계속 해서 , 제 2 질화 막 패턴 ( 22 ) 을 산화 막 과 의 식각 선택 비 가 높 은 인산 용액 을 사용 하 여 선택 적 으로 제거 하 면 , 그 하부 에 형성 된 측벽 산화 막 ( 14 c ) 를 손상 시키 지 않 으면서 제거 할 수 있 다 . 제 2 질화 막 패턴 ( 22 ) 을 제거 한 후 , 도 10 에서 와 같이 , 플로팅 게이트 어레이 ( 14 ) 위 에 게이트 간 유전 막 으로 기능 하 는 ONO ( Oxide - Nitride - Oxide ) 유전 막 ( 24 ) 및 다결정 실리콘 으로 이루어진 콘트롤 게이트 ( 26 ) 를 형성 하 면 , 플래시 메모리 의 스택 게이트 구조 가 완성 된다 .