이 불량 은 , 제 1 최소 치수 를 가지 는 제 1 패턴 과 , 제 2 최소 치수 를 가지 는 제 2 패턴 을 형성 하 는 공정 을 포함 하 고 , 제 2 최소 치수 가 제 1 최소 치수 의 1 . 1 배 이하 로 되 는 경우 에 현저 하 게 발생 한다 . 이 경우 에 는 , 하프톤 형 마스크 에 의한 제 2 노광 공정 의 노광량 이 , 레벤 손 형 마스크 에 의한 제 1 노광 공정 의 노광량 보다 도 커 지 도록 행한다 . 이 방법 에 의해 , 하프톤 형 마스크 에 의해 형성 되 는 제 2 패턴 중 , 레벤 손 형 마스크 에 의해 형성 되 는 제 1 패턴 에 인접 하 는 패턴 의 불량 을 억제 할 수 있 다 . 특히 , 제 1 패턴 에 끼워 지 는 제 2 패턴 의 불량 을 억제 할 수 있 다 .