도 1 을 참조 하 면 , 종래 의 반도체 장치 는 다 이 패드 ( 101 ) 를 구비 한다 . 상기 다 이 패드 ( 101 ) 상 에 반도체 칩 ( 105 ) 이 접착 층 ( 103 ) 에 의해 부착 되 어 있 다 . 상기 반도체 칩 ( 105 ) 은 써 데스 ( SERDES ; serializer / deserializer ) 칩 과 같 은 고속 데이터 전송 에 사용 되 는 반도체 소자 일 수 있 다 . 상기 반도체 칩 ( 105 ) 상 의 신호 패드 ( 107 ) 는 신호 배선 ( 123 ) 에 의해 신호 단자 ( 115 ) 에 전기 적 으로 연결 된다 . 그러나 , 상기 종래 의 반도체 장치 의 경우 , 신호 단자 들 의 수 가 늘 어 갈수록 상기 신호 배선 들 사이 의 이격 거리 는 짧 아 지 게 됨 으로써 커플링 노이즈 가 증가 하 게 되 나 , 이 를 효과 적 으로 방지 하 는 기능 을 갖추 지 못하 고 있 음 을 알 수 있 다 .