ROZPORZĄDZENIE RADY (WE) NR 2116/2005
z dnia 20 grudnia 2005 r.
zmieniające rozporządzenie (WE) nr 1480/2003 nakładające ostateczne cło wyrównawcze i stanowiące o ostatecznym poborze cła tymczasowego nałożonego na przywóz niektórych mikroukładów elektronicznych znanych jako pamięć DRAM (pamięć dynamiczna o dostępie bezpośrednim) pochodzących z Republiki Korei
RADA UNII EUROPEJSKIEJ,
uwzględniając Traktat ustanawiający Wspólnotę Europejską,
uwzględniając rozporządzenie Rady (WE) nr 2026/97 z dnia 6 października 1997 r. w sprawie ochrony przed przywozem towarów subsydiowanych z krajów niebędących członkami Wspólnoty Europejskiej (1) („rozporządzenie podstawowe”), w szczególności jego art. 24 ust. 3,
uwzględniając wniosek przedłożony przez Komisję po konsultacji z Komitetem Doradczym,
a także mając na uwadze, co następuje:
A. PROCEDURA
1. Obowiązujące środki
(1)
Na mocy rozporządzenia (WE) nr 1480/2003 (2) („rozporządzenie pierwotne”) Rada nałożyła ostateczne cło wyrównawcze w wysokości 34,8 % („cło wyrównawcze”) na przywóz niektórych mikroukładów elektronicznych znanych jako pamięci DRAM (pamięci dynamiczne o dostępie swobodnym), pochodzących z Republiki Korei, produkowanych przez wszystkie przedsiębiorstwa z wyjątkiem Samsung Electronics Co., Ltd („Samsung”), w stosunku do którego ustanowiono stawkę cła w wysokości 0 %.
(2)
W dochodzeniu, które doprowadziło do nałożenia obecnie obowiązujących środków („dochodzenie pierwotne”), współpracowało dwóch producentów eksportujących z siedzibą w Republice Korei - Samsung oraz Hynix Semiconductor Inc., z których ostatni posiada także zakład produkcyjny na terenie Stanów Zjednoczonych. W pierwotnym dochodzeniu przemysł wspólnotowy reprezentowany był przez dwóch producentów o większościowym udziale w łącznej wspólnotowej produkcji pamięci DRAM, tj. Infineon Technologies AG z Monachium (Niemcy) oraz Micron Europe Ltd z Crowthorne (Zjednoczone Królestwo).
2. Podstawy przeprowadzenia obecnego dochodzenia
(3)
W kontekście monitorowania środków ochrony handlu Komisję poinformowano, że istnieje prawdopodobieństwo, iż cło wyrównawcze obowiązujące wobec przywozu pamięci DRAM pochodzących z Republiki Korei nie jest nakładane na pewne przywożone pamięci DRAM.
3. Wszczęcie dochodzenia
(4)
Dnia 22 marca 2005 r. Komisja ogłosiła, na mocy zawiadomienia („zawiadomienie”) opublikowanego w Dzienniku Urzędowym Unii Europejskiej (3), wszczęcie dochodzenia zmierzającego do ustalenia, w jakiej mierze może zaistnieć konieczność przyjęcia przepisów szczególnych zgodnie z art. 24 ust. 3 rozporządzenia podstawowego, w celu zapewnienia właściwego nakładania cła wyrównawczego od przywozu pamięci DRAM pochodzących z Republiki Korei.
4. Oświadczenia
(5)
Komisja poinformowała drogą urzędową o wszczęciu obecnego dochodzenia władze kraju wywozu oraz wszelkie znane Komisji zainteresowane strony. Kopie zawiadomienia oraz dokumentów nieopatrzonych klauzulą poufności, w oparciu o które opublikowano zawiadomienie, wysłano do dwóch producentów eksportujących w Republice Korei, a także do importerów, użytkowników oraz dwóch producentów wspólnotowych, wymienionych w dochodzeniu pierwotnym lub znanych Komisji z innych źródeł. Zainteresowane strony miały możliwość wyrażenia swoich stanowisk na piśmie i złożenia wniosku o przesłuchanie w terminie określonym w zawiadomieniu.
(6)
Otrzymano oświadczenia dwóch producentów eksportujących z Republiki Korei oraz dwóch producentów i jednego użytkownika ze Wspólnoty. Z uwagi na dostępność wszystkich wymaganych informacji nie uznano za niezbędne przeprowadzenia wizyt weryfikacyjnych na terenie przedsiębiorstw, które złożyły oświadczenia.
