또한 , 상기 서 셉 터 ( 1 ) 의 구성 재료 로 는 , 기재 에 흑연 을 , 피막 에 탄화규소 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 기재 로서 흑연 의 사용 이 바람직 한 이유 는 , 개발 당초 의 기상 성장 장치 의 가열 방식 의 주류 가 고주파 유도 가열 이 었 던 것 과 관련 있 지만 , 그 밖 에 도 고순 도품 을 쉽 게 얻 을 수 있 는 점 , 가공 이 용이 한 점 , 열전도 성 이 우수 한 점 , 쉽 게 파손 되 지 않 는 점 등 의 이점 이 있 기 때문 이 다 . 단 , 흑연 은 다공질 체이 므로 , 프로세스 중 에 흡장 가스 를 방출 할 가능 성 이 있 으며 , 또한 , 기상 성장 과정 에서 , 흑연 과 원료 가스 가 반응 하 여 서 셉 터 표면 이 탄화규소 로 변하 는 등 의 문제 가 있 다 . 그러므로 , 표면 을 처음 부터 탄화규소 의 피막 으로 덮 는 구성 이 일반 화 되 어 있 다 . 이 탄화규소 의 피막 은 통상 CVD ( 화학 적 기상 성 장법 ) 에 의해 50 ~ 200 μ m 의 두께 로 형성 된다 .