전하 결합 소자 ( CCD ) 이미지 센서 는 전하 결합 ( charge coupling ) 에 의해 신호 를 검출 하 고 , 광 감지 역할 을 하 는 포토다이오드 가 광전류 를 일정 시간 누적 시킨 다음 추출 하 므로 신호 전압 을 누적 시킨 만큼 키울 수 있 기 때문 에 광 감도 가 좋 고 노이즈 를 줄일 수 있 다는 장점 이 있 다 . 그리고 상보성 금속 산화물 반도체 ( CMOS ) 이미지 센서 는 단위 화소 ( pixel ) 내 에 포토다이오드 와 MOS 트랜지스터 를 형성 시켜 스 위칭 방식 으로 차례 로 신호 를 검출 함 으로써 이미지 를 구현 하 는 방식 을 갖 는데 , CMOS 제조 기술 을 이용 하 기 때문 에 전력 소모 도 적 고 공정 이 상대 적 으로 단순 하 며 , 이미지 센서 신호 처리 회로 와 원 칩 ( one chip ) 화 가 가능 하 다는 장점 이 있 다 .