다음 으로 , 플라 즈 마 처리 장치 ( 100 ) 를 이용 하 여 , 상이 한 조건 에서 성막 한 2 종류 의 질화규소 막 ( 시험 구분 I 및 J ) 에 대해 , 실리콘 의 미드 갭 에 상당 하 는 에너지 위치 의 전자 점유 결함 밀도 의 깊이 방향 분포 를 비교 한 결과 를 도 9 에 나타내 었 다 . 또한 , 도 10 및 도 11 에 , 시험 구분 I 및 J 의 질화규소 막 의 화학 조성 프로 파일 을 XPS 분석 에 의해 측정 한 결과 를 나타내 었 다 . 시험 구분 I ( 비교 예 ) 는 상기 플 라즈 마 CVD 조건 1 에서 성막 한 막 두께 3 . 7 ㎚ 의 질화규소 막 이 며 , 시험 구분 J 는 상기 플 라즈 마 CVD 조건 2 에서 성막 한 막 두께 4 . 1 ㎚ 의 질화규소 막 이 다 . 시험 구분 I 및 J 모두 Si ( 100 ) 면 상 에 , HPM 처리 에 의해 막 두께 3 ㎚ 의 케미컬 옥사이드 SiO 2 층 을 형성 하 고 , 그 위 에 플 라즈 마 CVD 를 행하 였 다 .