도 3 a 에 예시 적 으로 도시 된 것 과 같이 , 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 의 상면 은 게이트 전극 ( 120 ) 의 상면 보다 높 은 레벨 에 위치 할 수 있 다 . 또한 , 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 은 경사진 상면 을 가지 며 , 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 의 상기 상면 은 게이트 전극 ( 120 ) 의 측벽 에 인접 한 부분 으로부터 게이트 전극 ( 120 ) 의 측벽 에서 멀 어 지 는 부분 까지 높이 가 증가 될 수 있 다 . 다른 실시 예 들 에서 , 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 은 경사지 지 않 고 평평 한 상면 을 가질 수 있 거나 , 또는 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 의 상면 은 게이트 전극 ( 120 ) 의 상면 과 동일 한 레벨 에 위치 할 수 도 있 다 .