특히 , 0 . 25 ㎛ 혹은 0 . 18 ㎛ 급 이하 에서 대부분 의 메모리 셀 에서 는 격리 기술 로서 얕 은 트렌치 격리 ( Shallow Trench Isolation , STI ) 기술 을 사용 하 고 있 는데 , STI 격리 기술 은 워드 라인 ( WL ) 방향 으로 , SAS 기술 은 비트 라인 ( BL ) 방향 으로 셀 크기 를 줄이 기 위한 필수 적 인 기술 인데 , 이 두 기술 을 동시 에 적용 하 는 경우 소스 저항 이 대폭 증대 하 는 문제점 이 있 다 .