도 2 내지 도 5 에 도시 된 3 차원 반도체 메모리 장치 는 도 1 을 참조 하 여 설명 된 수직 형 낸드 플래시 메모리 장치 일 수 있 다 . 도 2 내지 도 5 에 도시 된 실시 예 에서 , 제 1 내지 제 4 수직 구 조체 들 ( VS 1 - VS 4 ) 는 도 1 을 참조 하 여 설명 된 제 1 셀 스트링 들 ( CS 1 ) 을 구성 할 수 있 으며 , 제 5 내지 제 8 수직 구 조체 들 ( VS 5 - VS 8 ) 은 도 1 을 참조 하 여 설명 된 제 2 셀 스트링 들 ( CS 2 ) 을 구성 할 수 있 다 .