플라 즈 마를 이용 한 공정 사이클 은 , 바람직 하 게 는 본원 에 설명 되 는 시퀀스 를 수행 하 도록 프로그래밍 된 제 어부 와 함께 , 본 개시 의 적어도 일부 구 현예 에 사용 될 수 있 는 반도체 처리 장치 ( 30 ) 를 사용 하 여 수행 될 수 있 다 . 도 3 a 에 나타낸 장치 에서 , 서로 마주 하 며 평행 한 한 쌍 의 전기 전도성 평판 전극 ( 4 및 2 ) 을 반응 챔버 ( 3 ) 의 내부 ( 반응 구역 ) ( 11 ) 에 제공 하 고 , RF 전력 ( 예 , 13 . 56 MHz 또는 27 MHz ) 을 전력 공급원 ( 20 ) 으로부터 일 측 에 인가 하 고 타 측 ( 12 ) 을 전기 적 으로 접지 시킴 으로써 , 플 라즈 마가 전극 들 사이 에서 여기 된다 .