최근 반도체 소자 의 고집 적 화 경향 에 따라 소자 간 의 분리 거리 가 매우 짧 아 짐 으로써 , 기존 의 전통 적 인 로코스 ( LOCOS ; LOCal Oxidation of Silicon ) 소자 분리 방법 은 한계 를 나타내 고 있 다 . 따라서 반도체 기판 에 트랜 치 를 형성 하 고 , 이 트랜 치 를 실리콘 산화물 과 같 은 절연물 로 매립 함 으로써 소자 간 분리 를 실현 하 는 트랜 치 소자 분리 막 이 널리 사용 되 고 있 다 . 이 와 같 은 트랜 치 소자 분리 막 의 구조 에 는 여러 가지 가 있 으나 , 가장 널리 사용 되 는 구조 로서 소자 의 성능 향상 을 유발 하 는 라이너 질화 막 을 채 용한 구조 가 있 다 .