한편 , 상술 한 설명 에서 는 도 3 내지 도 4 에 도시 된 바 와 같이 금속 에 형성 된 쪽 을 양전극 용 패드 , 반도체 에 형성 된 쪽 을 음전극 용 패드 로 기술 하 였으나 , 이 는 반도체 에 도핑 되 는 불순물 농도 , 금속 의 재료 또는 불순물 이 도너 인지 엑 섭 터 인지 에 따라 변경 될 것 이 다 . 또한 , 방사성 동위 원소 가 금속 이 므로 , 그 자체 를 전극 으로 활용 할 수 도 있 다 . 또한 , 쇼트 키 금속 박막층 ( 130 ) 은 티타늄 ( titanium ) , 금 이나 백금 ( platinum ) 으로 구현 될 수 있 다 . 또한 , 실리콘 박막 은 낮 은 온도 에서 증착 이 가능 하 고 높 은 도핑 이 가능 한 비정질 실리콘 ( amorphous - silicon ) 이나 폴리 실리콘 ( poly - silicon ) 으로 구현 되 는 것 이 바람직 하 다 .