گره پیشرفته است که در ساخت ( ) استفاده می‌شود. پهنای‌باند خطوط چاپی (یعنی طول ) می‌توانند به حداقل ۲۵ نانومتر برسند به‌طور اسمی فرایند ۶۵ نانومتر، درحالی‌که گام بین دو خط ممکن است از ۱۳۰ نانومتر بیشتر باشد برای ، سلولی حدود ۲۰ نانومتر انتها-به-انتها است. یک بلور بدنه دارای ۰ ۵۴۳ نانومتر است، بنابراین چنین ترانزیستورهایی از مرتبه ۱۰۰ هستند. و فرایند ۶۵ نانومتر را در سال ۲۰۰۲ اعلام کردند، قبل از شروع و در سال ۲۰۰۴، و سپس تولید را درسال ۲۰۰۵ آغاز کرد. تا سپتامبر ۲۰۰۷، ، (UMC و نیز تراشه‌های ۶۵ نانومتر تولید می‌کردند.
 ضخامت گیت، یکی دیگر از ابعاد مهم، به اندازه ۱ ۲ نانومتر (Intel) کاهش می‌یابد. فقط چند اتم قسمت «کلید» ترانزیستور را عایق می‌کند و لذا باعث می‌شود که بار از طریق آن جریان یابد. این اثر نامطلوب، ، ناشی از است. شیمی جدید دی الکتریک‌های گیت با باید با فنون‌های موجود، از جمله و چندگانه، ترکیب شود تا با جلوگیری از نشت از مصرف توان جلوگیری شود.
 
 
 
 
 
 در واقع دو نسخه از این فرایند وجود دارد: CS200، با تمرکز بر کارایی بالا، و CS200A، با تمرکز بر .
{"title": "فرایند ۶۵ نانومتر", "link": "https://fa.wikipedia.org//w/index.php?title=%D9%81%D8%B1%D8%A7%DB%8C%D9%86%D8%AF_%DB%B6%DB%B5_%D9%86%D8%A7%D9%86%D9%88%D9%85%D8%AA%D8%B1&oldid=35016170", "language": "fa"}