상기 와 같이 레이저 를 비정질 실리콘 상 에 조사 함 으로써 결정립 의 크기 가 계속 적 으로 측면 성장 하 게 되 어 큰 결정립 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 좁 은 피치 간격 으로 용융 과 고상 화 를 반복 하 며 부피 차이 에 의해 형성 되 는 돌출부 ( protrusion ) 의 형성 을 방지 할 수 있 어 , 다 결정 실리콘 층 상 의 거칠 기 가 15 nm 이하 로써 돌출 된 부분 에 전계 가 집중 하 여 나타나 는 불량 을 방지 하 고 , 전하 의 이동 을 원할히 할 수 있 다 .