예 를 들 어 실리콘 기판 두께 , 부양 구조 폭 , 그리고 피 테스탈 폭 이 각각 400 ㎛, 1 , 500 ㎛, 300 ㎛ 로 동일 한 것 으로 가정 하 고 단순 비교 하 면 , 본 발명 의 도 11 ( b ) 에 의한 다이 폭 은 약 2 , 100 ㎛ 로 도 11 ( a ) 의 경우 에 비해 약 21 % 감소 하 게 되 며 정사각형 의 다이 면적 으로 감안 할 경우 소자 크기 를 약 38 % 정도 축소 시킬 수 있 다 .