더불 어 , 본 발명 에 따른 반도체 디바이스 의 제조 방법 은 상부 에 금속 포일 이 형성 된 캐리어 기판 을 구비 하 는 단계 ; 상기 금속 포일 을 이용 한 전해 도금 을 통해 제 1 배선 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 캐리어 기판 에 반도체 다이 를 형성 하 는 단계 ; 상기 반도체 다이 를 감싸 도록 절연 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 절연 층 표면 에서 반도체 다 이 본드 패드 나 제 1 배선 층 까지 비 아홀 을 형성 하 는 단계 ; 상기 비 아홀 의 벽 이나 내부 를 충 진하 며 제 2 배선 층 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 캐리어 기판 을 제거 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .