도 25 를 참조 하 면 , 하나 이상 의 포토 리소그래피 및 에칭 단계 들 은 게이트 ( 20 , 36 ) 에 전기 적 접촉 을 만들 기 위해서 질화물 층 ( 41 ) 을 에칭 하 도록 실행 된다 . 그러 한 에칭 들 은 당 업계 에서 잘 알려져 있 다 . 하나 이상 의 도전 성 재료 를 포함 하 는 상호 접속 층 ( 49 ) 은 이후 게이트 ( 20 , 36 ) 위 에 놓여서 전기 적 으로 접촉 하 도록 피착 된다 . 질화물 층 ( 41 ) 의 표면 위 로 올라오 는 임의 의 과잉 재료 ( excess material ) 는 임의 의 적절 한 기술 ( 예컨대 , CMP , 플라 즈 마 에치 백 ( etchback ) ) 을 이용 하 여 제거 될 수 있 다 . 대안 적 인 실시 예 들 은 다른 방식 으로 평면 화 될 수 있 다 .