의 큰 스위치 오프 과전압 을 초래 할 것 이 다 . 이 는 , 추가 커패시터 ( Cs ) 가 없 는 장치 에서 각각 의 제어 가능 반도체 소자 ( T 2 또는 T 3 ) 를 스위치 오프 한 후 의 트랜지스터 전압 ( VDS ) 및 트랜지스터 전류 ( ID ) 를 도시 하 는 도 6 에 개략 적 으로 도시 되 어 있 다 . 도시 된 바 와 같이 , 제 어 가능 반도체 소자 ( T 2 또는 T 3 ) 를 통해 흐르 는 전류 ( ID ) 는 초기 에 특정 한 ( 높 은 ) 값 에 있 다 . 제 어 가능 반도체 소자 ( T 2 , T 3 ) 를 스위치 오프 할 때 , 트랜지스터 전류 ( ID ) 는 보다 낮 은 값 ( 예컨대 , 0 ) 으로 안정 되 기 전 의 특정 시간 동안 발진 하 며 , 이 때 제어 가능 반도체 소자 ( T 2 , T 3 ) 양단 의 전압 ( VDS ) 은 초기 에 낮 은 값 에서부터 증가 한다 . 제 어 가능 반도체 소자 를 스위치 오프 한 직후 , 제 어 가능 반도체 소자 ( T 2 , T 3 ) 가 완전히 스위치 오프 되 어 안정 되 기 전 에 트랜지스터 전압 ( VDS ) 이 과도 하 게 상승 한다 . 이 과전압 은 각각 의 제어 가능 반도체 소자 ( T 2 , T 3 ) 에서 심각 한 손실 을 야기 할 수 있 다 . 이러 한 증가 된 손실 은 기본 적 으로 제어 가능 반도체 소자 ( T 2 , T 3 ) 를 스위치 오프 하 기 전 에 제 1 유도 성 소자 ( L 1 ) 에 저장 된 에너지 에 대응 한다 . 에너지 의 대부분 은 해당 반도체 바디 에서 열 로 변환 된다 . 에너지 의 나머지 부분 은 시스템 에 남 아 있 으며 대응 하 는 제어 가능 반도체 소자 ( T 2 또는 T 3 ) 의 기생 커패시턴스 와 부유 인덕턴스 사이 에서 진동 하 며 오 믹 부분 으로 인해 열 로 변환 된다 .