도 3 에서 , 복수 의 메모리 셀 들 ( MC 11 ~ MCst ) 은 A 메모리 셀 ( MC 35 ) , B 메모리 셀 들 ( MC 15 , MC 25 , MC 31 ~ MC 34 , MC 36 ~ MC 3 t , MC 45 ~ MCs 5 ) , C 1 메모리 셀 들 ( MC 24 , MC 26 , MC 44 , MC 46 ) , 및 C 2 메모리 셀 들 ( MC 11 ~ MC 14 , MC 16 ~ MC 1 t , MC 21 ~ MC 23 , MC 27 ~ MC 2 t , … , MCs 1 ~ MCs 4 , MCs 6 ~ MCst ) 을 포함 할 수 있 다 . A 메모리 셀 ( MC 35 ) 은 선택 된 메모리 셀 일 수 있 다 . A 메모리 셀 ( MC 35 ) 은 선택 된 워드 라인 ( WL 3 ) 및 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 에 연결 될 수 있 다 . 메모리 장치 ( 100 ) 는 A 메모리 셀 ( MC 35 ) 의 데이터 를 판독 하 거나 , 또는 A 메모리 셀 ( MC 35 ) 에 데이터 를 기입 할 수 있 다 .