내측 상부 전극 ( 24 ) 은 상부 전 극판 ( 32 ) 과 , 전극 지 지체 ( 33 ) 를 갖 는다 . 상부 전 극판 ( 32 ) 은 예 를 들 면 실리콘 이나 탄화규소 ( SiC ) 등 의 반도체 재료 로 구성 되 며 , 도시 하 지 않 은 다수 의 전 극판 가스 통기 구멍 ( 제 1 가스 통기 구멍 ) 을 갖 는다 . 전극 지 지체 ( 33 ) 는 상부 전 극판 ( 32 ) 을 착 탈 가능 하 게 지지 하 는 도전 재료 이 며 , 예 를 들 면 표면 에 알루마이트 처리 가 실시 된 알루미늄 으로 구성 된다 . 상부 전 극판 ( 32 ) 은 볼트 ( 도시 하 지 않 음 ) 에 의해 전극 지 지체 ( 33 ) 에 체결 된다 . 볼트 의 헤드 부 는 상부 전 극판 ( 32 ) 의 하부 에 배치 된 환상 의 실드 링 ( 53 ) 에 의해 보호 된다 .