다음 으로 , 도 5 b 에 도시 된 바 와 같이 , 상층 유전체 막 ( 6 ) 상 에 레지스 트 막 을 형성 하 여 , 포토 리소그래피 법 에 의해 패 터닝 한다 . 이 에 의해 , 개구부 ( 21 a ) 를 갖 는 레지스 트 패턴 ( 21 ) 이 형성 된다 . 개구부 ( 21 a ) 는 예 를 들 어 , 원형 형상 이 고 , 그 직경 은 예 를 들 어 , 90 nm 이 다 . 다음 으로 , 이 레지스 트 패턴 ( 21 ) 을 마스크 로 이용 하 여 에칭 을 행한다 . 따라서 , 개구부 ( 21 a ) 의 바로 아래 영역 ( underlying region ) 에 대응 하 는 , 상층 유전체 막 ( 6 ) 및 적층 체 ( 5 ) 의 부분 을 제거 하 여 실리콘 기판 ( 2 ) 까지 도달 하 는 관통 홀 ( 7 ) 을 형성 한다 . 그 후 , 레지스 트 패턴 ( 21 ) 을 제거 한다 . 이 에 의해 , 실리콘 기판 ( 2 ) 상 에 복수 의 유전체 막 ( 3 ) 및 전 극막 ( 4 ) 이 교대 로 적층 되 고 , 적층 방향 으로 연장 되 는 관통 홀 ( 7 ) 이 형성 된 적층 체 ( 5 ) 가 형성 된다 . 에칭 마스크 로서 , 레지스 트 패턴 ( 21 ) 대신 에 유전체 막 을 사용 할 수 있 다는 점 에 주목 한다 .