도 10 a 내지 도 10 b 는 , 본 실시 형태 에 있 어서 의 제 2 검사 화상 내 의 패턴 의 단부 ( 에지 ) 의 추출 방법 을 설명 하 기 위한 도면 이 다 . 도 10 a 의 예 에서 는 , 기준 윤곽 ( 10 ) 상의 1 개 의 점 ( 11 ) 부근 을 확대 하 여 도시 하고 있 다 . 기준 윤곽 ( 10 ) 상 의 점 ( 11 ) 의 좌표 와 동일 한 측정 화상 내 의 좌표 로부터 기준 윤곽 ( 10 ) 의 법선 방향 을 향하 여 예 를 들 어 1 화소 ( 36 ) 씩 제 2 검사 화상 의 패턴 의 에지 를 탐색 한다 . 설계 상 의 좌표 를 측정 화상 에 적용 하 는 경우 라도 , 기준 윤곽 ( 10 ) 과 패턴 의 사이 의 위치 어긋남 은 몇 화소 사이즈 ( 예 를 들 어 3 화소 정도 ) 이하 로 억제 할 수 있 다 . 도 10 b 의 예 에서 는 , 계조 값 과 탐색 방향 VV '( 법선 방향 ) 의 위치 의 관계 를 도시 하고 있 다 . 기준 윤곽 ( 10 ) 상 의 점 ( 11 ) 의 좌표 상 의 화소 A 로부터 V 방향 과 V ' 방향 ( - V 방향 ) 으로 탐색 을 개시 한다 . 기준 윤곽 ( 10 ) 과 패턴 의 거리 가 크 게 이격 되 어 있 지 않 은 경우 , 도 10 b 에 도시 하 는 바 와 같이 , 점 ( 11 ) 의 좌표 상 의 화소 A 로부터 패턴 을 향하 는 방향 의 인접 화소 B 의 계조 값 은 에지 를 결정 하 는 역치 Th ' 에 가까워진다 . 반 대로 화소 A 로부터 패턴 과 는 역방향 을 향하 는 인접 화소 E 의 계조 값 은 에지 를 결정 하 는 역치 Th ' 로부터 이격 되 어 가 거나 혹은 변화 하 지 않 는다 . 도 10 a 의 예 에서 는 , 기준 윤곽 ( 10 ) 이 패턴 의 외측 에 위치 하 는 경우 를 도시 하고 있 다 . 이 때문 에 , 인접 화소 B 의 계조 값 은 화소 A 의 계조 값 보다 커져 역치 Th ' 에 가까워 지 게 된다 . 그리고 , 인접 화소 E 의 계조 값 은 화소 A 의 계조 값 보다 작 거나 혹은 동일 한 값 으로 된다 . 한편 , 기준 윤곽 ( 10 ) 이 대상 패턴 ( 12 ) 의 내측 에 위치 하 는 경우 , 인접 화소 B 의 계조 값 은 화소 A 의 계조 값 보다 작아져 역치 Th ' 에 가까워 지 게 된다 . 그리고 , 인접 화소 E 의 계조 값 은 화소 A 의 계조 값 보다 크 거나 혹은 동일 한 값 으로 된다 . 이상 에 의해 , 화소 A 로부터 패턴 을 향하 는 방향 이 화소 B 측 이 라고 판정 할 수 있 다 . 그리고 , 화소 A 로부터 기준 윤곽 ( 10 ) 의 법선 방향 ( V 방향 ) 을 향하 여 예 를 들 어 1 화소 ( 36 ) 씩 순서 대로 화소 B , C , D 의 계조 값 을 참조 하 여 , 역치 Th ' 를 초과 하 는 ( 혹은 넘 는 ) 화소 D 까지 탐색 한다 . 이 에 의해 , 패턴 의 단부 ( 에지 ) 는 , 화소 C , D 간 에 존재 함 을 알 수 있 다 . 화소 C , D 의 계조 값 을 예 를 들 어 서브 화소 단위 로 선형 보 간 등 의 보 간 을 행함 으로써 , 패턴 의 단부 ( 에지 ) 의 위치 를 특정 할 수 있 다 . 윤곽 추출 회로 ( 140 ) 는 , 기준 윤곽 ( 10 ) 상 의 복수 의 점 ( 11 ) 에 대하 여 , 마찬가지 로 패턴 의 단부 ( 에지 ) 의 위치 를 추출 한다 . 이 에 의해 , 제 2 검사 화상 의 제 2 윤곽 을 취득 할 수 있 다 .