도 16 a 에 도시 되 는 바 와 같이 , 프로세싱 대상 기판 ( 5 ) 이 준비 된다 . 프로세싱 대상 기판 ( 5 ) 은 , 투명 절연 기판 ( 80 ) ( 예 를 들 면 , 알칼리 유리 , 석영 유리 , 플라스틱 , 또는 폴리 이미드 로 형성 됨 ) 상 에 화학 적 기상 증착 법 또는 스퍼터링 법 을 이용 하 여 , 하부 막 ( 81 ) ( 예 를 들 면 , 50 nm 의 막 두께 를 갖 는 SiN 을 포함 하 는 접합 필름 및 100 nm 의 막 두께 를 갖 는 SiO 2 와 같 은 막 ) , 비정질 반도체 막 ( 82 ) ( 예 를 들 면 , 50 nm 내지 20 nm 의 막 두께 를 갖 는 Si , Ge , 또는 SiGe 로 형성 되 는 반도체 막 ) , 및 캡 막 ( 82 a ) ( 예 를 들 면 , 30 nm 내지 300 nm 의 막 두께 를 갖 는 SiO 2 막 ) 을 순차 적 으로 형성 시킴 으로써 얻 어 진다 . 이때 , 이 실시 형태 에 따라 , 비정질 반도체 막 ( 82 ) 의 표면 상 의 소정 영역 은 , 도 4 또는 도 9 에 도시 되 는 광 변조 소자 가 적용 된 결정 화 방법 또는 장치 를 이용 함 으로써 레이저 빔 ( 83 ) ( 예 를 들 면 , KrF 엑 시머 레이저 빔 또는 XeCl 엑 시머 레이저 빔 ) 에 의해 한 번 이상 일시 적 으로 조사 되 고 , 이 에 의해 , 전술 된 침상 ( needle - like ) 결정 이 성장 한다 .