본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 장치 는 적층 물 ; 상기 적층 물 을 관통 하 는 채널 패턴 들 , 상기 적층 물 을 관통 하 는 더미 채널 패턴 들 및 상기 채널 패턴 들 과 상기 더미 채널 패턴 들 을 연결 시키 는 연결 패턴 을 포함 하 는 채널 막 ; 상기 채널 패턴 들 과 연결 되 고 제 1 타입 의 불순물 을 포함 하 는 제 1 패드 들 ; 및 상기 더미 채널 패턴 들 과 상기 제 1 타입 과 상이 한 제 2 타입 의 불순물 을 포함 하 는 제 2 패드 들 을 포함 할 수 있 다 .