일 양태 에서 , 전기 접촉 구조 체 는 전기 접촉 구조 체의 제 3 금속 층 ( 서로 혼합 되 는 것 을 억제 하 는 층 ) 상 에 배치 되 는 전기 전도성 에칭 저지 층 을 포함 한다 . 이러 한 양태 에서 , 전측 가공 및 후 측 웨이퍼 박 형 화 ( thinning ) 후 , 후 측 비아 홀 은 전기 전도성 에칭 저지 층 상 에서 종결 되 는 2 단계 에칭 공정 으로 화학 적 건식 에칭 을 사용 하 여 형성 된다 . 비아 홀 에칭 공정 의 첫 번 째 단계 에서 , 비아 홀 은 건식 불소 계 에칭 을 사용 하 여 기판 의 하 부면 의 노 출부 에서 형성 된다 . 이러 한 불소 계 에칭 은 III 족 - N 층 상 에서 선택 적 으로 저지 된다 . 두 번 째 단계 에서 , 비아 홀 에서 노출 된 III 족 - N 층 의 하부 면은 건식 염소 계 에칭 에 노출 된다 . 이러 한 염소 계 후 측 비아 홀 건식 에칭 은 III 족 - N 층 및 전기 접촉 구조 체 를 통해 비아 홀 에칭 이 계속 되 고 , 전기 접촉 구조 체 금속 의 전도성 에칭 저지 층 상 에서 종결 된다 .