본 개시 내용 의 실시 예 들 에서 , MEMS 트랜스 듀 서 ( 30 ) 는 적어도 한 쌍 의 차동 MEMS 센서 디바이스 들 ( 10 , 20 ) 을 포함 한다 . 그러 한 한 쌍 의 차동 MEMS 센서 디바이스 들 ( 10 , 20 ) 은 제 1 및 제 2 차동 MEMS 센서 디바이스 ( 10 , 20 ) 를 포함 한다 . 제 1 차동 MEMS 센서 디바이스 ( 10 ) 는 제 1 차동 출력 신호 를 제공 하 기 위한 제 1 및 제 2 전극 구 조체 ( 14 , 16 ) , 및 제 1 및 제 2 전극 구 조체 ( 14 , 16 ) 사이 의 제 3 전극 구 조체 ( 12 ) 를 포함 한다 . 제 2 차동 MEMS 센서 디바이스 ( 20 ) 는 제 2 차동 출력 신호 를 제공 하 기 위한 제 1 및 제 2 전극 구 조체 ( 24 , 26 ) , 및 제 1 및 제 2 전극 구 조체 ( 24 , 26 ) 사이 의 제 3 전극 구 조체 ( 22 ) 를 포함 한다 . 제 1 및 제 2 바이어 싱 전압 들 Vmic , Vmic 2 가 기준 전압 에 대해 대칭 적 으로 오프셋 된다는 점 에서 , 바이어 싱 회로 ( 11 ) 는 제 1 차동 MEMS 센서 디바이스 ( 10 ) 의 제 3 전극 구 조체 ( 12 ) 에 제 1 바이어 싱 전압 Vmic 를 제공 하 고 , 제 2 차동 MEMS 센서 디바이스 ( 20 ) 의 제 3 전극 구 조체 ( 22 ) 에 제 2 바이어 싱 전압 Vmic 2 를 제공 한다 . 판독 회로 ( 15 , 17 , 40 ) 는 제 1 및 제 2 차동 출력 신호 를 역 평행 방식 으로 결합 하 도록 구성 된다 . 역 평행 결합 은 감소 된 신호 비대칭 을 초래 하 고 , 이 와 함께 MEMS 트랜스 듀 서 의 개선 된 성능 을 초래 한다 . 그러 한 실시 예 들 은 , 예 를 들 어 , 도 2 및 도 3 에 개략 적 으로 도시 된다 .