층간 절연 층 ( 62 ) 상 에 제 1 상변화 층 ( 78 a ) 이 존재 한다 . 제 1 상변화 층 ( 78 a ) 은 직선 라인 형태 이 고 , 일단 이 하부 전극 콘 택 층 ( 64 ) 에 접촉 되 어 있 고 , 타단 은 상기 일단 과 반대 되 는 방향 으로 확장 되 어 있 다 . 제 1 상변화 층 ( 78 a ) 은 제 1 실시 예 의 제 1 상변화 층 ( 68 a ) 과 동일 할 수 있 다 . 층간 절연 층 ( 62 ) 상 에 제 1 상변화 층 ( 78 a ) 의 일부 를 덮 는 절연 층 ( 82 ) 이 존재 한다 . 절연 층 ( 82 ) 은 제 1 상변화 층 ( 78 a ) 의 상기 일단 을 덮 고 하부 전극 콘 택 층 ( 64 ) 을 지나 제 1 상변화 층 ( 78 a ) 의 상기 타단 방향 으로 좀 더 확장 되 어 있 다 . 제 1 상변화 층 ( 78 a ) 의 상기 타단 과 그 에 인접 한 부분 은 노출 되 어 있 다 . 상변화 메모리 소자 의 동작 중 제 1 상변화 층 ( 78 a ) 에서 상변화 가 일어나 는 부분 은 하부 전극 콘 택 층 ( 64 ) 에 인접 하 고 절연 층 ( 82 ) 으로 덮인 부분 ( A 3 ) 이 다 . 절연 층 ( 82 ) 상 에 제 1 상변화 층 ( 78 a ) 의 노출 된 부분 을 덮 는 제 2 상변화 층 ( 78 b ) 이 존재 한다 . 상변화 층 ( 78 ) 은 제 1 및 제 2 상변화 층 ( 78 a , 78 b ) 을 포함 한다 . 제 2 상변화 층 ( 78 b ) 은 제 1 실시 예 의 제 2 상변화 층 ( 68 b ) 과 동일 한 특성 을 가질 수 있 다 .