즉 , 본 발명 은 복수 의 전극 상 에 땜납 이 도포 된 배선 기판 을 준비 하 는 공정 과 , 상기 땜납 을 , 수소 와 드라이 에어 의 혼합 가스 를 이용한 수소 버 닝 에 의해 열처리 하 는 공정 과 , 복수 의 표면 전극 에 금 범프 가 접합 된 반도체 칩 을 배선 기판 상 에 배치 하 고 , 그 후 에 땜납 을 가열 용융 하 여 금 범프 와 땜납 을 접속 하 여 플립 칩 접속 하 는 공정 과 , 반도체 칩 과 배선 기판 의 사이 에 언더 필 을 충전 하 는 공정 을 갖 는 것 이 다 .