" 도 1 은 종래 의 MRAM 디바이스 를 위한 자기 터널 접합 ( "" MTJ "") 스택 ( 100 ) 을 예시 한다 . 도시 된 바 와 같이 ", 스택 ( 100 ) 은 위 에 증착 된 층 들 에서 원 하 는 결정 성장 을 개시 하 기 위해 스택 ( 100 ) 의 바닥 에 제공 된 하나 이상 의 시드 층 들 ( 110 ) 을 포함 한다 . 또한 , MTJ ( 130 ) 는 SAF 층 ( 120 ) 의 상부 에 증착 된다 . MTJ ( 130 ) 는 기준 층 ( 132 ) ( 이 는 자기 층 임 ) , 비 자기 터널 링 장벽 층 ( 즉 , 절연체 ) ( 134 ) 및 자유 층 ( 136 ) ( 이 는 또한 자기 층 임 ) 을 포함 한다 . 기준 층 ( 132 ) 은 실제로 SAF 층 ( 120 ) 의 일부 이 지만 , 비 자기 터널 링 장벽 층 ( 134 ) 및 자유 층 ( 136 ) 이 기준 층 ( 132 ) 상 에 형성 될 때 , MTJ ( 130 ) 의 강자성 플레이트 들 중 하나 를 형성 한다는 것 이 이해 되 어야 한다 . 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 자기 기준 층 ( 132 ) 은 그 의 평면 에 수직 인 자화 방향 을 갖 는다 . 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 자유 층 ( 136 ) 은 그 의 평면 에 수직 인 자화 방향 을 갖 지만 , 그 의 방향 은 180 도 만큼 변동 될 수 있 다 .