화소 내 에서 배선 저항 이 무시 할 수 있 을 정도 로 작 고 , 화소 내 의 저항 ( R ) 은 스위칭 소자 로서 사용 되 는 트랜지스터 에 의한 것 으로 가정 했 을 경우 의 완화 시간 ( τ ) 을 산출 한다 . 스위칭 용 트랜지스터 는 선형 영역 에서 동작 하 기 때문 에 , 트랜지스터 의 채널 형성 영역 에서 의 저항 은 이하 의 식 44 로 부여 된다 . 또한 , 식 44 에서 , Vgs 와 Vth 는 각각 트랜지스터 에 인가 되 는 게이트 와 소스 사이 의 전압 ( 게이트 전압 ) 과 , 스 레시 홀드 전압 을 나타내 고 있 다 . 또한 , L 과 W 는 채널 길이 와 채널 폭 을 나타낸다 . μ 는 이동도 , Cox 는 트랜지스터 의 단위 면적 당 게이트 용량 을 나타낸다 .