수직 채널 트랜지스터 는 반도체 기판 상 에서 수직 으로 연장 된 필라 ( Active pillar ) 의 주위 를 감싸 는 환형 ( Surround type ) 게이트 전극 을 형성 하 고 , 게이트 전 극 을 중심 으로 하 여 필라 의 상부 와 하부 에 각각 소스 영역 과 드레 인 영역 을 형성 함 으로써 채널 이 수직 으로 형성 되 는 트랜지스터 이 다 . 그러므로 , 트랜지스터 의 면적 을 감소 시키 더라도 채널 길이 에 구애 받 지 않 는다 .