도 4 는 본 발명 에서 인버터 부 및 주파수 제 어부 의 구성 을 보인 회로도 이 다 . 이 를 참조 하 면 , 인버터 부 ( 16 ) 는 반 브리지 ( Half Bridge ) 구조 를 가지 며 , 주파수 제 어부 ( 18 ) 에서 발생 되 는 스위칭 주파수 에 의해 상호 180 도 의 위상차 로 스위칭 되 는 한 쌍 의 스위칭 소자 ( Q 11 , Q 12 ) 를 포함 하 여 구성 된다 . 바람직 하 게 , 한 쌍 의 스위칭 소자 ( Q 11 , Q 12 ) 는 MOSFET 이 다 . 각각 의 MOSFET ( Q 11 , Q 12 ) 에 는 직류 분압 을 위해 병렬 로 커패시터 ( C 14 , C 15 ) 가 접속 된다 . 또한 , 각각 의 MOSFET ( Q 11 , Q 12 ) 내부 에 는 영 전압 스위칭 ( Zero Voltage Switching ) 을 위해 , 역방향 다이오드 ( Body Diode ) 가 설치 된다 . 이 역방향 다이오드 ( Body Diode ) 는 후술 되 는 고전압 발생 부 ( 22 ) 의 공진 인 덕 터 ( L 5 ) 에 흐르 는 전류 에 의해 턴 온 되 어 각 MOSFET ( Q 11 , Q 12 ) 이 턴 온 될 때 발생 할 수 있 는 스위칭 손실 을 없애 는 역할 을 한다 . MOSFET 는 고전 류 에 매우 취약 한 특성 을 가지 며 , 인버터 부 ( 16 ) 의 MOSFET ( Q 11 , Q 12 ) 중 어느 하나 에 이상 이 발생 될 경우 , 본 발명 의 구동 장치 는 치명 적 인 고장 이 발생 될 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 에서 는 각각 의 MOSFET ( Q 11 , Q 12 ) 를 이상 전류 로부터 보호 하 기 위하 여 , 도시 된 바 와 같이 MOSFET ( Q 11 , Q 12 ) 각각 의 게이트 단자 와 소스 단자 사이 에 보호 저항 ( R 27 , R 28 ) 을 설치 한다 .