한편 , 역방향 누설 전류 특성 은 GaN 소자 뿐 아니 라 다른 반도체 소자 에서 도 중요 한 특성 으로 , 큰 역방향 누설 전류 는 소자 의 전력 소모 를 증가 시키 고 항복 전압 을 감소 시킨다 . GaN 소자 에서 발생 하 는 누설 전류 의 가장 큰 원인 은 GaN 기판 성장 시 에 발생 하 는 격자 불 일치 로 인한 결함 이 다 . GaN 웨이퍼 상 에 존재 하 는 결함 및 전위 ( dislocation ) 는 쇼트 키 게이트 모서리 의 터널 링 현상 을 가속 화 시켜 소자 의 큰 누설 전류 와 낮 은 항복 현상 의 원인 이 된다 .