먼저 , 반도체 기판 ( W ) 을 플 라즈 마 식각 장치 ( 100 ) 의 챔버 ( 10 ) 내부 로 로딩 한다 . 이어서 , 상기 챔버 ( 10 ) 내부 의 제 1 전극 ( 14 ) 상부 에 상기 반도체 기판 ( W ) 을 위치 시킨다 . 여기 서 , 상기 반도체 기판 ( W ) 은 상기 반도체 기판 ( W ) 상 에 박막 이 적층 되 어 있 는 것 이 바람직 하 다 . 그러므로 , 상기 플 라즈 마 식각 장치 ( 100 ) 는 상기 반도체 기판 ( W ) 의 가장자리 부분 과 이면 에 불 필요 하 게 적층 된 박막 , 즉 이 물질 을 식각 하 기 위한 것 이 다 .