반도체 제조장치 등의 배기가스에 포함되는 크세논, 크립톤 등의 고부가가치 가스를 고농도, 고 회수율로 회수함에 있어서, 크세논 등의 이흡착 성분과 질소 등의 난흡착 성분을 동시에 고농도로 농축할 수 있는 새로운 PSA 프로세스를 제공하기 위하여 본 발명은 상기 흡착제가 충전된 하부 통 및 상부 통과, 상기 하부 통으로 도입하는 원료 가스를 저장하는 원료 가스 저장조와, 상기 흡착제에 대해 이흡착성을 나타내는 주요 성분을 저장하는 이흡착 성분 저장조와, 압축기를 구비한 분리 장치를 사용하여 상기 흡착제에 대해 이흡착성을 나타내는 이흡착 성분과, 상기 흡착제에 대해 난흡착성을 나타내는 난흡착 성분을 회수하는 압력 변동 흡착법으로써, (a) 흡착 공정과, (b) 린스 공정과, (c) 하부 통 감압 공정과, (d) 상부 통 감압 공정과, (e) 퍼지 공정을 미리 정한 시퀸스로 차례로 반복 실시하는 것을 특징으로 하는 압력 변동 흡착법을 제공한다.
In order to provide a new PSA method which can concentrate simultaneously a strong adsorbate such as xenon and a weak adsorbate such as nitrogen in a high concentration with a high recovery percentage when highly valuable gas such as xenon and krypton contained in the exhaust gas from a semiconductor manufacturing equipment, etc. is recovered in a high concentration with a high recovery percentage, the present invention provides a new PSA method in which the method uses a separation apparatus comprising a lower column and a upper column which are filled with an adsorbent, a material gas storage tank for storing the material gas to be introduced into the lower column, a strong adsorbate storage tank for storing a main component which is easily adsorbed by the adsorbent, and a compressor, and the strong adsorbate which is easily adsorbed by the adsorbent and the weak adsorbate which is not readily adsorbed by the adsorbent are recovered, wherein the method comprises an (a) adsorption step, (b) rinse step, (c) low column depressurization step, (d) upper column depressurization step, and (e) purge step sequentially repeated based on a predetermined sequence.