도 1 b 를 참조 하 면 , 방법 ( 100 ) 은 하이 - k 유전체 ( 1010 ) 상 에 금속 층 을 퇴적 하 는 공정 및 단계 170 에서 계속 된다 . 예 를 들 어 , 도 10 을 참조 하 면 , 금속 층 ( 1020 ) 이 하이 - k 유전체 ( 1010 ) 상 에 블랭킷 막 으로서 퇴적 된다 . 일부 실시 형태 에서 , 패 터닝 될 때 금속 층 ( 1020 ) 은 MIM 커패시터 의 상부 금속판 을 형성 한다 . 금속 라인 ( 300 및 310 ) 과 유사 한 금속 층 ( 1020 ) 은 전기 도금 된 구리 상부 층 , 구리 시드 중간층 , 및 티탄 하부 층 으로 이루어진 금속 스택 이 다 . 티탄 하부 층 과 구리 시드 중간층 은 PVD 공정 에 의해 약 100 nm 와 약 500 nm 사이 의 두께 로 각각 퇴적 될 수 있 다 . 전기 도금 된 구리 상부 층 은 약 7 ㎛ 의 두께 를 가질 수 있 다 .