본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 2 산화 공정 은 제 2 라디칼 산화 공정 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 라디칼 산화 공정 에 있 어서 , 대 상체 ( 250 ) 를 상기 공정 챔버 내 에 로딩 시킨 후 , 수소 가스 및 산소 가스 를 포함 하 는 제 3 반응 가스 를 상기 공정 챔버 내 로 도입 한다 . 상기 공정 챔버 는 약 800 ∼ 1 , 000 ℃ 정도 의 상대 적 으로 높 은 제 3 온도 및 약 0 . 1 ∼ 0 . 5 Torr 정도 의 상대 적 으로 낮 은 제 3 압력 으로 유지 될 수 있 다 . 상기 공정 챔버 내 에서 상기 제 3 반응 가스 에 포함 된 수소 가스 및 산소 가스 의 반응 에 따라 형성 된 제 2 산소 라디칼 ( O *) 과 제 2 예비 산화 막 ( 260 ) 에 포함 된 실리콘 사이 의 반응 에 따라 제 2 예비 산화 막 ( 260 ) 이 하부 산화 막 ( 268 ) 으로 변화 되 는 동시 에 하부 산화 막 ( 268 ) 상 에 실리콘 산화물 로 이루어진 예비 상부 산화 막 ( 275 ) 이 형성 된다 . 또한 , 상기 제 2 라디칼 산화 공정 동안 , 예비 하부 질화 막 ( 265 ) 에 포함 된 질소 원자 들 이 대 상체 ( 250 ) 및 제 2 예비 산화 막 ( 260 ) 의 일부 로 확산 되 어 예비 하부 질화 막 ( 265 ) 보다 두꺼운 두께 를 갖 는 하부 질화 막 ( 270 ) 이 대 상체 ( 250 ) 상 에 형성 된다 . 한편 , 리모트 플 라즈 마 방식 또는 다이렉트 플라 즈 마 방식 을 이용 하 여 형성 된 제 2 산소 라디칼 과 제 2 예비 산화 막 ( 260 ) 에 포함 된 실리콘 을 반응 시켜 하부 산화 막 ( 268 ) 상 에 예비 상부 산화 막 ( 275 ) 을 형성 할 수 있 다 .