상기 의 기술 적 과제 를 위한 본 발명 의 일 관점 은 , 웨이퍼 상 에 전사 할 목표 패턴 레이아웃 설계 단계 , 상기 레이아웃 에 대해 광 근접 보정 ( OPC ) 하 는 단계 , 상기 웨이퍼 전사 과정 의 시뮬레이션 모델 ( model ) 을 이용 하 여 상기 광 근접 보정 된 레이아웃 의 제 1 시뮬레이션 컨 투어 ( simulation contour ) 를 추출 하 는 단계 , 상기 제 1 시뮬레이션 컨 투어 를 상기 목표 패턴 레이아웃 와 비교 하 여 패턴 선폭 ( CD ) 차이 데이터 를 추출 하 는 단계 , 상기 패턴 선폭 차이 를 보상 할 노광 에너지 의 도즈 오프셋 ( dose - offset ) 값 을 추출 하 는 단계 , 상기 추출 된 도즈 오프셋 값 을 적용 하 여 상기 시뮬레이션 모델 을 캘 리브레 이 션 ( calibration ) 하 는 단계 , 상기 캘 리브레 이 션 된 모델 을 이용 하 여 상기 광 근접 보정 된 레이아웃 의 제 2 시뮬레이션 컨 투어 를 추출 하 는 단계 , 및 상기 제 2 시뮬레이션 컨 투어 와 상기 목표 패턴 레이아웃 을 비교 하 여 상기 광 근접 보정 을 검증 하 는 단계 를 포함 하 는 광 근접 보정 방법 을 제시 한다 .