한편 , 반도체 소자 의 제조 에 는 많 은 산화 공정 이 수반 되 는데 , 특히 로직 트랜지스터 와 함께 메모리 트랜지스터 를 형성 하 는 경우 에 는 더욱 더 많 은 산화 공정 을 거치 게 된다 . 따라서 , 제 1 전극 ( 16 ) 의 측벽 에 형성 된 측벽 산화 막 ( 22 ) 은 후속 하 는 산화 공정 을 거치 면서 , 도 2 에서 와 같이 , 버즈 비크 모양 으로 변하 게 된다 . 측벽 산화 막 ( 22 ) 에 형성 된 버즈 비트 는 후속 하 는 산화 공정 을 거치 면서 제 1 전극 ( 16 ) 하부 에 형성 된 블로킹 산화 막 을 영역 A 에서 와 같이 국부 적 으로 두껍 게 만든 다 .