전술 한 바 와 같이 , 플래시 메모리 장치 에서 프로그래밍 을 수행 할 때 에 ISPP 라는 방식 으로 한다 . ISPP 는 문턱 전압 을 변경 해야 하 는 단위 셀 의 모스 트랜지스터 를 변경 하 는데 있 어서 , 처음 에 예정 된 낮 은 프로그래밍 전압 을 인가 하 고 , 그 이후 에 프로그래밍 이 안 된 단위 셀 의 모스 트랜지스터 들 만 점차 단계 적 으로 높 은 프로그래밍 전압 을 인가 한다 .