 글로벌 1위 반도체 위탁생산업체(파운드리)인 대만의 TSMC가 3나노 반도체 설비 구축에 들어갔다.
  파운드리 분야의 미세 공정 기술 경쟁에서 3나노 공정은 삼성전자가 먼저 개발했지만 양산을 위한 설비 구축에선 TSMC가 치고 나가고 있다.
     TSMC, 28조원 투입해 3나노 라인 건설  대만의 디지타임스는 9일(현지시간) "TSMC가 3나노 공장 설비를 설치하고 있다"고 보도했다.
  신문은 앞서 지난 3월 TSMC가 7000억 대만달러(28조원)를 들여 타이난시 남대만 과학공원에 3나노급 반도체 생산라인 건설에 들어간다고 보도한 바 있다.
  이 계획이 속도를 내고 있다는 뜻이다.
  디지타임스는 “2021년 시험 생산, 2022년 하반기 양산한다는 TSMC의 계획이 예정대로 진행되고 있다”고 전했다.
    미세 공정은 누가 더 세밀한 반도체를 만들 수 있느냐의 경쟁이다.
  나노(㎚ㆍ10억분의 1m) 단위의 광원을 통해 세밀한 회로를 그려내는 것인데, 굵기가 얇을수록 반도체의 성능과 전력효율이 뛰어나다.
  3나노는 머리카락 굵기의 3만분의 1에 불과하다.
  칩 면적도 5나노 제품과 비교해 35% 이상 줄어든다.
   3나노 반도체는 AI(인공지능), 5G, 자율주행차, 클라우딩 컴퓨터 등에 적용된다.
  스마트폰, 특히 폴더블 폰 등에도 긴요한 기술이다.
  애플, 화웨이, 구글, 엔비디아, 삼성전자 등이 3나노 반도체의 주요 잠재고객이 될 것으로 보인다.
  현재 세계에서 5나노 이하 미세 공정 기술을 확보한 곳은 삼성전자와 TSMC 두 곳뿐이다.
  올 1분기 기준 세계 파운드리 시장 점유율은 TSMC가 54.
 1%로 1위, 삼성전자가 15.
 9%로 2위다.
  삼성, 3나노 공정 기술은 TSMC보다 빨리 개발   반도체 업계에서는 3나노 공정 기술에서는 삼성이 TSMC에 뒤지지 않는다고 본다.
  삼성전자는 이미 2018년 세계 최초로 3나노 공정 기술을 개발했다.
  특히 자체 개발한 GAA(Gate-All-Around) 기술을 활용해 만든다는 계획이 큰 주목을 받았다.
  GAA 기술은 반도체 소자의 전류 흐름을 조절하는 트랜지스터를 입체 구조로 만들어 전력효율을 높이고, 발열이나 전류 누설 같은 문제를 해결할 수 있는 장점이 있다.
     TSMC는 지난 4월로 예정됐던 북미 기술 심포지엄에서 3나노 공정 기술을 공개할 방침이었지만 신종 코로나바이러스 감염증(코로나19)으로 행사를 8월로 연기했다.
 
글로벌 1위 반도체 위탁생산업체(파운드리)인 대만의 TSMC가 3나노 반도체 설비 구축에 들어갔다. 파운드리 분야의 미세 공정 기술 경쟁에서 3나노 공정은 삼성전자가 먼저 개발했지만 양산을 위한 설비 구축에선 TSMC가 치고 나가고 있다. TSMC, 28조원 투입해 3나노 라인 건설 대만의 디지타임스는 9일(현지시간) "TSMC가 3나노 공장 설비를 설치하고 있다"고 보도했다.