도 5 는 본 발명 의 일실 예 에 따라 서 셉 터 ( 430 ) , 상기 서 셉 터 상 에 배치 된 웨이퍼 ( 422 ) , 및 개선 된 샤워 플레이트 ( 120 ) 를 가지 는 반응 챔버 ( 400 ) 의 내부 를 도시 한다 . 서 셉 터 ( 430 ) 는 다양 한 형상 들 및 크기 들 을 가질 수 있 다 . 일실 시예 에 있 어서 , 도 5 에 도시 된 바 와 같이 , 서 셉 터 ( 430 ) 는 그 내부 에 웨이퍼 ( 422 ) 에 밀접 하 게 맞춰 지 는 포켓 또는 리세 스 ( 438 ) 를 한정 하 는 고리 형 숄더 또는 벽 ( 431 ) 과 같 은 기판 제한 ( confining ) 구조 를 포함 한다 . 또한 , 리 세스 ( 438 ) 의 직경 은 , 서 셉 터 ( 430 ) 에 의하 여 지지 되 는 웨이퍼 ( 422 ) 의 크기 에 의존 하 여 변화 할 수 있 다 . 다른 실시 예 에 있 어서 , 서 셉 터 ( 430 ) 는 평평 하 고 리세 스 를 가지 지 않 을 수 있 다 . 또한 , 도 5 는 홀 가공 영역 ( 103 ) 의 표면 영역 ( 411 ) 및 웨이퍼 ( 422 ) 의 일 측 의 표면 영역 ( 423 ) 을 도시 한다 . 일실 시예 에 있 어서 , 홀 가공 영역 ( 103 ) 의 원형 표면 영역 ( 411 ) 의 직경 은 포켓 ( 438 ) 내 에 맞춰질 수 있 는 가능 한 한 가장 큰 기판 의 일 측 의 원형 표면 영역 ( 423 ) 의 직경 의 0 . 95 내지 1 . 05 배 의 범위 이 다 . 바람직 한 실시 예 에 있 어서 , 홀 가공 영역 ( 103 ) 의 원형 표면 영역 ( 411 ) 의 직경 은 포켓 ( 438 ) 내 에 맞춰질 수 있 는 가능 한 한 가장 큰 기판 의 일 측 의 원형 표면 영역 ( 423 ) 의 직경 의 0 . 977 내지 1 . 027 배 의 범위 이 다 .