도 6 은 그래핀 반도체 박막 형성 단계 를 통해 형성 된 그래핀 반도체 박막 을 촬영 한 전자 현미경 이미지 이 다 . 그래핀 산화물 박막 ( 131 ) 에 2 J / ㎠ ~ 6 J / ㎠ 의 극 단파 백색광 을 조사 하 여 , 그래핀 산화물 박막 ( 131 ) 으로부터 변환 된 그래핀 반도체 박막 ( 132 ) 은 3000 ㏀/ sq ~ 100 ㏀/ sq 의 면저항 을 가질 수 있 다 .