그리고 , 상기 전체 구조 상 에 제 1 절 연막 ( 206 a ) 을 형성 하 고 , 제 1 절 연막 ( 206 a ) 을 식각 하 여 소스 콘 택 홀 ( 미 도시 ) 을 형성 한다 . 제 1 절 연막 ( 206 a ) 의 하부 에 는 식각 방지 막 이 더욱 형성 될 수 있 다 . 제 1 절 연막 ( 206 a ) 은 산화 막 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 소스 콘 택 홀 에 도전 물질 을 매립 한 후 화학 기계 적 연마 ( Chemical Mechanical Polishing ; CMP ) 방법 과 같 은 평탄 화 공정 을 실시 하 여 소스 콘 택 플러그 ( 미 도시 ) 를 형성 한다 .