도 3 은 본 발명 의 일 실시 형태 에 따른 제조 방법 에 있 어서 , InGaN 우물 층 및 GaN 장벽층 성 장시 In 소스 유량 프로 파일 을 나타내 는 그래프 이 다 . 도 3 에 나타난 바 와 같이 , 다 중양자 우물 구조 의 활성 층 을 형성 하 기 위해 InGaN 우물 층 성장 단계 ( A ') 와 GaN 장벽층 성장 단계 ( B ') 를 교대 로 실시 할 수 있 다 .