우선 , 도전 막 ( 511 ) 및 도전 막 ( 512 ) 을 에칭 하 고 , 단결정 반도체 층 ( 505 및 507 ∼ 509 ) 위 에 , 테이퍼 형 으로 도전 막 ( 511 ) 과 도전 막 ( 512 ) 의 적층 막 을 형성 한다 . 이 에칭 에 의해 , 도전 막 ( 515 ∼ 518 ) 의 하층 의 도전 막 ( 515 a ∼ 518 a ) 이 형성 된다 . 다음 에 레지스 트 마스크 를 도전 막 ( 512 ) 위 에 남긴 채 , 도전 막 ( 512 ) 만 을 에칭 하 고 , 도전 막 ( 511 ) 보다 도 그 폭 을 가늘 게 하 여 , 도전 막 ( 515 b ∼ 518 b ) 을 형성 한다 . 도전 막 ( 515 ∼ 518 ) 을 형성 한 후 , 레지스 트 마스크 를 제거 한다 .