또한 , 본 발명 의 제 3 실시 예 에 따른 마스크 는 본 발명 의 제 1 실시 예 또는 제 2 실시 예 에서 상술 한 하프톤 층 ( 30 ) 을 더 포함 할 수 있 다 . 제 3 실시 예 에 따른 마스크 가 상기 하프톤 층 ( 30 ) 을 더 포함 할 경우 , 채널 부 의 국부 적 과잉 식각 으로 인한 오픈 불량 을 방지 할 수 있 음 과 더불 어 , 소스 전극 의 단부 보다 채널 부가 함입 형성 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .