본 발명 의 X 선 검출기 의 제조 방법 은 광전 변환 기판 의 광전 변환 소자 가 설치 된 표면 에 제 1 보호 층 을 형성 하 고 , 상기 제 1 보호 층 의 표면 에 신 틸레 이터 층 을 형성 하 고 , 상기 신 틸레 이터 층 의 표면 을 덮 고 , 또한 주변 부 를 상기 제 1 보호 층 의 주변 부 에 밀착 시켜 상기 제 1 보호 층 과 의 사이 에 상기 신 틸레 이터 층 을 밀폐 하 도록 상기 제 1 보호 층 과 동일 한 물질 의 제 2 보호 층 을 형성 하 는 것 이 다 .