셀 당 1 비트 를 갖 는 3 차원 수직 NAND 스트링 들 을 포함 하 는 3 차원 메모리 디바이스 가 논문 [ T . Endoh et al . ," titled "" Novel Ultra High Density Memory With A Stacked - Surrounding Gate Transistor ( S - SGT ) Structured Cell """, IEDM Proc . ( 2001 ) 33 - 36 ] 에 개시 되 어 있 다 .