그리고 , 상기 폭 및 길이 가 길 어 진 채널 의 각 측면 및 바닥 부 에 각각 문턱 전압 이 다르 도록 도핑 하 여 2 개 이상 의 문턱 전압 을 가지 도록 트랜지스터 를 제조 함 으로써 OFF / 제 1 드레 인 전류 ( Id - 1 ) , 제 2 드레 인 전류 ( Id - 2 ) 와 같이 3 개 이상 의 상태 를 구별 할 수 있 기 때문 에 메모리 반도체 에서 의 집적도 를 올릴 수 있 다 .