본 발명 에 적용 된 다중 플라스마 의 생성 과정 은 다음 과 같 다 . 즉 처음 에 는 가열 이나 고압 전위 의 인가 및 자외선 조사 등 외부 의 에너지 를 인가 하 여 , 금속 내 에 존재 하 는 속박 전자 들 을 금속 밖 으로 탈출 시켜 열전자 등 전자 기체 상태 로 만든 다 . 이러 한 전자 들 을 전자기 에너지 로 운동 을 가속 시켜 , 고속 으로 유입 되 고 있 는 중성 원자 들 과 연속 충돌 하 게 하 며 , 반응식 1 과 반응식 2 에서 알 수 있 는 바 와 같이 , 전자 와 결합 된 원자 는 음 이온 으로 되 고 , 전자 를 상실 한 원자 는 양 이온 으로 되 는 전하 변환 ( charge exchange ) 현상 이 폭포 처럼 연쇄 적 으로 천이 를 반복 하 여 플라스마 가 증폭 발생 한다 . 이렇게 발생 된 수많 은 전자 , 음 이온 및 양 이온 원자 나 전자 들 이 구름 과 같이 고밀도 플라스마 상태 로 생성 된다 . 이 과정 을 알 기 쉽 게 식 으로 표시 하 면 다음 과 같 다 .