이어서 , 열처리 를 실시 하 여 금속 층 ( 122 ) 과 반도체 재료 를 반응 시킨다 . 이 에 따라 , 한 쌍 의 고농 도 불순물 영역 ( 120 a , 120 b ) 에 접하 는 한 쌍 의 금속 화합물 영역 ( 124 a , 124 b ) 이 형성 된다 ( 도 13 f 참조 ) . 또한 , 게이트 층 ( 110 a ) 으로서 다 결정 실리콘 등 을 사용 하 는 경우 에 는 , 게이트 층 ( 110 a ) 의 금속 층 ( 122 ) 과 접촉 하 는 부분 에 도 금속 화합물 영역 이 형성 되 게 된다 .