게이트 전 극위 로 는 반도체 층 을 형성 하 게 하 는데 상기 게이트 전극 위 로 SiN ( 실리콘 나이트 라이드 ) 를 이용 하 여 보호 층 을 형성 할 수 있 다 . 상기 게이트 전극 위쪽 으로 는 실리콘 층 이 형성 된다 . 그런데 게이트 전극 위쪽 으로 실리콘 층 을 형성 하 는 것 또한 스퍼터링 또는 증착 방식 을 사용 하 게 된다 . 이 경우 폴리 이미드 층 을 게이트 전극 위 에 올리 고 그 위 에 실리콘 층 을 형성 한 뒤 에 홀 을 뚫 어 게이트 를 만들 수 도 있 다 .