비 - 휘발 성 셀 의 어레이 ( 630 ) 는 본 명세서 에 기술 된 실시 예 들 을 따라 서로 다른 개수 의 프로그램 상태 , 감지 전압 , 및 다수 의 자릿수 를 갖 는 비 - 휘발 성 다중 레벨 메모리 셀 을 포함 할 수 있 다 . 메모리 장치 ( 620 ) 는 이번 실시 예 에서 읽 기 / 래치 회로 ( 650 ) 일 수 있 는 감지 / 버퍼 회로 를 이용 하 여 메모리 어레이 ( 630 ) 열 내 의 전압 및 / 또는 전류 변화 를 감지 함 으로써 어레이 ( 630 ) 내 의 데이터 를 감지 한다 . 경사 전압 생성기 ( 680 ) 가 행 디코더 ( 644 ) 를 거쳐 셀 의 어레이 ( 630 ) 에 경사 전압 을 인가 할 수 있 다 . 경사 전압 생성기 는 또한 , 아날로그 - 디지털 컨버터 ( ADC ) ( 690 ) 로 전압 을 제공 한다 . ADC 는 ADC 의 출력 을 변환 하 여 이 를 기준 로직 ( 695 ) 과 읽 기 / 래치 회로 ( 650 ) 모두 로 출력 하 도록 기능 할 수 있 다 . 읽 기 / 래치 회로 ( 650 ) 는 어레이 ( 630 ) 로부터 의 데이터 의 페이지 또는 행 을 검출 ( 가령 , 읽 기 및 래치 ) 할 수 있 다 . I / O 회로 ( 660 ) 는 I / O 연결부 ( 662 ) 를 통한 프로세서 ( 610 ) 와 의 양방향 데이터 통신 을 위해 포함 된다 . 쓰 기 회로 ( 655 ) 가 포함 되 어 어레이 ( 630 ) 에 데이터 를 기록 할 수 있 다 .