본 발명 은 반도체 메모리 장치 의 비트 라인 센스 앰프 를 연결 하 기 위한 연결 용 모스 트랜지스터 를 센스 앰프 부의 내 에서 제거 하 고 , 셀 어레이 에 배치 하 는 것 이 특징 이 다 . 특히 셀 어레이 영역 에서 더미 영역 을 활용 함 으로서 , 회로 면적 의 증가 는 이루어지 지 않 게 되 지만 , 연결부 의 저항 값 을 줄일 수 있 다 . 또한 , 셀 어레이 에 배치 된 연결부 의 모스 트랜지스터 의 벌크 바이어스 전압 을 제어 하 여 턴 오프 전류 를 줄일 수 있 다 .