한편 , 제 1 도전 형 반도체 층 ( 31 ) 의 두께 가 충분히 두꺼운 경우 , 제 1 도전 형 반도체 층 ( 31 ) 의 결정질 이 우수 하 게 됨 에 따라 이후 에 성장 되 는 활성 층 ( 35 ) 과 제 2 도전 형 반도체 층 ( 37 ) 의 결정질 을 우수 하 게 할 수 있 다 . 그러나 , 제 1 도전 형 반도체 층 ( 31 ) 의 두께 가 너무 두꺼운 경우 활성 층 ( 35 ) 에서 발생 하 여 기판 ( 21 ) 쪽 으로 진행 하 는 광 에 대한 패 터닝 된 기판 ( 21 ) 의 역할 이 감소 될 수 있 다 .