도 11 에 도시 된 구성 에서 는 , 저항 소자 ( 96 ) 에 인가 되 는 전압 은 시그널 그라운드 전위 ( SG ) 로부터 PMOS 트랜지스터 ( 91 ) 의 임계 값 전압 인 소스 · 게이트 간 전압 을 뺀 값 이 며 , 제조 프로세스 의 변동 이나 온도 변동 의 영향 을 받 는다 . 그것 에 대하 여 도 12 에 도시 된 구성 에서 는 , 앰프 ( 108 ) 의 피드백 제어 에 의해 시그널 그라운드 전위 ( SG ) 가 저항 ( 109 ) 에 인가 되 게 된다 . 따라서 , 제조 프로세스 의 변동 이나 온도 변동 의 영향 을 받 지 않 는다 .