다음 으로 , 도 3 b 에 도시 되 는 바 와 같이 , 마스크 층 ( 32 ) 을 모두 제거 시키 고 실리콘 기판 ( 31 ) 을 열 산화 하 여 실리콘 산화 막 ( 33 ) 을 얇 은 두께 로 형성 시킨다 . 이 실리콘 산화 막 ( 33 ) 은 수백 ㎚ 일 수 있 다 . 그 후 , 상기 실리콘 산화 막 ( 33 ) 상부 에 캔틸레버 본체 및 탐침 으로 사용 될 질화 막 ( 34 ) 을 화학 기상 증착 ( CVD ) 방식 에 의해 형성 시킨다 . 이렇게 하 여 질화 막 ( 34 ) 으로 된 캔틸레버 본체 및 탐침 의 구조 가 형성 된다 . 추후 에 이렇게 형성 된 탐침 의 하부 , 즉 , 끝 부분 에 는 내마모성 의 증가 를 위해 탄소 와 같 은 다이아몬드 또는 실리콘 카바이드 와 같 은 물질 을 코팅 하 는 과정 이 추가 로 행해질 수 있 다 .