이어서 , 도 8 , 도 9 및 도 10 c 에 도시 된 바 와 같이 , 핀 ( 114 ) 표면 의 산화 속도 를 증가 시킬 수 있 는 원소 를 이용 하 여 이온 주입 공정 을 실시 한다 . 이때 , 이온 주입 공정 은 핀 마스크 ( 112 ) 를 그대로 이온 주입 마스크 로 이용 하 며 , O 2 , Si , Ge 및 Ar 중 선택 된 어느 하나 의 원소 를 이용 하 여 실시 한다 . 여기 서 , Si 의 소스 가스 로 는 SiH 4 또는 SiF 4 가 사용 되 고 , Ge 의 소스 가스 로 는 GeH 4 또는 GeF 4 등 이 사용 된다 . 또한 , 이 온주 입공 정시 이온 주입 에너지 는 1 ~ 2 KeV 범위 로 설정 하 고 , 도즈 량 ( dose ) 은 5 E 14 atoms / cm 2 이하 , 바람직 하 게 는 1 E 10 ~ 5 E 14 atoms / cm 2 로 설정 한다 .