비 자기 NM 스 페이서 층 ( 114 ) 은 고정층 ( 116 ) 과 자유 층 ( 112 ) 사이 에 배치 된다 . 비 자기 스 페이서 층 ( 114 ) 은 MgO 터널 링 베리 어 층 일 수 있 다 . MgO 터널 링 베리 어 층 은 결정질 일 수 있 고 강화 된 터널 링 자기 저항 ( tunneling magnetoresistance , TMR ) 을 위해 ( 200 ) 배향 을 가질 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 비 자기 스 페이서 층 ( 114 ) 은 상이 한 터널 링 베리 어 층 일 수 있 고 , 도전 층 일 수 있 거나 다른 구조 를 가질 수 있 다 .