상기 활성 층 ( 240 ) 은 메사 식각 공정 에 의해 N 형 반도체 층 ( 220 ) 의 일부 영역 위 에 한정 적 으로 형성 되 며 , 상기 활성 층 ( 240 ) 위 로 는 P 형 반도체 층 ( 260 ) 이 형성 된 다 . 따라서 , 상기 N 형 반도체 층 ( 220 ) 의 상면 일부 영역 은 활성 층 ( 240 ) 과 접합 되 어 있 으며 , 상면 의 나머지 일부 영역 은 전술 한 P 형 반도체 층 ( 260 ) 및 활성 층 ( 240 ) 의 부분 적 인 제거 에 의해 외부 로 노출 된다 .