실리콘 질화물 매립 응력 기 층 은 웨이퍼 결합 기술 에 의해 실리콘 웨이퍼 의 표면 상 에 제공 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 웨이퍼 결합 에 의해 매립 응력 받 은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질 화물 층 을 형성 하 기 위한 다양 한 방법 이 미국 특허 6 , 707 , 106 에 기재 되 어 있 다 . 반도체 질화물 표면 의 직접 결합 은 미국 특허 5 , 503 , 704 , " 명칭 "" Nitrogen Based Low Temperature Direct Bonding """, 미국 특허 5 , 904 , 860 , " 명칭 "" Method for Direct Bonding Nitride Bodies """," 및 Bower 등 의 "" Low Temperature Si 3 N 4 DirectBonding """, App . Phys . Letts . , vol . 62 , pp . 3485 - 3487 ( 1993 ) , Yi , et al . ," "" Systematic Low Temperature Silicon Bonding using Pressure and Temperature "" Jap . J . Appl . Phys . ", vol . 37 , pp . 737 - 741 ( 1998 ) 및 Harendt , et al . ," "" Silicon Fusion Bonding and Its Characterization "" J . Micromechanical Microengineering ", vol . 2 , pp . 113 - 116 ( 1992 ) 를 포함 하 는 많 은 문헌 에 기재 되 어 있 다 . 미국 특허 5 , 503 , 704 및 5 , 904 , 860 은 실리콘 질화물 층 을 통한 웨이퍼 의 직접 결합 과 관련 하 여 그 개시 를 위한 참조 로서 수록 된다 .