물론 , 트랩 층 적층 물 ( 710 ) 은 제 1 N 형 확산 영역 ( 420 ) 또는 제 2 N 형 확산 영역 ( 610 ) 의 일부분 을 커버 하 지 않 고 , 실리콘 기둥 ( 520 ) 의 측면 에 형성 될 수 도 있 음 은 자명 하 다 . 그러나 , 이러 한 경우 에 도 각각 의 트랩 층 적층 물 ( 710 ) 은 제 1 N 형 확산 영역 ( 420 ) 또는 제 2 N 형 확산 영역 ( 610 ) 근처 로 치우쳐서 형성 되 는 것 이 보다 바람직 할 수 있 다 . 각각 의 트랩 층 적층 물 ( 710 ) 이 독립 적 으로 전자 들 을 트랩 할 수 있 도록 하 기 위함 이 다 .