또한 , 상기 게이트 배선 ( 미 도시 ) 과 게이트 전극 ( 117 ) 위 로 전면 에 투명 한 절 연 물질 로 게이트 절 연막 ( 120 ) 이 형성 되 어 있 으며 , 상기 게이트 절 연막 ( 120 ) 위 로 순수 비정질 실리콘 으로 이루어진 액티브 층 ( 123 a ) 과 그 상부 로 서로 이격 하 여 상기 액티브 층 ( 123 a ) 일부 를 노출 시키 며 불순물 비정질 실리콘 으로 이루어진 오 믹 콘 택 층 ( 123 b ) 으로 이루어진 반도체 층 ( 123 ) 이 형성 되 어 있 으며 , 상기 오 믹 콘 택 층 ( 123 ) 위 로 서로 이격 하 며 금속 물질 로써 소스 및 드레 인 전극 ( 130 , 133 ) 이 형성 되 어 있 으며 , 또한 상기 게이트 절 연막 ( 120 ) 위 로 상기 소스 전극 ( 130 ) 과 연결 되 며 상기 게이트 배선 ( 미 도시 ) 과 교차 하 여 상기 화소 영역 ( P ) 을 정의 하 며 데이터 배선 ( 미 도시 ) 이 형성 되 어 있 다 . 이때 상기 화소 영역 ( P ) 내 의 스위칭 영역 ( TrA ) 에 순차 적층 되 어 형성 된 상기 게이트 전극 ( 117 ) 과 게이트 절 연막 ( 120 ) 과 반도체 층 ( 123 ) 과 소스 및 드레 인 전극 ( 130 , 133 ) 은 스위칭 소자 인 박막 트랜지스터 ( Tr ) 를 이룬다 .