따라서 , 웨이퍼 표면 에 존재 하 는 파티클 을 제거 하 여 수율 을 향상 시키 고자 하 는 목적 으로 실시 하 는 웨이퍼 세 정공 정시 , 세 정공 정상 의 오류 ( 직접 적 인 원인 ) 가 아닌 웨이퍼 홀딩 과정 에서 발생 되 는 흐름 성 디 펙 ( 간접 적 인 원인 ) 으로 인한 반도체 디바이스 의 신뢰 성 및 생산 성 저하 문제 를 해소 할 수 있 는 개선 된 구조 의 웨이퍼 가이드 및 이러 한 웨이퍼 가이드 를 포함 하 는 웨이퍼 세정 장치 가 절실히 요구 되 고 있 다 .