전술 한 바 와 같이 산화물 반도체 는 일반 적 으로 높 은 캐리어 농도 를 가지 고 있 는데 , 이 는 산화물 반도체 내 에서 의 산소 결핍 이 캐리어 를 공급 하 는 원인 으로 작용 하 고 있 기 때문 이 다 . 따라서 , 산화물 반도체 는 플 라즈 마 에 의한 손상 ( damage ) 이나 수분 이나 산소 의 흡착 등 과 같 은 외부 환경 에 의한 물질 의 전기 적 특성 변화 가 심하 다 . 그러므로 , 안정 적 이 며 신뢰 성 이 있 는 산화물 반도체 박막 트랜지스터 를 구현 하 기 위해서 는 외부 의 영향 을 완벽히 차단 할 수 있 는 보호막 의 개발 이 필수 적 이 다 .