도 7 을 참조 하 면 , 예비 제 1 도 전막 패턴 ( 106 a ) 및 소자 분리 막 패턴 ( 112 a ) 상 에 유전 막 ( 114 ) , 컨트롤 게이트 막 ( 116 ) 및 제 2 마스크 막 패턴 ( 118 a ) 을 형성 한다 . 유전 막 ( 114 ) 은 실리콘 산화물 의 유전 상수 보다 실질 적 으로 높 은 유전 상수 를 갖 는 유전 물질 을 포함 할 수 있 다 .