본 발명 에 있 어서 의 구리 막 1 의 두께 는 10 nm 이상 40 nm 이하 인 것 이 바람직 하 고 , 또한 10 nm 이상 20 nm 이하 인 것 이 더욱 바람직 하 다 . 두께 가 10 nm 미만 이 면 충분 한 밀착력 이 얻 어 지 지 않 는 경우 가 있 다 . 한편 , 두께 가 40 nm 를 초과 하 면 불소 수지 표면 에 대미지 를 주 어 필름 으로서 의 유연 성 을 저하 시켜 불소 수지 표면 에 크랙 이 발생 하 는 문제 가 발생 한다 . 이 크랙 은 수지 표면 을 전반 ( 傳搬 ) 하 여 배선 형성 후 의 단선 의 원인 이 될 수 있 다 . 이 크랙 은 구리 막 1 형성 후 , 구리 막 2 형성 전 에 발생 한다 . 구리 막 이 두꺼워 지 면 구리 막 의 강도 가 있 고 , 크랙 은 발생 하 지 않 는다 . 스퍼터링 개시 로부터 구리 막 이 두꺼워질 때 까지 열 등 의 영향 으로 필름 수축 이 발생 했 을 때 에 필름 수지 표면 에서 무른 층 이 생성 되 어 크랙 이 발생 한다고 생각 된다 . 또한 , 불소 수지 표면 으로부터 괴리 된 불소 를 많이 막 중 에 도입 하 기 때문 에 구리 막 내 에 내산성 이 약한 불화 구리 를 형성 한다고 추측 된다 . 회로 형성 의 웨트 프로세스 시 에 불화 구리 로부터 불화 수소산 이 생성 되 어 구리 막 1 의 부식 의 원인 이 된다 . 불화 구리 는 성막 직후 의 구리 막 에서 는 생성 되 지 않 고 , 경시 에 따라 금속 막 중 에 도입 된 불소 와 구리 가 반응 해서 형성 된다 . 성막 직후 에 불소 가 구리 막 중 에 도입 되 면 성막 후 24 시간 이상 의 산 침지 에 의해 구리 막 과 불소 수지 계면 부근 이 용해 되 고 , 구리 막 이 박리 된다 . 회로 기판 형성 시 에 는 황산 농도 200 g / L 정도 의 전해 구리 도금액 에 10 분 이상 침지 시킬 필요 가 있 고 , 황산 농도 200 g / L 의 10 분 이상 의 침지 의 내산성 이 필수 적 이 다 . 스퍼터링 법 의 출력 이 강하 고 처리 시간 이 길 수록 수지 의 대미지 와 괴리 불소 의 구리 막 1 중 에 의 도입 량 은 커지 기 때문 에 구리 막 1 의 두께 는 얇 은 쪽 이 바람직 하 고 , 20 nm 이하 인 것 이 더욱 바람직 하 다 .