본 개시 의 일부 양상 은 , 유전체 재료 의 아이 솔 레 이 션 구조물 을 갖 는 아이 솔 레 이 션 영역 에 의해 분리 된 로직 영역 및 메모리 영역 을 갖 는 반도체 기판 을 포함 하 는 IC 에 관한 것 이 다 . 메모리 디바이스 가 메모리 영역 상 에 형성 되 고 , 게이트 유전체 위 의 게이트 전극 을 포함 한다 . 더미 게이트 구조물 이 아이 솔 레 이 션 구조물 상 에 형성 된다 . 더미 게이트 구조물 은 , 게이트 전극 에 대응 하 는 더미 게이트 전극 층 및 게이트 유전체 에 대응 하 는 더미 게이트 유전체 층 을 갖 는다 . 테이퍼 형 측벽 구조물 이 더미 게이트 구조물 의 로직 영역 측 측 부 상 에 형성 된다 . 테이퍼 형 측벽 구조물 은 아이 솔 레 이 션 구조물 위 에 이격 되 어 있 으며 , 더미 게이트 전극 층 과 인접 하 거나 근접 해 있 다 . 아이 솔 레 이 션 구조물 위 에 이격 되 어 있 는 테이퍼 형 측벽 구조물 은 , 본 개시 의 일부 양상 에 따른 프로세스 의 산물 인 IC 를 나타낸다 .