그리고 상술 한 바 와 같이 웨이퍼 ( 50 ) 를 가공 하 는 공정 을 완료 한 후 그 웨이퍼 ( 50 ) 를 정전 척 ( 100 ) 에서 분리 시킬 때 에 는 내부 전극 ( 130 ) 에 공급 되 는 전원 을 차단 한 후 상기 웨이퍼 ( 50 ) 를 분리 시키 는 디 척 킹 작업 을 수행 하 는 것 으로서 , 이때 웨이퍼 ( 50 ) 에 접촉 된 분리 층 ( 140 ) 의 저항 계수 는 플레이트 ( 120 ) 의 저항 계수 보다 높 게 형성 되 어 있 으므로 , 상기 웨이퍼 ( 50 ) 와 접촉 되 는 분리 층 ( 140 ) 표면 에 잔존 하 는 정전기 는 플레이트 ( 120 ) 측 으로 이동 하 게 되 므로 웨이퍼 ( 50 ) 의 디 척 킹 작업 이 원활 하 게 이루어지 는 것 이 다 .