이러 한 본 발명 의 탄소 도프 실리콘 단결정 웨이퍼 의 제조 방법 에 의해 제조 된 탄소 도프 실리콘 단결정 웨이퍼 는 , 탄소 가 도프 되 고 , 공공 을 갖 는 실리콘 단결정 웨이퍼 로서 , 실리콘 단결정 의 표면 으로부터 0 . 1 μ m 의 깊이 의 범위 에 있 어서 , 탄소 농도 가 1 × 1017 atoms / cm 3 이상 으로 한 탄소 도프 실리콘 단결정 웨이퍼 이 다 . 또한 , 탄소 도프 실리콘 단결정 웨이퍼 의 표면 으로부터 0 . 1 μ m 보다 깊 은 영역 에 있 어서 , 탄소 농도 가 1 × 1015 atoms / cm 3 이상 인 것 이 바람직 하 다 .