B. PRODUKT OBJĘTY POSTĘPOWANIEM
(7)
Obecnym dochodzeniem objęty jest ten sam produkt, który objęty był dochodzeniem pierwotnym, tj. niektóre mikroukłady elektroniczne znane jako pamięci DRAM (pamięci dynamiczne o dostępie swobodnym), wszystkich typów, gęstości i odmian, także zmontowane, w postaci przetworzonych płytek półprzewodnikowych lub układów chipowych wykonane z zastosowaniem odmian technologii wytwarzania półprzewodników opartych na tlenkach metali (MOS), wraz z komplementarnymi typami MOS (CMOS), o wszystkich gęstościach (wraz z jeszcze nieistniejącymi), niezależnie od szybkości dostępu, konfiguracji, obudowy lub obramowania itp., pochodzące z Republiki Korei. Produkt objęty postępowaniem obejmuje również pamięci DRAM przedstawiane w postaci (standardowych) modułów pamięci lub (standardowych) kart pamięci, albo zagregowanych w inny sposób, pod warunkiem że ich głównym przeznaczeniem jest dostarczanie pamięci.
(8)
Produkt objęty postępowaniem jest obecnie oznaczony kodami CN 8542 21 11, 8542 21 13, 8542 21 15, 8542 21 17, ex 8542 21 01, ex 8542 21 05, ex 8548 90 10, ex 8473 30 10 oraz ex 8473 50 10.
C. WYNIKI DOCHODZENIA
(9)
W celu ustalenia, w jakim zakresie niezbędne może być wydanie przepisów szczególnych zapewniających prawidłowe nakładanie cła wyrównawczego, w dochodzeniu skupiono się na następujących elementach: 1) opis produktu objętego postępowaniem i jego przełożenie na Nomenklaturę Scaloną (CN)/nomenklaturę TARIC; oraz 2) anomalie stwierdzone w wyniku analizy obrotu handlowego produktem objętym postępowaniem, przywożonym do Wspólnoty.
1. Opis produktu objętego postępowaniem i jego przełożenie na nomenklaturę CN/TARIC
(10)
Artykuł 1 ust. 1 rozporządzenia pierwotnego stanowi, że produktem objętym postępowaniem, podlegającym cłu wyrównawczemu, są niektóre mikroukłady elektroniczne znane jako pamięci DRAM, wszystkich typów, pochodzące z Republiki Korei. Produkt objęty postępowaniem pozostaje nim bez względu na gęstość, szybkość dostępu, konfigurację, obudowę lub obramowanie itp. Ponadto w artykule wymieniono określony proces produkcji (odmiany technologii wytwarzania półprzewodników opartych na tlenkach metali, MOS, w tym komplementarne typy MOS, tj. CMOS).
(11)
Z jednej strony, art. 1 ust. 1 rozporządzenia pierwotnego określa kody CN/TARIC, którymi oznaczony jest przedmiotowy produkt. Tymi kodami CN/TARIC oznaczone są następujące typy pamięci DRAM: płytki półprzewodnikowe, układy chipowe (struktury półprzewodnikowe), pamięci (chipy montowane, tj. wraz z przyłączami i doprowadzeniami, także zamknięte w materiale ceramicznym, metalu, tworzywie sztucznym lub innym materiale, zwane dalej „montowanymi pamięciami DRAM” oraz znane pod nazwą handlową „komponenty pamięci DRAM”), a także moduły pamięci DRAM, płyty pamięciowe lub inne zagregowane formy (zwane dalej „kombinowanymi formami pamięci DRAM”).
(12)
Jeżeli chodzi o montowane pamięci DRAM, typ ten otrzymywany jest w tzw. procesie finalnym (ang. back-end process), podczas którego chipy są poddane montażowi (tj. połączeniu przewodem komórki pamięci na chipie ze złączami umieszczonymi na zewnątrz kapsuły), testowaniu (w celu sprawdzenia, czy zakapsułowane chipy działają) oraz procesowi znakowania.
(13)
Z drugiej strony, typami produktu objętego postępowaniem, o których wprost mowa w art. 1 ust. 1 rozporządzenia pierwotnego, są płytki półprzewodnikowe, struktury półprzewodnikowe (układy chipowe), zmontowane pamięci DRAM (tj. montowane pamięci DRAM i kombinowane formy pamięci DRAM) oraz pamięci DRAM przedstawiane w postaci (standardowych) modułów pamięci, kart pamięci lub zagregowane w inny sposób (zwane dalej „chipami DRAM i/lub montowanymi pamięciami DRAM wchodzącymi w skład kombinowanych form pamięci DRAM”).
(14)
Powyższe elementy wskazują, że opis produktu objętego postępowaniem oraz kody CN/TARIC nie pokrywają się w pełni. Z jednej strony, mimo że montowane pamięci DRAM bez wątpienia wchodzą w zakres definicji produktu objętego postępowaniem - która obejmuje wszystkie typy pamięci DRAM - oraz są w wyraźny sposób wspomniane przy opisach kodów CN/TARIC, o których mowa w art. 1 ust. 1 rozporządzenia pierwotnego, to w opisie produktu objętego postępowaniem określone zostały wieloznacznym terminem „zmontowane”, który dotyczy także kombinowanych form pamięci DRAM. Z drugiej strony, chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM wchodzące w skład kombinowanych form pamięci DRAM nie są w wyraźny sposób ujęte w opisie żadnego kodu CN/TARIC, o którym mowa w art. 1 ust. 1 rozporządzenia pierwotnego, mimo że wymienia się je wprost w opisie produktu objętego postępowaniem. W zapisie powyższego artykułu wyraźnie wymienia się albo pamięci DRAM w formach kombinowanych, albo chipy i montowane pamięci DRAM przywożone jako takie, w rezultacie czego nie nakładano do tej pory cła wyrównawczego na wymieniony wyżej typ pamięci DRAM.
