당해 발명은 마그네토저항성(magnetoresistive) 메모리 장치를 포함한다. 상기 장치는 제 1 마그네틱 레이어(22), 제 2 마그네틱 레이어(24) 그리고 상기 제 1 그리고 제 2 마그네틱 레이어들 간의 비-마그네틱 레이어(26)를 지닌 스택을 포함하는 메모리 비트(20)를 포함한다. 제 1 전도성 라인(14)은 상기 제 1 전도성 라인이 상기 스택으로부터 떨어져 있는 거리보다 더 큰 거리만큼 상기 스택으로부터 떨어져 있으며 그리고 상기 메모리 비트로 정보를 기록함에 있어 활용을 위해 구성된다. 당해 발명은 또한 크로스-포인트 배열 구조에서 정보를 검색하고 저장하는 방법들을 포함한다. 
The invention encompasses a magnetoresistive memory device. The device includes a memory bit which comprises a stack having a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a non-magnetic layer between the first and second magnetic layers. A first conductive line is proximate the stack and configured for utilization in reading information from the memory bit. A second conductive line is spaced from the stack by a greater distance than the first conductive line is spaced from the stack, and is configured for utilization in writing information to the memory bit. The invention also encompasses methods of storing and retrieving information in a cross-point array architecture.