이어서 , 상기 게이트 라인 ( 43 ) 을 포함 하 는 상기 기판 ( 41 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 47 ) , 실리콘 물질 ( 101 ) , 불순물 이 도핑 된 실리콘 물질 ( 103 ) 및 금속 물질 ( 105 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 상기 실리콘 물질 ( 101 ) 은 폴리 실리콘 물질 이나 아몰 포스 실리콘 물질 일 수 있 다 . 상기 실리콘 물질 ( 101 ) 과 상기 불순물 이 도핑 된 실리콘 물질 ( 103 ) 을 포함 하 여 반도체 물질 이 라 할 수 있 다 . 나중 에 상기 실리콘 물질 ( 101 ) 에 의해 액티브 층 이 형성 되 고 , 상기 불순물 이 도핑 된 실리콘 물질 ( 103 ) 에 의해 오 믹 콘 택 층 이 형성 될 수 있 다 . 상기 액티브 층 과 상기 오 믹 콘 택 층 을 포함 하 여 반도체 층 이 라 할 수 있 다 .