ترانزیستور ( ) یک نوع است (ترانزیستور اثر میدانی فلز-اکسید-نیم‌رسانا). وی‌ماس همچنین برای توصیف شکل شیار وی (V) تیز به صورت عمودی برش داده شده در مواد زیرلایه استفاده می‌شود. مخفف «نیم‌رسانا-اکسید-فلز عمودی» یا «ماس با شیار وی» است. 
 شکل «وی» به قطعه اجازه می‌دهد تا مقدار بیشتری را از به قطعه برساند. این شکل ناحیه کانال گسترده‌تری ایجاد می‌کند و اجازه می‌دهد جریان بیشتری از آن عبور کند.
 در حین کار حالت مسدودسازی، بالاترین در محل پیوند p /N رخ می‌دهد. وجود یک گوشه تیز در پایین شیار باعث افزایش میدان الکتریکی در لبه کانال در ناحیه تخلیه می‌شود، بنابراین قطعه را کاهش می‌دهد. این میدان الکتریکی، الکترون‌ها را به داخل پرتاب می‌کند و در نتیجه، الکترون‌های به دام افتاده ولتاژ آستانه ماسفت را جابجا می‌کنند. به همین دلیل دیگر از معماری شیار وی در ادوات تجاری استفاده نمی‌شود.
 استفاده از این تا زمان شکل‌گیری هندسه‌های مناسب‌تری مانند (یا ماس با گیت ترانشه‌ای) به منظور کاهش بیشینه در بالای شکل وی و بنابراین منجر به بیشینه ولتاژ بالاتر از نمونه وی‌ماس می‌شود.
 اولین (بدون شیار وی) توسط و در در سال ۱۹۵۹ شد. ساخت شیار وی توسط در سال ۱۹۶۹، در ابتدا برای (اس‌آی‌تی)، نوعی ( پیوندی) آغاز شد. 
 وی‌ماس توسط در سال ۱۹۶۹، هنگامی که آن‌ها اولین عمودی در ژاپن معرفی کردند، اختراع شد. ، در حالی که دانشجوی بود، در سال ۱۹۷۳ را برای یک وی‌ماس ثبت کرد. سیلیکونیکس در سال ۱۹۷۵ یک وی‌ماس را به صورت تجاری معرفی کرد. وی‌ماس بعد از آن به چه شناخته شده به عنوان توسعه یافته شد (دی‌ماس عمودی). 
 در سال ۱۹۷۸، (ای‌ام‌آی) اس۲۸۱۱ را منتشر کرد. این اولین تراشه شده بود که به‌طور خاص به عنوان (دی‌اس‌پی) طراحی شد و با استفاده از فناوری وی‌ماس که قبلاً به صورت انبوه تولید نشده بود، ساخته شد.
{"title": "وی‌ماس", "link": "https://fa.wikipedia.org//w/index.php?title=%D9%88%DB%8C%E2%80%8C%D9%85%D8%A7%D8%B3&oldid=30534976", "language": "fa"}