앞서 언급 한 바 와 같이 , 트랜지스터 의 커패시턴스 는 , 채널 의 형성 여부 에 따라 가변 하 는 값 이 므로 , 예비 모델링 값 ( P _ Cgs ) 은 채널 을 형성 하 지 않 는 게이트 전압 인 변곡점 에 대응 하 는 예비 모델링 값 ( P _ Cgsrev , 이하 , " "" 제 1 예비 모델링 값 "" 으로 지칭 함 ) 과 ", 채널 이 형성 되 기 시작 하 거나 채널 을 형성 하 는 문턱 전압 ( Vt ) 에 인접 한 게이트 전압 인 변곡점 에 대응 하 는 예비 모델링 값 ( P _ Cgsfwd , 이하 , " "" 제 2 예비 모델링 값 "" 으로 지칭 함 ) 으로 구분 될 수 있 다 . "