커버 층 ( 65 ) 은 전극 ( 46 ) 위 에 배치 되 어 화소 영역 에 걸쳐서 실질 적 으로 연장 한다 . 커버 층 은 바람직 하 게 는 , 200 nm 와 1000 nm 사이 의 두께 이 고 예컨대 AF 1600 으로 제조 되 는 소수성 층 이 다 . 이것 은 또한 , 예컨대 전극 ( 46 ) 상 에서 100 nm 와 150 nm 사이 의 두께 를 갖 는 SiNx 또는 SiOx 보호 층 과 , 보호 층 상 에서 200 nm 와 1000 nm 인 소수성 층 과 같이 두 개 이상 의 층 을 포함 할 수 있 다 . 커버 층 은 공간 ( 10 ) 에 이웃 한 표면 ( 68 ) 을 갖 는다 .