일 실시 예 에 따르 면 , 도전 선 ( CL ) 은 트랜지스터 ( T 1 ) 의 소스 전극 ( 146 S ) 및 드레 인 전극 ( 146 D ) 과 동일 층 에 배치 되 며 , 이 들 과 동일 물질 로 구성 될 수 있 다 . 예컨대 , 도전 선 ( CL ) 은 데이터 신호 를 전달 하 는 데이터 선 일 수 있 으며 , 티타늄 ( Ti ) 을 포함 하 는 제 1 층 , 알루미늄 ( Al ) 을 포함 하 는 제 2 층 및 티타늄 ( Ti ) 을 포함 하 는 제 3 층 을 포함 할 수 있 다 . 그러나 , 본 발명 은 이 에 한정 되 지 않 으며 도전 선 ( CL ) 은 알루미늄 ( Al ) , 백금 ( Pt ) , 팔라듐 ( Pd ) , 은 ( Ag ) , 마그네슘 ( Mg ) , 금 ( Au ) , 니켈 ( Ni ) , 네오디뮴 ( Nd ) , 이리듐 ( Ir ) , 크롬 ( Cr ) , 리튬 ( Li ) , 칼슘 ( Ca ) , 몰리브덴 ( Mo ) , 티타늄 ( Ti ) , 텅스텐 ( W ) , 구리 ( Cu ) 중 하나 이상 의 물질 로 단층 또는 다층 으로 형성 될 수 있 다 . 그러나 , 본 발명 은 이 에 한정 되 지 않 으며 , 도전 선 ( CL ) 은 게이트 전극 ( 144 ) 과 동일 층 에 배치 되 며 , 게이트 전극 ( 144 ) 과 동일 한 물질 로 구성 될 수 도 있 다 . 예컨대 , 게이트 전극 ( 144 ) 및 도전 선 ( CL ) 은 몰리브덴 ( Mo ) 의 단일 층 으로 구성 될 수 있 다 .