도 2 에서 , 기판 ( 50 ) 이 제공 된다 . 기판 ( 50 ) 은 벌크 반도체 , 절연 기판 상 의 반도체 ( semiconductor - on - insulator ; SOI ) 기판 등 과 같 은 반도체 기판 일 수 있 고 , ( 예컨대 , p 형 또는 n 형 도 펀트 로 ) 도핑 되 거나 비 도핑 될 수 있 다 . 기판 ( 50 ) 은 실리콘 웨이퍼 와 같 은 웨이퍼 일 수 있 다 . 일반 적 으로 , SOI 기판 은 절연 층 상 에 형성 된 반도체 물질 층 이 다 . 절연 층 은 , 예 를 들 어 , 매립 산화물 ( buried oxide ; BOX ) 층 , 실리콘 산화물 층 등 일 수 있 다 . 절연 층 은 기판 상 에 제공 되 고 , 통상 적 으로 , 실리콘 또는 유리 기판 상 에 제공 된다 . 다층 또는 경사 기판 과 같 은 다른 기판 이 또한 사용 될 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 기판 ( 50 ) 의 반도체 물질 은 , 실리콘 ; 게르마늄 ; 실리콘 탄화물 , 갈륨 비화물 , 갈륨 인화물 , 인듐 인화물 , 인듐 비화물 , 및 / 또는 인듐 안티몬 화물 을 포함 하 는 화합물 반도체 ; 실리콘 - 게르마늄 , 갈륨 비소 인화물 , 알루미늄 인듐 비화물 , 알루미늄 갈륨 비화물 , 갈륨 인듐 비화물 , 갈륨 인듐 인화물 및 / 또는 갈륨 인듐 비소 인화물 을 포함 하 는 혼정 반도체 ; 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 .