본 발명 은 반도체 소자 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 플래시 메모리 소자 의 공통 소스 라인 을 형성 할 때 에 MUV 광과 DUV 광 에 의한 현상 특성 이 상이 한 복수 의 포토레지스트 를 RCS 스페이스 에 적층 한 후 에 포토레지스트 들 의 상이 한 현상 특성 을 활용 하 는 패 터닝 공정 을 수행 하 여 RCS 스페이스 에 포토레지스트 잔류물 이 남 지 않 도록 함 으로써 후속 의 자기 정렬 소스 식각 이 충분히 이루어질 수 있 도록 하 는 이점 이 있 다 .