제 1 활성 층 ( 350 ) 및 제 2 활성 층 ( 450 ) 은 버퍼 막 ( 120 ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 제 1 활성 층 ( 350 ) 및 제 2 활성 층 ( 450 ) 은 산화물 반도체 를 포함 할 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 에서 , 제 1 활성 층 ( 350 ) 및 제 2 활성 층 ( 450 ) 은 인듐 - 주석 산화물 ( Indium - Tin Oxide , ITO ) , 인듐 - 갈륨 - 주석 산화물 ( Indium - Tin - Gallium Oxide , ITGO ) , 인듐 - 갈륨 - 아연 산화물 ( Indium - Gallium - Zinc Oxide ; IGZO ) 또는 인듐 - 갈륨 - 아연 - 주석 산화물 ( Indium - Gallium - Zinc - Tin Oxide ; IGZTO ) 을 포함 할 수 있 다 . 다만 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 .