이어서 , 상기 정공 수송 층 의 상부 에 정공 보조 층 및 발광 층 을 이어서 적층 하 고 상기 발광 층 의 상부 에 선택 적 으로 정공 저지 층 을 진공 증착 방법 , 또는 스핀 코팅 방법 으로서 박막 을 형성 할 수 있 다 . 상기 정공 저지 층 은 정공 이 유기 발광 층 을 통과 하 여 캐소드 로 유입 되 는 경우 에 는 소자 의 수명 과 효율 이 감소 되 기 때문 에 HOMO ( Highest Occupied Molecular Orbital ) 레벨 이 매우 낮 은 물질 을 사용 함 으로써 이러 한 문제 를 방지 하 는 역할 을 한다 . 이 때 , 사용 되 는 정공 저지 물질 은 특별히 제한 되 지 는 않 으나 전자 수송 능력 을 가지 면서 발광 화합물 보다 높 은 이온 화 포 텐 셜 을 가져야 하 며 대표 적 으로 BAlq , BCP , TPBI 등 이 사용 될 수 있 다 .