게이트 전극 ( GE ) 이 평면 도 상 에서 폭 방향 으로 제 1 내지 제 2 스위칭 소자 들 ( TR 1 , TR 2 ) 의 드레 인 전극 을 충분 한 마진 ( 예 를 들 어 , 제 1 방향 ( d 1 ) ) 으로 완전히 커버 할 수 있 다 . 따라서 게이트 전극 ( GE ) 과 데이터 도전 층 ( 170 ) 간 의 얼라인 이 좌우 방향 으로 변화 하 거나 오 차 가 발생 하 더라도 , 제 1 내지 제 2 스위칭 소자 들 ( TR 1 , TR 2 ) 의 게이트 커패시턴스 ( Cgs ) 는 변화 하 지 않 을 수 있 다 .