(15)
Jeżeli chodzi o montowane pamięci DRAM, różnią się one zarówno od chipów DRAM, jak i kombinowanych form pamięci DRAM. W związku z tym, do celów spójności i pewności prawnej, stosowne jest, by opis produktu wyraźnie odnosił się do tej różnicy.
(16)
W odniesieniu do chipów DRAM lub montowanych pamięci DRAM wchodzących w skład kombinowanych form pamięci DRAM, nieoznaczenie ich w wyraźny sposób żadnym kodem CN/TARIC staje się istotne w sytuacjach, w których kombinowane formy pamięci DRAM nie pochodzą z Republiki Korei i w rezultacie nie podlegają cłu wyrównawczemu przy ich przywozie do Wspólnoty, mimo że zawierają chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzenia koreańskiego.
(17)
Zgodnie niezmienną praktyką interpretowania przez Państwa Członkowskie UE art. 24 Wspólnotowego Kodeksu Celnego (4) w oparciu o stanowisko negocjacyjne WE sformułowane w ramach Roboczego Programu Harmonizacji WTO, reguły niepreferencyjnego pochodzenia stosowane wobec kombinowanych form pamięci DRAM, oznaczonych kodami CN ex 8473 30 10, ex 8473 50 10 oraz ex 8548 90 10, stanowią, że krajem pochodzenia będzie ostatni kraj produkcji, w którym nastąpił przyrost wartości w wyniku przetworzenia lub obróbki oraz, w stosownych przypadkach, jeżeli włączenie części pochodzących z tego kraju stanowi co najmniej 45 % ceny ex-works kombinowanych form pamięci DRAM. W przypadku niespełniania tej reguły, pamięci DRAM uznawane są za pochodzące z kraju, z którego pochodzi główna część zastosowanych materiałów.
(18)
Dokumenty i dowody przedłożone w trakcie dochodzenia pozwoliły dojść do wniosku, że kombinowane formy pamięci DRAM pochodzenia innego niż koreańskie mogą zawierać w swoim składzie chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzenia koreańskiego. Wysunięcie powyższego wniosku umożliwiły trzy typy dowodów. Po pierwsze, uprawdopodobniono, że pewne kombinowane formy pamięci DRAM zadeklarowane jako pochodzące z krajów innych niż Republika Korei zawierały montowane pamięci DRAM pochodzące z Republiki Korei i wytwarzane przez przedsiębiorstwa podlegające cłu wyrównawczemu. Drugim dowodem była wiążąca informacja o pochodzeniu, ogłoszona w 2003 r., dotycząca kombinowanych form pamięci DRAM objętych kodem CN ex 8548 90 10 (kod TARIC 85489010*10); pamięci te zostały wyprodukowane częściowo w Stanach Zjednoczonych, a częściowo w Republice Korei. Po trzecie, przedłożono dwa artykuły prasowe zawierające wzmianki o tym, że reguły niepreferencyjnego pochodzenia stosowane we Wspólnocie pozwoliły przedsiębiorstwom koreańskim na wywóz do Wspólnoty chipów DRAM lub montowanych pamięci DRAM produkowanych przez przedsiębiorstwa koreańskie podlegające cłu wyrównawczemu, co możliwe było przez włączenie tych chipów lub pamięci w skład modułów DRAM, których pochodzenie deklarowano jako inne niż z Republiki Korei.
(19)
W związku z powyższym uznaje się, że niezbędne są przepisy szczególne, które zapewnią nakładanie cła wyrównawczego na chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM, produkowane przez przedsiębiorstwa podlegające cłu wyrównawczemu i włączone w skład kombinowanych form pamięci DRAM pochodzących z krajów innych niż Republika Korei.
(20)
Jedno z przedsiębiorstw objętych cłem wyrównawczym twierdziło, iż w momencie gdy chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM zostają włączone do kombinowanych form pamięci DRAM, nie mogą one już być uważane za produkt mogący być objęty cłem wyrównawczym. Uważa się jednak, że chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM włączone do kombinowanych form pamięci DRAM w dalszym ciągu zachowują swoje funkcje i właściwości. Fakt, że zostały one włączone do kombinowanych form pamięci DRAM nie powoduje, że ich cechy fizyczne lub techniczne ulegają zmianie. Ponadto funkcja, jaką spełniają kombinowane formy pamięci DRAM, czyli dostarczanie pamięci, jest dokładnie taka sama - aczkolwiek w większej skali - jak funkcja, którą spełniają rozpatrywane osobno chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM. W związku z powyższym włączenie do chipów DRAM lub montowanych pamięci DRAM do kombinowanych form pamięci DRAM nie zmienia ich właściwości i nie może stanowić podstawy do wyłączenia ich ze stosowania cła wyrównawczego. Wniosek ten został więc odrzucony.
