일 실시 예 에서 , 도 14 에 도시 된 바 와 같이 , 화소 ( PXG ) 에 포함 된 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 와 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) 는 서로 다른 타입 의 MOS 트랜지스터 들 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 는 pMOS 트랜지스터 이 고 , 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) 는 nMOS 트랜지스터 일 수 있 다 . 일반 적 으로 , 예 를 들 어 , 화소 ( PXG ) 의 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) 는 반전 된 스캔 신호 ( / S [ i ] ) 에 응답 하 여 제 1 노드 ( N 1 ) 및 제 2 노드 ( N 2 ) 를 연결 할 수 있 다 . 이 경우 , nMOS 트랜지스터 가 pMOS 트랜지스터 에 비해 누설 전류 가 적 게 발생 할 수 있 으므로 , 제 1 노드 ( N 1 ) 로부터 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) 를 통해 제 2 노드 ( N 2 ) 로 흐르 는 누설 전류 가 완화 될 수 있 다 .