위 와 같이 , 제 1 플러그 ( 24 A ) 및 금속 실리사이드 층 ( 25 ) 를 미리 형성 한 후 분리 막 ( 26 ) 을 형성 하 면 제 1 플러그 ( 24 A ) 의 높이 만큼 분리 막 ( 26 ) 의 갭 필마 진과 콘 택 식각 마진 을 확보 할 수 있 다 . 또한 , 분리 막 ( 26 ) 형성 후 제 2 플러그 ( 28 ) 형성 전 에 한 번 의 세정 공정 만 진행 되 기 때문 에 세정 공정 에 의한 분리 막 ( 26 ) 의 손실 을 최소 화 할 수 있 다 . 그리고 , 제 1 플러그 ( 24 A ) 의 측면 과 성장 으로 활성 영역 ( 11 B ) 과 접촉 면적 이 증가 하 여 콘 택 저항 을 감소 할 수 있 고 , 분리 막 ( 26 ) 의 하부 에 덮여서 실리사이드 화 하 지 못하 던 제 1 플러그 ( 24 A ) 의 측벽 까지 저항 이 낮 은 금속 실리사이드 층 ( 25 ) 으로 형성 함 으로써 콘 택 저항 을 감소 시킬 수 있 다 .