상기 플로팅 게이트 전극 ( 204 b ) 의 두께 가 두꺼워져 이웃 하 는 플로팅 게이트 전극 ( 204 b ) 들 간 의 기생 커패시턴스 가 증가 하 게 되 면 이웃 하 는 셀 간 의 간섭 현상 이 발생 된다 . 상기 셀 간 의 간섭 현상 이 현저 해 지 면 , 이웃 하 는 셀 에 저장 되 어 있 는 데이터 에 의해 기준 셀 트랜지스터 의 문턱 전압 이 변화 하 게 되 는 등 의 불량 이 발생 된다 . 특히 , 비휘발성 메모리 장치 의 디자인 룰 이 감소 될수록 상기 플로팅 게이트 전극 ( 204 b ) 간 의 간격 이 협소 해 지 게 되 어 , 상기 간섭 현상 에 의한 불량 이 더욱 증가 하 게 된다 . 그러나 , 본 실시 예 에 따르 면 상기 플로팅 게이트 전극 ( 204 b ) 의 두께 가 매우 얇 아서 상기 간섭 현상 을 충분 하 게 감소 시킬 수 있 다 .