이어서 , 비결정질 의 형상 을 가지 는 제 1 ZnO 막 ( 138 a ) 및 제 2 ZnO 막 ( 140 a ) 위 에 포토레지스트 막 을 전면 형성 한 후 포 토리 쏘 그래피 공정 및 습식 식각 공정 으로 제 1 ZnO 막 ( 138 a ) 및 제 2 ZnO 막 ( 140 a ) 을 패 터닝 하 여 도 8 b 에 도시 된 바 와 같이 활성 층 ( 138 b ) 및 오 믹 접촉 층 ( 140 b ) 을 형성 한다 . 이 활성 층 ( 138 b ) 및 오 믹 접촉 층 ( 140 b ) 은 150 ℃ 이하 의 온도 에서 증착 됨 에 따라 그 결정 상태 가 상부 , 중앙 및 하부 에 상관없이 비결정질 형상 으로 상부 , 중앙 및 하부 가 모두 동일 하 게 식각 됨 에 따라 활성 층 ( 138 b ) 및 오 믹 접촉 층 ( 140 b ) 은 정 테퍼 의 형상 으로 패 터닝 된다 .