메모리 장치 들 ( 230 _ 0 ~ 230 _ 7 ) 각각 은 매우 큰 용량 을 가질 수 있 다 . 이 를 위해 메모리 장치 들 ( 230 _ 0 ~ 230 _ 7 ) 각각 은 적층 된 ( stacked ) 다 수개 의 메모리 칩 들 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 메모리 장치 들 ( 230 _ 0 ~ 230 _ 7 ) 각각 은 8 개 의 메모리 칩 들 을 포함 하 고 , 메모리 모듈 ( 200 ) 의 메모리 장치 들 ( 230 _ 0 ~ 230 _ 7 ) 전체 적 으로 는 64 개 의 메모리 칩 들 을 포함 할 수 있 다 . 메모리 장치 들 ( 230 _ 0 ~ 230 _ 7 ) 의 용량 을 늘리 기 위해 다 수개 의 메모리 칩 들 을 적층 하 는 경우 에 로딩 이 증가 하 고 수많 은 신호 들 의 라우팅 이 어려워 지 므로 메모리 장치 들 ( 230 _ 0 ~ 230 _ 7 ) 의 레이턴 시 가 증가 하 고 라이트 및 리드 동작 과정 에서 많 은 에러 가 발생 할 수 밖에 없 다 . 메모리 장치 들 ( 230 _ 0 ~ 230 _ 7 ) 각각 은 DRAM ( Dynamic Random Access Memory ) , RRAM ( Resistive Random Access Memory ) , PRAM ( Phase - change Random Access Memory ) , FRAM ( Ferroelectric Random Access Memory ) , MRAM ( Magnetic Random Access Memory ) 등 다양 한 종류 의 메모리 들 중 하나 일 수 있 다 .