이러 한 박막 트랜지스터 ( 210 ) 는 비정질 실리콘 , 다 결정 실리콘 또는 유기 반도체 물질 을 포함 하 는 반도체 층 ( 211 ) , 게이트 전극 ( 213 ) , 소스 전극 ( 215 ) 및 드레 인 전극 ( 217 ) 을 포함 한다 . 기판 ( 100 ) 상 에 는 기판 ( 100 ) 의 면 을 평탄 화 하 기 위해 또는 반도체 층 ( 211 ) 으로 불순물 등 이 침투 하 는 것 을 방지 하 기 위해 , 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트 라이드 등 으로 형성 된 버퍼 층 ( 110 ) 이 배치 되 고 , 이 버퍼 층 ( 110 ) 상 에 반도체 층 ( 211 ) 이 위치 하 도록 할 수 있 다 .