또한 , 상술 한 바 와 같이 , 전송 트랜지스터 의 전송 능력 이 향상 됨 으로써 전송 게이트 ( 140 ) 에 인가 되 는 전송 신호 의 전위 레벨 을 종래 에 비해 낮출 수 있 다 . 전송 게이트 ( 140 ) 에 인가 되 는 전위 의 레벨 이 높 아 질수록 전송 게이트 ( 140 ) 와 광전 변환 소자 ( 130 ) 사이 에 포 텐 셜 포켓 ( potential pocket ) 이 형성 될 가능 성 이 높 아 지 게 된다 . 포 텐 셜 포켓 이 형성 되 면 , 포 텐 셜 포켓 에 축적 되 었 던 광 전하 의 일부 또는 전부 가 다시 광전 변환 소자 ( 130 ) 쪽 으로 되돌아가 는 스필 백 ( Spill back ) 현상 에 의해 픽셀 들 간 의 균일성 ( uniformity ) 특성 이 나빠질 가능 성 이 높 아 진다 . 그러 한 문제 는 저조 도 상황 에서 더욱 심각 해질 수 있 다 . 본 실시 예 에서 는 전송 게이트 ( 140 ) 에 인가 되 는 전송 신호 의 전위 레벨 을 낮출 수 있 어 , 포 텐 셜 포켓 에 의해 발생 되 는 문제 들 이 발생 될 가능 성 을 감소 시킬 수 있 다 . 또한 , 고전압 인가 로 인해 발생 될 수 있 는 노이즈 문제 도 감소 시킬 수 있 다 .