도시 하 는 것 과 같이 , SiO 2 막 인 경우 는 , 대체로 막 두께 가 얇 아 질수록 전체 파장 영역 에서 반사 율 이 낮 아 지 고 , 특히 200 nm 이하 의 단파장 영역 에서 는 막 두께 의존 특성 의 차 가 현저 하 게 된다 . 따라서 , 예컨대 200 nm 부근 의 한정 된 파장 영역 의 반사 율 특성 에 기초 하 여 , 혹은 광범위 한 전체 파장 영역 ( 185 nm ∼ 785 nm ) 의 반사 율 특성 의 프로파일 ( 파형 ) 에 기초 하 여 , SiO 2 막 ( 142 ) 의 막 두께 가 설정 치 ( THs ) ( 1 nm ) 가 되 는 타이밍 을 검출 하 거나 또는 추정 할 수 있 다 .