Semiconductor memory
সেমিকন্ডাক্টর মেমোরি হল একটি ডিজিটাল ইলেকট্রনিক সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যা কম্পিউটার মেমরির মতো ডিজিটাল ডেটা স্টোরেজের জন্য ব্যবহৃত হয়। এটি সাধারণত সেই যন্ত্রগুলিকে বোঝায় যেখানে সিলিকন ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট মেমরি চিপে মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর (এম. ও. এস) মেমরি কোষের মধ্যে তথ্য সংরক্ষণ করা হয়। বিভিন্ন সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তি ব্যবহার করে অসংখ্য বিভিন্ন প্রকার রয়েছে। দুটি প্রধান ধরনের র্যান্ডম-অ্যাক্সেস মেমোরি (র্যাম) হল স্ট্যাটিক র্যাম (এস. আর. এ. এম), যা প্রতি মেমোরি কোষে বেশ কয়েকটি ট্রানজিস্টর ব্যবহার করে এবং ডায়নামিক র্যাম (ডি. আর. এ. এম), যা প্রতি কোষে একটি ট্রানজিস্টর এবং একটি এম. ও. এস ক্যাপাসিটর ব্যবহার করে। অ-উদ্বায়ী মেমরি (যেমন ই. পি. আর. ও. এম, ই. ই. পি. আর. ও. এম এবং ফ্ল্যাশ মেমরি) ফ্লোটিং-গেট মেমরি কোষ ব্যবহার করে, যা প্রতি কোষে একটি একক ফ্লোটিং-গেট ট্রানজিস্টর নিয়ে গঠিত। বেশিরভাগ ধরনের সেমিকন্ডাক্টর মেমরিতে র্যান্ডম অ্যাক্সেসের বৈশিষ্ট্য রয়েছে, যার অর্থ যে কোনও মেমরির অবস্থান অ্যাক্সেস করতে একই পরিমাণ সময় লাগে, তাই যে কোনও র্যান্ডম ক্রমে ডেটা দক্ষতার সাথে অ্যাক্সেস করা যায়। এটি হার্ড ডিস্ক এবং সিডির মতো ডেটা স্টোরেজ মিডিয়ার সাথে বৈপরীত্য যা ধারাবাহিকভাবে ডেটা পড়ে এবং লেখে এবং তাই ডেটা শুধুমাত্র একই ক্রমে অ্যাক্সেস করা যেতে পারে যা এটি লেখা হয়েছিল। সেমিকন্ডাক্টর মেমরির অন্যান্য ধরনের ডেটা স্টোরেজের তুলনায় অনেক দ্রুত অ্যাক্সেসের সময় রয়েছে; ডেটার একটি বাইট কয়েক ন্যানোসেকেন্ডের মধ্যে সেমিকন্ডাক্টর মেমরিতে লেখা বা পড়া যেতে পারে, যখন হার্ড ডিস্কের মতো ঘূর্ণায়মান স্টোরেজের জন্য অ্যাক্সেসের সময় মিলিসেকেন্ডের মধ্যে থাকে। এই কারণগুলির জন্য এটি প্রাথমিক সঞ্চয়ের জন্য, অন্যান্য ব্যবহারের মধ্যে কম্পিউটার বর্তমানে যে প্রোগ্রাম এবং ডেটা নিয়ে কাজ করছে তা ধরে রাখার জন্য ব্যবহৃত হয়। সেমিকন্ডাক্টর মেমোরি চিপগুলি বার্ষিক বিক্রি হয়, যা সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের%। শিফট রেজিস্টার, প্রসেসর রেজিস্টার, ডেটা বাফার এবং অন্যান্য ছোট ডিজিটাল রেজিস্টার যাদের কোনও মেমরি অ্যাড্রেস ডিকোডিং প্রক্রিয়া নেই তাদের সাধারণত মেমরি হিসাবে উল্লেখ করা হয় না যদিও তারা ডিজিটাল ডেটাও সঞ্চয় করে। বর্ণনা একটি অর্ধপরিবাহী মেমরি চিপে, বাইনারি তথ্যের প্রতিটি বিট একটি ক্ষুদ্র বর্তনীতে সংরক্ষণ করা হয় যাকে মেমরি সেল বলা হয় যা এক থেকে একাধিক ট্রানজিস্টর নিয়ে গঠিত। মেমোরি কোষগুলি চিপের পৃষ্ঠে আয়তক্ষেত্রাকার অ্যারেতে স্থাপন করা হয়। 