( 2 ) 식각 : ICP 식각 기술 을 사용 하 여 절차 ( 1 ) 의 사파이어 기판 을 식각 시키 고 , 그 중 BCl 3 / Cl 2 혹은 Ar / Cl 2 플 라즈 마 를 선택 하 여 기판 을 식각 시키 는데 , 식각 의 조건 은 다음 과 같 다 . BCl 3 의 유량 은 40 sccm ， Ar 의 유량 은 25 sccm ， Cl 2 의 유량 은 60 sccm ， 공체 압력 은 40 mTorr ， ICP : 800 W ， RF : 200 W ， DC Bias : 100 V ， 식각 시간 은 12 분 이 며 , 식각 후 , 기판 상 에 균일 하 게 직경 　 1 미크론 ( Micron ) 의 볼록 면체 를 배치 시키 는데 , 식각 후 사파이어 기판 의 두께 는 5 . 0 μ m 이 다 .