선폭 75 ㎚ 의 1 : 1 라인 앤드 스페이스 의 레지스 트 패턴 을 형성 하 는 노광량 및 포커스 를 각각 최적 노광량 및 최적 포커스 로 했 다 . 그리고 , 최적 노광량 및 최적 포커스 의 조건 에 있 어서 얻 어 진 패턴 의 결함 의 개수 를 수치 화 하 고 , 이하 의 기준 에 근거 해서 평가 했 다 . 그 결과 를 이하 의 표 6 에 나타낸다 .