일부 실시 예 에서 , 제 1 층 ( 130 i 1 ) 은 도 5 d 의 결과물 에 대하 여 , 제 2 홈 ( GR 2 ) 을 채우 고 , 예비 전하 저 장막 ( 130 P ) 의 제 2 홈 ( GR 2 ) 주변 의 일부분 을 덮 는 커버 패턴 을 형성 한 후 , 상기 커버 패턴 의 식각 마스크 로 예비 전하 저 장막 ( 130 P ) 의 일부분 을 제거 하 여 형성 할 수 있 고 , 제 2 층 ( 130 i 2 ) 은 예비 전하 저 장막 ( 130 P ) 의 일부분 이 제거 된 부분 을 채워서 형성 할 수 있 다 .