즉 , 활성 영역 의 리세 스 여부 및 게이트 패 터닝 여부 에 따라 변형 된 테스트 패턴 을 형성 한 후 , 이 의 캐 패 시 턴 스 ( Capacitance ) 를 측정 하 면 , 상기 캐 패 시 턴 스 는 면적 에 비례 하 고 게이트 절 연막 의 두께 에 반비례 하 므로 이 를 이용 해서 원 하 는 부분 의 물리 적 인 CD 를 모니터링 할 수 있 는 것 이 다 .