반도체 메모리 장치 는 DRAM ( dynamic random access memory ) 및 SRAM ( static random access memory ) 과 같이 시간 이 지남 에 따라 데이터 를 잃 어 버리 는 휘발 성 ( volatile ) 이 면서 데이터 의 입 · 출력 이 빠른 RAM 제품 과 , 한번 데이터 를 입력 하 면 그 상태 를 유지 할 수 있 지만 데이터 의 입 · 출력 이 느린 ROM ( read only memory ) 제품 으로 크 게 구분 할 수 있 다 . 이러 한 ROM 제품 은 ROM , PROM ( programmable ROM ) , EPROM ( erasable PROM ) , 및 EEPROM ( electrically EPROM ) 으로 분류 할 수 있 든데 , 이 중 에서 전기 적 방법 으로 데이터 를 프로그램 및 소거 ( erase ) 할 수 있 는 EEPROM 에 대한 수요 가 증가 하 고 있 는 추세 이 다 . 상기 한 EEPROM 셀 이나 일괄 소거 기능 을 갖 는 플 래쉬 메모리 셀 은 플로팅 게이트 , 유전체 막 , 및 콘트롤 게이트 가 적층 된 스택 형 게이트 구조 를 갖 는다 .