워드 라인 ( 121 ) 은 도전 물질 을 포함 할 수 있 다 . 워드 라인 ( 121 ) 은 텅스텐 - 베이스 물질 , 예 를 들 어 , 텅스텐 , 텅스텐 질화물 , 텅스텐 실리사이드 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 워드 라인 ( 121 ) 과 수직 형 사이리스터 ( 100 V ) 사이 에 게이트 절연 층 ( 122 ) 이 배치 될 수 있 다 . 게이트 절연 층 ( 122 ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 고유 전 율 물질 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 게이트 절연 층 ( 122 ) 의 상단 부 는 벤딩 될 수 있 다 .