상기 기판 ( 100 ) 상 에 버퍼 층 ( 110 ) 을 형성 한다 . 상기 버퍼 층 ( 110 ) 은 본 발명 의 실시 예 에 따라 반드시 형성 해야 할 것 은 아니 지만 , 소자 제조 시 상기 기판 ( 100 ) 에서 발생 하 는 불순물 들 이 반도체 층 내 에 침투 하 는 것 을 방지 하 여 소자 의 특성 을 향상 시키 는 역할 을 하 므로 상기 버퍼 층 ( 110 ) 을 형성 하 여 주 는 것 이 더욱 바람직 하 다 . 상기 버퍼 층 ( 110 ) 은 실리콘 질화 막 ( SiNx ) , 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) , 및 실리콘 산화 질 화 막 ( SiOxNy ) 중 어느 하나 로 형성 할 수 있 다 .