도 2 a 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 기판 ( 21 ) 위 에 게이트 패턴 ( 22 ) 을 형성 한다 . 이때 , 실리콘 기판 ( 21 ) 은 PMOS 지역 과 NMOS 지역 을 구비 하 고 , 게이트 패턴 ( 22 ) 은 게이트 절 연막 , 게이트 폴리 실리콘 막 , 게이트 금속 막 및 게이트 하드 마스크 막 의 순서 로 적층 된 구조 일 수 있 다 .