일 실시 예 에서 , 메모리 다이 ( 1000 ) 는 , 드레 인 영역 들 ( 63 ) 이 수평 평면 으로부터 떨어져 있 는 것 보다 소스 층 ( 18 ) 과 수직 반도체 채널 들 ( 60 ) 사이 의 계면 들 을 포함 하 는 수평 평면 으로부터 더 원위 에 있 는 제 1 접합 구조물 들 ( 178 ) 을 포함 하 고 ; 로직 다이 ( 700 ) 는 제 2 접합 구조물 들 ( 788 ) 을 포함 하 고 ; 제 2 접합 구조물 들 ( 788 ) 은 제 1 접합 구조물 들 ( 178 ) 에 접합 된다 .