챔버 ( 6 ) 의 하방 에 설치 된 할로겐 가 열부 ( 4 ) 는 , 하우징 ( 41 ) 의 내측 에 복수 개 ( 본 실시 형태 에서 는 40 개 ) 의 할로겐 램프 ( HL ) 를 내장 하 고 있 다 . 할로겐 가 열부 ( 4 ) 는 , 복수 의 할로겐 램프 ( HL ) 에 의해 챔버 ( 6 ) 의 하방 으로부터 하측 챔버 창 ( 64 ) 을 통해 열처리 공간 ( 65 ) 으로 의 광 조사 를 행하 여 반도체 웨이퍼 ( W ) 를 가열 한다 .