1120 에서 , 메모리 디바이스 는 제 2 논리 상태 를 강유 전 성 메모리 셀 에 기록 할 수 있 고 , 기록 하 는 것 은 디 지트 라인 을 제 1 전압 또는 제 2 전압 보다 더 높 은 제 3 전압 으로 구동 하 기 위해 디 지트 라인 의 제 1 슬루 레이트 를 제어 하 는 것 을 포함 한다 . 1120 의 동작 은 본 명세서 에 설명 된 방법 에 따라 수행 될 수 있 다 . 일부 예 에서 , 1120 의 동작 의 양태 는 도 7 을 참조 하 여 설명 된 기록 구성 요소 에 의해 수행 될 수 있 다 .