정 전척 ( 40 ) 과 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 사이 에 잔류 하 고 있 는 흡착 력 이 커지 면 , 후술 하 는 리프트 핀 ( 81 ) 에 의해 처리 후 의 반도체 웨이퍼 ( W ) 를 들 어 올릴 때 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 튀 거나 파손 되 는 경우 가 있 다 . 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 튀 면 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 위치 가 미리 정해진 위치 로부터 어긋나 거나 , 반응 부생 성물 이 처리 용기 ( 10 ) 내 에서 날려 올라가 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 부착 되 는 경우 가 있 다 . 그래서 , 정 전척 ( 40 ) 과 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 사이 의 잔류 흡착 력 이 큰 경우 에 는 , 정 전척 ( 40 ) 과 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 사이 의 잔류 흡착 력 을 저감 하 는 처리 가 실행 된다 . 정 전척 ( 40 ) 과 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 사이 의 잔류 흡착 력 을 저감 하 는 처리 에 대해서 는 후술 한다 .