이제 도 4 를 참조 하 면 , 제 1 IBE 가 수행 된 후 , 실리콘 나이트 라이드 ( SiN ) 층 ( 178 ) 이 도 3 에 도시 된 구조 체 들 상 에 증착 된다 . 일부 예 들 에서 , SiN 층 ( 178 ) 은 컨 포 멀 한 증착 프로세스 를 사용 하 여 증착 된다 . 일부 예 들 에서 , 컨 포 멀 한 증착 프로세스 는 플 라즈 마 향상 을 사용 하 거나 플 라즈 마 향상 을 사용 하 지 않 는 CVD ( chemical vapor deposition ) 또는 ALD ( atomic layer deposition ) 를 포함 한다 .