스 페이서 ( 212 ) 는 샤워 헤드 ( 112 ) 바로 아래 에 배치 된다 . 스 페이서 ( 212 ) 는 샤워 헤드 ( 112 ) 의 하단 표면 의 외측 주변 부 를 따라 배향 되 는 환형 바디 를 포함 한다 . 환형 바디 는 수직 컴포넌트 및 측면 연장 부 ( 218 ) 를 포함 한다 . 수직 컴포넌트 ( 212 e ) 는 프로세싱 영역 ( 234 ) 을 둘러싸 는 내측 측벽 을 형성 한다 . 결과 적 으로 , 스 페이서 ( 212 ) 의 수직 컴포넌트 의 측벽 ( 212 a ) 은 프로세싱 영역 ( 234 ) 의 내측 벽 을 형성 한다 . 스 페이서 ( 212 ) 의 측면 연장 부 ( 218 ) 는 하부 챔버 부분 ( 101 ) 의 챔버 벽 ( 101 a ) 상 에 놓이 도록 구성 된다 . O - 링 ( 도 1 의 231 ) 이 임 베 딩 되 는 홈 부 ( 도 1 의 230 ) 가 챔버 벽 ( 101 a ) 의 상단 표면 상 에 형성 된다 . 따라서 , 스 페이서 ( 212 ) 의 측면 연장 부 ( 218 ) 가 챔버 벽 ( 101 a ) 의 상단 부 상 에 놓일 때 , 프로세싱 영역 ( 234 ) 을 실질 적 으로 시일 링 하 기 위해 측면 연장 부 ( 218 ) 가 O - 링 ( 231 ) 상 에서 아래 로 가압 된다 . 대안 적 인 실시 예 들 에서 , 프로세싱 영역 ( 234 ) 은 진공 시일 링 을 사용 하 여 시일 링 될 수 도 있 다 . 이러 한 실시 예 들 에서 , 홈 부 ( 230 ) 는 챔버 벽 ( 101 a ) 의 상단 표면 상 에 형성 되 지 않 을 수 도 있 다 .