또한 절연 층 ( 116 ) 의 성막 을 감압 하 에서 가열 하 면서 수행 함 으로써 , 반도체 층 ( 108 ) 내 의 저 저항 영역 ( 108 n ) 이 되 는 영역 으로부터 의 산소 이탈 을 촉진 할 수 있 다 . 산소 결손 이 많이 형성 된 반도체 층 ( 108 ) 에 수소 등 의 불순물 을 공급 함 으로써 , 저 저항 영역 ( 108 n ) 내 의 캐리어 밀도 가 높 아 지 고 , 저 저항 영역 ( 108 n ) 을 더 효과 적 으로 저 저항 화 시킬 수 있 다 .