상기 제작 방법 으로 형성 된 산화물 반도체 적층 을 포함 하 는 산화물 반도체 층 ( 453 ) 을 본 명세서 에 개시 하 는 반도체 장치 에 적용 할 수 있 는 트랜지스터 ( 예 를 들 어 , 실시 형태 1 및 2 에서 의 트랜지스터 ( 162 ) , 실시 형태 2 에서 의 트랜지스터 ( 410 ) , 트랜지스터 ( 420 ) , 트랜지스터 ( 430 ) , 트랜지스터 ( 441 ) , 트랜지스터 ( 442 ) ) 에 적절히 이용 할 수 있 다 .