상기 제 1 안 에서 , 상기 제 1 단계 의 충전 은 고밀도 플라 즈 마 화학 기상 증착 방법 을 이용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 제 2 단계 는 상기 충전물 을 평탄 화 하 는 단계 ; 상기 평탄 화 된 충전물 상 에 상기 보이드 의 최 대폭 이 드러나 도록 마스크 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 충전물 을 식각 하 여 제거 한 후 상기 마스크 패턴 을 제거 하 는 단계 를 포함 하 여 구성 되 며 , 상기 평탄 화 는 화학 기계 적 연마 ( CMP ) 방법 을 이용 할 수 있 다 . 상기 갭 은 STI ( Shallow Trench Isolation ) , IMD ( Intermetal Dielectric ) 및 PMD ( Premetal Dielectric ) 중 하나 를 위한 것 일 수 있 다 .