탑 게이트 구조 의 유기 박막 트랜지스터 의 경우 , 절연 층 을 형성 시 유기 반도체 층 이 손상 될 수 있 는 등 , 적절 한 유전율 을 갖 는 물질 을 이용 하 여 유기 반도체 층 상부 에 절연 층 을 형성 하 기 가 곤란 하 여 왔 다 . 이 는 유기 박막 트랜지스터 의 전기 적 특성 저하 를 초래 할 수 있 는 바 , 이 의 개선 이 요구 된다 .