상기 다공성 고분자 기재 의 두께 는 특별히 제한 되 지 않 으나 , 상세 하 게 는 1 내지 100 ㎛, 더욱 상세 하 게 는 5 내지 50 ㎛ 이 고 , 최근 전지 의 고출력 / 고용량 화 가 진행 됨 에 따라 다공성 고분자 기재 는 박막 을 이용 하 는 것 이 유리 하 다 . 상기 다공성 고분자 기재 에 존재 하 는 기공 직경 은 10 nm ~ 100 nm , 또는 10 nm ~ 70 nm , 또는 10 nm ~ 50 nm , 또는 10 nm ~ 35 nm 이 며 , 기공도 는 5 % 내지 90 %, 바람직 하 게 는 20 % 내지 80 % 로 형성 될 수 있 다 . 다만 , 본원 발명 에 있 어서 , 이러 한 수치 범위 는 구체 적 인 실시 형태 또는 필요 에 따라 용이 하 게 변형 될 수 있 다 .