상술 한 제 3 실시 예 는 구동 트랜지스터 ( ND ) 및 프로그래밍 트랜지스터 ( NP ) 를 NMOS 트랜지스터 를 이용 한 회로 구성 이 었 으나 , 구동 트랜지스터 ( ND ) 와 프로그래밍 트랜지스터 ( NP ) 를 PMOS 트랜지스터 를 이용 해도 동일 한 동작 특성 을 갖 는 회로 구성 이 가능 하 다 . 즉 , 도 12 에서 와 같이 구동 트랜지스터 ( PD ) 의 드레 인 이 저 전위 전압 원 ( ELVSS ) 에 연결 되 고 , 소스 는 제 3 스위칭 트랜지스터 ( ST 3 ) ( 도 12 에 추가 함 ) 에 연결 되 며 , 게이트 에 는 제 1 스위칭 트랜지스터 ( ST 1 ) 에 연결 된다 . 유기 발광 다이오드 ( OLED ) 는 캐소드 전극 이 제 3 스위칭 트랜지스터 ( ST 3 ) 에 연결 되 고 , 애노드 전극 이 고전 위 전압 원 ( ELVDD ) 에 연결 된다 . 또한 , 프로그래밍 트랜지스터 ( PP ) 의 소스 가 고전 위 전압 원 ( ELVDD ) 에 연결 되 게 구성 함 으로써 구동 트랜지스터 ( ND ) 및 프로그래밍 트랜지스터 ( NP ) 를 NMOS 트랜지스터 를 이용 한 회로 구성 과 동일 한 동작 특성 을 가질 수 있 다 .