한편 , 종래 기술 에서 제 1 외부 - 스트로 빙 신호 ( WDQS _ IN 1 ) 는 내부 클럭 ( CLK ) 과 같 은 높 은 주파수 로 인가 되 는 신호 이 지만 , 테스트 시 에 는 높 은 주파수 로 인가 될 필요 가 없 다 . 그런데 , 종래 기술 은 제 1 외부 - 스트로 빙 신호 ( WDQS _ IN 1 ) 로 클럭 과 같이 높 은 주파수 의 신호 가 인가 되 는 경우 만 이 고려 되 어 있 기 때문 에 , 테스트 시 에 도 클럭 과 같 은 주파수 를 갖 는 신호 를 인가 하 여 구동 을 테스트 하 고 있 다 . 더욱이 , 테스트 장비 에서 는 높 은 주파수 의 신호 를 인가 하 기 위한 채널 이 한정 적 이 기 때문 에 , 가능 하 다면 낮 은 주파수 의 신호 를 인가 하 기 위한 채널 을 사용 하 는 것 이 테스트 측면 에서 유리 하 다 . 하지만 , 앞서 언급 한 바 와 같이 , 종래 기술 에 따른 반도체 메모리 소자 는 높 은 주파수 로 인가 되 는 경우 만 이 고려 되 어 설계 되 었 기 때문 에 , 테스트 장비 의 높 은 주파수 를 위한 채널 을 사용 하 고 있 다 .