제어 용 의 프로세스 에서 , 단일 / 다중 층 의 막 이 대응 하 는 프로세스 툴 에 의한 패턴 화 된 Si 제조 웨이퍼 상 에서 성장 , 증착 , 연마 또는 에칭 되 고 , 두께 및 / 또는 광학 적 속성 이 본 명세서 의 주사 오 차 보정 을 사용 하 는 간섭계 시스템 을 사용 하 여 측정 한다 . 통상 적 인 프로세스 제어 를 위해 사용 되 는 제조 측정 은 작 은 측정 위치 를 포함 하 며 , 측정 툴 을 샘플 관심 영역 에 정렬 시키 는 능력 을 포함 한다 . 이 위치 는 다층 의 막 스택 ( 자체 적 으로 패턴 화 될 수 있 음 ) 으로 구성 되 기 때문 에 , 관련 물리 적 파라미터 를 추출 하 기 위해 복잡 한 수학 적 모델링 을 필요 로 한다 . 프로세스 제어 측정 은 집적 된 프로세스 흐름 의 안정 성 을 판정 하 고 , 집적 된 프로세싱 이 계속 되 어야 하 는지 , 목표 재 설정 되 어야 하 는지 , 다른 장비 를 사용 하 여야 하 는지 , 전부 중단 하 여야 하 는지 를 판정 한다 .