또한 , 상기 화소 전극 은 상기 화소 영역 을 정의 하 는 게이트 배선 과 중첩 하 며 형성 됨 으로써 상기 게이트 배선 을 제 1 스토리지 전극 , 상기 화소 전극 을 제 2 스토리지 전극 , 그리고 상기 제 1 , 2 스토리지 전극 사이 에 형성 된 게이트 절 연막 을 유 전체 층 으로 하 여 스토리지 커패시터 를 형성 하 는 것 이 특징 이 며 , 상기 보호 층 과 상기 화소 전극 은 동일 한 층 에 서로 다른 물질 로 형성 된 것 이 특징 이 다 .