또한 , 본 발명 에 따른 스택 패키지 의 제조 방법 은 , 본딩 패드 를 갖 는 다수 의 반도체 칩 으로 구성 되 고 각 본딩 패드 에 관통 홀 이 형성 되 며 후면 이 백 그라인딩 된 웨이퍼 를 마련 하 는 단계 ; 상기 웨이퍼 상 에 상기 관통 홀 에 대응 하 는 위치 에 솔 더 범프 가 형성 된 기판 을 상기 관통 홀 을 포함 한 본딩 패드 와 상기 솔 더 범프 가 접촉 되 도록 배치 시키 는 단계 ; 상기 솔 더 범프 를 리플 로 우시 켜 서 상기 솔 더 범프 를 관통 홀 내 에 매립 함 과 아울러 본딩 패드 에 접속 시키 는 단계 ; 상기 기판 을 상기 리플 로우 된 솔 더 범프 로부터 분리 시키 는 단계 ; 상기 백 그라인딩 웨이퍼 를 마련 하 는 단계 내지 상기 기판 을 솔 더 범프 로부터 분리 시키 는 단계 를 적어도 1 회 이상 반복 수행 하 는 단계 ; 상기 기판 을 솔 더 범프 로부터 분리 시키 는 단계 및 상기 백 그라인딩 웨이퍼 를 마련 하 는 단계 내지 상기 기판 을 솔 더 범프 로부터 분리 시키 는 단계 를 적어도 1 회 이상 반복 수행 하 는 단계 의 결과 로 얻 어 진 적어도 둘 이상 의 웨이퍼 를 인쇄 회로 기판 상 에 상기 솔 더 범프 를 이용 해서 스택 하 는 단계 ; 및 상기 스택 된 웨이퍼 레벨 을 반도체 칩 레벨 로 절단 하 는 단계 ; 를 포함 하 며 , 상기 솔 더 범프 가 형성 된 기판 은 , 금속 막 상 에 상기 본딩 패드 에 대응 하 는 위치 에 개구부 를 갖 는 글래스 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 글래스 패턴 및 상기 글래스 패턴 개구부 의 금속 막 부분 상 에 씨드 금속 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 글래스 패턴 및 상기 글래스 패턴 상 에 형성 된 씨드 금속 막 부분 을 금속 막 으로부터 제거 하 는 단계 ; 상기 금속 막 상 에 잔류 된 씨드 금속 막 을 노출 시키 는 감광막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 노출 된 씨드 금속 막 상 에 솔 더 범프 를 형성 하 는 단계 ; 및 상기 감광막 패턴 을 제거 하 는 단계 ; 를 통해 얻 는 것 을 특징 으로 한다 .