상기 수직 전극 들 ( 140 ) 은 다 결정 실리콘 , 금속 , 및 도전 성 금속 질화물 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 일 예 로 , 상기 수직 전극 들 ( 140 ) 이 도핑 된 다결정 실리콘 을 포함 하 는 경우 , 상기 수직 전극 들 ( 140 ) 의 도전 형 은 상기 반도체 기판 ( 100 ) 의 도전 형 과 다른 제 2 도전 형 일 수 있 다 . 일 예 로 , 상기 제 2 도 전형 은 n 형 일 수 있 다 . 다른 예 로 , 상기 수직 전극 들 ( 140 ) 은 텅스텐 , 티타늄 , 탄 탈륨 , 및 이 들 의 질화물 과 같 은 금속 물질 을 포함 하 는 경우 , 상기 수직 전극 들 ( 140 ) 과 상기 반도체 기판 ( 100 ) 사이 에 텅스텐 실리사이드 등 을 포함 하 는 금속 실리사이드 층 이 추가 로 제공 될 수 있 다 .