본 실시 예의 메모리 장치 의 제조 방법 은 , 제 1 워드 라인 ( 410 ) , 제 2 워드 라인 ( 420 ) 및 층간 절 연막 ( ILD ) 의 적층 구조물 을 형성 하 고 , 제 1 워드 라인 ( 410 ) 과 제 2 워드 라인 ( 420 ) 의 교차 영역 에 홀 ( H ) 을 형성 한 후 , 이 홀 ( H ) 에 가변 저항 층 ( 450 ) 및 비트 라인 ( 460 ) 을 매립 하 는 방식 으로 형성 될 수 있 다 . 실시 예의 메모리 장치 가 획득 될 수 있 다 .