반도체 소자 의 고집 적 화 에 대한 요구 가 높 아 짐 에 따라 , 최근 반도체 집적회로 의 설계 에서 디자인 룰 이 더욱 감소 되 어 0 . 25 ㎛ 이하 의 임계 치수 ( critical dimension ) 가 요구 되 기 에 이르 렀다 . 현재 이러 한 나노미터 급 반도체 소자 를 구현 하 기 위한 식각 장비 로 는 고밀도 플라 즈 마 식각 장치 ( high density plasma etcher ) , 반응 성 이온 식각 장치 ( reactive ion etcher ) 등 의 이온 강화 용 식각 장비 가 주로 사용 되 고 있 다 .