여기 서 , 상기 종래 의 수직 형 이미지 센서 ( 10 ) 는 그 영역 이 크 게 , 복수 개 의 단위 픽셀 들 이 형성 되 는 픽셀 영역 ( 20 ) 과 상기 픽셀 영역 ( 20 ) 에 형성 되 는 소자 들 ( 미 도시 ) 및 각 포토 다이오드 ( 3 , 6 , 8 ) 에 신호 를 인가 하 는 소정 의 단자 및 그라운딩 단자 ( 미 도시 ) 들 을 포함 하 는 주변 영역 ( 40 ) 이 형성 된다 . 이러 한 종래 의 수직 형 이미지 센서 ( 10 ) 는 그라운딩 ( Grounding ) 를 위해 상기 주변 영역 ( 40 ) 에 P + 형 의 소오 스 / 드레 인 임 플 런 트 공정 을 적용 하 여 그라운딩 ( GND ) 단자 로 사용 하 게 된다 . 특히 , 단위 픽셀 ( R , G , B 포토 다이오드 를 하나 씩 포함 ) 에 존재 하 는 P + 형 의 더미 ( dummy ) 영역 ( 30 ) 은 그라운딩 역할 뿐 아니 라 상기 수직 형 이미지 센서 ( 10 ) 를 이루 는 제 1 또는 제 2 에피 층 ( 4 , 7 ) 의 형성 공 정상 발생 된 금속 양이온 ( metal impurity ) 의 게터 링 ( gettering ) 효과 를 높이 기 위해 추가 되 었 다 . 즉 P + 이온 주입 ( boron implant ) 이 더미 모우 트 ( dummy moat ) 영역 ( 9 , 19 , 29 ) 에 적용 되 도록 함 으로써 ( 예 Fe - B 결합 ) 에 피층 에 남 아 있 는 금속 이온 ( M +) 을 게터 링 할 수 있 어 , 금속 이온 잔류 에 의한 오염 ( metal ion contamination ) 을 제거 할 수 있 다 .