통상 , 화소 회로 내 의 모든 트랜지스터 는 TFT 로 형성 되 어 있 다 . TFT 의 채널 이 형성 되 는 박막 반도체 층 은 , 다 결정 실리콘 또는 아모 퍼스 실리콘 등 의 반도체 재료 로 이루어진다 . 폴리 실리콘 TFT 는 이동도 를 높 게 취하 지만 특성 변동 이 크 기 때문 에 , 표시 장치 의 대화 면화 에 적합 하 지 않 다 . 따라서 , 대화면 을 갖 는 표시 장치 로 는 , 일반 적 으로 , 아모 퍼스 실리콘 TFT 가 이용 된다 . 다만 , 아모 퍼스 실리콘 TFT 로 는 P 채널 형 TFT 가 형성 되 기 어렵 다 . 그러므로 전술 한 화소 회로 ( 3 ) ( i , j ) 와 같이 , 모든 TFT 를 N 채널 형 으로 하 는 것 이 바람직 하 다 .