Свойствата на полупроводниците зависят силно от наличието на примеси. Посочете вярното твърдение. IV група. полупроводника намалява. n преходи. 
Чрез редуване на слоеве чист силиций и слоеве от даден примес в кристала се създават p– Всеки примесен атом внася в кристала по един n- и един p-носител и съпротивлението на Видът на примесните атоми определя какъв тип проводимост има полупроводникът. За създаване на примесна проводимост в силиций се използват само атоми на елементи от
A B C D
n-проводимост се получава чрез въвеждане на петвалентни примеси (донори) – в кристала се получават свободни електрони. Динисторът има 4-слойна структура от два P и два N кристала (подредени последователно P N P N). Към силиция се прибавят примеси (най-често бор или фосфор), които променят електрическите свойства на силиция (при прибавяне на бор се получава n-силиций (с n-проводимост), а при прибавяне на фосфор – p-силиций (с p-проводимост)). Модерните полупроводникови диоди са направени предимно от силиций, към който са добавени примеси за създаване на полупроводников P-N преход. Използва се за отлагане на диелектрични тънки слоеве и поликристален силиций. Чрез въвеждането на примеси може да се влияе върху свойствата на полупроводниците, тъй като те изменят съотношението между двата типа проводимост. Изградена е в опус клоазоне – редуване на слоеве квадратни камъни и тухли. Най-разпространените P-I-N фотодиоди са направени от силиций. Тези 4 кристала формират три P-N прехода. Тези 4 кристала формират три P-N прехода. Означаваме това твърдение с "P"("n"). През 50-те години за направата на фотодиоди започват все повече да се използват p-n преходи на германий (Ge), силиций (Si) и други полупроводникови материали. P и N области от силиций се нанасят върху подложка, която служи за основа. SQUID) се състои от два свръхпроводника разделени от тънки изолиращи слоеве образуващи Джозефсонови преходи. Те са въведени като понятие, за да улеснят теорията на полупроводниците и съответстват на липсата на електрони в кристалната решетка на полупроводника, което се получава при добавяне на определен примес. В производството на слънчеви батерии също се използват тънки слоеве, като върху поликристални подложки от силиций с дебелина 0,25 – 0,30 mm се създава p-n преход с дебелина няколко микрона, а отгоре се нанасят противоотражателни покрития, които увеличават количеството на погълната светлина. Системата регистрира тежки йони с енергии от 6 до 200 MeV, използвайки слоеве от монокристален силиций. Най-старите слоеве от населено място датират от IV хил. Това впечатление обикновено се постига чрез слоеве от ударни инструменти. Различните цветовете са причинени от наличието на малки количества примеси и следи от елементи, като зависят от мястото на формиране на камъка. Електронните слоеве се отбелязват като K, L, M, N, O, P и Q или 1, 2, 3, 4, 5, 6, и 7 броено отвътре навън. Над слоя на кварцитите се намират отново сиви и сивочерни филити с примеси на графит и неравномерни слоеве от кристализирал варовик и доломит. Присъстват и вулканични слоеве (планинската група Карадаг). Седиментни слоеве от глина и тиня, както и слоеве от пясъчник и баластра. Архитектура съставена от слоеве разделя отговорнoстите на приложението в така наречените "събрани групи"(слоеве). Динисторът има 4-слойна структура от два P и два N кристала (подредени последователно P N P N). Означаваме това твърдение с "P"("n"). Тези 4 кристала формират три P-N прехода. Тези 4 кристала формират три P-N прехода. В един p-n диод, електрическият ток може да тече от p-частта (анода) към n-частта (катода), но не и в обратната посока. Например множеството от ротации на един правилен n-ъгълник е група с n елемента. n-проводимост се получава чрез въвеждане на петвалентни примеси (донори) – в кристала се получават свободни електрони. P-n преход

p-n преход е област на съприкосновение на полупроводници с различна проводимост, където p-проводимостта (p, – положителен) преминава в n-проводимост (n, – отрицателен). Най-разпространените тиристори имат четирислойна р-n-p-n структура и три p-n-прехода. Ултравиолетовите лъчи с по-ниска енергия и видимите лъчи предизвикват π-n, n-π* и n-σ* преходи. Този градиент на концентрацията е причина за появата на два дифузионни потока: на P носители от Р към n областта и на n към Р. Резултатният дифузионен ток през P-n прехода е:

