전하 저 장막 들 ( CL ) 이 폴리 실리콘 과 같 은 도전 물질 을 포함 할 때 , 전하 저 장막 은 ( CL ) 은 부유 게이트 들 ( floating gate ) 로 동작 할 것 이 다 . 즉 , 전하 저 장막 들 ( CL ) 은 전하 를 축적 ( accumulate ) 함 으로써 데이터 를 저장 할 것 이 다 . 전하 저 장막 들 ( CL ) 이 절연 물질 을 포함 할 때 , 전하 저 장막 들 ( CL ) 은 전하 포획 층 으로 동작 할 것 이 다 . 즉 , 전하 저 장막 들 ( CL ) 은 전하 를 포획 ( trap ) 함 으로써 데이터 를 저장 할 것 이 다 .