구체 적 으로 , 절연 기판 ( 110 ) 위 에 스퍼터링 방법 등 을 통해 게이트 금속 층 을 형성 한다 . 그리고 , 제 1 마스크 를 이용 한 포토 리소그래피 공정 및 식각 공정 으로 게이트 금속 층 을 패 터닝 하 여 게이트 라인 , 제 1 내지 제 3 게이트 전극 ( 121 , 122 , 123 ) , 스토리지 라인 ( 125 ) , 대향 전극 ( 126 ) 및 제 2 보조 전극 ( 127 ) 을 포함 하 는 게이트 패턴 을 형성 한다 .