일부 실시 예 에서 , 발광 층 ( 120 ) 의 위치 를 규정 하 도록 제 1 개 구 패턴 ( OP 1 ) 이 제공 된다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 개 구 패턴 ( OP 1 ) 은 반도체 기판 ( 100 ) 의 두께 방향 ( Z ) 으로 격리 층 ( 110 ) 을 노출 시킨다 . 도 3 d 에 도시 된 바 와 같이 , 격리 층 ( 110 ) 의 측 표면 의 단면 프로 파일 로 인해 , 발광 층 ( 120 ) 이 격리 층 ( 110 ) 상 에 불연속 적 으로 형성 된다 . 즉 , 전체 의 격리 층 ( 110 ) 이 제 1 개 구 패턴 ( OP 1 ) 에 의해 노출 되 더라도 , 격리 층 ( 110 ) 의 부분 들 ( 110 p ) 은 발광 층 ( 120 ) 에 의해 커버 되 지 않 는다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 개 구 패턴 ( OP 1 ) 의 경계 와 제 1 격리 패턴 ( 112 ) 의 제 1 측 표면 ( S 1 ) 사이 의 최소 거리 ( D 2 ) 는 격리 층 ( 110 ) 의 높이 ( H ) 의 절반 이상 이 다 . 제 1 마스크 ( M 1 ) 와 격리 층 ( 110 ) 간 의 이러 한 위치 관계 에 의해 , 제 1 개 구 ( O 1 ) 에 배치 된 발광 층 ( 120 ) 의 일부 의 외측 가장자리 와 제 1 격리 패턴 ( 112 ) 의 제 1 측 표면 ( S 1 ) 사이 의 최소 거리 ( D ) 는 격리 층 ( 110 ) 의 높이 ( H ) 의 절반 이상 이 다 . 발광 층 ( 120 ) 의 기타 세부 사항 은 전술 하 였으며 , 반복 하 여 설명 되 지 않 을 것 이 다 .