이때 , 상기 스토리지 커패시터 ( StgC ) 는 상기 게이트 배선 ( 15 ) 을 제 1 스토리지 전극 으로 그리고 상기 화소 전극 ( 65 ) 을 상기 게이트 배선 ( 15 ) 과 중첩 되 도록 형성 함 으로써 제 2 스토리지 전극 으로 하 여 형성 할 수 도 있 으나 , 이 경우 , 상기 게이트 배선 ( 15 ) 에 신호 지연 을 초래 할 수 도 있 는 바 , 이 를 방지 하 기 위해 별도 로 전술 한 바 와 같이 공통 배선 ( 20 ) 을 형성 하 고 , 이러 한 공통 배선 ( 20 ) 을 제 1 스토리지 전극 으로 이용 하 고 있 다 .