도 2 h 를 참조 하 면 , 상기 하드 마스크 막 ( 216 ) , 비 도핑 된 제 2 폴리 실리콘 막 ( 214 ) , 텅스텐 실리사이드 막 ( 212 ) , N 형 및 P 형 폴리 실리콘 막 ( 206 , 210 ) 및 게이트 절 연막 ( 202 ) 을 식각 하 여 , NMOS 영역 에 N 형 폴리 실리콘 막 ( 206 ) 을 포함 한 게이트 ( 218 a ) 를 형성 함 과 아울러 PMOS 영역 에 P 형 폴리 실리콘 막 ( 210 ) 을 포함 한 게이트 ( 218 b ) 을 형성 한다 .