이때 , 상기 반도체 칩 ( 200 ) 의 재 배선 및 상기 더미 실리콘 웨이퍼 ( 210 ) 의 관통 전극 ( 218 ) 은 구리 ( Cu ) 또는 금 ( Au ) 을 사용 한 도금 공정 으로 형성 되 고 , 상기 더미 실리콘 웨이퍼 ( 210 ) 의 상면 에 는 상기 FPC ( 216 ) 의 면적 보다 넓 은 면적 의 홈 ( H ) 이 형성 되 어 있 으며 , 상기 홈 ( H ) 내 에 는 상기 FPC ( 216 ) 가 접착 부재 ( 209 ) 를 매개 로 부착 된다 .