또한 , 도 1 a 에 도시 한 반도체 장치 에 있 어서 는 , 2 개 의 래치 ( 로우 어드레스 래치 ( 21 ) 및 컬럼 어드레스 래치 ( 22 ) ) 의 각각 에 대하 여 공통 의 어드레스 신호선 을 통해 어드레스 신호 ( 로우 어드레스 신호 또는 컬럼 어드레스 신호 ) 이 공급 되 는 구성 으로 하 고 있 지만 , 보다 많 은 래치 를 사용 하 여 어드레스 신호선 의 개수 를 더욱 저감 하 는 것 도 가능 하 다 . 예 를 들 어 , 제 1 로우 어드레스 래치 , 제 2 로우 어드레스 래치 , 제 1 컬럼 어드레스 래치 및 제 2 컬럼 어드레스 래치 를 설치 하 고 , 당해 4 개 의 래치 의 각각 에 대하 여 공통 의 어드레스 신호선 을 통해 어드레스 신호 를 공급 함 으로써 어드레스 신호선 의 개수 를 반감 하 는 것 도 가능 하 다 .