다만 , 본 발명 의 제 6 , 제 7 , 제 3 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 들 의 공정 온도 별 실제 성장 속도 가 상기 제 1 및 제 2 박막 의 공정 온도 별 성장 속도 보다 작 은 것 을 확인 하 였 다 . 이 는 , 도 2 를 참조 하 여 설명 된 바 와 같이 , 공정 온도 에 따른 상기 제 2 박막 에 제공 되 는 상기 제 1 박막 의 상기 반응 사이트 수 및 / 또는 상기 제 2 박막 의 형성 속도 가 상이 하 여 나타난 결과 로 판단 된다 .