예시 적 인 실시 예 들 에 따른 수직 형 메모리 장치 의 제조 방법 에서 , 기판 의 상면 에 수직 한 수직 방향 을 따라 몰드 의 모든 층 을 관통 하 는 제 1 개구 를 형성 하 고 , 상기 제 1 개구 를 통해 금속 을 주입 하 여 게이트 전극 을 형성 한 후 , 상기 수직 방향 을 따라 상기 몰드 의 적어도 최상층 을 관통 하 는 제 2 개구 를 형성 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 상기 제 2 개구 가 형성 되 기 전 에 상기 게이트 전극 이 형성 되 므로 , 서로 이웃 하 는 2 개 의 제 1 개 구들 사이 에 상기 제 2 개구 가 복수 개 로 형성 되 는 경우 에 도 게이트 전극 이 제대로 형성 될 수 있 다 .