도 2 c 를 참조 하 면 , 상기 기판 ( 100 ) 을 열처리 ( H ) 하 여 금속 촉매 층 ( 125 ) 의 금속 촉매 ( 126 ) 가 상기 캡 핑 층 ( 123 ) 으로 확산 또는 침투 ( 127 ) 하 고 캡 핑 층 ( 123 ) 과 비정질 실리콘 층 ( 120 ) 의 계면 으로 이동 하 여 결정 화 의 핵 인 시드 ( seed ) 를 형성 하 며 상기 시드 가 결정 화 방향 으로 성장 함 으로써 상기 비정질 실리콘 층 ( 120 ) 이 다 결정 실리콘 층 으로 결정 화 하 게 된다 . 즉 , 금속 촉매 ( 126 ) 가 비정질 실리콘 층 ( 120 ) 의 실리콘 과 결합 하 여 금속 실리사이드 를 형성 하 고 , 상기 금속 실리사이드 가 결정 화 의 핵 으로서 작용 하 게 되 며 , 비정질 실리콘 층 ( 120 ) 의 결정화 를 유도 하 게 된다 . 이때 , 상기 열처리 공정 은 로 ( Furnace ) 공정 , RTA ( Rapid Thermal Annealing ) 공정 , UV 공정 , 플라 즈 마 공정 또는 레이저 공정 등 과 같이 기판 ( 100 ) 전체 또는 상기 캡 핑 층 ( 123 ) 및 비정질 실리콘 층 ( 120 ) 을 열처리 할 수 있 는 공정 을 이용 한다 .