전술 한 바 와 같이 , 메모리 디바이스 의 스택 은 회전 오프셋 된 스택 내 의 각각 의 연속 적 메모리 디바이스 를 포함 할 수 있 다 . 또 다른 실시 형태 에서 , 메모리 디바이스 는 적층 축 에 대해 스 태거 링 되 거나 오프셋 되 어 , 스택 내 의 각각 의 칩 은 스택 내 의 다른 칩 에 대해 오버행 을 생성 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 스택 의 제 2 메모리 디바이스 는 스택 의 제 1 메모리 디바이스 에 대해 스 태거 링 되 거나 오프셋 되 어 , 제 1 메모리 디바이스 의 평면 상 의 출력 부들 을 , 제 2 메모리 디바이스 의 평면 상 의 입력 부 로 전기 접속 하 도록 노출 시킬 수 있 다 . 제 3 메모리 디바이스 는 스택 의 제 2 메모리 디바이스 에 대해 스 태거 링 되 거나 오프셋 되 어 , 제 2 메모리 디바이스 의 평면 상 의 출력 부 를 , 제 3 메모리 디바이스 의 평면 상 의 입력 부 에 전기 접속 하 도록 노출 시킬 수 있 다 .