일부 실시 예 에서 , 어레이 장치 는 NAND 플래시 메모리 장치 일 수 있 는데 , 여기 서 메모리 셀 은 제 1 기판 위 에서 Y - 방향 을 따라 연장 되 는 채널 구조 ( 도 5 a 및 도 5 b 에 도시 되 지 않 음 ) 의 어레이 형태 로 제공 된다 . 어레이 장치 는 복수 의 전도체 층 ( 580 A ) 및 유전체 층 ( 580 B ) 쌍 을 포함 하 는 교번 전도체 / 유전체 스택 ( 580 ) 을 통해 연장 되 는 복수 의 채널 구조 를 포함 할 수 있 다 . 교번 전도체 / 유전체 스택 ( 580 ) 내 의 전도체 / 유전체 층 쌍 의 수 ( 예컨대 , 32 , 64 또는 96 ) 는 3 D 메모리 장치 ( 500 C ) 에서 메모리 셀 의 수 를 정의 할 수 있 다 .