본 발명 은 반도체 의 결정 성장 방법 에 관한 것 으로 , 더 상세 하 게 는 버퍼 층 의 상부 에 금속 층 을 형성 하 고 상기 금속 층 을 고온 에서 결정 성장 시킨 후 그 표면 을 산화 시킨 층 을 씨앗 층 으로 사용 하 여 , 상기 의 씨앗 층 위 에 반도체 결정 을 성장 시킴 으로서 반도체 의 전기 적 및 결정학 적 특성 을 향상 시킬 수 있 는 반도체 의 결정 성장 방법 에 관한 것 이 다 .