이 어 , 상기 버퍼 층 ( 405 ) 상 에 제 1 도전 층 을 적층 한다 . 제 1 도전 층 은 알루미늄 ( Al ) , 알루미늄 합금 ( Al alloy ) , 몰리브덴 ( Mo ) , 몰리브덴 합금 ( Mo alloy ) , 텅스텐 ( W ) , 텅스텐 실리사이드 ( WSi 2 ) 로 이루어진 군 에서 선택 되 는 하나 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 그런 다음 , 제 1 도전 층 을 패 터닝 하 여 , 게이트 전극 ( 410 ) 을 형성 한다 .