일부 예시 에서 , 메모리 디바이스 ( 110 ) 는 선택 된 메모리 셀 상 에서 발생 하 는 스트레스 를 감소 시킬 수 있 고 비 선택 메모리 셀 의 누설 및 교란 을 방지 할 수 있 는 본 명세서 에 기재 된 액세스 동작 을 지원 할 수 있 다 . 액세스 동작 의 제 1 부분 동안 , 선택 된 메모리 셀 에 의해 저장 된 논리 상태 가 감지 되 고 래치 에 저장 될 수 있 다 . 액세스 동작 의 제 1 부분 동안 - 일부 예시 에서 , 그리고 제 2 부분 의 일부 동안 - , 선택 디 지트 라인 및 플레이트 의 전압 때문 에 제 1 논리 상태 ( 가령 , " 논리 "" 1 "") 가 메모리 셀 에 써질 수 있 다 . 따라서 그 후 메모리 디바이스 ( 110 ) 가 커맨드 를 수신 하 거나 메모리 셀 에 제 1 논리 상태 를 쓰 도록 그 밖 의 다른 방식 으로 ( 가령 ", 리 프레시 동작 의 일부 로서 ) 결정 하 는 경우 , 제 1 논리 상태 가 이미 저장 되 었 으며 , 이 는 시간 에 따라 메모리 셀 상 에서 발생 하 는 스트레스 를 감소 시킬 수 있 다 . 따라서 그 후 메모리 디바이스 ( 110 ) 가 커맨드 를 수신 하 거나 메모리 셀 에 제 1 논리 상태 를 쓰 도록 그 밖 의 다른 방식 으로 ( 가령 , 리 프레시 동작 의 일부 로서 ) 결정 하 는 경우 , 제 1 논리 상태 가 이미 저장 되 었 으며 , 이 는 시간 에 따라 메모리 셀 상 에서 발생 하 는 스트레스 를 감소 시킬 수 있 다 .