무기물 박막 ( 30 ) 형성 후 에 는 도 1 의 ( c ) 에서 와 같이 기판 ( 10 ) 으로부터 희생 층 패턴 ( 20 ) 을 선택 적 으로 제거 하 도록 한다 . 희생 층 패턴 ( 20 ) 은 감광막 , 나노 임프 린트 용 수지 혹은 유기물 나노 입자 와 같 은 폴리머 이 므로 이 를 쉽 게 제거 하 는 방법 은 가열 이 다 . 자연 발화점 이 보통 600 ℃ 부근 인 감광막 은 열 에 의해서 쉽 게 제거 될 수 있 다 . 그리고 산화 방식 으로 더욱 쉽 게 태워 제거 하 기 위해서 는 산소 를 포함 하 는 가스 와 의 화학 반응 을 추가 할 수 있 다 . 산소 분위기 에서 고온 으로 가열 하 면 흔히 애 싱 ( ashing ) 이 라고 부르 는 열분해 공정 에 의해 폴리머 성분 을 쉽 게 제거 할 수 있 는 것 이 다 . 예컨대 산소 분위기 에서 의 열처리 로 제거 한다 . 산소 분위기 의 열처리 가 적절 하 지 않 은 경우 , 예 를 들 어 기판 ( 100 ) 이 실리콘 기판 이 어서 산화물 생성 이 우려 되 는 경우 라면 유기 용매 를 이용 한 습식 제거 를 이용 할 수 도 있 다 . 희생 층 패턴 ( 20 ) 을 제거 하 고 나 면 , 도 1 의 ( c ) 에 도시 한 바 와 같이 기판 ( 10 ) 과 무기물 박막 ( 30 ) 으로 정의 되 는 빈 공간 ( C ) 을 형성 할 수 있 다 . 본 실시 예 에서 는 서로 분리 된 복수 개 의 빈 공간 ( C ) 이 형성 되 지만 , 처음 에 형성 하 는 희생 층 패턴 ( 20 ) 모양 에 따라 빈 공간 의 모양 이 달라질 수 있 다 . 빈 공간 은 희생 층 패턴 이 반전 된 형상 을 갖 는다 .