상기 메사 식각 은 , 포토 레지스 트 를 도포 하 고 패 터닝 한 후 , 패 터닝 된 포토 레지스 트 를 식각 마스크 로 하 여 건식 및 / 또는 습식 식각 을 진행 하 고 , 예 를 들 어 , 반응 성 이온 식각 ( reactive ion etching ; RIE ) , 유도 결합 형 플 라즈 마 ( inductively coupled plasma ; ICP ) 또는 ICP - RIE ( Inductively Coupled Plasma / Reactive Ion Etching ) 등 을 이용 할 수 있 다 .