도 9 c 를 참조 하 면 , 상기 제 1 절연 층 ( 150 ) 상 에 제 1 소자 반도체 층 ( 200 ) 을 형성 한다 . 상기 제 1 소자 반도체 층 ( 200 ) 은 상기 제 1 게터 링 영역 ( 265 ) 과 접촉 한다 . 상기 제 1 소자 반도체 층 ( 200 ) 의 형성 방법 은 상술 한 제 1 실시 예 에서 개시 된 방법 들 중 에 어느 하나 와 동일 할 수 있 다 . 상기 제 1 소자 반도체 층 ( 200 ) 에 제 1 집 적 회로 를 형성 할 수 있 다 .