상기 제 1 절연 막 은 상기 스 페이서 ( 220 ) 와 동일 하 거나 다른 절연 물질 로 이루어질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 1 절연 막 은 실리콘 산화물 , 실리콘 산 질화물 또는 실리콘 질화물 로 이루어질 수 있 다 . 본 실시 예 에서 는 , 화학 기상 증착 공정 을 통해 실리콘 산 질화물 을 증착 시켜 제 1 절 연막 을 형성 한다 .