이러 한 본 발명 의 실시 예 에 의하 면 , 상술 한 바 와 같이 , 센서 파트 ( 109 ) 가 형성 된 제 1 실리콘 기판 ( 100 ) 과 , 상기 센서 파트 ( 109 ) 를 보호 하 기 위한 캐비 티 ( 209 ) 가 형성 된 제 2 실리콘 기판 ( 200 ) 을 , Al 및 Cu 를 이용 하 여 서로 본 딩 시킴 으로써 , 반도체 팹 일괄 라인 에서 의 MEMS 패키지 제조 가 가능 해질 수 있 고 , 저온 공정 에 의한 본딩 이 용이 하 며 , 허 메 틱 실링 ( hermetic sealing ) 특성 이 우수 한 패키지 를 구현 할 수 있 다 .