이어서 , 산화 공정 을 실시 하 여 웰 ( 22 ) 표면 상 에 고전압 트랜지스터 의 게이트 산화 막 ( 29 ) 을 성장 시킨다 . 이때 , 드리프트 영역 ( 27 ) 과 대응 되 는 영역 의 웰 ( 22 ) 표 면 상 에 는 드리프트 영역 ( 27 ) 사이 의 웰 ( 22 ) 표면 상 에서 보다 더욱 두꺼운 게이트 산화 막 ( 29 ) 이 형성 된다 . 이 는 , 결함 유발 이온 주입 공정 ( 26 ) 시 드리프트 영역 ( 27 ) 과 대응 되 는 영역 에서 발생 된 웰 ( 22 ) 표면 결함 에 의해 산화 막 성장 속도 가 매우 빨라 지 기 때문 이 다 .