본 발명 의 도전 성막 ( 4 ) 은 , 스퍼터링 법 , 증착 법 , 잉크젯 법 등 으로 이루어지 는 군 으로부터 선택 된 공지 의 각종 제조 방법 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 다수 의 산화니켈 입자 와 다수 의 백금 ( Pt ) 입자 로 이루어진 도전 성막 ( 4 ) 을 잉크젯 법 에 의해 형성 하 는 경우 에 는 , 니켈 착체 와 백금 착체 를 용매 에 용해 하 여 잉크 를 준비 한다 . 그리고 , 이 잉크 를 잉크젯 장치 에 의해 상기 한 기판 ( 1 ) 상 에 도포 한다 . 그리고 , 그 후 , 산소 함유 분위기 중 에서 고온 에서 소성 함 으로써 , 산화니켈 입자 와 백금 입자 를 함유 한 도전 성막 ( 4 ) 을 형성 할 수 있 다 . 금속 착체 로서 는 , 팔라듐 이나 코발트 등 의 착체 도 추천 될 수 있 다 . 또 , 용매 ( 분산매 ) 중 에 , 니켈 산화물 의 입자 와 백금 입자 를 분산 시킨 잉크 를 준비 하 여 , 이것 을 잉크젯 법 이나 회전 도포 법 등 에 의해 , 기판 ( 1 ) 상 에 도포 하 고 , 상기 기판 을 소성 함 으로써 용매 를 제거 하 여 그 결과 도전 성막 ( 4 ) 을 형성 할 수 있 다 .