도 4 a 를 참조 하 면 , 먼저 기판 ( 110 ) 상 에 박막 트랜지스터 ( 109 ) 를 형성 한다 . 이하 에서 상기 박막 트랜지스터 ( 109 ) 를 형성 하 는 공정 에 대해 설명 한다 . 먼저 기판 ( 110 ) 상 에 게이트 전극 ( 101 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 게이트 전극 ( 101 ) 은 도전 물질 을 기판 ( 110 ) 전면 에 증착 한 후 포토 리소그래피 공정 을 통해 패 터닝 하 여 형성 할 수 있 다 . 이후 , 상기 기판 ( 110 ) 의 전면 에 게이트 절 연막 ( 102 ) 을 형성 한다 .