다음 으로 , 도 5 에 도시 한 바 와 같이 , 기판 ( 2 ) 상 에 실리콘 산화 막 ( 33 ) 을 형성 하 고 , 실리콘 산화 막 ( 33 ) 상 에 포토레지스트 ( 34 ) 를 형성 한다 . 그리고 , 공지 의 포토 리소그래피 기술 을 이용 하 여 , P 형 의 매립 확산 층 ( 35 , 36 ) 이 형성 되 는 영역 상 의 포토레지스트 ( 34 ) 에 개구부 를 형성 한다 . 그 후 , 기판 ( 2 ) 의 표면 으로부터 , P 형 불순물 , 예 를 들 면 , 붕소 ( B ) 를 가속 전압 180 ∼ 200 ( keV ) , 도입 량 1 . 0 × 1012 ∼ 1 . 0 × 1014 ( / ㎠) 에서 이온 주입 한다 .