본 발명 은 2 종 물질 산화 막 의 형성 방법 , 반도체 소자 의 제조 방법 , 유전 막 형성 방법 , 및 반도체 소자 에 관한 것 으로서 , 더욱 구체 적 으로 는 2 종 이상 의 물질 을 함유 하 는 높 은 종횡비 의 물질 막 을 성분 및 치수 의 관점 에서 고도 의 균일성 을 갖 도록 제조 할 수 있 는 방법 및 그 에 의하 여 제조 된 반도체 소자 에 관한 것 이 다 .