도 8 c 를 참조 하 면 IR 층 ( 808 ) 은 EML ( 807 ) 밑 에 배치 될 수 있 다 . 이 경우 IR 측 에서 발산 하 는 적외선 및 양극 ( 801 ) 에서 반사 된 적외선 은 EML ( 807 ) 을 통과 하 여 발광 다이오드 ( 800 ) 외부 로 발산 할 수 있 다 . 도 8 d 를 참조 하 면 IR 층 ( 808 ) 은 EML ( 807 ) 과 동일 한 층 에 배치 될 수 있 다 . 이 경우 EML ( 807 ) 에서 발산 하 는 빛 과 IR 층 ( 808 ) 에서 발산 하 는 적외선 은 모두 음극 ( 805 ) 을 통해 발광 다이오드 ( 800 ) 외부 로 발산 할 수 있 다 .