실시 예 로서 , 제 1 내지 제 n 메모리 셀 들 ( MC 1 ~ MCn ) 중 적어도 하나 는 더미 메모리 셀 로서 이용 될 수 있 다 . 더미 메모리 셀 이 제공 되 는 경우 , 해당 스트링 의 전압 또는 전류 는 안정 적 으로 제어 될 수 있 다 . 각 스트링 의 파이프 트랜지스터 ( PT ) 의 게이트 는 파이프 라인 ( PL ) 에 연결 될 수 있 다 .