일 실시 예 에 따르 면 , 상기 게터 링 영역 을 형성 하 는 단계 는 상기 절연 층 을 패 터닝 하 여 오목 한 영역 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 오목 한 영역 을 채우 는 충전 반도체 패턴 및 상기 충전 반도체 패턴 내 의 상기 게터 링 영역 을 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 상기 충전 반도체 패턴 은 상기 소자 반도체 층 의 하 부면 과 접촉 한다 .