본 발명 의 실시 예 들 에 따른 반도체 장치 의 형성 방법 은 제 1 기판 에 수소 이온 을 주입 하 여 상기 제 1 기판 의 소정 깊이 에 수소 주입 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 수소 주입 층 을 절단 하 여 표면 에 상기 절단 된 수소 주입 층 을 포함 하 는 서브 기판 을 형성 하 는 단계 및 상기 절단 된 수소 주입 층 상 에 적층 된 제 1 절 연막 , 전하 저 장막 , 제 2 절 연막 및 도전 막 을 포함 하 는 게이트 구조물 을 형성 하 는 단계 을 포함 할 수 있 다 .