한편 , 산화물 반도체 는 높 은 캐리어 이동도 ( high carrier mobility ) 및 낮 은 누설 전류 를 가지 므로 , 구동 시간 이 길 더라도 전압 강하 가 크 지 않 다 . 즉 , 저 주파 구동 시 에 도 전압 강하 에 따른 화상 의 색상 변화 가 크 지 않 으므로 , 저 주파 구동 이 가능 하 다 . 이 와 같이 산화물 반도체 의 경우 누설 전류 가 적 은 이점 을 갖 기 에 , 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 의 게이트 전극 에 연결 되 는 제 3 트랜지스터 ( T 3 ) 및 제 4 트랜지스터 ( T 4 ) 중 적어도 하나 를 산화물 반도체 로 채용 하 여 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 의 게이트 전극 으로 흘러갈 수 있 는 누설 전류 를 방지 하 는 동시 에 소비 전력 을 줄일 수 있 다 .