이후 , 도 9 e 에 도시 된 바 와 같이 절연 물질 층 ( 130 a ) 이 형성 된 베이스 층 ( 100 ) 상 에 마스크 ( 300 ) 를 배치 하 여 제 1 구동 트랜지스터 ( T 1 _ 1 ) 가 형성 될 영역 을 선택 적 으로 노출 하 고 , 상기 제 1 구동 트랜지스터 ( T 1 _ 1 ) 가 형성 될 영역 에 대응 하 는 반도체 패턴 ( SCP ) 의 일 영역 상 에 상기 절연 물질 을 추가 적 으로 도포 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 베이스 층 ( 100 ) 상 에 마스크 ( 300 ) 를 배치 한 상태 에서 , 절연 물질 층 ( 130 a ) 을 구성 하 는 절연 물질 과 동일 한 절연 물질 을 추가 적 으로 증착 할 수 있 다 .