도 5 에 나타낸 공정 에서 는 , 단결정 에피 택 셜 막 ( 17 ) 에 제 1 지 지체 구멍 ( 21 ) 과 제 2 지 지체 구멍 ( 22 ) 을 형성 한다 . 우선 , 제 1 지 지체 구멍 ( 21 ) 이 형성 되 는 영역 인 제 1 지 지체 구멍 형성 영역 ( 23 ) 과 , 제 2 지 지체 구멍 ( 22 ) 이 형성 되 는 영역 인 제 2 지 지체 구멍 형성 영역 ( 24 ) 에 상당 하 는 영역 이 개구 되 는 레지스 트 패턴 ( 도시 생략 ) 을 포토 리소그래피 기술 을 이용 하 여 형성 한다 . 다음 으로 , 이 레지스 트 패턴 을 마스크 로 하 여 제 1 지 지체 구멍 형성 영역 ( 23 ) 및 제 2 지 지체 구멍 형성 영역 ( 24 ) 의 제 1 실리콘 층 ( 16 a ) , 실리콘 게르마늄 층 ( 15 ) , 실리콘 버퍼 층 ( 18 ) , 실리콘 기판 ( 11 ) 의 일부 를 차례 로 에칭 에 의해 제거 한다 . 이것 에 의해 , 단결정 에피 택 셜 영역 ( 19 ) 에 제 1 지 지체 구멍 ( 21 ) 과 제 2 지 지체 구멍 ( 22 ) 이 형성 된다 .