본 발명 의 레지스 트 조성물 의 전체 고형분 농도 는 통상 1 . 0 ∼ 10 질량 % 이 며 , 바람직 하 게 는 2 . 0 ∼ 5 . 7 질량 %, 더욱 바람직 하 게 는 2 . 0 ∼ 5 . 3 질량 % 이 다 . 고형분 농도 를 상기 범위 로 함 으로써 레지스 트 용액 을 기판 상 에 균일 하 게 도포 할 수 있 고 , 또한 라인 엣지 러프 니스 가 우수 한 레지스 트 패턴 을 형성 하 는 것 이 가능 해진다 . 그 이유 는 명확 하 지 않 지만 아마도 고형분 농도 를 10 질량 % 이하 , 바람직 하 게 는 5 . 7 질량 % 이하 로 함 으로써 레지스 트 용액 중 에서 의 소재 , 특히 광산 발생 제 의 응집 이 억제 되 어 그 결과 적 으로 균일 한 레지스 트 막 이 형성 될 수 있 는 것 으로 여겨진다 .