이 와 같이 , 도전 성막 ( 4 ) 중 에 포함 되 는 제 1 입자 ( 71 ) 의 비율 을 30 ％( 제 2 입자 ( 70 ) 의 비율 을 70 ％) 로 설정 했 을 경우 는 , 저 항비 를 5 이상 1000 이하 로 설정 한다 . 이 와 같이 설정 함 으로써 , 간극 ( 7 ) 을 , 실질 적 으로 , 도전 성막 ( 4 ) 의 폭 ( W ＇) 방향 의 전역 에 걸쳐서 형성 할 수 있 다 . 또 , " "" 통전 포 밍 "" 처리 전후 에 ", 도전 성막 ( 4 ) 의 저항 값 이 2 자리 수 이상 상승 시킬 수 있 다 .