이러 한 문제점 들 은 트랜지스터 를 형성 하 기 위한 리세 스 의 저면 을 확장 시킴 으로서 억제 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , Min 등 에게 허여 된 미합중국 특허 제 6 , 476 , 444 호 에 는 채널 영역 을 효율 적 으로 증대 시키 기 위하 여 하부 가 타원 형태 로 확장 된 리세 스 에 매립 된 게이트 전극 및 이 의 제조 방법 이 개시 되 어 있 다 . 이러 한 형태 의 리세 스 는 먼저 예비 리세 스 를 형성 하 고 , 상기 예비 리세 스 의 저면 아래 의 기판 을 등방성 식각 함 으로써 형성 될 수 있 다 .