도 6 의 ( c ) 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 를 저 유전 율 재 에서 고유 전 율 재로 바꾼다 . 그렇게 하 면 , 임피던스 가 작아지 고 , 제 2 환형 부재 ( 26 b ) 상 의 시스 는 기판 ( W ) 상 의 시스 보다 두꺼워진다 . 이 때문 에 , 이온 의 입사 각도 가 내측 에서 외측 으로 기울 고 , 기판 ( W ) 의 외주 부 에 형성 되 는 홀 ( H ) 에서 는 , 틸팅 각도 가 도 6 의 ( b ) 와 반대 방향 으로 변화 한다 .