상기 흑연 질 기판 상 에 , 바람직 하 게 는 상기 흑연 질 기판 상 의 홀 - 패턴 화 된 마스크 의 홀 을 통해 , 에피 택 셜 방식 으로 복수 의 III - V 족 반도체 NW 를 성장 시키 는 단계 로서 , 이때 상기 NW 는 , 바람직 하 게 는 양자 우물 , 양자 점 또는 초격자 로부터 선택 된 , 하나 이상 의 헤테로 구조 를 포함 하 고 , 임의 적 으로 상기 NW 중 적어도 하나 는 전자 또는 정공 차단 층 을 포함 하 는 , 단계 ; 및