또한 , 열 처리 에 의하 여 산화물 반도체 에 결정 이 적어도 일부 에 포함 시킴 으로써 , 보다 안정 적 인 산화물 반도체 막 을 얻 을 수 있 다 . 예 를 들 어 , 조성 비율 이 In : Sn : Zn = 1 : 1 : 1 의 타깃 을 사용 하 여 기판 을 의도 적 으로 가열 하 지 않 고 스퍼터링 성막 한 산화물 반도체 막 은 , X 선 회절 ( XRD : X - Ray Diffraction ) 에 있 어서 달무리 무늬 ( halo pattern ) 가 관측 된다 . 이 성막 된 산화물 반도체 막 을 열 처리 함 으로써 결정 화 시킬 수 있 다 . 열 처리 온도 는 임의 이 지만 , 예 를 들 어 , 650 ℃ 의 열 처리 를 행함 으로써 X 선 회절 에 의하 여 명확 한 회절 피크 를 관측 할 수 있 다 .