막 저항 ( film resistors ) 으로서 의 응용 을 위한 최적 조건 을 조사 하 기 위해 , 다른 TiO 2 함량 ( 5 , 10 , 30 , 및 50 wt %) 을 갖 는 네 종류 의 TiO 2 / Cu 합성 필름 의 전기 저항 이 4 - 점 프로브 시스템 을 이용 하 여 측정 되 었 다 . AD 프로세스 가 각 물질 의 고유 특성 을 유지 할 수 있 기 때문 에 , 높 은 저항 을 갖 는 TiO 2 와 낮 은 저항 을 갖 는 Cu 의 함량 이 적절히 제어 되 며 다양 한 전기 저 항도 ( electrical resistivity ) 를 나타낼 수 있 다 . 500 nm - 크기 TiO 2 를 이용 한 TiO 2 / Cu 합성 필름 에 대한 전기 저 항도 의 측정 에 앞서 , 우리 는 먼저 25 nm - 크기 TiO 2 로 만들 어 지 는 필름 의 전기 저 항도 를 측정 하 였 다 . 그러나 , 그 값 들 은 모든 샘플 에 대해서 는 획득 될 수 없 었 다 . 전술 한 TiO 2 ( 25 nm ) / Cu 합성 필름 의 AD 매 커 니즘 을 고려 하 면 , 이러 한 입자 들 은 전자 전달 프로세스 를 방해 하 고 절연 특성 에 영향 을 미치 는 , 낮 은 충격 에너지 에 의해 야기 되 는 약한 흡착 때문 에 잘 연결 되 지 않 았 다 .