기판의 결정학적 면 방위가 하나의 (100)면의 결정학적 면 방위로부터 경사지고 이의 경사크기가 1°이하인 단결정 비소화 갈륨 기판 위에 에피택셜 성장에 의해 결정이 형성된다. 에피택셜 결정의 적어도 일부는 InXGa(1-X)As (단, 0〈x〈1)의 결정이다. 에피택셜 성장은 열분해 기상 성장방법에 의해 이루어진다. InXGa(1-X)As층의 미시적 표면 조도는 작다. 필름 두께의 편차 또한 작다. 그러므로, 전계 효과 트랜지스터의 채널 층 및 반도체 레이저 활성층으로서 이러한 에피택셜 기판을 사용함으로써 이들 소자에 우수한 특성을 부여할 수 있다.
Crystals are formed by epitaxial growth on a monocrystalline substrate of gallium arsenide, and the orientation of the crystallographical plane of the substrate is inclined at an angle of under one degree with respect to the orientation of the crystallographical plane of one of the {100} planes thereof. At least a part of the epitaxial crystals are crystals of InxGa(1-x)As (where 0 < x < 1). The epitaxial growth is made by a thermal decomposition vapor phase growth method. The microscopical surface roughness of the InxGa(1-x)As layer is small. The variation of the film thickness is also small. Therefore, by using this epitaxial substrate for the channel layer of a field effect transistor, and the active layer of a semiconductor laser, it is possible to give excellent characteristics to these elements.