이렇게 하 여 얻 어 진 SOI 구조 의 웨이퍼 에 , 도 3 에 나타내 는 수준 3 의 열처리 를 행한 후 , 이 열처리 후 의 SOI 웨이퍼 의 절연 산화 막 층 과 지지층 과 의 계면 부근 의 열처리 유기 결함 밀도 를 , 실시 예 1 과 동일 하 게 미츠이 킨조 쿠사 제조 의 MO - 441 을 이용 한 90 ° 광산 란 법 으로 평가 한 바 , 표 1 에 나타내 는 바 와 같이 광산 란 결함 밀도 는 1 . 9 × 108 / ㎤ 이 었 다 .