반도체 디바이스가 제1 면 및 제2 면을 갖는 기판, 및 기판의 제1 면 위에 배치되는 제1 활성 층을 포함한다. 제2 활성 층이 제1 활성 층 상에 배치된다. 제2 활성 층은 제1 활성 층과 제2 활성 층 사이에 2차원 전자 기체 층이 생기도록 제1 활성 층보다 더 높은 밴드갭을 갖는다. 적어도 하나의 트렌치가 제1 활성 층 및 제2 활성 층과 2차원 전자 기체 층을 통과해서 기판 내로 연장된다. 전도성 재료가 트렌치를 라이닝한다. 제1 전극이 제2 활성 층 상에 배치되고 제2 전극이 기판의 제2 면 상에 배치된다.
A semiconductor device includes a substrate having first and second sides and a first active layer disposed over the first side of the substrate. A second active layer is disposed on the first active layer. The second active layer has a higher bandgap than the first active layer such that a two-dimensional electron gas layer arises between the first active layer and the second active layer. At least one trench extends through the first and second active layers and the two-dimensional electron gas layer and into the substrate. A conductive material lines the trench. A first electrode is disposed on the second active layer and a second electrode is disposed on the second side of the substrate.