도 1 및 2 를 참조 하 면 , 기판 ( 100 ) 의 제 1 방향 ( DA ) 으로 소자 분리 영역 ( ISO , 110 ) 이 연장 된다 . 상기 소자 분리 영역 ( 110 ) 에 의해 활성 영역 ( ACT , 115 ) 이 정의 된다 . 상기 활성 영역 ( 115 ) 상 에 격자 형태 로 복수 개 의 제 1 도전 패턴 들 ( 122 ) 및 제 2 도전 패턴 ( 124 ) 들 이 배열 된다 . 상기 제 1 도전 패턴 들 ( 122 ) 은 상기 제 2 도전 패턴 들 ( 124 ) 과 상기 활성 영역 ( 115 ) 상 에 간격 을 두 고 배열 된다 . 상기 제 1 도전 패턴 들 ( 122 ) 은 상기 소자 분리 영역 ( 110 ) 을 사이 에 두 고 제 2 방향 ( DW ) 으로 배열 된다 . 상기 제 2 도전 패턴 들 ( 124 ) 이 상기 제 1 도전 패턴 들 ( 122 ) 과 이격 되 어 상기 활성 영역 ( 115 ) 상 에 제 2 방향 ( DW ) 으로 배열 된다 . 상기 제 2 방향 ( DW ) 은 상기 제 1 방향 ( DA ) 과 교차 하 는 방향 이 고 , 제 1 라인 ( 160 ) 및 제 2 라인 ( 165 ) 이 연장 되 는 방향 이 다 . 상기 제 1 라인 ( 160 ) 은 상기 제 1 도전 패턴 들 ( 122 ) 상 에 오버랩 된다 . 상기 제 2 라인 ( 165 ) 은 상기 제 2 도전 패턴 들 ( 124 ) 상 에 오버랩 된다 .