이 어 , 더미 게이트 전극 ( 120 a ) 을 마스크 로 삼 아 반도체 기판 ( 100 ) 위 에 n 형 또는 p 형 불순물 이온 을 저 농도 로 주입 하 여 더미 게이트 전극 ( 120 a ) 의 양측 에 저 농도 접합 영역 ( 140 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 열처리 공정 을 진행 하 여 저 농도 접합 영 역 ( 140 ) 이 더미 게이트 전극 ( 120 a ) 이 있 는 방향 으로 수평 하 게 확산 되 도록 한다 .