p - 층 ( 24 ) 의 상부 표면 은 층 이 성장 의 마지막 부분 동안 결정 성장 조건 에서 의 적당 한 변경 또는 층 이 증착 된 후 적절 한 에칭 절차 에 의해 거칠 게 된다 . p - 층 을 거칠 게 하 는 방법 은 또한 당해 기술 에 공지 되 어 있 어 , 이하 상세히 설명 되 지 않 을 것 이 다 . 이미 거칠 게 된 층 ( 24 ) 을 가지 는 기판 ( 21 ) 상 의 층 ( 22 - 24 ) 을 구비 한 웨이퍼 는 다양 한 반도체 공장 에 의해 제공 될 수 있 다 .