제 3 시간 ( t 3 ) 에 , 선택 된 서브 블록 의 워드 라인 들 ( WL 1 ~ WL 3 ) 에 제 2 워드 라인 소거 전압 ( Vwe 2 ) 이 인가 된다 . 예 를 들 면 , 제 2 워드 라인 소거 전압 ( Vwe 2 ) 은 저전압 이 다 . 예 를 들 면 , 제 2 워드 라인 소거 전압 ( Vwe 2 ) 은 접지 전압 ( Vss ) 이 다 . 이때 , 표면층 ( 114 ) 의 전압 은 고전압 이 다 . 따라서 , 선택 된 서브 블록 의 메모리 셀 들 에서 Fowler - Nordheim 커플링 이 발생 한다 . F - N 터널 링 에 의해 , 선택 된 서브 블록 의 메모리 셀 들 ( MC 1 ~ MC 3 ) 은 소거 된다 .