이하 , 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 화소 구조 의 제조 방법 에 대하 여 첨부 된 도면 을 참조 하 여 상세 하 게 설명 하 지만 . 본 발명 이 하 기 의 실시 예 들 에 제한 되 는 것 은 아니 며 , 해당 분야 에서 통상 의 지식 을 가진 자 라면 본 발명 의 기술 적 사상 을 벗어나 지 않 는 범위 내 에서 본 발명 을 다양 한 다른 형태 로 구현 할 수 있 을 것 이 다 . 첨부 된 도면 에 있 어서 , 기판 , 층 ( 막 ) , 전극 , 영역 , 패턴 들 또는 구조물 들 의 치수 는 본 발명 의 명확 성 을 기하 기 위하 여 실제 보다 확대 하 여 도시 한 것 이 다 . 본 발명 에 있 어서 , 기판 , 각 층 ( 막 ) , 영역 , 전극 , 패턴 또는 구조물 들 이 기판 , 각 층 ( 막 ) , 영역 , " 전극 또는 패턴 들 의 "" 상 에 """," "" 상부 에 "" 또는 "" 하부 "" 에 형성 되 는 것 으로 언급 되 는 경우 에 는 각 층 ( 막 ) ", 영역 , 전극 , 패턴 또는 구조물 들 이 직접 기판 , 각 층 ( 막 ) , 영역 또는 패턴 들 위 에 형성 되 거나 아래 에 위치 하 는 것 을 의미 하 거나 , 다른 층 ( 막 ) , 다른 영역 , 다른 전극 , 다른 패턴 또는 다른 구조물 들 이 대 상체 나 기판 상 에 추가 적 으로 형성 될 수 있 다 . 또한 , 층 ( 막 ) , 영역 , 전극 , " 패턴 또는 구조물 들 이 "" 제 1 """," "" 제 2 "" 및 / 또는 "" 제 3 "" 으로 언급 되 는 경우 ", 이러 한 부재 들 을 한정 하 기 위한 것 이 아니 라 단지 각 층 ( 막 ) , 영역 , 전극 , " 패턴 또는 구조물 들 을 구분 하 기 위한 것 이 다 . 따라서 "" 제 1 """," "" 제 2 "" 및 / 또는 "" 제 3 "" 은 각 층 ( 막 ) ", 영역 , 전극 , 패턴 또는 구조물 들 에 대하 여 각기 선택 적 으로 또는 교환 적 으로 사용 될 수 있 다 .