최근 100 nm 이하 의 반도체 소자 를 위한 캐 패 시터 의 유전 막 으로 Al 2 O 3 , HfO 2 / Al 2 O 3 , HfxAlyOz 등 의 박막 에 대한 연구 및 실제 적용 이 이루어지 고 있 다 . 그러 나 , Al 2 O 3 의 낮 은 유전율 ( ε = 9 ) 과 HfO 2 의 낮 은 에너지 밴드 갭 ( Energy Band Gap , ~ 5 eV ) 으로 이 하 여 70 nm 이하 의 디자인 룰 ( Design Rule ) 을 갖 는 소자 에 필요 한 10 Å 이하 의 EOT ( Equivalent Oxide Thicknes ) 를 얻 는 것 은 실제 적 으로 불 가능 하 다 .