도 41 은 상기 HBT 소자 의 베이스 시트 저항 값 ( Rb ) 에 대한 전류 증폭률 ( β ) 의 비 와 , 개구 의 바닥 면적 [ ㎛] 과 의 관계 를 나타낸다 . 도 41 도 에 있 어서 , 종축 은 전류 증폭률 ( β ) 을 베이스 시트 저항 값 ( Rb ) 으로 나눈 값 을 나타내 고 , 횡축 은 개구 의 바닥 면적 을 나타낸다 . 또한 , 도 41 에 는 전류 증폭률 ( β ) 의 값 을 나타내 고 있 지 않 지만 , 전류 증폭률 은 70 ∼ 100 정도 의 높 은 값 을 얻 을 수 있 었 다 . 한편 , Si 웨이퍼 ( 102 ) 의 전체 면 에 동일 한 HBT 소자 구조 를 형성 하 고 , HBT 소자 를 형성 한 경우 의 전류 증폭률 ( β ) 은 , 10 이하 였 다 .