도 6 b 를 참조 하 면 , 앞서 설명 한 바 와 같이 , 기판 ( 211 ) 상 의 화소 부 영역 ( A ) 의 비정질 실리콘 층 은 SGS 방법 으로 주변 부 영역 ( B ) 의 실리콘 층 은 디렉 셔 널 결정 화법 으로 결정화 를 하 고 나 서 , 결정 화 된 다결정 실리콘 층 을 패 터닝 하 여 화소 부 영역 ( A ) 의 반도체 층 ( 213 ) 과 주변 부 영역 ( B ) 의 반도체 층 ( 214 ) 를 형성 한 후 , 기판 전면 에 걸쳐 게이트 절 연막 ( 215 ) 을 형성 하 고 , 상기 게이트 절 연막 ( 215 ) 상 에 게이트 전극 ( 216 ) 을 형성 한다 . 그리고 나 서 기판 전면 에 걸쳐 층간 절 연막 ( 217 ) 을 형성 한 후 , 층간 절 연막 상 에 상기 게이트 전극 과 연결 되 는 소스 / 드레 인 ( 218 a / 218 b ) 전극 을 형성 하 여 화소 부 ( A ) 의 박막 트랜지스터 와 주변 부 ( B ) 의 박막 트랜지스터 를 완성 한다 .