상기 게이트 배선 ( 1 ) 과 데이터 배선 ( 3 a , 3 b ) 이 수직 으로 교차 되 는 영역 상 에 는 스위칭 소자 인 박막 트랜지스터 ( Thin Film Transistor : 이하 , ' TFT ' 라 한다 ) 가 배치 되 어 있 고 , 상기 단위 화소 영역 에 는 상기 데이터 배선 ( 3 a , 3 b ) 과 평행 한 방향 으로 ITO ( Indium - Tin - Oxide ) 금속 으로 된 화소 전극 ( 9 a , 9 b ) 이 배치 되 어 있 다 .