상술 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 형성 방법 은 감광층 패턴 을 형성 하 는 데 있 어 광원 을 이용 한 리소그래피 공정 을 이용 하 는 것 이 아니 라 열 에 반응 하 여 산 으로 변화 하 는 열 산발성 제 ( Thermal Acid Generator ) 를 포함 하 는 감광층 을 이용 하 고 광원 을 이용 한 리소그래피 공정 에서 수행 하 는 마스크 공정 을 열전도 성 물질 패턴 을 이용 한 열전 도 공정 으로 수행 함 으로써 , 반도체 기판 의 형태 및 크기 에 제한 받 지 않 고 패턴 형성 공정 을 용이 하 게 수행 할 수 있 다 . 본 발명 에 따른 패턴 형성 방법 은 열전도 성 패턴 형성 이 가능 한 범위 내 에서 미세 패턴 을 형성 할 수 있 고 , 반대 로 대형 회로 패턴 형성 공정 도 용이 하 게 수행 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , MEMS ( Micro Electro Mechanical Systems ) 와 같 은 미세 기계 장치 제조 에 유용 할 수 있 으며 , 굴곡 기판 또는 구형 반도체 기판 과 같이 광원 을 이용 한 리소그래피 공정 으로 패턴 형성 이 불 가능 한 입체 구조물 의 반도체 기판 에 도 유용 하 게 사용 할 수 있 다 . 또한 , 열전도 성 물질 패턴 은 비열 이 우수 한 금속 성 물질 을 이용 하 여 선형 또는 판형 으로 형성 하 므로 설계 패턴 의 모양 을 자유 롭 게 형성 하 고 , 형성 하 고자 하 는 패턴 의 CD 를 용이 하 게 조절 할 수 있 는 장점 이 있 다 .