본 발명 은 불휘발성 메모리 소자 의 동작 에 관한 것 으로 , 메모리 셀 들 의 하위 비트 프로그램 을 수행 하 고 , 제 1 에러 율 을 구하 는 단계 ; 상기 메모리 셀 들 의 상위 비트 를 프로그램 하 고 , 제 2 에러 율 을 구하 는 단계 ; 및 상기 제 1 및 제 2 에러 율 이 최소 가 되 는 값 에 대응 하 는 전압 을 독 출전 압 으로 설정 하 는 단계 를 포함 한다 .