한 실시 양태 에서 , 디바이스 는 백색광 을 방출 한다 . 한 실시 양태 에서 , 제 1 발광 스택 내 의 각각 의 발광 층 은 적어도 하나 의 호스트 물질 및 적어도 하나 의 발광 도 펀트 를 포함 한다 . 한 실시 양태 에서 , 제 1 발광 층 내 의 적어도 하나 의 발광 도 펀트 의 조성 은 N 번 째 발광 층 내 의 적어도 하나 의 발광 도 펀트 의 조성 과 동일 하 다 . 한 실시 양태 에서 , 제 1 발광 층 내 의 적어도 하나 의 발광 도 펀트 의 조성 및 도핑 농도 는 N 번 째 발광 층 내 의 적어도 하나 의 발광 도 펀트 의 조성 및 도핑 농도 와 동일 하 다 . 한 실시 양태 에서 , 제 1 및 N 번 째 발광 층 의 조성 , 도핑 농도 및 두께 는 동일 하 다 . 한 실시 양태 에서 , 제 1 발광 스택 내 의 각각 의 발광 층 내 의 적어도 하나 의 발광 도 펀트 는 인광 방출 도 펀트 이 다 . 한 실시 양태 에서 , 인광 도 펀트 는 이리듐 착 물 이 다 . 한 실시 양태 에서 , 제 1 발광 스택 내 의 적어도 하나 의 발광 층 은 인광 도 펀트 를 포함 하 고 , 제 1 발광 스택 내 의 적어도 하나 의 발광 층 은 형광 도 펀트 를 포함 한다 . 한 실시 양태 에서 , 적어도 하나 의 발광 층 이 황색 발광 층 이 고 적어도 하나 의 발광 층 이 청색 발광 층 인 경우 , 적어도 하나 의 황색 발광 층 은 인광 도 펀트 를 포함 하 고 , 적어도 하나 의 청색 발광 층 은 인광 도 펀트 를 포함 한다 . 한 실시 양태 에서 , 적어도 하나 의 발광 층 이 황색 발광 층 이 고 적어도 하나 의 발광 층 이 청색 발광 층 인 경우 , 적어도 하나 의 황색 발광 층 은 인광 도 펀트 를 포함 하 고 적어도 하나 의 청색 발광 층 은 형광 도 펀트 를 포함 한다 . 한 실시 양태 에서 , N 은 3 또는 4 이 다 . 한 실시 양태 에서 , 제 1 발광 스택 으로부터 방출 된 광 의 각각 의 1931 CIE ( x , y ) 색 좌표 의 변화 는 약 2 mA / cm 2 내지 80 mA / cm 2 의 범위 내 의 임의 의 전류 밀도 변화 에 대해 0 . 02 이하 이 다 . 한 실시 양태 에서 , 제 1 발광 스택 으로부터 방출 된 광 의 각각 의 1931 CIE ( x , y ) 색 좌표 의 변화 는 약 800 cd / m 2 내지 30 , 000 cd / m 2 의 범위 내 의 임의 의 휘도 변화 에 대해 0 . 02 이하 이 다 . 한 실시 양태 에서 , 제 1 발광 스택 으로부터 방출 된 광의 △ uv 값 은 디바이스 가 그 의 초기 휘도 의 70 %( LT 70 ) 로 노화 될 때 0 . 02 미만 이 다 . 한 실시 양태 에서 , 디바이스 는 또한 제 1 전극 과 제 2 전극 사이 에 제 2 발광 스택 을 포함 하 고 , 여기 서 제 2 발광 스택 은 제 1 발광 스택 과 접촉 하 지 않 는다 . 한 실시 양태 에서 , 제 2 발광 스택 은 제 1 전극 측면 과 접촉 하 고 제 1 전극 측면 으로부터 순차 적 으로 존재 하 는 M 개 의 발광 층 을 가지 며 ; M 은 3 이상 의 정수 이 며 ; 제 1 전극 에 가장 가까운 제 2 발광 스택 의 제 1 발광 층 및 제 2 전극 에 가장 가까운 제 2 발광 스택 의 M 번 째 발광 층 은 동일 한 색상 영역 에서 광 을 방출 하 고 , 제 1 및 M 번 째 발광 스택 층 이외 의 다른 제 2 발광 스택 내 의 적어도 하나 의 발광 층 은 제 2 발광 스택 내 의 제 1 및 M 번 째 층 과 상이 한 색상 영역 에서 광 을 방출 한다 . 한 실시 양태 에서 , 디바이스 는 제 1 발광 스택 과 제 2 발광 스택 사이 에 배치 된 전하 생성 층 ( CGL ) 을 추가 로 포함 한다 . 한 실시 양태 에서 , 제 2 발광 스택 내 의 제 1 및 M 번 째 층 은 제 1 발광 스택 내 의 제 1 및 N 번 째 층 과 동일 한 색상 영역 에서 광 을 방출 한다 . 한 실시 양태 에서 , 제 1 발광 스택 내 의 제 1 및 N 번 째 층 및 제 2 발광 스택 내 의 제 1 및 M 번 째 층 은 청색 발광 층 이 다 . 한 실시 양태 에서 , 제 1 발광 스택 내 의 제 1 및 N 번 째 층 및 제 2 발광 스택 내 의 제 1 및 M 번 째 층 은 황색 발광 층 이 다 . 한 실시 양태 에서 , 제 1 발광 스택 내 의 제 1 및 N 번 째 층 및 제 2 발광 스택 내 의 제 1 및 M 번 째 층 은 적색 발광 층 이 다 . 한 실시 양태 에서 , 제 1 발광 스택 내 의 제 1 및 N 번 째 층 및 제 2 발광 스택 내 의 제 1 및 M 번 째 층 은 녹색 발광 층 이 다 . 한 실시 양태 에서 , 디바이스 는 제 1 발광 스택 과 접촉 하 지 않 는 적어도 하나 의 발광 층 을 제 1 전극 과 제 2 전극 사이 에 포함 하 고 , 상기 층 은 형광 청색 도 펀트 를 포함 한다 . 한 실시 양태 에서 , 제 2 발광 스택 으로부터 방출 된 광 의 각각 의 1931 CIE ( x , y ) 색 좌표 의 변화 는 약 2 mA / cm 2 내지 80 mA / cm 2 의 범위 내 의 임의 의 전류 밀도 변화 에 대해 0 . 02 이하 이 다 . 한 실시 양태 에서 , 제 2 발광 스택 으로부터 방출 된 광 의 각각 의 1931 CIE ( x , y ) 색 좌표 의 변화 는 약 800 cd / m 2 내지 30 , 000 cd / m 2 의 범위 내 의 임의 의 휘도 변화 에 대해 0 . 02 이하 이 다 . 한 실시 양태 에서 , 제 2 발광 스택 으로부터 방출 된 광의 △ uv 값 은 스택 이 그 의 초기 휘도 의 70 %( LT 70 ) 로 노화 될 때 0 . 02 미만 이 다 .