계속 해서 , 상기 비정질 실리콘 층 을 본원 발명 에 따른 디렉 셔 널 결정 화 방법 ( Thin beam Directional Crystallization ) 을 이용 하 여 다결정 실리콘 층 ( 미 도시 ) 으로 결정 화 한다 . 상기 디렉 셔 널 결정 화 방법 ( Thin beam Directional Crystallization ) 은 일정 폭 과 일정 길이 의 크기 를 가지 는 빔 을 마스크 없이 비정질 실리콘 층 에 직접 조사 하 는 방법 이 다 .