상기 와 같 은 문제 를 해결 하 기 위해서 는 , FO - WLP 에 휨 교정 층 을 마련 함 에 있 어서 반도체 패키지 실장 시 의 온도 에서 도 웨이퍼 반송 등 의 실온 에서 도 휨 량 을 억제 할 수 있 는 것 이 바람직 하 다고 할 수 있 다 . 그리고 , 본 발명자 들 이 검토 한 결과 , 휨 교 정재 의 휨 응력 을 조정 할 수 있 는 파라미터 로서 , 휨 교 정재 의 경화물 의 선팽창 계수 와 탄성 률 과 막 두께 가 밀접 하 게 관계 되 어 있 는 것 이 판명 되 었 다 . 그리고 , 검토 를 더욱 진행 하 여 , 선팽창 계수 , 탄성 률 및 막 두께 가 일정 한 관계 에 있 으면 , 반도체 패키지 실장 시 의 온도 에서 도 웨이퍼 반송 등 의 실온 에서 도 휨 량 을 억제 할 수 있 음 과 함께 , FO - WLP 의 휨 량 을 조정 하 면서 웨이퍼 내지 패키지 의 휨 을 저감 시킬 수 있 다는 지견 을 얻 었 다 . 본 발명 은 관련 된 지견 에 기초 하 는 것 이 다 .