전하 펌프 는 충전 에 있 어서 전형 적 으로 양호 한 것 이 나 , 그것 이 큰 전류 를 싱크 시키 도록 고안 된 것 이 아니 라는 점 에서 방전 에 있 어서 는 양호 하 지 않 다 . 큰 전류 를 싱크 시킬 필요 가 있 다면 , 일반 적 으로 방전 회로 가 필요 하 다 . 선택 되 지 않 은 워드 라인 들 을 Vpass 에 앞서 Vdd 로 유지 시키 기 위해 본 명세서 에 설명 된 기술 에서 는 , Vdd 를 조정 하 고 유지 하 는 회로 가 메모리 시스템 의 많 은 구성 요소 들 에 큰 전류 를 공급 하 도록 설계 되 었 기 때문 에 방전 회로 는 필요 하 지 않 다 . 그러므로 , 많 은 양 의 전류 를 효율 적 으로 싱크 시킬 수 있 다 . Vdd 의 커패시턴스 는 워드 라인 커패시턴스 들 보다 커서 Vdd 가 그 전압 의 큰 변화 없이 워드 라인 들 의 변화 량 을 흡수 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 선택 되 지 않 은 워드 라인 들 의 커패시턴스 들 은 수백 피코 패럿 ( 예컨대 300 pF ) 의 값 을 갖 는 경향 이 있 는데 , Vdd 의 커패시턴스 는 수십 에서 수백 나노 패럿 ( 예컨대 100 nF ) 의 값 을 갖 는 경향 이 있 다 .