본 발명 은 반도체 메모리 장치 가 오버 드라이빙 동작 을 수행 하 는 액티브 완료 시간 과 기준 액티브 완료 시간 을 비교 하 여 제어 신호 를 생성 하 는 제어 신호 생성 수단 , 및 상기 제어 신호 에 응답 하 여 타 겟 레벨 또는 상기 타 겟 레벨 보다 낮 은 레벨 의 비트 라인 프리 차지 전압 을 생성 하 는 비트 라인 프리 차지 전압 생성 수단 을 포함 한다 .