도 1 d 를 참조 하 면 , 질화 막 ( 118 ) 을 포함 한 반도체 기판 ( 102 ) 전체 구조 상부 에 제 2 절 연막 ( 120 ) 을 형성 한다 . 제 2 절 연막 ( 120 ) 은 산화 막 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 그리고 , 제 2 절 연막 ( 120 ) 의 일부 를 식각 하 여 콘 택 홀 을 형성 하 며 , 콘 택 홀 하부 에 형성 된 접합 영역 ( 114 b ) 이 노출 되 도록 한다 .