먼저 , 유리 기판 ( 1 ) 을 준비 한다 . 그리고 상기 유리 기판 ( 1 ) 위 에 폴리스타이렌 층 ( 2 ) 을 회전 도포 하 고 , 다음 에 , PDMS 도장 ( 3 ) 을 상기 폴리스타이렌 층 ( 2 ) 위 에 올려 놓 고 120 ℃ 에서 20 분 간 놓아둔다 . 약 20 분 경과 후 꺼내 어 상온 에서 식힌 후 PDMS 도장 ( 2 ) 을 기판 에서 떼 어 낸다 . 다음 에 폴리스타이렌 잔존물 ( 9 ) 을 제거 하 기 위해 반응 성 이온 식각 ( Reactive Ion Etching : RIE ) 공정 을 이용 하 였으며 , 이때 반응 가스 로 는 CF 4 / O 2 와 같 은 부 가 가스 가 첨가 된 플 루 오로 카본 가스 를 사용 하 였 다 . 전력 은 0 . 01 ~ 1 W / cm 3 로 하 고 , 압력 은 1 mtorr ~ 10 torr 의 CF 4 / O 2 와 같 은 부 가 가스 가 첨가 된 플 루 오로 가스 환경 에서 플라 즈 마 상태 로 진행 하 였 다 . 이렇게 하 여 유리 기판 ( 1 ) 과 폴리스타이렌 영역 ( 2 ) 을 명확 하 게 구분 한다 . 다음 에 , 표면 의 산화 를 위해 O 2 로만 0 . 01 ~ 1 W / cm 3 에서 압력 은 0 . 001 ~ 10 torr 를 O 2 의 공정 조건 으로 플 라즈 마 하 에서 진행 하 였 다 . 반응기 내 에 PS 가 패턴 된 영역 ( 2 ) 과 유리 기판 ( 1 ) 을 뒤집 어서 놓 고 톨루엔 ( 6 ) 을 바닥 에 넣 은 다음 , 120 ℃ 에서 5 분 간 놓아두 면 기화 된 톨루엔 분자 ( 6 ) 가 상승 하 게 되 고 이러 한 기화 된 톨루엔 분자 ( 6 ) 에 의해 PS 층 ( 2 ) 이 재 구성 ( 개질 ) 된다 .