본 발명 의 유기 박막 트랜지스터 의 구성 은 기판 / 게이트 전극 / 절연 층 / 유기 활성 층 / 소스 및 드레 인 전극 의 탑 - 컨 택트 ( top - contact ) 뿐 만 아니 라 기판 / 게이트 전극 / 절연 층 / 소스 , 드레 인 전극 / 유기 반도체 층 의 바텀 - 컨 택트 ( bottom - contact ) 의 형태 를 모두 포함 한다 . 또한 소스 및 드레 인 전극 과 유기 활성 층 사이 에 표면 처리 로서 HMDS ( 1 , 1 , 1 , 3 , 3 , 3 - hexamethyldisilazane ) 나 OTS ( octyltrichlorosilane ) , OTDS ( octadecyltrichlorosilane ) 를 코팅 하 거나 하 지 않 을 수 도 있 다 .