다만, 이에 제한되지 않고, 박막 트랜지스터(150)는 바텀 게이트 구조의 박막 트랜지스터로 구현될 수도 있다.
However, the present invention is not limited thereto, and the thin film transistor 150 may be implemented as a thin film transistor having a bottom gate structure.