또한 , 제 1 및 제 2 전극 ( EL 1 , EL 2 ) 과 , 제 1 도전 라인 ( CL 1 ) 과 , 제 2 도전 라인 ( CL 2 ) 은 단일 막 으로 형성 될 수 있 으나 , 본 발명 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 금속 들 , 합금 들 , 도전 성 산화물 들 , 도전 성 고분자 들 중 2 이상 물질 이 적층 된 다 중막 으로 형성 될 수 있 다 . 실시 예 에 따라 , 제 1 및 제 2 전극 ( EL 1 , EL 2 ) 과 , 제 1 도전 라인 ( CL 1 ) 과 , 제 2 도전 라인 ( CL 2 ) 각각 은 발광 소자 들 ( LD ) 각각 의 양 단부 ( EP 1 , EP 2 ) 로 신호 를 전달 할 때 신호 지연 에 의한 전압 강하 를 최소 화 하 기 위해 다 중막 으로 형성 될 수 있 다 .