본 발명 은 반도체 메모리 소자 에 관한 것 이 다 . 본 발명 에 따른 반도체 메모리 소자 는 반도체 기판 ; 상기 반도체 기판 으로부터 각각 돌출 되 고 서로 대향 되 도록 이격 된 적어도 한 쌍 의 핀 들 ; 상기 한 쌍 의 핀 들 의 사이 및 상기 한 쌍 의 핀 들 상부 에 형성 된 절연 층 ; 상기 한 쌍 의 핀 들 및 상기 절연 층 상 에 순차 적 으로 형성 된 스토리지 노드 ; 및 게이트 전극 ; 을 포함 한다 .