또한 , 상기 한 바 와 같이 수직 입사 의 경우 , 즉 산화물 반도체 층 의 막 면 에 대해 법선 방향 을 따라 , 산화물 반도체 층 으로 형성 된 채널 부 에 조사 될 수 있 는 광 의 광로 에 있 고 광 을 투과 하 는 층 에 관해서 , 그 층 과 그 층 에 접하 는 층 의 굴절 율 의 관계 로부터 계산 하 면 된다 . 또한 , 광 의 조사 는 산화물 반도체 층 의 표면 및 이면 으로부터 이루어질 수 있 기 때문 에 , 각각 의 광 의 광로 에 관해서 계산 을 행하 는 것 으로 한다 . 광 의 광로 에 있 고 광 을 투과 하 는 층 에 관해서 , 그 층 을 중간 에 위치 하 는 층 으로 하 는 연속 하 고 있 는 3 개 의 층 의 굴절 율 의 관계 를 생각 하 면 된다 .