n 형 반도체 기판 ( 30 ) 의 표면 에 는 , p 웰 층 ( 35 ) 이 형성 되 어 있 다 . PD ( 11 ) , VCCD ( 31 ) , 소자 분리 부 ( 32 ) , 판독 게이트 트랜지스터 ( 33 ) 는 , p 웰 층 ( 35 ) 의 표층 에 형성 되 어 있 다 . CCD 이미지 센서 ( 10 ) 는 , 주지 하 고 있 는 CVD ( 화학 기상 퇴적 법 ) 나 PVD ( 스퍼터링 , 물리 적 기상 퇴적 법 ) , 도핑 , 포토 리소그래피 , 에칭 등 의 기술 을 이용 하 여 n 형 반도체 기판 ( 30 ) 위 에 각 부 를 형성 함 으로써 제조 된다 .