일 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 1 박막 ( 10 ) 을 형성 하 는 단계 의 공정 온도 에 따라 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 후술 되 는 제 2 박막 ( 20 ) 에 제공 되 는 상기 제 1 박막 ( 10 ) 의 반응 사이트 ( - OH ) 의 수 가 조절 될 수 있 다 ( Case Ⅰ , Case Ⅱ ) . 구체 적 으로 , 상기 제 1 박막 ( 10 ) 을 형성 하 는 단계 의 공정 온도 가 상대 적 으로 높 은 경우 , 상기 제 1 박막 ( 10 ) 을 형성 하 는 단계 의 공정 온도 가 상대 적 으로 낮 은 경우 보다 상기 제 2 박막 ( 20 ) 에 제공 되 는 상기 제 1 박막 ( 10 ) 의 상기 반응 사이트 ( - OH ) 수 가 적 을 수 있 다 ( Case Ⅱ ) .