SiO 2 및 SiN 과 같 은 일반 적 으로 사용 된 유전체 들 의 존재 시 고 에칭 선택도 로 에칭 될 수 있 는 재료 들 및 연관 된 에칭 방법 들 이 특히 목표 된다 . SnO 2 는 매우 선택 적 인 건식 에칭 화학 물질 을 사용 하 여 SiO 2 , SiN , 및 다양 한 다른 재료 들 에 대해 선택 적 으로 에칭 될 수 있 는 재료 로서 제공 된다 . 희생 적 스 페이서 재료 로서 SnO 2 를 채용 하 는 반도체 디바이스 제조 ( 예 를 들 어 , FinFET 제조 동안 ) 시 에어 갭 들 을 형성 하 는 방법 들 이 또한 제공 된다 .