먼저 , 상기 소스 ( 532 ) , 드레 인 ( 534 ) 및 채널 층 ( 512 ) 을 덮 는 제 3 도전 층 ( 550 ) 을 상기 기판 ( 10 ) 상 에 증착 하 고 , 포토레지스트 막 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 상기 제 3 도전 층 ( 550 ) 상 에 형성 한다 . 이어서 , 상기 포토레지스트 막 을 제 3 마스크 ( M 5 ) 를 이용 하 여 식각 함 으로써 패턴 화 된 포토레지스트 막 ( 562 ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 도 4 g 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 패턴 화 된 포토레지스트 막 ( 562 ) 을 마스크 로 이용 하 는 식각 공정 을 수행 하 여 상기 제 3 도전 층 ( 550 ) 의 일부 를 제거 함 에 따라 상기 화소 전극 ( 552 ) 을 형성 한다 . 계속 하 여 , 상기 화소 전극 ( 552 ) 을 형성 한 후 , 상기 패턴 화 된 포토레지스트 막 ( 562 ) 을 스트립 공정 을 수행 하 여 제거 한다 . 이 에 따라 , 상기 화소 구조 ( 500 ) 가 완성 된다 .