상기 게이트 절 연막 ( 131 ) 및 게이트 전극 ( 141 ) 은 상기 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 산화 막 ( 130 ) 및 폴리 실리콘 막 ( 140 ) 을 적층 한 후 상기 폴리 실리콘 막 ( 140 ) 상 에 게이트 용 포토레지스트 패턴 ( 미 도시 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 상기 포토레지스트 패턴 을 식각 마스크 로 사용 하 여 하부 의 폴리 실리콘 막 ( 140 ) 을 식각 하 면 상기 게이트 전극 ( 141 ) 이 형성 된다 .