집 적 회로 다이 ( 50 ) 는 웨이퍼 내 에 형성 되 고 , 후속 단계 에서 개편 화 되 어 복수 의 집 적 회로 다이 를 형성 하 는 상이 한 디바이스 영역 을 포함 할 수 있 다 . 집 적 회로 다이 ( 50 ) 는 집 적 회로 를 형성 하 기 위한 적용 가능 한 제조 공정 에 따라 처리 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 집 적 회로 다이 ( 50 ) 는 도핑 되 거나 도핑 되 지 않 은 실리콘 과 같 은 반도체 기판 ( 52 ) 또는 SOI ( semiconductor - on - insulator ) 기판 의 활성 층 을 포함 한다 . 반도체 기판 ( 52 ) 은 게르마늄 등 의 다른 반도체 재료 와 , 실리콘 탄화물 , 갈륨 비소 , 갈륨 인화물 , 인듐 인화물 , 인듐 비화물 , 및 / 또는 인듐 안티몬 화물 을 포함 하 는 화합물 반도체 와 , SiGe , GaAsP , AlInAs , AlGaAs , GaInAs , GaInP , 및 / 또는 GaInAsP 를 포함 하 는 혼정 반도체 , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 다층 형 또는 경사 형 기판 등 의 다른 기판 도 사용 될 수 있 다 . 반도체 기판 ( 52 ) 은 때때로 전면 측 ( front side ) 이 라고 불리 는 활성 면 ( 예컨대 , 도 1 에서 는 상향 쪽 표면 ) 과 때때로 후면 측 ( back side ) 이 라고 불리 는 비활성 면 ( 예컨대 , 도 1 에서 하향 쪽 표면 ) 을 갖 는다 .