본 명세서 의 실시 예 들 은 트랜스 듀 서 의 기하 구조 에 대한 제한 없이 다양 한 초음파 트랜스 듀 서 들 과 관련 하 여 구현 될 수 있 다 . 그러나 , 본 명세서 의 구 현예 들 은 단결정 재료 들 등 을 포함 하 는 ( 그러나 이 들 로 제한 되 지 않 는 ) 디 폴링 에 민감 한 재료 들 로 제조 된 트랜스 듀 서 들 과 관련 하 여 더 양호 한 적합 성 을 가질 수 있 다 . 특히 , 본 명세서 의 실시 예 들 은 , 실질 적 으로 2 원 단결정 재료 들 로 구성 되 거나 2 원 단결정 재료 들 의 실질 적 으로 균질 한 조성 을 갖 는 트랜스 듀 서 요소 들 에서 디 폴링 효과 를 제한 또는 제거 하 는 데 매우 적합 하 다 . 특히 , 본 명세서 의 실시 예 들 은 , 3 원 단결정 재료 들 과 함께 사용 되 는 바이어스 신호 들 의 전압 레벨 들 과 비교 하 여 , 더 낮 은 전압 을 갖 는 바이어스 신호 들 을 활용 할 때 더 약한 2 원 단결정 재료 들 을 안정 화 시키 기 위해 저전압 바이어스 신호 들 을 활용 한다 .