Ni纳米晶制备及其在MOS电容中存储特性研究
Ni纳米晶制备及其在MOS电容中存储特性研究
优化了Ni纳米晶的制备工艺参数，得到了分布均匀，形状为球形，平均尺寸5 nm，密度2×101Z/cmZ的Ni纳米晶。在此基础上，制备了包含Ni纳米晶的MOS电容结构。利用高频电容一电压和电导一电压测试研究了其电学性能，证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态。电容一时间测试曲线呈指数衰减趋势，保留时间600 s，具有较好的保留性能。