도 5 는 본 발명 의 광학 부재 에 대한 각 파장 대별 투과율 을 보인 그래프 이 다 . 표 2 의 결과 와 도 5 의 그래프 로부터 370 nm 이하 의 자외선 의 투과 율 이 거의 0 % 로 자외선 차폐 효과 가 대단히 우수 한 것 을 알 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 의 광학 부재 는 370 nm 이하 의 자외선 에 대해 98 ~ 100 % 의 높 은 차단성 과 더불 어 GaN 분말 층 의 높 은 열전 도성 에 의한 방열 효과 를 동시 에 만족 하 는 제품 을 제공 할 수 있 음 을 알 수 있 다 .