또한 , 도 12 내지 도 15 를 참조 하 여 설명 한 각 공정 의 전후 에 는 , 게다가 전극 이나 배선 , 반도체 층 , 절연 층 등 을 형성 하 는 공정 을 포함 하 고 있 어도 좋 다 . 예 를 들 면 , 배선 의 구조 로서 절연 층 및 도전 층 의 적층 구조 로 이루어지 는 다층 배선 구조 를 채용 하 고 , 고도 로 집적 화 한 반도체 장치 를 실현 하 는 것 도 가능 하 다 .