본 발명 에 따른 반도체 소자 의 격리 막 은 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 소자 분리 영역 과 소자 형성 영역 으로 나누 어 진 반도체 기판 ( 301 ) 상 에 일정 깊이 로 소자 분리 영역 에 형성 된 트렌치 ( 302 ) 와 , 상기 트렌치 부분 에 적층 되 어 형성 된 열 산화 막 ( 303 ) 과 , 상기 열 산화 막 ( 303 ) 상 에 형성 된 산화 실리콘 막 ( 304 ) 과 , 그리고 , 상기 산화 실리콘 막 ( 304 ) 을 포함 한 상기 트렌치 ( 302 ) 부분 에 채워진 산화 절 연막 ( 305 ) 으로 구성 되 어 있 다 .