예시 적 으로 , 소거 검증 되 는 일부 워드 라인 들 은 불휘발성 메모리 장치 ( 100 a ) 의 소거 동작 의 테스트 를 통해 선택 될 수 있 다 . 선택 된 일부 워드 라인 들 의 주소 들 은 퓨즈 부 ( 180 ) 의 퓨즈 를 제어 함 으로써 퓨즈 부 ( 180 ) 에 저장 될 것 이 다 . 예 시 적 으로 , 소거 검증 되 는 일부 워드 라인 들 은 불휘발성 메모리 장치 ( 100 a ) 의 메모리 블록 들 ( BLK 1 ~ BLKz ) 에서 동일 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 1 메모리 블록 의 소거 동작 시 에 제 i , 제 j , 그리고 제 k 워드 라인 들 이 소거 검증 되 는 경우 , 다른 메모리 블록 의 소거 동작 시 에 제 i , 제 j , 그리고 제 k 워드 라인 들 이 소거 검증 될 것 이 다 . 그러나 , 소거 검증 되 는 워드 라인 들 은 메모리 블록 들 ( BLK 1 ~ BLKz ) 에서 동일 한 것 으로 한정 되 지 않 는다 . 예 를 들 면 , 소거 검증 되 는 워드 라인 들 의 주소 및 수 는 메모리 블록 들 ( BLK 1 ~ BLKz ) 에서 가변 될 수 도 있 다 .