본 발명 의 실시 예 들 은 반도체 기판 의 실리콘 내 에서 트렌치 절연 을 형성 하 는 방법 을 포함 하 며 , 서로 이격 된 실리콘 - 함유 메사 들 을 형성 하 는 과정 을 포함 할 수 도 있 고 포함 하 지 않 을 수 도 있 다 . 가령 , 도 5 - 7 이후 의 상술 한 공정 들 은 상술 한 제 2 트렌치 를 반드시 형성 할 필요 없이 , 트렌치 내 에 절연성 트렌치 물질 을 증착 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 이러 한 서로 이격 된 실리콘 - 함유 메사 들 의 형성 에 관계없이 , 절연성 트렌치 물질 이 실리콘 내 에 형성 되 는 제 1 , 2 트렌치 내 에 증착 될 수 있 다 .