상기 제 1 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 불휘발성 메모리 장치 는 반도체 기판 , 터널 산화 막 패턴 들 및 게이트 구조물 을 포함 한다 . 터널 산화 막 패턴 들 은 제 1 방향 으로 연장 하 고 상기 제 1 방향 과 수직 인 제 2 방향 으로 서로 이격 하 도록 반도체 기판 상 에 형성 된다 . 게이트 구조물 은 플로팅 게이트 들 , 제 1 도 전막 패턴 들 , 유전 막 패턴 및 컨트롤 게이트 를 포함 한다 . 플로팅 게이트 들 은 제 2 방향 을 따라 배열 되 도록 터널 산화 막 패턴 들 상 에 각각 형성 된다 . 제 1 도 전막 패턴 들 은 제 2 방향 을 따라 배열 되 도록 플로팅 게이트 들 상 에 각각 형성 된다 . 유전 막 패턴 은 제 1 도 전막 패턴 들 상 에 제 2 방향 으로 연장 하 도록 형성 된다 . 컨트롤 게이트 는 유전 막 패턴 상 에 제 2 방향 으로 연장 하 도록 형성 된다 .