In2O3 결정상, Zn4In2O7 결정상 및 ZnWO4 결정상을 포함하고, ZnWO4 결정상으로 구성되는 결정립의 진원도가 0.01 이상 0.7 미만인 산화물 소결체 및 그 제조 방법, 그리고 상기 산화물 소결체를 스퍼터 타겟으로서 이용한 산화물 반도체막을 포함하는 반도체 디바이스의 제조 방법이 제공된다. 
Provided are: an oxide sintered body comprising an In2O3 crystal phase, a Zn4In2O7 crystal phase, and a ZnWO4 crystal phase, wherein the circularity of crystal grains formed from the ZnWO4 crystal phase is greater than or equal to 0.01 and less than 0.7; a method for producing the oxide sintered body; and a method for producing a semiconductor device comprising an oxide semiconductor film using the oxide sintered body as a sputter target.