종래 기술 에 따른 SAFG 공정 은 비트 라인 방향 으로 형성 된 트렌치 내부 에 소자 분리 막 을 형성 한 후 이웃 하 는 소자 분리 막 사이 에 자기 정렬 되 도록 플로팅 게이트 용 폴리 실리콘 막 을 형성 한 다음 , 워드 라인 ( word line ) 방향 으로 컨트롤 게이트 용 폴리 실리콘 막 을 식각 할 때 플로팅 게이트 용 폴리 실리콘 막 을 함께 식각 하 여 플로팅 게이트 를 형성 한다 .