이제 도 5 를 참조 하 면 , 제 2 하드 마스크 층 ( 182 ) 이 제 1 하드 마스크 층 ( 170 ) 을 가로지르 는 방향 으로 도 4 에 도시 된 구조 체 들 상 에 증착 된다 . 제 2 하드 마스크 층 ( 182 ) 은 또한 제 1 하드 마스크 층 ( 170 ) 의 라인 및 공간 패턴 에 가로질러 배치 되 는 라인 및 공간 패턴 을 갖 는다 . 일부 예 들 에서 , 반응 성 이온 에칭 이 탄소 마스크 를 사용 하 여 제 1 하드 마스크 층 ( 170 ) 및 제 2 하드 마스크 층 ( 182 ) 을 패 터닝 하 도록 사용 된다 . 이 프로세스 단계 동안 , 제 1 패 터닝 단계 로부터 하드 마스크 재료 가 노출 되 고 제거 된다 . IBE 는 제 2 하드 마스크 층 ( 182 ) 의 인접 한 라인 들 사이 의 공간 들 에 위치 된 재료 를 제거 하 기 위해 그리고 독립 형 MRAM 스택 들 ( 158 - 2 ) 을 생성 하 기 위해 수행 된다 .