게이트 전극 ( 714 ) 의 막 두께 는 , 10 nm ∼ 400 nm , 바람직 하 게 는 100 nm ∼ 200 nm 으로 한다 . 본 실시 형태 에서 는 , 텅스텐 타 겟 을 이용한 스퍼터링 법 에 의해 150 nm 의 게이트 전극 용 의 도전 막 을 형성 한 후 , 이 도전 막 을 에칭 에 의해 소망 의 형상 으로 가공 ( 패 터닝 ) 함 으로써 , 게이트 전극 ( 714 ) 을 형성 한다 . 또한 , 형성 된 게이트 전극 의 단부 가 테이퍼 이 면 , 위 에 적층 하 는 게이트 절 연막 의 피복성 이 향상 되 기 때문 에 바람직 하 다는 점 을 주목 하 라 . 또한 , 저항 마스크 를 잉크젯 법 으로 형성 해도 좋 다 . 저항 마스크 를 잉크젯 법 으로 형성 하 면 포토 마스크 를 사용 하 지 않 기 때문 에 , 제조 비용 을 저감 할 수 있 다 .