상기 제 1 스토리지 영역 에 는 제 2 반도체 층 ( 315 ) 과 스토리지 라인 ( 335 ) 이 중첩 되 는 영역 에 게이트 절 연막 ( 320 ) 을 매개 로 제 1 스토리지 캐 패 시터 ( C ' st ) 가 형성 되 고 , " 제 2 스토리지 영역 에 는 제 3 반도체 층 ( 316 ) 과 상기 게이트 전극 층 ( 336 ) 이 중첩 되 는 영역 에 게이트 절 연막 ( 320 ) 을 매개 로 제 2 스토리지 캐 패 시터 ( C "" st ) 가 형성 된다 . "