회로 적 관점 에서 살펴보 면 , 상기 플 래쉬 메모리 셀 은 n 개 의 셀 트랜지스터 들 이 직렬 로 연결 되 어 단위 스트링 ( string ) 을 이루 고 이러 한 단위 스트링 들 이 비트 라 인과 접지 라인 ( ground line ) 사이 에 병렬 로 연결 되 어 고집 적 화 에 유리 한 NAND 형 과 각각 의 셀 트랜지스터 들 이 비트 라 인과 접지 라인 사이 에 병렬 로 연결 되 어 고속 동작 에 유리 한 NOR 형 으로 구분 된다 .