기억 소자에서 정상적으로 값을 읽어낼 수 있도록 하여 대용량화를 실현할 수 있는 반도체 저장 장치를 제공한다. 메모리 소자와 상기 메모리 소자에 지지된 값을 판별하기 위한 레퍼런스 전위를 생성하기 위한 제1 저항 상태를 가지는 참조 소자와 상기 레퍼런스 전위를 생성하기 위한 상기 제 1 저항 상태 저항값보다 높은 제2 저항 상태를 가지는 참조 소자를 구비하고, 상기 레퍼런스 전위를 생성할 때는 상기 제 1 저항 상태를 가지는 참조 소자의 수 쪽을 많게 하도록 구성을 가지는 반도체 저장 장치가 제공된다.
To provide a semiconductor memory device capable of normally reading a value from a memory element and achieving a large capacity. A semiconductor memory device is provided with: a memory element; reference elements having a first resistance state for generating a reference potential to determine a value held in the memory element; and a reference element having a second resistance state that is higher than the resistance value of the first resistance state for generating the reference potential. The semiconductor memory device has a configuration in which, when the reference potential is generated, the number of reference elements having the first resistance state is larger.