도 5 b 를 참조 하 면 , 상기 원소 주입 층 들 ( 120 ) 을 형성 한 후 에 , 상기 마스크 패턴 ( 118 ) 을 제거 한다 . 이어서 , 상기 기판 ( 110 ) 에 어닐링 공정 ( annealing process ) 을 수행 할 수 있 다 . 이 로 인하 여 , 상기 원소 주입 층 ( 120 ) 내 원소 들 이 서로 원소 결합 하 여 반사체 ( 120 a ) 가 형성 될 수 있 다 . 또한 , 상기 원소 이온 주입 공정 으로 손상 된 상기 반도체 층 ( 105 ) 내 원자 결합 을 치유 할 수 있 다 . 상기 어닐링 공정 은 추가 적 으로 수행 할 수 있 다 . 이 와 는 다르 게 , 상기 어닐링 공정 은 상기 기판 ( 110 ) 에 수행 되 는 다른 열 공정 으로 대체 될 수 있 다 . 예컨대 , 상기 어닐링 공정 은 상기 기판 ( 110 ) 에 수행 되 는 도 펀트 들 의 활성 화 공정 등 으로 대체 될 수 있 다 .