한편 , 산화아연 이 포함 된 산화아연 바리 스터 ( zinc oxide varistor ) 는 산화아연 에 몇 가지 첨가제 를 첨가 하 여 적절 한 온도 에서 소성 하 여 제조 될 수 있 다 . 도핑 된 산화아연 바리스 터 의 미세 구조 는 수많 은 반도체 성 산화아연 입자 와 결정립계 로 구성 된 다결정 구조 이 다 . 결정립 은 밴드 갭 이 약 3 . 2 eV 인 반도체 이 며 , 결정립 경계 는 전자 에 대해 활성 이 고 매우 얇 은 절연 층 을 갖 는다 . 그 결과 , 하나 의 반도체 - 절연 층 - 반도체 ( SIS ) 구조 가 마이크 로 바리스 터 를 구성 하 는데 , 이러 한 마이크 로 바리스 터 는 소 결체 를 통해 무작위 로 분포 한다 .