측정 용 으로 제작 한 전자 온리 디바이스 의 구조 를 도 26 에 도시 하고 , 구체 적 인 구성 을 표 1 에 나타내 었 다 . 본 참고 예 에서 제작 한 전자 온리 디바이스 는 제 1 전극 ( 901 ) ( 양극 ) 과 제 2 전극 ( 902 ) ( 음극 ) 사이 에 제 1 층 ( 910 ) , 제 2 층 ( 911 ) , 및 제 3 층 ( 912 ) 을 가진다 . 전자 이동도 를 산출 하 려는 재료 는 제 2 층 ( 911 ) 의 재료 로서 사용 하 면 좋 다 . 본 참고 예 에서 는 , 2 -{ 4 -[ 9 , 10 - 다이 ( 나프탈렌 - 2 - 일 ) - 2 - 안 트릴 ] 페닐 }- 1 - 페닐 - 1 H - 벤즈 이미다졸 ( 약칭 : ZADN ) 과 8 - 퀴놀리놀레이토리튬 ( 약칭 : Liq ) 의 1 : 1 ( 중량 비 ) 의 공 증착 막 의 전자 이동도 를 측정 하 였 다 . 또한 본 참고 예 에서 는 , 7 -[ 4 -( 10 - 페닐 - 9 - 안 트릴 ) 페닐 ] - 7 H - 다 이 벤조 [ c , g ] 카바졸 ( 약칭 : cgDBCzPA ) 및 2 -[ 3 '-( 다 이 벤조 싸이오펜 - 4 - 일 ) 바이페닐 - 3 - 일 ] 다 이 벤조 [ f , h ] 퀴녹살린 ( 약칭 : 2 mDBTBPDBq - II ) 의 전자 이동도 도 측정 하 였 다 .