도 1 은 , 실리콘 기판 상의 AlGaN / GaN High Electron Mobility Transistor ( HEMT ) 의 실리콘 기판 후면 에 양성자 를 조사 하 기 전 과 후 의 소스 - 드레 인 전류 를 비교 한 그래프 로서 , 양성자 조사 후 에 전류 가 증가 된 결과 는 GaN 과 실리콘 기판 사이 계면 의 결함 , 및 GaN 내 에 있 는 결함 들 이 조사 된 양성자 들 과 결합 하 여 줄어든 것 이 라 해석 할 수 있 다 .