그러나 , 레지스 트 패턴 의 미세화 가 선폭 45 nm 이하 의 레벨 까지 진전 되 고 있 는 현재 에 있 어서 는 , 상기 성능 의 요구 레벨 은 더욱 높 아 져 , 상기 종래 의 감방 사선 성 수지 조성물 로 는 , 이 들 요구 를 만족 시킬 수 없 었 다 . 또한 최근 에 는 , 노광 후 가열 ( Post Exposure Bake ( PEB ) ) 시 의 레지스 트 막 의 수축 이 작 고 , 막 수축 억제 성 이 우수 할 것 이 요구 되 는 등 , 상술 한 레지스 트 여러 성능 이 보다 향상 될 것 이 요구 되 고 있 다 .