이어서 , 상기 패 시베이 션 막 ( 430 ) 및 비어홀 ( 435 ) 상 에 제 3 도전 층 을 적층 하 고 각 서브 픽셀 별 로 패 터닝 하 여 제 1 애노드 ( 440 ) 를 형성 한다 . 여기 서 제 1 애 노 드 ( 440 ) 는 ITO ( Indium Tin Oxide ) , IZO ( Indium Zinc Oxide ) , ICO ( Indium Cerium Oxide ) 또는 ZnO ( Zinc Oxide ) 와 같 은 일함수 가 높 은 투명 도 전막 을 포함 하 도록 형성 할 수 있 다 . 따라서 , 상기 제 1 애노드 ( 440 ) 는 투명 전극 또는 투과 전극 일 수 있 다 .