상기 에칭 공정 의 종료 후 , 애 싱 처리 등 을 행하 여 남 아 있 는 레지스 트 마스크 를 제거 한다 . 이렇게 하 여 도 8 ( C ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 기판 ( 101 ) 위 에 제 1 배선 층 ( 125 a ) 과 제 2 배선 층 ( 125 b ) 과 제 3 배선 층 ( 125 c ) 이 각각 형성 된다 . 여기 에서 는 , 화소 부 에 형성 되 는 제 1 배선 층 ( 125 a ) 을 2 개 의 단차 를 가지 는 단부 로 하 고 , 화소 부 의 게이트 배 선부 에 형성 되 는 제 2 배선 층 ( 107 b ) 의 측면 을 사다리꼴 형상 으로 하 고 , 단자 부 에 형성 되 는 제 3 배선 층 ( 125 c ) 을 1 개 의 단차 를 가지 는 단부 로 한다 . 테이퍼 형상 으로 하 는 경우 , 테이퍼 의 단부 의 위치 가 에칭 시간 에 따라 좌우 되 고 , 특히 테이퍼 각 60 ° 미만 으로 하 면 토탈 배 선폭 에 편차 가 생길 우려 가 있 지만 , 계단 형상 의 배선 층 으로 함 으로써 , 에칭 시간 이 다소 달라도 일정 한 배 선폭 을 얻 을 수 있 다 . 즉 , 계단 형상 의 배선 층 으로 함 으로써 에칭 조건 의 마진 을 충분히 받 을 수 있 다 . 또한 , 제 1 배선 층 ( 125 a ) 을 2 개 의 단차 를 가지 는 단부 로 함 으로써 , 테이퍼 각 50 ° 미만 의 테이퍼 형상 을 가지 는 배선 층 과 동일 한 정도 의 단차 피복 성 을 확보 할 수 있 다 . 또한 , 화소 부 의 게이트 배 선부 에 형성 되 는 제 2 배선 층 ( 107 b ) 의 측면 각도 는 , 60 ° 에서 90 ° 의 범위 이 다 .