다음 에 , 도 3 b 의 공정 ( 제 1 의 공정 ) 에 있 어서 , 금속 원자 및 실리콘 원자 가 산화 반응 을 일으키 기 어려운 분위기 중 에서 , 적어도 질소 원자 를 포함 한 반응 가스 를 이용 한 리 엑 티 브 스퍼터링 법 에 의해 실리콘 기판 ( 101 ) 위 에 질화 된 금속 및 실리콘 으로 이루어진 막 , 즉 질소 , 금속 및 실리콘 으로 이루어진 막 ( 103 ) 을 퇴적 한다 .