즉 , 압 전소 자 필름 ( 100 ) 의 테두리 로부터 내측 으로 소정 거리 를 이격 하 여 전도성 고분자 를 도포 하 여 , 고분자 전도체 막 ( 102 ) 이 형성 되 지 않 은 압 전소 자 필름 ( 100 ) 이 고분자 전도체 막 ( 102 ) 이 형성 된 압 전소 자 필름 ( 100 ) 의 테두리 를 둘러싸 고 있 는 형태 로 고분자 전도체 막 ( 102 ) 을 형성 하 게 되 는 것 이 다 .