반응 은 적절 한 용매 와 분위기 를 유지 하 고 반응계 의 온도 를 원하 는 온도 에 맞추 어서 진행 되 는데 , 이때 반응계 의 온도 분포 가 없 을수록 이상 적 이 라고 할 수 있 다 . 결정 이 성장 하 는 속도 에 맞추 어 반응 의 온도 를 설정 하 게 되 는데 이것 은 합성 하 고자 하 는 물질 에 따라 차이 가 있 을 수 있 으며 통상 25 ∼ 500 ℃ 더욱 바람직 하 게 는 25 ∼ 350 ℃ 사이 가 된다 . 반응계 의 온도 가 일정 수준 에서 유지 되 면 , 화합물 반도체 의 전구체 물질 을 주입 하 게 되 는데 , 이때 모든 전구체 가 동시 에 반응계 로 주입 될 수 있 도록 속도 를 조절 하 는 것 이 중요 한 인자 가 된다 . 화합물 반도체 의 전구체 는 일반 적 으로 금속 전구체 ( metal precursor ) 와 카고 제나 이드 전구체 ( chalcogenide precursor ) 를 따로 첨가 하 여 반응 시키 는 방법 이 기존 에 많이 알려져 있 는 방법 이 며 ( J . Am . Chem . Soc . 115 , 8706 - 8715 ( 1993 ) ) , 단일 계 전구체 를 사용 하 여 열분해 시키 는 방법 도 사용 할 수 있 다 ( J . Mater . Chem . , 9 , 2433 - 2437 ( 1999 ) ) . 단일 계 전구체 를 사용 하 는 경우 용매 로 전구체 를 잘 녹여 분산 시키 며 , 용매 는 전구체 용액 을 주입 할 때 속도 를 조절 할 수 있 도록 점도 ( viscosity ) 가 높 지 않 으며 , 반응계 에서 안정 하 게 존재 하 는 물질 을 사용 한다 . 주로 피리딘 ( pyridine ) , 알킬 아민 ( alkyl amine ) , 알킬 포스핀 ( alkyl phosphine ) 등 을 사용 한다 . 전 구체 의 주입 후 전구체 가 빠르 게 반응 계 에 분산 될 수 있 도록 교반 을 적절히 해 주 어야 하 며 , 반응 중 생기 는 기체 등 을 적절히 분출 할 수 있 도록 장치 하 여야 한다 . 결정 형태 의 양자 점 이 성장 할 수 있 도록 일정 시간 을 유지 하 고 반응 을 종료 하 거나 , 코아 - 쉘 ( core - shell ) 형태 의 양자 점 을 합성 할 경우 는 코아 의 표면 에 코팅 하 고자 하 는 무기 ( inorganic ) 물질 의 전구체 를 더 주입 한다 . 쉘 에 해당 하 는 전구체 를 주입 할 경우 는 모든 물질 이 따로 핵 을 생성 하 지 않 고 이미 생성 된 코아 ( core ) 의 표면 위 에 도포 ( deposition ) 가 되 도록 반응계 내 에서 일정 농도 를 넘 지 않 도록 천천히 주입 하 는 것 이 중요 하 다 .