상기 게이트 전극 층 을 형성 하 는 단계 는 , 상기 제 1 방향 의 상기 채널 층 이 형성 된 상기 부분 절연 층 을 제외 하 고 상기 일부 가 제거 된 소자 분리 층 을 채워 상기 채널 층 의 상단 과 동일 한 레벨 을 갖 도록 하 는 단계 및 상기 제 1 방향 으로 연장 되 고 상기 채널 층 상 에 형성 된 상기 게이트 절연 층 을 둘러싸 는 게이트 전극 층 을 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .