또한 , 도 1 c 에 도시 한 바 와 같이 다수 의 게이트 전극 ( 104 a , 104 b , 104 c ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 100 ) 에서 게이트 전극 ( 104 a , 104 b , 104 c ) 의 양 측면 영역 에 있 는 반도체 기판 ( 100 ) 의 표면 에 소오 스 / 드레 인 영역 ( 106 a , 106 b , 108 a , 108 b , 110 a , 110 b ) 을 형성 한다 . 이러 한 소오 스 / 드레 인 영역 ( 106 a , 106 b , 108 a , 108 b , 110 a , 110 b ) 은 고농도 의 이온 이 주입 되 는 영역 을 의미 하 며 , 각각 의 게이트 전극 ( 104 a , 104 b , 104 c ) 의 측면 에 스 페이서 ( space ) 를 형성 할 수 있 다 .