이어서 , 도 1 d 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 산화 막 ( 8 ) 상 에 게이트 도전 막 으로 폴리 실리콘 막 ( 미 도시 ) 을 증착 한 후 , 포토 리소그래피 ( Photolithography ) 공정 및 식각 공정 을 실시 하 여 폴리 실리콘 막 을 식각 한다 . 이 로써 , 게이트 산화 막 ( 8 ) 상 에 게이트 전극 ( 9 ) 이 형성 된다 .