iPV 전지 의 소정 의 층 , 예컨대 , 흡 수체 층 에서 흡수 된 파워 는 , 전술 한 바 와 같이 전체 iPV 적층 체 에 좌우 될 수 있 다 . iPV 전지 의 소정 의 층 에 흡수 된 에너지 량 은 해당 층 의 굴절 률 n , 해당 층 의 소광 계수 , 해당 층 의 전계 진폭 의 제곱 | E ( x ) | 2 및 해당 층 의 두께 t 에 직접 비례 한다 . iPV 장치 의 에너지 흡수 를 증가 혹은 최적 화 시키 는 하나 의 접근 법 은 흡 수체 층 을 둘러싸 고 있 는 층 들 에 흡수 된 에너지 량 을 저감 시키 고 해당 흡 수체 층 에 흡수 된 에너지 량 을 증가 시키 는 것 이 다 . 흡 수체 층 을 둘러싸 고 있 는 층 들 에 흡수 된 에너지 량 은 , 예 를 들 어 , 낮 은 n×k 값 을 지닌 재료 를 채택 하 거나 , 해당 둘러싸 고 있 는 층 들 의 두께 를 저감 시키 거나 혹은 해당 둘러싸 고 있 는 층 의 전계 강도 를 저감 시킴 으로써 , 또는 이 들 접근 법 의 소정 의 조합 에 의해 저감 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 하나 의 최적화 방법 에 있 어서 , iPV 전지 의 흡 수체 층 의 전계 는 이하 의 하나 이상 을 사용 해서 증가 될 수 있 다 : 즉 , A ) iPV 적층 체의 각종 층 의 재료 와 두께 는 활성 층 에 도달 하 는 반사 된 전계 와 투과 된 전계 가 보강 간섭 하 도록 조정 될 수 있 다 . B ) 활성 층 이외 의 iPV 장치 의 층 내 의 전계 강도 는 , 예 를 들 어 소멸 간섭 으로부터 적어도 부분 적 으로 연유 해서 저감 될 수 있 다 . C ) 예 를 들 어 적절 한 위상 변이 와 반사 , 낮 은 굴절 률 n 및 / 또는 낮 은 소광 계수 상수 k 를 제공 하 는 소망 의 혹 은 최적 의 굴절 률 n 을 지닌 광학 공명 공 동부 에 대해서 재료 를 선택 할 수 있 으므로 , 해당 광학 공명 공동 부 는 활성 층 에 의해 전기 에너지 로 변환 된 적 은 광이 광학 공명 공 동부 에 의해 흡수 되 도록 활성 층 의 밴드 - 갭 에 대응 하 는 파장 에 대해 낮 은 흡수 를 지닌다 . 몇몇 실시 형태 에 있 어서 , 광학 공명 공동 부 의 조성 과 두께 는 , 흡 수체 의 전계 가 예 를 들 어 활성 층 의 밴드 - 갭 과 등가 인 에너지 를 지닌 파장 에 대해서 증가 되 도록 할 수 있 다 . D ) 더욱 일반 적 으로 는 , 활성 층 의 밴드 - 갭 과 등가 인 에너지 를 지닌 파장 에 대해서 굴절 률 n 과 소광 계수 k 의 곱 이 낮 은 재료 를 활성 층 이외 의 층 들 에 이용 할 수 있 다 . 활성 층 이외 의 iPV 장치 의 층 들 의 전계 강도 를 저감 시키 고 / 시키 거나 , 이 들 층 의 낮 은 굴절 률 및 / 또는 소광 계수 k 를 지닌 재료 를 이용 해서 흡수 를 저감 시킴 으로써 , iPV 장치 의 활성 혹은 흡 수체 층 을 제외 한 모든 층 에서 의 에너지 흡수 의 저감 이 달성 될 수 있 다 . E ) 전계 강도 가 높 은 활성 층 이외 의 다른 층 에서 낮 은 n 및 / 또는 k 값 , 따라서 , 낮 은 흡수 를 지닌 재료 도 이용 될 수 있 다 .