상기 게이트 절 연막 ( 6 ) 을 사이 에 두 고 상기 게이트 전극 ( 5 ) 과 이격 되 어 상기 활성 막 ( 100 ) 이 형성 될 수 있 다 . 상술 된 바 와 같이 , 상기 활성 막 ( 100 ) 은 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 ( 100 ) 을 포함 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 상기 활성 막 ( 100 ) 은 , 인듐 ( In ) 및 산소 ( O ) 를 포함 하 는 상기 제 1 박막 ( 10 ) 과 아연 ( Zn ) 및 산소 ( O ) 를 포함 하 는 상기 제 2 박막 ( 20 ) 이 교대 로 그리고 반복 적 으로 적층 된 구조 이 며 , 상기 제 1 박막 ( 10 ) 및 상기 제 2 박막 ( 20 ) 내 에 탄소 ( C ) 가 포함 될 수 있 다 .