고정밀도, 고품질의 포토마스크나 마이크로디바이스를 제조하는 것을 목적으로 한다. 마스크 (Ri) 의 주변영역 (52) 에 마크 (53) 를 형성하고, 이 마크에 상대하는 위치에 형성된 마크 (63) 및 패턴영역 (61) 에 형성된 마크 (64 ~ 66) 를 갖는 관리용 마스크 (60) 를 준비한다. 관리용 마스크 (60) 의 마크 (64 ~ 66) 의 투영상을 계측하여, 마크 (64 ~ 66) 의 투영상의 이상위치로부터의 어긋남량이 최소로 되도록 투영배율을 조정하는 등에 의해 결상특성을 보정하고, 이 때의 마크 (63) 의 투영상의 위치를 계측하여 둔다. 마스크 (Ri) 의 패턴 (Pi) 의 전사시에, 마스크 (Ri) 의 마크 (53) 의 투영상의 위치를 계측하고, 그 위치가 관리용 마스크의 마크 (63) 의 위치에 실질적으로 일치하도록 결상특성을 보정한 상태로 마스크 (Ri) 의 패턴 (Pi) 을 감광기판 (4) 상에 전사한다.
The object is the production of high accuracy, high quality photomask or microdevice. A mark (53) is formed in a peripheral area (52) of a mask (Ri) and a control use mask (60) having a mark (63) formed at a position facing said mark and marks (64 to 66) formed in a pattern area (61) is prepared. The projected images of the marks (64 to 66) of the control use mask (60) are measured, the projection magnification is adjusted etc. to correct the imaging characteristics so as to give the smallest amount of offset of projected images of the marks (64 to 66) from their ideal positions, and the position of the projected image of the mark (63) at that time is measured. When transferring the pattern (Pi) of the mask (Ri), the position of the projected image of the mark (53) of the mask (Ri) is measured and the pattern (Pi) of the mask (Ri) is transferred on a photosensitive substrate (4) so that the position is substantially in register with the position of the mark (63) of the control use mask.  