한편 , 반도체 장치 ( 100 ) 내부 또는 외부 에서 발생 된 요인 에 기인 하 여 레 귤 레이터 ( 110 ) 의 입력단 및 출력 단 사이 에 는 역 전압 이 인가 될 수 있 으며 , 이 에 따라 제 2 노드 ( b ) 에서 제 1 노드 ( a ) 로 역전류 가 흐르 는 상황 이 발생 될 수 있 다 . 예컨대 , 내부 회로 ( 120 ) 가 상호 유도 를 발생 할 수 있 는 구성 을 포함 하 는 것 으로 가정 할 때 , 반도체 장치 ( 100 ) 외부 의 장치 ( 예컨대 , 무선 충전 이나 무선 통신 등 을 수행 하 는 장치 ) 와 반도체 장치 ( 100 ) 내부 의 내부 회로 ( 120 ) 사이 에 상호 유도 ( mutual induction ) 가 발생 됨 에 따라 , 상기 상호 유도 에 기인 하 여 제 2 노드 ( b ) 의 전압 레벨 이 상승 할 수 있 다 . 이 때 , 제 2 노드 ( b ) 의 레 귤 레이팅 전압 ( VREG ) 의 레벨 이 소스 전원 ( VBAT ) 의 전압 보다 높 아 짐 에 따라 , 전술 한 역 전압 ( 또는 역전류 ) 현상 이 발생 될 수 있 다 . 상기 역전 압 현상 이 발생 되 는 경우 , 역전류 가 제 1 노드 ( a ) 를 통해 외부 의 장치 로 유입 될 수 있 으며 , 이 때 배터리 등 외부 의 장치 는 역전류 에 의해 그 기능 이 손상 될 수 있 다 .