도 3 을 참조 하 면 , 반도체 발광 소자 ( 100 ) 는 도전 성 기판 ( 140 ) 과 , 도전 성 기판 ( 140 ) 상 에 순차 형성 된 p 형 전극 ( 135 ) , p 형 반도체 층 ( 125 ) , 활성 층 ( 120 ) , n 형 반도체 층 ( 115 ) 및 n 형 전극 ( 150 ) 을 포함 한다 . p 형 반도체 층 ( 125 ) , 활성 층 ( 120 ) 및 n 형 반도체 층 ( 115 ) 은 발광 구조물 이 다 . 이 발광 구조물 은 그 측면 이 p 형 전극 ( 135 ) 의 가장자리 로부터 이격 되 도록 p 형 전극 ( 135 ) 상면 의 중앙부 에 형성 될 수 있 다 . 발광 구조물 은 그 측면 이 도전 성 기판 ( 140 ) 에 대하 여 경사지 도록 형성 될 수 도 있 다 . 반도체 발광 소자 ( 100 ) 는 발광 구조물 의 측면 을 덮 도록 패 시베이 션 막 ( 미 도시 ) 을 더 포함 할 수 도 있 다 .