Three differently doped semiconductor regions: the emitter region, the base region and the collector region. The emitter region, the base region and the collector region.
For instance, notice the NPN transistor below: NPN REVERSE-BIASED JUNCTION. - The second PN junction (base-to-collector), or reverse-biased junction as it is called (fig. 2-6), blocks the majority current carriers from crossing the junction. However, there is a very small current, mentioned earlier, that does pass through this junction. This current is called. , or. . These views are related by the current–voltage relation of the base–emitter junction, which is just the usual exponential current–voltage curve of a p-n junction (diode). The physical explanation for collector current is the amount of minority-carrier charge in the base region. In an NPN transistor, for example, when a positive voltage is applied to the base–emitter junction, the equilibrium between thermally generated carriers and the repelling electric field of the depletion region becomes unbalanced, allowing thermally excited electrons to inject into P is for Positive and N is for Negative So basically put a PNP Transistor Would use N to Switch P, in the name PNP or NPN the first character is for the polarity of … the Collector-pin, the second for the Base-Pin, and the third for the Emmiter-pin. N-p-n transistor is made by sandwiching thin layer of p-type semiconductor between two layers of n-type semiconductor. It has three terminals, Emitter, Base and collector. The … npn transistor has two supplies, one is connected through the emitter base and one through the collector base. The interaction between the forward-and reverse-biased junctions in a pnp transistor is very similar to that in an npn transistor, except that in the pnp transistor, the majority current carriers are holes. In the pnp transistor shown in figure 4, the positive voltage on the emitter repels the holes toward the base. In the reverse-biased junction (figure 3), the negative voltage on the collector and the positive voltage on the base block the majority current carriers from crossing the junction. A BJT consists of three differently doped semiconductor regions: the emitter region, the base region and the collector region. These regions are, respectively, p type, n type and p type in a PNP transistor, and n type, p type and n type in an NPN transistor. The remainder of the holes recombine with electrons, the majority carriers in the base, making a current through the base connection to form the base current, . As shown in the diagram, the emitter current, , is the total transistor current, which is the sum of the other terminal currents (i.e., I E = I B + I C). In an NPN transistor, when positive bias is applied to the base–emitter junction, the equilibrium is disturbed between the thermally generated carriers and the repelling electric field of the n-doped emitter depletion region. This allows thermally excited electrons to inject from the emitter into the base region. The remainder of the holes recombine with electrons, the majority carriers in the base, making a current through the base connection to form the base current, . As shown in the diagram, the emitter current, , is the total transistor current, which is the sum of the other terminal currents (i.e., I E = I B + I C). Figure 4: The reverse-biased junction in an npn transistor. The second pn-junction (base-to-collector), or reverse-biased junction as it is called (figure 4), blocks the majority current carriers from crossing the junction. However, there is a very small current, that does pass through this junction. This current is called minority current, or reverse current. Since electrons are the majority carriers in the n-material, they will move through the n-material emitter to the emitter-base junction. With this junction forward biased, electrons continue on into the base region. Once the electrons are in the base, which is a p-type material, they become minority carriers. When the base-emitter junction is 'on', lots of holes are injected into the thin and lightly doped base region so a large fraction of the injected holes exist long enough to 'slide down' the potential and into the collector region where they are majority carriers. share | improve this answer.  In the NPN transistor in what is called active mode, the base–emitter voltage and collector–base voltage are positive, forward biasing the emitter–base junction and reverse-biasing the collector–base junction. The remainder of the holes recombine with electrons, the majority carriers in the base, making a current through the base connection to form the base current, . As shown in the diagram, the emitter current, , is the total transistor current, which is the sum of the other terminal currents (i.e., I E = I B + I C). (a) NPN junction bipolar transistor. (b) Apply reverse bias to collector base junction. It is customary to reverse bias the base-collector junction of a bipolar junction transistor as shown in (Figure above (b). Note that this increases the width of the depletion region. NPN junction bipolar transistor with reverse biased collector-base: (a) Adding forward bias to base-emitter junction, results in (b) a small base current and large emitter and collector currents. In Figure below we take a closer look at the current amplification mechanism.
http://www.tpub.com/neets/book7/25a.htm http://qmlab.ubc.ca/ARPES/PEOPLE/Andrea/Teaching/PHYS309/lecture9.pdf http://www.answers.com/Q/What_are_the_majority_carriers_in_the_base_region_of_an_npn_transistor http://www.radartutorial.eu/21.semiconductors/hl20.en.html https://en.wikipedia.org/wiki/NPN_transistor https://en.wikipedia.org/wiki/NPN_transistor http://www.radartutorial.eu/21.semiconductors/hl19.en.html http://electronics.stackexchange.com/questions/129624/if-the-depletion-layer-of-a-transistor-collector-base-junction-is-thick-why-are https://en.wikipedia.org/wiki/NPN_transistor http://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-2/bipolar-junction-transistors/
What are the majority carriers in the base region of an npn transistor called?
एनपीएन ट्रांजिस्टर के आधार क्षेत्र में बहुसंख्यक वाहक क्या कहलाते हैं?
तीन अलग-अलग अपमिश्रित अर्धचालक क्षेत्र: उत्सर्जक क्षेत्र, आधार क्षेत्र और कलेक्टर क्षेत्र।
उदाहरण के लिए, नीचे एनपीएन ट्रांजिस्टर पर ध्यान दें: एनपीएन रिवर्स-बायस्ड जंक्शन। - दूसरा पीएन जंक्शन (बेस-टू-कलेक्टर), या रिवर्स-बायस्ड जंक्शन जैसा कि इसे कहा जाता है (चित्र 2-6), बहुसंख्यक वर्तमान वाहकों को जंक्शन को पार करने से रोकता है। हालाँकि, एक बहुत छोटा करंट है, जिसका उल्लेख पहले किया गया है, जो इस जंक्शन से होकर गुजरता है। इस धारा को कहा जाता है। नहीं तो। . ये दृश्य आधार-उत्सर्जक संधि के वर्तमान-वोल्टता संबंध से संबंधित हैं, जो कि च-द संधि (डायोड) का सामान्य घातांकी धारा-वोल्टता वक्र है। संग्राहक धारा की भौतिक व्याख्या आधार क्षेत्र में अल्पसंख्यक-वाहक आवेश की मात्रा है। उदाहरण के लिए, एक NPN ट्रांजिस्टर में, जब आधार-उत्सर्जक जंक्शन पर एक सकारात्मक वोल्टेज लागू किया जाता है, तो थर्मल रूप से उत्पन्न वाहकों और अवक्षय क्षेत्र के प्रतिकर्षण विद्युत क्षेत्र के बीच संतुलन असंतुलित हो जाता है, जिससे थर्मली उत्तेजित इलेक्ट्रॉनों को इंजेक्ट करने की अनुमति मिलती है पी सकारात्मक के लिए है और एन नकारात्मक के लिए है तो मूल रूप से एक पीएनपी ट्रांजिस्टर डाल दिया जाएगा पी स्विच करने के लिए एन का उपयोग करेगा, पीएनपी या एनपीएन नाम में पहला चरित्र ध्रुवीयता के लिए है ... कलेक्टर-पिन, बेस-पिन के लिए दूसरा, और एमिटर-पिन के लिए तीसरा। N-p-n ट्रांजिस्टर n-प्रकार के अर्धचालक की दो परतों के बीच p-प्रकार के अर्धचालक की पतली परत को सैंडविच