[ 0024 ] 또한 , 도시 를 생략 하 지만 , 제 1 캐소드 전극 ( 15 ) 은 , Si 기판 ( 11 ) 의 이면 측 에 예컨대 인 ( 燐 ) 을 도핑 하 여 저 저항 ( 低 抵抗 ) 화 되 어 있 어도 되 고 , 주로 알루미늄 또는 금 을 포함 하 는 전극 재료 를 부착 시켜 형성 되 어 있 어도 된다 . 또한 , 이것 도 도시 를 생략 하 지만 , 반사 방지 층 ( 13 ) 에 형성 된 개구부 를 통해 p 형 확산 영역 ( 12 a ) 의 외측 에서 n 형 의 Si 기판 ( 11 ) 의 주면 에 접속 하 는 제 1 캐소드 전극 이 , 금 와이어 등 에 의해 대응 하 는 배선 ( 3 c ) 에 접속 되 어도 된다 .