더욱이 , 본 발명 은 기판 을 준비 하 는 단계 ; 상기 기판 상 에 N 형 반도체 층 및 P 형 반도체 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 P 형 반도체 층 상 에 산화물 형성 물질 과 산화물 미형 성 물질 의 오 믹 형성 전 도막 을 그물망 구조 로 형성 하 는 단계 ; 상기 오 믹 형성 전 도막 상 에 투명 전도성 산화 막 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 고 , 상기 오 믹 형성 전 도 막 은 증착 후 산소 를 포함 한 분위기 에서 섭씨 500 ~ 600 도 의 온도 로 열처리 하 여 형성 하 는 것 을 특징 으로 하 는 발광 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .