도 20 의 단면도 ( 2000 ) 에 의해 예시 된 바 와 같이 , 메모리 하드 마스크 층 ( 1702 ) ( 도 19 참조 ) 으로부터 한 쌍 의 선택 게이트 하드 마스크 ( 152 ) , 소거 게이트 하드 마스크 ( 159 ) , 및 더미 선택 게이트 하드 마스크 ( 164 ) 를 형성 하 도록 에칭 이 사용 될 수 있 다 . 선택 게이트 하드 마스크 ( 152 ) 는 공통 메모리 소스 / 드레 인 영역 ( 128 ) 과 반대 인 플로팅 게이트 전극 의 측 부 를 덮 는다 . 소거 게이트 하드 마스크 ( 159 ) 는 공통 메모리 소스 / 드레 인 영역 ( 128 ) 을 덮 는다 . 더미 선택 게이트 하드 마스크 ( 164 ) 는 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 위 에 형성 된다 . 에칭 프로세스 는 마스크 를 필요 로 하 지 않 는다 . 수직 에 대하 여 가장 얇 은 곳 의 메모리 하드 마스크 층 ( 1702 ) 을 제거 함 으로써 원 하 는 구조물 이 형성 될 수 있 다 .