도 4 는 본 발명 의 제 2 실시 예 에 따른 발광 다이오드 의 평면도 이 며 , 도 5 는 도 4 를 Ⅲ - Ⅲ 선 에 따라 절단 한 단면도 이 다 . 본 발명 의 제 2 실시 예 에 따른 발광 다이오드 는 제 1 실시 예 에 따른 발광 다이오드 와 비교 하 여 , 격벽 의 구조 가 상이 하 며 , 나머지 구성 은 거의 유사 한 바 , 이하 에서 는 상이 한 구성 을 위주 로 상술 한다 .