본 발명 의 반도체 발광 소자 는 , n 형 반도체 층 과 p 형 반도체 층 사이 에 발광 층 을 가진 반도체 적층 체 와 , 상기 반도체 적층 체가 실장 되 는 기판 과 , 상기 반도체 적층 체가 상기 기판 에 실장 되 는 면 과 는 반대쪽 의 광취 출면 위 에 설치 된 전극 을 가지 고 , 상기 광취 출면 에 여러 개 의 볼록 부를 구비 한 반도체 발광 소자 에서 , 상기 여러 개 의 돌출부 가 제 1 볼록 영역 과 제 2 볼록 영역 에 마련 되 어 있 으며 , 상기 제 2 볼록 영역 이 상기 제 1 볼록 영역 과 상기 전극 사이 에서 상기 전극 과 상기 반도체 적층 체 와 의 계면 과 인접 한 영역 이 며 , 상기 제 1 볼록 영역 에 설치 된 제 1 볼록 부 의 기단 이 상기 계면 보다 도 상기 발광 층 쪽 에 위치 하 고 , 상기 제 2 볼록 영역 에 설치 된 제 2 볼록 부 의 기단 이 상기 제 1 볼록 부 의 기단 보다 도 상기 계면 쪽 에 위치 하 는 것 을 특징 으로 한다 .