즉 , 도 24 내지 도 27 을 참조 로 설명 한 공정 을 수행 한 후 , 하 부막 을 식각 하 여 플로팅 게이트 전극 ( 204 b ) , 유전 막 패턴 ( 212 a ) 및 콘트롤 게이트 전극 ( 214 a ) 을 형성 한다 . 이 후 , 상기 식각 공정 에 의해 생성 된 개구부 상부 에 만 제 2 절 연막 패턴 ( 226 ) 을 형성 한다 . 따라서 , 상기 제 2 절 연막 패턴 ( 226 ) 의 중심 부위 에 는 에어 터널 형상 의 제 2 에어 갭 ( 228 ) 을 형성 한다 . 이 때 , 상기 제 2 에어 갭 ( 228 ) 은 상기 제 1 절 연막 패턴 ( 220 ) 의 에어 터널 과 연통 된다 .