본 발명의 실시예들은 기판 상에 배치된 유전체 층 상에 캡핑 층을 증착하기 위한 방법들을 제공한다. 일 예에서, 프로세스는 상부에 유전체 층을 형성하기 위해 증착 프로세스에 기판을 노출시키는 단계, 증착 프로세스 동안 상기 유전체 층 상에 실리콘 함유 층을 형성하기 위해 실리콘 프리커서 및 산화 가스의 순차적인 펄스들에 상기 기판을 노출시키는 단계, 그 상부에 캡핑 층을 형성하기 위해 질화 프로세스에 상기 기판을 노출시키는 단계, 및 미리 결정된 시간 동안 어닐링 프로세스에 상기 기판을 노출시키는 단계를 포함한다. 상기 캡핑 층은 약 5Å 이하의 두께를 가질 수 있다. 일 예에서, 상기 산화 가스는 촉매를 포함하는 수증기 생성기에 의해 처리되는 수소 소스 가스와 산소 소스 가스로부터 유도되는 수증기를 포함한다. 다른 예에서, 증착 프로세스, 질화 프로세스 및 어닐링 프로세스는 동일한 처리 챔버에서 수행된다.
Embodiments of the invention provide methods for depositing a capping layer on a dielectric layer disposed on a substrate. In one example, a process includes exposing a substrate to a deposition process to form a dielectric layer thereon, exposing the substrate to sequential pulses of a silicon precursor and an oxidizing gas to form a silicon-containing layer on the dielectric layer during a deposition process, exposing the substrate to a nitridation process to form a capping layer thereon and exposing the substrate to an annealing process for a predetermined time. The capping layer may a thickness of about 5 Å or less. In one example, the oxidizing gas contains water vapor derived from a hydrogen source gas and an oxygen source gas processed by a water vapor generator containing a catalyst. In another example, the deposition, nitridation and annealing processes occur in the same process chamber.