웨이퍼 가 프로세싱 챔버 로 로딩 ( 단계 100 ) 될 때 웨이퍼 표면 상 에 잔류물 또는 표면 손상 이 있 는 경우 에 , 제 1 에칭 단계 ( 120 ) 이전 에 , 단계 110 , 즉 웨이퍼 에칭 - 전 처리 단계 가 수행 될 수 도 있 다 . 일반 적 으로 , 웨이퍼 의 표면 상 의 잔류물 의 존재 는 , 잔류물 이 전체 에칭 성능 에 대한 상당 한 부정 적 인 영향 을 가질 수 있 기 때문 에 , 매우 바람직 하 지 않 다 . 예컨대 , 웨이퍼 의 표면 상 의 잔류 재료 들 의 존재 는 , 잔류 재료 들 이 아래 놓인 층 보다 더 느리 게 에칭 될 수 도 있 기 때문 에 , " 아래 놓인 막 의 불 균일 한 에칭 또는 "" 필라 ( pillar ) 들 "" 또는 "" 그래스 ( grass ) "" 와 같 은 분리 된 결함 들 의 형성 을 결과 로 발생 시킬 수 도 있 다 . 그러 한 결함 들 이 형성 되 면 ", 그 결함 들 은 모든 후속 하 는 에칭 단계 를 통해 전파 할 수 도 있 고 , 모든 후속 하 는 에칭 단계 와 간섭 할 수 도 있 다 . 예컨대 , 제 1 도전 층 에칭 단계 ( 예컨대 , 단계 120 ) 에서 분리 된 결함 들 이 형성 되 는 경우 에 , 그 분리 된 결함 들 은 후속 하 는 유전체 에칭 단계 ( 예컨대 , 단계 130 ) 의 성능 을 저하 시킬 수 도 있 고 , 후속 하 는 실리콘 기판 에칭 단계 ( 예컨대 , 단계 140 ) 로 전파 할 수 도 있 다 .