도 17 의 단면도 ( 1700 ) 에 의해 예시 된 바 와 같이 , 메모리 유전체 층 ( 1502 ) 이 플로팅 게이트 전극 ( 134 ) 및 공통 메모리 소스 / 드레 인 영역 ( 128 ) 외부 의 메모리 영역 ( 104 m ) 의 부분 위 에 형성 될 수 있 다 . 메모리 유전체 층 ( 1502 ) 은 산화물 , 질화물 , 또는 또 다른 적합 한 유전체 ( 들 ) 일 수 있 다 . 메모리 유전체 층 ( 1502 ) 은 HTO , ISSG 산화 , 또 다른 적합 한 퇴적 또는 성장 프로세스 ( 들 ) , 전술 한 바 의 임의 의 조합 등 에 의해 형성 될 수 있 다 .