일 실시 예 에서 , 반사 방지 구조 ( 310 ) 는 패 시베이 션 층 ( 312 ) , 패 시베이 션 층 ( 312 ) 위 에 형성 된 높 은 광 흡수 층 ( 313 ) , 및 높 은 광 흡수 층 ( 313 ) 위 에 형성 된 낮 은 광 흡수 층 ( 314 ) 을 포함 한다 . 일 실시 예 에서 , 패 시베이 션 층 ( 312 ) 은 약 0 . 5 nm 내지 100 nm 의 두께 로 열 적 으로 성장 된 실리콘 이 산화물 을 포함 하 는 한편 , 낮 은 광 흡수 층 ( 314 ) 은 플 라즈 마 강화 화학 적 기상 증착 ( plasma enhanced chemical vapor deposition ) 또는 반응 성 스퍼터링 ( reactive sputtering ) 에 의해 약 5 nm 내지 100 nm 의 두께 로 증착 된 실리콘 질화물 을 포함 한다 .