본 발명 의 실시 예 에 따른 박막 트랜지스터 제조 방법 에서 는 게이트 절 연막 ( 130 ) , 활성 층 ( 140 ) 및 보호막 ( 160 ) 중 적어도 하나 를 형성 하 는데 있 어서 , 펄스 플 라즈 마 ( pulse plasma ) 화학 기상 증착 ( Chemical Vapor Deposition ; CVD ) 방법 으로 형성 한다 . 즉 , 게이트 절 연막 ( 130 ) , 활성 층 ( 140 ) 및 보호막 ( 160 ) 중 적어도 하나 는 , 플라 즈 마를 이용 한 화학 기상 증착 ( CVD ) 방법 으로 형성 하 며 , 플라 즈 마를 연속 생성 시키 지 않 고 플 라즈 마 온 ( on ) 과 플 라즈 마 오프 ( off ) 를 교대 로 반복 하 는 즉 , 간헐 적 으로 생성 시키 는 방법 으로 형성 할 수 있 다 .