전술 한 바 와 같이 ， 데이터 의 기입 은 , 동일 한 워드 선 에 접속 된 모든 메모리 셀 트랜지스터 MT ( 1 페이지 ) 에 대하 여 일괄 적 으로 행해진다 . 또한 데이터 의 기입 은 , 소거 상태 의 메모리 블록 ( 9 ) 에서 , 셀렉 트 게이트 선 SGS 에 가까운 메모리 셀 트랜지스터 MT 로부터 순서 대로 행해진다 . 이하 에서 는 , 제 어 게이트 와 채널 의 사이 에 전위차 를 부여 하 여 전하 축적 층 에 전하 를 주입 하 고 , 이것 에 의해 메모리 셀 트랜지스터 MT 의 임계 값 을 상승 시키 는 동작 을 「 프로그램 」 이 라 부른다 . 이 프로그램 이 복수 회 실행 됨 으로써 , 메모리 셀 트랜지스터 MT 의 임계 값 은 원 하 는 값 까지 상승 되 고 , 데이터 의 기입 동작 이 행해진다 . 또한 이하 에서 는 , 프로그램 할 메모리 셀 트랜지스터 MT 가 접속 된 비트 선 을 선택 비트 선 이 라 부른다 . 또한 ， 이미 임계 값 이 원 하 는 값 까지 상승 한 것 등 에 의해 프로그램 이 불 필요 한 메모리 셀 트랜지스터 MT 가 접속 된 비트 선 을 , 비 선택 비트 선 이 라 부른다 .