복수 의 블 리더 다이오드 들 을 형성 하 는 단계 는 상기 복수 의 메모리 셀 들 의 상기 다이오드 스티어링 소자 들 을 형성 하 기 위해 사용 되 는 것 과 동일 한 형성 단계 에서 상기 복수 의 블 리더 다이오드 들 을 형성 하 기 위해 복수 의 다이오드 스티어링 소자 들 를 형성 하 는 단계 ; 상기 복수 의 메모리 셀 들 이 아니 라 상기 복수 의 블 리더 다이오드 들 의 위치 들 상 에 리프트 오프 컷 마스크 를 형성 하 는 단계 ; 상기 복수 의 메모리 셀 들 의 상기 저항률 전환 저장 소자 들 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 리프트 오프 컷 마스크 를 제거 하 는 단계 를 포함 한다 .