본 발명 은 게이트 전극 및 절 연막 측벽 을 형성 할 때 기판 에 가해 지 는 데미지 를 방지 함 과 동시 에 기판 의 스트레스 를 방지 하 여 이미지 센서 의 성능 을 향상 시키 도록 한 씨 모스 이미지 센서 및 그 의 제조 방법 에 관한 것 으로서 , 포토 다이오드 영역 과 트랜지스터 영역 으로 정의 된 제 1 도전 형 반도체 기판 의 액티브 영역 에 게이트 절 연막 을 개재 하 여 형성 되 는 게이트 전극 과 , 상기 게이트 전극 일 측 의 포토 다이오드 영역 에 형성 되 는 저 농도 제 2 도전 형 확산 영역 과 , 상기 게이트 전극 타 측 의 트랜지스터 영역 에 형성 되 는 고농 도 제 2 도전 형 확산 영역 과 , 상기 게이트 전극 양측 의 반도체 기판 상 에 상기 게이트 전극 보다 낮 은 두께 를 갖 고 형성 되 는 절 연막 과 , 상기 게이트 전극 양 측면 에 형성 되 는 절 연막 측벽 을 포함 하 여 구성 됨 을 특징 으로 한다 .