또한 , 상기 실리콘 질화 막 선택 적 식각 액 중 , 상기 화학식 1 로 표시 되 는 규소 계 화합물 의 함량 이 3 중량 % 를 초과 할 경우 , 무기산 및 물 의 비율 이 상대 적 으로 낮 아 져서 실리콘 질화 막 식각 능력 이 감소 될 수 있 고 , 산화 막 의 식각 속도 가 적정 수치 미만 으로 감소 하 며 산화 막 의 식각 이 아닌 증착 현상 이 발생 함 에 따라 실리콘 산화 막 부분 에 이상 성장 이 발생 할 수 있 다 .