상술 한 본 발명 은 스토리지 노드 콘 택 홀 형성 후 에 층간 절 연막 과 하드 마스크 의 높 은 선택 비 를 이용 하 여 층간 절 연막 의 손실 을 최소 화 하 면서 하드 마스크 를 선택 적 으로 제거 하 므로써 주변 회로 영역 과 셀 영역 간 층간 절 연막 단차 를 최소 화 하 고 , 스토리지 노드 콘 택 홀 의 변형 을 방지 하 며 , 또한 스토리지 노드 콘 택 플러그 와 비트 라 인간 쇼트 , 비트 라인 과 스토리지 노드 사이 에 형성 되 는 기생 캐 패 시 턴 스 의 형성 을 방지 할 수 있 는 효과 가 있 다 .