도 1 을 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 터널 절 연막 ( 11 ) 및 플로팅 게이트 용 폴리 실리콘 막 ( 12 ) 을 형성 하 고 , 이 를 선택 식각 하 여 반도체 기판 ( 10 ) 의 소자 분리 영역 을 노출 시킨 다음 , 노출 된 반도체 기판 ( 10 ) 을 식각 함 으로써 트렌치 ( 13 ) 를 형성 한다 . 이 어 트렌치 ( 13 ) 를 절 연막 으로 채워 소자 분리 막 ( 14 ) 을 형성 한다 .