상기 적층 형 의 EEPROM 은 소자 의 고집 적 화 에 유리 한 반면 에 단층 구조 의 싱글 게이트 공정 을 따르 는 MOSFET ( metal - oxide - semiconductor Field Effect Transistor ) 또는 CMOSFET ( complementary MOSFET ) 과 같 은 논리 소자 ( logic device ) 와 함께 제조 되 기 위해서 는 복잡 한 공정 을 거쳐야 하 는 단점 이 있 다 .