도 7 에서 , 클리어 패 시베이 션 층 ( 74 ) 이 반도체 다이 ( 54 ) 의 액티브 표면 상 에 도시 되 었 다 . 글래스 층 ( 76 ) 이 클리어 패 시베이 션 층 ( 74 ) 에 인가 되 는 것 으로 도시 되 었 다 . THV ( 92 ) 가 레이저 드릴 닝 에 의해 클리어 패 시베이 션 층 ( 74 ) 및 글래스 층 ( 76 ) 을 관통 하 여 형성 된다 . RDL ( 82 ) 이 글래스 층 ( 76 ) 상 에 형성 된다 . THV ( 92 ) 가 접촉 패드 ( 56 ) 을 RDL ( 82 ) 에 전기 적 으로 연결 시킨다 . UBM ( 84 ) 이 RDL ( 82 ) 에 전기 적 으로 연결 시키 도록 융 착 되 고 패턴 화 된다 . 패 시베이 션 층 ( 86 ) 이 구조 적 지지 및 환경 적 분리 를 위해서 RDL ( 82 ) 위 에 형성 된다 . 전기 적 도전 솔 더 재료 가 증발 , 전해 도금 , 무전 해 도금 , 볼 드롭 또는 스크린 프린팅 공정 을 통해서 UBM ( 84 ) 위 에 융 착 된다 . 그 솔 더 재료 는 구형 볼 또는 범프 ( 90 ) 를 형성 하 도록 도전 재료 를 그것 의 융점 이상 으로 가열 하 여 리플 로우 ( reflow ) 된다 .