본 발명은 액정디스플레이 기술 영역에 속하는 것으로서, 특히 저온 다결정실리콘 박막의 제조 방법에 대한 것으로서, 다음 단계를 포함한다: 기판상에서 아래로부터 위까지 차례로 완충층과 비결정질실리콘층을 생장시키는 제1단계; 상기 비결정질실리콘층을 가열하여 실온보다 높게 만들고, 상기 비결정질실리콘층을 사전 세척하는 제2단계; 엑시머레이저빔을 이용하여 상기 제2단계의 세척 후의 비결정질실리콘층을 조사하고, 상기 비결정질실리콘이 다결정실리콘으로 전화되도록 하는 제3단계. 본 발명은 또한 이러한 다결정실리콘 박막의 제작 시스템을 제공한다. 본 발명은 저온 다결정실리콘 박막 제작 시스템, 예정세척방법에 대해 개선함으로써, 비결정질실리콘층의 두께의 불균일한 상태를 개선하고, 이에 따라 후속 단계에서 ELA 조사 전화로 다결정실리콘 박막의 균일성을 형성한다.
The present invention relates to the field of liquid crystal displaying techniques, and in particular to a preparation method of low-temperature polysilicon thin film, including: growing a buffer layer and then an amorphous silicon layer on the substrate; heating up an amorphous silicon layer to reach a temperature higher than room temperature, and performing pre-cleaning on the amorphous silicon layer; and using excimer laser annealing (ELA) to radiate on the pre-cleaned amorphous silicon layer in previous step to transform the amorphous silicon into polysilicon. The present invention further provides a manufacturing system of low-temperature polysilicon thin film. By improving the manufacturing system of the low-temperature polysilicon thin film and pre-cleaning method, the present invention improves thickness non-uniformity of the amorphous silicon layer and the uniformity of the polysilicon layer transformed in the subsequent step of ELA radiation.