앞서 기재 된 바 와 같이 제 2 기판 ( 24 ) 은 본딩 층 ( 32 ) 에 본 딩 되 어 , 본딩 된 스택 ( 58 ) 을 형성 할 수 있 다 ( 도 4 ( d ) ) . 그 후 , 본딩 된 스택 ( 58 ) 은 앞서 기재 된 바 와 같이 추가 공정 의 대상 이 될 수 있 다 . 제 1 및 제 2 기판 ( 12 및 24 ) 이 분리 될 준비 가 되 면 , 본딩 된 스택 ( 58 ) 은 앞서 기재 된 제거 용액 들 중 하나 에 노출 되 어 , 용액 이 리프트 - 오프 층 ( 44 ) 을 용해 하 게 되 어 따라서 기판 ( 12 및 24 ) 이 분리 될 수 있 다 . 또는 앞서 기재 된 바 와 같이 , 본딩 층 ( 32 ) 을 연화 하 도록 스택 ( 58 ) 을 가열 함 으로써 , 분리 가 개시 될 수 있 다 . 이러 한 후자 의 경우 , 리프트 - 오프 층 ( 44 ) 은 세정 층 으로서 다시 기능 하 며 , 제거 용액 에 의해 층 ( 44 ) 을 제거 함 으로써 본딩 층 잔여물 이 제거 될 수 있 다 .