도 1 은 상기 HVIP 법 을 이용 하 여 나노 구 조체 를 제조 하 는 종래 장치 의 한 실시 예 를 나타낸 것 으로서 , 반응 로 ( 100 ) 에 할리드 가스 ( Halide gas ) 가 주입 되 는 제 1 가 스 주 입관 ( 110 ) 과 , NH 3 등 의 V - 족 원소 를 포함 하 는 기체 가 주입 되 는 제 2 가스 주 입관 ( 120 ) 이 형성 되 며 , 상기 제 1 가스 주 입관 ( 110 ) 중간 에 는 Ga 등 의 Ⅲ - 족 를 담 기 위한 용기 ( 130 ) 가 설치 된다 . 또한 , 상기 반응 로 ( 100 ) 내부 에 는 사파이어 등 의 기판 ( 170 ) 을 안치 하 기 위한 기판 홀더 ( 140 ) 가 설치 되 며 , 타 측 에 는 반응 가스 들 을 배기 시키 기 위한 배기구 ( 150 ) 가 형성 된다 . 또한 , 상기 반응 로 ( 100 ) 외벽 에 는 전기 로 ( 160 ) 가 설치 되 어 반응 로 ( 100 ) 의 온도 를 조절 할 수 있 도록 한다 .