그 후 는 , 전면 에 패 시 베이 션 막 을 형성 하 고 ( 스텝 S 27 ) , 전면 에 레지스 트 를 더 형성 하 여 , 제품 용 칩 의 패드 패턴 이 형성 된 레티 클 을 사용 하 여 , 모든 노광 샷 영역 ( 도 5 의 노광 샷 영역 ( 4 a ) 을 참조 ) 에 대하 여 차례 로 반복 하 여 노광 을 행하 고 , 노광 후 , 현상 을 행하 여 레지스 트 패턴 을 형성 한다 ( 스텝 S 28 ) . 그리고 , 얻 어 진 레지스 트 패턴 을 마스크 로 하 여 패 시베이 션 막 의 에칭 을 행함 으로써 , 제품 용 칩 의 패드 와 기준 용 칩 의 개구부 를 형성 한다 ( 스텝 S 29 ) . 또한 , 여기 서 형성 되 는 기준 용 칩 의 개구부 는 제품 용 칩 의 패드 와 동일 한 형상 으로 되 지만 , 패드 로서 는 사용 되 지 않 는다 .