또한 , 게이트 전압 , 및 / 또는 인가 시간 에 따라 상기 변동 저 저항 라인 ( 340 ) 이 형성 되 는 위치 를 조절 할 수 있 기 때문 에 , 다양 한 메모리 소자 의 설계 가 가능 하 고 , 강유전체 를 이용 한 기존 의 강유전체 메모리 소자 에 비해 박 형 화 를 이룰 수 있 다 . 뿐 만 아니 라 , 메모리 설계 의 자유도 가 높 아 지 기 때문 에 소자 의 집적도 를 높일 수 있 다는 장점 이 있 다 .