또한 , 게이트 전극 ( 910 ) 상부 에 게이트 절연 층 ( 922 ) , 비정질 실리콘 층 ( 924 ) , 및 n + 도핑 된 비정질 실리콘 층 ( 926 ) 의 3 중막 을 연속 적 으로 형성 한다 . 연속 증착 공정 은 PECVD 방법 을 이용 하 여 공지 의 방식 에 의해 진행 한다 . 그런 다음 , 기판 이 준비 되 면 , 지 지체 ( 940 ) 와 하 부면 을 가지 는 돌출부 ( 950 ) 를 구비 하 는 결정 화용 구조물 이 기판 ( 800 ) 과 정렬 된다 . 이 때 게이트 전극 ( 910 ) 시 형성 된 패턴 을 이용 하 여 결정 화용 구조물 을 정렬 하 는 것 이 바람직 하 다 .