제 2 실시 예 에서 는 , 먼저 제 1 실시 예 와 마찬가지 로 , 레지스 트 패턴 ( 92 ) 의 제거 까지 의 처리 를 행한다 ( 도 1 m 참조 ) . 다음 , 전체 면 에 예 를 들 면 PVD 법 에 의해 배리 어 메탈 막 ( 미 도시 ) 을 형성 하 고 , 그 위 에 , 예 를 들 면 CVD 법 에 의해 텅스텐 막 ( 미 도시 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 텅스텐 막 및 배리어 메탈 막 을 실리콘 산질 화 막 ( 24 ) 이 노출 될 때 까지 , 예 를 들 면 CMP 법 에 의해 연마 한다 . 그 결과 , 도 3 a 에 나타낸 바 와 같이 콘택트 홀 ( 25 s , 25 d , 25 t , 25 b ) 내 에 콘택트 플러그 ( 41 s , 41 d , 41 t , 4 lb ) 가 형성 된다 . 본 실시 예 에서 는 콘택트 플러그 ( 41 t , 4 lb ) 로 제 2 도전 플러그 가 구성 된다 .