프로그램 모드 에서 , 비 선택 메모리 셀 ( 720 ) 은 턴 - 온 전압 ( Von ) 됨 에 따라 비 선택 메모리 셀 ( 720 ) 의 반도체 층 ( 522 ) 은 도체 특성 을 갖 게 되 고 , 선택 메모리 셀 ( 710 ) 은 턴 - 오프 전압 ( Voff ) 됨 에 따라 선택 메모리 셀 ( 710 ) 의 반도체 층 ( 522 ) 은 절연 특성 을 갖 게 된다 . 그리하여 , 선택 메모리 셀 ( 710 ) 에 프로그램 전압 ( Vprogram ) 에 따른 전압 차 가 발생 하 게 된다 . 선택 메모리 셀 ( 710 ) 의 저항 변화 층 ( 523 ) 은 선택 메모리 셀 ( 710 ) 의 전압 차 에 의해 산소 공공 이 반도체 층 ( 522 ) 방향 으로 이동 함 에 따라 저 저항 상태 ( low resistance state ) 가 될 수 있 다 . 선택 메모리 셀 ( 710 ) 의 저항 변화 층 ( 523 ) 이 저 저항 상태 가 된다는 것 은 선택 메모리 셀 ( 710 ) 에 포함 된 저항 의 값 이 감소 한다는 것 을 의미 할 수 있 다 . 상기 한 선택 메모리 셀 ( 710 ) 은 저항 변화 층 ( 523 ) 의 저 저항 상태 에서 오 믹 ( ohmic ) 전 도 특성 을 가질 수 있 다 .