상기 센싱 부들 ( SEL ) 은 도전 성 재료 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 도전 성 재료 로 는 금속 , 이 들 의 합금 , 도전 성 고분자 , 도전 성 금속 산화물 등 이 사용 될 수 있 다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 있 어서 , 금속 으로 는 구리 , 은 , 금 , 백금 , 팔라듐 , 니켈 , 주석 , 알루미늄 , 코발트 , 로듐 , 이리듐 , 철 , 루테늄 , 오스뮴 , 망간 , 몰리브덴 , 텅스텐 , 니오브 , 탄탈 , 타이타늄 , 비스 머스 , 안티몬 , 납 등 을 들 수 있 다 . 상기 도전 성 금속 산화물 로 는 ITO ( Indium Tin Oxide ) , IZO ( Indium Zinc Oxide ) , AZO ( Antimony Zinc Oxide ) , ITZO ( Indium Tin Zinc Oxide ) , ZnO ( Zinc Oxide ) , SnO 2 ( Tin Oxide ) 등 을 들 수 있 다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 있 어서 , 상기 센싱 부들 ( SEL ) 은 단 일 막 또는 다 중막 으로 이루어질 수 있 다 . 상기 도전 성 고분자 로 는 폴리 티오펜 계 , 폴리 피롤 계 , 폴리 아닐린 계 , 폴리아세틸렌 계 , 폴리페닐 렌 계 화합물 및 이 들 의 혼합물 등 을 들 수 있 으며 , 특히 폴리 티오펜 계 중 에서 도 PEDOT / PSS 화합물 을 사용 할 수 있 다 . 상기 도전 성 고분자 는 제조 가 용이 할 뿐 아니 라 , 상기 도전 성 금속 산화물 , 예 를 들 어 , ITO 보다 가요 성 ( flexibility ) 이 높 기 때문 에 벤딩 시 크랙 의 가능 성 이 감소 될 수 있 다 .