전술 한 방법 으로 제작 된 유기 반도체 소자 ( 200 ) 의 전자 채널 층 ( 230 ) 은 외부 에서 전압 이 인가 되 지 않 는 경우 , 고전 도 상태 ( high conductance state ) 와 저전 도 상태 ( low conductance state ) 를 유지 하 며 , 전자 채널 층 ( 230 ) 은 외부 에서 인가 되 는 전압 에 따라 , 고전 도 상태 에서 저전 도 상태 또는 저전 도 상태 에서 고전 도 상태 로 전환 하 는 스위칭 특성 을 갖 는다 . 이하 에서 는 도면 을 참조 하 며 , 본 발명 에 따른 유기 반도체 소자 의 스위칭 특성 을 설명 한다 .