상기 유전 막 패턴 ( 212 a ) 으로 금속 산화물 을 사용 하 는 경우 에 는 페르미 레벨 피닝 현상 으로 인해 폴리 실리콘 을 전극 으로 사용 하 기 가 어렵 다 . 구체 적 으로 , 상기 금속 산화물 로 이루어진 유전 막 패턴 ( 212 a ) 상 에 폴리 실리콘 을 형성 하 는 경우 실리콘 산화 막 상 에 형성 되 는 폴리 실리콘 에 비해 일함수 가 매우 낮 아 지 게 될 뿐 아니 라 , 불순물 에 의해 폴리 실리콘 의 일함수 가 조절 되 지 않 고 고정 된 일함수 값 을 가지 게 되 기 때문 이 다 . 때문 에 , 설명 한 것 과 같이 상기 유전 막 ( 212 a ) 상 에 는 금속 질화물 로 이루어지 는 콘트롤 게이트 전극 ( 214 a ) 이 사용 되 는 것 이 바람직 하 다 .