이때 , 일반 적 으로 금속 유도 결정 화법 또는 금속 유도 측면 결정 화법 에서 금속 촉매 의 두께 또는 밀도 를 조심 스럽 게 조절 해야 하 는데 , 이 는 결정 화 후 에 상기 금속 촉매 가 다 결정 실리콘 층 의 표면 에 잔류 하 여 박막 트랜지스터 의 누설 전류 ( leakage current ) 를 증가 시키 는 등 의 문제 를 야기 하 기 때문 이 다 . 그러나 , 본 발명 에서 는 상기 금속 촉매 층 ( 125 ) 의 두께 또는 밀도 를 정밀 하 게 제어 할 필요 없이 두껍 게 형성 하 여도 무방 하 다 . 이 는 상기 제 1 캡 핑 층 ( 123 a ) 으로 형성 되 어 있 는 실리콘 산화 막 이 확산 하 는 금속 촉매 를 필터링 하 여 미량 의 금속 촉매 만 이 결정 화 에 기여 하 고 , 확산 하 는 대부분 의 금속 촉매 는 상기 실리콘 산화 막 을 통과 하 여 결정 화 에 기여 하 지 않 게 된다 .