층 ( 105 , 110 및 / 또는 115 ) 는 기판 ( 101 ) 위 에서 에피 택 셜 하 게 성장 될 수 있 다 . 특히 , 인듐 - 인화물 박리 층 ( 105 ) 는 비소화물 - 기재 의 공급 기판 ( 101 ) 위 에서 에피 택 셜 하 게 성장 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 공급 기판 ( 101 ) 이 GaAs 인 경우 , InAlP 박리 층 ( 105 ) 는 GaAs 기판 ( 101 ) 위 에서 에피 택 셜 하 게 성장 되 고 그 에 치밀 하 게 격자 - 일치 될 수 있 다 ( 예 를 들 어 , X 선 회절 분석 으로 측정 시 에 격자 불 일치 가 약 500 백만 분 율 ( ppm ) 미만 임 ) . 또한 , 비소화물 기재 의 지지층 ( 110 ) 이 박리 층 ( 105 ) 위 에서 에피 택 셜 하 게 성장 될 수 있 고 , 장치 층 ( 들 ) ( 115 ) 가 지지층 ( 110 ) 위 에서 에피 택 셜 하 게 성장 될 수 있 다 . 일부 실시 양태 에서 , 지지층 ( 110 ) 의 적어도 일부 는 장치 층 ( 들 ) ( 115 ) , 박리 층 ( 105 ) 및 / 또는 기판 ( 101 ) 에 비해 압축 변형 을 받 는다 . 특히 , 도 1 a 에서 , 박리 층 ( 105 ) 에 인접 한 비소화물 - 기재 의 지지층 ( 110 ) 의 적어도 일부 는 박리 층 ( 105 ) , 기판 ( 101 ) 및 / 또는 장치 층 ( 들 ) ( 115 ) 의 일부 에 비해 약간 의 압 축하 에 성장 된다 .