도 3 의 ( b ) 에 도시 된 바 와 같이 , 디램 모드 에서 부유 바디 셀 에 홀 이 축적 되 어 문턱 전압 이 낮 아 지 는 ( VT . L 1 , " VT . H 1 ) 정보 "" 1 "" 의 상태 ( 311 a ", 312 a ) 는 PD SOI 기판 의 모스 전계 효과 트랜지스터 ( MOSFET ) 의 포화 모드 에서 드레 인 전압 이 매우 높 을 때 나타난다 . 그 이유 는 , 채널 내 의 캐리어 는 드레 인 근처 의 고전 계 지역 에서 충분 한 에너지 를 얻 음 으로써 , 충돌 이온 화 ( Impact Ionization ) 가 일어나 전자 - 홀 쌍 을 형성 하 게 되 고 , 이렇게 생성 된 전자 들 은 드레 인 으로 빠져나가 는 반면 에 , 생성 된 홀 들 은 낮 은 포 텐 셜 영역 으로 몰리 기 때문 이 다 . 이러 한 PD SOI 기판 은 소스 와 드레 인 각각 이 바이 폴라 트랜지스터 의 이미터 ( emitter ) 와 컬렉터 ( collector ) 각각 에 해당 되 는 반면 에 , 베이스 ( base ) 에 해당 하 는 부유 바디 셀 은 바이어스 를 가할 수 없 기 때문 에 부유 ( floating ) 하 게 되 고 , 홀 들 이 부유 바디 셀 의 저 포 텐 셜 지역 으로 모인다 . 그리고 , 실리콘 박막 과 기판 사이 의 완벽 한 절연 때문 에 이 홀 들 은 빨리 제거 될 수 가 없 다 . 따라서 , 홀 은 부유 바디 셀 에 저장 되 고 , 부유 바디 효과 로 인한 점차 적 인 바디 포 텐 셜 의 증가 로 이어지 게 되 어 문턱 전압 을 낮추 게 되 는 것 이 다 .