상기 상기 양자 점 층 형성 용 조성물 에 사용 되 는 ( A ) 카드뮴 을 5 이상 내지 35 중량 % 미만 으로 포함 하 는 양자 점 입자 및 ( B ) 카드뮴 을 포함 하 지 않 는 양자 점 입자 는 용매 또는 이중 결합 을 포함 하 는 화합물 에 1 내지 20 중량 % 로 분산 하 여 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 양자 점 입자 는 비 용매 를 이용 하 여 침전 을 통하 여 정제 하 는 방법 으로 획득 하 는 것 이 바람직 하 다 . 그러나 입자 를 건조 한 상태 에서 보관 하 면 안정 성 이 저하 되 어 양자수 율 이 낮 아 지 는 문제점 이 있 으며 , 건조 된 양자 점 을 상기 양자 점 층 형성 용 조성물 에 바로 투입 하 면 양자 점 입자 가 뭉치 는 현상 이 발생 할 수 있 어 원 하 는 양자수 율 이나 반치 폭 을 확보 하 는 데 어려움 이 있 으므로 , 양자 점 입자 의 투 입량 을 늘려야 문제점 이 발생 한다 . 본 발명 에서 는 이러 한 문제점 을 해결 하 기 위하 여 건조 된 양자 점 입자 를 용매 또는 이중 결합 을 포함 하 는 화합물 에 1 내지 20 중량 % 로 분산 하 여 보관 및 상기 양자 점 층 형성 용 조성물 에 적용 하 는 것 을 제안 한다 . 본 발명 에서 사용 되 는 양자 점 입자 는 표면 에 지방족 알킬 을 포함 하 는 포화 또는 불포화 지방족 화합물 ( 상기 알킬 은 하 기 표시 된 탄소 원자 들 의 수 를 갖 는 직쇄 또는 분지 쇄 형 이 ) 을 포함 할 수 있 으며 , 이 를 분산 하 기 위해서 는 소수성 용매 또는 소수성 이중 결합 을 포함 하 는 화합물 에 분산 하 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 소수성 용매 로 는 벤젠 , 톨루엔 , 자일렌 등 방향 족 탄화수소 용매 , 헥산 , 헵탄 , 옥탄 등 지방족 탄화수소 용매 가 바람직 하 다 . 그러나 용매 로 분산 되 어 진 양자 점 입자 를 상기 양자 점 층 형성 용 조성물 에 혼합 하 면 , 이후 별도 의 용매 를 제거 하 기 위한 공정 , 예 를 들 어 , 고온 감압 증류 공정 등 을 통하 여 용매 를 제거 해야 양자 점 층 형성 용 조성물 이 경화 공정 후 광 변환 필름 의 밀착력 , 외관 , 휘도 등 의 문제 가 발생 하 지 않 는다 .