본 발명 은 반도체 소자 의 마스크 제작 방법 에 관한 것 으로서 , 특히 광학 적 근접 보정 ( Optical Proximity Correction , 이하 ' OPC ' 라 한다 . ) 을 행하 여 마스크 패턴 을 형성 할 때 , 더미 패턴 ( dummy pattern ) 을 부가 함 으로 인해 OPC 의 런 타임 ( run time ) 을 줄이 면서 도 런 타임 이 많이 소요 된 경우 와 같 은 효과 를 낼 수 있 는 마스크 제작 방법 에 관한 것 이 다 .