도 5 및 6 은 본 기술 의 실시 예 에 따라 구성 된 전기 기능 열 전달 구조물 ( HTS ) 을 각각 갖 는 반도체 디바이스 조립 체 ( 500 및 600 ) 의 단면도 이 다 . 도 5 의 도시 된 실시 예 에서 , 조립 체 ( 500 ) 는 도 1 a 및 1 b 와 관련 하 여 상기 에서 언급 된 조립 체 ( 100 ) 내 대응 하 는 구성 요소 와 적어도 일반 적 으로 유사 한 다양 한 구성 요소 를 포함 한다 . 예 를 들 어 , 조립 체 ( 500 ) 는 지지 기판 ( 502 ) , 제 1 반도체 다이 ( 504 ) , 복수 의 제 2 반도체 다이 ( 506 ) , 및 캡 부분 ( 510 ) 및 벽 부분 ( 512 ) 을 갖 는 리드 ( 508 ) 를 포함 한다 . 덧붙여 , 조립 체 ( 500 ) 는 제 1 전기 기능 열 전달 구조물 ( HTS ) ( 514 a ) 및 제 2 HTS ( 514 b ) 를 포함 한다 . 제 1 HTS ( 514 a ) 및 제 2 HTS ( 514 b ) 는 하나 이상 의 커패시터 ( 516 ) ( 개략 적 으로 도시 됨 ) 또는 그 밖 의 다른 전기 기능 구성 요소 , 가령 , 저항기 ( 518 ) ( 또한 개략 적 으로 도시 됨 ) 를 형성 하 는 복수 의 수직 적층 된 실리콘 의 볼륨 을 포함 하 는 HTS ( 128 및 420 ) 와 적어도 일반 적 으로 유사 한 복수 의 특징 부를 포함 할 수 있 다 . 그러나 연관 된 HTS 의 공통 면 상 에 본드 패드 를 갖 는 것 보다 , HTS ( 514 ) 는 대향 하 는 면 상 에 본드 패드 ( 520 ) 를 가짐 으로써 , 제 1 다이 ( 504 ) 내 회로 와 조립 체 ( 500 ) 외부 의 회로 ( 가령 , 조립 체 ( 500 ) 에 장착 될 수 있 는 또 다른 조립 체 내 회로 ) 간 연결 을 제공 할 수 있 다 . 이 들 특징 부 를 갖 는 일부 실시 예 에서 , 리드 ( 508 ) 는 전기 적 으로 기능 할 수 있 거나 전기 적 으로 기능 하 는 회로 를 가질 수 있 다 .