한편 , 실시 예 에 의하 면 , 메사 식각 공정 을 통하 여 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 111 ) 의 일부 영역 이 노출 되 도록 형성 될 수 있 다 . 상기 발광 구조물 ( 110 ) 은 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 111 ) 을 노출 시키 는 리세 스 를 포함 할 수 있 다 . 예 로서 , 상기 발광 구조물 ( 110 ) 은 원 형상 의 복수 의 리세 스 를 포함 할 수 있 다 .