상기 버퍼 층 ( BFL ) 상 에 는 상기 액티브 패턴 ( ACT ) 이 제공 될 수 있 다 . 상기 액티브 패턴 ( ACT ) 은 반도체 소재 로 구성 될 수 있 다 . 상기 액티브 패턴 ( ACT ) 은 각각 소스 영역 , 드레 인 영역 , 및 상기 소스 영역 과 상기 드레 인 영역 사이 에 제공 된 채널 영역 을 포함 할 수 있 다 . 상기 액티브 패턴 ( ACT ) 은 폴리 실리콘 , 아몰 퍼스 실리콘 , 산화물 반도체 등 으로 이루어진 반도체 패턴 일 수 있 다 . 상기 채널 영역 은 불순물 로 도핑 되 지 않 은 반도체 패턴 으로서 , 진성 반도체 일 수 있 다 . 상기 소스 영역 및 상기 드레 인 영역 은 불순물 이 도핑 된 반도체 패턴 일 수 있 다 .