도 12 a 에 도시 한 트랜지스터 에서 는 산화물 반도체 막 과 산화물 도전 막 의 적층 을 형성 하 고 , 산화물 반도체 막 과 산화물 도전 막 의 적층 을 같 은 포토 리소그래피 공정 으로 형상 을 가공 하 여 섬 형상 의 산화물 반도체 층 ( 743 ) 과 섬 형상 의 산화물 도전 막 을 형성 한다 . 산화물 반도체 층 ( 743 ) 및 산화물 도전 막 위 에 소스 및 드레 인 으로서 기능 하 는 도전 층 ( 745 ) 및 도전 층 ( 746 ) 을 형성 한 후 , 도전 층 ( 745 ) 및 도전 층 ( 746 ) 을 마스크 로 하 여 섬 형상 의 산화물 도전 막 을 에칭 하 여 소스 영역 및 드레 인 영역 으로서 기능 하 는 산화물 도전 층 ( 792 ) 및 산화물 도전 층 ( 794 ) 을 형성 한다 .