트랜지스터 ( 108 ) 는 , 반도체 층 ( 108 a ) , 게이트 절연 층 ( 108 b ) , 게이트 전극 ( 108 c ) , 소스 ㆍ드레인 전극 ( 108 d ) 등 을 포함 한다 . 반도체 층 ( 108 a ) 은 , 하 지 층 ( 106 ) 상 에 섬 형 으로 마련 되 어 있 다 . 반도체 층 ( 108 a ) 의 재료 로서 는 , 예 를 들 어 규소 등 의 14 족 원소 , 산화물 반도체 등 을 포함 해도 된다 . 산화물 반도체 로서 는 , 인듐 이나 갈륨 등 의 제 13 족 원소 를 포함 할 수 있 고 , 예 를 들 어 인듐 과 갈륨 의 혼합 산화물 ( IGO ) 을 들 수 있 다 . 반도체 층 ( 108 a ) 에 산화물 반도체 를 사용 하 는 경우 , 12 족 원소 를 더 포함 해도 되 고 , 일례 로서 인듐 , 갈륨 및 아연 을 포함 하 는 혼합 산화물 ( IGZO ) 을 들 수 있 다 . 반도체 층 ( 108 a ) 의 결정 성 에 한정 은 없 고 , 단결정 , 다 결정 , 미결정 또는 아몰 퍼스 중 어느 결정 상태 를 포함 해도 된다 .