첨부 도면 에서 는 , 실시 예 로 5 매 마스크 공정 으로 형성 된 비정질 실리콘 ( a - Si ) 박막 트랜지스터 ( thin film transistor , TFT ) 가 사용 된 표시 장치 가 개략 적 으로 도시 되 어 있 다 . 또한 , 첨부 도면 에서 는 하나 의 화소 에 두 개 의 박막 트랜지스터 가 사용 되 었 다 . 화소 는 화상 을 표시 하 는 최소 단위 를 말 한다 . 그러나 본 발명 은 박막 트랜지스터 가 여러 가지 상이 한 형태 로 구현 될 수 있 으며 여기 에서 설명 하 는 실시 예 에 한정 되 지 않 는다 .