그런데 , NAND 형 플 래쉬 메모리 소자 의 사이즈 가 축소 되 면서 셀 간 의 간격 이 감소 하 고 , 이 에 따라 인접 셀 의 동작 에 영향 을 받 아 셀 의 상태 가 변화 하 는 인접 셀 간 간섭 ( interference ) 효과 가 가장 큰 문제점 으로 부각 된다 . 예컨데 프로그램 시 프로그램 셀 의 문턱 전압 이 플로팅 게이트 간섭 효과 에 의해 주변 셀 의 문턱 전압 에 영향 을 받 게 됨 으로써 상승 하 게 된다 . 따라서 , 프로그램 셀 의 문턱 전압 분포 가 광범위 하 게 변화 하 게 되 고 , 이 로 인해 칩 이 페일 되 는 현상 이 발생 하 게 된다 . 이러 한 인접 셀 간 간섭 효과 문제 는 멀티 레벨 셀 에서 는 더더욱 중요 한 문제 로 부각 된다 . 인접 셀 간 의 간섭 효과 를 최소 화 하 기 위해 셀 사이 의 간격 을 충분히 확보 해야 한다 . 그러나 , 소자 의 고집 적 화 에 따라 셀 사이 의 간격 을 충분히 확보 하 는 것 은 한계 가 있 다 .