트랜지스터 ( 162 ) 및 용량 소자 ( 164 ) 위 에 는 절연 층 ( 150 ) 및 절연 층 ( 152 ) 이 형성 되 어 있 다 . 그리고 , 게이트 절연 층 ( 146 ) , 절연 층 ( 150 ) , 절연 층 ( 152 ) 등 에 형성 된 개구 에 는 전극 ( 154 ) 이 형성 되 고 , 절연 층 ( 152 ) 위 에 는 , 전극 ( 154 ) 과 접속 하 는 배선 ( 156 ) 이 형성 된다 . 또한 , 도 7 b 에서 는 전극 ( 126 ) 및 전극 ( 154 ) 을 사용 하 여 , 금속 화합물 영역 ( 124 ) , 소스 전극 또는 드레 인 전극 ( 142 b ) , 및 배선 ( 156 ) 을 접속 하 고 있 지만 , 본 발명 의 일 형태 는 이것 에 한정 되 지 않 는다 . 예 를 들 면 , 소스 전극 또는 드레 인 전극 ( 142 b ) 을 직접 , 금속 화합물 영역 ( 124 ) 에 접촉 시켜 도 좋 다 . 또는 , 배선 ( 156 ) 을 직접 , 소스 전극 또는 드레 인 전극 ( 142 b ) 에 접촉 시켜 도 좋 다 .