여기 서 , 반도체 층 ( 108 b ) 을 반도체 층 ( 108 a ) 보다 얇 게 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 반도체 층 ( 108 b ) 이 예 를 들 어 0 . 5 ㎚ 이상 10 ㎚ 이하 의 매우 얇 은 막인 경우 에 도 , 절연 층 ( 110 ) 과 의 계면 의 결함 밀도 를 저감 할 수 있 다 . 한편 , 산소 결손 이 생기 기 어려운 반도체 층 ( 108 a ) 을 상대 적 으로 두껍 게 함 으로써 , 신뢰 성 이 더 높 은 트랜지스터 를 실현 할 수 있 다 .