다른 하나 의 실시 예 에서 , 본 발명 은 반도체 소자 의 후면 에 있 는 제 1 기판 을 제공 하 는 단계 와 제 1 기판 상 에 절연 층 을 형성 하 는 단계 , 절연 층상 에 패시브 회로 소자 를 형성 하 는 단계 , 패시브 회로 소자 상 에 패 시베이 션 층 을 형성 하 는 단계 , 패 시베이 션 층 에 캐리어 를 부착 하 는 단계 , 제 1 기판 을 제거 하 는 단계 , 반도체 소자 의 후면 에 있 는 절연 층상 에 논 - 실리콘 기판 을 형성 하 는 단계 와 캐리어 를 제거 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 이 다 .