도 4 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) 에 활성 영역 ( 120 ) 이 소자 분리 막 ( 130 ) 에 의해 정의 된다 . 이때 , 활성 영역 ( 1200 ) 의 표면 은 게이트 ( 150 ) 와 오버랩 되 는 부분 은 돌출 되 고 게이트 ( 150 ) 사이 에 형성 하 는 소스 / 드레 인 영역 ( 160 ) 에 해당 하 는 부분 은 리세 스 된 형태 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .