상기 게이트 전극 ( 120 ) 을 덮 는 게이트 절연 층 ( 130 ) 이 구비 된다 . 게이트 절연 층 ( 130 ) 은 실리콘 산화물 층 , 실리콘 질산 화물 층 이나 실리콘 질화물 층 을 포함 할 수 있 으나 , 그 밖 의 다른 물질 층 , 예컨대 , 실리콘 질화물 층 보다 유전 상수 가 큰 고유 전 물질 층 을 포함 할 수 도 있 다 . 게이트 절연 층 ( 130 ) 은 이 와 같 은 고유 전 물질 층 중 적어도 두 층 이상 이 적층 된 구조 를 가질 수 도 있 다 . 본 발명 의 실시 예 에서 는 SiO 2 와 Al 2 O 3 를 적용 하 였 다 .