도 2 를 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 박막 형성 방법 은 ALD 공정 ( S 210 ) 및 CVD 공정 ( S 220 ) 으로 나누 어 순차 적 으로 진행 할 수 있 다 . 상기 ALD 공정 ( S 210 ) 의 진행 을 위해 , 반도체 기판 을 ALD 반응 챔버 에 장착 할 수 있 다 . ( S 211 ) 상기 반도체 기판 은 실리콘 웨이퍼 에 소정 의 기능 소자 들 이 형성 되 어 있 는 것 일 수 있 다 . 상기 ALD 반응 챔버 에 H 2 가스 및 Ar 가스 를 공급 하 여 퍼징 ( purging ) 을 수행 할 수 있 다 . ( 도시 되 지 않 음 ) 이 경우 , 상기 반도체 기판 을 가열 하 여 200 ℃ 내지 700 ℃ 로 유지 할 수 있 다 .