이 형태 에 의하 면 , 도금 장치 에 있 어서 , 전기장 조정 마스크 의 개구부 보다 도 더욱 내측 까지 기판 에 흐르 는 전류 를 제어 하 고자 하 는 경우 에 , 전기장 조정 마스크 를 시프 터널 로서 구성 하 고 , 보조 전극 - 애노드 사이 에 일부 전류 를 흘림 으로써 , 애노드 로부터 기판 면 에 도달 하 는 전류 를 변화 시킬 수 있 다 . 이 에 의해 , 도금 막 두께 분포 의 조정 정밀도 를 향상 시킬 수 있 다 . 또한 , 이 형태 에 의하 면 , 기판 의 특정 부위 에 대응 하 는 보조 전극 에 다른 보조 전극 과 는 독립 적 으로 전압 을 공급 할 수 있 으므로 , 기판 상 의 부위 에 따라서 전류 를 제어 ( 규제 또는 증가 ) 할 수 있 어 , 기판 의 사양 에 따라서 막 두께 의 균일성 을 제어 하 는 것 이 보다 용이 해진다 . 이 에 의해 , 다종 다양 한 기판 에 대해 , 도금 막 두께 의 균일성 을 향상 시킬 수 있 다 . 제품 에 따라 기판 상 의 레지스 트 패턴 이나 그 개구율 , 시드 층 의 막 두께 등 이 다른 경우 라도 , 각 보조 전극 에 인가 하 는 전압 또는 전류 를 제어 함 으로써 , 제품 에 따라서 , 도금 전류 및 도금 막 두께 의 제어 를 행하 는 것 이 더욱 용이 해진다 . 예 를 들 어 , 기판 외주 에 있 는 특정 부위 ( 예 를 들 어 , 다각형 기판 의 코너 부 ) 에 전류 가 집중 되 어 , 도금 막 두께 가 높 은 경우 에 는 , 대응 하 는 위치 의 보조 전극 ( 특정 부위 에 대응 하 는 위치 또는 특정 위치 의 근방 에 대응 하 는 위치 의 보조 전극 ) 만 을 작동 시키 거나 , 또는 대응 하 는 위치 의 보조 전극 을 다른 보조 전극 보다 저 전위 측 의 전위 에서 작동 시킴 으로써 , 막 두께 분포 를 개선 할 수 있 다 . 또한 , 예 를 들 어 기판 외주 에 있 는 특정 부위 ( 예 를 들 어 , 다각형 기판 의 코너 부 ) 에 흐르 는 전류 가 적 어 , 도금 막 두께 가 얇 은 경우 에 는 , 대응 하 는 위치 의 보조 전극 ( 특정 부위 에 대응 하 는 위치 또는 특정 위치 의 근방 에 대응 하 는 위치 의 보조 전극 ) 만 을 작동 시키 지 않 고 , 또는 대응 하 는 위치 의 보조 전극 을 다른 보조 전극 보다 고전 위 측 의 전위 에서 작동 시킴 으로써 , 막 두께 분포 를 개선 할 수 도 있 다 . 즉 , 하나 또는 복수 의 보조 전극 을 보조 캐소드 또는 보조 애노드 로서 구성 할 수 있 고 , 일부 의 보조 전극 을 보조 캐소드 로 하 고 , 또한 다른 보조 전극 을 보조 애노드 로서 구성 할 수 있 다 .