여기 서 , 금속 막 성막 장치 ( 200 ) 에 있 어서 의 성막 처리 에 대해 , ALD 프로세스 에 의해 , 기판 W 위 에 텅스텐 막 을 형성 하 는 경우 를 예 로 들 어 설명 한다 . 도 5 는 , ALD 프로세스 의 가스 공급 시퀀스 의 일례 를 나타내 는 도면 이 다 . 또한 , 도 5 에서 , 처리 공간 ( 37 ) 에 가스 를 공급 하 는 경우 를 흑색 화살표 로 나타내 고 , 버퍼 탱크 에 가스 를 충전 하 는 경우 를 백색 화살표 로 나타낸다 .