도 2 를 참조 하 여 설명 하 면 , 먼저 준비 된 베이스 기판 ( 10 ) 에 포토 레지스 트 를 증착 한다 ( S 21 ) . 베이스 기판 은 ( 10 ) 은 반도체 기판 으로 실리콘 단결정 기판 일 수 도 있 지만 , SOI ( silicon - on - insulator ) 기판 , 저 매 늄 ( Ge ) 기판 , 갈륨 - 인 ( GaP ) 기판 , 갈륨 - 비소 ( GaAs ) 기판 등 일 수 있 으며 특별히 한정 되 지 않 는다 . 또한 , 베이스 기판 ( 10 ) 으로 는 둥근 형상 의 실리콘 웨이퍼 가 사용 될 수 있 다 . 그리고 포토 레지스 트 ( 11 ) 는 감광 물질 로서 소정 파장 의 빛 을 조사 함 으로써 화학 적 특성 이 변화 하 는 물질 을 적절히 선택 하 여 사용 할 수 있 으며 특별히 한정 되 지 않 는다 . 상기 베이스 기판 ( 10 ) 위 에 포토 레지스 트 ( 11 ) 를 형성 하 는 방법 은 , 예 를 들 면 , 스핀 코팅 방법 , 스프레이 코팅 방법 , 딥 ( dip ) 코팅 방법 에 의할 수 있 는데 , 여기 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 선택 적 으로 , 스핀 코팅 등 의 방법 에 의하 여 포토레지스트 ( 11 ) 를 형성 한 후 에 는 소위 PAB ( post applied bake ) 라고 도 불리 는 베 이크 가 수행 될 수 있 다 . 상기 베 이크 를 통하 여 상기 포토레지스트 ( 11 ) 내 의 용매 가 일부 제거 되 고 상기 베이스 기판 ( 10 ) 위 에 상기 포토레지스트 ( 11 ) 가 안정 적 으로 정착 된다 .