일 실시 형태 에 따르 면 , 상기 실리콘 몰드 의 상부 를 제거 하 는 단계 및 상기 실리콘 몰드 의 하부 를 제거 하 는 단계 는 , 상기 실리콘 몰드 의 상부 및 하부 를 XeF 2 , SF 6 , NF 3 , F 2 및 SiF 4 로 이루어진 군 에서 선택 되 는 적어도 어느 하나 의 에칭 가스 를 이용 하 여 제거 하 는 단계 ; 및 상기 실리콘 몰드 의 잔여 부분 은 반응 성 이온 에칭 공정 을 이용 하 여 제거 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 것 일 수 있 다 .