전술 된 영역 ( 230 ) 과 같 은 계단 영역 ( 200 ) 내의 , 그리고 선택 적 으로 , 후속 등 방성 에칭 단계 에서 희생 재료 층 들 ( 142 , 242 ) 에 대한 타깃 측 방향 에칭 거리 보다 더 큰 측 방향 거리 만큼 가장 근위 의 후면 트렌치 들 ( 79 ) 로부터 측 방향 으로 이격 되 는 메모리 어레이 영역 ( 100 ) 내 의 영역 들 이 , 본 명세서 에서 유전체 분리 영역 들 ( 150 , 250 ) 로 지칭 된다 . 타깃 측 방향 에칭 거리 는 제 1 후면 트렌치 ( 79 A ) 의 제 1 후면 트렌치 세그먼트 들 ( 791 ) 과 가장 근접 한 제 2 후면 트렌치 ( 79 B ) 사이 의 측 방향 분리 거리 의 절반 보다 클 수 있 다 . 타깃 측 방향 에칭 거리 는 , 제 2 수평 방향 ( hd 2 ) 을 따라 제 1 교번 스택 ( 132 , 142 ) 내 의 각각 의 제 1 희생 재료 층 ( 142 ) 에 대한 또는 제 1 교번 스택 ( 132 , 142 ) 내 의 각각 의 제 1 절연 층 ( 132 ) 에 대한 수평 표면 들 을 제공 하 는 제 1 계단 행 들 ( 212 ) 의 각각 의 인접 세트 의 폭 의 절반 보다 클 수 있 고 , 제 2 수평 방향 ( hd 2 ) 을 따라 제 2 교번 스택 ( 232 , 242 ) 내 의 각각 의 제 2 희생 재료 층 ( 242 ) 에 대한 또는 제 2 교번 스택 ( 232 , 242 ) 내 의 각각 의 제 2 절연 층 ( 232 ) 에 대한 수평 표면 들 을 제공 하 는 제 2 계단 행 들 ( 222 ) 의 각각 의 인접 세트 의 폭 의 절반 보다 클 수 있 다 . 유전체 분리 영역 들 은 메모리 어레이 영역 ( 100 ) 내 에 형성 되 는 선택 적 어레이 유전체 분리 영역 들 ( 150 ) , 및 계단 영역 ( 200 ) 내 에 형성 되 는 계단 유전체 분리 영역 ( 250 ) 을 포함 할 수 있 다 . 유전체 분리 영역 들 ( 150 , 250 ) 각각 의 주연 부 는 , 후속 적 으로 채용 될 등방성 에칭 공정 의 타깃 측 방향 에칭 거리 일 수 있 는 균일 한 측 방향 오프셋 거리 만큼 후면 트렌치 들 ( 79 ) 의 가장 근위 의 서브 세트 의 측벽 들 로부터 측 방향 으로 이격 될 수 있 다 .