도 15 ( b ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 101 ) 전면 에 초기 막 두께 300 ㎚ 의 매립 도전 막 ( 114 ) 을 형성 한다 . 매립 도전 막 ( 114 ) 은 게이트 , 사이드 월 ( 131 , 113 ) 및 반도체 기판 ( 101 ) 표면 을 덮 도록 형성 한다 . 특히 , 사이드 월 ( 113 ) 사이 를 메워 N + 확산 층 ( 112 ) 의 노출 부분 을 덮 도록 형성 한다 . 매립 도전 막 ( 114 ) 은 예 를 들 어 , CVD 법 으로 형성 할 수 있 다 . CVD 법 은 예 를 들 어 , WF 6 / SiH 4 / H 2 / Ar / N 2 = 22 / 10 / 400 / 250 / 350 sccm , 압력 500 Pa 의 조건 으로 실시 할 수 있 다 . 초기 막 두께 는 매립 도전 막 ( 114 ) 의 평탄 성 을 고려 하 여 적어도 250 ㎚ 이상 으로 한다 . 또 , 초기 막 두께 가 너무 큰 경우 에 는 막 형성 시 의 막 두께 의 편차 가 커지 고 , 이후 의 공정 의 에칭 량도 증가 하 여 에 칭량 의 차이 가 생기 기 때문 에 , 최종 적 인 잔 막 의 편차 가 커질 가능 성 이 있 다 . 따라서 , 초기 막 두께 는 250 ㎚ 이상 에서 막 형성 시 및 에칭 시 의 편차 를 고려 하 여 , 예 를 들 어 , 초기 막 두께 는 , 300 ㎚ 로 할 수 있 다 .