이어서 , PMOS 영역 의 N 형 제 1 폴리 실리콘 층 ( 14 A ) 에 P 형 불순물 을 이온 주입 하 여 P 형 제 1 폴리 실리콘 층 ( 14 B ) 을 형성 한다 . 여기 서 , P 형 제 1 폴리 실리콘 층 ( 14 B ) 은 N 형 제 1 폴리 실리콘 층 ( 14 A ) 에 이온 주입 을 통한 컨 버티 드 스킴 ( Converted Scheme ) 을 사용 하 여 형성 한 것 으로 , 이 를 위해 BF 3 또는 B 2 H 6 가스 를 사용 한 플 라즈 마 도핑 을 실시 하 여 P 형 제 1 폴리 실리콘 층 ( 14 B ) 을 형성 한다 . 이때 , 플라 즈 마 도핑 은 1 KV ∼ 20 KV 의 에너지 , 1 . 0 E 15 ∼ 2 . 0 E 17 / ㎠ 의 도즈 ( Dose ) 로 실시 할 수 있 다 .