Обзор SSD-накопителя Samsung 850 EVO 4 Тбайт (экспресс-тест)
Твердотельные накопители с ёмкостью больше, чем у традиционных жёстких дисков, – не такая уж и редкость. Однако в силу своей дороговизны почти все они позиционируются как серверные решения. На рынке же потребительских SSD максимальная ёмкость доходит лишь до 1-2 Тбайт, причём двухтерабайтные предложения – это скорее экзотика. Фактически единственными накопителями объёмом 2 Тбайт, которые можно отнести к числу массовых продуктов, следует считать Samsung 850 EVO и Samsung 850 PRO, которые были представлены в прошлом году. Для их выпуска инженерам Samsung пришлось изрядно попотеть: для столь объёмных SATA-накопителей был специально спроектирован особый контроллер MHX, в котором видоизменился интерфейс DRAM и добавилась поддержка до 4 Гбайт DDR3 SDRAM. Но зато в результате проведённой работы в распоряжении компании оказалась платформа, позволяющая легко масштабировать ёмкость потребительских SATA SSD и дальше. До недавних пор южнокорейскую компанию сдерживало лишь то, что производимые ей 32-слойные чипы TLC 3D V-NAND имели размер по 128 Гбит, и это не позволяло выйти за пределы двухтерабайтного объёма, пользуясь контроллером с восьмиканальной архитектурой.
В конце прошлого года Samsung приступила к выпуску трёхмерной памяти следующего, третьего поколения, базирующейся на обновлённом 48-слойном дизайне. Рост числа уровней 3D V-NAND позволил увеличить плотность хранения данных и довести ёмкость устройств TLC 3D V-NAND до 256 Гбит. А это, в свою очередь, дало возможность без особых проблем удвоить предельный объём SSD, чем Samsung и не преминула воспользоваться, дополнив линейку 850 EVO очередным 2,5-дюймовым накопителем с ёмкостью 4 Тбайт.
Иными словами, Samsung вновь смогла продемонстрировать своё технологическое лидерство. Мало того, что вся серия 850 EVO, которая основывается на флеш-памяти с трёхбитовой ячейкой, по параметрам быстродействия и надёжности умудряется конкурировать с лучшими SATA SSD на базе планарной MLC-памяти, так теперь ещё в её составе появилась экстраёмкая вариация, аналогов которой у других производителей попросту нет и в ближайшее время не предвидится. Поэтому, как только накопители Samsung 850 EVO 4 Тбайт оказались в России, мы сразу же решили «пощупать» такую диковинку на практике.
⇡#Samsung 850 EVO 4 Тбайт в подробностях
Серию Samsung 850 EVO вполне можно отнести к числу старожилов: первые накопители под этой маркой появились ещё в 2014 году, но за счёт обновления начинки и добавления новых моделей она продолжает оставаться актуальной и по сей день. Поэтому нет ничего удивительного в том, что новая модель Samsung 850 EVO 4 Тбайт совсем не похожа на накопители той же самой серии первой волны. В ней стоит более новая TLC 3D V-NAND третьего поколения и контроллер, который появился в 2015 году. Тем не менее с точки зрения потребительских характеристик преемственность полностью сохранена. Кроме того, Samsung 850 EVO 4 Тбайт сильно похож на своих собратьев с меньшей ёмкостью ещё и по внешнему виду.
Внутри же этого накопителя стоит печатная плата, очень сильно напоминающая плату из 2-терабайтной версии 850 EVO. На ней используется точно такой же контроллер Samsung MHX, вокруг которого расположено восемь микросхем флеш-памяти плюс 4-гигабайтный чип DDR3L SDRAM.
Каждая микросхема флеш-памяти содержит внутри себя по 16 новых, 256-гигабитных 48-слойных кристаллов TLC 3D V-NAND третьего поколения — то есть суммарная ёмкость одного такого чипа достигает 512 Гбайт.
