Currently, there are IGBT tubes made of different materials and processes, but they can all be regarded as a MOSFET input followed by a bipolar transistor amplification of the composite structure.
ປະຈຸບັນ, ມີທໍ່ IGBT ເຮັດດ້ວຍວັດສະດຸແລະຂະບວນການທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ແຕ່ພວກມັນທັງcanົດສາມາດຖືວ່າເປັນການປ້ອນເຂົ້າ MOSFET ຕິດຕາມມາດ້ວຍການຂະຫຍາຍ transistor bipolar ຂອງໂຄງສ້າງປະກອບ..