반도체 장치 가 고집 적 화 되 어 감 에 따라 , 반도체 장치 를 구성 하 는 패턴 의 선폭 및 상기 패턴 들 의 간격 이 현저 하 게 좁 아 지 고 있 다 . 패턴 의 선폭 이 감소 됨 에 따라 트랜지스터 의 채널 ( channel ) 길이 도 줄어들 고 있 다 . 그런데 , 상기 채널 길이 가 트랜지스터 가 동작 에 필요 한 유효 채널 길이 ( effective channel length ) 보다 작 게 형성 되 면 , 단 채널 효과 ( short channel effect ) 에 의해서 상기 트랜지스터 의 전기 적 인 특성 이 저하 되 는 문제 가 발생 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 충분 한 유효 채널 길이 를 확보 하 기 위하 여 다양 한 구조 를 갖 는 트랜지스터 들 이 연구 되 고 있 다 .