반도체 디바이스 를 탑재 한 디바이스 칩 은 , 반도체 웨이퍼 나 패키지 기판 , 세라믹스 기판 , 유리 기판 등 으로 형성 된다 . 교차 하 는 복수 의 분할 예정 라인 을 반도체 웨이퍼 등 의 표면 에 설정 하 고 , 상기 분할 예정 라인 에 의해 구획 된 각 영역 에 반도체 디바이스 를 형성 하 고 , 그 후 , 상기 반도체 웨이퍼 등 을 분할 예정 라인 을 따라서 분할 하 면 개개 의 디바이스 칩 을 형성 할 수 있 다 .