도 6 를 참고 하 면 , 상기 산화 는 산소 가 공급 되 는 분위기 에서 , 실리사이드 의 분해 등 반도체 소자 의 특성 에 영향 을 주 는 온도 보다 낮 은 저온 에서 실시 될 수 있 다 . 바람직 하 게 , 상기 산화 는 산소 ( O 2 ) , 수증기 ( H 2 O ) , 또는 수산기 래디컬 ( OH radical ) 중 어느 하나 의 분위기 를 할 수 있 다 . 또한 바람직 하 게 , 상기 산화 는 350 ℃∼ 750 ℃ 사이 의 온도 에서 할 수 있 다 . 또한 상기 산화 를 통하 여 잔류 용매 성분 들 이 제거 된 산화 된 SOC 층 ( 400 b ) 을 함께 형성 할 수 있 다 .