또한 , 제 2 스텝 ( 트리트 먼 트 공정 ) 에 있 어서 처리 실 ( 201 ) 내 의 온도 ( 제 2 온도 ) 를 , 제 1 스텝 ( 박막 의 에칭 공정 ) 에 있 어서 처리 실 ( 201 ) 내 의 온도 ( 제 1 온도 ) 보다 높 게 해도 된다 . 구체 적 으로 는 , 제 1 온도 를 선택 비 ( 석영 의 에칭 레이트 에 대한 질화 실리콘 막 의 에칭 레이트 ) 가 1 을 넘 는 온도 로 하 고 , 제 2 온도 를 선택 비 가 1 미만 이 되 는 온도 로 할 수 있 다 . 즉 , 제 1 스텝 ( 박막 의 에칭 공정 ) 에 있 어서 석영 보다 질화 실리콘 막 이 더 많이 에칭 되 도록 하 고 , 또한 , 제 2 스텝 ( 트리트 먼 트 공정 ) 에서 는 질화 실리콘 막 보다 석영 이 더 많이 에칭 되 도록 할 수 있 다 . 그 결과 , 제 1 단계 과 제 2 스텝 을 동일 한 온도 로 연속 하 여 수행 하 는 경우 에 비해 , 석영 의 에칭 과잉 ( over etching ) 을 억제 할 수 있 다 . 즉 , 제 1 스텝 에서 는 , 선택 비 가 1 을 넘 는 것 으로부터 석영 의 과잉 에칭 을 억제 할 수 있 다 . 또한 , 제 2 스텝 에서 는 , 석영 의 에칭 레이트 를 더욱 높여 , 처리 실 ( 201 ) 내 에 잔류 하 여 부착 하 고 있 는 미소 한 석영 가루 나 질화 실리콘 의 잔존 막 등 의 부착물 을 신속 하 게 제거 하 고 , 처리 실 ( 201 ) 내 의 석영 부재 의 표면 을 신속 하 고 적절 하 게 에칭 하 고 평활 화 시킬 수 있 다 .