다음 으로 , 도 5 a 및 도 5 b 에 도시 된 바 와 같이 , 배선 들 ( 112 a , 112 b ) 이 형성 된 기판 ( 100 ) 상 에 제 1 층간 절 연막 ( 110 ) 을 형성 한다 . 제 1 층간 절 연막 ( 110 ) 은 기판 ( 100 ) 전면 에 산화물 을 증착 하 고 평탄 화 하 여 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 층간 절 연막 ( 110 ) 은 BSG ( Borosilicate Glass ) 막 , PSG ( PhosphoSilicate Glass ) 막 , BPSG ( BoroPhosphoSilicate Glass ) 막 , USG ( Undoped Silicate Glass ) 막 , TEOS ( TetraEthlyOrthoSilicate Glass ) 막 , O 3 - TEOS 막 또는 PE ( Plasma Enhanced ) - TEOS 막 등 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 .