도 11 d 에 도시 한 트랜지스터 에 있 어서 , 절연 층 ( 747 ) 은 기판 ( 740 ) 으로부터 불순물 원소 가 확산 되 는 것 을 방지 하 는 하지 층 으로서 의 기능 을 갖 는다 . 절연 층 ( 747 ) 에 는 일례 로서 질화 실리콘 층 , 산화 실리콘 층 , 질화 산화 실리콘 층 , 산화 질화 실리콘 층 , 산화알루미늄 층 , 및 산화 질화알루미늄 층 을 단층 구조 또는 적층 구조 로 사용 한다 . 또는 , 절연 층 ( 747 ) 에 는 상술 한 층 과 차광성 을 갖 는 재료 의 층 을 적층 시켜 사용 한다 . 또는 , 절연 층 ( 747 ) 에 는 차광성 을 갖 는 재료 의 층 을 사용 한다 . 또한 , 절연 층 ( 747 ) 으로서 차광성 을 갖 는 재료 의 층 을 사용 하 면 , 산화물 반도체 층 ( 743 ) 에 광이 입사 하 는 것 을 억제 할 수 있 다 .