이 에 따라 , 본 발명 은 상기 NCST 불순물 영역 ( 150 ) 을 이온 주입 공정 이 아닌 에피 성장 을 통해 형성 하 는 것 이 가능 하 며 , 그 에 따라 종래 이온 주입 공정 으로 인한 이온 주입 결함 의 발생 및 NCST 불순물 영역 ( 150 ) 의 확산 을 방지 하 여 이미지 센서 의 특성 및 신뢰 성 을 개선 할 수 있 는 이점 이 있 다 .