이 와 달리 , 도전 성 물질 이 도핑 된 실리콘 을 건식 진공 증착 방법 으로 증착 하 는 경우 , DC 인가 식 방법 등 을 이용 하 여 상기 실리콘 막 ( 200 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 DC 인가 식 방법 의 경우 , 1 차 전자 방출 이 필요 하 며 , 상기 도전 성 물질 이 도핑 된 실리콘 의 경우 , 도전 성 물질 로부터 전도성 이온 의 전자 방출 을 유도 한 후 , 플라 즈 마 형성 을 유도 하 여 스퍼터링 ( sputtering ) 방법 을 통해 상기 고분자 유기 막 ( 100 ) 에 증착 시켜 상기 실리콘 막 ( 200 ) 을 형성 한다 .