도 9 는 NMOS 트랜지스터 를 이용 한 저장 캐 패 시터 의 게이트 에 인가 되 는 전압 에 따른 실제 의 정전 용량 을 나타내 는 것 으로써 , 이 는 반전 영역 에서 N + 폴리 실리콘 에 생성 되 는 공핍 현상 에 의해 감소 하 는 정전 용량 과 웰 영역 의 두께 에 따라 감소 되 는 정전 용량 에 따른 전체 의 정전 용량 ( △ T 3 ) 을 살펴볼 수 있 다 .