" 메모리 트랜지스터 MTr 4 mn 에 데이터 "" 0 "" 을 기입 할 경우 ", 즉 , 메모리 트랜지스터 MTr 4 mn 의 전하 축적 층 ( EC ) 에 전자 를 주입 하 고 , 메모리 트랜지스터 MTr 4 mn 의 임계 치 전압 Vth 를 올릴 경우 , 비트 선 구동 회로 는 비트 선 Blm 을 0 V 로 설정 한다 . 소스 선 구동 회로 ( 17 ) 는 소스 선 SLn 에 구동 전압 Vdd ( 예 를 들 어 , 3 V ) 를 인가 한다 . 소스 측 선택 게이트 선 구동 회로 ( 14 ) 은 소스 측 선택 게이트 선 ( SGSm ) 에 오프 전압 Voff ( 예 를 들 어 , 0 V ) 를 인가 한다 . 드레 인 측 선택 게이트 선 구동 회로 ( 15 ) 는 드레 인 측 선택 게이트 선 ( SGDm ) 에 구동 전압 Vdd 를 인가 한다 . 백 게이트 선 구동 회로 ( 19 ) 는 백 게이트 선 ( BG ) 에 도통 전압 Vj 를 인가 한다 .