실시 형태 5 와 같이 , 도 22 a 에 도시 하 는 바 와 같이 , 기판 ( 50 ) 위 에 게이트 전극 ( 251 ) 및 공통 선 ( 256 ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 게이트 전극 ( 251 ) , 공통 선 ( 256 ) 위 에 게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 위 에 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 258 a ) , 및 제 1 버퍼 층 ( 262 a ) 을 형성 한다 . 제 1 버퍼 층 ( 262 a ) 및 게이트 절 연막 ( 52 b ) 위 에 제 2 버퍼 층 ( 41 ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 제 2 버퍼 층 ( 41 ) 위 에 , 1 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 불순물 반도체 막 ( 55 ) 을 형성 한다 .