다른 방법 으로 , 도 1 a 내지 도 1 d 에서 의 제 1 박막 ( 12 ) 은 제거 될 수 도 있 다 . 다시 말 하 여 , 마스크 막 ( 14 ) 및 나노 입자 막 패턴 ( 18 ) 은 제 1 박막 ( 12 ) 대신 에 기판 ( 10 ) 상 에 직접 형성 될 수 있 다 . 이 경우 , 나노 입자 막 패턴 ( 18 ) 은 나노 반도체 입자 또는 나노 절연 물질 입자 로 형성 될 수 있 다 . 나노 반도체 입자 로 된 나노 입자 막 패턴 ( 18 ) 은 트랜지스터 의 확산 영역 을 형성 을 형성 하 게 되 고 , 그리고 나노 절연 물질 입자 로 된 나노 입자 막 패턴 ( 18 ) 은 회로 소자 ( 예 를 들 면 , 트랜지스터 ) 를 구분 하 는 소자 구분 용 절 연막 으로 사용 된다 .