복수 의 후면 전계 부 ( 172 ) 는 제 1 실시 예 와 다르 게 후면 보호 부 ( 192 ) 상 에 배치 되 며 , 기판 ( 110 ) 과 동일 한 도전 성 타입 의 불순물 이 기판 ( 110 ) 보다 고농도 로 도핑 된 영역 으로 , 비정질 실리콘 ( a - Si ) 과 같 은 비결정질 반도체 층 으로 증착 에 의해 형성 될 수 있 으나 , 그 기능 은 제 1 실시 예의 복수 의 후면 전계 부 ( 172 ) 와 동일 하 다 .