후술 하 는 실시 예 에서 는 , DEET ( Double Expose Etch Technology ) , 릴 락스 물질 ( Resolution Enhancement Lithography Assisted Chemical Shrink ; RELACS ) , 비정질 카본 층 ( Amorphous Carbon Layer ; ACL ) 및 질화 막스 페이서 ( Nitride Spacer ; NSP ) 기술 을 연합 하 여 라인 선폭 이 25 nm 이하 가 되 는 초미세 산화 막 패턴 을 형성 하 는 방법 을 제안 하 고 있 다 .