이 와 같이 , 본 발명 은 위상 반 전막 의 식각 마스크 로 얇 은 두께 의 금속 막 을 사용 함 에 따라 레지스 트 막 의 두께 를 종래 에 비하 여 매우 박막 화 할 수 있 어 로딩 효과 가 현저히 감소 되 어 식각 공정 후 매우 높 은 정밀도 의 금속 막 패턴 을 형성 할 수 있 으며 , 상기 금속 막 패턴 을 식각 마스크 로 식각 되 는 위상 반 전막 패턴 역시 높 은 정밀도 의 CD 를 갖 도록 형성 할 수 있 다 .