본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 저장 장치 ( 10 ) 는 솔리드 스테이트 드라이브 ( Solid State Drive , 이하 ' SSD ' 라 함 ) , 또는 SD ( secure digital ) 카드 일 수 있 으나 , 이 에 한정 되 지 않 는다 . 또한 , 비휘발성 메모리 장치 ( 200 ) 는 플래시 메모리 장치 일 수 있 으나 , 이 에 한정 되 지 않 으며 , PRAM , MRAM , ReRAM , 또는 FeRAM 장치 일 수 있 다 . 비휘발성 메모리 장치 ( 200 ) 가 플래시 메모리 장치 인 경우 , 플로팅 게이트 방식 의 NAND 플래시 메모리 장치 또는 CTF ( Charge Trap Flash ) 방식 의 NAND 플래시 메모리 장치 일 수 있 다 . 비휘발성 메모리 장치 ( 200 ) 의 메모리 셀 트랜지스터 들 은 2 차원 적 으로 배열 된 구조 를 가질 수 도 있 고 , 또는 3 차원 적 으로 배열 된 구조 를 가질 수 도 있 다 .