도 2 b 및 도 3 b 를 참조 하 면 , 이온 주입 공정 을 실시 하 여 제 1 도 전막 ( 202 ) 내 에 웰 접합 ( 204 ) 을 형성 한 후 문턱 전압 ( Voltage Threshold ; Vt ) 조절 용 이온 주입 공정 을 실시 하 여 웰 접합 ( 204 ) 내 에 문턱 전압 조절 층 ( 206 ) 을 형성 한다 . 이때 , 문턱 전압 ( Vt ) 조절 용 이온 주입 공정 시 B 11 과 F 19 의 도 펀트 를 이용 하 여 실시 한다 .