본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 한 과정 을 통해 가스 센서 ( 10 ) 는 기판 ( 100 ) SiO 2 에 전도 층 ( 200 ) MoS 2 가 형성 되 며 , 전도 층 ( 200 ) 상단 에 Au , Ag , Al 전극 을 증착 할 수 있 다 . 또한 , 가스 센서 의 크기 는 약 1 x 1 cm 2 크기 이 다 . 이 는 본 발명 의 가스 센서 의 성능 을 확인 하 기 위해 예시 적 으로 형성 된 가스 센서 이 고 , 반드시 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 필요 에 의해 변형 될 수 있 다 .