한편 , 도면 에 도시 하 지 않 았 지만 , 상기 제 1 및 제 2 채널 불순물 영역 들 ( 112 , 113 ) 을 형성 하 는 이온 주입 공정 동안 에 , 저 전력 트랜지스터 영역 에 채널 불순물 이온 들 을 주입 할 수 있 다 . 상기 저 전력 트랜지스터 영역 에 채널 불순물 이온 들 을 주입 하 는 이온 주입 공정 은 상기 제 1 및 제 2 채널 불순물 영역 들 ( 112 , 113 ) 을 형성 하 기 전 , 또는 형성 한 후 에 진행 할 수 있 다 .