여기 서 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 은 수소 등 의 불순물 이 충분히 제거 됨 으로써 , 또한 충분 한 산소 를 공급 함 으로써 , 고 순도 화 된 것 이 바람직 하 다 . 구체 적 으로 는 , 예 를 들 어 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 수소 농도 는 5 × 1019 원자 / cm 3 이하 , 바람직 하 게 는 5 × 1018 원자 / cm 3 이하 , 보다 바람직 하 게 는 5 × 1017 원자 / cm 3 이하 로 한다 . 상술 한 산화물 반도체 층 ( 144 ) 중 의 수소 농도 는 2 차 이온 질량 분석법 ( SIMS : Secondary Ion Mass Spectrometry ) 에서 측정 된다는 점 에 주목 한다 . 이 와 같이 , 수소 농도 가 충분히 저감 되 어 고 순도 화 되 어 , 충분 한 산소 의 공급 에 의해 산소 결손 에 기인 하 는 에너지 갭 중 의 결함 준위 가 저감 된 산화물 반도체 층 ( 144 ) 에서 는 , 캐리어 농도 가 1 × 1012 / cm 3 미 만 , 바람직 하 게 는 , 1 × 1011 / cm 3 미 만 , 보다 바람직 하 게 는 1 . 45 × 1010 / cm 3 미만 이 된다 . 예 를 들 어 , 실온 ( 25 ℃) 에서 의 오프 전류 ( 여기 에서 는 , 단위 채널 폭 ( 1 μ m ) 당 값 ) 은 100 zA ( 1 zA ( 젭토 암페어 ) 는 1 × 10 - 21 A ) 이하 , 바람직 하 게 는 10 zA 이하 가 된다 . 이 와 같이 , i 형 화 ( 진성 화 ) 또는 실질 적 으로 i 형 화 된 산화물 반도체 를 이용 함 으로써 , 지극히 우수 한 오프 전류 특성 의 트랜지스터 ( 162 ) 를 얻 을 수 있 다 .