본 발명의 일실시예에 따르면, 바이폴라 트랜지스터는 상부면을 갖는 베이스를 포함한다. 이 바이폴라 트랜지스터는 일실시예에서 제 1 및 제 2 링크 스페이서 사이에 위치하는 희생층을 더 포함한다. 바이폴라 트랜지스터는 또한 희생층 상에 위치한 부합층을 포함한다. 이 부합층은, 예를 들어 실리콘 산화물을 포함할 수도 있다. 이 실시예에 따르면, 바이폴라 트랜지스터는 부합층, 희생층 및 베이스 상에 위치한 희생 평탄층을 더 포함한다. 희생 평탄층은 제 1 및 제 2 링크 스페이서 사이의 제 1 영역에 제 1 두께를 가지며, 제 1 및 제 2 링크 스페이서 위부의 제 2 영역에 제 2 두께를 갖는데, 제 2 두께는 일반적으로 제 1 두께보다 더 크다. 다른 실시예로서 전술한 바이폴라 트랜지스터를 획득하기 위한 방법이 있다.
According to one exemplary embodiment, a bipolar transistor comprises a base having a top surface. The bipolar transistor further comprises a sacrificial post which, in one exemplary embodiment, is situated between first and second link spacers. The bipolar transistor also comprises a conformal layer situated over the sacrificial post. The conformal layer may comprise silicon oxide, for example. According to this exemplary embodiment, the bipolar transistor further comprises a sacrificial planarizing layer situated over the conformal layer, the sacrificial post, and the base. The sacrificial planarizing layer has a first thickness in a first region between the first and second link spacers and a second thickness in a second region outside of the first and second link spacers, where the second thickness is generally greater than the first thickness. Another embodiment is a method that achieves the above-described bipolar transistor.