소스 라인 ( 330 ) 은 기판 ( 340 ) 에 매몰 되 며 텅스텐 , 티타늄 , 탄 탈륨 등 의 도전 성 물질 로 형성 된다 . 이 처럼 소스 라인 ( 330 ) 이 기판 ( 340 ) 에 매몰 되 며 형성 되 기 때문 에 , 일 실시 예 에 따른 3 차원 플래시 메모리 ( 300 ) 는 소스 라인 ( 330 ) 이 기판 ( 340 ) 상부 에서 일정 공간 을 차지 하 며 형성 되 는 구조 보다 현저 한 집적도 향상 을 도모 할 수 있 다 . 이 와 같 은 소스 라인 ( 330 ) 은 기판 ( 340 ) 자체 에 형성 될 뿐 만 아니 라 , 도 4 와 같이 기판 ( 340 ) 내 N + Junction 영역 ( 341 ) 에 매몰 되 도록 형성 될 수 도 있 다 .