그리고 , 상기 게이트 라인 ( 101 ) 과 데이터 라인 ( 102 ) 의 층간 에 는 게이트 절 연막 ( 104 ) 이 형성 되 며 , 상기 데이터 라인 ( 102 ) 과 화소 전극 ( 103 ) 간 의 층간 에 는 보호막 ( 106 ) 이 형성 된다 . 여기 서 , 상기 보호막 ( 106 ) 은 박막 트랜지스터 ( TFT ) 의 드레 인 전극 ( 102 b ) 의 상부 의 소정 부위 에 대응 하 여 보호막 홀 ( 106 a ) 을 구비 하 여 형성 된다 .