NAND 형 EEPROM 에서 는 데이터 의 소거 , 즉 , 부유 게이트 ( 14 ) 에 대한 전하 주입 , 또는 부유 게이트 ( 14 ) 로부터 의 전하 방출 에 터널 절 연막 ( 13 ) 을 통한 터널 전류 를 이용 한다 . NOR 형 플래시 메모리 에 있 어서 도 , 데이터 의 소거 시 에 , 단 채널 효과 의 영향 을 받 기 어렵 게 하 기 위해 , 상기 터널 전류 를 이용 하 는 경우 가 있 다 .