또 , 상기 한 실시 형태 에 있 어서 는 , 화소 전극 ( 15 ) 을 유기 EL 소자 의 애노드 전극 으로 하 고 , 대향 전극 ( 19 ) 을 캐소드 전극 으로 하 여 화소 전극 ( 15 ) 측 에 정공 수송 층 ( 18 a ) 을 , 또 , 대향 전극 ( 19 ) 측 에 전자 수송 성 발광 층 ( 18 b ) 을 형성 한 경우 에 대해 설 명 했 다 . 그러나 본 발명 은 이것 에 한정 되 는 것 은 아니 고 , 화소 전극 ( 15 ) 을 유기 EL 소자 의 캐소드 전극 으로 하 고 , 대향 전극 ( 19 ) 을 애노드 전극 으로 하 는 것 이 라도 좋 다 . 이 경우 , 화소 전극 ( 15 ) 측 에 전자 수송 성 발광 층 ( 18 b ) 을 , 또 , 대향 전극 ( 19 ) 측 에 정공 수송 층 ( 18 a ) 을 형성 한 소자 구조 가 된다 .