구조 의 결정 성 을 띠 게 되 는데 , 이 때 의 구조 는 실제 기판 의 최상층 에 한 층 의 탄소 층 이 형성 되 는 단계 이 지만 실리콘 카바이드 와 의 강한 결합 을 유지 하 고 있 기 때문 에 그래핀 의 특성 이 발현 되 지 는 않 는 상태 여서 버퍼 층 ( buffer layer ) 혹은 제로 - 레이어 ( zero - layer ) 그래핀 이 라고 도 불린다 . 이 때 부터 약 1200 ℃ 까지 는 실제 그래핀 형성 때 의 패턴 과 구분 하 기 가 모호 하 기 때문 에 각 분해 광전자 분광 장치 ( Angle - Resolved Photoemission Spectroscopy , ARPES ) 및 고 분해능 광전자 분광 장치 ( High - Resolution Core - Level Spectroscopy , HRCLS ) 를 이용 하 여 그래핀 의 성장 여부 를 확인 한다 . 이후 , 1200 ℃ ~ 1250 ℃ 로 가열 하 면 표면 에서 실리콘 원자 의 탈착 이 진행 되 고 , 표면 에 남 은 탄소 원자 들 이 결합 하 여 그래핀 을 형성 한다 . 1250 ℃ 이상 으로 가열 할 경우 , 표면 의 실리콘 원자 들 의 탈착 비율 이 높 아 져 단층 의 그래핀 이 아닌 2 층 ~ 3 층 의 그래핀 이 형성 될 수 있 다 . 도 2 ( a ) 를 보 면 그래핀 고유 의 선형 적 에너지 - 모 멘 텀 분산 관계 를 확인 할 수 있 고 , 페르미 에너지 이하 약 0 . 45 eV 정도 의 위치 에 디 락점 ( Dirac point ) 으로 불리 는 그래핀 밴드 의 교차점 이 위치 하 는데 이 는 그래핀 과 실리콘 카바이드 기판 의 일함수 크기 의 상대 적 인 차이 때문 에 발생 하 는 전하 이동 에 의한 n - type 도핑 효과 때문 이 다 .