다음 에 도 1 A 내지 도 1 C 에 예시 된 구성 형태 에 비해서 본원 에 설명 된 표면 - 매립 디바이스 콤 포 넌 트 의 추가 적 장점 을 제공 한다 . 도 1 A 의 구성 형태 와 달리 , 원 하 는 특징 을 획득 하 기 위해서 호스트 물질 의 전체 벌크 에 전체 적 으로 첨가제 들 의 균일 한 분포 가 필요 하 지 않 다 . 실제로 , " 적어도 일부 구체 예 에서 는 첨가제 들 이 호스트 물질 의 "" 평면 "" 또는 "" 평면 같 은 "" 매립 영역 에 상당히 국한 되 는 것 이 선호 된다 . 실제로 ", 첨가제 들 의 비 균일 한 혼합 및 집괴 화 와 응집 으로 인해서 도 1 A 에 묘사 된 대로 균일 한 분포 를 실제로 획득 하 는 것 은 어려울 수 있 다 . 도 1 B 의 구성 형태 와 달리 , 첨가제 들 은 호스트 물질 의 코팅 전체 에 혼합 되 거나 호스트 물질 위 에 도포 되 는 것 보다 는 호스트 물질 에 매립 될 수 있 다 . 이러 한 방식 으로 첨가제 를 매립 하 는 과정 에서 결과 의 표면 - 매립 디바이스 콤 포 넌 트 는 더 높 은 내구 성 , 더 우수 한 접합 성 , 및 뛰어난 기계 적 완전 성 을 가질 수 있 다 . 또한 , 벌크 통합 과 관련 된 문제 와 유사 하 게 , 종래 의 코팅 은 비 균일 한 혼합 및 집괴 화 가 쉽 게 일어날 수 있 는데 , 이것 은 본원 에 설명 된 표면 - 매립 디바이스 콤 포 넌 트 에 의해 방지 되 거나 감소 될 수 있 다 . 매립 영역 내 에 첨가제 분포 의 높 은 균일성 을 제공 함 으로써 , 개시 된 구체 예 는 디바이스 전체 에서 개선 된 신뢰 성 을 허용 하 는 것 은 물론 , 분리 된 코팅 이나 벌크 통합 과 비교 하 여 표면 매립 으로 인해서 복합 층 들 의 두께 가 더 얇 아 진다 . 매립 영역 내 의 이런 높 은 균일성 은 이후 개시 되 는 표면 매립 방법 으로 인해서 적어도 일부 획득 되 며 , 이 방법 은 매립 표면 에 첨가제 를 매립 할 수 있 고 , 계속 해서 첨가제 이동 이나 집괴 화 를 감소 시키 거나 방지 할 수 있 다 . 또한 , 종래 의 코팅 에서 z - 방향 으로 첨가제 들 이 위 상학 적 으로 무 질서 해 지 는 것 은 특히 나노미터 및 미크론 수준 에서 거칠 기 를 가져올 수 있 다 . 반면 에 , 예 를 들 어 첨가제 들 의 매립 과 호스트 물질 내 에서 첨가제 들 의 정렬 로 인해 , 표면 - 매립 디바이스 콤 포 넌 트 는 종래 의 코팅 과 비교 하 여 감소 된 거 칠기 를 가질 수 있 으며 , 이것 은 디바이스 고장 ( 예 를 들 어 , 디바이스 의 나노 와 이 어 침투 로 인한 션트 ) 의 사례 를 방지 하 거나 줄일 수 있 는 기능 을 한다 . 도 1 C 의 구성 형태 와 달리 , 첨가제 들 은 표면 상부 에 표면 적 으로 부착 되 는 것 보다 는 호스트 물질 에 부분 적 으로 또는 완전히 매립 되 며 , 그 결과 표면 적 으로 부착 된 첨가제 와 비교 하 여 거칠 기 가 감소 하 고 , 내 구성 과 전도성 이 더 높 아 진다 . 일부 구체 예 에서 , 나노 와이어 를 매립 할 때 , 호스트 물질 의 고분자 사슬 들 이 나노 와이어 들 을 함께 고정 할 수 있 으며 , 이 들 을 더 가깝 게 당겨서 전도 성 을 증가 시킨다 . 또한 , 디바이스 층 을 가열 하 면 폴리머 사슬 이 나노 와이어 들 을 함께 더욱 가깝 게 이동 시킬 수 있 다 .