도 7 및 도 4 d 를 참조 하 면 , 보호막 ( 25 ) 상 에 감광막 ( 26 ) 을 형성 한 후 소정 의 마스크 를 이용 한 노광 및 현상 공정 을 통해 감광막 ( 26 ) 을 패 터닝 한다 . 그리고 패 터닝 된 감광막 ( 26 ) 을 마스크 로 이용 한 식각 공정 으로 노출 된 부분 의 보호막 ( 25 ) 을 식각 하 여 소스 영역 ( 24 b ) 및 드레 인 영역 ( 24 c ) 의 소정 부분 이 노출 되 도록 콘 택 홀 ( 25 a ) 을 형성 한다 .