하기 식 (1) 로 나타내는 화합물, 및 그 화합물을 기판 상에 형성된 산화물 반도체 미립자의 박막에 담지시킨 광전 변환 소자를 제공한다. (식 (1) 중, m1 은 1 내지 4 의 정수를 나타내고; M 은 반금속 원자를 나타내고; Y1, Y2 및 Y3 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 방향족 잔기를 나타내고; Z1 및 Z2 는 각각 독립적으로 할로겐 원자를 나타내고; Ar1 및 Ar2 는 각각 독립적으로 방향족 고리를 나타내고; X1 은 방향족 고리(들) Ar1 및/또는 Ar2 상의 치환기로서, 하기 식 (2), (3) 및 (4) 로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 치환기를 나타냄:)
Provided are a compound represented by formula (1) and a photoelectric conversion element in which the compound is supported within a thin layer of oxide semiconductor fine particles disposed upon a substrate. (In formula (1), m1 represents an integer from 1 to 4; M represents a metalloid atom; Y1, Y2, and Y3 each independently represent a hydrogen atom or an aromatic residue; Z1 and Z2 each independently represent a halogen atom; Ar1 and Ar2 each independently represent an aromatic ring; and X1 is a substituent on aromatic ring(s) Ar1 and/or Ar2 and represents either one or more substituents selected from the group consisting of formulas (2), (3), and (4).)