본 발명 의 제 2 특징 에 따른 방법 은 기판 상 에 제 1 반도체 회로 를 형성 하 는 단계 ; 상기 기판 상 에 제 2 반도체 회로 를 형성 하 는 단계 ; 상기 기판 상 의 매립 형 산화물 영역 상 에 멀티 게이트 전계 효과 트랜지스터 ( MuGFET ) 디바이스 를 형성 하 는 단계 ; 및 상기 MuGFET 디바이스 를 상기 제 1 반도체 회로 및 상기 제 2 반도체 회로 에 전기 적 으로 결합 하 기 위한 결합 네트워크 ( coupling network ) 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .