이 에 따라 , 본 발명 에 따른 박막 들 ( 106 a , . .., 106 n ) 은 위상 반 전부 ( 140 ) 패턴 의 식각 단면 형상 만 을 고려 하 여 상술 한 질소 ( N ) , 탄소 ( C ) , 산소 ( O ) 의 식각 특성 에 한정 되 도록 박막 들 ( 106 a , . .., 106 n ) 에 배치 하 는 것 은 아니 며 , 반사율 등 과 같 은 광학 적 특성 들 을 모두 고려 하 여 배치 하 는 것 이 바람직 하 다 . 즉 , 박막 들 ( 106 a , . .., 106 n ) 을 형성 하 기 위한 성막 가스 들 의 종류 , 박막 에 함유 되 는 질소 ( N ) , 탄소 ( C ) , 산소 ( O ) 의 함유량 차이 에 따른 식각 속도 및 반사율 의 변화 등 을 고려 하 여 , 특정 부분 에 배치 되 는 박막 이 그 의 상부 또는 하부 에 배치 되 는 박막 보다 식각 속도 가 느리 거나 빠르 도록 구성 하 는 것 , 반사 율 이 높 거나 낮 게 배치 되 도록 구성 하 는 것 등 과 같이 박막 들 ( 106 a , . .., 106 n ) 은 다양 한 형태 로 적층 하 여 식각 단면 및 반사 율 을 최적 화 할 수 있 다 . 이 는 , 박막 들 ( 106 a , ..., 106 n ) 의 형성 시 , 성막 가스 중 박막 에 상호 유사 하 거나 상이 한 식각 특성 을 구현 하 게 하 는 질소 ( N ) , 탄소 ( C ) , 산소 ( O ) 를 함유 하 는 성막 가스 의 주 입량 을 적절히 조절 함 으로써 박막 들 ( 106 a , . .., 106 n ) 의 식각 속도 및 반사 율 을 최적 의 상태 로 조절 할 수 있 다 .