상기 반도체 기판 상 에 Ti 박막 을 형성 하 는 ALD 단위 반응 ( S 113 ) 을 복수 회 반복 하 여 원 하 는 두께 의 Ti 막 을 형성 한다 . ( S 115 ) 상기 Ti 막 이 형성 된 상기 반도체 기 판 을 상기 ALD 반응 챔버 내 에서 인 시투 ( in - situ ) 로 후속 공정 을 진행 하 여 계면 TiN 막 을 형성 한다 . ( S 117 )