도 5 에 도시 된 것 과 같이 , 복수 의 더미 채널 구조물 ( D 140 ) 은 연결 영역 ( CON ) 에서 복수 의 게이트 전극 ( 130 ) 을 관통 하 는 더미 채널 홀 ( D 140 H ) 내부 에 배치 되 며 , 기판 ( 110 ) 의 주면 ( 110 M ) 으로부터 제 3 방향 ( Z 방향 ) 으로 연장 될 수 있 다 . 더미 채널 구조물 ( D 140 ) 은 반도체 장치 ( 100 ) 의 제조 공정 에서 반도체 장치 ( 100 ) 의 구조 적 안정 성 을 확보 하 기 위하 여 형성 될 수 있 다 . 복수 의 더미 채널 구조물 ( D 140 ) 각각 은 채널 구조물 ( C 140 ) 과 동일 한 구조 를 가질 수 있 다 . 복수 의 더미 채널 구조물 ( D 140 ) 각각 은 채널 구조물 ( C 140 ) 과 동일 한 폭 을 가질 수 있 거나 , 더 큰 폭 을 가질 수 있 다 .