Bipolar junction transistor
இருமுனை சந்தி டிரான்சிஸ்டர் (பிஜேடி) என்பது எலக்ட்ரான்கள் மற்றும் எலக்ட்ரான் துளைகள் இரண்டையும் சார்ஜ் கேரியர்களாகப் பயன்படுத்தும் ஒரு வகை டிரான்சிஸ்டர் ஆகும். இதற்கு மாறாக, ஃபீல்ட்-எஃபெக்ட் டிரான்சிஸ்டர் (FET) போன்ற ஒரு ஒற்றைத் துருவ டிரான்சிஸ்டர், ஒரே வகையான சார்ஜ் கேரியரை மட்டுமே பயன்படுத்துகிறது. ஒரு இருமுனை டிரான்சிஸ்டர் அதன் முனையங்களில் ஒன்றில் செலுத்தப்படும் ஒரு சிறிய மின்னோட்டத்தை முனையங்களுக்கு இடையில் பாயும் மிகப் பெரிய மின்னோட்டத்தைக் கட்டுப்படுத்த அனுமதிக்கிறது, இதனால் சாதனம் பெருக்கம் அல்லது மாறும் திறன் கொண்டது. பிஜேடிக்கள் இரண்டு குறைக்கடத்தி வகைகளான என்-வகை மற்றும் பி-வகைக்கு இடையில் இரண்டு பி-என் சந்திப்புகளைப் பயன்படுத்துகின்றன, அவை ஒரே படிகப் பொருளின் பகுதிகளாகும். செமிகண்டக்டர் பொருளின் ஊக்கமருந்து அளவை அது வளரும் போது மாற்றுவது, உலோகத் துகள்களை அலாய் சந்திப்புகளை உருவாக்க வைப்பதன் மூலம் அல்லது n-வகை மற்றும் p-வகை ஊக்கமருந்து பொருட்களை படிகத்திற்குள் பரப்புவது போன்ற முறைகள் மூலம் சந்திப்புகளை பல்வேறு வழிகளில் உருவாக்கலாம். சந்தி டிரான்சிஸ்டர்களின் உயர்ந்த முன்கணிப்பு மற்றும் செயல்திறன் அசல் புள்ளி-தொடர்பு டிரான்சிஸ்டரை விரைவாக இடம்பெயர்ந்தது. பரவலான டிரான்சிஸ்டர்கள், பிற கூறுகளுடன், அனலாக் மற்றும் டிஜிட்டல் செயல்பாடுகளுக்கான ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகளின் கூறுகளாகும். நூற்றுக்கணக்கான இருமுனை சந்தி டிரான்சிஸ்டர்களை ஒரு சுற்றில் மிகக் குறைந்த செலவில் உருவாக்க முடியும். இருமுனை டிரான்சிஸ்டர் ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகள் ஒரு தலைமுறை மெயின்ஃப்ரேம் மற்றும் மினிகம்ப்யூட்டர்களின் முக்கிய செயலில் உள்ள சாதனங்களாக இருந்தன, ஆனால் பெரும்பாலான கணினி அமைப்புகள் இப்போது புலம்-விளைவு டிரான்சிஸ்டர்களை நம்பியிருக்கும் CMOS ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகளைப் பயன்படுத்துகின்றன. பைபோலார் டிரான்சிஸ்டர்கள் இன்னும் சிக்னல்களை பெருக்குவதற்கும், மாற்றுவதற்கும், கலப்பு-சிக்னல் ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகளில் BiCMOS ஐப் பயன்படுத்துவதற்கும் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. உயர் மின்னழுத்த சுவிட்சுகள், ரேடியோ-அதிர்வெண் (ஆர்எஃப்) பெருக்கிகள் அல்லது உயர் மின்னோட்டங்களை மாற்றுவதற்கு சிறப்பு வகைகள் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. நடப்பு திசை மரபுகள் வழக்கமாக, வரைபடங்களில் மின்னோட்டத்தின் திசை ஒரு நேர்மறை மின்னூட்டம் நகரும் திசையாக காட்டப்படுகிறது. இது வழக்கமான மின்னோட்டம் என்று அழைக்கப்படுகிறது. இருப்பினும், உலோக கடத்திகளில் மின்னோட்டம் பொதுவாக எலக்ட்ரான்களின் ஓட்டத்தால் ஏற்படுகிறது. எலக்ட்ரான்கள் எதிர்மறை மின்னூட்டத்தைக் கொண்டு செல்வதால், அவை வழக்கமான மின்னோட்டத்திற்கு எதிரான திசையில் நகர்கின்றன. மறுபுறம், ஒரு இருமுனை டிரான்சிஸ்டருக்குள், மின்னோட்டங்கள் நேர்மறையாக சார்ஜ் செய்யப்பட்ட துளைகள் மற்றும் எதிர்மறையாக சார்ஜ் செய்யப்பட்ட எலக்ட்ரான்கள் ஆகிய இரண்டையும் கொண்டிருக்கலாம். இந்தக் கட்டுரையில், தற்போதைய அம்புகள் வழக்கமான திசையில் காட்டப்பட்டுள்ளன, ஆனால் துளைகள் மற்றும் எலக்ட்ரான்களின் இயக்கத்திற்கான லேபிள்கள் டிரான்சிஸ்டருக்குள் அவற்றின் உண்மையான திசையைக் காட்டுகின்றன. அம்பு திசை இருமுனை டிரான்சிஸ்டர்களுக்கான சின்னத்தில் உள்ள அம்பு அடிப்படை மற்றும் உமிழ்ப்பாளருக்கு இடையிலான p-n சந்திப்பைக் குறிக்கிறது மற்றும் வழக்கமான மின்னோட்டம் பயணிக்கும் திசையில் சுட்டிக்காட்டுகிறது. மூன்று முக்கிய முனையப் பகுதிகளின் ஊக்கமருந்து வகைகளின் அடிப்படையில் செயல்பாட்டு பிஜேடிக்கள் பிஎன்பி மற்றும் என். பி. என் வகைகளாக உள்ளன. ஒரு NPN டிரான்சிஸ்டர் ஒரு மெல்லிய p-டோப் செய்யப்பட்ட பகுதியைப் பகிர்ந்து கொள்ளும் இரண்டு குறைக்கடத்தி சந்திப்புகளைக் கொண்டுள்ளது, மேலும் ஒரு PNP டிரான்சிஸ்டர் ஒரு மெல்லிய n-டோப் செய்யப்பட்ட பகுதியைப் பகிர்ந்து கொள்ளும் இரண்டு குறைக்கடத்தி சந்திப்புகளைக் கொண்டுள்ளது. என்-வகை என்பது நடமாடும் எலக்ட்ரான்களை வழங்கும் அசுத்தங்களுடன் (பாஸ்பரஸ் அல்லது ஆர்சனிக் போன்றவை) உட்செலுத்தப்பட்டதாகும், அதே நேரத்தில் பி-வகை என்பது எலக்ட்ரான்களை எளிதில் ஏற்றுக்கொள்ளும் துளைகளை வழங்கும் அசுத்தங்களுடன் (போரான் போன்றவை) உட்செலுத்தப்பட்டதாகும். ஒரு பி. ஜே. டி. யில் சார்ஜ் ஓட்டம் என்பது வெவ்வேறு சார்ஜ் கேரியர் செறிவு கொண்ட இரண்டு பகுதிகளுக்கு இடையில் ஒரு சந்திப்பின் குறுக்கே சார்ஜ் கேரியர்கள் (எலக்ட்ரான்கள் மற்றும் துளைகள்) பரவுவதால் ஏற்படுகிறது. ஒரு பி. ஜே. டி. யின் பகுதிகள் உமிழ்ப்பான், அடித்தளம் மற்றும் சேகரிப்பாளர் என்று அழைக்கப்படுகின்றன. ஒரு தனித்துவமான டிரான்சிஸ்டர் இந்த பகுதிகளுடன் இணைக்க மூன்று தடங்களைக் கொண்டுள்ளது. பொதுவாக, உமிழ்ப்பான் பகுதி மற்ற இரண்டு அடுக்குகளுடன் ஒப்பிடும்போது பெரிதும் ஊசி போடப்படுகிறது, மேலும் சேகரிப்பாளர் அடித்தளத்தை விட மிகவும் லேசாக (பொதுவாக பத்து மடங்கு இலகுவான) ஊசி போடப்படுகிறது. வடிவமைப்பின் படி, பிஜேடி சேகரிப்பாளர் மின்னோட்டத்தின் பெரும்பகுதி, அதிக அளவு டோப் செய்யப்பட்ட உமிழ்ப்பாளரிடமிருந்து சார்ஜ் கேரியர்களின் ஓட்டம் காரணமாக அடிப்பகுதிக்குள் செலுத்தப்படுகிறது, அங்கு அவை சிறுபான்மை கேரியர்கள் (என். பி. என். களில் எலக்ட்ரான்கள், பி. என். பி. களில் துளைகள்) சேகரிப்பாளரை நோக்கி பரவுகின்றன, எனவே பிஜேடிக்கள் சிறுபான்மை-கேரியர் சாதனங்களாக வகைப்படுத்தப்படுகின்றன. வழக்கமான செயல்பாட்டில், அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் சந்திப்பு முன்னோக்கி சார்புடையது, அதாவது சந்திப்பின் p-டோப் செய்யப்பட்ட பக்கம் n-டோப் செய்யப்பட்ட பக்கத்தை விட அதிக நேர்மறை ஆற்றலில் உள்ளது, மேலும் அடிப்படை-சேகரிப்பாளர் சந்திப்பு தலைகீழ் சார்புடையது. அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் சந்திப்பில் முன்னோக்கி சார்பு பயன்படுத்தப்படும்போது, வெப்பத்தால் உருவாக்கப்பட்ட கேரியர்களுக்கும் உமிழ்ப்பான் குறைப்பு பகுதியின் விரட்டும் மின்சார புலத்திற்கும் இடையிலான சமநிலை பாதிக்கப்படுகிறது. இது