" 서브 스트레이트 ( 210 ) 는 재 배선 층 ( "" RDL "") 서브 스트레이트 일 수 있 다 . RDL 서브 스트레이트 는 하나 이상 의 도전 성 재 배선 층 과 하나 이상 의 유전 층 을 포함 할 수 있 다 . 하나 이상 의 도전 성 재 배선 층 과 하나 이상 의 유전 층 은 ( a ) RDL 서브 스트레이트 가 전기 적 으로 결합 되 는 전자 디바이스 위 에 층 별 로 형성 될 수 있 거나 ",( b ) 전자 디바이스 와 RDL 서브 스트레이트 가 함께 결합 된 후 에 전체 적 으로 또는 적어도 부분 적 으로 제거 될 수 있 는 캐리어 위 에 층 별 로 형성 될 수 있 다 . RDL 서브 스트레이트 는 웨이퍼 - 레벨 공정 에서 원형 웨이퍼 상 의 웨이퍼 - 레벨 서브 스트레이트 로서 또는 패널 - 레벨 공정 에서 직사각 형 또는 정사각형 패널 캐리어 상 의 패널 - 레벨 서브 스트레이트 로서 층 별 로 제조 될 수 있 다 . RDL 서브 스트레이트 는 하나 이상 의 유전 층 과 번갈 아 적층 된 하나 이상 의 도전 층 을 포함 할 수 있 는 부가 적 인 빌드 업 공정 으로 형성 될 수 있 으며 , 하나 이상 의 도전 층 은 ( a ) 전자 디바이스 의 풋 프린트 밖 의 팬 - 아웃 전기 적 트레이스 또는 ( b ) 전자 디바이스 의 풋 프린트 내 의 팬 - 인 전기 적 트레이스 를 전체 적 으로 구성 하 는 각각 의 도전 성 재 배선 패턴 또는 트레이스 로 정의 된다 . 도전 성 패턴 은 예 를 들 어 , 전해 도금 공정 또는 무전 해 도금 공정 과 같 은 도금 공정 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 도전 성 패턴 은 예 를 들 어 , 구리 또는 다른 도금 가능 한 금속 과 같이 전기 적 도전 성 재료 를 포함 할 수 있 다 . 도전 성 패턴 의 위치 는 예 를 들 어 , 포 토리 소 그래픽 마스크 를 형성 하 기 위한 포토레지스트 재료 및 포토 리소그래피 공정 과 같 은 포토 패 터닝 공정 을 사용 하 여 만들 수 있 다 . RDL 서브 스트레이트 의 유전 층 은 포토 - 패 터닝 공정 으로 패턴 화 될 수 있 으며 , 이 는 유전 층 내 의 비아 와 같 은 원 하 는 형상 의 포토 - 패턴 에 빛 이 노출 되 는 포 토리 소 그래픽 마스크 를 포함 할 수 있 다 . 유전 층 은 예 를 들 어 , 폴리 이미드 ( PI ) , 벤조 사이클 로부 텐 ( BCB ) 또는 폴리 벤 조옥 사졸 ( PBO ) 과 같 은 광 - 한정 ( photo - definable ) 유기 유전체 재료 로 만들 수 있 다 . 이러 한 유전체 재료 는 미리 형성 된 필름 으로 부착 되 기 보다 는 액체 형태 로 방사 되 거나 그렇 지 않 으면 코팅 될 수 있 다 . 원 하 는 광 - 한정 ( photo - defined ) 형상 의 적절 한 형성 을 허용 하 기 위해 , 이러 한 광 - 한정 ( photo - definable ) 유전체 재료 는 구조 적 보강제 를 생략 할 수 있 거나 , 포토 - 패 터닝 공정 으로부터 빛 을 방해 할 수 있 는 가닥 , 짜임 또는 다른 입자 가 없 는 , 필러 - 프리 일 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 필러 - 프리 유전체 재료 의 이러 한 필러 - 프리 특징 은 생성 된 유전 층 의 두께 의 감소 를 허용 할 수 있 다 . 비록 , 상술 한 광 - 한정 ( photo - definable ) 유전체 재료 는 유기 재료 일 수 있 으나 , 다른 예 들 에서 RDL 서브 스트레이트 의 유전체 재료 는 하나 이상 의 무기 유전 층 을 포함 할 수 있 다 . 무기 유전 층 의 일부 예 는 실리콘 질화물 ( Si 3 N 4 ) , 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) 또는 SiON 을 포함 할 수 있 다 . 무기 유전 층 은 광 - 한정 ( photo - defined ) 유기 유전체 물질 을 사용 하 는 대신 산화 또는 질화 공정 을 사용 하 여 무기 유전 층 을 성장 시킴 으로써 형성 될 수 있 다 . 이러 한 무기 유전 층 은 가닥 , 짜임 또는 다른 유사 하 지 않 는 무기 입자 가 없 는 , 필러 - 프리 일 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , RDL 서브 스트레이트 는 예 를 들 어 , 비스 말 레이드 트리아진 ( BT ) 또는 FR 4 를 포함 하 는 유전체 재료 와 같 은 영구 적 인 코어 구조 또는 캐리어 를 생략 할 수 있 고 , 이러 한 타입 의 RDL 서브 스트레이트 는 코어 리스 서브 스트레이트 로 지칭 될 수 있 다 . 본 발명 에서 다른 서브 스트레이트 들 은 또한 RDL 서브 스트레이트 를 포함 할 수 있 다 .