일 실시 예 에서 , 본 발명 의 전자 장치 는 , 도 1 에 보여진 바 와 같이 , 양극 층 ( 101 ) , 전기 활성 층 ( 104 ) , 및 음극 층 ( 106 ) 을 갖 고 , 더 선택 적 으로 는 버퍼 층 ( 102 ) , 정공 수송 층 ( 103 ) , 및 / 또는 전자 주입 / 수송 층 또는 격리 층 ( 105 ; confinement layer ) 를 갖 는 전자 장치 ( 100 ) 이 며 , 여기 서 전자 장치 의 층 들 중 적어도 하나 는 본 발명 에 따른 중합체 막 이 다 . 전자 장치 ( 100 ) 는 양극 층 ( 101 ) 또는 음극 층 ( 106 ) 에 , 더 전형 적 으로 는 양극 층 ( 101 ) 에 인접 할 수 있 는 지지대 ( support ) 또는 기판 ( 미 도시 ) 을 더 포함 한다 . 지지대 는 유연 하 거나 강성 이 고 , 유기 또는 무기 일 수 있 다 . 적당 한 지지 물질 은 , 예 를 들 면 , 유리 , 세라믹 , 금속 및 플라스틱 필름 을 포함 한다 .