다음 으로 , 상기 GaN 나노 막대 ( 43 ) 로 이루어진 템 플레이트 ( 43 ') 상 에 GaN 보호막 ( 50 ) 을 성장 시키 는 단계 를 수행 하 는데 , 본 단계 는 당업 계 에서 통상 적 으로 사용 되 는 방법 인 한 특별히 제한 되 지 는 않 으며 , 예 를 들 어 MOCVD 법 에 의하 는 것 일 수 있 다 . 상기 MOCVD 법 은 통상 적 인 물리 기상 증착 법 ( Physical Vapor Deposition ) 의 경 우 보다 결함 이 적 은 박막 을 형성 하 는 데 유리 하 다는 장점 이 있 다 .