편의 상 게이트 절연 막 은 도시 되 지 않 고 , 플로팅 게이트 전극 ( 112 ) 과 콘트롤 게이트 전극 ( 114 ) 사이 의 절연 층 도 도시 되 지 않 았 다 . 게이트 전극 ( 112 , 114 ) 패턴 이 형성 된 기판 ( 100 ) 전면 에 PMD 막 ( 116 ) 이 적층 된다 . PMD 막 ( 116 ) 은 기판 ( 100 ) 상 의 하부 구조 인 게이트 전극 ( 112 , 114 ) 패턴 을 반영 하 여 형성 된다 . 셀 영역 에 는 게이트 전극 이 스택 형 으로 형성 되 어 기판 면 에서 높 게 돌출 되 고 , 게이트 전극 패턴 의 형성 밀도 가 높 으며 , 또한 , 게이트 전극 패턴 사이 의 폭 도 좁 다 . 따라서 PMD 막 ( 116 ) 을 형성 하 면 하부 구조 의 토폴로지 를 쫓 아 PMD 막 을 형성 하 는 경우 에 도 셀 영역 에서 의 기판 면 위 로 형성 된 PMD 막 ( 116 ) 적층 두께 가 페리 영역 의 PMD 막 ( 116 ) 적층 두께 에 비해 높 아 진다 . 도면 부호 105 는 하부 기판 구조 를 따라 형성 된 PMD 막 표면 의 단차 부 를 나타낸다 .