최근 PZT 박막 을 등축 성장 ( epitaxial growth ) 시켜서 분극 의 방향 을 일정 하 게 배향 시켜서 최소 20 nm 크기 의 bit 를 생성 하 여 수십 Gbit / cm 2 정보 를 저장 할 수 있 다고 보 고 되 고 있 다 ( Applied Physics Letters , P . Paruch et al . , Vol 79 , 530 ( 2001 ) ) . 하 지만 PZT 박막 의 등축 성 장시 기판 과 박막 간 의 격자 스트레인 에 의해서 쉽 게 90 ° 도메인 을 포함 하 는 폴리 도메인 이 형성 되 어 비트 형성 에 어려움 이 따르 고 , 원자 스케일 의 낮 은 표면 평탄 도 를 갖 는 박막 을 제조 하 기 위한 공정 이 요구 되 고 , 여전히 정보 저장 유지 시간 에 문제점 을 가지 고 있 다 .