발광 이 애노드 만 을 통하 여 관찰 되 는 경우 , 본 발명 에 사용 되 는 캐소드 는 거의 특정 의 전도성 물질 만 으로 구성 될 수 있 다 . 바람직 한 물질 은 하부 유기 층 과 양호 한 접촉 을 유지 시키 기 에 양호 한 막 - 형성 특성 을 갖 고 , 저전압 에서 의 전자 - 주입 층 을 촉진 시키 며 , 양호 한 안정 성 을 갖 는다 . 유용 한 캐소드 물질 은 때로 는 낮 은 일함수 를 갖 는 금속 ( ＜ 4 . 0 eV ) 또는 금속 합금 을 함유 한다 . 한 가지 유용 한 캐소드 물질 은 미국 특허 제 4 , 885 , 221 호 에 기술 되 어 있 는 바 와 같 은 Mg : Ag 합금 ( 이때 , 은의 백분율 은 1 내지 20 % 의 범위 이 다 ) 으로 구성 된다 . 또 다른 적합 한 부류 의 캐소드 물질 은 더 두꺼운 전도성 금속 층 으로 캡 핑 된 캐소드 및 유기 층 ( 예 를 들 면 , 전자 - 수송 층 ( ETL ) ) 과 접촉 하 는 얇 은 전자 - 주입 층 ( EIL ) 을 포함 하 는 이 층 ( bilayer ) 구조 를 포함 한다 . 이때 , EIL 은 바람직 하 게 는 낮 은 일함수 를 갖 는 금속 또는 금속염 을 포함 하 며 , 그러 한 경우 , 더 두꺼운 캡 핑 층 은 낮 은 일함수 를 가질 필요 가 없 다 . 한 가지 의 이러 한 캐소드 는 미국 특허 제 5 , 677 , 572 호 에 기술 되 어 있 는 바 와 같이 얇 은 LiF 층 에 이어서 더 두꺼운 Al 층 으로 구성 된다 . 다른 유용 한 캐소드 물질 세트 가 미국 특허 제 5 , 059 , 861 호 , 제 5 , 059 , 862 호 및 제 6 , 140 , 763 호 에 개시 되 어 있 지만 , 그 들 로 국한 되 는 것 은 아니 다 .