본 발명 의 일 바람직 한 실시 형태 에 따르 면 , 전자 차단 층 은 교대 로 적층 설치 된 P 형 AlrGa 1 - rN 층 및 P 형 AlsGa 1 - sN 층 이 고 , 여기 서 0 ＜ r ＜ 1 , 0 ＜ s ＜ 1 , r ≠ s 이 며 , 교대 횟수 는 2 ~ 100 회 이 다 . 전자 차단 층 은 상기 AlrGa 1 - rN 층 / AlsGa 1 - sN 초격자 구조 를 사용 함 으로써 , 보다 우수 하 게 전자 차단 작용 을 수행 할 수 있 으며 , 결과 적 으로 자외선 LED 의 휘도 를 향상 시킨다 .