또한 상기 MOS 트랜지스터 의 게이트 단자 에 인가 되 는 전원 전압 이 감소 되 면 산화 막 아래쪽 에 충분 한 채널 이 형성 되 지 않 아 전류 의 흐름 이 감소 할 수 있 다 . 상기 전원 전압 이 감소 됨 에 따라 , 상기 메모리 장치 는 비트 라인 ( 103 ) 과 상보 비트 라인 ( 105 ) 을 통해 메모리 셀 ( 110 ) 의 데이터 를 감지 증폭 하 는 감지 전압 이 감소 하 여 동작 속도 가 느려질 수 있 다 .