기판 처리 장치 ( 110 ) 는 밀폐 공간 을 제공 하 는 공정 챔버 ( 112 ) , 공정 챔버 ( 112 ) 의 내부 에서 , 플라 즈 마 전극 으로 사용 되 는 후방 플레이트 ( 114 ) , 후방 플레이트 ( 114 ) 와 연결 되 며 공정 챔버 ( 112 ) 의 내부 에 소스 가스 를 공급 하 는 가스 공급 관 ( 136 ) , 후방 플레이트 ( 114 ) 의 하부 에 위치 하 며 , 다수 의 분사 홀 ( 116 ) 을 가지 는 알루미늄 재질 의 가스 분배 판 ( 118 ) , 플라 즈 마 전극 과 대향 전극 으로 사용 되 며 기판 ( 120 ) 이 안치 되 는 기판 안 치대 ( 122 ) , 공정 챔버 ( 112 ) 의 내부 에서 사용 되 는 반응 가스 및 부산물 을 배출 하 기 위한 배출구 ( 124 ) 로 포함 하 여 구성 된다 .