도 5 ( d ) 는 이렇게 과잉 노광 한 것 을 현상 한 포토레지스트 패턴 ( PR ') 이 형성 된 모습 을 보여준다 . 포토레지스트 패턴 ( PR ') 은 가장 자리 가 두껍 고 안쪽 으로 갈수록 얇 아 지 게 형성 된다 . 이러 한 포토레지스트 패턴 ( PR ') 을 식각 마스크 로 이용 하 여 n 형 반도체 층 ( 115 ) 을 건식 식각 한다 . 가장 자리 쪽 은 두꺼운 포토레지스트 에 의해 가려져 식각 이 덜 되 지만 안쪽 은 얇 은 포토레지스트 가 n 형 반도체 층 의 식각 에 따라 같이 식각 되 어 노출 되 면서 그 아래쪽 n 형 반도체 층 도 식각 시킨다 . 최종 적 으로 포토레지스트 패턴 ( PR ') 을 제거 해 내 면 , 도 5 ( e ) 에서 와 같이 n 형 반도체 층 ( 115 ) 은 표면 에 반구형 볼록 패턴 ( 141 ) 안 에 반구형 함몰 부 ( 142 ) 를 포함 하 는 요철 패턴 ( 143 ) 이 형성 된다 . 그런 다음 , n 형 반도체 층 ( 115 ) 상 에 n 형 전극 ( 150 ) 을 형성 하 여 반도체 발광 소자 를 제조 한다 .