신호선 ( 271 a 내지 271 c ) 의 입력단 자 로부터 정의 고전압 이 인가 되 면 , 도 21 a 의 다이오드 ( 315 ) 의 게이트 전극 ( 251 ) 및 신호선 ( 271 a 내지 271 c ) 에 정의 전압 이 가해 지 고 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 231 a ) 에 캐리어 가 발생 하 여 , 공통 선 ( 256 ) 에 전류 가 흐른다 . 또한 , 신호선 ( 271 a 내지 271 c ) 의 입력단 자 로부터 절대 치가 큰 부 의 전압 이 인가 되 면 , 도 21 b 의 다이오드 ( 316 ) 의 신호 선 ( 271 a 내지 271 c ) 의 부 의 전압 이 가해 지 고 , 공통 선 ( 256 ) 및 신호선 ( 271 a 내지 271 c ) 에 임계 치 전압 이상 의 전위차 가 생기 기 때문 에 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 231 b ) 에 캐리어 가 발생 하 여 , 공통 선 ( 256 ) 에 전류 가 흐른다 . 이 때문 에 , 화소 부 에 형성 되 는 박막 트랜지스터 의 정전 파괴 를 방지 할 수 있 다 .