도 3 a 를 참조 하 면 , 다수 의 반도체 칩 이 형성 되 어 있 은 웨이퍼 ( 100 ) 를 칩 절단 을 위한 스 크 라 이브 라인 ( 700 , scribe line ) 을 따라 소정 깊이 로 소 잉 ( sawing ) 한다 . 소 잉 깊이 는 웨이퍼 ( 100 ) 두께 의 절반 정도 로 수행 하나 필요 에 따라 더 깊 게 또는 칩 이 기능 이 유지 될 수 있 는 깊이 까지 만 할 수 도 있 다 . 반도체 칩 들 ( 웨이퍼 상부 로 소 잉 된 스 크 라 이브 라인 을 통해 이격 되 어 있 는 부분 들 ) 상면 으로 는 배선 을 위한 본딩 패드 ( 110 ) 가 형성 되 어 있 다 .