전력 MOSFET - 위키백과, 우리 모두의 백과사전 전력 MOSFET 위키백과, 우리 모두의 백과사전. 둘러보기로 가기 검색하러 가기 표면실장 패키지 D2PAK2의 두개의 전력 모스펫. 각각의 이 요소는 30 볼트의 차단전압과 120 암페어의 지속전류를 유지할 수 있다. 전력 모스펫 ( Power MOSFET ) 은 큰 전력을 처리하기위해 설계된 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 ( MOSFET ) 의 특정 종류이다. 다른 전력 반도체 소자 ( 절연 게이트 양극성 트랜지스터 ( IGBT ) ( IGBT ), 사이리스터... ) 들에 비해 주요한 장점은 낮은 전압에서 통신 속도가 빠르고 효율이 좋다는 것이다. 이것은 절연 게이트 양극성 트랜지스터 ( IGBT ) 의 격리된 게이트
에 비해 주요한 장점은 낮은 전압에서 통신 속도가 빠르고 효율이 좋다는 것이다. 이것은 절연 게이트 양극성 트랜지스터 ( IGBT ) 의 격리된 게이트와 공유되어 신호인가를 쉽게 한다. 이것은 시모스 기술이 발전함에 따라 제조가 가능했으며 1970년대 후반에 집적회로 제조가 개발되었다. 전력 모스펫은 저전력 중 하나인 측면 모스펫의 동작법칙을 공유한다. 전력 모스펫은 저전력 ( 대충 200 V 이하 ) 스위치로 가장 널리 사용된다. 이것은 대부분의 전원 공급장치, 직류 - 직류 변환기, 저전압 모터 제어기에서 찾아볼 수 있다. 목차 1 기본 구조 2 차단 전압 3 온상태 특징 3. 1 온상태 저항 3. 2 항복전압 / 온상태 저항간의 상보관계 ( trade - off ) 3. 3 보디 다이오드
차단전압과 고전류를 유지하는 것이 가능하게 한다. 측면 구조가 존재하는 전력 모스펫이 없다는 것은 가치있다. 최고급 오디오 증폭기에 주로 사용된다. 장점은 포화영역 ( 접합형 트랜지스터의 선형영역과 일치함 ) 에서 수직형 모스펫보다 좋은 특성이다. 수직형 모스펫은 스위칭 응용에 설계되어서 통과와 차단상태에만 사용된다. 차단 전압 [ 편집 ] 이 문단은 비어있습니다. 내용을 추가해 주세요. 온상태 특징 [ 편집 ] 온상태 저항 [ 편집 ] 그림 2 : 온상태 저항에 모스펫의 다른부분의 기여. 전력 모스펫이 온상태 ( 동작상태의 논의는 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터를 보세요 ) 일 때 드레인과 소스단자 사이에 저항적 동작을 나타낸다. 그림 2에서 보여줄
tical Diffused MOS, VDMOS ) 구조 ( 이중확산된 모스 ( double - diffused MOS ) ( double - diffused MOS ) 나 간단히 디모스 ( DMOS ) 라고도 부른다 ) 의 후원을 ( 적어도 지금까지는 ) 표기하였다. 수직확산된 모스의 단면도 ( 그림 1을 보세요 ) 는 소자의 " 수직성 " 을 보여준다 : 소스 전극을 보여줄 수 있는 이것은 트랜지스터가 온상태일 때 전류 흐름이 주로 수직인 결과로 드레인에 배치된다. 수직확산된 모스에서 " 확산 " 은 제조 공정을 뜻한다 : P우물 ( 그림 1을 보세요 ) 은 확산 공정에 의하여 얻어진다. ( 실제로 P와 P 영역을 얻는 이중 확산 공정이여서 이름이 이중확산이다. ) 전력 모스펫은 측면 모스펫과 다른 구조
은 확산 공정에 의하여 얻어진다. ( 실제로 P와 P 영역을 얻는 이중 확산 공정이여서 이름이 이중확산이다. ) 전력 모스펫은 측면 모스펫과 다른 구조이다. 즉, 모든 전력 소자와 전력 모스펫의 구조는 수직이고 평판이 아니다. 평판구조에서 전류와 항복전압 등급은 " 실리콘 자산 " 의 비효율적 사용의 결과로 인한 채널 면적 ( 채널의 각각 폭과 길이 ) 의 기능이다. 수직구조에서 트랜지스터의 전압등급은 도핑과 N에피택시막 ( 단면도 참조 ) 두께의 기능인 반면에 전류등급은 채널폭의 기능이다. 이것은 트랜지스터가 실리콘의 조밀한 덩어리 내부에서 높은 차단전압과 고전류를 유지하는 것이 가능하게 한다. 측면 구조가 존재하는 전력 모스펫이 없다는 것은 가치있다. 최고급 오디오 증폭기에 주로 사용
]. 유모스 [ 편집 ] 유모스 ( UMOS ) 는 굴 게이트를 지녔다. 채널 수직을 만들어서 채널밀도를 증가시키려고 했다 이 전력 모스펫 구조에서, 게이트 전극은 실리콘에 굴모양으로 에치되어 묻혀있다. 이것은 수평채널이 된다. 구조의 주요한 장점은 제이펫 ( JFET ) 효과의 부재이다. 구조의 명칭은 굴의 U모양으로부터 나왔다. 쿨모스 [ 편집 ] 특별히 500 V를 넘는 전압에 어떤 제조사, 가장 알려진 인피니온 테크날러지는, 충전 보상 원리를 사용하기 시작했다. 그리하여 고전압 모스펫에 크게 기여처럼 에피택시막의 저항은 요소 > 5에 의하여 감소할 수 있다. 같이 보기 [ 편집 ] 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 전력 반도체 소자 절연 게이트 양극성 트랜지스터 전력 전자공학 각주
