도 18 및 도 19 를 참조 하 면 , 제 1 산화 공정 을 통하 여 대 상체 ( 250 ) 상 에 제 1 예비 산화 막 ( 255 ) 을 형성 한다 ( 단계 S 250 ) . 상기 제 1 산화 공정 은 제 1 라디칼 산화 공정 을 포함 할 수 있 다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 제 1 라디칼 산화 공정 에 있 어서 , 대 상체 ( 250 ) 를 상대 적 으로 높 은 제 1 온도 및 상대 적 으로 낮 은 제 1 압력 을 갖 는 공정 챔버 내 에 로딩 시킨 후 , 수소 가스 및 산소 가스 를 포함 하 는 제 1 반응 가스 를 상기 공정 챔버 내 로 도입 한다 . 상기 공정 챔버 내 에서 상기 제 1 반응 가스 에 포함 된 수소 가스 와 산소 가스 가 반응 하 여 형성 된 제 1 산소 라디칼 과 대 상체 ( 250 ) 에 포함 된 실리콘 을 반응 시켜 대 상체 ( 250 ) 상 에 제 1 예비 산화 막 ( 255 ) 을 형성 한다 . 대 상체 ( 250 ) 가 부분 적 으로 상기 제 1 산소 라디칼 과 반응 하 여 제 1 예비 산화 막 ( 255 ) 이 형성 되 기 때문 에 , 제 1 예비 산화 막 ( 255 ) 은 대 상체 ( 200 ) 의 최초 의 표면 ( S 4 ) 으로부터 소정 의 두께 를 가지 는 한편 대 상체 ( 250 ) 의 최초 의 표면 ( S 4 ) 아래 까지 소정 의 깊이 로 형성 된다 . 본 발명 의 다른 실시 예 들 에 따르 면 , 상기 제 1 라디칼 산화 공정 에 있 어서 , 리모트 플 라즈 마 공정 또는 다이렉트 플라 즈 마 공정 을 통하 여 형성 된 제 1 산소 라디칼 과 대 상체 ( 250 ) 에 포함 된 실리콘 을 반응 시켜 제 1 예비 산화 막 ( 255 ) 을 형성 할 수 있 다 .