도 5 에 는 , 일 예 로서 , 3 - 비트 MLC 블록 , 즉 , TLC ( Triple Level Cell ) 블록 에 포함 된 메모리 셀 들 의 문턱 전압 분포 들 을 도시 하 였 다 . TLC 블록 에 포함 된 각각 의 메모리 셀 은 , 소거 상태 ( E 0 ) 를 갖 거나 7 개 의 프로그램 상태 들 ( P 1 ~ P 7 ) 중 어느 하나 의 상태 를 가질 수 있 다 . TLC 블록 에 포함 된 메모리 셀 들 각각 은 , LSB ( least significant bit ) 데이터 , CSB ( central significant bit ) 데이터 및 MSB ( most significant bit ) 데이터 를 포함 하 는 3 비트 의 데이터 를 저장 할 수 있 다 . 도 5 에서 , 가로축 은 메모리 셀 들 의 문턱 전압 ( Vth ) 을 나타내 고 , 세로축 은 문턱 전압 ( Vth ) 에 대응 하 는 메모리 셀 들 의 개수 ( Cell #) 를 나타낸다 .