வெப்பத்தால் தூண்டப்பட்ட கேரியர்களை (என். பி. என். களில் உள்ள எலக்ட்ரான்கள், பி. என். பி. களில் உள்ள துளைகள்) உமிழ்ப்பாளரிடமிருந்து அடிப்படை பகுதிக்குள் செலுத்த அனுமதிக்கிறது. இந்த கேரியர்கள் உமிழ்ப்பாளருக்கு அருகிலுள்ள அதிக செறிவு பகுதியிலிருந்து சேகரிப்பாளருக்கு அருகிலுள்ள குறைந்த செறிவு பகுதியை நோக்கி அடிப்பகுதி வழியாக ஒரு பரவல் மின்னோட்டத்தை உருவாக்குகின்றன. சேகரிப்பாளர்-அடிப்படை சந்திப்பை அடைவதற்கு முன்பு மறுசீரமைக்கும் கேரியர்களின் பகுதியை குறைக்க, டிரான்சிஸ்டரின் அடிப்படை பகுதி குறைக்கடத்தியின் சிறுபான்மை-கேரியர் வாழ்நாளை விட மிகக் குறைந்த நேரத்தில் கேரியர்கள் அதன் குறுக்கே பரவக்கூடிய அளவுக்கு மெல்லியதாக இருக்க வேண்டும். லேசான டோப் செய்யப்பட்ட அடித்தளத்தைக் கொண்டிருப்பது மறுசீரமைப்பு விகிதங்கள் குறைவாக இருப்பதை உறுதி செய்கிறது. குறிப்பாக, அடித்தளத்தின் தடிமன் கேரியர்களின் பரவல் நீளத்தை விட மிகக் குறைவாக இருக்க வேண்டும். சேகரிப்பாளர்-அடிப்படை சந்திப்பு தலைகீழ்-சார்பு கொண்டது, எனவே சேகரிப்பாளரிடமிருந்து அடிப்பகுதிக்கு மிகக் குறைவான கேரியர் ஊசி ஏற்படுகிறது, ஆனால் உமிழ்ப்பாளரிடமிருந்து அடிப்பகுதிக்குள் செலுத்தப்படும் கேரியர்கள், சேகரிப்பாளர்-அடிப்படை குறைப்பு பகுதியை அடைய பரவுகின்றன, அவை குறைப்பு பகுதியில் உள்ள மின்சார புலத்தால் சேகரிப்பாளருக்குள் அடித்துச் செல்லப்படுகின்றன. மெல்லிய பகிரப்பட்ட அடித்தளம் மற்றும் சமச்சீரற்ற சேகரிப்பாளர்-உமிழ்ப்பான் ஊக்கமருந்து ஆகியவை ஒரு இருமுனை டிரான்சிஸ்டரை தொடரில் இணைக்கப்பட்ட இரண்டு தனித்தனி டையோட்களிலிருந்து வேறுபடுத்துகின்றன. மின்னழுத்தம், மின்னோட்டம் மற்றும் மின்னூட்டக் கட்டுப்பாடு சேகரிப்பாளர்-உமிழ்ப்பான் மின்னோட்டத்தை அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் மின்னோட்டம் (மின்னோட்டக் கட்டுப்பாடு) அல்லது அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் மின்னழுத்தம் (மின்னழுத்தக் கட்டுப்பாடு) மூலம் கட்டுப்படுத்தப்படுவதாகக் காணலாம். இந்த காட்சிகள் அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் சந்திப்பின் மின்னோட்ட-மின்னழுத்த உறவால் தொடர்புடையவை, இது ஒரு p-n சந்திப்பின் (டையோடு) வழக்கமான அதிவேக மின்னோட்ட-மின்னழுத்த வளைவு ஆகும். சேகரிப்பாளர் மின்னோட்டத்திற்கான விளக்கம் அடிப்படை பகுதியில் உள்ள சிறுபான்மை கேரியர்களின் செறிவு சாய்வு ஆகும். குறைந்த அளவிலான ஊசி காரணமாக (இதில் சாதாரண பெரும்பான்மை கேரியர்களை விட மிகக் குறைவான அதிகப்படியான கேரியர்கள் உள்ளன) அம்பிபோலார் போக்குவரத்து விகிதங்கள் (இதில் அதிகப்படியான பெரும்பான்மை மற்றும் சிறுபான்மை கேரியர்கள் ஒரே விகிதத்தில் பாய்கின்றன) அதிகப்படியான சிறுபான்மை கேரியர்களால் தீர்மானிக்கப்படுகின்றன. டிரான்சிஸ்டர் செயல்பாட்டின் விரிவான டிரான்சிஸ்டர் மாதிரிகள், குமெல்-பூன் மாதிரி போன்றவை, டிரான்சிஸ்டர் நடத்தையை இன்னும் துல்லியமாக விளக்க இந்த மின்னூட்டத்தின் விநியோகத்திற்கு வெளிப்படையாகக் கணக்கிடுகின்றன. சார்ஜ்-கண்ட்ரோல் பார்வை ஃபோட்டோட்ரான்ஸிஸ்டர்களை எளிதில் கையாளுகிறது, அங்கு அடிப்படை பகுதியில் உள்ள சிறுபான்மை கேரியர்கள் ஃபோட்டான்களை உறிஞ்சுவதன் மூலம் உருவாக்கப்படுகின்றன, மேலும் டர்ன்-ஆஃப் அல்லது மீட்பு நேரத்தின் இயக்கவியலைக் கையாளுகின்றன, இது அடிப்படை பகுதியில் உள்ள சார்ஜ் மறுசீரமைப்பைப் பொறுத்தது. இருப்பினும், பேஸ் சார்ஜ் என்பது முனையங்களில் தெரியும் சமிக்ஞை அல்ல என்பதால், மின்னோட்டம் மற்றும் மின்னழுத்தக் கட்டுப்பாட்டு காட்சிகள் பொதுவாக சுற்று வடிவமைப்பு மற்றும் பகுப்பாய்வில் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. அனலாக் சுற்று வடிவமைப்பில், மின்னோட்ட-கட்டுப்பாட்டு பார்வை சில நேரங்களில் பயன்படுத்தப்படுகிறது, ஏனெனில் இது தோராயமாக நேரியல் ஆகும். அதாவது, சேகரிப்பாளர் மின்னோட்டம் அடிப்படை மின்னோட்டத்தின் தோராயமான மடங்கு ஆகும். அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் மின்னழுத்தம் தோராயமாக நிலையானது என்றும் சேகரிப்பாளர் மின்னோட்டம் அடிப்படை மின்னோட்டத்தின் β மடங்கு என்றும் கருதி சில அடிப்படை சுற்றுகளை வடிவமைக்க முடியும். இருப்பினும், உற்பத்தி பிஜேடி சுற்றுகளை துல்லியமாகவும் நம்பகத்தன்மையுடனும் வடிவமைக்க, மின்னழுத்த-கட்டுப்பாட்டு மாதிரி (எ. கா. ஈபர்ஸ்-மால் மாதிரி) தேவைப்படுகிறது. மின்னழுத்த-கட்டுப்பாட்டு மாதிரியை கணக்கில் எடுத்துக் கொள்ள ஒரு அதிவேக செயல்பாடு தேவைப்படுகிறது, ஆனால் டிரான்சிஸ்டரை ஒரு டிரான்ஸ்கண்டக்டன்ஸ் மாதிரியாக வடிவமைக்க முடியும் வகையில் நேரியல் செய்யும்போது, ஈபர்ஸ்-மால் மாதிரியைப் போலவே, வேறுபட்ட பெருக்கிகள் போன்ற சுற்றுகளுக்கான வடிவமைப்பு மீண்டும் பெரும்பாலும் நேரியல் சிக்கலாக மாறுகிறது, எனவே மின்னழுத்த-கட்டுப்பாட்டு பார்வை பெரும்பாலும் விரும்பப்படுகிறது. அதிவேக I-V வளைவு செயல்பாட்டிற்கு முக்கியமாக இருக்கும் டிரான்ஸ்லீனியர் சுற்றுகளுக்கு, டிரான்சிஸ்டர்கள் பொதுவாக மின்னழுத்தம்-கட்டுப்படுத்தப்பட்ட மின்னோட்ட ஆதாரங்களாக வடிவமைக்கப்படுகின்றன, அவற்றின் டிரான்ஸ்கண்டக்டன்ஸ் அவற்றின் சேகரிப்பாளர் மின்னோட்டத்திற்கு விகிதாசாரமாக இருக்கும். பொதுவாக, டிரான்சிஸ்டர்-நிலை சுற்று பகுப்பாய்வு ஸ்பைஸ் அல்லது ஒப்பிடக்கூடிய அனலாக்-சர்க்யூட் சிமுலேட்டரைப் பயன்படுத்தி செய்யப்படுகிறது, எனவே கணித மாதிரி சிக்கலானது பொதுவாக வடிவமைப்பாளருக்கு அதிக அக்கறை இல்லை, ஆனால் பண்புகளின் எளிமைப்படுத்தப்பட்ட பார்வை ஒரு தர்க்கரீதியான செயல்முறையைத் தொடர்ந்து வடிவமைப்புகளை உருவாக்க அனுமதிக்கிறது. டர்ன்-ஆன், டர்ன்-ஆஃப் மற்றும் ஸ்டோரேஜ் தாமதம் பைபோலார் டிரான்சிஸ்டர்கள் மற்றும் குறிப்பாக பவர் டிரான்சிஸ்டர்கள், அவை செறிவூட்டலுக்குள் இயக்கப்படும்போது நீண்ட பேஸ்-ஸ்டோரேஜ் நேரங்களைக் கொண்டுள்ளன; பயன்பாடுகளை மாற்றுவதில் பேஸ் ஸ்டோரேஜ் டர்ன்-ஆஃப் நேரத்தைக் கட்டுப்படுத்துகிறது. ஒரு பேக்கர் கிளாம்ப் டிரான்சிஸ்டர் பெரிதும் நிறைவுறுவதைத் தடுக்கலாம், இது அடித்தளத்தில் சேமிக்கப்பட்டுள்ள மின்னூட்டத்தின் அளவைக் குறைக்கிறது, இதனால் மாறும் நேரத்தை மேம்படுத்துகிறது. டிரான்சிஸ்டர் பண்புகள்ஃ ஆல்பா () மற்றும் பீட்டா () அடித்தளத்தைக் கடந்து சேகரிப்பாளரை அடையக்கூடிய