Vapor–liquid–solid method
বাষ্প-তরল-কঠিন পদ্ধতি (ভি. এল. এস) হল রাসায়নিক বাষ্প জমা থেকে ন্যানোওয়ারের মতো এক-মাত্রিক কাঠামোর বৃদ্ধির একটি প্রক্রিয়া। একটি কঠিন পৃষ্ঠে একটি গ্যাস পর্যায়ের সরাসরি শোষণের মাধ্যমে একটি স্ফটিকের বৃদ্ধি সাধারণত খুব ধীর হয়। ভি. এল. এস প্রক্রিয়াটি একটি অনুঘটক তরল খাদ পর্যায় প্রবর্তন করে এটিকে অতিক্রম করে যা দ্রুত একটি বাষ্পকে অতিমাত্রায় শোষণ করতে পারে এবং যেখান থেকে তরল-কঠিন ইন্টারফেসে নিউক্লিয়েটেড বীজ থেকে স্ফটিক বৃদ্ধি ঘটতে পারে। এই পদ্ধতিতে উত্থিত ন্যানোওয়্যারের ভৌত বৈশিষ্ট্যগুলি নিয়ন্ত্রণযোগ্য উপায়ে, তরল খাদটির আকার এবং ভৌত বৈশিষ্ট্যের উপর নির্ভর করে। ঐতিহাসিক পটভূমি 1964 সালে একটি সিলিকন স্তরের উপর রাখা তরল সোনার ফোঁটার উপস্থিতিতে গ্যাস পর্যায় থেকে সিলিকন হুইস্কার বৃদ্ধির ব্যাখ্যা হিসাবে ভিএলএস প্রক্রিয়াটি প্রস্তাব করা হয়েছিল। এই ব্যাখ্যাটি গোঁফগুলিতে অক্ষীয় স্ক্রু স্থানচ্যুতির অনুপস্থিতি (যা নিজেরাই একটি বৃদ্ধির প্রক্রিয়া), বৃদ্ধির জন্য সোনার ফোঁটার প্রয়োজনীয়তা এবং পুরো বৃদ্ধি প্রক্রিয়া চলাকালীন ফোঁটার অগ্রভাগে ফোঁটার উপস্থিতি দ্বারা অনুপ্রাণিত হয়েছিল। পরিচিতি ভি. এল. এস প্রক্রিয়াটি সাধারণত তিনটি পর্যায়ে বর্ণনা করা হয়ঃ যে স্তর থেকে একটি তার উৎপন্ন করা হবে তার উপর একটি তরল মিশ্র বিন্দু প্রস্তুত করা বাষ্প হিসাবে উত্থিত হওয়ার জন্য পদার্থের প্রবর্তন, যা তরল পৃষ্ঠে শোষিত হয় এবং তরল/কঠিন ইন্টারফেসে বিন্দু সুপারস্যাচুরেশন এবং নিউক্লিয়েশনে ছড়িয়ে পড়ে যা অক্ষীয় স্ফটিক বৃদ্ধির দিকে পরিচালিত করে পরীক্ষামূলক কৌশল ভি. এল. এস প্রক্রিয়াটি নিম্নরূপ ঘটেঃ একটি পাতলা (~ 1-10 এনএম) অ ফিল্ম স্পাটার জমা বা তাপ বাষ্পীভবনের মাধ্যমে একটি সিলিকন (সি) ওয়েফার স্তরের উপর জমা হয়। ওয়েফারটি আউ-সি ইউটেকটিক বিন্দুর চেয়ে বেশি তাপমাত্রায় অ্যানিল করা হয়, যা ওয়েফার পৃষ্ঠে অউ-সি খাদ ফোঁটাগুলি তৈরি করে (অউ ফিল্ম যত ঘন হবে, তত বড় ফোঁটাগুলি)। সি-এর সঙ্গে এ. ইউ-এর মিশ্রণ খাদ উপাদানগুলির তুলনায় খাদটির গলন তাপমাত্রা ব্যাপকভাবে হ্রাস করে। এইউঃসি মিশ্রধনের