상기 모재 로 는 박형 의 고분자 필름 을 사용 할 수 있 으며 , 광 확산 내지 산란 성 을 향상 시키 기 위하 여 GaN 입자 층 과 의 굴절 률 차이 가 1 이상 인 재질 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . GaN 입자 는 2 . 3 ~ 2 . 5 범위 의 고 굴절 률 을 가지 므로 모재 의 굴절 율 은 1 . 5 이하 인 것 이 적절 하 다 . GaN 입자 크기 에 따라 광학 부재 의 광 특성 이 달라질 수 있 다 . 예 를 들 어 GaN 입경 이 1 ~ 50 ㎛ 정도 로 비교 적 큰 경우 광 확산 성 이 매우 우수 하 며 , 입경 이 1 ~ 50 nm 범위 로 작 은 경우 에 는 불 필요 한 산란 이 감소 되 어 광 투과율 을 증가 시킬 수 있 다 . 따라서 , 광 확산 성 과 더불 어 휘도 증가 를 위한 산란 성 감소 를 목적 으로 하 는 경우 GaN 입자 크기 를 나노미터 수준 으로 하 는 것 이 바람직 할 것 이 다 .