상기 와 같 은 ICP 방식 은 플 라즈 마의 밀도 가 높 아서 증착 시간 이 짧 다는 장점 을 갖 는다 . 반면 에 , 플라 즈 마 상태 의 이온 밀도 가 챔버 의 가장자리 부위 로 갈수록 그 이온 밀도 의 균 일도 가 낮 아 진다는 단점 을 갖 는다 . 상기 균일 도 문제 를 개선 하 기 위한 방 안 으로 가운데 부분 이 더 두꺼운 유전체 를 사용 한다든지 돔 형태 로 상기 코 일 을 변형 시켜 사용 하 고 있 으나 , 이 는 구조 적 으로 복잡 하 고 산화 막 식각 등 의 공정 에 적용 이 어렵 다는 한계점 을 가진다 .