즉 , 현재 플 래쉬 디바이스 ( flash device ) 에서 130 nm 공정 까지 는 알루미늄 배선 공정 을 사용 하 고 있 으나 , 90 nm 이하 로 가 면서 위 언급 한 바 와 같이 , 알루미늄 배선 의 경우 라인 의 선폭 이 줄어들 면서 EM , 디바이스 의 속도 가 문제 가 되 며 , 이 로 인해 90 nm 이하 의 공정 에서 는 구리 공정 을 사용 하 고 있 다 .