이 기법 은 또한 , 후속 적 으로 복수 - 국면 프로그래밍 동작 의 다음 국면 ( next phase ) ( 예 를 들 어 , 정밀 ( fine ) 국면 과 같 은 것 ) 을 수행 하 는 것 을 포함 할 수 있 고 , 여기 서 다음 국면 을 수행 하 는 것 은 , 상기 고속 - 프로그래밍 비휘발성 저장 소자 들 및 상기 저속 - 프로그래밍 비휘발성 저장 소자 들 에 대해 , 관련 비트 라인 전압 들 을 상기 제 1 비트 라인 레벨 보다 작 은 영 이 아닌 레벨 ( 예컨대 , 0 . 5 V 의 추가 적 인 비트 라인 바이어스 ) 로 설정 하 여 , 계속 프로그래밍 하 는 것 , 그리고 상기 선택 게이트 들 의 상기 공통 제어 게이트 전압 을 상기 제 1 제어 게이트 레벨 보다 작 은 제 2 제어 게이트 레벨 ( 예컨대 , 1 . 7 V ) 에 설정 하 는 것 을 포함 한다 . 이 기법 은 또한 , 상기 다음 국면 에서 관련 검증 레벨 에 도달 한 상기 고속 - 프로그래밍 비휘발성 저장 소자 들 중 적어도 일부 와 상기 저속 - 프로그래밍 비휘발성 저장 소자 들 중 적어도 일부 에 대해 관련 비트 라인 전압 을 상기 락 아웃 레벨 까지 상승 시키 는 것 을 포함 한다 .