실시 형태 5 와 같이 , 도 19 a 에 도시 하 는 바 와 같이 , 기판 ( 50 ) 위 에 게이트 전극 ( 251 ) 및 공통 선 ( 256 ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 게이트 전극 ( 251 ) , 공통 선 ( 256 ) 위 에 게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 위 에 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 258 a ) , 및 제 1 버퍼 층 ( 262 a ) 을 형성 한다 . 제 1 버퍼 층 ( 262 a ) 및 게이트 절 연막 ( 52 b ) 위 에 제 2 버퍼 층 ( 242 a ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 신호선 ( 271 a 내지 271 c ) 과 , 소스 영역 또는 드레 인 영역 ( 263 a ) 을 형성 한다 . 이 경우 , 신호선 ( 271 a 내지 271 c ) 에 덮이 지 않 은 제 2 버퍼 층 ( 242 a ) 은 일부 막 두께 가 얇 아 진다 . 다음 에 , 보호 절 연막 ( 76 ) 및 절 연막 ( 101 ) 을 형성 한다 . 또 , 여기 에서 는 , 절 연막 ( 101 ) 으로서 , 비 감광성 수지 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 .