구체 적 으로 , 도 3 a 내지 도 3 d 는 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 상변환 기억 소자 의 제조 방법 을 설명 하 기 위한 공정 별 단면도 로서 , 이 를 설명 하 면 다음 과 같 다 . 여기 서 , 도면 및 설명 은 이전 실시 예 와 상이 한 부분 에 대해서 만 하 도록 하 며 , 도 2 a 내지 도 2 f 와 동일 한 부분 은 동일 한 도면 부호 로 나타낸다 .