제 1 중간층 의 두께 는 보호 대상 이 되 는 반도체 표면 의 범프 의 높이 에 따라 적절히 조절 할 수 있 지만 , 비교 적 높이 가 높 은 범프 의 영향 도 용이 하 게 흡수 할 수 있 는 점 에서 50 ∼ 600 ㎛ 인 것 이 바람직 하 고 , 70 ∼ 500 ㎛ 인 것 이 보다 바람직 하 며 , 80 ∼ 400 ㎛ 인 것 이 특히 바람직 하 다 .