적어도 2 회 의 습식 식각 공정 에 의해 실리콘 기판 에 서로 다른 형상 을 가진 적어도 두 개 의 요소 를 형성 하 는 실리콘 습식 식각 방법 이 개시 된다 . 개시 된 실리콘 습식 식각 방법 은 , 실리콘 기판 의 표면 에 패럴 린 으로 이루어진 1 차 식각 마스크 를 형성 하 는 단계 와 , 1 차 식각 마스크 를 이용 하 여 실리콘 기판 을 1 차 습식 식각 함 으로써 제 1 요소 를 형성 하 는 단계 와 , 실리콘 기판 의 표면 에 실리콘 산화 막 으로 이루어진 2 차 식각 마스크 를 형성 하 는 단계 와 , 2 차 식각 마스크 를 이용 하 여 실리콘 기판 을 2 차 습식 식각 함 으로써 제 2 요소 를 형성 하 는 단계 를 포함 한다 . 이 와 같 은 본 발명 에 의하 면 , 상온 에서 증착 이 가능 한 패럴 린 마스크 를 이용 하 여 1 차 습식 식각 공정 을 수행 하 므로 , 실리콘 기판 에 대한 열 산화 공정 의 회수 가 줄어들 게 되 어 열 산화 공정 에 의해 발생 될 수 있 는 실리콘 기판 내부 의 열 적 결함 이 최소 화 될 수 있 으며 , 이 에 따라 습식 식각 공정 에 의해 형성 되 는 요소 들 의 형상 균 일도 가 향상 될 수 있 다 .