S 1100 블록 에서 의 판별 결과 , 온도 감지 결과 ( Temp ) 가 저온 구간 에 대응 되 지 않 는 경우 , 플래시 메모리 는 제어 로직 ( 700 ) 의 제어 에 의해 노 말 소거 동작 을 수행 할 수 있 다 ( S 1200 블록 ) . 본 발명 에서 , 노 말 소거 동작 은 , 복수 의 소거 루프 들 로 구성 될 수 있 고 , 각각 의 소거 루프 는 소거 실행 구간 , 지연 시간 구간 , 그리고 검증 구간 으로 구성 될 수 있 다 . 노 말 소거 동작 시 , 소거 동작 조건 ( 예 를 들 면 , 지연 시간 의 길 이 , 카운터 펄스 , 소거 동작 시 인가 되 는 워드 라인 전압 의 레벨 등 ) 은 변경 되 지 않 고 , 플래시 메모리 의 출고 시 설정 되 어 있 는 소거 동작 조건 이 그대로 유지 된다 . 노 말 소거 동작 에 적용 되 는 소거 동작 조건 은 , 플래시 메모리 가 상온 에서 동작 하 는 것 을 기준 으로 하 여 설정 될 수 있 다 .