본 발명자 들 은 상기 과제 를 해결 하 기 위해 예의 검토 를 거듭 한 결과 , 차광막 을 극 박 으로 한 경우 , 원리 적 으로 는 트레이드오프 가 되 는 차광막 의 막 두께 와 표면 및 이면 의 반사 율 과 의 문제 를 양립 시켜 , 고스트 패턴 을 제공 할 위험 성 을 낮추 고 , 고정 밀도 의 가공 을 가능 하 게 하 기 위해서 는 , 기판 상 에 형성 한 차광막 에 전이 금속 과 질소 및 / 또는 산소 를 포함 하 는 규소 재료 를 이용 하 여 , 차광막 의 기판 측 과 표면 측 ( 기판 으로부터 가장 이격 한 측 ) 에 질소 및 산소 의 합계 함유율 이 층 의 두께 방향 으로 경사져 있 는 층 을 배치 하 고 , 상기 기판 측 의 층 을 상기 표면 측 의 층 보다 두껍 게 함 으로써 , 전이 금속 과 규소 를 함유 하 는 화합물 을 이용 하 는 차광막 에서 , 막 두께 를 두껍 게 하 지 않 고 반사 율 을 필요 충분 하 게 저하 시키 고 , 추가 로 고정 밀도 로 제어 된 가공 후 의 차광막 패턴 형상 , 특히 패턴 측면 의 수직 성 이 높 은 차광막 패턴 이 얻 어 지 는 것 을 발견 하 여 본 발명 을 완성 하 기 에 이르 렀다 .