몇몇 실시 예 들 에 따른 반도체 메모리 장치 에서 , 각각 의 전극 패드 ( EP 1 , EP 2 , EP 3 , EP 4 , EP 5 , EP 6 , EP 7 , EP 8 ) 는 전극 영역 ( EP _ E ) 와 , 제 1 몰드 영역 ( EP _ M 1 ) 을 포함 할 수 있 다 . 전극 영역 ( EP _ E ) 는 예 를 들 어 , 텅스텐 ( W ) 을 포함 할 수 있 지만 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 .