박막 헤테로 구조 열전 재료 및 그의 제작 방법들의 실시 예들이 개시 된다. 일반적으로, 열전 재료는 IIa 및 IV-VI 족 재료계에서 형성된다. 열전 재료는 에픽택셜 헤테로 구조를 포함하고 에픽택셜 헤테로 구조의 적절한 제작 및 적절한 최적화를 통해 넓은 온도 범위들에 걸쳐 제벡 계수, 전기 전도도, 및 열 전도도에 관한 높은 열 펌핑 및 성능 지수 달성을 나타낸다.
Embodiments of a thin-film heterostructure thermoelectric material and methods of fabrication thereof are disclosed. In general, the thermoelectric material is formed in a Group I la and IV-VI materials system. The thermoelectric material includes an epitaxial heterostructure and exhibits high heat pumping and figure-of-merit performance in terms of Seebeck coefficient, electrical conductivity, and thermal conductivity over broad temperature ranges through appropriate engineering and judicious optimization of the epitaxial heterostructure.