상기 하판 을 제조 하 는 단계 는 , 상기 실리콘 기판 상 에 절연 층 으로 사용 할 열 산화 막 을 성장 하 는 단계 ; 그리드 전극 으로 사용 하 기 위한 크롬 막 을 형성 하 고 , 포토 리소그래피 공정 을 통해 상기 크롬 막 을 패 터닝 하 는 단계 ; 상기 크롬 막 및 열 산화 막 상 에 포토 레지스 트 를 적층 하 고 , 상기 크롬 막 및 열 산화 막 을 패 터닝 하 는 단계 ; 상기 실리콘 기판 을 SF 6 가스 및 산소 가스 를 이용 하 여 건식 식각 하 고 , 상기 크롬 막 의 벽면 을 크롬 식각 액 을 이용 하 여 식각 하 는 단계 ; 및 식각 된 실리콘 기판 상 에 촉매 층 을 형성 하 고 HFCVD ( Hot Filament Chemical Vapor Deposition ) 에 의해 탄소 나노 파티클 을 성장 시키 고 , 상기 포토 레지스 트 를 제거 한다 .