상술 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 질화 갈륨 계 발광 다이오드 는 반사 층 과 GaN 층 의 사이 에 형성 된 연결 층 을 구비 하 고 , 상기 연결 층 의 상면 으로부터 하 면 까지 관통 되 는 홈 또는 홀 이 형성 됨 으로써 , 반사 층 의 일부 가 연결 층 에 형성 된 홈 또는 홀 을 통하 여 , P - GaN 층 또는 도전 성 접착 층 에 연결 된다 . 따라서 , 반사 층 의 박리 를 방지 할 수 있 을 뿐 만 아니 라 , 접촉 저항 이 감소 됨 으로써 , 동작 전압 및 발열량 이 감소 하 는 유리 한 효과 가 있 다 .