본 발명 에서 는 두 버스 라인 의 전압 차 를 감지 하 기 때문 에 메모리 버스 라인 ( Memory Bus P ) 과 메모리 버스 라인 ( Memory Bus M ) 의 차이 만 중요 할 뿐 논리 문턱 전압 이상 의 진폭 을 요구 하 는 등 의 진폭 에 관련 된 조건 이 없 다 . 즉 , 작 은 구동 트랜지스터 를 이용 하 여 상기 두 메모리 버스 ( Memory Bus P 및 Memory Bus M ) 모두 가 문턱 전압 이상 에 머물러 있 을지라도 , 그 차이 는 있 으므로 메모리 셀 의 값 을 읽 어 내 는 데 는 문제 가 없 다 .