아울러 , 제 1 내측 배선 들 ( 210 b ) 은 제 1 최 외곽 배선 ( 210 a ) 보다 내측 , 즉 제 1 최 외곽 배선 ( 210 a ) 보다 반도체 기판 ( 110 ) 의 중심 에 보다 인접 하 여 위치 하 고 , 양 끝단 중 어느 하나 가 반도체 기판 ( 110 ) 의 제 1 측면 ( 100 S 1 ) 밖 으로 돌출 된 복수 의 제 1 도전 성 배선 ( 210 ) 을 의미 한다 .