NiP 층 은 우선 기판 상 에 도금 되 고 , 그 후 실시 예 1 에서 행해진 바 와 같이 이 층 상 에 포토레지스트 패 터닝 을 실행 한다 . 그 후 , FeCl 3 용액 을 이용 하 여 절연 층 을 에칭 하 여 , NiP 층 을 패 터닝 한다 . 에칭 시간 은 두께 및 에칭 레이트 에 의존 하 지만 , 전형 적 으로 50 nm 두께 의 NiP 층 을 에칭 하 기 위해서 는 3 분 이 다 . 에칭 후 , 포토레지스트 를 제거 하 기 위해 10 분 동안 아세톤 에 기판 을 담근다 . 그 후 , 실시 예 1 에서 와 같이 제 2 촉매 화 단계 및 구리 층 의 무전 해 도금 단계 가 실행 된다 .