선택 적 SiO 2 퇴적 을 사용 하 여 자기 정렬 된 콘 택 을 형성 하 기 위한 기판 처리 방법 에 대한 복수 의 실시 예 가 설명 되 었 다 . 본 발명 은 하나 이상 의 실시 예 에 대한 설명 에 의해 예시 되 었 으며 , 실시 예 가 상당히 상세 하 게 설명 되 었 지만 , 그러 한 세부 사항 으로 첨부 된 청구 항 의 범위 를 제약 하 거나 어떤 방식 으로 한정 하 도록 의도 하 지 않 는다 . 추가 적 인 이점 들 및 수정 들 이 당업자 에게 쉽 게 나타날 것 이 다 . 따라서 , 보다 넓 은 관점 에서 의 본 발명 은 도시 되 고 설명 된 특정 세부 사항 , 대표 적 인 장치 및 방법 , 및 예시 적 인 예 들 에 한정 되 지 않 는다 . 따라서 , 일반 적 인 본 발명 개념 의 범주 로부터 벗어나 지 않 는 그러 한 세부 사항 으로부터 의 벗어남 은 이루어질 수 있 다 .