따라서 , 상기 캡 핑 층 ( 123 ) 과 비정질 실리콘 층 ( 120 ) 의 계면 상 에 생성 되 는 시드 의 개수 , 밀도 또는 위치 에 따라 다결정 실리콘 층 의 결정립 의 크기 및 균 일도 가 결정 되 는데 , 이 는 상기 캡 핑 층 ( 123 ) 내 에서 의 금속 촉매 ( 126 ) 의 확산 특성 뿐 만 아니 라 금속 촉매 층 ( 125 ) 의 밀도 에 의해서 도 결정 된다 . 즉 , 상기 금속 촉매 층 ( 125 ) 의 밀도 가 낮 을수록 , 상기 캡 핑 층 ( 123 ) 내 의 금속 촉매 ( 126 ) 의 확산 이 적 을수록 ( 확산 되 는 양 이 너무 적 으면 결정화 가 일어나 지 않 음 으로 적당 한 양 은 확산 되 어야 함 ) 다결정 실리콘 층 의 결정립 크기 는 커 지 게 된다 . 또한 , 상기 제 2 캡 핑 층 ( 123 b ) 상 에 형성 된 개구부 ( Ⅰ ) 의 위치 를 제어 함 으로써 , 비정질 실리콘 층 ( 120 ) 이 다 결정 실리콘 층 으로 결정 화 되 는 위치 및 방향 을 조절 할 수 있 다 .