박막 반도체 디바이스는 비정질 반도체 이온 금속 산화물 및 비정질 절연 공유 금속 산화물의 혼합물을 포함하는 반도체층을 갖고 있다. 한 쌍의 터미널은 이러한 반도체층과 통신하도록 위치되어 있고 도전성 채널을 형성하며, 게이트 터미널은 이러한 도전성 채널과 통신하고 이러한 도전성 채널의 도전도를 제어하도록 위치되어 있다. 본 발명은 또한 최종 반도체층내의 캐리어 농도를 제어하도록 증착 공정 동안 질소를 사용하는 단계를 포함하는 혼합물 증착 방법을 포함한다. 
A thin film semiconductor device has a semiconductor layer including a mixture of an amorphous semiconductor ionic metal oxide and an amorphous insulating covalent metal oxide. A pair of terminals is positioned in communication with the semiconductor layer and define a conductive channel, and a gate terminal is positioned in communication with the conductive channel and further positioned to control conduction of the channel. The invention further includes a method of depositing the mixture including using nitrogen during the deposition process to control the carrier concentration in the resulting semiconductor layer.