지지체 상에, 레지스트 조성물을 사용하여 막두께 7 ㎛ 이상의 레지스트막을 형성하는 공정, 레지스트막을 노광하는 공정 및 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 갖고, 상기 레지스트 조성물은, 일반식 (a10-1) 로 나타내는 구성 단위와, 산 비해리성의 지방족 고리형기를 포함하는 구성 단위와, 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위를 갖는 수지 성분을 함유하는, 레지스트 패턴 형성 방법 [이미지] (식 (a10-1) 중, R 은 수소 원자, 알킬기 또는 할로겐화알킬기이다. Yax1 은 단결합 또는 2 가의 연결기이다. Wax1 은 (nax1 ＋ 1) 가의 방향족 탄화수소기이다. nax1 은 1 ∼ 3 의 정수이다).
A resist pattern forming method which comprises: a step wherein a resist film having a film thickness of 7 um or more is formed on a supporting body with use of a resist composition; a step wherein the resist film is exposed to light; and a step wherein the resist film after light exposure is developed, thereby forming a resist pattern. With respect to this resist pattern forming method, the resist composition contains a resin component that has a constituent unit represented by general formula (a10-1), a constituent unit containing an acid-uncleavable alicyclic group and a constituent unit containing an acid-decomposable group, the polarity of which is increased by the action of an acid. (In formula (a10-1), R represents a hydrogen atom, an alkyl group or a halogenated alkyl group; Yax1 represents a single bond or a divalent linking group; Wax1 represents an (nax1 + 1)-valent aromatic hydrocarbon group; and nax1 represents an integer of 1-3.