그 때 , 본 발명 에 의하 면 , 이미 열처리 에 의해 결정 화 상태 로 되 어 있 는 하층 상부 전극 층 위 에 상층 상부 전극 층 을 미결정 상태 로 형성 하 고 , 또한 상기 상층 상부 전극 층 을 , 그 위 에 금속 전 극막 이 형성 되 기 전 에 , 산화 분위기 중 에서 급속 열처리 하 여 결정 화 함 으로써 , 그 후 의 반도체 장치 의 제조 프로세스 에 의해 강유전체 커패시터 가 열처리 를 받 아도 , 이러 한 상층 상부 전극 층 에서 의 보이드 의 발생 이 억제 되 고 , 예 를 들 면 상기 강유전체 커패시터 위 에 다층 배선 구조 의 형성 이 되 어도 , 사용 되 는 환원 분위기 중 의 수소 가 이러 한 보이드 를 타 고 강유전체 커패시터 중 에 침입 하 여 , 전기 특성 의 열화 를 일으키 는 문제 가 해결 된다 . 또한 , 상기 하층 상부 전극 층 및 상층 상부 전극 층 의 결정 화 열처리 시 에 , 프로세스 분위기 중 의 산화 가스 의 비율 및 온도 를 최적 화 함 으로써 , 이 들 표면 에서 의 이상 성장 을 억제 할 수 있 다 .