상기 비정질 실리콘 층 ( 110 ) 은 순수 한 비정질 실리콘 ( a - Si : H ) 을 증착 하 여 형성 하 고 , 상기 불순물 비정질 실리콘 층 ( 112 ) 은 불순물 이 포함 된 비정질 실리콘 ( n + a - Si : H ) 을 증착 하 거나 , 상기 비정질 실리콘 층 ( 110 ) 의 표면 에 불순물 을 도핑 하 는 공정 을 통해 형성 할 수 있 다 .