도 3 에 따르 면 , 셀 영역 ( 300 ) 에 있 는 복수 의 플로팅 게이트 ( FG , 110 a , 110 b , 110 c ) 와 컨트롤 게이트 픽업 구조 ( 200 ) 에 있 는 플로팅 게이트 폴리 - 실리콘 층 ( FG Poly - Si layer , 210 a , 210 b , 210 c ) 의 높이 는 서로 동일 하 다 . 또한 , 플로팅 게이트 ( FG , 110 a , 110 b , 110 c ) 및 플로팅 게이트 폴리 - 실리콘 층 ( FG Poly - Si layer , 210 ) 의 상부 에 형성 된 절 연막 ( 180 , 280 ) 의 높이 역시 동일 하 다 . 상기 절 연막 ( 180 , 280 ) 은 플로팅 게이트 전극 을 형성 할 때 하드 마스크 로 사용 된 막 이 다 .