" 도 6 은 VTM ( vacuum transfer module ) ( 538 ) 과 인터 페이 싱하 는 다양 한 모듈 들 을 갖 는 반도체 프로세스 클러스터 아키텍처 를 도시 한다 . 복수 의 저장 설비 들 사이 에서 웨이퍼 들 을 "" 이송 "" 하 기 위한 이송 모듈 들 및 프로세스 모듈 들 의 장치 는 "" 클러스터 툴 아키텍처 "" 시스템 으로 지칭 될 수 도 있 다 . 또한 로드 록 또는 이송 모듈 로 공지 된 에어록 ( 530 ) 은 ", VTM ( 538 ) 과 인터 페이 싱 하고 , 결과 적 으로 , 다양 한 제조 프로세스 들 을 수행 하 도록 개별 적 으로 최적 화 될 수 도 있 는 4 개 의 프로세싱 모듈 들 ( 520 a 내지 520 d ) 과 인터 페이 싱 한다 . 예 로서 , 프로세싱 모듈 들 ( 520 a 내지 520 d ) 은 기판 에칭 , 증착 , 이온 주입 , 웨이퍼 세정 , 스퍼터링 , 및 / 또는 다른 반도체 프로세스 들 을 수행 하 도록 구현 될 수 도 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , SnO 2 증착 및 SnO 2 에칭 이 동일 한 모듈 에서 수행 된다 . 일부 실시 예 들 에서 , SnO 2 증착 및 SnO 2 에칭 은 동일 한 툴 의 상이 한 모듈 들 에서 수행 된다 . 하나 이상 의 기판 에칭 프로세싱 모듈 들 ( 520 a 내지 520 d 중 어느 하나 ) 이 본 명세서 에 개시 된 바 와 같이 , 예 를 들 어 , 컨 포 멀 한 막 들 을 증착 하 기 위해 , SnO 2 를 선택 적 으로 에칭 하 기 위해 , 에 어 갭 들 을 형성 하 기 위해 , " 그리고 개시 된 실시 예 들 에 따른 다른 적합 한 기능 들 을 위해 구현 될 수 도 있 다 . 에어록 ( 530 ) 및 프로세싱 모듈 들 ( 520 a 내지 520 d ) 은 "" 스테이션 들 "" 로 지칭 될 수 도 있 다 . 스테이션 각각 은 스테이션 을 VTM ( 538 ) 에 인터 페이 싱하 는 패 싯 ( 536 ) 을 갖 는다 . 패 싯 각각 내부 에서 ", 센서 들 ( 1 내지 18 ) 은 웨이퍼 가 각각 의 스테이션 들 사이 에서 이동 할 때 웨이퍼 ( 526 ) 의 통과 를 검출 하 도록 사용 된다 .