전하 이동 방지 막 ( 105 ) 의 두께 는 터널 링 절 연막 ( 104 ) 의 양측 부 에서 의 F - N 터널 링 에 의한 전하 이동 - 플로팅 게이트 ( 106 ) 과 반도체 기판 ( 100 ) 간 의 전하 이동 - 이 일어나 지 않 도록 터널 링 절 연막 ( 104 ) 보다 두껍 게 형성 될 수 있 으며 , 터널 링 절 연막 ( 104 ) 의 두께 를 포함 한 총 두께 가 터널 링 절 연막 ( 104 ) 두께 보다 1 ~ 3 배 가 되 도록 형성 된다 .