도 1 을 참조 하 면 , 종래 의 기술 에 따른 오버 드라이빙 신호 생 성부 를 포함 한 반도체 메모리 소자 는 , 비트 라인 에 실린 데이터 를 감지 증폭 하 기 위한 비트 라인 감지 증 폭부 ( 130 ) 와 , 감지 증폭 인 에이블 신호 ( SAENV ) 에 응답 하 여 오버 드라이빙 신호 ( SAOVDP ) 를 생성 하 기 위한 오버 드라이빙 신호 생 성부 ( 100 ) 와 , 오버 드라이빙 신 호 ( SAOVDP ) 의 활성 화 구간 에 대응 하 는 오버 드라이빙 구간 에서 비트 라인 감지 증 폭부 ( 130 ) 의 전원 라인 ( RTO , SB ) 을 오버 드라이빙 하 는 오버 드라이 빙부 ( 110 ) 와 , 감지 증폭 인 에이블 신호 ( SAENV ) 의 활성 화 구간 에서 오버 드라이빙 구간 이후 에 비트 라인 감지 증 폭부 ( 130 ) 의 전원 라인 ( RTO , SB ) 을 코어 전압 ( VCODRE ) 으로 드라이빙 하 는 노 말 드라이 빙부 ( 140 ) 로 구비 하 며 , 코어 전압 인 에이블 신호 ( VCOREN ) 에 응답 하 여 코어 전압 ( VCORE ) 을 생성 하 여 코어 전압 단 에 공급 하 는 코어 전압 생 성부 ( 140 ) 를 더 구비 한다 .