NAND 어레이 아키텍처 내 의 메모리 셀 이 요구 되 는 상태 로 프로그래밍 될 수 있 다 . 즉 , 메모리 셀 이 , 저장 된 다수 의 상태 가 되 도록 전기 전하 가 메모리 셀 의 부동 게이트 상 에 놓이 거나 , 메모리 셀 의 부동 게이트 로부터 제거 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 단일 레벨 셀 ( SLC ) 이 , 예 를 들 어 , 2 진 상태 ( 가령 , 1 또는 0 ) 와 같 은 두 자릿수 를 나타낼 수 있 다 . 플래시 메모리 셀 은 또한 , 2 자릿수 이상 의 상태 ( 가령 , 1111 , 0111 , 0011 , 1011 , 1001 , 0001 , 0101 , 1101 , 1 100 , 0100 , 0000 , 1000 , 1010 , 0010 , 0110 , 및 1110 ) 를 저장 할 수 있 다 . 이러 한 셀 이 다중 상태 메모리 셀 , 다중 자릿수 ( multidigit ) 셀 , 또는 다중 레벨 셀 ( MLC ) 이 라 언급 될 수 있 다 . MLC 는 , 각각 의 셀 이 한 자릿수 ( 가령 , 비트 ) 를 초과 하 는 자릿수 를 나타낼 수 있 기 때문 에 메모리 셀 의 개수 를 증가 시키 지 않 고 도 더 높 은 밀도 의 메모리 제작 을 가능 하 게 할 수 있 다 . MLC 는 두 개 이상 의 프로그래밍 된 상태 를 가질 수 있 다 ( 가령 , 네 자릿수 를 나타낼 수 있 는 하나 의 셀 은 16 개 의 프로그래밍 된 상태 를 가질 수 있 음 ) . 일부 MLC 에 있 어서 , 16 개 의 프로그래밍 된 상태 중 하나 가 소거 상태 ( erased state ) 일 수 있 다 . 이러 한 MLC 에 있 어서 , 최 하위 ( lowermost ) 프로그램 상태 가 소거 상태 위 에 프로그래밍 되 지 않 는데 , 즉 , 셀 이 최 하위 상태 로 프로그래밍 되 지 않 는 경우 , " 상기 셀 은 프로그래밍 동작 동안 셀 에 가해 지 는 전하 를 갖 기 보다 는 소거 상태 로 남 아 있 다 . 그 밖 의 다른 15 개 의 상태 가 "" 비 - 소거 "" 상태 로서 언급 될 수 있 다 . "