또한 , 고음 속 지지 기판 ( 51 ) 은 지지 기판 과 , 압 전막 ( 53 ) 을 전파 하 는 표면파 나 경 계파 의 탄성파 보다 도 , 전파 하 는 벌크 파 의 음속 이 고속 으로 되 는 고음 속막 이 적층 된 구조 를 갖 고 있 어도 된다 . 이 경우 , 지지 기판 은 사파이어 , 리튬 탄탈 레이트 , 리튬 니오베 이트 , 수정 등 의 압전체 , 알루미나 , 마그네시아 , 질화규소 , 질화알루미늄 , 탄화규소 , 지르 코니 아 , 코디 어 라이트 , 멀라이트 , 스테아 타이트 , 포르 스 테 라이트 등 의 각종 세라믹 , 유리 등 의 유전체 또는 실리콘 , 질화 갈륨 등 의 반도체 및 수지 기판 등 을 사용 할 수 있 다 . 또한 , 고음 속막 은 , 질화알루미늄 , 산화알루미늄 , 탄화규소 , 질화규소 , 산질 화 규소 , DLC 막 또는 다이아몬드 , 상기 재료 를 주성분 으로 하 는 매질 , 상기 재료 의 혼합물 을 주성분 으로 하 는 매질 등 , 다양 한 고음 속 재료 를 사용 할 수 있 다 .