우선 , 반도체 재료 를 포함 하 는 기판 ( 100 ) 을 준비 한다 ( 도 10 a 참조 ) . 반도체 재료 를 포함 하 는 기판 ( 100 ) 으로서 는 , 실리콘 이나 탄화 실리콘 등 의 단결정 반도체 기판 , 다 결정 반도체 기판 , 실리콘 게르마늄 등 의 화합물 반도체 기판 , SOI 기판 등 을 적용 할 수 있 다 . 여기 에서 는 , 반도체 재료 를 포함 하 는 기판 ( 100 ) 으로서 , 단결정 실리콘 기판 을 사용 하 는 경우 의 일례 에 대하 여 나타내 는 것 으로 한다 . 또한 , 일반 적 으로 「 SOI 기판 」 은 , 절연 표면 위 에 실리콘 반도체 층 이 설치 된 구성 의 기판 을 말 하 지만 , 본 명세서 등 에 있 어서 는 , 절연 표면 위 에 실리콘 이외 의 재료 로 이루어지 는 반도체 층 이 설치 된 구성 의 기판 도 포함 하 는 개념 으로서 사용 한다 . 즉 , 「 SOI 기판 」 이 갖 는 반도체 층 은 , 실리콘 반도체 층 으로 한정 되 지 않 는다 . 또한 , SOI 기판 에 는 , 유리 기판 등 의 절연 기판 위 에 절연 층 을 개재 하 여 반도체 층 이 형성 된 구성 의 것 이 포함 되 는 것 으로 한다 .