다음 단계 에서 , 타깃 층 ( 105 ) 은 하부 층 ( 107 ) 을 노출 하 기 위해 , ESL 막 ( 103 ) 에 의해 보호 되 지 않 는 모든 위치 들 에서 에칭 된다 . 주석 옥사이드 스 페이서 들 ( 109 ) 은 또한 이 에칭 단계 에서 제거 되 어 도 6 에 도시 된 패 터닝 된 구조 체 를 제공 한다 . 일부 실시 예 들 에서 , 이 단계 에 사용 된 에칭 화학 물질 은 타깃 재료 및 주석 옥사이드 스 페이서 재료 모두 를 제거 하 도록 선택 된다 . 다른 실시 예 들 에서 , 상이 한 화학 물질 들 을 사용 하 는 2 개 의 상이 한 에칭 단계 들 은 각각 타깃 층 ( 105 ) 을 패 터닝 하 고 주석 옥사이드 스 페이서 들 ( 109 ) 을 제거 하 도록 사용 될 수 있 다 . 다수 의 에칭 화학 물질 들 이 타깃 층 의 화학 물질 에 따라 사용 될 수 있 다 . 일 실시 예 에서 타깃 층 ( 105 ) 은 금속 나이트 라이드 층 ( 예 를 들 어 , TiN ) 층 이 다 . 이 실시 예 에서 , 금속 나이트 라이드 층 이 에칭 될 수 도 있 고 , 주석 옥사이드 스 페이서 들 이 Cl 2 및 탄화수소 ( 예 를 들 어 , CH 4 ) 를 포함 하 는 프로세스 가스 로 형성 된 플 라즈 마 에 기판 을 노출 함 으로써 단일 에칭 화학 물질 을 사용 하 여 제거 될 수 있 다 . 일반 적 으로 , 주석 옥사이드 스 페이서 들 은 상기 기술 된 임의 의 주석 옥사이드 에칭 방법 들 을 사용 하 여 제거 될 수 있 다 .