만일 , 상기 제 1 몰드 막 ( 214 ) 이 SiO 2 , SiGe , Si , 및 탄소 계 물질 중 의 어느 하나 이상 의 물질 로 형성 되 는 경우 , 상기 지지층 ( 232 L ) 은 SiN , SiCN , TaO , 및 TiO 2 중 에서 선택 되 는 어느 하나 를 이용 하 여 형성 될 수 있 다 . 그러나 , 본 발명 개념 이 이 들 물질 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .