( 8 ) 제 1 항 에 기재 된 장치 에서 , 상기 제 어부 는 , 모든 기판 처리 열 에서 , 기판 에 레지스 트 막 재료 를 도포 하 는 레지스 트 막 재료 도포 처리 , 기판 에 현상액 을 공급 하 는 현상 처리 , 및 , 기판 을 가열 또는 냉각 하 는 열처리 를 포함 해서 기판 에 레지스 트 막 을 형성 하 고 , 또한 , 기판 을 현상 하 기 위한 공정 으로 하 는 것 이 가능 하 며 , 또 , 일부 기판 처리 열 에서 는 , 상기 레지스 트 막 재료 도포 처리 와 상기 현상 처리 와 상기 열처리 를 포함 해서 기판 에 레지스 트 막 을 형성 하 고 , 또한 , 기판 을 현상 하 기 위한 공정 으로 하 면서 , 다른 기판 처리 열 에서 는 , 상기 레지스 트 막 재료 도포 처리 와 상기 열처리 를 포함 해서 레지스 트 막 을 형성 하 기 위한 공정 , 또는 , 상기 현상 처리 와 상기 열처리 를 포함 해서 기판 을 현상 하 기 위한 공정 중 어느 한쪽 으로 하 는 것 이 가능 하 다 . 모든 기판 처리 열 로부터 레지스 트 막 을 형성 하 고 , 현상 한 기판 을 얻 을 수 있 다 . 또한 , 일부 기판 처리 열 로부터 레지스 트 막 을 형성 하 고 , 현상 한 기판 을 얻 음 과 아울러 , 다른 기판 처리 열 로부터 레지스 트 막 을 형성 한 기판 , 또는 , 현상 한 기판 을 얻 을 수 있 다 .