보다 구체 적 으로 , 기판 상 에 박막 을 형성 하 고 , 상기 박막 상 에 감광성 물질 인 포토레지스트 를 균일 하 게 도포 하 고 , 상기 포토레지스트 가 도포 된 기판 상 에 마스크 를 배치 하 고 노광 ( exposure ) 한 후 , 상기 포토레지스트 를 현상 ( develop ) 하 여 포토레지스트 패턴 을 형성 한다 . 상기 박막 은 하 부막 이 라고 도 하 며 예 를 들 어 , 알루미늄 , 알루미늄 합금 , 구리 , 구리 합금 , 몰리브덴 및 몰리브덴 합금 등 의 도전 성 금속 막 , 실리콘 산화 막 , 실리콘 질화 막 등 의 절 연막 등 일 수 있 다 .