또한 , 전술 한 제 1 처리 예 ∼ 제 4 처리 예 에서 는 , 약액 노즐 ( 10 ) 및 중심축 노즐 ( 14 ) 로부터 처리 액 을 토출 시키 면서 기판 ( W ) 을 처리 하 는 경우 에 대하 여 설명 하 였 다 . 그러나 , 기판 ( W ) 위 에 처리 액 의 액 막 을 보유 시킴 으로써 기판 ( W ) 을 처리 하 여도 좋 다 . 구체 적 으로 는 , 스핀 척 ( 2 ) 에 의해 10 ∼ 30 rpm 정도 의 저회 전 속도 로 기판 ( W ) 을 회전 시키 면서 , 또는 기판 ( W ) 의 회전 을 정지 시키 면서 , 약액 노즐 ( 10 ) 또는 중심축 노즐 ( 14 ) 로부터 처리 액 을 토출 시킨다 . 그리고 , 기판 ( W ) 의 상면 을 덮 는 처리 액 의 액막이 형성 된 후 에 처리 액 의 토출 을 정지 시킨다 . 그 후 , 처리 액 의 토출 을 정지 시킨 상태 에서 , 기판 ( W ) 을 전술 한 저회 전 속도 로 회전 시키 면서 , 또는 기판 ( W ) 의 회전 을 정지 시키 면서 , 처리 액 의 액 막 에 의해 기판 ( W ) 을 처리 한다 .