도 1 및 도 2 를 참조 하 면 , 본 발명 에 따른 SONOS 구조 의 플 래쉬 메모리 는 반도체 기판 ( 10 ) 의 활성 영역 상부 에 적층 된 절 연막 ( dielectric layer ) 인 ONO 막 ( 40 ) 이 형성 되 며 , ONO 막 ( 40 ) 의 상부 에 게이트 전극 ( 50 ) 이 형성 된다 . 게이트 전극 ( 50 ) 의 양쪽 비활성 영역 의 기판 내 에 소스 / 드레 인 접합 ( 20 , 30 ) 이 형성 된다 .