도 6 e 를 참조 하 면 , 상기 기판 ( 210 ) 의 결과물 전면 , 즉 개구부 ( H ) 의 내벽 및 상기 제 2 몰드 막 ( 215 ) 상 으로 도전 성 물질 을 증착 한 후 , 각 개구부 ( H ) 내벽 의 도전 성 물질 을 분리 하 여 복수 의 하부 전극 ( 220 ) 들 을 형성 한다 . 상기 하부 전극 ( 220 ) 들 은 도전 성 물질 을 콘 포말 하 게 형성 한 후 , 개구부 ( H ) 를 매립 할 수 있 도록 기판 ( 110 ) 상 의 결과물 전면 으로 매립 층 ( 미 도시 ) 을 형성 하 고 , 에치 백 ( etch - back ) 및 / 또는 화학 적 기계 적 연마 ( CMP ) 공정 을 통해 제 2 몰드 막 ( 215 ) 이 노출 될 때 까지 상기 매립 층 및 도전 성 물질 을 제거 하 는 평탄 화 공정 을 수행 함 으로써 형성 될 수 있 다 . 상기 하부 전극 ( 220 ) 은 상기 콘 택 플러그 ( 212 ) 와 전기 적 으로 접속 될 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 하부 전극 ( 220 ) 은 상기 콘 택 플러그 ( 212 ) 와 접촉 되 는 평판 부 및 상기 평판 부 의 가장자리 로부터 수직 방향 으로 연장 되 는 측 벽부 를 포함 할 수 있 다 . 따라서 , 상기 하부 전극 ( 220 ) 은 상기 평판 부 와 상기 측 벽부 에 의하 여 정의 되 는 빈 공간 을 가질 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 하부 전극 ( 220 ) 은 실린더 형 일 수 있 다 .