bi2te3は、bi2se3の代わりにトポロジカル絶縁体として使用できますか？
Bi2te3とBi2Se3はどちらもトポロジカル絶縁体として研究された材料ですが、Bi2Se3は一般にアプリケーションに対してより有望です。いくつかの主な理由：

-Bi2Se3には、その電子特性を理論的に理解しやすくするよりシンプルな結晶構造があります。バンド構造は、単一のディラックコーン表面状態を持つ明確なトポロジー断熱状態を示しています。
-Bi2Se3はBi2te3よりも大きいバルクバンドギャップを持っているため、絶縁状態はより堅牢で、表面状態はより隔離されています。これにより、より首尾一貫した有用な電子特性が発生します。
-Bi2Se3の表面状態には単一のDIRACコーンがありますが、Bi2te3には複数のコーンがあり、より導電性チャネルを可能にし、表面状態を利用するのが難しくなります。

そのため、両方ともトポロジカル絶縁体ですが、Bi2Se3は、低電力電子機器や量子コンピューティングなどのアプリケーションに有用なトポロジカル絶縁体を有用にする重要な特性を研究するためのよりシンプルで理想的なシステムになる傾向があります。Bi2te3は機能しますが、複雑さが追加されています。