이어서 , 상기 기판 의 온도 를 제 1 온도 로 가열 하 여 유지 한다 ( S 30 ) . 상기 제 1 온도 로 유지 되 는 상기 기판 상 에 제 1 박막 을 형성 하 기 위하 여 , 상기 제 1 합금 을 증발 시킨다 ( S 40 ) . 상기 제 1 온도 는 150 내지 350 ℃ 의 범위 일 수 있 다 . 이 에 따라 상기 기판 상 에 는 상기 제 1 합금 을 포함 하 는 박막 , 예 를 들 어 In 2 Se 3 을 포함 하 는 박막 이 형성 된다 .