기판 상에, 강하게 정렬된 균일한 단면 반도체 복합 나노컬럼의 성장 방법이 개시된다. 본 방법은 (a) 기판 표면에 패싯된 피라미드형 피트를 형성하는 단계; (b) 상기 피트의 패싯에서 핵형성을 개시하는 단계; 및 (c) 쌍결정형성에 의해 합체되고 이후 함께 복합 나노컬럼으로 성장하는 피트의 중심을 향하여 성장을 촉진시키는 단계를 포함한다. 다중 양자우물, 코어-쉘 나노컬럼 헤테로구조가 나노컬럼의 측벽에 성장될 수 있다. 또한, 고품질 평면 장치 구조의 제조를 용이하게 하거나 또는 발광 구조를 위하여, 연속적 반도체 에피택셜층이 나노컬럼의 과성장을 통하여 형성될 수 있다.
A method for growing on a substrate strongly aligned uniform cross-section semiconductor composite nanocolumns is disclosed. The method includes: (a) forming faceted pyramidal pits on the substrate surface; (b) initiating nucleation on the facets of the pits; and; (c) promoting the growth of nuclei toward the center of the pits where they coalesce with twinning and grow afterwards together as composite nanocolumns. Multi-quantum-well, core-shell nanocolumn heterostructures can be grown on the sidewalls of the nanocolumns. Furthermore, a continuous semiconductor epitaxial layer can be formed through the overgrowth of the nanocolumns to facilitate fabrication of high-quality planar device structures or for light emitting structures.