멤리스터 - 위키백과, 우리 모두의 백과사전 멤리스터 위키백과, 우리 모두의 백과사전. 둘러보기로 가기 검색하러 가기 비슷한 이름의 메미스터에 관해서는 해당 문서를 참조하십시오. 멤리스터종류 수동목적 전기 저항발명 Leon Chua ( 1971년 ) 최초 도입 HP 랩스 ( 2008년 ) 전기 기호 멤리스터 ( memristor : / [UNK] / ; 메모리와 저항의 합성어 ) 는 전하와 자속과의 결합에 관련된 비선형 수동 두단자 전기 구성요소로, 이론가 Leon Chua에 의해 1971년도에 만들어진 용어이다. [ 1 ] 이전까지 수동소자라고 하면 R, L, C 밖에 없었는데 하나가 더 추가된 것이다. 전압과 전류의 관계에서 저항 ( R ) 이 나오고 ( 즉, V / I = R ), 전압과 전하량 사이
수동소자라고 하면 R, L, C 밖에 없었는데 하나가 더 추가된 것이다. 전압과 전류의 관계에서 저항 ( R ) 이 나오고 ( 즉, V / I = R ), 전압과 전하량 사이에서 콘덴서 ( 미국에선 커패시터 ) 가 나오고 ( Q = CV, C = Q / V ) 전류와 자장 플럭스 사이에 인덕터 ( L = 자장 / 전류 ) 가 연결된다. 자장 플럭스와 전하사이의 수동소자를 멤리스터 ( M = 자속 / 전하량 = ( 자속 / 시간 ) ( 자속 / 시간 ) / ( 전하량 / 시간 ) = V / I ) 라 한다. 최근 RRAM 소자의 동작이 멤리스터 개념에 연결되었다. [ 2 ] 특성적인 내용을 만드는 수학적 관계에서, 멤리스터는 다음의 방법으로 동작할 것이다라고 가설을
) 라 한다. 최근 RRAM 소자의 동작이 멤리스터 개념에 연결되었다. [ 2 ] 특성적인 내용을 만드는 수학적 관계에서, 멤리스터는 다음의 방법으로 동작할 것이다라고 가설을 세웠다. 멤리스터의 전기적 저항은 일정하지 않고 그 소자를 통해 이전에 흘렀던 전류의 이력 ( 과거 정보 ) 에 따라 달라진다. [ 3 ] 즉 멤리스터의 현재 저항은 이 멤리스터의 두 단자 사이로 많은 전하가 과거에 어떤 방향으로 어떻게 흘렀는지에 따라 달라진다. 이 소자는 이력 소위 비휘발 특성을 기억한다. [ 3 ] 전력 공급이 끊어질 때 멤리스터는 가장 최근의 저항을 다시 전력이 들어올 때까지 기억한다. [ 4 ] [ 5 ] Leon Chua는 최근에 저항 스위칭 효과를 기초로 하는 두 단자 비휘발성 메모리 소자에 멤리스터의
displaystyle V ( t ) = [UNK] M ( q ( t ) ( t ) ) I ( t ) } 이 수식은 M이 전하량에 따라 변하지 않는 한 memristance가 전류와 전압 사이의 관계는 선형이라는 것을 의미한다. 임의의 값의 전류는 시간에 따라 변하는 전하량을 인자로 가진다. 그러나, 교류는 M에서 더 많은 변화를 야기하지 않는, q에서 최대로 변화하는 한 순 전하의 이동 없이 측정가능한 전압을 유도됨에 의해 회로동작에서 선형의존도를 보여준다. 더우기, 전류가 가해지지 않았다면 멤리스터는 정적 ( 상수 ) 이다. I ( t ) = 0 인 경우, V ( t ) = 0 이고 M ( t ) 는 정적 ( 상수 ) 이 된다. 이것이 메모리 효과의 본질이다. 전력소비의 특징은 저항의 특징이다.
의해 증명되었다. [ 57 ] 2011년에 퍼지 입력 / 출력 단자가 있는 아날로그 memristive 뇌 - 퍼지 전산 시스템을 만들기 위해 그들은 어떻게 멤리스터 크로스바가 퍼지 논리와 묶일수 있었는지 보였다. [ 58 ] Hebbian 학습 룰에서 받은 영감으로부터 만든 퍼지 상관관계를 이용하여 학습이 수행된다. 2013년에 Leon Chua ( 멤리스터의 존재를 밝힌 필리핀 교수 ) 는 멤리스터 ( 메모리와 레지스터의 합성어로 이전의 상태를 기억하는 메모리 소자 ) 를 비휘발성 아날로그 메모리로도 사용할 수 있다고 발표하였다. [ 59 ] 멤요소 : 멤캐패시터와 멤인덕터 [ 편집 ] 2009년 Di Ventra, Pershin, Chua는 멤리스티브 시스템의 개념을 캐패시터와 인덕터에도 적용하여 멤
와 memristive 시스템의 결과 중 하나는 작은 폭으로 조여진 ( pinched ) 히스테리시스 효과이다. [ 32 ] 전류 제어형 memristive 시스템의 경우, 입력신호 u ( t ) 는 전류 i ( t ) 이고, 출력신호 y ( t ) 는 전압 v ( t ) 이 된다. 그리고 곡선의 기울기는 전기 저항을 나타낸다 조여진 ( pinched ) 히스테리시스 곡선의 기울기의 변화는 ReRAM를 중심으로한 현상인 상이한 저항 상태 사이의 전환을 보여주고, 2 단자 저항 메모리의 다른 형태를 보여준다. memristive 이론에서 높은주파수에선 조여진 히스테리시스 효과가 작아지게 되어, 선형 저항체와 같은 직선 성질 ( V / I = R ) 을 보이게 된다. 그것은 타입 II로 표시된 비교차 ( non - crossing ) 조여진 히스테리시스 곡선의 일부 종류
가장 최근의 저항을 다시 전력이 들어올 때까지 기억한다. [ 4 ] [ 5 ] Leon Chua는 최근에 저항 스위칭 효과를 기초로 하는 두 단자 비휘발성 메모리 소자에 멤리스터의 정의를 일반화할 수 있다고 주장했다. [ 3 ] 그러나, 어떤 실험적 증거는 이 주장과 대치되는데, 비 수동 나노배터리 ( nanobattery ) 효과가 저항 스위칭 메모리에서도 관찰되었다. [ 6 ] 그 후 Chua는 멤리스터가 실질적으로 R, L, C 에 앞선, 가장 오래전에 알려진 회로소자라고 주장했다. [ 7 ] 2008년에, HP 실험실의 한팀이 titanium dioxide 박막의 해석을 기초로 Chua의 빠뜨린 멤리스터를 찾았다고 발표했다. [ 8 ] 그 HP의 결과는 네이처 지에 게제되
, memristor는 네 번째 기본적인 회로 소자이고, 전하와 자속 결합 사이에 비선형 관계를 형성한다. 2011년 Chua는 저항 스위칭에 기초하여 모든 2단자 비 휘발성 기억 소자들이 포함된 폭 넓은 정의를 주장하였다. [ 3 ] Williams는 상 ( phase ) 변화 메모리, MRAM와 RRAM이 memristor 기술이라고 주장했다. [ 15 ] 일부 연구자들은 혈액 [ 16 ] 과 피부 [ 17 ] 같은 생물학적 구조가 정의에 맞다고 주장했다. 다른 이들은 HP 연구소에서 개발 중인 기억 소자와 RRAM의 다른 형태는 memristor가 아니라 오히려 가변 저항 시스템 [ 18 ] 의 확장이라고 주장한다. 또한 그 memristor의 폭넓은 정의 때문에 HP의 memristor 특허 [ 19 ] 가 과학적으로 부당한 혜택을 받고
이나 전류의 이력이 포함된 역동적인 전압 / 전류 관계가 있다. 다른 과학자는 Bernad Widow의 Memistor를 동적 메모리저항으로 제안했다. 그러나 Chua는 수학의 일반성을 도입하려고 시도했다. memristor의 저항은 ( varistor에서 처럼 입력에서의 순간적인 값보다 ) 단자에 인가되는 입력의 적분 값에 의해 결정된다. [ 4 ] 전류의 마지막 양의 요소가 통과할 때 " 기억 " 하기 때문에 그것은 Chua에 의해 memristor라고 이름 붙여졌다. memristor는 전류의 시간 적분인 전하와 전압의 시간 적분인 선속 ( magnetic flux ) 사이의 연결하는 두 단자 수동 ( passive two - terminal ) 회로 소자로도 설명할 수 있다. 이 관계를 나타내는 함수
