도 18 을 참조 하 여 , 도 8 의 프로세싱 단계 를 뒤따르 는 프로세싱 단계 에서 구조 ( 10 d ) 가 도시 된다 . 구조 ( 10 d ) 는 제 1 보이드 ( 76 ) 로 의 에칭 이 공동 ( 72 ) 내 로부터 전하 - 차단 재료 ( 42 ) 를 제거 하 고 전하 - 저장 재료 ( 44 ) 를 얇 게 만든 후 에 도시 된다 . 도 9 를 참고 로 하 여 상기 에서 설명 된 프로세싱 에 반해서 , 전하 - 저장 재료 ( 44 ) 은 얇 아 지 지만 제거 되 지 않 는다 . 전하 - 저장 재료 ( 44 ) 는 도 2 를 참조 하 여 상술 된 치수 를 갖 는 최종 두께 T 4 로 얇 아 질 수 있 다 .