반도체 메모리 장치 가 X 16 의 데이터 입출력 구조 를 가지 는 경우 메모리 셀 어레이 를 구성 하 는 4 개 의 메모리 뱅크 중 하나 의 메모리 뱅크 는 2 개 의 블록 으로 구성 될 수 있 으며 , 복수 의 정상 서브 어레이 와 3 개 의 에지 서브 어레이 를 포함 할 수 있 다 . X 16 의 데이터 입출력 구조 를 가지 는 경우 정상 서브 어레이 를 활성 화 시킬 때 한 번 에 2 개 의 서브 어레이 가 활성 화 되 고 , X 16 의 데이터 입출력 구조 를 가지 는 경우 에지 서브 어레이 를 활성 화 시킬 때 한 번 에 3 개 의 서브 어레이 가 활성 화 된다 .