도 6 e 를 참조 하 면 , 워드 라인 컷 ( 232 ) 을 통해 식각 액 , 가령 불 산 ( HF ) , 혹은 불 산 ( HF ) 과 질산 ( HNO 3 ) 혼합액 을 제공 하 여 제 1 희생 막 들 ( 211 - 215 ) 을 선택 적 으로 제거 할 수 있 다 . 상기 습식 식각 공정 에 의하 면 게이트 들 ( 265 ) 사이 에 에 어 갭 들 ( 216 ) 이 형성 될 수 있 다 . 따라서 , 기판 ( 201 ) 상 에 는 수직 채널 ( 240 ) 을 따라 상하 이격 되 고 에어 갭 들 ( 216 ) 에 의해 서로 절연 되 는 게이트 들 ( 265 ) 이 수직 적층 된 게이트 스택 ( 204 ) 이 형성 될 수 있 다 . 게이트 들 ( 265 ) 은 스트링 선택 게이트 ( 265 s ) 와 메모리 게이트 들 ( 265 w ) 및 접지 선택 게이트 ( 265 g ) 로 구분 될 수 있 다 . 하나 의 수직 채널 ( 240 ) 을 따라 수직 적층 된 접지 선택 게이트 ( 265 g ) 와 메모리 게이트 들 ( 265 w ) 및 스트링 선택 게이트 ( 265 s ) 는 하나 의 셀 스트링 ( 205 ) 을 구성 할 수 있 다 . 상기 습식 식각 공정 에 따라 제 1 희생 막 들 ( 211 - 215 ) 이 제거 될 때 수직 채널 ( 240 ) 의 측벽 들 이 식각 액 에 의해 손상 받 을 염려 가 있 을 수 있 다 . 그렇지만 , 본 실시 예 에 의하 면 , 제 1 희생 막 들 ( 211 - 215 ) 과 수직 채널 ( 240 ) 사이 에 형성 된 보호막 들 ( 218 ) 이 식각 액 에 의한 수직 채널 ( 40 ) 의 손상 을 저지 할 수 있 다 .