금속 산화 물막 ( 108 f ) 의 가공 에 는 웨트 에칭 법 및 드라이 에칭 법 중 어느 한 쪽 또는 양쪽 을 사용 하 면 좋 다 . 이때 반도체 층 ( 108 ) 과 중첩 되 지 않 는 절연 층 ( 103 ) 의 일부 가 에칭 되 어 얇 아 지 는 경우 가 있 다 . 예 를 들 어 , 절연 층 ( 103 ) 중 , 절 연막 ( 103 c ) 이 에칭 에 의하 여 없 어 지 고 , 절 연막 ( 103 b ) 의 표면 이 노출 되 는 경우 도 있 다 .