그 후 , 감광 수지 가 도포 되 고 , 공동 ( 18 ) 의 바로 아래 에 있 는 실리콘 기판 ( 10 ) 의 제 2 주면 상 에 만 수지 마스크 패턴 을 남기 도록 패 터닝 된다 ( 단계 S 6 ) . 이어서 , 수지 마스크 패턴 으로 보호 되 지 않 은 실리콘 기판 ( 10 ) 의 제 2 주면 이 에칭 된 다 . 즉 , 접착제 ( 20 ) 의 바로 아래 에 있 는 실리콘 기판 ( 10 ) 의 제 2 주면 이 에칭 된다 ( 단계 S 7 ) . 이러 한 에칭 에 의해 , 접착제 ( 20 ) 의 바로 아래 에 있 는 실리콘 기판 ( 10 ) 의 제 2 주면 이 에칭 되 어 접착제 ( 20 ) 의 바로 아래 에 있 는 실리콘 기판 ( 10 ) 의 두께 가 , 공동 ( 18 ) 의 바로 아래 에 있 는 실리콘 기판 ( 10 ) 의 두께 보다 얇 게 된다 . 에칭 된 영역 은 후속 단계 에서 스루홀 ( through hole ) 이 형성 되 는 영역 을 포함 한다 . 그 후 , 레지스 트 마스크 패턴 이 제거 된다 ( 단계 S 8 ) .