도 1 은 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 기판 처리 장치 ( 1 ) 를 개략 적 으로 보여 주 는 도면 이 다 . 도 2 는 도 1 의 기판 처리 장치 ( 1 ) 를 상부 에서 바라본 도면 이 다 . 도 1 및 도 2 를 참조 하 면 , 기판 처리 장치 ( 1 ) 는 기판 ( W ) 으로 공정 가스 들 을 공급 하 여 공정 을 수행 하 는 장치 일 수 있 다 . 일 예 로 , 공정 은 선택 적 에피택시 얼 공정 ( Selective Epitaxial Growth ; SEG ) 일 수 있 으나 , 이 에 제한 되 지 않 는다 .