상술 한 바 와 같이 , 종래 기술 에 따른 반도체 소자 의 형성 방법 에 있 어서 노광 공정 을 수행 할 경우 노광 렌즈 , 레티 클 또는 웨이퍼 사이 의 초점 이 변화 하 는 것 을 용이 하 게 측정 할 수 없 다 . 초점 이 변화 하 여 틀어질 경우 웨이퍼 에 형성 되 는 상 이 정상 적 으로 형성 되 지 못하 므로 반도체 소자 의 불량 이 발생 하 고 공정 수율 이 감소 하 는 문제 가 발생 한다 .