본 발명은 식각액 조성물에 관한 것이고, 구리 기반 층을 포함하는 코팅 필름의 시각에 사용된다. 본 식각액 조성물은 (A) 철 이온(ferric ions) 및 구리 이온(cupric ion) 중으로부터 선택된 적어도 하나의 타입 산화제0.1 내지 30 질량%; (B) 염화 수소(hydrogen chloride) 0.1 내지 20 질량%; 및(C) 1,3-디히드록시벤젠(1,3-dihydroxybenzene) 0.01 내지 25 질량%;을 포함하는 수용액(aqueous solution)으로 구성된다. 본 발명의 식각 방법에서, 기판 상에 형성되고, 구리 기반 층을 포함하는 코팅 필름은 식각액 조성물을 사용하여 식각된다. 본 발명에 따른 식각액 조성물 및 식각 방법은 바람직한 치수 정확성을 갖는 배선 패턴을 형성하고, 또한 높은 안정성 및 석출물 생성의 억제를 제공한다.
An etching fluid composition according to the present invention is used for etching a film that includes a copper-based layer. The etching fluid composition comprises a water-soluble fluid including (A) 0.1-30 mass% of at least one oxidizing agent selected from the group consisting of ferric ions and cupric ions, (B) 0.1-20 mass% of hydrogen chloride, and (C) 0.01-25 mass% of 1,3-dihydroxybenzene.In an etching method according to the present invention, a film that is formed on a substrate and includes a copper-based layer is etched using the etching fluid composition. This etching fluid composition and this etching method allow the formation of a wiring pattern that has desired dimensional accuracy, while also providing high stability and impeding the production of precipitate.