본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 소자 는 발광 다이오드 소자 , 레이저 다이오드 소자 를 포함 하 는 발광 소자 중 의 어느 하나 일 수 있 다 . 예 로서 , 실시 예 에 따른 반도체 소자 는 수직 캐비 티 표면 방출 레이저 ( VCSEL ; Vertical Cavity Surface Emitting Laser ) 반도체 소자 일 수 있 다 . 수직 캐비 티 표면 방출 레이저 ( VCSEL ) 반도체 소자 는 상부 면 에 수직 한 방향 으로 빔 을 방출 할 수 있 다 . 수직 캐비 티 표면 방출 레이저 ( VCSEL ) 반도체 소자 는 예 를 들 어 5 도 내지 30 도 의 빔 화각 으로 상부 면 에 수직 한 방향 으로 빔 을 방출 할 수 있 다 . 수직 캐비 티 표면 방출 레이저 ( VCSEL ) 반도체 소자 는 좀 더 구체 적 으로 15 도 내지 25 도 의 빔 화각 으로 상부 면 에 수직 한 방향 으로 빔 을 방출 할 수 있 다 . 수직 캐비 티 표면 방출 레이저 ( VCSEL ) 반도체 소자 는 원형 의 빔 을 방출 하 는 단일 발광 애 퍼 쳐 ( aperture ) 또는 복수 의 발광 애 퍼 쳐 를 포함 할 수 있 다 . 상기 발광 애 퍼 쳐 는 예 로서 수 마이크 로 미터 내지 수십 마이크 로 미터 의 직경 으로 제공 될 수 있 다 .