도전 패턴 들 ( CP 1 내지 CPn ) 은 셀 스트링 의 게이트 전극 들 로 이용 될 수 있 다 . 셀 스트링 의 게이트 전극 들 은 소스 셀렉 트 라인 들 , 워드 라인 들 및 드레 인 셀렉 트 라인 들 을 포함 할 수 있 다 . 소스 셀렉 트 라인 들 은 소스 셀렉 트 트랜지스터 들 의 게이트 전극 들 로 이용 되 고 , 드레 인 셀렉 트 라인 들 은 드레 인 셀렉 트 트랜지스터 들 의 게이트 전극 들 로 이용 되 고 , 워드 라인 들 은 메모리 셀 들 의 게이트 전극 들 로 이용 된다 .