도 15 를 참고 하 면 , TIPS - pentacene 과 기판 에 만 존재 하 는 Si 의 성분 함량 을 통해 수직 상 분리 구조 를 분석 하 였 는데 , 도 15 의 ( a ) 를 보 면 Si - 의 함량 은 필름 의 윗 부분 에 존재 하 다가 안쪽 으로 갈수록 감소 하 는 것 을 확인 할 수 있 다 . 스퍼터 의 시간 을 길 게 할수록 빔 이 기판 가까이 접근 하 게 되 며 기판 에 닿 게 되 면 다시 Si - 의 함량 이 증가 한다 . 도 15 의 ( b ) 에서 도 마찬가지 로 Si - 의 함량 이 필름 의 표면 에서 는 많이 존재 하 다가 기판 쪽 으로 갈수록 감소 하 는 것 을 통해 필름 이 두 층 으로 수직 상 분리 되 어 있 음 을 확인 할 수 있 었 다 .