잔사 유기물나 자연 산화물을 충분히 제거할 수 있고, 또한, 비어홀의 측벽 절연막에 대미지를 가하는 일없이, k값에 악영향을 끼치는 일이 없는 반도체 기판 도전층 표면의 청정화 방법을 제공한다. 반도체 기판의 도전층(1) 표면 상에 절연막(2, 3)이 형성되고, 절연막(3)에는 도전층(1)의 일부를 노출하는 비어홀(4)이 형성된 반도체 장치를 반응 용기내에 반입하여, 반응 용기내에 수소를 포함하는 플라즈마를 발생시켜, 비어홀(4) 바닥부의 도전층(1) 상을 청정화하고, 애싱에 의해 잔사 유기물(6)을 분해 제거하여, 도전층(1) 표면 상의 동산화막(7)을 Cu로 환원한다. 
A method of cleaning semiconductor substrate conductive layer surface which can remove a residual organic material and a natural oxide satisfactorily and does not adversely affect a k value without damaging the side-wall insulation film of a via hole. A semiconductor device, comprising insulation films (2, 3) formed on the surface of the conductive layer (1) of a semiconductor substrate and a via hole (4) formed in the insulation film (3) to partly expose the conductive layer (1), is carried into a reaction vessel, plasma including hydrogen is generated in the reaction vessel to clean the surface of the conductive layer (1) at the bottom of the via hole (4), a residual organic material (6) is decomposed and removed by ashing, and a copper oxide film (7) on the surface of the conductive layer (1) is reduced to Cu.