더 설명 해야 할 것 은 , 도 26 에 도시 된 바 와 같이 , 지지 베이스 ( 300 ) 에 압 전 변환기 ( 400 ) 를 형성 하 는 단계 에서 , 상기 지지 베이스 ( 300 ) 를 커버 하 는 전체 전기 전도 층 ( 325 ) 을 형성 하 고 , 일부 영역 의 전체 전기 전도 층 ( 325 ) 을 제 1 전극 ( 320 ) 으로 사용 하 며 , 이 단계 에서 , 전기 전도 층 ( 325 ) 에 대해 패 터닝 을 수행 하 지 않 았 고 ; 도 31 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 격리 층 ( 310 ) 및 전기 전도 층 ( 325 ) ( 도 30 에 도시 된 바 와 같 음 ) 을 패 터닝 한 후 , 상기 제 1 전극 ( 320 ) 은 상기 압 전 층 ( 330 ) 을 노출 시키 므로 , 따라서 동일 한 단계 에서 상기 제 2 전도성 홀 ( 331 ) 및 제 2 서브 전도성 홀 ( 332 ) 을 형성 할 수 있 는데 , 이 는 포토 마스크 를 감소 시키 는 유리 하 여 제조 비용 을 절약 한다 .