일반 적 으로 , 상기 박막 트랜지스터 ( T ) 의 드레 인 전극 ( 12 ) 은 상기 게이트 전극 ( 8 ) 과 오버랩 되 도록 형성 되 며 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 이 들 드레 인 전극 ( 12 ) 과 게이트 전극 ( 8 ) 사이 의 겹침 면적 ( D ) 에 의해 발생 하 는 기생 캐 패 시 턴 스 ( parasitic capacitance ) 인 Cgs 이 형성 된다 .