상기 과제 를 달성 하 기 위해 , 본 발명 에서 는 , ( A ) 이온 성 재료 , 및 ( B ) 금속분 을 함유 하 는 도전 성 배선 재료 조성물 로서 , 상기 ( A ) 성분 이 , 플 루 오로 술폰산 , 플 루 오로 술폰 이미드 , 및 플 루 오로 술폰아미드 중 어느 하나 의 암모늄염 , 리튬 염 , 나트륨 염 , 칼륨염 , 은염 으로부터 선택 되 는 구조 를 갖 는 반복 단위 a 를 갖 는 고분자 화합물 이 며 , 상기 ( B ) 성분 이 도전 성 배선 재료 조성물 중 의 상기 ( B ) 성분 을 제외 한 고형분 100 질 량부 에 대하 여 50 질량 부를 초과 하 는 배 합량 으로 함유 되 어 있 는 것 인 도전 성 배선 재료 조성물 을 제공 한다 .