상기 하부 표시판 ( 100 ) 은 제 1 기판 ( 110 ) 의 상면 에 복수 의 게이트 선 ( gate line ) ( 도시 하 지 않 음 ) 및 복수 의 유지 전극 ( storage electrode ) ( 133 ) 을 포함 하 는 게이트 도전체 가 형성 되 어 있 다 . 게이트 도전체 위 에 는 게이트 절 연막 ( gate insulating layer ) ( 140 ) , 복수 의 반도체 ( 154 ) , 복수 쌍 의 저항성 접촉 부재 ( ohmic contact ) ( 163 , 165 ) , 복수 의 소스 전극 ( source electrode ) ( 173 ) , 및 복수 의 드레 인 전극 ( drain electrode ) ( 175 ) 이 차례 로 형성 되 어 있 다 .