먼저 , 게이트 라인 ( 110 ) 및 데이터 라인 ( 120 ) 에 의해 영역 이 구분 되 는 복수 개 의 화소 들 ( P 1 , P 2 , … ) 로 이루어지 고 , 스위칭 소자 로 동작 하 는 박막 트랜지스터 를 포함 하 며 , 각 화소 별로 라인 리페 어 패턴 ( 210 ) 이 형성 되 고 , 인접 하 는 두 화소 간 에 링크 리페 어 패턴 ( 220 ) 이 형성 된 어레이 기판 을 제조 한다 . 그리고 , 어레이 기판 의 각 화소 에 테스트 신호 를 인가 하 여 불량 화소 인 P 1 의 라인 결함 을 인지 한다 . 여기 서 , P 1 의 라인 결함 은 게이트 라인 ( 110 ) 이 형성 된 단차 부 영역 에서 검출 되 는 경우 에 해당 한다 .