상기 와 같 은 물질 이 AlN 의 결정 격자 품질 을 저하 시키 기 때문 에 그 이후 에 성장 되 는 GaN 의 품질 을 증가 시킬 수 있 다 . 고품질 의 버퍼 성장 시 에 는 GaN 과 성장 하 면서 만나 는 면 에서 결절 결함 이 어렵 다 . 따라서 , 전위 의 원인 이 된다 . 저 품질 버퍼 위 에 성장 되 는 GaN 의 품질 또한 낮 게 된다 . GaN 의 품질 이 낮 게 되 면 GaN 내 에 전위 가 많이 분포 하 게 되 고 , 이 의 농도 를 줄이 기 위해 주변 GaN 과 쉽 게 결합 함 으로써 고품질 의 GaN 의 성장 이 가능 하 게 된다 .