그러나 이 경우 상기 잔류물 ( 192 ) 은 제거 할 수 있 더라도 , 플루오르 에 의한 유전체 막 ( 180 ) 의 손실 을 피할 수 없 으며 , 이 는 전체 커패시턴스 를 감소 시킨다 . 이 를 해결 하 기 위해서 는 제 2 포토레지스트 막 패턴 ( 190 ) 의 두께 를 감소 하 면 되 지만 , 제 2 포토레지스트 막 패턴 ( 190 ) 의 두께 가 작 은 경우 , " 도 3 에서 "" A "" 로 나타낸 바 와 같이 ", 비 아홀 ( 162 ) 형성 을 위한 식각 시 MIM 커패시터 영역 의 제 2 금속 간절 연막 ( 160 ) 모서리 부분 이 손상 될 수 있 으므로 , 제 2 포토레지스트 막 패턴 ( 190 ) 의 두께 를 감소 시키 는 데 는 한계 가 있 다 .