또한 , 웨이퍼 전처리 단계 ( 단계 110 ) 가 에칭 될 제 1 층 의 표면 에 있 는 결함 들 을 없애 는데 사용 될 수 도 있 다 . 예컨대 , CMOS 디바이스 들 의 테스트 는 종종 , 구리 및 / 또는 알루미늄 테스트 패드 들 과 물리 적 인 접촉 을 하 기 위해서 뿐 만 아니 라 구리 및 / 또는 알루미늄 테스트 패드 들 을 통해 전류 가 흐르 게 하 기 위해 프로브 를 요구 한다 . 그러 한 접촉 은 스크래치 들 과 같 은 손상 , 및 / 또는 패드 표면 에서 의 가공 - 경화 ( work - harden ) 된 영역 들 의 형성 을 결과 로 발생 시킬 수 도 있 다 . 잔류물 과 마찬가지 로 , 스크래치 들 또는 가공 - 경화 된 영역 들 과 같 은 표면 결함 들 은 , 아래 놓인 층 의 불 균일 한 에칭 을 결과 로 발생 시킬 수 도 있 거나 , 또는 아래 놓인 도전 층 들 ( 예컨대 , 단계 120 ) , 유전체 층 들 ( 예컨대 , 단계 130 ) 의 후속 하 는 에칭 , " 및 실리콘 기판 의 에칭 ( 단계 140 ) 과 간섭 하 는 능력 을 갖 는 "" 필라 들 "" 또는 "" 그래스 "" 와 같 은 아래 놓인 막 에서 의 분리 된 결함 들 의 형성 을 결과 로 발생 시킬 수 도 있 다 . "