계속 해서 , 도 2 a 를 참조 하 면 , 상기 제 1 및 제 2 계면 층 들 ( 107 a , 107 b ) 을 갖 는 기판 ( 100 ) 전면 상 에 고유 전막 ( 110 ) 및 금속 함 유막 ( 115 ) 을 차례 로 형성 할 수 있 다 . 상기 고유 전막 ( 110 ) 은 산화물 에 비하 여 높 은 유전 상수 를 갖 는 유전 물질 로 형성 될 수 있 다 . 예컨대 , 상기 고유 전막 ( 110 ) 은 하프늄 산화 막 및 / 또는 알루미늄 산화 막 등 과 같 은 단일 층 또는 다층 의 금속 산화 막 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 금속 함 유막 ( 115 ) 은 제 1 일 함수 를 갖 는 도전 성 금속 질화 막 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 트랜지스터 영역 ( 60 ) 내 에 형성 되 는 트랜지스터 가 피 모스 트랜지스터 인 경우 에 , 상기 금속 함 유막 ( 115 ) 은 티타늄 질화 막 등 으로 형성 될 수 있 다 .