또한 , 반도체 패턴 의 형성 방법 에 본 발명 을 적용 하 는 경우 에 는 , 액체 조성물 의 용질 로서 , 예 를 들 어 트리 이소프로필 실릴 에티 닐 펜 타 센 등 의 가용성 유기 반도체 재료 등 이 사용 된다 . 용매 로서 는 , 실시 형태 와 같 은 것 을 사용 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 실시 형태 에서 , 도 2 의 ( g ) 를 이용 하 여 설명 한 반도체 층 ( 34 ) 의 형성 공정 에 있 어서 , 본 발명 을 적용 하 여 유기 반도체 층 을 패턴 형성 해도 된다 .