본 발명 은 STT - MRAM 메모리 기반 의 PUF ( physically unclonable function ) 장치 에서 워드 라인 트랜지스터 로 인해 발생 하 는 안정 성 감소 ( stability deterioration ) 를 개선 하 는 기술 에 관한 것 으로 , 보다 구체 적 으로 , 다이오드 연결 트랜지스터 ( diode - connected transistor ) 와 공유 된 접근 트랜지스터 ( shared access transistor ) 를 이용 하 여 에러 없이 동일 한 응답 ( response ) 를 생성 하 고 , 후 처리 ( post processing ) 을 통해 불 안정 ( unstable ) 셀 도 재 사용 ( reuse ) 가능 하 도록 전류 차이 를 증가 시켜 PUF 장치 의 안정 성 ( stability ) 을 향상 시키 는 기술 에 관한 것 이 다 .