기판 ( 310 ) 의 제 1 면 에 반도체 칩 ( 320 a ) 을 패키지 하 기 위하 여 , 우선 , 하나 의 제 1 반도체 칩 ( 320 a ) 에 열 과 압력 을 가하 고 초음파 를 인가 하 여 기판 ( 310 ) 의 패드 ( 315 ) 와 제 1 반도체 칩 ( 320 a ) 에 형성 된 범프 ( 325 ) 를 본딩 한 후 , 제 1 충 진제 ( 330 ) 를 제 1 반도체 칩 ( 320 a ) 주위 에 도포 하 고 경화 한다 . 그 후 , 제 2 반도체 칩 ( 340 a ) 를 제 1 반도체 칩 ( 320 a ) 상 에 어태 치 ( attach ) 하 고 , 제 2 반도체 칩 ( 340 a ) 에 형성 된 패드 ( 345 ) 와 기판 ( 310 ) 의 패드 ( 315 ) 를 와이어 ( 350 ) 로 연결 한다 . 그 후 , 기판 ( 310 ) 주변 에 에폭시 댐 ( 370 ) 을 형성 하 고 , 제 2 충 진제 를 도포 하 고 경화 시킨다 . 이상 으로 기판 의 제 1 면 에 의 패키지 공정 은 종료 된다 .