메모리 셀 ( 205 ) 의 검출 된 논리 상태 가 감지 구성 요소 ( 250 ) 의 출력 으로서 ( 가령 , 입 / 출력 ( 260 ) 으로 ) 제공 될 수 있 고 , 검출 된 논리 상태 를 메모리 다이 ( 200 ) 를 포함 하 는 메모리 디바이스 ( 110 ) 의 또 다른 구성 요소 , 가령 , 디바이스 메모리 제어기 ( 155 ) 로 ( 가령 , 직접 또는 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 를 이용해 ) 지시 할 수 있 다 . 일부 경우 , 감지 구성 요소 ( 250 ) 는 로우 디코더 ( 225 ) , 컬럼 디코더 ( 230 ) 및 / 또는 플레이트 드라이버 ( 235 ) 와 전자 통신 할 수 있 다 . 일부 예시 에서 , 감지 구성 요소 ( 250 ) 는 메모리 셀 ( 205 ) 의 감지 된 상태 를 저장 하 도록 구성 된 래치 와 연결 될 수 있 다 . 본 명세서 에 언급 된 바 와 같이 , 메모리 셀 ( 205 ) 에 써질 데이터 가 우선 래치 에 저장 될 수 있 고 , 일부 예시 에서 , 래치 로부터 메모리 셀 ( 205 ) 로 써질 수 있 다 .