상기 한 바 와 같이 본 발명 은 종래 의 나노 구 조체 제조 장치 의 일 측 에 기판 상부 에서 성장 하 는 나노 막대 의 직경 , 길 이 그리고 밀도 를 조절 할 수 있 는 에칭 가스 를 주입 하 기 위한 에칭 가스 주 입관 을 더 형성 하 여 나노 막대 의 성장 속도 에 따라 에칭 가스 의 주입 되 는 유량 을 조절 함 으로써 나노 막대 의 성장 시간 의 경과 에 상관없이 원 하 는 크기 의 나노 막대 를 얻 을 수 있 는 나노 막대 제조 장치 를 제공 할 수 있 다 .