본 발명 의 실시 예 는 도 1 에 도시 된 예시 적 인 어레이 ( 100 ) 로 제한 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 어 , 특정 메모리 셀 과 연관 된 액세스 디바이스 ( 101 ) 는 MOSFET 와 는 다른 디바이스 일 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 액세스 디바이스 ( 101 ) 는 다른 유형 의 액세스 디바이스 중 에서 바이 폴러 접합 트랜지스터 ( BJT ) 또는 다이오드 ( 예 를 들 어 , p - n 다이오드 , 쇼트 키 다이오드 또는 제너 다이오드 ) 일 수 있 다 . 도 1 에 도시 되 지 는 않 았 지만 , 이 기술 분야 에 통상 의 지식 을 가진 자 라면 위상 변화 메모리 어레이 ( 100 ) 는 제어기 및 여러 기록 / 판독 회로 및 / 또는 다른 제어 회로 를 포함 하 는 다른 메모리 성분 에 연결 될 수 있 다는 것 을 이해 할 수 있 을 것 이 다 .