독 출 동작 시 , 도 11 a 의 저항 분포 로 저항 변화 층 ( 523 ) 에 만 전류 를 흐르 게 하 면 , 메모리 셀 의 최저 저항 에 대한 최고 저항 의 비 가 약 100 배 일 수 있 다 . 그러나 , 반도체 층 ( 522 ) 및 저항 변화 층 ( 523 ) 모두 에 전류 를 흐르 게 하 면 , 도 11 b 의 저항 분포 를 갖 게 된다 . 그리고 , 메모리 셀 의 최저 저항 에 대한 최고 저항 의 비 가 약 5 내지 6 으로 감소 함 을 확인 할 수 있 다 . 이 는 메모리 셀 에서 출력 되 는 신호 의 편차 를 줄임 으로써 감지 증폭기 의 접합 을 용이 하 게 할 수 있 다 .