Ti/Al/Ni/Au在N-polar GaN上的欧姆接触
N-polar GaN以其特有的材料特性和化学活性日益受到研究者关注,而N-polar GaN上欧姆接触也成为研究的热点.以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属,分析了N-polar GaN上欧姆接触的最优退火条件,并借助剖面透射电子显微镜(TEM)和能量色散X射线能谱仪(EDX)研究了金属和N-polar GaN之间的反应生成物.结果表明,当退火温度升高到860℃时,可得到比接触电阻率ρc为1.7×10-5Ω·cm2的最优欧姆接触特性.TEM和EDX测试发现,除了生成已报道的AlN,还会在界面处产生多晶AlOx,两者共同作用会进一步拉高势垒,从而对N-polar GaN上欧姆接触产生不利影响.