한편 , 페시 베이 션 층 ( 190 ) 은 일예 로서 , 질화 실리콘 ( Si 3 N 4 ) , 산화 실리콘 ( SiO 2 ) , 산화 망간 ( MgO ) , 산화지르코늄 ( ZrO 2 ) , 질화알루미늄 ( AlN ) , 티탄산 리 르 콘 산 연 ( PZT ) , 갈륨비소 ( GaAs ) , 산화 하프늄 ( HfO 2 ) , 산화알루미늄 ( Al 2 O 3 ) , 산화 티타늄 ( TiO 2 ) , 산화아연 ( ZnO ) 중 어느 하나 의 재질 을 함유 하 는 유전체 층 ( Dielectric layer ) 이 사용 될 수 있 다 .