지금 까지 , KOH 약액 을 통한 Si 기판 습식 각 및 탈 이 온수 세정 , 건조 가 하나 의 일체 형 배스 ( Bath ) 에서 진행 가능 한 세정 방법 및 장치 를 설명 하 였 다 . 본 발명 은 KOH 약액 에서 의 Si 기판 습 식각 과 탈 이온 수 세정 및 건조 가 하나 의 일체 형 배스 에서 진행 되 어 이동 에 따른 박막 의 손상 을 사전 차단 할 수 있 다 .