또한 ， 상기 한 바 와 같이 프로그램 하 지 않 을 메모리 셀 트랜지스터 MT 를 포함 하 는 NAND 셀 의 채널 을 전기 적 으로 플로팅 으로 하 고 , 비 선택 워드 선 에 인가 된 전압 VPASS 와 의 커플링 에 의해 채널 전위 를 상승 시켜서 , 프로그램 을 금지 하 는 방법 이 , 「 셀프 부스트 」 이 다 . 셀프 부스트 가 행해 지 고 있 을 때 의 NAND 셀 의 모습 을 도 7 에 도시 한다 . 도 7 은 , 비 선택 비트 선 에 접속 된 NAND 셀 의 단면도 이 며 , 일례 로서 선택 워드 선 이 워드 선 WL 7 인 경우 에 대하 여 도시 하고 있 다 .