이러 한 문제 를 극복 하 기 위해 , 레지스 트 재료 의 고 굴절률 화 가 검토 되 고 있 지만 , 193 ㎚ 에서 의 투명 성 을 확보 하 면서 패턴 형성 에 필요 한 산 반응 성 을 저해 하 지 않 고 , 효과 적 으로 굴절 률 을 향상 시킬 수 있 는 재료 는 지금 까지 별로 알려져 있 지 않 다 . 한편 , 고 굴절률 화 가 진행 되 고 있 는 가까운 예 로서 는 , 안경 등 에 이용 되 는 수지 렌즈 가 잘 알려져 있 다 . 이러 한 재료 에서 는 , 중금속 이나 방향 족 고리 , 브롬 이나 요오드 등 의 중 할로겐 ( heavy halogen ) 원자 , 유황 원자 의 도입 에 의한 고 굴절률 화 가 일반 적 이 지만 , ArF 용 레지스 트 재료 에서 는 193 ㎚ 에서 의 투명 성 이나 오염 ( contamination ) 의 문제 로부터 , 유황 원자 의 도입 에 수단 이 한정 된다고 생각 되 고 있 다 .