도 3 을 참조 하 면 , 반도체 장치 ( 100 ) , 예컨대 반도체 메모리 장치 는 복수 의 뱅크 ( BANK 0 - BANK 7 ) 로 구성 된다 . 뱅크 ( BANK 0 - BANK 7 ) 는 알려진 바 와 같이 다수 의 메모리 셀 들 의 집합체 로서 , 복수 개 , 예컨대 4 개 , 8 개 또는 그 이상 의 수 일 수 있 다 . 본 실시 예 에서 는 8 개 의 뱅크 를 갖 는 반도체 메모리 장치 를 예 로 들 어 설명 할 것 이 다 . 8 개 의 뱅크 ( BANK 0 - BANK 7 ) 는 2 열 횡대 로 배치 될 수 있 다 . 즉 , 4 개 의 뱅크 들 이 하나 의 뱅크 열 ( Line ) 을 이루 어 , 2 개 의 뱅크 열 ( bL 1 , bL 2 ) 이 서로 평행 하 게 배치 될 수 있 다 . 이때 , 제 1 뱅크 열 ( bL 1 ) 은 0 번 째 , 1 번 째 , 4 번 째 및 5 번 째 뱅크 ( BANK 0 , BANK 1 , BANK 4 , BANK 5 ) 로 구성 될 수 있 고 , 제 2 뱅크 열 ( bL 2 ) 는 2 번 째 , 3 번 째 , 6 번 째 및 7 번 째 뱅크 ( BANK 2 , BANK 3 , BANK 6 , BANK 7 ) 로 구성 될 수 있 다 .