이어서 상기 전구체 - 고 분자 용액 이 코팅 된 기판 을 130 ℃ 에서 10 분 간 열처리 한 뒤 급속 열처리 시스템 ( rapid thermal annealing system ) 을 이용 하 여 700 ℃ 에서 1 시간 동안 96 % 의 Ar 과 4 % 의 H 2 분위기 에서 열처리 하 였 다 . 도 6 은 본 발명 의 실시 예 에 따라 제조 된 MoS 2 박막 이 형성 된 기판 의 사진 이 다 . 상기 MoS 2 박막 의 3 - D AFM 이미지 를 도 7 에 도시 하 였 다 . 도 7 에서 알 수 있 는 바 와 같이 본 발명 에 따른 MoS 2 박막 의 평균 조도 는 1 nm 미만 으로 매우 균일 함 을 확인 할 수 있 다 .