論文のアブストラクトからタイトルを作ってください。
スピントロニクスデバイスで強磁性BiFeO<sub>3</sub>薄膜を利用するには、BiFeO<sub>3</sub>の内部磁気電気結合と、その反強磁性秩序の強磁性オーバーレイヤーへの交換結合の両方を決定論的かつ堅牢な方法で制御する必要がある。以前の報告は、複数の強誘電体ドメインによる多段階強誘電スイッチングに基づくアプローチを利用した。磁壁は疲労の原因となったり、もともと、あるいは欠陥によって局在電荷を含んでいたり、デバイスの再現性とスケーリングの問題を示したりする場合があるため、モノドメイン磁気電気状態と一段階スイッチングを使用する代替アプローチが望ましい。ここで我々は、モノドメインBiFeO<sub>3</sub>膜と、固有の（すなわち磁壁に依存しない）Coオーバーレイヤーとの間の決定論的、かつ堅牢な室温の交換結合を示す。BiFeO<sub>3</sub>反強磁性秩序とCo磁化との間の直接結合が観察され、一段階スイッチングで約90°の面内Coモーメント回転が起こり、数百サイクルにわたって再現性がある。これは、BiFeO<sub>3</sub>を利用した実用的な低電力不揮発性磁気電気デバイスに重要な影響をもつ。
モノドメイン強磁性BiFeO<sub>3</sub>ヘテロ構造における決定論的で堅牢な室温交換結合