반도체 층 ( 231 _ 1 ) 보다 결정 성 이 높 은 영역 을 갖 는 반도체 층 ( 231 _ 2 ) 에 의하 여 , 반도체 층 ( 231 ) 에 불순물 이 들어가 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 특히 , 반도체 층 ( 231 _ 2 ) 의 결정 성 을 높임 으로써 , 도전 층 ( 222 a 및 222 b ) 의 가공 시 의 대미지 를 줄일 수 있 다 . 반도체 층 ( 231 ) 의 표면 , 즉 반도체 층 ( 231 _ 2 ) 의 표면 은 도전 층 ( 222 a 및 222 b ) 의 가공 시 에 에 천트 또는 에칭 가스 에 노출 된다 . 그러나 , 반도체 층 ( 231 _ 2 ) 이 결정 성 이 높 은 영역 을 갖 는 경우 , 반도체 층 ( 231 _ 2 ) 은 반도체 층 ( 231 _ 1 ) 보다 에칭 내성 이 높 다 . 따라서 , 반도체 층 ( 231 _ 2 ) 은 에칭 스토퍼 로서 의 기능 을 갖 는다 .