도 4 a 내지 도 4 c 를 참조 하 면 , 제 2 반도체 층 ( 104 b ) 상 에 활성 영역 을 정의 하 는 마스크 층 ( 108 ) 을 리소그래피 방식 을 이용 하 여 형성 한다 . 마스크 층 ( 108 ) 은 제 2 반도체 층 ( 104 b ) , 희생 물질 층 패턴 ( 102 a ) 및 반도체 기판 ( 100 ) 과 모두 식각 선택 성 이 있 는 물질 , 예컨대 실리콘 질화 막 이 바람직 하 다 . 그 후 , 마스크 층 ( 108 ) 을 식각 마스크 로 하 여 제 2 반도체 층 ( 104 b ) , 희생 물질 층 패턴 ( 102 a ) 및 반도체 기판 ( 100 ) 의 상부 의 일부 를 이방성 건식 식각 에 의해 제거 하 여 제 2 리세 스 영역 ( 110 ) 을 형성 한다 . 이 에 따라 , 제 2 반도체 층 ( 104 b ) , 희생 물질 층 패턴 ( 102 a ) , 및 반도체 기판 ( 100 ) 의 상부 의 일부 는 제 2 리세 스 영역 ( 110 ) 에 의해 고립 되 며 , 각 층 들 의 측면 은 모두 노출 된다 .