CdS 형성 시 발생할 수 있는 핀 홀을 절연성이 우수한 i-ZnO으로 채워 효율 저하를 최소화 시킬 수 있다.
The decline in efficiency can be minimized by filling the pinholes that may occur during CdS formation with i-ZnO with excellent insulation.