제 1 전하 저장 구조물 ( 252 ) 은 채널 연결 패턴 ( 330 ) 상 에 형성 되 어 상기 게이트 전극 구조물 을 관통 하 는 채널 ( 260 ) 부분 의 외측 벽 을 커버 할 수 있 으며 , 더미 전하 저장 구조물 ( 250 ) 은 기판 ( 100 ) 상면 과 채널 연결 패턴 ( 330 ) 사이 에 형성 되 어 채널 ( 260 ) 의 저면 및 하단 외측 벽 을 커버 할 수 있 다 . 즉 , 제 1 전하 저장 구조물 ( 252 ) 과 더미 전하 저장 구조물 ( 250 ) 은 채널 ( 260 ) 의 하부 외측 벽 에 접촉 하 는 채널 연결 패턴 ( 330 ) 에 의해 상기 제 1 방향 으로 서로 이격 될 수 있 다 . 이때 , 제 1 전하 저장 구조물 ( 252 ) 의 저면 및 더미 전하 저장 구조물 ( 250 ) 의 상면 은 각각 채널 연결 패턴 ( 330 ) 에 접촉 할 수 있 다 .