도 1 은 , 웨이퍼 ( 10 ) 상 에 형성 된 초기 구조물 의 투시도 를 도시 한다 . 웨이퍼 ( 10 ) 는 기판 ( 20 ) 을 포함 한다 . 기판 ( 20 ) 은 반도체 기판 일 수 있 으며 , 이 는 실리콘 기판 , 실리콘 게르마늄 기판 , 또는 다른 반도체 물질 로 형성 된 기판 일 수 있 다 . 기판 ( 20 ) 은 p 형 또는 n 형 불순물 로 도핑 될 수 있 다 . 얕 은 트렌치 격리 ( STI , Shallow Trench Isolation ) 영역 과 같 은 격리 영역 ( 22 ) 이 형성 되 어 , 기판 ( 20 ) 의 상단 표면 으로부터 기판 ( 20 ) 내 로 연장 될 수 있 다 . 도 25 에 도시 된 공정 흐름 ( 200 ) 에서 각 공정 은 공정 ( 202 ) 으로서 도시 되 어 있 다 . 인근 의 STI 영역 ( 22 ) 사이 의 기판 ( 20 ) 의 부분 은 반도체 스트립 ( 24 ) 으로서 지칭 된다 . 일부 실시 예 에 따라서 , 반도체 스트립 ( 24 ) 의 상단 표면 과 STI 영역 ( 22 ) 의 상단 표면 은 서로 에 대해 실질 적 으로 수평 일 수 있 다 . 본 개시 의 일부 실시 예 에 따라서 , 반도체 스트립 ( 24 ) 은 원래 의 기판 ( 20 ) 의 부분 이 며 , 따라서 , 반도체 스트립 ( 24 ) 의 물질 은 기판 ( 20 ) 의 물질 과 동일 하 다 . 본 개시 의 대안 적 인 실시 예 에 따라서 , 반도체 스트립 ( 24 ) 은 , STI 영역 ( 22 ) 사이 의 기판 ( 20 ) 의 부분 을 에칭 하 여 리세 스 를 형성 하 고 , 리세 스 내 에 또 다른 반도체 물질 을 재성장 시키 기 위한 에피택시 를 수행 함 으로써 형성 되 는 대체 스트립 일 수 있 다 . 따라서 , 반도체 스트립 ( 24 ) 은 , 기판 ( 20 ) 의 물질 과 는 상이 한 반도체 물질 로 형성 된다 . 일부 실시 예 에 따라서 , 반도체 스트립 ( 24 ) 은 실리콘 게르마늄 , 실리콘 탄소 , 또는 III - V 족 화합물 반도체 물질 로 형성 된다 .