상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 다른 측면 에 따른 본 발명 은 , 기판 의 퓨즈 영역 상 에 도전 성 라인 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 도전 성 라인 에 콘 택 홀 을 형성 하 는 단 계 와 , 상기 콘 택 홀 에 전기 적 신호 에 의해 전기 저항 이 변하 는 특성 을 갖 는 물질 을 형성 하 여 상기 물질 을 사이 에 두 고 연결 되 는 상기 도전 성 라인 으로 구성 되 는 퓨즈 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 메모리 장치 의 제조 방법 을 제공 한다 .