트랜지스터 ( 420 ) 는 , 절연 층 ( 400 ) 위 에 게이트 전극 층 ( 401 ) , 게이트 절연 층 ( 402 ) , 산화물 반도체 층 ( 403 ) , 산화물 반도체 층 ( 403 ) 의 채널 형성 영역 을 덮 는 채널 보호 층 으로서 기능 하 는 절연 층 ( 427 ) , 소스 전극 층 ( 405 a ) 및 드레 인 전극 층 ( 405 b ) 을 포함 한다 . 또한 , 트랜지스터 ( 420 ) 를 덮 어 절연 층 ( 409 ) 이 형성 되 어 있 다 .