" 한편 비휘발성 메모리 ( NVRAM ) 는 셀 특성 으로 인하 여 데이터 "" 0 "" 과 데이터 "" 1 "" 을 구분 하 는 리드 마진 ( read margin ) 이 상대 적 으로 작 은 것 으로 알려져 있 다 . 이 와 같 은 비휘발성 메모리 ( NVRAM ) 는 ", 싱글 레벨 셀 ( single - level cell ) 의 구조 를 갖 더라도 낸드 메모리 에 비하 여 상대 적 으로 높 은 에러 율 ( error rate ) 을 나타내 며 , 그 결과 에러 정정 코드 ( Error Correction Code ; 이하 ECC ) 를 이용 한 에러 정정 기술 의 적용 에 대한 요구 가 크 다 . ECC 를 이용 한 에러 정정 을 수행 하 는 경우 , 비휘발성 메모리 ( NVRAM ) 에 쓰 고자 하 는 오리지널 데이터 ( original data ) 에 에러 정정 에 필요 한 데이터 , 예컨대 패리티 비트 들 ( parity bits ) 이 추가 된 상태 로 비휘발성 메모리 ( NVRAM ) 에 쓰여진다 . 오리지널 데이터 의 덮 어 쓰 기 비율 이 50 % 이하 인 경우 , 오리지널 데이터 에 비하 여 상대 적 으로 패리티 비트 들 의 덮 어 쓰 기 비율 이 높 게 나타나 며 , 이 경우 데이터 비트 들 의 추가 로 인해 비휘발성 메모리 ( NVRAM ) 의 수명 을 결정 하 는 데 우선 적 인 영향 을 끼치 고 있 다 .