반도체 제조 공정은 바람직하게는 SOI(semiconductor on insulator) 웨이퍼로 사용된다. 웨이퍼의 활성층(106)은 양축성으로 제한되고, 제1및 제2 영역을 갖는다. 제2 영역은 아몰파이즈되어 그 스트레인 컴포넌트(들)(strain component)을 변경한다. 웨이퍼는 어닐되어 무결정형 반도체를 재결정화한다. 제1 및 제2 형의 트랜지스터는 제1 및 제2 영역 각각에서 제조된다. 활성층의 제3 및 가능하게는 제4 영역은 처리되어서 그 스트레인 특성을 변경할 수 있다. 희생적인 스트레인 구조는 제3 영역 위에 놓여서 형성될 수 있다. 스트레인 구조는 압축형일 수 있다. 웨이퍼를 적절한 곳에 스트레인 구조로 어닐링하는 경우, 그 스트레인 특성들은 제3 활성층 영역 상에 반영될 수 있다. 제4 활성층 영역은 트랜지스터 스트레인으이 폭 방향에 평행한 줄무늬로 아몰파이즈되어 폭 방향으로 단일축 방향으로 제공될 수 있다.
A semiconductor fabrication process preferably used with a semiconductor on insulator (SOI) wafer. The wafer's active layer is biaxially strained and has first and second regions. The second region is amorphized to alter its strain component(s). The wafer is annealed to re-crystallize the amorphous semiconductor. First and second types of transistors are fabricated in the first region and the second region respectively. Third and possibly fourth regions of the active layer may be processed to alter their strain characteristics. A sacrificial strain structure may be formed overlying the third region. The strain structure may be a compressive. When annealing the wafer with the strain structure in place, its strain characteristics may be mirrored in the third active layer region. The fourth active layer region may be amorphized in stripes that run parallel to a width direction of the transistor strain to produce uniaxial stress in the width direction.