도 38 a 는 기판 을 의도 적 으로 가열 하 지 않 고 스퍼터링 법 으로 In , Sn , Zn 을 주성분 으로 하 는 산화물 반도체 막 을 형성 했 을 때 의 트랜지스터 의 특성 이 다 . 이 때 전계 효과 이동도 는 18 . 8 ㎠/ Vsec 가 얻 어 지 고 있 다 . 한편 , 기판 을 의도 적 으로 가열 하 여 In , Sn , Zn 을 주성분 으로 하 는 산화물 반도체 막 을 형성 하 면 전계 효과 이동도 를 향상 시키 는 것 이 가능 해진다 . 도 38 b 는 기판 을 200 ℃ 로 가열 하 여 In , Sn , Zn 을 주성분 으로 하 는 산화물 반도체 막 을 형성 했 을 때 의 트랜지스터 특성 을 도시 하 는데 , 전계 효과 이동도 는 32 . 2 ㎠/ Vsec 이 얻 어 지 고 있 다 .