이때 , 차광성 막 패턴 ( 110 a ) 및 위상 반 전막 패턴 ( 104 a ) 을 형성 하 기 위한 식각 공정 은 습식 또는 건식 식각 중 하나 의 공정 으로 수행 하 며 , 습식 식각 공정 으로 수행 하 는 것 이 바람직 하 다 . 여기 서 , 위상 반 전막 ( 104 ) 을 구성 하 는 각 박막 들 이 몰 리브 데 늄 실리사이드 ( MoSi ) 또는 그 의 화합물 형태 로 구성 되 는 경우 , 습식 식각 은 Ammonium hydrogendifluoride [ ( NH 4 ) HF 2 ] , Hydrogen peroxide ( H 2 O 2 ) 및 DI - water 를 주성분 으로 하 는 식각 용액 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 아울러 , 상기 습식 식각 공정 의 식각 물질 및 식각 방법 은 종래 공지 된 여러 가지 재료 및 방법 을 이용 할 수 있 다 .