도 7 을 참조 하 여 , 상기 캡 핑 산화 막 ( 140 ) 의 에치 백 공정 에 의해 상기 보호막 ( 130 ) 의 상부 에 는 캡 핑 산화 막 ( 140 ) 이 제거 되 고 상기 패드 오픈 부 ( 135 ) 의 캡 핑 산화 막 ( 140 ) 은 제 2 포토레지스트 패턴 ( 211 ) 에 의해 남 게 되 어 후속 공정 시 상기 캡 핑 산화 막 ( 140 ) 이 상기 패드 ( 120 ) 를 보호 하 게 되 므로 상기 패드 ( 120 ) 의 오염 및 손상 은 방지 되 고 상기 보호막 ( 130 ) 상 에 는 캡 핑 산화 막 ( 140 ) 이 제거 된 상태 로 후속 공정 이 진행 되 므로 이미지 소자 의 이미지 특성 열화 를 방지 할 수 있 게 된다 .