화소 전극 ( 191 ) 은 각각 의 화소 영역 마다 형성 되 어 복수 개 존재 할 수 있 다 . 게이트 전극 ( 124 ) 위 에 위치 하 는 반도체 층 ( 154 ) 은 소스 전극 ( 173 ) 과 드레 인 전극 ( 175 ) 사이 에서 채널 층 을 형성 하 며 , 게이트 전극 ( 124 ) , 반도체 층 ( 154 ) , 소스 전극 ( 173 ) 및 드레 인 전극 ( 175 ) 은 하나 의 박막 트랜지스터 를 형성 할 수 있 다 . 이러 한 박막 트랜지스터 와 중첩 하 는 차 광부 ( 미 도시 ) 가 게이트 선 ( 121 ) 및 데이터 선 ( 171 ) 이 중첩 하 는 영역 에 인접 하 여 형성 될 수 있 다 .