도 1 a 내지 도 1 d 의 메모리 셀 들 과 비교 하 여 , MRAM 메모리 셀 ( 200 ) 은 외부 자기장 에 대한 필요 없이 그리고 터널 장벽 ( 108 ) 을 통해 흐르 는 높 은 기록 전류 에 대한 필요 성 없이 자화 를 보다 효율 적 이 고 결정 론 적 으로 전환 한다 . 추가 적 으로 , MRAM 메모리 셀 ( 200 ) 은 다른 메모리 셀 들 의 교란 문제 들 없이 스케일링 될 수 있 다 .