더 상세 하 게 그 공정 을 살펴보 면 , 상기 단결정 잉곳 을 트리밍 ( trimming ) 하 여 적정 한 형상 과 크기 로 표면 을 다듬질 하 며 , 트리밍 된 잉곳 은 그 길 이 방향 을 따라 플랫 ( Flat ) 이 X - 레이 에 의해 검지 된 후 원 하 는 방향 으로 조정 되 며 ( Orientation Flattening ) , 잉곳 표면 의 오염 물질 을 제거 하 는 잉곳 에칭 ( ingot etching ) 을 수행 한 다 . 다음 으로 , 잉곳 을 절단 하 여 실리콘 웨이퍼 를 만드 는 절단 공정 ( slicing ) 이 수행 되 며 , 절단 된 웨이퍼 의 가장자리 를 라운 딩 처리 ( edge grinding ) 하 고 , 웨이퍼 의 휨 을 방지 하 고 평탄 도 를 유지 하 기 위하 여 랩 핑 ( lapping ) 하 며 , 오염물 을 화학 적 으로 에칭 ( chemical etching ) 하 여 제거 한 후 에 , 잉곳 성장 후 불순물 주입 등 웨이퍼 의 전기 적 조절 을 곤란 하 게 하 는 것 을 방지 하 기 위한 열처리 공정 ( heat treatment ) 을 수행 하 며 , 상기 열처리 된 슬라이스 의 표면 을 화학 적 또는 기계 적 으로 폴리 싱 한 후 크리 닝 하고 , 크리 닝 된 웨이퍼 는 그 결함 이나 방향 성 등 이 검사 되 고 , 그 합격품 에 대하 여 는 패 키 징 되 어 보관 및 출고 된다 .