그 다음 에 , 반도체 층 ( 120 ) 을 덮 도록 절연 층 ( 122 ) 을 형성 한다 ( 도 19 의 ( b ) 참조 ) . 절연 층 ( 122 ) 은 후 에 게이트 절연 층 이 된다 . 절연 층 ( 122 ) 은 , 예 를 들 어 , 반도체 층 ( 120 ) 표면 의 열처리 ( 열 산화 처리 나 열 질화 처리 등 ) 에 의해 형성 할 수 있 다 . 열처리 대신 에 , 고밀도 플라 즈 마 처리 를 적용 할 수 있 다 . 고밀 도 플 라즈 마 처리 는 , 예 를 들 어 , He , Ar , Kr , Xe 등 의 희가스 , 산소 , 산화 질소 , 암모니아 , 질소 , 수소 등 중 어느 것 의 혼합 가스 를 이용 해서 행할 수 있 다 . 물론 , CVD 법 이나 스퍼터링 법 등 을 이용 해서 절연 층 을 형성 할 수 도 있 다 . 당해 절연 층 ( 122 ) 은 산화 실리콘 , 산화 질화 실리콘 , 질화 실리콘 , 산화 하프늄 , 산화 알루미늄 , 산화 탄탈 , 산화 이트륨 , 하프늄 실리케이트 ( HfSixOy ( x > 0 , y > 0 ) ) , 질소 가 첨가 된 하프늄 실리케이트 ( HfSixOy ( x > 0 , y > 0 ) ) , 질소 가 첨가 된 하프늄 알 루미 네이트 ( HfAlxOy ( x > 0 , y > 0 ) ) 등 을 포함 하 는 단층 구조 또는 적층 구조 로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 절연 층 ( 122 ) 의 두께 는 , 예 를 들 어 , 1 nm 이상 100 nm 이하 , 바람직 하 게 는 10 nm 이상 50 nm 이하 로 할 수 있 다 . 여기 에서 는 , 플라 즈 마 CVD 법 을 이용 하 여 산화 실리콘 을 포함 하 는 절연 층 을 단층 으로 형성 한다 .