또한 , 도 3 에 도시 한 바 와 같이 , 전원 선 ( 240 ) 은 산화물 반도체 층 을 포함 하 는 트랜지스터 ( 204 ) 를 갖 고 , 전원 선 ( 240 ) 에 공급 된 전위 는 , 산화물 반도체 층 을 포함 하 는 트랜지스터 ( 204 ) 를 통해 , 저항 소자 ( 201 _ 1 ) 및 저항 소자 ( 201 _ 2 ) 에 공급 될 수 있 다 . 전원 선 ( 240 ) 에 설치 되 는 산화물 반도체 층 을 포함 하 는 트랜지스터 ( 204 ) 의 게이트 단자 와 , 스위치 트랜지스터 ( 202 _ 1 ) 의 게이트 단자 가 전기 적 으로 접속 하 는 구성 으로 할 수 있 다 .