이러 한 신호 에서 결함 들 은 몇 가지 원인 을 갖 는다 : 센서 의 민감 도 의 부족 , 자화 의 부족 , 자석 표면 에 대한 센서 의 근접 성 에 의하 여 야기 되 는 왜곡 및 링 은 무한히 길 지 않 기 때문 에 링 이 갖 는 매우 간단 한 가장자리 효과 또는 상기 해결책 의 경우 에서 와 같이 보조 자석 의 근접 성 에 의해 야기 되 는 왜곡 . 따라서 , 이것 은 유럽 공개 특허 제 1830155 호 에 기재 된 수단 ( 알고리즘 , 메모리 , 등 ) 들 의 사용 을 필요 로 하 고 , 컴퓨터 에 의해 이러 한 오차 를 바로잡 거나 두 개 의 성분 들 의 오프셋 을 측정 하 고자 한다 . 상기 수단 은 처리 전자 제품 에 할당 되 어야 하 는 계산 용량 을 필요 로 하 고 , 이것 은 문제 가 된다 . 따라서 , 유럽 공개 특허 제 1830155 호 에 기재 된 바 와 같이 상기 센서 구조 는 가능 한 선형 이 되 는 자기장 의 각도 에서 변화 를 통하 여 이러 한 분산 을 최소 화 하 기 위한 목적 으로 자기장 의 유용 한 두 가지 성분 들 에서 같 은 크기 의 바람직 하 게 는 정현파 적 변화 일 수 있 는 구조 에 적합 하 다 . 그러므로 일반 적 인 말 로 , 다극 자석 의 표면 에서 측정 된 자속 은 , 표면 으로부터 실질 적 으로 멀리 옮겨진 경우 또는 매우 많 은 쌍 의 극 으로 구성 되 어 사용 되 는 경우 를 제외 하 고 , 사다리꼴 형상 이 되 는 경향 을 갖 는다는 것 을 상기 해야 한다 .