Why do electrons flow from n type semiconductor to the metal side in a schottky barrier diode even though there are no holes in the metal side?
Why don't we use a metal in the source and drain regions of a MOS transistor instead of the n type semiconductor? This way we would get more carriers.
מדוע אלקטרונים זורמים ממוליכים למחצה מסוג n לצד המתכת בדיודה מחסום schottky למרות שאין חורים בצד המתכת?
מדוע לא נשתמש במתכת באזורי המקור והניקוז של טרנזיסטור MOS במקום במוליך למחצה מסוג n? כך נשיג יותר מובילים.