상술 한 바 와 같이 종래 기술 에 따른 콘 택 플러그 형성 방법 은 드레 인 콘 택 공정 을 진행시 드레 인 콘 택 마스크 공정 에 있 어 셀 영역 의 드레 인 콘 택 어레이 패턴 은 일반 적 으로 어느 한 방향 에 대하 여 뛰어난 해상력 을 보이 는 다이폴 ( Dipole ) 과 같 은 극단 의 조명계 를 적용 하 여 미세 패턴 닝 이 가능 하 지만 수 가 적 은 고전압 트랜지스터 콘 텍 홀 의 경우 에 는 다이폴 조명계 에서 그 분해능 이 취약 하 여 하 다 . 이 로 인하 여 소자 가 점차 직접 화 될수록 고전압 트랜지스터 콘 택 의 균 일도 가 일정 치 않 아 , 후속 금속 배선 공정 시 오버레이 공정 에 취약점 을 갖 는다 .