환언 하 면 , 본 발명 의 도전 성막 ( 4 ) 을 , ( A ) 도전 성막 에 함유 된 제 1 입자 의 비율 이 2 ％ 이상 30 ％ 이하 의 범위 에서 는 , 저 항비 를 5 이상 1000 이하 로 설정 하 고 , ( B ) 도전 성막 에 함유 된 제 1 입자 의 비율 이 30 ％ 보다 크 고 40 ％ 이하 의 범위 내 에서 는 , 저 항비 를 5 이상 800 이하 로 설정 하 며 , ( C ) 도전 성막 에 함유 된 제 1 입자 의 비율 이 40 ％ 보다 크 고 60 ％ 이하 의 범위 내 에서 는 , 저 항비 를 5 이상 400 이하 로 설정 한다 .