상기 기판 ( 3 ) 상 에 인듐 ( In ) 및 산소 ( O ) 를 포함 하 는 제 1 박막 ( 10 ) 이 형성 될 수 있 다 ( S 200 ) . 상기 제 1 박막 ( 10 ) 을 형성 하 는 단계 는 , 원자 층 증착 ( Atomic Layer Deposition , ALD ) 공정 에 의해 수행 될 수 있 다 . 구체 적 으로 , 상기 제 1 박막 ( 10 ) 을 형성 하 는 단계 는 , 상기 기판 ( 3 ) 상 에 인듐 ( In ) 을 포함 하 는 인듐 전구체 를 제공 하 는 단계 , 및 상기 기판 ( 3 ) 상 에 산소 ( O ) 를 포함 하 는 산소 전구체 를 제공 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .