이러 한 간섭 효과 는 SLC ( Single Level Cell ) 소자 보다 요즘 비중 이 더욱 확대 되 고 있 는 MLC ( Multi Level Cell ) 소자 에서 소자 의 특성 을 결정 하 는 중요 한 인자 로 작용 하 고 있 다 . 특히 , 고집 적 화 를 위해 60 nm 급 이하 에서 적용 되 는 소자 분리 막 - 활성 영역 을 정의 하 는 막 - 제조 공정 중 하나 인 ASA - STI ( Advanced Self Aligned - Shallow Trench Isolation ) 공정 에서 도 EFH ( Effective Field oxide Height ) - 이웃 하 는 플로팅 게이트 사이 의 활성 영역 의 표면 으로부터 유전체 막 까지 의 거리 - 를 확보 하 면서 기입 속도 및 간섭 효과 를 개선 시킬 수 있 는 방안 이 중요 한 이슈 이 다 . 그 특성 상 EFH 확보 와 , 기입 속도 및 간섭 효과 의 개선 은 트레이드 오프 ( trade off ) 관계 에 있 다 . 즉 , EFH 가 높 을수록 기입 동작 속도 는 감소 하 는 반면 , 간섭 효과 는 개선 된다 . 그 이유 는 EFH 가 높 은 경우 , 그 만큼 유전체 막 과 플로팅 게이트 간 의 접촉면 적 이 감소 하 고 , 이 로 인해 커플링 비 ( coupling ratio ) 가 감소 하 여 기입 동작 속도 는 감소 된다 .