그리고 , 본 발명 의 열처리 방법 에서 는 , 이상 과 같이 하 여 지 지 보조 부재 ( 3 ) 의 재치 면 모두 에 의한 평면도 를 조정 하 고 나 서 , 상기 재치 면 상 에 반도체 웨이퍼 를 재치 하 여 열처리 를 실시 한다 . 따라서 , 웨이퍼 하중 의 언밸런스 도 발생 하 지 않 고 , 효과 적 으로 슬립 전위 를 억제 할 수 있 다 . 또한 , 지지 보조 부재 ( 3 ) 의 두께 의 조절 이나 스 페이서 ( 12 ) 를 이용 한 조절 에 의해 평면도 의 조정 을 실시 하 므로 , 보트 자체 를 높 은 정밀도 로 가공 한다고 하 는 실현 이 곤란 한 방법 과 는 상이 하 고 , 미 조정 이 지극히 간단 하 여 , 저 비용 으로 높 은 정밀도 로 조정 을 실시 할 수 있 다 .