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三元スピネルカルコゲナイドにおける高マグネシウム移動度
マグネシウム電池は、現在のリチウムイオン技術が直面する安全性とエネルギー密度の限界を克服するための、実行可能な代替品と考えられる。競争力のあるマグネシウム電池の開発は、固体中のマグネシウム流動性が低いという既存概念に悩まされている。ここで我々は、第1原理計算、核磁気共鳴、およびインピーダンス分光測定を用いて、密充填フレームワーク、具体的にはセレン化マグネシウムスカンジウムスピネルにおいて、高マグネシウムイオン移動度（298 Kにおいて約0.01～0.1 mS cm<sup>-1</sup>）を実際に達成できることを示す。我々の理論予測は、他のカルコゲナイドスピネルでも高マグネシウムイオン移動度が可能であることを示しており、他のマグネシウム固体イオン伝導体の実現と、最終的には全固体マグネシウム電池の開発への扉を開く。