본 발명 의 또 다른 형태 에 따르 면 , 처리 용기 내 의 기판 에 대하 여 소정 원소 및 , 염소 및 탄소 중 적어도 어느 하나 를 포함 하 는 원료 가스 를 공급 함 으로써 , 상기 기판 상 에 소정 원소 함유층 을 형성 하 는 공정 과 , 상기 처리 용기 내 의 상기 기판 에 대하 여 활성 화 된 질소 를 포함 하 는 가스 를 공급 함 으로써 , 상기 소정 원소 함유층 을 질화 층 으로 개질 하 는 공정 과 , 상기 처리 용기 내 의 상기 기판 에 대하 여 활성 화 된 산소 를 포함 하 는 가스 를 공급 함 으로써 , 상기 질화 층 을 산화층 또는 산질 화 층 으로 개질 하 는 공정 을 1 사이클 로 하 고 , 이 사이클 을 복수 회 반복 함 으로써 , 상기 기판 상 에 소정 막 두께 의 산화 막 또는 산질 화 막 을 형성 하 는 기판 처리 방법 이 제공 된다 .