상기 기판 ( 210 ) 상 에 상기 층간 절 연막 ( 211 ) 을 관통 하 는 콘 택 플러그 들 ( 212 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 콘 택 플러그 들 ( 212 ) 은 도핑 된 폴리 실리콘 등 과 같 은 반도체 물질 ; 텅스텐 ( W ) , 티타늄 ( Ti ) , 탄 탈륨 ( Ta ) , 구리 ( Cu ) , 알루미늄 ( Al ) 등 과 같 은 금속 ; 텅스텐 질화물 ( WN ) , 티타늄 질화물 ( TiN ) , 탄 탈륨 질화물 ( TaN ) 등 과 같 은 금속 질화물 ; 티타늄 실리콘 질화물 ( TiSiN ) , 텅스텐 실리콘 질화물 ( WSiN ) 등 과 같 은 금속 실리콘 질화물 ; 및 텅스텐 실리사이드 ( WSi ) 등 과 같 은 금속 실리사이드 로 구성 되 는 군 으로부터 선택 되 는 1 종 이상 으로 형성 될 수 있 다 .