이상 설명 한 바 와 같이 본 발명 은 화합물 반도체 성 장법 으로 InP 기판 위 에 반도체 하부 거울 층 , 제 1 반도체 전극 층 , 활성 층 , p - InP 반도체 전극 층 ( 5 ) 을 성장 한 후 , 일정 크기 의 재성장 패턴 을 실시 한 후 , 저 온 재성장 방법 으로 p - InAlAs 완충 층 , p - AlGaAs 산화 막 형성 층 , p ++- InAlGaAs , n ++- InP 터널 결합 층 , n - InP 상부 전극 층 을 구성 하 며 , 그 위 에 상부 거울 층 으로 유전체 다층막 혹은 반도체 다층 거울 막 을 구비 한 것 으로 , 본 발명 은 InP - InAlGaAs 물질 을 기반 으로 한 장파장 표면 방출 레이저 이 지만 AlGaAs 산화층 을 내재 하 고 있 으므로 , 400 ℃ 이하 의 저온 및 짧 은 시간 의 공정 으로 매우 효과 적 인 전류 감 금법 을 실시 함 으로써 , 종래 기술 인 공기층 전류 제한 , InAlAs 산화 막 , 이 온주 입법 , 웨이퍼 접합 방식 등 이 갖 는 두께 / 크기 조절 의 어려움 , 공정 의 복잡 성 , 고온 및 장시간 습식 산화 공정 의 문제점 등 공정 의 복잡 성 과 내재 적 인 산란 손실 ( scattering loss ) 발생 으로 인한 레이저 효율 저하 문제 를 줄이 는 효과 를 얻 을 수 있 다 . 이 는 표면 방출 레이저 가 갖 는 양산 성 에 기반 을 둔 저렴 한 가격 과 열 특성 으로 인한 특성 저하 를 크 게 개선 할 수 있 는 소자 구조 및 그 제작 기술 이 된다 .