통상 , 기판 ( 120 ) 으로부터 소자 형성 층 ( 134 ) 을 박리 할 때 에 , 박막 트랜지스터 ( 100 a , 100 b ) 에 응력 이 생겨 , 상기 박막 트랜지스터 ( 100 a , 100 b ) 가 파손 될 우려 가 있 다 . 그러나 , 박막 트랜지스터 가 갖 는 반도체 막 ( 106 ) 에 반도체 막 ( 106 ) 보다 도 높 은 영률 로 형성 된 보강 막 ( 103 ) 및 보강 막 ( 109 ) 을 형성 함 으로써 , 소자 형성 층 ( 134 ) 에 굴곡 등 에 의해 외력 이 가해진 경우 에 도 , 반도체 막 ( 106 ) 에 생기 는 응력 을 억제 할 수 있 다 . 따라서 , 박막 트랜지스터 ( 100 a , 100 b ) 의 손상 이나 파괴 를 저감 할 수 있 다 . 특히 , 지지 기판 에 트랜지스터 등 의 소자 를 형성 한 후 에 , 별도 의 기판 에 전치 하 는 경우 에 는 , 보강 막 ( 103 및 109 ) 을 형성 하 는 것 이 대단히 유효 하 다 .