이후 , 포토 레지스 트 ( 3 ) 가 도포 된 기판 ( 1 ) 상 에 소정 의 패턴 이 형성 되 어 있 는 마스크 ( 4 ) 를 정렬 시킨 후 광 을 조사 한다 . 마스크 ( 4 ) 로 조사 된 광선 은 마스크 ( 4 ) 에 형성 되 어 있 는 패턴 의 개방 된 부분 을 통해 기판 ( 1 ) 의 포토 레지스 트 ( 3 ) 에 조사 된다 [ 도 1 의 ( b ) ] .