여기 서 , 건식 식각 공정 의 예 를 들 면 , 희생 막 패턴 ( 104 A ) 의 일 측 을 노출 시키 는 별도 의 포토레지스트 패턴 또는 하드 마스크 패턴 을 형성 하 고 , 이 를 식각 장벽 으로 희생 막 패턴 ( 104 A ) 을 등방성 ( isotropic ) 식각 한다 . 그리고 , 습식 식각 공정 의 예 를 들 면 , 불 소계 식각 용액 예컨대 불화 수소 ( HF ) 또는 BOE ( buffered oxide etchant ) 의 식각 용액 으로 희생 막 패턴 ( 104 A ) 을 식각 한다 .