반도체 제조 공정 중 , 예 를 들 면 질화규소 막 과 이산화규소 막 을 선택 적 으로 연마 해야 하 는 STI ( shallow trench isolation ) 공정 과 산화 규소 막 만 을 연마 하 는 ILD ( inter layer dielectrics ) 및 IMD ( inter metal dielectrics ) 층 의 연마 의 경우 통상 적 으로 실리카 슬러리 를 사용 하 여 왔으나 , 최근 에 는 다층 배선 을 형성 하 기 위한 층간 평탄 도 를 구현 하 기 위해 산화 세륨 슬러리 를 사용 하 는 경우 가 늘 고 있 다 .