계속 해서 , 이 레지스 트 의 박리 처리 가 종료 한 각 샘플 에 대하 여 , ITO 타 겟 ( 조성 In 2 O 3 - 10 wt % SnO 2 ) 을 사용 하 여 , 콘택트 홀 내 및 그 주위 에 ITO 의 투명 전극 층 을 형성 했 다 . 투명 전극 층 의 형성 은 , 스퍼터링 ( 기판 온도 70 ℃, 투입 전력 1 . 8 W / cm 2 , 아르곤 가스 유량 80 ccm , 산소 가스 유량 0 . 7 ccm , 압력 0 . 37 Pa ) 을 행하 여 , 투명 전극 층 이 되 는 두께 1000 Å 의 ITO 막 을 형성 했 다 .