또한 , 에지 제거 공정 에 이어서 , 웨이퍼 는 에지 폴리 싱 ( edge polishing ) 및 에지 폴리시 세정 ( edge polish cleaning ) 처리 될 수 있 다 . 에지 폴리시 세정 에서 는 HF 농도 가 일반 적 으로 0 . 02 - 0 . 5 % 인 HF / O 3 용액 이 사용 된다 . 에지 폴리 싱 세정 공정 은 LTO 배면 실 의 두께 를 일반 적 으로 5 - 30 nm 제거 한다 .