이 와 같이 , 언급 한 전기 적 연결 에 의해 상기 반도체 기판 ( W ) 의 이면 에 집중 적 으로 플 라즈 마가 형성 된다 . 즉 , 상기 스테이지 ( 14 ) 에 고주파 에너지 를 인가 시키 고 , 상기 제 1 전극 ( 12 ) 을 접지 시키 고 , 상기 하부 - 제 2 전극 ( 16 ) 과 상부 - 제 2 전극 ( 18 ) 을 전기 적 으로 단락 시킴 에 따라 상기 반도체 기판 ( W ) 의 이면 부분 에 플 라즈 마 집중 적 으로 형성 되 고 , 그 결과 상기 플 라즈 마 에 의해 상기 반도체 기판 ( W ) 의 이면 에 흡착 또는 증착 된 이 물질 이 용이 하 게 식각 된다 . 특히 , 상기 반도체 기판 ( W ) 의 이면 에 흡착 또는 증착 된 이 물질 의 식각 에서 는 상기 제 1 전극 ( 14 ) 이 메 쉬 구조 를 갖 기 때문 에 상기 메 쉬 구조 의 홀 들 을 통하 여 보다 용이 하 게 상기 플 라즈 마가 전달 되 고 , 그 결과 보다 용이 하 게 상기 반도체 기판 ( W ) 의 이면 에 흡착 또는 증착 된 이 물질 의 식각 이 이루어진다 .