순차 적 으로 티타늄 ( IV ) 부 톡 사이드 를 이용 하 여 식각 을 수행 하 면 , 도 18 의 ( c ) 및 ( g ) 에 나타난 바 와 같이 , 산화 아연 막 ( 110 ) 의 두께 는 감소 되 고 , 얇 은 산화 아연 막 이 획득 된다 ( S 110 ) . 예 를 들 어 , 산화 아연 막 ( 110 ) 의 두께 는 대략 367 nm 정도 로 감소 될 수 있 다 . 이 경우 , 식각 된 산화 아연 막 ( 110 ) 의 결정 구조 는 여전히 육각형 산화 아연 구조 를 갖 는다 . 이 는 도 20 에 도시 된 바 와 같이 , 분말 X 선 회절 을 사용 하 여 확인 가능 하 다 . 식각 된 산화 아연 막 ( 110 ) 에 대해 분말 X 선 회절 방법 을 이용 하 면 , 결과 에서 피크 의 확대 가 관찰 되 지 않 으며 , 이 는 산화 아연 막 ( 110 ) 의 결정 크기 가 식각 공정 동안 감소 하 지 않 았 다는 것 을 나타낸다 . 식각 된 산화 아연 막 ( 110 ) 에 대한 스캐닝 전자 현미경 이미지 역시 산화 아연 막 의 표면 이 결함 없이 균일 하 게 형성 되 었 음 을 보여준다 .