본 발명 의 제 1 실험 예 에 따른 비정질 탄소막 은 10 - 5 torr 의 압력 과 실온 에서 C 6 H 6 와 C 8 H 18 의 혼합물 에 대한 C 6 H 6 의 비율 ( C 6 H 6 / C 6 H 6 + C 8 H 18 ) 을 조절 하 면서 650 W 의 고주파 전원 을 인가 하 여 60 초 동안 증착 하 였 다 . 이 경우 비정질 탄소막 의 증착 률 을 도 2 에 나타내 었 으며 , 산화 막 ( SiO 2 ) 에 대한 식각 선택 비 를 도 3 에 나타내 었 다 .