도 2 a 는 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 프로세스 를 도시 한다 . 도 2 b 내지 도 2 i 는 도 2 a 의 프로세스 에 의해 수정 된 기판 을 도시 한다 . 하나 의 실시 예 는 , 단계 ( 250 ) 에서 처럼 , 실리콘 - 함유 기판 의 표면 상 에 도 펀트 원자 들 의 층 을 증착 하 는 것 으로 시작 된다 . 트랜지스터 들 의 소스 드레 인 영역 들 을 형성 하 는 데 일반 적 으로 이용 되 는 도 펀트 원자 들 은 붕소 ( B ) , 인 ( P ) , 비소 ( As ) , 게르마늄 ( Ge ) , 및 실리콘 ( Si ) 을 포함 하 지만 이 들 에 제한 될 필요 는 없 다 . 질소 ( N ) , 탄소 ( C ) , 산소 ( O ) , 헬륨 ( He ) , 제논 ( Xe ) , 아르곤 ( Ar ) , 불소 ( Fl ) , 및 염소 ( Cl ) 또한 다른 필요 들 때문 에 기판 들 에 주입 된다 . 본 발명 의 실시 예 들 로서 이곳 에서 기술 되 는 프로세스 들 은 최소 수정 으로 임의 의 적합 한 도 펀트 를 제거 하 기 위해 이용 될 수 있 다 . 증착 - 우선 프로세스 에서 , 도 펀트 층 ( 202 ) 은 깊이 에 있 어서 약 100 옹스트롬 까지 , 바람직 하 게 약 50 옹스트롬 까지 일 수 있 다 . 도 2 b 는 도 펀트 층 ( 202 ) 이 그 위 에 증착 된 기판 ( 200 ) 을 도시 한다 .