본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 소자 제조 장치 는 불 산 을 공급 하 는 불 산 공급 부 ( 100 ) , 순수 를 공급 하 는 순수 공급 부 ( 110 ) , 불 산 공급 부 ( 100 ) 로부터 공급 되 는 불 산 과 순수 공급 부 ( 110 ) 로부터 공급 되 는 순수 를 혼합 하 는 적어도 2 개 이상 의 혼합 탱크 ( 200 , 210 ) , 혼합 탱크 ( 200 , 210 ) 에서 공급 되 는 희석 불 산 에 오존 가스 를 접촉 시키 는 오존 가스 처 리부 ( 150 ) 및 오존 가스 처 리부 ( 150 ) 를 거처 오존 화 된 희석 불 산 을 공급 하 는 기판 처리 장치 ( 300 ) 를 포함 한다 .