도 1 은 본 발명 의 적어도 한 가지 실시 예 에 따른 방사선 방출 컴포넌트 ( 1 ) 의 개략 적 인 횡단면 을 보여 주 고 있 다 . 상기 컴포넌트 ( 1 ) 는 리세 스 ( 6 ) 를 갖 는 하우징 ( 5 ) 을 구비 하 며 , 상기 리세 스 내부 에서 는 반도체 칩 , 즉 LED 가 상기 리세 스 ( 6 ) 의 바닥 에 방사선원 ( 10 ) 으로서 배치 되 어 있 다 . 상기 리세 스 ( 6 ) 의 바닥 에 는 본딩 패드 ( 15 ) 가 배치 되 어 있 으며 , 상기 본딩 패드 는 본딩 와이어 ( 16 ) 를 통해서 반도체 칩 ( 10 ) 과 전도 성 으로 결합 되 어 있 다 . 상기 반도체 칩 ( 10 ) 그리고 상기 본딩 패드 ( 15 ) 는 전기 전도성 단자 들 ( 17 a , 17 b ) 과 결합 되 어 있 으며 , 상기 단자 들 은 컴포넌트 ( 1 ) 의 하우징 ( 5 ) 으로부터 외부 로 뻗 어 나올 수 있 고 , 전기 적 인 콘 택 팅 을 목적 으로 제공 되 었 다 . 상기 전기 전도성 단자 들 ( 17 a , 17 b ) 은 리드 프레임 의 한 부분 일 수 있 다 . 상기 리세 스 ( 6 ) 의 측벽 들 ( 7 ) 은 예 를 들 어 TiO 2 또는 금속 코팅 과 같 은 반사 작용 을 하 는 재료 를 구비 할 수 있 다 .