도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 산화 막 ( 110 ) 을 갖 는 다층 의 배선 구조 에서 게이트 산화 막 ( 110 ) 의 결함 을 검사 하 기 위해 먼저 층간 절 연막 ( 130 ) 의 상부 에 배치 된 금속 배선 등 의 막 들 과 층간 절 연막 의 일부 를 물리 적 인 디 - 프로세서 ( de - process ) 방법 으로 제거 함 으로서 , 도 1 b 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 용 폴리 실리콘 막 ( 120 ) 의 상부 가 드러난다 . 여기 서 , 물리 적 인 디 - 프로세서 방법 의 예 로서 사포 를 이용 하 여 금속 배선 등 의 막 과 층간 절 연막 ( 120 ) 을 제거 하 는 방법 을 들 수 있 다 .