도 13 을 참조 하 면 , 복수 의 랜딩 패드 ( 190 ) 상 에 복수 의 하부 전극 ( 210 ) , 커패시터 유전 막 ( 220 ) , 및 상부 전극 ( 230 ) 을 순차 적 으로 형성 하 여 복수 의 커패시터 구 조체 ( 200 ) 를 형성 할 수 있 다 . 복수 의 하부 전극 ( 210 ) 각각 은 , 복수 의 랜드 패드 ( 190 ) 각각 에 대응 하 여 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 커패시터 유전 막 ( 220 ) 은 복수 의 하부 전극 ( 210 ) 상 의 컨 포 멀 ( conformal ) 하 게 덮 을 수 있 다 . 상부 전극 ( 230 ) 은 커패시터 유전 막 ( 220 ) 을 덮 을 수 있 다 . 상부 전극 ( 230 ) 은 커패시터 유전 막 ( 220 ) 을 사이 에 두 고 하부 전극 ( 210 ) 과 대향 할 수 있 다 . 커패시터 유전 막 ( 220 ) 및 상부 전극 ( 230 ) 각각 은 일정 한 영역 , 예 를 들 면 하나 의 셀 블록 내 에서 , 복수 의 하부 전극 ( 210 ) 상 을 함께 덮 도록 일체 로 형성 될 수 있 다 . 복수 의 하부 전극 ( 210 ) 은 도 1 에 예시 한 복수 의 스토리지 노드 ( SN ) 를 구성 할 수 있 다 .