성장 온도가 증가함에 따라 형광체 박막의 모든 발광 세기는 증가하는 경향을 보였으며, 성장 온도 400℃에서 증착된 형광체 박막의 발광 세기는 최대를 보였다.
Because the growth temperature increased, all luminescence intensity of the phosphor thin film revealed a propensity to improve, and the luminescence intensity of the phosphor thin film deposited at a growth temperature of 400°C was maximum.