유기 막 을 형성 하 기 위한 가열 성막 공정 은 1 단 베 이크 , 2 단 베 이크 또는 3 단 이상 의 다단 베 이크 를 적용 할 수 있 지만 , 1 단 베 이크 또는 2 단 베 이크 가 경제 적 으로 바람직 하 다 . 1 단 베 이크 에 의한 성막 은 , 예컨대 50 ℃ 이상 600 ℃ 이하 의 온도 에서 5 ∼ 7200 초 동안 의 범위 로 행하 지만 , 150 ℃ 이상 500 ℃ 이하 의 온도 에서 10 ∼ 3600 초 동안 의 범위 로 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 이러 한 조건 으로 열처리 함 으로써 , 열 유동 에 의한 평탄 화 와 가교 반응 을 촉진 시킬 수 있 다 . 다층 레지스 트 법 에서 는 , 이 얻 어 진 막 상 에 도포 형 규소 중간막 이나 CVD 하드 마스크 를 형성 하 는 경우 가 있 다 . 도포 형 규소 중간막 을 적용 하 는 경우 는 , 규소 중간막 을 성막 하 는 온도 보다 높 은 온도 에서 의 성막 이 바람직 하 다 . 통상 규소 중간막 은 100 ℃ 이상 400 ℃ 이하 , 바람직 하 게 는 150 ℃ 이상 350 ℃ 이하 에서 성막 된다 . 이 온도 보다 높 은 온도 에서 유기 막 을 성막 하 면 , 규소 중간막 형성 용 조성물 에 의한 유기 막 의 용해 를 막 아 , 상기 조성물 과 믹 싱하 지 않 는 유기 막 을 형성 할 수 있 다 .