이산화규소 재질 의 유전 층 을 실리콘 웨이퍼 에 도포 시키 고 , 유전 층 은 포토레지스트 래커 로 도포 시켰 다 . 원 하 는 트렌치 들 을 포함 하 는 원 하 는 구조 체 에 따라 포토레지스트 래커 를 빛 에 일부 노출 한 후 에 , 래커 의 비 노출 부분 들 을 제거 하 였 다 . 그런 후 에 는 실리콘 웨이퍼 를 플 라즈 마 챔버 내 에 투입 하 였 다 . 카보닐 플 루오 라이드 원소 35 vol %, 아르곤 30 vol % 및 C 4 F 6 35 vol % 로 구성 된 실시 예 2 . 1 에 따른 가스 혼합물 을 대략 0 . 2 mbar 의 압력 에서 챔버 내 로 도입 하 고 , 플라 즈 마 조건 이 개시 되 도록 극초단파 조사 를 시작 하 였 다 . 포토레지스트 로 도포 되 지 않 은 영역 들 내 의 이산화규소 를 식각 하 였 다 . 식각 도중 에 트렌치 가 형성 되 었 다 . 동시 에 , 플 루 오로 폴리머 부동태 층 이 트렌치 의 벽 에 형성 되 었 다 . 원 하 는 깊이 의 트렌치 를 얻 을 때 까지 이러 한 처리 를 계속 하 였 다 . 반응기 로부터 식각 / 부동태화 가스 를 제거 하 고 , 식각 된 실리콘 웨이퍼 를 챔버 로부터 제거 할 수 있 었 다