이 처럼 기존 에 반도체 소자 에 MIM 커패시터 를 형성 하 는 공정 은 다 마신 공법 을 이용 하 여 형성 된 구리 배 선상 에 별도 의 절 연막 과 상부 전 극막 ( 12 ) 을 형성 하 여야 한다 . 더군다나 절 연막 과 상부 전 극막 ( 12 ) 을 패 터닝 하 기 위해서 는 노광 공정 과 사진 공정 을 추가 적 으로 요구 하 기 때문 에 제조 비용 과 시간 의 비 효율 성 을 초래 한다 . 또한 공정 이 복잡 할수록 각각 의 공정 에서 발생 하 는 불량 문제 로 인하 여 수율 이 감소 한다 .