즉 , 반도체 웨이퍼 ( 1 ) 의 표면 ( S ) 측 에 는 마스크 일체 형 표면 보호 테이프 ( 3 ) 를 첩 합 하 고 , 반도체 웨이퍼 ( 1 ) 의 연삭 한 이면 ( B ) 측 에 는 웨이퍼 고정 테이프 ( 4 ) 를 첩 합 하 고 , 링 프레임 ( F ) 에 지지 고정한 ( 분도 2 ( c ) , 분도 6 ( a ) 참조 ) 후 , 표면 ( S ) 측 으로부터 마스크 일체 형 표면 보호 테이프 ( 3 ) 를 향하 여 자외선 ( UV ) 을 조사 한다 ( 분도 6 ( b ) 참조 ) . 그리고 , 마스크 일체 형 표면 보호 테이프 ( 3 ) 의 마스크 재 층 ( 3 b ) 을 경화 시킨 후 , 표면 보호 테이프 ( 3 a ) 를 제거 하 여 ( 분도 6 ( c ) 참조 ) 마스크 재 층 ( 3 b ) 을 노출 시킨다 . 그 후 , 레이저 ( L ) 에 의해 스트리트 에 상당 하 는 부분 의 마스크 재 층 ( 3 b ) 을 절제 하 는 공정 으로 이행 한다 .