또한 , 도 6 에 나타내 는 바 와 같이 , 본 실시 형태 의 제 1 순서 및 제 2 순서 에 의해 형성 된 실리콘 산화 막 은 , 종래 기술 의 순서 에 의해 형성 된 실리콘 산화 막 에 비해 , 막 두께 분포 균일성 도 대폭 개선 되 어 있 음 을 알 수 있 다 . 특히 , 본 실시 형태 의 제 2 순서 에 의하 면 , 종래 기술 의 순서 에 의해 형성 된 실리콘 산화 막 의 막 두께 분포 균일성 의 1 / 10 정도 의 , 매우 양호 한 막 두께 분포 균일성 을 얻 을 수 있 음 을 알 수 있 다 . 또한 , 본 실시 형태 의 제 1 순서 의 경우 에 있 어서 도 , 종래 기술 의 순서 에 의해 형성 된 실리콘 산화 막 의 막 두께 분포 균일성 의 1 / 5 정도 의 , 매우 양호 한 막 두께 분포 균일성 을 얻 을 수 있 음 을 알 수 있 다 .