그 위 에 본 발명 의 규소 함유 레지스 트 하층 막 형성 용 조성물 을 이용 하 여 규소 함유 레지스 트 하층 막 ( 3 ) 을 스핀 코트 법 으로 성막 하 고 ( 도 1 ( I - B ) ) , 그 위 에 포토레지스트 막 ( 4 ) 을 스핀 코트 법 으로 성막 한다 ( 도 1 ( I - C ) ) . 또한 , 규소 함유 레지스 트 하층 막 ( 3 ) 은 , 포토레지스트 막 ( 4 ) 이 노광 되 었 을 때 에 , 상기 노광 부 에 대응 하 는 상기 규소 함유 레지스 트 하층 막 ( 3 ) 의 노광 후 의 순수 에 대한 접촉각 이 40 도 이상 70 도 미만 이 되 는 조성물 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 .