다음 , 상기 버퍼 층 ( 103 ) 이 형성 된 기판 ( 101 ) 을 상기 버퍼 층 ( 103 ) 을 형성 하 기 위한 챔버 ( 190 ) 내 에 그대로 위치 시킨 상태 에서 상기 버퍼 층 ( 103 ) 을 형성 하 기 위한 혼합 가스 분위기 ( SiH 4 / N 2 , SiH 4 / NH 3 , SiH 4 / N 2 O 혼합 가스 분위기 중 하나 ) 에서 SiH 4 / H 2 의 혼합 가스 분위기 로 바꾼 후 , 상기 챔버 ( 190 ) 내 에 플 라즈 마 를 형성 함 으로써 상기 버퍼 층 ( 103 ) 위 로 1200 Å 내지 2000 Å 정도 의 제 1 두께 ( t 1 ) 를 갖 는 제 1 순수 비정질 실리콘 층 ( 109 ) 을 형성 한다 . 이때 상기 버퍼 층 ( 103 ) 의 형성 공정 을 생략 함 으로써 상기 버퍼 층 ( 103 ) 의 형성 없이 상기 기판 ( 101 ) 상 에 직접 상기 제 1 순수 비정질 실리콘 층 ( 109 ) 을 형성 할 수 도 있 다 . 상기 버퍼 층 ( 103 ) 은 본 발명 의 특성 상 교류 자기장 결정화 를 진행 해야 하 는데 , 이 경우 700 ℃ 내지 750 ℃ 정도 의 열처리 공정 이 동시 에 진행 되 며 상기 열처리 공정 진행시 에 의해 발생 하 는 열 로 인해 상기 기판 ( 101 ) 이 유리 재질 인 경우 그 내부 에 존재 하 는 알칼리 이온 , 예 를 들 면 칼륨 이온 ( K +), 나트륨 이온 ( Na +) 등 이 발생 할 수 있 으며 , 이러 한 알칼리 이온 에 의해 결정 화 된 반도체 층 의 막 특성 이 저하 되 는 것 을 방지 하 기 위함 이 다 .