실시 예 5 에서 사용 한 측쇄 에 트리아졸 골격 을 가지 는 자외선 흡수성 폴리머 의 바나 레진 UVA - 7075 [ 신 나카무라 카가 쿠 고교 가 부시 키 가 이샤 제 , 질량 평균 분자량 : 30 , 000 ~ 50 , 000 , Tg : 75 ℃] 의 배 합량 을 5 . 0 질 량부 로부터 2 . 5 질 량부 로 변경 한 것 외 에 는 실시 예 5 와 마찬가지 로 하 여 , 마스크 일체 형 표면 보호 테이프 를 제작 하 고 , 실시 예 1 과 마찬가지 로 하 여 반도체 칩 을 제조 했 다 .