1-বিট মেমরি কোষগুলি ছোট ছোট ইউনিটে গোষ্ঠীভুক্ত করা হয় যাকে শব্দ বলা হয় যা একক মেমরি ঠিকানা হিসাবে একসাথে অ্যাক্সেস করা হয়। স্মৃতি শব্দের দৈর্ঘ্যে তৈরি হয় যা সাধারণত দুটির একটি শক্তি, সাধারণত এন = 1,2,4 বা 8 বিট। চিপের অ্যাড্রেস পিনে প্রয়োগ করা মেমরি অ্যাড্রেস নামে একটি বাইনারি নম্বরের মাধ্যমে ডেটা অ্যাক্সেস করা হয়, যা চিপের কোন শব্দটি অ্যাক্সেস করতে হবে তা নির্দিষ্ট করে। যদি মেমরি ঠিকানায় এম বিট থাকে, চিপের ঠিকানাগুলির সংখ্যা 2 এম হয়, যার প্রতিটিতে একটি এন বিট শব্দ থাকে। ফলস্বরূপ, প্রতিটি চিপে সঞ্চিত তথ্যের পরিমাণ হল এন2এম বিট। এম সংখ্যার অ্যাড্রেস লাইনের মেমোরি স্টোরেজ ক্ষমতা 2 এম দ্বারা দেওয়া হয়, যা সাধারণত 2,4,8,16,32,64,128,256 এবং 512 এর শক্তিতে থাকে এবং কিলোবিট, মেগাবিট, গিগাবিট বা টেরাবিট ইত্যাদিতে পরিমাপ করা হয়। বৃহত্তম অর্ধপরিবাহী মেমরি চিপগুলি কয়েক গিগাবাইট ডেটা ধারণ করে, তবে উচ্চতর ক্ষমতা মেমরি ক্রমাগত বিকাশ করা হচ্ছে। বেশ কয়েকটি ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটের সংমিশ্রণে, মেমোরি প্রতিটি চিপ দ্বারা প্রদত্ত শব্দের দৈর্ঘ্য এবং/অথবা ঠিকানার জায়গার চেয়ে বড় আকারে সাজানো যেতে পারে, প্রায়শই তবে অগত্যা দুটির শক্তি নয়। একটি মেমরি চিপ দ্বারা সম্পাদিত দুটি মৌলিক ক্রিয়াকলাপ হল "রিড", যেখানে একটি মেমরি শব্দের ডেটা বিষয়বস্তু পড়া হয় (অ-গঠনমূলকভাবে), এবং "রাইট" যেখানে ডেটা একটি মেমরি শব্দে সংরক্ষণ করা হয়, সেখানে আগে যে কোনও ডেটা সংরক্ষণ করা হয়েছিল তা প্রতিস্থাপন করে। তথ্যের হার বাড়ানোর জন্য, ডিডিআর এসডিআরএএম-এর মতো সাম্প্রতিকতম ধরনের মেমরি চিপগুলিতে প্রতিটি পড়া বা লেখার ক্রিয়াকলাপের সাথে একাধিক শব্দ অ্যাক্সেস করা হয়। স্বতন্ত্র মেমরি চিপ ছাড়াও, সেমিকন্ডাক্টর মেমরির ব্লকগুলি অনেক কম্পিউটার এবং ডেটা প্রসেসিং ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটের অবিচ্ছেদ্য অংশ। উদাহরণস্বরূপ, যে মাইক্রোপ্রসেসর চিপগুলি কম্পিউটার চালায় সেগুলিতে ক্যাশ মেমরি থাকে যা কার্যকর হওয়ার অপেক্ষায় থাকা নির্দেশাবলী সংরক্ষণ করে। প্রকার উদ্বায়ী মেমরি উদ্বায়ী মেমরি তার সঞ্চিত তথ্য হারায় যখন মেমরি চিপের শক্তি বন্ধ থাকে। তবে এটি অ-উদ্বায়ী স্মৃতির তুলনায় দ্রুত এবং কম ব্যয়বহুল হতে পারে। এই প্রকারটি বেশিরভাগ কম্পিউটারে প্রধান মেমরির জন্য ব্যবহৃত হয়, যেহেতু কম্পিউটার বন্ধ থাকাকালীন ডেটা হার্ড ডিস্কে সংরক্ষণ করা হয়। প্রধান প্রকারগুলি হলঃ র্যাম (র্যান্ডম-অ্যাক্সেস মেমরি) এটি যে কোনও সেমিকন্ডাক্টর মেমরির জন্য একটি সাধারণ শব্দ হয়ে উঠেছে যা রম (নীচের) এর বিপরীতে লেখা যেতে পারে, পাশাপাশি পড়া যেতে পারে, যা শুধুমাত্র পড়া যায়। শুধু র্যাম নয়, সমস্ত সেমিকন্ডাক্টর মেমরিতে এলোমেলো প্রবেশাধিকারের বৈশিষ্ট্য রয়েছে। DRAM (ডাইনামিক র্যান্ডম-অ্যাক্সেস মেমরি) এটি প্রতিটি বিট সংরক্ষণের জন্য একটি MOSFET (MOS ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টর) এবং একটি MOS ক্যাপাসিটর সমন্বিত মেমরি সেল ব্যবহার করে। এই ধরনের র্যাম সবচেয়ে সস্তা এবং ঘনত্বের দিক থেকে সর্বোচ্চ, তাই এটি কম্পিউটারে প্রধান মেমরির জন্য ব্যবহৃত হয়। যাইহোক, মেমরি কোষে তথ্য সংরক্ষণ করে এমন বৈদ্যুতিক চার্জ ধীরে ধীরে বেরিয়ে যায়, তাই মেমরি কোষগুলিকে পর্যায়ক্রমে রিফ্রেশ (পুনর্লিখন) করতে হবে যার জন্য অতিরিক্ত সার্কিটির প্রয়োজন হয়। রিফ্রেশ প্রক্রিয়াটি কম্পিউটার দ্বারা অভ্যন্তরীণভাবে পরিচালিত হয় এবং এর ব্যবহারকারীর কাছে স্বচ্ছ। এফ. পি. এম. ডি. আর. এ. এম (ফাস্ট পেজ মোড ডি. আর. এ. এম) একটি পুরানো ধরনের অ্যাসিঙ্ক্রোনাস ডি. আর. এ. এম যা মেমরির একটি একক "পৃষ্ঠা"-তে দ্রুত হারে পুনরাবৃত্ত প্রবেশাধিকারের অনুমতি দিয়ে আগের ধরনের তুলনায় উন্নত হয়েছে। 1990-এর দশকের মাঝামাঝি সময়ে ব্যবহৃত। ই. ডি. ও. ডি. আর. এ. এম (এক্সটেন্ডেড ডেটা আউট ডি. আর. এ. এম) একটি পুরানো ধরনের অ্যাসিঙ্ক্রোনাস ডি. আর. এ. এম যার আগের প্রকারের তুলনায় দ্রুত অ্যাক্সেসের সময় ছিল একটি নতুন মেমরি অ্যাক্সেস শুরু করতে সক্ষম হয়ে যখন পূর্ববর্তী অ্যাক্সেস থেকে ডেটা স্থানান্তর করা হচ্ছিল। 1990-এর দশকের শেষের দিকে ব্যবহৃত হয়। ভিআরএএম (ভিডিও র্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমরি) একটি পুরানো ধরনের ডুয়াল-পোর্টড মেমরি যা একসময় ভিডিও অ্যাডাপ্টারের (ভিডিও কার্ড) ফ্রেম বাফারের জন্য ব্যবহৃত হত। এসডিআরএএম (সিঙ্ক্রোনাস ডায়নামিক র্যান্ডম-অ্যাক্সেস মেমরি) এটি ডিআরএএম চিপে সার্কিট যুক্ত করে যা কম্পিউটারের মেমরি বাসে যুক্ত একটি ক্লক সিগন্যালের সাথে সমস্ত ক্রিয়াকলাপকে সিঙ্ক্রোনাইজ করে। এটি গতি বাড়ানোর জন্য পাইপলাইনিং ব্যবহার করে চিপটিকে একযোগে একাধিক মেমরি অনুরোধ প্রক্রিয়া করার অনুমতি দেয়। চিপের তথ্যগুলিও ব্যাঙ্কে বিভক্ত করা হয় যা প্রতিটি একই সাথে মেমরি অপারেশনে কাজ করতে পারে। প্রায় 2000 