그러므로 , 본 발명 에 따른 소노 스 메모리 소자 ( 1100 ) 가 쓰 기 동작 완료 후 문턱 전압 의 이 동값 이 2 V 이 고 , 문턱 전압 의 이 동값 이 0 . 5 V 이하 인 경우 에 트랩 층 ( 730 ) 에 트랩 된 전하 들 이 제거 된 것 으로 간주 되 는 경우 를 가정 한다 . 이때 , 소거 전압 이 - 9 V 이하 가 되 어야 빠른 소거 시간 ( 예 를 들 어 , 1 ms ) 을 나타냄 을 알 수 있 다 .