이어서 , 도 1 d 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 게이트 절 연막 ( 40 ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 게이트 트랜 치 ( 30 ) 내부 에 매립 된 제 1 폴리 실리콘 막 ( 50 ) 을 노출 시키 는 질화 막 마스크 패턴 ( 60 ) 을 형성 한다 . 즉 , 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 질화 막 과 감광막 을 순차 적 으로 형성 한다 . 마스크 를 이용 한 노광 및 현상 을 통해 감광막 마스크 패턴 을 형성 한다 . 감광막 마스크 패턴 은 게이트 트랜 치 ( 30 ) 영역 을 노출 시킨다 . 감광막 마스크 패턴 을 식각 마스크 로 하 는 식각 공정 을 통해 질화 막 을 제거 하 여 질화 막 마스크 패턴 ( 60 ) 을 형성 한다 . 이후 , 감광막 마스크 패턴 을 제거 한다 .