(21)
To samo przedsiębiorstwo oraz rząd Republiki Korei twierdziły, że chipy DRAM oraz montowane pamięci DRAM, przedstawiane w postaci kombinowanych form pamięci DRAM, nie są wymienione w art. 1 ust. 1 rozporządzenia pierwotnego, ponieważ nie zostałyby one objęte pierwotnym postępowaniem. Jak stwierdzono w motywie 12, art. 1 ust. 1 pierwotnego rozporządzenia wyraźnie określa, iż cło wyrównawcze nałożone jest również na chipy DRAM oraz na montowane pamięci DRAM przedstawione w postaci kombinowanych form pamięci. Natomiast stwierdzenia, iż montowane pamięci DRAM przedstawiane w postaci kombinowanych form pamięci DRAM, nie zostałyby objęte pierwotnym postępowaniem, nie zostało poparte żadnymi dowodami. Przeciwnie, biorąc pod uwagę charakter otrzymanych subsydiów, całkowity poziom sprzedaży u przedsiębiorstw objętych postępowaniem został uwzględniony przy ustalania poziomu subsydiowania w ramach pierwotnego postępowania. W związku z powyższym wniosek ten został odrzucony.
2. Anomalie stwierdzone w wyniku analizy obrotu handlowego
(22)
W świetle reguł niepreferencyjnego pochodzenia towarów stosowanych we Wspólnocie w odniesieniu do pamięci DRAM, dokonano analizy obrotów handlowych w imporcie w odniesieniu do dwóch głównych kategorii produktu objętego postępowaniem: z jednej strony - płytek półprzewodnikowych DRAM, chipów DRAM oraz montowanych pamięci DRAM pochodzących z kraju, w którym przeprowadzany jest proces dyfuzji (5) oraz, z drugiej strony, kombinowanych form pamięci DRAM pochodzących z kraju spełniającego kryteria wskazane w motywie 17. Analiza objęła okres od maja 2003 r. do maja 2005 r. i opierała się na danych statystycznych Comext zebranych na poziomie kodu TARIC.
(23)
W odniesieniu do pierwszej kategorii produktu objętego postępowaniem, na podstawie informacji przedłożonych przez przemysł wspólnotowy ustalono, że proces dyfuzji obecnie prowadzony jest wyłącznie w następujących krajach spoza Wspólnoty (według zdolności produkcyjnych, w porządku malejącym): Republika Korei, Tajwan, Stany Zjednoczone, Japonia, Singapur oraz Chińska Republika Ludowa. Wynika z tego, że w przypadku przywożonych produktów, których pochodzenie deklarowano jako inne niż z wymienionych krajów, te deklaracje pochodzenia były nieprawidłowe. Fakt ten wydaje się szczególnie oczywisty w przypadku przywozu produktów o deklarowanym pochodzeniu z Malezji, Hongkongu i, w pewnym stopniu, z ChRL, gdyż kraje te mają jedynie ograniczone zdolności w zakresie przeprowadzania procesu dyfuzji. Poza wymienionymi krajami, w Comext zgłaszano też przypadki przywozu pamięci DRAM z innych krajów.
(24)
Ponieważ obowiązujące reguły niepreferencyjnego pochodzenia są wystarczająco jasne, a służby celne mogą zajmować się wszelkimi nieprawidłowymi wskazaniami pochodzenia w deklaracjach celnych w oparciu o obowiązujące prawodawstwo, uznaje się, że najwłaściwszym sposobem rozwiązania powstałego problemu jest regularne informowanie służb celnych w krajach, w których prowadzony jest proces dyfuzji, w celu przeprowadzenia właściwych kontroli.
(25)
W odniesieniu do drugiej kategorii produktu objętego postępowaniem ustalono, że kategoria ta stanowi zasadniczą część (73 %) wszystkich przywożonych do Wspólnoty typów pamięci DRAM. W szczególności, przywożone produkty tej kategorii deklarowane jako pochodzące z Malezji stanowiły 78 % wszystkich typów przywożonych z tego kraju; w przypadku Hongkongu udział ten wyniósł 95 %, a w przypadku ChRL - 93 %.
(26)
Jak wyjaśniono powyżej, w krajach wymienionych w motywie 25 albo w ogóle nie przeprowadza się procesu dyfuzji, albo prowadzi się go w ograniczonym zakresie. W tym względzie przedstawiono dowody wskazujące, że maksymalna wielkość wartości dodanej w tych krajach była prawdopodobnie niewystarczająca, by spełnić wymóg 45 % wartości dodanej, określony w obowiązujących obecnie regułach pochodzenia; jeszcze mniej prawdopodobne jest, by stanowiła ona główną część wartości procesu produkcyjnego.
