상기 목적 을 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 마스크 제작 방법 의 일 특징 은 , 광학 적 근접 보정 만 으로 보정 을 행하 는 경우 보다 광학 적 근접 보정 을 보정 에 의한 마스크 패턴 의 복잡도 가 낮 게 행하 는 단계 ; 및 상기 광학 적 근접 보정 에 의해 마스크 패턴 의 복잡도 가 낮 게 보정 된 부분 으로부터 소정 의 거리 를 두어 더미 패턴 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 되 ; 상기 마스크 패턴 의 보정 에 의한 복잡도 는 , 광학 적 근접 보정 시 보정 되 는 부분 에 대한 디 섹션 과 상기 디 섹션 된 세그먼트 의 이동 보정 수준 이 낮 아 질수록 감소 하 는 것 을 특징 으로 한다 .