본 실시 형태 에서 는 , 반도체 기판 ( 10 ) 에 B 를 함유 한 다결정 Si 기판 ( p 형 반도체 ) 을 이용 했 다 . 이 반도체 기판 ( 10 ) 의 사이즈 는 , 사방 150 ㎜, 두께 200 ㎛ 로 해서 표면 을 강 알칼리 성 의 수용액 으로 에칭 함 으로써 요철 을 형성 했 다 . 계속 해서 , 수 광면 에 P 를 도핑 함 으로써 두께 가 약 0 . 8 ㎛ 의 확산 층 ( 11 ) ( n 형 반도체 층 ) 을 형성 하 고 , 그 위 에 Si 3 N 4 를 약 100 nm 증착 함 으로써 반사 방지 층 ( 12 ) 을 형성 했 다 .