제 1 전극 패턴 ( 13 ) , 제 2 전극 패턴 ( 14 ) 및 패드 ( P ) 는 ITO ( indium tin oxide ) 또는 IZO ( indium zinc oxide ) 등 의 투명 도전 성 물질 로 만들 어 질 수 있 다 . 제 1 전극 패턴 ( 13 ) , 제 2 전극 패턴 ( 14 ) 및 패드 ( P ) 의 두께 는 수천 옹스트롬 이하 로 형성 할 수 있 다 . 제 1 전극 패턴 ( 13 ) , 제 2 전극 패턴 ( 14 ) 및 패드 ( P ) 는 하나 의 마스크 를 사용 하 는 광 노광 공정 및 식각 공정 을 통해 형성 될 수 있 다 .