다음 , 하부 DBR 구조물 ( 320 ) 상 에 형성 되 는 캐비 티 ( 330 ) 는 장벽층 ( 333 ) 과 양자 우물 층 ( 334 ) 으로 구성 된 활성 층 ( 332 ) 과 , 상기 활성 층 ( 332 ) 의 양쪽 에 광학 적 필드 의 가이드 층 및 클래드 층 으로 사용 되 는 InP 층 ( 331 ) 을 포함 한다 . 이때 , 캐비 티 ( 330 ) 의 두께 ( d ) 는 통상 적 으로 발진 파장 을 λ 라 하 였을 때 [ dcavity = ( k + 1 / 2 ) × λ ; k = 정수 ] 이 다 . 상기 식 을 이용 하 여 두께 를 형성 하 면 , 캐비 티 ( 330 ) 의 중앙 에 위치 한 양자 우물 층 ( 334 ) 에서 전기장 ( electric field ) 의 세기 를 크 게 할 수 있 다 . 본 실시 예의 캐비 티 구조 와 달리 , 다양 한 캐비 티 구조 ( 예 를 들 면 , 터널 접 합 ( tunnel junction ) 등 ) 를 사용 하 여 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 를 제작 할 수 있 다 .