장벽층 ( 59 b ) 을 초격자 구조 로 형성 함 으로써 , 웰 층 과 장벽층 사이 의 격자 부 정합 에 의해 전위 및 핀홀 등 의 결정 결함 이 발생 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 이 에 더 하 여 , 장벽층 ( 59 b ) 을 InGaN / GaN 초격자 구조 로 형성 함 으로써 , 종래 InGaN 웰 층 과 AlGaN 장벽층 사이 에 발생 되 는 격자 부정합 을 더욱 완화 할 수 있 다 . 한편 , 장벽층 ( 59 b ) 의 InGaN 의 In 함량 을 증가 시키 면 , 핀홀 의 생 성 은 방지 할 수 있 으나 , 힐 락 ( hillrock ) 이 발생 된다 . 힐 락 은 여분 의 In 이 InGaN 층 상 에 남 게 되 어 형성 되 는 것 으로 생각 된다 . 따라서 , 장벽층 ( 59 b ) 의 In 함량 을 적절히 조절 하 여 핀홀 과 힐 락 을 억제 할 수 있 으며 , In 은 0 . 01 내지 0 . 1 의 범위 내 에서 조절 될 수 있 다 .