기판 가열 이나 열처리 는 , 산화물 반도체 에 있 어서 악 성 의 불순물 인 수소 나 수산기 를 막 중 에 포함 시키 지 않 도록 하 는 것 , 혹은 막 내 에서 제거 하 는 작용 이 있 다 . 즉 , 산화물 반도체 중 에서 도너 불순물 이 되 는 수소 를 제거 함 으로써 고순 도화 를 도모 할 수 있 고 , 그것 에 의하 여 트랜지스터 의 노 멀리 오프 화 를 도모 할 수 있 고 , 산화물 반도체 가 고 순도 화 됨 으로써 오프 전류 를 1 aA / ㎛ 이하 로 할 수 있 다 . 여기 서 , 상기 오프 전류 값 의 단위 는 , 채널 폭 1 ㎛ 당 의 전류 값 을 나타낸다 .