기판의 손상을 억제하면서, 적층 반도체 웨이퍼에서 적층 반도체층을 제거한다. 처리 대상이 되는 적층 반도체 웨이퍼 10은 기판 110과 기판 110에 성막된 적층 반도체층 100을 구비하고 있다. 그리고 적층 반도체층 100의 승화점 이상으로서, 기판 110의 융점보다 낮은 온도로 적층 반도체 웨이퍼 10을 가열한다. 이렇게 함으로써, 적층 반도체 웨이퍼 10에 있어서 적층 반도체층 100이 승화하고 기판 110에서 적층 반도체층 100이 제거된다.
To remove a laminated semiconductor layer from a laminated semiconductor wafer while preventing damage of a substrate. A laminated semiconductor wafer 10 used as a processing object includes substrates 110, and laminated semiconductor layers 100 formed on the substrates 110. The laminated semiconductor wafer 10 is heated to a temperature of a sublimation point or more of the laminated semiconductor layer 100 and lower than the melting point of the substrate 110. Thus, the laminated semiconductor layers 100 are sublimed on the laminated semiconductor wafer 10, and the laminated semiconductor layers 100 are removed from the substrates 110.