주지 된 바 와 같이 , 모스 팻 ( MOSFET ) 소자 의 게이트 는 도전 막 으로서 통상 폴리 실리콘 막 을 사용 해 왔 다 . 이것 은 상기 폴리 실리콘 막 이 고 융점 , 박막 형성 의 용이성 , 라인 패턴 의 용이성 , 산화 분위기 에 대한 안정 성 , 및 평탄 한 표면 형성 등 과 같 은 게이트 로서 요구 되 는 물 성 을 충분히 만족 시키 기 때문 이 다 . 또한 , 실제 모스 팻 소자 에 있 어서 , 폴리 실리콘 게이트 는 인 ( P ) , 비소 ( As ) 및 보론 ( B ) 등 의 도 펀트 ( Dopant ) 를 함유 함 으로써 , 낮 은 저항 값 을 구현 하 고 있 다 .