그리고 나 서 , 도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 제 1 도전 형 반도체 기판 ( 1 ) 상부 전면 에 열 산화 방식 또는 화학 기상 증착 ( chemical vapor deposition ) 방식 방식 을 통해 게이트 산화 막 ( 21 ) 을 형성 한 후 에 게이트 산화 막 ( 21 ) 의 상부 에 플로팅 게이트 용 도전 막 을 형성 하 고 나 서 식각 공정 을 진행 하 여 MOSFET 형태 의 플로팅 게이트 전극 ( 22 ) 을 형성 한다 . 이어서 이온 주입 혹은 확산 공정 을 통하 여 LDD ( lightly doped drain ) 구조 의 소오 스 와 드레 인 을 형성 한다 .