গলন তাপমাত্রা সর্বনিম্ন (~ 363 ডিগ্রি সেলসিয়াস) পৌঁছায় যখন এর উপাদানগুলির অনুপাত 4:1 এইউঃসি হয়, যা এইউঃসি ইউটেক্টিক পয়েন্ট নামেও পরিচিত। লিথোগ্রাফি কৌশলগুলি বিন্দুগুলির ব্যাস এবং অবস্থান নিয়ন্ত্রণযোগ্যভাবে পরিচালনা করতেও ব্যবহার করা যেতে পারে (এবং আপনি নীচে দেখতে পাবেন, ফলস্বরূপ ন্যানোওয়্যারগুলি)। এক-মাত্রিক স্ফটিকাকার ন্যানোওয়্যার তারপর একটি তরল ধাতু-মিশ্র বিন্দু-অনুঘটক রাসায়নিক বা শারীরিক বাষ্প জমা প্রক্রিয়া দ্বারা উত্থিত হয়, যা একটি ভ্যাকুয়াম জমা পদ্ধতিতে ঘটে। সাবস্ট্রেটের পৃষ্ঠে অ-সি ফোঁটাগুলি স্বাভাবিক বাষ্প-কঠিন বৃদ্ধির সক্রিয়করণ শক্তি হ্রাস করতে কাজ করে। উদাহরণস্বরূপ, একটি সি. আই. সি. এল 4: এইচ 2 বায়বীয় মিশ্রণ বিক্রিয়ার (রাসায়নিক বাষ্প জমা) মাধ্যমে সি জমা করা যেতে পারে, শুধুমাত্র 800 ডিগ্রি সেলসিয়াসের উপরে তাপমাত্রায়, স্বাভাবিক বাষ্প-কঠিন বৃদ্ধিতে। উপরন্তু, এই তাপমাত্রার নিচে বৃদ্ধির পৃষ্ঠে প্রায় কোনও সি জমা হয় না। যাইহোক, এইউ কণাগুলি 363 ডিগ্রি সেলসিয়াসের উপরে তাপমাত্রায় এইউ-সি ইউটেকটিক ফোঁটাগুলি তৈরি করতে পারে এবং বাষ্প অবস্থা থেকে এইউ-কে শোষণ করতে পারে (কারণ এইউ 100% পর্যন্ত সমস্ত এইউ ঘনত্বের সাথে একটি কঠিন-দ্রবণ তৈরি করতে পারে) যতক্ষণ না এইউ-তে এইউ-এর একটি অতিমাত্রায় সম্পৃক্ত অবস্থায় পৌঁছায়। উপরন্তু, ন্যানোসাইজড অউ-সি ফোঁটাগুলির গলনাঙ্ক অনেক কম (রেফ) কারণ পৃষ্ঠের আয়তন-আয়তনের অনুপাত বৃদ্ধি পাচ্ছে, শক্তির দিক থেকে প্রতিকূল হয়ে উঠছে এবং ন্যানোমিটার আকারের কণাগুলি ফোঁটাগুলি (গোলক বা অর্ধ-গোলক) গঠন করে তাদের পৃষ্ঠ শক্তি হ্রাস করার কাজ করে। ইউটেকটিক মিশ্রধনের তুলনায় সি-এর গলনাঙ্ক অনেক বেশি (~ 1414 ডিগ্রি সেলসিয়াস), তাই সি-পরমাণুগুলি তরল-মিশ্র/কঠিন-সি ইন্টারফেসে অতিমাত্রায় সম্পৃক্ত তরল-মিশ্র বিন্দু থেকে বেরিয়ে আসে এবং বিন্দুটি পৃষ্ঠ থেকে উত্থিত হয়। এই প্রক্রিয়াটি চিত্র 1-এ চিত্রিত করা হয়েছে। ভি. এল. এস পদ্ধতির সাধারণ বৈশিষ্ট্যগুলি স্বাভাবিক বাষ্প-কঠিন বৃদ্ধির তুলনায় প্রতিক্রিয়া শক্তি ব্যাপকভাবে হ্রাস করে। তারগুলি কেবল ধাতব অনুঘটক