도 23 을 참조 하 면 메모리 블록 ( BLKa ) 은 복수 의 셀 스트링 들 ( CS 11 ~ CS 1 m , CS 21 ~ CS 2 m ) 을 포함 한다 . 실시 예 로서 , 복수 의 셀 스트링 들 ( CS 11 ~ CS 1 m , CS 21 ~ CS 2 m ) 각각 은 ' U ' 자형 으로 형성 될 수 있 다 . 메모리 블록 ( BLKa ) 내 에서 , 행 방향 ( 즉 + X 방향 ) 으로 m 개 의 셀 스트링 들 이 배열 된다 . 도 23 에서 , 열 방향 ( 즉 + Y 방향 ) 으로 2 개 의 셀 스트링 들 이 배열 되 는 것 으로 도시 되 었 다 . 하지만 이 는 설명 의 편의 를 위한 것 으로서 열 방향 으로 3 개 이상 의 셀 스트링 들 이 배열 될 수 있 음 이 이해 될 것 이 다 .