서 셉 터 ( 217 ) 는 , 하측 용기 ( 211 ) 와 는 전기 적 으로 절연 되 어 있 다 . 임피던스 조정 전극 ( 217 c ) 은 , 서 셉 터 ( 217 ) 에 적재 된 웨이퍼 ( 200 ) 상 에 생성 되 는 플라스마 의 밀도 의 균일성 을 보다 향상 시키 기 위해서 , 서 셉 터 ( 217 ) 내부 에 마련 되 어 있 고 , 임피던스 조정 부 로서 의 임피던스 가변 기구 ( 275 ) 를 개재 하 여 접지 되 어 있 다 . 임피던스 가변 기구 ( 275 ) 는 , 코일 이나 가변 콘덴서 로 구성 되 어 있 고 , 코일 의 인덕턴스 및 저항 그리고 가변 콘덴서 의 용량 값 을 제어 함 으로써 , 임피던스 를 약 0 Ω 내지 처리 실 ( 201 ) 의 기생 임피던스 값 의 범위 내 에서 변화 시킬 수 있 도록 구성 되 어 있 다 . 이 에 의해 , 임피던스 조정 전극 ( 217 c ) 및 서 셉 터 ( 217 ) 를 통해서 , 웨이퍼 ( 200 ) 의 전위 ( 바이어스 전압 ) 를 제어 할 수 있 다 . 또한 , 본 실시 형태 에서 는 , 후술 하 는 바 와 같이 웨이퍼 ( 200 ) 상 에 생성 되 는 플라스마 의 밀도 의 균일성 을 향상 시킬 수 있 으므로 , 이 플라스마 의 밀도 의 균일성 이 원 하 는 범위 에 드 는 경우 , 임피던스 조정 전극 ( 217 c ) 을 사용 한 바이어스 전압 제어 는 행하 지 않 는다 . 또한 , 당해 바이어스 전압 제어 를 행하 지 않 는 경우 에 는 , 서 셉 터 ( 217 ) 에 전극 ( 217 c ) 을 마련 하 지 않 도록 해도 된다 . 단 , 당해 균일성 을 보다 향상 시키 는 것 을 목적 으로 당해 바이어스 전압 제어 를 행해도 된다 .