게이트 절연막(703)은 고밀도 플라즈마 처리, 열처리 등을 행함으로써 반도체막(702)의 표면을 산화 또는 질화함으로써 형성할 수 있다.
The gate insulating film 703 may be formed by oxidizing or nitriding the surface of the semiconductor film 702 by performing high-density plasma treatment, heat treatment, or the like.