평가 샘플 로 사용 될 웨이퍼 는 CZ 법 등 으로 성장 된 실리콘 단결정 잉곳 의 외주 면 을 가공 하 는 연삭 공정 , 단결정 실리콘 잉곳 ( ingot ) 을 웨이퍼 형태 로 얇 게 절단 하 는 슬라이 싱 공정 , 원 하 는 웨이퍼 의 두께 로 연마 하 면서 평탄 도 를 개선 하 는 래핑 공정 ( lapping ) , 웨이퍼 내부 의 손상 ( damage ) 층 제거 를 위한 식각 공정 ( etching ) , 표면 경면 화 및 평탄 도 를 향상 시키 기 위한 폴리 싱 공정 ( polishing ) 등 을 통하 여 마련 할 수 있 다 .