본 발명 은 폴리 실리콘 층 ( 13 ) 을 플 라즈 마 도핑 하 는데 있 어서 , 도핑 베리어 로 사용 하 기 위한 마스크 패턴 ( 14 ) 의 형성 및 제거 공정 , 도핑 된 도 펀트 의 활성 화 를 위한 열처리 공정 이 진행 되 면서 추가 되 는 세정 공정 을 생략 하 고 금속 계 전극 ( 16 ) 을 형성 하 기 전세정 공정 을 1 차 및 2 차 세정 공정 으로 나누 어 진행 함 으로써 도 펀트 층 ( 15 ) 의 제거 및 도 펀트 손실 을 최소 화 할 수 있 는 장점 이 있 다 .