그 로 인해 , 웨이퍼 ( W ) 의 실리콘 으로 이루어지 는 바탕 막 ( 91 ) 상 에 는 , 도 21 에 도시 한 바 와 같이 , 바탕 막 ( 91 ) 의 플 라즈 마 산화 에 의해 생성 한 제 1 산화 실리콘 막 ( 92 ) 과 , 성막 - 개질 처리 에 의해 형성 된 제 2 산화 실리콘 막 ( 93 ) 이 하측 으로부터 이 순서 대로 적층 되게 된다 . 즉 , 외관상 , 웨이퍼 ( W ) [ 바탕 막 ( 91 ) ] 에 는 , 이 들 산화 실리콘 막 ( 92 , 93 ) 으로 이루어지 는 산화 막 ( 94 ) 이 형성 되 어 있 다고 할 수 있 다 . 일반 적 으로 , 플라 즈 마 산화 에 의해 형성 된 산화 실리콘 막 과 바탕 의 계면 의 평탄 성 은 열 산화 막 보다 좋 기 때문 에 , 이 계면 [ 바탕 막 ( 91 ) 과 산화 막 ( 94 ) 의 사이 의 계면 ] 의 평탄 성 도 양호 해진다 . 또한 , 상술 한 바 와 같이 각각 의 성막 스텝 에서 반응 생성물 이 1 층 또는 복수 층 의 분자 층 씩 적층 되 어 가 므로 , 웨이퍼 ( W ) 의 면 내 에 걸쳐서 반응 생성물 의 막 두께 가 정렬 되 기 때문 에 , 당해 반응 생성물 을 통해 웨이퍼 ( W ) 에 도달 하 는 플 라즈 마의 깊이 에 대해서 도 면 내 에 걸쳐서 정렬 되 게 된다 . 따라서 , 바탕 막 ( 91 ) 과 제 1 산화 실리콘 막 ( 92 ) 의 사이 의 계면 은 , 면 내 에 걸쳐서 평탄 해진다 .