도 21 a 내지 도 22 에 는 다수 의 측면 배선 이 형성 되 는 글라스 기판 ( 100 a ) 의 에지 영역 들 에 만 챔퍼면을 가공 형성 한 것 으로 도시 하 였으나 , 이 에 제한 되 지 않 고 , 글라스 기판 의 네 변 에 해당 하 는 각 에지 영역 에 모두 챔퍼면을 가공 형성 하 는 것 도 물론 가능 하 다 . 이 경우 , 각 에지 영역 에 대하 여 측면 배선 의 배치 를 선택 적 으로 설정 할 수 있 다 .