본 발명 은 반도체 제조 기술 에 관한 것 으로 특히 , 반도체 소자 제조 공정 중 게이트 패 터닝 시 발생 되 는 식각 찌꺼기 에 의한 패턴 불량 의 문제점 을 해결 하 는 반도체 소자 및 그 제조 방법 에 관한 것 이 다 . 이 를 위해 본 발명 은 , 리세 스 부 가 형성 된 기판 , 상기 리세 스 부 내부 에 형성 된 게이트 절 연막 , 상기 게이트 절 연막 상부 의 상기 리세 스 부 내부 의 일부 에 매립 된 게이트 전 도막 , 상기 게이트 전 도막 상부 의 상기 리세 스 부 의 외부 로 돌출 되 지 않 게 매립 된 게이트 금속 막 , 상기 게이트 금속 막 의 측벽 면 과 상기 리세 스 부 의 측벽 면 사이 에 개재 된 게이트 스 페이서 및 상기 리세 스 부 의 외부 기판 에 형성 된 소스 및 드레 인 영역 을 포함 하 는 반도체 소자 를 제공 한다 .