각 기판 표면 상 에 구조 를 형성 하 기 위한 금속 이온 스퍼터링 ( sputtering ) 의 경우 에 , 문제 의 표면 은 충분 한 에너지 의 이온 ( 102 eV ~ 여러 103 eV ) 의 충격 을 받 아 침식 할 수 있 다 . 이 를 기본 으로 , " 기판 표면 과 함께 충돌 된 이온 의 충격 이 전달 된다 . 탄성 "" 핵 반발력 "" 의 결과 로 ", 충격 은 기판 재료 에 주입 되 고 , 충돌 캐스케이드 를 시작 한다 . 결과 적 으로 , 표면 원자 는 외부 로 향하 는 충격 을 얻 을 수 있 다 . 들어오 는 이온 의 운동 에너지 가 기판 재료 의 원자 의 결합 에너지 를 초과 할 때 , 각 원자 의 형태 로 우세 하 게 기판 표면 으로부터 이러 한 원자 가 원자 화 되 고 , 그러나 원자 클러스터 의 형태 이 다 . 이러 한 구조 의 깊이 는 이러 한 경우 에 대략 0 . 05 　 μ m - 2 　 μ m 이 다 .