게이트 배선 ( 22 , 24 ) 및 스토리지 배선 은 알루미늄 ( Al ) 과 알루미늄 합금 ( Al , AlNd , AlCu 등 ) 등 알루미늄 계열 의 금속 , 은 ( Ag ) 과 은 합금 등 은 계열 의 금속 , 구리 ( Cu ) 와 구리 합금 등 구리 계열 의 금속 , 몰리브덴 ( Mo ) 과 몰리브덴 합금 ( Mo , MoN , MoNb 등 ) 등 몰리브덴 계열 의 금속 , 크롬 ( Cr ) , 티타늄 ( Ti ) , 탄 탈륨 ( Ta ) 따위 로 이루어질 수 있 다 . 또한 게이트 배선 ( 22 , 24 ) 및 스토리지 배선 은 물리 적 성질 이 다른 두 개 의 도전 막 ( 미 도시 ) 을 포함 하 는 다 중막 구조 를 가질 수 있 다 . 이 중 한 도전 막 은 게이트 배선 ( 22 , 24 ) 및 스토리지 배선 의 신호 지연 이나 전압 강하 를 줄일 수 있 도록 낮 은 비저항 ( low resistivity ) 의 금속 , 예 를 들 면 알루미늄 계열 금속 , 은 계열 금속 , 구리 계열 금속 등 으로 이루어질 수 있 다 . 이 와 는 달리 , 다른 도전 막 은 다른 물질 , 특히 ITO ( indium tin oxide ) 및 IZO ( indium zinc oxide ) 와 의 접촉 특성 이 우수 한 물질 , 이를테면 몰리브덴 계열 금속 , 크롬 , 티타늄 , 탄 탈륨 등 으로 이루어질 수 있 다 . 이러 한 조합 의 좋 은 예 로 는 크롬 하 부막 과 알루미늄 상부 막 , 알루미늄 하 부막 과 몰리브덴 상부 막 및 티타늄 하 부막 과 구리 상부 막 을 들 수 있 다 . 다만 , 본 발명 은 이 에 한정 되 지 않 으며 , 게이트 배선 ( 22 , 24 ) 및 스토리지 배선 은 다양 한 여러 가지 금속 과 도전체 로 만들 어 질 수 있 다 .