모놀리식 3차원 NAND 스트링은 반도체 채널 - 반도체 채널의 적어도 하나의 단부 부분은 기판의 주 표면에 실질적으로 수직으로 연장됨 -, 기판의 주 표면에 실질적으로 평행하게 연장되는 복수의 제어 게이트 전극들, 인접한 제어 게이트 전극들 사이에 위치된 층간 절연 층, 복수의 제어 게이트 전극들 및 층간 절연 층과 접촉하게 위치된 차단 유전체 층, 차단 유전체 층과 적어도 부분적으로 접촉하게 위치된 전하 저장 층, 및 전하 저장 층과 반도체 채널 사이에 위치된 터널 유전체를 포함한다. 전하 저장 층은 곡면 프로파일을 가진다.
A monolithic three dimensional NAND string includes a semiconductor channel, where at least one end portion of the semiconductor channel extending substantially perpendicular to a major surface of a substrate, a plurality of control gate electrodes extending substantially parallel to the major surface of the substrate, an interlevel insulating layer located between adjacent control gate electrodes, a blocking dielectric layer located in contact with the plurality of control gate electrodes and an interlevel insulating layer, a charge storage layer located at least partially in contact with the blocking dielectric layer, and a tunnel dielectric located between the charge storage layer and the semiconductor channel. The charge storage layer has a curved profile.