한편 상기 도핑 단계 ( S 31 ) 에서 는 기판 ( 1 ) 에 POCl 3 와 같 은 불순물 을 확산 시키 는 과정 에서 POCl 3 와 산소 가 반응 하 여 부산물 인 산화 막 이 도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 ( 1 ) 의 표면 에 형성 되 며 불순물 의 종류 에 따라서 각각 PSG ( Phosphorous Silicate Glass ) , ASSG ( ArSenic Silicate Glass ) 등 이 형성 된다 . 여기 서 상기 기판 ( 1 ) 이 n 형 인 경우 p 층 형성 을 위한 B 와 같 은 3 족 원소 가 불순물 로 사용 되 며 이때 산화 막 은 BSG ( Boron Silicate Glass ) 가 형성 된다 .