상기 목적 을 달성 하 기 위하 여 본 발명 은 , 웨이퍼 상 에 콘 택 홀 을 형성 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 으로서 , 상기 웨이퍼 상 에 제 1 포토레지스트 를 도포 한 후 이 를 패 터닝 하 여 제 1 포토레지스트 패턴 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 포토레지스트 패턴 이 형성 된 상기 웨이퍼 상부 전면 에 제 2 포토레지스트 를 도포 하 는 단계 와 , 상기 제 2 포토레지스트 가 도포 된 상기 웨이퍼 상부 를 패 터닝 하 여 에지 영역 을 제외 한 영역 의 제 2 포토레지스트 를 제거 하 는 단계 와 , 상기 웨이퍼 상부 전면 을 식각 하 여 상기 제 1 포토레지스트 패턴 에 따라 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .