그런 다음 , 상기 포토레지스트 ( 216 ) 를 리플 로우 ( Reflow ) 한다 . 이때 , 상기 포토 레지스 토의 플로우 ( Flow ) 에 의한 평면 성 ( Planarity ) 특성 에 의해 상기 셀 영역 상 의 포토레지스트 ( 216 ) 높이 는 초기 도포 된 포토레지스트 ( 216 ) 의 높이 보다 낮 아 지 고 , 주변 영역 상 의 포토레지스트 ( 216 ) 초기 도포 된 높이 보다 높 아 진다 . 즉 , 셀 영역 상 의 포토레지스트 ( 216 ) 의 높이 가 주변 영역 상 의 포토레지스트 ( 216 ) 높이 보다 낮 아 진다 .