처리 성능 ㆍ신뢰도 낮 아 … 시장 메모리 카드 제한 대중 화 지연 ` 메모리 반도체 세대교체 , D 램 이 DDR 3 라면 낸드 플래시 는 3 비트 ( 3 Bit ) 셀 ? 아직 은 . ..' D 램 의 주력 제품 이 DDR 2 에서 DDR 3 로 빠르 게 전환 하 고 있 는 데 반해 낸드 플래시 는 2 비트 에서 3 비트 ( TLC ; Triple Level Cell ) 로 세대 교체 가 아직 상당 한 시간 이 필요 할 것 으로 보인다 . 3 비트 낸드 플래시 란 메모리 셀 하나 에 하나 의 비트 정보 를 저장 하 는 SLC ( Single Level Cell ) , 2 개 비트 를 기록 하 는 MLC 와 달리 셀 당 3 개 의 비트 정보 를 저장 해 집적도 를 올릴 수 있 는 제품 을 말 한다 . D 램 의 기술 성능 은 처리 속도 를 중심 으로 발전 해 DDR 에서 DDR 3 , DDR 4 로 이어진다면 낸드 플래시 기술 발전 은 저장 기능 을 위한 집적도 를 중심 으로 발전 하 고 있 다 . 낸드 플래시 미세 회로 공정 은 현 30 나노 급 에서 앞 으로 20 나노 급 이하 ( 회로 선폭 ) 로 내려가 기 어렵 다는 게 중론 이 고 , 앞 으로 집적도 를 더 올리 려면 셀 당 3 비트 , 4 비트 정보 를 담 는 기술 이 발전 해야 한다는 게 전문가 들 의 설명 이 다 . 그러나 3 비트 는 이제 막 반도체 제조사 들 이 양산 을 시작 했 고 , 아직 은 기술 성숙도 가 높 지 않 아 기존 2 비트 를 대체 하 긴 어려운 상황 이 다 . 삼성전자 가 지난달 부터 32 나노 32 Gb 3 비트 낸드 플래시 를 양산 하 기 시작 했 고 , 하이닉스 는 올 상반기 48 나노 32 Gb 3 비트 제품 을 일부 양산 하 기 시작 했 다 . 도시바 - 샌디스크 가 올해 43 나노 급 32 Gb 3 비트 제품 생산 비중 을 전체 낸드 의 40 % 까지 올리 겠 다고 공언 했으나 , 실상 은 그렇 지 못했 다 . 또 인텔 - 마이크 론 합작사 인 IM 플래시 테크놀로지 도 35 나노 3 비트 제품 개발 을 마쳤으나 , 아직 양산 하 진 않 고 있 다 . 3 비트 낸드 는 이론 적 으로 같 은 칩 크기 에 SLC 대비 3 배 나 많 은 용량 을 저장 할 수 있 기 때문 에 생산 단가 를 낮춰 마진 을 높일 수 있 는 기술 인데 도 제조사 들 이 대량 양산 하 지 못하 는 것 은 기존 SLC , MLC 에 비해 처리 성능 이 떨어지 고 , 셀 간섭 현상 에 따른 오류 등 신뢰도 가 낮 기 때문 이 다 . 이렇 다 보 니 시장 에서 제 값 을 받 지 못한다 . 또 3 비트 생산 공정 은 기존 SLC , MLC 에 비해 더 복잡 하 고 , 전용 컨트롤러 IC 를 추가 해야 하 는 등 실제 생산 단가 는 MLC 와 비슷 한 수준 이 다 . 현재 3 비트 낸드 는 저 가 메모리 카드 나 휴대폰 용 메모리 카드 로 시장 이 제한 적 이 다 . 업계 전문가 는 " 애플 이 MP 3 플레이어 용 낸드 플래시 로 요구 하 는 기준 은 약 3000 번 썼 다 지웠 다 할 수 있 는 기술 수준 인데 , 3 비트 낸드 는 아직 1000 번 까지 보장 하 기 도 어려운 수준 " 이 라며 " 현재 로선 낮 은 마진 , 수요 부족 등 으로 3 비트 낸드 를 대량 양산 하 기 어렵 고 , 대중 화 까진 3 년 가량 더 걸릴 것 " 이라고 말 했 다 . 시장 조사 업체 인 아이 서플라이 에 따르 면 DDR 3 D 램 은 전체 D 램 생산비 중 에서 올해 20 % 를 차지 하 고 , 내년 엔 57 % 로 DDR 2 와 세대 교체 를 이룰 전망 이 다 . 이 에 비해 3 비트 낸드 플래시 는 올해 12 %, 내년 14 %, 2011 년 32 % 수준 에서 2012 년 이 되 어서 야 40 % 수준 으로 늘 어 2 비트 ( 37 %) MLC 를 대체 하 는 세대 교체 를 이룰 전망 이 다 . 4 비트 낸드 도 2012 년 20 % 수준 으로 늘어날 것 으로 예상 됐 다 . 김승룡 기자 srkim @ < Copyrights ⓒ 디지털 타임스 & dt . co . kr , 무단 전재 및 재 배포 금지 > 김승룡 srkim @