암을 구성하는 트랜지스터에 내압을 초과하는 전압이 인가되는 것을 억제한다. 브리지 회로 2의 하이 사이드 암 16 a는 한 쌍의 직류 버스의 한쪽 10과 출력 라인 14 a 사이에 직렬로 스택된 복수의 트랜지스터 MH1~MHN를 포함한다. 드라이버 20 a는 하이 사이드 암 16 a의 온, 오프를 지시하는 제어 펄스 S1a를 받아 하이 사이드 암 16 a를 구동한다. 복수의 구동 유닛 24는 복수의 트랜지스터 각각을 독립적으로 구동한다. i번째의 구동 유닛 24_i는 제어 펄스 S1a를 받아 대응하는 트랜지스터 MHi의 양단간 전압 VDSi에 따라 제어 펄스 S1a 중 적어도 하나의 가장자리를 시간축 방향으로 시프트 가능하게 구성된다.
To suppress the application of a voltage exceeding a withstanding voltage to a transistor constituting an arm. A high side arm 16a of a bridge circuit 2 includes a plurality of transistors MH1-MHN stacked in series between one 10 of a pair of DC buses and an output line 14a. A driver 20a drives the high side arm 16a in response to a control pulse S1a indicating whether to turn on/off the high side arm 16a. A plurality of drive units 24 individually drive the plurality of transistors, respectively. The i-th drive unit 24_i is configured to, in response to the control pulse S1a, shift at least either edge of the control pulse S1a in a time axis direction in accordance with a voltage VDSi across both ends of the corresponding transistor MHi.