상기 일반 적 인 반도체 기판 의 리 워크 공정 은 산소 ( O 2 ) 플라 즈 마를 이용 한 에 싱 ( ashing ) 과 같 은 건식 세정 공정 또는 황산 을 포함 하 는 유기 스트리퍼 를 사용 한 습식 세정 공정 을 수행 하 여 이루어진다 . 그러나 , 상기 산소 플 라즈 마 를 이용 한 에 싱 공정 을 적용 하 여 상기 포토레지스트 를 제거 할 경우 노출 된 기판 표면 의 손상 을 초래 하 여 이후 형성 되 는 반도체 소자 의 특성 이 열화 되 는 문제점 이 발생 된다 . 더욱이 , 상기 산소 플 라즈 마 를 이용 한 에 싱 공정 은 포토레지스트 패턴 의 하부 에 존재 하 는 유기 반사 방지 막 까지 함께 제거 되 는 문제점 을 초래 된다 .