기록 / 독 출 제 어부 ( 110 ) 는 메모리 셀 어레이 ( 210 ) 에 대한 프로그램 / 독 출 및 소거 동작 을 수행 하 기 위한 어드레스 ( ADD ) 및 커맨드 ( CMD ) 를 생성 할 수 있 다 . 또한 , 전압 제 어부 ( 120 ) 는 비휘발성 메모리 장치 ( 200 ) 내 에서 이용 되 는 적어도 하나 의 전압 레벨 을 제어 하 기 전압 제어 신호 를 생성 할 수 있 다 . 일예 로서 , 전압 제 어부 ( 120 ) 는 메모리 셀 어레이 ( 210 ) 로부터 데이터 를 독 출하 거나 , 메모리 셀 어레이 ( 210 ) 에 데이터 를 프로그램 하 기 위한 워드 라인 의 전압 레벨 을 제어 하 기 위한 전압 제어 신호 를 생성 할 수 있 다 .