도 1 b 를 참조 하 면 , 드레 인 콘 택 플러그 ( 15 ) 및 제 2 고전압 콘 택 플러그 ( 16 ) 를 형성 할 때 , 드레 인 콘 택 플러그 ( 15 ) 는 다수 의 메모리 셀 어레이 의 배치 에 의하 여 다 수개 가 형성 되 는 반면 제 2 고전압 콘 택 플러그 ( 16 ) 는 고전압 영역 의 트랜지스터 의 수 에 맞 게 형성 되 어 그 수 가 드레 인 콘 택 플러그 ( 15 ) 에 비해 상대 적 으로 적 다 .