본 발명 은 유체 공급 배관 용 열 차 단장 치 에 관한 것 으로서 , 반도체 칩 제조 공정 중 화학 기상 증착 법 ( CVD ) 을 이용 한 증착 용 화학 물질 을 공급 하 는 공급 탱크 ( bulk tank ) ;( 1 ) 와 , 이 공급 탱크 ( 1 ) 로부터 화학 물질 을 공급 받 아 반도체 칩 제조 공정 장치 에 직접 공급 하 는 공정 탱크 ( process tank ) ;( 2 ) 로 이루어지 는 것 에 있 어서 , 상기 공급 탱크 ( 1 ) 와 공정 탱크 ( 2 ) 사이 에 열전도 를 차단 시키 는 단 열 관 ( 30 ) 을 삽입 시켜 상기 공급 탱크 ( 1 ) 의 교체 전 에 공급 탱크 의 배출 배관 ( 10 ) 에 남 아 있 는 잔여 맹독 성 화학 물질 을 고열 의 가열 방식 으로 제거 하 는 과정 에서 발생 한 고열 이 공정 탱크 ( 2 ) 에 전도 되 지 않 고 차단 되 도록 한 것 이 다 .