본 실시 형태 는 단차 를 가지 고 배치 된 본딩 스테이지 ( 13 ) 의 코너 부 의 표면 에 반도체 다이 ( 21 ) 를 위치 수정 한 후 , 위치 수정 클릭 ( 25 ) 의 위치 수정 면 ( 27 a , 27 b ) 이 본딩 툴 ( 60 ) 과 간섭 하 지 않 는 퇴피 위치 까지 퇴피 하 므로 , 범프 형성 시 에 위치 수정 클릭 ( 25 ) 과 본딩 툴 ( 60 ) 이 간섭 하 지 않 아 반도체 다이 ( 21 ) 의 끝 에 있 는 전극 패드 에 대해서 도 범프 의 형성 을 행할 수 있 다는 효과 를 가져온다 .