상기 기판 ( 300 ) 상 에 식각 대상 막 ( 302 ) 을 형성 한다 . 상기 셀 영역 및 페리 영역 의 식각 대상 막 ( 302 ) 상 에 각각 제 1 예비 하드 마스크 패턴 ( 도시 안 됨 ) 및 제 2 하드 마스크 패턴 ( 304 b ) 을 형성 한다 . 상기 셀 영역 에 형성 되 는 제 1 예비 하드 마스크 패턴 은 도 11 a 에서 설명 한 것 과 동일 하 게 형성 한다 . 또한 , 상기 페리 영역 에 형성 되 는 제 2 하드 마스크 패턴 ( 304 b ) 은 페리 용 라인 또는 패드 들 이 형성 될 부위 를 제외 한 나머지 부위 에 형성 한다 .