도 13 및 도 14 를 참조 하 면 , 본 발명 의 제 5 실시 예 에 따른 기판 처리 장치 ( 500 ) 는 공정 챔버 ( 110 ) , 챔버 리드 ( 115 ) , 기판 지지 부 ( 120 ) , 및 복수 의 가스 분사 모듈 ( 130 a , 130 b , 130 c , 130 d ) 과 퍼지 가스 분사 모듈 ( 130 e ) 을 가지 는 가스 분사 부 ( 130 ) 를 포함 하 여 구성 된다 . 이러 한 구성 을 가지 는 기판 처리 장치 ( 500 ) 는 가스 분사 부 ( 130 ) 가 퍼지 가스 분사 모듈 ( 130 e ) 을 더 포함 하 여 구성 되 는 것 을 제외 하 고는 , 전술 한 도 2 에 도시 된 기판 처리 장치 ( 100 ) 와 동일 하 므로 동일 한 구성 들 에 대한 중복 설명 은 생략 하 기 로 하 고 , 이하 동일 구성 에 대해서 는 동일 한 도면 부호 를 부여 하 기 로 한다 .