도 8 에서 알 수 있 듯이 , 상기 방열 필름 ( 123 ) 이 상기 고분자 물질 ( 120 ) 을 포함 하 는 상기 매트릭스 ( 124 ) 에 상기 필러 ( 106 ) 가 생략 되 고 , 복수 의 상기 열전 도 물질 ( 108 ) 들 이 분산 되 어 있 는 경우 , 즉 , 상기 열전 도 물질 ( 108 ) 이 연속 적 인 열 전달 네트워크 를 형성 하 지 못할 수 있 고 , 이 경우 , 수평 방향 보다 수직 방향 으로 의 열전도 율 이 낮 을 수 있 다 . 이 경우 에 , 상기 방열 필름 ( 123 ) 의 상기 열전 도 물질 ( 예 를 들 어 , h - BN ) 은 공유 결합 및 결정 구조 의 방향 성 으로 인해 이방성 열전 도 현상 이 나타날 수 있 다 . 특히 , 상기 열전 도 물질 ( 예 를 들 어 , h - BN ) 는 수직 방향 으로 원자 간 분자간력 ( van der waals ) 및 계면 으로 포논 ( phonon ) 산란 이 발생 하 여 , 수직 방향 으로 의 열전도 율 이 낮 을 수 있 다 . 그리고 , 상기 필러 ( 106 ) 를 생략 하 고 , 상기 열전 도 물질 ( 예 를 들 어 , h - BN ) 을 이용 하 여 , 상기 방열 필름 ( 123 ) 으로 제조 한 경우 , 수직 방향 으로 열전도 율 이 더 낮 아 질 수 있 다 . 일반 적 으로 , 상기 방열 필름 ( 123 ) 의 열전도율 을 수직 방향 으로 높이 기 위해 , 상기 열전 도 물질 ( 예 를 들 어 , h - BN ) 충 진량 을 증가 시키 는 경우 , 상기 열전 도 물질 ( 예 를 들 어 , h - BN ) 충 진량 이 특정 수준 이상 넘어가 면 오히려 상기 열전 도 물질 ( 예 를 들 어 , h - BN ) 및 상기 매트릭스 ( 124 ) 사이 에 공극 이 증가 하 여 , 상기 방열 필름 ( 123 ) 의 수직 및 수평 방향 으로 열전 율 이 낮 아 질 수 있 다 . 또한 , 상기 열전 도 물질 ( 예 를 들 어 , h - BN ) 의 충 진량 을 증가 시키 는 경우 , 상기 발열 필름 ( 123 ) 의 제조 단가 가 높 아 지 는 문제점 이 있 을 수 있 다 . 그리고 , 상기 필러 ( 106 ) 를 생략 하 고 , 상기 열전 도 물질 ( 예 를 들 어 , h - BN ) 을 이용 하 여 , 상기 방열 필름 ( 123 ) 으로 제조 한 경우 , 복수 의 상기 열전 도 물질 ( 예 를 들 어 , h - BN ) 이 서로 용이 하 게 연결 되 어 있 지 않 아 , 복수 의 상기 열전 도 물질 사이 에 상기 매트릭스 ( 124 ) 가 존재 할 수 있 다 . 따라서 , 상기 열전 도 물질 ( 예 를 들 어 , h - BN ) 및 상기 매트릭스 ( 124 ) 계면 이 증가 하 여 , 계면 간 의 열 저항 증가 로 인해 상기 방열 필름 ( 123 ) 의 열전도 율 이 더욱 더 낮 아 질 수 있 다 .