반도체 장치를 위한 쇼트키 접촉 구조체는 쇼트키 접촉부 및 상시 쇼트키 접촉부 상에 배치된 접촉 구조체용 전극을 갖는다. 상기 쇼트키 접촉부는 다음을 포함한다: 반도체와 쇼트키 접촉하는 제1 금속의 제1층; 상기 제1 층 상의, 제2 금속의 제2 층; 상기 제2 층 상의, 제1 금속의 제3 층; 및 상기 제3 층 상의, 제2 금속의 제4 층. 쇼트키 접촉부 상에 배치된 쇼트키 접촉 구조체용 전극은 제3 금속을 포함하고, 상기 제2 금속은 상기 제1 금속 및 상기 제3 금속 사이의 이동에 대한 배리어를 제공한다.
A Schottky contact structure (18) for a semiconductor device (10) having a Schottky contact (20) and an electrode (22) for the contact structure disposed on the contact. The Schottky contact comprises: a first layer (24) of a first metal in Schottky contact with a semiconductor; a second layer (26) of a second metal on the first layer; a third layer (28) of the first metal on the second layer; anda fourth layer (30) of the second metal on the third layer. The electrode for the Schottky contact structure disposed on the Schottky contact comprises a third metal (22), the second metal providinga barrier against migration between the third metal and the first metal.