이때 , 후술 하 는 D - SIMS 방법 에서 스퍼터링 을 고려 하 면 , 상기 의 산화 막 ( SiOx ) 은 적어도 100 나노 미터 이상 의 두께 로 증착 할 수 있 다 . 즉 , 산화 막 의 두께 가 100 나노 미터 보다 작 으면 , 1 차 이온 에 의하 여 산화 막 전체 가 손상 되 어 웨이퍼 의 벌크 영역 이 노출 되 어 보 론 의 농도 측정 이 제대로 이루어지 지 않 을 수 있 다 .