본 발명에 따르면, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에서 피처리체 표면의 실리콘에 대하여, 복수의 슬롯을 갖는 평면 안테나에 의해 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하여 형성되는 질소 함유 가스의 마이크로파 여기 고밀도 플라즈마를 작용시켜서, 500℃ 이상의 처리 온도에서 질화 처리를 실시한다. 
A nitriding process is performed at a process temperature of 500°C or more by causing microwave-excited high-density plasma of a nitrogen-containing gas to act on silicon in the surface of a target object, inside a process container of a plasma processing apparatus. The plasma is generated by supplying microwaves into the process container from a planar antenna having a plurality of slots.