또한 , 상기 실리콘 기판 ( 61 ) 중 에 는 상기 게이트 전극 ( 63 A ) 각각 의 측벽 절 연막 의 외측 에 p + 형 의 확산 영역 ( 61 e 및 61 f ) 이 형성 되 어 있 고 , 또한 상기 게이트 전극 ( 63 B ) 각각 의 측벽 절 연막 의 외측 에 는 , p + 형 의 확산 영역 ( 61 g 및 61 h ) 이 형성 되 어 있 다 . 단 , 상기 확산 영역 ( 61 f 및 61 g ) 은 동일 한 p + 형 확산 영역 으로 구성 되 어 있 다 .