본 발명 은 이미지 센서 의 제조 방법 에 관한 것 으로서 , 반도체 기판 에 광 감지 소자 를 형성 시키 는 단계 와 , 반도체 기판 에 트렌치 를 형성 시키 는 단계 와 , 트렌치 에 절연 물질 을 매립 하 는 단계 와 , 반도체 기판 의 픽셀 영역 에서 활성 영역 상 의 절연 물질 을 식각 하 는 단계 와 , 절연 물질 을 폴리 싱하 여 소자 분리 막 을 형성 시키 는 단계 를 포함 한다 . 따라서 , 본 발명 은 픽셀 영역 ( pixel region ) 과 주변 회로 영역 ( periphery region ) 간 에 활성 영역 ( active area ) 의 밀도 ( density ) 차이 로 인해 발생 되 는 소자 분리 막 의 단차 를 없앰 으로써 STI 스티 링거 ( stringer ) 가 활성 영역 ( active area ) 을 침범 하 는 것 을 방지 하 여 디자인 대로 활성 영역 을 가지 도록 하 고 , 별도 의 마스크 를 제작 할 필요 없이 기존 에 픽셀 영역 에 사용 하 던 마스크 를 재 이용 함 으로써 공정 의 단순 화 및 비용 절감 을 가져오 는 효과 를 가지 고 있 다 .