디바이스(100)는 제 1 회로 소자(112), 상기 제 1 회로 소자와 전기적으로 접촉하는(118) 제 1 상호접속 패드(116), 및 상기 제 1 상호접속 패드 상의 장벽층(120)을 포함하는 제 1 칩(104), 상기 장벽층 상의 초전도 범프 본드(106); 및 상기 초전도 범프 본드에 의해 상기 제 1 칩에 결합되는 제 2 칩을 포함하며, 상기 제 2 칩은 제 1 양자 회로 소자를 포함하고, 상기 초전도 범프 본드는 상기 제 1 회로 소자와 상기 제 1 양자 회로 소자 사이의 전기적 연결을 제공한다. 
The disclosure provides a device (100). The device (100) includes a first chip (104) having a first circuit element (112), a first interconnect pad (116) in electrical contact (118) with the first circuit element, and a barrier layer (120) on the first interconnect pad, a superconducting bump bond (106) on the barrier layer, and a second chip (102) joined to the first chip by the superconducting bump bond, the second chip having a quantum circuit element (108), in which the superconducting bump bond provides an electrical connection between the first circuit element and the quantum circuit element.