위 와 같 은 플 라즈 마 질화 공정 시 양극 전압 을 걸 어 주 는데 , 양극 전압 은 도 3 에서 살펴본 바 와 같이 척 ( 100 ) 에 인가 한다 . 이 처럼 양극 전압 ( positive bias ) 을 가해 주 면 질소 에 반발 력 ( repulsive force ) 을 형성 시켜 질소 의 에너지 를 감소 시키 게 된다 . 이때 , 양극 전압 은 전자 가 실리콘 기판 의 표면 에 손상 을 가하 거나 질소 가 게이트 산화 막 을 질화 시키 는 것 을 방해 하 지 않 는 범위 내 에서 가해 주 어야 한다 .