본 개시 에 따르 면 , 메모리 셀 어레이 의 제 1 페이지 의 제 1 페이지 데이터 가 판독 될 때 , 복수 의 선택 되 지 않 은 비트 라인 이 선택 된 비트 라인 을 마스킹 하 기 위해 사용 된다 . 메모리 셀 어레이 의 제 1 페이지 의 제 2 페이지 데이터 가 판독 될 때 , 복수 의 선택 되 지 않 은 비트 라인 이 선택 된 비트 라인 을 마스킹 하 기 위해 사용 된다 . 이러 한 방식 으로 , 연속 판독 동작 에서 , 동일 한 페이지 가 여러 번 판독 될 때 발생 되 는 판독 간섭 ( reading interference ) 이 억제 되 고 , 이 에 의해 신뢰 성 이 높 은 판독 이 제공 되 고 페이지 버퍼 / 센싱 회로 의 회로 규모 가 감소 된다 .