이상 설명 한 바 와 같이 , 텅스텐 층 ( 130 ) 의 손실 을 억제 하 고 텅스텐 층 ( 130 ) 에 대한 산화 실리콘 층 ( 140 ) 의 선택 비 를 높이 기 위해서 는 , 전 구체 를 홀 바닥 의 텅스텐 층 ( 130 ) 상 에 도달 시키 는 것 과 이온 의 운동량 을 작 게 하 는 것 이 중요 함 을 알 수 있 다 . 그러므로 , 본 실시 형태 에 따른 에칭 처리 방법 에서 는 , 처리 가스 에 포함 되 는 희가스 를 Ar 가스 에서 He 가스 로 변경 하 였 다 . 이 로써 , 산화 실리콘 층 ( 140 ) 의 에칭 율 을 유지 하 면서 텅스텐 층 ( 130 ) 에 대한 산화 실리콘 층 ( 140 ) 의 선택 비 향상 을 도모 할 수 있 다 .