종래 에 는 상기 반도체 제조 용 플 라즈 마 식각 장치 에 사용 되 는 부재 로서 주로 알루미나 ( Al 2 O 3 ) 를 사용 하 였으나 , 이 는 플 라즈 마 에 대한 내식성 이 약해서 , RF 파워 가 커지 는 환경 에서 는 부재 로서 부적합 하 게 되 었 다 . 이 를 극복 하 기 위하 여 , 알루미나 에 이트리아 ( Y 2 O 3 ) 층 을 도포 하 여 채용 하 기 도 하 였으나 , 이트리아 는 굽힘 강도 가 약 160 MPa 로 알루미나 의 약 430 MPa 보다 현저 하 게 작 아서 , 열 적 안정 성 이 낮 고 깨 짐 등 과 같 은 손상 이 쉽 게 일어났 다 . 여기 서 , 반도체 제조 용 플 라즈 마 식각 장치 의 부품 은 노즐 ( nozzle ) , 인 젝 터 ( injector ) , 링 ( ring ) 류 등 이 있 다 .