도 3 은 예시 적 인 실시 형태 ( 300 ) 를 도시 한다 . 하부 캡 층 ( Cap 1 x 및 Cap 2 x ) 과 상부 캡 층 ( Cap 1 x + 1 및 Cap 2 x + 1 ) 사이 에 간격 은 종래 의 구성 들 에서 와 같이 유지 된다 . 하부 캡 층 ( IMDx - 1 및 Mx - 1 ) 아래 의 부분 들 의 엘리먼트 들 또한 종래 의 구성 과 유사 하 다 . 이 간격 을 유지 하 기 위해서 , 금속 배선 ( Mx ) 및 MRAM 셀 들 을 위한 IMD 층 x 내 불 충분 한 공간 의 문제 들 을 경감 시키 는 두 갈래 의 해법 들 이 제공 된다 .