지금 까지 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 MIM 커패시터 의 제조 방법 에 의하 면 , MIM 커패시터 형성 을 위한 트랜 치 와 비 아홀 을 동시 에 형성 하 고 , 그 결과물 에 유전체 막 을 형성 한 후 , 비 아홀 내 의 유전체 막 제거 를 위한 포토레지스트 막 두께 를 유전체 막 만 제거 하 는데 충분 할 정도 로 작 은 두께 로 형성 함 으로써 , 후속 의 애 싱에 의해 잔류물 없이 포토레지스트 막 이 완전히 제거 되 도록 할 수 있 다 . 또한 포토레지스트 막 두께 가 작 더라도 비 아홀 내 의 유전체 막 만 식각 대상 이 므로 단차 가 큰 MIM 커패시터 영역 에서 의 금속 간절 연막 의 모서리 가 식각 에 의해 손상 되 는 현상 이 억제 된다는 이점도 제공 된다 .