여기 서 , " 상기 제 3 반도체 층 ( 316 ) 과 상기 게이트 전극 층 ( 336 ) 사이 에 는 상기 게이트 절 연막 을 매개 로 하 여 제 2 스토리지 캐 패 시터 ( C "" st ) 가 형성 된다 . 즉 "," 상기 제 2 스토리지 캐 패 시터 ( C "" st ) 의 스토리지 하부 전극 은 제 3 반도체 층 ( 316 ) 이 되 고 ", 스토리지 상부 전극 은 게이트 전극 층 ( 336 ) 이 된다 .