상기 도전 층 은 , 스퍼터링 법 을 비롯 한 PVD 법 이나 , 플라 즈 마 CVD 법 등 의 CVD 법 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 또 , 도전 층 의 재료 로서 는 , 알루미늄 , 크롬 , 구리 , 탄탈 , 티탄 , 몰리브덴 , 텅스텐 으로부터 선택 된 원소 나 , 상기 한 원소 를 성분 으로 하 는 합금 등 을 이용 할 수 있 다 . 망간 , 마그네슘 , 지르코늄 , 베릴륨 , 토륨 중 어느 하나 또는 복수 로부터 선택 된 재료 를 이용 해도 좋 다 . 또 , 알루미늄 에 , 티탄 , 탄탈 , 텅스텐 , 몰리브덴 , 크롬 , 네오디뮴 , 스칸듐 으로부터 선택 된 원소 를 단수 , 또는 복수 조합 시킨 재료 를 이용 해도 좋 다 . 도전 층 은 , 단층 구조 여도 좋 고 , 2 층 이상 의 적층 구조 로 해도 좋 다 . 예 를 들 어 , 실리콘 을 포함 하 는 알루미늄 막 의 단층 구조 , 알루미늄 막 위 에 티 탄막 이 적층 된 2 층 구조 , 티 탄막 과 , 알루미늄 막 과 , 티 탄막 이 적층 된 3 층 구조 등 이 있 다 .