도 10 및 도 11 을 참조 하 면 , 반도체 패키지 ( 10 d ) 는 하부 재배 선 구조물 ( 101 ) , 반도체 칩 ( 200 ) , 도전 성 포스트 ( 160 a ) , 및 몰딩 층 ( 250 ) 을 포함 할 수 있 다 . 도전 성 포스트 ( 160 a ) 의 상면 ( 160 a ) 은 대략 볼록 한 형상 을 가질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도전 성 포스트 ( 160 a ) 의 상면 ( 160 a ) 의 중심부 ( 160 aC ) 는 도전 성 포스트 ( 160 a ) 의 상면 ( 160 a ) 의 가장자리 부 ( 160 aE ) 보다 높 은 레벨 에 위치 될 수 있 다 . 상기 도전 성 포스트 ( 160 a ) 의 상면 ( 160 a ) 의 가장자리 부 ( 160 aE ) 는 외측 으로 하향 경사진 경사면 을 가지 도록 형성 될 수 있 다 .