또한 , 프리 코팅 막 으로서 는 , Si 막 이외 에 , SiN 막 , 실리콘 탄화 막 ( SiC 막 ) , 실리콘 탄질 화 막 ( SiCN 막 ) , 실리콘 리치 SiN 막 ( SiRN 막 ) , 실리콘 리치 SiC 막 ( SiRC 막 ) , 실리콘 리치 SiCN 막 ( SiRCN 막 ) 등 을 사용 하 도록 해도 된다 . 즉 , 프리 코팅 막 으로서 는 , Si 이외 에 C 나 N 을 포함 하 는 Si 함 유막 을 사용 하 도록 해도 된다 . 프리 코팅 막 으로서 의 SiN 막 , SiC 막 , SiCN 막 , SiRN 막 , SiRC 막 , SiRCN 막 은 , 예 를 들 어 에틸 메틸 아미노 실란 ( SiH 3 [ N ( CH 3 ) ( C 2 H 5 ) ] ) 가스 , 디메틸아미노 실란 ( SiH 3 [ N ( CH 3 ) 2 ] ) 가스 , 디 이소프로필 아미노 실란 ( SiH 3 [ N ( C 3 H 7 ) 2 ] ) 가스 , 디세 컨더 리부 틸 아미노 실란 ( SiH 3 [ H ( C 4 H 9 ) 2 ] ) 가스 등 의 아미노 실란 계 가스 를 사용 하 여 , CVD 법 에 의해 형성 할 수 있 다 . 이때 의 처리 조건 으로서 는 , 상술 한 프리 코팅 막 으로서 의 Si 막 을 형성 할 때 의 처리 조건 과 마찬가지 의 처리 조건 으로 할 수 있 다 . 또한 , 아미노 실란 계 가스 는 , Si 와 아미노기 를 포함 하 는 가스 이 며 , 적어도 Si , N , C 를 구성 원소 로서 포함 하 는 가스 라고 도 할 수 있 다 .