가 되 므로 , 컨트롤 게이트 에 양 ( +) 의 높 은 전압 ( VGS ) 을 인가 하 면 게이트 전압 과 문턱 전압 ( VT ) 의 전압 차 가 너무 크 기 때문 에 드레 인 전류 가 과도 하 게 증가 한다 . 본 발명 에서 제안 한 구조 에서 는 컨트롤 게이트 에 음 ( -) 전압 을 인가 할 수 있 으므로 , 전력 소모 를 줄이 면서 도 과 - 소거 된 셀 의 복구 및 테스트 가 가능 하 게 되 는 것 이 다 .