도 3 a 내지 도 3 e 는 패 시베이 션 층 을 사용 하 여 프로세싱 동안 기판 의 일부 의 개략 적 인 단면도 를 제공 한다 . 도 4 는 이러 한 프로세스 를 위한 프로세스 흐름 도 를 제공 한다 . 도 4 를 참조 하 면 , 프로세스 는 도 1 a 및 도 1 b 를 참조 하 여 기술 된 것 과 동일 한 방식 으로 , 복수 의 돌출 하 는 피처 들 을 갖 는 기판 을 제공 함 으로써 4401 에서 시작 되 고 돌출 하 는 피처 들 의 측벽 들 및 수평 표면 들 상 에 주석 옥사이드 를 증착 함 으로써 4403 으로 진행 된다 . 도 1 b 에 도시 된 기판 이 또한 타깃 층 은 층 ( 301 ) 이 고 , ESL 은 303 이 고 , 맨드릴 은 305 이 고 , 주석 옥사이드 층 은 307 인 , 도 3 a 에 예시 된다 . 일반 적 으로 층 들 의 재료 들 은 도 1 a 내지 도 1 f 를 참조 하 여 기술 된 실시 예 와 동일 할 수 도 있 다 . 도 3 a 에 예시 된 실시 예 에서 , 맨드릴 ( 305 ) 은 실리콘 옥사이드 ( SiO 2 ) ( 302 ) 의 외측 층 을 갖 는 실리콘 ( Si ) 맨드릴 이 지만 , 기술 된 프로세스 시퀀스 는 탄소 - 함유 맨드릴 들 및 금속 옥사이드 맨드릴 들 을 포함 하 는 다양 한 맨드릴 재료 들 과 함께 사용 될 수 있 다는 것 이 이해 된다 . 도 4 를 참조 하 면 , 주석 옥사이드 층 이 증착 된 후 , 프로세스 는 돌출 하 는 피처 들 의 측벽 들 에서 주석 옥사이드 층 위 에 패 시베이 션 층 을 형성 함 으로써 4405 로 이어진다 . 발생 되 는 구조 체 는 , 돌출 하 는 피처 의 측벽 들 상 의 패 시베이 션 층 ( 309 ) 을 도시 하 는 도 3 c 에 도시 된다 . 도시 된 실시 예 에서 , 패 시베이 션 층 은 수평 표면 들 상 에 존재 하 지 않 는다 .