FeRAM 은 유사 한 소자 아키텍처 들 을 휘발 성 메모리 로서 사용 할 수 있 으나 강유 전 커패시터 를 기억 소자 로서 사용 함 으로 인해 비휘발성 속성 들 을 가질 수 있 다 . 그 에 따라 FeRAM 소자 들 은 그 외 다른 비휘발성 및 휘발 성 메모리 소자 들 에 비해 개선 된 성능 을 가질 수 있 다 . PCM 또는 칼 코 게나 이드 물질 기반 메모리 들 은 비휘발성 일 수 있 고 그 외 다른 메모리 소자 들 에 비해 개선 된 판독 / 기록 속도 및 내 구성 을 제공 할 수 있 다 . 또한 PCM 또는 칼 코 게나 이드 물질 기반 메모리 들 은 증가 된 메모리 셀 밀도 성능 을 제공 할 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , FeRAM , PCM 또는 칼 코 게나 이드 물질 기반 메모리 들 을 이용 하 는 3 차원 메모리 어레이 들 이 가능 할 수 있 다 . 그러나 , 일부 3 차원 아키텍처 에서 , 메모리 소자 의 영역 들 은 회로 를 지원 하 는 데 전념 할 수 있 고 메모리 셀 들 을 제외 할 수 있 다 . 그러 한 영역 들 은 메모리 소자 의 성능 을 증가 시키 지 않 고 메모리 소자 의 물리 적 치수 들 을 증가 시킬 수 있 다 .