또한 , 열 산화 막 에서 는 , 플라 즈 마를 10 분 조사 해도 산화 막 은 0 . 6 nm 밖에 생성 되 지 않 았 다 . 플 라즈 마의 조사 에 의해 생성 되 는 산화 막 은 , 산화 막 의 퇴적 이 아니 라 실리콘 층 의 산화 에 의해 성장 한다 . 그 로 인해 , 실리콘 층 의 상층 에 열 산화 막 이 형성 되 어 있 으면 , 당해 실리콘 층 에 산 화종 ( 플 라즈 마 ) 이 도달 하 기 어려워 지 므로 , 베 어 실리콘 보다 산화 막 의 증가량 이 적어진 것 이 라고 생각 된다 . 또한 , 이 실험 으로부터 , 100 Å ( 10 nm ) 의 두께 의 산화 막 이 형성 되 어 있 어도 , 플 라즈 마 가 당해 산화 막 을 투과 할 수 있 음 을 알 수 있 다 . 따라서 , 다층 으로 적층 된 반응 생성물 에 대해서 , 막 두께 방향 에 걸쳐 플 라즈 마 에 의한 개질 을 할 수 있 고 , 또한 반응 생성물 의 층 을 통해 하층 의 웨이퍼 ( W ) 를 산화 할 수 있 음 을 알 수 있 다 .