지금 까지 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 미세 패턴 형성 방법 에 따르 면 , 포 토리 소그라 피 장비 의 한계 범위 를 넘 어서 스 페이서 막 의 두께 범위 내 에서 피치 가 감소 되 는 미세 패턴 을 형성 할 수 있 으며 , 더욱이 스 페이서 막 의 두께 만큼 정렬 마진 을 증대 시켜 공정 불량 률 을 감소 시킬 수 있 다는 이점 이 제공 된다 .