여기 사용 된 바 와 같이 , 수동 소자 메모리 어레이 는 각각 연관 된 X - 라인 및 연관 된 Y - 라인 사이 에 연결 되 는 복수 의 2 - 단자 메모리 셀 을 포함 한다 . 이러 한 메모리 어레이 는 2 - 차원 ( 평면 ) 어레이 가 되 어도 좋 고 , 메모리 셀 의 하나 이상 의 평면 을 갖 는 3 차원 어레이 가 될 수 있 다 . 각각 의 이러 한 메모리 셀 은 역방향 전류 ( 즉 , 캐소드 에서 애노드 로 ) 가 전 방향 전류 보다 더 낮 은 비 - 선형 전도 성 을 갖 는다 . 프로그래밍 레벨 보다 더 큰 애노드 에서 캐소드 로 의 전압 의 부가 는 메모리 셀 의 전도율 을 변화 시킨다 . 전도율 은 메모리 셀 이 퓨즈 기술 을 통합 하 는 경우 감소 되 거나 메모리 셀 이 안티 퓨즈 기술 을 통합 하 는 경우 증가 할 수 있 다 . 수동 소자 메모리 어레이 는 1 회 프로그램 가능 ( 즉 한 번 기록 ) 메모리 어레이 일 필요 는 없 다 . 메모리 셀 은 적절 한 전기 펄스 의 적용 후 , 전도 율 이 감소 되 거나 증가 하 는 재 프로그램 가능 메모리 물질 을 통합 한다 .