본 발명 의 다른 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 2 산화 공정 은 클린 산화 공정 을 포함 할 수 있 다 . 상기 클린 산화 공정 에 있 어서 , 산소 가스 및 염화수소 가스 를 포함 하 는 제 3 반응 가스 를 약 800 ∼ 1 , 000 ℃ 정도 의 상대 적 으로 높 은 제 3 온도 및 약 0 . 1 ∼ 0 . 5 Torr 정도 의 상대 적 으로 낮 은 제 3 압력 을 갖 는 상기 공정 챔버 내 로 도입 한다 . 상기 산소 가스 와 상기 염화수소 가스 사이 의 유량 비 는 약 9 . 9 : 0 . 1 정도 가 될 수 있 다 . 상기 제 3 반응 가스 는 약 1 . 0 ∼ 3 . 0 중량 % 정도 의 염화수소 가스 를 포함 할 수 있 다 . 상기 제 3 반응 가스 에 포함 된 산소 가스 및 염화수소 가스 가 서로 반응 하 여 클린 산소 가 형성 되 며 , 이 와 같 은 클린 산소 와 제 2 예비 산화 막 ( 260 ) 에 포함 된 실리콘 의 반응 에 따라 제 2 예비 산화 막 ( 260 ) 이 하부 산화 막 ( 268 ) 으로 변화 되 면서 하부 산화 막 ( 268 ) 상 에 예비 상부 산화 막 ( 275 ) 이 형성 된다 .