이 에 따라 플래시 어 닐 공정 의 온도 변화 에 따른 도핑 프로 파일 을 비교 하 여 측정 한 결과 데이터 를 도 9 에 제시 한다 . 이온 주입 공정 은 인듐 ( 115 In ) 이온 을 150 KeV 의 이온 주입 에너지 로 1 . 3 E 13 의 농도 로 주입 하 였 다 . 플래시 어 닐 공정 은 크세논 ( Xe ) 램프 를 이용 하 였으며 , 질소 ( N 2 ) 가스 , 산소 ( O 2 ) 가스 및 암모니아 ( NH 3 ) 가스 를 포함 하 는 그룹 에서 선택 된 가스 분위기 에서 진행 하 였 다 . 이때 , 플래시 어 닐 공정 은 1150 ℃ 의 온도 또는 1300 ℃ 의 온도 에서 진행 하 였으며 , 전체 열 공정 이 진행 된 상태 를 나 타 낸다 . 또한 , 급속 열처리 ( RTA ) 는 1150 ℃ 의 온도 에서 진행 하 였으며 , 전체 열 공정 이 진행 된 상태 를 나타낸다 .