고품질의 Ⅲ족 질화물 반도체를 공급하는 것. AlxGa1-xN(0≤x<1)으로 구성되는 n-GaN층과, 상기 n-GaN층 상에 배치된, InGaN으로 구성되는 InGaN층과, 상기 InGaN층 상에 배치된, n형의 AlyGa1-yN(0≤y<1)으로 구성되는 n-AlGaN층과, 상기 n-AlGaN층 상에 배치된, 기능층을 구비하고, 상기 n-GaN층의 Mg 농도는, 상기 n-AlGaN층의 Mg 농도보다 큰 Ⅲ족 질화물 반도체.
The present invention provides a high-quality group III nitride semiconductor. The group III nitride semiconductor which is provided with: an n-GaN layer that is configured from AlxGa1-xN (0 <= x < 1); an InGaN layer that is arranged on the n-GaN layer and is configured from InGaN; an n-AlGaN layer that is arranged on the InGaN layer and is configured from an n-type AlyGa1-yN (0 <=y < 1); and a functional layer that is arranged on the n-AlGaN layer. This group III nitride semiconductor is configured such that the Mg concentration in the n-GaN layer is higher than the Mg concentration in the n-AlGaN layer.