여기 서 , 제 2 경로 에 는 제 1 경로 에 비하 여 추가 저항 성분 이 더 형성 될 수 있 다 . 예컨대 , 제 2 경로 의 비트 라인 ( BL ) 과 비트 라인 스위칭 소자 ( BL _ SW ) 의 사이 에 는 제 1 저항 성분 ( R 1 ) 이 형성 될 수 있 고 , 제 2 경로 의 워드 라인 ( WL ) 과 워드 라인 스위칭 소자 ( WL _ SW ) 의 사이 에 는 제 2 저항 성분 ( R 2 ) 이 형성 될 수 있 다 . 따라서 , 제 2 경로 의 저항 은 , 제 1 저항 성분 ( R 1 ) 및 제 2 저항 성분 ( R 2 ) 이 생략 된 경우 에 비하 여 증가 할 수 있 다 .