다음 으로 , STI ( Shallow Trench Isolation ) 영역 ( 62 ) 을 형성 하 기 위해 격리 영역 ( 62 ) 이 리세 싱 된다 . 격리 영역 ( 62 ) 은 이웃 한 STI 영역 들 ( 62 ) 사이 에서 반도체 핀 ( 64 ) 의 상측 부가 돌출 하 도록 리세 싱 된다 . STI 영역 ( 62 ) 의 상단 면은 편평 한 표면 ( 도면 에 도시 ) , 볼록 한 표면 , 오목 한 표면 ( 접시 모양 등 ) , 또는 이 들 의 조합 을 가질 수 있 다 . STI 영역 ( 62 ) 의 상단 면은 적절 한 에칭 에 의해 편평 하 게 , 볼록 하 게 그리고 / 또는 오목 하 게 형성 될 수 있 다 . 격리 영역 ( 62 ) 은 예컨대 격리 영역 ( 62 ) 의 재료 에 대해 선택 적 인 것 인 , 조건 에 맞 는 에칭 공정 을 사용 해서 리세 싱 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 묽 은 불화 수소 ( dHF ) 산 을 사용 한 습식 에칭 또는 건식 에칭 을 수행 하 여 격리 영역 ( 62 ) 을 리세 싱 할 수 도 있 다 .