이하 , 본 발명 의 유기 반사 방지 막 의 손상 없이 결함 이 발생 된 포토레지스트 패턴 을 제거 할 수 있 는 반도체 기판 의 리 워크 방법 을 더욱 상세히 설명 하 기 로 한다 . 그러나 , 본 발명 은 하 기 의 실시 예 들 에 한정 되 지 않 고 다른 형태 로 구현 될 수 도 있 다 . 여기 서 소개 되 는 실시 예 들 은 개시 된 내용 이 보다 완전 해질 수 있 도록 그리고 당업자 에게 본 발명 의 사상 과 특징 이 충분히 전달 될 수 있 도록 하 기 위해 제공 된다 .