상기 게이트 절연 층 ( GI ) 상 에 는 상기 제 1 스캔 배선 들 ( S 1 i - 1 , S 1 i , S 1 i + 1 ) , 상기 발광 제어 배선 ( Ei ) , 상기 제 1 내지 제 7 게이트 전극 ( GE 1 ~ GE 7 ) 이 제공 될 수 있 다 . 상기 제 1 게이트 전극 ( GE 1 ) 은 상기 스토리지 커패시터 ( Cst ) 의 상기 하부 전극 ( LE ) 이 될 수 있 다 . 상기 제 2 게이트 전극 ( GE 2 ) 과 상기 제 3 게이트 전극 ( GE 3 ) 은 상기 i 번 째 제 1 스캔 배선 ( S 1 i ) 과 일체 로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 4 게이트 전극 ( GE 4 ) 은 상기 i - 1 번 째 제 1 스캔 배선 ( S 1 i - 1 ) 과 일체 로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 5 게이트 전극 ( GE 5 ) 과 상기 제 6 게이트 전극 ( GE 6 ) 은 상기 발광 제어 배선 ( E 1 i ) 과 일체 로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 7 게이트 전극 ( GE 7 ) 은 상기 i + 1 번 째 제 1 스캔 배선 ( S 1 i + 1 ) 과 일체 로 형성 될 수 있 다 .