여기 서 , 본 발명 은 상기 상부 전극 ( 27 a ) 과 하부 전극 ( 24 a ) 을 하나 의 식각 마스크 를 이용 한 1 회 의 식각 을 통해 형성 하 기 때문 에 각각 을 개별 형성 하 는 종래 기술 과 비교 해서 공정 단순 화 를 이룰 수 있 으며 , 또한 , 콘 택 플러그 ( 23 ) 와 일정 간격 으로 오버랩 을 줌 으로써 중첩 문제 도 해결 할 수 있 다 .