도 3 은 본 발명 의 실시 예 와 비교 되 는 비 교예 에 따른 메모리 요소 의 전압 - 전류 특성 을 보여 주 는 그래프 이 다 . 상기 비 교예 에 따른 메모리 요소 는 Pt / TaOx / Ta 2 O 5 / Pt 구조 를 갖 는다 . 즉 , 상기 비 교예 에 따른 메모리 요소 는 버퍼 층 없이 귀금속 ( Pt ) 전극 을 사용 한다 . 상기 비 교예 에서 TaOx 및 Ta 2 O 5 는 각각 도 1 의 제 1 물질 층 ( 10 ) 및 제 2 물질 층 ( 20 ) 에 대응 되 고 , 상 · 하부 Pt 는 전극 이 다 .