또한 , P 형 영역 ( 153 ) 의 공핍 층 과 N 형 영역 ( 151 ) 의 공핍 층 사이 의 진성 영역 이 저항 역할 을 하 는 것 이 므로 , 통상 액 셉 터 와 도너 의 주 입량 조절 을 통해 P 형 과 N 형 사이 에 놓이 는 이 진성 영역 의 두께 ( b ) 를 가변 시켜 전지 ( 100 ) 의 전압 을 조정 하 게 된다 . 즉 , 이 두께 ( b ) 가 얇 아 질수록 그 출력 전압 이 작아지 는 것 이 다 . 여기 서 , 공핍 층 ( 155 ) 끼리 접합 이 되 는 경우 에 는 핀 반도체 ( 150 ) 가 곧 , PN 다이오드 가 되 는 것 이 므로 출력 전압 이 너무 작 게 되 어 그 효용 성 이 떨어지 게 된다 . 따라서 , 핀 반도체 ( 150 ) 의 제조 시 이 점 을 유의 하 여야 할 것 이 다 .