상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 일 측면 에 따른 본 발명 은 , 기판 상 에 터널 링 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 터널 링 절 연막 상 에 폴리 실리콘 막 을 증착 하 는 단계 와 , 상기 폴리 실리콘 막 증착 공정 과 인 - 시튜 ( in - situ ) 로 상기 폴리 실리콘 막 증착 챔버 내 로 질소 를 함유 한 가스 를 주입 시켜 상기 증착 챔버 내 의 산소 를 퍼지 시키 는 단계 와 , 상기 폴리 실리콘 막 상 에 하드 마스크 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 하드 마스크 , 상기 폴리 실리콘 막 , 상기 터널 링 절 연막 및 상기 기판 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 트렌치 가 매립 되 도록 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 하드 마스크 를 제거 하 는 단계 를 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .