치수 변화량의 변동이 작은 프리프레그의 제조 방법을 제공하고, 또한 치수 변화량의 변동이 작은 프리프레그, 적층판, 프린트 배선판 및 반도체 패키지를 제공한다. 또한, 비아의 위치 어긋남 불량의 발생이 적은 프리프레그, 적층판, 프린트 배선판 및 반도체 패키지를 제공한다. 상기 프리프레그의 제조 방법은, 구체적으로는 열경화성 수지 조성물을 기재에 함침시킨 후, 해당 열경화성 수지 조성물을 B-스테이지화하여 프리프레그 전구체를 얻는 공정, 및 상기 프리프레그 전구체를 얻는 공정 후에 표면 가열 처리 공정을 갖는 프리프레그의 제조 방법이며, 상기 표면 가열 처리 공정은 열원 온도 200 내지 700℃에서 프리프레그 전구체의 표면을 가열 처리하는 공정이다.
The present invention provides: a method for producing a prepreg which has small variation in the amount of dimensional change; a prepreg which has small variation in the amount of dimensional change;a laminate; a printed wiring board; and a semiconductor package. The present invention additionally provides: a prepreg which is suppressed in the occurrence of a positional shift of a via; a laminate; a printed wiring board; and a semiconductor package. The method for producing a prepreg specifically comprises: a step for obtaining a prepreg precursor by impregnating a base material with a thermosetting resin composition and subsequently converting the thermosetting resin composition into a B-stage state; and a surface heat treatment step that is carried out after the step for obtaining a prepreg precursor. In the surface heat treatment step, the surface of the prepreg precursor is subjected to a heat treatment with a heat source temperature of 200-700 degrees centigrade.