도 1 f 를 참조 하 면 , 전체 표면 상부 에 게이트 전극 층 ( 미 도시 ) , 게이트 하드 마스크 층 ( 미 도시 ) 을 형성 하 고 , 게이트 마스크 를 이용 한 2 차 사진 식각 공정 으로 상기 게이트 하드 마스크 층 , 상기 게이트 전극 층 을 식각 하 여 게이트 전극 층 패턴 ( 28 ) , 게이트 하드 마스크 층 패턴 ( 30 ) 을 형성 한다 .