도 5 c 를 참조 하 면 , 제 1 모스 트랜지스터 ( M 1 ) 의 게이트 폴리 ( 912 ) 는 도 5 b 에 비하 여 , 하부 영역 의 돌출 된 부위 가 존재 하 지 않 도록 하 였 다 . 즉 , 제 1 모스 트랜지스터 ( M 1 ) 의 게이트 폴리 ( 912 ) 를 완벽 한 직선 형태 및 ' L ' 형태 로 구비 하 도록 할 수 있 다 . 게이트 폴리 ( 912 ) 가 완벽 한 직선 형태 로 구비 됨 으로써 , 소스 또는 드레 인 영역 ( 514 , 516 ) 에 형성 되 는 전극 ( 518 , 520 ) 들 은 도 5 a 에 비하 여 더 많이 구비 될 수 있 다 .