도 9 는 에지 접촉 된 수직 형 탄소 나노 튜브 트랜지스터 의 또 다른 실행 예의 단면도 를 도시 한 것 이 다 . 이 실행 예 는 도 8 a 의 실행 예 와 유사 하나 , V 자형 - 그루브 트렌치 ( 936 ) 가 도 8 a 의 트렌치 대신 에 사용 된다 . V 자형 - 그루브 트렌치 는 도 8 a 의 측면 이 세 개 인 트렌치 보다 경사 가 덜 한 두 개 의 측면 을 갖 는다 . 이 단면도 는 또한 절연체 층 ( 948 ) 및 기판 ( 954 ) 와 드레 인 층 ( 956 ) 사이 의 연속 되 는 촉매 층 ( 950 ) 을 도시 하고 있 다 .