GaN 또는 다른 III - V 족 화합물 의 할로겐화물 ( halide ) ( 또는 수소화물 hydride ) 기상 에피택시 ( HVPE ) 는 기판 에서 전구체 개스 가 GaN 으로 비 효율 적 으로 전환 한다는 문제 를 가지 고 있 다 . 하나 의 문제 는 전구체 개스 의 온도 와 관련 된다 . GaN 의 경우 , GaCl 3 과 NH 3 의 도입 온도 가 약 850 ℃ 보다 낮 으면 , 원 하 지 않 는 GaCl 3 : NH 3 착체 들 ( complexes ) 이 형성 되 어 , 이것 이 GaN 을 형성 하 는 GaCl 3 와 GaCl 3 간 의 원 하 는 직접 적 반응 을 제한 할 수 있 다 . 또 다른 문제 는 , 전 구체 개스 들 이 기판 아주 가까이 에 근접 하 기 전 에 미리 혼합 될 때 발생 한다 . 전 구체 개스 의 너무 이른 혼합 은 반응기 안 에 원하 지 않 은 기상 반응 부산물 및 미립자 생산 을 가져올 수 있 는데 , 이 들 은 제품 품질 을 떨어뜨릴 수 있 다 .