도 11 을 도 2 와 결부 하 면 , 본 발명 에 따른 제 2 변형 예의 화소 ( P ) 는 제 1 내지 제 3 스위칭 트랜지스터 ( ST 1 , ST 2 , ST 3 ) 와 구동 트랜지스터 ( DT ) 및 커패시터 ( Cst ) 를 포함 하 는 화소 회로 ( PC ) , 및 발광 소자 ( OLED ) 를 포함 하 여 구성 된다 . 이러 한 구성 을 가지 는 제 2 변형 예의 화소 ( P ) 는 각 게이트 라인 그룹 ( Gi ) 에 추가 된 제 3 게이트 라인 ( Gc ) 과 상기 화소 회로 ( PC ) 가 인접 한 다음 화소 의 데이터 라인 ( Di + 1 ) 및 제 2 노드 ( n 2 ) 에 접속 된 상기 제 3 스위칭 트랜지스터 ( ST 3 ) 를 제외 하 고는 , 전술 한 도 3 에 도시 된 화소 와 동일 하 게 구성 된다 . 이하 에서 는 , 상이 한 구성 에 대해서 만 설명 하 기 로 한다 .