먼저 , 도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 ( 100 ) 을 준비 하 고 , 이 기판 ( 100 ) 의 전면 에 터널 산화 막 으로 사용 될 산화 막 ( 또는 , 산질 화 막 ) 을 96 Å 내외 의 두께 로 성장 시킴 으로써 단위 셀 의 게이트 산화 막 ( 101 ) 을 형성 한 후 , 그 상부 에 플로팅 게이트 로 사용 될 제 1 전극 층 , 예컨대 제 1 폴리 실리콘 층 ( 102 ) 을 1000 Å 정도 의 두께 로 증착 한다 .