첨부 된 도면 에 있 어서 , 기판 , 층 ( 막 ) , 영역 , 패드 , 패턴 들 또는 구조물 들 치수 는 본 발명 의 명확 성 을 기하 기 위하 여 실제 보다 확대 하 여 도시 한 것 이 다 . 본 발명 에 있 어서 , 각 층 ( 막 ) , 영역 , 전극 , 패드 , 패턴 또는 구조물 들 이 기판 , 각 층 ( 막 ) , 영역 , 전극 , " 패드 또는 패턴 들 의 "" 상 에 """," "" 상부 에 "" 또는 "" 하부 "" 에 형성 되 는 것 으로 언급 되 는 경우 에 는 각 층 ( 막 ) ", 영역 , 전극 , 패드 , 패턴 또는 구조물 들 이 직접 기판 , 각 층 ( 막 ) , 영역 , 패드 또는 패턴 들 위 에 형성 되 거나 아래 에 위치 하 는 것 을 의미 하 거나 , 다른 층 ( 막 ) , 다른 영역 , 다른 패드 , 다른 전극 , 다른 패턴 또는 다른 구조물 들 이 기판 상 에 추가 적 으로 형성 될 수 있 다 . 또한 , 물질 , 층 ( 막 ) , 영역 , 패드 , 전극 , 패턴 , 구조물 , " 공정 들 이 "" 제 1 """," "" 제 2 "" 및 / 또는 "" 제 3 "" 으로 언급 되 는 경우 ", 이러 한 부재 들 을 한정 하 기 위한 것 이 아니 라 단지 각 물질 , 층 ( 막 ) , 영역 , 전극 , 패드 , 패턴 , " 구조물 및 공정 들 을 구분 하 기 위한 것 이 다 . 따라서 "" 제 1 """," "" 제 2 "" 및 / 또는 "" 제 3 "" 은 각 물질 ", 층 ( 막 ) , 영역 , 전극 , 패드 , 패턴 , 구조물 및 공정 들 에 대하 여 각기 선택 적 으로 또는 교환 적 으로 사용 될 수 있 다 .