본 발명 의 하나 의 목적 은 삼산화붕소 의 높 은 중량 백 분 율 로 인해 낮 은 유전 상수 를 갖 는 유리 재료 를 제공 하 는 것 이 다 . 상기 유리 재료 는 유리 재료 의 주요 구조 를 형성 하 기 위한 적어도 하나 의 성분 , 플 럭 싱 ( fluxing ) 성분 , 강화 성분 , 및 개질 제 를 포함 한다 . 유리 재료 의 주요 구조 를 형성 하 기 위한 적어도 하나 의 성분 은 유리 재료 의 45 중량 % ~ 55 중량 % 를 구성 하 는 이산화규소 ( SiO 2 ) 를 포함 한다 . 플 럭 싱 성분 은 유리 재료 가 용융 된 상태 에 있 는 동안 에 유리 재료 의 점도 를 감소 시키 는 데 사용 되 며 , 유리 재료 의 30 중량 % ~ 40 중량 % 를 구성 하 는 삼산화붕소 ( B 2 O 3 ) 를 포함 한다 . 강화 성분 은 유리 재료 의 구조 적 강도 를 증가 시키 는 역할 을 하 며 , 유리 재료 의 10 중량 % ~ 14 중량 % 를 구성 하 는 산화알루미늄 ( Al 2 O 3 ) 을 포함 한다 . 개질 제 는 유리 재료 의 내수 성 을 증가 시키 는 데 사용 되 며 , 유리 재료 의 1 중량 % ~ 6 중량 % 를 구성 하 는 산화 칼슘 ( CaO ) 을 포함 한다 . 따라서 , 종래 기술 의 것 과 비교 하 여 삼산화붕소 ( B 2 O 3 ) 함량 을 증가 시키 고 산화 칼슘 ( CaO ) 함량 을 감소 시킴 으로써 , 본 발명 의 유리 재료 에 는 , 유리 재료 로 만들 어 진 회로 기판 또는 다른 제품 이 요구 되 는 전기 적 특성 을 갖 게 하 는 낮 은 유전 상수 및 낮 은 손실 계수 가 제공 된다 .