제 1 내지 제 7 트랜지스터 들 ( T 1 내지 T 7 ) 각각 은 P 형 트랜지스터 로 구현 될 수 있 으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 어 , 제 1 내지 제 7 트랜지스터 들 ( T 1 내지 T 7 ) 중 적어도 일부 는 N 형 트랜지스터 로 구현 될 수 도 있 다 . 또한 , 제 1 내지 제 7 트랜지스터 들 ( T 1 내지 T 7 ) 각각 의 액티브 층 ( 반도체 층 ) 은 폴리 실리콘 기반 의 반도체 ( 예 를 들 어 , LTPS ( low temperature poly - silicon ) 반도체 등 ) 또는 산화물 반도체 를 포함 할 수 있 다 .