상기 후처리 폴리 싱 단계 ( S 6 ) 는 예 를 들 어 그라인딩 된 표면 의 거칠 기 를 낮추 고 제 2 평탄 화 단계 인 고 메 쉬 그라인딩 단계 ( S 5 ) 에서 질화 갈륨 기판 표면 에 발생 하 게 된 또 다른 손상 층 을 제거 하 는 래핑 ( Lapping ) 공정 을 포함 한다 . 여기 서 , 제 1 평탄 화 단계 인 저 메 쉬 그라인딩 단계 ( S 3 ) 에 의해 발생 하 는 손상 층 의 두께 는 제 2 평탄 화 단계 인 고 메 쉬 그라인딩 단계 ( S 4 ) 에 의해 발생 하 는 손상 층 의 두께 보다 그 값 이 크 다 .