그 외 에 도 , 트랜지스터 들 ( 50 내지 58 ) 대신 에 p - 채널 트랜지스터 들 을 이용 한 대안 적 인 실시 예 들 은 프로그래밍 및 독 출 을 위해 이용 되 는 전압 들 을 시프트 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 도 3 및 도 5 를 참조 하 면 , 메모리 ( 20 ) 는 - 3 . 0 볼트 대신 - 4 . 0 볼트 를 이용 할 수 있 고 , - 1 . 2 볼트 대신 - 2 . 2 볼트 를 이용 할 수 있 고 , 0 볼트 대신 - 1 . 0 볼트 를 이용 할 수 있 다 . 유사 하 게 , 메모리 ( 20 ) 의 대안 적 인 한 실시 예 는 - 3 . 0 볼트 대신 - 1 . 8 볼트 를 이용 할 수 있 고 , - 1 . 2 볼트 대신 0 볼트 를 이용 할 수 있 고 , 0 볼트 대신 1 . 2 볼트 를 이용 할 수 있 다 . 다른 실시 예 들 은 임의 의 값 의 오프셋 전압 을 이용 할 수 있 다 . 집 적 회로 들 상 에서 이용 된 치수 들 이 감소 됨 에 따라 , 대안 적 인 실시 예 들 은 , 동일 한 관계 들 ( 전압 들 이 더 크 고 전압 들 이 더 적음 ) 로 전압 들 을 이용 할 수 있 지만 , 전압 들 의 절대 값 들 은 상이 한 양 들 만큼 변할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 도 3 및 도 5 를 참조 하 면 , 메모리 ( 20 ) 는 - 3 . 0 볼트 대신 - 2 . 0 볼트 를 이용 할 수 있 고 , - 1 . 2 볼트 대신 - 0 . 8 볼트 를 이용 할 수 있 고 , 0 볼트 대신 0 볼트 를 이용 하 여 남 아 있 을 수 있 다 . 다른 실시 예 들 은 프로그래밍 및 / 또는 독 출 전압 들 을 스케일링 하 기 위한 임의 의 적당 한 값 을 이용 할 수 있 다 . 음 의 전압 들 이 바람직 하 지 않 으면 , 프로그래밍 및 독 출 전압 들 이 오프셋 만큼 양 의 방향 으로 시프트 될 수 있 어서 , 모든 전압 들 은 양 이 되 거나 적어도 0 ( 접지 ) 이 됨 을 유념 한다 . 따라서 , 트랜지스터 들 ( 50 내지 58 ) 대신 에 p - 채널 트랜지스터 들 을 이용 한 회로 들 은 , 프로그래밍 및 독 출 을 위해 상술 된 바 와 같이 전압 들 이 인가 되 는 도 1 , 도 3 및 도 5 와 동일 한 방식 으로 결합 될 수 있 다 .