상술 한 도 1 과 도 2 를 살펴보 면 , 갭 전극 ( 12 a , 12 b ) 을 형성 하 는 방법 으로 도 1 에서 는 박막 형성 공정 을 이용 하 였 고 도 2 에서 는 후막 형성 공정 을 이용 하 였 다 . 즉 , 도 1 에서 는 박막 형성 공정 을 수행 하 기 위해 고가 의 공정 설비 가 필요 하 고 , 도 2 에서 는 후막 형성 공정 을 이용 하 였으므로 도 1 의 박막 형성 공정 에 비해 정밀 한 갭 형성 이 어려울 뿐 만 아니 라 인쇄 정밀도 에서 도 상당 한 차이 가 난다 .