계속 해서 , 도 5 d 에 도시 된 바 와 같이 , 유리 기판 ( 18 ) 을 지지 기판 으로서 전체 를 반전 시켜 , 제 2 기판 ( 200 ) 의 반도체 기판 ( 21 ) 을 연마 하 여 박막 화 한다 . 다음 에 , 도 5 e 에 도시 된 바 와 같이 , 절연 층 ( 35 ) 을 사이 에 두 고 , 예 를 들 어 트랜지스터 ( 20 ) 의 소스 영역 ( 21 S ) 과 기억 소자 ( 40 ) 를 접속 하 는 콘택트 플러그 P 1 및 기억 소자 ( 40 ) 를 형성 한다 . 이 에 의해 , 도 2 에 도시 된 반도체 장치 ( 1 ) 가 완성 된다 .