예 를 들 면 , 각 낸드 스트링 ( NS ) 에서 , 메모리 셀 들 ( MC 1 ~ MC 5 ) 및 접지 선택 트랜지스터 ( GST ) 사이 에 두 개 또는 그 이상 의 더미 메모리 셀 들 이 제공 될 수 있 다 . 각 낸드 스트링 ( NS ) 에서 , 메모리 셀 들 ( MC 1 ~ MC 5 ) 및 스트링 선택 트랜지스터 ( SST ) 사이 에 두 개 또는 그 이상 의 더미 메모리 셀 들 이 제공 될 수 있 다 .