레티 클 ( 220 , reticle ) 은 타 겟 웨이퍼 ( 250 , target wafer ) 상 에 이미 징 될 리소그래피 패턴 ( lithographic pattern ) 을 포함 한다 . 레티 클 ( 220 ) 은 레티 클 ( 220 ) 에 충돌 하 는 광 을 반사 시키 도록 구성 될 수 있 다 . 레티 클 ( 220 ) 의 리소그래피 패턴 은 레티 클 ( 220 ) 에 충돌 하 는 광 을 복수 의 회절 차수 ( diffraction orders ) 로 회절 시킬 수 있 다 . 레티 클 ( 220 ) 은 레티 클 평면 을 정의 할 수 있 다 . 리소그래피 패턴 은 반도체 장치 의 제조 에 통상 적 으로 사용 되 는 , 예 를 들 어 , 반도체 핀 ( fins ) 또는 필러 ( pillars ) 등 과 같 은 반도체 구조물 의 패 터닝 을 위해 , 라인 의 백 엔드 상호 연결 구조 의 형성 을 통해 , " 라인 에 사용 될 패턴 을 "" 프린팅 ( printing ) "" 하 기 위한 목적 을 위한 임의 의 유형 일 수 있 다 . 예 를 들 어 ", 레티 클 은 예 를 들 어 복수 의 평행 하 게 이격 된 라인 들 을 포함 하 는 라인 - 기반 레티 클 패턴 ( line - based reticle pattern ) 을 포함 할 수 있 다 .