도 1 에 나타내 는 바 와 같이 , 열처리 장치 ( 1 ) 에 는 3 개 의 방사 온도계 ( 120 , 130 , 140 ) 가 설치 되 어 있 다 . 상술 한 바 와 같이 , 방사 온도계 ( 120 ) 는 , 서 셉 터 ( 74 ) 에 설치 된 개구부 ( 78 ) 를 통해 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 하면 의 온도 를 측정 한다 . 방사 온도계 ( 130 ) 는 , 서 셉 터 ( 74 ) 의 중앙부 로부터 방사 된 적 외광 을 검지 하 여 당해 중앙부 의 온도 를 측정 한다 . 한편 , 방사 온도계 ( 140 ) 는 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 상면 으로부터 방사 된 적 외광 을 검지 하 여 웨이퍼 상면 의 온도 를 측정 한다 . 방사 온도계 ( 140 ) 로서 는 , 플래시 램프 ( FL ) 로부터 플래시 광이 조사 된 순간 의 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 상면 의 급격 한 온도 변화 에 추수 ( 追隨 ) 하 는 것 이 가능 한 고속 방사 온도계 를 채용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 열처리 장치 ( 1 ) 에 는 온도 센서 ( 150 ) 도 설치 되 어 있 다 . 온도 센서 ( 150 ) 는 , 챔버 ( 6 ) 내 의 열처리 공간 ( 65 ) 의 분위기 온도 를 계측 한다 .