일 실시 예 에 따른 반도체 소자 ( 1000 ) 는 상기 제 1 거리 ( G 1 a ) 를 충분히 확보 할 수 있 기 때문 에 , 제 1 하부 절곡 부 ( lb 80 ) 가 형성 되 기 위한 제 2 리세 스 ( RC 2 ) ( 도 9 참조 ) 의 깊이 를 소정 의 값 으로 유지 할 수 있 고 , 제 1 하부 절곡 부 ( lb 80 ) 가 상기 제 2 분리 구조물 들 ( 180 b ) 과 접촉 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 .