도 4 a 및 4 b 는 도 1 a 및 1 b 에서 의 SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 에서 의 제 1 칼럼 층 ( 11 a ) 및 제 2 칼럼 층 ( 11 b ) 을 PN 칼럼 층 으로서 각각 구성 함 으로써 얻 어 진 SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 a , 100 b ) 의 반복 단위 구조 를 개략 적 으로 예시 한다 . 따라서 , 전술 한 바 와 같이 , SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 a , 100 b ) 의 드리프트 영역 은 길이 가 동일 하 고 , d / 2 = 25 ㎛ 이 다 .