디스크 ( 202 ) 는 적절 한 지지 와 충분 한 열 전달 특성 들 을 제공 하 기 에 적합 한 임의 의 치수 들 과 형상 을 갖 도록 제조 될 수 있 다 . 예컨대 , 일부 실시 예 들 에서 , 디스크 ( 202 ) 는 기판 ( S ) 의 두께 와 유사 한 두께 , 예컨대 기판 ( S ) 두께 의 최대 약 3 배 의 두께 를 가질 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 기판 ( S ) 이 반도체 웨이퍼 인 경우 , 디스크 ( 202 ) 는 약 1 . 0 ㎜ 내지 약 3 ㎜, 또는 약 1 . 5 ㎜ 의 두께 를 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 디스크 ( 202 ) 는 기판 - 대향 면 ( 220 ) 과 열 제어 판 - 대향 면 ( 222 ) 에 대해 실질 적 으로 수직 한 외측 에지 ( 221 ) 를 가질 수 있 다 . 대안 적 으로 , 일부 실시 예 들 에서 , 외측 에지 ( 221 ) 는 증착 링 ( 206 ) 과 디스크 ( 202 ) 사이 의 갭 을 통해 처리 체적 으로부터 기판 지 지체 ( 124 ) 의 구성 요소 들 까지 의 수직 시선 ( line of sight ) 을 제거 하 기 위해 증착 링 ( 206 ) 의 대응 하 는 각 이진 에지 ( 227 ) 와 인터페이스 로 접속 하 도록 구성 된 각 이진 에지 ( 226 ) 를 가질 수 있 으며 , 이 에 따라 처리 동안 기판 지 지체 ( 124 ) 의 구성 요소 들 에 대한 플 라즈 마 유도 손상 을 저감 하 거나 방지 할 수 있 다 .