கேரியர்களின் விகிதம் பி. ஜே. டி செயல்திறனின் அளவீடு ஆகும். உமிழ்ப்பான் பகுதியின் கனமான ஊக்கமருந்து மற்றும் அடிப்பகுதியில் லேசான ஊக்கமருந்து காரணமாக, அடிப்பகுதியில் இருந்து உமிழ்ப்பாளருக்குள் துளைகள் செலுத்தப்படுவதை விட பல எலக்ட்ரான்கள் உமிழ்ப்பாளரிடமிருந்து அடிப்பகுதியில் செலுத்தப்படுகின்றன. ஒரு மெல்லிய மற்றும் லேசான டோப் செய்யப்பட்ட அடிப்படை பகுதி என்பது அடித்தளத்திற்குள் செலுத்தப்படும் பெரும்பாலான சிறுபான்மை கேரியர்கள் சேகரிப்பாளருக்கு பரவுகின்றன, ஆனால் மீண்டும் இணைக்கப்படுவதில்லை. பொதுவான-உமிழ்ப்பான் மின்னோட்ட ஆதாயம் பொதுவான-உமிழ்ப்பான் மின்னோட்ட ஆதாயம் F அல்லது-அளவுரு FE ஆல் குறிக்கப்படுகிறது; இது தோராயமாக முன்னோக்கி-செயலில் உள்ள பகுதியில் அடித்தளத்தின் நேரடி மின்னோட்டத்திற்கு சேகரிப்பாளரின் நேரடி மின்னோட்டத்தின் விகிதமாகும். (எஃப் சந்தா முன்னோக்கி செயலில் உள்ள செயல்பாட்டு முறையைக் குறிக்கப் பயன்படுகிறது.) இது பொதுவாக சிறிய-சிக்னல் டிரான்சிஸ்டர்களுக்கு 50 க்கும் அதிகமாக இருக்கும், ஆனால் உயர்-சக்தி பயன்பாடுகளுக்காக வடிவமைக்கப்பட்ட டிரான்சிஸ்டர்களில் சிறியதாக இருக்கலாம். ஊசி செயல்திறன் மற்றும் அடித்தளத்தில் மறுசீரமைப்பு ஆகிய இரண்டும் பிஜேடி ஆதாயத்தைக் குறைக்கின்றன. பொதுவான-அடிப்படை மின்னோட்ட ஆதாயம் மற்றொரு பயனுள்ள பண்பு பொதுவான-அடிப்படை மின்னோட்ட ஆதாயம், எஃப். பொதுவான-அடிப்படை மின்னோட்ட ஆதாயம் என்பது முன்னோக்கி-செயலில் உள்ள பகுதியில் உமிழ்ப்பாளரிடமிருந்து சேகரிப்பாளருக்கு மின்னோட்டத்தின் ஆதாயமாகும். இந்த விகிதம் பொதுவாக ஒற்றுமைக்கு நெருக்கமான மதிப்பைக் கொண்டுள்ளது; 0.980 மற்றும் 0.998 க்கு இடையில். சார்ஜ் கேரியர்கள் அடிப்படை பகுதியைக் கடக்கும்போது அவை மறுசீரமைக்கப்படுவதால் இது ஒற்றுமையை விட குறைவாக உள்ளது. ஆல்பா மற்றும் பீட்டா பின்வரும் அடையாளங்களால் தொடர்புடையவைஃ இருமுனை டிரான்சிஸ்டரின் செயல்திறனை விவரிக்க பீட்டா ஒரு வசதியான தகுதி, ஆனால் இது சாதனத்தின் அடிப்படை இயற்பியல் பண்பு அல்ல. இருமுனை டிரான்சிஸ்டர்களை மின்னழுத்தக் கட்டுப்பாட்டு சாதனங்களாகக் கருதலாம் (அடிப்படையில் சேகரிப்பாளர் மின்னோட்டம் அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் மின்னழுத்தத்தால் கட்டுப்படுத்தப்படுகிறது; அடிப்படை மின்னோட்டம் ஒரு குறைபாடாகக் கருதப்படலாம் மற்றும் அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் சந்திப்பின் பண்புகள் மற்றும் அடிப்பகுதியில் மறுசீரமைப்பு ஆகியவற்றால் கட்டுப்படுத்தப்படுகிறது). பல வடிவமைப்புகளில் பீட்டா போதுமான அளவு உயர்ந்ததாக கருதப்படுகிறது, இதனால் அடிப்படை மின்னோட்டம் சுற்றுவட்டத்தில் மிகக் குறைந்த விளைவைக் கொண்டுள்ளது. சில சுற்றுகளில் (பொதுவாக மாறும் சுற்றுகள்), போதுமான அடிப்படை மின்னோட்டம் வழங்கப்படுகிறது, இதனால் ஒரு குறிப்பிட்ட சாதனம் கொண்டிருக்கக்கூடிய மிகக் குறைந்த பீட்டா மதிப்பு கூட தேவையான சேகரிப்பாளர் மின்னோட்டத்தை பாய அனுமதிக்கும். கட்டமைப்பு பி. ஜே. டி. க்கள் மூன்று வெவ்வேறு டோப் செய்யப்பட்ட குறைக்கடத்தி பகுதிகளைக் கொண்டுள்ளனஃ உமிழ்ப்பான் பகுதி, அடிப்படை பகுதி மற்றும் சேகரிப்பாளர் பகுதி. இந்த பகுதிகள், முறையே, ஒரு பி. என். பி டிரான்சிஸ்டரில் பி வகை, என் வகை மற்றும் பி வகை, மற்றும் ஒரு என். பி. என் டிரான்சிஸ்டரில் என் வகை, பி வகை மற்றும் என் வகை ஆகும். ஒவ்வொரு குறைக்கடத்தி பகுதியும் ஒரு முனையத்துடன் இணைக்கப்பட்டுள்ளது, பொருத்தமாக பெயரிடப்பட்டுள்ளதுஃ உமிழ்ப்பான் (E), அடிப்படை (B) மற்றும் சேகரிப்பாளர் (C). அடிப்பகுதி உமிழ்ப்பாளருக்கும் சேகரிப்பாளருக்கும் இடையில் இயற்பியல் ரீதியாக அமைந்துள்ளது மற்றும் லேசான டோப் செய்யப்பட்ட, அதிக எதிர்ப்புத்தன்மை கொண்ட பொருட்களால் தயாரிக்கப்படுகிறது. சேகரிப்பாளர் உமிழ்ப்பான் பகுதியைச் சுற்றி, அடிப்படை பகுதிக்குள் செலுத்தப்பட்ட எலக்ட்ரான்கள் சேகரிக்கப்படாமல் தப்பிக்க கிட்டத்தட்ட சாத்தியமற்றது, இதனால் α இன் விளைவாக வரும் மதிப்பு ஒற்றுமைக்கு மிக நெருக்கமாக உள்ளது, எனவே, டிரான்சிஸ்டருக்கு ஒரு பெரிய β ஐ வழங்குகிறது. ஒரு பி. ஜே. டி. யின் குறுக்குவெட்டு பார்வை, சேகரிப்பாளர்-அடிப்படை சந்திப்பு உமிழ்ப்பான்-அடிப்படை சந்திப்பை விட மிகப் பெரிய பரப்பளவைக் கொண்டுள்ளது என்பதைக் குறிக்கிறது. இருமுனை சந்தி டிரான்சிஸ்டர், மற்ற டிரான்சிஸ்டர்களைப் போலல்லாமல், பொதுவாக ஒரு சமச்சீர் சாதனம் அல்ல. இதன் பொருள் என்னவென்றால், சேகரிப்பாளரும் உமிழ்ப்பாளரும் ஒன்றோடொன்று மாற்றப்படுவதால் டிரான்சிஸ்டர் முன்னோக்கி செயலில் உள்ள பயன்முறையை விட்டு வெளியேறி தலைகீழ் பயன்முறையில் செயல்படத் தொடங்குகிறது. டிரான்சிஸ்டரின் உள் அமைப்பு பொதுவாக முன்னோக்கி-முறை செயல்பாட்டிற்கு உகந்ததாக இருப்பதால், சேகரிப்பாளரும் உமிழ்ப்பாளரும் ஒன்றோடொன்று மாற்றப்படுவதால் α மற்றும் β இன் மதிப்புகள் தலைகீழ் செயல்பாட்டில் முன்னோக்கி செயல்பாட்டை விட மிகவும் சிறியதாக இருக்கும்; பெரும்பாலும் தலைகீழ் பயன்முறையின் α 0.5 க்கும் குறைவாக இருக்கும். சமச்சீர் இல்லாதது முதன்மையாக உமிழ்ப்பான் மற்றும் சேகரிப்பாளரின் ஊக்கமருந்து விகிதங்களால் ஏற்படுகிறது. உமிழ்ப்பான் பெரிதும் ஊசி போடப்படுகிறது, அதே நேரத்தில் சேகரிப்பாளர் லேசாக ஊசி போடப்படுகிறது, இது சேகரிப்பாளர்-அடிப்படை சந்திப்பு உடைவதற்கு முன்பு ஒரு பெரிய தலைகீழ் சார்பு மின்னழுத்தத்தைப் பயன்படுத்த அனுமதிக்கிறது. சாதாரண செயல்பாட்டில் கலெக்டர்-பேஸ் சந்திப்பு தலைகீழ் சார்புடையது. உமிழ்ப்பான் அதிகமாக ஊசி போடப்படுவதற்கான காரணம் உமிழ்ப்பான் ஊசி செயல்திறனை அதிகரிப்பதாகும்ஃ உமிழ்ப்பாளரால் உட்செலுத்தப்பட்ட கேரியர்களின் விகிதம் மற்றும் அடித்தளத்தால் உட்செலுத்தப்பட்ட கேரியர்களின் விகிதம். அதிக மின்னோட்ட ஆதாயத்திற்கு, உமிழ்ப்பான்-அடிப்படை சந்திப்புக்குள் செலுத்தப்படும் பெரும்பாலான கேரியர்கள் உமிழ்ப்பாளரிடமிருந்து வர வேண்டும். சில நேரங்களில் CMOS செயல்முறைகளில் பயன்படுத்தப்படும் குறைந்த செயல்திறன் கொண்ட "பக்கவாட்டு" இருமுனை டிரான்சிஸ்டர்கள் சில நேரங்களில் சமச்சீராக வடிவமைக்கப்படுகின்றன, அதாவது, முன்னோக்கி மற்றும் பின்தங்கிய செயல்பாட்டிற்கு இடையே எந்த வித்தியாசமும் இல்லை. அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் முனையங்களில் பயன்படுத்தப்படும் மின்னழுத்தத்தில் சிறிய