변형 실리콘 은 집 적 회로 성능 에서 바람직 한 개선 점 을 획득 하 기 위한 중요 한 기술 로서 광범위 하 게 간주 된다 . 이동성 향상 은 감소 된 유효 캐리어 질량 및 감소 된 밸리 사이 ( 포논 ) 산란 의 결합 으로부터 유래 한다 . n - 채널 MOS 전계 효과 트랜지스터 ( FET ) 는 활성 영역 의 너비 ( width ) 및 길 이 축 둘 모두 를 따라 상단 실리콘 층 에서 유도 된 2 축 인장 응력 을 갖 는 개선 된 성능 을 달성 한다 . p - 채널 MOSFET 는 단지 너비 축 을 따라 상단 실리콘 층 에서 유도 된 1 축 인장 응력 ( 가로 방향 인장 응력 ) 을 갖 는 개선 된 성능 을 나타낸다 . p - 채널 MOSFET 는 또한 단지 길 이 축 을 따라 상단 실리콘 층 에서 유도 된 1 축 압축 응력 ( 세로 방향 압축 응력 ) 을 갖 는 개선 된 성능 을 나타낸다 . 압축 응력 은 예 를 들 어 길 이 축 ( 세로 방향 ) 을 따라 바람직 한 압축 응력 을 유도 하 기 위하 여 MOSFET 의 소스 및 드레 인 영역 에서 선택 적 에피 택 셜 SiGe 응력 기 를 사용 하 여 실리콘 표면 층 에 선택 적 으로 제공 될 수 있 다 .