본 발명 은 상술 한 목적 을 달성 하 기 위해 , a ) 세라믹 기판 에 티타늄 ( Ti ) 박막 층 을 형성 하 는 단계 와 , b ) 상기 티타늄 ( Ti ) 박막 층 위 에 구리 ( Cu ) 박막 층 을 형성 하 는 단계 와 , c ) 상기 구리 ( Cu ) 박막 층 위 에 구리 ( Cu ) 페이스트 를 이용 하 여 구리 ( Cu ) 패턴 을 인쇄 한 후 건조 하 는 단계 를 한 번 이상 진행 하 여 구리 ( Cu ) 패턴 층 을 형성 하 는 단계 와 , d ) 상기 구리 ( Cu ) 패턴 층 을 소결 하 는 단계 와 , e ) 상기 구리 ( Cu ) 패턴 층 이 형성 되 지 않 은 부분 의 구리 ( Cu ) 박막 층 을 제거 하 는 단계 와 , f ) 상기 구리 ( Cu ) 패턴 층 이 형성 되 지 않 은 부분 의 티타늄 ( Ti ) 박막 층 을 제거 하 는 단계 를 포함 하 는 세라믹 회로 기판 의 제조 방법 을 제공 한다 .