유기 금속 기상 에피택시 (MOVPE : metal-organic vapor phase epitaxy)를 사용하여 ZnS 및 ZnSe와 같은 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체로된 적어도 하나의 에피텍셜층을 성장시키는 방법이 제공되며, 이 방법은 약 10 내지 1 밀리토르(mTorr) 범위의 압력에서 기판을 MOVPE 반응기내의 유기 금속 및 하이드라이드 전구물질에 쪼이게 하는 단계를 포함한다. 따라서, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체의 안정한 에피택셜층이 형성될 수 있다. 발광 다이오드 및 가시광선 스펙트럼의 청색 영역에서 동작하는 다이오드 레이저는 이러한 에피텍셜층에 형성될 수 있다.
A method of growing at least one epitaxial layer of a II-VI-semiconductor compound, such as ZnS or ZnSe, using metal-organic vapour phase epitaxy (MOVPE), which method comprises the steps of subjecting a substrate to organometallic and hydride precursor compounds in an MOVPE reactor at pressures in the range of from about 10 to 1 mTorr. Thus stable epitaxial layers of II-VI-semiconductor compounds can be formed. Light-emitting diodes (LEDs) and diode lasers operating in the blue region of the visible spectrum can be formed in theses epitaxial layers.