Q - factor 값 을 증가 시키 는 방법 과 관련 하 여 , RF ( Radio Frequency ) 공정 이 제공 이 되 면서 인덕 터 의 Q - factor 값 은 10 ㎓ 에서 약 10 정도 의 값 을 가지 며 , 그 이상 의 증가 는 어려운 것 으로 나타나 고 있 다 . 도 2 a 및 2 b 는 인덕 터 구조 의 변화 에 따른 Q - factor 값 의 변화 를 0 . 18 um CMOS 공정 에서 제공 되 는 인덕 터 를 이용 하 여 시뮬레이션 한 것 으로서 , 각각 인덕 터 의 안쪽 둘레 를 변화 시키 는 경우 와 인덕 터 의 메탈 두께 를 변화 시키 는 경우 의 시뮬레이션 결과 를 나타내 는 도면 이 다 . 도 2 로부터 , RF 공정 에서 Q - factor 값 은 약 10 정도 에서 정해 지 기 때문 에 Q - factor 의 증가 로 인한 위상 잡음 의 감소 는 어렵 다는 것 을 확인 할 수 있 다 .