산화 막 이 형성 될 피처 ( feature ) 의 표면 ( 즉 기판 ( 100 ) 의 표면 ) 의 종횡비 가 큰 경우 에 는 물질 전달 ( mass transfer ) 의 업 스트림 쪽 에서 제 1 소스 물질 ( SM 1 ) 의 화학 흡착 이 활발 하 게 일어나 는 것 이 일반 적 이 다 . 하지만 , 본 실시 예의 경우 미리 물리 흡착 되 어 있 는 전자 공여 화합물 ( ED ) 으로 인해 피처 표면 ( 즉 기판 ( 100 ) 의 표면 ) 에 대한 제 1 소스 물질 ( SM 1 ) 의 화학 흡착 이 느려진다 . 그 에 따라 , 제 1 소스 물질 ( SM 1 ) 이 다운 스트림 쪽 으로 더 많이 확산 할 수 있 게 되 고 , 전체 적 으로 제 1 소스 물질 ( SM 1 ) 의 균 일도 가 개선 되 게 된다 .