한편 , 이러 한 트렌치 형성 공정 은 소자 분리 기술 에 만 적용 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 어 , 반도체 기판 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 고 이 트렌치 에 게이트 전극 용 도전 막 을 매립 하 는 리세 스 게이트 공정 , 반도체 기판 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 고 이 트렌치 에 스토리지 노드 용 도전 막 을 매립 하 는 스토리지 노드 형성 공정 등 에서 반도체 기판 을 소정 깊이 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 것 은 필수 적 이 다 . 이러 한 리세 스 게이트 공정 또는 스토리지 노드 형성 공정 에서 도 다양 한 이유로 트렌치 측벽 이 수직 프로 파일 을 가질 것 이 요구 되 는 경우 가 있 다 .