본 발명은 TFT 기판의 제조 방법 및 TFT 기판을 제공한다. 본 발명의 TFT 기판의 제조 방법 중, 먼저 게이트 절연 층을 에칭해서 두 개의 제 1 비아홀을 형성하고 또한 두 개의 제 1 비아홀 내에 두 개의 브릿지 금속 블록을 형성한 후, 층간 유전체층을 에칭해서 각각 두 개의 제 1 비아홀과 연통하는 두 개의 제 2 비아홀을 형성하며, 소스와 드레인은 각각 두 개의 제 2 비아홀에 의해 두 개의 브릿지 금속 블록에 접촉하고, 전통적인 한번의 에칭 프로세스로 게이트 절연 층과 층간 유전체층의 비아홀을 제조해내는 구조를 두 번의 에칭 프로세스로 개선하는 것에 의해 활성층의 균일성을 향상시키고, 제조 프로세스의 난이도를 저하시키며, 에칭 두께가 비교적 두꺼운 것에 의해 발생하는 에칭 정지의 문제를 회피하여 제품 품질을 향상시킬 수 있다.
A TFT substrate and a manufacturing method thereof are provided. The method for manufacturing a TFT substrate comprises: first etching a gate insulation layer (40) to form two first via holes (41); forming two jumper metal blocks (61) in the two first via holes (41); and etching an interlayer dielectric layer (70) to form two second via holes (71) respectively connected to the two first via holes (41), in which a source (81) and a drain (82) respectively contact the two jumper metal blocks (61) via the two second via holes (71). The conventional one-stage etching process for manufacturing a via hole structure in a gate insulation layer and an interlayer dielectric layer is improved by making it a two-stage etching process, and thereby the uniformity of an active layer can be improved and process difficulty can be reduced, the issue in which etching stops due to a large etching thickness is avoided, and product quality is improved.