본 발명 의 선호 되 는 추가 적 인 개발 에 따르 면 , 제 3 컨 택 들 을 구성 하 기 전 에 , 제 3 기판 내 에 매립 장벽 레이어 ( buried barrier layer ) 가 구성 되 고 , 제 3 컨 택 들 은 이 들 이 매립 장벽 레이어 와 컨 택하 도록 구성 된다 . 매립 장벽 레이어 는 인터 포저 기판 의 일부 를 형성 한다 . 제 3 컨 택 들 을 노출 시킬 때 , 매립 장벽 레이어 는 처음 에 선택 적 인 방법 에 의해 제 3 컨 택 들 로부터 떨어져 면하 는 자신 의 측면 상 에 있 는 기판 의 일부 를 제거 하 고 그 다음 에 추가 적 인 선택 적 인 방법 에 의해 장벽 레이어 자체 를 제거 할 수 있 도록 한다 . 기판 이 반도체 기판 인 경우 , 장벽 레이어 는 산화물 레이어 로서 구성 될 수 있 다 . 기판 이 절연 된 기판 인 경우 , 장벽 레이어 는 반도체 또는 폴리머 일 수 있 다 .