여기 서 , 반도체 층 ( 136 ) , 게이트 전극 ( 140 ) , 소스 전극 ( 144 ) , 드레 인 전극 ( 146 ) 은 스위칭 박막 트랜지스터 ( Ts ) 및 구동 박막 트랜지스터 ( Td ) 를 구성 하 는데 , 스위칭 박막 트랜지스터 ( Ts ) 는 구동 박막 트랜지스터 ( Td ) 의 게이트 전극 ( 140 ) 에 인가 되 는 데이터 신호 를 제어 하 고 , 구동 박막 트랜지스터 ( Td ) 는 발광 다이오드 ( D ) 에 인가 되 는 전류 를 제어 할 수 있 다 .