도 1 에 도시 된 본 실시 형태 에 따른 임프 린트 장치 ( 100 ) 는 , 빔 스플리터 ( 12 ) 가 촬상 유닛 ( 8 ) 으로부터 의 광 을 투과 시키 고 , 조사 유닛 ( 6 ) 으로부터 의 광 을 반사 시키 도록 구성 된다 . 그러나 , 구성 은 이 예 로 한정 되 지 않 는다 . 예 를 들 어 , 조사 유닛 ( 6 ) 및 촬상 유닛 ( 8 ) 은 서로 교체 될 수 있 다 . 제 1 계측 유닛 ( 9 ) 은 패턴 필드 ( 1 a ) ( 몰드 ( 1 ) ) 상 의 복수 의 위치 에서 의 높이 를 계측 한다 . 제 1 계측 유닛 ( 9 ) 은 , 예 를 들 어 몰드 ( 1 ) 에 광 을 조사 하 고 , 광이 조사 된 패턴 영역 ( 1 a ) 상 의 조사 영역 으로부터 의 반사광 을 검출 함 으로써 , 당해 조사 영역 의 높이 ( 제 1 계측 유닛 ( 9 ) 과 패턴 영역 ( 1 a ) 사이 의 거리 ) 를 계측 하 도록 구성 되 는 레이저 간섭계 를 포함 할 수 있 다 . 제 1 계측 유닛 ( 9 ) 은 , 제 1 계측 유닛 ( 9 ) 이 기판 스테이지 ( 3 ) 와 함께 XY 방향 에서 이동 하 여 몰드 ( 1 ) 상 의 조사 영역 을 주사 함 으로써 패턴 영역 ( 1 a ) 의 복수 의 위치 의 높이 를 계측 하 도록 기판 스테이지 ( 3 ) 에 설치 된다 . 이 에 의해 , 패턴 영역 ( 1 a ) 의 형상 및 기울기 를 결정 할 수 있 다 . 제 1 계측 유닛 ( 9 ) 은 , 기판 스테이지 ( 3 ) 와 는 상이 한 스테이지 상 에 배치 될 수 있 으며 , 기판 스테이지 ( 3 ) 와 는 별개 로 XY 방향 으로 이동 함 으로써 패턴 영역 ( 1 a ) 의 높이 를 계측 할 수 있 다 .