각각 의 워드 라인 평면 ( WL _ PT ) 은 , 등 전위 ( equipotential ) 를 갖 도록 공면 ( coplanar ) 상 에서 전기 적 으로 연결 된 복수 개 의 국소 워드 라인 들 ( LWL ) 로 구성 될 수 있 다 . 워드 라인 평면 들 ( WL _ PT ) 각각 은 층간 절 연막 ( 미 도시 됨 ) 으로써 전기 적 으로 분리 될 수 있 다 . 워드 라인 평면 들 ( WL _ PT ) 각각 은 워드 라인 콘 택 들 ( WL _ CT ) 을 통해 전기 적 으로 분리 된 전역 워드 라인 들 ( global word line ; GWL ) 각각 에 연결 될 수 있 다 . 워드 라인 콘 택 들 ( WL _ CT ) 은 메모리 셀 어레이 또는 어레이 블록 들 의 가장자리 에 형성 될 수 있 으며 , 워드 라인 평면 들 ( WL _ PT ) 의 넓이 및 워드 라인 콘 택 들 ( WL _ CT ) 이 배치 된 위치 등 은 다양 한 형태 로 구성 될 수 있 다 .