본 발명은 보다 높은 게터링 능력을 발휘함으로써, 금속 오염을 억제할 수 있는 에피택셜 실리콘 웨이퍼, 및 그 제조방법을 제공한다. 실리콘 웨이퍼(10)와, 실리콘 웨이퍼(10) 상의 제1 실리콘 에피택셜층(12)과, 제1 실리콘 에피택셜층(12)의 표층부에 탄소가 주입되어 이루어지는 제1 개질층(14)과, 제1 개질층(14) 상의 제2 실리콘 에피택셜층(16)을 가지는 에피택셜 실리콘 웨이퍼(100)의 제조방법에 있어서, 제2 실리콘 에피택셜층(16) 형성 후의, 제1 개질층(14)에 있어서의 산소 농도 프로파일의 피크 농도를 2×1017 atoms/㎤ 이하로 하고, 또한, 제2 실리콘 에피택셜층(16)의 산소 농도를 SIMS 검출 하한치 이하로 하는 것을 특징으로 한다.
Provided are: an epitaxial silicon wafer wherein metal contamination can be suppressed by achieving higher gettering performance; and a method for manufacturing the epitaxial silicon wafer. Disclosedis a method for manufacturing an epitaxial silicon wafer 100 having: a silicon wafer 10; a first silicon epitaxial layer 12 on the silicon wafer 10; a first modified layer 14 formed by injecting carbon into a surface layer portion of the first silicon epitaxial layer 12; and a second silicon epitaxial layer 16 on the first modified layer 14. The method is characterized in that: the peak concentration of an oxygen concentration profile of the first modified layer 14 after forming the second silicon epitaxial layer 16 is 2*1017 atoms/cm3 or less; and the oxygen concentration of the second silicon epitaxial layer 16 is equal to or lower than a SIMS detection lower limit value.