다음 으로 , 소스 / 드레 인 영역 ( 120 , 120 a ) 을 형성 하 기 위한 이온 주입 공정 을 실시 한다 . 즉 , N 형 불순물 ( N +) 이 도핑 된 단위 화소 내 에 2 개 의 일반 적 인 NMOS 트랜지스터 인 드라이브 트랜지스터 ( Dx ) 와 셀렉 트 트랜지스터 ( Sx ) 의 소스 / 드레 인 영역 ( 120 ) 과 2 개 의 네이티브 NMOS 트랜지스터 인 트랜스퍼 트랜지스터 ( Tx ) 와 리셋 트랜지스터 ( Rx ) 의 공통 접속 단인 플로팅 센싱 노드 ( 120 a ) 와 리셋 트랜지스터 의 일 측 소스 / 드레 인 영역 ( 120 ) 을 형성 한다 .