본 발명 에 의하 면 , 폴리 실리콘 막상 에 1 차 희생 막 ( sacrificial layer ) 을 형성 하 고 , 포토 리소그래피 공정 및 식각 공정 을 통해 1 차 희생 막상 에 개방 구 를 형성 한 다음 , 1 차 희생 막상 에 2 차 희생 막 을 증착 하 여 1 차 희생 막 의 개방 구 의 측벽 에 대해 스 페이서 ( spacer ) 를 형성 한 후 , 이온 주입 ( ion implanting ) 을 실시 하 여 스 페이서 에 의해 좁혀진 개방 구 에 의해 노출 된 폴리 실리콘 막 의 상면 측 에 하드 마스크 ( hard mask ) 용 으로 이용 될 이온 주입 층 을 형성 하 고 , 해당 이온 주입 층 을 이용 하 여 메인 식각 함 으로써 목표 로 하 는 매우 미세 한 선폭 을 갖 는 게이트 전극 을 형성 한다 .