상기 기술 적 과제 를 해결 하 기 위한 본 발명 의 일 양상 에 따른 단일 폴리 이이 피롬 은 , 모스 트랜지스터 형태 의 플로팅 게이트 와 이 플로팅 게이트 에 캐 패 시터 커플링 에 의해 고전압 을 인가 하 는 컨트롤 게이트 를 포함 하 는 단일 폴리 이이 피롬 에 있 어서 , 상기 컨트롤 게이트 가 엠아이 엠 ( MIM ) 캐 패 시터 형태 로 형성 되 며 상기 플 로 팅 게이트 영역 의 상부 에 적층 된다 .