GaAs 기판 에 순차 적 으로 p - n 접합 GaAs 층 과 InGaP 터널 접합 , p - n 접합 InGaP 층 이 형성 된 GaAs / InGaP 이중 접합 구조 의 칩 상부 에 제조 된 SrTiO 3 : Pr , Al 나노 형광체 ( 210 ) 함유 형 ZnO : Al 투명 전극 층 ( 200 ) 구현 용 액상 코팅 물질 을 스핀 코팅 을 통해 두께 100 nm 내외 수준 으로 코팅 한 후 Ar 분위기 에서 400 ℃, 1 시간 열처리 를 시행 하 여 투명 전극 을 제조 하 고 , 태양 전지 구동 을 위해 Au 전극 을 진공 증착 방식 으로 제조 한다 .