상기 게이트 전극 ( 111 ) 위 에 는 게이트 절연 층 이 패 터닝 된 게이트 절연 패턴 ( 121 ) 이 형성 되 고 , 상기 게이트 전극 ( 111 ) 에 오버랩 되 도록 상기 게이트 절연 패턴 ( 121 ) 위 에 는 채널 부 ( CH ) 가 형성 된다 . 상기 채널 부 ( CH ) 는 비정질 실리콘 으로 형성 된 활성 층 ( 131 a ) 과 불순물 이 도핑 된 비정질 실리콘 으로 형성 된 저항성 접촉 층 ( 132 a ) 이 순차 적 으로 적층 되 어 형성 된다 .