करके बनाया जाता है। इसके तीन टर्मिनल हैं, एमिटर, बेस और कलेक्टर। वही।।। एनपीएन ट्रांजिस्टर में दो आपूर्ति होती है, एक एमिटर बेस के माध्यम से और एक कलेक्टर बेस के माध्यम से जुड़ा होता है। एक pnp ट्रांजिस्टर में आगे और रिवर्स-बायस्ड जंक्शनों के बीच की बातचीत npn ट्रांजिस्टर के समान होती है, सिवाय इसके कि pnp ट्रांजिस्टर में, अधिकांश वर्तमान वाहक छेद होते हैं। चित्र 4 में दिखाए गए pnp ट्रांजिस्टर में, उत्सर्जक पर धनात्मक वोल्टेज छिद्रों को आधार की ओर पीछे हटाता है। रिवर्स-बायस्ड जंक्शन (आंकड़ा 3) में, कलेक्टर पर नकारात्मक वोल्टेज और आधार पर सकारात्मक वोल्टेज अधिकांश वर्तमान वाहकों को जंक्शन को पार करने से रोकता है। एक BJT में तीन अलग-अलग अपमिश्रित अर्धचालक क्षेत्र होते हैं: उत्सर्जक क्षेत्र, आधार क्षेत्र और संग्राहक क्षेत्र। ये क्षेत्र क्रमशः पीएनपी ट्रांजिस्टर में पी टाइप, एन टाइप और पी टाइप और एनपीएन ट्रांजिस्टर में एन टाइप, पी टाइप और एन टाइप हैं। शेष छिद्र इलेक्ट्रॉनों के साथ पुनर्संयोजित होते हैं, आधार में बहुसंख्यक वाहक, आधार कनेक्शन के माध्यम से एक वर्तमान बनाते हुए आधार धारा बनाते हैं, । जैसा कि आरेख में दिखाया गया है, उत्सर्जक धारा, कुल ट्रांजिस्टर धारा है, जो अन्य टर्मिनल धाराओं (यानी, I E = I B + I C) का योग है। एक एनपीएन ट्रांजिस्टर में, जब आधार-उत्सर्जक जंक्शन पर सकारात्मक पूर्वाग्रह लागू किया जाता है, तो संतुलन थर्मली उत्पन्न वाहकों और एन-अपमिश्रित उत्सर्जक रिक्तीकरण क्षेत्र के प्रतिकर्षण विद्युत क्षेत्र के बीच परेशान होता है। यह थर्मल रूप से उत्तेजित इलेक्ट्रॉनों को उत्सर्जक से आधार क्षेत्र में इंजेक्ट करने की अनुमति देता है। शेष छिद्र इलेक्ट्रॉनों के साथ पुनर्संयोजित होते हैं, आधार में बहुसंख्यक वाहक, आधार कनेक्शन के माध्यम से एक वर्तमान बनाते हुए आधार धारा बनाते हैं, । जैसा कि आरेख में दिखाया गया है, उत्सर्जक धारा, कुल ट्रांजिस्टर धारा है, जो अन्य टर्मिनल धाराओं (यानी, I E = I B + I C) का योग है। चित्रा 4: एक एनपीएन ट्रांजिस्टर में रिवर्स-बायस्ड जंक्शन। दूसरा पीएन-जंक्शन (बेस-टू-कलेक्टर), या रिवर्स-बायस्ड जंक्शन जैसा कि इसे कहा जाता है (आंकड़ा 4), अधिकांश वर्तमान वाहकों को जंक्शन को पार करने से रोकता है। हालांकि, एक बहुत छोटा करंट है, जो इस जंक्शन से गुजरता है। इस धारा को अल्पसंख्यक धारा या पश्च धारा कहते हैं। चूँकि द-पदार्थ में इलेक्ट्रॉन बहुसंख्यक वाहक होते हैं, अतः वे द-पदार्थ उत्सर्जक से होकर उत्सर्जक-आधार संधि