또한 , 제 1 실시 형태 에서 는 , 도 1 O 에 나타내 는 바 와 같이 , 하나 의 처리 시스템 ( 1 a ) 중 , 본 예 에서 는 COR 처리 장치 ( 5 ) 의 진공 챔버 ( 40 ) 내 에서 , 피 처리 기판 , 예 를 들 어 웨이퍼 ( W ) 의 표면 상 에 형성 되 어 있 는 자연 산화 막 을 반응 생성물 로 변성 시킨다 . 이 후 , 반응 생성물 이 형성 된 웨이퍼 ( W ) 를 , 대기 개방 하 지 않 고 , 게이트 밸브 ( 54 ) 를 통하 여 PHT 처리 장치 ( 4 ) 의 진공 챔버 ( 20 ) 내 에 반송 하 고 , 반응 생성물 을 기화 시키 고 , 또한 웨이퍼 ( W ) 로부터 불소 및 / 또는 불소 를 함유 하 는 화합물 의 잔사 ( 313 ) 를 제거 한다 . 이 와 같이 , 제 1 실시 형태 에서 는 , 피 처리 기판 을 대기 개방 하 지 않 고 잔사 ( 313 ) 를 제거 할 수 있 다 . 이 때문 에 , 피 처리 기판 을 대기 개방 하 고 , 다른 처리 시스템 으로 이송 하 여 상기 잔사 ( 313 ) 를 제거 하 는 경우 와 비교 하 여 , 잔사 ( 313 ) 의 이상 성장 이나 , 혹은 잔사 ( 313 ) 가 부착 된 채 의 웨이퍼 ( W ) 가 반입 출부 ( 2 ) 나 카세트 ( C ) 로 반송 되 는 것 에 의한 재 오 염 을 일으킬 가능 성 을 저감 시킨 채 , 상기 잔사 ( 313 ) 를 제거 하 는 것 이 가능 해진다 . 따라서 , 피 처리 기판 을 청정 한 상태 로 유지 하 면서 , 상기 잔사 ( 313 ) 를 보다 확실 하 게 제거 할 수 있 다 . 이 와 같 은 잔사 ( 313 ) 의 제거 는 , 추가 적 인 미세 화 및 고집 적 화 가 진행 된 반도체 집 적 회로 장치 에 대한 적용 에 유리 하 다 .