주변 회로 구 조체 ( PC ) 는 도 1 을 참조 하 여 상술 한 바 와 같이 , 기판 ( SUB ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 기판 ( SUB ) 은 n 형 또는 p 형 불순물 이 도핑 된 웰 영역 들 을 포함 할 수 있 으며 , 기판 ( SUB ) 의 웰 영역 들 각각 은 소자 분리 막 ( isolation layer : ISO ) 에 의해 구획 된 활성 영역 들 을 포함 할 수 있 다 . 소자 분리 막 ( ISO ) 은 절연물 로 형성 된다 .