즉 , ' B ' 또는 ' C ' 경우 인 도 2 a 또는 도 3 a 와 같 은 저온 다결정 성장 구조 ( 100 ) 에 있 어서 상기 Au 박막 ( 130 ) 이 부가 된 점 에 의해 , 별도 의 열처리 공정 없이 상기 Au 박막 ( 130 ) 상면 에서 의 ITO 의 자기 결정 화 유도 가 가능 한 이점 이 있 으며 , 또한 상기 Au 박막 ( 130 ) 이 금속 성분 임 에 따라 저온 다결정 성장 구조 ( 100 ) 의 전기전도도 등 의 전기 적 특성 이 더욱 향상 될 수 있 다 .