도 2 는 진공 챔버 ( 1 ) 에서 의 예열 동안 ( 도 2 의 a ) 그리고 진공 챔버 ( 2 ) 에서 의 코팅 증착 후 에 ( 도 2 의 b ) Si 웨이퍼 구조 의 단지 개략 적 인 일 예 를 도시 하 는 것 이 다 . 진공 챔버 ( 1 ) 내 로 도입 된 기판 ( 5 ) 은 , 붕소 도핑 층 ( 26 ) 및 인 도핑 층 ( 27 ) 을 포함 하 는 2 층 구조 를 가질 수 있 다 . 일반 적 으로 , 미 가공 상태 의 덩어리 인 Si 물질 은 미리 붕소 로 도핑 되 며 인 도핑 된 n 층 은 별도 의 확산 프로세스 ( 도시 하 지 않 음 ) 에 의해 제조 된다 .