상기 미세 패턴 ( 110 B ) 의 패턴 피치 ( PZ 2 ′) 는 상기 미세 마스크 패턴 ( 140 D _ 2 ) 의 패턴 피치 ( PZ 2 ) 및 상기 제 2 도메인 ( 140 B ) 의 피치 ( 도 1 f 의 PB ) 와 동일 한 2 X 일 수 있 다 . 한편 , 상기 이미지 패턴 ( 124 C ) 의 제 1 부분 ( 124 A ) 의 피치 ( PX ) 또는 상기 제 1 부분 ( 124 A ) 을 형성 하 기 위한 포토레지스트 패턴 ( 도 1 c 의 130 ) 의 패턴 피치 ( 도 1 c 의 PH ) 는 4 nX 이 다 ( 여기 서 , n 은 양 의 정수 ) . 따라서 , 상기 미세 패턴 ( 110 B ) 의 패턴 피치 ( PZ 2 ′) 는 포토레지스트 패턴 ( 도 1 c 의 130 ) 의 패턴 피치 ( 도 1 c 의 PH ) 에 비해 1 / 2 n 배 축소 될 수 있 으며 , 상기 미세 패턴 ( 110 B ) 의 패턴 밀도 는 상기 포토레지스트 패턴 ( 도 1 c 의 130 ) 의 패턴 밀도 에 비해 2 n 배 증가 할 수 있 다 . 이 와 더불 어서 , 상기 미세 패턴 ( 110 B ) 의 패턴 피치 ( PZ 2 ′) 는 포 토리 소그라 피 공정 의 해 상한 계 를 초월 하 는 패턴 피치 일 수 있 다 .