캐리어 테이프 의 휨 현상 을 방지 할 수 있 는 확장 링 을 이용 한 반도체 소자 의 제조 방법 을 개시 한다 . 반도체 소자 의 제조 방법 은 먼저 스 크 라 이브 영역 에 의해 분리 배열 되 는 다수 의 반도체 칩 을 구비 하 는 반도체 웨이퍼 가 점착 된 캐리어 테이프 를 확장 링 으로 지지 시켜 준다 . 진공 척 테이블 을 상기 캐리어 테이프 의 하측 에 배열 한다 . 상기 진공 척 테이블 은 상기 반도체 웨이퍼 에 대응 하 도록 배열 되 는 플랫 폼 부 및 상기 플랫 폼 부 에 접하 여 단차 지 는 거 치부 를 구비 한다 . 지지 링 을 상기 진공 척 테이블 의 상기 거치 부 에 안착 시켜 준다 . 상기 진공 척 테이블 을 상측 으로 상승 시켜 상기 확장 링 과 상기 지지 링 의 결합 부 에 상기 캐리어 테이프 를 삽입 시켜 준다 . 상기 캐리어 테이프 가 확장 되 어 상기 반도체 칩 사이 의 스 크 라 이브 영역 의 폭 이 증가 된다 . 상기 진공 적 테이블 을 하측 방향 으로 하강 시켜 준다 .