반도체 기판 에 는 플 래쉬 메모리 셀 영역 뿐 만 아니 라 , 저 전력 트랜지스터 영역 을 포함 할 수 있 다 . 이 와 같 은 저 전력 트랜지스터 영역 에 는 저 전력 트랜지스터 의 문턱 전압 을 조절 하 기 위한 채널 불순물 이온 들 이 주입 되 어 있 을 수 있 다 . 또한 , 상기 채널 불순물 이온 들 은 트랜지스터 의 펀치 스루 ( punch - through ) 를 방지 하 기 위해 주입 할 수 도 있 다 . 이 와 같 은 채널 불순물 이온 들 의 농도 프로파일 은 상기 국부 산화 막 ( 20 ) 을 형성 하 기 위한 열 공정 동안 에 변화 될 수 있 다 . 이것 은 특히 채널 길이 가 짧 아 지 면서 문제 가 발생 할 수 있 다 . 그 이유 는 채널 길이 가 짧 아 지 면서 저 전력 트랜지스터 의 문턱 전압 이 채널 불순물 농도 의 작 은 변화 에 의해서 도 변화 될 수 있 기 때문 이 다 .