이러 한 문제점 을 해결 하 기 위하 여 이러 한 자연 산화 막 을 제거 하 는 형성 방법 이 제안 되 었 다 . 그러나 이러 한 종래 의 형성 방법 에 따르 면 , 자연 산화 막 의 제거 는 도 1 에 도시 된 것 과 같이 실리콘 층 ( 22 ) 상부 로부터 산화 막 제 거액 을 분사 함 으로써 이루 어 졌 다 . 그러나 이 와 같이 실리콘 층 ( 22 ) 의 상부 로부터 산화 막 제 거액 을 분사 하 여 실리콘 층 ( 22 ) 상 의 자연 산화 막 을 제거 할 시 , 실리콘 층 ( 22 ) 으로부터 분리 된 자연 산화 막 이 외부 로 배출 되 지 않 고 실리콘 층 ( 22 ) 상 에 잔존 하 여 재 부착 됨 으로써 추후 제조 된 박막 트랜지스터 에 있 어서 불량 을 유발 하 거나 복수 개 의 박막 트랜지스터 들 에 있 어서 그 특성 의 균일성 을 저해 한다는 문제점 이 있 었 다 .