스위칭 디바이스 ( 1 ) 가 도 1 에서 표현 된 바 와 같이 하나 의 스위칭 모듈 ( 10 ) 로 만 구성 되 었 으면 , 전압 제어 는 제어 가능 반도체 스위칭 엘리먼트 ( 13 ) 의 최대 전압 보다 더 낮 은 전압 들 로 제한 될 것 이 다 . 고속 분리 프로세스 와 연관 된 더 높 은 전압 들 , 및 전류 경로 에서 의 인덕턴스 들 의 존재 와 연관 된 과전압 의 발생 의 경우 에 , 제 어 가능 반도체 스위칭 엘리먼트 ( 13 ) 는 파괴 될 수 있 다 . 원리 적 으로 , 스위칭 디바이스 ( 1 ) 에 하나 의 스위칭 모듈 ( 10 ) 의 제공 이 가능 하 지만 , 이 는 DC 공급 시스템 이 높 은 임피던스 ( impedance ) 들 을 포함 하 는 경우 에 만 적절 하 다 .