দ্বারা সক্রিয় এলাকায় বৃদ্ধি পায় এবং তারগুলির আকার ও অবস্থান ধাতব অনুঘটকগুলির দ্বারা নির্ধারিত হয়। এই বৃদ্ধি প্রক্রিয়াটি বিভিন্ন উপাদান থেকে অত্যন্ত অ্যানিসোট্রপিক ন্যানোওয়্যার অ্যারে তৈরি করতে পারে। অনুঘটক কণাগুলির জন্য প্রয়োজনীয়তা অনুঘটকগুলির জন্য প্রয়োজনীয়তাগুলি হলঃ ন্যানোওয়্যার বৃদ্ধির তাপমাত্রায় উত্থিত হওয়ার জন্য এটিকে অবশ্যই স্ফটিক উপাদানের সাথে একটি তরল দ্রবণ তৈরি করতে হবে। সাবস্ট্রেট উপাদানের কঠিন এবং তরল পর্যায়ে অনুঘটক এজেন্টের কঠিন দ্রবণীয়তা কম থাকে। তরল মিশ্রধনের উপর অনুঘটকের ভারসাম্য বাষ্প চাপ অবশ্যই কম হতে হবে যাতে ফোঁটাগুলি বাষ্পীভূত না হয়, আয়তনে সঙ্কুচিত না হয় (এবং তাই ব্যাসার্ধ), এবং ক্রমবর্ধমান তারের ব্যাসার্ধ হ্রাস করে যতক্ষণ না শেষ পর্যন্ত বৃদ্ধি শেষ হয়। অনুঘটকটি অবশ্যই প্রতিক্রিয়া পণ্যগুলির (সিভিডি ন্যানোওয়্যার বৃদ্ধির সময়) জন্য নিষ্ক্রিয় (অ-প্রতিক্রিয়াশীল) হতে হবে। বাষ্প-কঠিন, বাষ্প-তরল এবং তরল-কঠিন আন্তঃমুখীয় শক্তিগুলি ফোঁটাগুলির আকারে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে এবং তাই একটি উপযুক্ত অনুঘটক বেছে নেওয়ার আগে অবশ্যই পরীক্ষা করা উচিত; ফোঁটাগুলি এবং কঠিনগুলির মধ্যে ছোট যোগাযোগ কোণগুলি বড় এলাকা বৃদ্ধির জন্য আরও উপযুক্ত, যেখানে বড় যোগাযোগ কোণগুলির ফলে ছোট (হ্রাস ব্যাসার্ধ) গোঁফ তৈরি হয়। ন্যানোওয়্যারের অত্যন্ত দিকনির্দেশক বৃদ্ধি ঘটানোর জন্য কঠিন-তরল ইন্টারফেসকে অবশ্যই স্ফটিকগতভাবে সুনির্দিষ্ট হতে হবে। এটিও উল্লেখ করা গুরুত্বপূর্ণ যে কঠিন-তরল ইন্টারফেসটি সম্পূর্ণ মসৃণ হতে পারে না। উপরন্তু, কঠিন তরল ইন্টারফেসটি যদি পারমাণবিকভাবে মসৃণ হয়, তবে কঠিনের সাথে সংযুক্ত হওয়ার চেষ্টা করা ইন্টারফেসের কাছাকাছি পরমাণুগুলির একটি নতুন দ্বীপ নিউক্লিয়েট না হওয়া পর্যন্ত সংযুক্ত হওয়ার কোনও জায়গা থাকবে না (পরমাণুগুলি ধাপের প্রান্তগুলিতে সংযুক্ত হয়), যা একটি অত্যন্ত ধীর বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার দিকে পরিচালিত করে। অতএব, জমা হওয়া পরমাণুগুলিকে সংযুক্ত করতে এবং ন্যানোওয়্যার বৃদ্ধির জন্য "রুক্ষ" কঠিন