본 발명 의 주 된 시점 은 , 소스 영역 과 , 드레 인 영역 과 , 제 1 측벽 을 갖 는 게이트 와 , 상기 제 1 측벽 에 근접 하 는 제 1 절연성 사이드 월 구 조체 와 , 상기 제 1 절연성 사이드 월 구 조체 에 의해 상기 게이트 로부터 전기 적 으로 절연 됨 과 함께 , 상기 소스 영역 및 상기 드레 인 영역 의 일방 과 전기 적 으로 접속 되 는 제 1 도전 성 사이드 월 구 조체 를 적어도 포함 하 는 반도체 장치 를 제공 하 는 것 이 다 .