이하 에 , 본 발명 의 실시 예 3 의 방법 을 적용 하 여 , 도 10 의 기판 처리 장치 , 즉 강제 냉각 기구 ( 400 ) 를 구비 한 Si 3 N 4 성막 용 CVD 장치 에 있 어서 취득 한 프로세스 특성 에 대하 여 설명 한다 . 도 9 에 , 실시 예 3 에 의한 드라이클리닝 공정 후 의 , 파티클 의 안정 성 을 나타낸다 . 도 9 의 종축 은 처리 실 ( 201 ) 내 의 각 측정 위치 에 있 어서 입자 지름 0 . 13 μ m 이상 의 파티클 증가 분 ( 단위 ： 개수 ) 을 나타내 고 , 횡축 은 드라이클리닝 실시 후 의 박막 형성 공정 의 실시 회수 ( 배치 회수 ) , 즉 , Si 3 N 4 성막 런 수 ( run number ; 배치 의 처리 수 ) 를 나타낸다 . 또한 , 도 9 의 ● 표 는 , 처리 실 ( 201 ) 내 의 상부 ( top ) 위치 에 있 어서 이 물질 의 증가 수 를 나타내 고 , ○ 표 는 , 처리 실 ( 201 ) 내 의 하부 ( bottom ) 위치 에 있 어서 이 물질 의 증가 수 를 나타낸다 . 한편 , 박막 형성 공정 에서 는 , 처리 가스 로서 DCS 가스 및 NH 3 가스 를 이용 하 여 , 상술 한 실시 형태 와 동일 한 방법 , 조건 으로 , 1 런 당 Si 3 N 4 막 을 0 . 15 μ m 성막 했 다 . 또한 , 드라이클리닝 은 , 실시 예 2 와 동일 한 방법 , 조건 으로 수행 했 다 . LTP 는 , 박막 형성 공정 을 실시 할 때 매회 , 처리 실 ( 201 ) 내 에 웨이퍼 ( 200 ) 가 없 는 상태 로 , 처리 실 ( 201 ) 내부 의 온도 를 , 성막 온도 인 650 ~ 800 ℃ 에서 400 ℃ 까지 , 20 ℃/ min 의 강온 레이트 로 온도 강하 시키 면서 , 처리 실 ( 201 ) 내 를 대기압 상태 로 하 여 , 처리 실 ( 201 ) 내 에 퍼지 가스 공급계 로부터 20 L / min 이상 의 대 유량 ( 大 流 量 ) 의 N 2 를 공급 하 면서 배 기계 로부터 배기 함 으로써 수행 했 다 . 이 때 , 매니폴드 ( 209 ) 의 하단 은 O 링 ( 220 c ) 을 개재 하 여 노구 셔터 ( 219 a ) 에 의해 밀봉 한 상태 로 했 다 . 한편 , LTP 는 , 처리 완료 된 웨이퍼 ( 200 ) 를 보 지 한 보트 ( 217 ) 를 처리 실 ( 201 ) 내 로부터 반출 ( boat unload ) 한 후 의 , 웨이퍼 냉각 , 웨이퍼 방전 과 병행 하 여 수행 하 였 다 . LTP 를 병용 하 지 않 는 도 8 에 있 어서 는 , Si 3 N 4 성막 12 런 ( 누적 막 두께 2 μ m 상당 ) 로 급격 하 게 파티클 이 증가 했 는데 , 실시 예 3 의 방법 을 적용 한 도 9 에서 는 , 적어도 드라이클리닝 공정 의 실시 직후 부터 Si 3 N 4 성막 50 런 ( 누적 막 두께 8 μ m 상당 ) 까지 는 파티클 의 대폭 적 인 증가 는 없 었 고 , 양호 한 데이터 를 얻 을 수 있 었 다 .