상기 한 다른 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 패턴 형성 방법 은 먼저 , 비정질 탄소 로 이루어진 패턴 이 형성 된 기판 을 마련 한다 . 상기 비정질 탄소 패턴 상 에 식각 저지 막 을 형성 한다 . 상기 식각 저지 막 이 형성 된 비정질 탄소 패턴 상 에 균일 한 두께 를 갖 는 유기 반사 방지 막 을 형성 한다 . 상기 유기 반사 방지 막 이 형성 된 기판 상 에 제 1 포토레지스트 패턴 을 형성 한다 . 상기 제 1 포토레지스트 패턴 에 결함 이 발생 될 경우 상기 제 1 포토레지스트 패턴 이 형성 된 기판 의 전면 노광 한다 . 상기 전면 노광 된 포토레지스트 패턴 을 100 내지 130 ℃ 에서 베이 킹 처리 한다 . 현상 공정 을 수행 하 여 상기 베이 킹 처리 된 제 1 포토레지스트 패턴 을 유기 반사 방지 막 의 손상 없이 제거 한다 . 상기 유기 반사 방지 막 상 에 제 2 포토레지스트 패턴 을 형성 한다 . 이어서 , 상기 제 2 포토레지스트 패턴 을 식각 마스크 로 이용 하 여 상기 식각 대상 막 을 패 터닝 한다 . 그 결과 유기 반사 방지 막 및 비정질 탄소 패턴 의 손상 을 초래 하 지 않 고 식각 대상 막 패턴 을 형성 할 수 있 다 .