상기 하부 기판 ( 60 ) 의 상면 에 는 동일 레이어 상 에 캐소드 전극 ( 62 ) 과 게이트 전극 ( 64 ) 이 상호 교호 로 배치 되 도록 형성 된다 . 캐소드 전극 ( 62 ) 과 게이트 전극 ( 64 ) 은 모두 음극 을 형성 하 는 것 으로서 , 하부 기판 ( 40 ) 상 에 전도성 금속 페이스트 를 이용 하 여 형성 된다 . 캐소드 전극 ( 62 ) 및 게이트 전극 ( 64 ) 각각 의 상면 에 는 관 체 내부 공간 에 전자 를 방출 하 기 위한 에 미터 ( 66 ) 가 형성 된다 . 바람직 하 게 , 에 미터 ( 66 ) 는 CNT 등 과 같 은 탄소 나노 계 물질 을 프린팅 법 , 증착 법 등 다양 한 방법 을 이용 하 여 형성 된다 . 상부 기판 ( 50 ) 과 하부 기판 ( 60 ) 사이 의 내부 공간 은 진공 처리 되 며 , 양극 인 애노드 전극 ( 52 ) 과 음극 인 캐소드 전극 ( 62 ) 또는 게이트 전극 ( 64 ) 간 에 형성 되 는 전계 에 의해 , 에 미터 ( 66 ) 에서 진공 인 관 체 내부 공간 으로 전자 를 방출 하 며 , 이 에 따라 발생 된 자외선 이 형광체 층 ( 54 ) 을 여기 시켜 램프 가 점등 된다 .