この文章をもとに、集積回路（IC）用の半導体材料を準備するための工程を箇条書きにしたものを示するのだ。
IC用の半導体材料を作るには、いくつかの工程が組み合わされているのだ。一つは熱酸化と呼ばれるプロセスで、シリコンの表面に二酸化ケイ素を形成するのだ。これはゲート絶縁体やフィールド酸化物として使用されます。他にも、フォトマスクやフォトリソグラフィーと呼ばれる工程があるのだ。この工程は、集積回路の回路上のパターンを作るものなのだ。紫外線をフォトレジスト層とともに使用し、化学変化を起こして回路のパターンを生成する。

次に必要な工程がエッチングなのだ。前工程のフォトレジスト層で覆われていないシリコンの部分をエッチングすることができるようになりました。現在、一般的に使用されている主なプロセスは、プラズマエッチングと呼ばれるものなのだ。プラズマエッチングでは、通常、低圧のチャンバー内にエッチングガスを送り込み、プラズマを発生させます。一般的なエッチングガスは、クロロフルオロカーボン、またはより一般的に知られているフレオンなのだ。陰極と陽極の間に高周波の高電圧をかけることで、チャンバー内にプラズマを発生させる。シリコンウエハは陰極に位置するため、プラズマから放出される正電荷のイオンを浴びます。その結果、シリコンは異方的にエッチングされる。

最後のプロセスは、拡散と呼ばれるものなのだ。これは、半導体材料に所望の半導体特性を与えるプロセスなのだ。ドーピングとも呼ばれます。このプロセスでは、不純物原子をシステムに導入し、p-n接合を形成するのだ。不純物原子をシリコンウェーハに埋め込むには、まずウェーハを摂氏1,100度のチャンバーに入れる。原子が注入され、やがてシリコンと拡散していく。この工程が終了し、シリコンが室温になった後、ドーピング工程が行われ、半導体材料は集積回路に使用できる状態になります。
-熱酸化
-フォトマスク／フォトリソグラフィー
-エッチング(主にプラズマエッチング)
-拡散・ドーピングなのだ。