또한 , 핀 구조물 ( 20 ) 및 더미 게이트 구조물 ( 105 ) 이 제 2 절연 재료 층 에 완전히 매립 되 도록 , 절연 재료 의 하나 이상 의 층 을 포함 하 는 제 2 아이 솔 레 이 션 절연 층 ( 106 ) 이 제 1 아이 솔 레 이 션 절연 층 ( 104 ) 위 에 형성 된다 . 제 2 아이 솔 레 이 션 절연 층 ( 106 ) 은 핀 구조물 ( 20 ) 의 단부 면 을 덮 으며 , 소스 / 드레 인 에피 텍 셜 층 이 형성 되 는 소스 / 드레 인 공간 을 정의 한다 . 제 2 아이 솔 레 이 션 절연 층 ( 106 ) 에 대한 절연 재료 는 제 1 아이 솔 레 이 션 절연 층 ( 104 ) 의 절연 재료 와 는 상이 하 고 , LPCVD , 플라 즈 마 - CVD , 원자 층 증착 ( ALD ) 또는 유동 가능 CVD , 또는 임의 의 다른 적합 한 성막 방법 에 의해 형성 된 , 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화물 ( SiON ) , SiOCN , SiOC , SiCN , 불소 도핑 된 실리케이트 유리 ( FSG ) , 또는 로우 k ( low - K ) 유전체 재료 를 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 제 2 아이 솔 레 이 션 절연 층 ( 106 ) 은 SiOC 또는 SiOCN 을 포함 한다 . 제 2 아이 솔 레 이 션 절연 층 의 형성 후 에 어 닐 동작 이 수행 될 수 있 다 . 그 다음 , 도 3 a 및 도 3 b 에 도시 된 바 와 같이 , 더미 게이트 구조물 ( 105 ) 의 상부 표면 이 제 2 아이 솔 레 이 션 절연 층 ( 106 ) 으로부터 노출 되 도록 , 화학 기계 적 연마 ( CMP ) 방법 및 / 또는 에칭 백 방법 과 같 은 평탄 화 동작 이 수행 된다 .