도 5 b 에 도시 된 바 와 같이 , 스 페이서 형태 의 실리콘 산화 막 ( 51 a ) 을 포함 하 는 결과물 상 에 질화 막 ( 51 b ) 및 실리콘 막 ( 51 c ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 이때 , 전술 한 바 와 같이 질화 막 ( 51 b ) 및 실리콘 막 ( 51 c ) 은 결과물 의 전면 또는 적어도 실린더 와 실린더 사이 의 공간 이 최소 인 최소 공간 부 를 관통 하 는 축 을 따라 형성 될 수 있 다 .