본 발명 은 로직 회로 부 의 최 상부 금속 배선 을 다 마신 공정 으로 형성 하 고 그 위 에 보호막 을 최소 두께 로 형성 함 으로써 수 광부 의 마이크 로 렌즈 까지 의 수직 높이 ( Vertical Height ) 를 대폭 감소 시켜 이미지 센서 의 감도 ( Sensitivity ) 를 향상 시키 고 광 크로스 토크 를 감소 시키 고자 하 는 COM 이미지 센서 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 픽셀 어레이 부 및 로직 회로 부 로 구분 되 는 반도체 기판 을 제공 하 는 단계 와 , 상기 반도체 기판 에 하부 배선 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 하부 배선 을 포함 한 전면 에 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 로직 회로 부 의 층간 절 연막 을 선택 적 으로 제거 하 여 제 1 비 아홀 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 비 아홀 내부 에 금속 을 매립 하 고 표면 을 평탄 화 하 여 상부 배선 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 상부 배선 을 포함 한 전면 에 보호막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 상부 배선 상 의 보호막 을 선택 적 으로 제거 하 여 제 2 비 아홀 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 여 이루어지 는 것 을 특징 으로 한다 .