그러나 , 상기 조성 의 반응 가스 는 반응 성 이 풍부 하 기 때문 에 , 일정 한 온도 조건 을 만족 시키 는 부재 에 접촉 하 면 , 웨이퍼 ( W ) 상 이 아니 어도 분해 반응 을 일으킨다 . 그 결과 , 성막 실 ( 2 ) 내 의 부재 , 구체 적 으로 는 서 셉 터 ( S ) , 성막 실 ( 2 ) 의 내벽 , 성막 실 내 의 가스 를 배기 시키 는 배관 등 에 , 반응 가스 에서 유래 하 는 다결정 으로 생각 되 는 SiC 막 이 부착 된다 . 이 막 이 박리 되 면 더스트 가 되 어 , 웨이퍼 ( W ) 상 에 형성 되 는 에피 택 셜 막 에 결함 을 발생 시키 므로 , 부착 된 막 을 클리닝 제거 하 는 작업 이 필요 해진다 .