제 1 및 제 2 의 본 발명 에 있 어서 , 배선 기판 ( 100 A , 100 a , 100 B , 100 C , 100 c , 100 D ) 의 적층 은 열 압착 에 의해 이루어지 는 것 이 바람직 하 고 , 특히 180 ℃ 이상 320 ℃ 미만 , 3 ㎫ 이상 10 ㎫ 미만 , 10 분 이상 120 분 이하 의 조건 에서 이루어지 는 것 이 바람직 하 다 . 이러 한 조건 에서 열압 착함 으로써 , 보다 효과 적 으로 금속 확산 접합 을 발생 시킬 수 있 다 .