상기 에서 에서 기술 한 내용 에 의해 제작 된 수직 배향 액정 표시 소자 는 초기 에 기판 표면 의 액정 들 이 다양 한 방향 으로 기울어져 경화 된 광경 화성 고분자 들 ( 302 ) 에 의해 멀티 선 경사각 을 갖 으며 , 이 는 소자 의 구동 시 표면 에서 기울어져 있 는 액정 들 이 패널 내부 의 나머지 액정 들 을 수직 전기장 에 빠르 게 반응 하 도록 한다 . 하지만 적용 되 는 수직 배향 액정 표시 모드 에 따라서 광경 화성 고분자 의 양 이 조절 되 어야 하 며 충분히 표면 에서 배향 효과 를 낼 수 있 는 최소량 의 광경 화성 고분자 가 첨가 되 어야 한다 . 뿐 만 아니 라 , 전압 이 인가 된 상태 에서 UV ( 400 ) 를 조사 하 여 광경 화성 고분자 를 경화 시키 는 동안 실제로 상 ? ? 하부 패턴 된 전극 에 의해 형성 된 수직 전기장 의 세기 는 문턱 전압 이상 의 전위차 가 발생 할 때 , 기판 표면 의 액정 에 기울 기 를 줄 수 있 으며 , 수직 전기장 의 세기 에 따라 표면 의 액정 이 기울어지 는 정도 에 따라서 경화 되 는 광경 화성 고분자 의 기울 기 도 달라진다 . 일부 수직 배향 액정 표시 모드 는 문턱 전압 의 전위차 로 수직 전기장 을 형성 할 경우 그 세기 가 약하 기 때문 에 , 상 ? ? 하부 기판 의 전극 에 의해 발생 하 는 수직 전기장 외 에 하부 기판 에 사용 되 는 다른 전극 과 전기장 을 형성 시킬 수 있 으며 , 이러 한 외부 전기장 들 은 액정 배열 에 간섭 하 여 액정 을 원치 않 는 방향 으로 기울일 수 있 다 . 특히 , 이 상태 에서 UV 가 조사 될 경우 , 광경 화성 고분자 도 원치 않 는 방향 으로 경화 되 어 전기장 제거 후 표면 의 액정 들 은 원치 않 는 방향 으로 선 경사각 을 갖 으며 배열 될 수 있 기 때문 에 , 외부 전기장 을 무시 하 고 원 하 는 방향 으로 액정 이 배열 될 수 있 을 정도 의 강한 수직 전기장 이 형성 된 상태 에서 UV 가 조사 되 어야 한다 . 광경 화성 고분자 에 의해 표면 의 액정 이 갖 는 멀티 선 경사각 은 그 각 이 작 으면 작 을수록 소자 의 응답 시간 을 향상 시키 는 효과 가 적 게 나타나 는 반면 에 형성 된 수직 전기장 이 셀 수록 액정 이 많이 기울어진 상태 에서 광경 화성 고분자 의 경화 가 이루어지 기 때문 에 큰 선 경사각 을 갖 게 할 수 있 다 . 선 경사각 이 커질수록 액정 이 전기장 에 반응 하 는 시간 은 단축 되 며 , 문턱 전압 과 구동 전압 도 낮 아 진다 . 하지만 선 경사각 이 너무 커 지 면 명암 대비 율 을 떨어뜨릴 수 있 다 .