반면 에 도 21 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 이 그 조 ( IGZO ) 층 상 에 , 상기 구리 를 포함 하 는 전극 잉크 ( 230 ) 를 제공 하 여 상기 구리 를 포함 하 는 예비 전극 ( 270 ) 을 형성 하 고 , 상기 제 2 광 소결 에너지 ( 2 nd IPL ) 를 45 회 조사 하 는 경우 , 상기 기판 ( 100 ) 의 실리콘 디 옥사이드 층 및 상기 이 그 조 층 ( 200 ) 으로 상기 전극 잉크 ( 230 ) 의 구리 및 산소 가 확산 된 것 을 확인 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 상기 제 2 광 소결 에너지 ( 2 nd IPL ) 를 45 회 로 조사 하 여 제조 되 는 박막 트랜지스터 의 반도체 로써 특성 이 저하 될 수 있 다 .