본 발명 은 수직 형 발광 다이오드 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 특히 희생 기판 에 발광 다이오드 영역 을 미리 한정 하 여 하나 의 동일 희생 기판 위 에 화합물 반도체 층 을 형성 한 후 개별 수직 형 발광 다이오드 로 절단 할 경우 에 화합물 반도체 층 의 손상 을 방지 할 수 있 는 수직 형 발광 다이오드 를 제조 하 는 방법 에 관한 것 이 다 .