하지만 , 상기 듀얼 게이트 구조 를 갖 는 반도체 소자 의 제 조시 상기 피 코스 소자 의 경우 에 는 , P + 폴리 실리콘 막 으로부터 P 형 불순물 ( 보론 이온 ) 이 금속 계 막 으로 외방 확산 ( out - diffusion ) 하 여 폴리 실리콘 막 내 의 불순물 도핑 농도 가 불 충분 하 게 되 는 게이트 공핍 화 ( gate depletion ) 현상 이 발생 하 는 문제 가 있 다 .