한편 , 게이트 전극 ( 118 ) 은 폴리 실리콘 막 ( 115 ) 대신 에 전이 금속 , 희토류 금속 또는 이 들 의 적층 구조 로 형성 될 수 도 있 다 . 또한 , 도전 막 상부 에 는 금속 질화물 , 예컨대 텅스텐 질화 막 ( WN ) , 티타늄 질화 막 ( TiN ) , 탄탄 률 질화 막 ( TaN ) 등 이 더 형성 될 수 도 있 다 . 또한 , 텅스텐 실리사이드 층 ( 116 ) 대신 에 다른 금속 실리사이드 층 , 예컨대 티타늄 실리사이드 층 ( TiSi 2 ) , 코발트 실리사이드 층 ( CoSi 2 ) 을 사용 할 수 도 있 다 . 또한 , 보호막 ( 117 ) 으로 는 질화 막 , 예컨대 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 이 사용 될 수 도 있 다 .