최근 에 반도체 소자 제조 공정 의 디자인 룰 ( design rule ) 이 0 . 1 ㎛ 이하 로 초 미세 화 되 고 고집 적 화 되 고 있 으며 , 실리콘 웨이퍼 도 300 mm 이상 웨이퍼 로 대구경 화 되 고 있 다 . 이 에 따라 실리콘 웨이퍼 도 반도체 소자 의 활성 영역 에 완전 한 무결함 영역 이 요구 되 며 , 활성 영역 아래 의 벌크 영역 에 는 산소 석출 물 과 벌크 적층 결함 ( Bulk Stacking Fault ) 으로 이루어진 벌크 마이크 로 결함 ( Bulk Micro Defect ; 이하 ' BMD ' 라 함 ) 의 밀도 를 증가 시켜 반도체 소자 제조 공정 중 에 발생 할 수 있 는 금속 등 의 불순물 을 효과 적 으로 제거 할 수 있 는 실리콘 웨이퍼 가 요구 되 고 있 다 .