제 3 절연 층 ( 123 ) 상 에 는 산화물 반도체 를 포함 하 는 제 2 박막 트랜지스터 ( TFT 2 ) 의 제 2 반도체 층 ( AO ) 이 배치 될 수 있 다 . 제 2 반도체 층 ( AO ) 은 도전 성 을 가지 며 서로 이격 되 어 있 는 소스 영역 ( S 2 ) 과 드레 인 영역 ( D 2 ) , 및 소스 영역 ( S 2 ) 과 드레 인 영역 ( D 2 ) 사이 에 배치 된 채널 영역 ( C 2 ) 을 포함 할 수 있 다 . 산화물 반도체 는 Zn 산화물 계 물질 로 , Zn 산화물 , In - Zn 산화물 , Ga - In - Zn 산화물 등 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 2 반도체 층 ( AO ) 은 ZnO 에 인듐 ( In ) , 과 갈륨 ( Ga ) , 주석 ( Sn ) 과 같 은 금속 이 함유 된 IGZO ( In - Ga - Zn - O ) , ITZO ( In - Sn - Zn - O ) , 또는 IGTZO ( In - Ga - Sn - Zn - O ) 반도체 일 수 있 다 . 제 2 반도체 층 ( AO ) 의 소스 영역 ( S 2 ) 및 드레 인 영역 ( D 2 ) 은 산화물 반도체 의 캐리어 농도 를 조절 하 여 도전 성 화 하 여 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 소스 영역 ( S 2 ) 및 드레 인 영역 ( D 2 ) 은 산화물 반도체 에 수소 ( H ) 계열 가스 , 불소 ( F ) 계열 가스 , 또는 이 들 의 조합 을 이용한 플라 즈 마 처리 를 통해서 캐리어 농도 를 증가 시킴 으로서 형성 될 수 있 다 .