도 6 및 도 7 을 참조 하 면 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 의한 스위칭 트랜지스터 ( Ts ') 는 , 단일 의 채널 영역 , 일 예 로 제 1 채널 영역 ( 120 a 1 ) 을 포함 한 활성 층 패턴 ( 120 ’) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 활성 층 패턴 ( 120 ’) 은 , 제 1 채널 영역 ( 120 a 1 ) 과 , 상기 제 1 채널 영역 ( 120 a 1 ) 의 양측 에 배치 된 제 1 전도성 영역 ( 120 b 1 ) 및 제 2 전도성 영역 ( 120 b 2 ) 과 , 상기 제 1 채널 영역 ( 120 a 1 ) 과 제 2 전도성 영역 ( 120 b 2 ) 의 사이 에 배치 된 제 1 광폭 밴드 - 갭 영역 ( 120 c 1 ) 과 , 상기 제 1 채널 영역 ( 120 a 1 ) 과 제 1 전도성 영역 ( 120 b 1 ) 의 사이 에 배치 된 제 2 광폭 밴드 - 갭 영역 ( 120 c 2 ') 을 포함 할 수 있 다 . 실시 예 에 따라 , 제 1 및 제 2 광폭 밴드 - 갭 영역 들 ( 120 c 1 , 120 c 2 ') 은 제 1 채널 영역 ( 120 a 1 ) 의 서로 다른 일 영역 에 접촉 되 도록 상기 제 1 채널 영역 ( 120 a 1 ) 의 양측 에 배치 될 수 있 다 .