또한 , NMOS 트랜지스터 NM 5 의 길이 ( Length ) 와 폭 ( Width ) 를 적절히 조정 할 경우 , 외부 전압 의 레벨 에 관계없이 , 제 1 내부 전압 - 파워 업 신호 ( V 1 _ PWRUP ) 이 활성 화 또는 비활성 화 되 도록 , 그 시점 을 제어 할 수 있 다 . 이 는 제 1 내부 전압 의 레벨 이 레벨 이 너무 낮 아 져 , 반도체 메모리 소자 의 오동작 을 유발 할 만큼 낮 아 지 는 경우 , 다시 반도체 메모리 소자 를 리셋 제어 하 기 위한 것 이 다 . 즉 , 설계자 는 NMOS 트랜지스터 NM 5 의 사이징 을 통해 제 1 내부 전압 - 파워 업 신호 ( V 1 _ PWRUP ) 가 비활성 화 되 는 레벨 을 결정 할 수 있 다 .