본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 반도체 물질 층 을 패 터닝 하 는 단계 는 다음 과 같 은 단계 를 포함 한다 . 먼저 , 상기 제 1 마스크 를 이용 하 여 상기 반도체 물질 층 상 에 패턴 화 된 포토레지스트 막 을 형성 한다 . 상기 패턴 화 된 포토레지스트 막 을 마스크 로 이용 하 여 상기 반도체 물질 층 을 패 터닝 하 여 상기 반도체 층 을 형성 한다 . 다음 에 , 상기 패턴 화 된 포토레지스트 막 을 제거 한다 . 또한 , 상기 제조 방법 은 , 상기 반도체 물질 층 을 형성 한 후 에 상기 반도체 물질 층 상 에 오 믹 콘 택 층 을 형성 하 는 단계 및 상기 반도체 물질 층 을 패 터닝 하 기 전 에 상기 패턴 화 된 포토레지스트 막 을 이용 하 여 상기 오 믹 콘 택 층 을 패 터닝 하 는 단계 를 더 포함 한다 .