따라서 , 반도체 메모리 소자 의 노 말 모드 에서 병렬 테스트 모드 에 대응 하 여 오버 드라이빙 회로 의 드라이버 가 크 게 설정 되 어 있 고 , 외부 전원 전압 ( VDD ) 이 예상 된 레벨 보다 높 게 변동 할 경우 비트 라인 감지 증폭기 에서 사용 되 는 코어 전류 대비 공급 되 는 코어 전류 가 과도 하 여 반도체 메모리 소자 가 오동작 하 는 문제점 이 발생 할 수 있 다 .