도 1 c 를 참조 하 면 , 포토 레지스 트 패턴 ( 114 ; 도 1 b 참조 ) 을 식각 마스크 로 이용 하 는 식각 공정 을 실시 하 여 하드 마스크 ( 112 ; 도 1 b 참조 ) 를 패 터닝 한다 . 그리고 , 패 터닝 된 하드 마스크 ( 112 ) 를 식각 마스크 로 이용 하 는 식각 공정 을 실시 하 여 제 2 절 연막 ( 108 ) 을 패 터닝 하 여 트렌치 를 형성 한다 . 제 2 절 연막 ( 108 ) 을 패 터닝 하 여 트렌치 를 형성 하 는 식각 공정 은 , 산화 막 이 질화 막 과 폴리 실리콘 보다 식각 선택 비 가 높 아서 산화 막 이 질화 막 과 폴리 실리콘 에 비해 더욱 식각 되 는 조건 으로 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 를 위하 여 , 0 ~ 200 mTorr 의 압력 에서 , 5 ~ 20 sccm 유량 의 C 4 F 8 가스 , 5 ~ 10 sccm 유량 의 O 2 가스 , 300 ~ 800 sccm 유량 의 Ar 가스 를 공급 하 여 식각 공정 을 실시 할 수 있 다