Band bending
কঠিন-অবস্থা পদার্থবিজ্ঞানে, ব্যান্ড বাঁকানো সেই প্রক্রিয়াকে বোঝায় যেখানে কোনও উপাদানের বৈদ্যুতিন ব্যান্ড কাঠামো কোনও জংশন বা ইন্টারফেসের কাছে উপরে বা নীচে বাঁকানো থাকে। এতে কোনও শারীরিক (স্থানিক) বাঁক জড়িত থাকে না। যখন একটি অর্ধপরিবাহীর ইন্টারফেসের চারপাশে মুক্ত চার্জ বাহকগুলির তড়িৎরাসাযনিক সম্ভাব্যতা ভিন্ন হয়, তখন চার্জ বাহকগুলি দুটি পদার্থের মধ্যে স্থানান্তরিত হয় যতক্ষণ না একটি ভারসাম্য অবস্থায় পৌঁছায় যার ফলে সম্ভাব্য পার্থক্য অদৃশ্য হয়ে যায়। ব্যান্ড বাঁকানো ধারণাটি প্রথম 1938 সালে বিকশিত হয়েছিল যখন মট, ডেভিডভ এবং স্কটকি ধাতু-অর্ধপরিবাহী যোগাযোগের সংশোধন প্রভাবের সমস্ত তত্ত্ব প্রকাশ করেছিলেন। সেমিকন্ডাক্টর জংশনের ব্যবহার 1990 সালে কম্পিউটার বিপ্লবের সূত্রপাত করে। ডায়োড, ট্রানজিস্টর, ফটোসেল এবং আরও অনেক যন্ত্র এখনও প্রযুক্তিতে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। গুণগত বিবরণ ব্যান্ড বাঁকানো বিভিন্ন ধরনের যোগাযোগ দ্বারা প্ররোচিত হতে পারে। এই বিভাগে ধাতু-অর্ধপরিবাহী যোগাযোগ, পৃষ্ঠের অবস্থা, প্রয়োগকৃত পক্ষপাত এবং অধিশোষণ প্ররোচিত ব্যান্ড বাঁকানো নিয়ে আলোচনা করা হয়েছে। ধাতব-অর্ধপরিবাহী সংস্পর্শে অনুপ্রাণিত ব্যান্ড বাঁকানো চিত্র 1 আদর্শ ব্যান্ড চিত্রটি দেখায় (অর্থাৎ। কোনও ধাতুর কোনও অশুচিতা, ত্রুটি বা দূষক ছাড়াই শূন্য তাপমাত্রায় ব্যান্ড চিত্রটি এন-টাইপ অর্ধপরিবাহী সহ (উপরে) এবং যোগাযোগের পরে (নীচে)। কাজের ক্রিয়াকে স্পর্শের আগে উপাদানটির ফার্মি স্তর এবং ভ্যাকুয়াম স্তরের মধ্যে শক্তির পার্থক্য হিসাবে সংজ্ঞায়িত করা হয় এবং দ্বারা চিহ্নিত করা হয়। যখন ধাতু এবং অর্ধপরিবাহীকে সংস্পর্শে আনা হয়, তখন চার্জ বাহক (অর্থাৎ। মুক্ত ইলেকট্রন এবং গর্ত) কাজের ফাংশনের পার্থক্যের ফলে দুটি উপাদানের মধ্যে স্থানান্তরিত হবে। যদি ধাতব ওয়ার্ক ফাংশন () অর্ধপরিবাহী ()-এর চেয়ে বড় হয়, অর্থাৎ ইলেকট্রনগুলি অর্ধপরিবাহী থেকে ধাতুতে প্রবাহিত হবে, যার ফলে অর্ধপরিবাহী ফার্মি স্তর হ্রাস পাবে এবং ধাতুর পরিমাণ বৃদ্ধি পাবে। ভারসাম্যের অধীনে কাজের ফাংশনের পার্থক্য অদৃশ্য হয়ে যায় এবং ফার্মি স্তরগুলি ইন্টারফেস জুড়ে সারিবদ্ধ হয়। জংশনের কাছে একটি হেল্মহোল্টজ দ্বৈত স্তর গঠিত হবে, যেখানে ধাতুটি ঋণাত্মকভাবে চার্জ করা হয় এবং এই স্থির তড়িৎপ্রবাহের কারণে অর্ধপরিবাহীটি ধনাত্মকভাবে চার্জ করা হয়। ফলস্বরূপ, অর্ধপরিবাহী থেকে ধাতু পর্যন্ত একটি মোট বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র