처리 스테이션 ( 20 ) 에 있 어서 , 주 웨이퍼 반송 아암 ( 21 ) 은 웨이퍼 ( W ) 를 최초 에 제 3 세트 ( G 3 ) 의 다단 유닛 에 속하 는 어 드 히 젼 유닛 ( AD ) 으로 반입 한다 . 이 어 드 히 젼 유닛 ( AD ) 내 에서 웨이퍼 ( W ) 는 소수 화 처리 된다 . 소수 화 처리 가 종료 되 면 , 주 웨이퍼 반송 아암 ( 21 ) 은 , 웨이퍼 ( W ) 를 어 드 히 젼 유닛 ( AD ) 으로부터 반출 하 고 , 다음 으로 제 3 세트 ( G 3 ) 또는 제 4 세트 ( G 4 ) 의 다단 유닛 에 속하 는 쿨링 유닛 ( COL ) 으로 반입 한다 . 이 쿨링 유닛 ( COL ) 내 에서 웨이퍼 ( W ) 는 레지스 트 도포 처리 전 의 설정 온도 예컨대 23 ℃ 까지 냉각 된다 . 냉각 처리 가 종료 되 면 , 주 웨이퍼 반송 아암 ( 21 ) 은 , 웨이퍼 ( W ) 를 쿨링 유닛 ( COL ) 으로부터 반출 하 고 , 다음 으로 제 1 세트 ( G 1 ) 또는 제 2 세트 ( G 2 ) 의 다단 유닛 에 속하 는 레지스 트 도포 유닛 ( COT ) 으로 반입 한다 . 이 레지스 트 도포 유닛 ( COT ) 내 에서 스핀 코트 법 에 의해 웨이퍼 ( W ) 를 처리 하 여 웨이퍼 표면 에 똑같 은 막 두께 로 레지스 트 를 도포 한다 .