본 발명 은 이미지 센서 에 있 어서 구리 배선 형성 시 화소 영역 의 기판 결함 발생 을 방지 하 여 수율 을 증가 시킬 수 있 는 반도체 소자 의 금속 배선 형성 방법 및 이 를 이용 한 반도체 소자 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 이 를 위해 본 발명 은 기판 상부 에 컨 택 플러그 가 개재 된 제 1 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 층간 절 연막 의 일부 를 식각 하 여 상기 컨 택 플러그 를 노출 시키 는 홀 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 기판 표면 에 존재 하 는 OH 기 를 탈착 ( 脫着 ) 시키 기 위해 수소 가스 를 이용 한 제 1 어닐링 공정 을 실시 하 는 단계 와 , 상기 제 1 층간 절 연막 의 식각 시 상기 기판 표면 에 발생 된 결함 을 제거 하 기 위하 여 수소 라디컬 을 이용 한 제 2 어닐링 공정 을 실시 하 는 단계 와 , 상기 컨 택 플러그 와 접속 되 도록 상기 트렌치 내 에 고립 된 제 1 금속 층 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 의 금속 배선 형성 방법 을 제공 한다 .