Кстати сказать, штабелировать по 16 чипов флеш-памяти в одну микросхему Samsung научилась сравнительно давно.
Поэтому среди продуктов Samsung нет и не было накопителей, где бы стояло сразу 16 микросхем флеш-памяти, а печатная плата занимала бы весь объём внутри 2,5-дюймового корпуса.
Ничего выдающегося в этом на самом деле нет: по 16 чипов в одну микросхему флеш-памяти умеют упаковывать и другие производители, например Toshiba. Однако с выходом третьего поколения V-NAND подход Samsung приобрёл некоторую уникальность. Дело в том, что теперь в микросхемах с 16 кристаллами внутри, помимо собственно флеш-памяти, появилась дополнительная логика – два буферных чипа F-Chip. Эти чипы позволяют контроллеру работать по единой шине сразу с несколькими NAND-устройствами, что значительно упрощает электронный дизайн накопителя и позволяет снизить влияние электромагнитных наводок на целостность передаваемых сигналов.
В появлении 4-Тбайт накопителя внедрение F-Chip сыграло особую роль: увеличение ёмкости устройств V-NAND до 256 Гбайт могло привести к росту трафика и неминуемым коллизиям в каналах контроллера, но, благодаря дополнительному уровню буферизации, подобных негативных эффектов удалось избежать.
В итоге по сравнению с 2-Тбайт версией 850 EVO, которую мы тестировали год назад, в конструкции поменялся состав и увеличилась ёмкость чипа DRAM, но количество микросхем флеш-памяти осталось неизменным. Да и в остальном внутреннее устройство у новинки почти такое же, разве только обновилась прошивка.
Мало отличается новинка от 2-Тбайт накопителя и по паспортным характеристикам. Заявленный объём составляет 4000 Гбайт, но на резервный фонд и работу внутренних алгоритмов контроллера отводятся обычные для Samsung 850 EVO 9 процентов от общей ёмкости массива флеш-памяти. Пропорционально увеличен в 4-Тбайт накопителе и объём SLC-кеша, работающего в рамках технологии TurboWrite. Теперь его размер вырос до внушительных 48 Гбайт, так что в подавляющем большинстве задач все операции записи будут происходить через кеш, без задействования памяти в TLC-режиме. Но поскольку производительность старших моделей 850 EVO давно ограничивается возможностями SATA-интерфейса, скоростные показатели для Samsung 850 EVO 4 Тбайт заявлены абсолютно такие же, как и для моделей меньшей ёмкости.
|
Производитель |
Samsung
|
Серия |
850 EVO
|
Модельный номер |MZ-75E120
|MZ-75E250
|MZ-75E500
|MZ-75E1T0
|MZ-75E2T0
|MZ-75E4T0
|
Форм-фактор |2,5 дюйма
|
Интерфейс |SATA 6 Гбит/с
|
Ёмкость |120 Гбайт
|250 Гбайт
|500 Гбайт
|1 Тбайт
|2 Тбайт
|4 Тбайт
|
Конфигурация
|
Микросхемы памяти: тип, интерфейс, техпроцесс, производитель |Samsung 128 Гбит 32-слойная TLC V-NAND
|Samsung 256 Гбит 48-слойная TLC V-NAND
|
Контроллер |Samsung MGX
|Samsung MHX
|
Буфер: тип, объем |LPDDR2-1066,
256 Мбайт
|LPDDR3-1066,
512 Мбайт
|LPDDR3-1066,
512 Мбайт
|LPDDR3-1066,
1 Гбайт
|LPDDR3-1600,
2 Гбайт
|LPDDR3-1600,
4 Гбайт
|
Производительность
|
Макс. устойчивая скорость последовательного чтения |540 Мбайт/с
|540 Мбайт/с
|540 Мбайт/с
|540 Мбайт/с
|540 Мбайт/с
|540 Мбайт/с
|
Макс. устойчивая скорость последовательной записи |520 Мбайт/с
|520 Мбайт/с
|520 Мбайт/с
|520 Мбайт/с
|520 Мбайт/с
|520 Мбайт/с
|
Макс. скорость произвольного чтения (блоки по 4 Кбайт) |94000 IOPS
