도 4 는 본 발명 에 따른 공정 의 추가 경로 를 도시 한다 . 사전 처리 가공 S 1 , 예컨대 파쇄 , 그라인딩 , 체질 , 마그네 틱 및 중력 분리 및 부유 후 에 , 석영 분말 은 산 S 2 . 1 , 예컨대 플루오르화 수소산 및 염산 의 혼합물 로 침출 되 고 , 관심 있 는 RE 마이크 로 입자 의 제 1 부분 을 제거 하 기 위하 여 제 1 세 척 및 세정 단계 S 3 . 1 이 수행 된다 . 건조 단계 S 4 후 에 고온 염소 화 S 6 이 수행 되 고 , 동일 하 거나 유사 한 산 으로 의 제 2 산 침출 단계 S 2 . 2 가 수행 된 후 , 제 2 세 척 및 세정 단계 S 3 . 2 가 RE 마이크 로 입자 의 추가 의 제거 를 제공 한다 . 세정 에 의한 RE 마이크 로 입자 의 이 두 번 째 제거 는 제 1 세정 단계 S 3 . 1 후 에 수행 된 고온 염소 화 단계 S 6 이 RE 마이크 로 입자 의 추가 의 방출 로 이어질 것 이 기 때문 에 특히 유리 하 다 . 마지막 으로 , 건조 S 4 및 패킹 S 5 의 통상 적 인 공정 단계 가 수행 된다 . 도 4 의 이 구 현예 는 최고 순도 의 석영 분말 을 달성 한다 .