반도체 기판 상의 접촉 구역을 노출시키기 위해, 프로세싱 방법들이 수행될 수 있다. 방법들은, 노출된 제1 유전체 재료에 대해 반도체 기판 상의 제1 금속을 선택적으로 리세싱하는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은, 리세싱된 제1 금속 및 노출된 제1 유전체 재료 위에 라이너를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은, 라이너 위에 제2 유전체 재료를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은, 제2 유전체 재료의 선택된 구역들 위에 하드 마스크를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 또한, 리세싱된 제1 금속 위에 놓인 라이너의 부분을 노출시키기 위해 제2 유전체 재료를 선택적으로 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
Processing methods may be performed to expose a contact region on a semiconductor substrate. The methods may include selectively recessing a first metal on a semiconductor substrate with respect to anexposed first dielectric material. The methods may include forming a liner over the recessed first metal and the exposed first dielectric material. The methods may include forming a second dielectricmaterial over the liner. The methods may include forming a hard mask over selected regions of the second dielectric material. The methods may also include selectively removing the second dielectric material to expose a portion of the liner overlying the recessed first metal.