에피 탁 셜 실리콘 저마늄 층 ( 29 ) 은 에피 탁 셜 실리콘 층 ( 28 ) 과 더불 어 소스 영역 ( S ) 과 드레 인 영역 ( D ) 을 형성 하 며 , 에피 탁 셜 실리콘 저마늄 층 ( 29 ) 과 리세 스 된 표면 간 격자 상수 차이 로 인해 소스 영역 ( S ) 과 드레 인 영역 ( D ) 사이 에 는 스트레인 드 채널 이 형성 된다 . 에피 탁 셜 실리콘 저마늄 층 ( 29 ) 은 도 펀트 가 도핑 되 어 있 는데 , 도 펀트 는 붕소 ( Boron ) 를 포함 한다 . 이 로써 , 에피 탁 셜 실리콘 저마늄 층 ( 29 ) 은 pMOS 의 소스 영역 및 드레 인 영역 으로 사용 된다 . 도 펀트 의 도핑 농도 는 1 E 17 ∼ 1 E 21 atoms / cm 3 범위 이 며 , 에피 탁 셜 실리콘 저마늄 층 ( 29 ) 에서 저마늄 의 농도 는 10 %∼ 70 % 범위 이 다 . 에피 탁 셜 실리콘 저마늄 층 ( 29 ) 은 200 ∼ 1000 Å 두께 이 다 .