도 5 에 도시 된 MTJ 구조물 에서 의 시드 층 ( 320 ) 은 바람직 하 게 는 , Ta , TaN , Cr , Cu , CuN , Ni , Fe 또는 이 들 의 합금 을 포함 한다 . 제 1 SAF 층 ( 322 ) 은 바람직 하 게 는 , Co / Ni 또는 Co / Pt 다층 구조물 을 포함 한다 . 제 2 SAF 층 ( 326 ) 은 바람직 하 게 는 , Co / Ni 또는 Co / Pt 다층 구조물 에 , 2 내지 5 옹스트롬 의 두께 를 갖 는 탄 탈륨 으로 구성 된 얇 은 비 자기 층 및 얇 은 CoFeB 층 ( 0 . 5 내지 3 나노미터 ) 을 더한 것 을 포함 한다 . 반강자성 커플링 층 ( 324 ) 은 바람직 하 게 는 , 3 내지 10 옹스트롬 범위 의 두께 를 갖 는 Ru 로 제조 된다 . 강자성 커플링 층 ( 328 ) 은 1 내지 8 옹스트롬 범위 의 두께 를 갖 는 Ta , W , Mo 또는 Hf 로 제조 될 수 있 다 . 터널 링 배리 어 층 ( 334 ) 은 바람직 하 게 는 , 약 10 옹스트롬 의 두께 를 갖 는 , MgO 와 같 은 절연 재료 로 제조 된다 . 자유 층 ( 336 ) 은 바람직 하 게 는 , 터널 링 배리 어 층 ( 334 ) 상부 에 퇴적 된 CoFeB 로 제조 된다 . 자유 층 ( 336 ) 은 또한 Fe , Co , Ni 또는 이 들 의 합금 들 의 층 들 을 가질 수 있 다 . MTJ ( 330 ) 위 의 스 페이서 층 ( 340 ) 은 2 내지 20 옹스트롬 의 루테늄 , 2 내지 20 옹스트롬 의 Ta , 2 내지 20 옹스트롬 의 TaN , 2 내지 20 옹스트롬 의 Cu , 2 내지 20 옹스트롬 의 CuN , 또는 2 내지 20 옹스트롬 의 MgO 와 같 은 임의 의 비 자기 재료 일 수 있 다 .