도 4 는 고정 된 자화 방향 을 갖 는 자기 벡터 를 갖 는 분극 층 ( 150 ) 대신 에 , 회전 하 는 자화 벡터 ( 270 ) 를 갖 는 PSC 자기 층 ( 350 ) 을 사용 하 는 MRAM 디바이스 배후 의 개념 을 도시 한다 . 이 실시 예 에서 자유 층 ( 336 ) 은 그것 이 스핀토크 전가 의 도움 으로 극복 될 수 있 는 고유 의 댐 핑 특성 ( 205 ) 을 갖 는다는 점 에서 앞서 논의 된 자유 층 ( 136 ) 과 유사 하 다 . 그러나 , 도 4 에 도시 된 실시 예 는 분극 층 ( 150 ) 을 PSC 자기 층 ( 350 ) 으로 대체 한다 . 도 4 의 하부 부분 에 도시 된 바 와 같이 , 자유 층 ( 336 ) 을 통과 하 는 스핀 전류 에 의해 생성 된 스핀토크 전가 ( 310 ) 의 방향 은 PSC 자기 층 ( 350 ) 의 자화 방향 의 회전 에 따라 변한다 . 도 4 의 중간 에 도시 된 바 와 같이 , 스핀토크 전가 ( 310 ) 는 층 들 의 평면 에 수직 인 축 ( 202 ) 주위 에서 원추형 방식 으로 세차 운동 을 하 도록 자유 층 ( 336 ) 의 자화 방향 ( 200 ') 을 조장 한다 . 도 4 는 축 ( 202 ) 을 중심 으로 한 자기 방향 ( 200 ') 의 회전 의 세차 운동 을 도시 한다 . 논의 된 바 와 같이 , 스핀 분극 전류 가 디바이스 를 횡단 할 때 , 자유 층 ( 336 ) 의 자화 는 , 자유 층 ( 136 ) 의 자기 방향 이 , 스핀 토크 가 세차 운동 을 야기 하 기 이전 의 자기 방향 과 상반 될 때 까지 , 즉 자유 층 ( 336 ) 의 자기 방향 이 180 만큼 스위칭 될 때 까지 오 실 레이 션 을 유지 한 상태 로 , 연속 적 인 방식 으로 세차 운동 을 한다 ( 즉 , 그것 은 도 4 에 도시 된 바 와 같이 연속 적 으로 턴 온 됨 ) 세차 운동 스핀 전류 층 ( 350 ) 과 자유 층 ( 336 ) 은 자기 적 으로 그리고 / 또는 전기 적 으로 커플링 되 어서 , PSC 자기 층 ( 350 ) 의 자화 벡터 ( 270 ) 의 자화 방향 이 자유 층 ( 336 ) 의 자기 벡터 의 세차 운동 회전 을 자유 롭 게 따르 게 한다 . 이 는 도 4 에서 알 수 있 다 .