한편 , 상기 활성 영역 ( 103 ) 에 제 1 채널 불순물 영역 ( 112 ) 및 제 2 채널 불순물 영역 ( 113 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 제 1 채널 불순물 영역 ( 112 ) 및 상기 제 2 채널 불순물 영역 ( 113 ) 은 상기 활성 영역 ( 103 ) 과 동일 한 도전 형 을 가질 수 있 다 . 상기 제 1 채널 불순물 영역 ( 112 ) 은 상기 활성 영역 ( 103 ) 의 상부 표면 부분 에 위치 하 며 상기 활성 영역 ( 103 ) 보다 높 은 불순물 농도 를 갖 도록 형성 할 수 있 다 . 상기 제 2 채널 불순물 영역 ( 113 ) 은 상기 제 1 채널 불순물 영역 ( 112 ) 보다 낮 은 레벨 에 위치 하 는 상기 활성 영역 ( 103 ) 내 에 형성 할 수 있 다 . 그리고 , 상기 제 2 채널 불순물 영역 ( 113 ) 은 상기 제 1 채널 불순물 영역 ( 112 ) 보다 높 은 불순물 농도 를 갖 도록 형성 할 수 있 다 .