상기 SiO 2 / Si 기판 / MoS 2 층 의 MoS 2 층 위 에 상기 그래핀 박막 을 PMMA 지지층 을 사용 하 여 전사 하 여 유기 전계 효과 트랜지스터 를 제조 하 였 다 . 이때 , 상기 SiO 2 / Si 기판 의 Si 는 게이트 전극 , SiO 2 는 게이트 절 연막 , 상기 MoS 2 층 은 반도체 층 , 상기 전사 된 그래핀 층 은 소스 전극 및 드레 인 전극 이 다 .