제 11 실시 예 인 무선 IC 디바이스 는 , 도 24 에 등가 회로 로서 나타내 는 급전 회로 ( 150 ) 를 무선 IC 칩 ( 10 ) 의 이면 에 형성 한 것 이 다 . 이 급전 회로 ( 150 ) 는 , 상기 제 9 실시 예 에서 나타낸 등 가 회로 ( 도 21 참조 ) 에 있 어서 , 인덕턴스 소자 ( L 1 , L 2 ) 의 사이 에 콘덴서 C 를 삽입 하 여 , 직렬 공진 회로 를 구성 한 것 이 다 . 본 제 11 실시 예의 작용 효과 는 상기 제 10 실시 예 와 동일 하 다 .