8 인치 의 실리콘 웨이퍼 표면 에 스핀 코터 ( 도쿄 일렉트론 사의 「 CLEAN TRACK ACT 8 」 ) 를 사용 하 여 , 상기 조제 한 각 감방 사선 성 수지 조성물 을 도공 하 고 , 90 ℃ 에서 60 초간 PB 를 행하 였 다 . 그 후 , 상기 실리콘 웨이퍼 를 23 ℃ 에서 30 초간 냉각 시키 고 , 평균 두께 50 nm 의 레지스 트 막 을 형성 하 였 다 . 이어서 , 이 레지스 트 막 에 , 간이형 전자선 묘화 장치 ( 히다치 세 이사 꾸 쇼 사의 「 HL 800 D 」 , 출력 : 50 KeV , 전류 밀도 : 5 . 0 A / cm 2 ) 를 사용 하 여 전자선 을 조사 하 였 다 . 조사 후 , 상기 레지스 트 막 에 130 ℃ 에서 60 초간 PEB 를 행하 였 다 . 그 후 , 알칼리 현상액 으로서 의 2 . 38 질량 ％ TMAH 수용액 을 사용 하 여 상기 레지스 트 막 을 23 ℃ 에서 30 초간 현상 하 고 , 그 후 물 로 세정 하 고 , 더욱 건조 시킴 으로써 포지티브 형 레지스 트 패턴 을 형성 하 였 다 .