메모리 장치 는 비트 라인 과 워드 라인 사이 에 결합 된 다이오드 및 저항률 전환 소자 메모리 셀 들 , 비트 라인 디코더 ( 120 ) 제 어 리드 ( 322 ) 에 결합 된 게이트 들 , 비트 라인 드라이버 ( 304 ) 에 결합 된 소스 들 / 드레 인들 , 및 비트 라인 들 에 결합 된 드레 인들 / 소스 들 을 가진 단일 장치 비트 라인 드라이버 들 ( 163 ) , 워드 라인 디코더 제어 리드 에 결합 된 게이트 들 , 워 드라인 드라이버 출력 에 결합 된 소스 들 / 드레 인들 , 및 워드 라인 들 에 결합 된 드레 인들 / 소스 들 을 가진 단일 장치 워드 라인 드라이버 들 , 비트 라인 과 제 1 블 리더 다이오드 제어기 ( 314 ) 사이 에 결합 된 제 1 블 리더 다이오드 ( 300 ) , 및 워드 라인 과 제 2 블 리더 다이오드 제어기 사이 에 결합 된 제 2 블 리더 다이오드 를 포함 한다 . 제 1 블 리더 다이오드 제어기 ( 314 ) 는 비트 라인 디코더 신호 에 응하 여 제 1 블 리더 다이오드 ( 300 ) 를 저 전압 ( 305 ) 에 연결 한다 . 제 2 블 리더 다이오드 제어기 는 워드 라인 디코더 신호 에 응하 여 제 2 블 리더 다이오드 를 고 전압 에 연결 한다 .