상기 게이트 절연 층 위 에 , 스퍼터링 법 에 의해 In - Zn - Ga - 0 를 포함 하 는 아모 퍼스 산화물 반도체 막 을 40 nm 의 두께 로 형성 한다 . 아모 퍼스 반도체 막 은 , RF 스퍼터링 장치 를 사용 해서 , 기판 온도 를 실온 으로 유지 하 여 형성 한다 . RF 파워 는 200 W 다 . 이 때 의 스퍼터링 가스 는 , 혼합비 5 : 95 의 산소 / Ar 가스 다 . 이 아모 퍼스 산화물 반도체 막 을 , 포토 리소그래피 와 습식 에칭 에 의해 패 터닝 하 여 , 반도체 층 을 형성 한다 .