다음 , 도 5 f 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴 ( 281 a , 281 b ) 외부 로 노출 된 상기 금속 층 ( 도 5 e 의 230 ) 과 그 하부 의 불순물 비정질 실리콘 층 ( 도 5 e 의 223 ) 및 순수 비정질 실리콘 층 ( 도 5 e 의 218 ) 을 식각 하 여 제거 함 으로써 상기 게이트 절 연막 ( 208 ) 상부 에 는 상기 게이트 배선 ( 미 도시 ) 과 교차 하 여 화소 영역 ( P ) 을 정의 하 는 데이터 배선 ( 240 ) 을 형성 하 고 , 동시 에 상기 스위칭 영역 ( TrA ) 에 는 연결 된 상태 의 소스 드레 인 패턴 ( 237 ) 과 , 그 하부 로 순차 적 으로 연결 된 상태 의 불순물 비정질 실리콘 패턴 ( 224 ) 및 순수 비정질 실리콘 패턴 ( 219 ) 을 형성 한다 .