따라서 , 도 5 에 도시 된 바 와 같이 중앙 에 형성 된 n 측 패드 ( 470 ) 및 이러 한 n 측 패드 ( 470 ) 에 연결 되 어 방사형 으로 교대 로 연장 된 다수 의 제 1 n 측 핑거 ( 471 ) 와 제 2 n 측 핑거 ( 472 ) 에 대해 제 1 n 측 핑거 ( 471 ) 보다 제 2 n 측 핑거 ( 472 ) 가 길 게 구현 된 경우 , 제 2 n 측 핑거 ( 472 ) 의 단면적 ( A 32 ) 은 제 1 n 측 핑거 ( 471 ) 의 단면적 ( A 31 ) 보다 넓 게 형성 되 어 , 제 1 n 측 핑거 ( 471 ) 와 제 2 n 측 핑거 ( 472 ) 의 저항 은 동일 한 값 을 가지 게 되 므로 , 전류 가 제 1 n 측 핑거 ( 471 ) 와 제 2 n 측 핑거 ( 472 ) 의 말단 까지 균일 하 게 흐르 게 되 어 활성 층 ( 도시 하 지 않 음 ) 으로 전류 퍼짐 ( current spreading ) 이 향상 될 수 있 다 . 여기 서 , 제 1 n 측 핑거 ( 471 ) 와 제 2 n 측 핑거 ( 472 ) 각각 의 저항 ( R ) 을 동일 하 게 구현 하 기 위해 [ 수학식 5 ] 의 관계 를 가지 도록 형성 되 는 특징 이 n 측 전극 패턴 에 한정 되 지 않 고 , n 측 전극 패턴 에 대응 하 여 p 형 질화물 층 의 상부 면 에 형성 되 는 p 측 전극 패턴 의 p 측 핑거 들 에 대해서 도 동일 하 게 적용 될 수 있 다 .