마스크 패턴 ( 120 ) 은 시드 층 상 에 형성 될 수 있 다 . 마스크 패턴 ( 120 ) 은 스핀 코팅 등 에 의해 형성 될 수 있 고 , 패 터닝 을 위해 광 에 노출 될 수 있 다 . 마스크 패턴 ( 120 ) 은 전도성 필라 ( 122 ) 가 배치 될 영역 을 정의 할 수 있 다 . 전도성 물질 이 마스크 패턴 ( 120 ) 의 개구부 내 에 그리고 시드 층 의 노출 된 부분 상 에 형성 될 수 있 다 . 전도성 물질 은 예컨대 , 전기 도금 또는 무전 해 도금 등 과 같 은 도금 에 의해 형성 될 수 있 다 . 전도성 물질 은 Cu , Ti , W , Al 등 과 같 은 금속 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 전도성 물질 은 Cu 를 포함 할 수 있 다 . 마스크 패턴 ( 120 ) 과 그 위 에 전도성 물질 이 형성 되 지 않 는 시드 층 의 부분 이 제거 될 수 있 다 . 마스크 패턴 ( 120 ) 은 산소 플 라즈 마 등 을 사용 하 는 박리 프로세스 에 의해 제거 될 수 있 다 . 마스크 패턴 ( 120 ) 이 제거 된 후 , 배리어 층 및 시드 층 의 노출 된 부분 은 습식 또는 건식 에칭 에 의해 제거 될 수 있 다 . 배리어 층 및 시드 층 의 잔여 부분 과 전도성 물질 은 전도성 필라 ( 122 ) 를 형성 할 수 있 다 .