하부 전극 ( 200 ) 은 금속 산화물 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 금속 산화물 은 열처리 등 의 후속 공정 에서 열화 되 지 않 는 물질 을 포함 할 수 있 다 . 또한 , 유전체 층 ( 300 ) 은 하부 전극 ( 200 ) 상 에 성장 되 는데 , 하부 전극 ( 200 ) 은 유전체 층 ( 300 ) 의 성장 이 용이 하 도록 유전체 층 ( 300 ) 과 유사 한 결정 구조 를 갖 는 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 의 특징 을 만족 하 는 물질 로 일 실시 예 에서 , 하부 전극 ( 200 ) 은 탄 탈륨 이 도핑 된 주석 산화물 ( Ta - doped SnO 2 ) 를 포함 할 수 있 다 .