트랜지스터 는 절연 게이트 바이 폴라 트랜지스터 ( IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor ) 및 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 ( MOSFET : Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) ( 예 를 들 어 , Si MOSFET 또는 SiC MOSFET ) 를 포함 할 수 있 다 . IGBT 가 이하 의 실시 예 에서 예 로서 사용 될 수 있 지만 , MOSFET 이 IGBT 를 대신 할 수 있 고 그 반대 도 가능 하 다는 것 이 이해 될 것 이 다 . 이 와 관련 하 여 , MOSFET 으로 IGBT 를 대체 할 때 , MOSFET 의 드레 인 은 IGBT 의 콜렉터 를 대체 할 수 있 고 , MOSFET 의 소스 는 IGBT 의 이미터 를 대체 할 수 있 으며 , MOSFET 의 드레 인 소스 전압 ( VDS ) 은 본 명세서 에서 설명 된 예 중 임의 의 하나 에서 IGBT 의 콜렉터 이미터 전압 ( VCE ) 을 대체 할 수 있 다 . 따라서 , 임의 의 IGBT 모듈 은 MOSFET 모듈 로 대체 될 수 있 으며 그 반대 도 가능 하 다 .