상기 공정 을 실시 한 다음 , 각 셀 의 N 형 반도체 층 ( 200 ) 이 노출 되 도록 P 형 반도체 층 ( 400 ) 및 활성 층 ( 300 ) 을 식각 한다 . 즉 , 기판 ( 100 ) 을 노출 시키 는 제 1 마스크 를 이용 한 제 1 식각 을 실시 한 다음 , N 형 반도체 층 ( 200 ) 을 노출 시키 기 위해 P 형 반도체 층 ( 400 ) 및 활성 층 ( 300 ) 의 소정 영역 을 노출 시키 는 제 2 마스크 를 이용 한 제 2 식각 을 실시 한다 . 상기 노출 된 N 형 반도체 ( 200 ) 상 에 는 오 믹 성 금속 물질 을 도포 하 여 N 형 전극 을 형성 한다 .