상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 으로 , 기판 상 에 터널 절 연막 및 예비 전하 저 장막 패턴 을 형성 한다 . 상기 예비 전하 저 장막 패턴 사이 의 터널 절 연막 및 기판 을 식각 하 여 제 1 방향 으로 연장 되 는 소자 분리 용 트렌치 를 형성 한다 . 상기 소자 분리 용 트렌치 내부 및 예비 전하 저 장막 패턴 사이 의 갭 에 제 1 에어 갭 을 포함 하 는 제 1 절 연막 패턴 을 형성 한다 . 상기 예비 전하 저 장막 패턴 상 에 유전 막 및 콘트롤 게이트 전 극막 을 형성 한다 . 또한 , 상기 콘트롤 게이트 전 극막 , 유전 막 및 예비 전하 저 장막 패턴 을 패 터닝 하 여 콘트롤 게이트 전극 , 유전 막 패턴 및 전하 저 장막 패턴 을 형성 한다 .