d ) 플 라즈 마 ( c ) 로 의 가스 공급 ( f ) 은 기판 홀더 전극 ( bb ) 을 둘러싸 도록 형성 된 플 라즈 마 ( c ) 에서 떨어져서 유지 되 는 비 전도성 샤워 헤드 ( e ) 내 의 오리피스 ( ee ) 를 통하 여 이루어지 기 때문 에 , 가스 유입 구 ( ee ) 에서 화학 반응 이 일어나 지 않 는다 . 이 는 가스 유입 구 흐름 에 미립자 의 형성 을 방지 하 여 , 기판 ( d ) 의 미립자 오염 을 감소 시킨다 . 이 는 처리 의 수율 및 신뢰도 를 증가 시키 는 이점 을 갖 는다 .