상기 구조 는 여러 가지 문제점 을 가지 고 있 다 . 첫째 로 , 연결 층 과 P - GaN 층 사이 의 접촉 저항 이 높 음 으로써 , 동작 전압 을 상승 시키 고 , 발광 다이오드 의 발열 이 증가 한다는 문제점 이 있 다 . 둘째 로 , 접촉 저항 을 최소 화 하 기 위하 여 열처리 공정 을 거쳐야할 필요 가 있 기 때문 에 , 연결 층 의 증착 , 연결 층 의 열처리 를 거친 다음 에 반사 층 을 증착 하 므로 , 공정 이 복잡 하 다는 등 의 문제점 이 있 다 .