종래 기술 3 은 칼코젠 원소 를 이용 한 MOS 구조 의 박막 트랜지스터 를 구성 하 는 방법 을 개시 한다 . 이 에 따라 제작 된 TFT 소자 는 빛 의 조사 에 의한 전류 - 전압 특성 의 변화 가 뚜렷 하 게 나타났 다 . 본 발명 에서 의 결과물 의 구성 부 중 , 신호 저 장부 는 상기 기술 에서 제안 한 박막 트랜지스터 를 포함 할 수 있 다 .