다른 실시 예 에서 , 캐 패 시터 가 금속 - 절연체 - 금속 ( metal - insulator - metal ) ( MIM ) 구조 를 이용 하 여 장치 에 형성 될 수 있 다 . 그 경우 에 , 두 싱글 금속 층 들 이 사이 에 위치 되 는 하나 의 절연 층 을 갖 는 기판 ( 30 ) 위 에 형성 될 수 있 다 . 추가 적 인 절연 층 이 또한 두 금속 층 들 사이 에 형성 되 어 캐 패 시터 의 특성 들 을 변경 시킬 수 있 다 . 하나 의 예 에서 , 플라 즈 마 증착 SiN , Ta 2 O 3 또는 아 노다 이즈 드 ( anodized ) 산화 알루미늄 필름 들 이 금속 층 들 사이 에 증착 되 고 , 그 장치 의 캐 패 시턴 스 를 크 게 증가 실 킬 수 있 다 .