본 발명 은 이미지 센서 및 그 의 제조 방법 에 관한 것 으로서 , 더욱 상세 하 게 는 화소 가 형성 된 반도체 기판 상 에 금속 배선 을 포함 하 는 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 층간 절 연막 상 에 컬러 필터 층 및 평탄 화 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 평탄 화 층 상 에 제 1 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 절 연막 상 에 마이크 로 렌즈 마스크 를 형성 하 는 단계 ; 상기 마이크 로 렌즈 마스크 를 사용 하 여 상기 제 1 절 연막 을 식각 하 여 시드 마이크 로 렌즈 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 며 , 상기 시드 마이크 로 렌즈 가 이웃 하 는 시드 마이크 로 렌즈 와 이격 된 경우 상기 시드 마이크 로 렌즈 상 으로 제 2 절 연막 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 이미지 센서 및 그 의 제조 방법 에 관한 것 이 다 .