이때 , 상기 게이트 전극 용 트렌치 는 소스 / 드레 인 영역 과 접하 는 내 측벽 부위 를 제외 하 고 는 내 측벽 이 필드 절 연막 패턴 과 접하 도록 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 . 그런데 , 상기 필드 절 연막 패턴 을 형성 하 기 위한 필드 용 트렌치 및 상기 게이트 전극 용 트렌치 는 각각 이방성 식각 공정 에 의해 형성 되 고 , 상기 이방성 식각 공정 의 특성 상 상기 각 트렌치 들 의 개구 부위 는 상부 가 하부 에 비해 크 게 되 도록 측벽 기울기 를 갖 게 된다 . 즉 , 상기 필드 절 연막 패턴 및 게이트 전극 용 트렌치 의 각 측벽 프로파일 은 서로 다른 방향 으로 기울어지 게 형성 되 고 , 이 로 인해 , 상기 필드 절 연막 패턴 및 게이트 전극 용 트렌치 의 측벽 사이 에 는 실리콘 이 완전히 제거 되 지 않 고 남 아 있 는 도 1 a 에 도시 된 바 와 같 은 실리콘 펜스 ( silicon fence , F ) 가 형성 된다 . 또한 , 도 1 b 에 도시 된 바 와 같이 리세 스 의 입구 부분 과 타원 형 으로 리세 스 가 확장 되 기 시작 하 는 지점 에서 첨 점 ( P ) 이 형성 된다 . 상기 실리콘 펜스 ( F ) 가 형성 되 는 경우 , 상기 리세 스 된 채널 을 갖 는 트랜지스터 는 상기 실리콘 펜스 ( F ) 를 따라 기생 적 으로 채널 이 형성 되 므로 채널 길 이 증가 등 의 효과 를 기대 할 수 없 으며 신뢰 성 에 심각 한 문제 를 일으키 게 된다 .