도 10 f 를 참조 하 면 , 상기 리세 스 패턴 ( RS ) 내 에 하부 전극 물질 막 ( 151 m ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 하부 전극 물질 막 ( 151 m ) 은 CVD , 또는 원자 층 증착 ( atomic layer deposition , ALD ) 에 의하 여 형성 될 수 있 다 . 상기 하부 전극 물질 막 ( 151 m ) 은 상기 리세 스 패턴 ( RS ) 의 내부 를 매립 함 은 물론 상기 마스크 패턴 ( 190 ) 의 상부 표면 도 피복 할 수 있 다 .