또한 , 산화물 반도체 막 ( 716 ) 의 상 층 또는 하층 에 이용 하 는 절연 막 은 , 상층 과 하층 에서 같 은 구성 원소 를 갖 는 절 연막 으로 해도 좋 고 , 다른 구성 원소 를 갖 는 절 연막 으로 해도 좋 다 . 예 를 들 어 , 상층 과 하층 모두 , 조성 이 Ga 2 OX ( X = 3 + α , 0 < α < 1 ) 의 산화 갈륨 으로 해도 좋 다 . 또는 , 상층 과 하층 의 한 쪽 을 조성 이 Ga 2 OX ( X = 3 + α , 0 < α < 1 ) 의 산화 갈륨 으로 하 고 , 다른 한 쪽 을 조성 이 Al 2 OX ( X = 3 + α , 0 < α < 1 ) 의 산화 알루미늄 으로 해도 좋 다 .