원자 층 증착 방법 ( ALD ) 은 , 기체 분자 들 간 의 화학 반응 을 이용 한다는 점 에 있 어서 일반 적 인 화학 기상 증착 ( CVD ; Chemical Vapour Deposition ) 방법 과 유사 하 다 . 하지만 , 통상 의 화학 기상 증착 방법 이 다수 의 기체 분자 들 을 동시 에 챔버 내 로 주입 하 여 웨이퍼 의 상방 에서 발생 된 반응 생성물 을 웨이퍼 에 증착 하 는 것 인 반면 , 원자 층 증착 방법 은 하나 의 기체 물질 을 챔버 내 로 주입 한 후 이 를 퍼지 ( purge ) 하 여 가열 된 웨이퍼 의 상부 에 물리 적 으로 흡착 된 기체 만 을 잔류 시키 고 , 이후 다른 기체 물질 을 주입 함 으로써 상기 웨이퍼 의 상면 에서 만 발생 되 는 화학 반응 생성물 을 증착 한다는 점 에서 상이 하 다 .