한편 , 하부 절연 층 ( 33 ) 은 제 1 굴절 률 을 갖 는 제 1 재료 층 ( 33 c 1 ) 과 제 2 굴절 률 을 갖 는 제 2 재료 층 ( 33 c 2 ) 이 교대 로 적층 된 적층 구조 를 가질 수 있 다 . 특히 , 하부 절연 층 ( 33 ) 은 이러 한 적층 구조 를 통해 특정 파장 대역 에서 반사 율 이 높 은 분포 브래그 반사기 일 수 있 다 . 예컨대 , 활성 층 ( 25 ) 에서 생성 된 청색광 을 반사 시키 기 위해 , 하부 절연 층 ( 33 ) 은 400 ~ 500 nm 의 파장 대역 에서 반사 율 이 높 은 분포 브래그 반사기 일 수 있 다 . 나아가 , 활성 층 ( 25 ) 에서 생성 된 광 뿐 만 아니 라 , 형광체 와 같 은 파장 변환 층 에 의해 파장 변환 된 광 을 포함 하 는 가시 광 을 반사 시키 기 위해 , 하부 절연 층 ( 33 ) 은 약 400 ~ 700 nm 의 전 파장 대역 에서 반사 율 이 높 은 분포 브래그 반사기 일 수 있 다 . 하부 절연 층 ( 33 ) 의 전체 층수 는 특별히 한정 되 는 것 은 아니 지만 , 충분 한 반사 율 을 달성 하 기 위해 예컨대 15 층 이상 일 수 있 다 . 여기 서 , 상기 제 1 재료 층 ( 33 c 1 ) 은 SiO 2 층 또는 MgF 2 일 수 있 으며 , 제 2 재료 층 ( 33 c 2 ) 은 상기 제 1 재료 층 ( 33 c 1 ) 보다 높 은 굴절 률 을 가지 는 물질 층 일 수 있 다 . 제 2 재료 층 ( 33 c 2 ) 은 예 를 들 어 , TiO 2 , Nb 2 O 5 또는 ZrO 2 일 수 있 다 . 특히 , 제 2 재료 층 ( 33 c 2 ) 은 ZrO 2 층 일 수 있 으며 , ZrO 2 층 은 TiO 2 층 에 비해 내습 성 이 강해 발광 다이오드 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 . 또한 , SiO 2 층 이 일반 적 으로 접착 특성 이 양호 하 기 때문 에 제 1 재료 층 ( 33 c 1 ) 으로 SiO 2 층 이 적합 하 게 사용 될 수 있 으며 , 하부 절연 층 ( 33 ) 의 첫 번 째 층 및 마지막 층 은 제 1 재료 층 ( 33 c 1 ) 으로 하 는 것 이 신뢰 성면 에서 바람직 하 다 . 그러나 본 발명 이 반드시 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .