도 2 h 를 참조 하 면 , 제 2 실리콘 막 패턴 ( 30 a ) 을 가 열처리 하 여 단결정 실리콘 으로 구성 되 는 제 3 실리콘 막 패턴 ( 30 b ) 을 형성 한다 . 상기 가 열처리 는 가열 하 여 결정 화 시키 는 방법 을 포함 하 는데 , 바람직 하 게 는 레이저 어닐링 ( Laser Annealing ) 방법 을 사용 한다 . 제 2 실리콘 막 패턴 ( 30 a ) 은 트랜지스터 를 형성 시킬 수 있 는 단결정 실리콘 이 아니 고 비정질 , 다 결정 또는 에피 택 셜 성장 실리콘 으로 구성 되 므로 레이저 어닐링 기술 을 통해 단결정 실리콘 으로 구성 되 는 제 3 실리콘 막 패턴 ( 30 b ) 으로 변환 시켜야 한다 . 제 3 실리콘 막 패턴 ( 30 b ) 은 실리콘 기판 패턴 ( 10 a ) 으로부터 성장 한 것 이 므로 실리콘 기판 과 동일 한 결정 성 ( 결정 방향 ) 을 갖 는 단결정 실리콘 으로 구성 되 므로 , 트랜지스터 를 형성 하 는 데 문제 가 되 지 않 는다 . 그리고 , 상기 레이저 어닐링 을 통한 결정 화 공정 에서 부가 적 으로 실리콘 막 패턴 또는 산화 막 패턴 내 의 수소 함유량 도 감소 시키 는 효과 를 기대 할 수 있 다 . 제 2 실리콘 막 패턴 ( 30 a ) 을 레이저 어닐링 기술 을 통해 용융 ( melting ) 하 고 다시 고상 화 ( solidification ) 되 는 과정 을 통해 단결정 실리콘 으로 구성 되 는 제 3 실리콘 막 패턴 ( 30 b ) 이 형성 된다 . 제 3 실리콘 막 패턴 ( 30 b ) 중 에서 실리콘 기판 패턴 ( 10 a ) 과 직접 접촉 하 는 부분 은 실리콘 기판 패턴 ( 10 a ) 과 구성 하 는 성분 이 동일 하 게 되 므로 도면 에서 경계 구분 을 별도 로 도시 하 지 않 았 다 .