보다 상세 하 게 는 , 샘플 을 놓 은 후 반응기 를 배기 시켜야 하 고 , 반응기 내 산소 및 물 을 제거 하 기 위해 N 2 로 퍼지 시 킨다 . 이 는 성장 온도 에서 그래핀 에 대한 손상 을 피하 고 , 전 구체 와 산소 및 물 의 원 하 지 않 는 반응 을 피하 기 위한 것 이 다 . 총 압력 은 50 내지 400 Torr 로 설정 된다 . 반응기 를 N 2 로 퍼지 한 후 , 기판 을 약 1200 ℃ 의 기판 온도 에서 H 2 분위기 하 에 열 적 으로 세정 한다 . 이어서 기판 온도 를 , 문제 의 NW 의 성장 에 적합 한 온도 로 설정 할 수 있 다 . 성장 온도 는 700 내지 1200 ℃ 의 범위 일 수 있 다 . 그러나 사용 된 온도 는 NW 내 의 재료 의 특성 에 대해 특이 적 이 다 . GaN 의 경우 , 바람직 한 온도 는 예 를 들 어 800 내지 1150 ℃, 900 내지 1100 ℃, 예컨대 1100 ℃ 이 다 . AlGaN 의 경우 , 상기 범위 는 약간 더 높 아서 , 예 를 들 어 900 내지 1250 ℃, 예 를 들 어 1050 내지 1250 ℃, 예컨대 1250 ℃ 이 다 .