예 를 들 어 , 제 1 추가 연결 배선 ( 762 a ) 및 검사 패턴 ( 161 ) 은 게이트 전극 ( GE ) 과 동일 한 물질 및 동일 한 공정 으로 형성 되 고 , 제 2 추가 연결 배선 ( 762 b ) 은 소스 전극 ( SE ) 및 드레 인 전극 ( DE ) 과 동일 한 물질 및 동일 한 공정 으로 형성 될 수 있 다 . 이 경우 , 제 1 기판 ( ST 1 ) 에서 게이트 전극 ( GE ) 과 소스 전극 ( SE ) 및 드레 인 전극 ( DE ) 사이 에 층간 절연 층 ( 113 ) 이 형성 된 것 과 같이 , 제 1 추가 연결 배선 ( 762 a ) 및 검사 패턴 ( 161 ) 과 제 2 추가 연결 배선 ( 762 b ) 사이 에 는 층간 절연 층 ( 113 ) 이 형성 될 수 도 있 다 .