산화물 반도체 층 을 사용 한 트랜지스터 의 제작 공정 은 , 고온 처리 를 필요 로 하 지 않 고 , 하부 트랜지스터 등 , 다른 디바이스 나 배선 에 영향 을 주 지 않 고 제작 할 수 있 다 . 또한 , 산화물 반도체 층 을 사용 한 트랜지스터 의 제작 공정 은 , 산화물 반도체 이외 의 반도체 재료 ( 예 를 들 면 , 실리콘 ) 를 사용 한 트랜지스터 에 비해 제작 공정 이 적 다 .