그리고 , 도 6 에서 지연 시간 구간 ( P 12 ) 에 CP 로 표시 된 것 은 , 변형 된 소거 동작 ( 도 3 의 B 타입 의 변형 소거 동작 ) 에 적용 되 는 지연 시간 구간 을 의미 한다 . B 타입 의 변형 소거 동작 의 경우 , 소거 된 메모리 블록 의 워드 라인 들 로 는 지연 시간 구간 ( P 12 ) 동안 소정 의 전압 레벨 을 갖 는 카운터 펄스 ( Vcp ) 가 인가 될 수 있 다 . 지연 시간 구간 ( P 12 ) 동안 인가 된 카운터 펄스 ( Vcp ) 는 , 플래시 메모리 의 전하 저장 층 내 에서 의 전자 / 홀 의 에너지 가 안정 화 되 는 방향 으로 이동 하 는 것 을 가속 화 한다 . 그 결과 , 플래시 메모리 의 동작 온도 가 낮 아 질 때 메모리 셀 의 문턱 전압 ( Vth ) 이 안정 화 되 는 속도 가 개선 될 수 있 게 되 어 , 저온 동작 환경 에서 의 소거 에러 발생 가능 성 이 줄어들 게 된다 . 지연 시간 구간 ( P 12 ) 동안 인가 되 는 카운터 펄스 ( Vcp ) 의 예시 적 인 형태 는 도 7 및 도 8 에 도시 되 어 있 다 .