খ্রিষ্টাব্দের মধ্যে এটি প্রভাবশালী ধরনের কম্পিউটার স্মৃতিতে পরিণত হয়। ডিডিআর এসডিআরএএম (ডাবল ডেটা রেট এসডিআরএএম) এটি ডাবল পাম্পিং (ঘড়ির স্পন্দনের ক্রমবর্ধমান এবং পতনশীল উভয় প্রান্তে ডেটা স্থানান্তর) দ্বারা প্রতিটি ঘড়ি চক্রের দ্বিগুণ ডেটা (পরপর দুটি শব্দ) স্থানান্তর করতে পারে। এই ধারণার সম্প্রসারণ হল বর্তমান (2012) কৌশল যা মেমরি অ্যাক্সেস হার এবং থ্রুপুট বাড়ানোর জন্য ব্যবহার করা হচ্ছে। যেহেতু মেমোরি চিপগুলির অভ্যন্তরীণ ঘড়ির গতি আরও বাড়ানো কঠিন প্রমাণিত হচ্ছে, তাই এই চিপগুলি প্রতিটি ঘড়ির চক্রে আরও ডেটা শব্দ স্থানান্তর করে স্থানান্তরের হার বাড়ায় ডিডিআর2 এসডিআরএএম স্থানান্তর প্রতি অভ্যন্তরীণ ঘড়ির চক্রে পরপর 4টি শব্দ স্থানান্তর করে ডিডিআর3 এসডিআরএএম স্থানান্তর প্রতি অভ্যন্তরীণ ঘড়ির চক্রে পরপর 8টি শব্দ স্থানান্তর করে। ডিডিআর4 এসডিআরএএম অভ্যন্তরীণ ঘড়ি চক্রে পরপর 16টি শব্দ স্থানান্তর করে। আর. ডি. আর. এ. এম (র্যামবাস ডি. আর. এ. এম) একটি বিকল্প ডাবল ডেটা রেট মেমরি স্ট্যান্ডার্ড যা কিছু ইন্টেল সিস্টেমে ব্যবহৃত হয়েছিল কিন্তু শেষ পর্যন্ত ডি. ডি. আর এস. ডি. আর. এ. এম-এর কাছে হেরে যায়। এক্স. ডি. আর. ডি. আর. এ. এম (এক্সট্রিম ডেটা রেট ডি. আর. এ. এম) এস. জি. আর. এ. এম (সিঙ্ক্রোনাস গ্রাফিক্স র্যাম) গ্রাফিক্স অ্যাডাপ্টারের (ভিডিও কার্ড) জন্য তৈরি একটি বিশেষ ধরনের এস. ডি. আর. এ. এম। এটি বিট মাস্কিং এবং ব্লক রাইটের মতো গ্রাফিক্স-সম্পর্কিত ক্রিয়াকলাপ সম্পাদন করতে পারে এবং একবারে দুটি পৃষ্ঠা মেমরি খুলতে পারে। জিডিডিআর এসডিআরএএম (গ্রাফিক্স ডিডিআর এসডিআরএএম) জিডিডিআর2 জিডিডিআর3 এসডিআরএএম জিডিডিআর4 এসডিআরএএম জিডিডিআর5 এসডিআরএএম জিডিডিআর6 এসডিআরএএম এইচবিএম (হাই ব্যান্ডউইথ মেমোরি) গ্রাফিক্স কার্ডে ব্যবহৃত এসডিআরএএম-এর একটি উন্নয়ন যা দ্রুত হারে তথ্য স্থানান্তর করতে পারে। এটি একটি বৃহত্তর ডেটা বাস সহ একে অপরের উপরে স্ট্যাক করা একাধিক মেমরি চিপ নিয়ে গঠিত। পি. এস. আর. এ. এম (সিউডোস্ট্যাটিক র্যাম) এটি হল ডি. আর. এ. এম যার চিপে মেমরি রিফ্রেশ করার জন্য সার্কিট রয়েছে, যাতে এটি এস. আর. এ. এম-এর মতো কাজ করে, যা শক্তি সাশ্রয়ের জন্য বাহ্যিক মেমরি নিয়ামককে বন্ধ করার অনুমতি দেয়। এটি ওয়াই-এর মতো কয়েকটি গেম কনসোলে ব্যবহৃত হয়। এসআরএএম (স্ট্যাটিক র্যান্ডম-অ্যাক্সেস মেমরি) এটি 4 থেকে 6 টি ট্রানজিস্টর দিয়ে তৈরি একটি ফ্লিপ-ফ্লপ নামে একটি সার্কিটে প্রতিটি বিট ডেটা সঞ্চয় করে। এস. আর. এ. এম কম ঘন এবং ডি. আর. এ. এম-এর তুলনায় প্রতি বিটে