다음 , 금속 증착 방식 , 예컨대 이베 포레이 션 또는 스퍼터링 방식 및 리프트 오프 방식 에 의해 노출 된 서브 콜렉터 층 ( 102 ) 상부 에 콜렉터 전극 ( 140 ) 을 형성 한다 . 상기 리프트 오프 방식 으로 콜렉터 전극 ( 140 ) 을 형성 함 에 따라 , 상기 콜렉터 전극 ( 140 ) 은 베이스 전극 ( 130 ) 에 대해 자기 정렬 적 으로 형성 된다 . 즉 , 콜렉터 전극 ( 140 ) 의 일 측벽 과 상기 베이스 전극 ( 130 ) 의 일 측벽 은 거의 나란 하 게 위치 된다 . 또한 , 상기 증착 방식 에 의해 콜렉터 전극 ( 140 ) 을 형성 함 에 따라 , 상기 에 미터 전극 ( 125 a ) 및 상기 베이스 전극 ( 130 ) 상 에 도 더미 로 콜렉터 전극 ( 141 , 142 ) 이 형성 된다 . 상기 에서 도 설명 한 바 와 같이 에 미터 전극 ( 125 a ) 상 의 더미 콜렉터 전극 ( 141 ) 은 에 미터 전극 으로 작용 하 고 , 베이스 전극 ( 130 ) 상 의 더미 콜렉터 전극 ( 142 ) 은 베이스 전극 으로 작용 한다 . 더미 전극 들 ( 131 , 141 , 142 ) 의 형성 으로 , 베이스 전극 ( 130 ) 의 두께 가 실질 적 으로 증대 되 어 , HBT 소자 의 베이스 저항 을 감소 시킬 수 있 다 .