본 발명 의 다른 실시 예 에 의하 면 , 플라스마 를 이용 하 여 기판 을 처리 하 는 방법 은 상기 기판 을 공정 챔버 의 내부 에 설치 된 지지 부재 상 에 올려 놓 는 단계 , 상기 공정 챔버 의 내부 에 제 1 소스 가스 를 공급 하 고 상기 지지 부재 의 상부 에 설치 된 상부 전극 및 상기 상부 전극 과 대향 되 는 하부 전극 을 이용 하 여 상기 제 1 소스 가스 로부터 제 1 플라스마 를 생성 하 는 단계 , 상기 제 1 플라스마 를 이용 하 여 상기 기판 을 처리 하 는 단계 , 상기 공정 챔버 의 내부 에 제 2 소스 가스 를 공급 하 고 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 을 이용 하 여 상기 제 2 소스 가스 로부터 제 2 플라스마 를 생성 하 는 단계 , 그리고 상기 제 2 플라스마 를 이용 하 여 상기 기판 을 처리 하 는 단계 를 포함 하 되 , 상기 제 1 및 제 2 플라스마 를 생성 하 는 단계 는 상기 상부 전극 과 상기 하부 전극 의 간격 을 조절 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .