상기 다른 기술 적 과제 를 달성 하 기 위하 여 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 소자 제조 방법 은 기판 상 에 제 1 층간 절 연막 을 형성 하 고 , 제 1 층간 절 연막 상 에 횡 으로 일정 간격 이격 되 어 배열 된 다수 의 런 너 라인 들 을 포함 하 는 런 너부 들 을 형성 하 고 , 런 너부 들 을 매립 시키 는 제 2 층간 절 연막 을 형성 하 고 , 제 2 층간 절 연막 내 에 각 런 너 라인 들 과 연결 되 는 비 아들 을 형성 하 고 , 런 너부 들 사이 의 제 2 층간 절 연막 상 에 간격 보다 넓 은 간격 으로 이격 되 어 횡 으로 배열 되 고 , 각 비아 들 과 연결 되 며 런 너 라인 의 길 이 방향 을 따라 신장 된 다수 의 퓨즈 라인 을 포함 는 퓨즈 절 단부 를 형성 하 는 것 을 포함 한다 .