반도체 층 ( 211 ) 의 상부 에 는 게이트 전극 ( 213 ) 이 배치 되 는데 , 이 게이트 전극 ( 213 ) 에 인가 되 는 신호 에 따라 소스 전극 ( 215 ) 과 드레 인 전극 ( 217 ) 이 전기 적 으로 소통 된다 . 게이트 전극 ( 213 ) 은 인접 층 과 의 밀착 성 , 적층 되 는 층 의 표면 평탄 성 그리고 가공 성 등 을 고려 하 여 , 예컨대 알루미늄 ( Al ) , 백금 ( Pt ) , 팔라듐 ( Pd ) , 은 ( Ag ) , 마그네슘 ( Mg ) , 금 ( Au ) , 니켈 ( Ni ) , 네오디뮴 ( Nd ) , 이리듐 ( Ir ) , 크롬 ( Cr ) , 리튬 ( Li ) , 칼슘 ( Ca ) , 몰리브덴 ( Mo ) , 티타늄 ( Ti ) , 텅스텐 ( W ) , 구리 ( Cu ) 중 하나 이상 의 물질 로 단층 또는 다층 으로 형성 될 수 있 다 . 이때 반도체 층 ( 211 ) 과 게이트 전극 ( 213 ) 과 의 절연 성 을 확보 하 기 위하 여 , 실리콘 옥사이드 및 / 또는 실리콘 나이트 라이드 등 으로 형성 되 는 게이트 절연 층 ( 120 ) 이 반도체 층 ( 211 ) 과 게이트 전극 ( 213 ) 사이 에 개재 될 수 있 다 .