예 를 들 어 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 위 에 산화물 도전 막 을 형성 하 고 , 그 위 에 도전 층 을 형성 하 고 , 산화물 도전 막 및 도전 층 을 같 은 포토 리소그래피 공정 에 의해 가공 하 여 , 소스 영역 및 드레 인 영역 으로 되 는 산화물 도전 층 , 소스 전극 ( 142 a ) , 드레 인 전극 ( 142 b ) 을 형성 할 수 있 다 .