이제 도 4 a 및 도 4 b 를 참조 하 면 , 각각 STI ( shallow trench isolation ) 리세 스 에칭 및 더미 게이트 형성 후 의 기판 이 도시 된다 . 도 4 a 에서 , 기판 ( 100 ) 은 ILD ( inter - layer dielectrc ) 층 ( 110 ) 및 복수 의 핀 들 ( fins ) ( 114 ) 을 포함 한다 . ILD 층 ( 110 ) 은 로우 k 유전체 들 , 도핑 된 옥사이드 들 , 유동성 옥사이드 들 , 실리콘 다 이 옥사이드 ( SiO 2 ) 또는 다른 적합 한 재료 로 이루어질 수 도 있 다 . 일부 예 들 에서 , 복수 의 핀 들 ( 114 ) 은 STI 옥사이드 를 개재 하 여 실리콘 ( Si ) 으로 이루어질 수 도 있 다 . STI 옥사이드 는 또한 복수 의 핀 들 ( 114 ) 의 상단 표면 상 에 위치 될 수 도 있 다 .