구동 박막 트랜지스터 의 채널 을 미세 결정 질 또는 다결정 반도체 에 형성 함 으로써 높 은 전하 이동도 ( carrier mobility ) 및 안정 성 ( stability ) 을 가질 수 있 고 , 이 에 따라 발광 소자 에 흐르 는 전 류량 을 늘릴 수 있 어서 휘도 를 높일 수 있 다 . 또한 , 구동 박막 트랜지스터 의 채널 을 미세 결정 질 또는 다결정 반도체 에 형성 함 으로써 구 동시 계속 적 인 양 ( positive ) 전압 의 인가 에 의해 발생 하 는 문턱 전압 이동 현상 ( Vth shift ) 을 방지 하 여 이미지 고착 ( image sticking ) 및 수명 단축 을 방지 할 수 있 다 .