본 명세서 의 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 는 게이트 도전 층 ( 332 ) 의 측면 ( 332 s ) 이 제 1 수소 배리 어 층 ( 331 ) 의 측면 ( 331 s ) 과 수직 정렬 되 는 것 으로 설명 된다 . 그러나 , 본 명세서 의 다른 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 는 게이트 도전 층 ( 332 ) 이 제 1 수소 배리 어 층 ( 331 ) 의 측면 ( 331 s ) 과 연속 되 지 않 는 측면 ( 332 s ) 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 5 및 6 에 도시 된 바 와 같이 , 본 명세서 의 다른 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 에서 는 게이트 도전 층 ( 332 ) 의 측면 ( 332 s ) 이 제 1 수소 배리 어 층 ( 331 ) 의 측면 ( 331 s ) 보다 내측 에 위치 할 수 있 다 . 게이트 도전 층 ( 332 ) 은 제 1 수소 배리 어 층 ( 331 ) 과 동일 한 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 본 명세서 의 다른 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 에서 는 제 2 게이트 전극 ( 330 ) 의 형성 공정 에 사용 되 는 식각 용액 ( etchant ) 을 기준 으로 , 게이트 도전 층 ( 332 ) 이 제 1 수소 배리 어 층 ( 331 ) 보다 큰 식 각비 를 갖 는 물질 로 형성 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 본 명세서 의 다른 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 에서 는 게이트 도전 층 ( 332 ) 의 자유도 가 향상 될 수 있 다 .