বেশি ব্যয়বহুল, তবে দ্রুত এবং মেমরি রিফ্রেশ করার প্রয়োজন হয় না। এটি কম্পিউটারে ছোট ক্যাশ স্মৃতির জন্য ব্যবহৃত হয়। সিএএম (কন্টেন্ট-অ্যাড্রেসেবল মেমোরি) এটি একটি বিশেষ ধরনের মেমরি, যেখানে একটি ঠিকানা ব্যবহার করে ডেটা অ্যাক্সেস করার পরিবর্তে, একটি ডেটা শব্দ প্রয়োগ করা হয় এবং যদি শব্দটি মেমরিতে সংরক্ষিত থাকে তবে মেমরি অবস্থানটি ফেরত দেয়। এটি বেশিরভাগই অন্যান্য চিপ যেমন মাইক্রোপ্রসেসরগুলিতে অন্তর্ভুক্ত করা হয় যেখানে এটি ক্যাশ মেমরির জন্য ব্যবহৃত হয়। অ-উদ্বায়ী মেমরি অ-উদ্বায়ী মেমরি (এন. ভি. এম) চিপের বিদ্যুৎ বন্ধ থাকার সময়কালে এতে সঞ্চিত তথ্য সংরক্ষণ করে। অতএব, এটি পোর্টেবল ডিভাইসে মেমরির জন্য ব্যবহৃত হয়, যেখানে ডিস্ক নেই এবং অন্যান্য ব্যবহারের মধ্যে অপসারণযোগ্য মেমরি কার্ডের জন্য ব্যবহৃত হয়। প্রধান প্রকারগুলি হলঃ রম (রিড-অনলি মেমোরি) এটি স্থায়ী তথ্য ধরে রাখার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, এবং স্বাভাবিক ক্রিয়াকলাপে শুধুমাত্র থেকে পড়া হয়, লেখা হয় না। যদিও অনেক ধরনের লেখা যেতে পারে, লেখার প্রক্রিয়াটি ধীর এবং সাধারণত চিপের সমস্ত তথ্য একবারে পুনরায় লিখতে হবে। এটি সাধারণত সিস্টেম সফ্টওয়্যার সংরক্ষণ করতে ব্যবহৃত হয় যা কম্পিউটারে অবিলম্বে অ্যাক্সেসযোগ্য হতে হবে, যেমন বিআইওএস প্রোগ্রাম যা কম্পিউটার শুরু করে এবং পোর্টেবল ডিভাইস এবং এমবেডেড কম্পিউটার যেমন মাইক্রোকন্ট্রোলারগুলির জন্য সফ্টওয়্যার (মাইক্রোকড)। এম. আর. ও. এম (মাস্ক প্রোগ্রামড রম বা মাস্ক রম) এই ধরনের ডেটা চিপ তৈরি করার সময় চিপের মধ্যে প্রোগ্রাম করা হয়, তাই এটি শুধুমাত্র বড় উৎপাদন চালানোর জন্য ব্যবহার করা হয়। নতুন তথ্য দিয়ে এটি পুনর্লিখন করা যাবে না। PROM (প্রোগ্রামেবল রিড-অনলি মেমরি) এই ধরনের ডেটা সার্কিটে ইনস্টল করার আগে একটি বিদ্যমান PROM চিপে লেখা হয়, তবে এটি শুধুমাত্র একবার লেখা যেতে পারে। পি. আর. ও. এম প্রোগ্রামার নামে একটি ডিভাইসে চিপটি প্লাগ করে ডেটা লেখা হয়। ই. পি. আর. ও. এম (ইরেজেবল প্রোগ্রামেবল রিড-অনলি মেমোরি বা ইউ. ভি. ই. পি. আর. ও. এম) এই ধরনের ডেটা সার্কিট বোর্ড থেকে চিপটি সরিয়ে, বিদ্যমান ডেটা মুছে ফেলার জন্য একটি অতিবেগুনী আলোতে প্রকাশ করে এবং এটি একটি পি. আর. ও. এম প্রোগ্রামারে প্লাগ করে পুনরায় লেখা যেতে পারে। ইউভি আলো প্রবেশ করানোর জন্য আইসি প্যাকেজের উপরে একটি ছোট স্বচ্ছ "উইন্ডো" রয়েছে। এটি প্রায়শই প্রোটোটাইপ এবং ছোট উৎপাদন চালিত যন্ত্রের জন্য ব্যবহৃত হয়, যেখানে কারখানায় এটির প্রোগ্রামটি পরিবর্তন