도 1 을 참조 하 면 , 실리콘 기판 과 같 은 반도체 기판 ( 100 ) 위 에 제 1 산화 막 ( 110 ) 을 형성 한다 . 이 제 1 산화 막 ( 110 ) 은 후속 의 산화 공정 에서 의 시드 ( seed ) 층 으로 작용 시키 기 위한 것 이 며 , 따라서 얇 은 두께 로 형성 해도 무방 하 다 . 다음 에 제 1 산화 막 ( 110 ) 위 에 포토레지스트 막 패턴 ( 120 ) 을 형성 한다 . 이 를 위하 여 제 1 산화 막 ( 110 ) 위 에 포토레지스트 막 을 형성 하 고 , 통상 의 포 토리 소그라 피 방법 을 사용 한 노광 및 현상 을 수행 한다 . 형성 된 포토레지스트 막 패턴 ( 120 ) 은 포 토리 소그라 피 장비 의 한계 범위 내 에서 최소한 의 피치 를 갖 도록 형성 할 수 있 다 . 포토레지스트 막 패턴 ( 120 ) 에 의해 포토레지스트 막 패턴 ( 120 ) 의 양쪽 에서 제 1 산화 막 ( 110 ) 은 노출 된다 . 이 상태 에서 제 1 산화 막 ( 110 ) 을 시드 층 으로 한 액상 산화 막 으로 제 1 산화 막 ( 110 ) 위 에 제 2 산화 막 ( 130 ) 을 형성 한다 . 제 2 산화 막 ( 130 ) 의 두께 는 형성 하 고자 하 는 미세 패턴 의 두께 를 고려 하 여 결정 한다 . 즉 형성 하 고자 하 는 미세 패턴 의 두께 보다 큰 두께 로 형성 하 여 후속 의 평탄 화 를 수행 한 결과 미세 패턴 의 두께 와 실질 적 으로 동일 해 지 도록 한다 .