다시 도 2 b 를 참조 하 면 , 상기 제 1 연마 공정 이 수행 된 상변화 물질 층 ( 115 ) 의 상부 표면 에 는 표면 산화 막 ( 120 ) 이 형성 된다 . 표면 산화 막 ( 120 ) 은 칼코겐 화합물 이 상기 제 1 슬러리 조성물 에 의해 화학 적 으로 산화 되 어 형성 되 는 산화물 을 포함 한다 . 후속 하 여 상변화 물질 층 ( 115 ) 상 에 상부 전극 이 형성 되 는 경우 , 표면 산화 막 ( 120 ) 은 상변화 물질 층 ( 115 ) 과 상부 전극 과 의 접촉면 에서 전기 적 저항 을 증가 시켜 상변화 메모리 장치 의 불량 을 유발 할 수 있 다 . 따라서 상변화 물질 층 ( 115 ) 상 의 표면 산화 막 ( 120 ) 은 후속 공정 을 통해서 제거 될 필요 가 있 다 .