상부 CD ( 반사 방지 막 ( Barc ) ( 106 ) 과 질화규소 막 ( 105 ) 의 계면 의 CD : Critical Dimension ) 는 웨이퍼 W 의 센 터부 및 에 지부 [ 도 9 ( c ) 참조 ] 중 의 어느 것 에 있 어서 도 270 ㎚ 이 며 , 웨이퍼 W 의 면내 에 있 어서 균일 한 에칭 이 가능 하 였 다 . 또한 , 레지스 트 ( PR ) ( 107 ) 의 잔존 막 두께 로부터 , 레지스 트 마스크 와 의 선택 비 를 충분히 확보 할 수 있 었 던 것 이 확인 되 었 다 . 또 , 표 중 의 레지스 트 잔존 막 두께 에 있 어서 의 「 플랫 」 은 레지스 트 ( PR ) ( 107 ) 의 평탄면 의 막 두께 ( 레지스 트 의 전체 두께 ) 인 것 을 의미 하 며 , 「 파 셋 ( facet ) 」 은 레지스 트 ( PR ) ( 107 ) 의 모서리 부 에 이온 스퍼터 등 의 작용 에 의해서 깎 임 [ 이른바 숄더 컷 ( shoulder cut ) ] 이 발생 한 경우 에 , 레지스 트 ( PR ) 막 ( 107 ) 의 전체 두께 에서 숄더 컷 부분 의 두께 를 뺀 막 두께 인 것 을 의미 한다 .