이후 , 노광 시 빛 이 차단 되 는 차 단부 ( 610 ) 와 빛 이 통과 하 는 개구부 ( 620 ) 를 포함 하 는 제 1 마스크 ( 600 ) 를 이용 하 여 기판 ( 10 ) 상 의 컬러 포토레지스트 층 ( 76 ) 에 대해 노광 공정 을 수행 한다 . 이때 , 제 1 마스크 ( 600 ) 의 개구부 ( 620 ) 를 통과 한 빛 은 컬러 포토레지스트 층 ( 76 ) 의 일부 영역 ( 76 - 1 ) 에 닿 고 상기 영역 이외 의 컬러 포토레지스트 층 ( 76 ) 의 영역 ( 76 - 2 ) 에 는 빛 이 닿 지 못한다 . 만약 , 컬러 포토레지스트 층 ( 76 ) 이 네 가티 브 ( negative ) 형 포토레지스트 를 포함 한다고 가정 하 면 , 빛 이 닿 은 컬러 포토레지스트 층 ( 76 ) 의 일부 영역 ( 76 - 1 ) 은 경화 되 나 , 빛 이 닿 지 않 은 컬러 포토레지스트 층 ( 76 ) 의 나머지 영역 ( 76 - 2 ) 은 경화 되 지 못한다 . 이러 한 노광 공정 후 에 컬러 포토레지스트 층 ( 76 ) 에 대한 현상 공정 을 수행 하 면 , 컬러 포토레지스트 층 ( 76 ) 중 에서 경화 된 일부 영역 ( 76 - 1 ) 은 현상 공정 에서 잔류 하 게 되 어 단차 패턴 ( 77 ) 으로 형성 되 고 , 컬러 포토레지스트 층 ( 76 ) 중 에서 경화 되 지 않 은 나머지 영역 ( 76 - 2 ) 은 현상 공정 에서 제거 된다 . 참고 로 , 제 1 화소 부 ( 501 ) 의 제 1 화소 영역 ( 521 ) 에 는 단차 패턴 ( 77 ) 과 동시 에 컬러 필터 패턴 ( 75 ) 이 형성 될 수 있 다 .