본 발명 의 추가 측면 에 따라 , 제 1 섹션 및 제 2 섹션 을 포함 하 는 비트 라인 을 가진 메모리 장치 를 동작 시키 는 방법 은 비트 라인 의 제 1 섹션 을 제 1 전압 으로 프리 차징 하 는 단계 를 포함 한다 . 상기 방법 은 비트 라인 의 제 2 섹션 을 제 1 전압 과 다른 제 2 전압 으로 프리 차징 하 는 단계 를 더 포함 한다 . 상기 방법 은 또한 제 1 전압 및 제 2 전압 사이 의 전압 레벨 을 얻 기 위하 여 비트 라인 의 제 1 섹션 및 비트 라인 의 제 2 섹션 사이 의 전하 를 공유 하 는 단계 를 포함 한다 .