특히 , 상기 불순물 이 주입 된 기판 의 일부 영역 을 저항체 로 사용 하 는 경우 에 는 , 상기 저항 구조물 을 형성 하 기 위하 여 상기 저항체 로 사용 되 는 영역 ( 이하 , 저항 영역 ) 에 만 선택 적 으로 불순물 을 주입 하 는 공정 이 수행 되 어야 한다 . 즉 , 상기 저항 구조물 은 상기 불순물 이 주입 되 지 않 아야 하 는 영역 ( 이하 , 분리 영역 ) 을 선택 적 으로 덮 는 마스크 패턴 을 형성 하 기 위한 사진 공정 과 , 상기 마스크 패턴 을 이온 주입 마스크 로 사용 하 여 불순물 을 이온 주입 하 는 공정 이 수반 되 어야 한다 .