우선 , 정공 주입 층 으로서 , N ', N ''- 비스 [ 4 -( 다이페닐 아미노 ) 페닐 ] - N ', N ''- 다이페닐 바이페닐 - 4 , 4 '- 다 이 아민 을 60 nm 의 두께 로 증착 한 후 , 그 위 에 정공 수송 층 으로서 , N , N , N ', N '- 테트라 키스 ( 4 - 바이페닐 ) - 4 , 4 '- 벤지딘 을 20 nm 의 두께 로 증착 했 다 . 이어서 , 호스트 재료 로서 10 , 10 '- 비스 [ 1 , 1 ', 4 ', 1 ''] 터 페닐 - 2 - 일 - 9 , 9 '- 바이 안트라센 일 ( BTBAN ) 과 도핑 재료 로서 상기 화합물 D 1 을 , 중량 비 40 : 2 로 동시 증착 하 여 두께 40 nm 의 발광 층 을 형성 했 다 .