CCD ( charge coupled device ) 는 구동 방식 이 복잡 하 고 전력 소모 가 많 으며 , 마스크 공정 스텝 수 가 많 아서 공정 이 복잡 하 고 시그널 프로세싱 회로 를 CCD 칩 내 에 구현 할 수 없 어 원 칩 ( One Chip ) 화 가 곤란 하 다는 등 의 여러 단점 이 있 는 바 , 최근 에 그러 한 단점 을 극복 하 기 위하 여 서브 - 마이크 론 ( sub - micron ) CMOS 제조 기술 을 이용 한 시모스 ( CMOS ) 이미지 센서 의 개발 이 많이 연구 되 고 있 다 . 시모스 이미지 센서 는 단위 화소 ( Pixel ) 내 에 포토다이오드 와 모스 트랜지스터 를 형성 시켜 스위칭 방식 으로 차례 로 신호 를 검출 함 으로써 이미지 를 구현 한다 . 또한 시모스 이미지 센서 는 CMOS 제조 기술 을 이용 하 므로 전력 소모 도 적 고 마스크 수도 20 개 정도 로 30 개 내지 40 개 의 마스크 가 필요 한 CCD 공정 에 비해 공정 이 매우 단순 하 며 여러 신호 처리 회로 와 원 칩 화 가 가능 하 여 차세대 이미지 센서 로 각광 을 받 고 있 다 .