이것 에 대하 여 , 도 4 를 참조 하 여 더 설명 한다 . 또한 , 도 4 의 ( a ) 에 , 비교 예의 부분 평면도 를 도시 하고 , 도 4 의 ( b ) 에 본 발명 의 제 1 실시 예 에 관한 반도체 장치 의 시험 장치 의 프로브 카드 기판 ( 11 ) 이 며 , 시험 유닛 ( TU 1 및 TU 3 ) 이 배설 되 는 장소 의 부분 평면도 를 도시 한다 . 또한 , 도 4 의 ( a ) 에서 , 도 2 에 도시 한 장소 와 동일 한 장소 에 는 , 동일 한 번호 를 부여 하 고 그 설명 을 대략 한다 .