우선 , 기판 ( 800 ) 위 에 제 1 전극 ( 801 ) 을 형성 하 였 다 . 전극 면적 은 4 mm 2 ( 2 mm Х 2 mm ) 로 하 였 다 . 기판 ( 800 ) 에 는 유리 기판 을 사용 하 였 다 . 제 1 전극 ( 801 ) 은 산화 실리콘 을 포함 하 는 인듐 주석 산화물 ( ITSO ) 을 스퍼터링 법 에 의하 여 70 nm 의 두께 로 성막 하 여 형성 하 였 다 . 또한 본 실시 예 에서 제 1 전극 ( 801 ) 은 양극 으로서 기능 한다 .