또한 , 본 실시 형태 에서 는 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 형성 후 에 제 2 열처리 를 행하 고 있 지만 , 제 2 열처리 의 타이밍 은 이것 에 한정 되 지 않 는다 . 예 를 들 면 , 게이트 전극 의 형성 후 에 제 2 열처리 를 행해 도 좋 다 . 또한 , 제 1 열처리 에 이어서 제 2 열처리 를 행해 도 좋 고 , 제 1 열처리 에 제 2 열처리 를 겸하 게 해도 좋 고 , 제 2 열처리 에 제 1 열처리 를 겸하 게 해도 좋 다 .