본 발명 의 조성물 은 바람직 하 게 는 불연성 이 며 , 본 명세서 에서 불연 성 은 ASTM D 3278 - 89 에 따라 시험 할 때 약 60 ℃ ( 140 ℉) 보다 큰 인화점 을 갖 는 것 으로 정의 된다 . 조성물 이 전자 소자 의 세정 및 처리 에 이용 될 수 있 으므로 , 조성물 의 모든 성분 이 매우 순수 하 고 저 농도 의 미립자 , 금속 및 비휘발성 잔류물 을 갖 는 것 이 바람직 하 다 . 특히 , 본 발명 의 세정 조성물 , 예 를 들 어 본 발명 의 공정 에 이용 되 는 조성물 은 ml 당 3 개 미만 의 입자 ( 5 . 0 마이크로미터 초과 의 직경 ) , 5000 ppt ( parts per trillion ) 미만 의 금속 , 및 250 ppt 미만 의 비휘발성 잔류물 을 가져야 한다 .