상기 두 단계 들 은 함께 하나 의 ALD 주기 를 나타내 며 , 이것 은 원 하 는 두께 의 실리콘 산화물 박막 을 형성 하 기 위하 여 반복 된다 . 일반 적 으로 상기 ALD 사이클 은 실리콘 단계 로 시작 하 는 것 으로 여기 서 언급 되 지만 , 다른 구 현예 들 에서 상기 사이클 은 산화 단계 로 시작 할 수 있 는 것 으로 생각 된다 . 당 기술 분야 에서 통상 의 지식 을 가진 자 는 상기 제 1 반응물 의 상 ( phase ) 이 , 앞선 사이클 에서 제 2 단계 에 의하 여 남겨진 종결 부분 과 일반 적 으로 반응 함 을 알 것 이 다 . 따라서 , 만일 상기 산화 단계 가 제 1 ALD 사이클 에서 제 1 단계 라면 , 그 에 선행 하 여 기판 표면 위 에 흡착 되 거나 또는 반응 공간 내 에 존재 하 는 반응물 이 없 을 수 있 지만 , 후속 되 는 사이클 들 에서 상기 산화 단계 는 실리콘 단계 를 효과 적 으로 뒤따를 것 이 다 .