이어서 , 산화 막 ( 12 ) 에 질화 공정 을 실시 하 여 산화 막 의 일부 를 산 화질 화 막 ( 13 ) 으로 바꾼다 . 여기 서 , 질화 공정 을 실시 하 는 이유 는 후속 듀얼 폴리 실리콘 게이트 를 형성 하 기 위한 P 형 불순물 이온 주입 후 열 공정 에서 보론 침투 ( Boron Penetration ) 를 억제 하 기 위한 것 으로 , 퍼니스 , 플라 즈 마 질화 공정 및 급속 열공 정의 그룹 중 에서 선택 된 어느 한 방법 으로 실시 할 수 있 다 .