본 발명은 (i) 용매의 존재하에 M(L)3으로 나타낸 유기금속 화합물을 포함하는 반응 혼합물을 생성하기에 충분한 반응 조건하에서, 치환 또는 비치환 금속 공급원 화합물, 예컨대 루테늄(II) 화합물을 치환 또는 비치환 아미디네이트 또는 아미디네이트-유사 화합물과 반응시키는 단계, 및 (ii) 상기 유기금속 화합물, 예컨대 루테늄(III) 화합물을 상기 반응 혼합물로부터 분리하는 단계를 포함하는, M(L)3으로 나타낸 유기금속 화합물의 제조 방법에 관한 것이며, 여기서 M은 VIII족 금속, 예컨대 루테늄이고, L은 동일하거나 또는 상이하며, 치환 또는 비치환 아미디네이토 기 또는 치환 또는 비치환 아미디네이토-유사 기를 나타낸다. 상기 유기금속 화합물은 반도체 적용예에서 필름 증착을 위한 화학적 증기 또는 원자층 증착 전구체로서 유용하다.
This invention relates to processes for the production of organometallic compounds represented by the formula M(L)3 wherein M is a Group VIII metal, e.g., ruthenium, and L is the same or different and represents a substituted or unsubstituted amidinato group or a substituted or unsubstituted amidinato-like group, which process comprises (i) reacting a substituted or unsubstituted metal source compound, e.g., ruthenium (II) compound, with a substituted or unsubstituted amidinate or amidinate-like compound in the presence of a solvent and under reaction conditions sufficient to produce a reaction mixture comprising said organometallic compound, e.g., ruthenium (III) compound, and (ii) separating said organometallic compound from said reaction mixture. The organometallic compounds are useful in semiconductor applications as chemical vapor or atomic layer deposition precursors for film depositions.