도 8 은 본 명세서 에 개시 된 예시 에 다라 강유 전 성 메모리 셀 액세스 를 지원 하 는 타이밍 도 ( 800 ) 의 하나 의 예 를 도시 한다 . 예 를 들 어 , 타이밍 도 ( 800 ) 는 액세스 동작 의 제 3 페이즈 , 가령 , 도 5 를 참조 하 여 기재 된 바 와 같이 액세스 동작 의 제 3 페이즈 ( 530 ) 를 도시 할 수 있 다 . 일부 예시 에서 , 타이밍 도 ( 800 ) 는 제 3 페이즈 동안 선택 된 디 지트 라인 ( 805 ) , 하나 이상 의 비 선택 디 지트 라인 ( 806 ) , 선택 된 워드 라인 ( 810 ) , 하나 이상 의 비 선택 워드 라인 ( 811 ) , 및 플레이트 ( 815 ) 의 전압 을 도시 할 수 있 다 . 본 명세서 에 언급 된 바 와 같이 , " 제 3 페이즈 ( 530 ) 는 "" 프리 차지 ( precharge ) "" 페이즈 로 지칭 될 수 있 고 ", 선택 된 워드 라인 ( 810 ) 을 비 활성 화 하 고 제 1 페이즈 ( 520 ) 동안 개방 됐 을 수 있 는 메모리 셀 의 페이지 를 그 밖 의 다른 방식 으로 폐쇄 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 일부 경우 , 제 3 페이즈 ( 530 ) 는 메모리 셀 로 타깃 논리 상태 를 쓰 는 것 을 더 포함 할 수 있 다 .