도 8 내지 도 14 를 참조 하 여 설명 한 방법 에서 , 2 차 개구부 ( 75 ) 를 형성 한 후 상변화 물질 막 ( 110 ) 을 형성 하 기 전 에 2 차 개구부 ( 75 ) 의 바닥 및 측벽 을 따라 도 4 에 도시 된 것 같 은 씨드 층 ( 130 ) 을 형성 할 수 있 다 . 이 씨드 층 ( 130 ) 은 상변화 물질 막 ( 110 ) 이 제 1 절 연막 ( 60 ) 및 제 2 절 연막 ( 103 ) 에 의해 한정 된 2 차 개구부 ( 75 ) 에 잘 형성 될 수 있 도록 할 수 있 다 . 예 를 들 어 씨드 층 ( 130 ) 은 비정질 상태 로 형성 되 어 상변화 물질 막 ( 110 ) 을 위한 핵 형성 층 으로 작용 할 수 있 다 . 씨드 층 ( 130 ) 은 예 를 들 어 , 산화 티타늄 , 산화 탄 탈륨 , 산화지르코늄 , 산화 망간 , 산화 하프늄 , 산화마그네슘 , 산화 인듐 , 산화 니오븀 , 산화 게르마늄 , 산화안티몬 , 산화 텔 루리 움 또는 이 들 의 조합 으로 형성 될 수 있 다 . 또 , 씨드 층 ( 130 ) 은 제 2 절 연막 ( 103 ) 과 동일 한 물질 로 형성 될 수 있 다 .