[ 0011 ] 본 발명 의 또 다른 실시 예 는 에지 프로세싱 성능 을 조절 하 기 위한 방법 을 제공 하 며 , 상기 방법 은 프로세싱 챔버 내 에 지지 페데 스탈 을 제공 하 는 단계 － 상기 지지 페데 스탈 은 그 위 에 기판 을 수용 하 고 지지 하 도록 구성 된 기판 지지 표면 , 및 상기 기판 의 외측 에지 를 따라 상기 기판 을 둘러싸 도록 구성 된 에지 표면 을 가짐 －, 상기 지지 페데 스탈 상 에 기판 을 위치 시키 는 단계 , 상기 프로세스 챔버 에 프로세스 가스 를 유동 시키 는 단계 , 및 상기 프로세스 가스 에 의해 상기 기판 을 프로세싱 하 는 단계 를 포함 하 고 , 상기 기판 의 상단 표면 과 상기 에지 표면 사이 의 높이 차이 가 상기 프로세스 챔버 로 유동 하 는 상기 프로세스 가스 에 상기 기판 의 에지 지역 의 노출 을 제어 하 는 데 사용 된다 .