주석 옥사이드 중간 층 . 또 다른 하드 마스크 구 현예 에서 , 주석 옥사이드 는 탄소 층 또는 또 다른 재료 의 패 터닝 을 위해 중간 하드 마스크 ( 중간 층 ) 로서 사용 된다 . 일 실시 예 에서 , 기판 이 제공 되 고 , 기판 은 탄소 - 함유 층 상 ( 예 를 들 어 , 비정질 탄소 층 상 ) 에 형성 된 패 터닝 된 주석 옥사이드 의 층 을 포함 하 고 , 기판 은 리세 스 된 피처 들 의 하단 부들 에 노출 된 탄소 - 함유 재료 를 갖 는 복수 의 리세 스 된 피처 들 을 포함 한다 . 다음 에 , 노출 된 탄소 - 함유 재료 는 주석 옥사이드 의 존재 시 탄소 - 함유 층 내 에 리세 스 된 피처 들 을 형성 하 도록 선택 적 으로 에칭 된다 . 적합 한 선택 적 인 에칭 화학 물질 들 은 수소 - 기반 에칭 화학 물질 ( 예 를 들 어 , 플 라즈 마의 H 2 , 및 플 라즈 마의 HBr ) 및 염소 - 기반 에칭 화학 물질 ( 예 를 들 어 , 플 라즈 마의 BCl 3 및 / 또는 Cl 2 ) 을 포함 한다 . 일 적합 한 프로세스 시퀀스 는 도 5 d 내지 도 5 g 에 도시 된 기판 단면도 들 에 예시 된다 . 도 5 d 에 도시 된 기판 은 서브 층 ( 51 ) ( 예 를 들 어 , 비정질 실리콘 또는 본 명세서 에 기술 된 임의 의 타깃 층 들 ) , 서브 층 ( 51 ) 위 에 존재 하 는 탄소 - 함유 재료 ( 예 를 들 어 , 비정질 탄소 ) 의 블랭킷 층 ( 53 ) 및 탄소 - 함유 층 ( 53 ) 위 에 존재 하 는 블랭킷 주석 옥사이드 층 ( 55 ) 을 포함 한다 . 기판 은 주석 옥사이드 층 ( 55 ) 위 의 패 터닝 된 포토레지스트 층 ( 57 ) , 그리고 포토레지스트 ( 57 ) 와 주석 옥사이드 층 ( 55 ) 사이 의 하부 층 ( 56 ) 을 더 포함 하 고 , 하부 층 은 예 를 들 어 , SOG 일 수 도 있 다 . 하부 층 ( 56 ) 은 기판 의 표면 상 의 패 터닝 된 포토레지스트 층 ( 57 ) 내 에 형성 된 리세 스 된 피처 들 에서 노출 된다 . 포토레지스트 의 패턴 은 포토레지스트 의 존재 시 , 예 를 들 어 , 플루오르화 탄소 - 기반 플 라즈 마 에칭 에 의해 하부 층 을 선택 적 으로 에칭 함 으로써 하부 층 ( 56 ) 으로 전사 된다 . 에칭 은 도 5 e 에 도시 된 바 와 같이 , 리세 스 된 피처 들 의 하단 부 들 에서 주석 옥사이드 층 ( 55 ) 을 노출 시킨다 . 다음 에 , 주석 옥사이드 는 바람직 하 게 하부 층 재료 에 선택 적 인 에칭 을 사용 하 여 패 터닝 된다 . 예 를 들 어 , 주석 옥사이드 는 수소 - 기반 에칭 또는 염소 - 기반 에칭 을 사용 하 여 에칭 될 수 도 있 다 . 도 5 f 에 도시 된 발생 되 는 구조 체 에서 , 패턴 은 포토레지스트 로부터 주석 옥사이드 층 으로 전사 되 고 탄소 - 함유 층 ( 53 ) 은 리세 스 된 피처 들 의 하단 부 들 에서 노출 된다 . 다음 에 , 프로세스 는 노출 된 탄소 - 함유 층 ( 53 ) 의 에칭 으로 이어진다 . 바람직 하 게 , 주석 옥사이드 에 선택 적 인 화학 물질 이 사용 된다 . 예 를 들 어 , 노출 된 탄소 - 함유 층 ( 53 ) 은 산소 - 기반 에칭 에 의해 에칭 될 수 도 있 다 ( 예 를 들 어 , 탄소 는 산소 - 함유 가스 로 형성 된 플 라즈 마 에 의해 에칭 될 수 있 다 ) . 남 아 있 는 포토레지스트 는 또한 이 단계 에서 제거 될 수 도 있 다 . 이 에칭 후 에 획득 된 구조 체가 도 5 g 에 도시 된다 . 프로세스 는 주석 옥사이드 ( 55 ) 의 제거 및 노출 된 서브 층 ( 51 ) 의 후속 하 는 프로세싱 으로 이어질 수 도 있 다 .