또한 , 상술 한 제 1 실시 형태 에서 도 , 이 제 3 실시 형태 와 같이 막 두께 방향 에 걸쳐서 막 질 을 균질 화 해도 좋 고 , 구체 적 으로 는 도 28 에 도시 한 바 와 같이 , 웨이퍼 ( W ) 의 표층 에서부터 0 ~ 40 Å ( 4 nm ) 까지 는 산화 막 두께 ( j ) 가 15 Å ( 1 . 5 nm ) 에 상당 하 는 강도 에서부터 산화 막 두께 ( j ) 가 20 Å ( 2 nm ) 에 상당 하 는 강도 까지 곡선 적 으로 플 라즈 마의 강도 를 크 게 하 고 , 40 Å ( 4 nm ) ~ 70 Å ( 7 nm ) 에 대해서 는 플 라즈 마의 강도 를 제로 로 한다 . 그리고 , 70 Å ( 7 nm ) ~ 100 Å ( 10 nm ) 에 대해서 는 산화 막 두께 ( j ) 가 30 Å ( 3 nm ) 에 상당 하 는 강도 [ 전극 ( 36 a , 36 b ) 에 공급 하 는 전력 : 110 W ] 에서부터 산화 막 두께 ( j ) 가 53 Å ( 5 . 3 nm ) 에 상당 하 는 강도 까지 곡선 적 으로 플 라즈 마의 강도 를 크 게 해도 좋 다 . 이렇 게 플 라즈 마의 강도 를 조정 함 으로써 , 박막 의 하층 의 웨이퍼 ( W ) 의 산화 를 억제 하 면서 , 막 두께 방향 에 걸쳐서 막 질 이 균질 한 박막 을 얻 을 수 있 다 . 이 경우 에 도 , 성막 을 개시 한 초기 ( 예 를 들 어 막 두께 가 10 Å ( 1 nm ) 에 도달 할 때 까지 ) 는 , 플 라즈 마의 강도 를 제로 로 해도 좋 다 .