이어서 , 트렌치 ( 104 , 도 2 a 참조 ) 의 상부 모서리 부위 가 노출 되 도록 제 1 절 연막 ( 105 A ) 을 식각 하 여 일정 깊이 로 후퇴 ( recess ) 시킨다 . 이때 , 식각 공정 은 제 1 절 연막 ( 105 A ) 의 후퇴 에 따라 노출 되 는 터널 링 절 연막 ( 101 A ) 의 양측 부 또한 식각 되 도록 실시 하 여 , 터널 링 절 연막 ( 101 A ) 의 양측 부를 일정 깊이 후퇴 시킨다 . 이 를 위해 식각 공정 은 습식 식각 공정 으로 실시 하 되 , 플로팅 게이트 ( 102 ) 와 의 높 은 식각 선택 비 를 갖 는 조건 으로 등방성 식각 한다 . 예컨대 , 플로팅 게이트 ( 102 ) 가 폴리 실리콘 막 으로 형성 된 경우 , 식각 용액 으로 HF 와 탈 이온 수 ( deionized water ) 를 10 : 1 , 50 : 1 , 100 : 1 , 300 : 1 또는 1000 : 1 등 의 비율 ( HF : 탈 이온 수 ) 로 혼합 한 DHF ( Diluted HF ) 용액 을 사용 한다 .