다음 으로 , 도 12 에서 , 상부 포토레지스트 ( 88 ) 의 패턴 은 기판 ( 50 ) 을 향해 연장 되 고 , 예컨대 플 라즈 마 에칭 공정 과 같 은 등방성 에칭 공정 을 사용 하 여 BARC 층 ( 86 ) 에 전사 됨 에 따라 , 개구부 ( 71 ) 아래 에 있 는 P 타입 일함수 층 ( 84 ) 의 부분 이 노출 되 게 된다 . 상부 포토레지스트 ( 88 ) 는 또한 이방성 에칭 공정 에 의해서 도 제거 될 수 있 다 .