그 다음 에 , 절연 층 ( 138 ) 및 절연 층 ( 140 ) 에 CMP ( 화학 적 기계 연마 ) 처리 나 에칭 처리 를 행함 으로써 , 절연 층 ( 138 ) 및 절연 층 ( 140 ) 을 평탄 화 한다 ( 도 20 의 ( c ) 참조 ) . 여기 에서 는 , 절연 층 ( 138 ) 이 일부 노출 될 때 까지 , CMP 처리 를 행한다 . 절연 층 ( 138 ) 에 질화 산화 실리콘 을 이용 하 고 , 절연 층 ( 140 ) 에 산화 실리콘 을 이용 한 경우 , 절연 층 ( 138 ) 은 에칭 스토퍼 로서 기능 한다 .