이어서 , 도 4 g 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 제 1 기판 ( 101 ) 전체 에 N + 불순물 이 도핑 된 비정 실리콘 또는 폴리 실리콘 등 을 증착 하 여 오 믹 콘 택 층 ( 115 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 오 믹 컨 택 층 ( 115 ) 은 소스 및 드레 인 전극 과 액티브 층 의 오 믹 컨 택 을 위하 여 형성 되 는 것 으로 , 반도체 층 에 고농 도 불순물 이온 을 주입 하 여 형성 할 수 도 있 고 , 반도체 층 을 증착 하 는 과정 에 고농 도 불순물 이온 을 첨가 하 여 별도 로 상기 반도체 층상 에 형성 할 수 도 있 다 .