상기 의 과제 를 이루 기 위하 여 본 발명 에 의한 전하 트랩 형 플래시 메모리 장치 는 , 절 연막 을 전하 저장 층 으로 이용 하 는 복수 의 메모리 셀 들 을 포함 하 는 메모리 셀 어레이 ; 그리고 온도 감지 결과 에 응답 해서 상기 메모리 셀 들 에 대해 노 말 소거 동작 과 변형 소거 동작 이 선택 적 으로 수행 되 도록 제어 하 는 제어 로직 을 포함 하 며 , 상기 변형 소거 동작 은 소거 실행 구간 동안 소거 될 메모리 셀 들 에 접속 된 워드 라인 들 로 인가 되 는 워드 라인 전압 의 레벨 , 상기 소거 실행 구간 과 소거 검증 구간 사이 의 지연 시간 의 길 이 , 및 상기 지연 시간 동안 상기 워드 라인 들 로 인가 되 는 상기 워드 라인 전압 의 레벨 중 적어도 하나 가 가변 될 수 있 다 .