또한 , 상술 한 발명 에서 , 상기 제 어부 는 , 일부 기판 처리 열 에서 의 공정 을 기판 에 레지스 트 막 을 형성 하 기 위한 , 및 , 기판 을 현상 하 기 위한 공정 의 전부 로 하 면서 , 다른 기판 처리 열 에서 의 공정 을 기판 에 레지스 트 막 을 형성 하 기 위한 , 및 , 기판 을 현상 하 기 위한 공정 의 일부 로 하 는 것 이 가능 한 것 이 바람직 하 다 . 일부 기판 처리 열 로부터 레지스 트 막 을 형성 하 고 , 현상 한 기판 을 얻 을 수 있 으며 , 다른 기판 처리 열 로부터 레지스 트 막 을 형성 하 고 , 현상 하 는 일련 의 처리 의 일부 를 행한 기판 을 얻 을 수 있 다 .