도 2 를 참조 하 면 , 웨이퍼 레벨 의 질화물 반도체 기반 의 LED 층 을 형성 하 는 단계 ( S 110 ) 는 , 웨이퍼 기판 ( 110 ) 상 의 적어도 일부분 또는 전체 에 거쳐 질화물 반도체 기반 의 LED 층 을 형성 하 는 것 으로 , 예 를 들 어 , 웨이퍼 기판 ( 110 ) 상부 에서 n - 형 질화물 반도체 층 ( 130 ) , 활성 층 ( 140 ) 및 p - 형 질화물 반도체 층 ( 150 ) 을 순차 적 으로 형성 하 고 , 웨이퍼 기판 ( 110 ) 과 n - 형 질화물 반도체 층 ( 130 ) 사이 에 버퍼 층 ( 120 ) 을 더 포함 할 수 있 다 .