또한 , 본 실시 예 에 의하 면 전기장 의 인가 에 따라 발생 하 는 변동 저 저항 영역 ( C ) 이 일정 한 영역 에 만 형성 될 수 있 다 . 따라서 , 전기장 의 인가 시간 에 비례 하 여 분극 상태 가 바뀌 는 도메인 영역 이 증가 또는 확대 되 는 현상 을 일으키 지 않 고 제한 된 위치 에서 만 변동 저 저항 영역 ( C ) 이 형성 되 므로 , 비휘발성 메모리 에 응용 할 때 전기장 인가 시간 이 라는 변수 를 고려 하 지 않 아도 되 는 장점 이 있 다 .