본 발명 에 의하 면 , 반도체 발광 소자 는 광취 출 효율 을 높일 때 에 광취 출면 쪽 전극 의 박리 를 줄일 수 있 음 과 동시 에 반도체 층 중 의 전류 확대 를 균일화 할 수 있 다 . 따라서 신뢰 성 이 높 고 광 출력 이 높 은 반도체 발광 소자 를 제공 할 수 있 다 . 또 지향 각 0 도 에서 가장 광 출력 이 커지 고 또한 람베르트 의 여현 법칙 에 가까운 배광 을 얻 을 수 있 다 . 그 결과 조명 등 에 적합 한 반도체 발광 소자 를 제공 할 수 있 다 . 또 본 발명 에 의하 면 제조 공정 을 단축 하 여 신뢰 성 이 높 고 배광성 이 양호 한 반도체 발광 소자 를 제조 할 수 있 다 . 여기 에서 본 발명 에서 말 하 는 배광성 이 양호 하 다는 것 은 , 지향 각 0 도 에서 광 출력 이 가장 커지 는 것 , 또한 람베르트 의 여현 법칙 에 가까운 배광 을 얻 을 수 있 다는 것 을 가리키 며 , 이 로써 예 를 들 면 조명 용도 나 자동차 의 헤드 램프 용도 에서 는 설계 가 용이 하 고 우수 한 발광 소자 를 얻 을 수 있 다 .