상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 소자 의 스토리지 노드 콘 택 홀 형성 방법 은 기판 상부 에 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 층간 절 연막 상 에 하드 마스크 를 형성 하 는 단계 ; 상기 하드 마스크 를 식각 장벽 으로 상기 층간 절 연막 을 식각 하 여 스토리지 노드 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 ; 상기 스토리지 노드 콘 택 홀 을 매립 하 는 보호막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 하드 마스크 의 식각 율 을 상기 층간 절 연막 보다 빠르 게 유지 하 여 상기 하드 마스크 를 제거 하 는 단계 ; 및 상기 보호막 을 제거 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 며 , 상기 하드 마스크 를 제거 하 는 단계 에서 상기 하드 마스크 와 층간 절 연막 의 식각 율 을 2 ∼ 3 : 1 로 유지 하 는 것 을 특징 으로 하 고 , 상기 하드 마스크 를 제거 하 는 단계 는 에치 백 으로 진행 하 는 것 을 특징 으로 한다 .