প্রতিষ্ঠিত হয়। অর্ধপরিবাহীতে মুক্ত চার্জ বাহকগুলির কম ঘনত্বের কারণে, বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রটি কার্যকরভাবে পরীক্ষা করা যায় না (ধাতুর মতো নয় যেখানে বাল্ক থাকে)। এর ফলে অর্ধপরিবাহী পৃষ্ঠের কাছে একটি হ্রাস অঞ্চল তৈরি হয়। এই অঞ্চলে, অর্ধপরিবাহীর শক্তি ব্যান্ডের প্রান্তগুলি অর্ধপরিবাহী এবং ধাতব পৃষ্ঠের মধ্যে সঞ্চিত চার্জ এবং সংশ্লিষ্ট বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের ফলে উপরের দিকে বাঁক নেয়। এর ক্ষেত্রে, ইলেকট্রনগুলি ধাতু থেকে অর্ধপরিবাহীতে ভাগ করা হয়, যার ফলে একটি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র তৈরি হয় যা বিপরীত দিকে নির্দেশ করে। অতএব, ব্যান্ডটি নীচের দিকে বাঁকানো যেমন চিত্র 1-এর নীচের ডানদিকে দেখা যায়। ইন্টারফেস জুড়ে চলার সময় একটি ইলেক্ট্রন দ্বারা অভিজ্ঞ তড়িৎস্থায়ী শক্তি বিবেচনা করে বাঁকানোর দিকটি কল্পনা করা যেতে পারে। যখন, ধাতুটি একটি ঋণাত্মক আধান তৈরি করে। সেমিকন্ডাক্টর থেকে ধাতুর দিকে অগ্রসর হওয়া একটি ইলেক্ট্রন ইন্টারফেসের কাছে যাওয়ার সাথে সাথে ক্রমবর্ধমান বিকর্ষণ অনুভব করে। এর ফলে এর সম্ভাব্য শক্তি বৃদ্ধি পায় এবং তাই ব্যান্ডটি উপরের দিকে বাঁকানো থাকে। এর ক্ষেত্রে, অর্ধপরিবাহী একটি ঋণাত্মক আধান বহন করে, একটি তথাকথিত সঞ্চয়ের স্তর গঠন করে এবং ধাতব পৃষ্ঠে একটি ধনাত্মক আধান রেখে যায়। একটি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র ধাতু থেকে অর্ধপরিবাহীতে বিকশিত হয় যা ইলেকট্রনগুলিকে ধাতুর দিকে চালিত করে। ধাতুর কাছাকাছি গিয়ে ইলেক্ট্রনটি তার সম্ভাব্য শক্তি হ্রাস করতে পারে। ফলস্বরূপ, অর্ধপরিবাহী শক্তি ব্যান্ডটি ধাতব পৃষ্ঠের দিকে নীচের দিকে বাঁক নেয়। পৃষ্ঠের অবস্থা প্ররোচিত ব্যান্ড বাঁকানো শক্তির দিক থেকে প্রতিকূল হওয়া সত্ত্বেও, পদার্থের জাল পর্যায়ক্রমিকতার সমাপ্তির কারণে একটি পরিষ্কার অর্ধপরিবাহী পৃষ্ঠে পৃষ্ঠের অবস্থা বিদ্যমান থাকতে পারে। এই ধরনের পৃষ্ঠের অবস্থার শক্তি ব্যান্ডেও ব্যান্ড বাঁকানো প্ররোচিত করা যেতে পারে। একটি পরিষ্কার অর্ধপরিবাহীর পৃষ্ঠের কাছাকাছি এবং তার পৃষ্ঠের অবস্থার সাথে ভারসাম্যের কাছাকাছি একটি আদর্শ ব্যান্ড চিত্রের একটি পরিকল্পিত চিত্র 2-এ দেখানো হয়েছে। পৃষ্ঠের পরমাণুগুলির ঝুলন্ত বন্ধনে অপ্রচলিত ইলেকট্রনগুলি একে অপরের সাথে মিথস্ক্রিয়া করে একটি সংকীর্ণ শক্তি ব্যান্ড সহ একটি বৈদ্যুতিন অবস্থা তৈরি করে, যা বাল্ক উপাদানের ব্যান্ড ফাঁকের মধ্যে কোথাও