실리콘 기판 ( 10 ) 에 는 , 실리콘 기판 ( 10 ) 표면 에 복수 의 활성 영역 을 획정 ( 劃定 ) 하 는 소자 분리 막 ( 12 ) 이 형성 되 어 있 다 . 각각 의 활성 영역 은 X 방향 으로 긴 직사각 형 형상 의 트랜지스터 형성 부 와 , 그 중앙부 로부터 Y 방향 으로 돌출 되 는 콘택트 부 로 이루어지 는 T 자형 형상 을 갖 고 있 다 . 이 들 복수 의 활성 영역 은 서로 지그재그 격자 형상 으로 배치 되 어 있 다 .