상기 제 1 및 제 2 공통 라인 ( 13 a , 13 b ) 은 각각 상기 제 1 내지 제 4 화소 전극 ( 35 내지 38 ) 과 오버랩 되 고 , 각 공통 라인 ( 13 a , 13 b ) 과 각 화소 전극 ( 35 내지 38 ) 사이 에 유전율 을 갖 는 게이트 절 연막 ( 17 ) 과 보호막 ( 31 ) 이 형성 되 어 있 기 때문 에 , 스토리지 캐 패 시 턴 스가 형성 될 수 있 다 . 이러 한 스토리지 캐 패 시 턴 스에 1 프레임 동안 데이터 전압 이 유지 될 수 있 다 .