실시 예 에 따른 이미지 센서 는 , 회로 ( 110 ) 를 포함 하 는 반도체 기판 ( 100 ) 과 , 상기 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 배치 된 금속 배선 ( 130 ) 을 포함 하 는 층간 절 연막 ( 120 ) 과 , 상기 금속 배선 ( 130 ) 과 연결 되 도록 상기 층간 절 연막 ( 120 ) 상 에 배치 된 포토다이오드 패턴 ( 145 ) 과 , 상기 포토다이오드 패턴 ( 145 ) 상 에 배치 된 하드 마스크 패턴 ( 155 ) 과 , 상기 포토다이오드 패턴 ( 145 ) 이 상호 분리 되 도록 상기 포토다이오드 패턴 ( 145 ) 사이 에 형성 된 소자 분리 트랜 치 ( 147 ) 와 , 상기 소자 분리 트랜 치 ( 147 ) 내벽 에 배치 된 배리 어막 ( 160 ) 과 , 상기 포토다이오드 패턴 ( 145 ) 및 소자 분리 트랜 치 ( 147 ) 를 포함 하 는 층간 절 연막 ( 120 ) 상 에 배치 된 소자 분리 절연 층 ( 170 ) 을 포함 한다 .