기사제목: f'진격의 SK하이닉스' 차세대 D램으로 엔비디아 잡았다 기사내용: fSK하이닉스가 9일 고성능 메모리 반도체인 HBM3 양산을 시작했다.
업계 최초로 개발에 성공한 지 7개월 만에 상용화에 들어가면서 고사양 메모리 시장에서 SK하이닉스의 입지가 강화될 전망이다.
D램은 PC저장 장치부터 서버용 대용량 저장 장치까지 두루 사용되는 핵심 반도체다.
이 D램을 여럿 쌓은 것이 바로 HBM이다.
D램마다 수천 개의 미세한 구멍을 뚫은 뒤 상하층을 수직으로 연결했다.
층층으로 연결된 구멍(통로)은 데이터전류 등을 나르는 초고속 엘리베이터 같은 역할을 해 기존 제품 보다 데이터 처리속도가 눈에 뜨게 향상되고, 크기는 30% 이상, 전력 소모는 50% 이상 줄어든다. HBM3의 경우, 초당 819GB의 데이터를 처리한다.
풀HD(FHD)급 영화 163편을 1초 만에 전송할 수 있는 속도다.
이전 세대인 HBM2E와 비교하면 속도가 약 78% 향상됐다.
현존하는 D램 중 가장 빠른 것이다.
엔비디아는 오는 3분기 출시될 H100에 HBM3를 결합해 가속컴퓨팅 등 인공지능(AI) 기반 첨단기술 분야에 공급할 계획이다.
SK하이닉스는 엔비디아의 일정에 맞춰 HBM3 생산량을 늘려가기로 했다.
SK하이닉스 관계자는 데일리임팩트에 현존하는 D램 중 첨단기술이 집약된 제품이라며 프리미엄 D램 시장에서 톱클래스 경쟁력을 확보한 것은 물론, 초고속 AI 반도체 시장의 새 장을 열게 될 것이라고 말했다.
AI, 5G(5세대) 이동통신, 사물인터넷(IoT) 등이 확산되면서 데이터를 신속하게 처리할 수 있는 고성능 초고속 반도체 수요가 증가하고 있다.
차세대 D램인 HBM의 활용도가 높아질 수밖에 없다.
HBM은 데이터센터부터 고도의 연산력을 바탕으로 AI의 완성도를 높이는 머신러닝, 기후변화 해석신약개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터 등에 활용된다.
업계에서는 SK하이닉스의 기술 경쟁력이 강화되고 있다는 점에 주목하고 있다.
2020년 7월 업계 최초로 3세대 고성능 D램인 HBM2E를 내놓고 같은 해 12월 176단 낸드플래시 개발에 성공했다.
지난해 176단 낸드 비중을 70% 가까이 됐다.
생산성을 대폭 향상시킬 수 있는 극자외선(EUV) 공정을 삼성전자보다 먼저 도입하기도 했다.
지난해 7월부터 세계 최초로 EUV를 적용한 4세대 10나노급(1a) D램을 양산하기 시작했는데, 이 제품은 14나노급으로 알려졌다.
HBM3 상용화로 SK하이닉스가 차제대 D램 시장에서 주도권을 쥐게 됐다는 평가다.