상기 반도체 장치(1)는 제1 스위칭 회로(SW11), 제2 스위칭 회로(SW21) 및 제어 로직 회로(130)를 포함할 수 있다.
The semiconductor device 1 may include a first switching circuit SW11, a second switching circuit SW21, and a control logic circuit 130.