상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 장치 는 도전 성 구조물 들 과 , 콘 택 플러그 들 과 , 커패시터 를 포함 한다 . 상기 도전 성 구조물 은 기판 상 에 형성 된다 . 상기 기판 상 에 형성 된 콘 택 플러그 들 은 상기 기판 의 도전 성 구조물 들 사이 에 위치 하 면서 매트릭스 방향 으로 배열 된다 . 특히 , 상기 콘 택 플러그 들 은 홀수 번 째 행 에 위치 하 는 제 1 콘 택 플러그 들 과 짝수 번 째 행 에 위치 하 는 제 2 콘 택 플러그 들 을 포함 하 며 , 상기 제 1 콘 택 플러그 들 과 상기 제 2 콘 택 플러그 들 은 각각 서로 다른 방향 으로 확장 된 일 측 상면 을 갖 는다 . 상기 커패시터 는 실린더 형상 을 갖 고 , 상기 콘 택 플러그 들 과 전기 적 으로 연결 된 구조 를 갖 는다 .