전술 한 공정 에 의하 여 , 버퍼 층 이 없 는 단일 층 구조 의 Ⅲ - Ⅴ 족 화합물 반도체 나노 물질 층 ( 310 ) 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 고가 의 MOCVD 공정 대신 에 저 비용 의 스퍼터링 공정 을 적용 할 수 있 어서 반도체 공정 소자 에 적용 이 용이 한 메타 광학 소자 의 구현 이 가능 하 다 . 고 비용 의 레이저 열처리 공정 없이 도 반도체 소자 위 에 메타 광학 소자 를 형성 할 수 있 다 . 따라서 , 저 온 폴리 실리콘 공정 ( low - temperature polycrystallinbe silicon ) 공정 을 대체 할 수 있 다 .