일부 실시 예 에 따라서 , Si - N 결합체 를 유효 하 게 형성 한 후 , 금속 을 Si - N 결합체 에 결합 시키 기 위해 , 플라 즈 마 처리 공정 ( 도 13 ) 및 금속 시드 층 의 형성 ( 도 14 ) 을 포함 하 는 , 도 13 및 도 14 에 도시 된 공정 은 그 사이 에 진공 브레이크 ( vacuum break ) 없이 동일 한 공정 챔버 내 에서 인 - 시 츄 수행 된다 . 인 - 시 츄 수행 되 는 플 라즈 마 처리 및 금속 시드 층 의 형성 은 , Si - N 의 댕 글 링 결합체 가 , 해당 결합체 상 에 결합 될 금속 원자 에 대해 사용 가능 하 도록 , Si - N 결합체 가 ( 예컨대 , Si - N - O 결합체 를 형성 하 지 않 도록 ) 산소 와 같 은 다른 원소 와 연결 되 지 않 는다는 것 을 보장 한다 . 일부 실시 예 에 따라서 , 깨끗 한 실리콘 층 이 형성 되 도록 , 열 소 킹 공정 ( 도 12 ) 또한 플 라즈 마 처리 공정 ( 도 13 ) 및 금속 시드 층 의 형성 ( 도 14 ) 과 함께 인 - 시 츄 수행 된다 .