SiO 2 패턴 ( 224 ) 이 형성 된 기판 ( 100 ) 에 는 N 형 반도체 층 이 횡 방향 에피 성장 된다 . 본 실시 예 에서 , N 형 반도체 층 ( 220 ) 은 SiO 2 패턴 ( 224 ) 사이 에서 는 수직 성장 을 하 여 SiO 2 패턴 ( 224 ) 을 덮 은 후 에 는 SiO 2 패턴 ( 224 ) 위 에서 횡 방향 성장 을 한다 . 이 는 도 1 의 확대도 에서 가상 선 으로 표시 되 어 있 다 .