상기 하부 도전 성 패턴 ( 25 ) 을 갖 는 상기 반도체 기판 ( 21 ) 상 에 화학 기계 적 연마 ( Chemical Mechanical Polishing ; CMP ) 공정 과 같 은 평탄 화 공정 을 수행 하 고 , 상기 초기 하부 절 연막 ( 23 ) 을 전면 식각 하 여 리세 스 된 하부 절 연막 ( 23 a ) 을 형성 한 다 . 상기 초기 하부 절 연막 ( 23 ) 의 전면 식각 은 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정 을 사용 하 여 진행 될 수 있 다 . 상기 건식 식각 은 실란 ( Silane ) 및 CF 4 ( tetrafluoromethane ) 를 포함 하 는 가스 를 사용 해서 수행 될 수 있 다 . 결과 적 으로 , 상기 하부 도전 성 패턴 ( 25 ) 은 상기 하부 절 연막 ( 23 a ) 의 상부 면 으로부터 돌출 될 수 있 다 .