상기 살리 사이드 방지 막 ( 121 ) 형성 을 위한 희생 절 연막 ( 120 ) 의 식각 은 습식 식각 공정 으로 진행 되 어 , 상기 포토다이오드 형성 예정 영역 에 만 상기 희생 절 연막 ( 120 ) 이 남 고 나머지 영역 의 희생 절 연막 ( 120 ) 은 모두 식각 되 어 씨 모스 회로 및 주변 회로 영역 이 형성 되 는 반도체 기판 ( 100 ) 표면 이 노출 된다 .