유전 막 ( 114 ) 상 에 형성 되 는 컨트롤 게이트 막 ( 116 ) 은 도프 트 폴리 실리콘 과 같 은 도전 성 물질 을 포함 할 수 있 다 . 도프 트 폴리 실리콘 을 포함 하 는 예비 플로팅 게이트 ( 104 a ) 에 유전 막 ( 114 ) 을 직접 적 으로 형성 하 는 경우 , 금속 을 포함 하 는 소스 를 기화 시켜 예비 플로팅 게이트 ( 104 a ) 에 증착 한다 . 이 때 , 소스 와 결합 된 리간드 를 제거 하 고 금속 산화물 을 안정 시키 기 위해서 산소 를 사용 한다 . 그러나 상기 산소 는 예비 플로팅 게이트 ( 104 a ) 에 포함 된 도프 트 폴리 실리콘 과 반응 하 여 자연 산화 막 을 발생 시키 는 문제 가 있 다 .