몇몇 실시 예 에서 , 제 1 도전 패턴 ( 170 ) 및 제 3 도전 패턴 ( 175 ) 은 제 1 반도체 패턴 ( 120 ) 을 포함 하 는 셀 트랜지스터 의 게이트 전극 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 반도체 패턴 ( 120 ) 을 포함 하 는 셀 트랜지스터 의 온 ( on ) 동작 시 에 , 제 1 도전 패턴 ( 170 ) 및 제 3 도전 패턴 ( 175 ) 에 제 1 게이트 전압 ( V 1 ) 이 인가 될 수 있 다 .