제 1 시뮬레이션 에서 는 제 3 실시 예 에 관하 여 , 팽창 막 ( 11 ) 의 두께 와 온 전류 증가 율 과 의 관계 를 계산 했 다 . 그 결과 를 도 13 에 나타낸다 . 또한 , 온 전류 ( on - current ) 의 증가 율 은 팽창 막 ( 11 ) 을 설치 하 지 않 은 경우 의 온 전류 를 기준 으로 한 값 이 다 . 도 13 으로부터 , 팽창 막 ( 11 ) 이 두터운 반도체 장치 만큼 , 온 전류 의 증가 율 이 높 아 진다고 할 수 있 다 .