전기 특성이 양호하고 신뢰성이 높은 박막 트랜지스터 및 그 박막 트랜지스터를 스위칭 소자로서 포함하는 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 할로 형상(halo shape) 패턴이 나타나는 종래 공지의 아몰퍼스(amorphous) 상태, 및 스폿이 명확히 나타나는 종래 공지의 결정 상태와도 다른 전자 회절 패턴을 나타내는 인큐베이션 상태(incubation state)를 갖는 In-Ga-Zn-O계 막을 형성한다. 인큐베이션 상태를 갖는 In-Ga-Zn-O계 막은 채널 에칭형 박막 트랜지스터의 채널 형성 영역으로서 이용된다.
It is an object to provide a thin film transistor having favorable electric characteristics and high reliability and a semiconductor device which includes the thin film transistor as a switching element. An In-Ga-Zn-O-based film having an incubation state that shows an electron diffraction pattern, which is different from a conventionally known amorphous state where a halo shape pattern appears and from a conventionally known crystal state where a spot appears clearly, is formed. The In-Ga-Zn-O-based film having an incubation state is used for a channel formation region of a channel etched thin film transistor.