본 발명 에 따른 반도체 메모리 장치 의 비트 라인 프리 차지 전압 제어 회로 는 오버 드라이빙 동작 을 수행 하 는 반도체 메모리 장치 의 액티브 완료 시간 이 기준 액티브 완료 시간 보다 길 경우 타 겟 레벨 보다 낮 은 비트 라인 프리 차지 전압 을 생성 함 으로써 비트 라인 프리 차지 전압 이 타 겟 레벨 로 유지 되 는 효과 가 있 다 . 또한 오버 드라이빙 동작 을 수행 하 는 반도체 메모리 장치 는 종래 보다 프리 차지 완료 시간 을 줄임 으로써 액티브 완료 시간 을 줄이 는 효과 가 있 다 .