반도체 층 ( ACT ) 이 다 결정 실리콘 으로 이루어지 는 경우 , 반도체 층 ( ACT ) 에 이온 을 도핑 하 는 경우 , 이온 도핑 된 반도체 층 ( ACT ) 은 도전 성 을 가질 수 있 다 . 이 로 인해 , 반도체 층 ( ACT ) 은 복수 의 트랜지스터 의 채널 영역 뿐 만 아니 라 소스 영역 과 드레 인 영역 을 포함 할 수 있 다 . 상기 소스 영역 및 상기 드레 인 영역 은 각 채널 영역 의 양 옆 에 연결 되 어 있 을 수 있 다 .