상기 웨이퍼 본드 ( 175 ) 는 , 앞서 설명 한 제 1 실시 예 와 같이 , Au / Sn , Au / In , Cu / Sn 중 어느 하나 의 재질 로 형성 된 금속 컴 파운드 ( metal compound ) 를 이용 하 는 유 텍 틱 본드 ( eutectic bond ) 를 이용 할 수 도 있 고 , 고분자 접착 ( polymer adhesion ) 으로 결합 하 는 것 도 가능 하 다 . 바람직 하 게 는 도시 된 바 와 같이 , 패키지 웨이퍼 ( 170 ) 에 형성 된 전극 이 각각 제 1 및 제 2 금속 층 ( 183 ) ( 185 ) 과 통전 가능 하 게 연결 되 는 것 이 좋 은데 , 이 는 제 1 실시 예 와 동일 하 다 .