다음 으로 , 상기 게이트 절 연막 ( 145 ) 상부 에 는 상기 게이트 전극 ( 125 ) 과 그 일부 가 중첩 되 는 액티브 층 ( 140 ) 과 오 믹 콘 택 층 ( 141 ) 으로 구성 되 는 반도체 층 ( 143 ) 이 화학 기상 증착 ( plasma enhanced chemical vapor deposition : PECVD ) 방법 으로 순차 적 으로 적층 된 형태 로 형성 된다 .