한편 , 반사 부 ( RA ) 에 요철 형 패턴 ( 211 ) 및 투 과부 ( TA ) 에 식각 홈 ( 248 ) 을 가지 는 제 1 기판 ( 200 ) 은 스위칭 소자 인 박막 트랜지스터 ( TFT ) 가 매트릭스 형태 ( matrix type ) 로 위치 하 고 , 이러 한 다수 의 박막 트랜지스터 ( TFT ) 는 다수 의 게이트 배선 과 데이터 배선 이 교차 되 는 지점 에 게이트 전극 ( 232 ) 과 , 상기 게이트 전극 ( 232 ) 상 에 형성 된 게이트 절 연막 ( 238 ) 을 사이 에 두 고 반도체 층 ( 240 ) , 소스 및 드레 인 전극 ( 242 , 244 ) 으로 형성 된다 .