제 2 반도체 층 은 산화물 반도체 를 포함 할 수 있 으며 , 일 실시 예 에 따른 구동 트랜지스터 ( DRT ) 는 산화물 반도체 를 갖 는 제 1 활성 층 ( 350 ) 과 제 1 산화물 층 ( 370 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 2 반도체 층 의 산화물 반도체 는 제 1 반도체 층 의 산화물 반도체 와 동일 한 재료 로 이루어질 수 있 으나 , 이 에 제한 되 지 않 고 이 들 은 서로 다른 산화물 반도체 일 수 도 있 다 . 구동 트랜지스터 ( DRT ) 의 제 1 산화물 층 ( 370 ) 은 제 1 게이트 절 연막 ( 130 ) 상 에 배치 되 어 제 1 활성 층 ( 350 ) 과 중첩 하 도록 배치 될 수 있 다 . 제 1 산화물 층 ( 370 ) 은 적어도 제 1 활성 층 ( 350 ) 의 채널 영역 ( 350 c ) 과 중첩 하 도록 배치 되 고 , 제 1 산화물 층 ( 370 ) 은 일 방향 으로 측정 된 폭 이 제 1 활성 층 ( 350 ) 의 일 방향 으로 측정 된 폭 보다 짧 되 , 제 1 활성 층 ( 350 ) 의 채널 영역 ( 350 c ) 의 폭 보다 길 수 있 다 . 도면 에서 는 제 1 산화물 층 ( 370 ) 의 폭 이 실질 적 으로 제 1 활성 층 ( 350 ) 의 채널 영역 ( 350 c ) 과 동일 한 것 이 도시 되 어 있 으나 , 이 에 제한 되 지 않 는다 .