그러나 위 특허 기술 은 포토레지스트 패턴 을 갖 는 전극 상 에 패 시베이 션 ( Passivation , 390 ) 층 을 형성 시킴 으로써 , 전극 의 부식 을 방지 하 고 보호 할 수 는 있 지만 , 디바이스 를 소정 의 방향 으로 늘리 거나 접 었 다가 펴 는 반복 적 인 스트레칭 사이클 ( Stretching Cycle ) 에 의해 패턴 전극 이 단선 ( Breaking of Wire ) 될 수 있 는 문제점 이 여전히 남 아 있 다 .