반도체 공정장치에 이용할 알루미늄 함유 표면을 전기화학적으로 조면화하는 균일하고 제어가능한 방법을 개시하고 있다. 통상적으로, 알루미늄 함유 표면은 알루미늄 또는 알루미늄 합금이다. 이 방법은 알루미늄 함유 표면을 약 45 ℃ 내지 약 80 ℃인 범위의 온도에서 약 1 체적% 내지 약 5 체적%인 범위의 농도를 갖는 HCl 용액에 침지한 다음, 약 80 amps/ft2 내지 약 250 amps/ft2 인 범위의 전하밀도를 갖는 전하를 약 4 분 내지 약 25 분 동안에 인가하는 단계를 포함한다. 킬레이트제를 첨가하여, 조면화 공정을 강화시킬 수도 있다. 일반적으로, 전기화학적인 조면화 방법은 6061과 LP를 포함한 알루미늄 합금에 이용할 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 이 전기화학적 조면화는 입자들을 잡아가두지 않고 평활하고 완만하게 롤링하는 표면을 제공하며, 반도체 공정 부산물 부착에 증가된 표면적을 제공한다. 조면화된 표면은 후속하는 양극처리에 대한 우수한 표면을 제공한다.
A uniform, controllable method for electrochemically roughening an aluminum-comprising surface to be used in a semiconductor processing apparatus is disclosed. Typically the aluminum-comprising surface is aluminum or an aluminum alloy. The method involves immersing an aluminum-comprising surface in an HCl solution having a concentration ranging from about 1 volume % to about 5 volume %, at a temperature within the range of about 45 °C to about 80 °C, then applying an electrical charge having a charge density ranging from about 80 amps/ft.2 to about 250 amps/ft.2 for a time period ranging from about 4 minutes to about 25 minutes. A chelating agent may be added to enhance the roughening process. The electrochemical roughening method can be used on aluminum alloys in general, including but not limited to 6061 and LP. The electrochemical roughening provides a smoothly rolling surface which does not entrap particles and which provides increased surface area for semiconductor process byproduct adhesion. The roughened surface provides an excellent surface for subsequent anodization.