더욱이 , 종래 기술 에서 는 CMOS 로직 공정 의 마지막 공정 인 보호막 공정 시 보호막 ( 도 2 의 25 ) 으로서 산화 막 만 을 이용 하 기 때문 에 댕 글 링 본드 ( DB ) 를 제거 할 수 있 는 방법 이 없 어 댕 글 링 본드 ( DB ) 에 의한 과다 한 암전 류 ( D ) 발생 을 억제 하 기 가 곤란 하 며 , 결국 암전 류 ( D ) 가 플로팅 센싱 노드 ( FD ) 로 전달 되 는 경우 이미지 센서 의 화질 을 저하 시키 는 문제점 이 있 다 .