청구 항 9 에 기재 된 발명 은 , 웨이퍼 를 파지 하 는 기구 를 가지 고 , 웨이퍼 를 파지 한 후 , 웨이퍼 주위 에서 엣지 클램프 된 전극 과 , 웨이퍼 표면 을 스캔 하 는 전해 가공 헤드 의 사이 에서 통전 하 여 전해 가공 을 행하 고 , 다음 에 , 엣지 클램프 를 해제 하 여 , 웨이퍼 이면 을 흡착 고정 하 면서 , 동 위치 에서 필요 에 따라 엣지 부 의 도전 성막 을 연마 하 고 , 그 후 동 위치 에서 , 세정 유닛 을 형성 한 세정 암 을 웨이퍼 상 에서 스캔 시켜 , 이 가공 후 의 웨이퍼 를 세정 하 고 , 그 후 동 위치 에서 이 가공 후 또는 세정 후 의 웨이퍼 를 건조 시키 는 전해 가공 세정 건조 방법 을 제공 한다 .