도 2 b 는 도 2 a 의 텅스텐 게이트 구조 가 산화 공정 을 거친 후 의 결과 이 다 . 여기 서 , 산화 공정 은 게이트 식각 시 발생 된 식각 손상 을 회복 시켜 주 기 위한 것 이 며 , 특히 산화 공정 은 선택 적 산화 공정 이 아닌 라이트 산화 ( Light oxidation ) 공정 이 다 . 선택 적 산화 공정 이 텅스텐 막 ( 28 ) 의 산화 방지 를 고려 하 면서 실리콘 물질 만 을 산화 시키 도록 H 2 와 수증기 ( H 2 O ) 분위기 에서 진행 하 는 것 이 나 , 라이트 산화 공정 은 텅스텐 막 ( 28 ) 의 산화 방지 를 고려 하 지 않 으면서 실리콘 물질 만 을 산화 시키 는 산화 공정 이 다 . 바람직 하 게 , 라이트 산화 공정 은 수소 분위기 가 필요 하 지 않 고 , 산소 ( O 2 ) 분위기 에서 진행 할 수 있 다 .