상술 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 형성 방법 은 피모 오스 ( PMOS ) 및 엔 모 오스 ( NMOS ) 트랜지스터 의 특성 을 향상 시키 기 위하 여 피모 오스 ( PMOS ) 트랜지스터 의 채널 이 형성 되 는 제 1 활성 영역 에 는 장력 ( Tensile stress ) 과 압축 응력 ( Compressive stress ) 을 가하 고 , 엔 모 오스 ( NMOS ) 트랜지스터 의 제 2 활성 영역 에 는 장력 ( Tensile stress ) 이 가해 지 도록 한다 . 이 를 위하 여 활성 영역 을 정의 하 는 소정 의 제 1 트렌치 를 형성 한 후 활성 영역 의 상부 둘레 에 질화 막 스 페이서 를 형성 한다 . 다음 에 는 , 피모 오스 ( PMOS ) 가 형성 될 활성 영역 의 트랜지스터 길 이 방향 ( Length ) 방향 에 위치 한 질화 막 스 페이서 를 제거 한 후 소자 분리 막 형성 공정 을 완료 하 고 , 각각 의 활성 영역 상부 에 게이트 를 형성 한다 .