먼저 , 고농도 의 P 형 불순물 이 도핑 된 P + 기판 ( 11 ) 상 에 저 농도 P 형 불순물 이 도핑 된 P 형 에 피층 ( 12 ) 을 성장 시킨 다음 , P 형 에 피층 ( 12 ) 의 소정 부분 에 LOCOS ( Local oxidation of silicon ) 법 으로 단위 화 소간 격리 를 위한 필드 절 연막 ( 13 ) 을 형성 한다 .