예시 적 인 일 실시 예 로 , 상기 재 배선 층 과 상기 제 2 절연 층 이 맞닿 아 형성 된 면 은 상기 제 1 절연 층 과 상기 제 2 절연 층 이 맞닿 아 형성 된 면 보다 상기 반도체 칩 에 가깝 고 , 상기 재 배선 층 과 상기 제 2 절연 층 이 맞닿 아 형성 된 면 과 상기 제 1 절연 층 과 상기 제 2 절연 층 이 맞닿 아 형성 된 면 사이 에 단차 가 형성 된 것 을 특징 으로 한다 .