비트 라인 ( 310 ) 과 워드 라인 ( 320 ) 의 추적 은 전술 된 6 각 형 패턴 / 그리드 를 따른다 . 그러므로 평면 사시도 의 경우 워드 라인 ( 320 ) 이 비트 라인 ( 310 ) 으로부터 약 60 도 이 다 . 그러므로 , 워드 라인 은 약 60 도 의 각도 로 비트 라인 과 교차 한다 . 실시 예 메모리 셀 ( 370 ) 은 필러 형상 셀 이 도면 의 페이지 안 으로 연장 하 는 경우 비트 라인 과 워드 라인 의 교차점 상 에 묘사 된다 . 비트 라인 ( 310 ) 과 워드 라인 ( 320 ) 은 일반 적 으로 메모리 장치 의 상이 한 층 상 에 있 다 . 또한 , 비트 라인 ( 310 ) 및 / 또는 워드 라인 ( 320 ) 은 메모리 셀 의 3 차원 어레이 에서 메모리 셀 의 상이 한 층 또는 레벨 사이 에 공유 될 수 있 다 . 비트 라인 과 워드 라인 의 하프 피치 가 메모리 셀 의 하프 피치 보다 약 0 . 87 배 라는 것 또한 알 아야 한다 .