비 도핑 AltGa 1 - tN 층 의 기초 상 에서 , 계속 하 여 반응 챔버 의 온도 를 1000 ~ 1350 ℃ 로 조정 하 고 , 압력 을 100 ~ 400 torr 로 조정 하 며 , 반응 챔버 내부 로 갈륨 소스 , 알루미늄 소스 , 질소 소스 , 캐리어 가스 로서 의 수소 가스 및 실리콘 소스 를 유입 시켜 , N 형 AlwGa 1 - wN 층 을 형성 할 수 있 다 . N 형 AlwGa 1 - wN 층 의 두께 는 일반 적 으로 1000 ~ 3000 nm 로 제어 될 수 있 고 ; 실리콘 원자 의 도핑 농도 는 1 × 1017 cm - 3 ～ 5 × 1019 cm - 3 일 수 있 다 .