산화물 반도체 막 ( 55 ) 은 , 4 원계 금속 산화물 인 In - Sn - Ga - Zn - O 계 금속 산화물 이나 , 3 원계 금속 산화물 인 In - Ga - Zn - O 계 금속 산화물 , In - Sn - Zn - O 계 금속 산화물 , In - Al - Zn - O 계 금속 산화물 , Sn - Ga - Zn - O 계 금속 산화물 , Al - Ga - Zn - O 계 금속 산화물 , Sn - Al - Zn - O 계 금속 산화물 이나 , 2 원계 금속 산화물 인 In - Zn - O 계 금속 산화물 , Sn - Zn - O 계 금속 산화물 , Al - Zn - O 계 금속 산화물 , Zn - Mg - O 계 금속 산화물 , Sn - Mg - O 계 금속 산화물 , In - Mg - O 계 금속 산화물 등 을 사용 할 수 있 다 . 여기 서 는 , n 원계 금속 산화물 은 n 종류 의 금속 산화물 로 구성 된다 . 또한 , 산화물 반도체 막 ( 55 ) 에 형성 할 수 있 는 금속 산화물 은 , 에너지 갭 이 2 eV 이상 , 바람직 하 게 는 2 . 5 eV 이상 , 더 바람직 하 게 는 3 eV 이상 이 다 . 이 와 같이 , 밴드 갭 이 넓 은 금속 산화물 을 사용 함 으로써 , 트랜지스터 의 오프 전류 를 저감 할 수 있 다 .