우선 , 도 7 a 에 도시 된 바 와 같이 , 화상 표시 부 와 화상비 표시 부 로 이루어지 고 유리 나 플라스틱 과 같이 투명 한 물질 로 이루어진 제 1 기판 ( 320 ) 위 에 도전 성 이 좋 은 불 투명 금속 을 스퍼터링 법 에 의해 적층 한 후 제 1 포토 마스크 를 이용 한 사진 식각 방법 ( photolithography process ) 에 의해 식각 하 여 게이트 전극 ( 311 ) 을 형성 한 후 , 상기 게이트 전극 ( 311 ) 이 형성 된 제 1 기판 ( 320 ) 전체 에 걸쳐 SiO 2 나 SiNx 등 과 같 은 무기 절연 물질 을 적층 하 여 게이트 절연 층 ( 322 ) 을 형성 한다 .