우선 , 도 6 a 에 나타낸 공정 에 있 어서 의 반도체 장치 에서 는 , 실리콘 으로 이루어지 는 반도체 기판 ( 피 처리 기판 ( W ) 에 상당 ) 상 에 형성 된 MOS 트랜지스터 등 의 소자 ( 도시 하 지 않 음 ) 를 덮 듯이 , 예컨대 실리콘 산화 막 으로 이루어지 는 절연 층 ( 층간 절연 층 ) ( 201 ) 이 형성 되 어 있 다 . 또한 , 해당 소자 에 전기 적 으로 접속 되 어 있 는 , 예컨대 W ( 텅스텐 ) 로 이루어지 는 배선 층 ( 도시 하 지 않 음 ) 과 , 이것 에 접속 된 ， 예컨대 Cu 로 이루어지 는 배선 층 ( 202 ) 이 형성 되 어 있 다 .