상기 발광 칩 ( 200 A ) 은 제 1 및 제 2 전극 층 ( 241 , 242 ) , 제 3 전극 층 ( 243 ) , 절연 층 ( 231 , 233 ) 을 포함 한다 . 상기 제 1 및 제 2 전극 층 ( 241 , 242 ) 각각 은 단층 또는 다층 으로 형성 될 수 있 으며 , 전류 확산 층 으로 기능 할 수 있 다 . 상기 제 1 및 제 2 전극 층 ( 241 , 242 ) 은 상기 발광 구조물 ( 225 ) 의 아래 에 배치 된 제 1 전극 층 ( 241 ) ; 및 상기 제 1 전극 층 ( 241 ) 아래 에 배치 된 제 2 전극 층 ( 242 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 전극 층 ( 241 ) 은 전류 를 확산 시켜 주 게 되 며 , 상기 제 2 전극 층 ( 241 ) 은 입사 되 는 광 을 반사 하 게 된다 .