본 발명 의 다른 실시 예 들 에 따르 면 , 상기 제 1 라디칼 산화 공정 에 있 어서 , 리모트 플 라즈 마 ( remote plasma ) 공정 또는 다이렉트 플라 즈 마 ( direct plasma ) 공정 을 이용 하 여 대 상체 ( 100 ) 상부 에 제 1 산소 라디칼 ( O *) 을 형성 한 후 , 상기 제 1 산소 라디칼 ( O *) 과 대 상체 ( 100 ) 에 포함 된 실리콘 을 반응 시켜 대 상체 ( 100 ) 상 에 제 1 예비 산화 막 ( 105 ) 을 형성 할 수 있 다 .