की ओर गति करेंगे। इस संधि के अग्रदिशिक बायसित होने से इलेक्ट्रॉन आधार क्षेत्र में चलते रहते हैं। एक बार जब इलेक्ट्रॉन आधार में होते हैं, जो एक पी-प्रकार की सामग्री है, तो वे अल्पसंख्यक वाहक बन जाते हैं। जब आधार-उत्सर्जक जंक्शन 'चालू' होता है, तो बहुत सारे छेद पतले और हल्के से डोप किए गए आधार क्षेत्र में इंजेक्ट किए जाते हैं, इसलिए इंजेक्शन वाले छिद्रों का एक बड़ा अंश संभावित और कलेक्टर क्षेत्र में 'स्लाइड' करने के लिए पर्याप्त समय तक मौजूद रहता है जहां वे बहुसंख्यक वाहक होते हैं। शेयर करें | इस उत्तर में सुधार करें।  NPN ट्रांजिस्टर में जिसे सक्रिय मोड कहा जाता है, में आधार-उत्सर्जक वोल्टेज और संग्राहक-आधार वोल्टेज धनात्मक होते हैं, उत्सर्जक-आधार संधि को अग्रदिशिक बायसित करते हैं और कलेक्टर-आधार संधि को पश्चदिशिश-अभिनत करते हैं। शेष छिद्र इलेक्ट्रॉनों के साथ पुनर्संयोजित होते हैं, आधार में बहुसंख्यक वाहक, आधार कनेक्शन के माध्यम से एक वर्तमान बनाते हुए आधार धारा बनाते हैं, । जैसा कि आरेख में दिखाया गया है, उत्सर्जक धारा, कुल ट्रांजिस्टर धारा है, जो अन्य टर्मिनल धाराओं (यानी, I E = I B + I C) का योग है। (a) NPN जंक्शन द्विध्रुवीय ट्रांजिस्टर। (इ) संग्राहक आधार संधि पर पश्चदिशिक बायस लगाइए। यह एक द्विध्रुवीय जंक्शन ट्रांजिस्टर के आधार-संग्राहक जंक्शन को उलटने की प्रथा है जैसा कि (ऊपर चित्र (बी) में दिखाया गया है। ध्यान दें कि यह अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई बढ़ाता है। प्छद संधि द्विध्रुवीय ट्रांजिस्टर पश्चदिशिक बायस्परी संग्राहक-आधार के साथ: (ं) आधार-उत्सर्जक संधि में अग्रदिशिक बायस जोड़ने पर (इ) एक लघु आधार धारा तथा बड़े उत्सर्जक एवं संग्राहक धाराएं होती हैं। नीचे दिए गए चित्र में हम वर्तमान प्रवर्धन तंत्र पर करीब से नज़र डालते हैं।
एनपीएन ट्रान्झिस्टरच्या बेस प्रदेशातील बहुसंख्य वाहक कोणते आहेत?
उदाहरणार्थ, खाली एनपीएन ट्रान्झिस्टर लक्षात घ्या: एनपीएन रिव्हर्स-पक्षपाती जंक्शन. - दुसरा पीएन जंक्शन (बेस-टू-कलेक्टर), किंवा रिव्हर्स-पक्षपाती जंक्शन ज्याला म्हणतात (आ. 2-6), बहुसंख्य वर्तमान वाहकांना जंक्शन ओलांडण्यापासून रोखते. मात्र, या जंक्शनमधून आधी नमूद केलेला एक अतिशय छोटा प्रवाह आहे. या प्रवाहाला म्हणतात. किंवा। . ही दृश्ये बेस-उत्सर्जक जंक्शनच्या करंट-व्होल्टेज संबंधाशी संबंधित आहेत, जी पी-एन जंक्शन (डायोड) च्या नेहमीच्या एक्सपोनेन्शियल करंट-व्होल्टेज वक्र आहे. कलेक्टर करंटचे भौतिक स्पष्टीकरण म्हणजे