시스템 장치 는 반도체 메모리 , 제 1 컨트롤 부 , 전압 생 성부 , 클록 생 성부 및 제 2 컨트롤 부 를 갖 는다 . 반도체 메모리 는 제 1 전원 전압 에 따라 동작 하 는 내부 회로 와 , 내부 회로 에 접속 되 며 제 2 전원 전압 에 따라 동작 하 는 메모리 입출력 회로 를 갖 고 , 클록 신호 에 동기 하 여 동작 한다 . 제 1 컨트롤 부 는 , 반도체 메모리 에 액세스 하 기 위해 , 메모리 입출력 회로 에 접속 되 며 제 2 전원 전압 에 따라 동작 하 는 제어 입출력 회로 를 갖 고 , 클록 신호 에 동기 하 여 동작 한다 . 전압 생 성부 는 제 2 전원 전압 을 생성 하 며 , 전압 조정 신호 에 따라 제 2 전원 전압 을 변경 한다 . 클록 생 성부 는 클록 신호 를 생성 하 며 , 클록 조정 신호 에 따라 클록 신호 의 주파수 를 변경 한다 . 제 2 컨트롤 부 는 , 제 1 컨트롤 부 에 의한 반도체 메모리 의 액세스 상황 에 따라 , 반도체 메모리 의 소비 전력 을 최적 으로 하 기 위해 , 전압 조정 신호 및 클록 조정 신호 를 생 성 한다 .