먼저 , 소정 의 구조 가 형성 된 기판 ( 1 ) 을 기판 지지대 ( 21 ) 에 장착 하 여 챔버 ( 20 ) 내부 로 로딩 한다 . 진 공부 ( 10 ) 를 이용 하 여 챔버 ( 20 ) 내부 를 진공 상태 로 만든 후 반응 소오 스 를 기화 시켜 챔버 리드 ( 10 ) 의 가스 공급 부 ( 11 ) 및 샤워 헤드 ( 12 ) 를 통해 분사 한다 . 이때 , 챔버 ( 20 ) 에 는 전원 공급 부 ( 40 ) 로부터 고주파 ( Radio Frequency ; RF ) 전원 이 인가 된다 . 이 에 따라 챔버 ( 20 ) 내부 에 플 라즈 마가 생성 되 고 , 반응 소오 스 는 이온 화 되 어 이온 및 라디컬 이 생성 되 어 기판 ( 1 ) 으로 이동 하 게 된다 . 여기 서 , 기판 지지대 ( 21 ) 상부 로부터 챔버 ( 20 ) 의 바닥 면 으로 가드 링 ( guard ring ) ( 22 ) 이 구비 되 어 챔버 ( 20 ) 내 의 압력 , 즉 기판 ( 1 ) 주위 의 압력 과 진공 배기구 ( 13 ) 사이 의 압력 을 균일 하 게 하 기 때문 에 기판 ( 1 ) 상부 에 는 반응 소오 스 의 이온 및 라디컬 이 증착 되 어 균 일도 가 향상 된 비정질 탄소막 이 형성 된다 .