선택 용 트랜지스터 가 형성 된 실리콘 기판 ( 10 ) 상 에 는 , 층간 절 연막 ( 20 ) 이 형성 되 어 있 다 . 층간 절 연막 ( 20 ) 에 는 , X 방향 으로 연장 되 는 복수 의 기입 워드 선 ( 38 ) ( WWL ) 이 매립 되 어 있 다 . 기입 워드 선 ( 38 ) 은 , 도 18 에 나타낸 바 와 같이 , 인접 하 는 2 개 의 기입 워드 선 ( 38 ) ( WWL ) 에 의해 소자 영역 을 사이 에 끼우 도록 배치 되 어 있 다 .