" 이러 한 개시 사항 은 참조 로서 명칭 "" Strained Silicon with Elastic Edge Relaxation "" 인 미국 특허 7 ", 338 , 834 의 기재사항 및 개시 사항 을 그 전체 로서 포함 한다 . 미국 특허 7 , 338 , 834 는 여럿 중 에서 , 2 축 압축 응력 하 에서 실리콘 웨이퍼 상 에서 성장 된 실리콘 게르마늄 의 박형 ( 임계 두께 미만 ) 에피 택 셜 층 및 실리콘 게르마늄 층 의 상단 상 에서 에피 택 셜 하 게 성장 된 실리콘 의 박막 을 개시 한다 . 종래 CMOS 공정 에서 와 같이 , 얕 은 트렌치 분리 구조 체가 형성 될 때 , 실리콘 게르마늄 내 압축 응력 은 트렌치 측벽 에서 탄력 적 으로 이완 되 며 실리콘 게르마늄 층 상부 및 하부 의 인접 하 는 실리콘 층 들 은 상기 트렌치 측벽 으로부터 연장 되 어 소정 의 거리 이상 에서 면내 인장 변형 미만 이 된다 . 활성 영역 의 너비 와 길이 를 제어 하 는 것 과 동일 하 게 , 분리 트렌치 의 분리 를 제어 함 으로써 , 실리콘 의 상단 층 에서 의 인장 변형 의 양 과 정도 가 특정 적용 분야 에 바람직 하 도록 너비 와 길 이 방향 에서 독립 적 으로 조절 될 수 있 다 . 본 발명 의 바람직 한 방법 및 실시 는 예 를 들 어 응력 받 은 BOX 구 조체 를 포함 하 는 SOI 기판 상 에서 원 하 는 분리 로 적절 한 트렌치 분리 구조 체 를 형성 함 으로써 , 탄성 에지 이완 에 의해 도입 된 변형 실리콘 을 갖 는 활성 영역 을 형성 한다 .