웨이퍼 연삭 시의 상면의 거칠기 측정 장치를 제공한다. 웨이퍼 W를 지지하는 지지면 30 a를 가지는 테이블 3과 테이블 회전 수단과 웨이퍼 W를 연삭하는 숫돌을 배설한 휠을 회전 가능하게 장착한 연삭 수단과 지지면 30 a가 지지한 웨이퍼 W의 상면 Wb의 높이 위치를 측정하는 게이지 4를 구비하고, 게이지 4는 웨이퍼 W의 상면 Wb에 대해서 수직 방향으로 상하이동 가능한 측정자 40과 측정자 40의 측면을 위요해 에어를 개재시켜 지지하는 케이싱 41과 측정자 40의 수직 방향 위치를 인식하는 스케일부 42를 구비하고, 측정자 40의 상하 방향 진폭을 측정하는 측정부 91을 추가로 구비하고, 웨이퍼 상면 Wb에 측정자 40의 선단을 접촉시킨 상태에서 테이블 3을 회전시켜 측정자 40을 측정자 40의 자중에 의해 웨이퍼의 상면 Wb를 수직 방향으로 슬라이딩시키고 진폭 측정부 91에서 측정자 40의 진폭을 측정해 웨이퍼 W의 상면 Wb의 거칠기를 측정하는 연삭 장치.
To provide a device for measuring a roughness of a top face when grinding a wafer. A grinding apparatus comprises: a table 3 having a holding surface 30a which holds a wafer W; grinding means to which a wheel, which is provided with a grind stone for grinding the wafer W, is rotatably mounted; and a gauge 4 which measures a height position of a top face Wb of the wafer W held by the holding surface 30a. The gauge 4 comprises: a probe 40 which is vertically movable in a vertical direction with respect to the top face Wb of the wafer W; a casing 41 which surrounds a lateral face of the probe 40 and supports the probe with air interposed therebetween; and a scale part 42 which recognizes a vertical direction position of the probe 40, and further comprises a measurement part 91 which measures an amplitude in a vertical direction of the probe 40. According to this grinding apparatus, in the state that a tip of the probe 40 is brought into contact with the top face Wb of the wafer, the table 3 is rotated and the probe 40 is vertically slid on the top face Wb of the wafer by a self-weight of the probe 40, an amplitude of the probe 40 is measured by the amplitude measurement part 91, and a roughness of the top face Wb of the wafer W is measured.