Проникналите P носители в n областта рекомбинират с електроните, поради което концентрацията на електроните в тази област намалява. Напоследък в някои случаи под „фототранзистор“ се разбира транзистор ("p-n-p" или "n-p-n") с изключена база, който едновременно играе ролята и на индикатор, и на усилвател на тока. Както и при асинхронния двигател и тук оборотите n зависят от:

n= 2*60f/p където f – е честотата на мрежата, p – е чифтове полюси

Пускането на синхронния двигател е един от най-важните му режими на работа, имайки предвид че скоростта на въртене зависи от честотата на захранващото напрежение. В научните среди се водят спорове за връзката между сибирския ("N. p. ussuriensis") и китайския ("N. p. procyonoides") подвид от една страна и японския ("N. p. viverrinus") подвид — от друга. Отличителна черта на CMOS схемите в сравнение с други MOS-структури (N-MOS, P-MOS) е наличието както на n-, така и на p-канални полеви транзистори; вследствие на това CMOS схемите притежават по-високо бързодействие и по-ниско потребление. Най-разпространеният вариант на bucket sort, който оперира с лист от "n" числа между 0 и максимално число "M", разделяйки стойностите в интервали – "n" „контейнера“, всеки един с размер от "M"/"n". Носителите на заряд рекомбинират P-N кръстопътя, като електроните преминават от N-региона и се рекомбинират с действащите в P-регион дупки. Анодът на динистора е оформен на кристала P, а катодът е на N. Динисторът представлява всъщност тиристор без управляващ електрод. Тунелните диоди са плоскостни диоди със силно легирани (с голяма концентрация на примеси) Р и N области. При право включване съпротивлението на диода е малко, тъй като инжектираните от P и N областите в I областта токоносители я правят проводима. Групата на симетрия на един правилен "n"-ъгълник е диедрална група "D" (от ред 2"n"): "D", "D", "D"... Тя се състои от ротациите в "C" (има ротационна симетрия от "n" ред), плюс рефлекционна симетрия по "n" оси, които минават през центъра. 1, p. 42, n°59 = Espérandieu, 1893, n°18, tab. 1, p. 41, n°57 = Espérandieu, 1893, n°17, tab. Модерните полупроводникови диоди са направени предимно от силиций, към който са добавени примеси за създаване на полупроводников P-N преход. Той има 4-слойна структура от два P и два N кристала (подредени последователно P1 N1 P2 N2) или представлява pnpn диод. Чрез въвеждането на примеси може да се влияе върху свойствата на полупроводниците, тъй като те изменят съотношението между двата типа проводимост. Първата се нарича електронна проводимост (n-тип), а втората – дупчеста проводимост (р-тип). В зависимост от валентността на примесите, с които се дотира полупроводника (с тривалентни или петвалентни атоми), има полупроводникови материали с „дупчеста“ и с „електронна“ проводимост. Наличието на тези групи определя свойствата им. PIN диод

PIN диод e вид диод, в който между областите с p (дупчеста проводимост) и n (електронна проводимост) се намира нелегирана (intrinsic) област на полупроводника ( – същински). При нея комплементарни двойки MOS-транзистори (с n-тип проводимост и p-тип проводимост) образуват логически вериги. n-проводимост се получава чрез въвеждане на петвалентни примеси (донори) – в кристала се получават свободни електрони. Английският термин за този тип проводимост е "n-conductivity". От свойствата на почвообразуващата скала, обаче, зависят физичните и химичните свойства на почвения тип. Когато е необходимо епитаксиалният слой на полупроводника да притежава различна проводимост от тази на подложката, към па̀рите на SiCl се прибавят па̀ри на други халогенни съединения: например на бора (BCl) за p-проводимост или на фосфора (PCl) за n-проводимост. Собствената проводимост на полупроводниците може да се подобри, като се извърши дотиране с тривалентни или петвалентни атоми, които нарушават решетъчния строеж на кристала. Различните цветовете са причинени от наличието на малки количества примеси и следи от елементи, като зависят от мястото на формиране на камъка. Полупроводниците могат да се разделят на полупроводници със собствена проводимост (напр. Към силиция се прибавят примеси (най-често бор или фосфор), които променят електрическите свойства на силиция (при прибавяне на бор се получава n-силиций (с n-проводимост), а при прибавяне на фосфор – p-силиций (с p-проводимост)). P-n преход

