얻 어 진 레지스 트 하층 막 형성 용 조성물 용액 을 스피너 ( spinner ) 를 사용 하 여 실리콘 웨이퍼 위 에 도포 하 였 다 . 핫 플레이트 위 에서 205 ℃ 로 1 분 간 소성 하 여 , 레지스 트 하 층막 을 형성 하 였 다 . 드라이 에칭 가스 로서 CF 4 를 사용 한 조건 하 에 드라이 에칭 속도 를 측정 하 였 다 . 감방 사선 성 조성물 의 드라이 에칭 속도 를 1 로 한 경우 의 레지스 트 하층 막 형성 조성물 의 드라이 에칭 속도 를 , 드라이 에칭 속도 선택 비 로서 표 5 에 나타내 었 다 ( 실시 예 46 및 비 교예 46 ) .