또한 , 상기 기술 한 플 라즈 마 원자 층 증착 법 을 사용 하 여 40 oC , 60 oC 의 기판 온도 에서 300 nm 의 Al 2 O 3 : N 박막 을 성장 한 실시 예 에서 한 사이클 당 플 라즈 마 펄스 시간 을 0 . 5 초 로 할 때 기판 온도 가 각각 40 oC , 60 oC 내외 로 유지 됨 이 확인 되 고 있 다 . 즉 , 플 라즈 마 에 의한 기판 온도 의 상승효과 는 박막 증착 시 거의 무시 할 만 하 다 는 것 을 확인 되 고 있 다 .