즉 , ( 1 ) 실리콘 입자 를 형성 하 는 처리 전 , 또는 , ( 2 ) 실리콘 입자 를 형성 하 는 처리 중 , 또는 , ( 3 ) 실리콘 입자 를 형성 하 는 처리 전 및 처리 중 에 , 처리 실 내 에 도 펀트 가스 를 흘리 도록 했 다 . 이 와 같이 하 면 , 후술 하 는 바 와 같이 , 1012 개 / ㎠ 레벨 의 실리콘 입자 를 형성 시킬 수 가 있 다 .