상술 한 바 와 같이 본 발명 의 또 다른 실시 예 에 의한 화소 ( PXL ) 는 상술 한 기간 을 반복 하 면서 소정 휘도 의 빛 을 생성 한다 . 여기 서 , 제 12 노드 ( N 12 ) 와 접속 된 보조 트랜지스터 ( MS 11 ) 및 제 14 트랜지스터 ( M 14 ') 가 산화물 반도체 트랜지스터 로 형성 되 기 때문 에 제 12 노드 ( N 12 ) 로부터 의 누설 전류 를 최소 화 할 수 있 다 . 또한 , 제 1 전원 ( Vint ) 과 유기 발광 다이오드 ( OLED ) 의 애노드 전극 사이 에 접속 된 제 15 트랜지스터 ( M 15 ') 가 산화물 반도체 트랜지스터 로 형성 되 기 때문 에 유기 발광 다이오드 ( OLED ) 와 제 1 전원 ( Vint ) 사이 의 누설 전류 를 최소 화 할 수 있 다 .