도 1 에 도시 된 바 와 같이 , EUV 용 반사 형 블랭크 마스크 는 기판 ( 102 ) , 기판 ( 102 ) 상 에 적층 된 반사막 ( 104 ) , 반사막 ( 104 ) 위 에 형성 된 흡수 막 ( 106 ) , 및 흡 수막 ( 106 ) 위 에 형성 된 레지스 트 막 ( 108 ) 을 포함 하 여 구성 된다 . 반사막 ( 104 ) 은 예컨대 Mo 로 이루어진 반사 층 과 Si 로 이루어진 반사 층 이 교대 로 수십 층 적층 된 구조 로 형성 되 며 , 입사 되 는 노 광광 을 반사 시키 는 기능 을 한다 . 흡 수막 ( 106 ) 은 통상 적 으로 TaBN 재질 또는 TaBON 재질 로 형성 되 며 , 입사 된 노 광광 을 흡수 하 는 역할 을 한다 . 레지스 트 막 ( 108 ) 은 흡수 막 ( 106 ) 을 패 터닝 하 기 위해 사용 된다 . 흡 수막 ( 106 ) 이 소정 의 형상 으로 패 터닝 됨 에 따라 블랭크 마스크 가 포토 마스크 로 제작 되 며 , 이러 한 포토 마스크 에 입사 되 는 EUV 노 광광 은 흡수 막 ( 106 ) 의 패턴 에 따라 흡수 또는 반사 된 후 반도체 웨이퍼 상 에 조사 된다 .