인듐 ( 115 In ) 이온 을 이용 한 이온 주입 공정 시 여러 가지 문제점 이 발생 할 수 있 다 . 이 에 따라 종래 의 경우 , 후속 공정 으로 급속 열처리 ( RTA ; Rapid thermal anneal ) 공정 을 진행 하 였으나 문제 를 개선 하 는 데 한계 가 있 었 다 . 이 에 따라 본 발명 의 실시 예 에서 는 , 이온 주입 공정 후 반도체 기판 의 광 흡수율 파장 과 유사 한 300 ∼ 500 nm 의 파장 대역 을 갖 는 램프 , 예 를 들 어 크세논 ( Xe ) 램프 를 이용 한 플래시 어 닐 공정 을 수행 하 여 기판 내 에 주입 된 불순물 을 확산 시켜 SSR 웰 영역 ( 212 ) 을 형성 한다 .