또한 , 상기 의 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 소자 의 제조 방법 은 기판 상 에 패 터닝 된 하드 마스크 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 하드 마스크 막 을 트리밍 하 는 단계 ; 상기 트리밍 된 하드 마스크 막 을 배리어 로 상기 기판 을 식각 하 여 측벽 이 수직 형상 을 갖 는 복수 의 필라 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 필라 패턴 을 감싸 는 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 게이트 전극 을 감싸 면서 이웃 하 는 상기 게이트 전 극간 을 연결 하 는 배선 막 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .