하지만 통신 용 으로 주로 활용 되 는 1 . 3 ㎛ 와 1 . 5 ㎛ 파장 대역 의 경우 , GaAs / AlGaAs 물질 이 활용 되 는 데 어려움 이 많 으며 , 주로 InP 기판 에 InGaAsP 나 InAlGaAs 물질 등 이 주로 활용 되 고 있 다 . 이 경우 높 은 반사 율 을 얻 기 위해서 많 은 층 의 성장 이 필요 하 며 , 또한 일반 적 인 InGaAsP , InAlGaAs 와 같 은 4 기 ( quaternary ) 물질 들 은 GaAs 와 같 은 2 원 ( binary ) 물질 에 비하 여 1 / 10 이상 의 낮 은 열전도도 로 소자 특성 을 제한 하 며 , 효과 적 인 전류 감금 방법 의 어려움 으로 많 은 문제점 을 가지 고 있 다 .