제 2 제어 전극 ( CE 2 ) , 초기 제 2 반도체 패턴 ( SP 2 - A ) , 제 3 반도체 패턴 ( SP 3 ) , 및 제 2 전극 ( CPE 2 ) 는 동일 한 마스크 를 이용 하 여 패 터닝 될 수 있 다 . 제 2 제어 전극 ( CE 2 ) 및 제 2 전극 ( CPE 2 ) 을 형성 하 기 위한 마스크 를 이용 하 여 초기 제 2 반도체 패턴 ( SP 2 - A ) 및 제 3 반도체 패턴 ( SP 3 ) 도 같이 형성 할 수 있 는 바 , 공정 경제 성 측면 에서 유리 하 다 .