도 8 에 , XPS 분석 에 의해 측정 한 질화규소 막 의 화학 조성 프로 파일 을 나타내 었 다 . 도 8 에 있 어서 , 질화규소 막 의 표면 근방 의 영역 과 , Si 기판 계면 으로부터 두께 약 3 ㎚ 이내 의 영역 에서 , 질화규소 막 중 에 산소 원자 가 현저히 확산 · 혼입 되 어 있 는 것 을 알 수 있 다 . 표면 측 의 산화 는 자연 산화 에 기인 하 는 것 이 고 , Si 기판 계면 측 은 케미컬 옥사이드 SiO 2 층 과 질화규소 막 의 계면 반응 에 기인 하 는 것 이 라고 생각 된다 .