한편 , 마스크 층 ( 130 ) 이 게이트 전극 ( 120 ) 상 에 일부 미스 얼라인 되 더라도 오버랩 영역 ( d ₃ , d ₄ ) 의 폭 이 노출 영역 ( d ₁ , d ₂ ) 의 폭 보다 넓 기 때문 에 채널 영역 ( 105 ) 으로 이온 이 주입 되 지 는 않 는다 . 따라서 , 안정 적 인 채널 영역 ( 105 ) 을 확보 하 여 반도체 소자 의 동작 특성 이 저하 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .