바람직 한 응력 받 은 BOX 구 조체 에 의해 기판 또는 웨이퍼 에서 생성 된 응력 은 기존 의 CMOS 공정 에 따르 는 ( 그러나 이 로부터 개선 된 ) 바람직 한 공정 을 통하 여 표면 활성 층 의 일부분 에 대하 여 부분 적 으로 이완 된다 . 통상 CMOS IC 프로세싱 은 소자 분리 를 위한 트렌치 분리 를 사용 하 며 바람직 한 구체 예 는 BOX 구 조체 에서 응력 을 이완 시키 기 위하 여 분리 트렌치 형성 을 이용 한다 . 바람직 한 공정 은 응력 받 은 BOX 구 조체 를 관통 하 여 그리고 하부 실리콘 또는 또 다른 기판 내 로 일정 거리 만큼 분리 트렌치 를 에칭 시킨다 . 트렌치 가 에칭 될 때 , 응력 받 은 BOX 구조 체 내 압축 또는 인장 응력 은 활성 영역 의 에지 에서 ( 즉 , 트렌치 측벽 에서 ) 탄력 적 으로 이완 되 며 적어도 부분 적 으로 이완 된 BOX 구조 체 는 트렌치 측벽 으로부터 연장 된 일정 거리 이상 에서 응력 받 은 BOX 구조 체의 양쪽 면 ( 즉 , 상부 및 하부 ) 상 에서 실리콘 에 탄성 응력 을 인가 한다 . 명백 하 듯이 , 응력 받 은 BOX 구조 체 는 일반 적 으로 완전 하 게 이완 되 지 않 으며 BOX 구 조체 의 잔류 응력 은 표면 활성 영역 에 유도 된 응력 에 의해 부분 적 으로 균형 이 맞춰 진다 .