상세 하 게 는 ( 0001 ) 면 의 사파이어 단결정 기판 위 에 40 nm 두께 의 GaN 버퍼 층 을 형성 시키 고 1 . 5 ㎛ 두께 의 불순물 이 첨가 되 지 않 은 GaN 와 2 . 0 ㎛ 두께 의 N 형 - GaN 를 성장 시킨 후 , 3 nm 두께 의 InGaN 웰 과 7 nm 두께 의 InGaN 배리어 를 한 겹 으로 다섯 겹 을 성장 시켜 활성 층 을 형성 시켰 다 . 상기 활성 층 상부 에 0 . 13 ㎛ 두께 의 P 형 - GaN 를 성장 시킨 후 N 형 - GaN 에 전극 을 형성 시키 기 위해 ICP ( Inductive Coupled Plasma ) 를 이용 하 여 상기 P 형 - GaN 층 과 상기 활성 층 일부 를 P 형 - GaN 의 표면 으로부터 0 . 6 ㎛ 의 깊이 까지 에칭 시켰 다 .