그리고 , 상기 게이트 ( 140 ) 는 상기 게이트 용 홈 ( H ) 의 실리콘 에 피층 ( 130 ) 상 에 형성 되 고 게이트 절 연막 ( 132 ) 과 게이트 도 전막 ( 134 ) 및 하드 마스크 막 ( 136 ) 의 적층 막 구조 를 가지 며 , 상기 게이트 ( 140 ) 의 양측 벽 에 는 스 페이서 막 ( 150 ) 이 형성 된다 . 이때 , 상기 게이트 용 홈 ( H ) 은 상기 게이트 ( 140 ) 아래 의 채널 부분 이 상기 산화 막 ( 110 ) 위쪽 에 배치 되 도록 형성 됨 이 바람직 하 다 .