ALD법에 의해, 금속 원자층, 산소 원자층을 이 순서로 형성하였을 때, RTA(Rapid Thermal Annealing)에 의한 급속 열 어닐을 행한다. 이 공정을 1사이클로 하여 사이클을 반복하여, 고유전율막을 형성한다.
A metal atomic layer and an oxygen atomic layer are formed in this order by ALD, followed by rapid heating through RTA (Rapid Thermal Annealing) (202). This cycle of steps is repeated to form a high dielectric constant film.  