반면 , 인 덴 터 의 경우 에 는 500 ㎛ 이하 의 박막 은 물론 , 1 ㎛ 의 박막 에 대해서 도 모듈러 스 측정 이 가능 하 다 . 따라서 , 박막 상태 에서 측정 하 거나 , 리버스 엔지니어링 을 통해 표시 장치 ( 10 ) 에 적용 된 결합 부재 ( 251 - 253 , 351 - 352 ) 를 노출 하 거나 그 로부터 분리 한 후 해당 결합 부재 ( 251 - 253 , 351 - 352 ) 의 정확 한 모듈러 스 를 측정 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 액체 질소 를 이용 하 여 각 층 들 을 분리 하 여 각 결합 부재 ( 251 - 253 , 351 - 352 ) 를 추출 하 며 , 추출 된 결합 부재 ( 251 - 253 , 351 - 352 ) 에 대해 인 덴 터 를 이용 하 여 모듈러 스 를 측정 할 수 있 다 . 이 와 같이 측정 된 값 을 통해 상기 한 바 와 같 은 결합 부재 ( 251 - 253 , 351 - 352 ) 의 실제 모듈러 스 를 제어 함 으로써 , 표시 장치 ( 10 ) 에 포함 된 결합 부재 ( 251 - 253 , 351 - 352 ) 의 위치 별 탈막 불량 방지 , 복원력 , 박리 력 등 의 점착 물 성 을 정밀 하 게 관리 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 측정 된 모듈 러스 의 값 이 상기 한 적정 범위 를 넘어서 는 경우 불량 으로 처리 하 여 정상 제품 의 점착 물 성 을 우수 하 게 유지 할 수 있 다 . 나아가 측정값 을 토대 로 각 결합 부재 ( 251 - 253 , 351 - 352 ) 의 제조 시 에 요구 되 는 모듈 러스 값 을 도출 하 고 그 에 맞 게 조절 함 으로써 불량 률 을 더욱 줄일 수 도 있 다 . 점착 물질 의 점착 물 성 은 이 를 구성 하 는 물질 의 종류 , 배 합비 , 열처리 온도 나 자외선 노출 등 과 같 은 제조 공정 상 의 공정 변수 에 의해 조절 될 수 있 으며 , 이 에 대한 구체 적 인 방법 은 당업 계 에 널리 알려져 있 으므로 , 그 설명 은 생략 한다 .