다음 에 , 이 네거티브 형 레지스 트 패턴 ( 4 a ) 을 에칭 마스크 로 하 여 , 포토레지스트 막 ( 4 ) 에 비해 , 규소 함유 레지스 트 하층 막 ( 3 ) 의 에칭 속도 가 상당히 높 은 드라이 에칭 조건 , 예컨대 불소 계 가스 플 라즈 마 에 의한 드라이 에칭 에 의한 에칭 을 행한다 . 결과 적 으로 포토레지스트 막 의 사이드 에칭 에 의한 패턴 변화 의 영향 을 거의 받 지 않 고 , 네거티브 형 의 규소 함유 레지스 트 하층 막 패턴 ( 3 a ) 을 얻 을 수 있 다 ( 도 1 ( I - G ) ) .