반도체 소자 의 고집 적 화 에 따라 패턴 이 미세 화 되 면서 마스크 공정 에 이용 되 는 포토레지스트 의 두께 또한 점차 감소 하 고 있 다 . 따라서 , 현재 에 는 대부분 의 공정 에서 포토레지스트 하부 에 하드 마스크 를 개재 시키 고 이 를 식각 마스크 로 이용 하 여 패턴 을 형성 하 는 기술 을 사용 하 고 있 다 . 하드 마스크 를 이용 하 여 패턴 을 형성 하 는 기술 의 일례 로서 비트 라인 패턴 형성 방법 을 이하 , 도 1 을 참조 하 여 간략히 설명 하 기 로 한다 .