일부 실시 예 에서 , 제 2 에칭 프로세스 는 로직 영역 에서 의 게이트 전극 층 을 통해 에칭 한다 . 일부 실시 예 에서 , 스 페이서 재료 는 폴리 실리콘 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 캐 핑 층 은 스 페이서 재료 로 제조 된다 . 일부 실시 예 에서 , 스 페이서 재료 는 유전체 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 게이트 유전체 층 은 2 개 의 산화물 층 사이 의 질화물 층 을 포함 한다 . 이 들 실시 예의 일부 에서 , 스 페이서 재료 는 질화물 이 고 제 2 에칭 프로세스 는 2 개 의 산화물 층 의 최 상부 상 에서 정지 한다 . 이 들 실시 예의 일부 에서 , 스 페이서 재료 는 산화물 이 고 , 제 2 에칭 프로세스 는 질화물 층 상 에서 정지 한다 .