이상 의 과정 에 의해 , 섬 형상 의 산화물 반도체 막 ( 716 ) 중 의 수소 의 농도 를 저감 할 수 있 다 . 또한 , 유리 전이 온도 이하 의 가열 처리 에 의해 , 수소 에 기인 하 는 캐리어 밀도 가 적 고 , 밴드 갭 이 넓 은 산화물 반도체 막 을 형성 할 수 있 다 . 이 때문 에 , 대면 적 기판 을 이용 해서 트랜지스터 를 제조 할 수 있 고 , 양산 성 을 높일 수 있 다 . 상기 가열 처리 는 , 산화물 반도체 막 의 성막 이후 이 면 , 언제 라도 행할 수 있 다 .