이하 , 도 9 내지 도 12 를 참조 하 여 메모리 장치 ( 400 ) 의 읽 기 동작 을 설명 하 기 로 한다 . 도 9 내지 도 12 를 참조 하 여 설명 하 는 일 실시 예 에서 는 제 1 워드 라인 ( WL 1 ) 과 제 1 비트 라인 ( BL 1 ) 이 각각 선택 워드 라인 과 선택 비트 라인 일 수 있 다 . 또한 , 제 2 워드 라인 ( WL 2 ) 은 비 선택 워드 라인 으로서 , 선택 워드 라인 인 제 1 워드 라인 ( WL 1 ) 에 가까운 인접 워드 라인 일 수 있 다 .