" 화학 기상 침착 ( "" CVD "") 또는 원자 층 침착 ( "" ALD "") 을 통한 규소 기판 에 의 물질 침착 은 집적회로 의 제조 에서 일반 적 인 공정 이 다 . 이 들 침착 기술 의 속성 으로 인해 ", 기판 상 에 침착 하 고자 하 는 물질 은 종종 또한 의도 하 지 않 게 반도체 가공 챔버 내부 표면 상 에 도 침착 된다 . 반도체 가공 챔버 의 여러 표면 상 의 이러 한 의도 하 지 않 은 원 하 지 않 는 물질 의 침착 물 은 주기 적 으로 세정 되 어야 하 며 , 그렇 지 않 을 경우 침착 물 이 축적 되 거나 , 또는 동일 챔버 에서 수행 되 는 후속 침착 단계 에 영향 을 미칠 수 있 다 . 따라서 , 높 은 제품 품질 을 유지 하 기 위해 전체 챔버 의 주기 적 세정 이 필요 하 며 , 장치 정지 시간 을 최소 로 유지 하 고 장치 처리 량 을 최대 화 하 기 위해서 높 은 세정 속도 를 갖 는 세정 공정 이 바람직 하 다 .