절 연막 ( 110 ) 및 제 1 희생 막 ( 120 ) 은 , 예 를 들 어 , 화학 기상 증착 ( CVD ) 공정 , 플라스마 화학 기상 증착 ( PECVD ) 공정 , 원자 층 증착 ( ALD ) 공정 등 을 통해 형성 할 수 있 다 . 절 연막 ( 110 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 과 같 은 산화물 을 포함 할 수 있 으며 , 제 1 희생 막 ( 120 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 질화물 과 같 은 질화물 을 포함 할 수 있 다 .