도 3 f 를 참조 하 면 , 상기 노출 된 바닥 부들 ( 222 ) 을 이방성 식각 으로 제거 하 여 마스크 패턴 들 ( 220 c , 255 a , 255 b ) 을 형성 한다 . 상기 바닥 부 ( 222 ) 및 상기 벽부 ( 221 ) 는 모두 상기 마스크 막 ( 220 ) 의 일부 분임 으로 , 상기 노출 된 바닥 부들 ( 222 ) 을 제거 할 때 , 상기 벽부 ( 221 ) 의 윗부분 도 식각 될 수 있 다 . 상기 마스크 패턴 들 ( 220 c ) 은 셀 마스크 패턴 ( 220 c ) , 스트링 선택 마스크 패턴 ( 255 a ) 및 접지 선택 마스크 패턴 ( 255 b ) 을 포함 한다 . 상기 마스크 패턴 들 ( 220 c ) 은 상기 이방성 식각 된 벽부 로 구성 된다 . 상기 스트링 선택 마스크 패턴 ( 255 a ) 은 상기 이방성 식각 된 제 1 충전 마스크 패턴 , 및 상기 이방성 식각 된 제 1 충전 마스크 패턴 양측 에 접촉 된 한 쌍 의 상기 이방성 식각 된 벽부 를 포함 한다 . 상기 접 지 선택 마스크 패턴 ( 255 b ) 은 상기 이방성 식각 된 제 2 충전 마스크 패턴 , 및 상기 이방성 식각 된 제 2 충전 마스크 패턴 양측 에 접촉 된 한 쌍 의 상기 이방성 식각 된 벽부 를 포함 한다 . 상기 제 1 및 제 2 충전 마스크 패턴 들 로 인하 여 , 상기 스트링 및 접지 선택 마스크 패턴 들 ( 255 a , 255 b ) 의 폭 은 상기 셀 마스크 패턴 ( 220 c ) 의 폭 에 비하 여 크 게 형성 된다 .