পৃষ্ঠতল, বা প্রচুর সংখ্যক পৃষ্ঠ পারমাণবিক ধাপযুক্ত পৃষ্ঠতল (আদর্শভাবে 1 পরমাণু প্রশস্ত, বড় বৃদ্ধির হারের জন্য) প্রয়োজন। বৃদ্ধি প্রক্রিয়া অনুঘটক বিন্দু গঠন ব্যবহৃত উপকরণ ব্যবস্থা, সেইসাথে ভ্যাকুয়াম সিস্টেমের পরিচ্ছন্নতা এবং তাই দূষণের পরিমাণ এবং/অথবা পরীক্ষার সময় ফোঁটা এবং ওয়েফার পৃষ্ঠে অক্সাইড স্তরগুলির উপস্থিতি, উভয়ই ফোঁটা/পৃষ্ঠ ইন্টারফেসে উপস্থিত শক্তির পরম মাত্রাকে ব্যাপকভাবে প্রভাবিত করে এবং ফলস্বরূপ, ফোঁটার আকৃতি নির্ধারণ করে। ফোঁটার আকৃতি, অর্থাৎ। যোগাযোগ কোণ (β0, চিত্র 4 দেখুন), গাণিতিকভাবে মডেল করা যেতে পারে, তবে, বৃদ্ধির সময় উপস্থিত প্রকৃত শক্তি পরীক্ষামূলকভাবে পরিমাপ করা অত্যন্ত কঠিন। তা সত্ত্বেও, একটি স্ফটিকাকার স্তরের পৃষ্ঠে অনুঘটক কণার আকৃতি নির্ধারিত হয় পৃষ্ঠের টান এবং তরল-কঠিন আন্তঃপৃষ্ঠ টান শক্তির ভারসাম্য দ্বারা। বিন্দুটির ব্যাসার্ধ স্পর্শ কোণের সাথে পরিবর্তিত হয়ঃ যেখানে r0 হল যোগাযোগ এলাকার ব্যাসার্ধ এবং β0 একটি পরিবর্তিত ইয়ং-এর সমীকরণ দ্বারা সংজ্ঞায়িত করা হয়ঃ, এটি পৃষ্ঠ (σs) এবং তরল-কঠিন ইন্টারফেস (σls) টানগুলির উপর নির্ভরশীল, পাশাপাশি একটি অতিরিক্ত লাইন টান (τ) যা কার্যকর হয় যখন বিন্দুটির প্রাথমিক ব্যাসার্ধ ছোট (ন্যানোসাইজড) হয়। একটি ন্যানোওয়্যারের বৃদ্ধি শুরু হওয়ার সাথে সাথে এর উচ্চতা একটি পরিমাণ ডিএইচ বৃদ্ধি পায় এবং যোগাযোগ এলাকার ব্যাসার্ধ একটি পরিমাণ ডিএইচ হ্রাস পায় (চিত্র 4 দেখুন)। বৃদ্ধি অব্যাহত থাকার সাথে সাথে ন্যানোওয়ারের গোড়ায় প্রবণতা কোণ (α, হুইস্কার বৃদ্ধির আগে শূন্য হিসাবে সেট করা) বৃদ্ধি পায়, যেমন β0:। লাইন টেনশন তাই অনুঘটকের সংস্পর্শে অঞ্চলটিকে ব্যাপকভাবে প্রভাবিত করে। এই উপসংহার থেকে সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ ফলাফল হল যে বিভিন্ন লাইন টেনশনের ফলে বিভিন্ন বৃদ্ধির পদ্ধতি তৈরি হবে। যদি রেখার টান খুব বেশি হয়, তাহলে ন্যানোহিলকের বৃদ্ধি ঘটবে এবং এইভাবে বৃদ্ধি বন্ধ হয়ে যাবে। ন্যানোহিস্কার ব্যাস ন্যানোয়ায়ারের যে ব্যাস উৎপন্ন হয় তা মিশ্র বিন্দুর বৈশিষ্ট্যের উপর নির্ভর করে। ন্যানো-আকারের