상기 제 1 및 제 2 활성 부들 ( 105 a , 105 b ) 상 에 버퍼 층 ( 104 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 버퍼 층 ( 104 ) 은 산화 공정 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 버퍼 층 ( 104 ) 을 갖 는 기판 ( 100 ) 상 에 리세 스 영역 을 정의 하 는 마스크 패턴 ( 119 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 마스크 패턴 ( 119 ) 을 식각 마스크 로 사용 하 여 상기 수동 소자 영역 ( 70 ) 내 의 소자 분리 패턴 ( 102 ) 을 식각 하 여 리세 스 영역 ( 122 ) 을 형성 할 수 있 다 .