게이트 절연 층 ( 13 ) 은 활성 층 ( 112 , 212 , 312 ) 을 덮 도록 버퍼 층 ( 11 ) 상 에 위치 할 수 있 다 . 게이트 절연 층 ( 13 ) 은 실리콘 질화물 ( SiNx ) , 실리콘 산화물 ( SiOx ) , 실리콘 산질 화물 ( SiOxNy ) 등 과 같 은 임의 의 적합 한 무기 재료 로 형성 될 수 있 다 . 또한 , 게이트 절연 층 ( 13 ) 은 하나 이상 의 층 을 포함 할 수 있 다 . 하나 이상 의 예시 적 인 실시 예 에서 , 하나 이상 의 층 중 적어도 하나 는 하나 이상 의 층 중 적어도 하나 의 다른 층 과 상이 한 재료 로 형성 될 수 있 다 .