고 굴절 율 영역 ( 406 ) 은 , 전술 한 고 굴절 율 영역 ( 106 ) 과 마찬가지 의 재료 를 이용 할 수 있 다 . 저 굴절 율 영역 ( 407 ) 도 전술 한 저 굴절 율 영역 ( 107 ) 과 마찬가지 의 재료 를 이용 할 수 도 있 고 , Ta 2 O 3 , TiO 2 , Ti 2 O , Ti , Si , SiO 2 , SiN 등 의 유전체 를 이용 해서 형성 해도 된다 . 고 굴절 율 층 ( 408 ) , 및 저 굴절 율 층 ( 409 ) 은 , Ta 2 O 3 , TiO 2 , Ti 2 O , Ti , Si , SiO 2 , SiN 등 을 이용 해서 형성 된다 . 예 를 들 면 , 저 굴절 율 영역 ( 407 ) 은 , SiO 2 로 이루어지 고 , 고 굴절 율 층 ( 408 ) 은 , SiN 으로 이루어질 수 있 다 . 저 굴절 율 영역 ( 407 ) 이 전술 한 저 굴절 율 영역 ( 107 ) 과 마찬가지 의 재료 인 경우 에 는 , 동일 하 게 MOCVD 를 이용 해서 제막 할 수 있 다 . 저 굴절 율 영역 ( 407 ) 이 유전체 재료 인 경우 에 는 , 예 를 들 면 플 라즈 마 CVD 나 스퍼터 에 의해 행해질 수 있 다 . 고 굴절 율 층 ( 408 ) 및 저 굴절 율 층 ( 409 ) 의 성막 도 마찬가지 로 , 예 를 들 면 플 라즈 마 CVD 나 스퍼터 에 의해 행해질 수 있 다 .