반도체 장치 가 고집 적 화 되 어 감 에 따라 반도체 장치 의 패턴 의 선폭 및 패턴 간격 도 현저 하 게 감소 되 고 있 다 . 이러 한 패턴 선폭 의 감소 에 따라 트랜지스터 와 같 은 반도체 장치 의 채널 길이 ( channel length ) 도 크 게 줄어들 게 된다 . 트랜지스터 의 채널 길이 가 트랜지스터 의 동작 에 요구 되 는 적절 한 채널 길이 ( 유효 채널 길이 ) 보다 작 게 형성 되 면 , 단 채널 효과 ( short channel effect ) 에 의해 트랜지스터 의 전기 적 인 특성 이 저하 되 는 문제 가 발생 한다 . 이러 한 문제점 을 해결 하 기 위하 여 , 적절 한 수준 으로 트랜지스터 의 유효 채널 길이 를 확보 하 기 위한 다양 한 형태 의 트랜지스터 들 이 개발 되 고 있 다 .