도 24 a 에 신호선 구동 회로 ( 6013 ) 만 을 별도 로 형성 하 고 , 기판 ( 6011 ) 위 에 형 성 된 화소 부 ( 6012 ) 와 접속 되 는 표시 패널 의 형태 를 제시 한다 . 화소 부 ( 6012 ) 및 주사선 구동 회로 ( 6014 ) 는 실시 형태 1 및 실시 형태 2 에 제시 하 는 박막 트랜지스터 를 사용 하 여 형성 한다 . 미결정 반도체 막 을 채널 형성 영역 에 사용 한 박막 트랜지스터 보다 높 은 이동도 를 얻 을 수 있 는 트랜지스터 로 신호선 구동 회로 를 형성 함 으로써 , 주사선 구동 회로 보다 높 은 구동 주파수 가 요구 되 는 신호선 구동 회로 의 동작 을 안정 시킬 수 있 다 . 또한 , 신호선 구동 회로 ( 6013 ) 는 단결정 의 반도체 를 채널 형성 영역 에 사용 한 트랜지스터 , 다 결정 의 반도체 를 채널 형성 영역 에 사용 한 박막 트랜지스터 , 혹은 SOI 를 채널 형성 영역 에 사용 한 트랜지스터 라도 좋 다 . 화소 부 ( 6012 ) 와 신호선 구동 회로 ( 6013 ) 와 주사선 구동 회로 ( 6014 ) 에 각각 전원 의 전위 , 각종 신호 등 이 FPC ( 6015 ) 를 통하 여 공급 된다 . 또한 , 신호선 구동 회로 ( 6013 ) 및 FPC ( 6015 ) 사이 혹은 신호선 구동 회로 ( 6013 ) 및 화소 부 ( 6012 ) 사이 에 보호 회로 를 형성 하 여도 좋 다 . 보호 회로 는 실시 형태 4 에 제시 하 는 박막 트랜지스터 , 다이오드 , 저항 소자 및 용량 소자 등 중 에서 선택 된 하나 혹은 복수 의 소자 로 구성 된다 . 또한 , 다이오드 로서 실시 형태 1 혹은 실시 형태 2 에 제시 하 는 박막 트랜지스터 를 다이오드 접속 한 다이오드 를 사용 할 수 도 있 다 .