이어서 , 상기 열 산화 막 형성 되 어 있 는 상기 소자 분리 트렌치 ( 106 ) 의 내벽 과 저면 , 상기 버퍼 산화 막 패턴 ( 102 ) 및 제 1 하드 마스크 패턴 ( 104 ) 의 표면 에 수백 Å 의 얇 은 두께 로 질화 막 라이너 ( 108 ) 를 형성 한다 . 상기 질화 막 라이너 ( 108 ) 는 이 후 공정 에 의해 상기 소자 분리 트렌치 ( 106 ) 내 에 채워지 는 필드 산화 막 ( 110 ) 내부 의 스트레스 를 감소 시키 고 , 불순물 이온 들 이 필드 영역 내 로 침투 하 는 것 을 방지 하 기 위해 형성 된다 . 상기 질화 막 라이너 ( 108 ) 는 특정 한 식각 조건 하 에서 상기 필드 산화 막 ( 110 ) 과 의 식각 선택 비 가 높 은 물질 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이러 한 물질 의 예 로서 는 실리콘 질화물 ( SiN ) 을 들 수 있 다 .