상기 의 기술 적 과제 를 위한 본 발명 의 일 실시 예 는 , 셀 영역 및 주변 회로 영역 의 반도체 기판 상 에 바닥 산화물 층 , 실리콘 질화물 층 및 상측 산화물 층 ( ONO ) 을 순차 적 으로 증착 하 는 단계 ; 상기 상측 산화물 층 상 에 셀 제어 게이트 를 위한 층 을 증착 하 는 단계 ; 상기 셀 제어 게이트 층 상 에 캡 ( cap ) 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 캡 층 및 셀 제어 게이트 층 을 패 터닝 하 여 셀 제어 게이트 를 형성 하 는 단계 ; 상기 셀 제어 게이트 아래 채널 의 문턱 전압 ( Vt ) 을 조절 하 는 이온 주입 을 수행 하 는 단계 ; 상기 반도체 기판 의 상기 주변 회로 영역 상 의 상기 ONO 층 부분 을 선택 적 으로 제거 하 는 단계 ; 및 상기 ONO 층 부분 의 제거 에 의해 노출 되 는 상기 반도체 기판 상 에 게이트 산화층 을 건식 산화 과정 으로 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 플래시 소자 제조 방법 을 제시 한다 .