상면 ( W 2 a ) 에 제 1 배선 층 ( L 1 ) 이 형성 된 웨이퍼 ( W ) 의 제 1 배선 층 ( L 1 ) 위 에 절연 층 을 형성 하 는 본 발명 에 따른 절연 층 형성 방법 은 상기 실시 형태 에 한정 되 는 것 이 아니 며 , 또한 , 첨부 도면 에 도시 되 어 있 는 각 장치 의 구성 등 에 대해서 도 , 이 에 한정 되 지 않 고 , 본 발명 의 효과 를 발휘 할 수 있 는 범위 내 에서 적절 하 게 변경 가능 하 다 .