본 발명 은 , 상기 사정 에 감안 하 여 이루어진 것 으로 , 공기 중 뿐 만 아니 라 , 불활성 가스 중 에서 의 성막 조건 에서 도 경화 하 여 , 내열 성 이나 , 기판 에 형성 된 패턴 의 매립 이나 평탄 화 특성 이 우수 할 뿐 만 아니 라 , 승화 물 이 적 어 기판 에 의 성막 성 이 양호 한 유기 막 을 형성 할 수 있 는 중합체 및 상기 중합체 를 함유 하 는 유기 막 형성 용 조성물 을 제공 하 는 것 을 목적 으로 한다 . 더욱이 , 본 발명 은 상기 조성물 을 이용 한 반도체 장치 제조 용 기판 , 유기 막 의 형성 방법 및 패턴 형성 방법 도 제공 한다 .