상기 비휘발성 메모리 장치 의 프로그램 및 소거 는 파울러 - 노드 하임 ( FN : Fouler - Nodheim ) 터널 링 에 의해 수행 될 수 있 다 . 예컨대 , 프로그램 동작 시 기판 ( 10 ) 의 전하 들 은 상기 FN 터널 링 에 의해 제 1 절 연막 ( 31 ) 을 통과 하 여 전하 저 장막 ( 32 ) 에 저장 된다 . 이 에 의해 , 상기 셀 트랜지스터 의 문턱 전압 은 상승 하 고 , 상기 셀 트랜지스터 는 오프 상태 가 된다 . 소거 동작 시 전하 저 장막 ( 32 ) 의 전하 들 은 상기 FN 터널 링 에 의해 제 1 절 연막 ( 31 ) 을 통과 하 여 기판 ( 10 ) 으로 배출 된다 . 이 에 의해 , 상기 셀 트랜지스터 의 문턱 전압 은 감소 하 고 , 상기 셀 트랜지스터 는 온 상태 가 된다 .