상기 에 있 어서 , 기록 회로 ( 211 ) 와 복수 의 메모리 셀 ( 202 ) 각각 을 전기 적 으로 접속 하 는 제 2 신호선 ( 222 ) 은 , 복수 의 메모리 셀 ( 202 ) 이 각각 갖 는 산화물 반도체 를 사용 한 트랜지스터 ( 도시 하 지 않 음 ) 의 소스 또는 드레 인 의 다른 쪽 에 전기 적 으로 접속 되 어 있 는 구성 으로 할 수 있 다 .