1961年9月，在德克萨斯州达拉斯的德州仪器公司工作时，詹姆斯比亚德和加里皮特曼发现了他们在砷化镓衬底上建造的隧道二极管的近红外（900纳米）光发射。到1961年10月，他们已经证明了GaAs p-n结发光体和电隔离半导体光电探测器之间有效的光发射和信号耦合。1962年8月8日，Biard和Pittman根据他们的发现提出了一项名为“半导体辐射二极管”的专利，该专利描述了一种锌扩散p-n结LED，其具有间隔的阴极触点，以允许在正向偏压下有效地发射红外光。在根据G.E.提交之前的工程笔记本确定其工作优先级之后。美国麻省理工学院的实验室、RCA研究实验室、IBM研究实验室、贝尔实验室和林肯实验室，美国专利局向这两位发明人颁发了砷化镓红外（IR）发光二极管的专利（美国专利US3293513），这是第一个实用的LED。在申请专利后，德州仪器公司（TI）立即开始了一个生产红外二极管的项目。1962年10月，TI发布了第一款LED商业产品（SNX-100），它采用了纯GaAs晶体来发射890nm的光输出。1963年10月，TI宣布推出第一款商用半球形LED，SNX-110。
什么样的二极管被用来帮助发现非红外光发射？