일부 실시 형태 에서 , 배리어 층 ( 101 ) 은 컨 택 개구부 의 측벽 및 바닥 부 를 따라 등각 으로 형성 된다 . 배리 어 층 은 티탄 질화물 등 의 전기 전도성 재료 를 포함 할 수 도 있 지만 , 대안 으로 탄탄 질화물 , 티탄 , 탄탈 등 의 다른 재료 도 사용 될 수 있 다 . 배리 어 층 ( 101 ) 은 PECVD 와 같 은 CVD 공정 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 그러나 , 스퍼터링 또는 금속 유기 화학 기상 퇴적 ( MOCVD ) , 원자 층 퇴적 ( ALD ) 등 의 다른 대안 의 공정도 대안 으로 사용 될 수 있 다 .