N 형 의 에피 택 셜 층 ( 4 ) 이 , P 형 의 단결정 실리콘 기판 ( 2 ) 상 에 형성 되 어 있 다 . 기판 ( 2 ) 과 에피 택 셜 층 ( 4 ) 에 는 , N 형 의 매립 확산 층 ( 3 ) 이 형성 되 어 있 다 . 또한 , 본 실시 형태 에서 의 기판 ( 2 ) 및 에피 택 셜 층 ( 4 ) 이 본 발 명의 「 반도체 층 」 에 대응 한다 . 그리고 , 본 실시 형태 에서 는 , 기판 ( 2 ) 상 에 1 층 의 에피 택 셜 층 ( 4 ) 이 형성 되 어 있 는 경우 를 나타내 지만 , 이 경우 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 면 , 본 발명 의 「 반도체 층 」 으로서 는 , 기판 만 의 경우 이 어도 되 고 , 기판 상면 에 복수 의 에피 택 셜 층 이 적층 되 어 있 는 경우 이 어도 된다 . 또한 , 기판 은 , N 형 의 단결정 실리콘 기판 , 화합물 반도체 기판 이 어도 된다 .