상기 주 포토 마스크 ( 50 ) 가 상기 고밀 도 및 저밀 도 차광 패턴 영역 들 ( 54 a , 54 b ) 을 구비 하 는 경우 에 , 상기 보조 포토 마스크 ( 44 ) 의 상기 투명 층 ( 48 a ) 은 상기 주 포토 마스크 ( 50 ) 의 상기 고밀 도 차광 패턴 영역 ( 54 a ) 에 대응 하 여 배치 되 고 , 상기 보조 포토 마스크 ( 44 ) 의 상기 반투명 층 ( 48 b ) 은 상기 주 포토 마스크 ( 50 ) 의 상기 저밀 도 차광 패턴 영역 ( 54 b ) 에 대응 하 여 배치 된다 . 이 에 따라 , 상기 보조 포토 마스크 ( 44 ) 의 상기 투명 층 ( 48 a ) 을 통과 한 광 은 상기 주 포토 마스크 ( 50 ) 의 상기 고밀 도 차광 패턴 영역 ( 54 a ) 으로 입사 될 수 있 다 . 이 와 마찬가지 로 , 상기 보조 포토 마스크 ( 44 ) 의 상기 반투명 층 ( 48 b ) 을 통과 한 광 은 상기 주 포토 마스크 ( 50 ) 의 상기 저밀 도 차광 패턴 영역 ( 54 b ) 으로 입사 될 수 있 다 . 그 결과 , 상기 보조 포토 마스크 ( 44 ) 및 상기 주 포토 마스크 ( 50 ) 를 통과 한 광 의 투과 량 은 동일 하 게 된다 . 즉 , 본 발명 에 따른 보조 포토 마스크 를 이용 함 으로써 노광 공정 의 광 투과율 을 조절 할 수 있 다 .