스캔 기간 ( PS ) 에 는 해당 게이트 라인 ( GL ) 에 로우 논리 의 게이트 전압 이 공급 됨 과 아울러 해당 발광 제어 라인 ( EL ) 에 하이 논리 의 발광 제어 전압 이 공급 된다 . 이 에 따라 , 도 6 b 에 도시 된 바 와 같이 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터 ( ST 1 , ST 2 ) 각각 이 턴 온 됨 과 아울러 제 3 및 제 5 스위칭 트랜지스터 ( ST 3 , ST 4 ) 는 턴 오프 된다 . 턴 온 된 제 1 스위칭 트랜지스터 ( ST 1 ) 를 통해 제 1 노드 ( N 1 ) 에 는 데이터 라인 ( DL ) 으로부터 의 데이터 전압 ( Vdata ) 이 공급 된다 . 턴 온 된 제 2 스위칭 트랜지스터 ( ST 2 ) 를 통해 구동 트랜지스터 ( DT ) 의 게이트 전극 및 드레 인 전극 이 서로 연결 된다 . 이 에 따라 , 구동 트랜지스터 ( DT ) 는 순방향 다이오드 가 되 므로 구동 트랜지스터 ( DT ) 의 게이트 전극 , 즉 제 2 노드 ( N 2 ) 에 는 구동 트랜지스터 ( DT ) 의 문턱 전압 ( Vth _ S ) 이 공급 되 므로써 제 2 노드 ( N 2 ) 에 는 구동 트랜지스터 ( DT ) 의 문턱 전압 ( Vth _ S ) 이 샘플링 된다 . 이 때 , 구동 트랜지스터 ( DT ) 의 소스 전극 에 는 고전 위 전압 ( VDD ) 이 공급 됨 으로써 제 2 노드 ( N 2 ) 에 는 도 7 에 도시 된 바 와 같이 고전 위 전압 ( VDD ) 과 구동 트랜지스터 ( DT ) 의 문턱 전압 의 차 전압 ( VDD - Vth _ S ) 이 공급 된다 .