강유 전 성 커패시터 의 저장 된 상태 를 읽 거나 감지 하 기 위해 , 전압 이 커패시터 양단 에 인가 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 저장 된 전하량 Q 가 변하 고 변화 정도 가 초기 충전 상태 에 따라 달라진다 , 즉 , 최종 저장 된 전하량 ( Q ) 은 충전 상태 ( 305 - b ) 가 초기 에 저장 되 었 는지 또는 ( 310 - b ) 가 초기 에 저장 되 었 는지 에 따라 달라진다 . 예 를 들 어 , 히스테리시스 곡선 ( 300 - b ) 은 2 개 의 가능 한 저장 된 충전 상태 ( 305 - b 및 310 - b ) 를 도시 한다 . 전압 ( 335 ) 은 도 2 를 참조 하 여 언급 된 바 와 같이 커패시터 ( 240 ) 양단 에 인가 될 수 있 다 . 다른 경우 , 고정 전압 이 셀 플레이트 에 인가 될 수 있 으며 양 전압 으로 도시 되 었 지만 전압 ( 335 ) 은 음 전압 일 수 있 다 . 전압 ( 335 ) 에 응답 하 여 충전 상태 ( 305 - b ) 가 경로 ( 340 ) 를 따를 수 있 다 . 마찬가지 로 , 충전 상태 ( 310 - b ) 가 초기 에 저장 된 경우 이 는 경로 ( 345 ) 를 따른다 . 충전 상태 ( 305 - c ) 및 충전 상태 ( 310 - c ) 의 최종 위치 가 하나 이상 의 요인 들 , 가령 , 특정 감지 스킴 및 회로 에 따라 달라진다 .