이어서 , 가압 용 장비 ( 도시 생략 ) 의 지지 판 ( 110 ) 상 에 마스터 ( 102 ) 를 올려 놓 고 그 패턴 면 에 형성 된 테 프론 필름 ( 104 ) 상 에 소 정량 의 테 프론 용액 ( 108 ) 을 떨어뜨리 거나 혹은 분사 하 며 , 이후 테 프론 시트 ( 106 ) 를 테 프론 필름 ( 104 ) 상 에 정렬 시켜 올려놓 은 후 , 일 예 로서 도 1 b 에 도시 된 바 와 같이 , 기 설정 된 온도 조건 ( 예컨대 , 50 내지 150 ℃) 에서 가압 판 ( 112 ) 을 테 프론 시트 ( 106 ) 에 접촉 시켜 소정 의 압력 ( 예컨대 , 1 내지 5 bar ) 으로 가압 한다 . 여기 에서 , 소 정량 의 테 프론 용액 ( 108 ) 을 테 프론 필름 ( 104 ) 상 에 떨어뜨리 거나 분사 하 는 것 은 테 프론 용액 ( 108 ) 이 테 프론 필름 ( 104 ) 의 상부 전면 을 얇 게 서서히 녹여 줌 으로써 가압 공정 에서 테 프론 필름 ( 104 ) 과 테 프론 시트 ( 106 ) 의 접착력 이 증대 되 도록 하 기 위해서 이 다 . 즉 , 이러 한 고온 의 가압 공정 을 통해 테 프론 필름 ( 104 ) 과 테 프론 시트 ( 106 ) 가 완전히 접착 됨 으로써 , 테 프론 몰드 의 구조 체가 완성 된다 .