그리고 , 벌브 형 리세 스 패턴 및 기판 ( 21 ) 의 표면 상 에 게이트 절 연막 ( 27 ) 이 형성 된다 . 여기 서 , 게이트 절 연막 ( 27 ) 은 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) , 실리콘 산화 질화 막 ( SiON ) , 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) , 하프늄 실리케이트 ( Hf - silicate ) 또는 하프늄 실리 옥시 나이트 라이드 ( Hf - silioxynitride , Hf - Si - O - N ) 중 에서 선택 된 적어도 어느 하나 이 다 .