또한 , 메모리 장치 ( 241 ) 는 2 차원 또는 3 차원 의 메모리 장치 로 구현 될 수 있 으며 , 특히 도 5 c 에 도시 한 바 와 같이 , 3 차원 비휘발성 메모리 장치 로 구현 될 경우 , 복수 의 메모리 블록 들 ( BLK 1 to BLKh ) 을 포함 할 수 있 다 . 여기 서 , 도 5 c 는 , 도 5 b 에 도시 한 메모리 장치 의 메모리 블록 을 보여 주 는 블록 도로 서 , 각 메모리 블록 ( BLK ) 은 3 차원 구조 ( 또는 수직 구조 ) 로 구현 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 각 메모리 블록 ( BLK ) 은 제 1 방향 내지 제 3 방향 들 , 예컨대 x - 축 방향 , y - 축 방향 , 및 z - 축 방향 을 따라 신장 된 구조물 들 을 포함 하 여 , 3 차원 구조 로 구현 될 수 있 다 .