도 4 a 는 배리어 산화물 층 ( 402 ) 및 증착 된 질화물 층 ( 403 ) 이후 의 반도체 기판 ( 401 ) 을 도시 하고 있 다 . 기판 ( 401 ) 은 < 100 > 결정 방향 및 150 mm ( 6 인치 ) , 200 mm ( 8 인치 ) , 또는 300 mm ( 12 인치 ) 의 직경 을 가지 는 실리콘 기판 일 수 있 다 . 배리 어 산화물 층 ( 402 ) 은 고온 산화 노 내 에서 기판 ( 401 ) 상 에 성장 될 수 있 다 . 배리 어 층 ( 402 ) 은 약 150 Å 의 두께 를 가질 수 있 다 . 배리 어 산화물 층 ( 402 ) 은 이후 의 질화물 스트립 단계 ( nitride strip step ) 중 에 오염 으로부터 기판 ( 401 ) 을 보호 한다 . 질화물 층 ( 403 ) 은 고온 저압 화학 기상 증착 ( LP - CVD ) 노 내 에서 형성 된다 . 질화물 층 ( 403 ) 은 일반 적 으로 암모니아 가스 및 디 클로로 실란 가스 의 반응 으로부터 형성 되 는 실리콘 질화물 ( 예 를 들 어 , Si 3 N 4 ) 의 박막 이 다 . 질화물 층 ( 403 ) 은 이후 의 화학 기계식 평탄 화 ( CMP ) 중 에 연마 정지 재료 역할 을 하 며 산화물 증착 중 에 기판 ( 401 ) 을 보호 하 는 내구 성 마스킹 재료 ( durable masking material ) 이 다 .