이제 , 본 발명 의 일 실시 형태 에 따라서 전자 디바이스 를 제조 하 기 위한 프로세스 흐름 ( 20 ) 이 도시 된 도 1 을 참조 한다 . 프로세스 흐름 ( 20 ) 은 금속 및 유전체 다 마신 금속 배선 을 갖 는 기판 을 제공 하 는 단계 ( 단계 25 ) 를 포함 한다 . 또한 , 프로세스 흐름 ( 20 ) 은 무전 해 증착 을 사용 하 여 화학 엘리먼트 인 코발트 및 니켈 중 적어도 하나 를 포함 하 는 캡 을 금속 상 에 증착 하 는 단계 ( 단계 35 ) 를 포함 한다 . 단계 35 이후 에 , 프로세스 흐름 ( 20 ) 은 세정액 에 7 내지 13 의 pH 를 제공 하 기 위한 아민 을 포함 하 는 세정액 에 의해 기판 을 세정 하 는 단계 ( 단계 40 ) 를 포함 한다 . 더욱 구체 적 으로 , 아민 은 세정액 의 pH 를 7 내지 13 범위 의 값 으로 그리고 그 안 에 포함 된 모든 값 및 서브 범위 로 상승 시킬 수 있 다 . 옵션 으로 , 세정액 은 2 개 이상 의 아민 을 포함 할 수 도 있 고 , 그 2 개 이상 의 아민 들 중 적어도 하나 는 세정액 의 pH 를 7 내지 13 범위 의 값 으로 그리고 그 안 에 포함 된 모든 값 및 서브 범위 로 상승 시킬 수 있 다 . 본 발명 의 바람직 한 실시 형태 에 따르 면 , 세정액 의 pH 는 약 8 내지 약 11 . 5 의 값 이 다 .