즉 , 비트 수 가 증가 함 에 따라서 , 메모리 셀 트랜지스터 MT 가 취할 수 있 는 임계 값 전압 의 범위 는 넓 게 된다 . 다시 말 하 면 , 임계 값 전압 의 상한 이 높 아 진다 . 따라서 , 프로그램 의 횟수 를 늘릴 필요 가 있 다 . 즉 , VPGM 의 값 이 커지 게 된다 . 그 때문 에 ， 비트 수 가 증가 할수록 , 비 선택 셀 에서 는 오 기 입 이 생기 기 쉬운 상황 이 발생 한다 . 또한 ， 비트 수 가 증가 할수록 , 데이터 기입 의 과정 에서 의 비 선택 셀 의 비율 이 증가 한다 . 즉 , 오 기입 이 생기 기 쉬운 조건 하 에서 비 선택 셀 의 수 가 증가 한다고 하 는 상황 이 생긴다 . 따라서 , 이 와 같 은 다치 NAND 형 플래시 메모리 에서 본 실시 양태 를 적용 함 으로써 , VPGM 이 커졌 다고 하 여도 오 기 입 의 발생 을 억제 할 수 있 다고 하 는 효과 가 현저 하 게 된다 .