높은 에너지 변환 효율의 태양 전지를 제조한다. p형 층이 되는 다결정 실리콘 기판 상에 형성된 n형 층이 되는 다결정 실리콘층의 표층을, 플라즈마를 이용하여 산화 처리하고, 그 후 CVD 처리에 의해 실리콘 질화막을 퇴적함으로써, 다결정 실리콘층의 표층에 패시베이션막을 형성한다. 이러한 플라즈마 산화 처리는 10 eV 이하의 시스 전위의 플라즈마를 이용하여, 압력이 6.67 Pa ~ 6.67 × 102 Pa의 범위에서, 온도가 200℃ ~ 600℃의 범위가 되는 조건하에서 행한다. 플라즈마를 여기하는 마이크로파는, 슬롯 안테나를 통하여 처리 용기 내에 공급되고, 마이크로파의 표면파에 의해 플라즈마가 생성된다.
There is manufactured a solar cell having a high energy conversion efficiency. A surface layer of a polycrystalline silicon layer serving as a n-type layer formed on a polycrystalline silicon substrate serving as a p-type layer is oxidized by using plasma and then a silicon nitride film is deposited by a CVD process, whereby a passivation film is formed on the surface layer of the polycrystalline silicon layer. The plasma oxidation process is performed by using plasma having a sheath potential equal to or less than about 10 eV at a pressure ranging from about 6.67 Pa to about 6.67×102 Pa and at a temperature ranging from about 200° C. to about 600° C. A microwave for exciting plasma is supplied into a processing chamber through a slot antenna, and plasma is generated by a surface wave of the microwave.