다음 에 , 본 발명 의 표시 장치 를 구성 하 는 1 화소 의 회로도 에 대하 여 , 도 1 에 도시 한 회로도 를 구체 화 한 도 4 의 회로도 를 사용 하 여 설명 한다 . 도 4 에 있 어서 화소 ( 400 ) 는 스위칭 트랜지스터 ( 401 ) , n 채널 형 트랜지스터 ( 402 ) , p 채널 형 트랜지스터 ( 403 ) , 용량 소자 ( 404 ) , 표시 소자 ( 405 ) 를 가진다 . 스위칭 트랜지스터 ( 401 ) 의 제 1 단자 는 데이터 선 ( 406 ) 에 전기 적 으로 접속 되 고 , 게이트 단자 는 주사선 ( 409 ) 에 전기 적 으로 접속 되 고 , 제 2 단자 는 n 채널 형 트랜지스터 ( 402 ) 의 게이트 단자 , p 채널 형 트랜지스터 ( 403 ) 의 게이트 단자 , 및 용량 소자 ( 404 ) 의 한쪽 의 전극 에 전기 적 으로 접속 된다 . n 채널 형 트랜지스터 ( 402 ) 의 제 1 단자 , p 채널 형 트랜지스터 ( 403 ) 의 제 1 단자 , 및 용량 소자 ( 404 ) 의 다른 쪽 의 전극 은 전원 선 ( 407 ) 에 접속 된다 . n 채널 형 트랜지스터 ( 402 ) 의 제 2 단자 , 및 p 채널 형 트랜지스터 ( 403 ) 의 제 2 단자 는 표시 소자 ( 405 ) 의 한쪽 의 전극 에 접속 된다 . 표시 소자 ( 405 ) 의 다른 쪽 의 전극 은 그라운드 선 ( 408 ) 에 접속 된다 . 또한 , 도 4 에 도시 하 는 화소 의 회로도 에 있 어서 , 도 1 에 도시 한 화소 의 회로도 와 의 차이 는 스위치 ( 101 ) 로서 n 채널 형 스위칭 트랜지스터 ( 401 ) , 스위칭 트랜지스터 ( 401 ) 의 온 혹은 오프 를 제어 하 기 위한 주사선 ( 409 ) 을 구비 한 점 에 있 다 . 또한 , 도 4 에 있 어서 , n 채널 형 트랜지스터 ( 402 ) , p 채널 형 트랜지스터 ( 403 ) 의 게이트 단자 의 노드 ( node ) 를 N 1 , 표시 소자 ( 405 ) 의 한쪽 의 전극 의 노드 를 N 2 로 하 여 설명 하 기 로 한다 .