여기 서 , 각각 의 재료 의 퇴적 시간 을 제어 함 으로써 , 도전 성막 ( 4 ) 중 에 포함 되 는 CoO 입자 와 Pd 입자 의 함유율 ( 조성 비 ) 을 변화 시켜서 5 종류 의 도전 성막 ( 4 ) ( 이하 표 1 참조 ) 를 제작 하 였 다 . 즉 , 상기 공정 - a 에 의해 , 샘플 ( 각각 , 이하 표 1 에 나타내 는 5 종류 의 도전 성막 ( 4 ) 중 의 어느 하나 의 도전 성막 과 그 도전 성막 에 접속 하 는 제 1 및 제 2 보조 전극 으로 구성 됨 ) 을 5 개 제작 하 였 다 . 여기 서 , 본 실시 예 에서 는 , 팔라듐 의 저항 에 대한 산화 코발트 의 저항 은 150 ( CoO ： Pd = 150 ： 1 ) 이 다 . CoO 의 저항 과 Pd 의 저항 은 , 표 1 에 나타낸 No . 1 및 No . 5 의 샘플 에 의해 얻 을 수 있 다 . 상술 한 바 와 같이 그대로 , 각각 의 입자 ( CoO 및 Pd ) 의 저항 은 , AFM 의 컨 택트 모드 를 이용 하 여 측정 할 수 있 다 . 또 , 함유율 ( 면적 점유 율 ) 은 , FE － AESdp 의해 계측 할 수 있 다 .