상술 한 구조 의 비휘발성 기억 소자 에서 , 상기 제 2 셀 스트링 이 형성 된 제 1 소자 반도체 층 ( 200 ) 내 금속 원소 들 은 상기 제 1 게터 링 영역 ( 165 ) 내 사이트 들 ( 170 ) 에 포획 된다 . 이 로써 , 상기 제 2 셀 스트링 의 금속 오염 을 최소 화 할 수 있 다 . 또한 , 상기 제 3 셀 스트링 이 형성 된 제 2 소자 반도체 층 ( 200 ') 내 금속 원소 들 은 상기 제 2 게터 링 영역 ( 165 ) 내 사이트 들 ( 170 ') 에 포획 된다 . 이 로써 , 상기 제 3 셀 스트링 의 금속 오염 을 최소 화 하 여 우수 한 특성 을 가지 며 고도 로 집적 화 된 비휘발성 기억 소자 를 구현 할 수 있 다 .