상기 스 페이서 절 연막 들 ( 116 a 또는 116 b ) 은 상기 하부 절 연막 ( 113 ) 또는 상기 셀 간 절 연막 ( 117 ) 에 비해 낮 은 유전 상수 를 갖 는 절 연막 일 수 있 다 . 상기 스 페이서 절 연막 들 ( 116 a 또는 116 b ) 은 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 에 비해 낮 은 유전 상수 를 갖 는 저 유전율 절연체 일 수 있 다 . 일 예 로서 , 상기 스 페이서 절 연막 들 ( 116 a 또는 116 b ) 은 플로린 - 도핑 된 실리콘 산화 막 ( fluorine - doped silicon dioxide layer ) ( ε = 3 . 9 ~ 3 . 5 ) , 탄소 - 도핑 된 실리콘 산화 막 ( carbon - doped silicon dioxide layer ) ( ε = 3 . 0 ) , 다공성 실리콘 산화 막 ( porous silicon dioxide layer ) , 다공성 탄소 - 도핑 된 실리콘 산화 막 ( porous carbon - doped silicon dioxide layer ) 등 의 실리콘 산화 막 계 저 유전율 절 연막 ; 폴리 이미드 ( polyimide ) , 폴리 노보 렌 ( polynorbornenes ) , 벤조 사이클 로부 텐 ( benzocyclobutene ) 고분자 , PTFE ( polytetrafluoroethylene ) 등 의 저 유전율 유기 고분자 막 ; 또는 HSQ ( hydrogen silsesquioxane ) , MSQ ( methyl silsesquioxane ) 등 의 저 유전율 실리콘 계 고분 자막 ( silicone based polymeric layer ) 일 수 있 다 . 상기 실리콘 산화 막 계 저 유전율 절연 막 은 CVD ( chemical vapor deposition ) 또는 ALD ( atomic layer deposition ) 등 의 방법 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 상기 저 유전율 유기 고분자 막 과 상기 저 유전율 실리콘 계 고분자 막 은 스핀코팅 등 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 상기 하부 절 연막 ( 113 ) 과 상기 셀 간 절 연막 ( 117 ) 은 실리콘 산화 막 일 수 있 다 .