전술 한 제 1 실시 예 에서 와 같이 , 본 발명 에 따른 히트 싱크 는 전자 소자 와 접촉 되 는 히트 싱크 베이스 에 관통 구멍 이 형성 되 어 있 고 , 그 관통 구멍 이 열전도 율 이 높 은 DLC 로 메워진다 . 전자 소자 에서 발생 된 열 은 관통 구멍 을 메우 는 DLC 에 의해 히트 싱크 베이스 전체 로 빠르 게 전달 된다 . 그리고 히트 싱크 베이스 와 함께 DLC 층 을 통하 여 열 이 외부 로 신속 하 게 방출 될 수 있 다 . 이 와 같 은 히트 싱크 의 제조 과정 은 하 기 에서 설명 된다 .