상술 한 바 와 같이 , 강유 전 층 ( 120 ) 이 음 의 캐 패 시 턴 스 ( 즉 , C 120 < 0 ) 를 구비 하 며 , 강유 전 층 ( 120 ) 의 캐 패 시 턴 스 의 절대 치가 게이트 유전 층 구조물 ( 110 ) 의 캐 패 시 턴 스 의 절대치 보다 클 때 ( 즉 , | C 120 | > | C 110 |), Vin / Vg 는 1 보다 클 수 있 다 . 즉 , 게이트 유전 층 구조물 ( 110 ) 에 인가 되 는 내부 전압 은 게이트 전극 층 에 인가 되 는 게이트 전압 보다 클 수 있 다 . 이러 한 현상 을 본 명세서 에서 는 상기 내부 전압 의 증폭 으로 명명 할 수 있 다 .