이때 , 초기 제 2 반도체 패턴 ( SP 2 - A ) 중 절연 패턴 ( IP ) 에 의해 노출 된 영역 들 은 변형 되 어 제 1 영역 ( AR 21 ) , 제 2 영역 ( AR 22 ) 및 제 3 영역 ( AR 23 ) 으로 구분 되 는 제 2 반도체 패턴 ( SP 2 ) 이 형성 될 수 있 다 . 초기 제 2 반도체 패턴 ( SP 2 - A ) 중 절연 패턴 ( IP ) 에 의해 노출 된 영역 들 은 소정 의 불순물 들 이 주입 되 거나 , 초기 제 3 절연 층 ( IL 3 - A ) 을 형성 하 는 과정 에서 제공 되 는 식각 가스 에 의해 노출 되 어 적어도 일부분 이 환원 됨 으로써 제 1 영역 ( AR 21 ) 및 제 3 영역 ( AR 23 ) 으로 변화 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 상대 적 으로 불순물 유입 또는 환원 결과물 이 적 은 제 2 영역 ( AR 22 ) 은 채널 영역 으로 정의 될 수 있 다 .