또한 , SiH 3 R 가스 의 공급 을 소정 시간 계속 하 면 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 에 의 Si 의 화학 흡착 이 포화 한다 . 즉 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 에 의 Si 의 화학 흡착 에 는 셀프 리 미트 가 걸린다 . 즉 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 상 에 1 층 의 Si 층 이 형성 되 면 , 더 이상 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 상 에 Si 가 화학 흡착 되 지 않 게 된다 . 그 결과 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 상 에 흡착 되 는 Si 의 양 은 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 전역 에 걸쳐 대략 균일 한 양 이 된다 .