광 경로 차단 플레이트 ( 240 ) 를 덮 는 상부 금속 층간 절연 층 ( 233 ) 을 대략 1000 Å 이상 의 산화물 층 을 증착 하 여 형성 하 고 , 1000 Å 이하 로 두께 가 줄어들 게 화학 기계 적 연마 ( CMP ) 로 평탄 화 한다 . 이후 에 , IMD - 3 으로서 의 상부 금속 층 ( 250 ) 을 증착 하 고 패 터닝 한다 . 이때 , 비아 ( via ) 2 를 패 터닝 하 고 식각 하 는 과정 및 비아 2 를 장벽 금속 층 및 화학 기상 증착 ( CVD ) 에 의한 텅스텐 ( W ) 으로 채워 , 연결 콘 택 을 형성 하 는 과정 이 더 수행 될 수 있 다 .