한편 , 특허 문헌 1 에 개시 되 어 있 는 종래 의 전하 전송 장치 ( 100 ) 에서 는 , 도 2 ( a ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 제 1 배선 층 부분 ( 104 a 및 105 a ) 과 제 2 배선 층 부 ( 104 b 및 105 b ) 의 2 층 금속 배선 층 이 사용 되 고 , 메탈 배선 ( 105 ) 의 제 1 배선 층 ( 105 a ) 에서 인출 된 제 2 배선 층 ( 105 b ) 이 제 1 배선 층 ( 104 a ) 과 절 연막 을 통해서 입체 적 으로 교차 하 고 있 고 , 이러 한 주변 부분 의 배선 영역 과 수평 전하 전송 부 ( 101 ) 를 포함 하 는 중앙 부분 의 촬상 영역 은 큰 단차 ( A ) 가 생겨 있 다 . 이러 한 디바이스 구성 부 의 높이 구조 의 불 균일 이 반도체 제조 공정 에 있 어서 촬상 영역 의 전하 전송 부나 수 광부 가 두께 가 두꺼운 배선 부측 으로 인장 되 어서 변형 되 는 등 , 촬상 불량 이나 광학 특성 의 열화 를 일으킨다는 문제 가 있 었 다 .