도 2 a 에 는 제 1 박막 ( 12 ) , 제 1 마스크 막 ( 14 ) 및 제 2 마스크 ( 20 ) 가 순차 적 으로 적층 된 기판 ( 10 ) 이 도시 되 어 있 다 . 제 1 마스크 막 ( 14 ) 는 도 1 a 에서 의 마스크 막 에 해당 하 는 것 으로서 , 제 1 박막 ( 12 ) 의 노출 표면 의 형태 를 결정 한다 . 제 2 마스 크 막 ( 20 ) 은 제 1 마스크 막 ( 14 ) 에 의하 여 결정 되 는 패턴 형성 영역 의 용적량 이 커지 게 한다 . 다시 말 하 여 , 제 2 마스크 막 ( 20 ) 은 상기 의 패턴 형성 영역 의 상부 에 잉여 의 공간 을 추가 로 마련 한다 . 이 를 위하 여 , 제 2 마스크 막 ( 20 ) 은 제 1 마스크 막 ( 14 ) 와 동일 하 게 형성 될 수 도 있 으나 제 1 마스크 막 ( 14 ) 의 안쪽 가장자리 ( 즉 , 제 1 박막 ( 12 ) 의 노출 표면 과 인접 하 는 제 1 마스크 막 ( 14 ) 의 가장자리 ) 가 노출 되 게끔 형성 된다 . 제 2 마스크 막 ( 20 ) 에 의하 여 노출 되 는 제 1 마스크 막 ( 14 ) 의 가장자리 의 폭 은 대략 3 ~ 10 ㎛ 정도 로 설정 된다 . 바람직 하 게 는 , 제 1 마스크 막 ( 14 ) 의 가장자리 는 나노 입자 수용액 의 건조 시 액체 성분 의 응축 에 의하 여 완전히 노출 될 수 있 는 4 ~ 7 ㎛ 의 폭 만큼 노출 되 는 것 이 좋 다 .