제 1 높이 를 갖 는 제 1 도전 물질 들 ( 211 , 212 , 213 ) 에 특정 전압 이 인가 되 면 , 제 1 도전 물질 들 ( 211 , 212 , 213 ) 에 인접 한 표면층 ( 114 ) 의 영역 에 채널 이 형성 된다 . 즉 , 접지 선택 트랜지스터 들 ( GST ) 에 채널 이 형성 된다 . 또한 , 제 1 도전 물질 들 ( 211 , 212 , 213 ) 에 특정 전압 이 인가 되 면 , 제 1 도전 물질 들 ( 211 , 212 , 213 ) 에 인접 한 기판 ( 111 ) 의 영역 에 채널 이 형성 된다 .