도 34 a 는 게이트 절연 층 의 두께 를 15 nm 로 한 것 이 며 , 도 34 b 는 10 nm 으로 한 것 이 며 , 도 34 c 는 5 nm 으로 한 것 이 다 . 게이트 절연 층 이 얇 아 질수록 , 특히 오프 상태 에서 의 드레 인 전류 ( Id ) ( 오프 전류 ) 가 현저 하 게 저하 된다 . 한편 , 이동도 ( μ ) 의 피크 값 이나 온 상태 에서 의 드레 인 전류 ( Id ) ( 온 전류 ) 에 는 눈 에 띄 는 변화 가 없 다 . 게이트 전압 1 V 전후 에서 , 드레 인 전류 는 메모리 셀 등 에서 필요 로 하 는 10 ㎂ 를 초과 하 는 것 이 나타낸다 .