플 라즈 마로 식각 공정 을 실행 할 때 , 상기 하부 전극 또는 상기 베이스 에 공급 되 는 초저주파 전력 은 RF 전압 을 직접 적 으로 이용 하 여 상기 플 라즈 마 에 있 는 이온 을 직접 적 으로 구동 하 고 초저주파 RF 전력 의 변동 주기 의 절반 에서 상기 이온 이 아래 방향 을 따라 가속 하 여 상기 기판 에 충돌 시킴 으로써 식각 을 실행 한다 . 동시 에 , 초저주파 RF 전력 의 영향 을 받 는 직류 바이어스 전압 VDC 도 상기 이온 을 구동 하 여 아래 방향 을 따라 가속 시키 고 기판 에 충돌 시킴 으로써 공동 으로 식각 을 실현 한다 .