이해 되 듯이 , 2 이외 의 다수 의 비트 를 갖 도록 멀티 레벨 메모리 셀 을 프로그래밍 하 는 방법 은 본 명세서 의 기재사항 으로부터 추정 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 4 - 비트 메모리 셀 은 최종 상태 로 프로그래밍 되 기 이전 에 2 이상 의 하위 페이지 프로그래밍 동작 을 갖 도록 프로그래밍 될 수 있 으며 , 이러 한 구체 예 는 하위 페이지 가 어떻게 프로그래밍 되 어야 하 는지 , 후속 하 는 하위 페이지 가 어떻게 프로그래밍 되 어야 하 는지 , 및 / 또는 상위 페이지 가 어떻게 프로그래밍 되 어야 하 는지 , 예컨대 , 메모리 셀 이 어떻게 하나 이상 의 중간 상태 및 / 또는 최종 상태 로 프로그래밍 되 어야 하 는지 를 나타내 기 위하 여 , 2 초과 의 스크래치 페이지 의 사용 을 포함 할 수 있 다 . 본 명세서 에 기재 된 2 - 비트 셀 을 갖 는 하나 이상 의 예시 적 구체 예 는 설명 목적 을 위한 예시 적 인 것 이 며 , 본 발명 을 2 - 비트 메모리 셀 의 작동 에 대하 여 제한 하 는 것 은 아니 다 . 더욱이 , " "" 1 s "" 및 "" 0 s "" 그리고 용어 "" 상위 ( upper ) "" 및 "" 하위 ( lower ) "" 의 사용 은 본 명세서 에서 하나 이상 의 예시 적 구체 예 를 나타내 기 위하 여 사용 되 며 본 발명 을 특정 표기 또는 정보 배열 에 제한 하 지 않 는다 . "