다음 으로 , 장치 다이 ( 36 ) 와 금속 포스트 ( 32 ) 는 도 6 에 도시 된 바 와 같이 , 캡슐 화 물질 ( 48 ) 에 의해 캡슐 화 된다 . 각각 의 단계 는 도 22 에 도시 된 프로세스 흐름 내 의 단계 ( 206 ) 로서 예증 된다 . 캡슐 화 물질 ( 48 ) 은 이웃 하 는 관통 비 아들 ( 32 ) 사이 의 간극 과 , 관통 비아 ( 32 ) 와 장치 다이 ( 36 ) 사이 의 간극 을 채운다 . 캡슐 화 물질 ( 48 ) 은 몰딩 화합물 , 몰딩 언더 필 , 에폭시 , 및 / 또는 수지 를 포함 할 수 있 다 . 캡슐 화 물질 ( 48 ) 의 상단 표면 은 금속 필라 ( 42 ) 의 상단 단부 보다 높 다 . 몰딩 화합물 은 , 중합체 , 수지 , 에폭시 등 일 수 있 는 베이스 물질 과 이 베이스 물질 내 의 필러 ( filler ) 입자 ( 미도 시 됨 ) 를 포함 할 수 있 다 . 필러 입자 는 SiO 2 , Al 2 O 3 , 실리카 등 의 유전체 입자 일 수 있 고 , 구형 ( spherical shape ) 을 가질 수 있 다 .