상기 노광 공정 에서 는 기판 에 적용 된 감광성 수지 조성물 에 대해 소정 의 패턴 의 활성 광선 또는 방사선 을 조사 한다 . 상기 노광 공정 에 는 200 내지 600 nm 파장 의 활성 광선 또는 방사선 이 적용 될 수 있 다 . 노광 장치 로 는 미러 프로 젝 션 얼라 이너 , 스캐너 , 스 테퍼 , 프록시 미티 , 콘택트 , 마이크 로 렌즈 어레이 , 레이저 노광 , 렌즈 스캐너 등 각종 방식 의 노광기 가 이용 될 수 있 다 .