상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 113 ) 은 , 예 로서 2 족 - 6 족 화합물 반도체 또는 3 족 - 5 족 화합물 반도체 로 제공 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 113 ) 은 InxAlyGa 1 - x - yN ( 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 , 0 ≤ x + y ≤ 1 ) 의 조성식 을 갖 는 반도체 재료 또는 ( AlxGa 1 - x ) yIn 1 - yP ( 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 ) 의 조성식 을 갖 는 반도체 재료 로 제공 될 수 있 다 . 예 를 들 어 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 113 ) 은 GaN , AlN , AlGaN , InGaN , InN , InAlGaN , AlInN , AlGaAs , GaP , GaAs , GaAsP , AlGaInP , AlInP , GaInP 등 을 포함 하 는 그룹 중 에서 선택 될 수 있 으며 , Mg , Zn , Ca , Sr , Ba 등 을 포함 하 는 그룹 중 에서 선택 된 p 형 도 펀트 가 도핑 될 수 있 다 .