도 1 을 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 요소 ( 이하 , 메모리 요소 ) ( ME 1 ) 는 제 1 및 제 2 전극 ( E 1 , E 2 ) 사이 에 다층 구조 의 메모리 층 ( M 1 ) 을 포함 할 수 있 다 . 메모리 층 ( M 1 ) 은 , 예컨대 , 제 1 물질 층 ( 10 ) 및 제 2 물질 층 ( 20 ) 으로 구성 된 이중층 구조 를 가질 수 있 다 . 메모리 층 ( M 1 ) 은 제 1 물질 층 ( 10 ) 과 제 2 물질 층 ( 20 ) 사이 의 이온 종 ( ionic species ) 이동 에 의한 저항 변화 특성 을 가질 수 있 다 . 이 에 대해서 는 추후 에 보다 상세히 설명 한다 . 메모리 층 ( M 1 ) 과 제 1 전극 ( E 1 ) 사이 , 즉 , 제 1 물질 층 ( 10 ) 과 제 1 전극 ( E 1 ) 사이 에 버퍼 층 ( B 1 ) 이 구비 될 수 있 다 . 버퍼 층 ( B 2 ) 에 의해 메모리 요소 ( ME 1 ) 의 신뢰 성 , 재현 성 , 안정 성 등 이 개선 될 수 있 다 . 이하 에서 는 , 전술 한 본 실시 예 에 따른 메모리 요소 ( ME 1 ) 에 대해 보다 상세히 설명 한다 .