본 발명 에서 는 , 음극 과 유기 층 사이 에 절연체 나 반도체 로 구성 되 는 전자 주입 층 을 추가 로 설치 할 수 도 있 다 . 이 에 따라 , 전류 의 누설 을 유효 하 게 방지 하 여 전자 주입 성 을 향상 시킬 수 있 다 . 이러 한 절연체 로서 는 , 알칼리 금속 칼 코 게나 이드 , 알칼리 토류 금속 칼 코 게나 이드 , 알칼리 금속 의 할로겐화물 및 알칼리 토류 금속 의 할로겐화물 로 이루어지 는 군 으로부터 선택 되 는 적어도 하나 의 금속 화합물 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 전자 주입 층 이 이 들 알칼리 금속 칼 코 게나 이드 등 으로 구성 되 어 있 으면 , 전자 주입 성 을 더욱 향상 시킬 수 있 다는 점 에서 바람직 하 다 .