한편 , 다층막 ( 228 ) 및 폴리 실리콘 층 ( 230 a ~ 230 c ) 을 형성 하 는 과정 에서 트렌치 ( 216 ) 도 다층막 과 폴리 실리콘 층 에 의해 채워질 수 있 다 . 트렌치 ( 216 ) 에 폴리 실리콘 층 이 형성 되 더라도 수직 채널 층 ( 230 a , 230 b ) 이나 파이프 채널 층 ( 230 c ) 과 격리 되 어야 한다 .