더욱이 , 화소 영역 ( P ) 에 있 어서 도 상기 데이터 배선 ( 65 ) 과 이격 하 여 형성 되 는 화소 전극 ( 80 ) 에 있 어서 도 이 들 둘 간 의 간섭 현상 즉 , 이 들 둘 간 에 발생 하 는 기생 용량 의 영향 을 최소 화 하 기 위해 소정 간격 ( 통상 적 으로 3 . 5 ㎛)( d 1 ) 이상 으로 이격 시켜 형성 하 지만 , 상기 데이터 배선 ( 65 ) 외부 로 노출 된 순수 비정질 실리콘 패턴 ( 62 a ) 이 존재 함 으로써 이 를 더욱 고려 하 여야 상기 순수 비정질 실리콘 패턴 ( 62 a ) 의 끝 단부 로부터 상기 화소 전극 ( 80 ) 까지 의 이격 거리 ( d 2 ) 가 3 . 5 ㎛ 이상 이 되 도록 상기 화소 전극 ( 80 ) 을 형성 해야 하 는 바 , 더욱더 개구율 이 작아지 게 되 는 문제 가 발생 하 고 있 다 .