따라서 , 본딩 패드 ( 102 ) 들 의 개수 는 많 으면서 반도체 칩 ( 100 ) 의 크기 는 작 은 반도체 칩 ( 100 ) 에 적용 되 는 리드 프레임 ( 110 ) 의 경우 , 전원 및 그라운드 리드 ( 116 , 118 ) 의 개수 를 최소한 으로 줄일 수 밖에 없 다 . 그리고 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 일반 적 으로 전원 및 그라운드 리드 ( 116 , 118 ) 는 리드 프레임 ( 110 ) 의 양쪽 끝 부분 과 중앙 부분 에 만 형성 되 기 때문 에 연결부 ( 130 ) 를 이용 하 여 반도체 칩 ( 100 ) 의 전원 및 그라운드 패드 ( 106 , 108 ) 를 전원 및 그라운드 리드 ( 116 , 118 ) 에 연결 시키 는 데 어려움 이 있 다 . 이 로 인해 상술 한 바 와 같이 반도체 칩 ( 100 ) 에 형성 된 많 은 전원 및 그라운드 패드 ( 106 , 108 ) 들 중 에서 몇 개 의 전원 및 그라운드 패드 ( 106 , 108 ) 들 만 이 전원 및 그라운드 리드 ( 116 , 118 ) 에 연결 된다 .