상술 한 공정 을 거쳐 , 한 쌍 의 전극 사이 에 EL 층 ( 902 ) 을 포함 하 는 발광 디바이스 를 기판 ( 900 ) 위 에 형성 하 였 다 . 또한 , 상기 공정 에서 설명 한 정공 주입 층 ( 911 ) , 정공 수송 층 ( 912 ) , 발광 층 ( 913 ) , 전자 수송 층 ( 914 ) , 전자 주입 층 ( 915 ) 은 본 발명 의 일 형태 의 EL 층 을 구성 하 는 기능 층 이 다 . 또한 , 상술 한 제작 방법 에서 의 증착 공정 에서 는 , 모두 저항 가열 법 에 의한 증착 법 을 사용 하 였 다 .