또한 , 몰리브덴 과 실리콘 을 함유 하 는 재료 로 이루어지 는 차광성 막 은 , MoSi 2 타 겟 ( Mo : 33 몰 ％, Si : 67 몰 ％) 을 이용 하 여 , 우선 Ar 가스 를 스퍼터링 가스 로 하 여 MoSi 2 막 ( 막 의 조성 비 는 , Mo : 33 원자 ％, Si : 67 원자 ％) 을 막 두께 70 ㎚ 로 형성 하 고 , 다음 으로 Ar 가스 및 산소 를 스퍼터링 가스 로 하 여 MoSiO 막 ( 막 의 조성 비 는 , Mo : 13 원 자 ％, Si : 27 원자 ％, O : 60 원자 ％) 을 막 두께 25 ㎚ 로 연속 성막 하 여 , 차광성 막 을 형성 하 였 다 .