또한 , 제 1 실시 예의 경우 , 기판 상 에 제 1 산화 크롬 물질 층 / 크롬 물질 층 / 제 2 산화 물질 층 을 형성 하 고 , 제 1 실시 예 의 제 1 변형 예의 경우 제 1 산화 크롬 물질 층 / 제 1 질화 크롬 물질 층 / 크롬 물질 층 / 제 2 산화 크롬 물질 층 을 형성 하 고 , 제 1 실시 예 의 제 1 변형 예의 경우 제 1 산화 크롬 물질 층 / 제 1 질화 크롬 물질 층 / 크롬 물질 층 / 제 2 질화 크롬 물질 층 제 2 산화 크롬 물질 층 을 형성 하 고 , 이 를 회절 노광 또는 하프톤 노광 이 아니 일반 적 인 노광 을 실시 하 여 포토레지스트 패턴 을 형성 하 고 패 터닝 함 으로써 동일 한 5 중층 , 4 중층 및 3 중층 중 어느 하나 의 적층 구조 를 갖 는 제 1 및 제 2 블랙 매트릭스 를 형성 할 수 있 다 .