여기 서 , 상기 박막 트랜지스터 ( 10 ) 는 상기 게이트 라인 ( 13 ) 과 연결 된 게이트 전극 ( 13 a ) 과 , 상기 게이트 전극 ( 13 a ) 위 에 형성 되 어 게이트 전극 ( 13 a ) 에 주사 신호 가 인가 됨 에 따라 활성 화 되 는 반도체 층 ( 17 ) 과 , 상기 반도체 층 ( 17 ) 위 에 형성 된 소스 전극 ( 21 a ) 및 드레 인 전극 ( 21 b ) 으로 구성 된다 .