상기 액티브 층 ( 630 ) 은 전기 적 인 채널 이 형성 되 는 층 으로서 , 일반 적 인 트랜지스터 와 같이 게이트 전극 에 전압 을 가함 에 의하 여 채널 이 형성 된다 . 또한 , 상기 CIS 를 이용 한 박막 트랜지스터 ( 234 b ) 는 상기 액티브 층 ( 630 ) 은 광 을 조사 함 에 의하 여 채널 이 형성 될 수 도 있 다 . 이 는 CIS 가 가지 는 우수 한 광 반응 성 에 기인 하 는 것 으로서 , 상기 액티브 층 ( 630 ) 에서 빛 에너지 를 흡수 하 여 전자 - 정공 쌍 들 ( electron - hole pairs ) 이 생성 되 고 이동하 여 , 소스 / 드레 인 전극 ( 650 ) 간 의 전기 적 인 저항 을 감소 시키 기 때문 이 다 . 또한 , 상술 한 바 와 같이 , 액티브 층 ( 630 ) 을 구성 하 는 재료 로 CIS 대신 GST 를 사용 할 수 도 있 다 .