Gallium Nitride is a binary III/V direct bandgap semiconductor that is well-suited for high-power transistors capable of operating at high temperatures.
Gallium Nitride သည် binary III / V တိုက်ရိုက် bandgap semiconductor ဖြစ်ပြီးမြင့်မားသောအပူချိန်တွင်လည်ပတ်နိုင်သည့်စွမ်းအားမြင့် transistor များအတွက်သင့်တော်ပါသည်။