상기 이종 금속 접촉 부식 ( Galvanic 부식 ) 을 억제 하 는 작용 으로 기능 하 는 음 이온 종 은 소량 일 필요 가 있 고 , 구체 적 인 사용 농도 는 본 발명 < 2 > 에 관한 에칭 제 중 의 농도 로 통상 0 . 0001 중량 %~ 0 . 5 중량 %, 바람직 하 게 는 0 . 001 중량 %~ 0 . 2 중량 %, 보다 바람직 하 게 는 0 . 002 중량 %~ 0 . 2 중량 % 이 다 . 0 . 5 중량 % 를 초과 하 는 양 을 사용 하 면 , 에 칭제 중 의 전해질 농도 가 지나치 게 높 아 져서 전자 의 수도 ( handover electron ) 가 쉽 게 발생 하 는 환경 이 되 어서 , 역 으로 이종 금속 접촉 부식 ( Galvanic 부식 ) 을 촉진 하 게 되 므로 바람직 하 지 않 다 . 이 와 같 은 음 이온 종 은 수산화물 이온 에 의한 W 계 금속 막 표면 에 형성 되 는 전기 이중 층 을 유지 하 면서 , 전기 적 인 영향 을 광범위 하 게 분산 시킬 수 가 있 는 작용 을 나타낸다 .