또 , 실시 형태 1 에서 설명 한 바 와 같이 , 중합체 ( B - 2 ) 가 주 쇄 에 환 구조 를 가짐 으로써 , 중합체 ( B - 2 ) 및 당해 중합체 를 포함 하 는 수지 ( C ) 의 Tg 가 상승 하 여 , 층 ( 23 ) 및 광학 필름 ( 21 ) 의 내열성 이 향상 된다 . 환 구조 에 의해 Tg 가 높 아 지 는 정도 는 , 상술 한 바 와 같 다 .