제 3 절 연막 형성 후 , 제 3 절 연막 을 포함 한 반도체 기판 상 에 제 4 절 연막 을 형성 하 는 단계 , 트렌치 가 형성 된 영역 에 만 제 3 및 제 4 절 연막 이 잔류 되 도록 평탄 화 식각 공정 을 실시 하 여 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 , 소자 분리 마스크 를 제거 하 는 단계 및 EFH ( Effective Field Height ) 를 조절 하 기 위해 소자 분리 막 의 식각 공정 을 실시 하 는 단계 를 포함 한다 .