상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( 19 ) 및 패드 산화 막 ( 17 ) 이 형성 된 결과물 상 에 저 농도 의 p 형 이온 주입 공정 을 수행 하 여 , 제 1 활성 영역 의 제 1 웰 ( 12 a ) 에 제 3 웰 ( 18 ) 을 형성 한다 . 이어서 , 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( 19 ) 을 마스크 로 이용하 여 , 상기 제 3 웰 ( 18 ) 에 고농도 의 p 형 이온 주입 공정 을 수행 하 여 , 제 3 웰 ( 18 ) 에 베이스 영역 ( 20 ) 을 형성 한다 .