일 실시 예 에서 , 제 1 스탬 핑 공정 ( S 202 ) 을 통해 , 제 1 절연 층 ( 103 ) 에 제 1 비아 홀 ( H 1 ) 및 재 배선 패턴 ( P 1 ) 을 형성 할 경우 , 제 1 절연 층 ( 103 ) 의 두께 는 종래 의 포토 리소그래피 공정 과 비교 하 였을 때 보다 두 꺼 울 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 1 반도체 패키지 ( 100 a ) 의 내구 성 이 강해질 수 있 다 .