또한 , 상기 패드 질화 막 제거 후 활성 영역 상 에 잔류 한 패드 산화 막 상 에 10 ∼ 500 Å 의 두께 로 절 연막 을 형성 시키 는 방법 도 사용 할 수 있 으며 , 이때 , 상기 절 연막 의 형성 은 200 ∼ 1000 ℃ 의 온도 에서 H 2 O , O 2 , H 2 및 O 3 의 가스 , 및 이 를 포함 하 는 혼합물 질 을 이용 하 여 실리콘 열 산화 및 CVD ( chemical vapor deposition ) 방법 을 사용 하 여 형성 하 도록 한다 .