활성 층 ( 35 ) 은 전자 및 정공 이 재결합 되 는 영역 으로서 , 예 를 들 어 , InGaN / GaN 을 포함 하 여 이루어진다 . 활성 층 ( 35 ) 을 이루 는 물질 의 종류 에 따라 발광 다이오드 에서 방출 되 는 발광 파장 이 결정 된다 . 활성 층 ( 35 ) 은 양자 우물 층 과 장벽층 이 반복 적 으로 형성 된 다층막 일 수 있 다 . 양자 우물 층 과 장벽층 은 일반식 AlxInyGa 1 - x - yN ( 0 ≤ x , y , x + y ≤ 1 ) 으로 표현 되 는 2 원 내지 4 원 화합물 반도체 층 들 일 수 있 다 .