도 2 내지 도 3 은 실시 예 5 에 의해 얻 어 진 음극 활물질 을 이온 밀링 ( Ion milling ) 법 으로 측정 시료 를 만든 후 , tecnai F 20 ( 200 keV FETEM ) 으로 측정 및 EDX 정량 분석 한 도면 으로 , 도 2 a 내지 도 2 c 는 한 입자 의 일부 를 확대 하 여 분석 한 것 이 고 , 도 3 a 내지 도 3 c 는 한 입자 중 에 Si 부근 을 확대 하 여 분석 한 것 이 다 . 도 2 a 내지 도 2 c 는 입자 내부 에서 도 1 b 의 모식도 와 유사 하 게 탄소 및 Si 가 산화 실리콘 의 매트릭스 ( matrix ) 내 에 고르 게 분산 되 어 있 는 것 을 보여 주 고 있 다 . 또한 Si 부근 을 확대 한 도 3 a 내지 도 3 c 는 Si 입자 를 둘러싸 고 있 는 산화 실리콘 의 Si 대 산소 의 몰 비 가 약 1 . 4 정도 임 을 보여 주 고 있 다 .