즉 , 상기 제 1 몰딩 금형 ( 31 ) 및 제 2 몰딩 금형 ( 32 ) 의 내면 에 형성 된 지지 핀 ( 35 ) 이 서브 스트레이트 ( 10 ) 의 각 반도체 패 키 징 영역 ( 19 ) 의 둘레 주변 에 형성 된 보조 분배 슬롯 ( 22 ) 간 의 협소 한 경계 면 에 닿 아 지지 됨 으로써 , 각 몰딩 금형 ( 31 , 32 ) 의 캐비 티 내 에 서브 스트레이트 ( 10 ) 가 대략 떠 있 는 상태 가 된다 .