본 발명 에 따르 면 , 비휘발성 메모리 소자 는 초과 부 화학 양론 적 저항 스위칭 금속 산화물 로 형성 된다 . 본 발명 의 기술 을 이용 하 면 , 3 내지 4 g / cm 3 또는 그 보 다 낮 은 밀도 및 10 ohm - cm 내지 100 ohm - cm 또는 그 보다 높 은 저항 율 을 갖 는 고도 금속 결함 성 저항 스위칭 금속 산화물 이 생성 될 수 있 다 . 이 들 밀도 는 화학 양론 적 금속 산화물 밀도 의 65 % 미만 내지 80 % 미만 일 수 도 있 다 .