본 출원은 처리 시스템에 사용되는 원격 플라즈마 공급원을 위한 플라즈마 공급원을 라디칼 모니터링하기 위한 장치를 개시하고, 적어도 하나의 가스 공급원, 적어도 하나의 통로 표면을 갖는 적어도 하나의 통로를 갖는 플라즈마 공급원 본체를 포함하고, 제1 열 센서 수용부는 통로의 통로 표면 근처에서 플라즈마 공급원 본체 내부에 형성될 수 있고, 제1 열 센서는 제1 열 센서 수용부 내부에 위치되고 통로 표면의 제1 온도를 측정하도록 구성되어 있고, 제2 열 센서 수용부는 통로의 통로 표면 근처에서 플라즈마 공급원 본체 내부에 형성되고 또한 제2 위치에서 통로의 통로 표면의 제2 온도를 측정하도록 구성되어 있다.
The present application discloses a device for radical monitoring a plasma source for a remote plasma source used in a processing system and includes at least one gas source, a plasma source body having at least one passage having at least one passage surface, a first thermal sensor receiver may be formed within the plasma source body proximate to the passage surface of the passage, a first thermal sensor positioned within the first thermal sensor receiver configured to measure a first temperature of the passage surface, a second thermal sensor receiver formed within the plasma source body proximate to the passage surface of the passage and configured to measure a second temperature of the passage surface of the passage at a second location.