상기 결정 형 반도체 기판 ( 20 ) 에 포토다이오드 ( 140 ) 가 형성 된다 . 상기 포토다이오드 ( 140 ) 는 n 형 불순물 영역 및 p 형 불순물 영역 을 포함 할 수 있 다 . 상기 n 형 불순물 영역 과 p 형 불순물 영역 은 상호 접하 도록 형성 되 어 PN 접합 을 가지 는 포토다이오드 ( 140 ) 가 형성 된다 . 예 를 들 어 , 상기 포토다이오드 는 0 . 5 ~ 2 . 0 ㎛ 의 두께 를 가지 도록 형성 할 수 있 다 .