기판 ( 110 ) 의 상면 에 는 기판 ( 110 ) 의 평활 성 과 불순 원소 의 침투 를 차단 하 기 위하 여 버퍼 층 ( 111 ) 을 형성 할 수 있 다 . 이때 , 버퍼 층 ( 111 ) 은 SiO 2 및 / 또는 SiNx 등 의 절연 층 으로 형성 할 수 있 으며 , 버퍼 층 ( 111 ) 은 화소 영역 ( 120 ) 뿐 만 아니 라 배선 영역 ( 150 ) 에 도 동시 에 형성 될 수 있 다 .