다른 실시 예 에서 , 도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 각 화소 ( PX ) 는 구동 트랜지스터 ( TDR ) 가 NMOS 트랜지스터 로 구현 된 HOP 화소 ( PX 2 ) 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 각 화소 ( PX 2 ) 는 구동 전류 를 생성 하 는 구동 트랜지스터 ( TDR ) , 제 3 스캔 신호 ( SS 3 ) 에 응답 하 여 저장 커패시터 ( CST ) 에 데이터 신호 ( DS ) 를 전달 하 는 제 1 스위칭 트랜지스터 ( TSW 1 ) , 제 1 스위칭 트랜지스터 ( TSW 1 ) 를 통하 여 전달 된 데이터 신호 ( DS ) 를 저장 하 는 저장 커패시터 ( CST ) , 제 4 스캔 신호 ( SS 4 ) 에 응답 하 여 초기 화 라인 ( IL ) ( 또는 센싱 라인 ( SL ) ) 에 저장 커패시터 ( CST ) 및 구동 트랜지스터 ( TDR ) 를 연결 하 는 제 2 스위칭 트랜지스터 ( TSW 2 ) , 발광 제어 신호 ( SEM ) 에 응답 하 여 고 전원 전압 ( ELVDD ) 의 라인 을 구동 트랜지스터 ( TDR ) 에 연결 하 는 발광 제어 트랜지스터 ( TEM ) , 및 고 전원 전압 ( ELVDD ) 의 라인 으로부터 저 전원 전압 ( ELVSS ) 의 라인 으로 의 상기 구동 전류 에 기초 하 여 발광 하 는 유기 발광 다이오드 ( EL ) 를 포함 할 수 있 다 .