게이트 전극 ( 주사선 ( 3 a ) ) 의 상층 에 는 실리콘 산화 막 , 실리콘 질화 막 , 또는 그 들 의 적층 막 으로 이루어지 는 층간 절 연막 ( 4 ) 이 형성 되 어 있 다 . 층간 절 연막 ( 4 ) 의 표면 에 는 데이터 선 ( 5 a ) 이 형성 되 고 , 이 데이터 선 ( 5 a ) 은 층간 절 연막 ( 4 ) 에 형성 된 콘택트 홀 ( 4 a ) 을 거쳐 가장 데이터 선 ( 5 a ) 쪽 에 위치 하 는 소스 영역 에 전기 적 으로 접속 되 어 있 다 . 또한 , 층간 절 연막 ( 4 ) 의 표면 에 는 드레 인 전극 ( 5 b ) 이 형성 되 어 있 고 , 드레 인 전극 ( 5 b ) 은 데이터 선 ( 5 a ) 과 동시 에 형성 된 도전 막 이 다 . 드레 인 전극 ( 5 b ) 은 층간 절 연막 ( 4 ) 에 형성 된 콘택트 홀 ( 4 b ) 을 거쳐 드레 인 영역 ( 1 d ) 에 전기 적 으로 접속 되 어 있 다 .