수직 게이트 전극 ( 142 b ) 은 수평 게이트 전극 ( 142 a ) 의 바깥쪽 { 소자 분리 구조 ( 120 ) 와 인접 한 쪽 } 단부 와 연결 되 면서 수직 방향 으로 연장 되 는 수직 장벽 형태 로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 수직 게이트 전극 ( 142 b ) 은 평면 상 으로 는 광전 변환 소자 ( 130 ) 를 둘러싸 는 띠 형태 로 형성 될 수 있 으며 , 수직면 상 으로 는 수평 게이트 전극 ( 142 a ) 과 수직 한 방향 으로 길 게 연장 되 는 장벽 형태 로 형성 될 수 있 다 . 수직 게이트 전극 ( 142 b ) 은 그 바닥 면 이 제 1 불순물 영역 ( 130 N ) 의 바닥 면 과 같 은 레벨 이 되 도록 수직 한 방향 으로 연장 될 수 있 다 . 수직 게이트 전극 ( 142 b ) 은 기판 ( 10 ) 을 관통 하 도록 형성 될 수 있 다 .