본 발명 은 반도체 재료 층 을 처리 하 기 위해 , 특히 결정질 반도체 층 을 생성 하 기 위해 광 방사선 의 강도 를 균일화 하 기 위한 광학 시스템 을 포함 한다 . 광학 시스템 은 제 1 장치 를 갖 는 광학 빔 변환 장치 를 포함 하 고 , 상기 제 1 장치 는 제 1 빔 변환 요소 들 을 포함 하 며 , x - 방향 의 단축 및 y - 방향 의 장축 을 가진 빔 프로 파일 을 갖 는 입사 광 빔 을 상기 장축 을 따라 부분 광 빔 들 로 기하학 적 으로 분할 하 도록 설계 되 고 , 상기 x - 방향 및 상기 y - 방향 은 각각 광 빔 의 전파 방향 에 대해 수직 이 며 , 상기 부분 광 빔 의 전파 방향 은 입사 광 빔 의 전파 방향 과 는 다르 다 . 상기 광학 빔 변환 장치 는 또한 제 2 장치 를 포함 하 고 , 상기 제 2 장치 는 제 2 빔 변환 요소 들 을 포함 하 며 , 부분 광 빔 의 빔 경로 에 배치 되 어 편향 된 부분 광 빔 을 재차 편향 시키 도록 설계 되 고 , 재차 편향 된 상기 부분 광 빔 의 전파 방향 과 관련 하 여 , x - 방향 에서 재차 편향 된 부분 광 빔 의 빔 프로파일 은 , 입사 광 빔 의 전파 방향 과 관련 하 여 , y - 방향 에서 입사 광 빔 의 빔 프로파일 섹션 에 상응 한다 . 광학 시스템 은 또한 부분 광 빔 의 빔 경로 에 배치 되 며 광학 빔 변환 장치 후방 에 배치 된 빔 형성 장치 를 포함 하 고 , 상기 빔 형성 장치 는 부분 광 빔 들 을 y - 방향 과 관련 해서 조명 평면 에 놓인 조명 라인 으로서 공간 적 으로 중첩 시키 도록 설계 된다 . 광학 시스템 은 또한 부분 광 빔 의 빔 경로 에 배치 되 며 광학 빔 변환 장치 후방 에 배치 된 광학 이미 징 장치 를 포함 하 고 , 상기 광학 이미 징 장치 는 제 1 빔 변환 요소 들 이 x - 축 과 관련 해서 조명 평면 에 놓인 이미지 평면 에서 광학 적 으로 이미 징 되 도록 설계 되 고 배치 된다 .