다음 단계 에서 , 실리콘 - 함유 도전 층 ( 208 ) 이 층 ( 204 ) 에 대해 사용 된 도전 층 에칭 프로세스 와 상 이 할 수 도 있 는 도전 층 에칭 프로세스 ( 도 1 의 단계 120 ) 로 에칭 될 수 도 있 다 . 예컨대 , 층 ( 208 ) 은 , 5 mTorr 내지 10 mTorr 의 범위 내 의 압력 , 400 와트 내지 600 와트 의 범위 내 의 TCP 전력 , 150 볼트 내지 250 볼트 의 범위 내 의 바이어스 전압 , Cl 2 / NF 3 / O 2 / N 2 또는 Cl 2 / CF 4 / HBr 의 가스 혼합물 , 및 - 10 ℃ 내지 + 10 ℃ 의 범위 내 의 ESC 온도 에서 의 프로세스 와 같 은 실리콘 에칭 프로세스 로 에칭 될 수 도 있 다 .