이제 도 5 a 및 도 5 b 를 참조 하 면 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 화학 기상 증착 반응기 ( 210 ) 는 도 1 에 도시 된 반응 챔버 ( 12 ) 와 같 은 반응 챔버 내 에서 웨이퍼 처리 프로세스 에서 사용 될 셔터 ( 234 ) 를 포함 한다 . 도 5 a ( 개방 셔터 위치 ) 및 5 b ( 폐쇄 셔터 위치 ) 내 에 도시 된 셔터 ( 234 ) 는 , 셔터 ( 234 ) 가 그 에지 로부터 아래쪽 으로 연장 된 플런저 들 을 포함 하 지 않 고 , 배기 시스템 이 복수 의 원형 포트 들 을 구비 한 매니폴드 보다 오히려 단일 고리 형 포트 를 구비 한 미로 ( labyrinth ) 를 포함 하 는 것 을 제외 하 면 , 도 1 - 3 에 도시 된 셔터 ( 34 ) 에 유사 하 다 .