도 23 을 참조 하 여 , 복수 개 의 공정 챔버 ( 210 , 220 , 230 ) 의 내부 에 는 피 처리 기판 ( 13 ) 을 지지 하 기 위한 지지대 ( 206 ) 가 구비 된다 . 지지대 ( 206 ) 바이어스 전원 공급원 ( 42 , 43 ) 에 연결 되 어 바이어스 된다 . 예 를 들 어 , 서로 다른 무선 주파수 전원 을 공급 하 는 두 개 의 바이어스 전원 공급원 ( 42 , 43 ) 이 임피던스 정합 기 ( 44 ) 를 통하 여 지지대 ( 206 ) 에 전기 적 으로 연결 되 어 바이어스 된다 . 지지대 ( 206 ) 의 이중 바이어스 구조 는 반응기 몸체 ( 11 ) 의 내부 에 플 라즈 마 발생 을 용이 하 게 하 고 , 플라 즈 마 이온 에너지 조절 을 더욱 개선 시켜 공정 수율 을 향상 시킬 수 있 다 . 또는 단일 바이어스 구조 로 변형 실시 할 수 도 있 다 . 또는 지지대 ( 206 ) 는 바이어스 전원 의 공급 없이 제로 퍼텐셜 ( zero potential ) 을 갖 는 구조 로 변형 실시 될 수 도 있 다 . 그리고 기판 지지대 ( 206 ) 는 정 전척 을 포함 할 수 있 다 . 또는 기판 지지대 ( 206 ) 는 히터 를 포함 할 수 있 다 .