Using an in situ technique, stress was measured as a function of annealing temperature to investigate the effect of phosphorous and boron doping of silicon dioxide glass films deposited by low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD). ###>Les effets du dopage des verres de silice, déposés en phase vapeur sous basse pression, sur la contrainte mécanique ont été mesurés in situ en fonction de la température de recuit.