다결정 또는 비정질 실리콘 박막 을 증착 하 기 위하 여 , 통상 적 으로 수소 ( H 2 ) 가스 와 실란 ( SiH 4 ) 가스 를 사용 하 여 플 라즈 마 도움 화학 기상 증착 법 ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ; PECVD ) 이 사용 된다 . PECVD 에서 는 실리콘 함유 기체 인 SiH 4 가스 는 수소 ( H 2 ) 가스 에 수 퍼센트 정도 의 농도 로 희석 하 여 사용 된다 . 또한 , 수소 의 농도 가 증가 함 에 따라 , 실리콘 의 결정도 는 증가 하 는 경향 이 있 다 .