또한 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 화학 기상 증착 전 에 웨이퍼 의 Bow ( 바우 또는 구 부러짐 ) 를 제어 하 여 P + 기판 의 한 면 에 LTO 층 이 형성 된 P / P + 실리콘 에피 택 셜 웨이퍼 또는 N + 기판 의 한 면 에 LTO 층 이 형성 된 N ++ 실리콘 에피 택 셜 웨이퍼 는 , 실리콘 에피 택 셜 웨이퍼 는 ADE 용량 기구 ( capacitive tool ) 로 측정 했 을 때 , 일반 적 으로 25 ㎛ 미만 , 바람직 하 게 는 20 ㎛ 미만 의 구 부러짐 을 갖 는다 .