본 발명 의 실시 예 에 따른 불휘발성 메모리 장치 는 복수 의 메모리 블록 들 을 포함 하 는 메모리 셀 어레이 ; 복수 의 워드 라인 들 을 통해 상기 복수 의 메모리 블록 들 에 연결 되 는 디코더 ; 복수 의 비트 라인 들 을 통해 상기 복수 의 메모리 블록 들 에 연결 되 는 읽 기 및 쓰 기 부 ; 적어도 하나 의 워드 라인 의 주소 들 을 저장 하 도록 구성 되 는 워드 라인 주소 래치 ; 상기 메모리 셀 어레이 및 상기 디코더 에 전압 을 공급 하 도록 구성 되 는 전압 생 성부 ; 그리고 상기 복수 의 메모리 블록 들 중 수신 된 소거 주소 에 대응 하 는 메모리 블록 이 선택 되 도록 , 그리고 상기 선택 된 메모리 블록 이 소거 및 소거 검증 되 도록 상기 디코더 , 상기 읽 기 및 쓰 기 부 , 그리고 상기 전압 생 성부 를 제어 하 는 제어 로직 을 포함 하 고 , 상기 선택 된 메모리 블록 의 워드 라인 들 중 일부 워드 라인 들 의 주소 들 이 상기 워드 라인 주소 래치 에 저장 되 고 , 상기 소거 검증 시 에 , 상기 워드 라인 주소 래치 에 저장 된 주소 들 에 대응 하 는 워드 라인 들 에 연결 된 복수 의 메모리 셀 들 이 각 워드 라인 의 단위 로 소거 검증 되 고 , 상기 소거 검증 시 에 소거 페일 이 검출 되 면 , 상기 선택 된 메모리 블록 이 다시 소거 되 고 그리고 상기 워드 라인 주소 래치 에 저장 된 주소 들 에 대응 하 는 상기 복수 의 메모리 셀 들 이 상기 소거 페일 된 메모리 셀 들 에 대응 하 는 워드 라인 으로부터 각 워드 라인 의 단위 로 다시 소거 검증 된다 .