일실 시예 에서 , 본 발명 은 다각형 베이스 를 갖 는 웨이퍼 핸들링 챔버 를 포함 하 는 클러스터 형 반도체 처리 장치 를 제공 하 며 , 상기 다각형 베이스 는 상기 웨이퍼 핸들러 챔버 의 축 방향 으로 관측 되 는 , 웨이퍼 처리 챔버 들 을 위한 복수 의 측면 들 및 웨이퍼 로딩 / 언로 딩 챔버 들 을 위한 2 개 의 인접 하 는 측면 들 을 포함 하 며 , 상기 복수 의 측면 들 은 선택 적 으로 유지 보수 를 위한 블랭크 측면 을 포함 하 고 , 웨이퍼 처리 챔버 들 을 위한 상기 복수 의 측면 들 및 웨이퍼 로딩 / 언로 딩 챔버 를 위한 상기 2 개 의 인접 한 측면 들 각각 은 , 상기 웨이퍼 핸들링 챔버 의 상기 축 및 상기 웨이퍼 핸들링 챔버 의 축 방향 으로 관측 되 는 각 측면 의 중심 을 지나 는 선 에 직교 하 도록 배치 된다 . 일실 시예 에서 , 웨이퍼 처리 챔버 들 을 위한 상기 복수 의 측면 들 중 2 개 의 인접 하 는 측면 들 은 상기 웨이퍼 핸들링 챔버 의 상기 축 및 웨이퍼 처리 챔버 들 을 위한 상기 2 개 의 인접 하 는 측면 들 중 어느 하나 의 중심 을 지나 는 선 과 상기 웨이퍼 핸들링 챔버 의 상기 축 및 웨이퍼 처리 챔버 들 을 위한 상기 2 개 의 인접 하 는 측면 들 중 다른 하나 의 중심 을 지나 는 선 사이 에서 측정 되 는 각 A , 예 를 들 면 , 도 3 의 각 A 3 를 형성 하 고 , 상기 각 A 는 360 ° 를 웨이퍼 처리 챔버 를 위한 상기 복수 의 측면 들 및 웨이퍼 로딩 / 언로 딩 챔버 들 을 위한 상기 2 개 의 인접 하 는 측면 들 로 이루어진 총 측면 들 의 수 로 나누 어 얻 어 진 각 B , 예 를 들 면 , 도 2 의 각 A 2 보다 더 크 다 . 일실 시예 에서 , 상기 웨이퍼 핸들링 챔버 의 축 으로부터 웨이퍼 로딩 / 언로 딩 챔버 들 를 위한 상기 2 개 의 인접 하 는 측면 들 각각 에 이르 는 거리 D 1 , 예 를 들 면 , 도 3 의 거리 D 1 은 상기 웨이퍼 핸들링 챔버 의 상기 축 으로부터 웨이퍼 처리 챔버 들 을 위한 상기 복수 의 측면 들 각각 에 이르 는 거리 D 2 , 예 를 들 면 도 3 의 거리 D 2 보다 더 크 다 .