상술 한 바 와 같이 본 발명 은 물질 들 간 의 반응 이 발생 되 지 않 는 스핀 코팅 등 의 물리 적 인 방법 으로 유기물 을 코팅 하 여 보호막 을 형성 하 고 , 감광막 을 이용 한 사진 공정 으로 보호막 을 패 터닝 한다 . 수소 의 확산 ( 침투 ) 과 플 라즈 마 피해 로 인한 반도체 층 의 수소 농도 및 조성 비 변화 가 효과 적 으로 방지 되 어 채널 영역 의 비저항 이 안정 적 으로 유지 됨 으로써 누설 전류 가 발생 되 지 않 는 등 박막 트랜지스터 의 전기 적 특성 이 향상 될 수 있 다 .