상기 의 경우 에 있 어서 , 플라 즈 마 CVD 의 처리 온도 는 탑재 대 ( 2 ) 의 온도 를 300 ℃ 이상 800 ℃ 이하 , 바람직 하 게 는 400 ~ 600 ℃ 로 가열 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 플라 즈 마 처리 장치 ( 100 ) 에 있 어서 의 갭 ( 투과 판 ( 28 ) 의 하면 으로부터 탑재 대 ( 2 ) 의 상면 까지 의 간격 ) G 는 막 두께 가 균일 하 고 막 질 이 양질 인 질화규소 막 을 형성 하 는 관점 에서 , 예컨대 50 ~ 500 ㎜ 정도 로 설정 하 는 것 이 바람직 하 다 .