도 3 은 빔 스플리터 ( 304 ) , 오목 한 거울 들 ( 308 A 및 308 B ) , 볼록 한 거울 들 ( 310 A 및 310 B ) 및 평탄 한 거울 들 ( 312 A 및 312 B ) 을 포함 하 는 간섭계 ( 300 ) 를 도시 한다 . 예 를 들 어 , 광학 요소 들 ( 308 A , 310 A 및 312 A ) 은 제 1 노광 시스템 일 수 있 으며 , 광학 요소 들 ( 308 B , 310 B 및 312 B ) 은 제 2 노광 시스템 일 수 있 다 . 거울 들 ( 308 A 내지 312 A , 및 308 B 내지 312 B ) 은 입사 방사선 에 의해 생성 된 열 로 인한 팽창 을 방지 하 는 저 - 팽창 유리 상 에 형성 될 수 있 으며 , 몰리브덴 및 실리콘 의 교번 층 으로 형성 될 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 이러 한 거울 들 은 약 66 % 의 효율 성 을 갖 는다 . EUV 방사선 의 간섭 성 빔 ( 302 ) 이 빔 스플리터 ( 304 ) 상 에 입사 한다 . 빔 ( 302 ) 은 레이저 삭마 또는 고 에너지 전기 방전 과 같 은 종래 의 플 라즈 마 소스 또는 싱크로트론 에 의해 생성 될 수 있 다 . 빔 스플리터 ( 304 ) 는 EUV 방사선 빔 ( 302 ) 을 제 1 빔 ( 306 A ) 및 제 2 빔 ( 306 B ) 으로 분할 한다 . 제 1 빔 ( 306 A ) 은 오목 한 거울 ( 308 A ) 및 볼록 한 거울 ( 310 A ) 에 의해 평탄 한 거울 ( 312 A ) 상 으로 반사 되 며 , 이 는 빔 ( 306 A ) 을 기판 ( 301 ) 상 으로 지향 시킨다 . 이 와 유사 하 게 , 제 2 빔 ( 306 B ) 은 오목 한 거울 ( 308 B ) 및 볼록 한 거울 ( 310 B ) 에 의해 평탄 한 거울 ( 312 B ) 상 으로 반사 되 며 , 이 는 빔 ( 306 B ) 을 기판 ( 301 ) 상 으로 지향 시킨다 . 일 실시 예 에서 , 기판 ( 301 ) 은 도 1 을 참조 하 여 설명 된 기판 ( 110 ) , 또는 도 2 를 참조 하 여 설명 된 기판 ( 210 ) 과 실질 적 으로 유사 하 다 . 기판 ( 301 ) 은 간섭계 ( 300 ) 의 초점 평면 내 에 수직 으로 ( normally ) 위치 되 며 , 기판 ( 301 ) 의 최 상부 표면 에 간섭 패턴 ( 303 ) 이 형성 된다 . 리소그래피 예시 에서 , 간섭 패턴 ( 303 ) 은 노광 필드 ( 305 ) 를 가로질러 포토레지스트 층 ( 도 3 에 표시 되 지 않 음 ) 을 노광 한다 . 또한 , 상이 한 기술 들 을 이용 하 여 기판 ( 301 ) 의 전체 표면 의 패 터닝 을 허용 하 도록 , 묘화 이미지 에 대해 기판 ( 301 ) 의 이동 을 허용 하 는 스테이지 , 테이블 등등 ( 도시 되 지 않 음 ) 상 에 기판 ( 301 ) 이 위치 될 수 있 다는 것 을 이해 할 것 이 며 , 당업자 라면 상기 의 설명 을 읽 고 이해 할 수 있 을 것 이 다 . 대안 적 으로 , 기판 ( 301 ) 은 정지 해 있 을 수 있 다 .