한편 , 벽개면 에 대하 여 습식 식각 공정 을 수행 하 여 원 하 는 소자 형 성부 ( 10 b ) 의 두께 를 얻 을 수 있 다 . 즉 , 상기 수소 열처리 를 수행 한 후 또는 수행 하 지 않 은 상태 에서 벽개 된 소자 형 성부 ( 10 b ) 의 표면 에 대하 여 습식 식각 을 수행 한다 . 식각 액 은 NH 4 OH : H 2 O 2 : H 20 = 0 . 5 : 1 : 5 인 식각 액 을 사용 하 였으며 , 식각 온도 는 65 내지 100 ℃ 의 범위 에서 수행 하 였으며 , 식각 시간 및 식각 두께 는 원 하 는 나노 SOI 웨이퍼 에서 최종 소자 형성 영역 의 두께 를 고려 하 여 설정 하 였 다 . 나노 급 SOI 의 경우 소자 형성 영역 의 두께 가 50 nm 이하 가 되 도록 식각 을 계속 수행 한다 . 본 발명 의 식각 액 을 선택 한 이유 는 식각 속도 가 낮 고 식각 후 식각 두께 의 균 일도 가 우수 하 기 때문 이 다 .