본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 산화 실리콘 입자 내부 에 Si 입자 만 이 분산 된 경우 , 상기 Si 은 상기 산화 실리콘 100 중량 부 에 대하 여 5 내지 200 중량 부 으로 존재 할 수 있 으며 , Si 이 상기 함량 범위 를 초과 할 경우 충 방 전시 Si 의 수축 / 팽창 에 의한 수명 열화 를 산화 실리콘 이 억제 하 기 어렵 다 .