오늘날 , 결정 생장 기술 및 　 다중 양자 우물 구조 의 발전 에 따라 , 초 고광 도 발광 다이오드 의 내부 양자 　 효율 은 이미 　 대폭 개선 되 어 , 인듐 　 갈륨 나이트 라이드 ( InGaN ) 의 원 층 을 상온 보통 전류 주입 의 조건 하 에서 내부 　 양자 효율 을 90 % ~ 95 % 에 달하 게 하 거나 , 심지어 는 더욱 높 게 한다 . 예 를 들 면 파장 625 nm 의 알루미늄 갈륨 인듐 인 ( AlGaInP ) 기 초 고광 도 발광 다이오드 의 내부 양자 효율 은 100 % 에 달하 는 수치 로 , 이 는 　 이미 극한 에 달한 것 이 다 .