또한 , 산화물 반도체 막 과 산화물 도전 막 의 적층 을 형성 하 고 , 산화물 반도체 막 과 산화물 도전 막 과 의 적층 을 같 은 포토 리소그래피 공정 에 의해 형상 을 가공 해서 섬 형상 의 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 산화물 도전 막 을 형성 한다 . 소스 전극 ( 142 a ) , 드레 인 전극 ( 142 b ) 을 형성 한 후 , 소스 전극 ( 142 a ) , 드레 인 전극 ( 142 b ) 을 마스크 로 하 여 , 섬 형상 의 산화물 도전 막 을 더 에칭 하 고 , 소스 영역 및 드레 인 영역 으로 되 는 산화물 도전 층 을 형성 할 수 도 있 다 .