도 26 에서 의 최초 의 공정 은 , 도 5 의 S 32 에서 성막 된 티탄 / 알루미늄 / 티탄 의 적층 배선 을 포토 리소그래피 및 드라이 에칭 에 의해 패 터닝 하 여 , 티탄 / 알루미늄 / 티탄 의 접속 배선 을 형성 하 는 공정 이 다 ( S 50 ) . 이 공정 은 도 16 에서 설명 한 내용 과 동일 하 며 , 대응 하 는 구조도 는 도 17 이 다 .