도 28 의 ( A ) 내지 ( C ) 는 , 도 30 ( B ) 에 도시 되 는 구조 의 트랜지스터 에서 , 오프셋 길 이 Loff 를 5 nm 로 했 지만 드레 인 전류 ( Id ) ( 실선 ) 및 이동도 μ ( 점선 ) 의 게이트 전압 ( Vg ) 의존 성 을 나타낸다 . 드레 인 전류 ( Id ) 는 드레 인 전압 을 ＋ 1 V 로 하 고 , 이동도 μ 는 드레 인 전압 을 ＋ 0 . 1 V 로 하 여 계산 한 것 이 다 . 도 28 ( A ) 는 게이트 절연 층 의 두께 를 15 nm 로 한 것 이 고 , 도 28 ( B ) 는 10 nm 로 한 것 이 고 , 도 28 ( C ) 는 5 nm 로 한 것 이 다 .