이 어 , 화소 전극 용 물질 층 상 에 포토레지스트 층 을 도포 하 고 , 노광 및 현상 을 통해 잔류 하 여야 할 화소 전극 ( PXE ) 의 패턴 형상 을 갖 는 포토레지스트 패턴 ( PR 2 ) 을 형성 한다 . 이 어 , 포토레지스트 패턴 ( PR 2 ) 을 식각 마스크 로 이용 하 여 화소 전극 용 물질 층 을 식각 한다 . 화소 전극 용 물질 층 의 식각 은 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 지만 , 습식 식각 으로 진행 될 수 있 다 . 본 단계 에서 , 패드 영역 ( PDA ) 의 게이트 도전 층 ( 130 ) 은 두께 가 감소 된 층간 절 연막 ( 163 ) 에 의해 덮여서 보호 된다 . 따라서 , 패드 영역 ( PDA ) 의 게이트 도전 층 ( 130 ) 이 화소 전극 ( PXE ) 의 식각 에 사용 되 는 에 천 트 와 접촉 하 여 손상 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .