본 발명 은 금속판 의 적어도 한 면 에 , 도전 성 입자 를 함유 하 는 도전 성 수지 피막 ( A ) 을 구비 한 수지 도장 금속판 으로서 , 금속판 과 도전 성 수지 피막 ( A ) 사이 에 , 도전 성 입자 를 함유 하 지 않 는 수지 피막 ( B ) 을 갖 고 있 다 . 도전 성 수지 피막 ( A ) 은 10 내지 60 질량 % 의 도전 성 입자 를 함유 하 며 , 또한 두께 가 3 내지 50 ㎛ 의 범위 이 다 . 도전 성 입자 를 함유 하 지 않 는 수지 피막 ( B ) 의 두께 는 3 내지 50 ㎛ 의 범위 이 다 . 이러 한 수지 도장 금속판 은 전자파 흡수 성 및 가공 성 의 양쪽 무두 가 우수 하 다 .