이러 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에서 CMOS 이미지 센서 의 제조 방법 은 반도체 기판 상 에 포토 다이오드 와 산화 막 및 질화 막 과 평탄 화 층 을 순차 적 으로 형성 하 는 과정 과 , 평탄 화 층 상부 에 단위 화소 컬러 필터 어레이 를 형성 하 는 과정 과 , 형성 된 어레이 상 에 패 시베이 션 ( Passivation ) 을 형성 하 는 과정 과 , 형성 된 패 시베이 션 상부 에 마이크 로 렌즈 의 영역 을 PR 로 패턴 및 코팅 하 는 과정 과 , PR 패턴 을 마스크 로 패 시베이 션 을 식각 하 여 렌즈 갭 영역 을 형성 하 는 과정 과 , 렌즈 갭 영역 의 패 시베이 션 상 에 마이크 로 렌즈 PR 을 패턴 하 고 , 리플 로우 ( Reflow ) 시켜 마이크 로 렌즈 를 형성 시킴 과 동시 에 오목 렌즈 를 형성 하 는 과정 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .