또한 , 본 명세서 에 기술 된 포토 마스크 검사 방법 은 피처 맵 의 상이 한 영역 에 대한 마스크 에러 증강 요소 ( MEEF ) 를 설명 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 통상 적 인 포토 마스크 는 4 배 ( 또는 10 배 ) 의 배 율 로 확대 된 최종 IC 의 사전 교정 된 이미지 를 포함 한다 . 이 배 율 이 이미 징 에러 에 대한 패턴 감도 를 감소 시키 는 것 을 돕 는 동안 , 현대 IC 회로 들 의 작 은 크기 피처 ( 예컨대 , 22 나노미터 및 그 미만 ) 들 은 리소그래피 노출 동안 광 빔 스 캐 터 링 에 의해 부정 적 으로 영향 을 받 는다 . 따라서 , MEEF 는 때때로 1 을 초과 하 는데 , 4 X 포토 마스크 를 사용 하 여 노출 된 웨이퍼 상 의 차원 오류 가 예컨대 , 포토 마스크 상 의 차원 오류 의 사 분 의 일 보다 더 클 수 있 다 . 특정 실시 예 에서 , 모델 - 기반 피처 맵 의 MEEF 포획 값 은 대응 하 는 이미지 영역 에 대한 검출 임계 값 의 자동 조정 을 위해 사용 된다 . 예 를 들 어 , 큰 MEEF 값 을 가진 영역 은 더 낮 은 MEEF 값 을 가진 영역 보다 더 신중히 검사 될 수 있 다 . 이러 한 동작 은 자동 모드 에서 구현 될 수 있 다 .