그러나 , 이러 한 수정 공정 은 다음 과 같 은 문제점 이 발생 하 고 있 다 . 예컨대 , 전자 빔 을 이용 하 는 경우 , 전하 차징 ( electron charging ) 으로 인해 정상 패턴 사이 에 노출 된 투명 기판 부분 이 손상 ( damage ) 될 수 있 다 . Ga 이온 을 보조 가스 로 사용 하 는 포커스 이온 빔 ( FIB ; Focused Ion Beam ) 수정 공정 의 경우 , 정상 패턴 사이 에 노출 된 투명 기판 부분 이 변색 되 거나 얼룩 이 지 는 스테인 ( stain ) 현상 이 유발 될 수 있 다 . 이러 한 스테인 현상 으로 인해 포토 마스크 의 투과 율 이 저하 되 고 위상 값 이 변화 될 수 있 다 . 또한 , 이러 한 수정 공정 은 브릿지 된 결함 패턴 영역 을 설정 해야 하 는 번거 로움 이 있 으며 , 설정 시 식각 대상 막 예 를 들 어 , 광차 단막 및 위상 반 전막 이 손상 될 수 있 다 .