도 1 은 종래 의 3 족 질화물 반도체 발광 소자 의 일 예 를 나타내 는 도면 으로서 , 3 족 질화물 반도체 발광 소자 는 기판 ( 100 ) , 기판 ( 100 ) 위 에 에 피 성장 되 는 버퍼 층 ( 200 ) , 버퍼 층 ( 200 ) 위 에 에 피 성장 되 는 n 형 질화물 반도체 층 ( 300 ) , n 형 질화물 반도체 층 ( 300 ) 위 에 에 피 성장 되 는 활성 층 ( 400 ) , 활성 층 ( 400 ) 위 에 에 피 성장 되 는 p 형 질화물 반도체 층 ( 500 ) , p 형 질화물 반도체 층 ( 500 ) 위 에 형성 되 는 p 측 전극 ( 600 ) , p 측 전극 ( 600 ) 위 에 형성 되 는 p 측 본딩 패드 ( 700 ) , p 형 질화물 반도체 층 ( 500 ) 과 활성 층 ( 400 ) 이 메사 식각 되 어 노출 된 n 형 질화물 반도체 층 위 에 형성 되 는 n 측 전극 ( 800 ) , 그리고 보호막 ( 900 ) 을 포함 한다 .