일 예 로서 , 상기 포토레지스트 패턴 에 결함 이 존재 하 지 않 을 경우 상기 포토레지스트 패턴 은 식각 마스크 로 이용 하 여 식각 대상 막 을 식각 하 는 공정 을 수행 할 수 있 다 . 다른 예 로서 , 상기 포토레지스트 패턴 에 결함 이 존재 할 경우 상기 포토레지스트 패턴 을 제거 하 여 상기 기판 과 유기 반사 방지 막 을 재 활용 하 기 위한 반도체 기판 의 리 워크 공정 을 수행 할 수 있 다 .