도 5 a 와 도 5 b 를 통하 여 나타난 바 와 같이 , 게이트 전압 ( VG ) 이 증가 함 에 따라 소스 - 드레 인 전류 ( ID ) 가 증가 하 게 되 며 이 는 전형 적 인 n 형 전계 효과 트랜지스터 의 특성 을 보여 주 는 것 이 다 . 즉 , 고분자 절 연막 을 이용 한 나노 선 전계 효과 트랜지스터 역시 도 일반 적 으로 사용 되 는 무기 절 연막 을 이용 한 전계 효과 트랜지스터 에서 보여 지 는 전기 적 특성 과 유사 한 경향 을 보이 는 것 을 알 수 있 다 . 이 를 통하 여 , 고분자 절 연막 이 나노 선 전계 효과 트랜지스터 의 제작 에 이용 되 어 질 수 있 음 을 알 수 있 다 .