여기 서 , 상기 공정 챔버 ( 100 ) 는 외부 의 어떠 한 영향 또는 간섭 을 받 지 않 고 상기 반도체 제조 공정 이 수행 될 수 있 도록 소정 의 진공도 를 갖 는 진 공실 의 역할 을 수행 하 며 , 상기 반도체 의 제조 시 에 는 무엇 보다 도 진공 누출 의 방지 가 중요 하 다 . 외부 로부터 공기 가 유입 되 면 웨이퍼 ( W ) 와 같 은 피 처리 물 은 물론 , 상기 공정 챔버 ( 100 ) 내부 에서 상기 반도체 제조 공정 을 수행 하 는 주요 구성 품 을 손상 시키 거나 오염 시킨다 . 예컨대 , 상기 공정 챔버 ( 100 ) 의 내부 에 는 도전 성 불순물 을 이온 주입 하 는 이온 주입 설비 의 스캐너 ( 120 ) 또는 디스크 어셈블리 ( 130 ) 가 위치 될 수 있 다 . 또한 , 상기 공정 챔버 ( 100 ) 의 내부 에 는 웨이퍼 ( W ) 상 에 박막 을 형성 하 는 화학 기상 증착 설비 , 또는 웨이퍼 ( W ) 상 에 형성 된 박막 을 식각 하 는 건 식식 각 설비 에서 반응 가스 를 분사 하 는 샤워 헤드 와 , 상기 샤워 헤드 의 대향 하 여 상기 웨이퍼 ( W ) 를 지지 하 는 척 이 위치 될 수 있 다 . 이때 , 상기 샤워 헤드 와 척 사이 에 유동 되 는 상기 반응 가스 는 고온 의 플 라즈 마 상태 로 여기 되 어 상기 웨이퍼 ( W ) 의 표면 으로 유동 될 수 있 다 . 따라서 , 상기 반도체 제조 공정 이 수행 되 기 전 에 상기 공정 챔버 ( 100 ) 의 내부 는 진공 으로 펌 핑 된 후 진공 펌프 통로 를 차단 시키 고 , 진공 의 누출 을 확인 해야 만 한다 . 진공 의 누출 허용치 를 정하 기 는 어려우나 일반 적 으로 시간 당 10 ∼ 25 μ mHg 정도 를 반도체 생산 공장 에서 의 허용치 로 본다 . 진공 을 유지 하 기 위해서 는 밀폐 부분 을 주의 해야 하 며 , 순 도 높 은 진 공구 리스 를 이용 하 여 밀폐 효과 를 높인다 . 예컨대 , 가장 우수 한 공정 챔버 ( 100 ) 의 재질 로 는 10 - 6 torr 보다 낮 은 고진공 이 요구 될 때 , 산화 저항 이 큰 300 계열 의 스테인리스강 이 사용 된다 . 반면 , 10 - 6 torr 안 팍 의 저 진공 내지 고진공 이 요구 될 경우 , 비교 적 저렴 한 외부 에 특수 코팅 한 탄소강 을 주로 사용 한다 . 탄소강 이 상기 공정 챔버 ( 100 ) 의 구조 재료 로 사용 될 때 는 , 진공 중 에서 강 표면 에 함유 한 가스 가 제거 되 어 대기 중 에 노출 되 면서 쉽 게 산화 가 일어나 기 때문 에 반복 적 인 노 의 사용 시 문제 가 될 수 있 다 . 그리고 , 상기 공정 챔버 ( 100 ) 내부 에 다량 의 오염 물질 이 유발 되 어 예방 정비 ( PM ) 와 같 은 세정 이 이루어져야 할 경우 , 상기 공정 챔버 ( 100 ) 내부 에 공급 되 는 대기 중 의 공기 또는 퍼지 가스 를 단속 하 는 벤 팅 밸브 ( 140 ) 가 상기 공정 챔버 의 측벽 에 형성 되 어 있 다 . 또한 , 상기 공정 챔버 ( 100 ) 는 내부 에서 수행 되 는 상기 반도체 제조 공정 의 특성 또는 상기 반도체 제조 공정 이 요구 되 는 진공도 에 따라 다양 한 금속 재질 로 형성 되 며 , 상기 공정 챔버 ( 100 ) 의 내부 를 개방 시키 는 적어도 하나 이상 의 포트 ( port , 110 ) 가 형성 되 어 있 다 .