전자 장치가 기판(1), III 족 물질의 질화물로 형성된 적어도 하나의 반도체 와이어 엘리먼트(2) 및 기판(1)과 적어도 하나의 반도체 와이어 엘리먼트(2) 사이에 개재된 전기 전도 층(3)을 포함한다. 상기 적어도 하나의 반도체 와이어 엘리먼트(2)는 상기 전기 전도 층(3)으로부터 연장되고, 상기 전기 전도 층은 지르코늄의 탄화물 또는 하프늄의 탄화물을 포함한다.
The invention relates to an electronic device comprising a substrate (1), at least one semi-conductive wire element (2) formed from a nitride of a material of group III, and an electroconductive layer (3) inserted between the substrate (1) and said at least one semi-conductive wire element (2). Said at least one semi-conductive wire element (2) extends from said electroconductive layer (3), and the electroconductive layer (3) comprises a zirconium carbide or a hafnium carbide.