상술 한 실시 예 에 의한 스위칭 트랜지스터 ( Ts ) 는 , 적어도 하나 의 채널 영역 과 , 상기 채널 영역 의 양측 에 배치 된 적어도 두 개 의 전도성 영역 들 과 , 상기 채널 영역 과 상기 전도성 영역 들 중 어느 하나 의 사이 에 배치 된 적어도 하나 의 광폭 밴드 - 갭 영역 을 포함 한다 . 또한 , 스위칭 트랜지스터 ( Ts ) 가 듀얼 구조 이상 의 다중 구조 로 형성 되 는 경우 , 상기 스위칭 트랜지스터 ( Ts ) 는 각각 적어도 하나 의 추가 적 인 채널 영역 , 전도성 영역 및 광폭 밴드 - 갭 영역 을 더 포함 할 수 있 다 .