이어서 , 게이트 산화 막 ( 15 ) 상 에 트렌치 ( 14 ) 를 갭 필 하 는 게이트 전극 ( 16 ) 을 형성 한 후 , 이온 주입 을 통해 소스 / 드레 인 역할 을 하 는 N + 확산 층 ( 17 ) 을 형성 하 고 , 이웃 한 트랜지스터 의 N + 확산 층 ( 17 ) 사이 에 는 금속 배선 이 콘 택 될 P + 확산 층 ( 18 ) 을 형성 한다 .