본 발명 에 의하 면 , 전극 측면 부근 미세 수평면 의 원 하 는 위치 에서 촉매 를 얇 은 두께 로 용이 하 게 형성 할 수 있 다 . 특히 고정 밀도 의 얼라인먼트 없이 도 원 하 는 위치 에서 촉매 를 형성 할 수 있 다 . 이 로부터 탄소 나노 튜브 가 수평 성장 하 므로 탄소 나노 튜브 성장 위치 의 정밀 한 조절 과 소자 제작 시 의 채널 길 이 제어 가 용이 하 다 . 또한 , 본 발명 에 따른 전극 , 전자 소자 , 트랜지스터 는 대면 적 용 에 적합 하 며 얼라인먼트 를 위한 고가 의 장비 를 별도 로 사용 할 필요 가 없 으므로 제조 비용 이 저렴 하 다는 이점 이 있 다 .