상기 박막 트랜지스터 ( Tr ) 는 게이트 전극 ( 112 ) 과 , 상기 게이트 전극 ( 112 ) 상부 의 반도체 층 ( 미 도시 ) 과 , 상기 반도체 층 ( 미 도시 ) 상 의 소스 전극 ( 132 ) 및 드레 인 전극 ( 134 ) 으로 이루어진다 . 상기 게이트 전극 ( 112 ) 은 상기 게이트 배선 ( 110 ) 에 연결 되 며 , 상기 소스 전극 ( 132 ) 은 상기 데이터 배선 ( 130 ) 에 연결 된다 .