이 중 상변화 메모리 ( PCM ) 는 , 다른 차세대 비휘발성 메모리 에 비해 단순 한 구조 를 가지 면서 휘발 성 메모리 인 디램 ( DRAM ) 이 가지 고 있 는 빠른 입출력 속도 와 저렴 한 생산 비용 등 의 장점 을 갖 고 있 는 것 으로 알려져 있 다 . 상변화 메모리 ( PCM ) 는 특정 물질 의 비정질 상 ( amorphous phase ) 과 결정상 ( crystalline phase ) 의 전기 전도 도 차이 를 이용 하 여 정보 를 저장 하 고 판독 하 는 메모리 소자 이 다 . 이 와 같 은 상변화 메모리 ( PCM ) 의 셀 ( cell ) 에 데이터 를 저장 하 기 위한 쓰 기 동작 을 위해서 는 , 상변화 활성 영역 재료 의 상변화 를 유도 하 기 위해 일정 크기 이상 의 전류 펄스 가 일정 시간 이상 동안 흐르 도록 해 주 어야 한다 . 이 에 따라 상변화 메모리 ( PCM ) 의 셀 에 대한 쓰 기 및 읽 기 동작 시 소모 되 는 전력 의 크기 는 다른 차세대 비휘발성 메모리 들 보다 큰 것 으로 알려져 있 다 .