유기 발광 다이오드 에 적용 되 는 높 은 표면 개질 특성 을 지닌 투명 도 전막 일 경우 , 전류 밀도 의 집중 으로 인해 유기물 이 손상 되 어 흑점 등 의 불량 이 야기 되 므로 평탄 한 표면 특성 이 요구 된다 . 일반 적 으로 DC - 마그네트론 스퍼터링 으로 성막 된 박막 은 Rrms 1 nm 이상 , Rpv 20 nm 이상 의 높 은 표면 조도 를 갖 는 박막 이 형성 되 어 , 유기 발광 다이오드 용 으로 사용 이 난이 한 것 으로 보 고 되 어 져 있 으나 , 통상 의 LCD / PDP 의 생상 라인 에 적용 되 어 지 는 DC - 마그네트론 스퍼터 법 은 이온 보조 증착 법 에 비해 설비 가 가 낮 고 , 방전 이 안정 하 며 , 제 어성 이 우수 한 장점 을 가지 고 있 을 뿐 만 아니 라 , 성막 속도 가 높 고 양산 성 이 우수 하 여 대면 적 기판 상 에 균일 한 박막 을 형성 할 수 있 는 장점 이 있 다 .