그 후 , N 형 의 도전 성 을 나타내 는 반도체 성 산화 물막 과 금속 등 의 도전 막 을 퇴적 하 고 , 이 를 목적 으로 하 는 형상 으로 가공 하 여 , N 형 반도체 성 산화 물막 ( 106 a ) 및 ( 106 b ) 와 , 소스 전극 ( 107 a ) 과 드레 인 전극 ( 107 b ) 을 형성 한다 ( 도 3 e 참조 ) . 또한 , N 형 반도체 성 산화 물막 ( 106 a ) 및 ( 106 b ) 는 설치 하 지 않 아도 좋 다 .