액세스 할 때 , 메모리 셀 ( 105 ) 은 메모리 셀 ( 105 ) 의 저장 된 로직 상태 를 결정 하 기 위해 감지 컴포넌트 ( 125 ) 에 의해 판독 또는 감지 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 메모리 셀 ( 105 ) 에 액세스 한 후 , 메모리 셀 ( 105 ) 의 메모리 컴포넌트 는 그것 의 대응 하 는 디 지트 라인 ( 115 ) 상 으로 방전 시킬 수 있 다 . 방전 은 메모리 셀 ( 105 ) 의 저장 된 상태 를 결정 하 기 위해 감지 컴포넌트 ( 125 ) 는 기준 전압 ( 미 도시 ) 과 비교 할 수 있 는 디 지트 라인 ( 115 ) 의 전압 변화 를 야기 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 디 지트 라인 ( 115 ) 이 기준 전압 보다 더 높 은 전압 을 갖 는다면 , 감지 컴포넌트 ( 125 ) 는 메모리 셀 ( 105 ) 의 저장 된 상태 가 로직 1 이 고 그리고 반대 로 결정 할 수 있 다 .