먼저 , 절단 영역 으로 이루어진 베이스 ( 200 ) 상부 에 패드 ( 100 ) 를 결합 시킨다 . 여기 서 , 상기 패드 ( 100 ) 에 하부 에 돌출 된 돌기 가 상기 베이스 ( 200 ) 의 관통 홀 ( 220 ) 에 억 지 끼움 되 어 고정 된다 . 이때 , 상기 패드 ( 100 ) 와 상기 돌기 ( 130 ) 의 사이 에 형성 되 는 결합 부재 ( 122 ) 는 상기 베이스 ( 200 ) 의 결합 홈 ( 221 ) 에 맞춰 결합 되 는 것 이 다 . 이 로써 , 상기 패드 ( 100 ) 가 관통 홀 ( 220 ) 로 억지 끼움 될 때 , 상기 패드 의 틀 어 짐 을 방지 할 수 있 는 것 이 다 . 또한 , 하 면 ( 120 ) 내측 테두리 부 의 홈 부 ( 121 ) 는 상기 베이스 ( 200 ) 에 구비 되 는 진공 홀 ( 230 ) 과 인접 되 어 상기 패드 ( 100 ) 가 외부 로 노출 되 어 있 는 상면 ( 110 ) 을 다시 한 번 고정 시켜 주 는 것 이 다 . 상기 와 같이 사 기 패드 ( 100 ) 가 상기 베이스 ( 200 ) 와 결합 하 게 되 면 , 상기 패드 ( 100 ) 상부 로 반도체 소자 가 안착 되게 된다 . 상기 반도체 소자 가 안착 되 면 상기 패드 ( 100 ) 는 상기 관통 홀 ( 220 ) 을 통해 진 공력 을 인가 하 게 된다 . 여기 서 , 상기 진 공력 은 상기 관통 홀 ( 220 ) 및 진공 홀 ( 230 ) 을 인가 하 게 된다 . 상기 와 같이 진 공력 을 인가 하 여 반도체 소자 가 흡착 되 면서 상기 패드 의 상면 ( 110 ) 은 탄성력 에 의해 상기 반도체 소자 가 완충 돌기 ( 112 ) 로 밀착 하 게 된다 . 여기 서 , 상기 상면 ( 110 ) 이 수축 되 어 기밀 성 을 유지 한 채 반도체 소자 를 안정 적 으로 흡착 할 수 있 는 것 이 다 .