소자 ( 12 ) 의 낮 은 저항 상태 는 판독 및 기록 회로 를 이용 하 여 감지 될 수 있 다 . 판독 전압 VREAD 이 저항 스위칭 메모리 소자 ( 12 ) 에 인가 될 때 , 판독 및 기록 회로 는 소자 ( 12 ) 가 낮 은 저항 상태 에 있 다는 것 을 나타내 는 비교 적 높 은 전류 값 IH 을 감지 할 것 이 다 . 소자 ( 12 ) 에 논리 1 을 저장 하 길 원할 때 , 소자 ( 12 ) 는 소자 ( 12 ) 에 전압 VRESET 을 인가 함 으로써 다시 한 번 높 은 저항 상태 에 놓이 게 될 수 있 다 . 판독 및 기록 회로 가 소자 ( 12 ) 에 VRESET 을 인가 할 때 , 소자 ( 12 ) 는 점선 ( 32 ) 에 의해 나타낸 것 처럼 높 은 저항 상태 HRS 에 진입 한다 . 전압 VRESET 이 소자 ( 12 ) 로부터 제거 될 때 , 소자 ( 12 ) 는 다시 한 번 높 은 저항 라 인 HRS ( 26 ) 에 의해 특징지 어 질 것 이 다 .