이제 도 4 g 및 도 4 h 를 참조 하 면 , 게이트 캡 핑 층 증착 및 게이트 캡 핑 층 CMP 이 각각 도시 된다 . 도 4 g 에서 게이트 캡 핑 층 ( 144 ) 이 RMG ( 138 ) 내 리세 스 내 그리고 기판 ( 100 ) 의 상단 표면 상 에 증착 된다 . 일부 예 들 에서 , 게이트 캡 핑 층 ( 144 ) 은 실리콘 옥시 카바이드 ( SiOC ) 또는 또 다른 적합 한 재료 로 이루어질 수 도 있 다 . 일부 예 들 에서 , 게이트 캡 핑 층 ( 144 ) 은 2013 년 12 월 12 일 공개 되 고 , 전체 가 참조 로서 본 명세서 에 인용 된 , " 명칭 이 "" Remote Plasma Based Deposition of SiOC Class Films "" 인 공동 으로 양도 된 등 의 미국 특허 공개 번호 제 2013 / 0330935 호 에 기술 된 바 와 같 은 프로세스 를 사용 하 여 증착 된다 . 일부 예 들 에서 ", 게이트 캡 핑 층 ( 144 ) 은 상기 출원 에 기술 된 리모트 플 라즈 마 프로세스 를 사용 하 여 증착 된다 . 도 4 h 에서 , RMG ( 138 ) 에 대한 게이트 캡 핑 층 ( 145 ) 을 생성 하 도록 게이트 캡 핑 층 ( 144 ) 의 CMP 가 수행 된다 . 일부 예 들 에서 , 게이트 캡 핑 층 ( 145 ) 의 상단 표면 은 CMP 후 에 희생 적 SnO 2 스 페이서 ( 128 ) 및 ILD 층 ( 132 ) 의 상단 표면 과 동일 평면 상 이 다 .