유용 한 2 단자 메모리 셀 들 의 설명 은 본 명세서 에 참조 로 포함 되 어 있 는 , ( i ) Pirovano et al . ," "" Electronic Switching in Phase - Change Memories "," IEEE Transactions on Electronic Devices , Vol . 51 , No . 3 , March 2003 ; ( ii ) Baek et al . , Multi - layer Cross - point Binary Oxide Resistive Memory ( OxRRAM ) for Post - NAND Storage Application "," IEEE International Electron Devices Meeting , 2005 ; ( iii ) Baek et al . , Highly Scalable Non - volatile Resistive Memory using Simple Binary Oxide Driven by Asymmetric Unipolar Voltage Pulses "," IEEE International Electron Devices Meeting , 2004 ; and ( iv ) Hwang et al . , Writing Current Reduction for High - Density Phase - Change RAM "," IEEE International Electron Devices Meeting , 2003 에 제공 되 어 있 다 . 추가 상세 들 이 본 명세서 에 참조 로 포함 되 어 있 는 Tsuchida 의 미국 특허 6 , 891 , 748 에 제공 되 어 있 다 .