또한 정공 수송 층 ( 112 ) 이 적층 구조 를 가지 는 경우 , 정공 주입 층 ( 111 ) 측 에 형성 되 는 정공 수송 층 에 사용 하 는 정공 수송 성 재료 의 HOMO 준위 와 발광 층 ( 113 ) 측 에 형성 되 는 정공 수송 층 에 사용 하 는 정공 수송 성 재료 의 HOMO 준위 를 비교 할 때 , 후자 의 HOMO 준위 가 전자 의 HOMO 준위 보다 깊 은 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 그 차이 가 0 . 2 eV 이하 가 되 도록 각각 재료 를 선택 하 면 좋 다 . 또한 정공 주입 층 ( 111 ) 및 적층 구조 를 가지 는 정공 수송 층 ( 112 ) 에 사용 하 는 정공 수송 성 재료 의 HOMO 준위 가 상술 한 관계 를 가지 면 , 각 층 에 정공 이 원활 하 게 주입 되 어 , 구동 전압 의 상승 이나 발광 층 ( 113 ) 에서 의 정공 의 과소 상태 를 방지 할 수 있 다 .