본 실시 형태 에서 는 , Cu 와 Mg 가 비 접촉 상태 로 적층 되 어 있 고 , 접합 공정 S 03 에 있 어서 의 가열 온도 가 , Mg 의 융점 이상 인 670 ℃ 이상 으로 되 어 있 으므로 , 접합 계면 에 있 어서 충분히 액상 을 생성 시킬 수 있 다 . 한편 , 접합 공정 S 03 에 있 어서 의 가열 온도 가 850 ℃ 이하 로 되 어 있 으므로 , Cu 와 활성 금속 ( Ti ) 의 공정 반응 의 발생 을 억제 할 수 있 어 , 액상 이 과잉 으로 생성 되 는 것 을 억제 할 수 있 다 . 또 , 세라믹스 기판 ( 11 ) 에 대한 열 부하 가 작아져 , 세라믹스 기판 ( 11 ) 의 열화 를 억제 할 수 있 다 .