전술 한 전계 효과 형 트랜지스터 는 실리콘 기판 ( 1 ) 상 에 선택 적 으로 형성 한 P 형 웰 ( 4 ) 중 에 형성 하 였 지만 , 예 를 들 어 , 실리콘 기판 ( 1 ) 상 에 선택 적 으로 형성 한 슈퍼 스 팁 레트로 그레이드 웰 ( Super Steep Retrograde Well ) 중 에 형성 하 는 것 도 가능 하 다 . 도 9 는 , 본 발명 의 제 1 실시 형태 에 대한 제 1 변 경예 에 관련 된 트랜지스터 의 구성 을 나타내 는 부분 수직 단면도 이 다 . 통상 의 웰 은 실질 적 으로 균일 한 불순물 농도 를 갖 지만 , 슈퍼 스 팁 레트로 그레이드 웰 ( 16 : Super Steep Retrograde Well ) 을 형성 함 으로써 , 게이트 절 연막 ( 3 ) 과 의 계면 영역 ( 16 - 1 ) 에서 불순물 농도 가 1 E 17 [ 1 / ㎤] 로 급 준하 게 저하 되 고 , 그 이외 의 영역 에서 는 불순물 농도 가 1 E 18 [ 1 / ㎤] 이 다 . 그 구조 를 사용 함 으로써 , 트랜지스터 의 온 저항 을 감소 시키 고 , 구동 능력 을 향상 시키 는 것 이 가능 해진다 . 슈퍼 스 팁 레트로 그레이드 웰 ( 16 : Super Steep Retrograde Well ) 의 제조 방법 은 기지 의 사항 이 므로 , 여기 서 는 설명 을 생략 한다 .