상기 절연 층 ( 20 ) 및 하부 전극 층 ( 30 ) 은 증착 의 방식 을 통해 기판 ( 10 ) 에 형성 되 고 , 상기 희생 층 ( 21 ) 은 상기 캐 비티 ( 25 ) 를 충전 하 는 데 사용 되 며 , 이 로써 상기 캐 비티 ( 25 ) 의 형성 을 위한 공법 플랫 폼 을 제공 하 여 반도체 공법 의 정상 적 인 진행 이 용이 해 지 도록 한다 .