상기 층간 절 연막 ( 217 ) 상 에 는 상기 소스 / 드레 인 전극 ( 216 a , 216 b ) 및 상기 연결 배선 ( 245 ) 을 덮 도록 보호막 ( 218 ) 이 형성 되 어 있 다 . 상기 보호막 ( 218 ) 은 실리콘 질화물 , 실리콘 산화물 또는 유기 절연체 로 이루어질 수 있 다 . 그리고 , 상기 스토리지 전극 ( 240 ) 의 상부 에 위치 하 는 보호막 ( 218 ) 상 에 는 화소 전극 ( 230 ) 이 형성 되 어 있 다 . 여기 서 , 상기 화소 전극 ( 230 ) 은 상기 스토리지 전극 ( 240 ) 에 대향 하 는 전극 으로서 일반 적 으로 ITO ( Indium Tin Oxide ) 또는 IZO ( Indium Zinc Oxide ) 와 같 은 투명 한 도전 성 물질 로 이루어질 수 있 다 . 상기 화소 전극 ( 230 ) 은 상기 보호막 ( 218 ) 에 형성 된 제 3 비아 홀 ( 253 ) 을 통하 여 드레 인 전극 ( 216 b ) 에 전기 적 으로 연결 된다 .