일정 시간 동안 검증 구간 ( T 14 ~ T 15 ) 이 수행 된 후 , 이퀄 라이즈 구간 ( T 15 ~ T 16 ) 이 수행 될 수 있 으나 , 이퀄 라이즈 구간 ( T 15 ~ T 16 ) 을 생략 하 고 제 2 디스 차지 구간 ( T 16 ~ T 19 ) 이 수행 될 수 도 있 다 . 이퀄 라이즈 구간 ( T 15 ~ T 16 ) 은 제 2 디스 차지 구간 ( T 16 ~ T 19 ) 에서 선택 된 워드 라인 ( Sel . WL ) 의 전위 가 음전압 으로 낮 아 지 는 것 을 방지 하 기 위하 여 수행 될 수 있 다 . 따라서 , 이퀄 라이즈 구간 ( T 15 ~ T 16 ) 은 선택 적 으로 수행 될 수 있 다 . 이퀄 라이즈 구간 ( T 15 ~ T 16 ) 에서 는 선택 된 워드 라인 ( Sel . WL ) 에 인가 되 는 검증 전압 ( Vf ) 보다 높 은 전압 이 인가 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 선택 된 워드 라인 ( Sel . WL ) 과 비 선택 된 워드 라인 들 ( Unsel . WL ) 의 전위 가 서로 유사 해 지 도록 , 선택 된 워드 라인 ( Sel . WL ) 에 턴 온 전압 이 인가 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 턴 온 전압 은 패스 전압 들 ( Vpass ) 과 유사 하 게 설정 될 수 있 다 . 이때 , 비 선택 된 소스 셀렉 트 라인 들 ( Unsel . SS ) 및 드레 인 셀렉 트 라인 들 ( Unsel . DSL ) 에 도 패스 전압 들 ( Vpass ) 이 인가 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 턴 온 전압 은 선택 된 워드 라인 ( Sel . WL ) 에 연결 된 메모리 셀 들 이 턴 온 될 수 있 는 전압 으로 설정 될 수 있 다 .