본 발명 의 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 에 따르 면 , 미세 한 그레인 사이즈 를 가지 는 폴리 실리콘 을 이용 하 여 플로팅 게이트 를 형성 함 으로써 셀 들 의 문턱 전압 분포 를 균일 하 게 할 수 있 다 . 또한 미세 한 그레인 사이즈 로 인하 여 전하 를 저장 하 는 리 텐션 ( retension ) 특성 및 전하 저장 속도 를 향상 시켜 보다 고 성능 의 비 휘 발성 메모리 소자 를 제조 할 수 있 다 . 또한 , 플로팅 게이트 와 터널 절 연막 사이 에 보호막 을 형성 함 으로써 미세 한 그레인 사이즈 를 가지 는 플로팅 게이트 를 형성 할 때 사용 되 는 H 2 가스 가 터널 절 연막 으로 침투 하 여 손상 시키 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 그리고 , 보호막 과 플로팅 게이트 는 인 시투 공정 으로 진행 하 기 때문 에 추가 공정 및 시간 이 필요 없이 효율 적 인 비휘발성 메모리 소자 의 제조 가 가능 하 다 .