멤리스터 - 위키백과, 우리 모두의 백과사전 멤리스터 위키백과, 우리 모두의 백과사전. 둘러보기로 가기 검색하러 가기 비슷한 이름의 메미스터에 관해서는 해당 문서를 참조하십시오. 멤리스터종류 수동목적 전기 저항발명 Leon Chua ( 1971년 ) 최초 도입 HP 랩스 ( 2008년 ) 전기 기호 멤리스터 ( memristor : / / ; 메모리와 저항의 합성어 ) 는 전하와 자속과의 결합에 관련된 비선형 수동 두단자 전기 구성요소로, 이론가 Leon Chua에 의해 1971년도에 만들어진 용어이다. [ 1 ] 이전까지 수동소자라고 하면 R, L, C 밖에 없었는데 하나가 더 추가된 것이다. 전압과 전류의 관계에서 저항 ( R ) 이 나오고 ( 즉, V / I = R ), 전압과 전하량 사이에서 콘덴서 ( 미국에선 커패시터 ) 가 나오고 ( Q = CV, C = Q / V ) 전류와 자장 플럭스 사이에 인덕터 ( L = 자장 / 전류 ) 가 연결된다. 자장 플럭스와 전하사이의 수동소자를 멤리스터 ( M = 자속 / 전하량 = ( 자속 / 시간 ) ( 자속 / 시간 ) / ( 전하량 / 시간 ) = V / I ) 라
##으로 나타났다. E s w i t c h = V 2 T o f f T o n d t M ( q ( t ) ( t ) ) = V 2 Q o f f Q o n d q I ( q ) M ( q ) = V 2 Q o f f Q o n d q V ( q ) = V Q { displaystyle E - { mathrm { switch } } = V ^ { 2 } int - { T - { mathrm { off } } } ^ { T - { mathrm { on } } } { frac { mathrm { d } t } { M ( q ( t ) ( t ) ) } } = V ^ { 2 } int - { Q - { mathrm { off } } } ^ { Q - { mathrm { on } } } { frac { mathrm { d } q } { I ( q ) M ( q ) } } = V ^ { 2 } int - { Q - { mathrm { off } } } ^ { Q - { mathrm { on } } } { frac { mathrm { d } q } { V ( q ) } } = V
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( t ) ( t ), q ( t ) ) = 0 } magnetic flux linkage, 인덕터의 회로 특성에서 일반화되었다. 그러나 멤리스터에 자기장은 나타나지 않는다. 이의 물리적 의미는 아래에 설명되어 있다. 기호 시간축에 대한 전압의 적분으로 간주될 수 있다. [ 31 ] q 사이의 관계에서, 서로에 대한 하나의 유도체가 하나의 값 또는 다른 값에 따라 의존적이다. 따라서 각 memristor는 전하와 함께 자속 변화율 ( 전하관련율 ) 을 설명하는 memristance 기능을 가진다. M ( q ) = d m d q { displaystyle M ( q ) = { frac { mathrm { d } Phi - { m } } { mathrm { d } q } } } 자속을 전압의 시적분으로 대체하고, 전류의 시적분을 전하로 대체한다면, 수식은 더 간단해진다. M ( q ( t ) ( t ) ) = d m / d t d q / d t = V ( t ) I ( t ) { displaystyle M ( q ( t ) ( t ) ) = { cfrac { mathrm { d } Ph
##에서, Chua는 비선형의 저항체들 ( 전압 vs 전류 ), 비선형의 커패시터 ( 전압 vs 충전 ) 그리고 비선형의 인덕터 ( 자속결합 vs 전류 ) 들 간의 대칭성을 개념적으로 추정했다. 그 후에 그는 자속 및 충전과 전하결합, 기본적인 다른 비선형 회로의 소자인 memristor등의 가능성을 유추했다. 선형저항 또는 비선형 저항과 대조적으로 memristor에는 과거의 전압이나 전류의 이력이 포함된 역동적인 전압 / 전류 관계가 있다. 다른 과학자는 Bernad Widow의 Memistor를 동적 메모리저항으로 제안했다. 그러나 Chua는 수학의 일반성을 도입하려고 시도했다. memristor의 저항은 ( varistor에서 처럼 입력에서의 순간적인 값보다 ) 단자에 인가되는 입력의 적분 값에 의해 결정된다. [ 4 ] 전류의 마지막 양의 요소가 통과할 때 " 기억 " 하기 때문에 그것은 Chua에 의해 memristor라고 이름 붙여졌다. memristor는 전류의 시간 적분인 전하와 전압의 시간 적분인 선속 ( magnetic flux ) 사이의 연결하는 두 단자 수동 ( passive two - terminal ) 회로 소자로
##tyle M ( q ( t ) ( t ) ) = { cfrac { mathrm { d } Phi - { m } / mathrm { d } t } { mathrm { d } q / mathrm { d } t } } = { frac { V ( t ) } { I ( t ) } } } 저항, 캐패시터, 인덕터와 memristor를 연관시키기 위해, 장치의 특징을 나타내는 M ( q ) 를 분리하고 미분방정식으로 작성하는 것이 유용하다. 소자 특별한 성질 ( 단위 ) 미분방정식 Resistor ( R ) Resistance ( V / A, 또는 ohm, ) R = dV / dI Capacitor Capacitance ( C / V, 또는 farad ) C = dq / dV Inductor ( L ) Inductance ( Wb / A, 또는 henry ) L = / dI Memristor ( M ) Memristance ( Wb / C, or ohm ) M = / dq 위 표는 I, Q,, 그리고 V의 미분값을 다룬다. 어떠한 장치도 dI 를 dq에 연결할 수 없고, 또는 를 dV 에 연결할 수 없다