|97000 IOPS
|98000 IOPS
|98000 IOPS
|98000 IOPS
|98000 IOPS
|
Макс. скорость произвольной записи (блоки по 4 Кбайт) |88000 IOPS
|88000 IOPS
|90000 IOPS
|90000 IOPS
|90000 IOPS
|90000 IOPS
|
Физические характеристики
|
Потребляемая мощность: бездействие/чтение-запись |0,07 Вт/3,1-3,6 Вт
|
MTBF (среднее время наработки на отказ) |1,5 млн ч
|
Ресурс записи |75 Тбайт
|150 Тбайт
|300 Тбайт
|
Габаритные размеры: ДхВхГ |100 × 69,85 × 6,8 мм
|
Масса |55 г
|
Гарантийный срок |5 лет
|
Рекомендованная цена |-
|$90
|$160
|$320
|$700
|$1500
Но один момент в характеристиках всё же настораживает — это заявленный ресурс записи. На всех представителей серии Samsung 850 EVO распространяется пятилетняя гарантия, но в реальности условия гарантийного обслуживания сформулированы несколько хитрее: оно действует либо в течение пяти лет, либо до исчерпания ресурса записи – в зависимости от того, что случится первым. Так вот, для 850 EVO 4 Тбайт этот ресурс установлен таким же, как и для версии объёмом 2 Тбайт, – всего 300 Тбайт.
Ёмкость SSD Заявленный ресурс Число разрешённых перезаписей SSD в рамках ресурса
|120 Гбайт
|75 Тбайт
|625
|250 Гбайт
|75 Тбайт
|300
|500 Гбайт
|150 Тбайт
|300
|1000 Гбайт
|150 Тбайт
|150
|2000 Гбайт
|300 Тбайт
|150
|
4000 Гбайт |
300 Тбайт |
75
Таким образом, производитель даёт гарантию лишь на 75 полных перезаписей своего нового накопителя, и у многих пользователей этот момент вызывает не самые положительные эмоции, вплоть до активного негодования.
Однако нужно понимать, что ограничение по ресурсу не связано с низкой надёжностью Samsung 850 EVO, чему есть многочисленные подтверждения. Например, проводимые нашей лабораторией тесты выносливости показывают, что даже на 250-гигабайтную версию 850 EVO с TLC 3D V-NAND третьего поколения можно без каких-либо проблем записать более петабайта данных, а значит, 4-Тбайт модификация легко сможет пережить несколько петабайт перезаписей. На то же самое косвенно указывает и установленный в 7 Пбайт ресурс серверного накопителя PM1633a объёмом 3,84 Тбайт, который основан на точно такой же 48-слойной TLC 3D V-NAND, как и 850 EVO.
Всё это однозначно говорит о том, что невысокая заявленная для Samsung 850 EVO 4 Тбайт выносливость – это отнюдь не техническая характеристика, а лишь средство позиционирования. Производитель хочет склонить пользователей, сценарий работы которых с дисковой подсистемой предполагает постоянную перезапись больших объёмов данных, к приобретению более дорогих моделей. Samsung 850 EVO 4 Тбайт же – это обычный потребительский SSD, типичный сценарий эксплуатации которого – хранение пользовательских файлов, и потому ограничение в 165 Гбайт записи в день для него не выглядит чересчур строгим.
Ещё один любопытный момент – рекомендованная цена Samsung 850 EVO 4 Тбайт, которая составляет $1 499. Она оказалась более чем вдвое выше стоимости Samsung 850 EVO 2 Тбайт ($699), что делает новинку пусть и статусным, но не самым выгодным приобретением. Понятно, что производитель считает наценку за новизну и уникальность четырёхтерабайтника вполне справедливой. Однако, если учесть это, а также ситуацию с ресурсом, более рентабельным вариантом может оказаться покупка двух накопителей 850 EVO объёмом по 2 Тбайт и сборка из них массива RAID 0.
