상기 의 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 다른 측면 에 따르 면 , 비트 라인 에 실린 데이터 를 감지 하 는 단계 ; 병렬 테스트 인 에 이 블 신호 에 응답 하 여 활성 화 구간 이 변동 되 는 오버 드라이빙 신호 를 감지 증폭 인 에이블 신호 에 응답 하 여 생성 하 는 단계 ; 상기 오버 드라이빙 신호 의 활성 화 구간 에 대응 하 는 오버 드라이빙 구간 에서 상기 감지 하 는 단계 에서 감지 된 데이터 의 레벨 을 외부 전압 레벨 로 증폭 하 는 단계 ; 및 상기 감지 증폭 인 에이블 신호 의 활성 화 구간 에서 상기 오버 드라이빙 구간 이후 에 상기 감지 하 는 단계 에서 감지 된 데이터 의 레벨 을 코어 전압 레벨 로 증폭 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 메모리 소자 의 동작 방법 을 제공 한다 .