가요 성 을 갖 는 기판 위 에 형성 된 제 1 섬 형상 의 보강 막 과 , 제 1 섬 형상 의 보강 막 위 에 , 채널 형성 영역 과 불순물 영역 을 구비 하 는 반도체 막 과 , 채널 형성 영역 의 위쪽 에 게이트 절 연막 을 개재 하 여 형성 된 제 1 도 전막 과 , 제 1 도 전막 및 상기 게이트 절 연막 을 덮 어 형성 된 제 2 섬 형상 의 보강 막 과 , 제 2 섬 형상 의 보강 막 및 게이트 절 연막 을 덮 어 형성 된 층간 절 연막 과 , 층간 절 연막 위 에 , 개구부 를 개재 하 여 불순물 영역 과 전기 적 으로 접속 하 도록 형성 된 제 2 도 전막 을 갖 고 , 채널 형성 영역 의 전역 이 제 1 섬 형상 의 보강 막 과 제 2 섬 형상 의 보강 막 의 사이 에 형성 되 어 있 는 것 을 특징 으로 한다 .