본 개시 의 일 실시 형태 의 반도체 장치 및 일 실시 형태 의 반도체 장치 의 제조 방법 에서 는 , 능동 소자 가 형성 되 어 있 는 제 1 기판 과 전기 적 으로 접속 되 는 제 2 기판 에 있 어서 , 제 2 기판 의 제 1 면 에 로직 회로 를 구성 하 는 제 1 트랜지스터 를 형성 하 고 , 제 1 면 과 는 반대 측 의 제 2 면 에 불휘발성 메모리 소자 를 형성 하 도록 했 다 . 이 에 의해 , 원 하 는 타이밍 에 불휘발성 메모리 소자 를 형성 하 는 것 이 가능 해져 , 불휘발성 메모리 소자 에 가해 지 는 서멀 버짓 을 저감 하 는 것 이 가능 해진다 .