이 와 같 은 목적 을 실현 하 기 위한 본 발명 은 반도체 소자 의 금속 배선 형성 방법 으로서 , 반도체 기판 상 에 절 연막 을 증착 하 는 단계 와 , 상기 절 연막 상부 에 제 1 산화 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 산화 막 에 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 콘 택 홀 의 측벽 에 베리 어 메탈 ( BM ) 을 증착 하 고 , 상기 콘 택 홀 을 전도성 물질 로 채우 는 단계 와 , 상기 제 1 산화 막 및 콘 택 홀 상부 에 층간 절 연막 을 증착 하 고 , 상기 층간 절 연막 상부 에 제 2 산화 막 을 형성 하 는 단계 와 , 전도성 물질 의 심 주변 을 제외 한 상기 제 2 산화 막 상부 에 포토레지스트 를 증착 하 고 , 상기 전도성 물질 의 심 영역 에 마스크 를 추가 로 증착 하 는 단계 와 , 상기 증착 된 포토레지스트 및 마스크 를 이용 하 여 건식 식각 을 수행 하 는 단계 와 , 상기 건식 식각 후 기존 조건 ( POR ) 보다 오버 식각 시간 ( over etch time ) 을 소정 의 시간 만큼 증가 시켜 반응 성 이온 식각 ( RIE ) 공정 을 수행 하 는 단계 를 포함 한다 .