집 적 회로 , 전력 반도체 ( power semiconductor ) , 발광 다이오드 , 광자 회로 ( photonic circuit ) , 마이크 로 전자 기계 시스템 ( MEMS : microelectromechanical system ) , 내장 형 수동 어레이 ( embedded passive array ) , 패 키 징 인터 포저 ( packaging interposer ) , 및 그 밖 의 다른 실리콘 계 및 화합물 반 도 체계 마이크 로 소자 가 집합 적 으로 지름 이 1 - 12 인치 인 웨이퍼 기판 상 에서 어레이 로 생산 된다 . 그 후 , 상기 소자 는 개별 소자 또는 다이 로 분리 되 며 , 상기 개별 소자 또는 다 이 는 패 키 징 되 어 , 가령 , 인쇄 배선 기판 과 의 인터 커넥션 에 의해 , 거시 적 환경 과 의 실제 인터 페이 싱 을 가능 하 게 한다 . 여전히 웨이퍼 어레이 의 일부분 이 면서 다 이 상 에 또는 다 이 부근 에 소자 패키지 를 구성 하 는 것 이 점점 더 대중 이 되 고 있 다 . 이러 한 실시 는 , 웨이퍼 - 레벨 패 키 징 이 라고 일컬 어 지 며 , 전체 패 키 징 비용 을 낮추 며 , 일반 적 으로 실제 소자 보다 수 배 더 큰 외부 치수 를 갖 는 종래 패키지 를 이용 하 는 경우 보다 , 소자 와 그 마이크 로 전자 환경 사이 에 더 높 은 인터 커넥션 밀도 가 얻 어 지 게 한다 .