선택 적 SiO 2 퇴적 을 사용 하 여 자기 정렬 된 콘 택 을 형성 하 는 기판 처리 방법 이 다양 한 실시 예 에서 기재 된다 . 방법 은 , 유전체 층 표면 및 금속 함유 표면 을 포함 하 는 평탄 화 된 기판 을 제공 하 는 단계 , 금속 함유 촉매 층 으로 유전체 층 표면 을 코팅 하 는 단계 , 및 유전체 층 표면 상 의 금속 함유 촉매 층 상 에 SiO 2 층 을 선택 적 으로 퇴적 하 는 기간 동안 실 라 놀 가스 를 함유 하 는 공정 가스 에 평탄 화 된 기판 을 노출 시키 는 단계 를 포함 한다 . 하나 의 실시 예 에 따르 면 , 방법 은 , SiO 2 층 상 에 그리고 금속 함유 표면 상 에 에칭 정지 층 을 퇴적 하 는 단계 , 평탄 화 된 기판 상 에 층간 유전체 층 을 퇴적 하 는 단계 , 층간 유전체 층 에 리세 스 된 특징 부를 에칭 하 며 금속 함유 표면 위 의 에칭 정지 층 상 에서 정지 하 는 단계 , 및 리세 스 된 특징 부를 금속 으로 충 진하 는 단계 를 더 포함 한다 .