본원 에 개시 된 다양 한 구 현예 에서 , 가스 종 또는 플 라즈 마 종 의 체류 시간 의 조절 은 플 라즈 마 에칭 반응기 에서 사용 될 수 있 다 . 따라서 , 일부 구 현예 에서 , 장치 ( 1 ) 는 플 라즈 마 에칭 반응기 와 함께 사용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 당업 계 에 공지 된 바 와 같이 , RF 플 라즈 마 반응기 의 경우 , 원 격식 플라 즈 마는 , 샤워 헤드 ( 10 ) 내부 ( 플라 즈 마 전극 으로서 작용 하 는 샤워 헤드 ( 10 ) 의 상부 ( 12 ) 및 하부 부분 ( 14 ) ) 에 , 또는 반응 챔버 ( 3 ) 내부 ( 샤워 헤드 장치 ( 10 ) 및 서 셉 터 ( 5 ) 및 / 또는 플 라즈 마 전극 으로서 작용 하 는 반응 챔버 ( 3 ) 벽 ) 에서 인시 츄 로 형성 될 수 있 다 . 본원 에 개시 된 구 현예 는 플 라즈 마 자체 를 조절 하 는 데 또한 적용 될 수 있 다 . 다른 구 현예 에서 , 본원 에 개시 된 장치 ( 1 ) 는 , 플라 즈 마 에칭 반응기 가 아닌 에칭 반응기 , 및 / 또는 증착 공정 에 사용 되 지 않 는 반응기 에서 사용 될 수 있 다 .