SnO 2 에칭 시 프로세스 가스 의 조성 은 가변 할 수 있 고 , H 2 에 더 하 여 다른 가스 들 을 포함 할 수 도 있 다 . 그러나 , 일부 실시 예 들 에서 , 프로세스 가스 는 본질 적 으로 H 2 ( 예 를 들 어 , 100 ％ 의 H 2 ) 로 구성 된다 . 일부 실시 예 들 에서 , 프로세스 가스 는 적어도 약 50 ％ 의 H 2 를 포함 하 고 , 불활성 가스 , 예컨대 헬륨 을 더 포함 한다 . 일부 실시 예 들 에서 프로세스 가스 는 본질 적 으로 H 2 및 불활성 가스 로 구성 될 수 도 있 다 . 일부 구 현예 들 에서 , 프로세스 가스 내 H 2 의 농도 는 적어도 약 80 ％ 이 다 . 선택 가능 하 게 , 프로세스 가스 는 하이드로 카본 및 / 또는 Cl 2 를 더 포함 할 수 도 있 다 . 일 예 에서 , 프로세스 가스 는 H 2 ( 50 ％ 이상 ) , 헬륨 , 및 하이드로 카본 을 포함 한다 . 프로세스 가스 의 플 라즈 마는 고 주파수 및 / 또는 저 주파수 플라 즈 마 생 성 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 특히 , 기판 에서 외부 바이어스 의 사용 이 선택 가능 하 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 에칭 은 기판 에 대한 외부 바이어스 를 제공 하 지 않 고 수행 된다 . 일부 실시 예 들 에서 플라 즈 마는 약 0 . 0018 내지 0 . 36 W / ㎠ 의 전력 밀도 를 사용 하 여 생성 된다 . 에칭 동안 프로세스 챔버 의 압력 은 , 일부 실시 예 들 에서 , 약 1 내지 175 mTorr 이 다 .