[ 0017 ] 원격 플 라즈 마 를 사용 하 는 일부 구현 들 에서 , 가스 종 의 여기 는 무 - 플라 즈 마 - 손상 ( plasma - damage - free ) 기판 프로세싱 을 가능 하 게 한다 . 원격 플 라즈 마 에칭 은 실리콘 산화물 층 들 에 대해 대체로 등각 적 ( conformal ) 이 고 선택 적 일 수 있 고 , 그 에 따라 , 실리콘 이 비정질 인지 , 결정질 인지 , 또는 다 결정질 인지 와 무관 하 게 , 실리콘 을 쉽 게 에칭 하 지 못한다 . 원격 플 라즈 마 프로세스 는 일반 적 으로 , 기판 재료 가 제거 됨 에 따라 기판 의 표면 상 에 성장 되 는 고체 부산물 들 을 생성 할 것 이 다 . 고체 부산물 들 은 , 기판 의 온도 가 상승 될 때 ( 예컨대 , 300 ℃), 승화 를 통해 후속 하 여 제거 될 수 있 다 . 플 라즈 마 에칭 프로세스 는 실리콘 - 수소 ( Si -- H ) 결합 들 을 상부 에 갖 는 기판 표면 을 발생 시킨다 .