이러 한 광 산란 물질 인 MOx ( 이때 M = Zn , Ti 및 이 들 의 조합 에서 선택 된 것 이 고 , 1 ≤ x ≤ 2 이다 ) 는 보호막 내 1 . 0 내지 20 중량 %, 바람직 하 기 로 5 . 0 내지 15 중량 % 로 함유 되 어 전술 한 바 의 효과 를 얻 을 수 있 다 . 또한 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 상기 MOx 는 보호막 전체 중량 에 대하 여 2 , 4 , 6 , 8 , 10 , 12 , 14 , 16 , 또는 18 중량 % 로 사용 될 수 도 있 다 . 상기 만약 상기 함량 이 상기 범위 미만 이 면 광 산란 물질 의 혼합 효과 를 얻 을 수 없 고 , 이 와 반대 로 상기 범위 를 초과 하 면 보호막 자체 특성 에 영향 을 미쳐 보호막 의 2 차 전자 방출 이 너무 적어지 는 문제 가 발생 한다 .