상기 한 바 와 같이 , 이 종물 질 기판 사용 으로부터 야기 되 는 기술 및 경제 적 인 관점 에서 지닌 상기 한 단점 을 극복 하 고자 많 은 연구 그룹 에서 는 HVPE ( hydride vapor phase epitaxy ) 성장 방법 을 이용 하 여 질화 갈륨 ( GaN ) 및 질화알루미늄 ( AlN ) 등 과 같 은 동종 물질 기판 ( homo - substrate ) 을 제작 하 고 있 다 ( phys . stat . sol . ( c ) No 6 , 1627 - 1650 , 2003 ) .