또한 , 상기 제작 방법 에 의해 , 얻 어 지 는 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 및 제 2 결정 성 산화물 반도체 층 은 , c 축 배향 을 갖 는 것 을 특징 의 하나 로 하 고 있 다 . 단 , 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 및 제 2 결정 성 산화물 반도체 층 은 , 단결정 구조 가 아니 라 , 아몰 퍼스 구조 가 아닌 구조 이 며 , c 축 배향 을 가진 결정 ( CAAC : ' C Axis Aligned Crystal ' 이라고 도 함 ) 을 포함 하 는 산화물 을 갖 는다 . 또한 , 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 및 제 2 결정 성 산화물 반도체 층 은 , 일부 에 결정 입계 를 갖 고 있 다 .