一种实用的高压BiCMOS关键工艺技术研究
一种实用的高压BiCMOS关键工艺技术研究
提出了一种实用的高压BiCMOS工艺。该工艺集成了高性能耗尽型NJFET、NPN、VPNP、高压NMOS、高压PMOS、NMOS、PMOS、齐纳二极管，以及铬硅电阻、磷注入电阻等有源和无源器件。NJFET的夹断电压为-1.5V，击穿电压为17V；高压MOS管的击穿电压为37 V；齐纳二极管在25 A时其反向击穿电压为5.5V。使用该工艺，研制了一款低压差线性稳压器，基准源静态电流小于1.5 A。该工艺还可广泛应用于高压A/D、D/A转换器的研制。