마운트 공정 에서 는 , 도 3 a 내지 도 3 b 에 도시 하 는 바 와 같이 , 다 이싱 테이프 ( 10 ) 의 점착제 층 ( 2 ) 에 다 이싱 링 R 을 설치 한 후 , 노출 한 다이 본드 층 ( 3 ) 의 면 에 , 하프 컷 가공 된 반도체 웨이퍼 W 를 첩부 한다 ( 도 3 a 참조 ) . 그 후 , 반도체 웨이퍼 W 로부터 백 그라인 드 테이프 G 를 박리 한다 ( 도 3 b 참조 ) .