제 1 부분 에서 의 갭 들 의 존재 비율 이 제 2 부분 에서 의 갭 들 의 존재 비율 보다 큰 구성 에서 , 도전 성 수지 층 내 의 수분 으로부터 생성 된 기체 는 제 1 부분 상 에 위치 한 도금 층 의 부분 과 요소 바디 사이 의 틈새 를 통해 외부 전극 의 밖 으로 이동 하 는 경향 이 있 다 . 제 2 부분 에서 생성 된 기체 는 복수 의 갭 에 의해 구성 된 통로 를 통해 제 1 부분 에 도달 하 는 경향 이 있 다 . 위 에 설명 된 바 와 같이 , 제 1 부분 에 도달 하 는 기체 는 도금 층 의 단부 에지 와 요소 바디 사이 의 틈새 를 통해 외부 전극 의 밖 으로 이동 한다 . 따라서 , 제 3 양태 는 기체 가 나가 는 위치 를 제어 한다 .