전술 한 수평 채널 트랜지스터 는 게이트 전극 이 수평 채널 의 상부 에 만 형성 됨 으로써 채널 에 는 상하 비대칭 적 으로 전계 가 인가 되 어 게이트 전극 에 의해 트랜지스터 의 온 / 오프 ( on / off ) 동작 을 효과 적 으로 제어 하 는 데 많 은 어려움 이 있 다 . 그 결과 , 채널 크기 가 축소 될 수록 단채 널 효과 의 영향 은 그 만큼 커 지 게 된다 . 이 에 반해 , 수직 채널 을 갖 는 이중 게이트 트랜지스터 는 얇 은 채널 의 양측 에 게이트 전극 이 형성 되 기 때문 에 채널 의 모든 영역 은 게이트 전극 의 영향 을 받 게 된다 . 따라서 , 트랜지스터 가 오프 일 때 소오 스 및 드레 인 사이 의 전하 흐름 을 억제 할 수 있 기 때문 에 전력 소모 를 감소 시킬 수 있 고 , 트랜지스터 의 온 / 오프 동작 을 효과 적 으로 제어 할 수 있 다 .