도 10 을 도 2 와 결부 하 면 , 본 발명 에 따른 제 1 변형 예의 화소 ( P ) 는 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터 ( ST 1 , ST 2 ) 와 구동 트랜지스터 ( DT ) 및 커패시터 ( Cst ) 를 포함 하 는 화소 회로 ( PC ) , 및 발광 소자 ( OLED ) 를 포함 하 여 구성 된다 . 이러 한 구성 을 가지 는 제 1 변형 예의 화소 ( P ) 는 상기 제 1 스위칭 트랜지스터 ( ST 1 ) 의 제 1 전극 이 더미 라인 ( Mi ) 에 접속 되 고 , 제 2 스위칭 트랜지스터 ( ST 2 ) 의 제 1 전극 이 데이터 라인 ( Di ) 에 접속 되 는 것 을 제외 하 고는 , 전술 한 도 3 에 도시 된 화소 와 동일 하 게 구성 된다 . 즉 , 상기 더미 라인 ( Mi ) 과 상기 데이터 라인 ( Di ) 의 위치 는 화소 배치 구조 및 라인 연결 구조 를 용이 하 게 하 기 위해 변경 된 것 이 다 .