또한 , 유기 반도체 의 도전 성 은 , 그 도핑 ( doping ) 에 의해 , 강한 영향 을 받 는 것 도 알려져 있 다 . 이 와 같 은 유기 반도체 매트릭스 물질 은 , 전자 공 여성 이 양호 한 화합물 , 또는 전자 수용성 이 양호 한 화합물 로 구성 되 어 있 다 . 전자 공여 물질 의 도핑 을 위해 , 테트라 시아노 키 논 디 메탄 ( TCNQ ) 또는 2 , 3 , 5 , 6 - 테트라 플 루 오 로 테트라 시아노 - 1 , 4 - 벤조퀴논 디 메탄 ( F 4 TCNQ ) 등 의 강한 전자 수용체 가 알려져 있 다 ( 예 를 들 면 , 문헌 「 M . Pfeiffer , A . Beyer , T . Fritz , K . Leo , Appl . Phys . Lett . , 73 ( 22 ) , 3202 - 3204 ( 1998 ) 」 및 문헌 「 J . Blochwitz , M . Pheiffer , T . Fritz , K . Leo , Appl . Phys . Lett . , 73 ( 6 ) , 729 - 731 ( 1998 ) 」 를 참조 ) . 이 들 은 , 전자 공여 형 베이스 물질 ( 정공 수송 물질 ) 에 있 어서 의 전자 이동 프로세스 에 의해 , 이른바 정공 을 생성 한다 . 정공 의 수 및 이동도 에 의해 , 베이스 물질 의 전도성 이 , 매우 크 게 변화 한다 . 정공 수송 특성 을 가지 는 매트릭스 물질 로서 는 , 예 를 들 면 , 벤지딘 유도체 ( TPD 등 ) 혹은 , 스타 버스트 아민 유도체 ( TDATA 등 ) , 또는 특정 한 금속 프탈 로 시아닌 ( 특히 , 아연 프탈 로 시아닌 ZnPc 등 ) 이 알려져 있 다 ( 일본 공개 특허 제 2005 - 167175 호 공보 ) .