제 4 절연 층 ( 114 ) 은 산화물 또는 질화물 을 포함 하 는 무기물 을 포함 할 수 있 다 . 예컨대 , 제 4 절연 층 ( 114 ) 은 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) , 실리콘 질화물 ( SiNx ) , 실리콘 산질 화물 ( SiON ) , 알루미늄 산화물 ( Al 2 O 3 ) , 티타늄 산화물 ( TiO 2 ) , 탄탈 산화물 ( Ta 2 O 5 ) , 하프늄 산화물 ( HfO 2 ) , 또는 아연 산화물 ( ZnO 2 ) 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 제 2 게이트 전극 ( GEb ) 은 몰리브덴 ( Mo ) , 구리 ( Cu ) , 티타늄 ( Ti ) 또는 알루미늄 ( Al ) 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 이때 , 제 2 게이트 전극 ( GEb ) 은 상기 의 물질 중 적어도 하나 이상 을 포함 하 는 단층 또는 다층 으로 이루어질 수 있 다 .