높이 ( H 2 ) 대 높이 ( H 3 ) 의 비 는 크 다 . 예 를 들 어 , H 2 : H 3 비 는 2 보다 클 수 있 고 , 예컨대 약 2 내지 약 4 . 6 의 범위 이 다 . 다시 말 해 , 비아 높이 ( H 4 ) 는 라인 높이 ( H 3 ) 보다 크 다 . 큰 H 2 : H 3 비 로 제 1 시 일 링 링 층 ( 140 A ) 을 형성 하 면 , 개구부 ( 125 A 및 125 B ) 를 패 터닝 할 때 유전체 층 ( 124 ) 을 보다 완전 하 게 현상 하 는 것 을 도와서 , 제 1 시 일 링 링 층 ( 140 A ) 에서 공극 의 형성 을 줄일 수 있 다 . 그러나 , H 2 : H 3 비 가 증가 하 면 폭 ( W 2 ) 대 높이 ( H 3 ) 의 비 가 감소 한다 . 다시 말 해 , H 2 : H 3 비 가 크 면 , W 2 : H 3 비 가 작 다 . 예 를 들 어 , W 2 : H 3 비 는 5 보다 작 을 수 있 고 , 예컨대 약 1 내지 약 5 의 범위 이 다 . 일부 실시 형태 에 따르 면 , 금속화 패턴 ( 126 ) 과 제 1 시 일 링 링 층 ( 140 A ) 을 형성 하 는 데 에 도금 공정 이 사용 되 고 , 도금 공정 의 파라미터 는 작 은 W 2 : H 3 비 에 도 개구부 ( 125 B ) 가 보다 완전 하 게 충전 되 게 하 는 것 이 선택 된다 . 도금 공정 은 촉진제 ( accelerator ) 및 억제제 ( suppressor ) 를 둘 다 포함 하 는 도금액 에 의해 수행 된다 . 촉진제 는 머 캅 토프 로 필 설폰산 ( MPS ) , 비스 ( 나트륨 설 포프 로 필 ) 디 설파이드 ( SPS ) 등 일 수 있 고 , 억제제 는 폴리에틸렌 산화물 ( PEO ) , 폴리프로필렌 산화물 ( PPO ) , 폴리에틸렌 글리콜 ( PEG ) , 폴리프로필렌 글리콜 ( PPG ) 등 일 수 있 다 . 촉진제 는 약 1 mL / L 의 농도 일 수 있 고 , 억제제 는 약 2 mL / L 의 농도 일 수 있 으며 , 촉진제 및 억제제 의 농도 비 는 약 1 : 2 일 수 있 다 . 도금 공정 은 고 전류 밀도 에서 수행 된다 . 예 를 들 어 , 전류 밀도 는 약 1 A / dm 2 내지 약 7 A / dm 2 의 범위 일 수 있 고 , 예컨대 약 7 A / dm 2 이 다 . 선택 된 전류 밀도 및 촉진제 와 억제제 의 농도 비 는 고 전류 밀도 가 고 촉진 거동 을 유발 시킴 과 함께 , 도금액 의 촉진제 및 억제제 의 거동 에 영향 을 줄 수 있 고 , 이 에 따라 개구부 ( 125 A 및 125 B ) 의 하부 영역 과 상부 영역 간 에 과전압 차 ( overpotential difference ) 를 유도 한다 . 개구부 ( 125 A 및 125 B ) 의 하부 영역 과 상부 영역 간 에 과전압 차 를 유도 하 면 , 도금 공정 에 있 어서 개구부 ( 125 A 및 125 B ) 의 하부 영역 에서 는 도금 속도 가 높 아 지 고 , 개구부 ( 125 A 및 125 B ) 의 상부 영역 에서 는 도금 속도 가 낮 아 진다 . 도금 공정 은 낮 은 교반 속도 로 수행 된다 . 예 를 들 어 , 교반 속도 는 약 0 RPM 내지 약 50 RPM 의 범위 일 수 있 으며 , 예컨대 약 50 RPM 이 다 . 도금 공정 은 저온 에서 수행 된다 . 예 를 들 어 , 온도 는 약 22 ℃ 내지 약 25 ℃ 의 범위 일 수 있 고 , 예컨대 약 22 ℃ 이 다 . 또한 , 낮 은 교반 속도 와 낮 은 온도 는 개구부 ( 125 A 및 125 B ) 의 하부 영역 과 상부 영역 간 에 과전압 차 를 유도 하 여 , 개구부 ( 125 A 및 125 B ) 의 하부 영역 에서 의 도금 속도 를 상승 시킨다 .