상기 제 2 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 불휘발성 메모리 장치 의 제조 방법 이 제공 된다 . 구체 적 으로 반도체 기판 상 에 터널 산화 막 , 플로팅 게이트 막 및 제 1 도 전막 을 순차 적 으로 형성 한다 . 제 1 도 전막 , 플로팅 게이트 막 및 터널 산화 막 을 제 1 방향 을 따라 순차 적 으로 식각 하 여 제 1 방향 으로 연장 하 고 제 1 방향 과 수직 인 제 2 방향 으로 이격 하 며 반도체 기판 상 에 순차 적 으로 적층 되 는 터널 산화 막 패턴 들 , 예비 플로팅 게이트 들 및 제 1 도 전막 패턴 들 을 형성 한다 . 터널 산화 막 패턴 들 사이 , 예비 플로팅 게이트 들 사이 및 제 1 도 전막 패턴 들 사이 에 제 1 방향 으로 연장 하 는 소자 분리 막 패턴 들 을 형성 한다 . 제 1 도 전막 패턴 들 및 소자 분리 막 패턴 들 상 에 유전 막 및 컨트롤 게이트 막 을 형성 한다 . 컨트롤 게이트 막 , 유전 막 , 제 1 도 전막 패턴 들 및 예비 플로팅 게이트 들 을 제 2 방향 을 따라 순차 적 으로 식각 하 여 제 2 방향 으로 연장 하 고 제 1 방향 으로 서로 이격 하 는 컨트롤 게이트 들 과 유전 막 패턴 들 을 형성 하 고 제 1 및 2 방향 들 로 서로 이격 하 는 제 1 도 전막 패턴 들 과 플로팅 게이트 들 을 형성 한다 .