미세구조 소자의 고장분석에 있어서 고감도로 이상을 검출할 수 있는 반도체 검사장치를 제공한다. 반도체 검사 장치는 시료가 놓여지는 시료대(6); 시료에 전자빔을 조사하도록 구성된 전자광학계(1); 시료와 접촉하도록 구성된 측정 프로브(3); 측정 프로브로부터의 출력을 측정하도록 구성된 측정 장치(8); 및 샘플에 대한 전자빔의 방사에 응답하여 측정 프로브로부터의 출력의 측정값을 획득하도록 구성된 정보 처리 장치(9)를 포함한다. 정보 처리 장치는 시료에 대한 전자빔의 조사를 시작하는 타이밍과 전자빔의 방사선을 동결하는 타이밍을 설정하며, 측정 장치가 다음 상태에서 측정 프로브의 출력을 측정하는 첫 번째 측정 기간 전자빔을 시료에 조사하고, 전자빔의 방사가 동결된 후 측정장치가 측정프로브의 출력을 측정하고 이에 대한 응답으로 측정프로브의 출력의 측정값을 구하는 제2 측정기간 제 1 측정 기간에서 측정된 제 1 측정값과 제 2 측정 기간에서 측정된 제 2 측정값 사이의 차이로부터 샘플에 대한 전자빔의 방사에 관한 것이다.
There is provided a semiconductor inspection device capable of detecting an abnormality with high sensitivity in a failure analysis of a fine-structured device. The semiconductor inspection device includes: a sample stage 6 on which a sample is placed; an electron optical system 1 configured to radiate an electron beam to the sample; a measurement probe 3 configured to come into contact with the sample; a measurement device 8 configured to measure an output from the measurement probe; and an information processing device 9 configured to acquire a measurement value of the output from the measurement probe in response to radiation of the electron beam to the sample. The information processing device sets a timing to start the radiation of the electron beam to the sample and a timing to freeze the radiation of the electron beam, a first measurement period in which the measurement device measures the output from the measurement probe in a state where the electron beam is radiated to the sample, and a second measurement period in which the measurement device measures the output from the measurement probe after the radiation of the electron beam is frozen, and obtains the measurement value of the output from the measurement probe in response to the radiation of the electron beam to the sample from a difference between a first measurement value measured in the first measurement period and a second measurement value measured in the second measurement period.