상기 제 2 리세 스 영역 ( 210 ) 을 형성 하 는 단계 는 상기 절 연막 들 ( 120 ) 및 상기 예비 상부 절연 패턴 ( 152 ) 에 대해 식각 선택 성 을 갖 는 식각 레시피 를 사용 하 여 상기 제 2 희생 막 들 ( 130 ) 을 수평 적 으로 식각 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 제 2 희생 막 들 ( 130 ) 이 실리콘 질화 막 이 고 상기 절 연막 들 ( 120 ) 이 실리콘 산화 막인 경우 , 상기 수평 적 식각 단계 는 인산 을 포함 하 는 식각 액 을 사용 하 여 수행 될 수 있 다 .