도전 재료 를 포함 하 는 층 은 , 알루미늄 이나 동 , 티타늄 , 탄 탈륨 , 텅스텐 등 의 금속 재료 를 이용 하 여 형성 할 수 가 있 다 . 또한 , 다 결정 실리콘 등 의 반도체 재료 를 이용 하 여 , 도전 재료 를 포함 하 는 층 을 형성 하 여도 좋 다 . 도전 재료 를 포함 하 는 층 의 형성 방법 도 특별히 한정 되 지 않 으며 , 증착 법 , CVD 법 , 스퍼터링 법 , 스핀 코트 법 등 의 각종 성막 방법 을 이용 할 수 가 있 다 . 또한 , 본 실시 형태 에서 는 , 도전 재료 를 포함 하 는 층 을 금속 재료 를 이용 하 여 형성 하 는 경우 의 일 예 에 대하 여 나타내 는 것 으로 한다 .