또는 , 도 2 및 도 3 의 실시 예 등 에 의한 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) 를 도 6 및 도 7 의 실시 예 에 의한 스위칭 트랜지스터 ( Ts ') 와 같이 구성 할 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) 는 , 도 6 및 도 7 의 실시 예 에 의한 제 1 채널 영역 ( 120 a 1 ) , 제 1 전도성 영역 ( 120 b 1 ) , 제 2 전도성 영역 ( 120 b 2 ) , 제 1 광폭 밴드 - 갭 영역 ( 120 c 1 ) 및 제 2 광폭 밴드 - 갭 영역 ( 120 c 2 ') 을 포함 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 화소 ( PXL ) 의 동작 을 안정 화 하 고 계조 표현 력 을 향상 시킬 수 있 다 .