기본 적 인 플라스마 에칭 장치 ( plasma etching apparatus ) 에 대하 여 설명 하 면 다음 과 같 다 . 공정 가스 가 챔버 내 에 공급 되 고 두 전극 ( electrode ) 사이 에 전계 ( electric field ) 가 형성 되 면 , 가스 원자 들 ( gas atoms ) 의 일부 는 이온 화 되 며 , 양 이온 들 ( positive ions ) 과 자유 전자 들 ( free electrons ) 을 생성 하 여 플라스마 를 형성 한다 . 플라스마 에칭 장치 에서 , 에너지 는 13 . 56 ㎒ 로 동작 하 는 고주파 발생기 ( RF generator ) 에 의해 공급 된다 .