다음 , 도 5 b 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 게이트 절 연막 ( 208 ) 이 형성 된 후 , 동일 한 챔버 ( 290 ) 내 에서 전술 한 게이트 절 연막 ( 208 ) 을 형성 하 기 위한 혼합 가스 분위기 를 SiH 4 / H 2 의 혼합 가스 분위기 로 바꾼 후 , 상기 챔버 ( 290 ) 내 에 플 라즈 마 를 형 성함 으로써 상기 게이트 절 연막 ( 208 ) 위 로 1200 Å 내지 2000 Å 정도 의 제 1 두께 ( t 1 ) 를 갖 는 제 1 순수 비정질 실리콘 층 ( 212 ) 을 형성 한다 .