다만 , 실제 제조 과정 에서 는 사파이어 기판 층 ( 410 ) 의 상부 에 발광 다이오드 층 ( 420 ) 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 도 4 a 에서 는 p 형 반도체 층 및 n 형 반도체 층 을 구분 하 지 않 고 도시 하 였으나 , 실제 제조 과정 에서 는 두 층 이 순차 적 으로 형성 될 수 있 다 . 다만 , p 형 반도체 층 및 n 형 반도체 층 의 적층 순서 는 본 발명 과 무관 하 며 , 어느 층 이 먼저 적층 되 더라도 무방 하 다 .