처리실, 상기 처리실에 대한 전구체 가스 주입구, 펌핑되는 배출구 및 상기 처리실 내에 배치된 플라스마 공급원을 포함하는 이동 중인 기판 상에 재료를 증착시키는 PECVD 장치가 제공된다. 상기 플라스마 공급원은 하나 이상의 음 글로 영역과 하나 이상의 양광주를 생성한다. 적어도 하나의 양광주는 상기 기판을 향하여 배치된다. 상기 플라스마 공급원과 전구체 가스 주입구는 전구체 가스가 기판에 인접하여 양광주 내로 주입되도록 해당 기판 및 서로에 대해서 배치되어 있다. 상기 음 글루 영역으로부터 떨어진 상기 양광주 내로 전구체 가스를 인도하기 위한 장치가 제공된다.
PECVD apparatus for depositing material onto a moving substrate is provided comprising a process chamber, a precursor gas inlet to the process chamber, a pumped outlet, and a plasma source disposed within the process chamber. The plasma source produces one or more negative glow regions and one or more positive columns. At least one positive column is disposed toward the substrate. The plasma source and precursor gas inlet are disposed relative to each other and the substrate such that the precursor gas is injected into the positive column adjacent the substrate. Apparatus is provided to channel the precursor gas into the positive column away from the negative glow region.