메모리 디바이스 및 동작 방법이 비휘발성 메모리 셀들의 어레이 및 제어기를 포함한다. 제어기는 제1 에너지 마진을 갖는 동작 전압들을 사용하여 제1 복수의 비휘발성 메모리 셀들에 대해 동작(예컨대, 소거, 프로그래밍 등)을 수행하도록, 그리고 제1 에너지 마진보다 더 큰 제2 에너지 마진을 갖는 동작 전압들을 사용하여 제2 복수의 비휘발성 메모리 셀들에 대해 동일한 동작을 수행하도록 구성된다. 에너지 마진들을 변화시키는 동작들은 에너지 및 사용을 줄이기 위해 저장되는 데이터의 필요한 저장 수명(보다 짧은 기간 동안 저장되는 데이터의 경우에 보다 낮은 에너지 마진들)에 기초한다.
A memory device, and method of operation are disclosed. The device includes an array of non-volatile memory cells and a controller. The controller is configured to perform an operation (e.g. erase, program, etc.) on a first plurality of the non-volatile memory cells using operational voltages with a first energy margin, and perform the same operation on a second plurality of the non-volatile memory cells using operational voltages with a second energy margin that is greater than the first energy margin. The operations of varying energy margins are based on the required storage longevity of thedata being stored (lower energy margins for data being stored for shorter periods of time) to save energy and wear.