도 4 를 참조 하 면 , 기판 ( 100 ) 은 반도체 기판 일 수 있 고 상기 기판 ( 100 ) 내 에 소오 스 / 드레 인 영역 들 ( 135 a ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 기판 ( 100 ) 이 p 형 반도체 기판 인 경우 , 상기 소오 스 / 드레 인 영역 들 ( 135 a ) 은 n 형 불순물 을 이온 주입 하 여 형성 할 수 있 다 . 소자 동작 과정 에서 상기 소오 스 / 드레 인 영역 들 ( 135 a ) 사이 의 기판 ( 100 ) 표면 내 에 채널 이 형성 될 수 있 어 이 를 채널 영역 으로 정의 할 수 있 다 . 따라서 , 상기 소오 스 / 드레 인 영역 들 ( 135 a ) 및 이 들 사이 의 채널 영역 을 반도체 채널 층 으로 명명 할 수 도 있 다 . 다른 예 에서 , 도시 된 바 와 는 달리 기판 ( 100 ) 상 에 별도 의 반도체 채널 층 일 예 로서 , 폴리 실리콘 층 , 폴리 SiGe 층 , 또는 금속 산화물 반도체 층 을 형성 할 수 도 있 다 .