반도체 메모리 소자 는 보다 더 고집 적 화 되 고 , 회선 선폭 이 미세 화 되 어 가 고 있 다 . 최근 에 는 이러 한 고집 적 화 된 소자 를 제조 하 기 위한 제조 장치 로 플 라즈 마 를 이용 한 증착 및 식각 장치 가 사용 되 고 있 다 . 하지만 , 반도체 소자 의 제조 를 위한 공정 이 미세 해 지 면서 플 라즈 마 장비 사용 시 발생 하 는 표면 차징 ( surface charging ) 으로 인한 플 라즈 마 유도 데미지 ( plasma induced damage ) 에 의해 소자 특성 이 열화 되 는 현상 이 발생 한다 .