레지스 트 패턴 형성 시 에 사용 하 는 리소그래피 용 광원 으로서 , 집적도 가 낮 은 부분 에서 는 수은 등 의 g 선 ( 436 nm ) 혹은 i 선 ( 365 nm ) 을 광원 으로 하 는 광 노광 이 널리 이용 되 고 있 다 . 한편 , 집적도 가 높 고 미세화 가 필요 한 부분 에서 는 보다 단파장 의 KrF 엑 시머 레이저 ( 248 nm ) 나 ArF 엑 시머 레이저 ( 193 nm ) 를 이용 한 리소그래피 도 실용 화 되 고 있 고 , 더욱 미세화 가 필요 한 최첨단 세대 에서 는 극단 자외선 ( EUV , 13 . 5 nm ) 에 의한 리소그래피 도 실용화 가 가까워 지 고 있 다 .