They are created by adjoining n-type and p-type semiconductors in either the PNP or NPN configuration.
ເຂົາເຈົ້າໄດ້ຖືກສ້າງຂຶ້ນໂດຍຢູ່ໃກ້ຊິດ n ປະເພດແລະ p-type ເຊມິຄອນດັກໃນບໍ່ວ່າຈະແມ່ນ PNP ຫຼືການຕັ້ງຄ່າ NPN.