반도체 디바이스 들 의 성공 은 집중 적 인 트랜지스터 다운 - 스케일링 ( down - scaling ) 프로세스 에 의해 주로 추진 되 었 다 . 그러나 , 전계 효과 트랜지스터 ( FET : field effect transistor ) 들 이 100 nm 미만 의 크기 들 에 접근 함 에 따라 , 단 채널 효과 ( short channel effect ) 와 같 은 문제 들 이 적절 한 디바이스 동작 을 방해 하 기 시작 한다 . 또한 , 이러 한 100 nm 미만 디바이스 크기 는 임계 값 미만 ( sub - threshold ) 기울기 의 비 - 스케일링 ( non - scaling ) 에 이를 수 있 고 , 전력 손실 ( power dissipation ) 을 또한 증가 시킨다 . 플래시 ( flash ) 로서 통상 적 으로 알려진 것 들 과 같 은 트랜지스터 기반 메모리 들 은 10 년 내 에 스케일링 의 종점 ( end ) 에 접근 할 수 있 다 . 플래시 메모리 는 비휘발성 ( non - volatile ) 메모리 디바이스 의 하나 의 유형 이 다 .