제 2 충전 반도체 패턴 ( 160 b ') 이 제 2 절연 층 ( 150 ') 내 에 배치 된다 . 상기 제 2 충전 반도체 패턴 ( 160 b ') 은 상기 제 2 절연 층 ( 150 ') 을 관통 하 는 제 2 오목 한 영역 ( 155 a ') 을 채운다 . 상기 제 2 충전 반도체 패턴 ( 160 b ') 의 하부 면은 상기 제 1 소자 반도체 층 ( 200 ) 과 접촉 하 고 , 상기 제 2 충전 반도체 패턴 ( 160 b ') 의 상부 면은 상기 제 2 소자 반도체 층 ( 200 ') 과 접촉 한다 . 이때 , 상기 제 2 충전 반도체 패턴 ( 160 b ') 은 단결정 상태 로 이루어져 상기 제 2 소자 반도체 층 ( 200 ') 을 형성 하 기 위한 공정 에서 시드 층 으로 사용 될 수 있 다 . 이 경우 에 , 제 2 게터 링 영역 ( 165 b ') 은 상기 제 2 충전 반도체 패턴 ( 160 b ') 의 아랫부분 에 배치 되 는 것 이 바람직 하 다 . 물론 , 상기 제 2 게터 링 영역 ( 165 b ') 은 금속 원소 를 포획 하 는 다수 의 사이트 들 ( 170 ') 및 상기 사이트 들 ( 170 ') 을 생성 시킨 원소 들 을 포함 한다 .