본 실시 예 따르 면 , 제 3 패턴 부 ( 3 AE ) 와 제 1 패턴 부 ( 1 AE ) 가 서로 반대 되 는 패턴 을 가지 며 , 서로 오버랩 되 어 좌측 및 우측 을 왕복 하 여 이동 함 에 따라 , 실리콘 결정 화 마스크 ( 400 ) 를 투과 한 레이저 빔 이 기판 ( 10 ) 상 에 중복 으로 조사 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 이 와 같이 , 상기 레이저 빔 이 기판 ( 10 ) 상 에 중복 조사 되 는 것 을 방지 함 으로써 , 상기 레이저 빔 이 한 번 조사 된 영역 및 두 번 조사 된 영역 의 사이 에 경계선 이 발생 되 는 것 을 방지 할 수 있 고 , 그 결과 기판 ( 10 ) 상 에 형성 된 다결정 실리콘 ( poly - Si ) 의 전기 적 인 특성 이 보다 향상 될 수 있 다 .