மாற்றங்கள் உமிழ்ப்பாளருக்கும் சேகரிப்பாளருக்கும் இடையிலான மின்னோட்டத்தை கணிசமாக மாற்றுகின்றன. இந்த விளைவு உள்ளீட்டு மின்னழுத்தம் அல்லது மின்னோட்டத்தை பெருக்க பயன்படுத்தப்படலாம். பிஜேடிக்களை மின்னழுத்த-கட்டுப்படுத்தப்பட்ட மின்னோட்ட ஆதாரங்களாகக் கருதலாம், ஆனால் அடிப்பகுதியில் குறைந்த மின்மறுப்பு காரணமாக அவை மின்னோட்ட-கட்டுப்படுத்தப்பட்ட மின்னோட்ட ஆதாரங்கள் அல்லது மின்னோட்ட பெருக்கிகள் என மிகவும் எளிமையாக வகைப்படுத்தப்படுகின்றன. ஆரம்பகால டிரான்சிஸ்டர்கள் ஜெர்மானியத்திலிருந்து செய்யப்பட்டன, ஆனால் பெரும்பாலான நவீன பி. ஜே. டி. க்கள் சிலிக்கானிலிருந்து தயாரிக்கப்படுகின்றன. குறிப்பாக மிக அதிவேக பயன்பாடுகளுக்கு காலியம் ஆர்சனைடிலிருந்து ஒரு குறிப்பிடத்தக்க சிறுபான்மை இப்போது தயாரிக்கப்படுகிறது (கீழே உள்ள எச். பி. டி. யைப் பார்க்கவும்). ஹெட்டோரோஜங்ஷன் பைபோலார் டிரான்சிஸ்டர் (எச். பி. டி) என்பது பி. ஜே. டி இன் முன்னேற்றமாகும், இது பல நூறு ஜிகாஹெர்ட்ஸ் வரை மிக அதிக அதிர்வெண்களின் சமிக்ஞைகளைக் கையாள முடியும். இது நவீன அல்ட்ராஃபாஸ்ட் சுற்றுகளில், பெரும்பாலும் ஆர்எஃப் அமைப்புகளில் பொதுவானது. பொதுவாகப் பயன்படுத்தப்படும் இரண்டு எச். பி. டி. க்கள் சிலிக்கான்-ஜெர்மானியம் மற்றும் அலுமினியம் காலியம் ஆர்சனைடு ஆகும், இருப்பினும் எச். பி. டி கட்டமைப்பிற்கு பல்வேறு வகையான குறைக்கடத்திகள் பயன்படுத்தப்படலாம். எச். பி. டி கட்டமைப்புகள் பொதுவாக எம்ஓசிவிடி மற்றும் எம்பிஇ போன்ற எபிடாக்ஸி நுட்பங்களால் வளர்க்கப்படுகின்றன. செயல்பாட்டின் பிராந்தியங்கள் இருமுனை டிரான்சிஸ்டர்கள் செயல்பாட்டின் நான்கு தனித்துவமான பகுதிகளைக் கொண்டுள்ளன, அவை பிஜேடி சந்திப்பு சார்புகளால் வரையறுக்கப்படுகின்றனஃ முன்னோக்கி-செயலில் (அல்லது வெறுமனே செயலில்) அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் சந்திப்பு முன்னோக்கி பக்கச்சார்பாகவும், அடிப்படை-சேகரிப்பாளர் சந்திப்பு தலைகீழ் பக்கச்சார்பாகவும் உள்ளது. பெரும்பாலான இருமுனை டிரான்சிஸ்டர்கள் முன்னோக்கி-செயலில் உள்ள முறையில் மிகப் பெரிய பொதுவான-உமிழ்ப்பான் மின்னோட்ட ஆதாயமான βF ஐ வாங்கும் வகையில் வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளன. அப்படியானால், சேகரிப்பாளர்-உமிழ்ப்பான் மின்னோட்டம் அடிப்படை மின்னோட்டத்திற்கு தோராயமாக விகிதாசாரமாக இருக்கும், ஆனால் சிறிய அடிப்படை மின்னோட்ட மாறுபாடுகளுக்கு பல மடங்கு பெரியது. தலைகீழ்-செயல்பாட்டு (அல்லது தலைகீழ்-செயல்பாட்டு அல்லது தலைகீழ்) முன்னோக்கி-செயல்பாட்டு பகுதியின் சார்பு நிலைமைகளை மாற்றியமைப்பதன் மூலம், ஒரு இருமுனை டிரான்சிஸ்டர் தலைகீழ்-செயல்பாட்டு முறைக்கு செல்கிறது. இந்த முறையில், உமிழ்ப்பான் மற்றும் சேகரிப்பாளர் பகுதிகள் பாத்திரங்களை மாற்றுகின்றன. பெரும்பாலான பிஜேடிக்கள் முன்னோக்கி-செயலில் உள்ள முறையில் மின்னோட்ட ஆதாயத்தை அதிகரிக்க வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளதால், தலைகீழ் முறையில் உள்ள βF பல மடங்கு சிறியதாக இருக்கும் (சாதாரண ஜெர்மானியம் டிரான்சிஸ்டருக்கு 2-3 மடங்கு). இந்த டிரான்சிஸ்டர் முறை அரிதாகவே பயன்படுத்தப்படுகிறது, பொதுவாக தோல்வியுற்ற பாதுகாப்பான நிலைமைகள் மற்றும் சில வகையான இருமுனை தர்க்கத்திற்கு மட்டுமே கருதப்படுகிறது. அடித்தளத்திற்கு தலைகீழ் சார்பு முறிவு மின்னழுத்தம் இந்த பிராந்தியத்தில் குறைவான அளவின் வரிசையாக இருக்கலாம். செறிவு இரண்டு சந்திப்புகளிலும் முன்னோக்கி பக்கச்சார்பான நிலையில், ஒரு பிஜேடி செறிவு முறையில் உள்ளது மற்றும் உமிழ்ப்பாளரிடமிருந்து சேகரிப்பாளருக்கு அதிக மின்னோட்ட கடத்தலை எளிதாக்குகிறது (அல்லது என். பி. என் விஷயத்தில் வேறு திசையில், எதிர்மறையாக சார்ஜ் செய்யப்பட்ட கேரியர்கள் உமிழ்ப்பாளரிடமிருந்து சேகரிப்பாளருக்கு பாய்கின்றன). இந்த முறை ஒரு தர்க்கரீதியான "ஆன்" அல்லது ஒரு மூடிய சுவிட்சுக்கு ஒத்திருக்கிறது. கட்-ஆஃப் கட்-ஆஃப் இல், செறிவூட்டலுக்கு எதிரான சார்பு நிலைமைகள் உள்ளன (இரண்டு சந்திப்புகளும் தலைகீழ் சார்பு). தர்க்கரீதியான "ஆஃப்" அல்லது திறந்த சுவிட்சுடன் ஒத்திருக்கும் மிகக் குறைந்த மின்னோட்டம் உள்ளது. இந்த பகுதிகள் போதுமான அளவு பெரிய பயன்பாட்டு மின்னழுத்தத்திற்கு நன்கு வரையறுக்கப்பட்டிருந்தாலும், அவை சிறிய (சில நூறு மில்லிவோல்ட்டுகளுக்கும் குறைவான) சார்புகளுக்கு ஓரளவு ஒன்றுடன் ஒன்று இணைகின்றன. எடுத்துக்காட்டாக, டிஜிட்டல் லாஜிக்கில் புல்டவுன் சுவிட்சாகப் பயன்படுத்தப்படும் ஒரு NPN BJT இன் வழக்கமான கிரவுண்டட்-எமிட்டர் உள்ளமைவில், "ஆஃப்" நிலை ஒருபோதும் தலைகீழ்-சார்பு சந்திப்பை உள்ளடக்காது, ஏனெனில் அடிப்படை மின்னழுத்தம் ஒருபோதும் தரைக்குக் கீழே செல்லாது; இருப்பினும் முன்னோக்கி சார்பு பூஜ்ஜியத்திற்கு அருகில் உள்ளது, இது அடிப்படையில் மின்னோட்டம் பாய்வதில்லை, எனவே முன்னோக்கி செயலில் உள்ள பகுதியின் இந்த முனையை கட்ஆஃப் பகுதியாகக் கருதலாம். சுற்றுகளில் செயலில் உள்ள-முறை டிரான்சிஸ்டர்கள் இரண்டு மின்னழுத்த மூலங்களுடன் இணைக்கப்பட்ட ஒரு NPN டிரான்சிஸ்டரின் திட்டவட்டமான பிரதிநிதித்துவத்தை வரைபடம் காட்டுகிறது. (அதே விளக்கம் மின்னோட்ட ஓட்டம் மற்றும் பயன்படுத்தப்பட்ட மின்னழுத்தத்தின் தலைகீழ் திசைகளைக் கொண்ட ஒரு பிஎன்பி டிரான்சிஸ்டருக்கும் பொருந்தும்.) இந்த பயன்படுத்தப்பட்ட மின்னழுத்தம் கீழ் p-n சந்திப்பை முன்னோக்கி சார்புடையதாக மாற்றுகிறது, இது உமிழ்ப்பாளரிடமிருந்து எலக்ட்ரான்களின் ஓட்டத்தை அடிப்பகுதிக்குள் அனுமதிக்கிறது. செயலில் உள்ள முறையில், அடித்தளத்திற்கும் சேகரிப்பாளருக்கும் இடையில் இருக்கும் மின்சார புலம் (VCE ஆல் ஏற்படுகிறது) இந்த எலக்ட்ரான்களில் பெரும்பாலானவை மேல் p-n சந்திப்பை சேகரிப்பாளருக்குள் கடந்து சேகரிப்பாளர் மின்னோட்ட IC ஐ உருவாக்கும். மீதமுள்ள எலக்ட்ரான்கள் துளைகளுடன் மீண்டும் இணைகின்றன, அடித்தளத்தில் உள்ள பெரும்பான்மையான கேரியர்கள், அடிப்படை இணைப்பு வழியாக ஒரு மின்னோட்டத்தை உருவாக்கி அடிப்படை மின்னோட்டமான IB ஐ உருவாக்குகின்றன. வரைபடத்தில் காட்டப்பட்டுள்ளபடி, உமிழ்ப்பான் மின்னோட்டம், IE, மொத்த டிரான்சிஸ்டர் மின்னோட்டம், இது மற்ற முனைய மின்னோட்டங்களின் கூட்டுத்தொகையாகும், (அதாவது. IE = IB + IC). வரைபடத்தில், வழக்கமான மின்னோட்டத்தின் திசையில் மின்னோட்ட புள்ளியைக் குறிக்கும் அம்புகள்-எலக்ட்ரான்களின் ஓட்டம் அம்புகளுக்கு எதிர் திசையில் உள்ளது, ஏனெனில் எலக்ட்ரான்கள் எதிர்மறை மின்சார கட்டணத்தை சுமக்கின்றன. செயலில் உள்ள முறையில், சேகரிப்பாளர் மின்னோட்டத்திற்கும் அடிப்படை மின்னோட்டத்திற்கும் உள்ள விகிதம் டிசி மின்னோட்ட ஆதாயம் என்று அழைக்கப்படுகிறது. இந்த ஆதாயம் பொதுவாக 100 அல்லது அதற்கு மேற்பட்டதாக இருக்கும், ஆனால் வலுவான சுற்று வடிவமைப்புகள் சரியான மதிப்பைப் பொறுத்தது அல்ல (எடுத்துக்காட்டாக ஆப்-ஆம்பைப் பார்க்கவும்). டிசி சிக்னல்களுக்கான இந்த ஆதாயத்தின் மதிப்பு குறிப்பிடப்படுகிறது, மேலும் சிறிய சிக்னல்களுக்கான இந்த ஆதாயத்தின் மதிப்பு குறிப்பிடப்படுகிறது. அதாவது, மின்னோட்டங்களில் ஒரு சிறிய மாற்றம் ஏற்படும் போது, புதிய நிலை ஒரு நிலையான நிலையை அடைய போதுமான நேரம் கடந்துவிட்டால், சேகரிப்பாளர் மின்னோட்டத்தில் ஏற்படும் மாற்றமும் அடிப்படை மின்னோட்டத்தில் ஏற்படும் மாற்றமும் ஆகும். சின்னம் மற்றும் இரண்டிற்கும் பயன்படுத்தப்படுகிறது. உமிழ்ப்பான் மின்னோட்டம் அதிவேகமாக தொடர்புடையது. அறை வெப்பநிலையில், தோராயமாக 60 எம். வி அதிகரிப்பு உமிழ்ப்பான் மின்னோட்டத்தை 10 காரணி அதிகரிக்கிறது. அடிப்படை மின்னோட்டம் சேகரிப்பாளர் மற்றும் உமிழ்ப்பான் மின்னோட்டங்களுக்கு தோராயமாக விகிதாசாரமாக இருப்பதால், அவை ஒரே மாதிரியாக வேறுபடுகின்றன. வரலாறு இருமுனை புள்ளி-தொடர்பு டிரான்சிஸ்டர் டிசம்பர் 1947 இல் பெல் தொலைபேசி ஆய்வகங்களில் ஜான் பார்டின் மற்றும் வால்டர் பிராடைன் ஆகியோரால் வில்லியம் ஷாக்லியின் வழிகாட்டுதலின் கீழ் கண்டுபிடிக்கப்பட்டது. 1948 ஆம் ஆண்டில் ஷாக்லியால் கண்டுபிடிக்கப்பட்ட இருமுனை சந்திப்பு டிரான்சிஸ்டர் (பி. ஜே. டி) என்று அழைக்கப்படும் சந்திப்பு பதிப்பு, மூன்று தசாப்தங்களாக தனித்துவமான மற்றும் ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகளின் வடிவமைப்பில் விருப்பமான சாதனமாக இருந்தது. இப்போதெல்லாம், டிஜிட்டல் ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகளின் வடிவமைப்பில் CMOS தொழில்நுட்பத்திற்கு ஆதரவாக BJT இன் பயன்பாடு குறைந்துள்ளது. இருப்பினும், CMOS IC களில் உள்ளார்ந்த தற்செயலான குறைந்த செயல்திறன் கொண்ட BJT கள் பெரும்பாலும் பேண்ட்கேப் மின்னழுத்த குறிப்பு, சிலிக்கான் பேண்ட்கேப் வெப்பநிலை சென்சார் மற்றும் நிலைமின்னியல் வெளியேற்றத்தைக் கையாள பயன்படுத்தப்படுகின்றன. ஜெர்மானியம் டிரான்சிஸ்டர்கள் ஜெர்மானியம் டிரான்சிஸ்டர் 1950 கள் மற்றும் 1960 களில் மிகவும் பொதுவானதாக இருந்தது, ஆனால் வெப்ப ஓட்டத்தை வெளிப்படுத்தும் அதிக போக்கைக் கொண்டுள்ளது. ஜெர்மானியம் p-n சந்திப்புகள் சிலிக்கானை விட குறைந்த முன்னோக்கி சார்புகளைக் கொண்டிருப்பதால், ஜெர்மானியம் டிரான்சிஸ்டர்கள் குறைந்த மின்னழுத்தத்தில் இயக்கப்படுகின்றன. ஆரம்பகால உற்பத்தி நுட்பங்கள் இருமுனை டிரான்சிஸ்டர்களை உற்பத்தி செய்வதற்கான பல்வேறு முறைகள் உருவாக்கப்பட்டன. புள்ளி-தொடர்பு டிரான்சிஸ்டர்-இதுவரை கட்டப்பட்ட முதல் டிரான்சிஸ்டர் (டிசம்பர் 1947), ஒரு இருமுனை டிரான்சிஸ்டர், அதிக செலவு மற்றும் சத்தம் காரணமாக வரையறுக்கப்பட்ட வணிக பயன்பாடு. டெட்ரோட் பாயிண்ட்-காண்டாக்ட் டிரான்சிஸ்டர்-இரண்டு உமிழ்ப்பாளர்களைக் கொண்ட பாயிண்ட்-காண்டாக்ட் டிரான்சிஸ்டர். இது 1950 களின் நடுப்பகுதியில் வழக்கற்றுப் போனது. ஜங்ஷன் டிரான்சிஸ்டர்கள் வளர்ந்த-சந்திப்பு டிரான்சிஸ்டர் முதல் இருமுனை சந்திப்பு டிரான்சிஸ்டர் உருவாக்கப்பட்டது. ஜூன் 23,1948 அன்று பெல் ஆய்வகத்தில் வில்லியம் ஷாக்லியால் கண்டுபிடிக்கப்பட்டது. காப்புரிமை ஜூன் 26,1948 அன்று தாக்கல் செய்யப்பட்டது. அலாய்-சந்திப்பு டிரான்சிஸ்டர் உமிழ்ப்பான் மற்றும் சேகரிப்பாளர் அலாய் மணிகள் அடித்தளத்துடன் இணைக்கப்பட்டன. 1951 இல் ஜெனரல் எலக்ட்ரிக் மற்றும் ஆர். சி. ஏ. வில் உருவாக்கப்பட்டது. மைக்ரோ-அலாய் டிரான்சிஸ்டர் (எம்ஏடி) அதிவேக அலாய் சந்திப்பு டிரான்சிஸ்டர் வகை. பில்கோவில் உருவாக்கப்பட்டது. மைக்ரோ-அலாய் டிஃப்பியூஸ்ட் டிரான்சிஸ்டர் (எம்ஏடிடி) அதிவேக வகை அலாய் ஜங்ஷன் டிரான்சிஸ்டர், எம்ஏடி-ஐ விட வேகமானது, இது ஒரு டிஃப்பியூஸ்ட்-பேஸ் டிரான்சிஸ்டர். பில்கோவில் உருவாக்கப்பட்டது. போஸ்ட்-அலாய் டிஃப்பியூஸ்ட் டிரான்சிஸ்டர் (PADT) அதிவேக அலாய் ஜங்ஷன் டிரான்சிஸ்டர், MAT ஐ விட வேகமானது, இது ஒரு டிஃப்பியூஸ்ட்-பேஸ் டிரான்சிஸ்டர். பிலிப்ஸில் உருவாக்கப்பட்டது. டெட்ரோட் டிரான்சிஸ்டர் உயர் வேக மாறுபாடு வளர்ந்த-சந்திப்பு டிரான்சிஸ்டர் அல்லது அலாய் சந்திப்பு டிரான்சிஸ்டர் அடித்தளத்திற்கு இரண்டு இணைப்புகளுடன். மேற்பரப்பு-தடை டிரான்சிஸ்டர் அதிவேக உலோக-தடை சந்திப்பு டிரான்சிஸ்டர். 1953 இல் பில்கோவில் உருவாக்கப்பட்டது. சறுக்கல்-புலம் டிரான்சிஸ்டர் அதிவேக இருமுனை சந்திப்பு டிரான்சிஸ்டர். 1953 ஆம் ஆண்டில் ஜெர்மன் அஞ்சல் சேவையின் மத்திய தொலைத்தொடர்பு தொழில்நுட்ப பணியகத்தில் ஹெர்பர்ட் க்ரோமரால் கண்டுபிடிக்கப்பட்டது. 1957 ஆம் ஆண்டில் ஸ்பேசிஸ்டர். பரவல் டிரான்சிஸ்டர் நவீன வகை இருமுனை சந்திப்பு டிரான்சிஸ்டர். முன்மாதிரிகள் 1954 இல் பெல் ஆய்வகங்களில் உருவாக்கப்பட்டன. பரவலான-அடிப்படை டிரான்சிஸ்டர் முதலில் பரவலான டிரான்சிஸ்டரை செயல்படுத்துகிறது. மெசா டிரான்சிஸ்டர் 1957 இல் டெக்சாஸ் இன்ஸ்ட்ரூமென்ட்ஸில் உருவாக்கப்பட்டது. பிளானர் டிரான்சிஸ்டர் என்பது இருமுனை சந்தி டிரான்சிஸ்டர் ஆகும், இது வெகுஜன உற்பத்தி செய்யப்பட்ட மோனோலிதிக் ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகளை சாத்தியமாக்கியது. 