본 발명 의 다른 측면 에 따르 는 암전 류 가 감소 된 포토 다이오드 를 제조 하 는 방법 은 반도체 층 상 에 층간 절 연막 을 증착 하 는 단계 , 상기 층간 절 연막 중 제 1 영역 을 식각 하 는 단계 , 상기 식각 된 제 1 영역 및 상기 층간 절 연막 상 에 중간 층 을 증착 하 는 단계 , 상기 제 1 영역 을 제외 한 중간층 을 식각 하 여 상기 층간 절 연막 을 노출 시키 는 단계 , 상기 층간 절 연막 중 에서 상기 제 1 영역 과 이격 되 는 제 2 영역 을 식각 하 는 단계 , 및 상기 제 1 영역 의 상기 중간층 상 에 제 1 금속 층 을 증착 하 고 , 상기 제 2 영역 의 상기 반도체 상 에 제 2 금속 층 을 증착 하 는 단계 를 포함 한다 .