이때 , 상기 제 2 활성 영역 ( 12 b ) 은 선택 적 에피 택 셜 성장 ( SEG ; Selective Epitaxial Growth ) 공정 을 통해 성장 시킨 에피 택 셜 실리콘 층 이 며 , 선택 적 에피 택 셜 성장 ( SEG ) 공정 은 측면 성장 하 는 특성 이 있 으므로 , 상기 제 2 절 연막 패턴 ( 26 ) 에 의해 노출 된 상기 소자 분리 막 ( 14 ) 상 에 도 에피 택 셜 실리콘 층 이 성장 한다 .