본 발명 의 일 구체 예 에 따라 , HDP - CVD 프로세스 를 사용 하 는 프로세싱 챔버 내 에 배치 된 기판 상 에 실리콘 질화물 필름 을 증착 하 는 방법 은 : 원자 질소 유출 량대 원자 실리콘 유출량 의 평균 비율 이 약 50 : 1 또는 그 초과 가 되 도록 유지 하 면서 , 약 40 mTorr 또는 그 미만 으로 프로세싱 챔버 내 평균 압력 을 유지 하 면서 , 그리고 600 도 또는 그 미만 의 평균 기판 온도 를 유지 하 면서 , 프로세싱 챔버 로 질소 및 실리콘 을 포함 하 는 프로세스 가스 혼합물 을 유출 시키 는 것 을 포함 한다 . 고밀도 플라스마 는 기판 위 에 실리콘 질화물 필름 을 증착 시키 기 위해 상기 프로세스 가스 로부터 형성 된다 . 다른 구체 예 에서 , 원자 - 질소 유출량 대 원자 - 실리콘 유출량 의 평균 비율 은 60 : 1 도 는 90 : 1 또는 그 초과 이 다 , 그리고 프로세싱 챔버 내 평균 압력 은 25 mTorr , 15 mTorr , 10 mTorr 또는 5 mTorr 또는 그 미만 이 다 . 상기 프로세스 가스 혼합물 은 이원자 질소 ( N 2 ) 및 실란 ( SiH 4 ) 을 포함 할 수 있 지만 , 디 실란 ( Si 2 H 6 ) 및 TSA ( N ( SiH 3 ) 3 ) 또는 다른 적당 한 가스 혼합물 은 또한 사용 될 수 있 다 . 본 발명 의 방법 으로 생성 된 실리콘 질화물 필름 은 약 500 Å / 분 초과 의 속도 로 증착 될 수 있 고 , 증착 된 필름 은 , 불 수소산 용액 ( 수중 1 % HF ) 에 노출 되 는 경우 에 5 Å / 분 미만 의 습윤 에칭 률 을 가질 수 있 다 .