그런데 , 상기 사진 공정 에 의해 상기 분리 영역 을 마스킹 한 후 불순물 이온 을 주입 시키 는 경우 , 상기 저항 영역 의 폭 을 감소 시키 는 데 한계 가 있 다 . 이 와 같이 , 상기 저항 영역 의 폭 이 증가 되 는 경우 상기 저항 영역 의 저항 이 감소 하 게 되 므로 , 고 저항 을 갖 는 저항 구조물 을 형성 하 는 것 이 어려워진다 . 또한 , 고 저항 을 갖 는 저항 구조물 을 형성 하 기 위하 여 저항 영역 의 길이 가 증가 되 어야 한다 . 이 와 같이 , 상기 저항 영역 의 길이 를 증가 시키 기 위해서 는 기판 의 수평 면적 이 더욱 증가 되 어야 하 므로 , 상기 저항 구조물 을 포함 하 는 반도체 장치 를 집적 화 시키 는 것 이 용이 하 지 않 다 .