특히 , 본 발명 은 45 nm 이 하급 반도체 소자 에서 HDP CVD 를 이용 한 STI ( Shallow Trench Isolation ) , IMD ( Intermetal Dielectric ) , PMD ( Premetal Dielectric ) 등 의 갭 충전 시 보이 드 없이 완벽히 충전 할 수 있 는 방법 을 제공 하 고자 하 는 것 이 다 .