소프트 베이크를 120℃에서 90초 동안 진행한 후, 상기 홀부 위의 상기 포토레지스트 막의 두께 감소를 비교하였다.
After soft baking was performed at 120°C for 90 seconds, the reduction in thickness of the photoresist film on the hole portion was compared.