그러나 , 이러 한 자기 정렬 소스 ( SAS ) 공정 기술 을 적용 한 메모리 셀 에서 공통 소스 라인 은 트렌치 의 프로 파일 을 따라서 형성 되 기 때문 에 실제 셀 당 소스 의 접촉 저항 이 급격 하 게 증가 하 는 단점 이 있 다 . 이 와 같이 공통 소스 라인 의 저항 이 커지 는 이유 는 정 션 저항 이 트렌치 영역 의 표면 모양 을 따라 형성 되 므로 , 실제 적 인 면저항 의 길이 가 길 어 지 기 때문 이 고 , 트렌치 영역 의 측벽 비저항 자체 가 커지 기 때문 이 다 . 즉 , 이온 주입 시 트렌치 영역 의 측벽 에 는 상대 적 으로 적 은 량 의 이온 이 주입 되 어 저항 이 매우 높 아 지 기 때문 이 다 .