그 다음 , 한 블록 의 결정화 가 끝나 면 , 실리콘 의 결정 성장 이 이루어지 지 않 은 다음 블록 의 결정 성장 공정 을 시작 한다 . 이때 , 상기 블록 간 을 이동 할 때 는 마스크 스테이지 ( 미 도시 ) 보다 큰 기판 스테이지 ( 미 도시 ) 를 X 축 또는 Y 축 으로 이동 하 여 결정 화 공정 을 진행 하 면 된다 . 즉 , 도 11 에서 와 같이 , 기판 이 배치 된 스테이지 를 계속 해서 이동 시키 면서 레이저 빔 을 상기 복수 개 의 마스크 패턴 ( 131 ) 이 형성 된 마스크 ( 100 ) 를 통해 조사 하 므로써 기준선 ( 133 ) 을 중심 으로 오버랩 되 는 마스크 패턴 ( 131 ) 의 가장자리 부 ( 131 a ) 에서 레이저 빔 의 빛 간섭 에 의한 회절 현상 이 일어나 도록 하 므로써 마스크 패턴 ( 131 ) 의 가장자리 부 ( 131 a ) 의 삼각형 형태 로 조사 된 실리콘 박막 ( 141 ) 의 가장자리 부 ( 141 a ) 에서 의 실리콘 결정 화 의 균 일도 가 개선 된다 .