ALE 처리 도 행하 는 에칭 장치 ( 1 ) 에서 는 , Ar 가스 의 플라스마 를 사용 한 스퍼터 에칭 시 , 샤워 헤드 ( 42 ) 로부터 적재 대 ( 20 ) 까지 의 거리 에 대하 여 , 샤워 헤드 ( 42 ) 로부터 접지 된 배기 덕트 ( 60 ) 까지 의 거리 가 비교 적 가깝 다 . 그 때문 에 , 본 실시 형태 와 달리 , 배기 덕트 ( 60 ) 의 개구 ( 60 a ) 를 덮 도록 플라스마 조정 부재 ( 70 ) 를 마련 하 지 않 는 경우 , Ar 가스 의 플라스마 가 , 개구 ( 60 a ) 를 통과 해서 배기 덕트 ( 60 ) 내 까지 확산 한다 . 그 결과 , 웨이퍼 ( W ) 의 외주 부 의 상공 의 플라스마 밀도 가 낮 아 지 기 때문 에 , 웨이퍼 ( W ) 의 외주 부 의 에 칭양 이 중앙부 에 비하 여 감소 한다 . 그 에 반해 , 본 실시 형태 과 같이 , 접지 되 는 플라스마 조정 부재 ( 70 ) 를 마련 함 으로써 , 배기 덕트 ( 60 ) 내 까지 확산 하 는 Ar 가스 의 플라스마 의 양 을 삭감 할 수 있 기 때문 에 , 웨이퍼 ( W ) 의 외주 부 의 상공 에서 플라스마 밀도 가 저하 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 따라서 , 웨이퍼 ( W ) 의 외주 부 의 에 칭양 이 중앙부 에 비하 여 감소 하 는 것 을 억제 할 수 있 다 . 또한 , 플라스마 조정 부재 ( 70 ) 에 는 관통 구멍 ( 71 a ) 이 형성 되 어 있 기 때문 에 , 배기 덕트 ( 60 ) 의 개구 ( 60 a ) 를 막 도록 당해 플라스마 조정 부재 ( 70 ) 를 마련 해도 배기 특성 이 손상 되 지 않 는다 .