본 발명 은 반도체 기판 을 열처리 하 기 위한 방법 및 장치 를 제공 한다 . 본 발명 의 열처리 챔버 는 가스 분포 균일성 을 향상 시키 기 위해 가스 유동 방향 을 따라 처리 볼륨 으로 확장 하 도록 구성 된 배출 어셈블리 를 포함 한다 . 또한 , 본 발명 의 실시 예 는 엣지 처리 를 향상 시키 도록 측면 유동 을 제공 하 도록 구성 된 측면 주입 어셈블리 를 추가 로 포함 한다 . 추가 적 으로 본 발명 의 열처리 챔버 는 주입 포트 의 길이 에 걸쳐 유동 균일성 을 향상 시키 도록 둘 또는 그 초과 의 입력 부 를 가진 주입 카트리지 를 포함 한다 .