배리스터 층 ( 81 내지 84 ) 은 직사각 형 얇 은 판자 형 으로 형성 되 어 있 고 , 입력단 자 전극 ( 3 ) 이 형성 되 는 가장자리 부 로부터 시계 방향 으로 가장 자리 부 ( 8 a , 8 b , 8 c , 8 d ) 를 갖 고 있 다 . 배리스터 층 ( 81 내지 84 ) 은 ZnO 를 주성분 으로 하 는 세라믹 재료 로 구성 되 어 있 다 .