बेस रिजनमधील अल्पसंख्याक-वाहक चार्जचे प्रमाण. उदाहरणार्थ, एनपीएन ट्रान्झिस्टरमध्ये, जेव्हा बेस-उत्सर्जक जंक्शनवर सकारात्मक व्होल्टेज लागू केला जातो, तेव्हा थर्मली जनरेट होणारे वाहक आणि क्षरण क्षेत्राचे प्रतिकारक विद्युत क्षेत्र यांच्यातील समतोल असंतुलित होतो, ज्यामुळे थर्मल उत्तेजित इलेक्ट्रॉन आत इंजेक्ट होऊ शकतात पी पॉझिटिव्हसाठी आहे आणि एन निगेटिव्ह साठी आहे म्हणून मुळात पीएनपी ट्रान्झिस्टर लावा पी स्विच करण्यासाठी एन वापरेल, पीएनपी किंवा एनपीएन या नावाने पहिले अक्षर ध्रुवीयतेसाठी आहे ... कलेक्टर-पिनसाठी, दुसरा बेस-पिनसाठी आणि तिसरा उत्सर्जक-पिनसाठी. एन-पी-एन ट्रान्झिस्टर एन-प्रकारच्या सेमीकंडक्टरच्या दोन थरांमध्ये पी-टाइप सेमीकंडक्टरचा पातळ थर सँडविच करून तयार केला जातो. यात एमिटर, बेस आणि कलेक्टर असे तीन टर्मिनल आहेत. ... एनपीएन ट्रान्झिस्टरला दोन पुरवठा असतात, एक उत्सर्जक बेसद्वारे आणि एक कलेक्टर बेसद्वारे जोडला जातो. पीएनपी ट्रान्झिस्टरमधील फॉरवर्ड-आणि रिव्हर्स-पक्षपाती जंक्शनमधील परस्परक्रिया एनपीएन ट्रान्झिस्टरप्रमाणेच असते, शिवाय पीएनपी ट्रान्झिस्टरमध्ये बहुसंख्य वर्तमान वाहक छिद्रे असतात. आकृती 4 मध्ये दर्शविलेल्या पीएनपी ट्रान्झिस्टरमध्ये, उत्सर्जकावरील सकारात्मक व्होल्टेज तळाच्या दिशेने छिद्रांना मागे हटवते. रिव्हर्स-पक्षपाती जंक्शनमध्ये (आकृती 3), कलेक्टरवरील नकारात्मक व्होल्टेज आणि बेसवरील सकारात्मक व्होल्टेज बहुसंख्य वर्तमान वाहकांना जंक्शन ओलांडण्यापासून रोखतात. बीजेटीमध्ये तीन भिन्न डोप्ड सेमीकंडक्टर प्रदेश असतात: उत्सर्जक क्षेत्र, बेस क्षेत्र आणि कलेक्टर क्षेत्र. पीएनपी ट्रान्झिस्टरमध्ये अनुक्रमे पी प्रकार, एन प्रकार आणि पी प्रकार आणि एनपीएन ट्रान्झिस्टरमध्ये एन प्रकार, पी प्रकार आणि एन प्रकार हे प्रदेश आहेत. उरलेली छिद्रे बेसमधील बहुसंख्य वाहक इलेक्ट्रॉनांशी पुन्हा एकत्र येतात आणि बेस कनेक्शनद्वारे प्रवाह तयार करून बेस करंट तयार करतात, . आकृतीत दर्शविल्याप्रमाणे, उत्सर्जक प्रवाह, एकूण ट्रान्झिस्टर प्रवाह आहे, जो इतर टर्मिनल प्रवाहांची बेरीज आहे (उदा. आय ई = आय बी + आय सी). एनपीएन ट्रान्झिस्टरमध्ये, जेव्हा बेस-उत्सर्जक जंक्शनवर सकारात्मक पूर्वग्रह लागू केला जातो, तेव्हा थर्मल जनरेट होणारे वाहक आणि एन-डोप्ड उत्सर्जक क्षरण क्षेत्राचे प्रतिकारक विद्युत क्षेत्र यांच्यातील समतोल बिघडतो. हे थर्मल उत्तेजित इलेक्ट्रॉनांना उत्सर्जकाकडून बेस प्रदेशात इंजेक्ट करण्यास अनुमती देते. उरलेली छिद्रे बेसमधील बहुसंख्य वाहक