도 4 는 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 비휘발성 디램 소자 의 입체 도 이 다 . 도면 에 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 비휘발성 디램 소자 는 전술 한 도 1 의 비휘발성 디램 소자 와 비교 해 볼 때 부유 바디 셀 ( 402 ) 의 두께 가 채널 의 최대 공핍 폭 보다 작 도록 절연 층 ( 401 ) 이 기판 ( 400 ) 내부 에 형성 되 고 , 기판 ( 400 ) 하부 에 형성 된 백 게이트 ( 408 b , back gate ) 를 더 포함 한다 . 여기 서 부유 바디 셀 ( 402 ) 의 두께 가 채널 의 최대 공핍 폭 보다 작 은 구조 를 FD SOI 라 하 는데 , 이러 한 FD SOI 구조 는 소오 스 ( 403 ) 와 부유 바디 셀 ( 402 ) 접합 에서 의 장벽 감소 가 홀 의 축적 을 막 기 때문 에 부유 바디 효과 ( Floating Body Effect ) 가 나타나 지 않 는다 . 하지만 , 기판 ( 400 ) 하부 에 백 게이트 ( 408 b ) 를 구비 하 여 , 이 백 게이트 ( 408 b ) 에 음 의 전압 을 인가 하 면 음 의 바이어스 가 포 텐 셜 우물 을 제공 하 여 홀 을 부유 바디 셀 ( 402 ) 에 축적 할 수 있 고 , 반면 에 백 게이트 ( 408 b ) 에 접 지 전압 또는 양 의 전압 을 인가 하 면 포 텐 셜 우물 의 깊이 를 감소 시켜서 홀 을 축출 시킬 수 있 다 .