다음 으로 , 상기 실리콘 기판 일면 에 p + 도전 층 ( 203 a ) 을 형성 하 고 , 그 와 다른 면 에 는 n + 도전 층 ( 202 ) 과 p + 도전 층 ( 203 b ) 이 교호 로 배치 되 도록 한다 ( 도 3 참조 ) . 도 2 와 같이 실리콘 기판 의 양면 에 n + 도전 층 을 형성 한 경우 는 , 임의 로 선택 된 실리콘 기판 의 일면 에 p 형 도 펀트 를 함유 하 는 조성물 을 스크린 프린팅 을 이용 하 여 도포 하 고 , 그 와 다른 면 에 는 소정 패턴 에 따라 p 형 도 펀트 를 함유 하 는 조성물 을 스크린 프린팅 을 이용 하 여 도포 한 후 , 확산 로 에서 열처리 함 에 의해 상기 와 같 은 구조 를 형성 할 수 있 다 . 한편 , 실리콘 기판 의 일면 에 n + 도전 층 을 형성 한 경우 는 , 실리콘 기판 의 n + 도전 층 이 형성 되 지 않 은 면 에 p 형 도 펀트 를 함유 하 는 조성물 을 스크린 프린팅 을 이용 하 여 도포 하 고 , n + 도전 층 이 형성 된 면 에 는 소정 패턴 에 따라 p 형 도 펀트 를 함유 하 는 조성물 을 스크린 프린팅 을 이용 하 여 도포 한 후 , 확산 로 에서 열처리 함 에 의해 상기 와 같 은 구조 를 형성 할 수 있 다 . 여기 서 p + 도전 층 을 형성 하 기 위한 p 형 도 펀트 로 는 B , Ga , In , Al 등 의 3 족 원소 들 이 바람직 하 게 사용 될 수 있 다 .