불순물 의 영역 선택 적 제거 에 의해 상부 / 하부 가 두꺼운 TS - SiO 에서 , ( a ) 의 SiO 2 막 ( 42 ) 은 막 전체 에 걸쳐 실질 적 으로 균일 하 게 분포 된 불순물 을 함유 하 고 , 막 을 ( 이온 충돌 에 의한 ) 이방성 플 라즈 마 스트라이크 에 노출 시켜 , 막 의 수평 부분 ( 45 , 43 ) 이 막 의 수직 부분 ( 44 ) 보다 더 많 은 이온 충돌 을 수용 함 으로써 , 불순물 을 수직 부분 보다 수평 부분 으로부터 더 많 은 불순물 을 분해 하 거나 분리 시켜 수평 부분 을 치밀 화 한다 . 그 결과 , 불순물 은 막 의 수평 부분 보다 막 의 수직 부분 에 더 많이 남 아 있 고 , 즉 수직 부분 은 수평 부분 보다 습식 식각 에 더 취약 하 게 된다 . 따라서 , 불순물 의 불 균일 한 분포 를 갖 는 막 을 식각 함 으로써 , 막 의 수직 부분 만 이 실질 적 으로 또는 주로 ( b ) 에 도시 된 바 와 같이 제거 될 수 있 다 .