Depletion and enhancement modes
புல விளைவு டிரான்சிஸ்டர்களில் (FET), குறைப்பு முறை மற்றும் மேம்பாட்டு முறை ஆகியவை இரண்டு முக்கிய டிரான்சிஸ்டர் வகைகளாகும், இது டிரான்சிஸ்டர் பூஜ்ஜிய கேட்-சோர்ஸ் மின்னழுத்தத்தில் ஆன் நிலையில் உள்ளதா அல்லது ஆஃப் நிலையில் உள்ளதா என்பதற்கு ஒத்ததாகும். மேம்பாடு-முறை MOSFET கள் (உலோக-ஆக்சைடு-குறைக்கடத்தி FET கள்) பெரும்பாலான ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகளில் பொதுவான மாறுதல் கூறுகளாகும். பூஜ்ஜிய கேட்-சோர்ஸ் மின்னழுத்தத்தில் இந்த சாதனங்கள் முடக்கப்பட்டுள்ளன. மூல மின்னழுத்தத்தை விட கேட் மின்னழுத்தத்தை அதிகமாக இழுத்துச் செல்வதன் மூலம் என். எம். ஓ. எஸ் இயக்கப்படலாம், மூல மின்னழுத்தத்தை விட கேட் மின்னழுத்தத்தை குறைவாக இழுத்துச் செல்வதன் மூலம் பி. எம். ஓ. எஸ் இயக்கப்படலாம். பெரும்பாலான சுற்றுகளில், இதன் பொருள் ஒரு மேம்பாடு-முறை MOSFET இன் கேட் மின்னழுத்தத்தை அதன் வடிகால் மின்னழுத்தத்தை நோக்கி இழுத்து அதை இயக்குகிறது. குறைப்பு-முறை MOSFET இல், சாதனம் பொதுவாக பூஜ்ஜிய கேட்-சோர்ஸ் மின்னழுத்தத்தில் இயங்குகிறது. இத்தகைய சாதனங்கள் தர்க்கச் சுற்றுகளில் சுமை "மின்தடையங்களாக" பயன்படுத்தப்படுகின்றன (எடுத்துக்காட்டாக, குறைப்பு-சுமை என். எம். ஓ. எஸ் தர்க்கத்தில்). N-வகை குறைப்பு-சுமை சாதனங்களுக்கு, வாசல் மின்னழுத்தம் சுமார் −3V ஆக இருக்கலாம், எனவே கேட் 3V எதிர்மறையை இழுப்பதன் மூலம் அதை அணைக்க முடியும் (வடிகால், ஒப்பிடுகையில், NMOS இல் உள்ள மூலத்தை விட அதிக நேர்மறையானது). பி. எம். ஓ. எஸ்ஸில், துருவமுனைப்புகள் தலைகீழாக உள்ளன. வரம்பு மின்னழுத்தத்தின் அடையாளத்தால் பயன்முறையை தீர்மானிக்க முடியும் (சேனலில் ஒரு தலைகீழ் அடுக்கு உருவாகும் இடத்தில் மூல மின்னழுத்தத்துடன் தொடர்புடைய கேட் மின்னழுத்தம்): ஒரு N-வகை FET க்கு, மேம்பாட்டு-முறை சாதனங்களுக்கு நேர்மறை வரம்புகள் உள்ளன, மேலும் குறைப்பு-முறை சாதனங்களுக்கு எதிர்மறை வரம்புகள் உள்ளன; ஒரு P-வகை FET க்கு, மேம்பாடு-முறை எதிர்மறையாகவும், குறைப்பு-முறை நேர்மறையாகவும் இருக்கும். ஜங்ஷன் ஃபீல்ட்-எஃபெக்ட் டிரான்சிஸ்டர்கள் (ஜே. எஃப். இ. டி) குறைப்பு-முறை ஆகும், ஏனெனில் கேட் மூலத்திலிருந்து வடிகால் மின்னழுத்தத்தை நோக்கி சிறிது அதிகமாக எடுத்துக் கொள்ளப்பட்டால் கேட் சந்திப்பு முன்னோக்கி சார்புடையதாக இருக்கும். இத்தகைய சாதனங்கள் காலியம் ஆர்சனைடு மற்றும் ஜெர்மானியம் சில்லுகளில் பயன்படுத்தப்படுகின்றன, அங்கு ஆக்சைடு இன்சுலேட்டரை உருவாக்குவது கடினம். மாற்று சொற்களஞ்சியம் சில ஆதாரங்கள் இந்த கட்டுரையில் விவரிக்கப்பட்டுள்ளபடி சாதன வகைகளுக்கு "குறைப்பு வகை" மற்றும் "மேம்பாடு வகை" "குறைப்பு முறை" மற்றும் "மேம்பாடு முறை" என்று கூறுகின்றன, மேலும் கேட்-சோர்ஸ் மின்னழுத்தம் பூஜ்ஜியத்திலிருந்து வேறுபடும் திசையில் "முறை" சொற்களைப் பயன்படுத்துகின்றன. கேட் மின்னழுத்தத்தை வடிகால் மின்னழுத்தத்தை