따라서 , 본 발명 의 일실 시예 에 따른 엠아이에스 캐 패 시터 제조 방법 은 종래 의 엠아이에스 캐 패 시터 또는 금속 - 절연체 - 금속 ( MIM ) 캐 패 시터 의 정전 용량 과 같 은 정전 용량 을 가지 면서 , 3 GHz 영역 의 높 은 주파수 영역 에서 종래 의 엠아이에스 캐 패 시터 의 품질 지수 ( Q ) 보다 높 은 품질 지수 ( Q ) 를 나타내 는 엠아이에스 캐 패시 터 를 제조 할 수 있 다 .