다음 으로 , 도 2 의 ( B ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 기상 성장 형 성막 법 에 의해서 기재 ( 30 ) 의 표면 에 제 1 SiC 층 ( 20 ) 을 구성 한다 . 또한 , 기상 성장 형 성막 법 이란 , 예 들 들 면 , CVD 법 에 의한 것 으로 하 면 좋 다 . 여기 서 , 기재 ( 30 ) 를 구성 하 는 그라 파이트 의 표면 에 는 무수 한 기공 이 존재 한다 . CVD 법 에 의해서 형성 되 는 제 1 SiC 층 ( 20 ) 은 기재 ( 30 ) 의 표면 에 존재 하 는 기공 내 에 도 형성 된다 . 이렇게 하 여 기공 내 에 형성 된 제 1 SiC 층 ( 20 ) 이 기능 면 ( 12 ) 상 에 마련 되 는 미소 돌기 ( 12 b ) 를 구성 하 게 된다 .