도 7 h 를 참조 하 면 , 산소 확산 배리 어 층 ( 24 ) 상 에 차례 로 문턱 전압 제어 층 ( 25 ) , 상단 배리 어 층 ( 26 ) , 및 게이트 충 진 층 ( 27 ) 을 형성 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 문턱 전압 제어 층 ( 25 ) 을 형성 하 는 단계 는 산소 확산 배리 어 층 ( 24 ) 상 에 하부 문턱 전압 제어 층 ( 25 a ) 을 형성 하 는 단계 및 하부 문턱 전압 제어 층 ( 25 a ) 상 에 상부 문턱 전압 제어 층 ( 25 b ) 을 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 문턱 전압 제어 층 ( 25 ) , 상단 배리 어 층 ( 26 ) , 및 게이트 충 진 층 ( 27 ) 은 예 를 들 어 각각 CVD , PVD , ALD , 또는 이 들 의 조합 에 의해 형성 될 수 있 다 .