그리고 , 상기 냉각 공정 은 , 상기 디 개 싱 공정 후 기판 ( 100 ) 이 가지 고 있 는 잔류 열 을 제거 하 기 위하 여 수행 하 는 것 으로서 , 정 전척 ( Electro Static Chuck : ESC ) 이 설치 된 쿨 챔버 내 에서 상기 반도체 기판 ( 100 ) 이 상온 이나 그 이하 의 온도 로 될 때 까지 수행 하 는 것 이 바람직 하 다 . 즉 , 본 발명 의 실시 예 에서 는 , 상기 한 바 와 같 은 디 개 싱 공정 을 수행 한 직후 에 , 바로 반도체 기판 ( 100 ) 을 상온 이하 로 냉각 시킴 으로써 , 후속 적 으로 수행 되 는 배리 어막 ( 106 ) 의 증착 공정 에서 , 제 2 층간 절 연막 ( 103 ) 의 표면 으로부터 수분 등 이 아웃 개 싱 되 는 현상 을 최소 화 할 수 있 다 .