Programmable ROM
پروگرام ایبل ریڈ اونلی میموری (پی آر او ایم) ڈیجیٹل میموری کی ایک شکل ہے جہاں ڈیوائس کی تیاری کے بعد مواد کو ایک بار تبدیل کیا جا سکتا ہے۔ اس کے بعد ڈیٹا مستقل ہوتا ہے اور اسے تبدیل نہیں کیا جا سکتا۔ یہ ایک قسم کی صرف پڑھنے والی میموری (روم) ہے۔ پی آر او ایم کا استعمال ڈیجیٹل الیکٹرانک آلات میں مستقل ڈیٹا کو ذخیرہ کرنے کے لیے کیا جاتا ہے، عام طور پر نچلے درجے کے پروگرام جیسے فرم ویئر یا مائیکرو کوڈ۔ معیاری ROM سے کلیدی فرق یہ ہے کہ ڈیٹا کو تیاری کے دوران ROM میں لکھا جاتا ہے، جبکہ PROM کے ساتھ ڈیٹا کو تیاری کے بعد ان میں پروگرام کیا جاتا ہے۔ اس طرح، ROMs کا استعمال صرف اچھی طرح سے تصدیق شدہ ڈیٹا کے ساتھ بڑے پروڈکشن رن کے لیے کیا جاتا ہے۔ پی آر ایم کا استعمال وہاں کیا جا سکتا ہے جہاں مطلوبہ حجم فیکٹری پروگرام شدہ روم کو کفایتی نہیں بناتا ہے، یا کسی ایسے نظام کی ترقی کے دوران جسے بالآخر بڑے پیمانے پر تیار کردہ ورژن میں روم میں تبدیل کیا جا سکتا ہے۔ پی آر او ایم خالی تیار کیے جاتے ہیں اور، ٹیکنالوجی کے لحاظ سے، ویفر، فائنل ٹیسٹ، یا سسٹم میں پروگرام کیے جا سکتے ہیں۔ خالی PROM چپس کو PROM پروگرامر نامی ڈیوائس میں پلگ کرکے پروگرام کیا جاتا ہے۔ کمپنیاں اسٹاک میں خالی پی آر او ایم کی فراہمی رکھ سکتی ہیں، اور بڑے حجم کے عزم سے بچنے کے لیے آخری لمحات میں انہیں پروگرام کر سکتی ہیں۔ اس قسم کی یادیں اکثر مائیکرو کنٹرولرز، ویڈیو گیم کنسولز، موبائل فونز، ریڈیو فریکوئنسی آئیڈینٹیفیکیشن (آر ایف آئی ڈی) ٹیگز، امپلانٹیبل میڈیکل ڈیوائسز، ہائی ڈیفینیشن ملٹی میڈیا انٹرفیس (ایچ ڈی ایم آئی) اور بہت سے دوسرے صارفین اور آٹوموٹو الیکٹرانکس مصنوعات میں استعمال ہوتی ہیں۔ پی آر او ایم کی ایجاد 1956 میں وین سنگ چو نے کی تھی، جو گارڈن سٹی، نیویارک میں امریکن باسچ ارما کارپوریشن کے ارما ڈویژن کے لیے کام کر رہے تھے۔ اس ایجاد کا تصور ریاستہائے متحدہ کی فضائیہ کی درخواست پر کیا گیا تھا تاکہ اٹلس ای/ایف آئی سی بی ایم کے ہوائی ڈیجیٹل کمپیوٹر میں ٹارگیٹنگ مستقل کو محفوظ کرنے کا زیادہ لچکدار اور محفوظ طریقہ سامنے لایا جا سکے۔ پیٹنٹ اور اس سے وابستہ ٹیکنالوجی کو کئی سالوں تک رازداری کے حکم کے تحت رکھا گیا تھا جبکہ اٹلس ای/ایف ریاستہائے متحدہ کی آئی سی بی ایم فورس کا اہم آپریشنل میزائل تھا۔ برن کی اصطلاح، ایک PROM پروگرامنگ کے عمل کا حوالہ دیتے ہوئے، اصل پیٹنٹ میں بھی ہے، کیونکہ اصل نفاذ میں سے ایک لفظی طور پر موجودہ اوورلوڈ کے ساتھ ڈایڈس کی اندرونی مٹھی کو جلانا تھا تاکہ سرکٹ کی تعطل پیدا ہو۔ پہلی PROM پروگرامنگ مشینیں بھی چاؤ کی ہدایت پر ارما انجینئروں نے تیار کی تھیں اور یہ ارما کی گارڈن سٹی لیب اور ایئر فورس اسٹریٹجک ایئر کمانڈ (SAC) ہیڈ کوارٹر میں واقع تھیں۔ ون ٹائم پروگرام ایبل میموری او ٹی پی (ون ٹائم پروگرام ایبل) میموری ایک خاص قسم کی غیر مستحکم میموری (این وی ایم) ہے جو ڈیٹا کو صرف ایک بار میموری میں لکھنے کی اجازت دیتی ہے۔ ایک بار جب میموری کو پروگرام کیا جاتا ہے، تو یہ طاقت کے نقصان پر اپنی قدر کو برقرار رکھتا ہے (یعنی، غیر مستحکم ہے)۔ او ٹی پی میموری کا استعمال ان ایپلی کیشنز میں کیا جاتا ہے جہاں ڈیٹا کو قابل اعتماد اور بار بار پڑھنے کی ضرورت ہوتی ہے۔ مثالوں میں بوٹ کوڈ، خفیہ کاری کیز اور اینالاگ، سینسر یا ڈسپلے سرکٹری کے لیے ترتیب کے پیرامیٹرز شامل ہیں۔ او ٹی پی این وی ایم کی خصوصیت، دیگر اقسام کے این وی ایم جیسے ای فیوز یا ای ای پی آر او ایم کے مقابلے میں، کم طاقت، چھوٹے ایریا فٹ پرنٹ میموری ڈھانچہ پیش کرکے کی جاتی ہے۔ اس طرح او ٹی پی میموری مائکرو پروسیسرز اور ڈسپلے ڈرائیوروں سے لے کر پاور مینجمنٹ آئی سیز (پی ایم آئی سیز) تک کی مصنوعات میں استعمال ہوتی ہے۔ تجارتی طور پر دستیاب سیمی کنڈکٹر اینٹی فیوز پر مبنی او ٹی پی میموری صف کم از کم 1969 سے موجود ہیں، ابتدائی اینٹی فیوز بٹ خلیات کنڈکٹو لائنوں کو عبور کرنے کے درمیان کیپسیٹر کو اڑانے پر منحصر ہیں۔ ٹیکساس انسٹرومینٹس نے 1979 میں ایم او ایس گیٹ آکسائیڈ بریک ڈاؤن اینٹی فیوز تیار کیا۔ ایک دوہری گیٹ آکسائیڈ دو ٹرانجسٹر (2 ٹی) ایم او ایس اینٹی فیوز 1982 میں متعارف کرایا گیا تھا۔ ابتدائی آکسائڈ بریک ڈاؤن ٹیکنالوجیز نے اسکیلنگ، پروگرامنگ، سائز اور مینوفیکچرنگ کے مختلف مسائل کی نمائش کی جس نے ان ٹیکنالوجیز پر مبنی میموری ڈیوائسز کے حجم کی پیداوار کو روکا۔ ون ٹائم پروگرام ایبل میموری ڈیوائس کی ایک اور شکل وہی سیمی کنڈکٹر چپ استعمال کرتی ہے جو الٹرا وایلیٹ-ایراسیبل پروگرام ایبل ریڈ-اونلی میموری (یو وی-ای پی آر او ایم) کے طور پر استعمال ہوتی ہے، لیکن تیار شدہ ڈیوائس کو مہنگے سیرامک پیکیج کے بجائے ایک غیر شفاف پیکیج میں ڈال دیا جاتا ہے جس میں مٹانے کے لیے درکار شفاف کوارٹز ونڈو ہوتی ہے۔ ان آلات کو یو وی ای پی آر او ایم حصوں کی طرح ہی پروگرام کیا گیا ہے لیکن یہ کم مہنگے ہیں۔ سرایت شدہ کنٹرولر فیلڈ-ایراسیبل اور ون ٹائم دونوں طرزوں میں دستیاب ہو سکتے ہیں، جس سے فیکٹری پروگرامڈ ماسک روم چپس کے اخراجات اور لیڈ ٹائم کے بغیر حجم کی پیداوار میں لاگت کی بچت ہوتی ہے۔ اگرچہ اینٹی فیوز پر مبنی پی آر او ایم کئی دہائیوں سے دستیاب ہے، لیکن یہ 2001 تک معیاری سی ایم او ایس میں دستیاب نہیں تھا جب کلوپاس ٹیکنالوجی انکارپوریٹڈ نے ایک معیاری سی ایم او ایس عمل کا استعمال کرتے ہوئے 1 ٹی، 2 ٹی، اور 3.5 ٹی اینٹی فیوز بٹ سیل ٹیکنالوجیز کو پیٹنٹ کرایا، جس سے منطق سی ایم او ایس چپس میں پی آر او ایم کے انضمام کو فعال کیا گیا۔ پہلا عمل نوڈ اینٹی فیوز معیاری سی ایم او ایس میں لاگو کیا جا سکتا ہے 0.18 ام ہے۔ چونکہ گیٹ آکسائیڈ بریک ڈاؤن جنکشن بریک ڈاؤن سے کم ہے، اس لیے اینٹی فیوز پروگرامنگ عنصر بنانے کے لیے پھیلاؤ کے خصوصی اقدامات کی ضرورت نہیں تھی۔ 2005 میں، سائڈینس نے ایک اسپلٹ چینل اینٹی فیوز ڈیوائس متعارف کرایا تھا۔ یہ تقسیم شدہ چینل بٹ سیل موٹے (آئی او) اور پتلی (گیٹ) آکسائڈ آلات کو ایک عام پولیسیلیکن گیٹ کے ساتھ ایک ٹرانجسٹر (1 ٹی) میں جوڑتا ہے۔ پروگرامنگ ایک عام PROM تمام بٹس کو "1" کے طور پر پڑھنے کے ساتھ آتا ہے۔ پروگرامنگ کے دوران فیوز بٹ کو جلانے کی وجہ سے فیوز کو "اڑانے" سے بٹ کو "0" کے طور پر پڑھا جاتا ہے، جو کہ ایک ناقابل واپسی عمل ہے۔ کچھ آلات کو "ری پروگرام" کیا جا سکتا ہے اگر نیا ڈیٹا "1" s کو "0" s سے بدل دیتا ہے۔ کچھ سی پی یو انسٹرکشن سیٹ (مثال کے طور پر۔ 6502) نے '00' کے آپریشن کوڈ کے ساتھ بریک (بی آر کے) ہدایات کی وضاحت کرکے اس کا فائدہ اٹھایا۔ ایسی صورتوں میں جہاں کوئی غلط ہدایت تھی، اسے بی آر کے میں "ری پروگرام" کیا جا سکتا ہے جس کی وجہ سے سی پی یو کنٹرول کو پیچ میں منتقل کر سکتا ہے۔ یہ صحیح ہدایات پر عمل درآمد کرے گا اور بی آر کے کے بعد ہدایات پر واپس آئے گا۔ بٹ سیل کو گیٹ اور سبسٹریٹ کے درمیان آکسائڈ کو توڑنے کے لیے پتلی آکسائڈ ٹرانجسٹر (2 این ایم موٹی آکسائڈ کے لیے تقریبا 6 وی، یا 30 ایم وی/سینٹی میٹر) کے گیٹ اور سبسٹریٹ کے پار عام آپریشن کے دوران سامنے نہ آنے والی ہائی وولٹیج پلس لگا کر پروگرام کیا جاتا ہے۔ ٹرانجسٹر کے گیٹ پر مثبت وولٹیج گیٹ کے نیچے سبسٹریٹ میں ایک الٹا چینل بناتا ہے، جس کی وجہ سے ایک ٹنلنگ کرنٹ آکسائڈ کے ذریعے بہتا ہے۔ کرنٹ آکسائڈ میں اضافی جال پیدا کرتا ہے، جس سے آکسائڈ کے ذریعے کرنٹ میں اضافہ ہوتا ہے اور بالآخر آکسائڈ پگھل جاتا ہے اور گیٹ سے سبسٹریٹ تک ایک کنڈکٹو چینل بنتا ہے۔ کنڈکٹو چینل بنانے کے لیے درکار کرنٹ تقریبا 100 ایم یو اے/100 این ایم ہے اور بریک ڈاؤن تقریبا 100 ایم یو یا اس سے کم میں ہوتا ہے۔ انٹیل ایچ ای ایکس حوالہ جات 1977 انٹیل میموری ڈیزائن ہینڈ بک دیکھیں-archive.org انٹیل PROM ڈیٹاشیٹ-intel-vintage.info یو ایس پیٹنٹ آفس یا گوگل ویو کلوپاس ٹیکنالوجی پیٹنٹ یو ایس میں یو ایس "سوئچ میٹرکس" پیٹنٹ #3028659 دیکھیں "ہائی ڈینسٹی سیمی کنڈکٹر میموری سیل اور میموری سرنی ایک ٹرانجسٹر کا استعمال کرتے ہوئے اور متغیر گیٹ آکسائڈ بریک ڈاؤن کے ساتھ" یو ایس پیٹنٹ آفس میں پیٹنٹ #6940751 یا گوگل ویو سائڈنس یو ایس پیٹنٹ آفس میں "اسپلٹ چینل اینٹی فیوز ارے آرکیٹیکچر" پیٹنٹ #7402855 یا گوگل ویو یو ایس "میتھڈ آف مینوفیکچرنگ سیمی کنڈکٹر انٹیگریٹڈ سرکٹس" پیٹنٹ #3634929 یو ایس پیٹنٹ آفس یا گوگل CHO میں (2008)۔ ایف پی جی اے آرکیٹیکچرز کے لیے "نیو نان وولاٹائل میموری اسٹرکچرز" فوائد اور نقصانات کی میز کے لیے، رامامورتی، جی: "ڈیٹاکویسٹ انسائٹ: نان وولاٹائل میموری آئی پی مارکیٹ، ورلڈ وائیڈ، 2008-2013"، صفحہ 10 دیکھیں۔ گارٹنر، 2009 EPROM EEPROM بیرونی لنکس بھی دیکھیں 1970 کی دہائی کی PROM چپ کے اندر دیکھنا جو مائکروسکوپک فیوز میں ڈیٹا اسٹور کرتا ہے-256x4 MMI 5300 PROM غیر مستحکم میموری کمپیوٹر میموری 1956 میں امریکی ایجادات میں کمپیوٹر سے متعلق تعارف سے مر جاتا ہے۔