여기 서 , 상기 차단 주파수 는 베이스 의 저항 과 관련 된다 . 즉 , 차단 주파수 를 향상 시키 기 위하 여 는 베이스 물질 의 두께 및 / 또는 농도 를 변화 시키 는 방법 또는 베이스 전극 과 에 미터 전극 을 최대한 인접 하 게 배치 시키 는 방법 이 있 다 . 현재 HBT 는 베이스 물질 의 두께 및 농도 를 최적 화 한 상태 에서 베이스 전극 과 에 미터 전극 을 자기 정렬 방식 으로 인접 배치 시키 는 방법 으로 형성 되 고 있 으며 , 이 방법 이 도 1 및 도 2 에 제시 되 어 있 다 .