일부 실시 예 에서 , RPO 층 구성 부 ( 330 a - 330 b ) 에 의해 커버 되 는 영역 및 구조 체 는 공정 에서 실리사이드 화 되 지 않 는다 . 달리 말 하 면 , 반도체 소자 ( 300 ) 의 영역 은 전기 적 접촉 을 위해 실리사이드 화 되 어야 하 는 영역 과 실리사이드 화 되 지 않 아야 하 는 다른 영역 으로 분할 된다 . 따라서 , RPO 층 구성 부 ( 330 a ) 아래 의 더미 구 조체 ( 230 ) 는 실리사이드 화 되 지 않 는다 . 일부 실시 예 에서 , RPO 층 구성 부 ( 330 a - 330 b ) 는 실리콘 이 산화물 을 사용 하 여 형성 된다 .