도 4 a 내지 도 4 d 는 본 발명 에 따른 제 1 메모리 레벨 의 제조 동안 기판 ( 400 ) 의 부분 의 단면도 들 이 다 . 이하 기술 되 는 바 와 같이 , 제 1 메모리 레벨 은 기판 상 에 CNT 물질 을 선택 적 으로 제조 하 여 형성 된 가역 저항 전환 소자 를 각각 이 포함 하 는 복수 의 메모리 셀 들 을 포함 한다 . 추가 의 메모리 레벨 들 이 제 1 메모리 레벨 위 에 제조 될 수 도 있 다 ( 도 2 c 내지 도 2 d 를 참조 하 여 앞 에서 기술 된 바 와 같이 ) .