도 3 b 는 인 젝 터 ( 81 ) 표면 의 사시도 를 도시 하 는데 , 이 표면 을 통해 도관 포트 가 열린다 . 여기 서 , 이 인 젝 터 는 얇 은 , 평면 물질 ( 90 ) 을 얇 은 , 평면 물질 ( 91 ) ( 물질 90 및 91 은 동일 하 거나 상이 하 다 ) 에 본 딩 하 여 , 약 2 mm 내지 약 8 mm , 바람직 하 게 는 약 5 mm . 의 두께 를 갖 는 구조 를 형성 함 으로써 만들 어 진다는 것 이 분명 하 다 . 도 3 a 에 도시 된 도관 은 물질 ( 90 , 91 ) 중 하나 또는 양자 에 채널 로 형성 될 수 있 으며 , 하나 이상 의 개스 를 보통 성장 기판 근처 에 존재 하 는 도관 포트 어레이 ( 87 a , 87 b , 87 c ) 를 통해 성장 챔버 내 로 분배 한다 . 접속 블록 ( junction block : 88 a , 88 b , 88 c ) 은 각각 중간 튜브 ( 89 a , 89 b , 89 c ) 를 통해 안내 되 는 개스 를 ( 통상 외부 의 ) 개스 소스 로부터 각각 의 도관 인 렛 ( 85 a , 85 b , 85 c ) 으로 연결 한다 .