또 , 어댑터 기판 ( 52 ) 의 특히 , 도 3 ( a ) 에서 나타낸 바 와 같이 릴레이 ( 1 ) 측 의 표면 의 GND 패턴 ( L 4 , L 5 ) 을 형성 함 으로써 , 도 6 과 상기 도 23 에 나타낸 바 와 같이 , 상기 실드 박스 ( 12 ) 와 GND 패턴 ( L 4 , L 5 ) 의 거리 가 가깝 게 된다 . 도 6 은 , 도 3 ( a ) 에서 나타낸 바 와 같이 고주파 릴레이 ( 1 ) 측 의 표면 에 GND 패턴 ( L 4 , L 5 ) 을 형성 한 어댑터 기판 ( 52 a ) 을 이용 한 고주파 릴레이 ( 51 ) 를 실장 해야 할 기판 ( 마더 보드 ) ( 57 ) 에 장착 한 상태 를 나타낸 단면도 이 고 , 도 23 은 고주파 릴레이 ( 1 ) 를 , 그대로 실장 해야 할 기판 ( 마더 보드 ) ( 57 ) 에 장착 한 상태 를 나타낸 단면도 이 다 . 이러 한 도 6 및 도 23 에서 분명 한 것 처럼 , 도 6 의 어댑터 기판 ( 52 a ) 을 이용 할 경우 에 는 , 고주파 릴레이 ( 1 ) 의 바닥 면 이 바로 GND 패턴 ( L 4 , L 5 ) 에 대향 하 는데 있 어서 , 도 23 의 직접 삽입 의 경우 에 는 , 상기 기판 ( 57 ) 의 뒷면 에 형성 되 어 있 는 GND 패턴 과 의 사이 에 , 상기 기판 ( 57 ) 의 두께 가 존재 한다 .