도 15 c 를 참조 하 면 , 상기 보호 층 ( 120 ) 상 에 포지티브 포토레지스트 층 ( 150 ) 을 형성 한다 . 상기 도전 성 패턴 ( GE ) 이 형성 된 상기 베이스 기판 ( 110 ) 의 상기 제 1 면 에 반대 되 는 제 2 면 으로 입사 하 는 광 을 조사 한다 . 상기 포지티브 포토레지스트 층 ( 150 ) 은 상기 제 2 면 에서 노광 된다 . 이 때 , 상기 광 은 상기 보호 층 ( 120 ) 을 통과 할 수 있 다 .