그러나 , 플래시 메모리 장치 는 데이터 를 기록 하 거나 기록 된 데이터 를 읽 은 과정 에서 비교 적 많 은 시간 이 요구 되 기 때문 에 이러 한 플래시 메모리 장치 를 대치 하 기 위하 여 MRAM ( magnetic RAM ) 장치 , FRAM ( ferro - electric RAM ) 장치 또는 PRAM ( phase - change RAM ) 장치 와 같 은 새로운 반도체 장치 가 개발 되 고 있 다 .