상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 실시 예 에 의한 반도체 소자 제조 장치 는 불 산 을 공급 하 는 불 산 공급 부 , 순수 를 공급 하 는 순수 공급 부 , 불 산 공급 부 로부터 공급 되 는 불 산 과 순수 공급 부 로부터 공급 되 는 순수 를 혼합 하 는 적어도 2 개 이상 의 혼합 탱크 , 혼합 탱크 에서 공급 되 는 희석 불 산 에 오존 가스 를 접촉 시키 는 오존 가스 처 리부 및 오존 가스 처 리부 를 거쳐 오존 화 된 희석 불 산 을 공급 하 는 기판 처리 장치 를 포함 한다 .