판독 동작 은 판독 하 고자 하 는 메모리 셀 ( 28 ) 에 연결 된 워드 라인 ( WL ) 에 가령 0 볼트 ( volt ) 로 설정 하 고 다른 워드 라인 ( WL ) 에 는 읽 기 전압 ( Vread ) 을 설정 한다 . 그 결과 , 판독 하 고자 하 는 메모리 셀 ( 28 ) 의 문 턴 전압 ( Vth ) 이 0 볼트 보다 큰지 또는 작 은지 에 의존 하 여 비트 라인 ( BL ) 에 전류 가 충전 되 는지 가 결정 되 며 , 이 에 따라 비트 라인 ( BL ) 의 전류 를 감지 하 므로써 판독 하 고자 하 는 메모리 셀 ( 28 ) 의 데이터 정보 가 판독 될 수 있 다 .