한편 , 트랜지스터 의 게이트 전극 및 소스 - 드레 인 확산 영역 을 형성 한 후 에 는 이 를 외부 와 전기 적 으로 연결 하 기 위하 여 금속 배선 과 의 컨 택 ( Contact ) 을 형성 하 게 되 는데 , 트랜지스터 의 스케일 다운 에 따라 형성 된 얇 은 다결정 실리콘 게이트 및 옅 은 소스 - 드레 인 확산 영역 의 면저항 을 모두 10 ~ 20 ohms / ㎡ 이하 로 줄일 수 없 게 된다 . 이 때문 에 상호 접속 매개체 로서 의 유용 성 이 크 게 줄어들 게 된다 .