게이트 전극이자 기판으로 사용되는 과도핑된 P타입 실리콘 기판에 열 산화 방식으로 게이트 산화막을 약 100 nm 성장시킨다.
A gate oxide film of about 100 nm is grown on an over-doped P-type silicon substrate used as a gate electrode and substrate by thermal oxidation.