본 발명 의 활성 에너지 선 경화 형 수지 조성물 을 기재 상 에 피복 하 여 소정 두깨 의 레지스 트 막 으로 했 을 경우 , 레지스 트 막 의 분광 감도 파장역 에 있 어서 , 조사 되 기 전 의 초기 활성 에너지 선 량 ( X ) 과 그 레지스 트 막 을 투과 한 후 의 투과 활성 에너지 선 량 ( Y ) 과 의 비율 ( Y / X ) 은 , 10 % 이하 , 바람직 하 게 는 5 % 이하 이 다 . 비율 ( Y / X ) 이 이러 한 낮 은 값 이 면 , 레지스 트 막 의 미조사 부분 은 경화 하 지 않 고 , 섬세 한 패턴 을 형성 할 수 있 다 . 여기 서 , 조사 되 기 전 의 활성 에너지 선 량 ( X ) 이 란 , 조사 면 측 의 레지스 트 막 표면 에서 측정 되 는 활성 에너지 선 량 이 다 . 또 , 레지스 트 막 을 투과 한 후 의 투과 활성 에너지 선량 ( Y ) 이 란 , 활성 에너지 선 량 ( X ) 을 측정 하 는 경우 와 동일 의 조사 조건 ( 광원 , 광원 에서 의 거리 , 및 조사 시간 ) 으로 측정 했 을 경우 에 있 어서 , 조사 면 의 반 대면 이 되 는 레지스 트 막 표면 에서 측정 되 는 레지스 트 막 을 투과 한 후 의 활성 에너지 선 량 이 다 .