도 14 , 15 , 16 과 관련 하 여 , 패턴 처리 된 광화 상 형성 가능 물질 ( 45 ) 을 마스크 로 사용 하 여 실리콘 - 함유 하드 마스크 층 ( 44 ) , 수지 ( 42 ) , 그리고 제 1 마스크 ( 35 ) 의 하드 마스크 층 ( 26 ) 을 에칭 하 여 하드 마스크 층 ( 26 ) 을 통해 실리콘 나이트 라이드 층 ( 24 ) 에 이르 도록 제 2 트렌치 ( 50 ) 를 형성 하 게 된다 . 이러 한 에칭 과정 중 또는 그 이후 에 , 광화 상 형성 가능 물질 ( 45 ) 이 제거 된다 .