자세 하 게 , 본 발명 은 공지 된 방법 으로 재 배선 되 고 상기 재 배선 된 본딩 패드 상 에 제 1 범프 를 구비 한 반도체 칩 과 , 상기 반도체 칩 이 부착 되 고 일 측 에 TSV ( Through Silicon Via ) 형성 기술 을 이용 하 여 내부 를 관통 하 는 관통 전극 이 형성 된 더미 실리콘 웨이퍼 및 상기 반도체 칩 의 제 1 범프 와 더미 실리콘 웨이퍼 의 관통 전극 을 전기 적 으로 연결 하 는 다수 의 접속 패드 를 구비 한 FPC 로 구성 된 적어도 2 개 이상 의 단위 패키지 를 형성 한다 .