본 명세서 에 설명 된 방법 ( 1000 ) 및 장치 의 일부 예 는 , 디 지트 라인 을 제 3 전압 으로 구동 한 후 에 , 디 지트 라인 을 제 3 전압 으로부터 제 4 전압 으로 구동 하 기 위해 디 지트 라인 의 제 2 슬루 레이트 를 제어 하 는 것 을 포함 하 는 , 제 2 논리 상태 를 강유 전 성 메모리 셀 에 기록 하 기 위한 동작 , 특징 , 수단 , 또는 명령어 를 더 포함 할 수 있 다 . 본 명세서 에 설명 된 방법 ( 1000 ) 및 장치 의 일부 예 에서 , 제 1 논리 상태 는 제 2 논리 상태 와 동일 할 수 있 다 . 본 명세서 에 설명 된 방법 ( 1000 ) 및 장치 의 일부 예 에서 , 제 1 논리 상태 는 제 2 논리 상태 와 다를 수 있 다 . 본 명세서 에 설명 된 방법 ( 1000 ) 및 장치 의 일부 예 는 , 제 1 논리 상태 를 판독 하 고 제 2 논리 상태 를 기록 하 기 위해 강유 전 성 메모리 셀 과 연관 된 디 지트 라인 을 감지 회로 와 선택 적 으로 결합 하 기 위한 동작 , 특징 , 수단 , 또는 명령어 를 더 포함 할 수 있 다 .