도 2 e 를 참조 하 면 , 통상 적 인 포토 리소그래피 공정 을 이용 하 여 제 1 ( 140 a ) 및 제 2 시드 패턴 ( 140 b ) 의 일부 영역 상 에 제 4 패턴 ( 150 ) 을 형성 한다 . 제 4 패턴 ( 150 ) 은 향후 도 2 j 단계 에서 제 1 시드 패턴 ( 140 a ) 용 배선 ( 142 a ) 의 일부 영역 을 식각 할 때 개구 ( 120 ) 상 의 제 2 시드 패턴 ( 140 b ) 은 식각 되 지 않 도록 하 는 보호막 의 역할 을 한다 . 제 4 패턴 ( 150 ) 은 산화물 , 질화물 , 산질 화물 을 포함 할 수 있 다 .