본원 기술 의 일 실시 양태 는 인조잔디 성분 중 에 포함 될 수 있 는 중금속 을 고정 화 하 기 위해 탄 성충 진제 칩 ( Chip ) 이 100 중량 부 기준일 때 에 트린 자 이트 ( Ettringite ) 가 0 . 75 ~ 2 . 0 중량 부 비율 로 공급 되 고 , 인조잔디 중 에 포함 된 유해 성 휘발 성 유기 화합 물질 의 광분해 를 위해 이산화 티타늄 ( TiO 2 ) , 산화아연 ( ZnO ) 중 에서 선택 되 는 광촉매 가 탄 성충 진제 칩 ( Chip ) 100 중량 부 기준일 때 0 . 5 ~ 1 . 0 중량 부 비율 로 공급 되 어 혼합 되 며 , 단 열 효과 를 제공 하 기 위해 경량 기포 세라믹 이 1 . 0 내지 는 5 . 0 중량 부 비율 로 혼합 된 원료 혼합물 을 얻 고 탄 성충 진제 칩 ( Chip ) 표면 에 예 를 들 면 아크릴 계통 또는 폴리에스테르 계통 등 의 수분 산 성 고분자 수지 로 제공 되 는 바인더 로 원료 혼합물 을 고무 탄성체 칩 에 코팅 시켜 인조잔디 충 진재 용 칩 ( chip ) 을 얻 는 제 1 루트 가 적용 되 거나 , 또는 상기 탄 성충 진제 가 고무 칩 이 아닌 열가소성 발포성 형체 등 의 합성수지 에 적용 되 는 경우 상기 기능 성 물질 이 포함 된 원료 혼합물 을 얻 은 후 2 ~ 10 mm 크기 로 분말 화 된 합성수지 탄 성충 진제 와 적정 비율 로 혼합 된 후 150 ~ 190 ℃ 의 온도 영역 에서 교반 하 고 150 ~ 200 ℃ 의 온도 영역 에서 압출 시켜 1 . 5 ~ 4 . 5 mm 크기 로 컷팅 시켜 환경친화 형 인조잔디 충 진재 용 칩 ( chip ) 을 얻 는 제 2 루트 중 하나 가 선택 되 어 적용 되 는 1 단계 공정 이 수행 되 는 과정 을 통하 여 본원 의 목적 을 달성 하 기 위한 중간체 로 제공 될 수 있 다 .