하나 의 실시 예 에서 , 반도체 기판 ( 230 ) 은 시일 링 영역 의 저부 층 으로서 아래 에 놓인 제 2 부동태 층 , 즉 제 1 후면 부동태 층 을 포함 할 수 있 다 . 하나 의 예 에서 , 제 2 부동태 층 , 즉 제 1 후면 부동태 층 은 고 종횡비 프로세스 ( HARP ) 및 / 또는 고밀 도 플 라즈 마 ( HDP ) CVD 프로세스 에 의한 부동태 층 의 성막 이나 산소 도 펀트 의 증착 에 의해 형성 될 수 있 다 . 하나 의 예 에서 , 제 2 부동태 층 , 즉 제 1 후면 부동태 층 은 유전 재료 ( ILD 또는 IMD ) 를 포함 하 는 것 으로 , 산화물 로 이루어진다 . 게다가 , 하나 의 예 에서 , 반도체 기판 ( 230 ) 은 제 2 부동태 층 의 형성 전 에 에칭 에 의해 얇 게 될 수 있 다 .