진공 성막 실 ( 3 ) 로 도입 된 시트 플 라즈 마 ( 50 ) 는 제 2 전자 코일 ( 7 ) 과 제 3 전자 코일 ( 8 ) 에 의한 자장 에 의해 폭 방향 형상 이 조정 되 고 , 타 겟 ( 13 ) 과 기판 ( 15 ) 사이 의 공간 까지 인도 된다 . 타 겟 ( 13 ) 에 는 타 겟 홀더 ( 14 ) 를 통하 여 시트 플 라즈 마 ( 50 ) 에 대하 여 음 바이어스 전압 이 인가 된다 . 또한 기판 ( 15 ) 에 도 기판 홀더 ( 16 ) 를 통하 여 시트 플 라즈 마 ( 50 ) 에 대하 여 음 바이어스 전압 이 인가 된다 . 타 겟 ( 13 ) 이 음 으로 바이어스 됨 으로써 Ar + 이온 이 타 겟 을 효율 좋 게 스퍼터 한다 . 스퍼터 된 타 겟 ( 13 ) 을 구성 하 는 원자 는 수직 방향 으로 시트 플 라즈 마 ( 50 ) 내부 를 통과 하 고 , 이때 양 ( +) 이온 으로 이온 화 된다 . 이 양 이온 은 음 으로 바이어스 된 기판 ( 15 ) 상 에 퇴적 되 고 , 전자 를 받 고 , 기판 ( 15 ) 을 성막 한다 .