따라서 , 전형 적 인 배 열 체 에서 , 어떤 수 의 정렬 마크 가 ( 패턴 이 패 터닝 디바이스 로부터 전사 되 는 기판 에 걸쳐 펼쳐진 복수 의 다이 / 필드 를 전형 적 으로 갖 는 ) 기판 에 걸쳐 측정 되 어 그 기판 상 의 자리 ( positions ) 의 위치 의 기판 에 걸친 상당히 양호 한 공간 적용 범위 ( coverage ) 를 제공 한다 . 예 시 적 인 방식 ( scheme ) 에서 , 기판 정렬 계측 시퀀스 는 기판 에 걸쳐 20 내지 100 개 의 정렬 마크 ( 위치 ) 를 측정 할 수 있 다 . 이 측정 의 결과 는 기판 당 상대 적 으로 낮 은 공간 주파수 로 기판 에 걸쳐 전반 적 인 핑거 프린트 를 캡 처한다 . 측정 결과 는 정렬 수학 적 모델 과 함께 사용 된다 . 모델 의 목적 은 , 예 를 들 어 디바이스 제조 공정 에서 장치 에 의한 적절 한 보정 이 모델 의 출력 에 기초 하 여 이루어질 수 있 도록 이상 적 인 그리드 와 비교 하 여 디바이스 패턴 피처 의 전사 된 위치 들 간 의 편차 를 나타내 는 것 이 다 . 인식 될 바 와 같이 , 20 내지 100 개 보다 많 은 정렬 마크 가 기판 에 걸쳐 제공 될 수 있 지만 , 예 를 들 어 , 처리 량 제약 으로 인해 20 내지 100 개 ( 예 를 들 어 , 20 내지 40 개 ) 의 정렬 마크 만 이 샘플링 된다 . 또한 , 이 샘플링 된 정렬 마크 의 전부 또는 대부분 은 디바이스 패턴 을 위해 사용 할 수 없 는 영역 , 예 를 들 어 스 크 라 이브 레인 에 제공 될 수 있 다 .