(27)
W związku z powyższym uważa się za niezbędne przyjęcie przepisów szczególnych, które zapewnią poprawne deklarowanie pochodzenia kombinowanych form pamięci DRAM oraz umożliwią służbom celnym dokonywanie właściwych kontroli.
D. PROPONOWANE PRZEPISY SZCZEGÓLNE
(28)
W świetle powyższych ustaleń, uznaje się za niezbędne przyjęcie przepisów szczególnych, w celu:
a)
doprecyzowania opisu produktu objętego postępowaniem;
b)
zapewnienia poprawnego deklarowania pochodzenia kombinowanych form pamięci DRAM oraz umożliwienia służbom celnym dokonywania właściwych kontroli;
c)
zapewnienia nałożenia cła wyrównawczego na przywóz kombinowanych form pamięci DRAM pochodzących z krajów innych niż Republika Korei i zawierających chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzące z Republiki Korei;
d)
zapewnienia nałożenia cła wyrównawczego w przypadku braku informacji lub braku współpracy ze strony zgłaszającego.
(29)
Przepis szczególny, o którym mowa w motywie 28 lit. a), powinien zawierać klarowny opis produktu objętego postępowaniem, z wyróżnieniem wszystkich zróżnicowanych form pamięci DRAM; w opisie tym należy też wprost wymienić montowane pamięci DRAM.
(30)
Natomiast przepisy szczególne, o których mowa w motywie 28 lit. b) i c), powinny mieć formę numeru referencyjnego, podawanego przez zgłaszającego w polu 44 jednolitego dokumentu administracyjnego (SAD) w momencie składania zgłoszenia celnego o dopuszczenie do swobodnego obrotu przywożonych pamięci DRAM. Takiemu numerowi należy przyporządkować odpowiedni opis kombinowanej formy pamięci DRAM, uwzględniający: 1) rodzaj samej formy; 2) jej pochodzenie („Republika Korei” lub „kraje inne niż Republika Korei”); 3) jeżeli ma to zastosowanie, przedsiębiorstwo koreańskie zaangażowane w proces produkcji („Samsung” lub „przedsiębiorstwa inne niż Samsung”); oraz 4) w przypadku kombinowanych form pochodzących z krajów innych niż Republika Korei, zawierających w swoim składzie chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzące z Republiki Korei, produkowanych przez przedsiębiorstwa inne niż Samsung - wartość chipów DRAM lub montowanych pamięci DRAM w stosunku do łącznej wartości odnośnej kombinowanej formy pamięci DRAM. Należy zastosować następujące numery referencyjne, odpowiadające podanym poniżej opisom produktu/pochodzenia:
Nr
Opis produktu/pochodzenia
Numer referencyjny
1
Kombinowane formy pamięci DRAM pochodzące z krajów innych niż Republika Korei, zawierające chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzące z krajów innych niż Republika Korei lub pochodzące z Republiki Korei i produkowane przez przedsiębiorstwo Samsung
D010
2
Kombinowane formy pamięci DRAM pochodzące z krajów innych niż Republika Korei, zawierające chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzące z Republiki Korei i produkowane przez wszystkie przedsiębiorstwa inne niż Samsung, których wartość jest niższa niż 10 % ceny netto na granicy Wspólnoty kombinowanych form pamięci DRAM
D011
3
Kombinowane formy pamięci DRAM pochodzące z krajów innych niż Republika Korei, zawierające chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzące z Republiki Korei i produkowane przez przedsiębiorstwa inne niż Samsung, których wartość wynosi co najmniej 10 %, lecz mniej niż 20 % ceny netto na granicy Wspólnoty kombinowanych form pamięci DRAM
D012
4
Kombinowane formy pamięci DRAM pochodzące z krajów innych niż Republika Korei, zawierające chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzące z Republiki Korei i produkowane przez wszystkie przedsiębiorstwa inne niż Samsung, których wartość wynosi co najmniej 20 %, lecz mniej niż 30 % ceny netto na granicy Wspólnoty kombinowanych form pamięci DRAM
D013
5
Kombinowane formy pamięci DRAM pochodzące z krajów innych niż Republika Korei, zawierające chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzące z Republiki Korei i produkowane przez wszystkie przedsiębiorstwa inne niż Samsung, których wartość wynosi co najmniej 30 %, lecz mniej niż 40 % ceny netto na granicy Wspólnoty kombinowanych form pamięci DRAM
D014
6
Kombinowane formy pamięci DRAM pochodzące z krajów innych niż Republika Korei, zawierające chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzące z Republiki Korei i produkowane przez wszystkie przedsiębiorstwa inne niż Samsung, których wartość wynosi co najmniej 40 %, lecz mniej niż 50 % ceny netto na granicy Wspólnoty kombinowanych form pamięci DRAM
D015
7
Kombinowane formy pamięci DRAM pochodzące z krajów innych niż Republika Korei, zawierające chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzące z Republiki Korei i produkowane przez wszystkie przedsiębiorstwa inne niż Samsung, których wartość wynosi lub przekracza 50 % ceny netto na granicy Wspólnoty kombinowanych form pamięci DRAM
D016
(31)
Do opisu produktu/pochodzenia objętego numerem 1 nie należy dołączać dodatkowej dokumentacji dowodowej. Już samo wskazanie numeru referencyjnego uważa się za wystarczający powód, dla którego zgłaszający powinien zwrócić szczególną uwagę na potrzebę starannego sprawdzenia pochodzenia producentów i miejsca produkcji. Ponadto w przypadku przywozu pamięci DRAM, w których produkcji nie uczestniczyło żadne przedsiębiorstwo podlegające cłu wyrównawczemu, składanie dodatkowych dokumentów stanowiłoby nieuzasadnione obciążenie zgłaszającego.
