이 경우 , 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 도 5 i , 6 i , 7 i 의 181 a ) 제거 를 위한 스트립 ( strip ) 공정 에 의해 상기 기판 ( 110 ) 이 스트립 ( strip ) 액 에 노출 되 게 되 면 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 도 5 i , 6 i , 7 i 의 181 a ) 끝 단부 의 상기 투명 도전 성 물질 층 ( 도 5 i , 6 i , 7 i 의 157 ) 의 끊김 이 발생 한 부분 을 통해 상기 스트립 ( strip ) 액 이 침투 하 여 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 도 5 i , 6 i , 7 i 의 181 a ) 을 녹이 며 기판 ( 110 ) 으로부터 분리 시키 게 되 며 , 동시 에 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 도 5 i , 6 i , 7 i 의 181 a ) 이 기판 ( 110 ) 으로부터 떨어져 나감 에 따라 그 상부 에 형성 된 투명 도전 성 물질 층 ( 도 5 i , 6 i , 7 i 의 157 ) 도 함께 제거 되 게 되 는 것 이 다 . 이러 한 공정 을 리프트 오프 ( lift off ) 공정 이 라 하 며 , 본 발명 에 있 어서 는 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 도 5 i , 6 i , 7 i 의 181 a ) 끝 단부 에 있 어 그 하부 로 언더 컷 ( under cut ) 형태 로 형성 된 보호 층 ( 140 ) 에 의해 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 도 5 i , 6 i , 7 i 의 181 a ) 의 끝 단부 의 밑면 이 노출 되 는 상태 로 형성 되 므로 상기 스트립 ( strip ) 액 이 상기 부분 을 통해 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 도 5 i , 6 i , 7 i 의 181 a ) 과 접촉 하 게 되 는 바 , 상기 리프트 오프 ( lift off ) 공정 이 원활히 진행 될 수 있 다 .