게이트 전극 ( 16 ) 과 용량 전극 ( 13 A ) 은 , 예 를 들 면 몰리브덴 등 의 금속 재료 를 포함 하 여 구성 되 어 있 다 . 게이트 절 연막 ( 17 ) 은 , 게이트 전극 ( 16 ) 과 용량 전극 ( 13 A ) 의 양쪽 을 덮 은 상태 로 구동 기판 ( 11 ) 의 유리 기판 ( 11 A ) 상 에 형성 되 어 있 다 . 폴리 실리콘 층 ( 18 ) 상 에 는 , 폴리 실리콘 층 ( 18 ) 을 덮 은 상태 로 절 연막 ( 19 ) 이 적층 되 어 있 다 . 또한 , 폴리 실리콘 층 ( 18 ) 의 일부 ( 18 A ) 는 , 용량 전극 ( 13 A ) 과 쌍 을 이루 는 용량 전극 으로서 , 게이트 절 연막 ( 17 ) 을 통하 여 용량 전극 ( 13 A ) 과 대향 하 고 있 고 대향 영역 이 축적 용량 소자 으로서 구성 되 어 있 다 . 게이트 전극 ( 16 ) 의 대향 하 는 면 에서 , 폴리 실리콘 층 ( 18 ) 의 한쪽 은 소스 영역 이 고 다른 쪽 은 드레 인 영역 으로 되 어 있 다 . 이 에 대하 여 , 절 연막 ( 19 ) 에 는 , 폴리 실리콘 층 ( 18 ) 의 소스 영역 에 연결 되 는 접속 구멍 ( 관통 구멍 ) 과 폴리 실리콘 층 ( 18 ) 의 드레 인 영역 에 연결 되 는 접속 구멍 ( 관통 구멍 ) 이 형성 되 어 있 다 . 그리고 , 절 연막 ( 19 ) 상 에 는 , 소스 영역 에 연결 되 는 접속 구멍 을 매립 하 는 상태 로 신호 배선 ( 20 ) 이 형성 되 는 동시 에 , 드레 인 영역 에 연결 되 는 접속 구멍 을 매립 하 는 상태 로 화소 접속 배선 ( 21 ) 이 형성 되 어 있 다 . 신호 배선 ( 20 ) 및 화소 접속 배선 ( 21 ) 은 , 알루미늄 등 의 배선 재료 에 의해 구성 되 며 , 절 연막 ( 19 ) 으로부터 돌출 된 상태 로 형성 되 어 있 다 .