도 1 c 를 참조 하 면 , 제 2 하드 마스크 막 ( 112 ) 의 패턴 에 따라 제 1 식각 공정 을 실시 하 여 보호막 ( 110 ) , 제 1 하드 마스크 막 ( 108 ) 및 식각 정지 막 ( 106 ) 을 패 터닝 하 고 , 노출 된 제 1 도 전막 ( 104 ) 의 상부 를 일부 제거 하 여 홈 ( 117 ) 을 형성 한다 . 제 1 식각 공정 은 CF 4 , O 2 및 CL 2 가스 를 혼합 한 등방성 식각 공정 으로 실시 할 수 있 다 .