본 발명 은 감광성 수지 조성물 로 했 을 때 에 , 할로겐 원자 를 함유 하 지 않 고 , 동일 노광량 , 동일 현상 시간 에서 패턴 을 형성 하 는 경우 의 막 두께 마진 이 넓 고 , 고감도 이 며 , 반도체 장치 의 제조 공정 에서 통상 사용 되 는 현상액 ( 2 . 38 중량 % 테트라메틸 암모늄 하이드 록 사이드 수용액 ) 에 의한 패턴 의 형성 이 가능 하 고 , γ - 부티 로 락톤 용매 에 가용 인 알칼리 가용성 수지 를 제공 하 는 것 을 목적 으로 한다 . 또 , 본 발명 은 그 조성물 을 사용 하 여 기판 상 에 경화 릴리프 패턴 을 형성 하 는 방법 , 및 그 경화 릴리프 패턴 을 갖 고 이루어지 는 반도체 장치 를 제공 하 는 것 을 목적 으로 한다 .