본 실시 형태 에 관한 클러스터 시스템 ( 성막 시스템 ) ( 300 ) 에 대해 , 도 1 을 사용 하 여 설명 한다 . 도 1 은 , 본 실시 형태 에 관한 클러스터 시스템 ( 300 ) 의 구성도 이 다 . 클러스터 시스템 ( 300 ) 은 , 웨이퍼 등 의 기판 W 에 산화 막 제거 처리 를 행하 고 , 그 후 , 산화 막 제거 처리 가 실시 된 기판 W 에 금속 막 성막 처리 를 행하 기 위한 장치 이 다 .