여기 에서 는 , 제 2 성막 조건 은 , 실란 은 수소 및 / 또는 희가스 로 12 배 이상 100 배 이하 로 희석 하 고 , 기판 의 가열 온도 는 100 ℃∼ 300 ℃, 바람직 하 게 는 120 ℃∼ 220 ℃ 로 한다 . 또한 , 용량 결합 형 ( 평행 평판 형 ) 의 CVD 장치 를 사용 하 여 , 갭 ( 전 극면 과 기판 표면 의 간격 ) 을 20 mm 로 하 고 , 진공 체임버 내 의 진공도 를 100 Pa 로 하 고 , 기판 온도 를 300 ℃ 로 하 고 , 60 MHz 의 고주파 전력 을 20 W 가하 고 , 실란 가스 ( 유량 8 sccm ) 를 수소 ( 유량 400 sccm ) 로 50 배 희석 하 여 미결정 실리콘 막 을 성막 한다 . 또한 , 상기 성막 조건 으로 실란 가스 의 유량 만 을 4 sccm 으로 변경 하 여 100 배 희석 하 여 미결정 실리콘 막 을 성막 하 면 성막 속도 가 늦 어 진다 . 수소 유량 을 고정 하 여 실란 유량 을 늘림 으로써 성막 속도 가 증대 된다 . 성막 속도 를 저하 시킴 으로써 결정 성 이 향상 된다 .