따라서 , 본 실시 예 에서 는 , 워 드라인 스위칭 소자 ( WL _ SW ) 및 / 또는 비트 라인 스위칭 소자 ( BL _ SW ) 에 상대 적 으로 가까운 가변 저항 소자 ( VR ) 의 경우 , 이 가변 저항 소자 ( VR ) 를 지나 는 경로 에 저항 성분 을 추가 형성 함 으로써 그 경로 저항 을 증가 시키 고자 한다 . 이 에 대해서 는 , 도 2 a 및 도 2 b 를 참조 하 여 예시 적 으로 설명 하 기 로 한다 .