영역 ( 50 N ) 및 영역 ( 50 P ) 에서 , 게이트 유전체 층 ( 92 ) 의 형성 은 각각 의 영역 에서 게이트 유전체 층 ( 92 ) 이 동일 한 물질 로 형성 되 도록 동시 에 일어날 수 있 고 , 게이트 전극 ( 94 ) 의 형성 은 각각 의 영역 의 게이트 전극 ( 94 ) 이 동일 한 물질 로 형성 되 도록 동시 에 일어날 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 각각 의 영역 의 게이트 유전체 층 ( 92 ) 은 별개 의 공정 에 의해 형성 될 수 있 어 게이트 유전체 층 ( 92 ) 은 상이 한 물질 일 수 있 고 / 있 거나 각각 의 영역 의 게이트 전극 ( 94 ) 은 별개 의 공정 에 의해 형성 될 수 있 어 게이트 전극 ( 94 ) 은 상이 한 물질 일 수 있 다 . 별개 의 공정 을 사용 할 때 적절 한 영역 을 마스킹 하 고 노출 시키 기 위해 다양 한 마스킹 단계 가 사용 될 수 있 다 .