이 어 , 상기 트렌치 가 형성 된 기판 전면 에 희생 산화 막 ( sacrifice oxide ) 을 얇 게 형성 하 고 , 상기 트렌치 가 채워 지 도록 상기 기판 에 O 3 TEOS 막 을 형성 한다 . 이 때 상기 희생 산화 막 은 상기 트렌치 의 내벽 에 도 형성 되 며 , 상기 O 3 TEOS 막 은 약 1000 ℃ 이상 의 온도 에서 진행 된다 .