করতে হতে পারে। EEPROM (বৈদ্যুতিকভাবে ইরেজেবল প্রোগ্রামেবল রিড-অনলি মেমরি) এই ধরনের ডেটা বৈদ্যুতিকভাবে পুনর্লিখন করা যেতে পারে, যখন চিপটি সার্কিট বোর্ডে থাকে, তবে লেখার প্রক্রিয়াটি ধীর। এই প্রকারটি ফার্মওয়্যার ধরে রাখতে ব্যবহৃত হয়, নিম্ন স্তরের মাইক্রোকোড যা বেশিরভাগ কম্পিউটারে বিআইওএস প্রোগ্রামের মতো হার্ডওয়্যার ডিভাইস চালায়, যাতে এটি আপডেট করা যায়। এন. ভি. আর. এ. এম (অ-উদ্বায়ী র্যান্ডম-অ্যাক্সেস মেমরি) এফ. আর. এ. এম (ফেরোইলেকট্রিক র্যাম) এক ধরনের অ-উদ্বায়ী র্যাম। ফ্ল্যাশ মেমরি এই ধরনের লেখার প্রক্রিয়াটি EEPROMS এবং RAM মেমরির মধ্যে গতিতে মধ্যবর্তী; এটি প্রধান মেমরি হিসাবে কাজ করার জন্য যথেষ্ট দ্রুত নয়। ফাইল সংরক্ষণের জন্য এটি প্রায়শই হার্ড ডিস্কের অর্ধপরিবাহী সংস্করণ হিসাবে ব্যবহৃত হয়। এটি পিডিএ, ইউএসবি ফ্ল্যাশ ড্রাইভ এবং ডিজিটাল ক্যামেরা এবং সেলফোনে ব্যবহৃত অপসারণযোগ্য মেমরি কার্ডের মতো বহনযোগ্য ডিভাইসে ব্যবহৃত হয়। ইতিহাস প্রারম্ভিক কম্পিউটার স্মৃতিতে চৌম্বকীয়-কোর মেমরি ছিল, কারণ বাইপোলার জংশন ট্রানজিস্টর (বিজেটি)-এর মতো ট্রানজিস্টর সহ প্রাথমিক কঠিন-অবস্থার বৈদ্যুতিন অর্ধপরিবাহীগুলি ডিজিটাল স্টোরেজ উপাদান (মেমরি সেল) হিসাবে ব্যবহারের জন্য অবাস্তব ছিল। প্রাচীনতম অর্ধপরিবাহী স্মৃতি 1960-এর দশকের গোড়ার দিকে বাইপোলার মেমরি সহ, যা বাইপোলার ট্রানজিস্টর ব্যবহার করে। বিচ্ছিন্ন যন্ত্র থেকে তৈরি বাইপোলার সেমিকন্ডাক্টর মেমোরি প্রথম 1961 সালে টেক্সাস ইন্সট্রুমেন্টস দ্বারা মার্কিন যুক্তরাষ্ট্রের বিমান বাহিনীতে পাঠানো হয়েছিল। একই বছর, ফেয়ারচাইল্ড সেমিকন্ডাক্টরে অ্যাপ্লিকেশন ইঞ্জিনিয়ার বব নরম্যান একটি ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (আইসি) চিপে সলিড-স্টেট মেমরির ধারণাটি প্রস্তাব করেছিলেন। প্রথম একক-চিপ মেমরি আইসি ছিল বিজেটি 16-বিট আইবিএম এসপি 95 যা 1965 সালের ডিসেম্বরে পল ক্যাস্ট্রুচি দ্বারা ইঞ্জিনিয়ার করা হয়েছিল। বাইপোলার মেমোরি চৌম্বকীয়-কোর মেমরির তুলনায় উন্নত কর্মক্ষমতা প্রদান করলেও, এটি চৌম্বকীয়-কোর মেমরির কম দামের সাথে প্রতিদ্বন্দ্বিতা করতে পারেনি, যা 1960-এর দশকের শেষভাগ পর্যন্ত প্রভাবশালী ছিল। বাইপোলার মেমোরি ম্যাগনেটিক-কোর মেমোরি প্রতিস্থাপন করতে ব্যর্থ হয়েছিল কারণ বাইপোলার ফ্লিপ-ফ্লপ সার্কিটগুলি খুব বড় এবং ব্যয়বহুল ছিল। 