다른 실시 예 에서 , 도 6 및 도 7 의 실시 예 에서 와 같이 스위칭 트랜지스터 ( Ts ') 가 단일 의 트랜지스터 로 구성 될 경우 , 상기 제 1 영역 및 제 2 영역 에 대응 하 는 비정질 영역 은 각각 스위칭 트랜지스터 ( Ts ') 의 제 2 광폭 밴드 - 갭 영역 ( 120 c 2 ') 및 제 1 광폭 밴드 - 갭 영역 ( 120 c 1 ) 을 구성 할 수 있 다 . 그리고 , 상기 제 1 및 제 2 광폭 밴드 - 갭 영역 들 ( 120 c 1 , 120 c 2 ') 사이 의 결정질 영역 은 스위칭 트랜지스터 ( Ts ') 의 제 1 채널 영역 ( 120 a 1 ) 을 구성 하 고 , 상기 제 1 및 제 2 광폭 밴드 - 갭 영역 들 ( 120 c 1 , 120 c 2 ') 각각 의 일 측 에 위치 한 나머지 결정질 영역 은 추후 의 도핑 공정 을 거친 이후 상기 스위칭 트랜지스터 ( Ts ') 의 제 1 및 제 2 전도성 영역 들 ( 120 a 1 , 120 b 2 ) 을 구성 할 수 있 다 .