도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 본 실시 예 에 따른 플래시 메모리 ( 1 ) 에서 , 소정 의 전위 가 비트 선 ( 8 ) 을 통해 도전체 ( 16 ) 에 인가 되 어 , 도전체 ( 16 ) 가 선택 게이트 로서 기능 하 도록 한다 . 한편 , 서로 독립 적 인 전위 가 각각 의 전 극막 ( 4 ) 에 인가 되 어 , 각각 의 전 극막 이 제어 게이트 로서 기능 하 도록 한다 . 따라서 , 각각 의 전 극막 ( 4 ) 과 도전체 ( 16 ) 사이 에 배치 된 각각 의 충전 층 ( 12 ) 은 전기 적 으로 충전 및 방전 되 어 , 메모리 셀 로서 기능 한다 .