그리고 , 게이트 전극 위 에 패 시베이 션 층 ( 237 ) , 층간 절 연막 ( 238 ) 을 형성 하 고 , 또한 콘 택 홀 을 형성 한 후 , 배선 ( 239 ) 을 형성 한다 ( 도 23 b ) . 패 시베이 션 ( 237 ) 은 질화 실리콘 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 층간 절 연막 ( 238 ) 은 산화 실리콘 , 산화 질화 실리콘 등 의 무기 절연 재료 또는 폴리 이미드 , 아크릴 등 의 유기 절연 재료 로 형성 한다 . 배선 ( 239 ) 은 , 알루미늄 또는 알루미늄 네오디뮴 ( Al - Nd ) , 마그네슘 은 ( Mg - Ag ) 등 의 금속 층 과 , 그것 을 사이 에 끼우 는 탄탈 , 티타늄 , 몰리브덴 , 텅스텐 , 크롬 금속 층 의 적층 체로 형성 한다 .