다른 실시 형태 는 , 논리 수단 과 함께 층간 금속 유전체 ( IMD ) 층 에 형성 된 자기 터널 접합 ( MTJ ) 저장 수단 ; 및 MTJ 저장 수단 에 연결 되 는 공통 IMD 층 내 의 감소 된 두께 의 전도 하 기 위한 수단 ― 감소 된 두께 의 전도 하 기 위한 수단 은 논리 수단 의 대응 하 는 전도 수단 보다 두께 면 에서 더 작음 ― 을 포함 하 는 반도체 디바이스 를 포함 할 수 있 다 .