도 5 는 상기 방법 에 의해 얻 어 진 a 면 GaN 층 ( 120 ) 의 X 선 ω 스캔 데이터 를 나타내 는 그래프 이 다 . 도 5 에 나타낸 바 와 같이 , 이 a 면 GaN 층 ( 120 ) 은 φ 각 의뢰 성 을 나타내 지만 , 버퍼 층 위 에 형성 된 종래 의 a 면 GaN 층 과 비교 하 여 , 위상 이 90 ° 벗어나 있 다 . 또한 , ( 10 - 12 ) 면 에 대한 ω 스캔 에 의해 오프 축 을 측정 한 결과 , 그 최소 값 은 1200 arcsec 이 었 다 . 이것 은 버퍼 층 위 에 형성 된 종래 의 a 면 GaN 층 의 오프 층 ( 2000 arcsec ) 보다 도 상당히 작 은 값 이 다 . 이 들 결과 는 상술 한 성막 조건 에 따라 얻 어 진 a 면 GaN 층 ( 120 ) 이 전위 나 결함 이 적 은 양질 의 박막 인 것 을 나타내 고 있 다 .