論文のアブストラクトからタイトルを作ってください。
電子ガスに直接励起すると、縮退n-ドープリン化インジウムナノワイヤにおいてアンチストークスフォトルミネセンスが観察できることが最近見出された。このアンチストークス機構はこれまで観察されたことがなく、標準的なフォトルミネセンス技術を使用してキャリアの緩和と再結合を研究することを可能にする。このアンチストークスフォトルミネセンスがバルク半導体でも発生するかどうか、ならびにそのキャリア再結合・緩和との関係を知ることは重要である。ここで我々は、同様のアンチストークスフォトルミネセンスが、実際に縮退ドープバルクリン化インジウムおよびヒ化ガリウムで観察することができ、フォノンによる少数キャリアの高運動量への散乱によって起こることを示す。加えて我々は、放射性電子－正孔再結合は高い運動量保存特性を有し、光生成された少数キャリアは低温でバンド端に緩和する前に再結合することも発見する。これらの観察結果は、高ドープデバイスの分析における少数キャリアの熱化を仮定するモデルの使用に疑問を投げかける。
アンチストークスフォトルミネセンスによる縮退ドープ半導体における少数キャリアのk-保存と熱化の調査