또 , 상술 의 실시 예 1 - 5 , 7 , 8 에서 는 LED 칩 ( 10 ) 으로서 두께 방향 의 양면 에 전극 이 형성 된 것 을 사용 하 고 있 다 . 하지만 실시 예 1 - 5 , 7 , 8 에 있 어서 도 실시 예 6 , 9 와 같이 한 표면 측 으로 양쪽 전극 이 형성 된 LED 칩 ( 10 ) 을 사용 해도 좋 다 . 이 경우 에 는 LED 칩 ( 10 ) 의 양쪽 전극 각각 을 , 본딩 와이어 ( 14 ) 를 사이 에 두 고 배선 패턴 ( 23 , 23 ) 과 직접 접속 할 수 있 다 . 또한 , 실시 예 1 ~ 5 , 7 , 8 의 발광 장치 ( 1 ) 은 LED 칩 ( 10 ) 과 전열 판 ( 21 ) 사이 에 서브 마운트 부재 ( 30 ) 을 개재 시키 고 있 다 . 하 지만 LED 칩 ( 10 ) 과 전열 판 ( 21 ) 의 선 팽창 율 차이 가 비교 적 작 을 경우 에 는 서브 마운트 부재 ( 30 ) 은 반드시 할 필요 는 없 다 .