도 1 c 를 참조 하 면 , 제 2 가이드 패턴 들 ( 130 , 130 a ) 을 상기 빈 영역 들 ( 125 ) 내 에 각각 형성 한다 . 상기 제 2 가이드 패턴 들 ( 130 , 130 a ) 을 형성 하 는 방법 을 설명 한다 . 먼저 , 상기 빈 영역 들 ( 125 ) 을 채우 는 제 2 가이드 막 을 상기 기판 ( 100 ) 전면 상 에 형성 한다 . 이어서 , 상기 제 2 가이드 막 을 상기 마스크 막 ( 120 ) 이 노출 될 때 까지 평탄 화 시킨다 . 이 에 따라 , 상기 빈 영역 들 ( 125 ) 을 각각 채우 는 상기 제 2 가이드 패턴 들 ( 130 , 130 a ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 제 2 가이드 막 을 평탄 화 시킨 후 에 , 상기 제 2 가이드 패턴 들 ( 130 , 130 a ) 의 상부 면 들 이 상기 제 1 가이드 패턴 들 ( 115 ) 과 실질 적 으로 동일 한 높이 를 갖 도록 리세 스 할 수 있 다 . 도 1 c 에서 는 , 상기 제 2 가이드 패턴 들 ( 130 , 130 a ) 이 리세 스 된 후 를 도시 한 것 이 다 . 상기 제 2 가이드 막 을 평탄 화 하 는 공정 및 상기 리세 스 공정 은 습식 식각 으로 연속 적 으로 수행 할 수 있 다 . 이 와 는 달리 , 상기 제 2 가이드 막 을 평탄 화 공정 은 화학 기상 증착 법 또는 전면 이방성 식각 으로 수행 하 고 , 상기 리세 스 공정 은 습식 식각 으로 수행 할 수 있 다 . 이 와 는 또 달리 , 전면 이방성 식각 공정 으로 상기 제 2 가이드 막 을 평탄 화 하 는 공정 및 상기 리세 스 공정 을 연속 적 으로 수행 할 수 도 있 다 .