그리고 , 폴리 실리콘 물질 로 이루 어 졌 지만 비 표시 영역 ( NDA ) 에 배치 된 제 1 박막 트랜지스터 ( 410 ) 의 제 1 액티브 층 ( 411 ) 과 중첩 되 는 영역 에 는 2 중층 으로 구성 된 제 1 층간 절연 층 ( 113 ) 이 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 질화 실리콘 ( SiNx ) 물질 로 이루어진 제 1 층간 하부 절연 층 ( 113 a ) 및 수소 함량 이 상대 적 으로 낮 은 산화 실리콘 ( SiOx ) 물질 로 이루어진 제 1 층간 상부 절연 층 ( 113 b ) 이 형성 될 수 있 다 . 따라서 , 제 1 액티브 층 ( 411 ) 과 중첩 하 도록 배치 된 제 1 게이트 전극 ( 414 ) 의 상부 면 및 양 측면 에 질화 실리콘 ( SiNx ) 물질 로 이루어진 제 1 층간 하부 절연 층 ( 113 a ) 이 직접 접촉 하 며 형성 될 수 있 다 . 그리고 , 제 1 층간 하부 절연 층 ( 113 a ) 상 에 산화 실리콘 ( SiOx ) 물질 로 이루어진 제 1 층간 상부 절연 층 ( 113 b ) 이 형성 될 수 있 다 .