도 4 는 복수 의 절연 층 ( 120 n ) 들 이 형성 된 반도체 기판 ( 110 ) 의 일부 를 도시 한 것 이 다 . 도 4 에 도시 된 바 와 같이 , 하나 의 반도체 기판 ( 110 ) 상 에 적어도 하나 이상 의 절연 층 ( 120 ) 이 형성 될 수 있 으며 , 각 절연 층 들 은 서로 일정 간격 ( d 1 ) 이격 되 어 형성 된다 . 하나 의 반도체 기판 ( 110 ) 상 에 복수 의 절연 층 ( 120 ) 을 동시 에 형성 하 여 , 복수 의 엠아이에스 캐 패시 터 를 동시 에 제조 하 기 위함 이 다 .