측면도 에 도시 된 바 와 같이 , 일부 구성 에서 질화규소 부분 ( 502 ) 은 550 nm 높이 를 포함 할 수 있 고 실리콘 부분 ( 504 ) 은 160 nm 높이 를 포함 할 수 있 지만 , 다른 구성 이 구현 될 수 있 다 . 상면 도 에 도시 된 바 와 같이 , 질화규소 부분 ( 502 ) 은 도파관 전이 ( 500 ) 의 길이 를 따라 연장 할 수 있 고 , 도파관 전이 ( 500 ) 의 길이 를 따라 실질 적 으로 동일 하 게 유지 되 는 폭 을 포함 할 수 있 다 . 실리콘 부분 ( 504 ) 은 실리콘 부분 ( 504 ) 의 폭 이 도파관 전이 ( 500 ) 의 길이 를 따라 감소 하 는 테이퍼 ( 508 ) 를 포함 한다 . 특히 , 실리콘 부분 ( 504 ) 은 테이퍼 ( 508 ) 의 제 1 측면 상 의 제 1 폭 및 테이퍼 ( 508 ) 의 제 2 측면 상 의 제 2 폭 을 포함 한다 . 도시 된 바 와 같이 , 제 1 폭 은 제 2 폭 보다 클 수 있 고 , 테이퍼 ( 508 ) 는 실리콘 부분 ( 504 ) 의 폭 을 감소 시킬 수 있 다 .