Ni 페이스트 를 도포 한 그린 시트 를 50 매 적층 하 고 , 압착 처리 를 행하 였 다 . 그 후 , 적층 된 그린 시트 를 소정 의 사이즈 로 절단 함 으로써 적층 체 칩 을 얻 었 다 . 얻 어 진 적층 체 칩 을 탈지 처리 하 였 다 . 그 후 , 적층 체 칩 을 산소 분압 10 - 11 내지 10 - 8 atm 의 분위기 중 에서 , 30 내지 300 초 동안 , 1000 ℃ 이상 의 가열 온도 에서 소성 하 였 다 . 이 에 의해 , 유전체 층 과 내부 전극 층 이 일체 화 된 소체 가 얻 어 졌 다 .