즉 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 아이 솔 레이 션 ( Isolation ) 패턴 을 갖 는 반도체 소자 의 경우 게이트 용 폴리 실리콘 막 이 제대로 제거 되 는 것 을 알 수 있 는 데 반해 , 도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 패턴 의 밀집 도 가 높 은 반도체 소자 의 경우 잔존 하 는 이 물질 에 의해 게이트 용 폴리 실리콘 막 이 제대로 식각 되 지 않 는 것 을 알 수 있 다 .