다음 에 도 11 b 에 나타나 있 는 바 와 같이 , 제 1 절 연막 ( 1102 ) 을 통해 반도체 기판 ( 1101 ) 에 전계 로 가속 된 이온 으로 된 이온 빔 을 반도체 기판 ( 1101 ) 에 조사 하 는 것 으로 반도체 기판 ( 1101 ) 에 도입 하 여 , 반도체 기판 ( 1101 ) 의 한쪽 의 면 으로부터 소정 깊이 의 영역 에 수소 가 도핑 된 영역 ( 1103 ) 을 형성 한다 .