p-n преход е област на съприкосновение на полупроводници с различна проводимост, където p-проводимостта (p, – положителен) преминава в n-проводимост (n, – отрицателен). поради наличието на примеси от други минерали. Заобикалящата го област е с противоположния тип проводимост, а между двете възниква P-N преход. Тунелните диоди са плоскостни диоди със силно легирани (с голяма концентрация на примеси) Р и N области. От състава на хумуса зависят до голяма степен свойствата на почвата. Каналът на полевия транзистор е или легиран (обогатен) с електрони, за да се получи полупроводник с n-тип проводимост, или пък е обеднен на електрони, за да се получи полупроводник с p-тип проводимост. Вътрешната структура на тиристора съдържа четири слоя с различна дебелина – широк слой с p-проводимост (слой p, анод), следван от много широк слой с n-проводимост (n, аноден управляващ електрод), много тънък слой с p-проводимост (p, катоден управляващ електрод) и широк слой с n-проводимост (n, катод). Свойствата на минералите зависят в голяма степен от техния химичен състав. Механизмът на действие на повечето полупроводникови елементи се основава на свойствата на P-n прехода – граничната област в полупроводников кристал между две обособени области с различна примесна проводимост. За разлика от изотропията, при анизотропията свойствата зависят от направлението. В зависимост от валентността на примесите, с които става дотирането, се различават електронна (или n-проводимост) и дупчеста (p-проводимост). Механизмът на действие на повечето полупроводникови елементи се основава на свойствата на P-n прехода – граничната област в полупроводников кристал между две обособени области с различна примесна проводимост. Чрез въвеждането на примеси може да се влияе върху свойствата на полупроводниците, тъй като те изменят съотношението между двата типа проводимост. Към силиция се прибавят примеси (най-често бор или фосфор), които променят електрическите свойства на силиция (при прибавяне на бор се получава n-силиций (с n-проводимост), а при прибавяне на фосфор – p-силиций (с p-проводимост)). Модерните полупроводникови диоди са направени предимно от силиций, към който са добавени примеси за създаване на полупроводников P-N преход. Електронна проводимост

Електронната проводимост е примесна проводимост на полупроводник. Дупчеста проводимост

Дупчестата проводимост (р-проводимост) е примесна проводимост на полупроводник. Различните цветовете са причинени от наличието на малки количества примеси и следи от елементи, като зависят от мястото на формиране на камъка. n-проводимост се получава чрез въвеждане на петвалентни примеси (донори) – в кристала се получават свободни електрони. Когато е необходимо епитаксиалният слой на полупроводника да притежава различна проводимост от тази на подложката, към па̀рите на SiCl се прибавят па̀ри на други халогенни съединения: например на бора (BCl) за p-проводимост или на фосфора (PCl) за n-проводимост. В допълнение към тях има примеси от оксиди на силиций, желязо, алуминий и други елементи. През 50-те години за направата на фотодиоди започват все повече да се използват p-n преходи на германий (Ge), силиций (Si) и други полупроводникови материали. В зависимост от валентността на примесите, с които се дотира полупроводника (с тривалентни или петвалентни атоми), има полупроводникови материали с „дупчеста“ и с „електронна“ проводимост. PIN диод

PIN диод e вид диод, в който между областите с p (дупчеста проводимост) и n (електронна проводимост) се намира нелегирана (intrinsic) област на полупроводника ( – същински). Собствената проводимост на полупроводниците може да се подобри, като се извърши дотиране с тривалентни или петвалентни атоми, които нарушават решетъчния строеж на кристала. Някои от тях имат намаляващи елементи, които зависят от размера на сортирания масив "(N)". Полупроводниците могат да се разделят на полупроводници със собствена проводимост (напр. Освен въглерод, стоманите съдържат и други елементи – манган, фосфор, сяра, силиций, следи от кислород, азот и алуминий, които обикновено се разделят на легиращи елементи и примеси. Диодите, в съчетание с други компоненти, могат да образуват логически елементи като „И“ и „ИЛИ“

Диодите могат да се използват за измерване на температура, тъй като свойствата им зависят от нея. Когато в един полупроводников кристал (типично от силиций (Si) или германий (Ge), които са от IV група) част от атомите в решетката са заменени от атоми от III група (предимно бор (B)). За получаването на този преход се правят добавки от примеси, създаващи съответно електронна и дупчеста проводимост. поради наличието на примеси от други минерали. P-n преход

p-n преход е област на съприкосновение на полупроводници с различна проводимост, където p-проводимостта (p, – положителен) преминава в n-проводимост (n, – отрицателен). Свойствата на минералите зависят в голяма степен от техния химичен състав. За разлика от изотропията, при анизотропията свойствата зависят от направлението. Тъй като свойствата на течностите почти не зависят от налягането е достатъчно да се зададе само критичната температура "Tc".