혼합 희 토의 처리 결과 를 도 1 a 에 , 개개 희 토 원소 의 처리 결과 를 도 1 b 에 각각 나타내 었 다 . 도 1 a 에 나타낸 바 와 같이 , 10 ㎍ 에서 1 pg 까지 혼합 희 토 를 처리 한 실험 군 은 혼합 희 토 를 처리 하 지 않 은 무 처리 군 보다 세포 의 증식 이 활발 해짐 을 확인 할 수 있 었 다 . 특히 , 무 처리 군 ( 100 %) 에 비해 혼합 희 토 첨가 24 시간 후 에 는 136 %, 48 시간 후 에 는 130 %, 72 시간 후 에 는 108 % 로 증가 됨 을 확인 할 수 있 었 다 . 시간 이 길 어 짐 에 따른 증식 정도 의 감소 는 배양 접시 의 면적 의 한계 로 세포 가 더 자라 지 못하 고 접촉 저해 가 일어나 기 때문 이 며 , 실험 군 과 무 처리 군 의 차이 가 줄어드 는 이유 는 무 처리 군 도 정상 적 인 세포 증식 이 일어나 기 때문 이 다 . 따라서 혼합 희 토가 세포 의 증식 에 영향 을 미침 을 확인 할 수 있 다 . 참고 로 , 1 ㎎ 과 100 ㎍ 에서 는 세포 성장 에 직접 영향 을 나타내 는 것 이 아니 라 , 혼합 희 토의 농도 가 너무 높 아 배지 내 에서 포화 되 어 침전 이 생김 으로써 세포 증식 에 방해 를 주 었 음 을 현미경 으로 관찰 할 수 있 었 다 . 또한 , 도 1 b 에 나타낸 바 와 같이 , 개개 희 토 원소 로 처리 한 경우 에 도 , 세포 증식 이 무 처리 군 ( 100 %) 에 비해 희 토 원소 첨가 24 시간 후 에 최고 140 % 로 증가 되 며 , 특히 세륨 ( Ce ) 으로 처리 한 경우 세포 증식 이 가장 크 게 증가 됨 을 확인 할 수 있 었 다 . 따라서 희 토 원소 를 처리 함 으로써 세포 의 증식 이 증가 함 을 확인 할 수 있 었 다 .