게이트 절연 층 ( 108 b ) 은 , 반도체 층 ( 108 a ) 의 상층 에 마련 되 어 있 다 . 본 실시 형태 에 있 어서 는 , 게이트 절연 층 ( 108 b ) 은 , 복수 의 트랜지스터 ( 108 ) 에 걸쳐 마련 되 어 있 다 . 그러나 , 게이트 절연 층 ( 108 b ) 은 , 적어도 게이트 전극 ( 108 c ) 과 중첩 되 는 영역 에 마련 되 어 있 으면 된다 . 게이트 절연 층 ( 108 b ) 의 재료 로서 는 , 하 지 층 ( 106 ) 에 사용 할 수 있 는 재료 를 사용 할 수 있 고 , 단층 구조 여도 , 이 들 재료 로부터 선택 된 적층 구조 여도 된다 .