먼저 , 도 2 a 와 같이 구리 배선 ( 22 ) 위 에 제 1 확산 방지 막 ( 24 ) 을 형성 한다 . 제 1 확산 방지 막 ( 24 ) 은 티타늄 - 실리콘 - 나이트 라이드 ( TiSiN ) 를 사용 하 여 형성 한다 . 티타늄 - 실리콘 - 나이트 라이드 ( TiSiN ) 를 형성 하 는 방법 은 공지 의 어떠 한 방법 을 사용 하 여도 무방 하 다 . 이러 한 제 1 확산 방지 막 으로 인하 여 반도체 소자 에서 하부 배선 으로 사용 되 는 구리 의 확산 을 일차 적 으로 방지 할 수 있 다 .