게이트 산화 막 신뢰 성 ( Gate Oxide Integrity ; GOI ) ( b ) 의 측면 에서 살펴보 면 텅스텐 질 화 막 / TiN / Ti 가 가장 안 좋 은 특성 을 텅스텐 질 화 막 / 텅스텐 실리사이드 가 가장 좋 은 특성 을 보인다 . 이 는 , 폴리 실리콘 전극 상부 의 텅스텐 실리사이드 가 게이트 전극 상부 의 하드 마스크 질화 막 이 인가 하 는 스트레스 를 완화 시키 기 때문 이 다 .