제 2 절 연막 을 식각 하 는 단계 에서 게이트 의 측벽 에 형성 된 제 2 절 연막 이 제거 된다 . 제 2 절 연막 을 식각 하 는 단계 는 CF 4 , CHF 3 또는 C 4 F 4 가스 를 각각 이용 하 거나 , 이 를 하나 이상 의 가스 와 혼합 한 혼합 가스 를 이용 한다 . 제 3 절연 막 은 BPSG ( Boron Phosphorus Silicate Glass ) 막 으로 형성 한다 . 제 2 절 연막 을 식각 하 는 단계 는 등방성 식각 공정 으로 실시 한다 . 제 3 절 연막 의 불순물 이 제 2 절 연막 을 식각 하 는 단계 이후 게이트 의 상부 에 잔여 하 는 제 2 절 연막 에 의해 반도체 기판 내 로 침투 되 지 않 는다 .