তারের বৃদ্ধির জন্য সাবস্ট্রেটে ন্যানো-আকারের ফোঁটাগুলি প্রস্তুত করা প্রয়োজন। একটি ভারসাম্যপূর্ণ পরিস্থিতিতে এটি সম্ভব নয় কারণ একটি ধাতব বিন্দুর ন্যূনতম ব্যাসার্ধ দেওয়া হয় যেখানে Vl হল বিন্দুটির মোলার আয়তন, σlv হল তরল-বাষ্প পৃষ্ঠ শক্তি এবং s হল বাষ্পের অতিমাত্রার মাত্রা। এই সমীকরণগুলি বিন্দুটির ন্যূনতম ব্যাস এবং যে কোনও স্ফটিক যা এটি থেকে উত্থিত হতে পারে, সাধারণত ন্যানোমিটার স্তরের উপরে সীমাবদ্ধ করে। ছোট ছোট ফোঁটাগুলি তৈরি করার জন্য বেশ কয়েকটি কৌশল তৈরি করা হয়েছে, যার মধ্যে রয়েছে স্তরের উপর কম পতনে ছড়িয়ে থাকা মনোডিস্পার্সেড ন্যানো পার্টিকেলের ব্যবহার এবং একটি স্তর-অনুঘটক মিশ্রণের লেজার অ্যাবলেশন যাতে একটি প্লাজমা তৈরি করা যায় যা অনুঘটকের ভালভাবে বিচ্ছিন্ন ন্যানোক্লাস্টারগুলিকে সিস্টেম শীতল হওয়ার সাথে সাথে গঠন করতে দেয়। হুইস্কার বৃদ্ধি গতিবিদ্যা ভি. এল. এস হুইস্কার বৃদ্ধির সময়, যে হারে হুইস্কার বৃদ্ধি হয় তা হুইস্কার ব্যাসের উপর নির্ভর করেঃ হুইস্কার ব্যাস যত বড় হবে, ন্যানোওয়্যারটি অক্ষীয়ভাবে তত দ্রুত বৃদ্ধি পাবে। এর কারণ হল ধাতু-মিশ্র অনুঘটক ()-এর সুপারস্যাচুরেশন ন্যানোহিস্কার বৃদ্ধির প্রধান চালিকা শক্তি এবং হুইস্কার ব্যাস হ্রাসের সাথে হ্রাস পায় (গিবস-থমসন প্রভাব নামেও পরিচিত): আবার, ন্যানোহিস্কার বৃদ্ধির (ধাতব ফোঁটার সুপারস্যাচুরেশন) প্রধান চালিকা শক্তি হল α। আরও সুনির্দিষ্টভাবে বলতে গেলে, বাষ্প এবং কঠিন হুইস্কার পর্যায়ে জমা হওয়া প্রজাতির (উপরের উদাহরণে সি) রাসায়নিক সম্ভাবনার মধ্যে পার্থক্য হল Δμ0। যখন সি এর পারমাণবিক আয়তন এবং তারের পৃষ্ঠের নির্দিষ্ট মুক্ত শক্তি হয়, তখন প্রাথমিক পার্থক্য হল হুইস্কার বৃদ্ধি (কখন)। উপরের সমীকরণটি পরীক্ষা করে দেখা যায় যে, ছোট ব্যাস (100 এনএম) হুইস্কার বৃদ্ধির জন্য ছোট চালিকা শক্তি প্রদর্শন করে যেখানে বড় তারের ব্যাস বড় চালিকা শক্তি প্রদর্শন করে। সম্পর্কিত বৃদ্ধি কৌশল লেজার-সহায়ক বৃদ্ধি উচ্চ-চালিত (~ 100 এমজে/পালস) ছোট (10 হার্জ) লেজার পালস দিয়ে পৃষ্ঠকে বিকিরণ করে ধাতুযুক্ত কঠিন লক্ষ্য থেকে উপাদান অপসারণের সাথে জড়িত, সাধারণত