워드 라인 ( 121 ) 에 인가 된 바이어스 전압 에 의해 수직 형 사이리스터 ( 100 V ) 를 동작 시킬 수 있 다 . 수직 형 사이리스터 ( 100 V ) 의 제 2 반도체 필라 ( P 2 ) 는 스토리지 층 ( Storage layer ) 의 역할 을 할 수 있 다 . 즉 , 제 2 반도체 필라 ( P 2 ) 에 데이터 가 저장 될 수 있 다 . 이 와 같이 , 메모리 셀 ( 100 M ) 은 캐 패 시 터 없이 제 2 반도체 필라 ( P 2 ) 를 스토리지 ( storage ) 로 사용 할 수 있 다 .