여기 서 , 본 발명 의 3 층 레지스 트 법 에 의한 패턴 형성 방법 의 일례 를 도 2 의 ( A ) ~( F ) 에 도시 한다 . 3 층 레지스 트 법 의 경우 , 도 2 의 ( A ) 에 도시 하 는 것 과 같이 , 기판 ( 1 ) 상 에 형성 된 피 가공 층 ( 2 ) 상 에 본 발명 의 유기 막 형성 용 조성물 을 이용 하 여 유기 막 ( 3 ) 을 형성 한 후 , 규소 함유 레지스 트 중간막 ( 4 ) 을 형성 하 고 , 그 위 에 레지스 트 상 층막 ( 5 ) 을 형성 한다 . 이어서 , 도 2 의 ( B ) 에 도시 하 는 것 과 같이 , 레지스 트 상 층막 ( 5 ) 의 노광 부분 ( 6 ) 을 노광 하 여 , PEB ( 포스트 익스포져 베 이크 ) 를 행한다 . 이어서 , 도 2 의 ( C ) 에 도시 하 는 것 과 같이 , 현상 을 행하 여 레지스 트 상 층막 패턴 ( 5 a ) 을 형성 한다 . 이어서 , 도 2 의 ( D ) 에 도시 하 는 것 과 같이 , 레지스 트 상 층막 패턴 ( 5 a ) 을 마스크 로 하 고 , 프론 계 가스 를 이용 하 여 규소 함유 레지스 트 중간막 ( 4 ) 을 드라이 에칭 가공 하 여 , 규소 함유 레지스 트 중간막 패턴 ( 4 a ) 을 형성 한다 . 이어서 , 도 2 의 ( E ) 에 도시 하 는 것 과 같이 , 레지스 트 상 층막 패턴 ( 5 a ) 을 제거 한 후 , 규소 함유 레지스 트 중간막 패턴 ( 4 a ) 을 마스크 로 하 고 , 유기 막 ( 3 ) 을 산소 플 라즈 마 에칭 하 여 , 유기 막 패턴 ( 3 a ) 을 형성 한다 . 더욱이 , 도 2 의 ( F ) 에 도시 하 는 것 과 같이 , 규소 함유 레지스 트 중간막 패턴 ( 4 a ) 을 제거 한 후 , 유기 막 패턴 ( 3 a ) 을 마스크 로 하 고 , 피 가공 층 ( 2 ) 을 에칭 가공 하 여 , 패턴 ( 2 a ) 을 형성 한다 .