메모리 영역 ( 102 , 104 , 106 및 108 ) 에서 의 메모리 셀 은 비휘발성 메모리 셀 을 포함 할 수 있 다 . 비휘발성 메모리 셀 의 예 는 플래시 메모리 셀 , 위상 변화 메모리 ( PRAM ) 셀 , 자기 저항 랜덤 액세스 메모리 ( MRAM ) 셀 , 또는 다른 유형 의 비휘발성 메모리 셀 을 포함 한다 . 메모리 셀 이 낸드 플 래쉬 메모리 셀 로서 구성 되 는 본 발명 의 실시 예 에서 , 읽 기 또는 기록 동작 은 페이지 단위 로 수행 될 수 있 다 . 그러나 낸드 플래시 메모리 의 소거 동작 은 블록 베이스 에서 수행 된다 .