일부 실시 예 들 에서 , 전도성 레벨 들 ( 20 ) 은 NAND 메모리 어레이 의 워드 라인 레벨 들 로 간주 될 수 있 다 . 워드 라인 레벨 들 ( 20 ) 의 종단 단부 들 ( 34 ) 은 NAND 메모리 셀 들 ( 36 ) 의 제어 게이트 영역 ( 35 ) 으로 기능 할 수 있 으며 , 메모리 셀 들 ( 36 ) 의 근접 ( approximate ) 위치 들 은 도 1 에서 괄호 로 표시 된다 .