< 표 1 > 및 도 4 를 참조 하 면 , 상기 근적외선 이 조사 된 예비 산화물 반도체 층 ( 170 ) 에 제 1 광 소결 에너지 ( 1 st IPL ) 를 조사 하 여 산화물 반도체 층 ( 200 ) 을 형성 하 는 경우 에 , 상기 제 1 광 소결 에너지 ( 1 st IPL ) 70 J / cm 2 이상 및 160 J / cm 2 미만 범위 에서 , 상기 산화물 반도체 층 ( 200 ) 의 전자 이동도 및 on / off 스위칭 특성 이 나타나 는 것 을 확인 할 수 있 다 . 본 발명 의 실시 예 에 따르 면 , 도 4 및 < 표 1 > 에 도시 된 전자 이동도 및 on / off 스위칭 특성 은 , 상기 예비 산화물 반도체 층 ( 170 ) 에 원자외선 을 조사 함 으로써 향상 될 수 있 다 .