그러나 상기 기판 의 공정 수행 시 상 , 하부 전극 ( 14 , 16 ) 의 사이 공간 과 함께 배 플 ( 20 a , 20 b ) 및 상 , 하부 챔버 ( 10 , 12 ) 의 내벽 까지 플 라즈 마 에 노출 되 므로 기판 이 위치 되 는 상 , 하부 전극 ( 14 , 16 ) 을 제외 한 가장자리 즉 , 상기 배 플 ( 20 a , 20 b ) 이 구비 된 둘레 공간 에 는 플 라즈 마가 기생 하 게 되 며 , 결국 , 기판 이 균일 한 공정 처리 를 받 지 못하 여 공정 수율 이 저하 되 는 문제점 이 있 었 다 .