도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 20 ) 상 에 SOI 영역 을 노출 시키 는 하드 마스크 패턴 ( 22 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , SOI 영역 은 후속 공정 으로 SOI 구조 를 갖 게 되 는 부분 이 다 . 본 발명 에서 는 트랜지스터 등 의 소자 가 실제로 제조 되 는 부분 에 만 부분 적 으로 SOI 구조 를 형성 하 는 것 을 목적 으로 하 기 때문 에 , 바람직 하 게 는 SOI 영역 은 소자 분리 막 ( 21 ) 사이 의 반도체 기판 ( 20 ) 활성 영역 의 전부 또는 일부 가 된 다 .