도 3 은 본 발명 과 종래 기술 에 따라 성장 된 산화 막 의 전체 계면 결함 과 유효 산화 막 전하량 ( effective oxide change ; Qeff ) 을 비교 하 여 나타낸 도면 이 다 . 산화 막 구조 의 계면 결함 상태 는 전체 계면 결함 밀도 로 나타내 었 다 . 이때 계면 결함 은 하이 - 로우 ( high - low ) 주파수 캐 패 시 턴 스 - 전압 측 정법 으로 계산 되 었 으며 , 에너지 밴드 갭 내 에서 전 도대 ( conduction energy band ) 아래 0 . 2 내지 0 . 7 eV 사이 의 계면 결함 준위 값 을 전부 더 하 여 전체 계면 결함 준위 를 나타낸 것 이 다 .