본 발명 에 따른 발광 소자 는 적층 형성 된 p 형 반도체 층 , 활성 층 및 n 형 반도체 층 ; 상기 p 형 반도체 층 상 에 형성 된 p 형 전극 층 및 에칭 스탑 층 ; 상기 p 형 전극 층 및 에칭 스탑 층 상 에 형성 된 커버 층 ; 상기 커버 층 상 에 형성 된 전도성 지지층 ; 및 상기 n 형 반도체 층 상 에 형성 된 n 형 전극 층 을 포함 한다 .