다음 , 절 연막 ( 660 ) 의 개구부 ( 665 ) 에 의해 노출 된 제 1 전극 ( 640 a ) 상 에 발광 층 ( 670 ) 을 형성 한다 . 발광 층 ( 670 ) 은 유기물 을 포함 할 수 있 으며 , 여기 서 도시 하 지 는 않 았 지만 , 제 1 전극 ( 640 a ) 과 유기 발광 층 ( 670 ) 사이 에 는 정공 주입 층 및 정공 수송 층 이 형성 될 수 있 으며 , 유기 발광 층 ( 670 ) 상 에 는 전자 수송 층 및 전자 주입 층 이 형성 될 수 있 다 . 상기 발광 층 ( 670 ) 은 열 증착 법 ( Thermal Evaporation ) 으로 형성 할 수 있 다 .