도 22 는 본 발명 의 제 7 실시 형태 를 도시 하고 있 다 . 제 1 실시 형태 에서 설명 한 요소 와 동일 한 요소 에 대해서 는 , 동일 한 부호 를 붙이 고 , 이 들 에 대해서 는 , 상세 한 설명 을 생략 한다 . 이 실시 형태 에서 는 , 제 1 실시 형태 의 SRAM 에 셀프 타이밍 수법 을 도입 하 여 구성 되 어 있 다 . 셀프 타이밍 수법 은 , 센스 앰프 ( SA ) 의 동작 타이밍 을 , 비트 선 ( BL , XBL ) 의 길이 ( 부하 용량 ) 에 의존 하 여 조정 하 는 수법 이 다 . 셀프 타이밍 수법 은 , 사용 자 의 시스템 사양 에 따라서 , 메모리 셀 어레이 ( ARY ) 의 크기 [ 비트 선 ( BL , XBL ) 의 길이 ] 를 가변 으로 하 는 설계 수법 ( 컴 파일드 메모리 ) 에서 채용 된다 .