이 와 같이 , 반도체 소자 의 고집 적 화 가 이루어짐 에 따라 액티브 영역 과 게이트 의 단면적 을 축소 화 시키 고 , 전기 적 으로 확보 해야 하 는 유전 물질 의 두께 또한 최소한 으로 감소 시켜 반영 하 고 있 다 . 구체 적 으로 설명 하 면 , 66 nm 소자 에서 는 유전 물질 을 143 Å 의 두께 로 증착 하 고 , 54 nm 소자 에서 는 유전 물질 을 135 Å 의 두께 로 증착 하 여 유전 물질 증착 두께 를 줄이 고 있 다 .