도 6 을 참조 하 면 , 상기 홀 ( 36 H ) 의 내벽 들 및 상기 제 2 층간 절연 층 ( 36 ) 상 을 덮 는 스 페이서 층 ( 41 L ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 홀 ( 36 H ) 의 측벽 상 에서 상기 스 페이서 층 ( 41 L ) 은 상부 로 갈수록 돌출 될 수 있 다 . 상기 스 페이서 층 ( 41 L ) 은 오버행 ( overhang ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 스 페이서 층 ( 41 L ) 은 상기 제 2 층간 절연 층 ( 36 ) 에 대하 여 식각 선택 비 를 갖 는 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 스 페이서 층 ( 41 L ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화물 , 또는 이 들 의 조합 과 같 은 유전 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 스 페이서 층 ( 41 L ) 은 스텝 커버리지 ( stepcoverage ) 가 열악 하 면서 전기 전도 율 이 낮 은 물질 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 상기 스 페이서 층 ( 41 L ) 은 카본 ( carbon ) 기 를 갖 는 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 스 페이서 층 ( 41 L ) 은 비정질 카본 ( Amorphous carbon ) 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 상기 스 페이서 층 ( 41 L ) 은 USG ( undoped silica glass ) 와 같 은 산화물 을 포함 할 수 있 다 .