나아가 발명자 들 은 도 6 에서 와 같이 , 제 1 메탈 부 ( 600 ) 를 제 2 기판 부 ( 500 ) 에 초음파 용접 하 면 , 고주파 진동 에 의하 여 그 반대편 , 즉 , 제 1 메탈 부 ( 600 ) 가 제 1 기판 부 ( 200 ) 와 대면 하 는 층 에 는 원형 또는 V , U 자형 의 엠보싱 ( 20 a ) 이 형성 됨 을 확인 하 였 다 . 도 6 에서 는 도시 의 편의 상 제 1 기판 부 ( 200 ) 를 제거 하 였 다 . 따라서 , 메탈 부 의 하부 를 반도체 칩 과 접착제 에 의해 접합 할 때 , 엠보싱 부분 , " 즉 "" V "" 자 또는 "" U "" 자 형태 의 홈 으로 접착제 가 더 충전 되 므로 ", 메탈 부 와 반도체 칩 을 견고히 결합 할 수 있 고 , 접합 층 ( 20 ) 의 두께 와 표면 적 의 증가 로 우수 한 방열 효과 를 기대 할 수 있 다 .