본 발명 에 일 실시 예 에 따른 포토 마스크 를 제조 하 기 위해서 는 먼저 , 마스크 기판 상 에 회로 패턴 을 형성 한다 . 구체 적 으로 , 석영 과 같 은 투명 한 기판 상 에 광차 단막 및 레지스 트 막 을 형성 한 후 , 레지스 트 막 에 노광 및 현상 공정 을 수행 하 여 광차 단막 을 선택 적 으로 노출 시키 는 레지스 트 패턴 을 형성 한다 . 레지스 트 패턴 을 식각 마스크 로 사용 하 여 광차 단막 을 식각 하 여 광차 단막 패턴 을 형성 한 후 , 레지스 트 패턴 을 제거 하 여 형성 할 수 있 다 . 이때 , 마스크 기판 상 에 형성 되 는 패턴 은 광차 단막 패턴 및 위상 반 전막 패턴 으로 형성 할 수 도 있 다 .