이상 살펴본 바 와 같이 구성 된 반도체 장치 는 타 겟 어 드레스 ( TADD ) 와 동일 한 조합 의 어드레스 ( ADD ) 가 입력 되 는 경우 타 겟 어 드레스 ( TADD ) 로 중복 설정 되 는 동작 을 차단 하 고 , 타 겟 어 드레스 ( TADD ) 에 대한 중복 된 리 프레쉬 동작 을 차단 하 여 리 프레쉬 동작 의 효율 성 을 증가 시키 고 전류 소모 를 감소 시킬 수 있 다 .