이 와 같이 , 식각 된 영역 , 다시 말 해 , 식각 공정 으로 노출 된 n 형 층 ( 161 ) 상 에 는 n 전극 ( 164 ) 이 배치 된다 . n 전극 ( 164 ) 은 도전 성 물질 로 이루어질 수 있 다 . 한편 , 식각 되 지 않 은 영역 , 다시 말 해 , p 형 층 ( 163 ) 상 에 는 p 전극 ( 165 ) 이 배치 된다 . p 전극 ( 165 ) 도 도전 성 물질 로 이루어질 수 있 고 , 예 를 들 어 , n 전극 ( 164 ) 과 동일 한 물질 로 이루어질 수 있 다 .