측정 광 ( V ) 을 검출 하 는 과정 ( S 300 ) 에서 는 입력 받 은 적외선 ( I ) 에 따라 광량 이 변화 하 는 측 정광 ( V ) 을 검출 한다 . 표적 ( T ) 으로부터 방출 되 는 적외선 이 반 응부 ( 100 ; 100 a , 100 b ) 에 입력 되 면 반 응부 ( 100 ; 100 a , 100 b ) 의 적어도 일부 는 그 물 성 이 변화 하 게 된다 . 이 와 같 은 반 응부 ( 100 ; 100 a , 100 b ) 의 물성 변화 는 측 정광 ( V ) 의 광량 변화 를 야기 시키 며 , 촬영 부 ( 300 ; 300 a , 300 b ) 는 이 와 같이 광량 이 증가 하 는 측 정광 ( V ) 을 검출 하 게 된다 .