하나 의 예시 적 실시 형태 에 있 어서 , 기판 은 , 기판 지지기 상 또한 에지 링 에 의하 여 둘러싸인 영역 내 에 배치 된다 . 도전 성 부재 는 , 에지 링 으로부터 전기 적 으로 분리 되 어 있 으며 , 에지 링 보다 챔버 의 측벽 의 가까이 에서 연재 되 어 있 다 . 플 라즈 마 처리 방법 은 , 기판 에 대한 플 라즈 마 처리 를 위하 여 챔버 내 에 있 어서 플 라즈 마가 생성 되 고 있 을 때 에 , 하부 전극 에 바이어스 를 공급 하 는 공정 을 더 포함 한다 . 바이어스 는 , 고주파 바이어스 전력 또는 하부 전극 에 주기 적 으로 인가 되 는 펄스 상 의 음극 성 의 전압 이 다 . 양극 성 의 전압 은 , 기판 의 전위 가 음인 기간 에 있 어서 도전 성 부재 에 인가 된다 .