복합 금속화 시스템들의 형성 중에, 전도성 캡 층(122C)이 전체 전도성에 부정적으로 영향을 미침이 없이 전자이주 작용(electromigration behaviour)을 향상시키기 위해서 구리-함유 금속 영역(122A) 상에 형성될 수 있다. 동시에, 열 화학적 처리는 민감성 유전체 물질(121)의 우수한 표면 상태들을 제공하도록 그리고 또한 탄소 공핍을 억제하도록 수행될 수 있는바, 이는 통상적으로 민감성 ULK 물질들의 물질 특성들의 상당한 변동성을 가져올 수 있다.
During the formation of complex metallization systems a conductive cap layer (122C) may be formed on a copper-containing metal region (122A) in order to enhance the electromigration behaviour without negatively affecting the overall conductivity. At the same time, a thermo chemical treatment may be performed so as to provide for superior surface conditions of the sensitive dielectric material (121) and also to suppress carbon depletion, which may conventionally result in a significant variability of material characteristics of sensitive ULK materials.