그 결과 , 베 어 실리콘 웨이퍼 상 에 는 , 플라 즈 마를 10 분 조사 함 으로써 2 . 8 nm 의 산화 막 이 형성 되 었 다 . 그 로 인해 , 상술 한 각 실시 형태 에서 설명 한 바 와 같이 , 막 두께 방향 에서 플 라즈 마의 강도 를 조정 함 으로써 , 웨이퍼 ( W ) 의 표층 에 대한 영향 ( 산화 막 의 유무 ) 을 조정 할 수 있 음 을 알 았 다 .