상기 한 미국 특허 출원 공개 및 특허 의 각각 에 개시 된 임프 린트 리소그래피 기술 은 성형 성 ( 중합 성 ) 층 에 양각 패턴 의 형성 과 양각 패턴 에 대응 하 는 패턴 을 아래 놓인 기판 에 전사 하 는 것 을 포함 한다 . 기판 은 원 하 는 위치 를 얻 기 위해 모션 스테이지 에 결합 시켜 패턴 형성 공정 을 용이 하 게 할 수 있 다 . 패턴 형성 공정 은 기판 과 이격 되 어 있 는 템 플레이트 를 사용 하 고 템 플레이트 와 기판 사이 에 적용 된 성형 성 액체 를 사용 한다 . 성형 성 액체 는 고화 되 어 성형 성 액체 와 접촉 해 있 는 템 플레이트 의 표면 의 형상 에 일치 하 는 패턴 을 갖 는 단단 한 층 을 형성 한다 . 고화 후 , 템 플레이트 는 단단 한 층 으로부터 분리 되 어 템 플레이트 와 기판 이 이격 된다 . 다음 에 기판 과 고화 된 층 은 고화 된 층 의 패턴 에 대응 하 는 양각 이미지 를 기판 에 전사 하 기 위한 추가 의 공정 을 거치 게 된다 .