또한 , 상기 제 1 및 제 2 반도체 층 콘 택 홀 ( 133 , 135 ) 이 형성 된 층간 절 연막 ( 130 ) 위 로 는 상기 게이트 배선 ( 미 도시 ) 과 교차 하 여 화소 영역 ( P ) 을 정의 하 는 데이터 배선 ( 미 도시 ) 이 형성 되 어 있 으며 , 상기 제 1 및 제 2 반도체 층 콘 택 홀 ( 133 , 135 ) 을 통해 상기 도핑 된 반도체 층 ( 110 b ) 과 각각 접촉 하 는 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 142 , 144 ) 이 형성 되 어 있 다 . 이때 , 상기 소스 전극 ( 142 ) 은 상기 데이터 배선 ( 미 도시 ) 자체 로 이루어지 고 있 으며 , 상기 드레 인 전극 ( 144 ) 은 스토리지 영역 ( StgC ) 까지 연장 되 어 상기 제 1 스토리지 전극 ( 129 ) 과 중첩 하 며 제 2 스토리지 전극 ( 146 ) 을 형성 하 고 있 다 .