상기 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 ( poly - Si TFT ) 에서 다결정 실리콘 박막 을 형성 하 는 방법 은 다 결정 실리콘 박막 을 직접 기판 상 에 형성 하 는 방법 과 , 비정질 실리콘 박막 을 기판 상 에 형성 시킨 후 상기 비정질 실리콘 박막 을 열처리 하 여 다결정 실리콘 박막 을 형성 하 는 방법 등 이 있 다 . 이때 , 상기 열처리 에 의한 방법 은 일반 적 으로 레이저 에 의해 수행 된다 .