이어서 , 식각 배리 어막 ( 24 ) 상 에 제 1 분리 절 연막 ( 25 ) 을 형성 한다 . 이때 , 제 1 분리 절 연막 ( 25 ) 은 산화 막 으로 형성 하 며 , 바람직 하 게 , PE - TEOS , BPSG , PSG 또는 USG 중 에서 선택 된 적어도 어느 하나 이 다 . 그리고 , 제 1 분리 절 연막 ( 25 ) 의 두께 는 높 은 종횡비 의 홀 패턴 을 수직 프로 파일 로 형성 할 수 있 는 즉 , 식각 장비 가 수직 프로파일 및 오픈 불량 없이 산화 막 을 식각 할 수 있 는 두께 로 한다 . 예 를 들 어 , 식각 장비 가 수직 프로 파일 로 형성 할 수 있 는 최대 두께 가 10000 Å 이 라 할 때 , 제 1 분리 절 연막 ( 25 ) 은 최대 10000 Å 두께 를 갖 는다 .