상기 산화 공정 시 As , P . B 등 의 이온 들 로 도핑 된 도전 층 ( 165 a ) 의 산화 율 은 게이트 전극 으로 사용 될 도전 막 ( 165 b ) 의 산화 율 보다 높 다 . 따라서 , 상기 막 질 들 의 서로 다른 산화 율 차이 를 이용 하 여 상기 도핑 된 도전 층 ( 152 a ) 만 을 선택 적 으로 산화 시켜 실리콘 산화 막 ( 152 ) 을 형성 할 수 있 다 .