이때 , 불 산 을 함유 하 는 산화 막 또는 질화 막 을 형성 하 는 이유 는 후속 열 공정 에 의해 불 산 이 제 1 게이트 절 연막 패턴 ( 22 C ) 으로 확산 ( Diffusion ) 되 면서 게이트 패턴 ( 23 ) 에지 부분 의 제 1 게이트 절 연막 ( 22 A ) 의 두께 를 증가 시킴 으로써 GIDL 에 의한 오프 전류 ( Off Current , 오프 상태 에서 흐르 는 전류 즉 , 게이트 와 드레 인간 의 누설 전류 를 뜻한다 ) 를 감소 시킬 수 있 기 때문 이 다 .