SiOC를 높은 연마 속도로 연마할 수 있는 연마용 조성물의 제공. 콜로이달 실리카와 제4 급 암모늄화합물로서, N의 치환기인 R1~R4 중 1 또는 2의 기는 각각 독립적으로 탄소수 3 이상 20 이하의 알킬기, 탄소수 3 이상 20 이하의 알케닐기 또는 탄소수6~20의 아릴기인 제1 기이며 R1~R4 중 상기 제 1 기 이외의 나머지 3 또는 2의 기는 각각 독립적으로 탄소수 1 또는 2의 알킬기 또는 탄소수 2의 알케닐기인 제2 기인 제4 급 암모늄 양이온과 1가의 음이온으로 표시되는 제4 급 암모늄화합물를 함유하고 pH가 4.0 미만이며 상기 콜로이달 실리카의 제타 전위가 -60 mV 이상-35 mV이하인 연마용 조성물.
To provide an abrasive composition capable of polishing SiOC at a high polishing speed. An abrasive composition comprising: colloidal silica; and a quaternary ammonium compound expressed by a quaternary ammonium cation in which one or two groups of R1 to R4 that are substituents of N is independently a first group that is an alkyl group having 3 or larger and 20 or smaller carbon atoms, an alkenyl group having 3 or larger and 20 or smaller carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, each of remaining three or two groups other than the first group of the R1 to R4 is independently a second group that is an alkyl group having one or two carbon atoms or an alkenyl group having two carbon atoms, and a monovalent anion, in which pH is smaller than 4.0, zeta potential of the colloidal silica is -60 mV or larger and -35 mV or smaller.  None