본 발명 의 쇼트 키 배리 어 다이오드 는 , 배리어 메탈 층 ; 및 상기 배리 어 메탈 층 과 쇼트 키 컨 택 을 형성 하 는 반도체 기판 ; 을 구비 하 며 , 상기 반도체 기판 은 , 상기 배리 어 메탈 층 과 컨 택 되 는 제 1 컨 택 면 을 형성 하 는 제 1 반도체 영역 ; 및 상기 제 1 컨 택 면 내 의 복수 의 위치 에 분산 되 며 상기 배리 어 메탈 층 과 컨 택 되 는 제 2 컨 택 면 들 을 형성 하 는 제 2 반도체 영역 ; 을 포함 하 며 , 상기 제 1 반도체 영역 은 상기 반도체 기판 에서 상기 배리어 메탈 층 으로 흐르 는 역방향 전류 흐름 에 대하 여 절연 특성 을 가지 고 ; 상기 제 2 컨 택 면 들 각각 은 서로 수직 하 는 제 1 방향 과 제 2 방향 에 대한 폭 들 이 동일 한 길이 를 갖 도록 형성 되 며 ; 그리고 , 상기 제 1 반도체 영역 은 상기 역방향 전류 흐름 에 의하 여 상기 제 2 반도체 영역 들 로 디 플리 션 ( Depletion ) 됨 으로써 상기 제 2 반도체 영역 들 의 상기 역방향 전류 흐름 을 차 단함 을 특징 으로 한다 .