이어서 , 상기 제 1 캡 핑 층 ( 123 a ) 으로 사용 되 는 실리콘 산화 막 상 에 개구부 ( Ⅰ ) 를 구비 한 제 2 캡 핑 층 ( 123 b ) 을 형성 하 는데 , 상기 제 2 캡 핑 층 ( 123 b ) 은 금속 촉매 가 열처리 공정 을 통해 확산 할 수 있 는 실리콘 질화 막 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 고 , 화학 적 기상 증착 법 또는 물리 적 기상 증착 법 등 과 같 은 방법 으로 형성 한다 . 이때 , 상기 제 2 캡 핑 층 ( 123 b ) 의 두께 는 1 내지 2000 Å 로 형성 한다 . 본 발명 에서 는 상기 개구부 ( Ⅰ ) 가 형성 된 실리콘 질화 막 을 통하 여 금속 촉매 가 비정질 실리콘 층 ( 120 ) 으로 선택 적 으로 침투 할 수 있 어 시드 ( seed ) 의 양 과 위치 를 제어 할 수 있 게 된다 .