도 9 를 참조 하 면 , 더미 게이트 구조 ( 75 A , 75 B , 및 75 C ) 를 제거 하 여 제 1 ILD ( 90 ) 에 리세 스 ( 69 A , 69 B , 및 69 C ) 를 각각 형성 한다 . 편의 상 , 리 세스 ( 69 A , 69 B , 및 69 C ) 을 총칭 하 여 리세 스 ( 69 ) 라 할 수 도 있 고 , 각각 의 리세 스 ( 69 A , 69 B , 및 69 C ) 를 리세 스 ( 69 ) 라고 할 수 도 있 다 . 일부 실시 형태 에 따라 , 게이트 ( 68 ) 및 게이트 ( 68 ) 바로 아래 에 있 는 게이트 유전체 ( 66 ) 가 에칭 단계 에서 제거 되 어 , 리 세스 ( 69 ) ( 예컨대 , 69 A , 69 B , 및 69 C ) 가 게이트 스 페이서 들 ( 76 ) 사이 에 형성 된다 . 각각 의 리세 스 ( 69 ) 는 각각 의 핀 ( 64 ) 의 채널 영역 을 노출 시킨다 . 더미 게이트 제거 중 에 , 더미 게이트 ( 68 ) 가 에칭 될 때 에 , 더미 게이트 유전체 ( 66 ) 는 에칭 정지 층 으로서 사용 될 수 있 다 . 그런 다음 , 더미 게이트 유전체 ( 66 ) 는 더미 게이트 ( 68 ) 의 제거 후 에 , 제거 될 수 있 다 . 대체 게이트 가 후속 해서 리세 스 ( 69 ) 에 형성 되 기 때문 에 , 리 세스 ( 69 ) 를 게이트 트렌치 ( 69 ) 라고 도 칭한다 .