이러 한 건식 리소그래피 를 이용 하 여 60 ㎚ 급 디바이스 개발 을 하 려면 F 2 레이저 또는 EUV ( Extreme Ultraviolet laser ) 레이저 를 광원 으로 하 는 새로운 노광 시스템 을 사용 하 여야 하 는데 , F 2 레이저 를 사용 하 는 경우 에 는 펠리 클 ( pellicle ) 의 개발 이 어렵 고 , EUV 레이저 를 사용 하 는 경우 에 는 마스크 ( mask ) 및 광원 개발 에 문제 가 있 어 현실 적 으로 양산 이 곤란 한 실정 이 다 .