한편 , 일 본국 공개 특허 공보 특개평 11 － 168096 호 에 는 , high - k 절 연막 의 특성 을 열화 시키 는 일 없이 실리콘 층 위 에 직접 , high - k 절 연막 을 형성 하 는 방법 이 개시 되 어 있 다 . 여기 에서 는 , 실리콘 층 위 에 고유 전 질화 막 을 형성 한 후 , 해당 고유 전 질화 막 을 산화 해서 고유 전 산화 막 으로 변화 시키 고 있 다 . 그러나 , 이것 은 , 고유 전 산화 막 을 형성 할 수 있 지만 , 질화 금속 실리케이트 막 을 형성 할 수 는 없 다 .