또한 , a 평면 ( 11 - 20 ) 사파이어 기판 과 그 기판 위 에 성장 되 는 반도체 층 사이 에 SiO 2 패턴 을 형성 함 으로써 , 기판 과 반도체 층 사이 의 격자 불 일치 및 / 또는 열전달 율 차이 에 따라 야기 되 는 전위 ( dislocation ) 등 의 격자 결함 을 SiO 2 패턴 을 이용 한 LEO 방식 에 의한 반도체 층 의 횡 방향 성장 을 통해 억제 할 수 있 다 .