도 2 f 를 참조 하 면 , 제 2 절 연막 ( 212 ) 을 포함 한 반도체 기판 ( 200 ) 의 상부 에 소자 분리 막 용 제 3 절 연막 ( 214 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상술 한 바 와 같이 제 1 및 제 2 식각 공정 을 실시 하 여 트렌치 ( 207 ) 의 상부 폭 이 넓 어 졌으므로 제 3 절 연막 ( 214 ) 의 형성 공정 을 용이 하 게 수행 할 수 있 다 . 이때 , 제 3 절 연막 ( 214 ) 은 HDP 막 또는 O 3 - TEOS 막 으로 형성 할 수 있 다 .