도 17 을 참조 한다 . 변형 예 에 따른 기판 처리 장치 의 개략 구성 을 나타내 는 모식도 이 다 . 도시 하 는 변형 예 에서 는 , 기판 처리 열 ( Ｌｕ , Ｌｄ ) 사이 에서 , 기판 ( Ｗ ) 에 행하 는 처리 공정 은 다르 다 . 기판 처리 열 ( Ｌｕ ) 의 공정 은 , 도포 현상 공정 이 다 . 기판 처리 열 ( Ｌｄ ) 의 공정 은 종류 가 다른 복수 의 처리 로 구성 되 며 , 최초 3 개 의 처리 ( 냉각 처리 ( Ｔ １ ｕ ) , 반사 방지 막 재료 도포 처리 ( Ｔ ２ ｕ ) 및 가열 / 냉각 처리 ( Ｔ ３ ｕ ) ) 를 행하 지 않 는 이외 는 , 도포 현상 공정 과 동일 하 다 . 도포 현상 공정 의 최초 3 개 의 처리 는 , 반사 방지 막 용 재료 도포 처리 ( Ｔ ２ ) 와 이 에 관련 된 열처리 ( Ｔ １ , Ｔ ３ ) 이 며 , 기판 ( Ｗ ) 에 반사 방지 막 을 형성 하 기 위한 공정 이 라고 할 수 있 다 .