또한 , 본 실시 형태 의 도너 가 되 는 불순물 원소 가 포함 되 는 미결정 반도체 막 ( 58 ) 에 는 , 도너 가 되 는 불순물 원소 가 포함 되 기 때문 에 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 58 ) 에 , 억셉터 가 되 는 불순물 원소 를 , 성막 과 동시 에 , 또는 성막 후 에 첨가 하 는 것 으로 , 임계 치 제어 를 하 는 것 이 가능 해진다 . 억셉터 가 되 는 불순물 원소 로서 는 , 대표 적 으로 는 붕소 이 고 , B 2 H 6 , BF 3 등 의 불순물 기체 를 1 ppm 내지 1000 ppm , 바람직 하 게 는 1 내지 100 ppm 의 비율 로 수소 화 규소 에 혼입 시키 면 좋 다 . 그리고 붕소 의 농도 는 , 도너 가 되 는 불순물 원소 의 10 분 의 1 정도 , 예 를 들 면 1 × 1014 내지 6 × 1016 atoms / ㎤ 로 하 면 좋 다 .