도 18 ( b ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 기지 의 리소그래피 기술 에 의해 필드 산화 막 ( 2 ) 상 에 선택 적 으로 레지스 트 패턴 ( 57 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 레지스 트 패턴 ( 57 ) 의 단부 와 사이드 월 스 페이서 와 의 거리 를 0 . 5 ㎛ 로 한다 . 그 후 , 그 레지스 트 패턴 ( 57 ) 및 게이트 ( 5 ) , 게이트 측벽 절 연막 ( 6 ) 및 제 3 및 제 4 게이트 측벽 절 연막 ( 7 - 1 , 7 - 2 ) 을 마스크 로서 사용 하 고 , 기판 면 에 대하 여 경사 방향 으로부터 , P 형 이온 종 으로서 BF 2 ( 2 불화 붕소 ) 를 선택 적 으로 P 형 웰 ( 4 ) 에 이온 주입 한다 . 그 이온 주입 은 , 구체 적 으로 는 , 실리콘 기판 ( 1 ) 을 회전 시키 면서 , 기판 면 에 30 도 의 경사 각도 로 , 가속 에너지 80 KeV , 도즈 량 2 E 13 [ 1 / ㎠] 의 조건 하 에 실시 할 수 있 다 . 그 결과 , P 형 웰 ( 4 ) 에 , 저부 의 깊이 가 200 ㎚, 또한 불순물 농도 가 1 E 18 [ 1 / ㎤] 인 제 1 및 제 2 포켓 영역 ( 8 - 1 , 8 - 2 ) 을 선택 적 으로 형성 한다 . 이 단계 에서 는 , 이온 주입 된 불순물 의 활성 화 를 위한 열처리 는 실시 하 지 않 는다 . 제 1 및 제 2 포켓 영역 ( 8 - 1 , 8 - 2 ) 은 , 게이트 절 연막 ( 3 ) 으 로부터 이 간 된 깊 은 영역 에 있 어서 , 필드 산화 막 ( 2 ) 으로부터 내측 을 향하 여 연장 된다 . 제 1 및 제 2 포켓 영역 ( 8 - 1 , 8 - 2 ) 의 내측 단부 는 이온 의 비스듬 한 주입 에 의해 형성 되 기 때문 에 , 제 3 및 제 4 게이트 측벽 절 연막 ( 7 - 1 , 7 - 2 ) 보다 내측 에 위치 한다 .