즉 , 상기 제 3 실리콘 웨이퍼 ( 210 ) 의 앞면 에 는 습식 또는 건식 식각 방법 에 의해 프론트 캐비 티 ( 212 ) 를 형성 하 고 , 그 뒷면 에 는 상기 프론트 캐비 티 ( 212 ) 와 관통 되 는 관통 홀 ( 213 ) 을 형성 한다 . 그리고 프론트 캐비 티 ( 212 ) 와 관통 홀 ( 213 ) 이 형성 된 상기 제 3 실리콘 웨이퍼 ( 210 ) 에 산화 실리콘 ( SiO 2 ) 을 증착 하 여 절연 층 ( 211 ) 을 형성 한다 .