이러 한 문제 를 해결 하 기 위하 여 , 피식 각층 과 포토레지스트 의 사이 에 비정질 탄소막 ( amourphous carbon ) 및 얇 은 두께 ( 예 를 들 어 , 400 Å 이하 ) 의 SiON 막 이 적층 된 하드 마스크 를 형성 한 후 , 포토레지스트 를 이용 하 여서는 SiON 막 만 을 식각 하 고 식각 된 SiON 막 을 식각 베리어 로 비정질 탄소막 을 식각 하 고 있 다 . 이때 , SiON 막 과 비정질 탄소막 간 의 식각 선택 비 가 우수 하 기 때문 에 충분 한 식각 마진 확보 가 가능 하 다 . 그러나 , 이러 한 방법 에서 비정질 탄소막 및 SiON 막 은 CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 방식 에 의해 증착 되 기 때문 에 공정 비용 이 증가 하 는 문제점 이 있 다 .