또한 , 실시 예 는 상기 발광 소자 ( 1000 ) 가 전기 단자 들 이 모두 상부 면 에 형성 된 수평 형 타입 ( Lateral type ) 에 대해 개시 하 였으나 이 에 제한 하 지 않 으며 , 상기 발광 소자 ( 1000 ) 는 전기 단자 들 이 상 , 하부 면 에 형성 된 수직 형 발광 소자 ( vertical type ) , 플립 칩 ( flip chip ) 방식 으로 제공 될 수 있 다 . 상기 발광 소자 ( 1000 ) 가 수직 형 발광소 자일 경우 상기 제 1 도전 형 반도체 층 의 하 면 상 에 는 상기 리세 스 ( 250 ) 와 대응 되 는 패턴 이 형성 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 상기 발광 소자 ( 1000 ) 의 광 추출 효율 은 보다 향상 될 수 있 다 .