탄성 고분자 피복층 ( 110 - 12 ) 은 중 심사 ( 110 - 11 ) 의 외면 을 감싸 도록 중 심사 ( 110 - 11 ) 와 함께 압출 성형 하 여 형성 한다 . 이러 한 탄성 고분자 피복층 ( 110 - 12 ) 은 중 심사 ( 110 - 11 ) 를 완전히 감싸 면서 압출 성형 됨 으로서 중 심사 ( 110 - 11 ) 를 안정 적 으로 내부 에 고정 및 지지 하 게 된다 . 이러 한 공정 이 가능 하 도록 탄성 고분자 피복층 ( 110 - 12 ) 을 구성 하 는 고분자 는 열가소성 의 성질 을 갖 으면서 동시 에 탄성 을 갖 고 있 어야 하 며 상대 적 으로 높 은 저항 을 가져야 한다 . 여기 서 상대 적 으로 높 은 저항 은 수 Ω 에서 수천 Ω 이 다 . 이 와 같이 탄성 고분자 피복층 ( 110 - 12 ) 을 완전 절연체 가 아닌 상대 적 으로 높 은 저항 을 갖 도록 하 는 이유 는 , 이하 에서 설명 하 는 바 와 같이 , 서로 교차 하 여 접촉 하 는 두 도전 사 ( 110 - 10 ) 의 교차 지점 의 압력 을 측정 하 기 위함 이 다 . 본 발명 에서 는 두 도전 사 ( 110 - 10 ) 의 교차 지점 에 압력 이 가해질 때 발생 하 는 두 도전 사 ( 110 - 10 ) 사이 의 정전 용량 또는 저항 의 변화 를 측정 하 여 압력 정도 를 측정 하 는데 , 탄성 고분자 피복층 ( 110 - 12 ) 을 완전 절연체 로 할 경우 정전 용량 또는 저항 의 변화 를 측정 할 수 없 다 .