이 에 따라 , 기판 상 의 하 부막 의 막 질 에 따른 비정질 실리콘 막 의 증착 품질 을 개선 하 기 위한 처리 나 증착 시 공정 조건 을 변경 하 는 연구 가 진행 되 고 있 다 . 종래 , 비정질 실리콘 막 의 품질 을 개선 하 기 위하 여 , 증착 시 공정 조건 중 증착 온도 를 높이 는 방법 을 선택 해 왔 다 . 하지만 , 반도체 소자 의 집적도 가 높 아 지 면서 요구 되 는 공정 온도 가 낮 아 져 , 증착 온도 를 통한 공정 조건 제어 가 점점 어려워 지 고 있 다 . 이 에 따라 , 낮 은 증착 온도 에서 증착 이 필요 한 경우 비정질 실리콘 막 의 표면 조도 가 불량 하 여 후속 공정 의 안정 화 가 어려운 문제점 이 발생 하 고 있 다 .