상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 의 패턴 ( PR 13 ) 을 이용 하 여 상기 게이트 패드 영역 ( GPA ) 에 형성 된 상기 채널 패턴 ( 131 b , 132 b ) 및 게이트 절연 패턴 ( 122 ) 을 건식 식각 공정 으로 제거 한다 . 이때 , 상기 건식 식각 공정 은 이방성 식각 ( RIE ) 모드 로 식각 한다 . 결과 적 으로 상기 제 3 패턴 ( PR 13 ) 이 잔류 하 는 상기 게이트 전극 영역 ( GEA ) 의 채널 패턴 ( 131 a , 132 a ) 만 남 고 상기 제 1 베이스 기판 ( 101 ) 위 에 형성 된 다른 채널 패턴 들 은 제거 된다 .