전자 흡수 분광법 은 나노 로드 표면 에서 리간드 발색단 구조 의 관찰 을 제공 한다 . THF 중 AO 그 라프트 나노 로드 용액 의 스펙트럼 은 거대 한 청색 전이 와 THF ( λ max = 465 nm ) 중 AO 에 비해 올리 고 티오펜 최저 에너지 전이 대역 ( λ max = 368 nm ) 의 현저 한 첨예화 를 나타내 었 다 ( 도 2 A ) . 실제 , AO 그 라프트 나노 로드 의 스펙트럼 은 고결 정성 박막 을 제조 하 는 조건 으로 80 ℃ 의 기판 온도 에서 고진공 증류 하 여 얻 은 Ds 2 T 고체 박막 ( λ max = 342 nm ) 과 매우 유사 하 였 다 ( 도 3 A ) . THF 중 ADO 그 라프트 나노 로드 용액 의 대응 전자 흡수 스펙트럼 은 완전히 다른 거동 을 나타내 었 다 . 도 2 B 는 그라프 팅 수일 후 에 도 ADO - 그 라프트 나노 로드 의 경우 , 약한 청색 전이 와 매우 거대 한 흡수 대역 만 을 얻 을 수 있 음 을 나타내 었 다 .