관통 전극 ( 171 ) 으로부터 연장 되 는 배선 을 형성 하 기 위하 여 패 터닝 된 PSR ( 190 ) 전면 에 장벽층 ( 200 ) 으로 BLM ( Ball Limiting Metallurgy ) / UBM ( Under Bump Metallurgy ) 을 적층 한다 ( 도 13 ) . 후 공정 으로 솔 더 범프 ( 220 ) 를 형성 하 는데 있 어서 , 장벽층 ( 200 ) 은 대 규모 집적회로 의 Al 계열 의 전극 패드 ( 120 ) 및 솔 더 범프 ( 220 ) 사이 에 제공 되 어 관통 전극 ( 171 ) 및 솔 더 범프 ( 220 ) 간 의 밀착 성 을 향상 시키 고 이 들 간 의 상호 확산 을 방지 한다 . 특히 , 솔 더 범프 ( 220 ) 의 형성 방법 에 대하 여 , 장벽층 ( 200 ) 이 솔 더 범프 의 형태 에 큰 영향 을 주 기 때문 에 이 와 같 은 막 을 BLM 이 라 한다 .