본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 소자 는 , 도 2 f 에 도시 한 바 와 같이 , 기판 ( 30 ) 내 에 제 1 도전 형 으로 도핑 된 리트 로 그레이드 웰 ( retrograde well ) ( 31 ) 이 형성 되 어 있 고 , 기판 ( 30 ) 의 일영 역상 에 게이트 절 연막 ( 32 ) 과 게이트 전극 ( 33 a ) 이 적층 형성 되 어 있 다 .