이어서 , 기판 을 - 20 ℃ 로 냉각 하 고 , 반도체 층 에 메탈 마스크 를 통해 등압 10 - 5 Pa 이하 의 조건 으로 RF 스퍼터 법 에 의해 Au 를 300 nm 증착 하 였 다 . 소스 · 드레 인 사이 의 거리 와 전극 폭 은 각각 38 ㎛ 의 간격 ( 도 1 에서 L = 38 ㎛), 3 . 9 mm 폭 ( 도 1 에서 W = 3 . 9 mm ) 이 었 다 .