정렬 구조물 ( 401 ) 은 하부 기판 ( 110 ) 및 상부 기판 ( 410 ) 의 주변 영역 ( 20 ) 에 배치 될 수 있 고 , 화소 정의 막 ( 310 ) 을 이루 는 물질 및 하부 차광막 ( 430 ) 을 이루 는 물질 과 동일 한 물질 및 금속 물질 을 함유 할 수 있 다 . 상기 제 1 정렬 패턴 은 상부 기판 ( 410 ) 의 저면 상 의 주변 영역 ( 20 ) 에 배치 될 수 있 고 , 상기 제 2 정렬 패턴 은 하부 기판 ( 110 ) 의 상면 상 의 주변 영역 ( 20 ) 에 배치 될 수 있 다 . 여기 서 , 상기 제 1 정렬 패턴 이 하부 차광막 ( 430 ) 과 동일 한 물질 을 함유 할 수 있 고 , 상기 제 2 정렬 패턴 이 화소 정의 막 ( 310 ) 과 동일 한 물질 및 하부 기판 ( 110 ) 과 버퍼 층 사이 에 배치 되 는 상기 금속 층 , 제 1 내지 제 3 게이트 전극 들 ( 170 _ 1 , 170 _ 2 , 170 _ 3 ) , 제 1 내지 제 3 소스 전극 들 ( 210 _ 1 , 210 _ 2 , 210 _ 3 ) , 제 1 내지 제 3 드레 인 전극 들 ( 230 _ 1 , 230 _ 2 , 230 _ 3 ) 및 제 1 내지 제 3 하부 전극 들 ( 290 _ 1 , 290 _ 2 , 290 _ 3 ) 중 하나 와 동일 한 물질 을 함유 할 수 있 다 .