여기 서 , 제 2 애노드 ( 475 ) 는 제 2 기판 ( 470 ) 전면 에 형성 함 으로써 , 공통 전극 으로 형성 할 수 있 다 . 또는 이 와 는 달리 상기 제 2 애노드 ( 475 ) 는 상기 제 1 발광 다이오드 의 제 1 애노드 와 동일 하 게 서브 픽셀 별 로 패 터닝 되 어 형성 될 수 있 다 . 이 경우 , 도시 하 지 는 않 았 지만 , 제 2 애노드 ( 475 ) 에 는 전기 적 신호 를 인가 할 수 있 는 배선 들 이 연결 될 수 있 다 .