상기 제 1 기판 ( 30 ) 상 에 는 화소 영역 을 정의 하 기 위해 게이트 라인 ( 31 ) 및 데이터 라인 ( 미 도시 ) 이 서로 수직 으로 교차 하 여 배열 되 고 , 상기 각 게이트 라인 ( 31 ) 과 데이터 라인 이 교차 하 는 부분 에 박막 트랜지스터 ( TFT ) 가 형성 되 며 , 각 화소 영역 에 는 화소 전극 ( 미 도시 ) 이 형성 된다 .