상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 에 따른 박막 트랜지스터 기판 은 기판 상 에 게이트 라인 및 데이터 라인 과 접속 되 도록 형성 된 박막 트랜지스터 와 ; 상기 박막 트랜지스터 와 접속 되 며 상기 게이트 라인 및 데이터 라인 의 교차로 마련 된 화소 영역 에 형성 된 화소 전극 과 ; 상기 화소 전극 과 수평 전계 를 이루 는 공통 전극 과 ; 상기 기판 상 에 형성 된 적어도 한 층 의 절 연막 내 에 잔류 하 는 전하 들 을 제거 하 는 제 1 대전 방지 막 을 구비 하 는 것 을 특징 으로 한다 .