Resonating valence bond theory
ঘনীভূত পদার্থবিজ্ঞানে, অনুরণিত ভ্যালেন্স বন্ড তত্ত্ব (আর. ভি. বি) একটি তাত্ত্বিক মডেল যা উচ্চ-তাপমাত্রার অতিপরিবাহীতা এবং বিশেষত কাপ্রেট যৌগের অতিপরিবাহীতা বর্ণনা করার চেষ্টা করে। 1987 সালে মার্কিন পদার্থবিজ্ঞানী পি. ডব্লিউ. অ্যান্ডারসন এবং ভারতীয় তাত্ত্বিক পদার্থবিজ্ঞানী গণপতি ভাস্করন এটি প্রথম প্রস্তাব করেছিলেন। তত্ত্বটি বলে যে তামার অক্সাইড জালগুলিতে, পার্শ্ববর্তী তামার পরমাণু থেকে ইলেকট্রনগুলি একটি ভ্যালেন্স বন্ড তৈরি করতে যোগাযোগ করে, যা তাদের জায়গায় লক করে দেয়। যাইহোক, ডোপিং-এর ক্ষেত্রে, এই ইলেকট্রনগুলি ভ্রাম্যমাণ কুপার জোড়া হিসাবে কাজ করতে পারে এবং অতিপরিবাহী করতে সক্ষম। অ্যান্ডারসন তাঁর 1987 সালের গবেষণাপত্রে পর্যবেক্ষণ করেছেন যে ডোপড কাপ্রেটে অতিপরিবাহীতার উৎস ছিল স্ফটিকাকার কপার অক্সাইডের মট নিরোধক প্রকৃতির মধ্যে। আরভিবি হাবার্ড এবং টি-জে মডেলের উপর ভিত্তি করে তৈরি করে যা দৃঢ়ভাবে পরস্পর সম্পর্কিত উপকরণের অধ্যয়নে ব্যবহৃত হয়। 2014 সালে, ই. পি. এফ. এল বিজ্ঞানীরা অ্যান্ডারসনের উচ্চ-তাপমাত্রার অতিপরিবাহী তত্ত্বের সমর্থনে অর্ধ দ্বি-মাত্রিক চৌম্বকীয় পদার্থে ভগ্নাংশ কণা ঘটতে পারে বলে প্রমাণ পেয়েছিলেন। বিবরণ মট ইনসুলেটরগুলির পদার্থবিজ্ঞানকে বর্ণনা করেছেন রিপালসিভ হাবার্ড মডেল হ্যামিল্টনিয়ানঃ 1971 সালে, অ্যান্ডারসন প্রথম পরামর্শ দিয়েছিলেন যে এই হ্যামিল্টনিয়ানের একটি অ-ক্ষয়প্রাপ্ত স্থল অবস্থা থাকতে পারে যা বিশৃঙ্খল ঘূর্ণন অবস্থার সমন্বয়ে গঠিত। উচ্চ-তাপমাত্রার অতিপরিবাহী আবিষ্কৃত হওয়ার অল্প সময়ের মধ্যেই অ্যান্ডারসন এবং কিভেলসন ও অন্যান্যরা আবিষ্কৃত হন। এই উপকরণগুলির জন্য একটি অনুরণিত ভ্যালেন্স বন্ড স্থল অবস্থার প্রস্তাব দেওয়া হয়েছিল, যেখানে নিকটতম প্রতিবেশী ডাইমার দ্বারা একটি জালের আচ্ছাদনকে প্রতিনিধিত্ব করে। এই ধরনের প্রতিটি আবরণ সমানভাবে ওজন করা হয়। একটি গড় ক্ষেত্র আনুমানিকতায়, আর. ভি. বি অবস্থাটি একটি গুটজউইলার অভিক্ষেপের পরিপ্রেক্ষিতে লেখা যেতে পারে এবং কোস্টারলিটজ-থাউলেস প্রক্রিয়া অনুসারে একটি অতিপরিবাহী পর্যায় রূপান্তর প্রদর্শন করে। যাইহোক, হাবার্ড বা টি-জে হ্যামিল্টনিয়ানের মধ্যে একটি অতিপরিবাহী স্থল রাষ্ট্রের অস্তিত্বের কঠোর প্রমাণ এখনও জানা যায়নি। আর. ভি. বি-র স্থল অবস্থার স্থিতিশীলতা এখনও নিশ্চিত করা যায়নি। তথ্যসূত্র উচ্চ-তাপমাত্রার অতিপরিবাহী পরস্পর সম্পর্কিত ইলেকট্রন ঘনীভূত পদার্থবিজ্ঞান তাত্ত্বিক পদার্থবিজ্ঞান