도 21 은 , 코발트 , 텅스텐 , 몰리브덴 , 또는 구리 등 을 포함 할 수 있 는 , 금속 물질 을 포함 하 는 , 금속 물질 ( 73 ) 의 형성 을 도시 한다 . 금속 물질 ( 73 ) 내 의 금속 원자 는 SiN 층 ( 72 ) 내의 Si - N 결합체 와 결합 되 어 , Si - N - 금속 공유 결합체 를 형성 한다 . Si - N - 금속 결합체 내 의 실리콘 원자 중 적어도 일부 는 , ILD ( 48 ) 및 CESL ( 46 ) 의 부분 일 수 있 으므로 , ILD ( 48 ) 및 CESL ( 46 ) 에 대한 금속 물질 ( 73 ) 의 결합 은 강력 하 다 . 금속 물질 ( 73 ) 이 성막 되 기 전 에 장벽층 ( 예컨대 , TiN ) 이 형성 되 지 않 는다 . 도 22 는 , 소스 / 드레 인 콘택트 플러그 ( 74 ) 를 형성 하 기 위한 평탄 화 공정 을 도시 한다 .