화학 기상 증착 반응기 및 웨이퍼 처리 방법 이 제공 된다 . 본 발명 의 한 관점 은 화학 기상 증착 반응기 를 제공 한다 . 반응기 는 내부 , 그 챔버 의 내부 와 통신 하 는 기체 인입 매니폴드 ( gas inlet manifold ) , 통로 및 하나 이상 의 포트 들 을 구비 하 는 배기 매니폴드 를 포함 하 는 배기 시스템 , 및 그 챔버 내 에 장착 된 하나 이상 의 세 척 소자 들 을 포함 한다 . 기체 인입 매니폴드 는 처리 기체 들 이 그 내부 내 에 유지 된 기판 들 상 에 증착 을 형성 하 도록 허용 할 수 있 다 . 그 통로 는 하나 이상 의 포트 들 을 통해 챔버 의 내부 와 통신 할 수 있 다 . 하나 이상 의 세 척 소자 들 은 ( i ) 세척 소자 들 이 하나 이상 의 포트 들 로부터 이격 된 런 위치 ( run position ) 와 ( ii ) 하나 이상 의 세 척 소자 들 이 하나 이상 의 포트 들 에 인 게이징 된 세척 위치 사이 에 이동 가능 할 수 있 다 .