그 다음 , 실리콘 웨이퍼 ( 1 ) 의 전면 을 CMP ( chemical mechanical polishing ) 공정 에 의해 상기 적층 구조 로 증착 된 BPSG 막 ( 6 ) 을 연마 하 여 도 1 c 에 도시 된 바 와 같이 웨이퍼 전면 을 평탄 화 한다 . 그리고 도 1 d 에 도시 된 바 와 같이 각 모스 트랜지스터 ( 3 , 4 ) 의 전극 연결 을 위해 금속 막 과 각 모스 트랜지스터 ( 3 , 4 ) 의 폴리 실리콘 ( 또는 소스 / 드레 인 영역 ) 이 연결 될 부위 를 정의 하 기 위하 여 포토 리소그래피 ( photo lithography ) 공정 에 의해 BPSG 막 ( 6 ) 을 식각 하 여 콘택트 홀 ( 7 ) 을 형성 한다 .