본 밞여은 임 프린팅 시 발생 하 는 잔류 층 을 원천 적 으로 제거 할 수 있 으며 , 잔류 층 제거 를 위한 후속 식각 공정 을 생략 하 여 공정 시간 을 단축 시키 면서 잔류 층 의 식각 공정 중 발생 하 는 패턴 의 선폭 변형 을 줄일 수 있 는 리소그래피 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 본 발명 의 리소그래피 방법 은 기판 상면 에 레지스 트 ( 네 가티 브 톤 의 포토레지스트 ) 를 도포 하 는 단계 ; 양각 패턴 이 표면 에 형성 된 스탬프 를 상기 레지스 트 에 임 프린팅 ( imprinting ) 하 는 단계 ; 자외선 을 조사 하 여 상기 레지스 트 를 경화 시키 는 단계 ; 상기 스탬프 를 상기 레지 스트로 부터 분리 하 는 단계 ; 상기 레지스 트 를 현상 ( Develop ) 하 여 레지스 트 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 레지스 트 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 상기 기판 을 식각 하 는 단계 를 포함 하 고 , 상술 한 본 발명 은 포토 리소그래피 기술 과 나노 임프 린트 리소그래피 기술 을 조합 하 여 리소그래피 공정 을 진행 하 므로써 잔류 층 이 없 는 미세 선폭 의 포토레지스트 패턴 을 형성 할 수 있 는 효과 가 있 다 .