본 제 9 실시 예의 작용 효과 는 제 1 실시 예 와 동일 하 다 . 그런데 , 신호 의 송수신 시 에 루프 형상 의 방사 판 ( 32 ) 의 주위 에 는 자계 φ ( 도 20 참조 ) 가 발생 한다 . 이 자계 는 금속 을 통과 하 지 않 으므로 , 금속 과 루프 형상 방사 판 ( 32 ) 을 평행 으로 , 또한 근접 시켜서 배치 하 면 방사 판 ( 32 ) 에서 발생 하 는 자계 가 금속 에 의해 막 아 져 , 외부 에 충분히 방사 되 지 않 고 무선 IC 디바이스 로서 의 동작 이 불 충분 해진다 . 따라서 , 본 제 9 실시 예 와 마찬가지 로 , 방사 판 금 속통 ( 140 ) 의 오 목부 ( 141 ) 의 바닥 부 로부터 대지 ( 142 ) 등 을 사이 에 두 고 수 ㎜ 정도 떨어뜨려 방사 판 ( 32 ) 을 배치 함 으로써 , 방사 판 ( 32 ) 으로부터 자계 φ 를 방사 시켜 무선 IC 디바이스 로서 기능 시킬 수 있 다 .