이 를 도시 한 도 3 을 참조 하 면 , 실리콘 층 인 P 0 확산 층 ( 19 ) 과 산화 막 계 인 층간 절 연막 ( 21 ) 의 경계 면 에서 는 실리콘 ( Si ) 하나 에 산소 ( O ) 두 개 가 붙 어 있 어야 ( O - Si - O ) 안정 적 인 상태 를 유지 할 수 있 는데 , 여러 번 의 식각 공정 으로 P 0 확산 층 ( 19 ) 표면 의 결합 이 손상 되 어 ( - Si - O ) 나 ( - Si -) 의 댕 글 링 본드 ( DB ) 가 발생 된다 .