상기 한 복적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 일실 시예 에 따른 반도체 장치 의 내부 전압 생성 회로 는 , 외부 전압 을 이용 하 여 서로 다른 레벨 을 가지 는 복수 의 전압 을 생성 하 는 전압 생 성부 ; 상기 복수 의 전압 에서 내부 전압 을 선택 하 기 위한 선택 코드 를 저장 하 는 코드 저 장부 ; 및 노멀 동작 시 상기 선택 코드 의 정보 에 따라 상기 복수 의 전압 에서 상기 내부 전압 을 선택 하 며 , 테스트 모드 시 테스트 선택 코드 가 더 입력 되 면 상기 테스트 선택 코드 에 응답 하 여 상기 복수 의 전압 에서 상기 내부 전압 을 선택 하 되 그 선택 의 기준 이 되 는 초기 값 은 상기 선택 코드 에 의해 선택 된 내부 전압 인 것 을 특징 으로 하 는 디 코딩 부를 포함 한다 .