기판(10)의 진공 처리를 위한 방법이 제공된다. 이 방법은, 기판(10)이 이송 경로(20)를 따라 처리 영역(110)을 통해 이동되는 동안, 처리 영역(110)에 제공된 이온 에칭 소스(130)를 사용하여 기판 표면(11) 또는 기판(10) 상의 제1 재료 층의 표면에 이온들을 조사하는 단계, 이송 경로(20)를 따라 기판(10)을 증착 영역(120)으로 이동시키는 단계, 및 기판(10)이 고정되어 있는 동안 기판 표면(11) 위에 또는 제1 재료 층 위에 적어도 하나의 제2 재료 층을 증착하는 단계를 포함한다.
A kind of method of vacuum processing for substrate (10) is provided.The described method includes: the surface of the first material layer on substrate surface (11) or the substrate (10) is irradiated with ion using the ion(ic) etching source (130) being set in the processing region (110) when the substrate (10) passes through processing region (110) along transportation route (20) are mobile；The substrate (10) is moved in deposition region (120) along the transportation route (20)；With when the substrate (10) is static, above the substrate surface (11) or described at least one second material layer of first material layer disposed thereon.