도 1 은 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지 제조 공정 을 도시 하고 있 다 . 제 1 단계 ( 12 ) 에서 , 웨이퍼 레벨 공정 이 더미 ( dummy ) 실리콘 웨이퍼 상 에 회로 를 형성 하 기 위해 사용 된다 . 웨이퍼 레벨 공정 은 웨이퍼 레벨 리디 스트리 뷰 션 ( redistribution ) , 재료 증착 및 제거 공정 , 웨이퍼 로부터 재료 를 제거 하 기 위한 패턴 닝 공정 , 웨이퍼 의 전기 적 특성 들 을 변화 시키 기 위한 도핑 공정 과 같 은 어떤 반도체 장치 제조 공정 들 을 포함 할 수 있 다 . 웨이퍼 레벨 공정 동안 에 , 재료 의 싱글 또는 멀티플 층 들 이 더미 실리콘 웨이퍼 상 에 증착 되 고 패턴 화 된다 . 단계 ( 14 ) 에서 , 반도체 다이 는 본딩 또는 플립 - 칩 접속 공정 을 사용 하 여 웨이퍼 상 에 형성 된 접 촉 패드 에 연결 된다 . 단계 ( 16 ) 에서 , 밀봉 체 또는 몰딩 화합물 이 웨이퍼 상 에 증착 되 고 반도체 다이 에 부착 된다 . 그 몰딩 및 밀봉 체 화합물 은 아래 에 기술 되 는 어떤 적절 한 재료 를 포함 할 수 있 다 . 단계 ( 18 ) 에서 , 더미 실리콘 웨이퍼 가 기계 적 백 그라인딩 및 웨트 ( wet ) 에칭 , 플라 즈 마 에칭 또는 화학 - 기계 적 폴리 싱 을 사용 하 여 제거 된다 . 더미 실리콘 웨이퍼 가 제거 된 후 에 , 선택 적 인 단계 ( 20 ) 는 웨이퍼 레벨 공정 동안 에 증착 되 었 던 하나 이상 의 패 시베이 션 ( passivation ) 층 들 에 있 는 비어 ( via ) 들 을 개방 시킨다 . 그 비어 들 은 리소그래피 및 / 또는 에칭 공정 을 사용 하 여 개방 될 수 있 다 . 선택 적 인 단계 ( 22 ) 에서 , 언더 범프 메 탈라이 제이션 ( under bump metalization , UBM ) 및 솔 더 범프 들 이 단계 ( 20 ) 에서 형성 된 비어 들 위 에 증착 된다 .