먼저 , 셀 영역 및 피 모스 와 엔 모스 형성 영역 으로 구획 된 반도체 기판 상 에 게이트 절 연막 을 증착 한다 . 이어서 , 상기 게이트 절 연막 상 에 폴리 실리콘 막 을 증착 한 다음 , 셀 영역 과 피 모스 형성 영역 에 만 선택 적 으로 P 형 불순물 이온 주입 을 수행 하 여 P + 폴리 실리콘 막 을 형성 하 고 , 그리고 나 서 , 엔 모스 형성 영역 에 만 선택 적 으로 N 형 불순물 이온 주입 을 수행 하 여 N + 폴리 실리콘 막 을 형성 한다 .