본 발명은 탄화규소 기판(1)의 표면상에 실리콘막(2)을 형성하는 실리콘막 형성 공정과, 실리콘막(2)의 표면상에 다결정 탄화규소 기판을 설치하지 않고 탄화규소 기판(1) 및 실리콘막(2)을 열처리하는 열처리 공정을 포함하는 탄화규소 기판(1)의 표면 재구성 방법이다. 여기서, 열처리 공정 후에 실리콘막(2)을 제거하는 실리콘막 제거 공정을 포함하고 있어도 좋다. 또한, 열처리 공정 후에 실리콘막(2)을 산화하여 산화실리콘막으로 하는 산화실리콘막 형성 공정와, 산화실리콘막을 제거하는 산화실리콘막 제거 공정을 포함하고 있어도 좋다.
A surface reconstruction method for a silicon carbide substrate (1) includes a silicon film forming step of forming a silicon film (2) on a surface of the silicon carbide substrate (1) and a heat treatment step of heat-treating the silicon carbide substrate (1) and the silicon film (2) without providing a polycrystalline silicon carbide substrate on a surface of the silicon film (2). Here, after the heat treatment step, a silicon film removal step of removing the silicon film (2) may be included. Further, a silicon oxide film forming step of oxidizing the silicon film (2) after the heat treatment step to generate a silicon oxide film, and a silicon oxide film removal step of removing the silicon oxide film may be included.