본 발명 은 또한 상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위하 여 , 상면 으로 본딩 패드 가 형성 된 다수 의 반도체 칩 을 포함 하 는 웨이퍼 를 칩 절단 을 위한 스 크 라 이브 라인 ( scribe line ) 을 따라 소정 깊이 로 소 잉 ( sawing ) 하 는 단계 ; 칩 스택 이 형성 될 상기 반도체 칩 들 사이 의 상기 스 크 라 이브 라인 을 가로질러 도전 성 배선 을 형성 하 여 상기 반도체 칩 들 을 전기 적 으로 연결 하 는 단계 ; 상기 소 잉 된 깊이 이상 까지 상기 웨이퍼 를 백 그라인딩 ( back grinding ) 하 는 단계 ; 및 상기 도전 성 배선 을 통해 연결 된 상기 반도체 칩 들 을 지그재그 로 접 어 적층 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 폴드 형 ( Fold type ) 칩 스택 패키지 형성 방법 을 제공 한다 .