게이트 ( 120 ) 는 상기 액티브 영역 ( 110 ) 이 형성 된 반도체 기판 상부 에 배치 될 수 있 다 . 바람직 하 게 는 , 게이트 ( 120 ) 는 제 1 바 ( 110 a ) 와 평행 하 게 연장 되 면서 , 제 1 바 ( 110 a ) 상부 에 오버랩 되 도록 배치 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 게이트 ( 120 ) 에 의해 액티브 영역 ( 110 ) 의 제 2 및 제 3 바 ( 110 b , 110 c ) 의 양 단부 가 노출 된다 . 상기 게이트 ( 120 ) 는 예 를 들 어 , 폴리 실리콘 막 일 수 있 고 , 여기 에 한정 됨 이 없이 도전 층 이 면 모두 사용 가능 하 다 .