도 1 e 를 참조 하 면 , 마스크 패턴 ( 124 ; 도 1 d 참조 ) 을 식각 마스크 로 사용 하 는 식각 공정 으로 반사 방지 막 ( 122 ; 도 1 d 참조 ) 과 제 2 절 연막 ( 120 ) 을 식각 하 여 콘 택 홀 의 상부 를 확장 한다 . 이때 반사 방지 막 ( 122 ) 과 제 2 절 연막 ( 120 ) 의 식각 선택 비 가 1 : 1 인 레시피 로 식각 공정 을 실시 하 여 , 마스크 패턴 ( 124 ) 으로 인하 여 선택 적 으로 노출 된 반사 방지 막 ( 122 ) 상부 의 형상 과 같이 제 2 절 연막 ( 120 ) 을 식각 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 에 따라 , 상부 는 폭 이 넓 고 점차 하부 로 갈수록 폭 이 좁 아 지 되 , 전술 한 공정 으로 형성 된 게이트 프로파일 과 대응 되 는 라운드 형상 을 가지 며 폭 이 좁 아 지 는 콘 택 홀 이 형성 된다 . 이 로써 , 전술 한 공정 으로 형성 된 게이트 와 질화 막 ( 118 ) 이 손상 되 지 않 도록 콘 택 홀 을 형성 할 수 있 다 .