이어서 , 상기 게이트 전극 ( 140 ) 과 스 페이서 ( 125 ) 를 이온 주입 마스크 로 이용 하 여 상기 반도체 기판 ( 10 ) 의 액티브 영역 에 소스 / 드레 인 영역 ( 150 , 160 ) 형성 을 위한 P 형 불순물 , 예 를 들 어 보론 ( B ) 이온 ( 29 ) 을 3 ~ 20 KeV 의 이온 주입 에너지 와 , 1 × 1015 ~ 5 × 1015 ions / cm 2 의 이온 주입 농도 로 이온 주입 시킨다 .