도 7 은 본 발명 의 또 다른 실시 예 를 도시 한 것 으로 , 레이저 소자 의 제 조시 상부 거울 층 형성 과정 에서 도 6 과 달리 도 1 의 구조 에서 도 2 의 에피 재성장 과정 에서 상부 거울 층 을 반도체 거울 층 ( 92 ) 으로 구성 하 는 일례 를 나타낸다 . 이 상부 반도체 거울 층 ( 92 ) 은 하부 거울 층 ( 2 ) 과 동일 하 게 InAlGaAs / InAlAs , InAlGaAs / InP 등 의 반도체 다층막 으로 생성 한다 .