도면 에서 는 제 2 게이트 절 연막 ( 140 ) 이 제 2 게이트 전극 ( 410 ) 과 제 2 활성 층 ( 450 ) 사이 에서 제 2 활성 층 ( 450 ) 상면 일부 에 만 배치 된 것 을 도시 하 였으나 , 이 에 제한 되 지 않 는다 . 예 를 들 어 , 제 2 게이트 절 연막 ( 140 ) 은 제 2 활성 층 ( 450 ) 의 상면 과 측면 들 상 에 도 형성 될 수 있 고 , 버퍼 막 ( 120 ) 상 에서 전면 적 으로 배치 될 수 도 있 다 . 제 2 게이트 절 연막 ( 140 ) 은 무기물 , 예컨대 실리콘 산화물 ( SiOx ) , 실리콘 질화물 ( SiNx ) 또는 이 들 이 적층 된 구조 로 형성 될 수 있 다 . 다만 , 이 에 제한 되 지 않 는다 .