제1 게이트 전극(121a), 제2 게이트 전극(121b), 센싱 스토리지 배선(Vst2), 게이트 배선(GL2) 및 공통 배선(CL2) 위에는 게이트 절연막(115a)이 배치될 수 있다.
A gate insulating layer 115a may be disposed on the first gate electrode 121a, the second gate electrode 121b, the sensing storage line Vst2, the gate line GL2, and the common line CL2.