도 23 d 및 도 23 e 를 함께 참조 하 면 , 채널 홀 ( CHH ) 내 의 블로킹 유전 막 ( 225 ) 을 덮 는 예비 전하 저 장막 ( 232 P ) 을 형성 한다 . 예비 전하 저 장막 ( 232 P ) 은 블로킹 유전 막 ( 225 ) 을 덮 으며 제 3 방향 ( Z 방향 ) 을 따라 굴곡 을 가지 며 연장 될 수 있 다 . 예비 전하 저 장막 ( 232 P ) 은 실리콘 질화 막 , 폴리 실리콘 , 또는 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 으로 이루어질 수 있 다 .