본 발명은 기판으로부터 물질을 제거하기 위한 용액 및 방법에 관한 것이다. 임의적으로, 물질들은 반도체 웨이퍼들 상의 포토레지스트를 포함할 수 있다. 이러한 용액은 4차 암모늄 하이드록사이드, 제1 아민, 제2 아민, 및 제3 아민을 포함할 수 있으며, 아민의 총량은 용액의 총 중량의 약 95 중량% 이하이다. 추가적으로, 용액은 적어도 하나의 아민, 4차 암모늄 하이드록사이드, 및 물을 포함할 수 있고, 여기에는 물 이외의 극성 용매가 존재하지 않을 수 있으며, 이러한 용액은 약 60 센티포이즈 이하인 동적 점도를 갖는다.
The disclosure is directed solutions and processes to remove substances from substrates. Optionally, the substances can include photoresist on semiconductor wafers. The solution may include a quaternary ammonium hydroxide, a first amine, a second amine, and a third amine with the total amount of amine being no greater than about 95% by weight of a total weight of the solution. Additionally, a solution may include at least one amine, a quaternary ammonium hydroxide, and water and be free of a polar solvent other than water with the solution having a dynamic viscosity that is no greater than about 60 centipoise.