한편 , 65 nm 이 하급 소자 에서 최소 게이트 선폭 인 45 nm 를 패 터닝 하 기 위해서 는 1 nm 수준 의 선폭 제어 가 필요 하 다 . 이 를 위해 , 감광막 트리밍 ( PR Trimming ) 을 실시 하 는 공정 이 진행 되 고 있 다 . 트리밍 이 란 건 식식 각 을 통해 감광막 의 폭 을 감소 시켜 원 하 는 미세 패턴 의 폭 을 결정 하 는 기술 이 다 .