예 를 들 어 , 라이너 질화 막 을 포함 하 는 소자 분리 막 ( 32 ) 의 형성 방법 은 반도체 기판 ( 31 ) 상 에 패드 산화 막 ( 도시 생략 ) 과 패드 질화 막 ( 도시 생략 ) 을 증착 하 고 , 소자 분리 마스크 ( 도시 생략 ) 과정 및 식각 과정 을 통해서 트렌치 ( 도시 생략 ) 를 형성 한 후 , 트렌치 측벽 에 측벽 산화 막 ( 32 A ) , 라이너 질화 막 ( 32 B ) , 라이너 산화 막 ( 도시 생략 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 다음 으로 , 트랜 치 내부 를 고밀 도 플 라즈 마 ( High Density Plasma ; HDP ) 절 연막 ( 32 C ) 을 이용 하 여 갭 필 ( gap fill ) 한 후 , HDP 절 연막 ( 32 C ) 의 강도 를 향상 시키 기 위하 여 어 닐 ( Anneal ) 을 실시 한다 . 계속 해서 , 패드 질화 막 ( 도시 생략 ) 의 표면 이 드러날 때 까지 화학 적 기계 적 연마 ( Chemical - Mechanical Polishing ; CMP ) 공정 을 통해서 평탄 화 한 다음 , 패드 질화 막 ( 도시 생략 ) 과 패드 산화 막 ( 도시 생략 ) 을 제거 하 여 형성 할 수 있 다 .