도 2 b 를 참조 하 면 , 상기 패드 산화 막 ( 206 ) 상 에 하드 마스크 폴리 실리콘 막 ( 208 ) 을 형성 한 후 , 상기 하드 마스크 폴리 실리콘 막 ( 208 ) 상 에 반사 방지 막 ( 210 ) 을 형성 한다 . 그런 다음 , 상기 반사 방지 막 ( 210 ) 상 에 리세 스 게이트 형성 영역 을 노출 시키 는 감광막 패턴 ( 212 ) 을 형성 한다 .