본 발명 에 따른 광 흡수 층 에 포함 되 는 금속 산화물 ( 12 a ) 은 반도체 미립자 로서 실리콘 으로 대표 되 는 단체 반도체 외 에 화합물 반도체 또는 페로 브 스카이 트 구조 를 갖 는 화합물 등 을 사용 할 수 있 다 . 이 들 반도체 는 광 여기 하 에서 전 도 대 전자 가 캐리어 로 되 어 애노드 전류 를 제공 하 는 n 형 반도체 인 것 이 바람직 하 다 . 구체 적 으로 예시 하 면 TiO 2 ( 이산화 티탄 ) , SnO 2 , ZnO , WO 3 , Nb 2 O 5 , TiSrO 3 등 을 들 수 있 으며 , 특히 바람직 하 게 는 아 나 타제 형 의 TiO 2 이 다 . 또한 반도체 의 종류 는 이 들 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 이 들 을 단독 또는 두 가지 이상 혼합 하 여 사용 할 수 있 다 . 이 와 같 은 반도체 미립자 는 표면 에 흡착 된 염료 가 보다 많 은 빛 을 흡수 하 도록 하 기 위하 여 표면적 을 크 게 하 는 것 이 바람직 하 며 , 이 를 위해 반도체 미립자 의 입경 이 20 nm 이하 정도 로 되 는 것 이 바람직 하 다 .