기판 ( 310 ) 은 반도체 물질 성장 에 적합 한 물질 , 캐리어 웨이퍼 로 형성 될 수 있 다 . 또한 기판 ( 310 ) 은 열전도 성 이 뛰어난 물질 로 형성 될 수 있 으며 , 전도성 기판 또는 절연성 기판 일 수 있 다 . 예 를 들 어 기판 ( 310 ) 은 사파이어 ( Al 203 ) , GaN , SiC , ZnO , Si , GaP , InP , Ga 203 , GaAs 중 적어도 하나 를 포함 하 는 물질 일 수 있 다 . 이러 한 기판 ( 310 ) 의 상면 에 는 요철 패턴 이 형성 될 수 있 다 .