본 기술 의 복수 의 실시 예 가 제 1 반도체 다이 , 상기 제 1 반도체 다 이 상 에 적층 된 적어도 하나 의 제 2 반도체 다이 , 및 전기 기능 열 전달 구조물 ( HTS ) 을 포함 하 는 반도체 디바이스 조립 체 와 관련 된다 . 제 1 반도체 다이 는 , 베이스 영역 및 주변 영역 을 갖 는 장착 표면 을 포함 하 고 , 상기 주변 영역 은 베이스 영역 의 주변 부 둘레 에 뻗 어 있 다 . 제 2 반도체 다이 는 베이스 영역 에서 제 1 반도체 다이 에 전기 적 으로 연결 되 며 , 전기 기능 HTS 가 주변 영역 에서 제 1 반도체 다이 에 전기 적 으로 연결 된다 . 전기 기능 HTS 는 제 1 반도체 다이 의 주변 영역 으로부터 열 을 효율 적 으로 전달 하 고 또 한 반도체 다이 조립 체 를 동작 시키 는 데 유용 한 전기 기능 을 제공 한다 . 따라서 , 본 기술 에 따르 는 반도체 디바이스 조립 체 의 복수 의 실시 예 가 , 전기 기능 과 제 1 반도체 다이 의 주변 영역 으로부터 의 효율 적 인 열 전달 모두 공통 구성 요소 에 의해 수행 되 기 때문 에 열 효율 적 인 적층 된 다이 배열 , 작 은 패키지 크기 , 및 / 또는 기능 구성 요소 에 대해 더 많 은 공간 을 제공 할 것 으로 기대 된다 .