하 지 막 이 되 는 절 연막 을 기판 ( 400 ) 과 게이트 전극 ( 401 ) 사이 에 형성 해도 좋 다 . 하 지 막 은 기판 ( 400 ) 으로부터 의 불순물 원소 의 확산 을 방지 하 는 기능 이 있 으며 , 질화 실리콘 막 , 산화 실리콘 막 , 질화 산화 실리콘 막 , 산화 질화 실리콘 막 , 또는 산화 갈륨 알루미늄 ( GaxAl 2 - xO 3 + y ( x 는 0 이상 2 이하 , y 는 0 보다 크다 ) ) 막 으로부터 선택 된 막 으로 형성 할 수 있 다 . 또한 , 상기 하 지 막 은 단층 으로 한정 되 지 않 고 , 상기 의 복수 의 막 의 적층 이라도 좋 다 .