한편 , 본 발명 은 게이트 부 ( 250 ) 의 게이트 홀 ( 240 ) 이 매크로 한 구조 를 가지 도록 형성 함 으로써 , 게이트 부 ( 250 ) 의 단위 면적 당 방출 전류 를 최대 화 시키 는 동시 에 , 게이트 부 ( 250 ) 로 의 누설 전류 방지 와 더불 어 양극 부 ( 300 a , 300 b ) 로 의 전자 빔 집속 효과 를 도모 할 수 있 는 것 에 특징 이 있 으며 , 이 에 대하 여 더 자세히 설명 하 면 다음 과 같 다 .