상기 의 열처리 는 , 수소 를 함유 하 는 분위기 중 에서 600 ℃ 이상 , 900 ℃ 이하 로 행하 여도 관계없 다 . 수소 를 함유 하 는 분위기 중 에서 열처리 를 행하 면 , 불 완전 한 산화 실리콘 이 서서히 완전 한 상태 로 변화 하 고 , 절연 층 ( 6 ) 의 치밀성 이 높 아 진다 . 이 과정 에 의해 , 초기 상태 에서 는 O / Si 비 가 2 . 2 를 초과 하 였 던 산화 실리콘 이 개질 되 어 O / Si 비 가 2 . 1 이상 , 2 . 2 이하 의 범위 내 로 된다 . 열처리 시간 에 대해서 는 , 열처리 온도 가 600 ~ 800 ℃ 이 면 1 시간 정도 , 열처리 온도 가 800 ~ 900 ℃ 이 면 10 분 정도 로 하 면 좋 다 . 열처리 개 시시 의 승 온 속도 에 대해서 는 200 ℃/ 시간 ~ 400 ℃/ 시간 으로 설정 하 면 좋 다 .