도 37 a 에 도시 하 는 트랜지스터 와 도 37 b 에 도시 하 는 트랜지스터 의 차이점 은 , 측벽 절연물 ( 2106 a ) 및 측벽 절연물 ( 2106 b ) 아래 의 반도체 영역 의 도전 형 이 다 . 도 37 a 에 도시 하 는 트랜지스터 에서 는 , 측벽 절연물 ( 2106 a ) 및 측벽 절연물 ( 2106 b ) 아래 의 반도체 영역 은 n + 의 도전 형 을 나타내 는 반도체 영역 ( 2103 a ) 및 반도체 영역 ( 2103 c ) 이 지만 , 도 37 b 에 도시 하 는 트랜지스터 에서 는 , 진성 의 반도체 영역 ( 2103 b ) 이 다 . 즉 , 도 37 b 에 도시 하 는 반도체 층 에 있 어서 , 반도체 영역 ( 2103 a ) ( 반도체 영역 ( 2103 c ) ) 과 게이트 ( 2105 ) 가 Loff 만큼 중첩 되 지 않 는 영역 이 생성 되 어 있 다 . 이 영역 을 오프셋 영역 이 라고 하 고 , 그 폭 ( Loff ) 을 오프셋 길 이 라고 한다 . 도면 으로부터 명확 한 바 와 같이 , 오프셋 길이 는 측벽 절연물 ( 2106 a ) ( 측벽 절연물 ( 2106 b ) ) 의 폭 과 동일 하 다 .