상기 본 발명 의 과제 를 이루 기 위하 여 , 본 발명 의 제 2 태양 은 , 도전 성 나노 입자 를 포함 하 는 페이스트 조성물 을 제공 하 는 제 1 단계 와 , 상기 페이스트 조성물 을 기판 에 제공 한 다음 , 경화 시키 는 제 2 단계 와 , 상기 제 2 단계 로부터 얻 은 막 표면 에 레이저 빔 을 조사 하 여 , 막 표면 을 평탄 화 시킴 으로써 , 도전 막 을 형성 하 는 제 3 단계 를 포함 하 는 도전 막 제조 방법 을 제공 한다 . 이 때 , 상기 도전 막 은 , 박막 트랜지스터 의 게이트 전극 , 상기 게이트 전극 과 연결 된 제 1 배선 , 소스 및 드레 인 전극 및 상기 소스 및 드레 인 전극 중 어느 하나 와 연결 된 제 2 배선 중 적어도 하나 일 수 있 다 .