본 발명 의 다른 측면 에 의하 면 , 돌출 된 패턴 들 및 리세 스 된 영역 들 을 갖 도록 패 터닝 된 기판 을 준비 하 는 단계 와 , 상기 기판 위 에 제 1 도전 형 반도체 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 도전 형 반도체 층 위 에 활성 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 활성 층 위 에 제 2 도전 형 반도체 층 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 며 , 상기 기판 의 리세 스 된 영역 과 상기 활성 층 까지 의 거리 는 2 ∼ 4 ㎛ 인 발광 다이오드 제조 방법 을 제공 한다 .