전술 한 바 와 같이 , 상기 제 1 질화 공정 을 통해 제 1 예비 산화 막 ( 155 ) 의 하부 에 질소 원자 들 을 축적 시켜 제 1 예비 산화 막 ( 155 ) 의 하부 를 하부 질화 막 ( 165 ) 으로 변화 시키 기 때문 에 하부 질화 막 ( 165 ) 및 제 2 예비 산화 막 ( 160 ) 내 에 전하 트랩 사이트 들 이 형성 되 는 것 을 일차 적 으로 억제 할 수 있 다 . 또한 , 상기 제 2 질화 공정 을 적용 하 여 제 2 예비 산화 막 ( 160 ) 의 일부 를 상부 질화 막 ( 175 ) 으로 변화 시키 기 때문 에 산화 막 ( 170 ) 과 상부 질화 막 ( 175 ) 에 전하 트랩 사이트 들 이 생성 되 는 것 을 이 차 적 으로 방지 할 수 있 다 . 더욱이 , 전술 한 2 회 의 질화 공정 에 의해 산화 막 ( 170 ) 의 에지 부분 을 포함 하 는 주변 부 에 집중 되 는 스트레스 를 완화 시켜 절연 구조물 ( 180 ) 의 주변 부 , 특히 에지 부분 이 얇 아 지 는 현상 을 방지 할 수 있 다 .