반도체 층 ( 1130 ) 의 일부 영역 들 은 , 구동 박막 트랜지스터 ( T 1 ) , 스위칭 박막 트랜지스터 ( T 2 ) , 보상 박막 트랜지스터 ( T 3 ) , 제 1 초기 화 박막 트랜지스터 ( T 4 ) , 동작 제 어 박막 트랜지스터 ( T 5 ) , 발광 제어 박막 트랜지스터 ( T 6 ) 및 제 2 초기 화 박막 트랜지스터 ( T 7 ) 의 반도체 층 들 에 해당 한다 . 바꾸 어 말 하 면 , 구동 박막 트랜지스터 ( T 1 ) , 스위칭 박막 트랜지스터 ( T 2 ) , 보상 박막 트랜지스터 ( T 3 ) , 제 1 초기 화 박막 트랜지스터 ( T 4 ) , 동작 제 어 박막 트랜지스터 ( T 5 ) , 발광 제어 박막 트랜지스터 ( T 6 ) 및 제 2 초기 화 박막 트랜지스터 ( T 7 ) 의 반도체 층 들 은 서로 연결 되 며 다양 한 형상 으로 굴곡진 것 으로 이해 할 수 있 다 .