상기 홀 ( 19 ) 에 는 가이드 부재 ( 38 ) 가 형성 되 며 , 상기 가이드 부재 ( 38 ) 는 발광 칩 ( 45 ) 의 둘레 에 원형 또는 다각형 과 같 은 링 형상 으로 배치 되 고 , 제 1 금속 층 ( 11 ) 과 는 접촉 되 며 , 제 2 금속 층 ( 13 ) 과 는 수지 층 ( 68 ) 의 하부 ( 68 A ) 에 의해 접촉 되 지 않 을 수 있 다 .