여기 서 , 상기 PSG 막 은 열적 CVD 방식 , PECVD 방식 및 O 3 - TEOS CVD 방식 중 어느 하나 의 방식 에 따라 상기 홈 깊이 의 5 ∼ 15 ％ 두께 로 형성 하 며 , 또한 , 상기 PSG 막 은 SiO 2 막 내 에 P 2 O 3 가 함유 되 도록 형성 하 거나 , 또는 , SiO 2 막 내 에 P 2 O 3 와 P 2 O 5 가 함유 되 도록 형성 하 고 , 인 ( P ) 이 5 ∼ 30 wt ％ 농도 로 함유 되 도록 형성 한다 .