이 에 더 하 여 , 상기 벽부 들 ( 221 ) 은 스트링 선택 가이드 패턴 ( 215 a ) 및 접지 선택 가이드 패턴 ( 215 b ) 사이 에 짝 수개 로 형성 된다 . 이 에 따라 , 상기 스트링 및 접지 선택 마스크 패턴 들 ( 255 a , 255 b ) 사이 에 형성 된 상기 셀 마스크 패턴 들 ( 220 c ) 은 짝 수개 로 형성 된다 . 플 래쉬 기억 소자 의 셀 스트링 내 에 는 짝 수개 의 워드 라인 이 요구 된다 . 따라서 , 상술 한 형성 방법 에 의하 면 워드 라인 들 의 짝 수개 로 형성 하 기 위한 추가 적 인 공정 ( 예컨대 , 홀수 개일 때 , 하나 를 제거 하 거나 하나 를 추가 하 는 공정 등 ) 을 요구 하 지 않 는다 . 따라서 , 제조 공정 을 간략 화 시킬 수 있 다 .