반도체 기판 은 산화 규소 , 질화규소 또는 이 들 의 조합 을 함유 하 는 적어도 하나 의 표면 을 추가 로 포함 하 며 ; 폴리 싱 조성물 은 0 . 1 ppm 내지 0 . 5 중량 % 의 , 유기 카복실산 및 이 들 의 염 , 아미노산 및 이 들 의 염 , 아미도 카복실산 및 이 들 의 염 , N - 아실 아미노산 및 이 들 의 염 , 유기 설폰산 및 이 들 의 염 ; 유기 포스폰산 및 이 들 의 염 ; 폴리머 카복실산 및 이 들 의 염 ; 폴리머 설폰산 및 이 들 의 염 ; 폴리머 포스폰산 및 이 들 의 염 ; 아릴 아민 , 아미노 알코올 , 지방족 아민 , 헤테로 시 클릭 아민 , 하이드 록 삼산 , 치환 된 페놀 , 설폰 아미드 , 티 올 , 하이드 록 실 기 를 갖 는 폴리 올 , 및 이 들 의 조합 ; 또는 ( i ) 및 ( ii ) 의 조합 으로 이루어진 군 으로부터 선택 된 작용기 를 갖 는 첨가제 를 추가 로 포함 한다 .