특허 문헌 1 은 , 2 차원 단면 상 에서 의 소자 해석 기술 에 관한 것 인데 , 소자 의 미세화 , 형상 의 복잡화 에 수반 하 여 3 차원 에서 의 소자 해석 기술 에 대한 요구 도 커져 왔 다 . 3 차원 의 RLC 추출 툴 에 있 어서 는 , 배선 의 형상 입력 기능 의 좋 고 나쁨 이 성능 을 크 게 좌우 한다 . 3 차원 RLC 추출 툴 의 가장 일반 적 인 형상 입력 방법 으로서 , 사각형 을 조합 한 단순 한 배선 형상 을 수작업 으로 입력 하 는 방법 이 있 다 . 그러나 , 이 방법 에 있 어서 는 , 반도체 의 제조 공정 에 의거 한 리얼 한 형상 을 재현 하 는 것 이 어렵 고 , 「 도려낸 부분 」 이나 「 오 목부 」 와 같 은 형상 을 전기 적 특성 의 예측 에 반영 시키 는 것 이 불 가능 하 다 . 또한 , 복잡 한 형상 을 입력 하 는 경우 의 작업량 이 방대 해져 , 반도체 소자 의 형상 의 복잡화 에 대응 하 기 가 어렵 다 .