4H-SiC表面热氧化生长SiOx薄膜特性的研究
4H-SiC表面热氧化生长SiOx薄膜特性的研究
采用扫描电子显微镜、原子力显微镜和X射线光电子能谱测试方法对4H-SiC上热氧化生长的氧化硅薄膜表面形貌进行观测，并分析研究SiOx薄膜和SiOx/4H-SiC界面的相关性质，包括拟合Si2p、Ols和Cls的XPS谱线和分析其相应的结合能，以及分析SiOx层中各主要元素随不同深度的组分变化情况，从而获得该热氧化SiOx薄膜的化学组成和化学态结构，并更好地了解其构成情况以及SiOx/4H-SiC的界面性质。