순환 증착 에 의해 기판 상 에 금속 막 을 형성 하 는 방법 이 제공 된다 . 일부 구 현예 에서 , 상기 방법 은 구리 , 니켈 또는 코발트 중 적어도 하나 를 포함 하 는 할로겐 비 함유 금속 전구체 를 포함 하 는 제 1 반응물 과 기판 을 접촉 시키 는 단계 및 탄화수소 치환 된 하이드라진 을 포함 하 는 제 2 반응물 과 기판 을 접촉 시키 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 관련 반도체 디바이스 구조 체 는 순환 증착 공정 에 의해 형성 된 금속 성 배 선부 의 적어도 일부 를 포함 할 수 있 다 .