본 발명 은 상술 한 종래 의 문제점 을 해결 하 기 위한 것 으로서 , 본 발명 의 목적 은 메탈 게이트 를 적용 하 는 공정 을 단순 화 함 과 아울러 결함 의 유발 을 최소 화 하 며 , 반도체 소자 의 소오 스 / 드레 인 영역 의 높 은 저항 으로 인한 반도체 소자 의 성능 감소 를 방지 할 수 있 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 하 는데 있 다 .