본 발명 에 따른 위상 반 전막 은 동일 한 식각 용액 에 식각 가능 한 상호 다른 조성 의 막 들 로 이루어지 고 , 다른 조성 의 막 들 이 각 1 회 이상 적층 된 적어도 2 층 이상 의 다층막 또는 연속 막 형태 로 형성 한다 . 이 에 따라 , 본 발명 은 위상 반 전막 의 두께 를 줄일 수 있 음 과 아울러 위상 반 전막 의 패 터닝 시 위 상반 저 막 패턴 의 경계 가 분명 하 도록 가장 자리 부분 의 단면 경사 를 가파르 게 형성 할 수 있 어 위상 반 저 막 패턴 의 투과율 , 위상 반 전량 균일성 을 확보 할 수 있 음 에 따라 위상 반 전막 패턴 및 피전 사체 의 패턴 정밀도 를 향상 시킬 수 있 는 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크 를 제공 할 수 있 다 .