도 15 b 를 참조 하 면 , 제 1 교번 스택 ( 132 , 142 ) , 제 2 교번 스택 ( 232 , 242 ) , 제 1 및 제 2 절연 캡 층 들 ( 170 , 270 ) , 제 1 콘택트 레벨 유전체 층 ( 280 ) , 상부 희생 라이너 ( 105 ) , 및 하부 희생 라이너 ( 103 ) 의 재료 들 에 대해 선택 적 으로 소스 레벨 희생 층 ( 104 ) 의 재료 를 에칭 하 는 에 천 트 가 등방성 에칭 공정 에서 후면 트렌치 들 내 로 도입 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 소스 레벨 희생 층 ( 104 ) 이 도핑 되 지 않 은 비정질 실리콘 또는 도핑 되 지 않 은 비정질 실리콘 - 게르마늄 합금 을 포함 하 고 , 후면 트렌치 스 페이서 들 ( 74 ) 이 실리콘 질화물 을 포함 하 고 , 상부 및 하부 희생 라이너 들 ( 105 , 103 ) 이 실리콘 산화물 을 포함 하 는 경우 , 후면 트렌치 스 페이서 들 ( 74 ) 및 상부 및 하부 희생 라이너 들 ( 105 , " 103 ) 에 대해 선택 적 으로 소스 레벨 희생 층 ( 104 ) 을 제거 하 기 위해 고온 트라이 메틸 - 2 하이드 록 시에 틸 암모늄 하이드 록 사이드 ( "" 고 온 TMY "") 또는 테트라메틸 암모늄 하이드 록 사이드 ( TMAH ) 를 사용 하 는 습식 에칭 공정 이 사용 될 수 있 다 . 소스 공동 ( 109 ) 은 소스 레벨 희생 층 ( 104 ) 이 제거 된 체적 내 에 형성 된다 . "