도 5 를 참조 하 면 , 상기 제 1 마스크 패턴 ( 106 ) 을 사용 하 여 상기 플로팅 게이트 막 ( 104 ) , 예비 터널 절 연막 ( 102 ) 및 기판 ( 100 ) 을 순차 적 으로 식각 한다 . 이 로써 , 라인 형상 의 예비 플로팅 게이트 전극 ( 104 a ) , 터널 절 연막 ( 102 a ) 이 형성 되 고 , 기판 ( 100 ) 에 는 소자 분리 용 트렌치 ( 108 ) 가 형성 된다 . 상기 소자 분리 용 트렌치 ( 108 ) 가 형성 되 지 않 은 기판 의 상부 평탄면 은 액티브 영역 이 된다 .