ALD 에서 할로겐 화 된 주석 전구체 들 의 사용 이 많 은 실시 예 들 에서 적합 하 지만 , 일부 실시 예 들 에서 , 할로겐 화 된 전구체 들 , 예컨대 SnCl 4 의 사용 으로 발생 할 수 도 있 는 부식 문제 들 을 방지 하 도록 할로겐 화 되 지 않 은 유기 주석 전구체 들 을 사용 하 는 것 이 보다 바람직 하 다 . 적합 한 할로겐 화 되 지 않 은 유기 주석 전구체 들 의 예 들 은 알킬 아미노 주석 ( 알킬 화 된 주석 아마이드 ) 전구체 들 , 예컨대 테 트라키스 ( 디메틸아미노 ) 주석 을 포함 한다 . ALD 프로세스 의 일 예 에서 , 기판 은 ALD 장치 에서 약 50 내지 300 ℃ 의 온도 에서 테트라 키스 ( 디메틸아미노 ) 주석 및 H 2 O 2 에 순차 적 으로 노출 된다 . 유리 하 게 , 이 전구체 의 사용 은 100 ℃ 이하 의 저온 들 에서 SnO 2 막 들 의 증착 을 가능 하 게 한다 . 예 를 들 어 , SnO 2 막 들 은 반응 레이트 를 향상 시키 기 위해 플 라즈 마 를 사용 하 지 않 고 50 ℃ 에서 증착 될 수 있 다 .