도 11 은 도 8 에서 설명 한 본 발명 의 다른 실시 예의 변형 예 로 , 도 8 과 비교 하 여 , 상기 게이트 라인 ( 101 , 111 ) 들 의 소정 부위 에서 폭 을 줄임 으로써 , 상기 게이트 라인 ( 101 ) 과 데이터 라인 ( 102 ) 에 의해 정의 되 는 화소 영역 을 늘인 것 이 며 , 이 로써 , 상기 게이트 라인 ( 101 , 111 ) 의 폭 이 줄어든 만큼 상기 화소 영역 에 형성 되 는 화소 전극 ( 103 a , 103 b ) 의 크기 를 늘릴 수 있 다 . 이 로써 , 개구율 의 증가 가 가능 하 다 . 이 때 에 는 , 보상 패턴 ( 110 ) 이 늘려 진 전단 화소 전극 ( 103 b ) 부위 와 줄어든 전단 게이트 라인 ( 111 ) 의 들어간 부위 상 에 걸쳐 , 상기 전단 게이트 라인 ( 111 ) 과 이격 하 여 형성 되 며 , 각각 쇼트 부위 는 화소 전극 ( 103 a ) 과 전단 화소 전극 ( 103 b ) 과 보상 패턴 ( 110 ) 의 오버랩 부위 이 다 .