도 3 c 를 참조 하 면 , 상기 HARP 막 ( 130 ) 증착 시 트렌치 내 에 유발 된 심 ( seam ) 을 제거 하 기 위하 여 기판 결과물 을 어닐링 한다 . 그런 다음 , 상기 패드 질화 막 이 노출 될 때 까지 상기 HARP 막 ( 130 ) 을 CMP 하 고 , 이어서 , 패드 질화 막 과 패드 산화 막 을 제거 하 여 트렌치 형 의 소자 분리 막 ( ISO ) 을 형성 한다 .