도 5 a 를 참조 하 면 , 기판 ( 101 ) 상 에 제 1 희생 막 그룹 ( 110 ) 과 제 2 희생 막 그룹 ( 120 ) 그리고 캡 핑 절 연막 ( 171 ) 을 포함 하 는 몰드 스택 ( 103 a ) 을 형성 할 수 있 다 . 캡 핑 절 연막 ( 171 ) 과 제 1 희생 막 그룹 ( 110 ) 및 제 2 희생 막 그룹 ( 120 ) 은 습식 식각 선택 비 는 크 지만 건식 식각 선택 비 는 없 거나 작 은 물질 로 형성 할 수 있 다 . 가령 , 제 1 희생 막 들 ( 111 - 114 ) 은 실리콘 게르마늄 막 을 제 2 희생 막 들 ( 121 - 124 ) 은 실리콘 질화 막 을 그리고 캡 핑 절 연막 ( 171 ) 은 실리콘 산화 막 을 증착 하 여 형성 할 수 있 다 . 캡 핑 절 연막 ( 171 ) 은 몰드 스택 ( 103 a ) 의 최상층 에 형성 할 수 있 다 . 건식 식각 혹은 레이저 드릴링 으로 몰드 스택 ( 103 a ) 을 관통 하 여 기판 ( 101 ) 을 노출 시키 는 수직 채널 홀 들 ( 130 ) 을 형성 하 고 , 실리콘 과 같 은 반도체 물질 의 증착 혹은 에 피 성장 기술 을 이용 하 여 수직 채널 홀 들 ( 130 ) 을 채우 며 기판 ( 101 ) 과 접하 는 수직 채널 들 ( 140 ) 을 형성 할 수 있 다 . 이어서 , 건식 식각 공정 으로 몰드 스택 ( 103 a ) 을 패 터닝 하 여 수직 채널 들 ( 140 ) 사이 에 워드 라인 컷 ( 132 ) 을 형성 할 수 있 다 .