상기 전극 구 조체 들 ( SS ) 을 관통 하 여 상기 반도체 기판 ( 100 ) 에 연결 되 는 수직 구 조체 들 ( VS ) 이 제공 될 수 있 다 . 상기 수직 구 조체 들 ( VS ) 각각 은 위 로부터 아래 로 갈수록 폭 이 좁 아 지 는 원 기둥 형상 일 수 있 다 . 상기 수직 구 조체 들 ( VS ) 은 상기 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 2 차원 적 으로 배열 될 수 있 다 . 본 명세서 에서 , 2 차원 적 배열 이 란 평면 적 관점 에서 서로 수직 한 제 1 방향 ( D 1 ) 및 제 2 방향 ( D 2 ) 을 따라 각각 복수 개 의 행 및 열 을 구성 하 며 배치 되 는 것 을 지칭 할 수 있 다 . 일 예 로 , 제 1 방향 ( D 1 ) 을 따라 배치 된 복수 의 수직 구 조체 들 ( VS ) 은 하나 의 열 을 구성 할 수 있 으며 , 수직 구 조체 들 ( VS ) 의 복수 의 열 이 하나 의 전극 구 조체 ( SS ) 내 에 배치 될 수 있 다 . 일 예 로 , 도 1 에 도시 된 바 와 같이 9 열 의 수직 구 조체 들 ( VS ) 이 하나 의 전극 구 조체 ( SS ) 내 에 배치 될 수 있 으나 , 이 는 예시 적 인 것 이 며 9 열 보다 작 은 수 의 열 또는 9 열 보다 큰 수 의 열 이 하나 의 전극 구 조체 ( SS ) 내 에 배치 될 수 있 다 . 실시 예 들 에 따르 면 , 홀수 번 째 열 들 을 구성 하 는 수직 구 조체 들 ( VS ) 은 짝수 번 째 열 들 을 구성 하 는 수직 구 조체 들 ( VS ) 과 제 1 방향 ( D 1 ) 으로 오프셋 되 어 배치 될 수 있 다 .