다음 으로 , 도 10 ( b ) 에 도시 된 바 와 같이 재료 층 ( 120 ) 상부 에 상술 한 방법 에 의해 비정질 탄소막 ( 130 ) 을 형성 한다 . 즉 , 실온 의 기판 온도 와 진공 상태 에서 C 6 H 6 , C 8 H 18 , C 7 H 8 , C 7 H 16 을 포함 하 는 탄화 수소 화합물 중 적어도 하나 를 조절 하 여 유입 시키 고 고주파 전원 을 조절 하 여 비정질 탄소막 ( 130 ) 을 형성 한다 . 이때 , 탄화 수소 화합물 과 함께 아르곤 ( Ar ) 및 헬륨 ( He ) 중 적어도 어느 하나 를 더 주입 할 수 도 있 다 . 이렇게 형성 된 비정질 탄소막 ( 130 ) 은 재료 층 ( 120 ) 과 높 은 식각 선택 비 를 갖 는 하드 마스크 로서 의 역할 뿐 만 아니 라 반사 방지 막 의 역할 을 하 게 된다 .