먼저 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 처리 용기 ( 10 ) 내 에 반입 된다 ( S 10 ) . 단계 S 10 에서 는 , 게이트 밸브 ( 30 ) 가 열리 고 , 도시 하 지 않 은 반송 아암 상 에 보 지 된 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 처리 용기 ( 10 ) 내 에 반입 된다 . 그리고 , 정 전척 ( 40 ) 의 표면 으로부터 돌출 한 리프트 핀 ( 81 ) 에 의해 반송 아암 으로부터 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 들 어 올려 지 고 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 반송 아암 으로부터 리프트 핀 ( 81 ) 에 넘겨 받 아 진다 . 그리고 , 반송 아암 이 처리 용기 ( 10 ) 의 밖 으로 퇴피 한 후 에 , 리프트 핀 ( 81 ) 이 하강 함 으로써 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 정전 척 ( 40 ) 상 에 탑재 된다 . 그리고 , 게이트 밸브 ( 30 ) 가 닫힌다 . 그리고 , 직류 전원 ( 42 ) 으로부터 전극 ( 40 a ) 에 직류 전압 이 공급 되 고 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 정전 척 ( 40 ) 의 상면 에 흡착 보지 된다 .