또한 , 리 세스 게이트 공정 에 있 어서 리세 스와 게이트 패턴 의 정렬 도 확보 는 매우 중요 한 문제 이 다 . 그러나 , " 소자 의 고집 적 화 에 따른 패턴 의 미세 화 경향 으로 리세 스 마스크 와 게이트 마스크 를 정확히 정렬 시키 기 어렵 기 때문 에 게이트 패턴 과 리세 스 간 오 정렬 ( misalign ) 이 발생 한다 ( 도 2 의 "" B "" 참조 ) . 이러 한 오 정렬 에 의해 드러난 리세 스 측벽 의 게이트 절 연막 의 손상 은 트랜지스터 의 신뢰 성 을 약화 시키 는 문제점 이 있 다 . 또한 ", 이러 한 오 정렬 은 랜딩 플러그 콘 택 ( landing plug contact ) 공정 등 후속 공정 을 어렵 게 만드 는 원인 이 된다 .