다른 비휘발성 메모리 기술 은 펄스 코드 변조 ( PCM ) , 플래시 , 강유전체 랜덤 액세스 메모리 ( FeRAM ) , 리 던 던트 랜덤 액세스 메모리 ( RRAM ) 등 과 같 은 스핀 - 토크 자기 전달 액세스 메모리 ( STT - MRAM ) 대신 활용 될 수 있 다 . 트랜지스터 는 P - 형 전계 효과 트랜지스터 로 대체 하 여 구현 할 수 있 다 . P - 형 전계 효과 트랜지스터 의 경우 인 퍼런 스 및 기록 을 위해 극성 이 모두 반전 된다 .