본 발명 에 따른 에스램 소자 는 NMOS 트랜지스터 와 PMOS 트랜지스터 를 구비 하 며 , 실리콘 기판 에 형성 되 는 N - 웰 과 P - 웰 ; 활성 영역 을 정하 기 위하 여 실리콘 기판 에 형성 되 는 소자 분리 막 ; 활성 영역 을 가로질러 실리콘 기판 상 에 형성 되 는 게이트 ; 게이트 양쪽 의 활성 영역 안 에 각각 형성 되 는 소스 / 드레 인 ; 소스 / 드레 인과 게이트 에 각각 연결 되 는 컨 택 을 포함 하 여 구성 된다 . 특히 , NMOS 의 활성 영역 과 PMOS 의 활성 영역 이 서로 연결 되 며 , PMOS 의 드레 인과 NMOS 의 소스 가 하나 의 공통 컨 택 에 연결 되 는 것 을 특징 으로 한다 .