额定压强下O2/Ar比对ZnO:Al薄膜导电性能的影响
额定压强下O2/Ar比对ZnO:Al薄膜导电性能的影响
采用射频磁控溅射法在石英玻璃基片上制备出ZnO:A1薄膜，并对薄膜在不同O2/Ar比状态下的沉积厚度、结晶性能和导电性能之间的关系进行了探讨。测试结果表明：在0.2Pa的额定压强下，Ar流量越大，薄膜的厚度越大，XRD峰越强，薄膜的电阻率值越低。在纯氩气状态下溅射时，制得的薄膜具有最大的厚度值，约为2.06 m，并具有最强的XRD峰，p同时也达到最小值，阻值为2.66×10^ ·cm。研究表明：结晶性能的提高对薄膜p的降低起到了关键作用，而厚度的增加也会使电阻率下降。