상술 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 씨 모스 이미지 센서 의 제조 방법 은 포토다이오드 영역 과 트랜지스터 영역 으로 정의 된 반도체 기판 을 준비 하 는 단계 와 , 상기 반도체 기판 전면 에 절 연막 및 도전 층 을 순차 적 으로 적층 하 는 단계 와 , 상기 도전 층 상부 에 제 1 감광막 패턴 을 형성 한 후 , 상기 제 1 감광막 패턴 을 마스크 로 이용 하 여 상기 도전 층 의 일부 두께 만 식각 하 는 단계 와 , 상기 식각 된 도전 층 상 의 상기 포토다이오드 영역 을 덮 는 제 2 감광막 패턴 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 2 감광막 패턴 을 이용 하 여 상기 도전 층 및 절 연막 을 식각 하 여 , 포토다이오드 영역 에 만 상기 도전 층 및 절 연막 을 잔존 시키 는 단계 와 , 상기 제 1 및 제 2 감광막 패턴 을 제거 하 는 단 계 와 , 상기 포토다이오드 영역 만 노출 시키 는 제 3 감광막 패턴 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 3 감광막 패턴 을 이용 하 여 상기 포토다이오드 영역 에 형성 된 상기 도전 층 및 산화 막 을 제거 하 여 , 상기 트랜지스터 영역 에 게이트 전극 및 게이트 산화 막 을 정의 하 는 단계 를 포함 한다 .