또한 예 를 들 어 , 스텝 C 에서 는 , F 함유 가스 의 플라스마 , 가열 , 광 조사 등 에 의한 활성 화 ( 여기 ) 에 의해 , F 함유 가스 로부터 의 F 함유 라디칼 의 발생 을 촉진 시키 도록 해도 된다 . 이러 한 경우 에 있 어서 도 , 상술 한 양태 와 마찬가지 의 효과 가 얻 어 진다 . 또한 , 스텝 C 에서 , F 함유 가스 를 플라스마 , 가열 , 광 조사 등 에 의해 활성 화 시킴 으로써 , F 함유 가스 를 이 들 에 의해 활성 화 시키 지 않 는 경우 보다 도 , 처리 실 ( 201 ) 내 에서 의 F 함유 라디칼 의 발생 을 촉진 시켜 , 발생 시킬 F 함유 라디칼 의 양 을 증대 시키 는 것 이 가능 하 게 된다 . 결과 로서 , 스텝 C 에서 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 의 개질 을 재촉 하 여 , 하 지 ( 200 a ) 의 표면 상 에 의 SiN 막 의 선택 적 인 형성 을 적정 하 게 행할 수 있 게 된다 . 또한 , 스텝 C 에서 의 처리 온도 의 저온 화 도 가능 하 게 된다 . 또한 , 플라스마 를 사용 하 는 경우 에 는 , 웨이퍼 ( 200 ) 나 처리 실 ( 201 ) 내 의 부재 의 플라스마 대미지 를 억제 하 기 위해서 , 처리 실 ( 201 ) 의 외부 에 마련 된 리모트 플라스마 유닛 에서 F 함유 가스 를 플라스마 로 활성 화 시킨 후 , 처리 실 ( 201 ) 내 에 공급 하 는 방식 , 즉 , 리모트 플라스마 방식 을 채용 하 는 것 이 바람직 하 다 .