이 와 같 은 퓨즈 영역 은 반도체 소자 의 셀 영역 에 형성 되 는 워드 라인 또는 비트 라인 을 형성 할 때 함께 형성 될 수 있 다 . 그러나 반도체 소자 의 집적도 가 높 아 짐 에 따라 퓨즈 를 반도체 장치 내 에서 비교 적 하부 에 위치 하 는 워드 라인 또는 비트 라인 에 형성 할 경우 퓨즈 오픈 공정 시 식각 깊이 가 증가 되 므로 최근 에 는 반도체 소자 내 에서 상대 적 으로 상부 에 위치 하 는 금속 배선 이나 캐 패 시터 의 전극 용 도전 층 을 퓨즈 로 사용 한다 .