본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 산화 가능 한 제 1 전극 ; 상기 제 1 전극 상 에 배치 되 며 , 하 기 화학식 1 로 표시 되 는 페로 브 스카이 트 ( perovskite ) 결정 구조 를 갖 는 금속 절연체 전이 를 발생 시키 는 저항 변화 물질 층 ; 및 상기 저항 변화 물질 층 상 에 배치 되 는 제 2 전극 을 포함 하 며 , 상기 저항 변화 물질 층 내 의 산소 농도 에 따라 상기 저항 변화 물질 층 의 저항 값 이 조절 되 며 , 상기 제 1 전극 과 상기 저항 변화 물질 층 사이 의 계면 에 산소 이동 으로 에너지 장벽 이 생 성 또는 소멸 되 는 저항 변화 메모리 소자 가 제공 될 수 있 다 .