도 2 j 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 식각 마스크 패턴 ( 22 a ) 및 제 2 식각 마스크 패턴 ( 24 a ) 을 마스크 로 하부 의 제 2 SiON 막 ( 21 d ) , 폴리 실리콘 막 ( 21 c ) , 제 1 SiON 막 ( 21 b ) 및 비정질 탄소막 ( 21 a ) 을 순차 적 으로 식각 한 후 , 제 1 식각 마스크 패턴 ( 22 a ) , 제 2 식각 마스크 패턴 ( 24 a ) , 제 2 SiON 막 ( 21 d ) 및 폴리 실리콘 막 ( 21 c ) 을 제거 한다 .