##itching memories are memristors ", 《 Applied Physics A 》 102 ( 4 ) : 765 - 783, Bibcode : 2011ApPhA. 102.. 765C, doi : 10. 1007 / s00339 - 011 - 6264 - 9 ↑ 가 나 다 라 마 바 사 Strukov, D. B. ; Snider, G. S. ; Stewart, D. R. ; Williams, S. R. ( 2008 ), " The missing memristor found ", 《 Nature 》 453 ( 7191 ) : 80 - 83, Bibcode : 2008Natur. 453... 80S, PMID 18451858, doi : 10. 1038 / nature06932 ↑ 《 Memristor FAQ 》, Hewlett - Packard, 2010년 9월 3일에 확인함 ↑ 가 나 다 라 마 Valov, I. ; 외. ( 2013 ), " Nanobatteries in redox - based resistive switches require extension of memristor theory ", 《 Nature Communications 》 4 ( 4 ), Bibcode : 2013NatC
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예를 들어 멤리스터 ( memristor ) 는 전압 - 전류 특성이 pinched hysteretic loop를 보이고, 멤캐패시터 ( memcapacitor ) 는 전압 - 전하 특성이 pinched hysteretic loop를 보인다. 그리고 멤인덕터 ( meminductor ) 는 자속 - 전류 특성이 pinched hysteretic loop를 보인다. 각주 [ 편집 ] ↑ 가 나 다 Chua, L. O. ( 1971 ), " Memristor - The Missing Circuit Element ", 《 IEEE Transactions on Circuit Theory 》, CT - 18 ( 5 ) : 507 - 519, doi : 10. 1109 / TCT. 1971. 1083337 ↑ D. B. Strukov, G. S. Snide, D. R. Stewart, and R. S. Williams, " The missing memristor found ", Nature 453, 80 - 83, 2008 ↑ 가 나 다 라 마 Chua, L. O. ( 2011 ), " Resistance switching memories are memristors ", 《 Applied Physics A 》 102 ( 4 ) : 765
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멤리스터(memristor : /ˈmɛmrɪstər/; 메모리와 저항의 합성어)는 전하와 자속과의 결합에 관련된 비선형 수동 두단자 전기 구성요소로, 이론가 Leon Chua에 의해 1971년도에 만들어진 용어이다. 이전까지 수동소자라고 하면 R, L, C 밖에 없었는데 하나가 더 추가된 것이다. 전압과 전류의 관계에서 저항(R)이 나오고(즉, V/I=R), 전압과 전하량 사이에서 콘덴서(미국에선 커패시터)가 나오고(Q=CV, C=Q/V) 전류와 자장 플럭스 사이에 인덕터(L=자장/전류)가 연결된다. 자장 플럭스와 전하사이의 수동소자를 멤리스터(M=자속/전하량=(자속/시간)(자속/시간)/(전하량/시간)=V/I)라 한다. 최근 RRAM 소자의 동작이 멤리스터 개념에 연결되었다. 특성적인 내용을 만드는 수학적 관계에서, 멤리스터는 다음의 방법으로 동작할 것이다라고 가설을 세웠다. 멤리스터의 전기적 저항은 일정하지 않고 그 소자를 통해 이전에 흘렀던 전류의 이력(과거 정보)에 따라 달라진다. 즉 멤리스터의 현재 저항은 이 멤리스터의 두 단자 사이로 많은 전하가 과거에 어떤 방향으로 어떻게 흘렀는지에 따라 달라진다. 이 소자는 이력 소위 비휘발 특성을 기억한다. 전력 공급이 끊어질 때 멤리스터는 가장 최근의 저항을 다시 전력이 들어올 때까지 기억한다.Leon Chua는 최근에 저항 스위칭 효과를 기초로 하는 두 단자 비휘발성 메모리 소자에 멤리스터의 정의를 일반화할 수 있다고 주장했다. 그러나, 어떤 실험적 증거는 이 주장과 대치되는데, 비 수동 나노배터리(nanobattery) 효과가 저항 스위칭 메모리에서도 관찰되었다. 그 후 Chua는 멤리스터가 실질적으로 R, L, C 에 앞선, 가장 오래전에 알려진 회로소자라고 주장했다.2008년에 , HP 실험실의 한팀이 titanium dioxide 박막의 해석을 기초로 Chua의 빠뜨린 멤리스터를 찾았다고 발표했다. 그 HP의 결과는 네이처 지에 게제되었다. 멤리스터는 HP, SK Hynix, HRL 실험실을 포함한 여러 팀들에 의해 여전히 개발 중이다. 멤리스터 소자는 나노전자 메모리, 컴퓨터 논리, 뇌의 형태를 가진/뇌 멤리스터 컴퓨터 구조 등에 응용될 수 있다. 2011년 10월에 HP 팀은 18개월 이내에 플래시 메모리, SSD, DRAM, SRAM을 대체할 수 있는 멤리스터 기술의 상용화 가능성을 발표했다. 새로운 메모리의 상업적 이용은 최근 2018년으로 추정되었다. 2012년 3월에, 미시간 대학교와 HRL Laboratories 팀이 세계에서 첫 번째로 동작하는 CMOS chip 기반 멤리스터 어레이를 발표했다.