Тестирование проводится в операционной системе Microsoft Windows 10 Enterprise x64 Build 10586, корректно распознающей и обслуживающей современные твердотельные накопители. Это значит, что в процессе прохождения тестов, как и при обычном повседневном использовании SSD, команда TRIM поддерживается и активно задействуется. Измерение производительности выполняется с накопителями, находящимися в «использованном» состоянии, которое достигается их предварительным заполнением данными. Перед каждым тестом накопители очищаются и обслуживаются с помощью команды TRIM. Между отдельными тестами выдерживается 15-минутная пауза, отведённая для корректной отработки технологии сборки мусора. Во всех тестах используются рандомизированные несжимаемые данные. Размер раздела, в пределах которого тестируется скорость операций, увеличен до 16 Гбайт, а продолжительность тестов составляет одну минуту при последовательных операциях и полминуты при случайных операциях чтения и записи. Такой подход позволяет получать релевантные результаты для тех SSD, которые используют различные технологии SSD-кеширования.
Используемые приложения и тесты:
В качестве тестовой платформы используется компьютер с материнской платой ASUS Maximus VIII Ranger, процессором Core i5-6600K со встроенным графическим ядром Intel HD Graphics 530 и 8 Гбайт DDR4-2133 SDRAM. Приводы с SATA-интерфейсом подключаются к контроллеру SATA 6 Гбит/с, встроенному в чипсет материнской платы, и работают в режиме AHCI. Используется драйвер Intel Rapid Storage Technology (RST) 14.8.0.1042.
Объём и скорость передачи данных в бенчмарках указываются в бинарных единицах (1 Кбайт = 1024 байт).
⇡#Список участников тестирования
Сегодняшнее тестирование Samsung 850 EVO 4 Тбайт будет проведено по сокращённой программе. Причин тому две. Во-первых, у этого SSD попросту нет конкурентов. Накопителей такой ёмкости, нацеленных на массовый рынок, не существует, поэтому сравнивать новинку Samsung с чем-либо другим по большому счёту бессмысленно. Во-вторых, различные представители серии Samsung 850 EVO уже неоднократно тестировались в нашей лаборатории, и получить какие-то принципиально новые результаты вряд ли удастся. Поэтому сегодня мы просто проверим, нет ли в производительности четырёхтерабайтной модели каких-то критичных отклонений.
В сравнении производительности в качестве ориентиров мы оставили лишь несколько накопителей:
Последовательные операции чтения и записи
По скорости последовательных операций Samsung 850 EVO 4 Тбайт мало отличается от других SATA-накопителей этого разработчика. Это означает, что новинка выбирает всю пропускную способность интерфейса, которая и сдерживает её производительность.
Со скоростью произвольного чтения ситуация выглядит не столь однозначно. Четырёхтерабайтная новинка оказывается слегка медленнее 500-гигабайтной модификации 850 EVO. На то есть две причины. Во-первых, 850 EVO 500 Гбайт – это самая быстрая версия в данной линейке. Во-вторых, некоторые задержки в работу новинки максимального объёма действительно могут вносить буферы F-chip. Впрочем, результаты Samsung 850 EVO 4 Тбайт всё равно достаточно высоки для того, чтобы оставаться одним из самых быстрых SATA SSD современности.
Несмотря на то, что операции с глубокой очередью запросов для персональных компьютеров не характерны, мы всё же посмотрим, как зависит производительность рассматриваемого SSD от глубины очереди запросов при чтении 4-килобайтных блоков.
В дополнение к этому предлагаем посмотреть, как зависит скорость случайного чтения от размера блока данных:
Случайные операции записи
С записью же, напротив, у Samsung 850 EVO 4 Тбайт всё более чем хорошо. Рекордная степень параллелизма массива флеш-памяти и достаточно мощный контроллер MHX позволяют новинке занимать на диаграммах самые верхние позиции.
