도 4 b 는 제 2 변형 예 를 나타내 고 있 다 . 이 제 2 변형 예 에서 는 도 4 a 에 나타내 는 제 1 변형 예의 구조 로부터 , 웨이퍼 ( W ) 를 탑재 하 는 웨이퍼 탑재 영역 의 부분 의 실드 층 ( 68 ) 및 보호 층 ( 70 ) 이 모두 생략 되 어 있 다 . 즉 , 탑재 대 ( 8 ) 의 상면 중 , 웨이퍼 ( W ) 의 탑재 영역 을 제외 한 부분 에 만 실드 층 ( 68 ) 과 보호 층 ( 70 ) 이 마련 되 어 있 다 . 이 형태 는 처리 대상 인 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 마이크로파 의 차단 효과 를 일부 의존 하 는 것 ( 도 3 의 실리콘 웨이퍼 의 데이터 를 참조 ) 이 지만 , 웨이퍼 ( W ) 의 외측 의 주변 부 로부터 의 마이크로파 의 침입 은 효과 적 으로 차단 된다 .