비휘발성 메모리 소자 로 는 MRAM ( magnetic random access memory ) , FRAM ( ferroelectric random access memory ) , PRAM ( phase - change random access memory ) 및 RRAM ( resistance random access memory ) 등 이 있 다 . 여기 서 , RRAM , 즉 , 저항성 메모리 소자 는 저항 변화 특성 을 이용 하 여 데이터 를 저장 하 는 메모리 소자 이 다 . 저 항변 화 물질 에 세트 전압 ( set voltage ) 이상 의 전압 이 인가 되 면 상기 저항 변화 물질 의 저항 이 낮 아 진다 . 이때 를 온 ( ON ) 상태 라 한다 . 그리고 저항 변화 물질 에 리세트 전압 ( reset voltage ) 이상 의 전압 이 인가 되 면 상기 저항 변화 물질 의 저항 이 높 아 진다 . 이때 를 오프 ( OFF ) 상태 라 한다 .