구체 적 으로 는 , 예 를 들 어 개구 를 포함 하 는 영역 에 PVD 법 에 의해 티타늄 막 을 얇 게 형성 하 고 , CVD 법 에 의해 질화 티타늄 막 을 얇 게 형성 한 후 에 , 개구 에 매립 되 도록 텅스텐 막 을 형성 하 는 방법 을 적용 할 수 있 다 . 여기 서 , PVD 법 에 의해 형성 되 는 티타늄 막 은 계면 의 산화 막 을 환원 하 여 , 하부 전극 ( 여기 서 는 전극 층 ( 136 a ) , 전극 층 ( 136 b ) , 전극 층 ( 136 c ) , 소스 층 ( 142 a ) , 드레 인 층 ( 142 b ) ) 과 의 접촉 저항 을 저감 시키 는 기능 을 갖 는다 . 또한 , 그 후 의 형성 되 는 질화 티타늄 막 은 도전 성 재료 의 확산 을 억제 하 는 배리 어 기능 을 구비 한다 . 또한 , 티타늄 이나 질화 티타늄 등 에 의한 배리 어막 을 형성 한 후 에 도금 법 에 의해 구리 막 을 형성 할 수 있 다 .