또 , 특허 문헌 3 에 있 어서 는 「 금속 분말 을 반응 용기 내 에서 가연 성 가스 와 조연성 가스 로 이루어지 는 고온 화염 중 에 공급 하 고 , 그 화염 중 에서 그 금속 분말 을 산화 시킴 으로써 , 금속 산화물 분말 을 합성 하 는 금속 산화물 분말 의 제조 방법 」 에 대해 , 가연 성 가스 의 연소 에 수반 하 여 발생 하 는 수증 기량 을 적당히 제어 함 으로써 우수 한 금속 산화물 이 얻 어 지 는 것 을 요지 로 하 는 발명 이 다 ( 특허 문헌 3 의 0034 단락 ) . 여기 서 특허 문헌 3 에 있 어서 문제 가 되 는 수증기 는 외부 로부터 는 공급 되 지 않 기 때문 에 , 주로 반응 성 가스 ( 예 를 들 어 프로판 ) 의 연소 에 의해 발생 하 는 이론 수증 기량 으로서 계산 된다 ( 특허 문헌 3 의 0035 단락 ) . 특허 문헌 3 에 개시 된 발명 은 , 「 반도체 봉지 재료 의 유동 성 과 성형 성 개선 효과 가 우수 하 고 , 기계 적 강도 및 땜납 내열 성 을 높일 수 있 는 금속 산화물 분말 과 그 제조 방법 」 을 제공 하 는 것 을 목적 으로 하 는 발명 이 다 .