또한 , 도 11 r 의 공정 에서 상기 도 11 p 의 Al 2 O 3 막 ( 79 ) 위 에 다음 의 Al 2 O 3 막 ( 80 ) 이 MOCVD 법 에 의해 예 를 들 면 20 nm 의 막 두께 로 , 역시 수소 배리 어막 으로서 형성 되 고 , 또한 도 11 s 의 공정 에서 , 이 와 같이 하 여 형성 된 Al 2 O 3 수소 배리 어막 ( 79 , 80 ) 을 덮 도록 , 실리콘 산화 막 으로 이루어진 층간 절 연막 ( 81 ) 이 , TEOS 와 산소 와 헬륨 의 혼합 가스 를 원료 로 한 플 라즈 마 CVD 법 에 의해 1 , 500 nm 의 막 두께 로 형성 된다 . 도 11 s 의 공정 에서 는 이 와 같이 하 여 형성 된 층간 절 연막 ( 81 ) 의 표면 을 CMP 법 에 의해 평탄 화 한 후 , N 2 O 또는 질소 가스 를 사용 한 플 라즈 마 중 에서 열처리 하 여 , 상기 층간 절 연막 ( 81 ) 중 의 수분 을 제거 한다 . 또한 , 도 11 s 의 공정 에서 는 상기 층간 절 연막 ( 81 ) 위 에 Al 2 O 3 막 ( 82 ) 이 수소 배리 어막 으로서 스퍼터 또는 MOCVD 법 에 의해 20 nm 내지 100 nm 의 두께 로 형성 된다 . 도 11 s 의 공정 에서 는 상기 층간 절 연막 ( 81 ) 은 CMP 법 에 의한 평탄 화 공정 의 결과 , 예 를 들 면 700 nm 의 막 두께 를 갖 는다 .