낸드 플래시 메모리 소자 는 기존 의 LOCOS ( LOCal Oxidation of Silicon ) 공정 대신 에 STI 공정 을 적용 하 여 소자 분리 막 을 형성 하 고 있 다 . 특히 , 소자 의 고집 적 화 에 따라 60 nm 급 이상 에서 는 소위 SA - STI ( Self Aligned - Shallow Trench Isolation ) 또는 ASA - STI ( Advanced Self Aligned - Shallow Trench Isolation ) 공정 으로 불리 어 지 고 있 는 소자 분리 공정 을 적용 하 여 소자 분리 막 과 플로팅 게이트 를 함께 형성 하 고 있 다 .