또한 , 마찬가지 로 , 게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b ) 을 형성 한 후 , 성막 장치 의 반응 실 내 에 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 함유 하 는 기체 를 흘리 고 , 반응 실 내벽 및 게이트 절 연막 ( 52 b ) 표면 에 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 흡착 시켜 도 좋 다 . 결과 적 으로 , 이후 형성 되 는 게이트 절 연막 ( 52 c ) 및 반도체 막 에 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 참가 할 수 있 다 . 즉 , 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 함유 하 는 미결정 반도체 막 을 형성 할 수 있 다 .