도 1 에 도시 된 전력 반도체 모듈 장치 ( 100 ) 는 단자 요소 ( 14 ) 를 더 포함 한다 . 단자 요소 ( 14 ) 는 제 1 금속화 층 ( 111 ) 에 전기 적 으로 접속 되 고 하우징 ( 17 ) 의 내부 와 외부 사이 를 전기 접속 한다 . 단자 요소 ( 14 ) 는 제 1 단부 가 제 1 금속화 층 ( 111 ) 에 전기 접속 되 고 , 각각 의 단자 요소 ( 14 ) 의 제 2 단부 ( 141 ) 는 하우징 ( 17 ) 밖 으로 돌출 된다 . 단자 요소 들 ( 14 ) 은 자신 의 제각기 의 제 2 단부 ( 141 ) 에서 외부 와 전기 접속 할 수 있 다 . 단자 요소 ( 14 ) 의 제 1 부분 은 수직 방향 ( y ) 으로 하우징 ( 17 ) 의 내부 를 통해 연장 될 수 있 다 . 수직 방향 ( y ) 은 반도체 기판 ( 10 ) 의 상부 면 에 수직 인 방향 이 고 , 반도체 기판 ( 10 ) 의 상부 면은 적어도 하나 의 반도체 바디 ( 120 ) 가 실장 되 는 표면 이 다 . 그러나 , 도 1 에 도시 된 단자 요소 ( 14 ) 는 단지 예 일 뿐 이 다 . 단자 요소 ( 14 ) 는 임의 의 다른 방식 으로 구현 될 수 있 으며 하우징 ( 17 ) 내 의 임의 의 곳 에 배치 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 하나 이상 의 단자 요소 ( 14 ) 는 하우징 ( 17 ) 의 측벽 에 근접 하 게 또는 인접 하 게 배치 될 수 있 다 . 단자 요소 ( 14 ) 는 또한 커버 를 통하 지 않 고 하우징 ( 17 ) 의 측벽 을 통해 수직 으로 또는 수평 으로 돌출 될 수 있 다 .