상기 제 1 도전 성 반도체 층 ( 120 ) 의 위 에 는 활성 층 ( 130 ) 이 형성 된다 . 이러 한 활성 층 ( 130 ) 은 제 1 도전 성 반도체 층 ( 120 ) 위 에 단일 또는 다중 양자 우물 구조 로 형성 되 는 데 , 예컨대 , InGaN 우물 층 / GaN 장벽 층 을 한 주기 로 하 여 , 단일 또는 다중 양자 우물 구조 로 형성 될 수 있 다 . 상기 활성 층 ( 130 ) 위 에 는 제 2 도전 성 반도체 층 ( 140 ) 이 형성 되 며 , p 형 도 펀트 ( 예 : Mg ) 가 도핑 된 p 형 반도체 층 으로 구현 될 수 있 으며 , 상기 p 형 반도체 층 은 GaN , InN , AlN , InGaN , AlGaN , InAlGaN , AlInN 등 과 같 은 화합물 반도체 중 어느 하나 로 이루어질 수 있 다 .