도 5 및 도 14 a 를 참조 하 면 , 프로그램 루프 를 수행 할 때 에 , 선택 된 비트 라인 ( BL < 2 >) 에 는 0 V 의 전압 이 인가 되 고 , 비 선택 스트링 ( 320 ) 에 연결 된 스트링 선택 라인 ( SSL < 1 >) 에 는 0 V 의 전압 이 인가 되 고 , 비 선택 스트링 ( 320 ) 에 연결 된 접지 선택 라인 ( GSL < 1 >) 에 는 전원 전압 ( Vcc ) 이 인가 되 고 , 비 선택 워드 라인 들 ( WL < 0 >, WL < 2 >, WL < 3 >) 에 는 패스 전압 ( VPASS ) 이 인가 되 며 , 선택 비트 라인 ( BL < 2 >) 에 연결 된 비 선택 스트링 ( 320 ) 에 포함 되 고 , 선택 워드 라인 ( WL < 1 >, Sel _ WL ) 에 연결 된 메모리 셀 의 게이트 에 기준 전압 레벨 보다 낮 은 프로그램 전압 ( VPGMa ) 이 인가 될 수 있 다 . 이 때 에 , 전술 한 바 와 같이 , 프리 펄스 동작 으로 인하 여 비 선택 스트링 ( 320 ) 의 채널 의 전압 ( VBOOST 1 ) 이 소정 의 전압 레벨 이상 이 며 , 비 선택 스트링 ( 320 ) 의 채널 의 전압 ( VBOOST 1 ) 과 프로그램 전압 ( VPGMa ) 과 의 차이 ( VGAPa ) 가 소정 의 레벨 을 초과 하 여 , 선택 비트 라인 ( BL < 2 >) 에 연결 된 비 선택 스트링 ( 320 ) 에 포함 되 고 , 선택 워드 라인 ( WL < 1 >, Sel _ WL ) 에 연결 된 메모리 셀 에 대한 트랩 된 전하 들 이 비 선택 스트링 ( 320 ) 의 채널 방향 으로 제거 되 는 소프트 이 레이즈 ( Soft erase ) 가 발생 될 수 있 다 . 이 는 리드 디스 터번 스 의 요인 이 될 수 있 다 . 따라서 , 이러 한 리드 디스 터번 스 를 방지 하 기 위해서 는 프리 펄스 동작 이 필요 하 다 .