우수한 도전성과 성막 시에 이상 방전을 억제한 투명 도전막의 성막을 가능하게 하는 티타늄( 저원자가) 도프 산화 아연계 투명 도전막 형성 재료를 제공한다. 저원자가 산화티탄 분말과 산화아연 분말 또는 수산화 아연 분말과의 혼합가루, 또는 티타늄산 아연 화합물 분말을 포함하고 티타늄의 원자수의 전체 금속 원자수에 대한 비율이2% 초과10% 이하인 원료 분말을 이용하여 진공 중 또는 불활성 분위기 중에서 700℃이상 1200℃이하의 소결 온도에서 방전 플라스마 소결을 한다.
To provide a titanium (low valence)-doped zinc oxide-based transparent conductive film-forming material enabling film formation of the transparent conductive film having excellent conductivity and being suppressed in abnormal discharge at film formation. The method for manufacturing the zinc oxide-based transparent conductive film-forming material uses a raw material powder containing a mixed powder of a low-valence titanium oxide powder and a zinc oxide powder or a zinc hydroxide powder, or a zinc titanate compound powder, and having a proportion of the number of titanium atoms to the total number of metal atoms of >2% and  10%, and includes discharge plasma sintering in vacuum or in an inert atmosphere at ≥700°C and  1,200°C.