이어서 , 열처리 를 실시 하 여 , 금속 층 ( 622 ) 과 반도체 영역 ( 604 ) 의 표면 의 반도체 재료 를 반응 시킨다 . 이 에 의해 , 불순물 영역 ( 620 a ) 및 불순물 영역 ( 620 b ) 에 접하 는 금속 화합물 영역 ( 624 a ) 및 금속 화합물 영역 ( 624 b ) 이 형성 된다 ( 도 11 a 참조 ) . 또한 , 게이트 전극 ( 610 ) 으로서 다 결정 실리콘 등 을 사용 하 는 경우 에 는 , 게이트 전극 ( 610 ) 의 금속 층 ( 622 ) 과 접촉 하 는 부분 에 도 , 금속 화합물 영역 이 형성 되 게 된다 . 상기 의 금속 화합물 영역 은 충분히 도전 성 이 높여 진 영역 이 다 . 당해 금속 화합물 영역 을 형성 함 으로써 , 소스 및 드레 인 등 의 전기 저항 을 충분히 저감 시켜 , 트랜지스터 ( 660 ) 의 소자 특성 을 향상 시킬 수 있 다 .