도 21 a 내지 도 31 은 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 도 20 a 및 도 20 b 에 도시 된 탄소 나노 튜브 를 사용 한 GAA FET 의 제조 작업 의 다양 한 단계 를 도시 한다 . 추가 적 인 동작 이 도 21 a 내지 도 31 에 도시 된 프로세스 이전 , 도중 및 이후 에 제공 될 수 있 고 , 방법 의 추가 적 인 실시 예 에 대해 이하 에 설명 되 는 작업 중 일부 가 대체 되 거나 제거 될 수 있 는 것 은 물론 이 다 . 작업 / 프로세스 의 순서 는 상호 교환 가능 할 수 있 다 . 도 1 a 내지 도 19 i 에 관하 여 설명 되 는 것 과 동일 하 거나 유사 한 재료 , 구성 , 치수 , 프로세스 및 / 또는 작업 이 이하 의 실시 예 에서 사용 될 수 있 고 상세 한 설명 은 생략 될 수 있 다 .