다음 , 도 6 c 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 표시 영역 ( AA ) 에 있 어서 상기 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴 ( 681 a , 681 b ) 외부 로 노출 된 상기 제 2 산화 크롬 물질 층 ( 도 6 b 의 641 ) 과 그 하부 의 제 2 질화 크롬 물질 층 ( 도 6 b 의 638 ) , 크롬 물질 층 ( 도 6 b 의 635 ) , 제 1 질화 크롬 물질 층 ( 도 6 b 의 632 ) 및 제 1 산화 크롬 물질 층 ( 도 6 b 의 629 ) 을 제 1 식각 공정 을 진행 하 여 제거 함 으로써 격자 구조 로써 제 1 산화 크롬 층 ( 630 ) / 제 1 질화 크롬 층 ( 633 ) / 크롬 층 ( 363 ) / 제 2 질화 크롬 층 ( 639 ) / 제 2 산화 크롬 층 ( 642 ) 의 5 중층 구조 를 갖 는 제 1 블랙 매트릭스 ( 650 ) 를 형성 한다 . 이때 비 표시 영역 ( NA ) 에 있 어서 도 5 중층 구조 를 갖 는 제 2 블랙 매트릭스 ( 652 ) 가 형성 되 게 된다 .