다음 , 도 2 를 참조 하 면 , 상기 n + InGaAs 에 미터 캡 층 ( 17 ) 상부 에 패턴 형태 로 에 미터 전극 ( 20 ) 을 형성 한 다음 , 에 미터 전극 ( 20 ) 을 마스크 로 하 여 상기 n + InGaAs 에 미터 캡 층 ( 17 ) , n + InP 에 미터 그레이드 층 ( 16 ) 및 n InP 에 미터 층 ( 15 ) 을 식각 한다 . 그 후 , n + InGaAs 에 미터 캡 층 ( 17 ) , n + InP 에 미터 그레이드 층 ( 16 ) 및 n InP 에 미터 층 ( 15 ) 을 재차 습식 과도 식각 하 여 , 상기 n + InGaAs 에 미터 캡 층 ( 17 ) , n + InP 에 미터 그레이드 층 ( 16 ) 및 n InP 에 미터 층 ( 15 ) 과 상기 에 미터 전극 ( 20 ) 은 언더컷 ( under cut ) 구조 를 갖 는다 .