이러 한 이동도 를 갖 는 산화물 반도체 를 이용 해서 미세 한 트랜지스터 를 제작 했 을 경우 의 특성 을 계산 한 결과 를 도 33 a 내지 33 c , 도 34 a 내지 34 c , 및 도 35 a 내지 도 35 c 에 도시 한다 . 계산 에 이용 한 트랜지스터 의 단면 구조 를 도 36 a 및 36 b 에 도시 한다 . 도 36 a 및 36 b 에 도시 하 는 트랜지스터 는 산화물 반도체 층 에 n + 의 도전 형 을 나타내 는 반도체 영역 ( 1103 a ) 및 반도체 영역 ( 1103 c ) 을 포함 한다 . 반도체 영역 ( 1103 a ) 및 반도체 영역 ( 1103 c ) 의 저항 율 은 2 × 10 - 3 Ω cm 로 한다 .