도 9 를 참조 하 면 , 후속 공정 완료 후 별다른 외력 을 가하 지 않 았 음 에 도 , ITO 박막 이 제거 되 어 Si 이 노출 된 영역 에서 는 많 은 면적 에서 CGSe 박막 이 박리 되 었 고 , 이 는 Si / CGSe 계면 이 매우 취약 하 다는 증거 이 다 . 이러 한 특징 을 활용 하 면 ITO 박막 을 패 터닝 하 는 것 만 으로 도 레이저 공정 이나 포토 리소그래피 공정 없이 도 선택 적 으로 상부 셀 면적 을 제거 할 수 있 다 .