이때 , 상기 금속제 튜브 ( 50 ) 는 내부 로 전구체 의 유입 이 가능 하 게 되 어 있 으며 , 내부 로 유입 된 전구체 는 반도체 혹은 전자 재료 를 제조 하 는 어떠 한 공정 에서 라도 액면 이 안정 화 되 므로 정전 용량 값 의 정확도 를 높여 줄 수 있 게 된다 . 즉 , 상기 금속제 튜브 ( 50 ) 가 금속 탐침 ( 41 ) 의 외측 에 형성 된 보관 용기 를 반도체 소자 및 전자 재료 를 제조 하 는 과정 에서 사용 시 버블 링 공정 이나 이송 가스 주입 및 혼합 가스 배출 공정 , 전 구체 재충전 공정 을 실시 하 여도 금속제 튜브 ( 50 ) 외부 에 존재 하 는 전구체 는 상기 공정 과정 에서 파동 이 발생 하 거나 거품 이 상부 에 생성 되 는 데 반하 여 금속제 튜브 ( 50 ) 내부 에 존재 하 는 전구체 는 금속제 튜브 ( 50 ) 가 파동 이나 거품 이 내부 로 전달 또는 유입 되 는 것 을 방지 하 여 주 어 항상 일정 한 액면 을 유지 하 게 된다 . 따라서 금속 탐침 ( 41 ) 의 주위 액면 이 일정 하 게 유지 되 어 정전 용량 값 의 오차 발생 이 억제 되 고 , 그 에 따라 보관 용기 내부 의 전구체 액 위 의 정확 한 측정 이 가능 하 게 된다 .