하나 또는 그 이상의 도파관(25') 단부에 정렬된 하나 또는 그 이상의 광성분(35')을 포함하는 광소자는 먼저 도프 실리카 코어층(20)이 기판상에 적층되고, 상기 코어층에 통상 1-5㎛ 두께의 부분 피복층(30A)이 적층되는 공정으로 제조된다. 상기 부분 피복층과 코어층은 상기 광성분 및 도파관 코어를 동시에 형성하도록 패터닝 및 에칭된다. 그후, 상기 피복은 다른 피복층(30B)가 적층됨으로써 완성된다. 본 제조방법을 격자 바탕(grating-based) NBWDM 장치에 적용할 경우, 격자의 금속화는 제 2 피복부의 적층보다 먼저 또는 그 이후에 이루어질 수 있다. 모든 경우에 있어서, 상기 제 2 피복부의 적층에는 저온 적층공정이 요구된다.
An optical component comprising one or more optical elements (35') aligned with the end(s) of one or more waveguides (25') is fabricated by a process in which, first of all, a doped silica core layer (20) is deposited on a substrate (10) (or on a buffer layer on the substrate), and subsequently a partial overclad layer (30A) typically 1-5 mum thick is deposited on the core layer. The partial overclad layer and core layer are patterned and etched so as simultaneously to define the optical element(s) and the waveguide core(s). Afterwards, the overclad is completed by depositing a further overclad layer (30B). In the case of application of this fabrication method to a grating-based NBWDM device, the metallisation of the grating can precede or follow the deposition of the second overclad portion (30B). In either case, low-temperature deposition processes are required for deposition of this second overclad portion.