또한 , 종래 QFN 구조 의 반도체 패키지 ( 20 ) 는 리드 프레임 ( 1 ) 을 에칭 하 여 중심부 에 형성 되 도록 하 며 주변 부 를 따라 형성 된 복수 의 전극 단자 ( 미 도시 ) 를 갖 는 다이 패드 ( 2 ) 와 , 상기 다 이 패드 ( 2 ) 의 주위 에 형성 되 어 외부 와 전기 적 연결 을 위한 복수 의 와이어 본딩 패드 ( 3 ) 와 , 상기 다 이 패드 ( 2 ) 에 접착 부재 를 개재 하 여 비활성 면 이 상기 다 이 패드 ( 2 ) 에 접착 되 는 반도체 칩 ( 4 ) 과 , 상기 반도체 칩 ( 4 ) 의 활성 면 과 상기 복수 의 와이어 본딩 패드 ( 3 ) 를 전기 적 으로 연결 하 는 복수 의 도전 성 의 와이어 ( 6 ) , 및 상기 반도체 칩 ( 4 ) 과 복수 의 와이어 ( 6 ) 를 외부 환경 으로부터 내부 의 손상 을 방지 하 기 위해 에폭시 몰딩 컴 파운드 ( EMC , Epoxy Mold Compound ) 재료 를 사용 한 몰딩 ( 5 ) 으로 구성 되 는데 , 회로 기판 ( 10 , Substrate ) 의 제조 방법 은 금속 의 원 소재 를 에칭 한 후 에 도금 ( Plating ) 공정 으로 회로 기판 ( 10 ) 을 완성 한다 .