최근 , SCM ( Storage Class Memory ) 가 큰 관심사 중 의 하나 인데 , 메모리 개발 단계 에서 작동 메모리 와 저장 메모리 간 의 성능 및 밀도 갭 을 채울 수 있 는 메모리 에 대한 것 이 다 . 이 를 위해 , 고밀도 메모리 로 PRAM , MRAM 및 ReRAM 이 활발 하 게 연구 개발 되 고 있 다 . 특히 고밀도 의 메모리 배열 을 구현 하 기 위해서 스니크 패 쓰 전류 ( sneak path current ) 를 억제 하 는 여러 타입 의 선택 ( selector ) 소자 가 제안 되 고 있 다 . 금속 전극 이 접합 된 찰코 게나 이드 박막 에서 발생 하 는 스위칭 현상 을 이용 한 오보 닉 문턱 스위칭 ( Ovonic Threshold Switch , OTS ) 소자 는 3 차원 적층 이 가능 한 스위칭 소자 로 상당 한 관심 을 받 고 있 다 .