이러 한 비트 라인 선폭 의 감소 를 위해서 는 포토레지스트 패턴 의 선폭 감소 가 전제 가 되 므로 포 토리 소그라 피 ( photolithography ) 공정 의 개발 이 필수 적 이 며 , 이 를 결정 하 는 중요 요인 중 하나 가 노광 기술 이 다 . 이 를 위해 최근 에 는 ArF 등 의 레이저 를 광원 으로 사용 하 고 있 으나 , 이러 한 경우 에 도 해상도 의 한계 로 인하 여 현재 요구 되 는 비트 라인 선폭 을 만족 시킬 수 없 는 실정 이 다 . 예 를 들 어 , 46 nm 의 비트 라인 선폭 이 요구 되 는 경우 , 이 에 대응 하 는 포토레지스트 패턴 의 구현 이 어려워 포토레지스트 패턴 의 씨 닝 ( thining ) 또는 브릿지 등 을 유발 한다 . 이러 한 , 포토레지스트 패턴 을 이용 하 여 비트 라인 형성 을 위한 식각 을 수행 하 면 , 패턴 불량 으로 비트 라인 의 수직 프로파일 형성 이 어렵 다 .