일부 실시 예 에서 , 반도체 기판 ( 100 ) 은 화소 영역 ( A ) 및 화소 영역 ( A ) 주위 에 위치 된 주변 영역 ( B ) 을 갖 는다 . 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 평면도 에서 , 주변 영역 ( B ) 은 링 형상 을 갖 는다 . 일부 실시 예 에서 , 반도체 기판 ( 100 ) 은 기판 ( 102 ) , 구동 요소 층 ( 104 ) , 상호 연결 구조물 ( 106 ) , 제 1 전극 ( 108 a ) 및 공통 전극 ( 108 b ) 을 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 기판 ( 102 ) 은 , 결정질 실리콘 , 다이아몬드 또는 게르마늄 과 같 은 원소 반도체 물질 ; 규소 탄화물 , 갈륨 비화물 , 인듐 비화물 , 또는 인듐 인화물 과 같 은 화합물 반도체 물질 ; 또는 실리콘 게르마늄 , 실리콘 게르마늄 탄화물 , 갈륨 비소 인화물 또는 갈륨 인듐 인화물 과 같 은 합금 반도체 물질 로 이루어진다 . 일부 실시 예 에서 , 기판 ( 102 ) 은 벌크 반도체 물질 이 다 . 예 를 들 어 , 기판 ( 102 ) 은 , 단결정 실리콘 의 벌크 기판 과 같 은 벌크 실리콘 기판 , 도핑 된 실리콘 기판 , 미 도핑 실리콘 기판 또는 SOI 기판 일 수 있 으며 , 여기 서 도핑 된 실리콘 기판 의 도 펀트 는 N - 형 도 펀트 , P - 형 도 펀트 또는 이 들 의 조합 일 수 있 다 .