상술 한 바 와 같이 애 싱 된 포토레지스트 패턴 ( 650 ) 및 보호막 ( 150 ) 상 에 투명 도전 막 ( ITO ) 을 전면 증착 시킨 후 , 도 14 f 에 도시 된 바 와 같이 , 투명 도전 막 ( ITO ) 이 형성 된 포토레지스트 패턴 ( 650 ) 및 보호막 ( 150 ) 상 에 2 포토레지스트 ( 700 ) 를 전면 증착 시킨 후 열처리 를 수행 한다 .