다층 커패시터 ( C 2 ) 에서 , 부분 ( E 21 a ) 에서 의 갭 들 ( 13 ) 의 총 면적 은 제 2 전극 층 ( E 2 ) 의 부분 ( E 21 a ) 의 두께 방향 을 따른 단면 에서 부분 ( E 21 a ) 의 면적 의 5 내지 35 % 의 범위 내 에 있 다 . 부분 ( E 21 b ) 에서 의 갭 들 ( 13 ) 의 총 면적 은 제 2 전극 층 ( E 2 ) 의 부분 ( E 21 b ) 의 두께 방향 을 따른 단면 에서 부분 ( E 21 b ) 의 면적 의 5 내지 35 % 의 범위 내 에 있 다 . 따라서 , 다층 커패시터 ( C 2 ) 는 , 다층 커패시터 ( C 1 ) 와 유사 한 방식 으로 , 기체 생성량 의 증가 를 제어 하 고 부분 들 ( E 21 a 및 E 21 b ) 각각 에서 의 기체 이동의 억제 를 감소 시킨다 .