도 21 은 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 원자 층 적층 공정 으로 형성 된 탄 탈륨 이 도핑 된 주석 산화 막 에 형성 된 티타늄 산화물 에 대하 여 수소 를 포함 한 환원 분위기 열처리 전 / 후 전압 에 따른 유전율 변화 를 나타내 는 그래프 이 다 . 도 22 및 도 23 은 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 원자 층 적층 공정 으로 형성 된 탄 탈륨 이 도핑 된 주석 산화 막 에 대하 여 열처리 전 / 후 AES 깊이 프로파일 ( Auger Electron Spectroscopy Depth Profile ) 분석 을 나타내 는 그래프 들 이 다 .