도 36 a 및 36 B 는 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 CNT 를 사용 한 평면 FET 의 단면도 를 도시 한다 . 도 1 a 내지 도 35 c 에 관하 여 설명 되 는 것 과 동일 하 거나 유사 한 재료 , 구성 , 치수 , 프로세스 및 / 또는 작업 이 이하 의 실시 예 에서 사용 될 수 있 고 상세 한 설명 은 생략 될 수 있 다 . 도 36 a 는 소스 - 드레 인 ( Y ) 방향 을 따른 단면도 를 나타내 고 , 도 36 b 는 게이트 연장 방향 ( X ) 을 따른 단면도 이 다 .