한편 박막 트랜지스터 의 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 170 ) , 그리고 이 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 170 ) 과 동시 에 형성 되 는 배선 등 의 저항 을 낮추 기 위하 여 , 박막 트랜지스터 의 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 170 ) 의 다층 에 는 Al 층 ( 171 ) 이 포함 되 도록 할 수 있 다 . 그러나 이러 한 Al 층 ( 171 ) 은 저항 이 낮 고 전기 전도도 가 높 다는 장점 이 있 으나 후속 공정 에 있 어서 쉽 게 손상 된다는 문제점 이 있 다 . 그러므로 도 2 에 도시 된 것 과 같이 Al 층 ( 171 ) 을 덮 는 Ti 층 또는 Mo 층 ( 172 ) 이 구비 되 도록 하 는 것 이 바람직 하 다 . 물론 이러 한 Al 층 또는 Mo 층 ( 172 ) 은 ITO 층 ( 173 ) 에 의해 덮여 있 으므로 후속 공정 에 있 어서 손상 되 지 않 으며 문제 를 야기 하 지 않 게 된다 . 결과 적 으로 본 실시 예 에 따른 박막 트랜지스터 의 소스 전극 과 드레 인 전극 ( 170 ) 의 차 상부 층 은 티타늄 또는 몰리브덴 으로 형성 된 층 ( 172 ) 이 고 , 차 상부 층 ( 172 ) 의 하부 층 ( 173 ) 은 알루미늄 으로 형성 된 층 인 것 으로 할 수 있 다 .