기판 ( 21 ) 상 에 셀 분리 영역 ( ISO ) 에 의해 서로 이격 된 복수 의 발광 셀 들 ( C 1 ~ C 7 ) 을 형성 함 에 따라 높이 가 서로 다른 위치 들 을 갖 는 모 폴 로지 가 형성 된다 . 이 모 폴 로지 에서 , 각 발광 셀 의 제 2 도전 형 반도체 층 ( 27 ) 의 상면 이 가장 높 으며 , 셀 분리 영역 ( ISO ) 에 노출 된 기판 ( 21 ) 면 이 가장 낮 다 .