위상 변화 셀 구조들과 연관된 방법들 및 디바이스들이 여기서 기술된다. 하나 이상의 실시예들에서, 위상 변화 셀 구조를 형성하는 방법은 하부 전극을 포함하는 기판 돌출부를 형성하는 단계, 기판 돌출부 상에 위상 변화 재료를 형성하는 단계, 위상 변화 재료 상에 도전 재료를 형성하는 단계 및 캡슐화된 스택 구조를 형성하도록 도전 재료의 일부 및 위상 변화 재료의 일부를 제거하는 단계를 포함한다. 
Methods and devices associated with phase change cell structures are described herein. In one or more embodiments, a method of forming a phase change cell structure includes forming a substrate protrusion that includes a bottom electrode, forming a phase change material on the substrate protrusion, forming a conductive material on the phase change material, and removing a portion of the conductive material and a portion of the phase change material to form an encapsulated stack structure.