도 7 을 참조 하 면 , 일렉트로 포 밍 이 발생 한 이후 ( 즉 , 전도성 필라멘트 ( 123 ) 가 생성 된 경우 ) 에 는 , 일렉트로 포 밍 이 미 발생 한 경우 ( 즉 , 전도성 필라멘트 ( 123 ) 가 생성 되 지 않 은 경우 ) 보다 동일 한 전압 하 에서 상대 적 으로 더 큰 전류 가 발생 한다 . 다시 말 해서 , 전도성 필라멘트 ( 123 ) 의 형성 에 따라 접촉 저항 이 낮 아 지 고 이 에 따라 더 큰 전류 가 접촉 지점 에서 흐르 게 된다 . 한편 , 전도성 필라멘트 ( 123 ) 의 형성 에 는 높 은 전압 을 요구 하 지 않 는다 . 이 는 반도체 소자 ( 100 ) 가 저 전압 ( 일례 로 5 V 이하 의 전압 ) 으로 도 정보 의 쓰 기 ( write ) 동작 을 수행 할 수 있 음 을 의미 한다 . 종래 의 낸드 플래시 소자 는 쓰 기 동작 을 위해 대략 20 V 의 전압 을 요구 했 던 것 과 비교 하 면 , 반도체 소자 ( 100 ) 는 상대 적 으로 더 낮 은 전압 으로 쓰 기 동작 을 수행 할 수 있 게 되 어 , 각각 의 소자 ( 100 ) 의 전력 소모 를 감소 시킬 수 도 있 게 된다 .