도 1 을 참조 하 면 , 일반 적 인 반도체 메모리 소자 는 외부 전압 ( VDD ) 의 레벨 이 일정 이상 상승 하 는 것 을 감지 하 여 외부 전압 - 파워 업 신호 ( VDD _ PWRUP ) 로 출력 하 기 위한 외부 전압 레벨 감지 부 ( 120 ) 와 , 제 1 내부 전압 ( VCORE ) 의 레벨 이 일정 이상 상승 하 는 것 을 감지 하 여 제 1 내부 전압 - 파워 업 신호 ( V 1 _ PWRUP ) 로 출력 하 기 위한 제 1 내부 전압 레벨 감지 부 ( 140 ) 와 , 제 2 내부 전압 ( VPP ) 의 레벨 이 일정 이상 상승 하 는 것 을 감지 하 여 제 2 내부 전압 - 파워 업 신호 ( V 2 _ PWRUP ) 로 출력 하 기 위한 제 2 내부 전압 레벨 감지 부 ( 160 ) 와 , 외부 전압 - 파워 업 신호 ( VDD _ PWRUP ) 와 제 1 및 제 2 내부 전압 - 파워 업 신호 ( V 1 _ PWRUP , V 2 _ PWRUP ) 가 모두 활성 화 되 는 경우 파워 - 업 신호 ( PWRUP ) 를 생성 하 기 위한 신호 생 성부 ( 180 ) 를 구비 한다 .