도 10 을 다시 참조 하 면 , 하드 마스크 동작 ( 1030 ) 에서 , 텅스텐 산화물 , 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 등 과 같 은 하드 마스크 는 자기 조립 물질 의 표면 위 로 및 자기 조립 물질 의 홀 안 으로 증착 된다 . 에칭 동작 ( 1040 ) 에서 등방성 백 에칭 이 자기 조립 물질 의 홀 안 에 하드 마스크 물질 을 남기 는 자기 조립 물질 을 커버 하 는 하드 마스크 물질 을 제거 하 는 데 사용 된다 . 대안 적 으로 , CMP 가 과다 하드 마스크 물질 제거 에 사용 될 수 있 다 . 하드 마스크 디스크 또는 실린더 는 이제 자기 조립 물질 의 홀 안 에 남 는다 . 자기 조립 층 의 홀 내 의 하드 마스크 패턴 을 형성 하 는 대안 적 인 공정 은 , 전체 내용 이 본 명세서 에 참조 로 포함 되 고 2007 년 9 월 28 일 에 출원 된 T . Chen 등 의 미국 특허 출원 번호 제 11 / 864 , 205 호 에 보다 상세히 설명 된 바 와 같이 , 홀 내 의 실리콘 포함 물질 을 스핀 온 증착 하 고 , 실리콘 함유 물질 과 자기 조립 층 사이 에서 큰 에칭 속도 비 로 건식 에칭 에 의해 자기 조립 층 을 에칭 해 버린다 .