또한 , 상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 다른 측면 에 따른 본 발명 은 , 상기 제 2 및 제 3 금속 층 을 형성 하 는 방법 을 이용 해 최 상부 금속 층 이 형성 된 기판 을 제공 하 는 단계 와 , 상기 최 상부 금속 층 을 덮 는 패 시베이 션 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 패 시베 이 션 막 의 일부 를 식각 하 여 상기 최 상부 금속 층 을 노출 시키 는 홀 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 홀 이 매립 되 도록 범프 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 제조 방법 을 제공 한다 .