LED 다이는 단일 서브마운트 타일(또는 웨이퍼)에 탑재된다. LED 다이는 발광하는 상부 표면을 갖는다. 그 다음에, LED 다이의 상부 및 측부 위를 포함하는 타일 위에, 형광체가 주입된 UV에 민감한 균일한 두께의 실리콘층이 퇴적된다. LED 다이의 상부 및 측부 위에는 실리콘/형광체만 필요하므로, 타일 바로 위의 실리콘/형광체는 제거될 필요가 있다. 그 다음, 실리콘/형광체 층이 마스크되어, 가교 실리콘(cross-linked silicone)을 만드는 UV 광에 남아있는 영역을 노출한다. 그 다음, 노출되지 않은 실리콘/형광체 층이 용매로 용해되어 타일 표면에서 제거된다. 실리콘/형광체 층은 LED 다이 상의 와이어 본드 전극을 노출하도록 정의될 수 있다. 타일은 궁극적으로 개개의 형광체-변환 LED를 생산하기 위해 싱귤레이트된다.
LED dies are mounted a single submount tile (or wafer). The LED dies have a light emitting top surface. A uniformly thick layer of UV sensitive silicone infused with phosphor is then deposited over the tile, including over the tops and sides of the LED dies. Only the silicone/phosphor over the top and sides of the LED dies is desired, so the silicone/phosphor directly on the tile needs to be removed. The silicone/phosphor layer is then masked to expose the areas that are to remain to UV light, which creates a cross-linked silicone. The unexposed silicone/phosphor layer is then dissolved with a solvent and removed from the tile surface. The silicone/phosphor layer may be defined to expose a wire bond electrode on the LED dies. The tile is ultimately singulated to produce individual phosphor-converted LEDs.