산화물 반도체층(716)은 절연막(712 및 713) 위에 형성된 산화물 반도체막을 원하는 형상으로 가공함으로써 형성할 수 있다.
The oxide semiconductor layer 716 may be formed by processing the oxide semiconductor film formed on the insulating films 712 and 713 into a desired shape.