AlOx 또는 MgO 등 을 상기 터널 링 장벽 층 으로 사용 하 는 종래 의 TMR 소자 는 비교 적 높 은 MR 비 를 갖 지만 , 터널 링 장벽층 의 저항 이 높 다는 문제 가 있 다 . 상기 터널 링 장벽층 의 저항 이 높 으면 , 소자 의 소비 전력 이 증가 하 고 동작 속도 가 감소 한다 . 이 에 터널 링 장벽층 의 저항 을 낮추 기 위한 방법 이 연구 되 고 있 다 . 터널 링 장벽층 의 저항 을 낮출 수 있 는 가장 대표 적 인 방법 은 터널 링 장벽층 의 두께 를 줄이 는 것 이 다 . 그러나 터널 링 장벽층 의 두께 가 임계 치 이하 로 감소 하 면 , MR 비 가 급격히 감소 하 여 터널 링 장벽층 이 본래 의 기능 을 상실 하 게 된다 . 또한 터널 링 장벽층 의 두께 가 너무 얇 으면 , 두께 편차 가 커지 고 핀홀 ( pin hole ) 과 같 은 결함 의 영향 이 커지 기 때문 에 , 소자 특성 의 균일성 및 신뢰 성 을 확보 하 기 어렵 다 . 따라서 터널 링 장벽층 의 두께 를 감소 시키 는 방법 으로 터널 링 장벽층 의 저항 을 감소 시키 는 데 는 한계 가 있 다 .