이 와 같이 , 낸드 플래시 메모리 소자 의 셀 어레이 영역 내 에서 EFH 의 불 균일 성 은 기입 ( program ) 동작 후 문턱 전압 분포 의 열화 와 , 이웃 하 는 플로팅 게이트 - 데이터 가 저장 되 는 영역 - 사이 에 개재 된 유전체 막 의 펀치 쓰루 ( punch through ) 현상 을 유발 한다는데 있 다 . 전자 는 상대 적 으로 EFH 가 낮 게 제어 되 는 영역 에서 문턱 전압 이 높 게 나타나 균일 한 문턱 전압 분포 를 얻 을 수 없 는 것 이 고 , 후자 는 유전체 막 이 파괴 되 어 컨트롤 게이트 와 기판 이 직접 접속 되 는 전기 적 인 단락 이 발생 되 는 문제 이 다 . 컨트롤 게이트 와 기판 이 전기 적 으로 단락 되 는 경우 이 부위 에서 누설 전류 가 발생 되 고 , 이러 한 누설 전류 는 안정 적 인 소자 의 기입 또는 소거 동작 을 방해 하 여 결국 소자 가 페일 ( fail ) 되 어 폐기 처분 되 고 , 이 에 따라 소자 의 수율 이 저하 되 는 문제 가 발생 된다 .