라인 ( line ) 패턴 및 패드 ( pad ) 패턴 을 포함 하 는 원본 레이아웃 을 설계 하 고 , 패드 패턴 을 추출 한 후 , 패드 패턴 의 레이아웃 에 대해 제 1 축 소폭 으로 축소 된 제 1 축소 레이아웃 을 얻 는다 . 패드 패턴 의 레이아웃 에 대해 제 1 축 소폭 보다 큰 제 2 축 소폭 으로 축소 된 제 2 축소 레이아웃 을 얻 은 후 , 제 1 축소 레이아웃 으로부터 제 2 축소 레이아웃 을 차감 하 여 패드 패턴 의 레이아웃 에 자기 정렬 되 는 보조 패턴 의 레이아웃 을 얻 는다 . 원본 레이아웃 으로부터 보조 패턴 의 레이아웃 을 차감 하 여 원본 레이아웃 에 보조 패턴 을 생성 시키 고 , 보조 패턴 이 생성 된 레이아웃 을 반도체 기판 상 으로 노광 과정 에 의해 전사 하 는 노광 과정 중 의 스컴 을 억제 하 는 리소그래피 방법 을 제시 한다 . 이때 , 노광 과정 은 극한 다이폴 ( extreme dipole ) 조명계 를 사용 하 여 수행 될 수 있 다 .