방법 ( 600 A ) 은 , 복수 의 슬릿 이 형성 되 고 , 복수 의 슬릿 을 통해 교번 유전체 스택 의 일부 에 있 는 제 1 유전체 층 이 전도체 층 으로 교체 되 는 동작 ( 610 ) 으로 진행 한다 . 예 를 들 어 , 먼저 , 외부 영역 에서 교번 유전체 스택 을 통해 유전체 ( 예컨대 , 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 ) 의 습식 에칭 및 / 또는 건식 에칭 에 의해 WL 방향 으로 연장 되 는 다수 의 평행 슬릿 이 형성 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 는 , 그런 다음 , 예 를 들 어 , 슬릿 을 통한 열 확산 및 / 또는 이온 주입 에 의해 , 각각 의 슬릿 아래 의 제 1 기판 에 도핑 된 영역 이 형성 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에 따르 면 , 도핑 된 영역 은 예 를 들 어 슬릿 의 형성 이전 에 초기 제조 단계 에서 형성 될 수 있 음 이 이해 된다 .