이어서 , 소자 분리 막 ( 20 ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 10 ) 의 활성 영역 에 게이트 트랜 치 ( 30 ) 를 형성 한다 . 게이트 트랜 치 ( 30 ) 는 도시 되 지 는 않 았 지만 , 패드 마스크 를 형성 한 다음 이 를 식각 하 여 게이트 트랜 치 용 하드 마스크 막 을 형성 한다 . 게이트 트랜 치 용 하드 마스크 막 을 식각 마스크 로 하 는 이방성 건식 식각 을 통해 노출 된 반도체 기판 ( 10 ) 의 일부 를 식각 하 여 제 1 폭 을 가지 며 수직 하 게 패인 제 1 트랜 치 를 형성 한다 . 이어서 , 등방성 습식 식각 을 통해 제 1 트랜 치 하부 의 반도체 기판 ( 10 ) 을 제거 하 여 원형 의 단면 을 가지 는 제 2 트랜 치 를 형성 한다 . 제 1 트랜 치 및 제 2 트랜 치 는 본 실시 예의 리세 스 채널 을 형성 하 기 위한 게이트 트랜 치 ( 30 ) 이 다 .