제 2 절연 층 ( 112 ) 상 에 제 2 도전 층 이 배치 될 수 있 다 . 제 2 도전 층 은 패 터닝 되 어 제 6 트랜지스터 ( T 6 ) 의 상부 게이트 ( top gate ) 전극 ( GE ) 을 형성 할 수 있 다 . 상부 게이트 전극 ( GE ) 은 제 6 트랜지스터 ( T 6 ) 의 제 1 게이트 전극 에 대응 될 수 있 다 . 제 2 도전 층 은 몰리브덴 ( Mo ) , 알루미늄 ( Al ) , 구리 ( Cu ) , 티타늄 ( Ti ) 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 제 2 도전 층 은 단 일 막 또는 다층막 일 수 있 다 .