시간 구간 t 01 ~ t 02 ( 선택 된 워드 라인 프리 차지 단계 ) 에서 , 선택 된 워드 라인 ( WL 3 ) 의 프리 차징 을 위해 , 선택 된 워드 라인 ( WL 3 ) 에 연결 된 트랜지스터 들 ( Tpw 3 , Tnw 3 ) 의 게이트 들 에 인가 되 는 전압 들 ( Gpw 3 , Gnw 3 ) 은 로직 하이 ( ' 1 ') 레벨 일 수 있 다 . 선택 된 워드 라인 ( WL 3 ) 의 전압 ( VWL 3 ) 은 전압 레벨 ( Vwr 1 ) 로부터 전압 레벨 ( Vwr 2 ) 까지 변화 ( 만일 Vwr 1 > Vwr 2 라면 , 감소 ) 할 수 있 다 . 따라서 , 선택 된 워드 라인 ( WL 3 ) 은 시간 t 02 에서 전압 레벨 ( Vwr 2 ) 로 프리 차지 될 수 있 다 . 선택 된 워드 라인 ( WL 3 ) 의 프리 차징 동안 , 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 의 전압 ( VBL 5 ) 및 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 에 연결 된 트랜지스터 들 ( Tpb 5 , Tnb 5 ) 의 게이트 들 에 인가 되 는 전압 들 ( Gpb 5 , Gnb 5 ) 은 스탠바이 단계 와 같 을 수 있 다 .