본 발명 은 , 반도체 소자 를 제조 하 기 위한 마스크 의 제조 방법 에 있 어서 , 반도체 기판 상 에서 마스크 에 의해 노광 되 는 영역 을 다수 의 블록 으로 구획 하 는 블록 화 단계 와 , 반도체 기판 상 에서 블록 마다 존재 하 는 패턴 의 조 밀도 를 산출 하 는 산출 단계 와 , 마스크 를 블록 각각 을 노광 하 는 구역 으로 구획 하 여 구역 내 에 위치 하 는 비아 패턴 의 사이즈 를 대응 하 는 블록 의 패턴 조 밀도 에 따라 원래 보다 크 거나 작 도록 비아 패턴 을 형성 시키 는 보상 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .