일부 실시 예 들 에서 , 하부 전극 ( 114 ) , 강유전체 물질 ( 210 ) , 및 / 또는 상부 전극 ( 118 ) 은 각각 약 50 옹스트롬 과 약 150 옹스트롬 사이 의 범위 내 에 있 는 두께 를 가질 수 있 다 . 다른 실시 예 들 에서 , 하부 전극 ( 114 ) , 강유전체 물질 ( 210 ) , 및 / 또는 상부 전극 ( 118 ) 은 각각 약 100 옹스트롬 과 동일 한 두께 를 가질 수 있 다 . 하부 전극 ( 114 ) , 강유전체 물질 ( 210 ) , 및 / 또는 상부 전극 ( 118 ) 의 언급 된 두께 들 은 FeRAM 디바이스 ( 208 ) 의 전체 높이 가 , 집 적 칩 의 다른 영역 들 내 ( 예컨대 , 논리 영역 내 ) 및 / 또는 집 적 칩 의 위 에 있 는 층 들 내 에서 공정 문제 들 을 제공 할 정도 로 충분히 커지 는 것 을 방지 한다 . 일부 실시 예 들 에서 , 하부 전극 ( 114 ) , 강유전체 물질 ( 210 ) , 및 / 또는 상부 전극 ( 118 ) 은 각각 최외각 측벽 들 간 에 실질 적 으로 동일 한 두께 를 가질 수 있 다 . 일부 대안 적 인 실시 예 들 에서 , 하부 전극 ( 114 ) , 강유전체 물질 ( 210 ) , 및 / 또는 상부 전극 ( 118 ) 의 내부 영역 ( 212 ) 은 제 1 두께 를 가질 수 있 고 , 하부 전극 ( 114 ) , 강유전체 물질 ( 210 ) , 및 / 또는 상부 전극 ( 118 ) 의 외부 영역 ( 214 ) 은 제 1 두께 보다 작 은 제 2 두께 를 가질 수 있 다 .