그리고 , 도 2 에 나타내 는 바 와 같이 , 화학 기계 연마 장치 ( 1 ) 에 있 어서 의 플 래 튼 ( 2 ) 의 상면 부 의 부분 이 고 , 연마 헤드 ( 3 ) 에 보유 된 웨이퍼 ( W ) 표면 부 의 도전 성막 ( 8 ) 에 대향 할 수 있 는 부위 에 , 고주파 전송로 가 되 는 마이크 로 스트립 라인 ( 9 ) 이 매설 되 어 있 다 . 이 마이크 로 스트립 라인 ( 9 ) 은 , 웨이퍼 ( W ) 의 거의 직경 에 대응 한 소정 의 길이 로 형성 되 어 있 다 . 고주파 전송로 를 마이크 로 스트립 라인 ( 9 ) 으로 형성 하 고 , 이 마이크 로 스트립 라인 ( 9 ) 을 플 래 튼 ( 2 ) 의 상면 부 에 매설 함 으로써 , 도전 성막 ( 8 ) 의 연마 제거 작업 에 지장 을 초래 하 지 않 고 , 전자파 의 투과 특성 등 의 지표 를 적절히 얻 는 것 이 가능 하 게 된다 .