도 12 a 내지 도 12 c 를 참조 하 면 , 희생 패턴 들 ( 235 A 내지 235 C ) 의 측벽 들 상 에 스 페이서 막 들 ( 241 A 내지 241 C ) 을 형성 할 수 있 다 . 스 페이서 막 들 ( 241 A 내지 241 C ) 은 희생 패턴 들 ( 235 A 내지 235 C ) 및 마스크 막 ( 233 ) 과 다른 식각 률 을 갖 는 물질 을 포함 할 수 있 다 . 스 페이서 막 들 ( 241 A 내지 241 C ) 은 제 1 스 페이서 막 들 ( 241 A ) , 제 2 스 페이서 막 들 ( 241 B ) , 및 제 3 스 페이서 막 들 ( 241 C ) 을 포함 할 수 있 다 .