프로세스 를 가속 화 하 고 양품 의 300 mm , 450 nm 또는 다른 직경 의 웨이퍼 를 제공 하 기 위하 여 , 코팅 , 베 이크 , 노광 , 현상 , 모든 검사 , 에칭 , 에칭 후 세정 , 웨이퍼 폐기 , 및 웨이퍼 재 공정 을 비롯 한 전체 제조 프로세스 를 단일 플랫폼 에서 이상 적 으로 완료 할 수 있 는데 , 이 단일 플랫 폼 은 그 내부 의 공통 제어 소프트웨어 에 의해 제어 되 며 , 바로 제 1 프로세스 단계 로 연결 될 수 있 는 에칭 후 결과 에 대한 피드포워드 및 / 또는 피드백 워드 APC ( 고급 프로세스 제어 ) 를 포함 할 수 있 다 . APC 는 데이터 를 피드포워드 ( 동일 웨이퍼 에 대해 추후 프로세스 를 트레이닝 하 기 위해 ) 또는 데이터 를 피드백 워드 ( 현재 웨이퍼 에 대해 현재 프로세스 를 트레이닝 하 거나 추후 웨 이 퍼 에 대해 현재 프로세스 를 트레이닝 하 기 위해 ) 함 으로써 , 에칭 후 CD ( 임계 치수 ) , 오버레이 및 결함 정보 가 거의 즉시 평가 및 작용 되 게 할 수 있 다 .