집 적 회로 ( 100 ) 는 기판 의 제 1 표면 ( 104 ) 상 에 형성 된 상부 BEOL 부분 ( 110 ) 을 포함 한다 . 상부 BEOL 부분 ( 110 ) 은 구리 , 알루미늄 및 이 들 의 합금 과 같 은 전기 도전 성 물질 로 형성 된 임의 의 수 의 금속 배선 층 ( 예컨대 , M 1 , M 2 , M 3 등 ) 을 포함 할 수 있 다 . 이 들 금속 배선 층 은 전기 절연 층 에 의해 서로 분리 된다 . 이러 한 층 을 위한 예시 적 인 재료 로 는 실리콘 옥사이드 ( SiO 2 ) , 실리콘 나이트 라이드 ( SiN ) 및 실리콘 옥시 나이트 라이드 ( SiOxNx ) 를 들 수 있 다 . 도전 성 비아 구조 는 다양 한 금속 배선 층 들 사이 에서 반도체 소자 들 을 연결 하 는 데 사용 될 수 있 다 . 이 들 비아 구조 는 , 예 를 들 어 텅스텐 또는 구리 로 형성 될 수 있 다 .