인터 포저 기판 ( 200 ) 상 에 제 1 반도체 칩 들 ( 300 ) 이 제공 될 수 있 다 . 제 1 반도체 칩 들 ( 300 ) 은 50 um 내지 100 um 의 거리 로 이격 될 수 있 다 . 제 1 반도체 칩 들 ( 300 ) 의 이격 거리 가 50 um 보다 작 을 경우 , 뒤 의 도 8 을 이용 하 여 설명 되 는 공정 에서 제 1 반도체 칩 들 ( 300 ) 의 사이 의 공간 에 제 1 몰딩 물질 이 주입 되 기 어려울 수 있 다 . 제 1 반도체 칩 들 ( 300 ) 은 그 의 전면 ( 300 a ) 에 제공 되 는 제 1 재배 선 층 ( 310 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 재배 선 층 ( 310 ) 은 제 1 반도체 칩 ( 300 ) 의 전면 ( 300 a ) 에 배치 되 는 제 1 도전 패턴 ( 314 ) 및 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) , 그리고 상기 제 1 도전 패턴 ( 314 ) 및 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 을 덮 는 제 1 절연 층 ( 316 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 반도체 칩 들 ( 300 ) 각각 은 제 1 반도체 칩 들 ( 300 ) 을 수직 으로 관통 하 여 그 의 후면 ( 300 b ) 상 으로 노출 되 는 제 1 관통 전극 들 ( 320 ) 을 더 포함 할 수 있 다 . 제 1 반도체 칩 들 ( 300 ) 의 전면 ( 300 a ) 은 인터 포저 기판 ( 200 ) 을 향할 수 있 다 .