도 4 를 참조 하 면 , 녹색 엘이디 칩 ( 1 G ) 을 포함 하 는 칩 온 캐리어 제작 공정 은 사파이어 기판 ( 10 G ) 과 상기 사파이어 기판 ( 10 G ) 상 에서 성장 되 고 n 형 반도체 층 ( 12 G ) , 활성 층 ( 13 G ) 및 p 형 반도체 층 ( 14 G ) 를 포함 하 는 질화 갈륨 계 에 피층 을 포함 하 는 녹색 엘이디 웨이퍼 ( WG ) 를 제작 하 는 엘이디 웨이퍼 제작 단계 ( S 11 - G ) 와 , 서로 단 차진 p 형 반도체 층 ( 14 G ) 의 노출 영역 과 n 형 반도체 층 ( 12 G ) 의 노출 영역 을 사파이어 기판 ( 10 G ) 반대 측 에 모두 포함 하 는 다수 의 녹색 발광 셀 ( CG ) 이 행렬 배열 로 형성 되 도록 상기 에 피층 을 패 터닝 하 는 웨이퍼 패 터닝 단계 ( S 12 - G ) 와 , p 형 반도체 층 ( 14 G ) 의 노출 영역 에 p 형 전극 패드 ( 142 G ) 를 형성 하 고 n 형 반도체 층 ( 12 G ) 의 노출 영역 에 n 형 전극 패드 ( 122 G ) 를 형성 하 는 패드 형성 단계 ( S 13 - G ) 와 , 발광 셀 ( CG ) 단위 로 상기 엘이디 웨이퍼 ( WG ) 를 분할 ( singulation ) 하 여 , 사파이어 기판 ( 10 G ) , 상기 사파이어 기판 ( 10 G ) 상 의 웨이퍼 층 ( 12 G , 13 G , 14 G ) , 그리고 , 상기 사파이어 기판 ( 10 G ) 반대 측 웨이퍼 층 ( 12 G , 13 G , 14 G ) 상 에 형성 된 p 형 전극 패드 ( 142 G ) 및 n 형 전극 패드 ( 122 G ) 를 포함 하 는 다수 의 녹색 엘이디 칩 ( 1 G ) 을 제작 하 는 칩 분할 단계 ( S 14 - G ) 와 , 다수 의 녹색 엘이디 칩 ( 1 G ) 을 p 형 전극 패드 ( 142 G ) 와 n 형 전극 패드 ( 122 G ) 가 아래 로 향하 도록 뒤집 어 접착력 을 갖 는 칩 유지 부 ( 2 G ) 상 에 부착 하 되 , 그 다수 의 녹색 엘이디 칩 ( 1 G ) 이 행렬 배열 을 이루 도록 하 는 , 칩 부착 단계 ( S 15 - G ) 를 포함 한다 .