본 발명 은 고유 전체 물질 형성 후 열처리 시 에 실리케이트 가 형성 되 는 종래 의 PVD 나 CVD 와 는 달리 실리케이트 가 먼저 형성 되 고 고유 전체 박막 이 형성 되 는 원거리 플 라즈 마 원자 층 증착 방법 에 관한 것 이 다 . 따라서 실리케이트 를 제 1 유전체 막 으 로 하 고 고유 전체 물질 을 제 2 유전체 막 으로 하 여 한 공정 으로 제 1 및 제 2 유전체 막 을 형성 하 게 된다 . 이러 한 고유 전체 물질 을 이용 함 으로써 같 은 ETO ( equivalent oxide thickness ) 에서 SiO 2 보다 누설 전류 ( leakage current ) 특성 및 전하 보유 ( charge retention ) 특성 을 향상 시킬 수 있 으며 400 ℃ 이하 의 낮 은 온도 에서 증착 하 기 때문 에 열 적 결함 에 의한 터널 산화 막 의 신뢰 성 저하 를 막 을 수 있 다 .