후술 하 는 실시 예 들 에서 는 지르코늄 산화 막 ( ZrO 2 ) 과 니오븀 산화 막 ( Nb 2 O 5 ) 을 사용 하 여 단원자 층 증착 법 ( ALD ) 에 의해 이 들 두 물질 이 나노 스케일 ( Nano - scale ) 단위 로 미세 하 게 혼합 된 ( ZrO 2 ) x ( Nb 2 O 5 ) 1 - x 또는 ZrO 2 / Nb 2 O 5 의 적층 구조 를 형성 하 여 이 를 DRAM 캐 패 시터 의 유전 막 으로 적용 함 으로써 10 Å 이하 의 EOT 및 누설 전류 를 확보 한다 .