도 1 및 도 2 를 참조 하 면 , n 형 TFT 영역 , 스토리지 영역 을 구비 하 는 유리 기판 ( 100 ) 상 의 전면 에 걸쳐 고온 에서 상기 유리 기판 ( 100 ) 에서 유출 되 는 불순물 로부터 후속 공정 에서 형성 되 는 제 1 , 2 반도체 층 ( 110 , 115 ) 을 보호 하 기 위한 버퍼 층 ( 105 ; Buffer Layer ) 이 형성 되 어 있 다 .