따라서 , 멀티 뱅크 를 가진 반도체 메모리 장치 에서 는 유사 한 구조 를 가진 메모리 셀 블록 들 이 다수 개 존재 함 으로 상기 한 어드레스 디 코딩 과정 에서 현재 읽 고 쓰 는 동작 의 대상 이 되 는 메모리 셀 이 어느 뱅크 에 위치 한 셀 인지 를 선택 하 는 과정 이 함께 이루어져야 한다 . 이러 한 뱅크 를 지정 하 기 위한 소정수 의 어 드레싱 정보 는 뱅크 어드레스 ( bank address ) 라 정의 되 며 , 일반 적 으로 어드레스 핀 의 일부 가 할당 되 어 로우 어드레스 신호 및 컬럼 어드레스 와 함께 메모리 장치 에 입력 되 어 뱅크 와 메모리 셀 을 결정 하 는 역할 을 한다 .