도 5 c 를 참조 하 면 , 게이트 절연 층 ( 122 C ) 이 각각 의 수직 형 사이리스터 ( 100 V ') 을 에워싸 는 형상 일 수 있 고 , 게이트 ( 121 C ) 는 수직 형 사이리스터 ( 100 V ') 을 에워싸 면서 어느 한 방향 으로 길 게 연장 될 수 있 다 . 수직 형 사이리스터 ( 100 V ') 의 횡단면 은 써 클 형상 일 수 있 다 . 도 5 a 및 도 5 b 에서 수직 형 사이리스터 ( 100 V ) 의 횡단면 은 사각형 형상 일 수 있 다 .