이제 본 발명 의 실시 예 에 따른 , 전자 검출기 출력 을 처리 하 기 위한 예시 적 인 처리 시스템 ( 500 ) 을 도시 하 고 있 는 도 5 a 에 대한 참조 가 이루어진다 . 처리 시스템 ( 500 ) 은 도 2 의 전자 빔 툴 ( 104 ) 의 일부 일 수 있 거나 , 이 와 결합 될 수 있 다 . 처리 시스템 ( 500 ) 은 전자 검출 디바이스 ( 244 ) 의 복수 의 전자 감지 요소 로부터 생성 된 전기 신호 를 수신 할 수 있 으며 , 하나 이상 의 검출 된 전자 빔 스폿 각각 에 대한 세기 값 을 결정 할 수 있 고 , 또한 세기 값 에 기초 하 여 웨이퍼 의 이미지 를 재 구성 할 수 있 다 . 도 5 a 에 보여 지 고 있 는 바 와 같이 , 시스템 ( 500 ) 은 ( 도 2 의 ) 전자 검출 디바이스 ( 244 ) , 전처리 회로 ( 501 ) , 신호 처리 회로 ( 502 ) , 전자 세기 결정 회로 ( 503 ) , 빔 스폿 이미 징 회로 ( 504 ) 및 그리고 빔 스폿 처리 모듈 ( 506 ) 을 포함 할 수 있 다 . 빔 스폿 처리 모듈 ( 506 ) 은 빔 스폿 경 계부 결정 모듈 ( 508 ) , 세기 임계 모듈 ( 509 ) , 빔 스폿 세기 결정 모듈 ( 510 ) , 이미지 재 구성 모듈 ( 512 ) 및 빔 스폿 이미 징 모듈 ( 515 ) 을 더 포함 할 수 있 다 .