먼저 , ( a ) 용매 , 유기 반도체 , 절연성 고분자 를 포함 하 는 혼합 용액 을 제조 하 는 단계 ; ( b ) 상기 혼합 용액 을 기판 상 에 스핀 코팅 하 고 건조 시켜 유기 반도체 층 / 절연성 고분자 층 / 기판 적층 체 를 제조 하 는 단계 ; 및 ( c ) 상기 유기 반도체 층 상 에 소스 전극 과 드레 인 전극 을 형성 하 여 유기 전계 효과 트랜지스터 를 제조 하 는 단계 ; 를 포함 하 고 , 상기 유기 반도체 의 표면 에너지 가 상기 절연성 고분자 의 표면 에너지 보다 작 고 , 단계 ( b ) 에서 , 상기 스핀 코팅 시간 을 조절 하 여 상기 유기 반도체 와 절연성 고분자 의 수직 상 분리 및 상기 유기 반도체 의 결정 성장 을 제어 하 는 것 인 , 유기 전계 효과 트랜지스터 의 제조 방법 을 제공 한다 .