기술 된 바 와 같이 , 일부 구 현예 들 에서 , ALD 방법 들 은 플라 즈 마 활성 화 를 포함 한다 . 본 명세서 에 기술 된 바 와 같이 , 본 명세서 에 기술 된 ALD 방법 들 및 장치 들 은 CFD ( conformal film deposition ) 방법 들 일 수 도 있 고 , 이 는 각각 전체 가 본 명세서 에 참조 로서 인용 된 , " 명칭 이 2011 년 4 월 11 일 출원 된 명칭 이 "" PLASMA ACTIVATED CONFORMAL FILM DEPOSITION "" 인 미국 특허 출원 제 13 / 084 ", 399 호 ( 현재 미국 특허 제 8 , 728 , 956 호 ) , " 및 2011 년 4 월 11 일 출원 된 명칭 이 "" SILICON NITRIDE FILMS AND METHODS "" 인 미국 특허 출원 제 13 / 084 ", 305 호 에 대체 적 으로 기술 된다 .