본 특허 문헌 은 일반 적 으로 스핀 전달 토크 자기 랜덤 액세스 메모리 ( spin - transfer torque magnetic random access memory ) 에 관한 것 으로 , 보다 구체 적 으로 는 , 강자성 재료 들 및 비 자기 스 페이서 층 의 사용 을 통해 수평 이방성 ( in plane anisotropy ) 을 갖 는 세차 운동 스핀 전류 구조 의 사용 을 통해 자기 터널 접합 구조 에서 자유 층 의 성능 을 개선 한 자기 터널 접합 스택 에 관한 것 이 다 .