도 11 에 도시 된 다른 구성 에서 , 유기 박막 트랜지스터 가 유기 발광 디바이스 에 대해 적층 된 관계 로 제조 될 수 있 다 . 이러 한 실시 예 에서 , 유기 박막 트랜지스터 는 상단 또는 바닥 게이트 구조 로 전술 된 바 와 같이 설계 된다 . 도 10 의 실시 예 에서 는 , OTFT 및 OLED 의 활성 영역 이 포토레지스트 ( 33 ) 의 패 터닝 된 층 에 의해 정의 되 지만 , 이러 한 적층 된 구조 에서 는 하나 는 OLED 에 대한 것 이 고 다른 하나 는 OTFT 에 대한 것 인 두 개 의 개별 적 인 뱅크 구조 ( 33 ) 가 존재 한다 . 본 발명 의 실시 예 에 따르 면 , 두 개 의 개별 적 인 뱅크 구조 가 전술 된 바 와 같 은 2 층 구조 를 각각 구비 한다 .