반도체 소자 의 제조 방법 은 , 기본 소자 의 일 면 에 적어도 하나 의 중간층 이 형성 되 는 단계 및 상기 적어도 하나 의 중간 층 에 , 상기 적어도 하나 의 중간 층 에 대응 하 는 금속 층 을 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 여기 서 , 상기 중간층 은 , 상기 중간 층 에 대한 전압 의 인가 에 따라서 상기 중간층 의 내부 에 전도성 필라멘트 가 생성 되 는 것 일 수 있 다 .