또한 , DRAM 과 같 은 반도체 소자 의 경우 제조 된 칩 내부 에 부분 적 으로 동작 을 하 지 않 는 메모리 셀 들 이 존재 하 게 되 며 , 이러 한 메모리 셀 들 을 반도체 소자 제조 시 에 미리 만들 어 둔 여분 의 메모리 셀 로 교체 함 으로써 실제 반도체 소자 가 정상 적 으로 동작 하 도록 하 는데 , 이러 한 DRAM 의 리페 어 공정 은 퓨즈 박스 내 의 절연 층 을 식각 으로 제거 함 으로써 퓨즈 오픈 영역 을 형성 하 고 , 퓨즈 오픈 영역 에서 해당 하 는 퓨즈 를 레이저 로 절단 한다 . 이 때 , 퓨즈 오픈 영역 을 통해 외부 로부터 수분 등 이 침투 하 는 것 을 방지 하 기 위하 여 퓨즈 박스 에 퓨즈 오픈 영역 을 감싸 는 가드 링 이 형성 된다 .