최근 반도체 소자 의 집적도 가 증가 함 에 따라 , 자외선 ( UV : Ultra Violet ) 광원 의 사용 에서 KrF 광원 으로 바뀌 면서 하부 반사 방지 막 ( BARC ; Bottom AntiRefractive Coating ) 이 사용 되 고 있 다 . 하부 반사 방지 막 을 사용 하 게 되 면서 , 포토레지스트 막 만 을 코팅 하 는 경우 보다 포토레지스트 막 의 두께 를 더 크 게 하 여야 한다는 단점 은 있 지만 , 노광 시 조사 되 는 광과 반사 되 는 광 의 간섭 에 의해 패턴 프로 파일 이 찌그러지 는 스탠딩 웨이브 ( standing wave ) 를 억제 할 수 있 다는 장점 때문 에 그 사용 은 필수 적 이 라고 할 수 있 다 .