간섭계 리소그래피 시스템 들 ( 100 및 200 ) 은 주로 렌즈 기반 시스템 들 이 며 , 따라서 기판 또는 작업 물 을 노광 시키 기 위해 극자 외 방사선 ( EUV ) 이 사용 될 때 기판 상 에 패턴 들 을 프린트 하 는 데 최적 이 아닐 수 도 있 다 . 또한 , EUV 방사선 을 사용 하 는 리소그래피 시스템 들 은 이 들 의 분해능 을 [ 예 를 들 어 , 약 26 nm 라인 / 폭 ( L / S ) 으로 ] 제한 하 는 제한 된 개구수 [ 예 를 들 어 , 엄폐 효과 ( obscuration effect ) 들 을 겪 지 않 고 , 약 0 . 25 내지 0 . 4 ] 를 갖 는다 . 더욱이 , 이러 한 EUV 시스템 들 은 사용 되 는 거울 들 의 개수 에 의해서 도 제한 된다 . 때로 는 거울 들 이 매우 효율 적 이 지 않 기 때문 에 ( 예 를 들 어 , 약 66 % 의 효율 성 ) , 시스템 내 의 거울 들 의 개수 가 증가 함 에 따라 , 성능 이 격심 하 게 감소 한다 .