원료 가스에 대해 유기 시레인 가스를 이용하여, 평탄한 표면을 가진 산화 실리콘막이 350°C 이하의 가공 온도에서 수행될 수 있다.
Using an organic silane gas for the raw material gas, a silicon oxide film having a flat surface may be performed at a processing temperature of 350 °C or lower.