그러나 비정질 카본 막 ( 118 ) 을 채널 이온 주입 을 위한 배리 어막 으로 이용 할 경우 , 2500 Å 이상 의 두꺼운 두께 로 증착 해야 한다 . 이렇게 두꺼운 비정질 카본 막 ( 118 ) 의 증착 은 이후 식각 공정 시 상당 한 부담 이 따르 고 , 이 에 따라 식각 마진 부족 현상 이 발생 하 여 베 벌 식각 ( bevel etch ) 이 추가 되 면서 공정 의 수율 측면 에서 매우 불리 하 다 . 또한 반도체 기판 ( 100 ) 과 비정질 카본 막 ( 118 ) 이 직접 적 으로 접촉 함 에 따라 게이트 의 특성 을 좌우 하 는 채널 형성 영역 ( 119 ) 의 오염 ( contamination ) 이 발생 할 수 있 어 소자 의 전기 적 특성 이 열화 될 수 있 다 .