도 1 은 종래 MIM ( Metal Insulator Metal ) 커패시터 의 공정 단면도 를 도시 한 것 으로 , 상기 도 1 에서 와 같이 MIM 구조 를 위해 티타늄 / 질화 티타늄 ( Ti / TiN ) ( 100 , 102 ) , 알루미늄 구리 ( AlCu ) ( 104 ) , 티타늄 / 질화 티타늄 ( Ti / TiN ) ( 106 , 108 ) 으로 된 하부 전극 금속 층 을 형성 하 고 , 하부 전극 금속 층 위 로 절연 층 인 나이트 라이드 ( Nitride ) 막 ( 110 ) 과 상부 전극 금속 층 인 티타 뉴 / 질화 티타늄 ( Ti / TiN ) ( 112 , 114 ) 을 차례 로 증착 시킨다 . 이어 상기 상부 전극 금속 층 위 로 포토레지스트 ( photo - resist ) 를 도포 하 고 , 포토레지스트 층 을 패 터닝 ( patterning ) 하 여 패 터닝 된 포토레지스트 층 을 식각 마스크 로 한 반응 성 이온 식각 ( Reactive Ion Etching ; RIE ) 공정 을 통해 상부 전극 금속 층 ( 112 , 114 ) 및 절연 층 의 나이트 라이드 막 ( 110 ) 을 차례 로 식각 하 여 MIM 구조 를 형성 시키 게 된다 .