한편 , NMOS 형성 영역 에서 의 라이너 질화 막 은 문제 가 없 지만 , 특히 , PMOS 형성 영역 에서 의 라이너 질화 막 은 핫 일렉트론 ( hot electron ) 에 의한 트랜지스터 ( Transistor ) 의 off 특성 을 열화 시킨다 . 다시 말 하 면 , 반도체 소자 의 고집 적 화 로 인해 채널 길이 ( channel length ) 가 짧 아 짐 에 따라 문턱 전압 ( threshold voltage ) 이하 의 게이트 ( gat ) 인가 전압 영역 에서 핫 일렉트론 에 의한 열화 가 증가 되 어 채널 간 에 원치 않 는 펀치 - 쓰루 누설 전류 ( Punch - through Leakage Current ) 가 증가 하 게 된다 .