도 3 을 참조 하 면 , 반도체 장치 ( 1000 b ) 는 도 2 를 참조 하 여 상술 한 실시 예 에서 와 달리 , 분리 구조물 ( 200 b ) 이 서로 인접 하 는 소스 / 드레 인 영역 들 ( 150 ) 사이 에 배치 되 되 , 분리 구조물 ( 200 b ) 의 양 측면 들 은 서로 인접 하 는 소스 / 드레 인 영역 들 ( 150 ) 과 각각 접촉 할 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 에서 , 분리 구조물 ( 200 b ) 의 측면 들 상 에 , 소스 / 드레 인 영역 들 ( 150 ) 의 분리 구조물 ( 200 b ) 을 향하 는 측면 들 과 접하 는 채널 구조물 ( 140 ) 의 일부 및 내부 스 페이서 층 들 ( 130 ) 의 일부 가 잔존 하 지 않 을 수 있 다 .