본 발명은 일반적으로 챔버내에 가스 농도의 균일한 분배를 제공하는 가스 분배기(54)를 갖는 기판 프로세싱 챔버(14)를 제공한다. 보다 구체적으로는, 본 발명은 프로세싱 챔버 내에서 가스 농도의 일정한 분배를 제공하는 프로세싱 챔버내에 프로세스 가스를 분배하기 위한 장치를 제공한다. 본 발명의 또다른 관점은 CVD, PVD 및 에칭 챔버에 사용될 수 있는 가스 분배를 위한 장치를 제공한다. 본 발명은 일반적으로 기판 프로세싱 챔버내에 가스를 분배하기 위한 장치를 제공하며, 상기 장치는 가스 분배내에 배치된 도관(50)을 갖는 가스 투과성의 재료로 만들어진 가스 분배기를 포함한다.
The present invention generally provides a substrate processing chamber (14) having a gas distributor (54) that provides a uniform distribution of a gas concentration within the chamber. More particularly, the present invention provides an apparatus for distributing a process gas within a processing chamber that provides a uniform distribution of gas concentration within the processing chamber. Another aspect of the present invention provides for such an apparatus for gas distribution that can be used in CVD, PVD and etching chambers. The present invention generally provides an apparatus for distributing gas within a substrate processing chamber comprising a gas distributor (54) made of gas permeable material having a conduit (50) disposed within the gas distributor.