게이트 스 페이서 층 들 ( 164 ) 은 게이트 전극 ( 165 ) 의 양 측면 에 배치 되 고 , 기판 ( 101 ) 의 상면 에 수직 한 z 방향 으로 연장 될 수 있 다 . 게이트 스 페이서 층 들 ( 164 ) 은 소스 / 드레 인 영역 들 ( 150 ) 과 게이트 전극 들 ( 165 ) 을 절연 시킬 수 있 다 . 게이트 스 페이서 층 들 ( 164 ) 은 실시 예 들 에 따라 다층 구조 로 이루어질 수 도 있 다 . 게이트 스 페이서 층 들 ( 164 ) 은 산화물 , 질화물 및 산질 화물 로 이루어질 수 있 으며 , 특히 저 유전 율 막 으로 이루어질 수 있 다 .