본 발명 은 , 상기 와 같 은 종래 기술 의 문제점 을 해결 하 기 위해 산화 주석 분말 의 제조 과정 중 분말 과 분말 사이 의 응집 을 제어 하 는 수단 으로 초음파 화학 적 반응 을 사용 하 여 1 차 입자 크기 70 ㎚ 이하 인 산화 주석 분말 을 제조 하 는 새로운 방법 을 개발 하 여 투명 전도성 물질 인 ITO 박막 을 형성 하 는 과정 에 타 겟 재의 수명 과 표면 돌기 를 억제 하 는 상대 밀도 99 . 7 % 이상 의 고밀도 의 ITO 타 겟 재 를 제조 하 는 방법 을 제공 한다 .