본 발명 은 반도체 장치 에 관한 것 으로 , 기억 정보 에 대응 하 여 저항 값 에 차 가 생기 는 소자 로 이루어지 는 메모리 셀 을 포함 하 는 기억 장치 , 특히 칼 코 게나 이드 재료 의 상태 변화 를 이용 하 여 정보 를 기억 하 고 , 그 정보 에 의한 저항 값 차 를 검출 하 여 정보 를 변별 하 는 메모리 셀 을 이용 한 상변화 메모리 를 포함 하 는 기억 장치 에 적용 하 기 에 유효 한 기술 에 관한 것 이 다 .