한편 , 비정질 층 ( 32 ) 을 형성 하 기 위한 불순물 로서 , 본 실시 예 에서 는 게르마늄 ( Ge ) 을 1 ~ 100 ( KeV ) 의 이온 주입 에너지 및 1 E + 12 ~ 1 E + 16 ( ions / ㎠) 의 도우즈 로 이온 주입 을 실시 하 였 다 . 이때 , 공통 소스 영역 에서 의 기판 ( 10 ) 의 표면 에 도 게르마 늄 이 주입 되 어 실리콘 이 비정질 화 된 비정질 층 ( 34 ) 이 형성 될 수 있 는데 , 기판 ( 10 ) 에 비정질 층 ( 34 ) 이 형성 되 더라도 후속 하 는 공정 에서 공통 소스 라인 을 형성 하 는 데 에 영향 을 미치 지 는 않 는다 . 다만 , 공통 소스 라인 에 비정질 층 ( 34 ) 이 형성 되 는 것 을 효과 적 으로 방지 하 기 위해서 , 즉 기판 표면 에 불순물 이 덜 주입 될 수 있 도록 , 이온 주입 각도 를 조절 하 는 것 이 바람직 하 고 , 이온 주입 각도 는 기판 표면 에 수직 한 수선 을 기준 으로 할 때 0 ~ 70 도 범위 에서 조절 될 수 있 다 .