본 발명 의 일 실시 예 에 따른 전자 소자 는 , 기판 ( 110 ) , 제 1 전극 층 ( 120 ) , 그래핀 반도체 박막 ( 132 ) 및 제 2 전극 층 ( 140 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 전극 층 ( 120 ) , 그래핀 반도체 박막 ( 132 ) 및 제 2 전극 층 ( 140 ) 은 기판 ( 110 ) 상 에 일 방향 으로 차례 로 형성 될 수 있 다 . 이때 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따라 , 극 단파 백색광 을 통해 그래핀 산화물 박막 ( 131 ) 을 광 소결 하 여 , 절연 특성 을 가지 는 그래핀 산화물 박막 ( 131 ) 으로부터 변환 된 그래핀 반도체 박막 ( 132 ) 은 3000 ㏀/ sq ~ 100 ㏀/ sq 의 면저항 을 가질 수 있 다 .