도 1 은 본 발명 의 실시 형태 의 반도체 장치 의 제조 방법 의 일예 를 도시 하 는 공정 흐름 도 , 도 2 는 도 1 에 나타내 는 반도체 장치 의 제조 방법 에서 이용 되 는 배선 기판 의 구조 의 일예 를 도시 하 는 평면도 , 도 3 은 도 2 에 도시 하 는 A - A 선 을 따라 절단 한 구조 의 일예 를 도시 하 는 단면도 , 도 4 는 도 1 에 나타내 는 반도체 장치 의 제조 방법 에 있 어서 의 수소 버 닝 시 의 마스크 배치 상태 의 구조 의 일예 를 도시 하 는 평면도 , 도 5 는 도 4 에 도시 하 는 A - A 선 을 따라 절단 한 구조 의 일예 를 도시 하 는 단면도 이 다 . 또한 , 도 6 은 도 1 에 나타내 는 반도체 장치 의 제조 방법 에 있 어서 의 수소 버 닝 상태 의 일예 를 도시 하 는 개념 도 , 도 7 은 도 1 에 나타내 는 반도체 장치 의 제조 방법 에 있 어서 의 플립 칩 접속 시 의 구조 의 일예 를 도시 하 는 평면도 , 도 8 은 도 7 에 도시 하 는 A - A 선 을 따라 절단 한 구조 의 일예 를 도시 하 는 단면도 , 도 9 는 도 1 에 나타내 는 반도체 장치 의 제조 방법 에 있 어서 의 수소 버 닝 및 플립 칩 접속 후 의 플립 칩 접속 부 의 구조 의 일예 를 모식 적 으로 도시 하 는 확대 단면도 이 다 . 또한 , 도 10 은 도 1 에 나타내 는 반도체 장치 의 제조 방법 에 있 어서 의 언더 필 충전 시 의 구조 의 일예 를 도시 하 는 평면도 , 도 11 은 도 10 의 A - A 선 을 따라 절단 한 구조 의 일예 를 도시 하 는 단면도 , 도 12 는 도 1 에 나타내 는 반도체 장치 의 제조 방법 에 있 어서 의 2 단 째 의 다이 본 딩시 의 구조 의 일예 를 도시 하 는 평면도 , 도 13 은 도 12 의 A - A 선 을 따라 절단 한 구조 의 일예 를 도시 하 는 단면도 이 다 . 또한 , 도 14 는 도 1 에 나타내 는 반도체 장치 의 제조 방법 에 있 어서 의 와이어 본 딩시 의 구조 의 일예 를 도시 하 는 평면도 , 도 15 는 도 14 의 A - A 선 을 따라 절단 한 구조 의 일예 를 도시 하 는 단면도 , 도 16 은 도 1 에 나타내 는 반도체 장치 의 제조 방법 에 있 어서 의 수지 밀봉 후 의 구조 의 일예 를 도시 하 는 단면도 , 도 17 은 도 1 에 나타내 는 반도체 장치 의 제조 방법 에 있 어서 의 볼 부착 후 의 구조 의 일예 를 도시 하 는 단면도 이 다 .