다음 으로 , 본 발명 의 효과 를 확인 한 시험 결과 에 대하 여 설명 한다 . 플 라즈 마 처리 장치 ( 100 ) 를 이용 하 여 , p 형 실리콘 기판 ( 10 Ω · ㎝) 상 에 , 조건 을 바꿔 질화규소 막 을 성막 하 였 다 . 수득 된 질화규소 막 을 PYS 로 측정 하 였 다 . PYS 측정 은 , 자외선 램프 를 이용 하 여 , 각 질화규소 막 에 자외선 을 조사 해서 , 방출 된 전자 를 광전자 증가 배관 으로 측정 하 는 것 에 의해 행하 였 다 . 본 시험 에 있 어서 는 , 이하 의 표 1 에 나타내 는 시험 구분 A ~ H 에 대하 여 실험 을 행하 였 다 .