도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 11 ) 내 소정 영역 에 라이너 질화 막 ( 12 B ) 을 포함 하 는 소자 분리 막 ( 12 ) 이 형성 되 어 있 고 , 소자 분리 막 가장자리 에 모우 트 ( Q ) 가 형성 되 어 있 다 . 여기 서 , 모우 트 ( Q ) 는 소자 분리 막 ( 12 ) 을 형성 하 기 위한 식각 공정 및 세정 공정 으로 인하 여 소자 분리 막 ( 12 ) 가장자리 의 측벽 산화 막 ( 12 A ) , 라이너 질화 막 ( 12 B ) 및 HDP 절 연막 ( 12 C ) 의 일부분 이 손실 되 면서 형성 된다 . 이러 한 모우 트 로 인하 여 소자 분리 막 과 접하 고 있 는 활성 영역 가장자리 부분 이 각지 게 형성 된다 .