다음 으로 도 1 d 및 도 1 e 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 임 프린팅 레지스 트 층 ( 230 ) 을 이용 하 여 제 1 전극 층 , 절연 층 , 비정질 실리콘 층 및 불순물 비정질 실리콘 층 을 에칭 함 으로써 게이트 전극 ( 20 ) , 게이트 절 연막 ( 30 ) , 활성 층 ( 40 ) 및 오 믹 콘 택 층 ( 50 ) 을 형성 한다 .