도 1 d 는 제거 한 후 의 NAND 소자 ( 100 ) 를 나타낸다 . 그러나 , 라이너 ( 160 ) 및 / 또는 플러그 충 진체 ( 170 ) 를 제거 하 기 위해 사용 된 화학 물질 에 의해 , 화학 물질 은 잔류물 ( 180 ) 을 남기 고 / 남기 거나 질화물 층 ( 120 ) 또는 산화물 층 ( 130 ) 에 손상 ( 190 ) 을 만들 수 있 다 . 잔류물 ( 180 ) 과 손상 ( 190 ) 은 NAND 소자 ( 100 ) 를 사용 할 수 없 게 한다 . 또한 , 라이너 ( 160 ) 와 플러그 충 진체 ( 170 ) 의 제거 는 느린 식각 속도 로 수행 될 수 있 으며 , 이 는 라이너 ( 160 ) 와 플러그 충 진체 ( 170 ) 를 제거 하 는 시간 이 바람직 하 지 않 게 길 어 질 수 있 음 을 의미 한다 . 이 는 , 예 를 들 어 ( 111 ) 결정 화 배향 으로 재결정 화 된 실리콘 또는 실리콘 을 형성 하 는 플러그 충 진체 ( 170 ) 의 결과 를 가질 수 있 다 . 재결정 화 된 실리콘 은 , 추가 적층 체 를 형성 하 는 경우 에 어닐링 공정 으로 인해 생길 수 있 다 .