도 3 b 에서 외부 전극 패드 형성 층 ( 120 ) 은 2 개 의 층 으로 구성 되 는데 , 캐비 티 형성 층 ( 121 ) 및 지지층 ( 122 ) 으로 구성 될 수 있 다 . 캐 비티 ( 123 ) 는 외부 전극 패드 를 형성 하 기 위한 캐비 티 로서 , 펀칭 방법 에 의하 여 형성 될 수 있 다 . 캐 비티 ( 123 ) 의 외부 전극 패드 형성 층 ( 120 ) 상부 표면 으로부터 의 깊이 는 LTCC 기판 의 크기 나 실장 하 고자 하 는 전자 소자 의 특성 등 을 고려 하 여 조절 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 캐비 티 의 외부 전극 패드 형성 층 표면 으로부터 의 깊이 는 20 ㎛ 일 수 있 다 .