복수의 비트 라인들 각각은 컬럼들 중 하나의 컬럼에 있는 메모리 셀들 중 적어도 일부 메모리 셀의 드레인 영역들에 전기적으로 접속된다.
Each of the plurality of bit lines is electrically connected to drain regions of at least some of the memory cells in one of the columns.