다음 으로 , 스텝 S 3 의 오 목부 형성 공정 에 대해서 설명 한다 . 오 목부 형성 공정 에서 는 , 포토 리소그래피 법 을 이용 하 여 뱅크 막 ( 31 ) 의 일부 를 제거 하 고 , 뱅크 ( B ) 에 의해 둘러싸인 오 목부 ( 34 ) 를 형성 한다 . 우선 , 스텝 S 1 의 뱅크 막 형성 공정 에서 형성 된 뱅크 막 ( 31 ) 위 에 레지스 트 층 을 도포 한다 . 다음 으로 , 뱅크 형상 ( 배선 패턴 형상 ) 에 맞추 어 마스크 를 실시 하 여 레지스 트 층 을 노광 · 현상 함 으로써 , 도 8 의 ( c ) 에 나타낸 바 와 같이 , 뱅크 ( B ) 의 형상 에 맞춘 레지스 트 ( 38 ) 를 형성 한다 . 마지막 으로 , 에칭 하 여 레지스 트 ( 38 ) 로 덮인 이외 의 부분 의 뱅크 막 ( 31 ) 을 제거 하 고 , 나머지 레지스 트 ( 38 ) 를 제거 한다 .