다른 에칭 실험 이 예 1 에 사용 된 것 과 동일 한 장치 를 사용 하 여 수행 되 었 다 . 이 실험 은 포토레지스트 마스킹 을 구비 하 는 TiN / NiO / TiN 적층 에서 수행 되 었 다 . 제 1 에칭 은 상부 TiN 층 을 에칭 하 기 위해 CF 4 / CHF 3 를 사용 하 여 수행 되 었 다 . 제 2 에칭 은 NiO 층 을 에칭 하 기 위해 일산 화 탄소 를 사용 하 여 수행 되 었 다 . 제 2 에칭 에 대해 , 공정 조건 은 3 가지 서로 상이 한 전력 / 에칭 시간 조합 이 사용 된 것 을 제외 하 고 예 1 에 사용 된 것 과 동일 하 였 다 . 다음 측정 데이터 가 얻 어 졌 다 .