도 1 h 에 도시 된 바 와 같이 , 평탄 화 된 제 2 질화 막 ( 17 b ) 상 에 게이트 상부 스 페이서 형성 을 위한 마스크 패턴 ( 18 ) 을 형성 한다 . 이때 , 후속 소스 / 드레 인 영역 사이 의 간격 을 확장 시키 기 위해 게이트 상부 스 페이서 의 폭 은 게이트 하부 스 페이서 ( 11 ) 의 폭 보다 크 게 형성 되 어야 한다 .