IC 칩 ( 2 ) 과 Ni / Au 도금 층 ( 3 a ) 의 접합 은 , 본 발명 에 관한 접합 재의 양호 한 열전도 성 을 이용 하 는 것 이 다 . 한편 , 절연 기판 ( 3 ) 과 Cu - 베이스 기판 ( 4 ) 의 접합 은 , 전극 혹은 접속 단자 의 도통 을 취함 과 동시 에 , 방열 을 도모 하 기 위해서 이 다 . 본 발명 에 관한 접합 재 는 , 이 와 같이 방열 · 도통 의 어느 목적 으로 도 이용 할 수 있 다 .