도 9 g 를 참조 하 면 , 반도체 패턴 ( SCP ) 의 일 영역 과 중첩 되 도록 제 1 절 연막 ( 130 ) 상 에 게이트 전극 ( 140 ) 을 형성 한다 . 예 를 들 어 , 반도체 패턴 ( SCP ) 의 서로 다른 일 영역 과 중첩 되 도록 제 1 절 연막 ( 130 ) 상 에 제 1 게이트 전극 ( 140 a 1 ) 및 제 2 게이트 전극 ( 140 a 2 ) ( 일 예 로 , 상기 제 1 및 제 2 게이트 전극 들 ( 140 a 1 , 140 a 2 ) 의 하부 전극 들 ( 140 a 1 _ 1 , 140 a 2 _ 1 ) ) 을 형성 할 수 있 다 .