1959 ஆம் ஆண்டில் ஃபேர்சைல்டில் ஜீன் ஹோர்னியால் உருவாக்கப்பட்டது. எபிடாக்சியல் டிரான்சிஸ்டர் என்பது நீராவி-கட்ட படிமத்தைப் பயன்படுத்தி உருவாக்கப்பட்ட இருமுனை சந்தி டிரான்சிஸ்டர் ஆகும். எபிடாக்ஸியைப் பார்க்கவும். ஊக்கமருந்து அளவுகள் மற்றும் சாய்வுகளின் மிகவும் துல்லியமான கட்டுப்பாட்டை அனுமதிக்கிறது. கோட்பாடு மற்றும் மாடலிங் பி. ஜே. டி. க்கள் இரண்டு டையோட்களாக (பி-என் சந்திப்புகள்) கருதப்படலாம், அவை சிறுபான்மை கேரியர்கள் செல்லக்கூடிய ஒரு பொதுவான பகுதியைப் பகிர்ந்து கொள்கின்றன. ஒரு பிஎன்பி பிஜேடி ஒரு என்-வகை கேத்தோடு பகுதியைப் பகிர்ந்து கொள்ளும் இரண்டு டையோட்களைப் போலவும், என். பி. என் ஒரு பி-வகை அனோட் பகுதியைப் பகிர்ந்து கொள்ளும் இரண்டு டையோட்களைப் போலவும் செயல்படும். இரண்டு டையோட்களை கம்பிகளுடன் இணைப்பது ஒரு பி. ஜே. டி. யை உருவாக்காது, ஏனெனில் சிறுபான்மை கேரியர்கள் கம்பி வழியாக ஒரு பி-என் சந்திப்பிலிருந்து மற்றொன்றுக்கு செல்ல முடியாது. இரண்டு வகையான பிஜேடி செயல்பாடுகளும் அடித்தளத்திற்கு ஒரு சிறிய மின்னோட்ட உள்ளீட்டை அனுமதிப்பதன் மூலம் சேகரிப்பாளரிடமிருந்து பெருக்கப்பட்ட வெளியீட்டைக் கட்டுப்படுத்துகின்றன. இதன் விளைவாக பிஜேடி அதன் அடிப்படை உள்ளீட்டால் கட்டுப்படுத்தப்படும் ஒரு நல்ல சுவிட்சை உருவாக்குகிறது. பிஜேடி ஒரு நல்ல பெருக்கியையும் உருவாக்குகிறது, ஏனெனில் இது ஒரு பலவீனமான உள்ளீட்டு சமிக்ஞையை அதன் அசல் வலிமையை விட 100 மடங்கு பெருக்க முடியும். பல்வேறு பயன்பாடுகளுடன் சக்திவாய்ந்த பெருக்கிகளை உருவாக்க பி. ஜே. டி-களின் நெட்வொர்க்குகள் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. கீழே உள்ள விவாதத்தில், என். பி. என். பி. ஜே. டி மீது கவனம் செலுத்தப்பட்டுள்ளது. செயலில் உள்ள முறை என்று அழைக்கப்படும், அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் மின்னழுத்தம் மற்றும் சேகரிப்பாளர்-அடிப்படை மின்னழுத்தம் நேர்மறையானவை, உமிழ்ப்பான்-அடிப்படை சந்திப்பை முன்னோக்கி சார்புப்படுத்துகின்றன மற்றும் சேகரிப்பாளர்-அடிப்படை சந்திப்பை தலைகீழ் சார்புப்படுத்துகின்றன. இந்த முறையில், எலக்ட்ரான்கள் முன்னோக்கி பக்கவாட்டு n-வகை உமிழ்ப்பான் பகுதியிலிருந்து p-வகை அடித்தளத்திற்குள் செலுத்தப்படுகின்றன, அங்கு அவை சிறுபான்மை கேரியர்களாக தலைகீழ் பக்கவாட்டு n-வகை சேகரிப்பாளருக்கு பரவுகின்றன மற்றும் தலைகீழ் பக்கவாட்டு சேகரிப்பாளர்-அடிப்படை சந்திப்பில் மின்சார புலத்தால் அடித்துச் செல்லப்படுகின்றன. முன்னோக்கி மற்றும் தலைகீழ் சார்பு பற்றிய விளக்கத்திற்கு, குறைக்கடத்தி டையோட்களைப் பார்க்கவும். பெரிய-சமிக்ஞை மாதிரிகள் 1954 ஆம் ஆண்டில், ஜுவல் ஜேம்ஸ் ஈபர்ஸ் மற்றும் ஜான் எல். மால் ஆகியோர் டிரான்சிஸ்டர் மின்னோட்டங்களின் கணித மாதிரியை அறிமுகப்படுத்தினர்ஃ ஈபர்ஸ்-மால் மாதிரி செயலில் உள்ள டிசி உமிழ்ப்பான் மற்றும் சேகரிப்பாளர் மின்னோட்டங்கள் ஈபர்ஸ்-மால் மாதிரியின் தோராயத்தால் நன்கு வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளனஃ அடிப்படை உள் மின்னோட்டம் முக்கியமாக பரவுவதன் மூலம் (ஃபிக்கின் சட்டத்தைப் பார்க்கவும்) மற்றும் வெப்ப மின்னழுத்தம் எங்கே (300 K ≈ அறை வெப்பநிலையில் சுமார் 26 mV). உமிழ்ப்பான் மின்னோட்டம் என்பது சேகரிப்பாளர் மின்னோட்டம் என்பது பொதுவான அடிப்படை முன்னோக்கி குறுகிய சுற்று மின்னோட்ட ஆதாயம் (0.98 முதல் 0.998) என்பது அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் டையோடின் தலைகீழ் செறிவு மின்னோட்டம் (10−15 முதல் 10−12 ஆம்பியர்களின் வரிசையில்) அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் மின்னழுத்தம் என்பது p-வகை அடித்தளத்தில் உள்ள எலக்ட்ரான்களுக்கான பரவல் மாறிலி W என்பது அடிப்படை அகலம் மற்றும் முன்னோக்கி அளவுருக்கள் முன்பு விவரிக்கப்பட்டபடி உள்ளன. சில நேரங்களில் ஒரு தலைகீழ் மாதிரியில் சேர்க்கப்பட்டுள்ளது. எந்தவொரு இயக்கப் பகுதியிலும் உள்ள மூன்று மின்னோட்டங்களை விவரிக்கப் பயன்படுத்தப்படும் மதிப்பிடப்படாத ஈபர்ஸ்-மால் சமன்பாடுகள் கீழே கொடுக்கப்பட்டுள்ளன. இந்த சமன்பாடுகள் இருமுனை சந்தி டிரான்சிஸ்டருக்கான போக்குவரத்து மாதிரியை அடிப்படையாகக் கொண்டவை. இங்கு சேகரிப்பாளர் மின்னோட்டம் அடிப்படை மின்னோட்டமாகும், உமிழ்ப்பான் மின்னோட்டம் முன்னோக்கி பொதுவான உமிழ்ப்பான் மின்னோட்ட ஆதாயம் (20 முதல் 500 வரை) என்பது தலைகீழ் பொதுவான உமிழ்ப்பான் மின்னோட்ட ஆதாயம் (0 முதல் 20 வரை) என்பது தலைகீழ் செறிவு மின்னோட்டம் (10−15 முதல் 10−12 ஆம்பியர் வரிசையில்) என்பது வெப்ப மின்னழுத்தமாகும் (300 K ≈ அறை வெப்பநிலையில் தோராயமாக 26 mV). அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் மின்னழுத்தம் என்பது அடிப்படை-சேகரிப்பாளர் மின்னழுத்தம் அடிப்படை-அகல பண்பேற்றம் சேகரிப்பாளர்-அடிப்படை மின்னழுத்தம் () மாறுபடுவதால், சேகரிப்பாளர்-அடிப்படை குறைப்பு பகுதி அளவு மாறுபடும். எடுத்துக்காட்டாக, சேகரிப்பாளர்-அடிப்படை மின்னழுத்தத்தின் அதிகரிப்பு, சேகரிப்பாளர்-அடிப்படை சந்திப்பின் குறுக்கே அதிக தலைகீழ் சார்பை ஏற்படுத்துகிறது, சேகரிப்பாளர்-அடிப்படை குறைப்பு பகுதி அகலத்தை அதிகரிக்கிறது மற்றும் அடித்தளத்தின் அகலத்தை குறைக்கிறது. அடிப்படை அகலத்தில் உள்ள இந்த மாறுபாடு பெரும்பாலும் அதன் கண்டுபிடிப்பாளர் ஜேம்ஸ் எம். எர்லி என்பவரின் நினைவாக ஆரம்ப விளைவு என்று அழைக்கப்படுகிறது. அடித்தள அகலத்தை சுருக்குவது இரண்டு விளைவுகளை ஏற்படுத்துகிறதுஃ "சிறிய" அடித்தளப் பகுதிக்குள் மறுசீரமைப்புக்கு குறைவான வாய்ப்பு உள்ளது. சார்ஜ் சாய்வு அடிப்பகுதி முழுவதும் அதிகரிக்கப்படுகிறது, இதன் விளைவாக, உமிழ்ப்பான் சந்தி முழுவதும் செலுத்தப்படும் சிறுபான்மை கேரியர்களின் மின்னோட்டம் அதிகரிக்கிறது. இரண்டு காரணிகளும் சேகரிப்பாளர்-அடிப்படை மின்னழுத்தத்தின் அதிகரிப்புக்கு பதிலளிக்கும் வகையில் டிரான்சிஸ்டரின் சேகரிப்பாளர் அல்லது "வெளியீட்டு" மின்னோட்டத்தை அதிகரிக்கின்றன. அடிப்படை-சேகரிப்பாளர் மின்னழுத்தம் ஒரு குறிப்பிட்ட (சாதனம்-குறிப்பிட்ட) மதிப்பை அடையும் போது, அடிப்படை-சேகரிப்பாளர் குறைப்பு பகுதி எல்லை அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் குறைப்பு பகுதி எல்லையை சந்திக்கிறது. இந்த நிலையில் இருக்கும்போது டிரான்சிஸ்டருக்கு திறம்பட எந்த அடித்தளமும் இல்லை. இந்த நிலையில் இருக்கும்போது சாதனம் அனைத்து ஆதாயத்தையும் இழக்கிறது. கும்மெல்-பூன் சார்ஜ்-கண்ட்ரோல் மாடல் கும்மெல்-பூன் மாடல் என்பது பி. ஜே. டி இயக்கவியலின் விரிவான சார்ஜ்-கண்ட்ரோல் மாடல் ஆகும், இது முனைய அடிப்படையிலான மாடல்களை விட டிரான்சிஸ்டர் இயக்கவியலை அதிக விரிவாக விளக்க மற்றவர்களால் ஏற்றுக்கொள்ளப்பட்டு விரிவுபடுத்தப்பட்டுள்ளது. இந்த மாதிரியில் டிரான்சிஸ்டரின் நேரடி மின்னோட்ட நிலைகளின் மீது டிரான்சிஸ்டர்-மதிப்புகளின் சார்பு அடங்கும், அவை ஈபர்ஸ்-மால் மாதிரியில் மின்னோட்டம்-சுயாதீனமாக கருதப்படுகின்றன. சிறிய-சமிக்ஞை மாதிரிகள் ஹைப்ரிட்-பை மாதிரி ஹைப்ரிட்-பை மாதிரி என்பது இருமுனை சந்திப்பு மற்றும் புல விளைவு டிரான்சிஸ்டர்களின் சிறிய சமிக்ஞை மற்றும் ஏசி நடத்தையை பகுப்பாய்வு செய்ய பயன்படுத்தப்படும் ஒரு பிரபலமான சுற்று மாதிரியாகும். சில நேரங்களில் இது கியாக்கோலெட்டோ மாடல் என்றும் அழைக்கப்படுகிறது, ஏனெனில் இது எல். ஜே. 