도 11 내지 도 19 는 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 을 설명 하 기 위한 공정 단면도 들 이 다 . 도 11 내지 도 19 에 있 어서 , 자기 정렬 된 ( self aligned : SA ) 구조 를 갖 는 NAND 형 플래시 메모리 소자 와 같 은 불휘발성 메모리 소자 를 예시 적 으로 설명 하 지만 본 발명 의 특징 들 및 이 점 들 은 플래너 타입 ( planar type ) 또는 STI ( shallow trench isolation ) 와 자기 정렬 된 구조 등 의 여타 의 불휘발성 메모리 소자 에 도 적용 가능 함 을 이해 할 수 있 을 것 이 다 .