전술 한 실시 예 들 은 ITO 및 n - GaN 층 의 단부 에서 구동 전압 을 인가 함 으로써 LED 에 전력 을 공급 한다 . 그러나 , 큰 영역 장치 에서 , ITO 및 n - GaN 층 의 저항성 은 높 은 전류 에서 문제 가 생긴다 . 그러므로 , 전류 확산 의 몇 추가 형태 는 큰 영역 LED 에 바람직 하 다 . 몇 가지 의 종래 기술 장치 에서 , 상대 적 으로 두껍 거나 또는 길이 가 길 지만 좁 은 금속 핑거 ( finger ) 는 ITO 층 위 에 그리고 전류 확산 을 용이 하 게 하 기 위해 n - GaN 층 을 노출 하 는 트렌치 ( trench ) 에 증착 된다 . 이 와 같 은 전극 핑거 는 다 이 조절 동안 기계 적 으로 부서지 기 쉬우며 , 때때로 손상 되 어 비용 이 든다 . 본 발명 의 일 실시 예 에서 , 미러 층 은 또한 전류 확산 층 으로 사용 된다 . 본 발명 에 따른 LED 의 또 다른 실시 예의 단면도 인 도 2 를 참고 한다 . LED ( 30 ) 는 미러 ( 37 ) 가 ITO 층 35 ) 상 에 증착 되 어 있 는 유전 층 ( 38 ) 의 평면 의 표면 상 에 형성 되 어 있 다는 점 에서 전술 한 LED ( 20 ) 와 유사 하 다 . LED ( 20 ) 와 달리 , 미러 층 ( 37 ) 은 ITO 층 ( 35 ) 의 표면 상 의 복수 의 지점 에서 ITO 층 ( 35 ) 및 전극 ( 39 ) 에 전기 연결 되 어 있 다 . 미러 층 ( 37 ) 과 ITO 층 ( 35 ) 사이 의 연결 은 다수 의 금속 충전 비아 ( 41 ) 에 의해 제공 된다 . 그러므로 , 미러 층 ( 37 ) 은 미러 와 마찬가지 로 전류 확산 전극 으로 동작 한다 . 금속 충전 비아 의 밀도 는 밑 에 있 는 ITO 층 의 저항 성 및 이 층 의 두께 에 좌우 된다 . 비아 의 간격 은 ITO 층 을 따라 전압 강하 가 특정 LED 설계 에 필요 한 균일성 의 정도 에 좌우 되 는 기 결정 된 값 보다 적 도록 선택 된다 . 본 발명 의 일 실시 예 에서 , 비아 의 간격 은 100 에서 200 ㎛ 사이 이 다 .