반도체 의 보호 층 을 형성 하 는 재료 는 특별히 제한 은 없 다 . 본 발명 의 효과 를 잃 지 않 는 범위 에서 일반 적 으로 이용 되 고 있 는 것 을 임의 로 선택 할 수 있 다 . 예컨대 , SiO 2 , SiNx , Al 2 O 3 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , MgO , ZrO 2 , CeO 2 , K 2 O , Li 2 O , Na 2 O , Rb 2 O , Sc 2 O 3 , Y 2 O 3 , Hf 2 O 3 , CaHfO 3 , PbTi 3 , BaTa 2 O 6 , SrTiO 3 , AlN 등 을 이용 할 수 있 다 . 이 들 중 에서 도 , SiO 2 , SiNx , Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , Hf 2 O 3 , CaHfO 3 를 이용 하 는 것 이 바람직 하 고 , 보다 바람직 하 게 는 SiO 2 , SiNx , Y 2 O 3 , Hf 2 O 3 , CaHfO 3 이 며 , 특히 바람직 하 게 는 SiO 2 , Y 2 O 3 , Hf 2 O 3 , CaHfO 3 등 의 산화물 이 다 . 이 들 산화물 의 산소 수 는 반드시 화학 양론 비와 일치 하 지 않 고 있 어도 좋 다 ( 예컨대 , SiO 2 이 어도 SiOx 이 어도 좋 다 ) . 또한 , SiNx 는 수소 원소 를 포함 하 고 있 어도 좋 다 .