도 1 및 도 2 를 참조 하 면 , NAND 플래시 메모리 소자 는 복수 의 메모리 셀 로 이루어지 는 메모리 셀 블록 ( 100 A ) 이 복수 개 포함 되 어 있 는 메모리 셀 어레이 ( 100 ) 를 포함 한다 . 상기 메모리 셀 어레이 ( 100 ) 에 는 상기 메모리 셀 블록 ( 100 A ) 의 워드 라인 ( WL 0 , WL 1 , ..., WLm - 1 , WLm ) 을 선택 하 기 위한 X - 디코더 ( 110 ) 와 , 상기 메모리 셀 블록 ( 100 A ) 의 비트 라인 ( BL 0 , BL 1 , ..., BLn - 1 , BLn ) 을 선택 하 기 위한 Y - 디코더 ( 120 ) 를 포함 한다 . Y - 게이팅 ( gating ) ( 130 ) 은 상기 Y - 디코더 ( 120 ) 에 연결 되 어 상기 메모리 셀 어레이 ( 100 ) 에서 의 비트 라인 경로 를 지정 하 는 역할 을 한다 .