본딩된 웨이퍼 사이에 및 본딩 계면에 걸쳐 전기 및 광 신호의 전달을 필요로 하는 반도체 웨이퍼의 본딩 방법. 반도체 웨이퍼 본딩 방법은 본딩된 웨이퍼 간에 전기 및 광 신호를 전달하기 위하여 전기 및 광 인터커넥트 비아 양자의 형성을 포함한다. 전기 비아는 본딩면에 걸쳐 침투되는 다수의 금속층으로 이루어진 다수의 금속 포스트를 이용하여 본딩면에 걸쳐 형성된다. 광 비아는 다수의 광도파로를 이용하여 본딩면에 걸쳐 형성되며, 각각 본딩 계면에 걸쳐 침투되는 유전 물질로 이루어지고, 본딩된 웨이퍼 사이의 유전체 중간 본딩층의 굴절률보다 더 높은 굴절률을 갖는다. 전기 및 광 비아는 본딩된 웨이퍼 사이에 전기 및 광 신호의 균일한 전달을 가능하게 하기 위하여 본딩된 웨이퍼 사이의 본딩면에 걸쳐 점재된다.
Methods for bonding semiconductor wafers requiring the transfer of electrical and optical signals between the bonded wafers and across the bonding interface. The methods for bonding of semiconductor wafers incorporate the formation of both electrical and optical interconnect vias within the wafer bonding interface to transfer electrical and optical signals between the bonded wafers. The electrical vias are formed across the bonding surface using multiplicity of metal posts each comprised of multiple layers of metal that are interfused across the bonding surface. The optical vias are formed across the bonding surface using multiplicity of optical waveguides each comprised of a dielectric material that interfuses across the bonding interface and having an index of refraction that is higher than the index of refraction of the dielectric intermediary bonding layer between the bonded wafers. The electrical and optical vias are interspersed across the bonding surface between the bonded wafers to enable uniform transfer of both electrical and optical signals between the bonded wafers.