График, показывающий зависимость скорости произвольной записи 4-килобайтными блоками от глубины очереди запросов, подтверждает сказанное: при случайной записи 850 EVO 4 Тбайт – отменное по скорости решение среди SATA-накопителей, которое уступает лишь ещё более мощному 850 PRO.
Следующий график отражает зависимость производительности при случайной записи от размера блока данных.
Смешанная нагрузка
По мере удешевления твердотельные накопители перестают использоваться в качестве исключительно системных и становятся обычными рабочими дисками. В таких ситуациях на SSD поступает не только рафинированная нагрузка в виде записи или чтения, но и смешанные запросы, когда операции чтения и записи инициируются разными приложениями и должны обрабатываться одновременно. Однако работа в дуплексном режиме для современных контроллеров SSD остаётся существенной проблемой. При смешивании операций чтения и записи в одной очереди скорость большинства твердотельных накопителей потребительского уровня заметно проседает. Это стало поводом для проведения отдельного исследования, в рамках которого мы проверяем, как работают SSD при необходимости обработки как последовательных, так и случайных операций, поступающих вперемежку. На следующей паре диаграмм мы приводим среднюю производительность, которая посчитана по данным шести измерений с разным соотношением количества операций чтения и записи.
В то время как смешанные последовательные операции – практически идеальный сценарий для Samsung 850 EVO 4 Тбайт, аналогичная нагрузка с произвольными данными оказывается для этого SSD не столь благоприятной. Очевидно, что дополнительный слой буферизации между контроллером и массивом флеш-памяти, который возник при переходе к ёмкости 4 Тбайт, вносит в производительность свои коррективы. Однако его влияние можно увидеть лишь в отдельных случаях, да и сказать, что оно что-то принципиально меняет, совершенно невозможно: 850 EVO 4 Тбайт лишь переходит из категории «самый лучший» в категорию «один из лучших».
Следующая пара графиков даёт более развёрнутую картину производительности при смешанной нагрузке, показывая зависимость скорости SSD от того, в каком соотношении приходят на него операции чтения и записи.
Деградация и восстановление производительности
Наблюдение за изменением скорости записи в зависимости от объёма записанной на диск информации — весьма важный эксперимент, позволяющий понять работу внутренних алгоритмов накопителя. В данном тесте мы загружаем SSD непрерывным потоком запросов на случайную запись 4-килобайтных блоков с очередью максимальной глубины и попутно следим за той производительностью, которая при этом наблюдается. На приведённом ниже графике в виде точек отмечены результаты измерений моментальной производительности, которые мы снимаем ежесекундно, а чёрная линия показывает среднюю скорость, наблюдаемую в течение 30-секундного интервала.
Полностью заполнить Samsung 850 EVO 4 Тбайт данными оказалось непросто. Для того чтобы использовать всю свободную память, которой располагает этот накопитель, потребовалось более трёх часов непрерывной записи. Причём скорость, которую при этом демонстрировал SSD, низкой назвать никак нельзя. Всё это время случайная запись происходила с производительностью порядка 88 тысяч IOPS, что для SATA SSD – очень хороший показатель. Нельзя высказать никаких претензий и к постоянству производительности: никаких колебаний в скорости не наблюдается, что вновь позволяет убедиться в хорошей сбалансированности аппаратной платформы, лежащей в основе этого накопителя. Иными словами, мощности трёхъядерного контроллера MHX для работы с четырёхтерабайтным массивом памяти оказывается достаточно. Причём даже при исчерпании свободного места, когда контроллер сталкивается с необходимостью проводить очистку заполненных блоков флеш-памяти перед их повторным использованием, падение производительности совсем не носит катастрофического характера. И судя по кривой изменения скорости, 850 EVO 4 Тбайт вполне можно было бы использовать и в серверах, так что причины, по которым Samsung указала для него столь строгие ограничения по ресурсу, вполне понятны.
