0 . 5 내지 0 . 9 % 범위 의 저 Si 함량 과 식 ( 1 ) 을 만족 하 도록 C , Si , Mn , Cr 의 함량 이 제어 될 경우 , 제조 과정 에서 냉각 시 표면 탈탄 을 억제 하 여 표면 의 페라이트 탈탄 층 두께 를 1 ㎛ 이하 로 제어 할 수 있 으며 , C 단면 내 경도 430 Hv 이상 의 저온 조직 이 생성 되 지 않 을 수 있 다 . 본 발명 에서 C 단면 ( Cross - sectional area ) 은 길 이 방향 에 수직 한 선재 의 단면 을 의미 한다 .