그리고 , 상기 플 라즈 마 식각 방법 에서 상기 반도체 기판 의 이면 에 플 라즈 마 를 생성 시킬 때 상기 하부 - 제 2 전극 을 이용 하 여 상기 반도체 기판 을 상부 로 리프팅 시키 는 것 이 바람직 하 고 , 상기 제 1 전극 은 메 쉬 구조 를 갖 고 , 상기 반도체 기판 의 이면 에 플 라즈 마 를 생성 시킬 때 상기 메 쉬 구조 의 홀 들 을 통하 여 상기 반도체 기판 의 이면 으로 플 라즈 마가 제공 되 는 것 이 바람직 하 다 .