일부 경우 에 , 복수 의 전도체 세트 들 에서 인접 한 전도체 세트 들 의 각각 의 쌍 은 1 . 7 내지 2 의 범위 의 S / Dmin 에 대응 하 는 양 을 가질 수 있 다 . 일부 경우 에 , 전도체 세트 들 각각 은 한 쌍 의 절연 전도체 들 만 을 가질 수 있 고 , Σ avg / σ avg 의 양 은 2 . 5 내지 3 의 범위 일 수 있 는데 , 여기 서 σ avg 는 다양 한 전도체 세트 들 을 위한 상기 쌍 의 절연 전도체 들 의 평균 중 심간 간격 이 고 , Σ avg 는 인접 한 전도체 세트 들 사이 의 평균 중 심간 간격 이 다 . 일부 경우 에 , 조합 된 제 1 및 제 2 차폐 필름 들 의 커버 부분 들 은 각각 의 전도체 세트 의 주연 부 의 적어도 75 % 를 에워 쌈 으로써 각각 의 전도체 세트 를 실질 적 으로 둘러싼다 . 일부 경우 에 , 제 1 전도체 세트 는 3 내지 15 ㎓ 의 범위 의 규정 주파수 에서 그리고 1 미터 케이블 길이 에 대해 누화 ( crosstalk , C 1 ) 에 의해 특성 화 되 는 인접 한 절연 전도체 들 사이 에서 고주파 절연 을 가질 수 있 으며 , 제 1 및 제 2 전도체 세트 들 사이 의 고주파 절연 은 규정 주파수 에서 의 누화 ( C 2 ) 에 의해 특성 화 되 고 , C 2 는 C 1 보다 적어도 10 dB 더 낮 다 . 일부 경우 에 , 하나 또는 둘 모두 의 차폐 필름 들 은 유전체 기재 ( substrate ) 상 에 배치 된 전도성 층 을 포함 할 수 있 다 . 일부 경우 에 , 케이블 은 제 1 및 제 2 차폐 필름 들 중 적어도 하나 와 전기 접촉 하 는 제 1 드레 인 와이어 를 포함 할 수 있 다 . 제 1 및 제 2 차폐 필름 들 의 제 2 커버 부분 들 이 횡단면 에서 제 1 드레 인 와이어 를 실질 적 으로 둘러쌀 수 있 다 . 제 1 드레 인 와이어 는 최 근접 전도체 세트 의 최 근접 절연 와이어 까지 의 드레 인 와이어 거리 ( σ 1 ) 에 의해 특성 화 될 수 있 고 , 최 근접 전도체 세트 는 σ 2 의 절연 전도체 들 의 중심 간 간격 에 의해 특성 화 될 수 있 으며 , σ 1 / σ 2 는 0 . 7 초과 일 수 있 다 .