비휘발성 메모리 칩은, 서브-F(서브-최소 선폭 크기 F) 폭의 간격으로 이격된 워드 라인들과, 적어도 2개의 천이 영역 내에 상기 워드 라인의 연장부들을 포함한다. 이웃하는 연장부들은 적어도 F 간격으로 이격되어 있다. 본 발명은, 적어도 최소 선폭 크기 F의 폭을 가지는 마스크 생성 소자로부터 주변 트랜지스터들에 접속하기 위한 천이 영역 내에 연장부들을 가지는 서브-F 워드 라인을 생성하는 단계를 포함하는 워드 라인 패터닝 방법을 포함한다.
A non-volatile memory array (30) has word lines (32) spaced a sub-F (sub-minimum feature size F) width apart and bit lines generally perpendicular to the word lines. The present invention also includes a method for word-line patterning of a non-volatile memory array which includes generating sub-F word lines from mask generated elements with widths of at least a minimum feature size F. 