도시 된 도 3 내지 도 6 에서 보 는 바 와 같이 , 상기 반도체 소자 몰딩 장치 에 구비 된 하부금 형 ( BM : bottom mold ) 은 , 플런저 ( P ) 에 의해 고체 형태 의 열경화성 수지 ( EMC ) 가 상 ㆍ하부금형 ( TM , BM ) 내부 로 공급 되 고 , 상기 열경화성 수지 ( EMC ) 가 고온 에서 용융 되 어 기판 ( 600 ) 을 몰딩 시키 는 장치 를 일예 로 도시 하 였 다 .