n + 실리콘 층 ( 416 ) 으로부터 진성 실리콘 층 ( 418 ) 내 로 도 펀트 이주 를 방지 및 / 또는 감소 시키 기 위해서 ( 앞서 포함 시킨 , ' 331 출원 에 기술 된 바 와 같이 ) 얇 은 ( 예 를 들 어 , 몇 백 이 하 의 옹스트롬 ) 게르마늄 및 / 또는 실리콘 - 게르마늄 합금 층 ( 도시 되 지 않 음 ) 이 진성 실리콘 층 ( 418 ) 의 증착 에 앞서 n + 실리콘 층 ( 416 ) 상 에 형성 될 수 있 다 .