또한 , 상술 한 실시 형태 에서 는 , 소스 ㆍ드레인 전극 을 형성 하 는 예 에 대해 설명 하 였 지만 , 예 를 들 어 절연 성 의 기판 상 에 게이트 전극 을 형성 하 는 경우 에 도 적용 가능 하 고 , 상술 한 보텀 게이트 ㆍ보텀 콘택트 형 의 트랜지스터 구조 에 한하 지 않 고 , 다른 트랜지스터 구조 의 전극 패턴 을 형성 하 는 경우 에 도 적용 가능 하 다 . 나아가 , 박막 트랜지스터 뿐 만 아니 라 , 프린트 배 선판 , RF - ID 태그 , 다양 한 디스플레이 기판 등 다른 전자 소자 의 전극 패턴 의 형성 에 도 적용 가능 하 다 .