도 16 을 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 한 쌍 의 제 1 게이트 패턴 ( 310 ) 이 나란히 배치 된다 . 상기 제 1 게이트 패턴 ( 310 ) 은 차례 로 적층 된 터널 절 연막 ( 302 ) , 전하 저장 패턴 ( 304 ) , 블로킹 절연 패턴 ( 306 ) 및 제 어 게이트 전극 ( 308 ) 을 포함 한다 . 상기 터널 절 연막 ( 302 ) , 전하 저장 패턴 ( 304 ) , 블로킹 절연 패턴 ( 306 ) 및 제 어 게이트 전극 ( 308 ) 은 각각 도 13 의 터널 절 연막 ( 112 ) , 전하 저장 패턴 ( 114 ) , 블로킹 절연 패턴 ( 116 ) 및 제 어 게이트 전극 ( 118 ) 과 동일 한 물질 로 형성 될 수 있 다 .