또한 , 2 개 의 폴리 이미드 ( PI ) 사이 에 무기 막 을 형성 하 는 경우 , 하부 에 배치 된 폴리 이미드 ( PI ) 에 차지 ( charge ) 된 전하 가 백 바이어스 ( Back Bias ) 를 형성 하 여 제 1 박막 트랜지스터 ( 310 ) 또는 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 에 영향 을 줄 수 있 다 . 따라서 , 폴리 이미드 ( PI ) 에 차지 ( charge ) 된 전하 를 차단 하 기 위하 여 별도 의 금속 층 을 형성 할 필요 가 있 다 . 하지만 , 본 명세서 의 실시 예 에 따른 표시 장치 ( 100 ) 는 2 개 의 폴리 이미드 ( PI ) 사이 에 무기 막 을 형성 함 으로써 , 하부 에 배치 된 폴리 이미드 ( PI ) 에 차지 ( charge ) 되 는 전하 를 차단 하 여 제품 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 . 그리고 , 폴리 이미드 ( PI ) 에 차지 ( charge ) 된 전하 를 차단 하 기 위하 여 금속 층 을 형성 하 는 공정 을 생략 할 수 있 으므로 , 공정 을 단순 화 하 고 생산 단가 를 절감 할 수 있 다 .