본 발명 은 반도체 장치 및 그 제조 방법 에 관한 것 으로 , 보다 구체 적 으로 는 다중 채널 을 갖 는 CMOS ( Complimentary Metal - Oxide Semiconductor ) 트랜지스터 제조 방법 에 대한 것 이 다 . CMOS 트랜지스터 는 NMOS 트랜지스터 와 PMOS 트랜지스터 를 구비 하 고 있 다 . 그런데 반도체 장치 가 고집 적 화 됨 에 따라 , 소자 형성 영역 크기 가 , 즉 액티브 영역 이 감소 하 게 되 었 고 , 액티브 영역 에 형성 되 는 NMOS 트랜지스터 와 PMOS 트랜지스터 의 채널 길이 가 줄어들 게 되 었 다 . 따라서 MOS 트랜지스터 의 채널 길이 가 작아지 면 , 채널 영역 에서 의 전계 나 전위 에 미치 는 소오 스 및 드레 인 의 영향 에 의한 쇼트 - 채널 효과 ( short channel effect ) 와 액티브 영역 의 축소 에 따라 채널 의 폭 도 감소 하 게 되 어 역치 전압 ( threshold voltage ) 이 감소 하 는 역 협채 널 효과 ( inverse narrow width effect ) 가 나타난다 . 따라서 이 를 해결 하 기 위한 새로운 구조 의 CMOS 트랜지스터 가 필요 하 게 된다 .