그러나 , 이 와 같 은 종래 의 이미지 센서 는 소자 분리 막 ( 13 ) 을 형성 시 , 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 픽셀 영역 ( pixel region ; A ) 과 주변 회로 영역 ( periphery region ; B ) 간 에 활성 영역 ( active area ) 의 밀도 ( density ) 차이 가 존재 하 며 , 이 로 인해 소자 분리 막 ( 13 ) 을 형성 하 기 위해 절연 물질 을 증착 한 후 에 픽셀 영역 ( A ) 과 주변 회로 영역 ( B ) 간 에 소자 분리 막 ( 13 ) 의 단차 가 생기 고 , 이러 한 단차 는 픽셀 영역 ( A ) 의 소자 분리 막 ( 13 ) 을 나타내 는 도 2 a 와 주변 회로 영역 ( B ) 을 나타내 는 도 2 b 에서 와 같이 , STI CMP ( chemical - mechanical polishing ) 후 에 도 그대로 존재 한다 . 즉 , 소자 분리 막 ( 13 ) 의 높이 가 주변 회로 영역 ( B ) 에서 보다 픽셀 영역 ( A ) 에서 높 게 나타난다 .