제 3 액티브 패턴 ( ACT 3 ) , 제 3 소스 전극 ( SE 3 ) 및 제 3 드레 인 전극 ( DE 3 ) 은 불순물 이 도핑 되 지 않 거나 불순물 이 도핑 된 반도체 층 으로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 3 소스 전극 ( SE 3 ) 및 제 3 드레 인 전극 ( DE 3 ) 은 불순물 이 도핑 된 반도체 층 으로 이루어지 며 , 제 3 액티브 패턴 ( ACT 3 ) 은 불순물 이 도핑 되 지 않 은 반도체 층 으로 이루어질 수 있 다 . 제 3 액티브 패턴 ( ACT 3 ) 은 제 3 게이트 전극 ( GE 3 ) 과 중첩 된 부분 에 해당 한다 . 제 3 소스 전극 ( SE 3 ) 의 일단 은 제 3 액티브 패턴 ( ACT 3 ) 에 연결 될 수 있 다 . 제 3 소스 전극 ( SE 3 ) 의 타단 은 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 의 제 1 드레 인 전극 ( DE 1 ) 과 제 6 트랜지스터 ( T 6 ) 의 제 6 소스 전극 ( SE 6 ) 에 연결 될 수 있 다 . 제 3 드레 인 전극 ( DE 3 ) 의 일단 은 제 3 액티브 패턴 ( ACT 3 ) 에 연결 될 수 있 다 . 제 3 드레 인 전극 ( DE 3 ) 의 타단 은 제 4 트랜지스터 ( T 4 ) 의 제 4 드레 인 전극 ( DE 4 ) 에 연결 될 수 있 다 . 또한 , 제 3 드레 인 전극 ( DE 3 ) 은 연결 라인 ( CNL ) , 제 2 콘 택 홀 ( CH 2 ) 및 제 1 콘 택 홀 ( CH 1 ) 을 통하 여 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 의 제 1 게이트 전극 ( GE 1 ) 에 연결 될 수 있 다 .