캡 핑 실리콘 층 ( 15 ) 은 poly - Si 또는 Amorphous Si 을 사용 하 여 CVD 공정 에 의해 게이트 메탈 ( 14 ) 상 에 증착 되 고 , 이 때 증착 시 온도 는 600 ℃ ~ 850 ℃ 임 이 바람직 하 며 , 후술 하 게 될 소오 스 / 드레 인 영역 ( 19 ) 이 딥 실리사이드 ( deep silicide ) 화 됨 과 동시 에 풀리 실리사이드 ( fully silicide ) 화 됨 으로써 하부 의 게이트 메탈 ( 14 ) 과 함께 게이드 전극 ( 16 ) 의 역할 을 하 게 된다 .