이 와 같이 , SOI 영역 의 반도체 기판 ( 20 ) 을 식각 하 여 형성 된 리 세스 ( 23 ) 내부 에 매몰 산화 막 ( 24 a ) 및 에피 택 셜 층 ( 25 ) 을 형성 하 기 때문 에 종래 의 SOI 기판 제조 방식 에 비하 여 공정 과정 의 단순 화 및 비용 절감 이 가능 하 다 . 아울러 , SOI 영역 에 만 반도체 기판 ( 20 ) , 매몰 산화 막 ( 24 a ) 및 에피 택 셜 층 ( 25 ) 이 순차 적 으로 적층 된 부분 적 SOI 구조 가 형성 되 기 때문 에 , 이러 한 부분 적 SOI 구조 를 이용 하 여 제조 된 소자 의 동작 시 열 방출 이 용이 한 장점 이 있 다 .