본 발명은 SiCl4 또는 GeCl4를 함유하는 기체 중에서, a) 주파수 f의 교류 전압에 의해 비열 플라즈마를 발생시키고, 여기서 반복률 g의 적어도 하나의 전자기 펄스가 플라즈마 내로 커플링되고, 펄스의 전압 성분이 10V ns-1 내지 1kV ns-1의 상승 에지에서의에지 기울기 및 500ns 내지 100μs의 펄스폭 b를 가지며, 여기서 액체 상이 수득되고, b) 액체 상으로부터 순수한 헥사클로로디실란 또는 Ge2Cl6이 수득되는 것을 특징으로 하는 헥사클로로디실란 또는 Ge2Cl6의 제조 방법에 관한 것이다.
The invention relates to a method for producing hexachlorodisilane or Ge2CI6, which is characterized in that, in a gas containing SiCI4 or GeCI4, a) a non-thermal plasma is generated by means of an alternating voltage of the frequency f, and wherein at least one electromagnetic pulse having the repetition rate g is coupled into the plasma, the voltage component of which pulse has an edge steepness in the rising edge of 10 V ns-1 to 1 kV ns-1 and a pulse width b of 500 ns to 100 μs, wherein a liquid phase is obtained, and b) pure hexachlorodisilane or Ge2Cl6 is obtained from the liquid phase.