또한 , 발광 층 에 열 활성 화 지연 형광 재료 가 포함 되 어 있 어도 된다 . 열 활성 화 지연 형광 재료 는 , 일반 적 으로 , TADF 재료 라고 도 불린다 . 열 활성 화 지연 형광 재료 는 , 일 중항 여기 상태 의 에너지 준위 와 삼 중항 여기 상태 에너지 준위 의 에너지 갭 을 작 게 함 으로써 , 삼 중항 여기 상태 로부터 일 중항 여기 상태 로 의 역항 간 교차 를 촉진 하 여 , 일 중항 여기자 의 생성 확률 을 향상 시킨 재료 이 다 . 열 활성 화 지연 형광 재료 는 , 단일 의 재료 로 열 활성 화 지연 형광 을 나타내 는 재료 여도 되 고 , 복수 의 재료 로 열 활성 화 지연 형광 을 나타내 는 재료 여도 된다 . 재료 가 복수 로 이루어지 는 경우 에 는 , 혼합물 로서 사용 해도 되 고 , 각 재료 를 포함 하 는 층 을 적층 하 여 사용 해도 된다 . 열 활성 화 지연 형광 재료 로서 는 공지 된 재료 를 사용 할 수 있 다 . 구체 적 으로 는 , 예 를 들 어 , 벤조니트릴 유도체 , 트리아진 유도체 , 디 술 폭 시드 유도체 , 카르바졸 유도체 , 인돌 로 카르바졸 유도체 , 디히 드 로 페나진 유도체 , 티 아졸 유도체 , 옥사 디아졸 유도체 등 을 들 수 있 지만 , 이 들 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .