여기 서 , 상기 프로세스 챔버 ( 10 ) 는 외부 로부터 독립 되 어 상기 반도체 제 조공 정 이 이루어지 도록 대기 로부터 밀폐 된 공간 을 제공 하 며 , 대기 중 의 오염 물질 로부터 자유 롭 게 하 기 위해 소정 의 진공도 를 갖 도록 상기 배기 부 ( 20 ) 에 의해 내부 의 공기 가 펌핑 되 도록 형성 되 어 있 다 . 예컨대 , 상기 프로세스 챔버 ( 10 ) 는 상기 가스 공급 부 ( 30 ) 에서 공급 되 는 상기 반응 가스 및 세정 가스 를 소정 의 유량 으로 분사 하 는 샤워 헤드 ( 12 ) 와 , 상기 샤워 헤드 ( 12 ) 에 대향 하 여 웨이퍼 를 수평 으로 지지 하 면서 소정 의 온도 로 가열 시키 는 히터 블록 ( 14 ) 과 , 상기 프로세스 챔버 ( 10 ) 의 세 정시 상기 세정 가스 를 플 라즈 마 상태 로 여기 시키 도록 형성 된 플 라즈 마 전극 ( 도시 되 지 않 음 ) 과 , 상기 프로세스 챔버 ( 10 ) 내부 의 진공도 를 감지 하 는 진공 센서 ( 도시 되 지 않 음 ) 를 포함 하 여 이루어진다 .