일부 실시 예 는 NAND 메모리 어레이 를 형성 하 는 방법 을 포함 한다 . 교번 하 는 제 1 레벨 및 제 2 레벨 의 수직 스택 이 형성 된다 . 제 1 레벨 은 제 1 재료 를 포함 하 고 제 2 레벨 은 제 2 재료 를 포함 한다 . 제 1 레벨 은 제 2 레벨 에 대하 여 리세 스 된다 . 제 2 레벨 은 제 1 레벨 을 너머 연장 되 는 돌출 종단 단부 를 갖 는다 . 공동 들 은 돌출 종단 단부 사이 의 제 1 레벨 내 로 연장 된다 . 전하 - 저장 재료 가 제 2 레벨 의 종단 단부 주변 에 형성 된다 . 전하 - 저장 재료 는 공동 을 라이닝 하 기 위해 공동 내 로 연장 된다 . 전하 - 터널 링 재료 는 전하 - 저장 재료 를 따라 수직 으로 연장 되 도록 형성 된다 . 전하 - 터널 링 재료 는 라이닝 된 공동 을 채운다 . 채널 재료 는 전하 - 터널 링 재료 를 따라 수직 으로 연장 되 도록 형성 된다 . 제 1 재료 가 제거 되 어 제 1 보이드 를 남긴다 . 제 1 보이드 에 제공 된 에 천트 는 전하 - 저장 재료 로 에칭 하 는 데 사용 된다 . 전하 - 저장 재료 로 의 에칭 후 에 절연 성 제 3 재료 가 제 1 보이드 내 에 형성 된다 . 제 2 재료 가 제거 되 고 제 2 보이드 가 형성 된다 . 전도성 레벨 이 제 2 보이드 내 에 형성 된다 . 전도성 레벨 은 NAND 메모리 어레이 의 워드 라인 레벨 이 고 , 제 어 게이트 영역 에 대응 하 는 종단 단부 를 갖 는다 . 제 어 게이트 영역 은 전하 - 저장 재료 에 인접 한다 .