제 2 포토레지스트 패턴 ( 14 ) 을 마스크 로 하 여 도 1 e 와 같이 층간 절 연막 ( 8 ) 의 중간 위치 까지 층간 절 연막 ( 8 ) 을 선택 적 으로 식각 하 여 트렌치 ( 13 ) 를 형성 한다 . 트렌치 ( 13 ) 를 형성 한 후 에 는 제 2 포토레지스트 패턴 ( 14 ) 및 레지스 트 막 ( 15 ) 을 제거 하 고 , 비 아홀 ( 11 ) 에 노출 된 실리콘 질화 막 ( 6 ) 을 제거 한다 .