실시 예 에 따른 반도체 소자 ( 100 ) 는 , 도 1 내지 도 20 을 참조 하 여 설명 된 바 와 같이 , 상기 제 1 패키지 전극 ( 211 ) 및 상기 제 2 패키지 전극 ( 212 ) 과 의 충분 한 본딩 력 을 제공 하 기 위하 여 제 1 본딩 패드 의 면적 및 제 2 본딩 패드 의 면적 이 선택 되 었 다 . 또한 , 실시 예 에 따른 반도체 소자 ( 100 ) 는 본딩 력 뿐 만 아니 라 하부 방향 으로 빛 이 방출 되 는 효율 을 향상 시키 기 위하 여 제 1 본딩 패드 와 제 2 본딩 패드 가 배치 된 영역 으로 빛 이 투과 될 수 있 는 영역 의 크기 도 고려 하 여 제 1 본딩 패드 의 면적 및 제 2 본딩 패드 의 면적 이 선택 되 었 다 .