예 를 들 면 , 반도체 메모리 장치 의 고집 적 화 를 위한 한 가지 방안 으로 하나 의 비트 라인 ( bit line ) 에 연결 되 는 메모리 셀 들 ( memory cells ) 의 개수 를 증가 시킬 수 는 있 지만 , 하나 의 비트 라인 에 연결 된 메모리 셀 들 의 개수 가 많 아 지 면 많 아 질수록 비트 라인 에 걸리 는 부하 저항 ( loading resistance ) 및 부하 커패시턴스 ( loading capacitance ) 가 증가 된다 . 그리하여 , 어 드레스 에 의해 억세 싱 되 는 메모리 셀 이 비트 라인 으로 전하 를 디스 챠 지 ( discharge ) 하 는 데 걸리 는 시간 이 증가 하 여 반도체 메모리 장치 의 동작 속도 저하 를 초래 한다 .