반면 에 , 본원 발명 의 실시 예 와 같이 구동 트랜지스터 ( MD ) 의 게이트 전극 에 접속 된 폴리 실리콘 반도체 트랜지스터 ( M ( P ) ) 를 턴 - 오프 한 후 , 산화물 반도체 트랜지스터 ( M ( O ) ) 를 턴 - 오프 시키 면 산화물 반도체 트랜지스터 ( M ( O ) ) 의 채널 커패시터 에 의하 여 구동 트랜지스터 ( MD ) 의 게이트 전극 전압 이 변경 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 추가 적 으로 , 산화물 반도체 트랜지스터 ( M ( O ) ) 가 턴 - 오프 되 면 누설 경로 에서 흐르 는 누설 전류 를 최소 화 할 수 있 다 .