제 1 도전 형 반도체 ( 521 ) 는 일 면 의 적어도 일부 영역 이 내측 으로 함몰 된 형태 를 가질 수 있 다 . 상기 일 면 이 함몰 되 어 형성 되 는 상면 에 는 보조 층 ( 550 ) 이 배치 될 수 있 으며 , 보조 층 ( 550 ) 상 에 는 제 1 전극 ( 561 ) 이 배치 될 수 있 다 . 보조 층 ( 550 ) 은 제 1 전극 ( 561 ) 과 제 2 도전 형 반도체 ( 522 ) 상 에 배치 되 는 제 2 전극 ( 562 ) 간 의 단차 를 보상 할 수 있 다 . 몇몇 실시 예 에서 보조 층 ( 550 ) 은 도전 성 물질 또는 반도체 물질 을 포함 할 수 있 으며 , 제 1 전극 ( 561 ) 으로 인가 되 는 전기 신호 를 제 1 도전 형 반도체 ( 521 ) 로 전달 할 수 있 다 .