본 발명 의 반도체 소자 의 형성 방법 은 소자 분리 막 에 의해 정의 되 는 활성 영역 을 포함 하 는 반도체 기판 을 제공 하 는 단계 와 , 상기 활성 영역 과 연결 되 는 랜딩 플러그 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 소자 분리 막 을 식각 하 여 리세 스 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 리세 스 가 매립 되 도록 식각 정지 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 랜딩 플러그 와 연결 되 는 저장 전극 콘 택 플러그 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 랜딩 플러그 및 식각 정지 막 과 연결 되 는 비트 라인 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .