습식 식각 장치의 린스용 순수의 사용량을 감소시키고 처리 능력을 향상시킨다. 반도체 기판 2를 화학 약액 처리에서 식각해 수세하는 습식 식각 장치 1에 있어서 상기 반도체 기판에 화학 약액 처리를 하는 약액조 4와 상기 반도체 기판에 부착한 상기 약액을 희석 제거하는 조수세조 5와 상기 조수세조처리 후에 상기 반도체 기판에 잔류·부착한 상기 약액을 순수로 치환시키는 QDR(퀵 덤프 린스) 조 6를 구비한 습식 식각 장치로 한다.
To reduce the usage of pure water for rinse in a wet etching apparatus and increase the performance. In a wet etching apparatus 1, a semiconductor substrate 2 is etched in chemical processing and washed with water. The wet etching apparatus 1 includes a chemical tank 4 in which the chemical processing is performed on the semiconductor substrate, a rough water washing tank 5 in which the chemical adhered to the semiconductor substrate is diluted and removed, and a quick dump rinse tank 6 in which the chemical remained and adhered to the semiconductor substrate is replaced with pure water after the rough water washing tank process.