NAND 로직 게이트 는 두 개 의 직렬 NMOS 트랜지스터 로 각각 구성 되 며 , 이 는 지속 전압 원 ( 도시 되 지 않 음 ) 의 두 개 의 터미널 사이 에 연결 된 , 두 개 의 병력 PMOS 트랜지스터 에 직렬 로 연결 된다 . 제 1 NMOS 트랜지스터 의 하나 의 게이트 가 제 1 PMOS 트랜지스터 의 하나 의 게이트 에 연결 되 어 로직 게이트 의 제 1 입력 을 형성 한다 . 제 2 NMOS 트랜지스터 의 하나 의 게이트 가 제 2 PMOS 트랜지스터 의 하나 의 게이트 에 연결 되 어 로직 게이트 의 제 2 입력 을 형성 한다 . NMOS 및 PMOS 트랜지스터 사이 의 드레 인 연결 노드 는 로직 게이트 출력 을 형성 한다 . 각 PMOS 트랜지스터 의 스위칭 과 비교 하 여 각각 의 NMOS 트랜지스터 의 스위칭 이 매우 빠르 기 때문 에 , 각 NAND 로직 게이트 는 고 주파수 에서 동작 하 기 위한 프리스 케일러 회로 를 형성 할 수 있 다 .