일부 실시 예 들 에서 , 수직 방향 ( 114 ) 의 반도체 다이 들 의 세트 ( 110 ) 에 걸쳐 축적 된 위치 오류 ( 즉 , 스택 ( 112 ) 에 걸쳐 반도체 다이 들 의 수직 위치 들 에서 축적 된 위치 오류 ) 는 반도체 다이 들 ( 110 ) 의 세트 및 반도체 다이 들 ( 110 ) 사이 의 접착제 층 들 ( 132 ) 과 관련 된 수직 오류 들 의 합계 보다 적 다 . 예 를 들 어 , 축적 된 위치 오류 는 : 반도체 다이 들 ( 110 ) 의 두께 편차 ( thickness variation ) , 접착제 층 들 ( 132 ) 의 두께 편차 , 및 / 또는 접착제 층 들 ( 132 ) 중 적어도 일부 에서 선택 적 열 - 확산 재료 ( optional heat - spreading material ; 140 ) ( 이를테면 , 압착 된 흑연 섬유 들 ( pressed graphite fibers ) ) 의 두께 편차 와 관련 될 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 축적 된 위치 오류 는 1 ㎛ 보다 적 을 수 있 고 , 0 ㎛ 만큼 작 을 수 있 다 . 또한 , 반도체 다이 들 의 세트 ( 110 ) 는 , 미리 정의 된 값 보다 적 은 ( 예 를 들 어 , 최대 위치 오류 가 1 ㎛ 보다 적 을 수 있 고 , 0 ㎛ 만큼 작 을 수 있 음 ) , 반도체 다이 들 ( 110 ) 의 에지 편차 ( 이를테면 , 톱 - 라인 위치 ( saw - line position ) 에서 편차 ) 와 관련 되 는 , 평면 에서 의 최대 위치 오류 ( 즉 , 거리 ( 142 ) 에서 의 최대 오류 ) 를 가질 수 있 다 . 이 는 , 반도체 다이 들 ( 110 ) 상 의 광학 적 정렬 마커 들 ( 이를테면 , 기점 마커 들 ( fiducial markers ) ) 을 이용 하 는 칩 패키지 ( 100 ) 를 조립 하 기 위해 픽 - 앤 - 플레이스 툴 ( pick - and - place tool ) 을 이용 하 여 달성 될 수 있 고 , 거리 ( 142 ) 는 반도체 다이 들 ( 110 ) 에 대한 톱 레인 ( saw lane ) 의 중심 에 대해 측정 된다 . 또한 , 조립 동안 , 반도체 다이 들 ( 110 ) 은 ( 스택 ( 112 ) 에서 반도체 다이 ( 110 - 1 ) 이후 의 각각 의 반도체 다이 가 그 의 직전 반도체 다이 를 참조 하 는 대신 ) 계단식 테라스 ( 120 ) 를 미러 링 하 는 계단식 테라스 를 포함 하 는 조립 컴포넌트 또는 픽스 처 ( fixture ) 를 참조 할 수 있 다 .