도 1 에 도시 된 바 와 같 은 HVPE 증착 장치 를 사용 하 여 , 2 인치 사파이어 기판 을 나노 막대 형성 영역 ( C 1 ) 에 구비 시키 고 , Ga 금속 , HCl 및 NH 3 를 반응 원료 로 사용 하 였 다 . 반응 원료 기체 화 열 원 부 ( 10 ) 의 온도 는 800 ℃ 이 고 , 혼합 가스 반응열 원부 ( 11 ) 의 온도 는 1100 ℃ 이 며 , 상기 나노 막대 형성 열 원 부 ( 12 ) 의 온도 는 650 ℃ 로 고정 하 여 , 2 시간 동안 GaN 나노 막대 를 제조 하 여 , 상기 기판 상 에 약 2 ㎛ 로 균일 하 게 성장 된 GaN 나노 막대 를 얻 었 다 . 다음 으로 , 상기 GaN 나노 막대 로 이루어진 템 플레이트 의 상부 에 MOCVD 법 에 의 GaN 보호막 을 적층 하 였 다 . 이때 사용 한 MOCVD 는 통상 적 인 장비 로서 AXTRON 200 RF 을 사용 하 였 다 . 상기 GaN 나노 막대 가 성장 된 사파이어 기판 의 온도 는 저온 버퍼 층 형성 단계 에서 800 ℃ 로 1 시간 동안 성장 시킨 후 , GaN 보호 층 형성 단계 에서 950 ℃ 로 1 시간 동안 성장 시켰 다 . 이때 사용 한 반응 가스 는 TMGa ( Trimethyl Gallium ) 및 NH 3 였 다 . 마지막 으로 , 통상 적 인 HVPE 법 을 이용 하 여 기판 의 온도 를 1050 ℃ 로 하 고 , Ga 금속 의 반응 온도 는 800 ℃ 로 고정 한 다음 , HCl 및 NH 3 기체 를 사용 하 여 반응 시켰 고 , 두께 가 약 32 ㎛ 인 GaN 후막 을 적층 하 였으며 , GaN 나노 막대 상부 에 GaN 후막 이 형성 되 어 있 는 모습 을 전자 주사 현미경 을 이용 하 여 확인 하 고 도 5 에 도시 하 였 다 . 도 5 를 참조 하 면 , GaN 나노 막대 가 고온 또는 에칭 가스 ( HCl ) 의 영향 없이 유지 되 며 , 그 상부 에 GaN 후막 이 형성 된 것 을 확인 할 수 있 다 .