상기 에서 , 파이프 채널 층 ( 730 c ) 이 형성 된 후 에 트렌치 ( 716 ) 가 형성 되 기 때문 에 트렌치 ( 716 ) 에 는 도전 층 이 형성 되 지 않 는다 . 따라서 , 트렌치 ( 716 ) 를 형성 하 기 위한 식각 공정 시 파이프 채널 층 ( 730 c ) 이 노출 되 더라도 , 파이프 채널 층 ( 730 c ) 이 다른 도전 층 과 연결 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 또한 , 트렌치 ( 716 ) 를 형성 하 기 위해 식각 공정 을 실시 하 더라도 , 절연성 베리 어막 ( 720 ) 에 의해 파이프 채널 층 ( 730 c ) 이 노출 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 따라서 , 파이프 채널 층 ( 730 c ) 에 식각 손상 이 발생 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .