도 3 에 도시 한 바 와 같이 , 소자 격리 영역 과 액티브 영역 ( 포토다이오드 영역 및 트랜지스터 영역 ) 으로 정의 된 p ++ 형 반도체 기판 ( 101 ) 의 표면 내 에 P - 에 피층 ( 102 ) 이 형성 되 고 , 상기 반도체 기판 ( 101 ) 의 소자 격리 영역 에 녹 색광 , 적색 광 , 청색광 의 입력 영역 간 분리 를 위한 소자 격리 막 ( 103 ) 이 형성 된다 .