도 9 g 를 참조 하 면 , 포토 다이오드 ( 435 ) 상부 의 층간 절연 층 ( 433 ) 을 식각 하 여 형성 한 광 도파관 ( 435 ) 내부 를 층간 절연 층 ( 433 ) 에 비해 높 은 굴절 률 을 갖 는 물질 로 채울 수 있 다 . 또한 상기 광 도파관 ( 435 ) 을 구성 하 는 물질 로 광 도파관 ( 435 ) 및 층간 절연 층 ( 431 ) 상부 에 평탄 층 ( 430 ) 이 적층 될 수 있 다 . 평탄 층 ( 430 ) 을 구성 하 는 물질 은 광 도파관 ( 435 ) 을 구성 하 는 물질 과 동일 할 수 있 다 . 평탄 층 ( 430 ) 은 상기 광 도파관 ( 435 ) 을 구성 하 는 물질 로 광 도파관 을 채운 후 에 도 계속 적 으로 상기 광 도파관 ( 435 ) 을 구성 하 는 물질 을 광 도파관 ( 435 ) 및 층간 절연 층 ( 431 ) 상부 에 적층 한 후 화학 적 기계 적 연마 ( Chemical mechanical polishing ; CMP ) 를 통한 평탄 화 공정 을 수행 하 여 형성 할 수 있 다 .