EUV , 전자선 , 이온 빔 , KrF 엑 시머 레이저 및 ArF 엑 시머 레이저 등 의 250 ㎚ 이하 의 파장 을 갖 는 방사선 을 이용 한 패턴 형성 기술 에 있 어서 , 높 은 감도 와 우수 한 리소그래피 특성 양쪽 을 고 수준 으로 달성 가능 한 레지스 트 재료 의 제공 을 목적 으로 한다 . 본 발명 은 , 일부 조사 공정 과 , 전체 면 조사 공정 과 , 가열 공정 과 , 현상 공정 을 구비 하 는 리소그래피 프로세스 에 있 어서 , 상기 감광성 수지 조성물 로서 사용 되 는 화학 증폭 형 레지스 트 재료 로서 , ( 1 ) 산 의 작용 에 의해 상기 현상액 에 가 용 또는 불용 이 되 는 베이스 성분 과 , ( 2 ) 방사선 조사 에 의해 감방 사선 성 증 감체 및 산 을 발생 하 는 성분 을 포함 하 고 , 상기 ( 2 ) 성분 이 , 하 기 ( a ) 및 ( b ) 성분 , 하 기 ( b ) 및 ( c ) 성분 , 또는 하 기 ( a ) 내지 ( c ) 성분 모두 를 함유 하 고 , 상기 ( b ) 성분 이 , 산 의 작용 에 의해 분해 하 고 하 기 식 ( A ) 로 표시 되 는 화합물 을 발생 하 는 전구체 를 포함 하 는 화학 증폭 형 레지스 트 재료 이 다 .