즉 , 후속 공정 시 열 적 스트레스 가 반도체 기판 에 가해짐 에 따라 상기 스트레스 로 인해 계속 적 인 변형 이 일어나 며 , 유전 율 이 낮 은 다공성 저유 전막 의 경우 막 내 의 기공 ( Pore ) 들 이 크 게 성장 하 여 서로 만나 보이드 가 발생 되 고 , 또한 , 팹 - 아웃 ( Fab - out ) 공정 의 후 속 으로 진행 되 는 백 엔드 ( Backend ) 공정 시 베리 어막 이 갈라지 거나 금속 배선 및 콘 택 홀 내 에 보이 드 및 크랙 ( Crack ) 이 발생 되 는 것 이 다 .