또한 바람직 하 게 는 , 상기 모든 주입 은 희생 산화층 ( sacrificial oxide layer ) ( 3 ) 을 통해서 수행 된다 . 이 산화물 ( 3 ) 은 열 적 으로 형성 되 거나 ( 예 를 들 어 실리콘 기판 의 경우 SiO 2 에서 ) , 대기압 에서 화학 적 증착 ( chemical vapor deposition , CVD ) 또는 저 압력 화학 적 증착 ( LPCVD ) 와 같이 당업자 에게 공지 된 증착 기술 에 의한 증착 으로 형성 된다 . 이러 한 기술 들 은 아래 에 상세 하 게 기재 하 지 않 았 다 .