반도체 소자 의 디자인 룰 감소 에 따른 해상력 및 초점 심도 를 확보 하 기 위하 여 , 축소 투영 렌즈 와 감광막 사이 에 공기 보다 굴절 률 이 큰 매질 을 주입 하 여 노광 빔 정보 의 충실 도 를 높이 고 초점 심도 를 향상 시키 는 액침 노광 기술 ( immersion lithography ) 에 대하 여 많 은 연구 가 진행 이 되 고 있 다 . 현재 액침 노광 ( Immersion Lithography ) 설비 에서 는 매질 로써 물 ( H 2 O ) 를 이용 하 여 그 성능 이 검정 되 었 으나 , 물 과 포토레지스트 막 과 의 접촉 에 의해서 다양 한 종류 의 결함 ( defect ) 를 유발 시키 고 있 어 양산 기술 로 자리매김 을 하 기 위해서 는 이러 한 액침 결함 ( immersion defect ) 문제 를 반드시 해결 해야 한다 .