도 2 및 도 7 을 참조 하 면 , 상기 제 2 적층 구 조체 ( ST 2 ) 상 에 제 1 하 부막 ( ULa 1 ) 및 제 1 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 하 부막 ( ULa 1 ) 은 상기 제 2 적층 구 조체 ( ST 2 ) 의 전면 을 덮 도록 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 은 , 상기 채널 막 들 ( 135 ) 이 위치 하 는 셀 어레이 영역 ( CAR ) , 및 상기 셀 어레이 영역 ( CAR ) 과 인접 하 는 제 2 콘 택 영역 ( CTR 2 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 은 , 상기 제 2 콘 택 영역 ( CTR 2 ) 을 사이 에 두 고 상기 셀 어레이 영역 ( CAR ) 과 이격 된 제 1 콘 택 영역 ( CTR 1 ) 과 는 수직 적 으로 중첩 되 지 않 을 수 있 다 .