도 6 을 참조 하 면 , 웨이퍼 의 앞면 및 후면 상 에 소수성 레지스 트 를 코팅 한 후 , 노광 하 고 웨이퍼 스케일링 ( wafer scaling ) 과 같 은 오버레이 불량 정도 를 측정 한 결과 , 소수성 레이지 트 의 표면층 에 대한 침윤 매질 인 물 의 접촉각 에 따라 스케일링 정도 가 도 6 에 제시 된 바 와 같이 변화 되 게 측정 되 고 있 다 . 표면 층 의 코팅 후 하루 ( day 1 ) 및 이틀 ( day 2 ) 을 경과 한 후 노광 을 수행 하 여 , 스케일링 에 의한 X 축 방향 으로 의 패턴 시프트 ( shift ) 및 Y 축 방향 으로 패턴 시프트 ( shift ) 정도 를 설정 된 패턴 크기 에 대한 변화 정도 의 값 으로 측정 한 결과 , 접촉각 이 60 ° 내지 70 ° 정도 의 범위 ( 600 ) 에서 얻 어 지 는 스케일링 변화 정도 가 상대 적 으로 낮 게 측정 되 고 있 다 . 즉 , 친수성 ( hydrophilic ) 의 레지스 트 에 비해 소수성 의 레지스 트 에서 스케일링 이 감소 하 는 것 을 확인 할 수 있 다 .