한편 , 대전 방지 막 ( 132 ) 은 데이터 라인 ( 104 ) 및 게이트 라인 ( 102 ) 이 형성 된 신호 라인 영역 과 , 게이트 패드 ( 150 ) 및 데이터 패드 ( 160 ) 가 형성 된 패드 영역 을 제외 한 영역 즉 , 각 화소 영역 의 보호막 ( 118 ) 상 에 인접 한 화소 영역 의 대전 방지 막 ( 132 ) 과 분리 되 도록 형성 된다 . 이 는 대전 방지 막 ( 132 ) 으로 인한 게이트 패드 ( 150 ) 들 간 의 쇼트 현상 , 데이터 패드 ( 160 ) 들 간 의 쇼트 현상 , 신호 라인 을 사이 에 두 고 인접 한 화소 전극 ( 122 ) 들 간 의 쇼트 현상 , 및 신호 라인 을 사이 에 두 고 인접 한 공통 전극 ( 124 ) 들 간 의 쇼트 현상 을 방지 하 기 위함 이 다 .