제어 가능 반도체 소자 ( T 2 또는 T 3 ) 를 스위치 오프 한 후 , 제 1 유도 성 소자 ( L 1 ) 에 남 아 있 는 에너지 는 추가 커패시터 ( Cs ) 로 방전 된다 . 제 1 제어 가능 반도체 소자 ( T 1 ) 는 발진 주기 의 절반 동안 만 도통 상태 에 있 고 , 추가 커패시터 ( Cs ) 를 통한 전류 ( Is ) 의 제로 크로싱 시점 에서 다시 스위치 오프 되 므로 , 제 1 제어 가능 반도체 소자 의 평균 손실 ( T 1 ) 은 비교 적 작 아서 대응 하 는 반도체 바디 를 비교 적 작 은 크기 로 설계 할 수 있 게 된다 .