상기 터널 링 절연 층 은 F - N 방식 으로 전하 를 전하 저장 층 으로 터널 링 시킬 수 있 다 . 상기 터널 링 절연 층 은 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 을 포함 할 수 있 다 . 상기 전하 저장 층 은 전하 트랩 층 또는 플로팅 게이트 도전 막 일 수 있 다 . 예컨대 , 상기 전하 저장 층 은 양자 도트 ( quantum dots ) 또는 나노 크리스탈 ( nanocrystals ) 을 포함 할 수 있 다 . 여기 서 , 상기 양자 도트 또는 나노 크리스탈 은 도전체 , 예 를 들 면 금속 또는 반도체 의 미세 입자 들 로 구성 될 수 있 다 . 상기 블록 킹 절연 층 은 고유 전 율 ( high - k ) 유전물 을 포함 할 수 있 다 . 여기 서 , 고유 전 율 유전물 이 란 산화 막 보다 높 은 유전 상수 ( dielectric constant ) 를 갖 는 유전물 을 의미 한다 .