इलेक्ट्रॉनांशी पुन्हा एकत्र येतात आणि बेस कनेक्शनद्वारे प्रवाह तयार करून बेस करंट तयार करतात, . आकृतीत दर्शविल्याप्रमाणे, उत्सर्जक प्रवाह, एकूण ट्रान्झिस्टर प्रवाह आहे, जो इतर टर्मिनल प्रवाहांची बेरीज आहे (उदा. आय ई = आय बी + आय सी). चित्र 4: एनपीएन ट्रान्झिस्टरमधील उलट-पक्षपाती जंक्शन. दुसरे पीएन-जंक्शन (बेस-टू-कलेक्टर), किंवा रिव्हर्स-पक्षपाती जंक्शन जसे त्याला म्हणतात (आकृती 4), बहुसंख्य वर्तमान वाहकांना जंक्शन ओलांडण्यापासून रोखते. मात्र, या जंक्शनमधून जाणारा एक अतिशय छोटा प्रवाह आहे. या प्रवाहाला मायनॉरिटी करंट किंवा रिव्हर्स करंट म्हणतात. इलेक्ट्रॉन हे एन-मटेरियलमधील बहुसंख्य वाहक असल्याने ते एन-मटेरियल उत्सर्जकातून उत्सर्जक-बेस जंक्शनकडे जातील. हे जंक्शन पुढे सरकल्याने इलेक्ट्रॉन बेस प्रदेशात चालू राहतात. एकदा इलेक्ट्रॉन बेसमध्ये असतात, जे पी-प्रकारचे पदार्थ आहे, ते अल्पसंख्याक वाहक बनतात. जेव्हा बेस-उत्सर्जक जंक्शन 'चालू' असते, तेव्हा पातळ आणि हलक्या डोप्ड बेस प्रदेशात बरीच छिद्रे इंजेक्ट केली जातात जेणेकरून इंजेक्शन केलेल्या छिद्रांचा एक मोठा भाग संभाव्यतेला 'खाली' टाकण्यासाठी आणि संग्राहक प्रदेशात जेथे ते बहुसंख्य वाहक आहेत तेथे पुरेसे अस्तित्वात असतात. शेअर करा | या उत्तरात सुधारणा करा.  एनपीएन ट्रान्झिस्टरमध्ये ज्याला अॅक्टिव्ह मोड म्हणतात, बेस-एमिटर व्होल्टेज आणि कलेक्टर-बेस व्होल्टेज पॉझिटिव्ह असतात, उत्सर्जक-बेस जंक्शनला पुढे सरकवतात आणि कलेक्टर-बेस जंक्शनला रिव्हर्स-बायस करतात. उरलेली छिद्रे बेसमधील बहुसंख्य वाहक इलेक्ट्रॉनांशी पुन्हा एकत्र येतात आणि बेस कनेक्शनद्वारे प्रवाह तयार करून बेस करंट तयार करतात, . आकृतीत दर्शविल्याप्रमाणे, उत्सर्जक प्रवाह, एकूण ट्रान्झिस्टर प्रवाह आहे, जो इतर टर्मिनल प्रवाहांची बेरीज आहे (उदा. आय ई = आय बी + आय सी). (अ) एनपीएन जंक्शन बायपोलर ट्रान्झिस्टर. (ब) कलेक्टर बेस जंक्शनला रिव्हर्स बायस लागू करा. द्विध्रुवीय जंक्शन ट्रान्झिस्टरच्या बेस-कलेक्टर जंक्शनला उलट पूर्वग्रह देण्याची प्रथा आहे (वरील आकृती (ब). लक्षात घ्या की यामुळे क्षरण क्षेत्राची रुंदी वाढते. एनपीएन जंक्शन बायपोलर ट्रान्झिस्टर रिव्हर्स पक्षपाती कलेक्टर-बेस सह: (अ) बेस-एमिटर जंक्शनला फॉरवर्ड पूर्वग्रह जोडल्यास (ब) एक लहान बेस प्रवाह आणि मोठा उत्सर्जक आणि संग्राहक प्रवाह होतो. खालील आकृतीमध्ये आपण सध्याच्या प्रवर्धन यंत्रणेवर बारकाईने नजर टाकतो.
तीन भिन्न सेमीकंडक्टर क्षेत्रे: उत्सर्जक क्षेत्र, आधार क्षेत्र आणि संग्राहक क्षेत्र.