응결 이 라고 함 은 , 예 를 들 면 , 실리콘 입자 의 제조 에서 기상 ( gas - phase ) 프로세스 로 최초 에 형성 되 는 것 과 같 은 구형 또는 대체로 구형 인 일차 입자 가 기상 프로세스 에서 의 추가 의 반응 과정 중 에 함께 성장 하 고 , 이러 한 방식 으로 응결체 ( aggregate ) 를 형성 하 는 것 을 의미 한다 . 이 들 응결체 는 추가 의 반응 과정 에서 응 집체 ( agglomerate ) 를 형성 할 수 있 다 . 응 집체 는 응결체 의 느슨 한 어셈블리 이 다 . 응 집체 는 전형 적 으로 사용 되 는 니 딩 ( kneading ) 프로세스 및 분산 프로세스 에 의해 응결체 로 쉽 게 다시 분쇄 될 수 있 다 . 응결체 는 이러 한 프로세스 에 의해 일차 입자 로 분쇄 되 거나 부분 적 으로 만 일 차 입자 로 분쇄 될 수 있 다 . 응결체 또는 응 집체 형태 의 실리콘 입자 의 존재 는 , 예 를 들 면 , 전통 적 인 주사 형 전자 현미경 법 ( SEM ) 에 의해 가시 화 될 수 있 다 . 다른 한편 , 실리콘 입자 의 입자 크기 분포 또는 입자 직경 을 결정 하 기 위한 정적 광 산란 방법 은 응결체 또는 응 집체 를 구별 할 수 없 다 .