여기 서 , 본 발명 은 게이트 도전 막 으로서 도핑 된 폴리 실리콘 막 과 금속 막 의 적층 막 구조 를 적용 하 는 듀얼 폴리 게이트 ( Dual Poly Gate ) 의 형성 시 , 상기 도핑 된 폴리 실리콘 막 과 금속 막 사이 에 제 1 확산 방지 막 과 씨드 막 및 제 2 확산 방지 막 으로 이루어진 베리 어막 을 형성 함 으로써 , 상기 도핑 된 폴리 실리콘 막 과 금속 막 사이 의 계면 반응 을 억제 할 수 있 다 . .