방법 ( 600 ) 은 610 동작 에서 제 1 방 열 구 조체 에 연결 된 제 1 방열 층 을 가지 는 제 1 칩 을 기판 상 에 배치 하 는 프로세스 로 시작 한다 . 예 를 들 어 , 610 동작 의 제 1 칩 은 웨이퍼 ( 108 ) 상 에 배치 된 칩 ( 102 ) ( 예 , 도 1 , 4 및 5 에 예시 됨 ) 과 유사 할 수 있 다 . 따라서 , 제 1 방열 층 및 제 1 방 열 구 조체 는 각각 스트라이프 형 방열 층 ( 144 ) 및 열 전도성 TOV 및 / 또는 TSV ( 148 A ) 에 대응 한다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 칩 은 칩 ( 102 ) 과 기판 ( 108 ) 사이 에 개재 된 패 시베이 션 층 ( 132 ) 과 같 은 패 시베이 션 층 을 통해 기판 에 연결 된다 . 스트라이프 형 방열 층 ( 144 ) 은 전술 한 제조 동작 을 이용 하 여 칩 ( 102 ) 의 기판 ( 100 ) 근처 에 그리고 패 시베이 션 층 ( 132 ) 내 에 형성 될 수 있 다 .