본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 발광 소자 제조 방법 은 제 1 도전 성 반도체 층 , 활성 층 및 제 2 도전 성 반도체 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 2 도전 성 반도체 층 위 에 투명 전극 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 투명 전극 층 위 에 제 2 전극 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 2 전극 층 및 투명 전극 층 위 에 절연 층 을 형성 하 고 제 2 전극 층 의 패드 부분 을 개방 시키 는 단계 ; 상기 절연 층 위 에 제 1 전극 층 을 형성 하 며 , 상기 제 1 전극 층 의 일부 가 비아 홀 을 통해 상기 제 1 도전 성 반도체 층 에 접촉 되 는 단계 를 포함 한다 .