도 6 의 ( a ) 에 도시 한 바 와 같이 , 하전 된 나노 입자 ( 191 ) 의 극성 이 ( -) 인 경우 전도성 기판 ( 140 ) 에 양 의 전기장 ( 예컨대 + 50 V ) 을 인가 하 면 인력 에 의해 나노 입자 ( 191 ) 가 기판 ( 140 ) 으로 향하 게 되 므로 증착 되 는 속도 가 높 다 . 도 6 의 ( b ) 에 도시 한 바 와 같이 , 하전 된 나노 입자 ( 191 ) 의 극성 이 ( -) 이 든 ( +) 이 든 전도성 기판 ( 140 ) 에 전기장 을 인가 하 지 않 으면 보통 의 증착 속도 를 보인다 . 그러나 , 도 6 의 ( c ) 에 도시 한 바 와 같이 , 하전 된 나노 입자 ( 191 ) 의 극성 이 ( -) 인 경우 전도성 기판 ( 140 ) 에 음 의 전기장 ( 예컨대 - 50 V ) 을 인가 하 면 척력 에 의해 나노 입자 ( 191 ) 가 기판 ( 140 ) 으로부터 튕겨져 나가 므로 증착 되 는 속도 가 매우 낮 다 . 이 와 같이 , 하전 된 나노 입자 에 대해 전기장 을 인가 함 으로써 증착 속도 를 조절 할 수 있 고 , 이 에 따라 증착 되 는 박막 의 구조 특성 또한 조절 된다 .