일부 실시 예 에서 , 반도체 디바이스 는 적층 된 게이트 - 올 - 어 라운드 ( gate - all - around , GAA ) 탄소 나노 튜브 ( CNT ) 를 포함 하 는 전계 효과 트랜지스터 의 새로운 구조물 을 포함 한다 . 반도체 디바이스 는 그 주위 를 감싸 는 게이트 유전체 층 및 게이트 전극 층 을 갖 는 정렬 된 CNT 의 어레이 를 포함 한다 . CNT 를 가진 GAA FET 는 첨단 기술 노드 의 논리 회로 에 적용 될 수 있 다 . 그러나 , CNT 에서 도핑 프로파일 의 제어 는 종종 도전 적 이 다 . 일반 적 으로 , GAA FET 의 도핑 되 지 않 은 채널 영역 을 가지 면서 , 도핑 된 소스 / 드레 인 연장 부 및 소스 / 드레 인 접촉 영역 을 갖 는 것 이 바람직 하 다 .