본 개시 는 , 이 층 전도성 특징 부 ( 126 ) 를 갖 는 반도체 디바이스 구조물 및 이 의 제조 방법 을 제공 한다 . 이 층 전도성 특징 부 ( 126 ) 는 ILD 층 ( 220 ) 의 트렌치 에 형성 되 고 , 동일 트렌치 ( 402 ) 에 형성 되 는 , 하부 금속 특징 부 ( 232 ) , 배리어 층 ( 234 ) 및 상부 금속 특징 부 ( 236 ) 를 포함 한다 . 다양 한 실시 예 에서 이 층 전도성 특징 부 ( 126 ) 를 갖 는 개시 된 반도체 디바이스 구조물 및 이 의 제조 방법 ( 900 ) 을 구현 함 으로써 , 아래 의 기재 되 는 이점 중 의 일부 가 존재 할 수 있 다 . 그러나 , 여기 에 개시 된 상이 한 실시 예 들 은 상이 한 이점 들 을 제공 하 며 어떠 한 특정 이점도 모든 실시 예 에 반드시 요구 되 는 것 은 아님 을 이해 하 여야 한다 . 이 층 전도성 특징 부 ( 126 ) 의 구조 는 , 더 높 은 갭 충전 능력 을 갖 는 하부 금속 특징 부 ( 232 ) 의 재료 를 선택 하 고 더 낮 은 저항 을 갖 는 상부 금속 특징 부 ( 236 ) 의 재료 를 별개 로 선택 할 수 있 는 자유 를 더 많이 제공 한다 . 또한 , 하부 금속 특징 부 ( 232 ) 는 배리어 가 없 고 , ILD 층 ( 220 ) 및 ESL ( 222 ) 의 유전체 재료 에 직접 접촉 하 며 , 이 는 배리어 층 으로부터 의 트렌치 치수 감소 를 없앤다 . 특히 , 이 는 트렌치 의 하부 부분 이 더 좁 은 개구 를 가질 때 더 유리 하 다 . 이 경우 , 하부 금속 특징 부 ( 232 ) 의 금속 재료 는 , 높 은 갭 충전 능력 을 갖 도록 그리고 유전체 재료 로 확산 하 는 금속 재료 의 확산 우려 가 없 도록 선택 된다 .