
Пре́мія Ні́ка Голоня́ка () — наукова нагорода від Оптичного товариства (OSA). Вручається за видатні досягнення в галузі оптики з використанням напівпровідникових пристроїв і матеріалів. 
Нік Голоняк, «батько світлодіодів»
Названа на честь американського науковця-фізика і винахідника Ніка Голоняка, який зробив видатний внесок у галузь оптики завдяки розробці напівпровідникових світловипромінювальних діодів та напівпровідникових лазерів.

Премія заснована у 1997 році. Нагородження проводиться з 1998 року. Нагородою відзначені два лауреати Нобелівської премії.

Лауреати


 Рік

 Лауреат

 Обґрунтування нагороди


 1998

 

 За його новаторський внесок і лідерство в дослідженнях та розробці світлодіодних (LED) матеріалів і пристроїв видимої довжини хвилі, включно з першим жовтим світлодіодом і високояскравими червоно-помаранчево-жовтими світлодіодами InAlGaP, котрі за продуктивністю перевершують лампи розжарювання 


 1999

 Денніс Деппе ()

 За розробку лазера поверхневого випромінювання з вертикальним оксидо-обмеженим резонатором 


 2000

 Нобелівська премія з фізики (2000) Жорес Іванович Алфьоров

 За оригінальні дослідження гетероструктурних інжекційних лазерів і безперервних напівпровідникових лазерів кімнатної температури 


 2001

 Нобелівська премія з фізики (2014) Накамура Сюдзі

 За оригінальну демонстрацію та комерціалізацію напівпровідникових лазерів і світлодіодів на основі GaN 


 2002

 Паллаб Бхаттачарія ()

 За фундаментальний внесок у розробку та розуміння квантово-точкових лазерів та інших фотонних пристроїв з квантовим обмеженням


 2003

 Джо Сарлз Кемпбелл ()

 За внесок у розробку високошвидкісних лавинних фотодіодів з низьким рівнем шуму 


 2004

 Петро Георгійович Єлісєєв

 За оригінальний і новаторський внесок у фізику та технологію напівпровідникових лазерів, починаючи з гомопереходів, закінчуючи гетероструктурами InGaAsP/InP, InGaAsSb/GaSb і включно з квантово-точковими структурами з ультранизьким порогом 


 2005

 Пол Деніел Дапкус ()

 За основоположний внесок у розробку металоорганічного хімічного осадження з парової фази та його застосування в лазерних пристроях з квантовою ямою 


 2006

 

 За внесок у розробку напівпровідникових лазерів із квантовими ямами та напруженими шарами завдяки інноваційним методам епітаксійного зростання та новим конструкціям пристроїв 


 2007

 

 За внесок в розвиток керування діодними лазерами: масиви поверхнево випромінюючих лазерів з вертикальним резонатором, блокування інжекції та повільне світло



 2008

 Kam Yin Lau

 За основоположний внесок у високошвидкісну пряму модуляцію напівпровідникових лазерів завдяки покращенню диференціального оптичного підсилення 


 2009

 

 Для фундаментальні і технологічні досягнення в активних гібридних кремнієвих фотонних пристроях, включаючи лазери, модулятори, підсилювачі та кремнієві активні фотонні інтегральні схеми 


 2010

 Двн Ботез ()

 За фундаментальний внесок у створення потужних напівпровідникових лазерів, включаючи активні фотонно-кристалічні структури для створення високої когерентної потужності; однопелюсткові лазери з розподіленим зворотним зв'язком; та потужні високоефективні джерела на основі безалюмінієвої технології 


 2011

 

 За основоположний внесок у лазери на квантових точках і нанофотонні пристрої 


 2012

 Кент Чокетт ()

 За внесок у розробку поверхнево-випромінюючих лазерів з вертикальним резонатором 


 2013

 Алессандро Тредікуччі ()

 За демонстрацію терагерцового квантово-каскадного пристрою, першого компактного інжекційного лазера в далекому інфрачервоному діапазоні 


 2014

 Премія Вольфа з хімії — 2018 

 За відкриття ефективних тонкоплівкових органічних світловипромінюючих діодів (OLED), що призвело до створення нових дисплеїв і освітлювальних приладів 


 2015

 Цін Ху ()

 За його піонерський внесок у високоефективні ТГц квантово-каскадні лазери та їх застосування у візуалізації та зондуванні 


 2016

 

 За новаторські та постійні внески в оптоелектронні пристрої з квантовими ямами, квантовими точками та нанодротами та їх інтеграцію 


 2017

 Ларрі Колдрен ()

 За великий внесок у фотонні інтегральні схеми 


 2018

 

 За фундаментальні відкриття щодо росту та фізики напівпровідникових наноструктур, які ведуть до нових нанофотонних пристроїв для інформатики та комунікацій 


 2019

 Фуміо Кояма ()

 За фундаментальний внесок у фотоніку та інтеграцію VCSEL (Vertical-cavity surface-emitting lasers — поверхнево випромінюючих лазерів з вертикальним резонатором) 


 2020

 

 За значний внесок у гетероепітаксію складних напівпровідників на кремнії для майбутніх інтегрованих лазерів і розвиток галузі світлодіодних мікродисплеїв 


 2021

 

 За широкий внесок у розробку та застосування III—V напівпровідникових пристроїв, особливо включаючи мікросвітлодіоди на нітриді галію та напівпровідникові лазери з оптичним накачуванням 


 2022

 Маршалл Натан ()

 За новаторську роботу у створенні діодних лазерів на основі GaAs та винахідницький внесок у складні напівпровідники та лазерну фізику 


Примітки


Посилання
*  Сайт премії




