또한 , P 형 질화물 반도체 층 에 그래핀 이 포함 되 는 방법 은 예 를 들 어 , 긴 필름 형태 또는 판상 형 의 형태 로 P 형 질화물 반도체 층 상 에 형성 될 수 있 다 . 구체 적 으로 P 형 질화물 반도체 층 외 측면 에 긴 직사각 형 형상 의 홈 을 형성 한 후 , 이러 한 홈 에 긴 필름 형태 또는 판상 형 의 그래핀 을 삽입 하 여 그래핀 과 P 형 질화물 반도체 층 사이 의 반데르발스 힘 ( van der waals forces ) 을 이용 한 물리 적 결합 을 통해 형성 할 수 있 다 . 또한 , P 형 질화물 반도체 층 을 형성 한 후 , 그 위 에 화학 기상 증착 ( CVD , chemical vapor deposition ) 과 같 은 증착 을 통해 그래핀 층 을 형성 한 후 , 그 위 에 다시 P 형 질화물 반도 층 을 형성 하 는 방법 으로 그래핀 을 P 형 질화물 반도체 층 내부 에 포함 시킬 수 있 다 .