상기 해결 하 고자 하 는 과제 를 달성 하 기 위하 여 , 워드 라인 들 및 워드 라인 들 을 가로지르 는 비트 라인 들 을 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 은 , 하 부막 상 에 게이트 라인 들 또는 비트 라인 들 을 가로지르 는 트렌치 들 을 정의 하 는 제 1 희생 패턴 을 형성 하 고 , 트렌치 들 내 에 제 2 희생 막 을 형성 하 고 , 제 2 희생 막 을 패 터닝 하 여 트렌치 들 내 에 국소 적 으로 상부 개구부 들 을 정의 하 는 제 2 희생 패턴 들 을 형성 하 고 , 그리고 , 제 1 및 제 2 희생 패턴 들 을 이용 하 여 하 부막 을 패 터닝 함 으로써 상부 개구부 들 아래 의 하부 막 에 하부 개구부 들 을 형성 하 는 것 을 포함 한다 .