상기 분사 되 는 기체 의 양 을 조절 하 는 단계 ( S 400 ) 에서 는 상기 실제 광합성 속도 또는 상기 일반 적 인 광합성 속도 를 이용 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 분사 되 는 기체 의 양 을 조절 하 는 단계 ( S 400 ) 에서 는 상기 일반 적 인 작물 의 광합성 속도 모델 로부터 상기 특정 위치 별 기체 분사 부 ( 110 ) 에서 배출 되 는 기체 배출 양 을 결정 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 분사 되 는 기체 의 양 을 조절 하 는 단계 ( S 400 ) 에서 는 상기 실제 작물 의 광합성 속도 로부터 상기 특정 위치 별 기체 분사 부 ( 110 ) 에서 배출 되 는 기체 배출 양 을 결정 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 분사 되 는 기체 의 양 을 조절 하 는 단계 ( S 400 ) 에서 는 상기 일반 적 인 작물 의 광합성 속도 모델 로부터 상기 특정 위치 별 기체 분사 부 ( 110 ) 에서 배출 되 는 기체 배출 양 을 1 차 적 으로 결정 하 고 , 상기 실제 작물 의 광합성 속도 로부터 상기 특정 위치 별 기체 분사 부 ( 110 ) 에서 배출 되 는 기체 배출 양 을 2 차 적 으로 결정 할 수 있 다 . 따라서 , 상기 기체 분 사량 을 보다 효율 적 으로 보정 할 수 있 다 .