본 발명 의 실시 예 3 은 순차 적 인 기입 동작 이 워드 라인 ( WL 0 ) 또는 워드 라인 ( WL 31 ) 부터 시작 되 는 모든 경우 에 대응 할 수 있 는 메모리 셀 어레이 구조 를 제안 한다 . 즉 , 실시 예 1 과 실시 예 2 를 결합 한 실시 예 로서 , 실시 예 1 과 같이 워드 라인 ( WL 31 ) 부터 순차 적 인 기입 동작 이 수행 되 는 경우 워드 라인 ( WL 0 ) 과 연결 된 메모리 셀 의 문턱 전압 을 다른 워드 라인 ( WL 1 ~ WL 30 ) 과 각각 연결 된 메모리 셀 그룹 의 문턱 전압 과 동일 수준 으로 낮추 고 , 실시 예 2 와 같이 워드 라인 ( WL 0 ) 부터 순차 적 인 기입 동작 이 수행 되 는 경우 워드 라인 ( WL 31 ) 과 연결 된 메모리 셀 의 문턱 전압 을 다른 워드 라인 ( WL 1 ~ WL 30 ) 과 각각 연결 된 메모리 셀 그룹 의 문턱 전압 과 동일 수준 으로 낮추 기 위한 구조 를 제안 한다 .