다음 , 질소 분위기 중 에서 플라 즈 마 어닐링 을 행함 으로써 , NSG 막 ( 123 ) 의 표면 을 질화 한다 . 그 다음 , 도 9 i 에 나타낸 바 와 같이 NSG 막 ( 123 ) 위 에 TEOS 를 이용 하 여 NSG 막 ( 124 ) 을 형성 하 고 , 질소 분위기 중 에서 플라 즈 마 어닐링 을 행함 으로써 , NSG 막 ( 124 ) 의 표면 을 질화 한다 . 그 후 , 전체 면 에 알루미늄 산화 막 ( 125 ) 을 형성 한다 . 계속 해서 , 알루미늄 산화 막 ( 125 ) 위 에 TEOS 를 이용 하 여 NSG 막 ( 126 ) 을 형성 하 고 , 질소 분위기 중 에서 플라 즈 마 어닐링 을 행함 으로써 NSG 막 ( 126 ) 의 표면 을 질화 한다 .