본 발명 은 스위칭 디바이스 들 에 관련 된다 . 더욱 구체 적 으로 , 본 발명 은 저항 스위칭 메모리 디바이스 ( resistive switching memory device ) 를 위한 구조 를 제공 한다 . 저항 스위칭 메모리 디바이스 는 특히 , 개선 된 스위칭 및 내 구성 속성 들 을 위해 감소 된 온 상태 전류 ( on state current ) 를 가진다 .