일 양태 로서 , 반도체 디바이스 를 형성 하 는 방법 이 제공 된다 . 본 방법 은 , 반도체 층 의 상면 위 에 게이트 유전체 를 형성 하 는 단계 를 포함 한다 . 본 방법 은 , 게이트 유전체 위 에 게이트 스택 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 한다 . 본 방법 은 , 게이트 스택 주변 에 측벽 스 페이서 를 형성 하 는 단계 를 더 포함 한다 . 본 방법 은 , 측벽 스 페이서 를 마스크 로 이용 해서 임 플랜 팅 ( implanting ) 을 행하 여 , 반도체 층 내 에 깊 은 소스 / 드레 인 영역 들 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 한다 . 본 방법 은 , 깊 은 소스 / 드레 인 영역 들 및 게이트 스택 의 상면 상 에 결정 ( crystalline ) 인 실리콘 카본 영역 들 ( silicon carbon regions ) 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 한다 . 본 방법 은 , 니켈 을 이용 하 여 실리콘 카본 영역 들 을 실리사이드 영역 들 로 변환 하 는 단계 를 더 포함 한다 .