분극 기 ( 150 ) 와 같 은 분극 기 를 사용 하 는 종래 의 MTJ 디바이스 에서 , 분극 기 ( 150 ) 의 자화 방향 은 고정 되 며 , 이 는 도 1 및 3 에 도시 된다 . 또한 , 분극 층 의 자화 의 방향 이 전류 의 존재 시 에 변동 될 수 없 음 을 언급 하 는 미국 특허 번호 제 6 , 532 , 164 호 를 참조 한다 . 전류 가 MTJ 를 통과 하 는 이전 에 , 자유 층 ( 136 ) 은 분극 기 ( 150 ) 의 것 과 실질 적 으로 수직 인 자화 방향 ( 200 ) 을 갖 는다 . 자유 층 ( 136 ) 의 자화 방향 ( 200 ) 은 180 도 만큼 회전 될 수 있 지만 , 이러 한 회전 은 보통 자유 층 의 고유 한 댐 핑 능력 ( damping ability ) ( 205 ) 에 의해 배제 되 는데 , 이 는 축 ( 202 ) 을 가리키 는 벡터 ( 205 ) ( 도 2 a 뿐 만 아니 라 도 3 에서 점선 으로 도시 됨 ) 에 의해 표현 된다 . 축 ( 202 ) 은 자유 층 ( 136 ) 의 평면 에 수직 이 다 . 이러 한 댐 핑 ( 205 ) 은 자유 층 ( 136 ) 의 자화 방향 을 유지 하 는 댐 핑 상수 에 의해 정의 된 값 을 갖 는다 .