한편 , 반도체 소자 의 디자인 룰 ( design rule ) 이 급격히 감소 함 에 따라 , 포토레지스트 패턴 의 종횡비 ( aspect ratio ) 가 증가 하 여 포토레지스트 패턴 들 의 쓰러짐 이 발생 할 수 있 다 . 포토레지스트 패턴 들 의 쓰러짐 을 방지 하 면서 미세 한 선폭 을 가질 수 있 도록 포토 레스 트 패턴 들 의 두께 가 감소 되 고 있 다 . 이 로 인해 , 패턴 들 을 형성 하 기 위한 하 부막 을 식각 하 여 종횡비 가 큰 미세 패턴 들 을 형성 할 때 , 포토레지스트 패턴 이 마스크 로서 의 충분 한 역할 을 할 수 없 다 . 따라서 , 포토레지스트 패턴 대신 마스크 역할 을 할 수 있 는 하드 마스크 를 이용 하 여 미세 패턴 들 을 형성 할 수 있 다 .