이렇게 하 면 , 트랜지스터 의 특성 을 향상 시키 고자 실리콘 기판 을 리세 스 하 여 형성 하 는 종래 의 반도체 소자 의 트랜지스터 형성 방법 과 달리 , 반도체 기판 의 게이트 와 비트 라인 콘 택 이 형성 될 활성 영역 상 에 실리콘 에 피층 을 성장 시켜 트랜지스터 를 형성 함 으로써 , 그 에 따른 공정 난이도 의 감소 로 인하 여 미세 화 된 반도체 소자 의 패 터닝 을 효율 적 으로 수행 할 수 있 다 .