본 발명은 유전층이 제공된 웨이퍼의 미세구조화 및 이면의 미세 구조화된 영역 및 이면의 이미터 확산의 도핑에 기반을 두는 이면 접촉을 가지는 태양 전지의 생성방법에 관한 것이다. 그 후에, 금속-포함 핵형성층을 증착하고 이면 접촉의 갈바닉 보강을 실행한다. 본 발명은 또한 이와 같이 생성될 수 있는 태양 전지에 관한 것이다. 
A method for producing solar cells with back side contacting, which is based on a microstructuring of a wafer provided with a dielectric layer and a doping of the microstructured regions on the back side and also an emitter diffusion on the front side. Subsequently, the deposition of a metal-containing nucleation layer and also a galvanic reinforcement of the contactings on the back side is effected. Solar cells which can be produced in accordance with the foregoing method.