트랜지스터 ( 162 ) 및 용량 소자 ( 164 ) 의 위 에 는 절연 층 ( 150 ) 이 형성 된다 . 그리고 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 및 절연 층 ( 150 ) 에 형성 된 개구 에 는 , 배선 ( 154 ) 이 형성 된다 . 배선 ( 154 ) 은 , 메모리 셀 중 의 하나 와 다른 메모리 셀 을 접속 하 는 배선 이 고 , 도 2 의 회로도 에 있 어서 의 비트 선 BL 에 상당 한다 . 배선 ( 154 ) 은 , 소스 전극 ( 142 a ) 과 도전 층 ( 128 b ) 을 통하 여 불순물 영역 ( 126 ) 에 접속 된다 . 이 로써 , 트랜지스터 ( 160 ) 에 있 어서 의 소스 영역 또는 드레 인 영역 과 , 트랜지스터 ( 162 ) 에 있 어서 의 소스 전극 ( 142 a ) 을 각각 상이 한 배선 에 접속 하 는 경우 와 비교 하 여 배선 의 개수 를 삭감 할 수 있 기 때문 에 반도체 장치 의 집적도 를 향상 시킬 수 있 다 .