각 스위칭 소자 들 ( TR 1 , TR 2 , TR 3 ) 은 각각 반도체 층 ( A 1 , A 2 , A 3 ) , 게이트 전극 ( G 1 , G 2 , G 3 ) , 소스 전극 ( S 1 , S 2 , S 3 ) , 드레 인 전극 ( D 1 , D 2 , D 3 ) 을 포함 할 수 있 다 . 구체 적 으로 설명 하 면 , 제 1 버퍼 층 ( 201 ) 상 에 반도체 층 ( A 1 , A 2 , A 3 ) 이 배치 된다 . 반도체 층 ( A 1 , A 2 , A 3 ) 은 비정질 실리콘 ( amorphous silicon ) , 폴리 실리콘 ( poly silicon ) , 저 온 폴리 실리콘 ( low temperature poly silicon ) 및 유기 반도체 를 포함 할 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 반도체 층 ( A 1 , A 2 , A 3 ) 은 산화물 반도체 일 수 도 있 다 . 명확히 도시 하 지 는 않 았 지만 , 반도체 층 ( A 1 , A 2 , A 3 ) 은 채널 영역 과 , 채널 영역 의 양 측 에 배치 되 며 , 불순물 이 도핑 된 소스 영역 및 드레 인 영역 을 포함 할 수 있 다 .