상술 한 바 와 같 은 ALD 법 으로 의 TiN 막 의 성막 종료 후 , 웨이퍼 ( W ) 가 적재 된 적 재 대 본체 ( 21 ) 가 반송 위치 까지 하강 된다 . 이어서 , 핀 이동 기구 ( 110 ) 에 의한 리프트 핀 ( 30 ) 의 상승 이 행하 여진다 . 이 에 의해 , 핀 지지 부재 ( 100 ) 에 의한 리프트 핀 ( 30 ) 의 현수 지지 가 해제 됨 과 함께 , 당해 리프트 핀 ( 30 ) 이 적재 대 본체 ( 21 ) 의 상면 으로부터 소정 거리 돌출 되 어 , 당해 리프트 핀 ( 30 ) 상 에 웨이퍼 ( W ) 가 전달 된다 . 그 후 , 게이트 밸브 ( 12 ) 가 개방 되 어 , 반입 출구 ( 11 ) 를 통해서 , 웨이퍼 ( W ) 를 보유 지지 하 고 있 지 않 은 웨이퍼 반송 장치 가 처리 용기 ( 10 ) 내 에 삽입 된다 . 웨이퍼 반송 장치 는 , 리프트 핀 ( 30 ) 에 보유 지지 된 웨이퍼 ( W ) 와 반송 위치 의 적재 대 본체 ( 21 ) 사이 까지 삽입 된다 . 이어서 , 핀 이동 기구 ( 110 ) 에 의해 리프트 핀 ( 30 ) 이 하강 하 고 , 당해 리프트 핀 ( 30 ) 상 의 웨이퍼 ( W ) 가 웨이퍼 반송 장치 에 전달 된다 . 그리고 , 웨이퍼 반송 장치 가 처리 용기 ( 10 ) 로부터 발출 되 고 , 게이트 밸브 ( 12 ) 가 폐쇄 된다 . 이 에 의해 , 일련 의 웨이퍼 처리 가 완료 된다 .