도 14 는 , 본 실시 형태 에 따른 상변화 메모리 의 초기 화 동작 에서 의 칩 내부 동작 의 예 를 나타내 는 도면 이 다 . 도 14 에서 는 , 도 3 에 도시 한 메모리 어레이 MA 에 포함 되 는 서브 메모리 어레이 SMA 0 ∼ SMA 16895 에서 , 적층 메모리 셀 군 MB 00 의 최 하층 에 있 는 메모리 셀 MC 1 을 초기 화 하 는 경우 의 동작 파형 이 나타내 어 져 있 다 . 설명 을 간략 화 하 기 위해 , 제 1 멀티플렉서 군 MUXB 1 및 제 2 멀티플렉서 군 MUXB 2 의 동작 파형 은 생략 되 어 있 지만 , 도 13 에 도시 한 제 2 초기 화 커맨드 IN 2 에 따라서 , 메모리 층 선택 신호 LS 0 및 비트 선 선택 신호 BS 0 이 활성 화 됨 으로써 , 로컬 비트 선 LS 001 , LS 101 , … , LS 1689501 과 공통 데이터 선 CD 0 , CD 1 , … , CD 16895 가 각각 접속 된다 . 다음 으로 , 접지 전압 VSS 로 되 어 있 는 초기 화 기동 신호 INIT _ EN 이 전원 전압 VDD , 접지 전압 VSS 로 되 어 있 는 워드 선 WL 0 이 제 1 어레이 전압 V 0 으로 각각 구동 되 면 , 대응 하 는 로컬 비트 선 LB 001 , LB 101 , … , LB 1689501 에 초기 화 전류 Iint 가 인가 되 어 , 초기 화 동작 이 행해진다 . 또한 , 워드 선 에 인가 되 는 어레이 전압 은 , 선택 된 메모리 셀 이 속하 는 메모리 층 에 따라서 V 0 ∼ V 3 중 어느 하나 의 전압 값 으로 되 는 것 은 , 전술 한 도 12 로부터 용이 하 게 이해 할 수 있 다 .