이어서 , 기판 ( 200 ) 상 에 터널 링 절 연막 ( 201 ) 을 형성 한다 . 이때 , 터널 링 절 연막 ( 201 ) 은 산화 막 , 예컨대 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 으로 형성 하 거나 , 소자 특성 을 위해 실리콘 산화 막 을 형성 한 후 N 2 가스 를 이용 한 열처리 공정 을 실시 하 여 실리콘 산화 막 과 기판 ( 200 ) 계면 에 질화 층 을 더 형성 할 수 도 있 다 . 그 제조 방법 으로 는 건식 산화 , 습식 산화 공정 또는 라디컬 이온 을 이용 한 산화 공정 을 이용 할 수 도 있 으나 , 특성 측면 에서 라디컬 이온 을 이용 한 산화 공정 대신 에 건식 산화 , 습식 산화 공정 으로 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 터널 링 절 연막 ( 201 ) 은 50 ~ 100 Å 정도 의 두께 로 형성 할 수 있 다 .