상기 애 퍼 쳐 층 ( 1114 ) 은 상기 활성 층 ( 1113 ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 상기 애 퍼 쳐 층 ( 1114 ) 은 중심부 에 원형 의 개구부 가 포함 될 수 있 다 . 상기 애 퍼 쳐 층 ( 1114 ) 은 활성 층 ( 1113 ) 의 중심부 로 전류 가 집중 되 도록 전류 이동 을 제한 하 는 기능 을 포함 할 수 있 다 . 즉 , 상기 애 퍼 쳐 층 ( 1114 ) 은 공진 파장 을 조정 하 고 , 활성 층 ( 1113 ) 으로부터 수직 방향 으로 발광 하 는 빔 각 을 조절 할 수 있 다 . 상기 애 퍼 쳐 층 ( 1114 ) 은 SiO 2 또는 Al 2 O 3 와 같 은 절연 물질 을 포함 할 수 있 다 . 또한 , 상기 애 퍼 쳐 층 ( 1114 ) 은 상기 활성 층 ( 1113 ) , 제 1 및 제 2 반도체 층 ( 1111 , 1115 ) 보다 높 은 밴드 갭 을 가질 수 있 다 .