제 1 채널 패턴 ( CH 1 ) 의 중심 영역 은 코 어절 연막 ( CO ) 및 상부 도프 트 반도체 패턴 ( UDP ) 으로 채워질 수 있 다 . 상부 도프 트 반도체 패턴 ( UDP ) 은 제 1 채널 패턴 ( CH 1 ) 의 상단 에 의해 둘러싸이 고 , 코 어절 연막 ( CO ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 상부 도프 트 반도체 패턴 ( UDP ) 은 도전 형 도 펀트 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상부 도프 트 반도체 패턴 ( UDP ) 은 n 형 도 펀트 를 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 로서 , 상부 도프 트 반도체 패턴 ( UDP ) 은 도프 트 실리콘 을 포함 할 수 있 다 . 상부 도프 트 반도체 패턴 ( UDP ) 은 드레 인 정 션 으로 이용 될 수 있 다 .