여기 에 , 온도 조건 을 400 - 500 ℃ 에서 1000 - 1150 ℃ 로 승 온 하 면 기판 ( 10 ) 에서 입자 형태 로 증착 되 던 SiN 층 ( 20 ) 은 인접 한 입자 끼리 뭉치 게 되 어 기판 ( 10 ) 에서 알갱이 형태 로 성장 하 게 된다 . 이러 한 성장 이 지속 되 면 도 3 에 도시 된 바 와 같이 기판 ( 10 ) 위 에서 섬 형상 으로 서로 이격 되 어 형성 된다 .