먼저 , 도 5 a 에 도시 한 바 와 같이 , 기판 ( 41 ) 상 에 제 1 마스크 를 이용 하 여 TFT 영역 ( 91 ) 에 게이트 라인 ( 43 ) 을 형성 하 고 , 게이트 패드 영역 ( 95 ) 에 상기 게이트 라인 ( 43 ) 으로부터 연장 된 게이트 패드 ( 46 ) 를 형성 한다 . 상기 게이트 라인 ( 43 ) 은 몰리브덴 ( Mo ) , 알루미늄 네 오 듐 ( AlNd ) , 크롬 ( Cr ) , 코발트 ( Co ) , 탄 탈륨 ( Ta ) , 티탄 늄 ( Ti ) , 텅스텐 ( W ) 등 으로 이루어질 수 있 다 .