게이트 - 유전체 재료 ( 46 ) 는 전하 - 저장 재료 ( 42 ) 를 따라 수직 으로 연장 되 고 , 갭 ( 45 ) 내 로 연장 된다 . 게이트 - 유전체 재료 ( 46 ) 는 임의 의 적절 한 조성물 또는 조성물 의 조합 을 포함 할 수 있 다 ; 일부 실시 예 에서 는 실리콘 이 산화물 을 포함 하 거나 , 이 들 로 본질 적 으로 구성 되 거나 , 또는 이 들 로 구성 될 수 있 다 . 게이트 - 유전체 재료 ( 46 ) 는 메모리 셀 ( 36 ) 의 게이트 유전체 영역 을 형성 한다 . 일부 실시 예 에서 , 레벨 ( 18 ) 의 절연성 재료 ( 26 ) 는 제 1 절연성 재료 로 간주 될 수 있 고 , 게이트 - 유전체 재료 ( 46 ) 는 전하 - 저장 재료 ( 44 ) 의 세그먼트 들 간 의 갭 ( 45 ) 내 에 있 는 제 2 절연성 재료 로 간주 될 수 있 다 . 제 1 절연성 재료 및 제 2 절연성 재료 ( 26 및 46 ) 는 일부 실시 예 에서 서로 동일 한 조성물 일 수 있 거나 ( 예 를 들 어 , 둘 다 실리콘 이 산화물 을 포함 할 수 있 거나 , 이 들 로 본질 적 으로 구성 되 거나 , 이 들 로 구성 될 수 있 다 ) , 또는 다른 실시 예 들 에서 서로 상이 한 조성 일 수 있 다 . 제 1 절연성 재료 및 제 2 절연성 재료 ( 26 및 46 ) 는 계면 ( 47 ) 을 따라 서로 접합 한다 . 일부 실시 예 들 에서 , 보이드 ( void ) 들 ( 49 ) ( 이 들 이 옵션 임 을 표시 하 기 위해 점선 으로 도시 된다 ) 은 계면 들 ( 47 ) 을 따라 제 1 절연성 재료 ( 26 ) 내 로 연장 될 수 있 다 . 보이드 들 ( 49 ) 은 도 10 를 참고 로 하 여 이하 더 상세히 논의 되 는 바 와 같이 재료 ( 26 ) 의 증착 동안 에 형성 될 수 있 다 . 게이트 - 유전체 재료 는 프로그래밍 동작 , 소거 동작 등 동안 에 전하 캐리어 가 터널 링 되 거나 달리 통과 하 는 재료 로서 기능 할 수 있 다 . 몇몇 상황 에서 , 게이트 - 유전체 재료 는 단순히 절연성 재료 또는 유전체 재료 로 지칭 될 수 있 다 .