또한 , 개시 하 는 발명 에 따르 는 반도체 장치 에서 는 , 정보 의 기록 에 높 은 전압 을 필요 로 하 지 않 고 , 소자 의 열화 문제 도 없 다 . 예 를 들 면 , 종래 의 비휘발성 메모리 와 같이 , 플로팅 게이트 로 의 전자 나 홀 의 주입 이나 , 플로팅 게이트 로부터 의 전자 나 홀 의 추출 을 행할 필요 가 없 기 때문 에 , 게이트 절연 층 의 열화 와 같 은 문제 가 전혀 발생 하 지 않 는다 . 즉 , 개시 하 는 발명 에 따르 는 반도체 장치 에서 는 , 종래 의 비휘발성 메모리 에서 문제 가 되 고 있 는 덮 어 쓰 기 가능 횟수 에 제한 은 없 으며 , 신뢰 성 이 비약 적 으로 향상 된다 . 또한 , 트랜지스터 의 온 상태 , 오프 상태 에 따라서 , 정보 의 기록 이 이루어지 기 때문 에 , 고속 동작 도 용이 하 게 실현 할 수 있 다 . 또한 , 정보 를 소거 하 기 위한 동작 이 불 필요 하 다는 장점 도 있 다 .