이 어 , 도 7 을 참조 하 면 , 하부 금속 층 ( 120 ) 이 형성 된 제 1 기판 ( 110 ) 의 전면 에 버퍼 층 ( 161 ) 을 형성 한다 . 이 어 , 버퍼 층 ( 161 ) 상 에 반도체 층 ( 150 ) 을 형성 한다 . 반도체 층 ( 150 ) 은 마스크 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 버퍼 층 ( 161 ) 상 에 산화물 반도체 를 전면 증착 한 후 , 포토 리소그래피 공정 을 통해 패 터닝 하 여 도 7 에 도시 된 바 와 같 은 반도체 층 ( 150 ) 을 형성 할 수 있 다 .