1959 সালে বেল ল্যাবে মোহাম্মদ এম. আটাল্লা এবং ডাওন কাহং দ্বারা উদ্ভাবিত মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টর (এম. ও. এস. এফ. ই. টি)-এর আবির্ভাব মেমোরি সেল স্টোরেজ উপাদান হিসাবে মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর (এম. ও. এস) ট্রানজিস্টরের ব্যবহারিক ব্যবহারকে সক্ষম করে, যা পূর্বে কম্পিউটার মেমরিতে চৌম্বকীয় কোর দ্বারা পরিবেশন করা একটি ফাংশন ছিল। এম. ও. এস মেমোরি 1964 সালে ফেয়ারচাইল্ড সেমিকন্ডাক্টরে জন শ্মিট দ্বারা বিকশিত হয়েছিল। উচ্চতর কর্মক্ষমতা ছাড়াও, এম. ও. এস মেমোরি সস্তা ছিল এবং চৌম্বকীয়-কোর মেমরির তুলনায় কম শক্তি খরচ করত। এর ফলে অবশেষে কম্পিউটার স্মৃতিতে স্ট্যান্ডার্ড স্টোরেজ উপাদান হিসাবে চৌম্বকীয় কোরগুলিকে প্রতিস্থাপন করে এম. ও. এস. এফ. ই. টি। 1965 সালে, জে। রয়্যাল রাডার এস্টাব্লিশমেন্টের উড এবং আর বল ডিজিটাল স্টোরেজ সিস্টেমের প্রস্তাব করেছিলেন যা বিদ্যুৎ সরবরাহ, সুইচড ক্রস-কাপলিং, সুইচ এবং বিলম্ব-লাইন স্টোরেজের জন্য এমওএসএফইটি পাওয়ার ডিভাইস ছাড়াও সিএমওএস (পরিপূরক এমওএস) মেমরি সেল ব্যবহার করে। 1968 সালে ফেয়ারচাইল্ড-এ ফেডেরিকো ফ্যাগিন দ্বারা সিলিকন-গেট এম. ও. এস ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (এম. ও. এস আই. সি) প্রযুক্তির বিকাশ এম. ও. এস মেমরি চিপ উৎপাদনে সক্ষম করে। 1970-এর দশকের গোড়ার দিকে আইবিএম দ্বারা এন. এম. ও. এস মেমরি বাণিজ্যিকীকরণ করা হয়েছিল। এম. ও. এস মেমোরি 1970-এর দশকের গোড়ার দিকে প্রভাবশালী মেমরি প্রযুক্তি হিসাবে চৌম্বকীয় মূল স্মৃতিকে ছাড়িয়ে যায়। "মেমরি" শব্দটি যখন কম্পিউটারের প্রসঙ্গে ব্যবহার করা হয় তখন প্রায়শই অস্থির র্যান্ডম-অ্যাক্সেস মেমরি (র্যাম) বোঝায়। দুটি প্রধান ধরনের অস্থির র্যাম হল স্ট্যাটিক র্যান্ডম-অ্যাক্সেস মেমরি (এসআরএএম) এবং ডায়নামিক র্যান্ডম-অ্যাক্সেস মেমরি (ডিআরএএম)। বাইপোলার এস. আর. এ. এম 1963 সালে ফেয়ারচাইল্ড সেমিকন্ডাক্টরে রবার্ট নরম্যান দ্বারা উদ্ভাবিত হয়েছিল, তারপরে 1964 সালে ফেয়ারচাইল্ড-এ জন শ্মিট দ্বারা এম. ও. এস এস. এস. আর. এ. এম-এর বিকাশ ঘটে। এসআরএএম চৌম্বকীয়-কোর মেমরির বিকল্প হয়ে ওঠে, তবে প্রতিটি বিট ডেটার জন্য ছয়টি এমওএস ট্রানজিস্টরের প্রয়োজন হয়। এস. আর. এ. এম-এর বাণিজ্যিক ব্যবহার 1965 সালে শুরু হয়, যখন আই. বি. এম সিস্টেম/360 মডেল 95-এর জন্য তাদের এস. পি. 95 এস. আর. এ. এম চিপ চালু করে। তোশিবা 1965 সালে তার তোস্কাল বিসি-1411 ইলেকট্রনিক ক্যালকুলেটরের জন্য বাইপোলার ডি. আর. এ. এম মেমরি সেল চালু করে। যদিও এটি চৌম্বকীয়-কোর মেমরির তুলনায় উন্নত কর্মক্ষমতা প্রদান করেছিল, বাইপোলার ডি. আর. এ. এম তৎকালীন প্রভাবশালী চৌম্বকীয়-কোর মেমরির কম দামের সাথে প্রতিদ্বন্দ্বিতা করতে পারেনি। এম. ও. এস প্রযুক্তি আধুনিক ডি. আর. এ. এম-এর ভিত্তি। 