또한 , 컨 택트 홀 ( 16 , 17 ) 의 형성 위치 에 맞춰 , 2 회 의 이온 주입 공정 에 의해 , P 형 의 확산 층 ( 6 , 7 ) 및 P 형 의 확산 층 ( 8 , 9 ) 을 형성 할 수 있 다 . 그 때문 에 , P 형 의 확산 층 ( 6 , 7 ) 과 컨 택트 홀 ( 16 ) 의 마스크 어긋남 을 고려 할 필요 가 없 다 . 마찬가지 로 , P 형 의 확산 층 ( 8 , 9 ) 과 컨 택트 홀 ( 17 ) 의 마스크 어긋남 을 고려 할 필요 가 없 다 . 예 를 들 면 , P 형 의 확산 층 ( 6 , 7 ) 을 형성 한 후 에 컨 택트 홀 ( 16 ) 을 형성 하 는 경우 에 는 , 본래 필요 한 컨 택트 홀 ( 16 ) 폭 외 에 , 마스크 어긋남 폭 으로서 컨 택트 홀 ( 16 ) 의 주위 에 0 . 6 ( ㎛) 정도 의 여분 의 개구 영역 이 필요 하 게 된다 . 그러나 , 본 실시 형태 에서 는 , 마스크 어긋남 폭 을 고려 할 필요 가 없 기 때문 에 , 도 10 에 도시 하 는 단면 에서 는 , 컨 택트 홀 ( 16 ) 의 좌우 에 고려 되 는 , 여분 의 마스크 어긋남 폭 ( 1 . 2 ( ㎛)) 을 생략 할 수 있 다 . 그리고 , 컨 택트 홀 ( 16 ) 폭 을 좁힘 으로써 , 횡 형 PNP 트랜지스터 사이즈 를 축소 할 수 있 다 . 또한 , 컨 택트 홀 ( 17 ) 에서 도 , 마찬가지 의 효과 를 얻 을 수 있 다 .