도 1 a 와 도 1 b 는 종래 의 플립 - 칩 구조 의 질화물 발광 다이오드 의 상면 도 및 그 발광 다이오드 의 A - A 단면도 를 각각 도시 한 도면 으로서 , 종래 의 발광 다이오드 ( 20 ) 는 예 를 들 어 사파이어 기판 ( 21 ) 의 상면 에 순차 적 으로 버퍼 층 ( 22 ) , n 형 GaN 클래드 층 ( 23 a ) , 활성 층 ( 23 b ) , p 형 GaN 클래드 층 ( 23 c ) 이 형성 되 며 , 이 와 같이 형성 된 활성 층 ( 23 b ) 과 p 형 GaN 클래드 층 ( 23 c ) 를 건식 에칭 하 여 , n 형 GaN 클래드 층 ( 23 a ) 의 일부 를 노출 시킨 후 , 노출 된 n 형 GaN 클래드 층 ( 23 a ) 의 상부 에 는 n 측 전극 ( 26 ) , 에칭 되 지 않 은 p 형 GaN 클래드 층 ( 23 c ) 의 상부 에 는 투명 전극 ( 24 ) 을 개재 한 후 p 측 전극 ( 25 ) 을 형성 한다 .