도 2 h 를 참조 하 면 , 이어서 , 상기 마스크 패턴 ( 148 ) 을 제거 한다 . 이어서 , 상기 기판 ( 100 ) 전면 상 에 반응 방지 막 ( 152 ) 을 형성 하 고 , 상기 반응 방지 막 ( 152 ) 을 패 터닝 하 여 상기 제 1 소오 스 / 드레 인 영역 ( 140 ) 의 상부 면 , 상기 스트레스 패턴 ( 147 ) 의 상부 면 , 및 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 의 상부 면 의 일부분 을 노출 시킬 수 있 다 . 이때 , 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 의 상부 면 의 다른 부분 은 상기 반응 방지 막 ( 152 ) 에 의하 여 덮혀 있 는 것 이 바람직 하 다 .