1969 இல் கியாக்கோலெட்டோ. இந்த மாதிரி குறைந்த அதிர்வெண் சுற்றுகளுக்கு மிகவும் துல்லியமாக இருக்க முடியும் மற்றும் பொருத்தமான மின்முனை மின்தேக்கிகள் மற்றும் பிற ஒட்டுண்ணி கூறுகளைச் சேர்ப்பதன் மூலம் அதிக அதிர்வெண் சுற்றுகளுக்கு எளிதில் மாற்றியமைக்கப்படலாம். எச்-அளவுரு மாதிரி பிஜேடி சுற்றுகளை பகுப்பாய்வு செய்ய பொதுவாகப் பயன்படுத்தப்படும் மற்றொரு மாதிரி எச்-அளவுரு மாதிரி ஆகும், இது கலப்பின சமமான மாதிரி என்றும் அழைக்கப்படுகிறது, இது கலப்பின-பை மாதிரி மற்றும் ஒய்-அளவுரு இரண்டு-துறைமுகத்துடன் நெருக்கமாக தொடர்புடையது, ஆனால் உள்ளீட்டு மின்னோட்டம் மற்றும் வெளியீட்டு மின்னழுத்தத்தை உள்ளீடு மற்றும் வெளியீட்டு மின்னழுத்தங்களைக் காட்டிலும் சுயாதீன மாறிகளாகப் பயன்படுத்துகிறது. இந்த இரண்டு-துறைமுக நெட்வொர்க் பிஜேடிக்களுக்கு குறிப்பாக பொருத்தமானது, ஏனெனில் இது சுற்று நடத்தையின் பகுப்பாய்விற்கு எளிதில் கடன் கொடுக்கிறது, மேலும் மேலும் துல்லியமான மாதிரிகளை உருவாக்க பயன்படுத்தப்படலாம். காட்டப்பட்டுள்ளபடி, மாதிரியில் உள்ள x என்ற சொல் பயன்படுத்தப்படும் இடவியலைப் பொறுத்து வேறுபட்ட BJT ஈயத்தைக் குறிக்கிறது. பொதுவான-உமிழ்ப்பான் முறைக்கு பல்வேறு குறியீடுகள் குறிப்பிட்ட மதிப்புகளை எடுத்துக்கொள்கின்றனஃ முனையம் 1, அடிப்படை முனையம் 2, சேகரிப்பாளர் முனையம் 3 (பொதுவானது), உமிழ்ப்பான்; x ஐ e II ஆகக் கொடுப்பது, அடிப்படை மின்னோட்டம் (ib) io, சேகரிப்பாளர் மின்னோட்டம் (ic) வின், அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் மின்னழுத்தம் (VBE) விஓ, சேகரிப்பாளர்-உமிழ்ப்பான் மின்னழுத்தம் (VCE) மற்றும் எச்-அளவுருக்கள் பின்வருமாறு கொடுக்கப்படுகின்றனஃ பொதுவான-உமிழ்ப்பான் உள்ளமைவுக்கான ஹிக்ஸ் = ஹை, டிரான்சிஸ்டரின் உள்ளீட்டு மின்மறுப்பு (அடிப்படை எதிர்ப்பு rPI உடன் தொடர்புடையது). எச்ஆர்எக்ஸ் = எச்ஆர்இ, ஒரு தலைகீழ் பரிமாற்ற உறவு, இது டிரான்சிஸ்டரின் (உள்ளீடு) ஐபி-விபிஇ வளைவின் (வெளியீடு) விசிஇ மதிப்பைச் சார்ந்திருப்பதைக் குறிக்கிறது. இது பொதுவாக மிகவும் சிறியது மற்றும் டி. சி. யில் பெரும்பாலும் புறக்கணிக்கப்படுகிறது (பூஜ்ஜியமாகக் கருதப்படுகிறது). எச்எஃப்எக்ஸ் = எச்எஃப்இ, டிரான்சிஸ்டரின் "முன்னோக்கி" மின்னோட்டம்-ஆதாயம், சில நேரங்களில் எச் 21 என்று எழுதப்படுகிறது. இந்த அளவுரு, சிறிய சமிக்ஞை (ஏசி) ஆதாயத்தைக் குறிக்க சிறிய வழக்கு "ஃபே" உடன், அல்லது பெரும்பாலும் "பெரிய சமிக்ஞை" அல்லது டிசி மின்னோட்ட-ஆதாயம் (βDC அல்லது பெரும்பாலும் வெறுமனே β) என்று பொருள்படும் "எஃப்இ" க்கான பெரிய எழுத்துக்களுடன், தரவுத்தாள்களில் உள்ள முக்கிய அளவுருக்களில் ஒன்றாகும், மேலும் இது ஒரு வழக்கமான சேகரிப்பாளர் மின்னோட்டம் மற்றும் மின்னழுத்தத்திற்கு கொடுக்கப்படலாம் அல்லது சேகரிப்பாளர் மின்னோட்டத்தின் செயல்பாடாக திட்டமிடப்படலாம். கீழே பார்க்கவும். ஹாக்ஸ் = 1/ஹோ, டிரான்சிஸ்டரின் வெளியீட்டு மின்மறுப்பு. அளவுரு ஹோ பொதுவாக இருமுனை டிரான்சிஸ்டரின் வெளியீட்டு சேர்க்கைக்கு ஒத்திருக்கிறது மற்றும் அதை ஒரு மின்மறுப்பாக மாற்ற தலைகீழாக மாற்ற வேண்டும். காட்டப்பட்டுள்ளபடி, எச்-அளவுருக்கள் சிறிய-வழக்கு சந்தாக்களைக் கொண்டுள்ளன, எனவே ஏசி நிபந்தனைகள் அல்லது பகுப்பாய்வுகளைக் குறிக்கின்றன. டிசி நிபந்தனைகளுக்கு அவை பெரிய எழுத்தில் குறிப்பிடப்பட்டுள்ளன. CE இடவியலைப் பொறுத்தவரை, தோராயமான h-அளவுரு மாதிரி பொதுவாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது, இது சுற்று பகுப்பாய்வை மேலும் எளிதாக்குகிறது. இதற்காக ஹோ மற்றும் ஹெர் அளவுருக்கள் புறக்கணிக்கப்படுகின்றன (அதாவது, அவை முறையே முடிவிலி மற்றும் பூஜ்ஜியத்திற்கு அமைக்கப்பட்டுள்ளன). காட்டப்பட்டுள்ளபடி எச்-அளவுரு மாதிரி குறைந்த அதிர்வெண், சிறிய-சமிக்ஞை பகுப்பாய்விற்கு பொருத்தமானது. உயர் அதிர்வெண் பகுப்பாய்வுகளுக்கு, அதிக அதிர்வெண்களில் முக்கியமான மின்முனை மின்தேக்கிகள் சேர்க்கப்பட வேண்டும். hFE இன் சொற்பிறப்பியல் h என்பது ஒரு h-அளவுருவாக இருப்பதைக் குறிக்கிறது, இது ஒரு கலப்பின சமமான சுற்று மாதிரியில் அவற்றின் தோற்றத்திற்காக பெயரிடப்பட்ட அளவுருக்களின் தொகுப்பாகும் (மேலே காண்க). அனைத்து எச் அளவுருக்களைப் போலவே, "எச்" ஐப் பின்தொடரும் எழுத்துக்களுக்கு சிறிய வழக்கு அல்லது பெரிய எழுத்துக்களைத் தேர்ந்தெடுப்பது குறிப்பிடத்தக்கது; சிறிய-வழக்கு என்பது "சிறிய சமிக்ஞை" அளவுருக்களைக் குறிக்கிறது, அதாவது, குறிப்பிட்ட உறவின் சாய்வு; பெரிய-வழக்கு எழுத்துக்கள் "பெரிய சமிக்ஞை" அல்லது டிசி மதிப்புகளைக் குறிக்கின்றன, மின்னழுத்தங்கள் அல்லது மின்னோட்டங்களின் விகிதம். பெரும்பாலும் பயன்படுத்தப்படும் hFE: F என்பது மின்னோட்ட ஆதாயம் என்றும் அழைக்கப்படும் முன்னோக்கி மின்னோட்ட பெருக்கத்திலிருந்து வருகிறது. E என்பது ஒரு பொதுவான உமிழ்ப்பான் (CE) கட்டமைப்பில் செயல்படும் டிரான்சிஸ்டரைக் குறிக்கிறது. எனவே hFE (அல்லது hFE) என்பது (மொத்த; டிசி) சேகரிப்பாளர் மின்னோட்டத்தை அடிப்படை மின்னோட்டத்தால் வகுக்கிறது, மேலும் இது பரிமாணமற்றது. இது சேகரிப்பாளர் மின்னோட்டத்துடன் ஓரளவு மாறுபடும் ஒரு அளவுருவாகும், ஆனால் பெரும்பாலும் ஒரு மாறிலியாக தோராயமாக மதிப்பிடப்படுகிறது; இது பொதுவாக ஒரு வழக்கமான சேகரிப்பாளர் மின்னோட்டம் மற்றும் மின்னழுத்தத்தில் குறிப்பிடப்படுகிறது, அல்லது சேகரிப்பாளர் மின்னோட்டத்தின் செயல்பாடாக வரைபடமாக்கப்படுகிறது. சந்தா எழுத்துக்களில் பயன்படுத்த பெரிய எழுத்துக்கள் பயன்படுத்தப்படவில்லை என்றால், இது எழுதப்பட்டிருந்தால், அளவுரு சிறிய சமிக்ஞை (ஏசி) மின்னோட்ட ஆதாயத்தைக் குறிக்கிறது, அதாவது. ஒரு குறிப்பிட்ட புள்ளியில் கலெக்டர் மின்னோட்டத்திற்கு எதிராக அடிப்படை மின்னோட்ட வரைபடத்தின் சாய்வு, இது சோதனை அதிர்வெண் அதிகமாக இல்லாவிட்டால் பெரும்பாலும் எச். எஃப். இ மதிப்புக்கு அருகில் இருக்கும். தொழில்துறை