먼저 , 도 3 a 를 참조 하 면 , P 형 반도체 기판 ( 20 ) 안 에 고농도 N 형 매립 층 ( 21 a , N + buried layer ) 을 포함 하 는 고농도 N 형 컬렉터 영역 ( 21 ) 을 형성 한다 . 이어서 , 매립 층 ( 21 a ) 위쪽 의 반도체 기판 ( 20 ) 안 에 진성 베이스 인 저 농도 P 형 베이스 영역 ( 22 ) 을 형성 된다 . 그리고 저 농도 베이스 영역 ( 22 ) 안 의 반도체 기판 ( 20 ) 을 식각 하 여 트렌치 ( 26 , trench ) 를 형성 한다 . 트렌치 ( 26 ) 는 후속 공정 에서 에 미터 와 외인성 베이스 가 형성 될 지역 이 다 .