상술 한 바 와 같이 본 발명 의 제 2 마스크 공정 에서 는 소스 / 드레 인 도전 패턴 군 을 형성 한 후 , 반도체 채널 부 ( 30 ) 가 형성 되 기 전 에 포토레지스트 패턴 ( 47 A ) 을 스트립 하 므로 반도체 채널 부 ( 30 ) 가 오염 되 지 않 는다 . 또한 본 발명 에서 는 포토레지스트 패턴 ( 47 A ) 을 스트립 한 후 , 소스 / 드레 인 도전 패턴 군 을 이용 한 건 식식 각 으로 반도체 채널 부 ( 30 ) 를 형성 하 므로 소스 / 드레 인 도전 패턴 군 의 외곽 에지 와 오 믹 접촉 층 ( 36 ) 의 외곽 에 지 는 실질 적 으로 동일 한 선 을 따라 일치 한다 .