본 발명 의 일부 실시 태양 에서 , 상기 촉매 ( 20 ) 를 박막 층 이 되 도록 상기 기질 상 에 침착 시킨다 . 본 발명 의 일부 실시 태양 에서 , 상기 촉매 ( 20 ) 를 물리 적 증착 전자 빔 증발기 에서 상기 기질 상 에 침착 시킨다 . 그렇 지 않 으면 , 상기 기질 ( 10 ) 을 콜로이드 촉매 내 로 침지 시킬 수 도 있 다 . 이러 한 경우 들 에서 , 상기 촉매 를 분리 된 섬 들 로 분리 시켜 후속 의 나노 구조 성장 을 허용 하 도록 하 는 후속 단계 가 요구 된다 . 예 를 들 어 , 본 발명 의 일부 실시 태양 에서 , 니켈 촉매 ( 20 ) 박막 층 을 상기 기질 ( 10 ) 상 에 배치 한다 . 이어서 상기 박막 층 에 열 을 가하 며 , 따라서 도 2 ( b ) 에 도시 된 바 와 같이 상기 니켈 이 액화 되 고 액체 촉매 ( 30 ) 의 비드 를 형성 한다 . 본 발명 의 일부 실시 태양 에서 , 상기 기질 ( 10 ) 및 촉매 ( 20 ) 를 수평 의 고온 벽 화학 증착 노 ( a horizontanl hot walled chemical vapor deposition furnace ) 에서 대략 500 ℃ 로 가열 한다 .