또한 , 발광 소자 를 구동 하 기 위한 트랜지스터 로서 충분 한 전류 의 공급 능력 을 확보 하 기 위하 여 , 게이트 절 연막 으로서 산화 규소 막 을 채용 하 는 대신 에 , 유전 율 이 높 은 질화규소 막 , 질산화 규소 막 을 게이트 절 연막 으로서 채용 하 는 경우 가 있 다 . 본 발명 에 있 어서 는 특히 , 질소 를 함유 하 는 게이트 절 연막 을 사용 한 트랜지스터 의 스 레시 홀드 전압 의 시프트 의 문제 에 대하 여 효과 적 이 다 . 트랜지스터 의 게이트 전극 에 정 ( 正 ) 의 전위 를 계속 인가 하 면 상기 트랜지스터 의 스 레시 홀드 전압 이 정의 방향 으로 시프트 하 고 , 한편 , 부 ( 負 ) 의 전위 를 계속 인가 하 면 상기 트랜지스터 의 스 레시 홀드 전압 이 부 의 방향 으로 시프트 한다 . 본 발명 에서 는 트랜지스터 의 스 레시 홀드 전압 이 시프트 하 여도 극성 을 반전 시켜 전위 를 게이트 전극 에 인가 함 으로써 , 스 레시 홀드 전압 을 반대 방향 으로 시프트 시켜 보정 하 기 때문 에 , 게이트 에 인가 되 는 전위 의 절대값 이 클수록 , 또한 온 상태 의 시간 ( 구동 시간 ) 이 길 수록 , 스 레시 홀드 전압 이 시프트 하 게 되 는 문제 에 대하 여 효과 적 이 다 .