이어서 , 게이트 층 ( 110 a ) , 한 쌍 의 불순물 영역 ( 114 a , 114 b ) , 사이드 월 절연 층 ( 118 ) 등 을 덮 도록 절연 층 을 형성 한다 . 그리고 , 한 쌍 의 불순물 영역 ( 114 a , 114 b ) 의 일부 에 대하 여 붕소 ( B ) , 인 ( P ) , 비소 ( As ) 등 을 첨가 하 여 , 한 쌍 의 고농 도 불순물 영역 ( 120 a , 120 b ) 을 형성 한다 ( 도 13 e 참조 ) . 그 후 , 상기 절연 층 을 제거 하 고 , 게이트 층 ( 110 a ) , 사이드 월 절연 층 ( 118 ) , 한 쌍 의 고농 도 불순물 영역 ( 120 a , 120 b ) 등 을 덮 도록 금속 층 ( 122 ) 을 형성 한다 ( 도 13 e 참조 ) . 금속 층 ( 122 ) 은 진공 증착 법 이나 스퍼터링 법 , 스핀 코팅 법 등 의 각종 성막 방법 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 금속 층 ( 122 ) 은 , 반도체 영역 ( 104 ) 을 구성 하 는 반도체 재료 와 반응 하 여 저 저항 의 금속 화합물 이 되 는 금속 재료 를 사용 하 여 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이러 한 금속 재료 로서 는 , 예 를 들 어 티타늄 , 탄탈 , 텅스텐 , 니켈 , 코발트 , 백금 등 이 있 다 .