도 15 를 더 참조 하 면 , 본 개시 의 일부 실시 예 에 따라서 , 에칭 정지 층 ( 76 ) 이 형성 된다 . 에칭 정지 층 ( 76 ) 은 SiN , SiCN , SiC , 또는 SiOCN 등 과 같 은 실리콘 함유 물질 로 형성 될 수 있 다 . 형성 방법 은 PECVD , ALD , 또는 CVD 등 을 포함 할 수 있 다 . 그 다음 으로 , 에칭 정지 층 ( 76 ) 위 에 ILD ( 78 ) 가 형성 된다 . 도 25 에 도시 된 공정 흐름 ( 200 ) 에서 , 에칭 정지 층 ( 76 ) 및 ILD ( 78 ) 의 형성 은 공정 ( 232 ) 으로서 도시 되 어 있 다 . ILD ( 78 ) 의 물질 은 , ILD ( 48 ) 의 형성 을 위한 것 과 동일 한 후보 물질 ( 및 방법 ) 로부터 선택 될 수 있 다 . 예컨대 , ILD ( 78 ) 는 , 그 안 에 실리콘 을 포함 하 는 , 실리콘 산화물 , PSG , BSG , 또는 BPSG 등 을 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에 따라서 , ILD ( 78 ) 는 PECVD , FCVD , 또는 스핀 온 코팅 등 을 사용 하 여 형성 된다 .