의 시간 적분인 선속 ( magnetic flux ) 사이의 연결하는 두 단자 수동 ( passive two - terminal ) 회로 소자로도 설명할 수 있다. 이 관계를 나타내는 함수의 기울기를 memristance의 M이라고 하고 가변 저항과 유사하다. memristor의 정의는 저항, 커패시터와 인덕터와 같이 오직 기본 전류와 전압의 시간 적분값에 기초한다. 선형 불변 ( linear time - invariant, LTI ) 시스템 이론에서 다루는 세 소자와는 달리, memristor는 메모리처럼 동적 기능이 있고 순전하 ( net charge ) 로 기능한다고 설명할 수 있다. 표준 memristor 같은 것은 없다. 대신에, 각각의 소자는 어떤 점에서 전압의 적분은 전류의 적분을 결정하고 그 반대
멤리스터(memristor : /ˈmɛmrɪstər/; 메모리와 저항의 합성어)는 전하와 자속과의 결합에 관련된 비선형 수동 두단자 전기 구성요소로, 이론가 Leon Chua에 의해 1971년도에 만들어진 용어이다. 이전까지 수동소자라고 하면 R, L, C 밖에 없었는데 하나가 더 추가된 것이다. 전압과 전류의 관계에서 저항(R)이 나오고(즉, V/I=R), 전압과 전하량 사이에서 콘덴서(미국에선 커패시터)가 나오고(Q=CV, C=Q/V) 전류와 자장 플럭스 사이에 인덕터(L=자장/전류)가 연결된다. 자장 플럭스와 전하사이의 수동소자를 멤리스터(M=자속/전하량=(자속/시간)(자속/시간)/(전하량/시간)=V/I)라 한다. 최근 RRAM 소자의 동작이 멤리스터 개념에 연결되었다. 특성적인 내용을 만드는 수학적 관계에서, 멤리스터는 다음의 방법으로 동작할 것이다라고 가설을 세웠다. 멤리스터의 전기적 저항은 일정하지 않고 그 소자를 통해 이전에 흘렀던 전류의 이력(과거 정보)에 따라 달라진다. 즉 멤리스터의 현재 저항은 이 멤리스터의 두 단자 사이로 많은 전하가 과거에 어떤 방향으로 어떻게 흘렀는지에 따라 달라진다. 이 소자는 이력 소위 비휘발 특성을 기억한다. 전력 공급이 끊어질 때 멤리스터는 가장 최근의 저항을 다시 전력이 들어올 때까지 기억한다.Leon Chua는 최근에 저항 스위칭 효과를 기초로 하는 두 단자 비휘발성 메모리 소자에 멤리스터의 정의를 일반화할 수 있다고 주장했다. 그러나, 어떤 실험적 증거는 이 주장과 대치되는데, 비 수동 나노배터리(nanobattery) 효과가 저항 스위칭 메모리에서도 관찰되었다. 그 후 Chua는 멤리스터가 실질적으로 R, L, C 에 앞선, 가장 오래전에 알려진 회로소자라고 주장했다.2008년에 , HP 실험실의 한팀이 titanium dioxide 박막의 해석을 기초로 Chua의 빠뜨린 멤리스터를 찾았다고 발표했다. 그 HP의 결과는 네이처 지에 게제되었다. 멤리스터는 HP, SK Hynix, HRL 실험실을 포함한 여러 팀들에 의해 여전히 개발 중이다. 멤리스터 소자는 나노전자 메모리, 컴퓨터 논리, 뇌의 형태를 가진/뇌 멤리스터 컴퓨터 구조 등에 응용될 수 있다. 2011년 10월에 HP 팀은 18개월 이내에 플래시 메모리, SSD, DRAM, SRAM을 대체할 수 있는 멤리스터 기술의 상용화 가능성을 발표했다. 새로운 메모리의 상업적 이용은 최근 2018년으로 추정되었다. 2012년 3월에, 미시간 대학교와 HRL Laboratories 팀이 세계에서 첫 번째로 동작하는 CMOS chip 기반 멤리스터 어레이를 발표했다.