도 11 은 도 1 의 복조 회로 의 보다 구체 적 인 구성 예 를 도시 하 는 회로도 이 다 . 도 1 의 전류 원 ( 104 ) 은 , 도 11 의 n 채널 MOS 전계 효과 트랜지스터 ( 1101 ) 로 구성 할 수 있 다 . 트랜지스터 ( 1101 ) 는 , 게이트 및 드레 인 이 트랜지스터 ( 101 ) 의 게이트 에 접속 되 고 , 소스 가 기준 전위 에 접속 된다 . 트랜지스터 ( 1101 ) 는 , 트랜지스터 ( 101 ) 와 의 사이 에서 전류 미러 를 구성 하 여 , 바이어스 전류 ( Ib ) 를 흘릴 수 있 다 . 이 에 따라 , 트랜지스터 ( 1101 ) 는 , 트랜지스터 ( 101 ) 의 전류 에 비례 한 전류 를 흘릴 수 있 다 . 예컨대 , 트랜지스터 ( 101 및 1101 ) 의 사이즈 비 를 9 : 1 로 하 면 , 트랜지스터 ( 101 ) 에 는 IsH - Ib = 90 ㎂, 트랜지스터 ( 1101 ) 에 는 Ib = 10 ㎂ 의 전류 를 흘릴 수 있 다 . 이때 , 하이 레벨 전류 ( IsH ) 는 100 ㎂ 이 다 .