셋째 , 다수 의 핑거 들 각각 의 바디 에서 의 전압 이 시 뮬 레이트 된다 . 최적 시뮬레이션 조건 들 은 턴 온 기판 전위 에 가까운 멀티 핑거 MOSFET 의 핑거 들 에 에서 의 바디 전압 들 을 만들 어 내 는 것 , 또는 턴 온 기판 전위 에 가까운 멀티 핑거 싸이 리스터 들 의 핑거 들 에서 의 게이트 전압 들 을 만들 어 내 는 것 이 다 .