먼저 , 상기 기판 ( 10 ) 상 에 상기 반도체 층 ( 142 ) , 화소 전극 ( 152 ) 및 기판 ( 10 ) 의 일부 를 덮 는 제 3 도전 층 ( 180 ) 을 형성 한다 . 다음 으로 , 포토레지스트 막 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 상기 제 3 도전 층 ( 180 ) 상 에 도포 한다 . 상기 포토레지스트 막 을 상기 제 3 마스크 ( M 3 ) 를 식각 마스크 로 이용 하 여 식각 하 여 상기 제 3 도전 층 ( 180 ) 상 에 패턴 화 된 포토레지스트 막 ( 192 ) 을 형성 한다 . 도 2 n 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 패턴 화 된 포토레지스트 막 ( 192 ) 을 마스크 로 이용 하 여 상기 제 3 도전 층 ( 180 ) 의 일부 를 식각 한 후 , 상기 패턴 화 된 포토레지스트 막 ( 192 ) 을 제거 하 여 상기 소스 ( 182 ) 및 드레 인 ( 184 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 상기 화소 전극 ( 152 ) 과 전기 적 으로 연결 되 는 드레 인 ( 184 ) 을 갖 는 박막 트랜지스터 ( T 1 ) 가 형성 된다 . 이 에 따라 , 상기 화소 구조 ( 100 ) 가 완성 된다 .