" 얻 어 진 레지스 트 하층 막 형성 용 조성물 및 감방 사선 성 조성물 을 도포 한 실리콘 웨이퍼 를 ArF 엑 시머 레이저 노광 장치 ( 상품명 "" NSRS 306 C """, 니콘 사 제조 ) 를 사용 하 여 마스크 패턴 을 통해 노광 하 였 다 . 그 후 , 115 ℃ 에서 60 초간 PEB 를 행한 후 , 2 . 38 ％ 테트라메틸 암모늄 히드록시 드 수용액 ( 이하 , " "" TMAH 수용액 "" 이라고 도 함 ) 에 의해 25 ℃ 에서 30 초간 현상 하 고 ", 수세 하 고 , 건조 하 여 포지티브 형 의 레지스 트 패턴 을 형성 하 고 , 하 기 평가 방법 에 따라 패턴 붕괴 치수 를 측정 하 였 다 . 사용 한 감방 사선 성 수지 조성물 및 결과 를 표 4 에 나타내 었 다 ( 실시 예 33 내지 45 및 비 교예 33 내지 45 ) .