여기 서 , 하부 전극 ( 17 ) 은 ALD 증착 방식 으로 금속 계 , 즉 루테늄 막 ( Ru ) , 백금 막 ( Pt ) , 티타늄 질화 막 ( TiN ) 및 이리듐 막 ( Ir ) 중 어느 하나 또는 이 들 의 적층 막 으로 형성 할 수 있 다 . 설명 의 편의 를 위해 하부 전극 ( 17 ) 은 루테늄 막 으로 형성 된 것 으로 가정 한다 . 그리고 , 희생 막 패턴 ( 15 ) 은 절 연막 으로써 , 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 를 예 로 들 어 설명 하 기 로 한다 .