결과는 전형적인 쌍극성 저항성 메모리 스위칭 특성을 보여주며, 상부전극에 음의 전계를 인가하였을 때, 고저항 상태에서 저저항 상태로 스위칭되는 set 과정이 전개되었다.
The results show typical bipolar resistive memory switching characteristics, and each time a negative electric industry is applied to the upper electrode, switching from a high resistance state to a low resistance state The set process was developed.