반도체 기판 ( substrate ) 의 상부 에 는 실리사이드 막 들 ( 90 , 100 , 110 ) 과 실리사이드 방지 막 ( 150 ) 이 구비 된다 . 실리사이드 방지 막 ( 150 ) 은 절 연막 의 증착 후 에 에 미터 영역 ( 60 ) , 베이스 콘 택 ( 80 ) 및 콜렉터 콘 택 ( 70 ) 의 위치 에서 일부 를 패턴 닝 한 절 연막 패턴 로 구성 되 며 , 그 절 연막 패턴 의 사이 에 실리사이드 막 들 ( 90 , 100 , 110 ) 이 개재 되 는 구조 를 갖 는다 .