원격 마이크로웨이브 - 생성 된 플라스마 세척 시스템 ( 650 ) 은 , 챔버 성분 으로부터 주기 적 으로 증착 잔여물 을 세척 하 기 위해 제공 된다 . 세 척 시스템 은 원격 마이크로웨이브 생성기 ( 651 ) 를 포함 한다 , 이 는 반응기 캐 비티 ( 653 ) 에서 세 척 가스 공급원 ( 634 E ) ( 예 를 들 어 , 분자 플루오린 , 질소 트리플 루오 라이드 , 다른 탄화 불소 또는 동등 물 ) 로부터 플라스마 를 만든 다 . 이 플라스마 로부터 얻 어 지 는 반응 성 종 은 어 플리 케 이터 튜브 ( 655 ) 를 경유 해 세 척 가스 공급 포트 ( 654 ) 를 통해 챔버 ( 613 ) 로 전달 된다 . 세 척 플라스마 를 함유 하 기 위해 사용 된 물질 ( 예 를 들 어 , 캐비 티 ( 653 ) 및 어 플리 케 이터 튜브 ( 655 ) 는 플라스마 에 의한 공격 에 저항성 이 있 어야 한다 . 반응기 캐 비티 ( 653 ) 와 피드 포트 ( 654 ) 사이 의 거리 는 실제 와 같이 짧 게 유지 되 어야 한다 , 왜냐하면 바람직 한 플라스마 종 의 농도 는 반응기 캐 비티 ( 653 ) 로부터 의 거리 에 따라 감쇠 될 수 있 기 때문 이 다 . 원격 캐 비 티 에 세 척 플라스마 를 생성 시키 는 것 은 효율 적 마이크로웨이브 발생기 의 사용 을 가능 하 게 하 고 , 제 위치 에서 형성 된 플라스마 에 존재 할 수 있 는 글 로우 ( glow ) 방출 의 충격 , 방사 또는 온도 에 , 챔버 성분 이 받 지 않 는다 . 결과 적 으로 상대 적 으로 민감 한 성분 , 예컨대 정전기 성 척 ( chuck ) ( 620 ) 은 더미 ( dummy ) 웨이퍼 로 덮 여질 필요 가 없 거나 달리 보호 될 필요 가 없 다 , 이 는 제 위치 플라스마 세척 공정 이 요구 될 수 있 다 . 도 6 A 에서 , 다른 위치 가 대안 적 으로 사용 될 수 있 지만 , 플라스마 - 세척 시스템 ( 650 ) 은 챔버 ( 613 ) 위 에 위치 되 어 있 다 .