이후 , 도 4 c 에 도시 된 바 와 같이 , 발광 다이오드 층 ( 420 ) 으로부터 사파이어 기판 층 ( 410 ) 을 제거 할 수 있 다 . 즉 , 사파이어 기판 층 ( 410 ) 은 발광 다이오드 층 ( 420 ) 의 성장 을 위해 이용 되 고 , 이후 제거 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 사파이어 기판 층 ( 410 ) 은 레이 져 또는 화학 적 식각 을 통해 제거 될 수 있 다 .