PMOS 소자 를 표면 채널 로 형성 하 기 위해서 는 n 형 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 막 상 에 PMOS 소자 가 형성 될 영역 을 선택 적 으로 노출 하 는 포토레지스트 막 패턴 을 형성 하 고 , 포토레지스트 막 패턴 에 의해 노출 된 영역 에 보론 과 같 은 P 형 불순물 이온 을 고농도 로 주입 하 여야 한다 . 그런데 , 불순물 이온 을 주입 하 는 과정 에서 , 포토 포토레지스트 막 패턴 상부 가 경화 될 수 있 다 . 경화 된 포토 포토레지스트 막 은 이후 , 스트립 ( strip ) 공정 에서 완전히 제거 하 지 못하 고 , 포토레지스트 잔류물 ( residue ) 을 발생 시킬 수 있 다 . 이 와 같 은 포토레지스트 잔류물 은 후속 세정 공정 에서 도 잘 제거 되 지 않 아 후속 의 게이트 패 터닝 과정 에서 게이트 전극 간 의 단락 이나 브리지 와 같 은 문제점 을 발생 시키 는 요인 으로 작용 하 고 있 다 .