비아 ( 14 ) 형성 단계 는 도 4 의 ( d ) 에 도시 된 바 와 같이 , 반도체 칩 ( 12 a ) 의 전기 접점 이 ( 13 a ) 노출 되 도록 절연재 ( 20 ) 를 드릴링 ( drilling ) 하 여 비 아홀 ( 14 a ) 을 천공 하 고 ( 122 ) , 도 4 의 ( e ) 와 같이 , 표면 에 Cu 스퍼터링 ( sputtering ) , 도전 성 페이스트 충전 등 의 공정 을 적용 하 여 도금 층 이 형성 되 도록 함 으로써 제 1 비아 ( 14 ) 를 형성 한다 ( 124 ) . 이 로써 , 내장 된 반도체 칩 ( 12 a ) 의 전기 접점 ( 13 a ) 이 외부 와 전기 적 으로 연결 될 수 있 게 된다 . 비 아홀 ( 14 a ) 의 천공 에 사용 되 는 드릴링 공정 및 비 아홀 ( 14 a ) 을 전기 적 으로 도통 시키 기 위한 도금 공정 이 전술 한 실시 예 에 한정 되 지 않 음 은 물론 이 다 .