상기 한 바 와 같이 F 램 과 같 은 비휘발성 메모리 ( 240 ) 는 리드 / 라이트 동작 시 에 전원 스위치 ( SW ) 가 오프 되 면 데이터 가 파괴 될 수 있 다 . 따라서 전원 스위치 ( SW ) 가 오프 가 된 것 을 전원 감지 부 ( 210 ) 에서 감지 하 여 저전압 신호 ( LPW ) 를 출력 하 면 , 시스템 제 어부 ( 220 ) 는 저전압 신호 ( LPW ) 에 응답 하 여 비휘발성 메모리 ( 240 ) 에 저장 된 데이터 를 보호 하 기 위하 여 리드 / 라이트 와 같이 데이터 를 파괴 할 가능 성 이 있 는 동작 이 아닌 다른 동작 을 수행 하 도록 메모리 제어 신호 ( CTRL ) 를 출력 한다 . 그리고 비휘발성 메모리 ( 240 ) 에서 데이터 가 저장 되 어 있 지 않 은 어드레스 ( ADD ) 는 데이터 의 파괴 에 대해 고려 할 필요 가 없 으므로 , 시스템 제 어부 ( 220 ) 는 비휘발성 메모리 ( 240 ) 에서 데이터 가 저장 되 지 않 은 어드레스 ( ADD ) 를 메모리 제 어부 ( 230 ) 로 출력 하 도록 하 여 비휘발성 메모리 ( 240 ) 의 데이터 를 더욱 안 전하 게 보호 할 수 있 다 . 이 를 위하 여 비휘발성 메모리 ( 240 ) 에 데이터 를 저장 하 지 않 는 특정 어드레스 ( ADD ) 를 미리 지정 할 수 도 있 다 .