한편 , 워드 라인 또는 비트 라인 의 보호막 및 스토리지 노드 ( Storage Node ) 의 식각 정지 층 으로 현재 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 이 사용 되 고 있 다 . 실리콘 질화 막 은 저압 화 학기 상 증착 법 ( Low Pressure Chemical Vapor Deposition ) 으로 형성 하 고 , 유전 상수 ( Dielectric Constant ( k ) ) 값 은 7 을 갖 는다 .