다음 , 상기 포토레지스트 층 ( 180 ) 이 형성 된 기판 ( 110 ) 의 상부 에 빛 의 투과 영역 ( TA ) 과 차단 영역 ( BA ) 그리고 , 슬릿 형태 로 구성 되 어 통과 하 는 빛 량 을 조절 할 수 있 는 반투 과 영역 ( HTA ) ( 슬릿 타입 ) 또는 투과 되 는 빛 을 흡수 하 는 다층 의 유기 막 을 코팅 한 반투 과 영역 ( HTA ) ( 하프 톤 타입 ) 으로 구성 된 마스크 ( 191 ) 를 위치 시킨 후 , 상기 포토레지스트 층 ( 181 ) 에 상기 마스크 ( 191 ) 를 통한 노광 을 실시 한다 . 이 는 상기 반투 과 영역 ( HTA ) 이 구비 된 마스크 ( 191 ) 를 이용 함 으로써 상기 포토레지스트 층 ( 미 도시 ) 에 조사 되 는 광량 을 조절 하 는 회절 노광 기법 또는 하프 톤 기법 을 적용 하 여 두께 를 달리 하 는 포토레지스트 패턴 ( 미 도시 ) 을 형성 하 기 위함 이 다 . ( 제 4 마스크 공정 )