또한 , 상기 실시 형태 에서 는 , 제 1 순서 의 스텝 4 및 제 2 순서 의 스텝 3 에서 , 산소 를 포함 하 는 가스 를 플 라즈 마로 활성 화 하 여 공급 함 으로써 , SiN 층 등 을 SiO 2 층 에 개질 하 는 예 에 대해서 설명 했 는데 , 산소 를 포함 하 는 가스 의 활성 화 량 을 제어 ( 억제 ) 함 으로써 , 산화력 을 억제 하 고 , SiN 층 등 의 SiO 2 층 에 대한 개질 을 완전 하 게 는 수행 하 지 않 고 , SiON 층 으로 개질 하 는 것 도 가능 하 다 . 예 를 들 면 , 산소 를 포함 하 는 가스 를 플 라즈 마 가 아닌 열 로 활성 화 함 으로써 , SiN 층 등 을 SiON 층 으로 개질 하 는 것 이 가능 해진다 . 도 7 , 8 에 , 이 경우 의 제 1 순서 , 제 2 순서 에 있 어서 의 가스 공급 및 플 라즈 마 파워 공급 의 타이밍 도 를 각각 나타낸다 .