한편 , 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 의 유효 채널 길이 ( effective channel length ) 를 증가 시키 기 위해 방안 된 3 차원 리 세스 게이트 ( recess gate ) 구조 를 갖 는 트랜지스터 의 경우 표시 된 부위 에 구조 적 인 취약 특성 과 후속 의 랜딩 플러그 콘 택 ( Landing Plug Contact ) 지역 으로부터 의 높 은 농도 확산 에 의해 전기장 이 가장 크 게 증가 되 는 지역 이 존재 하 는데 , 이 지점 으로부터 GIDL ( Gate Induced Drain Leakage ) 현상 이 발생 하 게 된다 .