또한 , 주 기억 장치 ( 1220 ) 는 전원 이 꺼지 면 모든 내용 이 지워 지 는 휘발 성 메모리 타입 의 에스램 ( Static Random Access Memory ; SRAM ) , 디램 ( Dynamic Random Access Memory ) 등 을 더 포함 할 수 있 다 . 이 와 는 다르 게 , 주 기억 장치 ( 1220 ) 는 전술 한 실시 예의 반도체 장치 를 포함 하 지 않 고 , 전원 이 꺼지 면 모든 내용 이 지워 지 는 휘발 성 메모리 타입 의 에스램 ( Static Random Access Memory ; SRAM ) , 디램 ( Dynamic Random Access Memory ) 등 을 포함 할 수 있 다 .