100 ㎛ 의 웨이퍼 와 웨이퍼 링 에 마운 터 를 이용 하 여 50 ℃ 에서 다 이싱 다이 본딩 필름 을 라미 한다 . 네온 테크 社 의 다 이싱 장비 를 이용 하 여 Rpm 40000 , feeding speed 20 mm / sec , 칩 크기 2 mm x 2 mm 로 다 이싱 후 칩 의 비산 유 / 무 및 버 가 발생 된 개 조각 된 칩 의 개수 % 를 확인 한다 .