도 9 에 나타낸 공정 에서 는 , 공동 화 된 공동 부 ( 29 ) 에 매립 절연 층 ( BOX 층 : Buried Oxide 층 ) ( 31 ) 을 형성 한다 . 매립 절연 층 ( 31 ) 은 예 를 들 어 실리콘 산화 막 이 며 , 열 산화 법 을 이용 함 으로써 , 실리콘 기판 ( 11 ) 및 제 1 실리콘 층 ( 16 a ) 에 함유 되 는 실리콘 과 산소 가 반응 하 여 형성 된다 . 또한 , 상기 한 열 산화 처리 에 있 어서 , 실리콘 기판 ( 11 ) 위 에 오염 의 원인 인 게르마늄 이 없 기 때문 에 , 처리 를 행하 는 노 중 이 게르마늄 의 분위기 로 되 는 것 이 억제 된다 .