본 발명 에 사용 되 는 CdTe 는 밴드 갭 에너지 가 1 . 45 eV 이 며 가시광선 에 대한 흡수 계수 가 104 cm - 1 로서 높 기 때문 에 태양 전지 에 사용 하 기 에 적합 한 무기 물질 이 다 . 홀 효과 측정 ( Hall effect measurement ) 에 의하 면 , 상기 CdTe 나노 튜브 의 비저항 은 2 X 106 Ω cm 이 고 전자 밀도 는 1 . 3 X 1010 cm - 3 이 다 . 한편 , 칼코겐 화합물 에서 칼코겐 이온 이 부족 한 경우 에 는 n - 타입 반도체 의 특성 을 가지 게 되 며 , 본 발명 에 따른 CdTe 나노 튜브 에 대하 여 에너지 분산 스펙트럼 ( Energy Dispersive Spectroscopy : EDS ) 을 측정 한 결과 Cd 의 농도 는 54 % 이 었 으므로 , 본 발명 에 따른 태양 전지 에 사용 되 는 CdTe 나노 튜브 는 n - 타입 반 도 체임 을 알 수 있 다 .