(32)
Natomiast do opisów produktu/pochodzenia objętych numerami 2 do 7 należy dołączyć oświadczenie ostatniego producenta pamięci DRAM; oświadczenie to zgłaszający powinien złożyć łącznie z dokumentem SAD w momencie zgłoszenia celnego o dopuszczenie do swobodnego obrotu, zgodnie z wzorem zamieszczonym w Załączniku. W oświadczeniu takim należy podać m.in. wartość procesu produkcyjnego przeprowadzonego przez przedsiębiorstwa podlegające cłu wyrównawczemu w stosunku do łącznej wartości przywożonych pamięci DRAM.
(33)
Stawkę cła wyrównawczego stosowaną w odniesieniu do kombinowanych form pamięci DRAM objętych numerami 2 do 7 należy obliczyć proporcjonalnie do wartości wchodzących w ich skład chipów DRAM lub montowanych pamięci DRAM pochodzących z Republiki Korei, wyrażonej jako część łącznej wartości odnośnej kombinowanej formy pamięci DRAM. W celu uproszczenia procedury celnej i zastosowania właściwych stawek cła odpowiadających tej wartości, należy ustanowić następujących sześć stawek celnych, z których każda odpowiada wyszczególnionym poniżej numerom opisów produktu/pochodzenia:
-
Nr 2: należy stosować stawkę cła 0 %;
-
Nr 3: należy stosować stawkę cła 3,4 %;
-
Nr 4: należy stosować stawkę cła 6,9 %;
-
Nr 5: należy stosować stawkę cła 10,4 %;
-
Nr 6: należy stosować stawkę cła 13,9 %;
-
Nr 7: należy stosować stawkę cła 17,4 %.
(34)
W celu zapewnienia właściwie wyważonego stosowania tego przepisu oraz uniknięcia nieproporcjonalnie dużego obciążenia podmiotów gospodarczych przywożących produkt objęty postępowaniem do Wspólnoty i dokonujących jego sprzedaży we Wspólnocie, każda ze stawek celnych wyszczególnionych w motywie 33 jest procentową częścią stawki cła wyrównawczego, o którym mowa, równą najniższemu odsetkowi przewidzianemu dla odnośnego przedziału kombinowanych form pamięci DRAM (np. 10 % z 34,8 %, czyli 3,4 %, w przypadku kombinowanych form pamięci DRAM objętych numerem 3).
(35)
W sprawie przepisu szczególnego, o którym mowa w motywie 28 lit. d), uznaje się, że brak zarówno numeru referencyjnego w polu 44 dokumentu SAD, zgodnie ze wskazaniami w motywie 30, jak i oświadczenia, w przypadkach określonych w motywie 32, powinien spowodować zastosowanie stawki cła wyrównawczego w wysokości 34,8 %, jako że należy zakładać - jeżeli nie udowodniono inaczej - że w takim przypadku kombinowana forma pamięci DRAM pochodzi z Republiki Korei i została wyprodukowana przez przedsiębiorstwa podlegające cłu wyrównawczemu.
(36)
Ponadto w przypadkach określonych w motywie 32, na wypadek, gdyby niektóre chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM wchodzące w skład kombinowanych form pamięci DRAM nie były wyraźnie oznakowane, a ich producenci nie mogliby zostać jednoznacznie zidentyfikowani na podstawie wymaganego oświadczenia, uznaje się - jeżeli nie udowodniono inaczej - że takie chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzą z Republiki Korei i zostały wyprodukowane przez jedno z przedsiębiorstw podlegających cłu wyrównawczemu. Założenie takie powinno spowodować zastosowanie stawki cła wyrównawczego w wysokości 34,8 % w przypadkach, w których, w związku z powyższym, kombinowana forma pamięci DRAM pochodzi z Republiki Korei. We wszystkich innych przypadkach stosowana stawka cła wyrównawczego powinna być stawką przewidzianą w motywie 33 odpowiadającym wartościom określonym w motywie 30.
