ICP刻蚀在微加速度传感器制作中的应用
ICP刻蚀在微加速度传感器制作中的应用
针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究，探讨了气体流量、射频功率和工作室气压设定值等工艺参数对刻蚀效果的影响，最终在硅基底上获得了线宽为40 m时深刻蚀的最佳工艺参数，即采用BOSCH工艺，压力设定为6 Pa，在刻蚀过程中通入流量为100 cm3/rain的SF6气体，持续11s，射频功率20 W，源功率450 W，保护过程中通入流量为75 cm3/min的C4F8气体，持续10 s，射频功率OW，源功率220 W，得到了最佳刻蚀结果，并利用此工艺制作出了量程为±12 g，灵敏度为79 mV/g，精度高于±20微机械加速度传感器。