도 12 의 구성 에 의해 , 확장 된 게이트 피치 로 인해 , MOS 의 이동성 이 향상 되 고 게이트 간 에 발생 하 는 기생 용량 이 감소 된다 . 이 에 따라 , 반도체 소자 ( 1200 ) 에 포함 된 안테나 스위치 의 IL 및 절연 이 모두 향상 된다 . 예 를 들 어 , 실험 결과 에 따르 면 , 안테나 스위치 의 IL 은 게이트 피치 가 약 90 나노미터 에서 130 나노미터 로 확대 됨 에 따라 약 1 . 0 dB 감소 한다 . 또한 , 더 큰 도전 세그먼트 폭 을 갖 는 것 은 IL 의 개선 에 도 기여 한다 . 예 를 들 어 , 실험 결과 에 따르 면 , 안테나 스위치 의 IL 은 도전 세그먼트 의 폭 이 약 24 나노미터 에서 40 나노미터 로 확대 됨 에 따라 약 0 . 03 dB 감소 된다 . 본 개시 내용 의 일부 실시 예 에서 , 게이트 피치 가 원래 설계 의 약 30 % 만큼 확대 되 면 , 안테나 스위치 의 IL 은 상당 한 개선 을 나타낸다 .