[과제] 반도체 장치 제조의 리소그래피 프로세스에 이용하기 위한 내열성을 구비한 레지스트 하층막, 그리고 전자 디바이스에 이용하기 위한 투명성을 구비한 고굴절률막을 제공한다. [해결수단] 하기 식(1):  식(1) 중, R1, R2, R3 및 R5는 각각 수소원자를 나타내고, R4는 페닐기 또는 나프틸기로 표시되는 단위구조를 포함하는 폴리머. 상기 폴리머를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물 및 이로부터 형성되는 레지스트 하층막. 상기 폴리머를 포함하는 고굴절률막 형성 조성물 및 이로부터 형성되는 고굴절률막.
There is provided a resist underlayer film having heat resistance that is used for a lithography process in the production of semiconductor devices, and a high refractive index film having transparency that is used for an electronic device. A polymer comprising a unit structure of Formula (1):  wherein each of R1, R2, R3, and R5 may be a hydrogen atom, R4 may be phenyl group or naphthyl group. A resist underlayer film forming composition comprising the polymer, and a resist underlayer film formed from the composition. A high refractive index film forming composition comprising the polymer, and a high refractive index film formed from the composition.