이 로써 , P - 에 피층 ( 110 ) / N - 확산 영역 ( 115 ) 으로 이루어진 PN 접합 포토 다이오드 가 제공 된다 . 이때 , N - 확산 영역 ( 115 ) 상부 표면 에 P 0 확산 영역 ( 117 ) 이 형성 되 는 이유 는 N - 확산 영역 ( 115 ) 과 반대 의 도전 형 으로 이루어져 포토 다이오드 , 즉 N - 확산 영역 ( 115 ) 으로 유입 되 는 암 전류 를 방지 하 기 위함 이 다 . 이러 한 , P 0 확산 영역 ( 117 ) 의 형성 으로 인해 N - 확산 영역 ( 115 ) 내 에 는 포 텐 셜 베리어 ( PB ) 가 형성 된다 .