상기 플로팅 확산 영역 ( 100 ) 은 상기 게이트 ( 60 ) 타 측 을 노출 시키 는 포토레지스트 패턴 ( 미 도시 ) 을 형성 한 후 상기 포토레지스트 패턴 을 이온 주입 마스크 로 사용 하 여 LDD 영역 을 형성 한다 . 상기 포토레지스트 패턴 을 제거 한 후 상기 게이트 ( 60 ) 의 측벽 에 스 페이서 ( 90 ) 를 형성 한다 . 상기 게이트 ( 60 ) 의 타 측 에 고농도 의 n 형 불순물 을 이온 주입 하 여 플로팅 확산 영역 ( 100 ) 을 형성 한다 .