표 1 은 카본 복합체 를 형성 하 지 않 은 종래 기술 에 따른 발광 소자 와 본 실시 예 에 따른 발광 소자 의 동작 시 발생 되 는 열 의 최대 값 을 측정 한 것 이 다 . 이때 , 종래 기술 에 따른 발광 소자 는 기판 으로 FR 4 기판 을 사용 하 였 고 , 본 실시 예 에 따른 발광 소자 는 베이스 판 으로 FR 4 베이스 판 을 사용 하 였으며 , 발광 칩 은 1 W 의 발광 칩 을 사용 하 였 다 . 또한 , 발광 소자 에서 발생 되 는 열 의 최대 값 을 측정 할 때 주위 온도 는 실온 ( 약 섭씨 25 도 ) 에서 측정 하 였으며 , 발광 소자 의 최고 온도 ( Tmax ) 는 발광 칩 에서 직접 측정 한 발광 칩 정 션 온도 값 이 다 .