상기 에서 제조 된 양성자 전도 성 고분 자막 ( 베이스 폴리머 막 ) 에 지르코늄 포스 페이트 를 반응 시키 는 단계 는 상기 고분자 막 을 0 . 5 ∼ 2 M 의 염화 지르코늄 용액 에 침지 시킨 다음 , 다시 0 . 5 ∼ 2 M 의 인산 용액 에 침지 시키 는 단계 에 의해 수행 된다 . 상기 지르코늄 포스 페이트 를 반응 시키 는 단계 에서 반응 량 은 상기 염화 지르코늄 용액 및 인산 용액 의 농도 , 반응 시간 및 반응 온도 에 의해 조절 가능 하 다 .