도 2 b 를 참조 하 면 , 트렌치 절 연막 ( 210 ) , 식각 정지 막 ( 208 ) , 제 2 절 연막 ( 206 b ) , 제 1 절 연막 ( 206 a ) 및 상기 식각 방지 막 의 일부 를 식각 하 여 드레 인 콘 택 홀 을 형성 함 으로써 반도체 기판 ( 202 ) 에 형성 된 드레 인 영역 ( D ) 이 노출 되 도록 한다 . 그리고 , 드레 인 콘 택 홀 을 포함 하 는 반도체 기판 ( 202 ) 의 전체 구조 상부 에 폴리 실리콘 이나 텅스텐 등 과 같 은 도전 물질 을 형성 한다 . 이때 드레 인 콘 택 홀 내부 의 도전 물질 은 드레 인 콘 택 플러그 ( 212 a ) 가 되 고 , 트렌치 절 연막 ( 210 ) 상부 의 도전 물질 은 후속 하 는 공정 에서 하드 마스크 막 ( 212 ) 으로 사용 된다 . 드레 인 콘 택 플러그 ( 212 a ) 는 반도체 기판 ( 202 ) 에 형성 된 드레 인 영역 ( D ) 과 전기 적 으로 연결 된다 . 도전 물질 은 트렌치 절 연막 ( 210 ) 상부 에 10 ~ 5000 Å 의 두께 로 형성 된다 . 이 로써 , 하드 마스크 막 ( 212 ) 은 10 ~ 5000 Å 의 두께 로 형성 될 수 있 다 .