상기 제 2 식각 배리 어 도전 패턴 ( 162 b ) 은 상기 확산 배리 어 도전 패턴 ( 164 b ) 에 대하 여 식각 선택 비 를 갖 는 도전 성 금속 질화물 을 포함 할 수 있 다 . 예컨대 , 상기 확산 배리 어 도전 패턴 ( 164 b ) 은 질화 티타늄 을 포함 할 수 있 으며 , 상기 제 2 식각 배리 어 도전 패턴 ( 162 b ) 은 질화 탄탈 늄 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 확산 배리 어 도전 패턴 ( 164 b ) 은 상기 제 2 금속 패턴 ( 170 b ) 으로부터 확산 된 금속 원소 를 더 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 게이트 전극 ( 175 a ) 에 포함 된 제 1 식각 배리 어 도전 패턴 ( 162 a ) 은 상기 제 2 식각 배리 어 도전 패턴 ( 162 a ) 과 동일 한 물질 을 포함 할 수 있 다 . 이 에 더 하 여 , 상기 제 1 식각 배리 어 도전 패턴 ( 162 a ) 은 상기 제 1 금속 패턴 ( 170 a ) 으로부터 확산 된 금속 원소 를 더 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 금속 패턴 ( 170 b ) 은 상기 제 2 금속 함유 패턴 ( 115 a ) 보다 낮 은 비저항 을 갖 는 금속 원소 를 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 1 및 제 2 금속 패턴 들 ( 170 a , 170 b ) 은 서로 동일 한 금속 원소 를 포함 할 수 있 다 . 예컨대 , 상기 제 2 금속 패턴 ( 170 b ) 은 알루미늄 을 포함 할 수 있 다 . 이 에 더 하 여 , 상기 제 1 및 제 2 금속 패턴 들 ( 170 a , 170 b ) 은 점착 층 ( glue layer ) 을 더 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 금속 패턴 ( 170 a ) 에 포함 된 점착 층 은 상기 제 1 식각 배리 어 도전 패턴 ( 162 a ) 과 접촉 될 수 있 으며 , 상기 제 2 금속 패턴 ( 170 b ) 에 포함 된 점착 층 은 상기 확산 배리 어 도전 패턴 ( 164 b ) 과 접촉 될 수 있 다 . 상기 제 1 및 제 2 금속 패턴 들 ( 170 a , 170 b ) 에 포함 된 점착 층 들 은 티타늄 등 을 포함 할 수 있 다 .