본 목적은 활성층으로서 반도체층을 위한 자기 모멘트를 가지는 직접 천이형 반도체를 채용하여, 반도체가 감소된 결정 뒤틀림과 발광 소자의 활성층으로서 안정한 특성을 가지는 파장 가변 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.반도체 실리사이드 또는 천이 금속으로 도핑된 반도체 실리사이드는 반도체 발광 소자의 활성층(구로 변환된 β-FeSi2)(2")을 형성하는 데 사용되며, 활성층은 pn 접합을 형성하는 p형 및 n형 반도체층 사이에 끼워지며, 상기 p형 및 n형 반도체층은 반도체 실리사이드의 금지 대역폭 보다 큰 금지 대역폭을 가진다.
An object is to provide a variable-wavelength light-emitting element which employs a direct gap semiconductor having a magnetic moment for a semiconductor layer serving as an active layer, so that the semiconductor has reduced crystal distortion and stable characteristics as the active layer of the light-emitting element, as well as a method of fabricating the variable-wavelength light-emitting element. A semiconductor silicide or a semiconductor silicide doped with transition metal is used to form an active layer (β-FeSi2 transformed into spheres) (2'') of a semiconductor light-emitting element, and the active layer is sandwiched between p-type and n-type semiconductor layers forming a pn junction, the p-type and n-type semiconductor layers having a forbidden bandwidth greater than that of the semiconductor silicide.