மாதிரிகள் கும்மெல்-பூன் ஸ்பைஸ் மாதிரி பெரும்பாலும் பயன்படுத்தப்படுகிறது, ஆனால் இது பல வரம்புகளால் பாதிக்கப்படுகிறது. உதாரணமாக, அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் டயோடின் தலைகீழ் முறிவு எஸ்ஜிபி (ஸ்பைஸ் கும்மெல்-பூன்) மாதிரியால் பிடிக்கப்படவில்லை, வெப்ப விளைவுகள் (சுய-வெப்பம்) அல்லது அரை-செறிவு இல்லை. பயன்பாட்டின் குறிப்பிட்ட நிகழ்வுகளில் (மெக்ஸ்ட்ராம், எச். ஐ. சி. யு. எம், மாடல்லா) கவனம் செலுத்தும் அல்லது உலகளாவிய பயன்பாட்டிற்காக (வி. பி. ஐ. சி) வடிவமைக்கப்பட்ட பல்வேறு மேம்பட்ட மாதிரிகளில் இவை உரையாற்றப்பட்டுள்ளன. பயன்பாடுகள் பிஜேடி தனித்துவமான சுற்று வடிவமைப்பு போன்ற சில பயன்பாடுகளில் சிறந்து விளங்கும் ஒரு சாதனமாக உள்ளது, ஏனெனில் பிஜேடி வகைகளின் பரந்த தேர்வு மற்றும் எம்ஓஎஸ்எஃபெட்களுடன் ஒப்பிடும்போது அதன் அதிக டிரான்ஸ்கண்டக்டன்ஸ் மற்றும் அவுட்புட் எதிர்ப்பு காரணமாக. குறிப்பாக வயர்லெஸ் அமைப்புகளுக்கான ரேடியோ-அதிர்வெண் சுற்றுகள் போன்ற மிக அதிக அதிர்வெண் பயன்பாடுகளுக்கு அனலாக் சுற்றுகளை கோருவதற்கான தேர்வாகவும் பி. ஜே. டி உள்ளது. அதிவேக டிஜிட்டல் லாஜிக் எமிட்டர்-கபுல்ட் லாஜிக் (ஈசிஎல்) பிஜேடிகளைப் பயன்படுத்துகிறது. இருமுனை டிரான்சிஸ்டர்களை ஒரு ஒருங்கிணைந்த சுற்றுவட்டத்தில் MOSFET களுடன் இணைக்க முடியும், இரண்டு வகையான டிரான்சிஸ்டர்களின் பயன்பாட்டு வலிமையைப் பயன்படுத்திக் கொள்ளும் சுற்றுகளை உருவாக்க வேஃபர் ஃபேப்ரிகேஷனின் BiCMOS செயல்முறையைப் பயன்படுத்தலாம். பெருக்கிகள் டிரான்சிஸ்டர் அளவுருக்கள் α மற்றும் β ஆகியவை BJT இன் தற்போதைய ஆதாயத்தை வகைப்படுத்துகின்றன. இந்த ஆதாயமே பிஜேடிகளை மின்னணு பெருக்கிகளின் கட்டுமானத் தொகுதிகளாகப் பயன்படுத்த அனுமதிக்கிறது. மூன்று முக்கிய பிஜேடி பெருக்கி இடவியல் பின்வருமாறுஃ பொதுவான உமிழ்ப்பான் பொதுவான அடிப்படை பொதுவான சேகரிப்பாளர் வெப்பநிலை சென்சார்கள் அறியப்பட்ட வெப்பநிலை மற்றும் முன்னோக்கி-சார்பு அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் சந்திப்பு மின்னழுத்தத்தின் மின்னோட்ட சார்பு காரணமாக, இரண்டு மின்னழுத்தங்களை இரண்டு வெவ்வேறு சார்பு மின்னோட்டங்களில் அறியப்பட்ட விகிதத்தில் கழிப்பதன் மூலம் வெப்பநிலையை அளவிட பிஜேடி பயன்படுத்தப்படலாம். மடக்கை உருமாற்றிகள் அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் மின்னழுத்தம் அடிப்படை-உமிழ்ப்பான் மற்றும் சேகரிப்பாளர்-உமிழ்ப்பான் மின்னோட்டங்களின் மடக்கைப் பொறுத்து மாறுபடுவதால், மடக்கை மற்றும் மடக்கை எதிர்க்கும் அளவீடுகளைக் கணக்கிட BJT ஐப் பயன்படுத்தலாம். ஒரு டையோடு இந்த நேரியல் அல்லாத செயல்பாடுகளைச் செய்ய முடியும், ஆனால் டிரான்சிஸ்டர் அதிக சுற்று நெகிழ்வுத்தன்மையை வழங்குகிறது. பனிச்சரிவு துடிப்பு ஜெனரேட்டர்கள் டிரான்சிஸ்டர்கள் வேண்டுமென்றே குறைந்த சேகரிப்பாளருடன் தயாரிக்கப்படலாம், சேகரிப்பாளரை அடிப்படை முறிவு மின்னழுத்தத்திற்கு விட முறிவு மின்னழுத்தத்தை வெளியிடலாம். உமிழ்ப்பான்-அடிப்படை சந்தி தலைகீழ் சார்புடையதாக இருந்தால், சேகரிப்பாளர் உமிழ்ப்பான் மின்னழுத்தம் முறிவுக்கு சற்று கீழே உள்ள மின்னழுத்தத்தில் பராமரிக்கப்படலாம். அடிப்படை மின்னழுத்தம் உயர அனுமதிக்கப்பட்டு, மின்னோட்ட ஓட்டங்கள் பனிச்சரிவு ஏற்பட்டு, சேகரிப்பாளர் அடிப்படை குறைப்பு பகுதியில் தாக்க அயனியாக்கம் விரைவாக தளத்தை கேரியர்களால் நிரப்பி, டிரான்சிஸ்டரை முழுமையாக இயக்குகிறது. பருப்பு வகைகள் போதுமான அளவு குறுகியதாகவும், சாதனம் சேதமடையாத அளவுக்கு அரிதாகவும் இருக்கும் வரை, இந்த விளைவு மிகவும் கூர்மையான வீழ்ச்சி விளிம்புகளை உருவாக்க பயன்படுத்தப்படலாம். இந்த பயன்பாட்டிற்காக சிறப்பு பனிச்சரிவு டிரான்சிஸ்டர் சாதனங்கள் தயாரிக்கப்படுகின்றன. அயனியாக்கும் கதிர்வீச்சுக்கு டிரான்சிஸ்டரின் வெளிப்பாடு கதிர்வீச்சு சேதத்தை ஏற்படுத்துகிறது. கதிர்வீச்சு அடிப்படை பகுதியில் 'குறைபாடுகளை' உருவாக்குகிறது, அவை மறுசீரமைப்பு மையங்களாக செயல்படுகின்றன. சிறுபான்மை கேரியர் வாழ்நாளில் ஏற்படும் குறைப்பு டிரான்சிஸ்டரின் ஆதாயத்தின் படிப்படியான இழப்பை ஏற்படுத்துகிறது. டிரான்சிஸ்டர்கள் சக்தி மதிப்பீடுகள் (அடிப்படையில் சுய-வெப்பத்தால் வரையறுக்கப்பட்டவை), அதிகபட்ச சேகரிப்பாளர் மற்றும் அடிப்படை மின்னோட்டங்கள் (தொடர்ச்சியான/டிசி மதிப்பீடுகள் மற்றும் உச்சநிலை இரண்டும்) மற்றும் முறிவு மின்னழுத்த மதிப்பீடுகள் உள்ளிட்ட "அதிகபட்ச மதிப்பீடுகளைக்" கொண்டுள்ளன, அதற்கு அப்பால் சாதனம் தோல்வியடையலாம் அல்லது குறைந்தபட்சம் மோசமாக செயல்படக்கூடும். சாதனத்தின் இயல்பான முறிவு மதிப்பீடுகளுக்கு கூடுதலாக, சக்தி பி. ஜே. டி. க்கள் இரண்டாம் நிலை முறிவு எனப்படும் தோல்வி முறைக்கு உட்பட்டவை, இதில் சிலிக்கான் டையில் அதிகப்படியான மின்னோட்டம் மற்றும் இயல்பான குறைபாடுகள் சாதனத்தின் உள்ளே உள்ள சிலிக்கானின் பகுதிகள் மற்றவர்களை விட விகிதாசாரமாக சூடாக மாற காரணமாகின்றன. டோப் செய்யப்பட்ட சிலிக்கானின் மின் எதிர்ப்பு, மற்ற குறைக்கடத்திகளைப் போலவே, எதிர்மறை வெப்பநிலை குணகத்தைக் கொண்டுள்ளது, அதாவது இது அதிக வெப்பநிலையில் அதிக மின்னோட்டத்தை நடத்துகிறது. எனவே, டையின் வெப்பமான பகுதி மிகவும் மின்னோட்டத்தை நடத்துகிறது, இதனால் அதன் கடத்துத்திறன் அதிகரிக்கிறது, இது சாதனம் உட்புறமாக தோல்வியடையும் வரை படிப்படியாக மீண்டும் வெப்பமடைகிறது. இரண்டாம் நிலை முறிவுடன் தொடர்புடைய வெப்ப ஓட்ட செயல்முறை, ஒரு முறை தூண்டப்பட்டவுடன், கிட்டத்தட்ட உடனடியாக நிகழ்கிறது மற்றும் டிரான்சிஸ்டர் தொகுப்பை பேரழிவுகரமாக சேதப்படுத்தலாம். உமிழ்ப்பான்-அடிப்படை சந்திப்பு பனிச்சரிவு அல்லது ஜெனர் பயன்முறையில் தலைகீழாக பக்கவாட்டாக இருந்தால், குறுகிய காலத்திற்கு சார்ஜ் பாய்கிறது என்றால், பி. ஜே. டி இன் தற்போதைய ஆதாயம் நிரந்தரமாக சீரழிந்துவிடும், ஏனெனில் உமிழ்ப்பான் சேகரிப்பாளரை விட சிறியது மற்றும் குறிப்பிடத்தக்க சக்தியை சிதறடிக்க முடியாது. குறைந்த மின்னழுத்த சாதனங்களில் இது ஒரு பொதுவான ESD செயலிழப்பு பொறிமுறையாகும். மேலும் காண்க இருமுனை டிரான்சிஸ்டர் சார்பு கும்மெல் பிளாட் இன்சுலேட்டட் கேட் இருமுனை டிரான்சிஸ்டர் பல உமிழ்ப்பான் டிரான்சிஸ்டர் குறிப்புகள் குறிப்புகள் வெளிப்புற இணைப்புகள் டிரான்சிஸ்டர் மாடலிங் டிரான்சிஸ்டர் வகைகள்