도 5 a 를 참조 하 면 , 제 1 메모리 셀 ( MC 1 ) 은 제 1 층 에 형성 된 제 1 워드 라인 ( 101 ) 과 제 1 층 에 형성 된 제 1 비트 라인 ( 102 ) 이 교차 하 는 지점 에 마련 될 수 있 다 . 제 2 메모리 셀 ( MC 2 ) 은 제 2 층 에 형성 된 제 2 워드 라인 ( 103 ) 과 제 2 층 에 형성 된 제 2 비트 라인 ( 104 ) 이 교차 하 는 지점 에 마련 될 수 있 다 . 제 1 메모리 셀 ( MC 1 ) 은 제 2 방향 성 을 가질 수 있 고 , 제 2 메모리 셀 ( MC 2 ) 은 제 1 방향 성 을 가질 수 있 다 .