도 1 ( c ) 를 참조 하 면 , BOE 등 을 이용 한 습식 식각 공정 으로 소자 분리 막 ( 16 A ) 을 소정 깊이 로 식각 하 여 유효 소자 분리 막 높이 ( Effective Field oxide Height ; EFH ) 를 조절 한다 . 이렇게 하 면 이후 형성 될 유전체 막 과 제 1 도전 층 ( 13 ) 의 접촉 면적 을 증가 시켜 커플링 비 를 증가 시킬 수 있 게 된다 .