상술 된 발광 다이오드 의 활성 층 에서 생성 되 는 빛 의 산란 을 담당 하 는 형광체 의 파장 변환 효율 을 증가 시키 기 위한 방법 의 일 양태 로 는 , 발광 반도체 칩 주위 에 형광체 가 분산 된 수지 부 를 형성 하 거나 직접 발광 반도체 칩 표면 에 형광체 막 을 형성 하 는 방법 을 들 수 있 다 . 이때 , 형광체 가 분산 된 수지 부를 채 용한 발광 다이오드 패키지 의 경우 방출 되 는 여기 파장 광이 수지 부 내 의 형광체 를 많 은 횟수 로 지나가 므로 , 형광체 에 의한 굴절 및 반사 로 인해 　 효율 이 저하 된다는 문제점 을 가진다 . 이 에 비해 , 발광 반도체 칩 표면 에 직접 형성 된 형광체 막 을 채 용한 발광 다이오드 　 패키지 의 경우 방출 되 는 여기 파장 광이 형광체 에 직접 흡수 되 므로 , 반사 　 또는 굴절 로 인한 　 효율 　 저하 를 감소 시킬 수 있 다는 장점 이 있 다 . 하지만 , 형광체 막 을 발광 반도체 칩 표면 에 형성 한 구조 는 형광체 막 이 조밀 한 구조 를 가지 므로 , 원활 한 광 경로 를 보장 하 기 곤란 하 며 , 실제 형광체 입자 에서 반사 된 일부 광 은 다시 발광 반도체 　 칩 으로 흡수 될 수 있 으므로 , 높 은 광 효율 을 기대 하 기 어렵 다는 문제점 을 가진다 .