이상 , 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 다결정 박막 을 보텀 게이트 TFT 에 적용 할 때 에 는 , 게이트 절 연막 위 에 성장 시키 지만 , 이 부분 을 랜덤 배향 으로 되 도록 제어 함 으로써 TFT 채널 부 의 결정 화 율 을 향상 시키 는 것 이 가능 하 게 되 어 , 이동도 를 향상 시키 는 것 이 가능 하 게 된다 . 또한 , 막 표면 측 을 , 우선 배향 을 나타내 는 구조 로 함 으로써 , 막 을 치밀 화 할 수 있 어 오프 전류 의 저감 이 가능 하 게 된다 . 또한 , 백 채널 에치 구조 에서 , 컨 택트 층 을 에칭 할 때 , 막 표면 측 을 , 우선 배향 을 나타내 는 반도체 층 을 적용 함 으로써 , 이 층 의 에칭 레이트 를 내릴 수 있 어 , 컨 택트 층 과 의 선택 비 를 향상 시킬 수 있 다 . 이 때문 에 , 반도체 층 의 두께 를 얇 게 하 는 것 이 가능 하 게 된다 . 또한 , 컨 택트 층 의 에칭 레이트 를 올릴 수 도 있 다 . 이 에 의해 , 생산 성 을 향상 시킬 수 있 다 . 또한 ， TFT 소자 의 기생 저항 을 내릴 수 있 기 때문 에 , 온 전류 를 증대 시킬 수 있 다 . 또한 , 반도체 층 의 체적 이 감소 하 기 때문 에 열 여기 되 는 전하 를 감소 시킬 수 있 어 , 오프 전류 도 내릴 수 있 다 .