또한 , 본 발명 은 각각 의 수직 화합물 반도체 구조 를 제조 하 기 위한 방법 에 관한 것 이 다 . 이러 한 방법 은 제 1 메인 표면 및 맞은편 제 2 메인 표면 을 갖 는 기판 을 제공 하 는 단계 뿐 만 아니 라 제 1 메인 표면 및 제 2 메인 표면 사이 에서 기판 을 통하 여 완전 하 게 연장 되 는 수직 채널 개구 를 구축 하 는 단계 를 포함 한다 . 본 발명 에 따르 면 , 레이어 스택 은 수직 채널 개구 내 에 생성 된다 . 이러 한 레이어 스택 을 생성 하 는 단계 는 수직 채널 개구 내 에 그리고 수직 채널 개구 의 연장 방향 을 따라서 전기 적 으로 전도성 레이어 를 배치 하 는 단계 뿐 만 아니 라 수직 채널 개구 내 에 그리고 수직 채널 개구 의 연장 방향 을 따라서 화합물 반도체 레이어 를 배치 하 는 단계 를 포함 한다 . 여기 에서 , 화합물 반도체 레이어 는 전기 적 으로 전도성 레이어 상 에 배치 되 고 전기 적 으로 전도성 레이어 로 갈바 닉 적 으로 연결 된다 . 이러 한 방법 의 장점 들 과 관련 하 여 , 각각 의 장치 에 관한 위 에서 의 기술 들 에 대한 참조 가 이루어진다 .