종래 기술 에 따르 면 반도체 소자 의 트랜지스터 는 반도체 기판 의 활성 영역 을 가로지르 는 한 개 의 게이트 패턴 을 갖 는 싱글 게이트 ( single gate ) 구조 를 가질 수 있 다 . 이러 한 싱글 게이트 구조 를 이용 하 는 경우 , 트랜지스터 의 형성 면적 을 줄일 수 있 는 이점 이 있 으나 , 트랜지스터 의 누설 전류 특성 과 턴 온 전류 특성 을 동시 에 만족 시키 기 는 어렵 다 . 이 는 , 트랜지스터 의 누설 전류 특성 과 턴 온 전류 특성 이 상호 트레이드 오프 ( trade off ) 관계 에 있 기 때문 이 다 . 따라서 , 낮 은 소비 전력 을 갖 는 고속 트랜지스터 의 형성 이 어렵 다 .