도 36 의 단면도 ( 3600 ) 에 의해 예시 된 바 와 같이 , 그 다음 , 선택 게이트 전극 ( 150 ) , 로직 디바이스 ( 110 a , 110 b ) , 및 더미 선택 게이트 전극 ( 162 ) 의 외측 측벽 을 따라 로직 측벽 스 페이서 ( 320 ) 가 형성 될 수 있 다 . 로직 측벽 스 페이서 ( 320 ) 는 산화물 , 질화물 , 또 다른 적합 한 유전체 ( 들 ) , 전술 한 바 의 임의 의 조합 등 일 수 있 다 . 로직 측벽 스 페이서 ( 320 ) 는 , 스 페이서 재료 를 퇴적 한 다음 가장 얇 은 곳 으로부터 스 페이서 재료 를 제거 할 에칭 에 의해 형성 될 수 있 다 . 스 페이서 재료 는 CVD , PVD , 또 다른 적합 한 퇴적 프로세스 ( 들 ) , 전술 한 바 의 임의 의 조합 등 에 의해 컨 포 멀 하 게 퇴적 될 수 있 다 . 스 페이서 재료 는 임의 의 적합 한 에칭 프로세스 에 의해 로직 측벽 스 페이서 ( 320 ) 를 형성 하 도록 에칭 될 수 있 다 .