제 1 박막 트랜지스터 ( TFT 1 ) 의 게이트 전극 ( GE 1 ) 은 제 1 반도체 층 ( AS ) 의 채널 영역 ( C 1 ) 과 중첩 하 도록 배치 되 며 , 몰리브덴 ( Mo ) , 구리 ( Cu ) , 티타늄 ( Ti ) 및 알루미늄 ( Al ) 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 이때 , 게이트 전극 ( GE 1 ) 은 상기 물질 중 적어도 하나 를 포함 하 는 단층 또는 다층 으로 이루어질 수 있 다 .