절 연막 ( 28 ) 으로서 질화 실리콘 막 , 활성 층 ( 63 ) 으로서 비정질 실리콘 막 , 접합 층 ( 64 ) 으로서 n + 형 실리콘 막 을 원료 가스 나 플라스마 조건 을 변화 시킴 으로써 형성 한다 . CVD 법 에 의해 형성 할 경우 , 300 ℃∼ 350 ℃ 의 열 이력 ( 熱 履 歷 ) 이 필요 하 게 되 지만 , 기본 골격 의 주 쇄 ( 主 鎖 ) 에 주성분 으로서 규소 를 함유 하 고 , 측쇄 ( 側鎖 ) 에 탄화수소 등 의 구조 를 갖 는 실리카 유리 계 재료 를 뱅크 에 사용 함 으로써 , 투명 성 , 내열 성 에 관한 문제 를 회피 할 수 있 다 .