N : Si 흐름 비율 을 넘 어서 , 수소 를 최소 화 하 는 것 은 또한 반응 전구체 의 다른 종 에 의존 된다 . 질소 ( N 2 ) 및 TSA ( N ( SiH 3 ) 3 ) 는 전구체 의 타당 한 선택 인데 , 왜냐하면 두 분자 내 의 질소 ( N ) 는 수소 원자 와 의 직접 결합 을 가지 지 않 기 때문 이 다 . 전 구체 가스 의 N - H 결합 을 가지 는 것 은 , 성장 필름 으로부터 수소 를 제거 하 는 데 참여 하 는 원자 질소 의 능력 에 방해 된다 . 그래서 , 암모니아 ( NH 3 ) 는 질소 공급원 으로 안 좋 은 선택 이 다 . 산소 를 포함 하 는 질소 공급원 ( 예 를 들 어 , N 2 O ) 은 , 습윤 에칭 률 을 또한 증가 시킬 , 네트워크 에 산소 의 통합 에 의해 , 실리콘 질화물 필름 의 특성 을 악화 시킨다 .