본 발명 의 또 다른 형태 에서 , 본 발명 은 칩 형성 물질 제거 작업 에 이용 되 는 코팅 된 절삭 인서 트이 다 . 절삭 인서 트 는 기판 및 내마모성 코팅 조직 을 포함 한다 . 내마모성 코팅 조직 은 티타늄 , 알루미늄 , 크롬 및 X 를 포함 하 는 매개 다 - 주기성 나노 층 코팅 조직 을 포함 한다 . 매개 다 - 주기성 나노 층 코팅 조직 은 복수 의 세트 의 교번 층 배열 을 포함 하 는데 , 여기 에서 각각 의 교번 층 배열 은 티타늄 , 알루미늄 및 X 를 포함 하 는 베이스 층 및 , 복수 의 세트 의 교번 나노 층 을 포함 하 는 나노 층 영역 을 포함 한다 . 각 세트 의 교번 나노 층 은 알루미늄 , 크롬 , 티타늄 및 X 를 포함 하 는 하나 의 나노 층 및 , 알루미늄 , 크롬 , 티타늄 및 X 를 포함 하 는 다른 나노 층 을 포함 한다 . X 는 다음 의 질소 , 탄소 , 붕소 , 탄소 와 질소 , 붕소 와 질소 , 탄소 와 붕소 와 질소 , 질소 와 산소 , 탄소 와 산소 , 붕소 와 산소 , 탄소 와 질소 와 산소 , 붕소 와 질소 와 산소 , 및 , 탄소 와 붕소 와 질소 와 산소 중 임의 의 하나 를 포함 한다 . 베이스 층 은 베이스 층 두께 를 가지 며 나노 층 영역 은 나노 층 영역 두께 를 가지 는데 , 여기 에서 베이스 층 두께 는 나노 층 영역 두께 보다 작 다 .