전술 한 게이트 구조 체 는 게이트 ( 5 ) 와 제 5 실리사이드 층 ( 15 ) 을 포함 할 수 있 지만 , 반드시 이 구성 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 전술 한 게이트 구조 체 는 게이트 로서 의 역할 을 해낼 수 있 는 구성 이 면 된다 . 전술 한 게이트 구 조체 를 게이트 ( 5 ) 와 제 5 실리사이드 층 ( 15 ) 으로 구성 하 는 경우 , 전형 적 으로 는 아래 와 같이 구성 할 수 있 다 . 게이트 ( 5 ) 는 불순물 이 도입 된 폴리 실리콘 막 으로 구성 할 수 있 다 . 불순물 의 농도 는 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 전형 적 으로 는 2 E 20 [ 1 / ㎤] 여도 된다 . 폴리 실리콘 막 의 두께 는 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 전형 적 으로 는 150 ㎚ 여도 된다 . 게이트 길이 는 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 전형 적 으로 는 130 ㎚ 여도 된다 . 게이트 폭 은 특별히 한정 되 는 것 은 아니 다 . 제 5 실리사이드 층 ( 15 ) 은 금속 실리사이드 화 반응 에 의해 형성 할 수 있 다 . 폴리 실리콘 막 의 실리콘 원자 와 실리사이드 반응 시키 는 금속 으로 는 , 전형 적 으로 는 고 융점 금속 이 어도 되 고 , 예 를 들 어 , Co ( 코발트 ) 여도 된다 . 코발트 실리사이드 층 을 폴리 실리콘 층 상 에 형성 하 는 경우 , 그 막 두께 는 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 예 를 들 어 150 ㎚ 여도 된다 . 제 5 실리사이드 층 ( 15 ) 의 게이트 길 이 방향 및 게이트 폭 방향 의 치수 는 , 게이트 ( 5 ) 의 그것 과 동일 하 다 .