반도체 칩 ( 200 ) 과 재 배선 구조물 ( 101 ) 사이 에 는 칩 연결 단자 ( 230 ) 를 감싸 는 언더 필 물질 층 ( 240 ) 이 마련 될 수 있 다 . 언더 필 물질 층 ( 240 ) 은 예 를 들 면 , 모세관 언더 필 ( capillary under - fill ) 방법 에 의하 여 형성 되 는 에폭시 수지 로 이루어질 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 들 에서 , 언더 필 물질 층 ( 240 ) 은 비 전도성 필름 ( NCF , Non Conductive Film ) 일 수 있 다 .