이것 에 대하 여 , 도 5 의 ( b ) 에서 는 , 본 실시 형태 에 따른 분 할 구조 를 갖 는 환형 부재 ( 26 ) 에서 , 저 유전율 재 의 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 를 공간 ( A ) 에 배치 하 였 다 . 이것 에 의해 , 임피던스 는 보다 높 은 상태 가 되 기 때문 에 , 시스 가 보다 얇 아 지 고 , 플라 즈 마 밀도 가 보다 낮 은 상태 가 되 었 다 . 이것 에 의해 , 기판 ( W ) 상 의 시스 가 제 2 환형 부재 ( 26 b ) 상 의 시스 보다 두꺼워 졌 다 . 그 결과 , 기판 ( W ) 의 외주 부 에서 형성 된 홀 ( H ) 에서 는 , 막 ( 90 ) 의 종단 면도 에 도시 된 바 와 같이 외측 에서 내측 으로 기우 는 틸팅 이 발생 하 였 다 .