p - 타입 FET 에 대하 여 , SiGe , Ge , Sn , GeSn 및 SiGeSn 중 의 하나 이상 이 베이스 소스 / 드레 인 에피 텍 셜 층 ( 108 ) 으로서 사용 된다 . 일부 실시 예 에서 , 붕소 ( B ) 가 베이스 소스 / 드레 인 에피 텍 셜 층 ( 108 ) 에 도핑 된다 . 둘 이상 의 SiGe 층 이 사용 될 때 , Ge 의 농도 는 서로 상이 하 다 . 일부 실시 예 에서 , Ge 의 농도 는 먼저 형성 된 층 보다 나중 에 형성 된 층 에서 더 높 다 .