그 다음 , 상기 제 3 감광막 패턴 ( 미 도시 ) 을 상기 투명 도 전 물질 층 ( 117 ) 을 선택 적 으로 식각 하 여 소스 / 드레 인 전극 ( 117 a ) ( 117 b ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 투명 도 전 물질 층 ( 117 ) 식각 시 에 소자 의 채널 부분 에 위치 하 는 부분 도 함게 제거 된다 . 또한 , 상기 투명 도 전 물질 층 ( 117 ) 식각 시 에 소자 의 채널 부분 상 에 는 에치 스톱 퍼 패턴 ( 111 a ) 이 존재 하 기 때문 에 소자 의 데미지 ( damage ) 가 발생 하 지 않 게 된다 .