도 3 을 참조 하 면 , N 형 블록 BGR 전압 발생기 ( 100 L ) 는 제 1 내지 제 3 N 형 MOSFET ( Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor , 산화 막 반도체 전계 트랜지스터 ) ( ML 1 , ML 2 , ML 6 ) , 제 1 내지 제 3 P 형 MOSFET ( ML 3 , ML 4 , ML 5 ) , 제 1 내지 제 3 BJT ( Bipolar Junction Transistor , 양극 성 접합 트랜지스터 ) ( QL 1 , QL 2 , QL 3 ) 및 제 1 및 제 2 저항기 ( R 1 , R 2 ) 를 구비 한다 . 이 와 유사 하 게 , P 형 블록 BGR 전압 발생기 ( 100 H ) 는 제 1 내지 제 3 P 형 MOSFET ( MH 1 , MH 2 , MH 6 ) , 제 1 내지 제 3 N 형 MOSFET ( MH 3 , MH 4 , MH 5 ) , 제 1 내지 제 3 BJT ( QH 1 , QH 2 , QH 3 ) 및 제 1 및 제 2 저항기 ( R 1 , R 2 ) 를 구비 한다 . 그리고 , 도 3 에서 각 블록 BGR 전압 발생기 ( 100 ) 의 일단 은 공급 전압 ( VDD ) 에 그리고 타단 은 접지 ( GND ) 에 연결 되 게 도시 되 어 있 다 .