다음 에 , B 로 나타낸 이 반도체 웨이퍼 ( 3 ) 의 최 표면 ( 두께 100 μ m 인 곳 : 파선 B 로 나타내 었 다 ) 에서 는 , 플래시 램프 ( 5 ) 의 점 등 이 시작 되 면 , 실선 A 의 온도 상승 보다 조금 늦 게 온도 상승 이 시작 되 어 , d 점 에서 는 700 ℃, 그 후 , 최고 온도 1000 ℃ 까지 승 온 되 고 , e 점 에서 는 500 ℃ 까지 강온 된다 . 다음 에 , C 로 나타낸 이 반도체 웨이퍼 ( 3 ) 의 이면 ( 2 점 쇄선 C 로 나타내 었 다 ) 에서 는 , 이 플래시 램프 ( 5 ) 의 점 등 이 시작 되 면 , 실선 A , 파선 B 보다 많이 늦 게 온도 가 상승 하 기 시작 한다 . 그 후 , d 점 에서 도 완만 하 게 온도 상승 할 뿐 이 고 , 최고 온도 로서 는 550 ℃ 까지 의 상승 에 그치 며 , 그 후 완만 하 게 강온 된다 .