자연 산화물 막 들 을 제거 하 는 보다 최근 의 접근 법 은 기판 표면 상 에 불소 / 실리콘 - 함유 염 을 형성 하 는 것 이 었 고 , 이 는 열 적 어닐링 프로세스 에 의해 이후 에 제거 된다 . 이 접근 법 에서 , 염의 박 층 은 불소 - 함유 가스 를 실리콘 산화물 표면 과 반응 시킴 으로써 형성 된다 . 염 은 그 후 염 을 휘발 성 부산물 들 로 분해 하 기 에 충분 한 상승 된 온도 로 가열 되 고 , 상기 휘발 성 부산물 들 은 그 후 프로세싱 챔버 로부터 제거 된다 . 반응 성 불소 - 함유 가스 의 형성 은 일반 적 으로 열 적 부 가 또는 플 라즈 마 에너지 에 의해 보조 된다 . 염 은 일반 적 으로 기판 표면 의 냉각 을 요하 는 감소 된 온도 에서 형성 된다 . 가열 에 이어지 는 냉각 의 이 와 같 은 시퀀스 는 기판 이 냉각 되 는 냉각 챔버 로부터 기판 이 가열 되 는 별도 의 어 닐 챔버 또는 노 ( furnace ) 로 전달 함 으로써 성취 된다 .