도 4 a 에 도시 된 바 와 같이 , 셀 영역 과 퓨즈 영역 을 갖 는 기판 ( 101 ) 상부 에 배 선 층 ( 111 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 기판 ( 101 ) 은 DRAM 공정 이 진행 되 는 반도체 기판 일 수 있 고 , 배선 층 ( 111 ) 을 형성 하 기 전 에 게이트 패턴 , 비트 라인 패턴 , 캐 패 시터 및 층간 절연 층 과 같 은 소정 공정 이 완료 된 기판 일 수 있 다 . 또한 , 배선 층 ( 111 ) 은 셀 영역 과 퓨즈 영역 에 동시 에 형성 되 고 , 후속 패 터닝 공정 을 통해 셀 영역 에서 는 금속 배선 으로 , 퓨즈 영역 에서 는 퓨즈 로 사용 하 기 위한 것 이 다 .