이어서 , 게이트 산화 막 ( 404 ) 상 에 , 본 발명 의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 을 적용 하 여 , 미세 한 입자 ( 405 a ) 로 이루어지 는 폴리 실리콘 막 ( 405 ) 을 형성 한다 . 이어서 , 폴리 실리콘 막 ( 405 ) 상 에 , 텅스텐 ( W ) 등 의 메탈 막 ( 406 ) 을 형성 한다 . 메탈 막 ( 406 ) 은 , 예 를 들 면 ALD 법 이나 CVD 법 등 에 의하 여 형성 한다 . 이 에 따라 , 미세 한 입자 사이즈 의 폴리 실리콘 막 ( 405 ) 과 메탈 막 ( 406 ) 으로 구성 되 는 게이트 전 극 ( 407 ) 이 형성 된다 .