반도체 장치 ( 1000 a ) 에서 는 , 활성 영역 ( 105 ) 이 핀 ( fin ) 구조 를 갖 고 , 게이트 전극 ( 165 ) 이 활성 영역 ( 105 ) 과 채널 구조물 ( 140 ) 의 사이 , 채널 구조물 들 ( 140 ) 의 복수 의 채널 층 들 ( 141 , 142 , 143 ) 의 사이 , 및 채널 구조물 ( 140 ) 의 상부 에 배치 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 반도체 장치 ( 1000 a ) 는 채널 구조물 들 ( 140 ) , 소스 / 드레 인 영역 들 ( 150 ) , 및 게이트 구조물 들 ( 160 ) 에 의한 게이트 - 올 - 어 라운드 ( Gate - All - Around ) 형 전계 효과 트랜지스터 를 포함 할 수 있 다 .