일부 예 에서 , 디 지트 라인 ( 1640 ) 는 감지 구성 요소 ( 1635 ) 및 메모리 셀 들 ( 1610 ) 의 커패시터 와 전자 통신 할 수 있 다 . 일부 예 에서 , 시킬 수 있 다는 강유 전 성 커패시터 일 수 있 고 메모리 셀 ( 1610 ) 은 강유 전 성 메모리 셀 일 수 있 다 . 메모리 셀 ( 1610 ) 는 로직 상태 ( 예 를 들 어 , 제 1 또는 제 2 로직 상태 ) 로 기록 가능 할 수 있 다 . 워드 라인 ( 1620 ) 은 메모리 제어기 ( 1615 ) 및 메모리 셀 ( 1610 ) 의 선택 구성 요소 와 전자 통신 할 수 있 다 . 플레이트 라인 ( 1625 ) 은 메모리 제어기 ( 1615 ) 및 메모리 셀 ( 1610 ) 의 커패시터 와 전자 통신 할 수 있 다 . 감지 구성 요소 ( 1635 ) 는 메모리 제어기 ( 1615 ) , 디 지트 라인 ( 1640 ) , 래치 ( 1645 ) 및 참조 라인 ( 1660 ) 과 전자 통신 할 수 있 다 . 참조 구성 요소 ( 1630 ) 은 메모리 제어기 ( 1615 ) 및 참조 라인 ( 1660 ) 과 전자 통신 할 수 있 다 . 감지 제어 라인 ( 1665 ) 은 감지 구성 요소 ( 1635 ) 및 메모리 제어기 ( 1615 ) 와 전자 통신 할 수 있 다 . 이러 한 구성 요소 들 은 또한 그 외 다른 구성 요소 들 , 연결부 들 또는 버스 들 을 통해 위 에서 나열 되 지 않 은 구성 요소 들 에 더 하 여 , 메모리 어레이 ( 1605 ) 의 내측 및 외측 양자 의 그 외 다른 구성 요소 들 과 전자 통신 할 수 있 다 .