제 1 금속 층 ( 302 ) 은 베이스 기판 ( 301 ) 상 에 설치 되 어 스캐닝 라인 ( 3081 ) 및 박막 트랜지스터 ( 307 ) 의 게이트 전극 ( 3071 ) 을 형성 하 는 데 사용 되 고 ; 제 1 절연 층 ( 303 ) 은 제 1 금속 층 ( 302 ) 상 에 설치 되 어 제 1 금속 층 ( 302 ) 및 액티브 층 ( 304 ) 을 격리 시키 는 데 사용 되 고 ; 액티브 층 ( 304 ) 은 제 1 절연 층 ( 303 ) 상 에 설치 되 어 박막 트랜지스터 ( 307 ) 의 도전 채널 ( 3072 ) 을 형성 하 는 데 사용 되 고 ; 제 2 금속 층 ( 305 ) 은 액티브 층 ( 304 ) 상 에 설치 되 어 데이터 라인 ( 3082 ) , 박막 트랜지스터 ( 307 ) 의 소스 전극 ( 3073 ) 및 박막 트랜지스터 ( 307 ) 의 드레 인 전극 ( 3074 ) 을 형성 하 는 데 사용 되 고 ; 장벽층 ( 306 ) 은 제 1 절연 층 ( 303 ) 과 제 2 금속 층 ( 305 ) 사이 에 설치 되 어 제 1 금속 층 ( 302 ) 과 제 2 금속 층 ( 305 ) 중첩 지점 ( 308 ) 의 제 1 금속 층 ( 302 ) 과 제 2 금속 층 ( 305 ) 간 의 거리 를 증가 시켜 제 1 금속 층 ( 302 ) 과 제 2 금속 층 ( 305 ) 이 형성 하 는 기생 용량 의 정전 용량 값 을 저하 시킨다 .