n 형 질화물 반도체 층 과 , p 형 질화물 반도체 층 및 상기 n 형 및 p 형 질화물 반도체 층 사이 에 형성 되 며 , 복수 의 양자 우물 층 및 양자 장벽층 이 교대 로 적층 되 어 이루어진 활성 층 을 포함 하 며 , 상기 복수 의 양자 우물 층 및 양자 장벽층 은 , 제 1 양자 우물 층 과 , 상기 p 형 질화물 반도체 층 방향 으로 상기 제 1 양자 우물 층 에 인접 하 여 형성 되 며 상기 제 1 양자 우물 층 보다 높 은 양자 준위 를 갖 는 제 2 양자 우물 층 과 , 상기 제 1 및 제 2 양자 우물 층 사이 에 형성 되 며 캐리어 가 터널 링 될 수 있 는 두께 를 갖 는 터널 링 양자 장벽 층 을 갖 는 것 을 특징 으로 하 는 질화물 반도체 소자 를 제공 한다 .