본 발명 에 따른 제 1 실시 예의 반도체 메모리 장치 는 외부 에서 테스트 전압 이 인가 되 면 테스트 인 에 이 블 신호 를 생성 하 는 테스트 진입 신호 생성 회로 , 상기 테스트 인 에 이 블 신호 에 응답 하 여 내부 전압 을 생성 하 는 내부 전압 발생기 , 및 상기 테스트 인 에 이 블 신호 가 디스 에이블 될 경우 상기 내부 전압 을 인가 받 아 노멀 동작 을 수행 하 고 상기 테스트 인 에 이 블 신호 가 인 에 이 블 될 경우 상기 테스트 전압 을 인가 받 아 테스트 를 수행 하 는 내부 회로 를 포함 한다 .