도 3 ( A ) 에 있 어서 , 부호 26 은 제 1 전하 축적 부 를 나타내 고 , 부호 27 은 전하 전송 조 절부 를 나타낸다 . 제 1 전하 축적 부 ( 26 ) 는 부동 확산 영역 ( 浮動 擴散 領域 ) 이 라고 도 불리 고 , 기판 ( 11 ) 의 n + 영역 으로 형성 된다 . 전하 전송 조 절부 ( 27 ) 는 센싱 부 ( 21 ) 와 제 1 전하 축적 부 ( 26 ) 사이 에 있 어서 , 반도체 기판 ( 11 ) 에서 절 연막 ( 13 ) 을 사이 에 두 고 전송 게이트 전극 ( TG ) 을 마주 보 게 하 여 , 이 전송 게이트 전극 ( TG ) 에 소정 의 전압 을 가함 으로써 센싱 부 ( 21 ) 와 제 1 전하 축적 부 ( 26 ) 사이 에 포 텐 셜 벽 을 형성 한다 . 그리고 이 포 텐 셜 벽 의 높이 를 변화 시킴 으로써 , 센싱 부 ( 21 ) 의 전하 를 제 1 전하 축적 부 ( 26 ) 에 전송 한다 .