도 19 를 참조 하 면 , 본 발명 의 또 다른 몇몇 실시 예 에 따른 반도체 장치 는 스토리지 컨 택 구조 체 ( 930 ) 에 포함 된 실리사이드 층 ( 932 ) 이 비트 라인 ( 122 ) 보다 높 게 배치 될 수 있 다 . 즉 , 실리사이드 층 ( 932 ) 의 상면 ( 932 a ) 이 비트 라인 ( 122 ) 의 상면 ( 122 a ) 보다 높 게 형성 될 수 있 다 .