본 발명 에 따르 면 , 제 1 하드 마스크 층 을 식각 하 기 전 에 상기 애 싱 공정 을 수행 함 으로써 , 애 싱 공정 이 수행 되 는 동안 제 1 하드 마스크 층 은 하부 에 형성 되 어 있 는 상부 전극 이나 강유전체 층 패턴 의 손상 이나 열화 를 방지 할 수 있 다 . 또한 , 상기 애 싱 공정 은 종래 에 비하 여 저온 에서 수행 되 므로 강유전체 층 패턴 에 대한 애 싱 손 상 을 현저히 감소 시킬 수 있 다 . 이 에 따라 , 강유전체 층 패턴 으로부터 누설 전류 가 발생 하 는 것 을 방지 할 수 있 고 , 강유전체 커패시터 의 결함 의 발생 을 감소 시킬 수 있 다 . 아울러 , 상기 강유전체 커패시터 를 포함 하 는 FRAM 장치 의 생산 성 을 향상 시킬 수 있 다 .