예 를 들 어 , ( A ) 성분 , ( B ) 성분 및 ( C ) 성분 을 함유 하 는 열경화성 환상 이미드 수지 조성물 을 기재 에 도포 한 후 , 통상 80 ℃ 이상 , 바람직 하 게 는 100 ℃ 이상 의 온도 에서 0 . 5 내지 5 시간 가열 함 으로써 , 유기 용제 가 제거 된다 . 또한 상기 기재 를 150 ℃ 이상 , 바람직 하 게 는 175 ℃ 이상 의 온도 에서 0 . 5 내지 10 시간 가열 함 으로써 , 표면 이 평탄 하 고 견고 한 환상 이미드 피막 을 형성 할 수 있 다 . 조성물 중 의 유기 용제 를 효율 적 으로 제거 함 과 함께 , 수지 의 반응 을 효과 적 으로 진행 시키 기 위해 , 경우 에 따라서 는 단계 적 으로 경화 온도 를 상승 시켜도 된다 . 본 발명 의 조성물 의 경화 에 의해 얻 어 지 는 경화물 ( 피막 ) 은 , 기계 특성 , 내열성 , 비유전율 , 유전 정접 , 내습 성 및 접착성 이 우수 하 다 . 따라서 , 본 발명 의 경화물 은 , 예 를 들 어 반도체 소자 표면 의 패 시베이 션 막 ; 다이오드 , 트랜지스터 등 의 접합부 의 정 션 보호막 ; VLSI 의 α 선 차폐막 ; 층간 절 연막 ; 이온 주입 마스크 ; 프린트 서킷 보드 의 컨 포 멀 코팅 ; 액정 표면 소자 의 배향 막 ; 유리 파이버 의 보호막 ; 태양 전지 의 표면 보호막 등 으로서 이용 할 수 있 다 .