또한 , 상술 한 실시 형태 에 있 어서 , 린스 장치 ( 50 ) 를 사용 하 여 웨이퍼 ( W ) 를 린스 처리 하 는 예 를 나타내 었 으나 , 이것 에 한정 되 지 않 는다 . 상술 한 실시 형태 에 따른 기판 처리 방법 에 있 어서 , 린스 장치 ( 50 ) 를 사용 하 여 웨이퍼 ( W ) 를 린스 처리 하 는 공정 을 대신 해서 , 처리 유닛 ( 60 ) 을 사용 하 여 웨이퍼 ( W ) 를 린스 처리 하 는 공정 을 실 시 하 도록 해도 좋 다 . 즉 , 도 10 에 도시 하 는 바 와 같이 , 처 리조 ( 40 ) 에서 처리 가 실시 된 웨이퍼 ( W ) 를 , 처 리조 ( 40 ) 로부터 처리 유닛 ( 60 ) 으로 반송 하 도록 해도 좋 다 . 이 경우 , 처리 유닛 ( 60 ) 내 에 있 어서 , 처 리조 ( 40 ) 내 에서 처리 가 행해진 하나 의 기판 ( W ) 을 처리 유닛 ( 60 ) 에 의해 유지 하 는 공정 과 , 처리 유닛 ( 60 ) 에 의해 유지 된 하나 의 기판 ( W ) 에 순수 를 공급 하 여 린스 처리 하 는 공정 과 , 처 리조 ( 40 ) 내 에서 처리 하 는 공정 에서 사용 된 처리 액과 는 다른 처리 액 을 공급 하 여 , 처리 유닛 ( 60 ) 에 의해 유지 되 어 린스 처리 가 실시 된 하나 의 기판 ( W ) 을 처리 하 는 공정 과 , 처리 유닛 ( 60 ) 에 의해 유지 되 어 처리 액 에 의한 처리 가 실시 된 하나 의 기판 ( W ) 에 순수 를 공급 하 여 린스 처리 하 는 공정 과 , 처리 유닛 ( 60 ) 에 의해 유지 되 어 린스 처리 가 실시 된 하나 의 기판 ( W ) 을 건조 시키 는 공정 이 실시 되 게 된다 .