한편 , 산소 ( O ) 의 경우 질소 ( N ) 또는 탄소 ( C ) 와 는 달리 , 각 막 들 중 최상층 의 막 은 적어도 하부 어느 막 에 대하 여 낮 은 산소 ( O ) 함유량 을 갖 거나 , 투명 기판 에 인접 한 막 이 상부 어느 하나 의 막 에 포함 되 는 산소 ( O ) 의 함유량 대비 높 도록 구성 할 수 있 다 . 예 들 들 어 , 최 상부 로부터 하부 로 갈수록 박막 에 구비 된 산소 ( O ) 의 함유량 을 증가 시켜 , Sidewall Angle 을 우수 하 게 할 수 있 다 . 한편 , 반사율 의 경우 최상층 의 박막 의 산소 함유량 이 높 을수록 반사 율 저감 효과 를 가질 수 있 다 . 한편 , 위상 반 전막 ( 104 ) 의 반사율 은 , 특히 , 박막 들 ( 104 a , . .. 104 n ) 에 포함 된 질소 ( N ) 및 산소 ( O ) 각각 , 또는 , 둘 모두 의 함유량 을 변화 시켜 조절 할 수 있 으며 , 질소 ( N ) 및 산소 ( O ) 의 함유량 을 높여 반사 율 을 낮 게 할 수 있 다 . 그러나 산소 ( O ) 의 경우 식각 속도 를 증가 시키 는 요인 으로 작용 하 여 반사 율 저감 대비 식각 속도 를 증가 시키 는 요인 으로 작용 하 여 Sidewall angle 이 나빠 지 는 요인 으로 작용 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 위상 반 전막 에 포함 되 는 박막 들 ( 104 a , . .. 104 n ) 에 포함 되 는 산소 의 함유량 은 30 at % 이하 , 바람직 하 게 는 20 at % 이하 로 제어 되 고 , 그 두께 는 30 nm 이하 로 제어 되 는 것 이 바람직 하 다 .