도 2 g 및 도 2 h 를 참조 하 면 , 반도체 칩 ( 110 ) 은 , 통상 의 웨이퍼 제조 공정 을 통하 여 제 1 면 ( D ) 의 외곽 에 형성 되 는 칩 패드 들 ( 112 ) , 및 제 1 면 ( D ) 을 커버 하 되 칩 패드 들 ( 112 ) 을 노출 시키 는 제 1 페시 베이 션 층 ( 114 ) 을 포함 할 수 있 다 . 또한 , 반도체 칩 ( 110 ) 은 , 제 1 페시 베이 션 층 ( 114 ) 상 에 형성 되 는 방열 용 패드 들 ( 120 ) 을 더 포함 할 수 있 다 . 방열 용 패드 들 ( 120 ) 은 , 반도체 칩 ( 110 ) 과 열전도 성 비아 플러그 들 ( 200 ) 을 접합 시키 는 기능 을 수행 하 기 때문 에 , 상기 일 실시 예 와 달리 버퍼 층 ( 116 , 122 ) 을 포함 하 지 않 을 수 있 다 . 가령 , 방열 용 패드 ( 120 ) 의 가장자리 에 몰딩 부재 ( 160 ) 가 형성 되 기 때문 에 , 방열 용 패드 들 ( 120 ) 이 몰딩 부재 ( 160 ) 에 의하 여 고정 될 수 있 다 .