많 은 유형 의 플래시 메모리 , 예 를 들 어 , NAND 메모리 의 경우 , 기록 및 소거 동작 은 개별 메모리 셀 에서 행해질 수 없 고 , " 오히려 상기 동작 은 메모리 셀 의 그룹 에서 행해진다 . 기록 동작 은 상대 적 으로 작 은 "" 페이지 ( page ) ""( 전형 적 으로 NAND 플래시 메모리 디바이스 에 대하 여 512 바이트 ", 2 K 바이트 , 또는 4 K 바이트 ) 에서 동작 되 는 반면 에 , " 소거 동작 은 페이지 보다 큰 "" 블록 ( block ) ""( 전형 적 으로 NAND 플래시 메모리 디바이스 에 대하 여 32 K 바이트 또는 128 K 바이트 ) 상 에서 행해진다 . "