도 45 및 도 46 에 계속 해서 , 제 2 배선 절연 층 ( 52 ) 및 제 3 배선 층 ( 84 ) 의 상 에 산화 실리콘 ( SiO 2 ) 및 질화 실리콘 ( SiN ) 을 피착 시켜 , 제 3 배선 절연 층 ( 53 ) 및 제 4 배선 절연 층 ( 54 ) 을 형성 한다 . 이상 의 공정 을 거쳐 , 도 5 및 도 6 에 나타낸 제 1 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 기억 장치 ( 100 ) 가 제조 된다 .