본 발명 의 실시 예 들 은 메모리 소자 및 그 형성 방법 에 관한 것 이 다 . 특히 상변화 메모리 소자 및 그 형성 방법 에 관련 된 것 이 다 . 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 상변화 물질 ( 막 ) 은 칼코겐 화합물 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 상변화 물질 ( 막 ) 은 AB 로 표시 되 며 , 여기 서 A 는 텔 루리 움 ( Te ) , 셀레늄 ( Se ) , 황 ( S ) , 그리고 폴로늄 ( Po ) 중 에서 적어도 하나 를 포함 하 고 , B 는 안티몬 ( Sb ) , 비소 ( As ) , 게르마늄 ( Ge ) , 주석 ( Sn ) , 인 ( P ) , 산소 ( O ) , 인듐 ( In ) , 비스 무스 ( Bi ) , 은 ( Ag ) , 금 ( Au ) , 팔라듐 ( Pd ) , 티타늄 ( Ti ) , 붕소 ( B ) , 질소 ( N ) , 그리고 실리콘 ( Si ) 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 .