도 16 에 도시 된 바 와 같이 , 수직 형 오프닝 ( 20 ) 에 에피 택 셜 층 ( 23 ) 이 형성 될 수 있 다 . 에피 택 셜 층 ( 23 ) 은 수직 형 오프닝 ( 20 ) 을 보이 드 없이 채울 수 있 다 . 에피 택 셜 층 ( 23 ) 은 제 1 반도체 필라 ( 13 N ) 상 에서 수직 형 오프닝 ( 20 ) 을 채울 수 있 고 , 이 에 따라 에피 택 셜 층 ( 23 ) 은 필라 형상 을 가질 수 있 다 . 에피 택 셜 층 ( 23 ) 은 제 3 도 펀트 를 포함 할 수 있 다 . 제 3 도 펀트 는 에피 택 셜 층 ( 23 ) 을 성장 하 는 동안 에 , 인시 튜 로 도핑 될 수 있 다 . 제 3 도 펀트 는 제 2 도 펀트 와 다른 물질 일 수 있 다 . 제 3 도 펀트 는 P 형 도 펀트 를 포함 할 수 있 다 . 에피 택 셜 층 ( 23 ) 은 P 형 에피 택 셜 실리콘 을 포함 할 수 있 다 . 에피 택 셜 층 ( 23 ) 의 P 형 도 펀트 는 고농도 를 갖 지 않 을 수 있 다 . 예 를 들 어 , 에피 택 셜 층 ( 23 ) 의 P 형 도 펀트 는 1 × 1019 atoms / cm 3 보다 낮 은 농도 를 가질 수 있 다 .