舛岡富士雄
舛岡 富士雄（ますおか ふじお、1943年5月8日 - ）は日本の電子工学研究者。東北大学名誉教授。フラッシュメモリの発明者である。半導体事業は莫大な初期投資費用がかかるため[1]、東芝在籍時には厚遇されていなかったが半導体需要の激増でフラッシュメモリは一大産業に成長している。
サムスン電子
ほどなく256K DRAMの開発にも成功する。一方日本の東芝（東芝のDRAM部門は後にマイクロンに買収）は、1984年に舛岡富士雄が世界初のNOR型フラッシュメモリを開発、1985年に世界初の1M DRAMを開発、1987年に世界初のNAND型フラッシュメモリを開発するなど盛んに次世代メモリの開発を行なっていたが、東芝やマイクロンなどのトップ企業が次世代メモリに移行することで旧世代メモリの品薄現象が生じたため、あえて256K DRAMに注力した三星は1988年だけで3200億ウォンの莫大な純利益を出し、一気に会社の規模を拡大した。この経営判断を行ったのが李秉喆の三男である三星グループ副会長の李健熙で、李秉喆が1987年に死去した後は李健煕が三星グループの第2代会長に就任する。1992年には世界初の64M DRAMの開発に成功、1993年にはDRAM市場で13.5%のシェアを確保し、12.8%に留まった日本の東芝を抜いてついにシェア世界1位となった。以来トップを維持している。なおNAND型フラッシュメモリでも2002年に世界1位となっている。