점차 적 으로 반도체 소자 가 고집 적 화 됨 에 따라 단 채널 트랜지스터 의 제작 기술 이 요구 된다 . 이 에 따라 , 소스 및 드레 인 확산 층 의 측면 확산 에 의해 유효 채널 길이 ( effective channel length ) 가 감소 하 는 단채 널 효과 ( short channel effect ) 가 발생 한다 . 일반 적 으로 단 채널 효과 는 저 농도 접합 영역 의 이온 주 입량 을 감소 시켜 그 효과 를 최소 화 한다 .