셀 은 EUV 및 UV 를 각각 변환 하 기 위해 AlN 상부 층 및 GaN 하부 층 을 포함 하 는 셀 과 같 은 다중 p - n 접합 셀 을 포함 할 수 있 다 . 실시 예 에서 , 광전지 는 UV 및 EUV 와 같 은 단파장 광 의 과도 한 감쇠 를 피하 기 위해 표면 근처 에 무거운 p - 도핑 을 갖 는 GaN p - 층 셀 을 포함 할 수 있 다 . n - 형 하부 층 은 AlGaN 또는 AlN 을 포함 할 수 있 다 . 실시 예 에서 , PV 셀 은 p - n 접합부 의 최 상부 층 에 크 게 p - 도핑 된 GaN 및 AlxGa 1 - xN 을 포함 하 며 , 여기 서 p - 도핑 된 층 은 2 차원 - 홀 가스 를 포함 한다 . 실시 예 에서 , PV 셀 은 반도체 접합부 를 갖 는 GaN , AlGaN 및 AlN 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 실시 예 에서 , PV 셀 은 금속 접합부 를 갖 는 n - 형 AlGaN 또는 AlN 을 포함 할 수 있 다 . 실시 예 에서 , PV 셀 은 다수 의 전자 - 정공 쌍 을 갖 는 PV 재료 의 밴드 갭 보다 높 은 고 에너지 광 에 응답 한다 . 빛 의 세기 는 효율 을 향상 시키 기 위해 재조합 메커니즘 을 포화 시키 기 에 충분 할 수 있 다 .