도 4 에 도시 된 바 와 같이 , 도 1 에 도시 된 반도체 메모리 장치 는 클럭 인 에 이 블 신호 ( CKE ) 가 활성 화 상태 중 에 다수 의 명령어 신호 ( / CS , / RAS , / CAS , / WE ) 의 로직 조합 에 따라 액티브 명령 ( ACR ) , 리드 명령 ( RD ) , 라이트 명령 ( WT ) , 프리 차지 명령 ( PCG ) , 리 프레쉬 명령 ( REF ) , MRS 레지스터 셋 팅 모드 등 의 상태 를 판별 하 고 , 그 에 대응 하 는 동작 을 수행 한다 .