도 6 의 ( a ) 에서 는 , 저 유전율 재 의 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 를 기판 ( W ) 의 외주 부 근방 에 적어도 일부 가 공간 ( A ) 에 수용 되 도록 배치 한다 . 이 때 , 제 2 환형 부재 ( 26 b ) 는 소모 되 지 않 고 , 기판 ( W ) 상 의 시스 와 제 2 환형 부재 ( 26 b ) 상 의 시스 는 동일 한 두께 이 다 . 이 경우 , 기판 ( W ) 의 외주 부 에 형성 되 는 홀 ( H ) 은 수직 으로 에칭 되 어 있 다 .