이때 , 상기 단위 화소 ( P ) 내 에 형성 되 는 유기 전계 발광 층 ( EL ) 과 달리 , 상기 정공 주입 층 ( 151 ) , 정공 수송 층 ( 152 ) , 전자 주입 층 ( 153 ) 및 전자 수송 층 ( 154 ) 은 상기 격벽 ( W ) 상 에 도 순차 적 으로 적층 되 어 형성 된다 . 이때 , 상기 단위 화소 ( P ) 내 에 형성 되 는 정공 주입 층 ( 151 ) , 정공 수송 층 ( 152 ) , 전자 수송 층 ( 153 ) 및 전자 주입 층 ( 154 ) 과 , 상기 격벽 ( W ) 상 에 형성 되 는 정공 주입 층 ( 151 ) , 정공 수송 층 ( 152 ) , 전자 수송 층 ( 153 ) 및 전자 주입 층 ( 1545 ) 은 상기 언더 컷 부 ( U ) 에 의해 물리 적 으로 분리 형성 된다 .