기판 을 프로세싱 하 는 시스템 은 하부 챔버 부분 을 형성 하 는 챔버 벽 및 상부 챔버 부분 을 형성 하 는 상부 챔버 벽 을 갖 는 챔버 를 포함 한다 . 샤워 헤드 가 상부 챔버 부분 에 배치 된다 . 기판 을 위한 지 지부 를 갖 는 페데 스탈 이 페데 스탈 의 지지 부 와 샤워 헤드 사이 에 프로세싱 영역 이 형성 되 도록 하부 챔버 부분 에 배치 되 고 샤워 헤드 아래 로 배향 된다 . 스 페이서 가 샤워 헤드 와 하부 챔버 부분 의 하부 챔버 벽 사이 에 배치 된다 . 스 페이서 는 수직 컴포넌트 를 포함 하 는 환형 바디 에 의해 형성 된다 . 환형 바디 는 프로세싱 영역 외측 에 배치 되 고 수직 컴포넌트 로부터 방사상 으로 멀 어 지 게 돌출 하 는 측면 연장 부 를 또한 포함 한다 . 환형 바디 는 환형 바디 의 수직 컴포넌트 를 둘러싸 도록 측면 연장 부 에 형성 되 는 홈 부를 포함 한다 . 가열 엘리먼트 가 측면 연장 부 의 홈 부 에 임 베 딩 된다 .