시스템 은 프로세스 챔버 , 도파 로 공동 을 한정 하 는 하우징 , 및 하우징 내 의 제 1 전도성 플레이트 를 포함 한다 . 제 1 전도성 플레이트 는 프로세스 챔버 와 대면 한다 . 시스템 은 또한 , 제 1 전도성 플레이트 의 적어도 위치 를 조정 할 수 있 는 하나 이상 의 조정 디바이스 , 및 도파 로 공동 과 프로세스 챔버 사이 에 하우징 과 결합 된 제 2 전도성 플레이트 를 포함 한다 . 전 자기 방사선 은 제 2 전도성 플레이트 의 애 퍼 쳐 들 을 통해 도파 로 공동 으로부터 프로세스 챔버 내 로 전파 될 수 있 다 . 시스템 은 또한 , 프로세스 챔버 를 도파 로 공동 으로부터 밀봉 하 는 유전체 플레이트 , 및 전자기 방사선 을 도파 로 공동 내 로 송신 하 는 하나 이상 의 전자 장치 세트 를 포함 한다 . 적어도 하나 의 프로세스 가스 가 챔버 내 에 있 고 전자기 방사선 이 도파 로 공동 으로부터 프로세스 챔버 내 로 전파 될 때 플 라즈 마가 형성 된다 .