아울러 , 상기 n 형 질화물 반도체 층 은 , n 형 GaN 층 과 n + 형 GaN 층 을 포함 하 고 있 으며 , 상기 p 형 질화물 반도체 층 은 , 전자 차단 층 ( Electron Blocking Layer ) 을 포함 하 고 있 다 . 이때 , 상기 전자 차단 층 ( Electron Blocking Layer ) 은 AlGaN 층 으로 구성 되 는 것 이 바람직 하 다 .