증착 - 우선 프로세스 에서 , 단계 ( 254 ) 에서 처럼 , 기판 ( 200 ) 내 로 확산 을 촉진 하 기 위해 도 펀트 층 은 열처리 된다 . 열처리 동안 도 펀트 층 ( 202 ) 의 승화 를 막 기 위해서 , 단계 ( 252 ) 및 도 2 c 에 도시 된 것 처럼 , 캡 핑 층 ( 204 ) 이 도 펀트 층 ( 202 ) 위 에 형성 될 수 있 다 . 캡 핑 층 ( 204 ) 은 모든 실시 예 들 에 대해 요구 되 는 것 은 아니 지만 , 이용 된다면 캡 핑 층 ( 204 ) 은 실리콘 , 산소 , 탄소 , 질소 , 수소 , 금속 , 또는 이 들 의 임의 의 적합 한 조합 물 로 형성 될 수 있 다 . 캡 핑 층 ( 204 ) 은 실리콘 의 녹는점 ( 약 1410 ℃) 에 근접 하 는 어닐링 온도 들 까지 단지 안정 적 이 고 열 적 으로 전도성 이 있 을 필요 가 있 다 . 일반 적 으로 이용 되 는 캡 핑 층 들 의 예 들 은 질화 실리콘 ( SiaNb ) , 탄화 실리콘 ( SiaCc ) , 질산화 실리콘 ( SiaOdNb ) , 산화 실리콘 ( SiaOd ) , 및 금속 질화물 들 ( MeNf ) 이 고 , 여기 서 상기 금속 은 임의 의 일반 적 으로 이용 되 는 배리어 또는 캡 핑 금속 , 예 를 들 면 티타늄 ( Ti ) , 탄탈 ( Ta ) , 또는 텅스텐 ( W ) 일 수 있 다 . 이러 한 층 들 은 플 라즈 마 를 이용 하 여 또는 플라 즈 마 없이 물리 또는 화학 기상 증착 에 의해 증착 될 수 있 고 일반 적 으로 엘리먼트 들 의 화학 양론 적 조합 물 들 이 아니 다 . 예 를 들 어 , 상기 화합물 들 에서 , a = 1 인 경우 , b 는 약 0 . 3 내지 약 1 . 5 의 범위 이 고 , c 는 약 0 . 3 내지 약 1 . 2 의 범위 이 며 , d 는 약 0 . 5 내지 약 2 . 5 의 범위 일 수 있 다 . 또한 e = 1 인 경우 , f 는 약 0 . 8 내지 약 1 . 2 의 범위 일 수 있 다 .