형성 한 질화규소 막 을 희 불 산 으로 에칭 처리 하 여 박막 화 해서 , 각 에칭 과정 에서 PYS 측정 및 X 선 광전자 분광 ( XPS ) 측정 을 행하 였 다 . 제작 한 질화규소 막 [ SiNx / Si ( 100 ) ] 및 60 초간 에칭 후 의 수소 종단 Si ( 100 ) [ H - p + Si ( 100 ) ] 을 PYS 측정 한 결과 를 도 6 에 나타내 었 다 . 이 도 6 으로부터 , 질화규소 막 [ SiNx / Si ( 100 ) ] 중 에 는 Si 밴드 갭 에 상당 하 는 에너지 영역 에 전자 점유 결함 ( 트랩 ) 이 존재 하 기 때문 에 , Si 가 전자 대 상단 ( Ev ) 보다 저 에너지 영역 ( < 5 . 15 eV ) 에서 , 질화규소 막 으로부터 의 광전자 수율 이 수소 종단 Si ( 100 ) 에 비하 여 현저 하 고 큰 것 이 나타내 어 졌 다 .