청구 항 19 에 기재 된 발명 은 , 상기 고주파 전송로 로서 공동 공진기 로 형성 되 어 있 는 웨이퍼 연마 모니터 장치 로 하 였으므로 , 도전 성막 의 연마 가 진행 되 어 , 표피 깊이 로 정의 되 는 극히 얇 은 막 두께 에 달한 이후 의 막 두께 의 변화 에 따른 전자파 의 투과 계수 , 반사 계수 혹은 손실 계수 를 크 게 변화 시킬 수 가 있 고 , 이 들 의 계수 의 변화 를 기초 로 도전 성막 의 연마 제거 의 종료 점 을 높 은 정밀도 로 확실히 검출 할 수 있 다는 이점 이 있 다 .