도 8 에서 보 는 바 와 같이 , 컨트롤 게이트 ( CG ; Control Gate ) 에 비 선택 읽 기 전압 ( Vread ) 이 계속 해서 인가 되 면 , 채널 에 존재 하 는 전자 가 플로팅 게이트 ( FG ; Floating Gate ) 로 유입 될 수 있 다 . 이때 온 셀 ( on cell ) 의 문턱 전압 이 상승 하 게 된다 . 온 셀 의 문턱 전압 이 - 1 V 보다 높 아 지 면 , 그 메모리 셀 은 충분 한 읽 기 마진 을 갖 지 못하 게 된다 . 온 셀 의 문턱 전압 이 선택 읽 기 전압 ( Vrd ) 보다 높 아 지 면 , 오프 셀 로 읽혀질 수 도 있 다 .