상기 박막 트랜지스터 에 있 어서 의 기판 은 , 박막 트랜지스터 의 구조 를 지지 하 는 역할 을 하 는 것 이 고 , 재료 로 는 유리 외 에 금속 산화물 이나 질화물 등 의 무기 화합물 , 플라스틱 필름 ( PET , PES , PC ) 이나 금속 기판 또는 이 들 복합체 나 적층 체 등 도 이용 하 는 것 이 가능 하 다 . 또한 , 기판 이외 의 구성 요소 에 의해 박막 트랜지스터 의 구조 를 충분히 지지 할 수 있 는 경우 에 는 , 기판 을 사용 하 지 않 는 것 도 가능 하 다 . 또한 , 기판 의 재료 로 는 실리콘 ( Si ) 웨이퍼 가 사용 되 는 것 이 많 다 . 이 경우 , Si 자체 를 게이트 전극 겸 기판 으로 이용 할 수 있 다 . 또한 , Si 의 표면 을 산화 하 고 , SiO 2 를 형성 하 여 절연 층 으로서 활용 하 는 것 도 가능 하 다 . 이 경우 , 기판 겸 게이트 전극 의 Si 기판 에 리드선 접속 용 전극 으로서 , Au 등 의 금속 층 을 성막 하 는 것 도 있 다 .