이상 에서 설명 한 바 와 같이 본 발명 에 의하 면 , 팽창 율 이 거의 이루어지 지 않 는 탄소 유리 의 표면 에 이온 빔 의 집 속도 가 100 - 500 ㎚ 인 집속 이온 빔 을 조사 하 여 나노미터 급 의 폭 과 간격 을 갖 는 요 홈 들 을 형성 하 고 , 가열 을 통해 가융 성 을 갖 도록 한 폴리 이미드 판 을 상기 탄소 유리 의 상면 에 올려 놓 고 프레싱 하 여 폴리 이미드 판 의 일면 자체 에 나노미터 급 의 요부 와 철부 들 이 형성 되 도록 한 다음 상기 폴리 이미드 판 을 플 라즈 마 가스 체 내 에 넣 고 플 라즈 마 처리 하 여 폴리 이미드 판 의 철부 와 요부 를 포함 하 는 상면 부 에 구리 전기 도금 또는 무전 해 도금 을 실시 한 후 전해 연마 를 통해 요부 내 에 도금 된 구리 도금 층 을 제외 한 폴리 이미드 판 의 철부 를 포함 한 상면 에 도포 된 구리 도금 층 를 제거 하 는 방식 을 통해 나노미터 급 의 미세 패턴 회로 가 구 비 된 기판 을 제조 함 으로써 비교 적 복잡 하 고 매우 미세 한 나 도 급 미세 패턴 회로 를 비교 적 간단 하 고 용이 하 면서 도 정확 하 게 형성 할 수 있 어 각종 전자 제품 을 보다 경량 화 및 소형 화 할 수 있 는 등 매우 유용 한 발명 인 것 이 다 .