한편 , 상기 N 형 클래드 층 ( 27 ) 내의 AlxGa 1 - xN 의 총 두께 는 상기 P 형 클래드 층 ( 31 ) 에 비해 상대 적 으로 두껍 다 . 예컨대 , 상기 P 형 클래드 층 ( 31 ) 의 두께 는 100 ~ 300 Å 일 수 있 으며 , 상기 N 형 클래드 층 ( 27 ) 내의 AlxGa 1 - xN 의 총 두께 는 상기 P 형 클래드 층 ( 31 ) 의 두께 에 비해 100 ~ 500 Å 두껍 게 형성 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 전자 가 N 형 화합물 반도체 층 ( 25 ) 에서 활성 층 ( 29 ) 으로 유입 되 는 유입 속도 를 제어 할 수 있 다 . 한편 , 상기 N 형 클래드 층 ( 37 ) 내의 InzGa 1 - zN 의 총 두께 는 클래드 층 전체 두께 가 과도 하 게 두꺼워 지 는 것 을 방지 하 기 위해 AlxGa 1 - xN 의 총 두께 에 비해 얇 은 것 이 바람직 하 다 .