또한 , 도 7 에 나타내 는 바 와 같이 , 상단 , 하단 모두 유지 부 ( 7 ) 에 유지 되 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 중앙부 에 대향 하 는 영역 보다 주연 부 에 대향 하 는 영역 에 있 어서 의 할로겐 램프 ( HL ) 의 배치 밀도 가 높 아 져 있 다 . 즉 , 상하 단 모두 , 램프 배열 의 중앙부 보다 주연 부가 할로겐 램프 ( HL ) 의 배치 피치 가 짧 다 . 이 때문 에 , 할로겐 가 열부 ( 4 ) 로부터 의 광 조사 에 의한 가열 시 에 온도 저하 가 발생 하 기 쉬운 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 주연 부 에 의해 많 은 광량 의 조사 를 행할 수 있 다 .