제 2 투명 전극 패턴 ( 41 ) 과 제 2 투명 전극 패턴 ( 41 ) 의 도선 패턴 을 형성 한 후 , 제 2 절연 층 ( 30 ) 의 형성 과정 과 동일 하 게 실란 가스 를 이용 한 CVD 방법 을 수행 하 여 , SiO 2 의 실리콘 산화물 또는 SiN 의 실리콘 질화물 이 제 2 투명 전극 패턴 ( 41 ) 과 제 2 투명 전극 패턴 ( 41 ) 의 도선 패턴 을 덮 는 제 3 절연 층 ( 40 ) 을 형성 할 수 있 다 .