" 도 4 는 본 기술 의 또 다른 실시 형태 에 따라 구성 된 반도체 다 이 어셈블리 ( 400 ) ( "" 어셈블리 ( 400 ) "") 의 단면도 이 다 . 어셈블리 ( 400 ) 는 일반 적 으로 상기 상세 하 게 설명 된 다이 어셈블리 의 것 들 과 유사 한 특징 부를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 면 ", 어셈블리 ( 400 ) 는 하부 다 이 스택 ( 382 ) , 하부 다 이 스택 ( 382 ) 에 장착 된 중간 다이 ( 320 ) , 및 중간 다이 ( 320 ) 에 장착 된 상부 다 이 스택 ( 385 ) 을 포함 한다 . 도 4 에 도시 된 배열 에서 , 어셈블리 ( 400 ) 는 상부 다 이 스택 ( 385 ) 에 의해 운반 된 제어기 다이 ( 431 ) 를 포함 한다 . 몇몇 실시 형태 에서 , 중간 다이 ( 320 ) 및 하부 및 상부 다 이 스택 ( 382 및 385 ) 은 메모리 다이 를 포함 할 수 있 다 . 이 들 및 다른 실시 형태 에서 , 어셈블리 ( 400 ) 는 메모리 카드 로서 구성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 어셈블리 ( 400 ) 는 하우징 ( 458 ) 및 호스트 디바이스 ( 도시 생략 ) 의 메모리 슬롯 ( 도시 생략 ) 으로 수용 될 수 있 는 패키지 기판 ( 402 ) 을 포함 할 수 있 다 . 하우징 ( 458 ) 은 어셈블리 ( 400 ) 의 다이 를 감싸 는 몰드 재료 ( 450 ) 로부터 형성 될 수 있 다 . 몰드 재료 ( 450 ) 는 호스트 디바이스 에 설치 될 때 메모리 슬롯 에 인접 해 있 는 외부 돌출부 , 또는 훅 킹 탭 ( 456 ) 을 획정 하 도록 성형 될 수 있 다 . 패키지 기판 ( 402 ) 은 하우징 ( 458 ) 내 에서 다이 에 전기 적 으로 연결 된 외부 단자 ( 404 ) ( 도 4 에서 는 단지 하나 의 단자 만 이 보임 ) 를 포함 할 수 있 다 .