상기 발명 개시 는 일반 적 으로 스 페이서 및 LDD 영역 을 형성 하 는 공정 을 설명 하 는 것 임 을 유념 한다 . 다른 공정 및 순서 가 사용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 더 적 거나 추가 의 스 페이서 가 사용 될 수 있 고 , 상이 한 순서 의 단계 가 사용 될 수 있 다 ( 예 를 들 어 , 게이트 시일 스 페이서 ( 80 ) 는 게이트 스 페이서 ( 86 ) 를 형성 하 기 전 에 에칭 되 지 않 을 수 있 고 , " "" L 자형 "" 게이트 시일 스 페이서 를 생성 하 고 ", 스 페이서 가 형성 및 / 또는 제거 될 수 있 다 ) . 또한 , n 형 디바이스 및 p 형 디바이스 는 상이 한 구조 및 단계 를 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 게이트 시일 스 페이서 ( 80 ) 를 형성 하 기 전 에 n 형 디바이스 를 위한 LDD 영역 이 형성 될 수 있 는 반면 , 게이트 시일 스 페이서 ( 80 ) 를 형성 한 후 에 p 형 디바이스 를 위한 LDD 영역 이 형성 될 수 있 다 .