지문 인식 모듈 및 이 의 제조 방법 , 전자 기기 에 있 어서 , 상기 방법 은 , 신호 처리 회로 가 형성 된 기판 을 제공 하 는 단계 ; 지지 베이스 를 제공 하 는 단계 ; 지지 베이스 에 제 1 전극 , 제 1 전극 에 위치 하 는 압 전 층 , 및 압 전 층 에 위치 하 는 제 2 전극 을 포함 하 는 압 전 변환기 를 형성 하 는 단계 ; 지지 베이스 또는 기판 에 캐 비 티 를 갖 는 영구 결합 층 을 형성 하 는 단계 ; 캐비 티 를 커버 하 는 압 전 변환기 와 기판 사이 에 위치 하 는 영구 결합 층 을 사용 하 여 , 지지 베이스 와 기판 을 결합 하 는 단계 ; 및 지지 베이스 를 제거 하 는 단계 를 포함 한다 . 상기 방법 은 캐비 티 를 풀 충전 하 는 희생 층 을 형성 할 필요 가 없 고 , 대응 되 게 희생 층 해제 동작 을 수행 할 필요 가 없 으므로 , 캐비 티 에 희생 층 잔여 물질 이 형성 되 는 문제 를 방지 하 며 , 또한 압 전 변환기 는 캐비 티 를 커버 하 여 , 압 전 변환기 의 음향학 성능 을 향상 시키 고 ; 종합 하 면 , 지문 인식 의 정밀도 를 향상 시킨다 .