도 6 에서 횡축 은 방전 휴지 시간 , 즉 방전 이 일어난 것 으로부터 다음 방전 이 일어날 때 까지 의 시간 간격 을 나타내 고 있 다 . 도 6 에 표시 된 바 와 같이 방전 셀 PC 내 에 CL 발광 MgO 결정체 를 함유 한 산화 마그네슘 층 ( 13 ) 을 제공 하 면 , 종래 의 증착 법 에 의해 산화 마그네슘 층 을 형성 한 경우 에 비하 여 방전 확률 이 높 다 . 이 경우 CL 발광 MgO 결정체 로서 는 전자선 을 조사 한 경우 의 CL 발광 , 특히 235 mm 에 피크 를 갖 는 CL 발광 의 강도 가 크 기 때문 에 방전 공간 S 내 에 있 어서 발생 되 는 방전 지연 을 단축 시킬 수 있 다 .