본 발명 의 제 1 실시 형태 에 관련 된 전계 효과 형 트랜지스터 는 , 도 1 에 나타내 는 바 와 같이 실리콘 기판 ( 1 ) 상 에 형성 된다 . 구체 적 으로 는 , 필드 산화 막 ( 2 ) 이 실리콘 기판 ( 1 ) 상 에 선택 적 으로 형성 된다 . 그 필드 산화 막 ( 2 ) 은 실리콘 기판 ( 1 ) 의 활성 영역 을 획정 ( 劃定 ) 한다 . 그 활성 영역 에 는 P 형 웰 ( 4 ) 이 형성 된다 . 그 전계 효과 형 트랜지스터 는 그 P 형 웰 ( 4 ) 에 형성 된다 . 그 전계 효과 형 트랜지스터 는 , 게이트 절 연막 ( 3 ) 과 , 그 게이트 절 연막 ( 3 ) 상 에 형성 되 는 게이트 구 조체 와 , 그 게이트 구조 체의 양 측벽 에 형성 되 는 제 1 및 제 2 사이드 월 구 조체 와 , 소스 영역 과 , 드레 인 영역 과 , 그 소스 영역 과 그 드레 인 영역 사이 에 획정 되 는 채널 영역 을 포함 할 수 있 다 .