계속 해서 , 메모리 보호 / 절연 층 ( 34 ) 상 에 폴리 실리콘 ( p - Si ) 을 피착 시킨다 . 그리고 , 메모리 분리 홈 ( 94 ) 과 정합 하 는 위치 에 , 선택 트랜지스터 분리 홈 ( 95 ) 을 형성 한다 . 선택 트랜지스터 분리 홈 ( 95 ) 은 칼럼 방향 으로 소정 간격 을 두 고 라인 상태 로 반복 적 으로 형성 한다 . 이 공정 에 의해 , 드레 인 측 도전 층 ( 41 ) 및 소스 측 도전 층 ( 42 ) 이 형성 된다 .