상술 한 예 에서 는 , 플라 즈 마를 발생 시킴 에 있 어서 2 개 의 전극 ( 36 a , 36 b ) 을 사용 했 지만 , 길 이 방향 의 도중 부위 에서 굴곡 되 어 대략 U 자형 을 이루 는 전극 을 사용 하 여 , 당해 전극 의 굴곡 부분 을 회전 테이블 ( 2 ) 의 중심 측 에 배치 하 는 동시 에 , 전극 의 양단 부측 을 진공 용기 ( 1 ) 의 측벽 으로부터 외부 로 기밀 하 게 각각 관통 시켜 , 이 전극 에 고주파 를 공급 함 으로써 , ICP ( 유도 결합 형 ) 의 플 라즈 마 를 발생 시켜 도 좋 다 . 또한 , 플 라즈 마원 으로 는 , 마이크로파 를 사용 한 표면파 ( SWP ) 플 라즈 마나 ECR 플 라즈 마 를 사용 해도 된다 . 또한 , 제 2 반응 가스 노즐 ( 32 ) 을 설치 하 지 않 고 , 활성 화 가스 인 젝 터 ( 220 ) 로부터 공급 되 는 처리 가스 ( 아르곤 가스 및 O 2 가스 ) 의 플 라즈 마 에 의해 , 웨이퍼 ( W ) 상의 Si 함유 가스 의 산화 및 반응 생성물 의 개질 을 행해 도 좋 다 . 또한 , 상술 한 각 예 에서 는 주로 플 라즈 마의 강도 를 바꿈 에 있 어서 전극 ( 36 a , 36 b ) 에 공급 하 는 전력량 을 조정 했 지만 , 후술 하 는 실시 예 에 나타낸 바 와 같이 , 이 전력량 대신 에 , 혹은 전력량 과 함께 진공 용기 ( 1 ) 내 의 압력 을 조정 해도 좋 다 . 또한 , 제 2 반응 가스 로서 O 2 가스 또는 O 3 가스 를 사용 하 고 , 플라 즈 마 발생 용 의 처리 가스 로 는 아르곤 가스 와 함께 O 3 가스 를 사용 해도 된다 .