앞서 언급 한 바 와 같이 , 예비 모델링 값 은 트랜지스터 가 탑 게이트 구조 인 것 을 가정 한 상태 에서 , 도출 되 므로 , 실제 커패시턴스 에 비해 큰 오차 를 갖 는다 . 이 에 , 본 발명 의 실시 예 에 따르 면 , 모델링 할 트랜지스터 와 동일 한 구조 를 갖 는 임의 의 트랜지스터 에 대하 여 , 복수 의 변곡점 에 각각 대응 하 는 커패시턴스 를 실제로 측정 하 여 실측값 을 생성 하 고 , 생성 된 실측값 을 이용 하 여 , 보정 함수 를 생성 한다 . 그리고 , 전압 - 커패시턴스 보정 곡선 과 , 모델링 할 트랜지스터 의 공정 파라미터 를 이용 하 여 , 모델링 할 트랜지스터 에 대하 여 , 복수 의 변곡점 에 각각 대응 하 는 보정 값 ( C _ Cgs ) 을 생성 한다 .