일부 응용 프로그램 에 의 경우 수정 버전 을 사용 한다 . 이전 에 개시 된 방법 에 대해 언급 된 모든 것 은 다음 라인 에서 설명 된 방법 의 변형 으로 확장 될 수 있 다 . 대부분 실시 된 예 에서 , " 재료 또는 재료 의 일부 를 "" 적절 한 방사선 "" 에 노출 시키 는 목적 은 3 D 물체 를 층상 방식 이 아닌 직접 생성 하 는 국소 중합 이 다 . 이 시스템 은 더 큰 개체 의 계층 제조 에 도 사용 할 수 있 지만 ", 각 층 은 기존 의 계층 제조 와 마찬가지 로 평면 이미지 의 압출 만 이 아니 라 3 D 객체 다 . 3 D 방사선 필드 를 생성 하 는 한 가지 가능 한 방법 은 간섭 패턴 을 생성 하 는 것 이 다 . 예 를 들 어 웨이퍼 와 같 은 DLP 에 조정 가능 한 결정 또는 미러 그리드 를 사용 한다 . 두 개 이상 의 웨이퍼 를 사용 하 여 재료 에 다른 각도 로 2 D 필드 를 조사 하 고 구조 적 간섭 이 발생 하 는 부분 에서 재료 의 경화 ( 경화 ) 를 유발 할 수 있 다 . 일부 구현 에서 , 각각 의 웨이퍼 는 다른 파장 의 빛 을 투사 한다 . 또 다른 예 에서 , 단일 웨이퍼 에서 동일 한 효과 가 달성 된다 .