몇몇 실시 예 들 에 따른 반도체 장치 에서 , 제 1 소자 분리 막 ( 160 ) 은 제 1 더미 패턴 적층 체 ( 115 _ 1 ) 및 제 2 더미 패턴 적층 체 ( 215 _ 1 ) 와 접촉 할 수 있 다 . 제 1 소자 분리 막 ( 160 ) 은 제 1 내부 스 페이서 ( 142 ) 및 제 2 내부 스 페이서 ( 242 ) 와 접촉 할 수 있 다 . 도 2 및 도 4 에서 , 제 1 내부 스 페이서 ( 142 ) 및 제 2 내부 스 페이서 ( 242 ) 는 제 1 소자 분리 막 의 측벽 ( 160 s ) 로부터 제 1 방향 ( X 1 ) 으로 돌출 되 어 있 을 수 있 다 .