본 발명 에 따른 반도체 소자 의 캐 패 시터 형성 방법 은 , 스토리지 노드 콘 택 플러그 가 형성 된 반도체 기판 상 에 몰드 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 몰드 막 을 식각 하 여 스토리지 노드 콘 택 플러그 를 노출 시키 는 홀 을 형성 하 는 단계 ; 상기 홀 측면 에 표면 이 거친 형상 을 갖 는 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 절 연막 을 포함 한 홀 표면 상 에 스토리지 노드 용 도전 막 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 몰드 막 상부 에 형성 된 스토리지 노드 용 도전 막 및 절 연막 부분 을 제거 하 여 홀 표면 에 스토리지 노드 를 형성 하 는 단계 ; 를 포함 한다 .