( 240 ) 을 덮 는 형태 로 형성 될 수 있 다 .