도 3 은 m 면 육방정계 단결정 기판 상 에 형성 된 절연성 물질 패턴 층 의 평면도 이 다 . 도 3 은 도 1 b 에 도시 된 m 면 육방정계 단결정 기판 ( 11 ) 의 상부 면 을 도시 한 것 으로 , 절연성 물질 패턴 층 ( 13 ) 이 형성 되 어 있 으며 , 절연성 물질 패턴 층 ( 13 ) 사이 로 반 극성 질화물 단결정 기 저층 ( 12 a ) 이 노출 되 어 있 는 것 을 확인 할 수 있 다 . 이 경우 , 절연성 물질 패턴 층 ( 13 ) 은 ( 1 - 100 ) 방향 으로 형성 되 어 있 으며 , 약 2 ~ 30 ㎛ 의 폭 으로 형성 될 수 있 다 . 또한 , 절연성 물질 패턴 층 ( 13 ) 사이 의 간격 , 즉 , 반 극성 질화물 단결정 기 저층 ( 12 a ) 이 노출 된 영역 은 약 2 ~ 6 ㎛ 가 될 수 있 다 . 절연성 물질 패턴 층 ( 13 ) 사이 의 간격 을 통해 반 극성 질화물 단결정 기 저층 ( 12 a ) 의 재성장 이 유도 되 어 반 극성 질화물 단결정 박막 ( 12 b ) 을 형성 할 수 있 게 된다 .