도 11 을 참조 하 면 , 제 1 서브 칩 ( CH 1 ) 상 에 적층 되 는 제 2 서브 칩 ( CH 2 ) 이 준비 될 수 있 다 . 구체 적 으로 , 제 2 기판 ( 200 ) 내 에 광전 변환 소자 들 ( PCD ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 2 기판 ( 200 ) 의 제 1 면 ( 200 a ) 상 에 독 출 회로 소자 들 ( RCX ) 이 형성 될 수 있 다 . 독 출 회로 소자 들 ( RCX ) 상 에 제 1 내지 제 4 상부 절 연막 들 ( 210 , 220 , 230 , 240 ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 1 내지 제 4 상부 절 연막 들 ( 210 , 220 , 230 , 240 ) 내 에 비 아들 ( VI ) 및 배선 들 ( IL ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 4 상부 절 연막 ( 240 ) 상 에 제 2 절 연막 ( 350 b ) 이 형성 될 수 있 다 .