또 , 본 발명 에 있 어서 는 , 상기 도통 로 의 양단 이 상기 절연성 기재 의 양면 으로부터 돌출 되 어 있 는 경우 , 그 돌출 된 부분 ( 도 1 의 ( B ) 에서 는 부호 4 a 및 4 b 로 나타내 는 부분 . 이하 , 「 범프 」 라고 도 한다 ) 의 높이 는 5 ∼ 500 ㎚ 인 것 이 바람직 하 고 , 10 ∼ 200 ㎚ 인 것 이 보다 바람직 하 다 . 범프 의 높이 가 이 범위 이 면 , 전자 부품 의 전극 ( 패드 ) 부분 과 의 접합 성 이 향상 된다 .