또한 , 실시 형태 2 의 도 7 c 및 도 7 d 의 트랜지스터 에 있 어서 는 , 게이트 에 가깝 고 , 또 소스 와 드레 인 에 접하 는 산화물 반도체 층 계면 을 캐리어 가 흐르 는 구조 가 된다 . 즉 , 전류 는 산화물 반도체 적층 의 두께 방향 ( 한쪽 의 면 으로부터 다른 쪽 면 에 흐르 는 방향 , 구체 적 으로 도 7 d 에서 는 상하 방향 ) 에 는 흐르 기 어렵 고 , 주로 산화물 반도체 적층 의 한쪽 의 계면 을 흐른다 . 따라서 , 트랜지스터 가 광 이나 BT 등 의 스트레스 를 받 아도 트랜지스터 특성 의 열화 는 억제 또는 저감 된다 .