액티브 층 ( 121 ) 상 에 는 게이트 절연 층 ( 122 ) 이 배치 될 수 있 다 . 게이트 절연 층 ( 122 ) 은 액티브 층 ( 121 ) 을 덮 을 수 있 으며 , 기판 ( 110 ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 게이트 절연 층 ( 122 ) 은 액티브 층 ( 121 ) 을 충분히 덮 을 수 있 으며 , 액티브 층 ( 121 ) 의 주위 에 단차 를 생성 시키 지 않 고 실질 적 으로 평탄 한 상면 을 가질 수 있 다 . 선택 적 으로 , 게이트 절연 층 ( 122 ) 은 기판 ( 110 ) 상 에서 액티브 층 ( 121 ) 을 덮 으며 , 균일 한 두께 로 액티브 층 ( 121 ) 의 프로 파일 을 따라 배치 될 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 들 에 있 어서 , 게이트 절연 층 ( 122 ) 은 벤딩 영역 ( BR ) 및 패드 영역 ( NR ) 의 일부 에 위치 하 는 기판 ( 110 ) 의 상면 을 노출 시킬 수 있 다 . 게이트 절연 층 ( 122 ) 은 실리콘 화합물 , 금속 산화물 등 을 포함 할 수 있 다 .