본 발명 은 어망 용 나일론 원 착 사 의 제조 방법 에 관한 것 이 고 , 구체 적 으로 방사 유제 를 방사성 에 영향 이 없 는 범위 에서 가장 낮 게 부여 하 여 나일론 원 착 사 를 제조 하 는 방법 에 관한 것 이 다 . 본 발명 에 따른 방법 은 나일론 칩 을 얻 는 단계 ; 나일론 칩 및 블랙 마스터 배치 를 일정 중량 비 로 혼합 하 는 단계 ; 혼합 된 나일론 칩 을 용융 방사 한 후 고화 하 여 미연 신사 를 제조 하 는 단계 ; 제조 된 미연 신사 에 방사 유제 를 부여 하 는 단계 ; 유제 가 부착 된 미연 신사 를 다수 개 의 고데트 롤러 에서 연신 및 이완하 는 단계 를 포함 하 는 나일론 원 착 사 를 제조 하 는 방법 에 있 어서 , 제사 된 원 착 나일론 내 의 카본 블랙 의 함량 이 0 . 2 내지 2 . 0 중량 % 가 되 도록 나일론 칩 및 블랙 마스터 배치 를 혼합 하 고 그리고 방사 유제 는 0 . 1 내지 0 . 5 % 로 부여 되 는 것 을 특징 으로 한다 .