상기 반도체 층 ( 105 ) 을 패 터닝 하 여 도 9 의 회절 격자 커플러 ( 115 ) 를 형성 한다 . 상기 회절 격자 커플러 ( 115 ) 의 형성 방법 은 도 5 b 를 참조 하 여 설명 하 였음으로 생략 한다 . 상기 반사체 ( 220 a ) 의 형성 방법 은 상기 회절 격자 커플러 ( 115 ) 의 형성 방법 전 또는 후 에 수행 될 수 있 다 .