다음 으로 , 도 1 b 에 도시 한 바 와 같이 칩 영역 의 절 연막 ( 20 ') 에 복수 의 비 아홀 ( 30 ) 을 형성 하 고 , 더미 영역 의 절 연막 ( 20 ) 에 리세 스 ( recess ) ( 40 ) 를 형성 한다 . 이러 한 비 아홀 ( 30 ) 및 리세 스 ( 40 ) 는 절 연막 ( 20 ) 상 에 감광액 을 도포 하 고 노광 한 다음 사진 식각 하 여 감광액 패턴 을 형성 하 고 , 이 감광액 패턴 을 마스크 로 하 여 식각 공정 을 수행 하 여 형성 할 수 있 다 . 한편 , 각 리세 스 ( 40 ) 영역 은 이후 의 다 이 세 퍼 레이팅 ( die separating ) 공정 에서 스크라이빙 ( scribing ) 되 어 각 칩 으로 분리 된다 .