그러나 , 종래 기술 은 스토리지 노드 콘 택 플러그 ( Storage node cotact plug , 13 ) 형성 시 폴리 실리콘 증착 및 에치 백 ( Etch back ) 의 순서 로 진행 하 는데 , 에치 백후 폴리 실리콘 디싱 ( polysilicon dishing ) 및 플러그 손실 ( Plug loss ) 이 증가 하 면 단차 가 심해진다 ( ' D ' 참조 ) .