이 어 , 도 7 에 도시 한 바 와 같이 , 게이트 전도체 ( 210 ) 및 제거 된 게이트 절 연막 ( 200 ) 의 상부 및 저 농도 접합 영역 ( 140 ) 에 다 마신 ( damascene ) 공정 을 이용 하 여 샐리 사이드 막 ( 300 ) 을 형성 한다 . 이 때 , 샐리 사이드 막 ( 300 ) 은 Co , Ti , 및 Ni 중 어느 하나 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .