상술 한 바 와 같이 본 발명 에 의하 면 제 1 그레인 사이즈 를 갖 는 폴리 실리콘 막 과 제 1 그레인 사이즈 보다 큰 제 2 그레인 사이즈 를 갖 는 폴리 실리콘 막 으로 플로팅 게이트 의 그레인 사이즈 를 작 게 하 여 셀 당 존재 하 는 그레인 작 게 형성 하 여 셀 당 존재 하 는 그레인 밀도 를 고르 게 함 으로써 반복 적 인 프로그램 및 소 거시 문턱 전압 변화 를 감소 시켜 소자 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 . 또한 , 플로팅 게이트 를 다중 으로 형성 함 으로써 그레인 의 개수 를 많이 형성 할 수 있 기 때문 에 이 들 에 의한 영향 이 평균 되 어 셀 과 셀 사이 의 문턱 전압 의 차이 를 작 게 할 수 있 다 . 그리고 , 작 고 많 은 수 의 그레인 을 형성 하 므로 전하 를 저장 하 는 리 텐션 특성 과 전하 의 저장 속도 를 증대 시켜 소자 의 특성 향상 에 기여 할 수 있 다 . 한편 , 복잡 한 공정 및 장비 의 추가 소요 없이 한 장비 내 에서 연속 적 으로 공정 이 이루어지 므로 공기 의 단축 은 물론 낮 은 비용 과 높 은 신뢰 성 을 가지 는 소자 형성 이 가능 하 다 .