일본 특개 2005 - 244201 호 공보 에 기재 된 발광 소자 는 광취 출 측 의 반도체 층 표면 에 다수 의 길쭉 한 공극 이 형성 된 다공질 구조 와 그 다공질 구조 를 둘러싼 전극 을 가지 고 있 다 . 이 다공질 구조 의 형성 방법 은 다음 과 같 다 . 즉 , 웨이퍼 로 이루어진 사파이어 기판 위 에 n 형 반도체 층 , 활성 층 , p 형 전자 장벽층 , p 형 비뚤 어 진 ( 歪 ) 초격자 층 및 p 형 콘 택 층 을 차례 대로 형성 하 고 개구 형 광취 출부 의 주연 ( 周緣 ) 이 되 도록 p 측 오 믹 전극 을 형성 한 후 각 반도체 층 이 적층 된 웨이퍼 를 약액 에 담근다 . 이 로써 p 형 콘 택 층 의 광취 출부 에 다공질 구조 가 형성 된다 . 이 때 다공질 구조 를 둘러싸 는 주연 부분 에 p 측 오 믹 전극 이 남 는다 . 아울러 다공질 구조 의 형성 후 n 측 전극 이 식각 으로 형성 된다 .