절 연막 ( 120 ) 이 반도체 막 ( 100 ) 의 상면 상 에 형성 될 수 있 다 . 절 연막 ( 120 ) 은 반도체 막 ( 100 ) 의 상면 , 활성 패턴 ( 110 ) 의 측벽 , 오 믹 콘 택 패턴 ( 112 ) 의 측벽 , 및 마스크 패턴 ( 114 ) 의 측벽 및 상면 을 덮 는 막 을 형성 하 고 , 막 의 일부 를 식각 하 여 형성 될 수 있 다 . 절 연막 ( 120 ) 은 반도체 막 ( 100 ) 의 상면 아래 에 형성 된 제 2 소오 스 / 드레 인 영역 ( SD 2 ) 을 덮 을 수 있 다 . 절 연막 ( 120 ) 은 활성 패턴 ( 110 ) 의 측벽 을 노출 시킬 수 있 다 . 절 연막 ( 120 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 산화 막 또는 실리콘 질화 막 을 포함 할 수 있 다 .