종래 의 상 변화 메모리 장치 에 의하 면 , 센싱 노드 ( NSA ) 의 센싱 마진 은 ( VCC - 1 V ) 에 불과 하 다 . 전원 전압 ( VCC ) 이 1 . 5 V 이하 로 낮 아 지 면 , 센싱 마진 은 0 . 5 V 이하 로 낮 아 지 게 된다 . 이것 은 상 변화 메모리 장치 의 읽 기 동작 특성 을 떨어뜨리 는 주요 원인 이 된다 . 그러나 도 5 에서 볼 수 있 듯이 본 발명 에 따른 상 변화 메모 리 장치 ( 100 ) 에 의하 면 , 센싱 노드 ( NSA ) 의 센싱 마진 은 ( VSA - 1 V ) 이 므로 충분 한 센싱 마진 을 확보 할 수 있 고 , 안정 적 인 읽 기 동작 을 수행 할 수 있 다 .