본 발명 의 도전 성 도공 막 은 , 유리 판상 에 건조 막 두께 4 ㎛ 로 형성 된 경우 에 , JIS 　 K 　 7194 에 준거 하 여 측정 되 는 표면 저항 률 이 3 , 000 Ω / □ 이하 인 것 이 바람직 하 고 , 2 , 000 Ω / □ 이하 인 것 이 바람직 하 다 . 표면 저항 률 이 3 , 000 Ω / □ 을 넘 는 도전 성 도공 막 을 전 극판 에 적용 하 면 , 내 부저항 이 높 아지므로 , 고 효율 로 긴 수명 의 전지 나 캐 패시 터 를 얻 는 것 이 곤란 하 게 된다 .