舛岡富士雄
舛岡 富士雄（ますおか ふじお、1943年5月8日 - ）は日本の電子工学研究者。東北大学名誉教授。フラッシュメモリの発明者である。半導体事業は莫大な初期投資費用がかかるため[1]、東芝在籍時には厚遇されていなかったが半導体需要の激増でフラッシュメモリは一大産業に成長している。
抵抗変化型メモリ
その後、2004年にはサムスン電子が酸化ニッケルを使い、2005年にはアメリカのスパンション社が酸化銅に窒化チタン・銅の電極の組み合わせ、2006年には富士通が二酸化チタンと白金電極でReRAMデバイスを作製した 。この他、インテルが2005年からReRAMの研究会を主催している。NAND型フラッシュメモリなどの代替を念頭に、2010年頃の実用化を各社が目指した。