일 실시 예 에서 , 전도 층 ( 114 ) 은 고 전도성 물질 을 제공 하 도록 도핑 된 폴리 실리콘 층 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 전도 층 ( 114 ) 은 p - 형 폴리 실리콘 층 을 제공 하 도록 붕소 ( boron ) 로 도핑 될 수 있 다 . 몇몇 실시 예 에서 , 붕소 의 도핑 은 높 은 전도 성 을 제공 하 기 위해 1 × 1019 cm - 3 내지 1 × 1020 cm - 3 의 레벨 이 다 . 상이 한 도 펀트 농도 의 다른 도 펀트 ( 예 를 들 어 , 1 × 1016 cm - 3 내지 5 × 1018 cm - 3 범위 의 도 펀트 농도 에서 인 , 비소 ( arsenic ) , 또는 비스무트 ( bismuth ) 등 ) 가 이용 되 어 전도 층 에 사용 하 기 적합 한 n - 형 또는 p - 형 반도체 물질 중 하나 를 제공 할 수 있 다 . 당업자 는 많 은 변형 , 수정 및 대안 을 인식 할 수 있 을 것 이 다 .