상기 반도체 기판 상 에 는 식각 대상 막 ( 108 ) 을 형성 되 어 있 다 . 상기 식각 대상 막 ( 108 ) 은 상기 오버레이 키 형성 영역 과 얼라 인 키 형성 영역 을 노출 시키 도록 상기 반도체 기판 의 셀 영역 ( C ) 상 에 형성 된다 . 상기 식각 대상 막 ( 108 ) 의 예 로서 , 폴리 실리콘 막 , 실리콘 질화 막 , 실리콘 산화 막 , 금속 질 화 막 , 금속 막 등 을 들 수 있 다 . 상기 식각 대상 막 은 단일 또는 둘 이상 이 혼합 적층 된 구조 를 가질 수 있 다 .