도 8 은 본 발명 의 단위 픽셀 의 센싱 소자 를 게이트 단자 가 데이터 라인 ( DL ) 에 접속 되 는 앤 모스 트랜지스터 ( 51 ) 로 구현 하 는 경우 를 나타내 며 , 도 9 는 본 발명 의 단위 픽셀 의 센싱 소자 를 데이터 라인 ( DL ) 에서 저장 노드 ( N 32 ) 쪽 으로 의 P - N 다이오드 ( 61 ) 로 구현 되 는 경우 를 나타낸다 . 그리고 , 도 10 은 본 발명 의 단위 픽셀 의 센싱 소자 를 게이트 단자 가 저장 노드 ( N 32 ) 에 접속 되 는 피 모스 트랜지스터 ( 71 ) 로 구현 하 는 경우 를 나타낸다 .