Интересен и другой момент. Несмотря на то, что у Samsung 850 EVO 4 Тбайт имеется SLC-кеш объёмом 48 Гбайт, работающий в рамках технологии TurboWrite, его влияния на производительность совсем не видно. Это значит, что массив флеш-памяти этого накопителя имеет столь высокую степень параллелизма, что ни в каком дополнительном ускорении он и не нуждается. Быстродействие массива TLC 3D V-NAND в Samsung 850 EVO 4 Тбайт с лихвой перекрывает пропускную способность SATA-интерфейса, и, кстати, подобное положение дел наблюдается не только у 850 EVO максимального размера, но и у других его модификаций, начиная с полутерабайтной ёмкости. Это означает, что технология TurboWrite нужна здесь главным образом для консолидации случайных операций и снижения коэффициента усиления записи. То есть в итоге для увеличения ресурса накопителя.
Давайте посмотрим теперь, как у Samsung 850 EVO рекордной ёмкости работает сборка мусора. Для исследования этого вопроса после завершения предыдущего теста, приводящего к деградации скорости записи, мы выжидаем 15 минут, в течение которых SSD может попытаться самостоятельно восстановиться за счёт сборки мусора, но без помощи со стороны операционной системы и команды TRIM, и замеряем быстродействие. Затем на накопитель принудительно подаётся команда TRIM — и скорость измеряется ещё раз, что позволяет убедиться в способности SSD с помощью TRIM полностью восстанавливать свою паспортную производительность.
48-гигабайтный SLC-кеш помогает Samsung 850 EVO 4 Тбайт выдавать высокую производительность даже в тех редких случаях, когда операционная система не передаёт на накопитель команду TRIM. Кеш освобождается контроллером при первой же возможности, поэтому после любого небольшого простоя 48 Гбайт данных записать на 850 EVO 4 Тбайт всегда возможно с высокой скоростью. В тех же случаях, когда TRIM поддерживается, накопитель заблаговременно высвобождает свободное место и в основном массиве памяти – здесь к новинке никаких претензий быть не может.
⇡#Результаты в CrystalDiskMark
CrystalDiskMark — это популярное и простое тестовое приложение, работающее «поверх» файловой системы, которое позволяет получать результаты, легко повторяемые обычными пользователями. И то, что выдаёт этот бенчмарк, с качественной точки зрения обычно почти не отличается от показателей, которые были получены нами в тяжёлом и многофункциональном пакете Iometer.
И даже более того, по показателям этого бенчмарка Samsung 850 EVO 4 Тбайт не отличается по производительности от быстрой 500-гигабайтной версии после её перевода на 48-слойную TLC 3D V-NAND третьего поколения.
⇡#Производительность в PCMark 8 Storage Benchmark 2.0
Тестовый пакет Futuremark PCMark 8 2.0 интересен тем, что он имеет не синтетическую природу, а напротив — основывается на том, как работают реальные приложения. В процессе его прохождения воспроизводятся настоящие сценарии-трассы задействования диска в распространённых десктопных задачах и замеряется скорость их выполнения. Текущая версия этого теста моделирует нагрузку, которая взята из реальных игровых приложений Battlefield 3 и World of Warcraft и программных пакетов компаний Adobe и Microsoft: After Effects, Illustrator, InDesign, Photoshop, Excel, PowerPoint и Word. Итоговый результат исчисляется в виде усреднённой скорости, которую показывают накопители при прохождении тестовых трасс. Обратите внимание – мы применяем обновлённую версию дискового бенчмарка, появившуюся в начале 2016 года.
Благодаря тому, что Samsung 850 EVO 4 Тбайт оказался особенно силён при работе с последовательными смешанными операциями, при работе в реальных приложениях ему удаётся выдать такую производительность, которую у SATA-накопителей до сих пор мы не видели вообще. И это значит, что для систем, в составе которых планируется использовать лишь один SSD, новинка должна подойти наилучшим образом.
