또한 상술 한 발광 장치 는 , FET 가 형성 된 기판 ( 1001 ) 측 으로 광 을 추출 하 는 구조 ( 보텀 이 미션 형 ) 의 발광 장치 로 하 였 지만 , 밀봉 기판 ( 1031 ) 측 으로 광 을 추출 하 는 구조 ( 톱 이 미션 형 ) 의 발광 장치 로 하 여도 좋 다 . 톱 이 미션 형 발광 장치 의 단면도 를 도 4 에 나타내 었 다 . 이 경우 기판 ( 1001 ) 에 는 , 광 을 투과 시키 지 않 는 기판 을 사용 할 수 있 다 . FET 와 발광 디바이스 의 양극 을 접속 시키 는 접속 전극 을 제작 할 때 까지 는 보텀 이 미션 형 발광 장치 와 마찬가지 로 형성 한다 . 그 후 , 제 3 층간 절 연막 ( 1037 ) 을 전극 ( 1022 ) 을 덮 도록 형성 한다 . 이 절연 막 은 평탄 화 의 역할 을 가져도 좋 다 . 제 3 층간 절 연막 ( 1037 ) 은 제 2 층간 절 연막 과 같 은 재료 외 에 도 , 다른 공지 의 재료 를 사용 하 여 형성 할 수 있 다 .