또한 , 메모리 셀 을 어 레 이상 으로 복수 배치 하 여 사용 하 는 경우 에 는 , 원 하 는 메모리 셀 의 정보 만 을 판독 할 수 있 는 것 이 필요 해진다 . 이 와 같이 소정 의 메모리 셀 의 정보 를 판독 하 고 , 그 이외 의 메모리 셀 의 정보 를 판독 하 지 않 는 경우 에 는 , 판독 의 대상 이 아닌 메모리 셀 의 제 5 배선 에 대해 , 게이트 전극 의 상태 에 관계없이 트랜지스터 ( 160 ) 가 「 오프 상태 」 가 되 는 전위 , 즉 , Vth _ H 보다 작 은 전위 를 부여 하 면 된다 . 또는 , 게이트 전극 의 상태 에 관계없이 트랜지스터 ( 160 ) 가 「 온 상태 」 가 되 는 전위 , 즉 , Vth _ L 보다 큰 전위 를 제 5 배선 에 부여 하 면 된다 .