본 발명 에 따른 P - I - N 포토다이오드 제조 방법 에서 는 IMD 층 의 형성 을 열 산화 에 의한 열 산화 막 으로 형성 하 므로 , 종래 의 LPCVD 나 PECVD 에 의해 형성 되 는 산화 막 보다 실리콘 과 산소 간 에 강한 공유 결합 을 형성 할 수 있 다 . 따라서 , IMD 층 과 실리콘 웨이퍼 사이 의 인터페이스 에 댕 글 링 본딩 이 거의 없 게 되 므로 , 전자 , 정공 과 같 은 캐리어 들 이 댕 글 링 본딩 에 트랩 ( trap ) 되 지 않 으므로 , 종래 보다 누설 전류 를 감소 시킬 수 있 다 .