여기 서 , 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 및 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) 각각 은 옥사이드 ( oxide ) 박막 트랜지스터 , 저 온 다결정 실리콘 ( low - temperature poly - silicon ; LTPS ) 박막 트랜지스터 , 등 으로 구현 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 는 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 이 고 , 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) 는 옥사이드 박막 트랜지스터 일 수 있 으나 , 이 에 한정 되 지 않 는다 .