다음 에 도 6 을 참조 하 면 , 세정 공정 을 이용 하 여 스크린 산화 막 ( 206 ) 을 제거 한다 . 계속 해서 SSR 웰 영역 ( 212 ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 200 ) 상 에 게이트 스택 ( 222 ) 을 형성 한다 . 여기 서 게이트 스택 ( 222 ) 은 게이트 절 연막 ( 214 ) , 도전 막 ( 216 ) , 금속 막 ( 218 ) 및 하드 마스크 막 ( 220 ) 이 적층 된 구조 로 형성 할 수 있 다 . 이때 , 게이트 절 연막 ( 214 ) 은 산화 막 으로 형성 할 수 있 고 , 도전 막 ( 216 ) 은 폴리 실리콘 막 으로 형성 할 수 있 다 . 또한 , 금속 막 ( 218 ) 은 텅스텐 막 또는 텅스텐 실리사이드 막 으로 형성 할 수 있 으며 , 하드 마스크 막 ( 220 ) 은 질화 막 으로 형성 할 수 있 다 .