도 2 의 프로세스 도면 을 참조 하 면 , 주석 옥사이드 층 이 증착 된 후 , 프로세스 는 돌출 하 는 피처 들 의 측벽 들 로부터 주석 옥사이드 층 을 완전히 제거 하 지 않 고 수소 - 기반 에칭 또는 염소 - 기반 에칭 을 사용 하 여 수평 표면 들 로부터 주석 옥사이드 를 완전히 제거 함 으로써 205 로 이어진다 . 맨드릴 들 이 외측 층 으로서 실리콘 - 함유 화합물 들 또는 금속 옥사이드 들 을 가지 면 , 수소 - 기반 에칭 이 사용 될 수 있 다 . 맨드릴 들 의 외측 층 이 탄소 층 이 면 , 염소 - 기반 에칭 이 에칭 될 수 있 다 . 이 단계 에서 활용 된 에칭 화학 물질 은 바람직 하 게 ESL 재료 및 맨드릴 의 외측 층 의 재료 모두 에 선택 적 이 어야 한다 , 즉 , 이 에칭 화학 물질 에 대한 주석 옥사이드 의 에칭 레이트 는 외측 맨드릴 재료 의 에칭 레이트 보다 커야 하 고 ESL 재료 의 에칭 레이트 보다 커야 한다 . 수평 표면 들 로부터 주석 옥사이드 의 제거 는 도 1 c 에 예시 된다 . 주석 옥사이드 층 ( 109 ) 은 맨드릴 들 ( 101 ) 의 측벽 들 에 부착 되 는 위치 들 로부터 완전히 에칭 되 지 않 고 , ESL ( 103 ) 위 그리고 맨드릴 들 ( 101 ) 위 의 수평 표면 들 로부터 에칭 된다 . 이 에칭 은 맨드릴 들 ( 101 ) 의 측벽 들 근방 위치 들 을 제외 하 고 모든 곳 에서 층 ( 103 ) 을 노출 시킨다 . 또한 , 이 에칭 은 맨드릴 들 의 상단 부분 들 을 노출 시킨다 . 발생 되 는 구조 체가 도 1 c 에 도시 된다 . 바람직 하 게 , 이 에칭 후 에 , 측벽 에서 주석 옥사이드 층 의 최초 높이 의 적어도 50 ％, 예컨대 적어도 80 ％ 또는 적어도 90 ％ 가 보존 된다 . 일 예 에서 , 주석 옥사이드 는 맨드릴 의 외측 재료 ( SiO 2 ) 가 노출 되 도록 , 수소 - 기반 에칭 ( 예 를 들 어 , H 2 플 라즈 마 에칭 ) 에 의해 실리콘 옥사이드 커버 된 맨드릴 로부터 선택 적 으로 에칭 된다 . 수소 - 기반 에칭 은 SiO 2 에 선택 적 이 다 . 또 다른 예 에서 주석 옥사이드 는 맨드릴 의 탄소 - 함유 재료 가 노출 되 도록 , 염소 - 기반 에칭 ( 예 를 들 어 , BCl 3 / Cl 2 플 라즈 마 에칭 ) 에 의해 탄소 - 함유 ( 예 를 들 어 , 탄소 ) 맨드릴 로부터 선택 적 으로 에칭 된다 . 이러 한 에칭 은 탄소 - 함유 재료 들 에 선택 적 이 다 . 또 다른 예 에서 주석 옥사이드 는 맨드릴 재료 ( 금속 옥사이드 ) 가 노출 되 도록 , 수소 - 기반 에칭 ( 예 를 들 어 , H 2 플 라즈 마 에칭 ) 에 의해 금속 옥사이드 ( 예 를 들 어 , 티타늄 옥사이드 ) 맨드릴 로부터 선택 적 으로 에칭 된다 . 이 에칭 은 휘발 성 하이드라이드 들 , 예컨대 티타늄 옥사이드 를 형성 하 지 않 는 금속 들 의 옥사이드 들 에 선택 적 이 다 .