여기 서 , 상기 몰딩 부재 ( 130 ) 는 고온 액상 의 에폭시 수지 를 사용 하 여 경화 시킴 으로써 형성 되 는데 , 이러 한 에폭시 수지 의 경화 과정 에서 상기 몰딩 부재 ( 130 ) 의 수축 이 발생 하 게 된다 . 따라서 , 상기 반도체 패키지 ( 100 ) 의 일면 에 는 상기 몰딩 부 재 ( 130 ) 의 열 수축 에 의한 상기 반도체 패키지 ( 100 ) 의 휨 변형 을 방지 하 기 위해 휨 방지 부 ( 140 ) 가 형성 된다 .