게이트 절 연막 ( 721 ) 은 , 게이트 절 연막 ( 703 ) 과 같 은 재료 , 같 은 적층 구조 를 이용 해서 형성 할 수 있 다 . 또한 , 게이트 절 연막 ( 721 ) 은 , 수분 이나 , 수소 등 의 불순물 을 극력 포함 하 지 않 는 것 이 바람직 하 고 , 단층 의 절 연막 이 어도 좋 고 , 적층 된 복수 의 절 연막 으로 구성 되 어 있 어도 좋 음 을 주목 하 라 . 게이트 절 연막 ( 721 ) 에 수소 가 포함 되 면 , 그 수소 가 산화물 반도체 막 ( 716 ) 에 도입 하 고 , 또는 수소 가 산화물 반도체 막 ( 716 ) 중 의 산소 를 추출 하 고 , 산화물 반도체 막 ( 716 ) 이 저 저항 화 ( n 형 화 ) 하 게 되 고 , 기생 채널 이 형성 될 우려 가 있 다 . 따라서 , 게이트 절 연막 ( 721 ) 은 가능 한 한 수소 를 포함 하 지 않 는 막 이 되 도록 , 성막 방법 에 수소 를 이용 하 지 않 는 것 이 중요 하 다 . 상기 게이트 절 연막 ( 721 ) 에 는 , 배리 어성 이 높 은 재료 를 이용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 어 , 배리 어성 이 높 은 절 연막 으로서 , 질화 규소 막 , 질화 산화 규소 막 , 질화 알루미늄 막 , 또는 질화 산화알루미늄 막 등 을 이용 할 수 있 다 . 복수 의 적층 된 절 연막 을 이용 하 는 경우 , 질소 의 함유 비율 이 낮 은 산화 규소 막 , 산화 질화규소 막 등 의 절 연막 을 , 상기 배리 어 성 이 높 은 절 연막 보다 도 , 산화물 반도체 막 ( 716 ) 에 가까운 측 에 형성 한다 . 그리고 , 질소 의 함유 비율 이 낮 은 절 연막 을 사이 에 끼우 고 , 도전 막 ( 719 ) 및 도전 막 ( 720 ) 및 산화물 반도체 막 ( 716 ) 과 중첩 되 도록 , 배리 어성 이 높 은 절 연막 을 형성 한다 . 배리 어성 이 높 은 절 연막 을 이용 함 으로써 , 산화물 반도체 막 ( 716 ) 내 , 게이트 절 연막 ( 721 ) 내 , 또는 , 산화물 반도체 막 ( 716 ) 과 다른 절 연막 의 계면 과 그 근방 에 , 수분 또는 수소 등 의 불순물 이 들어오 는 것 을 막 을 수 있 다 . 또한 , 산화물 반도체 막 ( 716 ) 에 접하 도록 질소 의 비율 이 낮 은 산화 규소 막 , 산화 질화규소 막 등 의 절 연막 을 형성 함 으로써 , 배리 어성 이 높 은 재료 를 이용 한 절 연막 이 직접 산화물 반도체 막 ( 716 ) 에 접하 는 것 을 막 을 수 있 다 .