수소 플라 즈 마 , 불소 플 라즈 마 등 에 의하 여 , 수소 라디칼 , 불소 라디칼 이 플 라즈 마 중 에 생성 된다 . 수소 라디칼 은 비정질 반도체 막 과 반응 하 여 비정질 반도체 막 을 부분 적 으로 결정 화 시킴 과 함께 , 비정질 반도체 성분 을 에칭 한다 . 불소 라디칼 은 반도체 막 의 비정질 반도체 성분 을 에칭 한다 . 따라서 , 반도체 막 ( 42 ) 이 미결정 반도체 막인 경우 , 막 에 함유 되 는 결정립 은 작 기 때문 에 , 그 사이 를 충전 하 는 비정질 반도체 성분 을 에칭 함 으로써 , 결정 성 이 높 은 결정핵 을 밀도 높 게 잔존 시킬 수 있 다 . 또한 , 피막 위 에 형성 되 는 반도체 막 이 비정질 반도체 막인 경우 는 , 비정질 반도체 성분 을 에칭 함 과 함께 , 부분 적 으로 결정 화 하 여 미세 한 결정핵 을 밀도 높 게 형성 할 수 있 다 . 따라서 , 피막 과 의 계면 에 있 어서 의 비정질 반도체 성분 도 플 라즈 마 에 의하 여 에칭 되 기 때문 에 , 피막 위 에 는 결정 성 이 높 은 결정핵 을 밀도 높 게 형성 할 수 있 다 .