이 와 같 은 본 실시 예 에 따른 평판 디스플레이 장치 의 경우 에 는 박막 트랜지스터 의 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 170 ) 의 최 상부 층 ( 173 ) 과 배선 ( 300 ) 의 최 상부 층 ( 303 ) 은 ITO 로 형성 되 는 바 , 이러 한 ITO 로 형성 되 는 최 상부 층 ( 173 , 303 ) 은 그 물질 적 인 특성 상 소스 전극 및 드레 인 전극 을 형성 한 후 의 후속 공정 이 질소 분위기 에서 이루어지 더라도 질화 되 지 않 으며 , 또한 후속 공정 중 식각 등 의 공정 을 거칠 경우 에 도 산화 되 거나 손상 되 지 않 는다 . 따라서 복수 개 의 층상 구조 를 갖 는 소스 전 극 및 드레 인 전극 ( 170 ) 의 최 상부 층 ( 173 ) 및 배선 ( 300 ) 의 최 상부 층 ( 303 ) 으로서 ITO 층 을 갖 는 본 실시 예 에 따른 평판 디스플레이 장치 의 경우 , 박막 트랜지스터 의 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 170 ) 과 유기 발광 소자 의 화소 전극 ( 210 ) 과 의 컨 택 에 있 어서 컨 택 저항 을 낮 게 유지 할 수 있 으며 , 또한 우수 한 품질 의 평판 디스플레이 장치 를 구현 할 수 있 다 .