비 아홀 ( V ) 은 레이저 드릴 , deep RIE ( Reactive Ion Etching ) 등 의 방법 을 사용 하 여 형성 할 수 있 으며 비 아홀 형성 방법 에 제한 이 있 는 것 은 아니 다 . 비 아홀 ( V ) 의 크기 ( 직경 ) 는 반도체 칩 의 칩 단자 ( 202 ) 크기 ( 직경 ) 의 0 . 2 내지 1 . 5 배 가 바람직 하 며 , 도 2 a 에 는 수직 형 비 아홀 을 도시 하 였으나 테이퍼 형 ( tapered ) 비 아홀 도 가능 함 은 물론 이 다 . 또한 비 아홀 ( V ) 형성 공정 후 , 비 아홀 ( V ) 형성 시 발생 한 잔사 제거 내지 이후 의 도금 공정 이 용이 하 도록 화학 적 처리 또는 물리 적 처리 를 통해 도금 밀착 성 을 향상 시킬 수 있 다 .