상술 한 예시 들 과 같 은 게이트 절 연막 ( 130 ) 을 형성 하 기 위한 소스 원료 에 대해 설명 하 면 , 실리콘 ( Si ) 을 포함 하 는 소스 원료 는 TEOS ( Tetra Ethyl Ortho Silicate ; ( C 2 H 5 O ) 4 Si ) 및 실란 ( SiH 4 ) 중 어느 하나 를 사용 할 수 있 고 , 알루미늄 ( Al ) 을 포함 하 는 소스 원료 는 TMA ( trimethylaluminum , A ( CH 3 ) 3 ) 를 사용 할 수 있 으며 , 지르코늄 ( Zr ) 을 포함 하 는 소스 원료 는 TEMAZr ( Tetrakis ( ethylmethylamino ) Zr ) 를 사용 할 수 있 다 .