구체 적 으로 , 차 광층 ( 20 ) 과 중첩 되 는 영역 및 상기 제 2 내지 제 4 개 구 패턴 ( 02 , 03 , 04 ) 에서 노출 된 영역 의 하프톤 물질 층 ( HTL ) 은 하프톤 부 ( 31 ) 가 되 고 , 상기 제 1 및 제 5 개 구 패턴 ( O 1 , O 5 ) 에서 노출 된 영역 의 하프톤 물질 층 ( HTL ) 은 더미 하프톤 부 ( 32 ) 가 된다 . 상기 차 광층 ( 20 ) 및 하프톤 층 ( 30 ) 을 형성 하 는 식각 공정 이 종료 하 면 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( PR 2 ) 을 제거 하 는 스트립 공정 을 수행 한다 . 이 에 따라 , 도 7 내지 도 8 에 도시 한 본 발명 의 제 2 실시 예 에 따른 마스크 가 완성 된다 .