நோக்கி நகர்த்துவது சேனலில் கடத்தலை "மேம்படுத்துகிறது", எனவே இது செயல்பாட்டின் மேம்பாட்டு முறையை வரையறுக்கிறது, அதே நேரத்தில் கேட்டை வடிகாலிலிருந்து நகர்த்துவது சேனலை குறைக்கிறது, எனவே இது குறைப்பு முறையை வரையறுக்கிறது. மேம்பாடு-சுமை மற்றும் குறைப்பு-சுமை தர்க்க குடும்பங்கள் குறைப்பு-சுமை என்எம்ஓஎஸ் தர்க்கம் என்பது 1970 களின் பிற்பகுதியில் சிலிக்கான் விஎல்எஸ்ஐயில் ஆதிக்கம் செலுத்திய தர்க்கக் குடும்பத்தைக் குறிக்கிறது; இந்த செயல்முறை மேம்பாடு-முறை மற்றும் குறைப்பு-முறை டிரான்சிஸ்டர்கள் இரண்டையும் ஆதரித்தது, மேலும் வழக்கமான தர்க்க சுற்றுகள் மேம்பாடு-முறை சாதனங்களை புல்-டவுன் சுவிட்சுகளாகவும், குறைப்பு-முறை சாதனங்களை சுமைகள் அல்லது புல்-அப்களாகவும் பயன்படுத்தின. குறைப்பு-முறை டிரான்சிஸ்டர்களை ஆதரிக்காத பழைய செயல்முறைகளில் கட்டப்பட்ட தர்க்க குடும்பங்கள் பின்னோக்கி மேம்பாடு-சுமை தர்க்கம் அல்லது நிறைவுற்ற-சுமை தர்க்கம் என்று குறிப்பிடப்பட்டன, ஏனெனில் மேம்பாடு-முறை டிரான்சிஸ்டர்கள் பொதுவாக வி. டி. டி விநியோகத்திற்கான வாயிலுடன் இணைக்கப்பட்டுள்ளன மற்றும் செறிவூட்டல் பகுதியில் இயக்கப்படுகின்றன (சில நேரங்களில் வாயில்கள் அதிக வி. ஜி. ஜி மின்னழுத்தத்திற்கு பக்கச்சார்பானவை மற்றும் நேரியல் பகுதியில் இயக்கப்படுகின்றன, ஒரு சிறந்த சக்தி-தாமத தயாரிப்பு (பி. டி. பி), ஆனால் சுமைகள் பின்னர் அதிக பரப்பளவை எடுத்துக்கொள்கின்றன). மாற்றாக, நிலையான தர்க்க வாயில்களுக்கு பதிலாக, நான்கு-கட்ட தர்க்கம் போன்ற மாறும் தர்க்கம் சில நேரங்களில் குறைப்பு-முறை டிரான்சிஸ்டர்கள் இல்லாத செயல்முறைகளில் பயன்படுத்தப்பட்டது. எடுத்துக்காட்டாக, 1971 இன்டெல் 4004 மேம்பாடு-சுமை சிலிக்கான்-கேட் PMOS தர்க்கத்தைப் பயன்படுத்தியது, மேலும் 1976 ஜிலாக் Z80 குறைப்பு-சுமை சிலிக்கான்-கேட் NMOS ஐப் பயன்படுத்தியது. 1960 ஆம் ஆண்டில் பெல் ஆய்வகத்தில் எகிப்திய பொறியாளர் முகமது எம். அடல்லா மற்றும் கொரிய பொறியாளர் டாவோன் காங் ஆகியோரால் நிரூபிக்கப்பட்ட முதல் MOSFET (உலோக-ஆக்சைடு-குறைக்கடத்தி புலம்-விளைவு டிரான்சிஸ்டர்) ஒரு மேம்பாடு-முறை சிலிக்கான் குறைக்கடத்தி சாதனமாகும். 1963 ஆம் ஆண்டில், குறைப்பு மற்றும் மேம்பாட்டு முறை MOSFET கள் இரண்டும் ஆர். சி. ஏ ஆய்வகங்களில் ஸ்டீவ் ஆர். ஹாஃப்ஸ்டீன் மற்றும் ஃப்ரெட் பி. ஹைமன் ஆகியோரால் விவரிக்கப்பட்டன. 1966 ஆம் ஆண்டில், வெஸ்டிங்ஹவுஸ் மின்சாரத்தில் டி. பி. ப்ரோடி மற்றும் எச். இ. குனிக் ஆகியோர் புனையப்பட்ட மேம்பாடு-மற்றும் குறைப்பு-முறை இண்டியம் ஆர்சனைடு (ஐ. என். ஏ. க்கள்) எம்ஓஎஸ் மெல்லிய படல டிரான்சிஸ்டர்கள் (டிஎஃப்டிகள்). 2022 ஆம் ஆண்டில், குறைப்பு முறை மற்றும் மேம்பாட்டு முறை ஆகிய இரண்டிலும் செயல்படும் முதல் இரட்டை-முறை கரிம டிரான்சிஸ்டர் கலிபோர்னியா-சாண்டா பார்பரா பல்கலைக்கழகத்தின் குழுவால் அறிவிக்கப்பட்டது. குறிப்புகள் டிரான்சிஸ்டர் வகைகள் MOSFET கள்