도 13 , 도 18 , 도 22 ( b ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 본 실시 예의 반도체 장치 ( 1000 ) 는 메모리 셀 트랜지스터 ( Tr 1 ) 의 게이트 의 구조 가 상이 한 것 이외 에 는 , 실시 예 1 의 구성 과 동일 하 다 . 이하 , 실시 예 1 의 구성 과 상이 한 부분 에 대해 설명 하 고 , 동일 한 구성 에 대해서 는 설명 을 생략 한다 . 또한 , 실시 예 1 과 동일 한 구성 에 대해서 는 동일 한 부호 를 붙이 고 있 다 .