제 1 게이트 전극 ( 314 ) , 제 2 게이트 전극 ( 324 ) , 제 1 커패시터 전극 ( 141 ) , 및 제 1 게이트 절연 층 ( 112 ) 상 에 제 1 층간 절연 층 ( 113 ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 1 게이트 절연 층 ( 112 ) 및 제 1 층간 절연 층 ( 113 ) 은 제 2 액티브 층 ( 321 ) 의 제 2 소스 영역 ( 321 b ) 및 제 2 드레 인 영역 ( 321 c ) 의 상부 면 을 노출 하 는 제 2 소스 컨 택 홀 ( CHb ) 및 제 2 드레 인 컨 택 홀 ( CHa ) 을 포함 할 수 있 다 . 그리고 , 제 2 소스 컨 택 홀 ( CHb ) 및 제 2 드레 인 컨 택 홀 ( CHa ) 에 의해 노출 되 는 제 2 액티브 층 ( 321 ) 의 제 2 소스 영역 ( 321 b ) 및 제 2 드레 인 영역 ( 321 c ) 은 탈수소 화 를 위하 여 열처리 공정 이 진행 될 수 있 다 . 열처리 공정 은 250 ℃ ~ 370 ℃ 의 온도 에서 진행 될 수 있 다 . 이 와 같이 , 구동 박막 트랜지스터 로 사용 되 는 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 액티브 층 ( 321 ) 만 선택 적 으로 열처리 하 여 탈수소 화 공정 을 진행할 경우 , 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 만 의 문턱 전압 이하 에서 의 특성 값 ( s - factor ) 이 증가 할 수 있 다 .