도 1 은 본 발명 의 하나 이상 의 실시 예 에 따라 하나 이상 의 위상 변화 메모리 구조 를 구비 하 는 위상 변화 메모리 어레이 ( 100 ) 의 일부 개략 도 이 다 . 도 1 에 도시 된 실시 예 에서 , 메모리 어레이 ( 100 ) 는 연관 된 액세스 디바이스 ( 101 ) 와 저항 가변 요소 ( 103 ) ( 예 를 들 어 , 위상 변화 물질 ( 103 ) ) 를 각각 구비 하 는 다수 의 위상 변화 메모리 셀 을 포함 한다 . 액세스 디바이스 ( 101 ) 는 저항 가변 요소 ( 103 ) 에 데이터 프로그래밍 ( 예 를 들 어 , 기록 ) 및 / 또는 데이터 감지 ( 예 를 들 어 , 판독 ) 동작 과 같 은 동작 을 수행 하 기 위하 여 메모리 셀 에 액세스 하 기 위해 동작 ( 예 를 들 어 , 턴 온 / 턴 오프 ) 될 수 있 다 .