또한 , 상기 살리 사이드 방지 막 ( 121 ) 은 희생 절 연막 ( 120 ) 과 게이트 절 연막 ( 131 ) 형성 을 위한 증착 공정 에 의해 형성 된 것 이 므로 , 종래 의 포토다이오드 ( 160 ) 상부 에 보호막 형성 시 진행 되 는 식각 공정 을 생략 할 수 있 으므로 공정 을 단순 화 시킬 수 있 으며 , 또한 상기 식각 공정 에 생략 에 의하 여 주변 회로 영역 의 문턱 전압 지연 불량 을 방지 할 수 있 다 .