본 발명 이 이루 고자 하 는 기술 적 과제 는 반도체 기판 에 트렌치 를 형성 한 후 , 웰 산화 막 을 형성 하 기 전 과 형성 한 후 에 프라 즈 마 질화 열처리 를 실시 하 여 후속 공정 에 의한 PSZ 스트레스 로 인한 터널 절 연막 계면 및 측벽 에 차지 트랩 및 디 그레데 이 션 문제 를 방지 하 여 ISPP 스텝 변화 를 방지 하 는 반도체 메모리 소자 의 소자 분리 막 형성 방법 을 제공 하 는 데 있 다 .