상기 한 바 와 같 은 목적 을 달성 하 고 종래 의 결점 을 제거 하 기 위한 과제 를 수행 하 는 본 발명 의 목적 은 고분자 레지스 트 의 표면 에 미세 패턴 을 급속 으로 성형 할 수 있 는 임프 린트 리소그래피 장치 에 있 어서 , 내부 에 밀폐 공간 형성 이 가능 한 챔 버 ; 상기 챔버 내부 의 압력 ( 진공 ) 을 조절 할 수 있 는 압력 조절 수단 ; 상기 챔버 내부 하측 에 마련 되 며 , 그 상부 에 가공 대상물 이 위치 되 는 하부 베이스 ; 상기 챔버 내부 상측 에 마련 되 며 그 하부 에 스탬프 가 위치 되 는 상부 베이스 ; 상기 하부 베이스 를 기반 으로 상부 베이스 를 상하 이동 을 하 며 이 를 가이드 해 주 는 역할 을 하 는 슬라이드 가이드 바를 포함 하 는 상부 베이스 수직 이동 수단 ; 하부 베이스 에 일 측 이 고정 되 고 상부 베이스 와 의 상대 적 인 이동 이 가능 하 도록 설치 되 는 가압 수단 ; 냉각수 가 내부 에 순환 되 는 상부 지지 판 및 하부 지지 판 사이 에 설치 되 는 나노 또는 마이크 로 스케일 의 원 하 는 패턴 을 가지 는 금속 스탬프 , 금속 스탬프 의 패턴 이 전사 되 는 고분자 레지스 트 및 고분자 레지스 트 의 하부 에 위치 하 는 금속 스탬프 와 동일 한 크기 및 재질 로 이루어지 는 금속 지지 판 ; 상기 고분자 레지스 트 를 금속 스탬프 와 금속 지지 판재 사이 에 공급 하 는 이송 수단 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 는 임프 린트 리소그래피 장치 를 제공 함 으로서 달성 된다 .