제 2 희생 막 ( 62 ) 은 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 의 상면 이 노출 될 때 까지 코팅 막 ( 60 ) 에 대한 이방성 식각 공정 을 수행 함 으로써 형성 될 수 있 다 . 코팅 막 ( 60 ) 을 이방성 식각 하 는 동안 , 코팅 막 ( 60 ) 은 제 1 마스크 패턴 ( 42 ) 에 대해 약 10 : 1 이상 의 식각 선택 비 를 가질 수 있 다 . 즉 , 코팅 막 ( 60 ) 을 이방성 식각 할 때 , 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 은 식각 정지 막 으로 이용 될 수 있 다 .