이러 한 특성 을 사용 하 여 서로 다른 표면 배향 을 갖 는 반도체 기판 을 형성 하 는데 이 를 하이브리드 오리엔테이션 ( hybrid orientation ) 구조 라 한다 . 하이브리드 오리엔테이션 구조 를 형성 할 때 에 는 소자 분리 영역 등 으로 분리 된 일부 상부 영역 에 SEG ( Selective Epitaxial Growing ) 공정 또는 SPE ( Solid Phase Epitaxy ) 공정 등 을 사용 하 여 결정 을 성장 시켜 , 주변 의 영역 과 배향 이 다르 게 한다 .