본 발명 에 기초 하 는 다른 국면 에서 의 패턴 형성 방법 은 , 제 1 최소 치수 를 가지 는 제 1 패턴 과 , 제 2 최소 치수 를 가지 는 제 2 패턴 을 포함 하 는 패턴 형성 방법 으로서 , 레벤 손 형 마스크 를 이용 해서 노광 을 행하 는 제 1 노광 공정 과 , 하프톤 형 마스크 를 이용 해서 노광 을 행하 는 제 2 노광 공정 을 포함 한다 . 상기 제 2 최소 치수 가 상기 제 1 최소 치수 의 1 . 0 배 이상 1 . 1 배 이하 로 되 는 경우 에 , 상기 제 2 노광 공정 의 노광량 이 상기 제 1 노광 공정 의 노광량 보다 도 커 지 도록 행한다 .