피처리체의 표면에 스퍼터법을 이용하여 피막을 형성하는 성막 장치로서, 서로 대향하도록 배치된 상기 피처리체와 상기 피막의 모재인 타겟을 수납하는 챔버; 상기 챔버 내를 감압하는 배기 수단; 상기 타겟의 스퍼터면 전방에 자장을 발생시키는 자장 발생 수단; 상기 타겟에 음의 직류 전압을 인가하는 직류 전원; 상기 챔버 내에 스퍼터 가스를 도입하는 가스 도입 수단; 상기 타겟과 상기 피처리체의 사이에 발생한 플라즈마가 안정 상태가 될 때까지 상기 피처리체에의 스퍼터 입자의 입사를 막는 수단;을 구비한다.
There is provided a film forming apparatus for forming a coating film on a surface of an object to be processed by using a sputtering method, the film forming apparatus including: a chamber for accommodating the object and a target serving as a base material for the coating film that are placed so as to face each other; an exhaust unit for reducing the pressure inside the chamber; a magnetic field generating unit for generating a magnetic field in front of the sputtering surface of the target; a direct current power supply for applying a negative direct current voltage to the target; a gas introducing unit for introducing a sputtering gas into the chamber; and a unit for preventing the entering of sputtered particles onto the object until the plasma generated between the target and the object reaches a stable state.