이 와 같이 , 반도체 장치 ( 6 c ) 에서 는 , 제 1 도전 층 ( N 형 층 ( 4 ) ) 의 표면 에 는 광 의 투과도 가 광 의 파장 에 따라 달라지 는 필터 층 ( 폴리 실리콘 층 ( 61 ) ) 이 형성 되 고 , 제 2 도전 층 ( N 형 층 ( 7 ) ) 의 표면 에 는 , 당해 필터 층 과 상이 한 의존 성 을 갖 는 필터 층 ( 폴리 실리콘 층 ( 62 ) ) 이 형성 되 어 있 다 .