다음 에 도 11 j 의 공정 에서 상기 PZT 막 ( 74 ) 위 에 는 앞 의 실시 예의 도 5 d 내지 도 5 g 와 마찬가지 로 하 여 , 도시 는 하 지 않 지만 앞 의 실시 예 에서 의 제 1 산화 이리듐 막 ( 16 ) 과 제 2 산화 이리듐 막 ( 17 ) 과 금속 이리듐 막 ( 18 ) 의 적층 으로 이루어진 상부 전 극막 ( 76 ) 이 스퍼터 법 및 제어 된 산화 분위기 중 에서 의 열처리 에 의해 형성 되 고 , 또한 도 11 k 의 공정 에서 상기 상부 전 극막 ( 76 ) 위 에 TiAlN 막 ( 77 ) 과 실리콘 산화 막 ( 78 ) 이 각각 반응 성 스퍼터 법 및 TEOS 원료 를 사용 한 플 라즈 마 CVD 법 에 의해 하드 마스크 층 으로서 형성 된다 .