이어서 , 게이트 전극 ( 110 ) , 불순물 영역 ( 120 ) 등 을 덮 도록 금속 층 ( 122 ) 을 형성 한다 . 해당 금속 층 ( 122 ) 은 진공 증착 법 이나 스퍼터링 법 , 스핀 코팅 법 등 의 각종 성막 방법 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 금속 층 은 , 기판 ( 185 ) 을 구성 하 는 반도체 재료 와 반응 함 으로써 저 저항 의 금속 화합물 이 되 는 금속 재료 를 사용 하 여 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이러 한 금속 재료 로서 는 , 예 를 들 어 티타늄 , 탄탈 , 텅스텐 , 니켈 , 코발트 , 백금 등 이 있 다 .