본 발명 에 따른 웨이퍼 세정 방법 은 , SOD ( Spin On Dielectric ) 막 으로 소자 분리 막 을 형성 하 는 경우 에서 의 웨이퍼 세정 방법 으로서 , 하부 에 제 1 탈 이 온 수 가 담겨져 있 고 상부 공간 에 기체 상태 의 IPA ( Isopropyl Alcohol ) 가 채워져 있 는 배스 ( Bath ) 내 에 SOD 막 으로 소자 분리 막 을 형성 한 웨이퍼 를 딥 핑 ( Dipping ) 하 여 1 차 린스 하 는 단계 ; 상기 제 1 탈 이 온수 를 배스 의 외부 로 배출 시킴 과 아울러 배스 내 에 SOD 막 에 대한 식각 률 이 낮 은 프로필렌글리콜 ( Propylene glycol ) 및 에틸렌글리콜 ( Ethylene glycol ) 용액 중 어느 하나 에 불 산 ( HF ) 과 아민 ( Amine ) 계 물질 이 혼합 된 저 선택 비 화학 용액 을 공급 하 여 웨이퍼 를 세정 하 는 단계 ; 상기 저 선택 비 화학 용액 을 배스 의 외부 로 배출 시킴 과 아울러 상기 배스 내 에 제 2 탈 이 온수 를 공급 하 여 상기 웨이퍼 를 2 차 린스 하 는 단계 ; 및 상기 웨이퍼 를 상기 제 2 탈 이 온수 로부터 상부 공간 으로 상승 시키 면서 건조 시키 는 단계 ; 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .