도 3 e 를 참조 하 면 , 상기 벌브 형 리세 스 게이트 영역 ( 316 ) 이 매립 되 도록 게이트 절 연막 ( 318 ) 상 에 폴리 실리콘 막 ( 320 ) , 금속 계 막 ( 322 ) 및 하드 마스크 막 ( 324 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 그런 다음 , 상기 하드 마스크 막 ( 324 ) 상 에 게이트 형성 영역 을 노출 시키 는 마스크 패턴 ( 미 도시 ) 을 형성 하 고 상기 하드 마스크 막 ( 324 ) , 금속 계 막 ( 322 ) , 폴리 실리콘 막 ( 320 ) 및 게이트 절 연막 ( 318 ) 을 식각 한 후 , 상기 마스크 패턴 을 제거 하 여 벌브 형 리세 스 게이트 영역 ( 316 ) 을 포함 하 는 게이트 ( 326 ) 를 형성 한다 .