또한 , 본 제 2 실시 형태 에 관련 된 노광 장치 ( 500 ) 에 의하 면 , 웨이퍼 교환 시 에 실시 되 는 전술 한 얼라이먼트 계 의 베이스 라인 계측 에 의해 얻 어 진 최신 베이스 라인 과 , 웨이퍼 얼라이먼트 ( EGA ) 의 결과 에 기초 하 여 , 웨이퍼 ( W ) 상 의 각 쇼트 영역 의 노광 을 위한 주사 개시 위치 ( 가속 개시 위치 ) 로 웨이퍼 스테이지 ( WST ) 가 이동 되 는 쇼트 간 이동 동작 과 , 레티 클 ( R ) 에 형성 된 패턴 을 주사 노광 방식 으로 각 쇼트 영역 에 전사 하 는 주사 노광 동작 을 반복 함 으로써 , 레티 클 ( R ) 의 패턴 을 웨이퍼 ( W ) 상 의 복수 의 쇼트 영역 에 양호 한 정밀도 ( 중첩 정밀도 ) 로 전사 할 수 있 게 된다 . 또한 본 제 2 실시 형태 에서 는 , 액침 노광 에 의해 고해상도 의 노광 을 실현 할 수 있 기 때문 에 , 이 점 에 있 어서 도 미세 패턴 을 양호 한 정밀도 로 웨이퍼 ( W ) 상 에 전사 할 수 있 게 된다 .