다음 으로 , 도 6 을 참조 하 면 , 전도성 층 ( 130 A ) 의 일 부분 및 금속 성 나노 와 이 어 층 ( 140 A ) 의 일 부분 이 제거 된다 . 구체 적 으로 , 시각 적 영역 ( VA ) 내 의 전도성 층 ( 130 A ) 이 이러 한 단계 에서 제거 되 며 , 멤 브레인 층 ( 120 ) 에 의해 커버 되 지 않 은 주변 영역 ( PA ) 및 시각 적 영역 ( VA ) 내 의 금속 성 나노 와 이 어 층 ( 140 A ) ( 즉 , 도 5 를 참조 하 여 언급 된 단계 에서 노출 된 금속 성 나노 와 이 어 층 ( 140 A ) ) 이 또한 이러 한 단계 에서 제거 된다 . 보다 더 구체 적 으로 , 이러 한 단계 에서 , 금속 성 나노 와 이 어 층 ( 140 A ) 및 전도성 층 ( 130 A ) 을 동시 에 에칭 할 수 있 는 구리 에칭 제 ( 즉 , 제 2 에칭 제 ) 가 시각 적 영역 ( VA ) 내 에 위치 된 전도성 층 ( 130 A ) 및 동일 한 프로세스 에서 시각 적 영역 ( VA ) 및 주변 영역 ( PA ) 밖 으로 노출 된 금속 성 나노 와 이 어 층 ( 140 A ) 을 제거 하 기 위해 사용 된다 .