도면 을 참조 하 면 , 도 5 a 와 같이 투명 기판 ( 1 ) 위 에 위상 반 전막 ( 6 ) , 차광막 ( 2 b ) , 하드 마스크 막 ( 4 ) 이 순서 대로 적층 되 고 그 위 에 상기 얇 은 두께 의 포토레지스트 ( 5 a ) 가 코팅 된 위상 반전 블랭크 마스크 를 제조 하 였 다 . 위상 반 전막 ( 6 ) 은 종래 의 ArF ( 193 nm ) 노광 파장 에서 180 도 의 위상 반전 각과 6 % 의 투과율 을 가지 는 막 으로 적층 하 였으며 차광막 ( 2 b ) 은 탄 탈륨 계열 , 하드 마스크 막 ( 4 ) 은 크롬 계열 의 물질 로 구성 하 였으며 포토레지스트 ( 5 ) 는 상기 제 1 실시 예 내지 제 3 실시 예 의 것 과 같 다 .