이어서 , 도 2 d 에 도시 된 바 와 같이 , 홀 ( 207 , 도 2 c 참조 ) 의 내 부면 을 따라 제 3 희생 절 연막 ( 208 ) 을 형성 한다 . 이때 , 제 3 희생 절 연막 ( 208 ) 은 불순물 이온 이 고농도 로 도핑 된 절 연막 으로 형성 한다 . 바람직 하 게 는 제 1 희생 절 연막 ( 202 A ) 과 제 2 희생 절 연막 ( 203 A ) 보다 불순물 이온 이 고농도 로 도핑 된 절 연막 으로 형성 한다 . 예컨대 , 제 3 희생 절 연막 ( 208 ) 은 인 또는 붕소 가 제 1 희생 절 연막 ( 202 A ) 과 제 2 희생 절 연막 ( 203 A ) 보다 고농도 로 도핑 된 절 연막 , 구체 적 으로 PSG 막 , BSG 막 또는 BPSG 막 으로 형성 한다 .