다음 으로 , 도 6 a 에 도시 된 바 와 같이 , 고압 산화 처리 를 행하 여 , 충전 층 ( 12 ) 과 접촉 하 고 있 는 전 극막 ( 4 ) 의 부분 을 산화 시킨다 . 이러 한 고압 산화 처리 는 예 를 들 어 , 압력 이 2 기압 ( = 203 kPa ) 이상 의 수증기 ( H 2 O ) 에 노출 시킴 으로써 행해진다 . 이 에 의해 , 충전 층 ( 12 ) 내 에 산소 가 확산 되 고 , 실리콘 산화물 로 구성 되 는 블록 층 ( 13 ) 이 충전 층 ( 12 ) 과 전 극막 ( 4 ) 사이 에 형성 된다 . 블록 층 ( 13 ) 의 두께 는 예 를 들 어 , 3 nm 이상 이 다 . 이때 , 유전체 막 ( 3 ) 의 표면 에 는 새로운 실리콘 산화물 층 은 형성 되 지 않 는다는 점 에 주목 한다 . 한편 , 관통 홀 ( 7 ) 의 저면 에 형성 된 실리콘 질화물 층 ( 22 ) 의 바로 아래 에 실리콘 산화물 층 ( 23 ) 이 형성 된다 .