이 실시 형태 의 글래스 기판 은 80 ℃ 의 10 % HCl 수용액 에 3 시간 침지 되 었 을 때 목시 에 의한 표면 관찰 로 백탁 , 거칠 기 가 인지 되 지 않 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 이 실시 형태 의 글래스 기판 은 20 ℃ 의 63 BHF 용액 ( HF : 6 질량 %, NH 4 F : 30 질량 %) 에 15 분 간 침지 되 었 을 때 , 목시 에 의한 표면 관찰 로 백탁 , 거칠 기 가 인지 되 지 않 는 것 이 바람직 하 다 . TFT - LCD 용 글 래스 기판 의 표면 에 는 투명 도전 막 , 절 연막 , 반도체 막 , 금속 막 등 이 성막 되 고 , 게다가 포토 에칭 에 의해 여러 가지 회로 나 패턴 이 성형 된다 . 또한 , 이 들 의 성막 공정 , 또는 포토 에칭 공정 에 있 어서 , 여러 가지 열처리 나 약품 처리 가 글래스 기판 에 실시 된다 . 일반 적 으로 , TFT 어레이 프로세스 에서 는 성막 공정 → 레지스 트 패턴 형성 공정 → 에칭 공정 → 레지스 트 박리 공정 의 일련 의 프로세스 가 되풀이 된다 . 그 때 , 에칭 액 으로서 , Al , Mo 계 막 의 에칭 에 는 인산 계 용액 , ITO 계 막 의 에칭 에 는 왕수 ( HCl + HNO 3 ) 계 용액 , SiNx , SiO 2 막 등 의 에칭 에 는 BHF 용액 등 의 다종다양 의 약액 이 사용 되 고 , 이 들 은 저 코스트 화 를 고려 해서 1 회용 이 아니 고 , 순환 액 계 플로우 로 되 어 있 다 . 글래스 기판 의 내약품성 이 낮 으면 에칭 시 약액 과 글래스 기판 의 반응 생성물 이 순환 액 계 플로우 의 필터 를 막히 게 하 거나 , 불 균질 에칭 에 의해 글래스 기판 표면 에 백탁 이 생기 고 , 또는 에칭 액 의 성분 이 변화 함 으로써 에칭 레이트 가 불 안정 해 지 는 등 의 여러 가지 문제 를 일으킬 가능 성 이 있 다 .