그러나 특허 문헌 1 에 기재 된 기술 의 경우 , 땜납 밀착 성 및 도금 성 을 개선 하 기 위해 , 산세 에 의해 NiSi 입자 의 스 멋 을 거의 완전히 제거 하 려고 한다 . 그 때문 에 , 산세 후 에 노출 된 재료 표면 에 는 거의 석출 물 에 의한 요철 이 생기 지 않 아 , 요철 에 의한 앵커 효과 가 저감 되 어 수지 와 의 밀착 성 이 떨어진다고 하 는 문제 가 있 다 . 따라서 , 예 를 들 어 상술 한 IC 패키지 의 조립 공정 에서 의 리드 프레임 과 몰드 수지 의 밀착 성 에 영향 을 미친다 .