이 발명 의 다른 실시 형태 는 , 기판 을 수평 으로 유지 하 는 기판 유지 유닛 과 , 상기 기판 유지 유닛 에 유지 되 는 상기 기판 의 상면 에 제 1 액체 를 공급 하 는 제 1 액체 공급 유닛 과 , 상기 기판 유지 유닛 에 유지 되 는 상기 기판 의 상면 에 , 상기 제 1 액체 의 증기압 보다 높 은 증기압 을 가지 는 제 2 액체 를 공급 하 는 제 2 액체 공급 유닛 과 , 상기 기판 유지 유닛 에 유지 되 는 상기 기판 을 가열 하 는 히터 와 , 상기 기판 유지 유닛 에 유지 되 는 상기 기판 에 기체 를 분사 하 는 기체 분사 유닛 과 , 상기 제 1 액체 공급 유닛 , 상기 제 2 액체 공급 유닛 , 상기 히터 및 상기 기체 분사 유닛 을 제어 하 는 제어 장치 를 구비 하 고 , 상기 제어 장치 가 상기 제 1 액체 공급 유닛 및 상기 제 2 액체 공급 유닛 에 의해 상기 제 1 액체 및 상기 제 2 액체 를 상기 기판 의 상면 으로 공급 하 고 , 상기 제 2 액체 를 포함 하 는 제 2 액 막 과 , 상기 제 1 액체 를 포함 하 고 , 또한 , 상기 제 2 액 막 의 측방 을 감싸 는 제 1 액 막 을 상기 기판 의 상면 에 형성 하 는 액 막 형성 공정 과 , 상기 히터 에 의해 상기 기판 을 가열 함 으로써 , 상기 기판 의 상면 에 접하 는 상기 제 2 액체 를 적어도 증발 시켜 상기 제 2 액체 와 상기 기판 의 상면 사이 에 제 2 증기 층 을 형성 하 고 , 그리고 , 상기 제 2 액 막 을 상기 제 2 증기 층 상 으로 유지 하 는 증기 층 형성 공정 과 , 상기 제 2 증기 층 이 형성 된 후 , 상기 기체 분사 유닛 에 의해 상기 제 2 액 막 에 기체 를 분사 하 여 상기 제 2 액체 를 부분 적 으로 배제 함 으로써 상기 제 2 액 막 에 구멍 을 뚫 고 , 더욱 상기 구멍 을 기판 의 외주 를 향해 넓히 고 , 상기 제 2 액 막 을 상기 제 2 증기 층 상 에서 이동 시킴 으로써 , 상기 제 1 액 막 에 포함 되 는 제 1 액체 및 상기 제 2 액 막 에 포함 되 는 제 2 액체 를 상기 기판 밖 으로 배제 하 는 기체 분사 배제 공정 을 실행 하 는 기판 처리 장치 를 제공 한다 .