그리고 , 상기 본딩 법 은 준비 된 두 장 의 실리콘 기판 들 중 에서 전체 를 지지 하 기 위한 제 1 실리콘 기판 상 에 산화 막 을 형성 하 고 , 상기 산화 막 상 에 제 2 실리콘 기판 을 본 딩 시킨 후 , 그라인딩 ( Grinding ) 및 CMP ( Chemical Mechanical Polishing ) 공정 을 통해 상기 제 2 실리콘 기판 의 후면 을 연마 해서 원 하 는 두께 의 실리콘 층 을 형성 하 여 SOI 기판 을 얻 는 방법 이 다 .