본 발명 의 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 장치 는 , 하나 의 비트 라인 에 적어도 두 개 의 스트링 들 ( Strings ) 이 연결 되 고 , 프로그램 동작 시 선택 된 메모리 블록 에서 모든 스트링 들 ( Strings ) 의 채널 들 에 초기 채널 전압 ( Initial Voltage ) 을 인가 한 후 에 , 플로팅 된 모든 금지 스트링 들 ( Inhibit Strings ) 을 채널 부 스팅 ( Channel Boosting ) 한다 . 여기 서 , 금지 스트링 들 은 , 선택 된 워드 라인 에 연결 된 메모리 셀 을 갖 는 스트링 들 중 에서 프로그램 금지 될 메모리 셀 을 갖 는 스트링 들 이 다 .