অবস্থিত। সরলতার জন্য, পৃষ্ঠের অবস্থা ব্যান্ডটি বাল্কের মধ্য-ব্যবধান শক্তিতে অবস্থিত তার ফার্মি স্তর দিয়ে অর্ধেক পূর্ণ বলে মনে করা হয়। উপরন্তু, ডোপিং ভূপৃষ্ঠের অবস্থার উপর প্রভাব ফেলবে না বলে মনে করা হয়। ডোপ্যান্টের ঘনত্ব কম হওয়ার কারণে এটি একটি বৈধ অনুমান। অভ্যন্তরীণ অর্ধপরিবাহীর (আনডোপড) জন্য, ভ্যালেন্স ব্যান্ডটি সম্পূর্ণরূপে ইলেকট্রনে ভরা থাকে, যেখানে পরিবাহিতা ব্যান্ডটি সম্পূর্ণ খালি থাকে। এইভাবে ফার্মি স্তরটি ব্যান্ড ফাঁকের মাঝখানে অবস্থিত, যা পৃষ্ঠের অবস্থার মতোই, এবং তাই বাল্ক এবং পৃষ্ঠের মধ্যে কোনও চার্জ স্থানান্তর হয় না। ফলস্বরূপ কোনও ব্যান্ড বাঁকানো হয় না। যদি সেমিকন্ডাক্টরটি ডোপ করা হয়, তবে ব্যান্ড ফাঁকের মধ্যে ডোপ্যান্ট আইগেনস্টেট প্রবর্তনের মাধ্যমে বাল্কের ফার্মি স্তরটি আনডোপড সেমিকন্ডাক্টরের সাপেক্ষে স্থানান্তরিত হয়। এটি এন-ডোপড সেমিকন্ডাক্টরের জন্য উপরে (পরিবহন ব্যান্ডের কাছাকাছি) এবং পি-ডোপিংয়ের ক্ষেত্রে (ভ্যালেন্স ব্যান্ডের কাছাকাছি) নিচে স্থানান্তরিত হয়। ভারসাম্যহীনতার ক্ষেত্রে, ফার্মি শক্তি যথাক্রমে পি-এবং এন-ডোপিংয়ের জন্য পৃষ্ঠের অবস্থার চেয়ে কম বা বেশি হয়। শক্তির পার্থক্যের কারণে, ইলেকট্রনগুলি বাল্ক থেকে পৃষ্ঠে বা তদ্বিপরীত দিকে প্রবাহিত হবে যতক্ষণ না ফার্মি স্তরগুলি ভারসাম্যে সারিবদ্ধ হয়। ফলস্বরূপ, এন-ডোপিংয়ের জন্য, শক্তি ব্যান্ডগুলি উপরের দিকে বাঁক নেয়, যেখানে তারা পি-ডোপড অর্ধপরিবাহীগুলির জন্য নীচের দিকে বাঁক নেয়। লক্ষ্য করুন যে বাল্ক ()-এ ডোপ্যান্ট ঘনত্বের তুলনায় পৃষ্ঠের অবস্থার ঘনত্ব বড় ()। অতএব, অর্ধপরিবাহীর ফার্মি শক্তি বাল্ক ডোপ্যান্ট ঘনত্ব থেকে প্রায় স্বাধীন এবং এর পরিবর্তে পৃষ্ঠের অবস্থা দ্বারা নির্ধারিত হয়। একে বলা হয় ফার্মি লেভেল পিনিং। একটি অর্ধপরিবাহী পৃষ্ঠে অ্যাডসর্পশন প্ররোচিত ব্যান্ড বাঁকানো অ্যাডসর্পশনও ব্যান্ড বাঁকানোকে প্ররোচিত করতে পারে। চিত্র 3 একটি সেমিকন্ডাক্টর পৃষ্ঠের উপর একটি গ্রহণকারী অণু (এ) এর শোষণকে চিত্রিত করে। অণুটি পৃষ্ঠের কাছে আসার সাথে সাথে গ্রহণকারীর একটি অপূর্ণ আণবিক কক্ষপথ অর্ধপরিবাহীর সাথে মিথস্ক্রিয়া করে এবং শক্তিতে নীচের দিকে সরে যায়। গ্রহণকারী অণুর শোষণের কারণে এর চলাচল সীমাবদ্ধ। এটি সাধারণ অনিশ্চয়তা নীতি অনুসরণ করে যে আণবিক কক্ষপথ তার শক্তিকে প্রশস্ত করে যা চিত্র 3-এর নীচে দেখা যায়। গ্রহণকারী আণবিক কক্ষপথের হ্রাস অর্ধপরিবাহী থেকে অণুর দিকে ইলেক্ট্রন প্রবাহের দিকে পরিচালিত করে, যার ফলে আবার অর্ধপরিবাহী পৃষ্ঠে