본 발명 은 ITO 등 의 투명 도전 막 과 산화물 반도체 막 으로 이루어진 적층 전극 의 제조 방법 에 관한 것 으로서 , 보다 상세 하 게 는 산화물 반도체 막 의 열처리 과정 중 에 필연 적 으로 증가 하 는 투명 전극 의 저항 을 본래 의 작 은 저항 값 으로 회복 시키 면서 도 금속 산화물 막 의 물 성 의 변화 를 억제 하 는 전극 제조 방법 에 관한 것 이 다 .