또한 , 본 발명 은 , 기판 을 준비 하 는 단계 와 , 상기 기판 상 에 유전체 층 을 포함 하 는 n 형 질화물 반도체 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 n 형 질화물 반도체 층 상 에 활성 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 활성 층 상 에 p 형 질화물 반도체 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 p 형 질화물 반도체 층 상 에 투명 전극 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 n 형 질화물 반도체 층 의 상 층면 이 일부 노출 된 n 형 콘 택 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 n 형 콘 택 영역 에 n 형 전극 을 형성 하 는 단계 , 및 상기 투명 전극 상 에 p 형 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 여 이루어지 는 질화물 계 반도체 발광 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .