인체로의 독성이 강한 4 산화 루테늄 발생을 억제함과 동시에 안정성도 우수하며 반도체 기판(특히 루테늄막 및 실리콘 산화막 함유 기판)을 고속 연마할 수 있는 화학 기계 연마용 조성물 및 이것에 이용하기 위한 연마용 입자를 제공하는 것. 본 발명에 따른 연마용 입자는 루테늄을 포함하는 기판을 연마하기 위해 이용되는, 산화알루미늄 및 산화 규소에 의해 산화티타늄 입자를 수식하여 이루어진 연마용 입자이며 상기 연마용 입자 중의 산화티타늄의 몰수를 MTi, 산화알루미늄의 몰수를 MAl, 산화 규소의 몰수를 MSi로 했을 때 MAl/MTi 값이 0.004 이상 2.35 이하이며 MSi/MTi 값이 0.007 이상 8.00 이하이다.
To provide: a chemical and mechanical polishing composition which can suppress the generation of ruthenium tetraoxide which is highly toxic to a human body, which is superior in stability, and which enables high-speed polishing of a semiconductor substrate (especially, a substrate including a ruthenium film and a silicon oxide film ); and an abrasive grain used therefor. An abrasive grain according to the present invention is an abrasive grain arranged by modifying a titanium oxide particle by aluminum oxide and silicon oxide, which is used to polish a substrate containing ruthenium. The value of MAl/MTi is 0.004 up to 2.35, and the value of MSi/MTi is 0.007 up to 8.00, where MTi is a mole number of the titanium oxide in the abrasive grain, MAl is a mole number of the aluminum oxide, and MSi is a mole number of the silicon oxide.  None