비록 본 발명 및 본 발명 의 장점 들 이 상세히 기술 되 었 지만 , 다양 한 변화 들 , 대체 들 및 변경 들 이 첨부 된 청구 항 들 에 의해 정의 된 바 와 같 은 본 발명 의 사상 및 범위 에서 벗어나 지 않 고 여기 에서 이루어질 수 있 다는 것 이 이해 되 어야 한다 . 예 를 들 어 , 비록 SRAM 메모리 장치 들 이 기술 되 었 지만 , 선택 적 인 프리 차지 기술 은 SRM , DRAM 또는 MRAM 을 포함 하 지만 이것 으로 제한 되 지 않 는 임의 의 메모리 설계 에 적용 될 수 있 다 . 게다가 , 본 출원 의 범위 는 명세서 에 기술 된 프로세서 , 머신 , 제조 , 재료 조성 , 수단 , 방법 들 및 단계 들 의 특정 실시 예 들 로 제한 되 는 것 이 의도 되 지 않 는다 . 당업자 는 여기 에 기술 된 대응 한 실시 예 들 이 본 발명 에 따라 사용 될 수 있 는 실질 적 으로 동일 한 기능 을 수행 하 거나 실질 적 으로 동일 한 결과 를 달성 하 는 현재 존재 하 거나 추후 개발 될 프로세스 들 , 머신 들 , 제조 , 재료 조성 들 , 수단 , 방법 들 , 또는 단계 들 을 본 발명 의 발명 으로부터 쉽 게 인식 할 것 이 다 . 따라서 , 첨부 된 청구 항 들 은 그 들 의 범위 내 에 상기 프로세스 들 , 머신 들 , 제조 , 재료 조성 들 , 수단 , 방법 들 , 또는 단계 들 을 포함 하 도록 의도 된다 .