불휘발성 기억 장치 의 대표 예 로서 는 플래시 메모리 가 있 다 . 플래시 메모리 는 트랜지스터 의 게이트 전극 과 채널 영역 과 의 사이 에 플로팅 게이트 를 갖 고 , 당해 플로팅 게이트 에 전하 를 유지 시킴 으로써 기억 을 행하 기 때문 에 , 데이터 의 유지 기간 은 극히 길 어 ( 반영구 적 ) , 휘발 성 기억 장치 에서 필요 한 리 프레시 동작 이 불 필요 하 다는 이점 을 갖 고 있 다 ( 예 를 들 어 , 특허 문헌 1 참조 ) .