이 상태 에서 게이트 ( 320 ) 에 제 1 전압 을 제 1 시간 동안 인가 하 여 게이트 ( 320 ) 를 통해 베이스 ( 310 ) 에 전기장 을 가함 에 따라 게이트 ( 320 ) 에 대향 되 는 일정 면적 이 제 2 방향 으로 분극 이 변하 게 된다 . 분극 의 방향 이 바뀌 도록 게이트 ( 320 ) 에 가하 는 전기장 은 제 1 전압 에 의해 조절 될 수 있 는 데 , 즉 , 베이스 ( 310 ) 를 형성 하 는 자발 분극 성 재료 의 항전기 장 보다 큰 전기장 이 인가 되 도록 제 1 전압 을 가할 수 있 다 .