도 5 를 참조 하 면 , 제 1 내지 제 3 컨 택 홀 ( 242 a , 244 a , 246 a ) 내부 가 충 진 되 도록 금속 물질 을 증착 시켜 컨 택 플러그 ( 242 , 244 , 246 ) 를 형성 한다 . 그 다음 , 상기 컨 택 플러그 ( 242 , 244 , 246 ) 가 형성 된 반도체 기판 ( 100 ) 의 결과물 상 에 도전 물질 을 증착 시켜 도전 막 ( 252 ) 을 형성 한다 .