여기 서 , 리세 스 LOCOS 층 이란 , 산화 방지 막 ( 예 를 들 면 , 실리콘 질화 막 ) 아래 로부터 노출 되 어 있 는 반도체 기판 표면 을 드라이 에칭 하 여 오목 부를 형성 하 고 , 다음 으로 , 이 오 목부 를 매립 하 도록 LOCOS 산화 를 행함 으로써 형성 되 는 층 이 다 . 리세 스 LOCOS 층 은 반도체 기판 내 에 형성 된 오 목부 의 저면 및 측면 을 산화 함 으로써 형성 되 므로 , 통상 의 LOCOS 층 과 비교 하 여 , 그 표면 의 높이 를 낮 게 하 는 것 이 가능 하 다 .