YSi2纳米颗粒的制备及光学、电学性能研究
YSi2纳米颗粒的制备及光学、电学性能研究
采用脉冲激光烧蚀高纯YSi2靶，在n型Si单晶衬底上制备YSi2纳米颗粒。原子力显微镜观察样品表面颗粒尺寸约40～50 nm。X射线光电子能谱测试结果表明，YSi2纳米颗粒成分为Y-O-Si。室温下对样品的光致发光性能进行测试，在500 nm处有一个较大的宽峰，409 nm附近出现强度较弱的发光峰。前者与样品中Y-O-Si电荷迁移带有关，后者为衬底表面纳米尺寸SiOx复合中心离子发光。室温下，对原位制备的薄膜电学性能进行测试，结果表明薄膜的介电常数约为13.6。