도 4 는 본 개시 의 일부 실시 예 에 따른 , 메모리 셀 의 수직 스트링 을 형성 하 는 Y 방향 ( 예컨대 , 3 D 메모리 장치 ( 100 ) 의 수직 방향 ) 을 따라 복수 의 채널 구조 ( 212 ) ( 즉 , 도 3 에 도시 된 채널 홀 ( 300 ) ) 를 포함 하 는 도 2 에 도시 된 영역 ( 260 ) 의 개략 적 단면도 를 도시 한다 . 도 4 에서 는 복수 의 채널 구조 ( 212 ) 의 공간 적 관계 를 나타내 하 기 위해 X - 방향 ( 예컨대 , WL 방향 ) 및 Y - 방향 축 이 도시 되 어 있 음 에 유의 한다 .