종래 의 반도체 장치 ( 200 ) 에서 , 반도체 소자 ( 202 ) 의 면 의 크기 가 증가 할 경우 ( 구체 적 으로 , 상부 로부터 보 았 을 때 에 , 반도체 소자 ( 202 ) 의 크기 가 10 ㎜ 2 이상 의 경우 ) , 언더 필 수지 ( 203 ) 가 충전 되 지 않 은 영역 ( P ) 이 형성 된다 . 영역 ( P ) 은 언더 필 수지 공급 영역 ( K ) 에 의해 둘러싸인 반도체 소자 ( 202 ) 의 모서리 부 ( 202 A ) 의 반대 측 에 위치 되 는 반도체 소자 ( 202 ) 의 모서리 부 ( 202 B ) 와 , 배선 기판 ( 201 ) 사이 의 간극 이 다 . 따라서 , 이 영역 ( P ) 에 대응 하 는 부분 에 설치 된 배선 패턴 ( 212 ) 은 언더 필 수지 ( 203 ) 로 덮혀 있 지 않 다 . 그 결과 , 부식 , 일렉트로 마이 그레이 션 ( electromigration ) 등 이 발생 하 고 , 따라서 배선 패턴 ( 212 ) 의 신뢰 성 이 저하 된다 .