한편 , 반도체 기판 ( 10 ) 의 블록 ( 12 ) 각각 에 대한 패턴 조 밀도 에 따라 CMP 시 단차 를 유발 시킬 수 있 는 패턴 조 밀도 의 범위 를 설정 하 여 설정 된 범위 에 해당 하 는 블록 ( 12 ) 에 대응 하 는 마스크 ( 20 ) 상 의 구획 ( 21 ) 에 위치 하 는 비아 패턴 ( 22 ) 의 사이즈 를 일정 값 , 예 를 들 면 패턴 조 밀도 에 따른 CMP 시 단차 를 시뮬레이션 하 여 획득 하 고 , 획득 된 단차 에 해당 하 는 비아 패턴 ( 22 ) 의 축소 를 보상 하 기 위한 값 ( D ; 도 4 에 도시 ) 만큼 확대 시킨다 .