상기 산화물 반도체막(605)에 대한 상기 열 처리를 수행함으로써, 상기 산화물 반도체막(605)의 수분 또는 수소가 제거될 수 있다.
By performing the heat treatment on the oxide semiconductor film 605, moisture or hydrogen in the oxide semiconductor film 605 may be removed.