제 3 매질 들 ( M 3 ) 및 제 4 매질 들 ( M 4 ) 은 제 1 방향 ( DR 1 ) 과 소정 의 각도 ( θ s ) 를 이루 고 , 활성 영역 ( AA ) 을 향해 기울어지 도록 배치 된다 . 제 3 매질 들 ( M 3 ) 각각 의 굴절 률 은 제 4 매질 들 ( M 4 ) 각각 의 굴절률 보다 클 수 있 다 . 서로 인접 한 제 3 매질 들 ( M 3 ) 사이 의 간격 ( GP ) 은 400 내지 700 나노 미터 일수 있 다 .