또한 , 종래 제안 되 어 있 는 바 와 같이 레티 클 패턴 의 에 지부 를 일부 차광 하 고 나머지 부분 만 을 노광 하 여 전기 적 특성 이 불량 으로 되 는 칩 을 의도 적 으로 형성 하 는 방법 의 경우 , 칩 내 에 불 완전 한 패턴 을 형성 하 기 때문 에 , 도중 에 끊 어 지 는 패턴 에서 는 그곳 에 테이퍼 ( taper ) 등 이 발생 하 여 그 후 의 공정 에서 그러 한 부분 의 패턴 이 박리 되 어 비산 ( 飛散 ) 되 는 , 소위 패턴 손실 ( pattern missing ) 이 발생 할 가능 성 이 높 아 진다 . 또한 , 이러 한 방법 에 의해 형성 되 는 칩 은 다른 칩 과 외관상 의 차이 가 없 는 경우 도 있 다 . 이 경우 , 화상 인식 처리 에 의해 기준 용 칩 을 특정 하 고자 했 을 때 에 는 , 상기 와 동일 한 문제 가 발생 할 수 있 다 .