본 발명 은 기판 상부 에 N 형 - 반도체 층 , 활성 층 및 P 형 - 반도체 층 이 순차 적 으로 적층 되 고 , 상기 P 형 - 반도체 층 으로부터 상기 N 형 - 반도체 층 일부 까지 제거 되 어 N 형 - 반도체 층 의 일부 가 노출 되 어 있 으며 , 상기 노출 된 N 형 - 반도체 층 의 상부 에 N 형 전극 패드 가 형성 되 어 있 고 , P 형 - 반도체 층 의 상부 에 투명 전도 막 ( TCL ; Transparent Conducting layer ) 이 형성 되 며 , 상기 P 형 - 반도체 층 의 상부 에 P 형 전극 패드 가 형성 되 어 있 고 , 상기 투명 전도 막 상부 에 자외선 경화 수지 인 접착제 로 제작 된 마이크 로 렌즈 들 이 배열 ( array ) 되 어 있 는 것 을 특징 으로 하 는 마이크 로 렌즈 가 구비 된 발광 다이오드 를 제공 한다 .