상기 제 2 마스크 패턴 을 식각 마스크 로 사용 하 여 상기 도전 막 ( 118 ) , 유전 막 ( 116 ) , 예비 플로팅 게이트 전극 ( 104 a ) 및 제 1 절 연막 패턴 ( 112 a ) 의 일부 를 차례 로 식각 한다 . 이 로써 , 터널 절 연막 ( 102 a ) , 플로팅 게이트 전극 ( 104 b ) , 유전 막 ( 116 ) 및 콘트롤 게이트 전극 ( 118 a ) 을 포함 하 는 구조물 이 형성 된다 . 또한 , 상기 구조물 사이 에 는 개구부 ( 120 ) 가 생성 된다 . 상기 플로팅 게이트 전극 ( 104 b ) 은 고립 된 패턴 형상 을 갖 고 , 상기 액티브 영역 의 기판 상부 면 을 따라 규칙 적 으로 배치 된다 .