반도체 기술 의 복잡화 , 다양 화 가 진행 됨 에 따라 , 시뮬레이션 에 의한 소자 특성 의 해석 기술 이 주목 받 아 왔 다 . 그 중 에서 도 , 배선 의 용량 , 저항 , 인덕턴스 ( 이하 , RLC 라고 함 ) 추출 툴 에 대해서 는 , 다양 한 제안 이 이루어져 있 다 . 예 를 들 면 , 특허 문헌 1 에 는 , 프로세스 시뮬레이션 으로부터 얻 어 지 는 2 차원 단면 에 , 디바이스 시뮬레이션 으로부터 얻 어 지 는 반도체 의 여러 가지 특성 을 가하 여 단면 형상 을 상세 하 게 재현 함 으로써 , 반도체 소자 의 전기 특성 을 평가 하 는 기술 이 개시 되 어 있 다 .