[ 0033 ] 바이어 싱 제어기 ( 140 ) 는 DC 펄 싱 사이클 의 제 1 부분 동안 의 펄스 형 DC 소스 ( 120 ) 로부터 의 비 - 제로 전압 을 1 kV 내지 10 kV 의 임의 의 값 으로 세팅 함 으로써 이온 에너지 분포 들 을 제어 하 는 한편 , 더 낮 은 및 중간 이온 에너지 들 은 0 kV 내지 1 . 5 kV 의 범위 에서 에너지 의 대역 들 또는 피크 들 을 형성 하 도록 튜닝 될 수 있 다 . 따라서 , 이온 에너지 분포 는 , 원 하 는 분포 를 제공 하 기 위해 , 저 , 중간 , 및 고 에너지 범위 들 에서 조정 될 수 있 다 . 그러 한 이온 에너지 분포 제어 는 , 예컨대 , 이온 들 이 웨이퍼 ( 105 ) 내 의 고 종횡비 피처 들 의 바닥 에 도달 하 도록 요구 되 는 실시 예 들 에서 유리 하 다 . 하나 의 그러 한 애플리케이션 은 3 D - NAND 메모리 홀 에칭 이 며 , 여기 서 , 종횡비 들 은 일상 적 으로 30 : 1 초과 이 다 .