상기 유기 막 형성 방법 에서 는 , 상기 유기 막 형성 용 조성물 을 , 스핀 코트 법 등 으로 피 가공 기판 상 에 코팅 한다 . 스핀 코트 법 등 을 이용 함 으로써 , 양호 한 매립 특성 을 얻 을 수 있 다 . 스핀 코트 후 , 용매 를 증발 시키 고 , 레지스 트 상 층막 이나 레지스 트 하층 막 과 의 믹 싱 방지 를 위해 , 가교 반응 을 촉진 시키 기 위해 베 이크 ( 열처리 ) 를 행한다 . 베 이크 는 100 ℃ 이상 600 ℃ 이하 , 10 ∼ 600 초 의 범위 내 에서 행하 는 것 이 바람직 하 고 , 보다 바람직 하 게 는 200 ℃ 이상 500 ℃ 이하 , 10 ∼ 300 초 의 범위 내 에서 행한다 . 디바이스 손상 이나 웨이퍼 변형 에 미치 는 영향 을 고려 하 면 , 리소그래피 의 웨이퍼 프로세스 에서 의 가열 온도 의 상한 을 600 ℃ 이하 로 하 는 것 이 바람직 하 고 , 보다 바람직 하 게 는 500 ℃ 이하 이 다 .