GaN 캡 층 ( 105 ) 은 항복 전압 개선 및 표면 누설 전류 감소 를 위한 에 피층 으로 , AlGaN 장벽층 ( 104 ) 과 GaN 캡 층 ( 105 ) 은 도핑 하 지 않 는 ( undoped ) 것 이 소자 의 항복 전압 을 더 높일 수 있 다 . GaN 캡 층 ( 105 ) 은 소자 응용 분야 에 따라서 설계 되 지 않 을 수 도 있 다 .