আলোর বর্ণালীর অতিবেগুনী (ইউভি) অঞ্চলে তরঙ্গদৈর্ঘ্য সহ। যখন এই ধরনের লেজার পালস একটি কঠিন লক্ষ্য দ্বারা শোষিত হয়, তখন লক্ষ্যের পৃষ্ঠ অঞ্চল থেকে উপাদানগুলি লেজার শক্তি শোষণ করে এবং হয় (ক) ভূপৃষ্ঠ থেকে বাষ্পীভূত হয় বা উষ্ণায়িত হয় বা হয় (খ) প্লাজমায় রূপান্তরিত হয় (লেজার অ্যাবলেশন দেখুন)। এই কণাগুলি সহজেই সাবস্ট্রেটে স্থানান্তরিত হয় যেখানে তারা নিউক্লিয়েট করতে পারে এবং ন্যানোওয়্যারে পরিণত হতে পারে। লেজার-সমর্থিত বৃদ্ধির কৌশলটি উচ্চ গলন তাপমাত্রা, বহু উপাদান বা ডোপড ন্যানোওয়্যারের পাশাপাশি অত্যন্ত উচ্চ স্ফটিক মানের ন্যানোওয়্যারের জন্য বিশেষভাবে কার্যকর। লক্ষ্যে লেজার পালস ঘটনার উচ্চ তীব্রতা অত্যন্ত উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধী বা ইলেক্ট্রন বোম্বার্ডমেন্ট হিটিং ব্যবহার করে উপাদানটিকে বাষ্পীভূত করার চেষ্টা না করেই উচ্চ গলনাঙ্কের উপকরণগুলিকে জমা করার অনুমতি দেয়। উপরন্তু, লক্ষ্যগুলি কেবল উপকরণের মিশ্রণ বা এমনকি একটি তরল থেকে তৈরি করা যেতে পারে। পরিশেষে, লেজার শোষণ প্রক্রিয়া চলাকালীন গঠিত প্লাজমা চার্জযুক্ত কণাগুলির নিক্ষেপণের পাশাপাশি লক্ষ্য উপাদানগুলির মধ্যে প্রতিক্রিয়াগুলির সক্রিয়করণ বাধা হ্রাস করার জন্য একটি অনুঘটক উপায়ের অনুমতি দেয়। তাপীয় বাষ্পীভবন কিছু খুব আকর্ষণীয় ন্যানোওয়্যার মাইক্রোস্ট্রাকচার কেবল তাপীয়ভাবে কঠিন পদার্থগুলিকে বাষ্পীভূত করে পাওয়া যেতে পারে। এই কৌশলটি একটি দ্বৈত-অঞ্চল ভ্যাকুয়াম চুল্লি দ্বারা গঠিত তুলনামূলকভাবে সহজ সেটআপে করা যেতে পারে। চুল্লিটির গরম প্রান্তে বাষ্পীভূত উৎস উপাদান থাকে, যেখানে বাষ্পীভূত কণাগুলি চুল্লিটির শীতল প্রান্ত পর্যন্ত প্রবাহিত হয় (একটি বাহক গ্যাসের মাধ্যমে) যেখানে তারা একটি পছন্দসই স্তরের উপর শোষণ, নিউক্লিয়েট এবং বৃদ্ধি করতে পারে। ধাতু-অনুঘটক আণবিক রশ্মি এপিটাক্সি (এম. বি. ই) 2000 সাল থেকে ভি. এল. এস বৃদ্ধির পদ্ধতির উপর ভিত্তি করে উচ্চমানের অর্ধপরিবাহী তার তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়ে আসছে। যাইহোক, ধাতু-অনুঘটকযুক্ত এম. বি. ই-তে ধাতব কণাগুলি পূর্ববর্তীগুলির