도 49 및 도 50 에 도시 한 바 와 같이 , 제 3 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 기억 장치 에서 , 백 게이트 선 ( BG ')( 백 게이트 트랜지스터 층 ( 20 a ) ) 의 구성 은 제 1 실시 형태 와 상이 하 다 . 제 3 실시 형태 에 관한 백 게이트 선 ( BG ')( 백 게이트 트랜지스터 층 ( 20 a ) ) 은 제 1 백 게이트 선 ( BG 1 ')( 제 1 백 게이트 도전 층 ( 22 a ) ) 및 제 1 백 게이트 선 ( BG 1 ')( 제 1 백 게이트 도전 층 ( 22 a ) ) 의 상부 에 형성 된 제 2 백 게이트 선 ( BG 2 ')( 제 2 백 게이트 도전 층 ( 22 b ) : 제 3 도전 층 ) 을 갖 는다 . 제 1 백 게이트 선 ( BG 1 ')( 제 1 백 게이트 도전 층 ( 22 a ) ) 은 제 1 실시 형태 와 마찬가지 로 연결부 JPmn ( U 자 형상 반도체 층 ( 63 ) 의 하부 ) 의 하 면 및 측면 을 커버 하 고 또 한 연결부 JPmn 의 상면 과 동일 한 높이 까지 형성 된다 . 제 2 백 게이트 선 ( BG 2 ')( 제 2 백 게이트 도전 층 ( 22 b ) ) 은 연결부 JPmn ( 연결부 63 a ) 의 상면 을 커버 하 도록 형성 된다 .