한편 , 상기 활성 층 ( 29 ) 은 단일 의 웰 층 을 갖 는 단일 양자 웰 또는 웰 층 과 장벽 층 이 교대 로 적층 된 다중 양자 웰 일 수 있 다 . 상기 웰 층 은 InGaN 로 형성 되 며 , 장벽층 은 ( Al , In , Ga ) N 로 형성 될 수 있 다 . 상기 웰 층 은 장벽층 에 비해 더 많 은 In 을 포함 하 여 양자 웰 을 형성 한다 .