반도체 층 은 , 산화 인듐 의 빅스 바이트 ( bixbyite ) 구조 의 모서리 공유 구조 의 적어도 일부 를 유지 하 고 있 는 비정질 막 인 것 이 바람직 하 다 . 산화 인듐 을 포함 하 는 비정질 막 이 산화 인듐 의 빅스 바이트 구조 의 모서리 공유 구조 의 적어도 일부 를 유지 하 고 있 는지 여부 는 , 고 휘도 의 싱크로트론 방사 ( synchrotron radiation ) 등 을 이용 한 미소 각 입사 X 선 산란 ( GIXS ) 에 의해 구한 동경 ( 動徑 ) 분포 함수 ( RDF ) 에 의해 , In - X ( X 는 In , Zn ) 를 나타내 는 피크 가 0 . 30 내지 0 . 36 nm 사이 에 있 는 것 으로 확인 할 수 있 다 . 상세 에 관해서 는 하 기 의 문헌 을 참조 하 면 좋 다 .