마찬가지 로 , 우선 , 기판 온도 를 25 ℃ 로 하 고 Vds 를 10 V 로 하 여 트랜지스터 의 Vg - Id 특성 을 측정 하 였 다 . 다음 에 , 기판 온도 를 150 ℃ 로 하 고 Vds 를 0 . 1 V 로 하 였 다 . 다음 에 , 게이트 절 연막 에 인가 되 는 전계 강도 가 - 2 MV / cm 가 되 도록 Vg 에 - 20 V 를 인가 하 고 그 상태 로 1 시간 유지 하 였 다 . 다음 에 , Vg 를 0 V 로 하 였 다 . 다음 에 , 기판 온도 를 25 ℃ 로 하 고 Vds 를 10 V 로 하 여 트랜지스터 의 Vg - Id 특성 을 측정 하 였 다 . 이것 을 - BT 시험 이 라고 부른다 .