상기 와 같이 , 제 1 도 전막 ( 304 ) 을 벌브 형태 로 식각 하 여 벌브 형태 의 프로 파일 을 갖 도록 함 으로써 게이트 ( 314 ) 사이 의 거리 를 늘릴 수 있 을 뿐 만 아니 라 게이트 ( 314 ) 사이 를 절연 시키 기 위한 제 2 절 연막 ( 316 ) 형성 공정 시 제 1 도 전막 ( 304 ) 사이 에 저 유전 물질 보다 낮 은 유전율 을 갖 는 에어 갭 ( 318 ) 을 형성 할 수 있 어 축소 화 되 어 가 는 소자 에서 문제 시 되 는 간섭 ( interference ) 현상 을 개선 할 수 있 다 . 이 로 인하 여 고속 속도 와 고전압 에서 의 안정 성 을 확보 할 수 있 다 .