도 2 a 는 상이 한 재료 의 표면 을 가지 며 , 도 1 a 의 기판 과 유사 한 기판 을 도시 한다 . 본 구현 예의 경우 , 표면 들 은 역전 된 용어 로 기술 되 어 있 다 . 특히 , 제 2 표면 은 코발트 ( Co ) , 구리 ( Cu ) , " 텅스텐 ( W ) 또는 몰 리브 데 늄 ( Mo ) 과 같 은 금속 성 재료 를 포함 하 거나 이 에 의해 정의 될 수 있 다 . 제 1 표면 은 ( 일반 적 으로 실리콘 산화물 계 층 인 ) 저 유전율 층 또는 ( 실리콘 산화물 의 형태 인 ) 자연 산화물 이 형성 된 실리콘 표면 과 같 은 무기 유전체 를 포함 할 수 있 다 . 패 시베이 션 차단 층 이 제 2 표면 위 에 형성 된다 . 용어 "" 차단 ( blocking ) "" 은 패 시베이 션 층 의 후속 적 인 선택 적 증착 이 패 시베이 션 차 단층 에 의해 완전히 차단 된다는 것 을 의미 하 는 것 은 아님 에 유의 해야 한다 . 오히려 ", 제 2 표면 상 의 패 시베이 션 차단 층 은 패 시베이 션 층 의 증착 이 제 1 표면 에 대한 성장 속도 에 비해 상대 적 으로 낮 은 성장 속도 를 갖 는 것 을 억제 하 기 만 하 면 된다 .