그렇지만 , 제 1 실시 형태 의 적층 형 필터 ( 1 ) 에 의하 면 , 인덕 터 확산 층 ( 6 D ) 에 Li 이 함유 되 어 있 기 때문 에 , 인덕 터 확산 층 ( 6 D ) 의 유전율 의 증가 를 억제 할 수 있 다 . 그 결과 , 인덕 터 도체 부 ( 121 내지 128 ) 를 계면 ( P ) 으로부터 20 ㎛ 까지 가깝 게 하 여도 , Co 및 Al 의 확산 에 기인 하 는 인덕 터 적층 부 ( 7 ) 의 인덕 터 특성 의 저하 를 억제 할 수 있 다 . 따라서 , 이 적층 형 필터 ( 1 ) 에 의하 면 , 고주파 특성 의 저하 를 억제 할 수 있 고 , 또한 소형 화 를 실현 할 수 있 다 .