관련 산업 에서 는 습기 에 의한 저하 , 이온 성 오염물 및 다 이싱 프로세스 로부터 IC 를 보호 하 기 위해 시일 링 을 이용 하 여 왔 지만 , 그 개선 이 바람직 하 였 다 . 특히 , 기계 적 다이 소오 ( die saw ) 를 이용 한 다 이싱 프로세스 는 다 이 소오 의 절단 력 으로 인해 층 들 의 박리 를 야기 할 수 있 다 . 낮 은 유전 상수 ( low - k ) 의 금속 간 또는 층간 유전 막 을 갖 는 후면 조사 디바이스 가 특히 다 이 소오 에 의한 박리 가 발생 하 기 쉽 다 . 따라서 , 반도체 디바이스 의 제조 를 위한 개선 된 방법 및 이 방법 에 의해 제조 된 반도체 디바이스 가 요구 된다 .