게이트 절연 층 ( 150 ) 이 형성 된 후 에 는 , 그 상부 에 게이트 전극 ( 160 ) 이 형성 된다 . 게이트 전극 ( 160 ) 으로 는 MoW , Al , Cr , Al / Cr 등 과 같 은 도전 성 금속 이나 , 도전 성 폴리 아닐린 ( polyaniline ) , 도전 성 폴리 피롤 ( poly pirrole ) , 도전 성 폴리 티오펜 ( polythiopjene ) , 폴리에틸렌 디 옥시 티오펜 ( polyethylene dioxythiophene : PEDOT ) 과 폴리스티렌 술폰산 ( PSS ) 등 다양 한 도전 성 폴리머 가 사용 될 수 도 있 는데 , 기판 ( 110 ) 과 의 밀착 성 , 게이트 전극 ( 160 ) 상부 에 형성 되 는 박막 들 의 평탄 성 , 패턴 화 를 위한 가공 성 , 및 후속 공정 시 사용 되 는 화학 물질 에 대한 내성 등 을 고려 하 여 적절 한 물질 이 선택 되 어야 한다 .