본 발명 의 복합 희토류 영구 자석 박막 은 마그네트론 스퍼터링 을 이용 하 여 서브 스트레이트 에 대해 박막 성장 처리 를 진행 하 여 , 상기 희토류 영구 자석 박막 을 성장 시킨다 . 서브 스트레이트 에 대해 박막 성장 처리 를 진행 하 기 전 에 , 서브 스트레이트 를 신장 시켜 2 % 의 사전 변형 이 일어나 게 한다 . 서브 스트레이트 에 대해 박막 성장 처리 를 완료 한 후 , 열처리 를 진행 하 며 ; 상기 열처리 는 서브 스트레이트 상 에 성장 한 희토류 영구 자석 박막 을 진공 또는 불 활성 가스 에 놓 고 , 서브 스트레이트 의 역 마텐자이트 계 변상 시작 온도 이상 50 ℃ 에서 1 시간 동안 유지 하 는 단계 를 포함 한다 .