도 8 을 참조 하 면 , 에칭 가스 는 ( SO 2 와 같 은 ) 산소 함유 가스 를 포함 하 고 , 불소 함유 가스 는 실리콘 층 이 위치 되 는 에칭 챔버 에 제공 된다 ( 602 ) . 실리콘 층 은 ( 통상 적 으로 결정 실리콘 인 ) 실리콘 기판 또는 다른 실리콘 층 일 수 도 있 다 . 플라 즈 마는 에칭 가스 로부터 생성 된다 ( 604 ) . 바이어스 전압 이 제공 되 고 ( 606 ) , 플 라즈 마 를 사용 하 여 피 쳐 들 이 실리콘 층 에 에칭 된다 ( 608 ) . 그 후 , 플라 즈 마 챔버 로 의 에칭 가스 의 플로우 가 중단 된다 ( 610 ) .