상술 한 제 2 마스크 ( 46 ) 를 이용 하 여 포토레지스트 ( 45 ) 를 노광 한 후 현상 함 으로써 도 8 b 에 도시 된 바 와 같이 소스 / 드레 인 금속 층 ( 44 ) 상 에 는 부분 적 으로 다른 높이 를 갖 는 포토레지스트 패턴 ( 47 ) 이 형성 된다 . 포토레지스트 패턴 ( 47 ) 은 차단 영역 ( P 3 ) 과 회절 노광 영역 ( P 2 ) 에 대응 하 는 부분 에서 단차 를 갖 는다 . 즉 , 차단 영역 ( P 3 ) 에 대응 하 는 부분 에 는 제 1 높이 ( h 1 ) 의 포토레지스트 패턴 ( 47 A ) 이 형성 되 고 회절 노광 영역 ( P 2 ) 에 대응 하 는 부분 에 는 제 1 높이 ( h 1 ) 의 포토레지스트 패턴 ( 47 A ) 보다 낮 은 높이 를 가지 는 제 2 높이 ( h 2 ) 의 포토레지스트 패턴 ( 47 B ) 이 형성 된다 . 이 후 포토레지스트 패턴 ( 47 ) 을 이용 하 여 노출 된 소스 / 드레 인 금속 층 ( 44 ) , 그 하부 의 n + 비정질 실리콘 층 ( 43 ) , 및 비정질 실리콘 층 ( 42 ) 을 순차 적 으로 식각 하 여 제거 한다 . 이 때 , 소스 / 드레 인 금속 층 ( 44 ) 은 습식 식각 으로 , n + 비정질 실리콘 층 ( 43 ) , 및 비정질 실리콘 층 ( 42 ) 은 건식 식각 으로 제거 한다 .