또한 발광 디바이스 2 내지 발광 디바이스 4 는 정공 주입 층 이 정공 수송 성 을 가지 고 , HOMO 준위 가 - 5 . 7 eV 이상 - 5 . 4 eV 이하 인 BBABnf 와 , BBABnf 에 전자 수용성 을 나타내 는 ALD - MP 001 Q 를 가지 고 , 또한 전자 수송 층 에 금속 , 금속염 , 금속 산화물 , 또는 유기 금속염 인 Liq 를 가진다 .