이제 도 33 을 참조 하 면 , 게이트 트렌치 ( 69 A , 69 B , 69 C ) 가 각각 의 게이트 스 페이서 ( 76 ) 사이 의 핀 ( 64 ) 에 형성 된다 . 게이트 트렌치 ( 69 A , 69 B , 69 C ) 는 예컨대 도 2 - 도 6 , 도 7 a , 도 8 및 도 9 에 도시 한 동일 하 거나 유사 한 처리 에 따라 형성 될 수 있 다 . 다음 으로 , 게이트 유전체 층 ( 82 ) , 층 ( 89 ) , P 타입 일함수 층 ( 83 ) 및 캡 핑 층 ( 91 ) 은 게이트 스 페이서 ( 76 ) 의 상부 면 위 에 그리고 제 1 ILD ( 90 ) 의 상부 면 ( 예컨대 도 9 참조 , 도 33 에 는 도시 생략 ) 위 에서 , 게이트 트렌치 ( 69 A , 69 B , 69 C ) 에 연속 적 으로 형성 된다 ( 예컨대 , 등각 으로 형성 된다 ) . 다양 한 층 ( 예컨대 , 82 , 89 , 83 및 91 ) 의 재료 및 형성 방법 은 전술 한 것 과 동일 하 거나 유사 하 므로 , 세부 설명 은 반복 되 지 않 는다 .