Programmable ROM
புரோகிராமபிள் ரீட்-ஒன்லி மெமரி (பி. ஆர். ஓ. எம்) என்பது டிஜிட்டல் நினைவகத்தின் ஒரு வடிவமாகும், அங்கு சாதனம் தயாரிக்கப்பட்ட பிறகு ஒரு முறை உள்ளடக்கங்களை மாற்ற முடியும். தரவு பின்னர் நிரந்தரமானது மற்றும் மாற்ற முடியாது. இது ஒரு வகை ரீட்-ஒன்லி மெமரி (ரோம்) ஆகும். PROM கள் டிஜிட்டல் மின்னணு சாதனங்களில் நிரந்தர தரவை சேமிக்கப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன, பொதுவாக ஃபார்ம்வேர் அல்லது மைக்ரோ கோட் போன்ற குறைந்த அளவிலான நிரல்கள். ஒரு நிலையான ROM இலிருந்து முக்கிய வேறுபாடு என்னவென்றால், தரவு உற்பத்தியின் போது ஒரு ROM இல் எழுதப்படுகிறது, அதே நேரத்தில் ஒரு PROM உடன் தரவு உற்பத்திக்குப் பிறகு அவற்றில் திட்டமிடப்படுகிறது. எனவே, நன்கு சரிபார்க்கப்பட்ட தரவுகளுடன் பெரிய உற்பத்தி ஓட்டங்களுக்கு மட்டுமே ரோம்கள் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. தொழிற்சாலை-திட்டமிடப்பட்ட ROM ஐ சிக்கனமானதாக மாற்றாத இடங்களில் அல்லது வெகுஜன உற்பத்தி பதிப்பில் ROM களாக மாற்றக்கூடிய ஒரு அமைப்பின் வளர்ச்சியின் போது PROM கள் பயன்படுத்தப்படலாம். PROM கள் காலியாக தயாரிக்கப்படுகின்றன, மேலும் தொழில்நுட்பத்தைப் பொறுத்து, வேஃபர், இறுதி சோதனை அல்லது கணினியில் திட்டமிடப்படலாம். வெற்று PROM சில்லுகள் PROM புரோகிராமர் எனப்படும் சாதனத்தில் செருகுவதன் மூலம் திட்டமிடப்படுகின்றன. நிறுவனங்கள் காலியான PROMகளின் விநியோகத்தை கையிருப்பில் வைத்திருக்கலாம், மேலும் பெரிய அளவிலான அர்ப்பணிப்பைத் தவிர்ப்பதற்காக கடைசி நிமிடத்தில் அவற்றை நிரல் செய்யலாம். இந்த வகையான நினைவுகள் மைக்ரோகண்ட்ரோலர்கள், வீடியோ கேம் கன்சோல்கள், மொபைல் போன்கள், ரேடியோ-அதிர்வெண் அடையாள (ஆர். எஃப். ஐ. டி) குறிச்சொற்கள், பொருத்தக்கூடிய மருத்துவ சாதனங்கள், உயர் வரையறை மல்டிமீடியா இடைமுகங்கள் (எச். டி. எம். ஐ) மற்றும் பல நுகர்வோர் மற்றும் வாகன மின்னணுவியல் தயாரிப்புகளில் அடிக்கடி பயன்படுத்தப்படுகின்றன. நியூயார்க்கின் கார்டன் சிட்டியில் உள்ள அமெரிக்க போஷ் ஆர்மா கார்ப்பரேஷனின் ஆர்மா பிரிவில் பணிபுரியும் வென் சிங் சோவ் 1956 ஆம் ஆண்டில் PROM ஐக் கண்டுபிடித்தார். அட்லஸ் ஈ/எஃப் ஐ. சி. பி. எம் இன் வான்வழி டிஜிட்டல் கணினியில் இலக்கு மாறிலிகளை சேமிக்க மிகவும் நெகிழ்வான மற்றும் பாதுகாப்பான வழியைக் கொண்டு வர அமெரிக்க விமானப்படையின் வேண்டுகோளின் பேரில் இந்த கண்டுபிடிப்பு உருவாக்கப்பட்டது. காப்புரிமை மற்றும் அதனுடன் தொடர்புடைய தொழில்நுட்பம் பல ஆண்டுகளாக