화학식 I - g 의 화합물 은 적절 한 용매 , 예컨대 수성 tert - 부탄올 중 에서 30 - 내지 80 ℃ 의 온도 에서 화학식 I - e 의 화합물 을 NBS 로 에폭시 드 화 시킨 후 , 염기 , 예컨대 NaOH 로 - 10 내지 10 ℃ 의 온도 에서 처리 하 여 생성 될 수 있 다 . 화학식 I - g 의 화합물 은 적절 한 용매 , 예컨대 DMSO 중 에서 - 10 내지 50 ℃ 의 온도 에서 화학식 I - c 의 화합물 을 황 일 리드 시약 , 예컨대 디 메틸 옥소 술포 늄 메틸 리드 로 에폭시 드 화 시켜 생성 될 수 있 다 . 부분 입체 이성질체 는 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 또는 분취 용 TLC 에 의하 여 분리 될 수 있 다 . 화학식 I - h 의 화합물 의 합성 을 위한 화학식 I - g 의 화합물 의 친 핵 성 첨 가 는 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 또는 분취 용 TLC 에 의하 여 분리 될 수 있 다 . 화학식 I - h 의 화합물 의 합성 을 위한 화학식 I - g 의 화합물 의 친 핵 성 첨 가 는 적절 한 용매 , 예컨대 할로겐화 탄화수소 , 에테르 , 방향 족 탄화수소 , 아미드 , 불활성 아민 , 술 폭 시드 중 에서 - 80 내지 100 ℃ 의 온도 에서 촉매 , 예컨대 구리 염 또는 아연 염의 존재 또는 부재 하 에서 친 핵 체 , 에컨대 알칼리 금속 수산화물 , 알칼리 금속 알 콕 시드 , 아실 옥시 기 , 알칼리 금속 시 아니 드 , 알칼리 금속 플 루오 라이드 , 치환 된 또는 비 치환 된 알킬 술 피드 및 아민 또는 친 핵 체 의 해당 암모늄 염 을 사용 하 여 실시 한다 .