상기 제 2 열처리 온도 ( T 2 ) 는 바람직 하 게 는 ( Tx 1 - 55 ) ℃ ~ ( Tx 1 + 20 ) ℃ 의 온도 로 수행 될 수 있 다 . 만일 ( Tx 1 - 55 ) ℃ 의 온도 미만 으로 2 차 열처리 되 는 경우 입자 성장 이 원활 하 게 이루어지 지 않 아 특성 구현 에 어려움 이 있 을 수 있 다 . 또한 , 복소 투자 율 의 실수부 가 현저히 감소 하 고 , 반대 로 허수부 는 현저히 증가 할 우려 가 있 다 . 또한 , 만일 ( Tx 1 + 20 ) ℃ 를 초과 하 는 온도 로 2 차 열처리 되 는 경우 조대 한 입자 성장 이 발생 하 여 자기 적 특성 이 저하 될 수 있 다 .