도 4 의 실시 예 에 의한 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 에 있 어서 , 게이트 절 연막 의 두께 는 영역 별 로 달라질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 의 활성 층 패턴 ( 120 ) 과 게이트 전극 ( 140 ) 의 사이 에 구비 되 는 제 1 절 연막 ( 130 ) 은 상기 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 의 게이트 절 연막 ( 일 예 로 , 제 1 게이트 절 연막 ) 을 구성 하 며 , 제 1 구동 트랜지스터 ( T 1 _ 1 ) 가 형성 되 는 영역 과 제 2 구동 트랜지스터 ( T 1 _ 2 ) 가 형성 되 는 영역 에서 상이 한 두께 를 가질 수 있 다 .