상기 복수 의 발광 구조물 ( P 1 , P 2 , … ) 을 이루 는 상기 애 퍼 쳐 층 ( 117 a , 117 b , … ) 은 상기 활성 층 ( 115 a , 115 b , … ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 상기 애 퍼 쳐 층 ( 117 a , 117 b , … ) 은 중심부 에 원형 의 개구부 가 포함 될 수 있 다 . 상기 애 퍼 쳐 층 ( 117 a , 117 b , … ) 은 상기 활성 층 ( 115 a , 115 b , … ) 의 중심부 로 전류 가 집중 되 도록 전류 이동 을 제한 하 는 기능 을 포함 할 수 있 다 . 즉 , 상기 애 퍼 쳐 층 ( 117 a , 117 b , … ) 은 공진 파장 을 조정 하 고 , 상기 활성 층 ( 115 a , 115 b , … ) 으로부터 수직 방향 으로 발광 하 는 빔 각 을 조절 할 수 있 다 . 상기 애 퍼 쳐 층 ( 117 a , 117 b , … ) 은 SiO 2 또는 Al 2 O 3 와 같 은 절연 물질 을 포함 할 수 있 다 . 또한 , 상기 애 퍼 쳐 층 ( 117 a , 117 b , … ) 은 상기 활성 층 ( 115 a , 115 b , … ) , 제 1 도전 형 DBR 층 ( 110 a , 110 b , … ) 및 제 2 도전 형 DBR 층 ( 120 a , 120 b , … ) 보다 높 은 밴드 갭 에너지 를 가질 수 있 다 .