또한 , 본 발명 에 따른 트랜지스터 제조 방법 은 , 반도체 기판 의 활성 영역 표면 에 채널 폭 방향 을 따라 라인 앤 스페이스 형태 로 다수 의 홈 을 형성 하 는 단계 ; 상기 다수 의 홈 을 갖 는 활성 영역 을 포함 한 반도체 기판 상 에 요철 형상 의 채널 을 갖 도록 상기 홈 들 에 수직 하 는 방향 으로 게이트 를 형성 하 는 단계 ; 및 상기 게이트 양측 의 기판 활성 영역 표면 내 에 접합 영역 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 한다 .