본 발명 은 , 기판 상의 GaN 계 에 피층 에 복수 의 오 목부 들 을 형성 하 고 그 오목 부들 내 에서 GaN 계 물질 을 적어도 부분 적 으로 횡 방향 성장 시키 는 방식 을 이용 하 여 , 불 필요 한 유전체 층 이 내부 에 포함 되 지 않 고 도 결함 밀도 를 크 게 감소 시킬 수 있 으며 , 양호 한 평탄면 을 구현 하 는 질화물 반도체 층 의 성장 방법 및 그 질화물 반도체 층 을 포함 하 는 발광 다이오드 를 제공 하 는데 그 기술 적 과제 가 있 다 .