개구 를 덮 도록 금속 층 을 형성 하 고 , 에칭 을 행하 여 성형 함 으로써 , 소스 · 드레 인 전극 ( 108 d ) 을 형성 한다 . 본 실시 형태 에서 는 , 소스 · 드레 인 전극 ( 108 d ) 의 형성 과 동시 에 접속 배선 ( 108 e ) 을 형성 한다 . 따라서 , 소스 · 드레 인 전극 ( 108 d ) 과 접속 배선 ( 108 e ) 은 동일 한 층 내 에 존재 할 수 있 다 . 금속 층 은 게이트 전극 ( 108 c ) 과 마찬가지 의 구조 를 가질 수 있 으며 , 게이트 전극 ( 108 c ) 의 형성 과 마찬가지 의 방법 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 .