이어서 , 게이트 산화 막 ( 34 ) 상 에 리셋 ( Re - set ) 및 블루밍 제어 ( Blooming control ) 를 위한 트랜스퍼 트랜지스터 의 게이트 ( Tx , 35 ) 를 형성 한다 . 이때 , 문턱 전압 이온 주입 없이 게이트 ( 35 ) 를 형성 하 므로써 , 트랜스퍼 트랜지스터 가 네이티브 트랜지스터 ( native transistor ) 가 되 도록 한다 .