그러나 , 본 발명 에서 는 소자 분리 막 ( 126 ) 형성 시 보이드 발생 이 억제 되 어 소자 분리 용 질화 막 ( 108 ) 제거 과정 에서 소자 분리 막 ( 126 ) 의 손실 에 의해 도전 막 ( 104 ) 측벽 이 노출 되 지 않 기 때문 에 도전 막 ( 104 ) 의 측벽 어택 ( attack ) 이 방지 되 어 도전 막 ( 104 ) 의 측벽 손실 ( loss ) 이 방지 된다 .