다음 에 도 2 i 를 참조 하 면 , 산화 막 ( 218 ) 을 식각 배리 어막 으로 한 제 2 식각 공정 을 진행 하 여 상기 제 1 트렌치 ( 214 ) 하 단부 에 구형 의 제 2 트렌치 ( 220 ) 를 형성 하 여 , 제 1 트렌치 ( 214 ) 및 제 2 트렌치 ( 220 ) 로 이루어지 는 벌브 타입 의 리세 스 채널 용 트 렌치 ( 222 ) 를 형성 한다 . 여기 서 제 2 트렌치 ( 220 ) 는 제 1 트렌치 ( 214 ) 의 바닥 으로부터 600 - 1000 Å 깊이 로 형성 한다 . 이때 , 제 2 식각 공정 은 모든 방향 으로 똑같 은 속도 로 식각 되 어 식각 후 곡면 을 가지 는 등방성 식각 ( isotropic etch ) 으로 진행 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 등방성 식각 을 진행 하 는 동안 , 산화 막 ( 218 ) 이 식각 배리 어막 역할 을 하 여 벌브 타입 의 리세 스 채널 용 트렌치 ( 222 ) 측면 이 과도 하 게 식각 됨 으로써 발생 할 수 있 는 반도체 기판 ( 200 ) 의 손상 을 방지 할 수 있 다 . 다음 에 세정 공정 을 진행 하 여 상기 벌브 타입 의 리세 스 채널 용 트렌치 ( 222 ) 상 에 남 아 있 는 잔류 산화 막 ( 218 ) 을 제거 한다 .