도 1 내지 도 3 에서 설명 한 메모리 셀 을 갖 는 상 변화 메모리 장치 는 읽 기 동작 시 에 외부 에서 전원 전압 ( VCC ) 을 입력 받 아 비트 라인 ( BL ) 을 프리 차지 하 거나 비트 라인 ( BL ) 에 읽 기 전류 를 공급 한다 . 일반 적 으로 상 변화 메모리 장치 는 읽 기 동작 을 수행 하 기 위해 프리 차지 회로 , 바이어스 회로 , 센스 앰프 를 포함 한다 . 프리 차지 회로 는 전원 전압 ( VCC ) 을 사용 하 여 비트 라인 ( BL ) 을 프리 차지 한다 . 바이어스 회로 는 전원 전압 ( VCC ) 을 사용 하 여 비트 라인 ( BL ) 에 읽 기 전류 를 공급 한다 . 센스 앰프 는 전원 전압 ( VCC ) 을 사용 하 여 센싱 노드 의 전압 과 기준 전압 을 비교 하 고 , 메모리 셀 에 저장 된 데이터 를 읽 어 낸다 .