이때 , 각 PMOS 트랜지스터 ( P 1 ~ P 4 ) 의 드레 인 영역 ( D _ P ) 상 에 형성 되 는 콘 택 ( CNT ) 은 각 드레 인 영역 ( D _ P ) 에 전기 적 으로 연결 되 는 배선 ( 도시 되 지 않 음 ) 의 꺾 어 짐 을 최소 로 하 기 위해 각 드레 인 영역 ( D _ P ) 상 에서 서로 다른 위치 에 형성 됨 이 바람직 하 다 . 예 를 들 어 , 도 4 와 같이 , 콘 택 ( CNT ) 들 은 평면 상 각 PMOS 트랜지스터 ( P 1 ~ P 4 ) 의 드레 인 영역 ( D _ P ) 상 에서 핑거 구조 의 공통 게이트 ( CG ) 사이 에 수직 방향 으로 순차 적 으로 배치 됨 이 바람직 하 다 .