바람직 한 실시 예 에서 , 기판 또는 하부 층 상 에 절연 층 을 증착 시키 기 위해 적어도 하나 의 증착 방법 이 사용 될 수 있 다 . 이 목적 을 위해 , 증착 방법 은 , 특히 , ALD ( Atomic Layer Deposition ) , CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 또는 이 들 의 조합 으로부터 선택 될 수 있 다 . 결과 적 으로 , 절연 층 은 , 특히 , 바람직 한 실시 예 에서 , 원자 증착 층 또는 화학 적 기상 증착 층 이 거나 이 들 을 포함 할 수 있 으며 , 여기 서 는 , 원자 증착 층 이 특히 바람직 할 수 있 다 . 즉 , 커버 층 은 , 특히 , 바람직 한 실시 예 에서 , ALD 프로세스 나 CVD 프로세스 에 의해 얻 어 질 수 있 고 , ALD 프로세스 가 특히 바람직 하 다 . 본 명세서 에서 , " "" 원자 층 증착 """," "" 원자 층 에피택시 "" 또는 "" 분자 층 증착 "" 및 이 들 각각 의 약어 인 "" ALD """," "" ALE "" 또는 "" MLD "" 와 같 은 등 가 용어 는 일반 적 으로 자체 제한 프로세스 단계 ( self - limiting process step ) 및 후속 자체 제한 재 동작 단계 ( subsequent self - limiting re - action step ) 를 포함 할 수 있 는 증착 프로세스 를 지칭 하 는 데 사용 된다 . 따라서 "," 본 발명 에 따라 적용 되 는 프로세스 는 또한 "" ALD 프로세스 "" 로 지칭 될 수 있 다 . ALD 공정 에 대한 더 상세 한 설명 은 George ", Chem . ( 2010 년 p . 111 - 131 , 개정판 110 ) 에 의해 참조 될 수 있 다 . 또한 , " 일반 적 으로 "" CVD "" 로 약기 되 는 "" 화학 적 기상 증착 "" 이 라는 용어 는 기판 또는 기판 상 에 위치 한 층 의 표면 이 적어도 하나 의 기화 성 전구체 에 노출 될 수 있 는 방법 을 지칭 하 며 ", 여기 서 , 전 구체 는 목적 하 는 증착 을 생성 하 기 위해 표면 상 에서 반응 및 / 또는 분해 될 수 있 다 . 종종 , 발생 가능 한 부산물 은 표면 위 로 가스 흐름 을 적용 함 으로써 제거 될 수 있 다 .