이 발명 은 열 중성 화 된 ( thermalized ) 전구체 개스 를 보다 정확 하 게 전달 하 도록 , 성 장 챔버 내 로 연장 된 개스 인 젝 터 장치 를 제공 한다 . 상기 개선 된 인 젝 터 는 가열 된 전구체 개스 를 상기 개스 들 이 성장 기판 에 도달 할 할 때 까지 공간 적 으로 상호 이격 되 며 대량 의 생산 에 적합 한 부피 를 갖 는 플로우 로 상기 성장 챔버 로 분배 할 수 있 다 . 중요 한 것 은 , 상기 개선 된 인 젝 터 는 챔버 와 함께 사용 되 는 기계 적 및 로봇 기판 취급 장치 의 동작 을 방해 하 지 않 고 , 기존 의 상업 적 성장 챔버 에 맞출 수 있 을 크기 와 구성 을 갖 는다 . 이 발명 은 다양 한 기본 및 화합물 반도체 의 대량 성장 에 유용 하 며 , 특히 . III - V 족 화합물 및 GaN 의 대량 성장 에 유용 하 다 .