상기 제 2 상부 전극 ( 140 ) 내부 에 형성 된 상기 슬릿 ( 145 ) 은 예 를 들 면 , 도 3 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 전극 ( 140 ) 의 상면 의 중심 에서 외부 로 부채살 처럼 퍼진 방사형 의 슬릿 ( 145 ) 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 방사형 의 슬릿 ( 145 ) 은 상기 제 1 상부 전극 ( 130 ) 에서 형성 된 제 1 전계 ( 138 ) 가 상기 나선형 의 코일 ( 134 ) 로부터 상기 챔버 ( 100 ) 내부 로 나선형 을 이루 며 형성 될 때 , 상기 제 1 전계 ( 138 ) 의 일부 만 이 통과 되 도록 상기 제 1 전계 ( 138 ) 의 형성 방향 에 수직 을 이루 는 것 이 바람직 하 다 . 즉 , 상기 제 2 상부 전극 ( 140 ) 상부 의 상기 제 1 상부 전극 ( 130 ) 에서 형성 된 상기 제 1 전계 ( 138 ) 가 상기 슬릿 ( 145 ) 을 통과 해서 만 상기 챔버 ( 101 ) 내부 로 도달 되 도록 함 으로서 , 상기 슬릿 ( 145 ) 의 폭 및 분포 를 변경 하 여 상기 제 1 전계 ( 138 ) 에 의해 상기 반응 가스 로부터 형성 되 는 플 라즈 마 상태 의 이온 밀도 를 조절 할 수 있 다 . 상기 와 같이 상기 제 1 전계 ( 138 ) 의 세기 를 조절 할 수 있 는 상기 슬릿 ( 145 ) 의 분포 는 식각 하 고자 하 는 물질 의 특성 에 따라 상기 슬릿 ( 145 ) 의 폭 이나 슬릿 ( 145 ) 들 사이 의 간격 이 변경 가능 하 기 때문 에 본 발명 에서 한정 시킬 수 없 다 .