일부 실시 예 들 에 있 어서 , 이 들 표면 들 상 의 전구체 흡수 를 방지 또는 감소 시키 기 위하 여 전구체 가스 들 에 노출 되 는 가스 분배 샤워 헤드 조립 체 ( 204 ) 의 내부 표면 들 에 코팅 ( 291 ) 이 적용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 2 에 대하 여 , 내측 가스 도관 들 ( 246 ) 의 내부 표면 들 뿐 만 아니 라 도관 ( 204 D ) , 제 1 프로세싱 가스 입구 ( 259 ) , 제 2 프로세싱 가스 입구 ( 258 ) , 제 1 프로세싱 가스 매니폴드 ( 204 A ) , 제 2 프로세싱 가스 매니폴드 ( 204 B ) , 차단기 플레이트 ( 255 ) 및 오리피스 들 ( 257 ) 의 내부 표면 들 과 같 은 , 전 구체 들 의 컨덕턴스 ( conductance ) 경로 내 의 일부 또는 모든 표면 들 은 그 에 적용 되 는 코팅 ( 291 ) 을 가질 수 있 다 . 코팅 ( 291 ) 은 불 균일 한 프로세싱 및 막 증식 으로 나타날 수 있 는 전구체 흡수 또는 가스 분배 샤워 헤드 조립 체 ( 204 ) 의 내부 표면 들 상 의 들러붙 음 ( sticking ) 을 방지 하 거나 또는 상당히 감소 시킨다 . 예 를 들 어 , 트리 메틸 인듐 ( TMIn ) 및 비스 ( bis ) ( 사이클 로 펜 타 디 에 닐 ) 마그네슘 ( Cp 2 Mg ) 과 같 은 전구체 들 은 금속 챔버 표면 들 에 쉽 게 고착 되 려는 경향 을 갖 는다 . 따라서 , 프로세싱 런 ( processing run ) 에 있 어서 , 전 구체 물질 들 의 일부 는 가스 분배 샤워 헤드 조립 체 ( 204 ) 의 내부 표면 들 에 고착 될 수 있 고 기판 들 ( 240 ) 에 도달 하 지 않 으며 , 이 는 기판 으로 의 전구체 의 불 충분 한 전달 로부터 나타나 는 불 균일 한 증착 및 / 또는 불 균일 한 막 증식 으로 나타날 수 있 다 . 다수 의 프로세싱 런 들 에 있 어서 , 가스 분배 샤워 헤드 조립 체 ( 204 ) 의 내부 표면 들 상 에 흡수 된 전구체 들 은 , " 흡수 된 전구체 물질 들 이 표면 들 로부터 의도 하 지 않 게 분리 되 며 및 / 또는 의도 하 지 않 은 시간 간격 들 로 다른 전구체 가스 들 에 의해 기판 들 ( 240 ) 로 전송 되 는 "" 메모리 효과 ( memory effect ) "" 를 생산 할 수 있 다 . 전 구체 들 의 의도 하 지 않 은 분리 는 바람직 한 시간 간격 들 을 벗어나 기판 들 ( 240 ) 에 분리 된 전구체 들 을 도입 함 으로써 ", 분리 된 전구체 들 을 추가 적 인 또는 과잉 반응 가스 들 로서 도입 함 으로써 , 및 / 또는 분리 된 전구체 들 을 막 내 의 입자 들 로 도입 함 으로써 막 품질 에 악영향 을 끼칠 수 있 다 . 전 구체 가스 들 에 노출 된 가스 분배 샤워 헤드 조립 체 ( 204 ) 의 내부 표면 들 에 적용 되 는 코팅 ( 291 ) 의 실시 예 들 은 , 금속 표면 에 전구체 의 고착 을 최소 화 함 으로써 메모리 효과 를 방지 하 거나 또는 감소 시킨다 . 따라서 , 가스 분배 샤워 헤드 조립 체 ( 204 ) 의 표면 들 상 의 전구체 흡수 의 감소 는 효율 적 인 가스 전달 을 유지 시키 며 , 보다 큰 흐름 제 어 및 보다 뚜렷 한 ( sharper ) 온 / 오프 천이 ( transition ) 들 을 제공 하 며 , 이 는 개선 된 막 품질 , 바람직 한 다중 - 양자 ( multi - quantum ) 웰 형성 , 및 접합부 들 의 도핑 된 지역 들 의 개선 된 선명도 ( sharpness ) 로 나타난다 .