축소 기술 은 감광막 패턴 의 측면 식각 량 을 증가 시켜 게이트 전도체 예컨대 , 폴리 실리콘 을 식각 할 때 상부 ( top ) CD 를 조절 하 는 것 을 말 한다 . 이 경우 높 은 CD 편차 를 확보 할 수 있 다는 장점 이 있 으나 , 낮 아 진 감광막 두께 에서 식각 공정 마진 이 줄어들 며 , 특히 DICD 가 100 nm 이하 인 경우 에 는 폴리 실리콘 을 식각 하 기 전 에 측면 식각 으로 인하 여 감광막 패턴 이 없 어 지 는 단점 이 있 기 때문 에 적정 한 공정 조건 을 설정 하 는 것 이 매우 중요 하 다 .