본 발명 은 상기 한 종래 기술 의 문제점 을 해결 하 기 위하 여 제안 된 것 으로 , 피식 각층 과 포토레지스트 사이 에 코팅 방식 을 통하 여 탄소 를 함유 하 는 하드 마스크 및 실리콘 을 함유 하 는 하드 마스크 를 개재 시키 되 , 특히 , 하드 마스크 들 간 의 식각 선택 비 를 증가 시킴 으로써 , 식각 마진 확보 및 공정 비용 감소 가 가능 한 반도체 소자 의 패턴 형성 방법 을 제공 하 는데 그 목적 이 있 다 .