더블 패 터닝 공정 을 이용 하 여 동일 한 기판 상 에 다양 한 크기 및 다양 한 피치 의 패턴 을 동시 에 형성 하 기 위한 미세 패턴 형성 방법 에서 패턴 밀도 또는 패턴 폭 이 서로 다른 각 영역 에서 의 식각 특성 불 균일 현상 을 극복 할 수 있 도록 충분 한 식각 공정 마진 을 제공 하 기 위하 여 버퍼 마스크 패턴 을 이용 하 는 반도체 소자 의 미세 패턴 형성 방법 에 관하 여 개시 한다 . 기판 상 의 피식 각막 위 에 제 1 마스크 패턴 및 버퍼 마스크 패턴 이 차례 로 적층 된 복수 의 다중 층 마스크 패턴 을 형성 한다 . 복수 의 다중 층 마스크 패턴 사이 의 공간 에서 피식 각막 위 에 다 중층 마스크 패턴 의 상면 보다 더 낮 은 높이 의 상면 을 가지 는 제 2 마스크 패턴 을 형성 한다 . 제 1 마스크 패턴 의 상면 이 노출 되 도록 버퍼 마스크 패턴 을 제거 한다 . 제 1 마스크 패턴 및 제 2 마스크 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 피식 각막 을 식각 한다 .