이곳 에 기술 되 는 데이터 저 장소 ( 예컨대 , 메모리 ( 1008 ) ) 가 휘발 성 메모리 또는 비휘발성 메모리 일 수 있 거나 , 또는 휘발 성 및 비휘발성 메모리 를 모두 포함 할 수 있 음 이 인정 될 것 이 다 . 설명 을 위해 - 이 에 제한 되 지 는 않 음 -, 비휘발성 메모리 는 읽 기 전용 메모리 ( ROM ) , 프로그램 가능 ROM ( PROM ) , 전기 프로그램 가능 ROM ( EPROM ) , 전기 삭제 가능 PROM ( EEPROM ) , 또는 플 래쉬 메모리 를 포함 할 수 있 다 . 휘발 성 메모리 는 외부 캐쉬 메모리 로서 액팅 하 는 랜덤 액세스 메모리 ( RAM ) 를 포함 할 수 있 다 . 설명 을 위해 - 이 에 제한 되 지 는 않 음 -, RAM 은 동기식 RAM ( SRAM ) , 동적 RAM ( DRAM ) , 동기식 DRAM ( SDRAM ) , 2 배속 SDRAM ( DDR SDRAM ) , 향상 된 SDRAM ( ESDRAM ) , 동기 링크 DRAM ( SLDRAM ) , 다이렉트 램버스 RAM ( DRRAM ) 과 같 은 많 은 형태 들 로 가용 된다 . 당해 시스템 들 및 방법 들 의 메모리 ( 1008 ) 는 제한 됨 이 없이 이러 한 타입 들 의 메모리 및 임의 의 다른 적절 한 타입 들 의 메모리 를 포함 하 는 것 으로 의도 된다 .