본 발명 은 수직 형 발광 소자 의 제조 방법 에 관한 것 으로서 , 기판 상부 에 상호 이격 되 도록 형성 시킨 복수 개 의 버퍼 층 들 상부 에 만 질화 갈륨 ( GaN ) 계 발광 소자 구조물 들 이 성장 되 도록 함 으로써 , 질화 갈륨 ( GaN ) 반도체 층 의 결정 결함 및 격자 부정합 정도 를 감소 시켜 고품질 의 질화 갈륨 ( GaN ) 박막 및 발광 소자 를 얻 을 수 있 고 , 종래 의 소자 단위 로 아이 솔 레이 션 ( Isolation ) 하 기 위한 별도 의 식각 공정 을 필요 로 하 지 않 으며 , 화학 적 리프트 오프 ( Chemical Lift Off , CLO ) 등 의 습식 식각 ( Wet Etching ) 을 통해서 기판 의 분리 가 용이 한 장점 이 있 다 .