다음 으로 , 주변 영역 오픈 마스크 층 ( 38 ) 을 식각 마스크 로 비정질 카본 층 ( 37 ) , 실리콘 질화 막 ( 36 ) 및 실리콘 산화 막 ( 35 ) 을 이방성 식각 방식 으로 식각 하 여 주변 영역 의 게이트 라인 의 양측 벽 에 삼중 게이트 스 페이서 를 형성 한다 . 이때 , 삼중 게이트 스 페이서 는 , 주변 영역 의 게이트 라인 의 양측 벽 에 접하 는 실리콘 산화 막 ( 35 a ) 과 실리콘 질화 막 ( 36 a ) 으로 된 L 자형 스 페이서 와 비정질 카본 층 ( 37 a ) 으로 된 돔 형 스 페이서 를 일컫 는다 .