도 14 의 ( b ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 산화 실리콘 층 ( 140 ) 의 에칭 이 완료 되 어 텅스텐 층 ( 130 ) 이 노출 되 면 , 전 구체 는 에 천 트 로서 소비 되 지 않 게 되 므로 폴리머 로서 퇴적 되 기 시작 한다 . 그러나 , 산화 실리콘 층 ( 140 ) 의 에칭 이 완료 된 직후 에 는 , 노출 된 텅스텐 층 ( 130 ) 표면 에 폴리머 가 퇴적 되 어 있 지 않 아 , 텅스텐 층 ( 130 ) 표면 이 주로 He 이온 에 의해 스퍼터링 되 어 텅스텐 층 ( 130 ) 의 손실 이 발생 한다 ( 기호 G 참조 ) .