상기 한 다른 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 장치 의 제조 방법 에 따르 면 , 먼저 기판 상 에 형성 된 도전 성 구조물 들 을 형성 한다 . 이어서 , 상기 기판 의 게이트 구조물 들 사이 에 매트릭스 방향 으로 배열 되 고 , 상기 매트리스 의 홀수 번 째 행 에 해당 하 는 제 1 콘 택 플러그 들 과 상기 매트릭스 의 짝수 번 째 행 에 해당 하 는 제 2 콘 택 플러그 들 을 포함 하 는 콘 택 플러그 들 을 형성 한다 . 이어서 , 상기 콘 택 플러그 들 과 전기 적 으로 연결 된 커패시터 를 형성 한다 . 특히 , 상기 콘 택 플러그 의 제조 는 상기 제 1 콘 택 플러그 들 과 상기 제 2 콘 택 플러그 들 은 각각 서로 다른 방향 으로 확장 된 일 측 상면 을 갖 도록 형성 하 는 하 는 것 이 바람직 하 다 .