이어서 , 소자 분리 막 ( 32 ) 형성 된 기판 ( 31 ) 상 에 게이트 패턴 ( 33 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 게이트 패턴 ( 33 ) 은 폴리 실리콘 전극 ( 33 A ) , 금속 계 전극 ( 33 B ) 과 게이트 하드 마스크 ( 33 C ) 의 적층 구조 로 형성 할 수 있 는데 , 금속 계 전극 은 금속 또는 금속 실리사이드 일 수 있 고 , 금속 은 텅스텐 , 금속 실리사이드 는 텅스텐 실리사이드 일 수 있 으며 , 게이트 하드 마스크 ( 33 C ) 는 질화 막 일 수 있 다 .