(به : ) یا نوعی حافظه است که از مدارات برای ذخیره هر بیت استفاده می کنند. رَم ایستا نوعی حافظه فرّار است، به این معنی که با قطع شدن برق داده ها را حفظ نمی کند. 
 معنای کلمه ی ایستا در عنوان این حافظه نمایانگر وجه تمایز این نوع از حافظه با حافظه ی پویا است. در حافظه پویا، با توجه به اینکه از خازن برای نگهداری داده استفاده می شود، عمل شارژ شدن خازن های دشارژ شدن دائما در حال تکرار است. حافظه SRAM سریع تر و البته گران تر است و به طور معمول در استفاده می شود، درحالی که DRAM به عنوان حافظه اصلی کامپیوتر استفاده می شود. به طور خلاصه می توان گفت حافظه نهان محل نگهداری اطلاعات پرکاربرد است که به سی پی یو این امکان را می دهد به این اطلاعات سریع تر دسترسی پیدا کند. 
 
 در سال 1965، آرنولد فاربر و یوجین اشلِیگ، کارمندان IBM، با استفاده از گیت ترانزیستور و دیود تونلی یک سلول حافظه ساختند. آن ها در طراحی خود دو ترانزیستور و دو را جایگزین کردند؛ ساختاری که به سلول فاربر-اشلیگ شهرت دارد. بر اساس همین طراحی، در همان سال بنجامین آگوستا و تیم اش در IBM، تراشه حافظه 16 بیتی از جنس سیلیکن با 80 ترانزیستور، 64 مقاومت و 4 دیود ساختند.
 اولین حافظه ی پویا (DRAM) ی تجاری، با استفاده از خازن ها و ترانزیستورهای مجزا نیز در همان سال ساخته شد . 
 اگرچه SRAM ها به عنوان حافظه های فرار شناخته می شوند، اما همچنان می توانند داده ها را در خود حفظ کنند .
 
فواید:
 
 
 
 مضرات:
 
 
 میزان انرژی مصرفی این حافظه بستگی زیاد به این دارد که چه تعداد دفعات سی پی یو به این حافظه رجوع می کند. تاکنون روش های بسیاری جهت کاهش مصرف انرژی این حافظه ارائه شده است . 
 
 
 بسیاری از زیر سیستم های صنعتی و علمی، الکترونیک خودرو و مشابه آن، دارای حافظه ی ایستا هستند که در این دسته به آن ها ESRAM می گویند . در ابعاد کوچکتر، این حافظه ها حتی در اسباب بازی ها نیز با یک رابط الکترونیکی تعبیه شده اند. حافظه های چند مگابایتی در سیستم های پیچیده تر مانند دوربین های دیجیتال، تلفن ها همراه و کنسول های بازی به کار می روند. 
 حافظه های ایستا در فرم دوتایی خود (اجازه خواندن حافظه و نوشتن بر روی آن را به طور همزمان ممکن می کند) در مدارهای استفاده می شوند . 
 SRAM ها در کامپیوترهای شخصی، رایانه های ایستگاه کار، روترها و تجهیزات جانبی مانند ثبّات های CPU مورد استفاده قرار می گیرند. 
 این نوع حافظه در پردازنده های خانگی به دلیل سهولت در کانال های ارتباطی، طرفداران بیشتری را نسبت به حافظه ی پویا به خود اختصاص داده است. 
 
 یک حافظه ایستای SRAM، به طور معمول از 6 تشکیل شده است. هر بیت در هر SRAM، بر روی 4 ترانزیستور ذخیره می شود (M1،M2،M3،M4) که دو معکوس کننده ی متقاطع را تشکیل می دهند. سلول مخزن دو وضعیت ثابت دارد که نمایشگر دو حالت 1 و 0 هستند. دو ترانزیستور اضافی کنترل دسترسی به سلول مخزن در طول فرایند نوشتن و خواندن را بر عهده دارند. علاوه بر شش ترانزیستوری که گفته شد، تراشه های دیگر SRAM، به ازای هر بیت ممکن است 4، 8، 10 یا تعداد بیشتری ترانزیستور را به کار بگیرند . حافظه های ایستای با 4 ترانزیستور در سیستم های مستقل متداول هستند. این حافظه ها طی فرایند ویژه ای با یک لایه ی اضافی پلی سیلیکن ساخته می شوند که امکان ایجاد مقاومت های پول_آپ با ظرفیت بالا را فراهم می کند . تنها ایراد حافظه های ایستای 4 مقاومتی توان ایستای بالا به علت سیل جریان ثابت در ترانزیستورها است. 
 به طول کلی، هرچه تعداد ترانزیستورها در یک سلول کمتر باشد، سلول کوچکتر خواهد بود. از آنجایی که هزینه تولید یک ویفر سیلیکنی معمولا ثابت است، استفاده از سلول های کوچکتر که موجب افزایش تعداد بیت ها بر روی یک ویفر می شود موجب کاهش هزینه هر سلول می شود.
{"title": "حافظه دسترسی تصادفی ایستا", "link": "https://fa.wikipedia.org//w/index.php?title=%D8%AD%D8%A7%D9%81%D8%B8%D9%87_%D8%AF%D8%B3%D8%AA%D8%B1%D8%B3%DB%8C_%D8%AA%D8%B5%D8%A7%D8%AF%D9%81%DB%8C_%D8%A7%DB%8C%D8%B3%D8%AA%D8%A7&oldid=31414301", "language": "fa"}