도 3 f 를 참조 하 면 , 게이트 ( 314 ) 사이 를 절연 시키 기 위해 게이트 ( 314 ) 사이 에 제 2 절 연막 ( 316 ) 을 형성 한다 . 이때 , 제 2 절 연막 ( 316 ) 은 스텝 커버리지 ( step coverage ) 가 좋 지 않 은 산화물 로 형성 하 되 , 바람직 하 게 는 USG ( Undoped Silicate Glass ) 또는 TEOS ( Tetra Ethyl Ortho Silicate ) 로 형성 한다 . 제 1 도 전막 ( 304 ) 은 벌브 형태 의 프로 파일 을 갖 기 때문 에 제 2 절 연막 ( 316 ) 형성 공정 시 제 1 도 전막 ( 304 ) 사이 에 에 어 갭 ( air gap ; 318 ) 이 형성 된다 .