구체 적 으로 , 상기 반도체 기판 을 회전 시켜 균일 하 게 세정액 막 을 반도체 기판 상 에 형성 하 고 메가 소닉 에너지 를 인가 시킬 경우 의 세정 과정 을 설명 하 면 , 상기 세 정 용액 내 에서 용해 되 어 있 는 질소 는 메가 소닉 에너지 에 의해 파열 되 어 상기 파열 압력 및 온도 에 의해 물리 적 으로 반도체 가판 상 에 존재 하 는 불순물 입자 를 제거 하 여 반도체 기판 을 세정 하 게 된다 .