증착 온도 는 가스 상태 의 소스 화학 물질 들 이 열분해 되 는 것 을 방지 하 기 에 충분히 낮 게 유지 된다 . 한편 , 증착 온도 는 표면 반응 들 을 위한 활성 화 에너지 를 제공 하 기 에 충분히 높 게 유지 하 여 소스 물질 들 의 물리 흡착 ( physisorption ) 을 방지 하 고 반응 공간 내 에서 의 가스 상 반응물 들 의 응축 을 최소 화 한다 . 반응물 들 과 반응기 에 따라 , 상기 증착 온도 는 통상 약 20 ℃ 내지 약 500 ℃ 이 고 , 바람직 하 게 는 약 150 ℃ 내지 약 350 ℃ 이 고 , 더욱 바람직 하 게 는 약 250 ℃ 내지 약 300 ℃ 이 다 .