그 다음 에 , 게이트 절연 층 ( 146 ) , 절연 층 ( 150 ) 에 , 소스 전극 ( 142 a ) 에 까지 도달 하 는 개구 를 형성 한다 . 그 후 , 절연 층 ( 150 ) 위 에 소스 전극 ( 142 a ) 과 접하 는 배선 ( 154 ) 을 형성 한다 ( 도 22 의 ( b ) 참조 ) . 당해 개구 의 형성 은 마스크 등 을 이용 한 선택 적 인 에칭 에 의해 행해진다 .