스퍼터링 공정 에 의하 여 기판 ( 300 ) 상 에 형성 된 나노 물질 층 ( 310 ) 은 결정 화 되 지 않 은 상태 이 다 . 결정 화 된 나노 물질 층 ( 310 ) 을 얻 기 위하 여 후 열처리 에 의한 결정 화 공정 이 수행 된다 . 결정 화 공정 에서 나노 물질 층 ( 310 ) 의 산화 를 방지 하 기 위하 여 , 도 8 b 에 도시 된 바 와 같이 결정 화 공정 전 에 나노 물질 층 ( 310 ) 상 에 산화 방지 층 ( 320 ) 을 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 산화 방지 층 ( 320 ) 을 형성 하 지 않 고 , 120 nm 두께 의 GaP 층 을 550 ℃ 에서 후 열처리 한 경우 , GaP 층 전체 에 산화 막 이 형성 되 는 것 이 확인 된다 . 산화 방지 층 ( 320 ) 은 예 를 들 어 SiO 2 , Si 3 N 4 , TiO 2 , ITO 등 으로 형성 할 수 있 다 . 산화 방지 층 ( 320 ) 이 너무 얇 으면 산화 방지 기능 이 구현 되 지 않 는다 . 산화 방지 층 ( 320 ) 이 너무 두꺼우 면 공정 중 에 산화 방지 층 ( 320 ) 에 축적 되 는 스트레스 로 인하 여 기판 ( 300 ) , 나노 물질 층 ( 310 ) , 및 산화 방지 층 ( 320 ) 을 포함 하 는 공정 웨이퍼 가 손상 될 가능 성 이 있 다 . 따라서 , 산화 방지 층 ( 320 ) 의 두께 는 예 를 들 어 50 nm ~ 1 ㎛ 정도 일 수 있 다 . 산화 방지 층 ( 320 ) 을 형성 하 는 공정 은 특별히 제한 되 지 않 으며 , 예 를 들 어 SiO 2 층 은 플 라즈 마 화학 기상 증착 법 ( PECVD : Plasma - enhanced chemical vapor deposition ) 에 의하 여 형성 될 수 있 다 .