ClF3,XeF2,BrF3 및 BrF5의 가스를 이용하면서, 양산화에 대응 가능한 반도체 기판 표면을 식각하는 장치를 제공하는 것이다. 대기압 이하로 감압 가능한 반응실과;상기 반응실 내를 이동 가능하며 반도체 기판을 재치하기 위한 이동 스테이지와;상기 이동 스테이지에 재치되는 반도체 기판 표면을 향해서 ClF3,XeF2,BrF3 및 BrF5로 구성되는 군에서 선택되는 1이상의 가스를 포함한 식각 가스를 분사하는 노즐과;상기 이동 스테이지에 재치되는 반도체 기판을 향해서 질소 가스 또는 불활성 가스를 포함한 냉각 가스를 분사하는 노즐을 포함한다.
To provide a device for etching a surface of a semiconductor substrate adaptable to mass production though using gases of ClF3, XeF2, BrF3 and BrF5. A semiconductor device surface etching device comprises: a reaction chamber capable of being decompressed to less than an atmospheric pressure; a transfer stage movable in the reaction chamber for loading a semiconductor substrate; a nozzle injecting an etching gas containing one and more gases selected from a group consisting of ClF3, XeF2, BrF3 and BrF5 toward a surface of the semiconductor substrate loaded on the transfer stage; and a nozzle injecting a cooling gas containing a nitrogen gas or an inert gas toward the semiconductor substrate loaded on the transfer stage.