일 실시 예 에서 , 상기 사파이어 기판 은 상기 마이크 로 - LED 들 의 내부 양자 효율 및 광 추출 효율 을 증가 시키 기 위해 ( 즉 , 상기 마이크 로 - LED 들 의 표면 으로부터 보다 많 은 광 을 추출 하 기 위해 ) 가공 되 거나 , 식각 되 거나 , 그렇 지 않 으면 패 터닝 된다 . 다른 실시 예 들 에서 , 은 나노 입자 들 이 상기 GaN 계 마이크 로 - LED 들 및 상기 마이크 로 LED 어레이 의 광 효율 과 출력 전력 을 더 향상 시키 기 위해 상기 마이크 로 - LED 들 을 접합 하 기 이전 에 상기 기판 을 코팅 하 도록 상기 패 터닝 된 사파이어 기판 상 에 증착 / 분산 될 수 있 다 .