본 발명 에 따른 화학식 1 의 유기 반도체 화합물 은 제 1 전극 과 제 2 전극 사이 에 개재 되 어 유기 박막 트랜지스터 로서 구현 되 며 , 특히 게이트 전극 , 게이트 절연 층 , 유기 활성 층 , 및 소스 / 드레 인 전극 을 포함 하 여 형성 된 유기 박막 트랜지스터 에 있 어서 , 상기 유기 활성 층 이 본 발명 에 따른 화학식 1 의 유기 반도체 화합물 로 형성 된다 . 본 발명 에 의한 유기 박막 트랜지스터 소자 는 , 기판 / 게이트 전극 / 게이트 절연 층 / 유기 활성 층 / 소스 - 드레 인 전극 이 차례 로 형성 된 탑 컨 택트 구조 ( 미 도시 ) 를 형성 할 수 도 있 고 , 도 1 에 도시 된 바 와 같이 기판 ( 11 ) / 게이트 전극 ( 16 ) / 게이트 절연 층 ( 12 ) / 소스 - 드레 인 전극 ( 14 , 15 ) / 유기 활성 층 ( 13 ) 이 차례 로 형성 된 바텀 컨 택트 구조 로 형성 될 수 있 으나 , 이 에 한정 되 지 않 는다 .