또한 , 상기 특허 문헌 2 ( 일본 특허 출원 공개 평 11 - 68004 호 공보 ) 에 는 , 패키지 의 이면 에 레이 저광 을 조사 하 여 왁스 성분 ( 유기 막 ) 을 제거 하 는 기술 이 개시 되 어 있 는데 , 이 경우 레이 저광 의 조사 대상 이 패키지 ( 수지 ) 이 므로 , 고온 으로 , 또한 한 번 의 조사 로 유기 막 을 제거 가능 하 지만 , 조사 대상 이 배선 기판 인 경우 에 는 , 고온 으로 , 한 번 의 조사 로 제거 하 려고 하 면 , 기판 표면 의 솔 더 레지스 트 가 타 버린다고 하 는 문제 가 발생 한다 .