이 성막 장치(1)는, 피막(L)이 형성되는 피처리체(W)와 스퍼터링면(3a)을 가진 타겟(3)이 대향하도록 상기 피처리체(W) 및 상기 타겟(3) 모두가 배치되는 내부 공간과, 측벽을 가진 챔버(2)와, 상기 챔버(2)안을 감압하는 배기부(12)와, 상기 스퍼터링면(3a)이 노출되어 있는 상기 내부 공간에 자기장을 발생시키는 제1 자기장 발생부(4)와, 상기 타겟(3)에 음의 직류 전압을 인가하는 직류 전원(9)과, 상기 챔버(2)안에 스퍼터링 가스를 도입하는 가스 도입부(11)와, 상기 타겟(3)에 가까운 위치에 배치되어 상기 타겟(3)에 인접한 위치에서 수직인 자력선이 지나가도록 자기장을 발생시키는 제2 자기장 발생부(13)와, 상기 피처리체(W)에 가까운 위치에 배치되어 상기 자력선을 상기 챔버(2)의 상기 측벽에 유도하도록 자기장을 발생시키는 제3 자기장 발생부(18)를 포함한다.
A film formation apparatus includes: a chamber having a side wall and an inner space in which both a body to be processed and a target are disposed a first magnetic field generation section generating a magnetic field in the inner space a second magnetic field generation section disposed at a position close to the target, the second magnetic field generation section generating a magnetic field so as to allow perpendicular magnetic lines of force thereof to pass through a position adjacent to the target; and a third magnetic field generation section disposed at a position close to the body to be processed, the third magnetic field generation section generating a magnetic field so as to induce the magnetic lines of force to the side wall of the chamber.