도 5 에 도시 한 반도체 장치 에 있 어서 , 데이터 의 기입 , 유지 및 판독 은 , 기본 적 으로 도 2 의 경우 와 마찬가지 이 다 . 단 , 데이터 의 기입 은 열 마다 행해진다 . 어떤 메모리 셀 ( 190 ) 의 트랜지스터 ( 162 ) 의 게이트 전극 은 , 제 2 신호선 ( S 2 ) 을 개재 하 여 인접 하 는 메모리 셀 ( 190 ) 의 트랜지스터 ( 162 ) 의 게이트 전극 과 접속 되 어 있 기 때문 에 , 메모리 셀 ( 190 ) 마다 의 기입 동작 이 어려워 지 고 있 기 때문 에 다 . 구체 적 인 기입 의 동작 의 일례 로서 , 노드 FG 에 전위 V 1 , V 2 , V 3 또는 기준 전위 ( GND ) ( ＶＤＤ > V 3 > V 2 > V 1 > GND = 0 V ) 중 어느 하나 를 부여 하 는 경우 에 대하 여 설명 하 지만 , 노드 FG 에 부여 하 는 전위 의 관계 는 이것 에 한정 되 지 않 는다 . 또한 , 노드 FG 에 전위 V 1 , V 2 , " V 3 을 부여 한 경우 에 유지 되 는 데이터 를 각각 데이터 "" 1 """," "" 2 """," "" 3 """," 노드 FG 에 기준 전위 ( GND ) 를 부여 한 경우 에 유지 되 는 데이터 를 데이터 "" 0 "" 으로 한다 . "