상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 일 측면 에 따른 본 발명 은 , 일부 가 기판 상 으로 돌출 된 돌출부 를 갖 는 소자 분리 막 과 , 상기 소자 분리 막 의 돌출부 사이 에 고립 된 플로팅 게이트 와 , 상기 플로팅 게이트 와 상기 기판 사이 에 형성 된 터널 링 절 연막 과 , 상기 소자 분리 막 의 돌출부 상 에 형성 된 더미 패턴 과 , 상기 플로팅 게이트 상 에 형성 된 유전체 막 과 , 상기 더미 패턴 사이 에 고립 되 도록 상기 유전체 막 상 에 형성 된 컨트롤 게이트 를 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 를 제공 한다 .