도 6 을 참조 하 면 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 반도체 디바이스 의 제조 방법 은 서브 스트레이트 ( 110 ) 와 서브 스트레이트 ( 110 ) 를 구획 하 는 절연 부재 ( 11 ) 를 포함 하 여 구성 될 수 있 다 . 또한 , 상기 절연 부재 ( 11 ) 의 길 이 방향 에 대해 수직 하 게 랜드 ( 10 ) 가 다 수개 로 구비 될 수 있 다 .