몇몇 다른 실시 예 에 의하 면 , 실리콘 산화물 층 들 을 완전히 제거 하 는 것 ( 표 1 의 세 번 째 컬 럼 에 표시 된 것 와 같이 NO ) 에 더 하 여 , 전도 층 ( 예 를 들 어 , Si ) 도 완전히 제거 될 수 있 다 . 이러 한 RF 기판 ( 215 ) 은 실리콘 산화물 층 만 제거 된 상태 에서 RF 기판 ( 215 ) 에 의해 나타나 는 것 과 유사 하 거나 더 양호 한 상태 로 온도 프로 파일 을 유지 하 면서 , 층간 구조 ( 220 ) 에서 RF 에너지 의 흡수 를 최소 화 할 수 있 다 .