그 후 , 위 의 레이 어인 회로 패턴 형성 등 을 실시 하 여 , 플레이트 로부터 복수 의 디바이스 로 절단 되 고 , 반도체 소자 등 의 디바이스 가 제조 된다 . 상술 한 반도체 디바이스 제조 방법 에 따르 면 , 상술 한 각 실시 형태 에 관련 된 디바이스 제조 시스템 을 사용 하 여 디바이스 의 제조 를 실시 하 고 있 기 때문 에 , 높 은 스루풋 으로 양호 한 반도체 디바이스 를 얻 을 수 있 다 . 또한 , 단계 S 301 ∼ 단계 S 305 에서 는 , 플레이트 상 에 금속 을 증착 하 고 , 그 금속 막 상 에 레지스 트 를 도포 , 그리고 노광 , 현상 , 에칭 의 각 공정 을 실시 하 고 있 는데 , 이 들 공정 에 앞서 , 플레이트 상 에 실리콘 의 산화 막 을 형성 후 , 그 실리콘 의 산화 막 상 에 레지스 트 를 도포 , 그리고 노광 , 현상 , 에칭 등 의 각 공정 을 실시 해도 된다는 것 은 말 할 필요 도 없 다 .