도 5 는 본 발명 의 상이 한 구 현예 에 따른 SiO 의 토폴로지 - 선택 적 막 ( TS - SiO ) 형성 의 공정 을 보여 주 는 개략 적 인 단면도 를 도시 한다 ( ( a ) 와 ( b ) 는 불순물 의 영역 선택 적 제거 에 의해 상부 / 하부 가 두꺼운 TS - SiO 를 나타내 는 반면 , ( a ) 와 ( c ) 는 불순물 의 영역 선택 적 포함 에 의해 측벽 이 두꺼운 TS - SiO 를 나타냄 ) . 도 5 에서 , 트렌치 ( 46 ) 를 갖 는 기판 ( 41 ) 상 에 SiO 2 막 ( 42 ) 을 등각 성 있 게 증착 하 되 , SiO 2 막 ( 42 ) 은 수평 부분 ( 상부 부분 ( 45 ) 및 하부 부분 ( 43 ) ) 및 수직 부분 ( 측벽 부분 ( 44 ) ) 으로 구성 되 고 , 막 은 트렌치 ( 46 ) 를 갖 는 기판 ( 41 ) 의 전체 표면 을 등각 성 있 게 또는 균일 하 게 덮 는다 . SiO 2 막 ( 42 ) 은 불순물 이 실질 적 으로 지형 적 균일 한 분포 를 갖 고 , 막 전체 에 걸쳐 분포 된 불순물 이 실질 적 으로 없 는 것 을 포함 한다 .