도 2 t 를 참조 하 면 , 기판 ( 32 ) 의 하부 면은 건식 염소 기반 에칭 , 여기 서 는 예 를 들 어 삼 염화 붕소 ( BCl 3 ) 및 염소 ( Cl 2 ) 의 조합 에 노출 되 어 , III 족 - N 층 ( 34 ) 의 노 출부 를 통해 , 그 후 Ti 또는 Ta 층 ( 42 a ) 의 노출 된 내측 부분 을 통해 , 그 후 알루미늄 계층 ( 42 b ) 의 내측 부분 을 통해 , 그 후 전극 접촉 ( 541 및 5411 ) 의 오 믹 접촉 구조 체 ( 42 OC ) 의 금속 질화물 층 ( 42 c ) 의 노출 된 내측 부분 을 통해 에칭 함 으로써 비아 홀 ( 72 ) ( 화살표 ( 74 ) 로 나타내 는 ) 의 깊이 가 계속 되 고 ; 그 후 , 이러 한 에칭 은 도시 되 는 바 와 같이 전극 접촉 ( 541 및 5411 ) 하 에서 전기 접촉 구조 체 ( 42 ) 상 의 에칭 저지 층 ( 42 ES ) 에서 에칭 이 저지 된다 .