다음 , 도 5 d , 6 d 및 도 7 d 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( 도 5 c 의 180 ) 을 식각 마스크 로 이용 하 여 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( 도 5 c 의 180 ) 외부 로 노출 된 제 2 금속 물질 층 ( 도 5 c 의 128 ) 을 식각 함 으로써 상기 스위칭 영역 ( TrA ) 에 있 어서 는 상기 게이트 전극 ( 115 ) 을 기준 으로 서로 이격 하 여 상기 게이트 전극 ( 115 ) 에 대응 되 는 불순물 비정질 실리콘 패턴 ( 도 5 c 의 125 ) 을 노출 시키 며 동시 에 각각 의 끝 단부 가 상기 불순물 비정질 실리콘 패턴 ( 도 5 c 의 125 ) 의 끝 단부 보다 더욱 연장 하 여 상기 게이트 절 연막 ( 120 ) 을 덮 는 형태 의 소스 및 드레 인 전극 ( 133 , 136 ) 을 형성 하 고 , 동시 에 상기 게이트 배선 ( 113 ) 과 교차 하 여 화소 영역 ( P ) 을 정의 하 는 데이터 배선 ( 130 ) 및 데이터 패드 부 ( 미 도시 ) 에 상기 데이터 배선 ( 130 ) 과 연결 된 데이터 패드 전극 ( 미 도시 ) 을 형성 한다 .