1966 সালে আইবিএম থমাস জে ওয়াটসন রিসার্চ সেন্টারের ডঃ রবার্ট এইচ ডেনার্ড এমওএস মেমরি নিয়ে কাজ করছিলেন। এম. ও. এস প্রযুক্তির বৈশিষ্ট্যগুলি পরীক্ষা করার সময়, তিনি দেখতে পান যে এটি ক্যাপাসিটার তৈরি করতে সক্ষম, এবং এম. ও. এস ক্যাপাসিটারে কোনও চার্জ বা কোনও চার্জ সংরক্ষণ করা বিটের 1 এবং 0 উপস্থাপন করতে পারে, যেখানে এম. ও. এস ট্রানজিস্টর ক্যাপাসিটারে চার্জ লেখা নিয়ন্ত্রণ করতে পারে। এর ফলে তাঁর একটি একক-ট্রানজিস্টর ডি. আর. এ. এম মেমরি কোষের বিকাশ ঘটে। 1967 সালে, ডেনার্ড এম. ও. এস প্রযুক্তির উপর ভিত্তি করে একটি একক-ট্রানজিস্টর ডি. আর. এ. এম মেমরি সেলের জন্য আই. বি. এম-এর অধীনে একটি পেটেন্ট দায়ের করেন। এর ফলে 1970 সালের অক্টোবরে প্রথম বাণিজ্যিক ডি. আর. এ. এম আই. সি চিপ, ইন্টেল 1103 তৈরি হয়। সিঙ্ক্রোনাস ডায়নামিক র্যান্ডম-অ্যাক্সেস মেমোরি (এসডিআরএএম) পরে 1992 সালে স্যামসাং কেএম48এসএল2000 চিপের সাথে আত্মপ্রকাশ করে। "মেমরি" শব্দটি প্রায়শই অ-উদ্বায়ী মেমরি, বিশেষত ফ্ল্যাশ মেমরি বোঝাতে ব্যবহৃত হয়। এর উৎপত্তি রিড-অনলি মেমোরি (রম) থেকে। আমেরিকান বশ আরমা কর্পোরেশনের আরমা বিভাগে কাজ করার সময় 1956 সালে ওয়েন সিং চাউ প্রোগ্রামেবল রিড-অনলি মেমোরি (পিআরওএম) আবিষ্কার করেছিলেন। 1967 সালে, বেল ল্যাবসের ডাওন কাহং এবং সাইমন সেজে প্রস্তাব করেছিলেন যে একটি এমওএস সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসের ভাসমান গেটটি একটি রিপ্রোগ্রামেবল রিড-অনলি মেমরির (রম) কোষের জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে, যার ফলে ইন্টেলের ডভ ফ্রোহম্যান 1971 সালে ইপ্রোম (ইরেজেবল প্রম) উদ্ভাবন করেছিলেন। EEPROM (বৈদ্যুতিকভাবে অপসারণযোগ্য PROM) 1972 সালে জাপানের আন্তর্জাতিক বাণিজ্য ও শিল্প মন্ত্রকের (এমআইটিআই) বৈদ্যুতিন প্রযুক্তিগত গবেষণাগারে ইয়াসুও তারুই, ইউটাকা হায়াশি এবং কিয়োকো নাগা দ্বারা তৈরি করা হয়েছিল। 1980-এর দশকের গোড়ার দিকে তোশিবায় ফুজিও মাসুওকা ফ্ল্যাশ মেমরি আবিষ্কার করেছিলেন। মাসুওকা এবং সহকর্মীরা 1984 সালে নর ফ্ল্যাশ এবং তারপর 1987 সালে ন্যান্ড ফ্ল্যাশ আবিষ্কার করেন। তোশিবা 1987 সালে ন্যান্ড ফ্ল্যাশ মেমরির বাণিজ্যিকীকরণ করে। অ্যাপ্লিকেশন আরও দেখুন সর্বাধিক বিক্রিত বৈদ্যুতিন যন্ত্রের তালিকা সেমিকন্ডাক্টর শিল্প রেফারেন্স ডিজিটাল ইলেকট্রনিক্স কম্পিউটার মেমরি ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট MOSFETs