 본 발명의 한가지 목적은, 유리 기판이나 플라스틱 등 가요성을 갖는 기판을 사용한 경우에도, 실용적인 응용분야에서 사용될 수 있는 SOI층을 갖는 SOI 기판을 수율이 높게 제조하는 방법을 제공함에 있다. 또한, 본 발명의 또 다른 목적은, 그와 같은 SOI 기판을 사용한 초박형의 반도체장치를 수율이 높게 제조함에 있다. 절연 표면을 갖는 가요성 기판에 단결정 반도체 기판을 접합하고, 단결정 반도체 기판을 박리하여 SOI 기판을 제조할 때, 접합면의 한쪽 또는 양쪽을 활성화한 후, 절연 표면을 갖는 가요성 기판과, 단결정 반도체 기판을 접합한다.
It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an SOI substrate having an SOI layer that can be used in practical applications with high yield even when a flexible substrate such as a glass substrate or a plastic substrate is used. Further, it is another object of the present invention to provide a method for manufacturing a thin semiconductor device using such an SOI substrate with high yield. When a single-crystal semiconductor substrate is bonded to a flexible substrate having an insulating surface and the single-crystal semiconductor substrate is separated to manufacture an SOI substrate, one or both of bonding surfaces are activated, and then the flexible substrate having an insulating surface and the single-crystal semiconductor substrate are attached to each other.