발명의 실시예에 따르면, 플래시 메모리와 같은 비휘발성 메모리는 다이의 패키징이 이루어진 후에 단일 다이를 설정하기 위해 사용된다. 따라서, 다양한 어플리케이션이 단일 다이 또는 주어진 어플리케이션에서 나타날 수 있는 최적화에 의해 지원될 수 있다. 발명의 실시예에 따르면, 비휘발성 메모리는 패키지 와류, 수정 변동량, 출력 디바이더, 출력 듀티 사이클, 출력 에지 비율, I/O 설정 및 발진기 게인과 같은 파라메터를 표준화하기 위해 프로그래밍 인터페이스, 바람직하게는 2핀 프로그래밍 인터페이스를 통해 접속될 수 있다. 발명의 일 실시예에 따르면, XO 회로 설정은 비휘발성 메모리와 XO에 의해 생성된 참조 주파수를 합성하기 위해 XO 회로 설정이 PLL을 포함하지 않는 독립형 XO를 포함한다.
According to embodiments of the invention, a nonvolatile memory such as a flash memory is used to configure a single die after packaging of the die has occurred. Thus, numerous applications may be supported by a single die or optimization within a given application may occur. According to embodiments of the invention, the nonvolatile memory may be accessed through a programming interface, and preferably, through a two-pin programming interface, to normalize parameters such as package parasitics, crystal variations, output dividers, output duty cycle, output edge rates, I/O configuration, and oscillator gain. According to an embodiment of the invention, an XO circuit configuration includes a nonvolatile memory and a stand-alone XO, where the XO circuit configuration does not require a PLL to synthesize a reference frequency produced by the XO.