제 1 순서 에서 는 , O 2 가스 와 H 2 가스 가 반응 함 으로써 얻 어 진 산화 종이 스텝 3 에서 형성 된 실리콘 함유층 및 그 하지인 스텝 2 에서 형성 된 실리콘 질화 층 과 표면 반응 하 고 , 실리콘 함유층 및 실리콘 질화 층 은 함께 그 산 화종 에 의해 산화 되 어 실리콘 산화층 으로 개질 된다 . 또한 , 제 2 순서 에서 는 , O 2 가스 와 H 2 가스 가 반응 함 으로써 얻 어 진 산화 종이 스텝 2 에서 형성 된 실리콘 질화 층 과 표면 반응 하 고 , 실리콘 질화 층 은 , 그 산 화종 에 의해 산화 되 어 실리콘 산화층 으로 개질 된다 .