본 발명 의 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 에서 는 , 게이트 ( 110 ) 와 스토리지 전극 배선 ( 120 ) 사이 의 게이트 절 연막 ( 112 ) 상 에 투명 한 산화물 반도체 로 이루어진 스토리지 전극 ( 140 ) 을 넓 은 면적 으로 형성 함 으로써 빛 의 패널 투과율 을 향상 시키 는 동시 에 충분 한 충전 용량 을 확보 할 수 있 다 . 또한 , 일반 적 으로 상기 게이트 절 연막 ( 112 ) 은 게이트 배선 ( 161 ) 과 데이터 배선 ( 162 ) 사이 의 단락 에 의한 불량 발생 을 방지 하 기 위하 여 예 를 들 면 대략 300 nm 이상 의 두께 로 두껍 게 형성 하 는 데 반하 여 , 상기 보호막 ( 118 ) 은 예 를 들 면 대략 20 nm 정도 의 두께 로 얇 게 형성 하 게 되 므로 , 본 실시 예 에서 는 스토리지 캐 퍼 시터 의 충전 용량 을 더욱 증대 시킬 수 있 다 .