제작 한 다층막 을 시판 하 고 있 는 증착 장치 ( 쇼와 ( 昭和 ) 진공 ( 주 ) 제조 ) 의 기판 홀더 에 고정 하 고 , ET - 3 를 넣 은 몰리브덴 제 증착 용 보트 , LiF 를 넣 은 몰리브덴 제 증착 용 보트 , 알루미늄 을 넣 은 텅스텐 제 증착 용 보트 를 장착 했 다 . 진공 조를 5 × 10 - 4 Pa 까지 압력 을 낮춘 후 , ET - 3 를 가열 하 여 막 두께 30 nm 로 되 도록 증착 하 여 전자 수송 층 을 형성 했 다 . 전자 수송 층 을 형성 할 때 의 증착 속도 는 1 nm / 초 로 했 다 . 그 후 , LiF 를 가열 하 여 막 두께 1 nm 로 되 도록 0 . 01 ∼ 0 . 1 nm / 초의 증착 속도 로 증착 했 다 . 다음 으로 , 알루미늄 을 가열 하 여 막 두께 100 nm 로 되 도록 증착 하 여 음극 을 형성 했 다 . 이 와 같이 하 여 유기 EL 소자 를 얻 었 다 .