그 다음 에 , 성막 실내 의 잔류 수분 을 제거 하 면서 , 수소 , 물 , 수산기 , 수소 화물 등 의 불순물 이 충분히 제거 된 고순 도 가스 를 도입 하 고 , 상기 타 겟 을 이용 해서 기판 위 에 산화물 반도체 층 을 성막 한다 . 성막 실내 의 잔류 수분 을 제거 하 기 위해서 는 , 배기 수단 으로서 , 크라이 오 펌프 , 이온 펌프 , 티탄 서 블 리메 이 션 펌프 등 의 흡착 형 의 진공 펌프 를 이용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 배기 수단 은 터보 펌프 에 콜드 트랩 을 가한 것 일 수 있 다 . 크라이 오 펌프 를 이용 해서 배기 한 성막 실은 , 예 를 들 어 , 수소 , 물 , 수산기 또는 수소화물 등 의 불순물 ( 보다 바람직 하 게 는 탄소 원자 를 포함 하 는 화합물 도 ) 등 이 제거 되 기 있 기 때문 에 , 당해 성막 실 에서 성막 한 산화물 반도체 층 에 포함 되 는 수소 , 물 , 수산기 또는 수소화물 등 의 불순물 의 농도 를 저감 할 수 있 다 .