도 5 a 를 참조 하 면 , 기판 ( 102 ) 상 에 복수 의 절 연막 ( 110 ) 및 복수 의 희생 막 ( PL ) 을 교대 로 하나 씩 적층 된 구조물 을 형성 한다 . 일부 실시 예 들 에서 , 복수 의 희생 막 ( PL ) 은 실리콘 질화 막 으로 이루어지 고 , 복수 의 절 연막 ( 110 ) 은 실리콘 산화 막 으로 이루어질 수 있 다 . 복수 의 절 연막 ( 110 ) 및 복수 의 희생 막 ( PL ) 은 각각 CVD ( chemical vapor deposition ) , PECVD ( plasma enhanced CVD ) , 또는 ALD ( atomic layer deposition ) 공정 으로 형성 될 수 있 다 .