본 발명 의 일 예 에 있 어 , 상기 몰드 와 잔여 소수성 고분자 는 통상 적 인 방법 에 의해 제거 될 수 있 으며 , 예 를 들 면 습식 식각 ( wet etching ) , 건식 식각 ( dry etching ) , 반응 성 이온 식각 ( reactive ion etching , RIE ) 및 전기 화학 적 식각 ( electrochemical etching ) 으로 이루어진 군 에서 선택 되 는 어느 하나 또는 둘 이상 의 방법 을 조합 하 여 사용 하 여 상기 몰드 와 잔여 소수성 고분자 를 제거 할 수 있 으며 , 이때 상기 몰드 와 잔여 소수성 고분자 는 동시 에 제거 되 거나 또는 각각 제거 될 수 있 다 . 본 발명 에서 는 반응 성 이온 식각 을 사용 하 는 것 이 바람직 할 수 있 다 .