도 1 은 본 발명 의 일실 시예 에 의한 와이어 침투 다이 접착 필름 이 적용 된 반도체 장치 의 단면도 이 다 . 도 1 에 도시 한 바 와 같이 , 본 발명 의 일실 시예 에 의한 와이어 침투 다이 접착 필름 이 적용 된 반도체 장치 는 기판 ( 7 ) 상 에 복수 의 반도체 칩 ( 1 , 2 ) 이 적층 되 어 있 고 , 각각 의 반도체 칩 ( 1 , 2 ) 상 에 형성 된 전극 단자 ( 9 , 9 ') 는 본딩 와이어 ( 3 , 4 ) 에 의해 기판 ( 7 ) 에 전기 적 으로 접속 되 어 있 는 반도체 장치 로서 , 상기 본딩 와이어 ( 3 , 4 ) 와 , 이 본딩 와이어 ( 3 , 4 ) 가 접속 된 반도체 칩 ( 1 , 2 ) 의 해당 본딩 와이어 ( 3 , 4 ) 측 에 적층 된 반도체 칩 ( 1 , 2 ) 사이 에 제 1 층 ( 5 ) 과 상기 제 1 층 ( 5 ) 하부 에 적층 된 제 2 층 ( 6 ) 의 구조 를 가지 는 본 발명 의 와이어 침투 다이 접착 필름 ( 10 ) 이 형성 된다 .