이 와 같 은 본 발명 의 실시 예 에 의하 면 이온 주입 ( Implant ) 공정 을 컨트롤 ( Control ) 하 여 포토다이오드 영역 을 증가 시킴 으로써 , 감도 및 새 츄 레 이 션 레벨 ( Saturation Level ) 을 향상 시킬 수 있 으며 , 또한 , 본 발명 의 실시 예 에 의하 면 포토다이오드 영역 이 넓 어 지 면서 도 펀치 ( punch ) 를 방지 할 수 있 는 장점 이 있 다 .