하지만 , 상기 제어 게이트 ( 9 ) 와 상기 일반 게이트 ( 9 a ) 간 에 는 단차 가 존재 하 므로 , 포토레지스트 패턴 을 형성 하 기 위해 노광 을 하 는 경우 , 노광 을 위한 초점 이 서로 상이 하 여 한 번 의 마스크 공정 에 의해 동시 에 형성 될 수 가 없 다 . 즉 , 상기 제어 게이트 ( 9 ) 는 플로팅 게이트 ( 7 ) 및 층간 절 연막 ( 8 ) 상 에 형성 되 므로 , 상기 일반 게이트 ( 9 a ) 에 비해 상기 플로팅 게이트 ( 7 ) 및 층간 절 연막 ( 8 ) 만큼 더 높 게 형성 된다 . 따라서 상기 제어 게이트 ( 9 ) 와 상기 일반 게이트 ( 9 a ) 간 에 는 상기 플로팅 게이트 ( 7 ) 및 층간 절 연막 ( 8 ) 만큼 의 단차 가 존재 한다 . 이러 한 경우 , 상기 층간 절 연막 ( 8 ) 을 포함 한 반도체 기판 ( 3 ) 상 에 포토레지스트 를 증착 한 후 노광 을 하 는 경우 , 노광 을 위한 초점 을 상기 층간 절 연막 ( 8 ) 상 의 포토레지스트 에 맞추 게 되 면 , 상기 일반 게이트 ( 9 a ) 가 형성 될 영역 의 포토레지스트 에서 는 초점 이 맞 지 않 게 된다 . 이러 한 경우 , 만일 노광 을 하 게 되 는 경우 , 층간 절 연막 ( 8 ) 상 에 는 정밀 한 포토레지스트 패턴 이 형성 될 수 있 지만 , 상기 일반 게이트 ( 9 a ) 가 형성 될 영역 상 에 는 정밀 한 포토레지스트 패턴 이 형성 되 지 않 게 된다 . 따라서 정밀 하 지 않 은 포토레지스트 를 마스크 로 하 여 패 터닝 하 는 경우 , 부 정확 한 CD ( critical dimension ) 을 갖 는 일반 게이트 가 형성 되 므로 , 이러 한 일반 게이트 에 의해 부 정확 한 동작 이 이루어질 수 있 다 .