그런데 , X 선 검출기 는 직접 방식 과 간접 방식 의 2 가지 방식 으로 크 게 구분 된다 . 직접 방식 은 X 선 을 a - Se 등 의 광도 전막 에 의해 직접 전하 신호 로 변환 하 고 , 전하 축적 용 커패시터 로 인도 하 는 방식 이 며 , X 선 에 의해 발생 한 광 도 전 전하 를 고전 계 에 의해 직접 적 으로 전하 축적 용 커패시터 로 유도 하 므로 대략 액티브 매트릭스 의 화소 전극 의 피치 로 규정 되 는 해상도 특성 이 얻 어 진다 . 한편 , 간접 방식 은 신 틸레 이터 ( scintillator ) 층 에 의해 X 선 을 일단 가시 광 으로 변환 하 고 , 가시 광 을 a - Si 포토다이오드 나 CCD 등 의 광전 변환 소자 에 의해 신호 전하 로 변환 하 여 전하 축적 용 커패시터 로 인도 하 는 방식 이 므로 , 신 틸레 이터 층 으로부터 의 가시 광이 포토다이오드 나 CCD 에 도달 하 기 까지 의 광학 적 인 확산 및 산란 에 의해 해상도 특성 의 열화 가 발생 한다 .