BCl3 가스를 이용한 폴리실리콘막의 형성을 복수회, 연속해 실시할 때의 막 두께의 변동을 방지한다. H를 포함한 Si원 및 B 및 Cl를 포함한 B원을 가지는 원료가스를 반응실 내에 공급하여 반도체 기판상에 B를 함유한 폴리실리콘막을 형성하는 공정과 원료가스를 배출한 후에 O2 가스를 상기 반응실 내에 공급하는 공정를 구비해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법을 채택한다.
To prevent fluctuation of film thickness when formation of polysilicon films, using a BCl3 gas is continuously carried out a plurality number of times. A manufacturing method of a semiconductor device includes a process for supplying a material gas, having a Si source containing H and a B source containing B and Cl into a reaction chamber to form the polysilicon film containing B on a semiconductor substrate, and a process for exhausting the material gas and then supplying O2 gas into the reaction chamber.