본 발명 의 반도체 소자 에 포함 되 는 안정 화 층 은 강유 전 층 을 어닐링 하 는 동안 강유 전 층 내 에 강유 전 상 의 형성 을 도울 수 있 고 , 어닐링 후 강유 전 층 내 의 강유 전 상 을 안정 화 시킴 으로써 강유 전 상 이 사라지 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 의 반도체 소자 는 향상 된 강유 전 특성 을 가지 는 강유 전 층 을 포함 할 수 있 고 , 따라서 작 은 문턱 전압 이 하 스윙 을 가질 수 있 다 . 또한 , 본 발명 의 반도체 소자 에 포함 되 는 산소 배리 어 층 은 강유 전 층 을 어닐링 하 는 동안 계면 층 의 두께 증가 를 방지 할 수 있 다 . 또한 , 본 발명 의 반도체 소자 제조 방법 에 따르 면 , 강유 전 층 을 어닐링 하 는 단계 동안 희생 층 ( 예컨대 실리콘 층 ) 은 계면 층 의 두께 증가 를 방지 할 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 의 반도체 소자 는 얇 은 계면 층 을 포함 할 수 있 다 .