다만 , 이하 에서 는 도 1 이 예시 하 는 플래시 기억 소자 에서 와 같이 절연성 반도체 박막 ( 120 ) 안 에 반도체 양자 점 ( 130 ) 들 의 집합체 가 3 층 구조 ( 반도체 기판 ( 110 ) 과 가까운 순서 대로 각각 제 1 양자 점층 ( 132 ) , 제 2 양자 점층 ( 134 ) , 제 3 양자 점층 ( 136 ) 이 라 명명 함 ) 로 형성 되 어 있 는 경우 를 중심 으로 설명 하 기 로 한다 . 또한 이하 에서 는 설명 의 편의 를 위해 반도체 기판 ( 110 ) 과 제 1 양자 점층 ( 132 ) 사이 에 위치 하 는 절연성 반도체 박막 을 제 1 절연성 박막 ( 120 - 1 ) , 제 1 양자 점층 ( 132 ) 과 제 2 양자 점층 ( 134 ) 사이 에 위치 하 는 절연성 반도체 박막 을 제 2 절연성 박막 ( 120 - 2 ) , 제 2 양자 점층 ( 134 ) 과 제 3 양자 점층 ( 134 ) 사이 에 위치 하 는 절연성 반도체 박막 을 제 3 절연성 박막 ( 120 - 3 ) , 제 3 양자 점층 ( 136 ) 과 게이트 전극 ( 150 ) 사이 에 위치 하 는 절연성 반도체 박막 을 제 4 절연성 박막 ( 120 - 4 ) 으로 구분 하 여 명명 하 기 로 한다 . 다만 , 여기 서 사용 된 제 1 , 제 2 등 의 서수 는 설명 의 편의 상 서로 구분 하 기 위한 기재 에 불과 하 며 , 절연성 반도체 박막 ( 120 ) 은 전체 가 동일 한 절연성 반도체 물질 로 이루어진 하나 의 박막 으로서 기능 하 는 것 이 고 , 각각 의 양자 점층 에 분포 된 양자 점 들 도 동일 반 도체 물질 , 동일 크기 , 동일 밀도 등 을 가질 수 있 음 은 물론 이 다 .