상술 한 제조 방법 에 의하 여 형성 되 는 CIS 박막 은 상기 제 1 합금 과 제 2 합금 의 상대 적 인 비율 에 따라 다른 전도도 를 가지 게 된다 . 즉 , 제 1 합금 과 제 2 합금 의 상대 적 인 비율 , 예 를 들 어 In 2 Se 3 / Cu 2 Se 3 비율 이 0 . 1 내지 0 . 5 의 범위 ( 0 . 1 ≤ In 2 Se 3 / Cu 2 Se 3 비율 ≤ 0 . 5 ) 인 경우 에 는 상기 CIS 박막 은 p - 형 의 전도도 를 가진다 . 반면 , In 2 Se 3 / Cu 2 Se 3 비율 이 0 . 6 내지 0 . 9 의 범위 ( 0 . 6 ≤ In 2 Se 3 / Cu 2 Se 3 비율 ≤ 0 . 9 ) 인 경우 에 는 상기 CIS 박막 은 n - 형 의 전도도 를 가진다 . 즉 , In 2 Se 3 의 상대 적 양 이 많 을수록 n - 형 반도체 가 될 수 있 는 경향 이 증가 하 며 , Cu 2 Se 3 의 양 이 많 을 수 록 p - 형 반도체 가 될 수 있 는 경향 이 증가 한다 . 이 에 따라 , 형성 된 박막 의 캐리어 종류 및 농도 가 달라진다 . 상술 한 바 와 같이 , In 2 Se 3 / Cu 2 Se 3 비율 에 따라 형성 되 는 CIS 의 캐리어 종류 및 농도 에 대한 실험값 이 표 1 에 정리 되 어 있 다 .