다음 으로 , 실리콘 질화 막 ( 107 ) 상 에 도 1 에 나타내 는 게이트 패턴 ( 130 ) 형상 의 레지스 트 패턴 을 형성 한다 . 이 레지스 트 패턴 을 마스크 로 하 여 , 실리콘 질화 막 ( 107 ) , 폴리 실리콘 막 ( 106 ) 및 게이트 절 연막 ( 104 ) 을 게이트 패턴 ( 130 ) 형상 으로 가공 한다 . 이 결과 , 도 3 ( c ) 와 같이 폴리 실리콘 막 ( 106 ) 및 게이트 절 연막 ( 104 ) 으로 이루어지 는 게이트 를 형성 한다 . 또 , 실리콘 질화 막 ( 107 ) 및 폴리 실리콘 막 ( 106 ) 의 양측 에 반도체 기판 ( 101 ) 표면 이 노출 된다 . 즉 , 도 1 의 게이트 패턴 ( 130 ) 의 개구부 에 대응 하 는 부분 에서 반도체 기판 ( 101 ) 표면 이 노출 된다 .