상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 반도체 집 적 회로 장치 의 제조 방법 은 제 1 배향 의 하부 기판 및 제 2 배향 의 상부 기판 을 포함 하 는 반도체 기판 을 형성 하 고 , 상기 반도체 기판 에 다 수개 의 소자 분리 영역 을 형성 하 여 상기 다 수개 의 소자 분리 영역 에 의해 분리 된 다 수개 의 활성 영역 을 정의 하 고 , 상기 다 수개 의 활성 영역 중 일부 만 오픈 하 는 마스크 패턴 을 형성 하 고 , 상기 마스크 패턴 에 의해 오픈 된 활성 영역 에 이온 주입 공정 을 진행 하 여 상기 오픈 된 활성 영역 에 비정질 영역 을 형성 하 되 상기 비정질 영역 의 깊이 는 상기 상부 기판 의 깊이 보다 깊 게 형성 하 고 , 상기 비정질 영역 에 레이저 를 조사 하 여 상기 비정질 영역 을 녹여 재결정 하 되 상기 재결정 영역 은 상기 하부 기판 과 같 은 배향 을 갖 도록 하 고 , 상기 마스크 패턴 을 제거 하 고 , 상기 반도체 기판 의 상면 일부 를 평탄 화 하 는 것 을 포함 한다 .