또한 , 게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b ) 을 형성 한 후 , 성막 장치 의 반응 실 내 에 실리콘 혹은 게르마늄 을 함유 하 는 퇴적 성 가스 를 흘리 고 , 반응 실 내 에 잔존 하 는 게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b ) 의 원료 가스 , 특히 산소 , 질소 를 함유 하 는 가스 를 제거 하 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 공정 에 의하 여 , 반응 실 내 의 산소 농도 , 질소 농도 를 저감 할 수 있 고 , 이후 형성 하 는 미결정 반도체 막 의 산소 농도 , 질소 농도 를 저감 할 수 있 다 . 결과 적 으로 , 결함 이 적 은 미결정 반도체 막 을 형성 할 수 있 다 .