상기 제작 방법 에 의해 얻 어 지 는 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 및 제 2 결정 성 산화물 반도체 층 은 c 축 배향 을 갖 고 있 는 것 을 특징 으로 하 고 있 다 . 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 및 제 2 결정 성 산화물 반도체 층 은 단결정 구조 도 아니 고 비정질 구조 도 아닌 구조 이 며 , c 축 배향 을 갖 은 결정 ( C - Axis Aligned Crystal : CAAC 라고 도 한다 ) 을 포함 하 는 산화물 을 포함 한다는 점 에 주목 한다 . 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 및 제 2 결정 성 산화물 반도체 층 은 일부 에 결정립 경계 를 포함 한다 .