이 와 함께 반도체 층 내 에 불순물 을 주 입시 , 종래 빔 라인 이온 주입 ( Beam line implantation ) 방식 을 사용 하 는 경우 , 시간 당 7 - 8 장 의 웨이퍼 에 이온 주입 을 수행 할 수 있 어 수율 이 떨어질 수 있 다 . 또한 , 고농도 로 불순물 을 주입 하 기 위해 이온 주입 마스크 로 포토레지스트 ( PR ; Photoresist ) 막 을 이용 하 고 있 으나 , 포토 레지스 트 막 은 불순물 을 활성 화 시키 는 어 닐 공정 에 의해 경화 될 수 있 다 . 포토레지스트 막 이 경화 되 면 이후 포토레지스트 막 을 제거 하 기 위한 스트립 공정 시 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 포토레지스트 막 이 완전히 제거 되 지 않 고 , 잔여물 ( residue , 200 ) 이 발생 한다 . 이러 한 잔여물 ( 200 ) 은 공정 챔버 의 오염 또는 2 차 오염 을 유발 할 수 있 으며 , 잔여물 을 제거 하 기 위해 추가 세정 공정 이 필요 하 여 공정 단계 가 복잡 해질 수 있 다 . 이러 한 문제점 을 개선 하 기 위해 새로운 방식 의 이온 주입 방법 , 예 를 들 어 클러스터 ( cluster ) 방식 또는 플 라즈 마 이온 주입 방식 을 이용 하 고 있 다 . 그러나 이러 한 이온 주입 방법 또한 Rp 점 ( projected range ) 이 낮 고 , 후속 포토레지스트 막 패턴 제거 시 표면 에 집중 되 어 있 는 불순물 의 손실 을 가져올 수 있 다 .