제 1 절연 층 ( 111 ) 은 외부 전극 패드 ( 150 ) 의 일부 를 노출 시키 는 제 1 비아 오프닝 ( 도 9 e 의 VO 1 참조 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 절연 층 ( 111 ) 의 상면 의 일부분 , 제 1 비아 오프닝 ( VO 1 ) 의 내 측벽 , 및 제 1 비아 오프닝 ( VO 1 ) 을 통하 여 노출 된 외부 전극 패드 ( 150 ) 의 상면 의 일부분 상 에 는 제 1 씨드 층 ( 125 ) 이 배치 될 수 있 다 . 제 1 씨드 층 ( 125 ) 의 일부 는 제 1 도전 성 라인 패턴 ( 121 ) 과 제 1 절연 층 ( 111 ) 의 상면 사이 에 개재 되 고 , 제 1 씨드 층 ( 125 ) 의 다른 일부 는 제 1 도전 성 비아 패턴 ( 123 ) 의 측벽 을 둘러싸 고 제 1 도전 성 비아 패턴 ( 123 ) 과 외부 전극 패드 ( 150 ) 사이 에 개재 될 수 있 다 .