열 처리 는 산소 분위기 속 에서 행할 수 있 지만 , 우선 질소 혹은 불활성 가스 , 또는 감압 하 에서 열 처리 를 행하 고 나 서 산소 를 함유 하 는 분위기 속 에서 열 처리 를 행하 여도 된다 . 이 와 같 은 분위기 속 에서 열 처리 를 행함 으로써 , 산화물 반도체 막 중 에 산소 를 과잉 으로 함유 시킬 수 있 다 . 최초 에 탈수 화 ㆍ탈 수소화 를 행하 고 나 서 산소 를 산화물 반도체 막 에 추가 함 으로써 , 열 처리 의 효과 를 보다 높일 수 있 다 . 또한 , 이후 로부터 산소 를 추가 하 기 위해서 는 , 산소 이온 을 전계 로 가속 하 여 산화물 반도체 막 에 주입 하 는 방법 을 적용 하 여도 된다 . 이 에 의해서 도 , 산화물 반도체 막 중 에 산소 를 과잉 으로 함유 시킬 수 있 다 .