플로팅 게이트 ( FG ) 는 트리플 구조 의 ISFET 내 의 채널 영역 ( 113 C ) 으로부터 절연 되 어 있 으며 , 채널 영역 ( 113 C ) 하부 에 배치 된다 . 플로팅 게이트 ( FG ) 는 제 1 유전체 층 ( 112 ) 과 차폐층 ( 111 ) 에 의해 절연 되 며 , Indium tin oxide ( ITO ) 로 이루 어 지 지만 금속 과 같 은 전도성 물질 이 사용 될 수 도 있 다 . 폴 로 팅 게이트 의 전압 은 제어 게이트 ( CG ) 의 전압 에 따라 결정 될 수 있 으며 , 이 에 대한 상세 한 내용 은 추후 설명 하 기 로 한다 .