이어서 , 레지스 트 는 , 전극 패 터닝 을 위해 제 2 주면 상 에 도포 되 고 , 어떠 한 전극 도 형성 되 지 않 는 부분 에 만 남 도록 리소그래피 에 의해 패 터닝 된다 ( 단계 S 14 ) . 전기 도금 등 에 의해 금속 시드 층 을 도금 ( plate ) 하 고 , 스루홀 전극 과 상호 접속 부 를 형성 한다 ( 단계 S 15 ) . 이후 , 습식 식각 등 에 의해 레지스 트 를 제거 한다 ( 단계 S 16 ) . 후속 하 여 , 예 를 들 어 습식 식각 에 의해 금속 시드 를 식각 하 고 , 이 에 따라 스루홀 전극 과 상호 접속 부 를 위한 영역 을 제외 한 영역 에 절 연막 ( 22 ) 을 노출 시킨다 ( 단계 S 17 ) ( 도 9 ) . 넌 마스킹 ( non - masking ) 전기 도금 을 먼저 수행 한 후 리소그래피 및 식각 에 의해 스루홀 전극 과 상호 접속 부 를 형성 할 수 도 있 다는 점 에 주목 한다 . 그러나 , 이 방법 이 사용 되 면 , 사용 되 는 도금액 의 양 이 증가 되 어야 하 고 , 이 는 프로세스 에 고 비용 을 들 게 한다 .