또한 , 익스 팬 드 공정 에서 는 , 도 5 a 내지 도 5 b 에 도시 하 는 바 와 같이 , 보다 높 은 온도 조건 하 ( 예 를 들 어 , 실온 ( 23 ℃)) 에 있 어서 , 면적 을 확장 하 도록 다 이싱 테이프 ( 10 ) 를 잡 아 늘린다 . 이 에 의해 , 할단 된 인접 하 는 반도체 칩 W 를 필름 면 의 면 방향 으로 분리 하 고 , 또한 간격 을 넓힌다 .