고체 지지체 및 상기 지지체 위의 복수 개의 층을 포함하는 기판(substrate)을 제조하는 방법으로서, 상기 복수 개의 층은 - 상기 지지체 또는 기초층(underlying layer) 위의, 하나 이상의 금속 산화물(들) 입자의 균일하고, 균질하며 및 연속적인 막(film), 또는 하나 이상의 금속 산화물(들)의 균일하고 균질하게 분산된 입자들로 구성되는 하나 이상의 층; - 상기 지지체 또는 기초층 위의, 하나 이상의 금속(들) 또는 하나 이상의 금속 합금(들)의 연속적 또는 비 연속적인 막, 또는 하나 이상의 금속(들) 또는 하나 이상의 금속 합금(들)의 분산된 나노입자로 구성되는 하나 이상의 층을 포함하고, 상기 방법은 a) 가열된 고체 지지체 또는 이미 증착된 기초층을 초임계 유체 중 금속 산화물 또는 산화물들의 전구체 용액으로 함침(impregnation)하고, 상기 지지체 또는 기초층 위에 하나 이상의 금속 산화물(들) 입자의 균일하고, 균질하며, 연속적인 막 또는 하나 이상의 금속 산화물(들)의 균일하고 균질하게 분산된 입자를 증착하는 단계; b) 상기 지지체 또는 기초층 위에, 하나 이상의 금속(들) 또는 하나 이상의 금속 합금(들)의 연속적 또는 비 연속적인 막, 또는 하나 이상의 금속(들) 또는 하나 이상의 금속 합금(들)의 분산된 나노입자를, 하나 이상의 전구체로부터 화학적 기상 증착법 CVD에 의해 증착하는 단계를 포함하고; 상기 단계 a)와 단계 b)는 동일한 챔버, 동일한 리액터(reactor)에서 수행되는 것인 방법.
Method for preparing a substrate comprising a solid support and a plurality of layers on the support; at least one layer consisting of a uniform, homogeneous, and continuous film of particles of one or more metal oxide(s), or of uniformly, homogeneously, dispersed particles of one or more metal oxide(s), on the support or on an underlying layer; at least one layer consisting of a continuous or discontinuous film of one or more metal(s) or of one or more metal alloy(s), or of dispersed nanoparticles of one or more metal(s) or of one or more metal alloy(s), on the support or on an underlying layer; the method comprising the following steps: a)—impregnating the heated solid support or an already deposited underlying layer with a solution of precursors of the metal oxide or oxides in a supercritical fluid, and depositing a uniform, homogeneous, and continuous film of particles of one or more metal oxide(s), or of uniformly, homogeneously, dispersed particles of one or more metal oxide(s), on the support or on the underlying layer; b)—depositing a continuous or discontinuous film of one or more metal(s) or of one or more metal alloy(s), or dispersed nanoparticles of one or more metal(s) or of one or more metal alloy(s), on the support or on an underlying layer, by chemical vapour deposition CVD, from one or more precursors; the steps a) and b) being carried out in the same chamber, same reactor.