따라서 , TiN / 폴리 실리콘 막 구조 의 플레이트 전극 으로 퓨즈 를 형성 하 는 경우 에 HAST 폐 일 ( fail ) 을 유발 하 는 크랙 ( crack ) 방지 를 위해 TiN 의 두께 를 줄일 필요 가 없이 캐 패 시터 ( CAPACITOR ) 의 용량 필요 치 맞추 어 TiN 의 두께 를 조절 할 수 있 으므로 반도체 메모리 장치 의 리프 레시 특성 을 향상 시킬 수 있 다 .