도 6 g 를 참조 하 면 , 제 1 몰드 막 ( 214 ) , 제 2 몰드 막 ( 215 ) 및 매립 층 을 제거 한 후 , 상기 하부 전극 ( 220 ) 상 에 커패시터 유전 막 ( 222 ) 을 콘 포말 하 게 형성 한다 . 상기 커패시터 유전 막 ( 222 ) 은 , 예 를 들 면 , 도 2 및 도 3 a 내지 도 3 d 를 참조 하 여 설명 한 방법 에 따라 형성 된 금속 산화물 및 / 또는 준금속 산화물 을 포함 할 수 있 다 . 이하 에서 는 커패시터 유전 막 ( 222 ) 의 제조 방법 을 도 7 및 도 8 a 내지 도 8 e 를 참조 하 여 더욱 구체 적 으로 설명 한다 . 도 7 은 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 산화 막 의 형성 방법 을 나타낸 흐름 도 이 고 , 도 8 a 내지 도 8 e 는 도 6 g 의 하부 전극 ( 220 ) 상 에 산화 막 이 형성 되 는 것 을 단계 별 로 개념 적 으로 나타낸 모식도 들 이 다 .