일반 적 으로 , 디램 ( DRAM ) 을 구성 하 고 있 는 수많 은 미세 셀 ( Cell ) 중 에서 어느 한 개 라도 결함 이 발생 하 게 되 면 그 디램 은 제 기능 을 수행 할 수 없 게 된다 . 따라서 , 이 경우 미리 디램 내 에 설치 해 둔 예비 메모리 셀 을 이용 하 여 불량 셀 을 대체 시킴 으로써 양품 율 ( Yield ) 을 높이 는 리 던 던 시 방식 을 채용 하 고 있 다 .