최근 , 반도체 메모리 소자 의 경우 에 는 디자인 룰 의 미세화 로 인하 여 게이트 패턴 의 폭 이 감소 하 고 있 는 추세 에 있 다 . 이 와 같이 , 상기 게이트 패턴 의 폭 이 감소 함 에 따라 게이트 유효 채널 길 이 또한 감소 하 고 , 그 결과 소스 와 드레 인 사이 의 펀치 쓰루 특성 을 열화 시키 는 쇼트 채널 효과 가 빈번 하 게 발생 하 고 있 다 .