이 를 개선 하 기 위하 여 , 하부 전극 간 선폭 을 증가 시키 는 경우 오히려 커패시턴스 가 감소 하 게 되 고 , 커패시턴스 를 향상 시키 기 위하 여 하부 전극 의 높이 를 증가 시키 는 경우 하부 전극 의 에 스펙스 비 가 증가 하 여 저장 전극 리닝 현상 이 다시 유발 된다 . 즉 , 상기 리닝 현상 은 소자 의 크기 축소 에 따른 커패시터 간 선폭 축소 , 커패시터 바닥 선폭 축소 또는 커패시터 높이 증가 등 에 의해 더욱 심화 하 며 , 소자 의 특성 및 신뢰 성 을 저하 한다 .