표면 소수 화 막 은 CVD 법 이나 스퍼터 법 , 이온 주입 법 그 외 의 방법 또는 이 들 을 조합 시켜 이용 할 수 도 있 지만 , 예컨대 절 연막 에 접하 여 표면 소수 화 막 형성 재료 를 도포 하 고 , 그 후 , 표면 소수 화 막 형성 재료 가 놓인 절 연막 을 가열 처리 함 으로써 도 얻 어 진다 . 그 후 , 이 표면 소수 화 막 에 접하 여 배선 을 형성 한다 . 가열 처리 로서 는 80 ℃～ 500 ℃ 로 0 . 5 ～ 180 분 간 의 조건 이 바람직 하 다 .