또한 , 상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 의한 씨 모스 이미지 센서 의 제조 방법 은 포토 다이오드 영역 과 트랜지스터 영역 으로 정의 된 반도체 기판 을 준비 하 는 단계 와 , 상기 반도체 기판 의 포토다이오드 영역 상 에 일정 한 간격 을 갖 는 다 수개 의 반도체 패턴 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 반도체 기판 의 트랜지스터 영역 에 게이트 절 연막 을 개재 하 여 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 게이트 전극 일 측 의 포토 다이오드 영역 에 제 1 도전 형 제 1 확산 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 게이트 전극 의 양 측면 에 절 연막 측벽 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 게이트 전극 타 측 의 트랜지스터 영역 에 제 1 도전 형 제 2 확산 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 확산 영역 이 형성 된 반도체 기판 의 표면 내 에 제 2 도전 형 제 3 확산 영역 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 여 형성 함 을 특징 으로 한다 .