氧氩流量比对ZnO薄膜的微结构及其发光特性的影响
氧氩流量比对ZnO薄膜的微结构及其发光特性的影响
在室温下，利用射频磁控反应溅射法分别在硅片和石英玻璃上制备ZnO薄膜。通过控制O2/Ar流量比，研究O2/Ar流量比对ZnO薄膜的微结构、表面形貌及其光致发光特性的影响。X射线衍射仪和原子力显微镜结果显示，当O2/Ar流量比为3:4时，所得薄膜结晶度最佳，表面粗糙度为0.725 nm;荧光光谱显示，ZnO薄膜在波长407nm附近出现紫光发光峰，该发光峰源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁，发射强度随O2/Ar流量比的增加先减小后增加。