반도체 디바이스 용 기판 의 세정 에 있 어서 의 성분 ( A ) 의 상세 한 메커니즘 에 대해서 는 불 명료 하 지만 , 다음 과 같이 추측 된다 . Co 계 배선 및 Co 계 전극 중 의 적어도 하나 를 갖 는 반도체 디바이스 용 기판 상 에서 는 , Co 와 방식제 에 의해 형성 된 불용 성 착 물 이 잔류물 이 되 어 있 는 것 으로 생각 된다 . 그리고 , Co 의 경우 , Cu 와 비교 하 여 , 방식제 와 의 착 물 형 성능 이 낮 기 때문 에 , 성분 ( A ) 와 같이 킬레이트 작용 이 비교 적 약한 킬레이트 라도 , Co 와 방식제 의 불용 성 착 물 을 제거 할 수 있 어 , Co 계 재료 의 부식 을 억제 하 면서 , 충분 한 세정 효과 가 발휘 되 고 있 는 것 으로 생각 된다 .