즉 , CMP 공정 후 바로 질화 실리콘 ( SiN ) 캡 핑 ( Capping ) 및 유전 물질 을 증착 하 여 보호막 ( 22 ) 을 형성 함 으로써 제 2 구리 배선 ( 20 ) 과 인접 한 제 2 구리 배선 사이 에 발생 되 는 CMP 잔류물 ( Residue ) 에 의하 여 소자 의 신뢰 도 테스트 에서 의 마이크 로 브리지 현상 이 발생 하 는 문제점 이 있 다 .