바람직 한 양태 에 따르 면 , 발광 층 ( 1170 ) 은 대략 5 ~ 200 ㎚, 바람직 하 게 는 50 ~ 10 ㎚ 의 두께 로 제 1 전극 ( 1110 ) 의 상부 로 적층 되 는데 , 본 발명 에 따른 화학식 1 의 이리듐 착화합물 은 도판 트 로서 발광 층 ( 1170 ) 에 대하 여 3 ~ 20 중량 %, 바람직 하 게 는 5 ~ 10 중량 % 의 농도 로 포함 된다 .