또한 , 상기 출원 들 은 주로 라디오 또는 마이크로파 주파수 들 에서 동작 가능 한 실시 예 들 에 초점 을 맞추 지만 , 본 발명 은 더 높 은 주파수 들 에서 , 특히 적외선 또는 가시 주파수 들 에서 동작 가능 한 실시 예 들 을 수반 한다 . 동작 주파수 들 이 광학 ( 적외선 / 가시 ) 주파수 들 로 스케일링 업 된 ( scaled up ) 경우 , 개별 적 인 산란 요소 들 의 크기 들 및 인접 한 산란 요소 들 사이 의 간격 들 은 비례 적 으로 스케일링 다운 되 어 , 기술 의 하위 파장 / 메타 물질 양상 을 보존 한다 . 통상 적 으로 마이크 론 또는 그 미만 정도 인 광학 주파수 들 에서 의 동작 을 위한 관련 길 이 스케일 들 은 종래 의 PCB 프로세스 들 에 대한 통상 적 인 길 이 스케일 들 보다 작 아서 , 본 발명 의 실시 예 들 은 그 대신 마이크 로 및 나노 리소그래피 프로세스 들 , 예 를 들 어 , CMOS 리소그래피 , PECVD 및 반응 성 이온 에칭 을 사용 하 여 구현 될 수 있 다 .