상술 한 본 발명 의 다른 목적 을 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 에 있 어서 , 기판 상 에 제 1 폭 으로 이격 된 제 1 패턴 들 과 , 상기 제 1 폭 보다 넓 은 제 2 폭 으로 이격 된 제 2 패턴 들 을 각각 형성 한다 . 상기 제 1 패턴 들 및 상기 제 2 패턴 들 을 식각 마스크 로 이용 하 여 상기 기판 을 식각 하 여 , 제 1 깊이 를 갖 는 제 1 트렌치 와 , 제 2 깊이 를 갖 는 예비 제 2 트렌치 를 형성 한다 . 상기 제 1 패턴 들 상부 사이 를 폐쇄 시키 는 희생 막 을 형성 한다 . 상기 희생 막 , 상기 제 1 패턴 들 및 상기 제 2 패턴 들 을 식각 마스크 로 이용 하 여 상기 기판 을 식각 하 여 , 상기 제 2 깊이 보다 깊 은 제 3 깊이 를 갖 는 제 2 트렌치 를 형성 한다 . 상기 희생 막 을 제거 한다 . 상기 제 1 트렌치 및 상기 제 2 트렌치 를 매립 하 면서 상기 제 1 패턴 들 및 상기 제 2 패턴 들 상 에 필드 절 연막 을 형성 한다 . 상기 제 1 패턴 들 및 제 2 패턴 들 의 상부 가 노출 되 도록 상기 필드 절 연막 을 부분 적 으로 식각 하 여 액티브 영역 을 한정 하 는 제 1 필드 절 연막 패턴 및 제 2 필드 절 연막 패턴 을 형성 한다 . 상기 액티브 영역 상 에 도전 구조물 들 을 형성 한다 .