이러 한 전기 전도 층 은 통상 적 으로 인듐 산화물 , 일반 적 으로 약어 ITO 로 더욱 알려져 있 는 주석 도핑 된 인듐 산화물 기반 인 층 을 포함 한다 . ITO 층 이 특별히 연구 되 었 다 . ITO 층 은 산화물 타 겟 ( 비 반응 성 스퍼터링 ) 또는 인듐 및 주석 기반 인 타 겟 ( 산소 타입 산화제 의 존재 하 반응 성 스퍼터링 ) 으로부터 마그네트론 스퍼터링 으로 쉽 게 증착 될 수 있 고 , ITO 층 의 두께 는 대략 100 내지 150 ㎚ 이 다 . 그러나 이러 한 ITO 층 은 몇 가지 결점 이 있 다 . 먼저 , 전도 성 을 개선 하 기 위한 물질 및 고온 ( 350 ℃) 증착 공정 은 추가 비용 을 발생 시킨다 . 층 의 두께 가 150 ㎚ 를 초과 하 지 않 는다면 시트 저항 이 비교 적 높 고 ( 10 Ω / □ 정도 ) , 이 로 인해 OLED 에 중요 한 투명도 가 감소 하 고 표면 거칠 기 가 증가 한다 .