본 발명 은 상기 와 같 은 문제점 을 해결 하 기 위하 여 안출 한 것 으로 , Cl 2 , Ar , HBr , HeO 2 , He , CF 4 , 및 CHF 3 가스 를 사용 하 여 동일 식각 장비 내부 에서 동시 에 플로팅 게이트 와 콘트롤 게이트 , 및 유전체 막 을 형성 할 수 있 는 플래시 메모리 의 제 조 방법 을 제공 하 는데 그 목적 이 있 다 .