면적이 크고 단위면적 당 칩 밀도가 높은 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 표시 소자 및 그 제조 방법을 제공한다.본 발명의 전계 방출 표시 소자는 하부 기판 30상에 형성된 음전극용 제 1 금속막 32와 제1 금속막 32상에 형성된 복수개의 미세 구멍 40을 가지는 절연막 패턴 34 a 및 제2 금속막 패턴 36 a를 구비하고 있다. 미세 구멍 40 내에는 전도성 고분자막 42가 형성되고 전도성 고분자막 42 내에는 수직 방향으로 배열된 이미터 칩용 탄소 나노튜브 44가 형성되어 있다. 제2 금속막 패턴 36 a에는 스페이서가 설치되고 스페이서상에는 표면에 투명 전극 및 형광체가 부착된 상부 기판이 마련되어 있다. 따라서, 본 발명의 전계 방출 표시 소자는 제2 금속막 및 절연막에 미세 구멍 40을 형성한 후에 미세 구멍 40에 탄소 나노튜브 44를 살포하는 제조 방법에 의해 대면적화가 가능하다.
To provide a field emission display element using carbon nanotubes, having a large area and a large number of chips per unit area, and to provide a manufacturing method thereof.  This field emission display element is equipped with a first metallic film 32 for a cathode electrode formed on a lower substrate 30, and an insulating film pattern 34a and a second metallic film pattern 36a, formed on the first metallic film 32 and having a plurality of minute holes 40. A conductive polymer film 42 is formed in each minute hole 40, and nanotubes 44 for use as emitter chips are vertically embedded in each conductive polymer film 42. The second metallic film pattern 36a is provided with a spacer, and the spacer is provided with an upper substrate attached with a transparent electrode and a phosphor. The area of this field emission display element can be enlarged by the manufacturing method of dispersing the carbon nanotubes 44 in the fine holes 40 after the fine holes 40 are formed in the second metallic film and in the insulating film.