일 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 1 박막 ( 10 ) 을 형성 하 는 단계 의 공정 온도 는 , 175 ℃ 초과 250 ℃ 미만 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 1 박막 ( 10 ) 을 형성 하 는 단계 의 온도 가 200 ℃ 인 경우 , 전기 적 특성 ( ex . 전자 이동도 , hysteresis ) 이 우수 한 산화물 반도체 박막 ( 100 ) 이 제조 될 수 있 다 .