( : ) فناوری سرمایش با استفاده از اثر گرمامغناطیسی است.
برای این منظور معمولاً سرمایش مغناطیسی بر اساس تغییر ، به وسیلهٔ اثر یک بر یک ماده یا تولید می‌گردد. 
 و مگنتوکالریک وقتی تحت نوسانات دمایی قرار می‌گیرند به ترتیب ولتاژ و میدان مغناطیسی تولید می‌کنند، عکس این خاصیت نیز در این مواد برقرار است، از این رو کاربردهای گرمایشی و سرمایشی و قابلیت تولید جهت استفاده در و وسایل الکترونیکی را دارند. 
 اثراتی همچون اثر گرمامغناطیسی، مغناطوتنگش و مغناطومقاومت در خانواده ترکیبات Gd5(SixGe1-x)4 قابل توجه می‌باشد که ترکیب Gd5Si4 نیز به دلیل دارا بودن مغناطیسی نزدیک قابل توجه می‌باشد. تغییر در چگالی الکترونی حالات مختلف نشان از تغییر هیبریداسیون بین حالاتd5 Gd و p4 Geدارد که این تغییر هیبریداسیون موجب تغییر در قدرت مغناطیسی ترکیب و ایجاد حالات مختلف مغناطیسی در این ترکیب بین-فلزی می‌شود.
 شایان ذکر است که حالات مختلف مغناطیسی به تغییر در نوع پیوندهای شیمیایی وابسته است. تغییر اساسی در تعداد کل الکترونهای اقلیت و اکثریت نشان از تغییر در گشتاورهای مغناطیسی از یک شکل ترکیب به شکل دیگر دارد. کاهش قابل توجه اندرکنش تبادلی بین اسپین‌هایf4 اتمهای Gd که علاوه بر کاهش چگالی الکترونهای d5، در کاهش شکافتگی باند d5 در نزدیکی سطح فرمی نیز خود را بخوبی نشان می‌دهد، بیانگر حالت زمینه آنتی‌فرومغناطیس در ترکیب Gd5Ge4 می‌باشد. 
 این اثر نخستین بار توسط و در سال ۱۹۱۷ میلادی مشاهده شد و مبانی آن در سال ۱۹۲۶ توسط و ، در سال ۱۹۲۷، تشریح شد.
{"title": "یخچال مغناطیسی", "link": "https://fa.wikipedia.org//w/index.php?title=%DB%8C%D8%AE%DA%86%D8%A7%D9%84_%D9%85%D8%BA%D9%86%D8%A7%D8%B7%DB%8C%D8%B3%DB%8C&oldid=34682659", "language": "fa"}