산화물 반도체 층 ( 140 ) 을 스퍼터링 법 으로 제작 하 기 위한 타 겟 으로서 는 , 예 를 들 어 , 산화 아연 등 을 주성분 으로 하 는 금속 산화물 의 타 겟 을 이용 할 수 있 다 . 또 , In , Ga 및 Zn 을 포함 하 는 금속 산화물 타 겟 ( 조성 비 로서 , In 2 O 3 ： Ga 2 O 3 ： ZnO ＝ 1 ： 1 ： 1 ［ mol 비 ］, In ： Ga ： Zn ＝ 1 ： 1 ： 0 . 5 ［ atom 비 ］) 등 을 이용 할 수 도 있 다 . 또 , In , Ga 및 Zn 을 포함 하 는 금속 산화물 타 겟 으로서 , In ： Ga ： Zn ＝ 1 ： 1 ： 1 ［ atom 비 ］, 또는 In ： Ga ： Zn ＝ 1 ： 1 ： 2 ［ atom 비 ］ 의 조성 비 를 가지 는 타 겟 등 을 이용 해도 좋 다 . 금속 산화물 타 겟 의 충전율 은 90 ％ 이상 , 100 ％ 이하 , 바람직 하 게 는 95 ％ 이상 ( 예 를 들 면 , 99 . 9 ％) 이 다 . 충전율 이 높 은 금속 산화물 타 겟 을 이용 함 으로써 , 치밀 한 산화물 반도체 층 이 형성 된다 .