이 때 회로 반도체 ( 154 a ) 의 제 1 부분 ( 155 ) 은 회로 반도체 ( 154 a ) 의 제 2 부 분 ( 156 ) 보다 두께 가 얇 을 수 있 으며 , 표시 반도체 ( 154 b ) 의 노출 된 부분 또한 노출 되 지 않 은 부분 보다 두께 가 얇 을 수 있 다 . 반도체 ( 154 a , 154 b ) 의 얇 은 부분 의 두께 는 약 300 내지 1500 Å 인 것 이 바람직 하 다 . 300 Å 보다 얇 은 경우 박막 트랜지스터 의 채널 형성 이 불 완전 할 수 있 고 , 1500 Å 보다 두꺼운 경우 회로 반도체 ( 154 a ) 에 레이저 빔 을 조사 하 여 결정 화 할 때 레이저 빔 이 회로 반도체 ( 154 a ) 의 하부 까지 침투 하 지 못하 여 규소 의 용융 ( melting ) 및 재결정 화 가 효과 적 으로 이루어지 지 못하 고 이 에 따라 결정화 가 불 완전 하 게 이루어져 박막 트랜지스터 의 특성 에 영향 을 미칠 수 있 다 .