그래서 , 제 3 실시 형태 에 있 어서 는 , 프로세스 챔버 ( 6 ) 밖 에 2 개 의 상부 방사 온도계 ( 25 , 125 ) 를 설치 하 고 있 다 . 제 1 상부 방사 온도계 ( 25 ) 는 , 제 1 실시 형태 와 동일 하 게 , 프로세스 챔버 ( 6 ) 밖 에서 , 서 셉 터 ( 74 ) 에 재치 된 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 비스듬 한 상방 에 설치 된다 . 한편 , 제 2 상부 방사 온도계 ( 125 ) 는 , 프로세스 챔버 ( 6 ) 밖 에서 , 서 셉 터 ( 74 ) 에 재치 된 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 비스듬 한 상방 에 당해 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 중심 으로부터 봐서 제 1 상부 방사 온도계 ( 25 ) 와 90 ° 떨어진 위치 에 설치 된다 . 제 1 상부 방사 온도계 ( 25 ) 와 제 2 상부 방사 온도계 ( 125 ) 는 동일 한 것 이 며 , 쌍방 의 상부 방사 온도계 ( 25 , 125 ) 는 모두 , 서 셉 터 ( 74 ) 에 재치 된 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 상면 으로부터 방사 된 적 외광 을 수 광 하 여 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 상면 의 온도 를 측정 한다 .