금속 전극 ( 몰리브덴 , 텅스텐 등 ) 과 산화물 반도체 층 과 의 접촉 에 비하 여 , 금속 전극 ( 몰리브덴 , 텅스텐 등 ) 과 산화물 도전 층 과 의 접촉 은 , 접촉 저항 을 낮출 수 가 있 다 . 그 때문 에 , 상기 산화물 도전 층 을 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 전극 ( 142 a ) 및 전극 ( 142 b ) 의 사이 에 마련 함 에 의해 , 전극 ( 142 a ) 및 전극 ( 142 b ) 과 산화물 도전 층 과 의 접촉 저항 을 저감 할 수 있 다 . 이렇게 하 여 , 소스 및 드레 인 의 저 저항 화 를 꾀할 수 가 있 으며 , 트랜지스터 ( 162 ) 의 고속 동작 을 실현 할 수 가 있 다 . 또한 , 트랜지스터 ( 162 ) 의 내압 을 향상 시킬 수 도 있 다 .