또한 , 다른 실시 예 에 따르 면 , 상기 연속 광 소결 박막 트랜지스터 제조 방법 은 , 상기 연속 광 소결 박막 트랜지스터 제조 방법 은 , 기판 상 에 산화물 반도체 소스 용액 을 제공 하 여 , 예비 산화물 반도체 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 예비 산화물 반도체 층 에 제 1 광 소결 에너지 를 조사 하 여 산화물 반도체 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 산화물 반도체 층 상 에 전극 잉크 를 제공 하 여 , 예비 전극 을 형성 하 는 단계 , 및 상기 예비 전극 에 제 2 광 소결 에너지 를 조사 하 여 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 되 , 상기 제 1 광 소결 에너지 는 70 J / cm 2 이상 및 160 J / cm 2 미만 이 고 , 상기 제 2 광 소결 에너지 는 100 J / cm 2 이상 및 130 J / cm 2 이하 일 수 있 다 .