구체 적 으로 , 포토레지스트 패턴 ( 153 ) 을 식각 마스크 로 이용 하 여 제 2 하드 마스크 층 ( 150 ) 및 제 1 하드 마스크 층 ( 145 ) 을 한꺼번에 식각 한 다음 에 , 애 싱 공정 을 통하 여 포토레지스트 패턴 ( 153 ) 을 제거 하 는 방법 의 경우 , 제 1 및 제 2 하드 마스크 층 ( 145 , 150 ) 의 식각 공정 이 약 300 ℃ 정도 의 온도 에서 수행 된다 . 이 경우 , 후속 하 는 애 싱 공정도 통상 약 250 ℃ 이상 의 온도 , 예 를 들 어 , 약 275 ℃ 의 온도 에서 애 싱 공정 이 수행 됨 으로써 , 고온 공정 에 따른 상부 전극 ( 170 ) 과 강유전체 층 패턴 ( 175 ) 의 열화 가 발생 할 수 있 다 . 또한 , 상기 애 싱 공정 이 수행 되 는 동안 제 1 하드 마스크 층 ( 145 ) 이 하부 에 위치 하 는 상부 전극 ( 170 ) 과 강유전체 층 패턴 ( 175 ) 등 에 대하 여 배리 어막 내지 는 보호막 의 역할 을 하 지 못하 므로 , 상부 전극 ( 170 ) 과 강유전체 층 패턴 ( 175 ) 의 손상 이 발생 할 수 있 다 . 그러나 도 1 e 에 도시 한 바 와 같이 , 제 1 하드 마스크 층 ( 145 ) 을 식각 하 기 전 에 저온 에서 애 싱 공정 을 수행 하 는 경우 에 는 상기 와 같 은 상부 전극 ( 170 ) 과 강유전체 층 패턴 ( 175 ) 의 열화 를 억제 할 수 있 다 .