본 발명은 광 스위치에 관한 것으로서, 상기 광 스위치는 반도체 이득매체 및 상기 반도체 이득매체에 광 제어신호를 인가하는 입력을 포함하고 있고 상기 마크-젠더 간섭계내에 배열된 한 쌍의 암을 갖고 있으며, 각 암에는 반도체 이득매체(SOA1,SOA2)가 연결되어 있고, 한 암에 고정된 위상 시프트 소자(PE)도 연결되어 있다. 제어신호가 상기 반도체 이득매체 각 각에 인가되고, 선택된 상기 제어신호간에는 지연이 있어서 원하는 상기 광 펄스의 하나에 차등 위상 시프트가 있게되어 멀티플렉서의 여러 출력에 스위치한다. 한 실시예에서, 상기 반도체 이득매체는 상기 스위치의 다른 구성부분이 형성되는 도파관상의 한 쌍의 평면 기판사이에 샌드위치되는 이산 반도체 장치로 제공되는 것을 특징으로 한다. 
An optical switch includes a semiconcuctor gain medium and inputs for an optical control signal applied to the semiconductor gain medium. The switch has a pair of arms(31, 32) arranged in a Mach-Zehnder configuration. A  semiconductor gain medium(SOA1, SOA2) is connected in each arm. A fixed phase shifting element PE is also connected in one arm. Control signals are applied to each of the semiconductor gain media. There is a delay between the control signals selected so that a desired one of the optical pulses experiences a differential phase shift and so we switch to a different output of the multiplexer. In one example, the semiconductor gain media are provided by discrete semiconductor devices sandwiched between a pair of planar substrates on which waveguides forming the other components of the switch are formed. The switch may be used for demultiplexing OTDM signals.