집 적 장치 의 제조 에서 일반 적 으로 사용 된 물질 은 실리콘 질화물 이 다 . 집 적 회로 의 프론트 엔드 ( front end ) 프로세싱 에서 실리콘 질화물 필름 을 위한 두 개 의 일반 적 용도 는 세밀 한 집 적 장치 주위 의 스 페이서 구조 의 형성 및 접촉 에칭 정치 층 의 형성 , 예컨대 사전 금속 유전 층 과 반도체 기판 사이 의 배리어 층 의 형성 을 포함 한다 . 에칭 정지 층 으로서 사용 되 는 경우 에 , 실리콘 산화물 에칭 프로세스 중 낮 은 습윤 에칭 률 ( WER ) 을 보이 는 필름 의 능력 은 바람직 하 다 .