ரகசிய உத்தரவின் கீழ் வைக்கப்பட்டன, அதே நேரத்தில் அட்லஸ் ஈ/எஃப் அமெரிக்காவின் ஐ. சி. பி. எம் படையின் முக்கிய செயல்பாட்டு ஏவுகணையாக இருந்தது. பர்ன் என்ற சொல், ஒரு PROM ஐ நிரலாக்கும் செயல்முறையைக் குறிக்கிறது, இது அசல் காப்புரிமையிலும் உள்ளது, ஏனெனில் அசல் செயல்பாடுகளில் ஒன்று டையோட்களின் உள் மீசை ஒரு சுற்று இடைநிறுத்தத்தை உருவாக்க தற்போதைய அதிக சுமையுடன் எரிக்க வேண்டும். முதல் PROM நிரலாக்க இயந்திரங்கள் சோவின் வழிகாட்டுதலின் கீழ் ஆர்மா பொறியாளர்களால் உருவாக்கப்பட்டன, அவை ஆர்மாவின் கார்டன் சிட்டி ஆய்வகம் மற்றும் விமானப்படை மூலோபாய விமான கட்டளை (SAC) தலைமையகத்தில் அமைந்திருந்தன. ஒரு முறை நிரல்படுத்தக்கூடிய நினைவகம் ஓடிபி (ஒரு முறை நிரல்படுத்தக்கூடிய) நினைவகம் என்பது ஒரு சிறப்பு வகை நிலையற்ற நினைவகம் (என். வி. எம்) ஆகும், இது தரவை ஒரு முறை மட்டுமே நினைவகத்தில் எழுத அனுமதிக்கிறது. நினைவகம் திட்டமிடப்பட்டவுடன், அது சக்தி இழப்பின் மீது அதன் மதிப்பைத் தக்க வைத்துக் கொள்கிறது (அதாவது, நிலையற்றது). நம்பகமான மற்றும் மீண்டும் மீண்டும் தரவைப் படிக்க வேண்டிய பயன்பாடுகளில் ஓடிபி நினைவகம் பயன்படுத்தப்படுகிறது. துவக்கக் குறியீடு, குறியாக்க விசைகள் மற்றும் அனலாக், சென்சார் அல்லது டிஸ்ப்ளே சர்க்யூட்டரிக்கான உள்ளமைவு அளவுருக்கள் ஆகியவை எடுத்துக்காட்டுகளில் அடங்கும். குறைந்த சக்தி, சிறிய பகுதி தடம் நினைவக கட்டமைப்பை வழங்குவதன் மூலம் ஈஃபியூஸ் அல்லது EEPROM போன்ற பிற வகையான NVMகளை விட ஓடிபி NVM வகைப்படுத்தப்படுகிறது. அத்தகைய ஓடிபி நினைவகம் நுண்செயலிகள் மற்றும் டிஸ்ப்ளே இயக்கிகள் முதல் பவர் மேனேஜ்மென்ட் ஐசி (பிஎம்ஐசி) வரை தயாரிப்புகளில் பயன்பாட்டைக் காண்கிறது. வணிக ரீதியாக கிடைக்கக்கூடிய குறைக்கடத்தி ஆன்டிஃபியூஸ் அடிப்படையிலான ஓடிபி நினைவக வரிசைகள் குறைந்தது 1969 முதல் உள்ளன, ஆரம்ப ஆன்டிஃபியூஸ் பிட் செல்கள் கடத்தும் கோடுகளுக்கு இடையில் ஒரு மின்தேக்கியை ஊதுவதைப் பொறுத்தது. டெக்சாஸ் இன்ஸ்ட்ரூமென்ட்ஸ் 1979 ஆம் ஆண்டில் எம்ஓஎஸ் கேட் ஆக்சைடு முறிவு நுண்ணுயிர் எதிர்ப்பியை உருவாக்கியது. இரட்டை-கேட்-ஆக்சைடு இரண்டு-டிரான்சிஸ்டர் (2T) MOS ஆன்டிஃபியூஸ் 1982 இல் அறிமுகப்படுத்தப்பட்டது. ஆரம்பகால ஆக்சைடு முறிவு தொழில்நுட்பங்கள் பல்வேறு அளவிடுதல், நிரலாக்கம், அளவு மற்றும் உற்பத்தி சிக்கல்களை வெளிப்படுத்தியது, இது இந்த தொழில்நுட்பங்களின் அடிப்படையில் நினைவக சாதனங்களின் தொகுதி உற்பத்தியைத் தடுத்தது. ஒரு முறை நிரல்படுத்தக்கூடிய நினைவக சாதனத்தின் மற்றொரு