본 발명 의 일부 구 현예 에서 , 반도체 디바이스 구 조체 ( 200 ) 는 씨드 층 ( 208 ) 을 포함 할 수 있 으며 , 이때 씨드 층 은 본원 에 기재 된 순환 증착 공정 에 의해 형성 된 구리 로 필수 적 으로 이루어진다 . 씨드 층 은 대략 20 나노미터 미만 , 또는 대략 10 나노미터 미만 , 또는 심지어 대략 5 나노미터 미만 의 두께 로 형성 될 수 있 다 . 또한 씨드 층 은 대략 50 μΩ - cm 미만 , 대략 20 μΩ - cm 미만 , 대략 10 μΩ - cm 미만 , 대략 5 μΩ - cm 미만 , 대략 4 μΩ - cm 미만 의 전기 비저항 , 또는 3 μΩ - cm 미만 의 전기 비저항 , 또는 심지어 2 μΩ - cm 미만 의 전기 비저항 을 갖 도록 형성 될 수 있 다 .