메모리 셀 어레이 ( MCA ) 의 하위 레벨 도전 라인 ( 111 ) 및 상위 레벨 도전 라인 ( 112 ) 은 각각 적어도 하나 이상 의 제 어회 로 ( 102 ) 에 전기 적 으로 접속 될 수 있 다 . 하위 레벨 도전 라인 ( 111 ) 과 제 어회 로 ( 102 ) 는 상호 접속구 조물 ( 103 ) 및 제 1 , 2 본딩 패드 ( 115 , 105 ) 를 통해 상호 접속 될 수 있 다 . 상위 레벨 도전 라인 ( 112 ) 과 제 어회 로 ( 127 ) 는 도전 형 관통 구조물 ( 127 ) 을 통해 상호 접속 될 수 있 다 . 도전 형 관통 구조물 ( 127 ) 은 금속 - 베이스 물질 로서 , 비아 라고 지칭 할 수 있 다 .