제 2 TFT ( 170 ) 는 전단 게이트 라인 ( 102 ) 의 일부분 인 게이트 전극 ( 108 c ) 과 , 제 2 스토리지 전극 ( 182 ) 과 접속 된 소스 전극 ( 110 c ) , 소스 전극 ( 110 c ) 과 마주 보 는 드레 인 전극 ( 112 c ) 과 , 게이트 전극 ( 108 c ) 과 중첩 되 고 소스 전극 ( 110 c ) 과 드레 인 전극 ( 112 c ) 사이 에 채널 을 형성 하 는 활성 층 ( 114 c ) 을 구비 한다 . 제 2 TFT ( 170 ) 에서 의 게이트 전극 ( 108 c ) 은 제 1 TFT ( 106 ) 에서 의 게이트 전극 ( 108 a ) 과 는 구분 된다 . 즉 , 제 1 TFT ( 106 ) 에서 의 게이트 전극 ( 108 a ) 은 게이트 라인 ( 102 ) 에서 돌출 된 형태 를 가짐 에 비하 여 , 제 2 TFT ( 170 ) 에서 의 게이트 전극 ( 108 c ) 은 실질 적 으로 게이트 라인 ( 102 ) 의 일 영역 을 나타내 고 있 다 . 활성 층 ( 114 c ) 은 소스 전극 ( 110 c ) 및 드레 인 전극 ( 112 c ) 과 부분 적 으로 중첩 되 게 형성 되 고 소스 전극 ( 110 c ) 과 드레 인 전극 ( 112 c ) 사이 의 채널 부 를 더 포함 한다 . 활성 층 ( 114 c ) 위 에 는 소스 전극 ( 110 c ) 및 드레 인 전극 ( 112 c ) 과 오 믹 접촉 을 위한 오 믹 접촉 층 ( 148 c ) 이 더 형성 된다 .