또한 , 본 발명 은 복수 의 전극 상 에 땜납 이 도포 된 배선 기판 을 원하 는 분위기 내 에 배치 하 고 , 상기 분위기 내 에서 제 1 Ar 플 라즈 마 를 형성 하 여 배선 기판 의 주면 의 오염 을 제거 하 는 공정 과 , 상기 제거 후 에 , 배선 기판 의 복수 의 전극 상 의 땜납 을 , 수소 와 드라이 에어 의 혼합 가스 를 이용한 수소 버 닝 에 의해 열처리 하 는 공정 을 갖 는 것 이 다 . 또한 , 복수 의 표면 전극 에 금 범프 가 접합 된 제 1 반도체 칩 을 배선 기판 의 주면 상 에 배치 하 고 , 그 후 에 땜납 을 가열 용융 하 여 금 범프 와 땜납 을 접속 하 여 제 1 반도체 칩 을 플립 칩 접속 하 는 공정 과 , 제 1 반도체 칩 과 배선 기판 의 사이 에 언더 필 을 충전 하 는 공정 과 , 제 1 반도체 칩 상 에 제 2 반도체 칩 을 그 주면 을 상방 을 향하 게 하 여 탑재 하 는 공정 을 갖 는 것 이 다 . 또한 , 배선 기판 을 원하 는 분위기 내 에 배치 하 고 , 상기 분위기 내 에서 제 2 Ar 플 라즈 마 를 형성 하 여 배선 기판 의 주면 의 복수 의 본딩 리드 의 오염 을 제거 하 는 공정 과 , 상기 제거 후 에 , 제 2 반도체 칩 의 주면 의 복수 의 표면 전극 과 , 배선 기판 의 주면 의 복수 의 본딩 리드 를 각각 도전 성 와이어 에 의해 전기 적 으로 접속 하 는 공정 을 갖 는 것 이 다 .