일 측 에 따르 면 , 130 단계 에서 일실 시예 에 따른 박막 의 결정 성장 거동 조절 방법 은 300 내지 500 의 온도 범위 내 에서 열처리 를 수행 하 여 , 결정 의 성장 거동 이 조절 된 박막 을 형성 할 수 있 다 . 구체 적 으로 , 열처리 온도 가 500 를 초과 하 면 박막 이 휘발 될 수 있 으며 , 300 미만 의 온도 에서 는 박막 내 이 황화주석 상 이 결정 화 되 어 혼재 될 수 있 는 문제 가 있 다 .