상기 결정 화 는 고출력 펄스 레이저 인 엑 시머 레이저 를 순간 적 으로 조사 하 여 열 을 가함 으로써 비정질 실리콘 을 결정 화 하 는 엑 시머 레이저 어닐링 법 ( ELA 법 ; Excimer Laser Annealing ) , 반응 로 ( furnace ) 속 에서 노 ( 爐 ) 가열 법 을 이용 하 여 비정질 실리콘 을 결정 화 하 는 고상 결정 화법 ( SPC 법 ; Solid Phase Crystallization ) , 완전 멜 팅 영역 대 의 에너지 를 사용 하 는 순차 적 측면 고상 화법 ( SLS ; Sequential Lateral Solidification ) 또는 비정질 실리콘 막 상 에 금속 을 선택 적 으로 증착 한 후 전기장 을 인가 하 여 금속 을 씨드 ( seed ) 로 하 여 결정화 가 일어나 도록 유도 하 는 금속 유도 결정 화법 ( MIC ; Metal Induced Crystallization ) 등 중 에서 어느 하나 를 선택 할 수 있 다 .