도 1 을 참조 하 면 , 발광 소자 ( 10 ) 는 , 사파이어 기판 ( 11 ) 상 에 n 형 GaN 층 ( 13 ) , 활성 층 ( 15 ) , 및 p 형 GaN 층 ( 17 ) 이 순차 적층 된 구조 로 형성 되 며 , 메사 식각 공정 에 의해 p 형 GaN 층 ( 17 ) 에서 n 형 GaN 층 ( 13 ) 의 일부 를 노출 시켜 준다 . 이때 노출 된 n 형 GaN 층 ( 13 ) 의 상면 에 는 n 측 전극 ( 19 ) 이 형성 되 어 있 고 , p 형 GaN 층 ( 17 ) 상면 에 p 측 전극 ( 21 ) 이 형성 되 어 있 다 .