본 발명 에 따르 면 , 온도 의 변화 에 따라 소거 동작 조건 을 선택 적 으로 가변 시킬 수 있 다 . 따라서 , 저온 에서 의 소거 동작 시 전자 / 홀 들 의 안정 화 가 충분히 이루어진 후 에 소거 검증 동작 이 수행 될 수 있 게 된다 . 그 결과 , 저온 의 동작 환경 에서 높 은 소거 정확도 와 안정 된 성능 을 보장 할 수 있 고 , 전하 트랩 형 플래시 메모리 장치 의 수명 단축 을 방지 할 수 있 게 된다 .