상기 도 1 a 에 도시 한 회 로 형성 을 마친 기판 은 종래 부터 공지 의 임의 의 방법 에 의해 형성 할 수 있 다 . 즉 , 회로 형성 을 마친 기판 은 도면 에 도시 한 구조 의 것 에 한정 되 지 않 지만 , 상기 구조 의 것 이 면 한쪽 면 에 동박 층 ( 3 ) 을 설치 한 유리 에폭시 기판 ( 2 ) 에 , 발광 다이오드 칩 의 아래 의 서멀 비아 가 되 는 개구부 를 미리 형성 하 고 , 이 를 기재 ( 1 ) 와 접합 시켜 상기 개구부 에 페이스트 ( 6 ) 를 충전 하 고 경화 시켜 연마 하 여 면 을 정리 한다 . 다음 에 상기 페이스트 ( 6 ) 를 충전 한 서멀 비아 에 덮개 도금 ( 4 ) 을 실시 한 후 패턴 형성 하 고 레지스 트 ( 5 ) 를 형성 한다 . 상기 서멀 비아 는 덮개 도금 ( 4 ) 을 통하 여 이 위 에 설치 되 는 발광 다이오드 칩 ( 도시 하 지 않 음 ) 의 방열 에 기여 한다 .