기판 ( 1 ) 은 기능 층 들 이 에피택시 얼 성장 된 성장 기판 일 수 있 다 . 이 에 대해 대안 적 으로 , 반도체 층 시퀀스 는 박막 기술 로 제조 될 수 있 다 . 이 는 , 기능 층 들 이 성장 기판 상 에 성장 된 후 , 캐리어 기판 상 에 이송 되 는 것 을 의미 하 며 , 이후 상기 캐리어 기판 은 반도체 층 시퀀스 ( 10 ) 의 기판 ( 1 ) 을 형성 한다 . 각 성장 기술 에 따라 , 반도체 층 시퀀스 ( 10 ) 의 n 형 층 또는 p 형 층 은 기판 ( 1 ) 을 향해 있 을 수 있 다 . 도 1 D 에 는 점선 ( 93 ) 으로 반도체 층 시퀀스 ( 10 ) 의 기능 층 ( 4 ) 의 연 장면 이 표시 되 어 있 으며 , 상기 연 장면 은 기능 층 ( 4 ) 의 성장 방향 에 대해 수직 이 다 .