상기 발광 구조물 ( 110 ) 상 에 n 형 오 믹 컨 택 층 ( 120 ) 및 n 형 도전 막 ( 130 ) 이 순차 적 으로 형성 된다 . 상기 n 형 오 믹 컨 택 층 ( 120 ) 은 n 형 GaAs 를 포함 할 수 있 다 . 상기 n 형 도전 막 ( 130 ) 은 금속 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예컨대 , 상기 금속 물질 은 금 ( Au ) 일 수 있 다 . 상기 n 형 오 믹 컨 택 층 ( 120 ) 및 상기 n 형 도전 막 ( 130 ) 간 에 오 믹 접합 을 형성 하 기 위해 , 상기 n 형 도전 막 ( 130 ) 은 베릴륨 ( Be ) 및 금 ( Au ) 이 순차 적 으로 적층 된 복합 막 일 수 있 다 .