지금 까지 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 불휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 에 의하 면 , 하드 마스크 패턴 측벽 에 하드 마스크 스 페이서 를 형성 하 여 , 식각 과정 에서 식각 마스크 로 사용 함 과 동시 에 세정 과정 에서 하드 마스크 패턴 을 보호 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 세정 과정 에서 유발 되 는 식각 부산물 을 안정 적 으로 제거 하 여 소자 의 특성 을 확보 할 수 있 다 .