제 1 ILD 층 ( 50 ) 이 형성 된 이후 , 도 10 a 및 도 10 b 에 도시 된 바 와 같이 , CMP 와 같 은 평탄 화 작업 이 수행 되 어서 , 희생 게이트 전극 층 ( 40 ) 이 노출 된다 . 그 후 에 , 도 11 a 및 도 11 b 에 도시 된 바 와 같이 , 희생 게이트 전극 층 ( 40 ) 이 제거 되 어서 , 게이트 공간 ( 55 ) 에 핀 구조물 의 채널 영역 을 노출 시킨다 . 희생 게이트 전극 층 ( 40 ) 은 플라 즈 마 건식 에칭 및 / 또는 습식 에칭 을 사용 하 여 제거 될 수 있 다 . 희생 게이트 전극 층 ( 40 ) 이 폴리 실리콘 이 고 제 1 ILD 층 ( 50 ) 이 실리콘 산화물 인 경우 , TMAH 용액 과 같 은 습식 에 천 트 가 사용 되 어 희생 게이트 전극 층 ( 40 ) 을 선택 적 으로 제거 할 수 있 다 .