본 발명 의 또 다른 일 실시 예 에 따른 플래시 메모리 소자 의 유전체 막 형성 방법 은 , 반도체 기판 상부 의 소정 영역 에 터널 산화 막 및 폴리 실리콘 막 을 형성 한 후 고유 전체 물질 을 다이렉트 플라 즈 마 원자 층 증착 법 으로 증착 하 여 제 1 유전체 막 을 형성 하 는 단계 , 상기 제 1 유전체 막 상부 에 상기 고유 전체 물질 을 플 라즈 마 원자 층 증착 법 으로 증착 하 여 제 2 유전체 막 을 형성 하 는 단계 , 상기 제 2 유전체 막 상부 에 다이렉트 플라 즈 마 원자 층 증착 법 , PVD , 또는 CVD 법 으로 제 3 유전체 막 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 플래시 메모리 소자 의 유전체 막 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 플래시 메모리 소자 의 유전체 막 형성 방법 을 포함 한다 .