직경 200 mm , 725 ㎛ 두께 의 실리콘 웨이퍼 상 에 증착 에 의해 구리 막 을 형성 하 고 , 열경화성 페놀 변성 실리콘 계 레지스 트 재료 를 스핀코팅 으로 도포 하 고 , 100 ℃, 100 초 의 조건 으로 프리 베 이크 를 행하 여 , 두께 10 ㎛ 의 레지스 트 막 을 형성 하 였 다 . 이어서 , 목적 의 패턴 을 형성 하 기 위한 마스크 를 상기 레지스 트 막 상 에 덮 고 , 파장 320 nm 의 에너지 선 을 노광량 1 ~ 5 , 000 mJ / cm 2 정도 조사 하 였 다 . 다시 , 2 질량 % 테트라메틸 암모늄 하이드 록 사이드 ( TMAH ) 의 알칼리 수용액 의 현상액 을 이용 하 고 , 3 분 간 퍼 들 ( pulddle ) 법 에 의해 현상 함 으로써 , 기판 상 에 목적 의 패턴 을 형성 하 였 다 . 패턴 을 형성 한 기판 에 대해 , 산소 플 라즈 마 등 에 의한 애 싱 을 첨가 함 으로써 , 패턴 상 의 미소 한 레지스 트 잔사 를 제거 함 과 함께 , 레지스 트 표면 을 친수 화 처리 하 고 , 계속 해서 무전 해 법 에 의해 구리도금 을 행함 으로써 , 기판 상 에 금속 패턴 을 얻 었 다 . 더미 범프 가 형성 된 가로세로 10 mm 두께 200 ㎛ 두께 인 칩 의 네 모퉁이 에 시판 의 접착제 를 도포 하 고 , 상기 금속 패턴 이 얻 어 진 기판 상 에 붙였 다 . 더미 범프 직경 은 30 ㎛, 범프 피치 는 60 ㎛ 이 고 , 칩과 레지스 트 막 사이 에 는 30 ㎛ 의 간극 이 형성 되 어 있 다 .