층 이송 프로세스 는 실리콘 웨이퍼 를 사용 하 여 수행 될 수 있 다 . 실리콘 웨이퍼 는 Si 내부 에 손상 계면 ( damage interface ) 을 생성 하 기 위해 몇 가지 요소 들 로 주입 될 수 있 고 , 이 는 결합 층 ( 120 ) 에 부착 하 기 위한 단결정 층 ( 122 ) 을 형성 하 는 것 을 도울 수 있 다 . 예 를 들 어 , 함께 부착 된 결합 층 ( 120 ) 과 실리콘 웨이퍼 상 에 압력 을 가하 면 실리콘 웨이퍼 를 결합 층 ( 120 ) 에 원자 적 으로 결합 시킬 수 있 다 .