그 결과 , 바탕 층 의 손실 억제 ( 바탕 층 의 손상 저감 ) 를 도모 할 수 있 다 . 또한 , 홀 ( H ) 의 개구 상부 의 폐색 을 억제 함 으로써 , 산화 실리콘 층 ( 140 ) 의 에칭 형상 이 보잉 ( bowing ) 형상 으로 되 는 일 없이 보다 수직 으로 할 수 있 다 . 또한 , 폐색 을 억제 하 여 홀 ( H ) 입구 의 개구 칫 수 를 확보 함 으로써 , 홀 ( H ) 입구 로 들어오 는 전구체 의 양 , 희가스 의 이온 량 이 증가 하 고 , 그 결과 , 홀 ( H ) 바닥 에 까지 도달 하 는 전구체 , 희가스 의 이온 이 증가 하 므로 , 에칭 대상 막 의 에칭 을 촉진 함 으로써 스루풋 ( throughput ) 의 향상 으로 도 이어지 며 , 또한 보호막 으로서 폴리머 ( 105 ) 가 보다 효과 적 으로 형성 된다 .