상기 정공 주입 층 물질 로 는 특별히 제한 되 지 않 으며 , 예 를 들 면 , 미국 특허 제 4 , 356 , 429 호 에 개시 된 구리 프탈 로 시아닌 등 의 프탈 로 시아닌 화합물 또는 Advanced Material , 6 , p . 677 ( 1994 ) 에 기재 되 어 있 는 스타 버스트 형 아민 유도체 류 인 TCTA , m - MTDATA , m - MTDAPB , 용해 성 이 있 는 전도성 고분자 인 Pani / DBSA ( Polyaniline / Dodecylbenzenesulfonic acid : 폴리 아닐린 / 도데 실 벤젠술폰산 ) 또는 PEDOT / PSS ( Poly ( 3 , 4 - ethylenedioxythiophene ) / Poly ( 4 - styrenesulfonate ) : 폴리 ( 3 , 4 - 에틸렌 디 옥시 티오펜 ) / 폴리 ( 4 - 스티렌 술포 네이트 ) ) , Pani / CSA ( Polyaniline / Camphor sulfonic acid : 폴리 아닐린 / 캠퍼 술폰산 ) 또는 PANI / PSS ( Polyaniline ) / Poly ( 4 - styrenesulfonate ) : 폴리 아닐린 ) / 폴리 ( 4 - 스티렌 술포 네이트 ) ) 등 을 사용 할 수 있 다 .