본 발명은 초기 도핑(p+)된 반도체 기판(102)의 표면(106)에 배치된 반도체 디바이스(100)에 관한 것으로서, 상기 디바이스는 전도율이 높은 재로, 특히 기판과 다른 재료로 된 하나 이상의 플러그(121), 특히 금속 플러그를 포함하는 전기 접속부(101)를 상기 초기에 도핑된 기판(102)과 기판(106)의 표면 사이에 포함한다. 디바이스는 패키지(300) 상의 접지 핀(301)에 접속되도록 배치된 하나 이상의 접지 접속부(E)를 포함한다. 접지 접속부(E)는 상기 전기 접속부(101)를 사용하여 상기 접지 핀(301)에 접속되도록 배치되는데, 여기에서 초기에 도핑된 기판(102)은 상기 표면(106)에 대향하는 기판(124)의 후부를 통해 상기 접지 핀(301)에 접속되도록 배치되어, 그로인해 상기 접지 접속부(E)와 상기 접지 핀(301) 사이가 접속되도록 배치된다.
The present invention relates to a semiconductor device (100) arranged at a surface (106) of a semiconductor substrate (102) having an initial doping (p+) having an electrical connection (101) comprising at least one plug (121) made of a material with a high conductivity, especially a material other than the substrate, especially a metal plug, between said initially doped substrate (102) and said surface of the substrate (106). The device has at least one ground connection (E) arranged to be connected to a ground pin (301) on a package (300). The ground connection (E) is arranged to be connected to said ground pin (301) using said electrical connection (101), where the initially doped substrate (102) is arranged to be connected to said ground pin (301) via a reverse side of the substrate (124), opposite said surface (106), and thereby being arranged to establish a connection between said ground connection (E) and said ground pin (301).