여기 서 , 상기 HARP ( High aspect Ratio Process ) 막 은 기본 적 으로 O 3 - TEOS SACVD ( Tetraethylorthosilicate Sub Atmospheric Chemical Vapor Deposition ) 공정 을 사용 하 여 형성 한 막 으로서 , 소자 분리 막 형성 영역 의 트렌치 ( Trench ) 내 에 갭 - 필 된 후 , 800 ℃ 이상 의 고온 에서 습식 열처리 를 통해 치밀 한 산화 막 으로 전이 하 게 된다 .