한편 , 도 5 b 에서 하부 전극 ( 201 ) 이 폴리 실리콘 막인 경우 에 는 하부 전극 ( 201 ) 의 표면 에 후속 ZrO 2 / Nb 2 O 5 ( 202 ) 형성 시 하부 전극 ( 201 ) 의 표면 이 산화 되 어 자연 산화 막 이 형성 되 는 것 을 억제 하 기 위하 여 NH 3 분위기 에서 800 ℃∼ 1000 ℃ 온도 로 10 초 ∼ 120 초 동안 RTP ( Rapid Thermal Process ) 를 진행 하 여 실리콘 질화 막 ( SiN , 204 ) 을 형성 해 준다 . 이 처럼 , 실리콘 질화 막 ( 204 ) 을 형성 해 주 면 자연산 화 막 생 성 으로 인해 초래 되 는 누설 전류 특성 저하 및 유전율 감소 를 방지 한다 .