모드 수 를 삭감 할 수 가 있 고 , 또한 고출력 화 가 가능 한 면 발광 형 반도체 레이저 및 그 제조 방법 을 제공 한다 . 본 발명 에 따른 면 발광 형 반도체 레이저 ( 100 ) 는 , 제 1 미러 ( 102 ) 와 , 상기 제 1 미러 의 상방 에 형성 된 활성 층 ( 103 ) 과 , 상기 활성 층 의 상방 에 형성 된 제 2 미러 ( 104 ) 와 , 상기 활성 층 의 상방 또는 하방 에 형성 된 전류 협 착 층 ( 105 ) 을 포함 하 고 , 상기 제 2 미러 는 , 저 굴절 율 영역 으로 주위 가 둘러싸여 진 고 굴절 율 영역 ( 106 ) 을 갖 고 , 상기 고 굴절 율 영역 은 , 평면 에서 보 아 상기 전류 협 착 층 에 둘러싸여 진 영역 의 내측 에 형성 되 어 있 다 .