본 발명 의 특징 인 도전 성막 ( 4 ) 은 , 적어도 , 저항 이 다른 2 종류 의 입자 ( 고저 항 입자 와 저 저항 입자 ) 를 포함 한다 . 그 때문 에 , 도전 성막 ( 4 ) 은 , 고저 항인 입 자 ( 71 ) 로 이루어진 제 1 입자 와 저 저항 인 입자 ( 70 ) 로 이루어진 제 2 입자 에 의해 구성 된다고 말 할 수 있 다 . 따라서 , 제 1 입자 의 저항 은 , 제 2 입자 의 저항 보다 높 게 된다 . 또 , 제 1 입자 및 제 2 입자 는 , 각각 , 도전 성막 ( 4 ) 중 에 다수 배치 된다 . 즉 , 도전 성막 ( 4 ) 은 복수 의 제 1 입자 와 복수 의 제 2 입자 를 함유 한다 . 본 발명 에서 는 , 상술 한 바 와 같이 , 상기 2 종류 의 입자 의 형태 ( 입자 의 평균 크기 및 / 또는 입자 크기 의 표준 편차 ) 의 차이 가 실질 적 으로 없 으면 , " "" 저항 "" 이 라는 표현 은 "" 저항 율 "" 이라고 하 는 표현 과 등 가 또는 실질 적 으로 등가 이 다 . 그 때문 에 "," 제 1 입자 및 제 2 입자 는 각각 "" 제 2 입자 를 구성 하 는 재료 에 비교 하 여 고 저항 율 인 재료 로 이루 진 입자 "" 및 "" 제 1 입자 를 구성 하 는 재료 와 비교 하 여 저 저항 율 인 재료 로부터 이루어진 입자 "" 로서 표현 할 수 있 다 . "