본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 디바이스 의 제조 방법 은 , 벌크 기판 상 에 실리콘 게르마늄 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 실리콘 게르마늄 층 상 에 제 1 실리콘 단결정 층 을 형성 하 는 단계 ; 반도체 소자 가 형성 될 액티브 영역 으로부터 소자 분리 영역 에 의해 분리 된 더미 액티브 영역 내 의 상기 제 1 실리콘 단결정 층 의 일부 및 상기 실리콘 게르마늄 층 의 일부 를 제거 하 는 단계 ; 상기 제 1 실리콘 단결정 층 의 일부 및 상기 실리콘 게르마늄 층 의 일부 를 제거 하 고 , 상기 제 1 실리콘 단결정 층 상 에 제 2 실리콘 단결정 층 을 형성 함 으로써 형성 된 트렌치 ( trench ) 내 에 실리콘 기둥 을 형성 하 는 단계 ; 상기 소자 분리 영역 에서 상기 제 1 및 상기 제 2 실리콘 단결정 층 및 상기 실리콘 게르마늄 층 을 제거 하 는 단계 ; 상기 더미 액티브 영역 내 의 상기 제 1 및 제 2 실리콘 단결정 층 및 상기 실리콘 기둥 은 남겨 두 면서 , 상기 더미 액티브 영역 내 의 상기 실리콘 게르마늄 층 을 선택 적 으로 제거 하 는 단계 ; 및 상기 더미 액티브 영역 에서 상기 제 1 및 상기 제 2 실리콘 단결정 층 아래 에 절연 층 을 매립 시키 는 단계 를 포함 한다 .