한편 , 본 발명 에 이용 되 는 교류 자기장 을 이용 한 비정질 실리콘 의 결정 화 의 원리 에 대해 설명 하 면 , 결정 화 의 주요 에너지원 은 열 이 고 , 교류 자기장 은 보조 역할 을 하 게 된다 . 이때 , 교류 자기장 에 의해 순수 비정질 실리콘 층 내부 에 전류 가 유도 되 고 이러 한 유도 된 내부 전류 에 의해 줄 ( joule ) 열 을 발생 시켜 결정화 를 더욱 가속 시키 게 되 며 , 상기 교류 자기장 에 의해 원자 를 이동 시키 는 힘 을 가하 여 결정화 를 촉진 시키 게 되 는 것 이 다 .