그 다음 , 도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 하부 전극 층 ( 110 ) 상 에 절연체 층 ( 120 ) 을 형성 한다 . 이때 , 절연체 층 ( 120 ) 은 ZrO 2 , TiO 2 , MgO , SrTiO 3 , Al 2 O 3 , HfO 2 , NbO , SiO 2 , Si 3 N 4 를 포함 한 절연체 물질 중 어느 하나 를 사용 하 여 0 . 5 내지 50 nm 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 절연체 층 ( 120 ) 은 고전압 에서 절연 파괴 가 일어나 지 않 도록 방지 하 는 역할 을 한다 .