다음 으로 , 도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 기판 ( 200 ') 상면 에 형성 된 패럴 린 막 ( 251 ) 의 표면 에 제 1 포토레지스트 ( PR 1 ) 를 도포 한다 . 이어서 , 도포 된 제 1 포토레지스트 ( PR 1 ) 를 패 터닝 함 으로써 실리콘 기판 ( 200 ') 의 상면 에 다수 의 리스트 릭터 ( 도 1 a 의 220 ) 를 형성 하 기 위한 다수 의 제 1 개 구부 ( 220 ') 를 형성 한다 . 이때 , 제 1 포토레지스트 ( PR 1 ) 의 패 터닝 은 노광 과 현상 을 포함 하 는 잘 알려진 포 토리 소그라 피 ( photolithography ) 방법 에 의해 이루어질 수 있 으며 , 이하 에서 설명 되 는 다른 포 토 레지스 트 들 의 패 터닝 도 이 와 동일 한 방법 으로 이루어질 수 있 다 .