이 와 같 은 본 발명 에 의하 면 완충 층 을 이용 하 여 층간 절연 층 과 감광막 의 반응 에 의해 발생 하 는 감광막 포이즌 현상 을 예방 할 수 있 고 , 완충 층 을 이용 하 여 플 라즈 마 를 이용 하 는 식각 또는 애 싱 공정 에서 발생 하 는 플 라즈 마손 상 을 방지 할 수 있 으며 , 또한 감광막 포이즌 현상 및 플 라즈 마손 상 을 방지 함 으로써 반도체 소자 의 고집 적 화 에 따른 배선 사이 의 커패시턴스 의 증가 를 막 고 , 반도체 소자 의 층 또는 막 들 의 필링 ( peelig ) 현상 을 방지 하 여 반도체 소자 의 수율 및 신뢰 성 을 향상 시키 는 장점 이 있 다 .