வடிவம் புற ஊதா-அகற்றக்கூடிய நிரல்படுத்தக்கூடிய படிக்க மட்டுமே நினைவகம் (UV-EPROM) போன்ற அதே குறைக்கடத்தி சிப்பைப் பயன்படுத்துகிறது, ஆனால் முடிக்கப்பட்ட சாதனம் அழிக்கத் தேவையான வெளிப்படையான குவார்ட்ஸ் சாளரத்துடன் விலையுயர்ந்த பீங்கான் தொகுப்புக்கு பதிலாக ஒளிபுகா தொகுப்பில் வைக்கப்படுகிறது. இந்த சாதனங்கள் புற ஊதா ஈ. பி. ஆர். ஓ. எம் பாகங்களைப் போலவே அதே முறைகளுடன் திட்டமிடப்பட்டுள்ளன, ஆனால் அவை குறைந்த விலை கொண்டவை. உட்பொதிக்கப்பட்ட கட்டுப்படுத்திகள் புலம்-அகற்றக்கூடிய மற்றும் ஒரு முறை பாணிகளில் கிடைக்கக்கூடும், இது தொழிற்சாலை-திட்டமிடப்பட்ட முகமூடி ரோம் சில்லுகளின் செலவு மற்றும் முன்னணி நேரம் இல்லாமல் தொகுதி உற்பத்தியில் செலவு சேமிப்பை அனுமதிக்கிறது. பல தசாப்தங்களாக ஆன்டிஃபியூஸ் அடிப்படையிலான PROM கிடைத்தாலும், 2001 வரை நிலையான CMOS இல் இது கிடைக்கவில்லை, அப்போது கிலோபாஸ் டெக்னாலஜி இன்க் ஒரு நிலையான CMOS செயல்முறையைப் பயன்படுத்தி 1T, 2T மற்றும் 3.5T ஆன்டிஃபியூஸ் பிட் செல் தொழில்நுட்பங்களுக்கு காப்புரிமை பெற்றது, இது PROM ஐ லாஜிக் CMOS சில்லுகளில் ஒருங்கிணைக்க உதவுகிறது. நிலையான CMOS இல் செயல்படுத்தக்கூடிய முதல் செயல்முறை முனை ஆன்டிஃபியூஸ் 0.18 உம் ஆகும். கேட் ஆக்சைடு முறிவு சந்தி முறிவை விட குறைவாக இருப்பதால், ஆன்டிஃபியூஸ் நிரலாக்க உறுப்பை உருவாக்க சிறப்பு பரவல் படிகள் தேவையில்லை. 2005 ஆம் ஆண்டில், ஒரு பிளவு சேனல் ஆன்டிஃபியூஸ் சாதனம் சிடென்ஸால் அறிமுகப்படுத்தப்பட்டது. இந்த பிளவு சேனல் பிட் செல் தடிமனான (ஐஓ) மற்றும் மெல்லிய (கேட்) ஆக்சைடு சாதனங்களை ஒரு டிரான்சிஸ்டர் (1டி) உடன் ஒரு பொதுவான பாலிசிலிகான் கேட்டுடன் ஒருங்கிணைக்கிறது. நிரலாக்கம் ஒரு வழக்கமான PROM அனைத்து பிட்களையும் "1" என்று படிக்கிறது. நிரலாக்கத்தின் போது ஒரு உருகி பிட்டை எரிப்பதால் உருகிகளை "ஊதுவதன்" மூலம் பிட்டை "0" என்று படிக்க வைக்கிறது, இது ஒரு மாற்ற முடியாத செயல்முறையாகும். புதிய தரவு "1" களுக்கு பதிலாக "0" களால் மாற்றப்பட்டால் சில சாதனங்களை "மறுசீரமைக்கலாம்". சில CPU அறிவுறுத்தல் தொகுப்புகள் (எ. கா. 6502) '00' செயல்பாட்டுக் குறியீட்டைக் கொண்டு ஒரு இடைவெளி (பி. ஆர். கே) அறிவுறுத்தலை வரையறுப்பதன் மூலம் இதைப் பயன்படுத்திக் கொண்டார். தவறான அறிவுறுத்தல் இருந்த சந்தர்ப்பங்களில், அது ஒரு பி. ஆர். கே. க்கு "மறுசீரமைக்கப்படலாம்", இதனால் CPU கட்டுப்பாட்டை ஒரு இணைப்புக்கு மாற்றும். இது சரியான அறிவுறுத்தலை செயல்படுத்தும் மற்றும் பி. ஆர். கே. க்குப் பிறகு