一种用于LDO的BiCMOS带隙基准
提出了一种基于传统基准源的改进带隙基准.该电路采用0.6 μm BiCMOS工艺实现,用于低压差线性稳压器.由于没有使用运算放大器以及非线性补偿技术,因此,该基准电路结构简单,面积小,电源电压为2.5 V时功耗低达12.5 μW.在-40～125℃温度范围内温度系数为22.2×10-6/℃,线性调整率为0.01%/V.当外接0.47 μF的滤波电容后,在1 kHz频率时电源抑制比为135 dB,在200 Hz和100 kHz频率时噪声功率谱密度分别为7.4 V/Hz和6.7 pV/Hz.