((Traduction automatisée par Reuters, veuillez consulter la clause de non-responsabilité https://bit.ly/rtrsauto))
*
Des sources indiquent que Samsung utilisera la technologie MUF pour sa production de puces HBM
*
Samsung a récemment émis des bons de commande pour l'outil MUF, selon des sources
*
Samsung déclare que les "rumeurs" concernant l'utilisation de la technologie MUF sont "fausses"
(Samsung réfute les estimations des analystes concernant son taux de production de puces dans le 10ème paragraphe et met à jour les actions) par Heekyong Yang
Samsung Electronics 005930.KS prévoit d'utiliser une technologie de fabrication de puces défendue par son rival SK Hynix, ont déclaré cinq personnes, alors que le premier fabricant mondial de puces mémoire cherche à rattraper son retard dans la course à la production de puces haut de gamme utilisées pour alimenter l'intelligence artificielle.
La demande de puces de mémoire à large bande passante (HBM) a explosé avec la popularité croissante de l'intelligence artificielle générative. Mais Samsung, contrairement à ses pairs SK Hynix 000660.KS et Micron Technology MU.O , a brillé par son absence dans les négociations avec Nvidia NVDA.O , leader des puces d'intelligence artificielle, pour la fourniture des dernières puces HBM.
Selon les analystes et les observateurs du secteur, l'une des raisons pour lesquelles Samsung a pris du retard est sa décision de s'en tenir à la technologie de fabrication de puces appelée film non conducteur (NCF), qui pose certains problèmes de production, alors qu'Hynix est passé à la méthode de remplissage par refusion de masse (mass reflow molded underfill) (MR-MUF) pour remédier aux faiblesses de la technologie NCF.
Toutefois, Samsung a récemment émis des bons de commande pour des équipements de fabrication de puces conçus pour la technique MUF, ont déclaré trois sources ayant une connaissance directe de la question.
"Samsung devait faire quelque chose pour augmenter le rendement de sa production HBM ()... l'adoption de la technique MUF est un peu une façon d'avaler sa fierté pour Samsung, parce qu'elle a fini par suivre la technique utilisée pour la première fois par SK Hynix", a déclaré l'une des sources.
Samsung a déclaré que sa technologie NCF était une "solution optimale" pour les produits HBM et qu'elle serait utilisée dans ses nouvelles puces HBM3E. "Nous menons nos activités relatives aux produits HBM3E comme prévu", a déclaré Samsung en réponse aux questions de Reuters sur l'article.
Après la publication de l'article, Samsung a publié une déclaration indiquant que "les rumeurs selon lesquelles Samsung appliquerait la technologie MR-MUF à sa production HBM ne sont pas fondées".
Les puces HBM3 et HBM3E sont les versions les plus récentes des puces de mémoire à large bande passante qui sont intégrées aux microprocesseurs de base pour aider à traiter de grandes quantités de données dans le cadre de l'IA générative.
Les rendements de production des puces HBM3 de Samsung s'élèvent à environ 10-20 %, derrière SK Hynix qui a obtenu des taux de rendement d'environ 60-70 % pour sa production HBM3, selon plusieurs analystes.
Samsung a réfuté les estimations des rendements de production et a déclaré qu'elle avait obtenu un "taux de rendement stable", sans donner plus de détails.
Selon l'une des sources, Samsung est déjà en pourparlers avec des fabricants de matériaux, dont le japonais Nagase 8012.T , pour s'approvisionner en matériaux MUF. Mais la production de masse des puces haut de gamme utilisant le MUF ne sera probablement pas prête avant l'année prochaine au plus tôt, car Samsung doit effectuer davantage de tests, a ajouté la personne.
Les trois sources susmentionnées ont déclaré que Samsung prévoyait d'utiliser les techniques NCF et MUF pour sa dernière puce HBM.
Toutes les sources ont parlé sous le couvert de l'anonymat, car les informations ne sont pas publiques.
Nvidia et Nagase ont refusé de commenter.
Selon le cabinet d'études TrendForce, le marché des puces HBM devrait plus que doubler cette année pour atteindre près de 9 milliards de dollars en raison de la demande liée à l'IA.
NCF VERSUS MUF
La technologie de fabrication de puces à film non conducteur a été largement utilisée par les fabricants de puces pour empiler plusieurs couches de puces dans un jeu de puces compact à mémoire à large bande passante, car l'utilisation d'un film mince compressé thermiquement permet de minimiser l'espace entre les puces empilées.
Cependant, les matériaux adhésifs posent souvent des problèmes, car la fabrication se complique au fur et à mesure que l'on ajoute des couches. Samsung indique que sa dernière puce HBM3E comporte 12 couches. Les fabricants de puces ont cherché des alternatives pour remédier à ces faiblesses.
SK Hynix est passé avant les autres à la technique de l'underfill moulé par refusion de masse, devenant ainsi le premier fournisseur de puces HBM3 à Nvidia.
Selon Jeff Kim, analyste chez KB Securities, la part de marché de SK Hynix dans les produits HBM3 et les produits HBM plus avancés destinés à Nvidia est estimée à plus de 80 % cette année.
Micron a rejoint la course aux puces de mémoire à large bande le mois dernier, en annonçant que sa dernière puce HBM3E serait adoptée par Nvidia pour alimenter les puces H200 Tensor de cette dernière, qui commenceront à être expédiées au deuxième trimestre.
La série HBM3 de Samsung n'a pas encore passé le cap de la qualification de Nvidia pour les accords de fourniture, selon l'une des quatre sources et une autre personne ayant connaissance de la discussion.
Son recul dans la course aux puces d'intelligence artificielle a également été remarqué par les investisseurs, ses actions ayant chuté de 6 % cette année, derrière SK Hynix et Micron qui ont augmenté de 16 % et 14 %, respectivement.
Mercredi, les actions de SK Hynix ont clôturé en baisse de 1,3 %, tandis que Samsung a augmenté de 1 %, battant une hausse de 0,4 % sur le marché plus large .KS11 .