ITO 투명 도전 막 을 90 ㎚ 퇴적 시킨 유리 기판 ( 지 오마 테크 ( 주 ) 제 , 11 Ω / □, 스퍼터 품 ) 을 38 × 46 ㎜ 로 절단 하 고 , " 에칭 을 행하 였 다 . 얻 어 진 기판 을 "" 세미 코 클린 56 ""( 상품명 ", 후 르 우찌 가 가꾸 ( 주 ) 제 ) 으로 15 분 간 초음파 세정 하 고 나 서 , 초 순수 로 세정 하 였 다 . 이 기판 을 , 소자 를 제작 하 기 직전 에 1 시간 UV - 오존 처리 하 고 , 진공 증착 장치 내 에 설치 하 고 , 장치 내 의 진공도 가 5 × 10 - 4 Pa 이하 로 될 때 까지 배기 하 였 다 . 저항 가열 법 에 의해 , 정공 주입 층 으로서 HAT - CN 6 을 10 ㎚ 증착 하 였 다 . 이어서 , 제 1 정공 수송 층 으로서 , HT - 1 을 110 ㎚ 증착 하 였 다 . 이어서 , 제 2 정공 수송 층 으로서 , 화합물 HT - 2 를 20 ㎚ 증착 하 였 다 . 이어서 , 발광 층 으로서 , 호스트 재료 에 화합물 H - 4 를 , 도 펀트 재료 에 화합물 D - 2 를 사용 하 고 , 도 펀트 재료 의 도프 농도 가 10 중량 ％ 가 되 도록 하 여 40 ㎚ 의 두께 로 증착 하 였 다 . 이어서 , 제 1 전자 수송 층 으로서 , 화합물 [ 1 ] 을 25 ㎚ 의 두께 로 증착 하 였 다 . 또한 , 제 2 전자 수송 층 으로서 , 전자 수송 재료 에 화합물 E - 14 를 , 도너 성 재료 로서 화합물 2 E - 1 을 사용 하 고 , E - 14 와 2 E - 1 의 증착 속도 비 가 E - 14 : 2 E - 1 = 1 : 1 이 되 도록 하 여 20 ㎚ 의 두께 로 적층 하 였 다 .