본 발명 의 그 밖 의 중요 한 특징 은 본 발명 의 내부 인 젝 터 를 통해 개스 가 운반 될 때 성장 챔버 내 로 분배 되 기 이전 에 개스 가열 이 가능 하 다는 점 이 다 . 전 구체 개스 의 가열 은 이 개스 가 의도 하 는 성장 기판 에 놓이 기 이전 의 조기 반응 을 방지 하 는 데 유리 하 다 . 조기 반응 은 , 예컨대 , 성장 중 인 에피 택 셜 층 의 품질 저하 를 가져 고고 , 유용 한 시약 ( reagent ) 개스 등 을 소비 할 수 있 음 은 알려져 있 다 . 예컨대 , GaN 의 경우 , HVPE 공정 에 의한 성장 에서 , GaCl ( 또는 GaCl 3 ) 및 NH 3 는 저온 에서 GaN 으로 의 전환 에 저항력 있 는 착체 ( complex ) 를 형성 할 수 있 다 . 내부 인 젝 터 는 성장 챔버 내 에서 고온 에 노출 되 어야 하 기 때문 에 , 상기 내부 인 젝 터 를 흐르 는 개스 는 통상 필연 적 으로 일정 온도 로 가열 될 것 이 다 . 하지만 , 많 은 실시 예 에서 , 본 발명 의 내부 인 젝 터 를 흐르 는 개스 의 가열 을 촉진 하 는 특별 한 특징 을 포함 하 는 것 이 바람직 하 다 .