이 와 같이 질화물 반도체 층 ( 50 ) 은 서로 분리 된 복수 개 의 질화물 반도체 층 으로 형성 이 될 수 있 고 , 질화물 반도체 층 ( 50 ) 제 조시 LED 구성 에 필요 한 활성 층 을 포함 하 는 다층 구조 로 형성 을 하 면 , 서로 분리 된 복수 개 의 질화물 반도체 층 ( 50 ) 은 이미 칩 단위 로 제조 가 되 어 분리 가 된 형태 이 므로 , 본 발명 에 따른 질화물 반도체 층 분리 방법 에 의해 기판 ( 10 ) 으로부터 분리 시 기존 에 칩 단위 제조 에 필요 한 다 이싱 ( dicing ) 과 같 은 소자 개별 화 공정 없이 바로 패키지 공정 에 투입 될 수 있 는 장점 이 있 다 .