도 3 h 를 참조 하 면 , 상기 하드 마스크 막 ( 314 ) , 금속 막 ( 312 ) , 제 2 확산 방지 막 ( 310 ) , 씨드 막 ( 308 ) , 제 1 확산 방지 막 ( 306 ) , 도핑 된 폴리 실리콘 막 ( 304 ) 및 게이트 절 연막 ( 302 ) 을 차례 로 식각 하 여 반도체 기판 ( 300 ) 상 에 게이트 ( 316 ) 를 형성 한다 .