금속 게이트 구조물 이 형성 된 후 에 , ILD 층 ( 190 ) 은 , 소스 / 드레 인 영역 이 노출 되 는 콘 택 개구 를 형성 하 도록 , 리소그래피 및 에칭 동작 을 사용 함 으로써 부분 적 으로 에칭 된다 ( 패 터닝 된다 ) . 그 다음 , 콘 택 개구 에 , 전도성 재료 가 형성 된다 . 전도성 개구 는 콘 택 개구 내 에 그리고 위 에 형성 되 고 , 그 다음 CMP 동작 과 같 은 평탄 화 동작 이 콘 택 ( 210 ) 을 형성 하 도록 수행 된다 . 전도성 재료 는 Co , Ni , W , Ti , Ta , Cu , Al , TiN 및 TaN , 또는 임의 의 다른 적합 한 재료 의 하나 이상 의 층 을 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 도 10 d 에 도시 된 바 와 같이 , 전도성 재료 를 형성 하 기 전 에 실리사이드 층 ( 205 ) 이 캡 소스 / 드레 인 에피 텍 셜 층 ( 108 ) 위 에 형성 된다 . 실리사이드 층 은 WSi , CoSi , NiSi , TiSi , MoSi 및 TaSi 중 의 하나 이상 을 포함 한다 .