본 발명 에 따른 SONOS 구조 의 플래시 메모리 소자 는 , 도 1 에 도시 한 바 와 같이 , p 형 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 제 1 산화 막 ( 14 ) , 질화 막 ( 16 ) 및 제 2 산화 막 ( 18 ) 이 차례 로 적층 된 ONO 막 과 , 상기 ONO 막 위 에 형성 된 제어 게이트 ( 20 ) 와 , 상기 제어 게이트 ( 20 ) 의 양측 반도체 기판 ( 10 ) 표면 내 에 고농도 n 형 불순물 영역 을 형성 하 여 이루어진 소오 스 / 드레 인 영역 ( 12 a , 12 b ) 으로 구성 된다 .