도 3 을 참조 하 면 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 소노 스 메모리 소자 는 복수 개 의 워드 라인 ( word line ) ( 310 - 1 , 310 - 2 , 310 - 3 , 310 - 4 , … … 310 - n , 단 , n 은 자연 수임 ) 및 복수 개 의 비트 라인 ( bit line ) ( 320 - 1 , 320 - 2 , 320 - 3 , 320 - 4 , 320 - 5 , 320 - 6 , 320 - 7 , 320 - 8 , … … 320 - n , 단 , n 은 자연 수임 ) 을 포함 하 는 메모리 셀 어레이 ( memory cell array ) 를 형성 할 수 있 다 .