이어서 , 반도체 기판 ( 11 ) 상 에 버퍼 산화 막 ( 13 ) 및 하드 마스크 ( 14 ) 를 형성 한 후 , 마스크 및 식각 공정 으로 하드 마스크 ( 14 ) 및 버퍼 산화 막 ( 13 ) 을 패 터닝 하 여 반도체 기판 ( 11 ) 활성 영역 의 리세 스 예정 영역 을 노출 시키 는 하드 마스크 ( 14 ) 패턴 및 버퍼 산화 막 ( 13 ) 패턴 을 형성 한다 .