일부 실시 예 에서 , 비 - 휘발 성 메모리 셀 ( 111 - 1 , ..., 111 - N ) 의 구성 이 소스 , 드레 인 , 부동 게이트 또는 그 밖 의 다른 전하 저장 층 , 및 제 어 게이트 를 포함 한다 . 비 - 휘발 성 메모리 셀 ( 111 - 1 , ..., 111 - N ) 은 선택 라인 ( 105 - 1 , ..., 105 - N ) 에 각각 연결 되 는 자신 의 제어 게이트 를 가진다 . 비 - 휘발 성 메모리 셀 ( 111 - 1 , ..., 111 - N ) 의 열 ( column ) 이 지정 로컬 감지 라인 ( 가령 , 107 - 1 , ..., 107 - M ) 에 각각 연결 되 는 NAND 스트링 ( 가령 , 109 - 1 , ..., 109 - M ) 을 구성 한다 . 비 - 휘발 성 메모리 셀 의 행이 지정 선택 라인 ( 가령 , 105 - 1 , ..., 105 - N ) 에 일반 적 으로 연결 된다 . NOR 어레이 아키텍처 는 , 메모리 셀 의 스트링 이 선택 게이트 들 사이 에 병렬 로 연결 될 것 이 라는 것 을 제외 하 고 는 유사 하 게 놓일 것 이 다 .