적절 한 복사선 개질 가능 층 ( 410 ) 은 비정질 탄소 층 , 예 를 들 어 플 라즈 마 강화 원자 층 증착 ( PEALD ) 또는 플 라즈 마 강화 화학 기상 증착 ( PECVD ) 에 의해 증착 된 비정질 탄소 층 을 포함 한다 . 비정질 탄소 층 은 sp 2 및 sp 3 탄소 를 포함 할 수 있 다 . 즉 , 비정질 탄소 층 은 C - C , C = C , 및 C - H 결합 을 포함 할 수 있 다 . 또한 , 비정질 탄소 는 C - N 및 / 또는 C - O 결합 을 함유 할 수 있 다 . 비정질 탄소 층 의 영역 이 EUV 광 에 노광 되 는 경우 , C = C , C - H , C - N , 및 / 또는 C - O 결합 은 끊길 수 있 다 . 본 발명 이 임의 의 특정 이론 이나 작동 모드 에 구속 되 지 않 는다면 , 최종 손상 은 , 노광 된 비정질 탄소 층 부분 으로 하여금 낮 은 온도 에서 , 예 를 들 어 100 ° C 미만 의 온도 에서 , 또는 90 ° C 미만 의 온도 에서 , 또는 80 ° C 미만 의 온도 에서 , 또는 70 ° C 미만 의 온도 에서 , 또는 60 ° C 미만 의 온도 에서 , 또는 50 ° C 미만 의 온도 에서 , 또는 40 ° C 미만 의 온도 에서 , H 라디칼 에 의해 선택 적 으로 에칭 되 도록 한다고 여겨진다 . 미 노광 된 비정질 탄소 층 부분 은 이 들 저온 에서 H 라디칼 에 의해 에칭 되 지 않 는데 , 그 이유 는 미 노광 된 비정질 탄소 층 부분 이 EUV 노광 에 의해 손상 되 지 않 았 기 때문 이 고 , 비정질 탄소 의 C - C 결합 은 H 라디칼 에 의해 실질 적 으로 에칭 되 지 않 기 때문 으로 여겨진다 . 또한 , 본 발명 이 임의 의 특정 이론 또는 작동 모드 에 의해 구속 되 지 않 는다면 , H 라디칼 은 비정질 탄소 층 의 표면 을 수소 화 시킬 수 있 고 , 이 에 따라 CH 3 종 결기 를 상기 표면 상 에 형성 한다고 여겨진다 . 따라서 , CH 3 로 종결 된 비정질 탄소 를 갖 는 영역 이 형성 될 수 있 고 , 이 는 희생 마스킹 층 의 증착 동안 차단 또는 활성 층 으로 사용 될 수 있 다 .