우선 , 열린 게이트 밸브 ( 14 ) 를 거쳐서 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 반송 아암 ( 도시 하 지 않 음 ) 에 의해서 처리 용기 ( 4 ) 내 에 수용 되 고 , 승강 핀 ( 28 ) 을 상하 로 이동 시키 는 것 에 의해 , 탑재 대 구조 ( 6 ) 의 탑재 대 ( 8 ) 의 상면 의 탑 재면 에 탑재 된다 . 이 웨이퍼 ( W ) 는 탑재 대 ( 8 ) 에 마련 된 발열체 ( 62 ) 에 의해 , 소정 의 프로세스 온도 로 유지 된다 . 또한 , 도시 되 지 않 은 가스 원 으로부터 소정 의 가스 예 를 들 면 성막 처리 이 면 성막 가스 , 에칭 처리 이 면 에칭 가스 가 각각 소정 의 유량 으로 가스 도입 수단 ( 24 ) 의 가스 노즐 ( 26 ) 로부터 처리 용기 ( 4 ) 내 의 처리 공간 ( S ) 에 공급 된다 . 그리고 , 압력 제어 밸브 ( 18 ) 의 제어 에 의해 , 처리 용기 ( 4 ) 내 는 소정 의 프로세스 압력 으로 유지 된다 .