상기 제 2 게이트 전극 ( GE 2 ) 은 상기 i 번 째 제 1 스캔 배선 ( S 1 i ) 에 연결 될 수 있 다 . 상기 제 2 게이트 전극 ( GE 2 ) 은 상기 i 번 째 제 1 스캔 배선 ( S 1 i ) 의 일부 로 제공 되 거나 상기 i 번 째 제 1 스캔 배선 ( S 1 i ) 으로부터 돌출 된 형상 으로 제공 될 수 있 다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 있 어서 , 상기 제 2 액티브 패턴 ( ACT 2 ) , 상기 제 2 소스 전극 ( SE 2 ) , 및 상기 제 2 드레 인 전극 ( DE 2 ) 은 상기 불순물 이 도핑 되 지 않 거나 상기 불순물 이 도핑 된 반도체 층 으로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 제 2 소스 전극 ( SE 2 ) 및 상기 제 2 드레 인 전극 ( DE 2 ) 은 상기 불순물 이 도핑 된 반도체 층 으로 이루어지 며 , 상기 제 2 액티브 패턴 ( ACT 2 ) 은 상기 불순물 이 도핑 되 지 않 은 반도체 층 으로 이루어질 수 있 다 . 상기 제 2 액티브 패턴 ( ACT 2 ) 은 상기 제 2 게이트 전극 ( GE 2 ) 과 중첩 된 부분 에 해당 된다 . 상기 제 2 액티브 패턴 ( ACT 2 ) 은 상기 제 2 게이트 전극 ( GE 2 ) 과 중첩 된 부분 에 해당 한다 . 상기 제 2 소스 전극 ( SE 2 ) 은 일 단 이 상기 제 2 액티브 패턴 ( ACT 2 ) 에 연결 되 고 타 단 이 제 6 컨 택 홀 ( CH 6 ) 을 통해 상기 데이터 배선 ( Dj ) 에 연결 된다 . 상기 제 2 드레 인 전극 ( DE 2 ) 은 일 단 이 상기 제 2 액티브 패턴 ( ACT 2 ) 에 연결 되 고 타 단 이 상기 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 의 상기 제 1 소스 전극 ( SE 1 ) 과 상기 제 5 트랜지스터 ( T 5 ) 의 상기 제 5 드레 인 전극 ( DE 5 ) 과 연결 된다 .