상기 제 1 기판 ( 11 ) 은 투명 한 유리 , 고분자 또는 금속 으로 형성 할 수 있 다 . 상기 제 1 전도 성막 ( 12 ) 은 상기 제 1 기판 ( 11 ) 상 에 ITO 또는 SnO 2 를 얇 게 코팅 ( coating ) 하 여 형성 할 수 있 다 . 상기 반도체 산화물 층 ( 13 ) 은 상기 제 1 전도 성막 ( 12 ) 상 에 약 5 내지 30 nm , 바람직 하 게 약 20 nm 크기 의 나노 입자 를 가지 는 이산화 티탄 ( TiO 2 ) 을 포함 하 는 인쇄 용 페이스트 를 약 100 내지 200 ㎛ 의 두께 로 코팅 한 후 , 약 450 내지 550 ℃ 의 온도 로 30 분 간 가열 하 여 약 10 내지 30 ㎛ 의 두께 로 형성 할 수 있 다 .