도 1 b 은 화학 기계 적 연마 장치 ( 9 ) 의 개략 평면도 이 다 . 도 1 a 및 도 1 b 에 도시 된 바 와 같이 , 화학 기계 적 연마 장치 ( 9 ) 는 웨이퍼 ( W ) 를 저면 에 위치 시킨 상태 에서 웨이퍼 ( W ) 를 가압 하 며 자전 하 는 연마 헤드 ( 1 ) 와 , 웨이퍼 ( W ) 의 연 마면 과 접촉 하 면서 회전 ( 2 d ) 하 는 연마 패드 ( 2 ) 와 , 연마 패드 ( 2 ) 상 에 슬러리 를 공급 하 여 웨이퍼 ( W ) 에 도달 한 슬러리 에 의한 화학 적 연마 를 행하 게 하 는 슬러리 공급 부 ( 3 ) 와 , 연마 패드 ( 2 ) 의 표면 을 개질 하 는 컨디 셔 너 ( 4 ) 로 이루어진다 .