실리콘 이 산화물 은 Si ( NCO ) 4 및 N ( C 2 H 5 ) 3 와 같 은 화합물 들 을 소스 물질 들 로서 이용 하 는 ALD 공정 들 에 의하 여 성장 된 바 있 다 ( K . Yamaguchi et al . , Appl . Surf . Sci . ( 1998 ) 130 - 132 ) . SiCl 4 및 H 2 O 를 소스 물질 들 로서 이용 하 는 분자 층 ALE 및 UHV - ALE 공정 들 에 의해 실리콘 이 산화물 의 증착 도 문헌 에 설명 되 었 다 ( Surface Review and Letters , Vol . 6 , Nos 3 & 4 ( 1999 ) 435 - 448 ) . 그러나 , 이 들 공정 들 은 긴 반응 시간 을 가지 며 공업 적 규모 로 는 구현 될 수 없 다 .