이 와 더불 어 , 본 실시 형태 에서 채용 된 다중 양자 우물 구조 는 상기 제 1 양자 우물 층 , 터널 링 양자 장벽층 , 제 2 양자 우물 층 및 결정 품질 개선 층 ( 35 a , 35 b , 35 c , 35 d ) 을 하나 의 단위 구조 ( 35 ) 로 하 여 이 단위 구조 ( 35 ) 가 복수 회 반복 된 것 을 특징 으로 한다 . 이 에 따라 , 양자 우물 층 간 의 캐리어 이동성 과 반도체 결정 의 품질 이 모두 개선 될 수 있 으며 , 특히 , 고 전류 작동 시 에 우수 한 발광 효율 향상 효과 를 얻 을 수 있 다 .