그러나 전술 한 반도체 장치 ( 100 ) 의 제조 방법 에서 , T - 형상 을 갖 는 희생 게이트 스택 ( 220 ) 을 형성 함 으로써 상대 적 으로 작 은 높이 의 초기 희생 게이트 , 즉 제 1 희생 게이트 ( 222 ) 를 사용 할 수 있 다 . 뿐 만 아니 라 , T - 형상 을 갖 는 희생 게이트 스택 ( 220 ) 을 형성 하 기 위한 제 1 희생 게이트 ( 222 ) 의 리세 스 공정 에 의해 개구부 상부 가 확장 될 수 있 다 . 따라서 , 상기 개구부 의 종횡비 가 감소 될 수 있 고 , 희생 게이트 제거 공정 , 소스 / 드레 인 영역 형성 공정 , 및 / 또는 게이트 전극 의 형성 공정 의 정밀도 가 향상 될 수 있 다 . 따라서 상기 반도체 장치 ( 100 ) 의 전기 적 특성 편차 가 감소 될 수 있 다 .