একটি হেল্মহোল্টজ স্তর তৈরি হয়। একটি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র স্থাপন করা হয় এবং অর্ধপরিবাহী পৃষ্ঠের কাছে উপরের দিকে ব্যান্ড বাঁকানো হয়। একটি দাতা অণুর জন্য, ইলেকট্রনগুলি অণু থেকে অর্ধপরিবাহীতে স্থানান্তরিত হবে, যার ফলে নিম্নমুখী ব্যান্ড বাঁকবে। প্রয়োগকৃত বায়াস প্ররোচিত ব্যান্ড বাঁকানো যখন ধাতু বা অর্ধপরিবাহীর দুটি পৃষ্ঠ জুড়ে একটি ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয় তখন সংশ্লিষ্ট বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র অর্ধপরিবাহীর পৃষ্ঠে প্রবেশ করতে সক্ষম হয়। যেহেতু অর্ধপরিবাহী উপাদানটিতে সামান্য চার্জ বাহক থাকে, তাই বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র অর্ধপরিবাহী পৃষ্ঠে চার্জ জমা করবে। যখন, একটি ফরোয়ার্ড বায়াস হয়, ব্যান্ডটি নীচের দিকে বাঁক নেয়। একটি বিপরীত পক্ষপাত () পৃষ্ঠের উপর ছিদ্রের সঞ্চয়ের কারণ হবে যা ব্যান্ডটিকে উপরের দিকে বাঁকিয়ে দেবে। এটি আবার পয়সনের সমীকরণ থেকে অনুসরণ করে। উদাহরণস্বরূপ, একটি পি-এন জংশন বা ধাতব-অর্ধপরিবাহী জংশন গঠনের দ্বারা প্ররোচিত ব্যান্ড বাঁকানো একটি বায়াস ভোল্টেজ প্রয়োগ করে সংশোধন করা যেতে পারে। এই ভোল্টেজ বিল্ট-ইন সম্ভাব্যতায় () যোগ করে যা হ্রাস অঞ্চলে () বিদ্যমান। এইভাবে ব্যান্ডগুলির মধ্যে সম্ভাব্য পার্থক্য প্রয়োগ করা পক্ষপাতের ধরণের উপর নির্ভর করে হয় বৃদ্ধি বা হ্রাস করা হয়। প্রচলিত হ্রাস আনুমানিক হ্রাস অঞ্চলে একটি অভিন্ন আয়ন বিতরণ অনুমান করে। এটি হ্রাস অঞ্চলে চার্জ বাহকের ঘনত্বের আকস্মিক হ্রাসকেও অনুমান করে। অতএব বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র রৈখিকভাবে পরিবর্তিত হয় এবং ব্যান্ড বাঁকানো প্যারাবোলিক হয়। এইভাবে বায়াস ভোল্টেজের কারণে হ্রাস অঞ্চলের প্রস্থ পরিবর্তিত হবে। হ্রাস অঞ্চলের প্রস্থ দ্বারা দেওয়া হয়ঃ এবং হ্রাস অঞ্চলের সীমানা। এটি অর্ধপরিবাহীর অস্তরক ধ্রুবক। এবং যথাক্রমে নেট গ্রহণকারী এবং নেট দাতা ডোপ্যান্ট ঘনত্ব এবং ইলেক্ট্রনের চার্জ। এই শব্দটি বাল্ক অঞ্চল থেকে জংশনের কাছে বিনামূল্যে চার্জ বাহকগুলির অস্তিত্বের জন্য ক্ষতিপূরণ দেয়। পয়সনের সমীকরণ যে সমীকরণটি স্থান আধান অঞ্চলে ব্যান্ড প্রান্ত দ্বারা প্রাপ্ত বক্রতা নিয়ন্ত্রণ করে, অর্থাৎ। ব্যান্ড বাঁকানো ঘটনা, পয়সনের সমীকরণ, যেখানে বৈদ্যুতিক সম্ভাব্যতা, স্থানীয় চার্জ ঘনত্ব এবং উপাদানটির অনুমতি। এর বাস্তবায়নের একটি উদাহরণ পি-এন জংশন সম্পর্কিত উইকিপিডিয়া নিবন্ধে পাওয়া