이 와 같이 패턴 크기 가 작 아 짐 에 따라 패턴 해상력 을 제어 하 기 위해 에너지 에 민감 한 감광막 패턴 의 두께 는 감소 되 어야 한다 . 그러나 , 감광막 패턴 의 두께 가 얇 아 지 게 되 면 감광막 패턴 보다 두꺼운 하부 재료 층 이 식각 되 기 이전 에 식각 용액 등 에 의해 감광막 패턴 이 먼저 제거 되 어 하부 재료 층 패턴 을 형성 할 수 없 게 된다 . 따라서 , 패턴 형성 을 위한 식각 공정 시 공정 마진 을 확보 하 기 위해 감광막 패턴 이외 에 질화 막 등 의 하드 마스크 막 ( hard mask film ) 를 하부 재료 층 상부 에 추가 적 으로 형성 한다 .