모놀리식 삼차원 NAND 스트링은 기판의 주 표면에 대해 실질적으로 평행하게 연장되는 복수의 제어 게이트 전극들, 및 기판의 주 표면에 대해 실질적으로 수직으로 연장되는 적어도 하나의 트렌치를 포함한다. 트렌치는, 적어도, 제1 트렌치 재료 및 제2 트렌치 재료로 충진된다. 제1 트렌치 재료는 제1 응력 타입의 제1 크기 하에 있는 재료를 포함하고, 제2 트렌치 재료는, 기판 상에 복수의 제어 게이트 전극들 또는 제1 트렌치 재료 중 적어도 하나에 의해 가해지는 응력으로 인한 기판의 휨을 상쇄하기 위해, 응력 하에 있지 않거나, 제1 응력 타입과 반대인 제2 응력 타입 하에 있거나, 또는 제1 응력 타입의 제1 크기보다 더 작은 제1 응력 타입의 제2 크기 하에 있는 재료를 포함한다.
A monolithic three dimensional NAND string includes a plurality of control gate electrodes extending substantially parallel to a major surface of a substrate, and at least one trench extending substantially perpendicular to the major surface of the substrate. The trench is filled with at least a first trench material and a second trench material. The first trench material includes a material under a first magnitude of a first stress type, and the second trench material includes a material under no stress, a second stress type opposite the first stress type, or a second magnitude of the first stress type lower than the first magnitude of the first stress type to offset warpage of the substrate due to the stress imposed by at least one of the first trench material or the plurality of control gate electrodes on the substrate.