예 를 들 면 , 산화물 반도체 로서 산화아연 을 이용 하 고 , 산화아연 의 결점 인 문턱 전위 의 시프트 나 리크 전류 , 결정 입계 ( 結晶 粒 界 ) 의 존재 에 의한 특성 열화 ( 特性 劣化 ) 를 억제 하 기 때문 에 , 산화아연 산화물 반도체 성 막 시 및 성막 후 에 산소 분압 을 증가 시키 거나 , 산소 중 어 닐 ( 열처리 ) , 산소 플 라즈 마 처리 를 행하 는 방법 이 특개 2007 － 073563 호 공보 , 특개 2007 － 073558 호 공보 , 특표 2006 － 502597 ( 특허 문헌 1 ~ 3 참조 ) 등 에 개시 되 어 있 다 . 그러나 , 산화아연 은 화학량론 ( 化學 量 論 , stoichiome try ) 제어 가 매우 어려운 재료 이 고 , 이 들 의 방법 을 이용 한 직후 에 는 양호 한 특성 이 얻 어 지 더라도 , 경시 적 으로 특성 열화 가 진행 하 는 경우 가 많 다 .