보호막 ( 50 ) 상 에 스퍼터링 등 의 증착 방법 으로 투명 전극 물질 이 전면 증착 된다 . 이어서 마스크 를 이용 한 포 토리 쏘 그래피 공정 과 식각 공정 을 통해 투명 전극 물질 이 패 텅 님 됨 으로써 공통 전극 ( 118 ) , 게이트 패드 상부 전극 ( 132 ) , 데이터 패드 상부 전극 ( 140 ) 을 포함 하 는 투명 전극 패턴 들 이 형성 된다 . 공통 전극 ( 118 ) 에 는 화소 전극 ( 116 ) 과 중첩 되 는 영역 에서 다수 의 슬릿 ( S ) 들 이 형성 되 어 있 다 . 이 와 동시 에 , 투 명 전극 물질 이 박막 트랜지스터 ( 106 ) 와 중첩 되 는 영역 에서 제거 되 도록 형성 됨 에 따라 박막 트랜지스터 ( 106 ) 위 에 는 공통 전극 ( 118 ) 이 위치 하 지 않 는 영역 ( P 1 ) 이 존재 하 게 된다 .