도 1 c 에 도시 된 바 와 같이 , 감광막 ( 13 ) 을 제거 한 후 , 두 번 째 게이트 산화 공정 을 진행 하 여 코어 영역 의 반도체 기판 ( 11 ) 상 에 얇 은 두께 의 제 2 게이트 산화 막 ( 14 ) 을 성장 시킨다 . 이때 , I / O 영역 은 제 1 게이트 산화 막 ( 12 ) 하부 에서 추가 로 산화 가 진행 되 어 제 2 게이트 산화 막 ( 14 ) 이 형성 됨 에 따라 I / O 영역 은 제 1 게이트 산화 막 ( 12 ) 과 제 2 게이트 산화 막 ( 14 ) 으로 이루어져 두꺼운 게이트 산화 막 이 형성 된다 .