또한 , 게이트 ( 150 ) 형성 영역 의 소자 분리 막 ( 130 ) 이 소정 부분 식각 되 어 핀 셀 형성 용 트렌치 ( 125 a ) 가 구비 되 며 , 이 는 도 6 의 ( ii ) 에서 확인 할 수 있 다 . 게이트 ( 150 ) 가 지나가 는 방향 ( 장축 방향 ) 에 대하 여 핀 모양 으로 활성 영역 이 돌출 되 어 게이트 채널 면적 을 효율 적 으로 증가 시킬 수 있 다 .