다른 하나 의 실시 예 에서 , 본 발명 은 , 기판 을 제공 하 는 단계 , 상기 기판 상 에 하나 의 패 시베이 션 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 패 시베이 션 층 위 에 집 적 패시브 회로 를 형성 하 는 단계 , 다수 시스템 부품 들 을 상기 집 적 패시브 회로 위 에 장착 하 고 그 시스템 부품 들 을 상기 집 적 패시브 회로 에 전기 적 으로 연결 하 는 단계 , 기판 을 제거 하 는 단계 , 패 시베이 션 층 의 개구 를 에칭 하 는 단계 , 그리고 상기 집 적 패시브 회로 와 전기 적 접촉 관계 로 상기 패 시베이 션 층 의 개구 에 솔 덤 범프 를 증착 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 제조 방법 을 제공 한다 .