그리고 , 도 9 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 금속 패턴 ( 510 ) 은 표시 영역 ( DA ) 에 배치 된 박막 트랜지스터 중 폴리 실리콘 을 포함 하 는 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 게이트 전극 ( 324 ) 상 에 만 형성 될 수 있 다 . 그러나 , 이 에 한정 되 지 는 않 는다 . 예 를 들 면 , 제 1 금속 패턴 ( 510 ) 은 표시 영역 ( DA ) 에 배치 된 박막 트랜지스터 중 구동 박막 트랜지스터 의 게이트 전극 상 에 만 형성 될 수 도 있 다 . 제 1 금속 패턴 ( 510 ) 은 산화물 반도체 를 포함 하 는 제 3 박막 트랜지스터 ( 330 ) 의 형성 공정 에 의해 절연 층 으로부터 발생 되 는 수소 가 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 액티브 층 ( 321 ) 으로 확산 되 는 것 으로 방지 할 수 있 다 .