寬能隙半導體用於光電元件有以下四種材料，砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、磷化銦(InP)與藍寶石(Sapphire)，碳化矽(SiC)在2017年被業界引入成為第五種。其中砷化鎵(GaAs)運於雷射二極體與發光二極體，近期最受矚目的應用是面射型雷射(VCSEL)呈現蓬勃的狀況，估計保持去年的水準；而應用於LED產業最多的藍寶石(Sapphire)，因景氣急遽下滑衰退最大，至於對磷化銦(InP)寄望除了期望對光收發器的新需求以改善5G的通信網絡之外，預計對資料中心流量有關的設備元件需求也會有成長。
砷化鎵(GaAs)材料應用於發光二極體與雷射二極體等光電元件與電源放大器(PA)與天線轉換開關等電子裝置。關於2019年砷化鎵(GaAs)的產業狀況，在光電元件的應用上，由於中國大陸市場低迷，包含疲弱需求，以電源放大器(PA)與轉換開關等電子裝置方面，隨著5G相關產品的穩定增長。2019年的砷化鎵(GaAs)用於光電元件市場比2018年衰退14.28%(日幣統計)，再加上因2019年日幣兌美元比2018年貶值9%，整體呈現21.5%衰退。
作為寬能隙半導體家族的老成員，InP晶圓市場由高速光纖通信市場所主導，因為InP能夠發射和檢測1000nm以上的波長。InP晶圓市場受光子市場的影響很大，InP是用於電信和資料中心有線通訊應用的收發模組中雷射二極管不可少的材料。現在由於5G的到來以及通信間資料量的驚人增長，InP晶圓和Epiwafer的需求量將非常大幅成長。隨著對更高速度下更多數據傳輸的需求，收發器技術正在遷移到提供更高速率（100GbE和400GbE）的技術，因此InP則受青睞。根據Yole在最新報告中預測，到2024年市場將達到1.72億美元，2018年至2024年的複合成長率為14％。