도 3 은 본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 반도체 디바이스 용 소켓 을 개략 적 으로 도시 한 종단 면도 이 다 . 도 3 에 도해 된 반도체 디바이스 용 소켓 은 도 2 에 도해 된 반도체 디바이스 용 소켓 의 다른 변형 예 로서 , 절연 층 의 배치 를 제외 하 고 는 매우 유사 한 구조 로 이루어져 있 기 때문 에 , 본 발명 의 명료 한 이해 를 돕 기 위해서 유사 하 거나 동일 한 구성 에 대한 설명 은 배제 할 것 이 다 .