리 스터스 ( Wristers ) 등 에게 허여 된 미국 특허 6 , 372 , 609 는 박형 상단 ( 표면 ) 실리콘 층 에서 인장 변형 을 형성 하 기 위한 비 효과 적 인 시도 로서 , 매립 된 압축 응력 받 은 실리콘 질화물 층 을 갖 는 SOI 웨이퍼 를 형성 하 는 것 을 개시 한다 . 상기 리 스터스 ( Wristers ) 특허 는 실제로 상단 반도체 층 에서 효과 적 인 변형 을 유발 하 지 않 는다 . 상기 리 스터스 ( Wristers ) 특허 에 개시 된 방법 은 압축 응력 받 은 실리콘 질화물 의 층 을 갖 는 BOX 구 조체 를 형성 하 고 , 최종 소자 구조 체 는 활성 영역 과 기판 사이 에 위치 한 BOX 구 조체 를 포함 한다 . 그렇지만 , 압축 응력 받 은 실리콘 질화물 층 은 웨이퍼 의 평면 에서 연속 적 ( 방해 받 지 않 음 ) 이 며 이 에 따라 최초 - 형성 된 구성 으로부터 측면 으로 확장 또는 수축 할 수 없 다 . 매립 된 응력 받 은 실리콘 질화물 층 의 에지 이완 ( edge relaxation ) 을 위한 기회 가 없 으며 , 따라서 리 스터스 ( Wristers ) 특허 는 실리콘 활성 영역 에서 변형 을 유발 하 기 위한 메커니즘 또는 압축 응력 받 은 매립 실리콘 질화물 층 을 이완 시키 기 위한 메커니즘 을 제공 하 지 않 는다 .