보다 구체 적 으로 설명 하 면 , 상기 제 1 기판 에 는 화소 영역 을 정의 하 기 위하 여 일정 한 간격 을 갖 고 일 방향 으로 복수 개 의 게이트 라인 과 , 상기 게이트 라인 에 수직 한 방향 으로 일정 한 간격 을 갖 고 복수 개 의 데이터 라인 이 배열 된다 . 그리고 , 상기 각 화소 영역 에 는 화소 전극 이 형성 되 고 , 상기 각 게이트 라인 과 데이터 라인 이 교차 하 는 부분 에 박막 트랜지스터 가 형성 되 어 상기 게이트 라인 에 인가 되 는 신호 에 따라 상기 데이터 라인 의 데이터 신호 를 상기 각 화소 전극 에 인가 한다 .