본 발명 의 다른 실시 예 에 따르 면 , 도 5 , 도 7 , 도 8 , 도 11 및 도 12 에 도시 된 것 처럼 , 상기 전류 분산 홀 들 ( 200 ) 은 상기 하부 전극 ( 110 ) 및 상기 하부 전극 영역 ( 10 ) 에 인접 하 게 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 전류 분산 홀 들 ( 200 ) 은 상기 하부 전극 영역 ( 10 ) 으로부터 의 거리 가 100 내지 150 um 보다 작 은 , 상기 활성 영역 ( 30 ) 내 에 형성 될 수 있 다 . 이때 , 도 12 에 도시 된 것 처럼 , 상기 전류 분산 홀 들 ( 200 ) 은 상기 하부 전극 ( 110 ) 및 상기 상부 전극 ( 120 ) 사이 의 최단 경로 주변 에 국소 적 으로 배치 될 수 있 다 .