본 발명에 따라, 광학 디바이스는 금속 실리사이드층을 포함하는 적어도 하나의 회로 콤포넌트를 포함하는 반도체 기판 및 적어도 하나의 광감응성 콤포넌트를 포함하는 상부층을 포함한다. 금속 실리사이드층은 회로 콤포넌트와 광감응성 콤포넌트 사이에 배치되어 광감응성 콤포넌트를 관통하는 광이 회로 콤포넌트 속으로 진입하는 것을 방지한다. 실리사이드층은 바람직하게 광감응성 부재 속으로 광을 다시 반사시킨다. 부가적으로, 상부층은 광감응성 콤포넌트 속으로의 경사광(oblique light)의 진입을 감소시키기 위해 하나 이상의 반사층들을 포함할 수 있다. 바람직한 실시예에서, 기판은 하나 이상의 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터들(IGFETs) 및/또는 캐패시터들을 포함하는 단결정 실리콘을 포함하며, 광감응성 부재는 실리콘 상의 시드들로부터 에피택셜 성장되는 게르마늄 및/또는 게르마늄 합금을 포함한다. 금속 실리사이드층은 캐패시터의 전극 및/또는 IGFET의 게이트를 포함할 수 있다.
In accordance with the invention, a photonic device comprises a semiconductor substrate including at least one circuit component comprising a metal silicide layer and an overlying layer including at least one photoresponsive component. The metal silicide layer is disposed between the circuit component and the photoresponsive component to prevent entry into the circuit component of light that penetrates the photoresponsive component. The silicide layer advantageously reflects the light back into the photoresponsive element. In addition, the overlying layer can include one or more reflective layers to reduce entry of oblique light into the photoresponsive component. In an advantageous embodiment, the substrate comprises single-crystal silicon including one or more insulated gate field effect transistors (IGFETs), and/or capacitors, and the photoresponsive element comprises germanium and/or germanium alloy epitaxially grown from seeds on the silicon. The metal silicide layer can comprise the gate of the IGFET and/or an electrode of the capacitor.