이전 에 는 셀 어 레이 마다 대응 하 는 센스 앰프 가 배치 되 었 으나 , 보다 반도체 메모리 장치 의 회로 면적 을 줄이 기 위해서 , 이웃 한 셀 어레이 에 하나 의 센스 앰프 가 공유 되 는 쉐어 드 비트 라인 센스 앰프 구조 가 최근 에 는 널리 사용 되 고 있 다 . 쉐 어 드 비트 라인 센스 앰프 구조 는 비트 라인 센스 앰프 가 이웃 한 2 개 의 센스 앰프 에 각각 공유 되 고 있 기 때문 에 , 데이터 억 세 스 가 일어나 는 셀 어레이 와 공유 된 비트 라인 센스 앰프 와 연결 하 기 위한 스위치 와 , 데이터 억 세 스 가 일어나 지 않 는 셀 어레이 와 공유 된 비트 라인 센스 앰프 를 분리 하 는 스위치 가 필요 하 다 . 비트 라인 센스 앰프 를 구비 하 는 센스 앰프 부 는 전술 한 스위치 를 위한 모스 트랜지스터 까지 구비 해야 하 기 때문 에 많 은 회로 면적 을 차지 하 게 된다 .