도시 된 것 과 같이 , 상기 예비 플로팅 게이트 전극 ( 104 a ) 및 제 1 절 연막 패턴 ( 112 a ) 상 에 유전 막 ( 116 ) 을 형성 한다 . 상기 유전 막 ( 116 ) 은 실리콘 산화물 ( 116 a ) , 실리콘 질화물 ( 116 b ) 및 실리콘 산화물 ( 116 c ) 을 순차 적 으로 적층 시켜 형성 할 수 있 다 . 이 와 는 달리 , 상기 유전 막 ( 116 ) 은 유전 상수 가 10 이상 인 금속 산화물 을 증착 시켜 형성 할 수 있 다 .