웨이퍼 처리 위치 에 위치 시킨 웨이퍼 ( 200 ) 가 소정 온도 가 되 면 , 계속 해서 기판 처리 공정 ( S 102 ) 을 수행 한다 . 기판 처리 공정 ( S 102 ) 에서 는 웨이퍼 ( 200 ) 를 소정 의 온도 로 가열 한 상태 에서 제 1 가스 공급 부 ( 243 ) 를 제어 하 여 제 1 가스 를 처리 실 ( 201 ) 에 공급 하 는 것 과 함께 , 배기 부 를 제어 하 여 처리 실 ( 201 ) 을 배기 하 고 , 웨이퍼 ( 200 ) 에 처리 를 수행 한다 . 또한 이때 제 2 가스 공급 부 ( 244 ) 를 제어 하 여 제 2 가스 를 제 1 가스 와 동시 에 처리 공간 에 존재 시켜서 CVD 처리 를 수행 하 거나 , 제 1 가스 와 제 2 가스 를 교호 적 으로 공급 하 여 사이 클릭 처리 를 수행 해도 좋 다 . 또한 제 2 가스 를 플 라즈 마 상태 로 처리 하 는 경우 에 는 분산 판 ( 234 b ) 에 고주파 전력 을 공급 하 는 것 에 의해 처리 실 ( 201 ) 내 에 플 라즈 마 를 생성 해도 좋 다 .