제시 된 제조 공정 은 표준 반도체 산업 출발 물질 인 , 실리콘 웨이퍼 , 실리콘 디 옥사이드 , 다 결정 성 실리콘 , 실리콘 디 옥사이드 스택 ( OSOS ) 에 근거 한 것 이 다 . 이 공정 의 이점 은 구입 가능 한 저렴 한 출발 물질 이 라는 점 이 며 , 이 공정 은 표준 반도체 제조 라인 과 호환 가능 하 다 . 그러나 , OSOS 출발 웨이퍼 는 요구 되 지 않 으며 , 소스 필름 및 드레 인 필름 은 예 를 들 어 팔라듐 과 같 은 금속 성 층 일 수 있 다 . 유사 하 게 , 절연 층 은 고온 탄소 나노 튜브 성장 조건 과 양립 할 수 있 는 임의 의 절연 물질 일 수 있 다 . 공정 에서 다른 가능 한 변형 으로 는 촉매 의 증착 또는 패턴 화 ( 예 를 들 어 , 리프트 오프 ( lift off ) 를 통해 트렌치 의 저부 에 증착 된 철 또는 전기 증착 ) , 및 다른 파라미터 중 에서 트렌치 측벽 프로파일 의 제어 가 포함 된다 .