상기 제 1 절곡 부 ( b 80 ) 가 상기 제 2 절곡 부 ( b 180 ) 보다 z 방향 에서 높 게 위치 한다면 , 상기 제 2 수직 영역 ( 80 V 2 ) 과 상기 제 1 분리 구조물 들 ( 180 a ) 과 의 이격 거리 가 상대 적 으로 증가 하 기 때문 에 , 상기 제 2 간격 ( G 2 ) 은 일정 값 이상 이 되 도록 요구 되 지 않 고 , 따라서 상기 제 2 간격 ( G 2 ) 을 적절히 유지 하 도록 구조 를 제어 할 수 있 고 , 집적 도 및 신뢰 성 이 향상 된 반도체 소자 를 제공 할 수 있 다 .