p - n 접합 ( 25 ) 은 n - 타입 기저 층 ( 10 ) 과 태양 전지 ( 5 ) 후면 근방 의 알루미늄 - 도핑 된 p + 실리콘 이 미터 층 ( 50 ) 사이 의 계면 에서 형성 될 수 있 다 . 서로 반대 되 는 도전 성 으로 인해서 , 상기 n - 타입 기저 층 ( 10 ) 및 상기 알루미늄 - 도핑 된 p + 실리콘 이 미터 층 ( 50 ) 은 상기 p - n 접합 ( 25 ) 을 가로질러 서 전기장 을 생성 하 며 , 이 는 광자 의 흡수 로 인해서 야기 된 자유 전자 들 및 정공 들 을 분리 하 고 , 그 들 을 반대 방향 인 각각 의 전면 및 후면 접촉 부들 ( 30 , 35 ) 로 이동 시킨다 .