No . 21 내지 No . 23 의 도전 성막 ( 4 ) 을 구비 한 샘플 의 제 1 보조 전극 ( 2 ) 과 제 2 보조 전극 ( 3 ) 의 사이 의 저항 값 을 측정 하 여 , " "" 통전 포 밍 "" 처리 전 ", 후 의 , 제 1 보조 전극 ( 2 ) 과 제 2 보조 전극 ( 3 ) 의 사이 의 저항 값 이 2 자리 수 이상 ( 100 배 이상 ) 증가 하 고 있 다는 것 을 알 수 있 었 다 . 또 , 전자 현미경 에서 간극 ( 7 ) 의 형태 를 관찰 한 결과 , No . 21 내지 No . 23 의 도전 성막 ( 4 ) 을 구비 한 샘플 에서 는 , " 제 1 보조 전극 ( 2 ) 과 제 2 보조 전극 ( 3 ) 이 대향 하 는 방향 과 는 실질 적 으로 직교 하 는 방향 에 있 어서 의 도전 성막 ( 4 ) 의 한쪽 끝 에서 다른 쪽 끝 까지 간극 ( 7 ) 이 연속 적 으로 형성 되 었 다 . No . 20 및 No . 24 의 도전 성막 ( 4 ) 을 구비 한 샘플 의 제 1 보조 전극 ( 2 ) 과 제 2 보조 전극 ( 3 ) 의 사이 의 저항 값 은 "" 통전 포 밍 "" 처리 전 ", 후 의 제 1 보조 전극 ( 2 ) 과 제 2 보조 전극 ( 3 ) 의 사이 의 저항 값 이 거의 2 자리 수 증가 하 였 다 . 또 , No . 20 의 도전 성막 ( 4 ) 에 형성 된 간극 ( 7 ) 의 폭 ( 보조 전극 ( 2 ) 과 보조 전극 ( 3 ) 이 대향 하 는 방향 에 있 어서 의 길이 ) 은 매우 넓 었 다 .