적어도 하나 의 중간층 이 형성 되 면 , 적어도 하나 의 중간층 의 일 방향 에 금속 층 이 형성 되 되 , 중간층 의 일 방향 은 기본 소자 가 위치 한 방향 의 반대 방향 일 수 있 다 ( 205 ) . 이 경우 , 금속 층 은 중간층 각각 마다 대응 하 여 형성 될 수 도 있 다 . 금속 층 은 소정 의 공정 을 통해 중간 층 에 형성 될 수 있 으며 , 예 를 들 어 스퍼터링 ( sputtering ) 등 과 같 은 진공 증착 공정 을 이용 하 여 중간 층 에 형성 될 수 있 다 .