도 13 i 를 참조 하 면 , 상기 게이트 절연 층 ( 160 ) 및 상기 반도체 층 ( CH ) 상 에 상기 소스 전극 ( SE ) 및 상기 드레 인 전극 ( DE ) 을 형성 한다 . 상기 소스 전극 ( SE ) 및 상기 드레 인 전극 ( DE ) 은 상기 반도체 층 ( CH ) 과 중첩 된다 . 상기 소스 전극 ( SE ) 및 상기 드레 인 전극 ( DE ) 은 제 3 마스크 를 이용 하 여 포토레지스트 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 .