본 발명 은 비휘발성 메모리 소자 의 게이트 식각 공정 시 ONO 콘 택 홀 및 ONO 콘 택 홀 가장자리 와 중첩 하 여 컨트롤 게이트 용 도전 막 에서부터 터널 절 연막 까지 식각 되 는 홀 을 형성 한 후 층간 절 연막 을 증착 함 으로써 , 메모리 셀 들 사이 의 절 연막 내부 에 도전 물질 로 이루어지 는 더미 게이트 패턴 을 형성 하 여 CFGY 뿐 만 아니 라 CFGXY 에 대한 커패시턴스 를 개선 함 에 따라 인접 한 워드 라인 간 에 간섭 효과 를 감소 시켜 프로그램 속도 를 향상 시킬 수 있 다 .