절연 층 ( 600 , 700 ) 은 제 1 절연 층 ( 600 ) 및 제 2 절연 층 ( 700 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 절연 층 ( 600 ) 은 제 1 및 제 2 게이트 전극 ( 501 , 502 ) 과 컨 택 전극 ( 800 ) 의 측면 을 둘러싸 도록 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 절연 층 ( 600 ) 은 제 1 및 제 2 게이트 전극 ( 501 , 502 ) 과 컨 택 전극 ( 800 ) 을 둘러싸 는 홀 을 포함 할 수 있 다 . 제 2 절연 층 ( 700 ) 은 제 1 및 제 2 게이트 전극 ( 501 , 502 ) 의 상면 을 덮 을 수 있 다 . 나아가 , 제 2 절연 층 ( 700 ) 은 컨 택 전극 ( 800 ) 의 돌출부 를 둘러싸 는 절연 층 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 2 절연 층 ( 700 ) 은 컨 택 전극 ( 800 ) 의 돌출부 의 측면 을 둘러싸 고 , 돌출부 를 외부 로 노출 시키 는 홀 을 포함 할 수 있 다 . 절연 층 ( 600 , 700 ) 은 통상 의 반도체 소자 에 포함 되 는 절연 층 이 포함 하 는 물질 을 포함 할 수 있 다 .