먼저 도 9 를 참조 하 면 , 기판 ( 110 ) 위 에 절연 층 인 버퍼 층 ( 120 ) 을 적층 하 고 , 그 위 에 액티브 층 을 형성 한 후 패 터닝 하 여 액티브 패턴 ( 131 a ) 을 형성 한다 . 액티브 패턴 ( 131 a ) 위 에 절연 층 ( 140 ) 을 형성 하 고 그 위 에 도전 성 물질 을 적층 하 여 도전 층 ( 150 ) 을 형성 한다 . 도전 층 ( 150 ) 위 에 포토레지스트 층 ( 50 ) 을 적층 한 후 광 마스크 ( 60 ) 를 통해 UV 등 의 빛 을 포토레지스트 층 ( 50 ) 에 조사 한다 .