도 10 에서 나타내 는 바 와 같이 내접 하 는 사각형 영역 보다 도 대변 의 간격 이 길 어 지 도록 잘라낸다 . 즉 , 절 단선 202 와 절 단선 203 을 따라 절단 함 으로써 사각형 의 정점 이 90 도 가 되 지 않 도록 잘라낼 수 있 다 . 이 와 같이 가공 하 는 것 으로 , 전치 용 반도체 기판 ( 201 ) 에 있 어서 , 표시 패널 의 제조 에 필요 한 면적 을 확보 하 면서 , 코너 부가 90 도 또는 예각 이 되 지 않 는 기판 을 제조 할 수 있 다 . 전치 용 반도체 기판 ( 201 ) 의 코너 부 가 대략 직각 이 되 지 않 는 것 으로 , 기판 을 핸들링 할 때 파손 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 또한 도 8 b 에서 설명 한 바 와 같이 , 전치 용 반도체 기판 ( 201 ) 의 주변 단부 의 능각 을 깎 아 내 는 모따 기 가공 을 실시 하 여 , 곡면 형상 또는 다단 각 형상 으로 가공 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 에 따라 기판 의 파손 이 방지 되 어 실리콘 자원 의 낭비 를 줄일 수 있 다 . 또한 , 잘라 낸 후 의 단재 는 , 용융 하 여 재생 할 수 있 다 . 또한 작 은 단결정 반도체 막 을 형성 할 때 이용 할 수 있 다 .