한편 , 상기 플래시 메모리 장치 의 신뢰 성 을 개선 하 기 위하 여서는 상기 터널 절 연막 을 이용 하 는 프로그래밍 동작 및 소거 동작 시 에 전하 들 이 상기 터널 절 연막 내 에 트랩 ( trap ) 되 는 현상 을 차단 하 여야 한다 . 즉 , 상기 터널 절 연막 내 에 전하 들 을 트랩 할 수 있 는 트랩 사이트 ( trap site ) 들 의 생 성 을 최소 화 하 여야 된다 . 그러나 , 종래 의 플래시 메모리 장치 에 있 어서 , 비록 금속 산화물 과 같 은 높 은 유전 상 수 를 갖 는 유전 물질 을 이용 하 여 터널 절 연막 을 형성 하 는 방법 이 제시 되 어 있 으나 이러 한 고유 전 물질 로 이루어진 터널 절 연막 의 경우 에 도 상기 플래시 메모리 장치 의 프로그래밍 동작 및 소거 동작 시 에 트랩 사이트 들 이 생성 되 는 것 을 회피 하 기 는 어려운 문제점 이 있 다 .