도 11 의 단면도 ( 1100 ) 에 의해 예시 된 바 와 같이 , 제 어 게이트 스 페이서 층 ( 902 ) 이 도 10 의 단면도 ( 1000 ) 에 의해 예시 된 구조물 을 덮 고 라이닝 하 며 형성 될 수 있 다 . 제 어 게이트 스 페이서 층 ( 902 ) 은 제어 게이트 전극 ( 138 ) 및 더미 게이트 스택 ( 166 ) 위 에 컨 포 멀 하 게 형성 될 수 있 다 . 제 어 게이트 스 페이서 층 ( 902 ) 은 임의 의 적합 한 조성 을 가질 수 있 다 . 제 어 게이트 스 페이서 층 ( 902 ) 은 산화물 , 질화물 , 또 다른 적합 한 유전체 ( 들 ) , 전술 한 바 의 임의 의 조합 등 으로 이루어질 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 제 어 게이트 스 페이서 층 ( 902 ) 은 ONO 막 , 예 를 들 어 하부 산화물 층 ( 902 l ) , 중간 질화물 층 ( 902 m ) , 및 상부 산화물 층 ( 902 u ) 이 거나 이 를 포함 한다 . 제 어 게이트 스 페이서 층 ( 902 ) 은 , CVD , PVD , 또는 또 다른 적합 한 퇴적 프로세스 ( 들 ) 에 의해 형성 될 수 있 다 .