본 발명 의 반도체 장치 의 제조 방법 에서 는 , 다음 에 , 상기 서술 한 준비 공정 에서 준비 한 반도체 소자 탑재기 판 의 소자 탑 재면 을 , 기재 와 이 기재 의 일방 의 표면 에 형성 된 미경 화 또는 반경 화 의 열경화성 수지 성분 을 포함 하 는 봉지 수지 층 을 갖 는 반도체 봉지 용 기재 가 부착 된 봉 지재 에 의해 일괄 봉지 한다 . 보다 구체 적 으로 는 , 반도체 소자 탑재기 판 의 소자 탑 재면 을 반도체 봉지 용 기재 가 부착 된 봉 지재 의 봉지 수지 층 에 의해 피복 하 고 , 봉지 수지 층 을 가열 하 여 경화 시킴 으로써 , 반도체 소자 탑재기 판 의 소자 탑 재면 을 일괄 봉지 한다 .