본 발명 의 일 형태 는 , 단결정 반도체 기판 의 하나 의 면 에 , 상기 단결정 반도체 기판 의 표면 으로부터 10 ㎛ 이하 의 깊이 에 클러스터 이온 을 주입 하 여 손상 층 을 형성 하 는 동시 에 , 상기 하나 의 면 측 에 제 1 불순물 반도체 층 , 제 1 전극 및 절연 층 을 형성 하 고 , 절연 층 을 지지 기판 과 접합 시켜 , 단결정 반도체 기판 을 손상 층 으로부터 벽개 ( 劈開 ) 하 고 , 상기 지지 기판 위 에 단결정 반도체 층 을 잔존 시켜 , 상기 단결정 반도체 층 의 벽개면 측 에 제 2 불순물 반도체 층 을 형성 하 고 , 제 2 불순물 반도체 층 위 에 중간 층 을 형성 하 고 , 상기 중간층 위 에 p 형 유기 반도체 및 n 형 유기 반도체 를 포함 하 는 제 2 유닛 셀 을 형성 하 고 , 제 2 유닛 셀 위 에 제 2 전극 을 형성 하 는 광전 변환 장치 의 제작 방법 이 다 .