다음 으로 , 도 8 d 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 와 같이 형성 된 제 1 감광막 패턴 ( 270 a ) 내지 제 6 감광막 패턴 ( 270 f ) 을 마스크 로 하 여 , 그 하부 에 형성 된 제 2 도 전막 과 제 1 n + 비정질 실리콘 박막 패턴 을 선택 적 으로 제거 하 게 되 면 , 상기 어레이 기판 ( 110 ) 의 화소 부 에 상기 n + 비정질 실리콘 박막 으로 이루어지 며 상기 소오 스 / 드레 인 ( 122 , 123 ) 과 동일 한 형태 로 패 터닝 된 오 믹 - 콘 택 층 ( 125 n ) 이 형성 되 게 된다 .