반도체 웨이퍼(W)를 내부에 회로 패턴이 형성된 별도의 칩으로 다이싱할 때, 반도체 웨이퍼(W)는 마스킹 부재(15)로 마스킹되어 회로 패턴이 형성되고 횡방향 스트리트 S. 레이저 빔을 조사하여 반도체 웨이퍼(W)의 하부 횡방향 스트리트(S)와 정확히 정렬된 마스킹 부재(15)의 횡방향 부분을 선택적으로 제거한다. 그런 다음, 횡방향 스트리트가 마스킹되지 않은 반도체 웨이퍼(W)를 화학적으로 에칭한다. 횡방향 거리가 침식되어 반도체 웨이퍼(W)를 칩(C)으로 분할할 수 있다. 포토마스크 및 노광 장치가 필요하지 않아 재정적 이점을 제공하고 다이싱에 필요한 처리를 단순화한다. 또한 유리하게는 제공된 반도체 칩은 반도체 웨이퍼가 커터에 의해 다이싱되는 경우 야기될 에지 상에 크랙이 없거나 박리되는 층간 절연막이 없다.
In dicing a semiconductor wafer W into separate chips, each having a circuit pattern formed therein, the semiconductor wafer W is masked with a masking member 15 to cover at least the front face of the semiconductor wafer on which the circuit patterns are formed and delimited by crosswise streets S. A laser beam is irradiated to selectively remove the crosswise portion of the masking member 15 which is exactly aligned with the underlying crosswise streets S of the semiconductor wafer W. Then, the semiconductor wafer W whose crosswise streets are unmasked is chemically etched so that the crosswise streets may erode to divide the semiconductor wafer W into chips C. Photomasks and an exposure apparatus are not required, thus providing the financial advantage and simplifying the treatment required for dicing. Also advantageously semiconductor chips provided are free of cracks on their edges, or free of interlayer insulating films being peeled-off, which would be caused if semiconductor wafers were diced by cutters. 