일부 실시 예 에서 , 제 2 격리 패턴 ( 114 ) 이 화소 영역 ( A ) 에 배치 된다 . 일부 실시 예 에서 , 제 2 격리 패턴 ( 114 ) 은 제 1 패턴 부 ( 114 a ) 및 제 2 패턴 부 ( 114 b ) 를 갖 는다 . 일부 실시 예 에서 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 패턴 부 ( 114 a ) 는 반도체 기판 ( 100 ) 의 두께 방향 ( Z ) 에 수직 인 방향 ( X ) 을 따라 배열 되 고 , 제 2 패턴 부 ( 114 b ) 는 두께 방향 ( Z ) 에 수직 인 방향 ( Y ) 을 따라 배열 되 며 , 여기 서 방향 ( X ) 은 방향 ( Y ) 에 수직 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 각각 의 제 1 패턴 부 ( 114 a ) 는 방향 ( Y ) 을 따라 연장 되 고 , 각각 의 제 2 패턴 부 ( 114 b ) 는 방향 ( X ) 을 따라 연장 된다 . 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 패턴 부 ( 114 a ) 가 제 2 패턴 부 ( 114 b ) 에 연결 되 어 메 쉬 구조물 을 구성 한다 .