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### 제목: 경기도, 시스템반도체 소재 ‘국산화’ 통한 경쟁력 강화 추진

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경기도가 초고속 통신에 사용되는 시스템 컴퓨터 소재 국산화를 추진한다. 도는 오는 2022년까지 총 30억 원의 사업비를 투입, 한국나노기술원과 함께'시스템 소재 국산화 연구 지원 사업"을 추진할 계획이라고 24일 밝혔다. 이번 프로젝트를 통해 도는 초고속 통신에 사용되는 인듐갈륨비소(InGaAs)에피웨이퍼와 이를 이용한 고전도 통신 소자(HEMT)를 국산화는 계획이다. 인듐갈륨비소(InGaAs)에피웨이퍼는 갈륨비소, 실리콘웨이퍼 등 물질의 표면에 별도 화합물 반도체층을 형성을는 것으로, 현재 사용되는 실리콘 웨이퍼 보다 다양한 기술과 성능을 구현할 수 있는 시스템 반도체 소재다. 5G, 사물인터넷(IoT), 자율 차 등의'4차 산업혁명"실현을 위한 핵심부품을 제작하는 등 사용되는 소재인 만큼 수요가 갈수록 증가할 것으로 예상되고 있다. 도는은 개발비용과 연구인력, 인프라 등이 요구돼 중소기업 차원의 개발이 어려워 중국과 일본 등 해외 수입에 의존하고 있다. 도는 향후 3년간 개발비 투자를 통해 한국나노기술원이 인듐갈륨비소(InGaAs)에피웨이퍼 및 초고속 통신 소자(HEMT) 기술을 개발하도록 한 만큼 도내 중소기업과 대학, 연구소 등에 해당 소재를 제공, 시스템반도체 소재 독립 및 중소기업 매출 증대를 지원을 방침이다. <NAME> 도 과학기술과장은"해외 수출에 의존하고 있는 인듐갈륨비소(InGaAs)에피웨이퍼와 초저속 통신 소자(HEMT)를 국산화하게 될 경우, 시스템 반도체 소재 독립을 도모할 수 있는 기술력은 물론 기업적 매출도 크게 증가할 것으로 기대된다"라며"반도체 기술 독립을 위해 해외 의존도가 낮은 소재 부품의 국산화 연구 사업을 지속적으로 발굴해 나갈 것"이라고 말했다.<|endoftext|>