이어서 , 도전 막 ( 105 ) 상 에 후속 게이트 식각 공정 시 식각 마스크 로 사용 되 는 감광막 패턴 의 두께 부족 에 기인 한 식각 불안정성 에 의해 게이트 가 손상 되 는 것 을 방지 하 기 위해 보호막 으로 게이트 용 하드 마스크 ( 106 ) 를 더 형성 할 수 도 있 다 . 이때 , 하드 마스크 ( 106 ) 는 게이트 와 높 은 식각 선택 비 를 갖 는 질화 막 , 예컨대 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 으로 형성 한다 . 또한 , 하드 마스크 ( 106 ) 는 100 ~ 300 Å 두께 로 형성 한 다 .