도 16 ( c ) 및 도 22 ( a ) 에 나타내 는 바 와 같이 , CMP 의 스토퍼 로서 사용 된 실리콘 질화 막 ( 204 ) 을 제거 한다 . 이 결과 , 메모리 셀 영역 ( 1001 ) 및 주변 회로 영역 ( 1002 ) 에서 , 게이트 상 절 연막 ( 203 ) 이 노출 된다 . 실리콘 질화 막 ( 204 ) 은 예 를 들 어 , 열 인산 에 의한 웨트 에칭 으로 제거 할 수 있 다 .