도 11 및 도 12 에 도시 된 실시 예 들 은 함께 사용 될 수 있 다 . 다시 말 해서 , 반도체 메모리 시스템 의 파워 - 업 시 에 도 11 에 도시 된 실시 예 가 수행 되 고 , 반도체 메모리 시스템 의 읽 기 동작 시 에 도 12 에 도시 된 실시 예 가 사용 될 수 있 다 . 상술 한 방법 을 통해 기준 개수 이상 의 읽 기 오류 가 발생 한 경우 에 만 읽 기 전압 을 변화 시킴 으로써 반도체 메모리 시스템 의 파워 - 업 시간 을 증가 시키 지 않 고 반도체 메모리 시스템 의 신뢰도 를 향상 시킬 수 있 다 .