도 2 는 본 명세서 에 개시 된 예시 에 따르 면 메모리 다이 ( 200 ) 의 하나 의 예시 를 도시 한다 . 메모리 다이 ( 200 ) 는 도 1 을 참조 하 여 기재 된 메모리 다이 ( 160 ) 의 하나 의 예시 일 수 있 다 . 일부 경우 , 메모리 다이 ( 200 ) 는 메모리 칩 , 메모리 디바이스 , 또는 전자 메모리 장치 로 지칭 될 수 있 다 . 메모리 다이 ( 200 ) 는 상이 한 논리 상태 를 저장 하 도록 프로그램 가능 한 하나 이상 의 메모리 셀 ( 205 ) 을 포함 할 수 있 다 . 각각 의 메모리 셀 ( 205 ) 은 둘 이상 의 상태 를 저장 하 도록 프로그램 가능 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 메모리 셀 ( 205 ) 은 한 번 에 정보 의 하나 의 비트 ( 가령 , 논리 0 및 논리 1 ) 를 저장 하 도록 구성 될 수 있 다 . 일부 경우 , 단일 메모리 셀 ( 205 ) ( 가령 , 멀티 - 레벨 메모리 셀 ) 이 한 번 에 정보 의 둘 이상 의 비트 ( 가령 , 논리 00 , 논리 01 , 논리 10 , 또는 논리 11 ) 를 저장 하 도록 구성 될 수 있 다 .