본 실시 형태 에서 는 , 단결정 반도체 층 ( 516 ) 의 분리 를 위한 열처리 직후 에 , 레이 저광 의 조사 처리 를 행하 고 있 지만 , 본 발명 의 실시 형태 는 이것 에 한정 해서 해석 되 지 않 는다 . 단결정 반도체 층 ( 516 ) 의 분리 를 위한 열처리 후 에 에칭 처리 를 실시 하 고 , 단결정 반도체 층 ( 516 ) 표면 의 결함 이 많 은 영역 을 제거 하 고 나 서 , 레이 저광 의 조사 처리 를 행할 수 있 다 . 또는 , 단결정 반도체 층 ( 516 ) 표면 의 평탄 성 을 향상 시키 고 나 서 레이 저광 의 조사 처리 를 행할 수 있 다 . 상기 에칭 처리 로서 는 , 웨트 에칭 , 드라이 에칭 의 어느 것 을 이용 해도 된다는 점 에 주목 한다 . 또한 , 본 실시 형태 에서 는 , 상술 한 바 와 같이 레이 저광 을 조사 한 후 , 단결정 반도체 층 ( 516 ) 의 막 두께 를 작 게 하 는 박막 화 공정 을 행해도 된다 . 단결정 반도체 층 ( 516 ) 의 박막 화 를 위해 , 드라이 에칭 또는 웨트 에칭 의 한쪽 , 또는 양쪽 을 이용 할 수 있 다 .