도 3 은 본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 메모리 장치 ( 300 ) 를 나타내 는 블록 도 이 다 . 도 3 을 참조 하 면 , 반도체 메모리 장치 는 MRS 레지스 터부 ( 310 ) , 이 퓨즈 마스터 신호 발생 부 ( 320 ) , 로직 신호 발생 부 ( 330 ) , 프리 퓨즈 컷 신호 발생 부 ( 340 ) , 이 퓨즈 부 ( 350 ) 을 구비 하 며 , 결함 구제 회로 ( 360 ) 를 더 구비 할 수 있 다 .