P 램 은 물질 의 상태 가 변하 는 것 을 이용 해 데이터 를 저장 하 는 방식 으로 결정 또는 비결정 상태 에 따라 ` 0 ' 과 ` 1 ' 을 표시 한다 . M 램 은 강자성체 물질 로 만드 는 데 강자성체 는 자기장 을 걸 면 자기장 의 방향 으로 강하 게 자화 되 고 , 자기장 을 제거 해도 자화 가 남 아 있 는 물질 을 이용 하 는 것 으로 N 의 자성 을 가진 것 을 ` 1 ', S 의 자성 을 가진 것 을 ` 0 ' 등 으로 표시 해 데이터 를 저장 한다 . 그리고 F 램 은 강유전체 가 커 패 시 터 재료 로 사용 되 며 , D 램 과 거의 동일 한 구조 ( 1 개 의 트랜지스터 와 1 개 의 커패시터 ) 와 동작 원리 를 갖 고 있 다 . 강유전체 란 자연 상태 에서 분극 ( polarization ) 을 갖 고 있 는 물질 로 전기장 을 가하 지 않 아도 자발 적 으로 분극 이 있 는 물질 을 말 한다 . 한 쪽 면 은 플러스 ( +), 다른 쪽 면 은 마이너스 ( -) 의 고유 성질 을 가진 강유전체 물질 에 전극 을 가하 면 , 양극단 의 플러스 와 마이너스 의 전기 적 성질 과 반대 되 는 마이너스 와 플러스 전극 이 형성 되 고 , 바뀐 성질 은 전극 을 떼 더라도 그대로 유지 된다 . 강유전체 에 전극 을 가하 지 않 았 을 때 를 ` 0 ' 으로 전극 을 가했 을 때 는 ` 1 ' 로 인식 하 는 형태 로 데이터 를 저장 하 게 된다 .