마이크 로 전자 재료 의 화학 적 에칭 은 플 라즈 마 에칭 에 비해 이 점 을 가질 수 있 다 . 그러나 , 웨이퍼 전체 에 걸쳐 균일 한 에칭 속도 를 제공 하 기 위해 , 에칭 반응물 ( 예 , 흡착 반응물 및 / 또는 에 천트 ) 과 부산물 의 부분 압력 , 체류 시간 및 온도 는 기판 ( 예컨대 , 웨이퍼 ) 에 대해 공간 적 으로 많이 변해서 는 안 된다 . 샤워 헤드 유형 의 반응기 는 유입 가스 의 부분 압력 의 균일 한 분포 를 제공 할 수 있 지만 , 웨이퍼 전체 에 걸쳐 부산물 의 부분 압력 과 가스 분자 의 체류 시간 은 일정 하 지 않 을 수 있 다 . 예 를 들 어 , 샤워 헤드 의 중심 에서 유입 된 분자 는 , 웨이퍼 의 가장자리 에서 유입 된 분자 에 비해 반응기 에서 더 긴 체류 시간 을 갖 는데 , 그 이유 는 반응 챔버 에서 배기 로 의 펌핑 이 일반 적 으로 웨이퍼 의 둘레 에서 수행 되 기 때문 이 다 .