디바이스 영역이 손상되지 않고 양호하게 웨이퍼를 이면 연삭하는 것. 본 발명의 연삭 방법으로 연삭하는 웨이퍼(W)는 표면(Wa)에 볼록 형상의 디바이스(D)를 구비하는 디바이스 영역(W1)과 디바이스 영역을 위요하는 외주 잉여 영역(W2) 사이에 단차가 존재한다. 우선 웨이퍼의 디바이스 영역 및 상기 외주 잉여 영역의 경계를 따라 웨이퍼의 두께 방향 도중까지의 깊이이며 디바이스 영역과 외주 잉여 영역을 분단하는 분단 홈 (W4)을 형성한다. 이어서 웨이퍼의 표면 측에 보호 테이프(T)를 접착한다. 그 후 보호 테이프(T) 측을 척 테이블(21)에 지지하고 웨이퍼의 이면(Wb) 측에서 연삭 휠(25)로 마무리 두께까지 연삭한다. 이 연삭에 의해 웨이퍼의 이면 측에 분단 홈이 표출하고 웨이퍼가 디바이스 영역과 외주 잉여 영역에 분단되고 웨이퍼의 외주 잉여 영역이 척 테이블에 낙하해 지지된다.
To make it possible to satisfactorily grind a rear face of a wafer without damaging a device area. In a wafer (W) to be ground by this grinding method, there is a step between a device area (W1) comprising a convex-shaped device (D) on a front face (Wa) and an outer peripheral excess area (W2) which surrounds the device area. First, a division groove (W4), which has a depth to a thickness direction middle of the wafer and divides the device area and the outer peripheral excess area, is formed along a boundary between the device area of the wafer and the outer peripheral excess area. Next, a protective tape (T) is bonded to a front face side of the wafer. Thereafter, the protective tape (T) side is held on a chuck table (21), and grinding from a rear face (Wb) side to a finish thickness is performed by a grinding wheel (25). By this grinding, the division groove is appeared on the rear face side of the wafer, the wafer is divided into the device area and the outer peripheral excess area, and the outer peripheral excess area of the wafer is dropped and held on the chuck table.