도 8 을 참조 하 면 , 제 2 도전 성 반도체 층 ( 150 ) 의 일부 에 대해 제 1 도전 성 반도체 층 ( 130 ) 이 노출 될 때 까지 메사 에칭 을 수행 하 게 되 며 , 상기 노출 된 제 1 도전 성 반도체 층 ( 130 ) 위 에 제 1 전극 ( 171 ) 을 형성 하 고 , 제 2 도전 성 반도체 층 ( 150 ) 위 에 제 2 전극 ( 173 ) 을 형성 하 게 된다 .