그러나 , 폴리 실리콘 레지스터 의 메모리 어레이 를 만드 는 것 은 어려움 이 있 다 . 레지스터 가 큰 교차점 어레이 에서 메모리 셀 로서 사용 되 는 경우 , 전압 이 선택 된 셀 에 인가 될 때 에 , 어 레이 를 전체 에 걸쳐 반 선택 및 비 선택 셀 을 통해 바람직 하 지 않 은 누설 이 발생 될 것 이 다 . 예 를 들 어 , 도 1 과 관련 하 여 , 비트 선 ( B ) 과 워드 선 ( A ) 사이 에 전압 이 인가 되 어 선택 된 셀 ( S ) 을 설정 , 재 설정 또는 감지 하 는 것 이 제시 된다 . 전류 는 선택 된 셀 ( S ) 을 통해 흐르 도록 의도 된다 . 그러나 , 일부 누설 전류 는 대안 적 경로 , 예 를 들 어 비 선택 셀 ( Ul , U 2 및 U 3 ) 을 통해 비트 라인 ( B ) 과 워드 라인 ( A ) 사이 에 흐를 수 있 다 . 많 은 이러 한 대체 경로 가 존재 할 수 있 다 .