본 발명은, 기판상에 산화물층을 형성하는 단계; 상기 산화물층 위에 실리콘 질화물층을 형성하는 단계; 상기 층들을 NO 분위기에서 어닐링하는 단계; 및 상기 층들을 암모니아 분위기에서 어닐링하는 단계를 포함하는 반도체 구조의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, 산화물층 및 실리콘 질화물층의 EOT의 합은 최대 25 옹스트롬인 반도체 소자를 제조할 수 있게 된다.
A method of making a semiconductor structure comprises forming an oxide layer on a substrate; forming a silicon nitride layer on the oxide layer; annealing the layers in NO; and annealing the layers in ammonia. The equivalent oxide thickness of the oxide layer and the silicon nitride layer together is at most 25 Angstroms.