상술 한 본 발명 은 듀얼 폴리 게이트 전극 형성 시 에 폴리 실리콘 층 상부 에 배리 어 메탈 층 으로 WSix / TiN 층 을 증착 하 고 , 그 상부 에 메탈 전극 인 CVD 텅스텐 층 을 증착 하 는 방법 을 제공 함 으로써 , 후속 열 공정 시 에 폴리 실리콘 층 내부 에 주입 되 어 있 는 도 펀트 ( 보론 ) 의 외 확산 현상 을 방지 할 수 있 어 반도체 소자 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .