먼저 , 소다 유리 에 후방 전극 으로 Mo 금속 소재 가 증착 된 기판 상 에 320 ℃ 에서 [ Me 2 In ( μ - SeMe ) ] 2 단일 전구체 를 이용 하 여 저압 MOCVD 법 으로 InSe 박막 을 형성 시킨 후 , 형성 된 InSe 박막 상 에 150 ℃ 에서 ( hfac ) Cu ( DMB ) Cu 1 가 전구체 를 이용 한 저압 MOCVD 법 으로 Cu 를 증착 하 여 Cu , In , Se 로 구성 된 화합물 박막 을 형성 한 다음 , 450 ℃ H 2 Se 가스 분위기 에서 열처리 하 여 CuInSe 2 화합물 박막 을 형성 하 였 다 .