본 실시 형태 에서 는 , 산화물 반도체 용 타깃 ( In - Ga - Zn - O 계 산화물 반도체 용 타깃 ( In 2 O 3 : Ga 2 O 3 : ZnO = 1 : 1 : 2 [ mol 수비 ] ) 을 이용 하 여 , 기판 과 타깃 사이 와 의 거리 를 170 ㎜, 기판 온도 400 ℃, 압력 0 . 4 ㎩, 직류 ( DC ) 전원 0 . 5 ㎾, 산소 만 , 아르곤 만 , 또는 아르곤 및 산소 분위기 하 에서 막 두께 25 ㎚ 의 제 2 산화물 반도체 막 을 성막 한다 .