깨 짐 판 정부 ( 32 ) 가 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 깨져 있 지 않 다고 판정 했 을 때 에 는 , 단계 S 6 으로부터 단계 S 7 로 진행 되 어 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 냉각 처리 가 행해진다 . 냉각 처리 는 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 대한 가열 처리 ( 할로겐 램프 ( HL ) 에 의한 예비 가열 및 플래시 램프 ( FL ) 에 의한 플래시 가열 의 쌍방 을 포함 한다 ) 가 전부 종료 된 시각 ( t 4 ) 이후 에 개시 된다 . 냉각 처리 시 에 는 , 가스 공급 구멍 ( 81 ) 으로부터 열처리 공간 ( 65 ) 에 냉각 가스 ( 헬륨 , 아르곤 또는 질소 ) 가 공급 된다 . 가열 처리 및 냉각 처리 의 쌍방 에서 질소 가스 가 이용 되 는 경우 에 는 , 냉각 처리 시 에 는 질소 가스 의 공급 유량 이 증가 되 게 된다 . 공급 된 냉각 가스 에 의해 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 열 이 빼앗김 으로써 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 냉각 처리 가 진행 된다 .