비휘발성 메모리 의 일례 는 , 데이터 를 저장 하 기 위해 전자 전하 를 사용 하 는 다른 메모리 기술 들 과 는 대조 적 으로 , 저장 된 데이터 를 나타내 기 위해 자화 를 사용 하 는 자기 저항성 랜덤 액세스 메모리 ( magnetoresistive random access memory , MRAM ) 이 다 . 일반 적 으로 , MRAM 은 반도체 기판 상 에 형성 된 다수 의 자기 메모리 셀 들 을 포함 하 고 , 여기 서 각각 의 메모리 셀 은 하나 의 데이터 비트 를 나타낸다 . 메모리 셀 내 의 자기 요소 의 자화 방향 을 변경 함 으로써 데이터 의 비트 가 메모리 셀 에 기록 ( write ) 되 고 , " 메모리 셀 의 저항 을 측정 함 으로써 비트 가 판독 ( read ) 된다 ( 낮 은 저항 은 전형 적 으로 "" 0 "" 비트 를 나타내 고 "," 높 은 저항 은 전형 적 으로 "" 1 "" 비트 를 나타냄 ) . "