도 13 을 참조 하 면 , 상기 소자 분리 패턴 ( 205 ) 에 대해 리세 스 공정 을 수행 함 으로써 소자 분리 영역 ( 210 ) 이 형성 된다 . 상기 리세 스 공정 에 의해 상기 도전 라인 ( 220 ) 의 측면 이 노출 된다 . 이때 , 상기 리세 스 공정 은 상기 게이트 절 연막 ( 217 ) 의 손상 을 방지 하 기 위해 상기 게이트 절 연막 ( 217 ) 이 노출 되 기 전 에 종료 된다 . 상기 소자 분리 영역 ( 210 ) 및 상기 도전 라인 ( 220 ) 을 따라 분리 절 연막 ( 240 ) 이 형성 될 수 있 다 .