그리고 화소 구동회 로 ( DC ) 는 더욱 구체 적 으로 는 , 예 를 들 면 도 3 에 나타내 는 바 와 같이 , 도 2 에 나타낸 트랜지스터 ( Tr 11 ) 가 행 방향 에 연재 하 도록 배치 되 고 , 또 , 트랜지스터 ( Tr 12 ) 가 열 방향 을 따라 연재 하 도록 배치 되 어 있 다 . 여기 에서 , 각 트랜지스터 ( Tr 11 , Tr 12 ) 는 주지 의 전계 효과 형 의 박막 트랜지스터 구조 를 갖 고 있 다 . 즉 , 각 트랜지스터 ( Tr 11 , Tr 12 ) 는 각각 , 예 를 들 면 절연성 기판 ( 11 ) 상 에 형성 된 게이트 전극 ( Tr 11 g , Tr 12 g ) 과 , 해당 게이트 전극 ( Tr 11 g , Tr 12 g ) 상 을 피복 하 도록 형성 된 게이트 절 연막 ( 12 ) 을 통하 여 각 게이트 전극 ( Tr 11 g , Tr 12 g ) 에 대응 하 는 영역 에 형성 된 반도체 층 ( SMC ) 과 , 해당 반도체 층 ( SMC ) 채널 의 양측 부 에 연재 하 도록 형성 된 소스 전극 ( Tr 11 s , Tr 12 s ) 및 드레 인 전극 ( Tr 11 d , Tr 12 d ) 을 갖 는 역 스 태거 구조 를 갖 고 있 다 .