설명 의 편의 상 , 제 1 및 제 2 접합 영역 ( 710 A , 710 B ) 을 각각 소스 영역 및 드레 인 영역 이 라 하 기 로 한다 . 그 에 따라 , 제 2 접합 영역 ( 710 B ) 이 가변 저항 소자 와 접속 하 는 단자 일 수 있 다 . 제 1 및 제 2 접합 영역 ( 710 A , 710 B ) 은 실질 적 으로 동일 한 불순물 농도 를 가질 수 있 다 . 그러나 , 전술 한 도 3 의 실시 예 와 유사 하 게 , 제 2 접합 영역 ( 710 B ) 의 불순물 농도 가 제 1 접합 영역 ( 710 A ) 의 불순물 농도 보다 낮 을 수 있 다 . 나아가 , 전술 한 도 4 의 실시 예 와 유사 하 게 , 제 1 접합 영역 ( 710 A ) 내 에 추가 도핑 영역 이 존재 하 고 제 2 접합 영역 ( 710 B ) 내 에 는 이러 한 추가 도핑 영역 이 부 존재 하 거나 , 또는 , 제 1 접합 영역 ( 710 A ) 내 에 상대 적 으로 고농도 의 불순물 을 포함 하 는 추가 도핑 영역 이 존재 하 고 제 2 접합 영역 ( 710 B ) 내 에 상대 적 으로 저 농도 의 불순물 을 포함 하 는 추가 도핑 영역 이 존재 할 수 있 다 .