공정 사이클 은 , 예 를 들 어 도 1 a 에 도시 된 장치 를 포함 하 는 임의 의 적절 한 장치 를 사용 하 여 수행 될 수 있 다 . 도 1 a 는 , 본 발명 의 일부 구 현예 에 사용 될 수 있 고 바람직 하 게 는 아래 에 설명 되 는 시퀀스 를 수행 하 기 위해 프로그래밍 된 제 어부 와 협력 하 는 PEALD 장치 의 개략 도 이 다 . 이 도면 에서 , 서로 마주 하 며 평행 한 한 쌍 의 전기 전도성 평판 전극 ( 4 및 2 ) 을 반응 챔버 ( 3 ) 의 내부 ( 반응 구역 ) ( 11 ) 에 제공 하 고 , HRF 전력 ( 13 . 56 MHz 또는 27 MHz ) ( 20 ) 을 일 측 에 인가 하 고 타 측 ( 12 ) 을 전기 적 으로 접지 시킴 으로써 , 플 라즈 마가 전극 들 사이 에서 여기 된다 . 온도 조절기 가 하부 스테이지 ( 하부 전극 ) ( 2 ) 에 제공 되 어 , 그 위 에 놓인 기판 ( 1 ) 의 온도 는 주어진 온도 로 일정 하 게 유지 된다 . 상부 전극 ( 4 ) 은 샤워 플레이트 로서 의 역할 도 수행 하 며 , 반응물 가스 ( 및 귀 가스 ) 및 전 구체 가스 는 가스 라인 ( 21 ) 및 가스 라인 ( 22 ) 각각 을 통해 , 그리고 샤워 플레이트 ( 4 ) 를 통해 반응 챔버 ( 3 ) 로 유입 된다 . 추가 적 으로 , 반응 챔버 ( 3 ) 에 는 배기 라인 ( 7 ) 을 갖 는 원형 덕트 ( 13 ) 가 제공 되 고 , 이 를 통해 반응 챔버 ( 3 ) 의 내부 ( 11 ) 에 있 는 가스 가 배기 된다 . 추가 적 으로 , 희석 가스 가 가스 라인 ( 23 ) 을 통해 반응 챔버 ( 3 ) 로 유입 된다 . 또한 , 반응 챔버 ( 3 ) 아래 에 배치 된 이송 챔버 ( 5 ) 는 , 이송 챔버 ( 5 ) 의 내부 ( 이송 구역 ) ( 16 ) 를 통해 반응 챔버 ( 3 ) 의 내부 ( 11 ) 로 밀봉 가스 를 유입 하 기 위한 밀봉 가스 라인 ( 24 ) 을 구비 하 며 , 반응 구역 과 이송 구역 을 분리 하 기 위한 분리 판 ( 14 ) 이 제공 된다 ( 웨이퍼 가 이송 챔버 ( 5 ) 로 또는 이송 챔버 로부터 이송 되 는 게이트 밸브 는 본 도면 에서 생략 됨 ) . 이송 챔버 에 는 배기 라인 ( 6 ) 이 또한 구비 된다 . 일부 구 현예 에서 , 다중 원소 막 의 증착 및 표면 처리 는 동일 한 반응 공간 에서 수행 되 어 , 모든 공정 은 , 기판 을 공기 또는 다른 산소 함유 의 대기 에 노출 시키 지 않 고 연속 적 으로 수행 될 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 가스 를 여기 시키 기 위한 원 격식 플 라즈 마 유닛 이 사용 될 수 있 다 .