구체 적 으로 도 7 을 참조 하 면 , 상기 예비 산화물 반도체 층 ( 170 ) 에 70 J / cm 2 이상 및 130 J / cm 2 이하 범위 의 상기 제 1 광 소결 에너지 ( 1 st IPL ) 가 조사 되 어 형성 된 산화물 반도체 층 ( 200 ) 을 포함 하 는 박막 트랜지스터 ( 도 7 의 IGZO IPL 70 J / cm 2 , IGZO IPL 100 J / cm 2 , 및 IGZO IPL 130 J / cm 2 ) 는 , on / off 스위칭 특성 을 나타낼 수 있 다 .