그 이유 는 앞 에서 언급 했 듯이 소자 의 결정 결함 이 주요 이유 이 며 , 또한 소자 의 전극 설계 도 매우 중요 하 다 . 특히 GaN 발광 소자 는 부도체 인 사파이어 기판 을 보편 적 으로 채택 하 고 있 으므로 소자 의 구조 상 N - 전극 과 P - 전극 이 동일면 에 형성 되 면서 실제 소자 동작 시 N - 전 극 주변 으로 전류 의 모임 현상 이 심해져서 ESD 특성 을 더욱 나쁘 게 한다 . 이런 ESD 특성 을 개선 하 기 위해서 기존 의 방법 은 소자 외 적 인 측면 에서 접근 을 많이 하 고 있 다 . GaN 발광 소자 와 병렬 로 보호 다이오드 ( 일반 적 으로 제너 다이오드 ) 를 역 으로 연결 하 여 GaN 소자 에 역 으로 고전압 의 ESD 가 주입 되 는 것 을 방지 하 는 방법 을 사용 하 기 도 하 고 , GaN 발광 소자 와 병렬 로 큰 커패시터 를 연결 하 여 고전압 이 커패시터 를 통해 흘러가 도록 하 는 방법 을 사용 하 기 도 한다 .