절연 층 ( 130 ) 위 에 절연 층 ( 159 ) 을 형성 한다 . 본 실시 형태 에서 는 , 절연 층 ( 159 ) 로서 , PCVD 법 또는 스퍼터링 법 을 이용 하 여 50 nm 이상 600 nm 이하 의 막 두께 의 산화물 절연 층 을 형성 한다 . 예 를 들 어 , 산화 실리콘 막 , 산화 갈륨 막 , 산화알루미늄 막 , 산화 질화 실리콘 막 , 산화 질화알루미늄 막 또는 질화 산화 실리콘 막 으로부터 선택 된 1 층 또는 이 들 의 적층 을 사용 할 수 있 다 .