특허 문헌 1 P 1 은 전류 주입 형 OSLD 의 구현 에 대해 설명 하 고 있 다 . 해당 문헌 에 따르 면 , ITO 필름 에 500 nm 피치 의 격자 ( 공진기 ) 를 형성 하 고 , 이어서 N , N ’- 디페닐 - N , N ’- 비스 ( 3 - 메틸 페닐 ) - 1 , 1 ’- 비페닐 - 4 , 4 ’- 디아민 ( TPD ) 의 정공 수송 층 을 250 nm 두께 로 ITO 막 에 증착 하 며 , 아울러 방향 족 폴리카보네이트 의 디 클로로메탄 용액 을 스핀 코팅 하 여 100 nm 두께 의 발광 층 을 형성 하 고 , 2 -( 4 - tert - 부틸 페닐 ) - 5 -( 4 - 비페닐 릴 ) - 1 , 3 , 4 - 옥사 디아졸 의 전자 수송 층 을 250 nm 두께 로 증착 하 여 형성 한 후 , 마지막 으로 두께 200 nm 의 MgAg 합금 층 을 형성 함 으로써 디바이스 를 제조 한다 . 본 문헌 은 해당 디바이스 에 30 V 의 전압 을 인가 하 여 레이저 발광 을 얻 는다고 기재 하 고 있 다 . 그러나 실제로 는 , 폴리카보네이트 의 디 클로로메탄 용액 을 스핀 코팅 으로 TPD 층 에 도포 하 면 TPD 층 이 용해 하 므로 , 필연 적 으로 소자 를 구현 하 지 못하 였 다 . 아울러 해당 디바이스 는 두께 가 각각 250 nm 인 유기 정공 수송 층 과 유기 전자 수송 층 을 포함 하 고 , 100 nm 두께 의 유기 발광 층 을 추가 로 형성 하 였 기 때문 에 , 유기 층 의 총 두께 는 상당히 두꺼워진다 . 한편 , 유기 층 의 총 두께 가 매우 두꺼우 므로 , 30 V 의 전류 를 디바이스 에 인가 하 여 레이저 발진 ( laser oscillation ) 을 일으키 는 것 도 불 가능 하 다 .