본 발명 은 , 핀 - 펫 게이트 구조 를 갖 는 트랜지스터 에서 의 종래 기술 의 문제점 인 단차 피복성 ( Step Coverage ) 을 개선 하 기 위해 화학 증착 법 을 이용 하 여 몰리브덴 ( Mo ) 과 같 은 금속 막 을 상기 핀 - 펫 구조 트랜지스터 에서 노출 된 실리콘 핀 패턴 과 폴리 실리콘 게이트 상 에 증착 하 여 금속 실리사이드 막 을 형성 하 도록 한다 .