일실 시예 에서 , 여기 서 개시 되 는 에너지 빔 가공 방법 들 은 PCD 테이블 상 에서 표면 마감 을 향상 시킬 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 에너지 빔 가공 방법 들 은 식별 할 수 있 는 래스터 링 패턴 을 형성 할 수 있 다 . 식별 할 수 있 는 래스터 링 패턴 은 , PCD 테이블 로부터 PCD 소재 를 제거 하 는 데 에 이용 된 복수 의 리세 스 들 의 적어도 일부 의 패턴 으로부터 형성 되 거나 그 패턴 을 보일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 식별 할 수 있 는 래스터 링 패턴 들 은 광학 현미경 ( 예컨대 , 복수 의 리세 스 들 의 폭 이 약 500 nm 보다 크 거나 약 1 μ m 보다 크다 ) , 주사 전자 현미경 ( 예컨대 , 복수 의 리세 스 들 의 폭 이 약 1 nm 보다 크 거나 , 약 10 nm 보다 크 거나 , 약 1 nm 에서 약 500 nm 이 다 ) , 또는 인간 의 육안 ( 예컨대 , 복수 의 리세 스 들 의 폭 이 5 μ m 보다 크 거나 25 μ m 보다 크다 ) 으로 관측 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , PCD 테이블 은 실질 적 으로 평행 한 복수 의 리세 스 들 을 이용 하 여 가공 될 수 있 고 , 따라서 식별 할 수 있 는 래스터 링 패턴 은 실질 적 으로 평행 한 복수 의 라인 들 을 형성 할 수 있 다 . 다른 예 에서 , PCD 테이블 은 제 1 복수 의 리세 스 들 및 이 에 이어 제 1 복수 의 리세 스 들 에 평행 하 지 않 은 제 2 복수 의 리세 스 들 을 이용 하 여 가공 될 수 있 다 ( 도 3 c 참조 ) . 이런 예 에서 , 식별 할 수 있 는 래스터 링 패턴 들 은 제 1 복수 의 리세 스 들 및 더욱 지배 적 으로 는 제 2 복수 의 리세 스 들 의 패턴 을 보일 수 있 다 . 현재 발명자 들 은 이런 식별 할 수 있 는 래스터 링 패턴 들 이 통상 적 인 가공 공정 들 을 이용 하 여서는 형성 되 지 않 는다고 믿 고 있 다 .