다음 으로 , 도 8 에 도시 하 는 바 와 같이 , CMP ( Chemical Mechanical Polishing ; 화학 적 기계 적 연마 ) 에 의해 , 산화 막 ( 5 ) 을 연마 한다 . 본 실시 형태 에서 는 , 실리콘 질화 막 ( 3 ) 을 스토퍼 막 ( stopper film ) 으로 해서 , 상기 실리콘 질화 막 ( 3 ) 의 막 두께 가 예컨대 60 ㎚ 가 될 때 까지 산화 막 ( 5 ) 을 연마 한다 .