이상 , 본 발명 의 실시 의 형태 에 대해서 설명 했 지만 , 이 발명 은 그 취지 를 일탈 하 지 않 는 한 에 있 어서 상술 한 것 이외 에 다양 한 변경 을 행하 는 것 이 가능 하 다 . 예 를 들 면 , 상기 각 실시 형태 에 있 어서 는 , 면방 위가 ( 100 ) 면 인 단결정 실리콘 의 반도체 웨이퍼 ( W ) 를 처리 대상 으로 하 고 있 었 지만 , 이것 에 한정 되 는 것 이 아니 며 , 면방 위가 ( 110 ) 면 또는 ( 111 ) 면 의 반도체 웨이퍼 에 가열 처리 를 행하 도록 해도 된다 . 반도체 웨이퍼 의 면방 위 가 상이 하 면 , 플래시 광조 사 시 에 휨 이 최소 가 되 는 방향 도 상이 하 다 . 따라서 , 면방 위 마다 플래시 광 조사 시 의 휨 이 최소 가 되 는 방향 을 테이블 에 등록 해 둔다 . 그리고 , 제 어부 ( 3 ) 의 제어 하 에서 얼라인먼트 부 ( 130 ) 가 플래시 광조 사 시 에 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 휨 이 최소 가 되 는 방향 을 따른 직경 이 상부 방사 온도계 ( 25 ) 의 광축 과 일치 하 도록 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 방향 을 조정 한다 . 이 와 같이 하 면 , 플래시 광 조사 에 의해 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 휨 이 생긴 경우 에 도 , 상부 방사 온도계 ( 25 ) 의 광축 방향 에서 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 거의 휨 이 생기 지 않 기 때문 에 , 방사 율 도 거의 변화 되 지 않 고 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 상면 의 온도 를 정확 하 게 측정 할 수 있 다 .