상기 CMOS 　 이미지 센서 는 　 단위 　 화소 ( Pixel ) 　 내 에 　 포토다이오드 와 　 모스 　 트랜지스터 를 　 형성 시켜 　 스위칭 　 방식 으로 　 차례 로 　 신호 를 　 검출 함 으로써 　 이미지 를 　 구현 하 게 　 되 는데 , 　 CMOS 　 제조 기술 을 　 이용 하 므로 　 전력 　 소모도 　 적 고 　 마스크 　 수도 　 20 개 　 정도 로 　 30 ～ 40 개 의 　 마스크 가 　 필요 한 　 CCD 　 공정 에 　 비해 　 공정 이 　 매우 　 단순 하 며 　 여러 　 신호 　 처리 　 회로 와 　 원 칩 화 가 　 가능 하 여 　 차세대 　 이미지 센서 로 　 각광 을 　 받 고 　 있 으며 , 　 DSC ( Digital 　 Still 　 Camera ) , 　 PC 　 카메라 , 　 모빌 카메라 　 등 의 　 많 은 　 응용 부분 에 　 사용 되 고 　 있 다 .