본 발명 의 또 다른 형태 에 따르 면 , 기판 상 에 제 1 원소 를 포함 하 는 제 1 박막 을 형성 하 는 제 1 공정 과 , 상기 제 1 박막 을 , 상기 제 1 원소 및 제 2 원소 를 포함 하 는 제 2 박막 으로 개질 하 는 제 2 공정 과 , 상기 제 2 박막 을 , 상기 제 1 원소 및 제 3 원소 를 포함 하 는 제 3 박막 으로 개질 하 는 제 3 공정 을 1 사이클 로 하 고 , 이 사이클 을 적어도 1 회 이상 수행 하 는 반도체 장치 의 제조 방법 이 제공 된다 .