상기 한 반도체 집 적 회로 는 , 다수 의 트랜지스터 에 의해 구성 된다 . 여기 에서 , 상기 다수 의 트랜지스터 는 , 각종 트랜지스터 중 으로부터 각각 의 트랜지스터 에 요구 되 는 특성 등 에 따라서 적절히 선택 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 한 반도체 집 적 회로 에 있 어서 , 순서 회로 ( 21 ＿ 1 ~ 21 ＿ n ) 및 조합 회로 ( 22 ＿ 1 ~ 22 ＿ n ) 에 포함 되 는 논리 게이트 를 구성 하 는 트랜지스터 에 는 고속 동작 이 요구 된다 . 이 때문 에 , 상기 트랜지스터 로서 는 , 단결정 실리콘 또는 다결정 실리콘 또는 갈륨 비소 ( GaAs ) 등 의 화합물 반도체 에 의해 채널 형성 영역 이 구성 되 는 트랜지스터 를 적용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또 , 파워 게이트 트랜지스터 ( 20 ) 에 는 오프 전류 ( 리크 전류 ) 가 낮 은 것 이 요구 된다 . 이 때문 에 , 상기 트랜지스터 로서 는 상기 한 산화물 반도체 에 의해 채널 형성 영역 이 구성 되 는 트랜지스터 를 적용 하 는 것 이 바람직 하 다 .