따라서 , 금속화 층 ( 31 ) 의 원래 층 두께 ( D ) 는 화합물 반도체 층 ( 21 ) 의 층 두께 ( D 21 ) 만큼 감소 된다 . 화학 적 전환 후 남 은 금속화 층 ( 31 ) 의 층 두께 는 D 31 로 표시 된다 . 따라서 , 화학 적 전환 에 의해 생성 된 금속화 층 ( 31 ) 및 화합물 반도체 층 ( 21 ) 을 갖 는 층 스택 ( 20 ) 의 전체 층 두께 ( D ) 는 금속화 층 ( 31 ) 의 원래 층 두께 ( D ) 에 대응 하 고 , 도 4 a 에 도시 된 층 ( 21 , 31 ) 의 전체 층 두께 ( D ) 보다 낮 으며 , 여기 서 화합물 반도체 층 ( 21 ) 은 금속화 층 ( 31 ) 상 에 퇴적 된다 .