도 32 a 와 도 32 b 는 일 실시 형태 에 있 어서 상이 한 단면 에 따른 제조 단계 에서 의 FinFET 디바이스 ( 100 H ) 의 단면도 를 도시 한다 . 도 32 a 의 실시 형태 는 도 18 의 실시 형태 와 같 다 . 도 32 b 는 도 32 a 의 FinFET 디바이스 의 게이트 트렌치 의 일 실시 형태 의 단면도 를 도시 한다 . 도 32 a 와 도 32 b 에서 , N 타입 일함수 층 ( 85 ) 이 형성 되 기 전 에 P 타입 일함수 층 ( 99 ) 이 P 타입 일함수 층 ( 84 / 83 ) 위 에 등각 으로 형성 된다 . P 타입 일함수 층 ( 99 ) 은 일부 실시 형태 에서 CVD 또는 ALD 와 같 은 적절 한 형성 방법 에 의해 티탄 또는 티탄 질화물 등 의 티탄 함유 재료 로 형성 된다 . P 타입 일함수 층 ( 99 ) 의 두께 는 약 10 옹스트롬 과 약 30 옹스트롬 사이 일 수 있 다 .