선택 적 으로 , 티어 간 유전체 층 ( 180 ) 의 레벨 에 있 는 제 1 티어 메모리 개구 들 ( 149 ) 및 제 1 티어 지지 개구 들 ( 129 ) 의 부분 들 은 등방성 에칭 에 의해 측 방향 으로 확장 될 수 있 다 . 이러 한 경우 에 있 어서 , 티어 간 유전체 층 ( 180 ) 은 희석 된 플루오르화 수소산 중 에서 ( 도핑 되 지 않 은 실리케이트 유리 를 포함 할 수 있 는 ) 제 1 절연 층 들 ( 132 ) 보다 더 큰 에칭 속도 를 갖 는 유전체 재료 ( 예컨대 , 보로 실리케이트 유리 ) 를 포함 할 수 있 다 . 등방성 에칭 ( 예컨대 , HF 를 사용 하 는 습식 에칭 ) 이 사용 되 어 , 티어 간 유전체 층 ( 180 ) 의 레벨 에 있 는 제 1 티어 메모리 개구 들 ( 149 ) 의 측 방향 치수 들 을 확장 시킬 수 있 다 . 티어 간 유전체 층 ( 180 ) 의 레벨 에 위치 된 제 1 티어 메모리 개구 들 ( 149 ) 의 부분 들 은 , ( 제 2 티어 메모리 개구 들 의 형성 이전 에 후속 적 으로 형성 될 ) 제 2 티어 수직 교번 시퀀스 를 관통 하 여 후속 적 으로 형성 될 제 2 티어 메모리 개구 들 을 위한 더 큰 랜딩 패드 를 제공 하 도록 선택 적 으로 넓 어 질 수 있 다 .