그리고 , 상기 채널 부 ( 50 ) 하부 의 p 형 에 피층 ( 20 ) 상 에 포토다이오드 용 제 2 도전 형 확산 영역 ( 40 ) 을 형성 한다 . 상기 제 2 도전 형 확산 영역 ( 40 ) 은 저 농도 의 n 형 불순물 을 이온 주입 방법 에 의해 형성 하 여 p 형 에 피층 ( 20 ) 내부 의 깊 은 영역 까지 n - 영역 을 형성 할 수 있 다 .