메모리 디바이스 ( 110 ) 는 디바이스 메모리 컨트롤러 ( 155 ) 및 하나 이상 의 메모리 다이 ( 160 ) 를 포함 할 수 있 다 . 각각 의 메모리 다이 ( 160 ) 는 로컬 메모리 컨트롤러 ( 165 ) ( 예 를 들 어 , 로컬 메모리 컨트롤러 ( 165 - a ) , 로컬 메모리 컨트롤러 ( 165 - b ) , 및 / 또는 로컬 메모리 컨트롤러 ( 165 - N ) ) 및 메모리 어레이 ( 170 ) ( 예 를 들 어 , 메모리 어레이 ( 170 - a , 메모리 어레이 ( 170 - b ) , 및 / 또는 메모리 어레이 ( 170 - N ) ) 를 포함 할 수 있 다 . 메모리 어레이 ( 170 ) 는 메모리 셀 의 집합 ( 예 를 들 어 , 그리드 ) 일 수 있 고 , 각각 의 메모리 셀 은 적어도 하나 의 비트 의 디지털 데이터 를 저장 하 도록 구성 된다 . 메모리 어레이 ( 170 ) 및 / 또는 메모리 셀 의 특징 은 도 2 를 참조 하 여 더욱 상세히 설명 된다 . 메모리 어레이 ( 170 ) 는 메모리 셀 이 도 4 내지 도 5 b 를 참조 하 여 설명 되 는 바 와 같이 레벨 시프 터 회로 를 포함 할 수 있 는 기록 회로 와 결합 가능 하 도록 구성 될 수 있 다 .