미결정 반도체 막 ( 45 ) 표면 에 , 비정질 반도체 막 , 또 수소 , 질소 , 혹은 할로겐 을 함유 하 는 비정질 반도체 막 을 형성 함 으로써 , 미결정 반도체 막 ( 45 ) 에 함유 되 는 결정립 표면 의 자연 산화 를 방지 할 수 있 다 . 특히 , 비정질 반도체 와 미 결정립 이 접하 는 영역 에서 는 , 국부 응력 에 의하 여 균열 이 생기 기 쉽 다 . 이 균열 이 산소 에 노출 되 면 결정립 이 산화 되 어 산화 실리콘 이 형성 된다 . 그러나 , 미결정 반도체 막 ( 45 ) 표면 에 버퍼 층 ( 54 ) 을 형성 함 으로써 미결 정립 의 산화 를 방지 할 수 있 다 .