이어서 , 제 2 절 연막 ( 120 ) 상 에 제 1 배선 층 ( 211 a ) 및 제 2 배선 층 ( 212 a ) 을 형성 하 고 , 제 1 마스크 층 ( 221 a ) 을 차례 로 증착 한다 . 이어서 , 제 1 마스크 층 ( 221 a ) 상 에 포토레지스트 패턴 ( 310 ) 을 형성 한다 . 구체 적 으로 설명 하 면 , 제 1 마스크 층 ( 221 a ) 전면 에 포토레지스트 를 도포 한 후 , 사진 식각 공정 을 진행 하 여 배선 을 형성 하 지 않 을 부분 의 포토레지스트 를 제거 함 으로써 , 배선 이 형성 될 영역 상 에 포토레지스트 패턴 ( 310 ) 을 형성 할 수 있 다 . 이 때 , 포토레지스트 패턴 ( 310 ) 은 바람직 하 게 는 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 평행 하 게 연장 된 복수 개 의 패턴 이 되 도록 형성 할 수 있 다 .