각 웨이퍼 제품 정보의 발광 강도 면적과 에칭 깊이에는 도 6에 나타내는 발광 강도 면적과 에칭 깊이의 값을 저장한다.
In the light emission intensity area and etching depth of each wafer product information, values ​​of the light emission intensity area and etching depth shown in FIG. 6 are stored.