비교 발광 디바이스 3 - 0 은 발광 디바이스 8 - 0 의 정공 주입 층 ( 111 ) 및 정공 수송 층 ( 112 ) 에 사용 한 dchPAF 를 상기 구조식 ( ii ) 으로 나타내 어 지 는 N -( 1 , 1 '- 바이페닐 - 4 - 일 ) - N -[ 4 -( 9 - 페닐 - 9 H - 카바졸 - 3 - 일 ) 페닐 ] - 9 , 9 - 다이메틸 - 9 H - 플 루 오렌 - 2 - 아민 ( 약칭 : PCBBiF ) 으로 바꾸 고 , 전자 수송 층 ( 114 ) 에서 의 NBPhen 의 막 두께 를 15 nm 로 하 고 , 전자 주입 층 ( 115 ) 은 LiF 를 1 nm 로 성막 함 으로써 형성 한 것 을 제외 하 고 는 발광 디바이스 8 - 0 과 마찬가지 로 제작 하 였 다 . 즉 , 비교 발광 디바이스 3 - 0 은 굴절 률 이 낮 은 층 을 갖 지 않 는 발광 디바이스 이 다 . 비교 발광 디바이스 3 - 1 은 비교 발광 디바이스 3 - 0 의 정공 수송 층 ( 112 ) 에서 의 PCBBiF 의 막 두께 를 20 nm 로 한 것 을 제외 하 고 는 비교 발광 디바이스 3 - 0 과 마찬가지 로 제작 하 였 다 . 비교 발광 디바이스 3 - 2 는 비교 발광 디바이스 3 - 1 의 전자 수송 층 ( 114 ) 에서 의 NBPhen 의 막 두께 를 20 nm 로 한 것 을 제외 하 고 는 비교 발광 디바이스 3 - 1 과 마찬가지 로 제작 하 였 다 . 비교 발광 디바이스 3 - 3 은 비교 발광 디바이스 3 - 1 의 전자 수송 층 ( 114 ) 에서 의 NBPhen 의 막 두께 를 25 nm 로 한 것 을 제외 하 고 는 비교 발광 디바이스 3 - 1 과 마찬가지 로 제작 하 였 다 . 비교 발광 디바이스 3 - 4 는 비교 발광 디바이스 3 - 0 의 정공 수송 층 ( 112 ) 에서 의 PCBBiF 의 막 두께 를 25 nm 로 한 것 을 제외 하 고 는 비교 발광 디바이스 3 - 0 과 마찬가지 로 제작 하 였 다 . 비교 발광 디바이스 3 - 5 는 비교 발광 디바이스 3 - 4 의 전자 수송 층 ( 114 ) 에서 의 NBPhen 의 막 두께 를 20 nm 로 한 것 을 제외 하 고 는 비교 발광 디바이스 3 - 4 와 마찬가지 로 제작 하 였 다 . 비교 발광 디바이스 3 - 6 은 비교 발광 디바이스 3 - 4 의 전자 수송 층 ( 114 ) 에서 의 NBPhen 의 막 두께 를 25 nm 로 한 것 을 제외 하 고 는 비교 발광 디바이스 3 - 4 와 마찬가지 로 제작 하 였 다 . 비교 발광 디바이스 3 - 7 은 비교 발광 디바이스 3 - 0 과 마찬가지 로 제작 하 였 다 . 비교 발광 디바이스 3 - 8 은 비교 발광 디바이스 3 - 7 의 전자 수송 층 ( 114 ) 에서 의 NBPhen 의 막 두께 를 20 nm 로 한 것 을 제외 하 고 는 비교 발광 디바이스 3 - 7 과 마찬가지 로 제작 하 였 다 . 비교 발광 디바이스 3 - 9 는 비교 발광 디바이스 3 - 7 의 전자 수송 층 ( 114 ) 에서 의 NBPhen 의 막 두께 를 25 nm 로 한 것 을 제외 하 고 는 비교 발광 디바이스 3 - 7 과 마찬가지 로 제작 하 였 다 . 비교 발광 디바이스 3 - 10 은 비교 발광 디바이스 3 - 0 의 정공 수송 층 ( 112 ) 에서 의 PCBBiF 의 막 두께 를 35 nm 로 한 것 을 제외 하 고 는 비교 발광 디바이스 3 - 0 과 마찬가지 로 제작 하 였 다 . 비교 발광 디바이스 3 - 11 은 비교 발광 디바이스 3 - 10 의 전자 수송 층 ( 114 ) 에서 의 NBPhen 의 막 두께 를 20 nm 로 한 것 을 제외 하 고 는 비교 발광 디바이스 3 - 10 과 마찬가지 로 제작 하 였 다 . 비교 발광 디바이스 3 - 12 는 비교 발광 디바이스 3 - 10 의 전자 수송 층 ( 114 ) 에서 의 NBPhen 의 막 두께 를 25 nm 로 한 것 을 제외 하 고 는 비교 발광 디바이스 3 - 10 과 마찬가지 로 제작 하 였 다 .