구체 적 으로 , 채널 홀 들 ( CH ) 및 더미 홀 들 ( DH ) 을 통해 노출 된 기판 ( 100 ) 상 에 하부 반도체 패턴 들 ( LSP ) 이 형성 될 수 있 다 . 하부 반도체 패턴 들 ( LSP ) 은 채널 홀 들 ( CH ) 및 더미 홀 들 ( DH ) 의 하부 들 을 채울 수 있 다 . 하부 반도체 패턴 들 ( LSP ) 은 , 채널 홀 들 ( CH ) 및 더미 홀 들 ( DH ) 에 의해 노출 된 기판 ( 100 ) 을 씨드 층 으로 하 는 선택 적 에피택시 얼 성장 공정 을 통해 형성 될 수 있 다 .