일부 구체 예 에서 , - Si ( OR ) 3 기 를 포함 하 는 막 형성 물질 이 본원 에 참조 로서 통합 된 2006 년 3 월 30 일 출원 된 U . S . 특허 출원 11 / 278 , 030 에서 알 수 있 는 바 와 같 은 2 - 단계 그라프 팅 반응 을 적용 함 으로써 부분 적 으로 형성 될 수 있 다 . 이러 한 반응 은 다양 한 무수물 과 반응 하 는 다양 한 수지 를 포함 한다 . 다양 한 무수물 은 하나 이상 의 에틸렌 계 불포화 기 를 갖 는 무수물 을 포함 한다 . 하나 이상 의 에틸렌 계 불포화 기 를 갖 는 수지 - 무수물 반응 생성물 은 화학식 HSi ( OR ) 3 의 하나 또는 그 초과 의 다양 한 화합물 과 반응 한다 .