본 발명 의 NW 는 광 발생 영역 ( 즉 , 게인 매질 ) 을 포함 한다 . 각 게인 매질 을 사용 하 여 광 을 생성 할 수 있 다 . NW 가 어레이 로 배열 될 때 , 이 는 광 을 발생 시키 기 위해 광학 적 으로 결합 될 수 있 다 . 이 와 같이 , NW 는 이상 적 으로 , 하나 이상 의 더 낮 은 밴드 갭 구역 / 인서 트 , 양자 우물 , 양자 점 또는 초격자 와 같 은 하나 이상 의 헤테로 구조 를 포함 할 필요 가 있 다 . p - i - n 접합 의 진성 영역 이 하나 이상 의 양자 우물 , 양자 점 또는 초격자 를 포함 하 는 것 이 매우 바람직 하 다 . 따라서 , 본 발명 의 장치 에 는 바람직 하 게 는 p - 형 반도체 와 n - 형 반도체 영역 사이 에 도핑 되 지 않 은 진성 반도체 영역 이 제공 된다 .