또한 , 반도체 제조 공정 에서 의 웨이퍼 표면 평탄 화 를 위한 화학 기계 연마 는 보통 연마 두께 가 수백 nm 인 반면 에 ( 수 분 내 의 연마 시간 이 소요 ) , 상기 한 음각 패턴 광도 파로 의 제조 에 필요 한 화학 기계 연마 는 수 미크론 으로 ( 수 십 분 의 연마 시간 이 소요 ) 매우 큰 차이 가 있 고 , 화학 기계 연마 에 통상 적 으로 필요 한 공정 인 패드 컨 디셔 닝 이나 기판 세정 등 의 추가 시간 을 합하 면 웨이퍼 1 장 의 연마 에 약 2 ? 4 시간 정도 의 긴 시간 이 소요 된다 .