다음 으로 , 도 2 c 와 같이 상기 메인 칩 ( 200 ) 내 에 상기 제 1 메인 패턴 ( 212 ) 이 형성 된 셀 ( 210 ) 을 삽입 한다 . 이때 , 경우 에 따라 도 2 c 와 같이 메인 칩 ( 200 ) 내 에서 회전 ( rotation ) 된 셀 ( 220 ) 이 삽입 될 수 있 다 . 상기 회전 된 셀 ( 220 ) 의 제 1 메인 패턴 ( 222 ) 은 상기 메인 칩 ( 200 ) 의 제 2 메인 패턴 ( 110 ) 과 반도체 제조 공정 의 패턴 간 최소 간격 ( Minimum Spacing ) 이상 으로 삽입 된다 .