반도체 장치 는 , 제 1 도 전형 을 가지 는 제 1 반도체 층 ( 1 ) , 제 1 및 제 2 칼럼 층 ( 11 a ~ 18 a , 11 b ~ 18 b ) 을 가지 는 PN 칼럼 층 ( 11 ~ 18 ) 및 제 2 반도체 층 ( 3 ) 을 포함 한다 . 제 1 및 제 2 칼럼 층 의 각각 은 수평 방향 으로 교대 로 배열 된 제 1 및 제 2 칼럼 ( 21 n , 21 p ) 을 포함 한다 . 제 1 및 제 2 칼럼 층 은 제 1 칼럼 에서 의 불순물 양 으로부터 제 2 칼럼 에서 의 불순물 양 을 공제 함 으로써 소정 의 깊이 에서 정의 된 제 1 및 제 2 불순물 양 의 차이 를 각각 가진다 . 제 1 불순물 양 의 차이 는 일정 하 고 양 ( positive ) 이 다 . 제 2 불순물 양 의 차이 는 일정 하 고 음 ( negative ) 이 다 .