이 는 캐 패 시터 하부 전극 ( 반도체 기판 ( 110 ) ) 의 전기 전도도 보다 높 은 전기 전도도 를 갖 는 물질 로 캐 패 시터 하부 전극 ( 반도체 기판 ( 110 ) ) 의 측면 에 도전체 층 ( 150 ) 을 형성 하 여 , 캐 패 시터 하부 전극 ( 반도체 기판 ( 110 ) ) 을 통과 하 는 전기 신호 의 손실 을 저감 함 으로써 캐 패 시터 의 품질 지수 ( Q ) 를 향상 시키 는 구조 이 다 .