도전 막 ( 65 a 내지 65 c ) 은 알루미늄 , 구리 , 혹은 실리콘 , 티타늄 , 네오디뮴 , 스칸듐 , 몰리브덴 등 의 마이 그레이 션 ( migration ) 방지 원소 , 내열성 향상 원소 , 혹은 힐 록 ( hillock ) 방지 원소 가 첨가 된 알루미늄 합금 의 단층 혹은 적층 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 반도체 막 과 접하 는 측 의 막 을 , 티타늄 , 탄탈 , 몰리브덴 , 텅스텐 , 혹은 이 들 원소 의 질화물 로 형성 하 고 , 그 위 에 알루미늄 혹은 알루미늄 합금 을 형성 한 적층 구조 로 하 여도 좋 다 . 또한 , 알루미늄 혹은 알루미늄 합금 의 위쪽 면 및 아래쪽 면 을 , 티타늄 , 탄탈 , 몰리브덴 , 텅스텐 , 혹은 이 들 원소 의 질화물 로 끼운 적층 구조 로 하 여도 좋 다 .