도시 한 바 와 같이 , 투명 한 절연 기판 ( 101 ) 상 에 버퍼 층 ( 103 ) 이 형성 되 어 있 으며 , 상기 버퍼 층 ( 103 ) 위 로 스위칭 영역 ( TrA ) 에 있 어서 는 순수 비정질 실리콘 이 교류 자기장 에 의해 결정 화 되 어 폴리 실리콘 특성 을 갖 는 것 을 특징 으로 하 는 제 1 실리콘 층 ( 111 ) 과 그 상부 로 서로 이격 하 는 순수 비정질 실리콘 의 제 2 실리콘 층 ( 117 ) 과 상기 서로 이격 하 는 상기 제 2 실리콘 층 ( 117 ) 위 로 서로 이격 하 며 형성 된 불순물 비정질 실리콘 의 오 믹 콘 택 층 ( 122 ) 으로 이루어진 부분 적 으로 3 중층 구조 를 갖 는 반도체 층 ( 125 ) 이 형성 되 어 있 다 . 이때 , 상기 반도체 층 ( 125 ) 의 구조 에 대해 조금 더 자세히 설명 하 면 , 그 중앙부 에 대해서 는 교류 자기장 에 의해 결정 화 되 어 폴리 실리콘 특성 을 갖 는 제 1 실리콘 층 ( 111 ) 만 이 형성 되 고 있 으며 , 그 양 측면 으로 상기 제 1 실리콘 층 ( 111 ) 위 로 각각 순수 비정질 실리콘 의 제 2 실리콘 층 ( 117 ) 과 불순물 비정질 실리콘 의 오 믹 콘 택 층 ( 122 ) 이 형성 되 어 있 다 . 따라서 상기 제 1 실리콘 층 ( 111 ) 은 그 양측 에 형성 된 상기 오 믹 콘 택 층 ( 122 ) 사이 로 노출 되 고 있 다 . 또한 상기 제 1 실리콘 층 ( 111 ) 은 그 자체 로 상기 오 믹 콘 택 층 ( 122 ) 사이 로 노출 된 부분 ( 111 a ) 의 두께 ( t 1 ) 가 3 중층 을 이루 는 부분 ( 111 b ) 의 두께 ( t 2 ) 보다 200 Å 내지 400 Å 정도 얇 게 형성 되 는 것 이 특징 이 다 .