도 4 a 및 도 4 b 는 본 발명 에 따른 핀 구조 를 갖 는 FET 센서 가 종래 기술 에 따른 평면형 구 조체 를 갖 는 FET 센서 보다 고감도 의 표적 물질 검출 이 가능 함 을 나타내 고 있 다 . 도 4 a 에 도시 된 바 와 같이 , 종래 기술 에 따른 평면형 구조 체 는 상부 에 만 표적 물질 - 감지 물질 ( 예 를 들 면 , 항원 - 항체 ) 결합 이 일어나 므로 일정 한 깊이 만큼 만 공핍 이 발생 하 는 반면 에 , 본 발명 에 따른 핀 구조 는 평면형 구 조체 와 같 은 크기 임 에 도 불구 하 고 양쪽 측벽 에서 표적 물질 - 감지 물질 ( 항원 - 항체 ) 결합 이 일어나 므로 구조 체 전체 를 공핍 시킬 수 있 다 . 따라서 , 도 4 b 에 도시 된 바 와 같이 , 공핍 으로 인한 전기전도도 의 감소 가 평면형 구 조체 보다 본 발명 에 따른 핀 구조 에서 보다 크 게 일어날 수 있 음 을 알 수 있 다 . 종래 기술 대로 평면형 구 조체 를 사용 할 때 상부 실리콘 박막 의 두께 를 얇 게 하 거나 , 기판 의 불순물 농도 를 낮 게 해서 채널 전체 가 공핍 되 도록 하 면 신호 의 크기 를 개선 시킬 수 있 지만 , 이 는 각각 반도체 공정 이 어려워져서 수율 이 떨어지 거나 , 채널 기저 전류 값 이 너무 작 아서 신호 를 검출 하 기 어렵 다는 단점 이 있 다 . 핀 구조 를 이용 하 면 , 평면형 구 조체 와 비교 해서 같 은 기판 도핑 농도 를 갖 으면서 도 , 두꺼운 박막 을 이용 하 며 , 보다 큰 전기전도도 의 변화 일으켜서 검출 민 감도 를 개선 시킬 수 있 다 .