[ 단독 ] 日 , 차세대 반도체 R & D 까지 겨냥 했 다 
 일본 정부 가 현재 반도체 제조 에 사용 하 는 기술 뿐 만 아니 라 차세대 반도체 기술 연구 개발 ( R & D ) 에 필요 한 소재 까지 수출 규제 대상 에 포함 시킨 것 으로 확인 됐 다 . 한국 반도체 산업 압박 뿐 만 아니 라 미래 R & D 에 도 차질 이 나 도록 하 겠 다는 의도 로 풀이 된다 . 일본 정부 가 한국 반도체 산업 의 숨통 을 조이 기 위해 치밀 하 게 준비 한 것 으로 분석 된다 . 
 4 일 전자 신문 은 일본 경제 산업 성 이 낸 ' 포토레지스트 수출 규제 품목 리스트 ' 를 입수 하 고 전문가 들 에게 자문 했 다 . 그 결과 국내 반도체 업계 에 타격 을 줄 수 있 는 핵심 포토레지스트 들 이 이번 규제 대상 에 오른 것 으로 확인 됐 다 . 
 리스트 에 오른 포토레지스트 종류 는 네 가지 다 . △ 15 ~ 193 나노 ( ㎚) 파장 의 빛 에서 사용 하 는 포지티브 형 레지스 트 △ 1 ~ 15 ㎚ 파장 빛 에서 사용 하 는 레지스 트 △ 전자 빔 또는 이온 빔 용 레지스 트 △ 임프 린트 리소그래피 장치 에 사용 하 는 레지스 트 다 . 
 전문가 들 에 따르 면 15 ~ 193 ㎚ 레지스 트 는 불화 아르곤 ( ArF ) 광원 을 사용 하 는 반도체 레지스 트 를 뜻한다 . 1 ~ 15 ㎚ 미만 은 극자외선 ( EUV ) 용 레지스 트 다 . 
 모두 삼성전자 와 SK 하이닉스 가 현재 반도체 제조 에 사용 하 고 있 는 기술 이 다 . 양사 는 불화 아르곤 , EUV 에 필요 한 포토레지스트 를 일본 업체 에서 공급 받 고 있 다 . 
 일본 정부 가 이 들 포토레지스트 의 수출 을 제한 하 게 되 면 삼성전자 와 SK 하이닉스 반도체 생산 에 미치 는 차질 은 불가피 하 다 . 
 특히 일본 정부 가 △ 전자 빔 또는 이온 빔 용 레지스 트 △ 임프 린트 리소그래피 장치 에 사용 하 는 레지스 트 를 대상 에 올린 것 으로 확인 돼 주목 된다 . 
 전자 빔 ・ 이온 빔 은 초미세 공정 을 구현 할 차세대 광원 으로 주목 받 고 있 는 기술 이 다 . EUV 가 할 수 없 는 1 ㎚ 이하 를 구현 하 는 광원 으로 알려져 있 는 가운데 차세대 반도체 R & D 도 압박 하 겠 다는 의도 가 엿보인다 . 
 권 기청 광운대 교수 는 일본 정부 의 규제 자료 를 보 고 “ 국내 소자 업체 나 장비 업체 , 학계 와 연구 기관 에서 사용 하 고 있 는 모든 포토레지스트 를 차단 한 것 이나 다름없 다 ” 고 진단 했 다 . 
 포토레지스트 는 반도체 생산 에 필수 소재 다 . 웨이퍼 에 회로 를 인쇄 하 는 노광 공정 에 사용 된다 . 다른 소재 보다 도 수입 의존도 가 높 아 일본 정부 의 수출 규제 에 따른 파장 이 가장 클 것 으로 예상 되 는 품목 으로 꼽혔 다 . 
 일본 정부 는 우리 나라 대법원 의 일제 강제 징용 손해 배상 판결 에 대한 보복 으로 예고 한 포토레지스트 , 불화 수소 , 불화 폴리 이미드 3 개 품목 에 대한 수출 규제 강화 를 4 일 단행 했 다 . 이 에 앞서 일본 정부 는 지난 1 일 이 같 은 제재 조치 를 공식 화 했 다 .