제 1 메모리 블록 ( MB 1 ) 은 다수 의 스트링 들 ( ST 11 '~ ST 1 m ', ST 21 '~ ST 2 m ') 을 포함 할 수 있 다 . 다수 의 스트링 들 ( ST 11 '~ ST 1 m ', ST 21 '~ ST 2 m ') 각각 은 수직 방향 ( Z 방향 ) 을 따라 연장 될 수 있 다 . 제 1 메모리 블록 ( MB 1 ) 내 에서 , 행 방향 ( X 방향 ) 으로 m 개 의 스트링 들 이 배열 될 수 있 다 . 도 16 에서 열 방향 ( Y 방향 ) 으로 2 개 의 스트링 들 이 배열 되 는 것 으로 도시 되 어 있 으나 , 이 는 설명 의 편의 를 위한 것 으로서 열 방향 ( Y 방향 ) 으로 3 개 이상 의 스트링 들 이 배열 될 수 있 다 .