상기 상부 전극 ( UE ) 은 상기 하부 전극 ( LE ) 과 중첩 하 며 , 평면 상 에서 볼 때 상기 하부 전극 ( LE ) 을 커버 할 수 있 다 . 상기 상부 전극 ( UE ) 과 상기 하부 전극 ( LE ) 과 의 중첩 면적 을 넓힘 으로써 상기 스토리지 캐 패 시터 ( Cst ) 의 커패시턴스 가 증가 될 수 있 다 . 상기 상부 전극 ( UE ) 은 상기 제 1 방향 ( DR 1 ) 으로 연장 될 수 있 다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 있 어서 , 상기 상부 전극 ( UE ) 에 는 상기 제 1 전원 ( ELVDD ) 과 동일 한 레벨 의 전압 이 인가 될 수 있 다 . 상기 상부 전극 ( UE ) 은 상기 제 1 게이트 전극 ( GE 1 ) 과 상기 제 1 연결 배선 ( CNL 1 ) 이 연결 되 는 제 1 컨 택 홀 ( CH 1 ) 이 형성 되 는 영역 에 개구부 ( OPN ) 를 가질 수 있 다 .