본 발명은 직경이 150mm이상이고 두께가 0.5 내지 2mm이며 다공도 또는 자유 규소 함량이 15 내지 43v/o인, 재결정화된 탄화규소 웨이퍼로 필수적으로 구성되는 규소 침투시키거나 규소 침투시키지 않은 웨이퍼에 관한 것이다.
The present invention relates to an unsiliconized or siliconized wafer consisting essentially of recrystallized silicon carbide, the wafer having a diameter of at least 150 mm and a thickness of between 0.5 and 2 mm, and having a porosity or free silicon content between 15 v/o and 43 v/o.