상술 한 바 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 바람직 한 실시 예 에 따른 메모리 장치 제조 방법 은 , 각 메모리 셀 메모리 셀 이 저항률 전환 저장 소자 와 직렬 의 다이오드 스티어링 소자 를 포함 하 는 , 복수 의 메모리 셀 들 을 형성 하 는 단계 ; 및 각각 이 다이오드 스티어링 소자 를 포함 하 는 , 복수 의 블 리더 다이오드 들 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 며 , 상기 복수 의 블 리더 다이오드 들 은 상기 복수 의 블 리더 다이오드 들 중 제 1 부분 이 각각 복수 의 NMOS 트랜지스터 들 중 하나 의 소스 또는 드레 인 중 하나 에 전기 적 으로 결합 되 고 , 상기 복수 의 NMOS 트랜지스터 들 각각 은 비트 라인 디코더 에 결합 된 게이트 를 가지 며 , 상기 소스 또는 드레 인 중 다른 하나 는 제 1 전압 원 에 결합 되 며 , 상기 복수 의 블 리더 다이오드 들 중 제 2 부분 이 각각 복수 의 PMOS 트랜지스터 들 중 하나 의 소스 또는 드레 인 중 하나 에 전기 적 으로 결합 되 고 , 상기 복수 의 PMOS 트랜지스터 들 각각 은 워드 라인 디코더 에 결합 된 게이트 를 가지 며 , 상기 소스 또는 드레 인 중 다른 하나 는 제 2 전압 원 에 결합 되 도록 형성 되 는 것 을 특징 으로 한다 .