도 26 b 에 도시 한 트랜지스터 ( 420 ) 는 , 게이트 전극 ( 401 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 402 ) 과 , 산화물 반도체 층 ( 403 ) 과 , 소스 전극 ( 405 a ) 과 , 드레 인 전극 ( 405 b ) 이 형성 되 어 있 는 점 에서 도 26 a 와 마찬가지 이 다 . 도 26 a 와 다른 점 은 , 산화물 반도체 층 ( 403 ) 에 접하 여 절연 층 ( 427 ) 이 형성 되 어 있 는 점 에 있 다 .