도 2 는 종래 의 VTCMOS ( Variable Threshold CMOS ) 소자 를 도시 한 회로도 로서 , 도시 한 트랜지스터 는 백 바이어스 전압 을 콘트롤 하 여 문턱 전압 을 조절 하 여 누설 전류 를 줄일 수 있 는 저 문턱 트랜지스터 이 다 . 따라서 , 칩 내부 의 회로 블록 을 구성 하 는 각 저 문턱 트랜지스터 를 도 2 의 트랜지스터 로 대체 하 여 누설 전류 를 효과 적 으로 줄일 수 는 있 으나 , 회로 블록 에서 는 백 바이어스 전압 을 인가 하 기 위한 구조 를 위해 공정 자체 가 복잡 해 지 고 , 별도 의 백 바이어스 전압 생성기 ( generator ) 회로 가 필요 하 며 , 스케일 ( scale ) 이 다운 될수록 바디 팩터 ( body factor ) 는 문턱 전압 제어 를 곤란 하 게 만드 는 문제점 이 있 다 .