그런 다음 , 상기 제 1 이온 주입 공정 이 수행 된 홈 ( H ') 의 타 측벽 에 상기 제 1 이온 주입 공정 과 반대 방향 으로 각도 를 가지 고 상기 타 측벽 이 상기 제 1 문턱 전압 조절 영역 ( 212 ) 과 다른 불순물 도핑 농도 를 갖 도록 제 2 이온 주입 공정 을 수행 하 여 제 2 문턱 전압 조절 영역 ( 214 ) 을 형성 한다 .