한편 , 콘 택 플러그 와 접하 는 금속 배선 을 형성 하 기 위하 여 식각 정지 막 을 콘 택 플러그 의 상부 에 형성 할 수 도 있 다 . 즉 , 제 1 절 연막 에 콘 택 플러그 를 형성 한 뒤 콘 택 플러그 를 포함 하 는 전체 구조 상부 에 식각 정지 막 , 제 2 절 연막 을 형성 한다 . 그리고 , 제 2 절 연막 을 패 터닝 하 여 트렌치 를 형성 하 고 트렌치 를 매립 하 여 금속 배선 을 형성 할 수 도 있 다 . 하지만 , 이 경우 콘 택 플러그 상부 의 오목 한 형상 을 따라 식각 정지 막 이 형성 되 기 때문 에 , 제 2 절 연막 에 트렌치 를 형성 할 때 콘 택 플러그 상부 에 식각 정지 막 이 잔류 할 수 있 다 . 이렇게 콘 택 플러그 와 금속 배선 사이 에 잔류 하 는 식각 정지 막 은 반도체 소자 를 구동 할 때 결함 으로 작용 하 여 반도체 소자 의 성능 에 악영향 을 미치 게 된다 .