도 3 a 및 도 3 b 를 참조 하 면 , 도 2 a 및 도 2 b 에서 와 는 반대 로 , 마스크 층 ( 134 ) 이 게이트 전극 ( 124 ) 의 타 측 상면 만 노출 하 는 경우 를 예시 한다 . 이 경우 에 도 , 게이트 전극 ( 124 ) 의 노출 영역 ( d ′ ₁ ) 을 통해 주입 된 이온 이 게이트 전극 ( 124 ) 을 투과 하 여 반도체 기판 ( 100 ) 내 에 주입 될 수 있 지만 , 이러 한 이온 은 제 1 불순물 영역 ( 140 ) 이 게이트 전극 ( 124 ) 하부 로 확장 된 오버랩 영역 ( d ₃ ) 으로 주입 되 므로 채널 영역 ( 105 ) 에 는 영향 을 주 지 않 는다 .