접촉면 이 L 자 모양 ( 미로 구조 ) 이 아니 고 , 접촉면 7 a 만 이 존재 하 는 경우 ( 도 8 ) 에 비해 , 접촉면 7 a 와 접촉면 7 b 가 존재 함 으로 인해 , 반응 성 성분 , 라디컬 입자 등 의 침투 경로 가 더 길 게 형성 될 수 있 다 . 반응 성 성분 , 라디컬 입자 등 이 접촉면 7 b 를 따라 계속 침투 할 때 에 도 , 와이더 라인 패턴 의 코어 재료 ( 와이더 라인 패턴 의 유기 재료 막 ( 4 ) ) 에 도달 하 는 데 필요 한 시간 은 더 길 어 질 수 있 다 . 이 로 인해 , 레지스 트 ( 8 ) 의 제거 가 끝 나기 전 에 반응 성 성분 , 라디컬 입자 등 이 와이더 라인 패턴 의 코어 재료 ( 와이더 라인 패턴 의 유기 재료 막 ( 4 ) ) 에 도달 하 는 것 이 억제 된다 . 도 8 은 실리콘 산화 막 ( 5 ) 과 의 비결정 실리콘 ( 7 ) 측벽 의 접촉면 이 L 자 모양 이 아닐 때 의 그 접촉면 의 주변 영역 을 나타내 는 확대 단면도 이 다 .