전기 적 으로 펌핑 된 장치 에서 , n - 형 도핑 된 및 p - 형 도핑 된 영역 을 제공 하 는 것 은 캐리어 ( 즉 , 전자 및 / 또는 정공 ) 가 광 발생 영역 ( 예 를 들 어 , 양자 헤테로 구조 를 포함 할 수 있 는 진성 영역 ) 으로 보다 효율 적 으로 주입 될 수 있 게 한다 . 광 발생 영역 내 의 주입 된 캐리어 및 / 또는 여기 된 캐리어 는 전술 한 바 와 같이 재조합 되 어 ( 예 를 들 어 , 전자 - 정공 쌍 이 재조합 되 어 ) 광 을 생성 할 수 있 다 . 양자 헤테로 구조 에서 확인 되 는 양자 캐리어 구속 ( confinement ) 효과 로 인해 , 양자 헤테로 구조 는 벌크 진성 물질 과 같 은 벌크 물질 보다 더 효율 적 인 캐리어 재조합 을 나타낸다 . 벌크 물질 은 일반 적 으로 지속 적 인 에너지 수준 을 갖 는 것 으로 간주 된다 . 대조 적 으로 , 양자 헤테로 구조 는 전형 적 으로 하나 이상 의 개별 ( discrete ) 에너지 상태 를 갖 는다 .