이어서 , 도 3 c 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 절 연막 ( 25 a ) 을 이방성 식각 한 다음 , 제 1 폴리 실리콘 막 ( 23 a ) 도 이방성 식각 한다 . 그 결과 , 제 1 폴리 실리콘 막 ( 23 a ) 은 트렌치 의 측벽 에 스 페이서 형태 로 남 게 되 고 , 전술 한 제 1 고농도 P 형 베이스 영역 을 형성 한다 . 또한 , 제 1 절 연막 ( 25 a ) 은 제 1 고농 도 베이스 영역 ( 23 a ) 의 측벽 에 남 아 제 1 절연 막 스 페이서 를 형성 한다 .