이 와 같 은 막 구조 로 하 기 위해서 , GeF 4 및 Si 2 H 6 을 이용 한 반응 열 CVD 를 이용 하 여 성막 하 였 다 . 특히 , 절연 기판 측 의 Ge 농도 를 증가 시키 기 위해서 , 성막 초기 에 도입 하 는 GeF 4 가스 의 농도 를 증가 시켰 다 . 이 농도 를 높 게 함 으로써 Ge 농도 가 높 은 랜덤 배향 의 결정핵 을 450 ℃ 로 낮 은 온도 에서 형성 할 수 있 었 다 . 그 후 , GeF 4 농도 를 감소 하 고 , Si 2 H 6 유량 , He 등 의 캐리어 가스 의 유량 및 가스 압력 등 을 최적 화 함 으로써 , 양호 한 결정 성 을 나타내 는 배향 성 이 높 고 Ge 농도 가 낮 은 반도체 막 을 형성 할 수 있 다 .