로 되 어 있 다 . 따라서 , 제 어 게이트 전극 ( 500 a ) 은 , 그 막 두께 가 T 6 보다 도 얇 은 T 5 이 면서 , 막 두께 T 6 의 다결정 실리콘 막 ( 600 ) 이 갖 는 실리콘 결정 의 입경 및 인 의 활성 화 율 을 유지 한 것 이 다 . 즉 , 막 두께 T 5 로 다 결정 실리콘 막 을 성막 한 경우 보다 도 , 실리콘 결정 의 입경 이 크 고 , 인 의 활성 화 율 도 높 은 제어 게이트 전극 ( 500 a ) ( 다결정 실리콘 막 ( 500 ) ) 을 얻 을 수 있 다 . 이 때문 에 , 소자 의 미세화 에 수반 하 여 , 제 어 게이트 전극 으로 되 는 다결정 실리콘 막 을 박막 화 하 여도 , 다 결정 실리콘 의 공핍 화 를 억제 할 수 있 다 .