그러나 , 도 15 a 의 PV 적층 체 는 전술 한 IMOD 설계 의 간섭 원리 를 적용 함 으로써 최적 화 될 수 있 다 . 몇몇 실시 형태 에 있 어서 , p , i 및 n 층 에 대한 굴절 률 n 및 소광 계수 k 의 값 은 서로 실질 적 으로 유사 할 수 있 고 , p , i 및 n 층 은 최적 화 과정 에서 3 개 의 별개 의 층 의 조합 된 두께 를 지니 는 단일 층 으로서 간주 될 수 있 다 . 일 실시 형태 에 있 어서 , 최적 화 는 활성 층 ( 1504 ) 의 두께 를 일정 하 게 유지 하 는 한편 , 제 1 ITO 층 ( 1502 ) 및 제 2 ITO 층 ( 1506 ) 의 두께 를 변화 시킴 으로써 수행 될 수 있 다 . 도 16 a 는 활성 혹은 흡 수체 층 에 흡수 된 적분 된 에너지 대 제 1 ITO 층 ( 1502 ) 및 제 2 ITO 층 ( 1506 ) 의 두께 의 등고 선도 ( 1600 ) 를 나타내 고 있 다 . 도 16 a 의 각 점 은 , 제 1 ITO 층 ( 1502 ) 의 두께 및 제 2 ITO 층 ( 1506 ) 의 두께 가 대응 하 는 x ( 수평 ) 축 및 y ( 수직 ) 축 에 의해 부여 될 경우 활성 층 의 적분 된 흡수 ( 파장 에 대해서 적분 된 흡수 ) 이 다 . 음영 이 밝 을수록 , 활성 층 의 총 흡수 는 커진다 . 등고 선도 ( 1600 ) 에 있 어서 , 최대 흡수 ( 1610 ) 는 , 제 1 ITO 층 ( 1502 ) 및 제 2 ITO 층 ( 1506 ) 의 두께 가 각각 대략 54 ㎚ 및 91 ㎚ 인 경우 달성 된다 . 이 와 같이 해서 , 증가 된 혹은 최적 흡수 효율 은 , 제 1 ITO 층 ( 1502 ) 의 두께 가 900 ㎚ 에서 54 ㎚ 까지 상당히 저감 될 경우 일어난다 . 도 16 a 의 도표 는 , 종래 의 신념 과 반 대로 , 활성 층 의 흡수 가 ITO 층 의 두께 의 증가 와 직선 적 으로 증가 하 지 않 는 것 을 나타내 고 있 다 . 대신 에 , 흡수 는 두께 에 대해 비 선형 적 으로 변화 하 고 , 활성 층 의 흡수 를 최대 화 하 는 ITO 두께 에 대한 최적 두께 가 있 을 수 있 다 . 활성 층 ( 1504 ) 의 흡수 의 증가 는 제 1 ITO 층 에 흡수 된 방사선량 의 상당 한 저감 에 크 게 기인 한다 . 이 와 같이 해서 , 등고 선도 ( 1600 ) 는 특정 활성 층 ( 1504 ) 의 흡수 효율 을 증가 시키 기 위하 여 적층 체 내 의 전극 층 의 바람직 한 혹은 최적 두께 를 결정 하 는 데 이용 될 수 있 다 .