박막 트랜지스터 등 의 전기 디바이스 를 형성 시켰 을 때 , 절연 층 에 리크 전류 등 이 있 으면 신호 의 응답 지연 , 오작동 , 디바이스 불량 으로 연결 되 기 때문 에 그 절 연막 에 는 높 은 절연 성 을 갖 는 것 이 요구 된다 . 단 용액 도포 에 의해 형성 할 수 있 는 수지 조성물 로 형성 되 는 절 연막 에 대해서 는 , 그 박막 에 전압 을 인가 한 경우 의 리크 전 류량 이 너무 크 기 때문 에 적용 할 수 없 고 , 그 절연 성 은 전극 간 에 형성 된 1 ㎛ 이하 의 박막 에 있 어서 30 V 전압 인 가시 에 있 어서 의 전극 간 리크 량 이 20 nA / ㎠ 이하 인 것 이 필수 가 된다 . 또한 전자 부품 에 대한 신뢰 성 을 고려 하 면 10 nA / ㎠ 이하 인 것 이 바람직 하 고 , 5 nA / ㎠ 인 것 이 더욱 바람직 하 다 .