메모리 디바이스 들 은 수동 및 / 또는 능동 소자 들 로부터 임의 의 조합 으로 형성 될 수 있 다 . 비 제한 적 예 로서 , 수동 반도체 메모리 소자 는 , 일부 실시 예 에서 는 , 안티 퓨즈 , 상 변화 재료 등 의 저항률 전환 저장 소자 , 및 선택 사항 으로서 는 , 다이오드 등 의 조향 소자 ( steering element ) 를 포함 하 는 ReRAM 디바이스 소자 를 포함 한다 . 또한 , 비 제한 적 예 로서 , 능동 반도체 메모리 소자 는 , 일부 실시 예 에서 는 부동 게이트 , 도전 성 나노 입자 또는 전하 저장 유전체 재료 등 의 전하 영역 을 포함 하 는 소자 들 을 포함 하 는 , EEPROM 및 플래시 메모리 디바이스 소자 를 포함 한다 .