예비 결정 화 하 기 위한 가열 처리 시간 은 , 원 하 는 결정 화도 를 만족 시키 고 , 또한 연신 후 ( 제 2 공정 후 ) 의 고분자 압 전 재료 의 규격 화 분자 배향 MORc 와 연신 후 의 고분자 압 전 재료 의 결정 화도 의 곱 이 100 ∼ 700 , 바람직 하 게 는 125 ∼ 650 , 더 바람직 하 게 는 250 ∼ 350 이 되 도록 조정 되 면 좋 다 . 가열 처리 시간 이 길 어 지 면 , 연신 후 의 결정 화도 도 높 아 지 고 , 연신 후 의 규격 화 분자 배향 MORc 도 높 아 진다 . 가열 처리 시간 이 짧 아 지 면 , 연신 후 의 결정 화도 도 낮 아 지 고 , 연신 후 의 규격 화 분자 배향 MORc 도 낮 아 진다 .