우선 , 도 5 a 에 도시 한 바 와 같이 , 절연 기판 ( 110 ) 상 에 제 1 금속 물질 을 증착 하 여 제 1 금속 층 ( 미 도시 ) 을 형성 한 후 , 상기 제 1 금속 층 위 로 포토레지스트 를 도포 함 으로서 포토레지스트 층 을 형성 , 마스크 를 이용 한 상기 포토레지스트 층 의 노광 , 상기 노광 된 포토레지스트 층 의 현상 을 통한 포토레지스트 패턴 ( 미 도시 ) 형성 과 상기 포토레지스트 패턴 ( 미 도시 ) 외부 로 노출 된 상기 제 1 금속 층 ( 미 도시 ) 의 식각 및 상기 포토레지스트 패턴 ( 미 도시 ) 의 스트립 ( strip ) 등 의 공정 을 포함 하 는 제 1 마스크 공정 을 진행 하 여 게이트 배선 ( 미 도시 ) 과 상기 게이트 배선 ( 미 도시 ) 에서 분기 한 형태 로서 상기 화소 영역 ( P ) 내의 상기 스위칭 영역 ( TrA ) 에 게이트 전극 ( 115 ) 을 형성 한다 .