도 11 의 ( a ) 에서 는 , 우선 처음 에 , 소자 분리 영역 의 Si 기판 ( 1 ) 에 리세 스 LOCOS 층 ( 107 ) 을 형성 한다 . 리세 스 LOCOS 층 ( 107 ) 의 형성 방법 은 제 1 실시 형태 와 마찬가지 이 지만 , 여기 에서 는 , 도 11 의 ( b ) 에 도시 한 바 와 같이 , 리세 스 LOCOS 층 ( 107 ) 의 표면 이 Si 기판 ( 1 ) 표면 보다 도 상측 에 위치 하 고 , 또한 , 그 표면 간 의 단차 L 이 후 공정 에서 형성 되 는 Si 층 ( 13 ) 의 두께 와 동일 한 정도 로 되 도록 , 리세 스 LOCOS 층 ( 107 ) 을 형성 한다 .