다른 실시 예 들 에 있 어서 , 상기 웰 층 및 초격자 구조 의 장벽층 내 InGaN 의 조성 비 들 은 0 < x < 0 . 5 , 0 < y < 0 . 1 , 0 < z < 0 . 05 및 z < y < x 일 수 있 다 . 즉 , 위 의 실시 예 들 과 달리 , In 함량 이 많 은 초격자 구조 사이 에 In 함량 이 적 은 초격자 구조 를 배치 시켜 핀홀 및 힐 락 의 발생 을 억제 할 수 있 다 .