도 2 a 및 도 2 b 를 참조 하 면 , 모트 절연체 는 , 띠 이론 에서 , 반 만 채워 지 거나 ( 반대 스핀 의 2 개 의 전자 를 수용 할 수 있 는 밴드 내 에 단지 하나 의 전자 를 가짐 ) 부분 적 으로 채워지 는 페르미 레벨 ( EF ) 에서 의 폭 ( W ) 을 갖 는 밴드 를 포함 하 는 물질 이 라는 의미 에서 밴드 절연체 로부터 구별 될 수 있 다 . 띠 이론 에서 , 반 이 채워진 밴드 를 갖 는 물질 은 금속 특성 을 가질 수 있 다 . 그러나 , 동일 한 띠 에 위치 되 는 전자 들 사이 의 정전기 적 척력 에너지 ( 또는 쿨롱 척력 ) 가 고려 될 때 ( 허버드 ( Hubbard ) 에너지 ( U ) 라 칭함 ) , 반 이 채워진 밴드 는 하나 의 점유 된 서브 밴드 ( Lower Hubbard Band : LHB ) 와 하나 의 빈 서브 밴드 ( Upper Hubbard Band : UHB ) 로 분할 될 수 있 다 . 이것 은 페르미 레벨 ( EF ) 에서 에너지 폭 ( Eg ) 의 에너지 밴드 갭 의 개방 을 초래 할 수 있 다 . 따라서 , 도 2 a 에 도시 된 바 와 같이 , 페르미 레벨 ( EF ) 에서 의 상기 밴드 갭 ( Eg ) 의 개방 은 모트 절연체 에 전기 적 인 절연 거동 을 제공 하 고 , 도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , 반 이 채워진 LHB 로 인해서 모트 절연체 에 금속 특성 을 제공 할 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 도 2 c 에 도시 된 바 와 같이 , 반 이 채워진 UHB 로 인해서 모트 절연체 에 금속 특성 을 제공 할 수 있 다 . 이 는 UHB 서브 밴드 에서 전자 를 추가 하 거나 또는 LHB 서브 밴드 로부터 전자 를 제거 하 기 위하 여 적합 한 화학 적 변형 에 의해 도핑 될 수 있 다 . 이 경우 에 , 모트 절연체 는 n 도핑 형 또는 p 도핑 형 로 각각 불린다 . 이러 한 n 도핑 형 또는 p 도핑 형 물질 에 대하 여 , 페르미 레벨 ( EF ) 은 UHB 서브 밴드 또는 LHB 서브 밴드 에 각각 배치 될 수 있 다 . 또 다른 실시 예 에서 , 도 2 d 에 도시 된 바 와 같이 , LHB 서브 밴드 와 UHB 서브 밴드 가 중첩 됨 으로써 , 모트 절연체 에 금속 특성 을 제공 할 수 있 다 .