또한 , MuGFET 트랜지스터 들 의 이용 은 벌크 CMOS 디바이스 들 보다 더 경사진 q 보다 좋 은 임계 하 기울 기 ( subthreshold slope ) 를 제공 하 여 , 디바이스 가 보다 빠르 게 스위칭 오프 되 게 한다 . 적절히 제어 된 공정 들 을 이용 하 여 대체 적 으로 유사 한 크 기 로 형성 될 수 있 는 언 도프 네 로우 핀 ( undoped narrow fin ) 들 을 사용 하 여 채널 들 을 형성 하 기 때문 에 , 도 펀트 요동 ( dopant fluctuation ) 으로 인한 디바이스 미스 매치 ( mismatch ) 는 고려 되 지 않 는다 . 그러므로 , 상기 디바이스 들 의 개선 된 매칭 ( matching ) 은 벌크 CMOS 디바이스 들 에서 보다 수월 할 수 있 다 . 도 3 은 도 1 의 회로 의 예시 적 인 레이아웃 ( 300 ) 이 다 . 몇몇 의 상이 한 레이아웃 들 이 사용 될 수 있 지만 , 레이아웃 ( 300 ) 은 메모리 셀 의 어레이 를 생성 하 기 위해 레이아웃 을 펴 는 것 을 용이 하 게 하 는 상이 하 게 도핑 된 ( doped ) 디바이스 들 의 개별 영역 들 로 의 그룹 화 에 대비 한다 . n - MuGFET 디바이스 들 은 파선 ( 310 ) 에 의해 한정 되 는 영역 에 수용 되 며 , p - MuGFET 디바이스 들 은 영역 ( 310 ) 의 양 측면 상 에 두 영역 들 ( 315 및 320 ) 에 수용 된다 . 일 실시 예 에서 레이아웃 ( 300 ) 의 폴드 아웃 ( fold out ) 은 인접 셀 들 의 공유 된 VDD , 및 n - 형 및 p - 형 영역 의 컬 럼 들 ( columns ) 이 된다 .