이제 도 14 를 참조 하 면 , 개구 ( 680 ) 내 에 전도성 게이트 콘택트 ( 700 ) 를 형성 하 기 위해 반도체 디바이스 ( 200 ) 에 게이트 콘택트 퇴적 공정 ( 690 ) 이 수행 된다 . 일부 실시 예 에서 , 게이트 콘택트 퇴적 공정 ( 690 ) 은 하나 이상 의 금속 물질 또는 그 합금 을 전도성 게이트 콘택트 ( 700 ) 로서 퇴적 시킨다 . 전도성 게이트 콘택트 ( 700 ) 는 , ( 예컨대 , 금속 층 ( 430 , 460 , 500 , 540 , 및 570 ) 을 포함 하 는 ) 금속 게이트 전극 에 대한 전기 적 연결 을 제공 한다 .