또한 , 트랜지스터 에 LDD ( Lightly Doped Drain ) 영역 을 마련 하 는 것 은 핫 캐리어 효과 를 억제 하 는 유효 한 방법 중 하나 이 다 . 그러나 , LDD 영역 과 같이 트랜지스터 의 구조 자체 를 개량 하 면 , 제조 행정 이 복잡 해 지 는 데 다가 , 트랜지스터 의 특성 편차 를 유인 한다 . 이 때문 에 , 트랜지스터 의 구조 를 개량 함 으로써 , 핫 캐리어 효과 에 의한 스 레시 홀드 전압 의 변동 을 억제 하 는 데 는 한계 가 있 었 다 .