도 11 은 , 반도체 집 적 회로 가 가지 는 트랜지스터 의 일례 를 도시 하 는 도면 이 다 . 도 11 에 도시 하 는 트랜지스터 ( 160 ) 는 반도체 재료 를 포함 하 는 기판 ( 100 ) 에 형성 되 는 채널 형성 영역 ( 116 ) 과 , 채널 형성 영역 ( 116 ) 을 끼우 도록 형성 된 한 쌍 의 불순물 영역 ( 114 a , 114 b ) 및 한 쌍 의 고농 도 불순물 영역 ( 120 a , 120 b ) ( 이 들 을 총괄 하 여 간단히 불순물 영역 이 라고 부른다 ) 과 , 채널 형성 영역 ( 116 ) 위 에 형성 된 게이트 절연 층 ( 108 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 108 ) 위 에 형성 된 게이트 층 ( 110 ) 과 , 불순물 영역 ( 114 a ) 과 전기 적 으로 접속 하 는 소스 층 ( 130 a ) 과 , 불순물 영역 ( 114 b ) 과 전기 적 으로 접속 하 는 드레 인 층 ( 130 b ) 을 가진다 .