충전제 또는 입자 사이 의 공간 또는 빈 공간 ( void ) 이 구멍 을 형성 하 는 것 을 돕 는 것 과 같이 , 고온 고분자 코팅 또는 층 에 충전제 또는 입자 를 첨가 하 는 것 은 , 구멍 ( pores ) 을 형성 하 는 것 을 보다 쉽 게 만들 수 있 고 , 비용 등 을 감소 시킬 수 도 있 다 . 그러나 , 고온 고분자 코팅 물질 또는 배치 ( batch ) 에 충전제 또는 입자 를 첨가 하 는 것 은 고분자 처리 를 보다 어렵 게 만들 수 있 다 . 보통 , 구멍 을 형성 하 기 위해 공정 을 단순 하 게 유지 하 고 배스 를 사용 하 기 위해 충전제 또는 입자 를 첨가 하 지 않 는 것 이 가능 한 바람직 하 다 .