본 발명 은 반도체 소자 의 콘 택 홀 을 형성 한다는 것 으로 , 이 를 위하 여 본 발명 은 , 콘 택 홀 을 형성 하 기 위해 층간 절 연막 을 패 터닝 한 후 질화 막 을 형성 한 후 , 습식 세정 을 수행 하 는 종래 방법 과 는 달리 , 게이트 전극 을 포함 하 는 반도체 소자 의 상부 전면 에 층간 절 연막 을 형성 하 고 , 이 를 패 터닝 하 여 콘 택 홀 을 형성 하 며 , 콘 택 홀 이 형성 된 반도체 기판 상부 전면 에 보호 질화 막 을 형성 하 고 , 보호 질화 막 이 형성 된 반도체 기판 상부 전면 에 보호 산화 막 을 형성 한 후 에 , 보호 질화 막 및 보호 산화 막 이 형성 된 반도체 기판 상부 를 블랭크 식각 하 고 , 블랭크 식각 된 반도체 기판 을 습식 세정 함 으로써 , 반도체 소자 의 콘 택 홀 형성 시 콘 택 프로파일 이상 을 방지 하 여 반도체 수율 을 향상 시킬 수 있 는 것 이 다 .