이어서 , 주변 영역 오픈 마스크 층 ( 18 ) 에 의해 드러나 는 주변 영역 의 제 1 , 2 실리콘 산화 막 ( 15 , 17 ) 과 실리콘 질화 막 ( 16 ) 을 이방성 식각 방식 으로 식각 하 여 삼중 구조 의 게이트 스 페이서 를 형성 한다 . 이때 , 삼중 구조 의 게이트 스 페이서 는 제 2 실리콘 산화 막 ( 17 a ) 으로 된 돔 형 스 페이서 와 실리콘 질화 막 ( 16 a ) 과 제 1 실리콘 산화 막 ( 15 a ) 으로 된 L 자형 스 페이서 이 다 .