본 발명 에 따른 유기 반도체 화합물 은 유기 박막 트랜지스터 내 의 유기 반도체 층 ( channel material ) 형성 물질 로 사용 될 수 있 으며 , 본 발명 에 따른 유기 박막 트랜지스터 는 제 1 전극 ; 제 2 전극 ; 및 상기 제 1 전극 과 제 2 전극 사이 에 상기 화학식 1 의 유기 반도체 화합물 ; 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 며 , 상세 하 게 는 기판 ( 1 ) , 게이트 전극 ( 6 ) , 게이트 절연 층 ( 2 ) , 유기 활성 층 ( 3 ) , 및 소스 / 드레 인 전극 ( 4 및 5 ) 을 포함 하 여 형성 된 유기 박막 트랜지스터 에 있 어서 , 상기 유기 활성 층 이 상기 화학식 1 의 유기 반도체 화합물 로 형성 된 유기 박막 트랜지스터 를 포함 한다 .