반도체 소자 의 소형 화 에 따라 금속 배선 의 저항 및 층간 절 연막 의 기생 커패시턴스 로 인한 RC ( Resistance Capacitance ) 지연 효과 가 증가 하 여 , 소자 의 동작 속도 가 저하 되 고 동작 전압 이 증가 하 는 등 의 문제 가 발생 한다 . 이 를 개선 하 기 위하 여 금속 배선 으로 고유 저항 이 낮 은 구리 ( Cu ) 를 사용 하 고 층간 절 연막 으로 종래 의 실리콘 산화 막 에 비해 유전 율 이 낮 은 저유 전막 을 사용 하 고 있 다 .