첫째 , 본 발명 에 의하 면 , 터널 링 절 연막 의 양측 부 상 에 전하 이동 방지 막 을 형성 하 여 실질 적 으로 플로팅 게이트 중앙부 와 중첩 되 는 터널 링 절 연막 을 통해서 만 F - N 터널 링 에 의한 전하 이동 이 일어나 도록 함 으로써 종래 기술 에 비해 소자 의 기입 및 소거 동작 에 기여 하 는 터널 링 절 연막 의 면적 을 상대 적 으로 감소 시켜 터널 링 절 연막 의 정전 용량 을 감소 시키 고 , 이 를 통해 유전체 막 의 커플링 비 를 증가 시킬 수 있 으며 , 결국 기입 동작 후 문턱 전압 을 증가 시켜 소자 의 동작 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .