기존 의 패키지 는 웨이퍼 를 절단 하 여 개개 의 반도체 칩 들 로 분리 시킨 다음 , 개개 의 반도체 칩 별로 패 키 징 공정 을 실시 하 는 방식 으로 제조 되 었 다 . 그러나 , 상기 의 패 키 징 공정 은 자체 적 으로 많 은 단위 공정 들 , 즉 , 칩 부착 , 와이어 본딩 , 몰딩 , 트림 / 포 밍 등 의 공정 들 을 포함 하 고 있 는 바 , 반도체 칩 별로 각각 의 패 키 징 공정 이 수행 되 어야 하 는 기존 의 패키지 제조 방법 은 , 하나 의 웨이퍼 에서 얻 어 지 는 반도체 칩 의 수 를 고려 할 때 , 모든 반도체 칩 에 대한 패 키 징 소요 시간 이 너무 많 다는 문제점 을 갖 고 있 다 .