이러 한 공정 을 통하 여 더블 게이트 구조 의 트랜지스터 를 제조 함 으로써 트랜지스터 의 누설 전류 특성 을 향상 시킬 수 있 음 은 물론 , 하나 의 게이트 가 다른 하나 의 게이트 를 감싸 는 구조 를 갖 기 때문 에 트랜지스터 의 형성 면적 을 감소 시킬 수 있 다 . 특히 , 액티브 상태 에서 는 하나 의 게이트 를 항상 턴 온 상태 로 두어 트랜지스터 의 고속 동작 을 가능 하 게 한다 .