본 발명은 적어도 하나의 마감되지 않은 표면(unfinished surface)을 레이저 어닐링 공정에 도입하는 것을 포함하는 반도체-온-인슐레이터(semiconductor-on-insulator)(SOI)구조의 시스템, 방법 및 제품에 관한 것이다. SOI 구조의 제조는 결정 도너 반도체 웨이퍼의 주입면을 이온 주입공정(ion implantaion process)에 도입하여 상기 도너 반도체 웨이퍼에 박리층(exfoliation layer)을 생성하는 단계; 상기 박리층의 주입면을 절연체 기판에 접합시키는 단계; 상기 박리층을 도너 반도체 웨이퍼로부터 분리함으로써, 적어도 하나의 벽개면(cleaved surface)을 노출하는 단계; 및 상기 적어도 하나의 벽개면을 상기 레이저 어닐링 공정(laser annealing process)에 도입하는 단계를 포함한다. 
Systems and methods for and products of a semiconductor-on-insulator (SOI) structure including subjecting at least one unfinished surface to a laser annealing process. Production of the SOI structure further may include subjecting an implantation surface of a donor semiconductor wafer to an ion implantation process to create an exfoliation layer in the donor semiconductor wafer; bonding the implantation surface of the exfoliation layer to an insulator substrate; separating the exfoliation layer from the donor semiconductor wafer, thereby exposing at least one cleaved surface; and subjecting the at least one cleaved surface to the laser annealing process.