도 7 을 참조 하 면 , 완만 한 프로 파일 을 갖 는 제 2 리 세스 트렌치 ( 132 ) 상 에 게 이트 절 연막 ( 170 ) , 게이트 도 전막 ( 180 ) , 및 하드 마스크 막 ( 190 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 제 2 리 세스 트렌치 ( 132 ) 가 완만 한 프로 파일 을 갖 게 됨 에 따라 , 게이트 절 연막 ( 170 ) 은 취약 지점 없이 균일 하 게 증착 된다 . 따라서 , 취약 지점 으로 전계 가 집중 되 는 것 을 방지 하 고 소자 의 안정 성 을 개선 할 수 있 다 .