도 2 a 는 종래 의 질화 갈륨 계 발광 소자 제조 방법 에 있 어서 , ( 다중 양자 우물 구조 의 ) 활성 층 성장 시간 에 따른 In 소스 유량 을 나타내 는 그래프 이 다 . 다 중양 자우 물 구조 의 활성 층 을 형성 하 기 위하 여 In 소스 유량 이 많 은 우물 층 성장 단계 ( A ) 와 In 소스 유량 이 작 은 장벽층 성장 단계 ( B ) 를 교대 로 실시 한다 . 도 2 a 에 도시 된 바 와 같이 , 종래 에 는 우물 층 성장 단계 ( A ) 에서 In 소스 ( 예컨대 , TMI 가스 ) 유량 을 일정 하 게 유지 시킨 채 로 우물 층 ( 예컨대 , InGaN 우물 층 ) 을 성장 시킨다 . 우물 층 성장 단계 ( A ) 에서 는 , In 소스 유량 뿐 만 아니 라 , 다른 소스 ( Ga 소스 또는 N 소스 ) 의 유량 도 일정 하 게 유지 시킨다 .