상기 액티브 패턴 들 ( 111 - 126 ) 은 고농 도 불순물 , 예 를 들 어 N 형 불순물 이 도핑 된 활성 영역 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 방향 인 비트 라인 의 길 이 방향 으로 상기 단위 셀 그룹 ( 160 a , 160 b , 160 c ) 중 이웃 하 는 단위 셀 그룹 내 의 액티브 패턴 ( 126 , 121 ) 은 제 1 소자 분리 막 ( 106 ) 에 의해 분리 된다 . 각 단위 셀 그룹 ( 160 a , 160 b , 160 c ) 내 의 액티브 패턴 들 ( 111 - 126 ) 은 제 2 소자 분리 막 ( 107 ) 에 의해 서로 분리 배열 된다 . 상기 제 1 소자 분리 막 ( 106 ) 과 상기 제 2 소자 분리 막 ( 107 ) 은 트렌치 형 아이 솔 레 이 션 구조 를 가지 나 , LOCOS 형태 의 아이 솔 레 이 션 구조 등 을 가질 수 있 다 . 상기 제 1 소자 분리 막 ( 106 ) 은 상기 제 2 소자 분리 막 ( 107 ) 보다 큰 크기 를 갖 는다 .