মধ্যে বিক্রিয়াকে অনুঘটক করে না বরং বাষ্প পর্যায়ের কণাগুলিকে শোষণ করে। এর কারণ হল তরল পর্যায়ে প্রবেশ করে বাষ্পের রাসায়নিক সম্ভাব্যতা ব্যাপকভাবে হ্রাস করা যেতে পারে। এম. বি. ই অতি-উচ্চ ভ্যাকুয়াম (ইউ. এইচ. ভি) পরিস্থিতিতে সঞ্চালিত হয় যেখানে উৎস পরমাণু বা অণুগুলির গড়-মুক্ত-পথ (সংঘর্ষের মধ্যে দূরত্ব) মিটারের ক্রমে থাকে। অতএব, বাষ্পীভূত উৎস পরমাণু (যেমন, একটি নির্গমন কোষ থেকে) স্তরের দিকে নির্দেশিত কণাগুলির রশ্মি হিসাবে কাজ করে। প্রক্রিয়াটির বৃদ্ধির হার খুব ধীর, জমা হওয়ার পরিস্থিতি খুব পরিষ্কার, এবং ফলস্বরূপ অন্যান্য জমা পদ্ধতির তুলনায় চারটি উচ্চতর ক্ষমতা দেখা দেয়ঃ ইউএইচভি পরিস্থিতি ক্রমবর্ধমান কাঠামোর জারণ/দূষণের পরিমাণকে হ্রাস করে তুলনামূলকভাবে কম বৃদ্ধির তাপমাত্রা ন্যানো-আকারের হেটেরোস্ট্রাকচারগুলির আন্তঃ বিস্তার (মিশ্রণ) রোধ করে খুব পাতলা-ফিল্ম বিশ্লেষণ কৌশলগুলি ইন-সিটু (বৃদ্ধির সময়) ব্যবহার করা যেতে পারে, যেমন প্রতিফলন উচ্চ শক্তি ইলেক্ট্রন বিচ্ছুরণ (আর. এইচ. ই. ই. ডি) সাবস্ট্রেটের পৃষ্ঠে মাইক্রোস্ট্রাকচারের পাশাপাশি রাসায়নিক গঠন পর্যবেক্ষণ করতে, অগার ইলেক্ট্রন স্পেকট্রোস্কোপি ব্যবহার করে। ন্যানোওয়্যার কাঠামোর মতো "হ্যাশট্যাগ"-এর নীচের দিকের সংশ্লেষণ এই কৌশলটি মোনোক্রিস্টালাইন ইনএসবি ন্যানোওয়্যার নেটওয়ার্কের একটি নীচের দিকের সংশ্লেষণ, যা চারটি ক্রস জংশন বা 'হ্যাশট্যাগ'-এর নেটওয়ার্ক তৈরি করে এবং পৃথক সুপারকন্ডাক্টিং দ্বীপপুঞ্জের বৃদ্ধিও করে। ব্যবহৃত পদ্ধতিতে পরিখা সহ একটি স্তর তৈরি করা হয় এবং বাঁকানো দিকগুলিতে সোনার ফোঁটাগুলি জমা করা হয়, উভয়ই ইলেক্ট্রন-বিম লিথোগ্রাফির মাধ্যমে কাজ করে। বাষ্প-তরল-কঠিন পদ্ধতির মাধ্যমে, ন্যানোওয়্যারগুলি সোনার ফোঁটাগুলির উপরে বৃদ্ধি পায় এবং, যেমন দিক এবং সোনার ফোঁটাগুলি ঝুঁকে থাকে, ন্যানোওয়্যারগুলি একে অপরের দিকে বৃদ্ধি পায়, একটি নেটওয়ার্কে মিশে যায়। তথ্যসূত্র ল্যাব লাইবার রিসার্চ গ্রুপের হোম পেজে ক্রমবর্ধমান স্ফটিকের বাহ্যিক লিঙ্ক-হার্ভার্ড বিশ্ববিদ্যালয় ন্যানোমেটারিয়ালস রাসায়নিক প্রক্রিয়া দাঃ ন্যানোট্র d#Fremstilling