트랜지스터 ( 160 ) 및 트랜지스터 ( 162 ) 는 n 채널 형 트랜지스터 , p 채널 형 트랜지스터 모두 사용 할 수 있 다 . 여기 에서 는 , 트랜지스터 ( 160 ) 및 트랜지스터 ( 162 ) 는 , 모두 n 채널 형 트랜지스터 로 하 여 설명 한다 . 또한 , 본 발명 의 일 형태 에 있 어서 , 기술 적 인 본질 은 , 정보 를 유지 하 기 위해서 산화물 반도체 와 같 은 오프 전류 를 충분히 저감 하 는 것 이 가능 한 반도체 재료 를 트랜지스터 ( 162 ) 에 사용 하 는 점 에 있 기 때문 에 , 반도체 장치 에 사용 되 는 재료 나 반도체 장치 의 구조 등 , 반도체 장치 의 구체 적 인 구성 을 여기 에서 나타내 는 것 에 한정 할 필요 는 없 다 .