본 방법 은 또한 , 상기 일 국면 에서 관련 검증 레벨 에 도달 한 상기 고속 - 프로그래밍 비휘발성 저장 소자 들 중 적어도 일부 및 상기 저속 - 프로그래밍 비휘발성 저장 소자 들 중 적어도 일부 에 대해 관련 비트 라인 전압 을 상기 제 1 비트 라인 레벨 보다 큰 락 아웃 레벨 까지 상승 시키 는 단계 를 포함 한다 . 본 방법 은 또한 , 후속 적 으로 다음 국면 ( FINE ) 을 수행 하 는 단계 를 포함 하 고 , 여기 서 다음 국면 ( FINE ) 을 수행 하 는 단계 는 , 각각 의 프로그램 펄스 이전 에 상기 래치 들 의 제 1 세트 를 판독 하 여 상기 고속 - 프로그래밍 비휘발성 저장 소자 들 과 상기 저속 - 프로그래밍 비휘발성 저장 소자 들 을 계속 프로그래밍 하 는 단계 , 그리고 판독 된 정보 에 근거 하 여 , 관련 비트 라인 전압 들 을 상기 제 1 비트 라인 레벨 보다 작 은 영 이 아닌 레벨 로 설정 하 는 단계 , 및 상기 선택 게이트 들 의 상기 공통 제어 게이트 전압 을 상기 제 1 제어 게이트 레벨 보다 작 은 제 2 제어 게이트 레벨 ( 예컨대 , 1 . 7 ) 에 설정 하 는 단계 를 포함 한다 .