이어서 , 도 1 f 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 및 제 2 하드 마스크 ( 104 A , 105 B , 도 1 e 참조 ) 를 제거 한다 . 이때 , 제 1 및 제 2 하드 마스크 ( 104 A , 105 B ) 제거 공정 은 1 차 공정 으로 BOE ( Buffered Oxide Etchant ) 용액 을 이용 하 여 자연 산화 막 과 같 은 잔류물 을 제거 하 고 , 2 차 공정 으로 인산 ( H 3 PO 4 ) 용액 을 이용 하 여 질화 막 계열 의 제 1 및 제 2 하드 마스크 ( 104 A , 105 B ) 를 제거 하 는 한편 , 확산 방지 막 ( 108 B ) 을 일부 식각 한 다음 , 3 차 공정 으로 탈 이온 수 ( deionized water ) 에 희석 된 HF 용액 을 이용 하 여 잔존 하 는 확산 방지 막 ( 108 B ) 과 제 1 절 연막 ( 110 A ) 을 활성 영역 높이 까지 후퇴 ( recess ) 시킨다 .