또한 , 플레이트 의 전압 이 증가 된 후 , 선택 된 디 지트 라인 이 플레이 에 연결 될 수 있 다 . 선택 된 디 지트 라인 을 플레이트 에 연결 하 는 것 이 , 선택 된 디 지트 라인 과 플레이트 의 전압 이 동일 함 ( 또는 적어도 실질 적 으로 동일 함 ) 을 보장 할 수 있 음 으로써 , 선택 된 메모리 셀 이 0 - 전압 상태 로 존재 할 수 있 다 . 이 는 , 디 지트 라인 선택 으로 인해 메모리 셀 상 에 그 밖 의 다른 방식 으로 발생 하 는 임의 의 스트레스 를 , 적어도 임시 로 , 감소 시킬 수 있 다 . 일부 경우 , 플레이트 전압 이 증가 한 후 선택 된 디 지트 라인 을 플레이트 로 연결 하 는 것 이 또한 , 그 밖 의 다른 방식 으로 발생 할 수 있 는 ( 가령 , 역방향 ) 오버 슛 을 ( 가령 , 플레이트 전압 증가 및 선택 된 디 지트 라인 과 플레이트 간 , 선택 된 디 지트 라인 과 플레이트 를 추적 할 수 있 는 전압 을 갖 는 비 선택 디 지트 라인 간 용량 성 교차 - 결합 때문 에 ) 방지 , 완화 , 또는 또 다른 방식 으로 보상 할 수 있 다 .