여기 서 , 상기 마스크 ( 300 ) 는 컬럼 스 페이서 영역 과 , 반사 영역 으로 광이 투과 하 지 못하 는 차 광부 ( 301 ) 가 마련 되 고 , 나머지 영역 으로 는 광이 투과 하 는 투 과부 ( 302 ) 가 마련 된다 . 이러 한 마스크 를 이용 하 여 노광 을 실시 하 게 되 면 , 투 과부 하부 의 오버 코트 막 ( 131 ) 은 노광 되 어 그 화학 적 성질 이 변화 되 고 , 차 광부 하부 의 오버 코트 막 ( 131 ) 은 그 화학 적 성질 이 변화 되 지 않 게 된다 . 이 와 같이 노광 공정 을 통해 오버 코트 막 ( 131 ) 의 화학 적 성질 을 변화 시킨 다음 현상 공정 을 실시 하 게 되 면 화학 적 성질 이 변화 된 영역 의 오버 코트 막 ( 131 ) 만 이 제거 된다 . 이후 , 베이 킹 공정 을 통해 잔류 하 는 오버 코트 막 ( 131 ) 을 경화 시켜 도 8 d 와 같이 상부 셀 갭 조정 패턴 ( 130 ) 과 컬럼 스 페이서 ( 150 ) 를 형성 한다 .