임프 린트 장치 ( 100 ) 에서 는 , 기판 ( 2 ) 에 형성 된 샷 영역 의 위치 에 따라 , 임프 린트 처리 동안 임프 린트 헤드 ( 4 ) 에 부여 되 는 가스 압 이 상이 한 것 을 알 고 있 다 . 일반 적 으로 , 기판 ( 2 ) 의 중앙 영역 에 위치 되 는 샷 영역 에서 는 , 몰드 ( 1 ) 와 기판 ( 2 ) 사이 의 거리 는 일정 하 고 , 따라서 임프 린트 처리 에서 임프 린트 헤드 ( 4 ) 는 몰드 ( 1 ) 와 기판 ( 2 ) 사이 에 갇힌 가스 에 의해 유발 되 는 가스 압 을 받 는다 . 한편 , 기판 ( 2 ) 의 주변 영역 에 위치 되 는 샷 영역 에서 는 , 기판 척 ( 3 a ) 주위 에 위치 되 는 구조 체 ( 도시 되 지 않 음 ) 와 기판 ( 2 ) 사이 에 공간 이 있 다 . 또한 , 기판 ( 2 ) 의 표면 과 구조 체의 표면 사이 에 높이 차 가 있 다 . 따라서 , 몰드 ( 1 ) 와 기판 ( 2 ) 사이 에 갇힌 공기 에 의해 유발 되 는 가스 압 은 중앙 영역 에서 만큼 높 지 않 다 . 결과 적 으로 , 임프 린트 헤드 ( 4 ) 에 대한 반력 은 중앙 영역 에서 보다 작 다 . 따라서 , 기판 ( 2 ) 의 중앙 영역 의 샷 영역 과 그 주변 영역 의 샷 영역 모두 에 대한 임프 린트 처리 에서 동일 한 위치 압인 프로 파일 이 사용 되 는 경우 , 임프 린트 처리 에서 의 높이 에 관련 된 임프 린트 헤드 ( 4 ) 의 거동 에서 차이 가 발생 한다 .