인터-데크 플러그를 가지는 3D 메모리 장치의 실시예 및 이를 형성하는 방법이 개시된다. 예에서, 3D 메모리 장치는 기판, 기판 위의 인터리브된 전도체 및 유전체 층을 포함하는 제1 메모리 데크, 제1 메모리 데크 위의 인터리브된 전도체 및 유전체 층을 포함하는 제2 메모리 데크, 및 제1 또는 제2 메모리 데크를 통해 각각 수직으로 연장하는 제1 및 제2 채널 구조체를 포함한다. 제1 채널 구조체는 제1 채널 구조체의 측벽을 따르는 제1 메모리 필름 및 반도체 채널, 및 제1 채널 구조체의 상부에 있고 제1 반도체 채널과 접촉하는 인터-데크 플러그를 포함한다. 인터-데크 플러그의 측면은 매끄럽다. 제2 채널 구조체는 제2 채널 구조체의 측벽을 따르는 제2 메모리 필름 및 반도체 채널을 포함한다. 제2 반도체 채널은 인터-데크 플러그와 접촉한다.
A 3D memory device (200) having an inter-deck plug (212) and method for forming the same are disclosed. The 3D memory device (200) includes a substrate, a first memory deck (202A) including interleaved conductor and dielectric layers above the substrate, a second memory deck (202B) including interleaved conductor and dielectric layers above the first memory deck (202A), and a first and a second channel (208, 210) structure each extending vertically through the first or second memory deck (202A, 202B). The first channel (208) structure includes a first memory film (214) and semiconductor channel (216) along a sidewall of the first channel (208) structure, and an inter-deck plug (212) in an upper portion of the first channel (208) structure and in contact with the first semiconductor channel (216). A lateral surface of the inter-deck plug (212) is smooth. The second channel (210) structure includes a second memory film (228) and semiconductor channel (230) along a sidewall of the second channel (210) structure. The second semiconductor channel (230) is in contact with the inter-deck plug (212).