다음 도 1 및 도 8 을 참조 하 면 , 박막 트랜지스터 ( TFT ) 가 형성 된 베이스 기판 ( 110 ) 상 에 보호막 ( 170 ) 을 형성 한다 . 보호막 ( 170 ) 은 박막 트랜지스터 ( TFT ) 및 데이터 라인 ( 155 ) 을 보호 하 고 절연 시키 기 위한 절 연막 으로서 , 예 를 들 어 , 질화 실리콘 ( SiNx ) 또는 산화 실리콘 ( SiOx ) 으로 형성 되 며 , CVD 공정 을 통해 약 500 Å ~ 2000 Å 의 두께 로 형성 된다 .