본 발명 에 따르 면 , 플래시 메모리 소자 의 플로팅 게이트 들 사이 의 간격 을 디자인 룰 에 따른 최소 선폭 과 상관 없이 최소 의 폭 으로 형성 할 수 있 으므로 , 고집 적 화 된 플래시 메모리 셀 어레이 를 형성 할 수 있 다 . 특히 , 본 발명 에 따른 플로팅 게이트 형성 방법 은 셀 구조 가 NOR 형 이 든 NAND 형 이 든 상관없이 적용 할 수 있 다 .