한편 , 본 실시 형태 에 관한 반도체 장치 는 산화물 반도체 를 포함 하 는 트랜지스터 의 스위칭 에 의해 동작 하 고 , 상술 한 바 와 같 은 터널 전류 에 의한 전하 주입 의 원리 를 이용 하 지 않 는다 . 즉 , 플래시 메모리 와 는 다르 게 , 전하 를 주입 하 기 위한 고전 계 가 불 필요 하 다 . 이 에 의해 , 인접 셀 에 대한 컨트롤 게이트 에 의한 고전 계 의 영향 을 고려 할 필요 가 없 기 때문 에 , 고집 적 화 가 용이 해진다 .