전극 에 함유 된 텅스텐 은 전극 이 이온 화 된 희가스 및 수은 의 충돌 에 의해 스퍼터링 되 는 것 을 방지 시킴 으로써 , 전극 에 대해 우수 한 스퍼터링 내성 을 제공 한다 . 또한 , 제조 동안 전극 에 잔류 하 는 미량 의 산소 가 결정 입자 들 의 계면 부분 들 을 산화 시키 더라도 , 전극 에 함유 된 텅스텐 은 결정 입자 들 의 계면 의 결합 을 강화 시켜 스퍼터링 내성 을 더욱 향상 시킬 수 있 다 . 전극 에서 의 텅스텐 함유량 은 0 . 4 중량 % 보다 적 지 않 지만 , 6 . 5 질량 % 보다 많 지 않 다 . 만일 텅스텐 함유량 이 이 범위 에 있 으면 , 전극 은 10 ㎃ 를 초과 하 는 전류 를 인가 할 때 에 도 이온 화 된 희가스 및 수은 에 대해 우수 한 스퍼터링 내성 을 가져 , 냉음극 형광 램프 의 수명 을 연장 시킬 수 있 다 .