본 발명 의 또 다른 실시 예 에 있 어서 , 전술 한 제 1 산화 공정 , 제 1 질화 공정 , 제 2 산화 공정 및 제 2 질화 공정 을 동일 한 공정 챔버 내 에서 인 시튜 로 수행 하 여 대 상체 ( 300 ) 상 에 하부 질화 막 ( 315 ) , 하부 산화 막 ( 320 ) , 상부 산화 막 ( 330 ) 및 상부 질화 막 ( 335 ) 을 포함 하 는 절연 구조물 ( 340 ) 을 형성 할 수 있 다 .