특히 희생 층 패턴 ( 20 ) 은 후속 적 으로 형성 하 는 질화물 반도체 층 의 측면 성장 속도 가 빠른 방향 과 수직 인 방향 으로 연장 된 라인 타입 패턴 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 어 도 2 에서 는 x 축 방향 질화물 측면 성장 속도 가 빠른 경우 가 된다 . 기판 ( 10 ) 이 사파이어 인 경우 에 질화물 의 측면 성장 속도 가 빠른 방향 은 < 1 - 100 > 이 므로 희생 층 패턴 ( 20 ) 은 그 에 수직 인 < 11 - 20 > 방향 을 따라 연장 하 는 라인 패턴 으로 형성 한다 . 이렇게 하 는 이유 는 기판 ( 10 ) 상 에서부터 시작 되 는 ELO ( Epitaxial Lateral Overgrowth ) 를 최대한 조장 하 면서 질화물 반도체 층 을 성장 시키 기 위함 이 다 .