원 하 는 패턴 ( 예 를 들 어 배선 패턴 ) 을 갖 는 마스크 필름 을 감광성 수지 적층 체의 지 지체 상 에 밀착 시켜 활성 광원 을 사용 하 여 노광 하 거나 , 또는 원 하 는 패턴 에 대응 하 는 묘화 패턴 을 직접 묘화 에 의해 노광 한다 . 노광 을 , 묘화 패턴 의 직접 묘화 에 의해 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 . 노광 파장 으로 는 , i 선 , h 선 , g 선 , 이 들 의 혼합 등 을 적절히 사용 할 수 있 지만 , 본 실시 형태 의 감광성 수지 조성물 은 , i 선 또는 h 선 , 특히 h 선 으로 의 노광 에 있 어서 고감 도 및 고해상도 를 실현 할 수 있 는 점 에서 유리 하 다 . 또 이 로써 , 본 실시 형태 의 감광성 수지 조성물 은 , 특히 직접 묘화 에 있 어서 유용 하 다 . 노광 조건 은 종래 공지 된 조건 으로 적절히 설정 하 면 된다 .