그러나 본 발명 의 실시 예 에 따르 면 , 화소 트랜지스터 ( Ta ) 의 드레 인 영역 ( 135 a ) 과 게이트 전극 ( 154 a ) 사이 의 거리 에 비해 구동 트랜지스터 ( Td ) 의 드레 인 영역 ( 135 d ) 과 게이트 전극 ( 154 d ) 사이 의 거리 를 더 멀 게 하 고 충분 한 거리 를 확보 함 으로써 , 소스 영역 ( 133 d ) 과 드레 인 영역 ( 135 d ) 사이 에 고전압 이 인가 되 어도 드레 인 영역 ( 135 d ) 과 게이트 전극 ( 154 d ) 사이 에 강한 전기장 이 형성 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 따라서 구동 트랜지스터 ( Td ) 의 온 - 전류 의 저하 및 문턱 전압 의 이동 을 방지 할 수 있 고 구동 트랜지스터 ( Td ) 의 신뢰 성 을 유지 할 수 있 으며 , 고전압 에 대한 내성 을 가져 구동 회로 부 ( 400 a , 400 b ) 의 구동 을 안정 적 이 게 할 수 있 다 . 또한 , 구동 트랜지스터 ( Td ) 이 사용 가능 한 전압 범위 를 넓힐 수 있 다 .