TFT 는 게이트 라인 에 연결 된 게이트 전극 ( 3 ) , 데이터 라인 에 연결 된 소스 전극 ( 9 ) , 화소 전극 ( 13 ) 에 접속 된 드레 인 전극 ( 10 ) , 및 소스 전극 ( 9 ) 과 드레 인 전극 ( 10 ) 에 오 믹 접촉 된 반도체 패턴 ( 8 ) 을 포함 한다 . 반도체 패턴 ( 8 ) 은 활성 층 ( 6 ) , 및 오 믹 접촉 층 ( 7 ) 으로 구성 된다 . 활성 층 ( 6 ) 은 게이트 절 연막 ( 5 ) 을 사이 에 두 고 게이트 전극 ( 3 ) 에 중첩 되 며 , 소스 전극 ( 9 ) 과 드레 인 전극 ( 10 ) 사이 에서 노출 되 어 반도체 채널 을 형성 한다 . 오 믹 접촉 층 ( 7 ) 은 소스 전극 ( 9 ) 과 드레 인 전극 ( 10 ) 이 활성 층 ( 6 ) 에 오 믹 접촉 되 도록 소스 전극 ( 9 ) 과 활성 층 ( 6 ) 사이 , 및 드레 인 전극 ( 10 ) 과 활성 층 ( 6 ) 사이 에서 중첩 된다 . 이러 한 TFT 는 보호막 ( 11 ) 에 의해 보호 된다 . 보호막 ( 11 ) 은 드레 인 전극 ( 10 ) 을 노출 시키 는 접촉 홀 ( 12 ) 을 포함 한다 . 이 접촉 홀 ( 12 ) 을 통해 화소 전극 ( 13 ) 이 드레 인 전극 ( 10 ) 에 접속 된다 .