상술 한 바 와 같이 , 게이트 절연 층 을 얇 게 하 면 , 터널 효과 등 에 기인 하 는 게이트 리크 가 문제 로 된다 . 게이트 리크 의 문제 를 해소 하 기 위해서 는 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 에 , 산화 하프늄 , 산화 탄탈 , 산화 이트륨 , 하프늄 실리케이트 ( HfSixOy ( x > 0 , y > 0 ) ) , 질소 가 첨가 된 하프늄 실리케이트 ( HfSixOy ( x > 0 , y > 0 ) ) , 질소 가 첨가 된 하프늄 알 루미 네이트 ( HfAlxOy ( x > 0 , y > 0 ) ) 등 의 고유 전 율 ( high - k ) 재료 를 이용 하 면 된다 . high - k 재료 를 게이트 절연 층 ( 146 ) 에 이용 함 으로써 , 전기 적 특성 을 확보 하 면서 , 게이트 리크 를 억제 하 기 위해 막 두께 를 크 게 하 는 것 이 가능 하 게 된다 . 또한 , high - k 재료 를 함유 하 는 막 과 , 산화 실리콘 , 질화 실리콘 , 산질 화 실리콘 , 질화 산화 실리콘 , 산화알루미늄 등 중 어느 하나 를 함유 하 는 막 의 적층 구조 로 하 여도 된다 .