다음 에 , 도 1 c 의 공정 ( 제 2 의 공정 ) 에 있 어서 , 금속 및 실리콘 으로 이루어진 막 ( 102 ) 을 질화 해서 , 질소 , 금속 및 실리콘 으로 이루어진 막 ( 103 ) 을 형성 한다 . 산화 되 어 있 지 않 은 상태 의 금속 및 실리콘 은 용이 하 게 질화 되 고 , 종래 와 같이 산화 된 상태 의 금속 실리케이트 막 을 질화 하 는 경우 에 비해 , 고농도 로 질소 원자 를 막 중 에 도입 하 는 것 이 가능 해진다 . 예 를 들 면 , 질소 , 금속 및 실리콘 으로 이루어진 막 ( 103 ) 에 있 어서 의 질소 원자 의 농도 ( 함유율 ) 를 1 원자 % 이상 25 원자 % 이하 로 설정 할 수 가 있 다 .