다음 , 도 5 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 패 터닝 된 제 2 포토레지스트 패턴 ( 200 ) 을 마스크 로 제 2 도 전체 ( 110 ) , 제 1 절 연막 ( 30 ) 및 반도체 기판 ( 10 ) 을 건식 식각 한다 . 이어 상기 제 2 포토레지스트 ( 200 ) 를 제거 하 고 이온 주입 하 여 LDD 영역 과 소오 스 / 드레 인 영역 을 형성 한다 . 자세히 설명 하 면 제 2 도 전체 의 상부 에 제 2 포토레지스트 패턴 ( 200 ) 을 식각 마스크 로 제 2 도 전체 ( 110 ) , 제 1 절 연막 ( 30 ) 및 반도체 기판 ( 10 ) 을 건식 식각 하 고 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 200 ) 을 제거 한다 . 이어 이온 주입 공정 을 진행 하 여 LDD 영역 과 소오 스 / 드레 인 영역 을 형성 한다 . 따라서 한 번 의 마스크 공정 에 의하 여 LDD 영역 과 소오 스 / 드레 인 영역 을 동시 에 형성 한다 . 상기 소오 스 / 드레 인 영역 을 형성 하 기 위한 이온 주입 의 에너지 는 10 내지 80 keV 이 바람직 하 다 . 또한 상기 이온 주입 시 기판 을 보호 하 기 위하 여 상기 기판 에 산화 막 을 형성 하 여 이온 주입 시 완충 막 으로 기판 을 보호 한 후 이온 주입 공정 후 에 상기 산화 막 을 제거 할 수 있 다 . 식각 된 제 1 절연 막 은 스 페이서 와 같 은 역할 을 한다 .