예컨대 , TFT 로서 , 유리 등 의 기판 상 에 게이트 전극 , 게이트 절연 층 , 수소 화 비정질 실리콘 ( a - Si : H ) 등 의 반도체 층 , 소스 및 드레 인 전극 을 적층 한 역 스 태거 ( inverted - staggered ) 구조 의 것 이 있 다 . 이 TFT 는 , 이미지 센서 를 비롯 하 여 대면 적 디바이스 의 분야 에서 , 액티브 매트릭스 형 의 액정 디스플레이 로 대표 되 는 플랫 패널 디스플레이 등 의 구동 소자 로서 이용 되 고 있 다 . 이 들 용도 에서 는 , 종래 비정질 실리콘 을 이용 한 것 에서 도 고 기능 화 에 따른 작동 의 고속화 가 요구 되 고 있 다 .