본 발명 에 따른 반도체 에 피층 의 결함 분석 방법 은 식각 기체 를 이용 하 여 수행 될 수 있 고 , 따라서 종래 의 별도 의 습식 식각 에 비해서 높 은 안정 성 을 가질 수 있 다 . 나아가 , 본 발명 에 따른 반도체 에 피층 의 결함 분석 방법 은 반도체 에 피층 을 형성 하 기 위한 장치 에서 인 - 시 츄 로 진행 될 수 있 고 , 그 결과 종래 의 분리 된 증착 및 에칭 핏 형성 방법 에 비해서 , 분석 시간 및 분석 비용 을 크 게 낮출 수 있 다 .