상기 목적 을 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 비휘발성 반도체 메모리 소자 는 , 실리콘 기판 상부 의 메모리 셀 을 격리 하 는 소자 격리 영역 과 소자 격리 영역 을 메우 는 소자 격리 물질 ; 상기 소자 격리 영역 각각 의 사이 에 위치 하 는 메모리 셀 영역 에 , 이온 주입 되 고 측면 이 드러나 도록 형성 된 , P 층 과 상기 P 층 상부 에 순차 적 으로 형성 된 N 층 ; 상기 드러난 N 층 과 P 층 을 순차 적 으로 덮 는 하부 터널 절 연막 , 전하 트랩 층 , 및 상부 절 연막 ; 및 상기 상부 절 연막 상부 로 형성 된 워드 라인 ( Word Line ) ; 을 포함 하 여 이루어지 는 것 을 특징 으로 한다 .