도 1 b 는 도 1 a 에 도시 한 반도체 장치 가 갖 는 메모리 셀 의 구성 예 를 도시 한 도면 이 다 . 도 1 b 에 도시 한 메모리 셀 ( 30 ) 은 , 산화물 반도체 ( OS ) 에 의해 채널 영역 이 형성 되 는 트랜지스터 ( 31 ) 와 , 트랜지스터 ( 31 ) 가 오프 상태 가 됨 으로써 부유 상태 가 되 는 노드 ( 32 ) 를 갖 는다 . 또한 , 메모리 셀 ( 30 ) 은 노드 ( 32 ) 의 전위 의 값 을 데이터 로서 유지 하 는 것 이 가능 한 메모리 셀 이 다 .