상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위해 본 발명 에 의한 배선용 봉지 층 을 이용 한 웨이퍼 레벨 패키지 제조 방법 은 , ① 복수 개 의 반도체 칩 을 포함 하 는 웨이퍼 표면 에 플 라즈 마 세정 을 실시 하 는 공정 과 , ② 상기 웨이퍼 표면 에 열가소성 수지 와 금속 화합물 을 포함 하 는 배선용 봉지 층 을 형성 하 는 공정 과 , ③ 상기 배선용 봉지 층 을 녹여서 상기 반도체 칩 의 패드 를 노출 시키 는 비 아홀 을 형성 하 는 공정 과 , ④ 상기 배선용 봉지 층 을 레이저 를 이용 하 여 녹여서 배선용 금속 시드 층 을 형성 하 는 공정 과 , ⑤ 상기 금속 시드 층 을 이용 하 여 상기 배선용 봉지 층 표면 에 전극 및 회로 배선 층 을 형성 하 는 공정 과 , ⑥ 상기 전극 및 회로 배선 층 에 솔 더 볼 을 부착 하 는 공정 과 ⑦ 상기 기판 에 싱 귤 레이 션 ( singulation ) 공정 을 진행 하 여 단위 웨이퍼 레벨 패키지 를 만드 는 공정 을 구비 하 는 것 을 특징 으로 한다 .