상술 한 본 발명 에 의한 반도체 집적회로 장치 의 제조 방법 은 , 반도체 메모리 소자 를 포함 하 는 다양 한 반도체 집적회로 장치 에서 전류 구동 능력 및 정보 저장 시간 확보 능력 이 요구 되 는 영역 에 는 새 들 트랜지스터 를 형성 하 고 전류 구동 능력 이 요구 되 는 영역 에 는 핀 트랜지스터 를 형성 하 되 특히 새 들 트랜지스터 및 핀 트랜지스터 를 동시 에 형성 함 으로써 반도체 집적회로 장치 특성 의 개선 및 공정 의 단순 화 가 가능 하 다 .