사용 될 수 있 는 예시 적 인 메모리 시스템 이 이하 에서 설명 된다 . 일반 적 으로 , 임의 타입 의 비휘발성 메모리 가 사용 될 수 있 다 . NAND 스트링 ( string ) 들 을 갖 는 메모리 는 단지 예시 적 인 것 이 다 . 도 1 은 단일 로우 ( row ) / 컬럼 ( column ) 디코더 ( decoder ) 들 및 판독 / 기입 회로 들 을 사용 하 는 비휘발성 메모리 시스템 의 블록 도 이 다 . 본 도면 은 , 일 실시 예 에 따른 , 저장 소자 들 의 페이지 를 병렬 로 판독 및 프로그래밍 하 기 위한 판독 / 기입 회로 들 을 구비 한 메모리 디바이스 ( 196 ) 를 예시 한다 . 메모리 디바이스 ( 196 ) 는 하나 이상 의 메모리 다이 ( memory die ) ( 198 ) 를 포함 할 수 있 다 . 메모리 다이 ( 198 ) 는 , 저장 소자 들 의 2 차원 메모리 어레이 ( 155 ) , 제 어 회로 ( 110 ) , 및 판독 / 기입 회로 들 ( 165 ) 을 포함 한다 . 메모리 어레이 ( 155 ) 는 도 4 와 연계 되 어 더 설명 된다 .