상기 제 1 전극 ( 310 ) 이 형성 된 제 2 절연 기판 ( 101 ) 상 에 는 제 1 버퍼 층 ( 215 ) 과 상기 제 1 버퍼 층 ( 215 ) 상 에 형성 된 격벽 ( 225 ) 에 의해 서브 픽셀 영역 이 구획 되 어 있 다 . 또한 , 상부 기판 ( 130 ) 의 전극 과 하부 기판 ( 110 ) 의 박막 트랜지스터 ( Tr ) 를 전기 적 으로 콘 택 시키 기 위해 제 2 버퍼 층 ( 306 ) 과 제 2 버퍼 층 ( 306 ) 상 에 제 1 , 제 2 컬럼 스 페이서 ( 335 a , 335 b ) 가 형성 되 어 있 다 .