যাবে। প্রয়োগ ইলেকট্রনিক্স পি-এন ডায়োড এমন একটি যন্ত্র যা প্রয়োগকৃত ভোল্টেজ একটি নির্দিষ্ট সীমার নিচে থাকা পর্যন্ত কেবল একটি দিকে বিদ্যুৎ প্রবাহিত করতে দেয়। যখন ডায়োডের পি-এন জংশনে একটি ফরোয়ার্ড বায়াস প্রয়োগ করা হয় তখন হ্রাস অঞ্চলে ব্যান্ড ফাঁক সংকুচিত হয়। প্রয়োগকৃত ভোল্টেজ আরও চার্জ বাহক প্রবর্তন করে, যা হ্রাস অঞ্চল জুড়ে ছড়িয়ে পড়তে সক্ষম। বিপরীত পক্ষপাতের অধীনে এটি খুব কমই সম্ভব কারণ ব্যান্ড ফাঁক সংকীর্ণ হওয়ার পরিবর্তে প্রশস্ত হয়, তাই কোনও বিদ্যুৎ প্রবাহিত হতে পারে না। অতএব হ্রাস অঞ্চলটি কেবলমাত্র একটি দিকের স্রোতের অনুমতি দেওয়ার জন্য প্রয়োজনীয়। মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টর (এম. ও. এস. এফ. ই. টি) ব্যান্ড বাঁকনের উপর নির্ভর করে। যখন ট্রানজিস্টরটি তার তথাকথিত 'বন্ধ অবস্থায়' থাকে তখন গেটে কোনও ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয় না এবং প্রথম পি-এন জংশনটি বিপরীত পক্ষপাত হয়। ইলেকট্রনগুলি অতিক্রম করার জন্য সম্ভাব্য বাধা খুব বেশি তাই কোনও বিদ্যুৎ প্রবাহ হয় না। যখন গেটে একটি ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয় তখন প্রয়োগ করা বায়াস ব্যান্ড বাঁকানোর কারণে সম্ভাব্য ফাঁক সঙ্কুচিত হয়। ফলস্বরূপ, স্রোত প্রবাহিত হবে। অথবা অন্য কথায়, ট্রানজিস্টরটি তার 'চালু' অবস্থায় রয়েছে। এম. ও. এস. এফ. ই. টি বর্তমানে উপলব্ধ একমাত্র ধরনের ট্রানজিস্টর নয়। আরও বেশ কয়েকটি উদাহরণ হল মেটাল-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড এফেক্ট ট্রানজিস্টর (এমইএসএফইটি) এবং জংশন ফিল্ড এফেক্ট ট্রানজিস্টর (জেএফইটি), যা উভয়ই ব্যান্ড বাঁকানোর উপর নির্ভর করে। ফটোভোলটাইক কোষগুলি (সৌর কোষ) মূলত কেবল পি-এন ডায়োড যা সূর্যালোকের সংস্পর্শে এলে একটি বিদ্যুৎ উৎপন্ন করতে পারে। সৌর শক্তি হ্রাস অঞ্চলে একটি ইলেক্ট্রন-গর্ত জোড়া তৈরি করতে পারে। সাধারণত তারা অনেক দূর যাওয়ার আগে খুব দ্রুত পুনরায় একত্রিত হত। হ্রাস অঞ্চলে বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রটি ইলেকট্রন এবং গর্তগুলিকে পৃথক করে যখন পি-এন ডায়োডের দুটি দিক সংযুক্ত থাকে তখন একটি বিদ্যুৎ উৎপন্ন করে। ফটোভোলটাইক কোষগুলি পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তির একটি গুরুত্বপূর্ণ সরবরাহকারী। এগুলি নির্ভরযোগ্য পরিচ্ছন্ন শক্তির একটি আশাব্যঞ্জক উৎস। স্পেকট্রোস্কোপি বিভিন্ন স্পেকট্রোস্কোপি পদ্ধতি ব্যবহার করে বা ব্যান্ড বাঁকানো পরিমাপ করতে পারেঃ সারফেস ফটোভোল্টেজ একটি স্পেকট্রোস্কোপি পদ্ধতি যা অর্ধপরিবাহীর সংখ্যালঘু বাহক বিস্তার দৈর্ঘ্য নির্ধারণ করতে ব্যবহৃত হয়। একটি অর্ধপরিবাহীর পৃষ্ঠে ব্যান্ডটি বাঁকানোর ফলে একটি পৃষ্ঠ সম্ভাব্যতা সহ একটি হ্রাস অঞ্চল তৈরি হয়। একটি ফোটন উৎস পদার্থের গভীরে ইলেক্ট্রন-গর্ত জোড়া তৈরি করে। এই ইলেকট্রনগুলি তারপর বিকিরণগতভাবে পুনরায় একত্রিত হওয়ার জন্য পৃষ্ঠে ছড়িয়ে পড়ে। এর ফলে পৃষ্ঠের সম্ভাব্যতা পরিবর্তিত হয় যা পরিমাপ করা যায় এবং সংখ্যালঘু বাহক বিস্তার দৈর্ঘ্যের সাথে সরাসরি সম্পর্কযুক্ত। সেমিকন্ডাক্টরের এই বৈশিষ্ট্যটি ফটোডিয়োড, সৌর প্যানেল এবং ট্রানজিস্টরের মতো নির্দিষ্ট ইলেকট্রনিক্সের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। সময়-সমাধান করা ফটোলুমিনেসেন্স হল আরেকটি কৌশল যা অর্ধপরিবাহীতে সংখ্যালঘু বাহক বিস্তারের দৈর্ঘ্য পরিমাপ করতে ব্যবহৃত হয়। এটি ফোটোলুমিনেসেন্স স্পেকট্রোস্কোপির একটি রূপ যেখানে নির্গত ফোটন ক্ষয় সময়ের সাথে পরিমাপ করা হয়। ফোটোলুমিনেসেন্স স্পেকট্রোস্কোপি-তে একটি উপাদানের ব্যান্ড ফাঁকের চেয়ে বেশি ফোটন শক্তি সহ একটি ফোটন পালস ব্যবহার করে একটি উপাদান উত্তেজিত হয়। একটি ফোটন নির্গমনের অধীনে উপাদানটি তার স্থল অবস্থায় ফিরে আসে। এই নির্গত ফোটনগুলি একটি উপাদানের ব্যান্ড কাঠামো সম্পর্কে তথ্য পেতে পরিমাপ করা হয়। অর্ধপরিবাহীর মতো স্ফটিক কাঠামোর বৈদ্যুতিন শক্তি ব্যান্ডগুলি চার্ট করতে কোণ-সমাধান করা ফটোমিশন স্পেকট্রোস্কোপি ব্যবহার করা যেতে পারে। এটি এইভাবে ব্যান্ড বাঁকানোকেও কল্পনা করতে পারে। এই কৌশলটি নিয়মিত ফটোইমিশন স্পেকট্রোস্কোপির একটি বর্ধিত সংস্করণ। এটি ফটোইলেক্ট্রিক প্রভাবের উপর ভিত্তি করে তৈরি। আপতিত ফোটন এবং কঠিন দ্বারা নির্গত ইলেকট্রনের মধ্যে শক্তির পার্থক্য বিশ্লেষণ করে, শক্তিবন্ধের পার্থক্য সম্পর্কে তথ্য পাওয়া যেতে পারে। বিভিন্ন কোণে পরিমাপ করে ব্যান্ড কাঠামোটি ম্যাপ করা যেতে পারে এবং ব্যান্ড বাঁকানো ধরা যেতে পারে। আরও দেখুন ফিল্ড এফেক্ট (সেমিকন্ডাক্টর)-একটি সেমিকন্ডাক্টরের ভ্যাকুয়াম পৃষ্ঠে একটি বাহ্যিক বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের উপস্থিতির কারণে ব্যান্ড বাঁকানো। থমাস-ফার্মি স্ক্রিনিং-লিন্ডহার্ড তত্ত্বের বিশেষ ক্ষেত্রে যা একটি চার্জযুক্ত ত্রুটির কারণে ব্যান্ড বাঁকানো বর্ণনা করে। কোয়ান্টাম ক্যাপাসিট্যান্স-ফিল্ড এফেক্ট ব্যান্ড বাঁকানো, বিশেষ করে নিম্ন-ঘনত্ব-রাজ্য-ব্যবস্থার জন্য গুরুত্বপূর্ণ। তথ্যসূত্র বৈদ্যুতিন ব্যান্ড কাঠামো অর্ধপরিবাহী কাঠামো