본 개시 의 특정 실시 예 에서 , 하나 이상 의 일함수 조정 층 ( 도시 되 지 않 음 ) 이 게이트 유전체 층 ( 202 ) 과 게이트 전극 층 ( 204 ) 사이 에 개재 된다 . 일함수 조정 층 은 TiN , TaN , TaAlC , TiC , TaC , Co , Al , TiAl , HfTi , TiSi , TaSi 또는 TiAlC 의 단층 , 또는 이 들 재료 중 의 둘 이상 의 다층 과 같 은 전도성 재료 로 제조 된다 . n 채널 FET 에 대하 여 , TaN , TaAlC , TiN , TiC , Co , TiAl , HfTi , TiSi 및 TaSi 중 의 하나 이상 이 일함수 조정 층 으로서 사용 되 고 , p 채널 FET 에 대하 여 , TiAlC , Al , TiAl , TaN , TaAlC , TiN , TiC 및 Co 중 의 하나 이상 의 일함수 조정 층 으로서 사용 된다 . 일함수 조정 층 은 ALD , PVD , CVD , e - 빔 증발 , 또는 다른 적합 한 프로세스 에 의해 형성 될 수 있 다 . 또한 , 일함수 조정 층 은 상이 한 금속 층 을 사용 할 수 있 는 , n 채널 FET 및 p 채널 FET 에 대하 여 개별 적 으로 형성 될 수 있 다 .