그리고 , 단일 의 희생 기판 ( 20 ) 을 대상 으로 포토 리소그래피 ( photolithigraphy ) , 식각 , 도금 등 을 포함 하 는 멤 스 공정 을 수행 한다 . 이 에 , 단일 의 희생 기판 ( 20 ) 에 빔 ( 22 a ) 과 팁 ( 22 b ) 을 포함 하 는 프로브 ( 22 ) 가 형성 된다 . 이때 , 프로브 ( 22 ) 는 언급 한 바 와 같이 켄 틸 레버 구조 를 갖 도록 형성 한다 . 아울러 , 본 발명 의 일 실시 예 에서 는 피검 사체 의 크기 보다 큰 단일 의 희생 기판 ( 20 ) 을 사용 하 여 빔 ( 22 a ) 과 팁 ( 22 b ) 을 포함 하 는 프로브 ( 22 ) 를 형성 하 기 때문 에 피검 사체 와 대응 하 는 최 외곽 영역 에 도 빔 ( 22 a ) 과 팁 ( 22 b ) 을 포함 하 는 프로브 ( 22 ) 의 배치 가 충분 하 게 가능 하 다 .