채널 홀 ( CHH ) 의 바닥 에서 노출 되 는 기판 ( 102 ) 을 시드 ( seed ) 로 사용 하 는 선택 적 에피 택 셜 성장 ( SEG , Selective Epitaxial Growth ) 공정 을 수행 하 여 채널 홀 ( CHH ) 을 부분 적 으로 채우 는 반도체 패턴 ( 120 ) 을 형성 한다 . 반도체 패턴 ( 120 ) 의 상면 은 복수 의 희생 막 ( PL ) 중 기판 ( 102 ) 으로부터 가장 가까운 희생 막 ( PL ) 의 상면 과 , 복수 의 절 연막 ( 110 ) 중 기판 ( 102 ) 으로부터 가장 가까운 절 연막 ( 110 ) 의 저면 과 의 사이 의 레벨 에 위치 될 수 있 다 . 반도체 패턴 ( 120 ) 은 채널 막 ( 150 ) 과 유사 하 게 채널 역할 을 수행 할 수 있 다 . 반도체 패턴 ( 120 ) 은 Si 또는 Ge 로 이루어질 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 반도체 패턴 ( 120 ) 은 불순물 이 도핑 된 반도체 로 이루어질 수 있 다 .