예 를 들 면 , 게이트 절연 층 ( 150 ) 은 하부 기판 ( 110 ) 상 에서 제 1 내지 제 3 액티브 층 들 ( 130 _ 1 , 130 _ 2 , 130 _ 3 ) 을 충분히 덮 을 수 있 으며 , 제 1 내지 제 3 액티브 층 들 ( 130 _ 1 , 130 _ 2 , 130 _ 3 ) 의 주위 에 단차 를 생성 시키 지 않 고 실질 적 으로 평탄 한 상면 을 가질 수 있 다 . 선택 적 으로 , 게이트 절연 층 ( 150 ) 은 하부 기판 ( 110 ) 상 에서 제 1 내지 제 3 액티브 층 들 ( 130 _ 1 , 130 _ 2 , 130 _ 3 ) 을 덮 으며 , 균일 한 두께 로 제 1 내지 제 3 액티브 층 들 ( 130 _ 1 , 130 _ 2 , 130 _ 3 ) 의 프로 파일 을 따라 배치 될 수 도 있 다 . 게이트 절연 층 ( 150 ) 은 실리콘 화합물 , 금속 산화물 등 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 게이트 절연 층 ( 150 ) 은 실리콘 산화물 ( SiO ) , 실리콘 질화물 ( SiN ) , 실리콘 산질 화물 ( SiON ) , 실리콘 산탄 화물 ( SiOC ) , 실리콘 탄질 화물 ( SiCN ) , 알루미늄 산화물 ( AlO ) , 알루미늄 질화물 ( AlN ) , 탄 탈륨 산화물 ( TaO ) , 하프늄 산화물 ( HfO ) , 지르코늄 산화물 ( ZrO ) , 티타늄 산화물 ( TiO ) 등 을 포함 할 수 있 다 . 다른 예시 적 인 실시 예 들 에 있 어서 , 게이트 절연 층 ( 150 ) 은 복수 의 절연 층 들 을 포함 하 는 다층 구조 를 가질 수 도 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 절연 층 들 은 두께 가 서로 다르 거나 서로 다른 물질 을 포함 할 수 있 다 .