( ، ، یا نامیده می‌شود) از مواد ساخته شده با رشد رونشستی ( ) برای استفاده در ، ، ، یا . لایه نشست ممکن است همان ماده زیرلایه باشد، به‌طور معمول ، یا ممکن است با کیفیت مطلوب خاص باشد.
 رونشستی ویفرهای اولین بار در حدود سال ۱۹۶۶ تولید شدند و در اوایل دهه ۱۹۸۰ مورد پذیرش تجاری قرار گرفتند. روش‌های رشد لایه رونشستی روی یا ویفرهای دیگر عبارتند از: انواع مختلف (CVD) طبقه‌بندی شده به عنوان سی‌وی‌دی فشار اتمسفری (APCVD) یا (MOCVD) و همچنین (MBE). به دو روش «بدون‌بریدگی» (بدون اره ساینده) برای جداسازی لایه رونشستی از زیرلایه، «کاشت-شکاف» و «برداشتن تنش» نیز گفته می‌شود. روشی مناسب وقتی که لایه رونشستی و زیرلایه از همان ماده باشند، از برای نشست لایه نازکی از اتم‌های ناخالصی کریستال و در نتیجه تنش مکانیکی در عمق دقیق ضخامت لایه رونشستی مورد نظر، استفاده می‌شود. تنش موضعی ناشی از آن، یک مسیر کنترل شده برای انتشار رخنه درپی مرحله برش تیز و ظریف را فراهم می‌کند. در فرایند برداشتن تنش خشک هنگامی که لایه رونشستی و زیرلایه کاملاً متفاوت باشد، یک رخنه کنترل شده با تغییر دما در رابط رونشستی/ویفر صرفاً توسط تنش‌های گرمایی ناشی از عدم تطابق بین لایه رونشستی و زیرلایه، بدون نیاز به هیچگونه نیروی مکانیکی یا ابزاری خارجی برای کمک به انتشار رخنه، قابل استفاده است. گزارش شده‌است که این فرایند باعث برش تیز یک صفحه اتمی می‌شود و نیاز به پرداخت پس از برداشت را کاهش می‌دهد و اجازه چندین بار استفاده از زیرلایه را تا ۱۰ مرتبه می‌دهد. 
 لایه‌های رونشستی ممکن است از با ویژگی‌های مطلوب خاص مانند (GaN)، (GaAs) یا ترکیبی از عناصر ، ، ، ، یا تشکیل شود.
{"title": "رونشستی ویفر", "link": "https://fa.wikipedia.org//w/index.php?title=%D8%B1%D9%88%D9%86%D8%B4%D8%B3%D8%AA%DB%8C_%D9%88%DB%8C%D9%81%D8%B1&oldid=30375327", "language": "fa"}