보다 구체 적 으로 설명 하 면 , 제 1 컨 택 면 ( 30 ) 을 형성 하 는 P 웰 ( 130 ) 과 제 2 컨 택 면 들 ( 40 ) 을 형성 하 는 N 웰 ( 140 ) 은 배리어 메탈 층 ( BM ) 에서 반도체 기판 ( SM ) 으로 흐르 는 순방향 전류 흐름 에 대하 여 쇼트 키 컨 택 에 의한 쇼트 키 특성 을 갖 는다 . 그 결과 도 2 와 같이 순방향 전류 흐름 즉 턴 온 전류 Ion 가 흐름 이 보장 된다 .