상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 다른 측면 에 따른 본 발명 은 , 퓨즈 박스 영역 을 갖 는 기판 을 제공 하 는 단계 와 , 상기 기판 상 에 상기 퓨즈 박스 영역 의 중앙부 에서 돌출부 를 갖 는 제 1 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 절연 막상 에 퓨즈 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 퓨즈 상 에 제 2 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 퓨즈 박스 영역 의 상기 제 2 절 연막 을 일정 부분 제거 하 여 퓨즈 박스 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 메모리 장치 의 제조 방법 을 제공 한다 .