(37)
W sprawie przepisu szczególnego oraz okoliczności, o których mowa w motywach 35 i 36, ustalono, że na dostawcach pamięci DRAM spoczywają zobowiązania umowne wobec ich klientów, nakazujące im zachowanie pewnych specyfikacji określonych w normach branżowych, w tym podanie nazwy przedsiębiorstwa, które dokonuje dyfuzji i montażu. W związku z tym uznaje się, że konieczność przedkładania wyżej wspomnianych informacji i dowodów nie wiąże się z nieuzasadnionym obciążeniem zgłaszającego,
PRZYJMUJE NINIEJSZE ROZPORZĄDZENIE:
Artykuł 1
W rozporządzeniu Rady (WE) nr 1480/2003 wprowadza się następujące zmiany:
1)
artykuł 1 ust. 1 otrzymuje brzmienie:
„1. Niniejszym nakłada się ostateczne cło wyrównawcze na przywóz niektórych elektronicznych układów scalonych znanych jako pamięci DRAM (pamięci dynamiczne o dostępie swobodnym), wykonane z zastosowaniem odmian technologii wytwarzania półprzewodników opartych na tlenkach metali (MOS), wraz z typami komplementarnymi MOS (CMOS), wszystkich typów, gęstości, odmian, bez względu na szybkość dostępu, konfigurację, obudowę lub obramowanie itp., pochodzących z Republiki Korei.
Pamięci DRAM zdefiniowane w poprzednim akapicie mają następujące formy:
-
płytki półprzewodnikowe DRAM objęte kodami CN ex 8542 21 01 (kod TARIC 8542210110),
-
chipy (układy chipowe) DRAM objęte kodami CN ex 8542 21 05 (kod TARIC 8542210510),
-
montowane pamięci DRAM objęte kodami CN 8542 21 11, 8542 21 13, 8542 21 15 oraz 8542 21 17,
-
kombinowane formy pamięci DRAM (moduły pamięci, karty pamięci i inne formy zagregowane), objęte kodami CN ex 8473 30 10 (kod TARIC 8473301010), ex 8473 50 10 (kod TARIC 8473501010) oraz ex 8548 90 10 (kod TARIC 8548901010),
-
chipy oraz montowane pamięci DRAM wchodzące w skład kombinowanych form pamięci DRAM, w przypadku gdy te kombinowane formy pamięci DRAM pochodzą z krajów innych niż Republika Korei, objęte kodami CN ex 8473 30 10 (kod TARIC 8473301010), ex 8473 50 10 (kod TARIC 8473501010) oraz ex 8548 90 10 (kod TARIC 8548901010)”;
2)
artykuł 1 ust. 2 otrzymuje brzmienie:
„2. Stawki ostatecznych ceł wyrównawczych nakładanych na ceny netto franco granica Wspólnoty, przed ocleniem, ustala się następująco:
Producenci koreańscy
Stawka celna (%)
Dodatkowy kod TARIC
Samsung Electronics Co., Ltd (»Samsung«)
24th Fl., Samsung Main Bldg
250, 2-Ga, Taepyeong-Ro
Jung-Gu, Seoul
0 %
A437
Hynix Semiconductor Inc.
891, Daechidong
Kangnamgu, Seoul
34,8 %
A693
Wszystkie inne przedsiębiorstwa:
34,8 %
A999”
3)
artykuł 1 ust. 3 otrzymuje oznaczenie: art. 1 ust. 7;
4)
dodaje się art. 1 ust. 3 w brzmieniu:
„3. Przedkładając służbom celnym Państwa Członkowskiego zgłoszenie celne o dopuszczenie do swobodnego obrotu kombinowanych form pamięci DRAM, zgłaszający zobowiązany jest wskazać w polu 44 jednolitego dokumentu administracyjnego (SAD) numer referencyjny odpowiadający wyszczególnionym w poniższej tabeli opisom produktu/pochodzenia. Stawki ostatecznego cła wyrównawczego stosowane w odniesieniu do ceny netto na granicy Wspólnoty, przed ocleniem, ustala się następująco:
Nr
Opis produktu/pochodzenia
Numer referencyjny
Stawka cła (%)
1
Kombinowane formy pamięci DRAM pochodzące z krajów innych niż Republika Korei, zawierające w swoim składzie chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzące z krajów innych niż Republika Korei lub pochodzące z Republiki Korei i produkowane przez przedsiębiorstwo Samsung
D010
0 %
2
Kombinowane formy pamięci DRAM pochodzące z krajów innych niż Republika Korei, zawierające chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzące z Republiki Korei i produkowane przez wszystkie przedsiębiorstwa inne niż Samsung, których wartość jest niższa niż 10 % ceny netto na granicy Wspólnoty kombinowanych form pamięci DRAM
D011
0 %
3
Kombinowane formy pamięci DRAM pochodzące z krajów innych niż Republika Korei, zawierające chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzące z Republiki Korei i produkowane przez wszystkie przedsiębiorstwa inne niż Samsung, których wartość wynosi co najmniej 10 %, lecz mniej niż 20 % ceny netto na granicy Wspólnoty kombinowanych form pamięci DRAM
D012
3,4 %
4
