묘화 장치 ( 100 ) 는 , 시료 면 ( 기판 ( 101 ) 표면 ) 상 에 정의 한 화소 를 멀티 빔 으로 노광 할 때 , 화소 마다 소정 의 도스 량 을 주 도록 , 멀티 빔 의 빔 마다 노광 시간 을 독립 적 으로 제어 한다 . 편향 에 의하 여 빔 이 시료 면 상 에서 위치 결정 된 후 , 블 랭킹 제어 에 의하 여 빔 이 온이 되 고 , 소정 의 시간 이 경과 후 에 빔 이 오프 된다 . 노광량 이 제로 의 화소 인 경우 , 화소 노광 중 빔 은 오프 의 상태 로 보 지 된다 . 래스터 스캔 방식 으로 화소 노광 과 다음 의 노광 화소 로 의 이동 을 반복 하 여 행하 지만 , 전술 한 바 와 같이 , 노광 중 에 , 빔 은 스테이지 에 대하 여 정지 하 도록 편향 제어 된다 . 개별 빔 의 위치 이탈 이 있 는 경우 , 빔 위치 는 화소 위치 로부터 이탈 되 어 버린다 . 이 경우 , 전술 한 바 와 같이 , 빔 마다 의 노광량 을 노광 시간 의 변조 로 조정 함 으로써 , 시료 에 주 는 도스 의 프로 파일 을 빔 의 위치 이탈 이 없 는 경우 에 근접 하 도록 보정 하 는 처리 를 넣 을 수 있 다 .