전자 빔 ( E - Beam ; Electron Beam ) 을 이용 하 여 포토 마스크 를 형성 하 는 공정 을 진행할 경우 , 별도 의 마스크 가 필요 없이 기판 상 에 패턴 을 형성 할 수 있 어 많이 이용 되 어 왔 다 . 그러나 전자 빔 을 이용 하 여 극자외선 ( EUV ; Extreme Ultra Violet ) 용 포토 마스크 를 제작 하 면 , 수십 내지 수백 eKv 의 에너지 를 이용 하 는 전자 빔 에 의해 포토 마스크 표면 이 손상 될 수 있 다 . 이 에 전자 빔 에 의해 포토 마스크 가 손상 되 는 것 을 방지 하 기 위해 원자 현미경 ( AFM ; Atomic Focus Microscope ) 을 이용 한 전자 노광 을 진행 하 여 극자외선 용 포토 마스크 를 제작 하 는 방법 이 있 다 . 원자 현미경 을 이용 한 전자 노광 은 전자 빔 과 비교 하 여 상대 적 으로 낮 은 에너지 , 예 를 들 어 수 내지 수십 V 의 에너지 를 이용 하 여 전자 빔 용 포토레지스트 ( Photoresist ) 막 을 노광 할 수 있 다 . 이 에 따라 극자외선 용 포토 마스크 상 에 배치 된 미러 층 의 손상 을 최소 화 할 수 있 다 . 또한 , 원자 현미경 을 이용 한 전자 노광 은 40 nm 이하 수준 의 미세 한 패턴 을 형성 할 수 있 는 장점 이 있 다 . 그러나 원자 현미경 을 이용 한 전자 노광 은 산화 막 패턴 형성 의 한계 로 인해 높 은 종횡비 를 갖 는 흡수 층 패턴 을 형성 하 기 어려운 점 이 있 다 . 이 는 종래 의 경우 , 전기 화학 적 산화 ( Anodization ; electrochemical oxidation ) 방식 을 이용 하 여 산화 막 패턴 을 형성 하 기 때문 에 산화 막 패턴 이 종 방향 으로 성장 하 는 데 한계 가 있 기 때문 이 다 .