 연속적인 셀프-리프레시 타이머를 이용하는 메모리 디바이스 용 시스템 및 장치가 제공된다. 예시적인 장치는 주기적으로 신호를 생성하도록 구성된 셀프-리프레시 타이머를 포함한다. 신호의 주기는 셀프-리프레시 리프레시 시간 간격에 기초할 수 있다. 이 간격은 온도 정보에 의존적일 수 있다. 장치는 적어도 제1 서브 어레이를 포함하고 제1 리프레시 상태 카운터를 포함할 수 있는 제1 서브 어레이 리프레시 회로와 통신하는 메모리 뱅크를 더 포함할 수 있다. 제1 리프레시 상태 카운터는 셀프-리프레시 타이머와 통신할 수 있고, 셀프-리프레시 타이머로부터 신호를 수신하고, 신호가 수신될 때마다 제1 리프레시 상태 카운터의 카운트 값을 제1 방향으로 변경하고, 제1 서브 어레이가 리프레시될 때마다 제1 리프레시 상태 카운터의 카운트 값을 제2 방향으로 변경하도록 구성될 수 있다.
Systems and apparatuses for memory devices utilizing a continuous self-refresh timer are provided. An example apparatus includes a self-refresh timer configured to generate a signal periodically. A period of the signal may be based on a self-refresh refresh time interval. That interval may be dependent on temperature information. The apparatus may further include a memory bank comprising at least a first subarray and in communication with a first subarray refresh circuit, which may include a first refresh status counter. The first refresh status counter may be in communication with the self-refresh timer and configured to receive the signal from the self-refresh timer, change a count value of the first refresh status counter in a first direction each time the signal is received, and change the count value of the first refresh status counter in a second direction each time the first subarray is refreshed.