여기 서 , ( 도 3 의 ) 기판 ( 14 ) 은 단일 결정 ( single crystal ) , III - V 족 물질 이 고 , 여기 서 는 갈륨 비소 ( GaAs ) 이 다 . 도시 되 어 있 지 는 않 지만 , 써 모 파일 들 은 에피 택 셜 층 ( epitaxial layer ) 들 을 갖 는 갈륨 비소 ( GaAs ) 물질 을 포함 한다 . 여기 서 , 써 모 커플 ( 14 ) 들 은 기판 ( 14 ) 상 의 메사 ( mesa ) 들 이 고 , 스트립 저항성 소자 ( 16 ) 로부터 수 직 으로 확장 된다 . 여기 서 도 3 을 참조 하 면 , 써 모 커플 ( 28 ) 들 의 인접 단부 부분 ( 25 ) 들 은 저항성 소자 ( 16 ) 의 에지 부분 ( 17 ) 들 과 매우 큰 관련 성 을 가지 고 배치 된다 . 더욱 상세 하 게 는 여기 서 , 써 모 커플 들 의 인접 단부 ( 25 ) 들 은 예 를 들 어 , 탄 탈륨 질화물 ( tantalum nitride ) 과 같 은 저항성 물질 로 만들 어 지 는 스트립 저항성 소자 ( 16 ) 의 아래 에 배치 되 고 , 열 적 으로 연결 된다 .