이러 한 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 비휘발성 디램 소자 의 제조 방법 은 도 2 의 ( a ) 내지 ( f ) 에 도시 된 비휘발성 디램 소자 의 제조 방법 과 유사 하 고 , 차이점 은 부유 바디 셀 ( 402 ) 의 두께 가 채널 의 최대 공핍 폭 보다 작 은 FD SOI 구조 로 형성 하 는 점 과 백 게이트 ( 408 b ) 를 기판 ( 400 ) 하부 에 추가 로 형성 한다는 점 이 다 .