( S 401 ) ~ ( S 404 ) 에 따라 완성 된 상부 DBR 구조물 ( 340 ) 은 InAlGaAs 층 ( 341 ) / [ InAlAs 층 ( 342 ) / InP 층 ( 343 ) / InAlAs 층 ( 344 ) ] 로 이루어진다 . 상기 InAlGaAs 층 ( 341 ) / [ InAlAs ( 342 ) / InP ( 343 ) / InAlAs ( 344 ) ] 로 이루어진 DBR 구조물 ( 340 ) 은 n - 타입 도 펀트 또는 p - 타입 도 펀트 를 사용 하 여 도핑 할 수 있 다 . 또한 , 내부 공진 접합 ( intra - cavity junction ) 을 이용 하 여 , InAlGaAs 층 ( 341 ) / [ InAlAs ( 342 ) / InP ( 343 ) / InAlAs ( 344 ) ] 를 제작 하 는 경우 에 는 도핑 하 지 않 는다 ( undoped ) . 원 하 는 적층 주기 가 완성 될 때 까지 , ( S 401 ) ~ ( S 404 ) 공정 을 반복 수행 한다 . 예 를 들 면 , 사용 자 가 전체 층수 를 48 로 하 는 경우 , ( S 401 ) ~ ( S 404 ) 를 12 번 반복 하 여 형성 할 수 있 다 .