절연 층 ( 5028 ) 에 형성 된 개구부 에 는 금속 산화물 층 ( 5013 ) , 절연 층 ( 5027 ) , 도전 층 ( 5050 ) 이 제공 된다 . 즉 , 절연 층 ( 5028 ) 의 개구부 를 이용 하 여 게이트 전극 이 자기 정합 적 으로 형성 된다 . 따라서 , OS 트랜지스터 ( 5002 ) 에서 게이트 전극 ( 5050 ) 은 게이트 절연 층 ( 5017 ) 을 개재 하 여 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 5051 , 5052 ) 과 중첩 되 는 영역 을 가지 지 않 는다 . 그러므로 게이트 와 소스 사이 의 기생 용량 , 게이트 와 드레 인 사이 의 기생 용량 을 저감 할 수 있 어 주파수 특성 을 향상 시킬 수 있 다 . 또한 절연 층 ( 5028 ) 의 개구 에 의하 여 게이트 전극 폭 을 제어 할 수 있 으므로 채널 길이 가 짧 은 OS 트랜지스터 를 제작 하 기 쉽 다 .