따라서 , 본 발명 은 전술 한 종래 의 문제점 들 을 해소 하 기 위해 도출 된 발명 으로 , 0 . 18 mm / sec 내지 2 . 5 mm / sec 범위 의 스캔 속도 로 엑 시머 레이저 를 전도성 기판 상 에 형성 된 비정질 실리콘 층 에 조사 함 으로써 결정 성 이 균일 한 다결정 실리콘 으로 결정 화 시킬 수 있 는 엑 시머 레이저 를 이용 한 비정질 실리콘 의 결정 화 방법 및 이 를 포함 한 다결정 박막 트랜지스터 의 제조 방법 을 제공 하 는 것 을 목적 으로 한다 .