도 17 ( b ) 를 참조 하 면 , p 형 전극 층 ( 400 ) 및 에칭 스탑 층 ( 500 ) 을 포함 한 전체 상부 에 커버 층 ( 600 ) 을 형성 한 후 커버 층 ( 600 ) 상부 에 제 1 본딩 층 ( 651 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 지지 기판 ( 750 ) 상부 에 제 2 본딩 층 ( 652 ) 을 형성 한 후 제 1 본딩 층 ( 651 ) 및 제 2 본딩 층 ( 652 ) 를 본 딩 하 여 커버 층 ( 600 ) 과 지지 기판 ( 750 ) 이 본딩 되 도록 한다 . 여기 서 , 제 1 및 제 2 본딩 층 ( 651 및 652 ) 는 각각 예 를 들 어 AuSn 계 용융 합금 , 일 예 로서 Au 80 % 과 Sn 20 % 의 AuSn 계 용융 합금 을 도포 한 후 1 기압 이상 의 압력 을 가하 여 280 ∼ 400 ℃ 의 온도 를 5 분 ∼ 60 분 의 시간 동안 유지 하 여 커버 층 ( 600 ) 과 지지 기판 ( 750 ) 이 본딩 되 도록 한다 . 또한 , 제 1 및 제 2 본딩 층 ( 651 및 652 ) 으로 Au 10 % 와 Sn 90 % 합금 을 이용 하 는 경우 220 ∼ 300 ℃ 의 온도 에서 1 분 ∼ 120 분 동안 열처리 하 여 본 딩 한다 . 한편 , 지지 기판 ( 750 ) 은 전도성 기판 을 이용 하 며 , 예 를 들 어 금속 기판 , 전도성 세라믹 기판 또는 반도체 기판 을 이용 할 수 있 다 . 금속 기판 은 Mo , Ta , Ni , W , Cu , Al , Ag 등 의 단일 금속 원소 로 이루어질 수 있 으며 , 상기 원소 와 다른 원소 의 합금 으로 이루어질 수 있 다 . 전도성 세라믹 기판 은 Nb 가 도핑 된 SrTiO 3 , Al 이 도핑 된 ZnO , ITO , IZO 등 으로 이루어질 수 있 으며 , 반도체 기판 은 B 가 도핑 된 Si , As 가 도핑 된 Si , 불순물 이 도핑 된 다이아몬드 ( diamond ) , 불순물 이 도핑 된 Ge 등 의 불순물 이 도핑 된 반도체 기판 을 이용 할 수 있 다 .