여기 서 , 웨이퍼 ( W ) 의 표층 으로부터 30 Å ( 3 nm ) ~ 100 Å ( 10 nm ) 까지 의 반응 생성물 에 대해서 , 도 24 로부터 알 수 있 는 바 와 같이 , 하층 측 에서 는 각각 의 반응 생성물 의 층 에 대하 여 각각 동일 한 횟수 의 개질 스텝 이 행해 지 고 있 지만 ( 동일 한 양 의 플 라즈 마가 조사 되 었 지만 ) , 상층 측 을 향함 에 따라서 개질 스텝 의 횟수 가 적어져 , 다층 으로 적층 된 반응 생성물 의 층 중 가장 상층 측 의 반응 생성물 에 대해서 는 , 개질 스텝 이 한번 밖 에 는 행해 지 지 않 았 다 . 그 로 인해 , 30 Å ( 3 nm ) ~ 100 Å ( 10 nm ) 까지 의 반응 생성물 에 대해서 , 상층 측 의 반응 생성물 에서 는 개질 이 불 충분 하 게 되 어 있 는 경우 가 있 고 , 한편 하층 측 의 반응 생성물 [ 웨이퍼 ( W ) 의 표층 으로부터 30 Å ( 3 nm ) 부근 의 반응 생성물 ] 에 대해서 는 , 플 라즈 마의 조사량 이 지나치 게 많 은 경우 가 있 다 . 또한 , 웨이퍼 ( W ) 의 표층 으로부터 30 Å ( 3 nm ) 까지 의 반응 생성물 에 대해서 는 , 상술 한 바 와 같이 웨이퍼 ( W ) 의 표면 을 산화 하 기 위해서 산화 막 두께 ( j ) 가 53 Å ( 5 . 3 nm ) 에 상당 하 는 강도 로 플 라즈 마 를 조사 하 고 있 기 때문 에 , 상술 한 30 Å ( 3 nm ) ~ 100 Å ( 10 nm ) 까지 의 반응 생성물 보다 플 라즈 마의 조사량 이 많 은 경우 가 있 다 .