이어서 , 20 질량 % 염화수은 수용액 ( 염화 제 2 수은 ) 에 20 ℃, 3 시간 침지 시킴 으로써 알루미늄 기판 을 용해 하 고 , 또한 5 질량 % 인산 에 30 ℃, 30 분 간 침지 시킴 으로써 양극 산화 피막 의 저부 를 제거 하 여 , 마이크 로 포어 를 갖 는 양극 산화 피막 으로 이루어지 는 구조 체 ( 절연성 기재 ) 를 제조 하 였 다 .