상기 비 아홀 ( V ) 형성 하 기 위한 식각 공정 시 , 상기 패드 ( 104 ) 및 상기 산화 막 과 인접 한 반도체 기판 ( 100 ) 부분 에서 식각 률 이 증가 되 는 현상 , 즉 , 상기 산화 막 과 인접 한 상기 반도체 기판 ( 100 ) 부분 에서 가로 방향 으로 식각 이 일어나 노 칭 부 가 발생 하 는데 , 이 는 상기 비 아홀 ( V ) 을 형성 하 기 이전 에 상기 반도체 기판 ( 100 ) 내 에 상기 절연 보호막 ( 102 ) 을 형성 함 으로써 , 상기 노 칭 부 가 발생 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 .