연속 계대 배양 으로 도 알려진 반 복식 회분 배양 에서 , 세포 는 배양 배지 내 에 위치 되 고 바람직 한 세포 밀도 로 성장 한다 . 쇠멸 단계 및 세포 죽음 의 개시 를 피하 기 위해 , 배양 은 세포 가 그 들 의 최대 농도 에 도달 하 기 전 완전 성장 배지 로 희석 된다 . 희석 의 양 및 빈도 는 다양 하 게 변화 하 며 세포 주 의 성장 특성 및 배양 공정 의 편리 성 에 의존 한다 . 공정 은 필요 한 횟수 만큼 반복 될 수 있 으며 세포 및 배지 가 계대 배양 에서 버려 지 지 않 는 한 배 양 의 부피 는 각 희석 이 수행 되 면서 단계 적 으로 증가 할 것 이 다 . 증가 하 는 부피 는 용기 내 의 희석 을 허용 하 기 에 충분 한 크기 의 반응기 를 사용 함 으로써 또는 희석 된 배양 을 몇몇 용기 로 나눔 으로써 처리 할 수 있 다 . 이 유형 의 배양 의 이론 적 근거 는 세포 를 지수 함수 적 으로 성장 하 는 상태 로 유지 하 는 것 이 다 . 연속 계대 배양 은 배양 의 부피 가 항상 단계 적 으로 증가 하 고 , 다수 의 포집 이 있 을 수 있 고 , 세포 가 계속 성장 하 며 공정 이 원 하 는 만큼 계속 될 수 있 다는 점 에서 특징지 어 진다 .