기판 표면에 형성된 반도체막에 레이저 빔을 조사함으로써 행하는 레이저 어닐링 방법으로서, 진행 방향과 수직인 단면이 직사각형이고, 전기장이 직사각형의 장변 방향을 향하는 직선편광의 직사각형 레이저 빔, 또는, 장축이 장변 방향을 향하는 타원편광의 직사각형 레이저 빔을 생성하는 단계와, 상기 직사각형 레이저 빔을 기판 표면에 입사시키는 단계와, 상기 직사각형 레이저 빔의 파장을 정재파(定在波) 방향의 원하는 결정립 치수 정도의 길이로 설정하는 단계를 포함한다.
A laser annealing method for executing laser annealing by irradiating a semiconductor film formed on a surface of a substrate with a laser beam, the method including the steps of, generating a linearly polarized rectangular laser beam whose cross section perpendicular to an advancing direction is a rectangle with an electric field directed toward a long-side direction of the rectangle or an elliptically polarized rectangular laser beam having a major axis directed toward a long-side direction, causing the rectangular laser beam to be introduced to the surface of the substrate, and setting a wavelength of the rectangular laser beam to a length which is about a desired size of a crystal grain in a standing wave direction.  