제 2 절 연막 ( 226 ) 은 실리콘 산화물 , 산화물 / 질화물 / 산화물 ( oxide / nitride / oxide ) 또는 고 유전율 ( high - k ) 을 갖 는 물질 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 . 제 2 절 연막 ( 226 ) 에 포함 되 는 고유 전 율 을 갖 는 물질 은 질화물 보다 높 은 유전율 을 갖 는 물질 로서 , 예컨대 , 알루미늄 산화물 ( AlOx ) , 이트륨 산화물 ( YOx ) , 하프늄 산화물 ( HfOx ) , 지르코늄 산화물 ( ZrOx ) , 니오븀 산화물 ( NbOx ) , 바륨 티타늄 산화물 ( BaTiOx ) , 스트론튬 티타늄 산화물 ( SrTiOx ) 등 의 금속 산화물 을 들 수 있 다 . 제 2 절 연막 ( 226 ) 은 전술 한 물질 들 중 적어도 하나 를 포함 하 는 단층 구조 또는 상술 한 물질 들 로 이루어진 다층 구조 를 가질 수 있 다 .