특히 , 그래핀 은 증착 방법 을 통해 기판 상 에 배치 될 수 있 으며 , 증착 방법 은 바람직 하 게 는 CVD ( Chemical Vapor Deposition ) , 기계 적 박리 ( mechanical exfoliation ) , 화학 적 으로 유도 된 그래핀 , 및 탄화 실리콘 부터 의 성장 으로부터 선택 될 수 있 다 . 특히 , 그래핀 은 CVD , 더욱 바람직 하 게 는 LP - CVD ( Low Pressure Chemical Vapor Deposition ) , 특히 N . E . Weber 등 에 의해 앞서 개시 된 방법 으로 수득 될 수 있 다 . 따라서 , 그래핀 의 성장 은 금속 종 또는 촉매 의 도움 없이 튜브 로 ( tube furnace ) 내 에서 1 , 000 ℃ 내지 1 , 050 ℃ 의 온도 , 3 내지 5 mbar 의 챔버 압력 및 CO 2 : CH 4 3 : 30 sccm 의 가스 혼합물 로 수행 될 수 있 다 .