상기 한 문제점 이외 에 도 , 전기 적 으로 절연 성 을 갖 는 사파이어 특성 때문 에 광전자 소자 제조 시 , 가장 이상 적 인 형태 로 여겨 지 고 있 는 수직 형 의 광전자 소자 ( vertical structure opto - electronics ) 가 아닌 건식 및 습식 에칭 ( dry etching ) 과 복잡 한 포 토리 쏘 ( photo - lithography ) 공정 이 결합 되 어 제작 된 고 비용 및 저성능 의 메사 구조 형태 의 소자 ( MESA - structure opto - electronics ) 를 제조 해야 하 는 단점 을 갖 고 있 다 .