본 발명은, 반도체집적회로의 제조공정에 있어서 사용되는, 저유전율 층간절연막이나 코발트 또는 코발트합금의 데미지를 억제하면서, 하드마스크나 드라이에칭 잔사를 제거하는 반도체소자의 세정용 액체 조성물 및 이것을 이용한 반도체소자의 세정방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 반도체소자의 세정용 액체 조성물은, 과산화수소를 10~30질량%, 수산화칼륨을 0.005~0.7질량%, 아미노폴리메틸렌포스폰산을 0.00001~0.01질량%, 아민류 및 아졸류로부터 선택되는 적어도 1종을 0.001~5질량% 및 물을 포함한다. 이 세정용 액체 조성물을 반도체소자와 접촉시킴으로써 반도체소자를 세정할 수 있다.
The objective of the present invention is to provide a liquid semiconductor device cleaning composition used in a process of fabricating a semiconductor integrated circuit, for removing a hard mask or a dry etch residue while suppressing damage to a low-dielectric-constant interlayer dielectric film and cobalt or a cobalt alloy, and to a method for cleaning a semiconductor device using the same. The liquid semiconductor device cleaning composition of the present invention comprises hydrogen peroxide at 10-30% by mass, potassium hydroxide at 0.005-0.7% by mass, aminopolymethylene phosphoric acid at 0.00001-0.01% by mass, at least one selected from amines and azoles at 0.001-5% by mass and water. A semiconductor device can be cleaned by bringing the liquid cleaning composition into contact with the semiconductor device.