도 8 a 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) , 피복층 ( 102 ) 및 반도체 층 ( 105 ) 를 포함 하 는 기판 ( 110 ) 을 준비 하 고 , 상기 기판 ( 110 ) 상 에 적어도 하나 의 제 1 개 구부 를 갖 는 제 1 마스크 패턴 을 형성 한다 . 상기 제 1 마스크 패턴 을 이온 주입 마스크 로 사용 하 여 제 1 주 입 에너지 의 제 1 원소 이온 주입 공정 을 수행 한다 . 이 로써 , 상기 피복층 ( 102 ) 내 에 제 1 원소 주입 층 ( 134 a ) 이 형성 된다 . 상기 제 1 원소 주입 층 ( 134 a ) 은 하나 의 평판 형태 로 형성 될 수 있 다 . 이 와 는 다르 게 , 제 1 폭 들 을 갖 는 복수 의 제 1 원소 주입 층 들 ( 134 a ) 이 상기 반도체 기판 ( 100 ) 의 상부 면 에 평행 한 일 방향 을 따라 배열 되 도록 형성 될 수 있 다 . 도 8 a 에서 는 , 복수 의 제 1 원소 주입 층 들 ( 134 a ) 이 서로 옆 으로 연결 되 어 하나 의 평판 형태 로 형성 된 것 을 도시 하 였 다 . 이어서 , 상기 제 1 마스크 패턴 을 제거 한다 .