구체 적 으로 , 트랜지스터 ( 261 ) 는 , 각각 , 그 게이트 전극 과 드레 인 전극 ( 또는 , 드레 인 영역 ) 이 접속 되 어 있 고 , 또한 , 게이트 전극 및 드레 인 전극 에 하이 ( high ) 레벨 의 전원 전위 ( VDD ) 가 공급 되 어 있 다 . 또한 , 트랜지스터 ( 261 ) 는 소스 전극 이 연산 증폭기 ( 262 ) 의 비반전 입력 단자 ( +) 에 접속 되 어 있 다 . 따라서 , 트랜지스터 ( 261 ) 는 , 전원 전위 ( VDD ) 가 공급 되 어 있 는 노드 와 , 연산 증폭기 ( 262 ) 의 비반전 입력 단자 ( +) 와 의 사이 에 접속 된 , 저항 으로서 기능 한다 . 또한 , 도 15 에서 는 , 게이트 전극 과 드레 인 전극 이 접속 된 트랜지스터 를 저항 으로서 이용 했 지만 , 본 발명 은 이것 에 한정 되 지 않 음 을 주목 하 라 . 저항 으로서 기능 하 는 소자 라면 대체 할 수 있 다 .