도 9 c 에 도시 된 바 와 같이 , 단분자층 으로 이루어진 제 1 영역 및 6 분자 층 으로 이루어진 제 2 영역 사이 에 YZ 평면 에 평행 한 헤테로 접합 ( 경 계면 ) 이 1 개 형성 된 MoS 2 박막 채널 의 X 축 방향 으로 의 양쪽 단부 영역 에 Ti / Au 로 형성 된 소스 전극 및 드레 인 전극 을 형성 하 여 제 3 광전 소자 ( Type 3 ) 를 제작 하 였 다 . 이때 , 상기 헤테로 접합 은 마스크 를 이용 한 선택 적 원자 층 식각 공정 을 이용 하 여 제조 하 였 다 .