도 10 은 본 실시 형태 의 구성 인 경우 의 , 파장 300 nm 에서 파장 800 nm 에 있 어서 의 반사 율 이 어떻 게 변화 되 는 것 인지 를 프레넬 계수 의 방법 을 사용 하 여 계산 을 행한 결과 이 다 . 여기 에서 나타내 는 반사율 이란 , 기판 상방 의 공기 층 으로부터 조사 된 광 중 , 상기 다층막 중 에서 흡수 되 지 않 고 반사광 으로서 되돌아오 는 광 의 비율 을 나타내 고 있 다 . 구체 적 인 구성 으로서 는 , 기판 ( 400 ) 위 에 , 게이트 전극 ( 401 ) 을 텅스텐 으로 , 게이트 절연 층 ( 402 ) 을 질소 를 포함 하 는 산화 규소 막 으로 , 보호 절 연막 ( 407 ) 을 산화 규소 막 으로 형성 한 경우 를 상정 하 였 다 . 산화물 반도체 층 ( 409 ) 은 In - Ga - Zn 계 의 산화물 반도체 재료 를 상정 하 였 다 . 각각 의 막 두께 로서 는 , 반사 시키 고 싶 은 광 의 파장 영역 의 중심 파장 으로서 λ 0 를 330 nm 으로 하 고 , 각각 의 물리 적 두께 ( d ) 를 상기 에 따라 , 게이트 절연 층 ( 402 ) 을 55 nm ( 광학 적 두께 로서 는 λ 0 / 4 ) , 산화물 반도체 층 ( 409 ) 의 채널 부를 35 nm ( 광학 적 두께 로서 는 λ 0 / 4 ) , 보호 절 연막 ( 407 ) 을 218 nm ( 광학 적 두께 로서 는 4 λ 0 / 4 ) 로 설정 하 였 다 .