도 3 b 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 소자 격리 막 ( 302 ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 301 ) 의 전면 에 게이트 절 연막 ( 303 ) 과 도전 층 ( 예 를 들 면 , 고농 도 다 결정 실리콘 층 ) 을 차례 로 증착 하 고 , 선택 적 으로 상기 도전 층 및 게이트 절 연막 ( 303 ) 을 제거 하 여 게이트 전극 ( 304 ) 을 형성 한다 .