본 발명 의 전자 방출 소자 에 대해서 는 , 상술 한 바 와 같이 3 개 의 특성 이 있 다 . 즉 , 전자 방출 소자 로부터 의 방출 되 는 전자 는 한계 치 전압 이상 에서 는 , 제 1 도전 성막 ( 4 a ) 과 제 2 도전 성막 ( 4 b ) 의 사이 에 인가 하 는 펄스 상 전압 의 파고치 와 폭 으로 제어 할 수 있 다 . 한편 , 한계 치 전압 이하 에서 는 , 거의 방출 되 지 않 는다 . 이 특성 에 의하 면 , 다수 의 전자 방출 소자 를 배치 한 경우 에 도 , 각각 의 전자 방출 소자 에 펄스 형상 의 전압 을 적절히 인가 하 면 , 입력 신호 에 따라서 , 전자 방출 소자 를 선택 하 여 전자 방출 량 을 제어 할 수 있 다 .