iPV 장치 의 몇몇 실시 형태 에 있 어서 , 활성 층 의 증가 된 혹은 최적 화 된 흡수 효율 은 iPV 장치 에 관하 여 입사광 의 배향 에 반드시 의존 할 수 는 없 다 . 예 를 들 어 , 입사광 이 iPV 장치 에 대해서 실질 적 으로 직교 하 는 경우 의 흡수 효율 은 , 입사광 이 높 은 접선 입사 ( 예 를 들 어 , iPV 장치 에 대한 법선 으로부터 대략 89 °) 인 경우 의 흡수 효율 과 대략 동일 할 수 있 다 . 이 와 같이 해서 광기전력 전지 의 배향 은 최적 흡수 효율 과 완전히 일치 되 지 않 을 필요 가 있 다 . 그럼에도 불구 하 고 , 입사각 은 활성 층 에 도달 하 는 광 의 강도 에 영향 을 주 지 않 으므로 , 활성 층 에 의해 흡수 될 유효 한 에너지 에 영향 을 미치 고 , 광기전력 전지 에 보다 적 은 광이 도달 할수록 , 보다 적 은 에너지 가 활성 층 에 의해 흡수 되 도록 제공 된다 . 이 와 같이 해서 , 활성 트래킹 하 는 일 ( 예컨대 , 태양 의 광로 와 정렬 되 도록 광기전력 장치 를 이동 시키 는 일 ) 없 이 도 광기전력 장치 의 주어진 영역 에 대해서 , 입사각 θ i 가 cos ( θ i ) 배 만큼 증가 함 에 따라 총 흡수 된 에너지 는 축소 되 는 것 을 강조 할 필요 가 있 다 .