그 이후 , 도 7 c 를 참고 하 면 , 결정 화 된 비정질 실리콘 층 을 패 터닝 하 여 박막 트랜지스터 의 반도체 층 ( 306 a ) 과 진성 영역 ( 306 b ) 이 형성 된 포토다이오드 를 형성 한 후 , 기판 전면 에 걸쳐 산화 실리콘 막 , 질화 실리콘 막 등 의 절연물 질 로 1000 Å 의 게이트 절 연막 ( 312 ) 을 형성 한다 . 그리고 나 서 , 상기 게이트 절 연막 ( 312 ) 상 에 박막 트랜지스터 반도체 층 ( 306 a ) 의 이격 되 는 위치 에 게이트 전극 ( 313 ) 을 형성 한다 .