이 때문 에 , 고전압 을 발생 시키 기 위해서 는 MOS 트랜지스터 TR 과 용량 소자 의 단수 를 증가 시킬 필요 가 있 어 , 승압 능력 의 저하 와 회로 면적 의 증가 라는 문제 가 생긴다 . MOS 트랜지스터 TR 2 ∼ TRk 가 동일 한 사이즈 로 된 구조 , 또는 첫 번 째 단 근방 의 MOS 트랜지스터 TR 1 에서 는 소스 및 드레 인 의 직렬 저항 이 증가 하 여 , 전류 구동 능력 을 충분히 확보 할 수 없 는 문제 가 있 다 . 또한 , 최종 단의 MOS 트랜지스터 TRk 에서 는 고 내압 을 유지 할 필요 가 있 다 . 그러나 , MOS 트랜지스터 TR 2 ∼ TRk 가 동일 한 사이즈 를 갖 는 경우 , 고전압 출력 과 높 은 전류 구동 능력 간 에 밸런스 를 맞추 는 것 은 거의 힘들 다 .