기판 ( 101 ) 과 메모리 물질 층 ( 103 ) 사이 혹은 메모리 물질 층 ( 103 ) 및 메모리 물질 층 ( 105 ) 사이 에 는 각각 메모리 셀 들 의 낸드 스트링 들 이 형성 되 어 있 다 . 도 1 에서 는 기판 ( 101 ) 과 메모리 물질 층 ( 103 ) 사이 혹은 메모리 물질 층 ( 103 ) 및 메모리 물질 층 ( 105 ) 사이 에 각각 단지 하나 의 낸드 스트링 만 이 도시 되 어 있 다 . 아래 에서 는 제 1 메모리 어레이 ( 111 ) 에 형성 된 스트링 을 제 1 낸드 스트링 , 제 2 메모리 어레이 ( 121 ) 에 형성 된 스트링 을 제 2 낸드 스트링 , 제 3 메모리 어레이 ( 131 ) 에 형성 된 스트링 을 제 3 낸드 스트링 이 라고 하 겠 다 .