따라서 , 디바이스 제조 공정 ( 예 를 들 어 , 패 터닝 공정 또는 리소그래피 공정 ) 에서 , 기판 또는 다른 대상물 은 공정 중 에 또는 공정 후 에 다양 한 유형 의 측정 을 받 을 수 도 있 다 . 측정 은 특정 기판 이 결함 이 있 는지 여부 를 결정 할 수 있 으며 , 공정 에 사용 되 는 공정 및 장치 에 대한 조정 을 설정 할 수 있 고 ( 예 를 들 어 , 기판 상 에 2 개 의 층 을 정렬 하 거나 패 터닝 디바이스 를 기판 에 대해 정렬 ) , 공정 및 장치 의 성능 을 측정 할 수 있 거나 , 다른 목적 을 위한 것 일 수 있 다 . 측정 의 예 는 광학 이미 징 ( 예 를 들 어 , 광학 현미경 ) , 비 - 이미 징 광학 측정 ( 예 를 들 어 , ASML YieldStar 계측 툴 , ASML SMASH 계측 시스템 과 같 은 , 회절 에 기초 한 측정 ) , 기계 적 측정 ( 예 를 들 어 , 스타일러스 , 원자력 현미경 ( AFM ) 을 사용 한 프로파일링 ) 및 / 또는 비 - 광학 이미 징 ( 예 를 들 어 , 주사 전자 현미경 ( SEM ) ) 을 포함 한다 . 본 명세서 에서 전체 적 으로 인용 참조 되 는 미국 특허 제 6 , 961 , 116 호 에 설명 된 바 와 같 은 SMASH ( 스마트 정렬 센서 하이브리드 ) 시스템 은 자기 - 기준 간섭계 를 이용 하 고 있 으며 , 이 간섭계 는 정렬 마커 의 2 개 의 중첩 된 그리고 상대 적 으로 회전 된 이미지 를 생성 하 고 , 이미지 의 푸리 에 변환 이 방해 되 는 퓨 필 평면 내 의 세기 를 검출 하 며 , 간섭 된 차수 의 세기 변화 로서 나타나 는 2 개 의 이미지 의 회절 차수 간 의 위상 차 로부터 위치 정보 를 추출 한다 .