첫째 , n 형 실리콘 기판 표면 을 얇 게 산화 시키 고 , 그 위 에 질화 막 을 증착 시킨 후 트랜지스터 의 영역 을 남긴 채 나머지 질화 막 을 식각 한다 . 둘째 , 상기 질화 막 아래 의 산화 막 을 식각 한 후 , 마스크 를 이용 하 여 p - 웰 ( well ) 을 형성 하 고 , 붕소 를 이온 주입 하 여 n 채널 의 문턱 전압 을 조절 한다 . 셋째 , 필드 산화층 을 만들 고 , 질화 막 과 산화 막 을 제거 하 고 얇 은 산화 막 을 다시 성장 시킨 후 , 다 결정 실리콘 막 을 증착 시킨다 . 넷째 , 마스크 공법 을 통하 여 다결정 게이트 막 의 모형 을 만들 고 , PMOS 트랜지스터 를 만든 다 . 다섯째 , 인 을 이온 주입 하 여 p - 웰 내 에 NMOS 트랜지스터 를 만들 고 , 화학 증착 법 을 사용 하 여 산화층 을 형성 한 뒤 , 마스크 를 이용 하 여 접촉 단자 를 형성 한다 . 마지막 으로 , 웨이퍼 표면 전체 에 알루미늄 을 증착 시키 고 마스크 를 이용 하 여 도선 패턴 을 형성 한다 .