본 발명 의 기술 적 사상 에 의한 박막 형성 방법 에서 는 화학식 ( 1 ) 의 구조 를 가지 는 본 발명 의 기술 적 사상 에 의한 코발트 화합물 을 원료 화합물 로 사용 한다 . 특히 , 본 발명 의 기술 적 사상 에 의한 코발트 화합물 은 상온 에서 액체 상태 로 존재 할 수 있 으며 , 환원성 가스 와 반응 하 여 기판 ( W ) 의 금속 배선 위 에 선택 적 으로 증착 될 수 있 다 .