도 4 는 재성장 ( regrowth ) 된 기판 으로부터 식각 방법 에 의한 소자 메사 ( mesa ) 형성 과정 을 예시 하 였 다 . L 2 크기 를 갖 는 메사 는 CH 4 - H 2 - Ar - Cl 2 혼합 기체 식각 및 습식 선택 식각 방법 에 의해 형성 되 며 , 이 단계 에서 n - InP 로 이루어진 제 1 반도체 전극 층 ( 3 ) 까지 노출 시킨다 . 통상 적 으로 L 2 의 크기 는 L 1 보다 작 아 L 1 크기 의 패턴 내 에 메사 가 놓이 게 제작 되 도록 한다 .