본 발명 의 실시 예 들 에 따른 반도체 메모리 소자 는 기판 상 에 차례 로 배치 된 수평 전극 들 을 포함 하 는 복수 의 전극 구 조체 들 ; 상기 전극 구 조체 들 사이 에 배치 되 고 상기 수평 전극 들 을 따라 연장 되 는 수직 전극 들 ; 상기 전극 구 조체 들 의 단부 에서 상기 수평 전극 들 에 연결 되 는 제 1 콘 택 들 ; 상기 수직 전극 들 의 상부 에 연결 되 는 제 2 콘 택 들 ; 및 상기 제 2 콘 택 들 의 상면 과 연결 되 는 제 1 배선 구조 체 를 포함 하 고 , 상기 제 1 배선 구조 체 는 : 제 1 방향 으로 연장 되 고 상기 제 2 콘 택 들 의 상면 과 접하 는 제 1 서브 배선 들 ; 및 상기 제 1 방향 과 교차 하 는 제 2 방향 으로 연장 되 며 상기 제 1 서브 배선 들 과 접하 는 제 2 서브 배선 들 을 포함 할 수 있 다 .