반도체 메모리 장치 의 셀 프리 프레쉬 동작 은 외부 에서 입력 되 는 명령 ( command ) 에 의하 여 , 자체 적 으로 내부 어드레스 를 순차 적 으로 변화 시키 면서 리 프레쉬 를 수행 하 는 동작 이 다 . 통상 의 반도체 메모리 장치 는 규격 에 정해진 리 프레쉬 싸이클 시간 ( Refresh Cycle Time ) 에 셀 데이터 를 리프 레 쉬 하 기 위해 , 리 프레쉬 모드 의 로우 액티브 동작 ( row active operation ) 에서 는 일반 적 인 로우 엑 티 브 동작 에 비하 여 수배 에 달하 는 워드 라인 ( Word Line ) 을 인 에 이 블 시켜 비트 라인 ( Bit Line ) 센싱 을 통해 메모리 셀 에 데이터 를 재 저장 한다 . 이 로 인해 리 프레쉬 동작 시 에 는 일반 적 인 동작 대비 2 ~ 3 배 에 달하 는 전력 잡음 ( Power Noise ) 이 발생 하 게 되 고 , 이것 이 반도체 메모리 장치 의 특성 저하 에 주 요인 으로 작용 한다 .