In - Sn - Zn - O 막 은 스퍼터링 장치 를 이용 하 고 , 산소 분위기 에서 전력 을 100 W ( DC ) 로 하 여 성막 했 다 . 타 겟 은 원자 수비 로 , In : Sn : Zn = 1 : 1 : 1 의 In - Sn - Zn - O 타 겟 을 이용 했 다 . 또한 , 성막 시 의 기판 가열 온도 는 200 ℃ 로 했 다 . 이렇게 하 여 제작 한 시료 를 시료 A 로 했 다 .