도 17 , 18 , 19 와 관련 하 여 , 에칭 이 수행 되 어 , 실리콘 나이트 라이드 층 ( 24 ) 및 패드 옥사이드 층 ( 22 ) 을 통해 실리콘 물질 ( 12 ) 에 이르 도록 트렌치 ( 50 ) 가 형성 되 었 다 . 따라서 일 실시 예 에서 는 제 2 트렌치 ( 50 ) 가 제 1 마스크 ( 35 ) 의 하드 마스크 층 ( 26 ) 을 통해 뻗 어 가 고 , 제 2 마스크 ( 55 ) 가 제 1 트렌치 위 에 형성 되 어 제 1 마스크 의 하드 마스크 층 ( 26 ) 을 포함 한다 .