나노 다공성 LKD 재료 ( 110 ) 의 벌크 에서 실 라 놀 기 와 알 콕 시실 란 보수제 의 반응 성 을 증가 시키 기 위해 , 제 1 온도 의 알 콕 시실 란 보수제 와 의 접촉 이 완료 된 후 , 나노 다공성 LKD 재료 ( 110 ) 는 제 2 온도 에서 의 알 콕 시실 란 보수제 와 접촉 되 어 있 는 것 이 바람직 하 다 . 웨이퍼 지 지체 ( 210 ) 의 온도 는 , 제 1 온도 에서 약 80 ℃ 내지 약 300 ℃, 바람직 하 게 는 약 150 ℃ 내지 약 250 ℃ 의 제 2 온도 로 증가 될 수 있 다 . 제 2 온도 에서 의 기상 알 콕 시실 란 보수제 와 반도체 기판 ( 100 ) 의 전체 접촉 시간 은 약 10 초 내지 약 180 초 , 바람직 하 게 는 약 20 초 내지 약 60 초 일 수 있 다 .