그러나 , 이 와 같 은 텅스텐 폴리 메탈 게이트 전극 구조 의 게이트 패턴 ( 100 ) 형성 에 있 어서 도 최근 반도체 소자 의 고집 적 화 경향 이 더욱 증가 하 여 게이트 의 길이 가 더욱 감소 하 게 됨 에 따라 원 하 는 게이트 저항 을 확보 하 기 위해서 는 텅스텐 막 ( 14 ) 의 두께 증가 가 요구 된다 . 이러 한 텅스텐 막 ( 14 ) 의 두께 증가 는 필연 적 으로 후속 SAC 공정 시 식각 베리어 로 작용 하 는 게이트 하드 마스크 ( 15 ) 의 두께 증가 를 요구 한다 . 즉 , 원 하 는 게이트 저항 확보 를 위해서 는 텅스텐 막 ( 14 ) 의 두께 증가 및 그 로 인한 게이트 하드 마스크 ( 15 ) 의 두께 증가 가 요구 되 어 게이트 패턴 ( 100 ) 의 전체 높이 는 증가 하 게 된다 . 반면 , 게이트 패턴 ( 100 ) 의 길이 는 계속 적 으로 감소 하 여 게이트 패턴 ( 100 ) 의 종횡비 ( aspect ratio ) 증가 를 초래 한다 .