또한 , 상기 예 에서 는 , 기판 을 실리콘 함유 가스 에 폭로 하 는 공정 S 11 및 Ru 막 을 실리콘 함유 가스 에 폭로 하 는 공정 S 13 을 동일 한 처리 장치 ( 101 ) 에서 행하 고 , 기판 상 에 Ru 막 을 형성 하 는 공정 S 12 를 처리 장치 ( 101 ) 와 는 다른 처리 장치 ( 102 ) 에서 행하 는 경우 를 설명 하 였 다 . 그러나 , 본 개시 는 이것 에 한정 되 지 않 는다 . 예 를 들 어 , 기판 을 실리콘 함유 가스 에 폭로 하 는 공정 S 11 , 기판 상 에 Ru 막 을 형성 하 는 공정 S 12 및 Ru 막 을 실리콘 함유 가스 에 폭로 하 는 공정 S 13 을 동일 한 처리 장치 에서 행해도 된다 . 또한 , 예 를 들 어 기판 을 실리콘 함유 가스 에 폭로 하 는 공정 S 11 , 기판 상 에 Ru 막 을 형성 하 는 공정 S 12 및 Ru 막 을 실리콘 함유 가스 에 폭로 하 는 공정 S 13 을 각각 다른 처리 장치 에서 행해도 된다 . 또한 , 기판 을 실리콘 함유 가스 에 폭로 하 는 공정 S 11 과 기판 상 에 Ru 막 을 형성 하 는 공정 S 12 의 사이 에서 , 기판 이 대기 에 폭로 되 어도 된다 . 또한 , 기판 상 에 Ru 막 을 형성 하 는 공정 S 12 와 Ru 막 을 실리콘 함유 가스 에 폭로 하 는 공정 S 13 의 사이 에서 , 기판 이 대기 에 폭로 되 어도 된다 .