본 발명 에 따른 반도체 메모리 장치 는 데이터 를 저장 하 기 위한 불휘발성 메모리 ; 및 상기 불휘발성 메모리 의 동작 을 제어 하 기 위한 메모리 컨트롤러 를 포함 한다 . 상기 메모리 컨트롤러 는 에러 정정 코드 ( ECC ) 분석 을 통해 전하 누설 로 인한 읽 기 페일 원인 을 알아내 고 , 선택 읽 기 전압 ( Vrd ) 변화 를 통해 소프트 프로그램 으로 인한 읽 기 페일 의 원인 을 알아낸다 . 본 발명 에 의하 면 , 읽 기 동작 시 에 읽 기 페일 의 원인 을 정확 하 게 알아냄 으로 페일 원인 에 맞 게 효율 적 으로 비트 에러 를 복구 할 수 있 다 .