도 8 의 단면도 ( 800 ) 에서 도시 된 바 와 같이 , 복수 의 하부 상호 연결 층 들 ( 108 ) 이 기판 ( 102 ) 위 의 하나 이상 의 하부 레벨 간 유전체 ( ILD ) 층 들 ( 106 a ~ 106 b ) 을 포함 하 는 하부 유전체 구조물 ( 106 ) 내 에 형성 된다 . 일부 실시 예 들 에서 , 하나 이상 의 하부 ILD 층 들 ( 106 a ~ 106 b ) 은 제 1 에칭 정지 층 ( 107 a ) 에 의해 분리 된 제 1 하부 ILD 층 ( 106 a ) 과 제 2 하부 ILD 층 ( 106 b ) 을 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 복수 의 하부 상호 연결 층 들 ( 108 ) 은 도전 성 콘택트 ( 202 ) 와 상호 연결 배선 ( 204 ) 을 포함 할 수 있 다 . 일부 추가 적 인 실시 예 들 ( 미도 시 됨 ) 에서 , 복수 의 하부 상호 연결 층 들 ( 108 ) 은 상호 연결 비아 를 더 포함 할 수 있 다 . 복수 의 하부 상호 연결 층 들 ( 108 ) 은 , 기판 ( 102 ) 위 에 하나 이상 의 하부 ILD 층 ( 106 a ~ 106 b ) ( 예컨대 , 산화물 , 로우 k 유전체 , 또는 울트라 로우 k 유전체 ) 중 하나 를 형성 하 고 , 하부 ILD 층 내 에 비아 홀 및 / 또는 트렌치 를 규정 하 도록 하부 ILD 층 을 선택 적 으로 에칭 하 고 , 비아 홀 및 / 또는 트렌치 내 에 도전 성 물질 ( 예컨대 , 구리 , 알루미늄 등 ) 을 형성 하 며 , 평탄 화 공정 ( 예컨대 , 화학 적 기계 적 평탄 화 공정 ) 을 수행 함 으로써 형성 될 수 있 다 .