이 에 따라 , 기판 지지 부 ( 120 ) 상 에 안착 된 복수 의 기판 ( W ) 각각 은 기판 지지 부 ( 120 ) 의 회전 에 따라 상기 각 분 할 공간 ( DS 1 , DS 2 , DS 3 , DS 4 ) 각각 을 순차 적 으로 통과 하 게 되 고 , 이 로 인해 , 복수 의 기판 ( W ) 각각 상 에 는 제 1 가스 ( G 1 ) 와 활성 화 된 제 2 가스 ( PG 2 ) 의 상호 반응 에 의해 소정 의 박막 물질 이 증착 되게 된다 . 이때 , 복수 의 기판 ( W ) 에 분사 되 는 활성 화 된 퍼지 가스 ( PG 3 ) 는 기판 ( W ) 에 증착 되 지 않 은 제 1 가스 ( G 1 ) 및 / 또는 제 1 가스 ( G 1 ) 와 반응 하 지 않 고 잔존 하 는 제 2 가스 ( G 2 ) 를 퍼지 하 게 된다 .