이러 한 SPM 기반 나노 정보 저장 장치 에서 는 캔틸레버 의 저항 센서 가 갖 고 있 는 10 % 정도 의 저항 오 차 또는 매체 의 영역 에 따른 저항 불 균 일 도 에 의해 데이터 신호 재 생시 심각 한 DC 오프셋 ( offset ) 이 발생 할 수 있 는데 , 이 로 인해 재 생시 증폭 되 는 저항 변화 가 상기 오 차 에 따른 것 인지 데이터 비트 를 읽 은 결과 인지 가 불분명 하 여 에러 가 발생 할 수 있 다 .