저전압 제어 회로 ( 136 c ) 는 트랜지스터 ( Q 2 ) , 저항기 들 ( R 17 및 R 18 ) , 및 가변 임피던스 회로 ( 116 c ) 와 제어 회로 ( 114 c ) 의 출력 사이 에 결합 된 커패시터 ( C 3 ) 를 포함 한다 . 저항기 들 ( R 17 및 R 18 ) 은 공급 전압 ( VCC ) 과 접지 전위 사이 에 결합 되 고 , 저항기 들 ( R 17 및 R 18 ) 사이 의 노드 는 제어 회로 ( 114 c ) 의 출력 과 트랜지스터 ( Q 2 ) 의 게이트 에 결합 된다 . 트랜지스터 ( Q 2 ) 의 드레 인 은 트랜지스터 ( Q 1 ) 의 게이트 에 결합 된다 . 커패시터 ( C 3 ) 는 접지 전위 와 트랜지스터 ( Q 2 ) 의 게이트 사이 에 결합 된다 .