다음 에 , 막 두께 100 nm 의 Al 층 상 에 막 두께 50 nm 의 IZO 층 을 스퍼터링 법 에 의해 적층 해서 제 1 전극 층 을 형성 했 다 . 제 1 전극 층 을 기판 상 의 적층 체 전면 에 형성 한 후 , 포토 리소그래피 법 에 의해 패 터닝 해서 화소 회로 ( 102 ) 에 대응 하 는 위치 에 제 1 전극 ( 105 ) 을 형성 했 다 . 제 1 전극 ( 105 ) 은 상기 컨 택트 홀 ( 112 ) 을 거쳐 대응 하 는 화소 회로 ( 102 ) 에 전기 적 으로 접속 되 었 다 .