상기 제 1 절연 층 패턴 의 외측 벽 에 , 상기 제 1 단위 상변화 메모리 소자 부분 의 제 1 상변화 층 스 페이서 및 제 2 단위 상변화 메모리 소자 부분 의 제 2 상변화 층 스 페이서 를 형성 한다 . 상기 제 2 도 전막 및 제 1 도 전막 을 패 터닝 하 여 상기 제 1 단위 상변화 메모리 소자 부분 에 제 1 하부 전극 및 제 1 발열 전극 을 형성 하 고 , 상기 제 2 단위 상변화 메모리 소자 부분 에 제 2 하부 전극 및 제 2 발열 전극 을 형성 하 고 , 상기 제 1 단위 상변화 메모리 소자 부분 및 제 2 단위 상변화 메모리 소자 부분 사이 에 는 홀 을 형성 한다 .