도 2 를 참조 하 면 , 열 산화 막 ( 15 ) 과 반도체 기판 ( 5 ) 및 열 산화 막 ( 15 ) 과 소자 분리 막 ( 10 ) 사이 에 제 1 질소 함 유막 ( 20 ) 을 형성 한다 . 제 1 질소 함 유막 ( 20 ) 은 열 산화 막 ( 15 ) 을 일산화질소 ( NO ) 또는 산화 이질소 ( N 2 O ) 분위기 하 에서 열처리 공정 을 통하 여 형성 된다 . 상기 열처리 공정 에 의하 여 , 화살표 로 도시 한 바 와 같이 질소 가 반도체 기판 ( 5 ) 과 열 산화 막 ( 15 ) 사이 의 계면 및 소자 분리 막 ( 10 ) 과 열 산화 막 ( 15 ) 사이 의 계면 에 각기 축적 됨 으로써 , 열 산화 막 ( 15 ) 과 반도체 기판 ( 5 ) 및 열 산화 막 ( 15 ) 과 소자 분리 막 ( 10 ) 사이 에 제 1 질소 함 유막 ( 20 ) 이 형성 된다 . 제 1 질소 함 유막 ( 20 ) 은 열 산화 막 ( 15 ) 과 반도체 기판 ( 5 ) 사이 의 계면 및 열 산화 막 ( 15 ) 과 소자 분리 막 ( 10 ) 사이 의 계면 거칠 기 ( roughness ) 를 감소 시킨다 .