도 1 을 참조 하 면 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 디바이스 ( 100 ) 는 제 1 배선 층 ( 110 ) , 상기 제 1 배선 층 ( 110 ) 에 형성 된 반도체 다이 ( 120 ) , 상기 제 1 배선 층 ( 110 ) 의 상부 에 상기 반도체 다이 ( 120 ) 를 감싸 도록 형성 된 절연 층 ( 130 ) , 상기 절연 층 ( 130 ) 을 관통 하 여 형성 된 제 2 배선 층 ( 140 ) , 상기 제 1 배선 층 ( 110 ) 및 제 2 배선 층 ( 130 ) 의 패턴 을 노출 시키 는 패 시배 이 션 층 ( 150 ) , 상기 제 2 배선 층 ( 140 ) 에 결합 된 컴포넌트 ( 160 ) 를 포함 한다 . 또한 , 상기 컴포넌트 ( 160 ) 를 감싸 는 인 캡슐 런 트 ( 170 ) 를 더 포함 할 수 있 다 .