본 발명 은 상술 한 문제점 을 해결 하 기 위한 것 으로서 , 기판 상 에 분사 되 는 소스 가스 와 반응 가스 를 공간 적 으로 분리 하 여 기판 에 증착 되 는 박막 의 증착 균 일도 를 증가 시키 고 , 박막 의 막 질 제어 를 용이 하 게 할 수 있 으며 , 챔버 내 에 증착 되 는 누적 두께 를 최소 화 하 여 파티클 을 개선 할 수 있 도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 을 제공 하 는 것 을 기술 적 과제 로 한다 .