최근 반도체 제조 기술 의 발달 로 메모리 제품 의 고집 적 화 가 가속 화 됨 에 따라 단위 셀 면적 이 크 게 감소 하 고 있 으며 , 동작 전압 의 저전압 화 가 이루어지 고 있 다 . 이 에 따라 , 소자 의 리플레 쉬 시간 ( Refresh Time ) 이 단축 되 고 소프트 에러 ( Soft Error ) 가 발생 한다는 문제점 들 이 야기 되 고 있 고 , 이러 한 문제 를 방지 하 기 위해 , 높 은 용량 을 갖 고 누설 전류 의 발생 이 적 은 캐 패 시터 의 개발 이 지속 적 으로 요구 되 고 있 는 실정 이 다 .