도 3 e 에 도시 된 바 와 같이 , 후속 게이트 패턴 과 벌브 형 리세 스 ( 36 ) 의 정렬 마진 확보 를 위하 여 버퍼 질화 막 ( 34 ) 패턴 의 일부 를 제거 하 여 버퍼 질화 막 ( 34 ) 패턴 의 개구부 폭 을 확장 시킨다 . 이 와 같 은 공정 을 수행 하 는 것 은 , 일반 적 으로 게이트 패턴 과 리세 스 의 정렬 마진 확보 를 위해서 리세 스 의 상부 폭 대비 게이트 패턴 의 폭 을 넓 게 형성 하 는 것 이 바람직 하 며 , 본 발명 의 버퍼 질화 막 ( 34 ) 패턴 은 후속 폴리 실리콘 게이트 전극 이 형성 될 영역 을 한정 하 기 때문 이 다 . 개구부 의 확장 을 위한 버퍼 질화 막 ( 34 ) 패턴 의 제거 공정 은 인산 ( H 3 PO 4 ) 을 이용 한 습식 식각 으로 수행 된다 .