전술 한 본 발명 의 제 2 목적 을 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 반도체 장치 의 제조 방법 에 있 어서 , 하부 가 기판 에 매립 되 며 상부 가 기판 상 으로 돌출 되 는 소자 분리 막 패턴 들 을 형성 한 후 , 상기 소자 분리 막 패턴 들 사이 로 노출 되 는 상기 기판 상 에 적어도 1 회 의 산화 공정 및 적어도 1 회 의 질소 어닐링 공정 을 수행 하 여 형성 된 적어도 하나 의 산질 화 막 을 포함 하 는 절연 구조물 을 형성 한다 . 상기 절연 구조물 상 에 플로팅 게이트 를 형성 하 고 , 상기 플로팅 게이트 상 에 유전 막 을 형성 한 다음 , 상기 유전 막 상 에 컨트롤 게이트 를 형성 한다 .