또한 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 반도체 장치 는 , 복수 의 뱅크 들 로 구성 되 는 제 1 뱅크 열 , 상기 제 1 뱅크 열 과 일정 거리 이격 되 어 평행 하 게 배치 되 며 , 복수 의 뱅크 들 로 구성 되 는 제 2 뱅크 열 , 및 상기 제 1 뱅크 열 과 제 2 뱅크 열 사이 에 배치 되 는 주변 영역 을 포함 한다 . 상기 주변 영역 은 주변 회로 블록 및 데이터 배선 들 이 배열 되 는 제 1 주변 영역 , 및 상기 제 1 주변 영역 과 인접 배치 되 며 , 본딩 패드 들 로 구성 된 영역 및 프로 빙 패드 가 배열 되 는 편 심량 확보 영역 으로 구성 되 는 제 2 주변 영역 으로 구성 된다 .