본 발명은 예를 들면 결정질 실리콘 태양 전지의 제조를 위한 기본 물질로서 고순도의 실리콘을 제조하는 방법에 관한 것으로서, SiHCl3을 가스상 SiHCl3와 액체 Zn을 접촉시킴으로써 Si 금속으로 전환시켜, 분리되는 Si-함유 합금, H2 및 ZnCl2를 수득한 후 Si-함유 합금을 Zn의 끓는점 이상의 온도에서 정제하며, 상기 방법은 복잡한 기술이 요구되지 않으며, 최종 생성물에 관하여 고순도의 SiHCl3가 유지되며, 유일한 기타 반응물은 고순도 등급으로 수득할 수 있으며, Zn-염화물의 전기분해 후에 재순환될 수 있는 Zn인 것을 특징으로 한다.
The invention relates to the manufacture of high purity silicon as a base material for the production of e.g. crystalline silicon solar cells. SiHC13 is converted to Si metal by contacting gaseous SiHC13 with liquid Zn, thereby obtaining a Si-bearing alloy, H2 and ZnC12, which are separated. The Si-bearing alloy is then purified at a temperature above the boiling point of Zn. This process does not require complicated technologies and preserves the high purity of the SiHC13 towards the end product. The only other reactant is Zn, which can be obtained in very high purity grades, and which can be recycled after electrolysis of the Zn-chloride.