일부 예 에서 , 본 명세서 에 기재 된 장치 는 하나 이상 의 방법 , 가령 , 방법 ( 1100 ) 을 수행 할 수 있 다 . 장치 는 , 강유 전 성 메모리 셀 에 대한 액세스 절차 의 일부 로서 , 강유 전 성 메모리 셀 과 연결 된 디 지트 라인 의 전압 을 제 1 전압 에서 제 2 전압 으로 증가 시키 고 , 디 지트 라인 의 전압 의 증가 를 기초 로 , 강유 전 성 메모리 셀 과 연결 된 워드 라인 을 활성 화 하 여 디 지트 라인 을 강유 전 성 메모리 셀 에 포함 된 강유 전 성 커패시터 와 연결 하 며 , 워드 라인 을 활성 화 한 후 , 강유 전 성 메모리 셀 과 연결 된 플레이트 의 전압 을 제 1 전압 에서 제 2 전압 으로 증가 시키 고 , 플레이트 의 전압 의 증가 후 , 워드 라인 을 비 활성 화 하 여 강유 전 성 커패시터 를 디 지트 라인 으로부터 분리 하 기 위한 특징 , 수단 , 또는 명령 ( 가령 , 프로세서 에 의해 실행 가능 한 명령 을 저장 하 는 비 - 일시 적 컴퓨터 판독 형 매체 ) 을 포함 할 수 있 다 .