또 , 본 발명 에 의하 면 , 표면적 이 큰 다공질 금 속체 에 미리 Sn 또는 Sn 계 납 프리 땜납 을 용융 시키 면서 함침 시킴 으로써 , 다공질 금 속체 를 구성 하 는 금속 과 Sn 이 그 경계 부 에 밀착 성 이 높 아 져 , 도전 성 , 열전달 성 이 크 게 개선 된다 . 게다가 , 내부 접합 시 에 가열 온도 를 낮 게 해도 , 혹은 가열 시간 을 짧 게 해도 , 땜납 합금 중 Sn 과 피접 합부 금속 ( Ni , Cu 등 ) 과 의 충분 한 양 의 금속 간 화합물 을 생 성 · 확보 할 수 있 기 때문 에 , 접합부 의 용융점 이 올라 반도체 장치 의 실장 시 에 내부 접합부 의 용융 온도 의 고온 화 를 도모 할 수 있 다 .