식각 공정 의 발전 에 따라 식각 종횡비 에 대한 요구 가 높 아 지 고 있 다 . 종래 의 RF 전원 의 구성 ( 예 를 들 어 , 2 MHz 인 저주파 RF 전원 ( LF ) 및 60 MHz 인 고주파 RF 전원 ( HF ) ) 과 비교 하 여 RF 전력 을 지속 적 으로 향상 시킴 으로써 반응 챔버 에 주입 되 는 RF 에너지 를 증가 시키 고 그 로부터 이온 의 입사 에너지 를 향상 시켜 높 은 종횡비 의 식각 을 실현 하 는 것 이 업계 에서 의 일반 적 인 수단 이 다 . 하지만 , 이러 한 방법 은 여전히 , 예 를 들 어 , " 전술 한 "" 이온 이 제한 되 는 "" 현상 으로 명명 되 는 문제 를 갖 는다 . 일정 한 깊이 에 도달 한 후 에 식각 을 계속 할 수 없 을 뿐 만 아니 라 이온 을 아래 방향 으로 충격 시키 기 위한 에너지 가 매우 작 기 ( 약 3 % 정도 ) 때문 에 ", 입력 된 RF 전력 의 이용 률 이 매우 낮 고 그 로부터 막대 한 RF 에너지 낭비 및 칩 제조 비용 의 큰 상승 이 발생 할 수 있 다 .