실시 예 에 있 어서 , 마스크 패턴 ( 114 ) , 오 믹 콘 택 패턴 ( 112 ) , 및 활성 패턴 ( 110 ) 은 한 번 의 식각 공정 으로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 식각 공정 은 포토레지스트 패턴 ( 106 ) 을 식각 마스크 로 사용 하 여 하드 마스크 막 ( 104 ) 을 패 터닝 하 여 마스크 패턴 ( 114 ) 을 형성 하 는 것 및 마스크 패턴 ( 114 ) 을 식각 마스크 로 사용 하 여 오 믹 콘 택 막 ( 102 ) 및 반도체 막 ( 100 ) 을 차례 로 패 터닝 하 여 오 믹 콘 택 패턴 ( 112 ) 및 활성 패턴 ( 110 ) 을 형성 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 이때 , 포토레지스트 패턴 ( 106 ) 은 식각 공정 시 제거 되 므로 , 식각 공정 이 완료 된 후 에 는 마스크 패턴 ( 114 ) 의 상면 이 노출 될 수 있 다 . 식각 공정 은 예 를 들 어 , 건식 식각 공정 이 수행 될 수 있 다 .