일 측면 에 의하 면 , 본 발명 은 기판 과 , 상기 기판 위 에 형성 된 강유전체 커패시터 로 이루어진 반도체 장치 에 있 어서 , 상기 강유전체 커패시터 는 하부 전극 과 , 상기 하부 전극 위 에 형성 된 강유전체 막 과 , 상기 강유전체 막 위 에 형성 된 상부 전극 으로 이루어지 고 , 상기 상부 전극 은 화학량론 조성 이 조성 파라미터 x 1 을 사용 하 여 화학식 AOx 1 로 표현 되 고 실제 의 조성 이 조성 파라미터 x 2 를 사용 하 여 화학식 AOx 2 로 표현 되 는 산화물 로 이루어진 제 1 층 과 , 상기 제 1 층 위 에 형성 되 고 , 화학량론 조성 이 조성 파라미터 y 1 을 사용 하 여 화학식 BOy 1 로 표현 되 고 실제 의 조성 이 조성 파라미터 y 2 를 사용 하 여 화학식 BOy 2 로 표현 되 는 산화물 로 이루어진 제 2 층 과 , 상기 제 2 층 위 에 형성 된 금속 층 으로 이루어지 고 , 상기 제 2 층 은 상기 제 1 층 보다 산화 의 비율 이 높 고 ,