도 3 d 와 같이 , 제 3 감광막 패턴 을 제거 한다 . 투명 전극 층 ( 54 ) 상 에 제 4 감광막 ( 도시 하 지 않 음 ) 을 형성 하 고 , 제 4 마스크 ( 도시 하 지 않 음 ) 를 이용 하 여 제 4 감광막 패턴 을 형성 하 고 , 제 4 감광막 패턴 을 식각 마스크 로 이용하 여 , 투명 전극 층 ( 54 ) 을 식각 하 여 , 데이터 패드 전극 ( 49 ) , 및 게이트 패드 전극 ( 51 ) 과 , 화소 영역 ( P ) 상 에 드레 인 콘 택 홀 ( 47 ) 을 통하 여 드레 인 전극 ( 45 b ) 과 연결 되 며 , 스토리지 전극 ( 43 ) 과 대응 되 는 보호 층 ( 52 ) 상 으로 연장 되 는 화소 전극 ( 18 ) 을 형성 한다 . 마지막 으로 제 4 감광막 패턴 을 제거 한다 .