또한 , 스퍼터링 등 으로 성막 된 산화물 반도체 막 내 에 는 , 불순물 로서 의 수분 또는 수소 ( 수산기 를 포함 한다 ) 가 다량 으로 포함 되 어 있 는 경우 가 있 음 을 주목 하 라 . 수분 또는 수소 는 도너 준위 를 형성 하 기 쉽 기 때문 에 , 산화물 반도체 에 있 어서 는 불순물 이 다 . 따라서 , 본 발명 의 일 형태 에서 는 , 산화물 반도체 막 내 의 수분 또는 수소 등 의 불순물 을 저감 ( 탈수 화 또는 탈수소 화 ) 하 기 위해서 , 섬 모양 의 산화물 반도체 막 ( 716 ) 에 대해 , 저압 분위기 하 , 질소 나 희 가스 등 의 불활성 가스 분위기 하 , 산소 가스 분위기 하 , 또는 초 건조 에어 ( CRDS ( Cavity ring - down spectroscopy ) 법 ) 방식 의 노점계 를 이용 해서 측정 한 경우 의 수분 량 이 20 ppm ( 노점 환산 으로 - 55 ℃) 이하 , 바람직 하 게 는 1 ppm 이하 , 바람직 하 게 는 10 ppb 이하 의 공기 ) 분위기 하 에서 , 섬 모양 의 산화물 반도체 막 ( 716 ) 에 가열 처리 를 행한다 .