빅스 바이트 구조 의 모서리 공유 구조 의 적어도 일부 를 유지 하 기 위해서 는 , 질소 나 아르곤 등 의 불활성 가스 중 의 산소 분압 이 10 - 1 Pa 이하 의 환경 하 에 , 또는 반도체 층 을 보호 층 으로 덮 은 후 에 70 내지 350 ℃ 에서 열처리 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 성막 시 의 수 분압 은 10 - 3 Pa 이하 인 것 이 바람직 하 다 .