도 2 c 를 참조 하 면 , 정렬 키 영역 ( 130 ) 을 포함 하 는 실리콘 층 ( 125 ) 상부 에 절연 물질 을 형성 한 후 평탄 화 공정 을 진행 하 여 정렬 키 ( 135 ) 를 형성 한다 . 여기 서 , 평탄 화 공정 은 CMP ( Chemical Mechanical Polishing ) 로 진행 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 와 같이 평탄 화 공정 을 진행 하 여 정렬 키 ( 135 ) 와 정렬 키 ( 135 ) 주변 의 실리콘 층 ( 125 ) 간 의 단차 를 없애 준다 . 이때 , 절연물 질 은 산화 막 을 포함 하 는 물질 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 며 , 산화 막 이외 에 실리콘 산화 질화 막 ( SiON ) 또는 질화 막 을 포함 하 는 물질 로 형성 할 수 도 있 다 .