메모리 셀 들 은 p - 웰 을 소거 전압 ( 예컨대 20 V ) 으로 증가 시키 고 선택 된 블럭 의 워드 라인 들 을 접지 시킴 에 의해 소거 된다 . 소스 와 비트 라인 들 은 플로팅 된다 . 소거 는 전체 메모리 어레이 , 또는 개별 블 럭 들 , 또는 셀 들 의 또 다른 유닛 에서 수행 될 수 있 다 . 전자 들 은 플로팅 게이트 로부터 p - 웰 영역 으로 이동 하 고 문턱 전압 은 음 의 값 을 갖 게 된다 ( 일 실시 예 에서 ) .