그 외 , 상기 실시 형태 와 관련 되 는 구조 , 방법 등 은 , 본 발명 의 목적 의 범위 를 일탈 하 지 않 는 한 에 있 어서 적절 하 게 변경 하 여 실시 할 수 있 다 . 가공 흔적 형성 단계 ( S 40 ) 에서 는 , 제 1 높이 ( Z 1 ) 로부터 제 2 높이 ( Z 2 ) 까지 대신 하 여 , 제 2 높이 ( Z 2 ) 로부터 제 1 높이 ( Z 1 ) 까지 의 각 높이 에 집광기 ( 54 ) 를 순차 위치 시켜 도 좋 다 .