도 6 c 에 도시 하 는 반도체 장치 에 있 어서 도 , 도 1 내지 도 4 에 도시 하 는 바 와 같이 , 기록 전위 가 순차 적 으로 다른 전위 로 변경 되 어 , 기록 , 판독 , 검증 이 이루어지 고 , 복수 의 메모리 셀 의 기록 전위 가 결정 된다 . 이것 에 의해 , 기록 후 의 반도체 장치 의 메모리 셀 의 임계 값 전압 의 변동 ( 분포 폭 ) 을 작 게 하 여 , 동작 전압 을 저감 하 거나 , 또는 기억 용량 을 증대 시키 거나 , 또는 기록 , 유지 , 판독 등 의 동작 을 확실 하 게 행할 수 있 는 반도체 장치 및 그 구동 방법 을 제공 할 수 있 다 .