도 2 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) 에 활성 영역 ( 104 ) 을 한정 하 는 소자 분리 막 ( 102 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 반도체 기판 ( 100 ) 은 단결정 실리콘 웨이퍼 일 수 있 으며 , n 형 또는 p 형 의 도전 형 을 가질 수 있 다 . 상기 소자 분리 막 ( 102 ) 은 얕 은 트렌치 소자 분리 ( Shallow Trench Isolation ; STI ) 기술 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 , 상기 소자 분리 막 ( 102 ) 은 실리콘 산화 막 , 실리콘 질화 막 , 실리콘 산질 화 막 , 또는 이 들 의 조합 막 과 같 은 절 연막 으로 형성 할 수 있 다 .