이후 , 상기 패턴 된 제 1 배선 ( 140 ) 상 에 제 1 도전 형 전도 층 ( 150 ) 을 형성 한다 . 한편 , 경우 에 따라서 는 상기 제 1 도전 형 전도 층 ( 150 ) 이 형성 되 지 않 고 이후 의 공정 이 진행 될 수 도 있 다 . 상기 제 1 도전 형 전도 층 ( 150 ) 은 본 발명 의 실시 예 에서 채용 하 는 PIN 다이오드 의 N 층 의 역할 을 할 수 있 다 . 즉 , 상기 제 1 도전 형 전도 층 ( 150 ) 은 N 타입 도전 형 전도 층 일 수 있 으나 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .