또한 , 실리콘 기둥 ( 520 ) 이 형성 된 후 , 게이트 절 연막 ( 510 ) 이 도 5 b 에 도시 된 바 와 같이 실리콘 기둥 ( 520 ) 사이 에 형성 될 수 있 다 . 이때 , 게이트 절 연막 ( 510 ) 은 실리콘 기둥 ( 520 ) 의 상부 에서 게이트 절 연막 ( 510 ) 상부 까지 의 깊이 가 150 nm 가 되 도록 형성 될 수 있 다 . 여기 서 , 게이트 절 연막 ( 510 ) 은 제 1 N 형 확산 영역 ( 420 ) 과 이후 에 설명 될 게이트 의 접촉 을 방지 하 기 위한 절 연막 일 수 있 다 .