고집적화가 가능한 룩업 테이블 회로 및 비휘발성 기억 장치를 제공한다. 본 실시 형태에 의한 룩업 테이블 회로는 m(m≧1) 책의 제1 배선과 상기 제 1 배선에 교차하는 2개의 제2 배선과 상기 제 1 배선과 상기 제 2 배선과의 교차 영역에 마련된 복수의 저항 변화 소자로서, 각 저항 변화 소자는 대응하는 상기 제 1 배선에 접속된 제1 전극과 대응하는 상기 제 2 배선에 접속된 제2 전극과 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 마련된 저항 변화층를 가지며, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이의 저항 상태를 저저항 상태 및 고저항 상태 중 어느 한쪽 상태에서 다른 한쪽 상태로 프로그램 가능한 복수의 저항 변화 소자와 상기 제 1 배선에 인가하는 전압을 제어하는 제1 제어부와 상기 제 2 배선에 인가하는 전압을 제어하는 제2 제어부와 상기 m책의 제1 배선 중에서 한 개의 배선을 선택하고 선택한 제1 배선의 전위를 출력하는 멀티플렉서를 구비하고 있다.
To provide a lookup table circuit and a nonvolatile storage device capable of high integration. A lookup table circuit includes m(m≥1) first wirings, two second wirings crossing the first wirings, a plurality of resistance change elements provided in an intersection region of the first wirings and second wirings, where each resistance change element has a first electrode connected with the corresponding first wirings, a second electrode connected with the corresponding second wirings, and a resistance change provided between the first and second electrodes, and capable of programming the resistance state between the first and second electrodes from any one of low resistance state or high resistance state to the other state, a first control unit for controlling to apply a voltage to the first wiring, a second control unit for controlling to apply a voltage to the second wiring, and a multiplexer for selecting one of the m first wirings, and outputting the potential the first wiring thus selected.