일반 적 으로 DRAM ( Dynamic Random Access Memory ) 의 프리 차지 ( Precharge ) 동작 이 라 함 은 , 임의 의 신호 형 성단 이 액티브 동작 이전 또는 이후 일정 전압 으로 차지 됨 을 의미 한다 . 예 를 들 어 , 비트 라인 프리 차지 를 설명 하 면 , 액티브 명령 이 입력 된 후 셀 의 데이터 는 센스 엠 프 에서 증폭 되 어 VBLP 레벨 의 비트 라인 / 비트 라 인바 에 전달 된다 . 이때 , 상기 비트 라인 과 상기 비트 라 인바 는 VCORE 레벨 또는 VSS 레벨 을 갖 는다 . 이후 , 프리 차지 명령 이 입력 되 면 상기 비트 라인 과 상기 비트 라 인바 는 VBLP ( VCORE / 2 ) 레벨 로 복구 된다 . 이러 한 비트 라인 프리 차지 를 구현 하 는 기술 중 오토 프리 차지 ( Auto Precharge ) 는 외부 컨트롤 칩셋 ( control chip set ) 으로부터 액티브 명령 이 입력 된 후 뱅크 액티브 신호 가 DRAM 내부 의 tRAS 지연 회로 를 거쳐 소정 의 시간 동안 지연 된 후 자동 적 으로 프리 차지 동작 을 수행 하 는 것 이 다 . 여기 서 , tRAS ( Active to Precharge ) 는 액티브 명령 이 입력 된 후 프리 차지 명령 이 입력 되 기 까지 의 시간 을 말 한다 .