상기 ( e ) 단계 에서 의 상기 제 2 식각 마스크 패턴 을 형성 하 는 방법 은 , ( e 1 ) 상기 실리콘 기판 상 에 제 3 식각 마스크 층 , 제 4 식각 마스크 층 , 감광제 를 순차 적 으로 적층 하 는 단계 와 ; ( e 2 ) 상기 감광제 를 패 터닝 한 후 사진 및 식각 공정 을 통해 상기 제 4 식각 마스크 층 을 식각 하 는 단계 와 ; ( e 3 ) 상기 감광제 를 제거 한 후 상기 제 4 식각 마스크 층 의 측벽 에 스페이스 막 을 형성 하 는 단계 와 ; ( e 4 ) 상기 제 4 식각 마스크 층 을 제거 한 후 상기 스페이스 막 을 이용 하 여 상기 제 3 식각 마스크 층 을 식각 하 는 단계 ; 및 ( e 5 ) 상기 스페이스 막 을 제거 하 여 상기 제 2 식각 마스크 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 하 여 이루어진 것 을 특징 으로 한다 .