기판 상에서 구리 응집을 제어하고 집적 회로 내의 오목부를 공극 없이 벌크 구리 금속으로 충전하기 위한 방법을 제공한다. 일 실시형태에 있어서, 본 방법은 적어도 측벽면과 바닥면을 포함하는 하나 이상의 오목부 및 상면을 포함하는 토포그래피를 갖는 기판을 제공하는 단계와, 그 기판 토포그래피 상에 장벽막을 증착하는 단계와, 상기 장벽막 상에 금속을 함유한 습윤막을 증착하는 단계를 포함한다. 본 방법은 금속 함유 습윤막 상에 구리 금속을 증착하는 단계를 더 포함하고, 기판 온도는 금속 함유 습윤막 상에 매끄러운 구리 금속 시드층을 형성하기에 충분히 높다. 하나 이상의 오목부에는 공극 없는 벌크 구리 금속이 도금된다.
A method is provided for controlling copper agglomeration on a substrate and for forming void-free bulk copper metal filling of recessed features in integrated circuits. In one embodiment, the method includes providing a substrate having a topography including a top surface and at least one recessed feature comprising at least a sidewall surface and a bottom surface, depositing a barrier film on the substrate topography, and depositing a metal-containing wetting film on the barrier film. The method further includes physical vapor depositing copper metal on the metal- containing wetting film, where the substrate temperature is sufficiently high to form a smooth copper metal seed layer on the metal-containing wetting film. Void-free bulk copper metal may be plated in the at least one recessed feature.