이상 에서 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 의하 면 , STI 공정 을 이용 한 소자 분리 막 형성 공정 과 , 채널 영역 의 도핑 농도 감소 를 보상 하 기 위해 실시 되 는 불순물 이온 주입 공정 을 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 에 있 어서 , 소자 분리 막 용 트렌치 형성 전 , 상기 불순물 이온 주입 공정 을 실시 함 으로써 트렌치 저부 의 농도 를 트렌치 측벽 에 비해 상대 적 으로 낮추 어 고전압 용 트랜지스터 의 항복 전압 을 증대 시킬 수 있 다 .