그러나 , 종래 기술 에 따른 낸드 플래시 메모리 소자 의 제조 방법 에서 는 기판 내 에 STI 트렌치 를 형성 한 후 채널 영역 의 도핑 농도 를 보상 하 기 위한 불순물 이온 주입 공정 을 실시 하 기 때문 에 트렌치 측벽 보다 는 저부 에 불순물 이온 이 상대 적 으로 많이 주입 된다 . 이 로 인해 , 트렌치 측벽 보다 는 저부 에서 상대 적 으로 불순물 농도 가 높 아 져 주변 회로 영역 에 형성 된 트랜지스터 들 중 비교 적 동작 범위 가 높 은 고전압 트랜지스터 - 동작 범위 가 15 V 이상 인 트랜지스터 - 의 항복 전압 이 감소 하 는 문제 가 발생 된다 . 결국 , 고전압 트랜지스터 의 항복 전압 감소 는 소자 의 특성 을 저하 시키 는 원인 이 된다 .