상기 채널 층 ( 5 ) 및 희생 층 ( 3 ) 은 서로 에 대해 식각 선택 비 를 갖 는 단결정 반도체 물질 들 로 형성 한다 . 바람직 하 게 는 , 상기 채널 층 ( 5 ) 은 약 300 Å 두께 의 단결정 실리콘 막 으로 형성 하 고 , 상기 희생 층 ( 3 ) 은 약 300 Å 두께 의 단결정 게르마늄 막 또는 단결정 실리콘 - 게르마늄 막 으로 형성 한다 . 상기 채널 층 ( 5 ) 및 희생 층 ( 3 ) 은 에피택시 얼 성 장법 에 의해 형성 할 수 있 다 .