Интегральный результат PCMark 8 нужно сопроводить и показателями производительности, выдаваемыми флеш-накопителями при прохождении отдельных тестовых трасс, которые моделируют различные варианты реальной нагрузки. Дело в том, что при разной нагрузке флеш-приводы зачастую ведут себя немного по-разному.
Реальные сценарии нагрузки
Специализированные тесты реальной нагрузки дополняют результаты PCMark 8 2.0 и позволяют делать выводы о том, насколько хорошо та или иная модель SSD может справиться с ролью системного или даже единственного диска в составе ПК, на котором либо хранятся пользовательские файлы, либо развёрнуты рабочие программы, либо и то и другое.
В тестах реальной нагрузки Samsung 850 EVO 4 Тбайт показывает примерно такой же уровень производительности, как и представитель той же серии, но меньшего объёма. А это значит, что мы имеем дело не только с предложением запредельной ёмкости, но и с накопителем, который по меркам SATA SSD весьма быстр.
По итогам знакомства с очередной моделью линейки Samsung 850 EVO, которая получила рекордную ёмкость в 4 Тбайт, мы вряд ли можем добавить к уже известным фактам что-то неожиданное или принципиально новое. Если закрыть глаза на впечатляющий объём, то с практической точки зрения она почти не отличается от того, что Samsung предлагает в меньших накопителях серии 850 EVO. Но это – не недостаток, а, напротив, указание, что перед нами вновь отличный по сочетанию потребительских качеств продукт, который способен выдать лидирующую производительность в рамках SATA-интерфейса. Причём в данном случае за счёт произошедшего увеличения размеров SLC-кеша и резервной области новинка показывает себя при высоких нагрузках и в средах без TRIM даже несколько лучше предшественников.
Впрочем, главное достоинство новой версии Samsung 850 EVO – это всё же её объём, который теперь вырос до рубежей, недоступных другим производителям и характерных скорее не для SSD, а для традиционных механических HDD. Да, столь же ёмкие, как новинка южнокорейского гиганта, накопители можно найти среди серверных продуктов, но, во-первых, они значительно дороже, а во-вторых, имеют большие габариты, чем 2,5-дюймовый и 7-миллиметровый в толщину Samsung 850 EVO 4 Тбайт. Так что благодаря переходу на 48-слойную 3D V-NAND компании Samsung удалось не только увеличить плотность хранения данных и снизить себестоимость собственной продукции, но и в очередной раз продемонстрировать своё технологическое превосходство на конкретных и понятных пользователям примерах.
В итоге в виде Samsung 850 EVO 4 Тбайт мы получили накопитель, который без преувеличения можно назвать бескомпромиссным. Конечно, из-за высокой стоимости число покупателей такого SSD вряд ли будет исчисляться тысячами. Но если рассуждать абстрактно, без какой-либо привязки к ценам, то новый 4-терабайтник безумно интересен тем, что он выступает верным предвестником грядущей эры, в которой никаких механических HDD в персональных компьютерах не останется от слова совсем.
В заключение же мы не можем не отпустить в адрес Samsung критическое замечание, касающееся явно несправедливых условий гарантии. Срок гарантийного обслуживания 850 EVO 4 Тбайт составляет пять лет, но объём записи, в рамках которого производитель готов оказывать поддержку, ограничен лишь 75-кратной перезаписью полного объёма. Понятно, что такие рамки имеют насквозь маркетинговые корни и в реальности новый четырёхтерабайтник сможет пережить как минимум несколько петабайт записи, но покупатели, готовые потратить полторы тысячи долларов, наверняка хотят получить более твёрдые гарантии защищённости своих инвестиций. Поэтому мы очень надеемся, что Samsung пересмотрит свою политику и увеличит заявленный предел выносливости, как она, например, уже делала с 850 EVO ёмкостью 2 Тбайт.