주석 옥사이드 막 들 이 반도체 디바이스 제조 시 스 페이서 들 및 하드 마스크 들 로서 사용 된다 . 일 방법 에서 , 주석 옥사이드 층 이 기판 상 의 돌출 하 는 피처 들 의 측벽 들 및 수평 표면 들 위 에 컨 포 멀 하 게 형성 된다 . 이어서 패 시베이 션 층 이 측벽 들 상 의 주석 옥사이드 위 에 형성 되 고 , 이어서 주석 옥사이드 는 돌출 하 는 피처 들 의 측벽 들 에서 제거 되 지 않 고 돌출 하 는 피처 들 의 수평 표면 들 로부터 제거 된다 . 이어서 돌출 하 는 피처 들 의 재료 는 돌출 하 는 피처 들 의 측벽 들 에 존재 하 는 주석 옥사이드 를 남기 면서 제거 되 어 , 주석 옥사이드 스 페이서 들 을 형성 한다 . 수소 - 기반 및 염소 - 기반 건식 에칭 화학 물질 들 은 다양 한 재료 들 의 존재 하 에 선택 적 으로 주석 옥사이드 를 선택 적 으로 에칭 한다 . 또 다른 방법 에서 패 터닝 된 주석 옥사이드 하드 마스크 층 이 패 터닝 되 지 않 은 주석 옥사이드 위 에 패 터닝 된 층 을 형성 하 고 주석 옥사이드 에 패턴 을 전사 함 으로써 기판 상 에 형성 된다 .