제조 과정을 감시하는 방법은 상기 제조 과정에 대해 최종 처리 단계의 결말에서 반도체 웨이퍼들에 대한 계측 데이터를 획득하는 단계('단계 a')를 특징으로 한다. 데이터는 반도체 웨이퍼들을 제조하는 제 1 처리 단계에 대한 복수의 처리 변수용으로 획득된다('단계 b'). 상기 제 1 처리 단계의 제 1 수학적 모델은 계측 데이터, 및 상기 제 1 처리 단계에 대한 복수의 처리 변수용 획득 데이터에 기초하여 구현된다('단계 c'). 단계(b 및 c)는 상기 반도체 웨이퍼들을 제조하는 적어도 제 2 처리 단계에 대해 반복된다('단계 d'). n 번째 수학적 모델은 계측 데이터, 및 n 처리 단계들 각각에 대한 복수의 처리 변수용 데이터에 기초하여 구현된다('단계 e'). 상부 레벨 수학적 모델은 상기 계측 데이터, 및 단계(c, d 및 e)에 의해 구현된 모델들에 기초하여 생성된다('단계 f '). 단계 f의 상부 레벨 수학적 모델은 상기 계측 데이터에 충분한 영향을 미치는 상기 처리 변수들에 기초한다.
A method for monitoring a manufacturing process features acquiring metrology data for semiconductor wafers at the conclusion of a final process step for the manufacturing process ('Step a'). Data is acquired for a plurality of process variables for a first process step for manufacturing semiconductor wafers ('Step b'). A first mathematical model of the first process step is created based on the metrology data and the acquired data for the plurality of process variables for the first process step ('Step c'). Steps b and c are repeated for at least a second process step for manufacturing the semiconductor wafers ('Step d'). An nth mathematical model is created based on the metrology data and the data for the plurality of process variables for each of the n process steps ('Step e'). A top level mathematical model is created based on the metrology data and the models created by steps c, d and e ('Step f ')• The top level mathematical model of Step f is based on those process variables that have a substantial effect on the metrology data.