사용 자 는 모니터 ( 172 ) 에 표시 된 이물 ( 175 ) 과 제 2 마스크 의 영상 을 관찰 하 여 향후 이물 ( 175 ) 이 미칠 영향 을 예측 한다 . 만일 , 이 물 ( 175 ) 이 제 2 마스크 공정 에 의해 형성 될 데이터 라인 또는 반도체 패턴 과 중첩 되 는 영역 에 위치 하 게 되 면 이 물 ( 175 ) 은 추후 형성 된 데이터 라인 또는 반도체 패턴 의 단선 을 유발 할 수 있 다고 예측 할 수 있 다 .