یک ( ) یک است، یک ( فلزی-اکسید-نیم‌رسانا) که روی یک ساخته شده است که گیت در دو، سه یا چهار طرف کانال قرار دارد یا دور کانال پیچیده شده است، یک ساختار گیت دوتایی را تشکیل می‌دهد. به این قطعات نام عمومی «فین‌فت» داده شده است، زیرا ناحیه سورس/درین برجستگی‌هایی را روی سطح سیلیکون تشکیل می‌دهد. قطعات فین‌فت نسبت به فناوری مسطح (مکمل فلزی-اکسید-نیم‌رسانا) به طور قابل توجهی کلیدزنی سریع‌تر و چگالی جریان بیشتری دارند. 
 فین‌فت نوعی غیر مسطح یا «سه بعدی» است. این پایه و اساس ی مدرن است. ریزتراشههایی که از گیت‌های فین‌فت استفاده می‌کنند برای اولین بار در نیمه اول سال ۲۰۱۰ تجاری‌سازی شدند و در گره‌های فرایند ، و طراحی گیت غالب شدند. 
 ۲۰ سال پس از نمایش ماسفت برای اولین بار توسط و از در سال ۱۹۶۰، مفهوم با توسط اچ آر فارا و آر اف اشتاینبرگ ، یک گیت دوتایی منتشر شد. ماسفت توسط توشیهیرو سِکیگاوا از (ETL) در یک در ۱۹۸۰ توصیف ترانزیستور مسطح اکس‌ماس ارائه شد. سِکیگاوا ترانزیستور اکس‌ماس را با یوتاکا هایاشی در ETL در سال ۱۹۸۴ ساخت. آن‌ها نشان دادند که را می‌توان با پیچاندن یک (SOI) کاملاً تخلیه‌شده بین دو متصل به هم، به میزان قابل توجهی کاهش داد. 
 نوع اول ترانزیستور فین‌فت «ترانزیستور با کانال خم‌شده» یا «دلتا» ترانزیستور نامیده می‌شد، که اولین بار در ژاپن توسط دیگ ساماتو، تورو کاگا، یوشیفومی کاواموتو و ایچی تاکدا از در سال ۱۹۸۹ ساخته شد.
{"title": "فین‌فت", "link": "https://fa.wikipedia.org//w/index.php?title=%D9%81%DB%8C%D9%86%E2%80%8C%D9%81%D8%AA&oldid=29543439", "language": "fa"}