베이스 기판 ( 101 ) 이 준비 될 수 있 다 . 베이스 기판 ( 101 ) 은 실리콘 기판 일 수 있 다 . 보다 구체 적 으로 , 베이스 기판 ( 101 ) 은 실리콘 기판 상 에 반도체 패턴 이 형성 된 것 일 수 있 다 . 베이스 기판 ( 101 ) 은 CMOS ( 상보성 금속 산화물 반도체 , Complementary Metal Oxide Semiconductor ) 공정 을 통해 형성 된 실리콘 반도체 기판 일 수 있 다 . 베이스 기판 ( 101 ) 은 단결정 실리콘 웨이퍼 , 다 결정 실리콘 웨이퍼 , 및 / 또는 비정질 실리콘 웨이퍼 중 어느 하나 를 포함 할 수 있 다 . 바람직 하 게 는 베이스 기판 ( 101 ) 은 단결정 실리콘 웨이퍼 일 수 있 다 . 회로 층 ( 103 ) 이 베이스 기판 ( 101 ) 상 에 제공 될 수 있 다 . 회로 층 ( 103 ) 은 도전 배선 들 및 도전 패드 들 ( 미 도시 ) 을 포함 할 수 있 다 . 도전 배선 들 및 도전 패드 들 은 전도성 물질 , 예 를 들 어 , 금속 물질 을 포함 할 수 있 다 . 회로 층 ( 103 ) 은 베이스 기판 ( 101 ) 및 픽셀 전극 들 ( 201 ) 을 연결 시킬 수 있 다 . 본 명세서 에서 연결 된다 / 접속 한다는 것 은 전기 적 인 연결 및 물리 적 연결 을 포함 할 수 있 고 , 직접 적 인 연결 / 접속 또는 다른 도전 구성 요소 를 통한 간접 적 인 연결 / 접속 을 포함 할 수 있 다 .