" 고 밀도 비트 셀 ( 146 ) 및 고속 비트 셀 ( 148 ) 은 고속 비트 셀 어레이 ( 104 ) 와 비교 될 때 고밀 도 비트 셀 어레이 ( 102 ) 내 의 개별 비트 셀 의 상대 치수 를 도시 한다 . 이 들 비트 셀 각각 은 도 1 에서 가변 적 인 "" Y "" 로 표시 되 는 동일 한 높이 를 가진다 . 즉 ", 2 개 의 상이 한 유형 의 비트 셀 어레이 내 의 각각 의 비트 셀 은 비트 라인 배향 ( 도 1 의 도면 에 대한 수직 배향 ) 에 평행 한 방향 으로 동일 한 크기 의 치수 를 갖 는다 . 그러나 , 고밀도 비트 셀 어레이 ( 102 ) 의 경우 , " 도 1 에서 "" Xhd "" 로 표시 되 는 비트 라인 배향 ( 수평 배향 ) 에 수직 인 방향 으로 의 비트 셀 ( 146 ) 의 치수 는 도 1 에서 "" Xhs "" 로 표시 되 는 고속 비트 셀 ( 148 ) 의 치수 보다 작 다 . 비트 라인 에 평행 한 방향 ( 다변 방향 ( wordiness ) 에 대해 직교 하 는 방향 ) 으로 취해진 치수 에 대해 동일 한 값 을 갖 는 각각 의 비트 셀 은 SRAM ( 100 ) 에서 의 고밀 도 비트 셀 어레이 ( 102 ) 및 고속 비트 셀 어레이 ( 104 ) 의 효율 적 인 레이아웃 을 용이 하 게 한다 . "