반도체 칩 내 에 는 수십만 개 의 비아 ( Via ) 및 금속 ( Metal ) 배선 이 존재 하 며 이 에 대한 저항 불량 이 발생 한 경우 그 위치 를 찾 기 가 매우 어려웠 다 . 만약 , 저항 성분 으로 인한 불량 이 존재 한다면 , 불량 이 발생 한 배선 등 은 레이저 조사 에 의해 활성 화 되 어 국부 적 으로 전기 적 특성 이 변하 게 된다 . 따라서 , 집 적 회로 의 동작 전압 범위 에서 벗어난 값 을 가지 는 임계 전압 을 인가 한 경우 에 는 회로 가 동작 하 지 않 을 것 이 므로 회로 의 상태 가 불량 으로 판정 될 것 이 나 , 레이저 조사 에 의해 국부 적 으로 활성 화 되 면 회로 가 일시 적 으로 동작 하 여 회로 의 최종 상태 가 양호 로 바뀌 게 된다 . 따라서 , 저항 불량 이 발생 한 위치 를 보다 정확 하 게 찾아낼 수 있 다 .