GaAs 계 등 의 화합물 반도체 디바이스 에서 는 , 헤테로 접합 을 이용 하 여 각종 고기능 전자 디바이스 가 개발 되 고 있 다 . 고기능 전자 디바이스 에서 는 , 결정 성 의 양부 가 디바이스 특성 을 좌우 하 기 때문 에 , 양질 의 결정 박막 이 요구 되 고 있 다 . GaAs 계 디바이스 의 박막 결정 성장 에서 는 , 헤테로 계면 에서 의 격자 정합 등 의 요청 으로부터 , 기판 으로서 GaAs 또는 GaAs 와 격자 정수 가 매우 가까운 Ge 등 이 선택 된다 .