அறிவுறுத்தலுக்குத் திரும்பும். கேட் மற்றும் அடி மூலக்கூறுக்கு இடையிலான ஆக்சைடை உடைக்க மெல்லிய ஆக்சைடு டிரான்சிஸ்டரின் கேட் மற்றும் அடி மூலக்கூறு (2 நானோமீட்டர் தடிமனான ஆக்சைடுக்கு சுமார் 6 வி அல்லது 30 எம். வி/செமீ) முழுவதும் சாதாரண செயல்பாட்டின் போது எதிர்கொள்ளாத உயர் மின்னழுத்த துடிப்பைப் பயன்படுத்துவதன் மூலம் பிட் செல் திட்டமிடப்படுகிறது. டிரான்சிஸ்டரின் வாயிலில் உள்ள நேர்மறை மின்னழுத்தம் வாயிலுக்குக் கீழே உள்ள அடி மூலக்கூறில் ஒரு தலைகீழ் சேனலை உருவாக்குகிறது, இதனால் ஆக்சைடு வழியாக ஒரு சுரங்கப்பாதை மின்னோட்டம் பாய்கிறது. இந்த மின்னோட்டம் ஆக்சைடில் கூடுதல் பொறிகளை உருவாக்குகிறது, ஆக்சைடு வழியாக மின்னோட்டத்தை அதிகரித்து இறுதியில் ஆக்சைடை உருக்கி, வாயிலிலிருந்து அடி மூலக்கூறுக்கு ஒரு கடத்தும் சேனலை உருவாக்குகிறது. கடத்தும் கால்வாயை உருவாக்கத் தேவையான மின்னோட்டம் சுமார் 100μA/100nm ஆகும், மேலும் முறிவு தோராயமாக 100μs அல்லது அதற்கும் குறைவாக நிகழ்கிறது. இன்டெல் ஹெக்ஸ் குறிப்புகள் குறிப்புகள் 1977 இன்டெல் நினைவக வடிவமைப்பு கையேடு-archive.org இன்டெல் ப்ரோம் தரவுத்தாள்கள்-intel-vintage.info அமெரிக்க காப்புரிமை அலுவலகத்தில் அமெரிக்க "சுவிட்ச் மேட்ரிக்ஸ்" காப்புரிமை #3028659 ஐப் பார்க்கவும் அல்லது கூகிள் வியூ கிலோபாஸ் தொழில்நுட்ப காப்புரிமை யு. எஸ். "உயர் அடர்த்தி குறைக்கடத்தி நினைவக செல் மற்றும் நினைவக வரிசை ஒற்றை டிரான்சிஸ்டரைப் பயன்படுத்தி மற்றும் மாறி கேட் ஆக்சைடு முறிவைக் கொண்டுள்ளது" அமெரிக்க காப்புரிமை அலுவலகத்தில் காப்புரிமை #6940751 அல்லது கூகிள் வியூ சிடென்ஸ் யு. எஸ். காப்புரிமை அலுவலகத்தில் காப்புரிமை <ஐடி6 அல்லது கூகிள் வியூ தி யு. எஸ். "உற்பத்தி குறைக்கடத்தி ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகளின் முறை" காப்புரிமை #3634929 அமெரிக்க காப்புரிமை அலுவலகத்தில் அல்லது கூகிள் சிஹெச்ஓ (2008). எஃப். பி. ஜி. ஏ கட்டமைப்புகளுக்கான புதிய நிலையற்ற நினைவக கட்டமைப்புகள் "நன்மைகள் மற்றும் தீமைகள் அட்டவணைக்கு, ராமமூர்த்தி, ஜிஃ" தரவுத்தேர்வு நுண்ணறிவுஃ நிலையற்ற நினைவக ஐபி சந்தை, உலகளாவிய, 2008-2013 ", பக்கம் 10 ஐப் பார்க்கவும். கார்ட்னர், 2009 மேலும் காண்க EPROM EEPROM வெளிப்புற இணைப்புகள் நுண்ணோக்கி உருகியில் தரவைச் சேமிக்கும் 1970 களின் PROM சிப்பின் உள்ளே பார்ப்பது-256x4 MMI 5300 PROM நிலையற்ற நினைவகம் கணினி நினைவகம் 1956 இல் அமெரிக்க கண்டுபிடிப்புகளில் கணினி தொடர்பான அறிமுகங்கள்