구리 배선을 가지는 반도체 기재를 케미컬 메카니컬 연마하는데 유용한 수성 슬러리를 제공한다. 슬러리는 산화제0~25중량%, 연마용 입자 0.1~50 중량%, 구리 배선의 정적 식각을 줄이기 위한 억제제 0.001~10 중량%, 식 (식 중, n는 적어도 5 값을 가진다)를 가지며, 수용성인 폴리(메틸 비닐 에테르) 0.001~5 중량%, 아미노낙산 0.005~1 중량%, 인 함유 화합물 0.01~5 중량%, 구리착화제0~10중량% 및 잔여로서의 물을 포함한다.
To provide an aqueous slurry useful for chemical mechanical polishing of a semiconductor substrate having copper interconnects. The slurry comprises, by weight percent, 0 to 25 oxidizing agent, 0.1 to 50 abrasive particles, 0.001 to 10 inhibitor for decreasing static etch of the copper interconnects, 0.001 to 5 poly(methyl vinyl ether) having a formula. The poly(methyl vinyl ether) is water soluble and n has a value of at least 5, 0.005 to 1 aminobutyric acid, and the slurry comprises, by weight percent, 0.01 to 5 phosphorus-containing compound, 0 to 10 copper complexing agent and balance water.