그러나 , 상기 BPSG 는 800 ℃ 이상 의 고온 리플 로우 ( Reflow ) 공정 이 필요 하 며 습식 식각 시 식각 량 이 많 아서 작 은 크기 의 트렌치 를 갭 필 하 기 에 는 부적합 하 고 , O 3 - TEOS USG 은 BPSG 보다 적 은 열부 담 ( Thermal budget ) 을 갖 지만 갭 필 특성 이 불량 하 여 고집 적 반도체 소자 에 는 적용 할 수 없 다 .