도 8 을 참조 하 면 , 상기 홀 ( 36 H ) 내 에 제 1 하부 전극 ( 43 ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 하부 전극 ( 43 ) 의 형성 에 는 박막 형성 공정 및 에치 - 백 ( etch - back ) 공정 이 적용 될 수 있 다 . 상기 제 1 하부 전극 ( 43 ) 은 금속 , 금속 질화물 , 금속 산화물 , 금속 실리사이드 , 도전 성 카본 , 또는 이 들 의 조합 과 같 은 도전 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 제 1 하부 전극 ( 43 ) 은 TiN 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 하부 전극 ( 43 ) 은 상기 하부 플러그 ( 37 ) 에 접촉 될 수 있 다 . 상기 제 1 하부 전극 ( 43 ) 의 상단 은 상기 상부 스 페이서 ( 41 ) 의 상단 보다 낮 은 레벨 에 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 하부 전극 ( 43 ) 의 측면 은 상기 상부 스 페이서 ( 41 ) 로 둘러싸 일 수 있 다 . 상기 제 1 하부 전극 ( 43 ) 은 상기 상부 스 페이서 ( 41 ) 에 의하 여 한정 될 ( confined ) 수 있 다 .