수직 형 트랜지스터 장치 ( 22 ) 는 트랜지스터 장치 ( 22 ) 의 전력 스위칭 기능 에 기여 하 는 트랜지스터 장치 ( 22 ) 의 영역 을 말 하 는 활성 영역 을 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 반도체 다이 ( 21 ) 의 제 1 표면 ( 26 ) 의 영역 은 , 트랜지스터 장치 ( 22 ) 의 활성 영역 의 130 % 미만 또는 심지어 120 % 미만 또는 트랜지스터 장치 의 활성 영역 의 최대 110 % 이 다 . 트랜지스터 장치 ( 22 ) 의 활성 영역 은 소스 주입 영역 에 의해 정의 된다 . 반도체 다이 ( 21 ) 의 제 1 표면 ( 26 ) 의 영역 은 반도체 다이 ( 21 ) 의 측면 들 에 의해 정의 된다 .