도 3 을 참조 하 여 , 구조 ( 10 b ) 는 베이스 ( 52 ) 위 에 교번 하 는 제 1 레벨 ( 62 ) 및 제 2 레벨 ( 64 ) 의 수직 스택 ( 60 ) 을 포함 한다 . 제 1 레벨 ( 62 ) 은 제 1 재료 ( 66 ) 를 포함 하 고 , 제 2 레벨 ( 64 ) 은 제 2 재료 ( 68 ) 를 포함 한다 . 제 1 재료 및 제 2 재료 ( 66 및 68 ) 는 임의 의 적절 한 조성물 또는 조성물 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 재료 ( 66 ) 는 제 2 재료 ( 68 ) 에 대해 선택 적 으로 제거 가능 하 고 , 그 반대 도 가능 하 다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 재료 ( 66 ) 는 실리콘 이 산화물 을 포함 하 거나 , 이 들 로 본질 적 으로 구성 되 거나 , 이 들 로 구성 될 수 있 다 ; 제 2 재료 ( 68 ) 는 실리콘 질화물 을 포함 하 거나 , 이 들 로 본질 적 으로 구성 되 거나 , 이 들 로 구성 될 수 있 다 .