에 의하여 감소할 수 있다. 같이 보기 [ 편집 ] 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 전력 반도체 소자 절연 게이트 양극성 트랜지스터 전력 전자공학 각주 [ 편집 ] ↑ S. M. Sze " 현대 반도체 소자 물리학 ", ( John Wiley and Sons, Inc ) 1998 ISBN 0 - 471 - 15237 - 4 ↑ 피에르 알로이시 ( 프랑스어 : Pierre [UNK] ), Interrupteurs électroniques de puissance, traite EGEM에서 Les transistors MOS de puissance, 로버트 페리트 ( Robert Perret ) 의 지도에서, 라브아지에 ( 프랑스어 : Lavoisier, 파리, 프랑스 2003년 ISBN 2 - 7462 - 0671 - 4 ↑ B. [UNK] 발리거 ( B. Jayant Baliga ) ( B. Jay
을 마지막으로 길게 만들어서, 통신손실을 증가시킨다. 동작의 제한 [ 편집 ] 게이트 산화막 항복 [ 편집 ] 산화막 게이트는 매우 얇아서 ( 100 nm 이하 ), 제한전압을 유지할 수 있다. 데이터시트에서 제조사는 최대 게이트 - 소스 전압을 대략 20 V로 표시하고, 초과된 이 체한은 소자의 파괴를 발생시킬 수 있다. 그리고, 높은 게이트 - 소스 전압은 약간의 RDSon가 줄어드는 장점없이 모스펫의 수명을 상당히 감소시킨다. 안전동작 영역 [ 편집 ] 전력 모스펫의 안정동작 영역은 초과할 수 없는 값에 의하여 제한된다. [ 2 ] 드레인 - 소스 저항 [ 편집 ] 온상태에서 전력 모스펫은 저항기처럼 동작한다. 이것은 명백히 드레인 전류 수준에서 드레인 - 소스 전압은 이 저항기에 의하여 정의됨을 뜻한다. 최대
전자 회로 반도체공학 원본 주소 " " 분류 : 트랜지스터고체 소자 스위치전력 전자공학숨은 분류 : 영어 표기를 포함한 문서프랑스어 표기를 포함한 문서모호한 표현이 구체적으로 지적된 문서빈 문단이 포함된 문서 둘러보기 메뉴 개인 도구 로그인하지 않음토론기여계정 만들기로그인 이름공간 문서토론 변수 보기 읽기편집역사 보기 더 보기 검색 둘러보기 대문사용자 모임요즘 화제최근 [UNK] 문서 보기임의 문서로도움말기부 도구 여기를 가리키는 문서가리키는 글의 최근 [UNK] 올리기특수 문서 목록고유 링크문서 정보위키데이터 항목이 문서 인용하기 다른 프로젝트 공용 인쇄 / 내보내기 책 만들기PDF로 다운로드인쇄용 판 다른 언어 [UNK] 日 本 語 링크 편집 이 문서는 2019년 5월 11일 ( 토 ) 16 : 31에 마지막으로
isier, 파리, 프랑스 2003년 ISBN 2 - 7462 - 0671 - 4 ↑ B. [UNK] 발리거 ( B. Jayant Baliga ) ( B. Jayant Baliga ), 전력 반도체 소자, PWS 출판사, 1996년, 페이지 398 ISBN 0 - 534 - 94098 - 6 ↑ 두캔 A. 그랜트 ( Duncan A. Grant ), 존 고워 ( John Gowar ) 전력 모스펫 : 이론과 응용, John Wiley and Sons, Inc. ISBN 0 - 471 - 82867 - X, 1989 참조 [ 편집 ] " 전력 반도체 소자 ", B. [UNK] 발리거 ( B. Jayant Baliga ), PWS 출판사, 보스턴. ISBN 0 - 534 - 94098 - 6 vdeh반도체분류 P형 반도체 N형 반도체 진성 반도체
전력 모스펫(Power MOSFET)은 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)의 특정 종류이다. 다른 전력 반도체 소자 (절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)(IGBT), 사이리스터들에 비해 주요한 장점은 낮은 전압에서 통신 속도가 빠르고 효율이 좋다는 것이다. 이것은 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)의 격리된 게이트와 공유되어 신호인가를 쉽게 한다. 이것은 시모스 기술이 발전함에 따라 제조가 가능했으며 1970년대 후반에 집적회로 제조가 개발되었다. 전력 모스펫은 저전력 중 하나인 측면 모스펫의 동작법칙을 공유한다. 전력 모스펫은 저전력 (대충 200 V 이하) 스위치로 가장 널리 사용된다. 이것은 대부분의 전원 공급장치, 직류-직류 변환기, 저전압 모터 제어기에서 찾아볼 수 있다.