본 발명 은 저 에너지 의 리튬 이온 을 그래 핀 표면 에 흡착 하 여 반도체 물 성 을 확보 하 기 위해 필요 한 0 . 3 eV 이상 의 밴드 갭 을 그래핀 에 형성 시키 고 그 크기 를 리튬 이온 의 흡착 량 과 기판 의 열처리 를 통해 조절 함 으로써 , 전자 소자 이용 에 필수 적 인 채널 소자 기능 인 On / Off 상태 를 안정 적 으로 형성 할 수 있 는 밴드 갭 보유 그래핀 및 이 의 제조 방법 에 관한 것 이 다 .