기판 지지대 ( 200 ) 의 제 1 관통 홀 ( 210 ) 은 기판 ( 215 ) 에 소정 의 공정 이 진행 될 영역 ( 215 a ) 의 크기 에 대응 하 여 형성 된다 . 이 는 기판 ( 215 ) 상 에서 소정 의 공정 , 예컨대 비정질 실리콘 ( amorphous silicon ) 층 에 엑 시머 레이저 빔 ( Excimer Laser Annealing : ELA ) 을 조사 하 여 , 다 결정 실리콘 층 으로 형성 하 는 공정 이 진행 되 는 영역 ( 215 a ) 이 다 . 즉 , 제 1 관통 홀 ( 210 ) 은 비정질 실리콘 층 이 형성 되 어 있 는 크기 만큼 형성 된다 .