이어서 , 도 9 ( D ) 에 도시 한 것 처럼 , 게이트 전극 ( 707 ) 및 도전 막 ( 708 ) 을 마스크 로서 일 ( 一 ) 도전 성 을 부여 하 는 불순물 원소 를 반도체 막 ( 702 ) 에 첨가 함 으로써 , 게이트 전극 ( 707 ) 과 중첩 되 는 채널 형성 영역 ( 710 ) 과 , 채널 형성 영역 ( 710 ) 을 사이 에 끼운 한 쌍 의 불순물 영역 ( 709 ) 과 , 불순물 영역 ( 704 ) 의 일부 에 더욱 불순물 원소 가 첨가 된 불순물 영역 ( 711 ) 이 , 반도체 막 ( 702 ) 에 형성 된다 .