표면 이 1 내지 28 의 범위 의 높 은 종횡비 를 갖 는 마이크로미터 단위 의 패턴 을 함유 하 는 , 니켈 템플 릿 이 사용 되 었 다 . 피처 ( feature size ) 는 17 마이크로미터 의 높이 로 600 나노미터 내지 12 마이크로미터 의 범위 이 다 . 표면 은 , 임프 린트 전 에 인산 계 반 접착 필름 에 의해 덮여졌 다 . 니켈 템플 릿 은 . 3 분 동안 190 ℃, 50 bar 에서 폴리 카르보 네이트 호일 에 임프 린트 되 었 다 . 폴리 카르보 네이트 호일 의 표면 은 , 니켈 템플 릿 과 폴리 카르보 네이트 필름 사이 의 반 접착 성질 을 향상 시킬 목적 으로 추가 적 인 코팅 에 의해 처리 되 지 는 않 았 다 . 방출 온도 는 130 ℃ 이 고 , 이 온도 에서 폴리 카르보 네이트 호일 은 , 템플 릿 및 복제물 의 패턴 에 손상 을 입히 지 아니하 고 니켈 표면 으로부터 기계 적 으로 제거 될 수 있 다 . 폴리 카르보 네이트 호일 은 , 토파스 호일 에 임프 린트 를 위한 새로운 템플 릿 으로서 사용 되 었 다 . 임프 린트 는 3 분 동안 120 ℃, 50 bar 에서 수행 되 었 다 . 어떤 표면 에 도 , 폴리 카르보 네이트 와 토파스 호일 사이 의 반 접착 성질 을 향상 시킬 목적 으로 추가 적 코팅 이 입혀 지 진 않 았 다 . 방출 온도 는 70 ℃ 이 고 , 이 온도 에서 토파스 는 , 템플 릿 호일 및 복제물 호일 의 패턴 에 손상 을 입히 지 않 고 폴리 카르보 네이트 호일 로부터 기계 적 으로 분리 될 수 있 다 . 이때 토파스 호일 은 새로운 템플 릿 으로서 사용 되 었 고 , 실리콘 기판 위 에 스핀 코팅 된 6000 나노미터 두께 의 SU 8 필름 에 임프 린트 되 었 다 . 또한 여기 서 , 어떤 표면 에 도 , SU 8 필름 및 토파스 호일 사이 의 반 접착 성질 을 향상 시킬 목적 으로 추가 적 코팅 에 의해 처리 되 진 않 았 다 . 임프 린트 는 3 분 동안 70 ℃, 50 bar 에서 수행 되 었 다 . SU 8 필름 은 광 학적 투과성 이 있 는 토파스 호일 을 통해 4 초 동안 자외선 에 노광 되 었 고 , 전체 공정 동안 50 bar 의 압력 또는 70 ℃ 의 온도 의 변화없이 2 분 이상 동안 베 이크 되 었 다 . 방출 온도 는 70 ℃ 였 다 . 이후 토파스 호일 은 1 시간 동안 60 ℃ 에서 p - 자일렌 ( p - xylene ) 에서 완전히 용해 되 었 다 . 결과 의 SEM 이미지 는 도 4 에 도시 되 어 있 다 . 바람직 한 실시 예 에서 , 이 공정 을 수행 하 기 위한 장치 는 , 이 예 에서 폴리 카르보 네이트 로 된 마스터 템플 릿 이 제 1 임프 린트 기구 에서 제 1 인터 미디어 트 스탬프 로서 제공 되 도록 사용 되 는 경우 에 , 연달 아 배치 된 세 개 의 임프 린트 기구 들 을 포함 한다 . 이때 제 1 인터 미디어 트 스탬프 는 , 제 2 임프 린트 기구 에서 제 2 인터 미디어 트 스탬프 를 만들 기 위해 , 이 예 에서 토파스 로 된 제 2 호 일 에 임프 린트 를 위해 사용 되 었 다 . 제 3 임프 린트 기구 에서 , 제 2 인터 미디어 트 스탬프 는 임프 린트 에 의해 타 겟 기판 위 로 패턴 을 전사 하 기 위해 사용 되 었 다 . 하나 의 동일 한 공급 장치 는 , 임프 린트 기구 사이 에서 임프 린트 된 인터 미디어 트 스탬프 를 이동 시키 기 위해 제공 될 수 있 고 , 대안 적 으로 하나 의 공급 장치 는 제 1 및 제 2 임프 린트 기구 사이 에 제공 될 수 있 고 , 두 번 째 공급 장치 는 제 2 및 제 3 임프 린트 기구 사이 에 제공 될 수 있 다 .