다음 으로 , 도 4 의 ( s ) 와 같이 , 천공 된 관통 홀 ( 17 a ) 내 에 도전 성 페이스트 로 충전 하 여 비아 ( 14 , 15 ) 간 의 전기 적 연결 을 구현 하 는 관통 비아 ( 17 ) 를 형성 할 수 있 다 ( 144 ) . 따라서 , 제 1 패키지 ( 100 ) 의 반도체 칩 ( 12 a ) 과 제 2 패키지 ( 200 ) 의 반도체 칩 ( 12 b ) 간 의 전기 적 도통 을 구현 할 수 있 는 전자 패키지 를 형성 할 수 있 다 .