Kombinowane formy pamięci DRAM pochodzące z krajów innych niż Republika Korei, zawierające chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzące z Republiki Korei i produkowane przez wszystkie przedsiębiorstwa inne niż Samsung, których wartość wynosi co najmniej 20 %, lecz mniej niż 30 % ceny netto na granicy Wspólnoty kombinowanych form pamięci DRAM
D013
6,9 %
5
Kombinowane formy pamięci DRAM pochodzące z krajów innych niż Republika Korei, zawierające chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzące z Republiki Korei i produkowane przez wszystkie przedsiębiorstwa inne niż Samsung, których wartość wynosi co najmniej 30 %, lecz mniej niż 40 % ceny netto na granicy Wspólnoty kombinowanych form pamięci DRAM
D014
10,4 %
6
Kombinowane formy pamięci DRAM pochodzące z krajów innych niż Republika Korei, zawierające chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzące z Republiki Korei i produkowane przez wszystkie przedsiębiorstwa inne niż Samsung, których wartość wynosi co najmniej 40 %, lecz mniej niż 50 % ceny netto na granicy Wspólnoty kombinowanych form pamięci DRAM
D015
13,9 %
7
Kombinowane formy pamięci DRAM pochodzące z krajów innych niż Republika Korei, zawierające chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzące z Republiki Korei i produkowane przez wszystkie przedsiębiorstwa inne niż Samsung, których wartość wynosi lub przekracza 50 % ceny netto na granicy Wspólnoty kombinowanych form pamięci DRAM
D016
17,4 %”
5)
dodaje się art. 1 ust. 4 w następującym brzmieniu:
„4. W odniesieniu do ust. 3, samo wskazanie w polu 44 dokumentu SAD numeru referencyjnego w przypadku opisu produktu/pochodzenia objętego numerem 1 uznaje się za wystarczającą dokumentację dowodową. W odniesieniu do wszystkich pozostałych opisów produktu/pochodzenia, zgłaszający zobowiązany jest złożyć oświadczenie ostatniego producenta potwierdzające pochodzenie produktu, tożsamość jego producentów oraz wartość wszystkich części składowych kombinowanej formy pamięci DRAM, zgodnie z wymogami określonymi w załączniku. Oświadczenia składane są na papierze firmowym przedsiębiorstwa i potwierdzane pieczęcią przedsiębiorstwa.”;
6)
dodaje się art. 1 ust. 5 w następującym brzmieniu:
„5. W przypadku niewskazania żadnego numeru referencyjnego w dokumencie SAD, zgodnie z ust. 3, lub w przypadku niedołączenia do zgłoszenia celnego oświadczenia w przypadkach określonych w ust. 4, kombinowaną formę pamięci DRAM uznaje się - jeżeli nie wykazano, iż jest inaczej - za pochodzącą z Republiki Korei i za wyprodukowaną przez przedsiębiorstwa inne niż Samsung oraz stosuje się wobec niej stawkę cła wyrównawczego w wysokości 34,8 %.
W przypadkach gdy niektóre chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM wchodzące w skład kombinowanych form pamięci DRAM nie były wyraźnie oznakowane, a ich producenci nie mogliby zostać jednoznacznie ustaleni na podstawie oświadczenia wymaganego w ust. 4, zakłada się - o ile nie wykazano, iż jest inaczej - że takie chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzą z Republiki Korei i zostały wyprodukowane przez jednego z producentów objętych cłem wyrównawczym.
W takich przypadkach stawkę cła wyrównawczego stosowaną w odniesieniu do kombinowanych form pamięci DRAM oblicza się na podstawie wartości procentowej, jaką stanowi cena netto na granicy Wspólnoty chipów DRAM lub montowanych pamięci DRAM pochodzących z Republiki Korei w odniesieniu do ceny netto na granicy Wspólnoty kombinowanych form pamięci DRAM, jak wskazano w tabeli zawartej w ust. 3, nr 2 do 7. Jeżeli jednak wartość wymienionych chipów DRAM lub montowanych pamięci DRAM jest taka, że kombinowane formy pamięci DRAM, do których zostały one włączone, stają się produktami pochodzącymi z Korei, w odniesieniu do takich kombinowanych form pamięci DRAM stosuje się stawkę cła wyrównawczego w wysokości 34,8 %.”;
7)
dodaje się art. 1 ust. 6 w następującym brzmieniu:
„6. Do celów weryfikacji danych przez służby celne Państw Członkowskich, art. 28 ust. 1, 3, 4 i 6 rozporządzenia Rady (WE) nr 2026/97 stosuje się odpowiednio.”.
Artykuł 2
Niniejsze rozporządzenie wchodzi w życie piętnastego dnia po jego opublikowaniu w Dzienniku Urzędowym Unii Europejskiej.
Niniejsze rozporządzenie wiąże w całości i jest bezpośrednio stosowane we wszystkich Państwach Członkowskich.
Sporządzono w Brukseli, 20 grudnia 2005 r.