제조 대상 MEMS 의 기재 는 원형 의 실리콘 웨이퍼 디스크 로 형성 된다 . 우선 , 저 압력 ( LP ) CVD ( 화학 기상 증착 ) 공정 을 통해 웨이퍼 상 에 실리콘 - 질화물 층 을 형성 하 였 다 . 그런 후 에 는 , 이산화규소 재질 의 희생 층 을 다시 한 번 LPCVD 를 통해 증착 시켰 다 . 이러 한 희생 층 으로 인해 MEMS 소자 상 에서 빔 ( beam ) 이 자유 롭 게 움직이 게 허용 된다 . 리 쏘 그래피 기법 을 적용 하 여 , 예컨대 HF / NH 4 F 를 이용 한 습식 식각 에 의해 희생 층 을 개방 시킴 으로써 의도 된 빔 이 고정 되 도록 하 였 다 . 다음 으로 는 , LPCVD 를 통해 폴리 실리콘 층 을 증착 시켰 다 . 폴리 실리콘 층 으로 한정 된 구조 체의 일부 가 아닌 층 부분 들 을 제거 하 기 위해 , 리 쏘 그래피 마스크 를 적용 하 였으며 , 이어서 표 1 의 식각 가스 ( 예컨대 , 실시 예 1 . 1 의 가스 혼합물 ) 를 플 라즈 마 챔버 로 가하 여 , 웨이퍼 상 에 있 는 폴리 실리콘 층 중 원 하 지 않 는 부분 들 을 제거 하 였 다 . 그 후 , 또 다른 층 ( 예컨대 , 구조 재료 로 사용 되 는 에폭시 계 수지 인 포토레지스트 SU 8 ) 을 적용 하 였 다 . SU 8 및 이 를 적용 하 는 방법 에 관한 상세 설명 을 htt : / / www . geocities . com / guerinlj / ? 200720 에서 찾아볼 수 있 다 .