다음 도 3 을 참조 하 면 , 게이트 배선 ( 120 ) 이 형성 된 베이스 기판 ( 110 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 130 ) 및 액티브 층 ( 140 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 게이트 절 연막 ( 130 ) 및 액티브 층 ( 140 ) 은 , 예 를 들 어 , 플라 즈 마 화학 기상 증착 ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition , PECVD ) 방법 을 통해 형성 된다 .