본 발명 에서 는 나노 구조 형상 기억 합금 을 조성 으로 특정 하 지 않 고 제조 방법 으로서 특정 하 였 다 . 이 는 본 발명 의 나노 구조 형상 기억 합금 은 , 다원 계 합금 의 원료 물질 이 용 해도 갭 내 의 액상 상태 에서 기 지상 과 석출 상 으로 2 상 분리 된 합금 의 석출 상 으로 구성 되 어 조성 을 특정 하 기 어렵 고 , 나노 구조 의 석출 상 을 열처리 하 는 과정 에서 나노 구조 를 유지 한 채 로 B 2 상 의 안정 화 가 진행 되 어 이방성 이 최소 화 되 는 물리 적 특성 을 얻 게 되 는 특징 이 발현 되 기 때문 이 다 . 결국 , 본 발명 의 나노 구조 형상 기억 합금 은 , 제조 방법 으로 설명 하 여야 조성 과 물리 적 특성 을 정확 하 게 설명 한 경우 에 해당 한다 .