도 2 b 및 2 c 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 코팅 단계 ( S 110 ) 가 완료 된 후 , 이종 물질 코팅 단계 ( S 120 ) 에서 실리콘 코팅 층 ( 210 ) 의 상부 에 이종 물질 을 도포 하 여 이종 물질 코팅 층 ( 220 ) 을 형성 할 수 있 다 . 이종 물질 코팅 층 ( 220 ) 은 도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , 용융 단계 ( S 200 ) 의 용융 영역 ( 300 ) 의 위치 및 크기 를 고려 하 여 용융 영역 ( 300 ) 의 범위 내 에 만 이종 물질 코팅 층 ( 220 ) 을 형성 할 수 도 있 고 , 도 2 c 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 코팅 층 ( 210 ) 전면 에 적층 될 수 도 있 다 . 이종 물질 의 코팅 범위 및 코팅 양 은 최종 적 으로 생산 되 는 실리콘 결정 층 ( 400 ) 의 두께 및 형상 을 고려 하 여 결정 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 이종 물질 은 실리콘 결정 화 단계 ( S 300 ) 에서 실리콘 을 따라 이동 하 기 때문 에 이종 물질 코팅 층 ( 220 ) 의 면적 이 용융 영역 ( 300 ) 보다 크 게 되 도록 이종 물질 코팅 층 ( 220 ) 이 형성 되 었 다면 , 실리콘 결정 화 단계 ( S 300 ) 에서 용융 영역 ( 300 ) 이 이동 하 면서 용융 영역 ( 300 ) 에서 의 이종 물질 의 양 은 증가 할 수 있 다 . 다른 예 로 , 코팅 단계 ( S 100 ) 에서 이종 물질 코팅 층 ( 220 ) 이 형성 되 는 영역 이 용융 단계 ( S 200 ) 에서 형성 되 는 상기 용융 영역 ( 300 ) 의 범위 내 에 마련 되 면 , 실리콘 결정 화 단계 ( S 300 ) 에서 용융 영역 ( 300 ) 이 이동 하 더라도 용융 영역 ( 300 ) 내 의 이종 물질 의 양 은 일정 할 수 있 다 . 즉 , 이종 물질 코팅 층 ( 220 ) 의 코팅 영역 에 따라 용융 영역 ( 300 ) 의 이동 에 따른 용융 영역 ( 300 ) 내 의 이종 물질 의 변화 량 을 조절 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 이종 물질 코팅 층 ( 220 ) 이 형성 되 는 영역 이 용융 단계 ( S 200 ) 에서 형성 되 는 용융 영역 ( 300 ) 의 범위 내 에 마련 되 면 , 실리콘 결정 화 단계 ( S 300 ) 에서 실리콘 결정 층 ( 400 ) 을 균일 한 두께 로 제조 하 는 것 에 유리 할 수 있 다 .