도 12 에서 , 출발 재료 는 실리콘 웨이퍼 기판 ( 1202 ) 이 다 . 약 0 . 1 내지 0 . 5 마이크 론 의 열 옥사이드 ( thermal oxide ) ( 1206 ) 가 성장 하 거나 , 다르 게 는 기판 상 에 형성 된다 . 약 0 . 1 내지 0 . 5 마이크 론 의 폴리 실리콘 층 ( 1209 ) 이 상기 옥사이드 상 에 형성 된다 . 약 0 . 4 내지 약 1 마이크 론 의 옥사이드 ( 1211 ) 는 폴리 실리콘 상 에 형성 되 고 , 이러 한 옥사이드 는 상부 옥사이드 로서 언급 될 수 있 으며 , 화학 적 증기 증착 ( CVD ) 에 의해 형성 될 수 있 다 .