먼저 , 본 발명 의 기술 적 원리 를 설명 하 면 , 본 발명 의 상변환 기억 소자 는 , 도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 다수 의 상변환 셀 영역 을 갖 는 반도체 기판 ( 300 ) 에 형성 된 하부 전극 ( 310 ) 상 에 콘 택 홀 이 구비 된 층간 절 연막 ( 320 ) 이 형성 되 며 , 상기 콘 택 홀 의 전면 에 하부 전극 콘 택 ( 330 ) 이 형성 되 며 , 상기 하부 전극 콘 택 ( 330 ) 이 구비 된 콘 택 홀 내 에 절 연막 ( 340 ) 이 형성 되 며 , 상기 하부 전극 콘 택 ( 330 ) 과 콘 택 되 도록 상기 SOD 절 연막 ( 340 ) 및 하부 전극 콘 택 ( 330 ) 상 에 상변환 막 ( 350 ) 과 상부 전극 ( 360 ) 의 적 층 패턴 이 형성 된 것 을 특징 으로 한다 .