또한 , 상기 혼합기 는 상기 제 1 출력 단 에 접속 되 는 소오 스 단자 와 , 상기 제 3 입력단 에 접속 되 는 게이트 단자 와 , 드레 인 단자 를 구비 하 는 제 1 트랜지스터 와 , 상기 제 2 출력 단 에 접속 되 는 소오 스 단자 와 , 상기 제 4 입력단 에 접속 되 는 게이트 단자 와 , 드레 인 단자 를 구비 하 는 제 2 트랜지스터 와 , 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터 들 의 드레 인 단자 들 에 접속 되 는 소오 스 단자 와 , 상기 제 1 입력단 에 접속 되 는 게이트 단자 와 , 전류 원 에 접속 되 는 드레 인 단자 를 구비 하 는 제 3 트랜지스터 와 , 상기 제 1 출력 단 에 접속 되 는 소오 스 단자 와 , 상기 제 4 입력단 에 접속 되 는 게이트 단자 와 , 드레 인 단자 를 구비 하 는 제 4 트랜지스터 와 , 상기 제 2 출력 단 에 접속 되 는 소오 스 단자 와 , 상기 제 3 입력단 에 접속 되 는 게이트 단자 와 , 드레 인 단자 를 구비 하 는 제 5 트랜지스터 와 , 상기 제 4 및 제 5 트랜지스터 들 의 드레 인 단자 들 에 접속 되 는 소오 스 단자 와 , 상기 제 2 입력단 에 접속 되 는 게이트 단자 와 , 상기 전류 원 에 접속 되 는 드레 인 단자 를 구비 하 는 제 6 트랜지스터 와 , 상기 전원 전압 단 에 접속 되 는 드레 인 단자 와 , 전압 원 에 접속 되 는 게이트 단자 와 , 상기 제 3 트랜지스터 및 상기 제 6 트랜지스터 의 소오 스 단자 들 에 접속 되 는 소오 스 단자 를 구비 하 는 제 7 트랜지스터 와 , 상기 제 7 트랜지스터 의 소오 스 단자 와 상기 제 3 트랜지스터 및 상기 제 6 트랜지스터 의 소오 스 단자 들 의 사이 에 각각 접속 되 는 2 개 의 인덕 터 들 을 포함 한다 . 바람직 하 기 로 , 상기 인덕 터 들 은 각각 3 . 3 나노 헨리 ( nH ) 의 값 을 갖 는다 .