SF 6 / SO 2 / O 2 케미스트리 에 SiF 4 를 첨가 하 는 것 은 , 예 상외 로 보잉 을 감소 시키 고 , 언더컷 을 감소 시키 고 , 매우 테이퍼 된 비아 들 에서 저부 CD 를 넓힌다 . 예컨대 , ( 약 35 ㎛ 의 상부 CD 및 약 8 ㎛ 의 저부 CD 를 갖 는 ) 매우 테이퍼 된 비아 는 , 약 250 볼트 의 웨이퍼 바이어스 전압 및 약 2500 와트 의 플 라즈 마 전력 공급 으로 , 약 100 mTorr 의 압력 하 에서 , 약 300 sccm 의 SF 6 , 약 120 sccm 의 O 2 , 약 30 sccm 의 SO 2 , 및 0 sccm 의 SiF 4 를 함유 하 는 에칭 가스 를 사용 하 여 획득 되 었 고 , ( 약 34 ㎛ 의 상부 CD 및 약 24 ㎛ 의 저부 CD 를 갖 는 ) 더 큰 저부 CD 를 갖 는 덜 터 이 퍼 된 프로파일 은 , 약 250 볼트 의 웨이퍼 바이어스 전압 및 약 2500 W 의 플 라즈 마 전력 공급 으로 , 약 100 mTorr 의 압력 하 에서 , 약 300 sccm 의 SF 6 , 약 120 sccm 의 O 2 , 약 30 sccm 내지 15 sccm 의 SO 2 ( 램프 다운 ) , 및 150 sccm 의 SiF 4 를 사용 하 여 획득 되 었 다 . 에칭 이 홀 들 ( 비 아들 ) 로 깊 게 진행 하 므로 , 에칭 반응 이 변화 한다 . 따라서 , 원 하 는 프로 파일 을 획득 하 기 위해 , SO 2 의 비율 또는 다른 패 시베이 션 가스 컴포넌트 가 램프 업 또는 다운 될 수 있 고 , 에칭 의 진행 에 따라 , 프로파일 의 더 우수 한 제어 를 위해 바이어스 전압 , 전력 , 및 / 또는 압력 이 또한 램프 업 또는 다운 될 수 있 다 .