그리고 , S 1300 블록 에서 C 타입 의 변형 소거 동작 이 결정 된 경우 , 제 어 로직 ( 700 ) 은 소거 루프 의 소거 구간 동안 , 소정 의 음 의 전압 을 워드 라인 으로 인가 할 수 있 다 ( S 1600 블록 ) . 소거 구간 동안 , 플래시 메모리 의 벌크 영역 으로 는 소거 전압 이 인가 된다 . S 1600 블록 에서 워드 라인 으로 인가 되 는 음 의 전압 은 , 벌크 영역 으로 인가 되 는 소거 전압 과 병렬 로 인가 될 수 있 다 . 여기 서 , 음 의 전압 이 인가 되 는 구간 의 길이 와 , 인가 되 는 전압 의 크기 는 다양 하 게 구성 가능 하 다 . 예 를 들 면 , 플래시 메모리 장치 가 동작 하 는 온도 조건 이 저온 으로 내려갈수록 , C 타입 의 변형 소거 동작 에서 음 의 전압 이 인가 되 는 길이 가 증가 되 도록 구성 될 수 있 다 . 그리고 , 플래시 메모리 장치 가 동작 하 는 온도 조건 이 저온 으로 내려갈수록 , C 타입 의 변형 소거 동작 에서 인가 되 는 음 의 전압 의 레벨 이 증가 되 도록 구성 될 수 있 다 .