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起源の異なる固有グラフェン欠陥におけるグラフェン被覆銅の酸化挙動
極薄バリアフィルムの開発は、先進半導体産業に必須である。グラフェンは、保護コーティングとして有望であると思われるが、改変グラフェンの多結晶性と欠陥性が、その実用的応用の妨げとなっている。ここで我々は、起源の異なる固有グラフェン欠陥におけるグラフェン被覆Cu箔の酸化挙動を検討する。様々なグラフェン欠陥の空間分布と酸化抵抗性に関するマクロスケールの情報は、ホットプレートアニーリングの後、光学顕微鏡と電子顕微鏡を用いて容易に得られる。酸化実験の制御により、構造欠陥の程度は、構造欠陥の起源、基礎になっているCu粒子の結晶方位、グラフェンの成長条件、およびグラフェン成長の速度論に強く依存することを明らかにする。得られた実験的および理論的結果は、周囲空気中の水分子が分解されて生じた酸素ラジカルが、促進剤の助けによって、ストーン-ウェールズ欠陥において効果的にグラフェン/Cu界面で反転することを示す。