이 시점 ( 트리거 신호 입력 으로부터 토탈 300 μ sec 경과 한 시점 ) 에서 , 반도체 웨이퍼 ( 3 ) 의 극 최 표면 온도 는 800 ℃ 에 도달 하 고 있 다 . 다음 에 , IGBT 소자 ( 25 ) 의 게이트 신호 를 1 msec 온 으로 하 고 , 콘덴서 에 충전 된 모든 에너지 를 방출 한다 . 이 에 의해 , 이 반도체 웨이퍼 ( 3 ) 의 극 최 표면 온도 는 1300 ℃ 에 도달 한다 . 이 반도체 웨이퍼 ( 3 ) 의 처리 온도 인 1300 ℃ 에 도달 한 후 , 강온 하 였 다 .