OUM ( Ovonic Unified ( 또는 Universal ) Memory ) 응용 에서 , 상기 칼 코 게나 이드 물질 의 상기 직접 겹쳐 쓰 기 상태 들 은 메모리 소자 의 메모리 상태 들 을 정의 하 는 데 사용 된다 . 가장 일반 적 으로 는 , " 상기 메모리 소자 들 은 직접 겹쳐 쓰 기 상태 들 의 둘 을 메모리 상태 들 로 사용 하 며 구별 되 는 정보 값 ( 예 를 들 면 "" 0 "" 또는 "" 1 "") 을 각 상태 와 연결 시킨 바이너리 메모리 소자 들 이 다 . 따라서 ", 각 메모리 상태 는 상기 칼 코 게나 이드 물질 의 구별 되 는 구조 적 상태 에 대응 되 며 , 각 구조 적 상태 는 , 예 를 들 면 , " 도 1 에서 직접 겹쳐 쓰 기 상태 에 의하 여 예시 된 바 와 같이 구별 되 는 저항 값 에 의하 여 특성 화 될 수 있 기 때문 에 그 상태 의 독 출 또는 식별 은 그 물질 ( 또는 소자 ) 의 저항 을 측정 함 으로써 달성 할 수 있 다 . 칼 코 게나 이드 물질 을 특정 메모리 상태 와 관련 된 상기 구조 적 상태 로 전이 시키 는 동작 은 칼 코 게나 이드 물질 을 "" 프로그래밍 "" 한다 "," 칼 코 게나 이드 물질 에 "" 기록 "" 한다 또는 칼 코 게나 이드 물질 내 에 정보 를 저장 한다고 언급 될 수 도 있 다 . "