하나 의 비트 라인 ( 460 ) , 하나 의 비트 라인 ( 460 ) 을 둘러싸 는 어느 한 층 의 제 1 워드 라인 ( 410 ) 및 이 들 사이 의 가변 저항 층 ( 450 ) 이 제 1 메모리 셀 ( MC 1 ) 을 형성 하 고 , 하나 의 비트 라인 ( 460 ) , 하나 의 비트 라인 ( 460 ) 을 둘러싸 는 어느 한 층 의 제 2 워드 라인 ( 420 ) 및 이 들 사이 의 가변 저항 층 ( 450 ) 이 제 2 메모리 셀 ( MC 2 ) 을 형성 할 수 있 다 . 제 1 메모리 셀 ( MC 1 ) 은 수직 방향 으로 적층 되 는 제 1 층 및 제 2 층 의 제 1 메모리 셀 ( MC 1 - 1 , MC 1 - 2 ) 을 포함 할 수 있 고 , 제 2 메모리 셀 ( MC 2 ) 은 수직 방향 으로 제 1 층 및 제 2 층 의 제 1 메모리 셀 ( MC 1 - 1 , MC 1 - 2 ) 과 교대 로 적층 되 는 제 1 층 및 제 2 층 의 제 2 메모리 셀 ( MC 2 - 1 , MC 2 - 2 ) 을 포함 할 수 있 다 .